CN106465494B - 发光装置 - Google Patents
发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106465494B CN106465494B CN201580019291.1A CN201580019291A CN106465494B CN 106465494 B CN106465494 B CN 106465494B CN 201580019291 A CN201580019291 A CN 201580019291A CN 106465494 B CN106465494 B CN 106465494B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- straight line
- luminescent panel
- bending section
- layer
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 166
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 130
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 61
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 61
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 46
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 241001442589 Convoluta Species 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 364
- 239000010408 film Substances 0.000 description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 38
- 238000000034 method Methods 0.000 description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 28
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 26
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 26
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 25
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 22
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 18
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 14
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 14
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 13
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 13
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 239000002648 laminated material Substances 0.000 description 12
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 11
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 10
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 9
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 8
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 7
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- -1 timber Substances 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 6
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 6
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 6
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 6
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 6
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 5
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 5
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 5
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 5
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 5
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 4
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 4
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 4
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 3
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 description 3
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910018137 Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018573 Al—Zn Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000208340 Araliaceae Species 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 102000004895 Lipoproteins Human genes 0.000 description 2
- 108090001030 Lipoproteins Proteins 0.000 description 2
- 229910000914 Mn alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 235000005035 Panax pseudoginseng ssp. pseudoginseng Nutrition 0.000 description 2
- 235000003140 Panax quinquefolius Nutrition 0.000 description 2
- OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N [6-(4-acetyloxy-5,9a-dimethyl-2,7-dioxo-4,5a,6,9-tetrahydro-3h-pyrano[3,4-b]oxepin-5-yl)-5-formyloxy-3-(furan-3-yl)-3a-methyl-7-methylidene-1a,2,3,4,5,6-hexahydroindeno[1,7a-b]oxiren-4-yl] 2-hydroxy-3-methylpentanoate Chemical compound CC12C(OC(=O)C(O)C(C)CC)C(OC=O)C(C3(C)C(CC(=O)OC4(C)COC(=O)CC43)OC(C)=O)C(=C)C32OC3CC1C=1C=COC=1 OMOVVBIIQSXZSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 2
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 2
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 235000008434 ginseng Nutrition 0.000 description 2
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N iron(III) oxide Inorganic materials O=[Fe]O[Fe]=O JEIPFZHSYJVQDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 150000002927 oxygen compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 239000005307 potash-lime glass Substances 0.000 description 2
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003608 titanium Chemical class 0.000 description 2
- 230000017105 transposition Effects 0.000 description 2
- 230000017260 vegetative to reproductive phase transition of meristem Effects 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 2
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018120 Al-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000714 At alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000542 Sc alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020833 Sn-Al-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020868 Sn-Ga-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020994 Sn-Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910009069 Sn—Zn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N carbonic acid Chemical compound OC(O)=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000003851 corona treatment Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N dysprosium atom Chemical compound [Dy] KBQHZAAAGSGFKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N erbium Chemical compound [Er] UYAHIZSMUZPPFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N lutetium atom Chemical compound [Lu] OHSVLFRHMCKCQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000003351 stiffener Substances 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N thulium atom Chemical compound [Tm] FRNOGLGSGLTDKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
- H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
- H10K77/111—Flexible substrates
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V1/00—Shades for light sources, i.e. lampshades for table, floor, wall or ceiling lamps
- F21V1/02—Frames
- F21V1/08—Frames adjustable
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V17/00—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages
- F21V17/02—Fastening of component parts of lighting devices, e.g. shades, globes, refractors, reflectors, filters, screens, grids or protective cages with provision for adjustment
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V23/00—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices
- F21V23/06—Arrangement of electric circuit elements in or on lighting devices the elements being coupling devices, e.g. connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/189—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components characterised by the use of a flexible or folded printed circuit
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2103/00—Elongate light sources, e.g. fluorescent tubes
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
- F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
- F21Y2115/20—Electroluminescent [EL] light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0277—Bendability or stretchability details
- H05K1/028—Bending or folding regions of flexible printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/14—Structural association of two or more printed circuits
- H05K1/147—Structural association of two or more printed circuits at least one of the printed circuits being bent or folded, e.g. by using a flexible printed circuit
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/04—Assemblies of printed circuits
- H05K2201/047—Box-like arrangements of PCBs
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10113—Lamp
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/20—Details of printed circuits not provided for in H05K2201/01 - H05K2201/10
