JP5560688B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、電気光学装置の製造方法に関する。

ガラス等からなる基板上に電気光学素子を２次元的に配置して画像を表示する電気光学パネルを用いた電気光学装置は、携帯電話機やパーソナルコンピューター、車載用モニター等への採用が進んでいる。かかる電気光学装置の製造については、生産性を向上させるために一対の大型基板を用いて、複数の電気光学パネルが２次元的に配置された大型（大面積）の貼り合せ基板を形成した後、該大型の貼り合せ基板を分断して個々の電気光学パネルを得る手法が知られている（例えば、特許文献１参照）。そして、上述の分断は、回転刃等を用いて、大型基板に所定の深さまで塑性変形を生じさせてスクライブラインを形成した後、該スクライブラインに沿って応力を加えて分断する手法が一般的である。

特開２００６−３５１３８２号公報

しかし近年、電気光学パネルの薄型化が進み、上述の大型基板の板厚も、分断前の時点では数十μｍ程度まで薄板化されていることが一般化しつつある。かかる薄板化された基板（大型基板）に上述の回転刃等を押し当てた場合、基板自体が変形するため、上述の塑性変形を好ましい形で発生させることが困難となり得る。

図１に、かかる従来のスクライブラインの形成方法を示す。図１（ａ）は比較的厚い大型基板を用いて形成された貼り合せ基板にスクライブラインを形成する態様を示す図である。そして、図１（ｂ）は近年増加しつつある薄い大型基板を用いて形成された貼り合せ基板にスクライブラインを形成する態様を示す図である。双方の図とも、基板面及び形成されつつあるスクライブラインに直角の方向の断面図である。なお、上記の図において符合が付与された各要素については後述の実施形態でも説明する。

図１（ａ）に示すように、スクライブラインの形成は、回転刃６２を備える分断ローラー６４を、シール材４０と平面視で重ならない位置において、該シール材の延在方向に平行に走査させて行う。回転刃６２により基板面に押圧を加えることで、マザー基板（１，２）に塑性変形領域４９を形成する。かかる線状に形成された塑性変形領域４９が、スクライブラインである。塑性変形領域４９からは、さらに、垂直クラック４８（基板面に略垂直方向に形成される微細なクラック）も形成される。かかるスクライブラインにそって応力を加えることで、マザー基板（１，２）を、端面が平滑な直線となるように分断できる。
ここで、一般的にシール材４０の外周線はかなり波打っている。したがって、スクライブラインをシール材４０とは確実に重ならないように形成するためには、分断ローラー６４を、シール材４０の外周線から若干の距離（間隔）が空くように走査させる必要がある。

しかし、薄板化されたマザー基板（１，２）に対して、上述したように若干の距離（間隔）をおいて分断ローラー６４を走査させると、図１（ｂ）に示すように回転刃６２による押圧でマザー基板（１，２）が撓んでしまう。その結果、塑性変形領域４９が明確には形成されず、さらに水平クラック４７（基板面に略平行方向、又は斜め方向に形成される微細なクラック）が形成されてしまう。その結果、分断後の基板の端面に上記の水平クラック４７が残り、電気光学パネルとして使用時においてマザー基板（１，２）の破損等の原因になり信頼性等を低下させ得るという課題があった。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例にかかる電気光学装置の製造方法は、第１の基板の一方の面上に電気光学素子群を形成する第１の工程と、上記電気光学素子群を囲む環状の第１のシール材と、上記第１の基板の基板面からの高さが上記第１のシール材と同一であり平面視で上記第１のシール材を囲む第２のシール材と、を形成する第２の工程と、上記第１の基板に第２の基板を上記第１のシール材及び上記第２のシール材を介して真空中で貼り合せて貼り合せ基板を形成する第３の工程と、上記貼り合せ基板を上記真空中よりも高圧の雰囲気中に配置して、上記第１のシール材を平面視で所定の間隔をもって囲む環状の領域であり上記第１の基板と上記第２の基板とが密着する部分である密着部を形成する第４の工程と、上記第２の基板の上記密着部に分断刃を用いて押し圧を加えることにより、平面視で上記第１のシール材を所定の間隔をもって囲む環状の第２のスクライブラインを形成する第５の工程と、上記第２のスクライブラインに沿って上記第２の基板を分断する第６の工程と、を順に実施することを特徴とする。

