JP2016119291A - 発光装置、モジュール、電子機器、及び発光装置の作製方法 - Google Patents

発光装置、モジュール、電子機器、及び発光装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2016119291A
JP2016119291A JP2015201645A JP2015201645A JP2016119291A JP 2016119291 A JP2016119291 A JP 2016119291A JP 2015201645 A JP2015201645 A JP 2015201645A JP 2015201645 A JP2015201645 A JP 2015201645A JP 2016119291 A JP2016119291 A JP 2016119291A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
substrate
layer
light emitting
adhesive layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015201645A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016119291A5 (ja
JP6527067B2 (ja
Inventor
章裕 千田
Akihiro Senda
章裕 千田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of JP2016119291A publication Critical patent/JP2016119291A/ja
Publication of JP2016119291A5 publication Critical patent/JP2016119291A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6527067B2 publication Critical patent/JP6527067B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/842—Containers
    • H10K50/8426—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/351—Thickness
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Surgical Instruments (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

【課題】信頼性の高い発光装置を提供する。【解決手段】発光部の外側に枠状に設けられた非発光部が、発光部よりも厚さが薄い部分を有する、発光装置を提供する。基板上に発光素子、接着層、及び枠状の隔壁を形成する。隔壁は接着層と間隔を空けて、かつ、接着層及び発光素子を囲むように設ける。減圧雰囲気下で一対の基板を重ねた後、一対の基板を大気雰囲気又は加圧雰囲気に曝すと、一対の基板及び隔壁で囲まれた空間は減圧状態が保持され、一対の基板が大気圧によって加圧される。または、基板上に発光素子及び接着層を形成する。一対の基板を重ねた後、接着層を硬化させる前に、又は接着層を硬化させながら、凸部を有する部材を用いて、接着層に圧力を加える。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、発光装置、モジュール、電子機器、及びそれらの作製方法に関する。本発明の一態様は、特に、有機エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下ＥＬとも記す）現象を利用した発光装置とその作製方法に関する。
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置（例えば、タッチセンサなど）、入出力装置（例えば、タッチパネルなど）、それらの駆動方法、又は、それらの製造方法を一例として挙げることができる。
近年、発光装置や表示装置は様々な用途への応用が期待されており、多様化が求められている。
例えば、携帯機器用途等の発光装置や表示装置では、薄型であること、軽量であること、又は破損しにくいこと等が求められている。
ＥＬ現象を利用した発光素子（ＥＬ素子とも記す）は、薄型軽量化が容易である、入力信号に対し高速に応答可能である、直流低電圧電源を用いて駆動可能である等の特徴を有し、発光装置や表示装置への応用が検討されている。
例えば、特許文献１に、フィルム基板上に、スイッチング素子であるトランジスタや有機ＥＬ素子を備えたフレキシブルなアクティブマトリクス型の発光装置が開示されている。
有機ＥＬ素子は、外部から侵入する水分や酸素などの不純物により信頼性が損なわれてしまうという課題がある。
有機ＥＬ素子の外部から、水分や酸素などの不純物が、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物や金属材料に侵入することで、有機ＥＬ素子の寿命は大幅に低減されてしまう場合がある。有機ＥＬ素子に用いる有機化合物や金属材料が、水分や酸素などの不純物と反応し、劣化してしまうためである。
したがって、不純物の侵入を防ぐために有機ＥＬ素子を封止する技術について、研究開発が進められている。
特開２００３−１７４１５３号公報
本発明の一態様は、信頼性の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。
また、本発明の一態様は、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。または、本発明の一態様は、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することを目的の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、発光部及び非発光部を有し、非発光部は、発光部の外側に枠状に設けられ、非発光部は、発光部よりも厚さが薄い部分を有する、発光装置である。非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有していてもよい。第１の部分は、第２の部分よりも発光部に近く、かつ、第２の部分よりも厚さが薄い。
本発明の一態様は、発光部及び非発光部を有する発光装置であり、非発光部は、発光部の外側に枠状に設けられ、非発光部は、発光部側から発光装置の端部にかけて連続的に厚さが薄くなっている部分を有する、発光装置である。非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有していてもよい。第１の部分は、第２の部分よりも発光部に近く、かつ、発光部側から発光装置の端部側にかけて厚さが薄くなっている。第２の部分は、発光部側から発光装置の端部にかけて厚さが厚くなっている。
発光装置は、可撓性を有することが好ましい。
発光部は、発光素子及びトランジスタを有していてもよい。トランジスタは、発光素子と電気的に接続される。発光素子は、有機ＥＬ素子であると好ましい。
非発光部は、信号線駆動回路又は走査線駆動回路の少なくとも一方を有していてもよい。
本発明の一態様は、発光部及び非発光部を有し、発光部は、第１の可撓性基板、第２の可撓性基板、第１の接着層、第２の接着層、第１の絶縁層、及び第１の機能層を有し、非発光部は、第１の可撓性基板、第２の可撓性基板、第１の接着層、第２の接着層、及び第１の絶縁層を有し、第１の接着層は、第１の可撓性基板と第１の絶縁層の間に位置し、第２の接着層は、第２の可撓性基板と第１の絶縁層の間に位置し、第１の機能層は、第２の接着層と第１の絶縁層の間に位置し、第１の接着層と第２の接着層は、第１の絶縁層を介して互いに重なる部分を有し、第１の機能層は、発光素子を有し、非発光部の少なくとも一部では、発光部に比べて、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間隔が狭い、発光装置である。非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有していてもよい。第１の部分は、第２の部分よりも発光部に近い。第１の部分では、第２の部分に比べて、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間隔が狭い。
第２の部分では、発光部に比べて、第１の可撓性基板と第２の可撓性基板との間隔が狭くてもよいし、同じであってもよいし、広くてもよい。
第１の部分は、発光部の外側に枠状に設けられていてもよい。第２の部分は、第１の部分の外側に枠状に設けられていてもよい。
上記各構成において、発光部は、第３の接着層、第２の絶縁層、及び第２の機能層を有し、非発光部は、第３の接着層、及び第２の絶縁層を有し、第３の接着層は、第２の接着層と第１の絶縁層の間に位置し、第２の絶縁層は、第２の接着層と第３の接着層の間に位置し、第１の機能層と第２の機能層は、第３の接着層を介して互いに重なる部分を有し、第２の機能層は、着色層を有していてもよい。
第３の接着層の厚さは、発光部よりも非発光部の方が小さいことが好ましい。発光部は第３の部分を有し、非発光部は第４の部分を有し、第４の部分の第３の接着層の厚さは、第３の部分の第３の接着層の厚さよりも小さく、好ましくは、第３の部分の第３の接着層の厚さの１／２であり、より好ましくは第３の部分の第３の接着層の厚さの１／３である。具体的には、第４の部分の第３の接着層の厚さは、０．１μｍ以上１０μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以上５μｍ以下、より好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下である。
第１の可撓性基板の厚さと、第２の可撓性基板の厚さは、それぞれ、発光部と非発光部とで等しいことが好ましい。本発明の一態様では、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を設けた後に、可撓性基板を貼り合わせる。そのため、可撓性基板に力がかかって伸縮することを抑制できる。
また、上記いずれかの構成が適用された表示装置、半導体装置、又は入出力装置等の装置も本発明の一態様である。これらの装置はそれぞれ、機能層に含まれる機能素子が異なる。例えば、本発明の一態様の表示装置は、機能素子として表示素子を有する。本発明の一態様の半導体装置は、機能素子として半導体素子を有する。本発明の一態様の入出力装置は、機能素子として発光素子又は表示素子と、タッチセンサと、を有する。
また、本発明の一態様は、上記いずれかの構成が適用された発光装置、表示装置、半導体装置、又は入出力装置を有し、フレキシブルプリント回路基板（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ、以下、ＦＰＣと記す）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたモジュール、又はＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式等により集積回路（ＩＣ）が実装されたモジュールである。
また、上記モジュールを用いた電子機器や照明装置も本発明の一態様である。例えば、本発明の一態様は、上記モジュールと、アンテナ、バッテリ、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器である。
本発明の一態様は、第１乃至第４の工程を有する発光装置の作製方法（以下、作製方法Ａと記す）であって、第１の工程は、第１の基板上に発光素子を形成する工程を有し、第２の工程は、接着層及び隔壁を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、第３の工程は、第１の雰囲気下で第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子を、隔壁、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する工程を有し、第４の工程は、第２の雰囲気下で、接着層及び隔壁を硬化する工程を有し、第１の雰囲気は、第２の雰囲気よりも圧力が低く、第２の工程では、隔壁が、接着層と間隔を空けて、かつ、接着層を囲むように、隔壁を形成する、発光装置の作製方法である。
本発明の一態様は、第１乃至第６の工程を有する発光装置の作製方法（以下、作製方法Ｂと記す）であって、第１の工程は、第１の基板上に剥離層を形成する工程を有し、第２の工程は、剥離層上に被剥離層を形成する工程を有し、第２の工程では、剥離層上の絶縁層と、絶縁層上の発光素子と、を被剥離層として形成し、第３の工程は、接着層及び隔壁を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、第３の工程では、接着層が剥離層及び被剥離層と重なるように、接着層を形成し、第３の工程では、隔壁が、接着層と間隔を空けて、かつ、接着層を囲むように、隔壁を形成し、第４の工程は、第１の雰囲気下で第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子を、隔壁、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する工程を有し、第５の工程は、第２の雰囲気下で接着層を硬化する工程を有し、第６の工程は、第１の基板と、被剥離層と、を分離する工程を有し、第１の雰囲気は、第２の雰囲気よりも圧力が低い、発光装置の作製方法である。
作製方法Ｂにおいて、第５の工程では、接着層を硬化する前に、又は、接着層と同一工程で、隔壁を硬化することが好ましい。
作製方法Ａ、Ｂにおいて、例えば、第１の雰囲気が減圧雰囲気であり、第２の雰囲気が大気雰囲気又は加圧雰囲気であってもよい。
また、本発明の一態様は、第１乃至第５の工程を有する発光装置の作製方法（以下、作製方法Ｃと記す）であって、第１の工程は、第１の基板上に発光素子を形成する工程を有し、第２の工程は、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、第３の工程は、第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板で囲む工程を有し、第４の工程は、凸部を有する部材を用いて、接着層に圧力を加える工程を有し、第５の工程は接着層を硬化する工程を有する、発光装置の作製方法である。
作製方法Ｃにおいて、第４の工程と第５の工程とを、同時に行うことが好ましい。
作製方法Ｃにおいて、第２の工程は、隔壁を第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有していてもよい。隔壁は、接着層を囲むように設けられる。第３の工程と第４の工程の間に、隔壁を硬化する工程を有することが好ましい。
また、本発明の一態様は、第１乃至第７の工程を有する発光装置の作製方法（以下、作製方法Ｄと記す）であって、第１の工程は、第１の基板上に剥離層を形成する工程を有し、第２の工程は、剥離層上に被剥離層を形成する工程を有し、第２の工程では、剥離層上の絶縁層と、絶縁層上の発光素子と、を被剥離層として形成し、第３の工程は、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、第３の工程では、接着層が剥離層及び被剥離層と重なるように、接着層を形成し、第４の工程は、第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板で囲む工程を有し、第５の工程は、凸部を有する部材を用いて、接着層に圧力を加える工程を有し、第６の工程は接着層を硬化する工程を有し、第７の工程は、第１の基板と、被剥離層と、を分離する工程を有する、発光装置の作製方法である。
作製方法Ｄにおいて、第５の工程と第６の工程とを、同時に行うことが好ましい。
作製方法Ｄにおいて、第３の工程は、隔壁を第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有していてもよい。隔壁は、接着層を囲むように設けられる。第４の工程と第５の工程の間に、隔壁を硬化する工程を有することが好ましい。
本発明の一態様により、可撓性を有し、信頼性の高い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
また、本発明の一態様により、新規な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、軽量な発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、破損しにくい発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。また、本発明の一態様により、厚さが薄い発光装置、表示装置、電子機器、もしくは照明装置を提供することができる。
なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、明細書、図面、請求項の記載から、これら以外の効果を抽出することが可能である。
発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の作製方法の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 発光装置の一例を示す図。 入出力装置の一例を示す図。 入出力装置の一例を示す図。 入出力装置の一例を示す図。 入出力装置の一例を示す図。 入出力装置の一例を示す図。 電子機器及び照明装置の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 電子機器の一例を示す図。 実施例１の試料の作製方法を示す図。 実施例１の結果を示す写真。 実施例２の発光装置の断面観察の結果を示す写真。 実施例２の発光装置の断面観察の結果を示す写真。 実施例３の発光装置及びその作製方法を示す図。 実施例３の発光装置の作製方法を示す図。 実施例３の発光装置の発光状態を示す写真。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
また、図面において示す各構成の、位置、大きさ、範囲などは、理解の簡単のため、実際の位置、大きさ、範囲などを表していない場合がある。このため、開示する発明は、必ずしも、図面に開示された位置、大きさ、範囲などに限定されない。
なお、「膜」という言葉と、「層」という言葉とは、場合によっては、又は、状況に応じて、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」という用語を、「導電膜」という用語に変更することが可能である。または、例えば、「絶縁膜」という用語を、「絶縁層」という用語に変更することが可能である。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置と、その作製方法について図１〜図２３を用いて説明する。
本実施の形態では、主に有機ＥＬ素子を用いた発光装置を例示するが、本発明の一態様はこれに限られない。実施の形態２で例示する、他の発光素子や表示素子を用いた発光装置又は表示装置も、本発明の一態様である。また、本発明の一態様は、発光装置及び表示装置に限られず、半導体装置、入出力装置等の各種装置に適用することができる。
発光装置を構成する機能素子（発光素子やトランジスタ等）は、外部から侵入する水分等の不純物により劣化し、信頼性が損なわれてしまう場合がある。発光装置の厚さ方向からの（言い換えると、発光面と、発光面に対向する面からの）不純物の侵入は、機能素子を一対のガスバリア性の高い層（基板や絶縁膜等）で挟持することで抑制することができる。一方、発光装置の側面では、発光素子やトランジスタを封止するための接着層が大気に露出する。例えば、接着層に樹脂を用いる場合、ガラスフリット等を用いる場合に比べて、耐衝撃性や耐熱性に優れ、外力等による変形で壊れにくいという利点がある。一方で、樹脂は、ガスバリア性、防水性、又は防湿性が不十分な場合がある。
そこで、本発明の一態様の発光装置では、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を有する構成とする。発光装置は、発光部及び非発光部を有し、非発光部は、発光部の外側に枠状に設けられる。
発光装置の側面から水分等の不純物が侵入してきた場合、発光装置（接着層）に、他の部分よりも厚さが薄い領域があると、不純物が該領域を通過しにくくなる。その結果、発光装置（接着層）の厚さが一定の場合に比べて、不純物が機能素子に到達しにくくなり、発光装置の信頼性の低下を抑制することができる。
このように、発光装置の形状（又は接着層の厚さ）によって信頼性を高めることができるため、接着層に用いる材料の選択の幅が広くなる。接着層に樹脂を用いることで、発光装置の可撓性や曲げ耐性を高めることができる。
なお、他の部分よりも厚さが薄い領域は、非発光部に局所的に設けられていてもよい。または、非発光部の発光部側から発光装置の端部にかけて連続的に（滑らかに）厚さが薄くなっている部分を有していてもよい。
本発明の一態様の発光装置の２種類の作製方法を簡単に説明する。
＜作製方法ａ＞
まず、第１の基板及び第２の基板を用意する。次に、第１の基板上に発光素子を形成する。次に、接着層及び隔壁を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する。隔壁は、接着層と間隔を空けて、かつ、接着層及び発光素子を囲むように、設けられる。
次に、第１の雰囲気下で、第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子及び接着層を、隔壁、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間に配置する。例えば、第１の雰囲気が減圧雰囲気の場合、隔壁、第１の基板、及び第２の基板に囲まれた空間は減圧状態となる。なお、接着層と隔壁は間隔を空けて設けられるため、該空間には中空の部分が生じる。
次に、第２の雰囲気下に第１の基板及び第２の基板を曝す。例えば、第２の雰囲気が大気雰囲気の場合、一対の基板が大気圧によって加圧される。そして、基板の端部に向かって接着層が広がり、隔壁と接着層の間の中空の部分に接着層が充填される。これにより、発光装置の端部に中央部よりも厚さが薄い部分が設けられる。なお、第２の雰囲気は第１の雰囲気よりも圧力が高ければよい。
その後、接着層及び隔壁を硬化する。本発明の一態様では、接着層又は隔壁の少なくとも一方を、第１の雰囲気よりも圧力が高い雰囲気下で硬化すればよい。双方を第１の雰囲気よりも圧力が高い雰囲気下で硬化することで、発光装置に、厚さが十分に薄い部分を確実に形成することができるため、好ましい。以上により、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を有する構成の発光装置を作製することができる。
＜作製方法ｂ＞
まず、第１の基板及び第２の基板を用意する。次に、第１の基板上に発光素子を形成する。次に、接着層を、第１の基板上又は第２の基板上に形成する。
次に、第１の基板及び第２の基板を重ね、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板で囲む。
そして、接着層が完全に硬化する前に、非発光部の少なくとも一部に圧力を加え、発光部よりも厚さが薄い部分を非発光部に形成する。
例えば、凸部を有する第３の基板を用いて、非発光部の少なくとも一部に圧力を加えることができる。具体的には、凸部が非発光部と重なるように、第３の基板を非発光部に重ねる。そして、第１の基板、第２の基板、及び第３の基板の積層構造を、加圧する。これにより、非発光部のうち凸部と重なる部分とその近傍が押し潰され、他の部分よりも接着層の厚さが薄くなり、発光装置の非発光部に、発光部よりも厚さが薄い第１の部分を設けることができる。なお、非発光部は、厚さが薄い第１の部分の外側に、第１の部分より厚さが厚い第２の部分を有していてもよい。第２の部分と、発光部とで、発光装置の厚さの大小関係に限定はなく、第２の部分の方が、発光部よりも薄くてもよいし、厚くてもよいし、同一であってもよい。
加圧をしながら、又は加圧をした後に、接着層を硬化する。接着層を硬化することで、発光素子を、接着層、第１の基板、及び第２の基板によって封止することができる。以上により、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を有する構成の発光装置を作製することができる。
以下に、本発明の一態様の発光装置の構成と作製方法を例示する。まず、上記作製方法ａを用いて作製することができる構成例ａ−１、ａ−２、ａ−３について説明する。次に、構成例ａ−２及び構成例ａ−３の詳細な作製方法を説明する。次に、上記作製方法ｂを用いて作製することができる構成例ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３について説明する。最後に、構成例ｂ−１、ｂ−２、ｂ−３それぞれの詳細な作製方法を説明する。なお、各構成例及び各作製方法において、先に例示した構成例又は作製方法と同様の部分については、繰り返しの詳細な説明は省略する。
＜構成例ａ−１＞
図１（Ａ）に、発光装置の上面図を示す。図１（Ｂ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図１（Ｃ）に、図１（Ｂ）の変形例を示す。図１（Ｄ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
図１（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４及び駆動回路部８０６を有する。発光装置において、発光部８０４以外の部分は、すべて非発光部といえる。したがって、発光部８０４の外側に非発光部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路部８０６は非発光部の一部である。
図１（Ａ）〜（Ｄ）に示す発光装置は、基板２５１、機能層２０４、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、及び基板２５９を有する。
発光部８０４では、基板２５１上に機能層２０６が設けられている。
機能層２０６は、発光素子を含む。さらに、トランジスタや容量素子等を含んでいてもよい。
発光素子としては、自発光が可能な素子を用いることができ、電流又は電圧によって輝度が制御される素子をその範疇に含んでいる。例えば、発光ダイオード（ＬＥＤ）、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子等を用いることができる。発光素子は、トップエミッション型、ボトムエミッション型、デュアルエミッション型のいずれであってもよい。
駆動回路部８０６では、基板２５１上に機能層２０４が設けられている。
機能層２０４は、トランジスタを含む。さらに、容量素子、抵抗素子、又はスイッチ素子等を含んでいてもよい。本発明の一態様の発光装置は、駆動回路部として、信号線駆動回路又は走査線駆動回路の少なくとも一方を有していてもよい。また、本発明の一態様の発光装置は、駆動回路部を有していなくてもよい。
導電層２０８は、駆動回路部８０６に外部からの信号（ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。図１（Ｂ）、（Ｃ）では、導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。
基板には、ガラス、石英、有機樹脂、金属、合金などの材料を用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板は、該光を透過する材料を用いる。
可撓性基板を用いてもよい。例えば、有機樹脂や可撓性を有する程度の厚さのガラス、金属、合金を用いることができる。
ガラスに比べて有機樹脂は比重が小さいため、可撓性基板として有機樹脂を用いると、ガラスを用いる場合に比べて発光装置を軽量化でき、好ましい。
基板には、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機樹脂基板や、厚さの薄い金属基板もしくは合金基板を用いることで、ガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
金属基板や合金基板を構成する材料としては、特に限定はないが、例えば、アルミニウム、銅、ニッケル、又は、アルミニウム合金もしくはステンレス等の金属の合金などを好適に用いることができる。
また、基板に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。
可撓性及び透光性を有する材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板（プリプレグともいう）や、無機フィラーを有機樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板を使用することもできる。
また、基板として、パルプを連続シートに加工した透明な不織布や、フィブロインと呼ばれるたんぱく質を含む人工くも糸繊維を含むシートや、これらと樹脂とを混合させた複合体、繊維幅が４ｎｍ以上１００ｎｍ以下のセルロース繊維からなる不織布と樹脂膜の積層体、人工くも糸繊維を含むシートと樹脂膜の積層体を用いてもよい。
図１（Ｂ）〜（Ｄ）に示すように、発光部８０４においては、発光装置の厚さ（又は接着層２０７の厚さ）は均一（概略均一）である。一方、非発光部は、厚さが薄い領域を有する。言い換えると、非発光部は、発光部８０４に比べて、基板２５１と基板２５９との間隔が狭い部分を有する。このように、発光装置の端部の厚さが、発光部８０４等の厚さよりも薄いことで、水分や酸素などの不純物が発光装置の内部に侵入することを抑制することができる。
