JP2015187854A - 入力装置、入出力装置 - Google Patents

Abstract

【課題】利便性又は信頼性に優れた新規な入力装置または入出力装置を提供する。【解決手段】可視光を透過する窓部、絶縁層及び絶縁層を挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の第１の検知素子Ｃ１、光電変換素子を備え窓部と重ならない第２の検知素子並びに第１の検知素子に寄生する容量の変化又は第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給する検知回路を含み、かつ、マトリクス状に配置される検知ユニット１０Ｕと、検知ユニットを支持する基材１６を含む。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、検知器、入力装置または入出力装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるようになっている。

このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。

例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた構成が知られている（特許文献１）。

例えば、筐体の正面及び長手方向の上部に表示装置が配置されていることを特徴とする携帯電話機が知られている（特許文献２）。

特開２０１２−１９０７９４号公報 特開２０１０−１５３８１３号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することを課題の一とする。または、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することを課題の一とする。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入出力装置、または、新規な半導体装置、を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニットと、行方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される走査線と、列方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される信号線と、検知ユニット、走査線および信号線が配設される基材と、を有する入力装置である。

そして、検知ユニットは、可視光を透過する窓部、窓部に重なる第１の検知素子および窓部に重ならない第２の検知素子ならびに第１の検知素子および第２の検知素子と電気的に接続され且つ窓部に重ならない検知回路を備える。

また、第１の検知素子は、絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備える。

また、第２の検知素子は、光電変換素子を備え、検知回路は、選択信号を供給され且つ第１の検知素子に寄生する容量の変化または第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給する。

また、走査線は、選択信号を供給することができ、信号線は、検知信号を供給することができる。

上記本発明の一態様の入力装置は、可視光を透過する窓部、絶縁層および絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の第１の検知素子、光電変換素子を備え窓部と重ならない第２の検知素子ならびに第１の検知素子に寄生する容量の変化または第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、検知ユニットを支持する基材を含んで構成される。

なお、第１の検知素子に寄生する容量は、例えば、第１の検知素子の第１の電極または第２の電極にものが近接すること、もしくは第１の電極および第２の電極の間隔の変化により変化する。また、第２の検知素子の起電力は、照射される光の強度の変化により変化する。

これにより、検知ユニットは、当該検知ユニットの配置された位置と関連付けることができるように、当該検知ユニットが供給する検知信号を供給することならびに可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、検知回路が、第１のトランジスタと、第１のスイッチと、第２のスイッチと、第３のスイッチと、第１の検知素子、第２の検知素子と、を備える上記の入力装置である。

そして、第１のトランジスタは、ゲートが第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第１のスイッチは、制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第２のスイッチは、制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が第１のトランジスタを導通状態にする電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第３のスイッチは、制御端子が露光制御信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続される。

また、第２の検知素子は、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、本発明の一態様は、検知回路が、第１のトランジスタと、第１のスイッチと、第３のスイッチと、第４のスイッチと、第１の検知素子と、第２の検知素子、容量素子と、を備える上記の入力装置である。

そして、第１のトランジスタは、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第１のスイッチは、制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第２のスイッチは、制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の端子が第１のトランジスタを導通状態にする電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第３のスイッチは、制御端子が露光制御信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される。

また、第４のスイッチは、制御端子がモード切り替え信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される。

また、第１の検知素子は、第１の電極が第４のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、第２の検知素子は、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

また、容量素子は、第１の電極が第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される。

上記本発明の一態様の入力装置は、第１の検知素子、第２の検知素子および検知回路を備える検知ユニットを複数有し、検知回路はそれぞれ第１の検知素子の第１の電極および第３のスイッチを介して第２の検知素子の第１の電極がゲートに電気的に接続された第１のトランジスタを備える。

これにより、第１のトランジスタは容量の変化または起電力の変化に基づく検知信号を一の信号線に供給することができる。その結果、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知信号を供給することならびに可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される走査線、列方向に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される信号線ならびに複数の検知ユニット、走査線および信号線が配設される第１の基材を備える入力装置と、マトリクス状に配設され且つ窓部に重なる複数の画素および画素を支持する第２の基材を備える表示部と、を有する。

そして、検知ユニットは、窓部に重なる第１の検知素子および窓部に重ならない第２の検知素子ならびに第１の検知素子および第２の検知素子と電気的に接続され且つ窓部に重ならない検知回路を備える。

また、第１の検知素子は、絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備える。

また、第２の検知素子は、光電変換素子を備える。

また、検知回路は、選択信号を供給され且つ第１の検知素子に寄生する容量の変化または第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給する。

また、走査線は、選択信号を供給することができ、信号線は、検知信号を供給することができる。

また、本発明の一態様は、検知ユニットおよび画素の間に、着色層を備える上記の入出力装置である。

上記本発明の一態様の入出力装置は、可視光を透過する窓部を具備する検知ユニットを複数備える入力装置と、窓部に重なる画素を複数備える表示部と、を有し、窓部と画素の間に着色層を含んで構成される。

これにより、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知する検知信号を供給することならびに画像情報を表示することならびに検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックとしてブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であるソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トランジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されている状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレインの他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能な状態にすることができるような回路構成になっている場合に相当する。従って、接続している回路構成とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している回路構成も、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であっても、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。または、新規な検知器、新規な入力装置、新規な入出力装置、または、新規な半導体装置、を提供できる。なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る入力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る入力装置の構成を説明するブロック図、回路図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る入力装置の構成を説明するブロック図、回路図およびタイミングチャート。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る検知回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明する投影図。

本発明の一態様の入力装置は、可視光を透過する窓部、絶縁層および絶縁層を挟持する一対の電極を備え且つ窓部に重なる透光性の第１の検知素子、光電変換素子を備え窓部と重ならない第２の検知素子ならびに第１の検知素子に寄生する容量の変化または第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、検知ユニットを支持する基材を含んで構成される。

なお、第１の検知素子に寄生する容量は、例えば、第１の電極または第２の電極にものが近接すること、もしくは第１の電極および第２の電極の間隔の変化により変化する。また、第２の検知素子の起電力は、照射される光の強度の変化により変化する。

これにより、検知ユニットの位置情報と、容量または起電力の変化に基づいて当該検知ユニットが供給する検知信号とを供給することならびに可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。

図１は本発明の一態様の入力装置１００の構成を説明する図である。図２は本発明の一態様の入力装置１００の構成を説明する断面図である。

図１（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００の投影図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の一部に含まれる検知ユニット１０Ｕを拡大して示す投影図である。

図２は図１に示す本発明の一態様の入力装置１００のＺ１−Ｚ２における断面の構造を示す断面図である。

＜入力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入力装置１００は、マトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕと、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される走査線Ｇ１と、列方向（図中に矢印Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニットが電気的に接続される信号線ＤＬと、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される基材１６と、を有する（図１（Ｂ）参照）。

そして、検知ユニット１０Ｕは、可視光を透過する窓部１４、窓部１４に重なる第１の検知素子Ｃ１および窓部１４に重ならない第２の検知素子ＰＤならびに第１の検知素子Ｃ１および第２の検知素子ＰＤと電気的に接続され且つ窓部１４に重らない検知回路１９を備える（図１（Ｂ）、図２および図３参照）。

