TWI679560B - 觸控面板 - Google Patents

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TWI679560B
TWI679560B TW104106682A TW104106682A TWI679560B TW I679560 B TWI679560 B TW I679560B TW 104106682 A TW104106682 A TW 104106682A TW 104106682 A TW104106682 A TW 104106682A TW I679560 B TWI679560 B TW I679560B
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中村太紀
Daiki Nakamura
池田寿雄
Hisao Ikeda
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日商半導體能源研究所股份有限公司
Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd.
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Abstract

提供一種具有撓性的觸控面板。同時實現觸控面板的薄型化及高檢測靈敏度。本發明的一個方式是一種由黏合層將具有撓性的顯示面板與具有撓性的觸控感測器貼合的具有撓性的觸控面板。該黏合層的楊氏模量為1kPa以上且300kPa以下，該黏合層的厚度為0.1mm以上且1mm以下，該黏合層的穿透率為70%以上。

Description

觸控面板
本發明的一個方式係關於一種觸控面板。尤其係關於一種具有撓性的觸控面板。
注意，本發明的一個方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個方式係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。因此，更明確而言，作為本說明書所公開的發明的一個方式的技術領域的一個例子，可以舉出半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、其驅動方法或者其製造方法。
近年來，積極開發在具有撓性的基板(以下也稱為“撓性基板”)上設置有半導體元件、顯示元件或發光元件等功能元件的撓性裝置。作為撓性裝置的典型例子，除了照明設備及影像顯示裝置之外，還可以舉出包括電晶 體等半導體元件的各種半導體電路等。
專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體以及有機EL(Electroluminescence)元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。
另外，近年來，顯示裝置被期待應用於各種用途，並被要求多樣化。例如，作為可攜式資訊終端，具備觸控面板的智慧手機或平板終端的開發正在加速。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
具有撓性的觸控面板較佳為對具有撓性的顯示面板附加了用手指等觸碰螢幕來進行輸入的功能作為使用者介面。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種具有撓性的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種輕量的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種厚度薄的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種檢測靈敏度高的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種可靠性高的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種對反復彎曲的耐受性高的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是實現觸控面板的薄型化及高檢測靈敏度。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種對反復彎曲的耐受性高且檢測靈敏度高的觸控面板。本發明的一個方式的目的之一是提供一種厚度薄、對反復彎曲的耐受性高、並且檢測靈敏度高的觸控面板。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種新穎的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、觸控感測器、觸控面板、電子裝置或照明設備。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。此外，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。另外，說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中顯然存在上述目的以外的目的，可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中獲得上述目的以外的目的。
本發明的一個方式是一種具有撓性的觸控面板，包括顯示面板、觸控感測器及黏合層，其中，顯示面板具有撓性，觸摸感測器具有撓性，黏合層位於顯示面板與觸控感測器之間，黏合層包括第一部分、第二部分及第三部分，第一部分的楊氏模量為1kPa以上且300kPa以下，第二部分的厚度為0.1mm以上且1mm以下，並且，第三部分的穿透率為70%以上。
在上述結構中，作為觸控感測器，較佳為具有電容式的觸控感測器。
在上述各結構中，顯示面板較佳為包括有機EL元件。
在上述各結構中，第一部分的楊氏模量較佳 為1kPa以上且100kPa以下。
在上述各結構中，第二部分的厚度較佳為0.1mm以上且0.5mm以下。
在上述各結構中，第三部分的穿透率較佳為90%以上。
在上述各結構中，較佳的是，黏合層包括第四部分且第四部分的壓縮永久變形率為50%以下。
在上述各結構中，較佳的是，黏合層包括第五部分且第五部分的針入度大於75，較佳為100以上。
在上述各結構中，黏合層也可以是凝膠狀。
注意，本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的顯示裝置。另外，發光裝置可以包括在如下模組中：在發光元件中安裝有連接器諸如各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：捲帶式封裝)的模組、在TCP的端部設置有印刷線路板的模組或者藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組。再者，發光裝置可以包括在照明設備等中。
本發明的一個方式可以提供一種具有撓性的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種輕量的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種厚度薄的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種檢測靈敏度高的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種可靠性高的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種對反復彎曲的耐受性 高的觸控面板。本發明的一個方式可以實現觸控面板的薄型化及高檢測靈敏度。
本發明的一個方式可以提供一種對反復彎曲的耐受性高且檢測靈敏度高的觸控面板。本發明的一個方式可以提供一種厚度薄、對反復彎曲的耐受性高、並且檢測靈敏度高的觸控面板。
本發明的一個方式可以提供一種新穎的半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、觸控感測器、觸控面板、電子裝置或照明設備。
注意，這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。另外，說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中顯然存在上述效果以外的效果，可以從說明書、圖式以及申請專利範圍等的記載中獲得上述效果以外的效果。
10U‧‧‧檢測單元
10UB‧‧‧檢測單元
11‧‧‧顯示面板
12‧‧‧黏合層
13‧‧‧觸控感測器
15‧‧‧顯示元件
15a‧‧‧電晶體
15b‧‧‧發光元件
15c‧‧‧電晶體
15d‧‧‧接觸部
15e‧‧‧電容部
16‧‧‧撓性基板
17‧‧‧檢測元件
18‧‧‧黏合層
19‧‧‧絕緣層
20‧‧‧絕緣層
21‧‧‧導電層
23‧‧‧導電層
98‧‧‧濾色片
99‧‧‧電極
100‧‧‧觸控感測器
100B‧‧‧觸控感測器
112‧‧‧觸控感測器
201‧‧‧形成用基板
203‧‧‧剝離層
221‧‧‧形成用基板
223‧‧‧剝離層
301‧‧‧基板
302‧‧‧基板
305‧‧‧FPC
310‧‧‧可攜式資訊終端
311‧‧‧佈線
312‧‧‧佈線
314‧‧‧觸控面板
313‧‧‧鉸鏈
315‧‧‧外殼
320‧‧‧絕緣層
321‧‧‧電極
322‧‧‧電極
323‧‧‧佈線
324‧‧‧介電層
325‧‧‧非顯示部
326‧‧‧顯示部
329‧‧‧可攜式資訊終端
330‧‧‧可攜式資訊終端
331‧‧‧黏合層
332‧‧‧黏合層
333‧‧‧顯示部
335‧‧‧保護層
336‧‧‧外殼
337‧‧‧資訊
338‧‧‧外殼
339‧‧‧操作按鈕
340‧‧‧可攜式資訊終端
345‧‧‧可攜式資訊終端
351‧‧‧外殼
354‧‧‧資訊
355‧‧‧連接器
356‧‧‧資訊
357‧‧‧資訊
358‧‧‧顯示部
391‧‧‧形成用基板
393‧‧‧剝離層
395‧‧‧絕緣層
801‧‧‧基板
803‧‧‧基板
804‧‧‧發光部
806‧‧‧驅動電路部
808‧‧‧FPC
811‧‧‧黏合層
813‧‧‧絕緣層
814‧‧‧導電層
815‧‧‧絕緣層
816‧‧‧導電層
817‧‧‧絕緣層
817a‧‧‧絕緣層
817b‧‧‧絕緣層
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧絕緣層
822‧‧‧電晶體
823‧‧‧黏合層
824‧‧‧黏合層
825‧‧‧連接器
827‧‧‧間隔物
830‧‧‧發光元件
831‧‧‧下部電極
833‧‧‧EL層
835‧‧‧上部電極
841‧‧‧黏合層
843‧‧‧絕緣層
845‧‧‧彩色層
847‧‧‧遮光層
849‧‧‧保護層
857‧‧‧導電層
857a‧‧‧導電層
857b‧‧‧導電層
862‧‧‧EL層
864‧‧‧導電層
7100‧‧‧可攜式資訊終端
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧帶子
7104‧‧‧帶扣
7105‧‧‧操作按鈕
7106‧‧‧輸入輸出端子
7107‧‧‧圖示
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧觸控面板
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
在圖式中：圖1A至圖1F是示出本發明的一個方式的觸控面板的一個例子的圖；圖2A和圖2B是示出本發明的一個方式的觸控面板的一個例子的圖；圖3是示出本發明的一個方式的觸控面板的一個例子的圖；圖4是示出本發明的一個方式的觸控感測器的一個例 子的圖；圖5A至圖5C是示出本發明的一個方式的觸控感測器的一個例子的圖；圖6A至圖6C是示出本發明的一個方式的觸控感測器的製造方法的一個例子的圖；圖7A至圖7D是示出本發明的一個方式的觸控感測器的結構及驅動方法的一個例子的圖；圖8A至圖8C是示出本發明的一個方式的觸控感測器的結構及驅動方法的一個例子的圖；圖9A至圖9D是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖10A至圖10E是示出本發明的一個方式的發光裝置的一個例子的圖；圖11A至圖11C是示出本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖12A至圖12C是示出本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖13A和圖13B是示出本發明的一個方式的發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖14A至圖14G是本發明的一個方式的電子裝置及照明設備的一個例子的圖；圖15A至圖15I是示出本發明的一個方式的電子裝置的一個例子的圖；圖16是示出在實施例中製造的發光裝置的圖； 圖17A和圖17B是實施例的彎曲試驗機的照片；圖18A至圖18E是示出實施例的結果的照片及圖；圖19A和圖19B是示出本發明的一個方式的觸控面板的一個例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於下面說明，所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應被解釋為僅限於下面所示的實施方式所記載的內容。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
實施方式1
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的觸控面 板。
本發明的一個方式的觸控面板具有撓性，並包括顯示面板、觸控感測器及黏合層。該顯示面板及該觸控感測器各具有撓性。該黏合層位於該顯示面板與該觸控感測器之間。該黏合層的楊氏模量為1kPa以上且300kPa以下。
在構成電容式觸控感測器的佈線或電極與構成顯示面板的佈線或電極之間有時形成寄生電容。因該寄生電容而使用手指等接近觸控感測器時的電容變化變小，因此有觸控感測器的檢測靈敏度降低的擔憂。另外，驅動顯示面板時產生的噪音在經由寄生電容而被傳送到觸控感測器一側時，也有觸控感測器的檢測靈敏度降低的擔憂。因此，較佳為使觸控感測器與顯示面板的距離充分遠。
另一方面，當將貼合觸控感測器與顯示面板的黏合層形成得較厚時，有時會發生觸控面板不容易被折彎的情況、觸控面板因彎曲而使黏合層剝離的情況或觸控面板中產生裂痕(crack)而損壞的情況。
