CN110447309A - El设备的制造方法以及el设备的制造装置 - Google Patents

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Abstract

EL设备的制造方法包含在母玻璃基板(50)上层压树脂层(12)、势垒层(3)、以及保护膜(11)的层压工序，层压工序包含粘接力强化层形成工序，即，沿着母玻璃基板(50)的端面形成用于强化势垒层(3)与保护膜(11)之间的粘接力的粘接力强化层(1)。

Description

EL设备的制造方法以及EL设备的制造装置
技术领域
本发明涉及一种包含向层压有树脂层、无机密封膜、以及保护膜的母玻璃基板的背面照射激光，并沿着母玻璃基板与树脂层之间的界面插入刀具而将母玻璃基板从树脂层剥离的工序的EL(electroluminescence)设备的制造方法以及EL设备的制造装置。
背景技术
作为EL设备等的薄膜设备的制造方法，已知有在第一基材上层压分离层和薄膜设备，在薄膜设备上粘接第二基材，通过在分离层与第一基材的界面产生剥离现象，从而将第一基材从薄膜设备侧剥离进而将薄膜设备转印于第二基材侧的制造方法(专利文献1)。
在该制造方法中，在分离层与第一基材的界面设置局部密接力不同的部位而形成分离膜，该局部密接力不同的部位通过第一基材的表面处理来形成。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本公开专利公报“日本特开2005-183615号(2005年7月7日公开)”
发明内容
本发明所要解决的技术问题
现在，例如像形成有柔性的EL设备的显示面板那样，对弯曲的显示面板的期望正在高涨。在制造这样的显示面板时，在母玻璃基板上形成包含树脂层、EL层、无机密封膜、以及保护膜的层压体，
在向母玻璃基板的背面照射激光后，沿着母玻璃基板与树脂层之间的界面插入刀具而将母玻璃基板从树脂层剥离，并将柔性的下表面膜粘贴于树脂层。
然而，存在有树脂层的周缘区域在激光的照射后与母玻璃基板之间的粘接力也不易下降这样的问题。因此，在激光的照射处理前粘贴于无机密封膜上的保护膜的粘接力较弱的情况下，有时为了剥离玻璃基板而插入的刀具会打滑并进入保护膜与无机密封膜之间的界面，而不是进入树脂层与母玻璃基板之间的界面，从而产生剥离不良。推测其原因在于，保护膜与无机密封膜之间的粘接力成为周缘区域的树脂层与母玻璃基板之间的粘接力同等以下。
通过提高激光照射时照射的激光的强度而使周缘区域的树脂层与母玻璃基板之间的粘接力下降，从而某种程度上抑制剥离不良的产生，但是并不期望伴随着灰尘的增加而提高激光的强度。
此外，假定无机密封膜上的保护膜在显示面板的点亮检查后被剥离，因此使用粘接力较强的保护膜而无法使保护膜与无机密封膜之间的粘接力和周缘区域的树脂层与母玻璃基板之间的粘接力同等。
解决问题的方案
本发明的一个方式所涉及的EL设备的制造方法，其特征在于，包含：层压工序，在母玻璃基板上层压树脂层、势垒层、以及保护膜；激光照射工序，从所述母玻璃基板的所述树脂层的相反侧照射激光；剥离工序，沿着所述母玻璃基板与所述树脂层之间的界面插入刀具而将所述母玻璃基板从所述树脂层剥离；以及粘贴工序，向所述母玻璃基板被剥离的树脂层粘贴下表面膜，所述层压工序包含粘接力强化层形成工序，沿着所述母玻璃基板的端面形成用于强化所述势垒层与所述保护膜之间的粘接力的粘接力强化层。
发明效果
根据本发明的一方式，能够提供一种能够良好地剥离母玻璃基板的EL设备的制造方法以及EL设备的制造装置。
附图说明
图1为第一实施方式所涉及的母玻璃基板的俯视图。
图2的(a)为沿着图1所示的面AA的剖视图，(b)为母玻璃基板被剥离并粘贴有下表面膜的状态下的沿着面AA的剖视图。
图3为沿着图1所示的面BB的剖视图。
