CN107431112B - 发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置，其至少搭载有一个以上一种发光元件，并且具备被上述发光元件的输出光激发的荧光体，其中，在搭载荧光体之前的上述发光装置中，在使搭载的全部的发光元件发光的情况下，在440nm以上且小于460nm的第一波长区域具有输出光的峰值波长，并且在460nm以上490nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长。
Description
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
对于将半导体发光元件与荧光体组合的发光装置而言，作为可期待低耗电、小型化、高亮度、更大范围的颜色再现性的下一代的发光装置而受到关注，并积极地展开研究以及开发。从半导体发光元件发出的一次光通常在从近紫外光到蓝色的范围且例如波长为380nm～490nm的光。另外，也提出有使用了与适于用途的各种荧光体的发光装置。
也对用作照明装置等的发光装置进行了各种开发，对用于提高这样的发光装置的输出性能的方法进行了各种研究。为了提高发光装置的输出性能，一般使用能见度较高且在作为蓝色的互补色的黄色区域具有主要的发光峰值的荧光体。另外，对于能够用于一般照明器具用途的发光装置而言，作为性能，具有高演色性(“具有高演色性”意味着基本上平均演色指数Ra为80以上。)也与输出性能的提高一并重要。
上述平均演色指数Ra为，一般被使用为表示演色性的指数，并且是对试验色(R1～R8)是否自然可见进行评价的指标。对于能够用于一般照明器具用途的发光装置而言，使试验色自然可见较为重要、即提高平均演色指数Ra较为重要。
作为使用了LED(light emitting diode)光源的发光装置，有利用了在440nm～460nm的波长区域具有峰值的蓝色LED、绿色荧光体以及红色荧光体的发光装置。但是，该发光装置的发光光谱在作为蓝色区域的440nm～460nm的波长区域具有尖锐峰，因此蓝色的反射成分过强。该情况下，有时无法再现在440nm～460nm的波长区域对光进行反射那样的被照射物的颜色。
对于商品销售等所使用的发光装置而言，除了确保明亮度之外，还要求照射对象物的颜色的再现性。特别是以服装业为首在各种商品中白、黑、藏青、红是使用最多的颜色，因此忠实地再现这些颜色较为重要。因此，在这样的发光装置的情况下，与平均演色指数Ra一起提高白、黑、藏青、红的再现性较为重要。平均演色指数Ra是对试验色(R1～R8)是否自然可见进行评价的指标，针对不包含在试验色内的白、红、藏青、黑的再现性，并未示出。针对红色，一般将特殊演色指数R9作为指标。另一方面，针对白、黑、藏青，未包含在试验色内，没有一般性且具有定量性的评价指数。
专利文献1(日本专利第4072632号公报)记载有一种发光装置，其特征在于，作为使红色鲜艳地显色的发光装置，具备：发光元件，其发光波长处于360nm～550nm的范围；和塞隆型荧光体，其由具有将由式(Cax，Euy)(Si，Al)12(O，N)16表示的Ca-α-塞隆的Ca位置局部地用Eu置换的构造的α-塞隆为40质量％以上90质量％以下、β-塞隆为5质量％以上40质量％以下、未反应的氮化硅为5质量％以上30质量％以下的粉末构成，利用上述荧光体将上述发光元件的光的一部分进行波长转换而释放出。
现有技术文献
专利文件
专利文献1：日本专利第4072632号公报
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在专利文献1中，发光装置的色温的范围并不限定，另外，也没有平均演色指数Ra的记述，并未对发光装置的演色性充分地进行研究。
本发明目的在于，提供一种平均演色指数Ra较高且照射对象物的颜色中的特别是白、红、藏青、黑的再现性良好的发光装置。
解决问题的手段
[1]本发明所涉及的发光装置，其至少搭载有一个以上一种发光元件，并且具备被上述发光元件的输出光激发的荧光体的发光装置，在搭载荧光体之前的上述发光装置中，在使搭载的全部的发光元件发光的情况下，在440nm以上且小于460nm的第一波长区域具有输出光的峰值波长，并且在460nm以上且490nm以下的第二波长区域具有输出光的峰值波长。
[2]在本发明所涉及的发光装置中，优选具备：至少一个发光元件，其放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光和在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光这双方；具备放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光的至少一个第一发光元件、和放射在460nm以上490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的至少一个第二发光元件至少这两种发光元件的任一个作为构成要素，被上述第一一次光以及上述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在绿色区域具有峰值发光波长的第一荧光的绿色荧光体；以及红色荧光体，其被上述第一一次光以及上述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在红色区域具有峰值发光波长的第二荧光，所述发光装置放射相关色温为2000K以上6500K以下且平均演色指数Ra为80以上的光。
[3]本发明所涉及的发光装置具备：绿色荧光体，其被上述第一一次光以及上述第二一次光中的任意一方或双方激发，放射在绿色区域具有峰值发光波长的第一荧光；以及红色荧光体，其被上述第一一次光以及上述第二一次光中的任意一方或双方激发，放射在红色区域具有峰值发光波长的第二荧光，所述发光装置放射相关色温为2000K以上6500K以下且平均演色指数Ra为80以上的光。
[4]在本发明所涉及的发光装置中，优选在上述发光装置的发光光谱中，430nm以上且460nm以下的波长范围内的最大发光强度亦即第二发光强度E2相对于450nm以上且500nm以下的波长范围内的最小发光强度亦即第一发光强度E1的比(E2/E1)为3.0以下。
发明效果
作为实现上述的发光特性的方法，也可以使用在多个波长区域分别具有发光峰值的一种发光元件，也可以将在单一的波长区域具有一个发光峰值的多种发光元件组合，也可以将在多个波长区域分别具有发光峰值的发光元件与在单一的波长区域具有一个发光峰值的发光元件组合。
在将在单一的波长区域具有一个发光峰值的多种发光元件组合的情况下，通过发光元件的组合的调节，能够更精密地控制发光装置的发光光谱，容易得到接近目标的发光光谱。
另一方面，在使用一种在多个波长区域分别具有发光峰值的发光元件的情况下，有以下的优点。由一种发光元件构成发光装置，因此能够使发光装置的制造工序更简单。在由多个发光元件构成的发光装置中，在发光装置中存在多个发光点。在使用多个不同波长的发光元件的情况下，从各个发光点发出不同强度、颜色的光的可能性较高，从而因各个发光点的发光颜色、发光强度的不同、或者发光点间隔之差(芯片向基板的固定位置的偏差)等而容易出现照射面的颜色不均。该影响根据反射镜、透镜等照明器具的光学系统的不同而不同，特别是在照射角度狭窄的照明器具中该影响显著的可能性较高。另一方面，在使用一种在多个波长区域分别具有发光峰值的发光元件的发光装置的情况下，全部的发光点显示出相同的发光特性，因此相比同时搭载了不同波长的发光元件的发光装置的情况下，照明器具的光学设计较容易，并且容易抑制照射面的亮度不均、颜色不均。即，从发光装置中的各发光元件以均匀的光量和光色进行发光与照射面上的亮度不均、颜色不均较少的高质量的光相关。如以上那样，通过使用一种在多个波长区域分别具有发光峰值的发光元件来构成发光装置，能够获得制造工序简单、发光装置中的全部的发光元件具有相同的特性从而不产生亮度不均、颜色不均而得到优异的光学特性这样的效果。
发光元件一般在单一的波长区域进行发光，但也有能够通过单一的发光元件在多个波长区域进行发光的发光元件。例如，InGaN系的发光二极管能够通过单一的发光元件在多个波长区域进行发光。InGaN系的发光二极管在其构造中具有多个发光层，通过在各个发光层中调节In的浓度等，能够设计来自各个发光层的发光波长。另外，多个发光层相对于发光元件的发光面垂直地层压，因此在发光元件的发光面内能够得到光谱无差别的均匀的光。这样，能够制作在多个波长区域分别具有发光峰值的发光元件，通过利用上述方法能够实现制造工序更简单的发光装置、亮度不均、颜色不均较少的发光装置。
