KR20150107621A

KR20150107621A - 터치 패널

Info

Publication number: KR20150107621A
Application number: KR1020150031950A
Authority: KR
Inventors: 다이키 나카무라; 히사오 이케다
Original assignee: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
Priority date: 2014-03-13
Filing date: 2015-03-06
Publication date: 2015-09-23
Also published as: JP6574580B2; US20150261332A1; TWI764064B; TW202022585A; JP2020009457A; TW201543299A; US9977524B2; JP2015187851A; TWI679560B; JP2021036334A; JP2022121467A; JP2024026129A; KR102373945B1

Abstract

본 발명은 가요성을 갖는 터치 패널을 제공한다. 터치 패널의 박형화와 높은 검출 감도를 양립한다.
가요성을 갖는 표시 패널과 가요성을 갖는 터치 센서가 접착층으로 접합된, 가요성을 갖는 터치 패널이다. 상기 접착층의 영률은 1kPa 이상 300kPa 이하이고, 상기 접착층의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하이고, 상기 접착층의 투과율은 70% 이상이다.

Description

터치 패널{TOUCH PANEL}

본 발명의 일 형태는 터치 패널에 관한 것이다. 특히, 가요성을 갖는 터치 패널에 관한 것이다.

또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 기술 분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에 개시(開示)되는 발명의 일 형태는, 물건, 방법, 또는, 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일 형태는, 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는, 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 그러므로 본 명세서에 개시되는 발명의 일 형태에 따른 기술 분야의 더 구체적인 일례로서는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 기기, 조명 장치, 이들의 구동 방법, 또는 이들의 제조 방법을 들 수 있다.

근년에 들어, 가요성을 갖는 기판(이하에서 가요성 기판이라고도 함) 위에 반도체 소자, 표시 소자, 발광 소자 등의 기능 소자가 제공된 플렉시블 디바이스의 개발이 진행되고 있다. 플렉시블 디바이스의 대표적인 예로서는, 조명 장치, 화상 표시 장치 외에, 트랜지스터 등의 반도체 소자를 갖는 다양한 반도체 회로 등을 들 수 있다.

특허문헌 1에는, 필름 기판 위에, 스위칭 소자인 트랜지스터나 유기 EL(Electroluminescence) 소자를 구비한 플렉시블한 액티브 매트릭스형 발광 장치가 개시되어 있다.

또한, 요즘에 표시 장치는 다양한 용도로의 응용이 기대되고 있어, 다양화가 요구되고 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말로서 터치 패널을 구비하는 스마트폰이나 태블릿 단말의 개발이 진행되고 있다.

일본국 특개 2003-174153호 공보

가요성을 갖는 표시 패널에, 유저 인터페이스로서 화면에 손가락 등으로 터치하여 입력하는 기능을 부가한, 가요성을 갖는 터치 패널이 요구되고 있다.

본 발명의 일 형태는 가요성을 갖는 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 가벼운 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 두께가 얇은 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 신뢰성이 높은 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 박형화와 높은 검출 감도를 양립하는 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.

또는 본 발명의 일 형태는 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다. 또는 본 발명의 일 형태는 두께가 얇고 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.

또는 본 발명의 일 형태는 신규 반도체 장치, 발광 장치, 표시 장치, 터치 센서, 터치 패널, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공하는 것을 목적 중 하나로 한다.

또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 과제 모두를 해결할 필요는 없는 것으로 한다. 또한, 상술한 과제 외의 과제는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명확해지는 것이며 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 상술한 과제 외의 과제가 추출될 수 있다.

본 발명의 일 형태는 가요성을 갖는 터치 패널이며, 표시 패널, 터치 센서, 및 접착층을 갖고, 표시 패널 및 터치 센서는 가요성을 갖고, 접착층은 표시 패널과 터치 센서 사이에 있으며, 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 갖고, 제 1 부분의 영률(young's modulus)은 1kPa 이상 300kPa 이하이고, 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하이고, 제 3 부분의 투과율은 70% 이상이다.

상기 구성에서 터치 센서로서 정전 용량 방식의 터치 센서를 갖는 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 표시 패널은 유기 EL 소자를 갖는 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 제 1 부분의 영률은 1kPa 이상 100kPa 이하인 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 0.5mm 이하인 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 제 3 부분의 투과율은 90% 이상인 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 접착층은 제 4 부분을 갖고, 제 4 부분의 압축 영구 변형률은 50% 이하인 것이 바람직하다.

상기 각 구성에서 접착층은 제 5 부분을 갖고, 제 5 부분의 침입도(針入度)는 75보다 큰 것이 바람직하고, 100 이상인 것이 더 바람직하다.

상기 각 구성에서 접착층은 겔 형태라도 좋다.

또한, 본 명세서 중의 발광 장치란, 발광 소자를 사용한 표시 장치를 포함한다. 또한, 발광 소자에 커넥터, 예컨대 이방 도전성 필름, 또는 TCP(Tape Carrier Package)가 장착된 모듈, TCP 끝에 프린트 배선 기판이 제공된 모듈, 또는 발광 소자에 COG(Chip On Glass) 방식으로 IC(집적 회로)가 직접 실장된 모듈은 발광 장치를 포함하는 경우가 있다. 또한, 조명 기구 등도 발광 장치를 포함하는 경우가 있다.

본 발명의 일 형태는 가요성을 갖는 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 가벼운 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 두께가 얇은 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 신뢰성이 높은 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 박형화와 높은 검출 감도를 양립하는 터치 패널을 제공할 수 있다.

또는 본 발명의 일 형태는 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공할 수 있다. 또는 본 발명의 일 형태는 두께가 얇고 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 제공할 수 있다.

또는 본 발명의 일 형태는 신규 반도체 장치, 발광 장치, 표시 장치, 터치 센서, 터치 패널, 전자 기기, 또는 조명 장치를 제공할 수 있다.

또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하는 것이 아니다. 또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 효과 모두를 가질 필요는 없는 것으로 한다. 또한, 상술한 효과 외의 효과는 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 저절로 명확해지는 것이며 명세서, 도면, 청구항 등의 기재로부터 상술한 효과 외의 효과가 추출될 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 일례를 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 일례를 도시한 도면.
도 3은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 일례를 도시한 도면.
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 일례를 도시한 도면.
도 5는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 일례를 도시한 도면.
도 6은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 7은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 구성 및 구동 방법의 일례를 도시한 도면.
도 8은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 구성 및 구동 방법의 일례를 도시한 도면.
도 9는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 일례를 도시한 도면.
도 10은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 일례를 도시한 도면.
도 11은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 12는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 13은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법의 일례를 도시한 도면.
도 14는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기 및 조명 장치의 일례를 도시한 도면.
도 15는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기의 일례를 도시한 도면.
도 16은 실시예에서 제작한 발광 장치를 도시한 도면.
도 17은 실시예의 휨 시험기의 사진.
도 18은 실시예의 결과를 나타낸 사진 및 실시예의 결과를 도시한 도면.
도 19는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 일례를 도시한 도면.

실시형태에 대하여 도면을 사용하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 형태 및 자세한 사항은 본 발명의 취지 및 범위에서 벗어남이 없이 다양하게 변경될 수 있다는 것은 당업자라면 쉽게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하에 기재되는 실시형태의 내용에 한정하여 해석되는 것이 아니다.

또한, 이하에 설명되는 발명의 구성에서 동일 부분 또는 같은 기능을 갖는 부분에는 동일한 부호를 상이한 도면간에서 공통적으로 사용하고 그 반복 설명은 생략한다. 또한, 같은 기능을 갖는 부분을 가리키는 경우에는 해치 패턴을 동일하게 하고, 특별히 부호를 붙이지 않는 경우가 있다.

또한, 도면 등에 도시된 각 구성의, 위치, 크기, 범위 등은, 이해하기 쉽게 하기 위하여 실제의 위치, 크기, 범위 등을 나타내지 않는 경우가 있다. 그러므로, 개시되는 발명은 반드시 도면 등에 도시된 위치, 크기, 범위 등에 한정되지 않는다.

(실시형태 1)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에 대하여 설명한다.

본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은 가요성을 갖는 터치 패널이며, 표시 패널, 터치 센서, 및 접착층을 갖는다. 상기 표시 패널 및 상기 터치 센서는 각각 가요성을 갖는다. 상기 접착층은 상기 표시 패널과 상기 터치 센서 사이에 위치한다. 상기 접착층의 영률은 1kPa 이상 300kPa 이하다.

정전 용량 방식의 터치 센서를 구성하는 배선 또는 전극과, 표시 패널을 구성하는 배선 또는 전극 사이에는 기생 용량이 형성되는 경우가 있다. 이 기생 용량에 의하여 손가락 등을 가까이 댈 때의 용량 변화가 작게 되어, 터치 센서의 검출 감도가 저하될 우려가 있다. 또한, 표시 패널을 구동시켰을 때에 생기는 노이즈가 기생 용량을 통하여 터치 센서 측에 전해지는 경우에도 터치 센서의 검출 감도가 저하될 우려가 있다. 따라서 터치 센서와 표시 패널의 거리를 충분히 넓게 하는 것이 바람직하다.

한편, 터치 센서와 표시 패널을 접착시키는 접착층을 두껍게 하면 터치 패널이 휘어지기 어렵게 되거나 휨에 의하여 접착층이 벗겨지거나 크랙이 생겨 파괴되는 경우가 있다.

그래서 상기 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서는 터치 센서와 표시 패널을 접착시키는 접착층의 영률을 1kPa 이상 300kPa 미만으로 한다. 이에 의하여 접착층을 두껍게 제공하여도 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운 터치 패널을 구현할 수 있다. 따라서 정전 용량 방식의 터치 센서를 사용한 경우에도 터치 센서의 검출 감도가 저하되는 것을 억제할 수 있다.

본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서, 접착층의 영률은 1kPa 이상 100kPa 이하인 것이 더 바람직하고, 1kPa 이상 50kPa 이하인 것이 특히 바람직하다.

예를 들어, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은 휘었을 때의 곡률 반경의 최소값을 1mm 이상 150mm 이하, 바람직하게는 1mm 이상 100mm 이하, 더 바람직하게는 1mm 이상 50mm 이하, 더욱 바람직하게는 1mm 이상 5mm 이하로 할 수 있다.

상기 기생 용량의 영향을 저감하기 위해서는 접착층의 두께를 0.1mm 이상으로 하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하로 하는 것이 바람직하고, 0.1mm 이상 0.5mm 이하인 것이 더 바람직하다.

또한, 기생 용량의 영향이 적은 경우에는 접착층의 두께를 0.1mm 미만으로 하여도 좋다. 기생 용량의 영향이 적은 경우로서는 예컨대, 나중에 기재하는 액티브 매트릭스 방식의 터치 센서를 사용하는 경우 등을 들 수 있다. 이 때, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층의 두께를 0.001mm 이상 0.1mm 미만, 또는 0.01mm 이상 0.1mm 미만 등으로 하여도 좋다. 이에 의하여 두께가 얇고, 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 구현할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층의 투과율은 70% 이상인 것이 바람직하고 90% 이상인 것이 더 바람직하다. 터치 패널의 사용자는 접착층을 개재(介在)하여 표시 패널의 표시를 시인한다. 따라서 접착층의 투과율은 높은 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층의 침입도는 75보다 큰 것이 바람직하고 100 이상이 더 바람직하다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층의 압축 영구 변형률은 50% 이하인 것이 바람직하다.

접착층의 두께, 영률, 투과율, 침입도, 압축 영구 변형률의 바람직한 수치 범위를 각각 상술하였다. 본 발명의 일 형태에서 접착층 전체가 상기 수치 범위에 포함되는 값을 나타내지 않아도 되고 접착층의 일부가 상기 수치 범위에 포함되는 값을 나타내면 좋다.

예를 들어, 본 발명의 일 형태에서 접착층은 제 1 부분을 갖고, 제 1 부분의 영률은 1kPa 이상 300kPa 이하라면 좋다. 마찬가지로 본 발명의 일 형태에서 접착층은 제 2 부분을 갖고, 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하라면 좋다. 마찬가지로 본 발명의 일 형태에서 접착층은 제 3 부분을 갖고, 제 3 부분의 투과율은 70% 이상이라면 좋다. 침입도나 압축 영구 변형률에 대해서도 마찬가지다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 접착층은 겔 형태라도 좋다. 예를 들어, 접착층에 사용할 수 있는 재료로서 실리콘 겔(silicone gel)을 들 수 있다. 예를 들어, 저분자 실록산을 포함하는 실리콘 겔을 사용하여도 좋다.

도 1의 (A)에 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 모식도를 도시하였다.

도 1의 (A)에 도시된 터치 패널은 표시 패널(11)과, 접착층(12)과, 터치 센서(13)를 갖는다.

도 1의 (B)에 도 1의 (A)에 도시된 터치 패널을 휘었을 때의 개념도를 도시하였다. 터치 패널을 휘었을 때에 표시 패널(11)과 터치 센서(13)에서는 휨의 곡률 반경이 상이하기 때문에 한쪽에 대한 다른 쪽의 상대적인 위치에 어긋남이 생긴다. 여기서 도 1의 (B)에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서 사용하는 접착층(12)은 휨으로써 변형시킬 수 있다. 따라서 터치 패널을 휘어도 접착층(12)이 벗겨지기 어렵고 접착층(12)에 크랙이 생기기 어렵다.

나중에 기재하는 실시예에서는 접착층을 개재하여 중첩되는 터치 센서와 표시 패널에서, 터치 센서 측에 제공된 층과, 표시 패널 측에 제공된 층의 위치에 주목한다. 구체적으로는 휘었을 때와 휘어지지 않았을 때에서의, 표시 패널 측에 제공된 층에 대한, 터치 센서 측에 제공된 층의 상대적인 위치에 변화가 있는지 여부를 확인한다.

실시예에서는 표시 패널 측에 제공된 컬러 필터와 터치 센서 측에 제공된 전극에 주목한다. 그리고 도 18의 (A)에 나타낸, 시료를 휘어지지 않는 상태와 도 18의 (B)에 나타낸, 상기 시료를 휜 상태를 비교한다. 도 18의 (A) 및 (B)에서는 각각 왼쪽에 실제의 시료의 사진을 나타냈고 오른쪽에 시료를 상면으로부터 봤을 때의 컬러 필터(98)와 전극(99)의 위치 관계를 설명하기 위한 모식도를 도시하였다. 실시예에서 제작한 시료는 휨으로써 컬러 필터(98)에 대한 전극(99)의 상대적인 위치가 변화된다. 이에 의하여 터치 센서와 표시 패널 사이에 위치하는 접착층이 휨에 따라 변형된다고 생각된다.

또한, 도 1의 (C)~(E)에 터치 패널의 구성예를 도시하였다. 도 1의 (C)~(E)에 도시된 터치 패널은 각각 표시 패널(11)과, 접착층(12)과, 터치 센서(13)를 갖는다. 도 1의 (C)~(E)에서는 표시 패널(11)이나 터치 센서(13)의 구성이 각각 상이하다.

도 1의 (C)에서는 표시 패널(11)은 표시 소자(15)와 한 쌍의 가요성 기판(16)을 갖는다. 표시 소자(15)는 한 쌍의 가요성 기판(16) 사이에 위치한다. 도 1의 (C)에서, 터치 센서(13)는 검지 소자(센서 소자라고도 함)(17)와, 한 쌍의 가요성 기판(16)을 갖는다. 검지 소자(17)는 한 쌍의 가요성 기판(16) 사이에 위치한다. 이와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은 가요성 기판(16)을 4개 갖는다. 표시 패널(11)의 한쪽의 가요성 기판(16)과 터치 센서(13)의 한쪽의 가요성 기판(16)이 대향하고, 접착층(12)에 의하여 접착된다. 바꿔 말하면 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 표시 소자(15)와 검지 소자(17)는 2개의 가요성 기판(16)을 개재하여 중첩된다.

도 1의 (D)에서는 도 1의 (C)와 마찬가지로 표시 패널(11)이 표시 소자(15)와 한 쌍의 가요성 기판(16)을 갖는다. 도 1의 (D)에서, 터치 센서(13)는 검지 소자(17)와, 하나의 가요성 기판(16)을 갖는다. 검지 소자(17)와 표시 패널(11)의 한쪽의 가요성 기판(16)이 대향하고, 접착층(12)에 의하여 접착된다. 이와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 갖는 가요성 기판(16)은 3개라도 좋다.

바꿔 말하면 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 표시 소자(15)와 검지 소자(17)는 하나의 가요성 기판(16)을 개재하여 중첩된다.

표시 소자(15)와 검지 소자(17)가 하나의 가요성 기판(16)을 개재하여 중첩되는 구성은 도 1의 (D)에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 터치 센서(13)가 검지 소자(17)와 한 쌍의 가요성 기판(16)을 갖고, 표시 패널(11)이 표시 소자(15)와 하나의 가요성 기판(16)을 가져도 좋다. 예를 들어, 표시 소자(15)와, 터치 센서(13)의 한쪽의 가요성 기판(16)이 대향하고 접착층(12)에 의하여 접착되어도 좋다. 또한, 표시 소자(15) 또는 검지 소자(17)와, 가요성 기판(16) 사이에 기타 기능 소자, 기능층, 절연층, 도전층 등이 제공되어도 좋다.