图4的(a)为表示第一实施方式所涉及的EL设备的制造方法的流程图，(b)为表示第一实施方式所涉及的柔性EL设备的制造方法的主要部分的流程图。
图5的(a)为沿着图1所示的面CC的剖视图，(b)为沿着图1所示的面FF的剖视图。
图6的(a)为所述母玻璃基板的端部区域的剖视图，(b)为从与所述母玻璃基板的表面垂直的方向观察到的剖视图。
图7为表示所述EL设备的制造方法的激光照射工序的剖视图。
图8为表示所述EL设备的制造方法的剥离工序的剖视图。
图9为表示所述EL设备的制造方法的粘贴工序的剖视图。
图10为表示比较例所涉及的剥离工序的剖视图。
图11的(a)为第二实施方式所涉及的母玻璃基板的端部区域的剖视图，(b)为从与所述母玻璃基板的表面垂直的方向观察到的剖视图。
图12的(a)为第三实施方式所涉及的母玻璃基板的端部区域的剖视图，(b)为从与所述母玻璃基板的表面垂直的方向观察到的剖视图。
图13的(a)为第四实施方式所涉及的母玻璃基板的端部区域的剖视图，(b)为从与所述母玻璃基板的表面垂直的方向观察到的剖视图。
具体实施方式
(第一实施方式)
(母玻璃基板50)
图1为第一实施方式所涉及的母玻璃基板50(母基材10)的俯视图。图2(a)为沿着图1所示的面AA的剖视图，(b)为剥离了母玻璃基板50并粘贴有下表面膜50A的状态下的沿着面AA的剖视图。图3为沿着图1所示的面BB的剖视图。图4(a)为表示第一实施方式所涉及的EL设备的制造方法的流程图，(b)为表示第一实施方式所涉及的柔性EL设备的制造方法的主要部分的流程图。
首先，对具有刚性的EL设备的制造方法进行说明。
如图1、图2(a)以及图4(a)所示，首先，在母基材10上形成树脂层12(步骤S1)。接下来，形成势垒层3(步骤S2)。接下来，形成包含栅极绝缘膜16以及钝化膜18、20以及有机层间膜21的TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)层4(步骤S3)。接下来，形成发光元件层(例如，OLED(Organic Light Emitting Diode，有机发光二极管)元件层)5(步骤S4)。接下来，形成包含无机密封膜26、28以及有机密封膜27的密封层6，从而制成层压体7(步骤S5)。接下来，沿着裁断线DL(图1)将母基材10连同层压体7一起裁断，从而形成单片化的多个EL设备2(步骤S7)。接下来，经由粘接层38粘贴功能膜39(步骤S8)。接下来，在TFT层4的端部安装电子电路基板(步骤S9)。另外，通过EL设备的制造装置实施所述各步骤。
接着，对柔性的EL设备2A的制造方法进行说明。
在制造柔性的EL设备2A的情况下，如图1、图2(b)以及图4(b)所示，例如在母玻璃基板50上形成层压体7(树脂层12、势垒层3、TFT层4、发光元件层5以及密封层6)，在层压体7上经由粘接层13而粘贴保护膜11(步骤S6a)。接下来，越过母玻璃基板50而向树脂层12的下表面照射激光(步骤S6b)。在此，树脂层12的下表面(与母玻璃基板50的界面)因烧蚀而变质，从而树脂层12以及母玻璃基板50间的结合力下降。接下来，将母玻璃基板50从树脂层12剥离(步骤S6c)。接下来，在树脂层12的下表面经由粘接层粘贴由PET(poly ethyleneterephthalate，聚对苯二甲酸乙二酯)等构成的下表面膜50A(步骤S6d)。其后进行到所述步骤S7。
作为树脂层12的材料，例如可列举出聚酰亚胺、环氧树脂、聚酰胺等。作为下表面膜50A的材料，例如可列举出聚对苯二甲酸乙二酯(PET)。
势垒层3是在EL设备的使用时防止水分、杂质到达TFT层4、发光元件层5的层，例如能够由通过CVD(Chemical VaporDeposition，化学气相沉积)而形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氧氮化硅膜、或它们的层压膜构成。