このような製造方法であれば、第２の基板の厚さが薄い場合であっても該第２の基板に撓みが生じていない状態でスクライブラインを形成できる。したがって、水平クラックの発生を抑制でき、信頼性等が向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例２］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第２の工程と上記第３の工程の間に、上記第１のシール材で囲まれた領域内に上記電気光学素子群を被う充填層を形成する第７の工程をさらに実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、第１のシール材で囲まれた部分において空洞となる部分が生じることを抑制でき、上述の密着部を形成する際に第１のシール材で囲まれた部分において第１の基板及び第２の基板が変形することを抑制できる。したがって、第１のシール材と第２の基板との接着性に影響を及ぼさずに第２のスクライブラインを形成でき、信頼性等が向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例３］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第５の工程は、上記貼り合せ基板を、剛性を有する真空吸着台上に上記第１の基板が対向するように載置して、該第１の基板を真空吸着させた状態で実施する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、密着部において第１の基板と該第１の基板が載置される台との間に空間が生じることを抑制できる。したがって、第２のスクライブラインの形成時における基板の撓みをより一層抑制でき、信頼性等がより一層向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例４］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第１の工程は、上記第１の基板の一方の面上に複数個の上記電気光学素子群を形成する工程であり、上記第２の工程は、該複数個の上記電気光学素子群の各々を囲む複数個の環状の上記第１のシール材を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、マザー基板を用いて複数の電気光学装置を一括して形成する場合においても、信頼性等が向上した電気光学装置を得ることができる。

［適用例５］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第３の工程と上記第４の工程との間に、上記第１の基板と上記第２の基板とのうちの、少なくとも上記第２の基板を薄板化する第８の工程をさらに実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、薄板化された第２の基板に対して、水平クラックの発生を抑制しつつスクライブラインを形成できる。したがって、電気光学装置を、信頼性を維持しつつ薄型化できる。

［適用例６］上述の電気光学装置の製造方法であって、上記第８の工程は、上記第２の基板と共に上記第１の基板も薄板化する工程であり、上記第４の工程の後に、上記貼り合せ基板を、上記剛性を有する真空吸着台上に上記第２の基板が対向するように載置して該第２の基板を真空吸着させた状態で上記第１の基板の上記密着部に分断刃を用いて押し圧を加えることにより、平面視で上記第１のシール材を所定の間隔をもって囲む環状の第１のスクライブラインを形成する第９の工程と、上記第１のスクライブラインに沿って上記第１の基板を分断する第１０の工程と、をさらに実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。

このような製造方法であれば、電気光学素子群を挟持する一対の基板の双方が薄板化された電気光学装置を、信頼性等の低下を抑制しつつ得ることができる。
なお、本適用例においては、第４の工程の後に、第５の工程と第６の工程の組み合わせと、第９の工程と第１０の工程の組み合わせのうちのどちらの組み合わせを先に実施するかは任意に設定できる。

従来のスクライブラインの形成方法を示す図。 有機ＥＬ装置の概略を示す模式断面図。 電気光学パネルとしての有機ＥＬパネルの模式断面図。 第１のマザー基板の面上に有機ＥＬ素子群等を形成した状態を示す図。 貼り合せ基板にスクライブラインを形成した後の状態を示す図。 実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程断面図。 変形例にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す図。

以下、本発明の実施形態にかかる電気光学装置の製造方法について、図面を参照しつつ述べる。本実施形態では、電気光学装置として、電気光学パネルとしての有機ＥＬパネルを備える有機ＥＬ装置を例に記載している。なお、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならしめてある。

（実施形態）
まず、本実施形態の対象となる有機ＥＬ装置及び有機ＥＬパネルについて述べる。図２は、有機ＥＬ装置５５の概略を示す模式断面図である。図示するように、有機ＥＬ装置５５は後述する有機ＥＬパネル５３を保護シートで被い、外部の駆動回路等と導通させるための回路基板等を加えて構成されている。すなわち、有機ＥＬパネル５３の素子基板１０上に形成された接続端子５８に配線基板５９を接続し、さらに、有機ＥＬパネル５３の対向基板１１側を第２の保護シート９で被い、素子基板１０側を第１の保護シート８で被うことで構成されている。上記双方の保護シート（８，９）間の隙間、及び、端部の合わせ目等には封止樹脂８４が充填されており、気密性等が担保されている。なお、上記のように括弧内に符号をカンマで区切って併記する場合、「第１の要素（上記の場合は第１の保護シート８）」と「第２の要素（上記の場合は第２の保護シート９）」の双方を示している。

有機ＥＬ装置５５は、有機ＥＬパネル５３を薄型化することで可撓性を得ており、パソコンの表示画面等の従来の用途と共に、電子ブック等にも用いられる。かかる用途に用いられる場合には、衝撃あるいは曲げ応力等が加えられる可能性が高い。かかる場合において、基板（素子基板１０及び対向基板１１）の端面に上述したような水平クラックが発生している場合、より大きなクラック等に発展する可能性があり、信頼性や耐久性を損なうこととなる。したがって、有機ＥＬパネル５３は、後述する製造方法により端面が平滑となるように形成されている。