- H05K2201/2018—Presence of a frame in a printed circuit or printed circuit assembly
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/549—Organic PV cells
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
- Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)
- Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)
Abstract
本发明提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。该发光装置包括：框架；以形成第一可展面的方式被框架支撑的柔性第一发光面板；以及以形成第二可展面的方式被框架支撑的柔性第二发光面板。
Description
技术领域
本发明的一个方式涉及一种发光装置、显示装置或输入输出装置。
注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本发明的一个方式涉及一种程序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组成物(composition ofmatter)。具体而言，作为本说明书所公开的本发明的一个方式的技术领域的例子，可以举出半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、这些装置的驱动方法或者这些装置的制造方法。
背景技术
对能够引起消费者的购买欲而促进产业发展的设计以及能够实现该设计的发明的需求增高。
例如，对具有曲面及简单结构的发光装置的需求增高。
发光装置有时因掉落而被受到意外的外力冲击。作为不容易破损的发光装置的一个例子，已知使发光层分离的结构体与第二电极层之间的紧密性高的发光装置(专利文献1)。
[参考文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利申请公开第2012-190794号公报
发明内容
本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种方便性或可靠性优异的新颖的输入输出装置。本发明的一个方式的目的之一是提供一种新颖的发光装置、新颖的显示装置、新颖的输入输出装置或新颖的半导体装置。
注意，这些目的的记载并不妨碍其他目的的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述目的。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽取上述以外的目的。
本发明的一个方式是一种发光装置，包括：框架；被框架支撑的柔性第一发光面板；以及被框架支撑的柔性第二发光面板。
框架包括：支撑第一发光面板及第二发光面板的弯曲部；以在与弯曲部之间形成第一可展面的方式支撑第一发光面板的第一直线部；以及以在与弯曲部之间形成不同于第一可展面的第二可展面的方式支撑第二发光面板的第二直线部。
第一发光面板包括第一发光元件及与第一发光元件电连接的第一端子部。
第二发光面板包括第二发光元件及与第二发光元件电连接的第二端子部。
本发明的其他方式是一种上述发光装置，其中框架具有第一直线部、第二直线部与弯曲部彼此连接的顶点。
上述本发明的一个方式的发光装置包括：具有弯曲部、第一直线部及第二直线部的框架；以形成第一可展面的方式被弯曲部和第一直线部支撑的柔性第一发光面板；以及以形成第二可展面的方式被弯曲部和第二直线部支撑的柔性第二发光面板。
由此，可以形成一种立体，包括：第一发光面板的第一可展面；第二发光面板的第二可展面；以及设置在第一可展面与第二可展面之间的弯曲的棱线(ridgeline)。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
本发明的其他方式是一种上述发光装置，其中第二发光面板的被弯曲部支撑的一个边可以与第一发光面板的被弯曲部支撑的一个边重叠。
由此，弯曲部能够以第一发光面板的一个边与第二发光面板的一个边之间的间隙窄的方式支撑第一发光面板及第二发光面板。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
本发明的其他方式是一种上述发光装置中的任何一个，其中第一发光面板在第一发光元件与第一端子部之间包括以沿着第一直线部的外形的方式被弯曲的区域。
由此，可以使第一端子部以沿着第一直线部的外形的方式弯曲。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
本发明的其他方式是一种上述发光装置中的任何一个，其中包括弯曲部与第一发光面板重叠的区域，并且第一发光面板向没有设置弯曲部的一侧发射光。
由此，第一发光面板可以不被弯曲部遮蔽地发射光。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
本发明的其他方式是一种发光装置，包括：框架；被框架支撑的柔性第一发光面板；以及被框架支撑的柔性第二发光面板。
框架包括：支撑第一发光面板的第一弯曲部；以在与第一弯曲部之间形成第一可展面的方式支撑第一发光面板的第一直线部；与第一直线部对置的第二直线部；以及以在与第二直线部之间形成第二可展面的方式支撑第二发光面板的第二弯曲部。
第一发光面板包括：第一发光元件；与第一发光元件电连接的第一端子部；以及在第一发光元件与第一端子部之间以沿着第一直线部的外形的方式被弯曲的区域。
第二发光面板包括：第二发光元件；与第二发光元件电连接的第二端子部；以及在第二发光元件与第二端子部之间以沿着第二直线部的外形的方式被弯曲的区域。
上述本发明的一个方式的发光装置包括：具有第一弯曲部、第一直线部及第二直线部的框架；以形成第一可展面的方式被框架支撑的柔性第一发光面板；以及以形成第二可展面的方式被与第一直线部对置的第二直线部支撑的柔性第二发光面板。并且，第一发光面板所包括的第一端子部及第二发光面板所包括的第二端子部以沿着第一直线部及第二直线部的外形的方式被弯曲。
由此，可以形成一种立体，包括：第一发光面板的弯曲的第一可展面；以及被与支撑第一发光面板的第一直线部对置的第二直线部支撑的第二发光面板的第二可展面。此外，可以从第一直线部与第二直线部之间抽出第一发光面板的第一端子部及第二发光面板的第二端子部。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
注意，在本说明书中，EL层是指设置在发光元件的一对电极之间的层。因此，夹在电极之间且包含发光物质的有机化合物的发光层是EL层的一个方式。
在本说明书中，当将物质A分散在由另一物质B构成的基质中时，将构成基质的物质B称为主体材料，并将分散在基质中的物质A称为客体材料。注意，物质A和物质B可以分别是单一物质或者是两种以上的物质的混合物。
注意，在本说明书中，发光装置是指图像显示装置或光源(包括照明装置)。另外，发光装置的范畴内还包括在发光装置中安装有连接器诸如柔性印刷电路板(FPC：FlexiblePrinted Circuit)或带载封装(TCP：Tape Carrier Package)的模块；在TCP的端部设置有印刷线路板的模块；集成电路(IC)通过玻璃覆晶(COG：Chip On Glass)方式直接安装在形成有发光元件的衬底上的模块。
根据本发明的一个方式，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示装置。可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的输入输出装置。可以提供一种新颖的发光装置、新颖的显示装置、新颖的输入输出装置或新颖的半导体装置。
注意，这些效果的记载并不妨碍其他效果的存在。此外，本发明的一个方式并不需要实现所有上述效果。另外，可以从说明书、附图、权利要求书等的记载得知并抽取上述以外的效果。
附图说明
在附图中：
图1A至图1D说明实施方式的发光装置的结构；
图2A和图2B说明实施方式的发光装置的结构；
图3A、图3B、图3C1和图3C2说明实施方式的发光装置的结构；
图4A和图4B说明实施方式的发光装置的结构；
图5A至图5D说明实施方式的发光装置的结构；
图6A和图6B说明实施方式的显示装置的结构；
图7A至图7D说明实施方式的输入输出装置的结构；
图8A至图8C说明实施方式的显示面板的结构；
图9A和图9B说明能够用于实施方式的输入输出装置的触摸屏的结构；
图10A至图10C说明能够用于实施方式的输入输出装置的触摸屏的结构；
图11A至图11C说明能够用于实施方式的输入输出装置的触摸屏的结构；
图12A1、图12A2、图12B1、图12B2、图12C、图12D1、图12D2、图12E1和图12E2是说明实施方式的叠层体的制造工序的示意图；
图13A1、图13A2、图13B1、图13B2、图13C、图13D1、图13D2、图13E1和图13E2是说明实施方式的叠层体的制造工序的示意图；
图14A1、图14A2、图14B、图14C、图14D1、图14D2、图14E1和图14E2是说明实施方式的叠层体的制造工序的示意图；
图15A1、图15A2、图15B1、图15B2、图15C1、图15C2、图15D1和图15D2是实施方式的在支撑体中都具有开口部的叠层体的制造工序的示意图；
图16A1、图16A2、图16B1和图16B2是实施方式的加工构件的结构的示意图。
具体实施方式
本发明的一个方式的发光装置包括：框架；以形成第一可展面的方式被框架支撑的柔性第一发光面板；以及以形成第二可展面的方式被框架支撑的柔性第二发光面板。
由此，可以形成一种立体，包括：第一发光面板的第一可展面；第二发光面板的第二可展面；以及设置在第一可展面与第二可展面之间的弯曲的棱线。其结果，方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
参照附图对实施方式进行详细说明。注意，本发明不局限于以下说明，而所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实就是其方式及详细内容在不脱离本发明的宗旨及其范围的情况下可以被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅局限在以下所示的实施方式所记载的内容中。注意，在下面说明的发明结构中，在不同的附图中共同使用相同的附图标记来表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反复说明。
实施方式1
在本实施方式中，参照图1A至图1D及图2A和图2B对本发明的一个方式的发光装置的结构进行说明。
图1A至图1D说明本发明的一个方式的发光装置1001的结构。
图1A是本发明的一个方式的发光装置1001的投影图，图1B是能够用于发光装置1001的框架的投影图，图1C是说明发光装置1001的结构的装配图。此外，图1D是说明图1C所示的发光面板200(1)的沿着线X1-X2截断的截面结构的截面图。
〈发光装置的结构实例1〉
本实施方式所说明的发光装置1001包括：框架100；被框架100支撑的柔性第一发光面板200(1)；以及被框架100支撑的柔性第二发光面板200(2)(参照图1A)。
框架100包括：支撑第一发光面板200(1)及第二发光面板200(2)的弯曲部111；以在与弯曲部111之间形成第一可展面F(1)的方式支撑第一发光面板200(1)的第一直线部101；以及在与弯曲部111之间形成第二可展面F(2)的方式支撑第二发光面板200(2)的第二直线部102(参照图1B)。
第一发光面板200(1)包括第一发光元件250(1)以及与第一发光元件250(1)电连接的第一端子部219(1)(参照图1C及图1D)。
第二发光面板200(2)包括第二发光元件250(2)以及与第二发光元件250(2)电连接的第二端子部219(2)。
本实施方式所说明的发光装置1001包括：框架100；以形成第一可展面F(1)的方式被框架100支撑的柔性第一发光面板200(1)；以及以形成第二可展面F(2)的方式被框架100支撑的柔性第二发光面板200(2)。
由此，可以形成一种立体，包括：第一发光面板的第一可展面；第二发光面板的第二可展面；以及设置在第一可展面与第二可展面之间的弯曲的棱线。其结果，方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
注意，将通过在不使平面伸缩的情况下改变平面形状而得到的曲面称为可展面。可展面可以在不伸缩的情况下变形为平面。此外，可以在该可展面上划至少一个穿过位于可展面上的任意的一点的直线。
此外，在发光装置1001中，被弯曲部111支撑的第二发光面板200(2)的边S(2)能够与第一发光面板200(1)的被弯曲部111支撑的边S(1)的一部分重叠(参照图2B)。
由此，弯曲部能够以第一发光面板的一个边与第二发光面板的一个边之间的间隙窄的方式支撑第一发光面板及第二发光面板。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
另外，第一发光面板200(1)可以包括基材210、基材270、以及设置在基材210与基材270之间的发光元件250(1)(参照图1D)。
此外，也可以包括用来贴合基材210与基材270的密封剂260。
另外，基材210也可以包括阻挡膜210a、基材210b、阻挡膜210a与基材210b之间的树脂层210c。此外，基材270也可以包括阻挡膜270a、基材270b、阻挡膜270a与基材270b之间的树脂层270c。
此外，发光元件250(1)也可以包括下部电极251、上部电极252以及下部电极251与上部电极252之间的包含发光有机化合物的层253。
另外，也可以设置第一端子部219(1)以及将第一端子部219(1)与发光元件250(1)电连接的导电层208。
此外，也可以设置第三发光面板200(3)及第四发光面板200(4)。
以下，对构光装置1001的各个构成要素进行说明。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个结构可能兼作其他结构或包含其他结构的一部分。
《整体的结构》
本发明的一个方式的发光装置1001包括框架100、第一发光面板200(1)及第二发光面板200(2)。
《框架》
框架100包括第一直线部101、第二直线部102及弯曲部111(参照图1B)。注意，可以将框架称为框、型、线框或加强构件。
此外，第一直线部101、第二直线部102与弯曲部111的端部也可以彼此连接而形成顶点P(参照图1A或图2A)。
另外，也可以包括弯曲部112、弯曲部113及弯曲部114，并且还可以包括第三直线部103及第四直线部104(参照图1B)。
弯曲部111和弯曲部113也可以具有沿着一个圆弧的形状。此外，弯曲部112和弯曲部114也可以具有沿着其他圆弧的形状。
此外，其他圆弧也可以在顶点与一个圆弧正交，以便第一直线部101、第二直线部102、第三直线部103及第四直线部104可以形成正方形或菱形。
另外，一个圆弧也可以以第一直线部101、第二直线部102、第三直线部103及第四直线部104形成方形的方式在顶点与其他圆弧交叉。
平行于第一直线部101的直线可以沿着第一可展面F(1)移动。第一直线部101在其表面所包括的一个切线上与第一可展面F(1)接触。
平行于第二直线部102的直线可以沿着第二可展面F(2)移动。第二直线部102在其表面所包括的一个切线上与第二可展面F(2)接触。
弯曲部111在其表面所包括的一个曲线与第一可展面F(1)接触，并在该一个曲线或其他曲线与第二可展面F(2)接触。
此外，第一发光面板200(1)或第二发光面板200(2)在具有4mm以上，优选为2mm以上，更优选为1mm以上的曲率半径的曲线与弯曲部111接触。
例如，可以将角柱状等的棒状的构件、圆筒状等的筒状的构件或I字、L字或V字等的板状的构件用于第一直线部101、第二直线部102或弯曲部111。此外，框架100虽然支撑发光面板200(1)的一个边，但是也可以支撑发光面板200(1)的面。具有开口部的框架可以比不具有开口部的框架轻。
例如，可以将有机材料、无机材料、有机材料和无机材料的复合材料、或者叠层材料用于框架100。具体而言，可以使用树脂、金属、被树脂覆盖的金属、分散有玻璃纤维或碳纤维的树脂等。此外，也可以使用木材、纸等天然材料。
注意，可以使用能够连接第一直线部101、第二直线部102及弯曲部111的连接器110(参照图2A)。
例如，连接器110也可以与第一直线部101、第二直线部102及弯曲部111嵌合而将它们彼此连接。
具体而言，也可以使用在外形中其端部都具有比其他部分薄的部分的第一直线部101、第二直线部102和弯曲部111以及具有能够与该薄的部分嵌合的刀鞘状的空间的连接器110。
《发光面板》
第一发光面板200(1)可以包括第一发光元件250(1)、第一端子部219(1)和柔性基材210。
在第二发光面板200(2)、第三发光面板200(3)及第四发光面板200(4)中，可以采用与第一发光面板200(1)同样的结构。
尤其是，当被弯曲部111支撑的第二发光面板200(2)的边S(2)与第一发光面板200(1)的被弯曲部111支撑的边S(1)的一部分重叠时，在弯曲部111中，可以使第二发光面板200(2)设置在接近于第一发光面板200(1)的位置，例如可以没有间隙地设置。
具体而言，当第二发光面板200(2)与第一发光面板200(1)彼此相对时，以点划线表示的边S(2)可以与以点划线表示的边S(1)重叠。换言之，第二发光面板200(2)的以点划线表示的边S(2)与第一发光面板200(1)的以点划线表示的边S(1)处于线对称的关系。
当以点划线表示的边S(2)与以点划线表示的边S(1)处于线对称的关系，并且边S(2)沿着边S(1)设置时，第二发光面板200(2)可以接近于第一发光面板200(1)。例如，第二发光面板200(2)和第一发光面板200(1)可以形成棱线。
