TWI663722B - 發光裝置以及發光裝置的製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種具有撓性且可靠性高的發光裝置。本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的發光元件；第二撓性基板與發光元件之間的第一接合層；以及圍繞第一接合層的框狀的第二接合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層，並且，第二接合層的氣體阻隔性高於第一接合層。
Description
本發明係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或組合物(composition of matter)。本發明的一個方式係關於一種半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、電子裝置、照明設備或者其製造方法。本發明的一個方式尤其係關於一種利用有機電致發光(Electroluminescence，以下也稱為EL)現象的發光裝置以及其製造方法。
近年來，發光裝置或顯示裝置被期待應用於各種用途，並被要求多樣化。
例如，用於移動設備等的發光裝置或顯示裝置被要求為薄型、輕量且不易損壞等。
利用EL現象的發光元件(也表示為“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化；能夠高速地回應輸入信號；以及能夠使用直流低電壓電源而驅動的特徵等，並且
正在研究將其應用於發光裝置或顯示裝置。
例如，專利文獻1公開了在薄膜基板上具備用作切換元件的電晶體以及有機EL元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。
有機EL元件具有因從外部侵入的水分或氧等雜質而損害可靠性的課題。
由於水分或氧等雜質從有機EL元件的外部侵入構成有機EL元件的有機化合物或金屬材料，而有時有機EL元件的使用壽命會大幅下降。這是因為用於有機EL元件的有機化合物或金屬材料與水分或氧等雜質起反應而劣化。
因此，正在積極開發用來防止雜質侵入的密封有機EL元件的技術。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
本發明的一個方式的目的之一是提供一種具有撓性且可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
本發明的一個方式的目的之一是提高具有撓性且可靠性高的發光裝置的製程中的良率。本發明的一個方式的目的之一是抑制在該發光裝置的製程中雜質混入。
本發明的一個方式的目的之一是提供一種新
穎的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個方式的目的之一是提供一種輕量的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個方式的目的之一是提供一種不易損壞的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個方式的目的之一是提供一種厚度較薄的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
注意，對上述目的的描述並不妨礙其他目的存在。注意，本發明的一個方式並不需要實現所有上述目的。上述目的外的目的從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的發光元件；第二撓性基板與發光元件之間的第一接合層；以及圍繞第一接合層的框狀的第二接合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層，並且，第二接合層的氣體阻隔性高於第一接合層。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的電晶體；電晶體與第二撓性基板之間的發光元件；第一撓性基板與電晶體之間的黏合層；第二撓性基板與發光元件之間的第一接合層；以及圍繞第一接合層的框狀的第二接合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層，並且，第二接合層的氣體阻隔性高於第一接合層。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的氣體阻隔性高的絕緣層；絕緣層與第二撓性基板之間的發光元件；第一撓性基板與絕緣層之間的黏合層；第二撓性基板與發光元件之間的第一接合層；以及圍繞第一接合層的框狀的第二接合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層，並且，第二接合層的氣體阻隔性高於第一接合層。
本發明的一個方式是一種發光裝置，包括：第一撓性基板；第二撓性基板；第一撓性基板與第二撓性基板之間的氣體阻隔性高的第一絕緣層；第一絕緣層與第二撓性基板之間的電晶體；電晶體與第二撓性基板之間的發光元件；發光元件與第二撓性基板之間的著色層；著色層與第二撓性基板之間的氣體阻隔性高的第二絕緣層；第一撓性基板與第一絕緣層之間的第一黏合層；著色層與發光元件之間的第一接合層；圍繞第一接合層的框狀的第二接合層；以及第二絕緣層與第二撓性基板之間的第二黏合層，其中，發光元件在一對電極之間包括含有發光有機化合物的層，第一接合層、著色層、第二絕緣層、第二黏合層以及第二撓性基板使發光元件所發射的光透過，並且，第二接合層的氣體阻隔性高於第一接合層。
在顯示部包括上述各結構的發光裝置的電子裝置也是本發明的一個方式。
在發光部包括上述各結構的發光裝置的照明
設備也是本發明的一個方式。
注意，本說明書中的發光裝置包括使用發光元件的顯示裝置。另外，在發光元件安裝有連接器諸如各向異性導電薄膜或TCP(Tape Carrier Package：帶載封裝)的模組、在TCP端部設置有印刷線路板的模組或者藉由COG(Chip On Glass：晶粒玻璃接合)方式在發光元件上直接安裝有IC(積體電路)的模組也都包括在發光裝置中。再者，本說明書中的發光裝置還包括用於照明設備等的發光裝置。
藉由本發明的一個方式，能夠提供一種新穎的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具有撓性且可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
藉由本發明的一個方式，能夠提高具有撓性且可靠性高的發光裝置的製程中的良率。藉由本發明的一個方式，能夠抑制在該發光裝置的製程中雜質混入。
注意，對上述效果的描述並不妨礙其他效果存在。注意，本發明的一個方式並不需要具有所有上述效果。上述效果外的效果從說明書、圖式、申請專利範圍等的描述中是顯而易見的，並且可以從所述描述中抽出。
101‧‧‧第一撓性基板
103‧‧‧黏合層
105‧‧‧元件層
107‧‧‧第一接合層
109‧‧‧第二接合層
111‧‧‧第二撓性基板
113‧‧‧第三接合層
115‧‧‧第四接合層
201‧‧‧形成用基板
203‧‧‧剝離層
205‧‧‧被剝離層
213‧‧‧樹脂層
215‧‧‧照射區域
221‧‧‧形成用基板
222‧‧‧吸收層
223‧‧‧剝離層
224‧‧‧反射層
225‧‧‧被剝離層
226‧‧‧絕緣層
231‧‧‧撓性基板
233‧‧‧第三接合層
235‧‧‧第四接合層
301‧‧‧形成用基板
302‧‧‧基底膜
303‧‧‧剝離層
303a‧‧‧區域
303b‧‧‧區域
303c‧‧‧剝離層
304‧‧‧光阻劑
401‧‧‧第一電極
402‧‧‧EL層
403‧‧‧第二電極
404‧‧‧第二接合層
404a‧‧‧第二接合層
404b‧‧‧第三接合層
405‧‧‧絕緣層
406‧‧‧導電層
407‧‧‧第一接合層
408‧‧‧導電層
409‧‧‧光提取結構
410‧‧‧導電層
416‧‧‧導電層
419‧‧‧撓性基板
420‧‧‧撓性基板
422‧‧‧黏合層
424‧‧‧絕緣層
426‧‧‧黏合層
428‧‧‧撓性基板
431‧‧‧遮光層
432‧‧‧著色層
435‧‧‧導電層
450‧‧‧有機EL元件
453‧‧‧保護層
454‧‧‧電晶體
455‧‧‧電晶體
457‧‧‧導電層
463‧‧‧絕緣層
465‧‧‧絕緣層
467‧‧‧絕緣層
491‧‧‧發光部
493‧‧‧驅動電路部
495‧‧‧FPC
497‧‧‧連接器
7100‧‧‧可攜式顯示裝置
7101‧‧‧外殼
7102‧‧‧顯示部
7103‧‧‧操作按鈕
7104‧‧‧收發裝置
7200‧‧‧照明設備
7201‧‧‧底座
7202‧‧‧發光部
7203‧‧‧操作開關
7204‧‧‧發光區域
7207‧‧‧FPC
7210‧‧‧照明設備
7212‧‧‧發光部
7220‧‧‧照明設備
7222‧‧‧發光部
7300‧‧‧顯示裝置
7301‧‧‧外殼
7302‧‧‧顯示部
7303‧‧‧操作按鈕
7304‧‧‧顯示部取出構件
7305‧‧‧控制部
7400‧‧‧行動電話機
7401‧‧‧外殼
7402‧‧‧顯示部
7403‧‧‧操作按鈕
7404‧‧‧外部連接埠
7405‧‧‧揚聲器
7406‧‧‧麥克風
在圖式中：
圖1A至圖1C是說明發光裝置的一個例子的圖；圖2A至圖2C是說明發光裝置的一個例子的圖；圖3A至圖3C是說明發光裝置的一個例子的圖；圖4A和圖4B是說明發光裝置的一個例子的圖；圖5A和圖5B是說明發光裝置的一個例子的圖；圖6A至圖6D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖7A至圖7D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖8A至圖8D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖9A至圖9D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖10A至圖10D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖11A至圖11C是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖12A至圖12F是說明剝離層的平面形狀的圖；圖13A至圖13D是說明剝離層的製造方法的一個例子的圖；圖14A至圖14C是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖15A至圖15G是說明電子裝置及照明設備的一個例子的圖；
圖16是示出樣本的穿透率的圖；圖17A至圖17C是示出作為實施例的樣本的發光裝置的圖；圖18A和圖18B是示出作為實施例的對比樣本的發光裝置的圖圖19A至圖19G是示出實施例的發光裝置的照片；圖20A至圖20D是說明使用剝離及轉置製程製造具有撓性的樣本的照片；圖21A至圖21D是示出可用於發光部的發光裝置的一個例子的圖；圖22A至圖22C是示出可用於發光部的發光裝置的一個例子的照片；圖23A至圖23D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖；圖24A至圖24D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖。
參照圖式對實施方式進行詳細的說明。注意，本發明不侷限於以下說明，而所屬技術領域的普通技術人員可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅侷限於下面所示的實施方式所記載的內容中。
注意，在下面說明的發明結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略反復說明。此外，當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線，而不特別附加元件符號。
另外，為了便於理解，有時在圖式等中示出的各結構的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此，所公開的發明不一定侷限於圖式等所公開的位置、大小、範圍等。
在本實施方式中，參照圖1A至圖12F說明本發明的一個方式的具有撓性的發光裝置以及該發光裝置的製造方法。
本發明的一個方式的發光裝置包括由一對撓性基板及接合層密封的發光元件。
由於接合層是露出到發光裝置側面的層，因此若該接合層的氣體阻隔性低，則水分或氧等雜質會從外部侵入有機EL元件。因為雜質侵入有機EL元件中，例如會導致發光部的收縮(在此是指從發光部端部開始的亮度劣化或發光部的非發光區的擴大)發生。於是，覆蓋有機EL元件的接合層的氣體阻隔性較佳為高(尤其是水蒸氣透過性或氧透過性較佳為低)。
另外，在作為接合層的材料使用液狀組合物
的情況下，當固化所引起的體積減少量較大時，應力會施加到有機EL元件，而有機EL元件可能會受損，並且導致發光不良的發生。因此，用於接合層的材料的固化所引起的體積減少量較佳為小。