第１の検知素子Ｃ１は、絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。

第２の検知素子ＰＤは、光電変換素子を備える（図２参照）。

検知回路１９は、選択信号を供給され且つ第１の検知素子Ｃ１に寄生する容量の変化または第２の検知素子ＰＤを流れる電流に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができる。

信号線ＤＬは、検知信号を供給することができる。

上記本発明の一態様の入力装置１００は、可視光を透過する窓部１４、絶縁層および絶縁層を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備え且つ窓部１４に重なる透光性の第１の検知素子Ｃ１、光電変換素子を備え窓部１４と重ならない第２の検知素子ＰＤならびに第１の検知素子Ｃ１の容量の変化または第２の検知素子ＰＤを流れる電流に基づいて検知信号を供給する検知回路を含み且つマトリクス状に配置される検知ユニットと、検知ユニットを支持する基材を含んで構成される。

なお、第１の検知素子Ｃ１の容量は、例えば、第１の電極１１または第２の電極１２にものが近接すること、もしくは第１の電極１１および第２の電極１２の間隔の変化により変化する。また、第２の検知素子ＰＤの起電力は、照射される光の強度の変化により変化する。

これにより、検知ユニット１０Ｕは、当該検知ユニット１０Ｕの配置された位置と関連付けることができるように、検知信号ＤＡＴＡを供給することおよび可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

なお、入力装置１００に触れた指をポインタに用いて様々なジェスチャー（タップ、ドラッグ、スワイプまたはピンチイン等）をすることができる。入力装置１００に接触する指の位置または軌跡等の情報を演算装置に供給する。そして、当該情報が所定の条件を満たすと演算装置が判断した場合に、所定のジェスチャーが供給されたとすることができる。これにより、所定のジェスチャーに関連付けられた命令を演算装置に実行させることができる。

また、入力装置１００は選択信号を所定のタイミングで供給することができる駆動回路ＧＤを備えていてもよい。例えば、駆動回路ＧＤは選択信号を走査線Ｇ１ごとに所定の順番で供給する。

また、入力装置１００は検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換する変換器ＣＯＮＶを備えていてもよい。変換器ＣＯＮＶは一または複数の変換器ＣＯＮＶ（１）乃至ＣＯＮＶ（ｊ）を備える（ｊは１以上ｍ以下の自然数）。例えば、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）は、信号線ＤＬ（ｊ）が供給する検知信号ＤＡＴＡを変換して、供給してもよい。

また、入力装置１００はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に接続されてもよい。例えば、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ１は、電源電位などさまざまな電位またはさまざまなタイミング信号などを供給してもよく、検知信号ＤＡＴＡに基づく信号を供給されてもよい。

また、入力装置１００は検知ユニット１０Ｕに重なる基材１７または／および保護層１７ｐを備えていてもよい。基材１７または／および保護層１７ｐは傷の発生を防いで入力装置１００を保護することができる。

また、入力装置１００は可視光を透過する窓部１４を備えていてもよい。

また、入力装置１００は窓部１４に重ならないように配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび配線ＥＸを備えていてもよい。

また、入力装置１００は窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備えていてもよい。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、着色層ＣＦＧまたは着色層ＣＦＲを備えていてもよい。

また、入力装置１００は窓部１４を囲むように、言い換えると窓部１４と重ならないように遮光性の層ＢＭを備えていてもよい。

以下に、入力装置１００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入力装置１００は、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１、信号線ＤＬまたは基材１６を有する。

《検知ユニット》
検知ユニット１０Ｕは、可視光を透過する窓部１４、第１の検知素子Ｃ１、第２の検知素子ＰＤまたは検知回路１９を備える。

《窓部１４、着色層および遮光性の層ＢＭ》
窓部１４は可視光を透過する。

例えば、基材１６、第１の電極１１、可撓性を有する絶縁層１３、基材１７および第２の電極１２を、可視光の透過を妨げないように重ねて配置して、窓部１４を構成することができる。例えば、可視光を透過する材料または可視光を透過する程度に薄い材料を、基材１６、第１の電極１１、可撓性を有する絶縁層１３、基材１７および第２の電極１２に用いることができる。

例えば、可視光を透過しない材料に開口部を設けて用いてもよい。具体的には、矩形などさまざまな形の開口部を１つまたは複数設けて用いてもよい。

窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層ＣＦＲを備える（図１（Ｂ）参照）。

なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。

窓部１４を囲むように遮光性の層ＢＭを配置することができる。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過しにくい。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性の層ＢＭに用いることができる。

遮光性の層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳならびに検知回路１９を備えることができる。

なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができる。

《第１の検知素子Ｃ１》
第１の検知素子Ｃ１は、絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える（図１（Ｂ）および図２参照）。

第１の電極１１は隣接する他の検知ユニットの第１の電極１１から分離されるように、例えば島状に形成される。

特に、第１の電極１１の配設されている状態が入力装置１００の使用者に識別されないように、第１の電極１１と同一の工程で作製することができる層を第１の電極１１に近接して配置する構成が好ましい。より好ましくは、第１の電極１１および第１の電極１１に近接して配置する層の間隙に配置する窓部１４の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しない構成が好ましい。

第１の電極１１と重なるように第２の電極１２を備え、第１の電極１１と第２の電極１２の間に絶縁層１３を備える。

例えば、大気中に置かれた第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１または第２の電極１２に、大気と異なる誘電率を有するものが近づくと、第１の検知素子Ｃ１の容量が変化する。具体的には、指などのものが第１の検知素子Ｃ１に近づくと、第１の検知素子Ｃ１の容量が変化する。これにより、近接検知器に用いることができる。

例えば、変形することができる第１の検知素子Ｃ１の容量は、変形に伴い変化する。

具体的には、指などのものが第１の検知素子Ｃ１に触れることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔が狭くなると、第１の検知素子Ｃ１の容量は大きくなる。これにより、接触検知器に用いることができる。

具体的には、第１の検知素子Ｃ１を折り曲げることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間隔が狭くなる。これにより、第１の検知素子Ｃ１の容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に用いることができる。

第１の電極１１および第２の電極１２は、導電性の材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

《第２の検知素子ＰＤ》
第２の検知素子ＰＤは、光電変換素子を備える（図２参照）。第２の検知素子ＰＤは図中に矢印で示す方向から光を照射され、起電力を生じる。

例えばフォトダイオードを第２の検知素子ＰＤに用いることができる。具体的には、シリコンを半導体層に用いることができる。特にｐ型、ｉ型、ｎ型のアモルファスシリコンが積層されたフォトダイオードを好適に用いることができる。

《検知回路１９、走査線Ｇ１、信号線ＤＬ》
検知回路１９は例えばトランジスタならびに電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬなどを含む。なお、検知回路１９の具体的な構成は実施の形態２で詳細に説明する。

なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４と重ならない領域に配線を配置することにより、検知ユニット１０Ｕの一方の側から他方の側にあるものを視認し易くできる。

例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタを検知回路１９および変換器ＣＯＮＶに含まれる変換回路に用いることができる。

例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を検知回路１９または変換器ＣＯＮＶが備えるトランジスタの半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができる。