此外，第一发光面板200(1)至第四发光面板200(4)都向至少一侧发射光。例如，发光装置1001所包括的第一发光面板200(1)至第四发光面板200(4)也可以向所形成的可展面的凸一侧发射光。注意，在附图中，以箭头示出第二发光面板200(2)发射光的方向(参照图1A)。
注意，第一发光面板或第二发光面板所形成的曲面具有4mm以上，优选为2mm以上，更优选为1mm以上的曲率半径。
此外，发光面板200(1)的外形不局限于此。例如，作为发光面板的外形，可以使用包括在一个角彼此交叉的两个曲线状的边及与该一个角对置的直线状的边的大致三角形的外形，即船形的外形。此外，端子部219(1)设置在直线状的边。
《发光元件》
作为第一发光元件250(1)，可以使用各种发光元件。例如，可以使用利用有机电致发光或无机电致发光的发光元件、发光二极管等。
具体而言，作为第一发光元件250(1)，可以使用发光元件(也称为有机EL元件)，包括：下部电极251；与下部电极251重叠的上部电极252；以及下部电极251与上部电极252之间的包含发光有机化合物的层253(参照图1D)。
注意，第一发光面板200(1)可以向上部电极252一侧及/或下部电极251一侧发射光。例如，在附图中，以箭头示出第一发光面板200(1)向上部电极252一侧发射光的例子(参照图1D)。
《导电层及端子部》
导电层208与发光元件250(1)电连接。
端子部219(1)被供应信号或电力等。导电层208的一部分设置在端子部219(1)中。例如，可以以柔性印刷电路板与端子部219(1)彼此电连接的方式，使导电层208的一部分露出到端子部219(1)的一部分。
可以将导电材料用于导电层208。
具体而言，可以使用选自铝、金、铂、银、铜、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钯和锰中的金属元素等。或者，可以使用包含上述金属元素的合金等。尤其是，铜和锰的合金适用于利用湿蚀刻的微细加工。
具体地，可以举出在铝膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钨膜的双层结构、在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠钨膜的双层结构或依次层叠钛膜、铝膜和钛膜的三层结构等。
具体地，还可以采用组合铝和选自钛、钽、钨、钼、铬、钕、钪中的一个或多个元素而成的合金膜或氮化膜。
此外，也可以使用包含导电金属氧化物等的导电材料。具体而言，也可以使用氧化铟、氧化锡或氧化锌等。
《基材》
可以将有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合材料用于柔性基材210。可以将能够用于基材210的材料用于基材270。
可以将厚度为5μm以上且2500μm以下，优选为5μm以上且680μm以下，更优选为5μm以上且170μm以下，更优选为5μm以上且45μm以下，进一步优选为8μm以上且25μm以下的材料用于基材210。
另外，可以将杂质的透过得到抑制的材料适当地用于基材210。例如，可以适当地使用水蒸气的透过率为10-5g/(m2·天)以下，优选为10-6g/(m2·天)以下的材料。
另外，在将多个材料的叠层材料用于基材210的情况下，优选使用线性膨胀系数大约彼此相等的材料。例如，线性膨胀系数优选为1×10-3/K以下，更优选为5×10-5/K以下，进一步优选为1×10-5/K以下。
例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料薄膜等有机材料用于基材210。
例如，可以将金属板或厚度为10μm以上且50μm以下的薄板状的玻璃板等无机材料用于基材210。
例如，可以将利用树脂层将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料的膜粘合于树脂薄膜等而形成的复合材料用于基材210。
例如，可以将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料分布于树脂或树脂薄膜的复合材料用于基材210。
例如，可以将热固化树脂或紫外线固化树脂用于树脂层。
具体而言，可以使用聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜或树脂板。
具体而言，可以使用无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃或水晶玻璃等。
具体而言，可以使用金属氧化物膜、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜等。例如，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝等。
具体而言，可以使用形成有开口部的SUS或铝等。
具体而言，可以使用丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等树脂或具有硅氧烷键的树脂等。
例如，可以适当地将层叠有具有柔性基材210b、防止杂质扩散的阻挡膜210a、将基材210b与阻挡膜210a粘合的树脂层210c的叠层体用于基材210(参照图1D)。
可以将包含层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用作阻挡膜210a。
具体而言，可以将包含依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮氧化硅膜以及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜用作阻挡膜210a。
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜、树脂板或叠层体等用作基材210b。
具体而言，可以将包含聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂或具有硅氧烷键合的树脂的材料用于树脂层210c。
〈发光装置的结构实例2.〉
参照图3A至图3C2对本发明的一个方式的发光装置的其他结构进行说明。
图3A至图3C2说明本发明的一个方式的发光装置1001B的结构。
图3A是本发明的一个方式的发光装置1001B的投影图，图3B是将图3A所示的发光装置1001B顺时针旋转90°且有的构成要素被省略的投影图。此外，图3C1是说明图3A所示的发光装置1001B的沿着线X3-X4截断的截面结构及其内部结构的侧面图，图3C2是有的构成要素被省略的发光装置1001B的侧面图。
在本实施方式所说明的发光装置1001B中，第一发光面板200(1)在第一发光元件与第一端子部219(1)之间包括以沿着第一直线部101的外形的方式被弯曲的区域(参照图3A至图3C2)。
由此，第一端子部可以以沿着第一直线部的外形的方式被弯曲。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
注意，在附图中，以箭头示出第二发光面板200(2)发射光的方向(参照图3A)。
此外，发光装置1001B与参照图1A至图1D进行说明的发光装置1001之间的不同之处在于：在发光装置1001B中，第一端子部219(1)以沿着第一直线部101的外形的方式被弯曲地设置(参照图1A及图3B)。在此，下面对不同的构成要素进行详细说明，而关于同样的构成要素可以参照上述说明。
《整体的结构》
本发明的一个方式的发光装置1001B包括框架100、第一发光面板200(1)及第二发光面板200(2)。
《第一端子部》
第一端子部219(1)具有柔性。
例如，柔性基材210的一部分可以支撑第一端子部219(1)。
柔性第一端子部219(1)可以以沿着第一直线部101的外形的方式被弯曲。
《框架》
第一直线部101具有在不被损坏的状态下以沿着第一端子部219(1)的方式被弯曲的外形。
例如，设置具有不被损坏的状态下以沿着曲面的方式第一端子部219(1)被弯曲而的曲率的曲面。
具体而言，可以将截面形状为圆形的材料用于第一直线部101(参照图3C1)。
注意，与第一发光面板或第二发光面板接触的曲面具有4mm以上，优选为2mm以上，更优选为1mm以上的曲率半径。
〈发光装置的结构实例3.〉
参照图4A和图4B对本发明的一个方式的发光装置的其他结构进行说明。
图4A和图4B说明本发明的一个方式的发光装置1001C的结构。
图4A是本发明的一个方式的发光装置1001C的投影图，图4B是发光装置1001C的有的构成要素被省略的投影图。
在本实施方式所说明的发光装置1001C中，包括弯曲部111C与第一发光面板200C(1)重叠的区域，并且第一发光面板200C(1)向没有设置弯曲部111C的一侧发射光(参照图4A及图4B)。另外，第一发光面板200C(1)包括第一端子部219C(1)。
由此，第一发光面板可以不被弯曲部遮蔽地发射光。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
此外，发光装置1001C与参照图1A至图1D进行说明的发光装置1001之间的不同之处在于：在发光装置1001C中，第一发光面板200C(1)至第四发光面板200C(4)以形成凹状的可展面且该凹状的可展面发射光的方式设置(参照图1A)。在此，下面对不同的构成要素进行详细说明，而关于同样的构成要素可以参照上述说明。
《框架》
框架100C包括第一直线部101C、第二直线部102C及弯曲部111C(参照图4B)。
此外，第一直线部101C、第二直线部102C及弯曲部111C的端部也可以彼此连接而形成顶点P(参照图4A)。
《发光面板》
发光面板200C(1)及发光面板200C(2)设置在弯曲部111C的以凹状的被弯曲的一侧。
另外，第一发光面板200C(1)至第四发光面板200C(4)以形成凹状的可展面且光向形成有该凹状的可展面的一侧发射的方式设置。
注意，在附图中，以箭头示出第三发光面板200C(3)发射光的方向(参照图4B)。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式2
在本实施方式中，参照图5A至图5D对本发明的一个方式的显示装置的结构进行说明。
图5A至图5D说明本发明的一个方式的发光装置1001D的结构。
图5A是本发明的一个方式的发光装置1001D的投影图，图5B是能够用于图5A所示的发光装置1001D的框架100D的投影图，图5C是将图5A所示的发光装置1001D顺时针旋转90°且有的构成要素被省略的投影图。此外，图5D是说明图5A所示的发光装置1001D的沿着线X5-X6截断的截面结构及其内部结构的侧面图。
〈发光装置的结构实例4〉
本实施方式所说明的发光装置1001D包括：框架100D；被框架100D支撑的柔性第一发光面板200D(1)；以及被框架100D支撑的柔性第二发光面板200D(2)(参照图5A及图5B)。
并且，框架100D包括：支撑第一发光面板200D(1)的第一弯曲部111D；以在与第一弯曲部111D之间形成第一可展面F(1)的方式支撑第一发光面板200D(1)的第一直线部101D；与第一直线部101D对置的第二直线部102D；以及以在与第二直线部102D之间形成第二可展面F(2)的方式支撑第二发光面板200D(2)的第二弯曲部112D。
第一发光面板200D(1)在第一发光元件250D(1)与第一端子部219D(1)之间包括：第一发光元件250D(1)；与第一发光元件250D(1)电连接的第一端子部219D(1)；以及以沿着第一直线部101D的外形的方式被弯曲的区域(参照图5A及图5C)。
第二发光面板200D(2)在第二发光元件250D(2)与第二端子部219D(2)之间包括：第二发光元件250D(2)；与第二发光元件250D(2)电连接的第二端子部219D(2)；以及以沿着第二直线部102D的外形的方式被弯曲的区域(参照图5C)。
本发明的一个方式的发光装置1001D包括：具有第一弯曲部111D、第一直线部101D及第二直线部102D的框架100D；以形成第一可展面F(1)的方式被框架100D支撑的柔性第一发光面板200D(1)；以及以形成第二可展面F(2)的方式被与第一直线部101D对置的第二直线部102D支撑的柔性第二发光面板200D(2)。并且，第一发光面板200D(1)所包括的第一端子部219D(1)及第二发光面板200D(2)所包括的第二端子部219D(2)以沿着第一直线部101D及第二直线部102D的外形的方式被弯曲。
由此，可以形成一种立体，包括：第一发光面板的弯曲的第一可展面；以及被与支撑第一发光面板的第一直线部对置的第二直线部支撑的第二发光面板的第二可展面。此外，可以从第一直线部与第二直线部之间抽出第一发光面板的第一端子部及第二发光面板的第二端子部。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的发光装置。
此外，也可以设置第三发光面板200D(3)至第八发光面板200D(8)。
以下，对构光装置1001D的各个构成要素进行说明。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个结构可能兼作其他结构或包含其他结构的一部分。
此外，发光装置1001D与参照图3A至图3C2进行说明的发光装置1001B之间的不同之处在于：在发光装置1001D中，框架100D包括与第一直线部101D对置的第二直线部102D；第二发光面板200D(2)不被弯曲部111支撑；以及第一端子部219D(1)和第二端子部219D(2)分别沿着第一直线部101D和第二直线部102D的外形被弯曲(参照图3B)。在此，下面对不同的构成要素进行详细说明，而关于同样的构成要素可以参照实施方式1所示的说明。
《整体的结构》
本发明的一个方式的发光装置1001D包括框架100D、第一发光面板200D(1)及第二发光面板200D(2)。
《框架》
框架100D包括第一直线部101D、第二直线部102D及弯曲部111D(参照图5B)。
注意，本实施方式所例示的框架100D具有实施方式1所例示的两个框架100的直线部彼此对置的方式配置的形状。
框架100D可以提供一种包括多角形的截面和具有圆弧的截面的多种立体。
此外，第一直线部101D、第二直线部102D及弯曲部111D的端部也可以彼此连接而形成顶点P。
另外，也可以设置第三直线部103D至第八直线部108D。
此外，也可以设置第二弯曲部112D至第八弯曲部118D。
弯曲部111D、弯曲部112D、弯曲部116D及弯曲部115D可以具有沿着一个圆弧的形状。此外，弯曲部113D、弯曲部114D、弯曲部118D及弯曲部117D可以具有沿着其他圆弧的形状。
此外，其他圆弧也可以在顶点与一个圆弧正交，以便第一直线部101D、第三直线部103D、第五直线部105D及第七直线部107D可以形成正方形或菱形，并且第二直线部102D、第四直线部104D、第六直线部106D及第八直线部108D可以形成正方形或菱形。
此外，一个圆弧也可以以第一直线部101D、第三直线部103D、第五直线部105D及第七直线部107D形成方形且第二直线部102D、第四直线部104D、第六直线部106D及第八直线部108D形成方形的方式在顶点与其他圆弧交叉。
第二直线部102D与第一直线部101D对置，并且第一端子部219D(1)及第二端子部219D(2)可以设置在第一直线部101D与第二直线部102D之间。
《发光面板》
第一发光面板200D(1)以在弯曲部111D与第一直线部101D之间形成可展面F(1)的方式被支撑，并且第一端子部219D(1)沿着第一直线部101D的外形而设置(参照图5C)。
此外，第一直线部101D在其表面所包括的一个切线上与第一发光面板200D(1)接触。
第二发光面板200D(2)以在弯曲部112D与第二直线部102D之间形成可展面F(2)的方式被支撑，并且第二端子部219D(2)沿着第二直线部102D的外形而设置。
此外，第二直线部102D在其表面所包括的一个切线上与第二发光面板200D(2)接触。
换言之，第一端子部219D(1)及第二端子部219D(2)设置在第一直线部101D与第二直线部102D之间且以沿着第一直线部101D及第二直线部102D的外形的方式设置(参照图5C)。
此外，第二直线部102D与第二发光面板200D(2)接触的切线大致平行于第一直线部101D与第一发光面板200D(1)接触的切线。
此外，发光装置1001D也可以包括第三发光面板200D(3)至第八发光面板200D(8)。
例如，在第一发光面板200D(1)至第八发光面板200D(8)中，可以采用与实施方式1所说明的发光面板同样的结构。
此外，在附图中，以箭头示出第三发光面板200D(3)发射光的方向(参照图5A)。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式3
在本实施方式中，参照图6A和图6B对本发明的一个方式的显示装置的结构进行说明。
图6A和图6B说明本发明的一个方式的显示装置1002的结构。图6A是从斜上方观察本发明的一个方式的显示装置1002时的投影图，图6B是从斜下方观察图6A所示的显示装置1002时的投影图。
〈显示装置的结构实例1〉
本实施方式所说明的显示装置1002包括：框架100E；被框架100E支撑的柔性第一显示面板300(1)；以及被框架100E支撑的柔性第二显示面板300(2)(参照图6A)。
框架100E包括：支撑第一显示面板300(1)及第二显示面板300(2)的弯曲部111E；以在与弯曲部111E之间形成第一可展面的方式支撑第一显示面板300(1)的第一直线部101E；以及在与弯曲部111E之间形成第二可展面的方式支撑第二显示面板300(2)的第二直线部102E。
第一显示面板300(1)包括：第一发光元件；与第一发光元件电连接的第一端子部319(1)；以及在第一发光元件与第一端子部319(1)之间以沿着第一直线部101E的外形的方式被弯曲的区域。
第二显示面板300(2)包括：第二发光元件；与第二发光元件电连接的第二端子部319(2)；以及在第二发光元件与第二端子部319(2)之间以沿着第二直线部102E的外形的方式被弯曲的区域。
本实施方式所说明的显示装置1002包括：框架100E；以形成第一可展面的方式被框架100E支撑的柔性第一显示面板300(1)；以及以形成第二可展面的方式被框架100E支撑的柔性第二显示面板300(2)。
