JP2022121467A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】可撓性を有するタッチパネルを提供する。タッチパネルの薄型化と、高い検出感度を両立する。【解決手段】可撓性を有する表示パネルと、可撓性を有するタッチセンサが、接着層で貼り合わされた可撓性を有するタッチパネルである。該接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、該接着層の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、該接着層の透過率は、７０％以上である。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、タッチパネルに関する。特に、可撓性を有するタッチパネルに関する
。

なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様は、物、方法、又は、製造方法に関する。本発明の一態様は、プロセス、マシン、
マニュファクチャ、又は、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。そのため
、より具体的に本明細書で開示する発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示
装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、それらの駆動方法、又は、
それらの製造方法、を一例として挙げることができる。

近年、可撓性を有する基板（以下、可撓性基板とも記す）上に半導体素子、表示素子、発
光素子などの機能素子が設けられたフレキシブルデバイスの開発が進められている。フレ
キシブルデバイスの代表的な例としては、照明装置、画像表示装置の他、トランジスタな
どの半導体素子を有する種々の半導体回路などが挙げられる。

特許文献１には、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機ＥＬ（
Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子を備えたフレキシブルなアクティブマト
リクス型の発光装置が開示されている。

また、近年、表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている
。例えば、携帯情報端末として、タッチパネルを備えるスマートフォンやタブレット端末
の開発が進められている。

特開２００３－１７４１５３号公報

可撓性を有する表示パネルに、ユーザインターフェースとして画面に指等で触れることで
入力する機能を付加した可撓性を有するタッチパネルが望まれている。

本発明の一態様は、可撓性を有するタッチパネルを提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、軽量なタッチパネルを提供することを目的の一とする。または、
本発明の一態様は、厚さの薄いタッチパネルを提供することを目的の一とする。または、
本発明の一態様は、検出感度の高いタッチパネルを提供することを目的の一とする。また
は、本発明の一態様は、信頼性の高いタッチパネルを提供することを目的の一とする。ま
たは、本発明の一態様は、繰り返しの曲げに強いタッチパネルを提供することを目的の一
とする。または、本発明の一態様は、タッチパネルの薄型化と、高い検出感度を両立する
ことを目的の一とする。

または、本発明の一態様は、繰り返しの曲げに強く、検出感度の高いタッチパネルを提供
することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄く、繰り返しの曲げに
強く、検出感度の高いタッチパネルを提供することを目的の一とする。

または、本発明の一態様は、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、タッチセンサ、タ
ッチパネル、電子機器、又は照明装置を提供することを目的の一とする。

なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題
は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図
面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。

本発明の一態様は、可撓性を有するタッチパネルであって、表示パネル、タッチセンサ、
及び接着層を有し、表示パネルは、可撓性を有し、タッチセンサは、可撓性を有し、接着
層は、表示パネル及びタッチセンサの間に位置し、接着層は第１の部分、第２の部分、及
び第３の部分を有し、第１の部分のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、
第２の部分の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、第３の部分の透過率は、７０％
以上である、タッチパネルである。

上記構成において、タッチセンサとして、静電容量方式のタッチセンサを有することが好
ましい。

上記各構成において、表示パネルは、有機ＥＬ素子を有することが好ましい。

上記各構成において、第１の部分のヤング率は、１ｋＰａ以上１００ｋＰａ以下であるこ
とが好ましい。

上記各構成において、第２の部分の厚さは、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることが
好ましい。

上記各構成において、第３の部分の透過率は、９０％以上であることが好ましい。

上記各構成において、接着層は、第４の部分を有し、第４の部分の圧縮永久歪み率は、５
０％以下であることが好ましい。

上記各構成において、接着層は、第５の部分を有し、第５の部分の針入度は、７５より大
きいことが好ましく、１００以上であることがより好ましい。

上記各構成において、接着層は、ゲル状であってもよい。

なお、本明細書中における発光装置とは、発光素子を用いた表示装置を含む。また、発光
素子にコネクター、例えば異方導電性フィルム、もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉ
ｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設
けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式により
ＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールは発光装置を有する場合がある。さらに、
照明器具等も、発光装置を含む場合がある。

本発明の一態様では、可撓性を有するタッチパネルを提供することができる。または、本
発明の一態様では、軽量なタッチパネルを提供することができる。または、本発明の一態
様では、厚さの薄いタッチパネルを提供することができる。または、本発明の一態様では
、検出感度の高いタッチパネルを提供することができる。または、本発明の一態様では、
信頼性の高いタッチパネルを提供することができる。または、本発明の一態様では、繰り
返しの曲げに強いタッチパネルを提供することができる。または、本発明の一態様では、
タッチパネルの薄型化と、高い検出感度を両立することができる。

または、本発明の一態様では、繰り返しの曲げに強く、検出感度の高いタッチパネルを提
供することができる。または、本発明の一態様では、厚さが薄く、繰り返しの曲げに強く
、検出感度の高いタッチパネルを提供することができる。

または、本発明の一態様では、新規な半導体装置、発光装置、表示装置、タッチセンサ、
タッチパネル、電子機器、又は照明装置を提供することができる。

なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一
態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は
、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面
、請求項などの記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。

本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す図。 本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す図。 本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す図。 本発明の一態様のタッチセンサの一例を示す図。 本発明の一態様のタッチセンサの一例を示す図。 本発明の一態様のタッチセンサの作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様のタッチセンサの構成及び駆動方法の一例を示す図。 本発明の一態様のタッチセンサの構成及び駆動方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の発光装置の作製方法の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器及び照明装置の一例を示す図。 本発明の一態様の電子機器の一例を示す図。 実施例で作製した発光装置を示す図。 実施例の曲げ試験機の写真。 実施例の結果を示す写真及び図。 本発明の一態様のタッチパネルの一例を示す図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定さ
れず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し
得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の
記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同
一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の
機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

また、図面等において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実
際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必
ずしも、図面等に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルについて説明する。

本発明の一態様のタッチパネルは、可撓性を有するタッチパネルであって、表示パネル、
タッチセンサ、及び接着層を有する。該表示パネル及び該タッチセンサは、それぞれ可撓
性を有する。該接着層は、該表示パネル及び該タッチセンサの間に位置する。該接着層の
ヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下である。

静電容量方式のタッチセンサを構成する配線又は電極と、表示パネルを構成する配線又は
電極との間には、寄生容量が形成される場合がある。この寄生容量によって、指などを近
づけた際の容量変化が小さくなり、タッチセンサの検出感度が低下する恐れがある。また
、表示パネルを駆動させたときに生じるノイズが、寄生容量を通してタッチセンサ側に伝
わることでも、タッチセンサの検出感度が低下する恐れがある。したがって、タッチセン
サと表示パネルの距離を十分広くすることが好ましい。

一方、タッチセンサと表示パネルを貼り合わせる接着層を厚くすると、タッチパネルが曲
げにくくなる場合や、曲げにより接着層が剥がれる場合や、クラックが発生し破壊される
場合がある。

そこで、上記本発明の一態様のタッチパネルでは、タッチセンサと表示パネルを貼り合わ
せる接着層のヤング率を、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ未満とする。これにより、接着層を
厚く設けても、繰り返しの曲げに強いタッチパネルを実現することができる。そのため、
静電容量方式のタッチセンサを用いた場合でも、タッチセンサの検出感度の低下を抑制す
ることができる。

本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上１００ｋＰ
ａ以下であることがより好ましく、１ｋＰａ以上５０ｋＰａ以下であることが特に好まし
い。

例えば、本発明の一態様のタッチパネルは、曲げた際の曲率半径の最小値を１ｍｍ以上１
５０ｍｍ以下、好ましくは１ｍｍ以上１００ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以上５０ｍ
ｍ以下、さらに好ましくは１ｍｍ以上５ｍｍ以下とすることができる。

上記寄生容量の影響を低減するためには、接着層の厚さを０．１ｍｍ以上とすることが好
ましい。例えば、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層の厚さは、０．１ｍｍ
以上１ｍｍ以下とすることが好ましく、０．１ｍｍ以上０．５ｍｍ以下であることがより
好ましい。

また、寄生容量の影響が少ない場合には、接着層の厚さを０．１ｍｍ未満としてもよい。
寄生容量の影響が少ない場合としては、例えば、後述するアクティブマトリクス方式のタ
ッチセンサを用いる場合などが挙げられる。このような際、本発明の一態様のタッチパネ
ルにおいて、接着層の厚さを０．００１ｍｍ以上０．１ｍｍ未満、又は０．０１ｍｍ以上
０．１ｍｍ未満等としてもよい。これにより、厚さが薄く、繰り返しの曲げに強く、検出
感度の高いタッチパネルを実現することができる。

また、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層の透過率は、７０％以上であるこ
とが好ましく、９０％以上であることがより好ましい。タッチパネルの使用者は、接着層
を介して表示パネルの表示を視認する。したがって、接着層の透過率は高いことが好まし
い。

また、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層の針入度は、７５より大きいこと
が好ましく、１００以上がより好ましい。

また、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層の圧縮永久歪み率は、５０％以下
であることが好ましい。

上記では、接着層の厚さ、ヤング率、透過率、針入度、圧縮永久歪み率の好ましい数値範
囲をそれぞれ挙げた。本発明の一態様において、接着層全体が該数値範囲に含まれる値を
示していなくてもよく、一部が該数値範囲に含まれる値を示せばよい。

例えば、本発明の一態様において、接着層は第１の部分を有し、第１の部分のヤング率は
、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であればよい。同様に、本発明の一態様において、接着
層は第２の部分を有し、第２の部分の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であればよい。
同様に、本発明の一態様において、接着層は第３の部分を有し、第３の部分の透過率は、
７０％以上であればよい。針入度や圧縮永久歪み率についても同様である。

また、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、接着層はゲル状であってもよい。例えば
、接着層に用いることができる材料として、シリコーンゲルが挙げられる。例えば、低分
子シロキサンを含むシリコーンゲルを用いてもよい。

図１（Ａ）に本発明の一態様のタッチパネルの模式図を示す。

図１（Ａ）のタッチパネルは、表示パネル１１と、接着層１２と、タッチセンサ１３を有
する。

図１（Ｂ）に、図１（Ａ）のタッチパネルを曲げた際の概念図を示す。タッチパネルを曲
げた際に、表示パネル１１と、タッチセンサ１３とでは、曲げの曲率半径が異なるため、
一方に対する他方の相対的な位置にずれが生じる。ここで、図１（Ｂ）に示すように、本
発明の一態様で用いる接着層１２は、曲げにより変形することができる。したがって、タ
ッチパネルを曲げても、接着層１２が剥がれにくく、接着層１２にクラックが発生しにく
い。

後述する実施例では、接着層を介して重なるタッチセンサ及び表示パネルにおいて、タッ
チセンサ側に設けられた層と、表示パネル側に設けられた層との位置に着目する。具体的
には、曲げているときと、曲げていないときとで、タッチセンサ側に設けられた層の、表
示パネル側に設けられた層に対する相対的な位置に変化があるか否かを、確認する。