信号線ＤＬは、検知信号を供給することができる。

配線ＶＲＥＳは所定の電位を供給することができる。例えば、検知回路１９が備えるトランジスタを導通状態にする電位を、当該トランジスタのゲートに供給することができる。

配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができる。

配線ＥＸは露光制御信号を供給することができる。

配線ＶＰＩは所定の電位を供給できる。例えば接地電位または電源電位を供給することができる。

配線ＣＳは第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２の電位を制御する制御信号を供給することができる。

導電性を有する材料を配線に適用できる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に用いることができる。具体的には、第１の電極１１および第２の電極１２に用いることができる材料と同一の材料を適用できる。

アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳに用いることができる。

なお、基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。

または、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。検知回路１９の作製方法の一例を、実施の形態６乃至実施の形態８において詳細に説明する。

《基材１６》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６に用いることができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上１７０μｍ以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。

また、不純物の透過が抑制された材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下、好ましくは１０^−６ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）以下である材料を好適に用いることができる。

また、線膨張率がおよそ等しい複数の材料を組み合わせて基材１６に好適に用いることができる。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルムに分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材１６ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａと、基材１６ｂおよびバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃと、が積層された積層体を基材１６に好適に用いることができる（図２参照）。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。

ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１６ｂに用いることができる。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を有する樹脂を含む材料を樹脂層１６ｃに用いることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図３を参照しながら説明する。

図３は本発明の一態様の入力装置１００の構成を説明する図である。

図３（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００の構成を説明するブロック図であり、図３（Ｂ）は図３（Ａ）の入力装置１００に用いることができる変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であり、図３（Ｃ）は図３（Ａ）の入力装置１００に用いることができる検知回路１９の構成を説明する回路図である。

図３（Ｄ−１）および図３（Ｄ−２）は本発明の一態様の入力装置１００に用いることができる検知ユニット１０Ｕの駆動方法を説明するタイミングチャートである。

＜入力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入力装置１００は、マトリクス状に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと、行方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される走査線Ｇ１と、列方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号線ＤＬと、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される基材１６と、を有する（図３（Ａ）参照）。

例えば、複数の検知ユニット１０Ｕをｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数）のマトリクス状に配置することができる。

なお、検知ユニット１０Ｕは第１の検知素子Ｃ１および第２の検知素子ＰＤを備え、第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１および第２の検知素子ＰＤの第１の電極は第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続されている。

また、第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２は配線ＣＳと電気的に接続されている。これにより、第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２の電位を、配線ＣＳが供給する制御信号もしくは電源電位または接地電位を用いて制御することができる。

なお、実施の形態１で説明する構成を、本実施の形態で説明する入力装置１００に適用することができる。

《検知回路１９》
本発明の一態様の検知回路１９は、第１のトランジスタＭ１、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第３のスイッチまたは第２の検知素子ＰＤを備える。

第１のトランジスタＭ１は、ゲートが第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される。

また、第１のスイッチに第２のトランジスタＭ２を用いることができる。例えば、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が検知信号を供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジスタＭ２を第１のスイッチに用いることができる。

また、第２のスイッチに第３のトランジスタＭ３を用いることができる。例えば、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が第１の検知素子Ｃ１の第１の電極と電気的に接続され、第２の電極が第１のトランジスタＭ１を導通状態にする電位を供給することができる配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を第２のスイッチに用いることができる。

また、第３のスイッチに第４のトランジスタＭ４を用いることができる。例えば、ゲートが露光制御信号を供給することができる配線ＥＸと電気的に接続され、第１の電極が第１の検知素子Ｃ１の第１の電極と電気的に接続される第４のトランジスタＭ４を第３のスイッチに用いることができる。

また、第２の検知素子ＰＤに光電変換素子を用いることができる。例えば、第１の電極が第４のトランジスタＭ４の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される光電変換素子を第２の検知素子ＰＤに用いることができる。

上記本発明の一態様の入力装置１００は、第１の検知素子Ｃ１、第２の検知素子ＰＤおよび検知回路１９を備える検知ユニット１０Ｕを複数有し、検知回路１９はそれぞれ第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１および第３のスイッチを介して第２の検知素子ＰＤの第１の電極がゲートに電気的に接続された第１のトランジスタＭ１を備える。

これにより、第１のトランジスタは容量の変化または起電力の変化に基づいて検知ユニットが供給する検知信号を一の信号線に供給することができる。その結果、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知信号を供給することならびに可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

また、入力装置１００は窓部に重ならないように配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび配線ＥＸを備えていてもよい。

また、入力装置１００は検知ユニット１０Ｕにより供給される検知信号ＤＡＴＡを変換する変換器ＣＯＮＶを備えていてもよい。変換器ＣＯＮＶは一または複数の変換器ＣＯＮＶ（１）乃至ＣＯＮＶ（ｊ）を備える（ｊは１以上ｍ以下の自然数）。例えば、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）は、信号線ＤＬ（ｊ）により供給される検知信号ＤＡＴＡを変換して、供給してもよい。なお、第１の検知素子Ｃ１または第２の検知素子ＰＤは、検知回路１９を介して検知信号ＤＡＴＡを信号線ＤＬ（ｊ）に供給する。そして、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）は信号線ＤＬ（ｊ）に接続された検知素子が供給する検知信号ＤＡＴＡも変換することができる。これにより、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）を検知素子毎に設ける必要がなく、入力装置の構成を単純にすることができる。

以下に、入力装置１００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《変換器ＣＯＮＶ》
変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。変換回路はトランジスタならびに電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、配線ＶＰＯおよび配線ＢＲなどを含む。例えば、変換回路および検知回路が備えるトランジスタを駆動できる程度の十分に高い電位を供給することができる。

検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。

具体的には、第６のトランジスタＭ６を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を構成できる（図３（Ｂ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４に用いてもよい。

また、第１のトランジスタＭ１乃至第６のトランジスタＭ６は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。

＜検知回路１９の駆動方法１．＞
第１の検知素子Ｃ１に寄生する容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給することができる検知回路１９の駆動方法１について説明する。なお、駆動方法１は容量検知モードということができる。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にするリセット信号を供給し、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位を所定の電位にする（図３（Ｄ−１）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３のトランジスタＭ３はノードＡの電位を例えば第１のトランジスタＭ１を導通状態にできる電位にする。

また、リセット信号と同期して第４のトランジスタＭ４を導通状態にした後に非導通状態にする露光制御信号をゲートに供給し、第２の検知素子ＰＤの第１の電極の電位を所定の電位にしてもよい。

具体的には、露光制御信号を配線ＥＸに供給させる。露光制御信号が供給された第４のトランジスタＭ４は、第２の検知素子ＰＤの第１の電極（図中にＢで示す）の電位を第１のトランジスタＭ１のゲートの電位より第４のトランジスタＭ４の閾値電圧だけ低い電位にする。

なお、全ての検知ユニット１０Ｕについて、同時に第１のステップをすることができる。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第４のトランジスタＭ４を非導通状態にする露光制御信号をゲートに供給する。

