JP2016031930A - 剥離方法、発光装置、モジュール、及び電子機器 - Google Patents
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Classifications
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/311—Flexible OLED
Abstract
【解決手段】基板101上に剥離層102を形成する第1の工程と、剥離層の表面にプラズマ処理を行う第2の工程と、剥離層上に被剥離層110を形成する第3の工程と、剥離層と被剥離層を加熱する第4の工程と、剥離層と被剥離層を分離する第5の工程と、を有し、プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行う、剥離方法。
【選択図】図1
Description
本実施の形態では、本発明の一態様の剥離方法について説明する。
まず、作製基板101上に剥離層102を形成する(図1(A))。
次に、剥離層102の表面にプラズマ処理を行う(図1(A)の点線で示す矢印参照)。
次に、剥離層102(及び酸化物層111)上に被剥離層110を形成する。具体的には、剥離層102(及び酸化物層111)上に第1の層103を形成し、第1の層103上に第2の層104を形成する(図1(B))。
次に、剥離層102と(酸化物層111と)被剥離層110を加熱する。
そして、剥離層102と被剥離層110を分離する(図1(D))。
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置について図面を用いて説明する。
図2(A)に発光装置の平面図を示し、図2(A)における一点鎖線A1−A2間の断面図の一例を図2(C)に示す。具体例1で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。本実施の形態において、発光装置は、例えば、R(赤)、G(緑)、B(青)の3色の副画素で1つの色を表現する構成や、R、G、B、W(白)の4色の副画素で1つの色を表現する構成、R、G、B、Y(黄)の4色の副画素で1つの色を表現する構成等が適用できる。色要素としては特に限定はなく、RGBWY以外の色を用いてもよく、例えば、シアンやマゼンタ等を用いてもよい。
図2(B)に発光装置の平面図を示し、図2(B)における一点鎖線A3−A4間の断面図の一例を図3(A)に示す。具体例2で示す発光装置は、具体例1とは異なる、カラーフィルタ方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。ここでは、具体例1と異なる点のみ詳述し、具体例1と共通する点は説明を省略する。
図2(B)に発光装置の平面図を示し、図2(B)における一点鎖線A3−A4間の断面図の一例を図3(C)に示す。具体例3で示す発光装置は、塗り分け方式を用いたトップエミッション型の発光装置である。
図2(B)に発光装置の平面図を示し、図2(B)における一点鎖線A3−A4間の断面図の一例を図4(A)に示す。具体例4で示す発光装置は、カラーフィルタ方式を用いたボトムエミッション型の発光装置である。
図4(B)に具体例1〜4とは異なる発光装置の例を示す。
次に、発光装置に用いることができる材料等を説明する。なお、本明細書中で先に説明した構成については説明を省略する場合がある。
本実施の形態では、本発明の一態様の入出力装置について図面を用いて説明する。なお、入出力装置が有する構成要素のうち、実施の形態2で説明した発光装置と同様の構成要素については、先の記載も参照することができる。また、本実施の形態では、発光素子を用いた入出力装置を例示するが、これに限られない。本実施の形態で説明する入出力装置は、タッチパネルともいえる。
図5(A)は入出力装置の上面図である。図5(B)は図5(A)の一点鎖線A−B間及び一点鎖線C−D間の断面図である。図5(C)は図5(A)の一点鎖線E−F間の断面図である。
図6(A)、(B)は、入出力装置505の斜視図である。なお明瞭化のため、代表的な構成要素を示す。図7は、図6(A)に示す一点鎖線X1−X2間の断面図である。
図8は、入出力装置505Bの断面図である。本実施の形態で説明する入出力装置505Bは、供給された画像情報をトランジスタが設けられている側に表示する点及びタッチセンサが表示部の基板701側に設けられている点が、構成例2の入出力装置505とは異なる。ここでは異なる構成について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、上記の説明を援用する。
図9に示すように、入出力装置500TPは、表示部500及び入力部600を重ねて有する。図10は、図9に示す一点鎖線Z1−Z2間の断面図である。
本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器及び照明装置について、図面を用いて説明する。
まず、作製基板101上に剥離層102を形成した。
次に、剥離層102の表面にプラズマ処理を行った(図1(A)の点線で示す矢印参照)。
加熱処理後の試料(基板121を貼っていないもの)について、断面観察を行った。断面観察はSTEM(Scanning Transmission Electron Microscopy)法を用いて行った。
本実施例の試料について、作製基板101から被剥離層110を剥離するのに要する力の評価を行った。評価には、図14(A)に示すような治具を用いた。図14(A)に示す治具は、複数のガイドローラ154と、サポートローラ153を有する。測定方法としては、まず、作製基板101上に予め形成された被剥離層を含む層150にテープ151を貼り付け、端部を一部剥離しておく。次に、テープ151をサポートローラ153に引っ掛けるように作製基板101を治具に取り付け、テープ151及び被剥離層を含む層150が作製基板101に対して垂直方向になるようにする。ここで、テープ151を作製基板101に対して垂直方向に引っ張り(速度20mm/min)、被剥離層を含む層150を作製基板101から剥離する際に、垂直方向に引っ張る力を測定することで、剥離に要する力を測定することができる。ここで、剥離が進行している間、剥離層102が露出した状態で作製基板101がガイドローラ154に沿ってその面方向に走行する。サポートローラ153及びガイドローラ154は、被剥離層を含む層150及び作製基板101の走行中の摩擦の影響を無くすために回転可能に設けられている。
本実施例の試料について、作製基板101から剥離した、被剥離層を含む層150(図14(B)参照)の透過率を測定した。
本実施例の試料における、作製基板101から剥離した、被剥離層を含む層150(図14(B)参照)の剥離面について、XPSを用いて組成分析を行った。
本実施例の試料における、作製基板101から剥離した、被剥離層を含む層150の剥離面の抵抗を測定した。