도 1의 (E)에서는 표시 패널(11)이 가요성 기판(16)과 표시 소자(15)를 갖는다. 도 1의 (E)에서는 도 1의 (D)와 마찬가지로 터치 센서(13)가 검지 소자(17)와 하나의 가요성 기판(16)을 갖는다. 표시 소자(15)와 검지 소자(17)가 대향하고 접착층(12)에 의하여 접착된다. 이와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 갖는 가요성 기판(16)은 2개라도 좋다.

바꿔 말하면, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에서 표시 소자(15)와 검지 소자(17)는 가요성 기판(16)을 개재하지 않고 중첩된다.

표시 소자(15)와 검지 소자(17)가 가요성 기판(16)을 개재하지 않고 중첩되는 구성은 도 1의 (E)에 도시된 구성에 한정되지 않는다. 예를 들어, 표시 소자(15)와 검지 소자(17) 사이에 기타 기능 소자, 기능층, 절연층, 도전층 등이 제공되어도 좋다.

본 실시형태에서는 터치 패널이 갖는 가요성 기판이 2개, 3개, 또는 4개인 예를 기재하였지만 가요성 기판의 개수는 이에 한정되지 않는다. 터치 패널이 갖는 가요성 기판의 개수가 적으면 터치 패널 전체의 두께를 얇게 할 수 있거나 또는 터치 패널을 경량으로 할 수 있어 바람직하다.

본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 단면 모식도를 도 1의 (F), 도 2, 도 3, 도 19에 도시하였다.

도 1의 (F)에 도시된 터치 패널은 표시 패널(11)과 접착층(12)과, 터치 센서(13)를 갖는다. 도 1의 (F)에 도시된 터치 패널은 도 1의 (C)에서 도시한 4개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다.

도 1의 (F)에 도시된 표시 패널(11)은 4개의 가요성 기판(16), 3개의 접착층(18), 2개의 절연층(19), 트랜지스터(15a), 트랜지스터(15c), 도전층(857), 절연층(815), 도전층(816), 절연층(817a), 절연층(817b), 발광 소자(15b), 절연층(821), 스페이서(827), 착색층(845), 차광층(847), 및 오버코트(849) 등을 갖는다.

절연층(19)과 가요성 기판(16)은 접착층(18)으로 접착된다.

트랜지스터(15a)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 하나는 도전층(816)을 개재하여 발광 소자(15b)의 하부 전극과 전기적으로 접속된다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 갖는 트랜지스터에 특별히 한정은 없다. 트랜지스터(15a)는 보텀 게이트 구조로 하였지만 톱 게이트 구조라도 좋다. 또한, 트랜지스터(15c)는 트랜지스터(15a)의 게이트 전극과 동일 표면 위에 위치하는 제 1 게이트 전극과, 도전층(816)과 동일 표면 위에 위치하는 제 2 게이트 전극을 갖는 듀얼 게이트 구조로 하였지만, 이에 한정되지 않는다.

또한, 구동 회로부가 갖는 트랜지스터와, 표시부(화소부, 발광부라고도 함)가 갖는 트랜지스터는 같은 구조라도 좋고 상이한 구조라도 좋다. 또한, 구동 회로부가 갖는 복수의 트랜지스터는 모두 같은 구조라도 좋고 2종 이상을 사용한 구조라도 좋다. 또한, 표시부가 갖는 복수의 트랜지스터는 모두 같은 구조라도 좋고 2종 이상을 사용한 구조라도 좋다.

착색층(845)은 발광 소자(15b)의 발광 영역과 중첩된다. 차광층(847)은 절연층(821)과 중첩된다.

도 1의 (F)에 도시된 터치 센서(13)는 2개의 가요성 기판(16), 2개의 접착층(18), 2개의 절연층(19), 및 검지 소자(17) 등을 갖는다.

검지 소자(17)는 전극(321), 전극(322), 배선(323), 및 유전층(324)을 갖는다.

도전층(857)과 FPC(Flexible Printed Circuit)(808)가 접속체(825)를 통하여 전기적으로 접속된다. 또한, 전극(322)과 FPC(305)가 접속체(355)를 통하여 전기적으로 접속된다.

또한, 가요성 기판(16), 접착층(18), 및 절연층(19)의 구성에 대해서는 실시형태 4를 참조할 수 있다. 또한, 접착층(12)에 사용할 수 있는 재료를 접착층(18)에 사용하여도 좋다.

도 19의 (A)에 도시된 터치 패널은 도 1의 (C)에 도시된 4개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다. 도 1의 (F)와 도 19의 (A)에서는 표시 패널(11)에 터치 센서(13)가 부착되는 면이 상이하다. 도 19의 (A)에 도시된 구성에서는 FPC(305)가 부착되는 쪽의 가요성 기판(16)이 접착층(12)과 접촉된다. 이와 같이, 표시 패널(11)에 터치 센서(13)가 부착되는 면은 한정되지 않는다.

도 2의 (A)에 도시된 터치 패널은 도 1의 (D)에 도시된 3개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다. 도 2의 (A)에 도시된 터치 패널과 도 1의 (F)에 도시된 터치 패널은 검지 소자(17)가 절연층(19), 접착층(18), 및 가요성 기판(16)을 개재하지 않고 접착층(12)과 중첩되는 점이 상이하다.

도 2의 (B)에 도시된 터치 패널은 도 1의 (E)에 도시된 2개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다. 도 2의 (B)에 도시된 터치 패널과 도 2의 (A)에 도시된 터치 패널은 발광 소자(15b)가 절연층(19), 접착층(18), 및 가요성 기판(16)을 개재하지 않고 접착층(12)과 중첩되는 점이 상이하다. 또한, 도 2의 (B)에 도시된 터치 패널과 도 2의 (A)에 도시된 터치 패널은 검지 소자(17)와 접착층(12) 사이에 절연층(19), 착색층, 차광층, 및 오버코트를 갖는 점이 상이하다.

또한, 착색층이나 차광층은 각각 접착층(12)으로부터 봐서 표시 소자 측에 위치하여도 좋고 터치 센서 측에 위치하여도 좋다.

도 19의 (B)에 도시된 터치 패널은 도 1의 (E)에 도시된, 2개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다. 표시 패널(11) 및 터치 센서(13)가 각각 하나의 가요성 기판(16)을 갖는다. 표시 패널(11) 및 터치 센서(13)의 가요성 기판(16)이 제공되지 않는 측에는 각각 절연층(19)이 제공된다. 절연층(19)끼리를 접착층(12)으로 접합함으로써 도 19의 (B)에 도시된 터치 패널을 제작할 수 있다. 도 19의 (B)에는, 접착층(12)으로부터 봐서 착색층이나 차광층이 표시 소자 측에 위치하는 예를 도시하였다.

또한, 도 19의 (B)에 도시된 바와 같이, 절연층(817a) 및 절연층(817b)은 각각 터치 패널의 단부에 노출되지 않아도 된다. 특히, 절연층(817a) 및 절연층(817b)에 유기 수지를 사용하는 경우에 수분의 침입 등을 억제할 수 있어 바람직하다.

도 3에 도시된 터치 패널은 도 1의 (C)에 도시된 4개의 가요성 기판(16)을 갖는 터치 패널의 일례다.

도 3에 도시된 표시 패널(11)은 2개의 가요성 기판(16), 3개의 접착층(18), 2개의 절연층(19), 복수의 트랜지스터, 콘택트부(15d), 용량부(15e), 도전층(857), 절연층(815), 도전층(816), 절연층(817a), 절연층(817b), 발광 소자(15b), 절연층(821), 스페이서(827), 착색층(845), 차광층(847), 및 오버코트(849) 등을 갖는다.

도 3에서는 구동 회로부의 트랜지스터에 트랜지스터(15c)를 사용한다. 또한, 소스 전극 또는 드레인 전극이 발광 소자(15b)의 하부 전극과 접속되는 트랜지스터에도 트랜지스터(15c)를 사용한다. 또한, 표시부가 갖는 다른 트랜지스터로서는 트랜지스터(15a)를 사용한다. 트랜지스터(15c)는 트랜지스터(15a)에 비하여 전계 효과 이동도를 높일 수 있고 온 전류를 증대시킬 수 있다. 이 결과, 고속 동작이 가능한 구동 회로부를 제작할 수 있다. 또한, 구동 회로부의 점유 면적이 작은 터치 패널을 제작할 수 있다. 또한, 온 전류가 큰 트랜지스터(15c)를 표시부에 제공함으로써 대형 터치 패널이나 고정세(高精細)한 터치 패널에서 배선 개수가 증대되어도 각 배선에서의 신호 지연을 저감할 수 있어 표시 불균일을 억제할 수 있다.

도 3에 도시된 터치 센서(13)는 트랜지스터 및 용량 소자를 갖는, 액티브 매트릭스 방식의 터치 센서다. 상기 트랜지스터 및 상기 용량 소자는 전기적으로 접속된다.

터치 센서(13)는 2개의 가요성 기판(16), 2개의 접착층(18), 2개의 절연층(19), 검지 소자(17) 등을 갖는다.

검지 소자(17)는 용량 소자이며, 도전층(21), 도전층(23), 및 절연층(20)을 갖는다. 검지 소자(17)는 트랜지스터(15a)와 전기적으로 접속된다.

트랜지스터를 구성하는 층과, 용량 소자의 전극이나 유전층을 동일 공정으로 성막함으로써 적은 공정수로 터치 센서를 제작할 수 있어 바람직하다. 도 3에서는 트랜지스터(15c)의 제 2 게이트 전극과 동일 공정으로 제작할 수 있는 도전층(23)을 사용하는 예를 도시하였다. 또한, 용량 소자의 전극과 동일 공정으로 성막하는 층으로서는 예컨대 트랜지스터의 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극, 반도체층, 또는 배선 등을 들 수 있다.

또한, 액티브 매트릭스 방식의 터치 센서를 사용하는 경우에도 가요성 기판(16)의 개수를 2개 또는 3개로 줄여도 좋다.

도 1의 (F), 도 2, 및 도 19에 도시된 검지 소자(17)의 자세한 사항은 실시형태 2를 참조할 수 있다. 도 3에 도시된 액티브 매트릭스 방식의 터치 센서의 자세한 사항은 실시형태 3을 참조할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 갖는 터치 센서는 특별히 한정되지 않는다.

본 발명의 일 형태에서는 예컨대 정전 용량 방식의 터치 센서를 적용할 수 있다. 정전 용량 방식에는 표면형 정전 용량 방식이나 투영형 정전 용량 방식 등이 있다. 투영형 정전 용량 방식은 자기 용량 방식, 상호 용량 방식 등이 있다. 상호 용량 방식을 사용하면, 다점 동시 검출이 가능하게 되기 때문에 바람직하다. 또한, 저항막 방식, 초음파 방식, 광학 방식 등의 터치 센서를 사용하여도 좋다.

또한, 본 발명의 일 형태에서는 터치 센서에 액티브 매트릭스 방식 또는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수 있다.

또한, 표시 패널(11)의 자세한 사항은 실시형태 4의 구체적인 예 2를 참조할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 갖는 표시 패널 및 표시 소자에 특별한 한정은 없다. 본 실시형태에서는 표시 소자로서 발광 소자를 예로 들어 설명하였지만 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널은 다른 표시 소자와 발광 소자를 사용한 패널 또는 장치라도 좋다.

본 명세서 등에서, 표시 소자, 표시 소자를 갖는 장치인 표시 장치, 발광 소자, 및 발광 소자를 갖는 장치인 발광 장치는 다양한 형태를 사용하거나, 또는 다양한 소자를 가질 수 있다. 표시 소자, 표시 장치, 발광 소자, 또는 발광 장치는 예컨대, EL 소자(유기물 및 무기물을 포함하는 EL 소자, 유기 EL 소자, 무기 EL 소자), LED(백색 LED, 적색 LED, 녹색 LED, 청색 LED 등), 트랜지스터(전류에 따라 발광하는 트랜지스터), 전자 방출 소자, 액정 소자, 전자 잉크, 전기 영동 소자, 회절 광 밸브(GLV: Grating Light Valve), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), MEMS(Micro Electro Mechanical System)를 사용한 표시 소자, DMD(Digital Micromirror Device), DMS(Digital Micro Shutter), IMOD(Interferometric Modulator) 소자, 셔터 방식의 MEMS 표시 소자, 광 간섭 방식의 MEMS 표시 소자, 전기습윤 소자, 압전 세라믹 디스플레이, 카본 나노 튜브를 사용한 표시 소자 등의 적어도 하나를 갖는다. 이들 외에도 전기적 또는 자기적 작용에 의하여 콘트라스트, 휘도, 반사율, 투과율 등이 변화되는 표시 매체를 가져도 좋다. EL 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는 EL 디스플레이 등이 있다. 전자 방출 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 필드 이미션 디스플레이(FED) 또는 SED(Surface-conduction Electron-emitter Display)방식 평면형 디스플레이 등을 들 수 있다. 액정 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는 액정 디스플레이(투과형 액정 디스플레이, 반투과형 액정 디스플레이, 반사형 액정 디스플레이, 직시형 액정 디스플레이, 투사형 액정 디스플레이) 등이 있다. 전자 잉크, 전자 분류체(電子粉流體, Electronic Liquid Powder(등록상표)), 또는 전기 영동 소자를 사용한 표시 장치의 일례로서는, 전자 종이 등이 있다. 또한, 반투과형 액정 디스플레이나 반사형 액정 디스플레이를 구현하는 경우에는, 화소 전극의 일부 또는 모두가 반사 전극으로서의 기능을 가지도록 하면 좋다. 예를 들어, 화소 전극의 일부 또는 모두가, 알루미늄, 은, 등을 가지도록 하면 좋다. 또한 이 경우, 반사 전극 아래에 SRAM 등의 기억 회로를 설치하는 것도 가능하다. 이에 의하여, 소비 전력을 더 저감시킬 수 있다.

예를 들어, 본 명세서 등에서, 화소에 능동 소자(액티브 소자, 비선형 소자)를 갖는 액티브 매트릭스 방식, 또는 화소에 능동 소자를 갖지 않는 패시브 매트릭스 방식을 이용할 수 있다.

액티브 매트릭스 방식에서는 능동 소자로서, 트랜지스터뿐만 아니라 다양한 능동 소자를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(Metal Insulator Metal), 또는 TFD(Thin Film Diode) 등을 사용할 수도 있다. 이들 소자는, 제조 공정이 적어 제조 비용의 저감, 또는 수율 향상을 도모할 수 있다. 또는, 이들 소자는 소자의 크기가 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화나 고휘도화를 도모할 수 있다.

패시브 매트릭스 방식에서는 능동 소자를 사용하지 않기 때문에, 제조 공정수가 적어 제조 비용의 저감이나 또는 수율 향상을 도모할 수 있다. 또는 능동 소자를 사용하지 않기 때문에 개구율을 향상시킬 수 있어, 저소비 전력화나 또는 고휘도화 등을 도모할 수 있다.

또한, 여기서는 표시 장치를 사용하여 다양한 표시를 수행하는 경우의 예를 제시하였지만 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 정보를 표시하지 않도록 하여도 좋다. 일례로서는 표시 장치를 조명 장치로서 사용하여도 좋다. 조명 장치로서 사용함으로써 디자인성이 높은 인테리어로서 활용할 수 있다. 또는, 다양한 방향을 비출 수 있는 조명으로서 활용할 수 있다. 또는, 표시 장치를 백 라이트나 프런트 라이트 등의 광원으로서 사용하여도 좋다. 즉, 표시 패널을 위한 조명 장치로서 활용하여도 좋다.

상술한 바와 같이 본 발명의 일 형태는 가요성을 갖는 표시 패널과 가요성을 갖는 터치 센서가 접착층으로 접합된, 가요성을 갖는 터치 패널이다. 접착층의 영률을 1kPa 이상 300kPa 이하로 함으로써 반복적으로 휘어도 깨지기 어렵고 검출 감도가 높은 터치 패널을 구현할 수 있다.

본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시형태 2)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서에 대하여 설명한다.

도 4에 투영형 정전 용량 방식의 터치 센서인 터치 센서(112)를 도시하였다. 도 5의 (A)는 도 4를 절단선 C-D 및 절단선 E-F를 따라 자른 단면도다.

터치 센서(112)는 가요성 기판(301)과 가요성 기판(302) 사이에 복수의 전극(321)과, 복수의 전극(322)을 갖는다. 전극(321)은 복수의 배선(311) 중 어느 것과 전기적으로 접속된다. 전극(322)은 복수의 배선(312) 중 어느 것과 전기적으로 접속된다. 배선(311) 및 배선(312)은 가요성 기판(301)의 외주부까지 연장되고 FPC(305)와 전기적으로 접속된다.