具体的には、露光制御信号を配線ＥＸに供給させる。例えば、露光制御信号が供給された第４のトランジスタＭ４のゲートの電位を接地電位にする。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をゲートに供給し、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジスタＭ２は導通状態になり、第１のトランジスタＭ１の第２の電極が信号線ＤＬに電気的に接続する（図３（Ｄ−１）期間Ｔ２参照）。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、制御信号を第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２に供給し、制御信号および第１の検知素子Ｃ１の容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる（図３（Ｄ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。矩形の制御信号を第２の電極１２に供給された第１の検知素子Ｃ１は、第１の検知素子Ｃ１の容量に基づいてノードＡの電位を上昇する。

例えば、第１の検知素子Ｃ１が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２に近接して配置された場合、第１の検知素子Ｃ１の容量は見かけ上大きくなる。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高いものが近接して配置されると配置されていない場合に比べて小さくなる（図３（Ｄ−１）点線参照）。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす検知信号ＤＡＴＡを信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化に基づいて変化する第１のトランジスタＭ１を流れる電流を信号線ＤＬに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して端子ＯＵＴに供給する。

《第６のステップ》
第６のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を非導通状態にする選択信号をゲートに供給する。

具体的には、第２のトランジスタＭ２のゲートの電位を接地電位にする（図３（Ｄ−１）期間Ｔ３参照）。

走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）を順番に選択し、走査線Ｇ１（１）を選択する場合は、上記の第１のステップから第５のステップを実行し、走査線Ｇ１（２）乃至走査線Ｇ１（ｎ）を選択する場合は、第２のステップから第５のステップを走査線ごとに繰り返して実行する。

＜検知回路１９の駆動方法２．＞
第２の検知素子ＰＤの起電力の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給することができる検知回路１９の駆動方法２について説明する。なお、駆動方法２は光検知モードということができる。

なお、第１のステップにおいて、リセット信号と同期して露光制御信号を第４のトランジスタＭ４のゲートに供給する点、第４のステップにおいて、第４のトランジスタＭ４を所定の期間導通状態にする露光制御信号をゲートに供給する点が、上記で説明する検知回路１９の駆動方法１．と異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、リセット信号と同期して第４のトランジスタＭ４を導通状態にした後に非導通状態にする露光制御信号をゲートに供給し、第２の検知素子ＰＤの第１の電極（図中にＢで示す）の電位を所定の電位にする点が、上記の第１のステップと異なる（図３（Ｄ−２）期間Ｔ１参照）。

具体的には、露光制御信号を配線ＥＸに供給させる。露光制御信号が供給された第４のトランジスタＭ４は、第２の検知素子の第１の電極の電位を第１のトランジスタＭ１のゲートの電位より第４のトランジスタＭ４の閾値電圧だけ低い電位にする。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第４のトランジスタＭ４を所定の期間導通状態にする露光制御信号をゲートに供給する。

具体的には、第４のトランジスタＭ４のゲートの電位がトランジスタＭ４の閾値電位より十分高い電位に所定の期間なるように、配線ＥＸに矩形の露光制御信号を供給させる。

第２の検知素子ＰＤの起電力は、第２の検知素子ＰＤに照射する光の強度に応じて変化し、第２の検知素子ＰＤを流れる電流は第２の検知素子ＰＤの起電力に基づいて変化する。

例えば、第２の検知素子ＰＤが明るい環境に置かれている場合、第２の検知素子ＰＤに照射する光を遮るものが、第２の検知素子ＰＤに近接して配置された場合、照射する光の強度が減少し、起電力が低下する。

具体的には、指などのものが第２の検知素子ＰＤに近接することにより、照射する光が遮られ起電力が低下する。

これにより、第２の検知素子ＰＤに照射する光がもたらすノードＡの電位の低下は、遮るものが近接して配置されると遮るものが配置されていない場合に比べて小さくなる（図３（Ｄ−２）期間Ｔ２点線参照）。

駆動方法２（光検知モード）を用いると、第１の検知素子Ｃ１を用いて検知することが困難な状況においても、入力装置１００を用いて、位置情報を供給することができる。

例えば、入力装置１００に誘電率の変化が少ないものを近接させて、位置情報を供給できる。または、入力装置１００に水滴などが付着した状態であっても、好適に位置情報を供給できる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置の構成について、図４を参照しながら説明する。

図４は本発明の一態様の入力装置１００Ｂの構成を説明する図である。

図４（Ａ）は本発明の一態様の入力装置１００Ｂの構成を説明するブロック図であり、図４（Ｂ）は図３（Ａ）の入力装置１００Ｂに用いることができる変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であり、図４（Ｃ）は図４（Ａ）の入力装置１００Ｂに用いることができる検知回路１９Ｂの構成を説明する回路図である。

図４（Ｄ−１）および図４（Ｄ−２）は本発明の一態様の入力装置１００Ｂに用いることができる検知ユニット１０ＵＢの駆動方法を説明するタイミングチャートである。

＜入力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入力装置１００Ｂは、マトリクス状に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢと、行方向に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢが電気的に接続される走査線Ｇ１と、列方向に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢが電気的に接続される信号線ＤＬと、検知ユニット１０ＵＢ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される基材１６と、を有する（図４（Ａ）参照）。

例えば、複数の検知ユニット１０ＵＢをｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数）のマトリクス状に配置することができる。

なお、検知ユニット１０ＵＢは第１の検知素子Ｃ１および第２の検知素子ＰＤを備え、第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１および第２の検知素子ＰＤの第１の電極は第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続されている。

また、第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２は配線ＣＳと電気的に接続されている。これにより、第１の検知素子Ｃ１の第２の電極１２の電位を、配線ＣＳが供給する制御信号もしくは電源電位または接地電位を用いて制御することができる。

なお、実施の形態１で説明する構成を、本実施の形態で説明する入力装置１００Ｂに適用することができる。

《検知回路１９Ｂ》
本発明の一態様の検知回路１９Ｂは、第１の電極が接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える構成であってもよい。

また、第１のスイッチに第２のトランジスタＭ２を用いてもよく、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が検知信号を供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジスタＭ２を備える構成であってもよい。

また、第２のスイッチに第３のトランジスタＭ３を用いてもよく、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続され、第２の電極が第１のトランジスタＭ１を導通状態にする電位を供給することができる配線と電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。

また、第３のスイッチに第４のトランジスタＭ４を用いてもよく、ゲートが露光制御信号を供給することができる配線ＥＸと電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続される第４のトランジスタＭ４を備える構成であってもよい。

また、第４のスイッチに第５のトランジスタＭ５を用いてもよく、ゲートがモード切り替え信号を供給することができる配線ＰＣＬと電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１のゲートと電気的に接続される第５のトランジスタＭ５を備える構成であってもよい。

また、第１の電極が第３のトランジスタＭ３の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線ＣＳと電気的に接続される第１の検知素子を備える構成であってもよい。

また、第１の電極が第４のトランジスタＭ４の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続される第２の検知素子ＰＤを備える構成であってもよい。

第１の電極が第４のトランジスタＭ４の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線ＣＳと電気的に接続される容量素子Ｃ２を備える構成であってもよい。

