JP6942167B2 - 電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン
、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に
、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、照明装置、蓄電装置、それらの
駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明の一態様は、表示装置、電
子機器、又はそれらの作製方法に関する。特に、本発明の一態様は、エレクトロルミネッ
センス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した
表示装置、電子機器、又はそれらの作製方法に関する。

近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。例え
ば、携帯機器用途等の表示装置では、小型であること、薄型であること、軽量であること
等が求められている。一方で、表示装置は大きな画面である（表示領域が広い）ことが望
まれ、表示装置における表示領域以外の面積の縮小化（いわゆる狭額縁化）も求められて
いる。

また、ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、
入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴
を有し、表示装置への応用が検討されている。

例えば、特許文献１に、折りたたみ自在に連結されたフロントパネルと本体それぞれの内
側に、ディスプレイを有する携帯用通信装置が開示されている。フロントパネルと本体を
広げたとき、各ディスプレイの一辺が互いに接触するように構成することにより、ディス
プレイの大画面化と、装置自体の小型化及び軽量化を両立させた携帯用通信装置としてい
る。

特開２０００−１８４０２６号公報

しかし、各ディスプレイは、表示領域を囲むように非表示領域を有するため、特許文献１
の構成では、２つのディスプレイのつなぎ目とその近傍に非表示領域が存在する。該非表
示領域が広ければ広いほど、複数のディスプレイを用いて表示された一つの画像は、視認
者にとって分離したように視認されてしまう（表示が分離感を有するともいう）。

したがって、本発明の一態様は、表示の分離感が抑制された表示装置又は電子機器を提供
することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、小型である表示装置又は電子機
器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量である表示装置又
は電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、狭額縁である
表示装置又は電子機器を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、破
損しにくい表示装置又は電子機器を提供することを目的の一とする。また、本発明の一態
様は、消費電力が低減された表示装置又は電子機器を提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、新規な表示装置又は電子機器を提供することを目的の一とする
。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの課題の全てを解決する必要はない。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、可撓性を有する表示部を有する。表示部は、屈曲部を有する。屈曲部
は、表示部の中心以外の領域に位置する。表示部は、複数の屈曲部を有していてもよい。
複数の屈曲部を有する場合、屈曲部の少なくとも一は、表示部の中心以外の領域に位置す
る。

また、本発明の一態様は、可撓性を有する表示部と、透光性を有する領域を有する。表示
部は、屈曲部を有する。表示部を屈曲したとき、透光性を有する領域を介して、表示部の
一部が外部から視認できる。透光性を有する領域は、開口部を有する、または、透光性を
有する部材を有する構成であればよく、他の機能を有していてもよい。例えば、タッチパ
ネル、キーボード等の機能を有していてもよい。

また、本発明の一態様は、筐体と、可撓性を有する表示部と、巻き取り部とを有する。表
示部は、巻き取り部に接続されており、巻き取り部は、表示部の一部を巻き取り収納する
機能を有する。

また、本発明の一態様は、可撓性を有する表示部を有する。表示部は、第１の領域と第２
の領域とを有する。第１の領域を外部から視認できないように収納したときであっても、
第２の領域は外部から視認できる。そのため第２の領域をサブディスプレイとして使用す
ることが可能である。

上記構成において、表示部の第１の領域を外部から視認できないように収納する方法は、
第１の領域を巻き取る方法であってもよいし、折りたたむ方法であってもよい。また、筐
体の内側に収納する方法であってもよい。

また、上記各構成において、表示部の第２の領域は、サブディスプレイとしての機能以外
に他の機能を有していてもよい。例えば、タッチパネル、キーボード等の機能を有してい
てもよい。

また、上記各構成において、第２の領域は、透光性を有する部材によって、表面が露出し
ないように保護されていてもよい。

表示部は可撓性を有していればよく、例えば、エレクトロルミネッセンス素子を有するこ
とができる。また、トランジスタを有して構成されていてもよい。トランジスタはシリコ
ンを用いたトランジスタであってもよく、酸化物半導体を用いたトランジスタであっても
よい。酸化物半導体としては、インジウム、ガリウム、亜鉛のいずれか一を含む酸化物等
を用いることができる。

本発明の一態様では、表示の分離感が抑制された表示装置又は電子機器を提供できる。ま
たは、本発明の一態様では、小型である表示装置又は電子機器を提供できる。または、本
発明の一態様では、軽量である表示装置又は電子機器を提供できる。または、本発明の一
態様では、狭額縁である表示装置又は電子機器を提供できる。または、本発明の一態様で
は、破損しにくい表示装置又は電子機器を提供できる。または、本発明の一態様では、消
費電力が低減された表示装置または電子機器を提供できる。または、本発明の一態様では
、新規な表示装置または電子機器を提供できる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 表示装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様が適用された電子機器について図１および図２を用い
て説明する。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム
、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音
響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

これらの電子機器は、以下に示す表示部の他に、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ
、マイクなどを備えていてもよい。また、表示部にタッチパネルやセンサを設けることに
より、表示部に触れるまたは指をかざすことで情報を入力することができる。また、操作
ボタンの操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部に表示される画像の種類、音量
などを切り替えることも可能である。

本実施の形態の電子機器は、可撓性の高い表示部を有する。本実施の形態の電子機器は、
可撓性の高い表示部を曲げることで、折りたたむことができる。本実施の形態の電子機器
は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域
により表示の一覧性に優れる。

また、本実施の形態の電子機器を使用しない際に、表示部の表示面が内側になるように曲
げることで、表示面にキズや汚れがつくことを抑制できる。

以下では、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域とを有する、折りたたみが可能な電子機
器を例に挙げて説明する。可撓性の高い領域は折り曲げることが可能であり、屈曲が可能
な部分（以下、屈曲部ともいう）である。

本実施の形態の電子機器において、可撓性の高い領域は内曲げ、外曲げのいずれでも折り
曲げることができる。

なお、本明細書中では、表示部の表示面が内側になるように曲げる場合を「内曲げ」、表
示部の表示面が外側になるように曲げる場合を「外曲げ」と記す。また、電子機器や表示
装置における表示面とは、使用者が表示部を視認する面を指す。

図１（Ａ）および図２（Ａ）は、表示部を展開したときの、電子機器の平面図であり、図
１（Ｂ）は、表示部を折りたたんだときの電子機器の平面図である。図１（Ｃ）は、図１
（Ｂ）に示す表示部を折りたたんだときの電子機器を矢印の方向から見た側面図の一例で
ある。図２（Ｂ）および図２（Ｃ）は、図２（Ａ）に示す電子機器を矢印の方向から見た
ときの側面図の例であり、図２（Ｄ）は、図２（Ａ）における一点鎖線Ａ−Ｂ間の断面図
の一例である。

図１（Ａ）に示す電子機器は、可撓性の高い領域Ｅ１、可撓性の低い領域Ｅ２、及び可撓
性の低い領域Ｅ３を有し、可撓性の高い領域と可撓性の低い領域はそれぞれ帯状（縞状）
に設けられている。本実施の形態では、複数の可撓性の高い領域や複数の可撓性の低い領
域が互いに平行である例を示すが、各領域は平行に配置されていなくてもよい。

図１に示す電子機器において、可撓性の高い領域Ｅ１は、表示部の中心以外の領域に位置
する。つまり、可撓性の低い領域Ｅ２の幅は可撓性の低い領域Ｅ３の幅より小さい（Ｅ３
＞Ｅ２）。また、図１に示す構成に限定されることはなく、可撓性の低い領域Ｅ２の幅が
可撓性の低い領域Ｅ３の幅より大きい（Ｅ２＞Ｅ３）構成としてもよい。

図１に示す電子機器において、表示部の可撓性の高い領域Ｅ１に含まれる部分は、屈曲部
として機能することができる。図１（Ａ）に示す電子機器を可撓性の高い領域Ｅ１で折り
曲げた場合、図１（Ｂ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ３に位置する表示部の一部が
可撓性の低い領域Ｅ２と重なるが、他の一部は可撓性の低い領域Ｅ２と重ならず、露出す
る。つまり、折りたたんだ状態において、表示部の一部は外部から視認できず、他の一部
は視認することができる。したがって、折りたたんだ状態であっても、視認できる表示部
の一部をサブディスプレイとして使用することができる。サブディスプレイには時計表示
や、メールや電話などの着信表示などの表示をさせる機能を設けることができる。

表示部の一部を、サブディスプレイとして用いることにより、別途サブディスプレイを設
ける必要がなくなる。よって、作製工程の簡略化、コスト削減を実現することができる。

また、表示部の一部をサブディスプレイとして用いることにより、一部の情報を得るため
に、表示域全面を使用する必要がなくなる。従って、表示部全面を用いた場合に比べ、表
示部の消費電力を低減することができる。すなわち、折りたたまれ、使用者にとって見え
ない表示領域を非表示状態とすることで、電子機器の消費電力を抑制できる。

メインディスプレイと、サブディスプレイとを、独立して有する表示装置の場合、作製工
程の簡略化やコストの削減の観点から、サブディスプレイは、メインディスプレイに比べ
て精細度が低いことが多い。一方、本発明の一態様では、メインディスプレイの一部をサ
ブディスプレイとして用いることができる。したがって、サブディスプレイを使用する際
にも、メインディスプレイと同等の精細度で表示を見ることができる。

したがって、本発明の一態様において、表示部には、高精細な表示装置を用いると好まし
い。本発明の一態様を適用することにより、この高精細な表示装置によって構成される主
表示領域の一部を、サブディスプレイとして用いることができる。作製工程やコストを増
やすことなく、高精細なサブディスプレイを得ることができる。

