KR102612798B1 - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 457
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 194
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 96
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 96
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 239000000463 material Substances 0.000 description 81
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 70
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 51
- 230000006870 function Effects 0.000 description 42
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 36
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 35
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 24
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 20
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 19
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 19
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 19
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 18
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 16
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 16
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 16
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 15
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 15
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 12
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 11
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 10
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 10
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 8
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 6
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 6
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 5
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 5
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 4
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004760 aramid Substances 0.000 description 4
- 229920003235 aromatic polyamide Polymers 0.000 description 4
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 description 4
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 4
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 229910021389 graphene Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 4
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 3
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052800 carbon group element Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 3
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910001195 gallium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 3
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 3
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001872 Spider silk Polymers 0.000 description 2
- 229910021536 Zeolite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052795 boron group element Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052798 chalcogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N digallium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Ga+3].[Ga+3] AJNVQOSZGJRYEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 2
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N nitrogen oxide Inorganic materials O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001272 nitrous oxide Substances 0.000 description 2
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052696 pnictogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920006350 polyacrylonitrile resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920005990 polystyrene resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010457 zeolite Substances 0.000 description 2
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000925 Cd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003043 Cellulose fiber Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010022355 Fibroins Proteins 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002668 Pd-Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000796 S alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001080 W alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 229920000122 acrylonitrile butadiene styrene Polymers 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000000481 breast Anatomy 0.000 description 1
- OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N cadmium nickel Chemical compound [Ni].[Cd] OJIJEKBXJYRIBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005421 electrostatic potential Methods 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011245 gel electrolyte Substances 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N iron oxide Inorganic materials [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000013980 iron oxide Nutrition 0.000 description 1
- VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N iron(2+);oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Fe+2] VBMVTYDPPZVILR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052981 lead sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940056932 lead sulfide Drugs 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000006855 networking Effects 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N nickel zinc Chemical compound [Ni].[Zn] QELJHCBNGDEXLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);titanium(4+) Chemical class [O-2].[O-2].[Ti+4] SOQBVABWOPYFQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003050 poly-cycloolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 125000006239 protecting group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003223 protective agent Substances 0.000 description 1
- 108090000623 proteins and genes Proteins 0.000 description 1
- 102000004169 proteins and genes Human genes 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N selanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Se] GGYFMLJDMAMTAB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 229910052566 spinel group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 150000003457 sulfones Chemical class 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000013585 weight reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
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Abstract
중첩되어 있는 2개의 표시 패널을 포함하는 표시 장치이다. 위쪽 표시 패널은 제 1 표시 영역 및 가시광을 투과시키는 영역을 포함한다. 아래쪽 표시 패널은 제 2 표시 영역 및 가시광을 차단하는 영역을 포함한다. 제 2 표시 영역은 가시광을 투과시키는 영역과 중첩된다. 가시광을 차단하는 영역은 제 1 표시 영역과 중첩된다. 아래쪽 표시 패널은 제 2 표시 영역과 가시광을 차단하는 영역 사이의 제 3 표시 영역을 포함한다. 제 3 표시 영역에서의 제 1 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 제 2 표시 영역에서의 제 2 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 제 2 화소는 제 2 표시 영역에 포함되는 화소 중 어느 화소보다 제 1 화소에 가깝다.
Description
본 발명의 일 형태는 복수의 표시 패널을 포함하는 표시 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 기술분야에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 형태의 기술분야의 예에는 반도체 장치, 표시 장치, 발광 장치, 축전 장치, 기억 장치, 전자 기기, 조명 장치, 입력 장치(예를 들어, 터치 센서), 입출력 장치(예를 들어, 터치 패널), 이들의 구동 방법, 및 이들의 제작 방법이 포함된다.
근년, 더 큰 표시 장치가 요구되고 있다. 큰 표시 장치는 예를 들어 가정용 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 디지털 사이니지(digital signage), 및 PID(public information display)에 사용될 수 있다. 표시 장치의 표시 영역이 커지면 한번에 더 많은 정보를 제공할 수 있다. 또한, 표시 영역이 커지면 더 눈에 띄기 때문에, 예를 들어 광고의 효과가 높아질 것으로 기대된다.
전계 발광을 이용한 발광 소자(EL 소자라고도 함)는 박형화 및 경량화의 용이성, 입력 신호에 대한 고속 응답성, 및 직류 저전압 전원 구동 등의 특징을 가지기 때문에, 표시 장치에 EL 소자를 응용하는 것이 제안되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에는 유기 EL 소자를 포함하는 플렉시블 발광 장치가 개시(開示)되어 있다.
본 발명의 일 형태의 과제는 표시 장치의 크기를 늘리는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 이음매가 시인되기 어려운 넓은 표시 영역을 포함하는 표시 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 일람성이 높은 표시 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 표시 장치의 두께 또는 무게를 줄이는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 곡면을 따라 화상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 이들 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태에서 모든 과제를 해결할 필요는 없다. 명세서, 도면, 및 청구항의 기재로부터 다른 과제가 추출될 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 제 1 표시 패널 및 제 2 표시 패널을 포함한다. 제 1 표시 패널은 제 1 표시 영역, 및 가시광을 투과시키는 영역을 포함한다. 제 2 표시 패널은 제 2 표시 영역, 제 3 표시 영역, 및 가시광을 차단하는 영역을 포함한다. 제 1 표시 영역은 가시광을 투과시키는 영역에 인접한다. 제 3 표시 영역은 제 2 표시 영역과 가시광을 차단하는 영역 사이에 위치하며, 제 2 표시 영역 및 가시광을 차단하는 영역에 인접한다. 제 2 표시 영역은 표시면 측에서, 가시광을 투과시키는 영역과 중첩된다. 가시광을 차단하는 영역은 제 1 표시 영역과 중첩된다. 제 1 표시 영역 및 가시광을 투과시키는 영역 중 적어도 하나는 제 3 표시 영역과 중첩된다. 제 2 표시 영역은 m행 n열(m 및 n은 독립적으로 2 이상의 정수(整數)를 나타냄)로 배치된 복수의 화소를 포함한다. 제 3 표시 영역은 열 방향으로 배치된 복수의 화소를 포함한다. 제 3 표시 영역은 제 2 표시 영역의 n열째 화소에 인접한다. 제 3 표시 영역의 i행째(i는 1 이상 m 이하의 정수를 나타냄) 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다.
상술한 구조에서, 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자 및 제 1 구동 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속된다. 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속된다.
제 2 발광 소자의 면적은 제 1 발광 소자의 면적보다 큰 것이 바람직하다. 이때, 제 2 구동 트랜지스터의 채널 길이(L)와 채널 폭(W)의 W/L비는 제 1 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰 것이 바람직하다.
제 1 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고, 제 2 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인 것이 바람직하다.
제 2 표시 패널은 복수의 소스선을 포함하고, n+1열째 이후의 열의 소스선은 n열째 소스선에 접속되는 것이 바람직하다.
또는 상술한 구조에서, 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자, 제 1 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함하고, 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속되고, 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속되고, 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 구동 트랜지스터의 게이트 및 제 2 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
또는 상기 구조에서, 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자, 제 1 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자를 포함하고, 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 발광 소자의 화소 전극 및 제 2 발광 소자의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소와 같은 색을 가지는 것이 바람직하다.
또한, 제 3 표시 영역은 행 방향으로 배치된 복수의 화소를 포함하고, 제 3 표시 영역은 제 2 표시 영역의 m행째 화소에 인접하고, 제 3 표시 영역의 j열째(j는 1 이상 n 이하의 정수를 나타냄) 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같은 것이 바람직하다.
상기 구조에서, 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소는 제 3 발광 소자 및 제 3 구동 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 j열째 화소는 제 4 발광 소자 및 제 4 구동 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다. 제 3 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 3 발광 소자에 전기적으로 접속된다. 제 4 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 4 발광 소자에 전기적으로 접속된다.
제 4 발광 소자의 면적은 제 3 발광 소자의 면적보다 큰 것이 바람직하다. 이때, 제 4 구동 트랜지스터의 W/L비는 제 3 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰 것이 바람직하다.
제 3 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고, 제 4 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인 것이 바람직하다.
제 2 표시 패널은 복수의 게이트선을 포함하고, m+1행째 이후의 행의 게이트선은 m행째 게이트선에 접속되는 것이 바람직하다.
또는 상기 구조에서, 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소는 제 3 발광 소자, 제 3 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 j열째 화소는 제 4 발광 소자 및 제 4 구동 트랜지스터를 포함하고, 제 3 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 3 발광 소자에 전기적으로 접속되고, 제 4 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 4 발광 소자에 전기적으로 접속되고, 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 3 구동 트랜지스터의 게이트 및 제 4 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
또는 상기 구조에서, 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소는 제 3 발광 소자, 선택 트랜지스터, 및 제 3 구동 트랜지스터를 포함하고, 제 3 표시 영역의 j열째 화소는 제 4 발광 소자를 포함하고, 제 3 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 3 발광 소자의 화소 전극 및 제 4 발광 소자의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 3 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는 것이 바람직하다.
제 3 표시 영역의 j열째 화소는 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소와 같은 색을 가지는 것이 바람직하다.
제 2 표시 영역 및 제 3 표시 영역은 총 m+x행 n+y열(x 및 y는 독립적으로 1 이상의 정수를 나타냄)의 화소를 포함하고, m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 각 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 m행 n열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같은 것이 바람직하다.
m+1행 n+1열째 화소에 포함되는 발광 소자의 면적은 m행 n열째 화소에 포함되는 발광 소자의 면적보다 큰 것이 바람직하다. 이때, m+1행 n+1열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터의 W/L비는 m행 n열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰 것이 바람직하다.
m행 n열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고, m+1행 n+1열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인 것이 바람직하다.
m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소는 m행 n열째 화소와 같은 색을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 제 1 표시 패널 및 제 2 표시 패널을 포함한다. 제 1 표시 패널은 제 1 표시 영역, 및 가시광을 투과시키는 영역을 포함한다. 제 2 표시 패널은 제 2 표시 영역 및 가시광을 차단하는 영역을 포함한다. 제 1 표시 영역은 가시광을 투과시키는 영역에 인접한다. 제 2 표시 영역은 가시광을 차단하는 영역에 인접한다. 제 2 표시 영역은 표시면 측에서, 가시광을 투과시키는 영역과 중첩된다. 가시광을 차단하는 영역은 제 1 표시 영역과 중첩된다. 제 2 표시 영역은 m행 n열(m 및 n은 독립적으로 2 이상의 정수를 나타냄)로 배치된 복수의 화소를 포함한다. 가시광을 차단하는 영역은 n열째 화소에 인접한다. i행 n-1열째 화소는 제 1 발광 소자 및 제 1 구동 트랜지스터를 포함한다. i행 n열째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함한다. 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속된다. 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속된다. 제 2 발광 소자의 면적은 제 1 발광 소자의 면적보다 크다.
제 2 구동 트랜지스터의 W/L비는 제 1 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰 것이 바람직하다.
제 1 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고, 제 2 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인 것이 바람직하다.
가시광을 차단하는 영역은 제 2 표시 영역의 m행째 화소에 인접하고, m행 j열째(j는 1 이상 n 이하의 정수를 나타냄) 화소에 포함되는 발광 소자의 면적은 m-1행 j열째 화소에 포함되는 발광 소자의 면적보다 큰 것이 바람직하다.
m행 j열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터의 W/L비는 m-1행 j열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰 것이 바람직하다.
m-1행 j열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고, m행 j열째 화소에 포함되는 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태는 상술한 어느 표시 장치, 그리고 안테나, 배터리, 하우징, 카메라, 스피커, 마이크로폰, 및 조작 버튼 중 적어도 하나를 포함하는 전자 기기이다.
본 발명의 일 형태는 표시 장치의 크기를 늘릴 수 있다. 본 발명의 일 형태는 이음매가 시인되기 어려운 넓은 표시 영역을 포함하는 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태는 일람성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태는 표시 장치의 두께 또는 무게를 줄일 수 있다. 본 발명의 일 형태는 곡면을 따라 화상을 표시할 수 있는 표시 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태는 신뢰성이 높은 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태는 반드시 상술한 모든 효과를 가질 필요는 없다. 명세서, 도면, 및 청구항의 기재로부터 다른 효과가 추출될 수 있다.
도 1의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 4의 (A) 내지 (C)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 9의 (A) 내지 (C)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 10의 (A) 및 (B)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 11은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 12는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 13은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 14는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 15는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 16의 (A) 내지 (D)는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 각각 도시한 회로도이다.
도 17은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 18은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 19의 (A) 내지 (D)는 화소의 예를 각각 도시한 회로도이다.
도 20의 (A) 및 (B)는 화소의 예를 도시한 상면도이다.
도 21의 (A) 및 (B)는 화소의 예를 도시한 상면도이다.
도 22의 (A) 내지 (E)는 화소의 배치 및 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃을 도시한 것이다.
도 23의 (A) 내지 (D)는 화소의 배치 및 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃을 도시한 것이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 사시도이다.
도 25의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 상면도이다.
도 26의 (A) 내지 (E)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 27의 (A) 내지 (D)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 28의 (A) 내지 (D)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 29의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 30의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 31은 표시 장치의 예를 도시한 단면도이다.
도 32의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 제작 방법의 예를 도시한 단면도이다.
도 33의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 제작 방법의 예를 도시한 단면도이다.
도 34의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 35의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 36의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 사시도이다.
도 37은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 38의 (A)는 터치 패널의 예를 도시한 단면도이고, 도 38의 (B) 내지 (D)는 트랜지스터의 상면도 및 단면도이다.
도 39는 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 40은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 41은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 42의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 사시도이다.
도 43은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 44의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 45의 (A) 내지 (F)는 전자 기기 및 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 46의 (A1), (A2), 및 (B) 내지 (I)는 전자 기기의 예를 도시한 것이다.
도 47의 (A) 내지 (C)는 표시 장치 및 전자 기기의 사용예를 도시한 것이다.
도 2의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 3의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 4의 (A) 내지 (C)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 5의 (A) 및 (B)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 6의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도이다.
도 7의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 8의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 9의 (A) 내지 (C)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 10의 (A) 및 (B)는 표시 패널 및 표시 장치의 예를 도시한 상면도이다.
도 11은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 12는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 13은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 14는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 15는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 16의 (A) 내지 (D)는 화소와 구동 회로의 접속의 예를 각각 도시한 회로도이다.
도 17은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 18은 화소와 구동 회로의 접속의 예를 도시한 회로도이다.
도 19의 (A) 내지 (D)는 화소의 예를 각각 도시한 회로도이다.
도 20의 (A) 및 (B)는 화소의 예를 도시한 상면도이다.
도 21의 (A) 및 (B)는 화소의 예를 도시한 상면도이다.
도 22의 (A) 내지 (E)는 화소의 배치 및 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃을 도시한 것이다.
도 23의 (A) 내지 (D)는 화소의 배치 및 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃을 도시한 것이다.
도 24의 (A) 및 (B)는 표시 장치의 예를 도시한 사시도이다.
도 25의 (A) 내지 (C)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 상면도이다.
도 26의 (A) 내지 (E)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 27의 (A) 내지 (D)는 표시 장치의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 28의 (A) 내지 (D)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 29의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 30의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 예를 도시한 상면도 및 단면도이다.
도 31은 표시 장치의 예를 도시한 단면도이다.
도 32의 (A) 내지 (C)는 표시 패널의 제작 방법의 예를 도시한 단면도이다.
도 33의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 제작 방법의 예를 도시한 단면도이다.
도 34의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 35의 (A) 및 (B)는 표시 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 36의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 사시도이다.
도 37은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 38의 (A)는 터치 패널의 예를 도시한 단면도이고, 도 38의 (B) 내지 (D)는 트랜지스터의 상면도 및 단면도이다.
도 39는 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 40은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 41은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 42의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 도시한 사시도이다.
도 43은 터치 패널의 예를 도시한 단면도이다.
도 44의 (A) 및 (B)는 터치 패널의 예를 각각 도시한 단면도이다.
도 45의 (A) 내지 (F)는 전자 기기 및 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 46의 (A1), (A2), 및 (B) 내지 (I)는 전자 기기의 예를 도시한 것이다.
도 47의 (A) 내지 (C)는 표시 장치 및 전자 기기의 사용예를 도시한 것이다.
실시형태에 대하여 도면을 참조하여 자세히 설명한다. 다만, 본 발명은 아래의 기재에 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 그 범위에서 벗어남이 없이 다양하게 변경 및 수정될 수 있다는 것은 통상의 기술자라면 용이하게 이해할 수 있다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 내용에 한정하여 해석되지 않는다.
또한, 아래에 기재된 발명의 구조에서, 같은 부분 또는 비슷한 기능을 가지는 부분은 다른 도면 간에서 같은 부호로 표시하고, 이러한 부분에 대한 설명을 반복하지 않는다. 또한, 비슷한 기능을 가지는 부분에는 같은 해칭 패턴을 적용하고, 이 부분을 특별히 부호로 표시하지 않는 경우가 있다.
또한, 도면에 도시된 각 구조의 위치, 크기, 또는 범위 등은, 이해하기 쉽게 하기 위하여 정확히 나타내어지지 않는 경우가 있다. 그러므로, 개시된 발명은 반드시 도면에 개시된 위치, 크기, 또는 범위 등에 한정되지 않는다.
또한, "막" 및 "층"이라는 용어는 경우 또는 상황에 따라 서로 바뀔 수 있다. 예를 들어, '도전층'이라는 용어를 '도전'이라는 용어로 바꿀 수 있고 '절연막'이라는 용어를 '절연층'이라는 용어로 바꿀 수 있다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 대하여 도 1의 (A) 내지 (C), 도 2의 (A) 및 (B), 도 3의 (A) 및 (B), 도 4의 (A) 내지 (C), 도 5의 (A) 및 (B), 도 6의 (A) 내지 (C), 도 7의 (A) 및 (B), 도 8의 (A) 및 (B), 도 9의 (A) 내지 (C), 도 10의 (A) 및 (B), 도 11, 도 12, 도 13, 도 14, 도 15, 도 16의 (A) 내지 (D), 도 17, 도 18, 도 19의 (A) 내지 (D), 도 20의 (A) 및 (B), 도 21의 (A) 및 (B), 도 22의 (A) 내지 (E), 도 23의 (A) 내지 (D), 도 24의 (A) 및 (B), 도 25의 (A) 내지 (C), 도 26의 (A) 내지 (E), 및 도 27의 (A) 내지 (D)를 참조하여 설명한다.
복수의 표시 패널을 하나 이상의 방향으로(예를 들어, 일렬로 또는 매트릭스로) 배치하면, 큰 표시 영역을 가지는 표시 장치를 제작할 수 있다.
복수의 표시 패널을 사용하여 큰 표시 장치를 제작하는 경우에는 각 표시 패널이 클 필요는 없다. 따라서, 이 표시 패널을 제작하기 위한 장치를 대형화할 필요가 없고, 공간 절약화를 달성할 수 있다. 또한, 중소형 표시 패널의 제작 장치를 사용할 수 있고 큰 표시 장치를 제작하기 위한 신규 장치가 불필요하므로, 제작 비용을 저감할 수 있다. 또한, 표시 패널의 대형화에 따른 수율의 저하를 억제할 수 있다.
표시 패널의 크기가 같은 경우, 복수의 표시 패널을 포함하는 표시 장치는 하나의 표시 패널을 포함하는 표시 장치보다 더 큰 표시 영역을 가지고, 예를 들어 한번에 더 많은 정보를 표시하는 효과를 가진다.
그러나, 각 표시 패널은 표시 영역을 둘러싸는 비(非)표시 영역을 가지기 때문에, 복수의 표시 패널의 출력 화상을 하나의 화상으로서 표시하는 경우, 표시 장치의 사용자에게는 이 화상이 분리된 것처럼 보인다.
표시 패널의 비표시 영역을 작게 함으로써(슬림 베젤을 가지는 표시 패널을 사용함으로써), 표시 패널의 화상이 분리되어 보이는 것을 방지할 수 있으나, 표시 패널의 비표시 영역을 완전히 없애는 것은 어렵다.
표시 패널의 비표시 영역이 작으면, 표시 패널의 단부와 표시 패널 내의 소자 사이의 거리가 짧게 되어, 표시 패널의 외부로부터 들어가는 불순물에 의하여 소자가 열화되기 쉬워지는 경우가 있다.
그래서, 본 발명의 일 형태에서는 복수의 표시 패널이 부분적으로 서로 중첩되도록 배치된다. 서로 중첩된 2개의 표시 패널에서 적어도 표시면 측(위쪽)에 위치하는 표시 패널은 서로 인접해 있는 가시광을 투과시키는 영역과 표시 영역을 포함한다. 본 발명의 일 형태에서는 아래쪽에 위치하는 표시 패널의 표시 영역과, 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 서로 중첩되어 있다. 그래서, 서로 중첩된 2개의 표시 패널의 표시 영역들 사이에 나타나는 비표시 영역을 축소하거나 제거할 수 있다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 대형 표시 장치를 얻을 수 있다.
위쪽 표시 패널의 비표시 영역의 적어도 일부는 가시광을 투과시키고, 아래쪽 표시 패널의 표시 영역과 중첩될 수 있다. 또한, 아래쪽 표시 패널의 비표시 영역의 적어도 일부는 위쪽 표시 패널의 표시 영역 또는 그것의 가시광을 차단하는 영역과 중첩될 수 있다. 비표시 영역은 표시 장치의 베젤의 면적의 축소화(표시 영역 외의 면적의 축소화)에 영향을 주지 않으므로 이들 영역의 면적을 반드시 축소할 필요는 없다.
표시 패널의 큰 비표시 영역에 의하여, 표시 패널의 단부와 표시 패널 내의 소자 사이의 거리가 증가되어, 표시 패널의 외부로부터 들어가는 불순물로 인한 소자의 열화를 억제할 수 있다. 예를 들어, 표시 소자로서 유기 EL 소자를 사용하는 경우, 표시 패널의 단부와 유기 EL 소자 사이의 거리가 증가될수록 표시 패널의 외부로부터 수분 또는 산소 등의 불순물이 유기 EL 소자에 들어가기 어려워진다(또는 도달되기 어려워진다). 본 발명의 일 형태의 표시 장치에서 표시 패널의 비표시 영역의 충분한 면적을 확보할 수 있기 때문에, 유기 EL 소자 등을 포함하는 표시 패널을 사용하여도 신뢰성이 높은 큰 표시 장치를 제작할 수 있다.
여기서, 2개의 표시 패널을 서로 중첩되도록 배치한 후에, 2개의 표시 패널의 상대적인 위치의 어긋남이 생길 수 있다. 표시 패널의 표시 영역에 제공되는 화소의 밀도가 높은 경우, 높은 정렬(alignment) 정확도가 요구되므로, 2개의 표시 패널을 서로 중첩시킴에 있어서 표시 패널들이 소정의 위치에서 어긋나기 쉽다.
2개의 표시 패널의 상대적인 위치가, 2개의 표시 패널이 서로 떨어지는 방향으로 어긋나면, 아래쪽에 배치된 표시 패널의 비표시 영역과 위쪽의 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 서로 중첩된다. 즉, 표시 장치에서 2개의 표시 패널의 표시 영역들 사이에 비표시 영역이 형성된다. 예를 들어, 표시 영역 근방의 구동 회로 또는 배선 등이 표시 장치의 사용자에게 인식되기 쉬워진다. 그 결과, 2개의 표시 패널의 출력 화상을 하나의 화상으로서 표시하는 경우에, 사용자에게 그 하나의 화상이 분리되어 보이게 된다.
상술한 것을 감안하여, 본 발명의 일 형태에서는 아래쪽 표시 패널에서 표시 영역과 가시광을 차단하는 영역 사이에, 추가적인 화소(더미 화소라고도 함)를 제공한다. 더미 화소는 표시 영역에서 더미 화소에 가장 가까운 화소와 같은 색을 가진다. 더미 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 표시 영역에서 더미 화소에 가장 가까운 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 2개의 표시 패널이, 이들이 서로 떨어지는 방향으로 어긋나면, 아래쪽에 배치된 표시 패널의 더미 화소와 위쪽의 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 서로 중첩된다. 이들 더미 화소를 사용하여 표시를 행함으로써, 2개의 표시 패널이, 이들이 서로 떨어지는 방향으로 어긋나도, 표시 장치에서 2개의 중첩된 표시 패널의 표시 영역들 사이에 비표시 영역이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 대형 표시 장치를 얻을 수 있다.
또는, 본 발명의 일 형태에서는 아래쪽 표시 패널에서 가시광을 차단하는 영역에 인접한 화소의 표시 소자의 면적(표시 소자의 표시 영역의 면적으로 간주할 수 있음)을 다른 화소의 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 2개의 표시 패널이, 이들이 서로 떨어지는 방향으로 어긋나면, 아래쪽에 배치된 표시 패널의 가시광을 차단하는 영역에 인접한 화소와 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역이 서로 중첩되는 면적이 커진다. 표시 패널들이 어긋나도, 2개의 중첩된 표시 패널의 표시 영역들 사이에 비표시 영역이 형성되는 것을 방지할 수 있다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 대형 표시 장치를 얻을 수 있다.
이하에서 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널 및 표시 장치의 구체적인 예에 대하여 설명한다.
<구조예 A>
도 1의 (A)는 표시 패널(100)의 상면도이다.
도 1의 (A)의 표시 패널(100)은 표시 영역(101), 표시 영역(109), 및 영역(102)을 포함한다. 여기서, 영역(102)은 상면도에서 표시 패널(100)의 표시 영역(101) 및 표시 영역(109) 이외의 부분이다. 영역(102)은 비표시 영역이라고 할 수도 있다.
영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 영역(101)에 인접해 있다. 표시 영역(109)은 표시 영역(101)과 가시광을 차단하는 영역(120) 사이에 위치하고 이들에 인접해 있다. 표시 영역(109), 가시광을 투과시키는 영역(110), 및 가시광을 차단하는 영역(120)의 각각은 표시 영역(101)의 외주의 일부를 따라 제공될 수 있다.
도 1의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에서는 표시 영역(109)이 표시 영역(101)의 1변을 따라 제공되어 있다. 표시 패널(100)에는 표시 영역(101)의 1변 이상을 따라 표시 영역(109)을 제공할 수 있다.
도 1의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에서는 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시 영역(101)의 1변을 따라 제공되어 있다. 표시 패널(100)에는 표시 영역(101)의 1변 이상을 따라 가시광을 투과시키는 영역(110)을 제공할 수 있다. 도 1의 (A)에서와 같이, 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 영역(101)과 접촉되며, 표시 패널(100)의 단부까지 연장되어 제공되어 있는 것이 바람직하다.
가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 영역(101)의 마주 보는 2변 중 하나를 따라 제공되고, 표시 영역(109)은 다른 하나를 따라 제공된다.
도 1의 (A)의 표시 패널(100)에서는 가시광을 차단하는 영역(120)이 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다. 표시 패널(100)에서, 가시광을 차단하는 영역(120)을 표시 패널(100)의 단부 근방까지 연장시킬 수 있다.
또한, 도 1의 (A)에 도시된 각 영역(102) 중, 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120) 이외의 영역은 반드시 가시광 투과성을 가질 필요는 없다.
표시 영역(101)은 매트릭스로 배치된 복수의 화소를 포함하며, 화상을 표시할 수 있다. 각 화소에는 하나 이상의 표시 소자가 제공되어 있다. 표시 소자로서는 예를 들어, EL 소자 등의 발광 소자, 전기 영동 소자, MEMS(micro electro mechanical systems)를 사용한 표시 소자, 또는 액정 소자 등을 사용할 수 있다. 본 실시형태에서는 주로 EL 소자를 사용한다.
표시 영역(109)은 하나 이상의 방향으로 배치된 복수의 화소를 포함하며, 화상을 표시할 수 있다. 각 화소에는 하나 이상의 표시 소자가 제공되어 있다. 표시 영역(109)에는 표시 영역(101)에 사용한 것과 비슷한 표시 소자를 사용할 수 있다. 또한, 표시 영역(109)은 더미 화소를 포함한다고 할 수도 있다.