上記本発明の一態様の入力装置は、第１の検知素子Ｃ１、第２の検知素子ＰＤおよび検知回路１９Ｂを備える検知ユニット１０ＵＢを複数有し、検知回路１９Ｂはそれぞれ第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１および第３のスイッチを介して第２の検知素子ＰＤの第１の電極がゲートに電気的に接続された第１のトランジスタＭ１を備える。

これにより、第１のトランジスタは容量の変化または起電力の変化に基づく検知信号を一の信号線に供給することができる。その結果、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知信号を供給することならびに可視光を透過することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入力装置を提供することができる。

また、入力装置１００は窓部に重ならないように配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび配線ＥＸを備えていてもよい。

また、入力装置１００は検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換する変換器ＣＯＮＶを備えていてもよい。変換器ＣＯＮＶは一または複数の変換器ＣＯＮＶ（１）乃至ＣＯＮＶ（ｊ）を備える（ｊは１以上ｍ以下の自然数）。例えば、変換器ＣＯＮＶ（ｊ）は、信号線ＤＬ（ｊ）が供給する検知信号ＤＡＴＡを変換して、供給してもよい。

以下に、入力装置１００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

《変換器ＣＯＮＶ》
変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。変換回路はトランジスタならびに電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、配線ＶＰＯおよび配線ＢＲなどを含む。例えば、変換回路および検知回路が備えるトランジスタを駆動できる程度の十分に高い電位を供給することができる。

検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知回路１９と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。

具体的には、第６のトランジスタＭ６を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を構成できる（図４（Ｂ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３と同一の工程で作製することができるトランジスタを第６のトランジスタＭ６に用いてもよい。

また、第１のトランジスタＭ１乃至第６のトランジスタＭ６は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態５において詳細に説明する。

＜検知回路１９Ｂの駆動方法１．＞
第１の検知素子Ｃ１に寄生する容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給することができる検知回路１９Ｂの駆動方法１について説明する。なお、駆動方法１は容量検知モードということができる。

第１のステップ乃至第６のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する点が、実施の形態２で説明する検知回路１９の駆動方法１と異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

《第１のステップ乃至第６のステップ》
第１のステップ乃至第６のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する。

具体的には、モード切り替え信号を配線ＰＣＬに供給させる。モード切り替え信号が供給された第５のトランジスタＭ５は、第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１の電位を第１のトランジスタＭ１のゲートの電位より第５のトランジスタＭ５の閾値電圧だけ低い電位にする（図４（Ｄ−１）期間Ｔ１乃至期間Ｔ３参照）。

＜検知回路１９Ｂの駆動方法２．＞
第２の検知素子ＰＤの起電力の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡを供給することができる検知回路１９Ｂの駆動方法２について説明する。なお、駆動方法２は光検知モードということができる。

第１のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する点、第２のステップ乃至第６のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を非導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する点が、実施の形態２で説明する検知回路１９の駆動方法２と異なる。ここでは異なるステップについて詳細に説明し、同様のステップを用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する。

具体的には、モード切り替え信号を配線ＰＣＬに供給させる。モード切り替え信号が供給された第５のトランジスタＭ５は、第１の検知素子Ｃ１の第１の電極１１の電位を第１のトランジスタＭ１のゲートの電位より第５のトランジスタＭ５の閾値電圧だけ低い電位にする（図４（Ｄ−２）期間Ｔ１参照）。

《第２のステップ乃至第６のステップ》
第２のステップ乃至第６のステップにおいて、第５のトランジスタＭ５を非導通状態にするモード切り替え信号をゲートに供給する。

具体的には、モード切り替え信号を配線ＰＣＬに供給させる。第５のトランジスタＭ５を非導通状態にすることで、第１の検知素子Ｃ１が検知するものが第１のトランジスタＭ１のゲートの電位に与える影響を低減できる。これにより、第２の検知素子ＰＤが検知するものに起因する検知信号を際立たせることができる（図４（Ｄ−２）期間Ｔ２およびＴ３参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図５および図６を参照しながら説明する。

図５は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する投影図である。図６は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する断面図である。

図５（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００の投影図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）の一部に含まれる検知ユニット１０Ｕを拡大して示す投影図である。

図６（Ａ）は図５に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１−Ｚ２における断面の構造を示す断面図であり、図６（Ｂ）および図６（Ｃ）は図６（Ａ）に示す構造の一部を置換することができる構造を示す断面図である。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ、行方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される走査線Ｇ１、列方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号線ＤＬならびに複数の検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される基材１６を備える入力装置１００を有する。

また、入出力装置５００は、マトリクス状に配設され且つ窓部１４に重なる複数の画素５０２および画素５０２を支持する第２の基材５１０を備える表示部５０１と、を有する。

そして、検知ユニット１０Ｕは、窓部１４に重なる第１の検知素子Ｃ１および窓部１４に重ならない第２の検知素子ＰＤならびに第１の検知素子Ｃ１および第２の検知素子ＰＤと電気的に接続され且つ窓部１４に重ならない検知回路１９を備える。

また、第１の検知素子Ｃ１は、絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２を備える。

また、第２の検知素子ＰＤは、光電変換素子を備える。

また、検知回路１９は、選択信号を供給され且つ第１の検知素子Ｃ１に寄生する容量の変化または第２の検知素子ＰＤを流れる電流に基づいて検知信号ＤＡＴＡを供給する。

また、走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができる。

また、信号線ＤＬは、検知信号を供給することができる。

また、本発明の一態様の入出力装置５００は、検知ユニット１０Ｕおよび画素５０２の間に、着色層を備える構成であってもよい。

本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知ユニット１０Ｕを複数備える入力装置１００と、窓部１４に重なる画素５０２を複数備える表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層を含んで構成される。

これにより、検知ユニットの位置情報および当該検知ユニットが検知する検知信号を供給することならびに画像情報を表示することならびに検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な入出力装置を提供することができる。

また、入出力装置５００は、入力装置１００が供給する信号を供給されるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１または／および画像情報を含む信号を表示部５０１に供給するフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２を備えていてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７ｐまたは／および入出力装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。

また、入出力装置５００は、表示部５０１の走査線に選択信号を供給する走査線駆動回路、信号線に画像信号を供給する信号線駆動回路５０３ｓ、信号を供給する配線５１１およびフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２と電気的に接続される端子５１９を有する。

以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合がある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える入力装置１００は、入力装置１００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば入力装置１００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、入力装置１００であるとともに表示部５０１でもある。なお、表示部５０１に入力装置１００が重ねられた入出力装置５００をタッチパネルともいう。

《全体の構成》
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、入力装置１００および表示部５０１を有する。

入力装置１００は、窓部１４、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１、信号線ＤＬおよび基材１６を備える。

検知ユニット１０Ｕは、第１の検知素子Ｃ１、第２の検知素子ＰＤおよび検知回路１９を備える。

表示部５０１は、画素５０２および第２の基材５１０を備える

また、検知ユニット１０Ｕおよび画素５０２の間に、着色層を備える構成であってもよい。

また、本実施の形態で説明する入出力装置５００は、実施の形態１で図１および図２を参照しながら説明する入力装置１００の窓部１４に画素５０２が重なるように表示部５０１を有する点が、入力装置１００とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