전극(321)은 한 방향으로 연장된 형상을 갖는다. 복수의 전극(322)은 각각 2개의 전극(321) 사이에 제공된다. 전극(321)을 끼우는 2개의 전극(322)이 전극(321)과 교차되는 배선(323)에 의하여 전기적으로 접속된다. 배선(323)과 전극(321) 사이에는 유전층(324)이 제공되고 용량이 형성된다. 터치 센서(112)는 배선(323)에 의하여 전기적으로 접속된 복수의 전극(322)이 한 방향으로 복수로 배열하여 제공되고 이 방향과 교차되는 방향으로 복수의 전극(321)이 배열하여 제공됨으로써 복수의 용량이 매트릭스 형상으로 배치된 구성을 갖는다.

또한, 전극(321), 전극(322), 및 배선(323)은 투광성을 갖는 것이 바람직하다. 여기서 도 4에 도시된 바와 같이, 전극(321)과 전극(322)은 이들 사이에 가능한 한 틈이 생기지 않는 형상으로 하여 배치하는 것이 바람직하다. 또한, 이들 틈에 전극(321), 전극(322), 또는 배선(323)과 동일한 도전막을 포함하는 더미 전극을 제공하여도 좋다. 이와 같이 전극(321)과 전극(322) 사이의 틈을 가능한 한 적게 함으로써 투과율 불균일을 저감할 수 있다. 이 결과, 터치 센서(112)를 투과하는 광의 휘도 불균일을 저감시킬 수 있다.

투광성을 갖는 도전성 재료로서는, 산화 인듐, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 산화물, 산화 텅스텐을 포함한 인듐 아연 산화물, 산화 타이타늄을 포함한 인듐 산화물, 산화 타이타늄을 포함한 인듐 주석 산화물, 인듐 주석 산화물(이하, ITO라고 기재함), 인듐 아연 산화물, 산화 실리콘을 첨가한 인듐 주석 산화물, 갈륨을 첨가한 산화 아연 등의 도전성 산화물, 또는 그래핀을 사용할 수 있다.

투광성을 갖는 도전성 재료를 스퍼터링법으로 기판 위에 성막한 후, 포토리소그래피법 등의 다양한 패터닝 기술을 이용하여 불필요한 부분을 제거함으로써 전극(321), 전극(322), 및 배선(323)을 형성할 수 있다. 그래핀은 CVD법으로 형성하여도 좋고, 산화 그래핀을 분산시킨 용액을 도포한 후에 이것을 환원함으로써 형성하여도 좋다.

또한, 배선(312)은 전극(322)과 전기적으로 접속된다. 배선(312)은 가요성 기판(301)의 외주부에서 그 표면이 노출되도록 제공되고, 접속체(355)를 통하여 FPC(305)와 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 전극(321)과 전기적으로 접속하는 배선(311)도 마찬가지의 구성으로 하면 좋다.

배선(311) 및 배선(312)으로서는 예컨대 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 타이타늄, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료나, 상술한 금속 재료를 포함하는 합금 재료를 사용할 수 있다.

접속체(355)로서는 이방성 도전 필름(ACF: Anisotropic Conductive Film)이나 이방성 도전 페이스트(ACP: Anisotropic Conductive Paste) 등을 사용할 수 있다.

도 5의 (A)에 도시된 구성예에서는 전극(321) 및 전극(322)이 절연층(320) 위에 형성된다. 또한, 가요성 기판(301)과 절연층(320)은 접착층(331)을 개재하여 접착된다. 또한, 가요성 기판(302)과, 전극 등이 제공된 가요성 기판(301)은 접착층(332)에 의하여 접착된다.

접착층(331) 및 접착층(332)은 투광성을 갖는다. 접착층(331)이나 접착층(332)에는 예컨대 열 경화성 수지나 자외선 경화 수지를 이용할 수 있고, 구체적으로는, 아크릴, 우레탄, 에폭시, 또는 실록산 결합을 갖는 수지 등의 수지를 이용할 수 있다.

또한, 가요성 기판(302) 표면에는 보호층(335)이 제공되는 것이 바람직하다. 보호층(335)은 세라믹 코트라고 부를 수 있고, 손가락이나 스타일러스 등으로 터치 센서(112)를 조작할 때 가요성 기판(302) 표면을 보호하는 기능을 갖는다. 특히 외장 부재를 제공하지 않는 경우에는 바람직하다. 보호층(335)에는 예컨대 산화 실리콘, 산화 알루미늄, 산화 이트륨, 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ) 등의 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 보호층(335)은 스퍼터링법이나 졸-겔법 등으로 형성할 수 있다. 특히 에어로졸 데포지션(aerosol deposition)법으로 보호층(335)을 형성하면 치밀성이 높은 막을 저온으로 형성할 수 있고 기계적 강도를 높일 수 있어 바람직하다.

보호층(335)은 적어도 터치면 측에 제공하면 좋다. 또한, 도 5의 (A)에서는 보호층(335)을 가요성 기판(302) 표면에 제공하는 경우를 도시하였지만, 가요성 기판(301) 표면에 제공하여도 좋다.

또한, 접착층(331)을 제공하지 않는 구성으로 하여도 좋다. 도 5의 (B)에는 가요성 기판(301) 상면에 절연층(320)이 제공되는 구성을 도시하였다. 또한, 도 5의 (C)에는 절연층(320)을 제공하지 않는 구성으로 하여 가요성 기판(301) 위에 전극(321), 전극(322) 등이 제공되는 구성을 도시하였다.

도 6의 (C)에 도 5에 도시된 구성과는 상이한 구성예를 도시하였다. 또한, 도 6의 (A) 및 (B)를 사용하여 제작 방법예에 대해서도 설명한다.

제작 기판 위에 피박리층을 형성한 후, 피박리층을 제작 기판으로부터 박리하여 다른 기판에 전치(轉置)할 수 있다. 이 방법을 사용하면 예컨대 내열성이 높은 제작 기판 위에서 형성한 피박리층을 내열성이 낮은 기판으로 전치할 수 있다. 이로써 피박리층의 제작 온도가 내열성이 낮은 기판에 의하여 제한되지 않는다.

먼저 제작 기판(391) 위에 박리층(393)을 형성하고, 박리층(393) 위에 피박리층을 형성한다. 피박리층으로서는 절연층(320), 전극(321), 전극(322), 배선(312), 유전층(324), 배선(323), 절연층(395), 접착층(332), 및 가요성 기판(302)을 형성한다(도 6의 (A) 참조).

절연층(395)은 터치 센서의 보호층으로서 기능하는 층이다. 본 발명의 일 형태에서는 절연층(395)을 제공하는 것이 바람직하지만, 필요 없으면 제공하지 않아도 된다. 절연층(395)으로서는 무기 절연막이나 유기 절연막을 사용하면 좋고 예컨대 산화질화 실리콘막이나 아크릴막 등을 들 수 있다. 절연층(395)의 막 두께는 예컨대 500nm 이상 2000nm 이하로 하면 좋다. 또한, 다른 절연층에 사용할 수 있는 무기 재료, 유기 재료를 적용하여도 좋고 막 두께도 상술한 것에 한정되지 않는다.

그리고 박리층(393)을 사용하여 제작 기판(391)과 피박리층을 분리한다(도 6의 (B) 참조).

그리고 노출된 절연층(320)과 가요성 기판(301)을 접착층(331)을 사용하여 접합시킨다(도 6의 (C) 참조). 또한, 가요성 기판(302) 및 접착층(332)의 일부를 제거함으로써 배선(312)을 노출시킨다. 예를 들어, 기판에 포함되는 수지를 녹임으로써 배선(312)을 노출하여도 좋다. 그리고 배선(312), 접속체(355), 및 FPC(305)를 전기적으로 접속한다.

상술한 공정을 거쳐 도 6의 (C)에 도시된 구성의 터치 센서를 제작할 수 있다. 또한, 박리층을 사용하여 제작 기판으로부터 다른 기판으로 피박리층을 전치하는 방법에 대해서는 실시형태 3에 기재되는 내용을 참작할 수 있다.

본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시형태 3)

도 7은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서(100)의 구성을 설명하기 위한 도면이고 도 8은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서(100B)의 구성을 설명하기 위한 도면이다.

도 7의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서(100)의 구성을 설명하기 위한 블록 다이어그램이다. 도 7의 (B)는 변환기(CONV) 및 검지 유닛(10U)의 구성을 설명하기 위한 회로도다. 도 7의 (C) 및 도 7의 (D)는 터치 센서(100)의 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트다.

도 8의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서(100B)의 구성을 설명하기 위한 블록 다이어그램이다. 도 8의 (B)는 변환기(CONV) 및 검지 유닛(10UB)의 구성을 설명하기 위한 회로도다. 도 8의 (C)는 터치 센서(100B)의 구동 방법을 설명하기 위한 타이밍 차트다.

<터치 센서의 구성예 1>

본 실시형태에서 설명하는 터치 센서(100)는 검지 유닛(10U), 주사선(G1), 신호선(DL), 및 가요성 기판(16)을 갖는다(도 7의 (A) 참조). 복수의 검지 유닛(10U)은 n행 m열(n 및 m은 1 이상의 자연수)의 매트릭스 형상으로 배치된다. 주사선(G1)은 행 방향으로 배치되는 복수의 검지 유닛(10U)과 전기적으로 접속된다. 신호선(DL)은 열 방향으로 배치되는 복수의 검지 유닛(10U)과 전기적으로 접속된다. 또한, 구동 회로(GD)와 변환기(CONV)를 가져도 좋다. 동일한 공정에서 형성할 수 있는 트랜지스터를 사용하여 복수의 검지 유닛(10U), 구동 회로(GD), 및 변환기(CONV)를 구성할 수 있다.

또한, 검지 유닛(10U)은 검지 소자(C)를 구비하고 검지 소자(C)의 제 1 전극은 배선(CS)과 전기적으로 접속된다. 이에 의하여, 배선(CS)에 의하여 공급되는 제어 신호를 사용하여 검지 소자(C)의 제 1 전극의 전위를 제어할 수 있다.

검지 유닛(10U)은, 게이트가 검지 소자(C)의 제 2 전극과 전기적으로 접속되고 제 1 전극이 배선(VPI)과 전기적으로 접속되는 제 1 트랜지스터(M1)를 구비한다(도 7의 (B) 참조). 배선(VPI)은 예컨대 접지 전위를 공급할 수 있다.

또한, 게이트가 주사선(G1)과 전기적으로 접속되고, 제 1 전극이 제 1 트랜지스터(M1)의 제 2 전극과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극이 신호선(DL)과 전기적으로 접속되는 제 2 트랜지스터(M2)를 구비하는 구성이라도 좋다. 주사선(G1)은 예컨대 선택 신호를 공급할 수 있다. 신호선(DL)은 예컨대 검지 신호(DATA)를 공급할 수 있다.

또한, 게이트가 배선(RES)과 전기적으로 접속되고, 제 1 전극이 검지 소자(C)의 제 2 전극과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극이 배선(VRES)과 전기적으로 접속되는 제 3 트랜지스터(M3)를 구비하는 구성이라도 좋다. 배선(RES)은 리셋 신호를 공급할 수 있다. 배선(VRES)은 예컨대 제 1 트랜지스터(M1)를 도통 상태로 할 수 있는 전위를 공급할 수 있다.

검지 소자(C)의 용량은, 예컨대 제 1 전극 또는 제 2 전극에 물건이 근접하거나 또는 제 1 전극과 제 2 전극 사이의 간격이 변화함으로써 변화된다. 따라서 검지 유닛(10U)은 검지 소자(C)의 용량 또는 기생하는 용량의 크기의 변화에 따른 검지 신호(DATA)를 공급할 수 있다.

또한, 검지 유닛(10U)은 검지 소자(C)의 제 1 전극의 전위를 제어할 수 있는 제어 신호를 공급할 수 있는 배선(CS)을 구비한다. 또한, 검지 소자(C)의 제 1 전극과 배선(CS)이 동일한 층이라도 좋다.

또한, 검지 소자(C)의 제 2 전극, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 및 제 3 트랜지스터(M3)의 제 1 전극이 전기적으로 접속되는 결절부를 노드(A)라고 한다.

배선(VRES)은 소정의 전위를 공급할 수 있다. 예를 들어, 검지 유닛(10U)이 구비하는 트랜지스터를 도통 상태로 하는 전위를 상기 트랜지스터의 게이트에 공급할 수 있다. 배선(VPI)은 예컨대 접지 전위를 공급할 수 있고 배선(VPO) 및 배선(BR)은 예컨대, 고전원 전위를 공급할 수 있다.

또한, 배선(RES)은 리셋 신호를 공급할 수 있고, 주사선(G1)은 선택 신호를 공급할 수 있고, 배선(CS)은 검지 소자(C)의 제 1 전극의 전위를 제어하는 제어 신호를 공급할 수 있다.

또한, 신호선(DL)은 검지 신호(DATA)를 공급할 수 있고 단자(OUT)는 검지 신호(DATA)에 따라 변환된 신호를 공급할 수 있다.

구동 회로(GD)는 다양한 회로를 사용한 구동 회로로 구성할 수 있다. 예를 들어, 시프트 레지스터를 적용할 수 있다. 변환기(CONV)는 변환 회로를 구비한다. 검지 신호(DATA)를 변환하여 단자(OUT)에 공급할 수 있는 다양한 회로를 변환기(CONV)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 변환기(CONV)를 검지 유닛(10U)과 전기적으로 접속함으로써 소스 폴로어 회로 또는 전류 미러 회로 등이 구성되도록 하여도 좋다.

구체적으로는 트랜지스터(M4)를 사용한 변환기(CONV)를 사용하여 소스 폴로어 회로를 구성할 수 있다(도 7의 (B) 참조). 또한, 트랜지스터(M4)에는 제 1 트랜지스터(M1)~제 3 트랜지스터(M3)와 같은 공정을 거쳐 제작할 수 있는 트랜지스터를 사용하여도 좋다.

또한, 제 1 트랜지스터(M1)~제 3 트랜지스터(M3)는 반도체층을 갖는다. 예를 들어, 4족의 원소, 화합물 반도체, 또는 산화물 반도체를 반도체층에 사용할 수 있다. 구체적으로는 실리콘을 포함하는 반도체, 갈륨 비소를 포함하는 반도체 또는 인듐을 포함하는 산화물 반도체 등을 적용할 수 있다.

본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 구동 방법에 대하여 설명한다.

≪제 1 단계≫

제 1 단계에서, 제 3 트랜지스터(M3)를 도통 상태로 한 후에 비도통 상태로 하기 위한 리셋 신호를 게이트에 공급하고 검지 소자(C)의 제 2 전극의 전위를 소정의 전위로 한다(도 7의 (C) 중 기간(T1) 참조).

구체적으로 말하면 리셋 신호를 배선(RES)에 공급한다. 리셋 신호가 공급된 제 3 트랜지스터(M3)는 노드(A)의 전위를 예컨대 제 1 트랜지스터(M1)를 도통 상태로 할 수 있는 전위로 한다(도 7의 (B) 참조).

≪제 2 단계≫

제 2 단계에서, 제 2 트랜지스터(M2)를 도통 상태로 하는 선택 신호를 게이트에 공급하여 제 1 트랜지스터(M1)의 제 2 전극과 신호선(DL)을 전기적으로 접속시킨다.

구체적으로 말하면 주사선(G1)에 선택 신호를 공급한다. 선택 신호가 공급된 제 2 트랜지스터(M2)는 제 1 트랜지스터(M1)의 제 2 전극과 신호선(DL)을 전기적으로 접속시킨다(도 7의 (C) 중 기간(T2) 참조).

≪제 3 단계≫

제 3 단계에서, 제어 신호를 검지 소자(C)의 제 1 전극에 공급하고 제어 신호 및 검지 소자(C)의 용량에 따라 변화되는 전위를 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 공급한다.

구체적으로 말하면 배선(CS)에 구형 제어 신호를 공급한다. 제 1 전극에 구형 제어 신호가 공급된 검지 소자(C)는, 이가 갖는 용량에 따라 노드(A)의 전위를 상승시킨다(도 7의 (C) 중 기간(T2)의 후반 참조).

예를 들어, 검지 소자(C)가 대기 중에 놓여 있는 경우, 대기보다 유전율이 높은 것이 검지 소자(C)의 제 1 전극에 근접하여 배치된 경우, 검지 소자(C)의 용량은 외견상 크게 된다.

이에 의하여 구형 제어 신호에 의하여 초래되는 노드(A)의 전위 변화는, 대기보다 유전율이 높은 것이 근접하여 배치되지 않는 경우에 비하여 작게 된다(도 7의 (D) 중 실선 참조).

≪제 4 단계≫

제 4 단계에서, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전위가 변화됨으로써 생기는 신호를 신호선(DL)에 공급한다.

예를 들어, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전위에 초래되는 변화에 따라 변화되는 전류를 신호선(DL)에 공급한다.

변환기(CONV)는 신호선(DL)을 흐르는 전류의 변화를 전압의 변화로 변환하여 상기 전압을 출력한다.

