TW202221923A - 發光裝置、模組、電子裝置和製造發光裝置的方法 - Google Patents
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Abstract
一種可靠性高的發光裝置。提供一種在框狀地設置在發光部的外側的非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的發光裝置。在基板上形成發光元件、黏合層、以及框狀的分隔壁。以分隔壁與黏合層之間有間隔並圍繞黏合層及發光元件的方式設置分隔壁。在減壓氛圍下將一對基板重疊之後,在將一對基板暴露於大氣氛圍或加壓氛圍中時,由一對基板及分隔壁包圍的空間保持處於減壓狀態,而一對基板被大氣壓加壓。另外,在基板上形成發光元件及黏合層。在將一對基板重疊之後且在使黏合層固化之前,或者在與使黏合層固化的同時,使用具有凸部的構件對黏合層施加壓力。
Description
本發明係關於發光裝置、模組、電子裝置、以及其製造方法,尤其關於一種利用有機電致發光(Electroluminescence,也記為EL)現象的發光裝置以及其製造方法。
注意,本發明的實施方式不侷限於上述技術領域。作為本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子,包含半導體裝置、顯示裝置、發光裝置、蓄電裝置、記憶體裝置、電子裝置、照明設備、輸入裝置(例如,觸控感測器等)、輸入輸出裝置(例如,觸控面板等)、其驅動方法或者其製造方法。
近年來,發光裝置及顯示裝置被期待應用於各種用途,並被要求多樣化。
例如,用於移動設備等的發光裝置及顯示裝置需要為薄型、輕量且不易損壞等。
利用電致發光現象的發光元件(也記為“EL元件”)具有容易實現薄型輕量化;能夠高速地回應輸入信號;以及能夠使用直流低電壓電源而驅動等的特徵,由此已在研究將發光元件應用於發光裝置及顯示裝置。
例如,專利文獻1公開了在薄膜基板上具備作為切換元件的電晶體或有機電致發光元件的具有撓性的主動矩陣型發光裝置。
有機電致發光元件具有因從外部侵入的水分或氧等雜質而損害可靠性的課題。
由於水分或氧等雜質從有機電致發光元件的外部侵入到構成有機電致發光元件的有機化合物或金屬材料,有時有機電致發光元件的壽命大幅度地降低。這是因為用於有機電致發光元件的有機化合物或金屬材料與水分或氧等雜質起反應而劣化的緣故。
因此,正在對為了防止雜質的侵入密封有機電致發光元件的技術進行研發。
[專利文獻1]日本專利申請公開第2003-174153號公報
本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設
備。或者,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種具有撓性且可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種輕量的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種不易損壞的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。另外,本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種厚度薄的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
注意,上述目的的記載並不妨礙其他目的存在。注意,本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外,可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載衍生上述以外的目的。
本發明的一個實施方式是一種發光裝置,包括發光部及非發光部,其中非發光部框狀地設置在發光部的外側,並且非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的部分。非發光部也可以包括第一部分及第二部分。第一部分比第二部分靠近發光部並其厚度比第二部分薄。
本發明的一個實施方式是一種發光裝置,包括發光部及非發光部,其中非發光部框狀地設置在發光部的外側,並且非發光部包括其厚度從發光部一側向發光裝置的端部連續地減薄的部分。非發光部也可以包括第一部
分及第二部分。第一部分比第二部分靠近發光部並第一部分的厚度從發光部一側向發光裝置的端部一側減薄。第二部分的厚度從發光部一側向發光裝置的端部變厚。
發光裝置較佳為具有撓性。
發光部也可以包括發光元件及電晶體。電晶體電連接於發光元件。發光元件較佳為有機電致發光元件。
非發光部也可以包括信號線驅動電路和掃描線驅動電路中的至少一個。
本發明的一個實施方式是一種發光裝置,包括發光部及非發光部,其中發光部包括第一撓性基板、第二撓性基板、第一黏合層、第二黏合層、第一絕緣層、以及第一功能層,非發光部包括第一撓性基板、第二撓性基板、第一黏合層、第二黏合層、以及第一絕緣層,第一黏合層位於第一撓性基板與第一絕緣層之間,第二黏合層位於第二撓性基板與第一絕緣層之間,第一功能層位於第二黏合層與第一絕緣層之間,第一黏合層及第二黏合層隔著第一絕緣層彼此部分地重疊,第一功能層包括發光元件,並且在非發光部的至少一部分中,與發光部相比,第一撓性基板與第二撓性基板之間的間隔窄。非發光部也可以包括第一部分及第二部分。第一部分比第二部分靠近發光部。第一部分中的第一撓性基板與第二撓性基板之間的間隔比第二部分窄。
在第二部分中,第一撓性基板與第二撓性基
板之間的間隔可以比發光部更窄或更寬,或者可以第二部分與發光部相同。
第一部分可以框狀地設置在發光部的外側。第二部分可以框狀地設置在第一部分的外側。
在上述各結構中,發光部包括第三黏合層、第二絕緣層、以及第二功能層,非發光部包括第三黏合層及第二絕緣層,第三黏合層位於第二黏合層與第一絕緣層之間,第二絕緣層位於第二黏合層與第三黏合層之間,第一功能層及第二功能層隔著第三黏合層彼此部分地重疊,第二功能層可以包括彩色層。
非發光部的第三黏合層的厚度較佳為小於發光部的第三黏合層的厚度。發光部包括第三部分,非發光部包括第四部分,第四部分的第三黏合層的厚度小於第三部分的第三黏合層的厚度,較佳的是,第四部分的第三黏合層的厚度為第三部分的第三黏合層的厚度的二分之一,更佳的是,第三部分的第三黏合層的厚度的三分之一。明確而言,第四部分的第三黏合層的厚度為大於或等於0.1μm且小於或等於10μm,較佳為大於或等於0.1μm且小於或等於5μm,更佳為大於或等於0.1μm且小於或等於3μm。
較佳的是,發光部中的第一撓性基板的厚度與非發光部中的第一撓性基板的厚度相等,並且發光部中的第二撓性基板的厚度與非發光部中的第二撓性基板的厚度相等。在本發明的一個實施方式中,在非發光部中設置
其厚度比發光部厚度薄的部分之後,將撓性基板彼此貼合。由此能夠抑制撓性基板因被施加力量而擴張及收縮。
本發明的一個實施方式還包括適用上述結構中的任何的顯示裝置、半導體裝置、或輸入輸出裝置等的裝置。這些裝置的各功能層所包括的功能元件不同。例如,本發明的一個實施方式的顯示裝置包括作為功能元件的顯示元件。本發明的一個實施方式的半導體裝置包括作為功能元件的半導體元件。本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置包括作為功能元件的發光元件或顯示元件、以及觸控感測器。
本發明的一個實施方式是一種模組,該模組為包括適用上述結構中的任何的發光裝置、顯示裝置、半導體裝置、輸入輸出裝置,並安裝有撓性印刷電路板(Flexible Printed Circuit,以下記為FPC)或TCP(Tape Carrier Package:捲帶式封裝)等的連接器的模組,或者利用COG(Chip On Glass:玻璃上晶片)方式等安裝有積體電路(IC)的模組。
另外,本發明的一個實施方式還包括使用了上述模組的電子裝置或照明設備。例如,本發明的一個實施方式是一種電子裝置,包括上述模組、天線、電池、外殼、揚聲器、麥克風、操作開關或操作按鈕。
本發明的一個實施方式是一種包括第一至第四步驟的發光裝置的製造方法(以下,記為製造方法A),第一步驟包括在第一基板上形成發光元件的步驟,
第二步驟包括在第一基板上或第二基板上形成黏合層及分隔壁的步驟,第三步驟包括在第一氛圍下將第一基板與第二基板重疊且將發光元件配置在由分隔壁、第一基板、以及第二基板包圍的空間中的步驟,第四步驟包括在第二氛圍下使黏合層及分隔壁固化的步驟,其中,第一氛圍的壓力低於第二氛圍的壓力,並且,在第二步驟中,以分隔壁與黏合層之間有間隔並圍繞黏合層的方式形成分隔壁。
本發明的一個實施方式是一種包括第一至第六步驟的發光裝置的製造方法(以下,記為製造方法B),其中,第一步驟包括在第一基板上形成剝離層的步驟,第二步驟包括在剝離層上形成被剝離層的步驟,在第二步驟中作為被剝離層形成剝離層上的絕緣層及絕緣層上的發光元件,第三步驟包括在第一基板上或第二基板上形成黏合層及分隔壁的步驟,在第三步驟中以重疊於剝離層及被剝離層的方式形成黏合層,並且,在第三步驟中以分隔壁與黏合層之間有間隔並圍繞黏合層的方式形成分隔壁,第四步驟包括在第一氛圍下將第一基板與第二基板重疊且將發光元件配置在由分隔壁、第一基板、以及第二基板包圍的空間中的步驟,第五步驟包括在第二氛圍下使黏合層固化的步驟,第六步驟包括使第一基板與被剝離層分離的步驟,並且,第一氛圍的壓力低於第二氛圍的壓力。
在製造方法B中,較佳的是,在第五步驟中在使黏合層固化之前或在與使黏合層固化的同一個步驟中使分隔壁固化。
在製造方法A、B中,例如,第一氛圍可以為減壓氛圍,並且第二氛圍可以為大氣氛圍或加壓氛圍。
此外,本發明的一個實施方式是一種包括第一至第五步驟的發光裝置的製造方法(以下,記為製造方法C),第一步驟包括在第一基板上形成發光元件的步驟,第二步驟包括在第一基板上或第二基板上形成黏合層的步驟,第三步驟包括重疊第一基板與第二基板,且由黏合層、第一基板、以及第二基板包圍發光元件的步驟,第四步驟包括使用具有凸部的構件對黏合層施加壓力的步驟,第五步驟包括使黏合層固化的步驟。
較佳的是,在製造方法C中,同時進行第四步驟與第五步驟。
在製造方法C中,第二步驟可以包括在第一基板上或第二基板上形成分隔壁的步驟。分隔壁以圍繞黏合層的方式設置。使分隔壁固化的步驟較佳在第三步驟與第四步驟之間進行。
此外,本發明的一個實施方式是一種包括第一至第七步驟的發光裝置的製造方法(以下,記為製造方法D),第一步驟包括在第一基板上形成剝離層的步驟,第二步驟包括在剝離層上形成被剝離層的步驟,在第二步驟中,作為被剝離層形成剝離層上的絕緣層及絕緣層上的發光元件,第三步驟包括在第一基板上或第二基板上形成黏合層的步驟,在第三步驟中,以重疊於剝離層及被剝離層的方式形成黏合層,第四步驟包括將第一基板與第二基
板重疊且由黏合層、第一基板、以及第二基板包圍發光元件的步驟,第五步驟包括使用具有凸部的構件對黏合層施加壓力的步驟,第六步驟包括使黏合層固化的步驟,第七步驟包括使第一基板與被剝離層分離的步驟。
較佳的是,在製造方法D中,同時進行第五步驟與第六步驟。
在製造方法D中,第三步驟可以包括在第一基板上或第二基板上形成分隔壁的步驟。分隔壁以圍繞黏合層的方式設置。使分隔壁固化的步驟較佳在第四步驟與第五步驟之間進行。
本發明的一個實施方式可以提供一種具有撓性且可靠性高的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
本發明的一個實施方式能夠提供一種新穎發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個實施方式能夠提供一種輕量的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個實施方式能夠提供一種不易損壞的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。本發明的一個實施方式能夠提供一種薄型的發光裝置、顯示裝置、電子裝置或照明設備。
注意,這些效果的記載不妨礙其他效果的存在。此外,本發明的一個實施方式並不需要達到所有上述效果。另外,可以從說明書、圖式、申請專利範圍的記載衍生上述以外的效果。
10:發光裝置
201:形成用基板
203:剝離層
204:功能層
205:絕緣層
206:功能層
207:黏合層
208:導電層
209:分隔壁
221:形成用基板
223:剝離層
225:絕緣層
226:功能層
242:分隔壁
244:暫時密封層
246:凸部
251:基板
253:黏合層
254:黏合層
256:功能層
257:黏合層
259:基板
301:顯示部
302:像素
302B:子像素
302G:子像素
302R:子像素
302t:電晶體
303c:電容器
303g(1):掃描線驅動電路
303g(2):成像像素驅動電路
303s(1):影像信號線驅動電路
303s(2):成像信號線驅動電路
303t:電晶體
304:閘極
308:成像像素
308p:光電轉換元件
308t:電晶體
309:FPC
311:佈線
319:端子
321:絕緣層
328:分隔壁
329:隔離體
350R:發光元件
351R:下部電極
352:上部電極
353:電致發光層
353a:電致發光層
353b:電致發光層
354:中間層
360:黏合層
367BM:遮光層
367p:反射防止層
367R:彩色層
390:輸入輸出裝置
501:顯示部
505:輸入輸出裝置
505B:輸入輸出裝置
509:FPC
589:絕緣層
590:撓性基板
591:電極
592:電極
593:絕緣層
594:佈線
595:觸控感測器
597:黏合層
598:佈線
599:連接層
701:撓性基板
703:黏合層
705:絕緣層
711:撓性基板
713:黏合層
715:絕緣層
804:發光部
806:驅動電路部
808:FPC
814:導電層
815:絕緣層
817:絕緣層
817a:絕緣層
817b:絕緣層
820:電晶體
821:絕緣層
822:黏合層
823:隔離體
824:電晶體
825:連接器
830:發光元件
831:下部電極
832:光學調整層
833:電致發光層
835:上部電極
845:彩色層
847:遮光層
849:保護層
856:導電層
857:導電層
857a:導電層
857b:導電層
2000a:上板
2000b:下板
2005a:緩衝材料
2005b:緩衝材料
2100a:基板
2100b:基板
2101:基板
2102:凸部
2102a:凸部
2102b:凸部
4001:第一基板
4002:發光部
4003:信號線驅動電路
4004:掃描線驅動電路
4005:區域
4006:第二基板
4018:FPC
4018a:FPC
4018b:FPC
7000:顯示部
7001:顯示部
7100:行動電話機
7101:外殼
7103:操作按鈕
7104:外部連接埠
7105:揚聲器
7106:麥克風
7200:電視機
7201:外殼
7203:支架
7211:遙控器
7300:可攜式資訊終端
7301:外殼
7302:操作按鈕
7303:資訊
7304:資訊
7305:資訊
7306:資訊
7310:可攜式資訊終端
7320:可攜式資訊終端
7400:照明設備
7401:底座
7402:發光部
7403:操作開關
7410:照明設備
7412:發光部
7420:照明設備
7422:發光部
7500:可攜式資訊終端
7501:外殼
7502:取出構件
7503:操作按鈕
7600:可攜式資訊終端
7601:外殼
7602:鉸鏈
7650:可攜式資訊終端
7651:非顯示部
7700:可攜式資訊終端
7701:外殼
7703a:按鈕
7703b:按鈕
7704a:揚聲器
7704b:揚聲器
7705:外部連接埠
7706:麥克風
7709:電池
7800:可攜式資訊終端
7801:錶帶
7802:輸入輸出端子
7803:操作按鈕
7804:圖示
7805:電池
9700:汽車
9701:車體
9702:車輪
9703:儀表板
9704:燈
9710:顯示部
9711:顯示部
9712:顯示部
9713:顯示部
9714:顯示部
9715:顯示部
9721:顯示部
9722:顯示部
9723:顯示部
9801:外殼
9802:外殼
9803:顯示部
9804:顯示部
9805:麥克風
9806:揚聲器
9807:操作鍵
9808:觸控筆
9821:外殼
9822:顯示部
9823:鍵盤
9824:指向裝置
圖1A至1D是說明發光裝置的例子的圖;
圖2A至2D是說明發光裝置的例子的圖;
圖3A至3F是說明發光裝置的例子的圖;
圖4A至4D是說明發光裝置的例子的圖;
圖5A至5E是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖6A和6B是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖7A和7B是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖8A至8D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖9A至9D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖10A和10B是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖11A至11C是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖12A至12D是說明發光裝置的例子的圖;
圖13A至13D是說明發光裝置的例子的圖;
圖14A和14B是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖15A至15D是說明發光裝置的例子的圖;
圖16A至16D是說明發光裝置的例子的圖;
圖17A至17C是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖18A至18D是說明發光裝置的例子的圖;
圖19A至19D是說明發光裝置的製造方法的例子的圖;
圖20A至20D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖21A至21D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖22A至22D是說明發光裝置的製造方法的一個例子的圖;
圖23A1、23A2、23B1、23B2、以及23C是說明發光裝置的例子的圖;
圖24A和24B是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖25A和25B是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖26A至26D是說明發光裝置的例子的圖;
圖27A和27B是說明發光裝置的例子的圖;
圖28是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖29A和29B是說明發光裝置的例子的圖;
圖30A和30B是說明發光裝置的例子的圖;
圖31A和31B是說明發光裝置的例子的圖;
圖32是說明發光裝置的一個例子的圖;
圖33A至33C是說明輸入發光裝置的一個例子的圖;
圖34A和34B是說明輸入輸出裝置的一個例子的圖;
圖35A和35B是說明輸入輸出裝置的例子的圖;
圖36A至36C是說明輸入輸出裝置的例子的圖;
圖37A至37C是說明輸入輸出裝置的例子的圖;
圖38A、38B、38C1、38C2、38D、38E、38F、38G、以及38H是說明電子裝置及照明設備的例子的圖;
圖39A1、39A2、以及39B至39I是說明電子裝置的例子的圖;
圖40A至40E是說明電子裝置的例子的圖;
圖41A至41C是說明實施例1的樣本的製造方法的圖;
圖42A和42B是展示實施例1的結果的照片;
圖43A至43C是實施例2的發光裝置的剖面觀察的結果的照片;
圖44A和44B是實施例2的發光裝置的剖面觀察的結果的照片;
圖45A至45C是說明實施例3的發光裝置及其製造方法的圖;
圖46A和46B是說明實施例3的發光裝置的製造方法的圖;
圖47A至47E是展示實施例3的發光裝置的發光狀態的照片。
參照圖式對實施方式進行詳細說明。注意,本發明不侷限於以下說明,而所屬技術領域具有通常知識者可容易地理解,在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以進行各種各樣的變換與改變。因此,本發明不應該被解釋為僅侷限在以下所示的實施方式所記載的內容中。
注意,在下面說明的發明結構中,在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分,而省略重複說明。此外,當表示具有相同功能的部分時有時使用相同的陰影線,而不特別附加元件符號。
另外,為了便於理解,有時圖式中說明的各構成的位置、大小及範圍等並不表示其實際的位置、大小及範圍等。因此,所公開的本發明並不必然限於圖式中公開的位置、尺寸、範圍等。
另外,根據情況或狀態,可以互相調換名詞“膜”和“層”。例如,可以將名詞“導電層”變換為名詞“導電膜”。此外,可以將名詞“絕緣膜”變換為名詞“絕緣層”。
實施方式1
在本實施方式中,參照圖1A至圖23C說明本發明的一個實施方式的發光裝置及其製造方法。
在本實施方式中雖然主要例示出使用有機電
致發光元件的發光裝置,但是本發明的一個實施方式不侷限於此。本發明的一個實施方式還包括實施方式2所例示出的使用其它發光元件或顯示元件的發光裝置或顯示裝置。另外,本發明的一個實施方式不侷限於發光裝置及顯示裝置,而可以適用於半導體裝置、輸入輸出裝置等各種裝置。
構成發光裝置的功能元件(發光元件或電晶體等)有時由於從外部侵入的水分等的雜質而劣化,導致其可靠性的降低。藉由由一對氣體阻隔性高的層(基板或絕緣膜等)之間的功能元件,能夠抑制來自發光裝置的厚度方向(換言之,從發光面及與發光面相對的面而侵入)的雜質的侵入。另一方面,在發光裝置的側面上,用來密封發光元件或電晶體的黏合層露出於大氣中。例如,在作為黏合層使用樹脂的情況下,與使用玻璃熔塊等的情況相比,有抗衝擊性或耐熱性高並由於外力等而變形也不易損壞的優點。另一方面,在一些情況下,樹脂的氣體阻隔性、防水性、或防濕性不足夠。
有鑑於上述,在本發明的一個實施方式的發光裝置中,採用在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的結構。發光裝置包括發光部及非發光部,非發光部以框狀地設置在發光部的外側。
在從發光裝置的側面侵入水分等的雜質的情況下,若發光裝置(黏合層)包括其厚度比其他部分薄的區域,雜質就不容易穿過該區域。其結果,與發光裝置
(黏合層)具有平均厚度的情況相比,雜質不容易到達功能元件,而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。
如此,由於改變發光裝置的形狀(或黏合層的厚度)能夠提高可靠性,可以擴大用於黏合層的材料的選擇範圍。藉由作為黏合層使用樹脂,可以提高發光裝置的撓性或彎曲耐性。
另外,其厚度比其他部分薄的區域也可以局部地設置在非發光部中。或者,其厚度也可以連續地(平滑地)從非發光部中的發光部一側向發光裝置的端部減薄。
簡單地說明本發明的一個實施方式的發光裝置的兩種製造方法。
〈製造方法a〉
首先,準備第一基板及第二基板。接著,第一基板上形成發光元件。接著,在第一基板上或第二基板上形成黏合層及分隔壁。以分隔壁與黏合層之間有間隔並圍繞黏合層及發光元件的方式設置分隔壁。
接著,在第一氛圍下重疊第一基板與第二基板,並且將發光元件及黏合層配置在由分隔壁、第一基板、以及第二基板包圍的空間中。例如,在第一氛圍為減壓氛圍的情況下,由分隔壁、第一基板、以及第二基板包圍的空間處於減壓狀態。注意,因為黏合層與分隔壁中間留有間隔,所以在該空間中產生中空部分。