また、加熱処理後の試料2及び比較試料1について、SIMSを用いて、深さ方向の水素濃度及び窒素濃度を測定した結果について説明する。
まず、作製基板101上に剥離層102を形成した。作製基板101の構成、及び剥離層102の成膜条件は、実施例1と同様である。
次に、剥離層102の表面にプラズマ処理を行った(図1(A)の点線で示す矢印参照)。
102 剥離層
103 第1の層
104 第2の層
110 被剥離層
111 酸化物層
121 基板
122 接着層
131 基板
132 接着層
150 被剥離層を含む層
151 テープ
153 サポートローラ
154 ガイドローラ
159 チタン電極
301 表示部
302 画素
302B 副画素
302G 副画素
302R 副画素
302t トランジスタ
303c 容量
303g(1) 走査線駆動回路
303g(2) 撮像画素駆動回路
303s(1) 画像信号線駆動回路
303s(2) 撮像信号線駆動回路
303t トランジスタ
304 ゲート
308 撮像画素
308p 光電変換素子
308t トランジスタ
309 FPC
311 配線
319 端子
321 絶縁層
328 隔壁
329 スペーサ
350R 発光素子
351R 下部電極
352 上部電極
353 EL層
353a EL層
353b EL層
354 中間層
360 接着層
367B 着色層
367BM 遮光層
367G 着色層
367p 反射防止層
367R 着色層
390 入出力装置
500 表示部
500TP 入出力装置
501 表示部
503g 駆動回路
503s 駆動回路
505 入出力装置
505B 入出力装置
509 FPC
590 基板
591 電極
592 電極
593 絶縁層
594 配線
595 タッチセンサ
597 接着層
598 配線
599 接続層
600 入力部
602 検知ユニット
603d 駆動回路
603g 駆動回路
650 容量素子
651 電極
652 電極
653 絶縁層
667 窓部
670 保護層
701 基板
703 接着層
704 酸化物層
705 絶縁層
711 基板
713 接着層
714 酸化物層
715 絶縁層
804 発光部
806 駆動回路部
808 FPC
814 導電層
815 絶縁層
817 絶縁層
817a 絶縁層
817b 絶縁層
820 トランジスタ
821 絶縁層
822 接着層
823 スペーサ
824 トランジスタ
825 接続体
830 発光素子
831 下部電極
832 光学調整層
833 EL層
835 上部電極
845 着色層
847 遮光層
849 オーバーコート
856 導電層
857 導電層
857a 導電層
857b 導電層
7000 表示部
7001 表示部
7100 携帯電話機
7101 筐体
7103 操作ボタン
7104 外部接続ポート
7105 スピーカ
7106 マイク
7200 テレビジョン装置
7201 筐体
7203 スタンド
7211 リモコン操作機
7300 携帯情報端末
7301 筐体
7302 操作ボタン
7303 情報
7304 情報
7305 情報
7306 情報
7310 携帯情報端末
7320 携帯情報端末
7400 照明装置
7401 台部
7402 発光部
7403 操作スイッチ
7410 照明装置
7412 発光部
7420 照明装置
7422 発光部
7500 携帯情報端末
7501 筐体
7502 部材
7503 操作ボタン
7600 携帯情報端末
7601 筐体
7602 ヒンジ
7650 携帯情報端末
7651 非表示部
7700 携帯情報端末
7701 筐体
7703a ボタン
7703b ボタン
7704a スピーカ
7704b スピーカ
7705 外部接続ポート
7706 マイク
7709 バッテリ
7800 携帯情報端末
7801 バンド
7802 入出力端子
7803 操作ボタン
7804 アイコン
7805 バッテリ
Claims (21)
- 基板上に剥離層を形成する第1の工程と、
前記剥離層の表面にプラズマ処理を行う第2の工程と、
前記剥離層上に被剥離層を形成する第3の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層を加熱する第4の工程と、
前記剥離層と前記被剥離層を分離する第5の工程と、を有し、
前記プラズマ処理は、窒素、酸素、珪素、及び水素を含む雰囲気下で行う、剥離方法。 - 請求項1において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素及びシランを含む雰囲気下で行う、剥離方法。 - 請求項1において、
前記プラズマ処理は、亜酸化窒素、シラン、及びアンモニアを含む雰囲気下で行う、剥離方法。 - 請求項1乃至3のいずれか一項において、
前記第2の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、前記剥離層の表面に酸化物層を形成し、
前記酸化物層は、前記剥離層に含まれる材料の少なくとも一つを含む、剥離方法。 - 請求項4において、
前記第1の工程では、タングステンを含む前記剥離層を形成し、
前記第2の工程では、前記プラズマ処理を行うことで、タングステン及び酸素を含む前記酸化物層を形成する、剥離方法。 - 第1の基板と、第1の接着層と、第1の酸化物層と、第1の絶縁層と、素子層とを、この順で積層して有し、
前記第1の基板は、可撓性を有し、
前記素子層は、発光素子を有し、
前記第1の基板、前記第1の接着層、前記第1の酸化物層、及び前記第1の絶縁層の積層構造の、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の平均値が70%以上100%以下である、発光装置。 - 請求項6において、
前記第1の酸化物層の前記第1の接着層側の面に対して行うX線光電子分光分析で求められる、W4f軌道に帰属される第1のピークは、W4f軌道に帰属される第2のピークの0.60倍以上1.0倍以下の強度を有し、
前記第1のピークは、WOx(2≦x<3)で表される酸化タングステン及びタングステン窒化物に由来するピークのうち最も強度の高いピークであり、
前記第2のピークは、酸化タングステン(VI)に由来するピークのうち最も強度の高いピークである、発光装置。 - 請求項6又は7において、
前記第1の酸化物層の前記第1の接着層側の面に対して行うX線光電子分光分析で求められる、W4f軌道に帰属される第3のピークは、W4f軌道に帰属される第4のピークよりも高い強度を有し、
前記第3のピークは、WOx(2≦x<3)で表される酸化タングステン及びタングステン窒化物に由来するピークのうち最も強度の高いピークであり、
前記第4のピークは、酸化タングステン(VI)に由来するピークのうち2番目に強度の高いピークである、発光装置。 - 請求項6乃至8のいずれか一項において、
前記第1の酸化物層は、厚さが1nm以上5nm未満である部分を有する、発光装置。 - 請求項6乃至9のいずれか一項において、
