TWI801357B - 半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的目的是以低成本且高生產率製造半導體裝置。另外，提高半導體裝置的製程的良率。在基板上形成島狀金屬氧化物層，以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式在金屬氧化物層上形成樹脂層，照射光，由此使金屬氧化物層與樹脂層分離。另外，也可以在形成樹脂層之後且照射光之前在樹脂層上形成絕緣層。例如，將樹脂層形成為島狀，將絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式形成。在樹脂層上形成黏合層的情況下，較佳為以黏合層的端部位於金屬氧化物層的端部的內側的方式形成黏合層。

Description

半導體裝置的製造方法
[0001] 本發明的一個實施方式係關於一種剝離方法、半導體裝置的製造方法及顯示裝置的製造方法。 　　[0002] 注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置（例如，觸控感測器等）、輸入輸出裝置（例如，觸控面板等）以及上述裝置的驅動方法或製造方法。
[0003] 已知應用有機EL（Electro Luminescence：電致發光）元件或液晶元件的顯示裝置。作為顯示裝置的一個例子，還可以舉出具備發光二極體（LED：Light Emitting Diode）等發光元件的發光裝置、以電泳方式等進行顯示的電子紙等。 　　[0004] 有機EL元件的基本結構是在一對電極之間夾有包含發光性有機化合物的層的結構。藉由對該元件施加電壓，可以得到來自發光性有機化合物的發光。藉由應用這種有機EL元件，可以實現薄型、輕量、高對比且低功耗的顯示裝置。 　　[0005] 藉由在撓性基板（薄膜）上形成電晶體等半導體元件或有機EL元件等顯示元件，可以實現撓性顯示裝置。 　　[0006] 在專利文獻1中公開了經過犧牲層對設置有耐熱性樹脂層及電子元件的支撐基板（玻璃基板）照射雷射，將耐熱性樹脂層從玻璃基板剝離，製造撓性顯示裝置的方法。 　　[0007] 　　[專利文獻1] 日本專利申請公開第2015-223823號公報
[0008] 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種成本低且生產率高的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種良率高的剝離方法。本發明的一個實施方式的目的之一是使用大型基板製造半導體裝置或顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是以低溫製造半導體裝置或顯示裝置。 　　[0009] 本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種功耗低的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是顯示裝置的薄型化或輕量化。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有撓性或具有曲面的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種不容易損壞的顯示裝置。本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。 　　[0010] 注意，這些目的的記載並不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載中抽取上述目的以外的目的。 　　[0011] 本發明的一個實施方式的半導體裝置的製造方法包括：在基板上形成島狀金屬氧化物層的製程；以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式在金屬氧化物層上形成樹脂層的製程；以及藉由照射光，來使金屬氧化物層與樹脂層分離的製程。另外，也可以在形成樹脂層之後且照射光之前在樹脂層上形成絕緣層。樹脂層被形成為島狀。絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式形成。 　　[0012] 本發明的一個實施方式的半導體裝置的製造方法包括：在基板上形成島狀金屬氧化物層的製程；以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式在金屬氧化物層上形成樹脂層的製程；以與金屬氧化物層及樹脂層重疊的方式形成黏合層的製程；以及藉由照射光，來使金屬氧化物層與樹脂層分離的製程。黏合層以其端部位於金屬氧化物層的端部的內側的方式形成。另外，也可以在形成樹脂層之後且形成黏合層之前在樹脂層上形成絕緣層。樹脂層被形成為島狀。絕緣層以覆蓋樹脂層的端部的方式形成。另外，也可以在形成黏合層之前在樹脂層上形成框狀的隔壁。此時，黏合層形成在隔壁的內側。 　　[0013] 樹脂層也可以包括厚度為0.1mm以上且5mm以下的區域。 　　[0014] 作為光也可以使用雷射。藉由對金屬氧化物層與樹脂層的介面或者其附近照射所述雷射，來使金屬氧化物層與樹脂層分離。 　　[0015] 上述光的波長也可以為180nm以上且450nm以下。上述光的波長也可以為308nm或其附近。上述光也可以使用線性雷射裝置照射。上述光的能量密度也可以為250mJ/cm2 以上且360mJ/cm2 以下。 　　[0016] 金屬氧化物層也可以包括鈦、鉬、鋁、鎢、矽、銦、鋅、鎵、鉭和錫中的一個或多個。金屬氧化物層也可以包括鈦和氧化鈦中的一個或兩個。 　　[0017] 根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種成本低且生產率高的剝離方法、半導體裝置的製造方法或顯示裝置的製造方法。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種良率高的剝離方法。根據本發明的一個實施方式，可以使用大型基板製造半導體裝置或顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以以低溫製造半導體裝置或顯示裝置。 　　[0018] 根據本發明的一個實施方式，可以提供一種功耗低的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以實現顯示裝置的薄型化或輕量化。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種具有撓性或具有曲面的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種不容易損壞的顯示裝置。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種新穎的顯示裝置、輸入輸出裝置或電子裝置等。 　　[0019] 注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個實施方式並不一定必須具有所有上述效果。可以從說明書、圖式、申請專利範圍等的記載顯而易見地看出並衍生上述以外的效果。
[0021] 參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於以下說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。 　　[0022] 注意，在以下說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而有時省略其重複說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。 　　[0023] 另外，為了便於理解，有時圖式中示出的各組件的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式所公開的位置、大小、範圍等。 　　[0024] 注意，根據情況或狀況，可以互相替換用語“膜”和“層”。例如，有時可以將“導電層”變換為“導電膜”。此外，有時可以將“絕緣膜”變換為“絕緣層”。 　　[0025] 在本說明書等中，金屬氧化物（metal oxide）是指廣義上的金屬的氧化物。金屬氧化物被分類為氧化物絕緣體、氧化物導電體（包括透明氧化物導電體）和氧化物半導體（Oxide Semiconductor，也可以簡稱為OS）等。例如，在將金屬氧化物用於電晶體的半導體層的情況下，有時將該金屬氧化物稱為氧化物半導體。換言之，可以將OS FET稱為包含金屬氧化物或氧化物半導體的電晶體。 　　[0026] 此外，在本說明書等中，有時將包含氮的金屬氧化物也稱為金屬氧化物（metal oxide）。此外，也可以將包含氮的金屬氧化物稱為金屬氧氮化物（metal oxynitride）。 　　[0027] 實施方式1 　　在本實施方式中，參照圖1A至圖19C對本發明的一個實施方式的剝離方法及顯示裝置的製造方法進行說明。 　　[0028] 在本實施方式中，以包括電晶體及有機EL元件的顯示裝置（也稱為主動矩陣型有機EL顯示裝置）為例子進行說明。藉由作為基板使用撓性材料，可以使該顯示裝置具有撓性。注意，本發明的一個實施方式不侷限於使用有機EL元件的發光裝置、顯示裝置及輸入輸出裝置（觸控面板等），還可以將其應用於使用其他功能元件的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置及輸入輸出裝置等各種裝置。 　　[0029] 在本實施方式中，首先，在基板上形成金屬氧化物層。接著，在該金屬氧化物層上形成樹脂層。然後，藉由照射光，分離金屬氧化物層與樹脂層。 　　[0030] 在本實施方式中，在基板與樹脂層之間形成用作基底的層（也稱為基底層）。在本實施方式中，以作為基底層使用金屬氧化物層的情況為例子進行說明，但是不侷限於此。 　　[0031] 較佳為利用光進行金屬氧化物層與樹脂層的分離。較佳為對金屬氧化物層與樹脂層的介面或其附近（也記為介面或介面附近）照射光。此外，也可以使光照射到金屬氧化物層中。另外，也可以使光照射到樹脂層中。此外，在本說明書等中，“A與B的介面或其附近”、“A與B的介面或介面附近”至少包括A與B的介面，還包括從A與B的介面至A和B中的任一個的厚度的20%以內的範圍。 　　[0032] 藉由照射光，加熱金屬氧化物層與樹脂層的介面（還加熱金屬氧化物層及樹脂層中），可以降低金屬氧化物層與樹脂層的密接性（黏著性）。再者，可以將金屬氧化物層與樹脂層分離。 　　[0033] 圖1A至圖4B示出本發明的一個實施方式的包括金屬氧化物層及樹脂層的疊層結構。 　　[0034] 圖1A、圖2A、圖3A和圖4A是本發明的一個實施方式的疊層結構的俯視圖。圖1B是沿著圖1A所示的俯視圖中的點劃線X1-Y1的剖面圖。圖2B是沿著圖2A所示的俯視圖中的點劃線X2-Y2的剖面圖。圖3B是沿著圖3A所示的俯視圖中的點劃線X3-Y3的剖面圖。圖4B是沿著圖4A所示的俯視圖中的點劃線X4-Y4的剖面圖。在各俯視圖中，省略後述的絕緣層31。 　　[0035] 在圖1A和圖1B中，形成用基板14上設置有一個島狀金屬氧化物層20。金屬氧化物層20上設置有島狀樹脂層23。樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20的端部。在金屬氧化物層20的四邊的每一個中，樹脂層23的端部位於金屬氧化物層20的端部的外側。換言之，在樹脂層23的四邊的每一個中，金屬氧化物層20的端部位於樹脂層23的端部的內側。如圖1B所示，樹脂層23上設置有絕緣層31。絕緣層31具有與形成用基板14接觸的部分及與樹脂層23接觸的部分。 　　[0036] 在圖2A中，形成用基板14上設置有四個島狀金屬氧化物層20。金屬氧化物層20上設置有島狀樹脂層23。在一個金屬氧化物層20上設置有一個樹脂層23。樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20的端部。在金屬氧化物層20的四邊的每一個中，樹脂層23的端部位於金屬氧化物層20的端部的外側。如圖2B所示，樹脂層23上設置有絕緣層31。絕緣層31具有與形成用基板14接觸的部分及與樹脂層23接觸的部分。 　　[0037] 在圖3A中，形成用基板14上設置有四個島狀金屬氧化物層20。四個金屬氧化物層20上設置有一個島狀樹脂層23。換言之，多個島狀金屬氧化物層20上設置有一個島狀樹脂層23。樹脂層23覆蓋四個金屬氧化物層20的端部。四個金屬氧化物層20的端部位於樹脂層23的端部的內側。如圖3B所示，樹脂層23上設置有絕緣層31。絕緣層31具有與形成用基板14接觸的部分及與樹脂層23接觸的部分。 　　[0038] 在圖4A中，形成用基板14上設置有四個島狀金屬氧化物層20。金屬氧化物層20上設置有島狀樹脂層23。在一個金屬氧化物層20上設置有一個樹脂層23。樹脂層23的端部位於金屬氧化物層20的端部的內側。如圖4B所示，樹脂層23上設置有絕緣層31。絕緣層31具有與形成用基板14接觸的部分、與樹脂層23接觸的部分及與金屬氧化物層20接觸的部分。 　　[0039] 在圖4B中，絕緣層31包括與金屬氧化物層20接觸的部分。如果金屬氧化物層20與絕緣層31的密接性低，則有在裝置的製程中發生非意圖的膜剝離（peeling）而導致良率降低的問題。例如，在作為金屬氧化物層20使用氧化鈦膜並作為絕緣層31使用氧化矽膜或氧氮化矽膜等無機絕緣膜的情況下，有時確認到膜剝離。 　　[0040] 注意，在本說明書等中“氧氮化矽”是指氧含量比氮含量多的物質。另外，在本說明書等中，“氮氧化矽”是指氮含量比氧含量多的物質。 　　[0041] 因此，在圖4A和圖4B所示的疊層結構中，較佳為儘可能減少絕緣層31與金屬氧化物層20接觸的區域。由此，可以抑制在疊層結構中產生密接性低的部分，從而可以抑制非意圖的膜剝離。 　　[0042] 在圖1A至圖3B所示的疊層結構中，以覆蓋金屬氧化物層20的端部的方式設置樹脂層23。藉由減少或不設置金屬氧化物層20從樹脂層23露出的部分，可以減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，甚至可以去掉該部分。由此，可以抑制疊層結構中產生密接性低的部分，從而可以防止非意圖的膜剝離。因此，可以提高裝置的製程的良率。另外，不需要考慮金屬氧化物層20與絕緣層31的密接性等，所以金屬氧化物層20及絕緣層31的材料的選擇範圍擴大。 　　[0043] 另外，在本發明的一個實施方式的疊層結構中，對形成在形成用基板14上的金屬氧化物層20的個數及樹脂層23的個數沒有限制。 　　[0044] 如圖1A所示，也可以在形成用基板14上形成一個金屬氧化物層20及一個樹脂層23。例如，可以在一個金屬氧化物層20上形成一個或多個裝置。藉由採用這種結構，即使在形成多個裝置的情況下，也可以僅藉由一次的分離製程將多個裝置從形成用基板14分離。在將該多個裝置從形成用基板14分離之後，可以藉由分割製程將該多個裝置分割為單個的裝置。在進行分離製程之後將多個裝置分割為單個裝置的情況下，不需要切斷形成用基板14，因此有時可以容易地對形成用基板14進行再次利用。 　　[0045] 另外，如圖2A、圖3A及圖4A所示，也可以在形成用基板14上形成多個金屬氧化物層20。例如，可以在一個金屬氧化物層20上形成一個裝置。如果在一個金屬氧化物層20上形成多個裝置，在分離製程中發生不良的情況下，有時多個裝置都發生不良，而導致良率降低。然而，藉由在各裝置中分別形成金屬氧化物層20，可以將各裝置分別從一個形成用基板14分離，因此可以提高分離製程的良率。另外，可以在不同的時序將各裝置從形成用基板14分離。另外，藉由在切斷形成用基板14而將多個裝置分割為單個裝置之後進行分離製程，有時可以使分離裝置小型化。 　　[0046] 當在形成用基板14上形成多個金屬氧化物層20時，可以形成一個或多個樹脂層23。圖2A及圖4A示出形成與金屬氧化物層20相同個數的樹脂層23的例子。圖3A示出形成一個樹脂層23的例子。 　　[0047] 如果樹脂層23覆蓋切割線或各種標記，則有時發生切割不良或者難以進行對準。因此，較佳為藉由設置多個樹脂層23來防止樹脂層23與切割線或各種標記重疊。由此，可以提高各種製程的良率。明確而言，較佳為在一個金屬氧化物層20上設置一個樹脂層23。注意，根據佈局等，樹脂層23的個數也可以為一個。 　　[0048] 如上所述，在本發明的一個實施方式中，可以抑制密接性低的介面的產生，並且可以在所希望的時序使金屬氧化物層與樹脂層分離。由此，可以抑制製程中的非意圖的膜剝離，從而可以提高良率。 　　[0049] 接著，對光照射進行說明。 　　[0050] 可以使用燈、雷射裝置等照射光。 　　[0051] 較佳為使用線性雷射裝置照射雷射。由於可以使用低溫多晶矽（LTPS（Low Temperature Poly-Silicon））等的生產線的雷射裝置，所以可以有效利用這些裝置。將線性雷射聚成長矩形狀（形成線性雷射光束）並對金屬氧化物層與樹脂層的介面照射光。 　　[0052] 所照射的光的波長較佳為180nm以上且450nm以下。該光的波長更佳為308nm或其附近。 　　[0053] 光能量密度較佳為250mJ/cm2 以上且400 mJ/cm2 以下，更佳為250mJ/cm2 以上且360mJ/cm2 以下。 　　[0054] 當使用雷射裝置照射光時，對同一個部分照射雷射的次數為1次以上且50次以下，較佳為多於1次且10次以下，更佳為多於1次且5次以下。 　　[0055] 光束的短軸方向的兩端存在光強度低的部分。因此，較佳為在一次照射與下一次照射之間設置寬度為上述光的強度低的部分的寬度以上的重疊部分。由此，雷射的照射次數較佳為1.1次以上，更佳為1.25次以上。 　　[0056] 在本說明書中，雷射的照射次數是指某個點（區域）被照射雷射的照射次數，該照射次數取決於光束寬度、掃描速度、頻率或重疊率等。此外，當向某個掃描方向移動線性光束時，在脈衝與脈衝之間（亦即，在一次照射與下一次照射之間）有重疊部分，將其重疊比率稱為重疊率。此外，重疊率越近於100%，照射次數越多。重疊率越遠於100%，照射次數越少。掃描速度越快，照射次數越少。 　　[0057] 上述雷射的照射次數為1.1次照射是指連續的兩次照射之間包括光束的十分之一左右的寬度的重疊部分，可以說重疊率為10%。同樣地，1.25次照射是指連續的兩次照射之間包括光束的四分之一左右的寬度的重疊部分，可以說重疊率為25%。 　　[0058] 這裡，在LTPS的雷射晶化製程中照射的光的能量密度高，例如，350mJ/cm2 以上且400mJ/cm2 以下。此外，需要照射雷射的次數也較多，例如，10次以上且100次以下。 　　[0059] 另一方面，在本實施方式中，用來將金屬氧化物層20與樹脂層23分離的光照射與在雷射晶化製程中使用的條件相比能量密度更低或照射次數更少。因此，可以增加使用雷射裝置能夠處理的基板個數。此外，可以降低雷射裝置的運行成本，例如可以降低維修頻率。因此，可以降低顯示裝置等的製造成本。 　　[0060] 此外，由於光照射以與在雷射晶化製程中使用的條件相比能量密度低或次數少的方式進行，所以可以降低基板因雷射照射受到的損傷。因此，即使基板被使用過一次，其強度也不容易降低，所以可以進行再次利用。因此，可以抑制成本。 　　