於是，在上述本發明的一個方式的觸控面板中，將貼合觸控感測器與顯示面板的黏合層的楊氏模量設定為1kPa以上且低於300kPa。由此，即使將黏合層形成得較厚，也可以實現對反復彎曲的耐受性高的觸控面板。因此，即使在使用電容式的觸控感測器時，也可以抑制觸控感測器的檢測靈敏度的降低。
在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層 的楊氏模量較佳為1kPa以上且100kPa以下，更佳為1kPa以上且50kPa以下。
例如，本發明的一個方式的觸控面板的彎曲時的曲率半徑的最小值為1mm以上且150mm以下，較佳為1mm以上且100mm以下，更佳為1mm以上且50mm以下，更佳為1mm以上且5mm以下。
為了降低上述寄生電容的影響，較佳為將黏合層的厚度設定為0.1mm以上。例如，在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層的厚度較佳為0.1mm以上且1mm以下，更佳為0.1mm以上且0.5mm以下。
另外，當寄生電容的影響小時，也可以將黏合層的厚度設定為低於0.1mm。作為寄生電容的影響小的情況，例如，可以舉出使用在後面說明的主動矩陣方式的觸控感測器的情況等。在該情況下，在本發明的一個方式的觸控面板中，也可以將黏合層的厚度設定為0.001mm以上且低於0.1mm，或0.01mm以上且低於0.1mm等。由此，可以實現厚度薄、對反復彎曲的耐受性高、並且檢測靈敏度高的觸控面板。
另外，在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層的穿透率較佳為70%以上，更佳為90%以上。觸控面板的使用者藉由黏合層觀看顯示面板的顯示。因此，黏合層的穿透率較佳為高。
另外，在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層的針入度較佳為大於75，更佳為100以上。
另外，在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層的壓縮永久變形率較佳為50%以下。
在前面的說明中分別舉出了黏合層的厚度、楊氏模量、穿透率、針入度、壓縮永久變形率的較佳的數值範圍。在本發明的一個方式中，並不需要整個黏合層都具有該數值範圍中的值，至少其一部分具有該數值範圍中的值即可。
例如，在本發明的一個方式中，黏合層包括第一部分，第一部分的楊氏模量為1kPa以上且300kPa以下即可。同樣地，在本發明的一個方式中，黏合層包括第二部分，第二部分的厚度為0.1mm以上且1mm以下即可。同樣地，在本發明的一個方式中，黏合層包括第三部分，第三部分的穿透率為70%以上即可。針入度及壓縮永久變形率也是同樣的。
另外，在本發明的一個方式的觸控面板中，黏合層也可以是凝膠狀。例如，作為用於黏合層的材料，可以舉出矽酮膠。例如，可以使用包含低分子矽氧烷的矽酮膠。
圖1A示出本發明的一個方式的觸控面板的示意圖。
圖1A的觸控面板包括顯示面板11、黏合層12及觸控感測器13。
圖1B示出將圖1A的觸控面板折彎時的示意圖。當將觸控面板折彎時，由於顯示面板11與觸控感測 器13中的彎曲的曲率半徑不同，因此顯示面板11與觸控感測器13的相對位置產生變化。在此，如圖1B所示，用於本發明的一個方式的黏合層12可以藉由彎曲而變形。因此，即使折彎觸控面板，黏合層12也不容易被剝離且不容易產生裂痕。
在後面的實施例中，在隔著黏合層重疊的觸控感測器與顯示面板中，著眼於設置在觸控感測器一側的層與設置在顯示面板一側的層的位置。明確而言，確認設置在觸控感測器一側的層相對於設置在顯示面板一側的層的位置在彎曲時與不彎曲時是否產生變化。
在實施例中，著眼於設置在顯示面板一側的濾色片及設置在觸控感測器一側的電極。並且，對圖18A所示的不將樣本折彎的狀態與圖18B所示的將該樣本折彎的狀態作比較。在圖18A和圖18B中，分別在左側示出實際上的樣本的照片，在右側示出說明以俯視觀看時的濾色片98與電極99的位置關係的示意圖。藉由將在實施例中製造的樣本折彎，電極99相對於濾色片98的位置產生變化。由此，可認為位於觸控感測器與顯示面板之間的黏合層因彎曲而變形。
另外，圖1C至圖1E示出觸控面板的結構實例。圖1C至圖1E所示的觸控面板分別包括顯示面板11、黏合層12及觸控感測器13。圖1C至圖1E中的顯示面板11及觸控感測器13的結構不同。
在圖1C中，顯示面板11包括顯示元件15及 一對撓性基板16。顯示元件15位於一對撓性基板16之間。在圖1C中，觸控感測器13包括檢測元件(也稱為感測器元件)17及一對撓性基板16。檢測元件17位於一對撓性基板16之間。如此，本發明的一個方式的觸控面板具有四個撓性基板16。顯示面板11的一個撓性基板16與觸控感測器13的一個撓性基板16相對，並由黏合層12黏合。換言之，在本發明的一個方式的觸控面板中，顯示元件15與檢測元件17隔著兩個撓性基板16重疊。
在圖1D中，與圖1C同樣地，顯示面板11包括顯示元件15及一對撓性基板16。在圖1D中，觸控感測器13包括檢測元件17及一個撓性基板16。檢測元件17與顯示面板11的一個撓性基板16相對，並由黏合層12黏合。如此，本發明的一個方式的觸控面板也可以具有三個撓性基板16。
換言之，在本發明的一個方式的觸控面板中，顯示元件15與檢測元件17隔著一個撓性基板16重疊。
顯示元件15與檢測元件17隔著一個撓性基板16重疊的結構不侷限於圖1D的結構。例如，也可以是觸控感測器13包括檢測元件17及一對撓性基板16而顯示面板11包括顯示元件15及一個撓性基板16的結構。 例如，顯示元件15可以與觸控感測器13的一個撓性基板16相對，並由黏合層12黏合。另外，在顯示元件15或檢測元件17與撓性基板16之間也可以設置其他功能元 件、功能層、絕緣層、導電層等。
在圖1E中，顯示面板11包括撓性基板16及顯示元件15。在圖1E中，與圖1D同樣地，觸控感測器13包括檢測元件17及一個撓性基板16。顯示元件15與檢測元件17相對，並由黏合層12黏合。如此，本發明的一個方式的觸控面板也可以具有兩個撓性基板16。
換言之，在本發明的一個方式的觸控面板中，顯示元件15與檢測元件17以不隔著撓性基板16的方式重疊。
顯示元件15與檢測元件17不隔著撓性基板16重疊的結構不侷限於圖1E的結構。例如，在顯示元件15與檢測元件17之間也可以設置其他功能元件、功能層、絕緣層、導電層等。
雖然在本實施方式中示出觸控面板所包括的撓性基板為兩個、三個或四個的例子，但是對撓性基板的個數沒有限制。若觸控面板所包括的撓性基板的個數少，則可以使觸控面板整體的厚度薄，或者可以使觸控面板為輕量，所以是較佳的。
圖1F、圖2A、圖2B、圖3、圖19A及圖19B示出本發明的一個方式的觸控面板的剖面示意圖。
圖1F所示的觸控面板包括顯示面板11、黏合層12及觸控感測器13。圖1F所示的觸控面板是圖1C所示的具有四個撓性基板16的觸控面板的一個例子。
圖1F所示的顯示面板11包括：四個撓性基 板16；三個黏合層18；兩個絕緣層19；電晶體15a；電晶體15c；導電層857；絕緣層815；導電層816；絕緣層817a；絕緣層817b；發光元件15b；絕緣層821；間隔物827；彩色層845；遮光層847；以及保護層(overcoat)849等。
絕緣層19與撓性基板16由黏合層18貼合。
電晶體15a的源極電極或汲極電極藉由導電層816與發光元件15b的下部電極電連接。
注意，對本發明的一個方式的觸控面板所包括的電晶體沒有特別的限制。電晶體15a為底閘極結構，但也可以是頂閘極結構。另外，電晶體15c為包括與電晶體15a的閘極電極位於同一表面上的第一閘極電極及與導電層816位於同一表面上的第二閘極電極的雙閘極結構，但不侷限於此。
另外，驅動電路部所包括的電晶體與顯示部(也稱為像素部、發光部)的電晶體既可以是同一結構，又可以是不同結構。另外，驅動電路部所包括的多個電晶體也可以具有相同的結構，或可以具有兩種以上的結構。另外，顯示部所包括的多個電晶體也可以具有相同的結構，或可以具有兩種以上的結構。
彩色層845與發光元件15b的發光區域重疊。遮光層847與絕緣層821重疊。
圖1F所示的觸控感測器13包括：兩個撓性基板16；兩個黏合層18；兩個絕緣層19；以及檢測元件 17等。
檢測元件17包括電極321、電極322、佈線323及介電層324。
導電層857與FPC(Flexible Printed Circuit)808藉由連接器825電連接。另外，電極322與FPC305藉由連接器355電連接。
注意，撓性基板16、黏合層18、絕緣層19的結構可以參照實施方式4。另外，可以將能夠用於黏合層12的材料用於黏合層18。
圖19A所示的觸控面板是圖1C所示的具有四個撓性基板16的觸控面板的一個例子。在圖1F與圖19A中，觸控感測器13的與顯示面板11貼合的面不同。在圖19A的結構中，黏貼有FPC305的撓性基板16與黏合層12接觸。如此，對觸控感測器13的與顯示面板11貼合的面沒有限制。
圖2A所示的觸控面板是圖1D所示的具有三個撓性基板16的觸控面板的一個例子。圖2A所示的觸控面板在其檢測元件17不隔著絕緣層19、黏合層18及撓性基板16與黏合層12重疊之處與圖1F所示的觸控面板不同。
圖2B所示的觸控面板是圖1E所示的具有兩個撓性基板16的觸控面板的一個例子。圖2B所示的觸控面板在其發光元件15b不隔著絕緣層19、黏合層18及撓性基板16與黏合層12重疊之處與圖2A所示的觸控面板 不同。另外，圖2B所示的觸控面板與圖2A所示的觸控面板的不同之處還在於：圖2B所示的觸控面板在檢測元件17與黏合層12之間包括絕緣層19、彩色層、遮光層及保護層。
注意，在從黏合層12觀察時，彩色層及遮光層分別可以位於顯示元件一側或觸控感測器一側。
圖19B所示的觸控面板是圖1E所示的具有兩個撓性基板16的觸控面板的一個例子。顯示面板11及觸控感測器13分別包括一個撓性基板16。各絕緣層19分別位於顯示面板11及觸控感測器13的沒有設置撓性基板16一側的最外面。藉由使用黏合層12貼合各絕緣層19，可以製造圖19B所示的觸控面板。圖19B示出，在從黏合層12觀察時，彩色層及遮光層位於顯示元件一側的例子。
另外，如圖19B所示，絕緣層817a、817b不需分別露出於觸控面板的端部。尤其是，當將有機樹脂用於絕緣層817a、817b時，能夠抑制水分的侵入等，所以是較佳的。
圖3所示的觸控面板是圖1C所示的具有四個撓性基板16的觸控面板的一個例子。
圖3所示的顯示面板11包括：兩個撓性基板16；三個黏合層18；兩個絕緣層19；多個電晶體；接觸部15d；電容部15e；導電層857；絕緣層815；導電層816；絕緣層817a；絕緣層817b；發光元件15b；絕緣層 821；間隔物827；彩色層845；遮光層847；以及保護層849等。
在圖3中，對驅動電路部的電晶體使用電晶體15c。另外，還對源極電極或汲極電極與發光元件15b的下部電極連接的電晶體使用電晶體15c。另外，作為顯示部所包括的其他電晶體，使用電晶體15a。可以使電晶體15c的場效移動率高於電晶體15a，而可以增大通態電流。其結果是，可以製造能夠高速工作的驅動電路部。另外，可以製造驅動電路部的佔有面積小的觸控面板。另外，藉由將通態電流大的電晶體15c設置在顯示部，即使大型觸控面板或高清晰觸控面板中的佈線個數增加，也可以減少各佈線中的信號延遲，而可以降低顯示不均勻。
圖3所示的觸控感測器13是包括電晶體及電容器的主動矩陣方式的觸控感測器。該電晶體與該電容器電連接。
觸控感測器13包括：兩個撓性基板16；兩個黏合層18；兩個絕緣層19；以及檢測元件17等。
檢測元件17是電容器，包括導電層21、導電層23及絕緣層20。檢測元件17與電晶體15a電連接。
藉由在同一製程中形成構成電晶體的層與電容器的電極及介電層，可以以較少的製程數製造觸控感測器，所以是較佳的。圖3示出使用可以與電晶體15c的第二閘極電極在同一製程中製造的導電層23的例子。注意，作為與電容器的電極在同一製程形成的層，例如可以 舉出電晶體的閘極電極、源極電極、汲極電極、半導體層或佈線等。
注意，在使用主動矩陣方式的觸控感測器時，也可以將撓性基板16的個數減少到兩個或三個。
圖1F、圖2A、圖2B、圖19A及圖19B所示的檢測元件17的詳細結構可以參照實施方式2。圖3所示的主動矩陣方式的觸控感測器的詳細結構可以參照實施方式3。
注意，對本發明的一個方式的觸控面板所包括的觸控感測器沒有特別的限制。
在本發明的一個方式中，例如可以使用電容式的觸控感測器。作為電容式，有表面電容式和投影電容式等。作為投影電容式，有自電容式、互電容式等。當使用互電容式時，可以進行同時多點檢測，所以是較佳的。另外，也可以使用電阻膜式、超聲波式，光學式等觸控感測器。
另外，在本發明的一個方式中，觸控感測器可以利用主動矩陣方式或被動矩陣方式。
另外，顯示面板11的詳細結構可以參照實施方式4的具體例子2。
注意，對本發明的一個方式的觸控面板所包括的顯示面板及顯示元件沒有特別的限制。雖然在本實施方式中作為顯示元件以發光元件為例進行了說明，但是本發明的一個方式的顯示面板可以是使用其他顯示元件或發 光元件的面板或裝置。
在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或具有各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置，例如包括EL元件(包含有機和無機材料的EL元件、有機EL元件或無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流而發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示器(PDP)、使用微機電系統(MEMS)的顯示元件、數位微鏡裝置(DMD)、數位微快門(DMS)、干涉測量調節(IMOD)元件、快門方式的MEMS顯示元件、光干涉方式的MEMS顯示元件、電潤濕(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器或使用碳奈米管的顯示元件等中的至少一個。除此以外，還可以包括對比度、亮度、反射率、透射率等因電作用或磁作用而產生變化的顯示媒體。作為使用EL元件的顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，可以舉出場發射顯示器(FED)或SED方式平面型顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使 用電子墨水、電子粉流體(在日本註冊的商標)或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。注意，當實現半透過型液晶顯示器或反射型液晶顯示器時，使像素電極的一部分或全部具有反射電極的功能，即可。例如，像素電極的一部分或全部包含鋁、銀等，即可。此時，也可以將SRAM等記憶體電路設置在反射電極下。由此，可以進一步降低功耗。