前記第1の酸化物層の抵抗率は、1.0×104Ω・m以上1.0×1015Ω・m以下である、発光装置。 - 請求項6乃至10のいずれか一項において、
前記第1の絶縁層は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が、1.0×1020atoms/cm3以上1.0×1022atoms/cm3以下である領域を含む、発光装置。 - 請求項6乃至11のいずれか一項において、
前記第1の絶縁層は、二次イオン質量分析法で検出される窒素濃度が、5.0×1020atoms/cm3以上1.0×1023atoms/cm3以下である領域を含む、発光装置。 - 請求項6乃至12のいずれか一項において、
第2の基板と、第2の接着層と、第2の酸化物層と、第2の絶縁層とを、この順で積層して有し、
前記第2の基板は、可撓性を有し、
前記素子層は、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間に設けられ、
前記第2の絶縁層は、前記第2の酸化物層と前記素子層との間に設けられ、
前記第2の基板、前記第2の接着層、前記第2の酸化物層、及び前記第2の絶縁層の積層構造の、波長450nm以上700nm以下の範囲の光の透過率の平均値が70%以上100%以下である、発光装置。 - 請求項13において、
前記第2の酸化物層の前記第2の接着層側の面に対して行うX線光電子分光分析で求められる、W4f軌道に帰属される第5のピークは、W4f軌道に帰属される第6のピークの0.60倍以上1.0倍以下の強度を有し、
前記第5のピークは、WOx(2≦x<3)で表される酸化タングステン及びタングステン窒化物に由来するピークのうち最も強度の高いピークであり、
前記第6のピークは、酸化タングステン(VI)に由来するピークのうち最も強度の高いピークである、発光装置。 - 請求項13又は14において、
前記第2の酸化物層の前記第2の接着層側の面に対して行うX線光電子分光分析で求められる、W4f軌道に帰属される第7のピークは、W4f軌道に帰属される第8のピークよりも高い強度を有し、
前記第7のピークは、WOx(2≦x<3)で表される酸化タングステン及びタングステン窒化物に由来するピークのうち最も強度の高いピークであり、
前記第8のピークは、酸化タングステン(VI)に由来するピークのうち2番目に強度の高いピークである、発光装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一項において、
前記第2の酸化物層は、厚さが1nm以上5nm未満である部分を有する、発光装置。 - 請求項13乃至16のいずれか一項において、
前記第2の酸化物層の抵抗値は、1.0×104Ω・m以上1.0×1015Ω・m以下である、発光装置。 - 請求項13乃至17のいずれか一項において、
前記第2の絶縁層は、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が、1.0×1020atoms/cm3以上1.0×1022atoms/cm3以下である領域を含む、発光装置。 - 請求項13乃至18のいずれか一項において、
前記第2の絶縁層は、二次イオン質量分析法で検出される窒素濃度が、5.0×1020atoms/cm3以上1.0×1023atoms/cm3以下である領域を含む、発光装置。 - 請求項6乃至19のいずれか一項に記載の発光装置と、
FPCと、を有する、モジュール。 - 請求項6乃至19のいずれか一項に記載の発光装置、又は請求項20に記載のモジュールと、
アンテナ、バッテリ、筐体、スピーカ、マイク、操作スイッチ、又は操作ボタンと、を有する、電子機器。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017175127A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法 |
WO2018020333A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
WO2019082303A1 (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
WO2021132092A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Agc株式会社 | フレキシブル透明電子デバイスの製造方法及び物品 |
JP2022031749A (ja) * | 2016-08-31 | 2022-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2023511219A (ja) * | 2020-03-10 | 2023-03-16 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 拡張型ledアレイアセンブリの製造方法 |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5899220B2 (ja) * | 2010-09-29 | 2016-04-06 | ポスコ | ロール状の母基板を利用したフレキシブル電子素子の製造方法、フレキシブル電子素子及びフレキシブル基板 |
US10684500B2 (en) | 2015-05-27 | 2020-06-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Touch panel |
CN105810844B (zh) * | 2016-03-23 | 2018-05-29 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled器件及其制作方法、柔性显示单元 |
CN109952814B (zh) | 2016-11-30 | 2022-12-20 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子装置 |
CN108878676A (zh) * | 2018-05-31 | 2018-11-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种amoled薄膜封装结构及其制造方法 |
US10360825B1 (en) | 2018-09-24 | 2019-07-23 | Innolux Corporation | Flexible electronic device |
TWI724807B (zh) * | 2019-07-24 | 2021-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 可撓式裝置 |