由此，可以形成一种立体，包括：第一显示面板的第一可展面；第二显示面板的第二可展面；以及第一可展面与第二可展面之间的弯曲的棱线。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示装置。例如，这种显示装置可以被用作显示全天侯型影像等的显示装置或天象仪等。
《整体的结构》
本发明的一个方式的显示装置1002包括框架100E、第一显示面板300(1)及第二显示面板300(2)。
《框架》
框架100E包括弯曲部111E、第一直线部101E及第二直线部102E。
框架100E也可以包括12个弯曲部和12个直线部。
框架100E也可以包括6组包含具有沿着一个圆弧的形状的两个弯曲部的弯曲部。
也可以使用在多个弯曲部彼此交叉点部分包括支柱的框架代替框架100E。例如，可以使用具有延伸到弯曲部的凹状的弯曲的一侧的支柱的如洋伞的框子那样的框架。此外，也可以将驱动显示面板300(1)的驱动装置或电源设置在支柱，将布线沿着弯曲部设置。另外，也可以将驱动装置或电源及显示面板300(1)的端子部319(1)与布线电连接。由此，可以使用设置在支柱的驱动装置或电源使显示面板300(1)工作。
《显示面板》
第一显示面板300(1)具有柔性，并包括发光元件及与发光元件电连接的第一端子部319(1)。
第二显示面板300(2)具有柔性，并包括发光元件及与发光元件电连接的第二端子部319(2)。
第一端子部319(1)沿着第一直线部101E的外形设置，第二端子部319(2)沿着第二直线部102E的外形设置。
第一图像数据供应到第一端子部319(1)，第一显示面板300(1)显示第一图像数据。
第二图像数据供应到第二端子部319(2)，第二显示面板300(2)显示第二图像数据。
第一显示面板300(1)以形成凹状的可展面的一侧显示第一图像数据的方式被框架100E支撑(参照图6B)。
第二显示面板300(2)以形成凹状的可展面的一侧显示第二图像数据的方式被框架100E支撑。
注意，以第二显示面板300(2)的第二可展面上的与第一显示面板300(1)的第一可展面相邻的部分，即弯曲部111E上显示与显示在第一显示面板300(1)上的图像连接的图像的方式，将第一图像数据供应到第一显示面板300(1)，将与第一图像数据相关联的第二图像数据供应到第二显示面板300(2)。
由此，例如，可以在使用多个显示面板形成的凹状的表面上，以使用者将连接的图像认为一个图像的方式进行显示。
具体而言，当显示装置1002具有足以覆盖显示装置1002的使用者的脸上的钵状的尺寸或足以容纳使用者的圆顶状的尺寸时，可以显示使使用者感到很大的临场感的图像。
此外，与使用投影仪的方法相比，可以显示更高的亮度的图像。另外，与使用投影仪的方法相比，可以显示更高的清晰度的图像。
具体而言，显示装置1002优选具有20cm以上，1m以上，2m以上，5m以上，10m以上，20m以上，30m以上且250m以下的直径。
注意，在实施方式5中，对能够被用作第一显示面板300(1)或第二显示面板300(2)的显示面板的结构的一个例子进行详细说明。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式4
在本实施方式中，参照图7A至图7D对本发明的一个方式的输入输出装置的结构进行说明。
图7A至图7D说明本发明的一个方式的输入输出装置1003的结构。
图7A是从斜上方观察本发明的一个方式的输入输出装置1003时的投影图，图7B是输入输出装置1003的有的构成要素被省略的投影图，图7C是能够被用于图7A所示的输入输出装置1003的框架100F的投影图，图7D是说明沿着图7A所示的线X7-X8截断的截面结构及内部结构的侧面图。
〈输入输出装置的结构实例〉
本实施方式所说明的输入输出装置1003包括：框架100F；被框架100F支撑的柔性第一触摸屏500(1)；被框架100F支撑的柔性第二触摸屏500(2)(参照图7A及图7C)。
并且，框架100F包括：支撑第一触摸屏500(1)的第一弯曲部111F；以在与第一弯曲部111F之间形成第一可展面的方式支撑第一触摸屏500(1)的第一直线部101F；在与第一直线部101F对置的第二直线部102F；以及以在与第二直线部102F之间形成第二可展面的方式支撑第二触摸屏500(2)的第二弯曲部(参照图7A及图7C)。
第一触摸屏500(1)包括：第一发光元件；与第一发光元件电连接的第一端子部519(1)；以及在第一发光元件与第一端子部519(1)之间以沿着第一直线部101F的外形的方式被弯曲的区域(参照图7D)。
第二触摸屏500(2)包括：第二发光元件；与第二发光元件电连接的第二端子部519(2)；以及在第二发光元件与第二端子部519(2)之间以沿着第二直线部102F的外形的方式被弯曲的区域。
上述本发明的一个方式的输入输出装置1003包括：具有第一弯曲部111F、第一直线部101F及第二直线部102F的框架100F；以形成第一可展面的方式被框架100F支撑的柔性第一触摸屏500(1)；以及被以形成第二可展面的方式与第一直线部101F对置的第二直线部102F支撑的柔性第二触摸屏500(2)。并且，第一触摸屏500(1)所包括的第一端子部519(1)及第二触摸屏500(2)所包括的第二端子部519(2)沿着第一直线部101F及第二直线部102F的外形被弯曲。
由此，可以形成一种立体，包括：第一触摸屏的弯曲的第一可展面；以及被与支撑第一触摸屏的第一直线部对置的第二直线部支撑的第二触摸屏的第二可展面。此外，可以从第一直线部与第二直线部之间抽出第一触摸屏的第一端子部及第二触摸屏的第二端子部。其结果，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的输入输出装置。例如，在本实施方式的输入输出装置上显示地图等，由此可以将该输入输出装置用作地球仪或天球仪等。并且，可以供应放大使用触摸屏显示的地图等的一部分而显示该被放大的部分的指令。
《整体的结构》
本发明的一个方式的输入输出装置1003包括框架100F、第一触摸屏500(1)及第二触摸屏500(2)。
《框架》
框架100F包括弯曲部111F、第一直线部101F及第二直线部102F。
框架100F也可以包括24个弯曲部和24个直线部。
框架100F也可以包括6组包含具有沿着一个圆弧的形状的四个弯曲部的弯曲部。
《触摸屏》
第一触摸屏500(1)具有柔性，并包括发光元件及与发光元件电连接的第一端子部519(1)。
第二触摸屏500(2)具有柔性，并包括发光元件及与发光元件电连接的第二端子部519(2)。
第一图像数据供应到第一端子部519(1)，第一触摸屏500(1)显示第一图像数据。
第二图像数据供应到第二端子部519(2)，第二触摸屏500(2)显示第二图像数据。
第一触摸屏500(1)以形成凸状的可展面的一侧显示第一图像数据的方式被框架100F支撑(参照图7B)。
第二触摸屏500(2)以形成凸状的可展面的一侧显示第二图像数据的方式被框架100F支撑。
注意，以第二触摸屏500(2)的第二可展面上的与第一触摸屏500(1)的第一可展面相邻的部分，即第一弯曲部111F上显示与显示在第一触摸屏500(1)上的图像连接的图像的方式，将第一图像数据供应到第一触摸屏500(1)，将与第一图像数据相关联的第二图像数据供应到第二触摸屏500(2)。
由此，例如，可以在第一触摸屏500(1)及第二触摸屏500(2)上显示输入输出装置1003的使用者认为好像在包括第一触摸屏500(1)的第一可展面及第二触摸屏500(2)的第二可展面的立体的内部配置有物体一样的图像。
具体而言，可以将使用者的右眼观察的图像显示在设置于使用者的右侧的第一触摸屏500(1)上，将使用者的左眼观察的图像显示在设置于使用者的左侧的第二触摸屏500(2)上。
其结果，可以使输入输出装置1003的使用者感到显示在输入输出装置1003上的物体好像实际上配置于输入输出装置1003的内部一样。
此外，当将操作指令预先与所显示的图像相关联时，可以使用第一触摸屏500(1)或第二触摸屏500(2)供应操作指令。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式5
在本实施方式中，参照图8A至图8C说明可应用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构。
图8A是说明可应用于本发明的一个方式的显示装置的显示面板的结构的平面图。
图8B是沿着图8A的线A-B以及线C-D截断的截面图。
图8C是沿着图8A的线E-F截断的截面图。
＜平面图的说明＞
在本实施方式中例示出的显示面板300具有显示部301(参照图8A)。
在显示部301中设置有多个像素302，并且在像素302的每一个中设置有多个子像素(例如，子像素302R)。此外，在子像素中设置有发光元件及能够供应用来驱动该发光元件的电力的像素电路。
像素电路与能够供应选择信号的布线以及能够供应数据信号的布线电连接。
另外，显示部301具备能够供应选择信号的扫描线驱动电路303g及能够供应数据信号的数据线驱动电路303s。
＜截面图的说明＞
显示面板300具有基材310及与基材310对置的基材370(参照图8B)。
基材310是叠层体，该叠层体包括柔性基材310b、用来防止杂质向发光元件扩散的阻挡膜310a以及用来贴合基材310b与阻挡膜310a的粘合层310c。
基材370是叠层体，该叠层体包括柔性基材370b、用来防止杂质向发光元件扩散的阻挡膜370a以及用来贴合基材370b与阻挡膜370a的粘合层370c。
另外，兼作光学粘合层的密封剂360贴合基材370与基材310。此外，像素电路及发光元件(例如为第一发光元件350R)设置在基材310与基材370之间。
《像素结构》
像素302具有子像素302R、子像素302G以及子像素302B(参照图8C)。另外，子像素302R具备发光模块380R，子像素302G具备发光模块380G，子像素302B具备发光模块380B。
例如，子像素302R具备第一发光元件350R以及能够对第一发光元件350R供应电力的包括晶体管302t的像素电路(参照图8B)。另外，发光模块380R具备第一发光元件350R以及光学元件(例如为第一着色层367R)。
第一发光元件350R包括下部电极351R、上部电极352以及下部电极351R与上部电极352之间的包含发光有机化合物的层353。
包含发光有机化合物的层353包括发光单元353a、发光单元353b以及发光单元353a与发光单元353b之间的中间层354。
在发光模块380R中，将第一着色层367R设置在基材370上。着色层只要可以使具有特定的波长的光透过就可，例如，可以使用使呈现红色、绿色或蓝色等的光选择性地透过的着色层。此外，也可以设置使发光元件发射的光直接透过的区域。
例如，发光模块380R包括兼作光学粘合层且与第一发光元件350R及第一着色层367R接触的密封剂360。
第一着色层367R位于与第一发光元件350R重叠的位置。由此，使第一发光元件350R发射的光的一部分透过兼作光学粘合层的密封剂360及第一着色层367R，以图8B和图8C中的箭头的方向发射到发光模块380R的外部。
《显示面板结构》
显示面板300在基材370上具有遮光层367BM。以包围着色层(例如为第一着色层367R)的方式设置有遮光层367BM。
显示面板300具备位于与显示部301重叠的位置上的反射防止层367p。
显示面板300具备绝缘膜321，该绝缘膜321覆盖晶体管302t。另外，可以将绝缘膜321用作使起因于像素电路的凹凸平坦化的层。此外，可以将层叠能够抑制杂质向晶体管302t等扩散的层而成的绝缘膜用于绝缘膜321。
显示面板300在绝缘膜321上具有发光元件(例如为第一发光元件350R)。
显示面板300在绝缘膜321上具有与下部电极351R的端部重叠的分隔壁328(参照图8C)。另外，在分隔壁328上设置有用来控制基材310与基材370的间隔的间隔物329。
《数据线驱动电路结构》
数据线驱动电路303s包括晶体管303t以及电容器303c。另外，驱动电路可以通过与像素电路相同的制造工序形成在与像素电路相同的衬底上。
《其他结构》
显示面板300包括供应信号的布线311，端子部319设置在布线311上。另外，能够供应数据信号或同步信号等信号的柔性印刷电路板309与端子部319电连接。
另外，该柔性印刷电路板309也可以安装有印刷线路板(PWB)。本说明书中的发光装置的范畴内不仅包括发光装置主体，而且还包括安装有柔性印刷电路板或印刷线路板的发光装置。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式6
本实施方式中，参照图9A至图10C说明可应用于本发明的一个方式的输入输出装置的可弯折触摸屏的结构。
图9A是在本实施方式中例示的触摸屏500的透视图。为了容易理解，图9A和图9B示出代表性的结构要素。图9B是触摸屏500的透视图。
图10A是图9A所示的触摸屏500的沿着线X1-X2的截面图。
触摸屏500具备显示部501及触摸传感器595(参照图9B)。另外，触摸屏500具有基材510、基材570以及基材590。此外，基材510、基材570以及基材590都具有柔性。
显示部501包括：基材510；基材510上的多个像素；以及对该像素能够供应信号的多个布线511。多个布线511被引导在基材510的外周部，其一部分构成端子部519。端子部519与柔性印刷电路板509(1)电连接。
＜触摸传感器＞
基材590具备触摸传感器595以及多个与触摸传感器595电连接的布线598。多个布线598被引导在基材590的外周部，其一部分构成端子部519。并且，端子部519与柔性印刷电路板509(2)电连接。另外，为了容易理解，在图9B中由实线示出设置在基材590上的触摸传感器595的电极及布线等。
作为触摸传感器595，例如可以使用静电电容式的触摸传感器。作为静电电容方式，有表面型静电电容式、投影型静电电容式等。
作为投影型静电电容式，主要根据驱动方法的不同，有自电容式、互电容式等。当使用互电容式时，可以进行同时多点检测，所以是优选的。
下面，参照图9B说明在使用投影型静电电容式的触摸传感器时的情况。
另外，可以使用检测出手指等检测对象的接近或接触的各种传感器。
投影型静电电容式的触摸传感器595具有电极591及电极592。电极591与多个布线598中的任一个电连接，电极592与多个布线598中的其他一个电连接。
如图9A和图9B所示，电极592具有多个四边形在一个方向上反复地配置的形状，其中每个四边形在其角部相互连接。
电极591是四边形且在与电极592延伸的方向交叉的方向上反复地配置。
布线594将夹着电极592的两个电极591电连接。此时，优选具有电极592与布线594的交叉部的面积尽量小的形状。由此，可以减少不设置有电极的区域的面积，所以可以降低透过率的不均匀。其结果是，可以降低透过触摸传感器595的光的亮度不均匀。
另外，电极591及电极592的形状不局限于此，可以具有各种形状。例如，也可以以尽量没有间隙的方式配置多个电极591，并隔着绝缘层以形成不重叠于电极591的区域的方式设置彼此分开的多个电极592。此时，通过在相邻的两个电极592之间设置与它们电绝缘的虚拟电极，可以减少透过率不同的区域的面积，所以是优选的。
参照图10A至图10C说明触摸传感器595的结构。
触摸传感器595包括：基材590；基材590上的配置为交错形状的电极591及电极592；覆盖电极591及电极592的绝缘层593；以及使相邻的电极591电连接的布线594。
树脂层597以使触摸传感器595与显示部501重叠的方式贴合基材590与基材570。
电极591及电极592使用具有透光性的导电材料形成。作为具有透光性的导电材料，可以使用氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等导电氧化物。另外，也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以通过使形成为膜状的氧化石墨烯还原而形成。作为还原方法，可以采用进行加热的方法等。
在通过溅射法将具有透光性的导电材料形成在基材590上之后，可以通过光刻法等的各种图案化技术去除不要的部分来形成电极591及电极592。
作为用于绝缘层593的材料，除了丙烯酸树脂、环氧树脂等、具有硅氧烷键的树脂之外，例如还可以使用氧化硅、氧氮化硅、氧化铝等无机绝缘材料。
达到电极591的开口设置在绝缘层593中，并且布线594电连接相邻的电极591。由于透光导电材料可以提高触摸屏的开口率，可以应用于布线594。另外，由于导电性比电极591及电极592高的材料可减少电阻，所以可以应用于布线594。
一个电极592在一个方向上延伸，多个电极592设置为条纹状。
布线594以与电极592交叉的方式设置。
夹着一个电极592设置有一对电极591，并且布线594电连接一对电极591。
另外，多个电极591不一定必须设置在与一个电极592正交的方向上，也可以设置成小于90°角。
布线598与电极591或电极592电连接。布线598的一部分用作端子部。作为布线598，例如可以使用金属材料诸如铝、金、铂、银、镍、钛、钨、铬、钼、铁、钴、铜或钯等或者包含该金属材料的合金材料。
另外，通过设置覆盖绝缘层593及布线594的绝缘层，可以保护触摸传感器595。
另外，连接层599电连接布线598与柔性印刷电路板509(2)。
作为连接层599，可以使用各种各向异性导电膜(ACF：Anisotropic ConductiveFilm)或各向异性导电膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
树脂层597具有透光性。例如，可以使用热固化树脂或紫外线固化树脂，具体而言，可以使用丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂等树脂或具有硅氧烷键的树脂等。
＜显示部＞
显示部501具备多个配置为矩阵状的像素。像素具备显示元件及驱动显示元件的像素电路。
在本实施方式中说明将发射白色光的有机电致发光元件应用于显示元件的情况，但是显示元件不局限于此。
例如，也可以以使每个子像素发射不同的发光颜色的方式，将发光颜色不同的有机电致发光元件应用于每个子像素。
另外，除了有机电致发光元件之外，还可以使用：利用电泳方式(电子墨水)、电子粉流体(注册商标)方式或电润湿方式等进行显示的显示元件；快门方式的MEMS显示元件；光干涉方式的MEMS显示元件；以及液晶元件等各种显示元件。