[0061] 在本實施方式中，在形成用基板14與樹脂層23之間配置金屬氧化物層20。藉由使用金屬氧化物層20，與不使用金屬氧化物層20的情況相比，可以以能量密度低或照射次數少的方式進行光照射。 　　[0062] 當隔著形成用基板照射光時，如果塵埃等異物附著於形成用基板的光照射面，有時發生光照射不均勻並形成剝離性低的部分而導致金屬氧化物層與樹脂層的分離製程的良率降低。因此，較佳為在照射光之前或照射光之期間洗滌光照射面。例如，可以使用丙酮等有機溶劑、水等洗滌形成用基板的光照射面。此外，也可以邊使用氣刀噴射氣體邊照射光。由此，降低光照射的不均勻，可以提高分離的良率。 　　[0063] 對藉由本發明的一個實施方式的剝離方法、顯示裝置的製造方法製造的顯示裝置沒有特別的限制。下面，對可以藉由本發明的一個實施方式製造的顯示裝置的一個例子進行說明。 　　[0064] 在本實施方式的顯示裝置中，較佳為電晶體的通道形成區域中包括金屬氧化物。金屬氧化物可以被用作氧化物半導體。 　　[0065] 當電晶體的通道形成區域使用低溫多晶矽時，由於需要施加500℃至550℃左右的溫度，所以樹脂層需要具有耐熱性。有時，為了緩和雷射晶化製程中的損傷，需要使樹脂層的厚度較厚。 　　[0066] 另一方面，通道形成區域中使用金屬氧化物的電晶體可以在350℃以下，甚至在300℃以下形成。因此，樹脂層不需要具有高耐熱性。因此，可以降低樹脂層的耐熱溫度，由此材料的選擇範圍擴大。 　　[0067] 通道形成區域中使用金屬氧化物的電晶體不需要雷射晶化製程。而且，在本實施方式中，與在雷射晶化製程中使用的條件相比，可以以能量密度低或照射次數少的方式進行光照射。此外，在雷射晶化製程中，雷射不經過基板照射到樹脂層，但是在本實施方式中，雷射經過形成用基板及金屬氧化物層照射到樹脂層。如此，由於樹脂層受到的損傷少，所以可以減薄樹脂層的厚度。樹脂層不需要具有高耐熱性，且可以薄膜化，由此可以期待大幅降低裝置的製造成本。此外，與使用LTPS的情況相比，可以簡化製程，所以是較佳的。 　　[0068] 注意，本發明的一個實施方式的顯示裝置不侷限於電晶體的通道形成區域中包含金屬氧化物的結構。例如，在本實施方式的顯示裝置中，可以在電晶體的通道形成區域中使用矽。作為矽，可以使用非晶矽或者結晶矽。作為結晶矽，可以舉出微晶矽、多晶矽和單晶矽等。 　　[0069] 較佳為在通道形成區域中使用LTPS。LTPS等多晶矽可以以比使用單晶矽的情況更低的溫度形成，且具有比非晶矽高的場效移動率及可靠性。 　　[0070] 樹脂層23的厚度也可以為0.1mm以上且5mm以下。藉由將樹脂層23形成得薄，可以以低成本製造顯示裝置。此外，可以實現顯示裝置的輕量化及薄型化。此外，可以提高顯示裝置的撓性。 　　[0071] 對樹脂層23的可見光透過性沒有特別的限制。例如，可以是有色層，也可以是透明層。這裡，當樹脂層23位於顯示裝置的表面一側時，若樹脂層23著色（有色），可能出現如光提取效率的降低、被提取的光的顏色的變化、顯示品質的降低等問題。 　　[0072] 樹脂層23可以使用濕蝕刻裝置、乾蝕刻裝置、灰化裝置等去除。尤其較佳為使用利用氧電漿的灰化去除樹脂層23。 　　[0073] 在本實施方式中，在形成用基板14與樹脂層23之間設置有金屬氧化物層20。由於金屬氧化物層20具有吸收光的功能，所以即使樹脂層23的光吸收率低，也可以得到光照射的效果。因此，可以使用可見光穿透率高的樹脂層23。由此，即使樹脂層23位於顯示裝置的顯示面一側，也可以實現高顯示品質。此外，可以縮減為了提高顯示品質而去除著色的（有色的）樹脂層23的製程。此外，可以擴大樹脂層23的材料的選擇範圍。 　　[0074] 樹脂層23的波長範圍為450nm以上且700nm以下的光的平均穿透率較佳為70%以上且100%以下，較佳為80%以上且100%以下，更佳為90%以上且100%以下。 　　[0075] 在本實施方式中，在樹脂層的耐熱溫度以下的溫度下形成電晶體等。樹脂層的耐熱性例如可以利用由於加熱的重量減少率，明確而言，5%失重溫度等進行評價。在本實施方式的剝離方法及顯示裝置的製造方法中，可以降低製程中的最高溫度。例如，在本實施方式中，可以將樹脂層的5%失重溫度設定為200℃以上且650℃以下、200℃以上且500℃以下、200℃以上且400℃以下或200℃以上且350℃以下。因此，可以擴大材料的選擇範圍。此外，樹脂層的5%失重溫度也可以高於650℃。 　　[0076] 較佳為在分離之前或分離時對分離介面供應包含水的液體。當水存在於分離介面時，可以進一步降低樹脂層23與金屬氧化物層20的密接性或黏著性，從而可以降低分離所需要的力。另外，當對分離介面供應包含水的液體時，有時產生使樹脂層23與金屬氧化物層20之間的鍵合變弱或切斷的效果。藉由利用與液體之間的化學鍵，可以切斷樹脂層23與金屬氧化物層20之間的鍵合來進行分離。例如，在樹脂層23與金屬氧化物層20之間形成有氫鍵的情況下，可以認為：由於包含水的液體的供應，在水與樹脂層23或者金屬氧化物層20之間形成氫鍵，而使樹脂層23與金屬氧化物層20之間的氫鍵切斷。 　　[0077] 較佳為金屬氧化物層20的表面張力小且對包含水的液體具有高潤濕性。由此可以使包含水的液體均勻地擴散至金屬氧化物層20的整個表面，從而可以更容易地對分離介面供應包含水的液體。藉由使水擴散至整個金屬氧化物層20，可以進行均勻的剝離。 　　[0078] 金屬氧化物層20與包含水的液體的接觸角較佳為大於0°且為60°以下，較佳為大於0°且為50°以下。另外，在金屬氧化物層20對包含水的液體具有極高的潤濕性的情況下（例如，接觸角大約為20°以下的情況下），有時難以取得接觸角的準確值。金屬氧化物層20對包含水的液體的潤濕性越高越好，因此金屬氧化物層20對包含水的液體的潤濕性高到不能取得接觸角的準確值的程度也可以。 　　[0079] 當包含水的液體存在於分離介面時，可以抑制分離時所產生的靜電對被剝離層所包括的功能元件造成負面影響（半導體元件因靜電而破損等）。另外，也可以使用離子發生器等消除由於分離而露出的被剝離層的表面的靜電。 　　[0080] 在對分離介面供應液體的情況下，也可以對由於分離而露出的被剝離層的表面進行乾燥。 　　[0081] 下面，明確地說明本實施方式的顯示裝置的製造方法。 　　[0082] 構成顯示裝置的薄膜（絕緣膜、半導體膜、導電膜等）可以利用濺射法、化學氣相沉積（CVD：Chemical Vapor Deposition）法、真空蒸鍍法、脈衝雷射沉積（PLD：Pulsed Laser Deposition）法、原子層沉積（ALD：Atomic Layer Deposition）法等。作為CVD法，也可以利用電漿增強化學氣相沉積（PECVD：Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）法、熱CVD法。作為熱CVD法的例子，也可以利用有機金屬化學氣相沉積（MOCVD：Metal Organic CVD）法。 　　[0083] 構成顯示裝置的薄膜（絕緣膜、半導體膜、導電膜等）可以利用旋塗法、浸漬法、噴塗法、噴墨法、分配法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀（doctor knife）法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法、刮刀式塗佈法等方法形成。 　　[0084] 當對構成顯示裝置的薄膜進行加工時，可以利用光微影法等進行加工。另外，可以利用使用陰影遮罩的成膜方法形成島狀薄膜。另外，可以利用奈米壓印法、噴砂法、剝離法等對薄膜進行加工。在光微影法中有如下方法：在要進行加工的薄膜上形成光阻遮罩，藉由蝕刻等對該薄膜進行加工，來去除光阻遮罩的方法；在形成感光性薄膜之後，進行曝光及顯影來將該薄膜加工為所希望的形狀的方法。 　　[0085] 當在光微影法中使用光時，作為用於曝光的光，例如可以使用i線（波長365nm）、g線（波長436nm）、h線（波長405nm）或將這些光混合了的光。此外，還可以使用紫外線、KrF雷射或ArF雷射等。此外，也可以利用液浸曝光技術進行曝光。作為用於曝光的光，也可以使用極紫外線（EUV：Extreme Ultra-violet）或X射線。此外，也可以使用電子束代替用於曝光的光。當使用極紫外線、X射線或電子束時，可以進行極其精細的加工，所以是較佳的。注意，在藉由利用電子束等光束進行掃描等而進行曝光時，不需要光罩。 　　[0086] 作為薄膜的蝕刻方法，可以利用乾蝕刻法、濕蝕刻法及噴砂法等。 　　[0087] [剝離方法] 　　首先，在形成用基板14上形成金屬氧化物層20（圖5A1）。或者，在形成用基板14上層疊金屬層19和金屬氧化物層20（圖5A2）。將金屬氧化物層20（金屬層19及金屬氧化物層20）形成為島狀。 　　[0088] 形成用基板14具有容易傳送的程度的剛性，且對製程時的溫度具有耐熱性。作為能夠用於形成用基板14的材料，例如可以舉出玻璃、石英、陶瓷、藍寶石、樹脂、半導體、金屬或合金等。作為玻璃，例如可以舉出無鹼玻璃、鋇硼矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃等。 　　[0089] 如上所述，在本實施方式中，在形成用基板14與樹脂層23之間形成基底層。在本實施方式中，以使用金屬氧化物層20的情況為例子進行說明，但是不侷限於此。 　　[0090] 明確而言，作為基底層，可以使用包含鈦、鉬、鋁、鎢、矽、銦、鋅、鎵、鉭、錫、鉿、釔、鋯、鎂、鑭、鈰、釹、鉍及鈮中的一個或多個的層。基底層可以包含金屬、合金及它們的化合物（金屬氧化物等）。基底層較佳為包含鈦、鉬、鋁、鎢、矽、銦、鋅、鎵、鉭和錫中的一個或多個。 　　[0091] 金屬層19可以使用各種金屬或合金等。 　　[0092] 金屬氧化物層20可以使用各種金屬的氧化物。作為金屬氧化物，例如，可以舉出氧化鈦（TiOx ）、氧化鉬、氧化鋁、氧化鎢、包含矽的銦錫氧化物（ITSO）、銦鋅氧化物和In-Ga-Zn氧化物等。 　　[0093] 此外，作為金屬氧化物，可以舉出氧化銦、包含鈦的銦氧化物、包含鎢的銦氧化物、銦錫氧化物（ITO）、包含鈦的ITO、包含鎢的銦鋅氧化物、氧化鋅（ZnO）、包含鎵的ZnO、氧化鉿、氧化釔、氧化鋯、氧化鎵、氧化鉭、氧化鎂、氧化鑭、氧化鈰、氧化釹、氧化錫、氧化鉍、鈦酸鹽、鉭酸鹽和鈮酸鹽等。 　　[0094] 對金屬氧化物層20的形成方法沒有特別的限制。例如，可以使用濺射法、電漿CVD法、蒸鍍法、溶膠-凝膠法、電泳法或噴射法等形成。 　　[0095] 藉由在形成金屬層之後對該金屬層引入氧，可以形成金屬氧化物層20。此時，僅使金屬層的表面氧化或者使整個金屬層氧化。在是前者的情況下，藉由對金屬層引入氧，來形成金屬層19與金屬氧化物層20的疊層結構（圖5A2）。 　　[0096] 例如，藉由在包含氧的氛圍下加熱金屬層，可以使金屬層氧化。較佳為邊供應包含氧的氣體邊加熱金屬層。加熱金屬層的溫度較佳為100℃以上且500℃以下，更佳為100℃以上且450℃以下，進一步較佳為100℃以上且400℃以下，更進一步較佳為100℃以上且350℃以下。 　　[0097] 較佳為以電晶體的製造中的最高溫度以下的溫度加熱金屬層。由此可以防止顯示裝置的製造中的最高溫度變高。藉由以電晶體的製造中的最高溫度以下的溫度進行加熱，例如還可以將電晶體的製程中所使用的製造裝置等用於本實施方式的顯示裝置的製造方法中，因此可以減少額外的設備投資等。因此，可以降低顯示裝置的生產成本。例如，在電晶體的製造溫度為350℃以下的情況下，加熱處理的溫度較佳為350℃以下。 　　[0098] 或者，藉由對金屬層的表面進行自由基處理，可以使金屬層氧化。在自由基處理中，較佳為將金屬層的表面暴露於包含氧自由基和羥基自由基中的至少一個的氛圍。例如，較佳為在包含氧和水蒸氣（H2 O）中的一個或兩個的氛圍下進行電漿處理。 　　[0099] 藉由使金屬氧化物層20的表面或者內部包含氫、氧、氫自由基（H＊ ）、氧自由基（O＊ ）或羥基自由基（OH＊ ）等，可以降低金屬氧化物層20與樹脂層23的分離所需要的力。因此，較佳為在形成金屬氧化物層20時進行自由基處理或電漿處理。 　　[0100] 在對金屬層的表面進行自由基處理或電漿處理來使金屬層氧化的情況下，不需要進行以高溫加熱金屬層的製程。因此，可以防止顯示裝置的製造中的最高溫度變高。 　　[0101] 或者，也可以在氧氛圍下形成金屬氧化物層20。例如，在供應包含氧的氣體的同時藉由濺射法形成金屬氧化物膜，由此可以形成金屬氧化物層20。在此情況下，較佳為對金屬氧化物層20的表面進行自由基處理。在自由基處理中，較佳為將金屬氧化物層20的表面暴露於包含氧自由基、氫自由基和羥基自由基中的至少一種的氛圍。例如，較佳為在包含氧、氫和水蒸氣（H2 O）中的一個或多個的氛圍下進行電漿處理。 　　[0102] 自由基處理可以使用電漿產生裝置或者臭氧產生裝置進行。 　　[0103] 例如，可以進行氧電漿處理、氫電漿處理、水電漿處理或臭氧處理等。氧電漿處理可以藉由在包含氧的氛圍下生成電漿來進行。氫電漿處理可以藉由在包含氫的氛圍下生成電漿來進行。水電漿處理可以藉由在包含水蒸氣（H2 O）的氛圍下生成電漿來進行。尤其是，藉由進行水電漿處理，可以使金屬氧化物層20的表面或者內部包含大量的水分，所以是較佳的。 　　[0104] 此外，也可以在包含氧、氫、水（水蒸氣）和惰性氣體（典型的是氬）中的兩種以上的氛圍下進行電漿處理。作為該電漿處理，例如可以舉出包含氧和氫的氛圍下的電漿處理、包含氧和水的氛圍下的電漿處理、包含水和氬的氛圍下的電漿處理、包含氧和氬的氛圍下的電漿處理或者包含氧、水及氬的氛圍下的電漿處理等。藉由將氬氣體用於電漿處理氣體，可以在對金屬層或金屬氧化物層20造成損傷的同時進行電漿處理，所以是較佳的。 　　[0105] 此外，也可以以不暴露於大氣的方式連續地進行兩種以上的電漿處理。例如，可以在進行氬電漿處理之後進行水電漿處理。 　　[0106] 此外，作為氧、氫、水等的引入方法，可以使用離子植入法、離子摻雜法、電漿浸沒離子佈植技術等。 　　[0107] 金屬層19的厚度較佳為1nm以上且100nm以下，更佳為1nm以上且50nm以下，進一步較佳為1nm以上且20nm以下。 　　[0108] 金屬氧化物層20的厚度例如較佳為1nm以上且200nm以下，更佳為5nm以上且100nm以下，進一步較佳為5nm以上且50nm以下。在使用金屬層形成金屬氧化物層20的情況下，最終形成的金屬氧化物層20的厚度有時厚於剛成膜之後的金屬層的厚度。 　　[0109] 在分離之前或分離時，藉由對金屬氧化物層20與樹脂層23的介面供應包含水的液體，可以降低分離所需要的力。金屬氧化物層20與該液體的接觸角越小，液體的供應所帶來的效果越高。明確而言，金屬氧化物層20與包含水的液體的接觸角較佳為大於0°且為60°以下，更佳為大於0°且為50°以下。 　　[0110] 金屬氧化物層20較佳為包含氧化鈦或氧化鎢等。藉由使用氧化鈦，與使用氧化鎢的情況相比可以降低成本，所以是較佳的。 　　[0111] 接著，以覆蓋島狀金屬氧化物層20的方式形成島狀樹脂層23（圖5B）。 　　[0112] 樹脂層23可以使用各種樹脂材料（包括樹脂前驅物）形成。 　　[0113] 樹脂層23較佳為使用具有熱固性的材料形成。 　　[0114] 樹脂層23可以使用具有感光性的材料形成，也可以使用不具有感光性的材料（也被稱為非感光性材料）形成。 　　[0115] 在使用具有感光性的材料形成樹脂層23時，可以利用光微影法形成具有所希望的形狀的樹脂層23。例如，樹脂層23可以具有開口或者凹凸形狀。 　　[0116] 樹脂層23較佳為使用包含聚醯亞胺樹脂或聚醯亞胺樹脂前驅物的材料形成。樹脂層23例如可以使用包含聚醯亞胺樹脂和溶劑的材料或包含聚醯胺酸（polyamic acid）和溶劑的材料等形成。由於聚醯亞胺是適用於顯示裝置的平坦化膜等的材料，所以可以使用之前已使用的成膜裝置及材料。因此，不需要為了實現本發明的一個實施方式的結構而增加新的裝置或材料。 　　[0117] 此外，作為能夠用於樹脂層23的樹脂材料，例如可以使用丙烯酸樹脂、環氧樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺醯胺樹脂、矽氧烷樹脂、苯并環丁烯類樹脂、酚醛樹脂及這些樹脂的前驅物等。 　　[0118] 樹脂層23較佳為使用旋塗機形成。藉由利用旋塗法，可以在大型基板上均勻地形成薄膜。 　　[0119] 樹脂層23較佳為使用黏度為5cP以上且小於500cP，較佳為5cP以上且小於100cP，更佳為10cP以上且50cP以下的溶液形成。溶液的黏度越低，越容易塗佈。另外，溶液的黏度越低，越可以抑制氣泡的混入，從而可以形成品質良好的膜。 　　[0120] 另外，作為樹脂層23的形成方法，可以舉出浸漬法、噴塗法、噴墨印刷法、分配法、網版印刷法、平板印刷法、刮刀法、狹縫式塗佈法、輥塗法、簾式塗佈法、刮刀式塗佈法等。 　　[0121] 接著，藉由在形成將成為樹脂層23的膜（也稱為第一層）之後對該膜進行加熱處理，可以形成樹脂層23。 　　[0122] 例如可以邊對加熱裝置的處理室的內部供應包含氧、氮和稀有氣體（氬等）中的一個或多個的氣體邊進行加熱處理。或者，加熱處理可以在大氣氛圍下使用加熱裝置的處理室、加熱板等進行。 　　[0123] 當在大氣氛圍下或者在邊供應包含氧的氣體邊進行加熱時，有時樹脂層23因氧化而著色導致對可見光的透過性降低。 　　[0124] 因此，較佳的是，邊導入氮氣體邊進行加熱。由此，可以使包含在加熱氛圍中的氧比大氣氛圍中的氧少，從而抑制樹脂層23的氧化，可以提高樹脂層23的對可見光的透過性。 　　[0125] 藉由進行加熱處理，可以降低樹脂層23中的脫氣成分（例如，氫、水等）。尤其是，較佳為在形成在樹脂層23上的各層的形成溫度以上的溫度下進行加熱。由此，可以大幅度地減少電晶體的製程中的來自樹脂層23的脫氣。 　　[0126] 例如，當在電晶體的製造溫度為350℃以下時，以350℃以上且450℃以下，更佳為400℃以下，進一步較佳為375℃以下的溫度對將成為樹脂層23的膜進行加熱。由此，可以大幅度地減少電晶體的製程中的來自樹脂層23的脫氣。 　　[0127] 加熱處理的溫度較佳為電晶體的製造中的最高溫度以下的溫度。藉由以電晶體的製造中的最高溫度以下的溫度進行加熱，例如還可以將電晶體的製程中所使用的製造裝置等用於本實施方式的顯示裝置的製造方法中，因此可以減少額外的設備投資等。因此，可以降低顯示裝置的生產成本。例如，在電晶體的製造溫度為350℃以下的情況下，加熱處理的溫度較佳為350℃以下。 　　[0128] 藉由使製造電晶體時的最高溫度與加熱處理的溫度相等，可以防止製造顯示裝置時的最高溫度因加熱處理而變高並可以降低樹脂層23的脫氣成分，所以是較佳的。 　　[0129] 藉由延長處理時間，有時即使加熱溫度較低，可以實現與加熱溫度更高的條件的情況相同的剝離性。因此，在因為加熱裝置的結構而不能使加熱溫度變高時，較佳為使處理時間延長。 　　[0130] 加熱處理的時間例如較佳為5分鐘以上且24小時以下，更佳為30分鐘以上且12小時以下，進一步較佳為1小時以上且6小時以下。注意，加熱處理的時間不侷限於此。例如，當利用RTA（Rapid Thermal Annealing：快速熱退火）法進行加熱處理時，也可以短於5分鐘。 　　[0131] 作為加熱裝置，可以使用電爐或利用來自電阻發熱體等發熱體的熱傳導或熱輻射對被處理物進行加熱的裝置等各種裝置。