根据本发明，能够提供平均演色指数Ra较高、且照射对象物的颜色中的特别是白、红、藏青、黑的再现性良好的发光装置。
附图说明
图1的(a)是本发明的实施方式1所涉及的发光装置A11的示意俯视图，图1的(b)以及图1的(c)是其剖视图。
图2是本发明的实施方式2所涉及的发光装置A12的剖视图。
图3是本发明的实施方式3所涉及的发光装置B11的剖视图。
图4的(a)是本发明的实施方式4所涉及的发光装置B12的剖视图，图(b)是实施方式4的变形例的剖视图。
图5的(a)是本发明的实施方式5所涉及的发光装置的示意俯视图，图5的(b)是其剖视图。
图6是表示实施例1以及比较例1的发光装置的发光光谱的图。
图7是表示实施例2以及比较例2的发光装置的发光光谱的图。
图8是表示实施例3以及比较例3的发光装置的发光光谱的图。
图9是表示实施例4以及比较例4的发光装置的发光光谱的图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的发光装置进行说明。此外，在本发明的附图中，相同的参照符号表示相同部分或者相当部分。另外，对于长度、宽度、厚度、深度等的尺寸关系，为了使附图的清楚、简单而被适当地变更，并不表示实际的尺寸关系。
[实施方式1]
(发光装置的结构)
图1的(a)是表示本发明的实施方式1的发光装置A11的结构的俯视图，图1的(b)以及图1的(c)是图1的(a)所示的A-A’线的剖视图。
本实施方式的发光装置A11具备：基板A111、第一发光元件A101、堰环(树脂制框体)151、以及包含荧光体的树脂层(以下仅记为“第一包含荧光体树脂层”)160。第一发光元件A101进行具有输出光的峰值波长互不相同的多个发光峰值的发光。
基板A111优选为由陶瓷构成的基板，优选具有俯视长方形的形状。在基板A111的一个面(以下记为“基板A111的上表面”)设置有第一发光元件A101、堰环(树脂制框体)151以及第一包含荧光体树脂层160，还设置有第一电极连接盘121和第二电极连接盘122。
堰环(ダムリング)151是限定第一包含荧光体树脂层160(第一包含荧光体树脂层160包括树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191)的外形的部件，所述堰环151在第一包含荧光体树脂层160的形成时作为用于防止树脂161向堰环151的外侧泄露的堰(截流部件)发挥功能。
第一电极连接盘121以及第二电极连接盘122设置于基板A111的上表面中的堰环151的外侧，优选设置于基板A111的上表面的角部，更优选设置在基板A111的对角线上。第一电极连接盘121以及第二电极连接盘122的各表面露出，由此，第一电极连接盘121以及第二电极连接盘122能够与外部端子连接。换句话说，第一电极连接盘121以及第二电极连接盘122中的一者作为外部连接用阳极电极发挥功能，另一者作为外部连接用阴极电极发挥功能。
(发光元件)
(配置方式、连接方式)
第一发光元件A101优选为LED，更优选为LED芯片。第一发光元件A101优选通过布线(未图示)而彼此电连接，该布线优选连接于第一电极连接盘121以及第二电极连接盘122。由此，从外部端子向第一电极连接盘121或者第二电极连接盘122施加的外部电力通过布线供给至第一发光元件A101。因此，第一发光元件A101发光。
第一发光元件A101的配置方式并不特别限定。但是，第一发光元件A101优选在基板A111的上表面中的由堰环151包围而成的区域以等间隔配置。由此，能够减少由来自发光装置A11的发光而引起的照射面的亮度不均。因此，能够较高地维持发光装置A11的光学特性。
如上述那样，第一发光元件A101的配置方式并不特别限定。但是，第一发光元件A101需要配置为：在发光装置A11的发光光谱中在440nm以上且小于460nm的波长范围内以及460nm以上且490nm以下的波长范围内分别出现峰值。
第一发光元件A101的连接方式并不特别限定。但是，优选在形成多个将第一发光元件A101串联连接而构成的元件列的情况下，以使各个列中的第一发光元件A101的串联连接数量相同的方式将第一发光元件A101电连接。由此，能够在发光装置A11所包括的全部的发光元件中流通有相同的电流(电流值相同)。因此，能够较高地维持发光装置A11的光学特性。
(发光元件的光学特性)
第一发光元件A101在两个波长区域具有输出光的峰值波长的、在440nm以上且小于460nm、以及460nm且以上490nm以下的波长区域具有输出光的峰值(例如输出光的峰值波长为450nm以及470nm)。换句话说，第一发光元件A101是发光元件，且优选为发光二极管。另外，由此，第一发光元件A101的输出光的至少一部分构成来自发光装置A11的光(例如白色光)的一部分(例如蓝色成分)。
另外，第一发光元件A101的输出光中的一部分激发绿色荧光体181而发出绿色光(峰值波长大于490nm且在580nm以下)，第一发光元件A101的输出光中的剩余的一部分激发红色荧光体191而发出红色光(峰值波长大于580nm且在780nm以下)。换句话说，第一发光元件A101的输出光中的一部分通过绿色荧光体181而构成来自发光装置A11的光(例如白色光)中的绿色成分。另外，第一发光元件A101的输出光中的剩余的一部分通过红色荧光体191而构成来自发光装置A11的光(例如白色光)中的红色成分。
(第一包含荧光体树脂层)
第一包含荧光体树脂层160包括树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191。优选第一包含荧光体树脂层160在树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191填充于基板A111的上表面中的由堰环151包围而成的区域后，通过使树脂161固化来形成。另外，优选第一包含荧光体树脂层160设置为：埋入有配置在基板A111的上表面中的由堰环151包围而成的区域的第一发光元件A101。换句话说，在本实施方式中，第一发光元件A101通过第一包含荧光体树脂层160而一并密封。本说明书中，“一并密封”意味着通过相同的树脂进行密封。
优选第一包含荧光体树脂层160所包括的树脂161为透光性优异的树脂，更优选为能够使第一发光元件A101的输出光、绿色荧光体181发出的绿色光、以及红色荧光体191发出的红色光透过的树脂。树脂161如果是能够作为树脂密封型发光装置所包括的密封树脂而使用的树脂则并不特别限定，例如优选二甲基型硅树脂、苯基型硅树脂、或者环氧树脂等。
优选绿色荧光体181为活化了2价的铕的β型SiAlON，优选红色荧光体191为SrxCa1-xAlSiN3：Eu2+。作为绿色荧光体181以及红色荧光体191，并不限定于此，也可以是以下所示的荧光体。另外，优选以鉴于荧光体的激发特性来选择发光元件与荧光体的组合，以成为最佳的条件。
另外，第一包含荧光体树脂层160也可以仅包含绿色荧光体181以及红色荧光体191中的一个。作为绿色荧光体181也可以使用两种以上的绿色荧光体181，作为红色荧光体191也可以使用两种以上的红色荧光体191。其中，如果第一包含荧光体树脂层160包含一种以上的绿色荧光体181和一种以上的红色荧光体191，则能够使发光装置A11作为白色发光装置而发挥功能。
(绿色荧光体)
绿色荧光体181是被第一发光元件A101的输出光激发而发光为绿色的荧光体，例如优选为下述(1)～(7)。作为绿色荧光体181，也可以使用下述(1)～(7)中的任意一个，也可以并用下述(1)～(7)中的两个以上。
(1)通式Eua1Sib1Alc1Od1Ne1(0.001≤a1≤0.2)所表示的β型SiAlON(活化了2价的铕的氮氧化物荧光体)，
(2)具有(MI)3-x2Cex2(MII)5O12(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。MII表示Al以及Ga中的至少一个。0.005≤x2≤0.3)所表示的石榴石型结晶构造的荧光体(活化了3价的铈的氧化物荧光体)，
(3)(MIII)2-x3Eux3SiO4(MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤x3≤0.4)所表示的荧光体(活化了2价的铕的硅酸盐荧光体)，