なお、図１（Ｂ）では、非発光部のうち、駆動回路部８０６や導電層２０８が設けられた部分には、発光部よりも厚さが薄い領域を有していない例を示す。発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側では、発光装置の端部から発光部８０４までの最短距離が、他の辺に比べて長く、不純物が発光素子等に到達しにくい。このような場合には、非発光部であっても、発光部よりも厚さが薄い部分を設けなくてもよい。これにより、駆動回路部８０６を構成する素子が曲げにより劣化することを抑制することができる。また、導電層２０８とＦＰＣ８０８を確実に導通させることができる。なお、本発明の一態様では、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い部分を枠状に有していてもよい。図１（Ｃ）では、非発光部のうち、駆動回路部８０６や導電層２０８が設けられた部分にも、発光部よりも厚さが薄い領域を有する例を示す。
なお、図２（Ａ）、（Ｂ）に示す、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間とＡ３−Ａ４間の断面図の組み合わせのように、発光装置の四辺のうち二辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。また、図２（Ｃ）、（Ｄ）に示す、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間とＡ３−Ａ４間の断面図の組み合わせのように、発光装置の四辺のうち一辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。
構成例ａ−１では、基板２５１上に直接、機能層２０６が設けられた例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。以下の構成例ａ−２、ａ−３に示すように、作製基板上で作製した機能層２０６を、基板２５１上に転置してもよい。この方法によれば、例えば、耐熱性の高い作製基板上で形成した被剥離層を、耐熱性の低い基板に転置することができ、被剥離層の作製温度が、耐熱性の低い基板によって制限されない。作製基板に比べて軽い、薄い、又は可撓性が高い基板等に被剥離層を転置することで、発光装置の軽量化、薄型化、フレキシブル化を実現できる。
＜構成例ａ−２＞
図３（Ａ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図３（Ｂ）に、図１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
図３（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、基板２５１、接着層２５３、機能層２０４、絶縁層２０５、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、及び基板２５９を有する。
発光部８０４では、絶縁層２０５上に機能層２０６が設けられている。基板２５１と絶縁層２０５は、接着層２５３によって貼り合わされている。
絶縁層２０５としては、ガスバリア性や防水性、防湿性等の高い絶縁層を用いることが好ましい。
防湿性の高い絶縁層としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜や、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。
例えば、防湿性の高い絶縁層の水蒸気透過量は、１×１０−５［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０−６［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０−７［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０−８［ｇ／（ｍ２・ｄａｙ）］以下とする。
駆動回路部８０６では、絶縁層２０５上に機能層２０４が設けられている。
導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。なお、図３（Ｃ）に示すように、基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７だけでなく、接着層２５３によっても貼り合わされていてもよい。例えば、基板２５９の端部が接着層２５３と接していてもよい。
さらに、接着層２５３が基板２５１又は基板２５９の少なくとも一方の端部よりも外側にまで設けられていてもよい。これにより、接着層２５３は、基板２５１又は基板２５９の少なくとも一方の側面を覆うことができる。図３（Ｄ）では、接着層２５３が、基板２５１の端部及び基板２５９の端部と接している例を示す。接着層２５３の端部は、基板２５１の端部及び基板２５９の端部よりも外側に位置する。また、図３（Ｅ）では、接着層２５３が、基板２５１の端部と接している例を示す。
また、接着層２０７や接着層２５３とは別に、接着層２５４を用いて、基板２５１又は基板２５９の少なくとも一方の側面を覆ってもよい。
＜構成例ａ−３＞
図４（Ａ）に、発光装置の上面図を示す。図４（Ｂ）に、図４（Ａ）における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図を示す。図４（Ｃ）に、図４（Ｂ）の変形例を示す。図４（Ｄ）に、図４（Ａ）における一点鎖線Ｂ３−Ｂ４間の断面図を示す。
図４（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４及び駆動回路部８０６を有する。発光装置において、発光部８０４以外の部分は、すべて非発光部といえる。したがって、発光部８０４の外側に非発光部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路部８０６は非発光部の一部である。
図４（Ａ）〜（Ｄ）に示す発光装置は、基板２５１、接着層２５３、機能層２０４、絶縁層２０５、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、絶縁層２２５、機能層２５６、接着層２５７、及び基板２５９を有する。
発光部８０４は、機能層２０６及び機能層２５６を有する。機能層２０６は接着層２０７よりも基板２５１側に設けられ、機能層２５６は接着層２０７よりも基板２５９側に設けられている。
機能層２５６としては、例えば、着色層（カラーフィルタなど）や遮光層（ブラックマトリクスなど）が挙げられる。または、機能層２５６として、タッチセンサ等のセンサを有していてもよい。
基板２５１と絶縁層２０５は、接着層２５３によって貼り合わされている。基板２５９と絶縁層２２５は、接着層２５７によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２２５としては、ガスバリア性や防水性、防湿性等の高い絶縁層を用いることが好ましい。
導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。構成例ａ−１、ａ−２とは異なり、構成例ａ−３では、基板２５１と基板２５９が同じ大きさの例を示している。基板２５９、接着層２５７、絶縁層２２５、及び接着層２０７に開口を設けることで、導電層２０８と接続体８２５を接続することができる。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。
なお、図４（Ｂ）では、発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側で、非発光部に発光部よりも厚さが薄い領域を有していない例を示したが、図４（Ｃ）に示すように、発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側においても、非発光部に発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。これにより、水分や酸素などの不純物が発光装置の内部に侵入することをさらに抑制することができる。
＜構成例ａ−２の作製方法例＞
図５〜図７を用いて、上記構成例ａ−２の作製方法について例示する。図５〜図７では、各工程における、一点鎖線Ａ３−Ａ４方向（図１（Ａ）参照）の断面構造を示す。
はじめに、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成し、絶縁層２０５上に機能層２０６を形成する（図５（Ａ））。なお、絶縁層２０５及び機能層２０６をまとめて被剥離層と呼ぶことができる。
ここでは、島状の剥離層を形成する例を示したがこれに限られない。また、絶縁層２０５を島状に形成してもよい。この工程では、作製基板２０１と絶縁層２０５とを分離する際に、作製基板２０１と剥離層２０３の界面、剥離層２０３と絶縁層２０５の界面、又は剥離層２０３中で分離が生じるような材料を選択する。本実施の形態では、絶縁層２０５と剥離層２０３の界面で分離が生じる場合を例示するが、剥離層２０３や絶縁層２０５に用いる材料の組み合わせによってはこれに限られない。
作製基板２０１には、少なくとも作製行程中の処理温度に耐えうる耐熱性を有する基板を用いる。作製基板２０１としては、例えばガラス基板、石英基板、サファイア基板、半導体基板、セラミック基板、金属基板、樹脂基板、プラスチック基板などを用いることができる。
なお、量産性を向上させるため、作製基板２０１として大型のガラス基板を用いることが好ましい。例えば、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）以上、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）以下のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板等を用いることができる。
作製基板２０１にガラス基板を用いる場合、作製基板２０１と剥離層２０３との間に、下地膜として、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、ガラス基板からの汚染を防止でき、好ましい。
剥離層２０３は、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料等を用いて形成できる。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。また、酸化アルミニウム、酸化ガリウム、酸化亜鉛、二酸化チタン、酸化インジウム、インジウムスズ酸化物、インジウム亜鉛酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の金属酸化物を用いてもよい。剥離層２０３に、タングステン、チタン、モリブデンなどの高融点金属材料を用いると、絶縁層２０５や機能層２０６の形成工程の自由度が高まるため好ましい。
剥離層２０３は、例えばスパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法（スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法等を含む）、印刷法等により形成できる。剥離層２０３の厚さは例えば１ｎｍ以上２００ｎｍ以下、好ましくは１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。
剥離層２０３が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
また、剥離層２０３として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。また、プラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素単独、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、剥離層２０３の表面状態を変えることで、剥離層２０３と絶縁層２０５との密着性を制御することが可能である。
なお、作製基板と絶縁層の界面で剥離が可能な場合には、剥離層を設けなくてもよい。例えば、作製基板としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリカーボネート、アクリル等の有機樹脂を形成する。次に、レーザ照射や加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の密着性を向上させる。そして、有機樹脂上に絶縁層や機能層等を形成する。その後、先のレーザ照射よりも高いエネルギー密度でレーザ照射を行う、又は、先の加熱処理よりも高い温度で加熱処理を行うことで、作製基板と有機樹脂の界面で剥離することができる。また、剥離の際には、作製基板と有機樹脂の界面に液体を浸透させて分離してもよい。
当該方法では、耐熱性の低い有機樹脂上に絶縁膜やトランジスタ等を形成するため、作製工程で基板に高温をかけることが難しい。ここで、酸化物半導体を用いたトランジスタは、高温の作製工程が必須でないため、有機樹脂上に好適に形成することができる。
なお、該有機樹脂を、装置を構成する基板として用いてもよいし、該有機樹脂を除去し、露出した面に接着剤を用いて別の基板を貼り合わせてもよい。
または、作製基板と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
絶縁層２０５は、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を用いて、単層又は多層で形成することが好ましい。
絶縁層２０５は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に防湿性の高い膜とすることができる。なお、絶縁層２０５の厚さは１０ｎｍ以上３０００ｎｍ以下、さらには２００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下が好ましい。
本実施の形態では、機能層２０６として、発光素子（有機ＥＬ素子）を少なくとも作製する。そのほか、トランジスタ、容量素子等を作製してもよい。また、発光素子以外の表示素子を作製してもよい。また、着色層や遮光層を作製してもよい。
次に、作製基板２０１又は基板２５９上に、接着層２０７及び隔壁２０９を形成する。
接着層２０７及び隔壁２０９は、それぞれ、作製基板２０１又は基板２５９のどちらに形成されてもよく、一方の基板に、接着層２０７及び隔壁２０９の双方を形成してもよいし、一方の基板に接着層２０７を形成し、他方の基板に隔壁２０９を形成してもよい。
接着層２０７が剥離層２０３及び絶縁層２０５と重なるように、接着層２０７を形成することが好ましい。これにより、作製基板２０１を剥離する歩留まりを高めることができる。基板２５９上に接着層２０７を形成する場合には、後の工程で作製基板２０１と基板２５９を重ねた際に、接着層２０７が剥離層２０３及び絶縁層２０５と重なればよい。
図５（Ｂ）に示すように、接着層２０７の端部は、剥離層２０３の端部よりも内側に位置することが好ましい。または、接着層２０７の端部と剥離層２０３の端部とが重なっていてもよい。これにより、作製基板２０１と基板２５９が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
また、隔壁２０９は、接着層２０７と間隔を空けて、かつ、接着層２０７を囲むように、枠状に形成する。接着層２０７を形成する基板とは異なる基板上に隔壁２０９を形成する場合には、後の工程で作製基板２０１と基板２５９を重ねた際に、隔壁２０９が、接着層２０７と間隔を空けて、かつ、接着層２０７を囲めばよい。
接着層２０７及び隔壁２０９の厚さは、それぞれ、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下とすればよい。
接着層２０７及び隔壁２０９の形成方法に特に限定は無く、例えば、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷法やオフセット印刷法など）、スピンコート法、スプレー塗布法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンス法、ナノインプリント法等をそれぞれ用いることができる。
隔壁２０９には、接着層２０７と同じ材料を用いてもよい。隔壁２０９には、接着層２０７よりも粘性の高い材料を用いることが好ましい。隔壁２０９に用いる材料の粘性が高いと、大気からの水分等の不純物の侵入を抑制でき、好ましい。
接着層２０７及び隔壁２０９には、例えば、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型の接着剤等を、それぞれ用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。
また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、大気中の水分の侵入による機能素子の劣化を抑制でき、発光装置の信頼性が向上するため好ましい。
また、上記樹脂にレベリング剤又は界面活性剤を含んでいてもよい。
上記樹脂にレベリング剤又は界面活性剤を添加することで、樹脂の表面張力を下げ、樹脂の濡れ性を向上させることができる。濡れ性が高いほど、樹脂を均一に塗布することができる。これにより、一対の基板を貼り合わせる際に気泡が混入することを抑制でき、接着層の凝集破壊や、接着層と被接着層との間での界面破壊が生じにくい構成とすることができる。また、発光装置における表示不良を抑制することもできる。
レベリング剤又は界面活性剤としては、発光素子等に悪影響を及ぼさない材料を用いる。例えば、エポキシ樹脂に０．０１ｗｔ％以上０．５ｗｔ％以下のフッ素系レベリング剤を添加した材料を用いてもよい。
また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、発光素子からの光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。
次に、減圧雰囲気下で、作製基板２０１と基板２５９とを重ね、機能層２０６を、隔壁２０９、作製基板２０１、及び基板２５９に囲まれた空間に配置する（図５（Ｂ））。これにより、該空間は減圧状態となる。なお、接着層２０７と隔壁２０９は間隔を空けて形成されたため、接着層２０７と隔壁２０９の間には中空の部分が形成される。
次に、作製基板２０１及び基板２５９を大気雰囲気に曝す。これにより、作製基板２０１及び基板２５９が大気圧によって加圧される。そして、発光装置の端部に向かって接着層２０７が広がり、中空の部分が接着層２０７で充填される。これにより、発光装置の端部に中央部よりも厚さが薄い部分が設けられる。（図５（Ｃ））。なお、接着層２０７に、隔壁２０９よりも粘性の低い材料を用いると、本工程で接着層２０７が十分に広がり、好ましい。
なお、基板間の距離が必要以上に縮まらないように、機能層２０６にはスペーサを設けることが好ましい（例えば、実施の形態２で例示するスペーサ８２３参照（図２６（Ｂ））。
そして、接着層２０７及び隔壁２０９を硬化する。接着層２０７及び隔壁２０９の硬化は、大気雰囲気下又は加圧雰囲気下で行えばよい。
隔壁２０９を硬化することで、発光装置の内部の減圧状態を保持しやすくなるため、隔壁２０９を硬化させる工程は、接着層２０７を硬化させる工程よりも前に行うことが好ましい。または、隔壁２０９と接着層２０７を同一工程で硬化させてもよい。
例えば、隔壁２０９に光硬化型の樹脂を用い、接着層２０７に熱硬化型の樹脂を用いる場合であれば、まず、光照射により隔壁２０９を硬化し、その後、加熱により接着層２０７を硬化することが好ましい。また、隔壁２０９及び接着層２０７の双方に熱硬化型の樹脂を用いる場合であれば、加熱により隔壁２０９及び接着層２０７を同時に硬化すればよい。
隔壁２０９や接着層２０７の硬化時間が短いほど、発光装置の作製のタクトが短くなり好ましい。例えば、接着層２０７に熱硬化樹脂を用いる際、加熱温度を高くすることで、硬化時間を短くできるが、樹脂中で気泡が大量に発生してしまい、発光装置の歩留まりが低下する場合がある。そこで、本発明の一態様では、加圧しながら加熱する。これにより、加熱温度を高くしても気泡の発生を抑制することができる。例えば、加圧脱泡機（オートクレーブなど）を用いて樹脂を硬化することができる。
例えば、４０℃で硬化するには約１２時間の加熱が必要な樹脂について、加圧することなく８０℃で１時間加熱すると気泡が発生するが、０．５ＭＰａで８０℃、１時間加熱することで、気泡の発生を抑制し、短時間で樹脂を硬化することができる。加熱と加圧を同時に行うことで、貼り合わせた際に生じる気泡を樹脂内に溶かし込むことができる。また、加熱及び加圧の前に生じていた気泡も除去することが可能である。なお、加熱後、大気圧下、室温で保存しても、気泡は発生しない。
加圧しながら加熱することで接着層を硬化させる工程は、接着層２０７を硬化する工程以外にも適用することができる。
次に、剥離の起点（きっかけ、ともいえる）を形成することが好ましい。剥離の起点は、接着層２０７と剥離層２０３とが重なる領域に形成する。
剥離の起点は、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる剥離層のエッチング、基板の分断、又は、ナイフ、メス、カッターなどの鋭利な刃物で切り込みを入れるなどの機械的な除去等を用いて、形成することができる。剥離の起点を形成することで、剥離層と被剥離層とを剥離しやすい状態にすることができ、好ましい。
例えば、基板２５９が刃物等で切断できる場合、基板２５９、接着層２０７、及び絶縁層２０５に切り込みを入れることで、剥離の起点を形成することができる。
また、レーザ光を照射する場合、レーザ光は、硬化状態の接着層２０７と、絶縁層２０５と、剥離層２０３とが重なる領域に対して照射することが好ましい。レーザ光は、どちらの基板側から照射してもよいが、散乱した光が機能素子等に照射されることを抑制するため、剥離層２０３が設けられた作製基板２０１側から照射することが好ましい。なお、レーザ光を照射する側の基板は、該レーザ光を透過する材料を用いる。
絶縁層２０５にクラックを入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、剥離の起点を形成できる。このとき、絶縁層２０５だけでなく、剥離層２０３、接着層２０７の一部を除去してもよい。レーザ光の照射によって、絶縁層２０５、剥離層２０３、又は接着層２０７に含まれる膜の一部を溶解、蒸発、又は熱的に破壊することができる。
剥離工程時、剥離の起点に、絶縁層２０５と剥離層２０３を引き離す力が集中することが好ましいため、硬化状態の接着層２０７の中央部よりも端部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。特に、端部近傍の中でも、辺部近傍に比べて、角部近傍に剥離の起点を形成することが好ましい。接着層２０７と重ならない位置に剥離の起点を形成する場合、剥離層２０３と絶縁層２０５とを確実に分離するため、剥離の起点の形成位置は、接着層２０７からの距離が近いほど好ましく、具体的には、接着層２０７の端部からの距離が１ｍｍ以内に剥離の起点を形成することが好ましい。
剥離の起点を形成するために用いるレーザには特に限定はない。例えば、連続発振型のレーザやパルス発振型のレーザを用いることができる。レーザ光の照射条件（周波数、パワー密度、エネルギー密度、ビームプロファイル等）は、作製基板２０１や剥離層２０３の厚さ、材料等を考慮して適宜制御する。
レーザ光を用いることで、剥離の起点を形成するために基板の切断等をする必要がなく、ゴミ等の発生を抑制でき、好ましい。また、剥離の起点の形成にかかる時間を短縮することができる。また、作製基板２０１の表面に残るゴミを低減できるため、作製基板２０１の再利用が容易となる。また、カッター等の鋭利な刃物の摩耗がないため、コストが抑制できる、量産に適用しやすい、といった利点がある。また、いずれかの基板の端部を引っ張ることで剥離を開始できるため、量産化に応用しやすい。
そして、形成した剥離の起点から、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離する。このとき、一方の基板を吸着ステージ等に固定することが好ましい。例えば、作製基板２０１を吸着ステージに固定し、作製基板２０１から絶縁層２０５を剥離してもよい。また、基板２５９を吸着ステージに固定し、基板２５９から作製基板２０１を剥離してもよい。
例えば、剥離の起点から、物理的な力（人間の手や治具で引き剥がす処理や、ローラーを回転させながら分離する処理等）によって絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離すればよい。
また、剥離層２０３と絶縁層２０５との界面に水などの液体を浸透させて作製基板２０１と絶縁層２０５とを分離してもよい。毛細管現象により液体が剥離層２０３と絶縁層２０５の間にしみこむことで、容易に分離することができる。また、剥離時に生じる静電気が、絶縁層２０５に含まれる機能素子に悪影響を及ぼすこと（半導体素子が静電気により破壊されるなど）を抑制できる。なお、液体を霧状又は蒸気にして吹き付けてもよい。液体としては、純水や有機溶剤などを用いることができ、中性、アルカリ性、もしくは酸性の水溶液や、塩が溶けている水溶液などを用いてもよい。
なお、剥離後に、基板２５９上に残った、絶縁層２０５と基板２５９との接着に寄与していない接着層２０７、又は隔壁２０９等を除去してもよい。除去することで、後の工程で機能素子に悪影響を及ぼすこと（不純物の混入など）を抑制でき好ましい。例えば、ふき取り、洗浄等によって、不要な樹脂を除去することができる。
次に、作製基板２０１を剥離することで露出した絶縁層２０５に、接着層２５３を用いて、基板２５１を貼り合わせる（図５（Ｄ））。基板２５９と基板２５１の端部が概略揃うように、基板２５９の端部を切断してもよい（図５（Ｅ））。また、基板２５１、接着層２５３、絶縁層２０５、接着層２０７、及び基板２５９の端部が概略揃うように（図３（Ｂ）参照）、発光装置の端部を切断してもよい。
接着層２５３には、接着層２０７や隔壁２０９に用いることができる材料を適用することができる。
なお、図５（Ｃ）では、作製基板２０１及び基板２５９の双方が撓む例を示したが、作製基板２０１又は基板２５９の固定方法や、用いた材料、厚さによっては、一方の基板のみが撓む場合もある。図６（Ａ）では、基板２５９のみが撓む例を、図７（Ａ）では、作製基板２０１のみが撓む例を示す。これらの場合にも、発光装置の端部に、中央部よりも厚さが薄い部分が設けられる。なお、中空の部分が残っていてもよいし、中空の部分全体に接着層２０７が充填されてもよい。図６（Ａ）及び図７（Ａ）に示す状態から、作製基板２０１を剥離し、基板２５１を貼り合わせることで作製した発光装置の例を、図６（Ｂ）及び図７（Ｂ）にそれぞれ示す。なお、作製基板２０１や基板２５９の厚さは、例えば、１０μｍ以上１０ｍｍ以下とすることができる。
以上により、構成例ａ−２として示した発光装置を作製することができる。
＜構成例ａ−３の作製方法例＞
図８〜図１０を用いて、上記構成例ａ−３の作製方法について例示する。図８〜図１０では、各工程における、一点鎖線Ｂ３−Ｂ４方向（図４（Ａ）参照）の断面構造を示す。
はじめに、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成し、絶縁層２０５上に機能層２０６を形成する（図８（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成し、絶縁層２２５上に機能層２５６を形成する（図８（Ｂ））。
なお、本実施の形態では、剥離層２０３と剥離層２２３との大きさが同じ場合を示す（図８（Ｃ））が、２つの剥離層の大きさは異なっていてもよい。
作製基板２２１は、作製基板２０１に用いることができる材料を適用できる。剥離層２２３は、剥離層２０３に用いることができる材料を適用できる。絶縁層２２５は、絶縁層２０５に用いることができる材料を適用できる。
本実施の形態では、機能層２５６として、着色層を少なくとも形成する。そのほか、遮光層、発光素子、表示素子、トランジスタ、タッチセンサ、又は容量素子等を作製してもよい。
次に、作製基板２０１又は作製基板２２１上に、接着層２０７及び隔壁２０９を形成する。接着層２０７及び隔壁２０９は、それぞれ、作製基板２０１又は作製基板２２１のどちらに形成されてもよく、一方の基板に、接着層２０７及び隔壁２０９の双方を形成してもよいし、一方の基板に接着層２０７を形成し、他方の基板に隔壁２０９を形成してもよい。
後の工程で作製基板２０１と作製基板２２１を重ねた際に、接着層２０７が剥離層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２２５、及び剥離層２２３と重なるように、接着層２０７を形成することが好ましい。これにより、作製基板２０１及び作製基板２２１を剥離する歩留まりを高めることができる。
図８（Ｃ）に示すように、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
また、隔壁２０９は、接着層２０７と間隔を空けて、かつ、接着層２０７を囲むように、枠状に形成する。接着層２０７を形成する基板とは異なる基板上に隔壁２０９を形成する場合には、後の工程で作製基板２０１と作製基板２２１を重ねた際に、隔壁２０９が、接着層２０７と間隔を空けて、かつ、接着層２０７を囲めばよい。
次に、減圧雰囲気下で、作製基板２０１と作製基板２２１とを重ね、機能層２０６及び機能層２５６を、隔壁２０９、作製基板２０１、及び作製基板２２１に囲まれた空間に配置する（図８（Ｃ））。これにより、該空間は減圧状態となる。なお、接着層２０７と隔壁２０９は間隔を空けて形成されたため、接着層２０７と隔壁２０９の間には中空の部分が形成される。
次に、作製基板２０１及び作製基板２２１を大気雰囲気に曝す。これにより、作製基板２０１及び作製基板２２１が大気圧によって加圧される。そして、発光装置の端部に向かって接着層２０７が広がり、中空の部分が接着層２０７で充填される。これにより、発光装置の端部に中央部よりも厚さが薄い部分が設けられる。（図８（Ｄ））。
そして、接着層２０７及び隔壁２０９を硬化する。接着層２０７及び隔壁２０９の硬化は、大気雰囲気下又は加圧雰囲気下で行えばよい。
隔壁２０９を硬化することで、発光装置の内部の減圧状態を保持しやすくなるため、隔壁２０９を硬化させる工程は、接着層２０７を硬化させる工程よりも前に行うことが好ましい。または、隔壁２０９と接着層２０７を同一工程で硬化させてもよい。