本実施の形態の電子機器は、可撓性を有する表示部を有する。表示部は可撓性を有してい
ればよく、種々の表示装置を用いることができる。表示装置は、例えば、ＥＬ素子（有機
物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ、赤
色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するトラン
ジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングライト
バルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ
・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ
）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、干渉変調（ＩＭＯＤ）素子、シャッタ
ー方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェッティング
素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子などの少な
くとも一つを有している。これらの他にも電気的または磁気的作用により、コントラスト
、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。電子放出素子を用
いた表示装置の例として、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ方
式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏ
ｎ−ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などが挙げられる。また、液晶素子を用いた表示
装置の例として、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレ
イ、反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）など
が挙げられる。また、電子インク、電子的に動作する粉流体、又は電気泳動素子を用いた
表示装置の一例である、電子ペーパーなどが挙げられる。なお、半透過型液晶ディスプレ
イや反射型液晶ディスプレイを実現する場合には、画素電極の一部、または、全部が、反
射電極としての機能を有するようにすればよい。例えば、画素電極の一部、または、全部
が、アルミニウム、銀、などを有するようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の
下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設けることも可能である。これにより、さらに、消費電
力を低減することができる。

なかでも有機ＥＬ素子を用いた表示装置は、高い可撓性及び耐衝撃性を有し、薄型軽量化
を図ることができるため、好ましい。有機ＥＬ素子を用いた表示装置を表示部に用いるこ
とにより、例えば、曲率半径１ｍｍ以上１００ｍｍ以下で折り曲げることができるため、
内曲げや外曲げにより、１回以上折りたたむ電子機器に好適に用いることができる。

本実施の形態において、電子機器における可撓性の高い領域Ｅ１は、少なくとも可撓性を
有する表示装置を有していればよい。図１においては、可撓性の高い領域Ｅ１は、表示装
置１１を有する。また、表示装置１１は、図２（Ｄ）に示すように、表示領域１１ａと、
非表示領域１１ｂを有していてもよい。表示装置１１として、例えば有機ＥＬ素子を用い
た表示装置を用いると、高い可撓性及び耐衝撃性に加え、薄型軽量化が図れるため、好ま
しい。

電子機器における可撓性の低い領域Ｅ２およびＥ３は、少なくとも、可撓性を有する表示
装置と、該表示装置よりも可撓性の低い支持体とを重ねて有している。

図１および図２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）に示す電子機器は、支持体１５ａおよび支持体１
５ｂを有する。支持体１５ａ、１５ｂは、表示装置１１に比べて可撓性が低い。支持体１
５ａおよび１５ｂは互いに離間している。

支持体は、表示装置の表示面側又は表示面と反対側の少なくとも一方に設けられていれば
よいが、図１および図２に示すように、表示装置１１の表示面側に支持体１５ａを、表示
面と反対側に支持体１５ｂを有すると、一対の支持体によって表示装置を挟持できるため
、可撓性の低い領域の機械的強度を高め、電子機器がより破損しにくくなり好ましい。

また、支持体１５ａ、１５ｂに替えて、図２（Ｃ）に示す支持体１５を用いて、支持体１
５の間に表示装置１１を配置してもよい。

表示装置１１の表示面側、および表示面と反対側のどちらか一方にのみ支持体を有すると
、電子機器を薄型化又は軽量化することができ好ましい。例えば、支持体１５ａを用いず
、支持体１５ｂのみを有する電子機器としてもよい。

可撓性の高い領域Ｅ１、可撓性の低い領域Ｅ２およびＥ３は、表示装置と、支持体よりも
可撓性の高い保護層と、を重ねて有することが好ましい。これにより、電子機器の可撓性
の高い領域Ｅ１が、可撓性を有し、かつ機械的強度の高い領域となり、電子機器をより破
損しにくくすることができる。可撓性の高い領域においても、電子機器が外力等による変
形で壊れにくい構成にすることができる。

図１において、表示装置１１は、保護層１３によって、表示面と反対側の面が保護されて
いる。

表示装置１１、支持体１５ａおよび１５ｂ、並びに保護層１３のそれぞれの厚さは、例え
ば、支持体が最も厚く、表示装置が最も薄い構成が好ましい。また、表示装置１１、支持
体１５ａ、保護層１３のそれぞれの可撓性は、例えば、支持体１５ａおよび１５ｂの可撓
性が最も低く、表示装置１１の可撓性が最も高い構成が好ましい。このような構成とする
ことで、可撓性の高い領域Ｅ１と、可撓性の低い領域Ｅ２およびＥ３の可撓性の差が大き
くなり、確実に可撓性の高い領域で折り曲げができる構成とすることができる。これによ
って、可撓性の低い領域Ｅ２またはＥ３で曲げが生じることを抑制でき、電子機器の信頼
性を高めることができる。また、折りたたんだ状態での電子機器のデザイン性の低下を抑
制できる。

表示装置１１の表示面側及び表示面と反対側の双方に保護層を有すると、一対の保護層に
よって表示装置を挟持できるため、電子機器の機械的強度を高め、電子機器がより破損し
にくくなり好ましい。

例えば、図２（Ｂ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ２およびＥ３では、一対の保護層
１３ａ、１３ｂが一対の支持体１５ａ、１５ｂの間に位置し、表示装置１１が一対の保護
層１３ａ、１３ｂの間に位置することが好ましい。

または、図２（Ｃ）に示すように、可撓性の低い領域Ｅ２およびＥ３では、一対の保護層
１３ａ、１３ｂが支持体１５の間に位置し、表示装置１１が一対の保護層１３ａ、１３ｂ
の間に位置することが好ましい。

表示装置の表示面側、および表示面と反対側のいずれか一方にのみ保護層を有すると、電
子機器をより薄型又はより軽量にすることができ好ましい。例えば、保護層１３ａを用い
ず、保護層１３ｂのみを有する電子機器としてもよい。

また、表示装置の表示面側の保護層１３ａが遮光膜であると、表示装置の非表示領域に外
光が照射されることを抑制できる。これにより、非表示領域に含まれる駆動回路が有する
トランジスタ等の光劣化を抑制でき、好ましい。

図２（Ｄ）に示すように、表示装置１１の表示面側に設けられた保護層１３ａの開口部は
表示装置の表示領域１１ａと重なる。また、表示領域１１ａを枠状に囲う非表示領域１１
ｂと保護層１３ａとが、重なるように設けられている。表示装置１１の表示面と反対側に
設けられた保護層１３ｂは、表示領域１１ａ及び非表示領域１１ｂと重なっている。保護
層１３ｂは、表示装置１１の表示面と反対側の面に接するように、保護層１３ａより広い
範囲で、特に好ましくは表示装置１１の表示面と反対側の面全体に接するように設けるこ
とで、表示装置をより確実に保護することができ、電子機器の信頼性を高めることができ
る。

保護層や支持体は、プラスチック、金属、合金、ゴム等を用いて形成できる。プラスチッ
クやゴム等を用いることで、軽量であり、破損しにくい保護層や支持体を得られるため、
好ましい。例えば、保護層としてシリコーンゴム、支持体としてステンレスやアルミニウ
ムを用いればよい。

また、保護層や支持体に、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃
性に優れ、破損しにくい電子機器を実現できる。例えば、有機樹脂や、厚さの薄い金属材
料や合金材料を用いることで、軽量であり、破損しにくい電子機器を実現できる。なお、
同様の理由により、表示装置を構成する基板にも靱性が高い材料を用いることが好ましい
。

表示面側に位置する保護層や支持体は、表示装置の表示領域を重ならない場合には、透光
性を問わない。表示面側に位置する保護層や支持体が、少なくとも一部の表示領域と重な
る場合は、表示装置からの表示を透過する材料を用いることが好ましい。表示装置の表示
面と反対側に位置する保護層や支持体の透光性は問わない。

保護層、支持体、表示装置のいずれか２つを接着する場合には、各種接着剤を用いること
ができ、例えば、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱
硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。また、シート状の接着剤を用いてもよい
。また、保護層、支持体、表示装置のいずれか２つ以上を貫通するネジや、挟持するピン
、クリップ等を用いて、電子機器の各構成を固定してもよい。

本実施の形態の電子機器は、可撓性の高い領域が折り曲げられているか否かを判断するた
めのセンサを有していてもよい。例えばスイッチ、ＭＥＭＳ圧力センサまたは感圧センサ
等を用いて構成することができる。

なお、保護層１３は、複数の箇所に設けられていてもよい。一例として、図１８（Ａ）に
、２つの保護層１３が設けられている場合の例を示す。この場合、図１８（Ｂ）に示すよ
うな折り曲げ方によって、表示装置１１が見えるようにすることができる。また、図１８
（Ｃ）に示す折り曲げ方によって、表示装置１１を隠すようにすることができる。これに
より、表示装置１１を保護することが出来る。このように、折り曲げる場所を変えること
により、複数の機能を実現することができる。

また、保護層や支持体で、表示装置が完全に固定されていると、電子機器を曲げる際に、
表示装置が引っ張られ、表示装置が破損する恐れがある。また、電子機器を展開する際に
、表示装置が縮む方向に力がかかり、表示装置が破損する恐れがある。本実施の形態の電
子機器は、保護層や支持体で、表示装置が完全には固定されていないことが好ましい。こ
れにより、電子機器を折り曲げる際や展開する際に、表示装置がスライドすることで、保
護層や支持体に対する表示装置の位置が変化する。そのため、表示装置に力がかかり、表
示装置が破損することを抑制できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図３を用いて説明する。