此外，在接合層位於使有機EL元件的發光透過的一側時，為了提高發光裝置的光提取效率，接合層的透光性較佳為高。出於同樣的理由，接合層的折射率較佳為高。
如此，接合層被要求的性質有多個，接合層的材料呈現這些性質中的任兩個以上是非常困難的。
於是，本發明的一個方式的發光裝置在撓性基板與有機EL元件之間設置兩種接合層。明確而言，例如將接合層由其氣體阻隔性比該接合層高的接合層圍繞。藉由將氣體阻隔性高於內側的接合層的材料用於外側的接合層，即便使用具有固化時的體積減少量小、透光性(尤其是可見光的透過性)高或者折射率高等性質的氣體阻隔性低的材料等，也能夠抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現發光部的收縮得到抑制且可靠性高的發光裝置。
例如，氣體阻隔性高的層的氣體透過量、氧透過量或水蒸氣透過量為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步較佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
圖1A至圖1C示出本發明的一個方式的發光
裝置。
圖1A所示的發光裝置包括第一撓性基板101；第二撓性基板111；第一撓性基板101與第二撓性基板111之間的元件層105；第一撓性基板101與元件層105之間的黏合層103；第二撓性基板111與元件層105之間的第一接合層107；以及圍繞第一接合層107的框狀的第二接合層109。元件層105包括有機EL元件。
第二接合層109的氣體阻隔性高於第一接合層107。例如，第二接合層109的氣體透過量、氧透過量或水蒸氣透過量為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步較佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
在膜厚度方向上，有機EL元件與第一接合層107之間的最短距離較佳為短於有機EL元件與黏合層103之間的最短距離。在膜厚度方向上，即便有機EL元件與第一接合層107之間的距離較短，也因為第一接合層107由氣體阻隔性更高的第二接合層109圍繞，所以能夠抑制雜質侵入有機EL元件。
例如，元件層105也可以包括黏合層103與第一接合層107之間的電晶體以及電晶體與第一接合層107之間的有機EL元件。另外，例如，元件層105也可以包括黏合層103與第一接合層107之間的絕緣層以及絕緣層與第一接合層107之間的有機EL元件。此時，絕緣層的氣體阻隔性較佳為高。絕緣層能夠抑制雜質從第一撓
性基板101一側侵入有機EL元件。該絕緣層既可以設置於黏合層103與電晶體之間，又可以設置於電晶體與有機EL元件之間，另外，該絕緣層還可以是構成電晶體的絕緣層。
圖1B和圖1C所示的發光裝置都包括第一撓性基板101；第二撓性基板111；第一撓性基板101與第二撓性基板111之間的元件層105；第一撓性基板101與元件層105之間的第三接合層113；圍繞第三接合層113的框狀的第四接合層115；第二撓性基板111與元件層105之間的第一接合層107；以及圍繞第一接合層107的框狀的第二接合層109。元件層105包括有機EL元件。第二接合層109的氣體阻隔性高於第一接合層107，第四接合層115的氣體阻隔性高於第三接合層113。
如圖1B所示，本發明的一個方式的發光裝置也可以具有第二接合層109及第四接合層115露出到發光裝置側面的結構。另外，如圖1C所示，還可以具有第二接合層109和第四接合層115中的一個覆蓋另一個且第二接合層109和第四接合層115中的一個露出到發光裝置側面的結構。
下面，說明更具體的結構實例。
圖2A示出發光裝置的平面圖，圖2B和圖2C分別示出圖2A的點劃線X1-Y1間的剖面圖的一個例子。圖2A
至圖2C所示的發光裝置為採用濾色片方式的頂部發射型發光裝置。
圖2A所示的發光裝置包括發光部491、驅動電路部493、FPC(Flexible Printed Circuit：撓性印刷電路)495。包含在發光部491及驅動電路部493的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428、第一接合層407以及第二接合層404密封。
圖2B和圖2C所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體455；絕緣層463；絕緣層465；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；第一接合層407；第二接合層404；保護層453；遮光層431；著色層432；絕緣層226；黏合層426；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板428、黏合層426、絕緣層226、第一接合層407、保護層453及第二電極403使可見光透過。
在圖2B和圖2C所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有電晶體455以及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕緣層465上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。第一電極401較佳為反射可見光。另外，發光裝置包括隔著第一接合層407與有機EL元件450重疊的著色層432以及隔著第一接合層
407與絕緣層405重疊的遮光層431。
驅動電路部493具有多個電晶體。圖2B和圖2C示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。在本實施方式中，雖然示出驅動電路部493位於框狀的第二接合層404內側的例子，但也可以位於其外側。
導電層457與將來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部493的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。另外，在此示出使用與電晶體455的源極電極以及汲極電極相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。絕緣層226上的連接器497與導電層457連接。此外，連接器497連接於FPC495。FPC495藉由連接器497與導電層457電連接。
藉由使導電層457位於第二接合層404外側，即便在FPC495與連接器497的連接部以及連接器497與導電層457的連接部中水分等容易侵入的情況下，也能夠抑制水分等雜質侵入有機EL元件450，所以是較佳的。
絕緣層463具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減小起因於電晶體的表面凹凸，作為絕緣層465較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
圖2C與圖2B的不同之處是：在圖2C中，絕緣層465不露出到發光裝置側面。在作為絕緣層465的
材料使用氣體阻隔性低的有機絕緣材料等時，絕緣層465較佳為不露出到發光裝置側面。並且，藉由使氣體阻隔性高的第二接合層404位於發光裝置側面，能夠提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。另外，根據絕緣層465的材料等，如圖2B所示那樣，絕緣層465可以露出到發光裝置的端部。
第二接合層404是氣體阻隔性高於第一接合層407的層。所以，能夠抑制水分或氧從發光裝置側面侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。
在結構實例1中，有機EL元件450的發光經過第一接合層407從發光裝置被提取。因此，第一接合層407的透光性較佳為比第二接合層404高。另外，第一接合層407的折射率較佳為比第二接合層404高。此外，第一接合層407的固化時的體積減少量較佳為比第二接合層404小。
絕緣層424的氣體阻隔性較佳為高。由此，能夠抑制水分或氧從撓性基板420一側侵入發光裝置。同樣地，絕緣層226的氣體阻隔性較佳為高。由此，能夠抑制水分或氧從撓性基板428一側侵入發光裝置。
圖3A1示出發光裝置的平面圖，圖3B示出圖3A1的點劃線X21-Y21間的剖面圖。圖3B所示的發光裝置為採用分別塗布方式的頂部發射型發光裝置。
圖3A1所示的發光裝置包括發光部491、驅動電路部493、FPC495。包含在發光部491及驅動電路部493的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428、第一接合層407及第二接合層404密封。圖3B示出在第二接合層404的開口部中導電層457與連接器497連接的例子。
圖3B所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體455；絕緣層463；絕緣層465；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；第二接合層404；第一接合層407；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板428、第一接合層407及第二電極403使可見光透過。
在圖3B所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有電晶體455以及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕緣層465上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401較佳為反射可見光。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。
驅動電路部493具有多個電晶體。圖3B示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。
導電層457與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部493的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。
為了防止製程次數的增加，導電層457較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的製程製造。在此，示出使用與電晶體455的源極電極以及汲極電極相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。
第二接合層404是氣體阻隔性高於第一接合層407的層。所以，能夠抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。
在結構實例2中，有機EL元件450的發光經過第一接合層407從發光裝置被提取。因此，第一接合層407的透光性較佳為比第二接合層404高。另外，第一接合層407的折射率較佳為比第二接合層404高。此外，第一接合層407的固化時的體積減少量較佳為比第二接合層404小。
圖3A2示出發光裝置的平面圖，圖3C示出圖3A2的點劃線X22-Y22間的剖面圖。圖3C所示的發光裝置為採用濾色片方式的底部發射型發光裝置。
圖3C所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；電晶體454；電晶體455；絕緣層463；著色層432；絕緣層465；導電層435；絕緣層467；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；第二接合層404；第一接合層
407；撓性基板428；以及導電層457。撓性基板420、黏合層422、絕緣層424、絕緣層463、絕緣層465、絕緣層467及第一電極401使可見光透過。
在圖3C所示的發光裝置的發光部491中，在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有開關用電晶體454、電流控制用電晶體455以及有機EL元件450。有機EL元件450包括絕緣層467上的第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401藉由導電層435與電晶體455的源極電極或汲極電極電連接。第一電極401的端部由絕緣層405覆蓋。第二電極403較佳為反射可見光。另外，發光裝置包括絕緣層463上的與有機EL元件450重疊的著色層432。
驅動電路部493具有多個電晶體。圖3C示出驅動電路部493所具有的電晶體中的一個電晶體。
導電層457與將來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部493的外部輸入端子電連接。在此，示出作為外部輸入端子設置FPC495的例子。另外，在此示出使用與電晶體455的源極電極以及汲極電極相同的材料、相同的製程製造導電層457的例子。