(4)(MIII)3-x4Cex4(MIV)2Si3O12(MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MIV表示Li、Na、K、Cs、Rb、Mg、Ca、Ba、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd以及Lu中的至少一个。0.005≤x4≤0.3)所表示的荧光体(活化了3价的铈的硅酸盐荧光体)，
(5)(MI)3-x5Cex5Si6N11(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x5≤0.2)所表示的荧光体(活化了3价的铈的氮化物荧光体)，
(6)(MV)1-a6Eua6Mg1-x6Al10-y6Mnx6+y6O17(MV表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a6≤0.2，0.005≤x6+y6≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕和2价的锰的铝酸盐荧光体)，
(7)(MV)3-a7Eua7Si6O12N2(MV表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a7≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕和2价的锰的硅酸盐荧光体)。
(红色荧光体)
红色荧光体191是被第一发光元件A101的输出光激发而发光为红色的荧光体，例如，优选为下述(11)～(15)。作为红色荧光体191，可以使用下述(11)～(15)中的任一个，也可以并用下述(11)～(15)中的两个以上。
(11)(MIII)1-x11Eux11(MVI)SiN3(MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MVI表示Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd以及Lu中的至少一个。0.005≤x11≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的氮化物荧光体)，
(12)(MIII)2-x12Eux12Si5N8(MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤x12≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的氮化物荧光体)，
(13)Euf(MVII)gSihAliOjNk(MVII表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd中的至少一个。0.001≤f≤0.2)所表示的α型SiAlON(活化了2价的铕的氮氧化物荧光体)，
(14)(MVIII)2((MIX)1-x14Mnx14)F6(MVIII表示Li、Na、K、Rb以及Cs中的至少一个。MIX表示Ge、Si、Sn、Ti以及Zr中的至少一个。0.005≤x14≤0.3)所表示的荧光体(活化了4价的锰的氟化金属盐荧光体)，
(15)(MX)2-x15Eux15O3-y15Sy15(MX表示Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x15≤0.4、0.0≤y15≤2.0)所表示的荧光体(活化了3价的铕的硫酸盐荧光体)。
[发光装置的不同方式]
此外，发光装置A11也可以进一步具有以下所示的结构。
除了第一发光元件A101之外，也可以使用在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值的第二发光元件A102。第二发光元件A102在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值，因此发光元件的组合的范围较广，另外，荧光体的选择的范围较广。更具体而言，在使用包括难以被第一发光元件A101的输出光激发的荧光体的树脂的情况下，也可通过第二发光元件A102的输出光来较高地维持荧光体的发光效率。因此，能够进一步提高发光装置A11的发光效率。由此，能够实现多样的发光光谱。因此，能够提高发光光谱的设计的自由度，因此在发光装置A11中更容易得到所希望的发光光谱。
(蓝色荧光体)
替代第一包含荧光体树脂层160，也可以使用除了树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191之外还包括蓝色荧光体201的第二含有荧光体树脂层260(图1的(c))。为了提高发光装置A11的演色性，发光装置A11发出的光的光谱具有较宽的带域较有利。此处，与荧光体的发光光谱相比，发光元件的输出光的光谱具有较宽的带域。因此，通过使用蓝色荧光体201而容易提高发光装置A11的演色性。图1的(c)是表示本实施方式的发光装置的变形例的剖视图。替代第一包含荧光体树脂层160，也可以使用第二含有荧光体树脂层260，这在后述的实施方式2～5中也是这样的。
蓝色荧光体201是被从第一发光元件A101和第二发光元件A102的输出光中的任意一个或两者激发而发光为蓝色的荧光体，也可以是下述(21)所示的活化了2价的铕的卤素磷氧化物，也可以是下述(22)所示的活化了2价的铕的铝氧化物，也可以是下述(23)所示的活化了3价的铈的氮化物。作为蓝色荧光体201，也可以使用下述(21)～(23)中的任意一个，也可以并用下述(21)～(23)中的两个以上。
(21)(MXI)5-x21Eux21(PO4)3(MXII)(MXI表示Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MXII表示F、Cl以及Br中的至少一个。0.1≤x21≤1.5)所表示的荧光体(活化了2价的铕的磷氧化物荧光体)，
(22)(MXIII)1-a22Eua22MgAl10O17(MXIII表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a22≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的铝氧化物荧光体)，
(23)(MI)1-x23Cex23Si3N5(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x23≤0.2)所表示的荧光体(活化了3价的铈的氮化物荧光体)。
[发光装置向照明装置或者背光装置等的应用]
发光装置A11具有上述光学特性，因此能够将发光装置A11用作发光装置(作为发光装置的一个例子可举出照明装置或者背光装置等)的光源。换句话说，本实施方式的发光装置包括发光装置A11。由此，能够提供具有上述光学特性的照明装置或者背光装置等的发光装置。此外，对于本实施方式的照明装置或者背光装置而言，针对发光装置以外的结构，并不限定以往公知的照明装置或者背光装置所具有的结构而能够对其进行使用。
[实施方式2]
在本发明的实施方式2中，如图2所示，发光装置A12是具备第一发光元件A101的引线框架类型的表面安装(SMD)型发光装置。
在本发明的实施方式2中，发光装置A12至少具备一个以上在两种波长区域具有发光峰值的第一发光元件A101。
如图2所示，本实施方式的光源A12在框架A112上搭载有一个第一发光元件A101。在第一发光元件A101的周围以覆盖该发光元件A101的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191在树脂161中分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。
上述框架A112例如由白色树脂的基材构成。由此，能够提供可见光反射特性、即光提取效率高的框架A112。
在上述框架A112中，设置有电极A129以及A130。因此，为了供给电力，搭载于框架A112的第一发光元件A101通过未图示的贯通电极而连接于上述电极A129以及A130。但是，未必局限于贯通电极，例如，也可以在框架A112的侧面形成电极A129以及A130。