図３は、有機ＥＬ装置５５の主要な構成要素である電気光学パネルとしての有機ＥＬパネル５３の模式断面図である。図示するように、有機ＥＬパネル５３は、素子基板１０と対向基板１１、及びかかる一対の基板間に形成された各要素で構成されている。より具体的には、電気光学素子としての有機ＥＬ素子２９等が形成された素子基板１０とカラーフィルター層７６が形成された対向基板１１とが、第１のシール材４１及び充填層としての接着層７９を介して貼り合されて（対向配置されて）形成されている。
ここで、第１のシール材４１は、図１に示すシール材４０と同等のものである。本実施形態では、２種類のシール材（４１，４２）を形成するため、上記の名称及び符号を用いている。

上述の一対の基板（１０，１１）はガラス製であり、略３０μｍまで薄板化されている。第１のシール材４１の層厚（高さ）は略１５μｍである。したがって、有機ＥＬパネル５３の厚さは略７５μｍである。なお、以下の記述において素子基板１０の接着層７９側を「上」又は「上方」と表記する。

図示するように、素子基板１０上には駆動用ＴＦＴ（以下、単に「ＴＦＴ」と称する。）１１２と接続配線５７が形成されている。そして、接続配線５７上には接続端子５８が形成されている。ＴＦＴ１１２は、半導体層２１と、ゲート電極２３、及び、半導体層２１とゲート電極２３との間に形成されたゲート絶縁層７０等からなる。半導体層２１のうちゲート電極２３と平面視で重なる領域がチャネル領域２２であり、該チャネル領域の両側にソース領域２５とドレイン領域２６とが形成されている。有機ＥＬ素子群１２（図４参照）は、ＴＦＴ１１２と、図示を省略した保持容量及びスイッチング用ＴＦＴ、及び後述する有機ＥＬ素子２９等で構成されている。

接続配線５７は、有機ＥＬ素子群１２の周辺に形成された回路の一部であり、第１のシール材４１の内側に形成された有機ＥＬ素子群１２と、第１のシール材４１の外側に存在する駆動装置等との導通を果たしている。接続端子５８は上述の図２に示す配線基板５９と接続配線５７とを接続させる機能を果たしている。上述したように、第１のシール材４１は平面視で有機ＥＬ素子群１２を囲む枠状すなわち環状に形成されている。一方、後述する第２のシール材４２（図４参照）は有機ＥＬパネル５３の構成要素ではなく、スクライブライン（４５，４６（図５等参照））の形成時の第１のシール材４１の外側を気密状態とするために形成される。

ＴＦＴ１１２の上層には、窒化シリコン、又は酸化シリコン等からなる層間絶縁層７１が形成されている。ドレイン領域２６には、層間絶縁層７１を局所的にエッチングして形成されたコンタクトホール２７を介して、画素電極３５が電気的に接続されている。画素電極３５の形成材料は後述する陰極１９よりも仕事関数が高いことが必要であり、かつ、導電性が必要である。そのため、画素電極３５は透明導電材料であるＩＴＯ（酸化インジウム・錫合金）で形成されている。

画素電極３５の下層には、後述する発光機能層１５から素子基板１０側へ射出される光を上方に反射する反射層１３と該反射層を覆う保護層２８とが形成されている。反射層１３の形成材料は、反射率が高く加工性（パターニング性）に優れた材料が好ましい。したがって、有機ＥＬパネル５３の反射層１３は、Ａｌ（アルミニウム）等で形成されている。また、保護層２８は、窒化シリコン等のＩＴＯのエッチャントに対して耐性（選択性）のある材料で形成されている。

画素電極３５は、隣り合う該電極とは電気的に互いに独立するように島状にパターニングされており、上述のＴＦＴ１１２毎に１つずつ形成されている。そして、平面視で画素電極３５が形成されていない領域には、隔壁７４が形成されており、隣り合う画素電極３５間の絶縁を担保している。画素電極３５と隔壁７４の上層には、発光機能層１５が全面的に形成されている。発光機能層１５は総称であり、具体的には素子基板１０側から順に正孔注入層と正孔輸送層と有機ＥＬ層と電子輸送層との計４層が積層されて形成されている。後述するように、有機ＥＬパネル５３はカラーフィルターで３原色光を得ているため、発光機能層１５は通電により白色光を射出する白色発光機能層である。

