TW201808628A - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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film
resin layer
insulating layer
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Masakatsu Ohno
Seiji Yasumoto
Naoki Ikezawa
Satoru Idojiri
Shunpei Yamazaki
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Semiconductor Energy Lab
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    • H10K77/111—Flexible substrates

Abstract

本發明的一個實施方式提高顯示裝置的製程的良率。此外，本發明的一個實施方式提高顯示裝置的量產性。在基板上形成包含氫的層。接著，在包含氫的層上形成包含氧的層。接著，使用包含樹脂或樹脂前體的材料在包含氧的層上形成第一層。接著，藉由對第一層進行第一加熱處理來形成樹脂層。接著，在樹脂層上形成被剝離層。並且，使被剝離層與所述基板分離。第一加熱處理在包含氧的氛圍下進行。

Description

半導體裝置的製造方法
本發明的一個實施方式係關於一種剝離方法、半導體裝置的製造方法及顯示裝置的製造方法。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如，觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如，觸控面板等)以及上述裝置的驅動方法或製造方法。
注意，本說明書等中的半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置。電晶體、半導體電路、顯示裝置、發光裝置、輸入裝置、輸入輸出裝置、算術裝置及記憶體裝置等都是半導體裝置的一個實施方式。另外，攝像裝置、電光裝置、發電裝置(包括薄膜太陽能電池或有機薄膜太陽能電池等)及電子裝置有時包括半導體裝置。
已知應用有機EL(Electro Luminescence：電致發光)元件或液晶元件的顯示裝置。作為一個例子，除了上述顯示裝置以外還可以舉出具備發光二極體(LED：Light Emitting Diode)等發光元件的發光裝置、以電泳方式等進行顯示的電子紙等。
有機EL元件的基本結構是在一對電極之間夾有包含發光性有機化合物的層的結構。藉由對該元件施加電壓，可以得到來自發光性有機化合物的發光。由於應用上述有機EL元件的顯示裝置可以實現薄型、輕量、高對比且低功耗的顯示裝置。
藉由在具有撓性的基板(薄膜)上形成電晶體等半導體元件或有機EL元件等顯示元件，可以實現撓性顯示裝置。
在專利文獻1中公開了經過犧牲層對設置有耐熱性樹脂層及電子元件的支撐基板照射雷射，將耐熱性樹脂層從玻璃基板剝離，製造撓性顯示裝置的方法。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2015-223823號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種成本低且產量高的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種良率高的剝離方法。本發明的一個實施方式的目的之一是使用大型基板進行剝離。本發明的一個實施方式的目的之一是使用大型基板製造半導體裝置或顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是使半導體裝置或顯示裝置的製程簡化。本發明的一個實施方式的目的之一是以低溫製造半導體裝置或顯示裝置。
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種功耗低的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種無論周圍的亮度如何都 具有高可見度的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種全天候型顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種方便性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是顯示裝置的薄型化或輕量化。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有撓性或具有曲面的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種不容易損壞的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。
注意，這些目的的記載並不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成包含氫的層；在包含氫的層上形成包含氧的層；使用包含樹脂或樹脂前體的材料在包含氧的層上形成第一層；藉由在包含氧的氛圍下對第一層進行第一加熱處理來形成樹脂層；在樹脂層上形成被剝離層；以及使被剝離層與基板分離。在形成被剝離層的製程中，例如在基板及樹脂層上形成覆蓋樹脂層的端部的絕緣層，可以在樹脂層上隔著絕緣層形成電晶體。較佳的是，在藉由將樹脂層的至少一部分從基板分離來形成分離起點之後，使被剝離層與基板分離。
較佳的是，在形成被剝離層的至少一部分之後，在包含氧的氛圍下還進行第二加熱處理。較佳為在第一加熱處理的溫度以下進行第二加熱處理。在第二加熱處理中，較佳為流過包含氧的氣體。
在第一加熱處理中，較佳為流過包含氧的氣體。較佳為在300℃以上且450℃以下進行第一加熱處理。
包含氫的層較佳為具有藉由加熱釋放氫的功能。包含氫的層較佳為包含氧化矽、氧氮化矽和非晶矽中的至少一個。
包含氧的層較佳為具有金屬氧化物。
可以使用黏度為5cP以上且小於100cP的溶液形成第一層。另外，也可以使用旋塗機形成第一層。
樹脂層較佳為以具有厚度為1μm以上且3μm以下的區域的方式形成。樹脂層較佳為包含聚醯亞胺。
較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成被剝離層。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種成本低且產量高的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種良率高的剝離方法。根據本發明的一個實施方式，可以使用大型基板進行剝離。根據本發明的一個實施方式，可以使用大型基板製造半導體裝置或顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以使半導體裝置或顯示裝置的製程簡化。根據本發明的一個實施方式，可以以低溫製造半導體裝置或顯示裝置。
根據本發明的一個實施方式，可以提供一種功耗低的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種無論周圍的亮度如何都具有高可見度的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種全天候型顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種方便性高的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以顯示裝置的薄型化 或輕量化。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種具有撓性或具有曲面的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種不容易損壞的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不一定必須具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的效果。
10A‧‧‧顯示裝置
10B‧‧‧顯示裝置
13‧‧‧黏合層
14‧‧‧形成用基板
20‧‧‧包含氫的層
21‧‧‧包含氧的層
22‧‧‧基板
23‧‧‧樹脂層
24‧‧‧第一層
25‧‧‧被剝離層
28‧‧‧黏合層
29‧‧‧基板
31‧‧‧絕緣層
32‧‧‧絕緣層
33‧‧‧絕緣層
34‧‧‧絕緣層
35‧‧‧絕緣層
40‧‧‧電晶體
41‧‧‧導電層
43a‧‧‧導電層
43b‧‧‧導電層
43c‧‧‧導電層
44‧‧‧金屬氧化物層
45‧‧‧導電層
49‧‧‧電晶體
60‧‧‧發光元件
61‧‧‧導電層
62‧‧‧EL層
63‧‧‧導電層
64‧‧‧切口
65‧‧‧器具
66‧‧‧雷射
67‧‧‧照射區域
74‧‧‧絕緣層
75‧‧‧保護層
75a‧‧‧基板
75b‧‧‧黏合層
76‧‧‧連接器
80‧‧‧電晶體
81‧‧‧導電層
82‧‧‧絕緣層
83‧‧‧金屬氧化物層
84‧‧‧絕緣層
85‧‧‧導電層
86a‧‧‧導電層
86b‧‧‧導電層
86c‧‧‧導電層
91‧‧‧形成用基板
92‧‧‧包含氫的層
93‧‧‧樹脂層
94‧‧‧包含氧的層
95‧‧‧絕緣層
96‧‧‧分隔壁
97‧‧‧彩色層
98‧‧‧遮光層
99‧‧‧黏合層
100‧‧‧顯示裝置
112‧‧‧液晶層
113‧‧‧電極
117‧‧‧絕緣層
121‧‧‧絕緣層
131‧‧‧彩色層
132‧‧‧遮光層
133a‧‧‧配向膜
133b‧‧‧配向膜
134‧‧‧彩色層
135‧‧‧偏光板
141‧‧‧黏合層
142‧‧‧黏合層
170‧‧‧發光元件
180‧‧‧液晶元件
191‧‧‧電極
192‧‧‧EL層
193‧‧‧電極
194‧‧‧絕緣層
201‧‧‧電晶體
203‧‧‧電晶體
204‧‧‧連接部
205‧‧‧電晶體
206‧‧‧電晶體
207‧‧‧連接部
211‧‧‧絕緣層
212‧‧‧絕緣層
213‧‧‧絕緣層
214‧‧‧絕緣層
216‧‧‧絕緣層
220‧‧‧絕緣層
221a‧‧‧導電層
221b‧‧‧導電層
222a‧‧‧導電層
222b‧‧‧導電層
223‧‧‧導電層
231‧‧‧半導體層
242‧‧‧連接層
243‧‧‧連接器
252‧‧‧連接部
300A‧‧‧顯示裝置
300B‧‧‧顯示裝置
300C‧‧‧顯示裝置
311‧‧‧電極
311a‧‧‧電極
311b‧‧‧電極
340‧‧‧液晶元件
351‧‧‧基板
360‧‧‧發光元件
360b‧‧‧發光元件
360g‧‧‧發光元件
360r‧‧‧發光元件
360w‧‧‧發光元件
361‧‧‧基板
362‧‧‧顯示部
364‧‧‧電路
365‧‧‧佈線
372‧‧‧FPC
373‧‧‧IC
381‧‧‧顯示部
382‧‧‧驅動電路部
400‧‧‧顯示裝置
410‧‧‧像素
451‧‧‧開口
800‧‧‧可攜式資訊終端
801‧‧‧外殼
802‧‧‧外殼
803‧‧‧顯示部
804‧‧‧顯示部
805‧‧‧鉸鏈部
810‧‧‧可攜式資訊終端
811‧‧‧外殼
812‧‧‧顯示部
813‧‧‧操作按鈕
814‧‧‧外部連接埠
815‧‧‧揚聲器
816‧‧‧麥克風
817‧‧‧照相機
820‧‧‧照相機
821‧‧‧外殼
822‧‧‧顯示部
823‧‧‧操作按鈕
824‧‧‧快門按鈕
826‧‧‧鏡頭
8000‧‧‧顯示模組
8001‧‧‧上蓋
8002‧‧‧下蓋
8003‧‧‧FPC
8004‧‧‧觸控面板
8005‧‧‧FPC
8006‧‧‧顯示面板
8009‧‧‧框架
8010‧‧‧印刷電路板
8011‧‧‧電池
9000‧‧‧外殼
9001‧‧‧顯示部
9003‧‧‧揚聲器
9005‧‧‧操作鍵
9006‧‧‧連接端子
9007‧‧‧感測器
9008‧‧‧麥克風
9055‧‧‧鉸鏈
9200‧‧‧可攜式資訊終端
9201‧‧‧可攜式資訊終端
9202‧‧‧可攜式資訊終端
在圖式中：圖1A至圖1F是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖2A至圖2E是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖3A至圖3D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖4A1、圖4A2、圖4A3和圖4B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖及俯視圖；圖5A至圖5C是示出顯示裝置的例子的俯視圖及剖面圖；圖6A至圖6C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖7A至圖7C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖8A和圖8B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖及俯視圖；圖9A和圖9B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖10A和圖10B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖11A和圖11B是示出顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖12A和圖12B是示出顯示裝置的製造方法的例子的剖面圖；圖13A至圖13E是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖及俯視圖； 圖14A和圖14B是示出顯示裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖；圖15是示出顯示裝置的一個例子的透視圖；圖16是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖；圖17A和圖17B是示出顯示裝置的例子的剖面圖；圖18A至圖18D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖19A和圖19B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖20A和圖20B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖21A至圖21D是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖22A和圖22B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖23A至圖23C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖；圖24A、圖24B1、圖24B2、圖24B3和圖24B4是示出顯示裝置的一個例子及像素的例子的圖；圖25是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖；圖26A和圖26B是示出顯示裝置的像素電路的一個例子的電路圖及示出像素的一個例子的圖；圖27是示出顯示模組的一個例子的圖；圖28A至圖28D是示出電子裝置的例子的圖；圖29A至圖29E是示出電子裝置的例子的圖；圖30A和圖30B是示出實施例1的樣本的TDS結果的圖；圖31是示出實施例2的剝離測試的結果的外觀照片；圖32A至圖32C是實施例2的樣本的剖面STEM照片。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在以下說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而有時省略其重複說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式所公開的位置、大小、範圍等。
注意，根據情況或狀況，可以互相替換用語“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。
在本說明書等中，金屬氧化物(metal oxide)是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體(包括透明氧化物導電體)和氧化物半導體(Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS)等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。
此外，在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物也稱為金屬氧化物(metal oxide)。此外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬 氧氮化物(metal oxynitride)。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖1A至圖14B對本發明的一個實施方式的剝離方法及顯示裝置的製造方法進行說明。
在本實施方式中，以包括電晶體及有機EL元件的顯示裝置(也稱為主動矩陣型有機EL顯示裝置)為例進行說明。該顯示裝置藉由作為基板使用具有撓性的材料，可以是撓性裝置。注意，本發明的一個實施方式不侷限於使用有機EL元件的發光裝置、顯示裝置及輸入輸出裝置(觸控面板等)，可以應用於使用其他功能元件的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置及輸入輸出裝置等各種裝置。
在本實施方式中，首先，在基板上形成包含氫的層。接著，在包含氫的層上形成包含氧的層。接著，使用包含樹脂或樹脂前體的材料在包含氧的層上形成第一層。接著，藉由對第一層進行第一加熱處理來形成樹脂層。接著，在樹脂層上形成被剝離層。較佳的是，在形成被剝離層的至少一部分之後進行第二加熱處理。並且，使被剝離層與基板分離。第一加熱處理及第二加熱處理較佳為在包含氧的氛圍下進行。在第一加熱處理及第二加熱處理中，較佳為流過包含氧的氣體。