가시광을 투과시키는 영역(110)에는 가시광을 투과시키는 재료를 사용한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 예를 들어, 표시 패널(100)에 포함되는 기판 및 접착층 등을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)의 가시광에 대한 투과율은 높을수록 바람직하고, 이는 가시광을 투과시키는 영역(110) 아래의 표시 패널로부터의 광 추출 효율을 높일 수 있기 때문이다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 파장 450nm 이상 700nm 이하에서 투과율의 평균값이 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 더 바람직하고, 90% 이상인 것이 더욱 바람직하다.
가시광을 차단하는 영역(120)에는 예를 들어, 표시 영역(101)에 포함되는 화소(구체적으로는, 트랜지스터 또는 표시 소자 등)에 전기적으로 접속되는 배선이 제공되어 있다. 이러한 배선에 더하여, 화소를 구동시키기 위한 구동 회로(예를 들어, 주사선 구동 회로 또는 신호선 구동 회로)를 제공할 수 있다.
표시 패널은 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 표시 패널은 주사선 구동 회로도 신호선 구동 회로도 포함하지 않아도 된다. 예를 들어 표시 패널에, 주사선 구동 회로 및 신호선 구동 회로 중 적어도 하나로서 기능하는 집적 회로(IC)를 전기적으로 접속할 수 있다. 표시 패널 및 IC를 포함하는 표시 장치를 제작할 수 있다. IC는 COG(Chip On Glass) 방식 또는 COF(Chip On Film) 방식에 의하여 표시 패널에 탑재될 수 있다. 또는, IC가 탑재된 연성 인쇄 회로(이하 FPC), TAB(Tape Automated Bonding) 테이프, 또는 TCP(Tape Carrier Package) 등을 표시 장치에 사용할 수 있다.
가시광을 차단하는 영역(120)은 FPC 등에 전기적으로 접속되는 단자(접속 단자라고도 함) 및 상기 단자에 전기적으로 접속되는 배선 등을 포함한다. 또한, 단자 및 배선 등이 가시광을 투과시키는 경우, 상기 단자 및 배선 등을 가시광을 투과시키는 영역(110)까지 연장하여 제공할 수 있다.
여기서, 도 1의 (A)에 도시된 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)은 0.1mm 이상 150mm 이하인 것이 바람직하고, 0.5mm 이상 100mm 이하인 것이 더 바람직하고, 1mm 이상 50mm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)이 표시 패널에 따라 다른 경우, 또는 같은 표시 패널에서 위치에 따라 상기 폭이 다른 경우에는 가장 짧은 길이가 상기 범위 내인 것이 바람직하다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 밀봉 영역으로서 기능한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)이 클수록 표시 패널(100)의 단부와 표시 영역(101) 사이의 거리를 길게 할 수 있고, 그 경우 외부로부터 물 등의 불순물이 표시 영역(101)에 들어가는 것을 억제할 수 있다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)은 표시 영역(101)과 표시 패널(100)의 단부 사이의 최단 거리에 상당하는 경우가 있다.
예를 들어, 표시 소자로서 유기 EL 소자를 사용한 경우에는 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)을 0.5mm 이상으로 함으로써, 유기 EL 소자의 열화를 효과적으로 억제할 수 있고, 신뢰성의 향상으로 이어진다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110) 이외의 부분에서도, 표시 영역(101)의 단부와 표시 패널(100)의 단부 사이의 거리가 상기 범위 내인 것이 바람직하다.
도 1의 (A)에 도시된 표시 영역(109)의 폭(W 2)은 0.1mm 이상 5mm 이하인 것이 바람직하고, 0.5mm 이상 5mm 이하인 것이 더 바람직하고, 1mm 이상 5mm 이하인 것이 더욱 바람직하다. 표시 영역(109)의 폭(W 2)이 클수록 2개의 표시 패널을 중첩시킴에 있어서의 어긋남의 허용 범위가 넓어질 수 있으므로 바람직하다. 또한, 하나의 화소의 폭이 5mm보다 큰 경우, 표시 영역(109)의 폭(W 2)도 5mm보다 크게 할 수 있다.
표시 영역(109)의 폭(W 2)이 표시 패널에 따라 다른 경우, 또는 같은 표시 패널에서 위치에 따라 상기 폭이 다른 경우에는 가장 짧은 길이를 폭(W 2)이라고 할 수 있다.
도 1의 (B) 및 (C)의 각각은 도 1의 (A)의 영역(P1)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 1의 (B) 및 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101)에서는 복수의 화소(141)가 매트릭스로 배치되어 있다. 적색, 녹색, 및 청색의 3색을 사용한 풀 컬러 표시가 가능한 표시 패널(100)을 형성하는 경우, 각 화소(141)는 상기 3색 중 어느 것을 표시할 수 있는 부화소에 대응한다. 상술한 3색에 더하여 백색 또는 황색 등의 부화소를 제공할 수도 있다.
본 실시형태에서는 표시 영역(101)이 m행 n열(m 및 n은 독립적으로 2 이상의 정수를 나타냄)로 배치된 화소(141)를 포함하는 예에 대하여 설명한다. 표시 영역(109)은 화소(149)를 포함한다. 또한, a행 b열째 화소는 부호 뒤에 (a,b)를 붙여 표시한다.
본 실시형태의 설명에서는, 도면의 가로 방향을 행 방향으로 하고 세로 방향을 열 방향으로 하지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않고, 행 방향과 열 방향을 서로 교체할 수 있다. 본 발명의 일 형태에서는 신호선 방향과 주사선 방향의 어느 쪽을 행 방향으로 간주하여도 좋다. 본 발명은 가장 밑의 행을 1행째로 하고 가장 왼쪽의 열을 1열째로 한 설명에도 한정되지 않고, 가장 위의 행을 1행째로 하거나 또는 가장 오른쪽의 열을 1열째로 할 수 있다.
도 1의 (B) 및 (C)에서는 n열째 화소(141)(즉, 표시 영역(101)의 가장 끝의 열의 화소(141))에 인접하도록, 화소(149)가 열 방향으로 배치되어 있다. 화소(149)는 1열 이상 제공될 수 있다. 도 1의 (B)는 화소(149)를 1열 제공하는 예를 도시한 것이다. 도 1의 (C)는 화소(149)를 2열 제공하는 예를 도시한 것이다.
화소(149)를 복수의 행 또는 복수의 열로 제공하면, 2개의 표시 패널을 중첩시킴에 있어서의 어긋남의 허용 범위가 넓어질 수 있으므로 바람직하다.
도 1의 (B)에서는 화소(141(i,n))(i는 1 이상 m 이하의 정수)의 왼쪽에 화소(141(i,n-1))가 위치하고, 화소(141(i,n))의 오른쪽에 화소(149(i,n+1))가 위치하고 있다. 마찬가지로, 화소(141(i+1,n))의 왼쪽에 화소(141(i+1,n-1))가 위치하고, 화소(141(i+1,n))의 오른쪽에 화소(149(i+1,n+1))가 위치하고 있다.
도 1의 (C)에서는 화소(141(i,n))의 오른쪽에 화소(149(i,n+1))가 위치하고, 화소(149(i,n+1))의 오른쪽에 화소(149(i,n+2))가 위치하고 있다. 마찬가지로, 화소(141(i+1,n))의 오른쪽에 화소(149(i+1,n+1))가 위치하고, 화소(149(i+1,n+1))의 오른쪽에 화소(149(i+1,n+2))가 위치하고 있다.
i행째 화소(149)는 i행 n열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. 또한, i행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 i행 n열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, i행째 화소(149)와 i행 n열째 화소(141)는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다. 그 결과, 2개의 중첩된 표시 패널이 어긋나도, 2개의 표시 패널의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다. 예를 들어, 도 1의 (B)에서 화소(149(i,n+1))는 화소(141(i,n))와 같은 색을 가진다. 또한, 화소(149(i,n+1))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(i,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 도 1의 (C)에서 화소(149(i,n+1)) 및 화소(149(i,n+2))는 화소(141(i,n))와 같은 색을 가진다. 화소(149(i,n+1)) 및 화소(149(i,n+2))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(i,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다.
도 2의 (A)는 표시 장치(10)의 상면도이다. 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 하나 이상의 방향으로 배치된 복수의 표시 패널을 포함한다. 도 2의 (A)에 도시된 표시 장치(10)는 도 1의 (A)에 도시된 표시 패널(100)을 2개 포함한다. 구체적으로는, 표시 장치(10)는 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)을 포함한다.
본 실시형태에서는 표시 패널들, 표시 패널에 포함되는 같은 구성 요소들, 또는 표시 패널에 연관되는 같은 구성 요소들을 구별하기 위하여, 부호에 문자를 부기하였다. 특별히 언급하지 않는 한, 가장 아래쪽(표시면 측과는 반대 측)에 배치되는 표시 패널 및 구성 요소에는 부호에 "a"를 부기하고, 그 위에 배치되는 하나 이상의 표시 패널 및 구성 요소에는 아래쪽에서 알파벳 순으로 "b" 및 "c" 등을 부기한다.
표시 장치(10)는 표시 패널(100b)에 FPC(112b)가 접속되어 있는 예이다. 표시 패널(100b)에는 FPC(112b)를 통하여 IC(115b)가 전기적으로 접속되어 있다. 마찬가지로, 표시 패널(100a)에는 FPC를 통하여 IC가 전기적으로 접속되어 있다.
표시 패널(100a)은 표시 영역(101a), 표시 영역(109a), 및 영역(102a)을 포함한다. 영역(102a)은 가시광을 차단하는 영역(120a)을 포함한다. 영역(102a)은 가시광을 투과시키는 영역(110a)을 포함하여도 좋다. 예를 들어, 표시 패널(100a) 아래에 표시 패널을 더 제공하는 경우, 영역(102a)은 가시광을 투과시키는 영역(110a)을 포함하는 것이 바람직하다.
표시 패널(100b)은 표시 영역(101b) 및 영역(102b)을 포함한다. 영역(102b)은 가시광을 투과시키는 영역(110b) 및 가시광을 차단하는 영역(120b)을 포함한다. 표시 패널(100b)은 표시 영역(109b)을 포함하여도 좋다. 예를 들어, 표시 패널(100b) 위에 표시 패널을 더 제공하는 경우, 표시 패널(100b)은 표시 영역(109b)을 포함하는 것이 바람직하다.
표시 패널(100b)은 표시 패널(100a)의 위쪽(표시면 측)과 부분적으로 중첩되도록 배치되어 있다. 구체적으로는, 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되도록 제공되어 있다. 표시 패널(100b)의 가시광을 차단하는 영역(120b)은 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되지 않도록 제공되어 있다. 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)은 표시 패널(100a)의 가시광을 차단하는 영역(120a)과 중첩되도록 제공되어 있다.
가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 영역(101a)과 중첩되도록 제공되기 때문에, 표시 패널(100b)이 표시 패널(100a)의 표시면과 중첩되어 있어도, 표시 장치(10)의 사용자는 표시 영역(101a) 상의 화상 전체를 볼 수 있다.
표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)이 가시광을 차단하는 영역(120a)의 위쪽과 중첩됨으로써, 표시 영역(101a)과 표시 영역(101b) 사이에 비표시 영역이 존재하지 않는다. 그러므로, 표시 영역(101a) 및 표시 영역(101b)이 이음매 없이 배치된 영역이 표시 장치(10)의 표시 영역(13)으로서 기능할 수 있다.
도 2의 (B)는 도 2의 (A)의 영역(Q1)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 2의 (B)는 예로서, 가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 패널(100a)의 n-2열째, n-1열째, 및 n열째 화소(141a)와 중첩되는 경우를 나타낸 것이다.
도 2의 (B)에서는 표시 패널(100a)의 n열째(표시 패널(100b)에 가장 가까운 열) 화소(141a)가 표시 패널(100b)의 1열째(표시 패널(100a)에 가장 가까운 열) 화소(141b)에 인접해 있다. 바꿔 말하면, 도 2의 (B)는 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 어긋남이 없이 서로 중첩되어 있는 이상적인 상태를 도시한 것이다.
도 2의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 서로 중첩되어 있으면, 2개의 표시 패널의 경계 근방의 가시광을 차단하는 영역이 표시 장치(10)의 사용자에게 보이지 않는다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어렵다.
다음으로 도 3의 (A)는, 도 2의 (A)에 도시된 상태의 표시 패널(100a)이, 표시 패널(100a)이 표시 패널(100b)에서 떨어지는 방향으로 어긋난 경우의 표시 장치(10)의 상면도를 나타낸 것이다. 도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 영역(Q2)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 3의 (A)에서는 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a) 및 표시 영역(109a)과 중첩되어 있다.
상술한 바와 같이, 표시 패널(100a)은 표시 영역(101a)과 가시광을 차단하는 영역(120a) 사이에 표시 영역(109a)을 포함한다. 따라서, 표시 패널(100a)이, 표시 패널(100a)이 표시 패널(100b)에서 떨어지는 방향으로 어긋난 경우에, 가시광을 투과시키는 영역(110b)이 가시광을 차단하는 영역(120a)과 중첩되는 것을 방지할 수 있다. 바꿔 말하면, 사용자가 표시 패널들의 이음매를 인식하기 어려워진다.
도 3의 (B)에서는 도 2의 (B)에서 서로 인접해 있는 n열째 화소(141a)와 1열째 화소(141b) 사이에, 화소(149a)의 일부가 위치하고 있다. 예를 들어, 화소(141a(i,n))와 화소(141b(i,1)) 사이에 화소(149(i,n+1))가 위치하고 있다.
도 3의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 서로 중첩되어 있으면, 표시 장치(10)의 사용자는 2개의 표시 패널의 경계 근방에 표시 영역(109a)의 적어도 일부를 볼 수 있다.
상술한 바와 같이, i행째 화소(149a)는 i행 n열째 화소(141a)와 같은 색을 가진다. 또한, i행째 화소(149a)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 i행 n열째 화소(141a)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, i행째 화소(149a)와 i행 n열째 화소(141a)는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다. 그 결과, 표시 패널들의 어긋남으로 인하여 표시 영역(101a)과 표시 영역(101b)의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 B>
도 4의 (A)는 도 1의 (A)와는 다른 표시 패널(100)을 도시한 상면도이다. 도 4의 (A)의 표시 패널(100)은 표시 영역(109)을 포함하지 않는 점에서 도 1의 (A)와 다르다. 또한, 도 1의 (A)와 비슷한 부분의 설명은 생략한다.
표시 패널(100)은 표시 영역(101) 및 영역(102)을 포함한다.
영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)의 각각은 표시 영역(101)에 인접해 있다.
도 4의 (B)는 도 4의 (A)에서의 영역(P2)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 4의 (B)에서는 n열째 화소(141)의 면적이 n-1열째 화소(141)의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(141(i,n))의 면적은 화소(141(i,n-1))의 면적보다 크다.
본 발명의 일 형태에서는 n열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적을 n-1열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. n열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적이 크면 2개의 표시 패널을 중첩시킴에 있어서의 어긋남의 허용 범위가 넓어질 수 있으므로 바람직하다.
여기서, 화소가 표시 소자로서 발광 소자를 포함하는 경우, 화소는 발광 소자를 흐르는 전류를 제어하는 구동 트랜지스터를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 발광 소자에 접속된다.
도 4의 (B)에 있어서 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 n-1열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 그 경우, n-1열째 화소(141)와 n열째 화소(141)의 단위 면적당 밝기의 차를 저감할 수 있다.
또는, 도 4의 (B)에 있어서 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 n-1열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 그 경우, n-1열째 화소(141)와 n열째 화소(141)의 단위 면적당 밝기의 차를 저감할 수 있다. 예를 들어, 더 높은 전류를 흘리고자 하는 트랜지스터로서 듀얼 게이트 트랜지스터를 사용할 수 있고, 다른 트랜지스터로서 싱글 게이트 트랜지스터를 사용한다. 예를 들어, 더 높은 전류를 흘리고자 하는 트랜지스터의 채널 길이(L)와 채널 폭(W)의 W/L비는 다른 트랜지스터의 W/L비보다 크게 할 수 있다.
2개의 표시 패널(100a 및 100b)을 서로 중첩시키는 경우, 아래쪽 표시 패널(100a)의 n열째 화소(141a)가 위쪽 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 면적이, n-1열째 화소(141a)의 면적과 같은 것이 바람직하다. 이때, 표시 패널(100a)의 n열째 화소(141a)의 일부는 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)과 중첩된다.
도 4의 (C)에 도시된 바와 같이, 2개의 표시 패널이 서로 중첩되는 영역이 좁아질수록, 표시 패널(100a)의 n열째 화소(141a)가 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 면적은 커진다. 2개의 표시 패널이, 이들이 서로 떨어지는 방향으로 어긋나도, 표시 영역(101a)과 표시 영역(101b)이 서로 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 표시 패널들의 어긋남으로 인하여 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 C>
도 5의 (A)는 도 1의 (B)의 확대도의 변형예를 도시한 것이다. 도 5의 (B)는 도 3의 (B)의 확대도의 변형예를 도시한 것이다.
도 5의 (A)에서는 화소(149)의 면적이 n열째 화소(141)의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(149(i,n+1))의 면적은 화소(141(i,n))의 면적보다 크다.
본 발명의 일 형태에서는 화소(149)에 포함되는 표시 소자의 면적을 n열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 화소(149)에 포함되는 표시 소자의 면적이 크면 2개의 표시 패널을 중첩시킴에 있어서의 어긋남의 허용 범위가 넓어질 수 있으므로 바람직하다.
여기서, 화소가 표시 소자로서 발광 소자를 포함하는 경우, 도 5의 (A)에 있어서 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 또는, 도 5의 (A)에 있어서 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 그 경우, 화소(149)와 n열째 화소(141)의 단위 면적당 밝기의 차를 저감할 수 있다.
도 5의 (B)에 도시된 바와 같이, 2개의 표시 패널이 서로 중첩되는 영역이 좁아질수록, 표시 패널(100a)의 화소(149a)가 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 면적은 커진다. 표시 영역(109a)에서 행해지는 표시에 의하여, 표시 패널들의 어긋남으로 인하여 표시 영역(101a)과 표시 영역(101b)의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 D>
도 6의 (A)는 도 1의 (A)와는 다른 표시 패널(100)을 도시한 상면도이다. 또한, 도 1의 (A)와 비슷한 부분의 설명은 생략한다.
도 6의 (A)에 도시된 표시 패널(100)은 표시 영역(101), 표시 영역(109), 및 영역(102)을 포함한다.
영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 영역(101)에 인접해 있다. 표시 영역(109)은 표시 영역(101)과 가시광을 차단하는 영역(120) 사이에 위치하고 이들에 인접해 있다.
도 6의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에서는, 표시 영역(109)이 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다. 도 6의 (A)는 표시 영역(109)의 폭(W 2)이 2변에서 상이하지 않은 예를 도시한 것이지만, 변들에서 폭(W 2)이 상이하여도 좋다.
도 6의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에는 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다. 도 6의 (A)는 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭(W 1)이 2변에서 상이하지 않은 예를 도시한 것이지만, 변들에서 폭(W 1)이 상이하여도 좋다.
도 6의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에서는 가시광을 차단하는 영역(120)이 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다.
도 6의 (B) 및 (C)의 각각은 도 6의 (A)의 영역(P3)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 6의 (B)에서는, m행째 화소(141)에 인접하도록 1행의 화소(149)가 행 방향으로 제공되고, n열째 화소(141)에 인접하도록 1행의 화소(149)가 열 방향으로 제공되어 있다. 도 6의 (B)에서는 화소(141(m,n))의 왼쪽에 화소(141(m,n-1))가 위치하고, 화소(141(m,n))의 오른쪽에 화소(149(m,n+1))가 위치하고 있다. 또한, 화소(141(m,n)) 위에는 화소(149(m+1,n))가 위치하고, 화소(141(m,n)) 아래에는 화소(141(m-1,n))가 위치하고 있다.
또한, 도 6의 (B)에서는 화소(141(m,n))의 오른쪽 위에 화소(149(m+1,n+1))가 제공되어 있다. 바꿔 말하면, 표시 영역(101) 및 표시 영역(109)은 총 m+1행 n+1열의 화소를 포함한다.
도 6의 (C)에서 표시 영역(101) 및 표시 영역(109)은 총 m+2행 n+2열의 화소를 포함한다. 도 6의 (C)에서는 화소(141(m,n))의 오른쪽에 화소(149(m,n+1))가 위치하고, 화소(149(m,n+1))의 오른쪽에 화소(149(m,n+2))가 위치하고 있다. 또한, 화소(141(m,n)) 위에는 화소(149(m+1,n))가 위치하고, 화소(149(m+1,n)) 위에는 화소(149(m+2,n))가 위치하고 있다. 도 6의 (C)에서는 화소(141(m,n))의 오른쪽 위에 화소(149(m+1,n+1))가 위치하고, 화소(149(m+1,n+1))의 오른쪽 위에 화소(149(m+2,n+2))가 위치하고 있다.
또한, 행 방향으로 배치되는 화소(149)의 수와 열 방향으로 배치되는 화소(149)의 수는 상이하여도 좋다. 행 방향으로 배치되는 화소(141)와 열 방향으로 배치되는 화소(141)에서 폭이 상이한 경우, 화소(141)의 단변 방향의 화소(149)의 수는 화소(141)의 장변 방향의 화소(149)의 수보다 큰 것이 바람직하다.
i행째(i는 1 이상 m 이하의 정수) 화소(149)는 i행 n열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. i행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 i행 n열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, i행째 화소(149)와 i행 n열째 화소(141)는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다.
j열째(j는 1 이상 n 이하의 정수) 화소(149)는 m행 j열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. j열째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 m행 j열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서 j열째 화소(149)와 m행 j열째 화소(141)는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다.
m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소(149)는 화소(141(m,n))와 같은 색을 가진다. m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(m,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소(149)와 화소(141(m,n))는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다.
그 결과, 행 방향 또는 열 방향으로 서로 중첩된 2개의 표시 패널이 어긋나도, 2개의 표시 패널의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
예를 들어, 도 6의 (B)에 있어서 화소(149(m+1,n-1))는 화소(141(m,n-1))와 같은 색을 가진다. 또한, 화소(149(m+1,n-1))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(m,n-1))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 도 6의 (C)에 있어서 화소(149(m+1,n)) 및 화소(149(m+2,n))는 화소(141(m,n))와 같은 색을 가진다. 화소(149(m+1,n)) 및 화소(149(m+2,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(m,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다.
도 7의 (A)는 도 6의 (A)에 도시된 표시 패널(100)을 4개 포함하는 표시 장치(10)를 도시한 것이다. 구체적으로는, 표시 장치(10)는 표시 패널(100a), 표시 패널(100b), 표시 패널(100c), 및 표시 패널(100d)을 포함한다.
도 7의 (A)에서는 표시 패널(100a 및 100b)의 단변들이 서로 중첩되어, 표시 영역(101a)의 일부와 가시광을 투과시키는 영역(110b)의 일부가 서로 중첩되어 있다. 또한, 표시 패널(100a 및 100c)의 장변들이 서로 중첩되어, 표시 영역(101a)의 일부와 가시광을 투과시키는 영역(110c)의 일부가 서로 중첩되어 있다.
도 7의 (A)에 있어서 표시 영역(101b)의 일부는 가시광을 투과시키는 영역(110c)의 일부 및 가시광을 투과시키는 영역(110d)의 일부와 중첩되어 있다. 또한, 표시 영역(101c)의 일부는 가시광을 투과시키는 영역(110d)의 일부와 중첩되어 있다.
그러므로 도 7의 (A)에 도시된 바와 같이, 표시 영역들(101a 내지 101d)이 이음매 없이 배치된 영역이 표시 장치(10)의 표시 영역(13)으로서 기능할 수 있다.
도 7의 (B)는 도 7의 (A)의 영역(Q3)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 7의 (B)는 가시광을 투과시키는 영역(110b 및 110d)이 표시 패널(100a)의 n-2열째, n-1열째, 및 n열째 화소(141a)와 중첩되고, 가시광을 투과시키는 영역(110c 및 110d)이 표시 패널(100a)의 m-2열째, m-1열째, 및 m열째 화소(141a)와 중첩되어 있는 예를 나타낸 것이다.
도 7의 (B)에서는 표시 패널(100a)의 n열째(표시 패널(100b)에 가장 가까운 열) 화소(141a)가 표시 패널(100b)의 1열째(표시 패널(100a)에 가장 가까운 열) 화소(141b)에 인접해 있다. 표시 패널(100a)의 m행째(표시 패널(100c)에 가장 가까운 행) 화소(141a)가 표시 패널(100c)의 1행째(표시 패널(100a)에 가장 가까운 행) 화소(141c)에 인접해 있다. 표시 패널(100c)의 n열째(표시 패널(100d)에 가장 가까운 열) 화소(141c)가 표시 패널(100d)의 1열째(표시 패널(100c)에 가장 가까운 열) 화소(141d)에 인접해 있다. 표시 패널(100b)의 m행째(표시 패널(100d)에 가장 가까운 행) 화소(141b)가 표시 패널(100d)의 1행째(표시 패널(100b)에 가장 가까운 행) 화소(141d)에 인접해 있다. 바꿔 말하면, 도 7의 (B)는 4개의 표시 패널(100)이 어긋남이 없이 서로 중첩되어 있는 이상적인 상태를 도시한 것이다.
도 7의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이 4개의 표시 패널이 서로 중첩되어 있으면, 2개의 표시 패널의 경계 근방의 가시광을 차단하는 영역이 표시 장치(10)의 사용자에게 보이지 않는다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어렵다.
다음으로 도 8의 (A)는, 도 7의 (A)에 도시된 상태의 표시 패널(100a)이, 표시 패널(100a)이 표시 패널(100b 내지 100d)에서 떨어지는 방향으로 어긋난 경우의 표시 장치(10)의 상면도를 나타낸 것이다. 도 8의 (B)는 도 8의 (A)의 영역(Q4)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 8의 (A)에서는 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b 내지 110d)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a) 및 표시 영역(109a)과 중첩되어 있다.
상술한 바와 같이, 표시 패널(100a)은 표시 영역(101a)과 가시광을 차단하는 영역(120a) 사이에 표시 영역(109a)을 포함한다. 따라서, 표시 패널(100a)이, 표시 패널(100a)이 표시 패널(100b 내지 100d)에서 떨어지는 방향으로 어긋난 경우에, 가시광을 투과시키는 영역(110b 내지 110d)이 가시광을 차단하는 영역(120a)과 중첩되는 것을 방지할 수 있다. 바꿔 말하면, 사용자가 표시 패널들의 이음매를 인식하기 어려워진다.
도 8의 (B)에서는 도 7의 (B)에서 서로 인접해 있는 표시 패널(100a)의 n열째 화소(141a)와 표시 패널(100b)의 1열째 화소(141b) 사이에, 표시 패널(100a)의 화소(149a)의 일부가 위치하고 있다. 마찬가지로, 표시 패널(100a)의 m행째 화소(141a)와 표시 패널(100c)의 1행째 화소(141c) 사이에, 표시 패널(100a)의 화소(149a)의 일부가 위치하고 있다. 또한, 표시 패널(100a)의 화소(141a(m,n))의 오른쪽 위에 그리고 표시 패널(100d)의 화소(141d(1,1)) 왼쪽 아래에 표시 패널(100a)의 화소(149a)의 일부가 위치하고 있다.
도 8의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이 4개의 표시 패널이 서로 중첩되어 있으면, 표시 장치(10)의 사용자는 표시 패널(100b 내지 100d)의 가시광을 투과시키는 영역(110)을 통하여 표시 패널(100a)의 표시 영역(109a)의 적어도 일부를 보게 된다.