在本实施方式的发光装置A12中，如上述那样，以覆盖第一发光元件A101的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。该第一包含荧光体树脂层160中的、使上述绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的树脂161由透明的硅酮树脂构成。
在框架A112的一个面(以下记为“框架A112的上表面”)设置有第一发光元件A101和第一包含荧光体树脂层160。第一包含荧光体树脂层160对第一发光元件A101进行密封，并设置于框架A112的上表面中的被框架壁面包围而成的区域。
另外，框架A112的壁面的内周面也可以相对于框架A112的上表面垂直。但是，优选框架壁面的内周面相对于框架A112的上表面倾斜，以使随着从框架A112的上表面朝向第一包含荧光体树脂层160的上表面的开口径变大。由此，能够高效地提取光。
另外，也可以不设置框架壁面。例如，如果使用触变性较高的树脂作为树脂161，则即使不设置框架壁面也能够防止树脂161朝框架A112的上表面的周缘流动。另外，作为框架A112也可以使用具有俯视长方形的形状的基板(并不是图2中那样而是由陶瓷构成的平面的基板)来构成表面安装型光源部。
[发光装置的不同方式]
此外，发光装置A12也可以进一步具有以下所示的结构。
除了第一发光元件A101之外，也可以使用在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值的第二发光元件A102。第二发光元件A102在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值，因此发光元件的组合的范围较广，另外荧光体的选择的范围较广。更具体而言，即使在使用含有难以被第一发光元件A101的输出光激发的荧光体的树脂的情况下，也能够通过第二发光元件A102的输出光来较高地维持荧光体的发光效率。因此，能够进一步提高发光装置A12的发光效率。由此，能够实现多样的发光光谱。因此，能够提高发光光谱的设计的自由度，因此在发光装置A12中更容易得到所希望的发光光谱。
(蓝色荧光体)
替代第一包含荧光体树脂层160，也可以使用除了树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191之外还包含蓝色荧光体201的第二含有荧光体树脂层260(参照图1的(c))。为了提高发光装置A12的演色性，发光装置A12发出的光的光谱具有较宽的带域较有利。此处，与荧光体的发光光谱相比，发光元件的输出光的光谱具有较宽的带域。因此，通过使用蓝色荧光体201而容易提高发光装置A12的演色性。
蓝色荧光体201是被来自第一发光元件A101和第二发光元件A102的输出光中的任意一个或两者激发而发光为蓝色的荧光体，也可以是下述(21)所示的活化了2价的铕的卤素磷氧化物，也可以是下述(22)所示的活化了2价的铕的铝氧化物，也可以是下述(23)所示的活化了3价的铈的氮化物。作为蓝色荧光体201，也可以使用下述(21)～(23)中的任意一个，也可以并用下述(21)～(23)中的两个以上。
(21)(MXI)5-x21Eux21(PO4)3(MXII)(MXI表示Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MXII表示F、Cl以及Br中的至少一个。0.1≤x21≤1.5)所表示的荧光体(活化了2价的铕的磷氧化物荧光体)，
(22)(MXIII)1-a22Eua22MgAl10O17(MXIII表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a22≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的铝氧化物荧光体)，
(23)(MI)1-x23Cex23Si3N5(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x23≤0.2)所表示的荧光体(活化了3价的铈的氮化物荧光体)。
[发光装置向照明装置或者背光装置等的应用]
发光装置A12具有上述光学特性，因此能够将发光装置A12用作发光装置的光源。换句话说，本实施方式的发光装置包括发光装置A12。由此，能够提供具有上述光学特性的照明装置或者背光装置等的发光装置。此外，在本实施方式的照明装置或者背光装置中，针对发光装置以外的结构，并不限定以往公知的照明装置或者背光装置所具有的结构而能够对其使用。
[实施方式3]
在本发明的实施方式3中，如图3所示发光装置B11是具备第一发光元件B101以及第二发光元件B102的引线框架类型的SMD型发光装置。
在本发明的实施方式3中，发光装置B11至少分别具备一个以上在两种波长区域具有发光峰值的第一发光元件B101和第二发光元件B102。以下，将分别各搭载有一个第一发光元件B101以及第二发光元件B102的情况作为例子而示出。
如图3所示，本实施方式的发光装置B11在框架B111上搭载有一个第一发光元件B101以及一个第二发光元件B102。在第一发光元件B101以及第二发光元件B102的周围以覆盖该发光元件B101以及B102的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191在树脂161中分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。
上述框架B111例如由白色树脂的基材构成。由此，能够提供可见光反射特性、即光提取效率较高的框架B111。
在上述框架B111中，设置有电极B129以及B130。因此，为了供给电力，搭载于框架B111的第一发光元件B101以及第二发光元件B102通过未图示的贯通电极而连接于上述电极B129以及B130。但是，未必局限于贯通电极，例如，也可以在框架B111的侧面形成电极B129以及B130。
在本实施方式的发光装置B11中，如上述那样，以覆盖第一发光元件B101以及第二发光元件B102的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。该第一包含荧光体树脂层160中的、使上述绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的树脂161由透明的硅酮树脂构成。
在框架B111的一个面(以下记为“框架B111的上表面”)设置有第一发光元件B101、第二发光元件B102以及第一包含荧光体树脂层160。第一包含荧光体树脂层160对第一发光元件B101进行密封，并设置于框架B111的上表面中的由框架壁面包围而成的区域。
另外，框架B111的壁面的内周面也可以相对于框架B111的上表面垂直。但是，优选框架壁面的内周面相对于框架B111的上表面倾斜，以使随着从框架B111的上表面朝向第一包含荧光体树脂层160的上表面的开口径变大。由此，能够高效地提取光。
另外，也可以不设置框架壁面。例如，如果使用触变性较高的树脂作为树脂161，则即使不设置框架壁面也能够防止树脂161朝框架B111的上表面的周缘流动。另外，作为框架B111也可以使用具有俯视长方形的形状的基板(并不是图3中那样而是由陶瓷构成的平面的基板)来构成表面安装型光源部。
[发光装置的不同方式]
此外，发光装置B11也可以还具有以下所示的结构。
除了第一发光元件B101以及第二发光元件B102之外，也可以使用在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值的第三发光元件B103。第三发光元件B103在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值，因此发光元件的组合的范围较广，另外，荧光体的选择的范围较广。更具体而言，在使用包含难以被第一发光元件B101、第二发光元件B102的输出光激发的荧光体的树脂的情况下，也能够通过第三发光元件B103的输出光来较高地维持荧光体的发光效率。因此，能够进一步提高发光装置B11的发光效率。由此，能够实现多样的发光光谱。因此，能够提高发光光谱的设计的自由度，因此在发光装置B11中更容易得到所希望的发光光谱。
(蓝色荧光体)