例如，可以使用GRTA（Gas Rapid Thermal Anneal：氣體快速熱退火）裝置、LRTA（Lamp Rapid Thermal Anneal：燈快速熱退火）裝置等RTA裝置。LRTA裝置是利用從燈如鹵素燈、金屬鹵化物燈、氙弧燈、碳弧燈、高壓鈉燈或高壓汞燈等發出的光（電磁波）的輻射加熱被處理物的裝置。GRTA裝置是使用高溫的氣體進行加熱處理的裝置。因為藉由使用RTA裝置可以縮短處理時間，所以從進行量產的角度來看是較佳的。此外，也可以使用串列式加熱裝置進行加熱處理。 　　[0132] 在進行加熱處理之前，也可以進行用來去除包含在將成為樹脂層23的膜中的溶劑的加熱處理（也稱為預烤處理）。預烤處理的溫度可以根據使用材料適當地決定。例如，可以以50℃以上且180℃以下、80℃以上且150℃以下或90℃以上且120℃以下進行預烤處理。或者，加熱處理也可以兼做預烤處理，也可以藉由進行加熱處理去除上述溶劑。 　　[0133] 樹脂層23具有撓性。形成用基板14的撓性比樹脂層23低。 　　[0134] 樹脂層23的厚度較佳為0.01mm以上且小於10mm，更佳為0.1mm以上且5mm以下，進一步較佳為0.5mm以上且3mm以下。藉由將樹脂層形成得薄，可以以低成本製造顯示裝置。此外，可以實現顯示裝置的輕量化及薄型化。此外，可以提高顯示裝置的撓性。藉由使用低黏度的溶液，可以容易將樹脂層23形成得薄。注意，不侷限於此，樹脂層23的厚度也可以為10mm以上。例如，樹脂層23的厚度也可以為10mm以上且200mm以下。藉由將樹脂層23的厚度設定為10mm以上，可以提高顯示裝置的剛性，所以是較佳的。 　　[0135] 樹脂層23的熱膨脹係數較佳為0.1ppm/℃以上且50ppm/℃以下，更佳為0.1ppm/℃以上且20ppm/℃以下，進一步較佳為0.1ppm/℃以上且10ppm/℃以下。樹脂層23的熱膨脹係數越低，越可以抑制因加熱而在構成電晶體等的層中產生裂縫或電晶體等損傷。 　　[0136] 接著，在樹脂層23上形成絕緣層31（圖5C）。金屬氧化物層20被樹脂層23覆蓋。因此，可以減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，甚至可以去掉該部分。由此可以抑制顯示裝置的製程中的膜剝離。在本發明的一個實施方式中，由於金屬氧化物層20被樹脂層23覆蓋，所以對絕緣層31與金屬氧化物層20的密接性沒有限制。因此，絕緣層31的材料的選擇範圍寬。 　　[0137] 絕緣層31較佳為具有如下功能：在後面的加熱製程中，阻擋從金屬氧化物層20及樹脂層23等釋放的氫、氧及水。 　　[0138] 絕緣層31例如較佳為包含氮化矽膜、氧氮化矽膜或氮氧化矽膜。例如，藉由利用使用包含矽烷氣體、氫氣體及氨（NH3 ）氣體的沉積氣體的電漿CVD法形成氮化矽膜。對絕緣層31的厚度沒有特別的限制，例如可以為50nm以上且600nm以下，較佳為100nm以上且300nm以下。 　　[0139] 接著，在樹脂層23上形成被剝離層25（圖5D1或圖5D2）。 　　[0140] 作為被剝離層25，例如可以設置絕緣層、功能元件（電晶體、顯示元件等）。另外，也可以將絕緣層31視為被剝離層25之一部分。 　　[0141] 並且，在被剝離層25上形成保護層。保護層是位於顯示裝置的最表面的層。保護層較佳為對可見光具有高透過性。當保護層具有有機絕緣膜時，可以抑制顯示裝置的表面受到損傷或產生裂縫，所以是較佳的。 　　[0142] 圖5D1和圖5D2示出使用黏合層75b將基板75a貼合到被剝離層25的例子。 　　[0143] 圖5D1示出黏合層75b的端部位於金屬氧化物層20的端部的內側的例子。 　　[0144] 當黏合層75b包括不與金屬氧化物層20重疊的區域時，根據該區域的大小及與接觸於黏合層75b的層的密接性，有時容易產生分離不良。因此，較佳為以不位於金屬氧化物層20的端部的外側的方式形成黏合層75b。由此，藉由在後面的製程中照射光，可以容易地使金屬氧化物層20與樹脂層23分離。另外，黏合層75b的端部和金屬氧化物層20的端部也可以對齊。 　　[0145] 圖5D2示出黏合層75b的端部位於金屬氧化物層20的端部的外側的例子。 　　[0146] 在圖5D2所示的疊層結構中存在形成用基板14和基板75a以中間不夾著金屬氧化物層20的方式被黏合層75b貼合在一起的區域。該區域中不設置金屬氧化物層20，因此即使在後面的製程中照射光，該區域的密接性也不會大幅度地降低。因此，可以抑制在照射光之後樹脂層23從形成用基板14非意圖性地剝離。例如，可以抑制從雷射裝置向其他地方傳送形成用基板14時樹脂層23剝離。並且，藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使金屬氧化物層20與樹脂層23分離。換言之，可以控制金屬氧化物層20與樹脂層23的分離時序，並且分離所需要的力小。由此，可以提高金屬氧化物層20與樹脂層23的分離製程及顯示裝置的製程的良率。 　　[0147] 作為黏合層75b，可以使用紫外線硬化型黏合劑等光硬化型黏合劑、反應硬化型黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種硬化型黏合劑。另外，也可以使用黏合薄片等。 　　[0148] 作為基板75a，例如可以使用如下材料：聚對苯二甲酸乙二醇酯（PET）或聚萘二甲酸乙二醇酯（PEN）等聚酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯（PC）樹脂、聚醚碸（PES）樹脂、聚醯胺樹脂（尼龍、芳族聚醯胺等）、聚矽氧烷樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、聚丙烯樹脂、聚四氟乙烯（PTFE）樹脂、ABS樹脂以及纖維素奈米纖維等。作為基板75a，還可以使用其厚度允許其具有撓性的玻璃、石英、樹脂、金屬、合金或半導體等各種材料。 　　[0149] 接著，照射雷射55。圖6A示出對圖5D1的疊層結構照射雷射55的例子。圖7A示出對圖5D2的疊層結構照射雷射55的例子。 　　[0150] 雷射55例如在圖6A和圖7A中是從左側向右側掃描的線性雷射光束，其長軸與其掃描方向及其入射方向（從上往下）垂直。在雷射裝置中，以形成用基板14位於上側的方式配置疊層體。從疊層體（形成用基板14）的上側對疊層體照射雷射55。 　　[0151] 雷射55較佳為經過形成用基板14照射到金屬氧化物層20與樹脂層23的介面或其附近（參照圖6A和圖7A的加工區域640）。此外，雷射55可以照射到金屬氧化物層20的內部，還可以照射到樹脂層23的內部。 　　[0152] 金屬氧化物層20吸收雷射55。樹脂層23也可以吸收雷射55。 　　[0153] 形成用基板14與金屬氧化物層20的疊層結構的雷射55的吸收率較佳為50%以上且100%以下，更佳為75%以上且100%以下，進一步較佳為80%以上且100%以下。藉由使該疊層結構吸收大部分雷射55，可以確實地使金屬氧化物層20與樹脂層23在介面分離。此外，可以降低樹脂層23因光受到的損傷。 　　[0154] 藉由照射雷射55，金屬氧化物層20與樹脂層23的密接性或黏著性降低。藉由雷射55的照射，有時使樹脂層23脆化。 　　[0155] 作為雷射55，選擇至少一部分透過形成用基板14且被金屬氧化物層20吸收的波長的光。雷射55較佳為可見光線至紫外線的波長區域的光。例如可以使用波長為180nm以上且450nm以下的光，較佳為200nm以上且400nm以下的光，更佳為250nm以上且350nm以下的光。 　　[0156] 雷射55較佳為具有比金屬氧化物層20的能隙高的能量。例如，氧化鈦的能隙大約為3.2eV。因此，當金屬氧化物層20使用氧化鈦時，較佳為使用具有比3.2eV高的能量的光。 　　[0157] 尤其是，當使用波長為308nm的準分子雷射時，可以實現高生產率，所以是較佳的。準分子雷射還被用於LTPS的雷射晶化，因此可以利用習知的LTPS生產線的設備，而不需要新的設備投資，所以是較佳的。波長為308nm的光能量大約為4.0eV。也就是說，當金屬氧化物層20使用氧化鈦時，較佳為使用波長為308nm的準分子雷射。此外，也可以使用Nd：YAG雷射的第三諧波的波長為355nm的UV雷射等固體UV雷射（也稱為半導體UV雷射）。由於固體雷射不使用氣體，與準分子雷射相比，可以降低運行成本，所以是較佳的。此外，也可以使用微微秒雷射等脈衝雷射。 　　[0158] 當作為雷射55使用線性雷射時，藉由使形成用基板14與光源相對地移動來以雷射55進行掃描並對需要分離的區域照射雷射55。 　　[0159] 接著，使形成用基板14與樹脂層23分離。因為金屬氧化物層20與樹脂層23之間的密接性或黏著性低，所以在金屬氧化物層20與樹脂層23的介面產生分離。此外，有時在脆化的樹脂層23中產生分離。 　　[0160] 圖6B示出使圖5D1的疊層結構分離的例子。由於在該疊層結構中黏合層75b的端部位於金屬氧化物層20的端部的內側，因此在不設置金屬氧化物層20的部分中不容易產生密接性高的部分。因此，藉由照射雷射55，可以容易地使金屬氧化物層20與樹脂層23分離。另外，在本實施方式中，示出被剝離層25等中的沒有設置金屬氧化物層20的部分殘留在形成用基板14上的例子，但是不侷限於此，有時一部分殘留在基板75a一側。 　　[0161] 此外，根據雷射55的照射條件等，也可以形成分離起點。例如，可以將刀具等銳利的形狀的器具插入形成用基板14與基板75a之間來形成分離起點。另外，也可以使用銳利的形狀的器具從基板75a一側切入樹脂層23來形成分離起點。此外，也可以利用雷射燒蝕法等使用雷射的方法來形成分離起點。 　　[0162] 圖7B和圖7C示出使圖5D2的疊層結構分離的例子。 　　[0163] 圖7B所示的疊層結構中的以中間不夾著金屬氧化物層20的方式貼合形成用基板14和基板75a的區域的密接性即使藉由光照射也不會大幅度地降低。因此，可以抑制在照射雷射55之後樹脂層23從形成用基板14非意圖性地剝離。另外，藉由形成分離起點（圖7B），可以在所希望的時序使金屬氧化物層20與樹脂層23分離（圖7C）。 　　[0164] 例如，將刀具等銳利的形狀的器具65從基板75a一側插入金屬氧化物層20的端部的內側，形成框狀的切口64。或者，也可以以框狀對基板75a照射雷射。 　　[0165] 例如，藉由在垂直方向上對樹脂層23施加拉力，可以使形成用基板14與樹脂層23分離。明確而言，藉由吸附基板75a的頂面的一部分向上方拉伸，可以將樹脂層23從形成用基板14剝離。 　　[0166] 在此，在進行分離時，藉由對分離介面添加水或水溶液等含有水的液體，以該液體滲透到分離介面的方式進行分離，可以更容易地進行分離。此外，能夠抑制分離時產生的靜電給電晶體等功能元件帶來不良影響（由於靜電而使半導體元件損壞等）。 　　[0167] 作為所供應的液體，例如可以舉出水（較佳為純水）、中性、鹼性或酸性的水溶液、溶解有鹽的水溶液。另外，也可以舉出乙醇或丙酮等。另外，還可以使用各種有機溶劑。 　　[0168] 在本實施方式中，層疊金屬氧化物層20及樹脂層23並對其照射光。由此，可以降低金屬氧化物層20與樹脂層23的密接性或黏著性。因此，可以容易地分離形成用基板14與樹脂層23。 　　[0169] 另外，藉由由樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20來減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，可以抑制膜剝離，從而可以提高裝置的製程的良率。 　　[0170] 另外，藉由控制金屬氧化物層20與黏合層75b的配置，可以容易地形成邊照射光邊進行分離的結構以及在光照射之後的所希望的時序進行分離的結構。 　　[0171] 藉由使用本實施方式的剝離方法，可以提供成本低且生產率高的剝離方法或者半導體裝置的製造方法。例如，在本實施方式的剝離方法中，可以多次反復使用形成用基板14（例如，玻璃基板）或者形成用基板14與金屬氧化物層20的疊層體，因此可以抑制生產成本。 　　[0172] [製造方法例子1] 　　接著，對本實施方式的顯示裝置的製造方法例子進行說明。注意，有時省略與上述剝離方法同樣的部分的說明。 　　[0173] 首先，在形成用基板14上形成島狀金屬氧化物層20（圖8A）。關於金屬氧化物層20，可以參照上述剝離方法中的記載。 　　[0174] 接著，在金屬氧化物層20上形成第一層24（圖8B）。 　　[0175] 在本實施方式中，使用具有感光性及熱固性的材料形成第一層24。此外，第一層24可以使用非感光性材料形成。 　　[0176] 在形成第一層24之後，進行用來去除溶劑的加熱處理（預烤處理），然後使用光罩進行曝光。接著，進行顯影處理，由此可以去除不需要的部分。接著，藉由對加工為具有所希望的形狀的第一層24進行加熱處理，形成樹脂層23（圖8C）。在圖8C中，以覆蓋島狀金屬氧化物層20的方式形成島狀樹脂層23。 　　[0177] 注意，樹脂層23的形狀不侷限於一個島狀，例如可以為多個島狀、具有開口的形狀等。此外，也可以利用使用半色調遮罩或灰色調遮罩的曝光技術或者多重曝光技術等，在樹脂層23的表面形成凹凸形狀。 　　[0178] 藉由在第一層24或樹脂層23上形成光阻遮罩、硬遮罩等遮罩並進行蝕刻，可以形成具有所希望的形狀的樹脂層23。在使用非感光性材料時，上述方法是特別較佳的。 　　[0179] 例如，在樹脂層23上形成無機膜，在無機膜上形成光阻遮罩。在使用光阻遮罩對無機膜進行蝕刻之後，可以以無機膜為硬遮罩對樹脂層23進行蝕刻。 　　[0180] 作為能夠用於硬遮罩的無機膜，可以舉出各種無機絕緣膜、能夠用於導電層的金屬膜及合金膜等。 　　[0181] 在以極薄的厚度形成遮罩且與進行蝕刻同時去除遮罩的情況下，可以省略去除遮罩的製程，所以是較佳的。 　　[0182] 關於加熱處理的詳細內容，可以參照上述剝離方法中的加熱處理的記載。 　　[0183] 接著，在樹脂層23上形成絕緣層31（圖8D）。絕緣層31以覆蓋樹脂層23的端部的方式形成。金屬氧化物層20被樹脂層23覆蓋。因此，可以減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，甚至可以去掉該部分。由此，可以抑制顯示裝置的製程中的膜剝離。 　　[0184] 絕緣層31在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。絕緣層31較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0185] 可以將絕緣層31用作防止包含在樹脂層23中的雜質擴散到後面形成的電晶體或顯示元件的障壁層。絕緣層31例如較佳為在加熱樹脂層23時防止包含在樹脂層23中的水分等擴散到電晶體或顯示元件。由此，絕緣層31較佳為具有高阻擋性。 　　[0186] 作為絕緣層31，例如可以使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁膜、氮化鋁膜等無機絕緣膜。此外，氧化鉿膜、氧化釔膜、氧化鋯膜、氧化鎵膜、氧化鉭膜、氧化鎂膜、氧化鑭膜、氧化鈰膜及氧化釹膜等。此外，也可以層疊上述絕緣膜中的兩個以上。尤其是，較佳為在樹脂層23上形成氮化矽膜，在氮化矽膜上形成氧化矽膜。 　　[0187] 無機絕緣膜由於成膜溫度越高越成為緻密且高阻擋性的膜，所以較佳為以高溫形成。 　　[0188] 絕緣層31的成膜時的基板溫度較佳為室溫（25℃）以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。 　　[0189] 接著，在絕緣層31上形成電晶體40（圖8E）。 　　[0190] 對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，可以採用平面型電晶體、交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，也可以採用頂閘極結構或底閘極結構的電晶體。或者，也可以在通道的上下設置有閘極電極。 　　[0191] 這裡示出作為電晶體40形成包括金屬氧化物層44的底閘極結構的電晶體的情況。金屬氧化物層44能夠被用作電晶體40的半導體層。金屬氧化物能夠被用作氧化物半導體。 　　[0192] 在本實施方式中，電晶體的半導體使用氧化物半導體。藉由使用能帶間隙比矽寬且載子密度比矽小的半導體材料，可以降低電晶體的關態電流（off-state current），所以是較佳的。 　　[0193] 電晶體40在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。電晶體40較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0194] 明確而言，首先在絕緣層31上形成導電層41。導電層41可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩來形成。 　　[0195] 導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。 　　[0196] 顯示裝置所包括的導電層分別可以使用鋁、鈦、鉻、鎳、銅、釔、鋯、鉬、銀、鉭或鎢等金屬或者以這些金屬為主要成分的合金的單層結構或疊層結構。或者，也可以使用氧化銦、銦錫氧化物（ITO）、包含鎢的銦氧化物、包含鎢的銦鋅氧化物、包含鈦的銦氧化物、包含鈦的ITO、銦鋅氧化物、氧化鋅（ZnO）、包含鎵的ZnO或者包含矽的ITO等具有透光性的導電材料。另外，也可以使用藉由使其含有雜質元素等而被低電阻化的多晶矽或氧化物半導體等半導體或者鎳矽化物等矽化物。此外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使包含氧化石墨烯的膜還原形成。此外，也可以使用包含雜質元素的氧化物半導體等半導體。或者，也可以使用銀、碳或銅等的導電膏或者聚噻吩等的導電聚合物形成。導電膏廉價，所以是較佳的。導電聚合物容易塗佈，所以是較佳的。 　　[0197] 接著，形成絕緣層32。作為絕緣層32可以應用能夠用於絕緣層31的無機絕緣膜。 　　[0198] 接著，形成金屬氧化物層44。金屬氧化物層44可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，在對該金屬氧化物膜進行蝕刻之後去除光阻遮罩來形成。 　　[0199] 金屬氧化物膜的成膜時的基板溫度較佳為350℃以下，更佳為室溫以上且200℃以下，進一步較佳為室溫以上且130℃以下。 　　[0200] 金屬氧化物膜可以使用惰性氣體和氧氣體中的任一個或兩個形成。此外，對金屬氧化物膜的成膜時的氧的流量比（氧分壓）沒有特別的限制。注意，在得到場效移動率高的電晶體時，金屬氧化物膜的成膜時的氧的流量比（氧分壓）較佳為0%以上且30%以下，更佳為5%以上且30%以下，進一步較佳為7%以上且15%以下。 　　[0201] 金屬氧化物膜較佳為至少包含銦或鋅。尤其較佳為包含銦及鋅。 　　[0202] 金屬氧化物的能隙較佳為2eV以上，更佳為2.5eV以上，進一步較佳為3eV以上。如此，藉由使用能隙寬的金屬氧化物，可以減少電晶體的關態電流。 　　[0203] 金屬氧化物膜可以藉由濺射法形成。除此之外，還可以利用PLD法、PECVD法、熱CVD法、ALD法、真空蒸鍍法等。 　　[0204] 接著，形成導電層43a及導電層43b。