例えば、隔壁２０９に光硬化型の樹脂を用い、接着層２０７に熱硬化型の樹脂を用いる場合であれば、まず、光照射により隔壁２０９を硬化し、その後、加熱により接着層２０７を硬化することが好ましい。また、隔壁２０９及び接着層２０７の双方に熱硬化型の樹脂を用いる場合であれば、加熱により隔壁２０９及び接着層２０７を同時に硬化すればよい。
次に、剥離の起点を形成する。
作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよい。ここでは、作製基板２０１を先に剥離する例を示す。この場合、剥離の起点は、接着層２０７と剥離層２０３とが重なる領域に形成する。
そして、形成した剥離の起点から、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離する（図９（Ａ））。
なお、剥離の起点よりも外側に形成された接着層２０７や隔壁２０９は、作製基板２０１又は作製基板２２１の少なくとも一方に残存することになる。図９（Ａ）では双方の側に隔壁２０９が残存する例を示すがこれに限られない。
次に、作製基板２０１を剥離することで露出した絶縁層２０５に、接着層２５３を用いて、基板２５１を貼り合わせる（図９（Ｂ））。
次に、剥離の起点を接着層２０７と剥離層２２３とが重なる領域に形成する。そして、形成した剥離の起点から絶縁層２２５と作製基板２２１とを分離する。その後、作製基板２２１を剥離することで露出した絶縁層２２５に、接着層２５７を用いて、基板２５９を貼り合わせる（図９（Ｃ））。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７だけでなく、接着層２５３によっても貼り合わされていてもよい。例えば、図９（Ｄ）に示すように、基板２５１の端部が接着層２５７と接していてもよい。
なお、図８（Ｄ）では、作製基板２０１及び作製基板２２１の双方が撓む例を示したが、作製基板２０１又は作製基板２２１の固定方法や、用いた材料、厚さによっては、一方の基板のみが撓む場合もある。図１０（Ａ）では、作製基板２２１のみが撓む例を示す。この場合にも、発光装置の端部に、中央部よりも厚さが薄い部分が設けられる。図１０（Ａ）に示す状態から、作製基板２０１及び作製基板２２１をそれぞれ剥離し、基板２５１と絶縁層２０５を貼り合わせ、かつ、基板２５９と絶縁層２２５を貼り合わせることで作製した発光装置の例を、図１０（Ｂ）に示す。同様に、作製基板２０１のみが撓むことでも、本発明の一態様の発光装置を作製することができる。
以上に示した構成例ａ−３の作製方法例では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥離をし、発光装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。
以上により、構成例ａ−３として示した発光装置を作製することができる。
＜構成例ｂ−１＞
図１１（Ｂ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図１１（Ｃ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
図１１（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４及び駆動回路部８０６を有する。発光装置において、発光部８０４以外の部分は、すべて非発光部といえる。したがって、発光部８０４の外側に非発光部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路部８０６は非発光部の一部である。
図１１（Ａ）〜（Ｃ）に示す発光装置は、基板２５１、機能層２０４、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、及び基板２５９を有する。
発光部８０４では、基板２５１上に機能層２０６が設けられている。
機能層２０６は、発光素子を含む。さらに、トランジスタや容量素子等を含んでいてもよい。
駆動回路部８０６では、基板２５１上に機能層２０４が設けられている。
機能層２０４は、トランジスタを含む。さらに、容量素子、抵抗素子、又はスイッチ素子等を含んでいてもよい。
導電層２０８は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。図１１（Ｂ）では、導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。
図１１（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、発光部８０４においては、発光装置の厚さは均一（概略均一）である。一方、非発光部には、発光部８０４よりも厚さが薄い領域を有する。言い換えると、非発光部は、発光部８０４に比べて、基板２５１と基板２５９との間隔が狭い部分を有する。このように、発光装置の非発光部に、発光部８０４よりも薄い部分を有することで、水分や酸素などの不純物が発光装置の内部に侵入することを抑制することができる。
非発光部に厚さが薄い領域が形成されていることは、例えば、非発光部に生じた干渉縞で確認することができる。非発光部には、干渉縞の形成された領域が、０．１ｍｍ以上、０．５ｍｍ以上、又は１ｍｍ以上、かつ、１０ｍｍ以下、５ｍｍ以下、又は２ｍｍ以下の幅で形成されていてもよい。なお、発光部８０４に干渉縞が生じると、表示品質が低下する場合がある。したがって、発光部８０４においては、干渉縞が形成されないことが好ましく、発光装置の厚さは均一（概略均一）であることが好ましい。
図１１（Ｂ）、（Ｃ）では、発光装置の四辺に、厚さが薄い領域が形成されている例（例えば非発光部に、枠状に厚さが薄い領域が形成されている例）を示した。また、図１１（Ｂ）、（Ｃ）では、機能層２０６が設けられていない基板２５９に凹部（くぼみ、へこんだ部分を指す）が形成されている例を示した。本発明の一態様は図１１（Ｂ）、（Ｃ）の構成に限定されない。
発光装置の少なくとも一辺において、非発光部が、発光部よりも厚さの薄い領域を有する。また、凹部は、一対の基板の一方又は双方に設けられる。
図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図の一例を図１２（Ａ）〜（Ｄ）にそれぞれ示す。
図１２（Ａ）では、非発光部のうち、駆動回路部８０６や導電層２０８が設けられた部分には、発光部よりも厚さが薄い領域を有していない例を示す。発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側では、発光装置の端部から発光部８０４までの最短距離が、他の辺に比べて長く、不純物が発光素子等に到達しにくい。このような場合には、非発光部であっても、発光部よりも厚さが薄い部分を設けなくてもよい。これにより、駆動回路部８０６を構成する素子が曲げにより劣化することを抑制することができる。また、導電層２０８とＦＰＣ８０８を確実に導通させることができる。また、凹部を形成する際に駆動回路部８０６を構成する素子が加圧されることを防止し、該素子がダメージを受けることを抑制することができる。
なお、図１１（Ｂ）に示すように、駆動回路部８０６に凹部を形成してもよい。例えば、基板は、走査線駆動回路や信号線駆動回路と重なる部分に、凹部を有していてもよい。また、基板は、発光素子の電極（陽極又は陰極）と、配線とのコンタクト部と重なる部分に、凹部を有していてもよい。また、発光部においても、ダミー画素上や、カラーフィルタの端部など、表示品質に影響のない部分に、厚さの薄い領域が設けられていてもよい。
図１２（Ｂ）では、機能層２０６が設けられている基板２５１に凹部が形成されている例を示す。また、図１２（Ｃ）に示すように、一対の基板（基板２５１及び基板２５９）にそれぞれ凹部が形成されていてもよい。また、非発光部が、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ１−Ａ２間以外の部分に、発光部よりも厚さが薄い領域を有する場合は、図１２（Ｄ）に示すように、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ１−Ａ２間では、発光部と非発光部の厚さが同一（概略同一）であってもよい。
また、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図の一例を図１３（Ａ）〜（Ｄ）にそれぞれ示す。
図１３（Ａ）では、機能層２０６が設けられている基板２５１に凹部が形成されている例を示す。また、図１３（Ｂ）に示すように、一対の基板（基板２５１及び基板２５９）にそれぞれ凹部が形成されていてもよい。このとき、基板２５１と基板２５９とで異なる位置に凹部が形成されていてもよい。これにより、非発光部は、発光部よりも厚さが薄い領域を複数有する構成となる。また、図１３（Ｃ）の右側の非発光部で示すように、基板２５１と基板２５９とで同じ位置に凹部が形成されていてもよい。これにより、非発光部に、発光部よりも極めて厚さが薄い部分を有することになる。発光装置の厚さの最小値が小さいほど、不純物が機能素子に到達しにくくなり、発光装置の信頼性の低下を抑制することができ、好ましい。また、図１３（Ｃ）の左側の非発光部で示すように、基板２５１の凹部と基板２５９の凹部が互いにずれて形成されていてもよい。また、非発光部が、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ３−Ａ４間以外の部分で、発光部よりも厚さが薄い領域を有する場合は、図１３（Ｄ）に示すように、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ３−Ａ４間では、発光部と非発光部の厚さが同一（概略同一）であってもよい。
図１２（Ａ）〜（Ｄ）に示す一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図と、図１３（Ａ）〜（Ｄ）に示す一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図は、適宜組み合わせることができる。例えば、図１２（Ｃ）と図１３（Ｃ）に示す、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間とＡ３−Ａ４間の断面図の組み合わせのように、発光装置の四辺のうち三辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。また、図１２（Ｂ）と図１３（Ａ）の組み合わせのように、発光装置の四辺のうち二辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。また、図１２（Ａ）と図１３（Ｄ）の組み合わせのように、発光装置の四辺のうち一辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。
構成例ｂ−１では、基板２５１上に直接、機能層２０６が設けられた例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。以下の構成例ｂ−２、ｂ−３に示すように、作製基板上で作製した機能層２０６を、基板２５１上に転置してもよい。
＜構成例ｂ−２＞
図１４（Ａ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図１４（Ｂ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
図１４（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、基板２５１、接着層２５３、機能層２０４、絶縁層２０５、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、及び基板２５９を有する。
発光部８０４では、絶縁層２０５上に機能層２０６が設けられている。基板２５１と絶縁層２０５は、接着層２５３によって貼り合わされている。
絶縁層２０５としては、ガスバリア性や防水性、防湿性等の高い絶縁層を用いることが好ましい。
駆動回路部８０６では、絶縁層２０５上に機能層２０４が設けられている。
導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。
また、図１１（Ａ）の一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図の一例を図１５（Ａ）〜（Ｄ）にそれぞれ示す。
なお、発光装置が有する辺のいずれか一において、基板に形成される凹部の数に限定はなく、１つであっても複数であってもよい。例えば、図１５（Ａ）、（Ｂ）では、発光装置が有する二辺のそれぞれにおいて、基板に複数の凹部が形成されている例を示す。また、図１５（Ａ）に示すように、凹部は丸みをもっている構成に限られず、角張っていてもよい。また、本発明の一態様において、基板は、凹部を有する構成に限定されない。例えば、図１５（Ｃ）に示すように、発光装置が、端部に厚さが最も薄い領域を有していてもよく、その場合、基板が凸部（突き出ている部分を指す）を有する、ともいえる。また、図１５（Ｄ）に示すように、一対の基板（基板２５１及び基板２５９）にそれぞれ凹部が形成されていてもよい。
＜構成例ｂ−３＞
図１６（Ａ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図１６（Ｂ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置は、基板２５１、接着層２５３、機能層２０４、絶縁層２０５、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、絶縁層２２５、機能層２５６、接着層２５７、及び基板２５９を有する。
なお、図１６（Ａ）に示すように、発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側の非発光部では、発光部よりも厚さが薄い領域が、駆動回路部８０６と重ならないことが好ましい。例えば、駆動回路部８０６よりも外側に、発光部よりも厚さが薄い領域を有することが好ましい。
また、図１６（Ｂ）では、発光部８０４の厚さと、発光装置の端部の厚さと、が等しい（概略等しい）例を示したが、本発明の一態様はこれに限られない。図１６（Ｃ）に示すように、発光装置の端部の方が、発光部８０４よりも厚くてもよい。つまり、発光装置は、端部に最も厚い領域を有していてもよい。また、図１６（Ｄ）に示すように、発光装置の端部の方が、発光部８０４よりも薄くてもよい。このとき、発光装置の非発光部に、発光装置の端部よりも薄い部分を有していてもよいし、発光装置の端部が、当該発光装置の最も薄い領域であってもよい。
図１７（Ａ）に、発光装置の上面図を示す。図１７（Ｂ）に、図１７（Ａ）における一点鎖線Ｂ１−Ｂ２間の断面図を示す。図１７（Ｃ）に、図１７（Ａ）における一点鎖線Ｂ３−Ｂ４間の断面図を示す。
図１７（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４及び駆動回路部８０６を有する。発光装置において、発光部８０４以外の部分は、すべて非発光部といえる。したがって、発光部８０４の外側に非発光部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路部８０６は非発光部の一部である。
図１７（Ａ）〜（Ｃ）に示す発光装置は、基板２５１、接着層２５３、機能層２０４、絶縁層２０５、機能層２０６、接着層２０７、導電層２０８、絶縁層２２５、機能層２５６、接着層２５７、及び基板２５９を有する。
発光部８０４は、機能層２０６及び機能層２５６を有する。機能層２０６は接着層２０７よりも基板２５１側に設けられ、機能層２５６は接着層２０７よりも基板２５９側に設けられている。
機能層２５６としては、例えば、着色層や遮光層が挙げられる。または、機能層２５６として、タッチセンサ等のセンサを有していてもよい。
基板２５１と絶縁層２０５は、接着層２５３によって貼り合わされている。基板２５９と絶縁層２２５は、接着層２５７によって貼り合わされている。絶縁層２０５や絶縁層２２５としては、ガスバリア性や防水性、防湿性等の高い絶縁層を用いることが好ましい。
導電層２０８は、接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と電気的に接続されている。図１６（Ａ）の構成とは異なり、図１７（Ａ）、（Ｂ）では、基板２５１と基板２５９が同じ大きさの例を示している。基板２５９、接着層２５７、絶縁層２２５、及び接着層２０７に開口を設けることで、導電層２０８と接続体８２５を接続することができる。
基板２５１及び基板２５９は、接着層２０７によって貼り合わされている。
図１７（Ａ）、（Ｂ）では、基板２５９に凹部を有する例を示したが、図１８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、ＦＰＣ８０８と接続する導電層２０８の支持基板である基板２５１に凹部を有していてもよい。また、図１８（Ｃ）、（Ｄ）に示すように一対の基板（基板２５１及び基板２５９）のそれぞれに凹部を有していてもよい。
なお、図１７（Ｂ）、図１８（Ａ）では、発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側で、非発光部に発光部よりも厚さが薄い領域を有していない例を示したが、図１８（Ｃ）に示すように、発光部８０４の駆動回路部８０６と隣接する辺側においても、非発光部に発光部よりも厚さが薄い領域を有していてもよい。これにより、水分や酸素などの不純物が発光装置の内部に侵入することをさらに抑制することができる。
＜構成例ｂ−１の作製方法例＞
図１９を用いて、上記構成例ｂ−１の作製方法について例示する。まず、基板２５１上に機能層２０６を形成する。次に、基板２５１又は基板２５９上に接着層２０７を形成する。そして、減圧雰囲気下で、基板２５１と基板２５９とを重ね、機能層２０６を、接着層２０７、基板２５１、及び基板２５９で囲む。この時点での発光装置１０を、図１９（Ａ）に示すような加圧が可能な装置に配置する。例えば、プレス機、熱プレス機等を用いることができる。
図１９（Ａ）では、上板２０００ａ及び下板２０００ｂを有する熱プレス機を用いる例を示す。熱プレス機は、熱源を有し、上板２０００ａ及び下板２０００ｂのうち一方又は双方を温めることができる。下板２０００ｂ上には、緩衝材２００５ｂを介して、基板２１００ｂが配置されている。基板２１００ｂ上には、発光装置１０が配置されている。発光装置１０上には、凸部２１０２を有する基板２１０１が配置されている。凸部２１０２は、基板２５９と接する。凸部２１０２は、発光装置１０の非発光部と重なる。基板２１０１と上板２０００ａの間には、緩衝材２００５ａ及び基板２１００ａが配置されている。
凸部２１０２は、基板２１０１上に、樹脂等の有機材料、又は、金属等の無機材料を用いて形成することができる。凸部２１０２の形成方法に限定はなく、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、塗布法、印刷法、液滴吐出法、ディスペンス法等を用いてもよい。または、凸部を有する金型を用いてもよい。金型には、基板に用いることができる材料を適用することができる。例えば、金型には、樹脂、ガラス、金属、又は合金等を用いることができる。
凸部２１０２は、例えば、基板２１０１上に、接着剤を配置し硬化させることで形成することができる。
図１９（Ｂ）、（Ｃ）に示すように、凸部２１０２を枠状に形成してもよい。凸部２１０２は、図１９（Ｂ）に示すように、基板２１０１の端部に位置していなくてもよいし、図１９（Ｃ）に示すように、基板２１０１の端部にまで位置してもよい。図１９（Ｄ）に示すように、凸部２１０２は、基板２１０１の四辺のうち、三辺に沿って設けられていてもよいし、二辺もしくは一辺に沿って設けられていてもよい。なお、凸部２１０２は、基板２１０１の辺に平行に設けられる構成に限られない。
そして、図１９（Ａ）に示す状態から、熱プレス機で発光装置１０を加圧することで、発光装置１０の非発光部に、厚さの薄い部分を形成することができる。
なお、発光装置１０を加圧しながら接着層２０７を硬化することで、加圧により変形した形状を発光装置１０が保持しやすくなるため、好ましい。
例えば、接着層２０７に熱硬化型接着剤、ＵＶ遅延硬化型接着剤等を用いる場合、熱プレス機によって発光装置１０を加熱及び加圧することが好ましい。
加圧の時間や荷重には特に限定は無い。荷重は、例えば、０．５ｔ以上、０．８ｔ以上、又は１．０ｔ以上、かつ、１．５ｔ以下、２．０ｔ以下、又は３．０ｔ以下とすることができる。加熱の時間は、特に限定は無く、用いる接着層２０７の材料の硬化条件等に応じて決定すればよい。また、加熱温度は、発光装置１０に用いる材料の耐熱性に応じて決定すればよい。例えば、８０℃以上、９０℃以上、又は１００℃以上、かつ、１２０℃以下、１５０℃以下、又は２００℃以下とすることができる。
また、加圧後に、別途加熱や光照射を行い、接着層２０７を硬化させてもよい。
以上により、構成例ｂ−１として示した発光装置を作製することができる。
＜構成例ｂ−２の作製方法例＞
図１９（Ａ）及び図２０を用いて、上記構成例ｂ−２の作製方法について例示する。図２０では、各工程における、一点鎖線Ａ３−Ａ４方向（図１１（Ａ）参照）の断面構造を示す。
はじめに、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成し、絶縁層２０５上に機能層２０６を形成する（図２０（Ａ））。なお、絶縁層２０５及び機能層２０６をまとめて被剥離層と呼ぶことができる。
本実施の形態では、機能層２０６として、発光素子（有機ＥＬ素子）を少なくとも作製する。そのほか、トランジスタ、容量素子、タッチセンサ等を作製してもよい。また、発光素子以外の表示素子を作製してもよい。また、着色層や遮光層を作製してもよい。
次に、作製基板２０１又は基板２５９上に、接着層２０７を形成する。
接着層２０７が剥離層２０３及び絶縁層２０５と重なるように、接着層２０７を形成することが好ましい。これにより、作製基板２０１を剥離する歩留まりを高めることができる。基板２５９上に接着層２０７を形成する場合には、後の工程で作製基板２０１と基板２５９を重ねた際に、接着層２０７が剥離層２０３及び絶縁層２０５と重なればよい。
図２０（Ｂ）に示すように、接着層２０７の端部は、剥離層２０３の端部よりも内側に位置することが好ましい。または、接着層２０７の端部と剥離層２０３の端部とが重なっていてもよい。これにより、作製基板２０１と基板２５９が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。接着層２０７に流動性の高い材料を用いる場合には、隔壁を用いて、接着層２０７をせき止めることが好ましい。
接着層２０７の厚さは、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下とすればよい。
次に、減圧雰囲気下で、作製基板２０１と基板２５９とを重ね、機能層２０６を、接着層２０７、作製基板２０１、及び基板２５９で囲む（図２０（Ｂ））。次に、図２０（Ｂ）に示す発光装置１０を、前述したプレス機（図１９（Ａ）参照）に配置する。基板２１０１上に設けられた凸部２１０２により、発光装置１０の非発光部を加圧する。
このとき、発光装置１０の基板２５９に形成される凹部の幅Ｗ２は、凸部２１０２の幅Ｗ１に比べて広くなる（図２０（Ｃ））。例えば、幅Ｗ２は、幅Ｗ１の１倍より大きく、１．５倍以下、２倍以下、又は３倍以下となる。幅Ｗ２は、幅Ｗ１の３倍を超えてもよい。また、発光装置１０の基板２５９に形成される凹部の深さは、凸部２１０２の高さｄ以下となる。また、幅Ｗ２は、例えば、凹部の深さの１倍以上、５倍以上、又は１０倍以上、かつ、２０倍以下、５０倍以下、又は１００倍以下とすることができる。
例えば、凹部の深さは、０．０１ｍｍ以上、０．０５ｍｍ以上、又は０．１ｍｍ以上、かつ、２ｍｍ以下、１ｍｍ以下、又は０．５ｍｍ以下とすることができる。また、幅Ｗ２は、０．１ｍｍ以上、１ｍｍ以上、又は１ｃｍ以上、かつ、１０ｃｍ以下、５ｃｍ以下、又は３ｃｍ以下とすることができる。また、幅Ｗ２は、非発光部の幅の０倍より大きく１倍以下であることが好ましく、０．２倍以上０．８倍以下、又は０．４倍以上０．６倍以下であってもよい。なお、幅Ｗ２は凹部の幅に限られず、発光部に比べて厚さが薄い領域の幅としてもよい。
プレス機で発光装置１０を加圧することで、発光装置１０の非発光部に、厚さの薄い部分を形成することができる（図２０（Ｄ））。加圧と同時に加熱を行い、接着層２０７を硬化させることが好ましい。
次に、作製基板２０１と絶縁層２０５とを分離する。ここで、作製基板２０１を剥離するための剥離の起点を形成することが好ましい。剥離の起点は、接着層２０７と剥離層２０３とが重なる領域に形成する。
絶縁層２０５にクラックを入れる（膜割れやひびを生じさせる）ことで、剥離の起点を形成できる。
そして、形成した剥離の起点から、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離する。
次に、作製基板２０１を剥離することで露出した絶縁層２０５に、接着層２５３を用いて、基板２５１を貼り合わせる。そして、発光装置の端部（基板２５９の接着層２０７と接していない部分など）を切断するなどにより、図１４（Ｂ）に示す発光装置を作製することができる。
以上により、構成例ｂ−２として示した発光装置を作製することができる。
＜構成例ｂ−３の作製方法例１＞
図１９（Ａ）及び図２１を用いて、上記構成例ｂ−３の作製方法について例示する。図２１では、各工程における、一点鎖線Ｂ３−Ｂ４方向（図１７（Ａ）参照）の断面構造を示す。
はじめに、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成し、絶縁層２０５上に機能層２０６を形成する（図２１（Ａ））。また、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成し、絶縁層２２５上に機能層２５６を形成する（図２１（Ｂ））。
なお、本実施の形態では、剥離層２０３と剥離層２２３との大きさが同じ場合を示す（図２１（Ｃ））が、２つの剥離層の大きさは異なっていてもよい。
作製基板２２１は、作製基板２０１に用いることができる材料を適用できる。剥離層２２３は、剥離層２０３に用いることができる材料を適用できる。絶縁層２２５は、絶縁層２０５に用いることができる材料を適用できる。
本実施の形態では、機能層２５６として、着色層を少なくとも形成する。そのほか、遮光層、発光素子、表示素子、トランジスタ、タッチセンサ、又は容量素子等を作製してもよい。
次に、作製基板２０１又は作製基板２２１上に、接着層２０７、隔壁２４２、及び仮封止層２４４を形成する。
接着層２０７、隔壁２４２、及び仮封止層２４４は、それぞれ、作製基板２０１又は作製基板２２１のどちらに形成されてもよく、一方の基板に、接着層２０７、隔壁２４２、及び仮封止層２４４の全てを形成してもよいし、一方の基板に接着層２０７及び隔壁２４２を形成し、他方の基板に仮封止層２４４を形成するなどしてもよい。
後の工程で作製基板２０１と作製基板２２１を重ねた際に、接着層２０７が剥離層２０３、絶縁層２０５、絶縁層２２５、及び剥離層２２３と重なるように、接着層２０７を形成することが好ましい。これにより、作製基板２０１及び作製基板２２１を剥離する歩留まりを高めることができる。
図２１（Ｃ）に示すように、接着層２０７の端部は、剥離層２０３又は剥離層２２３の少なくとも一方（先に剥離したい方）の端部よりも内側に位置することが好ましい。これにより、作製基板２０１と作製基板２２１が強く密着することを抑制でき、後の剥離工程の歩留まりが低下することを抑制できる。
隔壁２４２及び仮封止層２４４の厚さは、それぞれ、例えば、１μｍ以上２００μｍ以下、好ましくは１μｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１μｍ以上５０μｍ以下とすればよい。
隔壁２４２及び仮封止層２４４の形成方法に特に限定は無く、例えば、液滴吐出法や、印刷法（スクリーン印刷法やオフセット印刷法など）、スピンコート法、スプレー塗布法などの塗布法、ディッピング法、ディスペンス法、ナノインプリント法等をそれぞれ用いることができる。
隔壁２４２には、接着層２０７と同じ材料を用いてもよい。また、隔壁２４２には、接着層２０７よりも粘性の高い材料を用いることが好ましい。隔壁２４２に用いる材料の粘性が高いと、大気からの水分等の不純物の侵入を抑制でき、好ましい。
隔壁２４２及び仮封止層２４４には、接着層２０７に用いることができる各種材料を適用することができる。
次に、減圧雰囲気下で、作製基板２０１と作製基板２２１とを重ね、機能層２０６及び機能層２５６を、仮封止層２４４、作製基板２０１、及び作製基板２２１に囲まれた空間に配置する（図２１（Ｃ））。
その後、仮封止層２４４の少なくとも一部を硬化させてもよい。発光装置１０が大気雰囲気に曝されることで、作製基板２０１及び作製基板２２１が大気圧によって加圧される。これにより、仮封止層２４４、作製基板２０１、及び作製基板２２１に囲まれた空間の減圧状態が保持される。したがって、大気中の水分等の不純物が発光装置１０内に侵入することを抑制できる。
次に、図２１（Ｃ）に示す発光装置１０を、前述したプレス機（図１９（Ａ）参照）に配置する。基板２１０１上に設けられた凸部２１０２により、発光装置１０の非発光部を加圧する。
プレス機で発光装置１０を加圧することで、発光装置１０の非発光部に、厚さの薄い部分を形成することができる（図２１（Ｄ））。加圧と同時に加熱を行い、接着層２０７を硬化させることが好ましい。また、加圧後に、別途加熱や光照射を行い、接着層２０７を硬化させてもよい。
次に、剥離の起点を形成する。そして、形成した剥離の起点から、絶縁層と作製基板とを分離する。作製基板を剥離することで露出した絶縁層に、接着層を用いて、基板を貼り合わせる。
作製基板２０１及び作製基板２２１はどちらから剥離してもよい。剥離層の大きさが異なる場合、大きい剥離層を形成した基板から剥離してもよいし、小さい剥離層を形成した基板から剥離してもよい。一方の基板上にのみ半導体素子、発光素子、表示素子等の素子を作製した場合、素子を形成した側の基板から剥離してもよいし、他方の基板から剥離してもよい。
以上により、構成例ｂ−３として示した発光装置を作製することができる。
なお、本発明の一態様において、非発光部に厚さの薄い領域を形成する方法は、非発光部を加圧し、発光装置を変形する方法に限られない。
＜構成例ｂ−３の作製方法例２＞
図２２を用いて、上記構成例ｂ−３の作製方法について例示する。図２２では、各工程における、一点鎖線Ｂ３−Ｂ４方向（図１７（Ａ）参照）の断面構造を示す。