接著,將第一基板及第二基板暴露於第二氛圍中。例如,在第二氛圍為大氣氛圍的情況下,一對基板被大氣壓加壓。並且,黏合層向基板的端部擴張,黏合層填充在分隔壁與黏合層之間的中空部分。由此,在發光裝置的端部設置其厚度比中央部分的厚度薄的部分。注意,第二氛圍的壓力比第一氛圍高即可。
然後,使黏合層及分隔壁固化。在本發明的一個實施方式中,在其壓力比第一氛圍高的氛圍下使黏合層和分隔壁中的至少一個固化即可。藉由在其壓力比第一氛圍高的氛圍下使黏合層及分隔壁的兩者固化,可以在發光裝置中確實地形成其厚度充分薄的部分,這是較佳的。藉由上述步驟,可以製造在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的發光裝置。
〈製造方法b〉
首先,準備第一基板及第二基板。接著,第一基板上形成發光元件。接著,在第一基板上或第二基板上形成黏合層。
接著,重疊第一基板與第二基板,並且由黏合層、第一基板、以及第二基板包圍發光元件。
並且,在黏合層完全被固化之前,對非發光部的至少一部分施加壓力,在非發光部中形成其厚度比發光部的厚度薄的部分。
例如,使用具有凸部的第三基板,可以對非
發光部的至少一部分施加壓力。明確而言,以凸部重疊於非發光部的方式將第三基板與非發光部重疊。並且,對第一基板、第二基板、以及第三基板的疊層結構進行加壓。由此,非發光部中的重疊於凸部的部分及其附近被壓扁,而黏合層的厚度成為比其他部分的厚度薄的厚度,可以在發光裝置的非發光部中設置其厚度比發光部的厚度薄的第一部分。注意,非發光部也可以在厚度薄的第一部分的外側包括其厚度比第一部分的厚度厚的第二部分。在第二部分及發光部中,發光裝置的厚度沒有哪個厚或哪個薄的限制,第二部分可以具有比發光部的厚度厚或薄的厚度,或者可以具有與發光部的厚度相同的厚度。
在進行加壓的同時,或者在進行加壓之後,使黏合層固化。藉由使黏合層固化,可以由黏合層、第一基板及第二基板密封發光元件。藉由上述步驟,可以製造非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的結構的發光裝置。
以下例示出本發明的一個實施方式的發光裝置的結構及製造方法。首先,對藉由上述製造方法a可以製造的結構例子a-1、a-2、以及a-3進行說明。接著,對結構例子a-2及結構例子a-3的詳細的製造方法進行說明。接著,對藉由上述製造方法b可以製造的結構例子b-1、b-2、以及b-3進行說明。最後,對結構例子b-1、b-2、以及b-3的詳細的製造方法分別進行說明。注意,在各結構例子及各製造方法中,關於與先例示出的結構例子
或製造方法相同的部分,省略重複的詳細說明。
〈結構例子a-1〉
在圖1A中說明發光裝置的俯視圖。圖1B說明圖1A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖1C說明圖1B的變形例子。圖1D說明圖1A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
圖1A所示的發光裝置包括發光部804及驅動電路部806。在發光裝置中,除了發光部804以外的部分都可以稱為非發光部。因此,可以說非發光部框狀地設置在發光部804的外側。例如,驅動電路部806是非發光部的一部分。
圖1A至1D所示的發光裝置包括基板251、功能層204、功能層206、黏合層207、導電層208、以及基板259。
在發光部804中基板251上設置有功能層206。
功能層206包括發光元件,也可以包括電晶體或電容元件等。
作為發光元件,可以使用能夠進行自發光的元件,並且在發光元件的範疇內包括由電流或電壓控制亮度的元件。例如,可以使用發光二極體(LED)、有機電致發光元件以及無機電致發光元件等。發光元件可以採用頂部發射結構、底部發射結構或雙面發射結構。
在驅動電路部806中,基板251上設置有功
能層204。
功能層204包括電晶體。再者,也可以包括電容元件、電阻元件、或切換元件等。在本發明的一個實施方式的發光裝置中,作為驅動電路部也可以包括信號線驅動電路和掃描線驅動電路中的至少一個。此外,本發明的一個實施方式的發光裝置也可以不包括驅動電路部。
經由來自外部的信號(視訊信號、時脈信號、啟動信號或重設信號等)或電位傳達給驅動電路部806,導電層208電連接至外部輸入端子。在圖1B及1C中,導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。
使用黏合層207將基板251與基板259貼合。
作為基板,可以使用玻璃、石英、有機樹脂、金屬、合金等材料。提取發光元件的光一側的基板使用使該光透過的材料而形成。
可以使用撓性基板。例如,可以使用有機樹脂或其厚度夠薄以具有撓性的程度的玻璃、金屬、合金。
由於有機樹脂的比重小於玻璃,因此藉由作為撓性基板使用有機樹脂,與作為撓性基板使用玻璃的情況相比,能夠使發光裝置的重量更輕,所以是較佳的。
作為基板較佳為使用韌性高的材料。由此,能夠實現抗衝擊性高且不易損壞的發光裝置。例如,藉由使用有機樹脂基板、厚度薄的金屬基板或合金基板,與使用玻璃基板的情況相比,能夠實現輕量且不易損壞的發光
裝置。
由於金屬材料及合金材料的熱傳導率高,並且容易將熱量傳到基板整體,因此能夠抑制發光裝置的局部的溫度上升,所以是較佳的。使用金屬材料或合金材料的基板的厚度較佳為大於或等於10μm且小於或等於200μm,更佳為大於或等於20μm且小於或等於50μm。
對構成金屬基板或合金基板的材料沒有特別的限制,例如,較佳為使用鋁、銅、鎳、鋁合金或不鏽鋼等金屬的合金等。
另外,當作為基板使用熱發射率高的材料時,能夠抑制發光裝置的表面溫度上升,從而能夠抑制發光裝置的損壞及可靠性的下降。例如,基板也可以採用金屬基板與熱發射率高的層(例如,可以使用金屬氧化物或陶瓷材料來形成層)的疊層結構。
作為具有撓性以及透光性的材料,例如包含如下材料:聚酯樹脂諸如聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)及聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)等、聚丙烯腈樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚甲基丙烯酸甲酯樹脂、聚碳酸酯(PC)樹脂、聚醚碸(PES)樹脂、聚醯胺樹脂(尼龍、芳族聚醯胺等)、聚環烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚氯乙烯樹脂或聚四氟乙烯(PTFE)樹脂等。尤其較佳為使用線膨脹係數低的材料,例如較佳為使用聚醯胺-醯亞胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂以及PET等。另外,也可以使用將樹脂浸滲於纖維體中的基板(也
稱為預浸料)或將無機填料混合到有機樹脂中來降低線膨脹係數的基板。
另外,作為基板,也可以使用將紙漿加工為連續的薄片的透明不織布、具有包含被稱為蠶絲蛋白(Fibroin)的蛋白質的人造蜘蛛絲纖維的薄片、混合該透明不織布或該薄片與樹脂的複合體、由纖維寬度為大於或等於4nm且小於或等於100nm的纖維素纖維構成的不織布與樹脂膜的疊層體、包含人造蜘蛛絲纖維的薄片與樹脂膜的疊層體。
如圖1B至1D所示,在發光部804中,發光裝置的厚度(或黏合層207的厚度)均勻(大致均勻)。另一方面,非發光部包括厚度較薄的區域。換言之,與發光部804相比,非發光部包括基板251與基板259之間的間隔窄的部分。如此,由於發光裝置的端部的厚度比發光部804等的厚度薄,所以能夠抑制水分或氧等雜質侵入到發光裝置內部。
另外,圖1B說明非發光部中的設置有驅動電路部806及導電層208的部分不包括其厚度比發光部的厚度薄的區域的例子。從發光部804的與驅動電路部806鄰接的邊到發光裝置的端部的最短距離長於從發光部804的其他邊到發光裝置的其他端部的最短距離,而在發光裝置中的設置有驅動電路部806的一側雜質不容易到達發光元件等。在此情況下,即使在非發光部中,也可以不設置其厚度比發光部的厚度薄的部分。由此,能夠抑制構成驅動
電路部806的元件由於彎曲而劣化。另外,可以確實地使導電層208與FPC808電導通。另外,在本發明的一個實施方式中,非發光部可以包括其厚度比發光部的厚度薄的框狀的部分。圖1C說明非發光部中的設置有驅動電路部806及導電層208的部分也包括其厚度比發光部的厚度薄的區域的例子。
另外,如圖2A及2B所示的圖1A中的點劃線A1-A2間的剖面圖與點劃線A3-A4間的剖面圖的組合那樣,在發光裝置的四邊中的兩邊中,非發光部也可以包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。此外,如圖2C及2D所示的圖1A中的點劃線A1-A2間的剖面圖與點劃線A3-A4間的剖面圖的組合那樣,在發光裝置的四邊中的一邊中,非發光部也可以包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。
雖然在結構例子a-1中說明在基板251上直接設置有功能層206的例子,但是本發明的一個實施方式不侷限於此。如下面的結構例子a-2及a-3所示,可以將在形成用基板上形成的功能層206轉置到基板251上。藉由利用該方法,例如可以將在耐熱性高的形成用基板上形成的被剝離層轉置到耐熱性低的基板,且被剝離層的製造溫度不會因耐熱性低的基板受到限制。藉由將被剝離層轉置到比形成用基板更輕、更薄或者撓性更高的基板等,能夠實現發光裝置的輕量化、薄型化、撓性化。
〈結構例子a-2〉
圖3A說明圖1A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖3B說明圖1A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
圖3A及3B所示的發光裝置包括基板251、黏合層253、功能層204、絕緣層205、功能層206、黏合層207、導電層208、以及基板259。
在發光部804中,在絕緣層205上設置有功能層206。使用黏合層253將基板251與絕緣層205貼合。
作為絕緣層205,較佳為使用氣體阻隔性佳、防水性佳、或防濕性佳等的絕緣層。
可使用作為防濕性高的絕緣層,包含氮化矽膜、氮氧化矽膜等含有氮與矽的膜以及氮化鋁膜等含有氮與鋁的膜等。另外,還可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等。
例如,將防濕性高的絕緣層的水蒸氣透過量設定為1×10-5[g/(m2.day)]以下,較佳為1×10-6[g/(m2.day)]以下,更佳為1×10-7[g/(m2.day)]以下,進一步較佳為1×10-8[g/(m2.day)]以下。
在驅動電路部806中,在絕緣層205上設置有功能層204。
導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。
使用黏合層207將基板251與基板259貼
合。另外,如圖3C所示,除了黏合層207以外,還可以使用黏合層253將基板251與基板259貼合。例如,可以基板259的端部與黏合層253接觸。
再者,可以將黏合層253延伸到基板251和基板259中的至少一個的端部的外側。由此,黏合層253可以覆蓋基板251和基板259中的至少一個的側面。圖3D說明黏合層253接觸於基板251的端部及基板259的端部的例子。黏合層253的端部位於基板251的端部及基板259的端部的外側。此外,圖3E說明黏合層253接觸於基板251的端部的例子。
此外,除了黏合層207及黏合層253以外,可使用黏合層254,以覆蓋基板251和基板259中的至少一個的側面。
〈結構例子a-3〉
圖4A說明發光裝置的俯視圖。圖4B說明圖4A中的點劃線B1-B2間的剖面圖。圖4C說明圖4B的變形例子。圖4D說明圖4A中的點劃線B3-B4間的剖面圖。
圖4A所示的發光裝置包括發光部804及驅動電路部806。在發光裝置中,除了發光部804以外的部分都可以被稱為非發光部。因此,可以說非發光部框狀地設置在發光部804的外側。例如,驅動電路部806是非發光部的一部分。
圖4A至4D所示的發光裝置包括基板251、
黏合層253、功能層204、絕緣層205、功能層206、黏合層207、導電層208、絕緣層225、功能層256、黏合層257、以及基板259。
發光部804包括功能層206及功能層256。功能層206比黏合層207靠近基板251一側地設置,功能層256比黏合層207靠近基板259一側地設置。
作為功能層256,例如包含彩色層(彩色濾光片等)或遮光層(黑矩陣等)。或者,作為功能層256,可以包括觸控感測器等的感測器。
使用黏合層253將基板251與絕緣層205貼合。使用黏合層257將基板259與絕緣層225貼合。作為絕緣層205或絕緣層225,較佳為使用氣體阻隔性佳、防水性佳、或防濕性佳等的絕緣層。
導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。與結構例子a-1及a-2不同,結構例子a-3說明基板251與基板259的大小相同的例子。藉由在基板259、黏合層257、絕緣層225、以及黏合層207中設置開口,可以使導電層208與連接器825連接。
使用黏合層207將基板251與基板259貼合。
另外,在圖4B中,雖然說明在發光裝置中的設置有驅動電路部806一側,非發光部不包括其厚度比發光部的厚度薄的區域的例子,但是如圖4C所示,也可以在發光裝置中的設置有驅動電路部806一側,非發光部包
括其厚度比發光部的厚度薄的區域。由此能夠進一步抑制水分或氧等雜質侵入到發光裝置的內部。
(結構例子a-2的製造方法的例子〉
參照圖5A至圖7B例說明上述結構例子a-2的製造方法。圖5A至圖7B說明每個步驟中的點劃線A3-A4方向(參照圖1A)的剖面結構。
首先,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205,在絕緣層205上形成功能層206(圖5A)。另外,可以將絕緣層205及功能層206一併地稱為被剝離層。
雖然在此說明形成島狀的剝離層的例子,但是本發明的實施例不侷限於此。另外,可以將絕緣層205形成為島狀。在該步驟中選擇在使形成用基板201與絕緣層205分離時在形成用基板201與剝離層203的介面處、剝離層203與絕緣層205的介面處、或者剝離層203中產生分離的材料。在本實施方式中,雖然例示出在絕緣層205與剝離層203的介面產生分離的情況,但是根據用於剝離層203或絕緣層205的材料的組合,本發明的實施例產生分離的位置並不侷限於此。
作為形成用基板201,使用至少可承受步驟中的處理溫度的耐熱性的基板。作為形成用基板201,例如可以使用玻璃基板、石英基板、藍寶石基板、半導體基板、陶瓷基板、金屬基板、樹脂基板以及塑膠基板等。
為了提高大量生產性,作為形成用基板201較佳為使用大型玻璃基板。例如,可以使用大於或等於第3代(550mm×650mm),小於或等於第10代(2950mm×3400mm)的玻璃基板,或者,可以使用比第10代更大尺寸的玻璃基板等。
在作為形成用基板201使用玻璃基板的情況下,在形成用基板201與剝離層203之間作為基底膜形成氧化矽膜、氧氮化矽膜、氮化矽膜、或氮氧化矽膜等絕緣膜時,可以防止來自玻璃基板的污染,所以是較佳的。
剝離層203可以使用選自如下材料形成:鎢、鉬、鈦、鉭、鈮、鎳、鈷、鋯、鋅、釕、銠、鈀、鋨、銥、矽中的元素;包含任一元素的合金材料;或者包含任一元素的化合物材料等。包含矽的層的結晶結構可以為非晶、微晶或多晶。此外,也可以使用氧化鋁、氧化鎵、氧化鋅、二氧化鈦、氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物或In-Ga-Zn氧化物等金屬氧化物。當將鎢、鈦、鉬等高熔點金屬材料形成剝離層203時,絕緣層205及功能層206的形成步驟的彈性得到提高,所以是較佳的。
剝離層203例如可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法(包括旋塗法、液滴噴射法、分配法等)、印刷法等形成。剝離層203的厚度例如為大於或等於1nm且小於或等於200nm,較佳為大於或等於10nm且小於或等於100nm。
當剝離層203採用單層結構時,較佳為形成
鎢層、鉬層或者包含鎢和鉬的混合物的層。另外,也可以形成包含鎢的氧化物或氧氮化物的層、包含鉬的氧化物或氧氮化物的層、或者包含鎢和鉬的混合物的氧化物或氧氮化物的層。此外,鎢和鉬的混合物例如相當於鎢和鉬的合金。
另外,當作為剝離層203形成包含鎢的層和包含鎢的氧化物的層的疊層結構時,可以藉由先形成包含鎢的層且在其上層形成由氧化物形成的絕緣膜,來使包含鎢的氧化物的層形成在鎢層與絕緣膜的介面。此外,也可以對包含鎢的層的表面進行熱氧化處理、氧電漿處理、一氧化二氮(N2O)電漿處理、使用具氧水等氧化性高的溶液的處理等形成包含鎢的氧化物的層。另外,電漿處理或加熱處理可以在單獨使用氧、氮、一氧化二氮的氛圍下或者在上述氣體和其他氣體的混合氣體氛圍下進行。藉由進行上述電漿處理或加熱處理來改變剝離層203的表面狀態,由此可以控制剝離層203和絕緣層205之間的黏合性。
另外,當能夠在形成用基板與被剝離層的介面進行剝離時,也可以不設置剝離層。例如,作為形成用基板使用玻璃基板,以接觸於玻璃基板的方式形成聚醯亞胺、聚酯、聚烯烴、聚醯胺、聚碳酸酯以及丙烯酸樹脂等有機樹脂。接著,藉由進行雷射照射及加熱處理,提高形成用基板與有機樹脂之間的黏合性。並且,在該有機樹脂上形成絕緣層、功能層等。然後,藉由以比前面的雷射照
射高的能量密度進行雷射照射或者以比前面的加熱處理高的溫度進行加熱處理,可以在形成用基板與有機樹脂的介面處進行剝離。此外,當剝離時,也可以藉由將液體浸透到形成用基板與有機樹脂的介面進行分離。
在該方法中,由於在耐熱性低的有機樹脂上形成絕緣膜及電晶體等,因此在步驟中不易對基板施加高溫度。在此,因為使用氧化物半導體的電晶體並不必須要在高溫下形成,所以可以有利地在有機樹脂上形成。
另外,既可以將該有機樹脂用作構成裝置的基板,又可以去除該有機樹脂並使用黏合劑將所露出的面與其他基板貼合。
或者,也可以藉由在形成用基板與有機樹脂之間設置金屬層,並且藉由使電流流過該金屬層加熱該金屬層,在金屬層與有機樹脂的介面進行剝離。
絕緣層205較佳為使用氮化矽膜、氧氮化矽膜、氧化矽膜或氮氧化矽膜等任一並以單層或疊層形成。
絕緣層205可以藉由濺射法、電漿CVD法、塗佈法或印刷法等形成,例如藉由採用電漿CVD法在高於或等於250℃且低於或等於400℃的溫度下形成絕緣層205,可以形成緻密且防濕性極高的膜。注意,較佳的是,絕緣層205的厚度為大於或等於10nm且小於或等於3000nm,更佳為大於或等於200nm且小於或等於1500mm。
在本實施方式中,至少製造作為功能層206
的發光元件(有機電致發光元件)。除此之外,也可以製造電晶體、電容元件等。此外,也可以製造發光元件以外的顯示元件。此外,也可以製造彩色層或遮光層。
接著,在形成用基板201或基板259上形成黏合層207及分隔壁209。
黏合層207及分隔壁209分別可以形成在形成用基板201和基板259中的任一個上,既可以在多個基板其中之一上形成黏合層207及分隔壁209的兩者,又可以在一個基板上形成黏合層207且在另一個基板上形成分隔壁209。
較佳的是,以黏合層207重疊於剝離層203及絕緣層205的方式形成黏合層207。由此,形成用基板201的剝離產量得到提高。在基板259上形成黏合層207的情況下,在後面步驟中將形成用基板201與基板259重疊時,黏合層207重疊於剝離層203及絕緣層205即可。
如圖5B所示,黏合層207的端部較佳為位於剝離層203的端部的內側。或者,黏合層207的端部也可以重疊於剝離層203的端部。由此,可以抑制形成用基板201與基板259緊緊黏合在一起,從而能夠抑制後面的剝離步驟的良率的降低。
此外,以分隔壁209與黏合層207之間有間隔並圍繞黏合層207的方式框狀地形成分隔壁209。在與形成黏合層207的基板不同的基板上形成分隔壁209的情況下,在後面步驟中將形成用基板201與基板259重疊
時,可以使分隔壁209與黏合層207之間有間隔並圍繞黏合層207。
黏合層207及分隔壁209的厚度分別例如為大於或等於1μm且小於或等於200μm,較佳為大於或等於1μm且小於或等於100μm,更佳為大於或等於1μm且小於或等於50μm,即可。
對黏合層207及分隔壁209的形成方法沒有特別的限制,例如分別可以使用液滴噴射法、印刷法(網版印刷法及平板印刷法等)、塗佈法如旋塗法或噴塗法等、浸漬法、分配器法或者奈米壓印法等。
作為分隔壁209可以使用與黏合層207相同的材料。作為分隔壁209較佳為使用其黏度比黏合層207高的材料。在用於分隔壁209的材料的黏度高時,能夠抑制來自大氣的水分等雜質的侵入,這是較佳的。
作為黏合層207及分隔壁209,例如分別可以使用紫外線固化黏合劑等光固化黏合劑、反應固化黏合劑、熱固性黏合劑、厭氧黏合劑等各種固化黏合劑等。作為這些黏合劑,包含環氧樹脂、丙烯酸樹脂、矽酮樹脂、酚醛樹脂、聚醯亞胺樹脂、醯亞胺樹脂、PVC(聚氯乙烯)樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)樹脂、EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)樹脂等。尤其較佳為使用環氧樹脂等透濕性低的材料。
另外,在上述樹脂中也可以包含乾燥劑。例如,可以使用鹼土金屬的氧化物(氧化鈣或氧化鋇等)藉
由化學吸附吸附水分的物質。或者,也可以使用沸石或矽膠等藉由物理吸附來吸附水分的物質。當包含乾燥劑時,能夠抑制因大氣中的水分侵入而導致的功能元件的劣化,從而提高發光裝置的可靠性,所以是較佳的。
此外,在上述樹脂中也可以包含均化劑(Leveling agent)或介面活性劑。
藉由對上述樹脂添加均化劑或介面活性劑,可以降低樹脂表面的表面張力且提高樹脂的潤濕性。潤濕性越高,可以越均勻地塗佈樹脂。由此,能夠抑制貼合一對基板時的氣泡的混入,可以成為不容易發生黏合層的黏結失效或黏合層與被黏合層之間的介面破壞的結構。另外,能夠抑制發光裝置的顯示不良。
作為均化劑或介面活性劑,使用不給發光元件等帶來不良影響的材料。例如,可以使用對環氧樹脂添加大於或等於0.01wt%且小於或等於0.5wt%的氟類均化劑的材料。
此外,因為藉由在上述樹脂中混合折射率高的填料或光散射構件可以提高發光元件的光提取效率。例如,可以使用氧化鈦、氧化鋇、沸石、鋯等。
接著,在減壓氛圍下,將形成用基板201與基板259重疊,並且將功能層206配置在由分隔壁209、形成用基板201、以及基板259包圍的空間中(圖5B)。由此,該空間處於減壓狀態。另外,因為黏合層207與分隔壁209之間有間隔,所以在黏合層207與分隔壁209之
間形成中空部分。
接著,將形成用基板201及基板259暴露於大氣氛圍中。由此,形成用基板201及基板259被大氣壓加壓。並且,黏合層207向發光裝置的端部擴張,黏合層207填充中空部分。由此,在發光裝置的端部設置其厚度比中央部分的厚度薄的部分(圖5C)。另外,在作為黏合層207使用其黏度比分隔壁209低的材料時,在本步驟中黏合層207充足地擴張,所以是較佳的。
另外,為了避免基板之間的距離過縮小,功能層206較佳為包括隔離體(例如,參照實施方式2例示出的隔離體823(圖26B))。
並且,使黏合層207及分隔壁209固化。在大氣氛圍或加壓氛圍下進行黏合層207及分隔壁209的固化即可。
因為藉由使分隔壁209固化,容易保持發光裝置內部的減壓狀態,所以較佳在使黏合層207固化的步驟之前進行使分隔壁209固化的步驟。或者,也可以在同一個步驟中使分隔壁209和黏合層207固化。