導電層43a及導電層43b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層43a及導電層43b都與金屬氧化物層44連接。 　　[0205] 在對導電層43a及導電層43b進行加工時，有時金屬氧化物層44的沒有被光阻遮罩覆蓋的部分因蝕刻處理而被減薄。 　　[0206] 導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。 　　[0207] 藉由上述步驟，可以製造電晶體40（圖8E）。在電晶體40中，導電層41的一部分被用作閘極，絕緣層32的一部分被用作閘極絕緣層，導電層43a及導電層43b分別被用作源極和汲極中的一個。 　　[0208] 接著，形成覆蓋電晶體40的絕緣層33（圖9A）。絕緣層33可以藉由與絕緣層31同樣的方法形成。 　　[0209] 此外，作為絕緣層33，較佳為使用在包含氧的氛圍下形成的氧化矽膜或氧氮化矽膜等氧化物絕緣膜。再者，較佳為在該氧化矽膜或氧氮化矽膜上層疊氮化矽膜等不容易擴散或透過氧的絕緣膜。在包含氧的氛圍下形成的氧化物絕緣膜可以藉由加熱成為容易釋放出較多的氧的絕緣膜。藉由在層疊這種釋放氧的氧化物絕緣膜及不容易擴散或透過氧的絕緣膜的狀態下進行加熱處理，可以使氧供應給金屬氧化物層44。其結果是，可以修復金屬氧化物層44中的氧缺陷及金屬氧化物層44與絕緣層33的介面的缺陷，由此可以降低缺陷能階。由此，可以實現可靠性極高的顯示裝置。 　　[0210] 藉由上述製程，可以在樹脂層23上形成絕緣層31、電晶體40及絕緣層33（圖9A）。 　　[0211] 在此階段，藉由使用後面說明的方法將形成用基板14與電晶體40分離，可以製造不包括顯示元件的裝置。例如，藉由形成電晶體40或者電晶體40、電容元件、電阻元件及佈線等，可以製造半導體裝置。 　　[0212] 接著，在絕緣層33上形成絕緣層34（圖9A）。絕緣層34由於是具有後面被形成顯示元件的面的層，所以較佳為用作平坦化層。作為絕緣層34可以援用能夠用於絕緣層31的有機絕緣膜或無機絕緣膜。 　　[0213] 絕緣層34在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。絕緣層34較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0214] 在絕緣層34使用有機絕緣膜的情況下，在形成絕緣層34時施加到樹脂層23的溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。 　　[0215] 在絕緣層34使用無機絕緣膜的情況下，成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。 　　[0216] 接著，在絕緣層34及絕緣層33中形成到達導電層43b的開口。 　　[0217] 然後，形成導電層61。導電層61的一部分被用作發光元件60的像素電極。導電層61可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。 　　[0218] 導電層61在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。導電層61較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0219] 導電膜的成膜時的基板溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。 　　[0220] 接著，形成覆蓋導電層61的端部的絕緣層35。作為絕緣層35可以援用能夠用於絕緣層31的有機絕緣膜或無機絕緣膜。 　　[0221] 絕緣層35在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。絕緣層35較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0222] 在絕緣層35使用有機絕緣膜的情況下，在形成絕緣層35時施加到樹脂層23的溫度較佳為室溫以上且350℃以下，更佳為室溫以上且300℃以下。 　　[0223] 在絕緣層35使用無機絕緣膜的情況下，成膜時的基板溫度為室溫以上且350℃以下，更佳為100℃以上且300℃以下。 　　[0224] 接著，形成EL層62及導電層63。導電層63的一部分被用作發光元件60的共用電極。 　　[0225] EL層62可以利用蒸鍍法、塗佈法、印刷法、噴射法等方法形成。當在每個像素分別形成EL層62時，可以利用金屬遮罩等陰影遮罩的蒸鍍法或噴墨法等形成。當不在每個像素分別形成EL層62時，可以利用不使用金屬遮罩的蒸鍍法。 　　[0226] EL層62既可以使用低分子化合物，又可以使用高分子化合物，並且也可以包含無機化合物。 　　[0227] 導電層63可以利用蒸鍍法或濺射法等形成。 　　[0228] 導電層63在樹脂層23的耐熱溫度以下且EL層62的耐熱溫度以下的溫度下形成。此外，導電層63較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0229] 藉由上述步驟，可以形成發光元件60（圖9A）。發光元件60具有層疊其一部分被用作像素電極的導電層61、EL層62及其一部分被用作共用電極的導電層63的結構。 　　[0230] 這裡示出作為發光元件60形成頂部發射型發光元件的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於此。 　　[0231] 發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用透過可見光的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。 　　[0232] 接著，以覆蓋導電層63的方式形成絕緣層74（圖9A）。絕緣層74被用作抑制水等雜質擴散至發光元件60的保護層。發光元件60被絕緣層74密封。較佳為在形成導電層63之後以不暴露於大氣的方式形成絕緣層74。 　　[0233] 絕緣層74在樹脂層23的耐熱溫度以下且發光元件60的耐熱溫度以下的溫度下形成。絕緣層74較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0234] 絕緣層74例如較佳為包括能夠用於上述絕緣層31的阻擋性高的無機絕緣膜。另外，也可以使用無機絕緣膜和有機絕緣膜的疊層。 　　[0235] 絕緣層74可以藉由ALD法或濺射法等形成。ALD法及濺射法能夠以低溫進行成膜，所以是較佳的。當利用ALD法時，絕緣層74的覆蓋性變高，所以是較佳的。 　　[0236] 接著，在絕緣層74上形成保護層75（圖9A）。如圖5D1所示，作為保護層75，可以使用黏合層75b及基板75a。 　　[0237] 接著，照射雷射55（圖9B1）。雷射55例如在圖9B1中是從左側向右側掃描的線性雷射光束，其長軸與其掃描方向及其入射方向（從上往下）垂直。在雷射裝置中，以形成用基板14位於上側的方式配置疊層體。從疊層體（形成用基板14）的上側對疊層體照射雷射55。 　　[0238] 關於雷射的照射製程可以參照上述剝離方法中的記載。 　　[0239] 注意，在從一個形成用基板形成多個顯示裝置（多面板法）的情況下，可以使用一個樹脂層23形成多個顯示裝置。或者，也可以對應多個顯示裝置形成多個樹脂層23。圖9B2是在形成用基板上設置一個樹脂層23的例子。圖9B3及圖9B4是在形成用基板上設置四個樹脂層23的例子。 　　[0240] 雷射裝置難以對大型基板進行處理或者有時比較昂貴。因此，根據形成用基板的尺寸，如圖9B4所示，也可以在分割形成用基板之後對分割了的各形成用基板照射雷射。 　　[0241] 接著，在樹脂層23中形成分離起點（圖10A至圖10C）。 　　[0242] 例如，將刀具等銳利的形狀的器具65從保護層75一側插入樹脂層23的端部的內側，形成框狀的切口64。 　　[0243] 或者，也可以對樹脂層23以框狀照射雷射。 　　[0244] 如上所述，藉由多面板法，可以使用一個樹脂層23形成多個顯示裝置。例如，在圖10B的切口64的內側配置多個顯示裝置。由此，可以一次性地使多個顯示裝置與形成用基板分離。 　　[0245] 或者，也可以對應多個顯示裝置形成多個樹脂層23。圖10C示出在形成用基板上形成四個樹脂層23的例子。藉由在四個樹脂層23的每一個中形成框狀的切口64，可以在不同的時序使各顯示裝置與形成用基板分離。 　　[0246] 在製造方法例子1中，形成用基板14的頂面包括與金屬氧化物層20接觸的部分及與絕緣層31接觸的部分。在形成用基板14與絕緣層31接觸的部分中，以中間不夾著金屬氧化物層20的方式貼合形成用基板14與基板75a，因此其密接性藉由光照射也不會大幅度降低。因此，可以抑制樹脂層23從金屬氧化物層20非意圖性地剝離。並且，藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使金屬氧化物層20與樹脂層23分離。因此，可以控制分離時序，並且分離所需要的力小。由此，可以提高分離製程及顯示裝置的製程的良率。 　　[0247] 接著，分離金屬氧化物層20與樹脂層23（圖11A）。 　　[0248] 然後，使用黏合層28將基板29貼合到露出的樹脂層23（圖11B）。 　　[0249] 可以將基板29用作顯示裝置的支撐基板。作為基板29較佳為使用薄膜，特別較佳為使用樹脂薄膜。由此可以實現顯示裝置的輕量化、薄型化。另外，使用薄膜基板的顯示裝置與使用玻璃或金屬等的情況相比不容易破損。另外，可以提高顯示裝置的撓性。 　　[0250] 藉由利用本實施方式的剝離方法，可以將在形成用基板14上製造的電晶體40及發光元件60等從形成用基板14轉置到基板29。 　　[0251] 黏合層28可以使用能夠用於黏合層75b的材料形成。基板29可以使用能夠用於基板75a的材料形成。 　　[0252] 在製造方法例子1中，層疊金屬氧化物層20及樹脂層23並對其照射光。由此，可以降低金屬氧化物層20與樹脂層23的密接性或黏著性。因此，可以容易地分離形成用基板14與樹脂層23。 　　[0253] 另外，藉由由樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20來減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，可以抑制膜剝離，從而可以提高裝置的製程的良率。 　　[0254] [顯示裝置的結構實例1] 　　圖12A是顯示裝置10A的俯視圖。圖12B及圖12C是顯示裝置10A的顯示部381的剖面圖及與FPC372的連接部的剖面圖的例子。 　　[0255] 顯示裝置10A可以使用上述製造方法例子1製造。顯示裝置10A可以保持為彎曲狀態或反復彎曲等。 　　[0256] 顯示裝置10A包括保護層75及基板29。保護層75一側是顯示裝置的顯示面一側。顯示裝置10A包括顯示部381及驅動電路部382。在顯示裝置10A中貼合有FPC372。 　　[0257] 導電層43c藉由連接器76與FPC372電連接（圖12B和圖12C）。導電層43c可以使用與電晶體的源極及汲極相同的材料及相同的製程形成。 　　[0258] 作為連接器76，可以使用各種異方性導電膜（ACF：Anisotropic Conductive Film）及異方性導電膏（ACP：Anisotropic Conductive Paste）等。 　　[0259] 圖12C所示的顯示裝置與圖12B所示的結構不同之處在於：圖12C所示的顯示裝置包括電晶體49而不包括電晶體40；以及在絕緣層33上包括彩色層97。當使用底部發射型發光元件60時，也可以在比發光元件60更靠近基板29一側包括彩色層97。在上述製造方法例子1中，可以對樹脂層23使用可見光穿透率高的材料。因此，即使採用經過樹脂層23提取發光元件60的光的顯示裝置，也可以實現高顯示品質。 　　[0260] 圖12C所示的電晶體49除了圖12B所示的電晶體40的組件以外還包括被用作閘極的導電層45。 　　[0261] 作為電晶體49，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流（on-state current）。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高解析度化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。 　　[0262] 或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。 　　[0263] [製造方法例子2] 　　首先，與上述剝離方法同樣地，在形成用基板14上形成金屬氧化物層20至絕緣層31（圖13A）。如圖13A所述，金屬氧化物層20被樹脂層23覆蓋。因此，可以減少金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的部分，甚至可以去掉該部分。由此可以抑制顯示裝置的製程中的膜剝離。 　　[0264] 接著，在絕緣層31上形成電晶體80（圖13B）。 　　[0265] 這裡，示出作為電晶體80製造包括金屬氧化物層83及兩個閘極的電晶體的情況。 　　[0266] 電晶體80在樹脂層23的耐熱溫度以下的溫度下形成。電晶體80較佳為在比加熱處理的溫度低的溫度下形成。 　　[0267] 明確而言，首先在絕緣層31上形成導電層81。導電層81可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。 　　[0268] 接著，形成絕緣層82。作為絕緣層82可以援用能夠用於絕緣層31的無機絕緣膜。 　　[0269] 接著，形成金屬氧化物層83。金屬氧化物層83可以在形成金屬氧化物膜之後形成光阻遮罩，對該金屬氧化物膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。作為金屬氧化物層83可以援用能夠用於金屬氧化物層44的材料。 　　[0270] 接著，形成絕緣層84及導電層85。作為絕緣層84可以應用能夠用於絕緣層31的無機絕緣膜。絕緣層84及導電層85可以在形成將成為絕緣層84的絕緣膜及將成為導電層85的導電膜之後形成光阻遮罩，對該絕緣膜及該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。 　　[0271] 接著，形成覆蓋金屬氧化物層83、絕緣層84及導電層85的絕緣層33。絕緣層33可以藉由與絕緣層31同樣的方法形成。 　　[0272] 絕緣層33較佳為包含氫。包含在絕緣層33中的氫擴散至接觸於絕緣層33的金屬氧化物層83，金屬氧化物層83的一部分低電阻化。由於金屬氧化物層83的一部分用作低電阻區域，所以可以實現電晶體80的通態電流的增大及場效移動率的提高。 　　[0273] 接著，在絕緣層33中形成到達金屬氧化物層83的開口。 　　[0274] 接著，形成導電層86a及導電層86b。導電層86a及導電層86b可以在形成導電膜之後形成光阻遮罩，對該導電膜進行蝕刻，然後去除光阻遮罩而形成。導電層86a及導電層86b分別藉由絕緣層33的開口與金屬氧化物層83電連接。 　　[0275] 藉由上述步驟，可以製造電晶體80（圖13B）。在電晶體80中，導電層81的一部分用作閘極，絕緣層84的一部分用作閘極絕緣層，絕緣層82的一部分用作閘極絕緣層，導電層85的一部分用作閘極。金屬氧化物層83包括通道區域及低電阻區域。通道區域隔著絕緣層84與導電層85重疊。低電阻區域包括與導電層86a連接的部分及與導電層86b連接的部分。 　　[0276] 接著，在絕緣層33上形成絕緣層34至發光元件60（圖13C）。關於這些製程可以參照製造方法例子1。 　　[0277] 此外，與圖13A至圖13C的製程獨立地進行圖14A和圖14B的製程。首先，與在形成用基板14上形成島狀金屬氧化物層20的製程同樣地在形成用基板91上形成島狀金屬氧化物層92。接著，與在島狀金屬氧化物層20上形成島狀樹脂層23的製程同樣地在島狀金屬氧化物層92上形成覆蓋金屬氧化物層92的端部的島狀樹脂層93。接著，與在樹脂層23上形成絕緣層31的製程同樣地在樹脂層93上形成絕緣層95（圖14A）。金屬氧化物層92被樹脂層93覆蓋。因此，可以減少金屬氧化物層92與絕緣層95接觸的部分，甚至可以去掉該部分。由此可以抑制顯示裝置的製程中的膜剝離。 　　[0278] 接著，在絕緣層95上形成彩色層97及遮光層98（圖14B）。 　　[0279] 作為彩色層97可以使用濾色片等。彩色層97以與發光元件60的顯示區域重疊的方式配置。 　　[0280] 作為遮光層98可以使用黑矩陣等。遮光層98以與絕緣層35重疊的方式配置。 　　[0281] 接著，使用黏合層99將形成用基板14的形成有電晶體80等的面與形成用基板91的形成有樹脂層93等的面貼合（圖14C1和圖14C2）。 　　[0282] 當黏合層99包括不與金屬氧化物層20及金屬氧化物層92重疊的區域時，根據該區域的大小及與接觸於黏合層99的層的密接性，有時容易產生分離不良。 　　[0283] 因此，如圖14C1和圖14C2所示，較佳為使黏合層99僅與設置有金屬氧化物層20及金屬氧化物層92的兩者的部分重疊。換言之，在不設置金屬氧化物層20及金屬氧化物層92的兩者的部分中，也不設置黏合層99。 　　[0284] 例如，當使用流動性低的黏合劑或黏合薄片等作為黏合層99時，容易將黏合層99形成為島狀（圖14C1）。 　　[0285] 或者，也可以形成框狀的隔壁96，在由隔壁96圍繞的內側填充黏合層99而固化（圖14C2）。 　　[0286] 在隔壁96重疊於不設置金屬氧化物層20及金屬氧化物層92的部分的情況下，隔壁96較佳為使用未固化或半固化的樹脂。由此，可以抑制不設置金屬氧化物層20及金屬氧化物層92的部分的密接性變高，從而可以容易進行分離。 　　[0287] 當將隔壁96用於顯示裝置的組件時，作為隔壁96較佳為使用固化的樹脂。此時，隔壁96較佳為僅與設置有金屬氧化物層20及金屬氧化物層92的部分重疊。 　　[0288] 另外，在黏合層99包括不重疊於金屬氧化物層20或金屬氧化物層92的區域的情況下，藉由形成分離起點，可以在所希望的時序進行分離。 　　[0289] 關於此後的製程，參照圖14C1所示的疊層結構進行說明。 　　[0290] 接著，照射雷射55（圖15A）。雷射55例如在圖15A中是從左側向右側掃描的線性雷射光束，其長軸與其掃描方向及其入射方向（從上往下）垂直。在雷射裝置中，以形成用基板14位於上側的方式配置疊層體。從疊層體（形成用基板14）的上側對疊層體照射雷射55。 　　[0291] 可以先剝離形成用基板14，也可以先剝離形成用基板91。這裡示出在剝離形成用基板91之前剝離形成用基板14的例子。 　　[0292] 雷射55較佳為經過形成用基板14照射到金屬氧化物層20與樹脂層23的介面或其附近。此外，雷射55可以照射到金屬氧化物層20的內部，還可以照射到樹脂層23的內部。 　　[0293] 金屬氧化物層20吸收雷射55。樹脂層23也可以吸收雷射55。 　　[0294] 藉由照射雷射55，金屬氧化物層20與樹脂層23的密接性或黏著性降低。藉由雷射55的照射，有時使樹脂層23脆化。 　　