JP2019067445A - 情報処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供する。【解決手段】可撓性を有する表示部および可撓性を有する位置情報入力部を含む可撓性を有する入出力装置と、折り曲げることができる部分を備え、当該折り曲げることができる部分に可撓性の部材で囲まれ且つ当該入出力装置を収納することができる領域を有する構成に想到した。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、情報処理装置に関する。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、
それらの駆動方法、または、それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

また、情報伝達手段に係る社会基盤が充実されている。これにより、多様で潤沢な情報を
職場や自宅だけでなく外出先でも情報処理装置を用いて取得、加工または発信できるよう
になっている。

このような背景において、携帯可能な情報処理装置が盛んに開発されている。

例えば、携帯可能な情報処理装置は持ち歩いて使用されることが多く、落下により思わぬ
力が情報処理装置およびそれに用いられる表示装置に加わることがある。破壊されにくい
表示装置の一例として、発光層を分離する構造体と第２の電極層との密着性が高められた
構成が知られている（特許文献１）。

特開２０１２−１９０７９４号公報

本発明の一態様は、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することを課
題の一とする。または、本発明の一態様は、新規な情報処理装置を提供することを課題の
一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、入出力情報を供給され画像情報および通信情報を供給する演算装置と
、画像情報および通信情報を供給され、入出力情報を供給する入出力装置と、入出力装置
を収納する領域を備える筐体と、を有する情報処理装置である。

そして、入出力装置は、画像情報を供給される表示部、位置情報を供給し且つ表示部に重
ねて配置される位置情報入力部および表示部および位置情報入力部は、可撓性を備える。

また、筐体は、可撓性の部材で囲まれ且つ表示部および位置情報入力部を収納することが
できる領域を備える。

上記本発明の一態様の情報処理装置は、可撓性を有する表示部および位置情報入力部を含
む入出力装置と、可撓性の部材で囲まれ且つ当該入出力装置を収納することができる領域
を含んで構成される。これにより、筐体の折り曲げることができる部分に収納された表示
部に情報を表示し、位置情報入力部を用いて位置情報を入力することができる。その結果
、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる。

また、本発明の一態様は、筐体が入出力装置と共に流動性を有する材料を領域に収納する
上記の情報処理装置である。

上記本発明の一態様の情報処理装置は、可撓性の部材で囲まれた領域に可撓性の入出力装
置および流動性を有する材料を含んで構成される。これにより、筐体が折り曲げられる際
に、表示部および／または位置情報入力部と筐体の間に生じる応力を分散することができ
る。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することができる
。

また、本発明の一態様は、入出力装置が、可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス
状に配設される複数の検知ユニット、行方向に配置される複数の検知ユニットと電気的に
接続する走査線、列方向に配置される複数の検知ユニットと電気的に接続する信号線なら
びに、検知ユニット、走査線および信号線を支持する可撓性の第１の基材を備える可撓性
の位置情報入力部と、窓部に重なり且つマトリクス状に配設される複数の画素および画素
を支持する可撓性の第２の基材を備える表示部と、を有する情報処理装置である。

そして、検知ユニットは、窓部に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続され
る検知回路１９を備える。

また、検知素子は、絶縁層、絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備える。

また、検知回路は、選択信号を供給され且つ検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を
供給する。

また、走査線は、選択信号を供給することができる。

また、信号線は、検知信号を供給することができる。

また、検知回路は、複数の窓部の間隙に重なるように配置される。

また、検知ユニットおよび窓部と重なる画素間に、着色層を備える上記の情報処理装置で
ある。

また、本発明の一態様は、検知回路が、ゲートが検知素子の第１の電極と電気的に接続さ
れ、第１の電極が接地電位を供給することができる配線と電気的に接続される第１のトラ
ンジスタを備える上記の情報処理装置である。

また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線と電気的に接続され、第１の電極
が第１のトランジスタの第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が検知信号を供給す
ることができる信号線と電気的に接続される第２のトランジスタを備える。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線と電気的に接続され、第１の電
極が検知素子の第１の電極と電気的に接続され、第２の電極が接地電位を供給することが
できる配線と電気的に接続される第３のトランジスタを備える。

本実施の形態で説明する情報処理装置は、可視光を透過する窓部を具備する検知ユニット
を複数備える可撓性の位置情報入力部と、窓部に重なる画素を複数備える可撓性の表示部
と、を有し、窓部と画素の間に着色層を含んで構成される。

これにより、情報処理装置は容量の変化に基づく検知信号およびそれを供給する検知ユニ
ットの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表
示すること、ならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規
な情報処理装置を提供することができる。

本明細書に添付した図面では、構成要素を機能ごとに分類し、互いに独立したブロックと
してブロック図を示しているが、実際の構成要素は機能ごとに完全に切り分けることが難
しく、一つの構成要素が複数の機能に係わることもあり得る。

本明細書においてトランジスタが有するソースとドレインは、トランジスタの極性及び各
端子に与えられる電位の高低によって、その呼び方が入れ替わる。一般的に、ｎチャネル
型トランジスタでは、低い電位が与えられる端子がソースと呼ばれ、高い電位が与えられ
る端子がドレインと呼ばれる。また、ｐチャネル型トランジスタでは、低い電位が与えら
れる端子がドレインと呼ばれ、高い電位が与えられる端子がソースと呼ばれる。本明細書
では、便宜上、ソースとドレインとが固定されているものと仮定して、トランジスタの接
続関係を説明する場合があるが、実際には上記電位の関係に従ってソースとドレインの呼
び方が入れ替わる。

本明細書においてトランジスタのソースとは、活性層として機能する半導体膜の一部であ
るソース領域、或いは上記半導体膜に接続されたソース電極を意味する。同様に、トラン
ジスタのドレインとは、上記半導体膜の一部であるドレイン領域、或いは上記半導体膜に
接続されたドレイン電極を意味する。また、ゲートはゲート電極を意味する。

本明細書においてトランジスタが直列に接続されている状態とは、例えば、第１のトラン
ジスタのソースまたはドレインの一方のみが、第２のトランジスタのソースまたはドレイ
ンの一方のみに接続されている状態を意味する。また、トランジスタが並列に接続されて
いる状態とは、第１のトランジスタのソースまたはドレインの一方が第２のトランジスタ
のソースまたはドレインの一方に接続され、第１のトランジスタのソースまたはドレイン
の他方が第２のトランジスタのソースまたはドレインの他方に接続されている状態を意味
する。

本明細書において接続とは、電気的な接続を意味しており、電流、電圧または電位が、供
給可能、或いは伝送可能な状態にすることができるような回路構成になっている場合に相
当する。従って、接続している回路構成とは、直接接続している状態を必ずしも指すわけ
ではなく、電流、電圧または電位が、供給可能、或いは伝送可能であるように、配線、抵
抗、ダイオード、トランジスタなどの回路素子を介して間接的に接続している回路構成も
、その範疇に含む。

本明細書において回路図上は独立している構成要素どうしが接続されている場合であって
も、実際には、例えば配線の一部が電極として機能する場合など、一の導電膜が、複数の
構成要素の機能を併せ持っている場合もある。本明細書において接続とは、このような、
一の導電膜が、複数の構成要素の機能を併せ持っている場合も、その範疇に含める。

また、本明細書中において、トランジスタの第１の電極または第２の電極の一方がソース
電極を、他方がドレイン電極を指す。

本発明の一態様によれば、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供できる
。または、本発明の一態様によれば、新規な情報処理装置を提供できる。なお、これらの
効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずし
も、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面
、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの
記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

実施の形態に係る情報処理装置の構成を説明するブロック図および投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する投影図。 実施の形態に係る入出力装置の構成を説明する断面図。 実施の形態に係る検知回路および変換器の構成および駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る検知回路および変換器の構成および駆動方法を説明する図。 実施の形態に係る検知回路に用いることができるトランジスタの構成を説明する図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る支持体に開口部を有する積層体の作製工程を説明する模式図。 実施の形態に係る加工部材の構成を説明する模式図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる入出力装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる入出力装置の構成を説明する図。 実施の形態に係る情報処理装置に用いることができる入出力装置の構成を説明する図。

本発明の一態様の情報処理装置は、可撓性を有する表示部および可撓性を有する位置情報
入力部を含む可撓性を有する入出力装置と、折り曲げることができる部分を備え、当該折
り曲げることができる部分に可撓性の部材で囲まれ且つ当該入出力装置を収納することが
できる領域を含んで構成される。

これにより、筐体の折り曲げることができる部分に収納された表示部に情報を表示し、位
置情報入力部を用いて位置情報を入力することができる。その結果、利便性または信頼性
に優れた新規な情報処理装置を提供できる。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において
、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、
その繰り返しの説明は省略する。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置の構成について、図１を参照しながら
説明する。

図１は、情報処理装置２５００の構成を説明する図である。

図１（Ａ）は情報処理装置２５００の構成を説明するブロック図である。

図１（Ｂ−１）は情報処理装置２５００の外観の右斜め上方からの投影図であり、図１（
Ｂ−２）は情報処理装置２５００の左斜め上方からの投影図である。

図１（Ｃ）は情報処理装置２５００と共に用いることができる外部機器２５１９ａの外観
の左斜め上方からの投影図である。

図１（Ｄ）は、に示す切断線Ｗ１−Ｗ２における筐体２５０２ａの内部の構成を説明する
断面図である。

＜情報処理装置の構成＞
本実施の形態で説明する情報処理装置２５００は、入出力情報を供給され画像情報および
通信情報を供給する演算装置２５１０と、画像情報および通信情報を供給され、入出力情
報を供給する入出力装置２５２０と、入出力装置２５２０を収納する領域を備える筐体２
５０１と、を有する（図１参照）。

そして、入出力装置２５２０は、画像情報を供給される表示部２５１３、位置情報を供給
し且つ表示部２５１３に重ねて配置される位置情報入力部２５１４ｔおよび通信情報を供
給され供給する通信部２５１６を備える。

表示部２５１３および位置情報入力部２５１４ｔは、可撓性を備える。

筐体２５０１は、可撓性の部材２５０２ａ（２）で囲まれ且つ表示部２５１３および位置
情報入力部２５１４ｔを収納することができる領域２５０３を備える。

本実施の形態で説明する情報処理装置２５００は、可撓性を有する表示部２５１３および
位置情報入力部２５１４ｔを含む入出力装置２５２０と、可撓性の部材で囲まれ且つ当該
入出力装置２５２０を収納することができる領域２５０３を含んで構成される。これによ
り、筐体の折り曲げることができる部分に収納された表示部に情報を表示し、位置情報入
力部を用いて位置情報を入力することができる。その結果、利便性または信頼性に優れた
新規な情報処理装置を提供することができる。

なお、情報処理装置２５００が供給する通信情報を供給し、外部機器２５１９ａまたは電
波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂ等は、通信情報を供給される。

また、外部機器２５１９ａまたは電波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂ等が供給する
通信情報を、情報処理装置２５００は供給される。

＜入出力装置＞
位置情報入力部２５１４ｔおよび表示部２５１３はいずれも可撓性を備え、位置情報入力
部２５１４ｔは、表示部２５１３に重なるように配置され、折り曲げ可能な入出力装置２
５２０（タッチパネルともいう）を構成する。なお、さまざまな構成のタッチパネルを入
出力装置２５２０に用いることができる。例えば静電容量方式のタッチセンサを適用でき
る。具体的には、表面型静電容量方式もしくは自己容量型または相互容量型の投影型静電
容量方式を用いることができる。なお、行方向に配設された電極と、列方向に配設された
電極とを、パッシブマトリクス方式で駆動をすることにより位置情報を取得してもよいが
、走査線および信号線に接続された検知器をマトリクス状に配設し、これをアクティブマ
トリクス方式で駆動してもよい。入出力装置２５２０に用いることができる構成の一例を
実施の形態２で詳細に説明する。

＜筐体＞
情報処理装置２５００は、第１の筐体２５０１と、第１の筐体２５０１と接続された第２
の筐体２５０２ａと、第１の筐体２５０１と接続され且つ第２の筐体２５０２ａと係止す
ることができる第３の筐体２５０２ｂと、を有する（図１（Ｂ−１）および図１（Ｂ−２
）参照）。なお、第２の筐体２５０２ａをベルト部、第３の筐体２５０２ｂをバックル部
ということもできる。

また、情報入力釦２５１４ｂまたは／および振動で情報を供給することができるバイブレ
ータ（図示せず）を備えていてもよい。

《第１の筐体》
第１の筐体２５０１は、演算装置２５１０等を収納する。

また、外部機器２５１９ａを支持することができる装着部を備えていてもよい。

《第２の筐体および第３の筐体》
第２の筐体２５０２は表示部２５１３および表示部２５１３に重なる位置情報入力部２５
１４ｔを収納する。

第２の筐体２５０２ａは可撓性を有し、第３の筐体２５０２ｂと係止することができる。
例えば、第３の筐体２５０２ｂと係止することができる穿孔を有していてもよい。これに
より、第２の筐体を手首または腕等に巻きつけて、脱落しないように情報処理装置２５０
０を固定することができる。第２の筐体２５０２ａは、１ｍｍ以上または好ましくは２ｍ
ｍ以上の厚さを備え、しなやかに屈曲できる構成が好ましい。

なお、可撓性を有する第２の筐体２５０２ａが屈曲する際に、表示部２５１３または／お
よび位置情報入力部２５１４ｔに過剰な応力が加わらないように、表示部２５１３または
／および位置情報入力部２５１４ｔが第２の筐体２５０２ａの内部で自由に摺動できる程
度の領域２５０３を設け、領域２５０３に表示部２５１３または／および位置情報入力部
２５１４ｔを収納してもよい（図１（Ｄ）参照）。