注意，根據條件等，有時只要在第一加熱處理和第二加熱處理中的一個中流過包含氧的氣體，就不需要在另一個中流過包含氧的氣體。例如，第一加熱處理和第二加熱處理中的一個可以在氮氛圍或減壓氛圍下進行。
藉由在包含充分的氧的氛圍下對第一層進行加熱來形成的樹脂層包含較多的氧。樹脂層中的氧含量越多，越容易使基板與樹脂層分離， 所以是較佳的。
藉由進行加熱處理，從包含氫的層釋放氫。並且，該氫與包含氧的層中的氧起反應而生成水。該水從包含氧的層釋放到包含氧的層與樹脂層之間。
藉由在包含氧的層與樹脂層之間存在有水，包含氧的層與樹脂層之間的密接性降低。由此，可以在包含氧的層與樹脂層的介面容易進行分離。
此外，藉由進行加熱處理，在包含氧的層與樹脂層之間產生水的溶脹(水成為水蒸氣而發生體積膨脹)。由此，可以降低包含氧的層與樹脂層之間的密接性。
在本實施方式的剝離方法中，藉由層疊包含氫的層和包含氧的層且控制加熱條件，可以容易將樹脂層從基板剝離。換言之，不需要進行用來提高樹脂層的剝離性的對樹脂層的整個面照射雷射的製程。
當對樹脂層的整個面照射雷射時，較佳為使用線狀雷射光束，但是用來照射線狀雷射光束的雷射裝置本身昂貴，且運行成本很高。在本實施方式的剝離方法中，由於不需要該雷射裝置，所以可以大幅度地抑制成本。此外，也可以容易應用於大型基板。
此外，當藉由基板將雷射照射到樹脂層時，如果在基板的光照射面附著塵埃等異物，則產生光照射不均勻，在樹脂層中產生剝離性低的部分，而有時剝離的良率降低。在本實施方式的剝離方法中，藉由進行加熱處理提高樹脂層的剝離性。即使在基板上附著異物也不容易產生樹脂層的加熱不均勻，所以剝離的良率不容易降低。
由於沒有經過基板對樹脂層的整個面照射雷射的製程，所以可以防止基板受到因雷射的照射導致的損傷。由於即使基板使用一次，強度也不容易下降，所以可以再次利用基板，由此可以抑制成本。
此外，藉由在剝離介面存在有水，可以抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層中的功能元件帶來的不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。
此外，在本實施方式中，首先，在基板上形成包含氫的層。接著，在包含氫的層上形成包含氧的層。接著，使用包含樹脂或樹脂前體的材料在包含氧的層上形成第一層。接著，藉由對第一層進行第一加熱處理來形成樹脂層。接著，在樹脂層上形成被剝離層。作為被剝離層形成覆蓋樹脂層的端部的絕緣層，在樹脂層上隔著絕緣層形成電晶體。較佳的是，在形成被剝離層的至少一部分之後進行第二加熱處理。接著，藉由使樹脂層的至少一部分與基板分離來形成分離起點。並且，使被剝離層與基板分離。第一加熱處理及第二加熱處理較佳為在包含氧的氛圍下進行。在第一加熱處理及第二加熱處理中，較佳為流過包含氧的氣體。
在包含氧的層上形成有與樹脂層接觸的部分及與絕緣層接觸的部分。絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式設置。絕緣層的對包含氧的層的密接性比樹脂層高。藉由以覆蓋樹脂層的端部的方式設置絕緣層，可以抑制樹脂層的從包含氧的層的非意圖的剝離。例如，可以抑制傳送基板時等的樹脂層的剝離。並且，藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使包含氧的層與樹脂層分離。換言之，在本實施方式中，可以控制剝離的時序，並且可以實現高剝離性。由此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
在本發明的一個實施方式中，對用於電晶體的通道形成區域的材 料沒有特別的限制。例如，可以使用矽、金屬氧化物等。
在將低溫多晶矽(LTPS(Low Temperature Poly-Silicon))用於電晶體的通道形成區域的情況下，較佳為使用耐熱性高的材料形成厚度較大的樹脂層。由此，可以進行高溫製程，並且可以降低雷射晶化的製程中的損傷。例如，第一加熱處理的溫度較佳為400℃以上且600℃以下，更佳為450℃以上且550℃以下。樹脂層的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為10μm以上且100μm以下，進一步較佳為10μm以上且50μm以下。藉由形成厚度充分大的樹脂層，可以降低雷射晶化的製程中的損傷。樹脂層的5%失重溫度較佳為400℃以上且600℃以下，更佳為450℃以上且600℃以下，進一步較佳為500℃以上且600℃以下。
本發明的一個實施方式中，較佳為在電晶體的通道形成區域包括金屬氧化物。金屬氧化物可以被用作氧化物半導體。
當在電晶體的通道形成區域使用LTPS時，由於需要500℃至550℃左右的溫度，所以如上所述樹脂層需要具有耐熱性。此外，為了在雷射晶化的製程中緩和損傷，需要樹脂層的厚膜化。
另一方面，在通道形成區域中使用金屬氧化物的電晶體可以在350℃以下，進一步為300℃以下形成。因此，樹脂層不需要具有高耐熱性。因此，可以降低樹脂層的耐熱溫度，由此擴大材料的選擇範圍。此外，由於在通道形成區域中使用金屬氧化物的電晶體不需要雷射晶化的製程，所以可以減薄樹脂層的厚度。樹脂層不需要具有高耐熱性，且可以薄膜化，由此可以期待大幅度地降低裝置製造的成本。此外，與使用LTPS的情況相比，製程可以簡化，所以是較佳的。
在本實施方式中，在樹脂層的耐熱溫度以下形成電晶體等。樹脂 層的耐熱性例如可以利用加熱的重量減少率，明確而言5%失重溫度等進行評價。在本實施方式的剝離方法及顯示裝置的製造方法中，可以降低製程中的最高溫度。例如，在本實施方式中，可以將樹脂層的5%失重溫度設定為200℃以上且550℃以下、200℃以上且450℃以下、200℃以上且400℃以下或200℃以上且350℃以下。因此，可以擴大材料的選擇範圍。此外，樹脂層的5%失重溫度也可以高於550℃。
下面，明確地說明本實施方式的剝離方法及顯示裝置的製造方法。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用濺射法、化學氣相沉積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積(PLD：Pulse Laser Deposition)法、原子層沉積(ALD：Atomic Layer Deposition)法等。作為CVD法，也可以利用電漿增強化學氣相沉積(PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)法、熱CVD法。作為熱CVD法的例子，也可以利用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD：Metal Organic CVD)法。
構成顯示裝置的薄膜(絕緣膜、半導體膜、導電膜等)可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀(doctor knife)法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等方法形成。
當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，可以利用光微影法等進行加工。另外，可以利用使用陰影遮罩的成膜方法形成島狀薄膜。另外，可以利用奈米壓印法、噴砂法、剝離法等對薄膜進行加工。在光微影法中有如下方法：在要進行加工的薄膜上形成光阻遮罩，藉由蝕刻等對該薄膜進行加工，來去除光阻遮罩的方法；在形成感光性薄膜之後，進行曝光及顯影來將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。
當在光微影法中使用光時，作為用於曝光的光，例如可以使用i線(波長365nm)、g線(波長436nm)、h線(波長405nm)或將這些光混合了的光。此外，還可以使用紫外線、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。作為用於曝光的光，也可以使用極紫外光(EUV：Extreme Ultra-violet)或X射線。此外，也可以使用電子束代替用於曝光的光。當使用極紫外光、X射線或電子束時，可以進行極其精細的加工，所以是較佳的。注意，在藉由利用電子束等光束進行掃描等而進行曝光時，不需要光罩。
作為薄膜的蝕刻方法，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法及噴砂法等。
[剝離方法]
首先，在形成用基板14上形成包含氫的層20。並且，在包含氫的層20上形成包含氧的層21(圖1A)。
形成用基板14具有容易傳送的程度的剛性，且對製程時的溫度具有耐熱性。作為能夠用於形成用基板14的材料，例如可以舉出玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、半導體、金屬或合金等。作為玻璃，例如可以舉出無鹼玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。
包含氫的層20具有在後面的加熱製程中釋放氫的功能。包含氫的層20也可以具有在後面的加熱製程中釋放水的功能。
作為包含氫的層20，例如可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。包含氫的層20較佳為包含氧和矽中的一個或兩個。
注意，在本說明書等中，“氧氮化矽”是指作為其組成氧含量比 氮含量多的物質。此外，在本說明書等中，“氮氧化矽”是指作為其組成氮含量比氧含量多的物質。
包含氫的層20可以利用濺射法、電漿CVD法等成膜方法形成。尤其是，藉由利用使用包含矽烷氣體及一氧化二氮氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成包含氫的層20所包括的氧氮化矽膜，可以使該膜包含較多的氫，所以是較佳的。此外，沉積氣體中的矽烷氣體的比例越高，後面的加熱製程中的氫的釋放量越多，所以是較佳的。
此外，作為包含氫的層20，可以使用藉由加熱釋放氫的矽膜。尤其是，較佳為使用氫化非晶矽(a-Si：H)膜。氫化非晶矽膜例如可以利用作為沉積氣體包含SiH4的電漿CVD法形成。此外，作為包含氫的層20，可以使用具有結晶性的矽膜。為了使包含氫的層20包含較多的氫，可以在形成包含氫的層20之後在包含氫的氛圍下進行加熱處理。
因為包含氫的層20的厚度越大氫的釋放量越多所以是較佳的，但是較佳為考慮生產性設定其厚度。
氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜等的厚度較佳為1nm以上且1μm以下，更佳為50nm以上且800nm以下，進一步較佳為100nm以上且600nm以下。
氫化非晶矽膜的厚度例如較佳為1nm以上且200nm以下，更佳為5nm以上且100nm以下。
包含氫的層20較佳為包括利用二次離子質譜分析法(SIMS：Secondary Ion Mass Spectrometry)檢測出的氫濃度為1.0×1020atoms/cm3以上且1.0×1022atoms/cm3以下，較佳為5.0×1020atoms/cm3以上且5.0×1021atoms/cm3以下的區域。
包含氧的層21具有如下功能：在後面的加熱製程中，從包含氫的層20釋放的氫與包含氧的層21中的氧起反應而釋放水。包含氧的層21也可以具有在後面的加熱製程中釋放氧的功能。
可以將金屬氧化物適合用於包含氧的層21。
作為金屬氧化物，例如可以舉出包含矽的銦錫氧化物(ITSO)、In-Ga-Zn氧化物、氧化鋁。
除此之外，作為金屬氧化物，可以舉出氧化銦、銦錫氧化物(ITO)、包含鎢的銦氧化物、包含鎢的銦鋅氧化物、二氧化鈦、包含鈦的銦氧化物、包含鈦的ITO、銦鋅氧化物、氧化鋅(ZnO)、包含鎵的ZnO、氧化鉿、氧化釔、氧化鋯、氧化鎵、氧化鉭、氧化鎂、氧化鑭、氧化鈰、氧化釹等。
在氧氛圍下形成包含氧的層21是較佳的。例如，藉由一邊流過包含氧的氣體，一邊利用濺射法形成金屬氧化物膜，可以形成包含氧的層21。
此外，藉由在形成金屬膜之後對該金屬膜導入氧，可以形成包含氧的層21。作為氧的引入方法，可以使用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術、電漿處理等。
包含氧的層21較佳為包含超過化學計量組成的氧。
包含氧的層21的厚度例如較佳為1nm以上且200nm以下，更佳為5nm以上且100nm以下。
接著，在包含氧的層21上形成第一層24(圖1B)。
圖1B示出利用塗佈法在包含氧的層21的整個面形成第一層24的例子。此外，不侷限於此，可以利用印刷法等形成第一層24。另外，也可以在包含氧的層21上形成島狀的第一層24、具有開口或凹凸形狀的第一層24等。
第一層24可以使用各種樹脂材料(包括樹脂前體)形成。
第一層24較佳為使用具有熱固性的材料形成。
第一層24既可以使用具有感光性的材料形成，又可以使用不具有感光性的材料(也被稱為非感光性材料)形成。
在使用具有感光性的材料形成第一層24時，可以利用使用光的光微影法去除第一層24的一部分而形成具有所希望的形狀的樹脂層23。
第一層24較佳為使用包含聚醯亞胺樹脂或聚醯亞胺樹脂前體的材料形成。第一層24例如可以使用包含聚醯亞胺樹脂和溶劑的材料、或者包含聚醯胺酸(polyamic acid)和溶劑的材料等形成。聚醯亞胺是適用於顯示裝置的平坦化膜等的材料，所以可以使用已有的成膜裝置或材料。因此，為了實現本發明的一個實施方式的結構，不需要新的裝置或材料。
此外，作為能夠用於第一層24的樹脂材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂及這些樹脂的前體等。
第一層24較佳為使用旋塗機形成。藉由利用旋塗法，可以在大尺 寸基板上均勻地形成薄膜。
第一層24較佳為使用黏度為5cP以上且小於500cP，較佳為5cP以上且小於100cP，更佳為10cP以上且50cP以下的溶液形成。溶液的黏度越低，塗佈越容易進行。另外，溶液的黏度越低，越可以抑制氣泡的混入，從而可以形成品質良好的膜。
另外，作為第一層24的形成方法，可以舉出浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配器法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀法、狹縫式塗布法、輥塗法、簾式塗布法、刮刀式塗布法等。
接著，藉由對第一層24進行第一加熱處理來形成樹脂層23(圖1C)。
第一加熱處理較佳為在包含氧的氛圍下進行。
樹脂層23中的氧含量越多，越可以減少將樹脂層23從形成用基板14剝離時所需要的力量。第一加熱處理的氛圍下的氧的比例越高，可以使樹脂層23包含越多的氧，從而可以提高樹脂層23的剝離性。
藉由進行第一加熱處理，從包含氫的層20釋放氫。並且，該氫與包含氧的層21中的氧起反應而生成水。所生成的水從包含氧的層21釋放到包含氧的層21與樹脂層23之間。
在包含氫的層20含有氫及氧的情況下，藉由進行第一加熱處理，有時從包含氫的層20釋放水。
藉由進行第一加熱處理，有時從第一層24或樹脂層23釋放水。此外，有時從包含氧的層21釋放氧。例如，有時從第一層24或樹脂 層23釋放的氫與從包含氧的層21釋放的氧起反應而生成水。
如此，藉由進行第一加熱處理，可以將水供應到包含氧的層21與樹脂層23之間。
藉由在包含氧的層21與樹脂層23之間存在有水，包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性降低。由此，可以在包含氧的層21與樹脂層23的介面容易進行分離。
此外，藉由進行第一加熱處理，在包含氧的層21與樹脂層23之間產生水的溶脹(水成為水蒸氣而發生體積膨脹)。由此，可以降低包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性。
第一加熱處理例如可以在使加熱裝置的處理室中的氛圍為包含氧的氛圍的狀態下進行。或者，第一加熱處理可以在大氣氛圍下使用加熱板等進行。
例如，第一加熱處理時的氛圍的氧分壓較佳為5%以上且小於100%，更佳為10%以上且小於100%，進一步較佳為15%以上且小於100%。
較佳為邊在加熱裝置的處理室中流過包含氧的氣體邊進行第一加熱處理。第一加熱處理例如較佳為只流過氧氣體或流過包含氧氣體的混合氣體進行。明確而言，可以使用包含氧、氮或稀有氣體(氬等)的混合氣體。
根據加熱裝置在氛圍中的氧的比率變高時，有時產生加熱裝置的劣化。因此，在使用包含氧氣體的混合氣體時，混合氣體流量整體所佔的氧氣體流量的比率較佳為5%以上且50%以下，更佳為10%以上且50%以下，進一步較佳為15%以上且50%以下。
第一加熱處理的溫度較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為250℃以上且475℃以下，進一步較佳為300℃以上且450℃以下。
第一加熱處理的溫度越高，樹脂層23的剝離性越可以提高。
藉由進行第一加熱處理，可以降低樹脂層23中的脫氣成分(例如、氫、水等)。尤其是，較佳為在形成在樹脂層23上的各層的形成溫度以上的溫度下進行加熱。由此，可以大幅度地抑制在電晶體的製程中來自樹脂層23的脫氣。
例如，當在電晶體的製造溫度最高為350℃時，以350℃以上且450℃以下對將成為樹脂層23的膜進行加熱，更佳為350℃以上且400℃以下，進一步較佳為350℃以上且375℃以下。由此，可以大幅度地抑制在電晶體的製程中來自樹脂層23的脫氣。
藉由使製造電晶體時的最高溫度與第一加熱處理的溫度相等，可以防止因進行第一加熱處理而製造顯示裝置時的最高溫度變高，所以是較佳的。
第一加熱處理的時間越長，樹脂層23的剝離性越可以提高。
藉由延長處理時間，有時即使加熱溫度較低，可以實現與加熱溫度更高的條件的情況相同的剝離性。因此，在因為加熱裝置的結構而不能使加熱溫度變高時，較佳為使處理時間延長。
第一加熱處理的時間例如較佳為5分鐘以上且24小時以下，更佳為30分鐘以上且12小時以下，進一步較佳為1小時以上且6小時以下。注意，第一加熱處理的時間不侷限於此。例如，當利用RTA(Rapid Thermal Annealing：快速熱退火)法進行第一加熱處理時，也可以短於5分鐘。
作為加熱裝置，可以使用電爐或利用來自電阻發熱體等發熱體的熱傳導或熱輻射對被處理物進行加熱的裝置等各種裝置。例如，可以使用GRTA(Gas Rapid Thermal Anneal：氣體快速熱退火)裝置、LRTA(Lamp Rapid Thermal Anneal：燈快速熱退火)裝置等RTA裝置。LRTA裝置是利用從燈如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈等發出的光(電磁波)的輻射加熱被處理物的裝置。GRTA裝置是使用高溫的氣體進行加熱處理的裝置。因為藉由使用RTA裝置可以縮短處理時間，所以從進行量產的角度來看是較佳的。此外，也可以使用串列式加熱裝置進行加熱處理。