実施例では、表示パネル側に設けられたカラーフィルタとタッチセンサ側に設けられた電
極に着目する。そして、図１８（Ａ）に示す、サンプルを曲げていない状態と、図１８（
Ｂ）に示す、該サンプルを曲げた状態とを比較する。図１８（Ａ）、（Ｂ）では、それぞ
れ、左側に実際のサンプルの写真を示し、右側にサンプルを上面からみたときのカラーフ
ィルタ９８と電極９９の位置関係を説明する模式図を示す。実施例で作製したサンプルは
、曲げることで、カラーフィルタ９８に対する電極９９の相対的な位置が変化する。この
ことから、タッチセンサ及び表示パネルの間に位置する接着層が曲げにより変形している
と考えられる。

また、図１（Ｃ）～（Ｅ）にタッチパネルの構成例を示す。図１（Ｃ）～（Ｅ）に示すタ
ッチパネルは、それぞれ、表示パネル１１と、接着層１２と、タッチセンサ１３と、を有
する。図１（Ｃ）～（Ｅ）では、表示パネル１１やタッチセンサ１３の構成がそれぞれ異
なる。

図１（Ｃ）では、表示パネル１１は、表示素子１５と、一対の可撓性基板１６と、を有す
る。表示素子１５は、一対の可撓性基板１６の間に位置する。図１（Ｃ）では、タッチセ
ンサ１３は、検知素子（センサ素子ともいう）１７と、一対の可撓性基板１６と、を有す
る。検知素子１７は、一対の可撓性基板１６の間に位置する。このように、本発明の一態
様のタッチパネルは、可撓性基板１６を４つ有する。表示パネル１１の一方の可撓性基板
１６とタッチセンサ１３の一方の可撓性基板１６が対向し、接着層１２によって接着され
ている。言い換えると、本発明の一態様のタッチパネルにおいて、表示素子１５と検知素
子１７は、２つの可撓性基板１６を介して重なる。

図１（Ｄ）では、図１（Ｃ）と同様に、表示パネル１１が、表示素子１５と、一対の可撓
性基板１６と、を有する。図１（Ｄ）では、タッチセンサ１３は、検知素子１７と、１つ
の可撓性基板１６と、を有する。検知素子１７と、表示パネル１１の一方の可撓性基板１
６とが対向し、接着層１２によって接着されている。このように、本発明の一態様のタッ
チパネルは、可撓性基板１６を３つ有していてもよい。

言い換えると、本発明の一態様のタッチパネルは、表示素子１５と検知素子１７は、１つ
の可撓性基板１６を介して重なる。

表示素子１５と検知素子１７が、１つの可撓性基板１６を介して重なる構成は、図１（Ｄ
）の構成に限られない。例えば、タッチセンサ１３が検知素子１７と、一対の可撓性基板
１６と、を有し、表示パネル１１が、表示素子１５と、１つの可撓性基板１６と、を有し
ていてもよい。例えば、表示素子１５と、タッチセンサ１３の一方の可撓性基板１６とが
対向し、接着層１２によって接着されていてもよい。また、表示素子１５又は検知素子１
７と、可撓性基板１６との間に、他の機能素子、機能層、絶縁層、導電層等が設けられて
いてもよい。

図１（Ｅ）では、表示パネル１１が、可撓性基板１６と表示素子１５を有する。図１（Ｅ
）では、図１（Ｄ）と同様に、タッチセンサ１３は、検知素子１７と、１つの可撓性基板
１６と、を有する。表示素子１５及び検知素子１７が対向し、接着層１２によって接着さ
れている。このように、本発明の一態様のタッチパネルは、可撓性基板１６を２つ有して
いてもよい。

言い換えると、本発明の一態様のタッチパネルは、表示素子１５と検知素子１７は、可撓
性基板１６を介さずに重なる。

表示素子１５と検知素子１７が、可撓性基板１６を介さずに重なる構成は、図１（Ｅ）の
構成に限られない。例えば、表示素子１５と検知素子１７との間に、他の機能素子、機能
層、絶縁層、導電層等が設けられていてもよい。

本実施の形態では、タッチパネルが有する可撓性基板が２つ、３つ、又は４つの例を示し
たが、可撓性基板の数は限定されない。タッチパネルが有する可撓性基板の数が少ないと
、タッチパネル全体の厚みを薄くできる、又はタッチパネルを軽量にできるため、好まし
い。

本発明の一態様のタッチパネルの断面模式図を図１（Ｆ）、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３、
図１９（Ａ）、（Ｂ）に示す。

図１（Ｆ）に示すタッチパネルは、表示パネル１１と、接着層１２と、タッチセンサ１３
を有する。図１（Ｆ）に示すタッチパネルは、図１（Ｃ）で示した４つの可撓性基板１６
を有するタッチパネルの一例である。

図１（Ｆ）に示す表示パネル１１は、４つの可撓性基板１６、３つの接着層１８、２つの
絶縁層１９、トランジスタ１５ａ、トランジスタ１５ｃ、導電層８５７、絶縁層８１５、
導電層８１６、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、発光素子１５ｂ、絶縁層８２１、スペ
ーサ８２７、着色層８４５、遮光層８４７、及びオーバーコート８４９等を有する。

絶縁層１９と可撓性基板１６とは接着層１８で貼り合わされている。

トランジスタ１５ａのソース電極又はドレイン電極は、導電層８１６を介して、発光素子
１５ｂの下部電極と電気的に接続している。

なお、本発明の一態様のタッチパネルが有するトランジスタに特に限定はない。トランジ
スタ１５ａは、ボトムゲート構造としたが、トップゲート構造であってもよい。また、ト
ランジスタ１５ｃは、トランジスタ１５ａのゲート電極と同一表面上に位置する第１のゲ
ート電極と、導電層８１６と同一表面上に位置する第２のゲート電極と、を有するデュア
ルゲート構造としたが、これに限られない。

また、駆動回路部が有するトランジスタと、表示部（画素部、発光部ともいう）が有する
トランジスタは、同じ構造であってもよいし、異なる構造であってもよい。また、駆動回
路部が有する複数のトランジスタは、すべて同じ構造であってもよく、二種以上の構造で
あってもよい。また、表示部が有する複数のトランジスタは、すべて同じ構造であっても
よく、二種以上の構造であってもよい。

着色層８４５は発光素子１５ｂの発光領域と重なる。遮光層８４７は絶縁層８２１と重な
る。

図１（Ｆ）に示すタッチセンサ１３は、２つの可撓性基板１６、２つの接着層１８、２つ
の絶縁層１９、及び検知素子１７等を有する。

検知素子１７は、電極３２１、電極３２２、配線３２３、及び誘電層３２４を有する。

導電層８５７とＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）８０８が
、接続体８２５を介して電気的に接続している。また、電極３２２とＦＰＣ３０５が、接
続体３５５を介して電気的に接続している。

なお、可撓性基板１６、接着層１８、絶縁層１９の構成については、実施の形態４を参照
できる。また、接着層１８には、接着層１２に用いることができる材料を用いてもよい。

図１９（Ａ）に示すタッチパネルは、図１（Ｃ）で示した４つの可撓性基板１６を有する
タッチパネルの一例である。図１（Ｆ）と図１９（Ａ）では、タッチセンサ１３の、表示
パネル１１と貼り合わせる面が異なる。図１９（Ａ）の構成では、ＦＰＣ３０５が貼り付
けられる方の可撓性基板１６が接着層１２と接する。このように、タッチセンサ１３の、
表示パネル１１と貼り合わせる面は限定されない。

図２（Ａ）に示すタッチパネルは、図１（Ｄ）で示した３つの可撓性基板１６を有するタ
ッチパネルの一例である。図２（Ａ）に示すタッチパネルは、検知素子１７が絶縁層１９
、接着層１８、及び可撓性基板１６を介さずに接着層１２と重なる点で、図１（Ｆ）と異
なる。

図２（Ｂ）に示すタッチパネルは、図１（Ｅ）で示した２つの可撓性基板１６を有するタ
ッチパネルの一例である。図２（Ｂ）に示すタッチパネルは、発光素子１５ｂが絶縁層１
９、接着層１８、及び可撓性基板１６を介さずに接着層１２と重なる点で、図２（Ａ）と
異なる。また、図２（Ｂ）に示すタッチパネルは、絶縁層１９、着色層、遮光層、及びオ
ーバーコートを、検知素子１７と接着層１２の間に有する点においても、図２（Ａ）と異
なる。

なお、着色層や遮光層は、それぞれ、接着層１２から見て、表示素子側に位置していても
よいし、タッチセンサ側に位置していてもよい。

図１９（Ｂ）に示すタッチパネルは、図１（Ｅ）で示した２つの可撓性基板１６を有する
タッチパネルの一例である。表示パネル１１及びタッチセンサ１３がそれぞれ１つの可撓
性基板１６を有する。表示パネル１１及びタッチセンサ１３の可撓性基板１６が設けられ
ていない面にはそれぞれ絶縁層１９が露出する。絶縁層１９どうしを接着層１２で貼り合
わせることで、図１９（Ｂ）に示すタッチパネルを作製することができる。図１９（Ｂ）
では、着色層や遮光層が、接着層１２から見て、表示素子側に位置している例を示す。

また、図１９（Ｂ）に示すように、絶縁層８１７ａ、８１７ｂは、それぞれ、タッチパネ
ルの端部に露出しなくてもよい。特に、絶縁層８１７ａ、８１７ｂに有機樹脂を用いる場
合に、水分の侵入等を抑制することができ、好ましい。

図３に示すタッチパネルは、図１（Ｃ）で示した４つの可撓性基板１６を有するタッチパ
ネルの一例である。

図３に示す表示パネル１１は、２つの可撓性基板１６、３つの接着層１８、２つの絶縁層
１９、複数のトランジスタ、コンタクト部１５ｄ、容量部１５ｅ、導電層８５７、絶縁層
８１５、導電層８１６、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、発光素子１５ｂ、絶縁層８２
１、スペーサ８２７、着色層８４５、遮光層８４７、及びオーバーコート８４９等を有す
る。

図３では、駆動回路部のトランジスタに、トランジスタ１５ｃを用いている。また、ソー
ス電極又はドレイン電極が発光素子１５ｂの下部電極と接続するトランジスタにも、トラ
ンジスタ１５ｃを用いている。また、表示部が有する他のトランジスタとしてトランジス
タ１５ａを用いている。トランジスタ１５ｃは、トランジスタ１５ａに比べて電界効果移
動度を高めることが可能であり、オン電流を増大させることができる。この結果、高速動
作が可能な駆動回路部を作製することができる。また、駆動回路部の占有面積の小さいタ
ッチパネルを作製することができる。また、オン電流の大きいトランジスタ１５ｃを表示
部に設けることで、大型のタッチパネルや、高精細なタッチパネルにおいて配線数が増大
しても、各配線における信号遅延を低減することが可能であり、表示むらを抑えることが
可能である。