例えば、耐久性に優れる部材２５０２ａ（１）と、部材２５０２ａ（１）が支持する透光
性を有する部材２５０２ａ（２）とで、第２筐体２５０２ａを構成してもよい。

表示部２５１３または／および位置情報入力部２５１４ｔが部材２５０２ａ（２）に接触
する面積を小さくするために、突起物２５２０ｓを表示部２５１３または／および位置情
報入力部２５１４ｔもしくは部材２５０２ａ（２）に設けてもよい（図１（Ｄ）参照）。
また、突起物２５２０ｓは、領域２５０３の間隙が突起物２５２０ｓの高さより狭くなら
ないようにすることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、部材２５０２ａ（１）または
部材２５０２ａ（２）に用いることができる。

また、入出力装置２５２０と共に流動性を有する材料を領域２５０３に収納してもよい。

これにより、第２の筐体２５０２ａが折り曲げられる際に、表示部２５１３および／また
は位置情報入力部２５１４ｔと第２の筐体２５０２ａの間に生じる応力を分散することが
できる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な情報処理装置を提供することがで
きる。

例えば、液体、紛体または紛体を液体に分散した分散液等を、流動性を有する材料に用い
ることができる。

具体的には、流動パラフィン、シリコーンオイル、フッ素系不活性液体またはシリコーン
ゲル、酸化珪素粉等を用いることができる。

また、空気より大きい屈折率を有する材料が好ましい。表示部２５１３が表示に用いる光
を効率よく取り出せる。

＜外部機器＞
外部機器２５１９ａは、通信情報を供給または供給される（図１（Ａ）乃至図１（Ｃ））
。

例えば、複数の外部機器を用いてもよい。具体的には、音楽を再生し且つ再生中の音楽に
係る通信情報（例えば曲名等）を供給することができる音楽再生機と、電子メールを受信
し且つ電子メールに係る通信情報（例えば受信した旨の情報等）を供給することができる
携帯電話等を外部機器に用いることができる。

例えば、情報入力釦２５１４ｂが押下された情報処理装置２５００が、外部機器に通信情
報を要求する命令を供給してもよい。または、通信情報を供給された情報処理装置２５０
０が、通信情報を表示部に表示してもよい。

なお、第１の筐体２５０１に設けられた装着部に情報処理装置２５００から独立して動作
する機器を取り付けて、当該機器を身に付けるための補助具に情報処理装置２５００を用
いることができる。使用者は独立して動作する機器を好みに応じて選択し、取り付けて身
に付けることができる。

例えば、独立して動作する機器に時計等を用いることができる（図１（Ｃ）右側）。独立
して動作する時計が取り付けられた情報処理装置２５００は、時計用のバンドということ
ができる。

《電波による個体識別具ＲＦＩＤ》
電波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂは、通信情報を供給または供給される（図１（
Ａ））。

例えば、電波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂが供給する通信情報に基づいて、情報
処理装置２５００が操作を受けつける状態にするか否かを決定してもよい。

具体的には、所定の電波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂ等に近接した状態において
のみ、情報処理装置２５００が操作を受けつけるようにすることができる。これにより、
例えば所定の使用者の手首等に移植された電波による個体識別具ＲＦＩＤ２５１９ｂ等に
近接した状態においてのみ動作するようにすることもできる。その結果、情報処理装置２
５００の使用を許可されていない者による不正な操作を防止することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の構成について、図２および図３を参照
しながら説明する。

図２は本発明の一態様の入出力装置の構成を説明する投影図である。

図２（Ａ）は本発明の一態様の入出力装置５００の投影図であり、図２（Ｂ）は入出力装
置５００が備える検知ユニット１０Ｕの構成を説明する投影図である。

図３は本発明の一態様の入出力装置５００の構成を説明する断面図である。

図３（Ａ）は図２に示す本発明の一態様の入出力装置５００のＺ１−Ｚ２における断面図
である。

なお、入出力装置５００はタッチパネルということもできる。

＜入出力装置の構成例１．＞
本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備し且つマ
トリクス状に配設される複数の検知ユニット１０Ｕ、行方向（図中に矢印Ｒで示す）に配
置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気的に接続する走査線Ｇ１、列方向（図中に矢印
Ｃで示す）に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気的に接続する信号線ＤＬならび
に、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬを支持する可撓性の第１の基材１
６を備える可撓性の位置情報入力部１００と、窓部１４に重なり且つマトリクス状に配設
される複数の画素５０２および画素５０２を支持する可撓性の第２の基材５１０を備える
表示部５０１と、を有する（図２（Ａ）および図２（Ｂ）参照）。

検知ユニット１０Ｕは、窓部１４に重なる検知素子Ｃおよび検知素子Ｃと電気的に接続さ
れる検知回路１９を備える（図２（Ｂ）参照）。

検知素子Ｃは、絶縁層１３、絶縁層１３を挟持する第１の電極１１および第２の電極１２
を備える（図３（Ａ）参照）。

検知回路１９は、選択信号を供給され且つ検知素子Ｃの容量の変化に基づいて検知信号Ｄ
ＡＴＡを供給する。

走査線Ｇ１は、選択信号を供給することができ、信号線ＤＬは、検知信号ＤＡＴＡを供給
することができ、検知回路１９は、複数の窓部１４の間隙に重なるように配置される。

また、本実施の形態で説明する入出力装置５００は、検知ユニット１０Ｕおよび検知ユニ
ット１０Ｕの窓部１４と重なる画素５０２の間に、着色層を備える。

本実施の形態で説明する入出力装置５００は、可視光を透過する窓部１４を具備する検知
ユニット１０Ｕを複数備える可撓性の位置情報入力部１００と、窓部１４に重なる画素５
０２を複数備える可撓性の表示部５０１と、を有し、窓部１４と画素５０２の間に着色層
を含んで構成される。

これにより、入出力装置は容量の変化に基づく検知信号およびそれを供給する検知ユニッ
トの位置情報を供給すること、検知ユニットの位置情報と関連付けられた画像情報を表示
すること、ならびに曲げることができる。その結果、利便性または信頼性に優れた新規な
情報処理装置を提供することができる。

また、入出力装置５００は、位置情報入力部１００が供給する信号を供給されるフレキシ
ブル基板ＦＰＣ１または／および画像情報を含む信号を表示部５０１に供給するフレキシ
ブル基板ＦＰＣ２を備えていてもよい。

また、傷の発生を防いで入出力装置５００を保護する保護層１７ｐまたは／および入出力
装置５００が反射する外光の強度を弱める反射防止層５６７ｐを備えていてもよい。

また、入出力装置５００は、表示部５０１の操作線に選択信号を供給する走査線駆動回路
５０３ｇ、信号を供給する配線５１１およびフレキシブル基板ＦＰＣ２と電気的に接続さ
れる端子５１９を有する。

以下に、入出力装置５００を構成する個々の要素について説明する。なお、これらの構成
は明確に分離できず、一つの構成が他の構成を兼ねる場合や他の構成の一部を含む場合が
ある。

例えば、複数の窓部１４に重なる位置に着色層を備える位置情報入力部１００は、位置情
報入力部１００であるとともにカラーフィルタでもある。

また、例えば位置情報入力部１００が表示部５０１に重ねられた入出力装置５００は、位
置情報入力部１００であるとともに表示部５０１でもある。

《全体の構成》
入出力装置５００は、位置情報入力部１００と、表示部５０１と、を備える（図２（Ａ）
参照）。

なお、入出力装置５００を作製する方法は、実施の形態５乃至実施の形態７において詳細
に説明する。

《位置情報入力部１００》
位置情報入力部１００は複数の検知ユニット１０Ｕおよび検知ユニットを支持する可撓性
の基材１６を備える。例えば、マトリクス状に複数の検知ユニット１０Ｕを可撓性の基材
１６に配設する。

具体的には、横の寸法が７．６６８ｍｍ、縦の寸法が５．１１２ｍｍの検知ユニット１０
Ｕを、横の寸法が１１５．０２ｍｍ、縦の寸法が２０４．４８ｍｍの矩形の領域に、４０
行１５列のマトリクス状に配置することができる。

《窓部１４、着色層および遮光性の層ＢＭ》
窓部１４は可視光を透過する。

例えば、可視光を透過する材料または可視光を透過する程度に薄い材料を用いた基材１６
、第１の電極１１、可撓性を有する絶縁層１３、保護基材１７および第２の電極１２を、
可視光の透過を妨げないように重ねて配置して、窓部１４を構成すればよい。

例えば、可視光を透過しない材料に開口部を設けて用いてもよい。具体的には、矩形など
さまざまな形の開口部を１つまたは複数設けて用いてもよい。

窓部１４に重なる位置に所定の色の光を透過する着色層を備える。例えば、青色の光を透
過する着色層ＣＦＢ、緑色の光を透過する着色層ＣＦＧまたは赤色の光を透過する着色層
ＣＦＲを備える（図２（Ｂ）参照）。

なお、青色、緑色または／および赤色に加えて、白色の光を透過する着色層または黄色の
光を透過する着色層などさまざまな色の光を透過する着色層を備えることができる。

着色層に金属材料、顔料または染料等を用いることができる。

窓部１４を囲むように遮光性の層ＢＭを備える。遮光性の層ＢＭは窓部１４より光を透過
しにくい。

カーボンブラック、金属酸化物、複数の金属酸化物の固溶体を含む複合酸化物等を遮光性
の層ＢＭに用いることができる。

遮光性の層ＢＭと重なる位置に走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび
配線ＶＲＥＳならびに検知回路１９を備えることができる。

なお、着色層および遮光性の層ＢＭを覆う透光性のオーバーコート層を備えることができ
る。

《検知素子Ｃ》
検知素子Ｃは、第１の電極１１、第２の電極１２および第１の電極１１と第２の電極１２
の間に絶縁層１３を有する（図３（Ａ）参照）。

第１の電極１１は他の領域から分離されるように、例えば島状に形成される。特に、入出
力装置５００の使用者に第１の電極１１が識別されないように、第１の電極１１と同一の
工程で作製することができる層を第１の電極１１に近接して配置する構成が好ましい。よ
り好ましくは、第１の電極１１および第１の電極１１に近接して配置する層の間隙に配置
する窓部１４の数をできるだけ少なくするとよい。特に、当該間隙に窓部１４を配置しな
い構成が好ましい。

第１の電極１１と重なるように第２の電極１２を備え、第１の電極１１と第２の電極１２
の間に絶縁層１３を備える。

例えば、大気中に置かれた検知素子Ｃの第１の電極１１または第２の電極１２に、大気と
異なる誘電率を有するものが近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。具体的には、指な
どのものが検知素子Ｃに近づくと、検知素子Ｃの容量が変化する。これにより、近接検知
器に用いることができる。

例えば、変形することができる検知素子Ｃの容量は、変形に伴い変化する。

具体的には、指などのものが検知素子Ｃに触れることにより、第１の電極１１と第２の電
極１２の間隔が狭くなると、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、接触検知器に
用いることができる。

具体的には、検知素子Ｃを折り曲げることにより、第１の電極１１と第２の電極１２の間
隔が狭くなる。これにより、検知素子Ｃの容量は大きくなる。これにより、屈曲検知器に
用いることができる。

第１の電極１１および第２の電極１２は、導電性の材料を含む。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを第１の
電極１１および第２の電極１２に用いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上述した金属元素を成分とする合
金または上述した金属元素を組み合わせた合金などを用いることができる。

または、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリ
ウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。

または、グラフェンまたはグラファイトを用いることができる。グラフェンを含む膜は、
例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元
する方法としては、熱を加える方法や還元剤を用いる方法等を挙げることができる。

または、導電性高分子を用いることができる。

絶縁性の材料を絶縁層１３に用いることができる。例えば、無機材料、有機材料または無
機材料と有機材料の複合材料を用いることができる。具体的には、酸化珪素、窒化珪素、
酸化窒化珪素などの無機材料、樹脂等の有機材料などを用いることができる。

《検知回路１９》
検知回路１９は例えばトランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３を含む。また、検知回路１
９は電源電位および信号を供給する配線を含む。例えば、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線
ＣＳ、走査線Ｇ１、配線ＲＥＳ、配線ＶＲＥＳおよび信号線ＤＬなどを含む。なお、検知
回路１９の具体的な構成は実施の形態３で詳細に説明する。

なお、検知回路１９を窓部１４と重ならない領域に配置してもよい。例えば、窓部１４と
重ならない領域に配線を配置することにより、検知ユニット１０Ｕの一方の側から他方の
側にあるものを視認し易くできる。

例えば、同一の工程で形成することができるトランジスタをトランジスタＭ１乃至トラン
ジスタＭ３に用いることができる。

トランジスタＭ１は半導体層を有する。例えば、４族の元素、化合物半導体または酸化物
半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリコンを含む半導体、ガリウム
ヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体などを適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態４において
詳細に説明する。

導電性を有する材料を配線に適用できる。

例えば、無機導電性材料、有機導電性材料、金属または導電性セラミックスなどを配線に
用いることができる。具体的には、第１の電極１１および第２の電極１２に用いることが
できる材料と同一の材料を適用できる。

アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、
鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を走査線
Ｇ１、信号線ＤＬ、配線ＶＰＩ、配線ＲＥＳおよび配線ＶＲＥＳに用いることができる。

基材１６に形成した膜を加工して、基材１６に検知回路１９を形成してもよい。

または、他の基材に形成された検知回路１９を基材１６に転置してもよい。

《基材１６》
有機材料、無機材料または有機材料と無機材料の複合材料を可撓性の基材１６に用いるこ
とができる。

５μｍ以上２５００μｍ以下、好ましくは５μｍ以上６８０μｍ以下、より好ましくは５
μｍ以上１７０以下、より好ましくは５μｍ以上４５μｍ以下、より好ましくは８μｍ以
上２５μｍ以下の厚さを有する材料を、基材１６に用いることができる。