図３に示す電子機器は、透光性を有する領域１７が設けられている電子機器である。透光
性を有する領域は、透光性を有する部材を用いて形成されている。

図３に示す電子機器は、可撓性の高い領域Ｅ１、可撓性の低い領域Ｅ２、可撓性の低い領
域Ｅ３、透光性を有する領域１７を含む領域Ｅ４を有し、電子機器の中心に可撓性の高い
領域Ｅ１を有する。つまり、可撓性の低い領域Ｅ２の幅と透光性を有する領域１７を含む
領域Ｅ４の幅の合計は、可撓性の低い領域Ｅ３の幅と略同じである。

図３に示す電子機器において、表示装置１１の可撓性の高い領域Ｅ１に含まれる部分は屈
曲部として機能することができる。図３（Ａ）に示す電子機器を可撓性の高い領域Ｅ１で
折り曲げた場合、図３（Ｂ）に示すように、透光性を有する領域１７と、表示部の表示領
域１１ａが重なる。従って、使用者は、表示部の表示領域１１ａの一部を、透光性を有す
る領域１７を介して視認することができる。したがって、電子機器を折りたたんだ状態で
あっても、透光性を有する領域１７を介して視認できる表示部の一部をサブディスプレイ
として使用することができる。

図３（Ｂ）に示すように、電子機器を折りたたんだ状態において、表示部は透光性を有す
る部材によって保護されている。したがって、表示面が露出することを防ぐことができる
ため、表示面に対する外部からの衝撃を緩和し、キズや汚れがつくことを抑制できる。

透光性を有する領域１７は、開口部を有する、または透光性を有する部材を有する構成で
あればよい。透光性を有する部材を有する構成の場合、表示部の表面が露出しないように
保護されるため好ましい。また、透光性を有する領域１７は、他の機能を有していてもよ
い。例えば、タッチパネル、キーボード等の機能を有していてもよい。透光性を有する領
域１７がタッチパネル、キーボード等の機能を有する場合には、サブディスプレイとして
機能する表示部の一部に、ボタンやキーボードなどを表示させることもできる。

また、透光性を有する領域１７の形状は特に限定されない。図３では概略四角形の場合を
示したが、丸であってもよいし、多角形であってもよい。また、支持体１５ａ及び１５ｂ
を、透光性を有する材料により形成し、可撓性の低い領域全体が透光性を有するように形
成してもよい。

なお、透光性を有する領域１７は、様々な大きさで配置することが出来る。一例として、
図３の場合よりも透光性を有する領域１７の面積を小さくした場合の電子機器の例を、図
１９（Ａ）、図１９（Ｂ）、および図１９（Ｃ）に示す。透光性を有する領域１７が小さ
いため、透光性を有する領域１７を含む領域Ｅ４に、例えば、操作ボタン３１やイメージ
センサ３２などを配置することができる。

または、ある図面に示す構成と別の図面に示す構成とを組み合わせて、新たな構成を有す
る電子機器としてもよい。例えば、図１と図３とを組み合わせた場合の例を、図２０（Ａ
）、図２０（Ｂ）、図２０（Ｃ）に示す。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図４乃至図６を用いて説明する。
本実施の形態では、可撓性の高い領域を複数設けた電子機器について説明する。

可撓性の高い領域を複数設けることにより、複数回の折り曲げが可能になる。そのため、
同じ大きさの表示部を有する場合、１回の折り曲げしかできないよりも、複数回の折り曲
げが可能であるほうが、折りたたんだときによりコンパクトになり、より可搬性に優れた
電子機器が得られる。また、折りたたんだときに同じ大きさの電子機器であった場合、よ
り多くの回数折り曲げることのできる表示部のほうが、展開した状態では、より大きな表
示部となるため、より視認性に優れた電子機器を得ることができる。

図４乃至図６には、複数の可撓性の高い領域を設けた電子機器の一例を示す。図４では、
可撓性の高い領域Ｅ１を４つ設けた例を示す。図４（Ａ）に示す電子機器は、図４（Ｃ）
に示すように、可撓性の高い領域Ｅ１において折り曲げることにより、屏風状に折りたた
むことができる。このとき、図４（Ｂ）に示すように、使用者からは、表示部の一部だけ
を視認することができる。図４（Ａ）に示す電子機器は、可撓性の低い領域Ｅ２の幅が略
同じ（略均等）であるため、折りたたむことにより、Ｅ２の幅と略等しくすることができ
、展開した状態の約５分の１の幅にすることができる。

また図５では、可撓性の高い領域Ｅ１を３つ設けた例を示す。図５（Ａ）に示す電子機器
は、可撓性の高い領域Ｅ１において屈曲させることにより、図５（Ｃ）に示すように屏風
状に折りたたむことができる。これにより、図５（Ｂ）に示す状態において、透光性を有
する領域１７を介して表示部の一部を視認することができる。

可撓性の高い領域の数は特に限定されず、２つであっても、５つ以上であってもよい。

また、図４および図５では、屏風状に折りたたむ例を示したが、折りたたむ方法も屏風状
に限定されない。種々の方法によって折り曲げてもよい。

また、折り曲げる回数も特に限定されない。複数の可撓性の高い領域Ｅ１を有する電子機
器において、必ずしも全ての可撓性の高い領域Ｅ１を用いて電子機器を折りたたむ必要は
ない。例えば、図６（Ａ）に示す電子機器は７つの可撓性の高い領域Ｅ１を有する。図６
（Ｂ）は、任意の可撓性の高い領域Ｅ１において、１回折り曲げた例であり、図６（Ｃ）
は、表示装置１１が隠れるように１回折り曲げた例であり、図６（Ｄ）は４回折り曲げた
例である。

電子機器に、可撓性の高い領域Ｅ１を複数設けることにより、任意の可撓性の高い領域Ｅ
１において、電子機器を折り曲げることが可能となる。したがって、折りたたんだ状態の
電子機器の形状を所望の形状にすることが可能となる。また、折りたたんだ状態の大きさ
を所望の大きさにすることが可能となる。つまり、収納したい鞄やポケットの大きさや形
状に合わせて、電子機器を折りたたむことが可能となる。

可撓性の高い領域Ｅ１を複数設けることにより、電子機器を折りたたんだ状態において、
外部に露出する表示部の大きさ、または表示部を露出させる位置を調節することができる
。従って、使用者の所望の大きさのサブディスプレイを設定することが可能となる。また
、可撓性の高い領域Ｅ１を複数設けることにより、所望の配置のサブディスプレイを設定
することが可能となる。例えば、右利きと左利きでは、使用しやすいサブディスプレイの
配置は異なるが、可撓性の高い領域Ｅ１を複数設けることにより、右利きにとって使いや
すい配置や、左利きにとって使いやすい配置などの要望にも応えることができる。

可撓性の高い領域Ｅ１を複数設けることにより、折り曲げる場所を変更することができる
ため、折り曲げることによるダメージを分散することができ、電子機器の信頼性を向上さ
せることができる。

図４乃至図６では、複数の可撓性の低い領域の幅がそれぞれ略同じ（略均等）である場合
を示したが、図１に示したように可撓性の低い領域の幅はそれぞれ異なっていてもよい。
また、図６には透光性を有する領域を有しない例を示したが、透光性を有する領域を設け
てもよい。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図７を用いて説明する。本実施の
形態では、可撓性の高い領域を広く設けた電子機器について説明する。可撓性の高い領域
を広く設けることにより、可撓性の高い領域の所望の位置で折り曲げることを可能にする
ことができる。

図７に可撓性の高い領域Ｅ１の幅を可撓性の低い領域Ｅ２に比べ広く設けた場合の電子機
器を示す。

図７（Ａ）は、展開した状態の電子機器の平面図であり、図７（Ｂ）は、複数回折りたた
んだ状態の平面図である。図７（Ｃ）は、複数回折りたたんだ状態であるが、図７（Ｂ）
に示した状態よりも折りたたみの回数は少ない場合の平面図であり、図７（Ｄ）は、１回
折りたたんだ場合の平面図である。

このように図７に示す電子機器は、可撓性の高い領域Ｅ１が広いため、可撓性の高い領域
Ｅ１の任意の位置で折り曲げることができる。したがって、折り曲げる位置や、折り曲げ
る回数を自由に設定することができる。折り曲げる位置や折り曲げる回数を自由に設定で
きることにより、折り曲げた状態で、使用者が視認できる表示部の一部の大きさや配置を
自由に設定することができる。また、折り曲げた状態の形状や大きさも自由に設定するこ
とができる。

さらに、可撓性の高い領域Ｅ１を広く設けることにより、折り曲げる場所を変更すること
ができるため、折り曲げることにより電子機器に与えられるダメージを分散することがで
き、電子機器の信頼性を向上させることができる。

図７には透光性を有する領域を有しない例を示したが、透光性を有する領域を設けてもよ
い。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図８を用いて説明する。実施の形
態１乃至実施の形態４では、表示部を折りたたむ形態について説明したが、本実施の形態
では、表示部を巻き取る形態について説明する。

本実施の形態で示す電子機器は、表示部と、巻き取り部とを有する。表示部は可撓性を有
する。巻き取り部は、表示部の一部（第１の領域１１ｃ）を巻き取って（ｒｏｌｌ ｕｐ
、ｒｅｅｌ）、収納する機能を有する。

図８に示す電子機器は、筐体１０、表示装置１１、巻き取り部１６、固定部１９を有する
。さらに、操作ボタン２１を設けてもよい。表示装置１１は、第１の領域１１ｃと、第２
の領域１１ｄを有する。また、第２の領域１１ｄの端部には、部材２０を設け、表示部の
第１の領域１１ｃと第２の領域１１ｄとの境界には、部材１８を設けてもよい。