例如,在將光硬化性樹脂用於分隔壁209且將熱固性樹脂用於黏合層207的情況下,較佳的是,首先藉由光照射使分隔壁209固化,然後藉由加熱使黏合層207固化。另外,在將熱固性樹脂用於分隔壁209及黏合層207的兩者的情況下,藉由加熱同時使分隔壁209及黏合層207固化即可。
分隔壁209或黏合層207的固化時間越短,發光裝置的製造時間越短,所以是較佳的。例如,在將熱固性樹脂用於黏合層207時,雖然藉由提高加熱溫度來使固化時間縮短,但是有時在樹脂中發生大量的氣泡,因此降低發光裝置的良率。因此,在本發明的一個實施方式中,同時進行加壓和加熱。由此即使提高加熱溫度也能夠抑制發生氣泡。例如,可以藉由利用加壓消泡機(高壓釜等)使樹脂固化。
例如,關於在40℃下進行固化時需要大約12小時的加熱的樹脂,在不進行加壓並在80℃下進行1小時的加熱時發生氣泡,然而藉由在0.5Mpa並80℃下進行1小時的加熱,能夠抑制發生氣泡且在短時間內使樹脂固化。藉由同時進行加熱和加壓,可以將在貼合時發生的氣泡溶於樹脂中。另外,也可以去除加熱及加壓之前發生了的氣泡。注意,在進行加熱之後,在大氣壓並室溫下保存樹脂,也不發生氣泡。
關於同時進行加壓和加熱使黏合層固化的步驟,還可以應用於使黏合層207固化的步驟以外的步驟。
接著,較佳為形成剝離起點(也可以稱為剝離觸發)。將剝離起點形成在黏合層207與剝離層203重疊的區域中。
藉由利用如照射雷射、使用氣體或溶液等蝕刻剝離層、分離基板、或者利用機械的去除方法,如刀、手術刀、切割器等鋒利的刀具形成切口等,可以形成剝離
起點。藉由形成剝離起點,可以使剝離層與被剝離層成為容易剝離的狀態,所以是較佳的。
例如,在可以利用刀具等切割基板259的情況下,藉由在基板259、黏合層207、以及絕緣層205中形成切口,可以形成剝離起點。
此外,在照射雷射的情況下,較佳的是將雷射照射到固化狀態的黏合層207、絕緣層205、以及剝離層203重疊的區域。雖然可以從任一基板一側照射雷射,但是為了抑制散射的光照射到功能元件等,較佳的是從設置有剝離層203的形成用基板201一側照射雷射。另外,照射雷射一側的基板使用使該雷射透過的材料。
藉由在絕緣層205中形成裂縫(膜裂或裂口),可以形成剝離起點。此時,除了絕緣層205之外,還可以去除剝離層203及黏合層207的一部分。藉由照射雷射,可以使包含於絕緣層205、剝離層203或黏合層207中的膜的一部分溶解、蒸發或熱破壞。
在進行剝離步驟時較佳為使絕緣層205與剝離層203分離的力量集中在剝離起點上,因此較佳不在固化狀態的黏合層207的中央部,而是靠近端部附近的部分形成剝離起點。尤其較佳的是,在端部附近的部分當中,與在邊部附近相比,更佳為在角部附近形成剝離起點。為了確實地將剝離層203和絕緣層205分離,在不與黏合層207重疊的位置形成剝離起點的情況下,剝離起點的形成位置與黏合層207的距離越近越好,明確而言,較佳在距
離黏合層207端部1mm以內的位置形成剝離起點。
對用來形成剝離起點的雷射沒有特別的限制。例如,可以使用連續振盪雷射或脈衝振盪雷射。雷射的照射條件(頻率、功率密度、能量密度、束分佈(beam profile)等)根據形成用基板201及剝離層203的厚度或材料等而適當地控制。
當使用雷射時,不需要切割基板等以形成剝離起點,從而能夠抑制塵埃等產生,所以是較佳的。此外,可以縮短形成剝離起點所需要的時間。此外,因為可以減少殘留在形成用基板201表面上的塵埃,所以容易再次利用形成用基板201。此外,因為不會磨損切割器等鋒利的刀具,所以有能夠降低成本、容易適用於大量生產等優點。此外,因為可以藉由拉起任何一個基板的端部開始剝離,所以該方法容易適用於大量生產。
接著,從所形成的剝離起點使絕緣層205與形成用基板201分離。此時,較佳的是將一個基板固定於抽吸台等。例如,也可以將形成用基板201固定於抽吸台,將絕緣層205從形成用基板201剝離。另外,也可以將基板259固定於抽吸台,將形成用基板201從基板259剝離。
例如,從剝離起點利用物理力(用手或夾具進行剝離的處理、或者使輥子轉動進行分離的處理等)將絕緣層205與形成用基板201分離,即可。
另外,也可以藉由使水等液體浸透到剝離層
203與絕緣層205的介面來將形成用基板201與絕緣層205分離。由於毛細現象液體滲到剝離層203與絕緣層205之間,由此可以容易進行分離。此外,能夠抑制剝離時產生的靜電給包含在絕緣層205的功能元件帶來不良影響(由於靜電而使半導體元件損壞等)。注意,也可以使液體成為霧狀或蒸汽來噴射。作為液體可以使用純水或有機溶劑等,還可以使用中性、鹼性或酸性的水溶液或在其中溶化有鹽的水溶液等。
另外,在進行剝離之後,也可以去除殘留在基板259上的無助於貼合絕緣層205與基板259的黏合層207或分隔壁209等。藉由去除這些,能夠抑制在後面步驟中給功能元件帶來不良影響(雜質的混入等),所以是較佳的。例如,藉由擦掉或洗滌等,可以去除不需要的樹脂。
接著,使用黏合層253將基板251與使形成用基板201剝離而露出的絕緣層205貼合(圖5D)。也可以以基板259的端部與基板251的端部大致對齊的方式切割基板259的端部(圖5E)。另外,也可以以基板251、黏合層253、絕緣層205、黏合層207、以及基板259的端部大致對齊的方式切割發光裝置的端部(參照圖3B)。
黏合層253,可以適用可用於黏合層207或分隔壁209的材料而形成。
另外,在圖5C中,雖然說明形成用基板201
及基板259的兩者彎曲的例子,但是根據形成用基板201或基板259的固定方法、所使用的材料、或其厚度,有時僅一個基板彎曲。圖6A說明僅基板259彎曲的例子,圖7A說明僅形成用基板201彎曲的例子。在上述情況下也在發光裝置的端部設置其厚度比中央部分的厚度薄的部分。另外,既可以殘留中空部分,又可以在中空部分整體中填充黏合層207。圖6B及圖7B分別說明從圖6A及圖7A所示的狀態剝離形成用基板201,藉由貼合基板251而製造的發光裝置的例子。另外,形成用基板201或基板259的厚度例如可以為大於或等於10μm且小於或等於10mm。
藉由上述步驟,可以製造作為結構例子a-2說明的發光裝置。
(結構例子a-3的製造方法例子〉
參照圖8A至圖10B例示出上述結構例子a-3的製造方法。圖8A至圖10B說明在各步驟中的點劃線B3-B4方向(參照圖4A)的剖面結構。
首先,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205,在絕緣層205上形成功能層206(圖8A)。此外,在形成用基板221上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225,在絕緣層225上形成功能層256(圖8B)。
另外,在本實施方式中,雖然說明剝離層203
和剝離層223的大小相同的情況(圖8C),但是也可以兩個剝離層的大小彼此不同。
形成用基板221可以適用可用於形成用基板201的材料而形成。剝離層223可以適用可用於剝離層203的材料而形成。絕緣層225可以適用可用於絕緣層205的材料而形成。
在本實施方式中,作為功能層256至少形成彩色層。除此之外也可以製造遮光層、發光元件、顯示元件、電晶體、觸控感測器或電容元件等。
接著,在形成用基板201或形成用基板221上形成黏合層207及分隔壁209。黏合層207及分隔壁209分別可以形成在形成用基板201和形成用基板221中的任一個上,既可以在一個基板上形成黏合層207及分隔壁209的兩者,又可以在一個基板上形成黏合層207且在另一個基板上形成分隔壁209。
較佳的是,在後面步驟中將形成用基板201與形成用基板221重疊時,以黏合層207重疊於剝離層203、絕緣層205、絕緣層225、以及剝離層223的方式形成黏合層207。由此,形成用基板201及形成用基板221的剝離產量得到提高。
如圖8C所示,黏合層207的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一個(要先剝離的層)的端部內側。由此,能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起,從而能夠抑制後面的剝離步驟的
良率降低。
此外,以分隔壁209與黏合層207之間有間隔並圍繞黏合層207的方式框狀地形成分隔壁209。在與形成黏合層207的基板不同的基板上形成分隔壁209的情況下,在後面步驟中將形成用基板201與形成用基板221重疊時,可以使分隔壁209與黏合層207之間有間隔並分隔壁209圍繞黏合層207即可。
接著,在減壓氛圍下,將形成用基板201與形成用基板221重疊,並且將功能層206及功能層256配置在由分隔壁209、形成用基板201、以及形成用基板221包圍的空間中(圖8C)。由此,該空間處於減壓狀態。另外,因為黏合層207與分隔壁209之間有間隔,所以在黏合層207與分隔壁209之間形成中空部分。
接著,將形成用基板201及形成用基板221暴露於大氣氛圍中。由此,形成用基板201及形成用基板221被大氣壓加壓。並且,黏合層207向發光裝置的端部擴張,黏合層207填充中空部分。由此,在發光裝置的端部設置其厚度比中央部分的厚度薄的部分(圖8D)。
並且,使黏合層207及分隔壁209固化。在大氣氛圍或加壓氛圍下進行黏合層207及分隔壁209的固化即可。
因為藉由使分隔壁209固化,容易保持發光裝置內部的減壓狀態,所以較佳在使黏合層207固化的步驟之前進行使分隔壁209固化的步驟。或者,也可以在同
一個步驟中使分隔壁209和黏合層207固化。
例如,在將光硬化性樹脂用於分隔壁209且將熱固性樹脂用於黏合層207的情況下,較佳的是,首先藉由光照射使分隔壁209固化,然後藉由加熱使黏合層207固化。另外,在將熱固性樹脂用於分隔壁209及黏合層207的兩者的情況下,藉由加熱同時使分隔壁209及黏合層207固化即可。
接著,形成剝離起點。
可以先剝離形成用基板201和形成用基板221中的任何一個。當剝離層的大小不同時,既可以先剝離形成有較大的剝離層的基板,又可以先剝離形成有較小的剝離層的基板。當僅在一個基板上形成半導體元件、發光元件、顯示元件等元件時,既可以先剝離形成有元件一側的基板,又可以先剝離另一個基板。在此,說明先剝離形成用基板201的例子。在此情況下,將剝離起點形成在黏合層207與剝離層203重疊的區域中。
接著,從所形成的剝離起點使絕緣層205與形成用基板201分離(圖9A)。
注意,延伸在剝離起點的下方的黏合層207或分隔壁209殘留在形成用基板201和形成用基板221中的至少一個。雖然圖9A說明分隔壁209殘留在形成用基板201及形成用基板221兩者的例子,但是不侷限於此。
接著,使用黏合層253將基板251與使形成用基板201剝離而露出的絕緣層205貼合(圖9B)。
接著,將剝離起點形成在黏合層207與剝離層223重疊的區域中。接著,從所形成的剝離起點使絕緣層225與形成用基板221分離。然後,使用黏合層257將基板259與使形成用基板221剝離而露出的絕緣層225貼合(圖9C)。
除了黏合層207以外,還可以使用黏合層253將基板251與基板259貼合。例如,如圖9D所示,基板251的端部也可以與黏合層257接觸。
另外,在圖8D中,雖然說明形成用基板201及形成用基板221的兩者彎曲的例子,但是根據形成用基板201或形成用基板221的固定方法、所使用的材料、或其厚度,有時僅一個基板彎曲。在圖10A中說明僅形成用基板221彎曲的例子。在上述情況下也在發光裝置的端部設置其厚度比中央部分的厚度薄的部分。圖10B說明從圖10A所示的狀態分別剝離形成用基板201及形成用基板221,藉由將基板251與絕緣層205貼合且將基板259與絕緣層225貼合而製造的發光裝置的例子。與此同樣,在發光裝置中僅形成用基板201彎曲也是本發明的一個實施方式。
在上面所示的結構例子a-3的製造方法例子中,可以在預先將分別形成有被剝離層的一對形成用基板貼合之後進行剝離,然後對其貼合構成發光裝置的基板。因此,當貼合被剝離層時,可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起,與將撓性基板相互貼合在一起時相比,能
夠提高貼合時的位置對準精度。
藉由上述步驟,可以製造作為結構例子a-3說明的發光裝置。
〈結構例子b-1〉
圖11B示出圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖11C說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
圖11A所示的發光裝置包括發光部804及驅動電路部806。在發光裝置中,除了發光部804以外的部分都可以稱為非發光部。因此,可以說非發光部框狀地設置在發光部804外側。例如,驅動電路部806是非發光部的一部分。
圖11A至11C所示的發光裝置包括基板251、功能層204、功能層206、黏合層207、導電層208、以及基板259。
在發光部804中基板251上設置有功能層206。
功能層206包括發光元件。也可以包括電晶體或電容元件等。
在驅動電路部806中,基板251上設置有功能層204。
功能層204包括電晶體,也可以包括電容元件、電阻元件、或切換元件等。
經由來自外部的信號或電位傳達給驅動電路
部806,導電層208電連接至外部輸入端子。在圖11B中,導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。
使用黏合層207將基板251與基板259貼合。
如圖11B及11C所示,在發光部804中,發光裝置的厚度均勻(或大致均勻)。另一方面,非發光部包括其厚度比發光部804的厚度薄的區域。換言之,非發光部包括基板251與基板259之間的間隔比發光部804窄的部分。如此,藉由發光裝置的非發光部包括其厚度比發光部804的厚度薄的部分,能夠抑制水分或氧等雜質侵入到發光裝置內部。
根據在非發光部中產生的干涉條紋可以確認在非發光部中形成有厚度較薄的區域。在非發光部中可以以大於或等於0.1mm,大於或等於0.5mm,或大於或等於1mm且小於或等於10mm,小於或等於5mm,或小於或等於2mm的寬度形成有產生干涉條紋的區域。另外,在發光部804中產生干涉條紋的情況下,有時降低顯示品質。因此,在發光部804中不產生干涉條紋是較佳的,並且發光裝置的厚度均勻(或大致均勻)是較佳的。
在圖11B及11C中說明發光裝置的四邊形成有厚度較薄的區域的例子(例如在非發光部框狀地形成有厚度較薄的區域的例子)。此外,在圖11B及11C中說明在不設置功能層206的基板259上形成有凹部(指的是凹陷部分)的例子。本發明的一個實施方式不侷限於圖
11B及11C的結構。
在發光裝置的至少一邊,非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。另外,凹部設置在一對基板的一個或兩個上。
圖12A至12D分別說明圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖的一個例子。
圖12A說明非發光部中的驅動電路部806或設置有導電層208的部分不包括其厚度比發光部的厚度薄的區域的例子。從發光部804的與驅動電路部806鄰接的邊到發光部804的端部的最短距離長於從發光部804的其他邊到發光裝置的其他端部的最短距離,而在發光裝置的設置有驅動電路部806的一側雜質不容易到達發光元件等。在此情況下,即使在非發光部中,也可以不設置其厚度比發光部的厚度薄的部分。由此,能夠抑制構成驅動電路部806的元件由於彎曲而劣化。另外,可以確實地使導電層208與FPC808導通。另外,也可以防止在形成凹部時驅動電路部806所包括的元件被加壓,而能夠抑制該元件受到損傷。
另外,如圖11B所示,也可以在驅動電路部806中形成凹部。例如,基板可以在與掃描線驅動電路或信號線驅動電路重疊的部分中包括凹部。此外,基板可以在與發光元件的電極(陽極或陰極)和佈線的接觸部重疊的部分中包括凹部。此外,在發光部中,也可以在偽像素上或彩色濾光片的端部等的不對顯示品質造成影響的部分
中設置厚度薄的區域。
在圖12B中說明設置有功能層206的基板251上形成有凹部的例子。另外,如圖12C所示,也可以在一對基板(基板251及基板259)上分別形成有凹部。此外,在非發光部包括其厚度比不重疊於圖11A中的點劃線A1-A2的部分中的發光部的厚度薄的區域的情況下,如圖12D所示,也可以在重疊於圖11A中的點劃線A1-A2的區域中,發光部的厚度和非發光部的厚度相同(或大致相同)。
此外,圖13A至13D分別說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖的一個例子。
在圖13A中說明設置有功能層206的基板251上形成有凹部的例子。另外,如圖13B所示,也可以在一對基板(基板251及基板259)上分別形成有凹部。此時,也可以在基板251與基板259的不同的位置形成有凹部。由此,非發光部成為包括其厚度比發光部的厚度薄的多個區域的結構。此外,如圖13C右邊的非發光部所示,也可以將基板251的凹部與基板259的凹部形成在相同位置。由此,非發光部包括其厚度比發光部的厚度極薄的部分。發光裝置的厚度的最小值越小,雜質越不容易到達功能元件,而能夠抑制發光裝置的可靠性下降,所以是較佳的。此外,如圖13C左邊的非發光部所示,也可以不對齊地形成基板251的凹部與基板259的凹部。此外,在非發光部包括其厚度比不重疊於圖11A中的點劃線A3-A4
的部分中的發光部的厚度薄的區域的情況下,如圖13D所示,也可以在重疊於圖11A中的點劃線A3-A4的區域中,發光部的厚度和非發光部的厚度相同(或大致相同)。
將圖12A至12D所示的點劃線A1-A2間的剖面圖和圖13A至13D所示的點劃線A3-A4間的剖面圖可以適當地組合。例如,如圖12C及圖13C所示的圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖與點劃線A3-A4間的剖面圖的組合那樣,在發光裝置的四邊中的三邊中,非發光部可以包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。此外,如圖12B與圖13A的組合那樣,在發光裝置的四邊中的兩邊中,非發光部也可以包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。此外,如圖12A與圖13D的組合那樣,在發光裝置的四邊中的一邊中,非發光部也可以包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。
雖然在結構例子b-1中說明在基板251上直接設置有功能層206的例子,但是本發明的一個實施方式不侷限於此。如下面的結構例子b-2及b-3所示,可以將在形成用基板上形成的功能層206轉置到基板251上。
〈結構例子b-2〉
圖14A說明圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖14B說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
圖14A及14B所示的發光裝置包括基板
251、黏合層253、功能層204、絕緣層205、功能層206、黏合層207、導電層208、以及基板259。
在發光部804中,在絕緣層205上設置有功能層206。使用黏合層253將基板251與絕緣層205貼合。
作為絕緣層205,較佳為使用氣體阻隔性佳、防水性佳、或防濕性佳等的絕緣層。
在驅動電路部806中,在絕緣層205上設置有功能層204。
導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。
使用黏合層207將基板251與基板259貼合。
另外,圖15A至15D分別說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖的一個例子。
另外,在發光裝置所包括的邊中的任一個中,對形成在基板上的凹部的數量沒有限制,既可以為一個又可以為多個。例如,圖15A及15B說明在發光裝置所包括的兩邊中,在基板上形成有多個凹部的例子。此外,如圖15A所示,凹部不侷限於呈弧形的結構,也可以具有角形。此外,在本發明的一個實施方式中,基板不侷限於包括凹部的結構。例如,如圖15C所示,發光裝置也可以在其端部包括其厚度最薄的區域,在此情況下也可以說基板包括凸部(指的是突出部分)。此外,如圖15D所
示,也可以在一對基板(基板251及基板259)上分別形成有凹部。
〈結構例子b-3〉
圖16A說明圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖16B說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
圖16A及16B所示的發光裝置包括基板251、黏合層253、功能層204、絕緣層205、功能層206、黏合層207、導電層208、絕緣層225、功能層256、黏合層257、以及基板259。
另外,如圖16A所示,在發光裝置的設置有驅動電路部806的一側的非發光部中,較佳的是其厚度比發光部的厚度薄的區域不重疊於驅動電路部806。例如,較佳在驅動電路部806外側包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。
另外,雖然在圖16B中說明發光部804的厚度與發光裝置的端部的厚度相同(或大致相同)的例子,但是本發明的一個實施方式不侷限於此。如圖16C所示,發光裝置的端部的厚度也可以比發光部804的厚度厚。換言之,發光裝置也可以在其端部包括其厚度最厚的區域。另外,如圖16D所示,發光裝置的端部的厚度也可以比發光部804的厚度薄。此時,發光裝置的非發光部也可以包括其厚度比發光裝置的端部的厚度薄的部分,或者發光裝置的端部也可以為該發光裝置中的最薄的區域。
圖17A說明發光裝置的俯視圖。圖17B說明圖17A中的點劃線B1-B2間的剖面圖。圖17C說明圖17A中的點劃線B3-B4間的剖面圖。
圖17A所示的發光裝置包括發光部804及驅動電路部806。在發光裝置中,除了發光部804以外的部分都可以稱為非發光部。因此,可以說非發光部框狀地設置在發光部804的外側。例如,驅動電路部806是非發光部的一部分。
圖17A至17C所示的發光裝置包括基板251、黏合層253、功能層204、絕緣層205、功能層206、黏合層207、導電層208、絕緣層225、功能層256、黏合層257、以及基板259。
發光部804包括功能層206及功能層256。功能層206比黏合層207靠近基板251一側地設置,功能層256比黏合層207靠近基板259一側地設置。
作為功能層256,例如包含彩色層及遮光層。或者,作為功能層256,可以包括觸控感測器等的感測器。
使用黏合層253將基板251與絕緣層205貼合。使用黏合層257將基板259與絕緣層225貼合。作為絕緣層205或絕緣層225,較佳為使用氣體阻隔性佳、防水性佳、或防濕性佳等的絕緣層。
導電層208藉由連接器825電連接於FPC808。與圖16A的結構不同,圖17A及17B說明基板
251與基板259的大小相同的例子。藉由在基板259、黏合層257、絕緣層225、以及黏合層207中設置開口,可以使導電層208與連接器825連接。
使用黏合層207將基板251與基板259貼合。
在圖17A及17B中,雖然說明基板259包括凹部的例子,但是如圖18A及18B所示,在用作連接於FPC808的導電層208的支持基板的基板251上包括凹部。另外,如圖18C及18D所示,也可以在一對基板(基板251及基板259)上分別包括凹部。
另外,在圖17B及18A中,雖然說明在發光裝置中的設置有驅動電路部806一側,非發光部不包括其厚度比發光部的厚度薄的區域的例子,但是如圖18C所示,也可以在發光裝置中的設置有驅動電路部806一側,非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的區域。由此能夠進一步抑制水分或氧等雜質侵入到發光裝置的內部。