例如，在本說明書等中可以採用在像素中包括主動元件(非線性元件)的主動矩陣方式或在像素中沒有包括主動元件的被動矩陣方式。
在主動矩陣方式中，作為主動元件，不僅可以使用電晶體，並且還可以使用各種主動元件。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程少，所以可以降低製造成本或提高良率。由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率而實現低功耗化或高亮度化。
由於被動矩陣方式不使用主動元件，因此製程少，從而能夠降低製造成本或提高良率。另外，因為不使用主動元件，所以可以提高開口率，從而能夠實現低功耗化或高亮度化等。
注意，雖然在此示出使用顯示裝置進行各種顯示的顯示面板的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，顯示面板也可以不顯示資料。作為一個例子， 也可以將其用作照明設備而不用作顯示裝置。藉由將顯示面板應用於照明設備，可以將其用作設計性高的室內照明。或者，可以將其用作照射各種方向的照明。或者，可以將其用作背光或前光等光源而不用作顯示裝置。也就是說，可以將其用作用於顯示面板的照明設備。
如上所述，本發明的一個方式是一種將具有撓性的顯示面板與具有撓性的觸控感測器由黏合層貼合的具有撓性的觸控面板。藉由將黏合層的楊氏模量設定為1kPa以上且300kPa以下，可以實現對反復彎曲的耐受性高且檢測靈敏度高的觸控面板。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的觸控感測器。
圖4示出為投影電容式的觸控感測器的觸控感測器112。圖5A是沿著圖4中的切斷線C-D、E-F的剖面圖。
觸控感測器112在撓性基板301與撓性基板302之間包括多個電極321及多個電極322。電極321與多個佈線311中的任一個電連接。電極322與多個佈線312的任一個電連接。佈線311及佈線312延伸到撓性基板301的外周部，並與FPC305電連接。
電極321具有向一個方向延伸的形狀。多個電極322都設置在兩個電極321之間。夾著電極321的兩個電極322藉由與電極321交叉的佈線323電連接。在佈線323與電極321之間設置有介電層324，並形成有電容。由於藉由佈線323電連接的多個電極322在一個方向上排列，並且在與該方向交叉的方向上排列有多個電極321，所以觸控感測器112具有多個電容被配置為矩陣狀的結構。
另外，電極321、電極322及佈線323較佳為具有透光性。在此，如圖4所示，較佳為以電極321與電極322之間儘量不產生間隙的形狀配置。也可以在電極321與電極322的間隙設置包括與電極321、電極322或佈線323相同的導電膜的虛擬電極。如此，藉由儘量減少電極321與電極322之間的間隙，可以減少穿透率的不均勻。其結果是，可以減少透過觸控感測器112的光的亮度的不均勻。
作為具有透光性的導電材料，可以使用氧化銦、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、銦錫氧化物(以下，表示為ITO)、銦鋅氧化物、添加了氧化矽的銦錫氧化物、添加了鎵的氧化鋅等導電氧化物或石墨烯。
在利用濺射法在基板上形成具有透光性的導電材料後，可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需 要的部分來形成電極321、電極322及佈線323。除了CVD法，也可以在塗佈分散有氧化石墨烯的溶液後將其還原來形成石墨烯。
另外，佈線312與電極322電連接。佈線312以在撓性基板301的外周部露出其表面的方式設置，並且可以隔著連接器355與FPC305電連接。與電極321電連接的佈線311也可以採用同樣的結構。
作為佈線311及佈線312，例如可以使用諸如鋁、金、鉑、銀、鎳、鈦、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或者包含該金屬材料的合金材料。
作為連接器355，可以使用異方性導電膜(ACF：Anisotropic Conductive Film)或異方性導電膏(ACP：Anisotropic Conductive Paste)等。
在圖5A所示的結構實例中，電極321及電極322形成在絕緣層320上。撓性基板301與絕緣層320隔著黏合層331被黏合。另外，撓性基板302與設置有電極等的撓性基板301由黏合層332黏合。
黏合層331及黏合層332具有透光性。例如，可以將熱固性樹脂或紫外線硬化性樹脂用於黏合層331及黏合層332，明確而言，可以使用丙烯酸樹脂、聚氨酯樹脂、環氧樹脂或具有矽氧烷鍵的樹脂等。
另外，較佳為在撓性基板302的表面設置保護層335。保護層335也可以稱為陶瓷塗層，其具有在用手指或觸控筆等操作觸控感測器112時保護撓性基板302 表面的功能。尤其在不設置外裝部件的情況下是較佳的。作為保護層335，例如可以使用氧化矽、氧化鋁、氧化釔、釔安定氧化鋯(YSZ)等無機絕緣材料。保護層335可以利用濺射法或溶膠-凝膠法等形成。尤其是在利用氣溶膠沉積(Aerosol deposition)法形成保護層335時，可以以低溫形成緻密性高的膜，並且可以提高機械強度，所以是較佳的。
保護層335至少設置在觸摸面一側即可。注意，在圖5A中雖然示出將保護層335設置在撓性基板302的表面的情況，但是也可以設置在撓性基板301的表面。
另外，也可以不設置黏合層331。圖5B示出在撓性基板301的頂面設置絕緣層320的結構。在圖5C中，採用不設置絕緣層320而在撓性基板301上設置電極321、電極322等的結構。
圖6C示出與圖5A至圖5C所示的結構不同的觸控感測器的結構實例。還使用圖6A和圖6B說明製造圖6C中的觸控感測器的方法的例子。
在形成用基板上形成被剝離層之後，將被剝離層從形成用基板剝離並轉置到其他基板上。根據該方法，例如，可以將在耐熱性高的形成用基板上形成的被剝離層轉置到耐熱性低的基板上。因此，被剝離層的製造溫度不被耐熱性低的基板限制。
首先，在形成用基板391上形成剝離層393， 並在剝離層393上形成被剝離層。作為被剝離層，形成包括絕緣層320、電極321、電極322、佈線312、介電層324、佈線323、絕緣層395、黏合層332及撓性基板302(圖6A)。
絕緣層395具有觸控感測器的保護層的功能。在本發明的一個方式中，較佳為設置絕緣層395，但若不需要設置，則可以不設置。作為絕緣層395，使用無機絕緣膜或有機絕緣膜即可，例如，可以舉出氧氮化矽膜或丙烯酸膜等。將絕緣層395的膜厚設定為例如500nm以上且2000nm以下即可。注意，也可以使用能夠用於其他絕緣層的無機材料、有機材料，膜厚也不侷限於上述厚度。
接著，使用剝離層393使形成用基板391與被剝離層分離(圖6B)。
接著，使用黏合層331將露出的絕緣層320與撓性基板301貼合(圖6C)。另外，藉由去除撓性基板302及黏合層332的一部分，使佈線312露出。例如，可以藉由使基板所含的樹脂溶解而使佈線312露出。接著，將佈線312、連接器355及FPC305電連接。
藉由上述步驟，可以製造圖6C所示的結構的觸控感測器。注意，關於使用剝離層從形成用基板將被剝離層轉置到其他基板的方法，可以參照在實施方式3說明的詳細內容。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組 合。
實施方式3
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的觸控感測器。
圖7A至圖7D是說明本發明的一個方式的觸控感測器100的結構的圖，圖8A至圖8C是說明本發明的一個方式的觸控感測器100B的結構的圖。
圖7A是說明本發明的一個方式的觸控感測器100的結構的方塊圖。圖7B是說明轉換器CONV及檢測單元10U的結構的電路圖。圖7C及圖7D是說明觸控感測器100的驅動方法的時序圖。
圖8A是說明本發明的一個方式的觸控感測器100B的結構的方塊圖。圖8B是說明轉換器CONV及檢測單元10UB的結構的電路圖。圖8C是說明觸控感測器100B的驅動方法的時序圖。
〈觸控感測器的結構實例1〉
在本實施方式中說明的觸控感測器100包括檢測單元10U、掃描線G1、信號線DL及撓性基板16(圖7A)。多個檢測單元10U被配置為n行m列(n及m為1以上的自然數)的矩陣狀。掃描線G1與配置為行方向的多個檢測單元10U電連接。信號線DL與配置為列方向的多個檢測單元10U電連接。此外，觸控感測器100也可以包括 驅動電路GD及轉換器CONV。可以使用能夠在同一製程中形成的電晶體構成多個檢測單元10U、驅動電路GD及轉換器CONV。
檢測單元10U具備檢測元件C，檢測元件C的第一電極與佈線CS電連接。由此，可以利用佈線CS所供應的控制信號控制檢測元件C的第一電極的電位。
檢測單元10U包括閘極與檢測元件C的第二電極電連接且第一電極與佈線VPI電連接的第一電晶體M1(圖7B)。佈線VPI例如可以供應地電位。
另外，檢測單元10U也可以包括第二電晶體M2，在第二電晶體M2中，閘極與掃描線G1電連接，第一電極與第一電晶體M1的第二電極電連接，第二電極與信號線DL電連接。掃描線G1例如可以供應選擇信號。信號線DL例如可以供應檢測信號DATA。
另外，檢測單元10U也可以包括第三電晶體M3，在第三電晶體M3中，閘極與佈線RES電連接，第一電極與檢測元件C的第二電極電連接，第二電極與佈線VRES電連接。佈線RES可以供應重設信號。佈線VRES例如可以供應能夠使第一電晶體M1開啟的電位。
檢測元件C的電容在物體接近第一電極或第二電極時或在第一電極與第二電極的間隔變化時產生變化。由此，檢測單元10U可以供應基於檢測元件C的電容或寄生電容的變化的檢測信號DATA。
另外，檢測單元10U包括可以供應能夠控制 檢測元件C的第一電極的電位的控制信號的佈線CS。注意，檢測元件C的第一電極與佈線CS也可以是同一層。
另外，將檢測元件C的第二電極、第一電晶體M1的閘極以及第三電晶體M3的第一電極電連接的連接部稱為節點A。
佈線VRES可以供應預定的電位。例如，可以對該電晶體的閘極供應使檢測單元10U所具備的電晶體開啟的電位。佈線VPI例如可以供應地電位，佈線VPO及佈線BR例如可以供應高電源電位。
佈線RES可以供應重設信號，掃描線G1可以供應選擇信號，佈線CS可以供應控制檢測元件C的第一電極的電位的控制信號。
另外，信號線DL可以供應檢測信號DATA，端子OUT可以供應根據檢測信號DATA轉換的信號。
驅動電路GD可以由使用各種電路的邏輯電路構成。例如可以適用移位暫存器。轉換器CONV包括轉換電路。可以將能夠轉換檢測信號DATA並將其供應到端子OUT的各種電路用於轉換器CONV。例如，可以藉由使轉換器CONV與檢測單元10U電連接，而構成源極隨耦器電路或電流鏡電路等。
明確而言，使用包括電晶體M4的轉換器CONV可以構成源極隨耦器電路(圖7B)。另外，也可以將能夠與第一電晶體M1至第三電晶體M3在同一製程中製造的電晶體用作電晶體M4。
另外，第一電晶體M1至第三電晶體M3具有半導體層。例如，可以將4族元素、化合物半導體或氧化物半導體用於半導體層。明確而言，可以適用包含矽的半導體、包含砷化鎵的半導體或包含銦的氧化物半導體等。
說明本發明的一個方式的觸控感測器的驅動方法。
《第一步驟》
在第一步驟中，對第三電晶體M3的閘極供應在使第三電晶體M3開啟之後使其關閉的重設信號，使檢測元件C的第二電極的電位為預定的電位(參照圖7C中的期間T1)。
明確而言，使佈線RES供應重設信號。供應有重設信號的第三電晶體M3使節點A的電位為例如能夠使第一電晶體M1開啟的電位(圖7B)。
《第二步驟》
在第二步驟中，對第二電晶體M2的閘極供應使第二電晶體M2開啟的選擇信號，並且使第一電晶體M1的第二電極與信號線DL電連接。
明確而言，使掃描線G1供應選擇信號。供應有選擇信號的第二電晶體M2將第一電晶體M1的第二電極與信號線DL電連接(參照圖7C中的期間T2)。
《第三步驟》
在第三步驟中，對檢測元件C的第一電極供應控制信號，對第一電晶體M1的閘極供應根據控制信號及檢測元件C的電容變化的電位。
明確而言，使佈線CS供應矩形的控制信號。作為其第一電極被供應矩形的控制信號的檢測元件C，節點A的電位根據檢測元件C的電容上升(參照圖7C中的期間T2的後半部分)。
例如，當檢測元件C處於大氣中時，在介電常數高於大氣的物質接近檢測元件C的第一電極的情況下，檢測元件C的電容變得比外觀上的電容大。
由此，與在介電常數高於大氣的物質沒有接近檢測元件C的第一電極的情況相比，矩形的控制信號所導致的節點A的電位變化變小(參照圖7D實線)。
《第四步驟》
在第四步驟中，將基於第一電晶體M1的閘極的電位變化的信號供應到信號線DL。
例如，將基於第一電晶體M1的閘極的電位變化的電流變化供應到信號線DL。
轉換器CONV將流過信號線DL的電流變化轉換成電壓變化並輸出該電壓。
《第五步驟》
在第五步驟中，對第二電晶體M2的閘極供應使第二電晶體M2關閉的選擇信號。
對掃描線G1(1)至掃描線G1(n)的每一個反復執行第一步驟至第五步驟。
〈觸控感測器的結構實例2〉
在本實施方式中說明的觸控感測器100B在具備檢測單元10UB代替檢測單元10U這一點上與參照圖7A至圖7D說明的觸控感測器100不同。
檢測單元10UB與檢測單元10U的不同之處為如下。在檢測單元10U中與佈線CS電連接的檢測元件C的第一電極在檢測單元10UB中與掃描線G1電連接。在檢測單元10U中藉由第二電晶體M2與信號線DL電連接的第一電晶體M1的第二電極在檢測單元10UB中以不藉由第二電晶體M2的方式與信號線DL電連接。在此詳細說明與檢測單元10U不同的結構，而對於能夠使用與檢測單元10U同樣的結構援用上述說明。
觸控感測器100B包括檢測單元10UB、掃描線G1、信號線DL及撓性基板16(圖8A)。多個檢測單元10UB被配置為n行m列(n及m為1以上的自然數)的矩陣狀。掃描線G1與配置為行方向的多個檢測單元10UB電連接。信號線DL與配置為列方向的多個檢測單元10UB電連接。
檢測單元10UB具備檢測元件C，檢測元件C 的第一電極與掃描線G1電連接。由此，可以使用選擇信號按電連接於所選擇的一個掃描線G1的每一組的多個檢測單元10UB控制檢測元件C的第一電極的電位。
另外，掃描線G1可以是使用能夠與信號線DL在同一製程中形成的導電膜形成的佈線。
另外，掃描線G1可以是能夠與檢測元件C的第一電極在同一製程中形成的導電膜形成的佈線。例如，可以使在行方向上鄰接的檢測單元10UB中的檢測元件C的第一電極互相連接，並將連接的第一電極用作掃描線G1。
檢測單元10UB具備閘極與檢測元件C的第二電極電連接且第一電極與佈線VPI電連接的第一電晶體M1(圖8B)。
另外，檢測單元10UB也可以包括第三電晶體M3，在第三電晶體M3中，閘極與佈線RES電連接，第一電極與檢測元件C的第二電極電連接，第二電極與佈線VRES電連接。