替代第一包含荧光体树脂层160，也可以使用除了树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191之外还包括蓝色荧光体201的第二含有荧光体树脂层260。为了提高发光装置B11的演色性，发光装置B11发出的光的光谱具有较宽的带域比较有利。此处，与荧光体的发光光谱相比，发光元件的输出光的光谱具有较宽的带域。因此，通过使用蓝色荧光体201而容易提高发光装置B11的演色性。
蓝色荧光体201是被来自第一发光元件B101、第二发光元件B102以及第三发光元件B103的输出光中的任意一个或全部激发而发光为蓝色的荧光体，也可以是下述(21)所示的活化了2价的铕的卤素磷氧化物，也可以是下述(22)所示的活化了2价的铕的铝氧化物，也可以是下述(23)所示的活化了3价的铈的氮化物。作为蓝色荧光体201，也可以使用下述(21)～(23)中的任意一个，也可以并用下述(21)～(23)中的两个以上。
(21)(MXI)5-x21Eux21(PO4)3(MXII)(MXI表示Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MXII表示F、Cl以及Br中的至少一个。0.1≤x21≤1.5)所表示的荧光体(活化了2价的铕的磷氧化物荧光体)，
(22)(MXIII)1-a22Eua22MgAl10O17(MXIII表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a22≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的铝氧化物荧光体)，
(23)(MI)1-x23Cex23Si3N5(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x23≤0.2)所表示的荧光体(活化了3价的铈的氮化物荧光体)。
[发光装置向照明装置或者背光装置等的应用]
发光装置B11具有上述光学特性，因此能够将发光装置B11用作发光装置的光源。换句话说，本实施方式的发光装置包括发光装置B11。由此，能够提供具有上述光学特性的照明装置或者背光装置等的发光装置。此外，在本实施方式的照明装置或者背光装置中，针对发光装置以外的结构，并不限定以往公知的照明装置或者背光装置所具有的结构而能够对其进行使用。
[实施方式4]
在本发明的实施方式4中，如图4所示，发光装置B12是具备第一发光元件B101以及第二发光元件B102的双重密封类型的SMD型发光装置。
在本发明的实施方式4中，发光装置B12至少分别具备一个以上在不同的波长区域具有发光峰值的第一发光元件B101和第二发光元件B102。以下，将分别各搭载有一个第一发光元件B101以及第二发光元件B102的情况作为例子示出。
如图4的(a)所示，本实施方式的发光装置B12在基板B112上搭载有一个第一发光元件B101以及一个第二发光元件B102。在第一发光元件B101以及第二发光元件B102的周围以覆盖该发光元件B101以及B102的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191在树脂161中分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。而且以覆盖第一包含荧光体树脂层160的方式设置有透明的硅酮树脂162。因此，本实施方式的发光装置B12在基板B112上具有利用第一包含荧光体树脂层160以及硅酮树脂162对第一发光元件B101以及第二发光元件B102进行双重密封的封装。
上述基板B112例如由陶瓷的基材构成。由此，能够提供散热性能较高的基板B112。
在上述基板B112中，在背面设置有电极B129以及B130。因此，为了供给电力，搭载于基板B112的第一发光元件B101以及第二发光元件B102通过未图示的贯通电极而连接于上述电极B129以及B130。但是，未必局限于贯通电极，例如也可以在基板B112的侧面形成电极B129以及B130。
在本实施方式的发光装置B12中，如上述那样，以覆盖第一发光元件B101以及第二发光元件B102的方式设置有使绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的第一包含荧光体树脂层160。该第一包含荧光体树脂层160中的、使上述绿色荧光体181以及红色荧光体191分散或者沉淀的树脂161由透明的硅酮树脂构成。
在基板B112的一个面(以下记为“基板B112的上表面”)设置有第一发光元件B101、第二发光元件B102、堰环151以及第一包含荧光体树脂层160。第一包含荧光体树脂层160对第一发光元件B101进行密封，并设置于基板B112的上表面中的被堰环151包围而成的区域。
另外，堰环151的内周面也可以相对于基板B112的上表面垂直。但是，优选堰环151的内周面相对于基板B112的上表面倾斜，以使随着从基板B112的上表面朝向第一包含荧光体树脂层160的上表面而堰环151的开口径变大。由此，能够高效地提取光。
另外，也可以不设置堰环151。例如，如果使用触变性较高的树脂作为树脂161，则即使不设置堰环151也能够防止树脂161朝基板B112的上表面的周缘流动。另外，作为基板B112也可以不使用具有俯视长方形的形状的基板(图4的(a))而使用浴缸形状的基板(例如导线框架基板)来构成表面安装型光源部。
[发光装置的不同方式]
此外，发光装置B12也可以还具有以下所示的结构。
除了第一发光元件B101以及第二发光元件B102之外，也可以使用在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值的第三发光元件B103。第三发光元件B103在380nm以上且小于440nm的波长区域具有发光峰值，因此发光元件的组合的范围较，另外，荧光体的选择的范围较广。更具体而言，在使用包含难以被第一发光元件B101、第二发光元件B102的输出光激发的荧光体的树脂的情况下，也能够通过第三发光元件B103的输出光来较高地维持荧光体的发光效率。因此，能够进一步提高发光装置B12的发光效率。由此，能够实现多样的发光光谱。因此，能够提高发光光谱的设计的自由度，因此在发光装置B12中更容易得到所希望的发光光谱。
(蓝色荧光体)
替代第一包含荧光体树脂层160，也可以使用除了树脂161、绿色荧光体181以及红色荧光体191之外还包含蓝色荧光体201的第二含有荧光体树脂层260。为了提高发光装置B12的演色性，发光装置B12发出的光的光谱具有较宽的带域较有利。此处，与荧光体的发光光谱相比，发光元件的输出光的光谱具有较宽的带域。因此，通过使用蓝色荧光体201能够提高发光装置B12的演色性。
蓝色荧光体201是被来自第一发光元件B101、第二发光元件B102以及第三发光元件B103的输出光中的任意一个或全部激发而发光为蓝色的荧光体，也可以是下述(21)所示的活化了2价的铕的卤素磷氧化物，也可以是下述(22)所示的活化了2价的铕的铝氧化物，也可以是下述(23)所示的活化了3价的铈的氮化物。作为蓝色荧光体201，也可以使用下述(21)～(23)中的任意一个，也可以并用下述(21)～(23)中的两个以上。
(21)(MXI)5-x21Eux21(PO4)3(MXII)(MXI表示Ca、Sr以及Ba中的至少一个。MXII表示F、Cl以及Br中的至少一个。0.1≤x21≤1.5)所表示的荧光体(活化了2价的铕的磷氧化物荧光体)，
(22)(MXIII)1-a22Eua22MgAl10O17(MXIII表示Sr以及Ba中的至少一个。0.005≤a22≤0.2)所表示的荧光体(活化了2价的铕的铝氧化物荧光体)，
(23)(MI)1-x23Cex23Si3N5(MI表示Lu、Y、La以及Gd中的至少一个。0.005≤x23≤0.2)所表示的荧光体(活化了3价的铈的氮化物荧光体)。
也可以不配置透明的硅酮树脂162(参照图4的(b))。通过存在有透明的硅酮树脂162，从而由于透镜效果，而能够期待光提取效率的提高、发光的取向特性的窄角化。另一方面，在欲使制造工序更简单的情况下、欲使发光的取向特性广角化的情况下，适于不配置透明硅酮树脂162。像这样能够通过透明的硅酮树脂162的配置的有无来提高发光装置B12的设计自由度，因此在发光装置B12中更容易得到所希望的发光特性。
[发光装置向照明装置或者背光装置等的应用]