圖3C示出在框狀的第二接合層404外側還設置有框狀的第一接合層407，並在該框狀的第一接合層407的開口部中導電層457與連接器497連接的例子。
有時在位於第二接合層404外側且其氣體阻
隔性低於第二接合層404的第一接合層407的開口部中，在FPC495與連接器497的連接部以及連接器497與導電層457的連接部等中水分等容易侵入。然而，氣體阻隔性高的第二接合層404位於該連接部與有機EL元件450之間，因此能夠抑制水分等雜質侵入有機EL元件450，所以是較佳的。
絕緣層463具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體中的效果。另外，為了減小起因於電晶體或佈線的表面凹凸，作為絕緣層465及絕緣層467較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
第二接合層404是氣體阻隔性高於第一接合層407的層。所以，能夠抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。
在結構實例3中，第一接合層407的固化時的體積減少量較佳為比第二接合層404小。
另外，在本發明的一個方式中，可以採用在像素中包括主動元件(非線性元件)的主動矩陣方式或者在像素中不包括主動元件的被動矩陣方式。
在主動矩陣方式中，作為主動元件，除了電晶體之外還可以使用各種主動元件。例如，也可以使用MIM(Metal Insulator Metal：金屬-絕緣體-金屬)或TFD(Thin Film Diode：薄膜二極體)等。由於這些元件的製程次數少，因此能夠降低製造成本或提高良率。另外，由於這些元件的尺寸小，所以可以提高開口率，從而能夠
實現低功耗化或高亮度化。
由於在被動矩陣方式中不使用主動元件，因此製程次數少，從而能夠降低製造成本或提高良率。另外，因為不使用主動元件，所以可以提高開口率，從而能夠實現低功耗化或高亮度化等。
圖4A示出發光裝置的平面圖，圖4B示出圖4A的點劃線X3-Y3間的剖面圖。圖4A和圖4B所示的發光裝置為底部發射型發光裝置。
圖4B所示的發光裝置包括：撓性基板419；黏合層422；絕緣層424；導電層406；導電層416；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極403)；第二接合層404；第一接合層407；以及撓性基板428。第一電極401、絕緣層424、黏合層422及撓性基板419使可見光透過。
在撓性基板419上隔著黏合層422及絕緣層424設置有有機EL元件450。有機EL元件450由撓性基板419、第二接合層404、第一接合層407及撓性基板428密封。有機EL元件450包括第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第二電極403較佳為反射可見光。
第一電極401、導電層406及導電層416的端部由絕緣層405覆蓋。導電層406與第一電極401電連
接，而導電層416與第二電極403電連接。將隔著第一電極401由絕緣層405覆蓋的導電層406用作輔助佈線，並且該導電層406與第一電極401電連接。當包括與有機EL元件的電極電連接的輔助佈線時，能夠抑制起因於電極電阻的電壓下降，所以是較佳的。導電層406也可以設置在第一電極401上。另外，也可以在絕緣層405上等設置有與第二電極403電連接的輔助佈線。
為了提高發光裝置的光提取效率，較佳為在提取來自發光元件的光的一側具有光提取結構。圖4B示出位於提取來自發光元件的光的一側的撓性基板419兼用作光提取結構的例子。
第二接合層404是氣體阻隔性高於第一接合層407的層。所以，能夠抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。
在結構實例4中，第一接合層407的固化時的體積減少量較佳為比第二接合層404小。
圖5A示出發光裝置的平面圖，圖5B示出圖5A的點劃線X4-Y4間的剖面圖。圖5A和圖5B所示的發光裝置為頂部發射型發光裝置。
圖5B所示的發光裝置包括：撓性基板420；黏合層422；絕緣層424；導電層408；絕緣層405；有機EL元件450(第一電極401、EL層402及第二電極
403)；導電層410；第二接合層404；第一接合層407；撓性基板428；以及光提取結構409。第二電極403、第一接合層407、撓性基板428及光提取結構409使可見光透過。
在撓性基板420上隔著黏合層422及絕緣層424設置有有機EL元件450。有機EL元件450由撓性基板420、第一接合層407及撓性基板428密封。有機EL元件450包括第一電極401、第一電極401上的EL層402及EL層402上的第二電極403。第一電極401較佳為反射可見光。在撓性基板428的表面貼合有光提取結構409。
第一電極401、導電層410的端部由絕緣層405覆蓋。導電層410可以使用與第一電極401相同的製程、相同的材料形成，並與第二電極403電連接。
將絕緣層405上的導電層408用作輔助佈線，並且該導電層408與第二電極403電連接。導電層408也可以設置在第二電極403上。另外，也可以與結構實例4同樣地包括與第一電極401電連接的輔助佈線。
第二接合層404是氣體阻隔性高於第一接合層407的層。所以，能夠抑制水分或氧從發光裝置側面侵入發光裝置。因此，能夠實現可靠性高的發光裝置。
在結構實例5中，有機EL元件450的發光經過第一接合層407從發光裝置被提取。因此，第一接合層407的透光性較佳為比第二接合層404高。另外，第一接
合層407的折射率較佳為比第二接合層404高。此外，第一接合層407的固化時的體積減少量較佳為比第二接合層404小。
接下來，示出可用於發光裝置的材料的一個例子。
撓性基板使用具有撓性的材料。例如，可以使用有機樹脂或其厚度允許其具有撓性的玻璃。並且，發光裝置中的提取發光一側的基板使用使可見光透過的材料。在撓性基板可以不使可見光透過的情況下，還可以使用金屬基板等。
由於有機樹脂的比重小於玻璃，因此藉由作為撓性基板使用有機樹脂，與作為撓性基板使用玻璃的情況相比，能夠使發光裝置的重量更輕，所以是較佳的。
作為具有撓性以及透過性的材料，例如可以舉出如下材料：聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂、環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂或聚氯乙烯樹脂等。尤其較佳為使用熱膨脹率低的材料，例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂以及PET等。另
外，也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低熱膨脹率的基板。
當在具有撓性以及透過性的材料中含有纖維體時，作為纖維體使用有機化合物或無機化合物的高強度纖維。明確而言，高強度纖維是指拉伸彈性模量或楊氏模量高的纖維。作為其典型例子，可以舉出聚乙烯醇類纖維、聚酯類纖維、聚醯胺類纖維、聚乙烯類纖維、芳族聚醯胺類纖維、聚對苯撐苯并雙唑纖維、玻璃纖維或碳纖維。作為玻璃纖維，可以舉出使用E玻璃、S玻璃、D玻璃、Q玻璃等的玻璃纖維。這些纖維體在織物或非紡物的狀態下使用，並且作為撓性基板也可以使用在該纖維體中浸漬有樹脂並固化該樹脂而成的結構體。藉由作為撓性基板使用由纖維體和樹脂構成的結構體，可以提高抗彎曲或抗局部擠壓所引起的破損的可靠性，所以是較佳的。
為了提高光取出效率，具有撓性及透光性的材料的折射率較佳為高。例如，藉由將折射率高的無機填料分散於有機樹脂，可以形成其折射率比僅由該有機樹脂構成的基板高的基板。尤其較佳為使用粒徑為40nm以下的較小的無機填料，此時填料可以維持光學透明性。
為了得到撓性或彎曲性，金屬基板的厚度較佳為10μm以上且200μm以下，更佳為20μm以上且50μm以下。金屬基板的導熱性高，因此可以高效率地將起因於發光元件的發光的發熱散出。
對構成金屬基板的材料沒有特別的限制，但例如較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。
撓性基板可以是疊層結構，其中層疊使用上述材料的層與保護裝置表面免受損傷等的硬塗層(例如，氮化矽層等)或能夠分散壓力的材質的層(例如，芳族聚醯胺樹脂層等)等。另外，為了抑制因水等導致的功能元件(尤其是有機EL元件等)的使用壽命下降，也可以具有後述的氣體阻隔性高的絕緣層。
作為撓性基板也可以使用層疊有多個層的基板。尤其在採用具有玻璃層的結構時，可以提高對水或氧的阻擋性，從而能夠提供可靠性高的發光裝置。
例如，可以使用從近於有機EL元件的一側層疊有玻璃層、黏合層及有機樹脂層的撓性基板。將該玻璃層的厚度設定為20μm以上且200μm以下，較佳為25μm以上且100μm以下。該厚度的玻璃層可以同時實現對水或氧的高阻擋性和撓性。此外，將有機樹脂層的厚度設定為10μm以上且200μm以下，較佳為20μm以上且50μm以下。藉由將這種有機樹脂層設置於玻璃層外側，可以防止玻璃層破裂或裂縫，提高玻璃的機械強度。藉由將這種玻璃材料與有機樹脂的複合材料應用於基板，可以製造可靠性極高的撓性發光裝置。
注意，本發明的一個方式的特徵之一是：關於貼合一對基板的接合層，將第一接合層由氣體阻隔性高
於該第一接合層的第二接合層圍繞。因此，作為基板，除了撓性基板之外還可以使用不具有撓性的玻璃基板或強化玻璃。此時，也可以不使用黏合層而直接在基板上形成元件。在這種情況下也能夠實現一種發光部的收縮得到抑制且可靠性高的發光裝置。
作為黏合層或接合層，可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑。作為這些黏合劑，可以舉出環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等氣體阻隔性高的材料。另外，也可以使用兩液混合型樹脂。此外，也可以使用黏合薄片等。
另外，在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如，可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)等藉由化學吸附來吸附水分的物質。或者，也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當在樹脂中包含乾燥劑時，能夠抑制水分等雜質侵入功能元件，從而提高發光裝置的可靠性，所以是較佳的。
此外，藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件，可以提高發光元件的光提取效率。例
如，可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
絕緣層424或絕緣層226較佳為使用氣體阻隔性高的絕緣層。另外，也可以在第一接合層407與第二電極403之間形成有氣體阻隔性高的絕緣層。
作為氣體阻隔性高的絕緣層，可以舉出氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外，也可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜以及氧化鋁膜等。
例如，將氣體阻隔性高的絕緣層的氣體透過量、氧透過量或水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/m2．day]以下，較佳為1×10-6[g/m2．day]以下，更佳為1×10-7[g/m2．day]以下，進一步較佳為1×10-8[g/m2．day]以下。
另外，可以將上述舉出的無機絕緣層用於其他絕緣層。
作為絕緣層463，例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣層。另外，作為絕緣層465或絕緣層467，例如可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外，也可以層疊多個絕緣層來形成絕緣層465或絕緣層467。
絕緣層405使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂，例如可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺
樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。絕緣層405尤其較佳為使用光敏樹脂材料形成。並且，較佳為將絕緣層405形成為其側壁具有連續曲率的傾斜面。
雖然對絕緣層405的形成方法沒有特別的限制，但可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