US11587474B2 (en) | 2019-07-24 | 2023-02-21 | Au Optronics Corporation | Flexible device array substrate and manufacturing method of flexible device array substrate |
US11777066B2 (en) | 2019-12-27 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Flipchip interconnected light-emitting diode package assembly |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174153A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
JP2004221561A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
JP2007098565A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
JP2010098297A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (87)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63316476A (ja) * | 1987-06-18 | 1988-12-23 | Seiko Instr & Electronics Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
JP3352340B2 (ja) | 1995-10-06 | 2002-12-03 | キヤノン株式会社 | 半導体基体とその製造方法 |
JP3364081B2 (ja) | 1995-02-16 | 2003-01-08 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US5891298A (en) | 1995-08-31 | 1999-04-06 | Nitto Denko Corporation | Method and apparatus for peeling protective adhesive tape from semiconductor wafer |
US6072239A (en) | 1995-11-08 | 2000-06-06 | Fujitsu Limited | Device having resin package with projections |
JP4619462B2 (ja) | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
CN1495523A (zh) | 1996-08-27 | 2004-05-12 | ������������ʽ���� | 转移方法和有源矩阵基板的制造方法 |
US6127199A (en) | 1996-11-12 | 2000-10-03 | Seiko Epson Corporation | Manufacturing method of active matrix substrate, active matrix substrate and liquid crystal display device |
ATE261612T1 (de) | 1996-12-18 | 2004-03-15 | Canon Kk | Vefahren zum herstellen eines halbleiterartikels unter verwendung eines substrates mit einer porösen halbleiterschicht |
US6265328B1 (en) | 1998-01-30 | 2001-07-24 | Silicon Genesis Corporation | Wafer edge engineering method and device |
US6326279B1 (en) | 1999-03-26 | 2001-12-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Process for producing semiconductor article |
US6452091B1 (en) | 1999-07-14 | 2002-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing thin-film single-crystal device, solar cell module and method of producing the same |
US6391220B1 (en) | 1999-08-18 | 2002-05-21 | Fujitsu Limited, Inc. | Methods for fabricating flexible circuit structures |
US6592739B1 (en) | 1999-11-29 | 2003-07-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Process and apparatus for forming zinc oxide film, and process and apparatus for producing photovoltaic device |
US7060153B2 (en) | 2000-01-17 | 2006-06-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method of manufacturing the same |
JP4884592B2 (ja) | 2000-03-15 | 2012-02-29 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法及び表示装置の作製方法 |
SG148819A1 (en) | 2000-09-14 | 2009-01-29 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4803884B2 (ja) | 2001-01-31 | 2011-10-26 | キヤノン株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
TW564471B (en) * | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4524561B2 (ja) | 2001-07-24 | 2010-08-18 | セイコーエプソン株式会社 | 転写方法 |