說明本發明的一個方式的觸控感測器的驅動方法。
《第一步驟》
在第一步驟中，對第三電晶體M3的閘極供應在使第三電晶體M3開啟之後使其關閉的重設信號，使檢測元件C的第二電極的電位為預定的電位(參照圖8C中的期間 T1)。
明確而言，使佈線RES供應重設信號。供應有重設信號的第三電晶體M3使節點A的電位為例如能夠使第一電晶體M1開啟的電位(圖8B)。
《第二步驟》
在第二步驟中，對檢測元件C的第一電極供應選擇信號，對第一電晶體M1的閘極供應根據選擇信號及檢測元件C的電容變化的電位(參照圖8C中的期間T2)。
明確而言，使掃描線G1(i-1)供應矩形的選擇信號。作為其第一電極被供應矩形的控制信號的檢測元件C，節點A的電位根據檢測元件C的電容上升。
例如，當檢測元件C處於大氣中時，在介電常數高於大氣的物質接近檢測元件C的第一電極的情況下，檢測元件C的電容變得比外觀上的電容大。
由此，與在介電常數高於大氣的物質沒有接近檢測元件C的第一電極的情況相比，矩形的控制信號所導致的節點A的電位變化變小。
《第三步驟》
在第三步驟中，將基於第一電晶體M1的閘極的電位變化的信號供應到信號線DL。
例如，將基於第一電晶體M1的閘極的電位變化的電流變化供應到信號線DL。
轉換器CONV將流過信號線DL的電流變化轉換成電壓變化，端子OUT供應該電壓。
對掃描線G1(1)至掃描線G1(n)的每一個反復執行第一步驟至第三步驟(參照圖8C中的期間T2至T4)。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中，說明本發明的一個方式的顯示面板及該顯示面板的製造方法。
下面，示出能夠用作本發明的一個方式的顯示面板的使用有機EL元件的發光裝置的例子。
〈具體例子1〉
圖9A示出發光裝置的平面圖，圖9C示出圖9A的點劃線A1-A2間的剖面圖的一個例子。具體例子1所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在本實施方式中，發光裝置例如可以採用：用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)三種顏色的子像素呈現一個顏色的結構；用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、W(白色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構；用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限 制，也可以使用RGBWY以外的顏色，例如也可以使用青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。
圖9A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806、FPC808。包含在發光部804及驅動電路部806的發光元件或電晶體由基板801、基板803及黏合層823密封。
圖9C所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；絕緣層817；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；保護層849；彩色層845；遮光層847；絕緣層843；黏合層841；以及基板803。黏合層823、保護層849、絕緣層843、黏合層841以及基板803使可見光透過。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。
此外，發光部804包括與發光元件830重疊的彩色層845及與絕緣層821重疊的遮光層847。彩色層845及遮光層847由保護層849覆蓋。在發光元件830與保護層849之間填充有黏合層823。
絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減少起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖9C示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合。此外，使用黏合層841將絕緣層843與基板803貼合。當作為絕緣層813及絕緣層843使用防濕性高的膜時，能夠抑制水等雜質侵入發光元件830、電晶體820中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。為了防止製程數量的增加，導電層857較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖9C所示的發光裝置中，FPC808位於基板803上。連接器825藉由設置於基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825連接於 FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。當導電層857與基板803重疊時，藉由在基板803中形成開口(或者使用具有開口部的基板)，可以使導電層857、連接器825及FPC808電連接。
〈具體例子2〉
圖9B示出發光裝置的平面圖，圖9D示出圖9B的點劃線A3-A4間的剖面圖的一個例子。具體例子2所示的發光裝置為與具體例子1不同的採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。在此，僅說明與具體例子1不同的部分，省略與具體例子1相同的部分的說明。
圖9D所示的發光裝置與圖9C所示的發光裝置的不同之處在於以下。
圖9D所示的發光裝置在絕緣層821上包括間隔物827。藉由設置間隔物827可以調整基板801與基板803之間的間隔。
另外，在圖9D所示的發光裝置中，基板801的大小與基板803不同。FPC808位於絕緣層843上，並且不與基板803重疊。連接器825藉由設置於絕緣層843、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。因為不需要在基板803中設置開口，所以對基板803的材料沒有限制。
〈具體例子3〉
圖10A示出發光裝置的平面圖，圖10C示出圖10A的點劃線A5-A6間的剖面圖的一個例子。具體例子3所示的發光裝置為採用分別塗布方式的頂部發射型發光裝置。
圖10A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806、FPC808。包含在發光部804及驅動電路部806的發光元件或電晶體由基板801、基板803、框狀黏合層824及黏合層823密封。
圖10C所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；絕緣層817；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；框狀黏合層824；以及基板803。黏合層823以及基板803使可見光透過。
框狀黏合層824的防濕性較佳為高於黏合層823。由此，能夠抑制水分等雜質從外部侵入發光裝置內。因此，可以實現可靠性高的發光裝置。
在具體例子3中，發光元件830的發光經過黏合層823從發光裝置被提取。因此，黏合層823的透光性較佳為比框狀黏合層824高。此外，黏合層823的折射率較佳為比框狀黏合層824高。此外，黏合層823固化時的體積收縮較佳為比框狀黏合層824小。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極 831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極835使可見光透過。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖10C示出驅動電路部806所具有的電晶體中的一個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合。當作為絕緣層813使用防濕性高的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830、電晶體820中，發光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。另外，在此，示出使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
在圖10C所示的發光裝置中，FPC808位於基板803上。連接器825藉由設置於基板803、黏合層823、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外，連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。
〈具體例子4〉
圖10B示出發光裝置的平面圖，圖10D示出圖10B 的點劃線A7-A8間的剖面圖的一個例子。具體例子4所示的發光裝置為採用濾色片方式的底部發射型發光裝置。
圖10D所示的發光裝置包括：基板801；黏合層811；絕緣層813；多個電晶體；導電層857；絕緣層815；彩色層845；絕緣層817a；絕緣層817b；導電層816；多個發光元件；絕緣層821；黏合層823；以及基板803。基板801、黏合層811、絕緣層813、絕緣層815、絕緣層817a以及絕緣層817b使可見光透過。
在發光部804中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括電晶體820、電晶體822及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817b上的下部電極831、下部電極831上的EL層833以及EL層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831使可見光透過。對設置與發光元件830重疊的彩色層845的位置沒有特別的限制，例如，設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間或者在絕緣層815與絕緣層817a之間等，即可。
在驅動電路部806中，在基板801上隔著黏合層811及絕緣層813包括多個電晶體。圖10D示出驅動電路部806所具有的電晶體中的兩個電晶體。
使用黏合層811將絕緣層813與基板801貼合。當作為絕緣層813使用防濕性高的膜時，由於能夠抑制水等雜質侵入發光元件830、電晶體820、822中，發 光裝置的可靠性得到提高，所以是較佳的。
導電層857與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC808的例子。在此，示出使用與導電層816相同的材料、相同的製程製造導電層857的例子。
〈具體例子5〉
圖10E示出與具體例子1至具體例子4不同的發光裝置的例子。
圖10E所示的發光裝置包括基板801、黏合層811、絕緣層813、導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、絕緣層821、黏合層823以及基板803。
導電層857a及導電層857b是發光裝置的外部連接電極，並且可以與FPC等電連接。
發光元件830包括下部電極831、EL層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙面發射結構。位於提取光的一側的電極、基板、絕緣層等的每一個使可見光透過。導電層814與下部電極831電連接。
提取光的一側的基板作為光提取結構也可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜、光擴 散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或薄膜黏合於樹脂基板上，可以形成具有光提取結構的基板。
雖然導電層814不一定必須設置，但因為導電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下降，所以較佳為設置。另外，出於同樣的目的，也可以在絕緣層821上、EL層833上或上部電極835上等設置與上部電極835電連接的導電層。
導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等，以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為0.1μm以上且3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。
〈材料的一個例子〉
接下來，說明可用於發光裝置的材料等。注意，有時省略本說明書中的前面已說明的結構。
作為基板，可以使用玻璃、石英、有機樹脂、金屬、合金等材料。提取來自發光元件的光一側的基板使用對該光具有透光性的材料。
尤其是，較佳為使用撓性基板。例如，可以使用有機樹脂或其厚度為足以具有撓性的玻璃、金屬、合金。
由於有機樹脂的比重小於玻璃，因此藉由作 為撓性基板使用有機樹脂，與作為撓性基板使用玻璃的情況相比，能夠使發光裝置的重量更輕，所以是較佳的。
作為基板較佳為使用韌性高的材料。由此，能夠實現抗衝擊性高且不易損壞的發光裝置。例如，藉由使用有機樹脂基板、厚度薄的金屬基板或合金基板，與使用玻璃基板的情況相比，能夠實現輕量且不易損壞的發光裝置。
由於金屬材料及合金材料的熱傳導率高，並且容易將熱量傳到基板整體，因此能夠抑制發光裝置的局部的溫度上升，所以是較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。
對構成金屬基板或合金基板的材料沒有特別的限制，例如，較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。
另外，當作為基板使用熱發射率高的材料時，能夠抑制發光裝置的表面溫度上升，從而能夠抑制發光裝置的損壞及可靠性的下降。例如，基板也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如，可以使用金屬氧化物或陶瓷材料)的疊層結構。
作為具有撓性以及透光性的材料，例如可以舉出如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚 醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹率低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹率的基板。