図３に示すタッチセンサ１３は、トランジスタ及び容量素子を有する、アクティブマトリ
クス方式のタッチセンサである。該トランジスタ及び該容量素子は電気的に接続する。

タッチセンサ１３は、２つの可撓性基板１６、２つの接着層１８、２つの絶縁層１９、検
知素子１７等を有する。

検知素子１７は容量素子であり、導電層２１、導電層２３、及び絶縁層２０を有する。検
知素子１７はトランジスタ１５ａと電気的に接続する。

トランジスタを構成する層と容量素子の電極や誘電体層を同一工程で成膜することで、少
ない工程数でタッチセンサを作製することができ、好ましい。図３では、トランジスタ１
５ｃの第２のゲート電極と同一工程で作製できる導電層２３を用いる例を示す。なお、容
量素子の電極と同一工程で成膜する層としては、例えば、トランジスタのゲート電極、ソ
ース電極、ドレイン電極、半導体層、又は配線等が挙げられる。

なお、アクティブマトリクス方式のタッチセンサを用いる場合にも、可撓性基板１６の数
を２つ、又は３つに減らしてもよい。

図１（Ｆ）、図２（Ａ）、（Ｂ）、図１９（Ａ）、（Ｂ）に示す検知素子１７の詳細は、
実施の形態２を参照することができる。図３に示すアクティブマトリクス方式のタッチセ
ンサの詳細は、実施の形態３を参照することができる。

なお、本発明の一態様のタッチパネルが有するタッチセンサに特に限定はない。

本発明の一態様では、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式と
しては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。投影型静電容量方式として
は、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可
能となるため好ましい。なお、抵抗膜方式、超音波方式、光学方式等のタッチセンサを用
いてもよい。

また、本発明の一態様では、タッチセンサに、アクティブマトリクス方式、又はパッシブ
マトリクス方式を用いることができる。

また、表示パネル１１の詳細は、実施の形態４の具体例２を参照することができる。

なお、本発明の一態様のタッチパネルが有する表示パネル及び表示素子に特に限定はない
。本実施の形態では、表示素子として発光素子を例に説明したが、本発明の一態様の表示
パネルは、他の表示素子や発光素子を用いたパネル又は装置であってもよい。

本明細書等において、表示素子、表示素子を有する装置である表示装置、発光素子、及び
発光素子を有する装置である発光装置は、様々な形態を用いること、又は様々な素子を有
することができる。表示素子、表示装置、発光素子又は発光装置は、例えば、ＥＬ素子（
有機物及び無機物を含むＥＬ素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子）、ＬＥＤ（白色ＬＥＤ
、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤなど）、トランジスタ（電流に応じて発光するト
ランジスタ）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、電気泳動素子、グレーティングラ
イトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）、ＭＥＭＳ（マイクロ・
エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子、デジタルマイクロミラーデバイ
ス（ＤＭＤ）、ＤＭＳ（デジタル・マイクロ・シャッター）、干渉変調（ＩＭＯＤ）素子
、シャッター方式のＭＥＭＳ表示素子、光干渉方式のＭＥＭＳ表示素子、エレクトロウェ
ッティング素子、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブを用いた表示素子
などの少なくとも一つを有している。これらの他にも、電気的又は磁気的作用により、コ
ントラスト、輝度、反射率、透過率などが変化する表示媒体を有していてもよい。ＥＬ素
子を用いた表示装置の一例としては、ＥＬディスプレイなどがある。電子放出素子を用い
た表示装置の一例としては、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）又はＳＥＤ
方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ－ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ－ｅｍｉｔｔｅｒ Ｄｉｓｐｌａｙ）などがある。液晶素子を用いた表示装置の一
例としては、液晶ディスプレイ（透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、
反射型液晶ディスプレイ、直視型液晶ディスプレイ、投射型液晶ディスプレイ）などがあ
る。電子インク、電子粉流体（登録商標）、又は電気泳動素子を用いた表示装置の一例と
しては、電子ペーパーなどがある。なお、半透過型液晶ディスプレイや反射型液晶ディス
プレイを実現する場合には、画素電極の一部又は全部が、反射電極としての機能を有する
ようにすればよい。例えば、画素電極の一部又は全部が、アルミニウム、銀などを有する
ようにすればよい。さらに、その場合、反射電極の下に、ＳＲＡＭなどの記憶回路を設け
ることも可能である。これにより、さらに、消費電力を低減することができる。

例えば、本明細書等において、画素に能動素子（アクティブ素子、非線形素子）を有する
アクティブマトリクス方式、又は画素に能動素子を有しないパッシブマトリクス方式を用
いることができる。

アクティブマトリクス方式では、能動素子として、トランジスタだけでなく、さまざまな
能動素子を用いることができる。例えば、ＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｍ
ｅｔａｌ）、又はＴＦＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｉｏｄｅ）などを用いることも可能で
ある。これらの素子は、製造工程が少ないため、製造コストの低減、又は歩留まりの向上
を図ることができる。または、これらの素子は、素子のサイズが小さいため、開口率を向
上させることができ、低消費電力化や高輝度化を図ることができる。

パッシブマトリクス方式は、能動素子を用いないため、製造工程が少なく、製造コストの
低減、又は歩留まりの向上を図ることができる。または、能動素子を用いないため、開口
率を向上させることができ、低消費電力化、又は高輝度化などを図ることができる。

なお、ここでは、表示装置を用いて、様々な表示を行う場合の例を示したが、本発明の一
態様は、これに限定されない。例えば、情報を表示しないようにしてもよい。一例として
は、表示装置のかわりに、照明装置として用いてもよい。照明装置に適用することにより
、デザイン性に優れたインテリアとして、活用することができる。または、様々な方向を
照らすことができる照明として活用することができる。または、表示装置のかわりに、バ
ックライトやフロントライトなどの光源として用いてもよい。つまり、表示パネルのため
の照明装置として活用してもよい。

以上のように、本発明の一態様は、可撓性を有する表示パネルと、可撓性を有するタッチ
センサとが、接着層で貼り合わされた、可撓性を有するタッチパネルである。接着層のヤ
ング率を１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下とすることで、繰り返しの曲げに強く、検出感度
の高いタッチパネルを実現できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサについて説明する。

図４に、投影型静電容量方式のタッチセンサであるタッチセンサ１１２を示す。図５（Ａ
）は、図４中の切断線Ｃ－Ｄ、Ｅ－Ｆにおける断面図である。

タッチセンサ１１２は、可撓性基板３０１と可撓性基板３０２の間に、複数の電極３２１
と、複数の電極３２２と、を有する。電極３２１は複数の配線３１１のいずれかと電気的
に接続する。電極３２２は複数の配線３１２のいずれかと電気的に接続する。配線３１１
及び配線３１２は、可撓性基板３０１の外周部にまで延在し、ＦＰＣ３０５と電気的に接
続される。

電極３２１は一方向に延伸した形状を有する。複数の電極３２２は、それぞれ２つの電極
３２１の間に設けられている。電極３２１を挟む２つの電極３２２が電極３２１と交差す
る配線３２３によって電気的に接続されている。配線３２３と電極３２１との間には誘電
層３２４が設けられ、容量が形成されている。タッチセンサ１１２は、配線３２３によっ
て電気的に接続された複数の電極３２２が一方向に複数配列して設けられ、この方向と交
差する方向に複数の電極３２１が配列して設けられることで、複数の容量がマトリクス状
に配置された構成を有する。

また、電極３２１、電極３２２及び配線３２３は、透光性を有することが好ましい。ここ
で、図４に示すように、電極３２１と電極３２２は、これらの間にできるだけ隙間が生じ
ない形状として配置することが好ましい。また、これらの隙間に電極３２１、電極３２２
、又は配線３２３と同一の導電膜を含むダミー電極を設けてもよい。このように、電極３
２１と電極３２２との間の隙間をできるだけ少なくすることで、透過率のムラを低減でき
る。その結果、タッチセンサ１１２を透過する光の輝度ムラを低減することができる。

透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、酸化タングステンを含むインジウ
ム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム
酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物（以下、ＩＴＯと示
す。）、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、ガリウムを
添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物、又はグラフェンを用いることができる。

透光性を有する導電性材料を基板上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグ
ラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極３２１、電極
３２２及び配線３２３を形成することができる。グラフェンはＣＶＤ法のほか、酸化グラ
フェンを分散した溶液を塗布した後にこれを還元して形成してもよい。

また、配線３１２は電極３２２と電気的に接続する。配線３１２は、可撓性基板３０１の
外周部においてその表面が露出するように設けられ、接続体３５５を介してＦＰＣ３０５
と電気的に接続することができる。なお、電極３２１と電気的に接続する配線３１１も同
様の構成とすればよい。

配線３１１及び配線３１２としては、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、
チタン、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、又はパラジウム等の金
属材料や、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。

接続体３５５としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎ
ｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ
Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

図５（Ａ）に示す構成例では、電極３２１及び電極３２２が絶縁層３２０上に形成されて
いる。また、可撓性基板３０１と絶縁層３２０とは接着層３３１を介して接着されている
。また、可撓性基板３０２と、電極等が設けられた可撓性基板３０１とは接着層３３２に
よって接着されている。

接着層３３１及び接着層３３２は、透光性を有する。接着層３３１や接着層３３２には、
例えば、熱硬化性樹脂や紫外線硬化樹脂を用いることができ、具体的には、アクリル、ウ
レタン、エポキシ、又はシロキサン結合を有する樹脂などの樹脂を用いることができる。

また、可撓性基板３０２の表面には保護層３３５が設けられていることが好ましい。保護
層３３５はセラミックコートとも呼ぶことができ、指やスタイラスなどでタッチセンサ１
１２を操作する際に、可撓性基板３０２の表面を保護する機能を有する。特に、外装部材
を設けない場合には好適である。保護層３３５は、例えば酸化シリコン、酸化アルミニウ
ム、酸化イットリウム、イットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）などの無機絶縁材料を用
いることができる。保護層３３５はスパッタリング法やゾルゲル法等で形成することがで
きる。特にエアロゾルデポジション法を用いて保護層３３５を形成すると、低温で緻密性
の高い膜を形成でき、機械的強度を高めることができるため好ましい。

保護層３３５は少なくともタッチ面側に設ければよい。なお、図５（Ａ）では保護層３３
５を可撓性基板３０２の表面に設ける場合を示したが、可撓性基板３０１の表面に設けて
もよい。

なお、接着層３３１を設けない構成としてもよい。図５（Ｂ）では、可撓性基板３０１の
上面に絶縁層３２０が設けられている構成を示している。また、図５（Ｃ）では、さらに
絶縁層３２０を設けない構成とし、可撓性基板３０１上に電極３２１、電極３２２等が設
けられている構成を示している。

図６（Ｃ）に図５（Ａ）～（Ｃ）に示す構成とは異なる構成例を示す。なお、図６（Ａ）
、（Ｂ）を用いて作製方法例も示す。

作製基板上に被剥離層を形成した後、被剥離層を作製基板から剥離して別の基板に転置す
ることができる。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離
層を、耐熱性の低い基板に転置することができる。このため、被剥離層の作製温度が、耐
熱性の低い基板によって制限されない。

まず、作製基板３９１上に剥離層３９３を形成し、剥離層３９３上に被剥離層を形成する
。被剥離層としては、絶縁層３２０、電極３２１、電極３２２、配線３１２、誘電層３２
４、配線３２３、絶縁層３９５、接着層３３２、及び可撓性基板３０２を形成する（図６
（Ａ））。

