TWI596985B - 發光裝置 - Google Patents

Description

發光裝置

本發明是有關於一種發光裝置。

隨著照明技術的演進，發光裝置快速發展至採用發光二極體（light emitting diode，LED）晶片作為光源。LED晶片具有省電、使用壽命長、環保、啟動快速、體積小等多種優點，且LED晶片所能達到的功率隨著技術的成熟而逐漸變大。目前LED晶片已逐漸應用於各式發光裝置中以取代傳統光源，使發光裝置具有節能的特色。

在應用上，為達混色或變換顏色之目的，常見有內含複數個LED晶片的發光裝置。這些LED晶片可發射出不同顏色波長，以隨客戶之需求進行混色或變換顏色。詳細而言，此種發光裝置通常至少包括具有第一LED晶片的第一工作電路以及具有第二LED晶片的第二工作電路。由於第一、二LED晶片的磊晶方式或材料不同造成第一、二LED晶片的特性差異，當使用相同電流操作第一、二工作電路時，第一、二工作電路的電壓降不相同，進而使得發光裝置的性能不如預期。為克服此問題，使用者需外掛與其中一個工作電路電性連接的電阻元件。然而，外掛額外的電阻元件卻造成成本增加、產生廢熱等問題。

為解決上述問題，本發明首先提供一種調整工作電路之電壓降方案。特定言之，在此方案中，發光裝置包括第一工作電路以及第二工作電路。第一工作電路包含第一LED晶片及第一固晶膠。第一LED晶片與第一固晶膠以串聯的方式電性連接。第二工作電路包含第二LED晶片。當使用相同的電流I操作第一工作電路以及第二工作電路時，第一工作線路具有第一電壓降V_W1 ，第二工作電路具有一第二電壓降V_W2 。V_W1 V_W2 。

基於上述，本發明之發光裝置利用與第一LED晶片串聯的第一固晶膠，可使包含第一LED晶片和第一固晶膠之第一工作電路與包含第二LED晶片之第二工作電路具有相近或相同的電壓降。如此一來，使用者在運用發光裝置，便不需像習知技術所述般外掛額外的電阻元件，而造成成本上升、產生廢熱等問題。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

首先配合圖式詳述本發明之調整電壓降的方案。 《第一實施態樣》

在本實施態樣中，發光裝置係包括第一工作電路以及第二工作電路。第一工作電路包含第一LED晶片及第一固晶膠。第一LED晶片與第一固晶膠以串聯的方式電性連接。第二工作電路包含第二LED晶片。當使用相同的電流I操作第一工作電路以及第二工作電路時，第一工作線路具有第一電壓降V_W1 ，第二工作電路具有一第二電壓降V_W2 。V_W1 V_W2 。具體實施方式如下。

圖1為本發明一實施例之發光裝置的上視示意圖。圖2為根據圖1之剖線A-A’、B-B’、C-C’所繪的發光裝置的剖面示意圖。請參照圖1及圖2，在本實施例中，發光裝置100可配置於電路基板110上。電路基板110包括絕緣基底112與配置於絕緣基底112上的線路層114。發光裝置100與線路層114電性連接。透過線路層114，發光裝置100可與外部電源（未繪示）電性連接，進而發光。發光裝置100上更可選擇性地覆蓋上封裝膠體140，但本發明不以此為限。此外，封裝膠體140中可包含螢光粉以包覆第一LED晶片及/或第二LED晶片（若有第三晶片亦可包覆第三晶片）。更加地，可在不同的LED晶片上可以不同的螢光粉進行包覆，藉此可任意地獲得不同的出光顏色。螢光粉之選用如後詳述。此外，在施用有螢光粉的情況下，晶片與晶片之間，例如第一LED晶片與第二LED晶片之間，可包含一擋牆，以避免晶片發光時激發到激發到包覆於鄰近上之螢光粉。較佳地，擋牆係包含反射材料，以增加出光效率。反射材料之選用如後所述。

圖3為圖2之發光裝置的一種等效電路示意圖。請參照圖2及圖3，舉例而言，在本實施例中，發光裝置100的第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第三LED晶片120c可以共陽極的方式與外部電源（未繪示）電性連接，進而發光。然而，本發明不限於此。圖4為圖2之發光裝置的另一種等效電路示意圖，請參照圖4，在另一實施例中，第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第三LED晶片120c也可用共陰極的方式與外部電源電性連接，進而發光；圖5為圖2之發光裝置的又一種等效電路示意圖，請參照圖5，在本發明又一實施例中，第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第三LED晶片120c也可以獨立的方式與外部電源電性連接，進而發光。簡言之，本發明並不限制發光裝置100與外部電源電性連接的方式，使用者可視實際的需求決定之。

請參照圖2，發光裝置100至少包括第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第一固晶膠130a以及第二固晶膠130b。第一LED晶片120a、第二LED晶片120b分別透過第一固晶膠130a、第二固晶膠130b固定於電路基板110上。在本實施例中，發光裝置100可進一步包括第三LED晶片120c及第三固晶膠130c。第三LED晶片120c透過第三固晶膠130c固定於電路基板110上。在本實施例中，第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第三LED晶片120c例如分別為紅光晶片、綠光晶片、藍光晶片，但本發明不以此為限，在其他實施例中，第一LED晶片120a、第二LED晶片120b、第三LED晶片120c的發光顏色也可為任意顏色的排列組合。

請參照圖2及圖3，第一LED晶片120a與第一固晶膠130a以串聯的方式電性連接。舉例而言，在本實施例中，如圖2所示，第一LED晶片120a的二電極122可分別位於第一LED晶片120a的上下表面。換言之，第一LED晶片120a可選擇性地為垂直式晶片。位於第一LED晶片120a下表面的一電極122可與導電的第一固晶膠130a電性接觸，而使第一LED晶片120a與第一固晶膠130a串聯。另一方面，如圖1及圖2所示，位於第一LED晶片120a上表面的電極122則可利用導線L與對應的部分線路層114電性連接。請參照圖1至圖3，第一LED晶片120a、第一固晶膠130a以及與第一LED晶片120a電性連接的部分線路層114可構成第一工作電路CT1。由於線路層114及導線L是良好的導體、電阻極小，因此，在圖3的等效電路圖中，第一工作電路CT1可省略線路層114及導線L的電阻不計。

請參照圖1及圖2，在本實施例中，第二LED晶片120b的二電極122可皆位於第二LED晶片120b的上表面。換言之，第二LED晶片120b可選擇性地為水平式晶片。如圖1所示，第二LED晶片120b的二電極122可分別利用二導線L與對應的線路層114電性連接。另一方面，如圖2所示，第二LED晶片120b的下表面與第二固晶膠130b連接，而第二LED晶片120b的二電極122與第二固晶膠130b隔開，因此第二LED晶片120b與第二固晶膠130b是電性隔離的。請參照圖1至圖3，第二LED晶片120b以及與第二LED晶片120b電性連接的部分線路層114可構成第二工作電路CT2。由於線路層114及導線L是良好的導體、電阻極小，因此，在圖3的等效電路圖中，第二工作電路CT2可省略線路層114及導線L的電阻不計。此外，在本實施例中，由於第二LED晶片120b與第二固晶膠130b是電性隔離的，因此第二固晶膠130b也不計入第二工作電路CT2中。

請參照圖1及圖2，與第二LED晶片120b類似的，在本實施例中，第三LED晶片120c的二電極122也可皆位於第三LED晶片120c的上表面。換言之，第三LED晶片120c也可選擇性地為水平式晶片。如圖1所示，第三LED晶片120c的二電極122也可分別利用二導線L與對應的線路層114電性連接。另一方面，如圖2所示，第三LED晶片120c的下表面與第三固晶膠130c連接，而第三LED晶片120c的二電極122與第三固晶膠130c隔開，因此第三LED晶片120c與第三固晶膠130c是電性隔離的。請參照圖1至圖3，第三LED晶片120c以及與第三LED晶片120c電性連接的部分線路層114可構成第三工作電路CT3。由於線路層114及導線L是良好的導體、電阻極小，因此，在圖3的等效電路圖中，第三工作電路CT3可省略線路層114及導線L的電阻不計。此外，在本實施例中，由於第三LED晶片120c與第三固晶膠130c是電性隔離的，因此第三固晶膠130c並不計入第三工作電路CT3中。

值得一提的是，如圖3所示，利用第一固晶膠130a協配調整電阻，可使第一工作電路CT1、第二工作電路CT2以及第三工作電路CT3可具有相同的電壓降。如此一來，使用者在運用發光裝置100時，不需像習知技術所述般，需外掛額外的電阻元件，而造成成本上升、產生廢熱等問題。