對用於本發明的一個方式的發光裝置的電晶體的結構沒有特別的限制。例如，既可以使用交錯型電晶體，又可以使用反交錯型電晶體。另外，可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。此外，對用於電晶體的材料也沒有特別的限制。例如，可以使用將矽、鍺或氧化物半導體用於通道形成區的電晶體。對半導體的結晶性沒有特別的限制，可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時，可以抑制電晶體的特性劣化，所以是較佳的。作為矽可以使用非晶矽、單晶矽或多晶矽等，作為氧化物半導體可以使用In-Ga-Zn-O類金屬氧化物等。
為了實現電晶體的特性穩定化等，較佳為設置基底膜。作為基底膜，可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣層並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由利用濺射法、電漿CVD法、塗佈
法、印刷法等形成。注意，基底膜若不需要則也可以不設置。在上述各結構實例中，絕緣層424可以兼用作電晶體的基底膜。
對用於本發明的一個方式的發光裝置的有機EL元件的結構沒有特別的限制。可以使用採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構的有機EL元件。
當對一對電極之間施加高於有機EL元件的臨界電壓的電壓時，電洞從陽極一側注入到EL層402中，而電子從陰極一側注入到EL層402中。被注入的電子和電洞在EL層402中再結合，由此，包含在EL層402中的發光物質發光。
在有機EL元件中，作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。另外，作為不提取光一側的電極較佳為使用反射可見光的導電膜。
作為使可見光透過的導電膜，例如可以使用氧化銦、銦錫氧化物(ITO：Indium Tin Oxide)、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等形成。另外，也可以藉由將金、銀、鉑、鎂、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅、鈀或鈦等金屬材料、包含這些金屬材料的合金或這些金屬材料的氮化物(例如，氮化鈦)等形成為薄到允許其具有透光性來使用。此外，可以將上述材料的疊層膜用作導電層。例如，當使用銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等時，可
以提高導電性，所以是較佳的。另外，也可以使用石墨烯等。
作為反射可見光的導電膜，例如可以使用鋁、金、鉑、銀、鎳、鎢、鉻、鉬、鐵、鈷、銅或鈀等金屬材料或包含這些金屬材料的合金。另外，也可以在上述金屬材料或合金中添加有鑭、釹或鍺等。此外，反射可見光的導電膜可以使用鋁和鈦的合金、鋁和鎳的合金、鋁和釹的合金等包含鋁的合金(鋁合金)以及銀和銅的合金、銀和鈀和銅的合金、銀和鎂的合金等包含銀的合金來形成。包含銀和銅的合金具有高耐熱性，所以是較佳的。並且，藉由以與鋁合金膜接觸的方式層疊金屬膜或金屬氧化物膜，可以抑制鋁合金膜的氧化。作為該金屬膜、金屬氧化物膜的材料，可以舉出鈦、氧化鈦等。另外，也可以層疊上述使可見光透過的導電膜與由金屬材料構成的膜。例如，可以使用銀與ITO的疊層膜、銀和鎂的合金與ITO的疊層膜等。
各電極可以藉由利用蒸鍍法或濺射法形成。除此之外，也可以藉由利用噴墨法等噴出法、網版印刷法等印刷法、或者鍍法形成。
EL層402至少包括發光層。除了發光層以外，EL層402還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為EL層402可以使用低分子化合物或高分子化合物，還可以包含無機化合物。構成EL層402的各層可以藉由利用蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等方法形成。
注意，在此作為發光元件的一個例子說明有機EL元件，但是本發明不侷限於此，也可以使用其他顯示元件、發光元件、半導體元件等。本發明的一個方式的特徵之一是：關於貼合一對基板的接合層，將第一接合層由氣體阻隔性高於該第一接合層的第二接合層圍繞。作為由該一對基板和該接合層密封的元件，可以舉出顯示元件、發光元件或半導體元件等。
例如，在本說明書等中，顯示元件、作為具有顯示元件的裝置的顯示裝置、發光元件、以及作為具有發光元件的裝置的發光裝置可以採用各種方式或各種元件。作為顯示元件、顯示裝置、發光元件或發光裝置的一個例子，有對比度、亮度、反射率、穿透率等因電磁作用而發生變化的顯示媒體，如EL元件(包含有機物及無機物的EL元件、有機EL元件、無機EL元件)、LED(白色LED、紅色LED、綠色LED、藍色LED等)、電晶體(根據電流發光的電晶體)、電子發射元件、液晶元件、電子墨水、電泳元件、柵光閥(GLV)、電漿顯示面板(PDP)、MEMS(微機電系統)、數位微鏡裝置(DMD)、DMS(數碼微快門)、IMOD(干涉調變)元件、電濕潤(electrowetting)元件、壓電陶瓷顯示器、碳奈米管等。作為使用EL元件的
顯示裝置的一個例子，有EL顯示器等。作為使用電子發射元件的顯示裝置的一個例子，有場發射顯示器(FED)或SED方式平面顯示器(SED：Surface-conduction Electron-emitter Display：表面傳導電子發射顯示器)等。作為使用液晶元件的顯示裝置的一個例子，有液晶顯示器(透過型液晶顯示器、半透過型液晶顯示器、反射型液晶顯示器、直觀型液晶顯示器、投射型液晶顯示器)等。作為使用電子墨水或電泳元件的顯示裝置的一個例子，有電子紙等。
著色層是使特定波長區域的光透過的有色層。例如，可以使用使紅色波長區域的光透過的紅色(R)濾色片、使綠色波長區域的光透過的綠色(G)濾色片、使藍色波長區域的光透過的藍色(B)濾色片等。各著色層藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。
遮光層設置在相鄰的著色層之間。遮光層遮擋來自相鄰的有機EL元件的光，從而抑制相鄰的有機EL元件之間的混色。在此，藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置著色層，可以抑制漏光。作為遮光層，可以使用遮擋來自有機EL元件的發光的材料，例如使用金屬材料、或者包含顏料或染料的樹脂材料形成黑矩陣，即可。另外，藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中，可以抑制起因於波導光等的非意圖的漏光，所以是較
佳的。
另外，也可以設置覆蓋著色層及遮光層的保護層。藉由設置保護層，可以防止著色層所含有的雜質等擴散到有機EL元件。保護層由使來自有機EL元件的發光透過的材料構成，例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣層或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣層，也可以使用有機絕緣層和無機絕緣層的疊層結構。
此外，當將第一接合層407的材料塗佈於著色層432及遮光層431上時，作為保護層的材料較佳為使用對第一接合層407的材料具有高潤濕性的材料。例如，作為保護層453(參照圖2C)，較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度薄使得允許其具有透光性的Ag膜等金屬膜。
作為用作電晶體的電極或佈線、或者有機EL元件的輔助電極或輔助佈線等的導電層，例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外，導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物，可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、氧化鋅(ZnO)、ITO、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
另外，輔助佈線的厚度可以為0.1μm以上且
3μm以下，較佳為0.1μm以上且0.5μm以下。
當作為輔助佈線的材料使用膏(銀膏等)時，構成輔助佈線的金屬成為粒狀而凝集。因此，輔助佈線的表面成為粗糙且間隙多的結構，EL層難以完全覆蓋輔助佈線，從而上部電極與輔助佈線容易電連接，所以是較佳的。
作為光提取結構，也可以使用半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜或光擴散薄膜等。例如，藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜大致相同的折射率的黏合劑等將上述透鏡或上述薄膜黏合在基板上，可以形成光提取結構。
作為連接器497，可以使用對熱固性樹脂混合金屬粒子的膏狀或片狀的藉由熱壓接合呈現各向異性的導電材料。作為金屬粒子，較佳為使用層疊有兩種以上的金屬的粒子，例如鍍有金的鎳粒子等。
下面，示出製造圖2A和圖2B所示的採用濾色片方式的頂部發射結構的發光裝置(上述結構實例1)的例子。
首先，如圖6A所示那樣在形成用基板201上形成剝離層203，在剝離層203上形成被剝離層205。在此，雖然示出形成島狀剝離層的例子，但不侷限於此。另外，也可以將被剝離層205形成為島狀。在該製程中，選擇在將被剝離層205從形成用基板201剝離時在形成用基板201與剝離層203的介面處、剝離層203與被剝離層205的介面處或剝離層203中產生剝離的材料。在本實施方式中，雖然例示出在被剝離層205與剝離層203的介面產生剝離的情況，但是根據用於剝離層203或被剝離層205的材料的組合而不限於此。注意，當被剝離層205採用疊層結構時，尤其將與剝離層203接觸的層記載為第一層。
例如，在剝離層203採用鎢膜與氧化鎢膜的疊層結構的情況下，當在鎢膜與氧化鎢膜的介面(或者介面附近)產生剝離時，也可以在被剝離層205一側殘留著剝離層203的一部分(在此為氧化鎢膜)。另外，殘留在被剝離層205一側的剝離層203也可以在剝離之後去掉。
作為形成用基板201，使用至少可承受製程中的處理溫度的耐熱性的基板。作為形成用基板201，例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板以及塑膠基板等。
為了提高量產性，作為形成用基板201較佳為使用大型玻璃基板。例如，可以使用第3代(550mm×650mm)，第3.5代(600mm×720mm或620mm
×750mm)，第4代(680mm×880mm或730mm×920mm)，第5代(1100mm×1300mm)，第6代(1500mm×1850mm)，第7代(1870mm×2200mm)，第8代(2200mm×2400mm)，第9代(2400mm×2800mm或2450mm×3050mm)，第10代(2950mm×3400mm)等的玻璃基板，或者，可以使用比上述玻璃基板更大型的玻璃基板。
在作為形成用基板201使用玻璃基板的情況下，在形成用基板201與剝離層203之間作為基底膜形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等絕緣層時，可以防止來自玻璃基板的污染，所以是較佳的。
剝離層203可以使用如下材料形成：選自鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素；包含該元素的合金材料；或者包含該元素的化合物材料等。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。此外，也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、氧化銦錫、氧化銦鋅或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料用於剝離層203時，被剝離層205的形成製程的彈性得到提高，所以是較佳的。
剝離層203例如可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配器法等)、印刷法等形成。剝離層203的厚度例如為10nm以上且200nm以下，較佳為20nm以上且100nm以下。
當剝離層203採用單層結構時，較佳為形成
鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。另外，也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外，鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外，當作為剝離層203形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時，可以藉由形成包含鎢的層且在其上層形成由氧化物形成的絕緣層，來使包含鎢的氧化物的層形成在鎢層與絕緣層的介面。此外，也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N2O)電漿處理、使用臭氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外，電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層203的表面狀態，由此可以控制剝離層203和在後面形成的絕緣層之間的黏合性。