发光装置B12具有上述光学特性，因此能够将发光装置B12用作发光装置的光源。换句话说，本实施方式的发光装置包括发光装置B12。由此，能够提供具有上述光学特性的照明装置或者背光装置等的发光装置。此外，在本实施方式的照明装置或者背光装置中，针对发光装置以外的结构，并不限定以往公知的照明装置或者背光装置所具有的结构而能够对其进行使用。
[实施方式5]
使用图5的(a)、图5的(b)对本发明的一实施方式的发光装置1进行说明。图5的(a)是本发明的一实施方式的发光装置的一个例子的示意俯视图，图5的(b)是在通过第一发光元件6a、第二发光元件6b(以下，将第一发光元件和第二发光元件统一记为发光元件)以及线缆7的面将图5的(a)的发光装置剖切后的剖视图。在图5的(a)中，为了使布线图案3(3a、3k)与发光元件6a的连接关系、以及发光元件彼此的连接关系等清楚，将发光装置1的内部透明化而进行图示。此外，在本实施方式中，记载使用了陶瓷基板和Face up型的发光元件的Chip-on-Board(COB)型的发光装置，但发光装置的方式并不限定于此。例如，作为基板材料也可以使用铝、铜，作为发光元件也可以使用上下电极型的发光元件、Flip型的发光元件。除此之外，作为发光装置的方式，也可以不是COB型，而是以由金属框架形成的树脂封装作为基板的表面安装(SMD)型。
(发光装置的结构)
发光装置1具备：基板2、配置在基板2上的布线图案3(3a、3k)、电极连接盘4(4a、4k)、密封树脂层5、第一发光元件6a以及第二发光元件6b、线缆7、印刷电阻元件8、树脂堰9、绿色荧光体10、以及红色荧光体12。
树脂堰9设置于基板2的上表面，且在从主面的上方观察基板2时形成为环状(俯视环状)。在基板2的上表面中的比树脂堰9位于内侧的部分设置有包括第一发光元件6a和第二发光元件6b的密封树脂层。
布线图案3(3a、3k)设置于基板2的上表面，并被树脂堰9覆盖。电极连接盘4(4a、4k)设置于基板2的上表面中的比树脂堰9靠外侧的部分。线缆7将两种发光元件6a、6b与布线图案3(3a、3k)电连接。在设置有两个以上的发光元件6的情况下，优选发光元件6彼此经由线缆7而连接。
以下对发光装置1的各构成要素的具体例进行说明。此外，基板2、布线图案3(3a、3k)、电极连接盘4(4a、4k)、密封树脂层5所包括的透明树脂、发光元件6、线缆7、印刷电阻元件8以及树脂堰9的结构(材料、大小或者形状等)不限定于以下的记载。
(基板、布线图案、电极连接盘)
基板2例如形成为俯视长方形，例如是表面形成有陶瓷基板或者绝缘膜的金属基板等。
布线图案3(3a、3k)以相互对置的方式设置于基板2的上表面，它们分别在俯视中具有从圆环将一部分切除的形状(圆弧形状)。这样的布线图案3(3a、3k)例如通过丝网印刷方法等来形成。
电极连接盘4(4a、4k)是外部连接用(例如电源供给用途)的电极，例如由Ag-Pt等构成。电极连接盘4a经由引出用布线而连接于布线图案3a的一端，电极连接盘4k经由其它的引出用布线而连接于布线图案3k的一端。这样的电极连接盘4(4a、4k)例如通过丝网印刷方法等形成。
(密封树脂层)
在密封树脂层5中，绿色荧光体10和红色荧光体12均匀地分散于透明树脂。这样的密封树脂层5根据以下所示的方法而形成。首先，将绿色荧光体10与红色荧光体12均匀地混合于透明树脂。将所得到的混合树脂注入基板2的上表面中的位于比树脂堰9靠内侧的部分。此时，在基板2的上表面中的位于比树脂堰9靠内侧的部分已经分别设置有一个以上的两种发光元件6a、6b。在两种发光元件6a、6b分别设置有一个以上的情况下，两个以上的发光元件6a、6b经由线缆7而相互连接。其后，进行热处理。通过该热处理将透明树脂固化，其结果，将两种发光元件6、绿色荧光体10以及红色荧光体12密封，从而形成密封树脂层5。
密封树脂层5所包含的透明树脂如果是具有透光性的树脂则均能够使用。例如优选环氧树脂、硅酮树脂或者尿素树脂等。另外，密封树脂层5例如也可以包含SiO2、TiO2、ZrO2、Al2O3或者Y2O3等添加剂。如果密封树脂层5包含这样的添加剂，则能够防止绿色荧光体10、红色荧光体12等的沉淀。另外，能够使来自发光元件6a、6b、绿色荧光体10、红色荧光体12的光高效地扩散。
(绿色荧光体)
绿色荧光体10被从发光元件放射的一次光激发，并放射在绿色区域具有峰值发光波长的光。此处，“绿色区域”意味着波长为485nm以上且小于580nm的区域。
绿色荧光体10的具体例如以下所示。
通式(A)：(M1)3-xCex(M2)5O12(式中，(M1)表示Y、Lu、Gd以及La中的至少一个，(M2)表示Al以及Ga中的至少一个，表示Ce的组成比(浓度)的x满足0.005≤x≤0.20)所表示的荧光体，Ca3(Sc，Mg)2Si3O12：Ce系荧光体，
通式(B)：EuaSibAlcOdNe(式中，a满足0.005≤a≤0.4，b以及c满足b+c＝12，d以及e满足d+e＝16)所表示的β型SiAlON亦即2价的铕活化氮氧化物荧光体，
通式(C)：(M3)2-yEuySiO4(式中，(M3)表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个，表示Eu的组成比(浓度)的y满足0.03≤y≤0.10)所表示的2价的铕活化硅酸盐荧光体，
通式(D)：La3-zCezSi6N11(式中，z满足0.01＜z≤0.2)所表示的3价的铈活化荧光体，
(Ca，Sr，Ba)SiAl2O3N2：Ce系荧光体，
Ba3Si6O12N2：Eu系荧光体，
(Sr，Ba)3SiO5：Eu系荧光体。
作为绿色荧光体10，也可以单独使用它们中的一种，也可以混合使用它们中的两种以上。绿色荧光体10也可以根据从公知的制造方法中选择出的任意一个制造方法来制造，也可以作为成品而入手。
优选绿色荧光体10的荧光光谱的半值宽度较大，例如优选为95nm以上。以Ce作为活化剂的荧光体例如Lu3-xCexAl5O12系绿色荧光体(上述通式(A)中(M1)为Lu(M2)为Al的荧光体)具有石榴石结晶构造。该荧光体中将Ce用作活化剂，因此能够得到半值宽度大的(半值宽度为95nm以上)荧光光谱。因此，以Ce作为活化剂的荧光体是适于提高发光装置1的平均演色指数Ra的绿色荧光体。
(红色荧光体)
红色荧光体12被从发光元件放射的一次光激发，并放射在红色区域具有峰值发光波长的光。此处，“红色区域”意味着波长为580nm以上且小于700nm的区域。
红色荧光体12的具体例如以下所示。
(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体，
CaAlSiN3：Eu系荧光体，
通式(E)：(M6)2-xEuxSi5N8(式中，(M6)表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个，表示Eu的组成比(浓度)的x满足0.01≤x≤0.30)所表示的2价的铕活化氮化物荧光体，
通式(F)：[Eua(M7)1-a]xSibAlcOdNe(式中，x满足0.15≤x≤1.5，a满足0≤a≤1，b以及c满足b+c＝12，d以及e满足d+e＝16，(M7)表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd中的至少一个)所表示的α型SiAlON亦即2价的铕活化氮氧化物荧光体，
通式(G)：(M8)2((M9)1-zMnz)F6(M8表示Li、Na、K、Rb以及Cs中的至少一个。M9表示Ge、Si、Sn、Ti以及Zr中的至少一个。0.005≤z≤0.3)所表示的4价的锰活化氟化金属盐荧光体)。
作为红色荧光体12，可以单独使用它们中的一种，也可以混合使用它们中的两种以上。红色荧光体12可以根据从公知的制造方法中选择出的任意一个制造方法来制造，也可以作为成品而入手。
红色荧光体12的荧光光谱的半值宽度与绿色荧光体10同样优选为较大。作为红色荧光体12的优选的一个例子，可举出(Sr，Ca)AlSiN3：Eu系荧光体或者CaAlSiN3：Eu系荧光体等。
绿色荧光体10与红色荧光体12的混合比率并不特别限制，优选以使从发光装置1放射的光成为所希望的特性的方式设定混合比率。
(发光元件)