請參照圖3，詳言之，本發明重點之一在於，在第一LED晶片120a的第一順向電壓V1與第二LED晶片120b的第一順向電壓V2或第三LED晶片120c的第一順向電壓V3不同的情況下，特別當第一順向電壓V1與第二順向電壓V2­的差異比（(V2-V1)/V2）大於15%，較佳係大於約30%的情況下，利用第一固晶膠130a的電阻值來調整第一工作電路CT1的電壓降V_W1 ，進而使V_W1 與V_W2 或V_W3 大致相近或相同。申言之，當使用電流I操作第一工作電路CT1時，第一LED晶片120a可具有第一順向電壓V1，而第一固晶膠130a上的電壓降為，其中R1為第一固晶膠130a的電阻值。此時，第一工作線路CT1的第一電壓降V_W1 為。當使用相同的電流I操作第二工作電路CT2時，第二LED晶片120b可具有第二順向電壓V2，而第二工作線路CT2的第二電壓降V_W2 為V2。當使用相同的電流I操作第三工作電路CT3時，第三LED晶片120c可具有第三順向電壓V3，而第三工作線路CT3的第三電壓降V_W3 為V3。透過適當地設計第一固晶膠130a的電阻值R1，便可滿足下式（1）：。意即，透過適當地設計第一固晶膠130a的電阻值R1，可使第一工作電路CT1的第一電壓降V_W1 （即）約略等於第二工作電路CT2的第二電壓降V_W2 （即V2）以及第三工作電路CT3的第三電壓降V_W3 （即V3）。

以具體的數值為例，在本發明中，V_W1 與V_W2 （或V_W3 ）的比值可為約0.785至約0.95。舉例而言，當操作第一工作電路CT1、第二工作線路CT2以及第三工作電路CT3的電流I為10毫安培（mA）時，第一LED晶片120a具有第一順向電壓V1，第二LED晶片120b具有第二順向電壓V2，第三LED晶片120c具有第三順向電壓V3，其中第一順向電壓V1約1.9至約2.0伏特（Volt），第二順向電壓V2約3.0至約3.5伏特，而第三順向電壓V3為約3.0至約3.5伏特。將上述電流I、第一順向電壓V1、第二順向電壓V2、第三順向電壓V3的數值代入上式（1）中便可計算出所需的第一固晶膠130a的電阻值R1約為多少。

本發明中之第一固晶膠130a係一樹脂組合物，其中包含導電陶瓷顆粒。詳細而言，其中樹脂成分可例如為環氧樹脂或矽氧樹脂，在本發明後附之實施例係以環氧樹脂為例。導電陶瓷顆粒可任何在工作電壓及電流下具有導電性之材料，例如氧化銦錫顆粒、碳顆粒或前述之任意組合。相較於金屬顆粒而言，導電陶瓷顆粒可以提供具有一較高之電性阻抗，適用於調整第一固晶膠130a之電阻值R1。在本發明中較佳係僅以導電陶瓷顆粒提供導電度。然在不悖離本發明精神之情況下，亦可在第一固晶膠中添加微量的金屬顆粒，藉此獲得適當之電阻值R1。在實施例係以顆粒阻抗為3.5╳10-5之碳顆粒阻抗為3.5╳10-5之氧化銦錫及為例，且未包含金屬顆粒。摻混濃度則可所欲之導電度及樹脂組合物之黏附強度或其他特性而變化。以重量百分比計，導電陶瓷顆粒之濃度較佳係約20%至約80%。低於20%會因顆粒濃度過低而導致導電性不均勻；高於80%則會影響膠體黏附強度或其他特性，大幅影響其操作穩定性及末端產品之性賴性。然而本發明並不以此樹脂成分、導電陶瓷顆粒之材料及摻混濃度為限，任何本發明領域中之技藝人士可在參酌本發明內容後任意調整該等材料及值之大小，以達到本發明所述之目的。

在本發明中，亦可利用第一固晶膠的厚度及在電路基板110表面110a上的面積A的影響來改變第一固晶膠130a的電阻值R1。受限於晶片面積及最終裝置厚度考量，第一固晶膠的厚度較佳介於約2微米至約15微米；而面積A較佳係介於約0.015毫米平方至約0.15毫米平方。然而，本發明並不以此厚度及面基範圍為限，任何本發明領域中之技藝人士可在參酌本發明內容後任意調整該等值之大小，以達到本發明所述之目的

下表一列出各種固晶膠材料的組成。利用表一的各種固晶膠材料，以前述現行之面積A、厚度（面積：0.04毫米平方；厚度：8微米）可製作出對應固晶膠，而表一更列出以所述對應固晶膠取代圖2之第一固晶膠130a後，實際測出之第一工作電路CT1的第一電壓降V_W1 。 [表一]<TABLE border="1" borderColor="#000000" width="85%"><TBODY><tr><td> 顆粒材料 </td><td> 銀 </td><td> 碳 </td><td> 氧化銦錫 </td><td> 矽 </td></tr><tr><td> 顆粒阻抗 (Ω․m) </td><td> 1╳10^-8</td><td> 3.5╳10^-5</td><td> 1╳10^-4</td><td> 6.4╳10²</td></tr><tr><td> 固晶膠材料 (樹脂組合物) </td><td> 顆粒重量百分比 </td><td> 70% </td><td> 70% </td><td> 50% </td><td> 70% </td><td> 70% </td></tr><tr><td> 環氧樹脂 重量百分比 </td><td> 28%~30% </td><td> 28%~30% </td><td> 48%~50% </td><td> 28%~30% </td><td> 28%~30% </td></tr><tr><td> 實測的第一電壓降V_W1</td><td> 2.0V </td><td> 2.15V </td><td> 2.75V </td><td> 2.87V </td><td> 4.02V </td></tr></TBODY></TABLE>

透過上表一的數據，設計者可找出第一固晶膠130a可適用的材料。舉例而言，在本實施例中，當操作第一工作電路CT1、第二工作線路CT2以及第三工作電路CT3的電流I為10毫安培（mA）時，第二電壓降V_W2 約3.0至約3.5伏特，第三電壓降V_W3 約3.0至約3.5伏特，而設計者希望利用具有適當電阻值的第一固晶膠130a使第一電壓降V_W1 接近第二電壓降V_W2 與第三電壓降V_W3 （約3.0至約3.5伏特）。如表一所示，當取代圖2之第一固晶膠130a的材料為樹脂組合物，樹脂組合物包含約48%~約50%的環氧樹脂以及混入環氧樹脂之50%的碳顆粒時，實測出的第一電壓降V_W1 為2.75V，而接近第二電壓降V_W2 與第三電壓降V_W3 （約3.0至約3.5伏特）。也就是說，包含約48%~約50%之環氧樹脂以及約50%之碳顆粒的樹脂組合物可做為第一固晶膠130a的材料。如表一所示，當取代圖2之第一固晶膠130a的材料為樹脂組合物，樹脂組合物包含約28%~約30%的環氧樹脂以及混入環氧樹脂之約70%的氧化銦錫顆粒時，實測出的第一電壓降V_W1 為2.87V，而接近第二電壓降V_W2 與第三電壓降V_W3 （約3.0至約3.5伏特）。也就是說，包含約28%~約30%之環氧樹脂以及約70%之氧化銦錫顆粒的樹脂組合物可做為第一固晶膠130a的材料。另一方面，如表一所示，當取代圖2之第一固晶膠130a的材料為樹脂組合物，樹脂組合物包含約28%~約30%的環氧樹脂以及混入環氧樹脂之約70%的碳顆粒時，實測出的第一電壓降V_W1 為2.15V，而與第二電壓降V_W2 、第三電壓降V_W3 （約3.0至約3.5伏特）差距較大。所述樹脂組合物較不適於用做第一固晶膠130a的材料。如表一所示，當取代圖2之第一固晶膠130a的材料為樹脂組合物，樹脂組合物包含約28%~約30%的環氧樹脂以及混入環氧樹脂之約70%的矽顆粒時，實測出的第一電壓降V_W1 為4.02V，而與第二電壓降V_W2 、第三電壓降V_W3 （約3.0至約3.5伏特）差距較大。所述樹脂組合物較不適於用做第一固晶膠130a的材料。

請復參照圖2及圖3，在本實施例中，第二固晶膠130b、第三固晶膠130c分別與對應的第二LED晶片120b、第三LED晶片120c電性隔離，而第二固晶膠130b、第三固晶膠130c的電阻值大小並不會影響第二工作電路CT2的第二電壓降V_W2 以及第三工作電路CT3的第三電壓降V_W3 。因此，第二固晶膠130b、第三固晶膠130c可選用與第一固晶膠130a相同或相異的材料。在本實施例中，較佳的是，第一固晶膠130a、第二固晶膠130b、第三固晶膠130c可選用同一種材料製作，以在同一工序（process）中一起實施，進而節省製程時間。所述工序可以是點膠製程、網版印刷製程、B-Stage膠片黏附製程或其他適當製程，較佳係以網版印刷製程、B-Stage膠片施用，能較精準的控制地一固晶膠之厚度及面積。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，第一固晶膠130a、第二固晶膠130b、第三固晶膠130c的材料也可不相同，而不一定要在同一工序中一起形成。此將於第二實施態樣中說明以下將以圖6、圖7為例說明。