図８（Ａ）は表示部を展開した状態の斜視図であり、図８（Ｂ）は表示部の一部（第１の
領域１１ｃ）を巻き取った状態の斜視図であり、図８（Ｃ）は表示部の第２の領域１１ｄ
を筐体の外側に巻き付けた状態の側面図である。

表示部を収納する場合には、図８（Ｂ）に示すように、巻き取り部１６により、表示部の
一部（第１の領域１１ｃ）を巻き取って収納する。収納しなかった部分（第２の領域１１
ｄ）は、図８（Ｃ）に示すように、筐体１０の外側に巻き付け、固定部１９で固定する。
表示部を収納し、可搬性に優れた状態にしたときにも、筐体１０の外側に位置する表示部
の一部（第２の領域１１ｄ）は使用者から視認できる。つまり、サブディスプレイとして
使用することができる。

表示部の第１の領域１１ｃと第２の領域１１ｄとを分ける境界には、図８に示すように、
部材１８を設けることができる。部材１８は、第２の領域１１ｄが巻き取り部１６に巻き
取られるのを防ぐ機能を有する。なお、部材１８を設けなくてもよい。部材１８を設けな
い場合は、第１の領域１１ｃと第２の領域１１ｄとの境界がないため、視認性に優れた表
示部となり、表示の分離感が抑制された表示部とすることができる。

また、図８に示すように、固定部１９は、第２の領域１１ｄを筐体１０の外側に巻き付け
たときに、第２の領域１１ｄを固定する機能を有していればよく、第２の領域１１ｄの長
さに合わせて、固定できる長さを調整すればよい。また、固定部１９は筐体を任意の位置
に固定する機能を兼ねさせてもよい。例えば、本実施の形態に示す電子機器をポケット等
に固定する機能を固定部１９に持たせてもよい。

表示部の端部（第２の領域１１ｄの端部）に、部材２０を設けると、好ましい。部材２０
を有することにより、固定部１９による固定を容易にすることができる。

本実施の形態で示すように、巻き取り部を設けることにより、表示部が屈曲することによ
るダメージを抑制することができる。また、表示部を鋭角に折り曲げることを抑制するこ
とができるため、表示部の信頼性が向上する効果が得られる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の表示部に用いることができる表示パネル
の一例を示す。本実施の形態では、表示パネルの一例として、有機ＥＬ素子を用いた可撓
性を有する発光装置について示すが、本発明の一態様はこれに限られない。

＜構成例１−１＞
図９（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図９（Ｂ）に、図９（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｙ１
間の断面図を示す。図９（Ｂ）に示す発光装置は塗り分け方式を用いたトップエミッショ
ン型の発光装置である。

図９（Ａ）に示す発光装置は、発光部４９１、駆動回路部４９３、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂ
ｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）４９５を有する。発光部４９１及び駆動回路部
４９３に含まれる有機ＥＬ素子やトランジスタは可撓性基板４２０、可撓性基板４２８、
及び接着層４０７によって封止されている。

図９（Ｂ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラン
ジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（下部
電極４０１、ＥＬ層４０２、及び上部電極４０３）、接着層４０７、可撓性基板４２８、
及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、接着層４０７、及び上部電極４０３は可
視光を透過する。

図９（Ｂ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して
可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有
機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の下部電極４０１と、下部電極４０１上のＥＬ層４
０２と、ＥＬ層４０２上の上部電極４０３とを有する。下部電極４０１は、トランジスタ
４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。下部電極４０１は可視光
を反射することが好ましい。下部電極４０１の端部は絶縁層４０５で覆われている。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図９（Ｂ）では、駆動回路部４９３が
有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。

工程数の増加を防ぐため、導電層４５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同
一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層４５７を、トランジ
スタのソース電極やドレイン電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁膜を選択することが好適である。

＜構成例１−２＞
図９（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図９（Ｃ）に、図９（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｙ１
間の断面図を示す。図９（Ｃ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたボトムエミ
ッション型の発光装置である。

図９（Ｃ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラン
ジスタ４５４、トランジスタ４５５、絶縁層４６３、着色層４３２、絶縁層４６５、導電
層４３５、絶縁層４６７、絶縁層４０５、有機ＥＬ素子４５０（下部電極４０１、ＥＬ層
４０２、及び上部電極４０３）、接着層４０７、可撓性基板４２８、及び導電層４５７を
有する。可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、絶縁層４６３、絶縁層４６５
、絶縁層４６７、及び下部電極４０１は可視光を透過する。

図９（Ｃ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介して
可撓性基板４２０上にスイッチング用のトランジスタ４５４、電流制御用のトランジスタ
４５５、及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６
７上の下部電極４０１と、下部電極４０１上のＥＬ層４０２と、ＥＬ層４０２上の上部電
極４０３とを有する。下部電極４０１は、導電層４３５を介してトランジスタ４５５のソ
ース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。下部電極４０１の端部は絶縁層４０
５で覆われている。上部電極４０３は可視光を反射することが好ましい。また、発光装置
は、絶縁層４６３上に有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有する。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図９（Ｃ）では、駆動回路部４９３が
有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、導電層４３５と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。

絶縁層４６３は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層４６５及び絶縁層４６７は、トランジスタや配線起因の表面凹凸を低減
するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択することが好適である。

＜構成例１−３＞
図９（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１０（Ａ）に、図９（Ａ）の一点鎖線Ｘ１−Ｙ
１間の断面図を示す。図１０（Ａ）に示す発光装置はカラーフィルタ方式を用いたトップ
エミッション型の発光装置である。

図１０（Ａ）に示す発光装置は、可撓性基板４２０、接着層４２２、絶縁層４２４、トラ
ンジスタ４５５、絶縁層４６３、絶縁層４６５、絶縁層４０５、絶縁層４９６、有機ＥＬ
素子４５０（下部電極４０１、ＥＬ層４０２、及び上部電極４０３）、接着層４０７、遮
光層４３１、着色層４３２、オーバーコート４５３、絶縁層２２６、接着層４２６、可撓
性基板４２８、及び導電層４５７を有する。可撓性基板４２８、接着層４２６、絶縁層２
２６、接着層４０７、及び上部電極４０３は可視光を透過する。

図１０（Ａ）に示す発光装置の発光部４９１では、接着層４２２及び絶縁層４２４を介し
て可撓性基板４２０上にトランジスタ４５５及び有機ＥＬ素子４５０が設けられている。
有機ＥＬ素子４５０は、絶縁層４６５上の下部電極４０１と、下部電極４０１上のＥＬ層
４０２と、ＥＬ層４０２上の上部電極４０３とを有する。下部電極４０１は、トランジス
タ４５５のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続している。下部電極４０１の端部
は絶縁層４０５で覆われている。絶縁層４０５上には、絶縁層４９６を有する。絶縁層４
９６を設けることで、可撓性基板４２０と可撓性基板４２８の間隔を調整することができ
る。下部電極４０１は可視光を反射することが好ましい。また、発光装置は、接着層４０
７を介して有機ＥＬ素子４５０と重なる着色層４３２を有し、接着層４０７を介して絶縁
層４０５と重なる遮光層４３１を有する。

駆動回路部４９３は、トランジスタを複数有する。図１０（Ａ）では、駆動回路部４９３
が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。

導電層４５７は、駆動回路部４９３に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４９５を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層４５７を、トランジスタ４５５のソース電極及びドレイン電極と
同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。絶縁層２２６上の接続体４９７は、絶縁層
２２６、オーバーコート４５３、接着層４０７、絶縁層４６５、及び絶縁層４６３に設け
られた開口を介して導電層４５７と接続している。また、接続体４９７はＦＰＣ４９５に
接続している。接続体４９７を介してＦＰＣ４９５と導電層４５７は電気的に接続する。

＜構成例１−４＞
図１１（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１１（Ａ）における一点鎖線Ｇ１−Ｇ２間の
断面図を図１１（Ｂ）に示す。また、変形例として、図１０（Ｂ）に発光装置の断面図を
示す。

図１０（Ｂ）、図１１（Ｂ）に示す発光装置は、素子層１３０１、接着層１３０５、可撓
性基板１３０３を有する。素子層１３０１は、可撓性基板１４０１、接着層１４０３、絶
縁層１４０５、複数のトランジスタ、導電層１３５７、絶縁層１４０７、絶縁層１４０９
、複数の発光素子、絶縁層１４１１、接着層１４１３、オーバーコート１４６１、遮光層
１４５７、及び絶縁層１４５５を有する。

図１１（Ｂ）では、各発光素子と重ねて着色層１４５９が設けられている例を示す。発光
素子１４３０と重なる位置に、着色層１４５９が設けられ、絶縁層１４１１と重なる位置
に遮光層１４５７が設けられている。着色層１４５９及び遮光層１４５７はオーバーコー
ト１４６１で覆われている。発光素子１４３０とオーバーコート１４６１の間は接着層１
４１３で充填されている。なお、すべての発光素子と重ねて着色層が設けられていてもよ
いし、図１０（Ｂ）に示すように一部の発光素子と重ねて着色層が設けられていてもよい
。例えば、赤色、青色、緑色、及び白色の４つの副画素で１つの画素を構成する場合、白
色の副画素では、着色層を設けなくてもよい。これにより、着色層による光の吸収量が低
減されるため、発光装置の消費電力を低減することができる。また、副画素ごとに異なる
発光色を呈する発光素子を作製してもよい。副画素ごとに異なる色を呈する発光素子を作
製する場合には、着色層は設けなくてもよい。