発光機能層１５の上層には、共通電極としての陰極１９が全面的に形成されている。有機ＥＬパネル５３はトップエミッション型であるため、陰極１９は導電性とともに透明性（透光性）が必要とされる。そして、電子注入性を確保するために、発光機能層１５との界面に画素電極３５の形成材料よりも仕事係数が低い材料層を電子注入層として備えることが好ましい。そこで、有機ＥＬパネル５３においては、電子注入層として層厚２ｎｍＡｌ（不図示）と層厚１ｎｍのフッ化リチウム（不図示）とを積層した上に陰極１９としてＩＴＯを積層して、透明性と電子注入性を確保している。

陰極１９と発光機能層１５と画素電極３５との積層体が有機ＥＬ素子２９である。ＴＦＴ１１２を介して画素電極３５に電圧が印加されると該画素電極と陰極１９との間に発光機能層１５を介して電流が流れ、発光機能層１５に含まれる有機ＥＬ層は電流量に応じて発光する。

素子基板１０上に規則的に形成された有機ＥＬ素子２９及び隔壁７４の上層には、封止層７８が形成されている。封止層７８は単層であるように図示されているが、実際には陰極１９の上層から順に形成された陰極保護層と有機緩衝層とガスバリア層との計３層を少なくとも含む積層体である。

対向基板１１の素子基板１０側にはカラーフィルター層７６が形成されている。カラーフィルター層７６は、各々の有機ＥＬ素子２９に対向する位置に形成されたカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）と該カラーフィルター間に形成された遮光性材料からなるブラックマトリクス７５ｋとオーバーコート層７７とを備えている。カラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）は所定の波長範囲の光を透過させ他の波長範囲の光を吸収することで、白色光から有色光を得ることができる。小文字のアルファベット（ｒ，ｇ，ｂ）は透過させる波長範囲の光が該当する色を示している。有機ＥＬ素子２９自体は射出する光の色による構造の差異は無く、各有機ＥＬ素子が射出する光の色はカラーフィルター７５（ｒ，ｇ，ｂ）によって決定されている。各々の有機ＥＬ素子２９がカラーフィルター層７６を介して３原色光の何れかを任意の強度で射出することで、対向基板１１側の面である表示面にカラー画像が形成（表示）される。

対向基板１１と素子基板１０とは、充填層としての接着層７９と第１のシール材４１とで貼り合されている。接着層７９は、対向基板１１と素子基板１０と第１のシール材４１とで構成される空間内に充填されており、該空間内には空洞部は形成されていない。対向基板１１と素子基板１０の双方は、大面積の基板すなわちマザー基板をスクライブラインにより分断することで形成されている。具体的には、第１の基板としての第１のマザー基板１と第２の基板としての第２のマザー基板２とが、接着層７９と第１のシール材４１とで貼り合せて後述する貼り合せ基板３（図５参照）とされた後に、該一対のマザー基板（１，２）が分断されて、素子基板１０と対向基板１１とが得られている。第１のマザー基板を分断して個々の素子基板１０とするスクライブラインが第１のスクライブライン４５（図８等参照）であり、第２のマザー基板を分断して個々の対向基板１１とするスクライブラインが第２のスクライブライン４６（図７等参照）である。

本実施形態における有機ＥＬパネル５３の形成工程では、かかるスクライブライン（４５，４６）の形成時にマザー基板（１，２）が撓むことを抑制するために、平面視で第１のシール材４１を囲む第２のシール材４２を用いて、第１のシール材４１の外側においてマザー基板（１，２）同士が密着する部分である密着部５（図７参照）を形成している。そして、かかる密着部５により、スクライブライン（４５，４６）の形成時に回転刃６２による押圧でマザー基板（１，２）が撓むことを抑制している。以下、かかるスクライブライン（４５，４６）の形成方法を図４〜８を用いて説明する。

図４は、第１のマザー基板１の一方の面上に、有機ＥＬ素子群１２と該有機ＥＬ素子群を被う封止層７８（不図示）、及び接続配線５７と接続端子５８とが形成され、さらに、第１のシール材４１と第２のシール材４２とが形成された状態を示している。第１のシール材４１は、接続配線５７を横切り有機ＥＬ素子群１２を囲むように形成されており、接続端子５８は枠状の第１のシール材４１の外側に位置している。そして、かかる要素の全ては、将来的に素子基板１０となる領域内に形成されている。