如前所述，在完成固晶焊線之後，可進行封裝程序以保護晶片及焊線等材料。詳細言之，係以一封裝膠體140覆蓋晶片、導線及電路基板。封裝膠體中可混入螢光粉以進一步改變所發出光之顏色。較佳可選用由下述之一或多種螢光粉：Sr₅ (PO₄ )₃ Cl:Eu²⁺ 、(Sr,Ba)MgAl₁₀ O₁₇ :Eu²⁺ 、(Sr,Ba)₃ MgSi₂ O₈ :Eu²⁺ 、SrAl₂ O₄ :Eu²⁺ 、SrBaSiO₄ :Eu²⁺ 、CdS:In、CaS:Ce³⁺ 、Y₃ (Al,Gd)₅ O₁₂ :Ce²⁺ 、Ca₃ Sc₂ Si₃ O₁₂ :Ce³⁺ 、SrSiON:Eu²⁺ 、ZnS:Al³⁺ ,Cu⁺ 、CaS:Sn²⁺ 、CaS:Sn²⁺ ,F、CaSO₄ :Ce³⁺ ,Mn²⁺ 、LiAlO₂ :Mn²⁺ 、BaMgAl₁₀ O₁₇ :Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、ZnS:Cu⁺ ,Cl^- 、Ca₃ WO₆ :U、Ca₃ SiO₄ C_l2 :Eu²⁺ 、Sr_x Ba_y Cl_z Al₂ O_4-z/2 :Ce³⁺ ,Mn²⁺ (X:0.2、Y:0.7、Z:1.1)、Ba₂ MgSi₂ O₇ :Eu²⁺ 、Ba₂ SiO₄ :Eu²⁺ 、Ba₂ Li₂ Si₂ O₇ :Eu²⁺ 、ZnO:S、ZnO:Zn、Ca₂ Ba₃ (PO₄ )₃ Cl:Eu²⁺ 、BaAl₂ O₄ :Eu²⁺ 、SrGa₂ S₄ :Eu²⁺ 、ZnS:Eu²⁺ 、Ba₅ (PO₄ )₃ Cl:U、Sr₃ WO₆ :U、CaGa₂ S₄ :Eu²⁺ 、SrSO₄ :Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、ZnS:P、ZnS:P^3- ,Cl^- 、ZnS:Mn²⁺ 、CaS:Yb²⁺ ,Cl、Gd₃ Ga₄ O₁₂ :Cr³⁺ 、CaGa₂ S₄ :Mn²⁺ 、Na(Mg,Mn)₂ LiSi₄ O₁₀ F₂ :Mn、ZnS:Sn²⁺ 、Y₃ Al₅ O₁₂ :Cr³⁺ 、SrB₈ O₁₃ :Sm²⁺ 、MgSr₃ Si₂ O₈ :Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、α-SrO・3B₂ O₃ :Sm²⁺ 、ZnS-CdS、ZnSe:Cu⁺ ,Cl、ZnGa₂ S₄ :Mn²⁺ 、ZnO:Bi³⁺ 、BaS:Au,K、ZnS:Pb²⁺ 、ZnS:Sn²⁺ ,Li⁺ 、ZnS:Pb,Cu、CaTiO₃ :Pr³⁺ 、CaTiO₃ :Eu³⁺ 、Y₂ O₃ :Eu³⁺ 、(Y,Gd)₂ O₃ :Eu³⁺ 、CaS:Pb²⁺ ,Mn²⁺ 、YPO₄ :Eu³⁺ 、Ca₂ MgSi₂ O₇ :Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、Y(P,V)O₄ :Eu³⁺ 、Y₂ O₂ S:Eu³⁺ 、SrAl₄ O₇ :Eu³⁺ 、CaYAlO₄ :Eu³⁺ 、LaO₂ S:Eu³⁺ 、LiW₂ O₈ :Eu³⁺ ,Sm³⁺ 、(Sr,Ca,Ba,Mg)₁₀ (PO₄ )₆ Cl₂ :Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、Ba₃ MgSi₂ O₈ : Eu²⁺ ,Mn²⁺ 、ZnS:Mn²⁺ ,Te²⁺ 、Mg₂ TiO₄ :Mn⁴⁺ 、K₂ SiF₆ :Mn⁴⁺ 、SrS:Eu²⁺ 、Na_1.23 K_0.42 Eu_0.12 TiSi₄ O₁₁ 、Na_1.23 K_0.42 Eu_0.12 TiSi₅ O₁₃ :Eu³⁺ 、CdS:In,Te、CaAlSiN₃ :Eu²⁺ 、CaSiN₃ :Eu²⁺ 、(Ca,Sr)₂ Si₅ N₈ :Eu²⁺ 、Eu₂ W₂ O₇ 。

上述係藉由第一實施態樣例示說明本發明之調整電壓降之方案之精神及原則，以下係進一步說明本方案之其他實施態樣。 《第二實施態樣》

圖6為本發明另一實施例之發光裝置的上視示意圖。圖7為根據圖6之剖線D-D’、E-E’、F-F’所繪的發光裝置的剖面示意圖。圖6、圖7之發光裝置100’與圖1、圖2之發光裝置100類似，因此相同或相對應的元件，以相同或相對應的標號表示。圖6、圖7之發光裝置100’與圖1、圖2之發光裝置100主要的差異在於：圖6、圖7之第二LED晶片120b’、第三LED晶片120c’的型式與圖1、圖2之第二LED晶片120b、第三LED晶片120c的型式不同。以下主要就此差異處做說明，二者相同處還請依照圖6、圖7中的標號參照前述說明，於此便不再重述。

請參照圖6及圖7，發光裝置100’至少包括第一LED晶片120a、第二LED晶片120b’、第一固晶膠130a以及第二固晶膠130b’。第一LED晶片120a、第二LED晶片120b’分別透過第一固晶膠130a、第二固晶膠130b’固定於電路基板110上。在本實施例中，發光裝置100’可進一步包括第三LED晶片120c’及第三固晶膠130c’。第三LED晶片120c’透過第三固晶膠130c’固定於電路基板110上。

圖8為圖7之發光裝置的一種等效電路示意圖。請參照圖7及圖8，第一LED晶片120a與第一固晶膠130a串聯。舉例而言，在本實施例中，第一LED晶片120a可為垂直式晶片。位於第一LED晶片120a下表面的一電極122與第一固晶膠130a電性接觸，而使第一LED晶片120a與第一固晶膠130a串聯。第一工作電路CT1包括第一LED晶片120a、與第一LED晶片120a串聯的第一固晶膠130a以及與第一LED晶片120a電性連接的部分線路層114。在本發明中，當採用第二LED晶片120b’與第三LED晶片120c’時，其對應之第二固晶膠130b’與第三固晶膠130c’為傳統所用之高導電率的固晶膠，譬如銀膠。在圖8的等效電路圖中，第二工作電路CT2及第二工作電路CT3可省略第二固晶膠130b’與第三固晶膠130c’的貢獻不計。此外，線路層114為良好導體、電阻極小，因此，在圖8的等效電路圖中，第一工作電路CT1可省略線路層114的貢獻不計。

請對照圖2及圖7，與發光裝置100不同的是，在發光裝置100’中，第二LED晶片120b’以及第三LED晶片120c’可以是垂直式晶片。請參照圖7，第二LED晶片120b’與第二固晶膠130b’串聯。舉例而言，在本實施例中，位於第二LED晶片120b’下表面的一電極122與第二固晶膠130b’電性接觸，而使第二LED晶片120b’與第二固晶膠130b’串聯。請參照圖7及圖8，第二工作電路CT2包括第二LED晶片120b’、與第二LED晶片120b’串聯的第二固晶膠130b’以及與第二LED晶片120b’電性連接的部分線路層114。第二固晶膠130b’可為含有金屬粒子之樹脂組合物，例如銀粒子與環氧樹脂的混合物（即俗稱的銀膠），但本發明不以此為限。如前所述，線路層114及第二固晶膠130b’均為良好導體、電阻極小，因此，在圖8的等效電路圖中，第二工作電路CT2可省略線路層114及第二固晶膠130b’的貢獻不計。

類似地，請參照圖7，第三LED晶片120c’與第三固晶膠130c’串聯。舉例而言，在本實施例中，位於第三LED晶片120c’下表面的一電極122與第三固晶膠130c’電性連接，而使第三LED晶片120c’與第三固晶膠130c’串聯。請參照圖7及圖8，第三工作電路CT3包括第三LED晶片120c’、與第三LED晶片120c’串聯的第三固晶膠130c’以及與第三LED晶片120c’電性連接的部分線路層114。第三固晶膠130c’可為含有金屬粒子之樹脂組合物，例如銀粒子與環氧樹脂的混合物，但本發明不以此為限。如前所述，線路層114及第三固晶膠130c’均為良好導體、電阻極小，因此，在圖8的等效電路圖中，第三工作電路CT3可省略線路層114及第三固晶膠130c’的貢獻不計。

在本實施例中，第一固晶膠130a的電阻值遠大於第二固晶膠130b’的電阻值，且第一固晶膠130a的電阻值遠大於第三固晶膠130c’的電阻值。換言之，第一固晶膠130a的材料與第二固晶膠130b’、第三固晶膠130c’的材料不同。第二固晶膠130b’、第三固晶膠130c’的材料可相同或不同。材料不同的固晶膠可分次實施在電路基板110上。舉例而言，當第二固晶膠130b’與第三固晶膠130c’的材料相同，而第一固晶膠130a的材料與第二固晶膠130b’的材料不同時，可用一次工序一起形成第二固晶膠130b’與第三固晶膠130c’，而用另一次工序形成第一固晶膠130a。所述工序可以是點膠製程、網版印刷製程、B-Stage膠片黏附製程或其他適當製程。