상술한 바와 같이, i행째 화소(149)는 i행 n열째 화소(141)와 같은 색을 가지고, j열째 화소(149)는 m행 j열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. i행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 i행 n열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같고, j행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 m행 j열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 또한, m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소(149)는 화소(141(m,n))와 같은 색을 가진다. m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 화소(141(m,n))에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, 화소(149)와, 화소(149)에 인접한 화소(141)는 같은 색의 광을 같은 타이밍에서 같은 정도의 휘도로 출력한다. 그 결과, 행 방향 또는 열 방향으로 서로 중첩된 2개의 표시 패널이 어긋나도, 2개의 표시 패널의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 E>
도 9의 (A)는 도 6의 (A)와는 다른 표시 패널(100)을 도시한 상면도이다. 도 9의 (A)의 표시 패널(100)은 표시 영역(109)을 포함하지 않는 점에서 도 6의 (A)와 다르다. 또한, 도 6의 (A)와 비슷한 부분의 설명은 생략한다.
표시 패널(100)은 표시 영역(101) 및 영역(102)을 포함한다.
영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)의 각각은 표시 영역(101)에 인접해 있다.
도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 영역(P4)의 확대도의 예를 나타낸 것이다.
도 9의 (B)에서는 n열째 화소(141)의 면적이 n-1열째 화소(141)의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(141(m-1,n))의 면적은 화소(141(m-1,n-1))의 면적보다 크다. 마찬가지로, m행째 화소(141)의 면적이 m-1행째 화소(141)의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(141(m,n-1))의 면적은 화소(141(m-1,n-1))의 면적보다 크다. 또한, 화소(141(m,n))의 면적은 화소(141(m-1,n-1))의 면적보다 크다.
본 발명의 일 형태에서는 n열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적을 n-1열째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 마찬가지로, m행째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적을 m-1행째 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 또한, 화소(141(m,n))에 포함되는 표시 소자의 면적을 화소(141(m-1,n-1))에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 그러므로, 행 방향 또는 열 방향으로 중첩되는 2개의 표시 패널의 어긋남의 허용 범위를 넓힐 수 있다.
화소가 표시 소자로서 발광 소자를 포함하는 경우, 도 9의 (B)에 있어서 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 n-1열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 마찬가지로, m행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 m-1행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 또한, 화소(141(m,n))에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 화소(141(m-1,n-1))에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다.
또는, 도 9의 (B)에 있어서 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 n-1열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 마찬가지로, m행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 m-1행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 화소(141(m,n))에 포함되는 구동 트랜지스터에는 화소(141(m-1,n-1))에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다.
4개의 표시 패널을 서로 중첩시키는 경우, 가장 아래쪽 표시 패널(100a)에서 다른 화소(141a)보다 면적이 큰 화소(141a) 각각이 위쪽 표시 패널(100b)의 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 면적은, 다른 화소(141a) 각각의 면적과 같은 것이 바람직하다. 이때, 표시 패널(100a)에서 다른 화소(141a)보다 면적이 큰 화소(141a) 각각의 일부는 표시 패널(100b 내지 100d)의 표시 영역(101b 내지 101d)과 중첩된다.
도 9의 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a)이, 다른 표시 패널에서 떨어지는 방향으로 어긋날수록, 표시 패널(100a)에서 다른 화소(141a)보다 면적이 큰 각 화소(141a)가 표시 패널(100b 내지 100d)의 가시광을 투과시키는 영역(110b 내지 110d)과 중첩되는 면적은 커진다. 표시 패널(100a)이, 다른 표시 패널에서 떨어지는 방향으로 어긋나도, 표시 영역(101a)이 표시 영역(101b 내지 101d)에서 떨어지는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 표시 패널들의 어긋남으로 인하여 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 F>
도 10의 (A)는 도 6의 (B)의 확대도의 변형예를 도시한 것이다. 도 10의 (B)는 도 7의 (B)의 확대도의 변형예를 도시한 것이다.
도 10의 (A)에서는 열 방향으로 배치된 화소(149) 각각의 면적이 n열째 화소(141) 각각의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(149(m,n+1))의 면적은 화소(141(m,n))의 면적보다 크다. 마찬가지로, 행 방향으로 배치된 화소(149) 각각의 면적은 m행째 화소(141) 각각의 면적보다 크다. 예를 들어, 화소(149(m+1,n))의 면적은 화소(141(m,n))의 면적보다 크다. 또한, 화소(149(m+1,n+1))의 면적은 화소(141(m,n))의 면적보다 크다.
본 발명의 일 형태에서는 열 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 표시 소자의 면적을 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 마찬가지로, 행 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 표시 소자의 면적을 m행째 화소(141)의 각각에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 또한, 화소(149(m+1,n+1))에 포함되는 표시 소자의 면적을 화소(141(m,n))에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크게 한다. 그러므로, 행 방향 또는 열 방향으로 중첩되는 2개의 표시 패널의 어긋남의 허용 범위를 넓힐 수 있다.
화소가 표시 소자로서 발광 소자를 포함하는 경우, 도 10의 (A)에 있어서 열 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 마찬가지로, 행 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 m행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다. 또한, 화소(149(m+1,n+1))에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위는 화소(141(m,n))에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높은 것이 바람직하다.
또는, 도 10의 (A)에 있어서 열 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 n열째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 마찬가지로, 행 방향으로 배치된 화소(149)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터에는 m행째 화소(141)의 각각에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 화소(149(m+1,n+1))에 포함되는 구동 트랜지스터에는 화소(141(m,n))에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다.
도 10의 (B)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a)이, 다른 표시 패널에서 떨어지는 방향으로 어긋날수록, 표시 패널(100a)의 화소(149a)가 표시 패널(100b 내지 100d)의 가시광을 투과시키는 영역(110b 내지 110d)과 중첩되는 면적은 커진다. 표시 영역(109a)에서 행해지는 표시에 의하여, 표시 패널들의 어긋남으로 인하여 2개의 표시 영역의 경계에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다.
<구조예 A의 회로도>
구조예 A에서 i행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호를 i행 n열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같게 하는 방법의 예를 설명한다.
도 11은 표시 영역(101), 표시 영역(109), 주사선 구동 회로(GD), 및 신호선 구동 회로(SD)의 접속을 도시한 회로도이다.
표시 영역(101)은 복수의 화소(141)를 포함한다. 표시 영역(109)은 복수의 화소(149)를 포함한다. 화소(141) 및 화소(149)의 각각은 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70b), 및 발광 소자(40)를 포함한다.
화소(141(i,j))(i는 1 이상 m 이하의 정수이고 j는 1 이상 n 이하의 정수)에는 하나의 신호선(51(j)) 및 하나의 주사선(52(i))이 전기적으로 접속되어 있다. 신호선(51(j))은 신호선 구동 회로(SD)에 전기적으로 접속되어 있다. 주사선(52(i))은 주사선 구동 회로(GD)에 전기적으로 접속되어 있다.
화소(141(i,j))의 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(i))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(j))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속된다. 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 정(定)전위가 공급된다.
화소(149(i,q))(q는 n+1, n+2, 또는 n+3)에는 하나의 신호선(51(q)) 및 하나의 주사선(52(i))이 전기적으로 접속되어 있다. 신호선(51(q))은 신호선 구동 회로(SD)에 전기적으로 접속되어 있다.
화소(149(i,q))의 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(i))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(q))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속된다. 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 정전위가 공급된다.
i행째 화소(141) 및 i행째 화소(149)의 각각에서, 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(i))에 전기적으로 접속된다. 바꿔 말하면, i행째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호는 i행째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호와 같다.
화소(141(i,n))의 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(n))에 전기적으로 접속된다. 화소(149(i,q))의 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(q))에 전기적으로 접속된다. 신호선 구동 회로(SD)가 신호선(51(q))과 신호선(51(n))에 같은 소스 신호를 공급함으로써, 화소(149)에 공급되는 소스 신호를 n열째 화소(141)에 공급되는 소스 신호와 같게 할 수 있다.
도 12 및 도 13의 각각은 도 11의 회로도의 변형예를 도시한 것이다. 도 12는 신호선(51(n+2)) 및 신호선(51(n+3))이 신호선(51(n+1))에 접속되어 있는 점에서 도 11과 다르다. 도 13은 신호선(51(n+1)), 신호선(51(n+2)) 및 신호선(51(n+3))이 신호선(51(n))에 접속되어 있는 점에서 도 11과 다르다.
도 11에서는 표시 영역(109)에 포함되는 모든 화소(149)에 같은 소스 신호가 공급된다. 그러므로, 본 발명의 일 형태는 표시 영역(109)에 접속되는 신호선들을 독립적으로 신호선 구동 회로(SD)에 접속하는 구조에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12에 도시된 바와 같이 표시 영역(109)의 화소(149)에 접속되는 하나의 신호선만을 신호선 구동 회로(SD)에 직접 접속하는 구조를 채용할 수 있다.
신호선 구동 회로(SD)에 접속되는 신호선의 수를 줄임으로써, 도 12에 도시된 구조에서는 신호선 하나당 기록 시간을 도 11에 도시된 구조보다 길게 할 수 있다.
도 11에서는 표시 영역(101)의 n열째 화소에 공급되는 것과 같은 소스 신호를 표시 영역(109)의 화소에 공급한다. 따라서, 도 13에 도시된 바와 같이 표시 영역(109)의 화소(149)에 접속되는 신호선을 신호선 구동 회로(SD)에 직접 접속하지 않는 구조를 채용하여도 좋다.
도 13의 구조와 표시 영역(109)이 없는 구조는 신호선 구동 회로(SD)에 접속되는 신호선의 수가 상이하지 않다. 즉, 표시 영역(109)을 포함하는 표시 패널을 표시 장치에 적용하는 경우, 신규 구동 회로를 설계할 필요가 없고, 신규 IC를 제작할 필요가 없고, 또는 신규 화상 데이터를 형성할 필요가 없으므로, 제작 비용을 저감할 수 있다.
도 14는 표시 영역(101)의 m행째 화소에 인접하도록 표시 영역(109)을 제공하는 경우의 예를 도시한 것이다.
화소(141(i,j))의 구조 및 접속 관계는 도 11과 마찬가지이다.
화소(149(p,j))(p는 m+1, m+2, 또는 m+3)에는 하나의 신호선(51(j)) 및 하나의 주사선(52(m))이 전기적으로 접속되어 있다.
화소(149(p,j))의 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(m))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(j))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속된다. 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 정전위가 공급된다.
화소(141(m,j)) 및 화소(149)의 각각에서, 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(m))에 전기적으로 접속된다. j열째 화소(141) 및 j열째 화소(149)의 각각에서, 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(j))에 전기적으로 접속된다. 바꿔 말하면, j열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 j열째 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다.
본 발명의 일 형태에서는 표시 영역(101)의 m행째 화소(141)에 공급되는 것과 같은 게이트 신호를 표시 영역(109)의 화소(149)에 공급한다. 따라서, 도 14에 도시된 바와 같이 표시 영역(109)의 화소(149)에 접속되는 주사선을 주사선 구동 회로(GD)에 직접 접속하지 않는 구조를 채용하여도 좋다.
도 14의 구조와 표시 영역(109)이 없는 구조는 주사선 구동 회로(GD)에 접속되는 주사선의 수가 상이하지 않다. 즉, 표시 영역(109)을 포함하는 표시 패널을 표시 장치에 적용하는 경우, 신규 구동 회로를 설계할 필요가 없고, 신규 IC를 제작할 필요가 없고, 또는 신규 화상 데이터를 형성할 필요가 없으므로, 제작 비용을 저감할 수 있다.
도 15는 구조예 D에서의 표시 영역(101), 표시 영역(109), 주사선 구동 회로(GD), 및 신호선 구동 회로(SD)의 접속을 도시한 회로도이다.
화소(141(i,j))의 구조 및 접속 관계는 도 11과 마찬가지이다.
화소(149(i,q))(q는 n+1, n+2, 또는 n+3)에는 하나의 신호선(51(n)) 및 하나의 주사선(52(i))이 전기적으로 접속되어 있다.
화소(149(p,j))(p는 m+1, m+2, 또는 m+3)에는 하나의 신호선(51(j)) 및 하나의 주사선(52(m))이 전기적으로 접속되어 있다.
화소(149(p,q))(p는 m+1, m+2, 또는 m+3이고 q는 n+1, n+2, 또는 n+3)에는 하나의 신호선(51(n)) 및 하나의 주사선(52(m))이 전기적으로 접속되어 있다.
화소(149(p,q))의 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(m))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(n))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속된다. 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되고, 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 정전위가 공급된다.
화소(141(m,n)) 및 화소(149(p,q))의 각각에서, 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(m))에 전기적으로 접속된다. 바꿔 말하면, 화소(141(m,n))에 공급되는 게이트 신호는 화소(149(p,q))에 공급되는 게이트 신호와 같다.
화소(141(m,n)) 및 화소(149(p,q))의 각각에서, 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(n))에 전기적으로 접속된다. 바꿔 말하면, 화소(141(m,n))에 공급되는 소스 신호는 화소(149(p,q))에 공급되는 소스 신호와 같다.
도 15의 구조와 표시 영역(109)이 없는 구조는 신호선 구동 회로(SD)에 접속되는 신호선의 수 및 주사선 구동 회로(GD)에 접속되는 주사선의 수가 상이하지 않다. 즉, 표시 영역(109)을 포함하는 표시 패널을 표시 장치에 적용하는 경우, 신규 구동 회로를 설계할 필요가 없고, 신규 IC를 제작할 필요가 없고, 또는 신규 화상 데이터를 형성할 필요가 없으므로, 제작 비용을 저감할 수 있다.
도 11 내지 도 15의 각각은 화소(141)와 화소(149)의 구조가 같은 예를 나타낸 것이지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다.
도 16의 (A) 및 (B)의 각각은 화소(149)가 구동 트랜지스터(70b) 및 발광 소자(40)를 포함하며 선택 트랜지스터(70a)를 포함하지 않는 예를 도시한 것이다.
도 16의 (A)에서는 화소(149(m+2,n)) 및 화소(149(m+1,n))의 각 구동 트랜지스터(70b)의 게이트가 화소(141(m,n))의 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있다.
도 16의 (B)에서는 화소(149(m,n+1)) 및 화소(149(m,n+2))의 각 구동 트랜지스터(70b)의 게이트가 화소(141(m,n))의 구동 트랜지스터(70b)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있다.
도 16의 (C) 및 (D)의 각각은 화소(149)가 발광 소자(40)를 포함하며 선택 트랜지스터(70a) 및 구동 트랜지스터(70b)를 포함하지 않는 예를 도시한 것이다.
도 16의 (C)에서는 화소(149(m+1,n))의 발광 소자(40)의 화소 전극이 화소(141(m,n))의 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있다.
도 16의 (D)에서는 화소(149(m,n+1))의 발광 소자(40)의 화소 전극이 화소(141(m,n))의 발광 소자(40)의 화소 전극에 전기적으로 접속되어 있다.
도 16의 (C) 및 (D)에서 복수의 발광 소자(40)에 전기적으로 접속되는 구동 트랜지스터(70b)에는 하나의 발광 소자(40)에 전기적으로 접속되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있는 것이 바람직하다.
이와 같이 화소의 구조를 바꿔서, 화소(149)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호를 상기 화소(149)와 같은 행의 n열째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호, 또는 상기 화소(149)와 같은 열의 m행째 화소(141)에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같게 할 수 있다. 또한, 표시 영역(109)을 제공하는 것은, 신호선 구동 회로(SD)에 접속되는 신호선의 수 및 주사선 구동 회로(GD)에 접속되는 주사선의 수를 늘리지 않는다.
<구조예 B의 회로도>
구조예 B의 n열째 화소(141)에 포함되는 구동 트랜지스터에 n-1열째 화소(141)에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류를 흘리는 방법의 예를 설명한다.
도 17은 화소(141), 주사선 구동 회로(GD), 및 신호선 구동 회로(SD)의 접속을 도시한 회로도이다.
1열째 내지 n-1열째에 제공된 각 화소(141)는 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70b), 및 발광 소자(40)를 포함한다. n열째에 제공된 각 화소(141)는 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70c), 및 발광 소자(40)를 포함한다.
화소(141(i,j))(i는 1 이상 m 이하의 정수이고 j는 1 이상 n 이하의 정수)에는 하나의 신호선(51(j)) 및 하나의 주사선(52(i))이 전기적으로 접속되어 있다. 신호선(51(j))은 신호선 구동 회로(SD)에 전기적으로 접속되어 있다. 주사선(52(i))은 주사선 구동 회로(GD)에 전기적으로 접속되어 있다.
화소(141(i,j))의 선택 트랜지스터(70a)의 게이트는 주사선(52(i))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 한쪽은 신호선(51(j))에 전기적으로 접속되고, 그 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 구동 트랜지스터(70b)의 게이트(j=n일 때는 구동 트랜지스터(70c)의 게이트)에 전기적으로 접속된다. 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽(j=n일 때는 구동 트랜지스터(70c)의 소스 및 드레인 중 한쪽)은 발광 소자(40)에 전기적으로 접속되고, 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 정전위가 공급된다.
구동 트랜지스터(70c)는 백 게이트를 포함한다. 백 게이트는 구동 트랜지스터(70c)의 게이트에 전기적으로 접속되어 있다. 듀얼 게이트 트랜지스터에서는 싱글 게이트 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있다. 따라서, n열째 화소(141)의 구동 트랜지스터(70c)를 듀얼 게이트 트랜지스터로 하고, n-1열째 화소(141)의 구동 트랜지스터(70b)를 싱글 게이트 트랜지스터로 하면, n열째 화소(141)의 구동 트랜지스터에서 n-1열째 화소(141)의 구동 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있다.
구조예 C에서 화소(149)에 포함되는 구동 트랜지스터에 n열째 화소(141)에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류를 흘리기 위하여 비슷한 접근법을 채용할 수 있다.
도 18은 화소(149)가 듀얼 게이트 구동 트랜지스터(70c)를 포함하고, 화소(141)가 싱글 게이트 구동 트랜지스터(70b)를 포함하는 예를 도시한 것이다.
또한, 도 18에서는 n-1열째 화소(141)에 접속되는 신호선이 n열째 화소(141)에 접속되는 신호선과 다르다. 그러므로, n열째 화소(141)에 공급되는 전위를, n-1열째 화소(141)에 공급되는 전위보다 높게 할 수 있다. 그 결과, n열째 화소(141) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위를, n-1열째 화소(141) 각각에 포함되는 구동 트랜지스터의 게이트에 공급되는 전위보다 높게 할 수 있다. 이 경우, n-1열째 화소(141)는 n열째 화소(141)와 같은 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, n-1열째 화소(141)와 n열째 화소(141)의 양쪽 모두가 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70b), 및 발광 소자(40)를 포함할 수 있다. 또는, 예를 들어 n-1열째 화소(141)와 n열째 화소(141)의 양쪽 모두가 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70c), 및 발광 소자(40)를 포함할 수 있다.
<구조예 C의 화소 레이아웃 도면>
구조예 C에서 화소(149)에 포함되는 구동 트랜지스터에 n열째 화소(141)에 포함되는 구동 트랜지스터보다 높은 전류를 흘리는 방법의 또 다른 예에 대하여 설명한다. 또한, 구조예 B, E, 및 F에서 비슷한 접근법을 채용할 수 있다.
도 19의 (A) 내지 (D)의 각각은 화소의 회로도의 예를 도시한 것이다. 도 20의 (A) 및 (B) 그리고 도 21의 (A) 및 (B)의 각각은 화소 레이아웃의 예를 도시한 것이다. 각 레이아웃 도면에서는 절연층을 포함하는 일부의 구성 요소를 나타내지 않았다. 도 20의 (B) 및 도 21의 (B)는 도 20의 (A) 및 도 21의 (A)에 화소 전극(36)을 추가하여 만든 도면이다.
도 19의 (A)의 화소 회로(80)는 선택 트랜지스터(70a), 구동 트랜지스터(70b), 및 용량 소자(85)를 포함한다. 화소 회로(80)는 신호선(51), 주사선(52), 및 전원선(55)에 접속되어 있다. 발광 소자(40)는 화소 전극(36) 및 공통 전극(38)을 포함한다. 전원선(55)은 구동 트랜지스터(70b)의 소스 및 드레인 중 한쪽, 및 용량 소자(85)에 소정의 전위 또는 신호를 공급한다.
도 19의 (B)의 화소 회로(80)는 용량 소자(85)의 접속이 도 19의 (A)에서와 다르다. 도 19의 (C) 및 (D)의 화소 회로(80)는 싱글 게이트 구동 트랜지스터(70b)를 포함하지 않고 듀얼 게이트 구동 트랜지스터(70c)를 포함하는 점에서 도 19의 (A) 및 (B)와 다르다.
도 20의 (A) 및 (B) 그리고 도 21의 (A) 및 (B)의 화소 레이아웃은 예를 들어, 도 5의 (A) 또는 도 10의 (A)의 표시 패널(100)에 채용할 수 있다. 도 4의 (A) 또는 도 9의 (A)에 나타낸 바와 같이, 상술한 화소 레이아웃은 예를 들어 화소간에서 표시 소자의 표시 영역의 면적이 상이한 표시 패널에도 채용할 수 있다.
도 20의 (A) 및 (B) 그리고 도 21의 (A) 및 (B)의 화소(141)는 도 19의 (A)에 도시된 화소 회로(80)를 포함한다. 도 20의 (A) 및 (B)의 화소(149)도 도 19의 (A)에 도시된 화소 회로(80)를 포함한다. 도 21의 (A) 및 (B)의 화소(149)는 도 19의 (C)에 도시된 화소 회로(80)를 포함한다.
각 화소에서의 접속을 설명한다. 주사선(52)의 일부는 선택 트랜지스터(70a)의 게이트로서 기능한다. 신호선(51)의 일부는 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 한쪽으로서 기능한다. 주사선(52)의 일부와 중첩하도록 반도체층(72a)이 제공되고, 반도체층(72a)의 일부와 중첩하도록 신호선(51)이 제공되어 있다. 반도체층(72a)의 신호선(51)과는 반대쪽에 선택 트랜지스터(70a)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽으로서 기능하는 도전층(74b)이 제공되어 있다. 도전층(74b)은 도전층(76)에 전기적으로 접속되어 있다. 도전층(76)의 일부는 구동 트랜지스터(70b, 70b1, 70b2, 또는 70c)의 게이트 전극으로서 기능한다. 도전층(76)의 다른 일부는 용량 소자(85)의 한쪽 전극으로서 기능한다. 전원선(55)의 일부는 용량 소자(85)의 다른 쪽 전극으로서 기능하고, 전원선(55)의 다른 일부는 구동 트랜지스터(70b, 70b1, 70b2, 또는 70c)의 소스 및 드레인 중 한쪽으로서 기능한다. 구동 트랜지스터(70b, 70b1, 70b2, 또는 70c)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽은 화소 전극(36, 36a, 또는 36b)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 20의 (B) 및 도 21의 (B)에서는 발광 영역(83b)이 발광 영역(83a)보다 넓다.
도 20의 (A) 및 (B)에서는 화소(149)의 구동 트랜지스터(70b2)의 W/L비가 화소(141)의 구동 트랜지스터(70b1)의 W/L비보다 크다. 구동 트랜지스터의 W/L비가 클수록 더 높은 전류를 흘릴 수 있다. 따라서, 발광 영역(83b)이 발광 영역(83a)보다 넓어도, 발광 영역(83b)의 휘도가 발광 영역(83a)의 휘도보다 낮아지는 것을 방지할 수 있다.
도 20의 (A) 및 (B)는 반도체층(72b2)이 반도체층(72b1)보다 채널 폭 방향으로 긴 예를 나타내고 있지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 구동 트랜지스터(70b1)와 구동 트랜지스터(70b2)는 채널 길이 L 및 채널 폭 W 중 적어도 하나가 상이할 수 있다.
도 21의 (A) 및 (B)에서는 화소(149)의 구동 트랜지스터(70b)가 듀얼 게이트 트랜지스터이고, 화소(141)의 구동 트랜지스터(70c)가 싱글 게이트 트랜지스터이다. 상술한 바와 같이, 듀얼 게이트 트랜지스터에서는 싱글 게이트 트랜지스터보다 높은 전류가 흐를 수 있다. 따라서, 발광 영역(83b)이 발광 영역(83a)보다 넓어도, 발광 영역(83b)의 휘도가 발광 영역(83a)의 휘도보다 낮아지는 것을 방지할 수 있다.
구동 트랜지스터(70c)는 구동 트랜지스터(70b)에 게이트(77)를 추가한 구조를 가진다. 도 21의 (A) 및 (B)는 구동 트랜지스터(70c)의 2개의 게이트가 서로 접속되어 있는 예를 나타내고 있지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 구동 트랜지스터(70c)의 2개의 게이트는 반드시 서로 접속될 필요는 없다. 그 경우, 2개의 게이트에 상이한 전위를 공급할 수 있다. 예를 들어, 구동 트랜지스터(70c)로서 n채널 트랜지스터를 사용하는 경우, 게이트들 중 하나에 문턱 전압을 음의 방향으로 시프트시키는 전위를 공급함으로써, 다른 게이트에 소정의 전위가 공급되었을 때에 흐르는 전류를 크게 할 수 있다.
또한, 도 1의 (A) 등에서와 같이 모든 화소에서 표시 소자의 표시 영역의 면적이 같은 경우, 모든 화소의 구동 트랜지스터를 같은 구조로 할 수 있고, 모든 화소의 레이아웃을 같게 할 수 있다. 예를 들어, 도 20의 (A) 및 (B) 또는 도 21의 (A) 및 (B)에 나타낸 화소(141) 및 화소(149)의 레이아웃을 적용할 수 있다.
<표시 소자의 표시 영역>
이하에서는 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃에 대하여 설명한다.
도 22의 (A)는 표시 패널에 포함되는 4행 4열의 화소의 배치예를 도시한 것이다. 도 22의 (B) 내지 (E)의 각각은 도 22의 (A)에 도시된 화소의 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 나타낸 것이다. 도 22의 (B) 내지 (E)의 각각은 화소(141)에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41)과, 화소(149)에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(49)을 나타낸 것이다. 표시 영역들에 대응하는 화소의 색은 문자로 표시하였다(R: 적색, G: 녹색, B: 청색, 및 W: 백색).
색들을 배치하는 순서는 특별히 한정되지 않는다. 색의 종류 및 수도 특별히 한정되지 않는다. 표시 소자의 표시 영역의 면적은 색에 따라 다르게 할 수 있다. 또는, 표시 소자의 표시 영역의 면적은 모든 색에서 같게 할 수 있다.
도 22의 (B)는 R, G, 및 B의 3색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 도시한 것이다. n-2열째 표시 영역(41)은 적색(R)의 화소(141)에 대응한다. n-1열째 표시 영역(41)은 녹색(G)의 화소(141)에 대응한다. n열째 표시 영역(41)은 청색(B)의 화소(141)에 대응한다. n+1열째 표시 영역(49)은 각각 청색(B)의 화소(149)에 대응한다. m+1행 j열째 표시 영역(49)과 m행 j열째 표시 영역(41)은 같은 색의 화소들(149 및 141)에 대응한다. 모든 표시 소자의 표시 영역(41)은 면적이 같다. 표시 영역(41)과 표시 영역(49)은 면적이 같다.
도 22의 (C)는 R, G, B, 및 W의 4색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 도시한 것이다. 적색(R)의 화소와 청색(B)의 화소는 같은 행에 위치한다. 녹색(G)의 화소와 백색(W)의 화소는 같은 행에 위치한다. 적색(R)의 화소와 녹색(G)의 화소는 같은 열에 위치한다. 청색(B)의 화소와 백색(W)의 화소는 같은 열에 위치한다. m+1행 j열째 화소(149)는 m행 j열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. i행 n+1열째 화소(149)는 i행 n열째 화소(141)와 같은 색을 가진다. 화소(141(m,n))와 화소(149(m+1,n+1))는 모두 청색이다.
도 22의 (D)는 R, G, 및 B의 3색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 도시한 것이다. 적색(R)의 화소와 청색(B)의 화소는 같은 행에 위치한다. 녹색(G)의 화소와 청색(B)의 화소는 같은 행에 위치한다. 적색(R)의 화소와 녹색(G)의 화소는 같은 행에 위치하지 않는다. 적색(R)의 화소와 녹색(G)의 화소는 같은 열에 위치한다. 청색(B)의 화소가 위치하는 열에는 다른 색의 화소가 위치하지 않는다. 도 22의 (D)에서는 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)이 다른 색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)보다 좁다.