[0295] 關於雷射的照射製程可以參照上述剝離方法中的記載。 　　[0296] 然後，使形成用基板14與電晶體80分離（圖15B）。由於黏合層99的端部位於金屬氧化物層20的端部的內側，因此，可以提高分離製程的良率。另外，在本實施方式中，示出被剝離層中的沒有設置金屬氧化物層20的部分殘留在形成用基板14上的例子，但是不侷限於此，有時一部分殘留在襯形成用基板91一側。 　　[0297] 在製造方法例子2中，層疊金屬氧化物層20及樹脂層23並對其照射光。由此，可以降低金屬氧化物層20與樹脂層23的密接性或黏著性。因此，可以容易地分離形成用基板14與樹脂層23。 　　[0298] 接著，使用黏合層28將從形成用基板14分離而露出的樹脂層23與基板29貼合（圖16A）。可以將基板29用作顯示裝置的支撐基板。 　　[0299] 接著，照射雷射55（圖16B）。雷射55例如在圖16B中是從左側向右側掃描的線性雷射光束，其長軸與其掃描方向及其入射方向（從上往下）垂直。在雷射裝置中，以形成用基板91位於上側的方式配置疊層體。從疊層體（形成用基板91）的上側對疊層體照射雷射55。 　　[0300] 雷射55較佳為經過形成用基板91照射到金屬氧化物層92與樹脂層93的介面或其附近。此外，雷射55可以照射到金屬氧化物層92的內部，還可以照射到樹脂層93的內部。 　　[0301] 金屬氧化物層92吸收雷射55。樹脂層93也可以吸收雷射55。 　　[0302] 藉由照射雷射55，金屬氧化物層92與樹脂層93的密接性或黏著性降低。藉由雷射55的照射，有時使樹脂層93脆化。 　　[0303] 關於雷射的照射製程可以參照上述剝離方法中的記載。 　　[0304] 接著，在樹脂層93中形成分離起點（圖17A）。 　　[0305] 在圖17A中，將刀具等銳利的形狀的器具65從基板29一側插入樹脂層93的端部的內側，形成框狀的切口。該方法適用於作為基板29使用樹脂的情況。 　　[0306] 或者，也可以以框狀對基板29照射雷射。 　　[0307] 藉由形成分離起點，可以在所希望的時序使形成用基板91與樹脂層93分離。因此，可以控制分離時序，並且分離所需要的力小。由此，可以提高分離製程及顯示裝置的製程的良率。 　　[0308] 接著，使形成用基板91與電晶體80分離（圖17B）。這裡示出使形成框狀的切口的內側的部分與形成用基板91分離的例子。 　　[0309] 在製造方法例子2中，層疊金屬氧化物層92及樹脂層93並對其照射光。由此，可以降低金屬氧化物層92與樹脂層93的密接性或黏著性。因此，可以容易地分離形成用基板91與樹脂層93。 　　[0310] 接著，使用黏合層13將從形成用基板91分離而露出的樹脂層93與基板22貼合（圖18A）。基板22可以被用作顯示裝置的支撐基板。 　　[0311] 在圖18A中，發光元件60的發光經過彩色層97、絕緣層95及樹脂層93取出到顯示裝置的外部。因此，樹脂層93的可見光穿透率較佳為高。在本發明的一個實施方式的剝離方法中可以減薄樹脂層93的厚度。因此，可以提高樹脂層93的可見光穿透率，由此可以抑制發光元件60的光提取效率的降低。 　　[0312] 在本發明的一個實施方式中，對金屬氧化物層92與樹脂層93的介面或其附近照射光，金屬氧化物層92吸收光的一部分。因此，即使樹脂層93的光吸收率低，也可以容易地分離金屬氧化物層92與樹脂層93。因此，作為樹脂層93可以使用可見光穿透率高的材料。由此，可以抑制發光元件60的光提取效率的降低。 　　[0313] 此外，也可以去除樹脂層93。由此，進一步提高發光元件60的光提取效率。在圖18B中示出去除樹脂層93，使用黏合層13將絕緣層95與基板22貼合的例子。 　　[0314] 黏合層13可以使用能夠用於黏合層75b的材料。 　　[0315] 基板22可以使用能夠用於基板75a的材料。 　　[0316] 製造方法例子2是進行本發明的一個實施方式的剝離方法兩次製造顯示裝置的例子。在本發明的一個實施方式中，由於構成顯示裝置的功能元件等都形成在形成用基板上，所以即使在製造解析度高的顯示裝置時撓性基板也不需要高位置對準精度。因此，可以容易地貼合撓性基板。 　　[0317] [顯示裝置的結構實例2] 　　圖19A是顯示裝置10B的俯視圖。圖19B是顯示裝置10B的顯示部381的剖面圖及與FPC372的連接部的剖面圖的例子。 　　[0318] 顯示裝置10B可以使用上述製造方法例子2製造。顯示裝置10B可以保持為彎曲狀態或反復彎曲等。 　　[0319] 顯示裝置10B包括基板22及基板29。基板22一側是顯示裝置10B的顯示面一側。顯示裝置10B包括顯示部381及驅動電路部382。在顯示裝置10B貼合有FPC372。 　　[0320] 作為基板22及基板29較佳為使用薄膜，特別較佳為使用樹脂薄膜。由此可以實現顯示裝置的輕量化、薄型化。另外，使用薄膜基板的顯示裝置與使用玻璃或金屬等的情況相比不容易破損。另外，可以提高顯示裝置的撓性。 　　[0321] 導電層86c藉由連接器76與FPC372電連接（圖19B）。導電層86c可以使用與電晶體的源極及汲極相同的材料及相同的製程形成。 　　[0322] 對本實施方式的顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有限制。例如，如圖19C所示，顯示裝置也可以包括頂閘極結構的電晶體140。 　　[0323] 在本實施方式中，在形成用基板上形成島狀金屬氧化物層，由樹脂層覆蓋金屬氧化物層來減少金屬氧化物層與無機絕緣層接觸的部分。由此，可以抑制膜剝離，從而可以提高裝置的製程的良率。另外，藉由對金屬氧化物層與樹脂層的介面或者其附近照射光，可以降低金屬氧化物層與樹脂層的密接性或黏著性。因此，可以容易在所希望的時序使金屬氧化物層與樹脂層分離。 　　[0324] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。另外，在本說明書中，當在一個實施方式中示出多個結構實例時，可以適當地組合結構實例。 　　[0325] 實施方式2 　　在本實施方式中，參照圖20至圖25說明能夠使用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置。 　　[0326] 本實施方式的顯示裝置包括反射可見光的第一顯示元件及發射可見光的第二顯示元件。 　　[0327] 本實施方式的顯示裝置具有由第一顯示元件所反射的光和第二顯示元件所發射的光中的一個或兩個顯示影像的功能。 　　[0328] 作為第一顯示元件，可以使用反射外光來進行顯示的元件。因為這種元件不包括光源（不使用人工光源），所以可以使顯示時的功耗變得極小。 　　[0329] 作為第一顯示元件，典型地可以使用反射型液晶元件。此外，作為第一顯示元件，可以使用快門方式的MEMS（Micro Electro Mechanical System：微機電系統）元件、光干涉方式的MEMS元件、應用微囊方式、電泳方式、電潤濕方式、電子粉流體（註冊商標）方式等的元件等。 　　[0330] 作為第二顯示元件，較佳為使用發光元件。由於這種顯示元件所發射的光的亮度及色度不受到外光的影響，因此可以進行色彩再現性高（色域寬）且對比度高的鮮明的顯示。 　　[0331] 作為第二顯示元件，例如可以使用OLED（Organic Light Emitting Diode：有機發光二極體）、LED（Light Emitting Diode：發光二極體）、QLED（Quantum-dot Light Emitting Diode：量子點發光二極體）等自發光性發光元件。 　　[0332] 本實施方式的顯示裝置包括只使用第一顯示元件顯示影像的第一模式、只使用第二顯示元件顯示影像的第二模式以及使用第一顯示元件和第二顯示元件顯示影像的第三模式，該顯示裝置能夠以自動或手動切換這些模式而使用。 　　[0333] 在第一模式中，利用第一顯示元件和外光顯示影像。因為第一模式不使用光源，所以功耗極低。例如，當外光充分入射到顯示裝置時（在明亮的環境等下），可以使用第一顯示元件所反射的光進行顯示。例如，第一模式在外光充分強且外光為白色光或近似的光的情況下是有效的。第一模式是適於顯示文字的模式。另外，因為在第一模式中使用反射外光的光，所以可以進行護眼顯示而有眼睛不容易疲累的效果。 　　[0334] 在第二模式中，利用第二顯示元件的發光顯示影像。由此，可以與照度及外光的色度無關地進行極鮮明（對比度高且色彩再現性高）的顯示。例如，第二模式在夜間及昏暗的室內等的照度極低的情況等下是有效的。另外，在周圍昏暗時，明亮的顯示有時讓使用者感到刺眼。為了防止發生這種問題，在第二模式中較佳為進行抑制亮度的顯示。由此，不僅可以抑制刺眼，而且還可以降低功耗。第二模式是適合顯示鮮明的影像（靜態影像及動態影像）等的模式。 　　[0335] 在第三模式中，利用第一顯示元件的反射光和第二顯示元件的發光的兩者來進行顯示。不但可以進行比第一模式鮮明的顯示，而且可以使功耗比第二模式低。例如，第三模式在室內照明下或者早晨傍晚等照度較低的情況、外光的色度不是白色的情況等下是有效的。 　　[0336] 藉由採用上述結構，可以實現無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性的顯示裝置。明確而言，在外光下或室內可以實現具有高可見度且高方便性的顯示裝置。 　　[0337] 可以將第三模式稱為使用混合型顯示方法的模式。 　　[0338] 另外，也可以將本實施方式的顯示裝置及輸入輸出裝置稱為混合型顯示器。 　　[0339] 混合型顯示是指：在一個面板中，同時使用反射光和自發光，彼此補充色調或光強度，來顯示文字和/或影像的方法。此外，混合型顯示是指：在一個像素或一個子像素中，使用來自多個顯示元件的光，來顯示文字和/或影像的方法。但是，當局部性地觀察進行混合型顯示的混合型顯示器時，有時包括：使用多個顯示元件中的任一個進行顯示的像素或子像素；以及使用多個顯示元件中的兩個以上進行顯示的像素或子像素。 　　[0340] 注意，在本說明書等中，混合型顯示滿足上述表現中的任一個或多個。 　　[0341] 此外，混合型顯示器在一個像素或一個子像素中包括多個顯示元件。作為多個顯示元件，例如可以舉出使光反射的反射型元件和發射光的自發光元件。反射型元件和自發光元件可以分別獨立地被控制。混合型顯示器具有在顯示部中使用反射光和自發光中的任一個或兩個來顯示文字和/或影像的功能。 　　[0342] 本實施方式的顯示裝置包括多個具有第一顯示元件的第一像素及多個具有第二顯示元件的第二像素。第一像素及第二像素較佳為都配置為矩陣狀。 　　[0343] 第一像素及第二像素可以分別包括一個以上的子像素。例如，像素可以採用具有一個子像素的結構（白色（W）等）、具有三個子像素的結構（紅色（R）、綠色（G）及藍色（B）的三種顏色或黃色（Y）、青色（C）及洋紅色（M）的三種顏色等）、具有四個子像素的結構（紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）、白色（W）的四種顏色或者紅色（R）、綠色（G）、藍色（B）、黃色（Y）的四種顏色等）。 　　[0344] 在本實施方式的顯示裝置中，可以採用使用第一像素進行全彩色顯示且使用第二像素進行全彩色顯示的結構。此外，在本實施方式的顯示裝置中，可以採用第一像素進行黑白顯示或灰階級顯示，且第二像素進行全彩色顯示的結構。使用第一像素的黑白顯示或灰階級顯示適用於顯示不需要彩色顯示的資訊例如顯示文件資訊。 　　[0345] 圖20是顯示裝置300A的立體示意圖。顯示裝置300A具有貼合基板351與基板361的結構。在圖20中，以虛線表示基板361。 　　[0346] 顯示裝置300A包括顯示部362、電路364及佈線365等。圖20示出在顯示裝置300A中安裝有IC（積體電路）373及FPC372的例子。因此，也可以將圖20所示的結構稱為包括顯示裝置300A、IC及FPC的顯示模組。 　　[0347] 作為電路364，例如可以使用掃描線驅動電路。 　　[0348] 佈線365具有對顯示部362及電路364供應信號及電力的功能。該信號及電力從外部經由FPC372或者從IC373輸入到佈線365。 　　[0349] 圖20示出藉由COG（Chip On Glass：晶粒玻璃接合）方式或COF（Chip on Film：薄膜覆晶封裝）方式等在基板351上設置IC373的例子。作為IC373，例如可以使用包括掃描線驅動電路或信號線驅動電路等的IC。注意，顯示裝置300A及顯示模組不一定必須設置有IC。另外，也可以將IC利用COF方式等安裝於FPC。 　　[0350] 圖20示出顯示部362的一部分的放大圖。在顯示部362中以矩陣狀配置有多個顯示元件所包括的電極311b。電極311b具有反射可見光的功能，並被用作液晶元件180的反射電極。 　　[0351] 此外，如圖20所示，電極311b具有開口451。再者，顯示部362在比電極311b更靠近基板351一側包括發光元件170。來自發光元件170的光經過電極311b的開口451射出到基板361一側。發光元件170的發光區域的面積與開口451的面積也可以相同。發光元件170的發光區域的面積和開口451的面積中的一個較佳為比另一個大，這是因為可以增大錯位的餘地的緣故。尤其是，開口451的面積較佳為比發光元件170的發光區域的面積大。當開口451較小時，有時電極311b遮斷來自發光元件170的光的一部分，由此光不能取出到外部。藉由使開口451充分大，可以抑制發光元件170的發光的損耗。 　　[0352] 圖21示出圖20所示的顯示裝置300A的包括FPC372的區域的一部分、包括電路364的區域的一部分及包括顯示部362的區域的一部分的剖面的一個例子。 　　[0353] 圖21所示的顯示裝置300A在基板351與基板361之間包括電晶體201、電晶體203、電晶體205、電晶體206、液晶元件180、發光元件170、絕緣層220、彩色層131、彩色層134等。基板361與絕緣層220藉由黏合層141黏合。基板351與絕緣層220藉由黏合層142黏合。 　　[0354] 基板361設置有彩色層131、遮光層132、絕緣層121及被用作液晶元件180的共用電極的電極113、配向膜133b、絕緣層117等。在基板361的外側的面包括偏光板135。絕緣層121可以具有平坦化層的功能。藉由使用絕緣層121可以使電極113的表面大致平坦，可以使液晶層112的配向狀態成為均勻。絕緣層117被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。在絕緣層117透過可見光的情況下，絕緣層117也可以與液晶元件180的顯示區域重疊。 　　[0355] 液晶元件180是反射型液晶元件。液晶元件180具有層疊有被用作像素電極的電極311a、液晶層112、電極113的疊層結構。以與電極311a的基板351一側接觸的方式設置有反射可見光的電極311b。電極311b具有開口451。電極311a及電極113透過可見光。在液晶層112與電極311a之間設置有配向膜133a。在液晶層112與電極113之間設置有配向膜133b。 　　[0356] 在液晶元件180中，電極311b具有反射可見光的功能，電極113具有透過可見光的功能。從基板361一側入射的光被偏光板135偏振，經過電極113及液晶層112，被電極311b反射。並且，再次透過液晶層112及電極113，到達偏光板135。此時，可以由施加到電極311b與電極113之間的電壓控制液晶的配向，來控制光的光學調變。也就是說，可以控制經過偏光板135射出的光的強度。此外，由於特定的波長區域之外的光被彩色層131吸收，因此被提取的光例如呈現紅色。 　　[0357] 如圖21所示，在開口451中較佳為設置有透過可見光的電極311a。由此，液晶層112在與開口451重疊的區域中也與其他區域同樣地配向，從而可以抑制因在該區域的邊界部產生液晶的配向不良而產生非意圖的漏光。 　　[0358] 在連接部207中，電極311b藉由導電層221b與電晶體206所包括的導電層222a電連接。電晶體206具有控制液晶元件180的驅動的功能。 　　[0359] 在設置有黏合層141的一部分的區域中設置有連接部252。在連接部252中，藉由連接器243使對與電極311a相同的導電膜進行加工來獲得的導電層和電極113的一部分電連接。由此，可以將從連接於基板351一側的FPC372輸入的信號或電位藉由連接部252供應到形成在基板361一側的電極113。 　　[0360] 例如，連接器243可以使用導電粒子。作為導電粒子，可以採用表面覆蓋有金屬材料的有機樹脂或二氧化矽等的粒子。作為金屬材料，較佳為使用鎳或金，因為其可以降低接觸電阻。另外，較佳為使用如在鎳上還覆蓋有金等以層狀覆蓋有兩種以上的金屬材料的粒子。另外，連接器243較佳為採用能夠彈性變形或塑性變形的材料。此時，有時作為導電粒子的連接器243成為圖21所示那樣的在縱向上被壓扁的形狀。藉由具有該形狀，可以增大連接器243與電連接於該連接器的導電層的接觸面積，從而可以降低接觸電阻並抑制接觸不良等問題發生。 　　[0361] 連接器243較佳為以由黏合層141覆蓋的方式配置。例如，在進行固化之前的黏合層141中分散連接器243即可。 　　[0362] 發光元件170是底部發射型發光元件。發光元件170具有從絕緣層220一側依次層疊有被用作像素電極的電極191、EL層192及被用作共用電極的電極193的疊層結構。電極191藉由形成在絕緣層214中的開口與電晶體205所包括的導電層222a連接。電晶體205具有控制發光元件170的驅動的功能。絕緣層216覆蓋電極191的端部。電極193包含反射可見光的材料，電極191包含透過可見光的材料。絕緣層194以覆蓋電極193的方式設置。發光元件170所發射的光經過彩色層134、絕緣層220、開口451、電極311a等射出到基板361一側。 　　[0363] 當在像素之間改變彩色層的顏色時，液晶元件180及發光元件170可以呈現各種顏色。顯示裝置300A可以使用液晶元件180進行彩色顯示。顯示裝置300A可以使用發光元件170進行彩色顯示。 　　[0364] 由於電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206都形成在絕緣層220的基板351一側的面上。這些電晶體可以藉由同一製程來製造。 　　[0365] 電連接於液晶元件180的電路較佳為與電連接於發光元件170的電路形成在同一面上。由此，與將兩個電路形成在不同的面上的情況相比，可以減小顯示裝置的厚度。此外，因為可以藉由同一製程製造兩個電晶體，所以與將兩個電晶體形成在不同的面上的情況相比，可以簡化製程。 　　[0366] 液晶元件180的像素電極位於相對於電晶體的閘極絕緣層與發光元件170的像素電極對置的位置上。 　　[0367] 在此，當使用在通道形成區域中包括金屬氧化物的關態電流極低的電晶體206或者與電晶體206電連接的記憶元件時，即使在使用液晶元件180顯示靜態影像時停止向像素的寫入工作也可以維持灰階。也就是說，即便使圖框頻率極小也可以保持顯示。在本發明的一個實施方式中，可以使圖框頻率極小而能夠進行功耗低的驅動。 　　[0368] 電晶體203是用來控制像素的選擇/非選擇狀態的電晶體（也被稱為切換電晶體或選擇電晶體）。電晶體205為控制流過發光元件170的電流的電晶體（也被稱為驅動電晶體）。 　　[0369] 在絕緣層220的基板351一側設置有絕緣層211、絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214等絕緣層。