はじめに、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成し、絶縁層２０５上に機能層２０６を形成する（図２２（Ａ））。また、作製基板２２１上に凸部２４６を形成し、凸部２４６上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成し、絶縁層２２５上に機能層２５６を形成する（図２２（Ｂ））。
次に、作製基板２０１又は作製基板２２１上に、接着層２０７を形成する。
次に、減圧雰囲気下で、作製基板２０１と作製基板２２１とを重ね、機能層２０６及び機能層２５６を、接着層２０７、作製基板２０１、及び作製基板２２１で囲む（図２２（Ｃ））。その後、接着層２０７を硬化する。そして、絶縁層と作製基板とを分離する。作製基板を剥離することで露出した絶縁層に、接着層を用いて、基板を貼り合わせる。
図２２（Ｄ）では、作製基板２２１を作製基板２０１よりも先に剥離する例を示す。
作製基板上にあらかじめ凸部を設けておく、又は凸部を有する作製基板を用いることで、作製中の発光装置を加圧する必要がない。そのため、発光装置の作製工程の簡略化、歩留まり低下の抑制等が可能となる。
以上に示した構成例ｂ−３の作製方法例１、２では、それぞれ被剥離層が形成された一対の作製基板をあらかじめ貼り合わせた後に、剥離をし、発光装置を構成する基板を貼り合わせることができる。したがって、被剥離層の貼り合わせの際に、可撓性が低い作製基板どうしを貼り合わせることができ、可撓性基板どうしを貼り合わせた際よりも貼り合わせの位置合わせ精度を向上させることができる。
＜発光装置の平面図の例＞
本発明の一態様の発光装置は、トランジスタを含む駆動回路の一部又は全体を発光部と同じ基板上に一体形成したシステムオンパネルであってもよい。
図２３（Ａ１）、（Ａ２）において、発光部４００２は、第１の基板４００１と接着層（図示せず）と第２の基板４００６とによって封止されている。図２３（Ａ１）、（Ａ２）においては、第１の基板４００１上の第２の基板４００６と重なる領域とは異なる領域に、それぞれ別途用意された基板上に形成された、信号線駆動回路４００３及び走査線駆動回路４００４が実装されている。また、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、又は発光部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８ａ、ＦＰＣ４０１８ｂから供給されている。
図２３（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ）において、発光部４００２及び走査線駆動回路４００４は、第１の基板４００１と接着層（図示せず）と第２の基板４００６とによって封止されている。図２３（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ）においては、第１の基板４００１上の第２の基板４００６と重なる領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。図２３（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４、又は発光部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
また図２３（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｃ）においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装してもよいし、信号線駆動回路の一部又は走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装してもよい。
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ワイヤボンディング、ＣＯＧ、ＴＣＰ、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）等を用いることができる。図２３（Ａ１）、（Ａ２）は、ＣＯＧ又はＣＯＦにより信号線駆動回路４００３、走査線駆動回路４００４を実装する例であり、図２３（Ｂ１）、（Ｂ２）は、ＣＯＧ又はＣＯＦにより信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図２３（Ｃ）は、ＴＣＰにより信号線駆動回路４００３を実装する例である。
発光部４００２の外側には、枠状に非発光部が設けられている。ここで、非発光部は、第１の基板４００１上の第２の基板４００６と重なる領域のうち、発光部４００２を除く部分を指す。非発光部が有する領域４００５は、発光部４００２よりも厚さが薄い領域である。例えば、領域４００５は、第１の基板４００１と第２の基板４００６のうち少なくとも一方に凹部を有する領域である。
図２３（Ａ１）では、非発光部の一部に、枠状に領域４００５を有する例を示したが、図２３（Ａ２）に示すように、非発光部の全体が領域４００５であってもよい。また、領域４００５は、枠状に限られない。図２３（Ｂ１）では、発光装置の３辺にわたって領域４００５が設けられている例を示す。図２３（Ｂ２）では、発光装置の３辺それぞれに領域４００５が設けられている例を示す。このように領域４００５は複数設けられていてもよい。また、図２３（Ｃ）では、走査線駆動回路４００４と領域４００５が重なる例を示す。発光装置が、トランジスタを含む駆動回路の一部又は全体を発光部と同じ基板上に有する場合、該駆動回路と、領域４００５は重なる部分を有していてもよい。
以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様の発光装置は、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い領域を有することで、発光装置の側面からの不純物の侵入を抑制することができる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図面を用いて説明する。
本実施の形態では、主に有機ＥＬ素子を用いた発光装置を例示するが、本発明の一態様はこれに限られない。本実施の形態で示す各発光装置は、発光部よりも厚さが薄い領域を非発光部に有するため、信頼性が高い。
＜具体例１＞
図２４（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図２４（Ａ）における一点鎖線Ｄ１−Ｄ２間の断面図の一例を図２４（Ｂ）及び図３１（Ａ）にそれぞれ示す。具体的には、図２４（Ｂ）は、構成例ａ−３が適用された例であり、図３１（Ａ）は、構成例ｂ−３が適用された例である。具体例１で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成や、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、ＲＧＢＷＹ以外の色を用いてもよく、例えば、シアンやマゼンタ等を用いてもよい。
図２４（Ａ）に示す発光装置は、発光部８０４、駆動回路部８０６、ＦＰＣ８０８を有する。
図２４（Ｂ）及び図３１（Ａ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、及び絶縁層８２１）、第３の接着層８２２、第２の機能層（着色層８４５及び遮光層８４７）、第２の絶縁層７１５、第２の接着層７１３、並びに第２の可撓性基板７１１を有する。第３の接着層８２２、第２の絶縁層７１５、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１は可視光を透過する。発光部８０４及び駆動回路部８０６に含まれる発光素子やトランジスタは第１の可撓性基板７０１、第２の可撓性基板７１１、及び第３の接着層８２２によって封止されている。
発光部８０４は、第１の接着層７０３、及び第１の絶縁層７０５を介して第１の可撓性基板７０１上にトランジスタ８２０及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。下部電極８３１は可視光を反射することが好ましい。上部電極８３５は可視光を透過する。
また、発光部８０４は、発光素子８３０と重なる着色層８４５と、絶縁層８２１と重なる遮光層８４７と、を有する。発光素子８３０と着色層８４５の間は第３の接着層８２２で充填されている。
絶縁層８１５は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。また、絶縁層８１７は、トランジスタ起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を選択することが好適である。
駆動回路部８０６は、第１の接着層７０３及び第１の絶縁層７０５を介して第１の可撓性基板７０１上にトランジスタを複数有する。図２４（Ｂ）及び図３１（Ａ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、１つのトランジスタを示している。
第１の絶縁層７０５と第１の可撓性基板７０１は第１の接着層７０３によって貼り合わされている。また、第２の絶縁層７１５と第２の可撓性基板７１１は第２の接着層７１３によって貼り合わされている。第１の絶縁層７０５や第２の絶縁層７１５に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。工程数の増加を防ぐため、導電層８５７は、発光部や駆動回路部に用いる電極や配線と同一の材料、同一の工程で作製することが好ましい。ここでは、導電層８５７を、トランジスタ８２０を構成する電極と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
図２４（Ｂ）及び図３１（Ａ）に示す発光装置では、ＦＰＣ８０８が第２の可撓性基板７１１上に位置する。接続体８２５は、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、第２の絶縁層７１５、第３の接着層８２２、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。導電層８５７と第２の可撓性基板７１１とが重なる場合には、第２の可撓性基板７１１を開口する（又は開口部を有する基板を用いる）ことで、導電層８５７、接続体８２５、及びＦＰＣ８０８を電気的に接続させることができる。
図２４（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置の変形例を示す。図２５（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図２５（Ａ）における一点鎖線Ｄ３−Ｄ４間の断面図の一例を図２５（Ｂ）及び図３１（Ｂ）にそれぞれ示す。具体的には、図２５（Ｂ）は、構成例ａ−３が適用された例であり、図３１（Ｂ）は、構成例ｂ−３が適用された例である。
図２５（Ａ）、（Ｂ）及び図３１（Ｂ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の大きさが異なる場合の例である。ＦＰＣ８０８が第２の絶縁層７１５上に位置し、第２の可撓性基板７１１と重ならない。接続体８２５は、第２の絶縁層７１５、第３の接着層８２２、絶縁層８１７、及び絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。第２の可撓性基板７１１に開口を設ける必要がないため、第２の可撓性基板７１１の材料が制限されない。
また、図２４（Ａ）、図２５（Ａ）における一点鎖線Ｄ５−Ｄ６間の断面図の一例を図２６（Ａ）及び図３２にそれぞれ示す。
図２４（Ｂ）及び図２６（Ａ）に示す発光装置、並びに、図２５（Ｂ）及び図２６（Ａ）に示す発光装置は、発光装置の四辺のうち三辺において、非発光部の発光部側から発光装置の端部にかけて連続的に（滑らかに）厚さが薄くなっている部分を有する。このような構成とすることで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。
図３１（Ａ）及び図３２に示す発光装置、並びに、図３１（Ｂ）及び図３２に示す発光装置の非発光部では、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５に、凹部が設けられている。さらに、図３１（Ｂ）及び図３２に示す発光装置の非発光部では、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、及び第１の絶縁層７０５に、凹部が設けられている。このように、発光部よりも厚さが薄い部分を非発光部に形成することで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。
なお、ガスバリア性や防湿性が低い有機樹脂を用いて形成する絶縁層は、発光装置の端部に露出させないことが好ましい。このような構成とすることで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。例えば、図２７（Ａ）、（Ｂ）、図２８、図３１（Ｂ）、及び図３２に示すように、発光装置の端部に、絶縁層８１７を設けない構成としてもよい。
また、発光部８０４の変形例を図２６（Ｂ）に示す。
図２６（Ｂ）に示す発光装置は、絶縁層８１７ａ及び絶縁層８１７ｂを有し、絶縁層８１７ａ上に導電層８５６を有する。トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と、発光素子８３０の下部電極と、が、導電層８５６を介して、電気的に接続される。
図２６（Ｂ）に示す発光装置は、絶縁層８２１上にスペーサ８２３を有する。スペーサ８２３を設けることで、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の間隔を調整することができる。
図２６（Ｂ）に示す発光装置は、着色層８４５及び遮光層８４７を覆うオーバーコート８４９を有する。発光素子８３０とオーバーコート８４９の間は接着層８２２で充填されている。
また、発光素子８３０の変形例を図２６（Ｃ）に示す。
なお、図２６（Ｃ）に示すように、発光素子８３０は、下部電極８３１とＥＬ層８３３の間に、光学調整層８３２を有していてもよい。光学調整層８３２には、透光性を有する導電性材料を用いることが好ましい。カラーフィルタ（着色層）とマイクロキャビティ構造（光学調整層）との組み合わせにより、本発明の一態様の発光装置からは、色純度の高い光を取り出すことができる。光学調整層の厚さは、各副画素の発光色に応じて変化させればよい。
＜具体例２＞
図２６（Ｄ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（導電層８１４、導電層８５７ａ、導電層８５７ｂ、発光素子８３０、及び絶縁層８２１）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。
導電層８５７ａ及び導電層８５７ｂは、発光装置の外部接続電極であり、ＦＰＣ等と電気的に接続させることができる。
発光素子８３０は、下部電極８３１、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を有する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。発光素子８３０はボトムエミッション型、トップエミッション型、又はデュアルエミッション型である。光を取り出す側の電極、基板、絶縁層等は、それぞれ可視光を透過する。導電層８１４は、下部電極８３１と電気的に接続する。
光を取り出す側の基板は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を有していてもよい。例えば、樹脂基板上に上記レンズやフィルムを、該基板又は該レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を有する基板を形成することができる。
導電層８１４は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極８３１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極８３５と電気的に接続する導電層を絶縁層８２１上、ＥＬ層８３３上、又は上部電極８３５上などに設けてもよい。
導電層８１４は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料等を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層８１４の厚さは、例えば、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、好ましくは、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
＜具体例３＞
図２５（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図２５（Ａ）における一点鎖線Ｄ３−Ｄ４間の断面図の一例を図２９（Ａ）に示す。具体例３で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光装置である。
図２９（Ａ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、着色層８４５、絶縁層８１７ａ、絶縁層８１７ｂ、導電層８５６、複数の発光素子、及び絶縁層８２１）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂは可視光を透過する。
具体例３では、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１のうち、第１の可撓性基板７０１のみが撓む例を示す。具体例３に示す発光装置は、非発光部の発光部側から発光装置の端部に向かって連続的に（滑らかに）発光装置の厚さが薄くなっている部分を有する。さらに、発光装置の端部とその近傍には、発光装置の厚さが、発光部よりも薄く、かつ、一定である部分を有する。このような構成とすることで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。
発光部８０４は、第１の接着層７０３、及び第１の絶縁層７０５を介して第１の可撓性基板７０１上にトランジスタ８２０、トランジスタ８２４、及び発光素子８３０を有する。発光素子８３０は、絶縁層８１７ｂ上の下部電極８３１と、下部電極８３１上のＥＬ層８３３と、ＥＬ層８３３上の上部電極８３５と、を有する。下部電極８３１は、トランジスタ８２０のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極８３１の端部は、絶縁層８２１で覆われている。上部電極８３５は可視光を反射することが好ましい。下部電極８３１は可視光を透過する。発光素子８３０と重なる着色層８４５を設ける位置は、特に限定されず、例えば、絶縁層８１７ａと絶縁層８１７ｂの間や、絶縁層８１５と絶縁層８１７ａの間等に設ければよい。
駆動回路部８０６は、第１の接着層７０３及び第１の絶縁層７０５を介して第１の可撓性基板７０１上にトランジスタを複数有する。図２９（Ａ）では、駆動回路部８０６が有するトランジスタのうち、２つのトランジスタを示している。
第１の絶縁層７０５と第１の可撓性基板７０１は第１の接着層７０３によって貼り合わされている。第１の絶縁層７０５に防湿性の高い膜を用いると、発光素子８３０やトランジスタ８２０、トランジスタ８２４に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
導電層８５７は、駆動回路部８０６に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ８０８を設ける例を示している。また、ここでは、導電層８５７を、導電層８５６と同一の材料、同一の工程で作製した例を示す。
なお、図３０（Ａ）に示すように、発光装置の端部に、絶縁層８１７ａや絶縁層８１７ｂを設けない構成としてもよい。
＜具体例４＞
図２５（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図２５（Ａ）における一点鎖線Ｄ３−Ｄ４間の断面図の一例を図２９（Ｂ）に示す。具体例４で示す発光装置は、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。
図２９（Ｂ）に示す発光装置は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第１の機能層（複数のトランジスタ、導電層８５７、絶縁層８１５、絶縁層８１７、複数の発光素子、絶縁層８２１、及びスペーサ８２３）、第２の接着層７１３、及び第２の可撓性基板７１１を有する。第２の接着層７１３及び第２の可撓性基板７１１は可視光を透過する。
具体例４では、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１のうち、第２の可撓性基板７１１のみが撓む例を示す。具体例４に示す発光装置は、非発光部の発光部側から発光装置の端部に向かって連続的に（滑らかに）発光装置の厚さが薄くなっている部分を有する。このような構成とすることで、発光装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。
図２９（Ｂ）に示す発光装置では、接続体８２５が絶縁層８１５上に位置する。接続体８２５は、絶縁層８１５に設けられた開口を介して導電層８５７と接続している。また、接続体８２５はＦＰＣ８０８に接続している。接続体８２５を介してＦＰＣ８０８と導電層８５７は電気的に接続する。
なお、図３０（Ｂ）に示すように、発光装置の端部に、絶縁層８１７を設けない構成としてもよい。
＜材料の一例＞
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム、有機半導体等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
トランジスタの特性安定化等のため、下地膜を設けることが好ましい。下地膜としては、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を用い、単層で又は積層して作製することができる。下地膜はスパッタリング法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法（プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法など）、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、塗布法、印刷法等を用いて形成できる。なお、下地膜は、必要で無ければ設けなくてもよい。上記各具体例では、第１の絶縁層７０５がトランジスタの下地膜を兼ねることができる。
下部電極８３１及び上部電極８３５の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層８３３に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層８３３において再結合し、ＥＬ層８３３に含まれる発光物質が発光する。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
ＥＬ層８３３は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層８３３は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
ＥＬ層８３３には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層８３３を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
発光素子８３０は、２種類以上の発光物質を含んでいてもよい。これにより、例えば、白色発光の発光素子を実現することができる。例えば２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるように、発光物質を選択することにより白色発光を得ることができる。例えば、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、又はＯ（橙）等の発光を示す発光物質や、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含む発光を示す発光物質を用いることができる。例えば、青の発光を示す発光物質と、黄の発光を示す発光物質を用いてもよい。このとき、黄の発光を示す発光物質の発光スペクトルは、緑及び赤のスペクトル成分を含むことが好ましい。また、発光素子８３０の発光スペクトルは、可視領域（例えば３５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下、又は４００ｎｍ以上８００ｎｍ以下など）の範囲内に２以上のピークを有することが好ましい。
ＥＬ層８３３は、複数の発光層を有していてもよい。ＥＬ層８３３において、複数の発光層は、互いに接して積層されていてもよいし、分離層を介して積層されていてもよい。例えば、蛍光発光層と、燐光発光層との間に、分離層を設けてもよい。
分離層は、例えば、燐光発光層中で生成する燐光材料の励起状態から蛍光発光層中の蛍光材料へのデクスター機構によるエネルギー移動（特に三重項エネルギー移動）を防ぐために設けることができる。分離層は数ｎｍ程度の厚さがあればよい。具体的には、０．１ｎｍ以上２０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、あるいは１ｎｍ以上５ｎｍ以下である。分離層は、単一の材料（好ましくはバイポーラ性の物質）、又は複数の材料（好ましくは正孔輸送性材料及び電子輸送性材料）を含む。
分離層は、該分離層と接する発光層に含まれる材料を用いて形成してもよい。これにより、発光素子の作製が容易になり、また、駆動電圧が低減される。例えば、燐光発光層が、ホスト材料、アシスト材料、及び燐光材料（ゲスト材料）からなる場合、分離層を、該ホスト材料及びアシスト材料で形成してもよい。上記構成を別言すると、分離層は、燐光材料を含まない領域を有し、燐光発光層は、燐光材料を含む領域を有する。これにより、分離層と燐光発光層とを燐光材料の有無で蒸着することが可能となる。また、このような構成とすることで、分離層と燐光発光層を同じチャンバーで成膜することが可能となる。これにより、製造コストを削減することができる。
また、発光素子８３０は、ＥＬ層を１つ有するシングル素子であってもよいし、電荷発生層を介して積層されたＥＬ層を複数有するタンデム素子であってもよい。
発光素子は、一対の防湿性の高い絶縁層の間に設けられていることが好ましい。これにより、発光素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。具体的には、上記のように、絶縁層２０５及び絶縁層２２５として、防湿性の高い絶縁膜を用いると、発光素子が一対の防湿性の高い絶縁膜の間に位置し、発光装置の信頼性の低下を抑制できる。
絶縁層８１５としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。また、絶縁層８１７、絶縁層８１７ａ、及び絶縁層８１７ｂとしては、例えば、ポリイミド、アクリル、ポリアミド、ポリイミドアミド、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料をそれぞれ用いることができる。また、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。また、絶縁膜を複数積層させることで、各絶縁層を形成してもよい。
絶縁層８２１としては、有機絶縁材料又は無機絶縁材料を用いて形成する。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に感光性の樹脂材料を用い、下部電極８３１上に開口部を形成し、その開口部の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となるように形成することが好ましい。
絶縁層８２１の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。
スペーサ８２３は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、金属材料等を用いて形成することができる。例えば、無機絶縁材料や有機絶縁材料としては、上記絶縁層に用いることができる各種材料が挙げられる。金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。導電材料を含むスペーサ８２３と上部電極８３５とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極８３５の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサ８２３は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
トランジスタの電極や配線、又は発光素子の補助電極等として機能する、発光装置に用いる導電層は、例えば、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、導電層は、導電性の金属酸化物を用いて形成してもよい。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、ＺｎＯ、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
着色層は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。また、白色の副画素では、発光素子と重ねて透明の樹脂を配置してもよい。