這裡，例如，在顯示裝置的平坦化層等使用樹脂時，為了防止該樹脂氧化且變質，在幾乎不包含氧的條件下且樹脂固化的溫度範圍內以儘可能低的溫度進行加熱是一般的。但是，在本發明的一個實施方式中，使將成為樹脂層23的第一層24的表面露出，暴露於積極地包含氧的氛圍的狀態下以較高的溫度(例如，200℃以上的溫度)進行加熱。由此，可以使樹脂層23具有高剝離性。
注意，有時因加熱處理而樹脂層23的厚度從第一層24的厚度變化。例如，有時因包含在第一層24中的溶劑被去除或固化進展且密度增大，體積減少，樹脂層23的厚度比第一層24薄。或者，有時因在進行加熱處理時包含氧，體積增大，由此樹脂層23的厚度比第一層24厚。
在進行第一加熱處理之前，也可以進行用來去除包含在第一層24中的溶劑的熱處理(也稱為預烤處理)。預烤處理的溫度可以根據使用材料適當地決定。例如，可以以50℃以上且180℃以下、80℃以上且 150℃以下或90℃以上且120℃以下進行預烤處理。或者，第一加熱處理也可以兼做預烤處理，藉由進行第一加熱處理去除包含在第一層24中的溶劑。
樹脂層23具有撓性。形成用基板14的撓性比樹脂層23低。
樹脂層23的厚度較佳為0.01μm以上且小於10μm，更佳為0.1μm以上且3μm以下，進一步較佳為0.5μm以上且2μm以下。藉由使樹脂層形成得薄，可以以低成本製造顯示裝置。此外，可以實現顯示裝置的輕量化及薄型化。此外，可以提高顯示裝置的撓性。藉由使用低黏度的溶液，可以容易將樹脂層23形成得薄。注意，不侷限於此，樹脂層23的厚度也可以為10μm以上。例如，樹脂層23的厚度也可以為10μm以上且200μm以下。藉由將樹脂層23的厚度設定為10μm以上，可以提高顯示裝置的剛性，所以是較佳的。
樹脂層23的熱膨脹係數較佳為0.1ppm/℃以上且50ppm/℃以下，更佳為0.1ppm/℃以上且20ppm/℃以下，進一步較佳為0.1ppm/℃以上且10ppm/℃以下。樹脂層23的熱膨脹係數越低，越可以抑制因加熱而在構成電晶體等的層中產生裂縫或電晶體等損傷。
在樹脂層23位於顯示裝置的顯示面一側時，樹脂層23較佳為對可見光具有高透光性。
接著，在樹脂層23上形成被剝離層25(圖1D)。
作為被剝離層25，例如可以設置絕緣層、功能元件(電晶體、顯示元件等)。
被剝離層25較佳為包括絕緣層。該絕緣層較佳為具有如下功能： 在後面的加熱製程中，阻擋從包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23等釋放的氫、氧及水。
被剝離層例如較佳為包含氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。例如，藉由利用使用包含矽烷氣體、氫氣體及氨(NH3)氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成氮化矽膜。對絕緣層的厚度沒有特別的限制，例如可以為50nm以上且600nm以下，較佳為100nm以上且300nm以下。
在形成具有阻擋氫、氧及水的功能的絕緣層之後，較佳為進行第二加熱處理。
由於第一加熱處理是使第一層24固化來形成樹脂層23的製程，所以在使樹脂層23的表面露出的狀態下進行。因此，有時因加熱而生成的水的一部分從樹脂層23的表面釋放到外部。此外，根據在第一加熱處理之後形成在樹脂層23上的膜的成膜條件(例如，高溫度下或者還原氛圍下等)，樹脂層23中的氧的比例有時降低。
因此，較佳為在不使樹脂層23的表面露出的狀態下進行第二加熱處理。由此，可以抑制因第二加熱處理而生成的氫或水從樹脂層23的表面釋放到外部。第二加熱處理可以在形成樹脂層23上的被剝離層的至少一部分之後進行。此外，電晶體等功能元件的製程中的加熱處理可以兼作第二加熱處理。
第二加熱處理較佳為在包含氧的氛圍下進行。
藉由進行第二加熱處理，可以使樹脂層23包含較多的氧。此外，藉由進行第二加熱處理，可以將水供應到包含氧的層21與樹脂層23的介面。
藉由進行第二加熱處理，從包含氫的層20釋放氫。並且，該氫與包含氧的層21中的氧起反應而生成水。所生成的水從包含氧的層21釋放到包含氧的層21與樹脂層23之間。
藉由在包含氧的層21與樹脂層23之間存在有水，包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性降低。由此，可以在包含氧的層21與樹脂層23的介面容易進行分離。
此外，藉由進行第二加熱處理，在包含氧的層21與樹脂層23之間產生水的溶脹(水成為水蒸氣而發生體積膨脹)。由此，可以降低包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性。
第二加熱處理例如可以在使加熱裝置的處理室中的氛圍為包含氧的氛圍的狀態下進行。或者，第二加熱處理可以在大氣氛圍下使用加熱板等進行。
例如，第二加熱處理時的氛圍的氧分壓較佳為5%以上且小於100%，更佳為10%以上且小於100%，進一步較佳為15%以上且小於100%。
較佳為邊在加熱裝置的處理室中流過包含氧的氣體邊進行第二加熱處理。第二加熱處理例如較佳為只流過氧氣體或流過包含氧氣體的混合氣體進行。明確而言，可以使用包含氧、氮或稀有氣體(氬等)的混合氣體。
根據加熱裝置在氛圍中的氧的比率變高時，有時產生加熱裝置的劣化。因此，在使用包含氧氣體的混合氣體時，混合氣體流量整體所佔的氧氣體流量的比率較佳為5%以上且50%以下，更佳為10%以上且50%以下，進一步較佳為15%以上且50%以下。
第二加熱處理的溫度較佳為200℃以上且500℃以下，更佳為250℃以上且475℃以下，進一步較佳為300℃以上且450℃以下。
第二加熱處理的溫度越高，樹脂層23的剝離性越可以提高。
第二加熱處理的溫度較佳為第一加熱處理的溫度以下。由此，在第二加熱處理中，可以抑制來自樹脂層23的脫氣進入電晶體等功能元件。
第二加熱處理的時間越長，樹脂層23的剝離性越可以提高。
藉由延長處理時間，有時即使加熱溫度較低，可以實現與加熱溫度更高的條件的情況相同的剝離性。因此，在因為加熱裝置的結構而不能使加熱溫度變高時，較佳為使處理時間延長。
第二加熱處理的時間例如較佳為5分鐘以上且24小時以下，更佳為30分鐘以上且12小時以下，進一步較佳為1小時以上且6小時以下。注意，第二加熱處理的時間不侷限於此。例如，當利用RTA法進行第二加熱處理時，也可以短於5分鐘。
並且，在被剝離層25上形成保護層。保護層是位於顯示裝置的最表面的層。保護層較佳為對可見光具有高透過性。藉由保護層具有有機絕緣膜，可以抑制顯示裝置的表面受到損傷或產生裂縫，所以是較佳的。
圖1E示出使用黏合層75b將被剝離層25與基板75a貼合的例子。
作為黏合層75b，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。 另外，也可以使用黏合薄片等。
作為基板75a，例如可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯(PTFE)樹脂、ABS樹脂以及纖維素奈米纖維等。作為基板75a，還可以使用其厚度允許其具有撓性的玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。
接著，使形成用基板14與樹脂層23分離。因為包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性降低，所以在包含氧的層21與樹脂層23的介面產生分離(圖1F)。
例如，藉由對樹脂層23施加拉伸垂直方向的力量，可以使形成用基板14與樹脂層23分離。明確而言，藉由吸附基板75a的頂面的一部分向上方拉伸，可以將樹脂層23從形成用基板14剝離。
在此，在進行分離時，藉由對分離介面添加水或水溶液等含有水的液體，以該液體滲透到分離介面的方式進行分離，可以容易進行分離。此外，能夠抑制分離時產生的靜電給電晶體等功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。
此外，也可以在分離之前使樹脂層23的一部分與形成用基板14分離來形成分離起點。例如，可以將刀具等銳利的形狀的器具插入形成用基板14與樹脂層23之間來形成分離起點。另外，也可以使用銳利的形狀的器具從基板75a一側切入樹脂層23來形成分離起點。此外， 也可以利用雷射燒蝕法等使用雷射的方法來形成分離起點。
在本實施方式中，層疊包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23(或第一層24)，進行加熱處理。由此，可以將水供應到包含氧的層21與樹脂層23之間，降低包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性。因此，也可以使形成用基板14與樹脂層23分離而不對樹脂層23的整個面照射雷射。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
[製造方法例子1]
接著，對本實施方式的顯示裝置的製造方法例子進行說明。注意，有時省略與上述剝離方法同樣的部分的說明。
首先，在形成用基板14上形成包含氫的層20。並且，在包含氫的層20上形成包含氧的層21(圖2A)。關於包含氫的層20及包含氧的層21，可以參照上述剝離方法的記載。
接著，在包含氧的層21上形成第一層24(圖2B)。關於第一層24，可以參照上述剝離方法的記載。
在本實施方式中，使用具有感光性及熱固性的材料形成第一層24。此外，第一層24可以使用非感光性材料形成。
在形成第一層24之後，進行用來去除溶劑的加熱處理(預烤處理)，然後使用光罩進行曝光。接著，進行顯影處理，由此可以去除不需要的部分。接著，藉由對加工為具有所希望的形狀的第一層24進行第一加熱處理，形成樹脂層23(圖2C)。圖2C示出形成島狀的樹脂層23的例子。
注意，樹脂層23的形狀不侷限於一個島狀，例如可以為多個島狀、 具有開口的形狀等。此外，也可以利用使用半色調遮罩或灰色調遮罩的曝光技術或者多重曝光技術等，在樹脂層23的表面形成凹凸形狀。
藉由在第一層24或樹脂層23上形成光阻遮罩、硬遮罩等遮罩並進行蝕刻，可以形成具有所希望的形狀的樹脂層23。在使用非感光性材料時，上述方法是特別較佳的。
例如，在樹脂層23上形成無機膜，在無機膜上形成光阻遮罩。在使用光阻遮罩對無機膜進行蝕刻之後，可以以無機膜為硬遮罩對樹脂層23進行蝕刻。
作為能夠用於硬遮罩的無機膜，可以舉出各種無機絕緣膜、能夠用於導電層的金屬膜及合金膜等。
在以極薄的厚度形成遮罩且與進行蝕刻同時去除遮罩的情況下，可以省略去除遮罩的製程，所以是較佳的。
關於第一加熱處理的詳細內容，可以參照上述剝離方法中的第一加熱處理的記載。
接著，在樹脂層23上形成絕緣層31(圖2D)。絕緣層31以覆蓋樹脂層23的端部的方式形成。在包含氧的層21上存在有沒有設置樹脂層23的部分。因此，可以以與包含氧的層21接觸的方式形成絕緣層31。
絕緣層31在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。絕緣層31較佳為在第一加熱處理的溫度以下的溫度下形成，也可以在低於第一加熱處理的溫度的溫度下形成。
可以將絕緣層31用作防止包含在樹脂層23中的雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。絕緣層31例如在加熱樹脂層23時，較佳為防止包含在樹脂層23中的水分等擴散到電晶體或顯示元件。由此，絕緣層31較佳為具有高阻擋性。
作為絕緣層31，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。尤其是，較佳為在樹脂層23上形成氮化矽膜，在氮化矽膜上形成氧化矽膜。
無機絕緣膜由於成膜溫度越高越成為緻密且高阻擋性的膜，所以較佳為以高溫形成。
絕緣層31的成膜時的基板溫度較佳為室溫(25℃)以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
接著，在絕緣層31上形成電晶體40(圖2E)。
對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，也可以採用頂閘極結構或底閘極結構的電晶體。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。
這裡示出作為電晶體40形成包括金屬氧化物層44的底閘極結構的電晶體的情況。金屬氧化物層44能夠被用作電晶體40的半導體層。金屬氧化物能夠被用作氧化物半導體。
在本實施方式中，電晶體的半導體使用氧化物半導體。藉由使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流(off-state current)，所以是較佳的。
電晶體40在樹脂層23的耐熱溫度以下形成。電晶體40較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
明確而言，首先在絕緣層31上形成導電層41。導電層41可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。
導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
顯示裝置所包括的導電層分別可以使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以這些元素為主要成分的合金的單層結構或疊層結構。或者，也可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO)、包含鎢的銦氧化物、包含鎢的銦鋅氧化物、包含鈦的銦氧化物、包含鈦的ITO、銦鋅氧化物、氧化鋅(ZnO)、包含鎵的ZnO或者包含矽的ITO等具有透光性的導電材料。另外，也可以使用藉由使其含有雜質元素等而被低電阻化的多晶矽或氧化物半導體等半導體或者鎳矽化物等矽化物。此外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使包含形成為膜狀的氧化石墨烯的膜還原形成。此外，也可以使用包含雜質元素的氧化物半導體等半導體。或者，也可以使用銀、碳或銅等的導電膏或者聚噻吩等的導電聚合物形成。導電膏廉價，所以是較佳的。導電聚合物容易塗布，所以是較佳的。
接著，形成絕緣層32。作為絕緣層32可以應用能夠用於絕緣層31 的無機絕緣膜。
接著，形成金屬氧化物層44。金屬氧化物層44可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，在對該金屬氧化物膜進行蝕刻之後去除光阻遮罩來形成。
金屬氧化物膜的成膜時的基板溫度較佳為350℃以下，更佳為室溫以上且200℃以下，進一步較佳為室溫以上且130℃以下。
金屬氧化物膜可以使用惰性氣體和氧氣體中的任一個或兩個形成。此外，對金屬氧化物膜的成膜時的氧的流量比(氧分壓)沒有特別的限制。注意，在得到場效移動率高的電晶體時，金屬氧化物膜的成膜時的氧的流量比(氧分壓)較佳為0%以上且30%以下，更佳為5%以上且30%以下，進一步較佳為7%以上且15%以下。
金屬氧化物膜較佳為至少包含銦或鋅。尤其較佳為包含銦及鋅。
金屬氧化物的能隙較佳為2eV以上，更佳為2.5eV以上，進一步較佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的金屬氧化物，可以減少電晶體的關態電流。
金屬氧化物膜可以藉由濺射法形成。除此之外，還可以利用PLD法、PECVD法、熱CVD法、ALD法、真空蒸鍍法等。
接著，形成導電層43a及導電層43b。導電層43a及導電層43b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層43a及導電層43b都與金屬氧化物層44連接。
在對導電層43a及導電層43b進行加工時，有時沒有被光阻遮罩覆 蓋的金屬氧化物層44的一部分因為蝕刻處理而被減薄。
導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
藉由上述步驟，可以製造電晶體40(圖2E)。在電晶體40中，導電層41的一部分被用作閘極，絕緣層32的一部分被用作閘極絕緣層，導電層43a及導電層43b分別被用作源極和汲極中的一個。
接著，形成覆蓋電晶體40的絕緣層33(圖3A)。絕緣層33可以藉由與絕緣層31同樣的方法形成。
此外，作為絕緣層33，較佳為使用在包含氧的氛圍下形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。再者，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易擴散或透過氧的絕緣膜。在包含氧的氛圍下形成的氧化物絕緣膜可以藉由加熱成為容易釋放出更多的氧的絕緣膜。藉由在層疊這種釋放氧的氧化物絕緣膜及不容易擴散或透過氧的絕緣膜的狀態下進行加熱處理，可以使氧供應給金屬氧化物層44。其結果是，可以修復金屬氧化物層44中的氧缺陷及金屬氧化物層44與絕緣層33的介面的缺陷，由此可以降低缺陷能階。由此，可以實現可靠性極高的顯示裝置。
藉由上述製程，可以在樹脂層23上形成絕緣層31、電晶體40及絕緣層33(圖3A)。
在此步驟，可以藉由後面說明的方法將形成用基板14與電晶體40分離來製造沒有顯示元件的裝置。例如，藉由形成電晶體40，或者藉由除了電晶體40之外還形成電容元件、電阻元件及佈線等，可以製造半導體裝置。
接著，在絕緣層33上形成絕緣層34(圖3B)。絕緣層34由於是具有後面被形成顯示元件的面的層，所以較佳為用作平坦化層。絕緣層34可以援用能夠用於絕緣層31的有機絕緣膜或無機絕緣膜。
絕緣層34在樹脂層23的耐熱溫度以下形成。絕緣層34較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
在絕緣層34使用有機絕緣膜時，絕緣層34的形成時的樹脂層23的溫度為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
在絕緣層34使用無機絕緣膜時，成膜時的基板溫度較佳為室溫以上350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
接著，在絕緣層34及絕緣層33中形成到達導電層43b的開口。
然後，形成導電層61(圖3C)。導電層61的一部分被用作發光元件60的像素電極。導電層61可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