〈結構例子b-1的製造方法例子〉
參照圖19A至19D例示出上述結構例子b-1的製造方法。首先,在基板251上形成功能層206。接著,在基板251或基板259上形成黏合層207。然後,在減壓氛圍下,將基板251與基板259重疊,以由黏合層207、基板251、以及基板259包圍功能層206。將此時的發光裝置10配置在如圖19A所示的能夠進行加壓的裝置中。例如
可以使用壓機或熱壓機等。
在圖19A中說明使用包括上板2000a及下板2000b的熱壓機的例子。熱壓機包括熱源,而可以加熱上板2000a和下板2000b中的一個或兩個。在下板2000b上隔著緩衝材料2005b配置有基板2100b。在基板2100b上配置有發光裝置10。在發光裝置10上配置有包括凸部2102的基板2101。凸部2102與基板259接觸。凸部2102與發光裝置10的非發光部重疊。在基板2101與上板2000a之間配置有緩衝材料2005a及基板2100a。
凸部2102可以在基板2101上使用樹脂等的有機材料或金屬等的無機材料形成。對凸部2102的形成方法沒有限制,例如可以利用濺射法、CVD法、塗佈法、印刷法、液滴吐出法、以及分配法等。或者,也可以利用具有凸部的模具。作為模具可以適用可用於基板的材料。例如,作為模具可以使用樹脂、玻璃、金屬或合金等。
凸部2102例如藉由在基板2101上佈置黏合劑並使其固化來可以形成。
如圖19B及19C所示,也可以框狀地形成凸部2102。凸部2102可以如圖19B所示不位於基板2101的端部,或可以如圖19C所示位於基板2101的端部。凸部2102可以如圖19D所示沿著基板2101的四邊中的三邊而設置,或可以沿著基板2101的兩邊或一邊而設置。注意,凸部2102不侷限於與基板2101的邊平行地設置的結
構。
並且,藉由在圖19A所示的狀態下利用熱壓機對發光裝置10進行加壓,可以在發光裝置10的非發光部中形成其厚度較薄的部分。
另外,一邊對發光裝置10進行加壓一邊使黏合層207固化,由此發光裝置10容易保持因加壓而變形的形狀,所以是較佳的。
例如,在作為黏合層207使用熱固性黏合劑或紫外線延遲固化黏合劑(UV delay-curing adhesives)等的情況下,較佳的是藉由熱壓機對發光裝置10進行加熱並加壓。
對進行加壓的時間或負載沒有特別的限制。將負載例如可以設定為大於或等於0.5t,大於或等於0.8t,或大於或等於1.0t且小於或等於1.5t,小於或等於2.0t,或小於或等於3.0t。對進行加熱的時間沒有特別的限制,根據用於黏合層207的材料的固化條件等而決定即可。此外,加熱溫度根據用於發光裝置10的材料的耐熱性而決定即可。將加熱溫度例如可以設定為高於或等於80℃,高於或等於90℃,或高於或等於100℃且低於或等於120℃,低於或等於150℃,或低於或等於200℃。
另外,也可以在進行加壓之後,另行地進行加熱或光照射來使黏合層207固化。
藉由上述步驟,可以製造作為結構例子b-1說明的發光裝置。
〈結構例子b-2的製造方法例子〉
參照圖19A和圖20A至20D例示出上述結構例子b-2的製造方法。圖20A至20D說明每個步驟中的點劃線A3-A4方向(參照圖11A)的剖面結構。
首先,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205,在絕緣層205上形成功能層206(圖20A)。另外,可以將絕緣層205及功能層206一併地稱為被剝離層。
在本實施方式中,至少製造作為功能層206的發光元件(有機電致發光元件)。除此之外,也可以製造電晶體、電容元件、觸控感測器等。此外,也可以製造發光元件以外的顯示元件。此外,也可以製造彩色層或遮光層。
接著,在形成用基板201或基板259上形成黏合層207。
較佳的是,以黏合層207重疊於剝離層203及絕緣層205的方式形成黏合層207。由此,形成用基板201的剝離產量得到提高。在基板259上形成黏合層207的情況下,在後面步驟中將形成用基板201與基板259重疊時,黏合層207重疊於剝離層203及絕緣層205即可。
如圖20B所示,黏合層207的端部較佳為位於剝離層203的端部的內側。或者,黏合層207的端部也可以重疊於剝離層203的端部。由此,可以抑制形成用基
板201與基板259緊緊黏合在一起,從而能夠抑制後面的剝離步驟的良率降低。在將流動性高的材料用於黏合層207的情況下,較佳為使用分隔壁阻止黏合層207擴張。
黏合層207的厚度例如可以為大於或等於1μm且小於或等於200μm,較佳為大於或等於1μm且小於或等於100μm,更佳為大於或等於1μm且小於或等於50μm。
接著,在減壓氛圍下,將形成用基板201與基板259重疊,以由黏合層207、形成用基板201、以及基板259包圍功能層206(圖20B)。接著,將如圖20B所示的發光裝置10配置在上面所述的壓機中(參照圖19A)。由設置在基板2101上的凸部2102對發光裝置10的非發光部進行加壓。
此時,形成在發光裝置10的基板259上的凹部的寬度W2比凸部2102的寬度W1大(圖20C)。例如,寬度W2比寬度W1的1倍大且小於或等於1.5倍、小於或等於2倍或小於或等於3倍。寬度W2可以比寬度W1的3倍大。此外,形成在發光裝置10的基板259上的凹部的深度成為小於或等於凸部2102的高度d。此外,將寬度W2例如可以設定為凹部的深度的大於或等於1倍、大於或等於5倍或大於或等於10倍且小於或等於20倍、小於或等於50倍或小於或等於100倍。
例如,凹部的深度可以為大於或等於0.01mm、大於或等於0.05mm或大於或等於0.1mm且小
於或等於2mm、小於或等於1mm或小於或等於0.5mm。此外,寬度W2可以為大於或等於0.1mm、大於或等於1mm或大於或等於1cm且小於或等於10cm、小於或等於5cm或小於或等於3cm。此外,寬度W2較佳為大於非發光部的寬度的0倍且小於或等於1倍,也可以為非發光部的寬度的大於或等於0.2倍且小於或等於0.8倍或非發光部的寬度的大於或等於0.4倍且小於或等於0.6倍。另外,寬度W2為不侷限於凹部的寬度,也可以為其厚度比發光部的厚度薄的區域的寬度。
藉由利用壓機對發光裝置10進行加壓,可以在發光裝置10的非發光部中形成厚度較薄的部分(圖20D)。較佳的是藉由同時進行加壓和加熱,使黏合層207固化。
接著,使形成用基板201與絕緣層205分離。在此,較佳為形成用來使形成用基板201剝離的剝離起點。將剝離起點形成在黏合層207與剝離層203重疊的區域中。
藉由在絕緣層205中形成裂縫(膜裂或裂口),可以形成剝離起點。
接著,從所形成的剝離起點使絕緣層205與形成用基板201分離。
接著,使用黏合層253將基板251與使形成用基板201剝離而露出的絕緣層205貼合。並且,藉由切割發光裝置端部(基板259中的不與黏合層207接觸的部
分等)的步驟等,可以製造如圖14B所示的發光裝置。
藉由上述步驟,可以製造作為結構例子b-2說明的發光裝置。
〈結構例子b-3的製造方法例子1〉
參照圖19A和圖21A至21D例示出上述結構例子b-3的製造方法。圖21A至21D說明每個步驟中的點劃線B3-B4方向(參照圖17A)的剖面結構。
首先,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205,在絕緣層205上形成功能層206(圖21A)。此外,在形成用基板221上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225,在絕緣層225上形成功能層256(圖21B)。
另外,在本實施方式中,雖然剝離層203和剝離層223的大小相同的情況(圖21C),但是也可以兩個剝離層的大小彼此不同。
形成用基板221可以適用可用於形成用基板201的材料而形成。剝離層223可以適用可用於剝離層203的材料而形成。絕緣層225可以適用可用於絕緣層205的材料而形成。
在本實施方式中,至少形成作為功能層256的彩色層。除此之外也可以製造遮光層、發光元件、顯示元件、電晶體、觸控感測器或電容元件等。
接著,在形成用基板201或形成用基板221
上形成黏合層207、分隔壁242、以及暫時密封層244。
將黏合層207、分隔壁242、以及暫時密封層244可以分別形成在形成用基板201和形成用基板221中的任一個上,既可以在一個基板上形成黏合層207、分隔壁242、以及暫時密封層244的全部,又可以在一個基板上形成黏合層207及分隔壁242,在另一個基板上形成暫時密封層244。
較佳的是,在後面步驟中將形成用基板201與形成用基板221重疊時,以黏合層207重疊於剝離層203、絕緣層205、絕緣層225、以及剝離層223的方式形成黏合層207。由此,形成用基板201及形成用基板221的剝離產量得到提高。
如圖21C所示,黏合層207的端部較佳為位於剝離層203和剝離層223中的至少一個(要先剝離的層)的端部內側。由此,能夠抑制形成用基板201與形成用基板221緊緊黏合在一起,從而能夠抑制後面的剝離步驟的良率降低。
分隔壁242及暫時密封層244的厚度分別例如為大於或等於1μm且小於或等於200μm,較佳為大於或等於1μm且小於或等於100μm,更佳為大於或等於1μm且小於或等於50μm。
對分隔壁242及暫時密封層244的形成方法沒有特別的限制,例如分別可以使用液滴噴射法、印刷法(網版印刷法及平板印刷法等)、塗佈法如旋塗法或噴塗
法等、浸漬法、分配器法或者奈米壓印法等。
分隔壁242可以使用與黏合層207相同的材料而形成。分隔壁242較佳為使用其黏度比黏合層207高的材料而形成。在用於形成分隔壁242的材料的黏度高時,能夠抑制來自大氣的水分等雜質的侵入,所以是較佳的。
作為分隔壁242及暫時密封層244可以適用可用於黏合層207的各種材料。
接著,在減壓氛圍下,將形成用基板201與基板形成用221重疊,以由暫時密封層244、形成用基板201、以及形成用基板221包圍功能層206及功能層256(圖21C)。
然後,也可以使暫時密封層244的至少一部分固化。藉由將發光裝置10暴露於大氣氛圍中,從而形成用基板201及形成用基板221被大氣壓加壓。由此,可以保持由暫時密封層244、形成用基板201、以及形成用基板221包圍的空間中的減壓狀態。由此能夠抑制大氣中的水分等雜質侵入到發光裝置10中。
接著,將如圖21C所示的發光裝置10配置在上面所述的壓機中(參照圖19A)。由設置在基板2101上的凸部2102對發光裝置10的非發光部進行加壓。
藉由利用壓機對發光裝置10進行加壓,可以在發光裝置10的非發光部中形成厚度較薄的部分(圖21D)。較佳的是藉由同時進行加壓和加熱,使黏合層
207固化。另外,也可以在進行加壓之後,另行地進行加熱或光照射來使黏合層207固化。
接著,形成剝離起點。接著,從所形成的剝離起點使絕緣層與形成用基板分離。使用黏合層將基板與使形成用基板剝離而露出的絕緣層貼合。
可以先剝離形成用基板201和形成用基板221中的任何一個。當剝離層的大小不同時,既可以先剝離形成有較大的剝離層的基板,又可以先剝離形成有較小的剝離層的基板。當僅在一個基板上形成半導體元件、發光元件、顯示元件等元件時,既可以先剝離形成有元件一側的基板,又可以先剝離另一個基板。
藉由上述步驟,可以製造作為結構例子b-3說明的發光裝置。
注意,在本發明的一個實施方式中,在非發光部中形成其厚度較薄的區域的方法不侷限於對非發光部進行加壓而使發光裝置變形的方法。
〈結構例子b-3的製造方法例子2〉
參照圖22A至22D例示出上述結構例子b-3的製造方法。圖22A至22D說明每個步驟中的點劃線B3-B4方向(參照圖17A)的剖面結構。
首先,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205,在絕緣層205上形成功能層206(圖22A)。此外,在形成用基板221上形成凸
部246,在凸部246上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225,在絕緣層225上形成功能層256(圖22B)。
接著,在形成用基板201或形成用基板221上形成黏合層207。
接著,在減壓氛圍下,將形成用基板201與形成用基板221重疊,以由黏合層207、形成用基板201、以及形成用基板221包圍功能層206及功能層256(圖22C)。然後,使黏合層207固化。並且,使絕緣層與形成用基板分離。使用黏合層將基板與使形成用基板剝離而露出的絕緣層貼合。
圖22D說明在將形成用基板201剝離之前將形成用基板221剝離的例子。
藉由預先在形成用基板上設置凸部或使用具有凸部的形成用基板,並不需要對正在製造中的發光裝置進行加壓。因此,能夠實現發光裝置的步驟的簡化且抑製良率的降低等。
在上面所示的結構例子b-3的製造方法例子1及2中,可以在預先將分別形成有被剝離層的一對形成用基板貼合之後進行剝離,然後貼合構成發光裝置的基板。因此,當貼合被剝離層時,可以將撓性低的形成用基板相互貼合在一起,與將撓性基板相互貼合在一起時相比,能夠提高貼合時的位置對準精度。
〈發光裝置的平面圖的例子〉
本發明的一個實施方式的發光裝置也可以為將包括電晶體的驅動電路的一部分或全部與發光部一起形成在同一個基板上的系統整合型面板。
在圖23A1及23A2中,發光部4002由第一基板4001、黏合層(未圖示)、以及第二基板4006密封。在圖23A1及23A2中,在與第一基板4001上的不重疊於第二基板4006的區域中,安裝有形成在分別另行準備的基板上的信號線驅動電路4003及掃描線驅動電路4004。此外,供應給信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004、或發光部4002的各種信號及電位由FPC4018a和FPC4018b供應。
在圖23B1、23B2及23C中,發光部4002及掃描線驅動電路4004由第一基板4001、黏合層(未圖示)、以及第二基板4006密封。在圖23B1、23B2及23C中,在與第一基板4001上的不重疊於第二基板4006的區域中安裝有形成在另行準備的基板上的信號線驅動電路4003。在圖23B1、23B2及23C中,供應給信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004或發光部4002的各種信號及電位由FPC4018供應。
此外,雖然在圖23B1、23B2及23C中說明另行形成信號線驅動電路4003並將其安裝在第一基板4001上的例子,但是不侷限於該結構。既可以另行形成掃描線驅動電路而安裝,或可以另行僅形成信號線驅動電
路的一部分或掃描線驅動電路的一部分而安裝。
另外,對另行形成的驅動電路的連接方法沒有特別的限制,可以利用引線接合、COG、TCP、COF(Chip On Film:薄膜覆晶封裝)等。圖23A1及23A2是藉由COG或COF安裝信號線驅動電路4003、掃描線驅動電路4004的例子,圖23B1及23B2是藉由COG或COF安裝信號線驅動電路4003的例子,圖23C是藉由TCP安裝信號線驅動電路4003的例子。
在發光部4002外側框狀地設置有非發光部。在此,非發光部是指第一基板4001上的重疊於第二基板4006的區域中之除了發光部4002以外的部分。非發光部所包括的區域4005是其厚度比發光部4002的厚度薄的區域。例如,區域4005是在第一基板4001和第二基板4006中的至少一個上包括凹部的區域。
在圖23A1中,雖然說明在非發光部的一部分中包括框狀的區域4005的例子,但是如圖23A2所示,非發光部的整體也可以為區域4005。另外,區域4005不侷限於框狀。在圖23B1中說明在發光裝置的三邊上連續地設置有區域4005的例子。在圖23B2中說明在發光裝置的三邊上分別設置有區域4005的例子。如此,也可以設置多個區域4005。另外,在圖23C中說明將掃描線驅動電路4004與區域4005重疊的例子。在發光裝置在與發光部同一個基板上具有包括電晶體的驅動電路的一部分或整體的情況下,該驅動電路與區域4005也可以包括彼此重疊
的部分。
如本實施方式所示那樣,本發明的一個實施方式的發光裝置藉由在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的區域,能夠抑制來自發光裝置側面的雜質的侵入。因此,能夠實現可靠性高的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式2
在本實施方式中,使用圖式對本發明的一個實施方式的發光裝置進行說明。
在本實施方式中,雖然主要例示出使用有機電致發光元件的發光裝置,但是本發明的一個實施方式不侷限於此。本實施方式所示的各發光裝置在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的區域,因此可靠性高。
〈具體例子1〉
在圖24A中說明發光裝置的平面圖,在圖24B及圖31A中分別說明圖24A中的點劃線D1-D2間的剖面圖的一個例子。明確而言,圖24B是適用結構例子a-3的例子,圖31A是適用結構例子b-3的例子。具體例子1所示的發光裝置是採用彩色濾光片方式的頂部發射型發光裝置。在本實施方式中,發光裝置例如可以採用:用R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)三種顏色的子像素呈現一
個顏色的結構;用R、G、B、W(白色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構;以及用R、G、B、Y(黃色)四種顏色的子像素呈現一個顏色的結構等。對顏色要素沒有特別的限制,也可以使用RGBWY以外的顏色,例如也可以使用青色(cyan)、洋紅色(magenta)等。
圖24A所示的發光裝置包括發光部804、驅動電路部806、FPC808。
在圖24B及圖31A中說明的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件、以及絕緣層821)、第三黏合層822、第二功能層(彩色層845及遮光層847)、第二絕緣層715、第二黏合層713、以及第二撓性基板711。第三黏合層822、第二絕緣層715、第二黏合層713、以及第二撓性基板711使可見光透過。發光部804及驅動電路部806所包括的發光元件或電晶體由第一撓性基板701、第二撓性基板711、以及第三黏合層822密封。
在發光部804中,在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括電晶體820及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817上的下部電極831、下部電極831上的電致發光層833以及電致發光層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。下部電極831較佳為反射可見光。上部電極
835使可見光透過。
另外,在發光部804中包括重疊於發光元件830的彩色層845及重疊於絕緣層821的遮光層847。在發光元件830與彩色層845之間填充有第三黏合層822。
絕緣層815具有抑制雜質擴散到構成電晶體的半導體的效果。另外,為了減小起因於電晶體的表面凹凸,作為絕緣層817較佳為選擇具有平坦化功能的絕緣層。
在驅動電路部806中,在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括多個電晶體。圖24B及圖31A說明驅動電路部806所包括的電晶體中的一個電晶體。
使用第一黏合層703將第一絕緣層705與第一撓性基板701貼合。此外,使用第二黏合層713將第二絕緣層715與第二撓性基板711貼合。由於第一絕緣層705和第二絕緣層715使用防濕性高的膜時,能夠抑制水等雜質侵入到發光元件830或電晶體820中,發光裝置的可靠性得到提高,所以是較佳的。
經由來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806,導電層857電連接至外部輸入端子。在此,說明作為外部輸入端子設置FPC808的例子。為了防止步驟數量的增加,導電層857較佳為使用與用於發光部或驅動電路部的電極或佈線相同的材料、相同的步驟製造。在此,說明使用與構成電晶體820的電極相同的材料、相同的步
驟製造導電層857的例子。
在圖24B及圖31A所示的發光裝置中,FPC808位於第二撓性基板711上。連接器825藉由設置於第二撓性基板711、第二黏合層713、第二絕緣層715、第三黏合層822、絕緣層817及絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外,連接器825連接於FPC808。FPC808與導電層857藉由連接器825電連接。當導電層857與第二撓性基板711重疊時,藉由在第二撓性基板711中形成開口(或者使用具有開口部的基板),可以使導電層857、連接器825及FPC808電連接。
說明圖24A和24B所示的發光裝置的變形例子。在圖25A中說明發光裝置的平面圖,在圖25B及圖31B中分別說明圖25A中的點劃線D3-D4間的剖面圖的一個例子。明確而言,圖25B是適用結構例子a-3的例子,圖31B是適用結構例子b-3的例子。
圖25A和25B及圖31B所示的發光裝置是第一撓性基板701與第二撓性基板711大小不同的例子。
FPC808位於第二絕緣層715上,不重疊於第二撓性基板711。連接器825藉由設置在第二絕緣層715、第三黏合層822、絕緣層817、以及絕緣層815中的開口與導電層857連接。因為不需要在第二撓性基板711中設置開口,所以對第二撓性基板711的材料沒有限制。
此外,圖26A和圖32分別說明圖24A和圖25A中的點劃線D5-D6間的剖面圖的一個例子。
在圖24B和圖26A所示的發光裝置及圖25B和圖26A所示的發光裝置包括發光裝置的四邊中的三邊中包括從非發光部的發光部一側向發光裝置的端部,其厚度連續地(平滑地)減薄的部分。藉由採用這種結構,能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。
在圖31A和圖32所示的發光裝置及圖31B和圖32所示的發光裝置的非發光部中,在第二撓性基板711、第二黏合層713、以及第二絕緣層715中設置有凹部。並且,在圖31B和圖32所示的發光裝置的非發光部中,在第一撓性基板701、第一黏合層703、以及第一絕緣層705中設置有凹部。如此,在非發光部中形成其厚度比發光部的厚度薄的部分,能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。
注意,藉由使用氣體阻隔性低或防濕性低的有機樹脂形成的絕緣層較佳為不露出到發光裝置的端部。藉由採用這種結構,能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。例如可以採用如圖27A及27B、圖28、圖31B、以及圖32所示在發光裝置的端部不設置絕緣層817的結構。
另外,圖26B說明發光部804的變形例子。
圖26B所示的發光裝置包括絕緣層817a及絕緣層817b,在絕緣層817a上包括導電層856。電晶體820的源極電極或汲極電極與發光元件830的下部電極藉由導電層856電連接。
圖26B所示的發光裝置在絕緣層821上包括
隔離體823。藉由設置隔離體823,可以調整第一撓性基板701與第二撓性基板711之間的間隔。
圖26B所示的發光裝置包括覆蓋彩色層845及遮光層847的保護層849。在發光元件830與保護層849之間填充有黏合層822。
另外,圖26C說明發光元件830的變形例子。
注意,如圖26C所示,發光元件830也可以在下部電極831與電致發光層833之間包括光學調整層832。作為光學調整層832較佳為使用具有透光性的導電材料。由於彩色濾光片(彩色層)與微腔結構(光學調整層)的組合,所以能夠從本發明的一個實施方式的發光裝置取出色純度高的光。使光學調整層的厚度根據各子像素的發光顏色變化,即可。
〈具體例子2〉