另外，當能夠在形成用基板與被剝離層的介面進行剝離時，也可以不設置剝離層。例如，作為形成用基板使用玻璃基板，以接觸於玻璃基板的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂，並在該有機樹脂上形成絕緣膜以及電晶體等。在此情況下，藉由使用雷射等局部性地加熱有機樹脂，可以在形成用基板與有機樹脂的介面進行剝離。或者，也可
以藉由在形成用基板與有機樹脂之間設置金屬層，並且藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層，在金屬層與有機樹脂的介面進行剝離。此時，可以將有機樹脂用作發光裝置的基板。另外，也可以使用黏合劑將有機樹脂與其他基板貼合在一起。
對作為被剝離層205形成的層沒有特別的限制。在此，為了製造圖2B所示的結構的發光裝置，首先依次形成絕緣層424、電晶體455、絕緣層463、絕緣層465。然後，在絕緣層463及絕緣層465的一部分中形成開口，形成與電晶體的源極電極或汲極電極電連接的第一電極401。另外，導電層457也使用與電晶體的源極電極及汲極電極相同的製程、相同的材料形成。
絕緣層424較佳為使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜或氮氧化矽膜等並以單層或疊層形成。
該絕緣層可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法或印刷法等形成，例如藉由採用電漿CVD法在250℃以上且400℃以下的成膜溫度下形成該絕緣層，可以形成緻密且氣體阻隔性高的膜。另外，絕緣層的厚度較佳為10nm以上且3000nm以下，更佳為200nm以上且1500nm以下。
然後，形成覆蓋第一電極401端部的絕緣層405。接著，在第一電極401及絕緣層405上形成EL層402，並在EL層402上形成第二電極403。在此，絕緣層424至第二電極403相當於被剝離層205。
另外，如圖6B所示，在形成用基板221上依次形成剝離層223及被剝離層225。在此，作為被剝離層225，在剝離層223上形成絕緣層226，在絕緣層226上形成遮光層431及著色層432，並且在遮光層431及著色層432上形成保護層453。
接著，使用第一接合層407及第二接合層404將形成用基板201與形成用基板221以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並固化第一接合層407及第二接合層404(圖6C)。在此，在被剝離層225上設置框狀的第二接合層404和位於框狀的第二接合層404內側的第一接合層407之後，將形成用基板201與形成用基板221相對並貼合在一起。
固化第一接合層407及第二接合層404的方法根據用於各層的材料而不同，但例如既可以在常溫下固化，又可以藉由加熱或光照射使其固化。
在被剝離層使用耐熱性低的材料時，較佳為在該材料可承受的溫度以下進行加熱。例如，由於在本實施方式中被剝離層含有有機EL元件，因此在作為接合層的材料使用熱固性樹脂時，較佳為在80℃以下進行加熱。
另外，在作為接合層的材料使用光硬化性樹脂時，將使用來固化該光硬化性樹脂的光透過的材料用於形成用基板201、剝離層203及被剝離層205、或者形成用基板221、剝離層223及被剝離層225。此時，各層的
該光的穿透率高於0%即可，較佳為1%以上，越高越好。
關於固化第一接合層407及第二接合層404的方法的具體例子，將在實施方式2中進行說明。
注意，較佳為在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起。
在此，如圖23A所示，在被剝離層225上形成的第一接合層407與第二接合層404也可以不接觸。當將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起時，第一接合層407和第二接合層404中的一者或兩者被壓扁而擴張，因此如圖6C或圖11A所示那樣第一接合層407和第二接合層404中的一者或兩者也可以發生變形。
另外，當將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起時，有時在第一接合層407與第二接合層404之間殘留有氣泡。含有氣泡的部分的機械強度低，有時容易產生裂縫。因此，如圖23B及圖23C等所示，也可以在基板的角部附近設置不包括第二接合層404的部分，從而容易使氣泡洩漏到第二接合層404外側。此外，將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起之後的第一接合層407及第二接合層404的形狀不侷限於圖11A，如圖23D所示，第二接合層404也可以不連成一個。
例如，如圖24A所示，在被剝離層(在此為被剝離層225)上形成第一接合層407及第二接合層404，在減壓氛圍下將形成用基板201與形成用基板221貼合在一起。此時，如圖24B所示那樣，第二接合層404
被壓扁而向紙面橫向擴張。在此，當橫向擴張較小並且第一接合層407厚度和第二接合層404厚度(紙面縱向的長度)有差異時，如圖24B中的以虛線圍繞的部分那樣有時產生步階。
再者，如圖24B所示，當在第一接合層407與第二接合層404之間具有被減壓的中空區域時，因為要將在減壓氛圍下貼合基板的製造過程中的發光裝置暴露於大氣壓，所以第一接合層407和第二接合層404中的一者或兩者擴張到中空區域。例如，如圖24C所示，有時第一接合層407擴張到中空區域並且第一接合層407厚度變小，從而第一接合層407厚度和第二接合層404厚度的差異進一步擴大，由此產生較大的步階。
因此，在本發明的一個方式的發光裝置中，端部附近的膜的厚度與該端部內側的中央部的膜的厚度有差異。例如，如圖24C所示那樣發光裝置的端部附近的膜的厚度可以比中央部的膜的厚度更厚，也可以如圖24D所示那樣更薄。
另外，在製造中途或完成製造的發光裝置中的有厚度差異(步階)的部分中，容易發生構成被剝離層的膜剝離等的情況，這有時會導致剝離的良率下降、裝置的可靠性下降。此外，當在發光區域中發光裝置的厚度有差異時，有時會產生干涉條紋等而導致顯示品質的下降。
因此，在本發明的一個方式的發光裝置中，發光部的端部附近的膜的厚度與該端部內側的中央部的膜
的厚度較佳為大致相同。此時，發光部端部附近的膜的厚度與位於該發光部的端部外側的發光裝置端部附近的膜的厚度也可以不同。另外，在本發明的一個方式的發光裝置中，干涉條紋與發光裝置端部的距離較佳為短。例如，該距離較佳為30mm以內、20mm以內、10mm以內等。藉由使干涉條紋與發光裝置端部的距離變短，在發光裝置中可以擴大可用於發光區域的區域，所以是較佳的。
並且，在本發明的一個方式的發光裝置中，端部附近的膜的厚度與該端部內側的中央部的膜的厚度(例如，發光部的中央部的膜的厚度或發光部的端部附近的膜的厚度)較佳為大致相同。
明確而言，藉由適當地選擇第一接合層407及第二接合層404的厚度、材料、塗佈量等，能夠抑制在第一接合層407與第二接合層404的介面附近產生發光裝置的厚度差異。
另外，在圖6C中，雖然示出剝離層203與剝離層223的大小相同的情況，但也可以如圖6D所示那樣使用大小不同的剝離層。
第一接合層407及第二接合層404以與剝離層203、被剝離層205、被剝離層225及剝離層223重疊的方式配置。並且，第二接合層404的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一個(要先剝離的層)的端部內側。由此，能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起，從而能夠抑制後面的剝離製程的良
率下降。
在此，第二接合層404的材料的固化前流動性較佳為低於第一接合層407的材料的固化前流動性。藉由在由框狀的第二接合層404圍繞的內部中填充有第一接合層407，能夠抑制第一接合層407及第二接合層404擴張到剝離層203的外側，並能夠抑制剝離製程的良率下降。
不限制第一接合層407及第二接合層404的形成順序。例如，既可以在利用網版印刷法等形成第一接合層407之後，利用塗佈法等形成第二接合層404。另外，又可以在利用塗佈法等形成第二接合層404之後，使用ODF(One Drop Fill：滴下式液晶注入)方式的裝置等形成第一接合層407。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖7A、圖7B)。
對固化狀態的第二接合層404、被剝離層205、剝離層203互相重疊的區域照射雷射(參照圖7A的箭頭P1)。
藉由至少在第一層(包含在被剝離層205中且與剝離層203接觸的層)中形成裂縫(使膜裂或裂口產生)，去除第一層的一部分來形成剝離起點(參照圖7B中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層205中的其他層、剝離層203或第二接合層404的一部分。藉由照射雷射，可以使膜的一部分溶
解、蒸發或熱破壞。
雖然可以從任一基板側照射雷射，但較佳為從設置有要剝離的剝離層的基板一側照射雷射。當對剝離層203與剝離層223重疊的區域照射雷射時，藉由在被剝離層205和被剝離層225之中僅在被剝離層205形成裂縫，可以選擇性地剝離形成用基板201及剝離層203。注意，照射雷射一側的基板使用使該雷射透過的材料。
圖11B1至圖11B4示出圖11A中的以點劃線圍繞的區域E的放大圖。各放大圖例示出雷射的照射區域215。
在進行剝離製程時較佳為使被剝離層205與剝離層203分離的力量集中在剝離起點上，因此較佳為在比固化狀態的第二接合層404的中央部更靠近端部附近形成剝離起點。尤其是，在端部附近當中，與邊部附近相比，更佳為在角部附近形成剝離起點。
例如，如圖11B1至圖11B3所示那樣，雷射的照射區域215也可以位於固化狀態的第二接合層404與剝離層203重疊的區域。注意，如圖11B4所示，接觸於第二接合層404的邊地照射雷射的情況也是對固化狀態的第二接合層404與剝離層203重疊的區域照射雷射的方式之一。
另外，如圖11B1、圖11B3及圖11B4所示，當藉由間斷地對第二接合層404的端部附近照射雷射以虛線狀形成剝離起點時，容易進行剝離，所以是較佳的。
此外，也可以藉由連續或間斷地對固化狀態的第二接合層404與剝離層203重疊的區域照射雷射來框狀地形成實線狀或虛線狀的剝離起點。
對用來形成剝離起點的雷射沒有特別的限制。例如，可以使用連續振盪型雷射或脈衝振盪型雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈等)根據形成用基板及剝離層的厚度或材料等而適當地控制。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層205與形成用基板201分離(圖7C、圖7D)。由此，可以將被剝離層205從形成用基板201轉置到形成用基板221。
此時，較佳為將一方的基板固定於抽吸台等。例如，也可以將形成用基板201固定於抽吸台，將被剝離層205從形成用基板201剝離。另外，也可以將形成用基板221固定於抽吸台，將形成用基板201從形成用基板221剝離。
例如，從剝離起點利用物理力(用手或夾具進行剝離的處理、或者使輥子轉動進行分離的處理等)將被剝離層205與形成用基板201分離，即可。
另外，也可以藉由使水等液體浸透到剝離層203與被剝離層205的介面來將形成用基板201與被剝離層205分離。由於毛細現象液體滲到剝離層203與被剝離層205之間，由此可以容易進行分離。此外，能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在被剝離層205的功能元件帶來不
良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。
接著，使用黏合層422將從形成用基板201剝離的被剝離層205與撓性基板420貼合在一起，並固化黏合層422(圖8A)。
接著，使用切割器等鋒利的刀具形成剝離起點(圖8B、圖8C)。
在可以使用刀具等切割沒有設置剝離層223一側的撓性基板420的情況下，也可以在撓性基板420、黏合層422以及被剝離層225中形成切口(參照圖8B的箭頭P2)。由此，去除第一層的一部分，可以形成剝離起點(參照圖8C中的以虛線圍繞的區域)。
在此，雖然示出在固化狀態的第二接合層404與剝離層223重疊的區域中框狀地形成切口來以實線狀形成剝離起點的例子，但不侷限於此。另外，也可以在剝離層223中形成切口。
如圖8B、圖8C所示，當具有使用黏合層422將形成用基板221與撓性基板420貼合在一起而沒有與剝離層223重疊的區域時，有時根據形成用基板221與撓性基板420的密接性程度而使後面的剝離製程的良率下降。因此，較佳為在固化狀態的黏合層422與剝離層223重疊的區域中框狀地形成切口來以實線狀形成剝離起點。由此，能夠提高剝離製程的良率。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層225與形成用基板221分離(圖8D)。由此，可以將被剝離