TW554398B (en) | 2001-08-10 | 2003-09-21 | Semiconductor Energy Lab | Method of peeling off and method of manufacturing semiconductor device |
US7351300B2 (en) | 2001-08-22 | 2008-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method and method of manufacturing semiconductor device |
TW594947B (en) | 2001-10-30 | 2004-06-21 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
US6509282B1 (en) | 2001-11-26 | 2003-01-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Silicon-starved PECVD method for metal gate electrode dielectric spacer |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
US6953735B2 (en) | 2001-12-28 | 2005-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for fabricating a semiconductor device by transferring a layer to a support with curvature |
DE60325669D1 (de) | 2002-05-17 | 2009-02-26 | Semiconductor Energy Lab | Verfahren zum Transferieren eines Objekts und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements |
JP2004047823A (ja) | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ダイシングテープ貼付装置およびバックグラインド・ダイシングテープ貼付システム |
TWI272641B (en) | 2002-07-16 | 2007-02-01 | Semiconductor Energy Lab | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP2004140267A (ja) | 2002-10-18 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP4471563B2 (ja) | 2002-10-25 | 2010-06-02 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置の製造方法 |
WO2004040648A1 (ja) | 2002-10-30 | 2004-05-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 半導体装置および半導体装置の作製方法 |
JP4373085B2 (ja) | 2002-12-27 | 2009-11-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法、剥離方法及び転写方法 |
WO2004064018A1 (ja) | 2003-01-15 | 2004-07-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 剥離方法及びその剥離方法を用いた表示装置の作製方法 |
US7436050B2 (en) | 2003-01-22 | 2008-10-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having a flexible printed circuit |
TWI356658B (en) | 2003-01-23 | 2012-01-11 | Toray Industries | Members for circuit board, method and device for m |
JP4151421B2 (ja) | 2003-01-23 | 2008-09-17 | セイコーエプソン株式会社 | デバイスの製造方法 |
TWI328837B (en) * | 2003-02-28 | 2010-08-11 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
JP2004311955A (ja) | 2003-03-25 | 2004-11-04 | Sony Corp | 超薄型電気光学表示装置の製造方法 |
JP2005079553A (ja) | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Seiko Epson Corp | 転写方法、剥離方法、及び剥離装置 |
EP1528594B1 (en) | 2003-10-28 | 2019-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2005045908A1 (ja) | 2003-11-06 | 2005-05-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 基板貼り合わせ方法、その貼り合わせ基板及び直接接合基板 |
JP2005148638A (ja) | 2003-11-19 | 2005-06-09 | Nitto Denko Corp | 粘着型光学フィルムの剥離方法 |
US7601236B2 (en) | 2003-11-28 | 2009-10-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing display device |
CN1894796B (zh) | 2003-12-15 | 2010-09-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 薄膜集成电路器件的制造方法和非接触薄膜集成电路器件及其制造方法 |
US7271076B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
US7015075B2 (en) | 2004-02-09 | 2006-03-21 | Freescale Semiconuctor, Inc. | Die encapsulation using a porous carrier |