도 22의 (E)는 R, G, 및 B의 3색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 도시한 것이다. 하나의 행에 위치하는 복수의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역이 반드시 하나의 행에 위치하도록 할 필요는 없다. 도 22의 (E)에 도시된 예에서는 하나의 행의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)을 2행으로 나눴다. 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 또는 49)은 다른 색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역 아래에 있다. 이러한 레이아웃은 예를 들어, 독립 화소 방식(separate coloring method)에 의하여 발광 소자를 형성하는 경우에 적합하다.
화소는 반드시 m행 n열로 배치할 필요는 없다. 예를 들어, 도 23의 (A) 및 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100)은 m행 n열의 일부의 좌표에 화소가 제공되지 않는 구조를 가질 수 있다.
도 23의 (B)는 도 23의 (A)에 도시된 화소의 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 나타낸 것이다. 도 23의 (D)는 도 23의 (C)에 도시된 화소의 표시 소자의 표시 영역의 레이아웃의 예를 나타낸 것이다. 도 23의 (A) 및 (C)에서는 m개의 화소가 배치된 열과 m/2개의 화소가 배치된 열이 교대로 제공되어 있다. 도 23의 (A) 내지 (D)에서 m은 짝수이다. 도 23의 (A)는 n열째(표시 영역(101)의 가장 끝의 열)에 m개의 화소가 제공되는 예를 도시한 것이다. 도 23의 (C)는 n열째(표시 영역(101)의 가장 끝의 열)에 m/2개의 화소가 제공되는 예를 도시한 것이다.
도 23의 (B)에서는 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)이 다른 색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)보다 넓다. 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41 및 49)은 어느 색의 화소도 제공되지 않은 영역까지 연장되어 있고, 도 23의 (D)의 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41)과 다른 색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(41)도 마찬가지이다. 또한, 도 23의 (D)의 청색의 화소에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(49)의 면적은 다른 색의 화소 각각에 포함되는 표시 소자의 표시 영역(49)의 면적과 실질적으로 같게 할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서 화소(화소 회로)의 배치는 표시 소자의 표시 영역의 배치와 반드시 일치할 필요는 없고, 다양한 레이아웃 중 임의의 것을 채용할 수 있다.
<표시 장치의 다른 구조예>
도 24의 (A)는 표시 장치(12)의 표시면 측의 사시도이다. 도 24의 (B)는 표시 장치(12)의 표시면 측과는 반대쪽의 사시도이다. 도 24의 (A) 및 (B)의 표시 장치(12)는 2×2의 매트릭스로 배치된 4개의 표시 패널(100)(세로 방향 및 가로 방향으로 2개의 표시 패널)을 포함한다. 도 24의 (A) 및 (B)는 각 표시 패널이 FPC에 전기적으로 접속되어 있는 예를 도시한 것이다.
표시 장치(12)에는 본 실시형태에 기재된 다양한 표시 패널 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 도 24의 (A) 및 (B)에 도시된 예에서는 표시 영역(109)을 포함하지 않는 표시 패널(도 9의 (A) 등에 대응)을 사용하였지만, 표시 영역(109)을 포함하는 표시 패널(도 6의 (A) 등에 대응)을 사용할 수도 있다.
표시 장치(12)의 적어도 일부는 플렉시블하다. 표시 패널(100)의 적어도 일부는 플렉시블하다. 플렉시블 표시 패널(100)의 표시 소자로서는, 유기 EL 소자를 적합하게 사용할 수 있다.
플렉시블 표시 패널(100)을 사용하면, 도 24의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a)의 FPC(112a) 근방의 영역을 만곡시켜, FPC(112a)에 인접한 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b) 아래에 표시 패널(100a)의 일부 및 FPC(112a)의 일부를 배치할 수 있다. 그 결과, 표시 패널(100b)의 뒷면과의 물리적인 간섭 없이 FPC(112a)를 배치할 수 있다. 또한, 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)을 서로 중첩시키고 고정시키는 경우에는 FPC(112a)의 두께를 고려할 필요가 없어지므로, 가시광을 투과시키는 영역(110b)의 상면과 표시 패널(100a)의 상면의 높이를 실질적으로 같게 할 수 있다. 이에 의하여, 표시 영역(101a) 위의 표시 패널(100b)의 단부를 눈에 덜 띄게 할 수 있다.
또한, 각 표시 패널(100)을 플렉시블하게 함으로써, 표시 패널(100b)을 완만히 만곡시켜 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)의 상면과 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)의 상면의 높이를 같게 할 수 있다. 따라서, 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 서로 중첩되는 영역 근방을 제외하고 표시 영역의 높이를 같게 할 수 있기 때문에, 표시 장치(12)의 표시 영역(13)에 표시되는 화상의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
상술한 설명에서는 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)의 관계를 예로 들었지만, 인접한 다른 어느 2개의 표시 패널들의 관계에 대해서도 마찬가지이다.
인접한 2개의 표시 패널(100) 사이의 단차를 저감하기 위해서는, 표시 패널(100)의 두께가 얇은 것이 바람직하다. 예를 들어, 표시 패널(100)의 두께는 1mm 이하인 것이 바람직하고, 300㎛ 이하인 것이 더 바람직하고, 100㎛ 이하인 것이 더욱 바람직하다. 표시 패널을 얇게 하면 표시 장치 전체의 두께 또는 무게도 저감할 수 있으므로 바람직하다.
도 25의 (A)는 표시면 측으로부터 봤을 때의 도 24의 (A) 및 (B)의 표시 장치(12)의 상면도이다.
여기서, 표시 패널(100)의 가시광을 투과시키는 영역(110)은 가시광을 상당히 반사하거나 또는 흡수한다. 그러므로, 아래쪽 표시 패널(100)의 표시의 휘도(밝기)는, 가시광을 투과시키는 영역(110)을 통하여 시인되는 부분과 상기 영역을 통하지 않고 시인되는 부분에서 다를 수 있다. 또한, 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수에 따라서는 표시되는 화상의 휘도(밝기)가 감소된다.
예를 들어, 도 25의 (A)의 영역(A)에서는 하나의 표시 패널(100c)이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되어 있다. 영역(B)에서는 2개의 표시 패널(100)(표시 패널(100c 및 100d))이 표시 패널(100b)의 표시 영역(101b)과 중첩되어 있다. 영역(C)에서는 3개의 표시 패널(100)(표시 패널(100b, 100c, 및 100d))이 표시 패널(100a)의 표시 영역(101a)과 중첩되어 있다.
이 경우, 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수에 따라 화소의 계조가 국소적으로 증가되도록, 표시되는 화상 데이터를 보정하는 것이 바람직하다. 이런 식으로, 표시 장치(12)의 표시 영역(13)에 표시되는 화상의 표시 품질의 저하를 억제할 수 있다. 또는, 구동 회로로부터 공급되는 데이터 전압을 조정함으로써, 화소의 휘도를 제어할 수 있다.
또는, 위쪽에 배치되는 표시 패널(100)의 단부의 위치를 다른 표시 패널(100)의 단부의 위치로부터 시프트시켜도 좋고, 이로써, 아래쪽 표시 패널(100)의 표시 영역(101)과 중첩되는 표시 패널(100)의 수를 줄일 수 있다.
도 25의 (B)에서는 표시 패널(100a 및 100b) 위의 표시 패널(100c 및 100d)이 한 방향으로 어긋나 있다. 구체적으로는, 표시 패널(100c 및 100d)은 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭 W 1만큼 표시 패널(100a 및 100b)로부터 양의 X 방향으로 상대적으로 어긋나 있다. 이때, 하나의 표시 패널(100)이 표시 영역(101)과 중첩되는 영역(D), 및 2개의 표시 패널(100)이 표시 영역(101)과 중첩되는 영역(E)의 2개의 영역이 있다.
표시 패널을 X 방향에 수직인 방향(Y 방향)으로 어긋나게 하여도 좋다. 도 25의 (C)에서 표시 패널(100b 및 100d)은 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭 W 1만큼 표시 패널(100a 및 100c)로부터 양의 Y 방향으로 어긋나 있다.
위쪽에 배치되는 표시 패널(100)이 아래쪽에 배치되는 표시 패널(100)로부터 어긋나 있는 경우, 표시 패널(100)의 표시 영역(101)이 조합된 영역의 윤곽의 형상은 직사각형 형상과 다르다. 따라서, 도 25의 (B) 또는 (C)에 도시된 바와 같이 표시 장치(12)의 표시 영역(13)의 형상을 직사각형으로 하는 경우에는, 표시 패널(100)의 표시 영역(101)에서 표시 영역(13) 외측에 배치되는 영역에 화상이 표시되지 않도록 표시 장치(12)를 구동시키는 것이 바람직하다. 화상을 표시하지 않는 영역의 화소 수를 고려하여, 각 표시 패널(100)의 표시 영역(101)은 표시 영역(13)의 모든 화소 수를 표시 패널(100)의 수로 나누어 얻어진 수보다 많은 화소를 포함하는 것이 바람직하다.
상술한 설명에서는 표시 패널(100)의 상대적인 어긋남의 거리를, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭 W 1의 정수배(integral multiple)로 설정하였지만, 거리는 이에 한정되지 않고, 표시 패널(100)의 형상, 또는 표시 패널(100)이 조합되는 표시 장치(12)의 표시 영역(13)의 형상 등을 고려하여 적절히 설정할 수 있다.
도 26의 (A) 내지 (E) 및 도 27의 (A) 내지 (D)는 서로 접합된 2개의 표시 패널의 단면도의 예이다. 이하의 예에서는 도 4의 (A)에 나타낸 표시 패널을 사용한다.
도 26의 (A) 내지 (E)에서 아래쪽 표시 패널은 표시 영역(101a), 가시광을 투과시키는 영역(110a), 및 가시광을 차단하는 영역(120a)을 포함한다. 아래쪽 표시 패널은 FPC(112a)에 전기적으로 접속되어 있다. 위쪽 표시 패널(표시면 측의 표시 패널)은 표시 영역(101b), 가시광을 투과시키는 영역(110b), 및 가시광을 차단하는 영역(120b)을 포함한다. 위쪽 표시 패널은 FPC(112b)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 도 1의 (A)의 표시 패널을 사용하는 경우, 표시 영역(101a)과 가시광을 차단하는 영역(120a) 사이에 표시 영역(109a)이 배치된다.
도 26의 (A)에서는 FPC(112a) 및 FPC(112b)는 각각 아래쪽 표시 패널의 표시면 측(전면(前面) 측) 및 위쪽 표시 패널의 표시면 측에 접속되어 있다.
위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 아래쪽 표시 패널의 표시 영역 사이에 공기가 존재하면, 표시 영역으로부터 추출되는 광의 일부가 표시 영역과 대기의 계면 및 대기와 가시광을 투과시키는 영역의 계면에서 반사되어, 표시의 휘도가 저하되는 결과가 될 수 있다. 그 결과, 복수의 표시 패널이 서로 중첩되는 영역의 광 추출 효율이 저하될 수 있다. 또한, 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 중첩되는 부분과 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 중첩되지 않은 부분에서 아래쪽 표시 패널의 표시 영역의 휘도 차이가 생길 수 있기 때문에, 사용자가 표시 패널들의 이음매를 인식하기 쉬워지는 경우가 있다.
상술한 것을 고려하여, 도 26의 (B)에 도시된 바와 같이 표시 장치는 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에, 공기의 굴절률보다 높은 굴절률을 가지고 가시광을 투과시키는 투광층(103)을 포함하는 것이 바람직하다. 따라서, 표시 영역과 가시광을 투과시키는 영역 사이에 공기가 들어가는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률의 차이로 인한 계면 반사를 억제할 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 저감할 수 있다.
또한, 표시 장치의 광 추출 효율을 높일 수 있기 때문에, 투광층의 가시광에 대한 투과율은 가능한 한 높은 것이 바람직하다. 투광층은 파장 450nm 이상 700nm 이하에서 광 투과율이 평균 80% 이상인 것이 바람직하고, 90% 이상인 것이 더 바람직하다.
투광층과 접촉되는 층과 투광층의 굴절률의 차이를 가능한 한 작게 하면 광의 반사를 억제할 수 있으므로 바람직하다. 예를 들어, 투광층의 굴절률은 공기의 굴절률보다 높고, 1.3 이상 1.8 이하인 것이 바람직하다. 투광층과 접촉되는 층(예를 들어, 표시 패널에 포함되는 기판)과 투광층의 굴절률의 차이는 0.30 이하인 것이 바람직하고, 0.20 이하인 것이 더 바람직하고, 0.15 이하인 것이 더욱 바람직하다.
투광층은 아래쪽 표시 패널 및 위쪽 표시 패널 중 적어도 하나와 탈착 가능하게 접촉되는 것이 바람직하다. 표시 장치에 포함되는 표시 패널이 개벽적으로 탈착 가능한 경우, 예를 들어 표시 패널 중 하나에 불량이 발생되었을 때에 결함이 있는 표시 패널만을 새로운 표시 패널과 용이하게 교환할 수 있다. 다른 표시 패널을 연속적으로 사용함으로써 표시 장치를 더 낮은 비용으로 더 오래 사용할 수 있다.
표시 패널을 탈착할 필요가 없는 경우에는, 접착성을 가지는 재료(접착제 등)를 포함하는 투광층으로 표시 패널들을 서로 고정시킬 수 있다.
무기 재료 및 유기 재료 중 어느 하나를 투광층에 사용할 수 있다. 액체 물질, 겔상 물질, 또는 고체 물질을 투광층에 사용할 수 있다.
투광층에는, 예를 들어 물, 용액, 플루오린계 불활성 액체, 굴절액, 또는 실리콘(silicone) 오일 등의 액체 물질을 사용할 수 있다.
표시 장치가 수평면(중력이 작용하는 방향에 수직인 면)에 대하여 기우는 경우 또는 표시 장치가 수평면에 수직이 되도록 배치되는 경우에, 액체 물질의 점도는 1mPa·s 이상인 것이 바람직하고, 1Pa·s 이상인 것이 더 바람직하고, 10Pa·s 이상인 것이 더욱 바람직하고, 100Pa·s 이상인 것이 더더욱 바람직하다. 예를 들어 표시 장치가 수평면에 평행하게 배치되는 경우에는, 액체 물질의 점도는 이들에 한정되지 않는다.
예를 들어 투광층을 불활성으로 하면 표시 장치에 포함되는 다른 층이 대미지 등을 받는 것을 방지할 수 있으므로 바람직하다.
투광층에 함유되는 재료는 비휘발성인 것이 바람직하다. 따라서, 투광층에 사용하는 재료의 휘발로 인하여 계면에 공기가 들어가는 것을 방지할 수 있다.
투광층에는 고분자 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 에폭시 수지, 아크릴 수지, 실리콘 수지, 페놀 수지, 폴리이미드 수지, 이미드 수지, 폴리바이닐클로라이드(PVC) 수지, 폴리바이닐뷰티랄(PVB) 수지, 또는 에틸렌바이닐아세테이트(EVA) 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 또는, 2성분 혼합형(two-component-mixture-type) 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 이들 수지 중 적어도 하나를 함유하는, 반응 경화성 접착제, 열 경화성 접착제, 혐기성 접착제, 및 자외선 경화성 접착제 등의 광 경화성 접착제 등의 다양한 경화성 접착제 중 어느 것 또는 접착 시트를 사용할 수 있다. 예를 들어 표시 패널들을 서로 고정시키지 않는 경우에는, 접착제를 반드시 경화시킬 필요는 없다.
투광층은 물체에 대하여 높은 자기 흡착성을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 투광층은 물체에 대하여 높은 분리성을 가지는 것이 바람직하다. 표시 패널에 부착된 투광층을 표시 패널로부터 분리한 후, 투광층을 표시 패널에 다시 부착시킬 수 있는 것이 바람직하다.
또한, 투광층은 점착성을 가지지 않거나 또는 낮은 점착성을 가지는 것이 바람직하다. 그 경우, 물체의 표면에 대미지를 주거나 또는 물체의 표면을 오염시키지 않고, 투광층의 물체에 대한 흡착착 및 물체로부터의 분리를 반복할 수 있다.
투광층으로서는, 예를 들어, 흡착성을 가지는 막 또는 점착성을 가지는 막을 사용할 수 있다. 막의 한쪽 면 또는 양쪽 면이 흡착성 또는 점착성을 가질 수 있다. 흡착층 또는 점착층과 기재의 적층 구조를 가지는 흡착막을 사용하는 경우, 흡착층 또는 점착층은 표시 장치의 투광층으로서 기능할 수 있고, 기재는 표시 패널에 포함되는 기판으로서 기능할 수 있다. 또는, 표시 장치는 흡착막의 기재에 더하여 기판을 가져도 좋다. 흡착막은 흡착층 또는 점착층과 기재 사이에 앵커층을 포함하여도 좋다. 앵커층은 흡착층 또는 점착층과 기재 사이에서 접착성을 높이는 기능을 가진다. 또한, 앵커층은 흡착층 또는 점착층으로 피복된 기재의 면을 평활하게 하는 기능을 가진다. 이런 식으로, 물체와 투광층 사이에 거품이 발생되기 어려워진다.
예를 들어, 표시 장치에는 실리콘 수지층과 폴리에스터막이 적층된 필름을 적합하게 사용할 수 있다. 이 경우, 실리콘 수지층은 흡착성을 가지고 투광층으로서 기능하고, 폴리에스터막은 투광층 또는 표시 패널에 포함되는 기판으로서 기능한다. 폴리에스터막의 한쪽 면 또는 양쪽 면에 실리콘 수지가 제공된다.
투광층의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 1㎛ 이상 50㎛ 이하로 할 수 있다. 투광층의 두께는 50㎛보다 크게 할 수 있지만, 플렉시블 표시 장치를 제작하는 경우, 표시 장치의 두께는 표시 장치의 가요성을 감소시키지 않도록 설정하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 투광층의 두께는 10㎛ 이상 30㎛ 이하인 것이 바람직하다. 투광층의 두께는 1㎛ 미만으로 할 수 있다.
표시 영역(101a)은 투광층(103)을 개재(介在)하여 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되어 있다. 그러므로, 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 공기가 들어가는 것을 방지할 수 있어, 굴절률의 차이로 인한 계면 반사를 저감할 수 있다.
따라서, 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되는 부분과 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩되지 않은 부분 사이에서 표시 영역(101a)의 휘도 차이를 억제할 수 있기 때문에, 표시 장치의 표시 패널들 사이의 이음매가 표시 장치의 사용자에 의하여 인식되기 어렵게 할 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
가시광을 차단하는 영역(120a) 및 FPC(112a)의 각각은 표시 영역(101b)과 중첩되어 있다. 그러므로, 비표시 영역의 충분한 면적을 확보할 수 있고, 이음매가 없는 표시 영역의 크기를 증가시킬 수 있기 때문에, 신뢰성이 높고 큰 표시 장치를 제작할 수 있다.
도 26의 (C)에서 FPC(112a) 및 FPC(112b)는 각각 아래쪽 표시 패널의 표시면과는 반대 측(배면 측) 및 위쪽 표시 패널의 표시면과는 반대 측(배면 측)에 접속되어 있다.
도 26의 (C)에서 투광층(103)은 아래쪽 표시 패널의 가시광을 차단하는 영역(120a)과 위쪽 표시 패널의 표시 영역(101b) 사이에 제공되어 있다.
FPC가 아래쪽 표시 패널의 배면 측에 접속되면, 표시 패널의 단부를 위쪽 표시 패널의 배면에 부착시킬 수 있으므로, 부착 면적을 증가시킬 수 있고 부착 부분의 기계적인 강도를 증가시킬 수 있다.
도 26의 (D)에서 투광층(103)은 위쪽 표시 패널과 중첩되지 않은 표시 영역(101a)의 영역과 중첩되어 있다. 또한, 가시광을 투과시키는 영역(110a)과 투광층(103)이 서로 중첩된다.
투광층의 재료에 따라서는 대기 중의 티끌 등 작은 먼지가 흡착될 수 있다. 이러한 경우, 위쪽 표시 패널과 중첩되지 않은 표시 영역(101a)의 영역은 투광층(103)과 중첩되지 않는 것이 바람직하다. 이에 의하여, 투광층(103)에 부착된 먼지 등으로 인한 표시 장치의 불선명한 표시를 방지할 수 있다.
도 26의 (E)에서 투광층(103)은 표시 영역(101a)과 중첩되지 않은 위쪽 표시 패널의 영역과 중첩되어 있다.
도 26의 (E)에 도시된 구조에서 투광층은 표시 장치의 표시면의 가장 외측의 표면에 제공되지 않기 때문에, 투광층(103)에 부착된 먼지 등으로 인한 표시 장치의 불선명한 표시를 방지할 수 있다. 또한, 표시 장치의 배면에 흡착성을 가지는 투광층이 제공되면, 표시 패널과 접촉되지 않은 투광층의 표면을 사용하여 표시 장치를 원하는 부분에 탈착 가능하게 접착시킬 수 있다.
도 27의 (A)에서는 표시 패널(100a) 및 표시 패널(100b)의 전면을 수지층(131)이 덮고 있다. 수지층(131)은 표시 패널(100a 및 100b)의 표시 영역, 및 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b)이 중첩되는 영역을 덮도록 제공되는 것이 바람직하다.
복수의 표시 패널(100) 위에 수지층(131)을 제공함으로써, 표시 장치(12)의 기계적인 강도를 증가시킬 수 있다. 또한, 수지층(131)이 평탄한 표면을 가지도록 형성됨으로써, 표시 영역(13)에 표시되는 화상의 표시 품질을 증가시킬 수 있다. 예를 들어, 슬릿 코터, 커튼 코터, 그라비어 코터, 롤 코터, 또는 스핀 코터 등의 코팅 장치를 사용하면, 평탄성이 높은 수지층(131)을 형성할 수 있다.
수지층(131)의 굴절률은 표시 패널(100)의 표시면 측의 기판의 굴절률의 0.8배 내지 1.2배인 것이 바람직하고, 0.9배 내지 1.1배인 것이 더 바람직하고, 0.95배 내지 1.15배인 것이 더욱 바람직하다. 표시 패널(100)과 수지층(131) 사이의 굴절률의 차이가 작을수록, 광을 더 효율적으로 외부로 추출할 수 있다. 또한, 이러한 굴절률을 가지는 수지층(131)을 표시 패널(100a)과 표시 패널(100b) 사이의 단차 부분을 덮도록 제공함으로써, 단차 부분이 시각적으로 인식되기 어려워져, 표시 영역(13)에 표시되는 화상의 표시 품질을 증가시킬 수 있다.
수지층(131)은 가시광을 투과시킨다. 수지층(131)에는 예를 들어, 에폭시 수지, 아라미드 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 또는 폴리아마이드이미드 수지 등의 유기 수지를 사용할 수 있다.
또는, 도 27의 (B)에 도시된 바와 같이, 수지층(131)을 개재하여 표시 장치(12) 위에 보호 기판(132)을 제공하는 것이 바람직하다. 이 경우, 수지층(131)은 표시 장치(12)에 보호 기판(132)을 접합하기 위한 접착층으로서 기능하여도 좋다. 보호 기판(132)에 의하여, 표시 장치(12)의 표면을 보호할 수 있고, 또한 표시 장치(12)의 기계적인 강도를 증가시킬 수 있다. 적어도 표시 영역(13)과 중첩되는 영역에서는 보호 기판(132)에 투광성 재료가 사용된다. 또한, 표시 영역(13)과 중첩되는 영역 이외의 영역에서는 시각적으로 인식되지 않도록 보호 기판(132)이 차광성을 가져도 좋다.
보호 기판(132)은 터치 패널로서 기능하여도 좋다. 표시 패널(100)이 플렉시블하고 구부러질 수 있는 경우, 보호 기판(132)도 플렉시블한 것이 바람직하다.
또한, 보호 기판(132)과 표시 패널(100)의 표시면 측의 기판 또는 수지층(131) 사이의 굴절률의 차이는 20% 이하인 것이 바람직하고, 10% 이하인 것이 더 바람직하고, 5% 이하인 것이 더욱 바람직하다.
보호 기판(132)으로서는, 필름처럼 형성된 플라스틱 기판을 사용할 수 있다. 플라스틱 기판에는 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 또는 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, 폴리카보네이트(PC) 수지, 폴리에터설폰(PES) 수지, 폴리아마이드 수지(예를 들어, 나일론 또는 아라미드), 폴리사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리바이닐클로라이드 수지, 폴리에터에터케톤(PEEK) 수지, 폴리설폰(PSF) 수지, 폴리에터이미드(PEI) 수지, 폴리아릴레이트(PAR) 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트(PBT) 수지, 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 수지, 또는 실리콘 수지 등을 사용할 수 있다. 또는, 섬유체에 수지가 함침(含浸)된 기판(프리프레그라고도 불림) 또는 무기 필러와 유기 수지를 혼합시킴으로써 선팽창계수가 저감된 기판을 사용할 수 있다. 보호 기판(132)은 수지막에 한정되지 않고, 펄프를 연속 시트로 가공함으로써 형성된 투명한 부직포, 피브로인이라고 불리는 단백질을 함유하는 인공 거미줄 섬유를 포함하는 시트, 투명한 부직포 또는 시트와 수지가 혼합된 복합체, 섬유 폭이 4nm 이상 100nm 이하인 셀룰로스 섬유를 함유하는 부직포와 수지막의 적층, 또는 수지막과 인공 거미줄 섬유를 포함하는 시트의 적층을 사용하여도 좋다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 또는 표시 패널은 아크릴판, 유리판, 목판, 또는 금속판 등에 접합하여도 좋다. 표시 장치의 표시면 또는 표시 패널의 표시면, 또는 이들의 표시면과는 반대쪽의 면을 이들 판에 접합하여도 좋다(표시면을 이들 중 어느 판에 접합하는 경우에는 가시광을 투과시키는 판을 사용한다). 표시 장치 또는 표시 패널은 떼어 낼 수 있게 이들 중 어느 판에 접합되는 것이 바람직하다.
보호 기판(132)으로서는, 편광판, 원편광판, 위상차판, 및 광학 필름 등 중 적어도 하나를 사용하여도 좋다.
도 27의 (C)에 도시된 바와 같이, 표시 패널(100a 및 100b)의 표시면과는 반대쪽의 면에 수지층(133) 및 보호 기판(134)을 제공할 수 있다. 표시 패널을 지지하는 기판을 표시 패널의 배면에 제공하면, 표시 패널의 의도하지 않은 휨 또는 만곡을 억제할 수 있어, 표시면을 평활하게 유지할 수 있다. 따라서, 표시 영역(13)에 표시되는 화상의 표시 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 표시면과는 반대 측에 제공되는 수지층(133) 및 보호 기판(134)은 반드시 투광성을 가질 필요는 없고, 가시광을 흡수 또는 반사하는 재료를 사용하여도 좋다.
도 27의 (D)에 도시된 바와 같이, 수지층(131) 및 보호 기판(132)을 표시 패널의 전면에 제공할 수 있고, 수지층(133) 및 보호 기판(134)을 표시 패널의 배면에 제공하여도 좋다. 이런 식으로, 표시 패널(100a 및 100b)이 2개의 보호 기판들 사이에 끼워짐으로써, 표시 장치(12)의 기계적인 강도를 더 증가시킬 수 있다.
수지층(131) 및 보호 기판(132)의 총 두께는 수지층(133) 및 보호 기판(134)의 총 두께와 거의 동일한 것이 바람직하다. 예를 들어, 수지층(131 및 133)의 두께를 서로 실질적으로 동일하게 하고, 동일한 두께를 가지는 재료를 보호 기판(132 및 134)에 사용하는 것이 바람직하다. 이 경우, 복수의 표시 패널(100)은 두께 방향에서 적층의 중심에 위치할 수 있다. 예를 들어, 두께 방향에서의 중심에 표시 패널(100)을 포함하는 적층을 구부릴 때, 굽힘에 의하여 표시 패널(100)에 가해지는 가로 방향의 응력을 완화시킬 수 있어, 표시 패널(100)이 대미지를 받는 것을 방지할 수 있다.