層225從形成用基板221轉置到撓性基板420。
然後，進行使導電層457露出的製程以及使用黏合層426將絕緣層226與撓性基板428貼合在一起的製程。先進行哪個製程都可以。
不限制為了使導電層457露出而去除與導電層457重疊的層的方法。例如，可以藉由使用針或切割器等刀具或照射雷射等對絕緣層226等造成損傷來去除包括絕緣層226等的一部分的區域，利用該去除的區域為契機來去除與導電層457重疊的層。例如，將具有黏著性的輥子壓在絕緣層226上，使該輥子轉動而相對地移動。或者，將具有黏著性的膠帶貼合到絕緣層226而剝離。
注意，也可以預先在絕緣層463及絕緣層465的與導電層457重疊的區域設置開口部，在該開口部使用與EL層402相同的製程、相同的材料形成EL層，並使用與第二電極403相同的製程、相同的材料形成導電層。由於EL層與導電層的密接性或構成EL層的層之間的密接性低，因此在EL層與導電層的介面處或EL層中產生分離。由此，可以選擇性地去除絕緣層226、接合層、EL層或導電層的與導電層457重疊的區域。另外，當在導電層457上殘留有EL層等時，使用有機溶劑等去除即可。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，照射雷射或使用鋒利的刀具等形成剝離起點，使剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態，然後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。
另外，在本製造方法中，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以進行撓性基板的貼合。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。因此，本製造方法可以說是貼合有機EL元件與濾色片時的位置對準精度高的製造方法。
另外，藉由在固化狀態的第二接合層404與剝離層重疊的區域中開始剝離，可以由第一接合層407和第二接合層404對被剝離層進行雙重密封。因此，能夠製造因水分或氧而導致的有機EL元件劣化得到抑制的可靠性高的發光裝置。
注意，在圖8D中，雖然示出第二接合層404的端部由黏合層422覆蓋的狀態，但是本發明的一個方式的發光裝置不侷限於此。在黏合層422的氣體阻隔性高的情況下，藉由將第二接合層404的端部由黏合層422覆蓋，能夠抑制雜質侵入發光裝置，所以是較佳的。或者，也可以藉由切割發光裝置的端部，使第二接合層404露出到發光裝置側面。由此，可以使發光裝置的非發光區變窄(可以使發光裝置的邊框變窄)。在本發明的一個方式中，由於第二接合層404使用氣體阻隔性高的層，因此即便第二接合層404露出到發光裝置側面也能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
到第一次剝離製程為止，裝置的製造方法2與裝置的製造方法1相同。下面，詳細地說明圖7D之後的製程。
使用第三接合層233及第四接合層235將從形成用基板201分離的被剝離層205與撓性基板231貼合在一起，並固化第三接合層233及第四接合層235(圖9A)。在此，在被剝離層225上設置框狀的第四接合層235以及位於第四接合層235內側的第三接合層233，並將被剝離層225與撓性基板231貼合在一起。
注意，較佳為在減壓氛圍下將被剝離層205與撓性基板231貼合在一起。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖9B、圖9C)。
在此，對固化狀態的第四接合層235照射雷射(參照圖9B的箭頭P3)。可以藉由去除第一層的一部分形成剝離起點(參照圖9C中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層225中的其他層、剝離層223或第四接合層235的一部分。
較佳為從設置有剝離層223的形成用基板221一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層225與形成用基板221分離(圖9D)。由此，可以將被剝離層205以及被剝離層225轉置到撓性基板231。
然後，進行使導電層457露出的製程以及使
用黏合層426將絕緣層226與撓性基板428貼合在一起的製程。先進行哪個製程都可以。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，在將分別設置有剝離層及被剝離層的一對形成用基板貼合在一起之後，藉由照射雷射形成剝離起點，使各自的剝離層與被剝離層處於容易剝離的狀態之後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。
另外，在預先將分別設置有被剝離層的一對形成用基板貼合之後，進行剝離，從而可以進行構成要製造的裝置的基板的貼合。因此，當貼合被剝離層時，可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起，與將撓性基板相互貼合在一起時相比，能夠提高貼合時的位置對準精度。
另外，藉由在固化狀態的第二接合層404與剝離層重疊的區域中開始剝離，可以由第一接合層407和第二接合層404對被剝離層進行雙重密封。因此，能夠製造因水分或氧而導致的有機EL元件劣化得到抑制的可靠性高的發光裝置。
在圖9D所示的結構中，因為有機EL元件450由第一接合層407、第二接合層404、第三接合層233以及第四接合層235密封，所以能夠抑制雜質侵入發光裝置。注意，本發明的一個方式的發光裝置不侷限於此。也可以藉由切割發光裝置的端部，去除第三接合層233及第四接合層235的至少一部分，從而使第二接合層404露出到發光裝置側面。由此，可以使發光裝置的非發光區變窄
(可以使邊框變窄)。在本發明的一個方式中，由於第二接合層404使用氣體阻隔性高的層，因此即便第二接合層404露出到發光裝置側面也能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
下面，示出製造圖3A和圖3B所示的採用分別塗布方式的頂部發射型發光裝置(上述結構實例2)的例子。
另外，藉由改變被剝離層的結構，上述結構實例3至5也可以用相同的方法製造。
首先，如圖10A所示，在形成用基板201上形成剝離層203，在剝離層203上形成被剝離層205。作為被剝離層205，形成與裝置的製造方法1相同的層。注意，在此採用分別塗布方式，因此有機EL元件450所包括的EL層402的至少一部分根據像素被分割。
接著，使用第一接合層407及第二接合層404將形成用基板201與撓性基板428貼合在一起，並固化第一接合層407及第二接合層404(圖10B)。在此，在撓性基板428上設置框狀的第二接合層404和位於框狀的第二接合層404內側的第一接合層407之後，將形成用基板201與撓性基板428相對並貼合在一起。
注意，較佳為在減壓氛圍下將形成用基板201與撓性基板428貼合在一起。
在此，第一接合層407及第二接合層404以
與剝離層203及被剝離層205重疊的方式配置。並且，如圖10B所示那樣，第二接合層404的端部較佳為不位於剝離層203的端部外側。當第二接合層404具有不與剝離層203重疊的區域時，有時根據該區域的面積或第二接合層404與其所接觸的層的密接性程度而容易發生剝離不良。因此，第二接合層404較佳為位於剝離層203內側，或者，第二接合層404的端部較佳為與剝離層203的端部對齊。
另外，如圖11C所示那樣，也可以在第一接合層407及第二接合層404外側設置樹脂層213。圖11C示出從撓性基板428一側觀看時的平面圖以及該平面圖中的點劃線A1-A2間的剖面圖(在平面圖中未圖示撓性基板428)。藉由設置樹脂層213，即便在製程中被剝離層205暴露於大氣氛圍中也能夠抑制水分等雜質混入被剝離層205。
此外，當樹脂層213處於固化狀態時，有時根據形成用基板201與撓性基板428的密接性程度而使後面的剝離製程的良率下降。因此，較佳為使樹脂層213的至少一部分處於半固化狀態或未固化狀態。藉由將黏度高的材料用於樹脂層213，即便樹脂層213處於半固化狀態或未固化狀態也能夠提高抑制大氣中的水分等雜質混入被剝離層205的效果。
另外，例如也可以藉由作為樹脂層213使用光硬化性樹脂並對其一部分照射光，使樹脂層213的一部
分處於固化狀態。藉由使樹脂層213的一部分處於固化狀態，即便在製程中將裝置從減壓氛圍中移動到大氣氛圍中的情況下，也能夠將形成用基板201與撓性基板428的間隔及位置保持為一定，所以是較佳的。此外，在裝置的製造方法1、2中也較佳為形成樹脂層213。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點(圖10B、圖10C)。
對固化狀態的第二接合層404、被剝離層205、剝離層203互相重疊的區域照射雷射(參照圖10B的箭頭P4)。
可以藉由去除第一層的一部分形成剝離起點(參照圖10C中的以虛線圍繞的區域)。此時，除了第一層之外，還可以去除被剝離層205中的其他層、剝離層203或第二接合層404的一部分。
雖然可以從任一基板側照射雷射，但為了抑制散射的光照射到有機EL元件等，較佳為從設置有剝離層203的形成用基板201一側照射雷射。
接著，從所形成的剝離起點將被剝離層205與形成用基板201分離(圖10D)。由此，可以將被剝離層205從形成用基板201轉置到撓性基板428。
在上述的本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，藉由照射雷射形成剝離起點，使剝離層203與被剝離層205處於容易剝離的狀態之後進行剝離。由此，能夠提高剝離製程的良率。
注意，雖然在上述中藉由照射雷射形成剝離起點，但是在可以使用切割器等鋒利的刀具切割撓性基板428的情況下，也可以在撓性基板428、第二接合層404及被剝離層205中形成切口。由此，可以去除第一層的一部分來形成剝離起點。
然後，進行使導電層457露出的製程以及使用黏合層422將被剝離層205與撓性基板420貼合在一起的製程。先進行哪個製程都可以。
另外，藉由在固化狀態的第二接合層404與剝離層203重疊的區域中開始剝離，可以由第一接合層407和第二接合層404對被剝離層205進行雙重密封。因此，能夠製造因水分或氧而導致的有機EL元件劣化得到抑制的可靠性高的發光裝置。
如上所述，能夠進行剝離及轉置的區域的端部位於剝離層203的端部內側。如圖12A至圖12C所示，要剝離的被剝離層205以其端部位於剝離層203的端部內側的方式形成。當具有多個要剝離的被剝離層205時，既可以如圖12B所示那樣對每個被剝離層205設置剝離層203，又可以如圖12C所示那樣在一個剝離層203上設置多個被剝離層205。
參照圖20A至圖20D說明藉由進行剝離及轉置製造具有撓性的樣本的一個例子。在此，示出將被剝離層從玻璃基板轉置到有機樹脂薄膜基板的例子。
作為樣本的製造方法，首先在600mm×720mm
的玻璃基板上作為剝離層形成島狀的鎢膜(579mm×696mm)。然後，在剝離層上形成被剝離層。作為被剝離層，層疊鎢膜上的無機絕緣膜、無機絕緣膜上的多個電晶體、多個電晶體上的黏合層以及黏合層上的有機樹脂薄膜基板。圖20A示出形成在玻璃基板上的多個電晶體。
並且，使用剝離層將玻璃基板與被剝離層分離。如圖20B所示，從玻璃基板剝離的被剝離層具有撓性。然後，使用黏合層將有機樹脂薄膜基板貼合到露出的無機絕緣膜。由此，能夠製造圖20C和圖20D所示的一對有機樹脂薄膜基板之間夾有被剝離層的具有撓性的樣本。另外，在圖20C和圖20D中，作為有機樹脂薄膜基板使用不同的材料。在圖20D中，使用對可見光的透光性比圖20C高的薄膜(具體為PEN薄膜)。
作為被剝離層，使用本發明的一個方式形成有機EL元件或第一接合層及第二接合層，由此，與上述同樣地能夠製造600mm×720mm以上的大型發光裝置。
如上所述，在本發明的一個方式中，在撓性基板與有機EL元件之間設置第一接合層以及第二接合層。藉由將第一接合層由氣體阻隔性高於該第一接合層的第二接合層圍繞，即便第一接合層使用具有固化時的體積減少量小、透光性(尤其是可見光的透過性)高或者折射率高等性質的氣體阻隔性低的材料等，也能夠抑制水分或氧從外部侵入發光裝置。因此，能夠實現發光部的收縮得到抑制且可靠性高的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
在本實施方式中，說明製造本發明的一個方式的發光裝置時的固化接合層的方法的一個例子。
在本實施方式中，說明固化圖2A和圖2B所示的發光裝置中的第一接合層407或第二接合層404時的情況。如圖6C所示，第一接合層407或第二接合層404在一個面側與形成用基板201、剝離層203及被剝離層205重疊而在另一個面側與形成用基板221、剝離層223及被剝離層225重疊。
能夠進行剝離及轉置的區域的端部位於剝離層的端部內側，因此為了製造包括第一接合層407及第二接合層404的發光裝置，需要與剝離層重疊地設置第一接合層407及第二接合層404。並且，還需要經過剝離層使第一接合層407及第二接合層404固化。