US7732263B2 (en) | 2004-02-25 | 2010-06-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Semiconductor device |
JP2006049800A (ja) | 2004-03-10 | 2006-02-16 | Seiko Epson Corp | 薄膜デバイスの供給体、薄膜デバイスの供給体の製造方法、転写方法、半導体装置の製造方法及び電子機器 |
US7282380B2 (en) | 2004-03-25 | 2007-10-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101187403B1 (ko) | 2004-06-02 | 2012-10-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체장치 제조방법 |
JP4054359B2 (ja) | 2004-07-02 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | フィルム剥離方法と装置 |
US7591863B2 (en) | 2004-07-16 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Laminating system, IC sheet, roll of IC sheet, and method for manufacturing IC chip |
KR101254277B1 (ko) | 2004-07-30 | 2013-04-15 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 라미네이팅 시스템, ic 시트, ic 시트 두루마리, 및ic 칩의 제조방법 |
US7927971B2 (en) | 2004-07-30 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
CN100565794C (zh) | 2004-09-24 | 2009-12-02 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件及其制造方法 |
US20080259575A1 (en) | 2004-10-01 | 2008-10-23 | Yasuaki Tanimura | Tape-Style Flexible Circuit Board, and Manufacturing Method and Manufacturing Apparatus for the Same |
JP5072210B2 (ja) | 2004-10-05 | 2012-11-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7482248B2 (en) | 2004-12-03 | 2009-01-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP4649198B2 (ja) | 2004-12-20 | 2011-03-09 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP4479512B2 (ja) | 2005-01-18 | 2010-06-09 | 東レ株式会社 | 回路基板用部材および回路基板用部材の製造方法 |
US8749063B2 (en) | 2005-01-28 | 2014-06-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP2006216891A (ja) | 2005-02-07 | 2006-08-17 | Tokyo Univ Of Agriculture & Technology | 薄膜素子構造の作製方法、及び薄膜素子構造作製用の機能性基体 |
US7566633B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US9040420B2 (en) | 2005-03-01 | 2015-05-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device including peeling layers from substrates by etching |
JP2006259095A (ja) | 2005-03-16 | 2006-09-28 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 光架橋性樹脂組成物 |
JP4795743B2 (ja) | 2005-05-19 | 2011-10-19 | リンテック株式会社 | 貼付装置 |
KR101241066B1 (ko) | 2005-05-20 | 2013-03-12 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 제조 방법 |
US7465674B2 (en) | 2005-05-31 | 2008-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of semiconductor device |
JP5057703B2 (ja) | 2005-05-31 | 2012-10-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7660145B2 (en) | 2005-07-01 | 2010-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Storage device and semiconductor device |
EP1760776B1 (en) | 2005-08-31 | 2019-12-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method for semiconductor device with flexible substrate |
US7767543B2 (en) | 2005-09-06 | 2010-08-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing a micro-electro-mechanical device with a folded substrate |
US7719872B2 (en) | 2005-12-28 | 2010-05-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Write-once nonvolatile memory with redundancy capability |
CN102243807B (zh) | 2006-09-22 | 2014-10-29 | 株式会社半导体能源研究所 | 速度测量系统以及速度测量方法 |