표시 장치의 단부와 중심부 사이에서 수지층 및 보호 기판의 두께가 다른 경우, 예를 들어 평균 두께, 최대 두께, 및 최소 두께 등의 조건 중에서 적절히 선택되는 동일 조건하에서 수지층(131) 및 보호 기판(132)의 총 두께, 그리고 수지층(133) 및 보호 기판(134)의 총 두께를 비교하는 것이 바람직하다.
도 27의 (D)에서, 수지층(131 및 133)에 같은 재료를 사용하면 제작 비용을 저감시킬 수 있으므로 바람직하다. 마찬가지로, 보호 기판(132 및 134)에 같은 재료를 사용하면 제작 비용을 저감시킬 수 있으므로 바람직하다.
도 27의 (C) 및 (D)에 도시된 바와 같이, FPC(112a)를 리드하기 위한 개구를 표시 패널(100a 및 100b)의 배면 측에 위치하는 수지층(133) 및 보호 기판(134)에 제공하는 것이 바람직하다. 특히, 도 27의 (D)에 도시된 바와 같이, FPC(112a)의 일부를 덮도록 수지층(133)을 제공하면, 표시 패널(100a)과 FPC(112a) 사이의 접속 부분에서의 기계적인 강도를 증가시킬 수 있고, FPC(112a)의 분리 등의 결함을 억제할 수 있다. 마찬가지로, 수지층(133)은 FPC(112b)의 일부를 덮도록 제공하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 FHD(1920×1080), 4K2K(예를 들어, 3840×2048 또는 4096×2180), 또는 8K4K(예를 들어, 7680×4320 또는 8192×4320) 등 해상도가 높은 것이 바람직하다.
<표시 패널의 구조예>
상술한 바와 같이, 표시 패널(100)에서는 가시광을 투과시키는 영역(110)과 표시 영역(101)이 서로 인접해 있다. 표시 영역(109)은 표시 영역(101)과 가시광을 차단하는 영역(120)에 인접해 있고, 이들 사이에 배치되어 있다. 이하에서 이들 구성 요소의 경계 근방의 구조에 대하여 설명한다.
도 28의 (A)는 표시 패널(100)의 상면도이다. 도 28의 (A)에 도시된 표시 패널(100)은 표시 영역(101), 표시 영역(109), 및 영역(102)을 포함한다. 영역(102)은 가시광을 투과시키는 영역(110) 및 가시광을 차단하는 영역(120)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시 영역(101)에 인접해 있다. 표시 영역(109)은 표시 영역(101)과 가시광을 차단하는 영역(120)에 인접해 있고 이들 사이에 배치되어 있다.
도 28의 (A)에 도시된 표시 패널(100)에서는 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다. 표시 영역(109)은 표시 영역(101)의 2변을 따라 제공되어 있다. 표시 영역(101)의 마주 보는 2변 중 하나를 따라 가시광을 투과시키는 영역(110)이 제공되고, 다른 하나를 따라 표시 영역(109)이 제공된다. 가시광을 차단하는 영역(120)은 표시 영역(109)을 따라 제공되어 있다.
도 28의 (B)는 도 28의 (A)에 도시된 영역(Z1)의 확대도이다. 영역(Z1)은 가시광을 차단하는 영역(120)과 표시 영역(109)의 경계 근방에 있다.
도 28의 (C)는 도 28의 (A)에 도시된 영역(Z2)의 확대도이다. 영역(Z2)은 가시광을 투과시키는 영역(110)과 표시 영역(101)의 경계 근방에 있다.
배선(142a) 및 배선(142b)은 각 화소(141)에 전기적으로 접속되어 있다. 배선(142a) 및 배선(142b)은 각 화소(149)에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 배선(142a)의 각각은 배선(142b)과 교차하고, 회로(143a)에 전기적으로 접속되어 있다. 복수의 배선(142b)은 회로(143b)에 전기적으로 접속되어 있다. 회로들(143a 및 143b) 중 하나는 주사선 구동 회로이고, 다른 하나는 신호선 구동 회로이다. 회로들(143a 및 143b) 중 하나 또는 양쪽 모두는 반드시 제공될 필요는 없다.
도 28의 (B)에서는 회로(143a) 또는 회로(143b)에 전기적으로 접속되는 복수의 배선(145)이 제공되어 있다. 배선(145)은 도시되지 않은 영역에서 FPC에 전기적으로 접속되고, 외부로부터의 신호를 회로(143a 및 143b)에 공급한다.
도 28의 (B)에서 회로(143a), 회로(143b), 및 복수의 배선(145) 등을 포함하는 영역은 가시광을 차단하는 영역(120)에 상당한다.
도 28의 (A)에서 끝에 가장 가까이에 제공된 화소(141) 외측의 영역은 가시광을 투과시키는 영역(110)에 상당한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 화소(141), 배선(142a), 및 배선(142b) 등의 가시광을 차단하는 부재를 포함하지 않는다. 또한, 화소(141)의 일부, 배선(142a), 또는 배선(142b)이 가시광을 투과시키는 경우에는, 화소(141)의 일부, 배선(142a), 또는 배선(142b)은 가시광을 투과시키는 영역(110)까지 연장되도록 제공되어도 좋다.
도 28의 (D)는 도 28의 (C)의 선 A1-A2를 따라 취한 단면도이다. 표시 패널(100)은 가시광을 투과시키는 한 쌍의 기판(기판(151) 및 기판(152))을 포함한다. 기판(151)과 기판(152)은 접착층(154)을 사용하여 서로 접합되어 있다. 여기서, 화소(141) 및 배선(142b) 등이 형성되는 기판을 기판(151)이라고 부른다.
도 28의 (C) 및 (D)에 도시된 바와 같이, 표시 영역(101)의 끝에 가장 가까이에 화소(141)가 위치하는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭 W 1은 기판(151) 또는 기판(152)의 단부와 화소(141)의 단부 사이의 거리이다.
또한, 화소(141)의 단부는 화소(141)에서 끝에 가장 가까이에 위치하고 가시광을 차단하는 부재의 단부를 의미한다. 또는, 한 쌍의 전극 사이에 발광 재료를 함유하는 층을 포함하는 발광 소자가 화소(141)로서 사용되는 경우, 화소(141)의 단부는 하부 전극의 단부, 발광 재료를 함유하는 층의 단부, 및 상부 전극의 단부 중 어느 것이어도 좋다.
도 29의 (A)는 영역(Z2)이 확대된 상면도의 예이고, 배선(142a)의 위치가 도 28의 (C)에서와 다르다. 도 29의 (B)는 도 29의 (A)의 일점쇄선 B1-B2를 따라 취한 단면도이고, 도 29의 (C)는 도 29의 (A)의 일점쇄선 C1-C2를 따라 취한 단면도이다.
도 29의 (A) 내지 (C)에 도시된 바와 같이, 배선(142a)이 표시 영역(101)의 끝에 가장 가까이에 위치하는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)의 폭 W 1은 기판(151) 또는 기판(152)의 단부와 배선(142a)의 단부 사이의 거리이다. 배선(142a)이 가시광을 투과시키는 경우, 가시광을 투과시키는 영역(110)은 배선(142a)이 제공되는 영역을 포함하여도 좋다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는, 중첩된 2개의 표시 패널을 포함한다. 아래쪽 표시 패널의 표시 영역은 표시면 측에서, 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역과 중첩된다. 표시 패널에서, 가시광을 차단하는 영역에 가장 가까운 화소에 포함되는 표시 소자의 면적은, 다른 화소 각각에 포함되는 표시 소자의 면적보다 크다. 또는 표시 패널에서, 가시광을 차단하는 영역과 표시 영역 사이에 더미 화소를 포함하는 표시 영역이 제공되어 있다. 더미 화소는 표시 영역에서 더미 화소에 가장 가까운 화소와 같은 색을 가진다. 더미 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 표시 영역에서 더미 화소에 가장 가까운 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같다. 따라서, 표시 패널들의 위치가, 2개의 표시 패널이 서로 떨어지는 방향으로 어긋난 경우에, 2개의 표시 패널의 경계 근방에서 화상이 분리된 것처럼 보이는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 사용자가 표시 패널들의 이음매를 인식하기 어려워진다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 임의의 것과 적절히 조합될 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 사용할 수 있는 표시 패널에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
본 실시형태에서는 표시 소자로서 EL 소자를 사용한 표시 패널을 예시한다.
표시 패널은 적색(R), 녹색(G), 및 청색(B)의 3색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구조, R, G, B, 및 백색(W)의 4색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구조, 또는 R, G, B, 및 황색(Y)의 4색의 부화소로 하나의 색을 표현하는 구조 등을 가질 수 있다. 색 요소에 대한 특별한 한정은 없고, R, G, B, W, 및 Y 이외의 색(예를 들어, 시안 또는 마젠타)을 사용하여도 좋다.
<구조예 1>
도 30의 (A) 및 (B)는 표시 패널(370)의 상면도를 나타낸 것이다.
도 30의 (A) 및 (B)에 도시된 표시 패널(370)의 각각은 가시광을 투과시키는 영역(110), 표시부(381), 및 구동 회로부(382)를 포함한다. 도 30의 (A)에 도시된 예에서는, 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시부(381)에 인접해 있고, 표시부(381)의 2변을 따라 제공되어 있다. 도 30의 (B)에 도시된 예에서는, 가시광을 투과시키는 영역(110)이 표시부(381)에 인접해 있고, 표시부(381)의 3변을 따라 제공되어 있다.
도 30의 (C)는 컬러 필터 방식을 채용한 톱 이미션 구조의 표시 패널(370)의 단면도이다. 도 30의 (C)는 도 30의 (A) 및 (B) 각각의 일점쇄선 A1-A2 및 A3-A4를 따르는 단면도에 상당한다.
표시 패널(370)은 플렉시블 기판(371), 접착층(377), 절연층(378), 복수의 트랜지스터, 용량 소자(305), 도전층(307), 절연층(312), 절연층(313), 절연층(314), 절연층(315), 발광 소자(304), 도전층(355), 스페이서(316), 접착층(317), 착색층(325), 차광층(326), 플렉시블 기판(372), 접착층(375), 및 절연층(376)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)에 포함되는 층들은 가시광을 투과시킨다.
구동 회로부(382)는 트랜지스터(301)를 포함한다. 표시부(381)는 트랜지스터(302) 및 트랜지스터(303)를 포함한다.
각 트랜지스터는 게이트, 게이트 절연층(311), 반도체층, 소스, 및 드레인을 포함한다. 게이트와 반도체층은 게이트 절연층(311)을 개재하여 서로 중첩된다. 게이트 절연층(311)의 일부는 용량 소자(305)의 유전체로서 기능한다. 트랜지스터(302)의 소스 또는 드레인으로서 기능하는 도전층은 용량 소자(305)의 한쪽 전극으로서 기능한다.
도 30의 (C)에는 보텀 게이트 트랜지스터를 도시하였다. 구동 회로부(382)와 표시부(381)에서 트랜지스터의 구조가 상이하여도 좋다. 구동 회로부(382) 및 표시부(381)의 각각은 복수 종류의 트랜지스터를 포함하여도 좋다.
용량 소자(305)는 한 쌍의 전극과 그 사이의 유전체를 포함한다. 용량 소자(305)는 트랜지스터의 게이트와 같은 재료 및 같은 단계를 사용하여 형성된 도전층과, 트랜지스터의 소스 및 드레인과 같은 재료 및 같은 단계를 사용하여 형성된 도전층을 포함한다.
절연층(312), 절연층(313), 및 절연층(314)의 각각은 트랜지스터 등을 덮도록 제공된다. 트랜지스터 등을 덮는 절연층의 수는 특별히 한정되지 않는다. 절연층(314)은 평탄화층으로서 기능한다. 절연층(312), 절연층(313), 및 절연층(314) 중 적어도 하나는 물 및 수소 등의 불순물의 확산을 억제하는 재료를 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 외부로부터 불순물이 트랜지스터로 확산되는 것을 효과적으로 억제할 수 있어, 표시 패널의 신뢰성의 향상으로 이어진다.
유기 재료를 사용하여 절연층(314)을 형성하는 경우, 표시 패널의 외부로부터 수분 등의 불순물이 표시 패널의 단부에서 노출된 절연층(314)을 통하여 발광 소자(304) 등에 들어갈 수 있다. 불순물이 들어가는 것으로 인한 발광 소자(304)의 열화는 표시 패널의 열화로 이어진다. 그러므로, 도 30의 (C)에 도시된 바와 같이 무기막(여기서는 절연층(313))에 도달하는 개구를 절연층(314)에 형성하여, 표시 패널의 외부로부터 들어가는 수분 등의 불순물이 발광 소자(304)에 쉽게 도달하지 않도록 하는 것이 바람직하다.
도 34의 (A)는 절연층(314)에 개구를 제공하지 않는 경우를 도시한 단면도이다. 도 34의 (A)에 도시된 바와 같이, 절연층(314)을 표시 패널의 전체 영역에 제공하면, 후술하는 분리 단계의 수율을 높일 수 있으므로 바람직하다.
도 34의 (B)는 절연층(314)이 표시 패널의 단부에 위치하지 않는 경우를 도시한 단면도이다. 도 34의 (B)의 구조에서는 유기 재료를 사용하여 형성한 절연층이 표시 패널의 단부에 위치하지 않기 때문에, 발광 소자(304)에 불순물이 들어가는 것을 억제할 수 있다.
발광 소자(304)는 전극(321), EL층(322), 및 전극(323)을 포함한다. 발광 소자(304)는 광학 조정층(324)을 포함하여도 좋다. 발광 소자(304)는 착색층(325) 쪽으로 광을 방출한다.
트랜지스터, 용량 소자, 및 배선 등을 발광 소자(304)의 발광 영역과 중첩되도록 제공함으로써, 표시부(381)의 개구율을 높일 수 있다.
전극(321) 및 전극(323) 중 한쪽은 양극으로서 기능하고, 다른 쪽은 음극으로서 기능한다. 전극(321)과 전극(323) 사이에 발광 소자(304)의 문턱 전압보다 높은 전압을 인가하면, EL층(322)에 양극 측으로부터 정공이 주입되고 EL층(322)에 음극 측으로부터 전자가 주입된다. 주입된 전자와 정공은 EL층(322)에서 재결합하고, EL층(322)에 함유되는 발광 물질이 광을 방출한다.
전극(321)은 직접 또는 다른 도전층을 통하여, 트랜지스터(303)의 소스 또는 드레인에 전기적으로 접속된다. 전극(321)은 화소 전극으로서 기능하며 각 발광 소자(304)에 제공되어 있다. 인접한 2개의 전극(321)은 절연층(315)에 의하여 서로 전기적으로 절연되어 있다.
EL층(322)은 발광 재료를 함유하는 층이다. 발광 소자(304)로서는 발광 재료로서 유기 화합물을 포함하는 유기 EL 소자를 적합하게 사용할 수 있다.
EL층(322)은 적어도 하나의 발광층을 포함한다. EL층(322)은 복수의 발광층을 포함하여도 좋다. 발광층에 더하여, EL층(322)은 정공 주입성이 높은 물질, 정공 수송성이 높은 물질, 정공 블로킹 재료, 전자 수송성이 높은 물질, 전자 주입성이 높은 물질, 및 바이폴러성을 가지는 물질(전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 물질) 등 중 어느 것을 함유하는 층을 하나 이상 더 포함할 수 있다.
EL층(322)에는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 사용할 수 있고, 무기 화합물을 사용하여도 좋다. EL층(322)에 포함되는 각 층은 증착법(진공 증착법을 포함함), 전사법, 인쇄법, 잉크젯법, 및 도포법 등 중 임의의 방법으로 형성할 수 있다.
발광 소자(304)는 2종류 이상의 발광 물질을 함유하여도 좋다. 따라서, 예를 들어, 백색의 광을 방출하는 발광 소자를 구현할 수 있다. 예를 들어, 2종류 이상의 발광 물질이 보색을 방출하도록 발광 물질을 선택하여, 백색 발광을 얻는다. 예를 들어, 적색(R)의 광, 녹색(G)의 광, 청색(B)의 광, 황색(Y)의 광, 또는 주황색(O)의 광을 방출하는 발광 물질 또는 R의 광, G의 광, 및 B의 광 중 2개 이상의 스펙트럼 성분을 함유하는 광을 방출하는 발광 물질을 사용할 수 있다. 예를 들어, 청색의 광을 방출하는 발광 물질 및 황색의 광을 방출하는 발광 물질을 사용하여도 좋다. 이때, 황색의 광을 방출하는 발광 물질의 발광 스펙트럼은 G의 광 및 R의 광의 스펙트럼 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 발광 소자(31)의 발광 스펙트럼은 가시 영역의 파장 대역(예를 들어, 350nm 이상 750nm 이하 또는 400nm 이상 800nm 이하)에 2개 이상의 피크를 가지는 것이 바람직하다.
또한, 발광 소자(304)는 하나의 EL층을 포함하는 싱글 소자이어도 좋고, 또는 EL층들이 전하 발생층을 개재하여 적층된 탠덤 소자이어도 좋다.
발광 재료로서는 퀀텀닷(quantum dot) 등의 무기 화합물을 사용할 수 있다. 퀀텀닷은 수nm 크기의 반도체 나노 결정으로, 약 1×103개 내지 1×106개의 원자를 함유한다. 퀀텀닷의 에너지 시프트는 그 크기에 의존하기 때문에, 같은 물질로 만들어진 퀀텀닷은 그 크기에 따라 다른 파장의 광을 방출하므로, 퀀텀닷의 크기를 바꿈으로써 발광 파장을 쉽게 조정할 수 있다.
퀀텀닷은 발광 스펙트럼의 피크가 좁기 때문에 색 순도가 높은 발광으로 이어진다. 또한, 퀀텀닷은 이론적인 내부 양자 효율이 약 100%라고 하고, 퀀텀닷을 발광 재료로서 사용하여 발광 효율이 높은 발광 소자를 얻을 수 있다. 또한, 무기 화합물인 퀀텀닷은 본질적인 안정성이 높기 때문에, 수명의 관점에서도 바람직한 발광 소자를 얻을 수 있다.
퀀텀닷의 재료의 예에는, 주기율표의 14족 원소, 주기율표의 15족 원소, 주기율표의 16족 원소, 주기율표의 복수의 14족 원소의 화합물, 주기율표의 4족 내지 14족 중 어느 것에 속하는 원소와 주기율표의 16족 원소의 화합물, 주기율표의 2족 원소와 주기율표의 16족 원소의 화합물, 주기율표의 13족 원소와 주기율표의 15족 원소의 화합물, 주기율표의 13족 원소와 주기율표의 17족 원소의 화합물, 주기율표의 14족 원소와 주기율표의 15족 원소의 화합물, 주기율표의 11족 원소와 주기율표의 17족 원소의 화합물, 산화 철류, 산화 타이타늄류, 칼코게나이드 스피넬류, 및 반도체 클러스터가 포함된다.
퀀텀닷에 포함되는 재료의 예에는, 셀레늄화 카드뮴, 황화 카드뮴, 텔루륨화 카드뮴, 황화 아연, 인화 인듐, 셀레늄화 납, 황화 납, 셀레늄과 아연과 카드뮴의 화합물, 및 카드뮴과 셀레늄과 황의 화합물 등을 들 수 있다. 임의의 비로 조성이 표기되는, 소위 합금형 퀀텀닷을 사용하여도 좋다. 예를 들어, 카드뮴과 셀레늄과 황의 합금형 퀀텀닷은 원소의 함유비를 바꿔서 발광 파장을 바꿀 수 있으므로 청색의 광을 얻는 데 효과적인 수단이다.
퀀텀닷으로서는 코어형 퀀텀닷, 코어 셸형 퀀텀닷, 및 코어멀티 셸형 퀀텀닷 등 중 어느 것을 사용할 수 있다. 코어 셸형 또는 코어멀티 셸형 퀀텀닷을 사용하면 발광의 양자 효율을 크게 향상시킬 수 있으므로 바람직하다. 셸의 재료의 예에는 황화 아연 및 산화 아연이 포함된다.
퀀텀닷 재료의 예에는 콜로이드상 퀀텀닷 재료, 합금형 퀀텀닷 재료, 코어 셸형 퀀텀닷 재료, 및 코어형 퀀텀닷 재료 등이 포함된다. 퀀텀닷 재료는 예를 들어, 카드뮴(Cd), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 황(S), 인(P), 인듐(In), 텔루륨(Te), 납(Pb), 갈륨(Ga), 비소(As), 또는 알루미늄(Al) 등의 원소를 함유하여도 좋다.
퀀텀닷은 표면 원자의 비율이 높기 때문에 반응성이 높고, 응집되기 쉽다. 이러한 이유로, 퀀텀닷의 표면에는 보호제를 부착시키거나 또는 보호기를 제공하는 것이 바람직하다. 이로써, 퀀텀닷의 응집을 방지할 수 있고, 용매에 대한 용해성을 높일 수 있다. 이에 의하여 반응성을 저감하고 전기적 안정성을 향상시킬 수도 있다.
통상 사용되는 퀀텀닷의 크기(직경)의 범위는 0.5nm 이상 20nm 이하, 바람직하게는 1nm 이상 10nm 이하이다. 퀀텀닷의 크기 분포가 작을수록 발광 스펙트럼은 좁아지므로, 높은 색 순도로 광을 얻을 수 있다. 퀀텀닷의 형상은 특별히 한정되지 않고, 구상(球狀), 봉상(棒狀), 또는 원반 형상 등이어도 좋다.
발광층이 호스트 재료 없이 퀀텀닷으로 구성되어도, 퀀텀닷에 의하여 발광 효율을 확보할 수 있으므로, 수명의 관점에서 바람직한 발광 소자를 얻을 수 있다. 발광층이 퀀텀닷으로 구성되는 경우, 퀀텀닷은 코어 셸 구조(코어멀티 셸 구조를 포함함)를 가지는 것이 바람직하다.
전극(323)은 공통 전극으로서 기능하며 복수의 발광 소자(304)에 제공되어 있다. 전극(323)에는 정전위가 공급된다.
발광 소자(304)는 접착층(317)을 개재하여 착색층(325)과 중첩된다. 스페이서(316)는 접착층(317)을 개재하여 차광층(326)과 중첩된다. 도 30의 (C)는 발광 소자(304)와 차광층(326) 사이에 틈이 제공되는 경우를 도시한 것이지만, 발광 소자(304)와 차광층(326)은 서로 접촉되어 있어도 좋다. 도 30의 (C)에 도시된 구조에서는 스페이서(316)가 플렉시블 기판(371) 측에 제공되어 있지만, 스페이서(316)는 플렉시블 기판(372) 측(예를 들어, 차광층(326)보다 플렉시블 기판(371)에 더 가까운 위치)에 제공되어도 좋다.
컬러 필터(착색층(325))와 마이크로캐비티 구조(광학 조정층(324))의 조합에 의하여, 표시 패널로부터 색 순도가 높은 광을 추출할 수 있다. 광학 조정층(324)의 두께는 화소의 색에 따라 다르게 한다.
착색층은 특정의 파장 대역의 광을 투과시키는 유색층이다. 예를 들어, 적색, 녹색, 청색, 또는 황색의 광 등, 특정의 파장 대역의 광을 투과시키는 컬러 필터를 사용할 수 있다. 착색층에 사용할 수 있는 재료의 예에는 금속 재료, 수지 재료, 그리고 안료 또는 염료를 함유하는 수지 재료가 포함된다.
또한, 본 발명의 일 형태는 컬러 필터 방식에 한정되지 않고, 독립 화소 방식, 색 변환 방식, 및 퀀텀닷 방식 등을 채용하여도 좋다.
차광층은 인접한 착색층들 사이에 제공되어 있다. 차광층은 인접한 발광 소자로부터 방출되는 광을 차단하여, 인접한 발광 소자들 간에서의 혼색을 억제한다. 여기서, 착색층을 그 단부가 차광층과 중첩되도록 제공함으로써, 광 누설을 저감할 수 있다. 차광층에는 발광 소자로부터의 광을 차단하는 재료를 사용할 수 있고, 예를 들어 금속 재료, 혹은 안료 또는 염료를 함유하는 수지 재료를 사용하여 블랙 매트릭스를 형성할 수 있다. 또한, 구동 회로 유닛 등, 화소 이외의 영역에 차광층을 제공하면, 의도치 않은 도파광의 누설 등을 억제할 수 있으므로 바람직하다.
도 34의 (A)에 도시된 바와 같이, 표시 패널은 오버코트(329)를 포함하는 것이 바람직하다. 오버코트(329)는 착색층(325)에 함유되는 불순물 등이 발광 소자(304)로 확산되는 것을 방지할 수 있다. 오버코트(329)는 발광 소자(304)로부터 방출되는 광을 투과시키는 재료를 사용하여 형성된다. 예를 들어, 질화 실리콘막 또는 산화 실리콘막 등의 무기 절연막, 아크릴막 또는 폴리이미드막 등의 유기 절연막, 또는 유기 절연막과 무기 절연막의 적층을 사용할 수 있다.
접착층(317)의 재료를 착색층(325) 및 차광층(326)의 상면에 도포하는 경우, 오버코트(329)의 재료로서 접착층(317)의 재료에 대한 습윤성이 높은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 오버코트(329)로서 인듐 주석 산화물(ITO: indium tin oxide)막 등의 산화물 도전막, 또는 광을 투과시킬 정도로 얇은 Ag막 등의 금속막을 사용하는 것이 바람직하다.
접착층(317)의 재료에 대한 습윤성이 높은 재료를 사용하여 오버코트(329)를 형성하면, 접착층(317)의 재료를 균일하게 도포할 수 있다. 그러므로, 한 쌍의 기판을 서로 접합하는 단계에서 기포가 들어가는 것을 방지할 수 있어, 표시 불량을 억제할 수 있다.
절연층(378)과 플렉시블 기판(371)은 접착층(377)에 의하여 서로 접합되어 있다. 절연층(376)과 플렉시블 기판(372)은 접착층(375)에 의하여 서로 접합되어 있다. 절연층(376) 및 절연층(378)은 방습성이 높은 것이 바람직하다. 한 쌍의 방습성이 높은 절연층 사이에 발광 소자(304) 및 트랜지스터 등을 제공하면, 이들 소자에 수분 등의 불순물이 들어가는 것을 방지할 수 있어, 표시 패널의 신뢰성이 높아지므로 바람직하다.
방습성이 높은 절연막의 예에는 질소와 실리콘을 함유하는 막(예를 들어, 질화 실리콘막 및 질화 산화 실리콘막) 및 질소와 알루미늄을 함유하는 막(예를 들어, 질화 알루미늄막)이 포함된다. 또는, 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 또는 산화 알루미늄막 등을 사용하여도 좋다.
예를 들어, 방습성이 높은 절연막의 수증기 투과량은 1×10-5[g/(m2·day)] 이하, 바람직하게는 1×10-6[g/(m2·day)] 이하, 더 바람직하게는 1×10-7[g/(m2·day)] 이하, 더욱 바람직하게는 1×10-8[g/(m2·day)] 이하로 한다.
접속부(306)는 도전층(307) 및 도전층(355)을 포함한다. 도전층(307)과 도전층(355)은 서로 전기적으로 접속되어 있다. 도전층(307)은 트랜지스터의 소스 및 드레인과 같은 재료 및 같은 단계를 사용하여 형성할 수 있다. 도전층(355)은 구동 회로부(382)에 외부로부터의 신호 또는 전위를 전달하는 외부 입력 단자에 전기적으로 접속된다. 여기서는 외부 입력 단자로서 FPC(373)를 제공하는 예를 나타낸다. FPC(373)와 도전층(355)은 접속체(319)를 통하여 서로 전기적으로 접속된다.
접속체(319)로서는, 다양한 이방성 도전 필름(ACF: anisotropic conductive film) 및 이방성 도전 페이스트(ACP: anisotropic conductive paste) 등 중 어느 것을 사용할 수 있다.