撓性基板可以是疊層結構，其中層疊使用上述材料的層與保護裝置的表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。
作為撓性基板也可以使用層疊有多個層的基板。尤其是，藉由採用具有玻璃層的結構，可以提高對水或氧的阻擋性而提供可靠性高的發光裝置。
例如，可以使用從離發光元件近的一側層疊有玻璃層、黏合層及有機樹脂層的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。這種厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，有機樹脂層的厚度為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由在玻璃層的外側設置這種有機樹脂層，抑制玻璃層的破裂或縫裂來提高機械強度。藉由將這種玻璃材料和有機樹脂的複合材料應用於基板，可以實現可靠性極高的撓性發光裝置。
作為黏合層，可以使用紫外線固化黏合劑等 光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)藉由化學吸附吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入功能元件，從而提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高來自發光元件的光的提取效率。例如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
對發光裝置所具有的電晶體的結構沒有特別的限制。也可以適用與在前面的實施方式中用於主動矩陣方式的觸控感測器的電晶體同樣的結構。例如，可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外，還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對於用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制，例如可以舉出矽、鍺等。或者，也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。
為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。作為基底膜，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金屬化學氣相沉積)法等)或ALD(Atomic Layer Deposition：原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要則也可以不設置。在上述各結構實例中，絕緣層813可以兼用作電晶體的基底膜。
作為發光元件，可以使用能夠進行自發光的元件，並且在其範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如，可以使用發光二極體(LED)、有機EL元件以及無機EL元件等。
發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用 氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成得薄到足以具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電膜。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、銀和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、該金屬氧化膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴射法、網版印刷法 等印刷法、或者鍍法形成。
當對下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層833中，而電子從陰極一側注入到EL層833中。被注入的電子和電洞在EL層833中再結合，由此，包含在EL層833中的發光物質發光。
EL層833至少包括發光層。作為發光層以外的層，EL層833也可以還包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層833既可以使用低分子化合物，也可以使用高分子化合物，並還可以包含無機化合物。構成EL層833的層分別可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
發光元件較佳為設置於一對防濕性高的絕緣膜之間。由此，能夠抑制水分等雜質侵入發光元件中，從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
作為防濕性高的絕緣膜，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，還可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。
例如，將防濕性高的絕緣膜的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/(m2．day)]以下，較佳為1×10-6[g/ (m2．day)]以下，更佳為1×10-7[g/(m2．day)]以下，進一步較佳為1×10-8[g/(m2．day)]以下。
較佳為將防濕性高的絕緣膜用於絕緣層813及絕緣層843。
作為絕緣層815，例如可以使用無機絕緣膜諸如氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。另外，作為絕緣層817、絕緣層817a及絕緣層817b，例如可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊多個絕緣膜來形成各絕緣層。
絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如，可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。並且，較佳為使用感光性的樹脂材料將絕緣層821形成為其側壁具有連續曲率的傾斜面。
對絕緣層821的形成方法沒有特別的限制，但是可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
間隔物827可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如，作為無機絕緣材料及有機絕緣材料，可以舉出可用於上述絕緣層的各種材料。此外，作為金屬材料可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的間隔物827與上部電極835電連接，能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外，間隔物827的形 狀可以為正錐形或反錐形。
作為用作電晶體的電極或佈線、或者發光元件的輔助電極等的用於發光裝置的導電層，例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外，導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
彩色層845是使特定波長範圍的光透射的有色層。例如，可以使用透過紅色波長範圍的光的紅色(R)濾色片、透過綠色波長範圍的光的綠色(G)濾色片、透過藍色波長範圍的光的藍色(B)濾色片等。各彩色層藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。
遮光層847設置在相鄰的彩色層之間。遮光層遮擋從相鄰的發光元件射出的光，從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。這裡，藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置彩色層，可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋發光元件的發光的材料，例如可以使用金屬材料以及包含顏料或染料的樹脂材料等形成黑矩陣。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於波導光等的非意圖的漏光，所以是較佳的。
此外，也可以設置覆蓋彩色層及遮光層的保 護層849。藉由設置保護層，可以防止包含在彩色層中的雜質等擴散到發光元件。保護層由透射從發光元件發射的光的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無極絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜，也可以採用有機絕緣膜與無極絕緣膜的疊層結構。
此外，當將黏合層的材料塗佈於彩色層及遮光層上時，作為保護層的材料較佳為使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為保護層，較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度薄得足以具有透光性的Ag膜等金屬膜。
作為連接器825，可以使用對熱固性樹脂混合金屬粒子而得到且藉由熱壓合呈現各向異性的膏狀或片狀導電材料。作為金屬粒子，較佳為使用層疊有兩種以上的金屬的粒子，例如鍍有金的鎳粒子等。
〈顯示面板的製造方法〉
接著，例示出本發明的一個方式的顯示面板的製造方法。在此，示出製造使用圖9A、圖9C所示的濾色片方式的頂部發射結構的發光裝置(上述具體例子1)的例子。
首先，如圖11A所示，在形成用基板201上形成剝離層203，在剝離層203上形成絕緣層813。接著，在絕緣層813上形成多個電晶體(電晶體820等)、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件(發光元件830等)及絕緣層821。以露出導電層857的 方式在絕緣層821、絕緣層817及絕緣層815中形成開口。在此，在露出的導電層857上使用與發光元件的EL層相同的材料及相同的製程形成EL層862，並在EL層862上使用與發光元件的上部電極相同的材料及相同的製程形成導電層864。注意，也可以不設置EL層862及導電層864。在此，將絕緣層813、發光元件及位於兩者之間的構成要素統稱為被剝離層。
在此，雖然示出形成島狀的剝離層的例子，但不侷限於此。在該製程中，選擇在從形成用基板201將被剝離層剝離時在形成用基板201與剝離層203的介面處、剝離層203與被剝離層的介面處或剝離層203中產生剝離的材料。在本實施方式中，雖然例示出在被剝離層與剝離層203的介面產生剝離的情況，但是根據用於剝離層203或被剝離層的材料的組合，產生剝離的位置並不限於此。注意，當被剝離層採用疊層結構時，尤其將與剝離層203接觸的層記作第一層。
例如，在剝離層203採用鎢膜與氧化鎢膜的疊層結構的情況下，當在鎢膜與氧化鎢膜的介面(或者介面附近)產生剝離時，也可以在被剝離層一側殘留著剝離層203的一部分(在此為氧化鎢膜)。另外，也可以在剝離之後去除殘留在被剝離層一側的剝離層203。
作為形成用基板201，使用至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。作為形成用基板201，例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基 板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板以及塑膠基板等。
在作為形成用基板201使用玻璃基板的情況下，在形成用基板201與剝離層203之間作為基底膜形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣膜時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
剝離層203可以使用如下材料形成：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；包含該元素的合金材料；或者包含該元素的化合物材料等。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料用於剝離層203時，被剝離層的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。
剝離層203例如可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配器法等)、印刷法等形成。剝離層203的厚度例如為10nm以上且200nm以下，較佳為20nm以上且100nm以下。
當剝離層203採用單層結構時，較佳為形成鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。另外，也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，當作為剝離層203形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以藉由形成包含鎢的層且在其上層形成由氧化物形成的絕緣膜，來使包含鎢的氧化物的層形成在鎢層與絕緣膜的介面。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N2O)電漿處理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層203的表面狀態，由此可以控制剝離層203和在後面形成的絕緣層之間的緊密性。
另外，當能夠在形成用基板與被剝離層的介面進行剝離時，也可以不設置剝離層。例如，作為形成用基板使用玻璃基板，以接觸於玻璃基板的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂。接著，藉由進行雷射照射及加熱處理，提高形成用基板與有機樹脂之間的緊密性。並且，在該有機樹脂上形成絕緣膜以及電晶體等。然後，藉由以比前面的雷射照射高的能量密度進行雷射照射或者以比前面的加熱處理高的溫度進行加熱處理，可以在形成用基板與有機樹脂的介面進行剝離。此外，當剝離時，也可以藉由將液體浸透到形成用基板與有機樹脂的介面進行分離。
在該方法中，由於在耐熱性低的有機樹脂上 形成絕緣膜及電晶體等，因此在製程中不能對基板施加高溫度。在此，因為使用氧化物半導體的電晶體並不必須要在高溫下形成，所以可以適當地在有機樹脂上形成。
