JP4302335B2 - 太陽電池の作製方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板上に半導体膜を設けて成る太陽電池の作製方法に関する。特に本発明は、レーザービーム加工を用いて作製される集積型太陽電池の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、絶縁基板上に非単結晶シリコン膜を形成した薄膜系の太陽電池が注目を浴びている。ここで、非単結晶シリコンとして適用されるものは、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、薄膜多結晶シリコン及びこれらの混合体を示すものである。薄膜系の太陽電池は、製造にかかる費用が低く抑えられること、及び製造に使用する原料が少量で済むこと等が特徴である。また、絶縁基板として可撓性を有するプラスチックフィルム基板を用いれば、太陽電池の形を自由に設定することができる。さらに、絶縁基板上では単一基板上に素子を複数に分離し、前記素子を直列に接続することで所望の電圧が得られる集積化構造を可能とすることも重要な特徴の一つである。
【０００３】
集積化構造の太陽電池の作製には、目的とする素子のパターンに分断する手段として、レーザービーム加工が幅広く使われている。レーザービーム加工は、被加工物に一定の面積に集光されたレーザ光を照射し、溶解、蒸発あるいは飛散させて孔開け、溶接、切断、マーキングなどを行うものであり、分断するもので、レーザービームを走査して任意の形状に加工することができる。この技術により、等幅のスクライブ幅で高速に薄膜の分断を行うことができる。レーザービーム加工は、所望の太陽電池形状に分断後、太陽電池の取り出し電極同士を溶着し接続する手段としてもレーザ光は使用される。その加工は特にボンディングと呼称されるが、本明細書においてはレーザービーム加工に含むものとする。
【０００４】
もっとも、従来から太陽電池を構成する電極や半導体層を目的とするパターンに形状加工するための方法として、フォトリソグラフィの技術があった。フォトリソグラフィを用いた太陽電池のパターニング工程は、先ずレジストを被加工物一面に塗布し、マスクを介した露光の後、現像工程でレジストマスクを形成する。次にエッチング工程によりレジストでマスクされた領域以外をエッチングし、その後レジストをアルカリ系溶剤等で剥離し、洗浄、乾燥を行い、工程が完成する。前記工程は、複雑で工程数が多く、工程に費やす時間も長いことや、製造費用が高いことなどの点で問題となっている。
【０００５】
レーザービーム加工による太陽電池のパターニング工程は、フォトリソグラフィを用いたパターニング工程に比べ、単純で工程数を少なくすることができる。パターニングを施したい部分にレーザービームを走査しながら照射するだけで工程が完了するという特色がある。
【０００６】
レーザービーム加工はレーザ光を照射し、瞬時に加工部分を溶解、蒸発あるいは飛散させるわけであるが、この時高温で溶解した加工部分の材料が、飛散しながら、あるいは周囲に付着した後に冷却され、粉状の粒子となる。前記粉状の粒子は、レーザービーム加工後の製造工程で太陽電池の発電層を損傷させ、特性低下原因の一つとなっていた。
【０００７】
ここで、レーザービーム加工を用いた太陽電池の従来の製造工程を、図２を用いて説明する。先ず図２（Ａ）に示すように、基板２０１上に下部電極２０２を形成し、前記下部電極上に太陽電池の発電層となる半導体層２０３を形成する。次に同一基板上で太陽電池の積層構造を作成するため、下部電極層及び半導体層をレーザービーム加工により分断し、複数の区画を作る。図２（Ｂ）に、レーザービーム加工による分断箇所２０４ａ、２０４ｂを示す。前記レーザービーム加工時、分断箇所半導体層及び下部電極がレーザービームにより溶解して飛散する。このとき発生した粉状の粒子２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃは、周囲の半導体層２０３上に飛散し付着する。また、半導体層２０３にめり込むこともある。
【０００８】
前記レーザービーム加工後、分断部に絶縁層２０６ａ、２０６ｂを形成する。これは分断部上に導電性の上部電極を形成した時、下部電極と上部電極の接触を防止するためである。図２（Ｃ）に、絶縁層として熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成したときの様子を示す。スクリーン印刷版２０７上に、絶縁性の熱硬化性樹脂２０８を塗布し、スキージ２０９を図面右から左の方向２１０へ動かして絶縁層２０６ａ、２０６ｂの部分に樹脂を印刷する。前記印刷時に、スクリーン印刷版２０７は半導体層２０３及び粉状の粒子に接触し、粉状の粒子を半導体層に押しつける。そして半導体層表面に付着していた粉状の粒子も、半導体層内部に取り込まれることがある。
【０００９】
また、前記印刷工程において、スクリーン印刷版が半導体層から離れるとき、更に前記印刷工程後、熱硬化性樹脂を乾燥する工程において、粉状の粒子が半導体層表面または内部から脱離することがある。図２（Ｄ）に示すように、半導体層に、粉状の粒子が脱離した部分２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃが存在することとなる。
【００１０】
前記印刷工程及び乾燥工程後、図２（Ｅ）に示すように上部電極２１３a、２１３ｂ、２１３ｃを形成するが、このとき脱離した部分２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃの内、下部電極が露出した部分２１２ｂ、２１２ｃにおいては上部電極と下部電極が接触する部分２１５ｂ、２１５ｃが形成されてしまう。単位セル２０４ｂ、２０４ｃにおいては上部電極と下部電極が接触しているため、開放電圧等の太陽電池特性を低下させてしまう。また、下部電極の露出には至っていない部分２１２ａにおいては、上部電極と下部電極が接近した部分２１５ａが形成される。前記接近した部分２１５ａが原因で直接、解放電圧等の太陽電池特性を低下させることは無いが、製品として取り扱った場合、静電気による破壊が発生し易くなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図２では、スクリーン印刷法を用いて絶縁層を形成する方法を例としたが、他の方法で絶縁層を形成する場合や、他の太陽電池製作工程を用いた場合でも、レーザービーム加工を用いた場合、粉状の粒子の発生は避けることができない。レーザービーム加工時に発生した粉状の粒子は、半導体層に付着したり、内部に入り込んだりしているが、上部電極形成工程までに脱落し、上部電極形成時に下部電極と接触してしまうことが発生する。