遮光層は、隣接する着色層の間に設けられている。遮光層は隣接する発光素子からの光を遮光し、隣接する発光素子間における混色を抑制する。ここで、着色層の端部を、遮光層と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層としては、発光素子からの発光を遮る材料を用いることができ、例えば、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料を用いてブラックマトリクスを形成すればよい。なお、遮光層は、駆動回路部などの発光部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
また、着色層及び遮光層を覆うオーバーコートを設けてもよい。オーバーコートを設けることで、着色層に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜や、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。
また、接着層の材料を着色層及び遮光層上に塗布する場合、オーバーコートの材料として接着層の材料に対して濡れ性の高い材料を用いることが好ましい。例えば、オーバーコートとして、ＩＴＯ膜などの酸化物導電膜や、透光性を有する程度に薄いＡｇ膜等の金属膜を用いることが好ましい。
接続体としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）や、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
上述の通り、本発明の一態様は、半導体装置、発光装置、表示装置、入出力装置等の各種装置に適用することができる。
表示素子としては、有機ＥＬ素子、液晶素子、電気泳動素子、ＭＥＭＳ（マイクロ・エレクトロ・メカニカル・システム）を用いた表示素子等が挙げられる。
なお、本発明の一態様の発光装置は、表示装置として用いてもよいし、照明装置として用いてもよい。例えば、バックライトやフロントライトなどの光源、つまり、表示パネルのための照明装置として活用してもよい。
以上、本実施の形態で示したように、本発明の一態様の発光装置は、非発光部に、発光部よりも厚さが薄い領域を有することで、発光装置の側面からの不純物の侵入を抑制することができる。したがって、信頼性の高い発光装置を実現することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置について図面を用いて説明する。なお、入出力装置が有する構成要素のうち、実施の形態２で説明した発光装置と同様の構成要素については、先の記載も参照することができる。また、本実施の形態では、発光素子を用いた入出力装置を例示するが、これに限られない。また、本実施の形態で説明する入出力装置は、タッチパネルともいえる。
本実施の形態で示す各入出力装置は、表示部よりも厚さが薄い領域を非表示部に有するため、信頼性が高い。なお、入出力装置において、表示部（発光部）以外の部分はすべて非表示部（非発光部）といえる。したがって、表示部３０１や表示部５０１の外側に非表示部が枠状に設けられているといえる。例えば、駆動回路は非発光部の一部である。
＜構成例１＞
図３３（Ａ）は入出力装置の上面図である。図３３（Ｂ）及び図３７（Ａ）は、それぞれ、図３３（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂ間及び一点鎖線Ｃ−Ｄ間の断面図である。具体的には、図３３（Ｂ）は構成例ａ−３が適用された例であり、図３７（Ａ）は構成例ｂ−３が適用された例である。図３３（Ｃ）は図３３（Ａ）の一点鎖線Ｅ−Ｆ間の断面図である。
図３３（Ａ）に示す入出力装置３９０は、表示部３０１（入力部も兼ねる）、走査線駆動回路３０３ｇ（１）、撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）、画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）、及び撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）を有する。
表示部３０１は、複数の画素３０２と、複数の撮像画素３０８と、を有する。
画素３０２は、複数の副画素を有する。各副画素は、発光素子及び画素回路を有する。
画素回路は、発光素子を駆動する電力を供給することができる。画素回路は、選択信号を供給することができる配線と電気的に接続される。また、画素回路は、画像信号を供給することができる配線と電気的に接続される。
走査線駆動回路３０３ｇ（１）は、選択信号を画素３０２に供給することができる。
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、画像信号を画素３０２に供給することができる。
撮像画素３０８を用いてタッチセンサを構成することができる。具体的には、撮像画素３０８は、表示部３０１に触れる指等を検知することができる。
撮像画素３０８は、光電変換素子及び撮像画素回路を有する。
撮像画素回路は、光電変換素子を駆動することができる。撮像画素回路は、制御信号を供給することができる配線と電気的に接続される。また、撮像画素回路は、電源電位を供給することができる配線と電気的に接続される。
制御信号としては、例えば、記録された撮像信号を読み出す撮像画素回路を選択することができる信号、撮像画素回路を初期化することができる信号、及び撮像画素回路が光を検知する時間を決定することができる信号などを挙げることができる。
撮像画素駆動回路３０３ｇ（２）は、制御信号を撮像画素３０８に供給することができる。
撮像信号線駆動回路３０３ｓ（２）は、撮像信号を読み出すことができる。
図３３（Ｂ）、（Ｃ）、及び図３７（Ａ）に示すように、入出力装置３９０は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５を有する。また、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１は、第３の接着層３６０で貼り合わされている。
図３３（Ｂ）では、非表示部の表示部側から入出力装置の端部にかけて連続的に（滑らかに）厚さが薄くなっている部分を有する。図３７（Ａ）では、非表示部に凹部を有する。凹部では、第３の接着層３６０の厚さが薄くなっている。これらのような構成とすることで、入出力装置の側面から不純物が侵入することを抑制できる。
第１の可撓性基板７０１と第１の絶縁層７０５は第１の接着層７０３で貼り合わされている。また、第２の可撓性基板７１１と第２の絶縁層７１５は第２の接着層７１３で貼り合わされている。基板、接着層、及び絶縁層に用いることができる材料については実施の形態２を参照することができる。
画素３０２は、副画素３０２Ｒ、副画素３０２Ｇ、及び副画素３０２Ｂを有する（図３３（Ｃ））。
例えば副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒ及び画素回路を有する。画素回路は、発光素子３５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ３０２ｔを含む。また、副画素３０２Ｒはさらに光学素子（例えば赤色の光を透過する着色層３６７Ｒ）を有する。
発光素子３５０Ｒは、下部電極３５１Ｒ、ＥＬ層３５３、及び上部電極３５２をこの順で積層して有する（図３３（Ｃ））。
ＥＬ層３５３は、第１のＥＬ層３５３ａ、中間層３５４、及び第２のＥＬ層３５３ｂをこの順で積層して有する。
なお、特定の波長の光を効率よく取り出せるように、発光素子３５０Ｒにマイクロキャビティ構造を配設することができる。具体的には、特定の光を効率よく取り出せるように配置された可視光を反射する膜及び半反射・半透過する膜の間にＥＬ層を配置してもよい。
副画素３０２Ｒは、発光素子３５０Ｒと着色層３６７Ｒに接する第３の接着層３６０を有する。着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は、第３の接着層３６０及び着色層３６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように副画素３０２Ｒの外部に射出される。
入出力装置３９０は、遮光層３６７ＢＭを有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
入出力装置３９０は、反射防止層３６７ｐを表示部３０１に重なる位置に有する。反射防止層３６７ｐとして、例えば円偏光板を用いることができる。
入出力装置３９０は、絶縁層３２１を有する。絶縁層３２１はトランジスタ３０２ｔ等を覆っている。なお、絶縁層３２１は画素回路や撮像画素回路に起因する凹凸を平坦化するための層として用いることができる。また、不純物のトランジスタ３０２ｔ等への拡散を抑制することができる絶縁層で、トランジスタ３０２ｔ等を覆うことが好ましい。
入出力装置３９０は、下部電極３５１Ｒの端部に重なる隔壁３２８を有する。また、第１の可撓性基板７０１と第２の可撓性基板７１１の間隔を制御するスペーサ３２９を、隔壁３２８上に有する。
画像信号線駆動回路３０３ｓ（１）は、トランジスタ３０３ｔ及び容量３０３ｃを含む。なお、駆動回路は画素回路と同一の工程で同一基板上に形成することができる。図３３（Ｂ）及び図３７（Ａ）に示すようにトランジスタ３０３ｔは絶縁層３２１上に第２のゲート３０４を有していてもよい。第２のゲート３０４はトランジスタ３０３ｔのゲートと電気的に接続されていてもよいし、これらに異なる電位が与えられていてもよい。また、必要であれば、第２のゲート３０４をトランジスタ３０８ｔ、トランジスタ３０２ｔ等に設けてもよい。
撮像画素３０８は、光電変換素子３０８ｐ及び撮像画素回路を有する。撮像画素回路は、光電変換素子３０８ｐに照射された光を検知することができる。撮像画素回路は、トランジスタ３０８ｔを含む。例えばｐｉｎ型のフォトダイオードを光電変換素子３０８ｐに用いることができる。
入出力装置３９０は、信号を供給することができる配線３１１を有し、端子３１９が配線３１１に設けられている。画像信号及び同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ３０９が端子３１９に電気的に接続されている。ＦＰＣ３０９にはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていてもよい。
なお、トランジスタ３０２ｔ、トランジスタ３０３ｔ、トランジスタ３０８ｔ等のトランジスタは、同一の工程で形成することができる。または、それぞれ異なる工程で形成してもよい。
＜構成例２＞
図３４（Ａ）、（Ｂ）は、入出力装置５０５の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図３５（Ａ）は、図３４（Ａ）に示す一点鎖線Ｘ１−Ｘ２間の断面図である。図３５（Ａ）は、構成例ａ−３が適用された例である。また、変形例として、図３７（Ｂ）に、構成例ｂ−３が適用された例を示す。
図３４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、入出力装置５０５は、表示部５０１、走査線駆動回路３０３ｇ（１）、及びタッチセンサ５９５等を有する。また、入出力装置５０５は、第１の可撓性基板７０１、第２の可撓性基板７１１、及び可撓性基板５９０を有する。
入出力装置５０５は、複数の画素及び複数の配線３１１を有する。複数の配線３１１は、画素に信号を供給することができる。複数の配線３１１は、第１の可撓性基板７０１の外周部にまで引き回され、その一部が端子３１９を構成している。端子３１９はＦＰＣ５０９（１）と電気的に接続する。
入出力装置５０５は、タッチセンサ５９５及び複数の配線５９８を有する。複数の配線５９８は、タッチセンサ５９５と電気的に接続される。複数の配線５９８は可撓性基板５９０の外周部に引き回され、その一部は端子を構成する。そして、当該端子はＦＰＣ５０９（２）と電気的に接続される。なお、図３４（Ｂ）では明瞭化のため、可撓性基板５９０の裏面側（第１の可撓性基板７０１と対向する面側）に設けられるタッチセンサ５９５の電極や配線等を実線で示している。
タッチセンサ５９５には、例えば静電容量方式のタッチセンサを適用できる。静電容量方式としては、表面型静電容量方式、投影型静電容量方式等がある。ここでは、投影型静電容量方式のタッチセンサを適用する場合を示す。
投影型静電容量方式としては、自己容量方式、相互容量方式などがある。相互容量方式を用いると同時多点検出が可能となるため好ましい。
なお、タッチセンサ５９５には、指等の検知対象の近接又は接触を検知することができるさまざまなセンサを適用することができる。
投影型静電容量方式のタッチセンサ５９５は、電極５９１と電極５９２を有する。電極５９１は複数の配線５９８のいずれかと電気的に接続し、電極５９２は複数の配線５９８の他のいずれかと電気的に接続する。
電極５９２は、図３４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、一方向に繰り返し配置された複数の四辺形が角部で接続された形状を有する。
電極５９１は四辺形であり、電極５９２が延在する方向と交差する方向に繰り返し配置されている。なお、複数の電極５９１は、一の電極５９２と必ずしも直交する方向に配置される必要はなく、９０度未満の角度をなすように配置されてもよい。
配線５９４は電極５９２と交差して設けられている。配線５９４は、電極５９２の１つを挟む２つの電極５９１を電気的に接続する。このとき、電極５９２と配線５９４の交差部の面積ができるだけ小さくなる形状が好ましい。これにより、電極が設けられていない領域の面積を低減でき、光の透過率のムラを低減できる。その結果、タッチセンサ５９５を透過する光の輝度ムラを低減することができる。
なお、電極５９１、電極５９２の形状はこれに限られず、様々な形状を取りうる。
図３５（Ａ）及び図３７（Ｂ）に示すように、入出力装置５０５は、第１の可撓性基板７０１、第１の接着層７０３、第１の絶縁層７０５、第２の可撓性基板７１１、第２の接着層７１３、及び第２の絶縁層７１５を有する。また、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１は、第３の接着層３６０で貼り合わされている。
接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部５０１に重なるように、可撓性基板５９０を第２の可撓性基板７１１に貼り合わせている。接着層５９７は、透光性を有する。
電極５９１及び電極５９２は、透光性を有する導電材料を用いて形成する。透光性を有する導電性材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などの導電性酸化物を用いることができる。なお、グラフェンを含む膜を用いることもできる。グラフェンを含む膜は、例えば膜状に形成された酸化グラフェンを含む膜を還元して形成することができる。還元する方法としては、熱を加える方法等を挙げることができる。
また、電極５９１、電極５９２、配線５９４などの導電膜、つまり、タッチパネルを構成する配線や電極に用いる材料として、酸化インジウム、酸化錫、酸化亜鉛等を有する透明導電膜（例えば、ＩＴＯなど）が挙げられる。また、タッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料は、抵抗値が低いことが好ましい。一例として、銀、銅、アルミニウム、カーボンナノチューブ、グラフェン、ハロゲン化金属（ハロゲン化銀など）などを用いてもよい。さらに、非常に細くした（例えば、直径が数ナノメートル）、複数の導電体を用いて構成される金属ナノワイヤを用いてもよい。または、導電体を網目状にした金属メッシュを用いてもよい。一例としては、Ａｇナノワイヤ、Ｃｕナノワイヤ、Ａｌナノワイヤ、Ａｇメッシュ、Ｃｕメッシュ、Ａｌメッシュなどを用いてもよい。例えば、タッチパネルを構成する配線や電極にＡｇナノワイヤを用いる場合、可視光において透過率を８９％以上、シート抵抗値を４０Ω／□以上１００Ω／□以下とすることができる。また、上述したタッチパネルを構成する配線や電極に用いることのできる材料の一例である、金属ナノワイヤ、金属メッシュ、カーボンナノチューブ、グラフェンなどは、可視光において透過率が高いため、表示素子に用いる電極（例えば、画素電極又は共通電極など）として用いてもよい。
透光性を有する導電性材料を可撓性基板５９０上にスパッタリング法により成膜した後、フォトリソグラフィ法等の様々なパターニング技術により、不要な部分を除去して、電極５９１及び電極５９２を形成することができる。
電極５９１及び電極５９２は絶縁層５９３で覆われている。また、電極５９１に達する開口が絶縁層５９３に設けられ、配線５９４が隣接する電極５９１を電気的に接続する。透光性の導電性材料は、入出力装置の開口率を高まることができるため、配線５９４に好適に用いることができる。また、電極５９１及び電極５９２より導電性の高い材料は、電気抵抗を低減できるため配線５９４に好適に用いることができる。
なお、絶縁層５９３及び配線５９４を覆う絶縁層を設けて、タッチセンサ５９５を保護することができる。
また、接続層５９９は、配線５９８とＦＰＣ５０９（２）を電気的に接続する。
表示部５０１は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。画素は、構成例１と同様であるため、説明を省略する。
なお、図３５（Ｂ）に示すように、可撓性基板５９０を用いず、第１の可撓性基板７０１及び第２の可撓性基板７１１の２枚の基板でタッチパネルを構成してもよい。第２の可撓性基板７１１と第２の絶縁層７１５が第２の接着層７１３で貼り合わされており、第２の絶縁層７１５に接してタッチセンサ５９５が設けられている。タッチセンサ５９５を覆う絶縁層５８９に接して、着色層３６７Ｒ及び遮光層３６７ＢＭが設けられている。絶縁層５８９を設けず、着色層３６７Ｒや遮光層３６７ＢＭを配線５９４に接して設けてもよい。
＜構成例３＞
図３６は、入出力装置５０５Ｂの断面図である。本実施の形態で説明する入出力装置５０５Ｂは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する点及びタッチセンサが表示部の第１の可撓性基板７０１側に設けられている点が、構成例２の入出力装置５０５とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。図３６（Ａ）は、構成例ａ−３が適用された例である。また、変形例として、図３７（Ｃ）に、構成例ｂ−３が適用された例を示す。
着色層３６７Ｒは発光素子３５０Ｒと重なる位置にある。また、図３６（Ａ）及び図３７（Ｃ）に示す発光素子３５０Ｒは、トランジスタ３０２ｔが設けられている側に光を射出する。これにより、発光素子３５０Ｒが発する光の一部は着色層３６７Ｒを透過して、図中に示す矢印の方向の入出力装置５０５Ｂの外部に射出される。
入出力装置５０５Ｂは、光を射出する方向に遮光層３６７ＢＭを有する。遮光層３６７ＢＭは、着色層（例えば着色層３６７Ｒ）を囲むように設けられている。
タッチセンサ５９５は、第２の可撓性基板７１１側でなく、第１の可撓性基板７０１側に設けられている（図３６（Ａ）及び図３７（Ｃ））。
接着層５９７は、タッチセンサ５９５が表示部に重なるように、可撓性基板５９０を第１の可撓性基板７０１に貼り合わせている。接着層５９７は、透光性を有する。
なお、ボトムゲート型のトランジスタを表示部５０１に適用する場合の構成を、図３６（Ａ）、（Ｂ）及び図３７（Ｃ）に示す。
例えば、酸化物半導体、アモルファスシリコン等を含む半導体層を、図３６（Ａ）及び図３７（Ｃ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。
例えば、多結晶シリコン等を含む半導体層を、図３６（Ｂ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。
また、トップゲート型のトランジスタを適用する場合の構成を、図３６（Ｃ）に示す。
例えば、多結晶シリコン又は単結晶シリコン基板から転置された単結晶シリコン膜等を含む半導体層を、図３６（Ｃ）に示すトランジスタ３０２ｔ及びトランジスタ３０３ｔに適用することができる。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。また、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて、曲面又は可撓性を有し、信頼性の高い電子機器や照明装置を作製できる。
電子機器としては、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。
また、本発明の一態様の電子機器又は照明装置は可撓性を有するため、家屋やビルの内壁もしくは外壁、又は、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことも可能である。
また、本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。
二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。
本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
図３８（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。
表示部７０００は、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。
本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図３８（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。携帯電話機７１００は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６等を有する。
図３８（Ａ）に示す携帯電話機７１００は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。
図３８（Ｂ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７２００は、筐体７２０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７２０３により筐体７２０１を支持した構成を示している。
図３８（Ｂ）に示すテレビジョン装置７２００の操作は、筐体７２０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７２１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７２１１は、当該リモコン操作機７２１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７２１１が備える操作キー又はタッチパネルにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
なお、テレビジョン装置７２００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
図３８（Ｃ１）、（Ｃ２）、（Ｄ）、（Ｅ）に携帯情報端末の一例を示す。各携帯情報端末は、筐体７３０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、又はバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。
図３８（Ｃ１）は、携帯情報端末７３００の斜視図であり、図３８（Ｃ２）は携帯情報端末７３００の上面図である。図３８（Ｄ）は、携帯情報端末７３１０の斜視図である。図３８（Ｅ）は、携帯情報端末７３２０の斜視図である。
本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳又は情報閲覧装置等から選ばれた一つ又は複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。
携帯情報端末７３００、携帯情報端末７３１０及び携帯情報端末７３２０は、文字や画像情報をその複数の面に表示することができる。例えば、図３８（Ｃ１）、（Ｄ）に示すように、３つの操作ボタン７３０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７３０３を他の面に表示することができる。図３８（Ｃ１）、（Ｃ２）では、携帯情報端末の上側に情報が表示される例を示し、図３８（Ｄ）では、携帯情報端末の横側に情報が表示される例を示す。また、携帯情報端末の３面以上に情報を表示してもよく、図３８（Ｅ）では、情報７３０４、情報７３０５、情報７３０６がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。
なお、情報の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。
例えば、携帯情報端末７３００の使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末７３００を収納した状態で、その表示（ここでは情報７３０３）を確認することができる。
具体的には、着信した電話の発信者の電話番号又は氏名等を、携帯情報端末７３００の上方から観察できる位置に表示する。使用者は、携帯情報端末７３００をポケットから取り出すことなく、表示を確認し、電話を受けるか否かを判断できる。
図３８（Ｆ）〜（Ｈ）に、湾曲した発光部を有する照明装置の一例を示している。
図３８（Ｆ）〜（Ｈ）に示す各照明装置が有する発光部は、本発明の一態様の発光装置等を用いて作製される。
本発明の一態様により、湾曲した発光部を備え、且つ信頼性の高い照明装置を提供できる。
図３８（Ｆ）に示す照明装置７４００は、波状の発光面を有する発光部７４０２を備える。したがってデザイン性の高い照明装置となっている。
図３８（Ｇ）に示す照明装置７４１０の備える発光部７４１２は、凸状に湾曲した２つの発光部が対称的に配置された構成となっている。したがって照明装置７４１０を中心に全方位を照らすことができる。
図３８（Ｈ）に示す照明装置７４２０は、凹状に湾曲した発光部７４２２を備える。したがって、発光部７４２２からの発光を、照明装置７４２０の前面に集光するため、特定の範囲を明るく照らす場合に適している。また、このような形態とすることで、影ができにくいという効果を奏する。
また、照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０の備える各々の発光部は可撓性を有していてもよい。発光部を可塑性の部材や可動なフレームなどの部材で固定し、用途に合わせて発光部の発光面を自在に湾曲可能な構成としてもよい。
照明装置７４００、照明装置７４１０及び照明装置７４２０は、それぞれ、操作スイッチ７４０３を備える台部７４０１と、台部７４０１に支持される発光部を有する。
なおここでは、台部によって発光部が支持された照明装置について例示したが、発光部を備える筐体を天井に固定する、又は天井からつり下げるように用いることもできる。発光面を湾曲させて用いることができるため、発光面を凹状に湾曲させて特定の領域を明るく照らす、又は発光面を凸状に湾曲させて部屋全体を明るく照らすこともできる。
図３９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）〜（Ｉ）に、可撓性を有する表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。
表示部７００１は、本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる発光装置、表示装置、又は入出力装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。
本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。
図３９（Ａ１）は、携帯情報端末の一例を示す斜視図であり、図３９（Ａ２）は、携帯情報端末の一例を示す側面図である。携帯情報端末７５００は、筐体７５０１、表示部７００１、引き出し部材７５０２、操作ボタン７５０３等を有する。
携帯情報端末７５００は、筐体７５０１内にロール状に巻かれた可撓性を有する表示部７００１を有する。
また、携帯情報端末７５００は内蔵された制御部によって映像信号を受信可能で、受信した映像を表示部７００１に表示することができる。また、携帯情報端末７５００にはバッテリが内蔵されている。また、筐体７５０１にコネクターを接続する端子部を備え、映像信号や電力を有線により外部から直接供給する構成としてもよい。
また、操作ボタン７５０３によって、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や表示する映像の切り替え等を行うことができる。なお、図３９（Ａ１）、（Ａ２）、（Ｂ）では、携帯情報端末７５００の側面に操作ボタン７５０３を配置する例を示すが、これに限られず、携帯情報端末７５００の表示面と同じ面（おもて面）や、裏面に配置してもよい。
図３９（Ｂ）には、表示部７００１を引き出した状態の携帯情報端末７５００を示す。この状態で表示部７００１に映像を表示することができる。また、表示部７００１の一部がロール状に巻かれた図３９（Ａ１）の状態と表示部７００１を引き出し部材７５０２により引き出した図３９（Ｂ）の状態とで、携帯情報端末７５００が異なる表示を行う構成としてもよい。例えば、図３９（Ａ１）の状態のときに、表示部７００１のロール状に巻かれた部分を非表示とすることで、携帯情報端末７５００の消費電力を下げることができる。
なお、表示部７００１を引き出した際に表示部７００１の表示面が平面状となるように固定するため、表示部７００１の側部に補強のためのフレームを設けていてもよい。
なお、この構成以外に、筐体にスピーカを設け、映像信号と共に受信した音声信号によって音声を出力する構成としてもよい。
図３９（Ｃ）〜（Ｅ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３９（Ｃ）では、展開した状態、図３９（Ｄ）では、展開した状態又は折りたたんだ状態の一方から他方に変化する途中の状態、図３９（Ｅ）では、折りたたんだ状態の携帯情報端末７６００を示す。携帯情報端末７６００は、折りたたんだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では、継ぎ目のない広い表示領域により一覧性に優れる。