另外，既可以將該有機樹脂用作構成裝置的基板，又可以去除該有機樹脂而使用黏合劑將被剝離層所露出的面與其他基板貼合。
或者，也可以藉由在形成用基板與有機樹脂之間設置金屬層，並且藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層，在金屬層與有機樹脂的介面進行剝離。
另外，如圖11B所示，在形成用基板221上形成剝離層223，並在剝離層223上形成絕緣層843。接著，在絕緣層843上形成遮光層847及彩色層845。注意，雖然未圖示，但如圖9D所示，也可以設置覆蓋遮光層847及彩色層845的保護層。在此，將絕緣層843、遮光層847及彩色層845用作被剝離層。
接著，使用黏合層823將形成用基板201與形成用基板221貼合，並使黏合層823固化。較佳為在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合。
注意，雖然在圖11C中示出剝離層203與剝離層223的大小相同的情況，但是也可以使用大小不同的剝離層。
以與剝離層203及被剝離層重疊的方式配置黏合層823。並且，如圖11C所示，黏合層823的端部較佳為與剝離層203的端部重疊。當黏合層823具有不與剝 離層203重疊的區域時，有時根據該區域的大小或與黏合層823接觸的層的緊密性而容易發生剝離不良。因此，較佳的是，黏合層823的端部與剝離層203重疊，或與剝離層203的端部對齊。
在本實施方式中，雖然將薄片狀的黏合劑用於黏合層823，但是不侷限於此。注意，因為薄片狀的黏合劑的流動性低，所以能夠只配置在所希望的區域，而可以抑制黏合層823延伸到剝離層203的外側，還可以抑制剝離製程的良率的降低。並且，能夠提高剝離製程的良率。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖11C)。在此，示出去除絕緣層813及剝離層203的一部分的例子。注意，在示出形成剝離起點的製程的各圖中，以虛線圍繞而示出形成有剝離起點的區域。
對硬化狀態的黏合層823、被剝離層及剝離層203重疊的區域照射雷射。雖然可以從任一基板一側照射雷射，但是為了抑制散射的光照射到功能元件等，較佳為從設置有剝離層203的形成用基板201一側照射雷射。另外，照射雷射一側的基板使用使該雷射透過的材料。
藉由至少在第一層(包含在被剝離層中且與剝離層203接觸的層)中形成裂縫(使膜裂或裂口產生)來去除第一層的一部分，從而可以形成剝離起點。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層中的其他層、剝離層203或黏合層823的一部分。藉由照射雷射，可以使包含於被 剝離層、剝離層203或黏合層823中的膜的一部分溶解、蒸發或熱破壞。
在本製造方法中，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以與撓性基板貼合。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。因此，可以說該方法是將發光元件與濾色片貼合時的位置對準精度高的製造方法。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層與形成用基板201剝離。由此，被剝離層從形成用基板201轉置到形成用基板221(圖12A)。
可以先剝離形成用基板201和形成用基板221中的任何一個。當剝離層的大小不同時，既可以先剝離形成有較大的剝離層的基板，又可以先剝離形成有較小的剝離層的基板。當僅在一個基板上形成半導體元件、發光元件、顯示元件等元件時，既可以先剝離形成有元件的基板，又可以先剝離另一個基板。在此，示出先剝離形成用基板201的例子。
例如，利用物理力量(用手或夾具進行剝離的處理、或者使輥子轉動進行分離的處理等)從剝離起點將被剝離層與形成用基板201分離，即可。
另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層203與被剝離層的介面來將形成用基板201與被剝離層分 離。藉由利用毛細現象使液體滲到剝離層203與被剝離層之間，由此可以容易地進行分離。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層中的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。
接著，使用黏合層811將從形成用基板201剝離並露出的絕緣層813與基板801貼合。雖然在本實施方式中作為黏合層811使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖12B)。接著，從所形成的剝離起點將絕緣層843與形成用基板221分離(圖12C)。
由此，可以將被剝離層從形成用基板201及形成用基板221轉置到基板801上。
然後，進行使導電層857露出的製程以及使用黏合層841將絕緣層843與基板803貼合的製程。先進行哪個製程都可以。在本實施方式中，使用黏合層841先貼合絕緣層843與基板803(圖13A)。雖然在此作為黏合層841使用薄片狀黏合劑，但是不侷限於此。
例如，藉由在絕緣層843以及黏合層823中形成開口，使導電層857露出。另外，在基板803與導電層857重疊的情況下，為了使導電層857露出，也在基板803以及黏合層841中形成開口。
對形成開口的方法沒有特別的限制，例如可以使用雷射燒蝕法、蝕刻法以及離子束濺射法等。另外， 也可以使用針或切割器等鋒利的刀具等在導電層857上的膜中切開切口，然後利用物理力量將膜的一部分剝下來。
例如，利用去除了膜的一部分的區域為契機來去除與導電層857重疊的基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、EL層862以及導電層864(圖13B)。例如，將具有黏性的輥子壓在基板803上，使該輥子轉動而相對地移動。或者，將具有黏性的膠帶貼合到基板803而剝離。由於EL層862與導電層864的緊密性或構成EL層862的層之間的緊密性低，因此在EL層862與導電層864的介面處或EL層862中產生分離。由此，可以選擇性地去除基板803、黏合層841、絕緣層843、黏合層823、EL層862以及導電層864的與導電層857重疊的區域。另外，當在導電層857上殘留有EL層862等時，使用有機溶劑等去除即可。
另外，只要能夠使導電層857露出且使導電層857在後面的製程中與FPC808電連接，就不限制去除與導電層857重疊的層的方法。若不需要則也可以不將EL層862或導電層864形成為與導電層857重疊。例如，當在EL層862中產生分離時也可以不設置導電層864。另外，根據所使用的材料，有時由於EL層862與黏合層823接觸而發生兩層的材料混合或兩層的介面變得不明確等的不良現象。在這種情況下，為了抑制發光裝置的可靠性下降，較佳為在EL層862與黏合層823之間設置導電層864。
最後，使用各向異性導電材料(連接器825)將FPC808貼合到輸入輸出端子部的各電極(導電層857)。若需要還可以安裝IC晶片等。另外，若撓性基板容易彎曲，則在設置FPC或TCP時有可能使貼合精度降低。因此，在設置FPC或TCP時，也可以用玻璃或矽橡膠等支撐所製造的裝置。由此，可確保FPC或TCP與功能元件之間的電連接。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，先形成剝離起點，以使剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。因此，能夠高良率地製造發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式5
在本實施方式中，參照圖14A至圖14G以及圖15A至圖15I說明能夠使用本發明的一個方式的觸控面板製造的電子裝置以及照明設備。
本發明的一個方式的觸控面板具有撓性。因此，可以適當地應用於具有撓性的電子裝置及照明設備。此外，藉由使用本發明的一個方式，可以製造可靠性高且能夠承受反復彎曲的電子裝置及照明設備。
作為電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相 機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊播放裝置、彈珠機等大型遊戲機等。
此外，由於本發明的一個方式的觸控面板具有撓性，因此也可以將該裝置沿著房屋及高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。
本發明的一個方式的電子裝置或照明設備也可以包括觸控面板及二次電池。此時，較佳的是能夠使用非接觸電力傳輸對二次電池充電。
作為二次電池，例如可以舉出使用凝膠電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。
本發明的一個方式的電子裝置或照明設備也可以包括觸控面板及天線。藉由用天線接收信號，可以在顯示部顯示影像或資訊等。此外，在觸控面板包括二次電池時，也可以使用天線進行非接觸電力傳輸。
圖14A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將本發明的一個方式的觸控面板用於顯示部7402來製造行動電話機7400。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
在圖14A所示的行動電話機7400中，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖14B是手錶型可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7100包括外殼7101、顯示部7102、腕帶7103、表扣7104、操作按鈕7105、輸入輸出端子7106等。
可攜式資訊終端7100可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編輯、音樂播放、網路通信、電腦遊戲等各種應用程式。
顯示部7102的顯示面是彎曲的，能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。另外，顯示部7102具備觸控感測器，可以用手指或觸控筆等觸摸畫面來進行操作。例如，藉由觸摸顯示於顯示部7102的圖示7107，可以啟動應用程式。
操作按鈕7105除了時間設定之外還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的開啟及關閉、省電模式的開啟及關閉等各種功能。例如，藉由利用組裝在可攜式資訊終端7100中的作業系統，還可以自由地設定 操作按鈕7105的功能。
另外，可攜式資訊終端7100可以進行被通信標準化的近距離無線通訊。例如，藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信，可以進行免提通話。
另外，可攜式資訊終端7100具備輸入輸出端子7106，可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外，也可以藉由輸入輸出端子7106進行充電。另外，充電工作也可以利用無線供電進行，而不藉由輸入輸出端子7106。
可攜式資訊終端7100的顯示部7102組裝有本發明的一個方式的觸控面板。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式資訊終端。
圖14C至圖14E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220都包括具備操作開關7203的底座7201以及由底座7201支撐的發光部。
圖14C所示的照明設備7200具備具有波狀發光面的發光部7202。因此，其為設計性高的照明設備。
圖14D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用彎曲為凸狀的兩個發光部對稱地配置的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地進行照射。
圖14E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，將來自發光部7222的發光聚集到 照明設備7220的前面，所以適用於照亮特定範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220所具備的各發光部具有撓性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意使發光部的發光面彎曲的結構。
雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備，但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備，因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。
在此，在各發光部中組裝有本發明的一個方式的觸控面板。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖14F示出可攜式觸控面板的一個例子。觸控面板7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
觸控面板7300在筒狀的外殼7301內具備有捲成捲筒狀的撓性顯示部7302。
此外，觸控面板7300能夠由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用控制部7305具備連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。
圖14G示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態的觸控面板7300。在此狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。另外，藉由使用配置於外殼7301的表面的操作按鈕7303，可以容易地以單手操作。此外，如圖14F所示那樣，藉由將操作按鈕7303配置在外殼7301的一側而不是中央，可以容易地以單手操作。
另外，可以在顯示部7302的側部設置用來加固的框，以便在取出顯示部7302時使該顯示部7302的顯示面固定為平面狀。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的音訊信號輸出聲音的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的觸控面板。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種輕量且可靠性高的觸控面板。