絕緣層211的一部分被用作各電晶體的閘極絕緣層。絕緣層212以覆蓋電晶體206等的方式設置。絕緣層213以覆蓋電晶體205等的方式設置。絕緣層214被用作平坦化層。注意，對覆蓋電晶體的絕緣層的個數沒有特別的限制，既可以為一個，又可以為兩個以上。 　　[0370] 較佳的是，將水或氫等雜質不容易擴散的材料用於覆蓋各電晶體的絕緣層中的至少一個。由此，可以將絕緣層用作障壁膜。藉由採用這種結構，可以有效地抑制雜質從外部擴散到電晶體中，從而能夠實現可靠性高的顯示裝置。 　　[0371] 電晶體201、電晶體203、電晶體205及電晶體206包括：被用作閘極的導電層221a；被用作閘極絕緣層的絕緣層211；被用作源極及汲極的導電層222a及導電層222b；以及半導體層231。在此，對經過對同一導電膜進行加工而得到的多個層附有相同的陰影線。 　　[0372] 電晶體201及電晶體205除了電晶體203及電晶體206的組件以外還包括被用作閘極的導電層223。 　　[0373] 作為電晶體201及電晶體205，採用兩個閘極夾持形成通道的半導體層的結構。藉由採用這種結構，可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以連接兩個閘極，並藉由對該兩個閘極供應同一信號，來驅動電晶體。與其他電晶體相比，這種電晶體能夠提高場效移動率，而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠進行高速驅動的電路。再者，能夠縮小電路部的佔有面積。藉由使用通態電流大的電晶體，即使因顯示裝置大型化或高解析度化而佈線數增多，也可以降低各佈線的信號延遲，而可以抑制顯示的不均勻。 　　[0374] 或者，藉由對兩個閘極中的一個施加用來控制臨界電壓的電位，對另一個施加用來進行驅動的電位，可以控制電晶體的臨界電壓。 　　[0375] 對顯示裝置所包括的電晶體的結構沒有限制。電路364所包括的電晶體和顯示部362所包括的電晶體可以具有相同的結構，也可以具有不同的結構。電路364所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構，也可以組合兩種以上的結構。同樣地，顯示部362所包括的多個電晶體可以都具有相同的結構，也可以組合兩種以上的結構。 　　[0376] 作為導電層223，較佳為使用包含氧化物的導電材料。藉由在包含氧的氛圍下形成構成導電層223的導電膜，可以對絕緣層212供應氧。較佳的是，沉積氣體中的氧氣體的比率為90%以上且100%以下。供應到絕緣層212中的氧藉由後面的熱處理被供應給半導體層231，由此可以實現半導體層231中的氧缺陷的降低。 　　[0377] 尤其是，作為導電層223，較佳為使用低電阻化了的金屬氧化物。此時，較佳為作為絕緣層213使用釋放氫的絕緣膜，例如氮化矽膜等。藉由在絕緣層213的成膜中或後面的熱處理，氫被供應給導電層223中，由此可以有效地降低導電層223的電阻。 　　[0378] 以接觸於絕緣層213的方式設置有彩色層134。彩色層134被絕緣層214覆蓋。 　　[0379] 在基板351與基板361不重疊的區域中設置有連接部204。在連接部204中，佈線365藉由連接層242與FPC372電連接。連接部204具有與連接部207相同的結構。在連接部204的頂面上露出對與電極311a相同的導電膜進行加工來獲得的導電層。因此，藉由連接層242可以使連接部204與FPC372電連接。 　　[0380] 作為設置在基板361的外側的面的偏光板135，可以使用直線偏光板，也可以使用圓偏光板。作為圓偏光板，例如可以使用將直線偏光板和四分之一波相位差板層疊而成的偏光板。由此，可以抑制外光反射。此外，藉由根據偏光板的種類調整用於液晶元件180的液晶元件的單元間隙、配向、驅動電壓等來實現所希望的對比度。 　　[0381] 此外，可以在基板361的外側的表面上配置各種光學構件。作為光學構件，可以使用偏光板、相位差板、光擴散層（擴散薄膜等）、防反射層及聚光薄膜（condensing film）等。此外，在基板361的外側的表面上也可以配置抑制塵埃的附著的抗靜電膜、不容易被弄髒的具有拒水性的膜、抑制使用時的損傷的硬塗膜等。 　　[0382] 基板351及基板361可以使用玻璃、石英、陶瓷、藍寶石以及有機樹脂等。藉由將具有撓性的材料用於基板351及基板361，可以提高顯示裝置的撓性。 　　[0383] 作為液晶元件180，例如可以採用使用VA（Vertical Alignment：垂直配向）模式的元件。作為垂直配向模式，可以使用MVA（Multi-Domain Vertical Alignment：多象限垂直配向）模式、PVA（Patterned Vertical Alignment：垂直配向構型）模式、ASV（Advanced Super View：超視覺）模式等。 　　[0384] 作為液晶元件180，可以採用使用各種模式的液晶元件。例如，除了VA模式以外，可以使用TN（Twisted Nematic：扭曲向列）模式、IPS（In-Plane-Switching：平面切換）模式、FFS（Fringe Field Switching：邊緣電場切換）模式、ASM（Axially Symmetric aligned Micro-cell：軸對稱排列微單元）模式、OCB（Optically Compensated Birefringence：光學補償彎曲）模式、FLC（Ferroelectric Liquid Crystal：鐵電性液晶）模式、AFLC（AntiFerroelectric Liquid Crystal：反鐵電液晶）模式、STN（Super Twisted Nematic：超扭曲向列）模式、TBA（Transverse Bend Alignment：橫向彎曲配向）模式、ECB（Electrically Controlled Birefringence：電控雙折射）模式、賓主模式等的液晶元件。 　　[0385] 液晶元件是利用液晶的光學調變作用來控制光的透過或非透過的元件。液晶的光學調變作用由施加到液晶的電場（包括橫向電場、縱向電場或傾斜方向電場）控制。作為用於液晶元件的液晶可以使用熱致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶（PDLC:Polymer Dispersed Liquid Crystal：聚合物分散液晶）、高分子網路型液晶（PNLC：Polymer Network Liquid Crystal）、鐵電液晶、反鐵電液晶等。這些液晶材料根據條件呈現出膽固醇相、層列相、立方相、手向列相、各向同性相等。 　　[0386] 作為液晶材料，可以使用正型液晶或負型液晶，根據所適用的模式或設計採用適當的液晶材料。 　　[0387] 為了控制液晶的配向，可以設置配向膜。此外，在採用橫向電場方式的情況下，也可以使用不使用配向膜的呈現藍相的液晶。藍相是液晶相的一種，是指當使膽固醇液晶的溫度上升時即將從膽固醇相轉變到均質相之前出現的相。因為藍相只在窄的溫度範圍內出現，所以將其中混合了幾wt%以上的手性試劑的液晶組成物用於液晶，以擴大溫度範圍。包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物的回應速度快，並且其示出光學各向同性。此外，包含呈現藍相的液晶和手性試劑的液晶組成物不需要配向處理，並且視角依賴性小。另外，由於不需要設置配向膜而不需要摩擦處理，因此可以防止由於摩擦處理而引起的靜電破壞，並可以降低製程中的液晶顯示裝置的不良、破損。 　　[0388] 當採用反射型液晶元件時，將偏光板135設置在顯示面一側。此外，當在顯示面一側另外設置光擴散板時，可以提高可見度，所以是較佳的。 　　[0389] 可以在偏光板135的外側設置前光源。作為前光源，較佳為使用邊緣照明型前光源。當使用具備LED的前光源時，可以降低功耗，所以是較佳的。 　　[0390] 關於能夠用於發光元件、電晶體、絕緣層、導電層、黏合層、連接層等的材料可以參照實施方式1的說明。 　　[0391] á應用實例ñ 　　根據本發明的一個實施方式，可以製造安裝有觸控感測器的顯示裝置（以下稱為輸入輸出裝置、觸控面板）。 　　[0392] 對本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置所包括的感測元件（也稱為感測元件）沒有特別的限制。可以將能夠感測出手指或觸控筆等感測物件的靠近或接觸的各種感測器用作感測元件。 　　[0393] 例如，作為感測器的方式，可以利用靜電電容式、電阻膜式、表面聲波式、紅外線式、光學式、壓敏式等各種方式。 　　[0394] 在本實施方式中，以包括靜電電容式的感測元件的輸入輸出裝置為例進行說明。 　　[0395] 作為靜電電容式，有表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等。另外，作為投影型靜電電容式，有自電容式、互電容式等。當使用互電容式時，可以同時進行多點感測，所以是較佳的。 　　[0396] 本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置可以適當地採用貼合分別製造的顯示裝置與感測元件的結構、在顯示面板所具有的一對基板中的一個或兩個上安裝有構成感測元件的電極等的結構等各種結構。 　　[0397] 以下，對將分別製造的顯示裝置與感測元件貼合的結構的輸入輸出裝置進行說明。圖22示出本發明的一個實施方式的顯示裝置的製造方法的流程圖。圖23及圖24A、圖24B示出製造中的顯示裝置的剖面圖。圖23對應於圖22所示的步驟S6。同樣地，圖24A對應於步驟S7，圖24B對應於步驟S8-2。 　　[0398] 如圖22所示，首先準備形成用基板14（步驟S1）。然後，在形成用基板14上形成金屬氧化物層20（步驟S2）。在此，在形成金屬膜之後進行H2 O電漿處理，由此使金屬膜氧化，形成金屬氧化物層20。關於金屬氧化物層20的形成方法，可以參照實施方式1。 　　[0399] 接著，在金屬氧化物層20上形成樹脂層23（步驟S3）。關於樹脂層23的形成方法，可以參照實施方式1。 　　[0400] 在本發明的一個實施方式中，以覆蓋金屬氧化物層20的端部的方式形成樹脂層23。由此，由樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20來減少或者去掉金屬氧化物層20露出的部分。因此，即使在樹脂層23上形成與金屬氧化物層20的密接性低的膜，也可以減少或者去掉該膜與金屬氧化物層20接觸的部分。因此，可以抑制製程中發生的膜剝離，而可以提高顯示裝置的製造的良率。 　　[0401] 接著，在樹脂層23上形成電晶體等（步驟S4）。然後，形成與電晶體電連接的發光元件（步驟S5），對發光元件進行密封（步驟S6）。參照圖23對形成在樹脂層23上的各組件進行說明。此外，關於已說明的組件，可以參照上述記載。 　　[0402] 如圖23所示，在形成用基板14上形成有金屬氧化物層20，在金屬氧化物層20上形成有樹脂層23。在樹脂層23上形成有絕緣層115。絕緣層115較佳為具有高阻擋性。絕緣層115較佳為使用氮化矽膜。在絕緣層115上依次層疊有電極311a、電極311b及電極311c。電極311a的端部及電極311c的端部位於電極311b的端部的外側，且彼此接觸。電極311a及電極311c使用透過可見光的導電膜。電極311b使用反射可見光的導電膜。在電極311b中設置有開口451。開口451與發光元件170的發光區域重疊。在電極311c上設置有絕緣層220a，在絕緣層220a上設置有導電層224，在導電層224上設置有絕緣層220b。導電層224被用作電容器的一個電極。在絕緣層220b上設置有電晶體203、電晶體205及電晶體206。電晶體206的源極或汲極在連接部207中與電極311c電連接。電晶體205包括兩個閘極。兩個閘極彼此電連接。電晶體205的源極或汲極藉由導電層228與發光元件170的電極191電連接。各電晶體被絕緣層212、絕緣層213、絕緣層214、絕緣層225及絕緣層215覆蓋。這些絕緣層中的一個或多個絕緣層的阻擋性較佳為高。在圖23中，示出絕緣層213及絕緣層225使用阻擋性高的材料的例子。絕緣層213以覆蓋絕緣層220a、絕緣層220b、絕緣層212等的端部的方式設置。絕緣層225以覆蓋絕緣層214的端部的方式設置。覆蓋膜226是反射可見光的膜。覆蓋膜226具有反射發光元件170的發光的一部分且對開口451一側供應的功能。透鏡227具有透過發光元件170的發光的功能。透鏡227與發光元件170的發光區域重疊。發光元件170包括電極191、EL層192及電極193。藉由分別塗佈法在每個子像素中形成EL層192。電極191的端部被絕緣層216覆蓋。絕緣層217被用作間隔物。使用黏合層142貼合發光元件170與基板351。 　　[0403] 接著，從形成用基板14剝離電晶體等，轉置到基板351一側（步驟S7）。這裡，隔著形成用基板14對金屬氧化物層20與樹脂層23的介面或其附近照射雷射。藉由在金屬氧化物層20與樹脂層23的介面產生分離，使樹脂層23露出（圖24A）。 　　[0404] 步驟S8-1為判斷是否去除樹脂層23的製程。分離之後，在去除樹脂層23的情況下，進入步驟S8-2。在不去除樹脂層23的情況下，進入步驟9。在此，對去除樹脂層23的情況進行說明。 　　[0405] 接著，藉由去除樹脂層23，使絕緣層115露出（步驟S8-2）。此外，也可以去除絕緣層115的一部分或全部使電極311a露出。藉由使阻擋性高的絕緣層115殘留，可以抑制水分進入電晶體或發光元件170，由此可以提高顯示裝置的可靠性。在此，藉由灰化去除樹脂層23（圖24B）。 　　[0406] 然後，形成液晶元件180（步驟S9）。在絕緣層115上（或者電極311a上）形成配向膜133a。另外，在基板361的一個面上依次形成彩色層131、絕緣層121、絕緣層232、電極113、絕緣層117及配向膜133b。在圖25中示出彩色層131不與發光元件170的發光區域重疊的例子，但是彩色層131可以以與發光元件170的發光區域重疊的方式設置。絕緣層121被用作保護層。絕緣層232較佳為阻擋性高的絕緣膜。電極113被用作液晶元件180的共用電極。絕緣層117被用作用來保持液晶元件180的單元間隙的間隔物。絕緣層117透過可見光。 　　[0407] 藉由以在配向膜133a與配向膜133b之間夾持液晶層112的方式貼合基板351與基板361，形成液晶元件180。液晶元件180包括電極311a、電極311b、電極311c、液晶層112、電極113。 　　[0408] 再者，在基板361的另一個面貼合擴散薄膜233及偏光板135。然後，將在其一個面設置有觸控感測器的基板235貼合於偏光板135。此外，在圖25中，在有的部分中省略黏合層的圖示。較佳為對基板235的另一個面進行防反射加工。例如，較佳為進行防眩光處理。藉由利用表面的凹凸，擴散反射光，可以降低眩光。在觸控感測器的導電層234a與導電層234b之間設置有絕緣層234c。導電層234b被絕緣層234d覆蓋。 　　[0409] 藉由上述步驟，可以形成圖25所示的輸入輸出裝置310A。然後，安裝FPC、IC等（步驟S10）。 　　[0410] 如上所述，因為本實施方式的顯示裝置包括兩種顯示元件，該顯示裝置能夠切換多個顯示模式而使用，所以無論周圍的亮度如何都具有高可見度及高方便性。 　　[0411] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 　　[0412] 實施方式3 　　在本實施方式中，對可用於在本發明的一個實施方式中公開的電晶體的金屬氧化物進行說明。以下，特別是對金屬氧化物和CAC（Cloud-Aligned Composite）-OS的詳細內容進行說明。 　　[0413] CAC-OS或CAC-metal oxide在材料的一部分中具有導電性的功能，在材料的另一部分中具有絕緣性的功能，作為材料的整體具有半導體的功能。此外，在將CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域的情況下，導電性的功能是使被用作載子的電子（或電洞）流過的功能，絕緣性的功能是不使被用作載子的電子流過的功能。藉由導電性的功能和絕緣性的功能的互補作用，可以使CAC-OS或CAC-metal oxide具有開關功能（開啟/關閉的功能）。藉由在CAC-OS或CAC-metal oxide中使各功能分離，可以最大限度地提高各功能。 　　[0414] 此外，CAC-OS或CAC-metal oxide包括導電性區域及絕緣性區域。導電性區域具有上述導電性的功能，絕緣性區域具有上述絕緣性的功能。此外，在材料中，導電性區域和絕緣性區域有時以奈米粒子級分離。另外，導電性區域和絕緣性區域有時在材料中不均勻地分佈。此外，有時導電性區域被觀察為其邊緣模糊且以雲狀連接。 　　[0415] 在CAC-OS或CAC-metal oxide中，有時導電性區域及絕緣性區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為0.5nm以上且3nm以下的尺寸分散在材料中。 　　[0416] 此外，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有不同能帶間隙的成分構成。例如，CAC-OS或CAC-metal oxide由具有起因於絕緣性區域的寬隙的成分及具有起因於導電性區域的窄隙的成分構成。在該構成中，當使載子流過時，載子主要在具有窄隙的成分中流過。此外，具有窄隙的成分與具有寬隙的成分互補作用，與具有窄隙的成分聯動地在具有寬隙的成分中載子流過。因此，在將上述CAC-OS或CAC-metal oxide用於電晶體的通道形成區域時，在電晶體的導通狀態中可以得到高電流驅動力，亦即大通態電流及高場效移動率。 　　[0417] 就是說，也可以將CAC-OS或CAC-metal oxide稱為基質複合材料（matrix composite）或金屬基質複合材料（metal matrix composite）。 　　[0418] CAC-OS例如是指包含在金屬氧化物中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在金屬氧化物中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域混合的狀態稱為馬賽克（mosaic）狀或補丁（patch）狀，該區域的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。 　　[0419] 金屬氧化物較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。 　　[0420] 例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS（在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO）是指材料分成銦氧化物（以下，稱為InOX1 （X1為大於0的實數））或銦鋅氧化物（以下，稱為InX2 ZnY2 OZ2 （X2、Y2及Z2為大於0的實數））以及鎵氧化物（以下，稱為GaOX3 （X3為大於0的實數））或鎵鋅氧化物（以下，稱為GaX4 ZnY4 OZ4 （X4、Y4及Z4為大於0的實數））等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1 或InX2 ZnY2 OZ2 均勻地分佈在膜中的構成（以下，也稱為雲狀）。 　　