US8048777B2 (en) | 2006-09-29 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
US8137417B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
JP2009135453A (ja) * | 2007-10-30 | 2009-06-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器 |
JP5455299B2 (ja) | 2007-11-08 | 2014-03-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US7855153B2 (en) | 2008-02-08 | 2010-12-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
WO2010035625A1 (en) | 2008-09-25 | 2010-04-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semi conductor device |
US8911653B2 (en) | 2009-05-21 | 2014-12-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
TWI589042B (zh) | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
KR101900525B1 (ko) * | 2011-03-18 | 2018-09-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 산화물 반도체막, 반도체 장치, 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP2013183001A (ja) | 2012-03-01 | 2013-09-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2014129519A1 (en) | 2013-02-20 | 2014-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling method, semiconductor device, and peeling apparatus |
-
2015
- 2015-07-16 TW TW104123092A patent/TWI695525B/zh not_active IP Right Cessation
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-
2017
- 2017-10-10 US US15/728,575 patent/US10388875B2/en active Active
-
2020
- 2020-03-17 JP JP2020046080A patent/JP6856796B2/ja active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003174153A (ja) * | 2001-07-16 | 2003-06-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法および半導体装置の作製方法、および半導体装置 |
JP2004221561A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-08-05 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 剥離方法 |
JP2007098565A (ja) * | 2005-09-06 | 2007-04-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 微小電気機械式装置の作製方法 |
JP2010098297A (ja) * | 2008-09-19 | 2010-04-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017175127A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法 |
WO2018020333A1 (en) * | 2016-07-29 | 2018-02-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10629831B2 (en) | 2016-07-29 | 2020-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US10930870B2 (en) | 2016-07-29 | 2021-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
US11616206B2 (en) | 2016-07-29 | 2023-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Separation method, display device, display module, and electronic device |
JP2022031749A (ja) * | 2016-08-31 | 2022-02-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
WO2019082303A1 (ja) * | 2017-10-25 | 2019-05-02 | シャープ株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
WO2021132092A1 (ja) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | Agc株式会社 | フレキシブル透明電子デバイスの製造方法及び物品 |
JP2023511219A (ja) * | 2020-03-10 | 2023-03-16 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 拡張型ledアレイアセンブリの製造方法 |
JP7325655B2 (ja) | 2020-03-10 | 2023-08-14 | ルミレッズ リミテッド ライアビリティ カンパニー | 拡張型ledアレイアセンブリの製造方法 |
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