≪제 5 단계≫

제 5 단계에서, 제 2 트랜지스터(M2)를 비도통 상태로 하는 선택 신호를 게이트에 공급한다.

이 후, 주사선(G1(1))~주사선(G1(n))마다 제 1 단계로부터 제 5 단계까지 반복한다.

<터치 센서의 구성예 2>

본 실시형태에서 설명하는 터치 센서(100B)는, 검지 유닛(10U) 대신에 검지 유닛(10UB)을 포함하는 점이 도 7을 참조하면서 설명한 터치 센서(100)와 상이하다.

검지 유닛(10UB)은 이하의 점이 검지 유닛(10U)과 상이하다. 검지 유닛(10U)에서 배선(CS)에 전기적으로 접속되는 검지 소자(C)의 제 1 전극이 검지 유닛(10UB)에서는 주사선(G1)에 전기적으로 접속된다. 검지 유닛(10U)에서 제 2 트랜지스터(M2)를 통하여 신호선(DL)과 전기적으로 접속되는 제 1 트랜지스터(M1)의 제 2 전극이 검지 유닛(10UB)에서는 제 2 트랜지스터(M2)를 통하지 않고 신호선(DL)과 전기적으로 접속된다. 여기서는 검지 유닛(10U)과 상이한 구성에 대하여 자세히 설명하지만 검지 유닛(10U)과 마찬가지의 구성을 사용할 수 있는 부분에 대해서는 상기 설명을 원용하면 좋다.

터치 센서(100B)는 검지 유닛(10UB), 주사선(G1), 신호선(DL), 및 가요성 기판(16)을 갖는다(도 8의 (A) 참조). 복수의 검지 유닛(10UB)은 n행 m열(n 및 m은 1 이상의 자연수)의 매트릭스 형상으로 배치된다. 주사선(G1)은 행 방향으로 배치되는 복수의 검지 유닛(10UB)과 전기적으로 접속된다. 신호선(DL)은 열 방향으로 배치되는 복수의 검지 유닛(10UB)과 전기적으로 접속된다.

또한, 검지 유닛(10UB)은 검지 소자(C)를 포함하고 검지 소자(C)의 제 1 전극은 주사선(G1)과 전기적으로 접속된다. 이로써 선택 신호를 사용하여, 선택된 하나의 주사선(G1)에 전기적으로 접속되는 복수의 검지 유닛(10UB)마다 검지 소자(C)의 제 1 전극의 전위를 제어할 수 있다.

또한, 신호선(DL)과 동일 공정을 사용하여 형성할 수 있는 도전막을 사용하여 형성된 배선을 주사선(G1)에 사용할 수 있다.

또한, 검지 소자(C)의 제 1 전극과 동일 공정을 사용하여 형성할 수 있는 도전막을 사용하여 형성된 배선을 주사선(G1)에 사용하여도 좋다. 예를 들어, 행 방향으로 인접된 검지 유닛(10UB)에 포함되는 검지 소자(C)의 제 1 전극을 접속하고 접속된 제 1 전극을 주사선(G1)에 사용할 수 있다.

검지 유닛(10UB)은, 게이트가 검지 소자(C)의 제 2 전극과 전기적으로 접속되고, 제 1 전극이 배선(VPI)과 전기적으로 접속되는 제 1 트랜지스터(M1)를 구비한다(도 8의 (B) 참조).

또한, 게이트가 배선(RES)과 전기적으로 접속되고, 제 1 전극이 검지 소자(C)의 제 2 전극과 전기적으로 접속되고, 제 2 전극이 배선(VRES)과 전기적으로 접속되는 제 3 트랜지스터(M3)를 구비하는 구성이라도 좋다.

≪제 1 단계≫

제 1 단계에서, 제 3 트랜지스터(M3)를 도통 상태로 한 후에 비도통 상태로 하기 위한 리셋 신호를 게이트에 공급하고 검지 소자(C)의 제 2 전극의 전위를 소정의 전위로 한다(도 8의 (C) 중 기간(T1) 참조).

구체적으로 말하면 리셋 신호를 배선(RES)에 공급한다. 리셋 신호가 공급된 제 3 트랜지스터(M3)는 노드(A)의 전위를 예컨대 제 1 트랜지스터(M1)를 도통 상태로 할 수 있는 전위로 한다(도 8의 (B) 참조).

≪제 2 단계≫

제 2 단계에서, 선택 신호를 검지 소자(C)의 제 1 전극에 공급하고 선택 신호 및 검지 소자(C)의 용량에 따라 변화되는 전위를 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 공급한다(도 8의 (C) 중 기간(T2) 참조).

구체적으로 말하면 주사선(G1(i-1))에 구형 선택 신호를 공급한다. 제 1 전극에 구형 선택 신호가 공급된 검지 소자(C)는, 이가 갖는 용량에 따라 노드(A)의 전위를 상승시킨다.

이에 의하여 구형 선택 신호에 의하여 초래되는 노드(A)의 전위 변화는 대기보다 유전율이 높은 것이 근접하여 배치되지 않는 경우에 비하여, 작게 된다.

≪제 3 단계≫

제 3 단계에서, 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트 전위가 변화함으로써 생기는 신호를 신호선(DL)에 공급한다.

변환기(CONV)는 신호선(DL)을 흐르는 전류의 변화를 전압의 변화로 변환하고 단자(OUT)는 상기 전압을 출력한다.

이 후, 주사선(G1(1))~주사선(G1(n))마다 제 1 단계로부터 제 3 단계까지 반복한다(도 8의 (C) 중 기간(T2)~기간(T4) 참조).

본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시형태 4)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널과 상기 표시 패널의 제작 방법에 대하여 설명한다.

이하에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널로서 사용할 수 있는 유기 EL 소자를 사용한 발광 장치를 예시한다.

<구체적인 예 1>

도 9의 (A)에 발광 장치의 평면도를 도시하였고, 도 9의 (A) 중 일점쇄선 A1-A2 사이의 단면도의 일례를 도 9의 (C)에 도시하였다. 구체적인 예 1에서 설명하는 발광 장치는 컬러 필터 방식을 이용한 상부 발광 방식의 발광 장치다. 본 실시형태에서 발광 장치는 예컨대 R(적색), G(녹색), 및 B(청색)의 3색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구성이나, R(적색), G(녹색), B(청색), 및 W(백색)의 4색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구성, R(적색), G(녹색), B(청색), 및 Y(황색)의 4색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구성 등을 적용할 수 있다. 색 요소로서는 특별히 한정되지 않고 R, G, B, W, 및 Y 외의 색을 사용하여도 좋고 예컨대 시안, 마젠타 등으로 구성되어도 좋다.

도 9의 (A)에 도시된 발광 장치는 발광부(804), 구동 회로부(806), 및 FPC(808)를 갖는다. 발광부(804) 및 구동 회로부(806)에 포함되는 발광 소자나 트랜지스터는 기판(801), 기판(803), 및 접착층(823)에 의하여 밀봉된다.

도 9의 (C)에 도시된 발광 장치는 기판(801), 접착층(811), 절연층(813), 복수의 트랜지스터, 도전층(857), 절연층(815), 절연층(817), 복수의 발광 소자, 절연층(821), 접착층(823), 오버코트(849), 착색층(845), 차광층(847), 절연층(843), 접착층(841), 및 기판(803)을 갖는다. 접착층(823), 오버코트(849), 절연층(843), 접착층(841), 및 기판(803)은 가시광을 투과시킨다.

발광부(804)는 접착층(811) 및 절연층(813)을 개재하여 기판(801) 위에 트랜지스터(820) 및 발광 소자(830)를 갖는다. 발광 소자(830)는 절연층(817) 위의 하부 전극(831)과, 하부 전극(831) 위의 EL층(833)과, EL층(833) 위의 상부 전극(835)을 갖는다. 하부 전극(831)은, 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속된다. 하부 전극(831)의 단부는 절연층(821)으로 덮인다. 하부 전극(831)은 가시광을 반사하는 것이 바람직하다. 상부 전극(835)은 가시광을 투과시킨다.

또한, 발광부(804)는 발광 소자(830)와 중첩되는 착색층(845)과, 절연층(821)과 중첩되는 차광층(847)을 갖는다. 착색층(845) 및 차광층(847)은 오버코트(849)로 덮인다. 발광 소자(830)와 오버코트(849) 사이는 접착층(823)으로 충전된다.

절연층(815)은 트랜지스터를 구성하는 반도체로 불순물이 확산되는 것을 억제하는 효과를 갖는다. 또한, 절연층(817)으로서는 트랜지스터에 기인한 표면 요철을 저감하기 위하여 평탄화 기능을 갖는 절연층을 선택하는 것이 바람직하다.

구동 회로부(806)는 접착층(811) 및 절연층(813)을 개재하여 기판(801) 위에 트랜지스터를 복수로 갖는다. 도 9의 (C)에서는 구동 회로부(806)가 갖는 트랜지스터 중 하나의 트랜지스터를 도시하였다.

절연층(813)과 기판(801)은 접착층(811)에 의하여 접합된다. 또한, 절연층(843)과 기판(803)은 접착층(841)에 의하여 접합된다. 절연층(813)이나 절연층(843)에 방습성이 높은 막을 사용하면, 발광 소자(830)나 트랜지스터(820)에 물 등의 불순물이 침입되는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성이 높아져 바람직하다.

도전층(857)은, 구동 회로부(806)에 외부로부터의 신호(비디오 신호, 클록 신호, 스타트 신호, 또는 리셋 신호 등)나 전위를 전달하는 외부 입력 단자와 전기적으로 접속된다. 여기서는, 외부 입력 단자로서 FPC(808)를 제공하는 예를 설명한다. 공정 수의 증가를 방지하기 위하여, 도전층(857)은 발광부나 구동 회로부에 사용하는 전극이나 배선과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 제작하는 것이 바람직하다. 여기서는 도전층(857)을 트랜지스터(820)를 구성하는 전극과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 제작한 예를 기재한다.

도 9의 (C)에 도시된 발광 장치에서는 FPC(808)가 기판(803) 위에 위치한다. 접속체(825)는 기판(803), 접착층(841), 절연층(843), 접착층(823), 절연층(817), 및 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 또한, 접속체(825)는 FPC(808)에 접속된다. 접속체(825)를 통하여 FPC(808)와 도전층(857)은 전기적으로 접속된다. 도전층(857)과 기판(803)이 중첩되는 경우에는 기판(803)을 개구함으로써(또는 개구부를 갖는 기판을 사용함으로써) 도전층(857), 접속체(825), 및 FPC(808)를 전기적으로 접속시킬 수 있다.

<구체적인 예 2>

도 9의 (B)에 발광 장치의 평면도를 도시하였고, 도 9의 (B) 중 일점쇄선 A3-A4 사이의 단면도의 일례를 도 9의 (D)에 도시하였다. 구체적인 예 2에서 설명하는 발광 장치는 구체적인 예 1과는 상이한 컬러 필터 방식을 이용한 상부 발광 방식의 발광 장치다. 여기서는 구체적인 예 1과 상이한 점만을 자세히 설명하고 구체적인 예 1과 공통되는 점은 설명을 생략한다.

도 9의 (D)에 도시된 발광 장치는 도 9의 (C)에 도시된 발광 장치와 이하에 기재되는 점에서 상이하다.

도 9의 (D)에 도시된 발광 장치는 절연층(821) 위에 스페이서(827)를 갖는다. 스페이서(827)를 제공함으로써 기판(801)과 기판(803) 사이의 간격을 조정할 수 있다.

또한, 도 9의 (D)에 도시된 발광 장치는 기판(801)과 기판(803)의 크기가 상이하다. FPC(808)가 절연층(843) 위에 위치하고, 기판(803)과 중첩되지 않는다. 접속체(825)는 절연층(843), 접착층(823), 절연층(817), 및 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 기판(803)에 개구를 제공할 필요가 없기 때문에 기판(803)의 재료가 제한되지 않는다.

<구체적인 예 3>

도 10의 (A)에 발광 장치의 평면도를 도시하였고, 도 10의 (A) 중 일점쇄선 A5-A6 사이의 단면도의 일례를 도 10의 (C)에 도시하였다. 구체적인 예 3에서 설명하는 발광 장치는 독립 화소 방식(separate coloring method)을 이용한 상부 발광 방식의 발광 장치다.

도 10의 (A)에 도시된 발광 장치는 발광부(804), 구동 회로부(806), 및 FPC(808)를 갖는다. 발광부(804) 및 구동 회로부(806)에 포함되는 발광 소자나 트랜지스터는 기판(801), 기판(803), 틀 형상 접착층(824), 및 접착층(823)에 의하여 밀봉된다.

도 10의 (C)에 도시된 발광 장치는 기판(801), 접착층(811), 절연층(813), 복수의 트랜지스터, 도전층(857), 절연층(815), 절연층(817), 복수의 발광 소자, 절연층(821), 접착층(823), 틀 형상 접착층(824), 및 기판(803)을 갖는다. 접착층(823) 및 기판(803)은 가시광을 투과시킨다.

틀 형상 접착층(824)은 접착층(823)보다 방습성이 높은 층인 것이 바람직하다. 이에 의하여 외부로부터 수분 등의 불순물이 발광 장치에 침입되는 것을 억제할 수 있다. 따라서 신뢰성이 높은 발광 장치를 구현할 수 있다.

구체적인 예 3에서는 접착층(823)을 통하여 발광 소자(830)의 발광이 발광 장치로부터 추출된다. 따라서 접착층(823)은 틀 형상 접착층(824)에 비하여 투광성이 높은 것이 바람직하다. 또한, 접착층(823)은 틀 형상 접착층(824)에 비하여 굴절률이 높은 것이 바람직하다. 또한, 접착층(823)은 틀 형상 접착층(824)에 비하여 경화 시의 체적 수축이 작은 것이 바람직하다.

구동 회로부(806)는 접착층(811) 및 절연층(813)을 개재하여 기판(801) 위에 트랜지스터를 복수로 갖는다. 도 10의 (C)에서는 구동 회로부(806)가 갖는 트랜지스터 중 하나의 트랜지스터를 도시하였다.

절연층(813)과 기판(801)은 접착층(811)에 의하여 접합된다. 절연층(813)에 방습성이 높은 막을 사용하면, 발광 소자(830)나 트랜지스터(820)에 물 등의 불순물이 침입되는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성을 높일 수 있어 바람직하다.

도전층(857)은 구동 회로부(806)에 외부로부터의 신호나 전위를 전달하는 외부 입력 단자와 전기적으로 접속된다. 여기서는, 외부 입력 단자로서 FPC(808)를 제공하는 예를 설명한다. 또한 여기서는 도전층(857)을, 트랜지스터(820)를 구성하는 전극과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 제작한 예를 기재한다.

도 10의 (C)에 도시된 발광 장치에서는 FPC(808)가 기판(803) 위에 위치한다. 접속체(825)는 기판(803), 접착층(823), 절연층(817), 및 절연층(815)에 제공된 개구를 통하여 도전층(857)과 접속된다. 또한, 접속체(825)는 FPC(808)에 접속된다. 접속체(825)를 통하여 FPC(808)와 도전층(857)은 전기적으로 접속된다.

<구체적인 예 4>

도 10의 (B)에 발광 장치의 평면도를 도시하였고, 도 10의 (B) 중 일점쇄선 A7-A8을 따라 자른 단면도의 일례를 도 10의 (D)에 도시하였다. 구체적인 예 4에서 설명하는 발광 장치는 컬러 필터 방식을 이용한 하부 발광 방식의 발광 장치다.

도 10의 (D)에 도시된 발광 장치는 기판(801), 접착층(811), 절연층(813), 복수의 트랜지스터, 도전층(857), 절연층(815), 착색층(845), 절연층(817a), 절연층(817b), 도전층(816), 복수의 발광 소자, 절연층(821), 접착층(823), 및 기판(803)을 갖는다. 기판(801), 접착층(811), 절연층(813), 절연층(815), 절연층(817a), 및 절연층(817b)은 가시광을 투과시킨다.

발광부(804)는 접착층(811) 및 절연층(813)을 개재하여 기판(801) 위에 트랜지스터(820), 트랜지스터(822), 및 발광 소자(830)를 갖는다. 발광 소자(830)는 절연층(817b) 위의 하부 전극(831)과, 하부 전극(831) 위의 EL층(833)과, EL층(833) 위의 상부 전극(835)을 갖는다. 하부 전극(831)은, 트랜지스터(820)의 소스 전극 또는 드레인 전극과 전기적으로 접속된다. 하부 전극(831)의 단부는 절연층(821)으로 덮인다. 상부 전극(835)은 가시광을 반사하는 것이 바람직하다. 하부 전극(831)은 가시광을 투과시킨다. 발광 소자(830)와 중첩되는 착색층(845)을 제공하는 위치는 특별히 한정되지 않고 예컨대 절연층(817a)과 절연층(817b) 사이나, 절연층(815)과 절연층(817a) 사이 등에 제공하면 좋다.