本実施形態において、第１のマザー基板１上には将来的に素子基板１０となる領域がマトリクス状に計９個配置されている。そして、隣り合う該領域を隔てる格子状の領域及びマトリクス状に配置された計９個の該領域の外側を囲む領域は、最終的には不要となる部分である。第２のシール材４２は、かかるマトリクス状に配置された計９個の該領域の外側を囲む領域、すなわち第１のマザー基板１の外縁部に形成されている。なお、以下の記述において、上述の「格子状の領域」という文言には、上述の「マトリクス状に配置された計９個の該領域の外側を囲む領域」をも含むものとする。

図５は、第１のマザー基板１上に第２のマザー基板２を貼り合せて貼り合せ基板３を形成した後に、第１のマザー基板１に第１のスクライブライン４５を形成し、第２のマザー基板２に第２のスクライブライン４６を形成した後の状態を示す図である。接続配線５７と接続端子５８とが形成されている辺（側）において、第１のスクライブライン４５は接続端子５８の外側に形成されている。一方、第２のスクライブライン４６は、上述の辺（側）において第１のシール材４１と接続端子５８との間に接続配線５７を横切るように形成されている。本実施形態において、上述の接続端子５８等が形成されている辺以外の３辺では、第１のスクライブライン４５と第２のスクライブライン４６とは平面視で略一致している。

なお、かかる平面視で略一致しているスクライブラインは、本図では（４５，４６）と表記している。第１のスクライブライン４５で囲まれた領域が将来的に素子基板１０となり、第２のスクライブライン４６で囲まれた領域が将来的に対向基板１１となる。そのため、分断後において、接続端子５８は平面視で対向基板１１と重なることなく露出した状態となる。

貼り合せ基板３は、第１のマザー基板１と第２のマザー基板２とを第１のシール材４１と第２のシール材４２とを介して貼り合せて構成されている。したがって、第１のシール材４１で囲まれた９個の領域、及び第１のシール材４１と第２のシール材４２とで構成される格子状の領域はそれぞれ独立して気密状態が保たれている。本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法では、かかる格子状の領域の一部においてにマザー基板（１，２）同士を密着させた後にスクライブライン（４５，４６）を形成することで、図１に示すようなマザー基板（１，２）の撓みを抑制している。

図６〜８は、図５のＡ−Ａ’線における工程断面図であり、本実施形態にかかる有機ＥＬ装置の製造方法、すなわち貼り合せ基板３の分断方法を示す図である。以下、工程順に説明する。

まず、図６（ａ）に示すように、第１の工程として、第１のマザー基板１の一方の面上に、有機ＥＬ素子群１２を形成し、さらに該有機ＥＬ素子群を被う封止層７８を形成する。そしてさらに、第２の工程として、有機ＥＬ素子群１２と封止層７８との積層体を囲む第１のシール材４１と該第１のシール材を平面視で囲む第２のシール材４２とを形成する。なお、上述の一方の面側を、以下の記述においては「上」または「上方」と表記する。また、双方のシール材（４１，４２）はこの段階では硬化されていないが、本実施形態では硬化の前後にかかわらず同一の名称及び符号を用いている。

本実施形態においては、第１のマザー基板１及び後述する第２のマザー基板２は、双方とも厚さ略０．５ｍｍのガラス基板を用いている。かかる要件は必須のものではなく、例えば素子基板１０を含む基板である第１のマザー基板には、透明性を有しない材料を用いることも可能である。ただし、後述するマザー基板（１，２）を薄板化する工程等においては、双方のマザー基板が共通の材料で形成されている方が効率的である。

本実施形態では、第１のシール材４１と第２のシール材４２は、同一の材料で形成できる。材料としては、水分の透過率が低い材料が好ましい。例えば、エポキシ系樹脂に硬化剤として酸無水物を添加し、促進剤としてシランカップリング剤を添加した高接着性の接着剤を用いることができる。そして、双方のシール材（４１，４２）は、高さ（第１のマザー基板１の基板面からの距離）が略同一であることが必要である。幅については、図４及び図５では、第２のシール材４２の幅が第１のシール材４１の幅よりも広く図示しているが、略同一の幅としても良い。

次に、図６（ｂ）に示すように、第７の工程として、第１のシール材４１で囲まれた領域内に充填層としての接着層７９を形成する。接着層７９は、対向基板１１を封止層７８に接着させる機能と共に、充填層として、封止層７８と対向基板１１と第１のシール材４１とで構成される部分に空洞部が生じることを抑制する機能も果たしている。接着層７９の材料としては、例えば、ウレタン系樹脂やアクリル系樹脂に硬化剤としてイソシアネートを添加した低弾性樹脂を用いることができる。