【００１２】
粉塵異物を軽減するための、一つの手段として、レーザービーム加工装置におけるレーザーパワー、加工部の送り速度等の条件を調整する方法がある。例えばレーザーパワーを弱める、加工部の送り速度を早くする等の手段を用いればよい。しかしレーザービーム加工時に発生する粉状の粒子は、前記手段を用いて軽減することはできるが、全て無くすことは不可能である。例えば図２（Ｂ）に示す粉状の粒子２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃは、大きさを小さくしたり、数を減らしたりすることはできるが、全て無くすことはできない。
【００１３】
粉塵異物を軽減するための他の手段として、レーザービーム加工装置における加工時に発生した粉状の粒子を、吸引機構を用いて吸引する方法等が用いられている。しかし、レーザーによって加工した部分の材料は、瞬時に溶解し飛散するが、飛散する速度はかなり高速で温度も高い。このため粉状の粒子が太陽電池の発電層へ付着する前に除去すること、あるいは付着した粉状の粒子を除去することは、強力な吸引機構を使用しても完全に行うことができない。
【００１４】
本発明は上記問題点を鑑みなされたものであり、レーザービーム加工による太陽電池の作製方法において、レーザービーム加工時に、加工部分より発生する粉状の粒子により太陽電池の特性や製造歩留まりの低下を防止することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明の構成は、絶縁基板上に下部電極、半導体層、上部電極を順次積層して成る太陽電池の作製方法において、絶縁基板上に下部電極、半導体層を積層形成する第１段階と、半導体層表面に保護膜を形成する第２の段階と、該第２の段階の後、レーザービーム加工を行い半導体層又は半導体層と下部電極に開口を形成する第３の段階と、保護膜を除去する第４の段階とを有することを特徴としている。
【００１６】
また他の構成は、絶縁基板上に下部電極、半導体層、上部電極を順次積層して成る太陽電池の作製方法において、絶縁基板上に下部電極、半導体層を積層形成する第１段階と、半導体層表面に、開口部が設けられた保護膜を、スクリーン印刷法により形成する第２段階と、開口部に対応してレーザービーム加工を行い、半導体層又は半導体層と下部電極に開口を形成する第３の段階と、保護膜を除去する第４の段階とを有することを特徴としている。
【００１７】
保護膜は熱硬化性樹脂で形成するものであるが、特にスクリーン印刷法を用いて保護膜を熱硬化性のポリエステル系樹脂で形成することが望ましい。保護膜は粘着テープを保護膜に接着した後、粘着テープと保護膜を同時に剥がすことにより、工程を複雑化することなく除去することができる。
【００１８】
レーザービーム加工時に保護膜を設けることにより、加工部分より発生する粉状の粒子が直接半導体層に付着することが防止でき、半導体層が損傷するのを防止することができる。また、レーザービーム加工後、その保護フィルムを除去することにより、スクリーン印刷などの工程を行っても粉状の粒子が半導体層の内部に入り込んで上部電極形成工程までに脱落し、上部電極形成時に下部電極が短絡してしまうことを防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１を参照しながら説明する。先ず、図1（Ａ）に示すように、基板１０１上に下部電極１０２、半導体層１０３を形成する。次に図1（Ｂ）に示すように、レーザービーム加工を実施したい場所１０７ａ、１０７ｂを除き、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃを形成する。前記保護膜には、例えば熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法を用いて印刷し、熱硬化させて形成する。
【００２０】
保護膜を形成後、図1（Ｃ）に示すように、半導体層１０３及び下部電極１０２を分断するためにレーザービーム加工を行う。レーザービーム加工により、半導体層及び下部電極の分断部１０４ａ、１０４ｂを形成する。前記レーザービーム加工時には、半導体層１０３及び下部電極１０２がレーザービームにより溶解してできた粉状の粒子１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃが、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ上に飛散して付着する。
【００２１】
前記レーザービーム加工後、図1（Ｄ）に示すように、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃを除去する。樹脂の除去方法においては、有機溶剤等で溶解するのが一般的であるが、基板表面に他の樹脂が既に形成されている場合、保護膜のみを選択的に溶解するのは製造工程上困難である。一方で、保護膜に剥離が容易な可撓性を有する熱硬化性樹脂を使用した場合、基板の表面に粘着性のテープ等を貼り、前記粘着性のテープを剥がす、いわゆる引き剥がし法によって保護膜のみを粉砕することなく容易に除去することができる。また、この様な溶剤を用いない剥離方法は、洗浄等の工程を省くことができ、工程の削減も可能とする。この保護膜の除去と同時に保護膜上に付着していた粉状の粒子も除去されることから、半導体層103上の粉状粒子は皆無となる。
【００２２】
図1（Ｅ）に示すように、前記保護膜を除去後、半導体層及び下部電極の分断部を絶縁体１０８ａ、１０８ｂで埋める。絶縁体は、例えば熱硬化性の絶縁性樹脂を、スクリーン印刷法を用いて形成する。更に上部電極１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを形成し積層構造にする。例えば単位セル１１４ａの上部電極１１３ａは、単位セル１１４の下部電極１０２ｂと接続し、各単位セルを直列に接続する。前記上部電極は、例えば導電性樹脂を、スクリーン印刷法を用いて形成する。同時に下部電極側の取り出し電極１１６、上部電極側の取り出し電極１１７も形成する。前記保護膜を形成する工程を用いた場合、半導体層に、粉状の粒子が脱落した部分が存在しないので、前記上部電極形成時に下部電極との接触が発生することはない。また、太陽電池の特性を低下させることはなく良品歩留まりは向上する。