下面舉出兩種固化接合層的製程的例子。第一種例子示出將光硬化性樹脂用於第一接合層407或第二接合層404的情況。第二種例子示出將熱固性樹脂用於第二接合層404的情況。
在作為接合層的材料使用光硬化性樹脂時，用來使該
光硬化性樹脂固化的光需要透過形成用基板、剝離層或被剝離層。
在本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，作為剝離層使用鎢膜和氧化鎢膜的疊層結構，並在鎢膜與氧化鎢膜的介面(或者介面附近)處進行剝離，因此能夠將形成用基板與被剝離層分離。
在此，如鎢膜等金屬膜那樣，根據材料，其厚度過大的剝離層的透光性就會降低，此時用來使光硬化性樹脂固化的光不容易透過該剝離層。這引起光硬化性樹脂不能固化或者到使光硬化性樹脂固化為止需要很長時間等問題。
因此，剝離層中的用來固化光硬化性樹脂的光的穿透率較佳為大於0%，更佳為大於或等於1%。
另一方面，若使剝離層的厚度過薄，則有時剝離製程的良率下降。另外，若厚度較薄，則有時不容易以均勻的厚度進行成膜。
因此，剝離層的厚度較佳為2nm以上，更佳為5nm以上。
例如，圖16示出如下樣本的穿透率，該樣本是作為圖6A所示的形成用基板201使用玻璃基板，作為剝離層203使用鎢膜，並且作為被剝離層205使用600nm厚的氧氮化矽膜和200nm厚的氮化矽膜的疊層的樣本。
圖16分別示出鎢膜的厚度為5nm、15nm以及30nm的情況的結果。
即便在鎢膜的厚度為30nm時，也其紫外線穿透率為2至3%左右，因此可知能夠經過樣本使紫外線硬化性樹脂固化。另外，鎢膜越薄，穿透率越高，因此可知能夠經過樣本確實地或在短時間內使紫外線硬化性樹脂固化。
圖12D至圖12F示出製造本發明的一個方式的發光裝置時使用的剝離層的頂面形狀的一個例子。
圖12D是將光硬化性樹脂分別用於第一接合層407以及第二接合層404時使用的剝離層的例子。在圖12D中，在形成用基板301上以島狀設置有剝離層303。此時，剝離層303的厚度以使固化用於各接合層的光硬化性樹脂的光透過的方式決定。由此，能夠固化用於第一接合層407以及第二接合層404的光硬化性樹脂，從而能夠提高發光裝置的可靠性。另外，在將剝離層303的厚度設定為2nm以上時，能夠抑制剝離層303的成膜製程或剝離製程中的良率下降，所以是較佳的。
圖12E和圖12F是將光硬化性樹脂用於第二接合層404時使用的剝離層的例子。
在圖12E中，設置於形成用基板301上的島狀的剝離層以框狀具有膜厚度比區域303b薄的區域303a。區域303a以與第二接合層404重疊的方式形成。
在圖12F中，設置於形成用基板301上的島狀剝離層以框狀具有多個膜厚度比區域303b薄的格子狀區域303a。區域303a以與第二接合層404重疊的方式形
成。
圖12E和圖12F所示的區域303a的厚度以使固化用於第二接合層404的光硬化性樹脂的光透過的方式決定。由此，能夠固化用於第二接合層404的光硬化性樹脂，從而能夠提高發光裝置的可靠性。另外，在將區域303a的厚度設定為2nm以上時，能夠抑制剝離層的成膜製程或剝離製程中的良率下降，所以是較佳的。此外，若比區域303a更厚的區域303b的厚度過厚，則在成膜或進行膜的加工時需要時間，所以區域303b的厚度較佳為2nm以上且1000nm以下，更佳為5nm以上且100nm以下。
參照圖13A至圖13D說明具有厚度較薄的區域303a以及厚度較厚的區域303b的剝離層的製造方法的一個例子。
首先，如圖13A所示，在形成用基板301上形成基底膜302，在基底膜302上形成剝離層303。
在此，作為剝離層303使用25nm厚的鎢膜。
接著，如圖13B所示，在剝離層303上形成光阻劑304。
並且，藉由利用光微影製程將剝離層303加工為多個島狀的剝離層303c。
然後，在基底膜302及剝離層303c上還形成剝離層。在此，形成5nm厚的鎢膜。
藉由上述步驟，能夠形成具有厚度大約30nm
的區域303b以及厚度大約5nm的區域303a的剝離層。藉由與要固化的接合層重疊地設置厚度較薄的區域303a，能夠在短時間內更確實地固化接合層。
雖然上面例示出將鎢用於剝離層的情況，但是本發明不侷限於此。在將其透光性根據厚度發生變化的材料(金屬等)用於剝離層的情況下，同樣地藉由將與接合層重疊的區域的至少一部分形成為薄到其允許使用來固化光硬化性樹脂的光透過，能夠更確實地固化接合層。當經過剝離層使接合層固化時，能夠將接合層包括在發光裝置中，從而能夠提高發光裝置的可靠性。
接下來，示出將熱固性樹脂用於第二接合層404的情況的例子。
在將熱固性樹脂用於接合層時，可以藉由使用加熱器等熱源、或者燈或雷射等光源的加熱處理固化接合層。在使用燈光或雷射時，形成用基板、剝離層或被剝離層需要使該光透過。
在被剝離層包括耐熱性低的濾色片或有機EL元件的情況下，當作為接合層的材料使用光硬化性樹脂時，有在加熱處理時濾色片或有機EL元件受熱損傷的擔憂。
於是，在本發明的一個方式的發光裝置的製造方法中，與接合層重疊地形成吸收層。並且，經過吸收
層加熱接合層以使接合層固化。由此，能夠僅對與吸收層重疊的接合層選擇性地進行加熱。另外，能夠抑制耐熱性低的材料被加熱。
吸收層是吸收為了加熱接合層而照射的光，然後將其轉換為熱的層。吸收層較佳為使用對於照射光具有70%以下的低反射率且具有高吸收率的材料形成。另外，吸收層較佳為使用耐熱性高的材料形成，以防止其本身因熱而發生變化。作為可用於吸收層的材料，例如較佳為使用氮化鈦、氮化鉭、氮化鉬、氮化鎢、氮化鉻、氮化錳等金屬氮化物、或者鉬、鈦、鎢、碳等。
在剝離層兼用作吸收層時，也可以不另行設置吸收層。
例如，如圖14A所示，在形成用基板221上形成島狀的吸收層222，形成覆蓋吸收層222的剝離層223，並且在剝離層223上形成被剝離層225。然後，使用第一接合層407以及第二接合層404將隔著剝離層203設置於形成用基板201上的被剝離層205與被剝離層225貼合在一起。
注意，雖然圖14A示出整個第二接合層404與吸收層222重疊的例子，但是至少一部分重疊即可。
藉由從形成用基板221一側照射燈光或雷射，吸收層222將光轉換為熱。並且，能夠由於該熱而固化第二接合層404。
另外，在本發明的一個方式的發光裝置的製
造方法中，與接合層重疊地形成吸收層，並與耐熱性低的有機EL元件等重疊地形成反射層。然後，經過吸收層加熱接合層以固化接合層。由此，能夠僅對與吸收層重疊的接合層選擇性地進行加熱。另外，藉由設置反射層，能夠抑制有機EL元件等被加熱。
反射層是為了防止加熱有機EL元件等，反射為加熱接合層而照射的光並遮斷光的層。反射層較佳為使用對於照射的光具有高反射率的材料形成。明確而言，反射層較佳為使用對於照射的光具有85%以上，較佳為90%以上的高反射率的材料形成。
作為可用於反射層的材料，例如可以使用鋁、銀、金、鉑、銅、包含鋁的合金(例如，鋁-鈦合金、鋁-釹合金)、或者包含銀的合金(銀-釹合金)等。
例如，如圖14B所示，在形成用基板221上設置與有機EL元件或濾色片重疊的反射層224，在形成用基板221及反射層224上設置吸收層222，並且在吸收層222上依次層疊剝離層223以及被剝離層225。然後，使用第一接合層407以及第二接合層404將隔著剝離層203設置於形成用基板201上的被剝離層205與被剝離層225貼合在一起。
注意，雖然圖14B示出反射層224與第二接合層404沒有重疊的例子，但也可以部分重疊。
藉由從形成用基板221一側照射燈光或雷射，吸收層222將光轉換為熱。並且，能夠由於該熱而固
化第二接合層404。
另外，在設置與有機EL元件或濾色片重疊的絕熱層時，也可以使用加熱器等熱源。作為絕熱層，例如可以較佳為使用氧化鈦、氧化矽、氧氮化矽、氧化鋯、碳化鈦等。絕熱層使用導熱率比用於反射層及吸收層的材料低的材料。
作為用於加熱處理的燈，可以使用以閃光燈(氙氣閃光燈、氪閃光燈等)、氙氣燈、金屬鹵化物燈為代表的放電燈；以鹵素燈、鎢燈為代表的發熱燈。
另外，作為用於加熱處理的雷射，可以使用Ar雷射器、Kr雷射器或準分子雷射器等氣體雷射器；介質為在其中作為摻雜物添加有Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一種或多種的單晶YAG、YVO4、鎂橄欖石(Mg2SiO4)、YAlO3、GdVO4或者為其中作為摻雜物添加有Nd、Yb、Cr、Ti、Ho、Er、Tm和Ta中的一種或多種的多晶(陶瓷)YAG、Y2O3、YVO4、YAlO3、GdVO4的雷射器；玻璃雷射器；紅寶石雷射器；翠綠寶石雷射器；和Ti：藍寶石雷射器；銅蒸氣雷射器；或金蒸氣雷射器等。
另外，在製造的發光裝置可以包括吸收層222或反射層224的情況下，如圖14C所示，也可以在剝離層223上形成吸收層222或反射層224。此時，不限制形成構成被剝離層225的各層、吸收層以及反射層的順序。
如上所述，在使用熱固性樹脂形成接合層
時，藉由設置吸收層，能夠選擇性地加熱接合層。另外，藉由設置反射層，能夠抑制耐熱性低的有機EL元件因熱而受損傷。由此，能夠確實地進行接合層的固化。此外，能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
藉由使用本實施方式所說明的固化接合層的方法，可以將熱固性樹脂或光硬化性樹脂用於接合層。另外，能夠在短時間內確實地固化接合層。此外，即便進行加熱處理也能夠抑制有機EL元件或濾色片受熱損傷。另外，即便將剝離層形成為薄到其允許使光透過，也能夠抑制剝離製程的良率下降。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
在本實施方式中，參照圖15A至圖15G說明使用本發明的一個方式的發光裝置的電子裝置以及照明設備。
藉由使用本發明的一個方式的發光裝置，能夠製造可靠性高且具有撓性的電子裝置或照明設備。
作為電子裝置，例如可以舉出電視機(也稱為電視或電視接收機)、用於電腦等的顯示器、數位相機、數位攝影機、數位相框、行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置)、可攜式遊戲機、可攜式資訊終端、音訊播放裝置、彈珠機等大型遊戲機等。
此外，由於本發明的一個方式的發光裝置具
有撓性，因此也可以沿著房屋及高樓的內壁或外壁、或者汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝該發光裝置。
圖15A示出行動電話機的一個例子。行動電話機7400除了組裝在外殼7401的顯示部7402之外還具備操作按鈕7403、外部連接埠7404、揚聲器7405、麥克風7406等。另外，將本發明的一個方式的發光裝置用於顯示部7402來製造行動電話機7400。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的行動電話機。
在圖15A所示的行動電話機7400中，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以輸入資訊。此外，藉由用手指等觸摸顯示部7402可以進行打電話或輸入文字等所有操作。
此外，藉由操作按鈕7403的操作，可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7402的影像的種類。例如，可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖15B是腕帶型的可攜式顯示裝置的一個例子。可攜式顯示裝置7100包括外殼7101、顯示部7102、操作按鈕7103以及收發裝置7104。
可攜式顯示裝置7100能夠由收發裝置7104接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示在顯示部7102。此外，也可以將聲音信號發送到其他接收設備。
此外，可以由操作按鈕7103進行電源的
ON、OFF工作、顯示的影像的切換或者音量的調整等。
在此，顯示部7102組裝有本發明的一個方式的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的可攜式顯示裝置。
圖15C至圖15E示出照明設備的一個例子。照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220都包括具備操作開關7203的底座7201以及由底座7201支撐的發光部。
圖15C所示的照明設備7200具備具有波狀發光面的發光部7202。因此，其為設計性高的照明設備。
圖21A示出可用於圖15C所示的發光部7202的發光裝置的一個例子。圖21A所示的發光裝置7209包括能夠在彎曲的狀態下發光的發光面板7205。該發光面板7205具有撓性且包括具有凸曲面及凹曲面的發光區域7204。另外，發光區域7204位於發光裝置7209的正面。
圖21B和圖21C示出發光裝置7209的背面的平面圖的例子。並且，圖21B還示出平面圖的點劃線Z1-Z2間的剖面圖，圖21C示出平面圖的點劃線Z3-Z4間的剖面圖。另外，圖21B和圖21C例示出沒有彎曲的狀態的發光裝置7209。
如圖21B所示，發光裝置也可以在背面包括與發光面板7205電連接的FPC7207以及支撐體7206。