另外，也可以用于透射式液晶显示器、半透射式液晶显示器、反射式液晶显示器、直视型液晶显示器等。当实现半透射式液晶显示器或反射式液晶显示器时，使像素电极的一部分或全部具有反射电极的功能，即可。例如，使像素电极的一部分或全部具有铝、银等，即可。并且，此时也可以将SRAM等存储电路设置在反射电极下。因而，进一步降低功耗。另外，应用于所采用的显示元件的结构可以从各种像素电路选择而使用。
此外，在显示部中可以采用在像素中具有有源元件的有源矩阵方式或在像素中没有有源元件的无源矩阵方式。
在有源矩阵方式中，作为有源元件(非线性元件)，不仅可以使用晶体管，而且还可以使用各种有源元件(非线性元件)。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal；金属-绝缘体-金属)或TFD(Thin Film Diode；薄膜二极管)等。由于这些元件的制造工序少，所以可以降低制造成本或提高成品率。另外，由于这些元件的尺寸小，所以可以提高开口率，从而实现低功耗或高亮度化。
另外，除了有源矩阵方式以外，也可以采用没有有源元件(非线性元件)的无源矩阵方式。由于不使用有源元件(非线性元件)，所以制造工序少，从而可以降低制造成本或提高成品率。另外，由于不使用有源元件(非线性元件)，所以可以提高开口率，并实现低功耗或高亮度化等。
可以将柔性材料应用于基材510及基材570。
可以将抑制杂质透过的材料应用于基材510及基材570。例如，可以使用水蒸气透过率为10-5g/(m2·天)以下，优选为10-6g/(m2·天)以下的材料。
可以将线性膨胀系数大概相等的材料应用于基材510及基材570。例如，可以使用线性膨胀系数为1×10-3/K以下，优选为5×10-5/K以下，更优选为1×10-5/K以下的材料。
基材510是叠层体，该叠层体包括柔性基材510b、用来防止杂质向发光元件扩散的阻挡膜510a以及用来贴合基材510b与阻挡膜510a的树脂层510c。
例如，可以将包含聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、或者具有丙烯酸树脂键合、聚氨酯树脂键合、环氧树脂键合或硅氧烷键合的树脂的材料用于树脂层510c。
基材570是叠层体，该叠层体包括柔性基材570b、用来防止杂质向发光元件扩散的阻挡膜570a以及用来贴合基材570b与阻挡膜570a的树脂层570c。
密封剂560贴合基材570与基材510。密封剂560具有高于大气的折射率。另外，当将光提取在密封剂560一侧时，密封剂560兼作光学粘合层。像素电路及发光元件(例如第一发光元件550R)设置在基材510与基材570之间。
《像素结构》
像素包含子像素502R，子像素502R具备发光模块580R。
子像素502R具备第一发光元件550R以及能够对第一发光元件550R供应电力的包括晶体管502t的像素电路。另外，发光模块580R具备第一发光元件550R以及光学元件(例如着色层567R)。
第一发光元件550R包括下部电极、上部电极、以及下部电极与上部电极之间的包含发光有机化合物的层。
发光模块580R在提取光的方向上具有第一着色层567R。着色层只要可以使具有特定的波长的光透过就可，例如，可以使用使呈现红色、绿色或蓝色等的光选择性地透过的着色层。另外，也可以在其他子像素中设置使发光元件发射的光直接透过的区域。
另外，当密封剂560设置在提取光的一侧时，密封剂560与第一发光元件550R及第一着色层567R接触。
第一着色层567R位于与第一发光元件550R重叠的位置。由此，使发光元件550R发射的光的一部分透过第一着色层567R，以图10A中的箭头的方向发射到发光模块580R的外部。
《显示部结构》
显示部501在发射光的方向上具有遮光层567BM。以包围着色层(例如为第一着色层567R)的方式设置有遮光层567BM。
显示部501在重叠于像素的位置上具备反射防止层567p。作为反射防止层567p，例如可以使用圆偏振片。
显示部501具备绝缘膜521，该绝缘膜521覆盖晶体管502t。另外，可以将绝缘膜521用作使起因于像素电路的凹凸平坦化的层。此外，可以将包含能够抑制杂质的扩散的层的叠层膜应用于绝缘膜521。由此，可以抑制由于杂质的扩散而导致的晶体管502t等的可靠性降低。
显示部501在绝缘膜521上具有发光元件(例如第一发光元件550R)。
显示部501在绝缘膜521上具有与下部电极的端部重叠的分隔壁528。另外，在分隔壁528上设置有用来控制基材510与基材570的间隔的间隔物。
《扫描线驱动电路结构》
扫描线驱动电路503g(1)包括晶体管503t以及电容器503c。另外，驱动电路可以通过与像素电路相同的制造工序形成在与像素电路相同的衬底上。
《其他结构》
显示部501包括能够供应信号的布线511，端子部519设置在布线511上。另外，能够供应图像信号及同步信号等信号的柔性印刷电路板509(1)与端子部519电连接。
另外，该柔性印刷电路板509(1)也可以安装有印刷线路板(PWB)。
显示部501具备扫描线、信号线以及电源线等的布线。可以将各种导电膜用于布线。
具体地，可以使用选自铝、金、铂、银、铜、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钯和锰中的金属元素等。或者，可以使用含有上述金属元素的合金等。尤其是，铜和锰的合金适合用于利用湿蚀刻的微细加工。
具体而言，可以举出在铝膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钛膜的双层结构、在氮化钛膜上层叠钨膜的双层结构、在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠钨膜的双层结构以及依次层叠钛膜、该钛膜上的铝膜和该铝膜上的钛膜的三层结构等。
具体地，还可以采用组合铝和选自钛、钽、钨、钼、铬、钕和钪中的一个或多个元素而成的合金膜或氮化膜。
此外，也可以使用含有氧化铟、氧化锡或氧化锌的透光导电材料。
＜显示部的变形例1＞
可以将各种晶体管应用于显示部501。
图10A和图10B示出当将底栅型晶体管应用于显示部501时的结构。
例如，可以将包含氧化物半导体或非晶硅等的半导体层应用于图10A所示的晶体管502t及晶体管503t。
例如，优选包括以In-M-Zn氧化物表示的膜，该In-M-Zn氧化物膜至少包含铟(In)、锌(Zn)及M(M为Al、Ga、Ge、Y、Zr、Sn、La、Ce或Hf等金属)。或者，优选包含In和Zn的双方。
作为稳定剂，可以举出镓(Ga)、锡(Sn)、铪(Hf)、铝(Al)或锆(Zr)等。另外，作为其他稳定剂，可以举出镧系元素的镧(La)、铈(Ce)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)等。
作为构成氧化物半导体膜的氧化物半导体，例如可以使用In-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Zn类氧化物、In-Hf-Zn类氧化物、In-La-Zn类氧化物、In-Ce-Zn类氧化物、In-Pr-Zn类氧化物、In-Nd-Zn类氧化物、In-Sm-Zn类氧化物、In-Eu-Zn类氧化物、In-Gd-Zn类氧化物、In-Tb-Zn类氧化物、In-Dy-Zn类氧化物、In-Ho-Zn类氧化物、In-Er-Zn类氧化物、In-Tm-Zn类氧化物、In-Yb-Zn类氧化物、In-Lu-Zn类氧化物、In-Sn-Ga-Zn类氧化物、In-Hf-Ga-Zn类氧化物、In-Al-Ga-Zn类氧化物、In-Sn-Al-Zn类氧化物、In-Sn-Hf-Zn类氧化物、In-Hf-Al-Zn类氧化物、In-Ga类氧化物等。
注意，在此，In-Ga-Zn类氧化物是指作为主要成分具有In、Ga和Zn的氧化物，对In、Ga、Zn的比例没有限制。此外，也可以包含In、Ga、Zn以外的金属元素。
例如，可以将包含利用激光退火法等处理被结晶化的多晶硅的半导体层应用于图10B所示的晶体管502t及晶体管503t。
图10C示出当将顶栅型晶体管应用于显示部501时的结构。
例如，可以将包含多晶硅衬底或从单晶硅衬底等转置的单晶硅膜等的半导体层应用于图10C所示的晶体管502t及晶体管503t。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式7
在本实施方式中，参照图11A至图11C说明可应用于本发明的一个方式的输入输出装置的可弯折触摸屏的结构。
图11A至图11C是触摸屏500B的截面图。
在本实施方式中说明的触摸屏500B与在实施方式6中说明的触摸屏500的不同之处在于：具备将被供应的图像数据显示在设置有晶体管的一侧的显示部501；以及将触摸传感器设置在显示部的基材510一侧。在此，详细地说明不同的结构，作为可以使用同样的结构的部分，援用上述说明。
＜显示部＞
显示部501具备多个配置为矩阵状的像素。像素具备显示元件及驱动显示元件的像素电路。
《像素结构》
像素包含子像素502R，子像素502R具备发光模块580R。
子像素502R具备第一发光元件550R以及能够对第一发光元件550R供应电力的包括晶体管502t的像素电路。
发光模块580R具备第一发光元件550R以及光学元件(例如着色层567R)。
第一发光元件550R包括下部电极、上部电极、以及下部电极与上部电极之间的包含发光有机化合物的层。
发光模块580R在提取光的方向上具有第一着色层567R。着色层只要可以使具有特定的波长的光透过就可，例如，可以使用使呈现红色、绿色或蓝色等的光选择性地透过的着色层。另外，也可以在其他子像素中设置使发光元件发射的光直接透过的区域。
第一着色层567R位于与第一发光元件550R重叠的位置。另外，图11A所示的第一发光元件550R将光发射在设置有晶体管502t的一侧。由此，使第一发光元件550R发射的光的一部分透过第一着色层567R，以图11A中的箭头的方向发射到发光模块580R的外部。
《显示部结构》
显示部501在发射光的方向上具有遮光层567BM。以包围着色层(例如第一着色层567R)的方式设置有遮光层567BM。
显示部501具备绝缘膜521，该绝缘膜521覆盖晶体管502t。另外，可以将绝缘膜521用作使起因于像素电路的凹凸平坦化的层。此外，可以将包含能够抑制杂质的扩散的层的叠层膜应用于绝缘膜521。由此，例如可以抑制由于从着色层567R扩散的杂质而导致的晶体管502t等的可靠性降低。
＜触摸传感器＞
触摸传感器595设置在显示部501的基材510一侧(参照图11A)。
树脂层597设置在基材510与基材590之间，贴合显示部501和触摸传感器595。
＜显示部的变形例1＞
可以将各种晶体管应用于显示部501。
图11A及图11B示出当将底栅型晶体管应用于显示部501时的结构。
例如，可以将包含氧化物半导体或非晶硅等的半导体层应用于图11A所示的晶体管502t及晶体管503t。另外，也可以以上下夹着用来形成晶体管的沟道的区域的方式设置一对栅电极。由此，可以抑制晶体管的特性的变动，从而可以提高可靠性。
例如，可以将包含多晶硅的半导体层应用于图11B所示的晶体管502t及晶体管503t。
图11C示出当将顶栅型晶体管应用于显示部501时的结构。
例如，可以将包含多晶硅或转置的单晶硅膜等的半导体层应用于图11C所示的晶体管502t及晶体管503t。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式8
在本实施方式中，参照图12A1至图12E2说明能够在制造本发明的一个方式的显示装置或输入输出装置时使用的叠层体的制造方法。
图12A1至图12E2是说明制造叠层体的工序的模式图。图12A1、图12B1、图12C、图12D1及图12E1示出说明加工构件及叠层体的结构的截面图(左侧)，图12A2、图12B2、图12D2及图12E2示出分别对应于图12A1、图12B1、图12D1及图12E1的俯视图(右侧)。
<叠层体的制造方法>
参照图12A1至图12E2说明从加工构件80制造叠层体81的方法。
加工构件80包括第一衬底F1、与第一衬底F1接触的第一剥离层F2、其一个表面与第一剥离层F2相接的第一被剥离层F3、其一个表面与第一被剥离层F3的另一个表面相接的接合层30、以及与接合层30的另一个表面相接的基材层S5(参照图12A1及图12A2)。
此外，加工构件80的详细结构将在实施方式10中说明。
《剥离起点的形成》
准备剥离起点F3s被形成于接合层30的端部附近的加工构件80。
剥离起点F3s具有第一被剥离层F3的一部分从第一衬底F1分离的结构。
可以利用由锋利的尖端从第一衬底F1一侧刺入第一被剥离层F3的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等，从剥离层F2部分地剥离第一被剥离层F3。由此，可以形成剥离起点F3s。
《第一步骤》
准备预先剥离起点F3s被形成于接合层30的端部附近的加工构件80(参照图12B1及图12B2)。
《第二步骤》
剥离加工构件80的一个表层80b。由此，从加工构件80得到第一剩余部80a。
具体而言，从形成于接合层30的端部附近的剥离起点F3s将第一衬底F1与第一剥离层F2一起从第一被剥离层F3剥离(参照图12C)。由此，得到具备第一被剥离层F3、其一个表面与第一被剥离层F3相接的接合层30以及与接合层30的另一个表面相接的基材层S5的第一剩余部80a。
此外，也可以对第一剥离层F2与第一被剥离层F3的界面附近照射离子，一边去除静电一边进行剥离。具体而言，也可以照射使用离子发生器生成的离子。
此外，当从第一剥离层F2剥离第一被剥离层F3时，使液体渗透到第一剥离层F2与第一被剥离层F3的界面。或者，也可以使液体从喷嘴99喷射出。例如，可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。
通过使液体渗透，可以抑制随着剥离而发生的静电等的影响。此外，也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。
尤其是，当将包含氧化钨的膜用于第一剥离层F2时，若一边使包含水的液体渗透或者喷射包含水的液体一边剥离第一被剥离层F3，则可以减少施加到第一被剥离层F3的因剥离而产生的应力，所以是优选的。
《第三步骤》
将第一粘合层31形成于第一剩余部80a，并使用第一粘合层31将第一剩余部80a与第一支撑体41贴合(参照图12D1、图12D2、图12E1及图12E2)。由此，由第一剩余部80a得到叠层体81。
具体而言，得到叠层体81，该叠层体81包括第一支撑体41、第一粘合层31、第一被剥离层F3、其一个表面与第一被剥离层F3相接的接合层30以及与接合层30的另一个表面相接的基材层S5。
另外，可以将各种方法用作形成接合层30的方法。例如可以使用分配器或丝网印刷法等形成接合层30。使用对应于用于接合层30的材料的方法使接合层30固化。例如，当对接合层30使用光固化型的粘合剂时，照射包含规定的波长的光的光。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式9
在本实施方式中，参照图13A1至图13E2以及图14A1至图14E2说明能够在制造本发明的一个方式的显示装置或输入输出装置时使用的叠层体的制造方法。
图13A1至图13E2及图14A1至图14E2是说明制造叠层体的工序的示意图。图13A1、图13B1、图13C、图13D1、图13E1、图14A1、图14B、图14C、图14D1及图14E1示出说明加工构件及叠层体的结构的截面图(左侧)，图13A2、图13B2、图13D2、图13E2、图14A2、图14D2及图14E2示出分别对应于图13A1、图13B1、图13D1、图13E1、图14A1、图14D1及图14E1的俯视图(右侧)。
〈叠层体的制造方法〉
参照图13A1至图14E2说明从加工构件90制造叠层体92的方法。
加工构件90与加工构件80的不同之处在于：作为加工构件90，第二被剥离层S3的一个表面代替材料S5与接合层30的另一个表面相接。
具体而言，不同之处在于：代替基材层S5，加工构件90具有第二衬底S1、第二衬底S1上的第二剥离层S2以及其另一个表面与第二剥离层S2相接的第二被剥离层S3，第二被剥离层S3的一个表面与接合层30的另一个表面相接。
加工构件90以如下顺序被配置有：第一衬底F1；第一剥离层F2；其一个表面与第一剥离层F2的相接的第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3的另一个表面相接的接合层30；其一个表面与接合层30的另一个表面相接的第二被剥离层S3；其一个表面与第二被剥离层S3的另一个表面相接的第二剥离层S2；以及第二衬底S1(参照图13A1及图13A2)。
另外，加工构件90的详细结构将在实施方式10中说明。
《第一步骤》
准备剥离起点F3s形成于接合层30的端部附近的加工构件90(参照图13B1及图13B2)。
剥离起点F3s具有第一被剥离层F3的一部分从第一衬底F1分离的结构。
例如，可以利用以锋利的尖端从第一衬底F1一侧刺入第一被剥离层F3的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等，从剥离层F2部分地剥离第一被剥离层F3。由此，可以形成剥离起点F3s。
《第二步骤》
剥离加工构件90的一个表层90b。由此，从加工构件90得到第一剩余部90a。
具体而言，从形成于接合层30的端部附近的剥离起点F3s将第一衬底F1与第一剥离层F2一起从第一被剥离层F3分离(参照图13C)。由此，得到以如下顺序配置的第一剩余部90a：第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3相接的接合层30；其一个表面与接合层30的另一个表面相接的第二被剥离层S3；其一个表面与第二被剥离层S3的另一个表面相接的第二剥离层S2；以及第二衬底S1。
此外，也可以对第二剥离层S2与第二被剥离层S3的界面附近照射离子，一边去除静电一边进行剥离。具体而言，也可以照射使用离子发生器生成的离子。
此外，当从第二剥离层S2剥离第二被剥离层S3时，使液体渗透到第二剥离层S2与第二被剥离层S3的界面。此外，也可以使液体从喷嘴99喷出并进行喷射。例如，可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。