圖15A至圖15C示出能夠折疊的可攜式資訊終端310。圖15A示出展開狀態的可攜式資訊終端310。圖15B示出從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態的中途的狀態的可攜式資訊終端310。圖15C示出折疊狀態的可攜式資訊終端310。可攜式資訊終端310在折疊狀態下可攜性好，在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域所以顯示一覽性強。
觸控面板314由鉸鏈部313所連接的三個外殼315來支撐。藉由鉸鏈部313使兩個外殼315之間彎折，可以從可攜式資訊終端310的展開狀態可逆性地變為折疊狀態。可以將本發明的一個方式的觸控面板用於觸控面板314。例如，可以使用能夠以1mm以上且150mm以下的曲率半徑彎曲的觸控面板。
在本發明的一個方式中，也可以具備檢測觸控面板的折疊狀態或展開狀態且供應檢測資訊的感測器。觸控面板的控制裝置也可以取得示出觸控面板處於折疊狀態的資訊，停止折疊部分(或者折疊後使用者不能看到的部分)的工作。明確而言，也可以停止顯示工作。此外，也可以停止用觸控感測器的檢測。
同樣地，檢測面板的控制裝置也可以取得示出觸控面板處於展開狀態的資訊且重新開始顯示或用檢測感測器的檢測。
圖15D和圖15E示出能夠折疊的可攜式資訊終端329。圖15D示出以使顯示部326位於外側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端329。圖15E示出以使顯示部326位於內側的方式折疊的狀態的可攜式資訊終端329。在不使用可攜式資訊終端329時，藉由將非顯示部325向外側折疊，能夠抑制顯示部326被弄髒或受損傷。可以將本發明的一個方式的觸控面板用於顯示部326。
圖15F是說明可攜式資訊終端330的外形的透視圖。圖15G是可攜式資訊終端330的俯視圖。圖15H 是說明可攜式資訊終端340的外形的透視圖。
可攜式資訊終端330、340例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言，可以將該可攜式資訊終端330、340用作智慧手機。
可攜式資訊終端330、340可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如，可以將三個操作按鈕339顯示在一個面上(圖15F、圖15H)。另外，可以將由虛線矩形表示的資訊337顯示在另一個面上(圖15G、圖15H)。此外，作為資訊337的例子，可以舉出提示收到來自SNS(Social Networking Services：社交網路服務)的資訊、電子郵件或電話等的顯示；電子郵件等的標題或發送者姓名；日期；時間；電池電量；以及信號接收強度等。或者，也可以在顯示有資訊337的位置顯示操作按鈕339或圖示等代替資訊337。注意，雖然圖15F和圖15G示出在上側顯示有資訊337的例子，但是本發明的一個方式不侷限於此。例如，如圖15H所示的可攜式資訊終端340那樣，也可以將資訊337顯示在橫向側面。
例如，可攜式資訊終端330的使用者能夠在將可攜式資訊終端330放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊337)。
明確而言，將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端330的上方觀看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示，由此判斷是否接 電話，而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端330。
可以將本發明的一個方式的觸控面板用於可攜式資訊終端330的外殼338及可攜式資訊終端340的外殼336所具有的顯示部333。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式資訊終端。
另外，如圖15I所示的可攜式資訊終端345那樣，可以在三個以上的面顯示資訊。在此，示出資訊354、資訊356以及資訊357分別顯示於不同的面上的例子。
可以將本發明的一個方式的觸控面板用於可攜式資訊終端345的外殼351所具有的顯示部358。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式資訊終端。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施例
在本實施例中，說明製造本發明的一個方式的觸控面板並進行彎曲試驗的結果。如圖19A所示，在本實施例中製造的觸控面板包括使用濾色片方式的頂部發射型的顯示面板及電容式的觸控感測器。
〈樣本的製造方法〉
首先，製造具有撓性的顯示面板及具有撓性的觸控感測器。作為具有撓性的顯示面板及具有撓性的觸控感測器的製造方法，在用作形成用基板的玻璃基板上形成元件，並從形成用基板剝離該元件，將該元件轉置到撓性基板上。作為剝離層，形成鎢膜及該鎢膜上的氧化鎢膜的疊層結構。製造方法的詳細說明可以參照實施方式2及3。
顯示面板作為顯示元件包括有機EL元件，作為電晶體包括使用CAAC-OS(C Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor：c軸配向結晶氧化物半導體)的電晶體。
CAAC-OS不是非晶，所以缺陷態密度低，從而能夠提高電晶體的可靠性。另外，CAAC-OS不具有晶界，所以不容易因將具有撓性的裝置折彎時的應力而在CAAC-OS膜中產生裂縫。
CAAC-OS是在大致垂直於膜面的方向上c軸配向的結晶氧化物半導體。還確認到氧化物半導體除了單晶結構之外還具有多種結晶結構諸如奈米尺寸的微晶集合體的nano-crystal(nc：奈米晶)結構等。CAAC-OS的結晶性低於單晶結構而高於nc結構。
在本實施例中，應用使用In-Ga-Zn類氧化物的通道蝕刻型電晶體。該電晶體在玻璃基板上以低於500℃的製程製造。
當採用在塑膠基板等有機樹脂上直接製造電晶體等元件的製造方法時，需要將元件的製程的溫度設定 為低於有機樹脂的耐熱溫度。在本實施例中，形成用基板為玻璃基板，並且，為無機膜的剝離層的耐熱性高，所以可以在與在玻璃基板上形成電晶體時相同的溫度下製造電晶體，而可以容易地確保電晶體的性能及可靠性。
作為有機EL元件，使用包括具有呈現藍色光的發光層的螢光發光單元和具有呈現綠色光的發光層及呈現紅色光的發光層的磷光發光單元的串聯型有機EL元件。有機EL元件採用頂部發射型。有機EL元件包括用作光學調整層的ITO膜。光學調整層的厚度根據各像素的顏色而改變。藉由組合濾色片和微腔結構，能夠從本實施例所製造的顯示面板提取顏色純度高的光。
顯示面板及觸控感測器各包括一對撓性基板16。作為撓性基板16，使用厚度為20μm的有機樹脂薄膜。
接著，對顯示面板及觸控感測器的接合平面分別進行UV臭氧處理。
接著，使用層合機在觸控感測器的與顯示面板貼合的面上形成厚度為300μm的黏合層。作為樣本使用矽酮類膠黏合層。作為參考樣本使用丙烯酸類膠黏合層。
在此，示出用於樣本的矽酮類膠黏合層的物性。楊氏模量為50kPa，針入度為100，穿透率為91%，壓縮永久變形率為32%。另外，示出用於參考樣本的丙烯酸類膠黏合層的物性。楊氏模量為大約300kPa，針入度 為75。
接著，使用層合機，由黏合層將顯示面板與觸控感測器貼合。然後，以60℃進行100小時的加熱處理，提高各基板與黏合層的緊密性。
製造兩個樣本，一個用於工作的確認，一個用於彎曲試驗。製造一個參考樣本，在確認工作後進行彎曲試驗。
確認樣本及參考樣本的工作。其結果是，確認到所製造的樣本及參考樣本都在顯示在顯示面板時能夠藉由觸控感測器進行感測。
注意，在將與用於樣本及參考樣本同樣的顯示面板與觸控感測器直接重疊的情況下，當在顯示面板上進行顯示時，無法利用觸控感測器進行正常的感測。接著，藉由將顯示面板與觸控感測器隔著疊層體重疊，增加顯示面板與觸控感測器之間的距離。疊層體具有將膜厚為25μm的矽酮樹脂與膜厚為50μm的PET薄膜交替地層疊的結構。其結果是，在顯示面板與觸控感測器之間的距離為100μm及175μm的情況下，當在顯示面板進行顯示時，無法藉由觸控感測器進行正常的感測，但當該距離為250μm時，能夠進行正常的感測。但是，反復折彎使用膜厚為250μm的疊層體的觸控面板較困難。
另外，進行樣本及參考樣本的彎曲試驗。如圖16所示，彎曲的部分(Bent portion)為觸控面板的中央部，其包括顯示部及掃描驅動器。使用圖17A和圖17B 所示的書型彎曲試驗機進行彎曲試驗。
本彎曲試驗機藉由如書那樣地反復打開(參照圖17A)及合上(參照圖17B)來進行彎曲試驗。藉由設定在將其折彎時的板與板之間的距離，決定觸控面板的彎曲的曲率半徑。注意，圖17A、圖17B所示的面板不是本實施例的樣本。
示出使用書型彎曲試驗機評價的觸控面板的彎曲特性。當以5mm的曲率半徑向內折彎7萬次時，顯示部中沒有產生缺陷。另外，在彎曲試驗後，幾乎沒有觀察到折痕。注意，在此，向內折彎是指以觸控面板的顯示面面向內側的方式折彎的情況。
圖18C示出彎曲試驗前的樣本，圖18D示出16500次彎曲之後的樣本。7萬次彎曲後的狀態與圖18D所示的狀態幾乎沒有變化。
在此，著眼於樣本中的設置在顯示面板一側的濾色片98與設置在觸控感測器一側的電極99的位置關係。與圖18A所示的不將樣本折彎的狀態相比，圖18B所示的將該樣本折彎的狀態的濾色片98與電極99的間隔大。由此可知，如實施方式1所示，黏合層12從圖1A的狀態變為圖1B的狀態。
另一方面，只將參考樣本以曲率半徑5mm向內彎曲一次，彎曲部分(參照圖18E所示的虛線部)產生折痕。
如上所述，在本實施例中，藉由使用楊氏模 量為50kPa的黏合層貼合顯示面板與觸控感測器，可以製造對反復彎曲的耐受性高且可靠性高的撓性觸控面板。另外，可以同時實現觸控面板的薄型化及高檢測靈敏度。
從本實施例可知，藉由將貼合顯示面板與觸控感測器的黏合層的楊氏模量設定為低於300kPa，較佳為50kPa以下，可以製造同時實現觸控面板的薄型化及高檢測靈敏度且對反復彎曲的耐受性高的觸控面板。

Claims (10)

  1. 一種具有撓性的觸控面板，包括：顯示面板；觸控感測器；以及黏合層，其中，該顯示面板及該觸控感測器具有撓性，該黏合層位於該顯示面板與該觸控感測器之間，該黏合層具有1kPa以上且50kPa以下的楊氏模量，及該黏合層具有0.1mm以上且1mm以下的厚度。
  2. 一種具有撓性的觸控面板，包括：顯示面板，包括：像素部，包括在撓性基板上的第一電晶體；以及驅動部，包括在該撓性基板上的第二電晶體；觸控感測器；以及黏合層，其中，該顯示面板及該觸控感測器具有撓性，該黏合層位於該顯示面板與該觸控感測器之間，該黏合層具有1kPa以上且50kPa以下的楊氏模量，該黏合層具有0.1mm以上且1mm以下的厚度，該觸控感測器是電容式觸控感測器，及該顯示面板包括有機EL元件。
  3. 一種具有撓性的觸控面板，包括：顯示面板，包括第一電晶體；觸控感測器，包括第二電晶體及電容；以及黏合層，其中，該顯示面板及該觸控感測器具有撓性，該黏合層位於該顯示面板與該觸控感測器之間，該黏合層具有1kPa以上且50kPa以下的楊氏模量，及該黏合層具有0.1mm以上且1mm以下的厚度。
  4. 根據申請專利範圍第1或3項之觸控面板，其中該觸控感測器是電容式觸控感測器。
  5. 根據申請專利範圍第1或3項之觸控面板，其中該顯示面板包括有機EL元件。
  6. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之觸控面板，其中該黏合層具有50%以下的壓縮永久變形率。
  7. 根據申請專利範圍第6項之觸控面板，其中該黏合層具有大於75的針入度。
  8. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之觸控面板，其中該黏合層是凝膠狀。
  9. 根據申請專利範圍第1至3項中任一項之觸控面板，其中該黏合層具有90%以上的穿透率。
  10. 根據申請專利範圍第2或3項之觸控面板，其中該第一電晶體及該第二電晶體包含氧化物半導體。
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Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015187854A (ja) 2014-03-13 2015-10-29 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置、入出力装置
JP6518133B2 (ja) 2014-05-30 2019-05-22 株式会社半導体エネルギー研究所 入力装置
KR102251881B1 (ko) * 2014-07-31 2021-05-14 엘지이노텍 주식회사 터치 디바이스
JP2016103071A (ja) * 2014-11-27 2016-06-02 株式会社ジャパンディスプレイ 位置座標検出基材及び表示装置
US9734771B2 (en) * 2015-04-14 2017-08-15 International Controls And Measurements Corp. Touch-sensitive flat-panel control and interface
WO2016189426A1 (ja) 2015-05-28 2016-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 タッチパネル
KR102543916B1 (ko) * 2015-09-21 2023-06-16 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 전자 장치
US10558265B2 (en) 2015-12-11 2020-02-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Input device and system of input device
KR102423860B1 (ko) * 2015-12-24 2022-07-21 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN107211511A (zh) 2015-12-31 2017-09-26 深圳市柔宇科技有限公司 照明装置
CN107924003B (zh) * 2016-02-01 2020-08-25 Ａｇｃ株式会社 透光性结构体