次に、図６（ｃ）に示すように、第３の工程として、真空中で第１のマザー基板１に双方のシール材（４１，４２）を介して、カラーフィルター層７６を備える第２のマザー基板２を貼り合せて、貼り合せ基板３を形成する。

本工程は真空中で行うことが特徴である。その結果、形成された貼り合せ基板３において、第１のシール材４１と第２のシール材４２と素子基板１０と対向基板１１とで構成される空間（図５に示す格子状の領域）が真空部４となる。一方、第１のシール材４１で囲まれる部分、すなわち第１のシール材４１と素子基板１０と対向基板１１とで構成される空間は接着層７９等が充填されているため、空洞部が存在しない。したがって、真空状態は生じない。

次に、図７（ｄ）に示すように、第８の工程として、貼り合せ基板３を構成する第１のマザー基板１及び第２のマザー基板２の双方を薄板化する。薄板化は、貼り合せ基板３の一方の面を保護シートで覆いつつ、フッ酸を含むエッチング液に該貼り合せ基板の全体を浸して行う。かかる工程を２回連続して行って、双方のマザー基板（１，２）を板厚が略３０μｍになるまで薄板化する。上述したように第１のシール材４１の層厚（高さ）は略１５μｍである。したがって、貼り合せ基板３の厚さは略７５μｍとなる。

本工程は、エッチング液を用いることから、常圧状態で行われる。したがって、双方のマザー基板（１，２）が薄板化され、剛性が低下した段階において、上述の真空部４が基板面に垂直方向に圧縮される。その結果、図７（ｅ）に示すように、該真空部の中央側の領域、すなわち第１のシール材４１と第２のシール材４２との双方から所定の距離を有する領域において、双方のマザー基板（１，２）が密着して密着部５となる。かかる密着部５を形成する工程が第４の工程である。

密着部５は、平面視で格子状である真空部４の中央側の領域であり、平面視で真空部４に含まれている。したがって、密着部５の形状は、個々の第１のシール材４１に対しては該第１のシール材を囲む環状である。そして、本実施形態のように（そして、図４に示すように）複数の第１のシール材４１が互いに間隔を持ってマトリクス状に形成されている場合、密着部５は平面視で格子状となる。

次に、図７（ｆ）に示すように、貼り合せ基板３を第１のマザー基板１が対向するように、すなわち下側となるように、剛性を有する真空吸着台６６上に載置して真空吸着させる。そして、かかる状態を維持したままで、第２のマザー基板２の密着部５に第２のスクライブライン４６を形成する。すなわち、密着部５に回転刃６２を備える分断ローラー６４を走査させて第２のマザー基板２を所定の深さまで塑性変形させることにより、第２のスクライブライン４６を形成する。かかる工程が第５の工程である。

分断ローラー６４の走査条件は、走査速度５０ｍｍ／ｓｅｃ、荷重０．０３ＭＰａ以下である。回転刃６２はΦ（直径）略１．０ｍｍ、刃先角度は１０５度である。なお、密着部５の何処の位置に分断ローラー６４を走査させるかについては後述する。

真空吸着台６６は図示しない真空ポンプに接続された複数の吸着孔６７を有しており、貼り合せ基板３を全面的にすなわち均一に吸着できる。上述したように、マザー基板（１，２）は剛性が低下している。したがってかかる吸着により、密着部５において、第１のマザー基板１は第２のマザー基板２との密着を保ちつつ全面的に真空吸着台６６と密着する。その結果、密着部５において、第２のマザー基板２の表面（上方の面）から真空吸着台６６に至るまで空洞部が消滅する。すなわち、該密着部においては、真空吸着台６６上に第１のマザー基板１と第２のマザー基板２とが隙間無く積層された状態となる。

第５の工程では、かかる密着部５に分断ローラー６４を走査させて第２のスクライブライン４６を形成するため、回転刃６２の荷重により第２のマザー基板２に撓みは生じない。したがって、上述したような水平クラック４７（図１参照）は発生せず、塑性変形領域４９（図１参照）と垂直クラック４８（図１参照）のみが形成される。

次に、図８（ｇ）に示すように、貼り合せ基板３を反転させる。すなわち裏表を逆にして、第２のマザー基板２が下側となるように（すなわち対向するように）、真空吸着台６６上に載置して真空吸着させる。上述したようにマザー基板（１，２）は薄板化されて剛性が低下している。したがってかかる吸着により、図７（ｆ）に示す態様とは逆に、密着部５において、第２のマザー基板２は第１のマザー基板１との密着を保ちつつ、全面的に真空吸着台６６と密着する。すなわち、該密着部においては、真空吸着台６６上に第１のマザー基板１と第２のマザー基板２とが隙間無く積層された状態となる。