また、意図しない不純物の透過が抑制された材料を基材５１０に好適に用いることができ
る。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／
ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

また、線膨張率がおよそ等しい材料を基材１６に好適に用いることができる。例えば、線
膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ましくは１×
１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチックフィルム等の有機材料を、基材１６に用
いることができる。

例えば、金属板または厚さ１０μｍ以上５０μｍ以下の薄板状のガラス板等の無機材料を
、基材１６に用いることができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料の膜を、樹脂層を用いて樹脂フィルム
等に貼り合せて形成された複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料を樹脂または樹脂フィルム
に分散した複合材料を、基材１６に用いることができる。

例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を樹脂層に用いることができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を用いることができる。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラ
ス等を用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を用いることができ
る。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を適用できる。

具体的には、開口部が設けられたＳＵＳまたはアルミニウム等を用いることができる。

具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹脂などの
樹脂を用いることができる。

例えば、可撓性を有する基材１６ｂと、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜１６ａと
、基材１６ｂおよびバリア膜１６ａを貼り合わせる樹脂層１６ｃと、が積層された積層体
を基材１６に好適に用いることができる（図３（Ａ）参照）。

具体的には、６００ｎｍの酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜が積層され
た積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることができる。

具体的には、厚さ６００ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素膜、厚さ２０
０ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化
窒化珪素膜がこの順に積層された積層材料を含む膜を、バリア膜１６ａに用いることがで
きる。

ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはア
クリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を基材１６ｂに用いることができる
。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂を含む材料を樹脂層１６ｃに用いることができる。

《保護基材１７、保護層１７ｐ》
可撓性の保護基材１７または／および保護層１７ｐを備えることができる。可撓性の保護
基材１７または保護層１７ｐは傷の発生を防いで位置情報入力部１００を保護する。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若
しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルム、樹脂板または積層体等を保護基材１７に用いるこ
とができる。

例えば、ハードコート層またはセラミックコート層を保護層１７ｐに用いることができる
。具体的には、ＵＶ硬化樹脂または酸化アルミニウムを含む層を第２の電極に重なる位置
に形成してもよい。

《表示部５０１》
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素５０２を備える（図２（Ｂ）参照
）。

例えば、画素５０２は副画素５０２Ｂ、副画素５０２Ｇおよび副画素５０２Ｒを含み、そ
れぞれの副画素は表示素子と表示素子を駆動する画素回路を備える。

横の寸法が１１５．０２ｍｍ、縦の寸法が１９８．７２ｍｍの矩形の領域に、横の寸法が
３５．５μｍ、縦の寸法が１０６．５μｍの副画素を３つ備える画素を横方向に１０８０
個、縦方向に１９２０個の画素をマトリクス状に配置してもよい。なお、対角の長さが９
．２インチであり、画素の開口率を５６．０％にしてもよい。

なお、画素５０２の副画素５０２Ｂは着色層ＣＦＢと重なる位置に配置され、副画素５０
２Ｇは着色層ＣＦＧと重なる位置に配置され、副画素５０２Ｒは着色層ＣＦＲと重なる位
置に配置される。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式や電子粉流体方式やエレク
トロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッ
ター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表
示素子を表示素子に用いることができる。

また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、
直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型
液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反射電極とし
ての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部が、アルミ
ニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲ
ＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減す
ることができる。また、適用する表示素子に好適な構成を様々な画素回路から選択して用
いることができる。

また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。

《基材５１０》
可撓性を有する材料を基材５１０に用いることができる。例えば、基材１６に用いること
ができる材料を基材５１０に適用することができる。

例えば、可撓性を有する基材５１０ｂと、意図しない不純物の拡散を防ぐバリア膜５１０
ａと、基材５１０ｂおよびバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０ｃと、が積層さ
れた積層体を基材５１０に好適に用いることができる（図３（Ａ）参照）。

《封止材５６０》
封止材５６０は基材１６と基材５１０を貼り合わせる。封止材５６０は空気より大きい屈
折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学接合層
を兼ねる。

画素回路および発光素子（例えば発光素子５５０Ｒ）は基材５１０と基材１６の間にある
。

《画素の構成》
副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、発光素子５５０Ｒおよび発光素子５５０Ｒに電力を供給することがで
きるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５８０Ｒは発
光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層ＣＦＲ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合
物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に着色層ＣＦＲを有する。着色層は特定の
波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を呈する光
を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素を着色層が設けられて
いない窓部に重なるように配置して、着色層を透過しないで発光素子の発する光を射出さ
せてもよい。

また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、発光素子
５５０Ｒと着色層ＣＦＲに接する。

着色層ＣＦＲは発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子５５０Ｒが
発する光の一部は着色層ＣＦＲを透過して、図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８
０Ｒの外部に射出される。

着色層（例えば着色層ＣＦＲ）を囲むように遮光性の層ＢＭがある。

《画素回路の構成》
画素回路に含まれるトランジスタ５０２ｔを覆う絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１は
画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物
の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用することができる。これによ
り、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

絶縁膜５２１の上に下部電極が配置され、下部電極の端部に重なるように隔壁５２８が絶
縁膜５２１の上に配設される。

下部電極は、上部電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持して発光素子（例えば
発光素子５５０Ｒ）を構成する。画素回路は発光素子に電力を供給する。

また、隔壁５２８上に、基材１６と基材５１０の間隔を制御するスペーサを有する。

《走査線駆動回路の構成》
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。な
お、画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができるトランジスタを駆動回路
に用いることができる。

《変換器ＣＯＮＶ》
検知ユニット１０Ｕが供給する検知信号ＤＡＴＡを変換してＦＰＣ１に供給することがで
きるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる（図２（Ａ）および図３（
Ａ）参照）。

例えば、トランジスタＭ４を変換器ＣＯＮＶに用いることができる。

《他の構成》
表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフ
レキシブル基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブル基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていて
も良い。

表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々導電膜を配線に用
いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もし
くは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いても
よい。

＜表示部の変形例＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を図３（Ａ）および
図３（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を図３（Ａ）に図示する
トランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−
Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇ
ｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ
−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈ
ｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図３（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図３（Ｃ）に図
示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図３（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０
３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に用いることができる位置情報入力部の
構成および駆動方法について、図４および図５を参照しながら説明する。

図４は本発明の一態様の位置情報入力部１００の構成を説明する図であり、図５は本発明
の一態様の位置情報入力部１００Ｂの構成を説明する図である。

図４（Ａ）は本発明の一態様の位置情報入力部１００の構成を説明するブロック図である
。図４（Ｂ）は変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であり、図４（Ｃ）は検知ユニッ
ト１０Ｕの構成を説明する回路図である。図４（Ｄ−１）および図４（Ｄ−２）は検知ユ
ニット１０Ｕ駆動方法を説明するタイミングチャートである。

図５（Ａ）は本発明の一態様の位置情報入力部１００Ｂの構成を説明するブロック図であ
る。図５（Ｂ）は変換器ＣＯＮＶの構成を説明する回路図であり、図５（Ｃ）は検知ユニ
ット１０ＵＢの構成を説明する回路図である。図４（Ｄ）は位置情報入力部１００Ｂの駆
動方法を説明するタイミングチャートである。

＜位置情報入力部の構成例１．＞
本実施の形態で説明する位置情報入力部１００は、マトリクス状に配置される複数の検知
ユニット１０Ｕと、行方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される
走査線Ｇ１と、列方向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕが電気的に接続される信号
線ＤＬと、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される可撓性の基材
１６と、を有する（図４（Ａ）参照）。

例えば、複数の検知ユニット１０Ｕをｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数）のマトリ
クス状に配置することができる。

なお、検知ユニット１０Ｕは検知素子Ｃを備え、検知素子Ｃの第２の電極１２は配線ＣＳ
と電気的に接続されている。これにより、検知素子Ｃの第２の電極１２の電位を、配線Ｃ
Ｓが供給する制御信号を用いて制御することができる。

《検知回路１９》
本発明の一態様の検知回路１９は、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続
され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続さ
れる第１のトランジスタＭ１を備える（図４（Ｃ）参照）。

また、ゲートが選択信号を供給することができる走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の
電極が第１のトランジスタＭ１の第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が例えば検
知信号ＤＡＴＡを供給することができる信号線ＤＬと電気的に接続される第２のトランジ
スタＭ２を備える構成であってもよい。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第
１の電極が検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第２の電極が例えば第１の
トランジスタＭ１を導通状態にすることができる電位を供給することができる配線ＶＲＥ
Ｓと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。

検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極１１または第２の電極１２にものが近接するこ
と、もしくは第１の電極１１および第２の電極１２の間隔が変化することにより変化する
。これにより、検知ユニット１０Ｕは検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡ
を供給することができる。

また、検知ユニット１０Ｕは、検知素子Ｃの第２の電極１２の電位を制御することができ
る制御信号を供給することができる配線ＣＳを備える。

なお、検知素子Ｃの第１の電極１１、第１のトランジスタＭ１のゲートおよび第３のトラ
ンジスタの第１の電極が電気的に接続される結節部をノードＡという。

配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよ
び配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。

また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給す
ることができ、配線ＣＳは検知素子の第２の電極１２の電位を制御する制御信号を供給す
ることができる。

また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡ
ＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。

《変換器ＣＯＮＶ》
変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。検知信号ＤＡＴＡを変換して端子ＯＵＴに供給する
ことができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いることができる。例えば、変換器
ＣＯＮＶを検知回路１９と電気的に接続することにより、ソースフォロワ回路またはカレ
ントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。

具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を
構成できる（図４（Ｂ）参照）。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタ
Ｍ３と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４に用いてもよ
い。

また、トランジスタＭ１乃至トランジスタＭ３は半導体層を有する。例えば、４族の元素
、化合物半導体または酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的には、シリ
コンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体またはインジウムを含む酸化物半導体など
を適用できる。

なお、酸化物半導体を半導体層に適用したトランジスタの構成を、実施の形態４において
詳細に説明する。

＜検知回路１９の駆動方法＞
検知回路１９の駆動方法について説明する。
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする（
図４（Ｄ−１）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタは、ノードＡの電位を例えば第１のトランジスタＭ１を導通状態にすること
ができる電位にする（図４（Ｃ）参照）。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をゲートに
供給し、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジ
スタＭ２は、第１のトランジスタの第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（図４（
Ｄ−１）期間Ｔ２参照）。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、制御信号を検知素子Ｃの第２の電極に供給し、制御信号および
検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する
。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第２の電極１２
に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図
４（Ｄ−１）期間Ｔ２の後半を参照）。

例えば、検知素子Ｃが大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素
子Ｃの第２の電極１２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくな
る。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図４（Ｄ−２）実線参照）。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信号
を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす電流の変化を信号線Ｄ
Ｌに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換して供給する。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第２のトランジスタを非導通状態にする選択信号をゲートに供
給する。

以後、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）について、走査線ごとに第１のステップか
ら第５のステップを繰り返す。

＜位置情報入力部の構成例２．＞
本実施の形態で説明する位置情報入力部１００Ｂは、検知ユニット１０Ｕに換えて検知ユ
ニット１０ＵＢを備える点が図４を参照しながら説明する位置情報入力部１００とは異な
る。

検知ユニット１０ＵＢは、以下の点が検知ユニット１０Ｕと異なる。検知ユニット１０Ｕ
において配線ＣＳに電気的に接続される検知素子Ｃの第２の電極１２が、検知ユニット１
０ＵＢにおいて走査線Ｇ１に電気的に接続される点、検知ユニット１０Ｕにおいて第２の
トランジスタＭ２を介して信号線ＤＬと電気的に接続される検知回路１９Ｂの第１のトラ
ンジスタＭ１の第２の電極が、検知ユニット１０ＵＢにおいて第２のトランジスタＭ２を
介すことなく信号線ＤＬと電気的に接続される点が、検知ユニット１０Ｕとは異なる。こ
こでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記
の説明を援用する。

位置情報入力部１００Ｂは、マトリクス状に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢと、
行方向に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢが電気的に接続される走査線Ｇ１と、列
方向に配置される複数の検知ユニット１０ＵＢが電気的に接続される信号線ＤＬと、検知
ユニット１０ＵＢ、走査線Ｇ１および信号線ＤＬが配設される可撓性の基材１６と、を有
する（図５（Ａ）参照）。

例えば、複数の検知ユニット１０ＵＢをｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数）のマト
リクス状に配置することができる。

なお、検知ユニット１０ＵＢは検知素子Ｃを備え、検知素子Ｃの第２の電極１２は走査線
Ｇ１と電気的に接続されている。これにより、選択信号を用いて検知素子Ｃの第２の電極
１２の電位を、選択された一の走査線Ｇ１に電気的に接続される複数の検知ユニット１０
ＵＢごとに制御することができる。

また、信号線ＤＬと同一の工程を用いて形成することができる導電膜を用いて形成された
配線を走査線Ｇ１に用いることができる。

また、検知素子Ｃの第２の電極１２と同一の工程を用いて形成することができる導電膜を
用いて形成された配線を走査線Ｇ１に用いてもよい。例えば、行方向に隣接する検知ユニ
ット１１０ＵＢが備える検知素子Ｃの第２の電極１２を接続し、接続された第２の電極を
走査線Ｇ１に用いることができる。

《検知回路１９Ｂ》
本発明の一態様の検知回路１９Ｂは、ゲートが検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接
続され、第１の電極が例えば接地電位を供給することができる配線ＶＰＩと電気的に接続
される第１のトランジスタＭ１を備える（図５（Ｃ）参照）。