絶縁層３９５は、タッチセンサの保護層として機能する層である。本発明の一態様では、
絶縁層３９５を設けることが好ましいが、不要であれば設けなくてもよい。絶縁層３９５
としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜を用いればよく、例えば、酸化窒化シリコン膜やアク
リル膜などが挙げられる。絶縁層３９５の膜厚は、例えば、５００ｎｍ以上２０００ｎｍ
以下とすればよい。なお、他の絶縁層に用いることができる無機材料、有機材料を適用し
てもよく、膜厚も上記に限られない。

そして、剥離層３９３を用いて、作製基板３９１と被剥離層とを分離する（図６（Ｂ））
。

そして、露出した絶縁層３２０と、可撓性基板３０１とを、接着層３３１を用いて貼り合
わせる（図６（Ｃ））。また、可撓性基板３０２及び接着層３３２の一部を除去すること
で、配線３１２を露出する。例えば、基板に含まれる樹脂を溶かすことで配線３１２を露
出してもよい。そして、配線３１２、接続体３５５、及びＦＰＣ３０５を電気的に接続す
る。

以上により、図６（Ｃ）に示す構成のタッチセンサを作製することができる。なお、剥離
層を用いて作製基板から別の基板に被剥離層を転置する方法については、実施の形態３で
詳述する内容を参酌できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチセンサについて説明する。

図７は本発明の一態様のタッチセンサ１００の構成を説明する図であり、図８は本発明の
一態様のタッチセンサ１００Ｂの構成を説明する図である。

図７（Ａ）は本発明の一態様のタッチセンサ１００の構成を説明するブロック図である。
図７（Ｂ）は変換器ＣＯＮＶ及び検知ユニット１０Ｕの構成を説明する回路図である。図
７（Ｃ）及び図７（Ｄ）はタッチセンサ１００の駆動方法を説明するタイミングチャート
である。

図８（Ａ）は本発明の一態様のタッチセンサ１００Ｂの構成を説明するブロック図である
。図８（Ｂ）は変換器ＣＯＮＶ及び検知ユニット１０ＵＢの構成を説明する回路図である
。図８（Ｃ）はタッチセンサ１００Ｂの駆動方法を説明するタイミングチャートである。

＜タッチセンサの構成例１＞
本実施の形態で説明するタッチセンサ１００は、検知ユニット１０Ｕ、走査線Ｇ１、信号
線ＤＬ、及び可撓性基板１６を有する（図７（Ａ））。複数の検知ユニット１０Ｕは、ｎ
行ｍ列（ｎ及びｍは１以上の自然数）のマトリクス状に配置される。走査線Ｇ１は、行方
向に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気的に接続される。信号線ＤＬは、列方向
に配置される複数の検知ユニット１０Ｕと電気的に接続される。また、駆動回路ＧＤと変
換器ＣＯＮＶを有していてもよい。同一の工程で形成できるトランジスタを用いて、複数
の検知ユニット１０Ｕ、駆動回路ＧＤ、及び変換器ＣＯＮＶを構成することができる。

なお、検知ユニット１０Ｕは検知素子Ｃを備え、検知素子Ｃの第１の電極は配線ＣＳと電
気的に接続されている。これにより、検知素子Ｃの第１の電極の電位を、配線ＣＳが供給
する制御信号を用いて制御することができる。

検知ユニット１０Ｕは、ゲートが検知素子Ｃの第２の電極と電気的に接続され、第１の電
極が配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える（図７（Ｂ））。
配線ＶＰＩは、例えば、接地電位を供給することができる。

また、ゲートが走査線Ｇ１と電気的に接続され、第１の電極が第１のトランジスタＭ１の
第２の電極と電気的に接続され、第２の電極が信号線ＤＬと電気的に接続される第２のト
ランジスタＭ２を備える構成であってもよい。走査線Ｇ１は、例えば、選択信号を供給す
ることができる。信号線ＤＬは、例えば、検知信号ＤＡＴＡを供給することができる。

また、ゲートが配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が検知素子Ｃの第２の電極と
電気的に接続され、第２の電極が配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタ
Ｍ３を備える構成であってもよい。配線ＲＥＳは、リセット信号を供給することができる
。配線ＶＲＥＳは、例えば、第１のトランジスタＭ１を導通状態にすることができる電位
を供給することができる。

検知素子Ｃの容量は、例えば、第１の電極又は第２の電極にものが近接すること、もしく
は第１の電極及び第２の電極の間隔が変化することにより変化する。これにより、検知ユ
ニット１０Ｕは検知素子Ｃの容量又は寄生する容量の大きさの変化に基づく検知信号ＤＡ
ＴＡを供給することができる。

また、検知ユニット１０Ｕは、検知素子Ｃの第１の電極の電位を制御することができる制
御信号を供給することができる配線ＣＳを備える。なお、検知素子Ｃの第１の電極と、配
線ＣＳが同一の層であってもよい。

なお、検知素子Ｃの第２の電極、第１のトランジスタＭ１のゲート及び第３のトランジス
タＭ３の第１の電極が電気的に接続される結節部をノードＡという。

配線ＶＲＥＳは所定の電位を供給することができる。例えば、検知ユニット１０Ｕが備え
るトランジスタを導通状態にする電位を、当該トランジスタのゲートに供給することがで
きる。配線ＶＰＩは例えば接地電位を供給することができ、配線ＶＰＯ及び配線ＢＲは例
えば高電源電位を供給することができる。

また、配線ＲＥＳはリセット信号を供給することができ、走査線Ｇ１は選択信号を供給す
ることができ、配線ＣＳは検知素子Ｃの第１の電極の電位を制御する制御信号を供給する
ことができる。

また、信号線ＤＬは検知信号ＤＡＴＡを供給することができ、端子ＯＵＴは検知信号ＤＡ
ＴＡに基づいて変換された信号を供給することができる。

駆動回路ＧＤは、さまざまな回路を用いた論理回路で構成することができる。例えば、シ
フトレジスタを適用できる。変換器ＣＯＮＶは変換回路を備える。検知信号ＤＡＴＡを変
換して端子ＯＵＴに供給することができるさまざまな回路を、変換器ＣＯＮＶに用いるこ
とができる。例えば、変換器ＣＯＮＶを検知ユニット１０Ｕと電気的に接続することによ
り、ソースフォロワ回路又はカレントミラー回路などが構成されるようにしてもよい。

具体的には、トランジスタＭ４を用いた変換器ＣＯＮＶを用いて、ソースフォロワ回路を
構成できる（図７（Ｂ））。なお、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３
と同一の工程で作製することができるトランジスタをトランジスタＭ４に用いてもよい。

また、第１のトランジスタＭ１乃至第３のトランジスタＭ３は半導体層を有する。例えば
、４族の元素、化合物半導体又は酸化物半導体を半導体層に用いることができる。具体的
には、シリコンを含む半導体、ガリウムヒ素を含む半導体又はインジウムを含む酸化物半
導体などを適用できる。

本発明の一態様のタッチセンサの駆動方法について説明する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第２の電極の電位を所定の電位にする（
図７（Ｃ）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタＭ３は、ノードＡの電位を例えば第１のトランジスタＭ１を導通状態にする
ことができる電位にする（図７（Ｂ））。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を導通状態にする選択信号をゲートに
供給し、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する。

具体的には、走査線Ｇ１に選択信号を供給させる。選択信号が供給された第２のトランジ
スタＭ２は、第１のトランジスタＭ１の第２の電極を信号線ＤＬに電気的に接続する（図
７（Ｃ）期間Ｔ２参照）。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、制御信号を検知素子Ｃの第１の電極に供給し、制御信号及び検
知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する。

具体的には、配線ＣＳに矩形の制御信号を供給させる。矩形の制御信号を第１の電極に供
給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇する（図７（
Ｃ）期間Ｔ２の後半を参照）。

例えば、検知素子Ｃが大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素
子Ｃの第１の電極に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる。

これにより、矩形の制御信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる（図７（Ｄ）実線参照）。

《第４のステップ》
第４のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信号
を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位にもたらされる変化に基づいて変化する
電流を信号線ＤＬに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換し、該電圧を出力
する。

《第５のステップ》
第５のステップにおいて、第２のトランジスタＭ２を非導通状態にする選択信号をゲート
に供給する。

以後、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）について、走査線ごとに第１のステップか
ら第５のステップを繰り返す。

＜タッチセンサの構成例２＞
本実施の形態で説明するタッチセンサ１００Ｂは、検知ユニット１０Ｕに換えて検知ユニ
ット１０ＵＢを備える点が図７を参照しながら説明するタッチセンサ１００とは異なる。

検知ユニット１０ＵＢは、以下の点が検知ユニット１０Ｕと異なる。検知ユニット１０Ｕ
において配線ＣＳに電気的に接続される検知素子Ｃの第１の電極が、検知ユニット１０Ｕ
Ｂにおいては走査線Ｇ１に電気的に接続される。検知ユニット１０Ｕにおいて第２のトラ
ンジスタＭ２を介して信号線ＤＬと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１の第２の
電極が、検知ユニット１０ＵＢにおいては第２のトランジスタＭ２を介すことなく信号線
ＤＬと電気的に接続される。ここでは検知ユニット１０Ｕとは異なる構成について詳細に
説明し、検知ユニット１０Ｕと同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援
用する。

タッチセンサ１００Ｂは、検知ユニット１０ＵＢ、走査線Ｇ１、信号線ＤＬ、及び可撓性
基板１６を有する（図８（Ａ））。複数の検知ユニット１０ＵＢは、ｎ行ｍ列（ｎ及びｍ
は１以上の自然数）のマトリクス状に配置される。走査線Ｇ１は、行方向に配置される複
数の検知ユニット１０ＵＢと電気的に接続される。信号線ＤＬは、列方向に配置される複
数の検知ユニット１０ＵＢと電気的に接続される。

なお、検知ユニット１０ＵＢは検知素子Ｃを備え、検知素子Ｃの第１の電極は走査線Ｇ１
と電気的に接続されている。これにより、選択信号を用いて検知素子Ｃの第１の電極の電
位を、選択された一の走査線Ｇ１に電気的に接続される複数の検知ユニット１０ＵＢごと
に制御することができる。

また、信号線ＤＬと同一の工程を用いて形成することができる導電膜を用いて形成された
配線を走査線Ｇ１に用いることができる。

また、検知素子Ｃの第１の電極と同一の工程を用いて形成することができる導電膜を用い
て形成された配線を走査線Ｇ１に用いてもよい。例えば、行方向に隣接する検知ユニット
１０ＵＢが備える検知素子Ｃの第１の電極を接続し、接続された第１の電極を走査線Ｇ１
に用いることができる。

検知ユニット１０ＵＢは、ゲートが検知素子Ｃの第２の電極と電気的に接続され、第１の
電極が配線ＶＰＩと電気的に接続される第１のトランジスタＭ１を備える（図８（Ｂ））
。

また、ゲートが配線ＲＥＳと電気的に接続され、第１の電極が検知素子Ｃの第２の電極と
電気的に接続され、第２の電極が配線ＶＲＥＳと電気的に接続される第３のトランジスタ
Ｍ３を備える構成であってもよい。

本発明の一態様のタッチセンサの駆動方法について説明する。

《第１のステップ》
第１のステップにおいて、第３のトランジスタＭ３を導通状態にした後に非導通状態にす
るリセット信号をゲートに供給し、検知素子Ｃの第２の電極の電位を所定の電位にする（
図８（Ｃ）期間Ｔ１参照）。