각 플렉시블 기판(371 및 372)에는 가요성을 가질 정도로 얇은 유리, 석영, 수지, 금속, 합금, 또는 반도체 등의 재료를 사용할 수 있다. 발광 소자로부터 광이 추출되는 기판은 상기 광을 투과시키는 재료를 사용하여 형성한다. 예를 들어, 플렉시블 기판의 두께는 1㎛ 이상 200㎛ 이하가 바람직하고, 1㎛ 이상 100㎛ 이하가 더 바람직하고, 10㎛ 이상 50㎛ 이하가 더욱 바람직하고, 10㎛ 이상 25㎛ 이하가 더더욱 바람직하다. 플렉시블 기판의 두께 및 경도는 기계적인 강도와 가요성을 서로 유지할 수 있는 범위로 한다. 플렉시블 기판은 단층 구조를 가져도 좋고 적층 구조를 가져도 좋다.
유리보다 비중이 작은 수지를 플렉시블 기판에 사용하면 유리를 사용하는 경우에 비하여 표시 패널을 가볍게 할 수 있으므로 바람직하다.
기판은 인성(toughness)이 높은 재료를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 이 경우, 파손되기 어려운, 내충격성이 높은 표시 패널을 제공할 수 있다. 예를 들어, 수지 기판, 혹은 얇은 금속 또는 합금 기판을 사용하면, 유리 기판을 사용하는 경우에 비하여 표시 패널을 가볍게, 그리고 파손되기 어렵게 할 수 있다.
열 전도성이 높은 금속 재료 및 합금 재료는, 기판 전체에 열을 쉽게 전도할 수 있기 때문에, 표시 패널에서의 국소적인 온도 상승을 방지할 수 있으므로 바람직하다. 금속 재료 또는 합금 재료를 사용한 기판의 두께는 10㎛ 이상 200㎛ 이하인 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 50㎛ 이하인 것이 더 바람직하다.
금속 기판 또는 합금 기판의 재료에 특별한 한정은 없지만, 예를 들어 알루미늄, 구리, 니켈, 또는 알루미늄 합금 또는 스테인리스강 등의 금속 합금을 사용하는 것이 바람직하다. 반도체 기판의 재료의 예에는 실리콘 등이 포함된다.
또한, 기판에 열 방사율이 높은 재료를 사용하면, 표시 패널의 표면 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있어, 표시 패널의 파손 또는 신뢰성 저하의 억제로 이어진다. 예를 들어, 기판은 금속 기판과 열 방사율이 높은 층(이 층은 예를 들어, 금속 산화물 또는 세라믹 재료를 사용하여 형성할 수 있음)의 적층 구조를 가져도 좋다.
가요성 및 투광성을 가지는 재료의 예에는 PET 및 PEN 등의 폴리에스터 수지, 폴리아크릴로나이트릴 수지, 아크릴 수지, 폴리이미드 수지, 폴리메틸메타크릴레이트 수지, PC 수지, PES 수지, 폴리아마이드 수지(나일론 및 아라미드 등), 폴리실록산 수지, 사이클로올레핀 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리염화바이닐 수지, 폴리염화바이닐리덴 수지, 폴리프로필렌 수지, PTFE 수지, 및 ABS 수지가 포함된다. 특히, 선팽창계수가 낮은 재료가 바람직하고, 예를 들어 폴리아마이드이미드 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 또는 PET를 적합하게 사용할 수 있다. 섬유체에 수지를 함침시킨 기판 또는 무기 필러를 수지와 혼합하여 선팽창계수를 낮춘 기판 등을 사용할 수도 있다.
플렉시블 기판은, 장치의 표면을 손상으로부터 보호하는 하드 코트층(예를 들어, 질화 실리콘층) 및 압력을 분산시키는 층(예를 들어, 아라미드 수지층) 중 적어도 하나가 상술한 재료 중 어느 것의 층 위에 적층된 적층 구조를 가져도 좋다.
플렉시블 기판에 유리층을 사용하면, 물 및 산소에 대한 배리어성을 향상시킬 수 있으므로 신뢰성이 높은 표시 패널을 제공할 수 있다.
예를 들어, 발광 소자에 가까운 측에서부터 유리층, 접착층, 및 수지층을 적층한 플렉시블 기판을 사용할 수 있다. 유리층의 두께는 20㎛ 이상 200㎛ 이하, 바람직하게는 25㎛ 이상 100㎛ 이하로 한다. 이러한 두께로 함으로써, 유리층은 물 및 산소에 대한 높은 배리어성과 높은 가요성의 모두를 가질 수 있다. 수지층의 두께는 10㎛ 이상 200㎛ 이하, 바람직하게는 20㎛ 이상 50㎛ 이하로 한다. 이러한 수지층을 제공함으로써, 유리층의 크랙 및 깨짐이 생기는 것을 억제할 수 있고, 기계적인 강도를 향상시킬 수 있다. 이러한 유리 재료와 수지의 복합 재료를 포함하는 기판에 의하여, 신뢰성이 높은 플렉시블 표시 패널을 제공할 수 있다.
접착층에는 광 경화성 접착제(예를 들어, 자외선 경화성 접착제), 반응 경화성 접착제, 열 경화성 접착제, 및 혐기성 접착제 등의 다양한 경화성 접착제를 사용할 수 있다. 또는, 접착 시트 등을 사용하여도 좋다.
또한, 접착층은 건조제를 포함하여도 좋다. 예를 들어, 알칼리 토금속의 산화물(예를 들어, 산화 칼슘 또는 산화 바륨) 등, 화학 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 또는, 제올라이트 또는 실리카 겔 등, 물리 흡착에 의하여 수분을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 건조제가 포함되어 있으면, 수분 등의 불순물이 기능 소자에 들어가는 것을 방지할 수 있어, 표시 패널의 신뢰성이 향상되므로 바람직하다.
접착층에 굴절률이 높은 필러 또는 광 산란 부재를 함유시키면, 발광 소자로부터의 광 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 예를 들어, 산화 타이타늄, 산화 바륨, 제올라이트, 또는 지르코늄을 사용할 수 있다.
발광 소자로서는 자발광 소자를 사용할 수 있고, 전류 또는 전압에 의하여 휘도가 제어되는 소자는 발광 소자의 범주에 포함된다. 예를 들어, 발광 다이오드(LED), 유기 EL 소자, 또는 무기 EL 소자 등을 사용할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 표시 패널에는 다양한 표시 소자 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 액정 소자, 전기 영동 소자, 또는 MEMS를 사용한 표시 소자 등을 사용하여도 좋다.
발광 소자는 톱 이미션 발광 소자이어도 좋고 보텀 이미션 발광 소자이어도 좋다. 광이 추출되는 전극으로서는 가시광을 투과시키는 도전막을 사용한다. 광이 추출되지 않는 전극으로서는 가시광을 반사하는 도전막을 사용하는 것이 바람직하다.
가시광을 투과시키는 도전막은, 예를 들어 산화 인듐, ITO, 인듐 아연 산화물, 산화 아연(ZnO), 또는 갈륨이 첨가된 ZnO를 사용하여 형성할 수 있다. 또는, 금, 은, 백금, 마그네슘, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 팔라듐, 또는 타이타늄 등의 금속 재료; 이들 금속 재료 중 어느 것을 함유하는 합금; 또는 이들 금속 재료 중 어느 것의 질화물(예를 들어, 질화 타이타늄)의 막을, 투광성을 가지도록 얇게 형성할 수 있다. 또는, 상술한 재료 중 어느 것의 적층막을 도전막으로서 사용할 수 있다. 예를 들어, 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막을 사용하면 도전성을 높일 수 있으므로 바람직하다. 또는, 그래핀 등을 사용하여도 좋다.
가시광을 반사하는 도전막에는, 예를 들어 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료, 또는 이들 금속 재료 중 어느 것을 함유하는 합금을 사용할 수 있다. 또한, 란타넘, 네오디뮴, 또는 저마늄 등을 상기 금속 재료 또는 합금에 첨가하여도 좋다. 또한, 알루미늄과 타이타늄의 합금, 알루미늄과 니켈의 합금, 알루미늄과 네오디뮴의 합금, 또는 알루미늄, 니켈, 및 란타넘의 합금(Al-Ni-La) 등의 알루미늄을 함유하는 합금(알루미늄 합금), 또는 은과 구리의 합금, 은, 팔라듐, 및 구리의 합금(Ag-Pd-Cu 또는 APC라고도 불림), 또는 은과 마그네슘의 합금 등의 은을 함유하는 합금을 사용하여도 좋다. 높은 내열성을 가지기 때문에, 은과 구리를 함유하는 합금이 바람직하다. 또한, 금속막 또는 금속 산화물막을 알루미늄 합금막에 접촉하도록 적층하면, 알루미늄 합금막의 산화를 방지할 수 있다. 금속막 또는 금속 산화물막의 재료의 예에는 타이타늄 및 산화 타이타늄이 포함된다. 또는, 상술한 가시광을 투과시키는 도전막과 금속 재료를 함유하는 막을 적층하여도 좋다. 예를 들어, 은과 ITO의 적층막, 또는 은과 마그네슘의 합금과 ITO의 적층막을 사용할 수 있다.
각 전극은 증착법 또는 스퍼터링법에 의하여 형성할 수 있다. 또는, 잉크젯법 등의 토출법(discharging method), 스크린 인쇄법 등의 인쇄법, 또는 도금법을 사용하여도 좋다.
표시 패널의 트랜지스터의 구조는 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 플레이너 트랜지스터, 순 스태거(forward staggered) 트랜지스터, 또는 역 스태거(inverted staggered) 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 톱 게이트 트랜지스터 또는 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하여도 좋다. 채널 위아래에 게이트 전극을 제공하여도 좋다.
트랜지스터에 사용하는 반도체 재료의 결정성에 특별한 한정은 없고, 비정질 반도체 또는 결정성을 가지는 반도체(미결정(microcrystalline) 반도체, 다결정 반도체, 단결정 반도체, 또는 부분적으로 결정 영역을 포함하는 반도체)를 사용하여도 좋다. 결정성을 가지는 반도체를 사용하면, 트랜지스터 특성의 열화를 억제할 수 있으므로 바람직하다.
트랜지스터의 반도체층에 사용하는 반도체 재료는 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 14족 원소, 화합물 반도체, 또는 산화물 반도체를 사용할 수 있다. 대표적으로는, 실리콘을 함유하는 반도체, 갈륨 비소를 함유하는 반도체, 또는 인듐을 함유하는 산화물 반도체 등을 사용할 수 있다.
트랜지스터의 채널이 형성되는 반도체로서는 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 특히, 실리콘보다 밴드 갭이 넓은 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하다. 실리콘보다 밴드 갭이 넓고 캐리어 밀도가 낮은 반도체 재료를 사용하면, 트랜지스터의 오프 상태 전류를 저감할 수 있으므로 바람직하다.
예를 들어, 산화물 반도체는 적어도 인듐(In) 또는 아연(Zn)을 함유하는 것이 바람직하다. 산화물 반도체는 In-M-Zn 산화물(M은 Al, Ti, Ga, Ge, Y, Zr, Sn, La, Ce, Hf, 또는 Nd 등의 금속)로 표기되는 산화물을 함유하는 것이 더 바람직하다.
트랜지스터의 반도체 재료로서는 CAAC-OS(c-axis aligned crystalline oxide semiconductor)를 사용하는 것이 바람직하다. 비정질 반도체와는 달리, CAAC-OS는 결함 상태가 적기 때문에 트랜지스터의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 또한, CAAC-OS에는 결정립계가 관찰되지 않기 때문에 안정적이고 균일한 막을 대면적에 형성할 수 있고, 플렉시블 표시 장치를 구부리는 것에 기인하는 응력에 의하여 CAAC-OS막에 크랙이 쉽게 생기지 않는다.
CAAC-OS는 결정의 c축이 막 표면에 대하여 실질적으로 수직인 방향으로 배향한 결정성 산화물 반도체이다. 산화물 반도체는 단결정 구조 외에 다양한 결정 구조를 가지는 것이 알려져 있다. 이러한 구조의 예에는 나노 스케일 미결정의 집합체인 nc(nano-crystal) 구조가 있다. CAAC-OS 구조의 결정성은 단결정 구조보다 낮고 nc 구조보다 높다.
CAAC-OS는 c축 배향을 가지고, 그 펠릿들(나노 결정)은 a-b면 방향으로 연결되어 있고, 결정 구조는 변형을 가진다. 이러한 이유로, CAAC-OS는 CAA(c-axis-aligned a-b-plane-anchored) crystal을 포함하는 산화물 반도체라고 할 수도 있다.
표시 패널에 포함되는 절연층에는 유기 절연 재료 또는 무기 절연 재료를 사용할 수 있다. 수지의 예에는 아크릴 수지, 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리이미드아마이드 수지, 실록산 수지, 벤조사이클로뷰텐계 수지, 및 페놀 수지가 포함된다. 무기 절연막의 예에는 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 질화 산화 실리콘막, 질화 실리콘막, 산화 알루미늄막, 산화 하프늄막, 산화 이트륨막, 산화 지르코늄막, 산화 갈륨막, 산화 탄탈럼막, 산화 마그네슘막, 산화 란타넘막, 산화 세륨막, 및 산화 네오디뮴막이 포함된다.
표시 패널에 포함되는 도전층들의 각각은 알루미늄, 타이타늄, 크로뮴, 니켈, 구리, 이트륨, 지르코늄, 몰리브데넘, 은, 탄탈럼, 및 텅스텐 등의 금속 중 임의의 것, 또는 이들 금속 중 임의의 것을 주성분으로 함유하는 합금을 포함하는 단층 구조 또는 적층 구조를 가질 수 있다. 또는, 인듐 산화물, ITO, 텅스텐을 함유하는 인듐 산화물, 텅스텐을 함유하는 인듐 아연 산화물, 타이타늄을 함유하는 인듐 산화물, 타이타늄을 함유하는 ITO, 인듐 아연 산화물, ZnO, 갈륨이 첨가된 ZnO, 또는 산화 실리콘을 함유하는 인듐 주석 산화물 등의 투광성 도전 재료를 사용하여도 좋다. 또는, 불순물 원소 등을 함유시킴으로써 저항을 낮춘 다결정 실리콘 또는 산화물 반도체 등의 반도체, 또는 니켈 실리사이드 등의 실리사이드를 사용하여도 좋다. 또한, 그래핀을 포함하는 막을 사용하여도 좋다. 그래핀을 포함하는 막은 예를 들어, 산화 그래핀을 함유하는 막을 환원시켜 형성할 수 있다. 불순물 원소를 함유하는 산화물 반도체 등의 반도체를 사용하여도 좋다. 또는, 도전층은 은, 카본, 또는 구리 등의 도전성 페이스트, 또는 폴리싸이오펜 등의 도전성 폴리머를 사용하여 형성하여도 좋다. 도전성 페이스트는 저렴하므로 바람직하다. 도전성 폴리머는 도포하기 쉬우므로 바람직하다.
도 31은 서로 중첩되어 있는, 도 30의 (C)에 도시된 표시 패널(370)을 2개 포함하는 표시 장치의 단면도의 예이다.
도 31은 아래쪽 표시 패널의 표시 영역(101a)(도 30의 (C)의 표시부(381)에 상당함) 및 가시광을 차단하는 영역(120a)(도 30의 (C)의 구동 회로부(382) 등에 상당함), 및 위쪽 표시 패널의 표시 영역(101b)(도 30의 (C)의 표시부(381)에 상당함) 및 가시광을 투과시키는 영역(110b)(도 30의 (C)의 가시광을 투과시키는 영역(110)에 상당함)을 도시한 것이다.
도 31에 도시된 표시 장치에서 표시면 측(위쪽)에 위치하는 표시 패널은 표시 영역(101b)과 인접한 가시광을 투과시키는 영역(110b)을 포함한다. 아래쪽 표시 패널의 표시 영역(101a)과 위쪽 표시 패널의 가시광을 투과시키는 영역(110b)은 서로 중첩되어 있다. 그래서, 서로 중첩되는 2개의 표시 패널의 표시 영역들 사이에 나타나는 비표시 영역을 축소하거나 또는 없앨 수 있다. 따라서, 표시 패널들의 이음매가 사용자에 의하여 인식되기 어려운 대형 표시 장치를 얻을 수 있다.
도 31에 도시된 표시 장치는 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 굴절률이 공기보다 높고 가시광을 투과시키는 투광층(103)을 포함한다. 이 경우, 공기가 표시 영역(101a)과 가시광을 투과시키는 영역(110b) 사이에 들어가는 것을 방지할 수 있기 때문에, 굴절률의 차이로 인한 계면 반사를 저감시킬 수 있다. 또한, 표시 장치의 표시 불균일 또는 휘도 불균일을 억제할 수 있다.
투광층(103)을 아래쪽 표시 패널의 플렉시블 기판(372)의 표면 전체 또는 위쪽 표시 패널의 플렉시블 기판(371)의 표면 전체와 중첩시켜도 좋고, 오직 표시 영역(101a) 및 가시광을 투과시키는 영역(110b)과 중첩시켜도 좋다. 또한, 투광층(103)을 가시광을 차단하는 영역(120a)과 중첩시켜도 좋다.
예를 들어, 기재의 양쪽 면에 흡착층을 제공한 흡착 필름을 투광층(103)으로서 사용할 수 있다.
<구조예 1의 제작 방법의 예>
도 32의 (A) 내지 (C) 그리고 도 33의 (A) 및 (B)를 참조하여 구조예 1의 표시 패널(370)의 제작 방법의 예를 설명한다. 도 32의 (A) 내지 (C) 그리고 도 33의 (A) 및 (B)는 표시 패널(370)의 표시부(381)의 제작 방법을 도시한 단면도이다.
도 32의 (A)에 나타낸 바와 같이 형성 기판(401) 위에 분리층(403)을 형성한다. 다음에, 분리층(403) 위에 피분리층을 형성한다. 여기서, 분리층(403) 위에 형성하는 피분리층은 도 30의 (A) 내지 (C)의 절연층(378)에서 발광 소자(304)까지의 층들에 상당한다.
형성 기판(401)으로서는, 적어도 제작 공정에서의 처리 온도에 견딜 정도로 높은 내열성을 가지는 기판을 사용한다. 형성 기판(401)으로서는 예를 들어, 유리 기판, 석영 기판, 사파이어 기판, 반도체 기판, 세라믹 기판, 금속 기판, 수지 기판, 또는 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
또한, 양산성의 면에서는 형성 기판(401)으로서 대형 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 3세대(550mm×650mm) 이상, 10세대(2950mm×3400mm) 이하의 크기의 유리 기판, 또는 10세대보다 큰 크기의 유리 기판을 사용하는 것이 바람직하다.
형성 기판(401)으로서 유리 기판을 사용하는 경우, 형성 기판(401)과 분리층(403) 사이에 하지막으로서 산화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 질화 실리콘막, 또는 질화 산화 실리콘막 등의 절연막을 형성하면, 유리 기판으로부터의 오염을 방지할 수 있으므로 바람직하다.
분리층(403)은 텅스텐, 몰리브데넘, 타이타늄, 탄탈럼, 나이오븀, 니켈, 코발트, 지르코늄, 아연, 루테늄, 로듐, 팔라듐, 오스뮴, 이리듐, 및 실리콘 중에서 선택되는 원소; 상기 원소 중 어느 것을 함유하는 합금 재료; 또는 상기 원소 중 어느 것을 함유하는 화합물 재료 등을 사용하여 형성할 수 있다. 실리콘을 함유하는 층의 결정 구조는 비정질이어도 좋고 미결정이어도 좋고 다결정이어도 좋다. 또한, 산화 알루미늄, 산화 갈륨, 이산화 타이타늄, 산화 인듐, ITO, 인듐 아연 산화물, 또는 In-Ga-Zn 산화물 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 분리층(403)을 텅스텐, 타이타늄, 또는 몰리브데넘 등의 고융점 금속 재료를 사용하여 형성하면, 피분리층의 형성 공정의 자유도를 높일 수 있으므로 바람직하다.
분리층(403)은 예를 들어, 스퍼터링법, 플라스마 CVD법, 코팅법(스핀 코팅법, 액적 토출법, 및 디스펜싱법 등을 포함함), 또는 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 분리층(403)의 두께는 예를 들어, 1nm 이상 200nm 이하, 바람직하게는 10nm 이상 100nm 이하로 한다.
분리층(403)이 단층 구조를 가지는 경우, 텅스텐층, 몰리브데넘층, 또는 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물을 함유하는 층을 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 텅스텐의 산화물 또는 산화 질화물을 함유하는 층, 몰리브데넘의 산화물 또는 산화 질화물을 함유하는 층, 또는 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물의 산화물 또는 산화 질화물을 함유하는 층을 형성하여도 좋다. 또한, 텅스텐과 몰리브데넘의 혼합물은 예를 들어, 텅스텐과 몰리브데넘의 합금이다.
분리층(403)을, 텅스텐을 함유하는 층과 텅스텐의 산화물을 함유하는 층을 포함하는 적층 구조를 가지도록 형성하는 경우, 텅스텐의 산화물을 함유하는 층은 다음과 같이 형성하여도 좋다. 텅스텐을 함유하는 층을 먼저 형성하고, 그 위에 산화물로 형성되는 절연막을 형성함으로써, 텅스텐층과 절연막의 계면에 텅스텐의 산화물을 함유하는 층이 형성되도록 한다. 또는, 텅스텐의 산화물을 함유하는 층은, 텅스텐을 함유하는 층의 표면에 열산화 처리, 산소 플라스마 처리, 아산화 질소(N2O) 플라스마 처리, 또는 오존수 등의 산화력이 높은 용액을 사용한 처리 등을 행함으로써 형성하여도 좋다. 플라스마 처리 또는 가열 처리는, 산소, 질소, 또는 아산화 질소 단독, 혹은 이들 가스 중 어느 것과 다른 가스의 혼합 가스 분위기에서 행할 수 있다. 플라스마 처리 또는 가열 처리에 의하여 분리층(403)의 표면 상태를 변화시킴으로써, 분리층(403)과 나중에 형성되는 절연막의 밀착성을 제어할 수 있다.
또한, 형성 기판과 피분리층의 계면에서 분리가 가능한 경우, 분리층은 필수가 아니다. 예를 들어, 유리 기판을 형성 기판으로서 사용하고, 유리 기판과 접촉하도록 폴리이미드, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴 등의 유기 수지를 형성한다. 다음에, 레이저 광 조사 또는 가열 처리에 의하여 형성 기판과 유기 수지의 밀착성을 향상시킨다. 그리고, 유기 수지 위에 절연막 및 트랜지스터 등을 형성한다. 그 후, 상술한 레이저 광 조사보다 높은 에너지 밀도로 레이저 광 조사를 행하거나, 또는 상술한 가열 처리보다 높은 온도에서 가열 처리를 행함으로써, 형성 기판과 유기 수지의 계면에서 분리를 행할 수 있다. 또한, 분리를 행하기 위하여 형성 기판과 유기 수지의 계면에 액체를 채워도 좋다.
장치의 기판에 상기 유기 수지를 사용하여도 좋다. 또는, 상기 유기 수지를 제거하고, 피분리층의 노출된 면에 접착제를 사용하여 다른 기판을 접합하여도 좋다.
또는, 금속층과 유기 수지의 계면에서의 분리를 다음과 같이 행하여도 좋다. 형성 기판과 유기 수지 사이에 금속층을 제공하고, 상기 금속층에 전류를 흘림으로써 상기 금속층을 가열한다.
절연층(378)은 질화 실리콘막, 산화 질화 실리콘막, 산화 실리콘막, 및 질화 산화 실리콘막 등 중 어느 것을 포함하는 단층 구조 또는 적층 구조를 가지는 것이 바람직하다.
절연층(378)은 스퍼터링법, 플라스마 CVD법, 도포법, 또는 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 절연층(378)을 플라스마 CVD법에 의하여 250℃ 이상 400℃ 이하의 온도에서 형성함으로써, 절연층(378)을 방습성이 우수하고 치밀한 막으로 할 수 있다. 또한, 절연층(378)의 두께는 10nm 이상 3000nm 이하인 것이 바람직하고, 또는 200nm 이상 1500nm 이하인 것이 더 바람직하다.
도 32의 (B)에 나타낸 바와 같이 형성 기판(411) 위에 분리층(413)을 형성한다. 다음에, 분리층(413) 위에 피분리층을 형성한다. 여기서, 분리층(413) 위에 형성하는 피분리층은 도 30의 (A) 내지 (C)의 절연층(376), 차광층(326), 및 착색층(325)에 상당한다.
형성 기판(411), 분리층(413), 및 절연층(376)은 각각 형성 기판(401), 분리층(403), 및 절연층(378)에 사용할 수 있는 재료를 사용하여 형성할 수 있다.
그리고, 도 32의 (C)에 도시된 바와 같이, 형성 기판(401)과 형성 기판(411)을 접착층(317)을 사용하여 서로 접합한다.
그리고, 도 33의 (A)에 도시된 바와 같이 형성 기판(401)과 절연층(378)을 분리한다. 또한, 형성 기판(401)과 형성 기판(411)의 어느 쪽을 먼저 분리하여도 좋다.
형성 기판(401)과 절연층(378)을 분리하기 전에, 레이저 광 또는 예리한 칼날 등을 사용하여 분리의 기점을 형성하는 것이 바람직하다. 절연층(378)이 부분적으로 갈라지게 함으로써(또는 파괴시킴으로써) 분리의 기점을 형성할 수 있다. 예를 들어, 레이저 광 조사에 의하여 절연층(378)의 일부를 용해, 증발, 또는 열적으로 파괴시킬 수 있다.
그리고, 형성한 분리의 기점에서부터 물리적인 힘(예를 들어, 사람의 손 또는 지그를 이용한 분리 처리 또는 기판에 댄 롤러의 회전에 의한 분리 처리)으로 절연층(378)과 형성 기판(401)을 분리한다. 도 33의 (A)의 하부에 절연층(378)으로부터 분리된 분리층(403)과 형성 기판(401)을 도시하였다. 그 후, 도 33의 (A)에 도시된 바와 같이, 노출된 절연층(378)과 플렉시블 기판(371)을 접착층(377)을 사용하여 서로 접합한다.
그리고, 도 33의 (B)에 도시된 바와 같이, 형성 기판(411)과 절연층(376)을 서로 분리한다. 도 33의 (B)의 상부에, 절연층(376)으로부터 분리된 분리층(413)과 형성 기판(411)을 도시하였다. 다음에, 노출된 절연층(376)과 플렉시블 기판(372)을 접착층(375)을 사용하여 서로 접합한다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에서는 표시 패널에 포함되는 각 기능 소자 등이 형성 기판 위에 형성되기 때문에, 고해상도 표시 패널을 제작하는 경우에도 플렉시블 기판의 높은 위치 맞춤 정밀도가 요구되지 않는다. 그러므로, 플렉시블 기판을 접합하기 쉽다. 또한, 기능 소자 등을 고온으로 제작할 수 있으므로 신뢰성이 높은 표시 패널을 얻을 수 있다.
<구조예 2>
도 35의 (A)는 컬러 필터 방식을 채용한 표시 패널의 단면도를 나타낸 것이다. 또한, 이하의 구조예에서는 상술한 구조예의 구성 요소와 비슷한 구성 요소에 대하여 자세히 설명하지 않는다.
도 35의 (A)의 표시 패널은 플렉시블 기판(371), 접착층(377), 절연층(378), 복수의 트랜지스터, 도전층(307), 절연층(312), 절연층(313), 절연층(314), 절연층(315), 발광 소자(304), 도전층(355), 접착층(317), 착색층(325), 플렉시블 기판(372), 및 절연층(376)을 포함한다.
구동 회로부(382)는 트랜지스터(301)를 포함한다. 표시부(381)는 트랜지스터(303)를 포함한다.