また、ゲートがリセット信号を供給することができる配線ＲＥＳと電気的に接続され、第
１の電極が検知素子Ｃの第１の電極１１と電気的に接続され、第２の電極が例えば第１の
トランジスタＭ１を導通状態にすることができる電位を供給することができる配線ＶＲＥ
Ｓと電気的に接続される第３のトランジスタＭ３を備える構成であってもよい。

検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極１１または第２の電極１２にものが近接するこ
と、もしくは第１の電極１１および第２の電極１２の間隔が変化することにより変化する
。これにより、検知ユニット１０Ｕは検知素子Ｃの容量の変化に基づく検知信号ＤＡＴＡ
を供給することができる。

また、検知素子Ｃの第１の電極１１、第１のトランジスタＭ１のゲートおよび第３のトラ
ンジスタの第１の電極が電気的に接続される結節部をノードＡという。

配線ＶＲＥＳおよび配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯおよ
び配線ＢＲは例えば高電源電位を供給することができる。

また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給す
ることができる。

また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡ
ＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。

＜検知回路１９Ｂの駆動方法＞
検知回路１９Ｂの駆動方法について説明する。
《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第１の電極の電位を所定の電位にする（
図５（Ｄ）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタは、ノードＡの電位を例えば第１のトランジスタＭ１を導通状態にすること
ができる電位にする（図５（Ｃ）参照）。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、選択信号を検知素子の第２の電極１２に供給し、選択信号およ
び検知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給す
る（図５（Ｄ）期間Ｔ２参照）。

具体的には、走査線Ｇ１（ｉ−１）に矩形の選択信号を供給させる。矩形の選択信号を第
２の電極１２に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を
上昇する。

例えば、検知素子が大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素子
Ｃの第２の電極１２に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる
。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信号
を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす電流の変化を信号線Ｄ
Ｌに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換し、端子ＯＵＴは
電圧の変化を供給する。

以後、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）について、走査線ごとに第１のステップか
ら第３のステップを繰り返す（図５（Ｄ）期間Ｔ２乃至期間Ｔ４参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の検知回路１９等に用いることのできるトランジスタ
の構成について、図６を用いて説明する。

図６（Ａ）乃至図６（Ｃ）に、トランジスタ１５１の上面図及び断面図を示す。図６（Ａ
）はトランジスタ１５１の上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間
の切断面の断面図に相当し、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）の一点鎖線Ｃ−Ｄ間の切断面の断
面図に相当する。なお、図６（Ａ）では、明瞭化のため、構成要素の一部を省略して図示
している。

なお、本実施の形態において、第１の電極はトランジスタのソース電極またはドレイン電
極の一方を、第２の電極は他方を指すものとする。

トランジスタ１５１は、基板１０２上に設けられるゲート電極１０４ａと、基板１０２及
びゲート電極１０４ａ上に形成される絶縁膜１０６及び絶縁膜１０７を含む第１の絶縁膜
１０８と、第１の絶縁膜１０８を介して、ゲート電極１０４ａと重なる酸化物半導体膜１
１０と、酸化物半導体膜１１０に接する第１の電極１１２ａ及び第２の電極１１２ｂとを
有する。

また、第１の絶縁膜１０８、酸化物半導体膜１１０、第１の電極１１２ａ及び第２の電極
１１２ｂ上に、絶縁膜１１４、１１６、１１８を含む第２の絶縁膜１２０と、第２の絶縁
膜１２０上に形成されるゲート電極１２２ｃとを有する。

ゲート電極１２２ｃは、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０に設けられる開口１
４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａと接続する。また、絶縁膜１１８上に画素電極とし
て機能する導電膜１２２ａが形成され、導電膜１２２ａは、第２の絶縁膜１２０に設けら
れる開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと接続する。

なお、第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１の第１のゲート絶縁膜として機能し、
第２の絶縁膜１２０は、トランジスタ１５１の第２のゲート絶縁膜として機能する。また
、導電膜１２２ａは、画素電極として機能する。

本実施の形態に示すトランジスタ１５１は、チャネル幅方向において、ゲート電極１０４
ａ及びゲート電極１２２ｃの間に、第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０を介して
酸化物半導体膜１１０が設けられている。また、ゲート電極１０４ａは図６（Ａ）に示す
ように、上面形状において、第１の絶縁膜１０８を介して酸化物半導体膜１１０の側面と
重なる。

第１の絶縁膜１０８及び第２の絶縁膜１２０には複数の開口を有する。代表的には、図６
（Ｂ）に示すように、第２の電極１１２ｂの一部が露出する開口１４２ａを有する。また
、図６（Ｃ）に示すように、開口１４２ｅを有する。

開口１４２ａにおいて、第２の電極１１２ｂと導電膜１２２ａが接続する。

また、開口１４２ｅにおいて、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃが接続する。

ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有し、且つゲート電極１０４ａ及びゲート
電極１２２ｃを同電位とすることで、キャリアが酸化物半導体膜１１０の広い範囲を流れ
る。これにより、トランジスタ１５１を移動するキャリアの量が増加する。

この結果、トランジスタ１５１のオン電流が大きくなる共に、電界効果移動度が高くなり
、代表的には電界効果移動度が１０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以上、さらには２０ｃｍ^２／Ｖ・ｓ以
上となる。なお、ここでの電界効果移動度は、酸化物半導体膜の物性値としての移動度の
近似値ではなく、トランジスタの飽和領域における電流駆動力の指標であり、見かけ上の
電界効果移動度である。

なお、トランジスタのチャネル長（Ｌ長ともいう。）を０．５μｍ以上６．５μｍ以下、
好ましくは１μｍより大きく６μｍ未満、より好ましくは１μｍより大きく４μｍ以下、
より好ましくは１μｍより大きく３．５μｍ以下、より好ましくは１μｍより大きく２．
５μｍ以下とすることで、電界効果移動度の増加が顕著である。また、チャネル長が０．
５μｍ以上６．５μｍ以下のように小さいことで、チャネル幅も小さくすることが可能で
ある。

また、ゲート電極１０４ａ及びゲート電極１２２ｃを有することで、それぞれが外部から
の電界を遮蔽する機能を有するため、基板１０２及びゲート電極１０４ａの間、ゲート電
極１２２ｃ上に設けられる荷電粒子等の電荷が、酸化物半導体膜１１０に影響しない。こ
の結果、ストレス試験（例えば、ゲート電極にマイナスの電位を印加する−ＧＢＴ（Ｇａ
ｔｅ Ｂｉａｓ−Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ）ストレス試験）の劣化が抑制されると共に、
異なるドレイン電圧におけるオン電流の立ち上がり電圧の変動を抑制することができる。

なお、ＢＴストレス試験は加速試験の一種であり、長期間の使用によって起こるトランジ
スタの特性変化（即ち、経年変化）を、短時間で評価することができる。特に、ＢＴスト
レス試験前後におけるトランジスタのしきい値電圧の変動量は、信頼性を調べるための重
要な指標となる。ＢＴストレス試験前後において、しきい値電圧の変動量が少ないほど、
信頼性が高いトランジスタであるといえる。

以下に、基板１０２およびトランジスタ１５１を構成する個々の要素について説明する。

《基板１０２》
基板１０２としては、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウム
ホウケイ酸ガラスなどのガラス材料を用いる。量産する上では、基板１０２は、第８世代
（２１６０ｍｍ×２４６０ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、または２４
５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のマザーガラ
スを用いることが好ましい。マザーガラスは、処理温度が高く、処理時間が長いと大幅に
収縮するため、マザーガラスを使用して量産を行う場合、作製工程の加熱処理は、好まし
くは６００℃以下、さらに好ましくは４５０℃以下、さらに好ましくは３５０℃以下とす
ることが望ましい。

《ゲート電極１０４ａ》
ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタ
ン、モリブデン、タングステンから選ばれた金属元素、または上述した金属元素を成分と
する合金か、上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いて形成することができる。ま
た、ゲート電極１０４ａに用いる材料は、単層構造でも、二層以上の積層構造としてもよ
い。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等がある。また、アルミニウムに、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロ
ム、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、も
しくは窒化膜を用いてもよい。また、ゲート電極１０４ａに用いる材料としては、例えば
、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《第１の絶縁膜１０８》
第１の絶縁膜１０８は、絶縁膜１０６と絶縁膜１０７の２層の積層構造を例示している。
なお、第１の絶縁膜１０８の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造または３層以上
の積層構造としてもよい。

絶縁膜１０６としては、例えば、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などを用いればよく、ＰＥ−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。また、絶
縁膜１０６を積層構造とした場合、第１の窒化シリコン膜として、欠陥が少ない窒化シリ
コン膜とし、第１の窒化シリコン膜上に、第２の窒化シリコン膜として、水素放出量及び
アンモニア放出量の少ない窒化シリコン膜を設けると好適である。この結果、絶縁膜１０
６に含まれる水素及び窒素が、後に形成される酸化物半導体膜１１０へ移動または拡散す
ることを抑制できる。

絶縁膜１０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜などを用いればよく、ＰＥ
−ＣＶＤ装置を用いて積層または単層で設ける。

また、第１の絶縁膜１０８としては、絶縁膜１０６として、例えば、厚さ４００ｎｍの窒
化シリコン膜を形成し、その後、絶縁膜１０７として、厚さ５０ｎｍの酸化窒化シリコン
膜を形成する積層構造を用いることができる。該窒化シリコン膜と、該酸化窒化シリコン
膜は、真空中で連続して形成すると不純物の混入が抑制され好ましい。なお、ゲート電極
１０４ａと重畳する位置の第１の絶縁膜１０８は、トランジスタ１５１のゲート絶縁膜と
して機能する。また、窒化酸化シリコンとは、窒素の含有量が酸素の含有量より大きい絶
縁材料であり、他方、酸化窒化シリコンとは、酸素の含有量が窒素の含有量より大きな絶
縁材料のことをいう。

《酸化物半導体膜１１０》
酸化物半導体膜１１０は、酸化物半導体を用いると好ましく、該酸化物半導体としては、
少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓ
ｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される膜を含む
ことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。また、該酸化物半導
体を用いたトランジスタの電気特性のばらつきを減らすため、それらと共に、スタビライ
ザーを含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。

酸化物半導体膜１１０を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−
Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用
いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。

酸化物半導体膜１１０の成膜方法は、スパッタリング法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ
Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、ＣＶＤ法、パルスレーザ堆積法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ
Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を適宜用いることができる。とくに、酸化物
半導体膜１１０を成膜する際、スパッタリング法を用いると緻密な膜が形成されるため、
好適である。

酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜を成膜する際、できる限り膜中に含まれる
水素濃度を低減させることが好ましい。水素濃度を低減させるには、例えば、スパッタリ
ング法を用いて成膜を行う場合には、成膜室内を高真空排気するのみならずスパッタガス
の高純度化も必要である。スパッタガスとして用いる酸素ガスやアルゴンガスは、露点が
−４０℃以下、好ましくは−８０℃以下、より好ましくは−１００℃以下、より好ましく
は−１２０℃以下にまで高純度化したガスを用いることで酸化物半導体膜に水分等が取り
込まれることを可能な限り防ぐことができる。

また、成膜室内の残留水分を除去するためには、吸着型の真空ポンプ、例えば、クライオ
ポンプ、イオンポンプ、チタンサブリメーションポンプを用いることが好ましい。また、
ターボ分子ポンプにコールドトラップを加えたものであってもよい。クライオポンプを用
いて排気した成膜室は、例えば、水素分子、水（Ｈ_２Ｏ）など水素原子を含む化合物（よ
り好ましくは炭素原子を含む化合物も）等の排気能力が高いため、当該成膜室で成膜した
膜中に含まれる不純物の濃度を低減できる。

また、酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜をスパッタリング法で成膜する場合
、成膜に用いる金属酸化物ターゲットの相対密度（充填率）は９０％以上１００％以下、
好ましくは９５％以上１００％以下とする。相対密度の高い金属酸化物ターゲットを用い
ることにより、成膜される膜を緻密な膜とすることができる。

なお、基板１０２を高温に保持した状態で酸化物半導体膜１１０として、酸化物半導体膜
を形成することも、酸化物半導体膜中に含まれうる不純物濃度を低減するのに有効である
。基板１０２を加熱する温度としては、１５０℃以上４５０℃以下とすればよく、好まし
くは基板温度が２００℃以上３５０℃以下とすればよい。

次に、第１の加熱処理を行うこがと好ましい。第１の加熱処理は、２５０℃以上６５０℃
以下、好ましくは３００℃以上５００℃以下の温度で、不活性ガス雰囲気、酸化性ガスを
１０ｐｐｍ以上含む雰囲気、または減圧状態で行えばよい。また、第１の加熱処理の雰囲
気は、不活性ガス雰囲気で加熱処理した後に、脱離した酸素を補うために酸化性ガスを１
０ｐｐｍ以上含む雰囲気で行ってもよい。第１の加熱処理によって、酸化物半導体膜１１
０に用いる酸化物半導体の結晶性を高め、さらに第１の絶縁膜１０８及び酸化物半導体膜
１１０から水素や水などの不純物を除去することができる。なお、酸化物半導体膜１１０
を島状に加工する前に第１の加熱工程を行ってもよい。

《第１の電極、第２の電極》
第１の電極１１２ａおよび第２の電極１１２ｂに用いることのできる導電膜１１２の材料
としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム
、モリブデン、銀、タンタル、またはタングステンからなる単体金属、またはこれを主成
分とする合金を単層構造または積層構造として用いることができる。とくに、アルミニウ
ム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステンの中から選択される一以
上の元素を含むと好ましい。例えば、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、
タングステン膜上にチタン膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−アルミニウム合金
膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜または窒化チタン膜と、そのチタン膜または窒
化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらにその上にチタン膜また
は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜または窒化モリブデン膜と、そのモリ
ブデン膜または窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜または銅膜を積層し、さらに
その上にモリブデン膜または窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化
インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、導電膜は
、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