另外，如圖21C所示，發光裝置也可以在背面包括與發光面板7205電連接的FPC7207以及覆蓋
FPC7207的支撐體7206。
此外，如圖21D所示，藉由在支撐體7206的兩側都設置FPC以及發光面板，能夠製造雙面發光的發光裝置。
作為支撐體7206，除了實施方式1所示的撓性基板之外，還可以使用彎曲的非撓性基板。藉由使發光面板7205沿著支撐體7206彎曲，能夠實現具有波狀發光面的發光部7202。
圖22A示出發光裝置7209的一個例子的透視圖，圖22B示出其平面圖。另外，圖22C示出圖21B所示的結構中的FPC7207與支撐體7206的位置關係。
圖15D所示的照明設備7210所具備的發光部7212採用彎曲為凸狀的兩個發光部對稱地配置的結構。因此，可以以照明設備7210為中心全方位地進行照射。
圖15E所示的照明設備7220具備彎曲為凹狀的發光部7222。因此，將來自發光部7222的發光聚集到照明設備7220的前面，所以適用於照亮特定範圍的情況。
此外，因為照明設備7200、照明設備7210及照明設備7220所具備的各發光部具有撓性，所以也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意彎曲發光部的發光面的結構。
雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備，但是也可以以將具備有發光部的外殼固定或吊在天花
板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備，因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。
在此，在各發光部中組裝有本發明的一個方式的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖15F示出可攜式顯示裝置的一個例子。顯示裝置7300具備外殼7301、顯示部7302、操作按鈕7303、顯示部取出構件7304以及控制部7305。
顯示裝置7300在筒狀的外殼7301內具備有卷成捲筒狀的撓性顯示部7302。
此外，顯示裝置7300能夠由控制部7305接收影像信號，且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7302。此外，控制部7305具備電池。此外，也可以採用在控制部7305具備有連接連接器的端子部以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。
此外，可以由操作按鈕7303進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。
圖15G示出使用顯示部取出構件7304取出顯示部7302的狀態的顯示裝置7300。在此狀態下，可以在顯示部7302上顯示影像。另外，藉由使用配置在外殼7301的表面上的操作按鈕7303，可以容易地以單手操作。此外，如圖15F所示那樣，藉由將操作按鈕7303配置在外殼7301的一側而不是中央，可以容易地以單手操
作。
另外，為了在取出顯示部7302時使該顯示部7302的顯示面成為平面狀而將顯示部7302固定，也可以在顯示部7302的側部設置用來加固的框。
此外，除了該結構以外，也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的聲音信號來輸出聲音的結構。
顯示部7302組裝有本發明的一個方式的發光裝置。藉由本發明的一個方式，能夠提供一種輕量且可靠性高的顯示裝置。
本實施方式可以與其他實施方式自由地組合。
在本實施例中，製造本發明的一個方式的具有撓性的發光裝置，並且對其可靠性進行評價。
圖17A1示出本實施例所製造的樣本1的平面圖，圖17B示出圖17A1的點劃線X5-Y5間的剖面圖。另外，圖17A2示出本實施例所製造的樣本2的平面圖，圖17C示出圖17A2的點劃線X6-Y6間的剖面圖。此外，圖18A示出作為對比例子製造的對比樣本的平面圖，圖18B示出圖18A的點劃線X7-Y7間的剖面圖。
另外，在本實施例的樣本中，關於與實施方式1所說明的結構實例1(圖2A、圖2B)相同的結構，
有時省略其說明。另外，在本實施例的樣本的製造方法中，關於與實施方式1所說明的裝置的製造方法1(圖6A至圖8D)相同的結構，有時省略其說明。
樣本1包括撓性基板420；撓性基板428；撓性基板420與撓性基板428之間的電晶體455；電晶體455與撓性基板428之間的有機EL元件450；撓性基板428與有機EL元件450之間的第一接合層407；以及圍繞第一接合層407的框狀的第二接合層404a。
在樣本1中，包含在發光部491以及驅動電路部493中的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428、第一接合層407以及第二接合層404a密封。
樣本1與結構實例1(圖2A、圖2B)的不同之處是：樣本1在絕緣層226與第二接合層404a之間包括第一接合層407。
樣本2包括撓性基板420；撓性基板428；撓性基板420與撓性基板428之間的電晶體455；電晶體455與撓性基板428之間的有機EL元件450；撓性基板428與有機EL元件450之間的第一接合層407；圍繞第一接合層407的框狀的第三接合層404b；以及圍繞第三接合層404b的框狀的第二接合層404a。
在樣本2中，包含在發光部491以及驅動電路部493中的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428、第一接合層407、第三接合層404b以及第二
接合層404a密封。
在本發明的一個方式的發光裝置中，圍繞第一接合層407的第二接合層404a和第三接合層404b中的至少一者的氣體阻隔性較佳為高於第一接合層407，更佳的是，兩者的氣體阻隔性都高於第一接合層407。
樣本2與結構實例1(圖2A、圖2B)的不同之處是：樣本2包括第三接合層404b，並在絕緣層226與第二接合層404a之間以及絕緣層226與第三接合層404b之間分別包括第一接合層407。
對比樣本包括撓性基板420；撓性基板428；撓性基板420與撓性基板428之間的電晶體455；電晶體455與撓性基板428之間的有機EL元件450；以及撓性基板428與有機EL元件450之間的第一接合層407。
在對比樣本中，包含在發光部491以及驅動電路部493中的有機EL元件或電晶體由撓性基板420、撓性基板428以及第一接合層407密封。
對比樣本與結構實例1(圖2A、圖2B)的不同之處是：對比樣本不包括第二接合層404。
作為樣本1、樣本2以及對比樣本的製造方法，首先在一對形成用基板上分別形成剝離層，然後在各剝離層上形成被剝離層。作為各剝離層，都形成30nm厚的鎢膜。作為一方的形成用基板上的被剝離層，形成圖17B中的絕緣層424至有機EL元件450的疊層結構。作為另一方的形成用基板上的被剝離層，形成圖17B中的絕
緣層226至保護層453的疊層結構。
接著，在樣本1中，使用第一接合層407以及第二接合層404a將一對形成用基板以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並固化第一接合層407以及第二接合層404a。
另外，在樣本2中，使用第一接合層407、第二接合層404a及第三接合層404b將一對形成用基板以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並固化第一接合層407、第二接合層404a及第三接合層404b。
此外，在對比樣本中，使用第一接合層407將一對形成用基板以各自的形成有被剝離層的面相對的方式貼合在一起，並固化第一接合層407。
在每個樣本中，第一接合層407使用熱固性樹脂。藉由以80℃進行加熱處理兩小時固化第一接合層407。
在樣本1中，第二接合層404a使用紫外線硬化性樹脂。藉由照射紫外線200秒鐘固化第二接合層404a。
在樣本2中，第二接合層404a使用紫外線硬化性樹脂，而第三接合層404b使用包含沸石的紫外線硬化性樹脂。可以將沸石用作乾燥劑。藉由照射紫外線200秒鐘固化第二接合層404a以及第三接合層404b。另外，在因為乾燥劑吸附水分等而使用包含該乾燥劑的樹脂形成的接合層具有較小的水蒸氣透過量的情況下，即便其樹脂
本身的氣體阻隔性較低，也可以說該接合層是氣體阻隔性較高的層。
如實施方式2所說明的接合層的固化方法1所示的穿透率結果那樣，在樣本1及樣本2中，能夠經過30nm厚的鎢膜固化紫外線硬化性樹脂。
另外，在每個樣本中，都在減壓氛圍下進行貼合。
接著，藉由照射雷射形成剝離起點。尤其在樣本1及樣本2中，對與固化狀態的第二接合層404a重疊的區域照射雷射。由此，能夠使樣本1成為具有包括第二接合層404a以及第一接合層407的結構的發光裝置，並使樣本2成為具有包括第二接合層404a、第三接合層404b以及第一接合層407的結構的發光裝置。
並且，從所形成的剝離起點將被剝離層與第一個形成用基板分離。
然後，使用黏合層將所露出的被剝離層與撓性基板貼合在一起，並固化黏合層。接著，使用切割器形成剝離起點，從所形成的剝離起點將被剝離層與第二個形成用基板分離。
然後，使用黏合層將所露出的被剝離層與撓性基板貼合在一起，並固化黏合層。另外，使導電層457露出並使其與FPC495電連接。
對所製造的每個樣本進行可靠性測試。明確而言，在高溫高濕環境(溫度為65℃，濕度為90%)下
保持每個樣本。圖19A至圖19G示出使用光學顯微鏡觀察每個樣本的顯示狀態的結果。在圖19A至圖19F中，上層示出倍率為100倍的照片，下層示出倍率為500倍的照片。圖19G僅示出倍率為100倍的照片。
圖19A示出對對比樣本進行可靠性測試之前的顯示狀態。另外，圖19B示出在高溫高濕環境下保持並經過100小時之後的對比樣本的顯示狀態。
圖19C示出對樣本1進行可靠性測試之前的顯示狀態。另外，圖19D示出在高溫高濕環境下保持並經過500小時之後的樣本1的顯示狀態。
圖19E示出對樣本2進行可靠性測試之前的顯示狀態。另外，圖19F示出在高溫高濕環境下保持並經過500小時之後的樣本2的顯示狀態。此外，圖19G示出在高溫高濕環境下保持並經過1000小時之後的樣本2的顯示狀態。
在對比樣本中，在從可靠性測試開始起經過100小時之後，確認到收縮(在此是指從發光部端部開始的亮度劣化或發光部的非發光區的擴大)的發生。另外，雖然在樣本1中從可靠性測試開始起經過500小時之後，確認到收縮稍微發生，但是在樣本2中沒有確認到收縮的發生。此外，從可靠性測試開始起經過1000小時之後，在樣本2中，在一般收縮容易發生的區域的發光部四角中也沒有確認到收縮的發生。
由本實施例的結果可知，使用本發明的一個
方式的樣本1及樣本2的可靠性高於對比樣本。如樣本1及樣本2那樣，藉由採用包括圍繞第一接合層的框狀的接合層的結構，能夠抑制水分侵入第一接合層以及有機EL元件等元件。
另外，如樣本2那樣，藉由作為圍繞第一接合層的框狀的第三接合層使用包含乾燥劑的樹脂並作為圍繞第三接合層的框狀的第二接合層使用不包含乾燥劑的樹脂，能夠提高發光裝置的可靠性。氣體阻隔性高的第二接合層能夠抑制水分等侵入，即便水分透過第二接合層包含在第三接合層中的乾燥劑也可以吸附該水分，因此能夠抑制水分侵入第一接合層以及有機EL元件等元件。
Claims (6)
- 一種發光裝置的製造方法，包括如下步驟：在第一基板上形成第一剝離層；在該第一剝離層上形成第一被剝離層，該第一被剝離層包括發光元件；在第二基板上形成第二剝離層；在該第二剝離層上形成第二被剝離層，該第二被剝離層包括著色層；使用第一接合層以及第二接合層將該第一基板與該第二基板貼合在一起，該第一接合層由該第二接合層圍繞；使該第一接合層以及該第二接合層固化；將該第一基板與該第一被剝離層分離以使該第一被剝離層殘留在該第二基板上；使用第三接合層以及第四接合層將第一撓性基板貼合到該第二基板以使該第一被剝離層由該第三接合層覆蓋；使該第三接合層以及該第四接合層固化；以及將該第二基板與該第二被剝離層分離以使該第二被剝離層殘留在該第一撓性基板上。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法，其中藉由經過該第二剝離層對該第一接合層以及該第二接合層照射紫外光來進行使該第一接合層以及該第二接合層固化的步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法，還包括在將該第一基板從該第一被剝離層剝離之前，經過該第一基板對該第一剝離層照射雷射光束的步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法，還包括在將該第二基板從該第二被剝離層剝離之前，經過該第二基板對該第二剝離層照射雷射光束的步驟。
- 根據申請專利範圍第1項之發光裝置的製造方法，還包括如下步驟：在該第二基板與該第二剝離層之間形成反射層；以及在該反射層與該第二剝離層之間形成吸收層。
- 根據申請專利範圍第5項之發光裝置的製造方法，其中該吸收層被光照射而發熱，並且其中使用該吸收層所產生的熱使該第二接合層固化。
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