圖26D所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(導電層814、導電層857a、導電層857b、發光元件830、以及絕緣層821)、第二黏合層713、以及第二撓性基板711。
導電層857a及導電層857b是發光裝置的外部連接電極,可以將其與FPC等電連接。
發光元件830包括下部電極831、電致發光層833以及上部電極835。下部電極831的端部由絕緣層
821覆蓋。發光元件830可以採用底部發射結構、頂部發射結構或雙發射結構。提取光一側的電極、基板、絕緣層等分別使可見光透過。導電層814與下部電極831電連接。
在提取光一側的基板中,作為光提取結構可以具有半球透鏡、微透鏡陣列、具有凹凸結構的薄膜或光擴散薄膜等。例如,藉由使用具有與該基板、該透鏡或該薄膜相同程度的折射率的黏合劑等將上述透鏡或薄膜黏合於樹脂基板上,可以形成具有光提取結構的基板。
雖然導電層814不一定必須設置,但因為導電層814可以抑制起因於下部電極831的電阻的電壓下降,所以較佳為設置。另外,出於同樣的目的,也可以在絕緣層821、電致發光層833或上部電極835上等設置與上部電極835電連接的導電層。
導電層814可以藉由使用選自銅、鈦、鉭、鎢、鉬、鉻、釹、鈧、鎳和鋁中的材料或以這些材料為主要成分的合金材料等,以單層或疊層形成。可以將導電層814的厚度例如設定為大於或等於0.1μm且小於或等於3μm,較佳為大於或等於0.1μm且小於或等於0.5μm。
〈具體例子3〉
圖25A說明發光裝置的平面圖,圖29A說明圖25A中的點劃線D3-D4間的剖面圖的一個例子。具體例子3所示的發光裝置為使用彩色濾光片方式的底部發射型發光
裝置。
圖29A所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、導電層857、絕緣層815、彩色層845、絕緣層817a、絕緣層817b、導電層856、多個發光元件、以及絕緣層821)、第二黏合層713、以及第二撓性基板711。第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、絕緣層815、絕緣層817a、以及絕緣層817b使可見光透過。
具體例子3說明在第一撓性基板701和第二撓性基板711中僅第一撓性基板701彎曲的例子。具體例子3所示的發光裝置包括從非發光部的發光部一側向發光裝置的端部,發光裝置的厚度連續地(平滑地)減薄的部分。再者,在發光裝置的端部與其附近包括發光裝置的厚度比發光部的厚度薄並均勻的部分。藉由採用這種結構,能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。
在發光部804中,在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括電晶體820、電晶體824、以及發光元件830。發光元件830包括絕緣層817b上的下部電極831、下部電極831上的電致發光層833以及電致發光層833上的上部電極835。下部電極831與電晶體820的源極電極或汲極電極電連接。下部電極831的端部由絕緣層821覆蓋。上部電極835較佳為反射可見光。下部電極831使可見光透過。對設置重疊於發
光元件830的彩色層845的位置沒有特別的限制,例如可以設置在絕緣層817a與絕緣層817b之間,或在絕緣層815與絕緣層817a之間等。
在驅動電路部806中,在第一撓性基板701上隔著第一黏合層703及第一絕緣層705包括多個電晶體。圖29A說明驅動電路部806所包括的電晶體中的兩個電晶體。
使用第一黏合層703將第一絕緣層705與第一撓性基板701貼合。由於當作為第一絕緣層705使用防濕性高的膜時,能夠抑制水等雜質侵入到發光元件830、電晶體820或電晶體824中,發光裝置的可靠性得到提高,所以是較佳的。
經由來自外部的信號或電位傳達給驅動電路部806,導電層857電連接至外部輸入端子。在此,說明作為外部輸入端子設置FPC808的例子。另外,在此,說明使用與導電層856相同的材料、相同的步驟製造導電層857的例子。
另外,如圖30A所示,也可以採用在發光裝置的端部中不設置絕緣層817a和絕緣層817b的結構。
〈具體例子4〉
在圖25A中說明發光裝置的平面圖,圖29B說明圖25A中的點劃線D3-D4間的剖面圖的一個例子。具體例子4所示的發光裝置為採用分別塗布方式的頂部發射型發光
裝置。
圖29B所示的發光裝置包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第一功能層(多個電晶體、導電層857、絕緣層815、絕緣層817、多個發光元件、絕緣層821、以及隔離體823)、第二黏合層713、以及第二撓性基板711。第二黏合層713及第二撓性基板711使可見光透過。
具體例子4說明在第一撓性基板701和第二撓性基板711中僅第二撓性基板711彎曲的例子。具體例子4所示的發光裝置包括從非發光部的發光部一側向發光裝置的端部,發光裝置的厚度連續地(平滑地)減薄的部分。藉由採用這種結構,能夠抑制雜質從發光裝置的側面侵入。
在圖29B所示的發光裝置中,連接器825位於絕緣層815上。連接器825藉由設置在絕緣層815中的開口與導電層857連接。另外,連接器825還連接於FPC808。導電層857與FPC808藉由提供於其間的連接器825電連接。
另外,如圖30B所示,也可以採用在發光裝置的端部中不設置絕緣層817的結構。
〈材料的一個例子〉
接下來,說明可用於發光裝置的材料等。注意,有時省略說明本說明書中的前面已說明的構成要素。
對發光裝置所包括的電晶體的結構沒有特別的限制。例如,可以採用交錯型電晶體或反交錯型電晶體。此外,還可以採用頂閘極型或底閘極型的電晶體結構。對於用於電晶體的半導體材料沒有特別的限制,例如包含矽、鍺及有機半導體等。或者,也可以使用包含銦、鎵和鋅中的至少一個的氧化物半導體諸如In-Ga-Zn類金屬氧化物等。
對用於電晶體的半導體材料的結晶性也沒有特別的限制,可以使用非晶半導體或結晶半導體(微晶半導體、多晶半導體、單晶半導體或其一部分具有結晶區域的半導體)。當使用結晶半導體時可以抑制電晶體的特性劣化,所以是較佳的。
為了實現電晶體的特性穩定化等,較佳為設置基底膜。作為基底膜,可以使用氧化矽膜、氮化矽膜、氧氮化矽膜、氮氧化矽膜等無機絕緣膜並以單層或疊層製造。基底膜可以藉由濺射法、CVD(Chemical Vapor Deposition:化學氣相沉積)法(電漿CVD法、熱CVD法、MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition:有機金屬化學氣相沉積)法等)或ALD(Atomic Layer Deposition:原子層沉積)法、塗佈法、印刷法等形成。注意,基底膜若不需要也可以不設置。在上述各具體例子中,第一絕緣層705可以兼用作電晶體的基底膜。
當對下部電極831與上部電極835之間施加高於發光元件的臨界電壓的電壓時,電洞從陽極一側注入
到電致發光層833中,而電子從陰極一側注入到電致發光層833中。被注入的電子和電洞在電致發光層833中再結合,由此,包含在電致發光層833中的發光物質發光。作為提取光一側的電極使用使可見光透過的導電膜。較佳為使用反射可見光的導電膜作為不提取光的電極。
電致發光層833至少包括發光層。作為發光層以外的層,電致發光層833還可以包括包含電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等的層。
作為電致發光層833可以使用低分子化合物或高分子化合物,還可以包含無機化合物。構成電致發光層833的層分別藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
發光元件830也可以包含兩種或更多的發光物質。由此,例如能夠實現白色發光的發光元件。例如藉由以兩種或更多的發光物質的各發光成為互補色關係的方式選擇發光物質,可以獲得白色發光。例如,可以使用呈R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)、Y(黃色)或O(橙色)等的發光的發光物質或呈包含R、G及B中之兩種或更多的顏色的光譜成分的發光的發光物質。例如,也可以使用呈藍色發光的發光物質及呈黃色發光的發光物質。此時,呈黃色發光的發光物質的發光光譜較佳為包含綠色及紅色的光譜成分。另外,發光元件830的發光光譜
較佳在可見區域(例如為大於或等於350nm且小於或等於750nm,或大於或等於400nm且小於或等於800nm等)的範圍內具有兩個或更多的峰值。
電致發光層833也可以具有多個發光層。在電致發光層833中,既可以彼此接觸地層疊多個發光層,又可以隔著分離層層疊。例如,也可以在螢光發光層與磷光發光層之間設置分離層。
設置分離層以用來例如防止從在磷光發光層中生成的磷光材料的激發狀態到螢光發光層中的螢光材料的由於Dexter機制所引起的能量轉移(尤其是三重態能量轉移)。分離層具有幾nm左右的厚度即可。明確而言,為大於或等於0.1nm且小於或等於20nm、大於或等於1nm且小於或等於10nm或大於或等於1nm且小於或等於5nm。分離層包含單體材料(較佳為雙極性的物質)或多個材料(較佳為電洞傳輸性材料及電子傳輸性材料)。
分離層也可以使用與該分離層接觸的發光層所包含的材料來形成。由此,發光元件的製造變得容易,另外,驅動電壓被降低。例如,當磷光發光層由主體材料、輔助材料及磷光材料(客體材料)構成時,分離層也可以由該主體材料及輔助材料形成。換言之,在上述結構中,分離層具有不包含磷光材料的區域,磷光發光層具有包含磷光材料的區域。由此,可以根據磷光材料的有無分別蒸鍍分離層及磷光發光層。另外,藉由採用這種結構,可以在同一處理室中形成分離層及磷光發光層。由此,可
以降低製造成本。
此外,發光元件830也可以是包括一個電致發光層的單元件,又可以是包括隔著電荷產生層層疊的多個電致發光層的串聯元件。
發光元件較佳為設置於一對防濕性高的絕緣層之間。由此,能夠抑制水等雜質侵入到發光元件中,從而能夠抑制發光裝置的可靠性下降。明確而言,如上所述,當作為絕緣層205及絕緣層225使用防濕性高的絕緣膜時,發光元件位於一對防濕性高的絕緣膜之間,因此可以抑制發光裝置的可靠性下降。
作為絕緣層815,例如可以使用氧化矽膜、氧氮化矽膜、氧化鋁膜等無機絕緣膜。另外,作為絕緣層817、絕緣層817a以及絕緣層817b,例如分別可以使用聚醯亞胺、丙烯酸樹脂、聚醯胺、聚醯亞胺醯胺、苯并環丁烯類樹脂等有機材料。還可以使用低介電常數材料(low-k材料)等。此外,也可以層疊多個絕緣膜來形成各絕緣層。
絕緣層821使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。作為樹脂,例如,可以使用聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、丙烯酸樹脂、矽氧烷樹脂、環氧樹脂或酚醛樹脂等。尤其是,較佳為使用感光性的樹脂材料在下部電極831上形成開口部,並且將該開口部的側壁形成為具有連續曲率的傾斜面。
雖然對絕緣層821的形成方法沒有特別的限
制,但可以利用光微影法、濺射法、蒸鍍法、液滴噴射法(噴墨法等)、印刷法(網版印刷、平板印刷等)等。
隔離體823可以使用無機絕緣材料、有機絕緣材料或金屬材料等形成。例如,作為無機絕緣材料及有機絕緣材料包含可用於上述絕緣層的各種材料。作為金屬材料,可以使用鈦、鋁等。藉由使包含導電材料的隔離體823與上部電極835電連接,能夠抑制起因於上部電極835的電阻的電位下降。另外,隔離體823的形狀可以為正錐形或反錐形。
作為用作電晶體的電極或佈線、或者發光元件的輔助電極等的用於發光裝置的導電層,例如可以藉由使用鉬、鈦、鉻、鉭、鎢、鋁、銅、釹、鈧等金屬材料或含有上述元素的合金材料並以單層或疊層形成。另外,上述導電層可以使用導電金屬氧化物形成。作為導電金屬氧化物,可以使用氧化銦(In2O3等)、氧化錫(SnO2等)、ZnO、ITO、銦鋅氧化物(In2O3-ZnO等)或者在這些金屬氧化物材料中含有氧化矽的材料。
彩色層是使特定波長區域的光透過的有色層。例如,可以使用使紅色波長範圍的光、綠色波長範圍的光、藍色波長範圍的光、黃色波長範圍的光透過的彩色濾光片等。各彩色層藉由使用各種材料並利用印刷法、噴墨法、使用光微影法技術的蝕刻方法等在所需的位置形成。此外,也可以在白色子像素中,與發光元件重疊地設置透明樹脂。
遮光層設置在相鄰的彩色層之間。遮光層遮擋從相鄰的發光元件射出的光,從而抑制相鄰的發光元件之間的混色。這裡,藉由以其端部與遮光層重疊的方式設置彩色層,可以抑制漏光。遮光層可以使用遮擋從發光元件發射的光的材料,例如可以使用包含金屬材料以及顏料或染料的樹脂材料等形成黑矩陣。另外,藉由將遮光層設置於驅動電路部等發光部之外的區域中,可以抑制起因於導光等的非意圖的漏光,所以是較佳的。
此外,可以設置覆蓋彩色層及遮光層的保護層。藉由設置保護層,可以防止包含在彩色層中的雜質等擴散到發光元件。保護層由使從發光元件發射的光透過的材料構成,例如可以使用氮化矽膜、氧化矽膜等無機絕緣膜或丙烯酸樹脂膜、聚醯亞胺膜等有機絕緣膜,也可以採用有機絕緣膜與無極絕緣膜的疊層結構。
此外,當將黏合層的材料塗佈於彩色層及遮光層的上表面時,作為保護層的材料較佳為使用對黏合層的材料具有高潤濕性的材料。例如,作為保護層,較佳為使用ITO膜等氧化物導電膜或其厚度小得足以具有透光性的Ag膜等金屬膜。
作為連接器,可以使用各種異方性導電膜(ACF:Anisotropic Conductive Film)、異方性導電膏(ACP:Anisotropic Conductive Paste)等。
如上所述,本發明的一個實施方式可以適用於半導體裝置、發光裝置、顯示裝置、輸入輸出裝置等的
各種裝置。
作為顯示元件,包含有機電致發光元件、液晶元件、電泳元件、使用MEMS(微機電系統)的顯示元件等。
另外,將本發明的一個實施方式的發光裝置既可以用作顯示裝置,又可以用作照明設備。例如,也可以用作背光源或前光源等光源,亦即,用於顯示面板的照明設備。
如本實施方式所示,本發明的一個實施方式的發光裝置藉由在非發光部中包括其厚度比發光部的厚度薄的區域,能夠抑制來自發光裝置側面的雜質的侵入。因此,能夠實現可靠性高的發光裝置。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式3
在本實施方式中,使用圖式對本發明的一個實施方式的輸入輸出裝置進行說明。另外,在輸入輸出裝置所包括的構成要素中,關於與實施方式2所說明的發光裝置同樣的構成要素,可以參照上面的記載。此外,雖然在本實施方式中例示出使用發光元件的輸入輸出裝置,但是不侷限於此。此外,在本實施方式中說明的輸入輸出裝置也可以被稱為觸控面板。
因為本實施方式所示的各輸入輸出裝置在非
顯示部中包括其厚度比顯示部的厚度薄的區域,所以可靠性高。注意,在輸入輸出裝置中,除了顯示部(發光部)之外的部分都可以稱為非顯示部(非發光部)。因此,可以說在顯示部301和顯示部501的外側框狀地設置非顯示部。例如,驅動電路是非發光部的一部分。
〈結構例子1〉
圖33A是輸入輸出裝置的俯視圖。圖33B及圖37A分別為圖33A中的點劃線A-B間及點劃線C-D間的剖面圖。明確而言,圖33B是適用結構例子a-3的例子,圖37A是適用結構例子b-3的例子。圖33C是圖33A中的點劃線E-F間的剖面圖。
圖33A所示的輸入輸出裝置390包括顯示部301(兼作輸入部)、掃描線驅動電路303g(1)、成像像素驅動電路303g(2)、影像信號線驅動電路303s(1)及成像信號線驅動電路303s(2)。
顯示部301包括多個像素302及多個成像像素308。
像素302包括多個子像素。每個子像素包括發光元件及像素電路。
像素電路可以供應驅動發光元件的電力。像素電路與能夠供應選擇信號的佈線電連接。此外,像素電路與能夠供應影像信號的佈線電連接。
掃描線驅動電路303g(1)能夠對像素302供
應選擇信號。
影像信號線驅動電路303s(1)能夠對像素302供應影像信號。
使用成像像素308能夠構成觸控感測器。明確而言,成像像素308能夠檢測出接觸於顯示部301的手指等。
成像像素308包括光電轉換元件及成像像素電路。
成像像素電路能夠使光電轉換元件驅動。成像像素電路與能夠供應控制信號的佈線電連接。此外,成像像素電路與能夠供應電源電位的佈線電連接。
作為控制信號,例如包含能夠選擇用於讀出所記錄的成像信號的成像像素電路的信號、能夠使成像像素電路初始化的信號以及能夠決定成像像素電路檢測光的時間的信號等。
成像像素驅動電路303g(2)能夠對成像像素308供應控制信號。
成像信號線驅動電路303s(2)能夠讀出成像信號。
如圖33B及33C和圖37A所示,輸入輸出裝置390包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第二撓性基板711、第二黏合層713、以及第二絕緣層715。此外,第一撓性基板701與第二撓性基板711由第三黏合層360貼合。
在圖33B中的輸入輸出裝置說明從非顯示部的顯示部一側向輸入輸出裝置的端部,其厚度連續地(平滑地)減薄的部分。在圖37A中,非顯示部包括凹部。在凹部中,第三黏合層360的厚度薄。藉由採用這種結構,能夠抑制雜質從輸入輸出裝置的側面侵入。
第一撓性基板701與第一絕緣層705由第一黏合層703貼合。此外,第二撓性基板711與第二絕緣層715由第二黏合層713貼合。關於可用於基板、黏合層、以及絕緣層的材料可以參照實施方式2。
像素302包括子像素302R、子像素302G以及子像素302B(參照圖33C)。
例如,子像素302R包括發光元件350R及像素電路。像素電路包括能夠對發光元件350R供應電力的電晶體302t。子像素302R還包括光學元件(例如,使紅色光透過的彩色層367R)。
發光元件350R包括依次層疊的下部電極351R、電致發光層353及上部電極352(圖33C)。
電致發光層353包括依次層疊的第一電致發光層353a、中間層354及第二電致發光層353b。
另外,為了高效地取出特定波長的光,可以在發光元件350R中設置微腔結構。明確而言,也可以在為了高效地取出特定波長的光設置的反射可見光的膜與半反射半透射膜之間設置電致發光層。
子像素302R包括與發光元件350R及彩色層
367R接觸的第三黏合層360。彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。由此,發光元件350R所發射的光的一部分透過第三黏合層360及彩色層367R,而如圖33B或33C中的箭頭的方向發射到子像素302R的外部。
輸入輸出裝置390包括遮光層367BM。以包圍著彩色層(例如彩色層367R)的方式設置有遮光層367BM。
輸入輸出裝置390將反射防止層367p設置在與顯示部301重疊的位置。作為反射防止層367p,例如可以使用圓偏光板。
輸入輸出裝置390包括絕緣層321。絕緣層321覆蓋電晶體302t等。另外,可以將絕緣層321用作覆蓋起因於像素電路及成像像素電路的凹凸的層,以提供平坦表面。此外,較佳為使用將能夠抑制雜質向電晶體302t等擴散的絕緣層覆蓋電晶體302t等。
輸入輸出裝置390包括與下部電極351R的端部重疊的分隔壁328。此外,在分隔壁328上包括用來控制第一撓性基板701與第二撓性基板711之間的間隔的隔離體329。
影像信號線驅動電路303s(1)包括電晶體303t及電容器303c。另外,驅動電路可以藉由與像素電路相同的步驟形成在與像素電路相同的基板上。如圖33B及圖37A所示,電晶體303t可以在絕緣層321上設置有第二閘極304。既可使第二閘極304與電晶體303t的閘極
電連接,或可對第二閘極304以及電晶體303t的閘極施加不同的電位。另外,若需要,則可以在電晶體308t及電晶體302t等中分別設置第二閘極304。
成像像素308包括光電轉換元件308p及成像像素電路。成像像素電路可以檢測出照射到光電轉換元件308p的光。成像像素電路包括電晶體308t。例如,可以將pin型光電二極體用於光電轉換元件308p。
輸入輸出裝置390包括能夠供應信號的佈線311,並且佈線311設置有端子319。能夠供應影像信號及同步信號等信號的FPC309與端子319電連接。該FPC309也可以安裝有印刷線路板(PWB)。
另外,可以藉由相同的步驟形成電晶體302t、電晶體303t及電晶體308t等電晶體。或者,這些電晶體也可以藉由彼此不同的步驟形成。
〈結構例子2〉
圖34A及34B是輸入輸出裝置505的透視圖。注意,為了容易理解,說明典型的構成要素。圖35A是圖34A所示的點劃線X1-X2間的剖面圖。圖35A是適用結構例子a-3的例子。另外,作為變形例子,在圖37B中說明適用結構例子b-3的例子。
如圖34A及34B所示,輸入輸出裝置505包括顯示部501、掃描線驅動電路303g(1)及觸控感測器595等。另外,輸入輸出裝置505包括第一撓性基板
701、第二撓性基板711及撓性基板590。
輸入輸出裝置505包括多個像素及多個佈線311。多個佈線311能夠對像素供應信號。多個佈線311被引導在第一撓性基板701的外周部,其一部分構成端子319。端子319與FPC509(1)電連接。
輸入輸出裝置505包括觸控感測器595及多個佈線598。多個佈線598與觸控感測器595電連接。多個佈線598被引導在撓性基板590的外周部,其一部分構成端子。並且,該端子與FPC509(2)電連接。注意,為了容易理解,在圖34B中由實線說明設置在撓性基板590的背面一側(與第一撓性基板701相對的面一側)的觸控感測器595的電極或佈線等。
作為觸控感測器595,例如可以適用電容式的觸控感測器。作為電容式觸控感測器,有表面電容式觸控感測器、投射電容式觸控感測器等。在此,以下說明應用投射電容式觸控感測器的情況。
作為投射電容式,有自電容式、互電容式等。較佳為使用互電容式,因為可以同時進行多點檢測。
另外,對觸控感測器595可以適用可檢測出手指等檢測物件的靠近或接觸的各種感測器。
投射電容式觸控感測器595包括電極591及電極592。電極591與多個佈線598中的任一個電連接,電極592與多個佈線598中的其他的任一個電連接。
如圖34A及34B所示,電極592具有在一個
方向上反復地配置的多個四邊形在角部相互連接的形狀。
電極591是四邊形且在與電極592延伸的方向交叉的方向上反復地配置。多個電極591不一定配置得與一個電極592正交,也可以以它們之間的角度小於90°的方式設置。
佈線594以與電極592交叉的方式設置。佈線594使夾著一個電極592的兩個電極591電連接。此時,較佳的是儘量使電極592與佈線594交叉部的面積小。由此,可以減少不設置電極的區域的面積,所以可以降低透射率的不均勻。其結果,可以減少透過觸控感測器595的光的亮度不均勻。
電極591及電極592的形狀不侷限於此,而可以具有各種形狀。
如圖35A及37B所示,輸入輸出裝置505包括第一撓性基板701、第一黏合層703、第一絕緣層705、第二撓性基板711、第二黏合層713、以及第二絕緣層715。此外,第一撓性基板701與第二撓性基板711由第三黏合層360貼合。
黏合層597以使觸控感測器595與顯示部501重疊的方式將撓性基板590與第二撓性基板711貼合在一起。黏合層597具有透光性。
電極591及電極592使用透光導電材料形成。作為透光導電材料,可以使用氧化銦、銦錫氧化物、銦鋅氧化物、氧化鋅、添加有鎵的氧化鋅等導電氧化物。
此外,也可以使用包含石墨烯的膜。包含石墨烯的膜例如可以使形成為膜狀的氧化石墨烯還原而形成。作為還原方法,包含加熱等。