【００２３】
【実施例】
［実施例１］
本実施例において、保護膜を形成、剥離することによる太陽電池の出力特性への影響の有無を示す。先ず、透光性基板上に透光性下部電極と非単結晶シリコン層を形成し、前記非単結晶シリコン層上の一部分には、レーザービーム加工時に発生する粉状の粒子から、非単結晶シリコン層を保護するための保護膜を形成した。保護膜には、ポリエステル系の熱硬化性樹脂（株式会社アサヒ化学研究所社製ＳＴＲＩＰ ＭＡＳＫ ＃２２８−Ｔ）を使用した。保護膜形成後、粘着性テープにより、所定時間経過後に保護膜を剥離した。
【００２４】
前記保護膜剥離工程後、非単結晶シリコン層には、保護膜を形成しなかった部分と保護膜を形成し剥離した部分が存在することになるが、各部分において透過率及び反射率を測定した。図３（Ａ）に、保護膜を形成しなかった部分の透過率、図３（Ｂ）に保護膜を形成し剥離した部分の透過率を示し、図３（Ｃ）に、保護膜を形成しなかった部分の反射率、図３（Ｄ）に保護膜を形成し剥離した部分の反射率を示す。透過率、反射率においては、保護膜を形成し剥離した部分と保護膜を形成しなかった部分の差異は見られなかった。
【００２５】
前記保護膜剥離工程後、非単結晶シリコン層上の保護膜を形成しなかった部分、保護膜を形成し剥離した部分各々に上部電極を形成し、太陽電池を形成した。その後各太陽電池の出力特性を測定し、特性を比較した。図４に各太陽電池の出力特性（Ｉ−Ｖ特性）、図５に各太陽電池の分光特性を示す。太陽電池の出力特性及び分光特性においても、保護膜を形成し剥離した部分と保護膜を形成しなかった部分の差異は見られなかった。
【００２６】
本実験によって、非単結晶シリコン層上に保護膜を形成し、剥離しても、前記非単結晶シリコン層を使用して作製した太陽電池の出力特性には影響を与えないことが分かった。他の太陽電池作製工程においても同様の効果が得ることができる。
【００２７】
［実施例２］
本実施例では、可撓性基板上に積層構造の非単結晶シリコン太陽電池を作製し、最終製品における歩留まりの比較を示す。図６に作製工程を示す。先ず、透光性のＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム基板に透明導電性材料としてＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）及びＧＺＯ（Ｇａ添加酸化亜鉛）をスパッタリング法で成膜し、下部電極を形成する。前記ＩＴＯ及びＧＺＯ層の厚さは、それぞれ５０〜６０ｎｍ、２０〜３０ｎｍとなるようにする。更にｐ、ｉ、ｎ各導電型の非単結晶シリコン層をプラズマＣＶＤ法で成膜、太陽電池の発電層を形成する。前記非単結晶シリコン層の厚さは３００〜８００ｎｍ、本実施例においては６００ｎｍとなるようにする。
【００２８】
次に、同一基板上で積層構造を形成するために、レーザービーム加工によって非単結晶シリコン層及び下部電極層を分断し、太陽電池の一単位を作成する。太陽電池の一単位とは、ｐｉｎ接合を一段有する部分のことを指す。ｐｉｎ接合に、導電性の取り出し電極を含める場合もあるが、本実施例では前記太陽電池の一単位を単位セルと呼ぶことにする。レーザービーム加工時に発生する粉状の粒子から太陽電池の発電層を保護するために保護膜を形成する。
【００２９】
図６（Ａ）に、前記発電層上に保護膜６０１ａ、６０１ｂ、６０１ｃ、６０１ｄを形成する様子を示す。図６（Ａ）において、保護膜の周囲は下部電極及び発電層部分を示す。前記保護膜には、剥離の容易な熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。本実施例においては、熱硬化性樹脂に株式会社アサヒ化学研究所社製ＳＴＲＩＰ ＭＡＳＫ ＃２２８−Ｔを使用する。
【００３０】
前記保護膜を形成後、図６（Ｂ）に示すように、レーザービーム加工法を用いて、分断する。レーザービームで分断する方法はレーザースクライブとも呼ばれている。分断部６０２ａは各単位セルに分断し、分断部６０２ｂは周辺部と太陽電池の外形を分断する。分断部と保護膜の間隔寸法設計には、以下の事項を考慮する必要がある。実際レーザービーム加工で生じる分断部幅は、約０．１ｍｍである。この幅は、加工する膜の種類、レーザーパワー、加工速度等によって多少前後する。またレーザービーム加工時のアライメントずれのマージンを考慮する。よってレーザービーム加工による分断部の両側に設ける保護膜間の距離は最低でも０．２ｍｍ以上にする必要がある。保護膜に熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する場合、前記寸法を考慮したスクリーン印刷版設計が必要である。但し保護膜の目的は、粉状の粒子による発電層の損傷を防止することにあるので、可能な限り発電層部分を覆い、レーザービーム加工による分断部と保護膜の間隔をできるだけ小さくすることが望ましい。本実施例では、レーザービーム加工による分断部の両側に設ける保護膜間の距離を０．５ｍｍとする。
【００３１】
前記レーザービーム加工後、図６（Ｃ）に示すように保護膜を剥離する。剥離工程は、保護膜の発電層への粘着力より強い粘着力を持つテープを保護膜に接着し、テープと保護膜を同時に剥離する。
【００３２】
図６（Ｄ）に示すように、分断部６０２ａ、６０２ｂを絶縁性の樹脂６０３で埋める。これは単位セルの上部電極を、隣接する単位セルの下部電極と接続させるため、分断部を乗り越えるように形成したときに、自身の下部電極と接触し、出力が低下することを防止するためである。絶縁性の樹脂は、熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。
【００３３】
前記絶縁性の樹脂を形成後、図６（Ｅ）に示すように導電性の上部電極６０４ａ、６０４ｂ、６０４ｃ、６０４ｄを形成する。導電性の上部電極には熱硬化性で、銀含有またはカーボン含有の樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。そして上部電極をレーザーボンディング部６０５ｂ、６０５ｃ、６０５ｄにて隣接する単位セルの下部電極と接続する。例えば単位セル６０６ａの上部電極６０４ａは、隣接する単位セル６０６ｂの下部電極と、レーザーボンディング部６０５ｂにて接続する。取り出し電極６０７ａは、レーザーボンディングによって単位セル６０６ａの下部電極と接続詞、上部側に取り出すためのものである。前記レーザーボンディング工程後、単位セル６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄを直列に積層し、下部電極側取り出し電極６０７ａ、上部電極側取り出し電極６０７ｂを有した太陽電池が完成する。レーザービーム加工時に太陽電池の発電層を保護するための保護膜を形成していることによって、粉状の粒子による発電層の損傷を防止することができる。また太陽電池は良好な特性を示し、特性良品歩留まりは向上する。