請參照圖8，與發光裝置100類似地，發光裝置100’利用與第一LED晶片120a串聯的第一固晶膠130a可使第一工作電路CT1的第一電壓降V_W1 、第二工作電路CT2的第二電壓降V_W2 以及第三工作電路CT3的第三電壓降V_W3 相同。如此一來，使用者在運用發光裝置100’時，便不需像習知技術所述般外掛額外的電阻元件。至於第一固晶膠130a之電阻值、組成的選用可參照前述說明，於此便不再重述。此外，如圖8所示，在本實施例中，發光裝置100’的第一LED晶片120a、第二LED晶片120b’、第三LED晶片120c’是以共陽極的方式與外部電源（未繪示）電性連接，進而發光。然而，發光裝置100’的第一LED晶片120a、第二LED晶片120b’、第三LED晶片120c’亦可以共陰極的方式、獨立的方式與外部電源電性連接，進而發光。簡言之，本發明並不限制發光裝置100’與外部電源電性連接的方式，使用者可視實際的需求決定之。

綜上所述，本發明之發光裝置係利用與第一LED晶片串聯的第一固晶膠，可使包含第一LED晶片和第一固晶膠之第一工作電路與包含第二LED晶片之第二工作電路具有相近或相同的電壓降。如此一來，使用者在運用發光裝置，便不需像習知技術所述般外掛額外的電阻元件，而造成成本上升、產生廢熱等問題。

上述雖已例示單一垂直式晶片協配本發明固晶膠來調整公作電路之電壓降，然在末端應用上，使用者可能會將複述個晶片作串/併連接，此時亦可使用本發明之方案調整使各個垂直式晶片與其固晶膠總合之電壓降，使其與各個水平式晶片電壓降相同，可讓使用者簡單獲得具有相同電壓降之工作電路。以下詳述本發明之具有串聯設計之發光裝置及其電路配接應用。

申言之，在下述實施態樣中，發光裝置之基板具有一串聯設計。此外，該發光裝置具有一特殊之電路基板設計，可適於提供多組極性整合配置的電性迴路，以便於後端使用者簡化電路母板的電路配置，可避免使用跳線及多層電路結構，該等設計對於燈具製造者而言此會大幅增加製造成本並且同時會影響燈具之性賴性，亟為不便。詳細言之，在本實施例中，發光裝置包含一電路基板以及一或多個LED晶片，其中電路基板包含一絕緣基底以及一第一線路圖案。絕緣基底具有相對的一第一表面與一第二表面。第一線路圖案配置於第一表面。第一線路圖案包括一第一接墊對、一第二接墊對、一第三接墊對、一第四接墊對，以及一連通接墊。第一接墊對包含一第一固晶接墊及一第一配對接墊。第二接墊對包含一第二固晶接墊及一第二配對接墊。第三接墊對包含一第三固晶接墊及一第三配對接墊。第四接墊對包含一第四固晶接墊及一第四配對接墊。連通接墊電性連接第一配對接墊及第三固晶接墊。LED晶片分別配置於第一固晶接墊、第二固晶接墊、第三固晶接墊及第四固晶接墊中之一者。如此，第一接墊對、第三接墊對與連通接墊構成一組電性迴路，第二接墊對與第四接墊對各自構成一組電性迴路。以下配合第三、第四及第五實施態樣詳述上述之基板設計方案及其發光裝置。 《第三實施態樣》

圖9A至圖9B是本實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。圖10是圖9A至圖9B的電路基板的側視示意圖。請參考圖9A、圖9B與圖10，電路基板200包含絕緣基底210以及第一線路圖案220。絕緣基底210例如添加有玻璃纖維的塑料平板、陶瓷平板或其他適用的平板，較佳是氮化鋁平板，但本發明不限制絕緣基底210的種類，其可依據需求調整。絕緣基底210具有相對的第一表面212與第二表面214，第一線路圖案220配置於第一表面212。此外，在本發明中電路基板200更包含第二線路圖案230，配置於第二表面214。第一線路圖案220與第二線路圖案230係藉由導電柱240a至240f電性聯接，以使第一線路圖案220做為LED晶片的電性連接端，而第二線路圖案230則做為連接線路的電性連接端。同時第一線路圖案220與第二線路圖案230具有特定的線路設計，以用於提供多組極性整合配置的電性迴路，以便於後端使用者簡化電路母板的電路配置，可避免使用跳線及多層電路結構。在此，極性整合配置係指在經過晶片固晶之後，電路基板中所有的正極輸出端群聚在一側，同時所有的負極輸出端亦群聚在另一側，俾使發光裝置的正極輸出端與負極輸出端完全分離。

在本實施例中，絕緣基底具有陣列排列的一第一區域、一第二區域、一第三區域及一第四區域。具體而言，請參考圖9A，在本實施例中，絕緣基底210具有陣列排列的第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3、第四區域R4。所述陣列排列係指上述區域排列成2行2列的矩陣，且以絕緣基底210中心為基準點，上述第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3與第四區域R4是以對應於平面座標系中的第一象限、第二象限、第三象限與第四象限的方式排列，即第一區域R1對應於第一象限，第二區域R2對應於第二象限，以此類推。如此，上述第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3與第四區域R4可視為是位在第一表面212的右上、左上、左下、右上而按照逆時鐘方向排列。

再者，在本實施例中，第一線路圖案220包括第一接墊對221、第二接墊對223、第三接墊對225、第四接墊對227以及連通接墊228。第一接墊對221、第二接墊對223、第三接墊對225、第四接墊對227分別配置於第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3與第四區域R4。其中，各接墊對包括固晶接墊與配對接墊，即第一接墊對221包含第一固晶接墊221a及第一配對接墊221b，第二接墊對223包含第二固晶接墊223a及第二配對接墊223b，第三接墊對225包含第三固晶接墊225a及第三配對接墊225b，而第四接墊對227包含第四固晶接墊227a及第四配對接墊227b。如此，上述四組固晶接墊與配對接墊成對配置，並按照第一象限至第四象限依序配置在上述四個區域中。

在本實施例中，第一固晶接墊221a鄰近第二固晶接墊223a，而第三固晶接墊225a鄰近第四固晶接墊227a。亦即，位在第一區域R1／第一象限的第一固晶接墊221a與位在第二區域R2／第二象限的第二固晶接墊223a可視為配置在平面座標系的Y軸的相對兩側且彼此相鄰，而第一配對接墊221b與第二配對接墊223b配置於第一固晶接墊221a與第二固晶接墊223a的外側而位在第一表面212的側邊。類似地，位在第三區域R3／第三象限的第三固晶接墊225a與位在第四區域R4／第四象限的第四固晶接墊227a可視為配置在平面座標系的Y軸的相對兩側且彼此相鄰，而第三配對接墊225b與第四配對接墊227b配置於第三固晶接墊225a與第四固晶接墊227a的外側而位在第一表面212的側邊。

此外，在本實施例中，第一固晶接墊221a的面積大於第一配對接墊221b的面積。第二固晶接墊223a的面積大於第二配對接墊223b的面積。第三固晶接墊225a的面積大於第三配對接墊225b的面積。第四固晶接墊227a的面積大於第四配對接墊227b的面積。上述面積係指所述接墊在第一表面212上的平面涵蓋範圍。上述各接墊對的固晶接墊的面積大於配對接墊的面積，故後續當電路基板200應用於發光裝置而搭配LED晶片使用時，LED晶片可配置在對應的接墊對中面積較大的固晶接墊上，並透過連接構件（例如打線）連接至配對接墊。然而，本發明不限於上述實施方式，其可依據需求調整。

再者，在本實施例中，連通接墊228電性連接第一配對接墊221b及第三固晶接墊225a。更進一步地說，連通接墊228係穿越位於第一固晶接墊221a及第四固晶接墊227a間之間隔。如此，連通接墊228可使位於第三區域R3的第三固晶接墊225a以及位於第一區域R1的第一配對接墊221b電性連接，而第一固晶接墊221a及第四固晶接墊227a可視為配置在平面座標系的X軸的相對兩側，並透過連通接墊228區隔開，而位在連通接墊228的相對兩側。透過連通接墊228，可使後續設置於第一接墊對221上並與其電性連接之LED晶片與後續設置於第三接墊對225上並與其電性連接之LED晶片彼此電性連接，形成相連的電路。

另一方面，請參考圖9B，在本實施例中，第二線路圖案230包含第一電極對232、第二電極對234及第三電極對236。其中，各電極對包括主電極與副電極，即第一電極對232包含第一主電極232a及第一副電極232b，第二電極對234包含第二主電極234a及第二副電極234b，而第三電極對236包含第三主電極236a及第三副電極236b。上述電極對配置在第二表面214。其中，第一主電極232a係配置於第一區域R1之一相對面，而第一副電極232b係配置於第三區域R3之一相對面，亦即第一電極對232的第一主電極232a及第一副電極232b分別配置兩個不同區域（分別位在第一區域R1與第三區域R3之相對面）。相對地，第二電極對234的第二主電極234a及第二副電極234b係配置於第二區域R2之一相對面，而第三電極對236的第三主電極236a及第三副電極236b係配置於該第四區域R4之一相對面。