《表示部５０１》
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図５（Ｂ）参照）。

例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、それぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる位置に配置される。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式や電子粉流体（登録商標）方式やエレクトロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表示素子を表示素子に用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。

また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トランジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いることが出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることが出来る。

《基材５１０》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いることができる材料を基材５１０に適用することができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層された積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図６（Ａ）参照）。

《封止材５６０》
封止材５６０は基材１６と基材５１０を貼り合わせる。封止材５６０は空気より大きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学的に接合する機能を備える層を兼ねる。

画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材１６の間にある。

《画素の構成》
副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられていない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出させてもよい。

また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、発光素子５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

《画素回路の構成》
画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

絶縁膜５２１の上に下部電極が配置され、下部電極の端部に重なるように隔壁５２８が絶縁膜５２１の上に配設される。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材１６と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

《信号線駆動回路の構成》
信号線駆動回路５０３ｓは、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。なお、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路に用いることができる。

《変換器ＣＯＮＶ》
検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１に供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図３（Ｂ）参照）。

例えば、第６のトランジスタＭ６を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。

《他の構成》
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフレキシブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々な導電膜を配線に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができる。またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた複数の元素を含む合金膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができる。または、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の窒化膜がアルミニウム膜上に積層された積層膜を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはアルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた複数を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いてもよい。

＜表示部の変形例＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を図６（Ａ）および図６（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図６（Ａ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層を、図６（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図６（Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図６（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路等に用いることのできるトランジスタの構成について、図７を用いて説明する。

図７（Ａ）乃至図７（Ｃ）に、トランジスタ１５１の上面図及び断面図を示す。図７（Ａ）はトランジスタ１５１の上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間の切断面の断面図に相当し、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断面図に相当する。なお、図７（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示している。

なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。

トランジスタ１５１は、基板１０２上に設けられるゲート電極１０４ａと、基板１０２及びゲート電極１０４ａ上に形成される絶縁膜１０６及び絶縁膜１０７を含む第１の絶縁膜１０８と、第１の絶縁膜１０８を介して、ゲート電極１０４ａと重なる酸化物半導体膜１１０と、酸化物半導体膜１１０に接する第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂとを有する。

また、第１の絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂ上に、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む第２の絶縁膜１２０と、第２の絶縁膜１２０上に形成されるゲート電極１２２ｃとを有する。

ゲート電極１２２ｃは、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａと接続する。また、絶縁膜１１８上に画素電極として機能する導電膜１２２ａが形成され、導電膜１２２ａは、第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと接続する。

なお、第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、第２の絶縁膜１２０は、トランジスタ１５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また、導電膜１２２ａは、画素電極として機能する。

本実施の形態に示すトランジスタ１５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃの間に、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０を介して酸化物半導体膜１１０が設けられている。また、ゲート電極１０４ａは図７（Ａ）に示すように、上面形状において、第１の絶縁膜１０８を介して酸化物半導体膜１１０の側面と重なる。

第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０には複数の開口を有する。代表的には、図７（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２ｂの一部が露出する開口１４２ａを有する。また、図７（Ｃ）に示すように、開口１４２ｅを有する。

開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと導電膜１２２ａが接続する。

また、開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃが接続する。

ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有し、且つゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜１１０の広い範囲を流れる。これにより、トランジスタ１５１を移動するキャリアの量が増加する。

この結果、トランジスタ１５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の電界効果移動度である。

なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能である。

また、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有することで、それぞれが外部からの電界を遮蔽する機能を有するため、基板１０２及びゲート電極１０４ａの間、ゲート電極１２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜１１０に影響しない。この結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジスタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴストレス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、信頼性が高いトランジスタであるといえる。

以下に、基板１０２およびトランジスタ１５１を構成する個々の要素について説明する。

《基板１０２》
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世代（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラスを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好ましくは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とすることが望ましい。

《ゲート電極１０４ａ》
ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タンタル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜とアルミニウム膜とチタン膜とをこの順で積層された三層構造等がある。また、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、またはチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた複数の元素を組み合わせた合金膜、もしくは窒化膜を、アルミニウム膜上に積層した構成を用いてもよい。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《第１の絶縁膜１０８》
第１の絶縁膜１０８は、絶縁膜１０６と絶縁膜１０７の２層の積層構造を例示している。なお、第１の絶縁膜１０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶縁膜１０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリコン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及びアンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜１０６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜１１０へ移動または拡散することを抑制できる。

絶縁膜１０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを積層または単層で用いればよく、例えばＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて設ける。

また、第１の絶縁膜１０８としては、絶縁膜１０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜１０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極１０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１のゲート絶縁膜として機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶縁材料のことをいう。

《酸化物半導体膜１１０》
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アルミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーとしては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある。

酸化物半導体膜１１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。

酸化物半導体膜１１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物半導体膜１１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、好適である。

酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガスの高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましくは−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り込まれることを可能な限り防ぐことができる。

また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプは、例えば、水素分子、水（Ｈ_２Ｏ）など水素原子を含む化合物（より好ましくは炭素原子を含む化合物も）等を排気する能力が高いため、クライオポンプを用いて排気された成膜室で成膜した膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。

また、酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用いることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。

なお、基板１０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である。基板１０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好ましくは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。

次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜１１０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜１０８及び酸化物半導体膜１１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜１１０を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。

《第１の電極、第２の電極》
第１の電極１１２ａおよび第２の電極１１２ｂに用いることのできる導電膜１１２の材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる金属、またはこれを主成分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜または窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《絶縁膜１１４、１１６》
第２の絶縁膜１２０は、絶縁膜１１４、１１６、１１８の３層の積層構造を例示している。なお、第２の絶縁膜１２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層構造、または４層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１４、１１６としては、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体との界面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる。また、絶縁膜１１４、１１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成することができる。

絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、３０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができる。

また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について、説明したが、これに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が、酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含む。

絶縁膜１１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜１１８として、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。

また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜されることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する場合は、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。

《導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃ》
導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウムを含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性材料を用いることができる。また、導電膜１２２ａ、１２２ｂに用いることのできる導電膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図８を参照しながら説明する。

図８は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図８の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図８（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図８を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図８（Ａ−１）および図８（Ａ−２））。

なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する（図８（Ｂ−１）および図８（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図８（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第１の剥離層Ｆ２から第１の被剥離層Ｆ３を剥離する際に、第１の剥離層Ｆ２と第１の被剥離層Ｆ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第１の剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し、第１の接着層３１を用いて第１の残部８０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる（図８（Ｄ−１）および図８（Ｄ−２）参照）。これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える積層体８１を得る（図８（Ｅ−１）および図８（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディスペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用いる場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置を作製する際に用いることができる積層体の作製方法について、図９および図１０を参照しながら説明する。

図９および図１０は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図９および図１０の左側に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図９（Ｃ）、図１０（Ｂ）および図１０（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図９乃至図１０を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される（図９（Ａ−１）および図９（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図９（Ｂ−１）および図９（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図９（Ｃ）参照）。これにより、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置される第１の残部９０ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図９（Ｄ−１）および図９（Ｄ−２）参照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図９（Ｅ−１）および図９（Ｅ−２）参照）。