【００３４】
図７（Ａ）、（Ｂ）に樹脂保護膜の有無による製品特性として曲線因子（Fill Factor：F.F.）のヒストグラムを示す。（Ａ）は保護膜なし、（Ｂ）は保護膜有りである。歩留まりは低照度200luxの太陽電池特性でF.F.>0.65を定義とした。実施例１で示したように太陽電池の特性にはほとんど変化はないが、保護膜の効果が歩留まりに大きく表れていることが示されている。
【００３５】
保護膜にスクリーン印刷が可能で、剥離が容易な熱硬化型可撓性樹脂を使用した場合、次のような特徴がある。先ず、他の熱硬化性樹脂と同様にスクリーン印刷工程が可能な粘性を有し、パターン孔版により容易に所望の形を得ることができる。また乾燥（硬化）温度が低温のため、温度による他の膜へのダメージや材料の変質等が生じ難い。樹脂の硬化は、ある程度の低温ベークにおいて溶剤成分を揮発させることにより行う。硬化した樹脂は、簡単な接触で剥がすことができる。例えば粘着性のテープを用いる。また樹脂と保護膜面との粘着力が小さいことから保護膜の表面にダメージを起こすことは無く剥離が可能である。この際、樹脂に可撓性があることから、樹脂の剥離作業において樹脂自体が粉砕されることなく、新たに粉塵を増加させることもない。このように剥離が容易な熱硬化型可撓性樹脂は、通常の印刷工程と同様のスクリーン印刷が可能であり、剥離工程においても簡単に除去ができるので、様々な用途のマスク材として使用可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明を用いることにより、レーザービーム加工による太陽電池のパターニング工程において、レーザービーム加工時に、加工部分より発生する粉状の粒子を簡単に除去することができる。またレーザービーム加工工程後の製造工程において、太陽電池の発電層を損傷させずに特性を向上させることができる。更に製品において、特性良品の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 レーザービーム加工時に保護膜を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図２】 従来の、レーザービーム加工法を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図３】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として透過率及び反射率を示すグラフ。
【図４】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として太陽電池出力特性を示すグラフ。
【図５】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として分光特性を示すグラフ。
【図６】 保護膜を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図７】 保護膜の有無による製品特性比較を示すヒストグラム。
【符号の説明】
101、201 基板
102、202 下部電極層
103、203 非単結晶シリコン層
104a、104b、204a、204b 分断部
105a、105b、105c、205a、205b、205c 粉状の粒子
106a、106b、106c 保護膜
107a、107b 保護膜の開口部
108a、108b、206a、206b 絶縁層
113a、113b、113c、213a、213b、213c 上部電極
114a、114b、114c、214a、214b、214c 太陽電池の一単位
116、216 下部電極側取り出し電極
117、217 上部電極側取り出し電極
207 スクリーン印刷版
208 絶縁性の熱硬化性樹脂
209 スキージ
210 スキージの動く方向
211 粉状の粒子が受ける力の方向
212a、212b、212c 粉状の粒子が脱落した部分
215a、215b、215c 上部電極と下部電極の接近部分
601a、601b、601c、601d 保護膜
602a、602b 分断部
603 絶縁樹脂
604a、604b、604c、604d 上部電極
605a、605b、605c、605d レーザーボンディング部
606a、606b、606c、606d 単位セル
607a、607b 取り出し電極
【発明の属する技術分野】
本発明は、絶縁基板上に半導体膜を設けて成る太陽電池の作製方法に関する。特に本発明は、レーザービーム加工を用いて作製される集積型太陽電池の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、絶縁基板上に非単結晶シリコン膜を形成した薄膜系の太陽電池が注目を浴びている。ここで、非単結晶シリコンとして適用されるものは、アモルファスシリコン、微結晶シリコン、薄膜多結晶シリコン及びこれらの混合体を示すものである。薄膜系の太陽電池は、製造にかかる費用が低く抑えられること、及び製造に使用する原料が少量で済むこと等が特徴である。また、絶縁基板として可撓性を有するプラスチックフィルム基板を用いれば、太陽電池の形を自由に設定することができる。さらに、絶縁基板上では単一基板上に素子を複数に分離し、前記素子を直列に接続することで所望の電圧が得られる集積化構造を可能とすることも重要な特徴の一つである。
【０００３】
集積化構造の太陽電池の作製には、目的とする素子のパターンに分断する手段として、レーザービーム加工が幅広く使われている。レーザービーム加工は、被加工物に一定の面積に集光されたレーザ光を照射し、溶解、蒸発あるいは飛散させて孔開け、溶接、切断、マーキングなどを行うものであり、分断するもので、レーザービームを走査して任意の形状に加工することができる。この技術により、等幅のスクライブ幅で高速に薄膜の分断を行うことができる。レーザービーム加工は、所望の太陽電池形状に分断後、太陽電池の取り出し電極同士を溶着し接続する手段としてもレーザ光は使用される。その加工は特にボンディングと呼称されるが、本明細書においてはレーザービーム加工に含むものとする。
【０００４】