具体的には、リセット信号を配線ＲＥＳに供給させる。リセット信号が供給された第３の
トランジスタＭ３は、ノードＡの電位を例えば第１のトランジスタＭ１を導通状態にする
ことができる電位にする（図８（Ｂ））。

《第２のステップ》
第２のステップにおいて、選択信号を検知素子Ｃの第１の電極に供給し、選択信号及び検
知素子Ｃの容量に基づいて変化する電位を第１のトランジスタＭ１のゲートに供給する（
図８（Ｃ）期間Ｔ２参照）。

具体的には、走査線Ｇ１（ｉ－１）に矩形の選択信号を供給させる。矩形の選択信号を第
１の電極に供給された検知素子Ｃは、検知素子Ｃの容量に基づいてノードＡの電位を上昇
する。

例えば、検知素子Ｃが大気中に置かれている場合、大気より誘電率の高いものが、検知素
子Ｃの第１の電極に近接して配置された場合、検知素子Ｃの容量は見かけ上大きくなる。

これにより、矩形の選択信号がもたらすノードＡの電位の変化は、大気より誘電率の高い
ものが近接して配置されていない場合に比べて小さくなる。

《第３のステップ》
第３のステップにおいて、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位の変化がもたらす信号
を信号線ＤＬに供給する。

例えば、第１のトランジスタＭ１のゲートの電位にもたらされる変化に基づいて変化する
電流を信号線ＤＬに供給する。

変換器ＣＯＮＶは、信号線ＤＬを流れる電流の変化を電圧の変化に変換し、端子ＯＵＴは
該電圧を出力する。

以後、走査線Ｇ１（１）乃至走査線Ｇ１（ｎ）について、走査線ごとに第１のステップか
ら第３のステップを繰り返す（図８（Ｃ）期間Ｔ２～Ｔ４参照）。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルと、該表示パネルの作製方法について説
明する。

以下では、本発明の一態様の表示パネルとして用いることができる、有機ＥＬ素子を用い
た発光装置を例示する。

＜具体例１＞
図９（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図９（Ａ）における一点鎖線Ａ１－Ａ２間の断面
図の一例を図９（Ｃ）に示す。具体例１で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いた
トップエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、
Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ（赤）、
Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成、Ｒ（赤）、Ｇ
（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。
色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷＹ以外の色を用いてもよく、例えば、シアン、
マゼンタなどで構成されてもよい。

図９（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有する
。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１、
基板８０３、及び接着層８２３によって封止されている。

図９（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラン
ジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、
接着層８２３、オーバーコート８４９、着色層８４５、遮光層８４７、絶縁層８４３、接
着層８４１、及び基板８０３を有する。接着層８２３、オーバーコート８４９、絶縁層８
４３、接着層８４１、及び基板８０３は可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる
遮光層８４７と、を有する。着色層８４５及び遮光層８４７はオーバーコート８４９で覆
われている。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接着層８２３で充填されてい
る。

絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏す
る。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を
有する絶縁層を選択することが好適である。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図９（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つ
のトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。また、絶縁層８
４３と基板８０３は接着層８４１によって貼り合わされている。絶縁層８１３や絶縁層８
４３に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物
が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタ
ート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。こ
こでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐ
ため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工
程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成す
る電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。

図９（Ｃ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５
は、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁
層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５は
ＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気
的に接続する。導電層８５７と基板８０３とが重なる場合には、基板８０３を開口する（
又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８
０８を電気的に接続させることができる。

＜具体例２＞
図９（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図９（Ｂ）における一点鎖線Ａ３－Ａ４間の断面
図の一例を図９（Ｄ）に示す。具体例２で示す発光装置は、具体例１とは異なる、カラー
フィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。ここでは、具体例１と異
なる点のみ詳述し、具体例１と共通する点は説明を省略する。

図９（Ｄ）に示す発光装置は、図９（Ｃ）に示す発光装置と下記の点で異なる。

図９（Ｄ）に示す発光装置は、絶縁層８２１上にスペーサ８２７を有する。スペーサ８２
７を設けることで、基板８０１と基板８０３の間隔を調整することができる。

また、図９（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１と基板８０３の大きさが異なる。ＦＰＣ
８０８が絶縁層８４３上に位置し、基板８０３と重ならない。接続体８２５は、絶縁層８
４３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層
８５７と接続している。基板８０３に開口を設ける必要がないため、基板８０３の材料が
制限されない。

＜具体例３＞
図１０（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１０（Ａ）における一点鎖線Ａ５－Ａ６間の
断面図の一例を図１０（Ｃ）に示す。具体例３で示す発光装置は、塗り分け方式を用いた
トップエミッション型の発光装置である。

図１０（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有す
る。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは基板８０１
、基板８０３、枠状の接着層８２４、及び接着層８２３によって封止されている。

図１０（Ｃ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラ
ンジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１
、接着層８２３、枠状の接着層８２４、及び基板８０３を有する。接着層８２３及び基板
８０３は可視光を透過する。

枠状の接着層８２４は、接着層８２３よりも防湿性が高い層であることが好ましい。これ
により、外部から水分等の不純物が発光装置に侵入することを抑制できる。したがって、
信頼性の高い発光装置を実現することができる。

具体例３では、接着層８２３を介して発光素子８３０の発光が発光装置から取り出される
。したがって、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて透光性が高いことが好まし
い。また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて屈折率が高いことが好ましい。
また、接着層８２３は、枠状の接着層８２４に比べて硬化時の体積の収縮が小さいことが
好ましい。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１
と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する
。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続
する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光
を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図１０（Ｃ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入
することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同
一の工程で作製した例を示す。

図１０（Ｃ）に示す発光装置ではＦＰＣ８０８が基板８０３上に位置する。接続体８２５
は、基板８０３、接着層８２３、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介
して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。
接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。

＜具体例４＞
図１０（Ｂ）に発光装置の平面図を示し、図１０（Ｂ）における一点鎖線Ａ７－Ａ８間の
断面図の一例を図１０（Ｄ）に示す。具体例４で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を
用いたボトムエミッション型の発光装置である。

図１０（Ｄ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、複数のトラ
ンジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７
ｂ、導電層８１６、複数の発光素子、絶縁層８２１、接着層８２３、及び基板８０３を有
する。基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び
絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。

発光部８０４は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジスタ８
２０、トランジスタ８２２、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８
１７ｂ上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上
部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はド
レイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている
。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過す
る。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶
縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければ
よい。

駆動回路部８０６は、接着層８１１及び絶縁層８１３を介して基板８０１上にトランジス
タを複数有する。図１０（Ｄ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２
つのトランジスタを示している。

絶縁層８１３と基板８０１は接着層８１１によって貼り合わされている。絶縁層８１３に
防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、８２２に水等の不純
物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。

導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電
気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。
また、ここでは、導電層８５７を、導電層８１６と同一の材料、同一の工程で作製した例
を示す。

＜具体例５＞
図１０（Ｅ）に具体例１～４とは異なる発光装置の例を示す。

図１０（Ｅ）に示す発光装置は、基板８０１、接着層８１１、絶縁層８１３、導電層８１
４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、絶縁層８２１、接着層８２３、
及び基板８０３を有する。

導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気
的に接続させることができる。

発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部
電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッショ
ン型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電
極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と
電気的に接続する。

光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、
凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板
上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を
有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することが
できる。

導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下
を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気
的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設
けてもよい。

導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム
、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合
金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の膜厚は、
例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．
５μｍ以下である。

＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明し
た構成については説明を省略する場合がある。

基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光
素子からの光を取り出す側の基板は、該光に対する透光性を有する材料を用いる。

特に、可撓性基板を用いることが好ましい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚
さのガラス、金属、合金を用いることができる。

ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガ
ラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。

基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損
しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは
合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい
発光装置を実現できる。

金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置
の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板
の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であるこ
とがより好ましい。

金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム
、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適
に用いることができる。

また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制
でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率
の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造とし
てもよい。

可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ
）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル
樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂
、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリ
スチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂等が挙げられる。特に、熱膨
張率の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹
脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプ
レグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて熱膨張率を下げた基板を使用するこ
ともできる。

可撓性基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコ
ート層（例えば、窒化シリコン層など）や、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミ
ド樹脂層など）等と積層されて構成されていてもよい。

可撓性基板は、複数の層を積層して用いることもできる。特に、ガラス層を有する構成と
すると、水や酸素に対するバリア性を向上させ、信頼性の高い発光装置とすることができ
る。

例えば、発光素子に近い側からガラス層、接着層、及び有機樹脂層を積層した可撓性基板
を用いることができる。当該ガラス層の厚さとしては２０μｍ以上２００μｍ以下、好ま
しくは２５μｍ以上１００μｍ以下とする。このような厚さのガラス層は、水や酸素に対
する高いバリア性と可撓性を同時に実現できる。また、有機樹脂層の厚さとしては、１０
μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下とする。このような有機
樹脂層をガラス層よりも外側に設けることにより、ガラス層の割れやクラックを抑制し、
機械的強度を向上させることができる。このようなガラス材料と有機樹脂の複合材料を基
板に適用することにより、極めて信頼性が高いフレキシブルな発光装置とすることができ
る。

接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌
気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキ
シ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂
、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（
エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い
材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いて
もよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化
カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いる
ことができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸
着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が機能素子に侵
入することを抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子か
らの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼ
オライト、ジルコニウム等を用いることができる。

発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。先の実施の形態でアクティブ
マトリクス方式のタッチセンサに用いたトランジスタと同様の構成を適用してもよい。例
えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい
。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等
が挙げられる。または、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、
亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。

トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結
晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域
を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジ
スタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、
酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機
絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、
ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法
、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（
Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成
できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各構成例では、絶縁層
８１３がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。

発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度
が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機Ｅ
Ｌ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。

発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型の
いずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。
また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい
。

可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉ
ｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加
した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、
ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしく
はチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例え
ば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。
また、上記材料の積層膜を導電膜として用いることができる。例えば、銀とマグネシウム
の合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。ま
た、グラフェン等を用いてもよい。

可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングス
テン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又は
これら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタ
ン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタ
ンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニ
ウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀
とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合
金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属
酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属
膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可
視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの
積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。

電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、イン
クジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成
することができる。

下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加する
と、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入され
た電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光
する。

ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正
孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質
、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物
質）等を含む層をさらに有していてもよい。

ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機
化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着
法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができ
る。

発光素子は、一対の防湿性の高い絶縁膜の間に設けられていることが好ましい。これによ
り、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制
できる。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含
む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸
化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^－５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］
以下、好ましくは１×１０^－６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０
^－７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^－８［ｇ／（ｍ^２・ｄａ
ｙ）］以下とする。

防湿性の高い絶縁膜を、絶縁層８１３や絶縁層８４３に用いることが好ましい。

絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウ
ム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及
び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドア
ミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低
誘電率材料（ｌｏｗ－ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させる
ことで、各絶縁層を形成してもよい。

絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては
、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ
樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、絶縁
層８２１の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好
ましい。

絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、
蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷
等）等を用いればよい。

スペーサ８２７は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することがで
きる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる
各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることがで
きる。導電材料を含むスペーサ８２７と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とす
ることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２
７は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。

トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光装置に用い
る導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニ
ウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用い
て、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を
用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ_２Ｏ_３等）、
酸化スズ（ＳｎＯ_２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ_２
Ｏ_３－ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いるこ
とができる。

着色層８４５は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の
光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）の
カラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用い
ることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォト
リソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。

遮光層８４７は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子から
の光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、
遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層として
は、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料
を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回
路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制でき
るため好ましい。

また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコート８４９を設けてもよい。オーバーコートを
設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる
。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリ
コン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を
用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として
接着層の材料に対してぬれ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコー
トとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜
を用いることが好ましい。

接続体８２５としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート
状の、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子として
は、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子
を用いることが好ましい。

＜表示パネルの作製方法＞
次に、本発明の一態様の表示パネルの作製方法を例示する。ここでは、図９（Ａ）、図９
（Ｃ）に示すカラーフィルタ方式を用いたトップエミッション構造の発光装置（上記具体
例１）を作製する例を示す。

まず、図１１（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２
０３上に絶縁層８１３を形成する。次に、絶縁層８１３上に複数のトランジスタ（トラン
ジスタ８２０等）、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子（発光
素子８３０等）、及び絶縁層８２１を形成する。なお、導電層８５７が露出するように、
絶縁層８２１、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５は開口する。ここでは、露出した導電層
８５７上に、発光素子のＥＬ層と同一材料、同一工程でＥＬ層８６２を形成し、ＥＬ層８
６２上に、発光素子の上部電極と同一材料、同一工程で導電層８６４を形成する。なお、
ＥＬ層８６２及び導電層８６４は設けなくてもよい。ここで、絶縁層８１３から発光素子
までを被剥離層とする。

ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限られない。この工程では、作製
基板２０１から被剥離層を剥離する際に、作製基板２０１と剥離層２０３の界面、剥離層
２０３と被剥離層の界面、又は剥離層２０３中で剥離が生じるような材料を選択する。本
実施の形態では、被剥離層と剥離層２０３の界面で剥離が生じる場合を例示するが、剥離
層２０３や被剥離層に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られない。なお、被剥
離層が積層構造である場合、剥離層２０３と接する層を特に第１の層と記す。

例えば、剥離層２０３がタングステン膜と酸化タングステン膜との積層構造である場合、
タングステン膜と酸化タングステン膜との界面（又は界面近傍）で剥離が生じることで、
被剥離層側に剥離層２０３の一部（ここでは酸化タングステン膜）が残ってもよい。また
被剥離層側に残った剥離層２０３は、その後除去してもよい。

作製基板２０１には、少なくとも作製工程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を
用いる。作製基板２０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導
体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることがで
きる。

作製基板２０１にガラス基板を用いる場合、作製基板２０１と剥離層２０３との間に、下
地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン
膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。

剥離層２０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コ
バルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジ
ウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材
料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のい
ずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化
インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ酸化物等
の金属酸化物を用いてもよい。剥離層２０３に、タングステン、チタン、モリブデンなど
の高融点金属材料を用いると、被剥離層の形成工程の自由度が高まるため好ましい。

剥離層２０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティ
ング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層２
０３の厚さは例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは２０ｎｍ以上１００ｎｍ以
下とする。

剥離層２０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモ
リブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もし
くは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタング
ステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。な
お、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金
に相当する。

また、剥離層２０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積
層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される
絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を
含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸
化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の
強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラ
ズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスと
の混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層２０３
の表面状態を変えることにより、剥離層２０３と後に形成される絶縁層との密着性を制御
することが可能である。

なお、作製基板と被剥離層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。
例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリ
オレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、
レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして
、有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高い
エネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行
うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作
製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。

当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製
工程で基板に高温をかけることができない。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタ
は、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。

なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、
被剥離層の露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。

または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層
を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。

また、図１１（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２
２３上に絶縁層８４３を形成する。次に、絶縁層８４３上に遮光層８４７及び着色層８４
５を形成する。なお、ここでは図示しないが、図９（Ｄ）に示すように、遮光層８４７及
び着色層８４５を覆うオーバーコートを設けてもよい。ここで、絶縁層８４３、遮光層８
４７、及び着色層８４５を被剥離層とする。

次に、作製基板２０１と作製基板２２１とを接着層８２３により貼り合わせ、接着層８２
３を硬化させる。作製基板２０１と作製基板２２１の貼り合わせは減圧雰囲気下で行うこ
とが好ましい。

なお、図１１（Ｃ）では、剥離層２０３と剥離層２２３の大きさが同じ場合を示したが、
異なる大きさの剥離層を用いてもよい。

接着層８２３は、剥離層２０３及び被剥離層と重なるように配置する。そして、図１１（
Ｃ）に示すように、接着層８２３の端部は、剥離層２０３の端部よりも外側に位置しない
ことが好ましい。接着層８２３が剥離層２０３と重ならない領域を有すると、その領域の
広さや、接着層８２３と接する層との密着性によって、剥離不良が生じやすくなる場合が
ある。したがって、接着層８２３は剥離層２０３の内側に位置する、もしくは、接着層８
２３の端部と剥離層２０３の端部とが重なることが好ましい。

本実施の形態では、接着層８２３にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。な
お、シート状の接着剤は流動性が低いため、所望の領域にのみ配置することができ、剥離
層２０３の外側に接着層８２３が広がること、さらには、剥離工程の歩留まりが低下する
ことを抑制できる。そして、剥離工程の歩留まりを向上させることができる。

そして、レーザ光の照射により、剥離の起点を形成する（図１１（Ｃ））。ここでは、絶
縁層８１３及び剥離層２０３の一部を除去する例を示す。なお、剥離の起点を形成する工
程を示す各図において、剥離の起点が形成される領域は点線で囲って示す。

レーザ光は、硬化状態の接着層８２３と、被剥離層と、剥離層２０３とが重なる領域に対
して照射する。レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素
子等に照射されることを抑制するため、剥離層２０３が設けられた作製基板２０１側から
照射することが好ましい。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する
材料を用いる。

少なくとも第１の層（被剥離層に含まれる、剥離層２０３と接する層）にクラックを入れ
る（膜割れやひびを生じさせる）ことで、第１の層の一部を除去し、剥離の起点を形成で
きる。このとき、第１の層だけでなく、被剥離層の他の層や、剥離層２０３、接着層８２
３の一部を除去してもよい。レーザ光の照射によって、被剥離層、剥離層２０３、又は接
着層８２３に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。

本作製方法では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせ
た後に、剥離をし、可撓性基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼
り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板ど
うしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。し
たがって、発光素子とカラーフィルタの貼り合わせの位置合わせ精度が高い作製方法であ
るといえる。

次に、形成した剥離の起点から、被剥離層と作製基板２０１とを剥離する。これにより、
被剥離層が作製基板２０１から作製基板２２１に転置される（図１２（Ａ））。

作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異な
る場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基
板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を
作製した場合、素子を形成した基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよ
い。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。

例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを
回転させながら分離する処理等）によって被剥離層と作製基板２０１とを分離すればよい
。

また、剥離層２０３と被剥離層との界面に水などの液体を浸透させて作製基板２０１と被
剥離層とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層２０３と被剥離層の間にしみ
こむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、被剥離層に
含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を
抑制できる。

次に、作製基板２０１から剥離され、露出した絶縁層８１３と、基板８０１とを接着層８
１１により接着する。本実施の形態では、接着層８１１にシート状の接着剤を用いるが、
これに限られない。

次に、レーザ光の照射により剥離の起点を形成する（図１２（Ｂ））。そして、形成した
剥離の起点から、絶縁層８４３と作製基板２２１とを分離する（図１２（Ｃ））。

以上により、被剥離層を作製基板２０１及び作製基板２２１から基板８０１上に転置する
ことができる。

その後、導電層８５７を露出する工程と、絶縁層８４３及び基板８０３を、接着層８４１
を用いて貼り合わせる工程と、を行う。どちらの工程を先に行ってもよい。本実施の形態
では、先に絶縁層８４３及び基板８０３を、接着層８４１を用いて貼り合わせる（図１３
（Ａ））。ここでは、接着層８４１にシート状の接着剤を用いるが、これに限られない。

例えば、絶縁層８４３、接着層８２３を開口することで、導電層８５７を露出させる。な
お、基板８０３が導電層８５７と重なる構成の場合は、導電層８５７を露出させるために
、基板８０３及び接着層８４１も開口する。

開口の手段は特に限定されず、例えばレーザアブレーション法、エッチング法、イオンビ
ームスパッタリング法などを用いればよい。また、導電層８５７上の膜に針やカッターな
どの鋭利な刃物等を用いて切り込みを入れ、物理的な力で膜の一部を引き剥がしてもよい
。

例えば、膜の一部を除去した領域をきっかけに、導電層８５７と重なる基板８０３、接着
層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８６２、及び導電層８６４を除去する（
図１３（Ｂ））。例えば、粘着性のローラーを基板８０３に押し付け、ローラーを回転さ
せながら相対的に移動させる。または、粘着性のテープを基板８０３に貼り付け、剥がし
てもよい。ＥＬ層８６２と導電層８６４の密着性や、ＥＬ層８６２を構成する層どうしの
密着性が低いため、ＥＬ層８６２と導電層８６４の界面、又はＥＬ層８６２中で分離が生
じる。これにより、基板８０３、接着層８４１、絶縁層８４３、接着層８２３、ＥＬ層８
６２、又は導電層８６４の導電層８５７と重なる領域を選択的に除去することができる。
なお、導電層８５７上にＥＬ層８６２等が残存した場合は、有機溶剤等により除去すれば
よい。

なお、導電層８５７が露出し、後の工程でＦＰＣ８０８と電気的に接続することができれ
ば、導電層８５７と重なる層を除去する方法は問わない。必要が無ければＥＬ層８６２や
導電層８６４を導電層８５７に重ねて形成しなくてもよい。例えば、ＥＬ層８６２中で分
離が生じる場合は導電層８６４を設けなくてもよい。また、用いる材料によっては、ＥＬ
層８６２と接着層８２３が接することで、２層の材料が混合する、層の界面が不明確にな
る等の不具合が生じる場合がある。このようなときには、発光装置の信頼性の低下を抑制
するため、ＥＬ層８６２と接着層８２３の間に導電層８６４を設けることが好ましい。

最後に、異方性導電材（接続体８２５）で入出力端子部の各電極（導電層８５７）にＦＰ
Ｃ８０８を貼り付ける。必要があればＩＣチップなどを実装させてもよい。なお、可撓性
基板がたわみやすいと、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、貼り合わせの精度が低下する
場合がある。したがって、ＦＰＣやＴＣＰを取り付ける際に、作製した装置をガラスやシ
リコーンゴム等で支持してもよい。これによりＦＰＣ又はＴＣＰと、機能素子との電気的
な接続を確実にすることができる。