《絶縁膜１１４、１１６》
第２の絶縁膜１２０は、絶縁膜１１４、１１６、１１８の３層の積層構造を例示している
。なお、第２の絶縁膜１２０の構造はこれに限定されず、例えば、単層構造、２層の積層
構造、または４層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１４、１１６としては、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体との界
面特性を向上させるため、酸素を含む無機絶縁材料を用いることができる。酸素を含む無
機絶縁材料としては、例えば酸化シリコン膜、または酸化窒化シリコン膜等が挙げられる
。また、絶縁膜１１４、１１６としては、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法を用いて形成すること
ができる。

絶縁膜１１４の厚さは、５ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、好ましくは５ｎｍ以上５０ｎｍ以下
、好ましくは１０ｎｍ以上３０ｎｍ以下とすることができる。絶縁膜１１６の厚さは、３
０ｎｍ以上５００ｎｍ以下、好ましくは１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とすることができ
る。

また、絶縁膜１１４、１１６は、同種の材料の絶縁膜を用いることができるため、絶縁膜
１１４と絶縁膜１１６の界面が明確に確認できない場合がある。したがって、本実施の形
態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の界面は、破線で図示している。なお、本実
施の形態においては、絶縁膜１１４と絶縁膜１１６の２層構造について、説明したが、こ
れに限定されず、例えば、絶縁膜１１４の単層構造、絶縁膜１１６の単層構造、または３
層以上の積層構造としてもよい。

絶縁膜１１８は、外部からの不純物、例えば、水、アルカリ金属、アルカリ土類金属等が
、酸化物半導体膜１１０へ拡散するのを防ぐ材料で形成される膜であり、更には水素を含
む。

絶縁膜１１８の一例としては、厚さ１５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下の窒化シリコン膜、窒
化酸化シリコン膜等を用いることができる。本実施の形態においては、絶縁膜１１８とし
て、厚さ１５０ｎｍの窒化シリコン膜を用いる。

また、上記窒化シリコン膜は、不純物等からのブロック性を高めるために、高温で成膜さ
れることが好ましく、例えば基板温度１００℃以上基板の歪み点以下、より好ましくは３
００℃以上４００℃以下の温度で加熱して成膜することが好ましい。また高温で成膜する
場合は、酸化物半導体膜１１０として用いる酸化物半導体から酸素が脱離し、キャリア濃
度が上昇する現象が発生することがあるため、このような現象が発生しない温度とする。

《導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃ》
導電膜１２２ａ、ゲート電極１２２ｃに用いることのできる導電膜としては、インジウム
を含む酸化物を用いればよい。例えば、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化
タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チ
タンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示す。）、インジ
ウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などの透光性を有する導電性
材料を用いることができる。また、導電膜１２２ａ、１２２ｂに用いることのできる導電
膜としては、例えば、スパッタリング法を用いて形成することができる。

なお、本実施の形態に示す構成及び方法などは、他の実施の形態に示す構成及び方法など
と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置５００の作製に用いることができる積層
体の作製方法について、図７を参照しながら説明する。

図７は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図７の左側に、加工部材および積
層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図７（Ｃ）を除いて右側に示す
。

＜積層体の作製方法＞
加工部材８０から積層体８１を作製する方法について、図７を参照しながら説明する。

加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥
離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一
方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を備える（図
７（Ａ−１）および図７（Ａ−２））。

なお、加工部材８０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《剥離の起点の形成》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備する。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を
有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を
用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を
剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成す
ることができる。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓがあらかじめ接合層３０の端部近傍に形成された加工部材８０を準備す
る（図７（Ｂ−１）および図７（Ｂ−２）参照）。

《第２のステップ》
加工部材８０の一方の表層８０ｂを剥離する。これにより、加工部材８０から第１の残部
８０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１
を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図７（Ｃ）参照）。これに
より、第１の被剥離層Ｆ３、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０および接
合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５を備える第１の残部８０ａを得る。

また、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きなが
ら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよ
い。

また、剥離層Ｆ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｆ２と被剥離層Ｆ３の界面に液体
を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透
させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができ
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｆ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させな
がらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｆ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｆ３に加わ
る剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の接着層３１を第１の残部８０ａに形成し、第１の接着層３１を用いて第１の残部８
０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる（図７（Ｄ−１）および図７（Ｄ−２）参照）。
これにより、第１の残部８０ａから、積層体８１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の
被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５
と、を備える積層体８１を得る（図７（Ｅ−１）および図７（Ｅ−２）参照）。

なお、様々な方法を、接合層３０を形成する方法に用いることができる。例えば、ディス
ペンサやスクリーン印刷法等を用いて接合層３０を形成する。接合層３０を接合層３０に
用いる材料に応じた方法を用いて硬化する。例えば接合層３０に光硬化型の接着剤を用い
る場合は、所定の波長の光を含む光を照射する。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置の作製に用いることができる積層体の作
製方法について、図８および図９を参照しながら説明する。

図８および図９は積層体を作製する工程を説明する模式図である。図８および図９の左側
に、加工部材および積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を、図８（Ｃ
）、図９（Ｂ）および図９（Ｃ）を除いて右側に示す。

＜積層体の作製方法＞
加工部材９０から積層体９２を作製する方法について、図８乃至図９を参照しながら説明
する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方
の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、基材Ｓ５に換えて、第２の基板Ｓ１、第２の基板Ｓ１上の第２の剥離層Ｓ２
、第２の剥離層Ｓ２と他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３を有し、第２の被剥離層Ｓ３
の一方の面が、接合層３０の他方の面に接する点が、異なる。

加工部材９０は、第１の基板Ｆ１と、第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥離層Ｆ２に一方の面
が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面が接する接合
層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥
離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの
順に配置される（図８（Ａ−１）および図８（Ａ−２）参照）。

なお、加工部材９０の構成の詳細は、実施の形態７で説明する。

《第１のステップ》
剥離の起点Ｆ３ｓが接合層３０の端部近傍に形成された加工部材９０を準備する（図８（
Ｂ−１）および図８（Ｂ−２）参照）。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を
有する。

例えば、第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレ
ーザ等を用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３
の一部を剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓ
を形成することができる。

《第２のステップ》
加工部材９０の一方の表層９０ｂを剥離する。これにより、加工部材９０から第１の残部
９０ａを得る。

具体的には、接合層３０の端部近傍に形成された剥離の起点Ｆ３ｓから、第１の基板Ｆ１
を第１の剥離層Ｆ２と共に第１の被剥離層Ｆ３から分離する（図８（Ｃ）参照）。これに
より、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接
合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他
方の面に一方の面が接する第２の剥離層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置され
る第１の残部９０ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きなが
ら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよ
い。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体
を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透
させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができ
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させな
がらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わ
る剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第３のステップ》
第１の残部９０ａに第１の接着層３１を形成し（図８（Ｄ−１）および図８（Ｄ−２）参
照）、第１の接着層３１を用いて第１の残部９０ａと第１の支持体４１を貼り合わせる。
これにより、第１の残部９０ａから、積層体９１を得る。

具体的には、第１の支持体４１と、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の
被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接す
る第２の被剥離層Ｓ３と、第２の被剥離層Ｓ３の他方の面に一方の面が接する第２の剥離
層Ｓ２と、第２の基板Ｓ１と、がこの順に配置された積層体９１を得る（図８（Ｅ−１）
および図８（Ｅ−２）参照）。

《第６のステップ》
積層体９１の第１の接着層３１の端部近傍にある第２の被剥離層Ｓ３の一部を、第２の基
板Ｓ１から分離して、第２の剥離の起点９１ｓを形成する。

例えば、第１の支持体４１および第１の接着層３１を、第１の支持体４１側から切削し、
且つ新たに形成された第１の接着層３１の端部に沿って第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２
の基板Ｓ１から分離する。

具体的には、剥離層Ｓ２上の第２の被剥離層Ｓ３が設けられた領域にある、第１の接着層
３１および第１の支持体４１を、鋭利な先端を備える刃物等を用いて切削し、且つ新たに
形成された第１の接着層３１の端部に沿って、第２の被剥離層Ｓ３の一部を第２の基板Ｓ
１から分離する（図９（Ａ−１）および図９（Ａ−２）参照）。

このステップにより、新たに形成された第１の支持体４１ｂおよび第１の接着層３１の端
部近傍に剥離の起点９１ｓが形成される。

《第７のステップ》
積層体９１から第２の残部９１ａを分離する。これにより、積層体９１から第２の残部９
１ａを得る。（図９（Ｃ）参照）。

具体的には、第１の接着層３１の端部近傍に形成された剥離の起点９１ｓから、第２の基
板Ｓ１を第２の剥離層Ｓ２と共に第２の被剥離層Ｓ３から分離する。これにより、第１の
支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３に一
方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接する第２の被剥離層
Ｓ３と、がこの順に配置される第２の残部９１ａを得る。

また、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面近傍にイオンを照射して、静電気を取り除きなが
ら剥離してもよい。具体的には、イオナイザーを用いて生成されたイオンを照射してもよ
い。

また、剥離層Ｓ２から被剥離層を剥離する際に、剥離層Ｓ２と被剥離層Ｓ３の界面に液体
を浸透させる。または液体をノズル９９から噴出させて吹き付けてもよい。例えば、浸透
させる液体または吹き付ける液体に水、極性溶媒等を用いることができる。

液体を浸透させることにより、剥離に伴い発生する静電気等の影響を抑制することができ
る。また、剥離層を溶かす液体を浸透しながら剥離してもよい。

特に、剥離層Ｓ２に酸化タングステンを含む膜を用いる場合、水を含む液体を浸透させな
がらまたは吹き付けながら第１の被剥離層Ｓ３を剥離すると、第１の被剥離層Ｓ３に加わ
る剥離に伴う応力を低減することができ好ましい。

《第９のステップ》
第２の残部９１ａに第２の接着層３２を形成する（図９（Ｄ−１）および図９（Ｄ−２）
参照）。

第２の接着層３２を用いて第２の残部９１ａと第２の支持体４２を貼り合わせる。このス
テップにより、第２の残部９１ａから、積層体９２を得る（図９（Ｅ−１）および図９（
Ｅ−２）参照）。

具体的には、第１の支持体４１ｂと、第１の接着層３１と、第１の被剥離層Ｆ３と、第１
の被剥離層Ｆ３に一方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面に一方の面が接
する第２の被剥離層Ｓ３と、第２の接着層３２と、第２の支持体４２と、をこの順に配置
される積層体９２は備える。

＜支持体に開口部を有する積層体の作製方法＞
開口部を支持体に有する積層体の作製方法について、図１０を参照しながら説明する。

図１０は、被剥離層の一部が露出する開口部を支持体に有する積層体の作製方法を説明す
る図である。図１０の左側に、積層体の構成を説明する断面図を示し、対応する上面図を
右側に示す。

図１０（Ａ−１）乃至図１０（Ｂ−２）は、第１の支持体４１ｂより小さい第２の支持体
４２ｂを用いて開口部を有する積層体９２ｃを作製する方法について説明する図である。

図１０（Ｃ−１）乃至図１０（Ｄ−２）は、第２の支持体４２に形成された開口部を有す
る積層体９２ｄを作製する方法について説明する図である。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例１》
上記の第９のステップにおいて、第２の支持体４２に換えて、第１の支持体４１ｂより小
さい第２の支持体４２ｂを用いる点が異なる他は、同様のステップを有する積層体の作製
方法である。これにより、第２の被剥離層Ｓ３の一部が露出した状態の積層体を作製する
ことができる（図１０（Ａ−１）および図１０（Ａ−２）参照）。

液状の接着剤を第２の接着層３２に用いることができる。または、流動性が抑制され且つ
あらかじめ枚葉状に成形された接着剤（シート状の接着剤ともいう）を用いることができ
る。シート状の接着剤を用いると、第２の支持体４２ｂより外側にはみ出す接着層３２の
量を少なくすることができる。また、接着層３２の厚さを容易に均一にすることができる
。

また、第２の被剥離層Ｓ３の露出した部分を切除して、第１の被剥離層Ｆ３が露出する状
態にしてもよい（図１０（Ｂ−１）および図１０（Ｂ−２）参照）。

具体的には、鋭利な先端を有する刃物等を用いて、露出した第２の被剥離層Ｓ３に傷を形
成する。次いで、例えば、傷の近傍に応力が集中するように粘着性を有するテープ等を露
出した第２の被剥離層Ｓ３の一部に貼付し、貼付されたテープ等と共に第２の被剥離層Ｓ
３の一部を剥離して、その一部を選択的に切除することができる。

また、接合層３０の第１の被剥離層Ｆ３に接着する力を抑制することができる層を、第１
の被剥離層Ｆ３の一部に選択的に形成してもよい。例えば、接合層３０と接着しにくい材
料を選択的に形成してもよい。具体的には、有機材料を島状に蒸着してもよい。これによ
り、接合層３０の一部を選択的に第２の被剥離層Ｓ３と共に容易に除去することができる
。その結果、第１の被剥離層Ｆ３を露出した状態にすることができる。

なお、例えば、第１の被剥離層Ｆ３が機能層と、機能層に電気的に接続された導電層Ｆ３
ｂと、を含む場合、導電層Ｆ３ｂを第２の積層体９２ｃの開口部に露出させることができ
る。これにより、例えば開口部に露出された導電層Ｆ３ｂを、信号が供給される端子に用
いることができる。

その結果、開口部に一部が露出した導電層Ｆ３ｂは、機能層が供給する信号を取り出すこ
とができる端子に用いることができる。または、機能層が供給される信号を外部の装置が
供給することができる端子に用いることができる。