導電層１３５７は、接続体１４１５を介してＦＰＣ１３０８と電気的に接続する。図１１
（Ｂ）に示すように、可撓性基板１４０１と可撓性基板１３０３の間に導電層１３５７が
設けられる場合には、可撓性基板１３０３、接着層１３０５等に設けた開口に接続体１４
１５を配置すればよい。図１０（Ｂ）に示すように、可撓性基板１３０３と導電層１３５
７が重ならない場合には、可撓性基板１４０１上の絶縁層１４０７や絶縁層１４０９に設
けた開口に接続体１４１５を配置すればよい。

発光素子１４３０は、下部電極１４３１、ＥＬ層１４３３、及び上部電極１４３５を有す
る。下部電極１４３１は、トランジスタ１４４０のソース電極又はドレイン電極と電気的
に接続する。下部電極１４３１の端部は、絶縁層１４１１で覆われている。発光素子１４
３０はトップエミッション構造である。上部電極１４３５は透光性を有し、ＥＬ層１４３
３が発する光を透過する。

発光装置は、光取り出し部１３０４及び駆動回路部１３０６に、複数のトランジスタを有
する。トランジスタ１４４０は、絶縁層１４０５上に設けられている。絶縁層１４０５と
可撓性基板１４０１は接着層１４０３によって貼り合わされている。また、絶縁層１４５
５と可撓性基板１３０３は接着層１３０５によって貼り合わされている。絶縁層１４０５
や絶縁層１４５５にガスバリア性の高い絶縁膜を用いると、発光素子１４３０やトランジ
スタ１４４０に水分や酸素等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高
くなるため好ましい。

構成例１−４では、耐熱性の高い作製基板上で絶縁層１４０５やトランジスタ１４４０、
発光素子１４３０を作製し、該作製基板を剥離し、接着層１４０３を用いて可撓性基板１
４０１上に絶縁層１４０５やトランジスタ１４４０、発光素子１４３０を転置することで
作製できる発光装置を示している。また、構成例１−４では、耐熱性の高い作製基板上で
絶縁層１４５５、着色層１４５９及び遮光層１４５７を作製し、該作製基板を剥離し、接
着層１３０５を用いて可撓性基板１３０３上に絶縁層１４５５、着色層１４５９及び遮光
層１４５７を転置することで作製できる発光装置を示している。

基板に、透湿性が高く耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板に高
温をかけることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限
がある。本発明の一態様の発光装置の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジ
スタ等の作製を行えるため、信頼性の高いトランジスタや十分にガスバリア性の高い絶縁
膜を形成することができる。そして、それらを可撓性基板に転置することで、信頼性の高
い発光装置を作製できる。これにより、本発明の一態様では、軽量又は薄型であり、且つ
信頼性の高い発光装置を実現できる。作製方法の詳細は後述する。

可撓性基板１３０３及び可撓性基板１４０１には、それぞれ、靱性が高い材料を用いるこ
とが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい表示装置を実現できる。例え
ば、可撓性基板１３０３を有機樹脂基板とし、可撓性基板１４０１を厚さの薄い金属材料
や合金材料を用いた基板とすることで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量で
あり、破損しにくい発光装置を実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置
の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板
の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であるこ
とがより好ましい。

また、可撓性基板１４０１に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高く
なることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、可撓性基板
１４０１を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いる
ことができる）の積層構造としてもよい。

＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本実施の形態中で先に説
明した構成については説明を省略する。

素子層１３０１は、少なくとも発光素子を有する。発光素子としては、自発光が可能な素
子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んで
いる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いること
ができる。

素子層１３０１は、発光素子を駆動するためのトランジスタや、タッチセンサ等をさらに
有していてもよい。

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジ
スタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又
はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導
体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、酸化物半導体等を用いても
よい。

トランジスタに用いる半導体材料の状態についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶
性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を
有する半導体）のいずれを用いてもよい。特に結晶性を有する半導体を用いると、トラン
ジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

ここで、トランジスタには、多結晶半導体を用いることが好ましい。例えば、多結晶シリ
コンなどを用いることが好ましい。多結晶シリコンは単結晶シリコンに比べて低温で形成
でき、かつアモルファスシリコンに比べて高い電界効果移動度と高い信頼性を備える。こ
のような多結晶半導体を画素に適用することで画素の開口率を向上させることができる。
また、極めて高精細に画素を有する場合であっても、ゲート駆動回路とソース駆動回路を
画素と同一基板上に形成することが可能となり、電子機器を構成する部品数を低減するこ
とができる。

または、トランジスタには、酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、シリコンよ
りもバンドギャップの大きな酸化物半導体を用いることが好ましい。シリコンよりもバン
ドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい半導体材料を用いると、トランジスタのオ
フ状態における電流を低減できるため好ましい。

例えば、上記酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）もしくは亜鉛（Ｚｎ）を含
むことが好ましい。より好ましくは、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（ＭはＡｌ、Ｔｉ、Ｇａ、
Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、Ｃｅ又はＨｆ等の金属）で表記される酸化物を含む。

例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ系酸化
物、Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ系酸化
物、Ｉｎ−Ｍｇ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ系酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物（ＩＧＺＯと
も表記する）、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ
系酸化物、Ｉｎ−Ｚｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｃ−Ｚｎ系
酸化物、Ｉｎ−Ｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ系酸化
物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ系酸化物
、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ系酸化物、
Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ系酸化物、Ｉ
ｎ−Ｔｍ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚ
ｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ系酸化物、Ｉｎ
−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ系酸化物を用いることができる。

ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物
という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の
金属元素が入っていてもよい。

酸化物半導体膜は、単結晶酸化物半導体膜と、それ以外の非単結晶酸化物半導体膜とに分
けられる。非単結晶酸化物半導体膜とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅ
ｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）膜、多結晶酸
化物半導体膜、微結晶酸化物半導体膜、非晶質酸化物半導体膜などをいう。なお、ＣＡＡ
Ｃ−ＯＳ膜は、ｃ軸配向した複数の結晶部を有する酸化物半導体膜の一つである。なお、
ＣＡＡＣ−ＯＳ膜をＣＡＮＣ（Ｃ−Ａｘｉｓ Ａｌｉｎｇｎｅｄ ｎａｎｏｃｒｙｓｔａ
ｌｓ）を有する酸化物半導体膜と呼ぶこともできる。

特に、半導体層として、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、
又は半導体層の上面に対し垂直に配向し、かつ隣接する結晶部間には粒界を有さない酸化
物半導体膜を用いることが好ましい。このような酸化物半導体は結晶粒界を有さないため
、本発明の一態様を適用して形成した可撓性を有する装置を湾曲させたときの応力によっ
て酸化物半導体膜にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有
し、湾曲させて用いる表示装置等の装置に、このような酸化物半導体を好適に用いること
ができる。

また、半導体層としてこのような材料を用いることで、電気特性の変動が抑制され、信頼
性の高いトランジスタを実現できる。

また、その低いオフ電流により、トランジスタを介して容量に蓄積した電荷を長期間に亘
って保持することが可能である。このようなトランジスタを画素に適用することで、各表
示領域に表示した画像の輝度を維持しつつ、駆動回路を停止することも可能となる。その
結果、極めて消費電力の低減された電子機器を実現できる。

発光装置が有する発光素子は、一対の電極（下部電極１４３１及び上部電極１４３５）と
、該一対の電極間に設けられたＥＬ層１４３３とを有する。該一対の電極の一方は陽極と
して機能し、他方は陰極として機能する。

発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション
構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用
いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好
ましい。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

下部電極及び上部電極の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に
陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ
層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。

ＥＬ層は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層は、発光層以外の層として、正孔注入性の高
い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性
の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む
層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物
を含んでいてもよい。ＥＬ層１４３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を
含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

発光素子は、一対のガスバリア性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。こ
れにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下
を抑制できる。

ガスバリア性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪
素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。ま
た、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、ガスバリア性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ
］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、より好ましくは１×１０^−
７［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／ｍ^２・ｄａｙ］以下
とする。

可撓性基板には、可撓性を有する材料を用いる。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度
の厚さのガラスを用いることができる。さらに、発光装置における発光を取り出す側の基
板には、可視光を透過する材料を用いる。可撓性基板が可視光を透過しなくてもよい場合
、金属基板等も用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。

可撓性及び透光性を有する材料中に繊維体が含まれている場合、繊維体は有機化合物又は
無機化合物の高強度繊維を用いる。高強度繊維とは、具体的には引張弾性率又はヤング率
の高い繊維のことをいい、代表例としては、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル
系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレン
ベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、又は炭素繊維が挙げられる。ガラス繊維とし
ては、Ｅガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、Ｑガラス等を用いたガラス繊維が挙げられる。こ
れらは、織布又は不織布の状態で用い、この繊維体に樹脂を含浸させ樹脂を硬化させた構
造物を可撓性基板として用いてもよい。可撓性基板として、繊維体と樹脂からなる構造物
を用いると、曲げや局所的押圧による破壊に対する信頼性が向上するため、好ましい。

光の取り出し効率向上のためには、可撓性及び透光性を有する材料の屈折率は高い方が好
ましい。例えば、有機樹脂に屈折率の高い無機フィラーを分散させることで、該有機樹脂
のみからなる基板よりも屈折率の高い基板を実現できる。特に粒子径４０ｎｍ以下の小さ
な無機フィラーを使用すると、光学的な透明性を失わないため、好ましい。

金属基板の厚さは、可撓性や曲げ性を得るために、１０μｍ以上２００μｍ以下、好まし
くは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。金属基板は熱伝導性が高いため、
発光素子の発光に伴う発熱を効果的に放熱することができる。

金属基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッ
ケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いるこ
とができる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。また、水分等による機能素子（特
に有機ＥＬ素子等）の寿命の低下を抑制するために、後述の透水性の低い絶縁膜を備えて
いてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。