《第６のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、第２の剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ１から分離する（図１０（Ａ−１）および図１０（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第７のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９１ａを得る（図１０（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きながら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよい。

また、第２の剥離層Ｓ２から第２の被剥離層Ｓ３を剥離する際に、第２の剥離層Ｓ２と第２の被剥離層Ｓ３の界面に液体を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができる。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、第２の剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させながらまたは吹き付けながら第２の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第２の被剥離層Ｓ３に加わる剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第９のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図１０（Ｄ−１）および図１０（Ｄ−２）参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このステップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図１０（Ｅ−１）および図１０（Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置される積層体９２を得る。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明する図である。図１１の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を右側に示す。

図１１（Ａ−１）乃至図１１（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１１（Ｃ−１）乃至図１１（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有する積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第９のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製することができる（図１１（Ａ−１）および図１１（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つあらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができる。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状態にしてもよい（図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これにより、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができる。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すことができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これにより、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解することができる（図１１（Ｃ−１）および図１１（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる（図１１（Ｄ−１）および図１１（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の入力装置または入出力装置に加工することができる加工部材の構成について、図１２を参照しながら説明する。

図１２は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１２（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面図であり、図１２（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１２（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面図であり、図１２（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する図１２（Ａ−１）および図１２（Ａ−２）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせた複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成してもよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミドを含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましくは３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板Ｆ１から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能層の機能を損なう不純物の意図しない拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された積層材料を含む膜を第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シリコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されない。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることができる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いることができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができる。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成することができる。

＜２．加工部材の構成例２＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１２（Ｂ−１）および図１２（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の面が接する接合層３０と、を有する。（図１２（Ｂ−１）および図１２（Ｂ−２）参照）。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層Ｓ３に向けて光を射出する発光素子、当該発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への不純物の拡散を防ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有する加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置を用いて構成することができる情報処理装置の構成について、図１３を参照しながら説明する。

図１３は本発明の一態様の情報処理装置を説明する図である。

図１３（Ａ）は本発明の一態様の情報処理装置Ｋ１００の入出力装置Ｋ２０が展開された状態を説明する投影図であり、図１３（Ｂ）は図１３（Ａ）の切断線Ｘ１−Ｘ２における情報処理装置Ｋ１００の断面図である。また、図１３（Ｃ）は入出力装置Ｋ２０が折り畳まれた状態を説明する投影図である。

＜情報処理装置の構成例＞
本実施の形態で説明する情報処理装置Ｋ１００は、入出力装置Ｋ２０と、演算装置Ｋ１０と、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）と、を有する（図１３参照）。

《入出力装置》
入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０および入力装置Ｋ４０を備え、表示部Ｋ３０は画像情報Ｖを供給され、入力装置Ｋ４０は検知情報Ｓを供給する（図１３（Ｂ）参照）。

入出力装置Ｋ２０は、入力装置Ｋ４０と、入力装置Ｋ４０と重なる領域を備える表示部Ｋ３０と、を有する。なお、入出力装置Ｋ２０は、表示部Ｋ３０であるとともに、入力装置Ｋ４０でもある。また、入力装置Ｋ４０にタッチセンサを用い、表示部Ｋ３０に表示パネルを用いた入出力装置Ｋ２０を、タッチパネルということができる。

具体的には、実施の形態４で説明する入出力装置５００を入出力装置Ｋ２０に用いることができる。

《表示部》
表示部Ｋ３０は、第１の領域Ｋ３１（１１）、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）、第２の領域Ｋ３１（１２）、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）および第３の領域Ｋ３１（１３）がこの順で縞状に配置された領域Ｋ３１を有する（図１３（Ａ）参照）。

表示部Ｋ３０は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）に形成される第１の畳み目および第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）に形成される第２の畳み目で折り畳まれた状態および展開された状態にすることができる（図１３（Ａ）および図１３（Ｃ）参照）。

《演算装置》
演算装置Ｋ１０は、演算部および演算部に実行させるプログラムを記憶する記憶部を備える。また、画像情報Ｖを供給し且つ検知情報Ｓを供給される。

《筐体》
筐体は、筐体Ｋ０１（１）、ヒンジＫ０２（１）、筐体Ｋ０１（２）、ヒンジＫ０２（２）および筐体Ｋ０１（３）を含み、この順に配置される。

筐体Ｋ０１（３）は、演算装置Ｋ１０を収納する。また、筐体Ｋ０１（１）乃至筐体Ｋ０１（３）は、入出力装置Ｋ２０を保持し入出力装置Ｋ２０を折り畳まれた状態または展開された状態にすることができる（図１３（Ｂ）参照）。

本実施の形態では、３つの筐体と３つの筐体を接続する２つのヒンジを備える情報処理装置を例示する。これにより、入出力装置Ｋ２０はヒンジが配置された２か所で屈曲して折り畳むことができる。

なお、ｎ（ｎは２以上の自然数）個の筐体を（ｎ−１）個のヒンジを用いて接続することができる。これにより、入出力装置Ｋ２０を（ｎ−１）箇所で屈曲して折り畳むことができる。

筐体Ｋ０１（１）は、第１の領域Ｋ３１（１１）と重なる領域と、釦Ｋ４５（１）を備える。

筐体Ｋ０１（２）は、第２の領域Ｋ３１（１２）と重なる領域を備える。

筐体Ｋ０１（３）は、第３の領域Ｋ３１（１３）と重なる領域と、演算装置Ｋ１０、アンテナＫ１０ＡおよびバッテリーＫ１０Ｂを収納する領域と、を備える。

ヒンジＫ０２（１）は、第１の屈曲できる領域Ｋ３１（２１）と重なる領域を備える。また、筐体Ｋ０１（１）を筐体Ｋ０１（２）に回動可能に接続する。

ヒンジＫ０２（２）は、第２の屈曲できる領域Ｋ３１（２２）と重なる領域を備える。また、筐体Ｋ０１（２）を筐体Ｋ０１（３）に回動可能に接続する。

アンテナＫ１０Ａは、演算装置Ｋ１０と電気的に接続され、信号を供給または供給される。

また、アンテナＫ１０Ａは、外部に配置された装置から無線で電力を供給され、電力をバッテリーＫ１０Ｂに供給する。

バッテリーＫ１０Ｂは、電力を供給し、演算装置Ｋ１０は電力を供給される。

なお、筐体が折り畳まれた状態かまたは展開された状態かを検知し、筐体の状態を示す情報を供給する機能を備える折り畳みセンサを用いることができる。例えば、折り畳みセンサを筐体Ｋ０１（３）に配置して用いることができる。これにより、筐体Ｋ０１の状態を示す情報を演算装置Ｋ１０に供給することができる。

例えば、筐体Ｋ０１が折り畳まれた状態を示す情報を供給された演算装置Ｋ１０は、第１の領域Ｋ３１（１１）に表示する画像情報Ｖを供給する（図１３（Ｃ）参照）。

また、筐体Ｋ０１の状態が展開された状態を示す情報を供給された演算装置Ｋ１０は、表示部Ｋ３０の領域Ｋ３１に表示する画像情報Ｖを供給する（図１３（Ａ））。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、ＸとＹとが直接接続されている場合とが、本明細書等に開示されているものとする。したがって、所定の接続関係、例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関係以外のものも、図または文章に記載されているものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