[0421] 換言之，CAC-OS是具有以GaOX3 為主要成分的區域和以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域混在一起的構成的複合金屬氧化物。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。 　　[0422] 注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以 InGaO3 (ZnO)m1 （m1為自然數）或In(1 + x0) Ga(1-x0) O3 (ZnO)m0 （-1≤x0≤1，m0為任意數）表示的結晶性化合物。 　　[0423] 上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC（c-axis aligned crystal）結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。 　　[0424] 另一方面，CAC-OS與金屬氧化物的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。 　　[0425] CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。 　　[0426] 注意，有時觀察不到以GaOX3 為主要成分的區域與以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域之間的明確的邊界。 　　[0427] 在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。 　　[0428] CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體（典型的是氬）、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。 　　[0429] CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射（XRD：X-ray diffraction）測定法之一的out-of-plane法利用q/2q掃描進行測定時，觀察不到明確的峰值。也就是說，根據X射線繞射，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。 　　[0430] 另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束（也稱為奈米束）而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc（nano-crystal）結構。 　　[0431] 另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法（EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy）取得的EDX面分析影像，可確認到：具有以GaOX3 為主要成分的區域及以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。 　　[0432] CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3 等為主要成分的區域及以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。 　　[0433] 在此，以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3 等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率（m）。 　　[0434] 另一方面，以GaOX3 等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3 等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。 　　[0435] 因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3 等的絕緣性及起因於InX2 ZnY2 OZ2 或InOX1 的導電性的互補作用可以實現高通態電流（Ion ）及高場效移動率（m）。 　　[0436] 另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適合於顯示器等各種半導體裝置。 　　[0437] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 　　[0438] 實施方式4 　　在本實施方式中，說明本發明的一個實施方式的電子裝置。 　　[0439] 藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有平面且可靠性高的電子裝置。藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有曲面且可靠性高的電子裝置。此外，藉由本發明的一個實施方式，可以製造具有撓性且可靠性高的電子裝置。 　　[0440] 作為電子裝置，例如可以舉出：電視機；桌上型或膝上型個人電腦；用於電腦等的顯示器；數位相機；數位攝影機；數位相框；行動電話機；可攜式遊戲機；可攜式資訊終端；音頻再生裝置；彈珠機等大型遊戲機等。 　　[0441] 此外，本發明的一個實施方式的顯示裝置不管外光的強度如何都可以實現高可見度。因此，適用於可攜式電子裝置、穿戴式電子裝置以及電子書閱讀器等。 　　[0442] 圖26A和圖26B所示的可攜式資訊終端800包括外殼801、外殼802、顯示部803及鉸鏈部805等。 　　[0443] 外殼801與外殼802藉由鉸鏈部805連接在一起。可攜式資訊終端800可以從折疊狀態（圖26A）轉換成如圖26B所示的展開狀態。由此，攜帶時的可攜性好，並且由於具有大顯示區域，所以使用時的可見度高。 　　[0444] 可攜式資訊終端800跨著由鉸鏈部805連接的外殼801和外殼802設置有撓性顯示部803。 　　[0445] 可以將使用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部803。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。 　　[0446] 顯示部803可以顯示文件資訊、靜態影像和動態影像等中的至少一個。當在顯示部中顯示文件資訊時，可以將可攜式資訊終端800用作電子書閱讀器。 　　[0447] 當使可攜式資訊終端800展開時，顯示部803被保持為大幅度彎曲的狀態。例如，可以以包括以1mm以上且50mm以下，較佳為5mm以上且30mm以下的曲率半徑彎曲的部分的方式保持顯示部803。顯示部803的一部分跨著外殼801和外殼802連續地配置有像素，從而能夠進行曲面顯示。 　　[0448] 顯示部803被用作觸控面板，可以用手指或觸控筆等進行操作。 　　[0449] 顯示部803較佳為由一個撓性顯示器構成。由此，可以跨著外殼801和外殼802進行連續的顯示。此外，外殼801和外殼802也可以分別設置有顯示器。 　　[0450] 為了避免在使可攜式資訊終端800展開時外殼801和外殼802所形成的角度超過預定角度，鉸鏈部805較佳為具有鎖定機構。例如，鎖定角度（達到該角度時不能再繼續打開）較佳為90°以上且小於180°，典型的是，可以為90°、120°、135°、150°或175°等。由此，可以提高可攜式資訊終端800的方便性、安全性和可靠性。 　　[0451] 當鉸鏈部805具有上述鎖定機構時，可以抑制過大的力施加到顯示部803，從而可以防止顯示部803的損壞。由此，可以實現可靠性高的可攜式資訊終端。 　　[0452] 外殼801和外殼802也可以包括電源按鈕、操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風等。 　　[0453] 外殼801和外殼802中的任一個可以設置有無線通訊模組，可以藉由網際網路、局域網（LAN）、無線保真（Wi-Fi：註冊商標）等電腦網路進行資料收發。 　　[0454] 圖26C所示的可攜式資訊終端810包括外殼811、顯示部812、操作按鈕813、外部連接埠814、揚聲器815、麥克風816、照相機817等。 　　[0455] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部812。由此，可以以高良率製造可攜式資訊終端。 　　[0456] 在可攜式資訊終端810中，在顯示部812中具有觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部812可以進行打電話或輸入文字等各種操作。 　　[0457] 另外，藉由操作按鈕813，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部812上的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。 　　[0458] 另外，藉由在可攜式資訊終端810內部設置陀螺儀感測器或加速度感測器等檢測裝置，可以判斷可攜式資訊終端810的方向（縱向或橫向），而對顯示部812的螢幕顯示方向進行自動切換。另外，螢幕顯示方向的切換也可以藉由觸摸顯示部812、操作操作按鈕813或者使用麥克風816輸入聲音來進行。 　　[0459] 可攜式資訊終端810例如具有選自電話機、筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種功能。明確地說，可攜式資訊終端810可以被用作智慧手機。可攜式資訊終端810例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、動畫播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。 　　[0460] 圖26D所示的照相機820包括外殼821、顯示部822、操作按鈕823、快門按鈕824等。另外，照相機820安裝有可裝卸的鏡頭826。 　　[0461] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部822。由此，可以以高良率製造照相機。 　　[0462] 在此，雖然照相機820具有能夠從外殼821拆卸下鏡頭826而交換的結構，但是鏡頭826和外殼821也可以被形成為一體。 　　[0463] 藉由按下快門按鈕824，照相機820可以拍攝靜態影像或動態影像。另外，也可以使顯示部822具有觸控面板的功能，藉由觸摸顯示部822進行攝像。 　　[0464] 另外，照相機820還可以具備另外安裝的閃光燈裝置及取景器等。另外，這些構件也可以組裝在外殼821中。 　　[0465] 圖27A至圖27E是示出電子裝置的圖。這些電子裝置包括外殼9000、顯示部9001、揚聲器9003、操作鍵9005（包括電源開關或操作開關）、連接端子9006、感測器9007（它具有測量如下因素的功能：力、位移、位置、速度、加速度、角速度、轉速、距離、光、液、磁、溫度、化學物質、聲音、時間、硬度、電場、電流、電壓、電力、輻射線、流量、濕度、傾斜度、振動、氣味或紅外線）、麥克風9008等。 　　[0466] 可以將利用本發明的一個實施方式製造的顯示裝置用於顯示部9001。由此，可以以高良率製造電子裝置。 　　[0467] 圖27A至圖27E所示的電子裝置可以具有各種功能。例如，可以具有如下功能：將各種資訊（靜態影像、動態影像、文字影像等）顯示在顯示部上；觸控面板；顯示日曆、日期或時刻等；藉由利用各種軟體（程式）控制處理；進行無線通訊；藉由利用無線通訊功能來連接到各種電腦網路；藉由利用無線通訊功能，進行各種資料的發送或接收；讀出儲存在儲存媒體中的程式或資料來將其顯示在顯示部上等。注意，圖27A至圖27E所示的電子裝置所具有的功能不侷限於上述功能，而也可以具有其他的功能。 　　[0468] 圖27A是示出手錶型可攜式資訊終端9200的立體圖，圖27B是示出手錶型可攜式資訊終端9201的立體圖。 　　[0469] 圖27A所示的可攜式資訊終端9200可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。另外，顯示部9001的顯示面彎曲，可沿著其彎曲的顯示面進行顯示。另外，可攜式資訊終端9200可以進行基於通訊標準的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通訊，可以進行免提通話。另外，可攜式資訊終端9200包括連接端子9006，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由連接端子9006進行充電。另外，充電動作也可以利用無線供電進行，而不藉由連接端子9006。 　　[0470] 圖27B所示的可攜式資訊終端9201與圖27A所示的可攜式資訊終端不同之處在於顯示部9001的顯示面不彎曲。此外，可攜式資訊終端9201的顯示部的外形為非矩形（在圖27B中為圓形狀）。 　　[0471] 圖27C至圖27E是示出能夠折疊的可攜式資訊終端9202的立體圖。另外，圖27C是將可攜式資訊終端9202展開的狀態的立體圖，圖27D是將可攜式資訊終端9202從展開的狀態和折疊的狀態中的一個轉換成另一個時的中途的狀態的立體圖，圖27E是將可攜式資訊終端9202折疊的狀態的立體圖。 　　[0472] 可攜式資訊終端9202在折疊狀態下可攜性好，而在展開狀態下因為具有無縫拼接較大的顯示區域所以顯示的一覽性強。可攜式資訊終端9202所包括的顯示部9001被由鉸鏈9055連結的三個外殼9000支撐。藉由鉸鏈9055使兩個外殼9000之間彎曲，可以使可攜式資訊終端9202從展開的狀態可逆性地變為折疊的狀態。例如，能夠使可攜式資訊終端9202以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲。 　　[0473] 本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。 實施例1 　　[0474] 在本實施例中，對應用本發明的一個實施方式的裝置及對比例子的裝置的實際製造結果進行說明。 　　[0475] 圖28A示出對比例子的裝置的外觀照片。被白色框線圍繞的區域38為金屬氧化物層20與樹脂層23接觸的區域。區域38的外側的區域為金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的區域。對比例子的裝置具有金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的區域大的特徵。在該區域中的由虛線圍繞的區域37中發生膜剝離。 　　[0476] 在區域38中不發生膜剝離，在區域37中發生膜剝離。由此可知，由於金屬氧化物層20與絕緣層31的密接性低而發生膜剝離。 　　[0477] 圖28B示出對比例子的裝置的剖面觀察照片。 　　[0478] 在圖28B所示的疊層結構中，在形成用基板14上形成有金屬氧化物層20，在金屬氧化物層20上設置有島狀樹脂層23。另外，在金屬氧化物層20及樹脂層23上設置有絕緣層31。在絕緣層31上設置有絕緣層32及絕緣層33，在絕緣層33上設置有剖面觀察用保護膜39。 　　[0479] 從圖28B確認到在金屬氧化物層20與絕緣層31的介面處發生絕緣層31的剝離。另外，絕緣層31在與樹脂層23接觸的部分中不發生剝離。 　　[0480] 在此，金屬氧化物層20為氧化鈦膜，樹脂層23為聚醯亞胺樹脂膜，絕緣層31為氧氮化矽膜。由此可知氧化鈦膜與氧氮化矽膜的密接性低於聚醯亞胺樹脂膜與氧氮化矽膜的密接性。 　　[0481] 由上述結果可知，由於金屬氧化物層20與絕緣層31的密接性低，所以如果金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的區域大，則在製程中發生膜剝離，良率降低。 　　[0482] 接著，對製造包括本發明的一個實施方式的圖2A和圖2B所示的疊層結構的裝置的結果進行說明。該裝置具有在圖2A和圖2B所示的疊層結構上設置有電晶體等的結構。 　　[0483] 圖29示出應用本發明的一個實施方式的裝置的剖面觀察照片。 　　[0484] 在應用本發明的一個實施方式的裝置中，與對比例子的裝置同樣，在形成用基板14上設置有島狀金屬氧化物層及島狀樹脂層23。樹脂層23以覆蓋金屬氧化物層的端部的方式設置。圖29為樹脂層23的端部及其附近的剖面觀察照片。樹脂層23的端部位於金屬氧化物層的端部的外側並具有相當遠的距離，因此在圖29中確認不到該金屬氧化物層。另外，在應用本發明的一個實施方式的裝置中，與對比例子的裝置同樣，樹脂層23上設置有絕緣層31。絕緣層31上設置有絕緣層32及絕緣層33，絕緣層33上設置有剖面觀察用保護膜39。 　　[0485] 在應用本發明的一個實施方式的裝置中，即使在對比例子的裝置的製造中發生膜剝離的製程中，也不發生膜剝離，可以正常地完成製程。 　　[0486] 在本發明的一個實施方式中，藉由由樹脂層23覆蓋金屬氧化物層20的端部，可以減小金屬氧化物層20與絕緣層31接觸的區域。由此，可以防止密接性低的介面的產生，從而可以抑制膜剝離。因此，可以以高良率製造裝置。