以上に示した本発明の一態様の発光装置の作製方法では、剥離の起点を形成し、剥離層と
被剥離層とを剥離しやすい状態にしてから、剥離を行う。これにより、剥離工程の歩留ま
りを向上させることができる。したがって、歩留まりよく発光装置を作製できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様のタッチパネルを適用して作製できる電子機器及び照
明装置について、図１４及び図１５を用いて説明する。

本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有する。したがって、可撓性を有する電子機器
や照明装置に好適に用いることができる。また、本発明の一態様を適用することで、信頼
性が高く、繰り返しの曲げに対して強い電子機器や照明装置を作製できる。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともい
う）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタル
フォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携
帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

また、本発明の一態様のタッチパネルは可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは
外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。

また、本発明の一態様の電子機器や照明装置は、タッチパネルと二次電池を有していても
よい。このとき、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい
。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオ
ンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラ
ジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる
。

本発明の一態様の電子機器や照明装置は、タッチパネルとアンテナを有していてもよい。
アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。ま
た、タッチパネルが二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい
。

図１４（Ａ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１
に組み込まれた表示部７４０２のほか、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、
スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本
発明の一態様のタッチパネルを表示部７４０２に用いることにより作製される。本発明の
一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯電話機を提供できる。

図１４（Ａ）に示す携帯電話機７４００は、指などで表示部７４０２に触れることで、情
報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる
操作は、指などで表示部７４０２に触れることにより行うことができる。

また、操作ボタン７４０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７４０２に
表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メイン
メニュー画面に切り替えることができる。

図１４（Ｂ）は、腕時計型の携帯情報端末の一例を示している。携帯情報端末７１００は
、筐体７１０１、表示部７１０２、バンド７１０３、バックル７１０４、操作ボタン７１
０５、入出力端子７１０６などを備える。

携帯情報端末７１００は、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インタ
ーネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができ
る。

表示部７１０２はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うこ
とができる。また、表示部７１０２はタッチセンサを備え、指やスタイラスなどで画面に
触れることで操作することができる。例えば、表示部７１０２に表示されたアイコン７１
０７に触れることで、アプリケーションを起動することができる。

操作ボタン７１０５は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ
動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持
たせることができる。例えば、携帯情報端末７１００に組み込まれたオペレーティングシ
ステムにより、操作ボタン７１０５の機能を自由に設定することもできる。

また、携帯情報端末７１００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能で
ある。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで
通話することもできる。

また、携帯情報端末７１００は入出力端子７１０６を備え、他の情報端末とコネクターを
介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７１０６を介して充電
を行うこともできる。なお、充電動作は入出力端子７１０６を介さずに無線給電により行
ってもよい。

携帯情報端末７１００の表示部７１０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込ま
れている。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端
末を提供できる。

図１４（Ｃ）～（Ｅ）は、照明装置の一例を示している。照明装置７２００、照明装置７
２１０、及び照明装置７２２０は、それぞれ、操作スイッチ７２０３を備える台部７２０
１と、台部７２０１に支持される発光部を有する。

図１４（Ｃ）に示す照明装置７２００は、波状の発光面を有する発光部７２０２を備える
。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。

図１４（Ｄ）に示す照明装置７２１０の備える発光部７２１２は、凸状に湾曲した２つの
発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７２１０を中心に全
方位を照らすことができる。

図１４（Ｅ）に示す照明装置７２２０は、凹状に湾曲した発光部７２２２を備える。した
がって、発光部７２２２からの発光を、照明装置７２２０の前面に集光するため、特定の
範囲を明るく照らす場合に適している。

また、照明装置７２００、照明装置７２１０及び照明装置７２２０の備える各々の発光部
はフレキシブル性を有しているため、発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材
で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。

なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を
備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光
面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく
照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。

ここで、各発光部には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の一
態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。

図１４（Ｆ）には、携帯型のタッチパネルの一例を示している。タッチパネル７３００は
、筐体７３０１、表示部７３０２、操作ボタン７３０３、引き出し部材７３０４、制御部
７３０５を備える。

タッチパネル７３００は、筒状の筐体７３０１内にロール状に巻かれたフレキシブルな表
示部７３０２を備える。

また、タッチパネル７３００は制御部７３０５によって映像信号を受信可能で、受信した
映像を表示部７３０２に表示することができる。また、制御部７３０５にはバッテリをそ
なえる。また、制御部７３０５にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を
有線により外部から直接供給する構成としてもよい。

また、操作ボタン７３０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え
等を行うことができる。

図１４（Ｇ）には、表示部７３０２を引き出し部材７３０４により引き出した状態のタッ
チパネル７３００を示す。この状態で表示部７３０２に映像を表示することができる。ま
た、筐体７３０１の表面に配置された操作ボタン７３０３によって、片手で容易に操作す
ることができる。また、図１４（Ｆ）のように操作ボタン７３０３を筐体７３０１の中央
でなく片側に寄せて配置することで、片手で容易に操作することができる。

なお、表示部７３０２を引き出した際に表示部７３０２の表示面が平面状となるように固
定するため、表示部７３０２の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。

なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によっ
て音声を出力する構成としてもよい。

表示部７３０２には、本発明の一態様のタッチパネルが組み込まれている。本発明の一態
様により、軽量で、且つ信頼性の高いタッチパネルを提供できる。

図１５（Ａ）～（Ｃ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３１０を示す。図１５（Ａ）に
展開した状態の携帯情報端末３１０を示す。図１５（Ｂ）に展開した状態又は折りたたん
だ状態の一方から他方に変化する途中の状態の携帯情報端末３１０を示す。図１５（Ｃ）
に折りたたんだ状態の携帯情報端末３１０を示す。携帯情報端末３１０は、折りたたんだ
状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧
性に優れる。

タッチパネル３１４はヒンジ３１３によって連結された３つの筐体３１５に支持されてい
る。ヒンジ３１３を介して２つの筐体３１５間を屈曲させることにより、携帯情報端末３
１０を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。本発明の
一態様のタッチパネルをタッチパネル３１４に用いることができる。例えば、曲率半径１
ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができるタッチパネルを適用できる。

なお、本発明の一態様において、タッチパネルが折りたたまれた状態又は展開された状態
であることを検知して、検知情報を供給するセンサを備える構成としてもよい。タッチパ
ネルの制御装置は、タッチパネルが折りたたまれた状態であることを示す情報を取得して
、折りたたまれた部分（又は折りたたまれて使用者から視認できなくなった部分）の動作
を停止してもよい。具体的には、表示を停止してもよい。また、タッチセンサによる検知
を停止してもよい。

同様に、タッチパネルの制御装置は、タッチパネルが展開された状態であることを示す情
報を取得して、表示やタッチセンサによる検知を再開してもよい。

図１５（Ｄ）、（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末３２９を示す。図１５（Ｄ）に
表示部３２６が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２９を示す。図１５
（Ｅ）に、表示部３２６が内側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末３２９を示
す。携帯情報端末３２９を使用しない際に、非表示部３２５を外側に折りたたむことで、
表示部３２６の汚れや傷つきを抑制できる。本発明の一態様のタッチパネルを表示部３２
６に用いることができる。

図１５（Ｆ）は携帯情報端末３３０の外形を説明する斜視図である。図１５（Ｇ）は、携
帯情報端末３３０の上面図である。図１５（Ｈ）は携帯情報端末３４０の外形を説明する
斜視図である。

携帯情報端末３３０、３４０は、例えば電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一
つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることがで
きる。

携帯情報端末３３０、３４０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる
。例えば、３つの操作ボタン３３９を一の面に表示することができる（図１５（Ｆ）、（
Ｈ））。また、破線の矩形で示す情報３３７を他の面に表示することができる（図１５（
Ｇ）、（Ｈ））。なお、情報３３７の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキン
グ・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの
題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。
または、情報３３７が表示されている位置に、情報３３７の代わりに、操作ボタン３３９
、アイコンなどを表示してもよい。なお、図１５（Ｆ）、（Ｇ）では、上側に情報３３７
が表示される例を示したが、本発明の一態様は、これに限定されない。例えば、図１５（
Ｈ）に示す携帯情報端末３４０のように、横側に表示されていてもよい。

例えば、携帯情報端末３３０の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末３３０を収納
した状態で、その表示（ここでは情報３３７）を確認することができる。

具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末３３０の上方
から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末３３０をポケットから取り出す
ことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。

携帯情報端末３３０の筐体３３８、携帯情報端末３４０の筐体３３６がそれぞれ有する表
示部３３３には、本発明の一態様のタッチパネルを用いることができる。本発明の一態様
により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い携帯情報端末を提供できる。

また、図１５（Ｉ）に示す携帯情報端末３４５のように、３面以上に情報を表示してもよ
い。ここでは、情報３５４、情報３５６、情報３５７がそれぞれ異なる面に表示されてい
る例を示す。

携帯情報端末３４５の筐体３５１が有する表示部３５８には、本発明の一態様のタッチパ
ネルを用いることができる。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性
の高い携帯情報端末を提供できる。

本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

本実施例では、本発明の一態様のタッチパネルを作製し、曲げ試験を行った結果について
説明する。本実施例で作製したタッチパネルは、図１９（Ａ）に示すように、カラーフィ
ルタ方式を用いたトップエミッション型の表示パネルと、静電容量方式のタッチセンサと
、を有する。

＜サンプルの作製方法＞
まず、可撓性を有する表示パネルと可撓性を有するタッチセンサを作製した。いずれも作
製基板であるガラス基板上に素子を形成し、作製基板から該素子を剥離して、可撓性基板
上に該素子を転置した。剥離層としては、タングステン膜と、該タングステン膜上の酸化
タングステン膜の積層構造を形成した。作製方法の詳細は実施の形態２～３を参酌できる
。

表示パネルは、表示素子として有機ＥＬ素子を有し、トランジスタとしてＣＡＡＣ－ＯＳ
（Ｃ Ａｘｉｓ Ａｌｉｇｎｅｄ Ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏ
ｎｄｕｃｔｏｒ）を用いたトランジスタを有する。

ＣＡＡＣ－ＯＳは非晶質ではないため、欠陥準位が少なく、トランジスタの信頼性を高め
ることができる。また、ＣＡＡＣ－ＯＳは結晶粒界を有さないため、可撓性を有する装置
を湾曲させたときの応力によってＣＡＡＣ－ＯＳ膜にクラックが生じにくい。

ＣＡＡＣ－ＯＳは、膜面に対して、結晶のｃ軸が概略垂直配向した結晶性酸化物半導体の
ことである。酸化物半導体の結晶構造としては他にナノスケールの微結晶集合体であるｎ
ａｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌ（ｎｃ）など、単結晶とは異なる多彩な構造が存在することが確
認されている。ＣＡＡＣ－ＯＳは、単結晶よりも結晶性が低く、ｎｃに比べて結晶性が高
い。

本実施例では、Ｉｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物を用いたチャネルエッチ型のトランジスタを用
いた。該トランジスタは、ガラス基板上で５００℃未満のプロセスで作製した。

プラスチック基板等の有機樹脂上に直接トランジスタ等の素子を作製する方法では、素子
の作製工程の温度を、有機樹脂の耐熱温度よりも低くしなくてはならない。本実施例では
、作製基板がガラス基板であり、また、無機膜である剥離層の耐熱性が高いため、ガラス
基板上にトランジスタを作製する場合と同じ温度でトランジスタを作製することができ、
トランジスタの性能、信頼性を容易に確保できる。