TFT层4包含：半导体膜15、形成于半导体膜15的上层的栅极绝缘膜16、形成于栅极绝缘膜16的上层的栅电极G、形成于栅电极G的上层的钝化膜18、20、形成于钝化膜18的上层的电容电极C以及端子TM(图3)、形成于钝化膜20的上层的源极布线S以及漏极布线D、形成于源极布线S以及漏极布线D的上层的有机层间膜(平坦化膜)21。薄层晶体管(TFT)构成为包含半导体膜15、栅极绝缘膜16、以及栅电极G。在TFT层4的非有源区域NA形成有用于与电子电路基板的连接的多个端子TM(图3)。
半导体膜15例如由低温多晶硅(LTPS，Low-Temperature PolycrystallineSilicon)或者氧化物半导体构成。栅极绝缘膜16能够由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜或它们的层压膜构成。栅电极G、源电极S、漏极电极D、以及端子TM例如由包含铝(Al)、钨(W)、钼(Mo)、钽(Ta)、铬(Cr)、钛(Ti)、铜(Cu)中的至少一种金属的单层膜或者层压膜构成。另外，在图2中，通过顶部栅极构造示出了将半导体膜15作为通道的TFT，但也可以是底部栅极构造(例如，TFT的通道为氧化物半导体的情况)。
栅极绝缘膜16以及钝化膜18、20能够由例如通过CVD法形成的氧化硅(SiOx)膜或者氮化硅(SiNx)膜或它们的层压膜构成。有机层间膜21例如能够由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。
发光元件层5(例如，有机发光二极管层)包含形成于有机层间膜21的上层的第一电极22(例如，阳极电极)、覆盖第一电极22的边缘的有机绝缘膜23、形成于第一电极22的上层的EL(electroluminescence)层24、以及形成于EL层24的上层的第二电极25，由第一电极22、EL层24、以及第二电极25构成发光元件(例如，有机发光二极管)。有源区域DA的有机绝缘膜23作为对子像素区域进行限定的堤部(像素分隔壁)而发挥功能。
有机绝缘膜23能够由例如聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。有机绝缘膜23例如能够以注射方式涂布于有源区域DA以及非有源区域NA。
在非有源区域NA设置于包围有源区域的堤状的凸体TK。凸体TK对有机密封膜27(例如，以注射方式形成的膜)的边缘进行限定。凸体TK构成为例如包含有机层间膜21以及有机绝缘膜23y中的至少一方。
EL层24通过蒸镀法或者注射法形成于由有机绝缘膜23包围而成的区域(子像素区域)。在发光元件层5为有机发光二极管(OLED)层的情况下，EL层24例如通过从下层侧起依次层压正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层、电子注入层来构成。另外，还能够将EL层24中的一个以上的层设为(在多个像素中共享)共用层。
第一电极(阳极)22例如通过层压由包含ITO(Indium Tin Oxide)和Ag的合金来构成，并具有光反射性。第二电极(例如，阴极电极)25为共用电极，且能够由ITO(Indium TinOxide)、IZO(Indium Zincum Oxide)等透明金属构成。
在发光元件层5为OLED层的情况下，通过第一电极22以及第二电极25间的驱动电流而正孔与电子在EL层24内再结合，由此产生的激子下降到基底状态从而释放光。
发光元件层5并不限于构成OLED元件的情况，也可以构成无机发光二极管或者量子点发光二极管。
密封层6覆盖发光元件层5来防止水、氧等异物向发光元件层5的浸透。密封层6包含覆盖有机绝缘膜23以及第二电极25的无机密封膜26、形成于无机密封膜26的上层并作为缓冲膜发挥功能的有机密封膜27、以及覆盖无机密封膜26以及有机密封膜27的无机密封膜28。