注意,作為用於電極591、電極592、佈線594等的導電膜,就是說構成觸控面板的佈線或電極的材料,可使用包含氧化銦、氧化錫、氧化鋅等的透明導電膜(例如為ITO等)。此外,用於構成觸控面板的佈線或電極的材料的電阻值較佳為較低。作為一個例子,可以使用銀、銅、鋁、碳奈米管、石墨烯、以及鹵化金屬(鹵化銀等)等。並且,也可以使用由極細的(例如,其直徑為幾奈米)多個導電體構成的金屬奈米線。或者,也可以使用將導電體成為網狀的金屬絲網。作為一個例子,也可以使用Ag奈米線、Cu奈米線、Al奈米線、Ag絲網、Cu絲網、或Al絲網等。例如,在對構成觸控面板的佈線或電極使用Ag奈米線的情況下,可以將可見光的投射率設定為大於或等於89%,並且將片電阻值設定為大於或等於40Ω/□且小於或等於100Ω/□。此外,因為作為可用於上面所述的構成觸控面板的佈線或電極的材料的一個例子的金屬奈米線、金屬絲網、碳奈米管、石墨烯等的可見光的投射率高,所以可以用作用於顯示元件的電極(例如,像素電極或共同電極等)。
在藉由濺射法將透光導電材料形成在撓性基板590上之後,可以藉由光微影法等各種圖案化技術去除不需要的部分來形成電極591及電極592。
電極591及電極592由絕緣層593覆蓋。此外,到達電極591的開口設置在絕緣層593中,並且佈線594使相鄰的電極591電連接。此外,因為可以提高輸入輸出裝置的開口率,所以作為佈線594較佳為使用透光導電材料。另外,由於其導電性比電極591及電極592高的材料可以減少電阻,所以可以適用於佈線594。
另外,藉由設置覆蓋絕緣層593及佈線594的絕緣層,可以保護觸控感測器595。
此外,連接層599使佈線598與FPC509(2)電連接。
顯示部501包括多個配置為矩陣狀的像素。因為像素與結構實例1相同,所以省略說明。
另外,如圖35B所示,可以不使用撓性基板590,而由第一撓性基板701及第二撓性基板711的兩個基板構成觸控面板。第二撓性基板711與第二絕緣層715由第二黏合層713貼合,並且與第二絕緣層715接觸地設置觸控感測器595。與覆蓋觸控感測器595的絕緣層589接觸地設置彩色層367R及遮光層367BM。可以不設置絕緣層589,而與佈線594接觸地設置彩色層367R和遮光層367BM。
〈結構例子3〉
圖36A及36B是輸入輸出裝置505B的剖面圖。在本實施方式中說明的輸入輸出裝置505B與結構實例2的輸
入輸出裝置505的不同之處在於:將被供應的影像資料顯示在設置有電晶體的一側;以及觸控感測器設置在顯示部的第一撓性基板701一側。在此,僅對不同的結構進行詳細的說明,而關於可使用相同結構的部分,援用上述說明。圖36A是適用結構例子a-3的例子。另外,作為變形例子,在圖37C中說明適用結構例子b-3的例子。
彩色層367R位於與發光元件350R重疊的位置。另外,圖36A及圖37C所示的發光元件350R向設置有電晶體302t的一側射出光。由此,發光元件350R所發射的光的一部分透過彩色層367R,而發射到圖36A或圖37C中的箭頭的方向上的輸入輸出裝置505B的外部。
輸入輸出裝置505B在射出光的方向上包括遮光層367BM。以圍繞彩色層(例如為彩色層367R)的方式設置有遮光層367BM。
觸控感測器595設置在第一撓性基板701一側,而非第二撓性基板711一側(圖36A及圖37C)。
黏合層597以使觸控感測器595與顯示部重疊的方式將撓性基板590與第一撓性基板701貼合。黏合層597具有透光性。
另外,在圖36A及36B和圖37C中說明將底閘極型電晶體適用於顯示部501時的結構。
例如,可以將包含氧化物半導體、非晶矽等的半導體層適用於圖36A及圖37C所示的電晶體302t及電晶體303t。
例如,可以將包含多晶矽等的半導體層適用於圖36B所示的電晶體302t及電晶體303t。
另外,在圖36C中說明適用頂閘極型電晶體時的結構。
例如,可以將包含多晶矽或從單晶矽基板轉置的單晶矽膜等的半導體層適用於圖36C所示的電晶體302t及電晶體303t。
注意,本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
實施方式4
在本實施方式中,參照圖式說明本發明的一個實施方式的電子裝置及照明設備。
藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等,可以製造可靠性高的電子裝置或照明設備。另外,藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等,可以製造具有曲面或撓性且可靠性高的電子裝置或照明設備。
作為電子裝置,例如包含:電視機(也稱為電視或電視接收機);用於電腦等的監視器;如數位相機、數位攝影機等影像拍攝裝置;數位相框;行動電話機(也稱為行動電話、行動電話裝置);可攜式遊戲機;可攜式資訊終端;音頻再生裝置;彈珠機等大型遊戲機等。
此外,由於本發明的一個實施方式的電子裝
置或照明設備具有撓性,因此也可以將該電子裝置或照明設備沿著房屋及高樓的內壁或外壁、汽車的內部裝飾或外部裝飾的曲面組裝。
此外,本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括二次電池,較佳的是藉由非接觸電力傳送對該二次電池充電。
作為二次電池,例如,包含利用凝膠狀電解質的鋰聚合物電池(鋰離子聚合物電池)等鋰離子二次電池、鎳氫電池、鎳鎘電池、有機自由基電池、鉛蓄電池、空氣二次電池、鎳鋅電池、銀鋅電池等。
本發明的一個實施方式的電子裝置也可以包括天線。藉由由天線接收信號,可以在顯示部上顯示影像或資訊等。另外,在電子裝置包括天線及二次電池的情況下,可以將天線用於非接觸電力傳送。
圖38A、38B、38C1、38C2、38D及38E說明具有彎曲表面的顯示部7000的電子裝置的一個例子。顯示部7000的顯示面是彎曲的,能夠沿著彎曲的顯示面進行顯示。顯示部7000也可以具有撓性。
藉由使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等,可以製造顯示部7000。
藉由本發明的一個實施方式,能夠提供一種具備彎曲的顯示部且可靠性高的電子裝置。
圖38A說明行動電話機的一個例子。行動電
話機7100包括外殼7101、顯示部7000、操作按鈕7103、外部連接埠7104、揚聲器7105、麥克風7106等。
圖38A所示的行動電話機7100在顯示部7000中具備觸控感測器。藉由用指頭或觸控筆等觸摸顯示部7000可以進行打電話或輸入文字等所有操作。
此外,藉由操作按鈕7103的操作,可以進行電源的ON、OFF工作或切換顯示在顯示部7000的影像的種類。例如,可以將電子郵件的編寫畫面切換為主功能表畫面。
圖38B說明電視機的一個例子。在電視機7200中,在外殼7201中組裝有顯示部7000。在此說明利用支架7203支撐外殼7201的結構。
可以藉由利用外殼7201所具備的操作開關、另外提供的遙控器7211進行圖38B所示的電視機7200的操作。另外,也可以在顯示部7000中具備觸控感測器,藉由用指頭等觸摸顯示部7000可以進行顯示部7000的操作。也可以在遙控器7211中具備從該遙控器7211輸出的資料的顯示部。藉由利用遙控器7211所具備的操作鍵或觸控面板,可以進行頻道及音量的操作,並可以對在顯示部7000上顯示的影像進行操作。
另外,電視機7200採用具備接收機及數據機等的結構。可以藉由利用接收機接收一般的電視廣播。再者,藉由數據機將電視機7200連接到有線或無線方式的通信網路,從而進行單向(從發送者到接收者)或雙向
(發送者和接收者之間或接收者之間等)的資訊通信。
圖38C1、38C2、38D及38E說明可攜式資訊終端的一個例子。各可攜式資訊終端包括外殼7301及顯示部7000。並且,也可以包括操作按鈕、外部連接埠、揚聲器、麥克風、天線或電池等。顯示部7000具備觸控感測器。藉由用指頭或觸控筆等觸摸顯示部7000可以進行可攜式資訊終端的操作。
圖38C1是可攜式資訊終端7300的透視圖,圖38C2是可攜式資訊終端7300的俯視圖。圖38D是可攜式資訊終端7310的透視圖。圖38E是可攜式資訊終端7320的透視圖。
本實施方式所例示出的可攜式資訊終端例如具有選自電話機、電子筆記本和資訊閱讀裝置等中的一種或多種的功能。明確而言,可以將該可攜式資訊終端用作智慧手機。該本實施方式所例示出的可攜式資訊終端例如可以執行行動電話、電子郵件、文章的閱讀及編寫、音樂播放、網路通訊、電腦遊戲等各種應用程式。
可攜式資訊終端7300、7310及7320可以將文字或影像資訊顯示在其多個面上。例如,如圖38C1及38D所示,可以將三個操作按鈕7302顯示在一個面上,而將由矩形表示的資訊7303顯示在另一個面上。圖38C1及38C2說明在可攜式資訊終端的上表面顯示資訊的例子,而圖38D說明在可攜式資訊終端的側面顯示資訊的例子。另外,也可以在三個或更多面顯示資訊,圖38E說明
在互不相同的面分別顯示資訊7304、資訊7305及資訊7306的例子。
此外,作為資訊的例子,包含提示收到SNS(Social Networking Services:社交網路服務)的通知、電子郵件或電話等的顯示;電子郵件等的標題或發送者姓名;日期;時間;電量;以及天線接收強度等。或者,也可以在顯示資訊的位置顯示操作按鈕或圖示等代替資訊。
例如,可攜式資訊終端7300的使用者能夠在將可攜式資訊終端7300放在上衣口袋裡的狀態下確認其顯示(這裡是資訊7303)。
明確而言,將打來電話的人的電話號碼或姓名等顯示在能夠從可攜式資訊終端7300的上方看到這些資訊的位置。使用者可以確認到該顯示而無需從口袋裡拿出可攜式資訊終端7300,由此能夠判斷是否接電話。
圖38F至38H說明具有彎曲發光部的照明設備的一個例子。
使用本發明的一個實施方式的發光裝置等製造圖38F至38H所示的各照明設備所包括的發光部。
藉由本發明的一個實施方式,能夠提供一種具備彎曲的發光部且可靠性高的照明設備。
圖38F所示的照明設備7400包括具有波狀的發光面的發光部7402。因此,提供設計性高的照明設備。
圖38G所示的照明設備7410所包括的發光部
7412採用對稱地配置彎曲為凸狀的兩個發光部的結構。因此,可以以照明設備7410為中心全方位地進行照射。
圖38H所示的照明設備7420包括彎曲為凹狀的發光部7422。因此,因為將來自發光部7422的發光聚集到照明設備7420的前面,所以適合應用於照亮特定的範圍的情況。藉由採用這樣結構,可以發揮不容易產生影子的效果。
此外,照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420所包括的各發光部也可以具有撓性。也可以採用使用可塑性構件或可動框架等構件固定發光部並按照用途能夠隨意使發光部的發光面彎曲的結構。
照明設備7400、照明設備7410及照明設備7420都包括具備操作開關7403的底座7401、以及由底座7401支撐的發光部。
雖然在此例示了由底座支撐發光部的照明設備,但是也可以以將具備發光部的外殼固定或吊在天花板上的方式使用照明設備。由於能夠在使發光面彎曲的狀態下使用照明設備,因此能夠使發光面以凹狀彎曲而照亮特定區域或者使發光面以凸狀彎曲而照亮整個房間。
圖39A1、39A2、39B至39I說明具有撓性顯示部7001的可攜式資訊終端的一個例子。
使用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等製造顯示部7001。例如,可以適用能夠以大於或等於0.01mm且小於或等於150m的曲
率半徑彎曲的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等。顯示部7001也可以具備觸控感測器,可以藉由用手指等接觸顯示部7001進行可攜式資訊終端的操作。
根據本發明的一個實施方式,可以提供具有撓性顯示部且可靠性高的電子裝置。
圖39A1是說明可攜式資訊終端的一個例子的透視圖,並且圖39A2是說明可攜式資訊終端的一個例子的側面圖。可攜式資訊終端7500包括外殼7501、顯示部7001、取出構件7502、操作按鈕7503等。
可攜式資訊終端7500在外殼7501內包括有捲成捲筒狀的具有撓性的顯示部7001。
此外,可攜式資訊終端7500能夠由內置的控制部接收影像信號,且能夠將所接收的影像顯示於顯示部7001。此外,在可攜式資訊終端7500中內置有電池。此外,也可以採用外殼7501具備連接連接器的端子部而以有線的方式從外部直接供應影像信號或電力的結構。
此外,可以由操作按鈕7503進行電源的ON、OFF工作或顯示的影像的切換等。圖39A1、39A2和39B說明在可攜式資訊終端7500的側面配置操作按鈕7503的例子,但是不侷限於此,也可以將操作按鈕7503配置在可攜式終端7500的與顯示面同一的面(正面)或背面上。
圖39B說明取出顯示部7001的狀態的可攜式資訊終端7500。在這樣的狀態下,可以在顯示部7001上
顯示影像。也可以在圖39A1所示的顯示部7001的一部分被捲成捲筒狀狀態和圖39B所示的將顯示部7001從取出構件7502取出的狀態下,可攜式資訊終端7500進行不同顯示。例如,藉由在圖39A1的狀態下使顯示部7001的被捲成捲筒狀的部分處於非顯示狀態,可以減少可攜式資訊終端7500的功耗。
另外,可以在顯示部7001的側部設置用來加固的框,以便在取出顯示部7001時該顯示部7001的顯示面被固定為平面狀。
此外,除了該結構以外,也可以採用在外殼中設置揚聲器並使用與影像信號同時接收的音訊信號輸出聲音的結構。
圖39C至39E說明能夠折疊的可攜式資訊終端的一個例子。圖39C說明展開狀態的可攜式資訊終端7600,圖39D說明從展開狀態和折疊狀態中的一個狀態變為另一個狀態時的中途狀態的可攜式資訊終端7600,圖39E說明折疊狀態的可攜式資訊終端7600。可攜式資訊終端7600在折疊狀態下可攜性好,在展開狀態下因為具有無縫拼接的較大的顯示區域所以顯示一覽性強。
顯示部7001由鉸鏈7602所連接的三個外殼7601來支撐。藉由鉸鏈7602使兩個外殼7601之間彎折,可以從可攜式資訊終端7600的展開狀態可逆性地變為折疊狀態。
圖39F及39G說明能夠折疊的可攜式資訊終
端的一個例子。圖39F說明以使顯示部7001位於內側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。圖39G說明以使顯示部7001位於外側的方式折疊的可攜式資訊終端7650。可攜式資訊終端7650具有顯示部7001及非顯示部7651。藉由在不使用可攜式資訊終端7650時,以使顯示部7001向內側的方式折疊,能夠抑制顯示部7001被弄髒或受損傷。
圖39H說明具有撓性的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7700包括外殼7701及顯示部7001。而且,可攜式資訊終端可以包括用作輸入單元的按鈕7703a及按鈕7703b、用作聲音輸出單元的揚聲器7704a、揚聲器7704b、外部連接埠7705、麥克風7706等。可攜式資訊終端7700也可以安裝有具有撓性的電池7709。例如,也可以以與顯示部7001重疊的方式配置電池7709。
外殼7701、顯示部7001及電池7709具有撓性。因此,可以容易使可攜式資訊終端7700彎曲為所希望的形狀,或者使可攜式資訊終端7700扭曲。例如,以使顯示部7001位於內側或外側的方式折疊並使用可攜式資訊終端7700。或者,可以將可攜式資訊終端7700捲成捲筒狀並使用。如此,可以自由地使外殼7701及顯示部7001變形,因此可攜式資訊終端7700具有如下優點:即使掉落或被施加非意圖的外力,也不容易破損。
因為可攜式資訊終端7700是輕量的,所以在
使用夾子等夾住外殼7701的上部將可攜式資訊終端7700吊下並使用的情況或者在使用磁鐵等將外殼7701固定在牆上並使用的情況等各種情況下可以以良好的方便性使用可攜式資訊終端7700。
圖39I說明手錶型的可攜式資訊終端的一個例子。可攜式資訊終端7800具有錶帶7801、顯示部7001、輸入輸出端子7802、操作按鈕7803等。錶帶7801被用作外殼。可攜式資訊終端7800可以安裝有具有撓性的電池7805。例如,也可以與顯示部7001或錶帶7801重疊的方式配置電池7805。
錶帶7801、顯示部7001及電池7805具有撓性。因此容易使可攜式資訊終端7800彎曲為所希望的形狀。
操作按鈕7803除了時間設定之外還可以具有電源開關、無線通訊的開關、靜音模式的開啟及關閉、省電模式的開啟及關閉等各種功能。例如,藉由利用組裝在可攜式資訊終端7800中的作業系統,還可以自由地設定操作按鈕7803的功能。
藉由使用指頭等接觸顯示在顯示部7001上的圖示7804,可以啟動應用程式。
另外,可攜式資訊終端7800可以進行被通信標準化的近距離無線通訊。例如,藉由與可進行無線通訊的耳麥相互通信,可以進行免提通話。
此外,可攜式資訊終端7800也可以包括輸入
輸出端子7802。在可攜式資訊終端7800包括輸入輸出端子7802的情況下,可以藉由連接器直接與其他資訊終端進行資料的交換。另外,也可以藉由輸入輸出端子7802進行充電。另外,在本實施方式中例說明的可攜式資訊終端的充電工作也可以利用非接觸電力傳送進行,而不藉由輸入輸出端子。
圖40A說明汽車9700的外觀。圖40B說明汽車9700的駕駛座。汽車9700包括車體9701、車輪9702、儀表板9703、燈9704等。本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等可以用於汽車9700的顯示部等。例如,可以在圖40B所示的顯示部9710至顯示部9715中設置本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等。
顯示部9710和顯示部9711是設置在汽車的擋風玻璃上的顯示裝置。藉由使用具有透光性的導電材料來製造電極或佈線,可,以使本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等處於稱為能看到對面的所謂的透視式狀態。若顯示部9710及顯示部9711成為透視式狀態就在駕駛汽車9700時也不會成為視野的障礙。因此,可以將本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等設置在汽車9700的擋風玻璃上。另外,當在發光裝置、顯示裝置或輸入輸出裝置等中設置用來驅動他們的電晶體等時,較佳為採用使用有機半導體材料的有機電晶體、使用氧化物半導體的電晶體等具有透光
性的電晶體。
顯示部9712是設置在立柱部分的顯示裝置。例如,藉由將來自設置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9712,可以補充被立柱遮擋的視野。顯示部9713是設置在儀表板部分的顯示裝置。例如,藉由將來自設置在車體的成像單元的影像顯示在顯示部9713,可以補充被儀表板遮擋的視野。亦即,藉由顯示來自設置在汽車外側的成像單元的影像,可以補充死角,從而提高安全性。另外,藉由顯示補充看不到的部分的影像,可以更自然、更自在地確認安全。
另外,圖40C說明作為駕駛座和副駕駛座採用了長條座椅的汽車室內。顯示部9721是設置於車門部位的顯示裝置。例如,藉由將設置於車體外側的成像單元所拍攝的影像顯示在顯示部9721,可以補充被車門遮擋的視野。另外,顯示部9722是設置於方向盤的顯示裝置。顯示部9723是設置於橫排長座的座位中央部的顯示裝置。注意,藉由將顯示裝置設置於座椅或靠背等並以該顯示裝置的發熱為熱源,可以將該顯示裝置用作座椅加熱器。
顯示部9714、顯示部9715或顯示部9722可以提供導航資訊、速度計、轉速計、里程、油量表、換擋指示燈、空調的設定以及其他各種資訊。另外,使用者可以適當地改變顯示部所顯示的顯示內容及佈置等。另外,顯示部9710至顯示部9713、顯示部9721、顯示部9723
也可以顯示上述資訊。顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作照明設備。此外,顯示部9710至顯示部9715、顯示部9721至顯示部9723還可以被用作加熱裝置。
適用本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等的顯示部可以為平面。
圖40D所示的可攜式遊戲機包括外殼9801、外殼9802、顯示部9803、顯示部9804、麥克風9805、揚聲器9806、操作鍵9807以及觸控筆9808等。
圖40D所示的可攜式遊戲機包括兩個顯示部(顯示部9803和顯示部9804)。注意,本發明的一個實施方式的電子裝置所包括的顯示部的數量不侷限於兩個,而可以包括一個或三個以上的顯示部。在電子裝置包括多個顯示部的情況下,至少一個顯示部包括本發明的一個實施方式的發光裝置、顯示裝置、或輸入輸出裝置等即可。
圖40E說明筆記本式個人電腦,該筆記本式個人電腦包括外殼9821、顯示部9822、鍵盤9823、指向裝置9824等。
本實施方式可以與其他實施方式適當地組合。
[實施例1]
在本實施例中說明應用本發明的一個實施方式製造的樣本。
想定製造發光裝置而決定本實施例所製造的樣本的結構。該樣本處於在實施方式2所例示出的發光裝置的結構中,沒有形成發光元件的一部分(電致發光層及上部電極)的狀態。在該樣本中設置有相當於發光部的區域,在該發光部的外側框狀地設置有相當於非發光部的區域。
首先,參照圖8A至8D、圖9A、圖26B和26C、圖41A和41B對樣本的製造方法進行說明。
如圖8A所示,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205。作為形成用基板201使用厚度為0.7mm的玻璃基板。作為剝離層203,使用鎢膜和氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層205,使用包括氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構。在功能層206中包括使用氧化物半導體的電晶體。
參照圖26B和26C對本實施例所製造的剝離層203上的被剝離層(相當於圖8A中的絕緣層205及功能層206)的具體結構進行說明。作為該被剝離層,形成絕緣層705、電晶體820、絕緣層815、絕緣層817a、導電層856、絕緣層817b、下部電極831、光學調整層832、絕緣層821、以及隔離體823。
此外,如圖8B所示,在形成用基板221上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225。作為形成用基板221使用玻璃基板。作為剝離層223使用鎢膜及氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層225,使用包括氧氮化
矽膜及氮化矽膜的疊層結構。
參照圖26B對本實施例所製造的剝離層223上的被剝離層(相當於圖8B中的絕緣層225及功能層226)的具體結構進行說明。作為該被剝離層,形成絕緣層715、遮光層847、以及彩色層845。
並且,在減壓氛圍下,如圖8C所示,隔著黏合層207和框狀的分隔壁209,將形成用基板201和形成用基板221重疊。將熱固性樹脂用於黏合層207,將紫外線硬化性樹脂用於分隔壁209。此外,藉由利用印刷法形成黏合層207,藉由利用分配法形成分隔壁209。注意,所形成的黏合層207的厚度大約為大於或等於5μm且小於或等於8μm。
在圖41A中說明黏合層207及分隔壁209的形成位置。以重疊於發光部804及驅動電路部806的方式形成黏合層207。
在本實施例中,以黏合層207的端部位於驅動電路部806或發光部804的端部內側的方式設置黏合層207。
在本實施例中,以在樣本的三邊中非發光部包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的方式形成黏合層207。如圖41A所示,以黏合層207的端部位於除了發光部804中的與驅動電路部806鄰接的邊以外的三邊內側的方式設置黏合層207。
在本實施例中,雖然說明黏合層207與驅動
電路部806的兩邊重疊的情況,但是在採用在樣本的四邊中非發光部都包括其厚度比發光部的厚度薄的部分的結構的情況等下,如圖41B所示,黏合層207也可以僅重疊於驅動電路部806的一邊(與發光部804鄰接的邊)。