구동 회로부(806)는 접착층(811) 및 절연층(813)을 개재하여 기판(801) 위에 트랜지스터를 복수로 갖는다. 도 10의 (D)에는 구동 회로부(806)가 갖는 트랜지스터 중 2개의 트랜지스터를 도시하였다.

절연층(813)과 기판(801)은 접착층(811)에 의하여 접합된다. 절연층(813)에 방습성이 높은 막을 사용하면, 발광 소자(830)나 트랜지스터(820) 및 트랜지스터(822)에 물 등의 불순물이 침입되는 것을 억제할 수 있어, 발광 장치의 신뢰성이 높아져 바람직하다.

도전층(857)은 구동 회로부(806)에 외부로부터의 신호나 전위를 전달하는 외부 입력 단자와 전기적으로 접속된다. 여기서는, 외부 입력 단자로서 FPC(808)를 제공하는 예를 설명한다. 또한 여기서는 도전층(857)을 도전층(816)과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 제작한 예를 기재한다.

<구체적인 예 5>

도 10의 (E)에 구체적인 예 1~4와 상이한 발광 장치의 예를 도시하였다.

도 10의 (E)에 도시된 발광 장치는 기판(801), 접착층(811), 절연층(813), 도전층(814), 도전층(857a), 도전층(857b), 발광 소자(830), 절연층(821), 접착층(823), 및 기판(803)을 갖는다.

도전층(857a) 및 도전층(857b)은, 발광 장치의 외부 접속 전극이며, FPC 등과 전기적으로 접속시킬 수 있다.

발광 소자(830)는 하부 전극(831), EL층(833), 및 상부 전극(835)을 갖는다. 하부 전극(831)의 단부는 절연층(821)으로 덮인다. 발광 소자(830)는 하부 발광 방식, 상부 발광 방식, 또는 양면 발광 방식이다. 광이 추출되는 측의 전극, 기판, 절연층 등은 각각 가시광을 투과시킨다. 도전층(814)은 하부 전극(831)과 전기적으로 접속된다.

광이 추출되는 측의 기판은 광 추출 구조로서 반구(半球) 렌즈, 마이크로렌즈 어레이, 요철 구조가 제공된 필름, 광 확산 필름 등을 구비하여도 좋다. 예를 들어, 수지 기판 위에 상기 렌즈나 필름을, 상기 기판 또는 상기 렌즈 또는 필름과 동일한 정도의 굴절률을 갖는 접착제 등을 사용하여 접착함으로써, 광 추출 구조를 갖는 기판을 형성할 수 있다.

도전층(814)을 반드시 제공할 필요는 없지만, 하부 전극(831)의 저항에 기인하는 전압 강하를 억제할 수 있기 때문에, 제공하는 것이 바람직하다. 또한, 마찬가지의 목적으로, 상부 전극(835)과 전기적으로 접속하는 도전층을 절연층(821) 위, EL층(833) 위, 또는 상부 전극(835) 위 등에 제공하여도 좋다.

도전층(814)은 구리, 타이타늄, 탄탈럼, 텅스텐, 몰리브데넘, 크로뮴, 네오디뮴, 스칸듐, 니켈, 알루미늄 중에서 선택된 재료 또는 이들을 주성분으로 하는 합금 재료 등을 사용하여, 단층 또는 적층으로 형성할 수 있다. 도전층(814)의 막 두께는 예컨대 0.1μm 이상 3μm 이하로 할 수 있고, 바람직하게는 0.1μm 이상 0.5μm 이하다.

<재료의 일례>

다음에, 발광 장치에 사용할 수 있는 재료 등을 설명한다. 또한, 본 명세서 중 앞에서 설명한 구성에 대해서는 설명을 생략하는 경우가 있다.

기판에는 유리, 석영, 유기 수지, 금속, 합금 등의 재료를 사용할 수 있다. 발광 소자로부터의 광이 추출되는 측의 기판에는 상기 광에 대하여 투광성을 갖는 재료를 사용한다.

특히 가요성 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 유기 수지나 가요성을 가질 정도의 두께를 갖는 유리, 금속, 합금을 사용할 수 있다.

유기 수지는 유리에 비하여 비중이 작기 때문에, 가요성 기판으로서 유기 수지를 사용하면, 유리를 사용하는 경우에 비하여 발광 장치를 경량화할 수 있어 바람직하다.

기판에는 인성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써 내충격성이 뛰어나고 파손되기 어려운 발광 장치를 구현할 수 있다. 예를 들어, 유기 수지 기판이나 두께가 얇은 금속 기판 또는 합금 기판을 사용함으로써 유리 기판을 사용하는 경우에 비하여 경량이고 파손되기 어려운 발광 장치를 구현할 수 있다.

금속 재료나 합금 재료는 열 전도성이 높아 기판 전체에 열을 쉽게 전도할 수 있기 때문에 발광 장치의 국소적인 온도 상승을 억제할 수 있어 바람직하다. 금속 재료나 합금 재료를 사용한 기판의 두께는 10μm 이상 200μm 이하인 것이 바람직하고, 20μm 이상 50μm 이하인 것이 더 바람직하다.

금속 기판이나 합금 기판을 구성하는 재료는 특별히 한정되지 않지만, 예컨대 알루미늄, 구리, 니켈, 또는 알루미늄 합금이나 스테인리스 등의 금속의 합금 등을 바람직하게 사용할 수 있다.

또한, 기판에 열 방사율이 높은 재료를 사용하면 발광 장치의 표면 온도가 높아지는 것을 억제할 수 있어 발광 장치의 파괴나 신뢰성의 저하를 억제할 수 있다. 예를 들어 기판을, 금속 기판과 열 방사율이 높은 층(예컨대 금속 산화물이나 세라믹 재료를 사용할 수 있음)의 적층 구조로 하여도 좋다.

가요성 및 투광성을 갖는 재료로서는 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리염화바이닐 수지 등을 들 수 있다. 특히, 열팽창률이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하고, 예컨대 폴리아마이드이미드 수지, 폴리이미드 수지, PET 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 섬유체에 수지를 함침(含浸)시킨 기판(프리프레그라고도 함)이나 무기 필러(filler)를 유기 수지에 섞어서 열팽창률을 낮춘 기판을 사용할 수도 있다.

가요성 기판은, 상술한 재료를 사용한 층이 장치의 표면을 손상 등으로부터 보호하는 하드 코트층(예컨대 질화 실리콘층 등)이나 가해지는 압력을 분산시킬 수 있는 재질의 층(예컨대 아라미드 수지층 등) 등과 적층된 구성을 가져도 좋다.

복수의 층을 적층한 가요성 기판을 사용할 수도 있다. 특히, 유리층을 갖는 구성으로 하면 물이나 산소에 대한 배리어성이 향상되어 신뢰성이 높은 발광 장치로 할 수 있다.

예를 들어, 발광 소자에 가까운 측으로부터 유리층, 접착층, 및 유기 수지층을 적층한 가요성 기판을 사용할 수 있다. 이 유리층의 두께는 20μm 이상 200μm 이하, 바람직하게는 25μm 이상 100μm 이하로 한다. 이와 같은 두께를 갖는 유리층은 물이나 산소에 대한 높은 배리어성과 가요성을 함께 실현할 수 있다. 또한, 유기 수지층의 두께는 10μm 이상 200μm 이하, 바람직하게는 20μm 이상 50μm 이하로 한다. 이와 같은 유기 수지층을 유리층보다 외측에 제공함으로써 유리층의 깨짐이나 크랙을 억제하여 기계적 강도를 향상시킬 수 있다. 이와 같은 유리 재료와 유기 수지의 복합 재료를 기판에 적용함으로써 신뢰성이 매우 높은 플렉시블 발광 장치로 할 수 있다.

접착층에는 자외선 경화형 등의 광 경화형 접착제, 반응 경화형 접착제, 열 경화형 접착제, 혐기형 접착제 등 각종 경화형 접착제를 사용할 수 있다. 이들 접착제로서는 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지(silicone resin), 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, PVC(폴리바이닐클로라이드) 수지, PVB(폴리바이닐부티랄) 수지, EVA(에틸렌바이닐아세테이트) 수지 등을 들 수 있다. 특히 에폭시 수지 등의 투습성이 낮은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 2액 혼합형 수지를 사용하여도 좋다. 또한, 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.

또한, 상기 수지에 건조제가 포함되어도 좋다. 예를 들어 알칼리 토금속의 산화물(산화 칼슘이나 산화 바륨 등)과 같이, 화학 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트나 실리카 겔 등 물리 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용하여도 좋다. 건조제가 포함되면 수분 등의 불순물이 기능 소자에 침입되는 것을 억제할 수 있어 발광 장치의 신뢰성이 향상되기 때문에 바람직하다.

또한, 상기 수지에 굴절률이 높은 필러나 광 산란 부재를 혼합함으로써, 발광 소자로부터의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어 산화 타이타늄, 산화 바륨, 제올라이트, 지르코늄 등을 사용할 수 있다.

발광 장치가 갖는 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 상술한 실시형태에서 액티브 매트릭스 방식의 터치 센서에 사용한 트랜지스터와 같은 구성을 적용하여도 좋다. 예를 들어 스태거형 트랜지스터로 하여도 좋고, 역 스태거형 트랜지스터로 하여도 좋다. 또한, 톱 게이트형 및 보텀 게이트형 중 어느 트랜지스터 구조로 하여도 좋다. 트랜지스터에 사용되는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 실리콘, 저마늄 등을 들 수 있다. 또는, In-Ga-Zn계 금속 산화물 등 인듐, 갈륨, 아연 중 적어도 하나를 포함하는 산화물 반도체를 사용하여도 좋다.

트랜지스터에 사용하는 반도체 재료의 결정성도 특별히 한정되지 않고 비정질 반도체, 결정성을 갖는 반도체(미결정 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 일부에 결정 영역을 갖는 반도체) 중 어느 것을 사용하여도 좋다. 결정성을 갖는 반도체를 사용하면 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있어 바람직하다.

트랜지스터의 특성 안정화 등을 위하여 하지막을 제공하는 것이 바람직하다. 하지막은 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 무기 절연막을 사용하여 단층 또는 적층으로 제작할 수 있다. 하지막은 스퍼터링법, CVD(Chemical Vapor Deposition)법(플라즈마 CVD법, 열 CVD법, MOCVD(Metal Organic CVD)법 등), ALD(Atomic Layer Deposition)법, 도포법, 인쇄법 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 하지막은 필요가 없으면 제공하지 않아도 좋다. 상기 각 구성예에서는 절연층(813)이 트랜지스터의 하지막을 겸할 수 있다.

발광 소자로서는 자발광이 가능한 소자를 사용할 수 있고, 전류 또는 전압에 의하여 휘도가 제어되는 소자를 그 범주에 포함한다. 예를 들어 발광 다이오드(LED), 유기 EL 소자, 무기 EL 소자 등을 사용할 수 있다.

발광 소자는 상부 발광 방식, 하부 발광 방식, 및 양면 발광 방식 중 어느 방식이라도 좋다. 광이 추출되는 측에 위치하는 전극에는 가시광을 투과시키는 도전막을 사용한다. 또한, 광이 추출되지 않는 측에 위치하는 전극에는 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.

가시광을 투과시키는 도전막은 예컨대 산화 인듐, 인듐주석 산화물(ITO: Indium Tin Oxide), 인듐아연 산화물, 산화 아연, 갈륨이 첨가된 산화 아연 등을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 타이타늄 등의 금속 재료, 이들 중 어느 금속 재료를 포함하는 합금, 또는 이들 중 어느 금속 재료의 질화물(예컨대 질화 타이타늄) 등도 투광성을 가질 정도로 얇게 형성함으로써 사용할 수 있다. 또한, 상술한 재료의 적층막을 도전막으로서 사용할 수 있다. 예를 들어 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용하면 도전성을 높일 수 있어 바람직하다. 또한, 그래핀 등을 사용하여도 좋다.

가시광을 반사하는 도전막에는 예컨대 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료, 또는 이들 중 어느 금속 재료를 포함하는 합금을 사용할 수 있다. 또한, 상술한 금속 재료나 합금에 란타넘, 네오디뮴, 또는 저마늄 등이 첨가되어도 좋다. 또한, 알루미늄과 타이타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금 등 알루미늄을 포함하는 합금(알루미늄 합금)이나, 은과 구리의 합금, 은과 팔라듐과 구리의 합금, 은과 마그네슘의 합금 등 은을 포함하는 합금을 사용하여 형성할 수 있다. 은과 구리를 포함하는 합금은 내열성이 높으므로 바람직하다. 또한, 알루미늄 합금막에 접촉된 금속막 또는 금속 산화물막을 적층함으로써 알루미늄 합금막의 산화를 억제할 수 있다. 이 금속막 및 금속 산화물막의 재료로서는 타이타늄, 산화 타이타늄 등을 들 수 있다. 또한, 상술한 가시광을 투과시키는 도전막과 금속 재료로 이루어진 막을 적층하여도 좋다. 예를 들어 은과 ITO의 적층막이나, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막 등을 사용할 수 있다.

전극은 각각 증착법이나 스퍼터링법을 사용하여 형성하면 좋다. 이 외에 잉크젯법 등의 토출법, 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여 형성할 수 있다.

하부 전극(831)과 상부 전극(835) 사이에 발광 소자의 문턱 전압보다 높은 전압을 인가하면, EL층(833)에 양극 측으로부터 정공이 주입되고, 음극 측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층(833)에서 재결합하여 EL층(833)에 포함된 발광 물질이 발광한다.

EL층(833)은 적어도 발광층을 갖는다. EL층(833)은 발광층 외의 층으로서 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블로킹 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 또는 쌍극성(bipolar) 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등을 포함하는 층을 더 가져도 좋다.

EL층(833)에는 저분자계 화합물 및 고분자계 화합물 중 어느 쪽을 사용할 수도 있고, 무기 화합물을 포함하여도 좋다. EL층(833)을 구성하는 층은 각각 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법(transfer method), 인쇄법, 잉크젯법, 도포법 등의 방법으로 형성할 수 있다.

발광 소자는 한 쌍의 방습성이 높은 절연막 사이에 제공되는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 발광 소자에 물 등의 불순물이 침입되는 것을 억제할 수 있어 발광 장치의 신뢰성 저하를 억제할 수 있다.

방습성이 높은 절연막으로서는 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등 질소와 실리콘을 포함하는 막이나, 질화 알루미늄막 등 질소와 알루미늄을 포함하는 막 등을 들 수 있다. 또한, 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 알루미늄막 등을 사용하여도 좋다.

예를 들어 방습성이 높은 절연막의 수증기 투과량은 1×10^-5[g/(m²·day)] 이하, 바람직하게는 1×10^-6[g/(m²·day)] 이하, 더 바람직하게는 1×10^-7[g/(m²·day)] 이하, 더욱 바람직하게는 1×10^-8[g/(m²·day)] 이하로 한다.

방습성이 높은 절연막을 절연층(813)이나 절연층(843)에 사용하는 것이 바람직하다.

절연층(815)으로서는 예컨대 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 산화 알루미늄막 등의 무기 절연막을 사용할 수 있다. 또한, 절연층(817)이나, 절연층(817a) 및 절연층(817b)으로서는 예컨대 폴리이미드, 아크릴, 폴리아마이드, 폴리이미드아마이드, 벤조사이클로부텐계 수지 등의 유기 재료를 각각 사용할 수 있다. 또한, 저유전율 재료(low-k 재료) 등을 사용할 수 있다. 또한, 복수의 절연막을 적층함으로써 각 절연층을 형성하여도 좋다.

절연층(821)은 유기 절연 재료 또는 무기 절연 재료를 사용하여 형성한다. 수지로서는 예컨대 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 아크릴 수지, 실록산 수지, 에폭시 수지, 또는 페놀 수지 등을 사용할 수 있다. 특히 감광성 수지 재료를 사용하여 절연층(821)의 측벽이, 연속된 곡률을 갖는 경사면을 갖도록 형성되는 것이 바람직하다.

절연층(821)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않지만, 포토리소그래피법, 스퍼터링법, 증착법, 액적 토출법(잉크젯법 등), 인쇄법(스크린 인쇄법, 오프셋 인쇄법 등) 등을 사용하면 좋다.

스페이서(827)는 무기 절연 재료, 유기 절연 재료, 금속 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들어 무기 절연 재료나 유기 절연 재료로서는 상기 절연층에 사용할 수 있는 각종 재료를 들 수 있다. 금속 재료로서는 타이타늄, 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 도전 재료를 포함하는 스페이서(827)와 상부 전극(835)을 전기적으로 접속시키는 구성으로 함으로써 상부 전극(835)의 저항에 기인한 전위 강하를 억제할 수 있다. 또한, 스페이서(827)는 순 테이퍼 형상이라도 역 테이퍼 형상이라도 좋다.