无机密封膜26以及无机密封膜28分别能够由例如通过使用了掩膜的CVD形成的氧化硅膜、氮化硅膜、或者氧氮化硅膜、或它们的层压膜构成。有机密封膜27为比无机密封膜26以及无机密封膜28厚的透光性的有机绝缘膜，且能够由聚酰亚胺、亚克力等可涂布的感光性有机材料构成。例如，在将包含这样的有机材料的油墨注射涂布于无机密封膜26上后，通过UV(UltraViolet，紫外线)照射而被固化。
功能膜39例如具有光学补偿功能、触控传感器功能、以及保护功能等。在具有它们中的一个以上的功能的层被层压于发光元件层5的上层的情况下，能够减薄或去除功能膜39。电子电路基板例如为安装于多个端子TM上的IC芯片或者柔性印刷基板(FPC)。
(激光照射工序以及剥离工序)
以下，对用于制造第一实施方式所涉及的柔性的EL设备的激光照射工序(步骤S6b)以及剥离工序(步骤S6c)详细地进行说明。
图5(a)为沿着图1所示的面CC的剖视图，并与表示柔性的EL设备的图2(b)对应。图5(b)为沿着图1所示的面FF的剖视图。
在面CC、面FF中，如图5(a)(b)所示那样，以图2(b)所示的势垒层3以覆盖树脂层12的整个面的方式层压于树脂层12之上。并且，在面FF中，如图5(b)所示那样，在势垒层3之上形成有TFT层4、发光元件层5。并且，以覆盖TFT层4、发光元件层5的方式层压密封层6，在密封层6之上形成有保护膜11。在面CC中，如图5(a)所示那样，保护膜11层压于势垒层3之上。
图6(a)为母玻璃基板50的端部区域的剖视图，(b)为从与母玻璃基板50的表面垂直的方向观察到的剖视图。图6(b)与沿着图6(a)所示的面DD的截面对应，图6(a)与沿着图6(b)所示的面EE的截面对应。
树脂层12具有朝向母玻璃基板50的端面51而膜厚减少的斜面14。势垒层3沿着树脂层12的表面、斜面14、以及斜面14与端面51之间的母玻璃基板50的表面区域形成。如图5(a)(b)所示那样，势垒层3形成为覆盖树脂层12的整个面。在势垒层3之上经由粘接层13形成有保护膜11。粘接层13例如使用用于偏振片的粘接的粘接剂。
用于强化势垒层3与保护膜11之间的粘接力的粘接力强化层1沿着母玻璃基板50的端面51形成。在图6所示的示例中，粘接力强化层1形成为到达母玻璃基板50的端面51。并且，粘接力强化层1沿着母玻璃基板50的四边形成。如此，在无机密封膜28的周边部仅形成有粘接力强化层1。因此，仅周边部的粘接力被强化的保护膜11粘贴于无机密封膜28。
对于粘接力强化层1以及粘接层13的结构，通过在与母玻璃基板50的表面平行的面内使用粘接力不同的特殊的保护膜来实现。
图7为表示EL设备2A的制造方法的激光照射工序(LLO(Laxer Lift Off)工序)的剖视图。图8为表示EL设备2A的制造方法的剥离工序的剖视图。图9为表示EL设备2A的制造方法的粘贴工序的剖视图。
在通过层压机构63将层压体7层压于母玻璃基板50并经由粘接层13对保护膜11进行了粘贴后，参照图4(b)所述那样，越过母玻璃基板50而利用激光照射机构61向树脂层12的下表面照射激光。并且沿着母玻璃基板50与树脂层12之间的界面插入刀具62(剥离机构)而将母玻璃基板50从树脂层12剥离。接着，通过粘贴机构64将下表面膜50A粘贴于树脂层12。
当通过激光照射机构61照射激光时，树脂层12的中央部与母玻璃基板50的中央部之间的粘接力下降。另一方面，在与树脂层12的膜厚急剧变化的斜面14对应的区域，树脂层12与母玻璃基板50之间的粘接力不易下降。在第一实施方式中，通过粘接力强化层1来强化势垒层3与保护膜11之间的粘接力。因此，在与斜面14对应的区域，保护膜11与势垒层3之间的粘接力远大于母玻璃基板50与树脂层12之间的粘接力。因此，能够沿着母玻璃基板50与树脂层12之间的界面插入刀具62而将母玻璃基板50从树脂层12最佳地剥离。