次に、図８（ｈ）に示すように、第９の工程として、密着部５の第１のマザー基板１側に第１のスクライブライン４５を形成する。該第１のスクライブラインも、第２のスクライブライン４６と同様に、回転刃６２を備える分断ローラー６４を走査させて該第１のマザー基板１を所定の深さまで塑性変形させることにより形成する。

次に、図８（ｉ）に示すように、第１０の工程として第１のマザー基板１を第１のスクライブライン４５に基づいて分断すると共に、第６の工程として第２のマザー基板２を第２のスクライブライン４６に基づいて分断する。すなわち、第１のマザー基板１から図５に示す格子状の不要部分を取り除いて、素子基板１０とする。そして、第２のマザー基板２から図５に示す格子状の不要部分を取り除いて、対向基板１１とする。かかる工程により、貼り合せ基板３から個々の有機ＥＬパネル５３を得ることができる。

図８（ｉ）に示す「Ｂ」は、第１のシール材４１と、素子基板１０及び対向基板１１の端面と、の間の距離であり、スクライブライン（４５，４６）の形成位置、すなわち分断ローラー６４を走査させる位置を示している。本実施形態では、Ｂは略０．７５ｍｍである。すなわち、厚さ０．０１５ｍｍのシール材（４１，４２）を介して厚さ０．０３ｍｍのガラス基板を貼り合せて得た貼り合せ基板を分断する場合、第１のシール材４１の外周線から０．７５ｍｍの間隔を空ければ、水平クラック４７を殆んど発生させずにスクライブライン（４５，４６）を形成できる。これは、第１のシール材４１の外周線から０．７５ｍｍの間隔を空ければ、第１のマザー基板１と第２のマザー基板２は完全に密着して密着部５を形成していることを示している。なお、かかる寸法は固定された値ではなく、シール材（４１，４２）の厚さ、マザー基板（１，２）の材質及び厚さ等により、それぞれ異なった値となる。

（本実施形態の効果）
本実施形態にかかる製造方法によれば、薄板化されたマザー基板を含んで構成される貼り合せ基板３に対して、該マザー基板を撓ませることなく分断ローラー６４を走査させて塑性変形領域４９（図１参照）を形成できる。したがって、水平クラック４７（図１参照）の発生を抑制しつつスクライブライン（４５，４６）を形成できる。

上述したように、水平クラック４７は、分断後の基板すなわち素子基板１０及び対向基板１１の端面にひび等を発生させる原因となり、信頼性等を低下させ得る。本実施形態にかかる製造方法により得られた有機ＥＬ装置は、主要な構成要素である有機ＥＬパネル５３を構成する素子基板１０と対向基板１１とが平滑な端面を有している。したがって、電子ブック等の、有機ＥＬ装置に曲げ応力等を加える使用においても、上述のひび等が発生することを抑制できる。これは、内部すなわちシール材（第１のシール材４１）と素子基板１０と対向基板１１とで構成される部分に対する水分等の浸入を抑制でき、信頼性を大きく向上できる。

（変形例）
本発明の実施の形態は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えた変形例として実施することも可能である。変形例としての製造方法を、以下に述べる。図９は、変形例にかかる有機ＥＬ装置の製造方法を示す図である。本変形例の対象となる有機ＥＬパネル５３は、上述の実施形態の対象である有機ＥＬパネル５３と略同一である。そこで、各構成要素には同一の符号を付与し、説明の記載は一部省略する。

まず、図９（ａ）に示すように、上述の実施形態に記載の第１〜４の工程と略同一の工程及び第８の工程を実施して、双方のマザー基板（１，２）が薄板化された貼り合せ基板３を形成する。なお、本図は、２つの有機ＥＬパネル５３と該有機ＥＬパネル間の領域とを含む部分の断面を示している。そして、本変形例では、第２のシール材４２は形成しない。また、第３の工程は大気圧中で行う。

次に、図９（ｂ）に示すように、隣り合う有機ＥＬパネル（具体的には将来的に有機ＥＬパネルとなる部分）５３の間に押え付け治具６８を押し当てて、第２のマザー基板２を第１のマザー基板１に密着させて密着部５を形成する。双方のマザー基板（１，２）は薄板化されているため、容易に密着させることができる。