트랜지스터의 전극이나 배선, 또는 발광 소자의 보조 전극 등으로서 기능하는, 발광 장치에 사용되는 도전층은 예컨대 몰리브데넘, 타이타늄, 크로뮴, 탄탈럼, 텅스텐, 알루미늄, 구리, 네오디뮴, 스칸듐 등의 금속 재료 또는 이들 원소를 포함하는 합금 재료를 사용하여 단층 또는 적층으로 형성할 수 있다. 또한, 도전층은 도전성 금속 산화물을 사용하여 형성하여도 좋다. 도전성 금속 산화물로서는 산화 인듐(In₂O₃ 등), 산화 주석(SnO₂ 등), 산화 아연(ZnO), ITO, 인듐아연 산화물(In₂O₃-ZnO 등), 또는 이들 금속 산화물 재료에 산화 실리콘이 포함된 것을 사용할 수 있다.

착색층(845)은 특정 파장 대역의 광을 투과시키는 유색층이다. 예를 들어 적색 파장 대역의 광을 투과시키는 적색(R) 컬러 필터, 녹색 파장 대역의 광을 투과시키는 녹색(G) 컬러 필터, 청색 파장 대역의 광을 투과시키는 청색(B) 컬러 필터 등을 사용할 수 있다. 각 착색층은 각종 재료를 사용하여 인쇄법, 잉크젯법, 포토리소그래피법을 사용한 에칭법 등으로 각각 원하는 위치에 형성한다.

차광층(847)은 인접된 착색층 사이에 제공된다. 차광층은 인접된 발광 소자로부터의 광을 차광하고, 인접된 발광 소자 사이의 혼색을 억제한다. 여기서, 착색층의 단부를 차광층과 중첩되도록 제공함으로써 광 누설을 억제할 수 있다. 차광층으로서는 발광 소자로부터의 광을 차광하는 재료를 사용할 수 있고 예컨대 금속 재료나 안료나 염료를 포함하는 수지 재료를 사용하여 블랙 매트릭스를 형성하면 좋다. 또한, 차광층은 구동 회로부 등의 발광부 외의 영역에 제공하면, 도파광 등에 의한 의도하지 않은 광 누설을 억제할 수 있어 바람직하다.

또한, 착색층 및 차광층을 덮는 오버코트(849)를 제공하여도 좋다. 오버코트를 제공함으로써 착색층에 함유된 불순물 등이 발광 소자로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 오버코트는 발광 소자로부터의 광을 투과시키는 재료로 구성되고， 예컨대 질화 실리콘막, 산화 실리콘막 등의 무기 절연막이나, 아크릴막, 폴리이미드막 등의 유기 절연막을 사용할 수 있고, 유기 절연막과 무기 절연막의 적층 구조로 하여도 좋다.

또한, 접착층의 재료를 착색층 및 차광층 위에 도포하는 경우, 오버코트의 재료로서 접착층의 재료에 대하여 습윤성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어 오버코트로서 ITO막 등의 산화물 도전막이나, 투광성을 가질 정도로 얇은 Ag막 등의 금속막을 사용하는 것이 바람직하다.

접속체(825)로서는 열 압착에 의하여 이방성 도전성을 나타내는， 열 경화성 수지에 금속 입자를 혼합한 페이스트 형태 또는 시트 형태의 재료를 사용할 수 있다. 금속 입자로서는 예컨대 니켈 입자를 금으로 피복한 것 등 2종류 이상의 금속이 층상이 된 입자를 사용하는 것이 바람직하다.

<표시 패널의 제작 방법>

다음에 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널의 제작 방법을 예시한다. 여기서는 도 9의 (A) 및 (C)에 도시된 컬러 필터 방식을 이용한 상부 발광 방식의 발광 장치(상술한 구체적인 예 1 참조)를 제작하는 예를 설명한다.

먼저, 도 11의 (A)에 도시된 바와 같이, 제작 기판(201) 위에 박리층(203)을 형성하고 박리층(203) 위에 절연층(813)을 형성한다. 다음에 절연층(813) 위에 복수의 트랜지스터(트랜지스터(820) 등), 도전층(857), 절연층(815), 절연층(817), 복수의 발광 소자(발광 소자(830) 등), 및 절연층(821)을 형성한다. 또한, 도전층(857)이 노출되도록 절연층(821), 절연층(817), 및 절연층(815)을 개구한다. 여기서는 노출된 도전층(857) 위에, 발광 소자의 EL층과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 EL층(862)을 형성하고, EL층(862) 위에 발광 소자의 상부 전극과 동일한 재료를 사용하여 동일한 공정에서 도전층(864)을 형성한다. 또한, EL층(862) 및 도전층(864)은 제공되지 않아도 된다. 여기서 절연층(813)으로부터 발광 소자까지를 피박리층으로 한다.

여기서는 섬 형상의 박리층을 형성하는 예를 제시하지만, 이에 한정되지 않는다. 이 공정에서는 제작 기판(201)으로부터 피박리층을 박리할 때, 제작 기판(201)과 박리층(203) 사이의 계면, 박리층(203)과 피박리층 사이의 계면, 또는 박리층(203)에서 박리가 생기는 재료를 선택한다. 본 실시형태에서는 피박리층과 박리층(203) 사이의 계면에서 박리가 생기는 경우를 예시하지만, 박리층(203)이나 피박리층에 사용하는 재료의 조합에 따라서는 이에 한정되지 않는다. 또한, 피박리층이 적층 구조인 경우, 박리층(203)과 접촉되는 층을 특히 제 1 층으로 기재한다.

예를 들어, 박리층(203)이 텅스텐막과 산화 텅스텐막의 적층 구조인 경우, 텅스텐막과 산화 텅스텐막 사이의 계면(또는 계면 근방)에서 박리가 생김으로써 피박리층 측에 박리층(203)의 일부(여기서는 산화 텅스텐막)가 남아도 좋다. 또한, 피박리층 측에 남은 박리층(203)은 박리한 후에 제거하여도 좋다.

제작 기판(201)에는 적어도 제작 공정에서의 처리 온도에 견딜 수 있는 내열성을 갖는 기판을 사용한다. 제작 기판(201)으로서는 예컨대 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 반도체 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 수지 기판, 플라스틱 기판 등을 사용할 수 있다.

제작 기판(201)에 유리 기판을 사용하는 경우, 제작 기판(201)과 박리층(203) 사이에 하지막으로서 산화 실리콘막, 산화질화 실리콘막, 질화 실리콘막, 질화산화 실리콘막 등의 절연막을 형성하면, 유리 기판으로부터의 오염을 방지할 수 있어 바람직하다.

박리층(203)은 텅스텐, 몰리브데넘, 타이타늄, 탄탈럼, 나이오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 실리콘에서 선택된 원소, 상기 원소를 함유한 합금 재료, 또는 상기 원소를 함유하는 화합물 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 실리콘을 함유한 층의 결정 구조는 비정질, 미결정, 및 다결정 중 어느 것이라도 좋다. 또한, 산화 알루미늄, 산화 갈륨, 산화 아연, 이산화 타이타늄, 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, In-Ga-Zn 산화물 등의 금속 산화물을 사용하여도 좋다. 박리층(203)에 텅스텐, 타이타늄, 몰리브데넘 등의 고융점 금속 재료를 사용하면, 피박리층의 형성 공정의 자유도가 높게 되어 바람직하다.

박리층(203)은 예컨대 스퍼터링법, 플라즈마 CVD법, 도포법(스핀 코팅법, 액적 토출법, 디스펜서법 등을 포함함), 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 박리층(203)의 두께는 예컨대 10nm 이상 200nm 이하, 바람직하게는 20nm 이상 100nm 이하로 한다.

박리층(203)이 단층 구조인 경우, 텅스텐층, 몰리브데넘층, 또는 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물을 포함한 층으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 텅스텐의 산화물 또는 산화 질화물을 포함한 층, 몰리브데넘의 산화물 또는 산화 질화물을 포함한 층, 또는 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물의 산화물 또는 산화 질화물을 포함한 층을 형성하여도 좋다. 또한, 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물은, 예컨대 텅스텐과 몰리브데넘의 합금에 상당한다.

또한, 박리층(203)을, 텅스텐을 포함한 층과 텅스텐의 산화물을 포함한 층의 적층 구조로 하는 경우, 텅스텐을 포함한 층을 형성하고, 그 위에 산화물로 형성된 절연막을 형성함으로써, 텅스텐층과 절연막 사이의 계면에 텅스텐의 산화물을 포함한 층이 형성되는 것을 이용하여 형성하여도 좋다. 또한, 텅스텐을 포함한 층의 표면을 열 산화 처리, 산소 플라즈마 처리, 아산화 질소(N₂O) 플라즈마 처리, 오존수 등 산화력이 강한 용액을 사용한 처리 등을 수행하여 텅스텐의 산화물을 포함한 층을 형성하여도 좋다. 또한, 플라즈마 처리나 가열 처리는 산소, 질소, 아산화 질소 단독, 또는 상기 가스와 기타 가스의 혼합 가스 분위기하에서 수행하여도 좋다. 상기 플라즈마 처리나 가열 처리에 의하여, 박리층(203)의 표면 상태를 바꿈으로써, 박리층(203)과 나중에 형성되는 절연층의 밀착성을 제어할 수 있다.

또한, 제작 기판과 피박리층 사이의 계면에서 박리할 수 있는 경우에는 박리층을 제공하지 않아도 된다. 예를 들어, 제작 기판으로서 유리를 사용하고, 유리에 접촉되도록 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 아크릴 등의 유기 수지를 형성한다. 다음에, 레이저 조사나 가열 처리를 수행함으로써 제작 기판과 유기 수지의 밀착성을 향상시킨다. 그리고, 유기 수지 위에 절연막이나 트랜지스터 등을 형성한다. 이 후에, 앞선 레이저 조사보다 높은 에너지 밀도로 레이저 조사를 수행하거나, 또는 앞선 가열 처리보다 높은 온도에서 가열 처리를 수행함으로써, 제작 기판과 유기 수지 사이의 계면에서 박리할 수 있다. 또한, 박리 시에는 제작 기판과 유기 수지 사이의 계면에 액체를 침투시켜 분리하여도 좋다.

상기 방법에서는 내열성이 낮은 유기 수지 위에 절연막이나 트랜지스터 등을 형성하기 때문에, 제작 공정에서 기판을 고온으로 할 수 없다. 여기서, 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터는 고온의 제작 공정을 수행하지 않아도 되기 때문에 유기 수지 위에 바람직하게 형성할 수 있다.

또한, 이 유기 수지를, 장치를 구성하는 기판으로서 사용하여도 좋고, 이 유기 수지를 제거하여, 피박리층이 노출된 면에 접착제를 이용하여 다른 기판을 부착시켜도 좋다.

또는, 제작 기판과 유기 수지 사이에 금속층을 제공하고, 상기 금속층에 전류를 흘림으로써, 상기 금속층을 가열하여, 금속층과 유기 수지 사이의 계면에서 박리를 수행하여도 좋다.

또한, 도 11의 (B)에 도시된 바와 같이, 제작 기판(221) 위에 박리층(223)을 형성하고, 박리층(223) 위에 절연층(843)을 형성한다. 다음에 절연층(843) 위에 차광층(847) 및 착색층(845)을 형성한다. 또한, 여기서는 도시되지 않았지만 도 9의 (D)에 도시된 바와 같이, 차광층(847) 및 착색층(845)을 덮는 오버코트를 제공하여도 좋다. 여기서 절연층(843), 차광층(847), 및 착색층(845)을 피박리층으로 한다.

다음에, 제작 기판(201)과 제작 기판(221)을 접착층(823)에 의하여 접합하고, 접착층(823)을 경화시킨다. 제작 기판(201)과 제작 기판(221)의 접합은 감압 분위기하에서 수행하는 것이 바람직하다.

또한, 도 11의 (C)에는 박리층(203)과 박리층(223)의 크기가 같은 예를 도시하였지만, 크기가 상이한 박리층을 사용하여도 좋다.

접착층(823)은 박리층(203) 및 피박리층과 중첩되도록 배치한다. 그리고 도 11의 (C)에 도시된 바와 같이, 접착층(823)의 단부는 박리층(203)의 단부보다 외측에 위치하지 않는 것이 바람직하다. 접착층(823)이 박리층(203)과 중첩되지 않는 영역을 포함하면, 그 영역의 넓이나, 접착층(823)과 이와 접촉된 층의 밀착성에 따라 박리 불량이 발생되기 쉬워지는 경우가 있다. 따라서, 접착층(823)은 박리층(203)의 내측에 위치하거나 또는 접착층(823)의 단부와 박리층(203)의 단부가 중첩되는 것이 바람직하다.

본 실시형태에서는 접착층(823)에 시트 형태의 접착제를 사용하지만 이에 한정되지 않는다. 또한, 시트 형태의 접착제는 유동성이 낮기 때문에 원하는 영역에만 배치할 수 있고 박리층(203)의 외측에 접착층(823)이 연장되는 것, 또한 박리 공정의 수율이 저하되는 것을 억제할 수 있다. 그리고 박리 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.

그리고, 레이저 광을 조사함으로써, 박리의 기점을 형성한다(도 11의 (C) 참조). 여기서는 절연층(813)의 일부 및 박리층(203)의 일부를 제거하는 예를 설명한다. 또한, 박리의 기점을 형성하는 공정을 도시한 각 도면에서, 박리의 기점이 형성되는 영역은 점선으로 둘러쌌다.

레이저 광은, 경화 상태의 접착층(823)과, 피박리층과, 박리층(203)이 중첩되는 영역에 조사한다. 레이저 광은 어느 쪽 기판 측으로부터 조사하여도 좋지만, 산란된 광이 기능 소자 등에 조사되는 것을 억제하기 위하여, 박리층(203)이 제공된 제작 기판(201) 측으로부터 조사하는 것이 바람직하다. 또한, 레이저 광을 조사하는 측의 기판은 상기 레이저 광을 투과시키는 재료를 사용한다.

적어도 제 1 층(피박리층에 포함되는, 박리층(203)과 접촉된 층)에 크랙(막 깨짐이나 틈)을 발생시킴으로써 제 1 층의 일부를 제거하고 박리의 기점을 형성할 수 있다. 이 때, 제 1 층뿐만 아니라 피박리층의 다른 층이나 박리층(203) 및 접착층(823)의 일부를 제거하여도 좋다. 레이저 광의 조사에 의하여 피박리층, 박리층(203), 또는 접착층(823)에 포함되는 막의 일부를 용해, 증발, 또는 열적으로 파괴할 수 있다.

본 제작 방법에서는 각각 피박리층이 형성된 한 쌍의 제작 기판을 미리 접합하고 나서 박리를 수행하고, 가요성 기판을 접합할 수 있다. 따라서, 피박리층을 접합할 때, 가요성이 낮은 제작 기판끼리를 접합할 수 있으며, 가요성 기판끼리를 접합한 경우보다 접합의 위치 결정 정도를 향상시킬 수 있다. 따라서, 발광 소자와 컬러 필터의 접합에서의 위치 결정 정도가 높은 제작 방법이라고 할 수 있다.

다음에, 형성한 박리의 기점으로부터 피박리층과 제작 기판(201)을 박리한다. 이에 의하여 피박리층이 제작 기판(201)으로부터 제작 기판(221)으로 전치된다(도 12의 (A) 참조).

제작 기판(201) 및 제작 기판(221) 중 어느 쪽을 먼저 박리하여도 좋다. 박리층의 크기가 상이한 경우, 큰 박리층을 형성한 기판을 먼저 박리하여도 좋고, 작은 박리층을 형성한 기판을 먼저 박리하여도 좋다. 한쪽의 기판 위에만 반도체 소자, 발광 소자, 표시 소자 등의 소자를 제작한 경우, 소자를 형성한 기판을 먼저 박리하여도 좋고, 다른 쪽의 기판을 먼저 박리하여도 좋다. 여기서는 제작 기판(201)을 먼저 박리하는 예를 제시한다.

예를 들어 물리적인 힘(사람의 손이나 치구(治具)로 떼어내는 처리나 롤러를 회전시키면서 분리하는 처리 등)에 의하여 박리의 기점으로부터 피박리층과 제작 기판(201)을 분리하면 좋다.

또한, 박리층(203)과 피박리층 사이의 계면에 물 등 액체를 침투시켜 제작 기판(201)과 피박리층을 분리하여도 좋다. 모세관 현상에 의하여 액체가 박리층(203)과 피박리층 사이에 스며듦으로써 쉽게 분리할 수 있다. 또한, 박리할 때 발생되는 정전기가 피박리층에 포함되는 기능 소자에 악영향을 미치는 것(반도체 소자가 정전기로 인하여 파괴되는 것 등)을 억제할 수 있다.

다음에, 제작 기판(201)으로부터 박리되어 노출된 절연층(813)과, 기판(801)을 접착층(811)에 의하여 접착한다. 본 실시형태에서는 접착층(811)에 시트 형태의 접착제를 사용하지만 이에 한정되지 않는다.

다음에, 레이저 광을 조사함으로써, 박리의 기점을 형성한다(도 12의 (B) 참조). 그리고, 형성한 박리의 기점으로부터 절연층(843)과 제작 기판(221)을 분리한다(도 12의 (C) 참조).