在发光装置1中，作为发光元件使用：放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光的第一发光元件6a、和放射在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的第二发光元件6b。特别是作为用于使用了LED光源的发光装置的荧光体，大多在440nm以上且小于460nm的波长范围内被高效地激发。因此使用放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光的第一发光元件6a对于提高发光装置的发光效率较有利。另外，使用放射在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的第二发光元件6b如后述那样，发光装置具有450nm～500nm的波长区域的发光成分，因此对于提高发光装置的演色性较有利。由此，能够同时较高地维持发光装置1的发光效率与演色性，因此能够提高发光装置1的实用性。在使用峰值发光波长小于440nm的发光元件的情况下，能见度变差，而且有时不适于荧光体的激发。例如对于通式(A)所表示的荧光体而言，来自峰值发光波长小于440nm的发光元件的光的吸收效率变差，从而激发效率降低。另一方面，在使用峰值发光波长超过490nm的发光元件的情况下有时不适于荧光体的激发。例如对于通式(A)所表示的荧光体而言，来自峰值发光波长超过490nm的发光元件的光的吸收效率降低。
优选作为第一发光元件6a所使用的LED芯片为放射包括在440nm以上且小于460nm的波长范围具有峰值发光波长的第一一次光在内的光的半导体发光元件的裸芯片，更优选为InGaN系LED芯片。作为第一发光元件6a的一个例子，可举出峰值发光波长为450nm附近的LED芯片。此处，“InGaN系LED芯片”意味着发光层为InGaN层的LED芯片。
优选作为第二发光元件6b所使用的LED芯片为放射包括在460nm以上且490nm以下的波长范围具有峰值发光波长的第二一次光在内的光的半导体发光元件的裸芯片，更优选为InGaN系LED芯片。作为第二发光元件6b的一个例子，可举出峰值发光波长为470nm附近的LED芯片。
在发光装置分别包括两个以上的发光元件6a、6b的情况下，作为发光元件的排列方式的一个例子，可考虑以下所示的排列方式。发光元件6a、6b芯片接合于基板2的上表面，并相对于基板2的一边(沿X方向延伸的基板2的边)大致平行且配置在直线上。发光元件6a、6b高密度地配置于基板2的上表面中的位于比树脂堰9靠内侧的部分。具体而言，将发光元件6a、6b配置为：在被树脂堰9限定的圆环的中心附近配置在直线上的发光元件6a、6b的个数增多，并且随着从上述圆环的中心朝向基板2的周缘(上述圆环的径向外侧)而配置在直线上的发光元件6a、6b的个数变少。
在图5所示的发光装置1中，通过八个第一发光元件6a与四个第二发光元件利用线缆7彼此连接而形成的布线，在电极连接盘4(4a、4b)间以并联10列的方式连接。第一发光元件6a与第二发光元件6b无偏向地配置，以使从发光装置发出的光均匀。第一发光元件6a的数量与第二发光元件6b的数量之比并不特别限定。
优选发光元件6a、6b具有从其上表面放射光的构造。另外，优选发光元件6a、6b在其表面具有用于经由线缆7而连接相邻的发光元件彼此的电极焊盘、以及用于连接发光元件6a、6b与布线图案3(3a、3k)的电极焊盘(例如阳极用电极焊盘和阴极用电极焊盘)。
发光元件6a、6b也可以具有从其下表面放射光的构造。在该情况下，首先，将相当于线缆7的布线和电极连接盘4形成在基板2的上表面。接下来，使设置于发光元件6a、6b的表面的电极焊盘与基板2的上表面对置，并经由凸块而通过倒装芯片连接将发光元件6a、6b与基板2连接。这样，能够将具有从下表面放射光的构造的发光元件6a、6b搭载于基板2的上表面。
(电阻元件)
电阻元件8以提高静电耐受电压为目的而设置，如图5所示，以连接布线图案3a的一端与布线图案3k的一端的方式设置，并具有从圆环将一部分切除的形状(圆弧形状)。优选这样的电阻元件8例如为印刷电阻、齐纳二极管。此外，发光装置1也可以不具备电阻元件8。
(树脂堰)
树脂堰9是用于围堵密封树脂层5的树脂，优选由有着色材料(优选白色材料或者乳白色材料)构成。如图5的(b)所示，当树脂堰9形成为覆盖由布线图案3和印刷电阻元件8形成的圆环部分时，能够减少由布线图案3和印刷电阻元件8引起的从发光元件放射的光或者被荧光体转换的光的吸收，因此是优选的。
(发光装置的发光特性、发光装置的发光光谱)
发光装置1具备：至少一个第一发光元件6a、至少一个第二发光元件6b、绿色荧光体10以及红色荧光体12。第一发光元件6a放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光。第二发光元件6b放射在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光。绿色荧光体10被从发光元件6a、6b放射的一次光激发，而放射在绿色区域具有峰值发光波长的光。红色荧光体12被从发光元件6a、6b放射的一次光激发，而放射在红色区域具有峰值发光波长的光。对于从发光装置1放射的光，相关色温为2000K以上6500K以下，平均演色指数Ra为80以上。即，对于从发光装置1放射的光，平均演色指数Ra较高且演色性优异。此处，“相关色温”是以JIS Z 8725(光源的分布温度以及色温和相关色温的测定方法)为基准而求出的值。“平均演色指数”是以JIS Z8726：1990(光源的演色性评价方法)为基准而求出的值。
发光装置1具有两种不同的发光元件6a、6b，因此在使来自发光装置1的光照射于白色的照射对象物的情况下，能够减少蓝色的反射成分，白、黑、红、藏青的再现性良好。使用图6对该理由进行说明。图6表示不同的两种发光装置的发光光谱。在图6中，实施例1是具备与本实施方式的发光装置相同的结构的发光装置，并具备：放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光的第一发光元件、和放射在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的第二发光元件。比较例1是除了作为发光元件仅使用第一发光元件而不使用第二发光元件以外具备与实施例1相同的结构的发光装置。
如图6所示那样，在发光装置仅具备一种发光元件的情况下(比较例1)，该发光装置所放射的光的光谱在430nm～480nm的波长范围内具有一个陡峭的峰值。因此，在使来自发光装置的光照射于白色的照射对象物的情况下，蓝色的反射成分变大，白色过于青白，黑色中发蓝，红色偏紫，藏青中发蓝，从而颜色的再现性不良。
另一方面，在发光装置具备两种发光元件的情况下(实施例1)，该发光装置所放射的光的光谱在430nm～500nm的波长范围内具有两个较小的峰值，发光强度最大的峰值的最大发光强度与两个峰值之间的谷部的最小发光强度之差，小于比较例1的450nm附近的峰值的最大发光强度与从峰值向长波长侧的谷部的最小发光强度之差。因此，在使来自发光装置的光照射于白色的照射对象物的情况下，能够减少蓝色的反射成分，从而白、黑、红、藏青的再现性良好。因此，本实施方式的发光装置能够在商品销售等中较佳地使用，特别是能够在服装业较佳地使用。而且，与使用了LED的以往的发光装置相比，本发明的发光装置在440nm以上且小于460nm的波长区域的发光成分相对较少，因此具有能够抑制被照射的退色的、对人眼视网膜的伤害度较低这样的特征。
从发光装置1放射的光的光谱(发光装置1的发光光谱)优选：430nm以上且小于460nm的波长范围内的最大发光强度亦即第二发光强度E2相对于450nm以上500nm以下的波长范围内的最小发光强度亦即第一发光强度E1的比(E2/E1)为3.0以下。由此，发光装置的白、黑、红、藏青的再现性非常好。更优选第一发光强度E1与第二发光强度E2的比(E2/E1)为2.5以下，进一步优选为2.0以下。
作为用于获得这样的发光光谱的具体的方法，可举出使发光元件6a、6b、绿色荧光体10、红色荧光体12的材料、含量最佳化这样的方法。
实施例
以下，列举实施例对本发明更详细地进行说明，但本发明不限定于此。
＜实施例1＞
实施例1的发光装置具备与图5所示的发光装置相同的结构。实施例1的发光装置具备：80个放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光的第一发光元件、和40个放射在460nm以上490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的第二发光元件。对绿色荧光体与红色荧光体的配合比率进行了调节，以使从发光装置放射的光的相关色温成为3000K附近。