《支持体に開口部を有する積層体の作製方法の例２》
第２の支持体４２に設ける開口部と重なるように設けられた開口部を有するマスク４８を
、積層体９２に形成する。次いで、マスク４８の開口部に溶剤４９を滴下する。これによ
り、溶剤４９を用いてマスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を膨潤または溶解
することができる（図１０（Ｃ−１）および図１０（Ｃ−２）参照）。

余剰の溶剤４９を除去した後に、マスク４８の開口部に露出した第２の支持体４２を擦る
等をして、応力を加える。これにより、マスク４８の開口部に重なる部分の第２の支持体
４２等を除去することができる。

また、接合層３０を膨潤または溶解する溶剤を用いれば、第１の被剥離層Ｆ３を露出した
状態にすることができる（図１０（Ｄ−１）および図１０（Ｄ−２）参照）。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置に加工することができる加工部材の構成
について、図１１を参照しながら説明する。

図１１は積層体に加工することができる加工部材の構成を説明する模式図である。

図１１（Ａ−１）は、積層体に加工することができる加工部材８０の構成を説明する断面
図であり、図１１（Ａ−２）は、対応する上面図である。

図１１（Ｂ−１）は、積層体に加工することができる加工部材９０の構成を説明する断面
図であり、図１１（Ｂ−２）は、対応する上面図である。

＜１．加工部材の構成例＞
加工部材８０は、第１の基板Ｆ１と、第１の基板Ｆ１上の第１の剥離層Ｆ２と、第１の剥
離層Ｆ２に一方の面が接する第１の被剥離層Ｆ３と、第１の被剥離層Ｆ３の他方の面に一
方の面が接する接合層３０と、接合層３０の他方の面が接する基材Ｓ５と、を有する図１
１（Ａ−１）および図１１（Ａ−２）。

なお、剥離の起点Ｆ３ｓが、接合層３０の端部近傍に設けられていてもよい。

《第１の基板》
第１の基板Ｆ１は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さ
および大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

有機材料、無機材料または有機材料と無機材料等の複合材料等を第１の基板Ｆ１に用いる
ことができる。

例えば、ガラス、セラミックス、金属等の無機材料を第１の基板Ｆ１に用いることができ
る。

具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラスまたはクリスタルガラス
等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等を、第１の基板Ｆ１
に用いることができる。例えば、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第
１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ＳＵＳまたはアルミニウム等を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等の有機材料を第１の基板Ｆ１に用いる
ことができる。

具体的には、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の樹脂フィルムまたは樹脂板を、第１の基板Ｆ１に用いること
ができる。

例えば、金属板、薄板状のガラス板または無機材料等の膜を樹脂フィルム等に貼り合わせ
た複合材料を第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の金属、ガラスもしくは無機材料等を樹脂フィルムに分散し
た複合材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

例えば、繊維状または粒子状の樹脂もしくは有機材料等を無機材料に分散した複合材料を
、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

また、単層の材料または複数の層が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に用いること
ができる。例えば、基材と基材に含まれる不純物の拡散を防ぐ絶縁層等が積層された積層
材料を、第１の基板Ｆ１に用いることができる。

具体的には、ガラスとガラスに含まれる不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコ
ン膜または酸化窒化シリコン膜等から選ばれた一または複数の膜が積層された積層材料を
、第１の基板Ｆ１に適用できる。

または、樹脂と樹脂を透過する不純物の拡散を防ぐ酸化シリコン膜、窒化シリコン膜また
は酸化窒化シリコン膜等が積層された積層材料を、第１の基板Ｆ１に適用できる。

《第１の剥離層》
第１の剥離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１と第１の被剥離層Ｆ３の間に設けられる。第１の剥
離層Ｆ２は、第１の基板Ｆ１から第１の被剥離層Ｆ３を分離できる境界がその近傍に形成
される層である。また、第１の剥離層Ｆ２は、その上に被剥離層が形成され、第１の被剥
離層Ｆ３の製造工程に耐えられる程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない
。

例えば無機材料または有機樹脂等を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバル
ト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム
、シリコンから選択された元素を含む金属、該元素を含む合金または該元素を含む化合物
等の無機材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

具体的には、ポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネー
ト若しくはアクリル樹脂等の有機材料を用いることができる。

例えば、単層の材料または複数の層が積層された材料を第１の剥離層Ｆ２に用いることが
できる。

具体的には、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層が積層された材料を
第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。

なお、タングステンの酸化物を含む層は、タングステンを含む層に他の層を積層する方法
を用いて形成することができる。具体的には、タングステンの酸化物を含む層を、タング
ステンを含む層に酸化シリコンまたは酸化窒化シリコン等を積層する方法により形成して
もよい。

また、タングステンの酸化物を含む層を、タングステンを含む層の表面を熱酸化処理、酸
素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理または酸化力の強い溶液（例えば、
オゾン水等）を用いる処理等により形成してもよい。

具体的には、ポリイミドを含む層を第１の剥離層Ｆ２に用いることができる。ポリイミド
を含む層は、第１の被剥離層Ｆ３を形成する際に要する様々な製造工程に耐えられる程度
の耐熱性を備える。

例えば、ポリイミドを含む層は、２００℃以上、好ましくは２５０℃以上、より好ましく
は３００℃以上、より好ましくは３５０℃以上の耐熱性を備える。

第１の基板Ｆ１に形成されたモノマーを含む膜を加熱し、縮合したポリイミドを含む膜を
用いることができる。

《第１の被剥離層》
第１の被剥離層Ｆ３は、第１の基板Ｆ１から分離することができ、製造工程に耐えられる
程度の耐熱性を備えるものであれば、特に限定されない。

第１の被剥離層Ｆ３を第１の基板から分離することができる境界は、第１の被剥離層Ｆ３
と第１の剥離層Ｆ２の間に形成されてもよく、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に
形成されてもよい。

第１の被剥離層Ｆ３と第１の剥離層Ｆ２の間に境界が形成される場合は、第１の剥離層Ｆ
２は積層体に含まれず、第１の剥離層Ｆ２と第１の基板Ｆ１の間に境界が形成される場合
は、第１の剥離層Ｆ２は積層体に含まれる。

無機材料、有機材料または単層の材料または複数の層が積層された積層材料等を第１の被
剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、金属酸化物膜、金属窒化物膜若しくは金属酸窒化物膜等の無機材料を、第１の被
剥離層Ｆ３に用いることができる。

具体的には、酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に
用いることができる。

例えば、樹脂、樹脂フィルムまたはプラスチック等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いること
ができる。

具体的には、ポリイミド膜等を、第１の被剥離層Ｆ３に用いることができる。

例えば、第１の剥離層Ｆ２と重なる機能層と、第１の剥離層Ｆ２と機能層の間に当該機能
層の機能を損なう不純物の意図しない拡散を防ぐことができる絶縁層と、が積層された構
造を有する材料を用いることができる。

具体的には、厚さ０．７ｍｍのガラス板を第１の基板Ｆ１に用い、第１の基板Ｆ１側から
順に厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜および３０ｎｍのタングステン膜が積層された積層
材料を第１の剥離層Ｆ２に用いる。そして、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６００ｎｍ
の酸化窒化珪素膜および厚さ２００ｎｍの窒化珪素が積層された積層材料を含む膜を第１
の被剥離層Ｆ３に用いることができる。なお、酸化窒化珪素膜は、酸素の組成が窒素の組
成より多く、窒化酸化珪素膜は窒素の組成が酸素の組成より多い。

具体的には、上記の第１の被剥離層Ｆ３に換えて、第１の剥離層Ｆ２側から順に厚さ６０
０ｎｍの酸化窒化珪素膜、厚さ２００ｎｍの窒化珪素、厚さ２００ｎｍの酸化窒化珪素膜
、厚さ１４０ｎｍの窒化酸化珪素膜および厚さ１００ｎｍの酸化窒化珪素膜を積層された
積層材料を含む膜を被剥離層に用いることができる。

具体的には、第１の剥離層Ｆ２側から順に、ポリイミド膜と、酸化シリコンまたは窒化シ
リコン等を含む層と、機能層と、が順に積層された積層材料を用いることができる。

《機能層》
機能層は第１の被剥離層Ｆ３に含まれる。

例えば、機能回路、機能素子、光学素子または機能膜等もしくはこれらから選ばれた複数
を含む層を、機能層に用いることができる。

具体的には、表示装置に用いることができる表示素子、表示素子を駆動する画素回路、画
素回路を駆動する駆動回路、カラーフィルタまたは防湿膜等もしくはこれらから選ばれた
複数を含む層を挙げることができる。

《接合層》
接合層３０は、第１の被剥離層Ｆ３と基材Ｓ５を接合するものであれば、特に限定されな
い。

無機材料、有機材料または無機材料と有機材料の複合材料等を接合層３０に用いることが
できる。

例えば、融点が４００℃以下好ましくは３００℃以下のガラス層または接着剤等を用いる
ことができる。

例えば、光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤または／および嫌気型接着
剤等の有機材料を接合層３０に用いることができる。

具体的には、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミ
ド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラ
ル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を含む接着剤を用いることができ
る。

《基材》
基材Ｓ５は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび
大きさを備えるものであれば、特に限定されない。

基材Ｓ５に用いることができる材料は、例えば、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いるこ
とができる。

《剥離の起点》
加工部材８０は剥離の起点Ｆ３ｓを接合層３０の端部近傍に有していてもよい。

剥離の起点Ｆ３ｓは、第１の被剥離層Ｆ３の一部が第１の基板Ｆ１から分離された構造を
有する。

第１の基板Ｆ１側から鋭利な先端で第１の被剥離層Ｆ３を刺突する方法またはレーザ等を
用いる方法（例えばレーザアブレーション法）等を用いて、第１の被剥離層Ｆ３の一部を
剥離層Ｆ２から部分的に剥離することができる。これにより、剥離の起点Ｆ３ｓを形成す
ることができる。

＜２．加工部材の構成例２＞
積層体にすることができる、上記とは異なる加工部材の構成について、図１１（Ｂ−１）
および図１１（Ｂ−２）を参照しながら説明する。

加工部材９０は、接合層３０の他方の面が、基材Ｓ５に換えて第２の被剥離層Ｓ３の一方
の面に接する点が加工部材８０と異なる。

具体的には、加工部材９０は、第１の剥離層Ｆ２および第１の剥離層Ｆ２に一方の面が接
する第１の被剥離層Ｆ３が形成された第１の基板Ｆ１と、第２の剥離層Ｓ２および第２の
剥離層Ｓ２に他方の面が接する第２の被剥離層Ｓ３が形成された第２の基板Ｓ１と、第１
の被剥離層Ｆ３の他方の面に一方の面を接し且つ第２の被剥離層Ｓ３の一方の面と他方の
面が接する接合層３０と、を有する。（図１１（Ｂ−１）および図１１（Ｂ−２）参照）
。

《第２の基板》
第２の基板Ｓ１は、第１の基板Ｆ１と同様のものを用いることができる。なお、第２の基
板Ｓ１を第１の基板Ｆ１と同一の構成とする必要はない。

《第２の剥離層》
第２の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と同様の構成を用いることができる。また、第２
の剥離層Ｓ２は、第１の剥離層Ｆ２と異なる構成を用いることもできる。

《第２の被剥離層》
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と同様の構成を用いることができる。また、
第２の被剥離層Ｓ３は、第１の被剥離層Ｆ３と異なる構成を用いることもできる。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が機能回路を備え、第２の被剥離層Ｓ３が当該機能回路
への不純物の拡散を防ぐ機能層を備える構成としてもよい。

具体的には、第１の被剥離層Ｆ３が第２の被剥離層に向けて光を射出する発光素子、当該
発光素子を駆動する画素回路、当該画素回路を駆動する駆動回路を備え、発光素子が射出
する光の一部を透過するカラーフィルタおよび発光素子への意図しない不純物の拡散を防
ぐ防湿膜を第２の被剥離層Ｓ３が備える構成としてもよい。なお、このような構成を有す
る加工部材は、可撓性を有する表示装置として用いることができる積層体にすることがで
きる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様の情報処理装置に用いることができる折り曲げ可能な
入出力装置の構成について、図１２及び図１３を参照しながら説明する。なお、本実施の
形態で説明する入出力装置はタッチパネルともいう。

図１２は本発明の一態様の入出力装置の代表的な構成要素を説明する斜視図である。図１
２（Ａ）は、入出力装置５００Ｂの斜視図であり、図１２（Ｂ）は、入出力装置５００Ｂ
の分離された状態の各構成の斜視図である。

図１３は、図１２（Ａ）に示す入出力装置５００ＢのＸ１−Ｘ２における断面図である。

入出力装置５００Ｂは、表示部５０１と位置情報入力部５９５を備える（図１２（Ｂ）参
照）。また、入出力装置５００Ｂは、基材５１０、基材５７０および基材５９０を有する
。なお、基材５１０、基材５７０および基材５９０はいずれも可撓性を有する。なお、本
実施の形態で説明する位置情報入力部５９５はタッチセンサともいう。

表示部５０１は、基材５１０、基材５１０上に複数の画素および当該画素に信号を供給す
ることができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基材５１０の外周部に
まで引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はフレキシブルプリ
ント基板ＦＰＣ２と電気的に接続する。

＜位置情報入力部＞
基材５９０には、位置情報入力部５９５と、位置情報入力部５９５と電気的に接続する複
数の配線５９８を備える。複数の配線５９８は基材５９０の外周部に引き回され、その一
部は端子を構成する。そして、当該端子はフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１と電気的に
接続される。なお、図１２（Ｂ）では明瞭化のため、基材５９０の裏面側（紙面奥側）に
設けられる位置情報入力部５９５の電極や配線等を実線で示している。