如圖41C所示,與黏合層207的端部位於驅動電路部806及發光部804的端部外側的情況相比,圖41A和41B所示的黏合層207的配置能夠增加非發光部與發光部之間的厚度的差異。根據樣本的尺寸或黏合劑的黏度,適當地調整黏合層的平面佈局或厚度即可。
分隔壁209形成在發光部804及驅動電路部806的外側。沿著基板的外周框狀地形成分隔壁209。以不接觸於黏合層207的方式有間隔地配置分隔壁209。
接著,在將形成用基板201及形成用基板221暴露於大氣氛圍中且藉由照射紫外線使分隔壁209固化之後,藉由進行加熱使黏合層207固化。
接著,藉由照射雷射形成剝離起點,使絕緣層205與形成用基板201分離(圖9A)。
圖42A展示在這個製造步驟中的樣本的照片。圖42A所示的照片是從圖9A中的絕緣層205一側拍攝的。圖42B展示圖42A中的發光部804的左下部分的放大圖。
如圖42A及42B所示,在發光部804的外側確認到干涉條紋。由此確認到在發光部804的外側向樣本的端部樣本的厚度變化。此外,在發光部804中看不到干
涉條紋。另外,當進行剖面觀察時,看不到樣本的厚度與其他部分差異極大的部分。因此,可以認為在非發光部中包括其厚度平滑地(連續地)變化的部分。
根據本實施例的結果可知藉由使用本發明的一個實施方式可以使發光裝置的發光部的厚度均勻且在非發光部中可以形成其厚度比發光部的厚度薄的部分。由此可知,能夠抑制來自發光裝置的端部的水分等的侵入來提高可靠性,而不降低發光裝置的顯示品質。
[實施例2]
在本實施例中說明應用本發明的一個實施方式製造的樣本。本實施例所製造的樣本是結構例子b-3(圖16A及16B)。
首先,參照圖16A及16B、圖19A及19B、圖21A至21D、圖26B及26C對樣本的製造方法進行說明。
如圖21A所示,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205。作為形成用基板201使用厚度為0.7mm的玻璃基板。作為剝離層203使用鎢膜及氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層205,使用包括氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構。在功能層206中包括使用氧化物半導體的電晶體和有機電致發光元件。另外,雖然在圖21A中未圖示,但是在絕緣層205上也製造功能層204(參照圖16A)。功能層204包括使用氧化物
半導體的電晶體。
參照圖26B和26C對本實施例所製造的剝離層203上的被剝離層(相當於圖21A中的絕緣層205及功能層206)的具體結構進行說明。作為該被剝離層,形成絕緣層705、電晶體820、絕緣層815、絕緣層817a、導電層856、絕緣層817b、下部電極831、光學調整層832、絕緣層821、隔離體823、電致發光層833、以及上部電極835。
另外,如圖21B所示,在形成用基板221上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225。作為形成用基板221使用厚度為0.7mm的玻璃基板。作為剝離層223使用鎢膜及氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層225,使用包括氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構。
參照圖26B對本實施例所製造的剝離層223上的被剝離層(相當於圖21B中的絕緣層225及功能層226)的具體結構進行說明。作為該被剝離層,形成絕緣層715、遮光層847、以及彩色層845。
並且,在減壓氛圍下,如圖21C所示,隔著黏合層207、框狀的分隔壁242、以及框狀的暫時密封層244,將形成用基板201和形成用基板221重疊。將熱固性樹脂用於黏合層207,將紫外線硬化性樹脂用於框狀的分隔壁242及框狀的暫時密封層244。
然後,藉由照射紫外線,使框狀的暫時密封層244固化。
接著,將形成用基板201及形成用基板221暴露於大氣氛圍中,藉由利用如圖19A所示的熱壓機進行加壓。
作為基板2100a及基板2100b使用石英基板。作為基板2101使用玻璃基板,藉由使樹脂固化形成凸部2102。如圖19B所示將凸部2102框狀地形成在基板2101上。凸部2102的寬度大約為1mm,高度大約為0.1mm。
在熱壓機中,在對發光裝置10施加負載1.0t之後,利用熱源將溫度提升到100℃並進行加壓及加熱1小時。
接著,藉由照射雷射形成剝離起點,使絕緣層205與形成用基板201分離,且使用黏合層253將基板251貼合到所露出的絕緣層205。對黏合層253使用熱固性樹脂,進行加熱來使它固化。
接著,藉由使用切割器切割基板251的四方,形成剝離起點,使絕緣層225與形成用基板221分離,且使用黏合層257將基板259貼合到所露出的絕緣層225。對黏合層257使用熱固性樹脂,進行加熱來使它固化。
藉由上述步驟,製造圖16A及16B所示的發光裝置。
在本實施例所製造的發光裝置的非發光部中,在被加壓的部分及其附近確認到干涉條紋。由此可
知,在非發光部中厚度變化。形成有干涉條紋的部分的寬度大約為2mm。此外,在發光部中看不到干涉條紋。
對本實施例所製造的發光裝置,進行剖面觀察。藉由利用掃描型電子顯微鏡(SEM)進行剖面觀察。圖43A及43B說明在非發光部中被加壓的部分及其附近的剖面觀察影像。此外,圖43C說明在非發光部中,比被加壓的部分更靠近發光部的部分的剖面觀察影像。此外,圖44A說明發光部的剖面觀察影像。此外,圖44B說明在非發光部中,比被加壓的部分更靠近發光裝置的端部的部分的剖面觀察影像。
注意,在圖43A至43C、圖44A和44B中分別記為黏合層207的厚度。從圖43A至43C可知,非發光部中的黏合層207的厚度根據位置彼此不同。雖然在離被加壓的部分較遠的部分中,黏合層207的厚度大約為8.7μm,但是可知在被加壓的部分中,黏合層207的厚度大幅度地減薄,亦即大約為2.3μm。此外,如圖44A所示,在發光部中,黏合層207的厚度大約為11.6μm。並且,如圖44B所示,在非發光部中的比被加壓的部分更靠近發光裝置的端部的部分中,確認到與其他部分相比,黏合層207的厚度大幅度地增厚的部分,亦即為49.6μm。由此可知,發光裝置的端部的厚度比發光部更厚(參照圖16C)。
另外,本實施例所製造的發光裝置能夠全面發光。另外,在溫度為65℃並濕度為95%的環境下保存
本實施例所製造的發光裝置,其結果,即使在從保存試驗開始起經過250小時之後也看不到收縮,能夠全面發光。
根據本實施例的結果可知藉由使用本發明的一個實施方式可以使發光裝置的發光部的厚度均勻且在非發光部中可以形成其厚度比發光部的厚度薄的部分。此外,在高溫高濕環境下保存本發明的一個實施方式的發光裝置時,即使經過250小時之後也看不到收縮。由此可知,能夠抑制來自發光裝置的端部的水分等的侵入來提高可靠性,而不降低發光裝置的顯示品質。
[實施例3]
在本實施例中說明應用本發明的一個實施方式製造的樣本。
本實施例所製造的樣本的結構是圖45B及45C所示的結構。圖45B說明圖11A中的點劃線A1-A2間的剖面圖。圖45C說明圖11A中的點劃線A3-A4間的剖面圖。
首先,參照圖21A至21C、圖45A、圖46A及46B對樣本的製造方法進行說明。
如圖21A所示,在形成用基板201上形成剝離層203,在剝離層203上形成絕緣層205。作為形成用基板201使用厚度為0.7mm的玻璃基板。作為剝離層203,使用鎢膜和氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層205,使用包括氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構。在功
能層206中包括使用氧化物半導體的電晶體和有機電致發光元件。另外,雖然在圖21A中未圖示,但是在絕緣層205上也製造功能層204(參照圖45B)。功能層204包括使用氧化物半導體的電晶體。
另外,如圖21B所示,在形成用基板221上形成剝離層223,在剝離層223上形成絕緣層225。作為形成用基板221使用厚度為0.7mm的玻璃基板。作為剝離層223使用鎢膜及氧化鎢膜的疊層結構。作為絕緣層225,使用包括氧氮化矽膜及氮化矽膜的疊層結構。
本實施例所製造的被剝離層的結構是與實施例2的結構相同。
並且,在減壓氛圍下,如圖21C所示,隔著黏合層207、框狀的分隔壁242、以及框狀的暫時密封層244,將形成用基板201和形成用基板221重疊。將熱固性樹脂用於黏合層207,將紫外線硬化性樹脂用於框狀的分隔壁242及框狀的暫時密封層244。
然後,藉由照射紫外線,使框狀的暫時密封層244固化。
接著,將形成用基板201及形成用基板221暴露於大氣氛圍中,藉由利用如圖46A所示的熱壓機進行加壓。除了形成在基板2101上的凸部形狀之外,圖46A所示的熱壓機與圖19A所示的熱壓機結構相同。
作為基板2100a及基板2100b使用石英基板。作為基板2101使用玻璃基板,藉由使樹脂固化形成
凸部2102a及凸部2102b。
在圖46B中,說明基板2101的俯視圖。將凸部2102a及凸部2102b框狀地形成在基板2101上。將凸部2102a及凸部2102b形成為其寬度分別大約為1mm,高度分別大約為0.05mm。凸部2102a與凸部2102b之間的間隔大約為1.5mm。此外,在圖46B中,以虛線說明重疊於基板2101的發光裝置10所包括的發光部804及導電層208的位置。在圖46B中說明的雙點劃線相當於發光裝置10的斷開位置。
在熱壓機中,在對發光裝置10施加負載1.0t之後,利用熱源將溫度提升到100℃並進行加壓及加熱1小時。在圖45A中說明藉由加壓及加熱而變形的發光裝置10的剖面模式圖。由於加壓及加熱,在發光裝置10的非發光部中形成厚度較薄的部分。此外,因為黏合層207是熱固性樹脂,所以藉由這個加熱步驟被固化。
接著,藉由照射雷射形成剝離起點,使絕緣層205與形成用基板201分離,且使用黏合層253將基板251貼合到所露出的絕緣層205。對黏合層253使用熱固性樹脂,進行加熱來使它固化。
接著,藉由使用切割器切割基板251的四方,形成剝離起點,使絕緣層225與形成用基板221分離,且使用黏合層257將基板259貼合到所露出的絕緣層225。對黏合層257使用熱固性樹脂,進行加熱來使它固化。
並且,藉由在圖46B所示的雙點劃線處將發光裝置10斷開,來製造圖45B及45C所示的發光裝置。在完成的發光裝置10中存在根據凸部2102a厚度減薄的部分。另外,在完成的發光裝置10的三邊,根據凸部2102b厚度減薄的部分位於端部。
如圖47A是展示本實施例所製造的發光裝置的發光狀態的照片。如圖47A所示,藉由應用本發明的一個實施方式,能夠製造可以全面發光的發光裝置。
另外,在溫度為65℃並濕度為95%的環境下保存本實施例所製造的發光裝置。
注意,當在飽和區域中使驅動用電晶體工作時,驅動用電晶體的臨界值與發光元件的劣化同步地負向漂移,由此發光元件的亮度上升,而不容易確認收縮。由此,為了容易確認收縮,從保存試驗開始起直到750小時之後至1500小時之後,在線性區域中使驅動用電晶體工作來使發光元件發光。
圖47B及47C是展示從保存試驗開始起經過1000小時之後的發光狀態的照片。圖47B展示在飽和區域中使驅動用電晶體工作時的發光狀態。圖47C展示在線性區域中使驅動用電晶體工作時的發光狀態。圖47D及47E是展示從保存試驗開始起經過1500小時之後的發光狀態的照片。圖47D展示在飽和區域中使驅動用電晶體工作時的發光狀態。圖471E展示在線性區域中使驅動用電晶體工作時的發光狀態。
即使在從保存試驗開始起經過1000小時之後也看不到收縮,而能夠全面發光。在經過1500小時之後確認到收縮稍微發生(參照圖47E的下部)。注意,與圖47A的顯示相比,圖47B及47D的顯示更暗。然而,由於保存試驗導致的發光元件的電流效率的劣化是稍微的,因此可知亮度的下降的原因不是發光元件的劣化。例如,可以想到電晶體的特性漂移等是亮度的下降的原因。另外,可以想到亮度的下降不是以熱壓為原因而發生的。
根據本實施例的結果,藉由使用本發明的一個實施方式,即使在高溫高濕環境下保存1000小時,也看不到收縮。由此可知,能夠抑制來自發光裝置的端部的水分等的侵入來提高可靠性,而不降低發光裝置的顯示品質。
204:功能層
206:功能層
207:黏合層
208:導電層
251:基板
259:基板
804:發光部
806:驅動電路部
808:FPC
825:連接器
A1-A2:點劃線
Claims (7)
- 一種發光裝置,包括:第一基板;第二基板;以及第一功能層、第二功能層、導電層以及介於該第一基板與該第二基板間的黏合層,其中,該第一功能層設置於發光部中且包括發光元件,其中,該第二功能層設置於驅動電路部中且包括電晶體,其中,該導電層電性連接至FPC,其中,該發光部的四個側之上設置有非發光部,其中,該驅動電路部設置於該非發光部中,其中,在該非發光部中之該第二基板包括凹部,並且其中,在該非發光部中之該第一基板與該第二基板的該凹部間之距離小於該發光部中之該第一基板與該第二基板間之距離。
- 一種發光裝置,包括:第一基板;第二基板;以及第一功能層、第二功能層、導電層以及介於該第一基板與該第二基板間的黏合層,其中,該第一功能層設置於發光部中且包括發光元件,其中,該第二功能層設置於驅動電路部中且包括電晶體,其中,該導電層電性連接至FPC,其中,該發光部的四個側之上設置有非發光部,其中,該驅動電路部設置於該非發光部中,其中,在該非發光部中之該第二基板包括凹部,其中,在該非發光部中之該第一基板與該第二基板的該凹部間之距離小於該發光部中之該第一基板與該第二基板間之距離,並且其中,在該非發光部中之該第一基板的端部與該第二基板的端部間之距離大於該第一基板與該第二基板的該凹部間之距離。
- 根據請求項1或2之發光裝置,其中,該第一基板為撓性基板,而且其中,該第二基板為撓性基板。
- 根據請求項1或2之發光裝置,其中,在該發光部中之該第一基板與該第二基板間之距離為均勻的。
- 根據請求項1或2之發光裝置,其中,在該非發光部中之該第一基板包括凹部。
- 根據請求項1或2之發光裝置,其中,該黏合層包含樹酯。
- 根據請求項1或2之發光裝置,其中,該黏合層包圍該發光元件。
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Families Citing this family (37)
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JP2016001526A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-07 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
WO2016053901A1 (en) | 2014-09-30 | 2016-04-07 | Apple Inc | Configurable force-sensitive input structures for electronic devices |
KR102472238B1 (ko) | 2014-10-17 | 2022-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법 |
US9942979B2 (en) * | 2014-11-03 | 2018-04-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Flexible printed circuit board |
KR102303244B1 (ko) * | 2015-04-15 | 2021-09-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 |
TWI596985B (zh) * | 2015-07-22 | 2017-08-21 | 億光電子工業股份有限公司 | 發光裝置 |
CN108738377B (zh) | 2015-07-30 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备 |
WO2017029930A1 (ja) * | 2015-08-18 | 2017-02-23 | Necライティング株式会社 | 有機elデバイス、有機el照明パネル、有機el照明装置および有機elディスプレイ |
US10409412B1 (en) | 2015-09-30 | 2019-09-10 | Apple Inc. | Multi-input element for electronic device |
KR102456062B1 (ko) * | 2015-10-16 | 2022-10-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102426711B1 (ko) * | 2015-11-18 | 2022-07-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 디스플레이 장치 |
KR102491874B1 (ko) | 2015-11-26 | 2023-01-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치의 제조 방법 및 그 장치 |
US10318065B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-06-11 | Apple Inc. | Input device having a dimensionally configurable input area |
US10002762B2 (en) * | 2016-09-09 | 2018-06-19 | International Business Machines Corporation | Multi-angled deposition and masking for custom spacer trim and selected spacer removal |
US10871860B1 (en) * | 2016-09-19 | 2020-12-22 | Apple Inc. | Flexible sensor configured to detect user inputs |
KR102555086B1 (ko) * | 2016-10-28 | 2023-07-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN106486019B (zh) * | 2016-10-31 | 2019-06-11 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示装置及其制造方法 |
KR20180100013A (ko) * | 2017-02-28 | 2018-09-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP6834609B2 (ja) * | 2017-03-07 | 2021-02-24 | デクセリアルズ株式会社 | 画像表示装置の製造方法 |
US20190363304A1 (en) * | 2017-03-30 | 2019-11-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | El device producing method and el device producing device |
JP6480989B2 (ja) * | 2017-08-03 | 2019-03-13 | Nissha株式会社 | 成形品、電気製品及び成形品の製造方法 |
US10732676B2 (en) | 2017-09-06 | 2020-08-04 | Apple Inc. | Illuminated device enclosure with dynamic trackpad |
CN109727530A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 柔性显示模组及柔性显示模组制备方法 |
CN107978622B (zh) * | 2017-11-22 | 2020-08-11 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
JP2019095646A (ja) * | 2017-11-24 | 2019-06-20 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置、および表示装置の作製方法 |
KR102524340B1 (ko) * | 2018-02-22 | 2023-04-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 플렉서블 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN108596083B (zh) * | 2018-04-23 | 2021-03-02 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板和显示装置 |
CN110634852B (zh) * | 2018-06-21 | 2021-06-25 | 群创光电股份有限公司 | 半导体装置 |
US11963425B1 (en) | 2018-07-10 | 2024-04-16 | Apple Inc. | Electronic devices having displays with curved surfaces |
CN109192764B (zh) * | 2018-09-11 | 2021-01-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板及其制备方法 |
CN109671758A (zh) * | 2018-12-18 | 2019-04-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
CN109659324B (zh) * | 2018-12-18 | 2021-01-15 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法 |
KR20200085386A (ko) * | 2019-01-04 | 2020-07-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
CN110703949B (zh) * | 2019-10-10 | 2022-05-13 | 业成科技(成都)有限公司 | 绝缘胶保护的改良结构 |
US11777059B2 (en) | 2019-11-20 | 2023-10-03 | Lumileds Llc | Pixelated light-emitting diode for self-aligned photoresist patterning |
JP7411426B2 (ja) * | 2020-01-27 | 2024-01-11 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
KR20220072003A (ko) * | 2020-11-23 | 2022-06-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