KR102293027B1 (ko) * 2016-02-16 2021-08-24 동우 화인켐 주식회사 폴더블 터치 센서 및 그 제조방법
JP6311734B2 (ja) * 2016-02-26 2018-04-18 Smk株式会社 タッチパネルセンサ及びタッチパネル
JP6626191B2 (ja) * 2016-04-04 2019-12-25 アルプスアルパイン株式会社 静電容量式センサ
KR101779906B1 (ko) 2016-07-21 2017-09-19 동우 화인켐 주식회사 필름 터치 센서
DE112017005087T5 (de) * 2016-10-07 2019-08-14 Jaguar Land Rover Limited Steuereinheit
KR20180055178A (ko) * 2016-11-16 2018-05-25 동우 화인켐 주식회사 터치 센서용 접착제 조성물 및 이를 이용한 광학 적층체
JP6943563B2 (ja) 2016-11-30 2021-10-06 株式会社ジャパンディスプレイ 入力機能付き表示装置
JP6592022B2 (ja) * 2017-01-25 2019-10-16 株式会社三共 遊技機
JP6702898B2 (ja) * 2017-01-25 2020-06-03 株式会社三共 遊技機
JP6663365B2 (ja) * 2017-01-25 2020-03-11 株式会社三共 遊技機
CN107195665B (zh) * 2017-06-23 2019-12-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板、其制作方法、显示面板及显示装置
KR102363844B1 (ko) * 2017-07-14 2022-02-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 표시 장치
KR102436547B1 (ko) 2017-09-29 2022-08-29 삼성디스플레이 주식회사 전자 장치
KR102549925B1 (ko) * 2017-10-26 2023-06-30 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 그 제조 방법, 그리고 이를 포함하는 표시 장치
CN108108058A (zh) * 2018-01-05 2018-06-01 业成科技（成都）有限公司 触控感测装置
KR102547124B1 (ko) 2018-03-30 2023-06-26 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US20190384455A1 (en) * 2018-06-14 2019-12-19 Sharp Kabushiki Kaisha Display device with electrostatic capacitance type touch panel
KR20200101548A (ko) * 2019-02-19 2020-08-28 삼성디스플레이 주식회사 편광판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR102543443B1 (ko) * 2019-03-08 2023-06-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 연성 인쇄 회로 기판의 제조 방법
TW202043027A (zh) * 2019-03-21 2020-12-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 顯示裝置以及電子裝置
TWI760874B (zh) * 2019-10-24 2022-04-11 大陸商名碩電腦（蘇州）有限公司 觸控板裝置
CN112505961B (zh) * 2020-12-18 2023-07-25 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示装置及偏光片
WO2022269773A1 (ja) * 2021-06-22 2022-12-29 シャープ株式会社 表示装置
WO2024057427A1 (ja) * 2022-09-14 2024-03-21 シャープディスプレイテクノロジー株式会社 表示装置及び表示装置の製造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
JP2012133428A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
US20130016047A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Alps Electric Co., Ltd. Touch panel integrated display device and method for manufacturing the same
TW201323223A (zh) * 2011-09-15 2013-06-16 Nitto Denko Corp 具有接著劑層之影像顯示裝置用單元及使用該單元的影像顯示裝置

Family Cites Families (42)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06267654A (ja) * 1993-03-15 1994-09-22 Fuji Electric Co Ltd エレクトロルミネセンスパネルの製造方法
JPH08272532A (ja) * 1995-02-01 1996-10-18 Alps Electric Co Ltd タブレット付き表示装置
JP3364081B2 (ja) 1995-02-16 2003-01-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4302335B2 (ja) 2001-05-22 2009-07-22 株式会社半導体エネルギー研究所 太陽電池の作製方法
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP5057619B2 (ja) 2001-08-01 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
TW554398B (en) 2001-08-10 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device
TW558743B (en) 2001-08-22 2003-10-21 Semiconductor Energy Lab Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
TWI264121B (en) 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
JP2004103526A (ja) * 2002-09-13 2004-04-02 Dainippon Printing Co Ltd Ｅｌ素子
KR101079757B1 (ko) 2002-10-30 2011-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 및 반도체장치의 제작방법
US7056810B2 (en) 2002-12-18 2006-06-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor apparatus, and semiconductor apparatus and electric appliance
US7282380B2 (en) 2004-03-25 2007-10-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
US8030132B2 (en) 2005-05-31 2011-10-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor device including peeling step
JP4916680B2 (ja) 2005-06-30 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法、剥離方法
JP4539547B2 (ja) * 2005-12-08 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
TWI424499B (zh) 2006-06-30 2014-01-21 Semiconductor Energy Lab 製造半導體裝置的方法
US7867907B2 (en) 2006-10-17 2011-01-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing semiconductor device
JP2008197248A (ja) * 2007-02-09 2008-08-28 Citizen Holdings Co Ltd 液晶パネル
JP5141074B2 (ja) * 2007-03-30 2013-02-13 Ｊｓｒ株式会社 耐衝撃粘着層、耐衝撃粘着積層体、及び表示装置
JP2009102483A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Jsr Corp 粘着シート、粘着積層シート及びその製造方法
JP2009300495A (ja) * 2008-06-10 2009-12-24 Citizen Holdings Co Ltd 液晶表示装置
JP2010108038A (ja) * 2008-10-28 2010-05-13 Hitachi Displays Ltd タッチパネル及びその製造方法並びにタッチパネル表示装置
JP4842358B2 (ja) * 2008-12-04 2011-12-21 日東電工株式会社 両面粘着テープ
JP5493739B2 (ja) * 2009-03-19 2014-05-14 ソニー株式会社 センサ装置及び情報処理装置
KR101323434B1 (ko) * 2009-06-08 2013-10-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
KR101097344B1 (ko) * 2010-03-09 2011-12-23 삼성모바일디스플레이주식회사 플렉서블 디스플레이 장치의 제조 방법
JP5513262B2 (ja) * 2010-06-02 2014-06-04 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR101319347B1 (ko) * 2010-06-10 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 일체형 액정 표시 장치
JP6077194B2 (ja) * 2010-12-07 2017-02-08 ソニー株式会社 導電性光学素子ならびに情報入力装置および表示装置
CN104024934B (zh) * 2011-12-19 2016-09-07 夏普株式会社 触摸传感器内置型显示面板、具备其的显示装置和触摸传感器内置型显示面板的驱动方法
CN104145240B (zh) * 2012-03-09 2017-08-29 索尼公司 传感器设备、输入设备和电子装置
JP2013222599A (ja) * 2012-04-17 2013-10-28 Canon Inc 有機ｅｌ表示装置
JP2013251255A (ja) * 2012-05-04 2013-12-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
CN104364282B (zh) * 2012-06-15 2017-04-12 昭和电工株式会社 聚合性组合物、聚合物、光学用粘合片、图像显示装置和其制造方法
TWI669835B (zh) * 2012-07-05 2019-08-21 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置
KR102173801B1 (ko) * 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
US9075095B2 (en) * 2013-02-27 2015-07-07 Synaptics Incorporated Device and method for localized force sensing
JP2015045623A (ja) * 2013-08-29 2015-03-12 バンドー化学株式会社 静電容量型センサシート及び静電容量型センサ
GB2520050A (en) * 2013-11-08 2015-05-13 Nokia Technologies Oy An apparatus
KR20150084257A (ko) * 2014-01-13 2015-07-22 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102027086A (zh) * 2008-05-12 2011-04-20 日东电工株式会社 粘合片、使用该粘合片的被粘物的加工方法及粘合片剥离装置
JP2012133428A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Mitsubishi Electric Corp 表示装置
US20130016047A1 (en) * 2011-07-15 2013-01-17 Alps Electric Co., Ltd. Touch panel integrated display device and method for manufacturing the same
TW201323223A (zh) * 2011-09-15 2013-06-16 Nitto Denko Corp 具有接著劑層之影像顯示裝置用單元及使用該單元的影像顯示裝置

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