もっとも、従来から太陽電池を構成する電極や半導体層を目的とするパターンに形状加工するための方法として、フォトリソグラフィの技術があった。フォトリソグラフィを用いた太陽電池のパターニング工程は、先ずレジストを被加工物一面に塗布し、マスクを介した露光の後、現像工程でレジストマスクを形成する。次にエッチング工程によりレジストでマスクされた領域以外をエッチングし、その後レジストをアルカリ系溶剤等で剥離し、洗浄、乾燥を行い、工程が完成する。前記工程は、複雑で工程数が多く、工程に費やす時間も長いことや、製造費用が高いことなどの点で問題となっている。
【０００５】
レーザービーム加工による太陽電池のパターニング工程は、フォトリソグラフィを用いたパターニング工程に比べ、単純で工程数を少なくすることができる。パターニングを施したい部分にレーザービームを走査しながら照射するだけで工程が完了するという特色がある。
【０００６】
レーザービーム加工はレーザ光を照射し、瞬時に加工部分を溶解、蒸発あるいは飛散させるわけであるが、この時高温で溶解した加工部分の材料が、飛散しながら、あるいは周囲に付着した後に冷却され、粉状の粒子となる。前記粉状の粒子は、レーザービーム加工後の製造工程で太陽電池の発電層を損傷させ、特性低下原因の一つとなっていた。
【０００７】
ここで、レーザービーム加工を用いた太陽電池の従来の製造工程を、図２を用いて説明する。先ず図２（Ａ）に示すように、基板２０１上に下部電極２０２を形成し、前記下部電極上に太陽電池の発電層となる半導体層２０３を形成する。次に同一基板上で太陽電池の積層構造を作成するため、下部電極層及び半導体層をレーザービーム加工により分断し、複数の区画を作る。図２（Ｂ）に、レーザービーム加工による分断箇所２０４ａ、２０４ｂを示す。前記レーザービーム加工時、分断箇所半導体層及び下部電極がレーザービームにより溶解して飛散する。このとき発生した粉状の粒子２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃは、周囲の半導体層２０３上に飛散し付着する。また、半導体層２０３にめり込むこともある。
【０００８】
前記レーザービーム加工後、分断部に絶縁層２０６ａ、２０６ｂを形成する。これは分断部上に導電性の上部電極を形成した時、下部電極と上部電極の接触を防止するためである。図２（Ｃ）に、絶縁層として熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成したときの様子を示す。スクリーン印刷版２０７上に、絶縁性の熱硬化性樹脂２０８を塗布し、スキージ２０９を図面右から左の方向２１０へ動かして絶縁層２０６ａ、２０６ｂの部分に樹脂を印刷する。前記印刷時に、スクリーン印刷版２０７は半導体層２０３及び粉状の粒子に接触し、粉状の粒子を半導体層に押しつける。そして半導体層表面に付着していた粉状の粒子も、半導体層内部に取り込まれることがある。
【０００９】
また、前記印刷工程において、スクリーン印刷版が半導体層から離れるとき、更に前記印刷工程後、熱硬化性樹脂を乾燥する工程において、粉状の粒子が半導体層表面または内部から脱離することがある。図２（Ｄ）に示すように、半導体層に、粉状の粒子が脱離した部分２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃが存在することとなる。
【００１０】
前記印刷工程及び乾燥工程後、図２（Ｅ）に示すように上部電極２１３a、２１３ｂ、２１３ｃを形成するが、このとき脱離した部分２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃの内、下部電極が露出した部分２１２ｂ、２１２ｃにおいては上部電極と下部電極が接触する部分２１５ｂ、２１５ｃが形成されてしまう。単位セル２０４ｂ、２０４ｃにおいては上部電極と下部電極が接触しているため、開放電圧等の太陽電池特性を低下させてしまう。また、下部電極の露出には至っていない部分２１２ａにおいては、上部電極と下部電極が接近した部分２１５ａが形成される。前記接近した部分２１５ａが原因で直接、解放電圧等の太陽電池特性を低下させることは無いが、製品として取り扱った場合、静電気による破壊が発生し易くなる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
図２では、スクリーン印刷法を用いて絶縁層を形成する方法を例としたが、他の方法で絶縁層を形成する場合や、他の太陽電池製作工程を用いた場合でも、レーザービーム加工を用いた場合、粉状の粒子の発生は避けることができない。レーザービーム加工時に発生した粉状の粒子は、半導体層に付着したり、内部に入り込んだりしているが、上部電極形成工程までに脱落し、上部電極形成時に下部電極と接触してしまうことが発生する。
【００１２】
粉塵異物を軽減するための、一つの手段として、レーザービーム加工装置におけるレーザーパワー、加工部の送り速度等の条件を調整する方法がある。例えばレーザーパワーを弱める、加工部の送り速度を早くする等の手段を用いればよい。しかしレーザービーム加工時に発生する粉状の粒子は、前記手段を用いて軽減することはできるが、全て無くすことは不可能である。例えば図２（Ｂ）に示す粉状の粒子２０５ａ、２０５ｂ、２０５ｃは、大きさを小さくしたり、数を減らしたりすることはできるが、全て無くすことはできない。
【００１３】
粉塵異物を軽減するための他の手段として、レーザービーム加工装置における加工時に発生した粉状の粒子を、吸引機構を用いて吸引する方法等が用いられている。しかし、レーザーによって加工した部分の材料は、瞬時に溶解し飛散するが、飛散する速度はかなり高速で温度も高い。このため粉状の粒子が太陽電池の発電層へ付着する前に除去すること、あるいは付着した粉状の粒子を除去することは、強力な吸引機構を使用しても完全に行うことができない。
【００１４】
本発明は上記問題点を鑑みなされたものであり、レーザービーム加工による太陽電池の作製方法において、レーザービーム加工時に、加工部分より発生する粉状の粒子により太陽電池の特性や製造歩留まりの低下を防止することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】
上記問題点を解決するために、本発明の構成は、絶縁基板上に下部電極、半導体層、上部電極を順次積層して成る太陽電池の作製方法において、絶縁基板上に下部電極、半導体層を積層形成する第１段階と、半導体層表面に保護膜を形成する第２の段階と、該第２の段階の後、レーザービーム加工を行い半導体層又は半導体層と下部電極に開口を形成する第３の段階と、保護膜を除去する第４の段階とを有することを特徴としている。