通过使液体渗透，可以抑制随着剥离而产生的静电等的影响。此外，也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。
尤其是，当将包含氧化钨的膜用于第二剥离层S2时，若一边使包含水的液体渗透或喷射包含水的液体一边剥离第二被剥离层S3，可以减少施加到第二被剥离层S3的因剥离而产生的应力，所以是优选的。
《第三步骤》
将第一粘合层31形成于第一剩余部90a(参照图13D1及图13D2)，并使用第一粘合层31将第一剩余部90a与第一支撑体41贴合。由此，由第一剩余部90a得到叠层体91。
具体而言，得到叠层体91，该叠层体91以如下顺序配置有：第一支撑体41；第一粘合层31；第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3相接的接合层30；其一个表面与接合层30的另一个表面相接的第二被剥离层S3；其一个表面与第二被剥离层S3的另一个表面相接的第二剥离层S2；以及第二衬底S1(参照图13E1及图13E2)。
《第四步骤》
将位于叠层体91的第一粘合层31的端部附近的第二被剥离层S3的一部分从第二衬底S1分离，而形成第二剥离起点91s。
例如，从第一支撑体41一侧切削第一支撑体41及第一粘合层31，并且沿着新形成的第一粘合层31的端部从第二衬底S1分离第二被剥离层S3的一部分。
具体而言，使用具有锋利的尖端的刀具切削位于第二剥离层S2上的设置有第二被剥离层S3的区域的第一粘合层31及第一支撑体41，并且沿着新形成的第一粘合层31的端部从第二衬底S1分离第二被剥离层S3的一部分(参照图14A1及图14A2)。
通过该步骤，在新形成的第一支撑体41b及第一粘合层31的端部附近形成剥离起点91s。
《第五步骤》
从叠层体91分离第二剩余部91a。由此，由叠层体91得到第二剩余部91a(参照图14C)。
具体而言，从在第一粘合层31的端部附近形成的剥离起点91s将第二衬底S1与第二剥离层S2一起从第二被剥离层S3分离。由此，得到第二剩余部91a，该第二剩余部91a以如下顺序配置有：第一支撑体41b；第一粘合层31；第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3相接的接合层30；以及其一个表面与接合层30的另一个表面相接的第二被剥离层S3。
此外，也可以对第二剥离层S2与第二被剥离层S3的界面附近照射离子，一边去除静电一边进行剥离。具体而言，也可以照射使用离子发生器生成的离子。
此外，当从第二剥离层S2剥离第二被剥离层S3时，使液体渗透到第二剥离层S2与第二被剥离层S3的界面。此外，也可以使液体从喷嘴99喷出并进行喷射。例如，可以将水、极性溶剂等用于渗透的液体或喷射的液体。
通过使液体渗透，可以抑制随着剥离而产生的静电等的影响。此外，也可以一边使溶解剥离层的液体渗透一边进行剥离。
尤其是，当将包含氧化钨的膜用于第二剥离层S2时，若一边使包含水的液体渗透或喷射包含水的液体一边剥离第二被剥离层S3，可以减少施加到第二被剥离层S3的因剥离而产生的应力，所以是优选的。
《第六步骤》
将第二粘合层32形成于第二剩余部91a(参照图14D1及图14D2)。
使用第二粘合层32贴合第二剩余部91a与第二支撑体42。通过该步骤，可以由第二剩余部91a得到叠层体92(参照图14E1及图14E2)。
具体而言，得到叠层体92，该叠层体92以如下顺序配置有：第一支撑体41b；第一粘合层31；第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3的一个表面相接的接合层30；其一个表面与接合层30的另一个表面相接的第二被剥离层S3；第二粘合层32；以及第二支撑体42。
<具有形成在支撑体中的开口部的叠层体的制造方法>
将参照图15A1至图15D2说明具有形成在支撑体中的开口部的叠层体的制造方法。
图15A1至图15D2是说明具有形成在支撑体中且用来使被剥离层的一部分露出的开口部的叠层体的制造方法的图。图15A1、图15B1、图15C1以及图15D1是说明叠层体的结构的截面图(左侧)，而图15A2、图15B2、图15C2以及图15D2是对应于上述截面图的俯视图(右侧)。
图15A1至图15B2是说明使用比第一支撑体41b小的第二支撑体42b制造在加工构件92b具有开口部的叠层体92c的方法的图。
图15C1至图15D2是说明制造具有形成在第二支撑体42中的开口部的叠层体92d的方法的图。
《具有形成在支撑体中的开口部的叠层体的制造方法例子1》
将说明的叠层体的制造方法与上述第六步骤大致相同，不同之处为如下：使用比第一支撑体41b小的第二支撑体42b代替第二支撑体42；以及使用比第二粘合层32小的第二粘合层32b代替第二粘合层32。由此，可以制造第二被剥离层S3的一部分露出的叠层体(参照图15A1及图15A2)。
第二粘合层32既可使用液体状的粘合剂又可使用流动性得到抑制且预先成型为单片形状的粘合剂(薄片状粘合剂)。通过使用薄片状粘合剂，可以减少露出第二支撑体42b的外侧的粘合层32的量。另外，还可以容易地使粘合层32的厚度均匀。
另外，也可以切除第二被剥离层S3的露出部分，以使第一被剥离层F3露出(参照图15B1及图15B2)。
具体而言，使用其尖端锐利的刀具等在第二被剥离层S3的露出部分形成切口。接着，例如，将具有粘合性的胶带等以使应力集中到该切口附近的方式贴合到第二被剥离层S3的露出部分，来可以将该部分与被贴合的胶带等一起剥离而选择性地切除。
另外，也可以在第一被剥离层F3的一部分上选择性地形成能够抑制接合层30粘合于第一被剥离层F3的层。例如，可以选择性地形成不容易与接合层30粘合的材料。具体而言，也可以将有机材料蒸镀为岛状。由此，可以容易地与第二被剥离层S3一起选择性地去除接合层30的一部分。其结果是，可以使第一被剥离层F3露出。
例如，在第一被剥离层F3包括功能层及电连接于功能层的导电层F3b的情况下，可以使导电层F3b露出于第二叠层体92c的开口部。由此，可以将露出于第二叠层体92c的开口部的导电层F3b用于被供应信号的端子。
其结果是，可以将其一部分露出于开口部的导电层F3b用于能够取出由功能层供应的信号的端子或能够由外部装置供应功能层被供应的信号的端子。
《具有形成在支撑体中的开口部的叠层体的制造方法例子2》
将具有与将设置在第二支撑体42中的开口部重叠的开口部的掩模48形成在叠层体92上。接着，将溶剂49滴下在掩模48的开口部中。由此，可以使用溶剂49使露出于掩模48的开口部的第二支撑体42溶胀或溶解(参照图15C1及图15C2)。
在去除剩余的溶剂49之后，通过摩擦等对露出于掩模48的开口部的第二支撑体42等施加应力。由此，可以去除与掩模48的开口部重叠的第二支撑体42等。
另外，通过使用使接合层30溶胀或溶解的溶剂，可以使第一被剥离层F3露出(参照图15D1及图15D2)。
注意，本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
实施方式10
在本实施方式中，参照图16A1至图16B2说明能够加工为本发明的一个方式的显示装置或输入输出装置的加工构件的结构。
图16A1至图16B2是说明能够加工为叠层体的加工构件的结构的示意图。
图16A1是说明能够加工为叠层体的加工构件80的结构的截面图，图16A2是对应于图16A1的俯视图。
图16B1是说明能够加工为叠层体的加工构件90的其他结构的截面图，图16B2是对应于图16B1的俯视图。
<1.加工构件的结构实例>
加工构件80包括：第一衬底F1；与第一衬底F1接触的第一剥离层F2；其一个表面与第一剥离层F2相接的第一被剥离层F3；其一个表面与第一被剥离层F3的另一个表面相接的接合层30；以及与接合层30的另一个表面相接的基材层S5(参照图16A1及图16A2)。
另外，也可以将剥离起点F3s设置在接合层30的端部附近。
《第一衬底》
第一衬底F1只要具有能够经受制造工序的程度的耐热性以及可适用于制造装置的厚度及尺寸，就没有特别的限制。
可以将有机材料、无机材料或有机材料和无机材料等的复合材料等用于第一衬底F1。
例如可以将玻璃、陶瓷、金属等无机材料用于第一衬底F1。
具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃或水晶玻璃等用于第一衬底F1。
具体而言，可以将金属氧化物膜、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜等用于第一衬底F1。例如，可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝膜等用于第一衬底F1。
具体而言，可以将SUS(不锈钢)或铝等用于第一衬底F1。
例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料等有机材料用于第一衬底F1。
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜或树脂板用于第一衬底F1。
例如，第一衬底F1可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂薄膜等的复合材料。
例如，第一衬底F1可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂薄膜而得到的复合材料。
例如，第一衬底F1可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。
另外，可以将单层材料或层叠有多个层的叠层材料用于第一衬底F1。例如，也可以将层叠有基材层及用来防止包含在基材层中的杂质扩散的绝缘层等的叠层材料用于第一衬底F1。
具体而言，可以将层叠有玻璃与选自防止包含在玻璃中的杂质扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等中的一种或多种的膜的叠层材料应用于第一衬底F1。
或者，可以将层叠有树脂与防止透过树脂的杂质的扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的叠层材料应用于第一衬底F1。
《第一剥离层》
第一剥离层F2设置在第一衬底F1与第一被剥离层F3之间。第一剥离层F2是其附近形成有能够分离第一衬底F1与第一被剥离层F3的边界的层。此外，第一剥离层F2只要可以将被剥离层形成于其上且具有能够经受第一被剥离层F3的制造工序的程度的耐热性，就没有特别的限制。
例如可以将无机材料或有机树脂等用于第一剥离层F2。
具体而言，作为第一剥离层F2，可以使用包含选自钨、钼、钛、钽、铌、镍、钴、锆、锌、钌、铑、钯、锇、铱、硅中的元素的金属、包含该元素的合金或者包含该元素的化合物等的无机材料。
具体而言，可以使用聚酰亚胺、聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等有机材料。
例如，可以将单层材料或层叠有多个层的材料用于第一剥离层F2。
具体而言，也可以将层叠有包含钨的层与包含钨氧化物的层的材料用于第一剥离层F2。
另外，包含钨氧化物的层也可以使用在包含钨的层上层叠其他层来形成。具体而言，也可以通过在包含钨的层上层叠氧化硅或氧氮化硅等的方法形成包含钨氧化物的层。
此外，也可以通过对包含钨的层的表面进行热氧化处理、氧等离子体处理、一氧化二氮(N2O)等离子体处理或使用氧化性高的溶液(例如，臭氧水等)的处理等而形成包含钨氧化物的层。
具体而言，可以将包含聚酰亚胺的层用于第一剥离层F2。包含聚酰亚胺的层具有能够经受在形成第一被剥离层F3时所需的各种制造工序的程度的耐热性。
例如，含聚酰亚胺的层具有200℃以上、优选为250℃以上、更优选为300℃以上、进一步优选为350℃以上的耐热性。
可以使用通过加热形成于第一衬底F1的包含单体的膜而缩合的包含聚酰亚胺的膜。
《第一被剥离层》
第一被剥离层F3只要可以从第一衬底F1分离且具有能够经受制造工序的程度的耐热性，就没有特别的限制。
能够将第一被剥离层F3从第一衬底F1分离的边界既可以形成在第一被剥离层F3与第一剥离层F2之间，又可以形成在第一剥离层F2与第一衬底F1之间。
当在第一被剥离层F3与第一剥离层F2之间形成边界时，第一剥离层F2不包括在叠层体中，当在第一剥离层F2与第一衬底F1之间形成边界时，第一剥离层F2包括在叠层体中。
可以将无机材料、有机材料、单层材料或层叠有多个层的叠层材料等用于第一被剥离层F3。
例如，可以将金属氧化物膜、金属氮化物膜或金属氧氮化物膜等无机材料用于第一被剥离层F3。
具体而言，可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝膜等用于第一被剥离层F3。
例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料等用于第一被剥离层F3。
具体而言，可以将聚酰亚胺膜等用于第一被剥离层F3。
例如，可以使用具有层叠有如下层的结构的材料：与第一剥离层F2重叠的功能层；以及在第一剥离层F2与功能层之间的能够防止损害该功能层的功能的杂质的无意扩散的绝缘层。
具体而言，将厚度为0.7mm的玻璃板用于第一衬底F1，并将从第一衬底F1一侧依次层叠有厚度为200nm的氧氮化硅膜及30nm的钨膜的叠层材料用于第一剥离层F2。并且，可以将包含从第一剥离层F2一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜及厚度为200nm的氮化硅膜的叠层材料的膜用于第一被剥离层F3。注意，氧氮化硅膜中的氧的组成比氮的组成多，而氮氧化硅膜中的氮的组成比氧的组成多。
具体而言，可以将包含从第一剥离层F2一侧依次层叠有厚度为600nm的氧氮化硅膜、厚度为200nm的氮化硅膜、厚度为200nm的氧氮化硅膜、厚度为140nm的氮氧化硅膜以及厚度为100nm的氧氮化硅膜的叠层材料的膜代替上述第一被剥离层F3用于第一被剥离层F3。
具体而言，可以使用从第一剥离层F2一侧依次层叠有聚酰亚胺膜、包含氧化硅或氮化硅等的层及功能层的叠层材料。
《功能层》
功能层包括在第一被剥离层F3中。
例如，可以将功能电路、功能元件、光学元件、或功能膜等或者包含选自它们中的多个的层用于功能层。
具体而言，可以举出能够用于显示装置的显示元件、驱动显示元件的像素电路、驱动像素电路的驱动电路、滤色片、防潮膜等或者包含选自它们中的多个的层。
《接合层》
接合层30只要是将第一被剥离层F3与基材层S5接合的层，就没有特别的限制。
可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于接合层30。
例如，可以使用熔点为400℃以下，优选为300℃以下的玻璃层或粘合剂等。
例如，可以将光固化型粘合剂、反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂或/及厌氧型粘合剂等有机材料用于接合层30。
具体而言，可以使用包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、亚胺树脂、PVC(聚氯乙烯)树脂、PVB(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)树脂等的粘合剂。
《基材层》
基材层S5只要具有能够经受制造工序的程度的耐热性以及可适用于制造装置的厚度及尺寸，就没有特别的限制。
作为可以用于基材层S5的材料，例如，可以使用与第一衬底F1同样的材料。
《剥离起点》
加工构件80的剥离起点F3s也可以设置在接合层30的端部附近。
剥离起点F3s具有从第一衬底F1分离第一被剥离层F3的一部分的结构。
利用使用锋利的尖端从第一衬底F1一侧刺入第一被剥离层F3的方法或使用激光等的方法(例如激光烧蚀法)等，可以从剥离层F2部分地剥离第一被剥离层F3。由此可以形成剥离起点F3s。
〈2.加工构件的结构实例2〉
参照图16B1及图16B2说明能够做成叠层体的与上述不同的加工构件的结构。
加工构件90与加工构件80的不同之处在于：接合层30的另一个表面与加工构件90的第二被剥离层S3的一个表面相接，而不与材料S5相接。
具体而言，加工构件90包括：形成有第一剥离层F2及其一个表面与第一剥离层F2相接的第一被剥离层F3的第一衬底F1；形成有第二剥离层S2及其另一个表面与第二剥离层S2相接的第二被剥离层S3的第二衬底S1；以及其一个表面与第一被剥离层F3的另一个表面相接且其另一个表面与第二被剥离层S3的一个表面相接的接合层30(参照图16B1及图16B2)。
《第二衬底》
第二衬底S1可以使用与第一衬底F1相同的衬底。另外，第二衬底S1不一定需要采用与第一衬底F1相同的结构。
《第二剥离层》
第二剥离层S2可以使用与第一剥离层F2相同的结构。另外，第二剥离层S2也可以采用与第一剥离层F2不同的结构。
《第二被剥离层》
第二被剥离层S3可以使用与第一被剥离层F3相同的结构。另外，第二被剥离层S3也可以采用第一被剥离层F3不同的结构。
具体而言，也可以采用如下结构：第一被剥离层F3具备功能电路，第二被剥离层S3具备防止杂质向该功能电路的扩散的功能层。
具体而言，也可以采用如下结构：第一被剥离层F3具备向第二被剥离层S3发射光的发光元件、驱动该发光元件的像素电路及驱动该像素电路的驱动电路，并且第二被剥离层S3具备使发光元件所发射的光的一部分透过的滤色片及防止杂质向发光元件扩散的防潮膜。注意，具有该结构的加工构件可以做成能够被用作柔性显示装置的叠层体。
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
例如，在本说明书等中，当明确地记载为“X与Y连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况；X与Y在功能上连接的情况；以及X与Y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，附图或文中所示的连接关系以外的连接关系也记载于附图或文中。
这里，X和Y为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜和层等)。
作为X与Y直接连接的情况的一个例子，可以举出在X与Y之间没有连接能够电连接X与Y的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管、显示元件、发光元件和负载等)的情况。