(比较例)
图10为表示比较例所涉及的剥离工序的剖视图。如上所述，在与树脂层12的膜厚急剧变化的斜面14对应的区域，即使照射激光，母玻璃基板50与树脂层12之间的粘接力也不易下降。因此，在与所述斜面14对应的区域，保护膜11与势垒层3之间的粘接力成为母玻璃基板50与树脂层12之间的粘接力以下。在该情况下，为了剥离母玻璃基板50而插入的刀具62打滑，而进入保护膜11与势垒层3之间的界面，而不进入树脂层12与母玻璃基板50之间的界面，从而产生母玻璃基板50未被剥离而保护膜11被剥离的剥离不良。假定势垒层3上的保护膜11在EL设备2A的点亮检查后被剥离，因此使用粘接力较强的保护膜11，也无法将保护膜11与势垒层3之间的粘接力设为与斜面14对应的区域的树脂层12和母玻璃基板50之间的粘接力同等以上。
与此相对，在第一实施方式中，用于强化势垒层3与保护膜11之间的粘接力的粘接力强化层1沿着母玻璃基板50的端面51形成。因此，势垒层3与保护膜11之间的粘接力沿着母玻璃基板50的端面51而被强化。因此，在与斜面14对应的区域，保护膜11与势垒层3之间的粘接力远大于母玻璃基板50与树脂层12之间的粘接力。因此，能够防止刀具62进入保护膜11与势垒层3之间的界面，并抑制所述剥离不良的产生。
保护膜11与势垒层3之间的粘接力，在比较例中为0.01～0.05N(牛顿)/25mm(毫米)，但通过形成粘接力强化层1而被强化至约100倍程度。保护膜11与势垒层3之间的粘接力优选为，0.1N/25mm以上的粘接力。并且，保护膜11与势垒层3之间的粘接力优选为，母玻璃基板50与树脂层12之间的粘接力的2～10倍程度以上。
此外，根据第一实施方式，能够将激光照射工序中照射的激光的强度下降至需要最低限度的水平，因此还能够期待抑制由灰尘引起的成品率的下降的效果。
另外，在通过粘接力强化层1而对粘接力实施了强化的区域在为了单片化而进行裁断时(步骤S7)被切掉，因此不会对单片化的后工序中的工艺造成影响。
在上述的实施方式中，示出了粘接力强化层1沿着母玻璃基板50的四边而形成的示例，但本发明并不限定于此。粘接力强化层1只要沿着供用于剥离的刀具62插入的边形成即可，且只要沿着至少一边形成即可。
(第二实施方式)
图11(a)为第二实施方式所涉及的母玻璃基板50的端部区域的剖视图，(b)为从与母玻璃基板50的表面垂直的方向观察到的剖视图。对与第一实施方式中所述的构成要素相同的结构要素标注相同参照附图标记。不重复这些结构要素的详细的说明。
第一实施方式所涉及的粘接力强化层1形成为到达母玻璃基板50的端面51，但是第二实施方式所涉及的粘接力强化层1A仅形成于相当于树脂层12的端部的部位。
如图11所示，粘接力强化层1A从树脂层12的斜面14的下端形成于沿着与越过上端的位置对应的母玻璃基板50的周缘的区域。也可以以覆盖斜面14的下侧的方式形成粘接力强化层1A。
由此，在树脂层12的外侧的区域未形成有粘接力强化层1A，因此保护膜11与母玻璃基板50之间的密接力未被强化且保持较弱的状态。因此，除第一实施方式的效果以外，可起到易于插入用于剥离母玻璃基板50的刀具62这样的效果。
(第三实施方式)
图12(a)为第三实施方式所涉及的母玻璃基板50的端部区域的剖视图，(b)为从与母玻璃基板50的表面垂直的方向观察到的剖视图。对与第一实施方式中所述的构成要素相同的结构要素标注相同参照附图标记。不重复这些结构要素的详细的说明。
在第三实施方式中，针对保护膜11的粘接层13使用UV固化树脂或热固化树脂，仅对沿着母玻璃基板50的周缘的区域进行UV照射或加热从而使UV固化树脂或热固化树脂固化而形成粘接力强化层1B。