Family Cites Families (96)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5189405A (en) | 1989-01-26 | 1993-02-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin film electroluminescent panel |
JPH0754746B2 (ja) * | 1990-03-14 | 1995-06-07 | 株式会社精工舎 | El板の封止方法 |
JP4776766B2 (ja) * | 1999-10-26 | 2011-09-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP2001155853A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の封止方法 |
JP3533168B2 (ja) * | 2000-10-16 | 2004-05-31 | 鹿児島日本電気株式会社 | 液晶表示パネルの製造方法 |
US6822391B2 (en) * | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
US7211828B2 (en) | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
JP2003086356A (ja) * | 2001-09-06 | 2003-03-20 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及び電子機器 |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
TW564471B (en) | 2001-07-16 | 2003-12-01 | Semiconductor Energy Lab | Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device |
JP4027740B2 (ja) | 2001-07-16 | 2007-12-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4166455B2 (ja) | 2001-10-01 | 2008-10-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 偏光フィルム及び発光装置 |
TWI264121B (en) | 2001-11-30 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | A display device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of manufacturing a display device |
US7649674B2 (en) | 2002-06-10 | 2010-01-19 | E Ink Corporation | Electro-optic display with edge seal |
JP4240276B2 (ja) * | 2002-07-05 | 2009-03-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
JP2004047309A (ja) * | 2002-07-12 | 2004-02-12 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 |
CN1669363A (zh) * | 2002-07-12 | 2005-09-14 | 日本板硝子株式会社 | 电致发光元件用密封板及其制造方法、和用于制取多个该密封板的基样玻璃基板 |
JP2004103337A (ja) * | 2002-09-06 | 2004-04-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
US7015640B2 (en) | 2002-09-11 | 2006-03-21 | General Electric Company | Diffusion barrier coatings having graded compositions and devices incorporating the same |
US20040099926A1 (en) | 2002-11-22 | 2004-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, display device, and light-emitting device, and methods of manufacturing the same |
JP4429917B2 (ja) | 2002-12-26 | 2010-03-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、表示装置及び電子機器 |
US7271076B2 (en) | 2003-12-19 | 2007-09-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of thin film integrated circuit device and manufacturing method of non-contact type thin film integrated circuit device |
JP2005293946A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機el表示装置 |
JP2006004650A (ja) * | 2004-06-15 | 2006-01-05 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示素子及び光学デバイス |
US7753751B2 (en) * | 2004-09-29 | 2010-07-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of fabricating the display device |
US7736964B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-06-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US7566633B2 (en) | 2005-02-25 | 2009-07-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
JP4926426B2 (ja) | 2005-08-12 | 2012-05-09 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電子機器 |
EP1818860B1 (en) | 2006-02-08 | 2011-03-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | RFID device |
JP2007220402A (ja) * | 2006-02-15 | 2007-08-30 | Konica Minolta Holdings Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子の封止方法、有機エレクトロルミネッセンス素子 |
CN1851925A (zh) * | 2006-05-10 | 2006-10-25 | 友达光电股份有限公司 | 有源发光装置及其制造方法 |
KR100688972B1 (ko) * | 2006-06-01 | 2007-03-08 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 이의 제조방법 |
GB0614341D0 (en) * | 2006-07-19 | 2006-08-30 | Plastic Logic Ltd | Encapsulation for flexible displays |
KR101478810B1 (ko) | 2006-07-28 | 2015-01-02 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 축전 장치 |
US8232621B2 (en) | 2006-07-28 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
TWI421607B (zh) * | 2006-08-24 | 2014-01-01 | Creator Technology Bv | 可撓性裝置上的滲透阻障 |
JP2008089884A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Toshiba Corp | 表示素子 |
JP4245032B2 (ja) | 2006-10-03 | 2009-03-25 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
WO2008115513A1 (en) * | 2007-03-19 | 2008-09-25 | White Electronic Designs Corp. | Enhanced liquid crystal display system and methods |
US7667549B2 (en) | 2007-04-26 | 2010-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and driving method thereof |
JP2009205669A (ja) | 2008-01-31 | 2009-09-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
WO2009104563A1 (ja) | 2008-02-20 | 2009-08-27 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機elディスプレイおよびその製造方法 |
JP2009199979A (ja) * | 2008-02-25 | 2009-09-03 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
WO2009142309A1 (en) | 2008-05-23 | 2009-11-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
KR101545647B1 (ko) | 2008-07-10 | 2015-08-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 및 전자기기 |
KR101588576B1 (ko) | 2008-07-10 | 2016-01-26 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
US8629842B2 (en) | 2008-07-11 | 2014-01-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US20100008068A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-14 | Joo-Young Kim | Electron emission device, electron emission type backlight unit including the same and method of fabricating the electron emission device |
US8928597B2 (en) | 2008-07-11 | 2015-01-06 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US9342176B2 (en) | 2008-07-21 | 2016-05-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US7758200B2 (en) | 2008-08-18 | 2010-07-20 | Wei-Jei Tuan | Responsive led module unit |
JP5216716B2 (ja) | 2008-08-20 | 2013-06-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR101276750B1 (ko) | 2008-12-04 | 2013-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉시블 액정표시장치 및 그 제조방법 |
WO2010071089A1 (en) | 2008-12-17 | 2010-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device |
JP4736142B2 (ja) | 2009-02-18 | 2011-07-27 | 株式会社デンソー | 高圧ポンプ |
JP2010267396A (ja) * | 2009-05-12 | 2010-11-25 | Canon Inc | 有機発光装置の製造方法 |
US8766269B2 (en) | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
JP5360687B2 (ja) * | 2009-07-07 | 2013-12-04 | セイコーエプソン株式会社 | 電子機器 |
JP2011028887A (ja) * | 2009-07-22 | 2011-02-10 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
KR101174873B1 (ko) * | 2009-08-14 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조하는 방법 |
CN101996535A (zh) * | 2009-08-25 | 2011-03-30 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置和电子设备 |
JP5444940B2 (ja) * | 2009-08-25 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電子機器 |
JP5446790B2 (ja) * | 2009-12-02 | 2014-03-19 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP5560688B2 (ja) * | 2009-12-11 | 2014-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
TWI589042B (zh) | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
JP6118020B2 (ja) | 2010-12-16 | 2017-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN103547226B (zh) * | 2011-01-28 | 2018-04-17 | 通用医疗公司 | 用于皮肤再表面化的装置 |
JP2012209133A (ja) | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Canon Inc | 気密容器、画像表示装置及びこれらの製造方法 |
JP5682422B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-03-11 | 株式会社デンソー | 有機el装置およびその製造方法 |
KR20130007208A (ko) | 2011-06-30 | 2013-01-18 | 한국정보통신주식회사 | 신용 카드 결제 관리 장치 및 방법 |
JP5741274B2 (ja) | 2011-07-22 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び電子機器 |
JP5504221B2 (ja) * | 2011-08-05 | 2014-05-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR20130060131A (ko) | 2011-11-29 | 2013-06-07 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 밀봉체, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 |
JP5907722B2 (ja) * | 2011-12-23 | 2016-04-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP5781917B2 (ja) * | 2011-12-28 | 2015-09-24 | 積水化学工業株式会社 | バリアフィルム及びデバイス素子封止構造 |
JP5409830B2 (ja) * | 2012-02-21 | 2014-02-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
KR102079188B1 (ko) | 2012-05-09 | 2020-02-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치 및 전자 기기 |
JP2013251191A (ja) * | 2012-06-01 | 2013-12-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR102173801B1 (ko) | 2012-07-12 | 2020-11-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치의 제작 방법 |
JP2014022158A (ja) * | 2012-07-17 | 2014-02-03 | Nitto Denko Corp | 有機elデバイス、および、有機elデバイスの製造方法 |
JP2014027192A (ja) * | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Sony Corp | 発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器 |
KR102161078B1 (ko) | 2012-08-28 | 2020-09-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치 및 그 제작 방법 |
JP5450738B2 (ja) * | 2012-08-29 | 2014-03-26 | シャープ株式会社 | 色変換膜及び該色変換膜を含む有機elデバイス |
KR20140063228A (ko) * | 2012-11-16 | 2014-05-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101964149B1 (ko) | 2012-11-20 | 2019-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 양면 발광형 표시장치 |
KR102245511B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2021-04-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 플렉서블 유기 발광 표시 장치 및 플렉서블 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP2014135306A (ja) * | 2013-01-08 | 2014-07-24 | Ibiden Co Ltd | 発光素子搭載用基板及びその製造方法 |
JP6201411B2 (ja) * | 2013-05-14 | 2017-09-27 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 |
KR101772135B1 (ko) * | 2013-06-29 | 2017-09-12 | 아익스트론 에스이 | 고성능 코팅들을 증착하기 위한 방법 및 캡슐화된 전자 디바이스들 |
US9269914B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-02-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, electronic device, and lighting device |
WO2015125046A1 (en) * | 2014-02-19 | 2015-08-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and peeling method |
JP5728599B2 (ja) | 2014-03-14 | 2015-06-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
CN103985825B (zh) | 2014-05-09 | 2017-10-27 | 青岛海信电器股份有限公司 | 曲面显示面板的制备方法、曲面显示面板和显示装置 |
US9871221B2 (en) | 2014-06-30 | 2018-01-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent device having holes for liquid filler flow |
KR102472238B1 (ko) | 2014-10-17 | 2022-11-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광 장치, 모듈, 전자 기기, 및 발광 장치의 제작 방법 |
CN108738377B (zh) * | 2015-07-30 | 2020-11-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光装置的制造方法、发光装置、模块及电子设备 |
-
2015
- 2015-09-30 KR KR1020177010860A patent/KR102472238B1/ko active IP Right Grant
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