表示部７００１はヒンジ７６０２によって連結された３つの筐体７６０１に支持されている。ヒンジ７６０２を介して２つの筐体７６０１間を屈曲させることにより、携帯情報端末７６００を展開した状態から折りたたんだ状態に可逆的に変形させることができる。
図３９（Ｆ）、（Ｇ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図３９（Ｆ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図３９（Ｇ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れや傷つきを抑制できる。
図３９（Ｈ）に、可撓性を有する携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７７００は、筐体７７０１及び表示部７００１を有する。さらに、入力手段であるボタン７７０３ａ、７７０３ｂ、音声出力手段であるスピーカ７７０４ａ、７７０４ｂ、外部接続ポート７７０５、マイク７７０６等を有していてもよい。また、携帯情報端末７７００は、可撓性を有するバッテリ７７０９を搭載することができる。バッテリ７７０９は例えば表示部７００１と重ねて配置してもよい。
筐体７７０１、表示部７００１、及びバッテリ７７０９は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７７００を所望の形状に湾曲させることや、携帯情報端末７７００に捻りを加えることが容易である。例えば、携帯情報端末７７００は、表示部７００１が内側又は外側になるように折り曲げて使用することができる。または、携帯情報端末７７００をロール状に巻いた状態で使用することもできる。このように、筐体７７０１及び表示部７００１を自由に変形することが可能であるため、携帯情報端末７７００は、落下した場合、又は意図しない外力が加わった場合であっても、破損しにくいという利点がある。
また、携帯情報端末７７００は軽量であるため、筐体７７０１の上部をクリップ等で把持してぶら下げて使用する、又は、筐体７７０１を磁石等で壁面に固定して使用するなど、様々な状況において利便性良く使用することができる。
図３９（Ｉ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１やバンド７８０１と重ねて配置してもよい。
バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。
操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。
また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。
また、携帯情報端末７８００は、通信規格された近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。
また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。
図４０（Ａ）に自動車９７００の外観を示す。図４０（Ｂ）に自動車９７００の運転席を示す。自動車９７００は、車体９７０１、車輪９７０２、ダッシュボード９７０３、ライト９７０４等を有する。本発明の一態様の発光装置、表示装置又は入出力装置等は、自動車９７００の表示部などに用いることができる。例えば、図４０（Ｂ）に示す表示部９７１０乃至表示部９７１５に本発明の一態様の発光装置、表示装置又は入出力装置等を設けることができる。
表示部９７１０と表示部９７１１は、自動車のフロントガラスに設けられた表示装置である。本発明の一態様の発光装置、表示装置又は入出力装置等は、電極や配線を、透光性を有する導電性材料で作製することによって、反対側が透けて見える、いわゆるシースルー状態とすることができる。表示部９７１０及び表示部９７１１がシースルー状態であれば、自動車９７００の運転時にも視界の妨げになることがない。よって、本発明の一態様の発光装置、表示装置又は入出力装置等を自動車９７００のフロントガラスに設置することができる。なお、発光装置、表示装置又は入出力装置等を駆動するためのトランジスタなどを設ける場合には、有機半導体材料を用いた有機トランジスタや、酸化物半導体を用いたトランジスタなど、透光性を有するトランジスタを用いるとよい。
表示部９７１２はピラー部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１２に映し出すことによって、ピラーで遮られた視界を補完することができる。表示部９７１３はダッシュボード部分に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７１３に映し出すことによって、ダッシュボードで遮られた視界を補完することができる。すなわち、自動車の外側に設けられた撮像手段からの映像を映し出すことによって、死角を補い、安全性を高めることができる。また、見えない部分を補完する映像を映すことによって、より自然に違和感なく安全確認を行うことができる。
また、図４０（Ｃ）は、運転席と助手席にベンチシートを採用した自動車の室内を示している。表示部９７２１は、ドア部に設けられた表示装置である。例えば、車体に設けられた撮像手段からの映像を表示部９７２１に映し出すことによって、ドアで遮られた視界を補完することができる。また、表示部９７２２は、ハンドルに設けられた表示装置である。表示部９７２３は、ベンチシートの座面の中央部に設けられた表示装置である。なお、表示装置を座面や背もたれ部分などに設置して、当該表示装置を、当該表示装置の発熱を熱源としたシートヒーターとして利用することもできる。
表示部９７１４、表示部９７１５、または表示部９７２２はナビゲーション情報、スピードメーターやタコメーター、走行距離、給油量、ギア状態、エアコンの設定など、その他様々な情報を提供することができる。また、表示部に表示される表示項目やレイアウトなどは、使用者の好みに合わせて適宜変更することができる。なお、上記情報は、表示部９７１０乃至表示部９７１３、表示部９７２１、表示部９７２３にも表示することができる。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は照明装置として用いることも可能である。また、表示部９７１０乃至表示部９７１５、表示部９７２１乃至表示部９７２３は加熱装置として用いることも可能である。
本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等が適用される表示部は平面であってもよい。
図４０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、筐体９８０１、筐体９８０２、表示部９８０３、表示部９８０４、マイクロフォン９８０５、スピーカ９８０６、操作キー９８０７、スタイラス９８０８等を有する。
図４０（Ｄ）に示す携帯型ゲーム機は、２つの表示部（表示部９８０３と表示部９８０４）を有する。なお、本発明の一態様の電子機器が有する表示部の数は、２つに限定されず１つであっても３つ以上であってもよい。電子機器が複数の表示部を有する場合、少なくとも１つの表示部が本発明の一態様の発光装置、表示装置、又は入出力装置等を有していればよい。
図４０（Ｅ）はノート型パーソナルコンピュータであり、筐体９８２１、表示部９８２２、キーボード９８２３、ポインティングデバイス９８２４等を有する。
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
本実施例では、本発明の一態様を適用して作製した試料について説明する。
本実施例で作製した試料は、発光装置を想定した構成である。該試料は、実施の形態２にて例示した発光装置の構成において、発光素子の一部（ＥＬ層及び上部電極）が形成されていない状態である。該試料には、発光部に相当する領域が設けられており、該発光部の外側に、非発光部に相当する領域が枠状に設けられている。
まず、試料の作製方法について、図８（Ａ）〜（Ｄ）、図９（Ａ）、及び図２６（Ｂ）、（Ｃ）、図４１（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。
図８（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成した。作製基板２０１としては厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。剥離層２０３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２０５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。機能層２０６には、酸化物半導体を用いたトランジスタを含む。
図２６（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、本実施例で作製した剥離層２０３上の被剥離層（図８（Ａ）における絶縁層２０５及び機能層２０６に相当）の具体的な構成を説明する。該被剥離層としては、絶縁層７０５、トランジスタ８２０、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、導電層８５６、絶縁層８１７ｂ、下部電極８３１、光学調整層８３２、絶縁層８２１、及びスペーサ８２３を形成した。
また、図８（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成した。作製基板２２１としてはガラス基板を用いた。剥離層２２３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２２５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。
図２６（Ｂ）を用いて、本実施例で作製した剥離層２２３上の被剥離層（図８（Ｂ）における絶縁層２２５及び機能層２２６に相当）の具体的な構成を説明する。該被剥離層としては、絶縁層７１５、遮光層８４７、及び着色層８４５を形成した。
そして、減圧雰囲気下で、図８（Ｃ）に示すように、接着層２０７と枠状の隔壁２０９を介して、作製基板２０１及び作製基板２２１を重ね合わせた。接着層２０７には熱硬化型の樹脂を用い、隔壁２０９には紫外光硬化型の樹脂を用いた。また、接着層２０７は印刷法を用いて形成し、隔壁２０９はディスペンス法を用いて形成した。なお、形成した接着層２０７の厚さは、約５μｍ以上約８μｍ以下であった。
接着層２０７及び隔壁２０９の形成位置を図４１（Ａ）に示す。接着層２０７は、発光部８０４及び駆動回路部８０６と重なるように形成した。
本実施例では、駆動回路部８０６や発光部８０４の端部よりも、接着層２０７の端部が内側にくるように、接着層２０７を設けた。
本実施例では、試料の３辺において、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い部分を有する構成となるよう、接着層２０７を形成した。図４１（Ａ）に示すように、発光部８０４における、駆動回路部８０６と隣接する辺以外の３つの辺よりも、接着層２０７の端部が内側に位置するよう、接着層２０７を設けた。
本実施例では、接着層２０７が駆動回路部８０６の２辺と重なる場合を示したが、試料の４辺全てにおいて、非発光部が、発光部よりも厚さが薄い部分を有する構成にする場合などは、図４１（Ｂ）に示すように、接着層２０７は、駆動回路部８０６の１辺（発光部８０４と隣接する辺）のみと重ねてもよい。
図４１（Ｃ）に示すように、駆動回路部８０６及び発光部８０４の端部よりも接着層２０７の端部が外側に位置する場合に比べて、図４１（Ａ）、（Ｂ）に示す接着層２０７の配置は、非発光部と発光部とで厚さに差をつけることができる。試料の大きさや接着剤の粘度に応じて接着層の平面レイアウトや厚さは適宜調整すればよい。
隔壁２０９は発光部８０４及び駆動回路部８０６よりも外側の位置に形成した。隔壁２０９は、基板の外周に沿って枠状に形成した。隔壁２０９は、接着層２０７と接しないよう、間隔を空けて配置した。
次に、作製基板２０１及び作製基板２２１を大気雰囲気に曝し、紫外光を照射することで隔壁２０９を硬化した後、加熱することで接着層２０７を硬化した。
次に、レーザ光を照射することで、剥離の起点を形成し、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離した（図９（Ａ））。
この段階における試料の写真を、図４２（Ａ）に示す。図４２（Ａ）に示す写真は、図９（Ａ）の絶縁層２０５側から撮影した。図４２（Ａ）における、発光部８０４の左下の部分の拡大図を図４２（Ｂ）に示す。
図４２（Ａ）、（Ｂ）に示すように、発光部８０４の外側には、干渉縞が確認できた。このことから、発光部８０４の外側では、試料の端部に向かって、試料の厚さが変化していることがわかった。また、発光部８０４には、干渉縞が見られなかった。また、断面観察をしたところ、極端に試料の厚さが変化している部分は確認できなかった。そのため、非発光部では、滑らかに（連続的に）厚さが変化している部分を有すると考えられる。
本実施例の結果から、本発明の一態様を用いることで、発光装置の発光部の厚さを一定とし、非発光部に発光部よりも厚さが薄い部分を形成することができるとわかった。このことから、発光装置の表示品質を低下させることなく、発光装置の端部からの水分等の侵入を抑制し、信頼性を高めることができると、示唆された。
本実施例では、本発明の一態様を適用して作製した試料について説明する。本実施例で作製した試料は、構成例ｂ−３（図１６（Ａ）、（Ｂ））である。
まず、試料の作製方法について、図１６（Ａ）、（Ｂ）、図１９（Ａ）、（Ｂ）、図２１（Ａ）〜（Ｄ）、図２６（Ｂ）、（Ｃ）を用いて説明する。
図２１（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成した。作製基板２０１としては厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。剥離層２０３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２０５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。機能層２０６には、酸化物半導体を用いたトランジスタや、有機ＥＬ素子を含む。また、図２１（Ａ）には示さないが、絶縁層２０５上には、機能層２０４（図１６（Ａ）参照）も作製した。機能層２０４には、酸化物半導体を用いたトランジスタを含む。
図２６（Ｂ）、（Ｃ）を用いて、本実施例で作製した剥離層２０３上の被剥離層（図２１（Ａ）における絶縁層２０５及び機能層２０６に相当）の具体的な構成を説明する。該被剥離層としては、絶縁層７０５、トランジスタ８２０、絶縁層８１５、絶縁層８１７ａ、導電層８５６、絶縁層８１７ｂ、下部電極８３１、光学調整層８３２、絶縁層８２１、スペーサ８２３、ＥＬ層８３３、及び上部電極８３５を形成した。
また、図２１（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成した。作製基板２２１としては厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。剥離層２２３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２２５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。
図２６（Ｂ）を用いて、本実施例で作製した剥離層２２３上の被剥離層（図２１（Ｂ）における絶縁層２２５及び機能層２２６に相当）の具体的な構成を説明する。該被剥離層としては、絶縁層７１５、遮光層８４７、及び着色層８４５を形成した。
そして、減圧雰囲気下で、図２１（Ｃ）に示すように、接着層２０７、枠状の隔壁２４２、及び枠状の仮封止層２４４を介して、作製基板２０１及び作製基板２２１を重ね合わせた。接着層２０７には熱硬化型の樹脂を用い、枠状の隔壁２４２及び枠状の仮封止層２４４には紫外光硬化型の樹脂を用いた。
そして、紫外光を照射することで、枠状の仮封止層２４４を硬化させた。
次に、作製基板２０１及び作製基板２２１を大気雰囲気に曝し、図１９（Ａ）に示すような熱プレス機を用いて、加圧を行った。
基板２１００ａ及び基板２１００ｂには石英基板を用いた。基板２１０１にはガラス基板を用い、凸部２１０２は、樹脂を硬化させることで形成した。凸部２１０２は、図１９（Ｂ）に示すように基板２１０１上に枠状に形成した。凸部２１０２の幅は約１ｍｍ、高さは約０．１ｍｍとした。
熱プレス機では、発光装置１０に荷重１．０ｔをかけた後、熱源を用いて１００℃まで昇温させ、加圧及び加熱を、１時間行った。
次に、レーザ光を照射することで、剥離の起点を形成し、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離し、露出した絶縁層２０５に、接着層２５３を用いて基板２５１を貼り合わせた。接着層２５３には熱硬化樹脂を用い、加熱を行うことで、硬化した。
次に、基板２５１の四方をカッターで切断することで、剥離の起点を形成し、絶縁層２２５と作製基板２２１とを分離し、露出した絶縁層２２５に、接着層２５７を用いて基板２５９を貼り合わせた。接着層２５７には熱硬化樹脂を用い、加熱を行うことで、硬化した。
以上により、図１６（Ａ）、（Ｂ）に示す発光装置を作製した。
本実施例で作製した発光装置の非発光部には、加圧した部分とその近傍に、干渉縞が確認された。このことから、非発光部では、厚さが変化していることがわかった。干渉縞が形成されている部分の幅は約２ｍｍであった。また、発光部には、干渉縞が見られなかった。
本実施例で作製した発光装置について、断面観察を行った。断面観察は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて行った。非発光部において、加圧した部分とその近傍の断面観察像を図４３（Ａ）、（Ｂ）に示す。また、非発光部において、加圧した部分よりも発光部に近い部分の断面観察像を図４３（Ｃ）に示す。また、発光部の断面観察像を図４４（Ａ）に示す。また、非発光部のうち、加圧した部分よりも発光装置の端部に近い部分の断面観察像を図４４（Ｂ）に示す。
なお、図４３（Ａ）〜（Ｃ）、図４４（Ａ）、（Ｂ）には、それぞれ接着層２０７の厚さも記した。図４３（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、非発光部における接着層２０７の厚さは、場所によって異なっていることが確認できた。加圧した部分から離れた箇所では、接着層２０７は約８．７μｍの厚さであったが、加圧した部分では、約２．３μｍと大幅に薄くなっていることがわかった。また、図４４（Ａ）に示すように、発光部では、接着層２０７の厚さが約１１．６μｍであった。そして、図４４（Ｂ）に示すように、非発光部のうち、加圧した部分よりも発光装置の端部に近い部分では、４９．６μｍと、他の部分に比べて接着層２０７が大幅に厚くなっている部分も確認された。このことから、発光装置の厚さは、発光部よりも端部の方が厚い（図１６（Ｃ）参照）ことが示唆される。
なお、本実施例で作製した発光装置は、全面発光が可能であった。また、本実施例で作製した発光装置を、温度６５℃、湿度９５％の環境下で保存した結果、保存試験開始から２５０時間後においても、シュリンクは確認されず、全面発光が可能であった。
本実施例の結果から、本発明の一態様を用いることで、発光装置の発光部の厚さを一定とし、非発光部に発光部よりも厚さが薄い部分を形成することができるとわかった。また、本発明の一態様の発光装置を、高温高湿下で保存したところ、２５０時間後においても、シュリンクが確認されなかった。このことから、発光装置の表示品質を低下させることなく、発光装置の端部からの水分等の侵入を抑制し、信頼性を高めることができると考えられる。
本実施例では、本発明の一態様を適用して作製した試料について説明する。
本実施例で作製した試料の構成は、図４５（Ｂ）、（Ｃ）に示す構成である。図４５（Ｂ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面図を示す。図４５（Ｃ）に、図１１（Ａ）における一点鎖線Ａ３−Ａ４間の断面図を示す。
まず、試料の作製方法について、図２１（Ａ）〜（Ｃ）、図４５（Ａ）、及び図４６を用いて説明する。
図２１（Ａ）に示すように、作製基板２０１上に剥離層２０３を形成し、剥離層２０３上に絶縁層２０５を形成した。作製基板２０１としては厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。剥離層２０３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２０５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。機能層２０６には、酸化物半導体を用いたトランジスタや、有機ＥＬ素子を含む。また、図２１（Ａ）には示さないが、絶縁層２０５上には、機能層２０４（図４５（Ｂ）参照）も作製した。機能層２０４には、酸化物半導体を用いたトランジスタを含む。
また、図２１（Ｂ）に示すように、作製基板２２１上に剥離層２２３を形成し、剥離層２２３上に絶縁層２２５を形成した。作製基板２２１としては厚さ０．７ｍｍのガラス基板を用いた。剥離層２２３としてはタングステン膜と酸化タングステン膜の積層構造を用いた。絶縁層２２５としては、酸化窒化シリコン膜及び窒化シリコン膜を含む積層構造を用いた。
本実施例で作製した被剥離層の構成は、実施例２と同様である。
そして、減圧雰囲気下で、図２１（Ｃ）に示すように、接着層２０７、枠状の隔壁２４２、及び枠状の仮封止層２４４を介して、作製基板２０１及び作製基板２２１を重ね合わせた。接着層２０７には熱硬化型の樹脂を用い、枠状の隔壁２４２及び枠状の仮封止層２４４には紫外光硬化型の樹脂を用いた。
そして、紫外光を照射することで、枠状の仮封止層２４４を硬化させた。
次に、作製基板２０１及び作製基板２２１を大気雰囲気に曝し、図４６（Ａ）に示すような熱プレス機を用いて、加圧を行った。図４６（Ａ）に示す熱プレス機は、基板２１０１に形成された凸部の形状以外は、図１９（Ａ）の構成と同様である。
基板２１００ａ及び基板２１００ｂには石英基板を用いた。基板２１０１にはガラス基板を用い、凸部２１０２ａ及び凸部２１０２ｂは、樹脂を硬化させることで形成した。
図４６（Ｂ）に、基板２１０１の上面図を示す。凸部２１０２ａ及び凸部２１０２ｂは、基板２１０１上に枠状に形成した。凸部２１０２ａ及び凸部２１０２ｂは、それぞれ、幅が約１ｍｍ、高さが約０．０５ｍｍとなるように形成した。凸部２１０２ａと凸部２１０２ｂとの間隔は約１．５ｍｍとした。また、図４６（Ｂ）には、基板２１０１と重なる発光装置１０が有する発光部８０４と導電層２０８の位置を点線で示す。図４６（Ｂ）に示す二点鎖線は、発光装置１０の分断位置に相当する。
熱プレス機では、発光装置１０に荷重１．０ｔをかけた後、熱源を用いて１００℃まで昇温させ、加圧及び加熱を、１時間行った。図４５（Ａ）に、加圧及び加熱により変形した発光装置１０の断面模式図を示す。加圧及び加熱により、発光装置１０の非発光部には、厚さの薄い部分が形成される。また、接着層２０７は、熱硬化樹脂であるため、この加熱工程により硬化する。
次に、レーザ光を照射することで、剥離の起点を形成し、絶縁層２０５と作製基板２０１とを分離し、露出した絶縁層２０５に、接着層２５３を用いて基板２５１を貼り合わせた。接着層２５３には熱硬化樹脂を用い、加熱を行うことで、硬化した。
次に、基板２５１の四方をカッターで切断することで、剥離の起点を形成し、絶縁層２２５と作製基板２２１とを分離し、露出した絶縁層２２５に、接着層２５７を用いて基板２５９を貼り合わせた。接着層２５７には熱硬化樹脂を用い、加熱を行うことで、硬化した。
そして、図４６（Ｂ）に示す二点鎖線の部分で発光装置１０を分断することで、図４５（Ｂ）、（Ｃ）に示す発光装置を作製した。完成した発光装置１０には、凸部２１０２ａによって厚さが薄くなった部分が存在する。また、完成した発光装置１０の３辺では、凸部２１０２ｂによって厚さが薄くなった部分が端部に位置する。
図４７（Ａ）は、本実施例で作製した発光装置の発光状態を示す写真である。図４７（Ａ）に示すように、本発明の一態様を適用することで、全面発光が可能な発光装置を作製できた。
また、本実施例で作製した発光装置を、温度６５℃、湿度９５％の環境下で保存した。
なお、駆動用トランジスタを飽和領域で動作させると、発光素子の劣化と同期して駆動用トランジスタの閾値がマイナスシフトすることで、発光素子の輝度が上昇し、シュリンクが確認されにくい。そのため、保存試験開始から７５０時間後から１５００時間後までは、シュリンクを確認しやすいように、駆動用トランジスタを線形領域で動作させて、発光素子を発光させた。
図４７（Ｂ）、（Ｃ）は、保存試験開始から１０００時間後の発光状態を示す写真である。図４７（Ｂ）は、駆動用トランジスタを飽和領域で動作させた場合である。図４７（Ｃ）は、駆動用トランジスタを線形領域で動作させた場合である。図４７（Ｄ）、（Ｅ）は、保存試験開始から１５００時間後の発光状態を示す写真である。図４７（Ｄ）は、駆動用トランジスタを飽和領域で動作させた場合である。図４７（Ｅ）は、駆動用トランジスタを線形領域で動作させた場合である。
保存試験開始から１０００時間後においても、シュリンクは確認されず、全面発光が可能であった。１５００時間後で、わずかにシュリンクが確認された（図４７（Ｅ）の下部参照）。なお、図４７（Ｂ）、（Ｄ）は、図４７（Ａ）に比べて表示が暗くなっている。しかし、保存試験による発光素子の電流効率の劣化がわずかであったことから、輝度の低下の原因は、発光素子の劣化ではないと示唆された。例えば、トランジスタの特性のシフトなどが輝度の低下の原因と考えられる。また、輝度の低下は、熱プレスが原因で生じたものではないと考えられる。
本実施例の結果から、本発明の一態様を用いることで、高温高湿下で１０００時間保存しても、シュリンクが確認されなかった。このことから、発光装置の表示品質を低下させることなく、発光装置の端部からの水分等の侵入を抑制し、信頼性を高めることができると考えられる。
１０ 発光装置
２０１ 作製基板
２０３ 剥離層
２０４ 機能層
２０５ 絶縁層
２０６ 機能層
２０７ 接着層
２０８ 導電層
２０９ 隔壁
２２１ 作製基板
２２３ 剥離層
２２５ 絶縁層
２２６ 機能層
２４２ 隔壁
２４４ 仮封止層
２４６ 凸部
２５１ 基板
２５３ 接着層
２５４ 接着層
２５６ 機能層
２５７ 接着層
２５９ 基板
３０１ 表示部
３０２ 画素
３０２Ｂ 副画素
３０２Ｇ 副画素
３０２Ｒ 副画素
３０２ｔ トランジスタ
３０３ｃ 容量
３０３ｇ（１） 走査線駆動回路
３０３ｇ（２） 撮像画素駆動回路
３０３ｓ（１） 画像信号線駆動回路
３０３ｓ（２） 撮像信号線駆動回路
３０３ｔ トランジスタ
３０４ ゲート
３０８ 撮像画素
３０８ｐ 光電変換素子
３０８ｔ トランジスタ
３０９ ＦＰＣ
３１１ 配線
３１９ 端子
３２１ 絶縁層
３２８ 隔壁
３２９ スペーサ
３５０Ｒ 発光素子
３５１Ｒ 下部電極
３５２ 上部電極
３５３ ＥＬ層
３５３ａ ＥＬ層
３５３ｂ ＥＬ層
３５４ 中間層
３６０ 接着層
３６７ＢＭ 遮光層
３６７ｐ 反射防止層
３６７Ｒ 着色層
３９０ 入出力装置
５０１ 表示部
５０５ 入出力装置
５０５Ｂ 入出力装置
５０９ ＦＰＣ
５８９ 絶縁層
５９０ 可撓性基板
５９１ 電極
５９２ 電極
５９３ 絶縁層
５９４ 配線
５９５ タッチセンサ
５９７ 接着層
５９８ 配線
５９９ 接続層
７０１ 可撓性基板
７０３ 接着層
７０５ 絶縁層
７１１ 可撓性基板
７１３ 接着層
７１５ 絶縁層
８０４ 発光部
８０６ 駆動回路部
８０８ ＦＰＣ
８１４ 導電層
８１５ 絶縁層
８１７ 絶縁層
８１７ａ 絶縁層
８１７ｂ 絶縁層
８２０ トランジスタ
８２１ 絶縁層
８２２ 接着層
８２３ スペーサ
８２４ トランジスタ
８２５ 接続体
８３０ 発光素子
８３１ 下部電極
８３２ 光学調整層
８３３ ＥＬ層
８３５ 上部電極
８４５ 着色層
８４７ 遮光層
８４９ オーバーコート
８５６ 導電層
８５７ 導電層
８５７ａ 導電層
８５７ｂ 導電層
２０００ａ 上板
２０００ｂ 下板
２００５ａ 緩衝材
２００５ｂ 緩衝材
２１００ａ 基板
２１００ｂ 基板
２１０１ 基板
２１０２ 凸部
２１０２ａ 凸部
２１０２ｂ 凸部
４００１ 第１の基板
４００２ 発光部
４００３ 信号線駆動回路
４００４ 走査線駆動回路
４００５ 領域
４００６ 第２の基板
４０１８ ＦＰＣ
４０１８ａ ＦＰＣ
４０１８ｂ ＦＰＣ
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１００ 携帯電話機
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７２００ テレビジョン装置
７２０１ 筐体
７２０３ スタンド
７２１１ リモコン操作機
７３００ 携帯情報端末
７３０１ 筐体
７３０２ 操作ボタン
７３０３ 情報
７３０４ 情報
７３０５ 情報
７３０６ 情報
７３１０ 携帯情報端末
７３２０ 携帯情報端末
７４００ 照明装置
７４０１ 台部
７４０２ 発光部
７４０３ 操作スイッチ
７４１０ 照明装置
７４１２ 発光部
７４２０ 照明装置
７４２２ 発光部
７５００ 携帯情報端末
７５０１ 筐体
７５０２ 引き出し部材
７５０３ 操作ボタン
７６００ 携帯情報端末
７６０１ 筐体
７６０２ ヒンジ
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７７００ 携帯情報端末
７７０１ 筐体
７７０３ａ ボタン
７７０３ｂ ボタン
７７０４ａ スピーカ
７７０４ｂ スピーカ
７７０５ 外部接続ポート
７７０６ マイク
７７０９ バッテリ
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
９７００ 自動車
９７０１ 車体
９７０２ 車輪
９７０３ ダッシュボード
９７０４ ライト
９７１０ 表示部
９７１１ 表示部
９７１２ 表示部
９７１３ 表示部
９７１４ 表示部
９７１５ 表示部
９７２１ 表示部
９７２２ 表示部
９７２３ 表示部
９８０１ 筐体
９８０２ 筐体
９８０３ 表示部
９８０４ 表示部
９８０５ マイクロフォン
９８０６ スピーカ
９８０７ 操作キー
９８０８ スタイラス
９８２１ 筐体
９８２２ 表示部
９８２３ キーボード
９８２４ ポインティングデバイス