例えば、有機ＥＬ素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性
基板を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、
好ましくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素
に対する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、
１０μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような
有機樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制
し、機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料
を基板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることが
できる。

接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（
エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。

絶縁層４２４、絶縁層２２６、絶縁層１４０５、絶縁層１４５５には、無機絶縁材料を用
いることができる。特に、前述のガスバリア性の高い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発
光装置を実現できるため好ましい。また、接着層と上部電極の間に、ガスバリア性の高い
絶縁膜が形成されていてもよい。

絶縁層４６３、絶縁層１４０７は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑
制する効果を奏する。絶縁層４６３、絶縁層１４０７としては、酸化シリコン膜、酸化窒
化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。

絶縁層４６５や絶縁層４６７、絶縁層１４０９としては、それぞれ、トランジスタ起因等
の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例え
ば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができ
る。また、上記有機材料のほかに、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることがで
きる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積層させてもよい。

絶縁層４０５、絶縁層１４１１は、下部電極の端部を覆って設けられている。絶縁層４０
５、絶縁層４９６、絶縁層１４１１の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いること
ができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シ
ロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁
層４０５、絶縁層４９６、絶縁層１４１１の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂
、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。

絶縁層４０５や絶縁層４９６、絶縁層１４１１の形成方法は、特に限定されないが、フォ
トリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（
スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。

トランジスタの電極や配線等の導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タン
タル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれ
らの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上
記導電層は、それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化
物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２Ｏ_３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物
材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。

接続体としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材
料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子と
しては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった
粒子を用いることが好ましい。

着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透
過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラー
フィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いること
ができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグ
ラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する有機ＥＬ素子からの
光を遮光し、隣接する有機ＥＬ素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を
、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層とし
ては、有機ＥＬ素子からの発光を遮光する材料を用いることができ、例えば、金属材料や
顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層
は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れ
を抑制できるため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設ける
ことで、着色層に含有された不純物等の有機ＥＬ素子への拡散を防止することができる。
オーバーコートは、有機ＥＬ素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シ
リコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜
を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として
接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
ト４５３（図１０（Ａ））として、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度
に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。

＜作製方法例＞
次に、発光装置の作製方法を図１２及び図１３を用いて例示する。ここでは、構成例１−
４（図１１（Ｂ））の構成の発光装置を例に挙げて説明する。

まず、作製基板１５０１上に剥離層１５０３を形成し、剥離層１５０３上に絶縁層１４０
５を形成する。次に、絶縁層１４０５上に複数のトランジスタ、導電層１３５７、絶縁層
１４０７、絶縁層１４０９、複数の発光素子、及び絶縁層１４１１を形成する。なお、導
電層１３５７が露出するように、絶縁層１４０９、及び絶縁層１４０７は開口する（図１
２（Ａ））。

また、作製基板１５０５上に剥離層１５０７を形成し、剥離層１５０７上に絶縁層１４５
５を形成する。次に、絶縁層１４５５上に遮光層１４５７、着色層１４５９、及びオーバ
ーコート１４６１を形成する（図１２（Ｂ））。

作製基板１５０１及び作製基板１５０５としては、それぞれ、ガラス基板、石英基板、サ
ファイア基板、セラミック基板、金属基板などの基板を用いることができる。

また、ガラス基板としては、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。後の加熱処理の
温度が高い場合には、歪み点が７３０℃以上のものを用いるとよい。他にも、結晶化ガラ
スなどを用いることができる。

上記作製基板にガラス基板を用いる場合、作製基板と剥離層との間に、酸化シリコン膜、
酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガ
ラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層１５０３及び剥離層１５０７としては、それぞれ、タングステン、モリブデン、チ
タン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジ
ウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含
む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリ
コンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。

剥離層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。
なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。

剥離層が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデ
ンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸
化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステン
とモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タ
ングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当
する。

また、剥離層として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造
を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜
を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層
が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理
、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶
液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処
理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合
気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層の表面状態を
変えることにより、剥離層と後に形成される絶縁膜との密着性を制御することが可能であ
る。

各絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成する
ことが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃
以下として形成することで、緻密で非常にガスバリア性の高い膜とすることができる。

その後、作製基板１５０５の着色層１４５９等が設けられた面又は作製基板１５０１の発
光素子１４３０等が設けられた面に接着層１４１３となる材料を塗布し、接着層１４１３
を介して該面同士を貼り合わせる（図１２（Ｃ））。

そして、作製基板１５０１を剥離し、露出した絶縁層１４０５と可撓性基板１４０１を、
接着層１４０３を用いて貼り合わせる。また、作製基板１５０５を剥離し、露出した絶縁
層１４５５と可撓性基板１３０３を、接着層１３０５を用いて貼り合わせる。図１３（Ａ
）では、可撓性基板１３０３が導電層１３５７と重ならない構成としたが、導電層１３５
７と可撓性基板１３０３が重なっていてもよい。

なお、本発明の一態様では、様々な剥離方法を作製基板に施すことができる。例えば、剥
離層として、被剥離層と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化
膜を結晶化により脆弱化して、被剥離層を作製基板から剥離することができる。また、耐
熱性の高い作製基板と被剥離層の間に、剥離層として水素を含む非晶質珪素膜を形成した
場合はレーザ光の照射又はエッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、被剥離
層を作製基板から剥離することができる。また、剥離層として、被剥離層と接する側に金
属酸化膜を含む層を形成し、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化し、さらに剥離層の一
部を溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後
、脆弱化された金属酸化膜において剥離することができる。さらには、剥離層として窒素
、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有
合金膜など）を用い、剥離層にレーザ光を照射して剥離層内に含有する窒素、酸素や水素
をガスとして放出させ被剥離層と基板との剥離を促進する方法を用いてもよい。また、被
剥離層が形成された作製基板を機械的に除去又は溶液やＮＦ_３、ＢｒＦ_３、ＣｌＦ_３等の
フッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、剥離層
を設けなくともよい。

また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離工程を行うことができる。
つまり、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層へのエッチング、鋭いナイフやメ
スなどによる機械的な除去を行い、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、
物理的な力（機械等による）によって剥離を行うこともできる。

また、剥離層と被剥離層との界面に液体を浸透させて作製基板から被剥離層を剥離しても
よい。また、剥離を行う際に液体をかけながら剥離してもよい。剥離時に生じる静電気が
、被剥離層に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊さ
れるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体とし
ては、純水や有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶
液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。

その他の剥離方法として、剥離層をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸
化水素水の混合溶液により剥離層をエッチングしながら剥離を行うとよい。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、又はアクリル等の有機樹脂を形成する。次
に、レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そ
して、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも
高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理
を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には
、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製
工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタ
は、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。

なお、該有機樹脂を、発光装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去
し、被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

最後に、絶縁層１４５５及び接着層１４１３を開口することで、導電層１３５７を露出さ
せる（図１３（Ｂ））。なお、可撓性基板１３０３が導電層１３５７と重なる構成の場合
は、可撓性基板１３０３及び接着層１３０５も開口する（図１３（Ｃ））。開口の手段は
特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビームスパッタ
リング法などを用いればよい。また、導電層１３５７上の膜に鋭利な刃物等を用いて切り
込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい。

以上により、発光装置を作製することができる。

また、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有するア
クティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用い
ることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。また、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向上
させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。

パッシブマトリクス方式では、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コスト
の低減や歩留まりの向上を図ることができる。また、能動素子を用いないため、開口率を
向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態７）
本実施の形態では、折り曲げ可能なタッチパネルの構成について、図１４乃至図１７を用
いて説明する。なお、各層の材料については実施の形態６を参照することができる。なお
、本実施の形態では、有機ＥＬ素子を用いたタッチパネルを例示するが、これに限られな
い。本発明の一態様では、例えば、実施の形態６に例示した他の素子を用いたタッチパネ
ルを作製することができる。

＜構成例２−１＞
図１４（Ａ）はタッチパネルの上面図である。図１４（Ｂ）は図１４（Ａ）の一点鎖線Ａ
−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。図１４（Ｃ）は図１４（Ａ）の一点鎖線Ｅ
−Ｆ間の断面図である。

図１４（Ａ）に示すように、タッチパネル３９０は表示部３０１を有する。

表示部３０１は、複数の画素３０２と複数の撮像画素３０８を備える。撮像画素３０８は
表示部３０１に触れる指等を検知することができる。これにより、撮像画素３０８を用い
てタッチセンサを構成することができる。

画素３０２は、複数の副画素（例えば副画素３０２Ｒ）を備え、副画素は発光素子及び発
光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。

画素回路は、選択信号を供給することができる配線及び画像信号を供給することができる
配線と電気的に接続される。

また、タッチパネル３９０は選択信号を画素３０２に供給することができる走査線駆動回
路３０３ｇ（１）と、画像信号を画素３０２に供給することができる画像信号線駆動回路
３０３ｓ（１）を備える。

撮像画素３０８は、光電変換素子及び光電変換素子を駆動する撮像画素回路を備える。

撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線及び電源電位を供給することがで
きる配線と電気的に接続される。

制御信号としては、例えば記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することが
できる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知
する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。

タッチパネル３９０は制御信号を撮像画素３０８に供給することができる撮像画素駆動回
路３０３ｇ（２）と、撮像信号を読み出す撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を備える。

図１４（Ｂ）に示すように、タッチパネル３９０は、基板５１０及び基板５１０に対向す
る基板５７０を有する。

可撓性を有する材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。

不純物の透過が抑制された材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる
。例えば、水蒸気の透過率が１０^−５ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下、好ましくは１０^−６ｇ／ｍ
^２・ｄａｙ以下である材料を好適に用いることができる。