位置情報入力部５９５として、例えば静電容量方式の位置情報入力部を適用できる。静電
容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式の位置情報入力部を適用する場合について、図１２（Ｂ）
を用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用
することができる。

投影型静電容量方式の位置情報入力部５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極
５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８
の他のいずれかと電気的に接続する。

電極５９２は、図１２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の
四辺形が角部で接続された形状を有する。

電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置さ
れている。

配線５９４は、電極５９２を挟む二つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極
５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより
、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のムラを低減できる。その結果
、位置情報入力部５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。例えば
、複数の電極５９１をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁層を介して電極５９
２を、電極５９１と重ならない領域ができるように離間して複数設ける構成としてもよい
。このとき、隣接する２つの電極５９２の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電
極を設けると、透過率の異なる領域の面積を低減できるため好ましい。

位置情報入力部５９５の構成を、図１３を用いて説明する。

位置情報入力部５９５は、基材５９０、基材５９０上に千鳥状に配置された電極５９１及
び電極５９２、電極５９１及び電極５９２を覆う絶縁層５９３並びに隣り合う電極５９１
を電気的に接続する配線５９４を備える。

樹脂層５９７は、位置情報入力部５９５が表示部５０１に重なるように、基材５９０を基
材５７０に貼り合わせている。

電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有す
る導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、
酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお
、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成
された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては
、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基材５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１
及び電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シ
ロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムな
どの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５
９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、入出力装置の開口率を高まることがで
きるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２よ
り導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができ
る。

一の電極５９２は一方向に延在し、複数の電極５９２がストライプ状に設けられている。

配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。

一対の電極５９１が一の電極５９２を挟んで設けられ、配線５９４は一対の電極５９１を
電気的に接続している。

なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要は
なく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。

一の配線５９８は、電極５９１又は電極５９２と電気的に接続される。配線５９８の一部
は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、
ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジ
ウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、位置情報入力部５９５を保護
することができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とフレキシブルプリント基板ＦＰＣ１を電気的に接続
する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣ
ｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

樹脂層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いること
ができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹
脂などの樹脂を用いることができる。

＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機エレクトロルミネッセンス素子を表示素子に
適用する場合について説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機エレクトロルミ
ネッセンス素子を副画素毎に適用してもよい。

また、有機エレクトロルミネッセンス素子の他、電気泳動方式や電子粉流体方式やエレク
トロウェッティング方式などにより表示を行う表示素子（電子インクともいう）、シャッ
ター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、液晶素子など、様々な表
示素子を表示素子に用いることができる。また、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶
ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイなどにも適用できる。
なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電
極の一部、または、全部が、反射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、
画素電極の一部、または、全部が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。
さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である
。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。また、適用する表示素子に好
適な構成を様々な画素回路から選択して用いることができる。

また、表示部において、画素に能動素子を有するアクティブマトリクス方式、または、画
素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用いることが出来る。

アクティブマトリクス方式では、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）として、トラ
ンジスタだけでなく、さまざまな能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用いること
が出来る。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍｅｔａｌ）、又はＴＦ
Ｄ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能である。これらの素子は
、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。
または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上させることができ、
低消費電力化や高輝度化をはかることが出来る。

アクティブマトリクス方式以外のものとして、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）
を用いないパッシブマトリクス型を用いることも可能である。能動素子（アクティブ素子
、非線形素子）を用いないため、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留ま
りの向上を図ることができる。または、能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を用い
ないため、開口率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ること
が出来る。

可撓性を有する材料を基材５１０および基材５７０に好適に用いることができる。

意図しない不純物の透過が抑制された材料を基材５１０および基材５７０に好適に用いる
ことができる。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１
０^−６ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基材５１０および基材５７０に好適に用いることができる
。例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好
ましくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基材５１０は、可撓性を有する基材５１０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防
ぐバリア膜５１０ａおよび基材５１０ｂとバリア膜５１０ａを貼り合わせる樹脂層５１０
ｃが積層された積層体である。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂含む材料を樹脂層５１０ｃに用いることができる。

基材５７０は、可撓性を有する基材５７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防
ぐバリア膜５７０ａおよび基材５７０ｂとバリア膜５７０ａを貼り合わせる樹脂層５７０
ｃの積層体である。

封止材５６０は基材５７０と基材５１０を貼り合わせている。封止材５６０は空気より大
きい屈折率を備える。また、封止材５６０側に光を取り出す場合は、封止材５６０は光学
接合層を兼ねる。画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）は基材５１
０と基材５７０の間にある。

《画素の構成》
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール
５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合
物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層
は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を
呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発
光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。

また、封止材５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止材５６０は、第１の発
光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光
素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

《表示部の構成》
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、予期せぬ不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の
信頼性の低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する
。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。
また、基材５１０と基材５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

《走査線駆動回路の構成》
走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔおよび容量５０３ｃを含む。な
お、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基材上に形成することができる。

《他の構成》
表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号および同期信号等の信号を供給することができるフ
レキシブルプリント基板ＦＰＣ２が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、フレキシブルプリント基板ＦＰＣ２にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けら
れていても良い。

表示部５０１は、走査線、信号線および電源線等の配線を有する。様々導電膜を配線に用
いることができる。

具体的には、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タングステン
、ニッケル、イットリウム、ジルコニウム、銀またはマンガンから選ばれた金属元素、上
述した金属元素を成分とする合金または上述した金属元素を組み合わせた合金等を用いる
ことができる。とくに、アルミニウム、クロム、銅、タンタル、チタン、モリブデン、タ
ングステンの中から選択される一以上の元素を含むと好ましい。特に、銅とマンガンの合
金がウエットエッチング法を用いた微細加工に好適である。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にチタン
膜を積層する二層構造、窒化チタン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、窒化タン
タル膜または窒化タングステン膜上にタングステン膜を積層する二層構造、チタン膜と、
そのチタン膜上にアルミニウム膜を積層し、さらにその上にチタン膜を形成する三層構造
等を用いることができる。

具体的には、アルミニウム膜上にチタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム
、ネオジム、スカンジウムから選ばれた元素の膜、または複数組み合わせた合金膜、もし
くは窒化膜を積層する積層構造を用いることができる。

また、酸化インジウム、酸化錫または酸化亜鉛を含む透光性を有する導電材料を用いても
よい。

＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１３（Ａ）お
よび図１３（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１３（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、
Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される
膜を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。

スタビライザーとしては、ガリウム（Ｇａ）、スズ（Ｓｎ）、ハフニウム（Ｈｆ）、アル
ミニウム（Ａｌ）、またはジルコニウム（Ｚｒ）等がある。また、他のスタビライザーと
しては、ランタノイドである、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、プラセオジム（Ｐ
ｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、サマリウム（Ｓｍ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、ガドリニウム（
Ｇｄ）、テルビウム（Ｔｂ）、ジスプロシウム（Ｄｙ）、ホルミウム（Ｈｏ）、エルビウ
ム（Ｅｒ）、ツリウム（Ｔｍ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、ルテチウム（Ｌｕ）等がある
。

酸化物半導体膜を構成する酸化物半導体として、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−
Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇ
ｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ
−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−
Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈ
ｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇ
ａ系酸化物を用いることができる。

なお、ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する
酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ
以外の金属元素が入っていてもよい。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図１３（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用す
ることができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１３（Ｃ）に
図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図１３（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５
０３ｔに適用することができる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

（実施の形態９）
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離の起点の形成装置を用いて作製することができ
る折り曲げ可能な入出力装置の構成について、図１４を参照しながら説明する。

図１４は、入出力装置５００Ｃの構成を説明する断面図である。

本実施の形態で説明する入出力装置５００Ｃは、供給された画像情報をトランジスタが設
けられている側に表示する表示部５０１を備える点および位置情報入力部が表示部の基材
５１０側に設けられている点が、実施の形態８で説明する入出力装置５００Ｂとは異なる
。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、
上記の説明を援用する。

＜表示部＞
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。

《画素の構成》
画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒおよび第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給
することができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。

発光モジュール５８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒおよび光学素子（例えば着色層５６７
Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合
物を含む層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。着色層
は特定の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色または青色等を
呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。なお、他の副画素において、発
光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１４（Ａ
）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

《表示部の構成》
表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、例えば着色層５６７Ｒから拡散する予期せぬ不純物によ
るトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の低下を抑制できる。

＜位置情報入力部＞
位置情報入力部５９５は、表示部５０１の基材５１０側に設けられている（図１４（Ａ）
参照）。

樹脂層５９７は、基材５１０と基材５９０の間にあり、表示部５０１と位置情報入力部５
９５を貼り合わせる。

＜表示部の変形例１＞
様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。

ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１４（Ａ）お
よび図１４（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１４（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。また、
一対のゲート電極をトランジスタのチャネルが形成される領域を上下に挟むように設けて
もよい。これにより、トランジスタの特性の変動を抑制し、信頼性を高めることができる
。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１４（Ｂ）に図示するトランジスタ５０
２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１４（Ｃ）に
図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１４
（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔおよびトランジスタ５０３ｔに適用することがで
きる。

なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる
。

例えば、本明細書等において、ＸとＹとが接続されている、と明示的に記載する場合は、
ＸとＹとが電気的に接続されている場合と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合と、
ＸとＹとが直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、所定の接続関係、
例えば、図または文章に示された接続関係に限定されず、図または文章に示された接続関
係以外のものも含むものとする。

ここで、Ｘ、Ｙは、対象物（例えば、装置、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層
、など）であるとする。

ＸとＹとが電気的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの電気的な接続を可能
とする素子（例えば、スイッチ、トランジスタ、容量素子、インダクタ、抵抗素子、ダイ
オード、表示素子、発光素子、負荷など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが
可能である。なお、スイッチは、オンオフが制御される機能を有している。つまり、スイ
ッチは、導通状態（オン状態）、または、非導通状態（オフ状態）になり、電流を流すか
流さないかを制御する機能を有している。または、スイッチは、電流を流す経路を選択し
て切り替える機能を有している。

ＸとＹとが機能的に接続されている場合の一例としては、ＸとＹとの機能的な接続を可能
とする回路（例えば、論理回路（インバータ、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路など）、信号変
換回路（ＤＡ変換回路、ＡＤ変換回路、ガンマ補正回路など）、電位レベル変換回路（電
源回路（昇圧回路、降圧回路など）、信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）
、電圧源、電流源、切り替え回路、増幅回路（信号振幅または電流量などを大きく出来る
回路、オペアンプ、差動増幅回路、ソースフォロワ回路、バッファ回路など）、信号生成
回路、記憶回路、制御回路など）が、ＸとＹとの間に１個以上接続されることが可能であ
る。なお、一例として、ＸとＹとの間に別の回路を挟んでいても、Ａから出力された信号
がＢへ伝達される場合は、ＸとＹとは機能的に接続されているものとする。

なお、ＸとＹとが電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、ＸとＹとが電気
的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟んで接続さ
れている場合）と、ＸとＹとが機能的に接続されている場合（つまり、ＸとＹとの間に別
の回路を挟んで機能的に接続されている場合）と、ＸとＹとが直接接続されている場合（
つまり、ＸとＹとの間に別の素子又は別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含む
ものとする。つまり、電気的に接続されている、と明示的に記載する場合は、単に、接続
されている、とのみ明示的に記載されている場合と同じであるとする。

なお、例えば、トランジスタのソース（又は第１の端子など）が、Ｚ１を介して（又は介
さず）、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ
２を介して（又は介さず）、Ｙと電気的に接続されている場合や、トランジスタのソース
（又は第１の端子など）が、Ｚ１の一部と直接的に接続され、Ｚ１の別の一部がＸと直接
的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）が、Ｚ２の一部と直接的
に接続され、Ｚ２の別の一部がＹと直接的に接続されている場合では、以下のように表現
することが出来る。

例えば、「ＸとＹとトランジスタのソース（又は第１の端子など）とドレイン（又は第２
の端子など）とは、互いに電気的に接続されており、Ｘ、トランジスタのソース（又は第
１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙの順序で電気的に
接続されている。」と表現することができる。または、「トランジスタのソース（又は第
１の端子など）は、Ｘと電気的に接続され、トランジスタのドレイン（又は第２の端子な
ど）はＹと電気的に接続され、Ｘ、トランジスタのソース（又は第１の端子など）、トラ
ンジスタのドレイン（又は第２の端子など）、Ｙは、この順序で電気的に接続されている
」と表現することができる。または、「Ｘは、トランジスタのソース（又は第１の端子な
ど）とドレイン（又は第２の端子など）とを介して、Ｙと電気的に接続され、Ｘ、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）、トランジスタのドレイン（又は第２の端子など
）、Ｙは、この接続順序で設けられている」と表現することができる。これらの例と同様
な表現方法を用いて、回路構成における接続の順序について規定することにより、トラン
ジスタのソース（又は第１の端子など）と、ドレイン（又は第２の端子など）とを、区別
して、技術的範囲を決定することができる。なお、これらの表現方法は、一例であり、こ
れらの表現方法に限定されない。ここで、Ｘ、Ｙ、Ｚ１、Ｚ２は、対象物（例えば、装置
、素子、回路、配線、電極、端子、導電膜、層、など）であるとする。

なお、ある一つの実施の形態の中で述べる内容（一部の内容でもよい）は、その実施の形
態で述べる別の内容（一部の内容でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数の別の実施
の形態で述べる内容（一部の内容でもよい）に対して、適用、組み合わせ、又は置き換え
などを行うことが出来る。

なお、実施の形態の中で述べる内容とは、各々の実施の形態において、様々な図を用いて
述べる内容、又は明細書に記載される文章を用いて述べる内容のことである。

なお、ある一つの実施の形態において述べる図（一部でもよい）は、その図の別の部分、
その実施の形態において述べる別の図（一部でもよい）、及び／又は、一つ若しくは複数
の別の実施の形態において述べる図（一部でもよい）に対して、組み合わせることにより
、さらに多くの図を構成させることが出来る。