導電層61在樹脂層23的耐熱溫度以下形成。導電層61較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
接著，形成覆蓋導電層61的端部的絕緣層35(圖3C)。絕緣層35 可以援用能夠用於絕緣層31的有機絕緣膜或無機絕緣膜。
絕緣層35在樹脂層23的耐熱溫度以下形成。絕緣層35較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
在絕緣層35使用有機絕緣膜時，絕緣層35的形成時的樹脂層23的溫度為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。
在絕緣層35使用無機絕緣膜時，成膜時的基板溫度為室溫以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
在此，對進行第二加熱處理的時序進行說明。
第二加熱處理可以在第一加熱處理之後且剝離製程之前進行。尤其較佳的是，在形成具有阻擋從包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23等釋放的氫、氧、及水的功能的絕緣層之後進行。由此，可以抑制因第二加熱處理而生成的氫或水從樹脂層23的表面釋放到外部。此外，在作為顯示元件製造有機EL元件的情況等形成耐熱性低的膜的情況下，較佳為在形成該膜之前進行第二加熱處理。
第二加熱處理例如可以在形成上述絕緣層31之後，在形成被用作閘極絕緣層的絕緣層32之後，在形成電晶體40之後，在形成絕緣層33之後，在形成絕緣層34之後，或者在形成絕緣層35之後進行。
電晶體的形成製程中的加熱處理有時可以兼作第二加熱處理。
關於第二加熱處理，可以參照上述剝離方法的記載。注意，在第二加熱處理之後形成的膜較佳為在第二加熱處理的溫度以下的溫度下 形成，可以在低於第二加熱處理的溫度的溫度下形成。
接著，形成EL層62及導電層63(圖3D)。導電層63的一部分被用作發光元件60的共用電極。在很多情況下，EL層62的耐熱性較低，所以較佳為在形成EL層62之前進行第二加熱處理。
EL層62可以利用蒸鍍法、塗佈法、印刷法、噴射法等方法形成。當在每個像素分別形成EL層62時，可以利用金屬遮罩等陰影遮罩的蒸鍍法或噴墨法等形成。當不在每個像素分別形成EL層62時，可以利用不使用金屬遮罩的蒸鍍法。
EL層62既可以使用低分子化合物，又可以使用高分子化合物，並且也可以包含無機化合物。
導電層63可以利用蒸鍍法或濺射法等形成。
導電層63在樹脂層23的耐熱溫度以下且EL層62的耐熱溫度以下形成。此外，導電層63較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
藉由上述步驟，可以形成發光元件60(圖3D)。發光元件60具有層疊其一部分被用作像素電極的導電層61、EL層62及其一部分被用作共用電極的導電層63的結構。
這裡示出作為發光元件60形成頂部發射型發光元件的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。
發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取 光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
接著，以覆蓋導電層63的方式形成絕緣層74(圖3D)。絕緣層74被用作抑制水等雜質擴散至發光元件60的保護層。發光元件60被絕緣層74密封。較佳為在形成導電層63之後以不暴露於大氣的方式形成絕緣層74。
絕緣層74在樹脂層23的耐熱溫度以下且發光元件60的耐熱溫度以下形成。絕緣層74較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
絕緣層74例如較佳為包括能夠用於上述絕緣層31的阻擋性高的無機絕緣膜。另外，也可以使用無機絕緣膜和有機絕緣膜的疊層。
絕緣層74可以藉由ALD法或濺射法等形成。ALD法及濺射法能夠以低溫進行成膜，所以是較佳的。當利用ALD法時，絕緣層74的覆蓋性變高，所以是較佳的。
接著，在絕緣層74上形成保護層75(圖3D)。如圖1E所示，作為保護層75，可以使用黏合層75b及基板75a。
接著，在樹脂層23中形成分離起點(圖4A1和圖4A2)。
例如，將刀具等銳利的形狀的器具65從保護層75一側插入樹脂層23的端部的內側，以框狀形成切口64。
或者，也可以對樹脂層23以框狀照射雷射。
注意，在從一個形成用基板形成多個顯示裝置(分成多面)的情 況下，可以使用一個樹脂層23形成多個顯示裝置。例如，在圖4A2的切口64的內側設置多個顯示裝置。由此，可以一次使多個顯示裝置與形成用基板分離。
或者，也可以使用多個樹脂層23，以每個顯示裝置分別形成樹脂層23。圖4A3示出在形成用基板上形成四個樹脂層23的例子。藉由在四個樹脂層23的每一個中以框狀形成切口64，可以在不同的時序使各顯示裝置與形成用基板分離。
在製造方法例子1中，在包含氧的層21上形成有與樹脂層23接觸的部分及與絕緣層31接觸的部分。包含氧的層21與絕緣層31之間的密接性比包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性高。因此，可以抑制樹脂層23的從包含氧的層21的非意圖的剝離。並且，藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使包含氧的層21與樹脂層23分離。因此，可以控制剝離的時序，並且可以實現高剝離性。由此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
接著，使形成用基板14與電晶體40分離(圖4B)。
在製造方法例子1中，層疊包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23(或第一層24)，進行加熱處理。由此，可以將水供應到包含氧的層21與樹脂層23之間，降低包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性。因此，也可以使形成用基板14與樹脂層23分離而不對樹脂層23的整個面照射雷射。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
[顯示裝置的結構實例1]
圖5A是顯示裝置10A的俯視圖。圖5B及圖5C是顯示裝置10A的顯示部381的剖面圖及與FPC372的連接部的剖面圖的一個例子。
顯示裝置10A可以使用上述製造方法例子1製造。顯示裝置10A可以保持為彎曲狀態或反復彎曲等。
顯示裝置10A包括保護層75及基板29。保護層75一側是顯示裝置的顯示面一側。顯示裝置10A包括顯示部381及驅動電路部382。在顯示裝置10A中貼合有FPC372。
使用黏合層28將從形成用基板14分離而被露出的樹脂層23與基板29貼合是較佳的。基板29也可以被用作顯示裝置10A的支撐基板。
藉由利用本實施方式的剝離方法，可以剝離形成用基板14，將在形成用基板14上製造的電晶體40及發光元件60等轉置到基板29。
黏合層28可以使用能夠用於黏合層75b的材料形成。基板29可以使用能夠用於基板75a的材料形成。
導電層43c藉由連接器76與FPC372電連接(圖5B、圖5C)。導電層43c可以使用與電晶體的源極及汲極相同的材料及相同的製程形成。
作為連接器76，可以使用各種異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)及異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
圖5C所示的顯示裝置與圖5B所示的結構不同之處在於：包括電晶體49而不包括電晶體40；以及在絕緣層33上包括彩色層97。當使用底部發射型發光元件60時，也可以在比發光元件60更靠近基板29一側包括彩色層97。
圖5C所示的電晶體49除了圖5B所示的電晶體40的結構以外還包括被用作閘極的導電層45。
作為電晶體49，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流(on-state current)。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高分辨率化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。
或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
如上所述，藉由在包含氧的氛圍下進行加熱處理，可以從形成用基板剝離樹脂層23而不對樹脂層23的整個面進行雷射照射。因此，在使用本實施方式的顯示裝置的製造方法製造的顯示裝置所包括的樹脂層23中，有時藉由分析可以確認到包含多量的氧。明確而言，可以藉由對樹脂層23的剝離面一側的表面(也可以說是形成用基板一側的表面。在圖5B、圖5C中相當於與黏合層28接觸的面)進行X射線光電子能譜(XPS：X-ray Photoelectron Spectroscopy)的分析算出氧濃度。尤其是，藉由對樹脂層23的黏合層28一側的面進行的X射線光電子能譜算出的氧濃度較佳為10atomic%以上，更佳為15atomic%以上。
[製造方法例子2]
首先，與上述剝離方法同樣地，在形成用基板14上形成包含氫的層20至絕緣層31(圖6A)。
接著，在絕緣層31上形成電晶體80(圖6B)。
這裡，示出作為電晶體80製造包括金屬氧化物層83及兩個閘極的電晶體的情況。
電晶體80在樹脂層23的耐熱溫度以下形成。電晶體80較佳為在第一加熱處理的溫度以下形成，也可以以比第一加熱處理的溫度低的溫度形成。
明確而言，首先在絕緣層31上形成導電層81。導電層81可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
接著，形成絕緣層82。絕緣層82可以援用能夠用於絕緣層31的無機絕緣膜。
接著，形成金屬氧化物層83。金屬氧化物層83可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，對該金屬氧化物膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。金屬氧化物層83可以援用能夠用於金屬氧化物層44的材料。
接著，形成絕緣層84及導電層85。作為絕緣層84可以應用能夠用於絕緣層31的無機絕緣膜。絕緣層84及導電層85可以在形成將成為絕緣層84的絕緣膜及將成為導電層85的導電膜之後形成光阻遮罩，對該絕緣膜及該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
接著，形成覆蓋金屬氧化物層83、絕緣層84及導電層85的絕緣層33。絕緣層33可以藉由與絕緣層31同樣的方法形成。
絕緣層33較佳為包含氫。包含在絕緣層33中的氫擴散至接觸於絕緣層33的金屬氧化物層83，金屬氧化物層83的一部分低電阻化。由於接觸於絕緣層33的金屬氧化物層83用作低電阻區域，所以可以實現電晶體80的通態電流的增大及場效移動率的提高。
接著，在絕緣層33中形成到達金屬氧化物層83的開口。
接著，形成導電層86a及導電層86b。導電層86a及導電層86b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層86a及導電層86b分別藉由絕緣層33的開口與金屬氧化物層83電連接。
藉由上述步驟，可以製造電晶體80(圖6B)。在電晶體80中，導電層81的一部分用作閘極，絕緣層84的一部分用作閘極絕緣層，絕緣層82的一部分用作閘極絕緣層，導電層85的一部分用作閘極。金屬氧化物層83包括通道區域及低電阻區域。通道區域隔著絕緣層84與導電層85重疊。低電阻區域包括與導電層86a連接的部分及與導電層86b連接的部分。
接著，在絕緣層33上形成絕緣層34至發光元件60(圖6C)。這些製程可以參照製造方法例子1。
在此，對進行第二加熱處理的時序進行說明。
第二加熱處理可以在第一加熱處理之後且剝離製程之前進行。尤其較佳的是，在形成具有阻擋從包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23等釋放的氫、氧、及水的功能的絕緣層之後進行。此外，在作為顯示元件製造有機EL元件的情況等形成耐熱性低的膜的情況下，較佳為在形成該膜之前進行第二加熱處理。
第二加熱處理例如可以在形成上述絕緣層31之後，在形成被用作閘極絕緣層的絕緣層82之後，在形成絕緣層33之後，在形成電晶體80之後，在形成絕緣層34之後，或者在形成絕緣層35之後進行。
電晶體的形成製程中的加熱處理有時可以兼作第二加熱處理。
關於第二加熱處理，可以參照上述剝離方法的記載。注意，在第二加熱處理之後形成的膜較佳為在第二加熱處理的溫度以下的溫度下形成，可以在低於第二加熱處理的溫度的溫度下形成。
此外，與圖6A至圖6C的製程獨立地進行圖7A和圖7B的製程。首先，與在形成用基板14上形成包含氫的層20的製程同樣地，在形成用基板91上形成包含氫的層92。接著，與在包含氫的層20上形成包含氧的層21的製程同樣地，在包含氫的層92上形成包含氧的層94。接著，與在包含氧的層21上形成樹脂層23的製程同樣地，在包含氧的層94上形成第一層，進行第一加熱處理來形成樹脂層93。並且，與在樹脂層23上形成絕緣層31的製程同樣地，在樹脂層93上形成覆蓋樹脂層93的端部的絕緣層95(圖7A)。在形成絕緣層95之後，較佳為進行第二加熱處理。
接著，在絕緣層95上形成彩色層97及遮光層98(圖7B)。
作為彩色層97可以使用濾色片等。彩色層97以與發光元件60的顯示區域重疊的方式配置。
作為遮光層98可以使用黑矩陣等。遮光層98以與絕緣層35重疊的方式配置。
接著，使用黏合層99將形成用基板14的形成有電晶體80等的面與形成用基板91的形成有樹脂層93等的面貼合(圖7C)。
接著，在樹脂層23中形成分離起點(圖8A、圖8B)。既可以先剝離形成用基板14也可以先剝離形成用基板91。這裡示出在分離形成用基板91之前分離形成用基板14的例子。
例如，從形成用基板14一側對樹脂層23以框狀照射雷射66(參照圖8B所示的雷射的照射區域67)。該照射在作為形成用基板14及形成用基板91使用玻璃等硬質基板的情況下是較佳的。
對用來形成分離起點的雷射沒有特別的限制。例如，可以使用連續振盪型雷射或脈衝振盪型雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈(beam profile)等)根據形成用基板及樹脂層的厚度或材料等而適當地控制。
在製造方法例子2中，在包含氧的層21上形成有與樹脂層23接觸的部分及與絕緣層31接觸的部分。包含氧的層21與絕緣層31之間的密接性比包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性高。因此，可以抑制樹脂層23的從包含氧的層21的非意圖的剝離。同樣地，在包含氧的層94上形成有與樹脂層93接觸的部分及與絕緣層95接觸的部分。包含氧的層94與絕緣層95之間的密接性比包含氧的層94與樹脂層93之間的密接性高。因此，可以抑制樹脂層93的從包含氧的層94的非意圖的剝離。
只在樹脂層23或樹脂層93中形成分離起點。由於樹脂層23及樹脂層93的形成分離起點的時序不同，所以可以在不同製程中分離形成用基板14與形成用基板91。由此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
雷射66對樹脂層23的一部分照射而不需要對樹脂層23的整個面照射。因此，不需要昂貴且運行成本高的雷射裝置。
接著，使形成用基板14與電晶體80分離(圖9A)。這裡示出以框狀照射雷射66的內側的部分(也可以說是圖8B所示的雷射的照射區域67的內側的部分)與形成用基板14分離的例子。此外，在圖9A中示出在以框狀照射雷射66的外側的部分在黏合層99中產生分離(黏合層99的內聚破壞)的例子，但是不侷限於此。例如，有時在照射區域67的外側，在黏合層99與絕緣層95或絕緣層33之間產生分離(也稱為產生介面破壞或黏結破壞)。
在製造方法例子2中，層疊包含氫的層20、包含氧的層21及樹脂層23(或第一層24)，進行加熱處理。由此，可以將水供應到包含氧的層21與樹脂層23之間，降低包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性。因此，也可以使形成用基板14與樹脂層23分離而不對樹脂層23的整個面照射雷射。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
接著，使用黏合層28將從形成用基板14分離而露出的樹脂層23與基板29貼合(圖9B)。基板29可以用作顯示裝置的支撐基板。
接著，在樹脂層93中形成分離起點(圖10A)。
在圖10A中，從基板29一側在樹脂層93的端部的內側插入刀具等銳利的形狀的器具65，以框狀形成切口。上述方法在作為基板29使用樹脂的情況下是較佳的。
或者，與在樹脂層23中形成分離起點的情況同樣地，也可以從形成用基板91一側對樹脂層93以框狀照射雷射。
藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使形成用基板91與樹脂層93分離。因此，可以控制剝離的時序且實現高剝離性。由此，可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
接著，使形成用基板91與電晶體80分離(圖10B)。這裡示出使形成框狀的切口的內側的部分與形成用基板91分離的例子。
在製造方法例子2中，層疊包含氫的層92、包含氧的層94及樹脂層93(或第一層)，進行加熱處理。由此，可以將水供應到包含氧的層94與樹脂層93之間，降低包含氧的層94與樹脂層93之間的密接性。因此，也可以使形成用基板91與樹脂層93分離而不對樹脂層93的整個面照射雷射。由此，可以以低成本製造顯示裝置。
接著，使用黏合層13將從形成用基板91分離而露出的樹脂層93與基板22貼合(圖11A)。基板22可以被用作顯示裝置的支撐基板。
在圖11A中，發光元件60的發光經過彩色層97、絕緣層95及樹脂層93取出到顯示裝置的外部。因此，樹脂層93的可見光的穿透率較佳為高。在本發明的一個實施方式的剝離方法中可以減薄樹脂層93的厚度。因此，可以提高樹脂層93的可見光的穿透率，由此可以抑制發光元件60的光提取效率的降低。
此外，也可以去除樹脂層93。由此，進一步提高發光元件60的光提取效率。在圖11B中示出去除樹脂層93，使用黏合層13將絕緣層95與基板22貼合的例子。
黏合層13可以適用能夠用於黏合層75b的材料。