由此可知，圖9B所繪示的仰視示意圖可視為是圖9A的俯視示意圖以平面座標系的Y軸為軸心翻轉180度後所呈現的視角。亦即，圖9B所呈現的第二表面214，按照圖面的左上、右上、右下、左下的順時鐘方向分別對應到第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3與第四區域R4。如此，第一電極對232的第一主電極232a對應到位於第一區域R1的第一接墊對221，第二電極對234（包含第二主電極234a及第二副電極234b）對應到位於第二區域R2的第二接墊對223，第一電極對232的第一副電極232b對應到位於第三區域R3的第三接墊對225，而第三電極對236（包含第三主電極236a及第三副電極236b）對應到位於第四區域R4的第四接墊對227。

再者，在本實施例中，配置在第一區域R1之相對面的第一主電極232a、配置在第二區域R2之相對面的第二主電極234a及配置在第四區域R4之相對面的第三副電極236b係彼此相鄰。亦即，配置在第二區域R2之相對面的第二主電極234a及配置在第四區域R4之相對面的第三副電極236b各自配置在第二區域R2與第四區域R4之相對面中鄰近第一主電極232a之處。類似地，配置在第三區域R3之相對面的第一副電極232b、配置在第二區域R2之相對面的第二副電極234b及配置在第四區域R4之相對面的第三主電極236a係彼此相鄰。亦即，配置在第二區域R2之相對面的第二副電極234b及配置在第四區域R4之相對面的第三主電極236a各自配置在第二區域R2與第四區域R4之相對面中鄰近第一副電極232b之處。

由此可知，在本實施例中，上述主電極與副電極可視為是以第二表面214上從右上至左下延伸而通過第二區域R2與第四區域R4的對角線區分，其中第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b趨向於對角線的左上方而彼此相鄰，而第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a趨向於對角線的右下方而彼此相鄰。上述有關對角線的說明係用於輔助說明上述主電極與副電極的相對位置趨向於對角線的哪一側，非用於限制主電極與副電極需位在對角線的左上方或右下方而未橫越對角線，即本發明不限於上述實施方式，其可依據需求調整。

此外，在本實施例中，第一主電極232a的面積略等於第一副電極232b的面積，第二主電極234a的面積大於第二副電極234b的面積，而第三主電極236a的面積大於第三副電極236b的面積。上述面積係指所述電極在第二表面214上的平面涵蓋範圍。其中，由於第二主電極234a與第二副電極234b分別對應於位在第二區域R2的第二固晶接墊223a（面積較大）與第二配對接墊223b（面積較小），故較佳地，第二主電極234a的面積大於第二副電極234b的面積。類似地，由於第三主電極236a與第三副電極236b分別對應於位在第四區域R4的第四固晶接墊227a（面積較大）與第四配對接墊227b（面積較小），故較佳地，第三主電極236a的面積大於第三副電極236b的面積。此外，由於第一主電極232a與第一副電極232b分別配置於第一區域R1之相對面及第三區域R3之相對面，故其面積亦可配置為相等，但第一主電極232a的面積與第一副電極232b的面積亦可不相等。本發明不限於上述實施方式，其可依據需求調整。

再者，請參考圖9A、圖9B與圖10，在本實施例中，第一線路圖案220與第二線路圖案230藉由貫穿絕緣基底210並具有導電性的導電柱240a至240f彼此電性連接。所述第一線路圖案220、第二線路圖案230與導電柱240a至240f的材質可以是銀、銅或其他導電材料，本發明不以此為限制，其可依據需求調整。

具體而言，在本實施例中，由於第一主電極232a位在第一區域R1之相對面，故第一主電極232a可透過導電柱240a與位在第一區域R1的第一固晶接墊221a電性連接。類似地，由於第一副電極232b位在第三區域R3之相對面，故第一副電極232b可透過導電柱240b與位在第三區域R3的第三配對接墊225b電性連接。此外，由於第二主電極234a與第二副電極234b位在第二區域R2之相對面，且分別對應於第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b，故第二主電極234a可透過導電柱240c與位在第二區域R2的第二固晶接墊223a電性連接，而第二副電極234b可透過導電柱240d與位在第二區域R2的第二配對接墊223b電性連接。類似地，由於第三主電極236a與第三副電極236b位在第四區域R4之相對面，且分別對應於第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b，故第三主電極236a可透過導電柱240e與位在第四區域R4的第四固晶接墊227a電性連接，而第三副電極236b可透過導電柱240f與位在第四區域R4的第四配對接墊227b電性連接。

基於上述，在本實施例中，第一固晶接墊221a與第一主電極232a電性連接，第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b分別與第二主電極234a與第二副電極234b電性連接，第三配對接墊225b與第一副電極232b電性連接，第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b分別與第三主電極236a與第三副電極236b電性連接，而第一配對接墊221b、第三固晶接墊225a以及連接第一配對接墊221b與第三固晶接墊225a的連通接墊228未透過導電柱電性連接至第二線路圖案230。藉此，當電路基板200應用於發光裝置時，上述六個導電柱240a至240f中的每兩者可連接至正電與負電構成一電性迴路，而上述電路基板200可提供三組電性迴路。

圖11A至圖11B是圖9A至圖9B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。圖11C是搭載有圖11B的發光裝置的燈具的電路示意圖。圖12是圖11A至圖11C的發光裝置的側視示意圖。由於發光裝置300與電路基板200通常可採用同一電路母板在相同製程下（形成線路圖案、配置LED晶片等步驟）同時製作多組而後切割成如圖11A、圖11B與圖12所繪示的單元，故圖11C繪示三組如圖11B所示的發光裝置300為例，以清楚表達連接線路的配置方式。

請參考圖11A至圖12，在本實例中，發光裝置300包含上述的電路基板200以及一或多個LED晶片，而LED晶片可分別配置於第一固晶接墊221a、第二固晶接墊223a、第三固晶接墊225a及第四固晶接墊227a中之一者。更進一步地說，發光裝置300包含第一LED晶片202a、第二LED晶片202b、第三LED晶片202c及第四LED晶片202d，而第一LED晶片202a、第二LED晶片202b、第三LED晶片202c、第四LED晶片202d分別配置於第一固晶接墊221a、第二固晶接墊223a、第三固晶接墊225a及第四固晶接墊227a之上。然而，本發明並不限制LED晶片的數量，其可依據需求調整。此外，發光裝置300還包含環型擋牆302與封裝膠體304。環型擋牆302係圍繞上述一或多個LED晶片，且包含反射材料，例如氮化硼（BN）、二氧化鈦（TiO₂ ）、氧化鋯（ZnO）等，以適於集中LED晶片所發出的光線。再者，封裝膠體304覆蓋上述LED晶片，而填充於環型擋牆302內，以將上述LED晶片封裝於其中。

具體而言，如圖11A所示，在本實施例中，第一LED晶片202a例如是紅光晶片，其配置於第一固晶接墊221a而透過其底部未繪示的正電極電性連接至第一固晶接墊221a，並透過連接構件（例如是打線）而使其頂部未繪示的負電極電性連接至第一配對接墊221b。類似地，第三LED晶片202c例如是紅光晶片，其配置於第三固晶接墊225a而透過其底部未繪示的正電極電性連接至第三固晶接墊225a，並透過連接構件（例如是打線）而使其頂部未繪示的負電極電性連接至第三配對接墊225b。藉此，第一LED晶片202a與第一接墊對221電性連接，第三LED晶片202c與第三接墊對135電性連接。

此外，在本實施例中，由於第一配對接墊221b與第三固晶接墊225a又透過連通接墊228電性連接，且第一固晶接墊221a與第三配對接墊225b又各自電性連接至第二表面214的第一主電極232a與第一副電極232b。如此，第一LED晶片202a、第一接墊對221、第三LED晶片202c、第三接墊對135與第一電極對232彼此電性連接，並構成第一組電性迴路L1（如圖11B所示），其中第一主電極232a適於作為電性迴路L1的正極端而連接正電性，且第一副電極232b適於作為電性迴路L1的負極端而連接負電性，而第一LED晶片202a與第三LED晶片202c電性連接而串聯在電性迴路L1中。

再者，如圖11A所示，第二LED晶片202b例如是藍光晶片，其配置於第二固晶接墊223a上，並透過打線使其頂部未繪示的正電極與負電極分別電性連接至第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b。藉此，第二LED晶片202b與第二接墊對223電性連接，且第二接墊對223的第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b又各自電性連接至第二表面214的第二主電極234a與第二副電極234b。如此，第二LED晶片202b、第二接墊對223與第二電極對234彼此電性連接，並構成第二組電性迴路L2（如圖11B所示），其中第二主電極234a適於作為電性迴路L2的正極端而連接正電性，而第二副電極234b適於作為電性迴路L2的負極端而連接負電性。

類似地，如圖11A所示，第四LED晶片202d例如是藍光晶片，其配置於第四固晶接墊227a上，並透過打線使其頂部未繪示的負電極與正電極分別電性連接至第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b。藉此，第四LED晶片202d與第四接墊對227電性連接，且第四接墊對227的第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b又各自電性連接至第二表面214的第三主電極236a與第三副電極236b。如此，第四LED晶片202d、第四接墊對227與第三電極對236彼此電性連接，並構成第三組電性迴路L3（如圖11B所示），其中第三主電極236a適於作為電性迴路L3的負極端而連接負電性，而第三副電極236b適於作為電性迴路L3的正極端而連接正電性。