【００１６】
また他の構成は、絶縁基板上に下部電極、半導体層、上部電極を順次積層して成る太陽電池の作製方法において、絶縁基板上に下部電極、半導体層を積層形成する第１段階と、半導体層表面に、開口部が設けられた保護膜を、スクリーン印刷法により形成する第２段階と、開口部に対応してレーザービーム加工を行い、半導体層又は半導体層と下部電極に開口を形成する第３の段階と、保護膜を除去する第４の段階とを有することを特徴としている。
【００１７】
保護膜は熱硬化性樹脂で形成するものであるが、特にスクリーン印刷法を用いて保護膜を熱硬化性のポリエステル系樹脂で形成することが望ましい。保護膜は粘着テープを保護膜に接着した後、粘着テープと保護膜を同時に剥がすことにより、工程を複雑化することなく除去することができる。
【００１８】
レーザービーム加工時に保護膜を設けることにより、加工部分より発生する粉状の粒子が直接半導体層に付着することが防止でき、半導体層が損傷するのを防止することができる。また、レーザービーム加工後、その保護フィルムを除去することにより、スクリーン印刷などの工程を行っても粉状の粒子が半導体層の内部に入り込んで上部電極形成工程までに脱落し、上部電極形成時に下部電極が短絡してしまうことを防止できる。
【００１９】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図１を参照しながら説明する。先ず、図1（Ａ）に示すように、基板１０１上に下部電極１０２、半導体層１０３を形成する。次に図1（Ｂ）に示すように、レーザービーム加工を実施したい場所１０７ａ、１０７ｂを除き、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃを形成する。前記保護膜には、例えば熱硬化性樹脂をスクリーン印刷法を用いて印刷し、熱硬化させて形成する。
【００２０】
保護膜を形成後、図1（Ｃ）に示すように、半導体層１０３及び下部電極１０２を分断するためにレーザービーム加工を行う。レーザービーム加工により、半導体層及び下部電極の分断部１０４ａ、１０４ｂを形成する。前記レーザービーム加工時には、半導体層１０３及び下部電極１０２がレーザービームにより溶解してできた粉状の粒子１０５ａ、１０５ｂ、１０５ｃが、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃ上に飛散して付着する。
【００２１】
前記レーザービーム加工後、図1（Ｄ）に示すように、保護膜１０６ａ、１０６ｂ、１０６ｃを除去する。樹脂の除去方法においては、有機溶剤等で溶解するのが一般的であるが、基板表面に他の樹脂が既に形成されている場合、保護膜のみを選択的に溶解するのは製造工程上困難である。一方で、保護膜に剥離が容易な可撓性を有する熱硬化性樹脂を使用した場合、基板の表面に粘着性のテープ等を貼り、前記粘着性のテープを剥がす、いわゆる引き剥がし法によって保護膜のみを粉砕することなく容易に除去することができる。また、この様な溶剤を用いない剥離方法は、洗浄等の工程を省くことができ、工程の削減も可能とする。この保護膜の除去と同時に保護膜上に付着していた粉状の粒子も除去されることから、半導体層103上の粉状粒子は皆無となる。
【００２２】
図1（Ｅ）に示すように、前記保護膜を除去後、半導体層及び下部電極の分断部を絶縁体１０８ａ、１０８ｂで埋める。絶縁体は、例えば熱硬化性の絶縁性樹脂を、スクリーン印刷法を用いて形成する。更に上部電極１１３ａ、１１３ｂ、１１３ｃを形成し積層構造にする。例えば単位セル１１４ａの上部電極１１３ａは、単位セル１１４の下部電極１０２ｂと接続し、各単位セルを直列に接続する。前記上部電極は、例えば導電性樹脂を、スクリーン印刷法を用いて形成する。同時に下部電極側の取り出し電極１１６、上部電極側の取り出し電極１１７も形成する。前記保護膜を形成する工程を用いた場合、半導体層に、粉状の粒子が脱落した部分が存在しないので、前記上部電極形成時に下部電極との接触が発生することはない。また、太陽電池の特性を低下させることはなく良品歩留まりは向上する。
【００２３】
【実施例】
［実施例１］
本実施例において、保護膜を形成、剥離することによる太陽電池の出力特性への影響の有無を示す。先ず、透光性基板上に透光性下部電極と非単結晶シリコン層を形成し、前記非単結晶シリコン層上の一部分には、レーザービーム加工時に発生する粉状の粒子から、非単結晶シリコン層を保護するための保護膜を形成した。保護膜には、ポリエステル系の熱硬化性樹脂（株式会社アサヒ化学研究所社製ＳＴＲＩＰ ＭＡＳＫ ＃２２８−Ｔ）を使用した。保護膜形成後、粘着性テープにより、所定時間経過後に保護膜を剥離した。
【００２４】
前記保護膜剥離工程後、非単結晶シリコン層には、保護膜を形成しなかった部分と保護膜を形成し剥離した部分が存在することになるが、各部分において透過率及び反射率を測定した。図３（Ａ）に、保護膜を形成しなかった部分の透過率、図３（Ｂ）に保護膜を形成し剥離した部分の透過率を示し、図３（Ｃ）に、保護膜を形成しなかった部分の反射率、図３（Ｄ）に保護膜を形成し剥離した部分の反射率を示す。透過率、反射率においては、保護膜を形成し剥離した部分と保護膜を形成しなかった部分の差異は見られなかった。
【００２５】
前記保護膜剥離工程後、非単結晶シリコン層上の保護膜を形成しなかった部分、保護膜を形成し剥離した部分各々に上部電極を形成し、太陽電池を形成した。その後各太陽電池の出力特性を測定し、特性を比較した。図４に各太陽電池の出力特性（Ｉ−Ｖ特性）、図５に各太陽電池の分光特性を示す。太陽電池の出力特性及び分光特性においても、保護膜を形成し剥離した部分と保護膜を形成しなかった部分の差異は見られなかった。
【００２６】
本実験によって、非単結晶シリコン層上に保護膜を形成し、剥離しても、前記非単結晶シリコン層を使用して作製した太陽電池の出力特性には影響を与えないことが分かった。他の太陽電池作製工程においても同様の効果が得ることができる。
【００２７】
［実施例２］