作为X与Y电连接的情况的一个例子，例如可以在X与Y之间连接一个以上的能够电连接X与Y的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管、显示元件、发光元件和负载等)。另外，开关具有控制开启和关闭的功能。换言之，通过使开关处于导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)来控制是否使电流流过。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。另外，X与Y电连接的情况包括X与Y直接连接的情况。
作为X与Y在功能上连接的情况的一个例子，例如可以在X与Y之间连接一个以上的能够在功能上连接X与Y的电路(例如，逻辑电路(反相器、NAND电路、NOR电路等)、信号转换电路(DA转换电路、AD转换电路、伽马校正电路等)、电位电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电位电平的电平转移电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差分放大电路、源极跟随电路、缓冲电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在X与Y之间夹有其他电路，当从X输出的信号传送到Y时，也可以说X与Y在功能上是连接着的。另外，X与Y在功能上连接的情况包括X与Y直接连接的情况及X与Y电连接的情况。
此外，当明确地记载为“X与Y连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：X与Y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)；X与Y在功能上连接的情况(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接X与Y的情况)；以及X与Y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接X与Y的情况)。换言之，当明确记载为“电连接”时，在本说明书等中公开了与只明确记载为“连接”的情况相同的内容。
注意，例如，在晶体管的源极(或第一端子等)通过Z1(或没有通过Z1)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过Z2(或没有通过Z2)与Y电连接的情况下以及在晶体管的源极(或第一端子等)与Z1的一部分直接连接，Z1的另一部分与X直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Z2的一部分直接连接，Z2的另一部分与Y直接连接的情况下，可以表现为如下。
例如，可以表现为“X、Y、晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与Y依次电连接”。或者，可以表现为“晶体管的源极(或第一端子等)与X电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与Y依次电连接”。或者，可以表现为“X通过晶体管的源极(或第一端子等)及漏极(或第二端子等)与Y电连接，X、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、Y依次设置为相互连接”。通过使用与这种例子相同的表现方法规定电路结构中的连接顺序，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与漏极(或第二端子等)而决定技术范围。
另外，作为其他表现方法，例如可以表现为“晶体管的源极(或第一端子等)至少通过第一连接路径与X电连接，所述第一连接路径不具有第二连接路径，所述第二连接路径是晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)之间的路径，所述第一连接路径是通过Z1的路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少通过第三连接路径与Y电连接，所述第三连接路径不具有所述第二连接路径，所述第三连接路径是通过Z2的路径”。或者，也可以表现为“晶体管的源极(或第一端子等)在第一连接路径上至少通过Z1与X电连接，所述第一连接路径不具有第二连接路径，所述第二连接路径具有通过晶体管的连接路径，晶体管的漏极(或第二端子等)在第三连接路径上至少通过Z2与Y电连接，所述第三连接路径不具有所述第二连接路径”。或者，也可以表现为“晶体管的源极(或第一端子等)在第一电路径上至少通过Z1与X电连接，所述第一电路径不具有第二电路径，所述第二电路径是从晶体管的源极(或第一端子等)到晶体管的漏极(或第二端子等)的电路径，晶体管的漏极(或第二端子等)在第三电路径上至少通过Z2与Y电连接，所述第三电路径不具有第四电路径，所述第四电路径是从晶体管的漏极(或第二端子等)到晶体管的源极(或第一端子等)的电路径”。通过使用与这种例子同样的表现方法规定电路结构中的连接路径，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)和漏极(或第二端子等)来决定技术范围。
注意，这种表现方法只是一个例子而已，不局限于上述表现方法。在此，X、Y、Z1及Z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜和层等)。
另外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分还被用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的两个构成要素的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内还包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。
符号说明
30：接合层；31：粘合层；32：粘合层；32b：粘合层；41：支撑体；41b：支撑体；42：支撑体；42b：支撑体；48：掩模；49：溶剂；80：加工构件；80a：剩余部；80b：表层；81：叠层体；90：加工构件；90a：剩余部；90b：表层；91：叠层体；91a：剩余部；91s：起点；92：叠层体；92b：加工构件；92c：叠层体；92d：叠层体；99：喷嘴；100：框架；100C：框架；100D：框架；100E：框架；100F：框架；101：直线部；101C：直线部；101D：直线部；101E：直线部；101F：直线部；102：直线部；102C：直线部；102D：直线部；102E：直线部；102F：直线部；103：直线部；103D：直线部；104：直线部；104D：直线部；105D：直线部；106D：直线部；107D：直线部；108D：直线部；110：连接器；111：弯曲部；111C：弯曲部；111D：弯曲部；111E：弯曲部；111F：弯曲部；112：弯曲部；112D：弯曲部；113：弯曲部；113D：弯曲部；114：弯曲部；114D：弯曲部；115D：弯曲部；116D：弯曲部；117D：弯曲部；118D：弯曲部；200：发光面板；200C：发光面板；200D：发光面板；208：导电层；210：基材；210a：阻挡膜；210b：基材；210c：树脂层；219：端子部；219C：端子部；219D：端子部；250：发光元件；250D：发光元件；251：下部电极；252：上部电极；253：层；260：密封剂；270：基材；270a：阻挡膜；270b：基材；270c：树脂层；300：显示面板；301：显示部；302：像素；302B：子像素；302G：子像素；302R：子像素；302t：晶体管；303c：电容器；303g：扫描线驱动电路；303s：数据线驱动电路；303t：晶体管；309：柔性印刷电路板；310：基材；310a：阻挡膜；310b：基材；310c：粘合层；311：布线；319：端子部；321：绝缘膜；328：分隔壁；329：间隔物；350R：发光元件；351R：下部电极；352：上部电极；353：层；353a：发光单元；353b：发光单元；354：中间层；360：密封剂；367BM：遮光层；367p：防反射层；367R：着色层；370：基材；370a：阻挡膜；370b：基材；370c：粘合层；380B：发光模块；380G：发光模块；380R：发光模块；500：触摸屏；500B：触摸屏；501：显示部；502R：子像素；502t：晶体管；503c：电容器；503g：扫描线驱动电路；503t：晶体管；509：柔性印刷电路板；510：基材；510a：阻挡膜；510b：基材；510c：树脂层；511：布线；519：端子部；521：绝缘膜；528：分隔壁；550R：发光元件；560：密封剂；567BM：遮光层；567p：防反射层；567R：着色层；570：基材；570a：阻挡膜；570b：基材；570c：树脂层；580R：发光模块；590：基材；591：电极；592：电极；593：绝缘层；594：布线；595：触摸传感器；597：树脂层；598：布线；599：连接层；1001：发光装置；1001B：发光装置；1001C：发光装置；1001D：发光装置；1002：显示装置；1003：输入输出装置；F1：衬底；F2：剥离层；F3：被剥离层；F3b：导电层；F3s：起点；S1：衬底；S2：剥离层；S3：被剥离层；S5：基材
本申请基于2014年4月11日提交到日本专利局的日本专利申请No.2014-081828，通过引用将其完整内容并入在此。
Claims (11)
1.一种发光装置，包括：
框架；以及
发光面板，
其中，所述发光面板，由被所述框架支撑的柔性第一发光面板、被所述框架支撑的柔性第二发光面板、被所述框架支撑的柔性第三发光面板以及被所述框架支撑的柔性第四发光面板组成，
其中，所述框架包括：支撑所述第一发光面板及所述第二发光面板的第一弯曲部；支撑所述第二发光面板及所述第三发光面板的第二弯曲部；支撑所述第三发光面板及所述第四发光面板的第三弯曲部；支撑所述第四发光面板及所述第一发光面板的第四弯曲部；第一直线部，以在所述第一弯曲部与所述第一直线部之间形成第一可展面的方式支撑所述第一发光面板；第二直线部，以在所述第一弯曲部与所述第二直线部之间形成不同于所述第一可展面的第二可展面的方式支撑所述第二发光面板；第三直线部，以在所述第二弯曲部与所述第三直线部之间形成不同于所述第二可展面的第三可展面的方式支撑所述第三发光面板；以及第四直线部，以在所述第三弯曲部与所述第四直线部之间形成不同于所述第三可展面的第四可展面的方式支撑所述第四发光面板，
其中，所述第一发光面板包括：
柔性第一基材；
所述第一基材上的第一树脂层；
所述第一树脂层上的第一阻挡膜；
所述第一阻挡膜上的第一发光元件；以及
与所述第一发光元件电连接的第一端子部，并且
其中，所述第二发光面板包括：
柔性第二基材；
所述第二基材上的第二树脂层；
所述第二树脂层上的第二阻挡膜；
所述第二阻挡膜上的第二发光元件；以及
与所述第二发光元件电连接的第二端子部。
2.一种发光装置，包括：
框架；以及
发光面板，
其中，所述发光面板，由被所述框架支撑的柔性第一发光面板、被所述框架支撑的柔性第二发光面板、被所述框架支撑的柔性第三发光面板以及被所述框架支撑的柔性第四发光面板组成，
其中，所述框架包括：支撑所述第一发光面板及所述第二发光面板的第一弯曲部；支撑所述第二发光面板及所述第三发光面板的第二弯曲部；支撑所述第三发光面板及所述第四发光面板的第三弯曲部；支撑所述第四发光面板及所述第一发光面板的第四弯曲部；第一直线部，以在所述第一弯曲部与所述第一直线部之间形成第一可展面的方式支撑所述第一发光面板；第二直线部，以在所述第一弯曲部与所述第二直线部之间形成不同于所述第一可展面的第二可展面的方式支撑所述第二发光面板；第三直线部，以在所述第二弯曲部与所述第三直线部之间形成不同于所述第二可展面的第三可展面的方式支撑所述第三发光面板；以及第四直线部，以在所述第三弯曲部与所述第四直线部之间形成不同于所述第三可展面的第四可展面的方式支撑所述第四发光面板，
其中，所述第一发光面板包括：
柔性第一基材；
所述第一基材上的第一树脂层；
所述第一树脂层上的第一阻挡膜；
所述第一阻挡膜上的第一发光元件；
与所述第一发光元件电连接的第一端子部；以及
在所述第一发光元件与所述第一端子部之间以沿着所述第一直线部的外形的方式被弯曲的区域，并且
其中，所述第二发光面板包括：
柔性第二基材；
所述第二基材上的第二树脂层；
所述第二树脂层上的第二阻挡膜；
所述第二阻挡膜上的第二发光元件；
与所述第二发光元件电连接的第二端子部；以及
在所述第二发光元件与所述第二端子部之间以沿着所述第二直线部的外形的方式被弯曲的区域。
3.根据权利要求1所述的发光装置，
其中所述第一发光面板在所述第一发光元件与所述第一端子部之间包括以沿着所述第一直线部的外形的方式被弯曲的区域。
4.根据权利要求1或2所述的发光装置，
其中所述第一发光面板包括在一个角彼此交叉的两个曲线状的边及与所述一个角对置的直线状的边。
5.根据权利要求1所述的发光装置，
其中所述框架具有所述第一直线部、所述第二直线部和所述第一弯曲部彼此连接的顶点。
6.根据权利要求1所述的发光装置，
其中所述第二发光面板的被所述第一弯曲部支撑的一个边与所述第一发光面板的被所述第一弯曲部支撑的一个边重叠。
7.根据权利要求1所述的发光装置，
其中所述第一弯曲部包括与所述第一发光面板重叠的区域，并且
其中所述第一发光面板向没有设置所述第一弯曲部的一侧发射光。
8.根据权利要求1所述的发光装置，还包括连接器，
其中所述连接器与所述第一弯曲部、所述第一直线部和所述第二直线部嵌合，
其中所述第一弯曲部包括与所述连接器嵌合的第一部分以及不与所述连接器嵌合的第二部分，
其中所述第一直线部包括与所述连接器嵌合的第三部分以及不与所述连接器嵌合的第四部分，
其中所述第二直线部包括与所述连接器嵌合的第五部分以及不与所述连接器嵌合的第六部分，
其中所述第一部分比所述第二部分薄，
其中所述第三部分比所述第四部分薄，并且
其中所述第五部分比所述第六部分薄。
9.根据权利要求2所述的发光装置，
其中所述框架具有所述第一直线部、所述第二直线部、所述第一弯曲部和所述第二弯曲部彼此连接的顶点。
10.根据权利要求2所述的发光装置，
其中所述第一弯曲部包括与所述第一发光面板重叠的区域，并且
其中所述第一发光面板向没有设置所述第一弯曲部的一侧发射光。
11.根据权利要求2所述的发光装置，还包括连接器，
其中所述连接器与所述第一弯曲部、所述第二弯曲部、所述第一直线部和所述第二直线部嵌合，
其中所述第一弯曲部包括与所述连接器嵌合的第一部分以及不与所述连接器嵌合的第二部分，
其中所述第二弯曲部包括与所述连接器嵌合的第三部分以及不与所述连接器嵌合的第四部分，
其中所述第一直线部包括与所述连接器嵌合的第五部分以及不与所述连接器嵌合的第六部分，
其中所述第二直线部包括与所述连接器嵌合的第七部分以及不与所述连接器嵌合的第八部分，
其中所述第一部分比所述第二部分薄，
其中所述第三部分比所述第四部分薄，
其中所述第五部分比所述第六部分薄，并且
其中所述第七部分比所述第八部分薄。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014-081828 | 2014-04-11 | ||
| JP2014081828 | 2014-04-11 | ||
| PCT/IB2015/052477 WO2015155663A1 (en) | 2014-04-11 | 2015-04-06 | Light-emitting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106465494A CN106465494A (zh) | 2017-02-22 |
| CN106465494B true CN106465494B (zh) | 2019-01-22 |
Family
ID=54264782
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201580019291.1A Expired - Fee Related CN106465494B (zh) | 2014-04-11 | 2015-04-06 | 发光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9755167B2 (zh) |
| JP (1) | JP6641098B2 (zh) |
| KR (1) | KR102431018B1 (zh) |
| CN (1) | CN106465494B (zh) |
| DE (1) | DE112015001780B4 (zh) |
| WO (1) | WO2015155663A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102015103796A1 (de) * | 2015-03-16 | 2016-09-22 | Osram Oled Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
| US10923350B2 (en) * | 2016-08-31 | 2021-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
| WO2018083568A1 (en) * | 2016-11-03 | 2018-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP6877186B2 (ja) * | 2017-03-01 | 2021-05-26 | 三菱電機株式会社 | 映像表示装置の設置方法及び映像表示装置 |
| USD826936S1 (en) * | 2017-06-23 | 2018-08-28 | Nanolumens Acquisition, Inc. | Five sided light emitting display |