基板22可以適用能夠用於基板75a的材料。
製造方法例子2是進行本發明的一個實施方式的剝離方法兩次製造顯示裝置的例子。在本發明的一個實施方式中，由於構成顯示裝置的功能元件等都形成在形成用基板上，所以即使在製造分辨率高的顯示裝置時具有撓性的基板也不需要高位置對準精度。因此，可以簡單地貼合具有撓性的基板。
[變形例子]
在製造方法例子2(圖7C)中示出黏合層99以重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分及形成用基板91與絕緣層95接觸的部分的方式設置的情況。
形成用基板14與絕緣層31的密接性及形成用基板91與絕緣層95的密接性分別比形成用基板14與樹脂層23的密接性及形成用基板91與樹脂層93的密接性高。
當在形成用基板14與絕緣層31的介面或者形成用基板91與絕緣層95的介面進行剝離時，有時降低剝離的良率，例如產生剝離不良。因此，在樹脂層中以框狀形成分離起點之後，從形成用基板只分離與樹脂層重疊的部分的製程是較佳的。
另一方面，如圖12A、圖12B所示，黏合層99可以不重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分及形成用基板91與絕緣層95接觸的部分。
例如，當使用流動性低的黏合劑或黏合薄片等作為黏合層99時，容易將黏合層99形成為島狀(圖12A)。
或者，也可以形成框狀的分隔壁96，在由分隔壁96圍繞的內側填充黏合層99而固化(圖12B)。
當將分隔壁96用於顯示裝置的組件時，作為分隔壁96較佳為使用固化的樹脂。此時，分隔壁96較佳為不重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分及形成用基板91與絕緣層95接觸的部分。
當不將分隔壁96用作顯示裝置的組件時，作為分隔壁96較佳為使用未固化或半固化的樹脂。此時，分隔壁96也可以重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分和形成用基板91與絕緣層95接觸的部分中的一個或兩個。
在本實施方式中，示出作為分隔壁96使用未固化的樹脂，分隔壁96不重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分及形成用基板91與絕緣層95接觸的部分的例子。
這裡對黏合層99不重疊於形成用基板14與絕緣層31接觸的部分及形成用基板91與絕緣層95接觸的部分的結構中的分離起點的形成方法進行說明。以下示出剝離形成用基板91的例子。當剝離形成用基板14時也可以使用同樣的方法。
在圖13A至圖13E中，對使形成用基板91與樹脂層93分離時的雷射66的照射位置進行說明。
如圖13A所示，藉由對樹脂層93與黏合層99重疊的區域的至少一個部分照射雷射66，可以形成分離起點。
較佳為使形成用基板91與樹脂層93分離的力量集中在分離起點，因此較佳為在比黏合層99的中央部分更靠近端部附近形成分離起點。 尤其是，在端部附近當中，與邊部附近相比，更佳為在角部附近形成分離起點。
在圖13B至圖13E中示出雷射的照射區域67的一個例子。
在圖13B中，示出在黏合層99的角部有一個雷射的照射區域67的例子。
藉由連續或間斷地照射雷射，可以形成實線狀或虛線狀的分離起點。在圖13C中，示出在黏合層99的角部有三個雷射的照射區域67的例子。在圖13D中示出雷射的照射區域67與黏合層99的一邊接觸，且沿著黏合層99的一邊延伸的例子。如圖13E所示，雷射的照射區域67除了黏合層99與樹脂層93重疊的區域以外也可以位於未固化的分隔壁96與樹脂層93重疊的區域上。
然後，可以使形成用基板91與樹脂層93分離。此外，有時在形成用基板14一側殘留分隔壁96的一部分。分隔壁96既可以去除又可以不去除且進入下一個製程。
[顯示裝置的結構實例2]
圖14A是顯示裝置10B的俯視圖。圖14B是顯示裝置10B的顯示部381的剖面圖及與FPC372的連接部的剖面圖的一個例子。
顯示裝置10B可以使用上述製造方法例子2製造。顯示裝置10B可以保持為彎曲狀態或反復彎曲等。
顯示裝置10B包括基板22及基板29。基板22一側是顯示裝置10B的顯示面一側。顯示裝置10B包括顯示部381及驅動電路部382。在顯示裝置10B貼合有FPC372。
導電層86c藉由連接器76與FPC372電連接(圖14B)。導電層86c可以使用與電晶體的源極及汲極相同的材料及相同的製程形成。
如上所述，藉由在包含氧的氛圍下進行加熱處理，可以從形成用基板剝離樹脂層而不對樹脂層的整個面進行雷射照射。因此，在使用本實施方式的顯示裝置的製造方法製造的顯示裝置所包括的樹脂層中，有時藉由分析可以確認到包含多量的氧。明確而言，可以藉由對樹脂層的剝離面一側的表面進行XPS的分析算出氧濃度。尤其是，藉由對樹脂層23的黏合層28一側的面進行的X射線光電子能譜來算出的氧濃度較佳為10atomic%以上，更佳為15atomic%以上。藉由對樹脂層93的黏合層13一側的面進行的X射線光電子能譜來算出的氧濃度較佳為10atomic%以上，更佳為15atomic%以上。
如上所述，在本實施方式的剝離方法中，在形成用基板上層疊包含氫的層、包含氧的層及樹脂層，藉由加熱控制對於樹脂層的形成用基板的剝離性。由於不需要線性雷射光束的照射等需要昂貴的裝置的處理，所以實現低成本。此外，藉由在包含氧的層上設置與樹脂層接觸的部分及與絕緣層接觸的部分，可以在所希望的時序從形成用基板剝離樹脂層。因此，藉由使用本實施方式的剝離方法可以以低成本且高產量製造顯示裝置等。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。另外，在本說明書中，當在一個實施方式中示出多個結構實例時，可以適當地組合結構實例。
實施方式2
在本實施方式中，參照圖式說明本發明的一個實施方式的顯示裝 置及其製造方法。
本實施方式的顯示裝置包括反射可見光的第一顯示元件及發射可見光的第二顯示元件。
本實施方式的顯示裝置具有由第一顯示元件所反射的光和第二顯示元件所發射的光中的一個或兩個顯示影像的功能。
作為第一顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源(不使用人工光源)，所以可以使顯示時的功耗變得極小。
作為第一顯示元件，典型地可以使用反射型液晶元件。此外，作為第一顯示元件，可以使用快門方式的MEMS(Micro Electro Mechanical System：微機電系統)元件、光干涉方式的MEMS元件、應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體(日本的註冊商標)方式等的元件等。
作為第二顯示元件，較佳為使用發光元件。由於這種顯示元件所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此這種像素可以進行色彩再現性高(色域寬)且對比度高的鮮明的顯示。
作為第二顯示元件，例如可以使用OLED(Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體)、LED(Light Emitting Diode：發光二極體)、QLED(Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體)等自發光性發光元件。
本實施方式的顯示裝置包括只使用第一顯示元件顯示影像的第一模式、只使用第二顯示元件顯示影像的第二模式以及使用第一顯示元 件和第二顯示元件顯示影像的第三模式，該顯示裝置能夠以自動或手動切換這些模式而使用。
在第一模式中，利用第一顯示元件和外光顯示影像。因為第一模式不使用光源，所以功耗極低。例如，當外光充分入射到顯示裝置時(在明亮的環境等下)，可以使用第一顯示元件所反射的光進行顯示。例如，第一模式在外光充分強且外光為白色光或近似的光的情況下是有效的。第一模式是適於顯示文字的模式。另外，因為在第一模式中使用反射外光的光，所以可以進行護眼顯示而有眼睛不容易疲累的效果。
在第二模式中，利用第二顯示元件的發光顯示影像。由此，可以與照度及外光的色度無關地進行極鮮明(對比度高且色彩再現性高)的顯示。例如，第二模式在夜間及昏暗的室內等的照度極低的情況等下是有效的。另外，在周圍昏暗時，明亮的顯示有時讓使用者感到刺眼。為了防止發生這種問題，在第二模式中較佳為進行抑制亮度的顯示。由此，不僅可以抑制刺眼，而且還可以降低功耗。第二模式是適合顯示鮮明的影像(靜態影像及動態影像)等的模式。
在第三模式中，利用第一顯示元件的反射光和第二顯示元件的發光的兩者來進行顯示。不但可以進行比第一模式鮮明的顯示，而且可以使功耗比第二模式小。例如，第三模式在室內照明下或者早晨傍晚等照度較低的情況、外光的色度不是白色的情況等下是有效的。
藉由採用上述結構，可以實現無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性的顯示裝置或全天候型顯示裝置。
本實施方式的顯示裝置包括多個具有第一顯示元件的第一像素及多個具有第二顯示元件的第二像素。第一像素及第二像素較佳為都配 置為矩陣狀。
第一像素及第二像素可以分別包括一個以上的子像素。例如，像素可以採用具有一個子像素的結構(白色(W)等)、具有三個子像素的結構(紅色(R)、綠色(G)及藍色(B)的三種顏色或黃色(Y)、青色(C)及洋紅色(M)的三種顏色等)、具有四個子像素的結構(紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、白色(W)的四種顏色或者紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)、黃色(Y)的四種顏色等)。
在本實施方式的顯示裝置中，可以採用第一像素及第二像素都進行全彩色顯示的結構。此外，在本實施方式的顯示裝置中，可以採用第一像素進行黑白顯示或灰階級顯示，且第二像素進行全彩色顯示的結構。使用第一像素的黑白顯示或灰階級顯示適用於顯示不需要彩色顯示的資訊例如顯示文件資訊。
參照圖15至圖17B說明本實施方式的顯示裝置的結構實例。
〈結構實例1〉
圖15是顯示裝置300A的透視示意圖。顯示裝置300A具有貼合基板351與基板361的結構。在圖15中，以虛線表示基板361。
顯示裝置300A包括顯示部362、電路364及佈線365等。圖15示出在顯示裝置300A中安裝有IC(集成電路)373及FPC372的例子。因此，也可以將圖15所示的結構稱為包括顯示裝置300A、IC及FPC的顯示模組。
作為電路364，例如可以使用掃描線驅動電路。
佈線365具有對顯示部362及電路364供應信號及電力的功能。該 信號及電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。
圖15示出藉由COG(Chip On Gkass：晶粒玻璃接合)方式或COF(Chip on Film：薄膜覆晶封裝)方式等在基板351上設置有IC373的例子。作為IC373，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置100及顯示模組不一定需要設置有IC。另外，也可以將IC利用COF方式等安裝於FPC。
圖15示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的電極311b。電極311b具有反射可見光的功能，並被用作液晶元件180的反射電極。
此外，如圖15所示，電極311b具有開口451。再者，顯示部362在比電極311b更靠近基板351一側包括發光元件170。來自發光元件170的光經過電極311b的開口451射出到基板361一側。發光元件170的發光區域的面積與開口451的面積也可以相同。發光元件170的發光區域的面積和開口451的面積中的一個較佳為比另一個大，這是因為可以增大錯位的餘地的緣故。尤其是，開口451的面積較佳為比發光元件170的發光區域的面積大。當開口451較小時，有時電極311b遮斷來自發光元件170的光的一部分，由此光不能取出到外部。藉由使開口451充分大，可以抑制發光元件170的發光的損耗。
圖16示出圖15所示的顯示裝置300A的包括FPC372的區域的一部分、包括電路364的區域的一部分及包括顯示部362的區域的一部分的剖面的一個例子。
圖16所示的顯示裝置300A在基板351與基板361之間包括電晶體201、電晶體203、電晶體205、電晶體206、液晶元件180、發光元件170、絕緣層220、彩色層131、彩色層134等。基板361與絕緣層220 藉由黏合層141黏合。基板351與絕緣層220藉由黏合層142黏合。
基板361設置有彩色層131、遮光層132、絕緣層121及被用作液晶元件180的共用電極的電極113、配向膜133b、絕緣層117等。在基板361的外側的面包括偏光板135。絕緣層121可以具有平坦化層的功能。藉由使用絕緣層121可以使電極113的表面大致平坦，可以使液晶層112的配向狀態成為均勻。絕緣層117被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。在絕緣層117透過可見光的情況下，絕緣層117也可以與液晶元件180的顯示區域重疊。
液晶元件180是反射型液晶元件。液晶元件180具有層疊有被用作像素電極的電極311a、液晶層112、電極113的疊層結構。以與電極311a的基板351一側接觸的方式設置有反射可見光的電極311b。電極311b具有開口451。電極311a及電極113透過可見光。在液晶層112與電極311a之間設置有配向膜133a。在液晶層112與電極113之間設置有配向膜133b。
在液晶元件180中，電極311b具有反射可見光的功能，電極113具有透過可見光的功能。從基板361一側入射的光被偏光板135偏振，經過電極113、液晶層112，被電極311b反射。並且，再次透過液晶層112及電極113，到達偏光板135。此時，可以由施加到電極311b與電極113之間的電壓控制液晶的配向，來控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板135射出的光的強度。此外，由於特定的波長區域之外的光被彩色層131吸收，因此被提取的光例如呈現紅色。
如圖16所示，在開口451中較佳為設置有透過可見光的電極311a。由此，液晶層112在與開口451重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在該區域的境界部產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。
在連接部207中，電極311b藉由導電層221b與電晶體206所包括的導電層222a電連接。電晶體206具有控制液晶元件180的驅動的功能。
在設置有黏合層141的一部分的區域中設置有連接部252。在連接部252中，藉由連接器243使對與電極311a同一的導電膜進行加工來獲得的導電層和電極113的一部分電連接。由此，可以將從連接於基板351一側的FPC372輸入的信號或電位藉由連接部252供應到形成在基板361一側的電極113。
例如，連接器243可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用表面覆蓋有金屬材料的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，連接器243較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時導電粒子的連接器243成為圖16所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器243與電連接於該連接器的導電層的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。
連接器243較佳為以由黏合層141覆蓋的方式配置。例如，在進行固化之前的黏合層141中分散連接器243即可。
發光元件170是底部發射型發光元件。發光元件170具有從絕緣層220一側依次層疊有被用作像素電極的電極191、EL層192及被用作共用電極的電極193的疊層結構。電極191藉由形成在絕緣層214中的開口與電晶體205所包括的導電層222a連接。電晶體205具有控制發光元件170的驅動的功能。絕緣層216覆蓋電極191的端部。電極193包含反射可見光的材料，電極191包含透過可見光的材料。絕緣層194 以覆蓋電極193的方式設置。發光元件170所發射的光經過彩色層134、絕緣層220、開口451、電極311a等射出到基板361一側。
當在像素之間改變彩色層的顏色時，液晶元件180及發光元件170可以呈現各種顏色。顯示裝置300A可以使用液晶元件180進行彩色顯示。顯示裝置300A可以使用發光元件170進行彩色顯示。
由於電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206都形成在絕緣層220的基板351一側的面上。這些電晶體可以藉由同一製程來製造。
電連接於液晶元件180的電路較佳為與電連接於發光元件170的電路形成在同一面上。由此，與將兩個電路形成在不同的面上的情況相比，可以減小顯示裝置的厚度。此外，因為可以藉由同一製程製造兩個電晶體，所以與將兩個電晶體形成在不同的面上的情況相比，可以簡化製程。
液晶元件180的像素電極位於相對於電晶體的閘極絕緣層與發光元件170的像素電極對置的位置上。
在此，當使用在通道形成區域中包括金屬氧化物的關態電流極低的電晶體206或者與電晶體206電連接的記憶元件時，即使在使用液晶元件180顯示靜態影像時停止向像素的寫入工作也可以維持灰階。也就是說，即便使圖框頻率極小也可以保持顯示。在本發明的一個實施方式中，可以使圖框頻率極小而能夠進行功耗低的驅動。
除了電晶體203之外，還可以設置用來控制是否選擇像素的電晶體(也被稱為切換電晶體或選擇電晶體)。電晶體205為控制流過發光元件170的電流的電晶體(也被稱為驅動電晶體)。
在絕緣層220的基板351一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214等絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212以覆蓋電晶體206等的方式設置。絕緣層213以覆蓋電晶體205等的方式設置。絕緣層214被用作平坦化層。注意，對覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。