각 트랜지스터는 2개의 게이트, 게이트 절연층(311), 반도체층, 소스, 및 드레인을 포함한다. 2개의 게이트의 각각은 절연층을 개재하여 반도체층과 중첩된다. 도 35의 (A)는 각 트랜지스터가 2개의 게이트 사이에 반도체층이 끼워진 구조를 가지는 예를 도시한 것이다. 이러한 트랜지스터는 다른 트랜지스터보다 더 높은 전계 효과 이동도를 가질 수 있기 때문에 더 높은 온 상태 전류를 가진다. 그 결과, 고속 동작이 가능한 회로를 얻을 수 있다. 또한, 회로에 의하여 점유되는 면적을 축소할 수 있다. 온 상태 전류가 높은 트랜지스터를 사용하면, 크기 또는 해상도의 증대 때문에 배선 수가 증가된 표시 패널에서도 배선에서의 신호 지연을 저감할 수 있고, 표시 휘도의 편차를 저감할 수 있다. 도 35의 (A)는 게이트들 중 한쪽을 전극(321)과 같은 재료 및 같은 단계를 사용하여 형성하는 예를 도시한 것이다.
발광 소자(304)는 착색층(325) 쪽으로 광을 방출한다. 발광 소자(304)는 절연층(314)을 개재하여 착색층(325)과 중첩된다. 착색층(325)은 발광 소자(304)와 플렉시블 기판(371) 사이에 제공된다. 도 35의 (A)는 절연층(313) 위에 착색층(325)을 제공하는 예를 도시한 것이다. 도 35의 (A)에 도시된 예에서는 차광층 및 스페이서를 제공하지 않았다.
<구조예 3>
도 35의 (B)는 독립 화소 방식을 채용한 표시 패널의 단면도를 나타낸 것이다.
도 35의 (B)의 표시 패널은 플렉시블 기판(371), 접착층(377), 절연층(378), 복수의 트랜지스터, 도전층(307), 절연층(312), 절연층(313), 절연층(314), 절연층(315), 스페이서(316), 발광 소자(304), 접착층(317), 플렉시블 기판(372), 및 절연층(376)을 포함한다.
구동 회로부(382)는 트랜지스터(301)를 포함한다. 표시부(381)는 트랜지스터(302), 트랜지스터(303), 및 용량 소자(305)를 포함한다.
각 트랜지스터는 2개의 게이트, 게이트 절연층(311), 반도체층, 소스, 및 드레인을 포함한다. 2개의 게이트의 각각은 절연층을 개재하여 반도체층과 중첩된다. 도 35의 (B)는 각 트랜지스터가 2개의 게이트 사이에 반도체층이 끼워진 구조를 가지는 예를 도시한 것이다. 도 35의 (B)에 도시된 예에서는 절연층(313)과 절연층(314) 사이에 게이트들 중 한쪽이 형성되어 있다.
발광 소자(304)는 플렉시블 기판(372) 쪽으로 광을 방출한다. 도 35의 (B)에 도시된 예에서는 발광 소자(304)가 광학 조정층을 포함하지 않는다. 절연층(376)은 발광 소자(304)의 밀봉층으로서 기능한다.
접속부(306)는 도전층(307)을 포함한다. 도전층(307)은 접속체(319)를 통하여 FPC(373)에 전기적으로 접속된다.
<응용예>
본 발명의 일 형태에서는 터치 센서가 제공된 표시 장치(입출력 장치 또는 터치 패널이라고도 함)를 제작할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널에 포함되는 검지 소자에 특별한 한정은 없다. 또한, 손가락 또는 스타일러스 등의 피검지체의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 검지 소자로서 사용할 수 있다.
예를 들어 센서에는 정전 용량 방식, 저항막 방식, 표면 탄성파 방식, 적외선 방식, 광학 방식, 및 감압 방식 등 다양한 방식을 사용할 수 있다.
본 실시형태에서는 정전 용량 방식 검지 소자를 포함하는 터치 패널을 예시한다.
정전 용량 방식 검지 소자의 예에는 표면형 정전 용량 방식 검지 소자 및 투영형 정전 용량 방식 검지 소자가 포함된다. 투영형 정전 용량 방식 검지 소자의 예에는 자기 용량 방식 검지 소자 및 상호 용량 방식 검지 소자가 포함된다. 상호 용량 방식 검지 소자를 사용하면 여러 지점을 동시에 검지할 수 있게 되므로 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널은, 따로따로 형성한 표시 패널과 검지 소자를 서로 접합하는 구조, 및 표시 소자를 지지하는 기판 및 대향 기판 중 한쪽 또는 양쪽 모두에, 검지 소자에 포함되는 전극 등을 제공하는 구조를 포함한 다양한 구조 중 임의의 구조를 가질 수 있다.
<구조예 4>
도 36의 (A)는 터치 패널(300)의 사시 개략도이다. 도 36의 (B)는 도 36의 (A)의 사시 개략도를 전개한 도면이다. 또한, 간략화를 위하여 대표적인 구성 요소만을 도시하였다. 도 36의 (B)에서는 일부의 구성 요소(플렉시블 기판(330) 및 플렉시블 기판(372) 등)를 파선으로만 도시하였다.
터치 패널(300)은 서로 중첩하여 제공된 입력 장치(310)와 표시 패널(370)을 포함한다. 터치 패널(300)은 가시광을 투과시키는 영역(110)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시부(381)에 인접해 있으며 표시부(381)의 2변을 따라 제공되어 있다.
입력 장치(310)는 플렉시블 기판(330), 전극(331), 전극(332), 복수의 배선(341), 및 복수의 배선(342)을 포함한다. 복수의 배선(341) 및 복수의 배선(342)의 각각에는 FPC(350)가 전기적으로 접속된다. FPC(350)에는 IC(351)가 제공되어 있다.
표시 패널(370)은 서로 마주 보도록 제공된 플렉시블 기판(371)과 플렉시블 기판(372)을 포함한다. 표시 패널(370)은 표시부(381) 및 구동 회로부(382)를 포함한다. 플렉시블 기판(371) 위에는 배선(383) 등이 제공되어 있다. FPC(373)는 배선(383)에 전기적으로 접속된다. FPC(373)에는 IC(374)가 제공되어 있다.
배선(383)은 표시부(381) 및 구동 회로부(382)에 신호 및 전력을 공급하는 기능을 가진다. 신호 및 전력의 각각은 외부 또는 IC(374)로부터 FPC(373)를 통하여 배선(383)에 입력된다.
도 37은 터치 패널(300)의 단면도의 예를 도시한 것이다. 도 37은 표시부(381), 구동 회로부(382), 가시광을 투과시키는 영역(110), FPC(373)를 포함하는 영역, 및 FPC(350)를 포함하는 영역 등의 단면 구조를 나타낸 것이다. 또한, 도 37은 트랜지스터의 게이트의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 배선과, 트랜지스터의 소스 및 드레인의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 배선이 교차하는 교차부(387)의 단면 구조를 도시한 것이다.
플렉시블 기판(371)과 플렉시블 기판(372)은 접착층(317)에 의하여 서로 접합되어 있다. 플렉시블 기판(372)과 플렉시블 기판(330)은 접착층(396)에 의하여 서로 접합되어 있다. 여기서 플렉시블 기판(371)에서 플렉시블 기판(372)까지의 층들이 표시 패널(370)에 상당한다. 또한, 플렉시블 기판(330)에서 전극(334)까지의 층들이 입력 장치(310)에 상당한다. 바꿔 말하면, 접착층(396)에 의하여 표시 패널(370)과 입력 장치(310)가 서로 접합된다. 또는, 플렉시블 기판(371)에서 절연층(376)까지의 층들이 표시 패널(370)에 상당한다. 또한, 플렉시블 기판(330)에서 플렉시블 기판(372)까지의 층들이 입력 장치(310)에 상당한다. 바꿔 말하면, 접착층(375)에 의하여 표시 패널(370)과 입력 장치(310)가 서로 접합된다.
도 37에 나타낸 표시 패널(370)의 구조는 도 30의 (A) 내지 (C)에 나타낸 표시 패널과 비슷하기 때문에 자세히 설명하지 않는다.
<입력 장치(310)>
플렉시블 기판(330)의 플렉시블 기판(372) 쪽에는 전극(331) 및 전극(332)이 제공되어 있다. 여기서는 전극(331)이 전극(333) 및 전극(334)을 포함하는 예를 설명한다. 도 37의 교차부(387)에 도시된 바와 같이, 전극들(332 및 333)은 같은 면에 형성되어 있다. 전극(332) 및 전극(333)을 덮도록 절연층(395)이 제공되어 있다. 전극(334)은 절연층(395)에 형성된 개구를 통하여, 사이에 전극(332)이 제공되어 있는 2개의 전극(333)을 전기적으로 접속시킨다.
플렉시블 기판(330)의 단부에 가까운 영역에는 접속부(308)가 제공되어 있다. 접속부(308)는 배선(342)과, 전극(334)의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 도전층의 적층을 가진다. 접속부(308)는 접속체(309)를 통하여 FPC(350)에 전기적으로 접속되어 있다.
플렉시블 기판(330)은 접착층(391)에 의하여 절연층(393)에 접합되어 있다. 구조예 1의 제작 방법에서와 같이, 입력 장치(310)는 형성 기판 위에 소자를 형성하고, 형성 기판을 분리한 다음, 플렉시블 기판(330) 위에 소자를 전치함으로써 제작할 수도 있다. 또는, 플렉시블 기판(330)에 직접 절연층(393) 및 소자 등을 형성하여도 좋다(도 38의 (A) 참조).
<구조예 5>
도 38의 (A)에 나타낸 터치 패널은 접착층(391)을 포함하지 않는 점, 그리고 트랜지스터(301, 302, 및 303), 및 용량 소자(305)의 구조가 도 37의 터치 패널과는 다르다.
도 38의 (A)는 터치 패널에 톱 게이트 트랜지스터를 사용하는 예를 도시한 것이다.
각 트랜지스터는 게이트, 게이트 절연층(311), 반도체층, 소스, 및 드레인을 포함한다. 게이트와 반도체층은 게이트 절연층(311)을 개재하여 서로 중첩된다. 반도체층은 저저항 영역(348)을 포함하여도 좋다. 저저항 영역(348)은 트랜지스터의 소스 및 드레인으로서 기능한다.
절연층(313) 위의 도전층은 리드 배선으로서 기능한다. 상기 도전층은 절연층(313), 절연층(312), 및 게이트 절연층(311)에 제공된 개구를 통하여 영역(348)에 전기적으로 접속되어 있다.
도 38의 (A)에서 용량 소자(305)는 상술한 반도체층의 형성에 사용한 반도체층을 가공하여 형성한 층, 게이트 절연층(311), 및 게이트의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 층을 포함하는 적층 구조를 가진다. 여기서, 용량 소자(305)의 반도체층의 일부는 트랜지스터의 채널이 형성되는 영역(347)보다 도전성이 높은 영역(349)을 가지는 것이 바람직하다.
영역(348) 및 영역(349)의 각각은 트랜지스터의 채널이 형성되는 영역(347)보다 불순물을 많이 함유하는 영역, 캐리어 농도가 높은 영역, 또는 결정성이 낮은 영역 등으로 할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에는 도 38의 (B) 내지 (D)에 도시된 트랜지스터(848)를 사용할 수 있다.
도 38의 (B)는 트랜지스터(848)의 상면도이다. 도 38의 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 트랜지스터(848)의 채널 길이 방향의 단면도이다. 도 38의 (C)에 도시된 트랜지스터(848)의 단면은 도 38의 (B)의 일점쇄선 X1-X2를 따라 취한 것이다. 도 38의 (D)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 트랜지스터(848)의 채널 폭 방향의 단면도이다. 도 38의 (D)에 도시된 트랜지스터(848)의 단면은 도 38의 (B)의 일점쇄선 Y1-Y2를 따라 취한 것이다.
트랜지스터(848)는 백 게이트를 포함하는 톱 게이트 트랜지스터의 일종이다.
트랜지스터(848)에서는 절연층(772)의 볼록부 위에 반도체층(742)이 형성되어 있다. 절연층(772)의 볼록부 위에 반도체층(742)을 제공하면, 반도체층(742)의 측면도 게이트(743)로 덮을 수 있다. 그러므로, 트랜지스터(848)는 게이트(743)의 전계에 의하여 반도체층(742)을 전기적으로 둘러쌀 수 있는 구조를 가진다. 이와 같이, 채널이 형성되는 반도체막이 도전막의 전계에 의하여 전기적으로 둘러싸이는 트랜지스터의 구조를 s-channel(surrounded channel) 구조라고 부른다. s-channel 구조를 가지는 트랜지스터를 s-channel 트랜지스터라고 한다.
s-channel 구조에서는 반도체층(742)의 전체(벌크)에 채널을 형성할 수 있다. s-channel 구조에서는 트랜지스터의 드레인 전류를 크게 할 수 있어, 더 대량의 온 상태 전류를 얻을 수 있다. 또한, 게이트(743)의 전계에 의하여 반도체층(742)의 채널 형성 영역 전체를 공핍화할 수 있다. 따라서, s-channel 구조를 가지는 트랜지스터의 오프 상태 전류를 더 작게 할 수 있다.
절연층(378) 위에 백 게이트(723)가 제공되어 있다.
절연층(729) 위에 제공된 도전층(744a)은 게이트 절연층(311), 절연층(728), 및 절연층(729)에 형성된 개구(747c)를 통하여 반도체층(742)에 전기적으로 접속되어 있다. 절연층(729) 위에 제공된 도전층(744b)은 게이트 절연층(311) 및 절연층(728 및 729)에 형성된 개구(747d)를 통하여 반도체층(742)에 전기적으로 접속되어 있다.
게이트 절연층(311) 위에 제공된 게이트(743)는 게이트 절연층(311) 및 절연층(772)에 형성된 개구(747a) 및 개구(747b)를 통하여 백 게이트(723)에 전기적으로 접속되어 있다. 따라서, 게이트(743)와 백 게이트(723)에는 같은 전위가 공급된다. 또한, 개구들(747a 및 747b) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 생략하여도 좋다. 개구들(747a 및 747b)의 양쪽 모두를 생략하는 경우, 백 게이트(723)와 게이트(743)에 상이한 전위를 공급할 수 있다.
s-channel 구조를 가지는 트랜지스터의 반도체로서는, 산화물 반도체, 혹은 다결정 실리콘 또는 단결정 실리콘 기판으로부터 전치된 단결정 실리콘 등의 실리콘 등을 사용한다.
<구조예 6>
도 39는 보텀 이미션 표시 패널과 입력 장치를 접착층(396)에 의하여 서로 접합한 터치 패널의 예를 나타낸 것이다.
도 39의 표시 패널은 절연층(376)을 포함하는 점에서 도 35의 (A)와 다르다. 도 39의 입력 장치는 절연층(393)이 제공되어 있지 않고, 플렉시블 기판(330)에 직접 전극(331) 및 전극(332) 등이 제공되어 있는 점에서 도 38의 (A) 내지 (D)와 다르다.
<구조예 7>
도 40은 독립 화소 방식을 사용한 표시 패널과 입력 장치를 접착층(375)에 의하여 서로 접합한 터치 패널의 예를 나타낸 것이다.
도 40의 표시 패널은 도 35의 (B)와 비슷한 구조를 가진다.
도 40의 입력 장치는 플렉시블 기판(392) 위의 절연층(376), 그리고 절연층(376) 위의 전극(334) 및 배선(342)을 포함한다. 전극(334) 및 배선(342)은 절연층(395)으로 덮여 있다. 절연층(395) 위에는 전극(332) 및 전극(333)이 제공되어 있다. 플렉시블 기판(330)은 접착층(396)에 의하여 플렉시블 기판(392)에 접합되어 있다.
<구조예 8>
도 41은 한 쌍의 플렉시블 기판(플렉시블 기판(371) 및 플렉시블 기판(372)) 사이에 터치 센서 및 발광 소자(304)가 제공되어 있는 예를 나타낸 것이다. 2개의 플렉시블 기판을 사용하면, 터치 패널을 얇고 가볍고 플렉시블하게 할 수 있다.
도 41의 구조는, 구조예 1의 제작 방법의 예에서 형성 기판(411) 위에 형성하는 피분리층의 구조를 바꿈으로써 제작할 수 있다. 구조예 1의 제작 방법의 예에서는 형성 기판(411) 위의 피분리층으로서, 절연층(376), 착색층(325), 및 차광층(326)을 형성한다(도 32의 (B)).
도 41의 구조를 제작하는 경우에는, 절연층(376)을 형성한 후에 절연층(376) 위에 전극(332), 전극(333), 및 배선(342)을 형성한다. 그리고, 이들 전극을 덮는 절연층(395)을 형성한다. 다음에, 절연층(395) 위에 전극(334)을 형성한다. 그리고, 전극(334)을 덮는 절연층(327)을 형성한다. 그 후, 절연층(327) 위에 착색층(325) 및 차광층(326)을 형성한다. 그리고, 형성 기판(401)에 접합하고, 형성 기판을 분리하고, 플렉시블 기판을 접합함으로써, 도 41의 구조를 가지는 터치 패널을 제작할 수 있다.
<구조예 9>
도 42의 (A) 및 (B)는 터치 패널(320)의 사시 개략도이다.
터치 패널(320)은 가시광을 투과시키는 영역(110)을 포함한다. 가시광을 투과시키는 영역(110)은 표시부(381)에 인접해 있으며 표시부(381)의 2변을 따라 제공되어 있다.
도 42의 (A) 및 (B)에서는 표시 패널(379)의 플렉시블 기판(372)에 입력 장치(318)가 제공되어 있다. 입력 장치(318)의 배선(341) 및 배선(342) 등은 표시 패널(379)에 제공된 FPC(350)에 전기적으로 접속된다.
상술한 구조에 의하여, 터치 패널(320)에 접속되는 FPC를 하나의 기판 측(본 실시형태에서는 플렉시블 기판(371) 측)에만 제공할 수 있다. 도 42의 (A) 및 (B)는 터치 패널(320)에 2개의 FPC가 제공되어 있는 구조를 도시한 것이다. 터치 패널(320)에 반드시 복수의 FPC를 제공할 필요는 없다. 터치 패널(320)에 하나의 FPC를 제공하여 표시 패널(379)과 입력 장치(318)의 양쪽 모두에 신호를 공급하면, 구조를 간략화할 수 있다.
IC(374)는 표시 패널(379)을 구동시키는 기능을 가진다. IC(351)는 입력 장치(318)를 구동시키는 기능을 가진다.
도 43은 터치 패널(320)의 단면도의 예를 도시한 것이다. 도 43은 표시부(381), 구동 회로부(382), 접속부(385), 가시광을 투과시키는 영역(110), 및 FPC(373)를 포함하는 영역 등의 단면 구조를 도시한 것이다. 또한, 도 43은 트랜지스터의 게이트의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 배선과, 트랜지스터의 소스 및 드레인의 형성에 사용한 도전층을 가공하여 형성한 배선이 교차하는 교차부(387)의 단면 구조를 도시한 것이다.
접속부(385)에서는, 배선들(342)(또는 배선들(341)) 중 하나와 도전층들(307) 중 하나가 접속체(386)를 통하여 서로 전기적으로 접속되어 있다.
접속체(386)로서는, 예를 들어 도전성 입자를 사용할 수 있다. 도전성 입자로서는, 금속 재료로 피복한 유기 수지 또는 실리카 등의 입자를 사용할 수 있다. 금속 재료로서 니켈 또는 금을 사용하면 접촉 저항을 저감할 수 있으므로 바람직하다. 또한, 니켈로 피복하고 금으로 더 피복한 입자 등, 2종류 이상의 금속 재료의 층으로 피복한 입자를 사용하는 것이 바람직하다. 접속체(386)로서는 탄성 변형 또는 소성(塑性) 변형이 가능한 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 도 43에 도시된 바와 같이, 도전성 입자는 수직으로 찌부러진 형상을 가지는 경우가 있다. 찌부러진 형상에 의하여, 접속체(386)와, 접속체(386)에 전기적으로 접속되는 도전층의 접촉 면적을 증대시킬 수 있고, 이에 의하여 접촉 저항이 저감되고 접속 불량 등의 문제의 발생이 억제된다.
접속체(386)는 접착층(317)으로 덮이도록 제공되는 것이 바람직하다. 예를 들어 접착층(317)을 형성하기 위한 페이스트 등을 도포한 다음, 접속부(385)에 접속체(386)를 살포하여도 좋다. 접착층(317)이 제공되는 부분에 접속부(385)를 제공하는 구조는, 도 43에 도시된 바와 같이 발광 소자(304) 위에도 접착층(317)을 제공하는 구조(고체 밀봉 구조라고도 함)뿐만 아니라, 예를 들어 접착층(317)을 발광 패널 또는 액정 표시 패널 등 주변에 제공하는 중공 밀봉 구조에도 마찬가지로 적용할 수 있다.
도 43은 광학 조정층(324)이 전극(321)의 단부를 덮지 않는 예를 도시한 것이다. 도 43의 예에서는 스페이서(316)가 구동 회로부(382)에도 제공되어 있다.
<구조예 10>
도 44의 (A)에 도시된 터치 패널에서는 터치 센서의 전극 등과 플렉시블 기판(372) 사이에 차광층(326)이 제공되어 있다. 구체적으로는, 절연층(376)과 절연층(328) 사이에 차광층(326)이 제공되어 있는 플렉시블 기판(372)에서 봤을 때, 절연층(328) 위에 전극(332), 전극(333), 및 배선(342) 등의 도전층과, 이들 구성 요소를 덮는 절연층(395)과, 절연층(395) 위의 전극(334) 등이 형성되어 있다. 또한, 전극(334) 및 절연층(395) 위에 절연층(327)이 제공되고, 절연층(327) 위에 착색층(325)이 제공되어 있다.
절연층(327 및 328)은 평탄화막으로서의 기능을 가진다. 또한, 절연층(327 및 328)은 불필요하다면 반드시 제공하지 않아도 된다.
이러한 구조에 의하여, 터치 센서의 전극 등보다 플렉시블 기판(372) 측에 가까운 위치에 제공된 차광층(326)에 의하여, 전극 등이 사용자에게 시인되는 것을 방지할 수 있다. 그러므로, 두께가 얇을 뿐만 아니라 표시 품질이 향상된 터치 패널을 실현할 수 있다.
도 44의 (B)에 도시된 바와 같이, 터치 패널은 절연층(376)과 절연층(328) 사이의 차광층(326a)을 포함하여도 좋고 절연층(327)과 접착층(317) 사이의 차광층(326b)을 포함하여도 좋다. 차광층(326b)을 제공함으로써 광 누설을 더 확실하게 억제할 수 있다.
본 실시형태는 다른 실시형태 중 임의의 것과 적절히 조합될 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기 및 조명 장치에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
전자 기기의 예에는, 텔레비전 수상기, 컴퓨터 등의 모니터, 디지털 카메라, 디지털 비디오 카메라, 디지털 액자, 휴대 전화기(휴대 전화 장치라고도 함), 휴대 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 및 핀볼기 등의 대형 게임기 등이 포함된다.
본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기 또는 조명 장치는 가요성을 가지기 때문에, 집 또는 빌딩의 내벽/외벽의 곡면, 또는 자동차의 내장/외장의 곡면을 따라 제공될 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기는 이차 전지를 포함하여도 좋다. 이차 전지는 비접촉 전력 전송에 의하여 충전될 수 있는 것이 바람직하다.
이차 전지의 예에는 겔 전해질을 사용한 리튬 폴리머 전지(리튬 이온 폴리머 전지) 등의 리튬 이온 이차 전지, 니켈 수소 전지, 니켈 카드뮴 전지, 유기 라디칼 전지, 납 축전지, 공기 이차 전지, 니켈 아연 전지, 및 은 아연 전지가 포함된다.
본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기는 안테나를 포함하여도 좋다. 신호가 안테나에 의하여 수신되면, 전자 기기는 화상 또는 데이터 등을 표시부에 표시할 수 있다. 전자 기기가 안테나 및 이차 전지를 포함하는 경우, 안테나를 비접촉 전력 전송에 사용하여도 좋다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에서는 표시 패널의 수를 늘림으로써, 표시 영역의 면적을 제한 없이 증가시킬 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 디지털 사이니지 또는 PID 등에 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 표시 영역의 형상은 표시 패널의 배치를 바꿔서 다양하게 변화시킬 수 있다.
도 45의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치(10)가 기둥(15) 및 벽(16) 각각에 제공된 예를 도시한 것이다. 표시 장치(10)에 포함되는 표시 패널로서 플렉시블 표시 패널을 사용함으로써, 곡면을 따라 표시 장치(10)를 배치할 수 있다.
여기서, 특히, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 디지털 사이니지 또는 PID에 사용하는 경우, 표시 패널에 터치 패널을 사용하면, 표시 영역에 정지 화상 또는 동영상을 표시할 뿐만 아니라 관찰자가 직관적으로 조작을 할 수 있게 되므로 바람직하다. 또는, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를, 노선 정보 또는 교통 정보 등의 정보를 제공하기 위하여 사용하는 경우, 직관적인 조작에 의하여 유용성을 높일 수 있다. 표시 장치를 빌딩 또는 공공 시설 등의 벽에 제공하는 경우, 표시 패널에 터치 패널을 반드시 사용할 필요는 없다.
도 45의 (B) 내지 (E)는 곡면을 가지는 표시부(7000)를 포함하는 전자 기기의 예를 도시한 것이다. 표시부(7000)의 표시면은 구부러져 있고, 구부러진 표시면에 화상을 표시할 수 있다. 표시부(7000)는 가요성을 가져도 좋다.
도 45의 (B) 내지 (E)에 도시된 각 전자 기기의 표시부(7000)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용하여 형성할 수 있다.
도 45의 (B)는 휴대 전화의 예를 도시한 것이다. 휴대 전화(7100)는 하우징(7101), 표시부(7000), 조작 버튼(7103), 외부 접속 포트(7104), 스피커(7105), 및 마이크로폰(7106) 등을 포함한다.
도 45의 (B)에 도시된 휴대 전화(7100)는 표시부(7000)에 터치 센서를 포함한다. 또한, 손가락 또는 스타일러스 등으로 표시부(7000)를 터치함으로써 전화를 걸거나 문자를 입력하는 등의 조작을 행할 수 있다.
조작 버튼(7103)에 의하여 전원을 온 또는 오프로 할 수 있다. 또한, 표시부(7000)에 표시되는 화상의 종류를 전환할 수 있고, 예를 들어 조작 버튼(7103)에 의하여 메일 작성 화면에서 메인 메뉴 화면으로 화상 전환을 행한다.
도 45의 (C)는 텔레비전 수상기의 예를 도시한 것이다. 텔레비전 수상기(7200)에서는, 표시부(7000)가 하우징(7201)에 제공되어 있다. 여기서는, 하우징(7201)이 스탠드(7203)에 의하여 지지되어 있다.
도 45의 (C)에 도시된 텔레비전 수상기(7200)는 하우징(7201)의 조작 스위치 또는 별체의 리모컨(7211)에 의하여 조작할 수 있다. 또한, 표시부(7000)는 터치 센서를 포함하여도 좋고, 손가락 등으로 표시부를 터치함으로써 조작될 수 있다. 또한 리모컨(7211)에, 리모컨(7211)으로부터 출력되는 데이터를 표시하기 위한 표시부를 제공하여도 좋다. 리모컨(7211)의 조작 키 또는 터치 패널에 의하여 채널 및 음량을 제어할 수 있고, 표시부(7000)에 표시되는 화상을 제어할 수 있다.
또한, 텔레비전 수상기(7200)에는 수신기 또는 모뎀 등이 제공되어 있다. 수신기에 의하여 일반 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 또한, 텔레비전 수상기를 모뎀을 통하여 유선 또는 무선으로 통신 네트워크에 접속함으로써, 단방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이 또는 수신자들 사이)의 데이터 통신을 행할 수 있다.
도 45의 (D)는 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다. 각 휴대 정보 단말기(7300)는 하우징(7301) 및 표시부(7000)를 포함한다. 휴대 정보 단말기는 조작 버튼, 외부 접속 포트, 스피커, 마이크로폰, 안테나, 또는 배터리 등을 포함하여도 좋다. 표시부(7000)에는 터치 센서가 제공된다. 휴대 정보 단말기(7300)의 조작은 손가락 또는 스타일러스 등으로 표시부(7000)를 터치함으로써 행할 수 있다.
도 45의 (D)는 휴대 정보 단말기(7300)의 사시도이다. 도 45의 (E)는 휴대 정보 단말기(7300)의 상면도이다.