Claims (30)

  1. 発光部及び非発光部を有し、
    前記非発光部は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記非発光部は、前記発光部よりも厚さが薄い部分を有する、発光装置。
  2. 請求項１において、
    前記非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有し、
    前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記発光部に近く、
    前記第１の部分は、前記第２の部分よりも厚さが薄い、発光装置。
  3. 請求項２において、
    前記第１の部分は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記第２の部分は、前記第１の部分の外側に枠状に設けられる、発光装置。
  4. 発光部及び非発光部を有する発光装置であり、
    前記非発光部は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記非発光部は、前記発光部側から前記発光装置の端部にかけて連続的に厚さが薄くなっている部分を有する、発光装置。
  5. 請求項４において、
    前記非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有し、
    前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記発光部に近く、
    前記第１の部分は、前記発光部側から前記発光装置の端部側にかけて厚さが薄くなっており、
    前記第２の部分は、前記発光部側から前記発光装置の端部にかけて厚さが厚くなっている、発光装置。
  6. 請求項５において、
    前記第１の部分は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記第２の部分は、前記第１の部分の外側に枠状に設けられる、発光装置。
  7. 請求項１乃至６のいずれか一項に記載の発光装置であって、
    可撓性を有する、発光装置。
  8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
    前記発光部は、発光素子及びトランジスタを有し、
    前記トランジスタは、前記発光素子と電気的に接続され、
    前記発光素子は、有機ＥＬ素子である、発光装置。
  9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
    前記非発光部は、信号線駆動回路又は走査線駆動回路の少なくとも一方を有する、発光装置。
  10. 発光部及び非発光部を有し、
    前記発光部は、第１の可撓性基板、第２の可撓性基板、第１の接着層、第２の接着層、第１の絶縁層、及び第１の機能層を有し、
    前記非発光部は、前記第１の可撓性基板、前記第２の可撓性基板、前記第１の接着層、前記第２の接着層、及び前記第１の絶縁層を有し、
    前記第１の接着層は、前記第１の可撓性基板と前記第１の絶縁層の間に位置し、
    前記第２の接着層は、前記第２の可撓性基板と前記第１の絶縁層の間に位置し、
    前記第１の機能層は、前記第２の接着層と前記第１の絶縁層の間に位置し、
    前記第１の接着層と前記第２の接着層は、前記第１の絶縁層を介して互いに重なる部分を有し、
    前記第１の機能層は、発光素子を有し、
    前記非発光部の少なくとも一部では、前記発光部に比べて、前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板との間隔が狭い、発光装置。
  11. 請求項１０において、
    前記非発光部は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記非発光部は、第１の部分及び第２の部分を有し、
    前記第１の部分は、前記第２の部分よりも前記発光部に近く、
    前記第１の部分では、前記第２の部分に比べて、前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板との間隔が狭い、発光装置。
  12. 請求項１１において、
    前記第２の部分では、前記発光部に比べて、前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板との間隔が狭い、発光装置。
  13. 請求項１１において、
    前記第２の部分では、前記発光部に比べて、前記第１の可撓性基板と前記第２の可撓性基板との間隔が広い、発光装置。
  14. 請求項１１乃至１３のいずれか一項において、
    前記第１の部分は、前記発光部の外側に枠状に設けられ、
    前記第２の部分は、前記第１の部分の外側に枠状に設けられる、発光装置。
  15. 請求項１０乃至１４のいずれか一項において、
    前記発光部は、第３の接着層、第２の絶縁層、及び第２の機能層を有し、
    前記非発光部は、前記第３の接着層、及び前記第２の絶縁層を有し、
    前記第３の接着層は、前記第２の接着層と前記第１の絶縁層の間に位置し、
    前記第２の絶縁層は、前記第２の接着層と前記第３の接着層の間に位置し、
    前記第１の機能層と前記第２の機能層は、前記第３の接着層を介して互いに重なる部分を有し、
    前記第２の機能層は、着色層を有する、発光装置。
  16. 請求項１５において、
    前記発光部は、第３の部分を有し、
    前記非発光部は、第４の部分を有し、
    前記第４の部分の前記第３の接着層の厚さは、前記第３の部分の前記第３の接着層の厚さよりも小さい、発光装置。
  17. 請求項１０乃至１６のいずれか一項において、
    前記発光部は、第５の部分を有し、
    前記非発光部は、第６の部分を有し、
    前記第１の可撓性基板の厚さは、前記第５の部分と前記第６の部分とで等しい、発光装置。
  18. 請求項１０乃至１７のいずれか一項において、
    前記発光部は、第７の部分を有し、
    前記非発光部は、第８の部分を有し、
    前記第２の可撓性基板の厚さは、前記第７の部分と前記第８の部分とで等しい、発光装置。
  19. 請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の発光装置と、
    フレキシブルプリント回路基板と、を有するモジュール。
  20. 請求項１９に記載のモジュールと、
    アンテナ、バッテリ、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器。
  21. 第１乃至第４の工程を有する発光装置の作製方法であって、
    前記第１の工程は、第１の基板上に発光素子を形成する工程を有し、
    前記第２の工程は、接着層及び隔壁を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記第３の工程は、第１の雰囲気下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記隔壁、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する工程を有し、
    前記第４の工程は、第２の雰囲気下で、前記接着層及び前記隔壁を硬化する工程を有し、
    前記第１の雰囲気は、前記第２の雰囲気よりも圧力が低く、
    前記第２の工程では、前記隔壁が、前記接着層と間隔を空けて、かつ、前記接着層を囲むように、前記隔壁を形成する、発光装置の作製方法。
  22. 第１乃至第６の工程を有する発光装置の作製方法であって、
    前記第１の工程は、第１の基板上に剥離層を形成する工程を有し、
    前記第２の工程は、前記剥離層上に被剥離層を形成する工程を有し、
    前記第２の工程では、前記剥離層上の絶縁層と、前記絶縁層上の発光素子と、を前記被剥離層として形成し、
    前記第３の工程は、接着層及び隔壁を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記第３の工程では、前記接着層が前記剥離層及び前記被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
    前記第３の工程では、前記隔壁が、前記接着層と間隔を空けて、かつ、前記接着層を囲むように、前記隔壁を形成し、
    前記第４の工程は、第１の雰囲気下で、前記第１の基板及び前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記隔壁、前記第１の基板、及び前記第２の基板に囲まれた空間に配置する工程を有し、
    前記第５の工程は、第２の雰囲気下で、前記接着層を硬化する工程を有し、
    前記第６の工程は、前記第１の基板と、前記被剥離層と、を分離する工程を有し、
    前記第１の雰囲気は、前記第２の雰囲気よりも圧力が低い、発光装置の作製方法。
  23. 請求項２２において、
    前記第５の工程では、前記接着層を硬化する前に、又は、前記接着層と同一工程で、前記隔壁を硬化する、発光装置の作製方法。
  24. 請求項２１乃至２３のいずれか一項において、
    前記第１の雰囲気は、減圧雰囲気であり、
    前記第２の雰囲気は、大気雰囲気又は加圧雰囲気である、発光装置の作製方法。
  25. 第１乃至第５の工程を有する発光装置の作製方法であって、
    前記第１の工程は、第１の基板上に発光素子を形成する工程を有し、
    前記第２の工程は、接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記第３の工程は、前記第１の基板及び前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板で囲む工程を有し、
    前記第４の工程は、凸部を有する部材を用いて、前記接着層に圧力を加える工程を有し、
    前記第５の工程は前記接着層を硬化する工程を有する、発光装置の作製方法。
  26. 請求項２５において、
    前記第４の工程と前記第５の工程とを、同時に行う、発光装置の作製方法。
  27. 請求項２５又は２６において、
    前記第２の工程は、隔壁を前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記隔壁は、前記接着層を囲むように設けられ、
    前記第３の工程と前記第４の工程の間に、前記隔壁を硬化する工程を有する、発光装置の作製方法。
  28. 第１乃至第７の工程を有する発光装置の作製方法であって、
    前記第１の工程は、第１の基板上に剥離層を形成する工程を有し、
    前記第２の工程は、前記剥離層上に被剥離層を形成する工程を有し、
    前記第２の工程では、前記剥離層上の絶縁層と、前記絶縁層上の発光素子と、を前記被剥離層として形成し、
    前記第３の工程は、接着層を、前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記第３の工程では、前記接着層が前記剥離層及び前記被剥離層と重なるように、前記接着層を形成し、
    前記第４の工程は、前記第１の基板及び前記第２の基板を重ね、前記発光素子を、前記接着層、前記第１の基板、及び前記第２の基板で囲む工程を有し、
    前記第５の工程は、凸部を有する部材を用いて、前記接着層に圧力を加える工程を有し、
    前記第６の工程は前記接着層を硬化する工程を有し、
    前記第７の工程は、前記第１の基板と、前記被剥離層と、を分離する工程を有する、発光装置の作製方法。
  29. 請求項２８において、
    前記第５の工程と前記第６の工程とを、同時に行う、発光装置の作製方法。
  30. 請求項２８又は２９において、
    前記第３の工程は、隔壁を前記第１の基板上又は第２の基板上に形成する工程を有し、
    前記隔壁は、前記接着層を囲むように設けられ、
    前記第４の工程と前記第５の工程の間に、前記隔壁を硬化する工程を有する、発光装置の作製方法。
JP2015201645A 2014-10-17 2015-10-12 発光装置 Active JP6527067B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014212438 2014-10-17
JP2014212438 2014-10-17
JP2014257197 2014-12-19
JP2014257197 2014-12-19