較佳的是，將水或氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋各電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層被用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示裝置。
電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206包括：被用作閘極的導電層221a；被用作閘極絕緣層的絕緣層211；被用作源極及汲極的導電層222a及導電層222b；以及半導體層231。在此，對經過對同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。
電晶體201及電晶體205除了電晶體203及電晶體206的結構以外還包括被用作閘極的導電層223。
作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高分辨率化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。
或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。
對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有限制。電路364所包括的電晶體和顯示部362所包括的電晶體既可以具有相同的結構，又可以具有不同的結構。電路364所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。同樣地，顯示部362所包括的多個電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。
作為導電層223，較佳為使用包含氧化物的導電材料。藉由在包含氧的氛圍下形成構成導電層223的導電膜，可以對絕緣層212供應氧。較佳的是，沉積氣體中的氧氣體的比率為90%以上且100%以下。供應到絕緣層212中的氧藉由後面的熱處理被供應給半導體層231，由此可以實現半導體層231中的氧缺陷的降低。
尤其是，作為導電層223，較佳為使用低電阻化了的金屬氧化物。此時，較佳為使用向絕緣層213釋放氫的絕緣膜，例如氮化矽膜等。藉由在絕緣層213的成膜中或後面的熱處理，氫被供應給導電層223中，由此可以有效地降低導電層223的電阻。
以接觸於絕緣層213的方式設置有彩色層134。彩色層134被絕緣層214覆蓋。
在基板351的不與基板361重疊的區域中設置有連接部204。在連接部204中，佈線365藉由連接層242與FPC372電連接。連接部204具有與連接部207相同的結構。在連接部204的頂面上露出對與電極311a同一的導電膜進行加工來獲得的導電層。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC372電連接。
作為設置在基板361外側的面的偏光板135，既可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光反射。此外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件180的液晶元件的單元間隙、配向、驅動電壓等來實現所希望的對比度。
此外，可以在基板361的外側的表面上配置各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、光擴散層(擴散薄膜等)、防反射層及聚光薄膜(condensing film)等。此外，在基板361的外側的表面上也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜等。
基板351及基板361可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等。藉由將具有撓性的材料用於基板351及基板361，可以提高顯示裝置的撓性。
作為液晶元件180，例如可以採用使用VA(Vertical Alignment：垂直配向)模式的元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA(Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型)模式、ASV(Advanced Super View：高級超視覺)模式等。
作為液晶元件180，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA模式以外，可以使用TN(Twisted Nematic：扭曲向列)模式、IPS(In-Plane-Switching：平面切換)模式、FFS(Fringe Field Switching：邊緣電場切換)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元)模式、OCB(Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶)模 式、AFLC(AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶)模式等的液晶元件。
液晶元件是利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場(包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場)控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶(PDLC：Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶)、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。
作為液晶材料，可以使用正型液晶或負型液晶，根據所適用的模式或設計採用適當的液晶材料。
為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。此外，在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其具有光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良、破損。
當採用反射型液晶元件時，將偏光板135設置在顯示面一側。此外，當在顯示面一側另外設置光擴散板時，可以提高可見度，所以是較佳的。
可以在偏光板135的外側設置前光源。作為前光源，較佳為使用邊緣照明型前光源。當使用具備LED的前光源時，可以降低功耗，所以是較佳的。
關於能夠用於發光元件、電晶體、絕緣層、導電層、黏合層、連接層等的材料可以參照實施方式1的說明。
〈結構實例2〉
圖17A示出顯示裝置300B的顯示部的剖面圖。
圖17A所示的顯示裝置300B在基板351與基板361之間包括電晶體40、電晶體80、液晶元件180、發光元件170、絕緣層220、彩色層131、彩色層134等。
關於電晶體40及電晶體80的結構及製造方法可以參照實施方式1。
在液晶元件180中，電極311b反射外光，向基板361一側射出反射光。發光元件170向基板361一側射出光。關於液晶元件180及發光元件170的結構可以參照結構實例1。
基板361設置有彩色層131、絕緣層121及被用作液晶元件180的共用電極的電極113、配向膜133b。
液晶層112隔著配向膜133a及配向膜133b夾在電極311a與電極113之間。
電晶體40由絕緣層212及絕緣層213覆蓋。絕緣層213及彩色層134由黏合層142與絕緣層194貼合。
因為顯示裝置300B在不同的面上形成驅動液晶元件180的電晶體40和驅動發光元件170的電晶體80，所以容易使用適於驅動各個顯示元件的結構及材料形成。
〈結構實例3〉
圖17B示出顯示裝置300C的顯示部的剖面圖。
圖17B所示的顯示裝置300C與顯示裝置300B的不同之處在於：在圖17B中，在電極311a上包括絕緣層31。
藉由包括絕緣層31，可以防止雜質從比絕緣層31更靠近基板361一側進入電晶體40、電晶體80及發光元件170，所以是較佳的。
〈顯示裝置300A的製造方法例子〉
接著，參照圖18A至圖20B明確地說明本實施方式的顯示裝置的製造方法。以下說明圖16所示的顯示裝置300A的製造方法的一個例子。參照圖18A至圖20B尤其著眼於顯示裝置300A的顯示部362說明製造方法。注意，在圖18A至圖20B中省略圖示電晶體203。
首先，在基板361上形成彩色層131(圖18A)。藉由利用光微影法等並使用感光性材料形成彩色層131，可以將彩色層131加工為島狀。此外，在顯示部362的非顯示區域或圖16所示的電路364等中，在基板361上設置遮光層132。
接著，在彩色層131及遮光層132上形成絕緣層121。
絕緣層121較佳為被用作平坦化層。作為絕緣層121，可以適用丙烯酸樹脂、環氧樹脂等。
作為絕緣層121也可以使用無機絕緣膜。作為絕緣層121例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。
接著，形成電極113。電極113可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻之後去除光阻遮罩來形成。電極113使用透過可見光的導電材料形成。
接著，在電極113上形成絕緣層117。作為絕緣層117，較佳為使用有機絕緣膜。
接著，在電極113及絕緣層117上形成配向膜133b(圖18A)。藉由在形成樹脂等薄膜之後進行摩擦處理，可以形成配向膜133b。
此外，與參照圖18A說明的製程獨立地進行圖18B至圖20A所示的製程。
首先，在形成用基板14上形成包含氫的層20至絕緣層31(圖18B)。這些製程可以參照實施方式1的剝離方法及製造方法例子1。
接著，在絕緣層31上形成電極311a，在電極311a上形成電極311b(圖18C)。電極311b在電極311a上包括開口451。電極311a及電極311b分別可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極311a使用透過可見光的導電材料形成。電極311b使用反射可見光的導電材料形成。
接著，形成絕緣層220。並且，在絕緣層220中設置到達電極311b的開口。
可以將絕緣層220用作防止包含在樹脂層23中的雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。絕緣層220例如在加熱樹脂層23時，較佳為防止包含在樹脂層23中的水分等擴散到電晶體或顯示元件。由此，絕緣層220較佳為具有高阻擋性。
作為絕緣層220，可以使用能夠用於絕緣層121的無機絕緣膜以及樹脂等。
接著，在絕緣層220上形成電晶體205及電晶體206。
對用於電晶體的半導體材料沒有特別的限定，例如可以將第14族元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。典型的是，可以使用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
在此，示出作為電晶體206製造在半導體層231中包含金屬氧化物的底閘極結構的電晶體的情況。電晶體205具有對電晶體206的結構追加導電層223及絕緣層212的結構，並包括兩個閘極。金屬氧化物可以被用作氧化物半導體。
明確而言，首先，在絕緣層220上形成導電層221a及導電層221b。導電層221a及導電層221b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩。這裡，導電層221b藉由絕緣層220中的開口與電極311b連接。
接著，形成絕緣層211。
作為絕緣層211，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。另外，也可以使用氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以使用上述絕緣膜的兩個以上的疊層。
由於無機絕緣膜在成膜溫度高時成為緻密且阻擋性高的膜，所以較佳為以高溫度形成。形成無機絕緣膜時的基板溫度較佳為室溫(25℃)以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。
接著，形成半導體層231。在本實施方式中，作為半導體層231形成金屬氧化物層。金屬氧化物層可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，對該金屬氧化物膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
接著，形成導電層222a及導電層222b。導電層222a及導電層222b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層222a及導電層222b分別與半導體層231連接。這裡，電晶體206所包括的導電層222a與導電層221b電連接。由此，在連接部207中可以使電極311b與導電層222a電連接。
在對導電層222a及導電層222b進行加工時，有時沒有被光阻遮罩覆蓋的半導體層231的一部分因為蝕刻處理而被減薄。
藉由上述步驟，可以製造電晶體206。
接著，形成覆蓋電晶體206的絕緣層212。絕緣層212以覆蓋電晶體205及電晶體206分別包括的半導體層231、導電層222a及導電層222b的方式形成。接著，在絕緣層212上形成電晶體205的導電層223。
絕緣層212可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
電晶體205所包括的導電層223可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。
藉由上述步驟，可以製造電晶體205。
接著，形成覆蓋電晶體205及電晶體206的絕緣層213。絕緣層213可以藉由與絕緣層211同樣的方法形成。
作為絕緣層212，較佳為使用在包含氧的氛圍下形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。再者，作為絕緣層213，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易使氧擴散和透過的絕緣膜。在包含氧的氛圍下形成的氧化物絕緣膜可以是藉由加熱容易釋放多量的氧的絕緣膜。藉由在這種釋放氧的氧化物絕緣膜與不容易使氧擴散和透過的絕緣膜層疊在一起的狀態下進行加熱處理，可以對金屬氧化物層供應氧。其結果是，可以填補金屬氧化物層中的氧缺陷及金屬氧化物層與絕緣層212之間的介面的缺陷，從而可以降低缺陷能階。由此，可以實現可靠性極高的顯示裝置。
接著，在絕緣層213上形成彩色層134(圖18C)，然後形成絕緣層214(圖18D)。彩色層134以與電極311b的開口451重疊的方式配置。
彩色層134可以藉由與彩色層131同樣的方法形成。絕緣層214是具有後面形成的顯示元件的被形成表面的層，由此較佳為具有平坦化層的功能。絕緣層214可以援用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。
接著，在絕緣層212、絕緣層213及絕緣層214中形成到達電晶體205所包括的導電層222a的開口。
接著，形成電極191。電極191可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。在此，電晶體205所包括的導電層222a與電極191連接。電極191使用透過可見光的導電材料形成。
接著，形成覆蓋電極191的端部的絕緣層216。絕緣層216可以援用能夠用於絕緣層121的樹脂或無機絕緣膜。絕緣層216在與電極191重疊的部分中具有開口。
接著，形成EL層192及電極193。電極193的一部分被用作發光元件170的共用電極。電極193使用反射可見光的導電材料形成。
在形成EL層192之後進行的各製程中，需要使對EL層192進行加熱的溫度為EL層192的耐熱溫度以下。電極193可以藉由蒸鍍法或濺射法等形成。
藉由上述製程，可以形成發光元件170。發光元件170以發光區域與彩色層134及電極311b的開口451重疊的方式製造。
接著，以覆蓋電極193的方式形成絕緣層194。絕緣層194被用作抑制水等雜質擴散到發光元件170的保護層。發光元件170被絕緣層194密封。較佳為在形成電極193之後以不暴露於大氣的方式形成絕緣層194。
絕緣層194例如可以使用能夠用於上述絕緣層121的無機絕緣膜。 尤其是，較佳為包含阻擋性高的無機絕緣膜。另外，也可以使用無機絕緣膜和有機絕緣膜的疊層。
形成絕緣層194時的基板溫度較佳為EL層192的耐熱溫度以下。絕緣層194可以藉由ALD法或濺射法等形成。ALD法及濺射法能夠以低溫進行成膜，所以是較佳的。當利用ALD法時，絕緣層194的覆蓋性變高，所以是較佳的。
接著，在絕緣層194的表面使用黏合層142貼合基板351(圖18D)。
黏合層142可以適用實施方式1所示的能夠用於黏合層75b的材料。
基板351可以適用實施方式1所示的能夠用於基板75a的材料。
接著，在樹脂層23中形成分離起點，分離形成用基板14與樹脂層23(圖19A)。圖19A示出在樹脂層23與包含氧的層21的介面產生分離的例子。此外，有時在包含氧的層21一側殘留樹脂層23的一部分。
接著，較佳為去除樹脂層23及絕緣層31。例如，可以利用乾蝕刻法等去除樹脂層23及絕緣層31。由此，露出電極311a(圖19B)。此外，既可以在電極311a上殘留絕緣層31，又可以在絕緣層31上殘留樹脂層23。
接著，在露出的電極311a的表面形成配向膜133a(圖20A)。藉由在形成樹脂等的薄膜之後進行摩擦處理，可以形成配向膜133a。
然後，將完成參照圖18A說明的製程的基板361與完成到圖20A 為止的製程的基板351夾著液晶層112貼合(圖20B)。雖然在圖20B中未圖示，但是如圖16等所示，使用黏合層141貼合基板351與基板361。黏合層141可以援用能夠用於黏合層142的材料。
圖20B所示的液晶元件180具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極311a(及電極311b)、液晶層112、其一部分被用作共用電極的電極113的結構。液晶元件180以與彩色層131重疊的方式製造。
在基板361的外側的面配置偏光板135。
藉由上述製程，可以製造顯示裝置300A。
〈顯示裝置300B的製造方法例子〉