有機ＥＬ素子には、青色の光を呈する発光層を有する蛍光発光ユニットと、緑色の光を呈
する発光層及び赤色の光を呈する発光層を有する燐光発光ユニットと、を有するタンデム
型の有機ＥＬ素子を用いた。有機ＥＬ素子は、トップエミッション型である。有機ＥＬ素
子は、光学調整層として機能するＩＴＯ膜を有する。光学調整層の膜厚は、各画素の色に
応じて変化させた。カラーフィルタとマイクロキャビティ構造との組み合わせにより、本
実施例で作製した表示パネルからは、色純度の高い光を取り出すことができる。

表示パネルとタッチセンサはそれぞれ一対の可撓性基板１６を有する。可撓性基板１６と
しては、厚さ２０μｍの有機樹脂フィルムを用いた。

次に、表示パネルとタッチセンサのそれぞれ貼り合わせる面にＵＶオゾン処理を行った。

次に、ラミネータを用いて、タッチセンサにおける表示パネルと貼り合わせる面上に厚さ
３００μｍの接着層を形成した。サンプルでは、シリコーン系ゲル粘着層を用いた。比較
サンプルでは、アクリル系ゲル粘着層を用いた。

ここで、サンプルに用いたシリコーン系ゲル粘着層の物性を示す。ヤング率は５０ｋＰａ
、針入度は１００、透過率は９１％、圧縮永久歪み率は３２％である。また、比較サンプ
ルに用いたアクリル系ゲル粘着層の物性を示す。ヤング率は約３００ｋＰａ、針入度は７
５である。

そして、ラミネータを用いて、接着層により表示パネルとタッチセンサを貼り合わせた。
その後、６０℃で１００時間加熱処理を行い、各基板と、接着層との密着性を向上させた
。

サンプルは、２つ作製し、１つは動作の確認に用い、１つは曲げ試験に用いた。比較サン
プルは、１つ作製し、動作を確認した後、曲げ試験を行った。

サンプル及び比較サンプルの動作を確認した。その結果、作製したサンプル及び比較サン
プルはどちらも、表示パネルで表示している際に、タッチセンサによるセンシングが可能
であることが確認できた。

なお、サンプル及び比較サンプルに用いたものと同様の表示パネルとタッチセンサを直接
重ねた場合、表示パネルで表示している際に、タッチセンサによる正常なセンシングはで
きなかった。次に、表示パネルとタッチセンサを、積層体を介して重ねることで、表示パ
ネルとタッチセンサの間の距離を離した。積層体は、膜厚２５μｍのシリコーン樹脂と、
膜厚５０μｍのＰＥＴフィルムと、を交互に積層した構造である。その結果、表示パネル
とタッチセンサの間の距離が１００μｍ及び１７５μｍのときには、表示パネルで表示し
ている際には、タッチセンサによる正常なセンシングはできなかったが、該距離が２５０
μｍのときには、正常なセンシングが可能であった。ただし、膜厚２５０μｍの積層体を
用いたタッチパネルは、繰り返し曲げて使用することは難しかった。

また、サンプル及び比較サンプルの曲げ試験を行った。図１６に示すように、曲げた部分
（Ｂｅｎｔ ｐｏｒｔｉｏｎ）はタッチパネルの中央部であり、表示部とスキャンドライ
バを含む。曲げ試験は図１７に示すブック型曲げ試験機を用いて行った。

本曲げ試験機はブックの様に開いた状態（図１７（Ａ）参照）と閉じた状態（図１７（Ｂ
）参照）を繰り返すことで曲げ試験を行う。曲げた際の板と板との間の距離を定めること
で、タッチパネルの曲げの曲率半径を決めている。なお、図１７（Ａ）、（Ｂ）に示すパ
ネルは本実施例のサンプルではない。

ブック型曲げ試験機を用いて評価したタッチパネルの曲げ特性を示す。曲率半径５ｍｍで
、７万回、内曲げを行ったところ、表示部に欠陥の発生はなかった。また、曲げ試験後に
、曲げ癖はほぼ見られなかった。なお、ここでは、タッチパネルの表示面を内側にした場
合を内曲げと記す。

図１８（Ｃ）に曲げ試験前のサンプルを示し、図１８（Ｄ）に１６５００回曲げた後のサ
ンプルを示す。なお、７万回曲げた後も、図１８（Ｄ）に示す状態とほぼ変わりがなかっ
た。

ここで、サンプルにおける、表示パネル側に設けられたカラーフィルタ９８とタッチセン
サ側に設けられた電極９９との位置関係に着目した。図１８（Ａ）に示す、サンプルを曲
げていない状態に比べて、図１８（Ｂ）に示す、該サンプルを曲げた状態の方が、カラー
フィルタ９８と電極９９の間隔が広いことがわかった。このことから、実施の形態１で示
したように、接着層１２が図１（Ａ）の状態から図１（Ｂ）の状態に変形しているといえ
る。

一方、比較サンプルは、曲率半径５ｍｍで１回内曲げしただけで、曲げた部分に曲げ癖が
ついた（図１８（Ｅ）に示す点線部参照）。

以上のように、本実施例では、ヤング率が５０ｋＰａの接着層を用いて表示パネルと、タ
ッチセンサを貼り合わせることで、繰り返しの折り曲げに強い信頼性の高いフレキシブル
なタッチパネルを作製することができた。また、タッチパネルの薄型化と、高い検出感度
を両立することができた。

本実施例から、表示パネルと、タッチセンサを貼り合わせる接着層のヤング率を３００ｋ
Ｐａ未満、さらには５０ｋＰａ以下とすることで、タッチパネルの薄型化と、高い検出感
度の両立や、繰り返しの曲げに強いタッチパネルの作製が可能であると示唆された。

１０Ｕ 検知ユニット
１０ＵＢ 検知ユニット
１１ 表示パネル
１２ 接着層
１３ タッチセンサ
１５ 表示素子
１５ａ トランジスタ
１５ｂ 発光素子
１５ｃ トランジスタ
１５ｄ コンタクト部
１５ｅ 容量部
１６ 可撓性基板
１７ 検知素子
１８ 接着層
１９ 絶縁層
２０ 絶縁層
２１ 導電層
２３ 導電層
９８ カラーフィルタ
９９ 電極
１００ タッチセンサ
１００Ｂ タッチセンサ
１１２ タッチセンサ
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２２１ 作製基板
２２３ 剥離層
３０１ 可撓性基板
３０２ 可撓性基板
３０５ ＦＰＣ
３１０ 携帯情報端末
３１１ 配線
３１２ 配線
３１４ タッチパネル
３１３ ヒンジ
３１５ 筐体
３２０ 絶縁層
３２１ 電極
３２２ 電極
３２３ 配線
３２４ 誘電層
３２５ 非表示部
３２６ 表示部
３２９ 携帯情報端末
３３０ 携帯情報端末
３３１ 接着層
３３２ 接着層
３３３ 表示部
３３５ 保護層
３３６ 筐体
３３７ 情報
３３８ 筐体
３３９ 操作ボタン
３４０ 携帯情報端末
３４５ 携帯情報端末
３５１ 筐体
３５４ 情報
３５５ 接続体
３５６ 情報
３５７ 情報
３５８ 表示部
３９１ 作製基板
３９３ 剥離層
３９５ 絶縁層
８０１ 基板
８０３ 基板
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１１ 接着層
８１３ 絶縁層
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１６ 導電層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ トランジスタ
８２３ 接着層
８２４ 接着層
８２５ 接続体
８２７ スペーサ
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４１ 接着層
８４３ 絶縁層
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
８６２ ＥＬ層
８６４ 導電層
７１００ 携帯情報端末
７１０１ 筐体
７１０２ 表示部
７１０３ バンド
７１０４ バックル
７１０５ 操作ボタン
７１０６ 入出力端子
７１０７ アイコン
７２００ 照明装置
７２０１ 台部
７２０２ 発光部
７２０３ 操作スイッチ
７２１０ 照明装置
７２１２ 発光部
７２２０ 照明装置
７２２２ 発光部
７３００ タッチパネル
７３０１ 筐体
７３０２ 表示部
７３０３ 操作ボタン
７３０４ 部材
７３０５ 制御部
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク

Claims (4)

1. 可撓性を有し、かつ、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子を有する表示パネルと、
   タッチセンサと、
   前記表示パネルの前記第２の基板と前記タッチセンサとの間に設けられた接着層と、を有する発光装置であって、
   前記接着層は、ゲル状であり、
   前記接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、
   前記接着層の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、
   前記接着層の透過率は、７０％以上であり、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第２の基板との間に、窒素及び珪素を含む第１の絶縁層を有し、
   前記表示パネルに配置された第１の導電層と、第１のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さず、
   前記タッチセンサに配置された第２の導電層と、第２のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さない発光装置。
2. 可撓性を有し、かつ、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子を有する表示パネルと、
   タッチセンサと、
   前記表示パネルの前記第２の基板と前記タッチセンサとの間に設けられた接着層と、を有する発光装置であって、
   前記接着層は、シリコーンを含み、
   前記接着層は、ゲル状であり、
   前記接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、
   前記接着層の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、
   前記接着層の透過率は、７０％以上であり、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第２の基板との間に、窒素及び珪素を含む第１の絶縁層を有し、
   前記表示パネルに配置された第１の導電層と、第１のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さず、
   前記タッチセンサに配置された第２の導電層と、第２のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さない発光装置。
3. 可撓性を有し、かつ、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子を有する表示パネルと、
   タッチセンサと、
   前記表示パネルの前記第２の基板と前記タッチセンサとの間に設けられた接着層と、を有する発光装置であって、
   前記接着層は、ゲル状であり、
   前記接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、
   前記接着層の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、
   前記接着層の透過率は、７０％以上であり、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第２の基板との間に、窒素及び珪素を含む第１の絶縁層を有し、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第１の基板との間に、窒素及び珪素を含む第２の絶縁層を有し、
   前記表示パネルに配置された第１の導電層と、第１のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さず、
   前記タッチセンサに配置された第２の導電層と、第２のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さない発光装置。
4. 可撓性を有し、かつ、第１の基板及び第２の基板の間に設けられた発光素子を有する表示パネルと、
   タッチセンサと、
   前記表示パネルの前記第２の基板と前記タッチセンサとの間に設けられた接着層と、を有する発光装置であって、
   前記接着層は、シリコーンを含み、
   前記接着層は、ゲル状であり、
   前記接着層のヤング率は、１ｋＰａ以上３００ｋＰａ以下であり、
   前記接着層の厚さは、０．１ｍｍ以上１ｍｍ以下であり、
   前記接着層の透過率は、７０％以上であり、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第２の基板との間に、窒素及び珪素を含む第１の絶縁層を有し、
   前記表示パネルは、前記発光素子と前記第１の基板との間に、窒素及び珪素を含む第２の絶縁層を有し、
   前記表示パネルに配置された第１の導電層と、第１のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さず、
   前記タッチセンサに配置された第２の導電層と、第２のＦＰＣとの接続箇所は、前記接着層と重なりを有さない発光装置。

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