本実施例では、可撓性基板上に積層構造の非単結晶シリコン太陽電池を作製し、最終製品における歩留まりの比較を示す。図６に作製工程を示す。先ず、透光性のＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）フィルム基板に透明導電性材料としてＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）及びＧＺＯ（Ｇａ添加酸化亜鉛）をスパッタリング法で成膜し、下部電極を形成する。前記ＩＴＯ及びＧＺＯ層の厚さは、それぞれ５０〜６０ｎｍ、２０〜３０ｎｍとなるようにする。更にｐ、ｉ、ｎ各導電型の非単結晶シリコン層をプラズマＣＶＤ法で成膜、太陽電池の発電層を形成する。前記非単結晶シリコン層の厚さは３００〜８００ｎｍ、本実施例においては６００ｎｍとなるようにする。
【００２８】
次に、同一基板上で積層構造を形成するために、レーザービーム加工によって非単結晶シリコン層及び下部電極層を分断し、太陽電池の一単位を作成する。太陽電池の一単位とは、ｐｉｎ接合を一段有する部分のことを指す。ｐｉｎ接合に、導電性の取り出し電極を含める場合もあるが、本実施例では前記太陽電池の一単位を単位セルと呼ぶことにする。レーザービーム加工時に発生する粉状の粒子から太陽電池の発電層を保護するために保護膜を形成する。
【００２９】
図６（Ａ）に、前記発電層上に保護膜６０１ａ、６０１ｂ、６０１ｃ、６０１ｄを形成する様子を示す。図６（Ａ）において、保護膜の周囲は下部電極及び発電層部分を示す。前記保護膜には、剥離の容易な熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。本実施例においては、熱硬化性樹脂に株式会社アサヒ化学研究所社製ＳＴＲＩＰ ＭＡＳＫ ＃２２８−Ｔを使用する。
【００３０】
前記保護膜を形成後、図６（Ｂ）に示すように、レーザービーム加工法を用いて、分断する。レーザービームで分断する方法はレーザースクライブとも呼ばれている。分断部６０２ａは各単位セルに分断し、分断部６０２ｂは周辺部と太陽電池の外形を分断する。分断部と保護膜の間隔寸法設計には、以下の事項を考慮する必要がある。実際レーザービーム加工で生じる分断部幅は、約０．１ｍｍである。この幅は、加工する膜の種類、レーザーパワー、加工速度等によって多少前後する。またレーザービーム加工時のアライメントずれのマージンを考慮する。よってレーザービーム加工による分断部の両側に設ける保護膜間の距離は最低でも０．２ｍｍ以上にする必要がある。保護膜に熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する場合、前記寸法を考慮したスクリーン印刷版設計が必要である。但し保護膜の目的は、粉状の粒子による発電層の損傷を防止することにあるので、可能な限り発電層部分を覆い、レーザービーム加工による分断部と保護膜の間隔をできるだけ小さくすることが望ましい。本実施例では、レーザービーム加工による分断部の両側に設ける保護膜間の距離を０．５ｍｍとする。
【００３１】
前記レーザービーム加工後、図６（Ｃ）に示すように保護膜を剥離する。剥離工程は、保護膜の発電層への粘着力より強い粘着力を持つテープを保護膜に接着し、テープと保護膜を同時に剥離する。
【００３２】
図６（Ｄ）に示すように、分断部６０２ａ、６０２ｂを絶縁性の樹脂６０３で埋める。これは単位セルの上部電極を、隣接する単位セルの下部電極と接続させるため、分断部を乗り越えるように形成したときに、自身の下部電極と接触し、出力が低下することを防止するためである。絶縁性の樹脂は、熱硬化性樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。
【００３３】
前記絶縁性の樹脂を形成後、図６（Ｅ）に示すように導電性の上部電極６０４ａ、６０４ｂ、６０４ｃ、６０４ｄを形成する。導電性の上部電極には熱硬化性で、銀含有またはカーボン含有の樹脂を使用し、スクリーン印刷法を用いて形成する。そして上部電極をレーザーボンディング部６０５ｂ、６０５ｃ、６０５ｄにて隣接する単位セルの下部電極と接続する。例えば単位セル６０６ａの上部電極６０４ａは、隣接する単位セル６０６ｂの下部電極と、レーザーボンディング部６０５ｂにて接続する。取り出し電極６０７ａは、レーザーボンディングによって単位セル６０６ａの下部電極と接続詞、上部側に取り出すためのものである。前記レーザーボンディング工程後、単位セル６０６ａ、６０６ｂ、６０６ｃ、６０６ｄを直列に積層し、下部電極側取り出し電極６０７ａ、上部電極側取り出し電極６０７ｂを有した太陽電池が完成する。レーザービーム加工時に太陽電池の発電層を保護するための保護膜を形成していることによって、粉状の粒子による発電層の損傷を防止することができる。また太陽電池は良好な特性を示し、特性良品歩留まりは向上する。
【００３４】
図７（Ａ）、（Ｂ）に樹脂保護膜の有無による製品特性として曲線因子（Fill Factor：F.F.）のヒストグラムを示す。（Ａ）は保護膜なし、（Ｂ）は保護膜有りである。歩留まりは低照度200luxの太陽電池特性でF.F.>0.65を定義とした。実施例１で示したように太陽電池の特性にはほとんど変化はないが、保護膜の効果が歩留まりに大きく表れていることが示されている。
【００３５】
保護膜にスクリーン印刷が可能で、剥離が容易な熱硬化型可撓性樹脂を使用した場合、次のような特徴がある。先ず、他の熱硬化性樹脂と同様にスクリーン印刷工程が可能な粘性を有し、パターン孔版により容易に所望の形を得ることができる。また乾燥（硬化）温度が低温のため、温度による他の膜へのダメージや材料の変質等が生じ難い。樹脂の硬化は、ある程度の低温ベークにおいて溶剤成分を揮発させることにより行う。硬化した樹脂は、簡単な接触で剥がすことができる。例えば粘着性のテープを用いる。また樹脂と保護膜面との粘着力が小さいことから保護膜の表面にダメージを起こすことは無く剥離が可能である。この際、樹脂に可撓性があることから、樹脂の剥離作業において樹脂自体が粉砕されることなく、新たに粉塵を増加させることもない。このように剥離が容易な熱硬化型可撓性樹脂は、通常の印刷工程と同様のスクリーン印刷が可能であり、剥離工程においても簡単に除去ができるので、様々な用途のマスク材として使用可能である。
【００３６】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明を用いることにより、レーザービーム加工による太陽電池のパターニング工程において、レーザービーム加工時に、加工部分より発生する粉状の粒子を簡単に除去することができる。またレーザービーム加工工程後の製造工程において、太陽電池の発電層を損傷させずに特性を向上させることができる。更に製品において、特性良品の歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 レーザービーム加工時に保護膜を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図２】 従来の、レーザービーム加工法を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図３】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として透過率及び反射率を示すグラフ。