接著，參照圖21A至圖23C明確地說明本實施方式的顯示裝置的製造方法。以下，說明圖17A所示的顯示裝置300B的製造方法的一個例子。注意，有時省略與顯示裝置300A的製造方法例子同樣的部分的說明。
首先，與顯示裝置300A的製造方法例子同樣地，在基板361上依次形成彩色層131、絕緣層121、電極113及配向膜133b(圖21A)。
此外，與參照圖21A說明的製程獨立地進行圖21B所示的製程。
首先，在基板351上形成電晶體80。電晶體80的結構及製造方法可以參照實施方式1。
接著，形成絕緣層214、絕緣層216、發光元件170及絕緣層194(圖21B)。絕緣層214、絕緣層216、發光元件170及絕緣層194的結構及製造方法可以參照顯示裝置300A的製造方法例子。
此外，與參照圖21A說明的製程及參照圖21B說明的製程獨立地進行圖21C及圖21D所示的製程。
首先，在形成用基板14上形成包含氫的層20至絕緣層31(圖21C)。這些製程可以參照實施方式1的剝離方法及製造方法例子1。
接著，在絕緣層31上形成電極311a，在電極311a上形成電極311b(圖21D)。電極311a及電極311b分別可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。電極311a使用透過可見光的導電材料形成。電極311b使用反射可見光的導電材料形成。
接著，形成絕緣層220(圖21D)。並且，在絕緣層220中形成到達電極311b的開口。此外，也可以在電晶體40的製程中對絕緣層220和電晶體40的閘極絕緣層一次性地進行加工來形成到達電極311b的開口。
接著，在絕緣層220上形成電晶體40。電晶體40的結構及製造方法可以參照實施方式1。
接著，形成覆蓋電晶體40的絕緣層212，在絕緣層212上形成絕緣層213，在絕緣層213上形成彩色層134(圖21D)。
將完成參照圖21B說明的製程的基板351與完成到圖21D為止的製程的形成用基板14夾著黏合層142貼合(圖22A)。
接著，在樹脂層23中形成分離起點。並且，分離形成用基板14與樹脂層23(圖22B)。圖22B示出在樹脂層23與包含氧的層21的介 面產生分離的例子。此外，有時在包含氧的層21一側殘留樹脂層23的一部分。
接著，較佳為去除樹脂層23及絕緣層31。例如，可以利用乾蝕刻法等去除樹脂層23及絕緣層31。由此，露出電極311a(圖23A)。此外，既可以在電極311a上殘留絕緣層31，又可以在絕緣層31上殘留樹脂層23。
接著，在露出的電極311a的表面形成配向膜133a(圖23B)。
然後，將完成參照圖21A說明的製程的基板361與完成到圖23B為止的製程的基板351夾著液晶層112貼合(圖23C)。雖然在圖23C中未圖示，使用黏合層貼合基板351與基板361。
圖23C所示的液晶元件180具有層疊有其一部分被用作像素電極的電極311a(及電極311b)、液晶層112、其一部分被用作共用電極的電極113的結構。液晶元件180以與彩色層131重疊的方式製造。
藉由上述製程，可以製造顯示裝置300B。
如上所述，因為本實施方式的顯示裝置包括兩種顯示元件，該顯示裝置能夠切換多個顯示模式而使用，所以無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性。
藉由使用在實施方式1中說明的方法，可以使形成用基板14與樹脂層23剝離而不對樹脂層23的整個面進行雷射照射。因此，可以以低成本製造顯示裝置。此外，可以抑制樹脂層23從形成用基板14的非意圖的剝離。由於可以控制剝離的時序且可以實現高剝離性，所以可以提高剝離製程及顯示裝置的製程的良率。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖24A至圖26B說明在實施方式2中說明的顯示裝置的更具體的結構實例。
圖24A是顯示裝置400的方塊圖。顯示裝置400包括顯示部362、電路GD及電路SD。顯示部362包括排列為矩陣狀的多個像素410。
顯示裝置400包括多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO、多個佈線CSCOM、多個佈線S1以及多個佈線S2。多個佈線G1、多個佈線G2、多個佈線ANO以及多個佈線CSCOM分別與在箭頭R表示的方向上排列的多個像素410及電路GD電連接。多個佈線S1及多個佈線S2分別與在箭頭C表示的方向上排列的多個像素410及電路SD電連接。
注意，雖然為了簡化在此示出了包括一個電路GD和一個電路SD的結構，但是也可以分別設置用來驅動液晶元件的電路GD和電路SD以及用來驅動發光元件的電路GD和電路SD。
像素410包括反射型液晶元件及發光元件。
圖24B1至圖24B4示出像素410所包括的電極311的結構例子。電極311被用作液晶元件的反射電極。在圖24B1、圖24B2的電極311中設置有開口451。
在圖24B1、圖24B2中，以虛線示出位於與電極311重疊的區域中 的發光元件360。發光元件360與電極311所包括的開口451重疊。由此，發光元件360所發射出的光藉由開口451射出到顯示面一側。
在圖24B1中，在箭頭R表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。此時，如圖24B1所示，較佳為在箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311的不同位置上。由此，可以將兩個發光元件360分開地配置，從而可以抑制發光元件360所發射出的光入射到相鄰的像素410所包括的彩色層的現象(也稱為串擾)。另外，由於可以將相鄰的兩個發光元件360分開地配置，因此即使利用陰影遮罩等分別製造發光元件360的EL層，也可以實現高分辨率的顯示裝置。
在圖24B2中，在箭頭C表示的方向上相鄰的像素410是對應於不同的顏色的像素。圖24B2也是同樣的，較佳為在箭頭C表示的方向上相鄰的兩個像素中開口451以不設置在一列上的方式設置於電極311的不同位置上。
開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越小，越可以使使用液晶元件的顯示明亮。另外，開口451的總面積相對於非開口部的總面積的比例越大，越可以使使用發光元件360的顯示明亮。
開口451的形狀例如可以為多角形、四角形、橢圓形、圓形或十字狀等的形狀。另外，也可以為細長的條狀、狹縫狀、方格狀的形狀。另外，也可以以靠近相鄰的像素的方式配置開口451。較佳的是，將開口451配置為靠近顯示相同的顏色的其他像素。由此，可以抑制產生串擾。
此外，如圖24B3和圖24B4所示，發光元件360的發光區域也可以位於不設置有電極311的部分。由此，發光元件360所發射出的光射 出到顯示面一側。
在圖24B3中，在以箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素410中，發光元件360不設置在一列上。在圖24B4中，在以箭頭R表示的方向上相鄰的兩個像素中，發光元件360設置在一列上。
在圖24B3的結構中，可以將相鄰的兩個像素410所包括的發光元件360分開地配置，所以如上所述，可以抑制串擾且實現高分辨率化。此外，在圖24B4的結構中，電極311不位於發光元件360的與箭頭C平行的邊一側，因此可以抑制發光元件360所發射出的光被電極311遮蔽，而可以實現高視角特性。
作為電路GD，可以使用移位暫存器等各種順序電路等。作為電路GD可以使用電晶體及電容元件等。電路GD所包括的電晶體可以藉由與像素410所包括的電晶體相同的製程形成。
電路SD與佈線S1電連接。例如，作為電路SD可以使用集成電路。明確而言，作為電路SD，可以使用形成在矽基板上的集成電路。
例如，可以利用COG方式或COF方式等將電路SD安裝於與像素410電連接的焊盤上。明確而言，可以使用異方性導電膜將集成電路安裝於焊盤上。
圖25是像素410的電路圖的一個例子。圖25示出相鄰的兩個像素410。
像素410包括開關SW1、電容元件C1、液晶元件340、開關SW2、電晶體M、電容元件C2以及發光元件360等。另外，佈線G1、佈線G2、佈線ANO、佈線CSCOM、佈線S1及佈線S2與像素410電連接。 另外，圖25示出與液晶元件340電連接的佈線VCOM1以及與發光元件360電連接的佈線VCOM2。
圖25示出將電晶體用於開關SW1及開關SW2時的例子。
開關SW1的閘極與佈線G1連接。開關SW1的源極和汲極中的一個與佈線S1連接，另一個與電容元件C1的一個電極及液晶元件340的一個電極連接。電容元件C1的另一個電極與佈線CSCOM連接。液晶元件340的另一個電極與佈線VCOM1連接。
開關SW2的閘極與佈線G2連接。開關SW2的源極和汲極中的一個與佈線S2連接，另一個與電容元件C2的一個電極及電晶體M的閘極連接。電容元件C2的另一個電極與電晶體M的源極和汲極中的一個及佈線ANO連接。電晶體M的源極和汲極中的另一個與發光元件360的一個電極連接。發光元件360的另一個電極與佈線VCOM2連接。
圖25示出電晶體M包括夾著半導體的兩個互相連接著的閘極的例子。由此，可以提高電晶體M能夠流過的電流量。
可以對佈線G1供應將開關SW1控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM1供應規定的電位。可以對佈線S1供應控制液晶元件340所具有的液晶的配向狀態的信號。可以對佈線CSCOM供應規定的電位。
可以對佈線G2供應將開關SW2控制為導通狀態或非導通狀態的信號。可以對佈線VCOM2及佈線ANO分別供應產生用來使發光元件360發光的電位差的電位。可以對佈線S2供應控制電晶體M的導通狀態的信號。
圖25所示的像素410例如在以反射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G1及佈線S1的信號驅動，並利用液晶元件340的光學調變而進行顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以利用供應給佈線G2及佈線S2的信號驅動，並使發光元件360發光而進行顯示。另外，在以兩個模式驅動時，可以利用分別供應給佈線G1、佈線G2、佈線S1及佈線S2的信號而驅動。
注意，雖然圖25示出一個像素410包括一個液晶元件340及一個發光元件360的例子，但是不侷限於此。圖26A示出一個像素410包括一個液晶元件340及四個發光元件360(發光元件360r、360g、360b、360w)的例子。與圖25不同，圖26A所示的像素410可以利用一個像素進行使用發光元件的全彩色顯示。
在圖26A中，除了圖25的結構例子之外，佈線G3及佈線S3與像素410連接。
在圖26A所示的例子中，例如作為四個發光元件360，可以使用分別呈現紅色(R)、綠色(G)、藍色(B)及白色(W)的發光元件。另外，作為液晶元件340可以使用呈現白色的反射型液晶元件。由此，在以反射模式進行顯示時，可以進行高反射率的白色顯示。另外，在以透射模式進行顯示時，可以以低功耗進行高演色性的顯示。
圖26B示出對應於圖26A的像素410的結構例子。像素410包括與電極311所包括的開口重疊的發光元件360w、配置在電極311周圍的發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b。發光元件360r、發光元件360g及發光元件360b較佳為具有幾乎相同的發光面積。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，對可用於在本發明的一個實施方式中公開的電晶體的金屬氧化物進行說明。以下，特別是對金屬氧化物和CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的詳細內容進行說明。
CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有導電性的功能，在材料的另一部分中具有絕緣性的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域的情況下，導電性的功能是使被用作載子的電子(或電洞)流過的功能，絕緣性的功能是不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電性的功能和絕緣性的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能(開啟/關閉的功能)。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。
此外，CAC-OS或CAC-metal oxide包括導電性區域及絕緣性區域。導電性區域具有上述導電性的功能，絕緣性區域具有上述絕緣性的功能。此外，在材料中，導電性區域和絕緣性區域有時以奈米粒子級分離。另外，導電性區域和絕緣性區域有時在材料中不均勻地分佈。此外，有時導電性區域被觀察為其邊緣模糊且以雲狀連接。
在CAC-OS或CAC-metal oxide中，有時導電性區域及絕緣性區域分別分散在材料中，其尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下。
此外，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同能帶間隙的成分構成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因於絕緣性區域的寬隙的成分及具有起因於導電性區域的窄隙的成分構成。在該結構中，當使載子流過時，載子主要在具有窄隙的成分中流過。此外，具有窄 隙的成分與具有寬隙的成分互補作用，與具有窄隙的成分聯動地在具有寬隙的成分中載子流過。因此，在將上述CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域時，在電晶體的導通狀態中可以得到高電流驅動力，亦即大通態電流及高場效移動率。
就是說，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料(matrix composite)或金屬基質複合材料(metal matrix composite)。
CAC-OS例如是指包含在金屬氧化物中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在金屬氧化物中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀，該區域的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。
金屬氧化物較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含元素M(M為鎵、鋁、矽、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或鎂)。
例如，具有CAC-OS的構成的In-M-Zn氧化物是材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及元素M的氧化物(以下，稱為MOX3(X3為大於0的實數))或元素M的鋅氧化物(以下，稱為MX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀的構成)。
換言之，具有CAC-OS的構成的In-M-Zn氧化物為其中以MOX3 為主要成分的區域以及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的金屬氧化物。因此，有時將金屬氧化物記為複合金屬氧化物。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
具有CAC-OS的構成的金屬氧化物不包含組成不同的兩種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。
明確而言，對In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，可以將In-Ga-Zn氧化物特別稱為CAC-IGZO)進行說明。In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS是材料分成InOX1或InX2ZnY2OZ2以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX5(X5為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX6ZnY6OZ6(X6、Y6及Z6為大於0的實數))等而成為馬賽克狀的金屬氧化物。並且，馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2是雲狀金屬氧化物。
換言之，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS為具有以GaOX5為主要成分的區域以及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合金屬氧化物。另外，以GaOX5為主要成分的區域以及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域有時觀察不到明確的邊界。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1x01，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC(c-axis aligned crystal)結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的層狀結晶結構。
在本說明書等中，可以將CAC-IGZO可以定義為：在包含In、Ga、Zn及O的金屬氧化物中，以Ga為主要成分的多個區域以及以In為主要成分的多個區域都以馬賽克狀無規律地分散的狀態下的金屬氧化物。
可以利用電子束繞射對In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS的結晶性進行評價。例如，在電子束繞射圖案中，有時觀察到環狀的亮度高的區域。此外，有時觀察到環狀的區域內的多個斑點。