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018134676A Division JP6620194B2 (ja) 2014-10-17 2018-07-18 発光装置
JP2019088855A Division JP6781799B2 (ja) 2014-10-17 2019-05-09 発光装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2016119291A true JP2016119291A (ja) 2016-06-30
JP2016119291A5 JP2016119291A5 (ja) 2017-08-03
JP6527067B2 JP6527067B2 (ja) 2019-06-05

Family

ID=55746196

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015201645A Active JP6527067B2 (ja) 2014-10-17 2015-10-12 発光装置
JP2018134676A Active JP6620194B2 (ja) 2014-10-17 2018-07-18 発光装置
JP2019088855A Active JP6781799B2 (ja) 2014-10-17 2019-05-09 発光装置
JP2020174350A Withdrawn JP2021005577A (ja) 2014-10-17 2020-10-16 発光装置
JP2022041038A Withdrawn JP2022079515A (ja) 2014-10-17 2022-03-16 発光装置
JP2023180273A Withdrawn JP2023179749A (ja) 2014-10-17 2023-10-19 発光装置

Family Applications After (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018134676A Active JP6620194B2 (ja) 2014-10-17 2018-07-18 発光装置
JP2019088855A Active JP6781799B2 (ja) 2014-10-17 2019-05-09 発光装置
JP2020174350A Withdrawn JP2021005577A (ja) 2014-10-17 2020-10-16 発光装置
JP2022041038A Withdrawn JP2022079515A (ja) 2014-10-17 2022-03-16 発光装置
JP2023180273A Withdrawn JP2023179749A (ja) 2014-10-17 2023-10-19 発光装置

Country Status (6)

Country Link
US (6) US9847505B2 (ja)
JP (6) JP6527067B2 (ja)
KR (2) KR102603895B1 (ja)
CN (2) CN111710794B (ja)
TW (4) TWI808631B (ja)
WO (1) WO2016059497A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018146823A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
WO2018179266A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置
US10270057B2 (en) 2014-10-17 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
WO2019102834A1 (ja) * 2017-11-24 2019-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の作製方法
JP2021118103A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 パイオニア株式会社 発光装置

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016001526A (ja) * 2014-06-11 2016-01-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US10656719B2 (en) 2014-09-30 2020-05-19 Apple Inc. Dynamic input surface for electronic devices
US9942979B2 (en) * 2014-11-03 2018-04-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Flexible printed circuit board
KR102303244B1 (ko) 2015-04-15 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
TWI596985B (zh) * 2015-07-22 2017-08-21 億光電子工業股份有限公司 發光裝置
WO2017017553A1 (en) 2015-07-30 2017-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device
JP6854240B2 (ja) * 2015-08-18 2021-04-07 株式会社ホタルクス 有機ｅｌデバイス、有機ｅｌ照明パネル、有機ｅｌ照明装置および有機ｅｌディスプレイ
US10409412B1 (en) 2015-09-30 2019-09-10 Apple Inc. Multi-input element for electronic device
KR102456062B1 (ko) * 2015-10-16 2022-10-18 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102426711B1 (ko) * 2015-11-18 2022-07-29 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 디스플레이 장치
KR102491874B1 (ko) 2015-11-26 2023-01-27 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 장치
US10318065B2 (en) 2016-08-03 2019-06-11 Apple Inc. Input device having a dimensionally configurable input area
US10002762B2 (en) * 2016-09-09 2018-06-19 International Business Machines Corporation Multi-angled deposition and masking for custom spacer trim and selected spacer removal
US10871860B1 (en) * 2016-09-19 2020-12-22 Apple Inc. Flexible sensor configured to detect user inputs
KR102555086B1 (ko) * 2016-10-28 2023-07-12 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN106486019B (zh) * 2016-10-31 2019-06-11 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示装置及其制造方法
KR102772195B1 (ko) * 2017-02-28 2025-02-26 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
JP6480989B2 (ja) * 2017-08-03 2019-03-13 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 成形品、電気製品及び成形品の製造方法
US10732676B2 (en) 2017-09-06 2020-08-04 Apple Inc. Illuminated device enclosure with dynamic trackpad
CN109727530A (zh) * 2017-10-31 2019-05-07 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 柔性显示模组及柔性显示模组制备方法
CN107978622B (zh) * 2017-11-22 2020-08-11 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
KR102524340B1 (ko) * 2018-02-22 2023-04-25 삼성디스플레이 주식회사 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108596083B (zh) * 2018-04-23 2021-03-02 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种显示面板和显示装置
JP7410935B2 (ja) 2018-05-24 2024-01-10 ザ リサーチ ファウンデーション フォー ザ ステイト ユニバーシティー オブ ニューヨーク 容量性センサ
CN110634852B (zh) * 2018-06-21 2021-06-25 群创光电股份有限公司 半导体装置
US11963425B1 (en) 2018-07-10 2024-04-16 Apple Inc. Electronic devices having displays with curved surfaces
CN109192764B (zh) * 2018-09-11 2021-01-26 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制备方法
CN109671758A (zh) * 2018-12-18 2019-04-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法、显示装置
CN109659324B (zh) * 2018-12-18 2021-01-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板及其制作方法
KR102755456B1 (ko) * 2019-01-04 2025-01-20 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN110703949B (zh) * 2019-10-10 2022-05-13 业成科技（成都）有限公司 绝缘胶保护的改良结构
US11777059B2 (en) 2019-11-20 2023-10-03 Lumileds Llc Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning
US11139232B2 (en) * 2020-03-06 2021-10-05 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Wiring structure and method for manufacturing the same
KR20220072003A (ko) * 2020-11-23 2022-06-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102856182B1 (ko) * 2021-09-17 2025-09-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122871A (ja) * 2000-10-16 2002-04-26 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2004047309A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2011018097A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Seiko Epson Corp 電子機器
JP2011118082A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2011123321A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法
JP2011171288A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2012209133A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Canon Inc 気密容器、画像表示装置及びこれらの製造方法
JP2013137888A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Sekisui Chem Co Ltd バリアフィルム及びデバイス素子封止構造
WO2016002746A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置

Family Cites Families (86)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5189405A (en) 1989-01-26 1993-02-23 Sharp Kabushiki Kaisha Thin film electroluminescent panel
JPH0754746B2 (ja) * 1990-03-14 1995-06-07 株式会社精工舎 Ｅｌ板の封止方法
JP4776766B2 (ja) * 1999-10-26 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001155853A (ja) * 1999-11-24 2001-06-08 Toyota Motor Corp 有機ｅｌ素子の封止方法
US6822391B2 (en) 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US8415208B2 (en) 2001-07-16 2013-04-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
JP4027740B2 (ja) 2001-07-16 2007-12-26 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4166455B2 (ja) 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
TWI264121B (en) * 2001-11-30 2006-10-11 Semiconductor Energy Lab A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device
US7649674B2 (en) 2002-06-10 2010-01-19 E Ink Corporation Electro-optic display with edge seal
JP4240276B2 (ja) * 2002-07-05 2009-03-18 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR20050011009A (ko) * 2002-07-12 2005-01-28 니혼 이타가라스 가부시키가이샤 일렉트로·루미네슨스 소자용 봉지판, 그 제조 방법 및상기 봉지판 다량 생산용 마더 글래스 기판
JP2004103337A (ja) * 2002-09-06 2004-04-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
US7015640B2 (en) 2002-09-11 2006-03-21 General Electric Company Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same
US20040099926A1 (en) 2002-11-22 2004-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same
JP4429917B2 (ja) * 2002-12-26 2010-03-10 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置及び電子機器
US7271076B2 (en) 2003-12-19 2007-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device
JP2005293946A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Sanyo Electric Co Ltd 有機ｅｌ表示装置
JP2006004650A (ja) * 2004-06-15 2006-01-05 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示素子及び光学デバイス
US7753751B2 (en) * 2004-09-29 2010-07-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating the display device
US7736964B2 (en) 2004-11-22 2010-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and method for manufacturing the same
US7566633B2 (en) 2005-02-25 2009-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same
JP4926426B2 (ja) 2005-08-12 2012-05-09 株式会社半導体エネルギー研究所 電子機器
EP1818860B1 (en) 2006-02-08 2011-03-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. RFID device
JP2007220402A (ja) * 2006-02-15 2007-08-30 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子
CN1851925A (zh) * 2006-05-10 2006-10-25 友达光电股份有限公司 有源发光装置及其制造方法
KR100688972B1 (ko) * 2006-06-01 2007-03-08 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
GB0614341D0 (en) * 2006-07-19 2006-08-30 Plastic Logic Ltd Encapsulation for flexible displays
KR101478810B1 (ko) 2006-07-28 2015-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치
US8232621B2 (en) 2006-07-28 2012-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
JP2008089884A (ja) * 2006-09-29 2008-04-17 Toshiba Corp 表示素子
JP4245032B2 (ja) 2006-10-03 2009-03-25 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
US9348167B2 (en) * 2007-03-19 2016-05-24 Via Optronics Gmbh Enhanced liquid crystal display system and methods
US7667549B2 (en) 2007-04-26 2010-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
JP2009205669A (ja) 2008-01-31 2009-09-10 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置
WO2009104563A1 (ja) 2008-02-20 2009-08-27 富士電機ホールディングス株式会社 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP2009199979A (ja) * 2008-02-25 2009-09-03 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
KR101549530B1 (ko) 2008-05-23 2015-09-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치
WO2010004944A1 (en) 2008-07-10 2010-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device using the same
KR101925772B1 (ko) 2008-07-10 2018-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
US8928597B2 (en) 2008-07-11 2015-01-06 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US8629842B2 (en) 2008-07-11 2014-01-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US20100008068A1 (en) 2008-07-11 2010-01-14 Joo-Young Kim Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same and method of fabricating the electron emission device
US9342176B2 (en) 2008-07-21 2016-05-17 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
US7758200B2 (en) 2008-08-18 2010-07-20 Wei-Jei Tuan Responsive led module unit
JP5216716B2 (ja) 2008-08-20 2013-06-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR101276750B1 (ko) * 2008-12-04 2013-06-19 엘지디스플레이 주식회사 플렉시블 액정표시장치 및 그 제조방법
WO2010071089A1 (en) 2008-12-17 2010-06-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and electronic device
JP4736142B2 (ja) 2009-02-18 2011-07-27 株式会社デンソー 高圧ポンプ
JP2010267396A (ja) * 2009-05-12 2010-11-25 Canon Inc 有機発光装置の製造方法
US8766269B2 (en) 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
JP2011028887A (ja) * 2009-07-22 2011-02-10 Hitachi Displays Ltd 有機ｅｌ表示装置
KR101174873B1 (ko) * 2009-08-14 2012-08-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법
CN101996535A (zh) * 2009-08-25 2011-03-30 精工爱普生株式会社 电光学装置和电子设备
JP5444940B2 (ja) * 2009-08-25 2014-03-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、および電子機器
TWI562422B (en) 2010-12-16 2016-12-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device and lighting device
CN103547226B (zh) * 2011-01-28 2018-04-17 通用医疗公司 用于皮肤再表面化的装置
JP5682422B2 (ja) * 2011-04-01 2015-03-11 株式会社デンソー 有機ｅｌ装置およびその製造方法
KR20130007208A (ko) 2011-06-30 2013-01-18 한국정보통신주식회사 신용 카드 결제 관리 장치 및 방법
JP5741274B2 (ja) * 2011-07-22 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置及び電子機器
JP5504221B2 (ja) * 2011-08-05 2014-05-28 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
KR20130060131A (ko) 2011-11-29 2013-06-07 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 밀봉체, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP5907722B2 (ja) * 2011-12-23 2016-04-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP5409830B2 (ja) * 2012-02-21 2014-02-05 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
KR102079188B1 (ko) * 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
JP2013251191A (ja) * 2012-06-01 2013-12-12 Dainippon Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR102173801B1 (ko) 2012-07-12 2020-11-04 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법
JP2014022158A (ja) * 2012-07-17 2014-02-03 Nitto Denko Corp 有機ｅｌデバイス、および、有機ｅｌデバイスの製造方法
JP2014027192A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Sony Corp 発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器
KR102161078B1 (ko) 2012-08-28 2020-09-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치 및 그 제작 방법
JP5450738B2 (ja) * 2012-08-29 2014-03-26 シャープ株式会社 色変換膜及び該色変換膜を含む有機ｅｌデバイス
KR20140063228A (ko) 2012-11-16 2014-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101964149B1 (ko) * 2012-11-20 2019-04-02 삼성디스플레이 주식회사 양면 발광형 표시장치
KR102245511B1 (ko) * 2012-12-27 2021-04-28 엘지디스플레이 주식회사 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법
JP2014135306A (ja) * 2013-01-08 2014-07-24 Ibiden Co Ltd 発光素子搭載用基板及びその製造方法
JP6201411B2 (ja) * 2013-05-14 2017-09-27 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
KR101947796B1 (ko) * 2013-06-29 2019-04-22 아익스트론 에스이 고성능 코팅들을 증착하기 위한 방법 및 캡슐화된 전자 디바이스들
US9269914B2 (en) 2013-08-01 2016-02-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, electronic device, and lighting device
KR102334815B1 (ko) * 2014-02-19 2021-12-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 박리 방법
JP5728599B2 (ja) 2014-03-14 2015-06-03 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103985825B (zh) 2014-05-09 2017-10-27 青岛海信电器股份有限公司 曲面显示面板的制备方法、曲面显示面板和显示装置
KR102603895B1 (ko) 2014-10-17 2023-11-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법
WO2017017553A1 (en) * 2015-07-30 2017-02-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing method of light-emitting device, light-emitting device, module, and electronic device

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002122871A (ja) * 2000-10-16 2002-04-26 Nec Kagoshima Ltd 液晶表示パネルの製造方法
JP2003086356A (ja) * 2001-09-06 2003-03-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
JP2004047309A (ja) * 2002-07-12 2004-02-12 Nippon Sheet Glass Co Ltd Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2011018097A (ja) * 2009-07-07 2011-01-27 Seiko Epson Corp 電子機器
JP2011118082A (ja) * 2009-12-02 2011-06-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置および電子機器
JP2011123321A (ja) * 2009-12-11 2011-06-23 Seiko Epson Corp 電気光学装置の製造方法
JP2011171288A (ja) * 2010-01-20 2011-09-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd フレキシブル発光装置、電子機器、照明装置、及びフレキシブル発光装置の作製方法
JP2012209133A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Canon Inc 気密容器、画像表示装置及びこれらの製造方法
JP2013137888A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Sekisui Chem Co Ltd バリアフィルム及びデバイス素子封止構造
WO2016002746A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 シャープ株式会社 エレクトロルミネッセンス装置

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10270057B2 (en) 2014-10-17 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
US10629843B2 (en) 2014-10-17 2020-04-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
US11189817B2 (en) 2014-10-17 2021-11-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
US11778850B2 (en) 2014-10-17 2023-10-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, module, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device
JP2018146823A (ja) * 2017-03-07 2018-09-20 デクセリアルズ株式会社 画像表示装置の製造方法
WO2018179266A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 シャープ株式会社 Ｅｌデバイスの製造方法及びｅｌデバイスの製造装置
CN110447309A (zh) * 2017-03-30 2019-11-12 夏普株式会社 El设备的制造方法以及el设备的制造装置
WO2019102834A1 (ja) * 2017-11-24 2019-05-31 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置、および表示装置の作製方法
JP2021118103A (ja) * 2020-01-27 2021-08-10 パイオニア株式会社 発光装置
JP7411426B2 (ja) 2020-01-27 2024-01-11 パイオニア株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202221923A (zh) 2022-06-01
US20220085323A1 (en) 2022-03-17
US11189817B2 (en) 2021-11-30
JP2023179749A (ja) 2023-12-19
JP6620194B2 (ja) 2019-12-11
US10629843B2 (en) 2020-04-21
KR102472238B1 (ko) 2022-11-28
US20190103585A1 (en) 2019-04-04
TWI755000B (zh) 2022-02-11
KR20170071511A (ko) 2017-06-23
US10270057B2 (en) 2019-04-23
CN111710794B (zh) 2024-06-28
KR20220162862A (ko) 2022-12-08
JP6781799B2 (ja) 2020-11-04
TW202044642A (zh) 2020-12-01
WO2016059497A1 (en) 2016-04-21
TWI701857B (zh) 2020-08-11
TW201622131A (zh) 2016-06-16
US20180114942A1 (en) 2018-04-26
US20230413600A1 (en) 2023-12-21
TWI808631B (zh) 2023-07-11
TW201946313A (zh) 2019-12-01
JP6527067B2 (ja) 2019-06-05
JP2022079515A (ja) 2022-05-26
CN106797684A (zh) 2017-05-31
CN106797684B (zh) 2020-06-05
TWI667784B (zh) 2019-08-01
JP2018200474A (ja) 2018-12-20
CN111710794A (zh) 2020-09-25
US9847505B2 (en) 2017-12-19
US11778850B2 (en) 2023-10-03
KR102603895B1 (ko) 2023-11-21
JP2019125589A (ja) 2019-07-25
JP2021005577A (ja) 2021-01-14
US20200259116A1 (en) 2020-08-13
US20160111485A1 (en) 2016-04-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6620194B2 (ja) 発光装置
JP6781286B2 (ja) 剥離方法
TWI732735B (zh) 剝離裝置以及疊層體製造裝置
JP2022081576A (ja) 発光装置
JP2017228512A (ja) 発光装置の作製方法、発光装置、モジュール、及び電子機器
JP2017134402A (ja) 表示装置
JP2016224430A (ja) 剥離装置
JP2016031930A (ja) 剥離方法、発光装置、モジュール、及び電子機器
JP2016066607A (ja) 剥離方法、発光装置、モジュール、及び電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170619

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170619

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180530

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180612

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180718

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20181127

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190123

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190416

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190509

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6527067

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250