基於上述，在本實施例中，如前所述，以第二表面214上從右上至左下延伸而通過第二區域R2與第四區域R4的對角線區分，第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b趨向對角線的左上方而彼此相鄰，而第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a趨向於對角線的右下方而彼此相鄰。其中，如圖11C所示，第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b係電性相同（分別作為電性迴路L1至L3的正極端而適於連接正電性），而第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a係電性相同（分別作為電性迴路L1至L3的負極端而適於連接負電性）。

此時，由於作為正極端的第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b位在對角線的左上方而彼此相鄰，即群聚於電路基板／絕緣基底210左上側，故後續連接上述正極端的連接線路（如圖11C所繪示的連接線路L11、L21、L31、L41、L51、L61、L71、L81、L91）可從絕緣基底210的第二表面214的同一側邊往外延伸（如圖11C所繪示從第二表面214左側對應於第一主電極232a處往外延伸），並同時連接至正電性。類似地，由於作為負極端的第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a位在對角線的右下方而彼此相鄰，即群聚於電路基板／絕緣基底210右下側，故後續連接上述負極端的連接線路（如圖11C所繪示的連接線路L12、L22、L32、L42、L52、L62、L72、L82、L92）可從絕緣基底210的第二表面214的同一側邊往外延伸（如圖11C所繪示從第二表面214右側對應於第一副電極232b處往外延伸），並同時連接至負電性。藉此，用於連接正極端（第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b）的連接線路L11、L21、L31、L41、L51、L61、L71、L81、L91與用於連接負極端（第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b）的連接線路L12、L22、L32、L42、L52、L62、L72、L82、L92彼此不干涉，而無須透過跳線或者多層線路結構來避免短路情形。由此可知，第二線路圖案230的設計有助於後續線路配置。

此外，當使用垂直式晶片時，由於該種晶片之固晶面亦為電性導通面，因此在固晶時需考慮固晶面以及所欲之固晶接墊極性，以達到極性整合配置的目地。在本實施例中，第一LED晶片202a與第三LED晶片202c採用紅光晶片，而第二LED晶片202b與第四LED晶片202d採用藍光晶片。其中，紅光晶片例示為正電極在底部，而負電極在頂部，故當發光裝置300採用此種紅光晶片時，較佳地是將紅光晶片配置在電性為正極的固晶接墊上，使其底部的正電極可直接連接至電性為正極的固晶接墊，而後再透過打線將負電極連接至電性為負極的配對接墊。相對地，所述藍光晶片為水平式晶片，其正負電極均在頂部，故其可配置在任意電性的固晶接墊上後，再以打線將正負電極分別連接至固晶接墊與配對接墊。

藉此，如本實施例中所示之正電極在底部的紅光晶片適於配置在第一固晶接墊221a、第二固晶接墊223a與第三固晶接墊225a上，而本實施例是將紅光晶片配置在第一固晶接墊221a與第三固晶接墊225a上。相對地，藍光晶片適於配置於四個固晶接墊的任一者，而本實施例是將藍光晶片配置在第二固晶接墊223a與第四固晶接墊227a。然而，本發明並不限制LED晶片的種類與數量，其可依據需求調整。其中，由於第四固晶接墊227a電性連接至第三主電極236a而使其電性為負極，故第四固晶接墊227a不適於連接如前例示之正電極在底部的紅光晶片。由此可知，當本實施例的電路基板200應用於發光裝置300時，其可採用四個藍光晶片作為LED晶片而使發光裝置提供單色光，亦可採用多個紅光晶片搭配至少一個藍光晶片（配置在第四固晶接墊227a）提供混色光。

另外，當發光裝置300採用藍色晶片時，其還可依據需求調整為發出白光。詳細而言，在本實施例中，第二LED晶片202b及第四LED晶片202d中之一者，例如是第四LED晶片202d，係覆蓋螢光粉層。其中，螢光粉層例如是黃色螢光粉或其他適用的螢光粉所構成，較佳之螢光粉係如第一實施態樣中所述。將螢光粉層舖設於第四LED晶片202d上，使第四LED晶片202d所發出的藍光經由螢光粉層混光後射出，而呈現白光。再者，發光裝置300包含子環型擋牆306，其圍繞覆有螢光粉層之LED晶片，即圍繞第四LED晶片202d，且子環型擋牆306包含反射材料。配置子環型擋牆306的目的在於，可防止鋪設螢光粉層的動作影響其他LED晶片，即防止螢光粉層鋪設於第四LED晶片202d以外之處。此外，其所含的反射材料亦可用於集中第四LED晶片202d所發出的光線。然而，本發明不限制螢光粉層與子環型擋牆306的配置與否，其可依據需求調整。

再者，在上述發光裝置300的基礎下，亦可進一步採用前面第一或第二實施態樣所提出的調整電壓降方案，即進一步在LED晶片與對應的固晶接墊之間配置固晶膠，以透過固晶膠改變LED晶片的電壓降。特定言之，在上述圖11A的實施例中，搭配本發明固晶膠之使用，使電性迴路的電壓降隨LED晶片數目實質上線性增加。即在裝置300中電性迴路L1的電壓降約為電性迴路L2及電性迴路L3的兩倍。在後續將多個發光裝置應用於燈具時，如圖11C，使用者可將方便地利如將兩個電性迴路L2串聯、將兩個電性迴路L3串聯或者將一個電性迴路L1與一個電性迴路L3串聯，即可達到跟電性迴路L1一樣的電壓降，藉此可在簡單組合下即可獲得相同電壓降的工作迴路，進而可以單一外部電源裝置進行控制。

上述內容僅為本發明的其中一種實施態樣，本發明並不限於在上述發光裝置300中應用前述調整電壓降的方案。亦即，單獨使用本實施態樣之電路基板設計亦為本發明之保護範圍。

基於上述，本實施例的電路基板200與發光裝置300適於提供多組極性整合配置的電性迴路L1至L3，以便於後端使用者簡化電路母板的電路配置，可避免使用跳線及多層電路結構，亦可供連接一或多個LED晶片，且晶片種類可依據需求調整而選用紅光晶片或藍光晶片，使發光裝置300適於發出單色光或多種波段混合成的混色光。另外，可以簡單組合成具有相同電壓降的工作電路，方便利用單一電源裝置來進行控制。

上述係藉由第三實施態樣例示說明本發明之電路基板設計方案之精神及原則，以下係進一步說明本方案之其他實施態樣。 《第四實施態樣》

圖13A至圖13B是本發明另一實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。請參考圖13A至圖13B，在本實施例中，此外，在本實施例中，電路基板200a與前述的電路基板200具有類似的結構與功能，故有關電路基板200a的實施方式可參照前述電路基板200的實施方式（圖9A至圖10）。電路基板200a與前述電路基板200的主要差異在於，本實施例的第一線路圖案220a不同於前述第一線路圖案220。

詳細而言，在本實施例中，第一線路圖案220a更包含配置於第一表面212的延伸接墊229。延伸接墊229鄰近第一固晶接墊221a之一側邊並電性連接第三配對接墊225b。更進一步地說，延伸接墊229係穿越位於第二固晶接墊223a及第三固晶接墊225a間之間隔。如此，延伸接墊229可連接位在第三區域R3的第三配對接墊225b並從第三區域R3延伸至第一區域R1而鄰近位於第一區域R1的第一固晶接墊221a，而第二固晶接墊223a及第三固晶接墊225a可視為配置在平面座標系的X軸的相對兩側，並透過延伸接墊229區隔開，而位在延伸接墊229的相對兩側。延伸接墊229可用於電性連接防護元件，例如齊納二極管（zener diode），但本發明不限制延伸接墊229與防護元件的配置與否，其可依據需求調整。具體而言，可將防護元件設置於延伸接墊或第一固晶接墊上，並與該延伸接墊及該第一固晶接墊電性連接，藉此可保護電性迴路L1。

圖14A至圖14B是圖13A至圖13B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。請參考圖14A至圖14B，在本實例中，發光裝置300a與前述發光裝置300具有類似的結構與功效，故有關發光裝置300a的實施方式可參照前述發光裝置300的實施方式（圖11A至圖14），其主要差異在於，本實施例的發光裝置300a包含前述電路基板200a（包括延伸接墊229），且上述三個電性迴路L1至L3還可配置有前述的齊納二極管作為防護元件。舉例而言，齊納二極管Z1配置在延伸接墊229上而電性連接第三配對接墊225b，並透過打線電性連接至第一固晶接墊221a。藉此，齊納二極管Z1透過第一固晶接墊221a電性連接至在電性迴路L1中作為正極端的第一主電極232a，並透過延伸接墊229與第三配對接墊225b電性連接至在電性迴路L1中作為負極端的第一副電極232b。類似地，齊納二極管Z2配置在第二配對接墊223b上，並透過打線電性連接至第二固晶接墊223a，以透過第二固晶接墊223a電性連接至在電性迴路L2中作為正極端的第二主電極234a，並透過第三配對接墊225b電性連接至在電性迴路L2中作為負極端的第二副電極234b。齊納二極管Z3配置在第四配對接墊227b上，並透過打線電性連接至第四固晶接墊227a，以透過第四固晶接墊227a電性連接至在電性迴路L3中作為負極端的第三主電極236a，並透過第四配對接墊227b電性連接至在電性迴路L3中作為正極端的第三副電極236b。