In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS具有以GaOX5等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在CAC-OS中包含鋁、矽、硼、釔、錫、銅、釩、鈹、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢或鎂以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該金屬元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX5等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在金屬氧化物中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX5等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2 或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX5等為主要成分的區域在金屬氧化物中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX5等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)、高場效移動率(μ)及低關態電流(Ioff)。
另外，使用In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS適用於顯示器等各種半導體裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的顯示模組及電子裝置。
圖27所示的顯示模組8000在上蓋8001與下蓋8002之間包括連接於FPC8003的觸控面板8004、連接於FPC8005的顯示面板8006、框架8009、印刷電路板8010以及電池8011。
例如，可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示面板8006。由此，可以以高良率製造顯示模組。
上蓋8001及下蓋8002可以根據觸控面板8004及顯示面板8006的尺寸適當地改變其形狀或尺寸。
作為觸控面板8004，可以使用重疊於顯示面板8006的電阻膜式觸 控面板或靜電容量式觸控面板。另外，也可以不設置觸控面板8004而使顯示面板8006具有觸控面板的功能。
框架8009除了具有保護顯示面板8006的功能以外還具有用來遮斷因印刷電路板8010的工作而產生的電磁波的電磁屏蔽的功能。另外，框架8009也可以具有散熱板的功能。
印刷電路板8010包括電源電路以及用來輸出視訊信號及時脈信號的信號處理電路。作為對電源電路供應電力的電源，既可以使用外部的商業電源，又可以使用另行設置的電池8011的電源。當使用商業電源時，可以省略電池8011。
另外，在顯示模組8000中還可以設置偏光板、相位差板、稜鏡片等構件。
藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有曲面且可靠性高的電子裝置。此外，藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有撓性且可靠性高的電子裝置。
作為電子裝置，例如可以舉出：電視機；桌上型或膝上型個人電腦；用於電腦等的顯示器；數位相機；數位攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等大型遊戲機等。
此外，本發明的一個實施方式的顯示裝置不管外光的強度如何都可以實現高可見度。由此，可以適當地應用於可攜式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。
圖28A和圖28B所示的可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼 802、顯示部803、顯示部804及鉸鏈部805等。
外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從折疊狀態(圖28A)轉換成圖28B所示的展開狀態。
可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部803和顯示部804中的至少一個。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。
顯示部803及顯示部804可以顯示文件資訊、靜態影像和動態影像等中的至少一個。當在顯示部中顯示文件資訊時，可以將可攜式資訊終端800用作電子書閱讀器。
可攜式資訊終端800可以被折疊，因此可攜性高且通用性優越。
外殼801和外殼802也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。
圖28C所示的可攜式資訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、照相機817等。
可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部812。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。
在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812可以進行打電話或輸入文字等各種操作。
另外，藉由操作按鈕813的操作，可以進行電源的ON、OFF工作 或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向(縱向或橫向)，而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。
可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
圖28D所示的照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。
可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部822。由此，可以以高良率製造照相機。
在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼821也可以被形成為一體。
藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822進行攝像。
另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。 另外，這些構件也可以組裝在外殼821中。
圖29A至圖29E是示出電子裝置的圖。這些電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005(包括電源開關或操作開關)、連接端子9006、感測器9007(它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線)、麥克風9008等。
可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置適合用於顯示部9001。由此，可以以高良率製造電子裝置。
圖29A至圖29E所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊(靜態影像、動態影像、文字影像等)顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體(程式)控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。注意，圖29A至圖29E所示的電子裝置所具有的功能不侷限於上述功能，而也可以具有其他的功能。
圖29A是示出手錶型的可攜式資訊終端9200的透視圖，圖29B是示出手錶型的可攜式資訊終端9201的透視圖。
圖29A所示的可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通訊標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。 另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。
圖29B所示的可攜式資訊終端9201與圖29A所示的可攜式資訊終端不同之處在於顯示部9001的顯示面不彎曲。此外，可攜式資訊終端9201的顯示部的外形為非矩形(在圖29B中為圓形狀)。
圖29C至圖29E是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9202的透視圖。另外，圖29C是將可攜式資訊終端9202展開的狀態的透視圖，圖29D是將可攜式資訊終端9202從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的透視圖，圖29E是將可攜式資訊終端9202折疊的狀態的透視圖。
可攜式資訊終端9202在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9202所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9202從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，能夠使可攜式資訊終端9202以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施例1
在本實施例中製造三種樣本，對每個樣本進行熱脫附譜(TDS：Thermal Desorption Spectroscopy)分析。
[樣本的製造]
藉由利用電漿CVD法在玻璃基板上形成厚度大約為600nm的氧氮化矽膜，製造樣本A。氧氮化矽膜利用電漿CVD法在如下條件下形成：SiH4氣體的流量為75sccm且N2O氣體的流量為1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃。
藉由利用濺射法在玻璃基板上形成厚度大約為100nm的包含矽的銦錫氧化物(ITSO)膜，製造樣本B。ITSO膜利用濺射法在如下條件下形成：Ar氣體的流量為125sccm且O2氣體的流量為3sccm，電源功率為3.2kW，壓力為0.23Pa，基板溫度為25℃(室溫)。
藉由利用電漿CVD法在玻璃基板上形成厚度大約為600nm的氧氮化矽膜，並利用濺射法在氧氮化矽膜上形成厚度大約為30nm的ITSO膜，由此製造樣本C。氧氮化矽膜的成膜條件與樣本A同樣。ITSO膜的成膜條件與樣本B同樣。
[TDS分析]
圖30A示出對樣本A至樣本C的藉由TDS分析檢測出相當於氫分子的質荷比(m/z)為2的強度的溫度依賴性進行評價的結果。
圖30B示出對樣本A至樣本C的藉由TDS分析檢測出相當於水分子的質荷比(m/z)為18的強度的溫度依賴性進行評價的結果。
在樣本B及樣本C中，幾乎沒有檢測出氫。
在形成有氧氮化矽膜的樣本A中，從250℃左右處開始檢測出較多的氫，溫度越高，氫的檢測量越多。由此可知，在250℃以上的溫度下進行加熱處理時，從氧氮化矽膜釋放氫。
在氧氮化矽膜上形成有ITSO膜的樣本C中，從250℃左右處檢測出較多的水，溫度越高，水的釋放量越多。由此可知，在250℃以上的溫度下對樣本C進行加熱處理時，釋放水。
從圖30A和圖30B的結果可知，可以認為藉由對樣本C進行250℃以上的加熱處理，從氧氮化矽膜釋放氫，釋放的氫與ITSO膜中的氧起反應而生成水。
實施例2
在本實施例中，對將樹脂層從形成用基板剝離的結果進行說明。
[樣本的製造]
參照圖1A至圖1F對本實施例的樣本的製造方法進行說明。
首先，在形成用基板14上形成包含氫的層20(圖1A)。作為形成用基板14，使用厚度大約為0.7mm的玻璃基板。作為包含氫的層20，形成厚度大約為600nm的氧氮化矽膜。氧氮化矽膜利用電漿CVD法在如下條件下形成：SiH4氣體的流量為75sccm且N2O氣體的流量為1200sccm，電源功率為120W，壓力為70Pa，基板溫度為330℃。
接著，在包含氫的層20上形成包含氧的層21(圖1A)。作為包含氧的層21，形成包含厚度大約為100nm的矽的銦錫氧化物(ITSO)膜。ITSO膜利用濺射法在如下條件下形成：在Ar氣體的流量為125sccm且O2氣體的流量為3sccm，電源功率為3.2kW，壓力為0.23Pa，基板溫度為25℃(室溫)。
接著，在包含氧的層21上形成第一層24(圖1B)。第一層24使用包含非感光性的可溶性聚醯亞胺樹脂的材料形成。明確而言，利用 旋塗法在如下條件下形成：溫度為室溫，塗佈量為40ml，塗佈時間為12.5sec，塗佈時的旋轉數為1000rpm。
接著，藉由對第一層24進行第一加熱處理，形成樹脂層23(圖1C)。在第一加熱處理中，一邊流過氮氣體和氧氣體的混合氣體(580NL/min，氧濃度為20%)，一邊在180℃的溫度下進行30分鐘的烘烤處理，然後一邊流過上述混合氣體，一邊在400℃的溫度下進行1小時的烘烤處理。在進行烘烤處理之後，樹脂層23的厚度大約為1.1μm。
接著，在樹脂層23上形成被剝離層25(圖1D)。在此，設想圖2D所示的絕緣層31和絕緣層32(電晶體的閘極絕緣層)，使被剝離層25具有疊層結構。明確而言，在樹脂層23上依次形成厚度大約為100nm的氧氮化矽膜、厚度大約為400nm的氮化矽膜及厚度大約為50nm的氧氮化矽膜。這些膜利用電漿CVD法在330℃的基板溫度下形成。
接著，進行第二加熱處理。在第二加熱處理中，一邊流過氮氣體和氧氣體的混合氣體(580NL/min，氧濃度為20%)，一邊在400℃的溫度下進行1小時的烘烤處理。
並且，將UV剝離膠帶貼合到樹脂層。
對本實施例的樣本進行將樹脂層23從形成用基板14剝離的剝離測試。
在剝離測試中，使用島津製作所製造的小型臺式試驗機(EZ-TEST EZ-S-50N)以及依照日本工業規格(JIS)的規格號碼JIS Z0237的黏合膠帶/黏合薄片試驗方法。樣本的尺寸為126mm×25mm。
圖31示出樣本的剝離結果。在圖31中，實線的上側為基板75a 一側，實線的下側為形成用基板14一側。
如圖31所示，在基板75a一側殘留樹脂層23，可以在包含氧的層21與樹脂層23的介面進行分離。
圖32A至圖32C示出對本實施例的樣本進行剖面STEM(Scanning Transmission Electron Microscopy：掃描穿透式電子顯微鏡)觀察的結果。
圖32A是進行剝離之前的樣本的剖面STEM照片。明確而言，進行到第二加熱處理為止的製程的樣本(參照圖1D)。被剝離層25上的層是用來觀察而形成的外覆層。
圖32B1和圖32B2是進行剝離之後的形成用基板14一側的剖面STEM照片。圖32B2是圖32B1中的由虛線圍繞的部分的放大照片。包含氧的層21上的層是用來觀察而形成的外覆層。在包含氧的層21與外覆層之間觀察不到樹脂層23。
此外，當確認對進行剝離之後的基板75a一側的剝離面是否導通時，確認不到導通。由此可知，在基板75a一側的剝離面幾乎沒有殘留包含氧的層21。
從這些結果也可知，在包含氧的層21與樹脂層23的介面產生分離。
從實施例1的結果可知，藉由進行第一加熱處理及第二加熱處理，從包含氫的層20釋放氫，釋放的氫與包含氧的層21的氧起反應而生成水。可以認為：在本實施例中，藉由在包含氧的層21與樹脂層23之間存在有水，包含氧的層21與樹脂層23之間的密接性降低，因此在包含氧的層21與樹脂層23的介面產生分離。

Claims (15)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在基板上形成包含氫的層；在該包含氫的層上形成包含氧的層；使用包含樹脂或樹脂前體的材料在該包含氧的層上形成第一層；藉由在包含氧的氛圍下對該第一層進行第一加熱處理來形成樹脂層；在該樹脂層上形成被剝離層；以及使該被剝離層與該基板分離。
  2. 根據申請專利範圍第1項之半導體裝置的製造方法，其中在形成該被剝離層的製程中，在該基板上及該樹脂層上形成覆蓋該樹脂層的端部的絕緣層，在該樹脂層上隔著該絕緣層形成電晶體，並且在藉由將該樹脂層的至少一部分從該基板分離來形成分離起點之後，使該被剝離層與該基板分離。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之半導體裝置的製造方法，還包括在形成該被剝離層的至少一部分之後，在包含氧的氛圍下進行第二加熱處理的步驟。
  4. 根據申請專利範圍第3項之半導體裝置的製造方法，其中在該第一加熱處理的溫度以下進行該第二加熱處理。
  5. 根據申請專利範圍第3或4項之半導體裝置的製造方法，其中在該第二加熱處理中，流過包含氧的氣體。
  6. 根據申請專利範圍第1至5中任一項之半導體裝置的製造方法，其中在該第一加熱處理中，流過包含氧的氣體。
  7. 根據申請專利範圍第1至6中任一項之半導體裝置的製造方法， 其中在300℃以上且450℃以下進行該第一加熱處理。
  8. 根據申請專利範圍第1至7中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該包含氫的層具有藉由加熱釋放氫的功能。
  9. 根據申請專利範圍第1至8中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該包含氫的層包含氧化矽、氧氮化矽和非晶矽中的至少一個。
  10. 根據申請專利範圍第1至9中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該包含氧的層具有金屬氧化物。
  11. 根據申請專利範圍第1至10中任一項之半導體裝置的製造方法，其中使用黏度為5cP以上且小於100cP的溶液形成該第一層。
  12. 根據申請專利範圍第1至11中任一項之半導體裝置的製造方法，其中使用旋塗機形成該第一層。
  13. 根據申請專利範圍第1至12中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該樹脂層以具有厚度為1μm以上且3μm以下的區域的方式形成。
  14. 根據申請專利範圍第1至13中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該樹脂層包含聚醯亞胺。
  15. 根據申請專利範圍第1至14中任一項之半導體裝置的製造方法，其中以該第一加熱處理的溫度以下形成該被剝離層。
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