なお、明細書の中の図面や文章において規定されていない内容について、その内容を除く
ことを規定した発明の一態様を構成することが出来る。または、ある値について、上限値
と下限値などで示される数値範囲が記載されている場合、その範囲を任意に狭めることで
、または、その範囲の中の一点を除くことで、その範囲を一部除いた発明の一態様を規定
することができる。これらにより、例えば、従来技術が本発明の一態様の技術的範囲内に
入らないことを規定することができる。

具体例としては、ある回路において、第１乃至第５のトランジスタを用いている回路図が
記載されているとする。その場合、その回路が、第６のトランジスタを有していないこと
を発明として規定することが可能である。または、その回路が、容量素子を有していない
ことを規定することが可能である。さらに、その回路が、ある特定の接続構造をとってい
るような第６のトランジスタを有していない、と規定して発明を構成することができる。
または、その回路が、ある特定の接続構造をとっている容量素子を有していない、と規定
して発明を構成することができる。例えば、ゲートが第３のトランジスタのゲートと接続
されている第６のトランジスタを有していない、と発明を規定することが可能である。ま
たは、例えば、第１の電極が第３のトランジスタのゲートと接続されている容量素子を有
していない、と発明を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であ
ることが好適である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ
以上１Ｖ以下である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、
例えば、ある電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。なお、例えば、その電圧が、５Ｖ以上８Ｖ以下であると発明を規定することも
可能である。なお、例えば、その電圧が、概略９Ｖであると発明を規定することも可能で
ある。なお、例えば、その電圧が、３Ｖ以上１０Ｖ以下であるが、９Ｖである場合を除く
と発明を規定することも可能である。なお、ある値について、「このような範囲であるこ
とが好ましい」、「これらを満たすことが好適である」となどと記載されていたとしても
、ある値は、それらの記載に限定されない。つまり、「好ましい」、「好適である」など
と記載されていたとしても、必ずしも、それらの記載には、限定されない。

別の具体例としては、ある値について、例えば、「ある電圧が、１０Ｖであることが好適
である」と記載されているとする。その場合、例えば、ある電圧が、−２Ｖ以上１Ｖ以下
である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、ある
電圧が、１３Ｖ以上である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。

別の具体例としては、ある物質の性質について、例えば、「ある膜は、絶縁膜である」と
記載されているとする。その場合、例えば、その絶縁膜が、有機絶縁膜である場合を除く
、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、その絶縁膜が、無機絶
縁膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。または、例えば、
その膜が、導電膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可能である。また
は、例えば、その膜が、半導体膜である場合を除く、と発明の一態様を規定することが可
能である。

別の具体例としては、ある積層構造について、例えば、「Ａ膜とＢ膜との間に、ある膜が
設けられている」と記載されているとする。その場合、例えば、その膜が、４層以上の積
層膜である場合を除く、と発明を規定することが可能である。または、例えば、Ａ膜とそ
の膜との間に、導電膜が設けられている場合を除く、と発明を規定することが可能である
。

なお、本明細書等において記載されている発明の一態様は、さまざまな人が実施すること
が出来る。しかしながら、その実施は、複数の人にまたがって実施される場合がある。例
えば、送受信システムの場合において、Ａ社が送信機を製造および販売し、Ｂ社が受信機
を製造および販売する場合がある。別の例としては、トランジスタおよび発光素子を有す
る発光装置の場合において、トランジスタが形成された半導体装置は、Ａ社が製造および
販売する。そして、Ｂ社がその半導体装置を購入して、その半導体装置に発光素子を成膜
して、発光装置として完成させる、という場合がある。

このような場合、Ａ社またはＢ社のいずれに対しても、特許侵害を主張できるような発明
の一態様を、構成することが出来る。つまり、Ａ社のみが実施するような発明の一態様を
構成することが可能であり、別の発明の一態様として、Ｂ社のみが実施するような発明の
一態様を構成することが可能である。また、Ａ社またはＢ社に対して、特許侵害を主張で
きるような発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断する事が出
来る。例えば、送受信システムの場合において、送信機のみの場合の記載や、受信機のみ
の場合の記載が本明細書等になかったとしても、送信機のみで発明の一態様を構成するこ
とができ、受信機のみで別の発明の一態様を構成することができ、それらの発明の一態様
は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断することが出来る。別の例としては
、トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の場合において、トランジスタが形成さ
れた半導体装置のみの場合の記載や、発光素子を有する発光装置のみの場合の記載が本明
細書等になかったとしても、トランジスタが形成された半導体装置のみで発明の一態様を
構成することができ、発光素子を有する発光装置のみで発明の一態様を構成することがで
き、それらの発明の一態様は、明確であり、本明細書等に記載されていると判断すること
が出来る。

なお、本明細書等においては、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（
容量素子、抵抗素子など）などが有するすべての端子について、その接続先を特定しなく
ても、当業者であれば、発明の一態様を構成することは可能な場合がある。つまり、接続
先を特定しなくても、発明の一態様が明確であると言える。そして、接続先が特定された
内容が、本明細書等に記載されている場合、接続先を特定しない発明の一態様が、本明細
書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。特に、端子の接続先が複数の
ケース考えられる場合には、その端子の接続先を特定の箇所に限定する必要はない。した
がって、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、受動素子（容量素子、抵抗素子な
ど）などが有する一部の端子についてのみ、その接続先を特定することによって、発明の
一態様を構成することが可能な場合がある。

なお、本明細書等においては、ある回路について、少なくとも接続先を特定すれば、当業
者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。または、ある回路について、少な
くとも機能を特定すれば、当業者であれば、発明を特定することが可能な場合がある。つ
まり、機能を特定すれば、発明の一態様が明確であると言える。そして、機能が特定され
た発明の一態様が、本明細書等に記載されていると判断することが可能な場合がある。し
たがって、ある回路について、機能を特定しなくても、接続先を特定すれば、発明の一態
様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。または
、ある回路について、接続先を特定しなくても、機能を特定すれば、発明の一態様として
開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、その一部分を取り出して、発明の一態様を構成することは可能である。したがって、
ある部分を述べる図または文章が記載されている場合、その一部分の図または文章を取り
出した内容も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成する
ことが可能であるものとする。そして、その発明の一態様は明確であると言える。そのた
め、例えば、能動素子（トランジスタ、ダイオードなど）、配線、受動素子（容量素子、
抵抗素子など）、導電層、絶縁層、半導体層、有機材料、無機材料、部品、装置、動作方
法、製造方法などが単数もしくは複数記載された図面または文章において、その一部分を
取り出して、発明の一態様を構成することが可能であるものとする。例えば、Ｎ個（Ｎは
整数）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を有して構成される回路図から、Ｍ個（
Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の回路素子（トランジスタ、容量素子等）を抜き出して、発明の一
態様を構成することは可能である。別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の層を有して構成
される断面図から、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の層を抜き出して、発明の一態様を構成
することは可能である。さらに別の例としては、Ｎ個（Ｎは整数）の要素を有して構成さ
れるフローチャートから、Ｍ個（Ｍは整数で、Ｍ＜Ｎ）の要素を抜き出して、発明の一態
様を構成することは可能である。さらに別の例としては、「Ａは、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ、また
は、Ｆを有する」と記載されている文章から、一部の要素を任意に抜き出して、「Ａは、
ＢとＥとを有する」、「Ａは、ＥとＦとを有する」、「Ａは、ＣとＥとＦとを有する」、
または、「Ａは、ＢとＣとＤとＥとを有する」などの発明の一態様を構成することは可能
である。

なお、本明細書等においては、ある一つの実施の形態において述べる図または文章におい
て、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概念を導き出すことは
、当業者であれば容易に理解される。したがって、ある一つの実施の形態において述べる
図または文章において、少なくとも一つの具体例が記載される場合、その具体例の上位概
念も、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可
能である。そして、その発明の一態様は、明確であると言える。

なお、本明細書等においては、少なくとも図に記載した内容（図の中の一部でもよい）は
、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能で
ある。したがって、ある内容について、図に記載されていれば、文章を用いて述べていな
くても、その内容は、発明の一態様として開示されているものであり、発明の一態様を構
成することが可能である。同様に、図の一部を取り出した図についても、発明の一態様と
して開示されているものであり、発明の一態様を構成することが可能である。そして、そ
の発明の一態様は明確であると言える。

１０Ｕ 検知ユニット
１０ＵＢ 検知ユニット
１１ 電極
１２ 電極
１３ 絶縁層
１４ 窓部
１６ 基材
１６ａ バリア膜
１６ｂ 基材
１６ｃ 樹脂層
１７ 保護基材
１７ｐ 保護層
１９ 検知回路
１９Ｂ 検知回路
３０ 接合層
３１ 接着層
３２ 接着層
４１ 支持体
４１ｂ 支持体
４２ 支持体
４２ｂ 支持体
４８ マスク
４９ 溶剤
８０ 加工部材
８０ａ 残部
８０ｂ 表層
８１ 積層体
９０ 加工部材
９０ａ 残部
９０ｂ 表層
９１ 積層体
９１ａ 残部
９１ｓ 剥離の起点
９２ 積層体
９２ｃ 積層体
９２ｄ 積層体
９９ ノズル
１００ 位置情報入力部
１００Ｂ 位置情報入力部
１０２ 基板
１０４ａ ゲート電極
１０６ 絶縁膜
１０７ 絶縁膜
１０８ 絶縁膜
１１０ 酸化物半導体膜
１１０ＵＢ 検知ユニット
１１２ 導電膜
１１２ａ 電極
１１２ｂ 電極
１１４ 絶縁膜
１１６ 絶縁膜
１１８ 絶縁膜
１２０ 絶縁膜
１２２ａ 導電膜
１２２ｂ 導電膜
１２２ｃ ゲート電極
１４２ａ 開口
１４２ｅ 開口
１５１ トランジスタ
５００ 入出力装置
５００Ｂ 入出力装置
５００Ｃ 入出力装置
５０１ 表示部
５０２ 画素
５０２Ｂ 副画素
５０２Ｇ 副画素
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５１０ 基材
５１０ａ バリア膜
５１０ｂ 基材
５１０ｃ 樹脂層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止材
５６７ｐ 反射防止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基材
５７０ａ バリア膜
５７０ｂ 基材
５７０ｃ 樹脂層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基材
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ 位置情報入力部
５９７ 樹脂層
５９８ 配線
５９９ 接続層
２５００ 情報処理装置
２５０１ 筐体
２５０２ 筐体
２５０２ａ（１） 部材
２５０２ａ（２） 部材
２５０２ａ 筐体
２５０２ｂ 筐体
２５０３ 領域
２５１０ 演算装置
２５１３ 表示部
２５１４ｂ 情報入力釦
２５１４ｔ 位置情報入力部
２５１６ 通信部
２５１９ａ 外部機器
２５１９ｂ 個体識別具ＲＦＩＤ
２５２０ 入出力装置
２５２０ｓ 突起物
ＦＰＣ１ フレキシブル基板
ＦＰＣ２ フレキシブル基板
Ｃ 検知素子
ＣＯＮＶ 変換器
Ｍ１ トランジスタ
Ｍ２ トランジスタ
Ｍ３ トランジスタ
Ｍ４ トランジスタ
ＯＵＴ 端子
ＶＰＯ 配線
ＢＲ 配線
Ｇ１ 走査線
ＣＳ 配線
ＤＬ 信号線
ＲＥＳ 配線
ＶＲＥＳ 配線
ＶＰＩ 配線
Ｔ１ 期間
Ｔ２ 期間
Ｔ４ 期間
Ｆ１ 基板
Ｆ２ 剥離層
Ｆ３ 被剥離層
Ｆ３ｂ 導電層
Ｆ３ｓ 剥離の起点
Ｓ１ 基板
Ｓ２ 剥離層
Ｓ３ 被剥離層
Ｓ５ 基材

Claims (1)

1. 入出力情報を供給され画像情報および通信情報を供給する演算装置と、
   前記画像情報および前記通信情報を供給され、前記入出力情報を供給する入出力装置と、
   前記入出力装置を収納する領域を備える筐体と、を有し、
   前記入出力装置は、
   前記画像情報を供給される表示部、
   前記位置情報を供給し且つ前記表示部に重ねて配置される位置情報入力部、
   可視光を透過する窓部を具備し且つマトリクス状に配設される複数の検知ユニット、
   行方向に配置される複数の前記検知ユニットと電気的に接続する走査線、
   列方向に配置される複数の前記検知ユニットと電気的に接続する信号線、
   前記検知ユニット、前記走査線および前記信号線を支持する可撓性の第１の基材を備え、
   前記表示部および前記位置情報入力部は、可撓性を備え、
   前記窓部に重なり且つマトリクス状に配設される複数の画素および前記画素を支持する可撓性の第２の基材を備える表示部と、を有し、
   前記検知ユニットは、前記窓部に重なる検知素子および前記検知素子と電気的に接続される検知回路を備え、
   前記検知素子は、絶縁層、前記絶縁層を挟持する第１の電極および第２の電極を備え、
   前記検知回路は、選択信号を供給され且つ前記検知素子の容量の変化に基づいて検知信号を供給し、
   前記走査線は、前記選択信号を供給することができ、
   前記信号線は、前記検知信号を供給することができ、
   前記検知回路は、複数の前記窓部の間隙に重なるように配置され、
   前記検知ユニットおよび前記窓部と重なる前記画素間に、着色層を備え
   前記筐体は、可撓性の部材で囲まれ且つ前記表示部および位置情報入力部を収納することができる領域を備える情報処理装置。

Images