본 실시형태에서 설명하는 각 휴대 정보 단말기는 예를 들어, 전화기, 수첩, 및 정보 열람 시스템 중 하나 이상으로서 기능한다. 구체적으로는, 각 휴대 정보 단말기는 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 본 실시형태에서 설명하는 각 휴대 정보 단말기는 예를 들어, 휴대 전화 통화, 전자 메일, 문서의 열람 및 편집, 음악 재생, 인터넷 통신, 및 컴퓨터 게임 등의 다양한 애플리케이션을 실행할 수 있다.
휴대 정보 단말기(7300)는 그 복수의 면에 문자 및 화상을 표시할 수 있다. 예를 들어, 도 45의 (D)에 도시된 바와 같이, 3개의 조작 버튼(7302)을 하나의 면에 표시할 수 있고, 직사각형으로 나타낸 정보(7303)를 다른 면에 표시할 수 있다. 도 45의 (D) 및 (E)는 휴대 정보 단말기의 상부에 정보가 표시되어 있는 예를 도시한 것이다. 또는, 정보를 휴대 정보 단말기의 측면에 표시하여도 좋다. 정보는 휴대 정보 단말기의 3개 이상의 면에 표시되어도 좋다.
정보의 예에는 SNS(social networking service)로부터의 알림, 전자 메일의 수신 또는 전화의 착신을 나타내는 표시, 전자 메일 등의 제목, 전자 메일 등의 송신자, 날짜, 시각, 배터리 잔량, 및 안테나의 수신 강도가 포함된다. 또는, 정보 대신에 조작 버튼 또는 아이콘 등을 표시하여도 좋다.
예를 들어, 휴대 정보 단말기(7300)의 사용자는 자신의 옷의 가슴 주머니에 휴대 정보 단말기(7300)를 넣은 상태에서 그 표시(여기서는, 정보(7303))를 볼 수 있다.
구체적으로는, 착신한 전화의 발신자의 전화 번호 또는 이름 등을, 휴대 정보 단말기(7300)의 위쪽에서 볼 수 있는 위치에 표시한다. 따라서, 사용자는 휴대 정보 단말기(7300)를 주머니에서 꺼내지 않고 표시를 보고 전화를 받을지 여부를 결정할 수 있다.
도 45의 (F)는 휘어진 발광부를 가지는 조명 장치의 예를 도시한 것이다.
도 45의 (F)에 도시된 조명 장치에 포함되는 발광부는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용하여 제작될 수 있다.
도 45의 (F)에 도시된 조명 장치(7400)는 물결 형상의 발광면을 가지는 발광부(7402)를 포함하며, 디자인성이 높은 조명 장치이다.
조명 장치(7400)에 포함되는 발광부는 가요성을 가져도 좋다. 발광부의 발광면을 용도에 따라 자유로이 구부릴 수 있도록, 발광부를 플라스틱 부재 또는 가동 프레임 등에 고정하여도 좋다.
조명 장치(7400)는 조작 스위치(7403)가 제공된 스테이지(7401) 및 스테이지(7401)에 의하여 지지되는 발광부를 포함한다.
또한, 여기서는 예로서 스테이지에 의하여 발광부가 지지된 조명 장치에 대하여 설명하였지만, 발광부가 제공된 하우징을 천장에 고정하거나 또는 천장에 매달 수 있다. 발광면은 휠 수 있기 때문에, 오목 형상을 가지도록 발광면을 휨으로써 특정한 영역을 밝게 비추거나, 또는 볼록 형상을 가지도록 발광면을 휨으로써 방 전체를 밝게 비출 수 있다.
도 46의 (A1), (A2), 및 (B) 내지 (I)의 각각은 가요성을 가지는 표시부(7001)를 포함하는 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다.
표시부(7001)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 사용하여 제작된다. 예를 들어, 곡률 반경 0.01mm 이상 150mm 이하로 휠 수 있는 표시 패널을 포함하는 표시 장치를 사용할 수 있다. 표시부(7001)는, 손가락 등으로 표시부(7001)를 터치함으로써 휴대 정보 단말기를 조작할 수 있도록 터치 센서를 포함하여도 좋다.
도 46의 (A1) 및 (A2)는 휴대 정보 단말기의 예를 각각 도시한 사시도 및 측면도이다. 휴대 정보 단말기(7500)는 하우징(7501), 표시부(7001), 표시부 손잡이(7502), 및 조작 버튼(7503) 등을 포함한다.
휴대 정보 단말기(7500)는 하우징(7501) 내에 만 플렉시블 표시부(7001)를 포함한다.
휴대 정보 단말기(7500)는 내장된 제어부에 의하여 비디오 신호를 수신할 수 있고, 수신한 영상을 표시부(7001)에 표시할 수 있다. 휴대 정보 단말기(7500)는 배터리를 포함한다. 비디오 신호 또는 전력을 배선에 의하여 외부로부터 직접 공급할 수 있도록, 커넥터를 접속하기 위한 단자부가 하우징(7501)에 포함되어도 좋다.
조작 버튼(7503)을 누름으로써, 전원의 온/오프 및 표시되는 화상의 전환 등을 행할 수 있다. 도 46의 (A1), (A2), 및 (B)는 조작 버튼(7503)이 휴대 정보 단말기(7500)의 측면에 위치하는 예를 도시한 것이지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 조작 버튼(7503)은 휴대 정보 단말기(7500)의 표시면(앞면) 또는 뒷면에 배치되어도 좋다.
도 46의 (B)는 표시부(7001)를 꺼낸 상태의 휴대 정보 단말기(7500)를 도시한 것이다. 이 상태에서 표시부(7001)에 화상을 표시할 수 있다. 표시부(7001)는 표시부 손잡이(7502)로 꺼낼 수 있다. 또한, 휴대 정보 단말기(7500)는, 도 46의 (A1)에 도시된 바와 같이 표시부(7001)의 일부를 만 상태와, 도 46의 (B)에 도시된 바와 같이 표시부(7001)를 꺼낸 상태에서 상이한 표시를 행하여도 좋다. 예를 들어, 도 46의 (A1)에 도시된 상태에서, 표시부(7001)에서 말려진 부분을 비표시 상태로 하면, 휴대 정보 단말기(7500)의 소비전력의 저감으로 이어진다.
또한, 꺼냈을 때에 표시부(7001)가 평탄한 표시면을 가지도록, 표시부(7001)의 측부에 보강 프레임을 제공하여도 좋다.
또한, 이 구조에 더하여, 비디오 신호와 함께 수신한 음성 신호에 의하여 음성이 출력되도록, 하우징에 스피커를 제공하여도 좋다.
도 46의 (C) 내지 (E)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다. 도 46의 (C)는 펼친 휴대 정보 단말기(7600)를 도시한 것이다. 도 46의 (D)는 펼치거나 또는 접고 있는 휴대 정보 단말기(7600)를 도시한 것이다. 도 46의 (E)는 접은 휴대 정보 단말기(7600)를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(7600)는 접었을 때는 가반성이 높고, 펼쳤을 때는 이음매가 없는 큰 표시 영역 때문에 일람성(一覽性)이 높다.
표시부(7001)는 힌지(7602)로 연결된 3개의 하우징(7601)에 의하여 지지되어 있다. 힌지(7602)를 이용하여 2개의 하우징(7601) 사이의 연결부에서 휴대 정보 단말기(7600)를 접어서, 휴대 정보 단말기(7600)를 펼친 상태로부터 접은 상태로 가역적으로 변형시킬 수 있다.
도 46의 (F) 및 (G)는 접을 수 있는 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다. 도 46의 (F)는 표시부(7001)가 내측이 되도록 접은 휴대 정보 단말기(7650)를 도시한 것이다. 도 46의 (G)는 표시부(7001)가 외측이 되도록 접은 휴대 정보 단말기(7650)를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(7650)는 표시부(7001) 및 비표시부(7651)를 포함한다. 휴대 정보 단말기(7650)를 사용하지 않을 때는 표시부(7001)가 내측이 되도록 휴대 정보 단말기(7650)를 접음으로써, 표시부(7001)가 더러워지거나 또는 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 46의 (H)는 플렉시블 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(7700)는 하우징(7701) 및 표시부(7001)를 포함한다. 또한, 휴대 정보 단말기(7700)는 입력 수단으로서 기능하는 버튼(7703a 및 7703b), 음성 출력 수단으로서 기능하는 스피커(7704a 및 7704b), 외부 접속 포트(7705), 또는 마이크로폰(7706) 등을 포함하여도 좋다. 휴대 정보 단말기(7700)에는 플렉시블 배터리(7709)가 탑재될 수 있다. 예를 들어, 배터리(7709)는 표시부(7001)와 중첩되도록 배치되어도 좋다.
하우징(7701), 표시부(7001), 및 배터리(7709)는 플렉시블하다. 따라서, 휴대 정보 단말기(7700)를 원하는 형상으로 휘거나 또는 휴대 정보 단말기(7700)를 비틀어 구부리기 쉽다. 예를 들어, 표시부(7001)가 내측 또는 외측이 되도록 휴대 정보 단말기(7700)를 휠 수 있다. 휴대 정보 단말기(7700)는 만 상태에서 사용할 수 있다. 이와 같이, 하우징(7701) 및 표시부(7001)를 자유로이 변형할 수 있기 때문에, 휴대 정보 단말기(7700)를 떨어뜨리거나 또는 휴대 정보 단말기(7700)에 외력이 가해졌을 때에도 휴대 정보 단말기(7700)는 파손되기 어렵다.
휴대 정보 단말기(7700)는 가볍기 때문에, 휴대 정보 단말기(7700)를 다양한 상황에서 효과적으로 사용할 수 있다. 예를 들어 하우징(7701) 상부를 클립 등에 매단 상태, 또는 하우징(7701)을 자석 등으로 벽에 고정한 상태에서 휴대 정보 단말기(7700)를 사용할 수 있다.
도 46의 (I)는 손목시계형 휴대 정보 단말기의 예를 도시한 것이다. 휴대 정보 단말기(7800)는 밴드(7801), 표시부(7001), 입출력 단자(7802), 또는 조작 버튼(7803) 등을 포함한다. 밴드(7801)는 하우징의 기능을 가진다. 휴대 정보 단말기(7800)에는 플렉시블 배터리(7805)를 탑재할 수 있다. 배터리(7805)는 예를 들어, 표시부(7001) 또는 밴드(7801)와 중첩되어도 좋다.
밴드(7801), 표시부(7001), 및 배터리(7805)는 가요성을 가진다. 따라서, 휴대 정보 단말기(7800)는 원하는 형상으로 쉽게 휠 수 있다.
조작 버튼(7803)에 의하여 시각 설정, 전원의 온/오프, 무선 통신의 온/오프, 매너 모드의 설정 및 해제, 및 전력 절약 모드의 설정 및 해제 등 다양한 기능을 행할 수 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말기(7800)에 설치된 운영 체계에 의하여, 조작 버튼(7803)의 기능을 자유로이 설정할 수 있다.
표시부(7001)에 표시된 아이콘(7804)을 손가락 등으로 터치함으로써 애플리케이션을 기동할 수 있다.
휴대 정보 단말기(7800)는 기존의 통신 규격에 의거한 통신 방법인 근거리 무선 통신(near field communication)을 채용할 수 있다. 이 경우, 예를 들어 휴대 정보 단말기(7800)와 무선 통신 가능한 헤드세트의 상호 통신을 행할 수 있어, 핸즈프리 통화가 가능하다.
휴대 정보 단말기(7800)는 입출력 단자(7802)를 포함하여도 좋다. 입출력 단자(7802)가 포함되는 경우, 커넥터를 통하여 다른 정보 단말기와 데이터를 직접 주고받을 수 있다. 입출력 단자(7802)를 통하여 충전할 수도 있다. 또한, 본 실시형태에서 예로서 설명하는 휴대 정보 단말기의 충전은 입출력 단자를 사용하지 않고 비접촉 전력 전송에 의하여 행할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치는 플렉시블하고, 얇고 가볍기 때문에, 도 47의 (A) 내지 (C)에 도시된 디바이스(81)처럼 옷에 부착하여 사용할 수 있다.
디바이스(81)를 부착하는 위치의 예에는 옷의 앞쪽, 뒤쪽, 옷깃, 소매, 및 모자(hood)가 포함되지만, 이들에 한정되지 않는다.
디바이스(81)를 부착하는 옷의 예에는 셔츠 또는 블라우스 등의 상의, 바지 또는 치마 등의 하의, 드레스, 및 작업복(overall)이 포함되지만, 이들에 한정되지 않는다. 디바이스(81)는 스카프 또는 넥타이 등에 부착하여도 좋다.
도 47의 (A)에서는 셔츠의 앞쪽에, 도 47의 (B)에서는 폴로 셔츠의 앞쪽에, 도 47의 (C)에서는 셔츠의 옷깃 및 소매에 디바이스(81)가 부착되어 있다.
디바이스(81)는 옷에 탈착 가능하여도 좋다. 예를 들어, 빨래에 의하여 디바이스(81)가 파손될 수 있는 경우에는, 디바이스를 옷에서 뗄 수 있는 것이 바람직하다.
본 실시형태는 다른 임의의 실시형태와 적절히 조합될 수 있다.
10: 표시 장치, 12: 표시 장치, 13: 표시 영역, 15: 기둥, 16: 벽, 31: 발광 소자, 36: 화소 전극, 38: 공통 전극, 40: 발광 소자, 41: 표시 영역, 49: 표시 영역, 51: 신호선, 52: 주사선, 55: 전원선, 70a: 선택 트랜지스터, 70b: 구동 트랜지스터, 70b1: 구동 트랜지스터, 70b2: 구동 트랜지스터, 70c: 구동 트랜지스터, 72a: 반도체층, 72b1: 반도체층, 72b2: 반도체층, 74b: 도전층, 76: 도전층, 77: 게이트, 80: 화소 회로, 81: 디바이스, 83a: 발광 영역, 83b: 발광 영역, 85: 용량 소자, 100: 표시 패널, 100a: 표시 패널, 100b: 표시 패널, 100c: 표시 패널, 100d: 표시 패널, 101: 표시 영역, 101a: 표시 영역, 101b: 표시 영역, 101c: 표시 영역, 101d: 표시 영역, 102: 영역, 102a: 영역, 102b: 영역, 103: 투광층, 109: 표시 영역, 109a: 표시 영역, 109b: 표시 영역, 110: 영역, 110a: 영역, 110b: 영역, 110c: 영역, 110d: 영역, 112a: FPC, 112b: FPC, 115b: IC, 120: 영역, 120a: 영역, 120b: 영역, 131: 수지층, 132: 보호 기판, 133: 수지층, 134: 보호 기판, 141: 화소, 141a: 화소, 141b: 화소, 141c: 화소, 141d: 화소, 142a: 배선, 142b: 배선, 145: 배선, 149: 화소, 149a: 화소, 154: 접착층, 300: 터치 패널, 301: 트랜지스터, 302: 트랜지스터, 303: 트랜지스터, 304: 발광 소자, 305: 용량 소자, 306: 접속부, 307: 도전층, 308: 접속부, 309: 접속체, 310: 입력 장치, 311: 게이트 절연층, 312: 절연층, 313: 절연층, 314: 절연층, 315: 절연층, 316: 스페이서, 317: 접착층, 318: 입력 장치, 319: 접속체, 320: 터치 패널, 321: 전극, 322: EL층, 323: 전극, 324: 광학 조정층, 325: 착색층, 326: 차광층, 326a: 차광층, 326b: 차광층, 327: 절연층, 328: 절연층, 329: 오버코트, 330: 플렉시블 기판, 331: 전극, 332: 전극, 333: 전극, 334: 전극, 341: 배선, 342: 배선, 347: 영역, 348: 영역, 349: 영역, 350: FPC, 351: IC, 355: 도전층, 370: 표시 패널, 371: 플렉시블 기판, 372: 플렉시블 기판, 373: FPC, 374: IC, 375: 접착층, 376: 절연층, 377: 접착층, 378: 절연층, 379: 표시 패널, 381: 표시부, 382: 구동 회로부, 383: 배선, 385: 접속부, 386: 접속체, 387: 교차부, 391: 접착층, 392: 플렉시블 기판, 393: 절연층, 395: 절연층, 396: 접착층, 401: 형성 기판, 403: 분리층, 411: 형성 기판, 413: 분리층, 723: 백 게이트, 728: 절연층, 729: 절연층, 742: 반도체층, 743: 게이트, 744a: 도전층, 744b: 도전층, 747a: 개구, 747b: 개구, 747c: 개구, 747d: 개구, 772: 절연층, 848: 트랜지스터, 7000: 표시부, 7001: 표시부, 7100: 휴대 전화, 7101: 하우징, 7103: 조작 버튼, 7104: 외부 접속 포트, 7105: 스피커, 7106: 마이크로폰, 7200: 텔레비전 수상기, 7201: 하우징, 7203: 스탠드, 7211: 리모컨, 7300: 휴대 정보 단말기, 7301: 하우징, 7302: 조작 버튼, 7303: 정보, 7400: 조명 장치, 7401: 스테이지, 7402: 발광부, 7403: 조작 스위치, 7500: 휴대 정보 단말기, 7501: 하우징, 7502: 표시부 손잡이, 7503: 조작 버튼, 7600: 휴대 정보 단말기, 7601: 하우징, 7602: 힌지, 7650: 휴대 정보 단말기, 7651: 비표시부, 7700: 휴대 정보 단말기, 7701: 하우징, 7703a: 버튼, 7703b: 버튼, 7704a: 스피커, 7704b: 스피커, 7705: 외부 접속 포트, 7706: 마이크로폰, 7709: 배터리, 7800: 휴대 정보 단말기, 7801: 밴드, 7802: 입출력 단자, 7803: 조작 버튼, 7804: 아이콘, 7805: 배터리.
본 출원은 2015년 9월 8일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2015-176532의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
본 출원은 2015년 9월 8일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2015-176532의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.
Claims (19)
- 표시 장치로서,
제 1 표시 패널; 및
제 2 표시 패널을 포함하고,
상기 제 1 표시 패널은 제 1 표시 영역, 및 가시광을 투과시키는 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은 제 2 표시 영역, 제 3 표시 영역, 및 가시광을 차단하는 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역은 상기 가시광을 투과시키는 영역에 인접하고,
상기 제 3 표시 영역은 상기 제 2 표시 영역과 상기 가시광을 차단하는 영역 사이에 배치되며, 상기 제 2 표시 영역 및 상기 가시광을 차단하는 영역에 인접하고,
상기 가시광을 투과시키는 영역은 상기 제 2 표시 영역과 중첩되도록 상기 제 2 표시 영역의 표시면 측에 위치하고,
상기 가시광을 차단하는 영역은 상기 제 1 표시 영역과 중첩되고,
상기 제 1 표시 영역 및 상기 가시광을 투과시키는 영역 중 적어도 하나는 상기 제 3 표시 영역과 중첩되고,
상기 제 2 표시 영역은 m행 n열로 배치된 복수의 화소를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역은 열 방향으로 배치된 복수의 화소를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역은 상기 제 2 표시 영역의 n열째 화소에 인접하고,
상기 제 3 표시 영역의 i행째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 상기 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같고,
m 및 n은 독립적으로 2 이상의 정수(整數)를 나타내고,
i는 1 이상 m 이하의 정수를 나타내는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자 및 제 1 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속되고,
상기 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속되는, 표시 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 제 2 발광 소자의 면적은 상기 제 1 발광 소자의 면적보다 큰, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 표시 패널은 복수의 소스선을 포함하고,
n+1열째 이후의 열의 소스선은 n열째 소스선에 접속되는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자, 제 1 구동 트랜지스터, 및 선택 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속되고,
상기 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속되고,
상기 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 구동 트랜지스터의 게이트 및 상기 제 2 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소는 제 1 발광 소자, 선택 트랜지스터, 및 제 1 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 제 2 발광 소자를 포함하고,
상기 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 발광 소자의 화소 전극 및 상기 제 2 발광 소자의 화소 전극에 전기적으로 접속되고,
상기 선택 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 구동 트랜지스터의 게이트에 전기적으로 접속되는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 표시 영역의 i행째 화소는 상기 제 2 표시 영역의 i행 n열째 화소와 같은 색을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 표시 영역은 행 방향으로 배치된 복수의 화소를 포함하고,
상기 제 3 표시 영역은 상기 제 2 표시 영역의 m행째 화소에 인접하고,
상기 제 3 표시 영역의 j열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 상기 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같고,
j는 1 이상 n 이하의 정수를 나타내는, 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 2 표시 패널은 복수의 게이트선을 포함하고,
m+1행째 이후의 행의 게이트선은 m행째 게이트선에 접속되는, 표시 장치. - 제 8 항에 있어서,
상기 제 3 표시 영역의 j열째 화소는 상기 제 2 표시 영역의 m행 j열째 화소와 같은 색을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 2 표시 영역 및 상기 제 3 표시 영역은 총 m+x행 n+y열의 화소를 포함하고,
m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 각 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호는 m행 n열째 화소에 공급되는 게이트 신호 및 소스 신호와 같고,
x 및 y는 독립적으로 1 이상의 정수를 나타내는, 표시 장치. - 제 11 항에 있어서,
m+1행째 이후의 행 n+1열째 이후의 열의 화소는 m행 n열째 화소와 같은 색을 가지는, 표시 장치. - 표시 장치로서,
제 1 표시 패널; 및
제 2 표시 패널을 포함하고,
상기 제 1 표시 패널은 제 1 표시 영역, 및 가시광을 투과시키는 영역을 포함하고,
상기 제 2 표시 패널은 제 2 표시 영역, 및 가시광을 차단하는 영역을 포함하고,
상기 제 1 표시 영역은 상기 가시광을 투과시키는 영역에 인접하고,
상기 제 2 표시 영역은 상기 가시광을 차단하는 영역에 인접하고,
상기 가시광을 투과시키는 영역은 상기 제 2 표시 영역과 중첩되도록 상기 제 2 표시 영역의 표시면 측에 위치하고,
상기 가시광을 차단하는 영역은 상기 제 1 표시 영역과 중첩되고,
상기 제 2 표시 영역은 m행 n열로 배치된 복수의 화소를 포함하고,
상기 가시광을 차단하는 영역은 n열째 화소에 인접하고,
i행 n-1열째 화소는 제 1 발광 소자 및 제 1 구동 트랜지스터를 포함하고,
i행 n열째 화소는 제 2 발광 소자 및 제 2 구동 트랜지스터를 포함하고,
상기 제 1 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 1 발광 소자에 전기적으로 접속되고,
상기 제 2 구동 트랜지스터의 소스 또는 드레인은 상기 제 2 발광 소자에 전기적으로 접속되고,
상기 제 2 발광 소자의 면적은 상기 제 1 발광 소자의 면적보다 크고,
m 및 n은 독립적으로 2 이상의 정수를 나타내고,
i는 1 이상 m 이하의 정수를 나타내는, 표시 장치. - 제 3 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 2 구동 트랜지스터의 채널 길이(L)와 채널 폭(W)의 W/L비는 상기 제 1 구동 트랜지스터의 W/L비보다 큰, 표시 장치. - 제 2 항 또는 제 13 항에 있어서,
상기 제 1 구동 트랜지스터는 싱글 게이트 트랜지스터이고,
상기 제 2 구동 트랜지스터는 듀얼 게이트 트랜지스터인, 표시 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 표시 패널 및 상기 제 2 표시 패널은 가요성을 가지는, 표시 장치. - 제 1 항에 따른 표시 장치; 및
안테나, 배터리, 하우징, 카메라, 스피커, 마이크로폰, 또는 조작 버튼을 포함하는, 전자 기기. - 삭제
- 삭제
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020237042352A KR20230169489A (ko) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | 표시 장치 및 전자 기기 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2015176532 | 2015-09-08 | ||
| JPJP-P-2015-176532 | 2015-09-08 | ||
| PCT/IB2016/055096 WO2017042657A1 (en) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | Display device and electronic device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237042352A Division KR20230169489A (ko) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | 표시 장치 및 전자 기기 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180048710A KR20180048710A (ko) | 2018-05-10 |
| KR102612798B1 true KR102612798B1 (ko) | 2023-12-11 |
Family
ID=58190253
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020187007238A KR102612798B1 (ko) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| KR1020237042352A KR20230169489A (ko) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | 표시 장치 및 전자 기기 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020237042352A KR20230169489A (ko) | 2015-09-08 | 2016-08-26 | 표시 장치 및 전자 기기 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US9768201B2 (ko) |
| JP (5) | JP6789732B2 (ko) |
| KR (2) | KR102612798B1 (ko) |
| CN (2) | CN111769154A (ko) |
| DE (1) | DE112016004055B4 (ko) |
| WO (1) | WO2017042657A1 (ko) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106537486B (zh) * | 2014-07-31 | 2020-09-15 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及电子装置 |
| KR102612798B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2023-12-11 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| KR102641557B1 (ko) | 2016-06-20 | 2024-02-28 | 소니그룹주식회사 | 표시 장치 및 전자 기기 |
| JP6842282B2 (ja) * | 2016-11-29 | 2021-03-17 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP2018157463A (ja) | 2017-03-21 | 2018-10-04 | オムロンオートモーティブエレクトロニクス株式会社 | 車載通信システム、通信管理装置、車両制御装置 |
| JP2018194719A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示システム及び電子機器 |
| KR102367881B1 (ko) | 2017-07-03 | 2022-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| WO2019038619A1 (ja) * | 2017-08-25 | 2019-02-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル及び表示装置 |
| KR102404974B1 (ko) * | 2017-09-12 | 2022-06-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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| WO2019241993A1 (zh) * | 2018-06-22 | 2019-12-26 | 惠科股份有限公司 | 显示设备及其显示面板 |
| US11450694B2 (en) | 2018-08-21 | 2022-09-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display apparatus and electronic device |
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- 2016-08-26 KR KR1020187007238A patent/KR102612798B1/ko active IP Right Grant
- 2016-08-26 WO PCT/IB2016/055096 patent/WO2017042657A1/en active Application Filing
- 2016-08-26 DE DE112016004055.5T patent/DE112016004055B4/de active Active
- 2016-08-26 CN CN202010717037.1A patent/CN111769154A/zh active Pending
- 2016-08-26 CN CN201680050775.7A patent/CN108369788B/zh active Active
- 2016-08-26 KR KR1020237042352A patent/KR20230169489A/ko not_active Application Discontinuation
- 2016-09-05 JP JP2016172485A patent/JP6789732B2/ja active Active
- 2016-09-06 US US15/256,968 patent/US9768201B2/en active Active
-
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- 2017-09-12 US US15/702,094 patent/US10312264B2/en active Active
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- 2021-10-29 JP JP2021177162A patent/JP7112580B2/ja active Active
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- 2022-07-22 JP JP2022116960A patent/JP7349539B2/ja active Active
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| DE112016004055B4 (de) | 2024-02-08 |
| KR20180048710A (ko) | 2018-05-10 |
| CN111769154A (zh) | 2020-10-13 |
| JP7349539B2 (ja) | 2023-09-22 |
| JP2022020717A (ja) | 2022-02-01 |
| JP2022140552A (ja) | 2022-09-26 |
| JP2017054112A (ja) | 2017-03-16 |
| JP2021039361A (ja) | 2021-03-11 |
| CN108369788A (zh) | 2018-08-03 |
| US20180069025A1 (en) | 2018-03-08 |
| DE112016004055T5 (de) | 2018-06-07 |
| KR20230169489A (ko) | 2023-12-15 |
| WO2017042657A1 (en) | 2017-03-16 |
| JP6970803B2 (ja) | 2021-11-24 |
| US20170069664A1 (en) | 2017-03-09 |
| JP2023166541A (ja) | 2023-11-21 |
| JP6789732B2 (ja) | 2020-11-25 |
| US9768201B2 (en) | 2017-09-19 |
| JP7112580B2 (ja) | 2022-08-03 |
| CN108369788B (zh) | 2020-08-18 |
| US10312264B2 (en) | 2019-06-04 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| A107 | Divisional application of patent | ||
| GRNT | Written decision to grant |