상술한 바와 같이 하여, 피박리층을 제작 기판(201) 및 제작 기판(221)으로부터 기판(801) 위로 전치할 수 있다.

이 후, 도전층(857)을 노출시키는 공정과, 절연층(843) 및 기판(803)을 접착층(841)을 사용하여 접합시키는 공정을 수행한다. 어느 쪽 공정을 먼저 수행하여도 좋다. 본 실시형태에서는 절연층(843) 및 기판(803)을 접착층(841)을 사용하여 먼저 접합시킨다(도 13의 (A) 참조). 여기서는 접착층(841)에 시트 형태의 접착제를 사용하지만 이에 한정되지 않는다.

예를 들어, 절연층(843) 및 접착층(823)에 개구를 형성함으로써 도전층(857)을 노출시킨다. 또한, 기판(803)이 도전층(857)과 중첩되는 구성의 경우에는 도전층(857)을 노출시키기 위하여 기판(803) 및 접착층(841)도 개구한다.

개구를 형성하는 수단은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 레이저 어블레이션(laser ablation)법, 에칭법, 이온 빔 스퍼터링법 등을 이용하면 좋다. 또한, 도전층(857) 위의 막에 바늘이나 커터 등의 예리한 칼날 등을 사용하여 칼집을 내고, 물리적인 힘으로 막의 일부를 박리하여도 좋다.

예를 들어, 막의 일부를 제거한 영역을 계기로 하여 도전층(857)과 중첩된 기판(803), 접착층(841), 절연층(843), 접착층(823), EL층(862), 및 도전층(864)을 제거한다(도 13의 (B) 참조). 예를 들어 점착성 롤러를 기판(803)에 밀어붙이고 롤러를 회전시키면서 상대적으로 이동시킨다. 또는, 점착성 테이프를 기판(803)에 붙여서 박리하여도 좋다. EL층(862)과 도전층(864)의 밀착성이나 EL층(862)을 구성하는 층들의 밀착성이 낮기 때문에, EL층(862)과 도전층(864) 사이의 계면 또는 EL층(862) 내부에서 분리된다. 이에 의하여, 기판(803), 접착층(841), 절연층(843), 접착층(823), EL층(862), 또는 도전층(864)의, 도전층(857)과 중첩된 영역을 선택적으로 제거할 수 있다. 또한, 도전층(857) 위에 EL층(862) 등이 남은 경우에는 유기 용제 등으로 제거하면 좋다.

또한, 도전층(857)이 노출되고, 나중에 행해지는 공정에서 FPC(808)와 전기적으로 접속할 수 있으면, 도전층(857)과 중첩된 층을 제거하는 방법은 불문한다. 필요가 없으면 EL층(862)이나 도전층(864)을 도전층(857)과 중첩시켜 형성하지 않아도 된다. 예를 들어 EL층(862)에서 분리되는 경우에는 도전층(864)을 제공하지 않아도 된다. 또한, 사용하는 재료에 따라서는 EL층(862)과 접착층(823)이 접촉됨으로써, 2층의 재료가 혼합되거나 층의 계면이 불명확해지는 등의 문제가 발생되는 경우가 있다. 이 경우에는, 발광 장치의 신뢰성 저하를 억제하기 위하여 EL층(862)과 접착층(823) 사이에 도전층(864)을 제공하는 것이 바람직하다.

마지막으로 이방성 도전재(접속체(825))에 의하여 입출력 단자부의 각 전극(도전층(857))에 FPC(808)를 부착시킨다. 필요가 있으면, IC 칩 등을 실장하여도 좋다. 또한, 가요성 기판이 휘기 쉬우면, FPC나 TCP를 장착할 때 접합 정밀도가 저하될 수 있다. 따라서, FPC나 TCP를 장착할 때, 제작한 장치를 유리나 실리콘 고무(silicone rubber) 등으로 지지하여도 좋다. 이로써, FPC 또는 TCP와 기능 소자를 확실하게 전기적으로 접속시킬 수 있다.

상술한 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치의 제작 방법에서는 박리의 기점을 형성하여 박리층과 피박리층을 박리하기 쉬운 상태로 하고 나서 박리를 수행한다. 이로써, 박리 공정의 수율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 발광 장치를 고수율로 제작할 수 있다.

본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시형태 5)

본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 적용하여 제작할 수 있는 전자 기기 및 조명 장치에 대하여 도 14 및 도 15를 사용하여 설명한다.

본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은 가요성을 갖는다. 따라서 가요성을 갖는 전자 기기나 조명 장치에 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태를 적용함으로써 신뢰성이 높고 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운 전자 기기나 조명 장치를 제작할 수 있다.

전자 기기로서는 예컨대 텔레비전 장치(텔레비전, 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터용 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화, 휴대 전화 장치라고도 함), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말, 음향 재생 장치, 파칭코기 등의 대형 게임기 등을 들 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은 가요성을 갖기 때문에 집이나 빌딩의 내벽 또는 외벽이나 자동차의 내장 또는 외장의 곡면을 따라 제공할 수도 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기나 조명 장치는 터치 패널과 이차 전지를 가져도 좋다. 이 때 비접촉 전력 전송을 사용하여 이차 전지를 충전할 수 있으면 바람직하다.

이차 전지로서는 예컨대 겔 형태의 전해질을 사용하는 리튬 폴리머 전지(리튬 이온 폴리머 전지) 등의 리튬 이온 이차 전지, 니켈 수소 전지, 니켈 카드뮴 전지, 유기 라디칼 전지, 납 축전지, 공기 이차 전지, 니켈 아연 전지, 은 아연 전지 등을 들 수 있다.

본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기나 조명 장치는 터치 패널과 안테나를 가져도 좋다. 안테나에서 신호를 수신함으로써 표시부에서 영상이나 정보 등을 표시할 수 있다. 또한, 터치 패널이 이차 전지를 갖는 경우, 안테나를 비접촉 전력 전송에 사용하여도 좋다.

도 14의 (A)는 휴대 전화기의 일례를 도시한 것이다. 휴대 전화기(7400)는, 하우징(7401)에 내장된 표시부(7402) 외에, 조작 버튼(7403), 외부 접속 포트(7404), 스피커(7405), 마이크로폰(7406) 등을 구비한다. 또한, 휴대 전화기(7400)는, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 표시부(7402)에 사용함으로써 제작된다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 전화기를 제공할 수 있다.

도 14의 (A)에 도시된 휴대 전화기(7400)는, 손가락 등으로 표시부(7402)에 터치함으로써, 정보를 입력할 수 있다. 또한, 전화를 걸거나, 또는 문자를 입력하는 등의 다양한 조작은, 손가락 등으로 표시부(7402)에 터치함으로써 수행할 수 있다.

또한, 조작 버튼(7403)의 조작에 의하여, 전원의 ON/OFF 동작이나, 표시부(7402)에 표시되는 화상의 종류를 전환할 수 있다. 예를 들어, 메일 작성 화면으로부터, 메인 메뉴 화면으로 전환할 수 있다.

도 14의 (B)는 손목시계형 휴대 정보 단말의 일례를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(7100)은, 하우징(7101), 표시부(7102), 밴드(7103), 버클(7104), 조작 버튼(7105), 입출력 단자(7106) 등을 구비한다.

휴대 정보 단말(7100)은, 이동 전화, 전자 메일, 문장 열람 및 작성, 음악 재생, 인터넷 통신, 컴퓨터 게임 등의 다양한 애플리케이션을 실행할 수 있다.

표시부(7102)는 그 표시면이 만곡되어 제공되고, 만곡된 표시면을 따라 표시를 수행할 수 있다. 또한, 표시부(7102)는 터치 센서를 구비하고, 손가락이나 스타일러스 등으로 화면에 터치함으로써 조작할 수 있다. 예를 들어, 표시부(7102)에 표시된 아이콘(7107)에 터치함으로써 애플리케이션을 기동할 수 있다.

조작 버튼(7105)은 시각 설정 외에, 전원의 온/오프 동작, 무선 통신의 온/오프 동작, 매너 모드의 실행 및 해제, 전력 절약 모드의 실행 및 해제 등, 다양한 기능을 갖게 할 수 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말(7100)에 내장된 운영 체계에 의하여, 조작 버튼(7105)의 기능을 자유롭게 설정할 수도 있다.

또한, 휴대 정보 단말(7100)은, 통신 규격된 근거리 무선 통신을 실행하는 것이 가능하다. 예를 들어 무선 통신 가능한 헤드셋과 상호 통신함으로써, 핸즈 프리로 통화할 수도 있다.

또한, 휴대 정보 단말(7100)은 입출력 단자(7106)를 구비하고, 다른 정보 단말과 커넥터를 통하여 직접 데이터를 주고받을 수 있다. 또한 입출력 단자(7106)를 통하여 충전할 수도 있다. 또한, 입출력 단자(7106)를 통하지 않고 무선 급전에 의하여 충전하여도 좋다.

휴대 정보 단말(7100)의 표시부(7102)에는, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 내장된다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 정보 단말을 제공할 수 있다.

도 14의 (C)~(E)는 조명 장치의 일례를 도시한 것이다. 조명 장치(7200), 조명 장치(7210), 및 조명 장치(7220)는, 각각 조작 스위치(7203)를 구비하는 받침부(7201)와, 받침부(7201)에 의하여 지지되는 발광부를 갖는다.

도 14의 (C)에 도시된 조명 장치(7200)는, 파상 발광면을 갖는 발광부(7202)를 구비한다. 따라서 디자인성이 높은 조명 장치가 되어 있다.

도 14의 (D)에 도시된 조명 장치(7210)가 구비하는 발광부(7212)는, 볼록 형상으로 만곡된 2개의 발광부가 대칭적으로 배치된 구성을 갖는다. 따라서 조명 장치(7210)를 중심으로 전(全)방위를 비출 수 있다.

도 14의 (E)에 도시된 조명 장치(7220)는, 오목 형상으로 만곡된 발광부(7222)를 구비한다. 따라서, 발광부(7222)로부터의 광을, 조명 장치(7220)의 전(前)면에 집광하기 때문에, 특정한 범위를 밝게 비추는 경우에 적합하다.

또한, 조명 장치(7200), 조명 장치(7210), 및 조명 장치(7220)가 구비하는 각각의 발광부는 가요성을 갖기 때문에, 발광부를 가소성 부재나 가동 프레임 등의 부재로 고정하여, 용도에 맞추어 발광부의 발광면을 자유롭게 만곡 가능한 구성으로 하여도 좋다.

또한 여기서는, 받침부에 의하여 발광부가 지지된 조명 장치에 대하여 예시하였지만, 발광부를 구비하는 하우징을 천장에 고정하거나, 또는 천장으로부터 매달아서 사용할 수도 있다. 발광면을 만곡시켜서 사용할 수 있기 때문에, 발광면을 오목 형상으로 만곡시켜서 특정한 영역을 밝게 비추거나, 또는 발광면을 볼록 형상으로 만곡시켜서 방 전체를 밝게 비출 수도 있다.

여기서, 각 발광부에는, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 내장된다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 만곡된 발광부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 조명 장치를 제공할 수 있다.

도 14의 (F)에는, 휴대형 터치 패널의 일례를 도시하였다. 터치 패널(7300)은, 하우징(7301), 표시부(7302), 조작 버튼(7303), 인출 부재(7304), 및 제어부(7305)를 구비한다.

터치 패널(7300)은, 통 형태의 하우징(7301) 내에 롤 형태로 말린 플렉시블한 표시부(7302)를 구비한다.

또한, 터치 패널(7300)은 제어부(7305)에 의하여 영상 신호를 수신 가능하며, 수신한 영상을 표시부(7302)에 표시할 수 있다. 또한, 제어부(7305)에는 배터리를 구비한다. 또한, 제어부(7305)에 커넥터를 접속하는 단자부를 구비하고, 영상 신호나 전력을 유선에 의하여 외부로부터 직접 공급하는 구성으로 하여도 좋다.

또한, 조작 버튼(7303)에 의하여, 전원의 ON/OFF 동작이나 표시하는 영상의 전환 등을 수행할 수 있다.

도 14의 (G)에는, 표시부(7302)를 인출 부재(7304)에 의하여 인출한 상태의 터치 패널(7300)을 도시하였다. 이 상태에서 표시부(7302)에 영상을 표시할 수 있다. 또한, 하우징(7301)의 표면에 배치된 조작 버튼(7303)에 의하여, 한 손으로 쉽게 조작할 수 있다. 또한, 도 14의 (F)와 같이 조작 버튼(7303)을 하우징(7301)의 중앙이 아닌 한쪽 측으로 치우쳐 배치함으로써, 한 손으로 쉽게 조작할 수 있다.

또한, 표시부(7302)를 인출하였을 때에 표시부(7302)의 표시면이 평면 형상이 되도록 고정하기 때문에, 표시부(7302)의 측부에 보강을 위한 테두리를 제공하여도 좋다.

또한, 이 구성 외에, 하우징에 스피커를 제공하고, 영상 신호와 함께 수신한 음성 신호에 의하여 음성을 출력하는 구성으로 하여도 좋다.

표시부(7302)에는, 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널이 내장된다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 경량이면서 신뢰성이 높은 터치 패널을 제공할 수 있다.

도 15의 (A)~(C)에 접을 수 있는 휴대 정보 단말(310)을 도시하였다. 도 15의 (A)는 펼친 상태의 휴대 정보 단말(310)을 도시한 것이다. 도 15의 (B)는 펼친 상태 또는 접은 상태 중 한쪽으로부터 다른 쪽으로 변화하는 도중의 휴대 정보 단말(310)을 도시한 것이다. 도 15의 (C)는 접은 상태의 휴대 정보 단말(310)을 도시한 것이다. 휴대 정보 단말(310)은 접으면 가반성이 뛰어나고 펼치면 이음매가 없는 넓은 표시 영역에 의하여 표시의 일람성이 뛰어나다.

터치 패널(314)은 힌지(313)로 연결된 3개의 하우징(315)으로 지지되어 있다. 힌지(313)를 개재하여 2개의 하우징(315) 사이를 굴곡시킴으로써 휴대 정보 단말(310)을 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 터치 패널(314)에 사용할 수 있다. 예를 들어, 곡률 반경 1mm 이상 150mm 이하로 접을 수 있는 터치 패널을 적용할 수 있다.

또한, 본 발명의 일 형태에서, 터치 패널이 접힌 상태인지 펼쳐진 상태인지를 검지하여 검지 정보를 공급하는 센서를 구비하는 구성으로 하여도 좋다. 터치 패널의 제어 장치는 터치 패널이 접힌 상태인 것을 나타내는 정보를 취득하여 접힌 부분(또는 접혀서 사용자가 시인할 수 없게 된 부분)의 동작을 정지하여도 좋다. 구체적으로는 표시를 정지하여도 좋다. 또한, 터치 센서에 의한 검지를 정지하여도 좋다.

마찬가지로 터치 패널의 제어 장치는 터치 패널이 펼쳐진 상태인 것을 나타내는 정보를 취득하여 다시 표시하거나, 터치 센서에 의하여 다시 검지하여도 좋다.

도 15의 (D) 및 (E)에 접을 수 있는 휴대 정보 단말(329)을 도시하였다. 도 15의 (D)에는 표시부(326)가 외측이 되도록 접은 상태의 휴대 정보 단말(329)을 도시하였다. 도 15의 (E)에는 표시부(326)가 내측이 되도록 접은 상태의 휴대 정보 단말(329)을 도시하였다. 휴대 정보 단말(329)을 사용하지 않을 때 비표시부(325)가 외측이 되도록 접으면 표시부(326)가 더러워지거나 손상되는 것을 억제할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 표시부(326)에 사용할 수 있다.

도 15의 (F)는 휴대 정보 단말(330)의 외형을 설명하기 위한 사시도다. 도 15의 (G)는 휴대 정보 단말(330)의 상면도다. 도 15의 (H)는 휴대 정보 단말(340)의 외형을 설명하기 위한 사시도다.

휴대 정보 단말(330) 및 휴대 정보 단말(340)은 예컨대 전화기, 수첩, 또는 정보 열람 장치 등 중에서 선택된 하나 또는 복수의 기능을 갖는다. 구체적으로는 각각 스마트폰으로서 사용할 수 있다.

휴대 정보 단말(330) 및 휴대 정보 단말(340)은 문자나 화상 정보를 그 복수 면에 표시할 수 있다. 예를 들어, 3개의 조작 버튼(339)을 한 면에 표시할 수 있다(도 15의 (F) 및 (H) 참조). 또한, 정보(337)(도면 중 파선으로 그린 직사각형들)를 다른 면에 표시할 수 있다(도 15의 (G) 및 (H) 참조). 또한, 정보(337)의 예로서는 SNS(social networking service)의 통지, 전자 메일이나 전화 등의 착신을 알리는 표시, 전자 메일 등의 제목 또는 송신자 이름, 날짜, 시각, 배터리 잔량, 안테나 수신 강도 등이 있다. 또는, 정보(337)가 표시되어 있는 위치에 정보(337) 대신에 조작 버튼(339), 아이콘 등을 표시하여도 좋다. 또한, 도 15의 (F) 및 (G)에는 윗면에 정보(337)가 표시되는 경우의 예를 도시하였지만 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 15의 (H)에 도시된 휴대 정보 단말(340)과 같이 옆면에 표시되어도 좋다.