＜实施例2～4＞
实施例2～4的发光装置除了将第一发光元件的数量、第二发光元件的数量以及从发光装置放射的光的相关色温设为表1所示的值以外，具备与实施例1相同的结构。
＜比较例1～4＞
比较例1～4的发光装置除了作为发光元件使用120个第一发光元件而不使用第二发光元件、且将从发光装置放射的光的相关色温设为表1所示的值以外，具备与实施例1相同的结构。
＜性能评价＞
实施例1～4、比较例1～4各自的发光装置的发光光谱如图6～图9所示。
针对实施例1～4、比较例1～4各自的发光装置，求出450nm以上500nm以下的波长范围内的最小发光强度亦即第一发光强度E1、和430nm以上460nm以下的波长范围内的最大发光强度亦即第二发光强度E2，计算出第二发光强度E2相对于第一发光强度E1的比(E2/E1)。另外，求出从发光装置放射的光的相关色温、以及平均演色指数Ra、以及特殊演色指数R9。“相关色温”以JIS Z 8725(光源的分布温度以及色温和相关色温的测定方法)为基准而求出。“平均演色指数”以JIS Z 8726：1990(光源的演色性评价方法)为基准而求出。结果如表1所示。
[表1]
如图6所示那样，实施例1的发光光谱在430nm～500nm的波长范围内具有两个较小的峰值。另一方面，比较例1的发光光谱在430nm～500nm的波长范围内具有一个陡峭的峰值。与比较例1的发光装置相比，实施例1的发光装置的平均演色指数Ra以及特殊演色指数R9较高，白、红、藏青、黑的再现性也良好。
如图7～图9所示那样，实施例2～4的发光光谱在430nm～500nm的波长范围内具有两个小的峰值。另一方面，比较例2～4的发光光谱在430nm～500nm的波长范围内具有一个陡峭的峰值。分别与比较例2～4的发光装置相比，实施例2～4的发光装置的平均演色指数Ra以及特殊演色指数R9较高，白、红、藏青、黑的再现性也良好。
应该认为本次公开的实施方式以及实施例在所有点上均为例示而非限制性例示。本发明的范围意图由权利要求的范围来表示而非上述的说明，并包含与权利要求的范围等同的意思以及范围内的所有变更。
符号说明
1、A11、A12、B11、B12...发光装置；2、A111、B112...基板；A112、B111...框架；3(3a、3k)...布线图案；4(4a、4b)...电极连接盘；5...密封树脂层；6a、A101、B101...第一发光元件；6b、B102...第二发光元件；7...线缆；8...印刷电阻元件；9...树脂堰；10、181...绿色荧光体；12、191...红色荧光体；121...第一电极连接盘；122...第二电极连接盘；A129、A130、B129、B130...电极；151...堰环；160...第一包含荧光体树脂层；161...树脂；162...硅酮树脂；201...蓝色荧光体；260...第二含有荧光体树脂层
Claims (3)
1.一种发光装置，其包括，
基板、
设置于所述基板上表面的圆环形状的堰环、
放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光和在460nm以上490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光的双方的至少一个发光元件和荧光体，
所述荧光体为，由被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在绿色区域具有峰值发光波长的第一荧光的绿色荧光体与被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在红色区域具有峰值发光波长的第二荧光的红色荧光体构成的荧光体，或者，由放射所述第一荧光的绿色荧光体、放射所述第二荧光的红色荧光体以及被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在蓝色区域具有峰值发光波长的第三荧光的蓝色荧光体构成的荧光体的任意一个，
在所述发光装置的发光光谱中，430nm以上且460nm以下的波长范围内的最大发光强度亦即第二发光强度E2相对于450nm以上且500nm以下的波长范围内的最小发光强度亦即第一发光强度E1的比(E2/E1)为3.0以下，
所述发光装置放射相关色温为2000K以上6500K以下，且在相关色温为2700K以上6500K以下的任意一个相关色温中，平均演色指数Ra为97以上的光，
所述发光元件在所述基板的上表面中的由所述堰环包围而成的区域以等间隔配置。
2.一种发光装置，其中，具备：
基板、
设置于所述基板上表面的圆环状树脂堰、
至少两个第一发光组件，其放射在440nm以上且小于460nm的波长范围内具有峰值发光波长的第一一次光；
至少两个第二发光组件，其放射在460nm以上且490nm以下的波长范围内具有峰值发光波长的第二一次光；
以及荧光体；
所述荧光体为，由被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在绿色区域具有峰值发光波长的第一荧光的绿色荧光体与
被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在红色区域具有峰值发光波长的第二荧光的红色荧光体构成的荧光体，或者，由放射所述第一荧光的绿色荧光体、放射所述第二荧光的红色荧光体以及被所述第一一次光以及所述第二一次光中的任意一方或双方激发，并放射在蓝色区域具有峰值发光波长的第三荧光的蓝色荧光体构成的荧光体的任意一个，
在所述发光装置的发光光谱中，430nm以上且460nm以下的波长范围内的最大发光强度亦即第二发光强度E2相对于450nm以上且500nm以下的波长范围内的最小发光强度亦即第一发光强度E1的比(E2/E1)为3.0以下，所述发光装置放射相关色温为2000K以上6500K以下且在相关色温为2700K以上6500K以下的任意一个相关色温中，平均演色指数Ra为97以上的光，
所述第一发光组件以及所述第二发光组件高密度地配置于所述基板上表面中位于比所述树脂堰靠内侧的部分。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于,所述绿色荧光体为从以下A群中选出的一个或者多个荧光体，所述红色荧光体为从以下B群中选出的一个或者多个荧光体,
(A群)
(A1)通式Eua1Sib1Alc1Od1Ne1所表示的β型SiAlON，0.001≤a1≤0.2，
(A2)具有(MI)3-x2Cex2(MII)5O12所表示的石榴石型结晶构造的荧光体，MI表示Lu、La以及Gd中的至少一个，MII表示Al以及Ga中的至少一个，0.005≤x2≤0.3，
(A3)(MIII)3-x4Cex4(MIV)2Si3O12所表示的荧光体，MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个，MIV表示Li、Na、K、Cs、Rb、Mg、Ca、Ba、Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd以及Lu中的至少一个，0.005≤x4≤0.3，
(A4)(MV)3-a7Eua7Si6O12N2所表示的荧光体，MV表示Sr以及Ba中的至少一个，0.005≤a7≤0.2，
(B群)
(B1)(MIII)1-x11Eux11(MVI)SiN3所表示的荧光体，MIII表示Mg、Ca、Sr以及Ba中的至少一个，MVI表示Al、Ga、In、Sc、Y、La、Gd以及Lu中的至少一个，0.005≤x11≤0.2，
(B2)(MIII)2-x12Eux12Si5N8所表示的荧光体，MIII表示Ca以及Sr中的至少一个，0.005≤x12≤0.2，
(B3)Euf(MVII)gSihAliOjNk所表示的α型SiAlON，MVII表示Li、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La以及Gd中的至少一个，0.001≤f≤0.2，
(B4)(MVIII)2((MIX)1-x14Mnx14)F6所表示的荧光体，MVIII表示Li、Na、K、Rb以及Cs中的至少一个，MIX表示Ge、Si、Sn、Ti以及Zr中的至少一个，0.005≤x14≤0.3。
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