ＸとＹとが直接的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に接続されていない場合であり、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）を介さずに、ＸとＹとが、接続されている場合である。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイオード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択して切り替える機能を有している。なお、ＸとＹとが電気的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合を含むものとする。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能である。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ｘから出力された信号がＹへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。なお、ＸとＹとが機能的に接続されている場合は、ＸとＹとが直接的に接続されている場合と、ＸとＹとが電気的に接続されている場合とを含むものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、ＸとＹとが電気的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続されている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とが、本明細書等に開示されているものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載されている場合は、単に、接続されている、とのみ明示的に記載されている場合と同様な内容が、本明細書等に開示されているものとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

または、別の表現方法として、例えば、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した、トランジスタのソース（又は第１の端子など）とトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）との間の経路であり、前記第１の接続経路は、Ｚ１を介した経路であり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有しておらず、前記第３の接続経路は、Ｚ２を介した経路である。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の接続経路によって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の接続経路は、第２の接続経路を有しておらず、前記第２の接続経路は、トランジスタを介した接続経路を有し、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の接続経路によって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の接続経路は、前記第２の接続経路を有していない。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第１の端子など）は、少なくとも第１の電気的パスによって、Ｚ１を介して、Ｘと電気的に接続され、前記第１の電気的パスは、第２の電気的パスを有しておらず、前記第２の電気的パスは、トランジスタのソース（又は第１の端子など）からトランジスタのドレイン（又は第２の端子など）への電気的パスであり、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）は、少なくとも第３の電気的パスによって、Ｚ２を介して、Ｙと電気的に接続され、前記第３の電気的パスは、第４の電気的パスを有しておらず、前記第４の電気的パスは、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）からトランジスタのソース（又は第１の端子など）への電気的パスである。」と表現することができる。これらの例と同様な表現方法を用いて、回路構成における接続経路について規定することにより、トランジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別して、技術的範囲を決定することができる。

なお、これらの表現方法は、一例であり、これらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、回路図上は独立している構成要素同士が電気的に接続しているように図示されている場合であっても、１つの構成要素が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合もある。例えば配線の一部が電極としても機能する場合は、一の導電膜が、配線の機能、及び電極の機能の両方の構成要素の機能を併せ持っている。したがって、本明細書における電気的に接続とは、このような、一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

１０Ｕ 検知ユニット
１０ＵＢ 検知ユニット
１１ 電極
１２ 電極
１３ 絶縁層
１４ 窓部
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
１７ 基材
１７ｐ 保護層
１９ 検知回路
１９Ｂ 検知回路
３０ 接合層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 支持体
４１ｂ 支持体
４２ 支持体
４２ｂ 支持体
４８ マスク
４９ 溶剤
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１００ 入力装置
１００Ｂ 入力装置
１０２ 基板
１０４ａ ゲート電極
１０６ 絶縁膜
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１２ 導電膜
１１２ａ 電極
１１２ｂ 電極
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ 絶縁膜
１２２ａ 導電膜
１２２ｂ 導電膜
１２２ｃ ゲート電極
１４２ａ 開口
１４２ｅ 開口
１５１ トランジスタ
５００ 入出力装置
５０１ 表示部
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｓ 信号線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５６７ｐ 反射防止層
５８０Ｒ 発光モジュール
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 起点
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｍ４ トランジスタ
Ｍ５ トランジスタ
Ｍ６ トランジスタ
Ｔ１ 期間
Ｔ２ 期間
Ｔ３ 期間
ＦＰＣ１ フレキシブルプリント基板
ＦＰＣ２ フレキシブルプリント基板
Ｃ１ 第１の検知素子
Ｃ２ 容量素子
ＰＤ 第２の検知素子
Ｇ１ 走査線
ＤＬ 信号線
ＰＣＬ 配線
ＯＵＴ 端子
ＶＰＯ 配線
ＢＲ 配線
ＣＳ 配線
ＥＸ 配線
ＲＥＳ 配線
ＶＲＥＳ 配線
ＶＰＩ 配線
Ｋ０１ 筐体
Ｋ０２ ヒンジ
Ｋ１０ 演算装置
Ｋ１０Ａ アンテナ
Ｋ１０Ｂ バッテリー
Ｋ２０ 入出力装置
Ｋ３０ 表示部
Ｋ３１ 領域
Ｋ４０ 入力装置
Ｋ４５ 釦
Ｋ１００ 情報処理装置

Claims (5)

1. マトリクス状に配設される複数の検知ユニットと、
   行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線と、
   列方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される信号線と、
   前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線が配設される基材と、を有し、
   前記検知ユニットは、可視光を透過する窓部、前記窓部に重なる第１の検知素子および前記窓部に重ならない第２の検知素子ならびに前記第１の検知素子および前記第２の検知素子と電気的に接続され且つ前記窓部に重ならない検知回路を備え、
   前記第１の検知素子は、絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
   前記第２の検知素子は、光電変換素子を備え、
   前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記第１の検知素子に寄生する容量の変化または前記第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給し、
   前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
   前記信号線は、前記検知信号を供給することができる、入力装置。
2. 前記検知回路が、
   ゲートが前記第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、
   制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、
   制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の端子が第１のトランジスタを導通状態にする電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、
   制御端子が露光制御信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１の検知素子の第１の電極と電気的に接続される第３のスイッチと、
   第１の電極が前記第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２の検知素子と、を備える請求項１に記載の入力装置。
3. 前記検知回路が、
   第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトランジスタと、
   制御端子が選択信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の端子が検知信号を供給することができる配線と電気的に接続される第１のスイッチと、
   制御端子がリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続され、第２の端子が第１のトランジスタを導通状態にする電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２のスイッチと、
   制御端子が露光制御信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される第３のスイッチと、
   制御端子がモード切り替え信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の端子が前記第１のトランジスタのゲートと電気的に接続される第４のスイッチと、
   第１の電極が前記第４のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１の検知素子と、
   第１の電極が前記第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第２の検知素子と、
   第１の電極が前記第３のスイッチの第２の端子と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される容量素子と、を備える請求項１に記載の入力装置。
4. 可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、
   行方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される走査線、
   列方向に配置される複数の前記検知ユニットが電気的に接続される信号線ならびに
   複数の前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線が配設される第１の基材を備える入力装置と、
   マトリクス状に配設され且つ前記窓部に重なる複数の画素および前記画素を支持する第２の基材を備える表示部と、を有し、
   検知ユニットは、前記窓部に重なる第１の検知素子および前記窓部に重ならない第２の検知素子ならびに前記第１の検知素子および前記第２の検知素子と電気的に接続され且つ前記窓部に重ならない検知回路を備え、
   前記第１の検知素子は、絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
   前記第２の検知素子は、光電変換素子を備え、
   前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記第１の検知素子に寄生する容量の変化または前記第２の検知素子を流れる電流に基づいて検知信号を供給し、
   前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
   前記信号線は、前記検知信号を供給することができる、入出力装置。
5. 前記検知ユニットおよび前記画素の間に、着色層を備える請求項４記載の入出力装置。

Images