如此，对粘接层13进行UV照射或对粘接层13进行加热，从而形成粘接力强化层1B，因此如第一实施方式那样，无需在面内使用粘接力不同的特殊的保护膜。因此，除第一实施方式的效果以外，能够减少材料成本。
(第四实施方式)
图13(a)为第四实施方式所涉及的母玻璃基板50的端部区域的剖视图，(b)为从与母玻璃基板50的表面垂直的方向观察到的剖视图。对与第一实施方式中所述的构成要素相同的结构要素标注相同参照附图标记。不重复这些结构要素的详细的说明。
在第四实施方式中，重叠贴合粘接力较弱的保护膜11与粘接力较强的保护膜11C。
粘接力强化层1C不仅形成于沿着母玻璃基板50的周缘的区域，还以覆盖形成于中央部的粘接层13以及保护膜11的方式形成于母玻璃基板50的整个面。并且，在粘接力强化层1C之上形成有保护膜11C。
由此，需要两张保护膜11、11C且需要的保护膜的张数增加，但保护膜11、11C能够使用廉价的保护膜，而不用使用第一实施方式那样的特殊的保护膜。此外，无需第三实施方式那样的用于UV照射等的设备。因此，除第一实施方式的效果以外，能够降低剥离工序的总成本。
本实施方式所涉及的EL显示器为，具备OLED(Organic Light Emitting Diode：有机发光二极管)的有机EL(Electro Luminescence：电致发光)显示器、或具备无机发光二极管的无机EL显示器等的EL显示器、以及具备QLED(Quantum dot Light Emitting Diode：量子点发光二极管)的QLED显示器等。
〔总结〕
方式1的EL设备的制造方法，包含：层压工序，在母玻璃基板上层压树脂层、势垒层、以及保护膜；激光照射工序，从所述母玻璃基板的所述树脂层的相反侧照射激光；剥离工序，沿着所述母玻璃基板与所述树脂层之间的界面插入刀具而将所述母玻璃基板从所述树脂层剥离；以及粘贴工序，向所述母玻璃基板被剥离的树脂层粘贴下表面膜，所述层压工序包含沿着所述母玻璃基板的端面形成用于强化所述势垒层与所述保护膜之间的粘接力的粘接力强化层的粘接力强化层形成工序。
在方式2中，所述层压工序包含在所述势垒层与所述保护膜之间层压发光元件层的工序，所述势垒层形成为覆盖所述树脂层的整个面。
在方式3中，所述粘接力强化层沿着所述母玻璃基板的至少一边形成。
在方式4中，所述粘接力强化层形成为到达所述母玻璃基板的端面。
在方式5中，所述树脂层具有朝向所述母玻璃基板的端面而膜厚减少的斜面，在所述斜面形成有所述粘接力强化层。
在方式6中，在所述粘接力强化层的内侧和外侧形成有具有粘接力比所述粘接力强化层的粘接力弱的粘接层。
在方式7中，所述粘接力强化层由光固化树脂或热固化树脂构成。
在方式8中，所述光固化树脂包含UV固化树脂。
在方式9中，所述粘接力强化层形成为覆盖所述母玻璃基板的整个面。
在方式10中，所述层压工序包含在所述势垒层与所述粘接力强化层之间层压第二保护膜的工序，所述第二保护膜形成在所述树脂层的端面的内侧，所述第二保护膜与所述势垒层之间的粘接力比所述保护膜与所述势垒层之间的粘接力弱。
在方式11中，还包含将粘贴有所述下表面膜的母玻璃基板裁断而形成单片化的多个EL设备的裁断工序。
方式12的EL设备的制造装置具备：层压机构，其在母玻璃基板上层压树脂层、势垒层、以及保护膜；激光照射机构，其从所述母玻璃基板的所述树脂层的相反侧照射激光；剥离机构，其沿着所述母玻璃基板与所述树脂层之间的界面插入刀具而将所述母玻璃基板从所述树脂层剥离；以及粘贴机构，其向所述母玻璃基板被剥离的树脂层粘贴下表面膜，所述层压机构沿着所述母玻璃基板的端面形成用于强化所述势垒层与所述保护膜之间的粘接力的粘接力强化层。
本发明并不限定于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内实施各种变更，对不同的实施方式中分别公开的技术手段进行适当组合而获得的实施方式也包含于本发明的技术范围内。而且，对各实施方式中分别公开的技术手段进行组合能够形成新的技术特征。