[0487]10A‧‧‧顯示裝置10B‧‧‧顯示裝置13‧‧‧黏合層14‧‧‧形成用基板19‧‧‧金屬層20‧‧‧金屬氧化物層22‧‧‧基板23‧‧‧樹脂層24‧‧‧第一層25‧‧‧被剝離層28‧‧‧黏合層29‧‧‧基板31‧‧‧絕緣層32‧‧‧絕緣層33‧‧‧絕緣層34‧‧‧絕緣層35‧‧‧絕緣層37‧‧‧區域38‧‧‧區域39‧‧‧保護膜40‧‧‧電晶體41‧‧‧導電層43a‧‧‧導電層43b‧‧‧導電層43c‧‧‧導電層44‧‧‧金屬氧化物層45‧‧‧導電層49‧‧‧電晶體55‧‧‧雷射60‧‧‧發光元件61‧‧‧導電層62‧‧‧EL層63‧‧‧導電層64‧‧‧切口65‧‧‧器具74‧‧‧絕緣層75‧‧‧保護層75a‧‧‧基板75b‧‧‧黏合層76‧‧‧連接器80‧‧‧電晶體81‧‧‧導電層82‧‧‧絕緣層83‧‧‧金屬氧化物層84‧‧‧絕緣層85‧‧‧導電層86a‧‧‧導電層86b‧‧‧導電層86c‧‧‧導電層91‧‧‧形成用基板92‧‧‧金屬氧化物層93‧‧‧樹脂層95‧‧‧絕緣層96‧‧‧隔壁97‧‧‧彩色層98‧‧‧遮光層99‧‧‧黏合層112‧‧‧液晶層113‧‧‧電極115‧‧‧絕緣層117‧‧‧絕緣層121‧‧‧絕緣層131‧‧‧彩色層132‧‧‧遮光層133a‧‧‧配向膜133b‧‧‧配向膜134‧‧‧彩色層135‧‧‧偏光板140‧‧‧電晶體141‧‧‧黏合層142‧‧‧黏合層170‧‧‧發光元件180‧‧‧液晶元件191‧‧‧電極192‧‧‧EL層193‧‧‧電極194‧‧‧絕緣層201‧‧‧電晶體203‧‧‧電晶體204‧‧‧連接部205‧‧‧電晶體206‧‧‧電晶體207‧‧‧連接部211‧‧‧絕緣層212‧‧‧絕緣層213‧‧‧絕緣層214‧‧‧絕緣層215‧‧‧絕緣層216‧‧‧絕緣層217‧‧‧絕緣層220‧‧‧絕緣層220a‧‧‧絕緣層220b‧‧‧絕緣層221a‧‧‧導電層221b‧‧‧導電層222a‧‧‧導電層222b‧‧‧導電層223‧‧‧導電層224‧‧‧導電層225‧‧‧絕緣層226‧‧‧覆蓋膜227‧‧‧透鏡228‧‧‧導電層231‧‧‧半導體層232‧‧‧絕緣層233‧‧‧擴散薄膜234a‧‧‧導電層234b‧‧‧導電層234c‧‧‧絕緣層234d‧‧‧絕緣層235‧‧‧基板242‧‧‧連接層243‧‧‧連接器252‧‧‧連接部300A‧‧‧顯示裝置310A‧‧‧輸入輸出裝置311a‧‧‧電極311b‧‧‧電極311c‧‧‧電極351‧‧‧基板361‧‧‧基板362‧‧‧顯示部364‧‧‧電路365‧‧‧佈線372‧‧‧FPC373‧‧‧IC381‧‧‧顯示部382‧‧‧驅動電路部451‧‧‧開口640‧‧‧加工區域800‧‧‧可攜式資訊終端801‧‧‧外殼802‧‧‧外殼803‧‧‧顯示部805‧‧‧鉸鏈部810‧‧‧可攜式資訊終端811‧‧‧外殼812‧‧‧顯示部813‧‧‧操作按鈕814‧‧‧外部連接埠815‧‧‧揚聲器816‧‧‧麥克風817‧‧‧照相機820‧‧‧照相機821‧‧‧外殼822‧‧‧顯示部823‧‧‧操作按鈕824‧‧‧快門按鈕826‧‧‧鏡頭9000‧‧‧外殼9001‧‧‧顯示部9003‧‧‧揚聲器9005‧‧‧操作鍵9006‧‧‧連接端子9007‧‧‧感測器9008‧‧‧麥克風9055‧‧‧鉸鏈9200‧‧‧可攜式資訊終端9201‧‧‧可攜式資訊終端9202‧‧‧可攜式資訊終端
[0020] 　　在圖式中‧‧‧ 　　圖1A和圖1B是說明包括金屬氧化物層及樹脂層的疊層結構的俯視圖及剖面圖； 　　圖2A和圖2B是說明包括金屬氧化物層及樹脂層的疊層結構的俯視圖及剖面圖； 　　圖3A和圖3B是說明包括金屬氧化物層及樹脂層的疊層結構的俯視圖及剖面圖； 　　圖4A和圖4B是說明包括金屬氧化物層及樹脂層的疊層結構的俯視圖及剖面圖； 　　圖5A1、圖5A2、圖5B、圖5C、圖5D1和圖5D2是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖6A和圖6B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖7A至圖7C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖8A至圖8E是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖9A、圖9B1、圖9B2、圖9B3和圖9B4是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖及俯視圖； 　　圖10A至圖10C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖及俯視圖； 　　圖11A和圖11B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖12A至圖12C是示出顯示裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖； 　　圖13A至圖13C是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖14A、圖14B、圖14C1和圖14C2是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖15A和圖15B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖16A和圖16B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖17A和圖17B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖18A和圖18B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖19A至圖19C是示出顯示裝置的一個例子的俯視圖及剖面圖； 　　圖20是示出顯示裝置的一個例子的立體圖； 　　圖21是示出顯示裝置的一個例子的剖面圖； 　　圖22是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的流程圖； 　　圖23是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖24A和圖24B是示出顯示裝置的製造方法的一個例子的剖面圖； 　　圖25是示出輸入輸出裝置的一個例子的剖面圖； 　　圖26A至圖26D是示出電子裝置的一個例子的圖； 　　圖27A至圖27E是示出電子裝置的一個例子的圖； 　　圖28A和圖28B是實施例中製造的裝置的外觀照片及剖面觀察照片； 　　圖29是實施例中製造的裝置的剖面觀察照片。
14‧‧‧形成用基板
20‧‧‧金屬氧化物層
23‧‧‧樹脂層
25‧‧‧被剝離層
31‧‧‧絕緣層
75a‧‧‧基板
75b‧‧‧黏合層

Claims (17)

  1. 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成金屬氧化物層；以覆蓋該金屬氧化物層的複數個端部的方式在該金屬氧化物層上並與該金屬氧化物層接觸以形成樹脂層；以覆蓋該樹脂層的複數個端部的方式在該樹脂層上形成絕緣層，其中該絕緣層具有與該第一基板接觸的第一部和與該樹脂層接觸的第二部；以及藉由進行光照射，來將包括該樹脂層及該絕緣層的該第二部的疊層從該金屬氧化物層剝離。
  2. 根據請求項1之半導體裝置的製造方法，還包括如下步驟：以與該金屬氧化物層及該樹脂層重疊的方式在該絕緣層上形成黏合層，該黏合層的端部位於該金屬氧化物層的該端部的內側，其中在形成該黏合層之後將該樹脂層從該金屬氧化物層剝離。
  3. 根據請求項2之半導體裝置的製造方法，還包括如下步驟：在形成該黏合層之前在該樹脂層上形成框狀的隔壁，其中該黏合層形成在該隔壁的內側。
  4. 根據請求項1之半導體裝置的製造方法，其中該樹脂層包括厚度為0.1μm以上且5μm以下的區域。
  5. 根據請求項1之半導體裝置的製造方法， 其中該光為雷射，並且藉由對該金屬氧化物層與該樹脂層的介面照射該雷射，來將該樹脂層從該金屬氧化物層剝離。
  6. 根據請求項1之半導體裝置的製造方法，其中該金屬氧化物層包括鈦、鉬、鋁、鎢、矽、銦、鋅、鎵、鉭和錫中的一個或多個。
  7. 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一金屬氧化物層及第二金屬氧化物層；以覆蓋該第一金屬氧化物層的複數個端部的方式在該第一金屬氧化物層上並與該第一金屬氧化物層接觸以形成第一樹脂層並且以覆蓋該第二金屬氧化物層的複數個端部的方式在該第二金屬氧化物層上並與該第二金屬氧化物層接觸以形成第二樹脂層；以覆蓋該第一樹脂層的複數個端部及該第二樹脂層的複數個端部的方式在該第一樹脂層及該第二樹脂層上形成絕緣層，其中該絕緣層具有與該第一基板接觸的第一部、與該第一樹脂層接觸的第二部和與該第二樹脂層接觸的第三部；以及藉由進行光照射，來將包括該第一樹脂層及該絕緣層的該第二部的第一疊層從該第一金屬氧化物層剝離和將包括該第二樹脂層和該絕緣層的該第三部的第二疊層從該第二金屬氧化物層剝離。
  8. 根據請求項7之半導體裝置的製造方法，其中該第一樹脂層及該第二樹脂層的每一個包括厚度為0.1μm以上且5μm以下的區域。
  9. 根據請求項7之半導體裝置的製造方法，其中該光為雷射，並且藉由對該第一金屬氧化物層與該第一樹脂層的介面照射該雷射，來將該第一樹脂層從該第一金屬氧化物層剝離。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一金屬氧化物層及第二金屬氧化物層；以覆蓋該第一金屬氧化物層的複數個端部及該第二金屬氧化物層的複數個端部的方式在該第一金屬氧化物層及該第二金屬氧化物層上形成樹脂層，其中該樹脂層具有與該第一金屬氧化物層的頂面接觸的第一區域和與該第二金屬氧化物層的頂面接觸的第二區域；以覆蓋該樹脂層的複數個端部的方式在該樹脂層上形成絕緣層，其中該絕緣層具有與該第一基板接觸的第一部、與該樹脂層的該第一區域接觸的第二部以及與該樹脂層的該第二區域接觸的第三部；以及藉由進行光照射，來將包括該樹脂層的該第一區域及該絕緣層的該第二部的第一疊層從該第一金屬氧化物層剝離和將包括該樹脂層的該第二區域和該絕緣層的該第三部 從該第二金屬氧化物層剝離。
  11. 根據請求項10之半導體裝置的製造方法，其中該樹脂層包括厚度為0.1μm以上且5μm以下的區域。
  12. 根據請求項10之半導體裝置的製造方法，其中該光為雷射，並且藉由對該第一金屬氧化物層與該樹脂層的介面照射該雷射，來將該樹脂層從該第一金屬氧化物層及該第二金屬氧化物層剝離。
  13. 根據請求項1、7和10中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該光的波長為180nm以上且450nm以下。
  14. 根據請求項1、7和10中任一項之半導體裝置的製造方法，其中該光的波長為308nm。
  15. 根據請求項1、7和10中任一項之半導體裝置的製造方法，其中使用線性雷射裝置進行該光照射。
  16. 根據請求項1、7和10中任一項之半導體裝置的製造方法，其中以250mJ/cm2以上且360mJ/cm2以下的能量密度進行該光照射。
  17. 根據請求項7或10之半導體裝置的製造方法，其中該第一金屬氧化物層及該第二金屬氧化物層的每一個包括鈦、鉬、鋁、鎢、矽、銦、鋅、鎵、鉭和錫中的一個或多個。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101435762B1 (ko) * 2014-01-28 2014-08-29 금오공과대학교 산학협력단 폐수에 함유된 글리콜 환원방법 및 이를 이용한 글리콜 환원장치
JP7143210B2 (ja) * 2016-10-07 2022-09-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US11177373B2 (en) * 2016-11-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
WO2019107289A1 (ja) * 2017-11-28 2019-06-06 住友電工プリントサーキット株式会社 フレキシブルプリント配線板の製造方法及びフレキシブルプリント配線板
US10839740B2 (en) * 2018-04-18 2020-11-17 Innolux Corporation Panel and tiled device thereof
CN112714943A (zh) * 2018-09-28 2021-04-27 夏普株式会社 电子装置的制造方法
US11138360B2 (en) 2018-10-31 2021-10-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device with filler cell region, method of generating layout diagram and system for same
KR102456122B1 (ko) * 2019-08-14 2022-10-19 한양대학교 산학협력단 플렉서블 장치의 제조방법
TWI740212B (zh) * 2019-09-19 2021-09-21 國立陽明交通大學 微型發光二極體晶片的製作方法
WO2021113304A1 (en) * 2019-12-02 2021-06-10 Applied Materials, Inc. Methods for in-situ chamber monitoring
JP6915191B1 (ja) * 2021-01-21 2021-08-04 信越エンジニアリング株式会社 ワーク分離装置及びワーク分離方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200504847A (en) * 2003-02-28 2005-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW201517140A (zh) * 2013-08-06 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 剝離方法
TW201533790A (zh) * 2013-12-12 2015-09-01 Semiconductor Energy Lab 剝離方法及剝離裝置
US20150310793A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output Device and Method for Driving Input/output Device
US20160172244A1 (en) * 2014-12-11 2016-06-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing electronic device comprising a resin substrate and an electronic component

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US7867907B2 (en) * 2006-10-17 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US7759629B2 (en) 2007-03-20 2010-07-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing a semiconductor device
JP5404064B2 (ja) * 2008-01-16 2014-01-29 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ処理装置、および半導体基板の作製方法
KR101774278B1 (ko) 2011-07-18 2017-09-04 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치의 제조방법
JP2014048619A (ja) 2012-09-04 2014-03-17 Panasonic Corp フレキシブルデバイスの製造方法
TWI705861B (zh) * 2013-08-30 2020-10-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 支撐體供應裝置及供應支撐體的方法
KR20240068746A (ko) * 2013-12-02 2024-05-17 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제조방법
WO2015083042A1 (ja) * 2013-12-03 2015-06-11 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置およびその作製方法
KR102334815B1 (ko) 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
KR102293958B1 (ko) * 2014-02-28 2021-08-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 전자 기기
JP6474648B2 (ja) * 2014-03-07 2019-02-27 株式会社半導体エネルギー研究所 検知器および入力装置
DE112015001780B4 (de) * 2014-04-11 2022-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung
JP6354338B2 (ja) 2014-05-30 2018-07-11 東レ株式会社 積層体、積層体の製造方法、及びこれを用いたフレキシブルデバイスの製造方法
JP2016081051A (ja) * 2014-10-10 2016-05-16 株式会社半導体エネルギー研究所 機能パネル、装置、情報処理装置
WO2016083934A1 (en) * 2014-11-28 2016-06-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display module and method for manufacturing display module
US11177373B2 (en) * 2016-11-03 2021-11-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200504847A (en) * 2003-02-28 2005-02-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Semiconductor device and method of manufacturing the same
TW201517140A (zh) * 2013-08-06 2015-05-01 Semiconductor Energy Lab 剝離方法
TW201533790A (zh) * 2013-12-12 2015-09-01 Semiconductor Energy Lab 剝離方法及剝離裝置
US20150310793A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input/output Device and Method for Driving Input/output Device
TW201604739A (zh) * 2014-04-23 2016-02-01 半導體能源研究所股份有限公司 輸入輸出裝置及輸入輸出裝置的驅動方法
US20160172244A1 (en) * 2014-12-11 2016-06-16 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Method for manufacturing electronic device comprising a resin substrate and an electronic component

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