次に、図９（ｃ）に示すように、密着部５に回転刃６２を備える分断ローラー６４を走査させて所定の深さまで塑性変形させて第２のスクライブライン４６を形成する。以下、上述の工程を第１のマザー基板１側にも行うことで、貼り合せ基板３の双方の側にスクライブライン（４５，４６）を形成する。そして、該スクライブラインに沿って応力を加えて双方のマザー基板（１，２）を分断することで、有機ＥＬパネル５３を得ることができる。本変形例にかかる製造方法であればマザー基板（１，２）を貼り合せる工程を真空中で行う必要がないため、製造設備を簡略化できる。又、貼り合せ基板３の外縁部に第２のシール材４２（図４参照）を形成する必要がないため、シール材料等を節減できる。

１…第１の基板としての第１のマザー基板、２…第２の基板としての第２のマザー基板、３…貼り合せ基板、４…真空部、５…密着部、８…第１の保護シート、９…第２の保護シート、１０…素子基板、１１…対向基板、１２…電気光学素子群としての有機ＥＬ素子群、１３…反射層、１５…発光機能層、１９…陰極、２１…半導体層、２２…チャネル領域、２３…ゲート電極、２５…ソース領域、２６…ドレイン領域、２７…コンタクトホール、２８…保護層、２９…有機ＥＬ素子、３５…画素電極、４０…シール材、４１…第１のシール材、４２…第２のシール材、４５…第１のスクライブライン、４６…第２のスクライブライン、４７…水平クラック、４８…垂直クラック、４９…塑性変形領域、５３…有機ＥＬパネル、５５…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、５７…接続配線、５８…接続端子、５９…配線基板、６２…回転刃、６４…分断ローラー、６６…真空吸着台、６７…吸着孔、６８…押え付け治具、７０…ゲート絶縁層、７１…層間絶縁層、７４…隔壁、７５…カラーフィルター、７５ｋ…ブラックマトリクス、７６…カラーフィルター層、７７…オーバーコート層、７８…封止層、７９…接着層、８４…封止樹脂、１１２…ＴＦＴ。

Claims (2)

1. 第１の基板の一方の面上に電気光学素子群を形成する第１の工程と、
   前記電気光学素子群を囲む環状の第１のシール材と、前記第１の基板の基板面からの高さが前記第１のシール材と同一であり平面視で前記第１のシール材を囲む第２のシール材と、を形成する第２の工程と、
   前記第１の基板に第２の基板を前記第１のシール材及び前記第２のシール材を介して真空中で貼り合せて貼り合せ基板を形成する第３の工程と、
   前記貼り合せ基板を前記真空中よりも高圧の雰囲気中に配置して、前記第１のシール材を平面視で所定の間隔をもって囲む環状の領域であり前記第１の基板と前記第２の基板とが密着する部分である密着部を形成する第４の工程と、
   前記貼り合せ基板を、剛性を有する真空吸着台上に前記第１の基板が対向するように載置して、該第１の基板を真空吸着させた状態で、前記第２の基板の前記密着部に分断刃を用いて押し圧を加えることにより、平面視で前記第１のシール材を所定の間隔をもって囲む環状の第２のスクライブラインを形成する第５の工程と、
   前記第２のスクライブラインに沿って前記第２の基板を分断する第６の工程と、
   を順に実施し、
   前記第２の工程と前記第３の工程の間に、前記第１のシール材で囲まれた領域内に前記電気光学素子群を被う充填層を形成する第７の工程をさらに実施し、
   前記第３の工程において、前記第１の基板と前記第２の基板と前記第１のシール材と前記第２のシール材とで構成される空間が、真空部となり、
   前記第１の基板及び前記第２の基板はガラス製であり、前記第３の工程と前記第４の工程との間に、エッチング液を用いて常圧状態で、前記第１の基板及び前記第２の基板の双方を薄板化する第８の工程をさらに実施することにより、前記第１の基板及び前記第２の基板が薄板化され、剛性が低下した段階において、前記真空部が圧縮され、前記密着部が形成される結果として、前記第４の工程が実施され、
   前記第４の工程の後に、前記貼り合せ基板を、前記剛性を有する真空吸着台上に前記第２の基板が対向するように載置して、該第２の基板を真空吸着させた状態で、前記第１の基板の前記密着部に分断刃を用いて押し圧を加えることにより、平面視で前記第１のシール材を所定の間隔をもって囲む環状の第１のスクライブラインを形成する第９の工程と、
   前記第１のスクライブラインに沿って前記第１の基板を分断する第１０の工程と、
   をさらに実施することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
2. 請求項１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
   前記第１の工程は、前記第１の基板の一方の面上に複数個の前記電気光学素子群を形成する工程であり、
   前記第２の工程は、該複数個の前記電気光学素子群の各々を囲む複数個の環状の前記第１のシール材を形成する工程であることを特徴とする電気光学装置の製造方法。

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