【図４】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として太陽電池出力特性を示すグラフ。
【図５】 保護膜による非単結晶シリコン膜への影響として分光特性を示すグラフ。
【図６】 保護膜を用いた太陽電池作製工程を説明する図。
【図７】 保護膜の有無による製品特性比較を示すヒストグラム。
【符号の説明】
101、201 基板
102、202 下部電極層
103、203 非単結晶シリコン層
104a、104b、204a、204b 分断部
105a、105b、105c、205a、205b、205c 粉状の粒子
106a、106b、106c 保護膜
107a、107b 保護膜の開口部
108a、108b、206a、206b 絶縁層
113a、113b、113c、213a、213b、213c 上部電極
114a、114b、114c、214a、214b、214c 太陽電池の一単位
116、216 下部電極側取り出し電極
117、217 上部電極側取り出し電極
207 スクリーン印刷版
208 絶縁性の熱硬化性樹脂
209 スキージ
210 スキージの動く方向
211 粉状の粒子が受ける力の方向
212a、212b、212c 粉状の粒子が脱落した部分
215a、215b、215c 上部電極と下部電極の接近部分
601a、601b、601c、601d 保護膜
602a、602b 分断部
603 絶縁樹脂
604a、604b、604c、604d 上部電極
605a、605b、605c、605d レーザーボンディング部
606a、606b、606c、606d 単位セル
607a、607b 取り出し電極
Claims (7)
- 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に第１の分断部が設けられた保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、前記第１の分断部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の分断部を形成し、
前記保護膜に粘着テープを接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことにより、前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に、スクリーン印刷法により第１の分断部が設けられた保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、前記第１の分断部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の分断部を形成し、
前記保護膜に粘着テープを接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことにより、前記保護膜を除去することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に第１の分断部が設けられた保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、前記第１の分断部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の分断部を形成し、
前記保護膜に粘着テープを接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことにより、前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記半導体層上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に第１の分断部が設けられた保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、前記第１の分断部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極に第２の分断部を形成し、
前記保護膜に粘着テープを接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことにより、前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後、前記第２の分断部に絶縁体を形成し、
前記半導体層及び前記絶縁体上に上部電極を形成することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 絶縁基板上に下部電極、半導体層、及び上部電極を積層して成る太陽電池の作製方法において、
絶縁基板上に下部電極及び半導体層を積層形成し、
前記半導体層表面に分断部が設けられた保護膜を形成し、
前記保護膜を形成した後、前記保護膜の分断部に対応した部分にレーザービーム加工を行い、前記半導体層及び前記下部電極を分断して、太陽電池の第１の単位セル及び前記第１の単位セルと隣接する第２の単位セルを形成し、
前記保護膜に粘着テープを接着した後、前記粘着テープと共に前記保護膜を剥がすことにより、前記保護膜を除去し、
前記保護膜を除去した後に、前記第１の単位セル及び前記第２の単位セルの間に絶縁体を形成して前記半導体層及び前記下部電極の分断部を埋め、
前記第１の単位セルの上部電極及び前記第２の単位セルの上部電極を形成し、
前記第１の単位セルの上部電極を、レーザーボンディングによって前記第２の単位セルの下部電極と接続することを特徴とする太陽電池の作製方法。 - 前記太陽電池の形状は、円形であることを特徴とする請求項５に記載の太陽電池の作製方法。
- 前記保護膜は、熱硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の太陽電池の作製方法。
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