線膨張率がおよそ等しい材料を基板５１０及び基板５７０に好適に用いることができる。
例えば、線膨張率が１×１０^−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０^−５／Ｋ以下、より好ま
しくは１×１０^−５／Ｋ以下である材料を好適に用いることができる。

基板５１０は、可撓性基板５１０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５１０ａ、
及び可撓性基板５１０ｂと絶縁層５１０ａを貼り合わせる接着層５１０ｃが積層された積
層体である。

基板５７０は、可撓性基板５７０ｂ、不純物の発光素子への拡散を防ぐ絶縁層５７０ａ、
及び可撓性基板５７０ｂと絶縁層５７０ａを貼り合わせる接着層５７０ｃの積層体である
。

例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド（ナイロン、アラミド等）、ポリイ
ミド、ポリカーボネートまたはアクリル、ウレタン、エポキシもしくはシロキサン結合を
有する樹脂などを含む材料を接着層に用いることができる。

封止層５６０は基板５７０と基板５１０を貼り合わせている。封止層５６０は空気より大
きい屈折率を備える。画素回路及び発光素子（例えば第１の発光素子３５０Ｒ）は基板５
１０と基板５７０の間にある。

画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ及び副画素３０２Ｂを有する（図１４（
Ｃ））。また、副画素３０２Ｒは発光モジュール３８０Ｒを備え、副画素３０２Ｇは発光
モジュール３８０Ｇを備え、副画素３０２Ｂは発光モジュール３８０Ｂを備える。

例えば副画素３０２Ｒは、第１の発光素子３５０Ｒ及び第１の発光素子３５０Ｒに電力を
供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む画素回路を備える（図１４（Ｂ））。
また、発光モジュール３８０Ｒは第１の発光素子３５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層３
６７Ｒ）を備える。

発光素子３５０Ｒは、第１の下部電極３５１Ｒ、上部電極３５２、下部電極３５１Ｒと上
部電極３５２の間のＥＬ層３５３を有する（図１４（Ｃ））。

ＥＬ層３５３は、発光ユニット３５３ａ、発光ユニット３５３ｂ、及び発光ユニット３５
３ａと発光ユニット３５３ｂの間の中間層３５４を備える。

発光モジュール３８０Ｒは、第１の着色層３６７Ｒを基板５７０に有する。着色層は特定
の波長を有する光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色又は青色等を呈する光
を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま
透過する領域を設けてもよい。また、各発光素子において発光色が異なるようにしてもよ
い。その場合、着色層は設けてもよいし、設けなくてもよい。

例えば、発光モジュール３８０Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する封止層
５６０を有する。

着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒ
が発する光の一部は、封止層５６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すよ
うに発光モジュール３８０Ｒの外部に射出される。

タッチパネル３９０は、遮光層３６７ＢＭを基板５７０に有する。遮光層３６７ＢＭは、
着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチパネル３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に備える。反射
防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。

タッチパネル３９０は、絶縁層３２１を備える。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔを
覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として
用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することが
できる層が積層された絶縁層を、絶縁層３２１に適用することができる。

タッチパネル３９０は、発光素子（例えば発光素子３５０Ｒ）を絶縁層３２１上に有する
。

タッチパネル３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を絶縁層３２１上に
有する。また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８
上に有する。

画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。
なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図１４（
Ｂ）に示すように、トランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有し
ていてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続され
ていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第
２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。

撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び光電変換素子３０８ｐに照射された光を検
知するための撮像画素回路を備える。また、撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含
む。

例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。

タッチパネル３９０は、信号を供給することができる配線３１１を備え、端子３１９が配
線３１１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができ
るＦＰＣ３０９（１）が端子３１９に電気的に接続されている。なお、ＦＰＣ３０９（１
）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。

同一の工程で形成されたトランジスタを、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ
、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタに適用できる。

また、トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、タッチパネルを構成する各種
配線及び電極に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッ
ケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、又はタングステン
などの金属、又はこれを主成分とする合金を単層構造又は積層構造として用いる。例えば
、シリコンを含むアルミニウム膜の単層構造、チタン膜上にアルミニウム膜を積層する二
層構造、タングステン膜上にアルミニウム膜を積層する二層構造、銅−マグネシウム−ア
ルミニウム合金膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜上に銅膜を積層する二層構造、
タングステン膜上に銅膜を積層する二層構造、チタン膜又は窒化チタン膜と、そのチタン
膜又は窒化チタン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにその上にチタン
膜又は窒化チタン膜を形成する三層構造、モリブデン膜又は窒化モリブデン膜と、そのモ
リブデン膜又は窒化モリブデン膜上に重ねてアルミニウム膜又は銅膜を積層し、さらにそ
の上にモリブデン膜又は窒化モリブデン膜を形成する三層構造等がある。なお、酸化イン
ジウム、酸化錫又は酸化亜鉛を含む透明導電材料を用いてもよい。また、マンガンを含む
銅を用いると、エッチングによる形状の制御性が高まるため好ましい。

＜構成例２−２＞
図１５（Ａ）、（Ｂ）は、タッチパネル５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表
的な構成要素を示す。図１６（Ａ）は、図１５（Ａ）に示す一点鎖線Ｇ３−Ｇ４間の断面
図である。

タッチパネル５０５は、表示部５０１とタッチセンサ５９５を備える（図１５（Ｂ））。
また、タッチパネル５０５は、基板５１０、基板５７０及び基板５９０を有する。なお、
基板５１０、基板５７０及び基板５９０はいずれも可撓性を有する。

表示部５０１は、基板５１０、基板５１０上に複数の画素及び当該画素に信号を供給する
ことができる複数の配線５１１を備える。複数の配線５１１は、基板５１０の外周部にま
で引き回され、その一部が端子５１９を構成している。端子５１９はＦＰＣ５０９（１）
と電気的に接続する。

基板５９０には、タッチセンサ５９５と、タッチセンサ５９５と電気的に接続する複数の
配線５９８を備える。複数の配線５９８は基板５９０の外周部に引き回され、その一部は
端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、
図１５（Ｂ）では明瞭化のため、基板５９０の裏面側（基板５１０と対向する面側）に設
けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。

タッチセンサ５９５として、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量
方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。

投影型静電容量方式としては、主に駆動方式の違いから自己容量方式、相互容量方式など
がある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。

以下では、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合について、図１５（Ｂ）を
用いて説明する。

なお、指等の検知対象の近接または接触を検知することができるさまざまなセンサを適用
することができる。

投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、第１の電極５９１と第２の電極５９２を有
する。第１の電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、第２の電極５
９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。

第２の電極５９２は、図１５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された
複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。

第１の電極５９１は四辺形であり、第２の電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰
り返し配置されている。

配線５９４は、第２の電極５９２の一つを挟む２つの第１の電極５９１を電気的に接続す
る。このとき、第２の電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形
状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、透過率のム
ラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減すること
ができる。

なお、第１の電極５９１、第２の電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取り
うる。例えば、帯状の複数の第１の電極をできるだけ隙間が生じないように配置し、絶縁
層を介して帯状の複数の第２の電極を、第１の電極と交差するよう配置する。このとき隣
接する２つの第２の電極は離間して設ける構成としてもよい。さらに、隣接する２つの第
２の電極の間に、これらとは電気的に絶縁されたダミー電極を設けると、透過率の異なる
領域の面積を低減できるため好ましい。

タッチセンサ５９５は、基板５９０、基板５９０上に千鳥状に配置された第１の電極５９
１及び第２の電極５９２、第１の電極５９１及び第２の電極５９２を覆う絶縁層５９３並
びに隣り合う第１の電極５９１を電気的に接続する配線５９４を備える。

接着層５９７は、図１５（Ｂ）に示すようにタッチセンサ５９５が表示部５０１に重なる
ように、基板５９０を基板５７０に貼り合わせている。

第１の電極５９１及び第２の電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。
透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム
亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることが
できる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例え
ば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する
方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。

透光性を有する導電性材料を基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォト
リソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、第１の電極
５９１及び第２の電極５９２を形成することができる。

また、絶縁層５９３に用いる材料としては、例えば、アクリル、エポキシなどの樹脂、シ
ロキサン結合を有する樹脂の他、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウムな
どの無機絶縁材料を用いることもできる。

また、第１の電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する
第１の電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、タッチパネルの開口率を
高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、第１の電極５
９１及び第２の電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９
４に好適に用いることができる。

第２の電極５９２のそれぞれは一方向に延在し、複数の第２の電極５９２がストライプ状
に設けられている。

配線５９４は第２の電極５９２の１つと交差して設けられている。

一対の第１の電極５９１が第２の電極５９２の１つを挟んで設けられ、配線５９４は一対
の第１の電極５９１を電気的に接続している。

なお、複数の第１の電極５９１は、第２の電極５９２の１つと必ずしも直交する方向に配
置される必要はない。

一の配線５９８は、第１の電極５９１又は第２の電極５９２と電気的に接続される。配線
５９８の一部は、端子として機能する。配線５９８としては、例えば、アルミニウム、金
、白金、銀、ニッケル、チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅
、又はパラジウム等の金属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護す
ることができる。

また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。

接続層５９９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏ
ｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

接着層５９７は、透光性を有する。例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いること
ができ、具体的には、アクリル、ウレタン、エポキシ、またはシロキサン結合を有する樹
脂などの樹脂を用いることができる。

表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を備える。画素は表示素子と表示
素子を駆動する画素回路を備える。