上述齊納二極管Z1至Z3所配置的接墊與所打線的接墊可個別地相互交換，惟其等形成等效的電性迴路即可。即可將齊納二極管Z1配置至第一固晶接墊221a並打線至延伸接墊229上而電性連接第三配對接墊225b。或將齊納二極管Z2配置在第二固晶接墊223a上，並透過打線電性連接至第二配對接墊223b。又或者可將齊納二極管Z3配置在第四固晶接墊227a上，並透過打線電性連接至第四配對接墊227b。該等變化皆涵蓋於本發明之範疇內。此外，在未配置延伸接墊229的實施例中（例如前述圖10A至圖10C所繪示的實施例），電性迴路L1至L3中亦可配置前述齊納二極管或其他適用的防護元件，本發明並不以此為限制。除了延伸接墊229與齊納二極管Z1至Z3的配置之外，發光裝置300a／電路基板200a與前述發光裝置300／電路基板200具有類似的結構與功效，故其亦具有前述有關第二線路圖案230的設計所帶來的功效，即無須透過跳線或者多層線路結構來避免短路情形，而有助於後續電路配置。並且可以簡單組合成具有相同電壓降的工作電路，方便利用單一電源裝置來進行控制。 《第五實施態樣》

圖15A至圖15B是本發明又一實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。請參考圖15A至圖15B，在本實施例中，電路基板200b與前述的電路基板200與200a具有類似結構，故其側視示意圖可參考前述圖10所繪示的側視示意圖。電路基板200b包含絕緣基底210、第一線路圖案220b以及第二線路圖案230。有關絕緣基底210的結構、材質與設計（陣列排列的四個區域）可參照前述說明，在此不多接贅述。所述第一線路圖案220b以及第二線路圖案230分別配置在絕緣基底210的第一表面212與第二表面214，並藉由貫穿絕緣基底210且具有導電性的導電柱240a至240f電性連接，以使第一線路圖案220b做為LED晶片的電性連接端，而第二線路圖案230則做為連接線路的電性連接端。同時第一線路圖案220b與第二線路圖案230具有特定的線路設計，以用於提供多組極性整合配置的電性迴路，以便於後端使用者簡化電路母板的電路配置，可避免使用跳線及多層電路結構。

具體而言，在本實施例中，第一線路圖案220b包括第一接墊對221、第二接墊對223、第三接墊對225、第四接墊對227、連通接墊228以及延伸接墊229，其中第一接墊對221、第二接墊對223、第三接墊對225、第四接墊對227分別配置於第一區域R1、第二區域R2、第三區域R3與第四區域R4，且各接墊對包括固晶接墊與配對接墊。有關固晶接墊與配對接墊的相對位置可參考前一實施例的說明。再者，連通接墊228穿越位於第一固晶接墊221a及第四固晶接墊227a間之間隔而連接位於第三區域R3的第三固晶接墊225a及位於第一區域R1的第一配對接墊221b，而延伸接墊229穿越位於第二固晶接墊223a及第三固晶接墊225a間之間隔而連接位在第三區域R3的第三配對接墊225b並延伸至鄰近位於第一區域R1的第一固晶接墊221a。由此可知，本實施例的第一線路圖案220b與前述第一線路圖案220與120a類似，故其結構與設計參照前述說明，在此不多接贅述。

類似地，第二線路圖案230包含第一電極對232、第二電極對234及第三電極對236，且各電極對包括主電極與副電極，其中配置在第一區域R1之相對面的第一主電極232a、配置在第二區域R2之相對面的第二主電極234a及配置在第四區域R4之相對面的第三副電極236b係彼此相鄰，而配置在第三區域R3之相對面的第一副電極232b、配置在第二區域R2之相對面的第二副電極234b及配置在第四區域R4之相對面的第三主電極236a係彼此相鄰。由此可知，本實施例的第二線路圖案230與前述類似，故其結構與設計參照前述說明，在此不多接贅述。

基於上述，在本實施例中，電路基板200b的結構與設計大致上類似於前述電路基板200與200a，其主要差異在於，位在第四區域R4的第四接墊對227與位在第四區域R4之相對面的第三電極對236的連接方式。

詳細而言，在本實施例中，第一主電極232a透過導電柱240a與位在第一區域R1的第一固晶接墊221a電性連接，而第一副電極232b可透過導電柱240b與位在第三區域R3的第三配對接墊225b電性連接。類似地，第二主電極234a可透過導電柱240c與位在第一區域R1的第二固晶接墊223a電性連接，而第二副電極234b可透過導電柱240d與位在第一區域R1的第二配對接墊223b電性連接。然而，雖然第三主電極236a與第三副電極236b位在第四區域R4之相對面並分別對應於第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b，但本實施例不將第三主電極236a連接至第四固晶接墊227a，亦不將第三副電極236b連接至第四配對接墊227b。相對地，在本實施例中，第三主電極236a與第四配對接墊227b透過導電柱240e電性連接，而第三副電極236b與第四固晶接墊227a透過導電柱240f電性連接。上述連接方式可藉由將第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b設計成特定形狀使其局部可分別對應至第三副電極236b與第三主電極236a。

基於上述，在本實施例中，第一固晶接墊221a與第一主電極232a電性連接，第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b分別與第二主電極234a與第二副電極234b電性連接，第三配對接墊225b與第一副電極232b電性連接，第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b分別與第三副電極236b與第三主電極236a電性連接，而第一配對接墊221b、第三固晶接墊225a及連接第一配對接墊221b與第三固晶接墊225a的連通接墊228未透過導電柱電性連接至第二線路圖案230。藉此，當電路基板200a應用於發光裝置時，上述六個導電柱240a至240f中的每兩者可連接至正電與負電構成一電性迴路，而上述電路基板200a可提供三組電性迴路。

圖16A至圖16B是圖15A至圖15B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。圖16C是搭載有圖16B的發光裝置的燈具的電路示意圖。請參考圖16A至圖16C，在本實例中，發光裝置300b包含上述的電路基板200b以及一或多個LED晶片，而LED晶片可分別配置於第一固晶接墊221a、第二固晶接墊223a、第三固晶接墊225a及第四固晶接墊227a中之一者。藉此，發光裝置300b類似於前述發光裝置300與300a，故有關其結構說明可參考前述內容，在此不多加贅述。發光裝置300b與發光裝置300與300a的主要差異在於，發光裝置300b採用電路基板200b。

詳細而言，如圖16A所示，在本實施例中，第一LED晶片202a配置於第一固晶接墊221a，並電性連接至第一接墊對221。第三LED晶片202c配置於第三固晶接墊225a，並電性連接至第三接墊對135。此外，第一配對接墊221b與第三固晶接墊225a又透過連通接墊228電性連接，且第一固晶接墊221a與第三配對接墊225b又各自電性連接至第一主電極232a與第一副電極232b。藉此，第一LED晶片202a、第一接墊對221、第三LED晶片202c、第三接墊對135與第一電極對232彼此電性連接，並構成第一組電性迴路L1（如圖16B所示），其中第一主電極232a適於作為電性迴路L1的正極端而連接正電性，而第一副電極232b適於作為電性迴路L1的負極端而連接負電性，而第一LED晶片202a與第三LED晶片202c電性連接而串聯在電性迴路L1中。

再者，如圖16A所示，在本實施例中，第二LED晶片202b配置於第二固晶接墊223a上，並電性連接至第二接墊對223電性連接，且第二接墊對223的第二固晶接墊223a與第二配對接墊223b又各自電性連接至第二主電極234a與第二副電極234b。藉此，第二LED晶片202b、第二接墊對223與第二電極對234彼此電性連接，並構成第二組電性迴路L2（如圖16B所示），其中第二主電極234a適於作為電性迴路L2的正極端而連接正電性，而第二副電極234b適於作為電性迴路L2的負極端而連接負電性。

此外，如圖16A所示，在本實施例中，第四LED晶片202d配置於第四固晶接墊227a上，並電性連接至第四接墊對227，且第四接墊對227的第四固晶接墊227a與第四配對接墊227b又各自電性連接至第二表面214的第三主電極236a與第三副電極236b。藉此，第四LED晶片202d、第四接墊對227與第三電極對236彼此電性連接，並構成第三組電性迴路L3（如圖16B所示），其中第三主電極236a適於作為電性迴路L3的負極端而連接負電性，而第三副電極236b適於作為電性迴路L3的正極端而連接正電性。

基於上述，在本實施例中，如前所述，以第二表面214上從右上至左下延伸而通過第二區域R2與第四區域R4的對角線區分，第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b趨向對角線的左上方而彼此相鄰，而第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a趨向於對角線的右下方而彼此相鄰。其中，如圖16C所示，彼此相鄰的第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b係電性相同（分別作為電性迴路L1至L3的正極端而適於連接正電性），而彼此相鄰的第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a係電性相同（分別作為電性迴路L1至L3的負極端而適於連接負電性）。