附图标记说明
1：粘接力强化层
2：EL设备
3：势垒层
11：保护膜
11A：第二保护膜
12：树脂层
13：粘接层
14：斜面
28：无机密封膜
50：母玻璃基板
50A：下表面膜
51：端面
61：激光照射机构
62：刀具(剥离机构)
63：层压机构
64：粘贴机构

Claims (12)

1.一种EL设备的制造方法，其特征在于，包含：
层压工序，在母玻璃基板上层压树脂层、势垒层、以及保护膜；
激光照射工序，从所述母玻璃基板的所述树脂层的相反侧照射激光；
剥离工序，沿着所述母玻璃基板与所述树脂层之间的界面插入刀具而将所述母玻璃基板从所述树脂层剥离；以及
粘贴工序，于剥离了所述母玻璃基板的树脂层粘贴下表面膜，
所述层压工序包含粘接力强化层形成工序，沿着所述母玻璃基板的端面形成用于强化所述势垒层与所述保护膜之间的粘接力的粘接力强化层。
2.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述层压工序包含在所述势垒层与所述保护膜之间层压发光元件层的工序，
所述势垒层形成为覆盖所述树脂层的整个面。
3.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述粘接力强化层沿着所述母玻璃基板的至少一边形成。
4.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述粘接力强化层形成为到达所述母玻璃基板的端面。
5.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述树脂层具有朝向所述母玻璃基板的端面而膜厚减少的斜面，
在所述斜面形成有所述粘接力强化层。
6.根据权利要求5所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
在所述粘接力强化层的内侧和外侧形成有具有粘接力比所述粘接力强化层的粘接力弱的粘接层。
7.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述粘接力强化层由光固化树脂或热固化树脂构成。
8.根据权利要求7所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述光固化树脂包含UV固化树脂。
9.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述粘接力强化层形成为覆盖所述母玻璃基板的整个面。
10.根据权利要求9所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
所述层压工序包含在所述势垒层与所述粘接力强化层之间层压第二保护膜的工序，
所述第二保护膜形成在所述树脂层的端面的内侧，
所述第二保护膜与所述势垒层之间的粘接力比所述保护膜与所述势垒层之间的粘接力弱。
11.根据权利要求1所述的EL设备的制造方法，其特征在于，
还包含裁断工序，将粘贴有所述下表面膜的母玻璃基板裁断而形成单片化的多个EL设备。
12.一种EL设备的制造装置，其特征在于，具备：
层压机构，其在母玻璃基板上层压树脂层、势垒层、以及保护膜；
激光照射机构，其从所述母玻璃基板的所述树脂层的相反侧照射激光；
剥离机构，其沿着所述母玻璃基板与所述树脂层之间的界面插入刀具而将所述母玻璃基板从所述树脂层剥离；以及
粘贴机构，其于剥离了所述母玻璃基板的树脂层粘贴下表面膜，
所述层压机构沿着所述母玻璃基板的端面形成用于强化所述势垒层与所述保护膜之间的粘接力的粘接力强化层。
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