예를 들어 휴대 정보 단말(330)의 사용자는 옷의 가슴 주머니에 휴대 정보 단말(330)을 넣은 채 그 표시(여기서는 정보(337))를 확인할 수 있다.

구체적으로는 착신한 전화의 발신자 전화 번호 또는 이름 등을 휴대 정보 단말(330) 상방으로부터 확인 가능한 위치에 표시한다. 사용자는 휴대 정보 단말(330)을 주머니에서 꺼내지 않아도 표시를 확인하여 전화를 받을지 말지를 결정할 수 있다.

휴대 정보 단말(330)의 하우징(338), 휴대 정보 단말(340)의 하우징(336)이 각각 갖는 표시부(333)에는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 사용할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 정보 단말을 제공할 수 있다.

또한, 도 15의 (I)에 도시된 휴대 정보 단말(345)과 같이 3개 이상의 면에 정보를 표시하여도 좋다. 여기서는 정보(354), 정보(356), 및 정보(357)가 각각 다른 면에 표시되는 경우의 예를 도시하였다.

휴대 정보 단말(345)의 하우징(351)이 갖는 표시부(358)에는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 사용할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여, 만곡된 표시부를 구비하고, 또한 신뢰성이 높은 휴대 정보 단말을 제공할 수 있다.

본 실시형태는 다른 실시형태와 적절히 조합할 수 있다.

(실시예)

본 실시예에서는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널을 제작하고, 휨 시험을 수행한 결과에 대하여 설명한다. 본 실시예에서 제작한 터치 패널은 도 19의 (A)에 도시된 바와 같이, 컬러 필터 방식을 이용한 상부 발광 방식의 표시 패널과, 정전 용량 방식의 터치 센서를 갖는다.

<시료 제작 방법>

먼저, 가요성을 갖는 표시 패널과 가요성을 갖는 터치 센서를 제작하였다. 양쪽 모두 제작 기판인 유리 기판 위에 소자를 형성하고 나서 제작 기판으로부터 상기 소자를 박리하여 가요성 기판 위에 상기 소자를 전치하였다. 박리층으로서는 텅스텐막과 상기 텅스텐막 위의 산화 텅스텐막의 적층 구조를 형성하였다. 제작 방법에 대한 자세한 사항은 실시형태 2 및 실시형태 3을 참작할 수 있다.

표시 패널은, 표시 소자로서 유기 EL 소자를 갖고, 트랜지스터로서 CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)를 사용한 트랜지스터를 갖는다.

CAAC-OS는 비정질이 아니기 때문에 결함 준위가 적고 트랜지스터의 신뢰성을 높일 수 있다. 또한, CAAC-OS는 결정 입계를 갖지 않기 때문에 가요성을 갖는 장치를 만곡시켰을 때의 응력으로 인한 크랙이 CAAC-OS막에 생기기 어렵게 된다.

CAAC-OS란 막면에 대하여 결정의 c축이 대략 수직으로 배향된 결정성 산화물 반도체를 가리킨다. 산화물 반도체의 결정 구조로서는 그 외에 나노 스케일의 미결정 집합체인 nano-crystal(nc) 등, 단결정과는 상이한, 다양한 구조가 존재하는 것이 확인되어 있다. CAAC-OS는 단결정보다 결정성이 낮고, nc보다 결정성이 높다.

본 실시예에서는 In-Ga-Zn계 산화물을 사용한 채널 에치형 트랜지스터를 사용하였다. 상기 트랜지스터는 유리 기판 위에서 500℃ 미만의 프로세스로 제작하였다.

플라스틱 기판 등의 유기 수지 위에 트랜지스터 등의 소자를 직접 제작하는 방법에서는 소자의 제작 공정의 온도를 유기 수지의 내열 온도보다 낮게 해야 된다. 본 실시예에서는 제작 기판이 유리 기판이고, 또한 박리층(무기막)의 내열성이 높기 때문에 유리 기판 위에 트랜지스터를 제작하는 경우와 같은 온도로 트랜지스터를 제작할 수 있고 트랜지스터의 성능이나 신뢰성을 쉽게 확보할 수 있다.

유기 EL 소자에는, 청색의 광을 나타내는 발광층을 갖는 형광 발광 유닛과 녹색의 광을 나타내는 발광층 및 적색의 광을 나타내는 발광층을 갖는 인광 발광 유닛을 갖는 탠덤형 유기 EL 소자를 사용하였다. 유기 EL 소자는 상부 발광 방식을 채용한다. 유기 EL 소자는 광학 조정층으로서 기능하는 ITO막을 갖는다. 광학 조정층의 막 두께는 각 화소의 색에 따라 변화시켰다. 컬러 필터와 마이크로 캐비티 구조의 조합에 의하여 본 실시예에서 제작한 표시 패널로부터는 색 순도가 높은 광을 추출할 수 있다.

표시 패널과 터치 센서는 각각 한 쌍의 가요성 기판(16)을 갖는다. 가요성 기판(16)으로서는 두께 20μm의 유기 수지 필름을 사용하였다.

다음에 표시 패널과 터치 센서가 각각 서로 접합되는 면에 UV오존 처리를 수행하였다.

다음에 라미네이터를 사용하여 터치 센서에서의, 표시 패널과 접합되는 면 위에 두께 300μm의 접착층을 형성하였다. 시료에서는 실리콘계 겔(silicone-based gel) 점착층을 사용하였다. 비교 시료에서는 아크릴계 겔 점착층을 사용하였다.

여기서 시료에 사용한 실리콘계 겔 점착층의 물성을 기재한다. 영률은 50kPa, 침입도는 100, 투과율은 91%, 압축 영구 변형률은 32%다. 또한, 비교 시료에 사용한 아크릴계 겔 점착층의 물성을 기재한다. 영률은 약 300kPa, 침입도는 75다.

그리고 라미네이터를 사용하여 접착층에 의하여 표시 패널과 터치 센서를 접합시켰다. 그 후 60℃에서 100시간 동안 가열 처리를 수행하여 각 기판과 접착층의 밀착성을 향상시켰다.

시료는 2개 제작하고 하나는 동작을 확인하기 위하여 사용하고 나머지 하나는 휨 시험에 사용하였다. 비교 시료는 하나 제작하고 동작을 확인한 후 휨 시험을 수행하였다.

시료 및 비교 시료의 동작을 확인하였다. 이 결과, 제작된 시료 및 비교 시료는 어느 쪽도 표시 패널에서 표시하면서 터치 센서에 의하여 센싱을 수행할 수 있는 것이 확인되었다.

또한, 시료 및 비교 시료에 사용한 것과 같은 표시 패널과 터치 센서를 직접 중첩시킨 경우, 표시 패널에서 표시하면서 터치 센서에 의하여 정상적인 센싱을 수행할 수 없었다. 다음에 표시 패널과 터치 센서를 적층체를 개재하여 중첩시킴으로써 표시 패널과 터치 센서 사이의 거리를 멀어지게 하였다. 적층체는 막 두께 25μm의 실리콘 수지와 막 두께 50μm의 PET 필름을 교대로 적층한 구조를 갖는다. 이 결과, 표시 패널과 터치 센서 사이의 거리가 100μm 및 175μm일 때에는 표시 패널에서 표시하면서 터치 센서에 의한 정상적인 센싱을 수행할 수는 없었지만 상기 거리가 250μm일 때에는 정상적인 센싱을 수행할 수 있었다. 다만 막 두께 250μm의 적층체를 사용한 터치 패널은 반복적으로 휘어서 사용하기 어려웠다.

또한, 시료 및 비교 시료의 휨 시험을 수행하였다. 도 16에 도시된 바와 같이, 휜 부분(bent portion)은 터치 패널의 중앙부이고 표시부와 스캔 드라이버를 포함한다. 휨 시험은 도 17에 나타낸 북(Book)형 휨 시험기를 사용하여 수행하였다.

본 명세서에서의 북형 휨 시험기는 책처럼 펼친 상태(도 17의 (A) 참조)와 닫힌 상태(도 17의 (B) 참조)를 반복함으로써 휨 시험을 수행한다. 휜 상태의 판과 판 사이의 거리를 결정함으로써 터치 패널에서의 휨의 곡률 반경을 결정한다. 또한, 도 17에 나타낸 패널은 본 실시예의 시료가 아니다.

북형 휨 시험기를 사용하여 평가한 터치 패널의 휨 특성을 나타낸다. 곡률 반경 5mm로 7만회, 안쪽으로 휘었지만 표시부에 결함은 발생되지 않았다. 또한, 휨 시험 후에도 한쪽으로 휘는 버릇이 거의 들지 않았다. 또한, 여기서는 터치 패널의 표시면을 안쪽으로 하는 경우를 안쪽으로 휨이라고 기재한다.

도 18의 (C)에 휨 시험을 수행하기 전의 시료를 나타내었고 도 18의 (D)에 16500회 휜 후의 시료를 나타내었다. 또한, 7만회 휜 후에도 도 18의 (D)에 나타낸 상태와 거의 변화가 없었다.

여기서 시료에서 표시 패널 측에 제공된 컬러 필터(98)와 터치 센서 측에 제공된 전극(99)의 위치 관계에 착안하였다. 도 18의 (A)에 나타낸, 사료를 휘지 않는 상태에 비하여 도 18의 (B)에 나타낸, 상기 시료를 휜 상태가 컬러 필터(98)와 전극(99) 사이의 간격이 넓은 것을 알 수 있었다. 이로부터 실시형태 1에 기재된 바와 같이, 접착층(12)이 도 1의 (A)에 도시된 상태로부터 도 1의 (B)에 도시된 상태로 변형된다고 할 수 있다.

한편, 비교 시료는 곡률 반경 5mm로 1회 안쪽으로 휘는 것만으로 휜 부분에 한쪽으로 휘는 버릇이 들었다(도 18의 (E)에 나타낸 점선부 참조).

상술한 바와 같이, 본 실시예에서는 영률이 50kPa의 접착층을 사용하여 표시 패널과 터치 센서를 접합시킴으로써 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운, 신뢰성이 높은 플렉시블한 터치 패널을 제작할 수 있었다. 또한, 터치 패널의 박형화와 높은 검출 감도를 양립할 수 있었다.

본 실시예로부터 표시 패널과 터치 센서를 접합시키는 접착층의 영률을 300kPa 미만, 더 바람직하게는 50kPa 이하로 함으로써 터치 패널의 박형화와 높은 검출 감도를 양립하거나 반복적으로 휘어도 깨지기 어려운 터치 패널을 제작할 수 있다는 것이 시사되었다.

10U: 검지 유닛
10UB: 검지 유닛
11: 표시 패널
12: 접착층
13: 터치 센서
15: 표시 소자
15a: 트랜지스터
15b: 발광 소자
15c: 트랜지스터
15d: 콘택트부
15e: 용량부
16: 가요성 기판
17: 검지 소자
18: 접착층
19: 절연층
20: 절연층
21: 도전층
23: 도전층
98: 컬러 필터
99: 전극
100: 터치 센서
100B: 터치 센서
112: 터치 센서
201: 제작 기판
203: 박리층
221: 제작 기판
223: 박리층
301: 기판
302: 기판
305: FPC
310: 휴대 정보 단말
311: 배선
312: 배선
314: 터치 패널
313: 힌지
315: 하우징
320: 절연층
321: 전극
322: 전극
323: 배선
324: 유전층
325: 비표시부
326: 표시부
329: 휴대 정보 단말
330: 휴대 정보 단말
331: 접착층
332: 접착층
333: 표시부
335: 보호층
336: 하우징
337: 정보
338: 하우징
339: 조작 버튼
340: 휴대 정보 단말
345: 휴대 정보 단말
351: 하우징
354: 정보
355: 접속체
356: 정보
357: 정보
358: 표시부
391: 제작 기판
393: 박리층
395: 절연층
801: 기판
803: 기판
804: 발광부
806: 구동 회로부
808: FPC
811: 접착층
813: 절연층
814: 도전층
815: 절연층
816: 도전층
817: 절연층
817a: 절연층
817b: 절연층
820: 트랜지스터
821: 절연층
822: 트랜지스터
823: 접착층
824: 접착층
825: 접속체
827: 스페이서
830: 발광 소자
831: 하부 전극
833: EL층
835: 상부 전극
841: 접착층
843: 절연층
845: 착색층
847: 차광층
849: 오버코트
857: 도전층
857a: 도전층
857b: 도전층
862: EL층
864: 도전층
7100: 휴대 정보 단말
7101: 하우징
7102: 표시부
7103: 밴드
7104: 버클
7105: 조작 버튼
7106: 입출력 단자
7107: 아이콘
7200: 조명 장치
7201: 받침부
7202: 발광부
7203: 조작 스위치
7210: 조명 장치
7212: 발광부
7220: 조명 장치
7222: 발광부
7300: 터치 패널
7301: 하우징
7302: 표시부
7303: 조작 버튼
7304: 부재
7305: 제어부
7400: 휴대 전화기
7401: 하우징
7402: 표시부
7403: 조작 버튼
7404: 외부 접속 포트
7405: 스피커
7406: 마이크로폰

Claims

가요성을 갖는 터치 패널에 있어서,
표시 패널과;
터치 센서와;
접착층을 포함하고,
상기 표시 패널 및 상기 터치 센서는 가요성이고,
상기 접착층은 상기 표시 패널과 상기 터치 센서 사이에 있고,
상기 접착층은 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 포함하고,
상기 제 1 부분의 영률(young's modulus)은 1kPa 이상 300kPa 이하이고,
상기 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하이고,
상기 제 3 부분의 투과율은 70% 이상인, 터치 패널.
제 1 항에 있어서,
상기 터치 센서는 정전 용량 방식의 터치 센서인, 터치 패널.
제 1 항에 있어서,
상기 표시 패널은 유기 EL 소자를 포함하는, 터치 패널.
제 1 항에 있어서,
상기 접착층은 제 4 부분을 포함하고,
상기 제 4 부분의 압축 영구 변형률은 50% 이하인, 터치 패널.
제 4 항에 있어서,
상기 접착층은 제 5 부분을 포함하고,
상기 제 5 부분의 침입도(針入度)는 75보다 큰, 터치 패널.
제 1 항에 있어서,
상기 접착층은 겔 형태인, 터치 패널.
가요성을 갖는 터치 패널에 있어서,
표시 패널과;
터치 센서와;
접착층을 포함하고,
상기 표시 패널 및 상기 터치 센서는 가요성이고,
상기 접착층은 상기 표시 패널과 상기 터치 센서 사이에 있고,
상기 접착층은 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 포함하고,
상기 제 1 부분의 영률은 1kPa 이상 300kPa 이하이고,
상기 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하이고,
상기 제 3 부분의 투과율은 70% 이상이고,
상기 터치 센서는 정전 용량 방식의 터치 센서이고,
상기 표시 패널은 유기 EL 소자를 포함하는, 터치 패널.
제 7 항에 있어서,
상기 접착층은 제 4 부분을 포함하고,
상기 제 4 부분의 압축 영구 변형률은 50% 이하인, 터치 패널.
제 8 항에 있어서,
상기 접착층은 제 5 부분을 포함하고,
상기 제 5 부분의 침입도는 75보다 큰, 터치 패널.
제 7 항에 있어서,
상기 접착층은 겔 형태인, 터치 패널.
가요성을 갖는 터치 패널에 있어서,
트랜지스터를 포함하는 표시 패널과;
트랜지스터 및 용량 소자를 포함하는 터치 센서와;
접착층을 포함하고,
상기 표시 패널 및 상기 터치 센서는 가요성이고,
상기 접착층은 상기 표시 패널과 상기 터치 센서 사이에 있고,
상기 접착층은 제 1 부분, 제 2 부분, 및 제 3 부분을 포함하고,
상기 제 1 부분의 영률은 1kPa 이상 300kPa 이하이고,
상기 제 2 부분의 두께는 0.1mm 이상 1mm 이하이고,
상기 제 3 부분의 투과율은 70% 이상인, 터치 패널.
제 11 항에 있어서,
상기 터치 센서는 정전 용량 방식의 터치 센서인, 터치 패널.
제 11 항에 있어서,
상기 표시 패널은 유기 EL 소자를 포함하는, 터치 패널.
제 11 항에 있어서,
상기 접착층은 제 4 부분을 포함하고,
상기 제 4 부분의 압축 영구 변형률은 50% 이하인, 터치 패널.
제 14 항에 있어서,
상기 접착층은 제 5 부분을 포함하고,
상기 제 5 부분의 침입도는 75보다 큰, 터치 패널.
제 11 항에 있어서,
상기 접착층은 겔 형태인, 터치 패널.