本実施の形態では、白色の光を射出する有機ＥＬ素子を表示素子に適用する場合について
説明するが、表示素子はこれに限られない。

例えば、副画素毎に射出する光の色が異なるように、発光色が異なる有機ＥＬ素子を副画
素毎に適用してもよい。その場合、着色層は設けなくてもよい。

基板５１０、基板５７０、及び封止層５６０は、構成例２−１と同様の構成が適用できる
。

画素は、副画素５０２Ｒを含み、副画素５０２Ｒは発光モジュール５８０Ｒを備える。

副画素５０２Ｒは、第１の発光素子５５０Ｒ及び第１の発光素子５５０Ｒに電力を供給す
ることができるトランジスタ５０２ｔを含む画素回路を備える。また、発光モジュール５
８０Ｒは第１の発光素子５５０Ｒ及び光学素子（例えば着色層５６７Ｒ）を備える。

発光素子５５０Ｒは、下部電極、上部電極、下部電極と上部電極の間にＥＬ層を有する。

発光モジュール５８０Ｒは、光を取り出す方向に第１の着色層５６７Ｒを有する。

また、封止層５６０が光を取り出す側に設けられている場合、封止層５６０は、第１の発
光素子５５０Ｒと第１の着色層５６７Ｒに接する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光
素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方
向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

表示部５０１は、反射防止層５６７ｐを画素に重なる位置に備える。反射防止層５６７ｐ
として、例えば円偏光板を用いることができる。

表示部５０１は、絶縁膜５２１を備える。絶縁膜５２１はトランジスタ５０２ｔを覆って
いる。なお、絶縁膜５２１は画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いる
ことができる。また、不純物の拡散を抑制できる層を含む積層膜を、絶縁膜５２１に適用
することができる。これにより、不純物の拡散によるトランジスタ５０２ｔ等の信頼性の
低下を抑制できる。

表示部５０１は、発光素子（例えば第１の発光素子５５０Ｒ）を絶縁膜５２１上に有する
。

表示部５０１は、第１の下部電極の端部に重なる隔壁５２８を絶縁膜５２１上に有する。
また、基板５１０と基板５７０の間隔を制御するスペーサを、隔壁５２８上に有する。

走査線駆動回路５０３ｇ（１）は、トランジスタ５０３ｔ及び容量５０３ｃを含む。なお
、駆動回路を画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。

表示部５０１は、信号を供給することができる配線５１１を備え、端子５１９が配線５１
１に設けられている。なお、画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰ
Ｃ５０９（１）が端子５１９に電気的に接続されている。

なお、ＦＰＣ５０９（１）にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い
。

表示部５０１は、走査線、信号線及び電源線等の配線を有する。上述した様々な導電膜を
配線に用いることができる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１６（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、レーザーアニールなどの処理により結晶化させた多結晶シリコンを含む半導体層
を、図１６（Ｂ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用する
ことができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１６（
Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン基板等から転置された単結晶シリコン膜等
を含む半導体層を、図１６（Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０
３ｔに適用することができる。

＜構成例２−３＞
図１７は、タッチパネル５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明するタッチパネル
５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する表示部５
０１を備える点及びタッチセンサが表示部の基板５１０側に設けられている点が、構成例
２−２のタッチパネル５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同
様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。

第１の着色層５６７Ｒは第１の発光素子５５０Ｒと重なる位置にある。また、図１７（Ａ
）に示す発光素子５５０Ｒは、トランジスタ５０２ｔが設けられている側に光を射出する
。これにより、発光素子５５０Ｒが発する光の一部は第１の着色層５６７Ｒを透過して、
図中に示す矢印の方向の発光モジュール５８０Ｒの外部に射出される。

表示部５０１は、光を射出する方向に遮光層５６７ＢＭを有する。遮光層５６７ＢＭは、
着色層（例えば第１の着色層５６７Ｒ）を囲むように設けられている。

タッチセンサ５９５は、表示部５０１の基板５１０側に設けられている（図１７（Ａ））
。

接着層５９７は、基板５１０と基板５９０の間にあり、表示部５０１とタッチセンサ５９
５を貼り合わせる。

なお、様々なトランジスタを表示部５０１に適用できる。ボトムゲート型のトランジスタ
を表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７（Ａ）、（Ｂ）に図示する。

例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図１７（Ａ）に図示
するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図１７（Ｂ）に図示するトランジスタ５０
２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる。

また、トップゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図１７（
Ｃ）に図示する。

例えば、多結晶シリコン又は転写された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図１７（
Ｃ）に図示するトランジスタ５０２ｔ及びトランジスタ５０３ｔに適用することができる
。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

１０ 筐体
１１ 表示装置
１１ａ 表示領域
１１ｂ 非表示領域
１１ｃ 第１の領域
１１ｄ 第２の領域
１３ 保護層
１３ａ 保護層
１３ｂ 保護層
１５ 支持体
１５ａ 支持体
１５ｂ 支持体
１６ 巻き取り部
１７ 透光性を有する領域
１８ 部材
１９ 固定部
２０ 部材
２１ 操作ボタン
３１ 操作ボタン
３２ イメージセンサ
２２６ 絶縁層
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ 発光ユニット
３５３ｂ 発光ユニット
３５４ 中間層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３８０Ｂ 発光モジュール
３８０Ｇ 発光モジュール
３８０Ｒ 発光モジュール
３９０ タッチパネル
４０１ 下部電極
４０２ ＥＬ層
４０３ 上部電極
４０５ 絶縁層
４０７ 接着層
４２０ 可撓性基板
４２２ 接着層
４２４ 絶縁層
４２６ 接着層
４２８ 可撓性基板
４３１ 遮光層
４３２ 着色層
４３５ 導電層
４５０ 有機ＥＬ素子
４５３ オーバーコート
４５４ トランジスタ
４５５ トランジスタ
４５７ 導電層
４６３ 絶縁層
４６５ 絶縁層
４６７ 絶縁層
４９１ 発光部
４９３ 駆動回路部
４９５ ＦＰＣ
４９６ 絶縁層
４９７ 接続体
５０１ 表示部
５０２Ｒ 副画素
５０２ｔ トランジスタ
５０３ｃ 容量
５０３ｇ 走査線駆動回路
５０３ｔ トランジスタ
５０５ タッチパネル
５０５Ｂ タッチパネル
５０９ ＦＰＣ
５１０ 基板
５１０ａ 絶縁層
５１０ｂ 可撓性基板
５１０ｃ 接着層
５１１ 配線
５１９ 端子
５２１ 絶縁膜
５２８ 隔壁
５５０Ｒ 発光素子
５６０ 封止層
５６７ＢＭ 遮光層
５６７ｐ 反射防止層
５６７Ｒ 着色層
５７０ 基板
５７０ａ 絶縁層
５７０ｂ 可撓性基板
５７０ｃ 接着層
５８０Ｒ 発光モジュール
５９０ 基板
５９１ 第１の電極
５９２ 第２の電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
１３０１ 素子層
１３０３ 可撓性基板
１３０４ 部
１３０５ 接着層
１３０６ 駆動回路部
１３０８ ＦＰＣ
１３５７ 導電層
１４０１ 可撓性基板
１４０３ 接着層
１４０５ 絶縁層
１４０７ 絶縁層
１４０９ 絶縁層
１４１１ 絶縁層
１４１３ 接着層
１４１５ 接続体
１４３０ 発光素子
１４３１ 下部電極
１４３３ ＥＬ層
１４３５ 上部電極
１４４０ トランジスタ
１４５５ 絶縁層
１４５７ 遮光層
１４５９ 着色層
１４６１ オーバーコート
１５０１ 作製基板
１５０３ 剥離層
１５０５ 作製基板
１５０７ 剥離層

Claims (2)

1. 支持体と、可撓性を有する表示部と、前記表示部と前記支持体の間の保護層と、を有し、
   前記支持体は、透光性を有する領域が配置され、前記表示部と重なる屈曲部を有し、
   前記屈曲部により前記支持体を折り曲げたとき、前記表示部も折り曲げられ、前記透光性を有する領域を介して前記表示部の一部を視認でき、
   前記表示部は、第１の可撓性基板と、前記第１の可撓性基板上の発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上の第２の可撓性基板と、を有し、
   導電層は、前記第１の可撓性基板上に設けられ、
   前記導電層は、前記第２の可撓性基板に設けられた開口において、ＦＰＣと電気的に接続される電子機器であって、
   光電変換素子を有し、
   前記光電変換素子は、前記発光素子の上部電極の下方に配置され、前記第２の可撓性基板と前記封止層と前記発光素子の上部電極とを介して入射する光を検出する機能を有し、
   前記光電変換素子と重なる領域において、前記発光素子の上部電極と下部電極の間に配置される隔壁は除去されており、
   前記表示部は前記支持体又は前記保護層に対してスライド可能である、電子機器。
2. 支持体と、可撓性を有する表示部と、前記表示部と前記支持体の間の保護層と、を有し、
   前記支持体は、前記表示部と重なる屈曲部を有し、
   前記屈曲部により前記支持体を折り曲げたとき、前記表示部も折り曲げられ、
   前記表示部は、第１の可撓性基板と、前記第１の可撓性基板上の発光素子と、前記発光素子上の封止層と、前記封止層上の第２の可撓性基板と、を有する電子機器であって、
   光電変換素子を有し、
   前記光電変換素子は、前記発光素子の上部電極の下方に配置され、前記第２の可撓性基板と前記封止層と前記発光素子の上部電極とを介して入射する光を検出する機能を有し、
   前記光電変換素子と重なる領域において、前記発光素子の上部電極と下部電極の間に配置され隔壁は除去されており、
   前記表示部は前記支持体又は前記保護層に対してスライド可能である、電子機器。

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