藉此，由於作為正極端的第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b位在對角線的左上方而彼此相鄰（即群聚於電路基板／絕緣基底210左上側），而作為負極端的第一副電極232b、第二副電極234b及第三主電極236a位在對角線的右下方而彼此相鄰（即群聚於電路基板／絕緣基底210右下側），故後續連接正極端的連接線路（如圖16C所繪示的連接線路L11、L21、L31）可從第二表面214的同一側邊往外延伸（如圖16C所繪示從第二表面214左側對應於第一主電極232a處往外延伸），並同時連接至正電性，且後續連接負極端的連接線路（如圖16C所繪示的連接線路L12、L22、L32）可從第二表面214的同一側邊往外延伸（如圖16C所繪示從第二表面214右側對應於第一副電極232b處往外延伸），並同時連接至負電性。藉此，用於連接正極端（第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b）的連接線路L11、L21、L31與用於連接負極端（第一主電極232a、第二主電極234a及第三副電極236b）的連接線路L12、L22、L32彼此不干涉，而無須透過跳線或者多層線路結構來避免短路情形。

由此可知，在本實施例中，電路基板200b與前述電路基板200與200a對於第二線路圖案230具有相似設計，且當其應用於發光裝置300b後，第二線路圖案230對於連接線路的電性連接方式亦同前一實施例所述。然而，在本實施例中，由於電路基板200b的第四接墊對227與第三電極對236具有不同於前一實施例的連接方式，即第四固晶接墊227a電性連接至作為正極端的第三主電極236a，而第四配對接墊227b電性連接至作為負極端的第三副電極236b。藉此，在本實施例中，第四固晶接墊227a的電性為正極，而第四配對接墊227b的電性為負極。藉由上述設計，本實施例的電路基板200b的四個固晶接墊均為正極，而四個配對接墊均為負極，故本實施例的四個固晶接墊可依據需求任意採用前述的紅光晶片與藍光晶片。

詳細而言，如前所述，所示之紅光晶片的正電極在底部，而負電極在頂部，故當發光裝置300b採用此種紅光晶片時，較佳地是將紅光晶片配置在電性為正極的固晶接墊上，使其底部的正電極可直接連接至固晶接墊，而後再透過打線將負電極連接至配對接墊。相對地，所述藍光晶片的正負電極均在頂部，故其可配置在任意電性的固晶接墊上後，再以打線將正負電極連接至固晶接墊與配對接墊。藉此，在本實施例中，發光裝置300b可採用如前述發光裝置300的兩個紅光晶片與兩個藍光晶片，例如第一LED晶片202a與第三LED晶片202c採用紅光晶片，而第二LED晶片202b與第四LED晶片202d採用藍光晶片。然而，在其他未繪示的實施例中，電路基板200b亦可用於配置四個藍光晶片或四個紅光晶片，本發明並不以此為限制。

由此可知，當本實施例的電路基板200b應用於發光裝置300b時，其可採用四個藍光晶片或四個紅光晶片作為LED晶片而使發光裝置提供單色光，亦可採用紅光晶片搭配藍光晶片提供混色光。所述紅光晶片與藍光晶片的數量可依據需求調整，且藍光晶片還可採用上述鋪設螢光粉層的方式調整為發出白光。基於上述，本實施例的電路基板200b與發光裝置300b適於提供多組電性迴路L1至L3，以供連接一或多個LED晶片，且晶片種類可依據需求調整而選用紅光晶片或藍光晶片，使發光裝置300b適於發出單色光或多種波段混合成的混色光。同時可以簡單組合成具有相同電壓降的工作電路，方便利用單一電源裝置來進行控制。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

100、100’、300、300a、300b‧‧‧發光裝置
110、200、200a、200b‧‧‧電路基板
110a‧‧‧表面
112、210‧‧‧絕緣基底
114‧‧‧線路層
120a、202a‧‧‧第一LED晶片
120b、120b’、202b‧‧‧第二LED晶片
120c、120c’、202c‧‧‧第三LED晶片
122‧‧‧電極
130a‧‧‧第一固晶膠
130b、130b’‧‧‧第二固晶膠
130c、130c’‧‧‧第三固晶膠
140、304‧‧‧封裝膠體
202d‧‧‧第四LED晶片
212‧‧‧第一表面
214‧‧‧第二表面
220、220a、220b‧‧‧第一線路圖案
221‧‧‧第一接墊對
221a‧‧‧第一固晶接墊
221b‧‧‧第一配對接墊
223‧‧‧第二接墊對
223a‧‧‧第二固晶接墊
223b‧‧‧第二配對接墊
225‧‧‧第三接墊對
225a‧‧‧第三固晶接墊
225b‧‧‧第三配對接墊
227‧‧‧第四接墊對
227a‧‧‧第四固晶接墊
227b‧‧‧第四配對接墊
228‧‧‧連通接墊
229‧‧‧延伸接墊
230‧‧‧第二線路圖案
232‧‧‧第一電極對
232a‧‧‧第一主電極
232b‧‧‧第一副電極
234‧‧‧第二電極對
234a‧‧‧第二主電極
234b‧‧‧第二副電極
236‧‧‧第三電極對
236a‧‧‧第三主電極
236b‧‧‧第三副電極
240a至240f‧‧‧導電柱
302‧‧‧環型擋牆
306‧‧‧子環型擋牆
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’‧‧‧剖線
L11、L12、L21、L22、L31、L32、L41、L42、L51、L52、L61、L62、L71、L72、L81、L82、L91、L92‧‧‧連接線路

CT1‧‧‧第一工作電路

CT2‧‧‧第二工作電路

CT3‧‧‧第三工作電路

L‧‧‧導線

L1、L2、L3‧‧‧電性迴路

N‧‧‧方向

R1‧‧‧第一區域

R2‧‧‧第二區域

R3‧‧‧第三區域

R4‧‧‧第四區域

Z1、Z2、Z3‧‧‧齊納二極管

l‧‧‧厚度

圖1為本發明一實施例之發光裝置的上視示意圖。 圖2為根據圖1之剖線A-A’、B-B’、C-C’所繪的發光裝置的剖面示意圖。 圖3為圖2之發光裝置的一種等效電路示意圖。 圖4為圖2之發光裝置的另一種等效電路示意圖。 圖5為圖2之發光裝置的又一種等效電路示意圖。 圖6為本發明另一實施例之發光裝置的上視示意圖。 圖7為根據圖6之剖線D-D’、E-E’、F-F’所繪的發光裝置的剖面示意圖。 圖8為圖7之發光裝置的一種等效電路示意圖。 圖9A至圖9B是本實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖10是圖9A至圖9B的電路基板的側視示意圖。 圖11A至圖11B是圖9A至圖9B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖11C是搭載有圖11B的發光裝置的燈具的電路示意圖。 圖12是圖11A至圖11C的發光裝置的側視示意圖。 圖13A至圖13B是本發明另一實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖14A至圖14B是圖13A至圖13B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖15A至圖15B是本發明又一實施例的電路基板的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖16A至圖16B是圖15A至圖15B的電路基板應用於發光裝置的俯視示意圖與仰視示意圖。 圖16C是搭載有圖16B的發光裝置的燈具的電路示意圖。

100‧‧‧發光裝置

120a‧‧‧第一LED晶片

120b‧‧‧第二LED晶片

120c‧‧‧第三LED晶片

130a‧‧‧第一固晶膠

CT1‧‧‧第一工作電路

CT2‧‧‧第二工作電路

CT3‧‧‧第三工作電路

Claims (10)

1. 一種發光裝置，包括：一第一工作電路，包含一第一LED晶片及一第一固晶膠，該第一LED晶片具有一第一順向電壓V1，該第一LED晶片與第一固晶膠以串聯的方式電性連接；一第二工作電路，包含一第二LED晶片，該第二LED晶片具有一第二順向電壓V2，該第二順向電壓V2與該第一順向電壓V1差異比大於約15%；其中該第一工作線路具有第一電壓降V_W1，該第二工作電路具有一第二電壓降V_W2，其中該第一電壓降V_W1略等於該第二電壓降V_W2。
2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括：一第三工作電路，包含一第三LED晶片；當使用一電流I操作該第三LED晶片時，該第三工作電路具有一第三電壓降V_W3，其中該第一電壓降V_W1略等於該第三電壓降V_W3。
3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一順向電壓V1與第二順向電壓V2的差異比大於約30%。
4. 如申請專利範圍第2項所述的發光裝置，其中該第一LED晶片為一紅光晶片；該第二LED晶片及第三LED晶片分別為一綠光晶片或一藍光晶片。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項任一項所述的發光裝置，其中該第一固晶膠為一樹脂組合物，該樹脂組合物包含一導電陶瓷顆粒。
6. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中以重量百分比計，該導電陶瓷顆粒之濃度較佳係約20%至約80%。
7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該導電陶瓷顆粒可選自氧化銦錫顆粒、碳顆粒或前述之任意組合。
8. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中該樹脂組合物包括約28%至約30%的環氧樹脂以及約70%至約72%的氧化銦錫顆粒。
9. 如申請專利範圍第7項所述的發光裝置，其中以重量百分比計，該樹脂組合物包括約48%至約50%的環氧樹脂以及約50%至約52%的碳顆粒。
10. 如申請專利範圍第5項所述的發光裝置，其中該樹脂組合物包含一金屬顆粒。