| EP3422827B1 (en) * | 2017-06-30 | 2024-04-24 | LG Display Co., Ltd. | Display device and method for fabricating the same |
| TWI781602B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-10-21 | 台亞半導體股份有限公司 | Led曲面顯示裝置 |
| JPWO2022214911A1 (zh) * | 2021-04-08 | 2022-10-13 | ||
| US20240215425A1 (en) | 2021-05-07 | 2024-06-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus |
| JPWO2022238799A1 (zh) | 2021-05-13 | 2022-11-17 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1367677A2 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Eastman Kodak Company | Lighting apparatus with flexible oled area illumination light source and fixture |
| CN101479523A (zh) * | 2006-07-05 | 2009-07-08 | 通用电气公司 | 有机照明光源和控制照明的方法 |
| CN101996535A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置和电子设备 |
| CN102855822A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 三星显示有限公司 | 柔性显示面板及包括柔性显示面板的显示设备 |
Family Cites Families (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| JPH09165930A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-24 | Goto Kogaku Kenkyusho:Kk | ドーム状映像施設におけるスクリーン下地の施行方法 |
| JP2000105557A (ja) * | 1998-09-30 | 2000-04-11 | Mitsubishi Materials Corp | Ｅｌ発光シートを用いる薄型曲面発光パネル及びその製造方法 |
| JP2002333847A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd | Ｌｅｄ表示装置 |
| JP4302335B2 (ja) | 2001-05-22 | 2009-07-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 太陽電池の作製方法 |
| TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
| JP5057619B2 (ja) | 2001-08-01 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
| TW554398B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
| TW558743B (en) | 2001-08-22 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Lab | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
| TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
| WO2004040648A1 (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
| US7056810B2 (en) | 2002-12-18 | 2006-06-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus and electric appliance |
| JP2005017398A (ja) | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Sony Corp | ドーム形スクリーン装置 |
| WO2004114013A1 (ja) * | 2003-06-23 | 2004-12-29 | Sony Corporation | ドーム型スクリーン装置 |
| JP2005017399A (ja) | 2003-06-23 | 2005-01-20 | Sony Corp | ドーム形スクリーン装置 |
| KR100676476B1 (ko) | 2003-07-25 | 2007-02-02 | 성주용 | 연등 |
| US7282380B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| US8030132B2 (en) | 2005-05-31 | 2011-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including peeling step |
| JP4916680B2 (ja) | 2005-06-30 | 2012-04-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法 |
| JP2007333818A (ja) | 2006-06-12 | 2007-12-27 | Sharp Corp | 表示パネル |
| TWI424499B (zh) | 2006-06-30 | 2014-01-21 | Semiconductor Energy Lab | 製造半導體裝置的方法 |
| US7867907B2 (en) | 2006-10-17 | 2011-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
| JP4450331B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2010-04-14 | 財団法人山形県産業技術振興機構 | 照明装置 |
| WO2010004073A1 (es) | 2008-07-07 | 2010-01-14 | Fundación Privada Cetemmsa | Tienda de campaña con sistema de iluminación integrado |
| JP5322007B2 (ja) * | 2009-05-11 | 2013-10-23 | アストロ光学工業株式会社 | プラネタリウムのスクリーンの構造及びその施工方法 |
| JP5644075B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-12-24 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
| JP5444940B2 (ja) | 2009-08-25 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
| JP2011170350A (ja) | 2010-01-22 | 2011-09-01 | Hajime Narukawa | 球面ディスプレィ及び矩形表示パネルの球面充填方法 |
| KR101113289B1 (ko) | 2010-03-04 | 2012-02-24 | 주식회사 토비스 | 곡면 디스플레이 패널 제조 방법, 이를 이용한 곡면 디스플레이 패널, 및 이를 이용한 다중 영상 표시 장치 |
| US8430530B2 (en) | 2010-04-09 | 2013-04-30 | General Electric Company | Conformal OLED luminaire with color control |
| JP2012065956A (ja) | 2010-09-27 | 2012-04-05 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 有機ｅｌ照明を用いた傘 |
| JP5841406B2 (ja) * | 2010-11-05 | 2016-01-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 照明装置 |
| WO2012115016A1 (en) | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
| JPWO2012153603A1 (ja) * | 2011-05-10 | 2014-07-31 | コニカミノルタ株式会社 | 燐光発光有機エレクトロルミネッセンス素子及び照明装置 |
| KR101320384B1 (ko) * | 2011-06-30 | 2013-10-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 가요성 표시 패널 및 상기 가요성 표시 패널을 포함하는 표시 장치 |
| KR101300020B1 (ko) | 2011-09-05 | 2013-08-29 | 주식회사 토비스 | 곡면 디스플레이 패널 제조 방법 |
| US9559314B2 (en) | 2011-09-29 | 2017-01-31 | Universal Display Corporation | Lamp with multiple flexible OLEDs |
| KR101319543B1 (ko) | 2012-05-17 | 2013-10-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 곡면 디스플레이 장치 및 이를 포함하는 멀티 디스플레이 장치 |
| JP5956577B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-07-27 | 富士機械製造株式会社 | 照明装置 |
| JP2014038309A (ja) * | 2012-07-18 | 2014-02-27 | Goto Optical Mfg Co | 球形画像の表示方法および装置 |
| KR102034890B1 (ko) | 2012-10-24 | 2019-10-22 | 삼성전자주식회사 | 곡면 디스플레이 장치 |
| KR102250061B1 (ko) | 2013-04-15 | 2021-05-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 |
| TWI647559B (zh) | 2013-04-24 | 2019-01-11 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置 |
| CN103258482B (zh) * | 2013-05-28 | 2016-04-06 | 上海大晨显示技术有限公司 | 一种接近球形的点阵显示屏和接近球面的点阵显示屏 |
| JP2014232156A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | コニカミノルタ株式会社 | 反射部材および面発光ユニット |
| WO2015132698A1 (en) | 2014-03-06 | 2015-09-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
| JP6474648B2 (ja) | 2014-03-07 | 2019-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 検知器および入力装置 |
| JP2015187854A (ja) | 2014-03-13 | 2015-10-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 入力装置、入出力装置 |
-
2015
- 2015-04-06 CN CN201580019291.1A patent/CN106465494B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-06 KR KR1020167031421A patent/KR102431018B1/ko active IP Right Grant
- 2015-04-06 DE DE112015001780.1T patent/DE112015001780B4/de not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-06 WO PCT/IB2015/052477 patent/WO2015155663A1/en active Application Filing
- 2015-04-08 US US14/681,444 patent/US9755167B2/en active Active
- 2015-04-10 JP JP2015080583A patent/JP6641098B2/ja active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1367677A2 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-03 | Eastman Kodak Company | Lighting apparatus with flexible oled area illumination light source and fixture |
| CN101479523A (zh) * | 2006-07-05 | 2009-07-08 | 通用电气公司 | 有机照明光源和控制照明的方法 |
| CN101996535A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置和电子设备 |
| CN102855822A (zh) * | 2011-06-30 | 2013-01-02 | 三星显示有限公司 | 柔性显示面板及包括柔性显示面板的显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE112015001780T5 (de) | 2017-01-19 |
| DE112015001780B4 (de) | 2022-02-03 |
| KR20160145673A (ko) | 2016-12-20 |
| US20150292716A1 (en) | 2015-10-15 |
| CN106465494A (zh) | 2017-02-22 |
| US9755167B2 (en) | 2017-09-05 |
| JP2015207556A (ja) | 2015-11-19 |
| WO2015155663A1 (en) | 2015-10-15 |
| JP6641098B2 (ja) | 2020-02-05 |
| KR102431018B1 (ko) | 2022-08-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN106465494B (zh) | 发光装置 | |
| JP6918560B2 (ja) | 情報処理装置 | |
| JP7543498B2 (ja) | 表示装置 | |
| CN104425320B (zh) | 剥离起点形成装置及形成方法、叠层体制造装置 | |
| CN106233233B (zh) | 输入/输出装置及输入/输出装置的驱动方法 | |
| KR102612798B1 (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
| JP6525420B2 (ja) | 発光装置 | |
| JP6474648B2 (ja) | 検知器および入力装置 | |
| JP2021192307A (ja) | 情報処理装置 | |
| JP2018146994A (ja) | 表示装置 | |
| WO2018078487A1 (ja) | 情報処理装置、表示装置および電子機器 | |
| CN108369787A (zh) | 显示装置 | |
| CN105408950A (zh) | 数据处理装置 | |
| JP2022001944A (ja) | 電子機器 | |
| KR20160124756A (ko) | 발광 장치 및 박리 방법 | |
| TW201539826A (zh) | 發光裝置 | |
| JP2015187854A (ja) | 入力装置、入出力装置 | |
| JP2019207705A (ja) | 情報処理装置 | |
| JP2019067445A (ja) | 情報処理装置 | |
| JP6362412B2 (ja) | 入出力装置 | |
| JP2015046391A (ja) | 発光装置、及び電子機器 | |
| JP2015176254A (ja) | 情報処理装置 | |
| WO2015181680A1 (ja) | 情報処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190122 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |