WO2016159141A1 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
WO2016159141A1
WO2016159141A1 PCT/JP2016/060494 JP2016060494W WO2016159141A1 WO 2016159141 A1 WO2016159141 A1 WO 2016159141A1 JP 2016060494 W JP2016060494 W JP 2016060494W WO 2016159141 A1 WO2016159141 A1 WO 2016159141A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
light emitting
phosphor
emitting device
emitting element
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/060494
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
金子　和昭
宏彰 大沼
清人 後藤
松田　誠
Original Assignee
シャープ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by シャープ株式会社 filed Critical シャープ株式会社
Priority to US15/562,770 priority Critical patent/US10374133B2/en
Priority to CN201680020625.1A priority patent/CN107431112B/zh
Priority to JP2017510140A priority patent/JPWO2016159141A1/ja
Publication of WO2016159141A1 publication Critical patent/WO2016159141A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting device.
  • Light-emitting devices that combine semiconductor light-emitting elements and phosphors are attracting attention as next-generation light-emitting devices that are expected to have low power consumption, miniaturization, high brightness, and a wide range of color reproducibility, and are actively researched and developed. ing.
  • the primary light emitted from the semiconductor light emitting element is usually in the range of near ultraviolet to blue, for example, light having a wavelength of 380 to 490 nm.
  • light emitting devices using various phosphors suitable for applications have been proposed.
  • Various light emitting devices used as lighting devices have been developed, and various means for improving the output performance of such light emitting devices have been studied.
  • a phosphor having high luminous sensitivity and having a main emission peak in a yellow region which is a complementary color of blue is generally used.
  • a light emitting device that can be used for general lighting equipment has high color rendering properties as a performance ("having high color rendering properties" basically means that the average color rendering index Ra is 80 or more. Is also important in conjunction with improved output performance.
  • the average color rendering index Ra is generally used as an index indicating color rendering properties, and is an index for evaluating whether or not the test colors (R1 to R8) look natural. In a light-emitting device that can be used for general lighting equipment, it is important to make the test color look natural, that is, to increase the average color rendering index Ra.
  • a light emitting device using an LED (light emitting diode) light source there is a light emitting device using a blue LED having a peak in a wavelength region of 440 to 460 nm, a green phosphor, and a red phosphor.
  • the emission spectrum of the light emitting device has a sharp peak in the wavelength region of 440 to 460 nm which is the blue region, the blue reflection component is too strong. In this case, the color of the irradiated object that reflects light in the wavelength region of 440 to 460 nm may not be reproduced.
  • the average color rendering index Ra is an index for evaluating whether the test colors (R1 to R8) look natural, and does not indicate reproducibility of white, red, dark blue, and black, which are not included in the test colors.
  • the color rendering index R9 is used as an index for red.
  • white, black and dark blue are not included in the test colors, and there is no general and quantitative evaluation index.
  • Patent Document 1 Japanese Patent No. 4072632
  • a light emitting element having an emission wavelength in a range of 360 nm to 550 nm, and a formula (Ca x , Eu y ) (Si, Al)
  • the ⁇ -sialon having a structure in which the Ca position of the Ca- ⁇ -sialon represented by 12 (O, N) 16 is partially substituted with Eu is 40% by mass or more and 90% by mass or less, and ⁇ -sialon is 5% by mass or more.
  • a sialon-based phosphor composed of a powder of 40% by mass or less and unreacted silicon nitride in an amount of 5% by mass to 30% by mass, and a part of the light of the light emitting element is wavelength-converted by the phosphor and emitted.
  • a light-emitting device is described.
  • the range of the color temperature of the light emitting device is not limited, the average color rendering index Ra is not described, and the color rendering properties of the light emitting device are not fully examined.
  • a light-emitting device is a light-emitting device that includes at least one type of light-emitting element and includes a phosphor that is excited by output light of the light-emitting element.
  • the second wavelength of 440 nm or more and 490 nm or less has a peak wavelength of output light in the first wavelength region of 440 nm or more and less than 460 nm.
  • the light emitting device has a peak wavelength of output light in a wavelength region.
  • Second light-emitting element that emits second primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 490 nm or less and at least two types of light-emitting elements as a constituent element
  • First fluorescence excited by either or both of the first primary light and the second primary light and having a peak emission wavelength in the green region A green phosphor that emits light, a red phosphor that is excited by one or both of the first primary light and the second primary light, and emits a second fluorescence having a peak emission wavelength in a red region, It is preferable that the correlated color temperature is 2000K or more and 6500K or less, and that the light having an average color rendering index Ra80 or more is emitted.
  • the light-emitting device emits first fluorescence having a peak emission wavelength in a green region, which is excited by one or both of the first primary light and the second primary light. And a red phosphor that is excited by one or both of the first primary light and the second primary light and emits a second fluorescence having a peak emission wavelength in a red region, and a correlated color
  • the light emitting device emits light having a temperature of 2000 K or more and 6500 K or less and an average color rendering index Ra80 or more.
  • the first emission intensity E1 that is the minimum emission intensity in the wavelength range of 450 nm to 500 nm is within the wavelength range of 430 nm to 460 nm.
  • the ratio (E2 / E1) of the second emission intensity E2, which is the maximum emission intensity, is preferably 3.0 or less.
  • one type of light emitting element having emission peaks in each of a plurality of wavelength regions may be used, or a plurality of types of light emitting elements having one emission peak in a single wavelength region may be combined.
  • a light emitting element having an emission peak in each of a plurality of wavelength regions and a light emitting element having one emission peak in a single wavelength region may be combined.
  • the light emitting device is constituted by one kind of light emitting element, the manufacturing process of the light emitting device can be simplified.
  • a light emitting device composed of a plurality of light emitting elements a plurality of light emitting points exist in the light emitting device.
  • Color unevenness on the irradiated surface is likely to occur due to (variation of the fixing position of the chip to the substrate). Although this influence varies depending on the optical system of the lighting fixture such as a reflector and a lens, the influence is likely to be remarkable particularly in a lighting fixture having a narrow irradiation angle.
  • the optical design of the luminaire becomes easier, and it becomes easier to suppress luminance unevenness and color unevenness on the irradiated surface.
  • emitting light with a uniform light amount and light color from each light emitting element in the light emitting device leads to high quality light with less luminance unevenness and color unevenness on the irradiated surface.
  • the manufacturing process is simplified and all the light-emitting elements in the light-emitting device have the same characteristics. Therefore, it is possible to obtain an effect that excellent optical characteristics can be obtained without luminance unevenness and color unevenness.
  • a light emitting element generally emits light in a single wavelength region, but there is also a light emitting element capable of emitting light in a plurality of wavelength regions with a single light emitting element.
  • an InGaN-based light emitting diode can emit light in a plurality of wavelength regions with a single light emitting element.
  • An InGaN-based light-emitting diode has a plurality of light-emitting layers in its structure, and the emission wavelength from each light-emitting layer can be designed by adjusting the concentration of In in each light-emitting layer.
  • the plurality of light emitting layers are stacked perpendicular to the light emitting surface of the light emitting element, uniform light with no difference in spectrum can be obtained within the light emitting surface of the light emitting element.
  • a light emitting element having emission peaks in each of a plurality of wavelength regions can be produced, and by using this, a light emitting device with a simpler manufacturing process and a light emitting device with less luminance unevenness and color unevenness can be realized. I can do it.
  • a light emitting device that has a high average color rendering index Ra and that has particularly good reproducibility of white, red, dark blue, and black among the colors of the irradiation object.
  • FIG. (A) is a schematic plan view of light-emitting device A11 concerning Embodiment 1 of this invention
  • (b) and (c) are the sectional drawings. It is sectional drawing of light-emitting device A12 which concerns on Embodiment 2 of this invention. It is sectional drawing of light-emitting device B11 which concerns on Embodiment 3 of this invention.
  • (A) is sectional drawing of light-emitting device B12 which concerns on Embodiment 4 of this invention
  • FIG. (B) is sectional drawing of the modification of Embodiment 4.
  • FIG. (A) is a schematic top view of the light-emitting device concerning Embodiment 5 of this invention
  • (b) is the sectional drawing.
  • FIG. 1A is a plan view showing a configuration of a light emitting device A11 according to Embodiment 1 of the present invention
  • FIGS. 1B and 1C are cross-sectional views taken along the line AA ′ shown in FIG. It is.
  • the light-emitting device A11 of the present embodiment includes a substrate A111, a first light-emitting element A101, a dam ring (resin frame) 151, and a resin layer containing a phosphor (hereinafter simply referred to as “first phosphor-containing resin layer”). 160).
  • the first light emitting element A101 emits light having a plurality of emission peaks having different peak wavelengths of output light.
  • the substrate A111 is preferably a ceramic substrate, and preferably has a rectangular shape in plan view.
  • a first light emitting element A101 On one surface of the substrate A111 (hereinafter referred to as “the upper surface of the substrate A111”), a first light emitting element A101, a dam ring (resin frame) 151, and a first phosphor-containing resin layer 160 are provided. Furthermore, a first electrode land 121 and a second electrode land 122 are provided.
  • the dam ring 151 is a member that defines the outer shape of the first phosphor-containing resin layer 160 (the first phosphor-containing resin layer 160 includes the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191). It functions as a dam (damping member) for preventing the resin 161 from leaking outside the dam ring 151 when the phosphor-containing resin layer 160 is formed.
  • the first electrode land 121 and the second electrode land 122 are provided outside the dam ring 151 on the upper surface of the substrate A111, preferably at the corner of the upper surface of the substrate A111, more preferably the diagonal line of the substrate A111. It is provided above.
  • Each surface of the first electrode land 121 and the second electrode land 122 is exposed, and therefore the first electrode land 121 and the second electrode land 122 can be connected to an external terminal. That is, one of the first electrode land 121 and the second electrode land 122 functions as an external connection anode electrode, and the other functions as an external connection cathode electrode.
  • the first light emitting element A101 is preferably an LED, and more preferably an LED chip.
  • the first light emitting elements A101 are preferably electrically connected to each other by wiring (not shown), and the wiring is preferably connected to the first electrode land 121 and the second electrode land 122. Thereby, the external power applied from the external terminal to the first electrode land 121 or the second electrode land 122 is supplied to the first light emitting element A101 by the wiring. Therefore, the first light emitting element A101 emits light.
  • the arrangement form of the first light emitting element A101 is not particularly limited. However, it is preferable that the first light emitting elements A101 are arranged at equal intervals in a region surrounded by the dam ring 151 on the upper surface of the substrate A111. Thereby, the brightness nonuniformity of the irradiation surface by light emission from light-emitting device A11 can be reduced. Therefore, the optical characteristics of the light emitting device A11 can be maintained high.
  • the arrangement form of the first light emitting element A101 is not particularly limited.
  • the first light emitting element A101 needs to be arranged such that peaks appear in the wavelength range of 440 nm to less than 460 nm and in the wavelength range of 460 nm to 490 nm in the emission spectrum of the light emitting device A11.
  • connection form of the first light emitting element A101 is not particularly limited. However, when a plurality of element rows formed by connecting the first light-emitting elements A101 in series are formed, the first light emission is performed so that the number of the first light-emitting elements A101 connected in series is the same. It is preferable to electrically connect the element A101. Thereby, an equivalent current (the current value is the same) can be supplied to all the light emitting elements included in the light emitting device A11. Therefore, the optical characteristics of the light emitting device A11 can be maintained high.
  • the first light-emitting element A101 has a peak wavelength of output light in two wavelength regions, and has a peak of output light in a wavelength region of 440 nm to less than 460 nm and 460 nm to 490 nm (for example, the peak wavelength of the output light is 450 nm and 470 nm). That is, the first light emitting element A101 is a light emitting element, preferably a light emitting diode. Accordingly, at least a part of the output light of the first light emitting element A101 constitutes a part (for example, a blue component) of light (for example, white light) from the light emitting device A11.
  • part of the output light of the first light emitting element A101 excites the green phosphor 181 to generate green light (peak wavelength longer than 490 nm and 580 nm or less), and the output of the first light emitting element A101.
  • the remaining part of the light excites the red phosphor 191 to generate red light (with a peak wavelength longer than 580 nm and shorter than 780 nm). That is, a part of the output light of the first light emitting element A101 constitutes a green component of the light (for example, white light) from the light emitting device A11 by the green phosphor 181. Further, the remaining part of the output light of the first light emitting element A101 constitutes the red component of the light (for example, white light) from the light emitting device A11 by the red phosphor 191.
  • the first phosphor-containing resin layer 160 includes a resin 161, a green phosphor 181, and a red phosphor 191.
  • the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are filled in the region surrounded by the dam ring 151 on the upper surface of the substrate A111, and then the resin 161 is cured. It is preferable that it is formed by this.
  • the first phosphor-containing resin layer 160 is preferably provided so as to embed the first light emitting element A101 disposed in the region surrounded by the dam ring 151 on the upper surface of the substrate A111. That is, in the present embodiment, the first light emitting element A101 is collectively sealed by the first phosphor-containing resin layer 160.
  • “sealing collectively” means sealing with the same resin.
  • the resin 161 contained in the first phosphor-containing resin layer 160 is preferably a resin having excellent translucency, and more preferably, the output light of the first light emitting element A101, the green light emitted from the green phosphor 181. It is a resin that can transmit light and red light emitted from the red phosphor 191.
  • the resin 161 is not particularly limited as long as it is a resin that can be used as a sealing resin included in a resin-sealed light emitting device.
  • the resin 161 may be a dimethyl silicone resin, a phenyl silicone resin, or an epoxy resin. preferable.
  • the green phosphor 181 is preferably ⁇ -type SiAlON activated bivalent europium, and the red phosphor 191 is preferably Sr x Ca 1-x AlSiN 3 : Eu 2+ .
  • the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are not limited to these, and may be phosphors shown below. In addition, it is preferable to select a combination of a light emitting element and a phosphor so as to obtain an optimum condition in view of the excitation characteristics of the phosphor.
  • the first phosphor-containing resin layer 160 may include only one of the green phosphor 181 and the red phosphor 191. Two or more types of green phosphors 181 may be used as the green phosphor 181, and two or more types of red phosphors 191 may be used as the red phosphor 191. However, if the first phosphor-containing resin layer 160 includes one or more types of green phosphors 181 and one or more types of red phosphors 191, the light emitting device A11 can function as a white light emitting device.
  • the green phosphor 181 is a phosphor that is excited by the output light of the first light emitting element A101 and emits green light.
  • the following (1) to (7) are preferable.
  • the green phosphor 181 any one of the following (1) to (7) may be used, or two or more of the following (1) to (7) may be used in combination.
  • ⁇ -type SiAlON (oxynitride phosphor activated with divalent europium) represented by the general formula Eu a1 Si b1 Al c1 O d1 N e1 (0.001 ⁇ a1 ⁇ 0.2), (2) (MI) 3-x2 Ce x2 (MII) 5 O 12 (MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd. MII represents at least one of Al and Ga. Phosphor having a garnet-type crystal structure represented by 0.005 ⁇ x2 ⁇ 0.3) (an oxide phosphor activated with trivalent cerium), (3) (MIII) 2-x3 Eu x3 SiO 4 (MIII represents at least one of Mg, Ca, Sr and Ba.
  • Silicate phosphor activated with valence europium (4) (MIII) 3-x4 Ce x4 (MIV) 2 Si 3 O 12 (MIII represents at least one of Mg, Ca, Sr and Ba. MIV represents Li, Na, K, Cs, Rb, It represents at least one of Mg, Ca, Ba, Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd, and Lu.
  • a phosphor represented by (MI) 3-x5 Ce x5 Si 6 N 11 MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd.
  • the red phosphor 191 is a phosphor that is excited by the output light of the first light emitting element A101 and emits red light.
  • the following (11) to (15) are preferable.
  • the red phosphor 191 any one of the following (11) to (15) may be used, or two or more of the following (11) to (15) may be used in combination.
  • MIII 1-x11 Eu x11 (MVI) SiN 3 (MIII represents at least one of Mg, Ca, Sr and Ba. MVI represents Al, Ga, In, Sc, Y, La, Gd) And a phosphor represented by 0.005 ⁇ x11 ⁇ 0.2) (a nitride phosphor activated with divalent europium), (12) (MIII) 2-x12 Eu x12 Si 5 N 8 (MIII represents at least one of Mg, Ca, Sr and Ba.
  • MIX represents Ge, Si, Sn, Ti and A phosphor represented by at least one of Zr (0.005 ⁇ x14 ⁇ 0.3) (a metal fluoride phosphor activated with tetravalent manganese), (15) (MX) 2-x15 Eu x15 O 3-y15 S y15 (MX represents at least one of Y, La and Gd. 0.005 ⁇ x15 ⁇ 0.4, 0.0 ⁇ y15 ⁇ 2.0) (sulfur oxide phosphor activated with trivalent europium).
  • the light emitting device A11 may further include the following configuration.
  • a second light-emitting element A102 having an emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm may be used. Since the second light-emitting element A102 has a light emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm, the range of combinations of light-emitting elements is widened, and the range of selection of phosphors is widened. More specifically, even when a resin containing a phosphor that is difficult to be excited by the output light of the first light emitting element A101 is used, the luminous efficiency of the phosphor is maintained high by the output light of the second light emitting element A102. Yes.
  • the light emission efficiency of the light emitting device A11 can be further increased. Thereby, various emission spectra can be realized. Therefore, since the degree of freedom in designing the emission spectrum can be increased, it becomes easier to obtain a desired emission spectrum in the light emitting device A11.
  • a second phosphor-containing resin layer 260 further including a blue phosphor 201 in addition to the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191 may be used (FIG. 1). (C)).
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device A11 has a broad band.
  • the spectrum of the output light of the light emitting element has a broad band compared to the emission spectrum of the phosphor. Therefore, the color rendering properties of the light emitting device A11 can be easily improved by using the blue phosphor 201.
  • FIG.1 (c) is sectional drawing which shows the modification of the light-emitting device in this embodiment. It can be said that the second phosphor-containing resin layer 260 may be used instead of the first phosphor-containing resin layer 160 in the second to fifth embodiments described later.
  • the blue phosphor 201 is a phosphor that emits blue light when excited by either or both of the output light from the first light emitting element A101 and the second light emitting element A102, and is a divalent europium as shown in (21) below. May be a halophosphorus oxide activated with divalent, an aluminum oxide activated with divalent europium as shown in (22) below, or nitriding with activated trivalent cerium as shown in (23) below It may be a thing. As the blue phosphor 201, any one of the following (21) to (23) may be used, or two or more of the following (21) to (23) may be used in combination.
  • MXI 5-x21 Eu x21 (PO 4 ) 3
  • MXII represents at least one of Ca, Sr and Ba.
  • MXII represents at least one of F, Cl and Br.
  • a phosphor represented by 0.1 ⁇ x21 ⁇ 1.5) (a phosphor oxide phosphor activated with divalent europium)
  • (22) (MXIII) 1-a22 Eu a22 MgAl 10 O 17 (MXIII represents at least one of Sr and Ba. 0.005 ⁇ a22 ⁇ 0.2) Europium activated aluminum oxide phosphor)
  • (MI) 1-x23 Ce x23 Si 3 N 5 (MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd. 0.005 ⁇ x23 ⁇ 0.2) (Nitride phosphor activated with trivalent cerium).
  • the light-emitting device A11 can be used as a light source of a light-emitting device (an example of the light-emitting device includes a lighting device or a backlight device). That is, the light emitting device of this embodiment includes the light emitting device A11. As a result, a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • the structure which a conventionally well-known illuminating device or backlight apparatus has can be used without limitation.
  • the light emitting device A12 is a lead frame type surface mount (SMD) type light emitting device including the first light emitting element A101.
  • SMD surface mount
  • the light emitting device A12 includes at least one first light emitting element A101 having light emission peaks in two types of wavelength regions.
  • one first light emitting element A101 is mounted on a frame A112.
  • a first phosphor-containing resin layer 160 in which the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are dispersed or settled in the resin 161 is provided around the first light emitting device A101 so as to cover the light emitting device A101. It has been.
  • the frame A112 is made of, for example, a white resin base material. Thereby, it is possible to provide the frame A112 having high visible light reflection characteristics, that is, high light extraction efficiency.
  • the first light emitting element A101 mounted on the frame A112 is connected to the electrodes A129 and A130 through a through electrode (not shown) in order to supply electric power.
  • a through electrode not shown
  • the electrodes A129 and A130 may be formed on the side surface of the frame A112.
  • the first phosphor-containing resin layer 160 in which the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are dispersed or settled is provided so as to cover the first light emitting element A101. ing.
  • the resin 161 in which the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are dispersed or settled in the first phosphor-containing resin layer 160 is made of a transparent silicone resin.
  • the first light emitting element A101 and the first phosphor-containing resin layer 160 are provided on one surface of the frame A112 (hereinafter referred to as “the upper surface of the frame A112”).
  • the first phosphor-containing resin layer 160 seals the first light emitting element A101 and is provided in a region surrounded by the frame wall surface on the upper surface of the frame A112.
  • the inner peripheral surface of the wall surface of the frame A112 may be perpendicular to the upper surface of the frame A112.
  • the inner peripheral surface of the frame wall surface is preferably inclined with respect to the upper surface of the frame A112 so that the opening diameter increases from the upper surface of the frame A112 toward the upper surface of the first phosphor-containing resin layer 160. . Thereby, light can be extracted efficiently.
  • the frame wall surface may not be provided.
  • the resin 161 if a resin having high thixotropy is used as the resin 161, the resin 161 can be prevented from flowing to the peripheral edge of the upper surface of the frame A112 even if the frame wall surface is not provided.
  • the surface-mounted light source unit may be configured by using a substrate having a rectangular shape in plan view as the frame A112 (a flat substrate made of ceramic instead of FIG. 2).
  • the light emitting device A12 may further include the following configuration.
  • a second light-emitting element A102 having an emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm may be used. Since the second light-emitting element A102 has a light emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm, the range of combinations of light-emitting elements is widened, and the range of selection of phosphors is widened. More specifically, even when a resin containing a phosphor that is difficult to be excited by the output light of the first light emitting element A101 is used, the luminous efficiency of the phosphor is maintained high by the output light of the second light emitting element A102. Yes.
  • the light emission efficiency of the light emitting device A12 can be further increased. Thereby, various emission spectra can be realized. Therefore, since the freedom degree of design of an emission spectrum can be raised, it becomes easier to obtain a desired emission spectrum in the light-emitting device A12.
  • a second phosphor-containing resin layer 260 further including a blue phosphor 201 in addition to the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191 may be used (FIG. 1). (See (c)).
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device A12 has a broad band.
  • the spectrum of the output light of the light emitting element has a broad band compared to the emission spectrum of the phosphor. Therefore, the color rendering property of the light emitting device A12 can be easily improved by using the blue phosphor 201.
  • the blue phosphor 201 is a phosphor that emits blue light when excited by either or both of the output light from the first light emitting element A101 and the second light emitting element A102, and is a divalent europium as shown in (21) below. May be a halophosphorus oxide activated with divalent, an aluminum oxide activated with divalent europium as shown in (22) below, or nitriding with activated trivalent cerium as shown in (23) below It may be a thing. As the blue phosphor 201, any one of the following (21) to (23) may be used, or two or more of the following (21) to (23) may be used in combination.
  • MXI 5-x21 Eu x21 (PO 4 ) 3
  • MXII represents at least one of Ca, Sr and Ba.
  • MXII represents at least one of F, Cl and Br.
  • a phosphor represented by 0.1 ⁇ x21 ⁇ 1.5) (a phosphor oxide phosphor activated with divalent europium)
  • (22) (MXIII) 1-a22 Eu a22 MgAl 10 O 17 (MXIII represents at least one of Sr and Ba. 0.005 ⁇ a22 ⁇ 0.2) Europium activated aluminum oxide phosphor)
  • (MI) 1-x23 Ce x23 Si 3 N 5 (MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd. 0.005 ⁇ x23 ⁇ 0.2) (Nitride phosphor activated with trivalent cerium).
  • the light emitting device A12 Since the light emitting device A12 has the above optical characteristics, the light emitting device A12 can be used as a light source of the light emitting device. That is, the light emitting device of this embodiment includes the light emitting device A12. As a result, a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • the structure which a conventionally well-known illuminating device or backlight apparatus has can be used without limitation.
  • the light emitting device B11 is a lead frame type SMD light emitting device including a first light emitting element B101 and a second light emitting element B102.
  • the light emitting device B11 includes at least one of the first light emitting element B101 and the second light emitting element B102 having emission peaks in two types of wavelength regions.
  • the first light-emitting element B101 and the second light-emitting element B102 are mounted will be described as an example.
  • one first light emitting element B101 and one second light emitting element B102 are mounted on a frame B111.
  • a green phosphor 181 and a red phosphor 191 are dispersed or settled in a resin 161 so as to cover the light emitting elements B101 and B102.
  • One phosphor-containing resin layer 160 is provided.
  • the frame B111 is made of, for example, a white resin base material. Thereby, it is possible to provide the frame B111 having high visible light reflection characteristics, that is, high light extraction efficiency.
  • electrodes B129 and B130 are provided in the frame B111. Therefore, the first light emitting element B101 and the second light emitting element B102 mounted on the frame B111 are connected to the electrodes B129 and B130 through a through electrode (not shown) in order to supply electric power.
  • a through electrode not shown
  • the electrodes B129 and B130 may be formed on the side surface of the frame B111.
  • a contained resin layer 160 is provided.
  • the resin 161 in which the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are dispersed or settled in the first phosphor-containing resin layer 160 is made of a transparent silicone resin.
  • a first light emitting element B101, a second light emitting element B102, and a first phosphor-containing resin layer 160 are provided on one surface of the frame B111 (hereinafter referred to as “the upper surface of the frame B111”).
  • the first phosphor-containing resin layer 160 seals the first light emitting element B101 and is provided in a region surrounded by the frame wall surface on the upper surface of the frame B111.
  • the inner peripheral surface of the wall surface of the frame B111 may be perpendicular to the upper surface of the frame B111.
  • the inner peripheral surface of the frame wall surface is preferably inclined with respect to the upper surface of the frame B111 so that the opening diameter increases from the upper surface of the frame B111 toward the upper surface of the first phosphor-containing resin layer 160. . Thereby, light can be extracted efficiently.
  • the frame wall surface may not be provided.
  • a resin having high thixotropy is used as the resin 161
  • the surface-mounted light source unit may be configured by using a substrate having a rectangular shape in plan view (a substrate having a flat surface made of ceramic instead of FIG. 3) as the frame B111.
  • the light emitting device B11 may further include the following configuration.
  • a third light-emitting element B103 having an emission peak in a wavelength region of 380 nm to less than 440 nm may be used. Since the third light-emitting element B103 has a light emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm, the range of combinations of light-emitting elements is widened, and the range of selection of phosphors is widened.
  • a second phosphor-containing resin layer 260 further including a blue phosphor 201 in addition to the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191 may be used.
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device B11 has a broad band.
  • the spectrum of the output light of the light emitting element has a broad band compared to the emission spectrum of the phosphor. Therefore, the color rendering properties of the light emitting device B11 can be easily improved by using the blue phosphor 201.
  • the blue phosphor 201 is a phosphor that emits blue light when excited by any or all of the output light from the first light emitting element B101, the second light emitting element B102, and the third light emitting element B103.
  • the divalent europium activated halophosphorus oxide shown in 21) may be used, the divalent europium activated aluminum oxide shown in the following (22) may be used, and the following (23) shown: A nitride obtained by activating trivalent cerium may be used.
  • any one of the following (21) to (23) may be used, or two or more of the following (21) to (23) may be used in combination.
  • MXI 5-x21 Eu x21 (PO 4 ) 3
  • MXII represents at least one of Ca, Sr and Ba.
  • MXII represents at least one of F, Cl and Br.
  • a phosphor represented by 0.1 ⁇ x21 ⁇ 1.5) (a phosphor oxide phosphor activated with divalent europium)
  • (22) (MXIII) 1-a22 Eu a22 MgAl 10 O 17 (MXIII represents at least one of Sr and Ba. 0.005 ⁇ a22 ⁇ 0.2) Europium activated aluminum oxide phosphor)
  • (MI) 1-x23 Ce x23 Si 3 N 5 (MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd. 0.005 ⁇ x23 ⁇ 0.2) (Nitride phosphor activated with trivalent cerium).
  • the light emitting device B11 can be used as a light source of the light emitting device. That is, the light emitting device of this embodiment includes the light emitting device B11. As a result, a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • the structure which a conventionally well-known illuminating device or backlight apparatus has can be used without limitation.
  • the light-emitting device B12 is a double-encapsulated SMD light-emitting device including a first light-emitting element B101 and a second light-emitting element B102.
  • the light emitting device B12 includes at least one of the first light emitting element B101 and the second light emitting element B102 having emission peaks in different wavelength regions.
  • the first light-emitting element B101 and the second light-emitting element B102 are mounted.
  • one first light emitting element B101 and one second light emitting element B102 are mounted on a substrate B112.
  • a green phosphor 181 and a red phosphor 191 are dispersed or settled in a resin 161 so as to cover the light emitting elements B101 and B102.
  • One phosphor-containing resin layer 160 is provided.
  • a transparent silicone resin 162 is provided so as to cover the first phosphor-containing resin layer 160. Therefore, in the light emitting device B12 of this embodiment, the first light emitting element B101 and the second light emitting element B102 are doubly sealed on the substrate B112 with the first phosphor-containing resin layer 160 and the silicone resin 162. Have a package.
  • the substrate B112 is made of, for example, a ceramic base material. Thereby, the board
  • electrodes B129 and B130 are provided on the back surface. Therefore, the first light emitting element B101 and the second light emitting element B102 mounted on the substrate B112 are connected to the electrodes B129 and B130 through a through electrode (not shown) in order to supply electric power.
  • a through electrode not shown
  • the electrodes B129 and B130 may be formed on the side surface of the substrate B112.
  • a contained resin layer 160 is provided.
  • the resin 161 in which the green phosphor 181 and the red phosphor 191 are dispersed or settled in the first phosphor-containing resin layer 160 is made of a transparent silicone resin.
  • a first light emitting element B101, a second light emitting element B102, a dam ring 151, and a first phosphor-containing resin layer 160 are provided on one surface of the substrate B112 (hereinafter referred to as “the upper surface of the substrate B112”). It has been.
  • the first phosphor-containing resin layer 160 seals the first light emitting element B101 and is provided in a region surrounded by the dam ring 151 on the upper surface of the substrate B112.
  • the inner peripheral surface of the dam ring 151 may be perpendicular to the upper surface of the substrate B112. However, the inner peripheral surface of the dam ring 151 is inclined with respect to the upper surface of the substrate B112 so that the opening diameter of the dam ring 151 increases from the upper surface of the substrate B112 toward the upper surface of the first phosphor-containing resin layer 160. Preferably it is. Thereby, light can be extracted efficiently.
  • the dam ring 151 may not be provided.
  • the resin 161 can be prevented from flowing to the periphery of the upper surface of the substrate B112 even if the dam ring 151 is not provided.
  • the surface-mounted light source unit may be configured by using a bathtub-shaped substrate (for example, a lead frame substrate) instead of a substrate having a rectangular shape in plan view (FIG. 4A) as the substrate B112.
  • the light emitting device B12 may further include the following configuration.
  • a third light-emitting element B103 having an emission peak in a wavelength region of 380 nm to less than 440 nm may be used. Since the third light-emitting element B103 has a light emission peak in a wavelength region of 380 nm or more and less than 440 nm, the range of combinations of light-emitting elements is widened, and the range of selection of phosphors is widened.
  • a second phosphor-containing resin layer 260 further including a blue phosphor 201 in addition to the resin 161, the green phosphor 181 and the red phosphor 191 may be used.
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device B12 has a broad band.
  • the spectrum of the output light of the light emitting element has a broad band compared to the emission spectrum of the phosphor. Therefore, the color rendering properties of the light emitting device B12 can be easily improved by using the blue phosphor 201.
  • the blue phosphor 201 is a phosphor that emits blue light when excited by any or all of the output light from the first light emitting element B101, the second light emitting element B102, and the third light emitting element B103.
  • the divalent europium activated halophosphorus oxide shown in 21) may be used, the divalent europium activated aluminum oxide shown in the following (22) may be used, and the following (23) shown: A nitride obtained by activating trivalent cerium may be used.
  • any one of the following (21) to (23) may be used, or two or more of the following (21) to (23) may be used in combination.
  • MXI 5-x21 Eu x21 (PO 4 ) 3
  • MXII represents at least one of Ca, Sr and Ba.
  • MXII represents at least one of F, Cl and Br.
  • a phosphor represented by 0.1 ⁇ x21 ⁇ 1.5) (a phosphor oxide phosphor activated with divalent europium)
  • (22) (MXIII) 1-a22 Eu a22 MgAl 10 O 17 (MXIII represents at least one of Sr and Ba. 0.005 ⁇ a22 ⁇ 0.2) Europium activated aluminum oxide phosphor)
  • (MI) 1-x23 Ce x23 Si 3 N 5 (MI represents at least one of Lu, Y, La and Gd. 0.005 ⁇ x23 ⁇ 0.2) (Nitride phosphor activated with trivalent cerium).
  • the transparent silicone resin 162 may not be disposed (see FIG. 4B).
  • the presence of the transparent silicone resin 162 can be expected to improve the light extraction efficiency and narrow the orientation characteristics of light emission due to the lens effect.
  • the degree of design freedom of the light emitting device B12 can be increased by the presence or absence of the transparent silicone resin 162, it becomes easier to obtain desired light emitting characteristics in the light emitting device B12.
  • the light emitting device B12 Since the light emitting device B12 has the above optical characteristics, the light emitting device B12 can be used as a light source of the light emitting device. That is, the light emitting device of this embodiment includes the light emitting device B12. As a result, a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • a light emitting device such as an illumination device or a backlight device having the above optical characteristics can be provided.
  • the structure which a conventionally well-known illuminating device or backlight apparatus has can be used without limitation.
  • FIG. 5A is a schematic plan view of an example of a light emitting device according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 5B shows the light emitting device of FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along a plane passing through a second light emitting element 6b (hereinafter, the first light emitting element and the second light emitting element are collectively referred to as a light emitting element) and a wire 7;
  • a second light emitting element 6b hereinafter, the first light emitting element and the second light emitting element are collectively referred to as a light emitting element
  • the inside of the light emitting device 1 is made transparent. It is shown.
  • a chip-on-board (COB) type light emitting device using a ceramic substrate and a face up type light emitting element is described, but the form of the light emitting device is not limited to this. Absent.
  • COB chip-on-board
  • aluminum or copper may be used as a substrate material, and upper and lower electrode type light emitting elements or flip type light emitting elements may be used as light emitting elements.
  • the light emitting device may be of a surface mount (SMD) type using a resin package formed of a metal frame as a substrate instead of the COB type.
  • SMD surface mount
  • the light emitting device 1 includes a substrate 2, a wiring pattern 3 (3a, 3k) disposed on the substrate 2, an electrode land 4 (4a, 4k), a sealing resin layer 5, a first light emitting element 6a, A second light emitting element 6b, a wire 7, a printed resistance element 8, a resin dam 9, a green phosphor 10, and a red phosphor 12 are provided.
  • the resin dam 9 is provided on the upper surface of the substrate 2 and is formed in a ring shape (a ring shape in plan view) when the substrate 2 is viewed from above the main surface.
  • a sealing resin layer including a first light emitting element 6 a and a second light emitting element 6 b is provided on a portion of the upper surface of the substrate 2 located inside the resin dam 9.
  • the wiring pattern 3 (3a, 3k) is provided on the upper surface of the substrate 2 and is covered with the resin dam 9.
  • the electrode land 4 (4a, 4k) is provided in a portion of the upper surface of the substrate 2 that is located outside the resin dam 9.
  • the wire 7 electrically connects the two types of light emitting elements 6a and 6b and the wiring pattern 3 (3a and 3k). When two or more light emitting elements 6 are provided, the light emitting elements 6 are preferably connected to each other through a wire 7.
  • the substrate 2 the wiring pattern 3 (3a, 3k), the electrode land 4 (4a, 4k), the transparent resin contained in the sealing resin layer 5, the light emitting element 6, the wire 7, the printed resistance element 8, and the resin dam 9
  • the configuration (material, size, shape, etc.) is not limited to the following description.
  • the substrate 2 is formed, for example, in a rectangular shape in plan view, and is, for example, a ceramic substrate or a metal substrate having an insulating film formed on the surface thereof.
  • the wiring patterns 3 (3a, 3k) are provided on the upper surface of the substrate 2 so as to face each other, and each of them has a shape (arc shape) in which a part thereof is cut out from the ring in plan view. Have.
  • Such a wiring pattern 3 (3a, 3k) is formed by, for example, a screen printing method.
  • the electrode land 4 (4a, 4k) is an electrode for external connection (for example, for power supply), and is made of, for example, Ag-Pt.
  • the electrode land 4a is connected to one end of the wiring pattern 3a via a lead wiring, and the electrode land 4k is connected to one end of the wiring pattern 3k via another lead wiring.
  • Such electrode lands 4 (4a, 4k) are formed by, for example, a screen printing method or the like.
  • the green phosphor 10 and the red phosphor 12 are uniformly dispersed in the transparent resin.
  • a sealing resin layer 5 is formed according to the following method. First, the green phosphor 10 and the red phosphor 12 are uniformly mixed in a transparent resin. The obtained mixed resin is injected into a portion of the upper surface of the substrate 2 located inside the resin dam 9. At this time, at least one of the two types of light emitting elements 6a and 6b has already been provided on the portion of the upper surface of the substrate 2 located inside the resin dam 9. When two or more types of light emitting elements 6a and 6b are provided, respectively, the two or more light emitting elements 6a and 6b are connected to each other via a wire 7. Thereafter, heat treatment is performed. By this heat treatment, the transparent resin is cured, and as a result, the two types of light emitting elements 6, the green phosphor 10, and the red phosphor 12 are sealed, and the sealing resin layer 5 is formed.
  • any transparent resin can be used as the transparent resin contained in the sealing resin layer 5 as long as the resin has translucency.
  • an epoxy resin, a silicone resin, or a urea resin is preferable.
  • the sealing resin layer 5, for example SiO 2, TiO 2, ZrO 2 , Al 2 O 3 or Y 2 O 3 may contain additives such as. If the sealing resin layer 5 contains such an additive, sedimentation of the green phosphor 10, the red phosphor 12, and the like can be prevented. Moreover, the light from each of the light emitting elements 6a and 6b, the green phosphor 10, and the red phosphor 12 can be efficiently diffused.
  • Green phosphor 10 The green phosphor 10 is excited by the primary light emitted from the light emitting element, and emits light having a peak emission wavelength in the green region.
  • the “green region” means a region having a wavelength of 485 nm or more and less than 580 nm.
  • Green phosphor 10 Specific examples of the green phosphor 10 are shown below.
  • the green phosphor 10 one of these may be used alone, or two or more of these may be mixed and used.
  • the green phosphor 10 may be manufactured according to any manufacturing method selected from known manufacturing methods, or may be obtained as a product.
  • the half width of the fluorescence spectrum of the green phosphor 10 is preferably wider, for example, 95 nm or more.
  • a phosphor using Ce as an activator for example, a Lu 3-x Ce x Al 5 O 12- based green phosphor (a phosphor in which (M1) is Lu and (M2) is Al in the general formula (A)) , Having a garnet crystal structure. Since this phosphor uses Ce as an activator, a fluorescence spectrum having a wide half-value width (half-value width of 95 nm or more) can be obtained. Therefore, the phosphor using Ce as an activator is a green phosphor suitable for increasing the average color rendering index Ra of the light emitting device 1.
  • the red phosphor 12 is excited by the primary light emitted from the light emitting element, and emits light having a peak emission wavelength in the red region.
  • the “red region” means a region having a wavelength of 580 nm or more and less than 700 nm.
  • red phosphor 12 Specific examples of the red phosphor 12 are shown below.
  • X represents 0.01 ⁇ x ⁇ 0.30
  • red phosphor 12 one of these may be used alone, or two or more of these may be mixed and used.
  • the red phosphor 12 may be manufactured according to any manufacturing method selected from known manufacturing methods, or may be obtained as a product.
  • the half width of the fluorescence spectrum of the red phosphor 12 is preferably as wide as that of the green phosphor 10.
  • (Sr, Ca) AlSiN 3 : Eu phosphor or CaAlSiN 3 : Eu phosphor can be exemplified.
  • the mixing ratio of the green phosphor 10 and the red phosphor 12 is not particularly limited, and it is preferable to set the mixing ratio so that the light emitted from the light emitting device 1 has desired characteristics.
  • the light-emitting device 1 includes, as a light-emitting element, a first light-emitting element 6a that emits a first primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm, and a peak emission within a wavelength range of 460 nm or more and 490 nm or less.
  • a second light emitting element 6b that emits second primary light having a wavelength is used.
  • many phosphors used in light emitting devices using LED light sources are efficiently excited within a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm.
  • the first light emitting element 6a that emits the first primary light having the peak emission wavelength within the wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm in order to increase the light emission efficiency of the light emitting device.
  • the use of the second light emitting element 6b that emits the second primary light having the peak emission wavelength within the wavelength range of 460 nm or more and 490 nm or less means that the light emitting device is in a wavelength region of 450 to 500 nm, as will be described later. Since it has a light emitting component, it is advantageous for enhancing the color rendering properties of the light emitting device.
  • the practicality of the light emitting device 1 can be enhanced.
  • a light-emitting element having a peak emission wavelength of less than 440 nm the visibility is poor and the phosphor may not be suitable for excitation.
  • the phosphor represented by the general formula (A) has poor absorption efficiency of light from a light emitting element having a peak emission wavelength of less than 440 nm and poor excitation efficiency.
  • the phosphor represented by the general formula (A) has poor absorption efficiency of light from a light-emitting element having a peak emission wavelength exceeding 490 nm.
  • the LED chip used as the first light emitting element 6a is preferably a bare chip of a semiconductor light emitting element that emits light including a first primary light having a peak emission wavelength in a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm. More preferably, it is a system LED chip.
  • the LED chip whose peak light emission wavelength is 450 nm vicinity can be mentioned.
  • the “InGaN-based LED chip” means an LED chip whose light emitting layer is an InGaN layer.
  • the LED chip used as the second light emitting element 6b is preferably a bare chip of a semiconductor light emitting element that emits light including second primary light having a peak emission wavelength in a wavelength range of 460 nm or more and 490 nm or less. More preferably, it is a system LED chip. As an example of the second light emitting element 6b, an LED chip having a peak emission wavelength of around 470 nm can be cited.
  • the following arrangement form can be considered as an example of the arrangement form of the light-emitting elements.
  • the light emitting elements 6a and 6b are die-bonded to the upper surface of the substrate 2, and are arranged substantially parallel to one side of the substrate 2 (side of the substrate 2 extending in the X direction) and on a straight line.
  • the light emitting elements 6a and 6b are arranged at a high density in a portion located on the inner side of the resin dam 9 on the upper surface of the substrate 2.
  • the number of light emitting elements 6a and 6b arranged on a straight line increases, and the periphery of the substrate 2 from the center of the ring.
  • the light emitting elements 6a and 6b are arranged so that the number of the light emitting elements 6a and 6b arranged on a straight line decreases toward the outer side in the radial direction of the ring.
  • the wiring formed by connecting the eight first light-emitting elements 6a and the four second light-emitting elements to each other through the wires 7 is the electrode land 4 (4a, 4b). ) Are connected in parallel in 10 rows.
  • the 1st light emitting element 6a and the 2nd light emitting element 6b are arrange
  • the ratio between the number of first light emitting elements 6a and the number of second light emitting elements 6b is not particularly limited.
  • the light emitting elements 6a and 6b preferably have a structure in which light is emitted from the upper surface. Further, the light emitting elements 6a and 6b have electrode pads for connecting adjacent light emitting elements to each other through the wire 7, and the light emitting elements 6a and 6b and the wiring pattern 3 (3a and 3k) on the surface. It is preferable to have an electrode pad (for example, an anode electrode pad and a cathode electrode pad) for connection.
  • an electrode pad for example, an anode electrode pad and a cathode electrode pad
  • the light emitting elements 6a and 6b may have a structure in which light is emitted from the lower surface.
  • wiring corresponding to the wire 7 and the electrode land 4 are formed on the upper surface of the substrate 2.
  • the electrode pads provided on the surfaces of the light emitting elements 6a and 6b are opposed to the upper surface of the substrate 2, and the light emitting elements 6a and 6b and the substrate 2 are connected by flip chip connection via bumps. In this manner, the light emitting elements 6a and 6b having a structure in which light is emitted from the lower surface can be mounted on the upper surface of the substrate 2.
  • the resistance element 8 is provided for the purpose of increasing the electrostatic withstand voltage, and is provided so as to connect one end of the wiring pattern 3a and one end of the wiring pattern 3k as shown in FIG. 5, and a part thereof is cut out from the ring. It has a shape (arc shape). Such a resistance element 8 is preferably a printing resistor or a Zener diode, for example.
  • the light emitting device 1 may not include the resistance element 8.
  • the resin dam 9 is a resin for damming the sealing resin layer 5 and is preferably composed of a colored material (preferably a white material or a milky white material).
  • a colored material preferably a white material or a milky white material.
  • the light emitting device 1 includes at least one first light emitting element 6a, at least one second light emitting element 6b, a green phosphor 10, and a red phosphor 12.
  • the first light emitting element 6a emits first primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm.
  • the second light emitting element 6b emits second primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 460 nm or more and 490 nm or less.
  • the green phosphor 10 is excited by the primary light emitted from the light emitting elements 6a and 6b, and emits light having a peak emission wavelength in the green region.
  • the red phosphor 12 is excited by the primary light emitted from the light emitting elements 6a and 6b, and emits light having a peak emission wavelength in the red region.
  • the light emitted from the light emitting device 1 has a correlated color temperature of 2000K to 6500K, and an average color rendering index Ra80 or higher. That is, the light emitted from the light emitting device 1 has a high average color rendering index Ra, and is excellent in color rendering.
  • the “correlated color temperature” is a value obtained in accordance with JIS Z 8725 (a light source distribution temperature and a color temperature / correlated color temperature measurement method).
  • the “average color rendering index” is a value obtained in accordance with JIS Z 8726: 1990 (light-color rendering evaluation method for light sources).
  • Example 1 is a light emitting device having the same configuration as the light emitting device according to the present embodiment, and emits first primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm.
  • Comparative Example 1 is a light emitting device having the same configuration as that of Example 1 except that only the first light emitting element is used as the light emitting element and the second light emitting element is not used.
  • the light emitting device includes only one type of light emitting element (Comparative Example 1)
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device has one steep peak within the wavelength range of 430 nm to 480 nm.
  • the blue reflection component becomes large, white is excessively bluish, black is bluish, red is near purple, and haze is bluish. The color reproducibility is not good.
  • the spectrum of light emitted from the light emitting device has two small peaks in the wavelength range of 430 nm to 500 nm, and the maximum light emission intensity is The difference between the maximum emission intensity of the larger peak and the minimum emission intensity of the valley between the two peaks is the maximum emission intensity of the peak in the vicinity of 450 nm of Comparative Example 1 and the valley of the valley on the long wavelength side from the peak. It is smaller than the difference from the minimum emission intensity.
  • the light-emitting device according to the present embodiment can be suitably used for article sales and the like, and can be particularly suitably used in the clothing industry. Furthermore, since the light emitting device of the present invention has a relatively small amount of light emitting components in the wavelength region of 440 nm or more and less than 460 nm as compared with a conventional light emitting device using LEDs, The degree of injury to the retina of the eye is low.
  • the spectrum of the light emitted from the light emitting device 1 (the emission spectrum of the light emitting device 1) is within the wavelength range of 430 nm or more and less than 460 nm with respect to the first emission intensity E1 which is the minimum emission intensity within the wavelength range of 450 nm or more and 500 nm or less.
  • the ratio (E2 / E1) of the second emission intensity E2, which is the maximum emission intensity, is preferably 3.0 or less. According to this, the reproducibility of white, black, red, and blue is very good in the light emitting device.
  • the ratio (E2 / E1) between the first emission intensity E1 and the second emission intensity E2 is more preferably 2.5 or less, and further preferably 2.0 or less.
  • Specific methods for obtaining such an emission spectrum include a method of optimizing the materials and contents of the light emitting elements 6a and 6b, the green phosphor 10, and the red phosphor 12.
  • the light emitting device of Example 1 has the same configuration as the light emitting device shown in FIG.
  • the light-emitting device of Example 1 has 80 first light-emitting elements that emit first primary light having a peak emission wavelength within a wavelength range of 440 nm or more and less than 460 nm, and peaks within a wavelength range of 460 nm or more and 490 nm or less.
  • 40 second light-emitting elements that emit second primary light having an emission wavelength are provided.
  • the blending ratio of the green phosphor and the red phosphor was adjusted so that the correlated color temperature of the light emitted from the light emitting device was around 3000K.
  • Examples 2 to 4 The light emitting devices of Examples 2 to 4 were implemented except that the number of the first light emitting elements, the number of the second light emitting elements, and the correlated color temperature of the light emitted from the light emitting device were set to the values shown in Table 1. A configuration similar to that of Example 1 is provided.
  • Comparative Examples 1 to 4 use 120 first light-emitting elements as light-emitting elements, do not use the second light-emitting elements, and the correlated color temperatures of light emitted from the light-emitting devices are the values shown in Table 1. Except for this, the same configuration as that of the first embodiment is provided.
  • the first emission intensity E1 that is the minimum emission intensity within the wavelength range of 450 nm to 500 nm and the maximum within the wavelength range of 430 nm to 460 nm.
  • the second emission intensity E2 which is the emission intensity was obtained, and the ratio (E2 / E1) of the second emission intensity E2 to the first emission intensity E1 was calculated.
  • the correlated color temperature of light emitted from the light emitting device, the average color rendering index Ra, and the special color rendering index R9 were obtained.
  • the “correlated color temperature” was determined in accordance with JIS Z 8725 (light source distribution temperature and color temperature / correlated color temperature measurement method).
  • the “average color rendering index” was determined in accordance with JIS Z 8726: 1990 (color rendering property evaluation method of light source). The results are shown in Table 1.
  • the emission spectrum of Example 1 has two small peaks in the wavelength range of 430 nm to 500 nm.
  • the emission spectrum of Comparative Example 1 has one steep peak in the wavelength range of 430 nm to 500 nm.
  • the light emitting device of Example 1 had a higher average color rendering index Ra and special color rendering index R9 than the light emitting device of Comparative Example 1, and also had good reproducibility of white, red, dark blue, and black.
  • the emission spectra of Examples 2 to 4 have two small peaks in the wavelength range of 430 nm to 500 nm.
  • the emission spectra of Comparative Examples 2 to 4 have one steep peak in the wavelength range of 430 nm to 500 nm.
  • the light emitting devices of Examples 2 to 4 have higher average color rendering index Ra and special color rendering index R9 than the light emitting devices of Comparative Examples 2 to 4, respectively, and good reproducibility of white, red, dark blue, and black. there were.

Abstract

　少なくとも１種類の発光素子を１個以上搭載し、かつ前記発光素子の出力光により励起される蛍光体を備えた発光装置であって、蛍光体を搭載する前の前記発光装置において、搭載されたすべての発光素子を発光させた場合に、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の第１波長領域に出力光のピーク波長を有し、かつ、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の第２波長領域に出力光のピーク波長を有する発光装置が供給される。

Description

発光装置
　本発明は、発光装置に関する。
　半導体発光素子と蛍光体とを組み合わせた発光装置は、低消費電力、小型化、高輝度、更には広範囲な色再現性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究および開発されている。半導体発光素子から発せられる一次光は、通常、近紫外から青色の範囲であり、たとえば波長が３８０～４９０ｎｍである光である。また、用途に適合した様々な蛍光体を用いた発光装置も提案されている。
　照明装置等として使用される発光装置も種々開発されており、このような発光装置の出力性能を向上させるための手段が種々検討されている。発光装置の出力性能を高めるために、視感度が高く、且つ、青の補色である黄色領域に主たる発光ピークを持つ蛍光体が一般的に用いられる。また、一般照明器具用途に使用可能な発光装置では、性能として、高演色性を有すること（「高演色性を有する」とは、基本的に平均演色評価数Ｒａが８０以上であることを意味する。）も、出力性能の向上と併せて重要となっている。
　上記平均演色評価数Ｒａは、演色性を示す指数として一般的に用いられ、試験色（Ｒ１～Ｒ８）が自然に見えるか否かを評価する指標である。一般照明器具用途に使用可能な発光装置では、試験色を自然に見せることが重要であり、即ち平均演色評価数Ｒａを高めることが重要とされている。
　ＬＥＤ（ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ）光源を用いた発光装置として、４４０～４６０ｎｍの波長領域にピークを持つ青色ＬＥＤと、緑色蛍光体と赤色蛍光体とを利用した発光装置がある。しかし、該発光装置の発光スペクトルは、青色領域である４４０～４６０ｎｍの波長領域に鋭いピークがあるため、青色の反射成分が強すぎる。この場合、４４０～４６０ｎｍの波長領域で光を反射するような被照射物の色を再現できないことがある。
　物品販売等で使用される発光装置では、明るさの確保に加えて、照射対象物の色の再現性も要求されている。特に服飾業界をはじめとして各種商品においては白、黒、紺、赤は最も多く用いられる色であるため、これらの色を忠実に再現することが重要である。したがって、このような発光装置の場合、平均演色評価数Ｒａとともに、白、黒、紺、赤の再現性を向上させることが重要である。平均演色評価数Ｒａは、試験色（Ｒ１～Ｒ８）が自然に見えるかを評価する指標であり、試験色に含まれない、白、赤、紺、黒の再現性については示していない。赤色については特殊演色評価数Ｒ９を指標とするのが一般的である。一方で、白、黒、紺については試験色に含まれておらず、一般的かつ定量性を持った評価指数が無い。
　特許文献１（特許第４０７２６３２号公報）には、赤色を鮮やかに発色する発光装置として、発光波長が３６０ｎｍ～５５０ｎｍの範囲にある発光素子と、式（Ｃａｘ、Ｅｕｙ）（Ｓｉ，Ａｌ）１２（Ｏ，Ｎ）１６で示されるＣａ－α－サイアロンのＣａ位置を部分的にＥｕで置換した構造をもつα－サイアロンが４０質量％以上９０質量％以下、β－サイアロンが５質量％以上４０質量％以下、未反応の窒化ケイ素が５質量％以上３０質量％以下の粉末から成るサイアロン系蛍光体と、を備え、前記発光素子の光の一部は前記蛍光体により波長変換されて放出されることを特徴とする発光装置が記載されている。
特許第４０７２６３２号公報
　特許文献１では、発光装置の色温度の範囲は限定されておらず、また、平均演色評価数Ｒａの記述もなく、発光装置の演色性について十分に検討されていない。
　本発明は、平均演色評価数Ｒａが高く、かつ、照射対象物の色のうち、特に白、赤、紺、黒の再現性の良い発光装置を提供することを目的とする。
　［１］　本発明に係る発光装置は、少なくとも１種類の発光素子を１個以上搭載し、かつ前記発光素子の出力光により励起される蛍光体を備えた発光装置であって、蛍光体を搭載する前の前記発光装置において、搭載されたすべての発光素子を発光させた場合に、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の第１波長領域に出力光のピーク波長を有し、かつ、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の第２波長領域に出力光のピーク波長を有する発光装置である。
［２］　本発明に係る発光装置において、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光と４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光との両者を放射する少なくとも１個の発光素子、もしくは、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する少なくとも１個の第１の発光素子と、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する少なくとも１個の第２の発光素子と、の少なくとも２種類の発光素子、のいずれかを構成要素として有し、前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する第１の蛍光を放射する緑色蛍光体と、前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する第２の蛍光を放射する赤色蛍光体と、を備え、相関色温度が２０００Ｋ以上６５００Ｋ以下であり、平均演色評価数Ｒａ８０以上の光を放射することが好ましい。
［３］　本発明に係る発光装置は、前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する第１の蛍光を放射する緑色蛍光体と、前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する第２の蛍光を放射する赤色蛍光体と、を備え、相関色温度が２０００Ｋ以上６５００Ｋ以下であり、平均演色評価数Ｒａ８０以上の光を放射する、発光装置である。
　［４］　本発明に係る発光装置において、前記発光装置の発光スペクトルにおいて、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の最小発光強度である第１の発光強度Ｅ１に対する、４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲内の最大発光強度である第２の発光強度Ｅ２の比（Ｅ２／Ｅ１）は、３．０以下であることが好ましい。
　前述の発光特性の達成する方法としては、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子１種類を用いても良いし、単一の波長領域に一つの発光ピークを持つ発光素子を複数種類組み合わせても良いし、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子と単一の波長領域に一つの発光ピークを持つ発光素子とを組み合わせても良い。
　単一の波長領域に一つの発光ピークを持つ発光素子を複数種類組み合わせた場合には、発光素子の組合せの調整によって、発光装置の発光スペクトルをより緻密に制御することが可能となり、目的に近い発光スペクトルを得ることが容易になる。
　一方で、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子１種類を用いた場合には、以下のような利点がある。一種類の発光素子から発光装置を構成することとなるため、発光装置の製造工程をより簡単なものと出来る。複数個の発光素子からなる発光装置では、発光装置中には複数の発光点が存在することとなる。異なる波長の発光素子を複数用いた場合、各々の発光点から異なる強度や色の光が発せられる可能性が高くなりそれぞれの発光点での発光色や発光強度の違い、あるいは発光点間隔の差（チップの基板への固定位置のばらつき）などで照射面での色ムラが出やすい。この影響はリフレクタやレンズなど照明器具の光学系によっては異なるが、特に照射角度の狭い照明器具ではその影響が顕著となる可能性が高い。一方で、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子１種類を用いた発光装置の場合には、すべての発光点が同じ発光特性を示すため、異なる波長の発光素子を同時に搭載した発光装置の場合よりも、照明器具の光学設計は容易になり、且つ、照射面での輝度ムラや色ムラを抑制しやすくなる。すなわち、発光装置中の各発光素子から均一な光量・光色で発光することが照射面で輝度ムラや色ムラの少ない、質の高い光につながる。以上のように、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子１種類を用いて発光装置を構成することで、製造工程が簡単になることや発光装置中のすべての発光素子が同じ特性をもつために輝度ムラや色ムラが生じず優れた光学特性が得られるといった効果を得ることが出来る。
　発光素子は単一の波長領域での発光を示すものが一般的であるが、単一の発光素子で複数の波長領域で発光を示すことが可能な発光素子もある。例えば、ＩｎＧａＮ系の発光ダイオードは単一の発光素子で複数の波長領域で発光を示すことが可能である。ＩｎＧａＮ系の発光ダイオードはその構造中に複数の発光層を持っており、それぞれの発光層でＩｎの濃度を調整することなどにより、各々の発光層からの発光波長を設計することが出来る。また、複数の発光層は、発光素子の発光面に対して垂直に積層されるため、発光素子の発光面内ではスペクトルに差が無い均一な光を得ることが出来る。このようにして、複数の波長領域それぞれに発光ピークをもつ発光素子をつくることができ、これを利用することで製造工程がより簡単な発光装置や輝度ムラや色ムラの小さい発光装置を実現することが出来る。
　本発明によれば、平均演色評価数Ｒａが高く、かつ、照射対象物の色のうち、特に白、赤、紺、黒の再現性の良い発光装置を提供することが可能となる。
（ａ）は本発明の実施形態１に係る発光装置Ａ１１の模式平面図であり、（ｂ）および（ｃ）はその断面図である。 本発明の実施形態２に係る発光装置Ａ１２の断面図である。 本発明の実施形態３に係る発光装置Ｂ１１の断面図である。 （ａ）は本発明の実施形態４に係る発光装置Ｂ１２の断面図であり、図（ｂ）は実施形態４の変形例の断面図である。 （ａ）は本発明の実施形態５に係る発光装置の模式平面図であり、（ｂ）はその断面図である。 実施例１および比較例１の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例２および比較例２の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例３および比較例３の発光装置の発光スペクトルを示す図である。 実施例４および比較例４の発光装置の発光スペクトルを示す図である。
　以下、本発明の発光装置について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
　［実施形態１］
　（発光装置の構成）
　図１（ａ）は本発明の実施形態１の発光装置Ａ１１の構成を示す平面図であり、図１（ｂ）および（ｃ）は図１（ａ）に示すＡ－Ａ’線における断面図である。
　本実施形態の発光装置Ａ１１は、基板Ａ１１１と、第１の発光素子Ａ１０１と、ダムリング（樹脂製枠体）１５１と、蛍光体を含む樹脂層（以下では単に「第１蛍光体含有樹脂層」と記す）１６０とを備える。第１の発光素子Ａ１０１は出力光のピーク波長が互いに異なる複数の発光ピークを持つ発光を示す。
　基板Ａ１１１は、セラミックからなる基板であることが好ましく、平面視長方形の形状を有することが好ましい。基板Ａ１１１の一方の面（以下では「基板Ａ１１１の上面」と記す）には、第１の発光素子Ａ１０１とダムリング（樹脂製枠体）１５１と第１蛍光体含有樹脂層１６０とが設けられており、さらには、第１電極ランド１２１と第２電極ランド１２２とが設けられている。
　ダムリング１５１は、第１蛍光体含有樹脂層１６０（第１蛍光体含有樹脂層１６０は樹脂１６１と緑色蛍光体１８１と赤色蛍光体１９１とを含む）の外形を規定する部材であり、第１蛍光体含有樹脂層１６０の形成時において樹脂１６１がダムリング１５１の外側へ漏れることを防止するためのダム（せき止め部材）として機能する。
　第１電極ランド１２１および第２電極ランド１２２は、基板Ａ１１１の上面のうちダムリング１５１の外側に設けられており、好ましくは基板Ａ１１１の上面の角部に設けられ、より好ましくは基板Ａ１１１の対角線上に設けられている。第１電極ランド１２１および第２電極ランド１２２の各表面は露出しており、よって、第１電極ランド１２１および第２電極ランド１２２は外部端子と接続可能である。つまり、第１電極ランド１２１および第２電極ランド１２２のうち、一方は外部接続用アノード電極として機能し、他方は外部接続用カソード電極として機能する。
　（発光素子）
　（配置形態、接続形態）
　第１の発光素子Ａ１０１は、好ましくはＬＥＤであり、より好ましくはＬＥＤチップである。第１の発光素子Ａ１０１は、配線（不図示）によって互いに電気的に接続されていることが好ましく、その配線は、第１電極ランド１２１および第２電極ランド１２２に接続されていることが好ましい。これにより、外部端子から第１電極ランド１２１または第２電極ランド１２２へ印加された外部電力は、配線によって第１の発光素子Ａ１０１に供給される。よって、第１の発光素子Ａ１０１が発光することとなる。
　第１の発光素子Ａ１０１の配置形態は特に限定されない。しかし、第１の発光素子Ａ１０１は、基板Ａ１１１の上面のうちダムリング１５１により囲まれた領域において等間隔に配置されていることが好ましい。これにより、発光装置Ａ１１からの発光による照射面の輝度ムラを低減させることができる。よって、発光装置Ａ１１の光学特性を高く維持できる。
　上述したように、第１の発光素子Ａ１０１の配置形態は特に限定されない。しかし、第１の発光素子Ａ１０１は、発光装置Ａ１１の発光スペクトルにおいて４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内および４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内のそれぞれにピークが現れるように、配置される必要がある。
　第１の発光素子Ａ１０１の接続形態は特に限定されない。しかし、第１の発光素子Ａ１０１が直列接続されて構成された素子列を複数形成する場合には、各々の列における第１の発光素子Ａ１０１の直列接続数が同じとなるように第１の発光素子Ａ１０１を電気的に接続することが好ましい。これにより、発光装置Ａ１１に含まれる全ての発光素子に同等の電流（電流値が同一である）を流すことができる。よって、発光装置Ａ１１の光学特性を高く維持できる。
　（発光素子の光学特性）
　第１の発光素子Ａ１０１は、２つの波長領域に出力光のピーク波長をもち、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満、および、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長領域に出力光のピークを有する（例えば出力光のピーク波長が４５０ｎｍおよび４７０ｎｍである）。つまり、第１の発光素子Ａ１０１は、発光素子であり、好ましくは発光ダイオードである。また、これにより、第１の発光素子Ａ１０１の出力光の少なくとも一部は、発光装置Ａ１１からの光（例えば白色光）の一部（例えば青色成分）を構成することとなる。
　また、第１の発光素子Ａ１０１の出力光のうちの一部が緑色蛍光体１８１を励起して緑色光（ピーク波長が４９０ｎｍよりも長く５８０ｎｍ以下）を発生させ、第１の発光素子Ａ１０１の出力光のうちの残りの一部が赤色蛍光体１９１を励起して赤色光（ピーク波長が５８０ｎｍよりも長く７８０ｎｍ以下）を発生させる。つまり、第１の発光素子Ａ１０１の出力光のうちの一部は、緑色蛍光体１８１によって、発光装置Ａ１１からの光（例えば白色光）のうちの緑色成分を構成することとなる。また、第１の発光素子Ａ１０１の出力光のうちの残りの一部は、赤色蛍光体１９１によって、発光装置Ａ１１からの光（例えば白色光）のうちの赤色成分を構成することとなる。
　（第１蛍光体含有樹脂層）
　第１蛍光体含有樹脂層１６０は、樹脂１６１と緑色蛍光体１８１と赤色蛍光体１９１とを含む。第１蛍光体含有樹脂層１６０は、樹脂１６１と緑色蛍光体１８１と赤色蛍光体１９１とが基板Ａ１１１の上面のうちダムリング１５１により囲まれた領域に充填された後、樹脂１６１が硬化されることによって形成されたものであることが好ましい。また、第１蛍光体含有樹脂層１６０は、基板Ａ１１１の上面のうちダムリング１５１により囲まれた領域に配置された第１の発光素子Ａ１０１を埋め込むように設けられていることが好ましい。つまり、本実施形態では、第１の発光素子Ａ１０１は、第１蛍光体含有樹脂層１６０によって、一括して封止されている。本明細書では、「一括して封止」とは、同じ樹脂で封止することを意味する。
　第１蛍光体含有樹脂層１６０に含まれる樹脂１６１は、透光性に優れた樹脂であることが好ましく、より好ましくは、第１の発光素子Ａ１０１の出力光、緑色蛍光体１８１が発した緑色光、及び、赤色蛍光体１９１が発した赤色光を透過可能な樹脂である。樹脂１６１は、樹脂封止型発光装置に含まれる封止樹脂として使用可能な樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジメチル系シリコン樹脂、フェニル系シリコン樹脂、または、エポキシ樹脂などであることが好ましい。
　緑色蛍光体１８１は２価のユーロピウムを賦活したβ型ＳｉＡｌＯＮであることが好ましく、赤色蛍光体１９１はＳｒｘＣａ１－ｘＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋であることが好ましい。緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１としては、これらに限定されず、以下に示す蛍光体であっても良い。また、蛍光体の励起特性を鑑みて最適な条件となるように発光素子と蛍光体との組み合わせを選択することが好ましい。
　また、第１蛍光体含有樹脂層１６０は、緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１のうちの１つのみを含んでいても良い。緑色蛍光体１８１として２種類以上の緑色蛍光体１８１を用いても良いし、赤色蛍光体１９１として２種類以上の赤色蛍光体１９１を用いても良い。しかし、第１蛍光体含有樹脂層１６０が１種以上の緑色蛍光体１８１と１種以上の赤色蛍光体１９１とを含んでいれば、発光装置Ａ１１を白色発光装置として機能させることができる。
　（緑色蛍光体）
　緑色蛍光体１８１は、第１の発光素子Ａ１０１の出力光によって励起され緑色に発光する蛍光体であり、例えば、下記（１）～（７）であることが好ましい。緑色蛍光体１８１としては、下記（１）～（７）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（１）～（７）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（１）　一般式Ｅｕａ１Ｓｉｂ１Ａｌｃ１Ｏｄ１Ｎｅ１（０．００１≦ａ１≦０．２）で表されるβ型ＳｉＡｌＯＮ（２価のユーロピウムを賦活した酸窒化物蛍光体）、
　（２）　（ＭＩ）３－ｘ２Ｃｅｘ２（ＭＩＩ）５Ｏ１２（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。ＭＩＩはＡｌおよびＧａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ２≦０．３）で表されるガーネット型結晶構造を有する蛍光体（３価のセリウムを賦活した酸化物蛍光体）、
　（３）　（ＭＩＩＩ）２－ｘ３Ｅｕｘ３ＳｉＯ４（ＭＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ３≦０．４）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活した珪酸塩蛍光体）、
　（４）　（ＭＩＩＩ）３－ｘ４Ｃｅｘ４（ＭＩＶ）２Ｓｉ３Ｏ１２（ＭＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＩＶはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ４≦０．３）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した珪酸塩蛍光体）、
　（５）　（ＭＩ）３－ｘ５Ｃｅｘ５Ｓｉ６Ｎ１１（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ５≦０．２）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した窒化物蛍光体）、
　（６）　（ＭＶ）１－ａ６Ｅｕａ６Ｍｇ１－ｘ６Ａｌ１０－ｙ６Ｍｎｘ６＋ｙ６Ｏ１７（ＭＶはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ６≦０．２、０．００５≦ｘ６＋ｙ６≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムと２価のマンガンとを賦活したアルミン酸塩蛍光体）、
　（７）　（ＭＶ）３－ａ７Ｅｕａ７Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２（ＭＶはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ７≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムと２価のマンガンとを賦活した珪酸塩蛍光体）。
　（赤色蛍光体）
　赤色蛍光体１９１は、第１の発光素子Ａ１０１の出力光によって励起され赤色に発光する蛍光体であり、例えば、下記（１１）～（１５）であることが好ましい。赤色蛍光体１９１としては、下記（１１）～（１５）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（１１）～（１５）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（１１）　（ＭＩＩＩ）１－ｘ１１Ｅｕｘ１１（ＭＶＩ）ＳｉＮ３（ＭＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＶＩはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ、ＧｄおよびＬｕのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ１１≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活した窒化物蛍光体）、
　（１２）　（ＭＩＩＩ）２－ｘ１２Ｅｕｘ１２Ｓｉ５Ｎ８（ＭＩＩＩはＭｇ、Ｃａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ１２≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活した窒化物蛍光体）、
　（１３）　Ｅｕｆ（ＭＶＩＩ）ｇＳｉｈＡｌｉＯｊＮｋ（ＭＶＩＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００１≦ｆ≦０．２）で表されるα型ＳｉＡｌＯＮ（２価のユーロピウムを賦活した酸窒化物蛍光体）、
　（１４）　（ＭＶＩＩＩ）２（（ＭＩＸ）１－ｘ１４Ｍｎｘ１４）Ｆ６（ＭＶＩＩＩはＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓのうちの少なくとも１つを示す。ＭＩＸはＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ１４≦０．３）で表される蛍光体（４価のマンガンを賦活したフッ化金属塩蛍光体）、
　（１５）　（ＭＸ）２－ｘ１５Ｅｕｘ１５Ｏ３－ｙ１５Ｓｙ１５（ＭＸはＹ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ１５≦０．４、０．０≦ｙ１５≦２．０）で表される蛍光体（３価のユーロピウムを賦活した硫酸化物蛍光体）。
　［発光装置の異なる形態］
　なお、発光装置Ａ１１は、次に示す構成をさらに有していても良い。
　第１の発光素子Ａ１０１に加えて、３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有する第２の発光素子Ａ１０２を用いても良い。第２の発光素子Ａ１０２は３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有するため、発光素子の組み合わせの幅が広がり、また、蛍光体の選択の幅が広がる。より具体的には第１の発光素子Ａ１０１の出力光によって励起され難い蛍光体を含む樹脂を用いた場合であっても、第２の発光素子Ａ１０２の出力光により蛍光体の発光効率を高く維持しうる。よって、発光装置Ａ１１の発光効率をさらに高めることができる。これにより、多様な発光スペクトルを実現できる。よって、発光スペクトルの設計の自由度を高めることができるので、発光装置Ａ１１において所望の発光スペクトルを得ることがより容易になる。
　（青色蛍光体）
　第１蛍光体含有樹脂層１６０の代わりに、樹脂１６１、緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１に加えて青色蛍光体２０１をさらに含む第２蛍光体含有樹脂層２６０を用いても良い（図１（ｃ））。発光装置Ａ１１の演色性を高めるためには、発光装置Ａ１１が発する光のスペクトルがブロードなバンドを有することが有利である。ここで、発光素子の出力光のスペクトルは、蛍光体の発光スペクトルに比べてブロードなバンドを有する。そのため、青色蛍光体２０１を用いることにより発光装置Ａ１１の演色性を高め易くなる。図１（ｃ）は、本実施形態における発光装置の変形例を示す断面図である。第１蛍光体含有樹脂層１６０の代わりに第２蛍光体含有樹脂層２６０を用いても良いことは後述の実施形態２～５においても言える。
　青色蛍光体２０１は、第１の発光素子Ａ１０１と第２の発光素子Ａ１０２からの出力光のいずれかもしくは両者によって励起され青色に発光する蛍光体であり、下記（２１）に示す２価のユーロピウムを賦活したハロリン酸化物であっても良いし、下記（２２）に示す２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物であっても良いし、下記（２３）に示す３価のセリウムを賦活した窒化物であっても良い。青色蛍光体２０１としては、下記（２１）～（２３）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（２１）～（２３）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（２１）　（ＭＸＩ）５－ｘ２１Ｅｕｘ２１（ＰＯ４）３（ＭＸＩＩ）（ＭＸＩはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＸＩＩはＦ、ＣｌおよびＢｒのうちの少なくとも１つを示す。０．１≦ｘ２１≦１．５）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したリン酸化物蛍光体）、
　（２２）　（ＭＸＩＩＩ）１－ａ２２Ｅｕａ２２ＭｇＡｌ１０Ｏ１７（ＭＸＩＩＩはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ２２≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物蛍光体）、
　（２３）　（ＭＩ）１－ｘ２３Ｃｅｘ２３Ｓｉ３Ｎ５（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ２３≦０．２）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した窒化物蛍光体）。
　［照明装置またはバックライト装置などの発光装置への応用］
　発光装置Ａ１１が上記光学特性を有しているので、発光装置Ａ１１を発光装置（発光装置の一例としては照明装置またはバックライト装置などが挙げられる）の光源として用いることができる。つまり、本実施形態の発光装置は、発光装置Ａ１１を含む。これにより、上記光学特性を有する照明装置またはバックライト装置などの発光装置を提供できる。なお、本実施形態の照明装置またはバックライト装置では、発光装置以外の構成については、従来公知の照明装置またはバックライト装置が有する構成を限定されることなく用いることができる。
　［実施形態２］
　本発明の実施形態２では、図２に示すように発光装置Ａ１２は第１の発光素子Ａ１０１を備えた、リードフレームタイプの表面実装（ＳＭＤ）型発光装置である。
　本発明の実施形態２では、発光装置Ａ１２は２種類の波長領域に発光ピークを有する第１の発光素子Ａ１０１を少なくとも１つ以上備えている。
　本実施形態の光源Ａ１２は、図２に示すように、フレームＡ１１２上に１個の第１の発光素子Ａ１０１が搭載されている。第１の発光素子Ａ１０１の周囲には、該発光素子Ａ１０１を覆うようにして、樹脂１６１中に緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。
　上記フレームＡ１１２は、例えば白色樹脂の基材からなっている。これにより、可視光反射特性、すなわち光取出し効率の高いフレームＡ１１２を提供することができる。
　上記フレームＡ１１２においては、電極Ａ１２９およびＡ１３０が設けられている。したがって、フレームＡ１１２に搭載された第１の発光素子Ａ１０１は、電力を供給するために、図示しない貫通電極を通して上記電極Ａ１２９およびＡ１３０に接続されている。ただし、必ずしも貫通電極に限らず、例えば、フレームＡ１１２の側面に電極Ａ１２９およびＡ１３０が形成されていてもよい。
　本実施形態の発光装置Ａ１２では、上述したように、第１の発光素子Ａ１０１を覆うように緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。この第１蛍光体含有樹脂層１６０における、上記緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させている樹脂１６１は、透明のシリコーン樹脂からなっている。
　フレームＡ１１２の一方の面（以下では「フレームＡ１１２の上面」と記す）には、第１の発光素子Ａ１０１と第１蛍光体含有樹脂層１６０とが設けられている。第１蛍光体含有樹脂層１６０は、第１の発光素子Ａ１０１を封止しており、フレームＡ１１２の上面のうちフレーム壁面で囲まれた領域に設けられている。
　また、フレームＡ１１２の壁面の内周面は、フレームＡ１１２の上面に対して垂直であっても良い。しかし、フレームＡ１１２の上面から第１蛍光体含有樹脂層１６０の上面へ向かうにつれての開口径が大きくなるように、フレームＡ１１２の上面に対してフレーム壁面の内周面が傾斜していることが好ましい。これにより、光を効率良く取り出すことができる。
　また、フレーム壁面は設けられていなくても良い。例えば、樹脂１６１としてチクソ性の高い樹脂を用いれば、フレーム壁面が設けられていなくても樹脂１６１がフレームＡ１１２の上面の周縁へ流動することを防止できる。また、フレームＡ１１２として平面視長方形の形状を有する基板（図２ではなくセラミックから成る平面の基板）を用いて、表面実装型光源部を構成しても良い。
　［発光装置の異なる形態］
　なお、発光装置Ａ１２は、次に示す構成をさらに有していても良い。
　第１の発光素子Ａ１０１に加えて、３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有する第２の発光素子Ａ１０２を用いても良い。第２の発光素子Ａ１０２は３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有するため、発光素子の組み合わせの幅が広がり、また、蛍光体の選択の幅が広がる。より具体的には第１の発光素子Ａ１０１の出力光によって励起され難い蛍光体を含む樹脂を用いた場合であっても、第２の発光素子Ａ１０２の出力光により蛍光体の発光効率を高く維持しうる。よって、発光装置Ａ１２の発光効率をさらに高めることができる。これにより、多様な発光スペクトルを実現できる。よって、発光スペクトルの設計の自由度を高めることができるので、発光装置Ａ１２において所望の発光スペクトルを得ることがより容易になる。
　（青色蛍光体）
　第１蛍光体含有樹脂層１６０の代わりに、樹脂１６１、緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１に加えて青色蛍光体２０１をさらに含む第２蛍光体含有樹脂層２６０を用いても良い（図１（ｃ）参照）。発光装置Ａ１２の演色性を高めるためには、発光装置Ａ１２が発する光のスペクトルがブロードなバンドを有することが有利である。ここで、発光素子の出力光のスペクトルは、蛍光体の発光スペクトルに比べてブロードなバンドを有する。そのため、青色蛍光体２０１を用いることにより発光装置Ａ１２の演色性を高め易くなる。
　青色蛍光体２０１は、第１の発光素子Ａ１０１と第２の発光素子Ａ１０２からの出力光のいずれかもしくは両者によって励起され青色に発光する蛍光体であり、下記（２１）に示す２価のユーロピウムを賦活したハロリン酸化物であっても良いし、下記（２２）に示す２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物であっても良いし、下記（２３）に示す３価のセリウムを賦活した窒化物であっても良い。青色蛍光体２０１としては、下記（２１）～（２３）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（２１）～（２３）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（２１）　（ＭＸＩ）５－ｘ２１Ｅｕｘ２１（ＰＯ４）３（ＭＸＩＩ）（ＭＸＩはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＸＩＩはＦ、ＣｌおよびＢｒのうちの少なくとも１つを示す。０．１≦ｘ２１≦１．５）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したリン酸化物蛍光体）、
　（２２）　（ＭＸＩＩＩ）１－ａ２２Ｅｕａ２２ＭｇＡｌ１０Ｏ１７（ＭＸＩＩＩはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ２２≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物蛍光体）、
　（２３）　（ＭＩ）１－ｘ２３Ｃｅｘ２３Ｓｉ３Ｎ５（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ２３≦０．２）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した窒化物蛍光体）。
　［照明装置またはバックライト装置などの発光装置への応用］
　発光装置Ａ１２が上記光学特性を有しているので、発光装置Ａ１２を発光装置の光源として用いることができる。つまり、本実施形態の発光装置は、発光装置Ａ１２を含む。これにより、上記光学特性を有する照明装置またはバックライト装置などの発光装置を提供できる。なお、本実施形態の照明装置またはバックライト装置では、発光装置以外の構成については、従来公知の照明装置またはバックライト装置が有する構成を限定されることなく用いることができる。
　［実施形態３］
　本発明の実施形態３では、図３に示すように発光装置Ｂ１１は、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２を備えた、リードフレームタイプのＳＭＤ型発光装置である。
　本発明の実施形態３では、発光装置Ｂ１１は２種類の波長領域に発光ピークを有する第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２のそれぞれを少なくとも１つ以上備えている。以下では、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２それぞれ１つずつが搭載されている場合を例に示す。
　本実施形態の発光装置Ｂ１１は、図３に示すように、フレームＢ１１１上に１個の第１の発光素子Ｂ１０１および１個の第２の発光素子Ｂ１０２が搭載されている。第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２の周囲には、該発光素子Ｂ１０１およびＢ１０２を覆うようにして、樹脂１６１中に緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。
　上記フレームＢ１１１は、例えば白色樹脂の基材からなっている。これにより、可視光反射特性、すなわち光取出し効率の高いフレームＢ１１１を提供することができる。
　上記フレームＢ１１１においては、電極Ｂ１２９およびＢ１３０が設けられている。したがって、フレームＢ１１１に搭載された第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２は、電力を供給するために、図示しない貫通電極を通して上記電極Ｂ１２９およびＢ１３０に接続されている。ただし、必ずしも貫通電極に限らず、例えば、フレームＢ１１１の側面に電極Ｂ１２９およびＢ１３０が形成されていてもよい。
　本実施形態の発光装置Ｂ１１では、上述したように、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２を覆うように緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。この第１蛍光体含有樹脂層１６０における、上記緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させている樹脂１６１は、透明のシリコーン樹脂からなっている。
　フレームＢ１１１の一方の面（以下では「フレームＢ１１１の上面」と記す）には、第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２と第１蛍光体含有樹脂層１６０とが設けられている。第１蛍光体含有樹脂層１６０は、第１の発光素子Ｂ１０１を封止しており、フレームＢ１１１の上面のうちフレーム壁面で囲まれた領域に設けられている。
　また、フレームＢ１１１の壁面の内周面は、フレームＢ１１１の上面に対して垂直であっても良い。しかし、フレームＢ１１１の上面から第１蛍光体含有樹脂層１６０の上面へ向かうにつれての開口径が大きくなるように、フレームＢ１１１の上面に対してフレーム壁面の内周面が傾斜していることが好ましい。これにより、光を効率良く取り出すことができる。
　また、フレーム壁面は設けられていなくても良い。例えば、樹脂１６１としてチクソ性の高い樹脂を用いれば、フレーム壁面が設けられていなくても樹脂１６１がフレームＢ１１１の上面の周縁へ流動することを防止できる。また、フレームＢ１１１として平面視長方形の形状を有する基板（図３ではなくセラミックから成る平面の基板）を用いて、表面実装型光源部を構成しても良い。
　［発光装置の異なる形態］
　なお、発光装置Ｂ１１は、次に示す構成をさらに有していても良い。
　第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２に加えて、３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを持つ第３の発光素子Ｂ１０３を用いても良い。第３の発光素子Ｂ１０３は３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有するため、発光素子の組み合わせの幅が広がり、また、蛍光体の選択の幅が広がる。より具体的には第１の発光素子Ｂ１０１や第２の発光素子Ｂ１０２の出力光によって励起され難い蛍光体を含む樹脂を用いた場合であっても、第３の発光素子Ｂ１０３の出力光により蛍光体の発光効率を高く維持しうる。よって、発光装置Ｂ１１の発光効率をさらに高めることができる。これにより、多様な発光スペクトルを実現できる。よって、発光スペクトルの設計の自由度を高めることができるので、発光装置Ｂ１１において所望の発光スペクトルを得ることがより容易になる。
　（青色蛍光体）
　第１蛍光体含有樹脂層１６０の代わりに、樹脂１６１、緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１に加えて青色蛍光体２０１をさらに含む第２蛍光体含有樹脂層２６０を用いても良い。発光装置Ｂ１１の演色性を高めるためには、発光装置Ｂ１１が発する光のスペクトルがブロードなバンドを有することが有利である。ここで、発光素子の出力光のスペクトルは、蛍光体の発光スペクトルに比べてブロードなバンドを有する。そのため、青色蛍光体２０１を用いることにより発光装置Ｂ１１の演色性を高め易くなる。
　青色蛍光体２０１は、第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２、そして第３の発光素子Ｂ１０３からの出力光のいずれかもしくは全てによって励起され青色に発光する蛍光体であり、下記（２１）に示す２価のユーロピウムを賦活したハロリン酸化物であっても良いし、下記（２２）に示す２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物であっても良いし、下記（２３）に示す３価のセリウムを賦活した窒化物であっても良い。青色蛍光体２０１としては、下記（２１）～（２３）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（２１）～（２３）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（２１）　（ＭＸＩ）５－ｘ２１Ｅｕｘ２１（ＰＯ４）３（ＭＸＩＩ）（ＭＸＩはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＸＩＩはＦ、ＣｌおよびＢｒのうちの少なくとも１つを示す。０．１≦ｘ２１≦１．５）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したリン酸化物蛍光体）、
　（２２）　（ＭＸＩＩＩ）１－ａ２２Ｅｕａ２２ＭｇＡｌ１０Ｏ１７（ＭＸＩＩＩはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ２２≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物蛍光体）、
　（２３）　（ＭＩ）１－ｘ２３Ｃｅｘ２３Ｓｉ３Ｎ５（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ２３≦０．２）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した窒化物蛍光体）。
　［照明装置またはバックライト装置などの発光装置への応用］
　発光装置Ｂ１１が上記光学特性を有しているので、発光装置Ｂ１１を発光装置の光源として用いることができる。つまり、本実施形態の発光装置は、発光装置Ｂ１１を含む。これにより、上記光学特性を有する照明装置またはバックライト装置などの発光装置を提供できる。なお、本実施形態の照明装置またはバックライト装置では、発光装置以外の構成については、従来公知の照明装置またはバックライト装置が有する構成を限定されることなく用いることができる。
　［実施形態４］
　本発明の実施形態４では、図４に示すように発光装置Ｂ１２は、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２を備えた、二重封止タイプのＳＭＤ型発光装置である。
　本発明の実施形態４では、発光装置Ｂ１２は異なる波長領域に発光ピークを有する第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２のそれぞれを少なくとも１つ以上備えている。以下では、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２それぞれ一つずつが搭載されている場合を例に示す。
　本実施形態の発光装置Ｂ１２は、図４（ａ）に示すように、基板Ｂ１１２上に１個の第１の発光素子Ｂ１０１および１個の第２の発光素子Ｂ１０２が搭載されている。第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２の周囲には、該発光素子Ｂ１０１およびＢ１０２を覆うようにして、樹脂１６１中に緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。さらにその第１蛍光体含有樹脂層１６０を覆うようにして透明のシリコーン樹脂１６２が設けられている。したがって、本実施形態の発光装置Ｂ１２は、基板Ｂ１１２の上に、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２を第１蛍光体含有樹脂層１６０及びシリコーン樹脂１６２にて２重に封止したパッケージを有している。
　上記基板Ｂ１１２は、例えばセラミックの基材からなっている。これにより、放熱性能の高い基板Ｂ１１２を提供することができる。
　上記基板Ｂ１１２においては、裏面に電極Ｂ１２９およびＢ１３０が設けられている。したがって、基板Ｂ１１２に搭載された第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２は、電力を供給するために、図示しない貫通電極を通して上記電極Ｂ１２９およびＢ１３０に接続されている。ただし、必ずしも貫通電極に限らず、例えば、基板Ｂ１１２の側面に電極Ｂ１２９およびＢ１３０が形成されていてもよい。
　本実施形態の発光装置Ｂ１２では、上述したように、第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２を覆うように緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させた第１蛍光体含有樹脂層１６０が設けられている。この第１蛍光体含有樹脂層１６０における、上記緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１を分散又は沈降させている樹脂１６１は、透明のシリコーン樹脂からなっている。
　基板Ｂ１１２の一方の面（以下では「基板Ｂ１１２の上面」と記す）には、第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２とダムリング１５１と第１蛍光体含有樹脂層１６０とが設けられている。第１蛍光体含有樹脂層１６０は、第１の発光素子Ｂ１０１を封止しており、基板Ｂ１１２の上面のうちダムリング１５１で囲まれた領域に設けられている。
　また、ダムリング１５１の内周面は、基板Ｂ１１２の上面に対して垂直であっても良い。しかし、基板Ｂ１１２の上面から第１蛍光体含有樹脂層１６０の上面へ向かうにつれてダムリング１５１の開口径が大きくなるように、基板Ｂ１１２の上面に対してダムリング１５１の内周面が傾斜していることが好ましい。これにより、光を効率良く取り出すことができる。
　また、ダムリング１５１は設けられていなくても良い。例えば、樹脂１６１としてチクソ性の高い樹脂を用いれば、ダムリング１５１が設けられていなくても樹脂１６１が基板Ｂ１１２の上面の周縁へ流動することを防止できる。また、基板Ｂ１１２として平面視長方形の形状を有する基板（図４（ａ））ではなくバスタブ形状の基板（例えばリードフレーム基板）を用いて、表面実装型光源部を構成しても良い。
　［発光装置の異なる形態］
　なお、発光装置Ｂ１２は、次に示す構成をさらに有していても良い。
　第１の発光素子Ｂ１０１および第２の発光素子Ｂ１０２に加えて、３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを持つ第３の発光素子Ｂ１０３を用いても良い。第３の発光素子Ｂ１０３は３８０ｎｍ以上４４０ｎｍ未満の波長領域に発光ピークを有するため、発光素子の組み合わせの幅が広がり、また、蛍光体の選択の幅が広がる。より具体的には第１の発光素子Ｂ１０１や第２の発光素子Ｂ１０２の出力光によって励起され難い蛍光体を含む樹脂を用いた場合であっても、第３の発光素子Ｂ１０３の出力光により蛍光体の発光効率を高く維持しうる。よって、発光装置Ｂ１２の発光効率をさらに高めることができる。これにより、多様な発光スペクトルを実現できる。よって、発光スペクトルの設計の自由度を高めることができるので、発光装置Ｂ１２において所望の発光スペクトルを得ることがより容易になる。
　（青色蛍光体）
　第１蛍光体含有樹脂層１６０の代わりに、樹脂１６１、緑色蛍光体１８１および赤色蛍光体１９１に加えて青色蛍光体２０１をさらに含む第２蛍光体含有樹脂層２６０を用いても良い。発光装置Ｂ１２の演色性を高めるためには、発光装置Ｂ１２が発する光のスペクトルがブロードなバンドを有することが有利である。ここで、発光素子の出力光のスペクトルは、蛍光体の発光スペクトルに比べてブロードなバンドを有する。そのため、青色蛍光体２０１を用いることにより発光装置Ｂ１２の演色性を高め易くなる。
　青色蛍光体２０１は、第１の発光素子Ｂ１０１と第２の発光素子Ｂ１０２、そして第３の発光素子Ｂ１０３からの出力光のいずれかもしくは全てによって励起され青色に発光する蛍光体であり、下記（２１）に示す２価のユーロピウムを賦活したハロリン酸化物であっても良いし、下記（２２）に示す２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物であっても良いし、下記（２３）に示す３価のセリウムを賦活した窒化物であっても良い。青色蛍光体２０１としては、下記（２１）～（２３）のうちのいずれか１つを用いても良いし、下記（２１）～（２３）のうちの２つ以上を併用しても良い。
　（２１）　（ＭＸＩ）５－ｘ２１Ｅｕｘ２１（ＰＯ４）３（ＭＸＩＩ）（ＭＸＩはＣａ、ＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。ＭＸＩＩはＦ、ＣｌおよびＢｒのうちの少なくとも１つを示す。０．１≦ｘ２１≦１．５）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したリン酸化物蛍光体）、
　（２２）　（ＭＸＩＩＩ）１－ａ２２Ｅｕａ２２ＭｇＡｌ１０Ｏ１７（ＭＸＩＩＩはＳｒおよびＢａのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ａ２２≦０．２）で表される蛍光体（２価のユーロピウムを賦活したアルミ酸化物蛍光体）、
　（２３）　（ＭＩ）１－ｘ２３Ｃｅｘ２３Ｓｉ３Ｎ５（ＭＩはＬｕ、Ｙ、ＬａおよびＧｄのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｘ２３≦０．２）で表される蛍光体（３価のセリウムを賦活した窒化物蛍光体）。
　透明のシリコーン樹脂１６２は配置されていなくても良い（図４（ｂ）参照）。透明のシリコーン樹脂１６２があることで、レンズ効果により、光取出し効率の向上や発光の配向特性の狭角化が期待できる。一方、製造工程をより簡単にしたい場合や発光の配向特性を広角化したい場合には、透明シリコーン樹脂１６２を配置しないことが適している。このように透明のシリコーン樹脂１６２の配置の有無により発光装置Ｂ１２の設計自由度を高めることができるので、発光装置Ｂ１２において所望の発光特性を得ることがより容易になる。
　［照明装置またはバックライト装置などの発光装置への応用］
　発光装置Ｂ１２が上記光学特性を有しているので、発光装置Ｂ１２を発光装置の光源として用いることができる。つまり、本実施形態の発光装置は、発光装置Ｂ１２を含む。これにより、上記光学特性を有する照明装置またはバックライト装置などの発光装置を提供できる。なお、本実施形態の照明装置またはバックライト装置では、発光装置以外の構成については、従来公知の照明装置またはバックライト装置が有する構成を限定されることなく用いることができる。
　［実施形態５］
　本発明の一実施形態における発光装置１について、図５（ａ），（ｂ）を用いて説明する。図５（ａ）は、本発明の一実施形態に係る発光装置の一例の模式平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）の発光装置を、第１の発光素子６ａ、第２の発光素子６ｂ（以下、第１の発光素子と第２の発光素子とをまとめて発光素子とも記す）及びワイヤー７を通過する面で切断した断面図である。図５（ａ）においては、配線パターン３（３ａ，３ｋ）と発光素子６ａとの接続関係、及び、発光素子同士の接続関係等を明瞭にするために、発光装置１の内部を透明化して図示している。なお、本実施形態では、セラミクス基板とＦａｃｅ　ｕｐ型の発光素子を用いたＣｈｉｐ－ｏｎ－Ｂｏａｒｄ（ＣＯＢ）型の発光装置を記載しているが、発光装置の形態はこれに限定されるものではない。例えば、基板材料としてアルミニウムや銅を用いても良いし、発光素子として上下電極型の発光素子やＦｌｉｐ型の発光素子を用いても良い。加えて、発光装置の形態として、ＣＯＢ型ではなく、金属フレームで形成される樹脂パッケージを基板とした表面実装（ＳＭＤ）型であっても良い。
　（発光装置の構成）
　発光装置１は、基板２と、基板２上に配置された配線パターン３（３ａ，３ｋ）と、電極ランド４（４ａ，４ｋ）と、封止樹脂層５と、第１の発光素子６ａおよび第２の発光素子６ｂと、ワイヤー７と、印刷抵抗素子８と、樹脂ダム９と、緑色蛍光体１０と、赤色蛍光体１２とを備える。
　樹脂ダム９は、基板２の上面に設けられており、基板２を主面の上方から見たときにはリング状（平面視リング状）に形成されている。基板２の上面のうち樹脂ダム９よりも内側に位置する部分には、第１の発光素子６ａと、第２の発光素子６ｂとを含む封止樹脂層が設けられている。
　配線パターン３（３ａ，３ｋ）は、基板２の上面に設けられ、樹脂ダム９に覆われている。電極ランド４（４ａ，４ｋ）は、基板２の上面のうち樹脂ダム９よりも外側に位置する部分に設けられている。ワイヤー７は、２種類の発光素子６ａ，６ｂと配線パターン３（３ａ，３ｋ）とを電気的に接続している。２個以上の発光素子６が設けられている場合には、発光素子６同士はワイヤー７を介して接続されていることが好ましい。
　発光装置１の各構成要素の具体例について、以下に説明する。なお、基板２、配線パターン３（３ａ，３ｋ）、電極ランド４（４ａ，４ｋ）、封止樹脂層５に含まれる透明樹脂、発光素子６、ワイヤー７、印刷抵抗素子８及び樹脂ダム９の構成（材料、大きさ又は形状等）は、以下の記載に限定されない。
　（基板、配線パターン、電極ランド）
　基板２は、例えば平面視長方形状に形成されており、例えばセラミックス基板又は絶縁膜が表面に形成された金属基板等である。
　配線パターン３（３ａ，３ｋ）は、相互に対向するように基板２の上面に設けられており、そのそれぞれは、平面視において、円環からその一部が切り出された形状（円弧形状）を有する。このような配線パターン３（３ａ，３ｋ）は、例えばスクリーン印刷方法等により形成される。
　電極ランド４（４ａ，４ｋ）は、外部接続用（例えば電源供給用途）の電極であり、例えばＡｇ－Ｐｔ等からなる。電極ランド４ａは引き出し用配線を介して配線パターン３ａの一端に接続され、電極ランド４ｋは別の引き出し用配線を介して配線パターン３ｋの一端に接続されている。このような電極ランド４（４ａ，４ｋ）は、例えばスクリーン印刷方法等により形成される。
　（封止樹脂層）
　封止樹脂層５では、緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１２とが透明樹脂に一様に分散されている。このような封止樹脂層５は、次に示す方法にしたがって形成される。まず、緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１２とを透明樹脂に一様に混合する。得られた混合樹脂を、基板２の上面のうち樹脂ダム９よりも内側に位置する部分に注入する。このとき、基板２の上面のうち樹脂ダム９よりも内側に位置する部分には、すでに、２種類の発光素子６ａ，６ｂがそれぞれ１個以上設けられている。２種類の発光素子６ａ，６ｂがそれぞれ２個以上設けられている場合には、２個以上の発光素子６ａ，６ｂはワイヤー７を介して互いに接続されている。その後、熱処理を行う。この熱処理によって透明樹脂が硬化され、その結果、２種類の発光素子６と緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１２とが封止され、封止樹脂層５が形成される。
　封止樹脂層５に含まれる透明樹脂は、透光性を有する樹脂であればいずれも用いることができる。例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又は尿素樹脂等であることが好ましい。また、封止樹脂層５は、例えばＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ａｌ２Ｏ３又はＹ２Ｏ３等の添加剤を含んでいても良い。封止樹脂層５がこのような添加剤を含んでいれば、緑色蛍光体１０、赤色蛍光体１２等の沈降を防止することができる。また、発光素子６ａ，６ｂ、緑色蛍光体１０、赤色蛍光体１２のそれぞれからの光を効率良く拡散させることができる。
　（緑色蛍光体）
　緑色蛍光体１０は、発光素子から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。ここで、「緑色領域」とは、波長が４８５ｎｍ以上５８０ｎｍ未満の領域を意味する。
　緑色蛍光体１０の具体例を以下に示す。
　一般式（Ａ）：（Ｍ１）３－ｘＣｅｘ（Ｍ２）５Ｏ１２（式中、（Ｍ１）はＹ、Ｌｕ、Ｇｄ及びＬａのうちの少なくとも１つを表わし、（Ｍ２）はＡｌ及びＧａのうちの少なくとも１つを表わし、Ｃｅの組成比（濃度）を示すｘは０．００５≦ｘ≦０．２０を満たす）で表わされる蛍光体、
　Ｃａ３（Ｓｃ，Ｍｇ）２Ｓｉ３Ｏ１２：Ｃｅ系蛍光体、
　一般式（Ｂ）：ＥｕａＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅ（式中、ａは０．００５≦ａ≦０．４を満たし、ｂ及びｃはｂ＋ｃ＝１２を満たし、ｄ及びｅはｄ＋ｅ＝１６を満たす）で表わされるβ型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体、
　一般式（Ｃ）：（Ｍ３）２－ｙＥｕｙＳｉＯ４（式中、（Ｍ３）はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａのうちの少なくとも１つを表わし、Ｅｕの組成比（濃度）を示すｙは０．０３≦ｙ≦０．１０を満たす）で表される２価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体、
　一般式（Ｄ）：Ｌａ３－ｚＣｅｚＳｉ６Ｎ１１（式中、ｚは０．０１＜ｚ≦０．２を満たす）で表わされる３価のセリウム賦活蛍光体、
　（Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａ）ＳｉＡｌ２Ｏ３Ｎ２：Ｃｅ系蛍光体、
　Ｂａ３Ｓｉ６Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ系蛍光体、
　（Ｓｒ，Ｂａ）３ＳｉＯ５：Ｅｕ系蛍光体。
　緑色蛍光体１０としては、これらの１種を単独で用いても良いし、これらの２種以上を混合して用いても良い。緑色蛍光体１０は、公知の製造方法の中から選択されたいずれかの製造方法にしたがって製造されたものであっても良いし、製品として入手されたものであっても良い。
　緑色蛍光体１０の蛍光スペクトルの半値幅は、広い方が好ましく、例えば９５ｎｍ以上であることが好ましい。Ｃｅを賦活剤とする蛍光体、例えばＬｕ３－ｘＣｅｘＡｌ５Ｏ１２系緑色蛍光体（上記一般式（Ａ）において（Ｍ１）がＬｕであり（Ｍ２）がＡｌである蛍光体）は、ガーネット結晶構造を有する。この蛍光体ではＣｅを賦活剤として使用しているので、半値幅の広い（半値幅が９５ｎｍ以上）蛍光スペクトルが得られる。よって、Ｃｅを賦活剤とする蛍光体は、発光装置１の平均演色評価数Ｒａを高めるために好適な緑色蛍光体である。
　（赤色蛍光体）
　赤色蛍光体１２は、発光素子から放射された一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。ここで、「赤色領域」とは、波長が５８０ｎｍ以上７００ｎｍ未満である領域を意味する。
　赤色蛍光体１２の具体例を以下に示す。
　（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ系蛍光体、
　ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ系蛍光体、
　一般式（Ｅ）：（Ｍ６）２－ｘＥｕｘＳｉ５Ｎ８（式中、（Ｍ６）はＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａのうちの少なくとも１つを表わし、Ｅｕの組成比（濃度）を示すｘは０．０１≦ｘ≦０．３０を満たす）で表される２価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体、
　一般式（Ｆ）：［Ｅｕａ（Ｍ７）１－ａ］ｘＳｉｂＡｌｃＯｄＮｅ（式中、ｘは０．１５≦ｘ≦１．５を満たし、ａは０≦ａ≦１を満たし、ｂ及びｃはｂ＋ｃ＝１２を満たし、ｄ及びｅはｄ＋ｅ＝１６を満たし、（Ｍ７）はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、Ｌａ及びＧｄのうちの少なくとも１つを表わす）で表されるα型ＳｉＡｌＯＮである２価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体、
　一般式（Ｇ）：（Ｍ８）２（（Ｍ９）１－ｚＭｎｚ）Ｆ６（Ｍ８はＬｉ、Ｎａ、Ｋ、ＲｂおよびＣｓのうちの少なくとも１つを示す。Ｍ９はＧｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、ＴｉおよびＺｒのうちの少なくとも１つを示す。０．００５≦ｚ≦０．３）で表される４価のマンガン賦活フッ化金属塩蛍光体）。
　赤色蛍光体１２としては、これらの１種を単独で用いても良いし、これらの２種以上を混合して用いても良い。赤色蛍光体１２は、公知の製造方法の中から選択されたいずれかの製造方法にしたがって製造されたものであっても良いし、製品として入手されたものであっても良い。
　赤色蛍光体１２の蛍光スペクトルの半値幅は、緑色蛍光体１０と同様に広い方が好ましい。赤色蛍光体１２の好適な一例としては、（Ｓｒ，Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ系蛍光体又はＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ系蛍光体等を挙げることができる。
　緑色蛍光体１０と赤色蛍光体１２との混合比率は特に制限されず、発光装置１から放射される光が所望の特性になるように混合比率を設定することが好ましい。
　（発光素子）
　発光装置１は、発光素子として、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する第１の発光素子６ａと、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する第２の発光素子６ｂとを用いる。特にＬＥＤ光源を用いた発光装置に用いられる蛍光体としては４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内で効率よく励起されるものが多い。このため４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する第１の発光素子６ａを用いることは発光装置の発光効率を高くするために有利である。また、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する第２の発光素子６ｂを用いることは、後述するように、発光装置が４５０～５００ｎｍの波長領域における発光成分を持つことになるため、発光装置の演色性を高くするために有利である。これにより、発光装置１の発光効率と演色性とを同時に高く維持できるので、発光装置１の実用性を高めることができる。ピーク発光波長が４４０ｎｍ未満である発光素子を用いた場合には、視感度が悪く、また、蛍光体の励起に適さない場合がある。例えば一般式（Ａ）で示される蛍光体は、ピーク発光波長が４４０ｎｍ未満の発光素子からの光の吸収効率が悪く、励起効率が悪い。一方、ピーク発光波長が４９０ｎｍを超える発光素子を用いた場合にも蛍光体の励起に適さない場合がある。例えば一般式（Ａ）で示される蛍光体は、ピーク発光波長が４９０ｎｍを超える発光素子からの光の吸収効率が悪い。
　第１の発光素子６ａとして使用されるＬＥＤチップは、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲にピーク発光波長を有する第１の一次光を含む光を放射する半導体発光素子のベアチップであることが好ましく、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップであることがより好ましい。第１の発光素子６ａの一例としては、ピーク発光波長が４５０ｎｍ近傍のＬＥＤチップを挙げることができる。ここで、「ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップ」とは、発光層がＩｎＧａＮ層であるＬＥＤチップを意味する。
　第２の発光素子６ｂとして使用されるＬＥＤチップは、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲にピーク発光波長を有する第２の一次光を含む光を放射する半導体発光素子のベアチップであることが好ましく、ＩｎＧａＮ系ＬＥＤチップであることがより好ましい。第２の発光素子６ｂの一例としては、ピーク発光波長が４７０ｎｍ近傍のＬＥＤチップを挙げることができる。
　発光装置が発光素子６ａ，６ｂをそれぞれ２個以上含む場合、発光素子の配列形態の一例として、次に示す配列形態が考えられる。発光素子６ａ，６ｂは、基板２の上面にダイボンドされており、基板２の一辺（Ｘ方向に延びる基板２の辺）に対してほぼ平行に、且つ、直線上に、配置されている。発光素子６ａ，６ｂは、基板２の上面のうち樹脂ダム９よりも内側に位置する部分に高密度に配置されている。具体的には、樹脂ダム９で規定される円環の中心付近においては直線上に配置される発光素子６ａ，６ｂの個数が多くなるように、且つ、上記円環の中心から基板２の周縁（上記円環の径方向外側）に向かうにつれては直線上に配置される発光素子６ａ，６ｂの個数が少なくなるように、発光素子６ａ，６ｂが配置されている。
　図５に示す発光装置１では、８個の第１の発光素子６ａと４個の第２の発光素子とが、ワイヤー７で互いに接続されて形成される配線が、電極ランド４（４ａ，４ｂ）間に１０列並列に接続されている。第１の発光素子６ａと第２の発光素子６ｂとは、発光装置から発せられる光が均一となるように、偏りなく配置されている。第１の発光素子６ａの数と第２の発光素子６ｂの数との比は特に限定されない。
　発光素子６ａ，６ｂは、その上面から光が放射される構造を有することが好ましい。また、発光素子６ａ，６ｂは、その表面に、ワイヤー７を介して、隣り合う発光素子同士を接続するための電極パッド、及び、発光素子６ａ，６ｂと配線パターン３（３ａ，３ｋ）とを接続するための電極パッド（例えばアノード用電極パッドとカソード用電極パッド）を有することが好ましい。
　発光素子６ａ，６ｂは、その下面から光が放射される構造を有しても良い。その場合には、まず、ワイヤー７に相当する配線と電極ランド４とを基板２の上面に形成する。次に、発光素子６ａ，６ｂの表面に設けられた電極パッドを基板２の上面に対向させ、バンプを介してフリップチップ接続により発光素子６ａ，６ｂと基板２とを接続する。このようにして、下面から光が放射される構造を有する発光素子６ａ，６ｂを、基板２の上面に搭載させることができる。
　（抵抗素子）
　抵抗素子８は、静電耐圧を高める目的で設けられ、図５に示すように配線パターン３ａの一端と配線パターン３ｋの一端とを接続するように設けられ、円環からその一部が切り出された形状（円弧形状）を有している。このような抵抗素子８は、例えば、印刷抵抗やツェナーダイオードであることが好ましい。なお、発光装置１は抵抗素子８を備えていなくても良い。
　（樹脂ダム）
　樹脂ダム９は、封止樹脂層５を堰き止めるための樹脂であり、有着色材料（白色材料又は乳白色材料であることが好ましい）で構成されていることが好ましい。樹脂ダム９は、図５（ｂ）に示すように、配線パターン３と印刷抵抗素子８とで形成される円環部分を覆うように形成されると、配線パターン３と印刷抵抗素子８による、発光素子から放射された光または蛍光体で変換された光の吸収を低減できるため好ましい。
　（発光装置の発光特性、発光装置の発光スペクトル）
　発光装置１は、少なくとも１個の第１の発光素子６ａ、少なくとも１個の第２の発光素子６ｂと、緑色蛍光体１０と、赤色蛍光体１２とを備える。第１の発光素子６ａは、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する。第２の発光素子６ｂは、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する。緑色蛍光体１０は、発光素子６ａ，６ｂから放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。赤色蛍光体１２は、発光素子６ａ，６ｂから放射された一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。発光装置１から放射される光は、相関色温度が２０００Ｋ以上６５００Ｋ以下であり、平均演色評価数Ｒａ８０以上となる。すなわち、発光装置１から放射される光は、平均演色評価数Ｒａが高く、演色性が優れている。ここで、「相関色温度」は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２５（光源の分布温度及び色温度・相関色温度の測定方法）に準拠して求められた値である。「平均演色評価数」は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２６：１９９０（光源の演色性評価方法）に準拠して求められた値である。
　発光装置１は、２種の異なる発光素子６ａ，６ｂを備えるため、発光装置１からの光を白色の照射対象物に照射した場合に、青色の反射成分を小さくでき、白、黒、赤、紺、の再現性がよくなる。この理由について、図６を用いて説明する。図６は、異なる２種類の発光装置の発光スペクトルを示す。図６において、実施例１は、本実施形態に係る発光装置と同様の構成を備える発光装置であり、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する第１の発光素子と、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する第２の発光素子とを備える。比較例１は、発光素子として第１の発光素子のみを用い、第２の発光素子を用いないこと以外は、実施例１と同様の構成を備える発光装置である。
　図６に示されるように、発光装置が１種の発光素子のみを備える場合（比較例１）、該発光装置の放射する光のスペクトルは、４３０ｎｍ～４８０ｎｍの波長範囲内に１つの急峻なピークを有する。このため、発光装置からの光を白色の照射対象物に照射した場合に、青色の反射成分が大きくなり、白は過剰に青白く、黒は青みがかり、赤は紫寄りに見え、紺は青みがかり、色の再現性はよくない。
　一方、発光装置が２種の発光素子を備える場合（実施例１）、該発光装置の放射する光のスペクトルは、４３０ｎｍ～５００ｎｍの波長範囲内に２つの小さなピークを有し、最大発光強度が大きい方のピークの最大発光強度と、２つのピークの間の谷部の最小発光強度との差が、比較例１の４５０ｎｍ付近のピークの最大発光強度と、ピークから長波長側の谷部の最小発光強度との差よりも小さい。このため、発光装置からの光を白色の照射対象物に照射した場合に、青色の反射成分を小さくでき、白、黒、赤、紺、の再現性がよくなる。よって、本実施形態に係る発光装置は、物品販売等で好適に使用でき、とりわけ服飾業界で好適に使用できる。さらには、本発明の発光装置は、ＬＥＤを用いた従来の発光装置に比べて、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長領域における発光成分が相対的に少ないため、被照射の退色を抑えることができる、人の目の網膜に対する傷害度が低い、といった特徴を有している。
　発光装置１から放射された光のスペクトル（発光装置１の発光スペクトル）は、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の最小発光強度である第１の発光強度Ｅ１に対する、４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内の最大発光強度である第２の発光強度Ｅ２の比（Ｅ２／Ｅ１）は、３．０以下であることが好ましい。これによると、発光装置は白、黒、赤、紺、の再現性が非常によくなる。第１の発光強度Ｅ１と第２の発光強度Ｅ２との比（Ｅ２／Ｅ１）は、２．５以下であることがより好ましく、２．０以下であることがさらに好ましい。
　このような発光スペクトルを得るための具体的な方法としては、発光素子６ａ，６ｂ、緑色蛍光体１０、赤色蛍光体１２の材料や含有量を最適化するという方法が挙げられる。
　以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　＜実施例１＞
　実施例１の発光装置は、図５に示す発光装置と同様の構成を備える。実施例１の発光装置は、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する第１の発光素子を８０個と、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する第２の発光素子を４０個備える。発光装置から放射される光の相関色温度が３０００Ｋ付近となるように、緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。
　＜実施例２～４＞
　実施例２～４の発光装置は、第１の発光素子の数、第２の発光素子の数および発光装置から放射される光の相関色温度を表１に示す値とすること以外は、実施例１と同様の構成を備える。
　＜比較例１～４＞
　比較例１～４の発光装置は、発光素子として第１の発光素子１２０個を用い、第２の発光素子を用いず、発光装置から放射される光の相関色温度を表１に示す値とすること以外は、実施例１と同様の構成を備える。
　＜性能評価＞
　実施例１～４、比較例１～４のそれぞれの発光装置の発光スペクトルを図６～図９に示す。
　実施例１～４、比較例１～４のそれぞれの発光装置について、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の最小発光強度である第１の発光強度Ｅ１と、４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲内の最大発光強度である第２の発光強度Ｅ２とを求め、第１の発光強度Ｅ１に対する第２の発光強度Ｅ２の比（Ｅ２／Ｅ１）を算出した。また、発光装置から放射される光の相関色温度および平均演色評価数Ｒａおよび特殊演色評価数Ｒ９を求めた。「相関色温度」は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２５（光源の分布温度及び色温度・相関色温度の測定方法）に準拠して求めた。「平均演色評価数」は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２６：１９９０（光源の演色性評価方法）に準拠して求めた。結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図６に示されるように、実施例１の発光スペクトルは、４３０ｎｍ～５００ｎｍの波長範囲内に２つの小さなピークを有する。一方、比較例１の発光スペクトルは、４３０ｎｍ～５００ｎｍの波長範囲内に１つの急峻なピークを有する。実施例１の発光装置は、比較例１の発光装置に比べて、平均演色評価数Ｒａおよび特殊演色評価数Ｒ９が高く、白、赤、紺、黒の再現性も良好であった。
　図７～図９に示されるように、実施例２～４の発光スペクトルは、４３０ｎｍ～５００ｎｍの波長範囲内に２つの小さなピークを有する。一方、比較例２～４の発光スペクトルは、４３０ｎｍ～５００ｎｍの波長範囲内に１つの急峻なピークを有する。実施例２～４の発光装置は、それぞれ比較例２～４の発光装置に比べて、平均演色評価数Ｒａおよび特殊演色評価数Ｒ９が高く、白、赤、紺、黒の再現性も良好であった。
　今回開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施形態ではなく請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１，Ａ１１，Ａ１２，Ｂ１１，Ｂ１２　発光装置、２，Ａ１１１，Ｂ１１２　基板、Ａ１１２，Ｂ１１１　フレーム、３（３ａ，３ｋ）　配線パターン、４（４ａ，４ｂ）　電極ランド、５　封止樹脂層、６ａ，Ａ１０１，Ｂ１０１　第１の発光素子、６ｂ，Ｂ１０２　第２の発光素子、７　ワイヤー、８　印刷抵抗素子、９　樹脂ダム、１０，１８１　緑色蛍光体、１２，１９１　赤色蛍光体、１２１　第１電極ランド、１２２　第２電極ランド、Ａ１２９，Ａ１３０，Ｂ１２９，Ｂ１３０　電極、１５１　ダムリング、１６０　第１蛍光体含有樹脂層、１６１　樹脂、１６２　シリコーン樹脂、２０１　青色蛍光体、２６０　第２蛍光体含有樹脂層

Claims (4)

  1. 　少なくとも１種類の発光素子を１個以上搭載し、かつ前記発光素子の出力光により励起される蛍光体を備えた発光装置であって、
    　蛍光体を搭載する前の前記発光装置において、搭載されたすべての発光素子を発光させた場合に、４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の第１波長領域に出力光のピーク波長を有し、かつ、４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の第２波長領域に出力光のピーク波長を有する発光装置。
  2. 　４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光と４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光との両者を放射する少なくとも１個の発光素子と、
    　前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する第１の蛍光を放射する緑色蛍光体と、
    　前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する第２の蛍光を放射する赤色蛍光体と、を備え、
    　相関色温度が２０００Ｋ以上６５００Ｋ以下であり、平均演色評価数Ｒａ８０以上の光を放射する、
    　請求項１に記載の発光装置。
  3. 　４４０ｎｍ以上４６０ｎｍ未満の波長範囲内にピーク発光波長を有する第１の一次光を放射する少なくとも１個の第１の発光素子と、
    　４６０ｎｍ以上４９０ｎｍ以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する第２の一次光を放射する少なくとも１個の第２の発光素子と、
    　前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する第１の蛍光を放射する緑色蛍光体と、
    　前記第１の一次光および前記第２の一次光のいずれかもしくは両方によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する第２の蛍光を放射する赤色蛍光体と、を備え、
    　相関色温度が２０００Ｋ以上６５００Ｋ以下であり、平均演色評価数Ｒａ８０以上の光を放射する、
    　発光装置。
  4. 　前記発光装置の発光スペクトルにおいて、４５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下の波長範囲内の最小発光強度である第１の発光強度Ｅ１に対する、４３０ｎｍ以上４６０ｎｍ以下の波長範囲内の最大発光強度である第２の発光強度Ｅ２の比（Ｅ２／Ｅ１）は、３．０以下である、
    　請求項１から３いずれかに記載の発光装置。
PCT/JP2016/060494 2015-04-03 2016-03-30 発光装置 WO2016159141A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/562,770 US10374133B2 (en) 2015-04-03 2016-03-30 Light emitting apparatus with two primary lighting peaks
CN201680020625.1A CN107431112B (zh) 2015-04-03 2016-03-30 发光装置
JP2017510140A JPWO2016159141A1 (ja) 2015-04-03 2016-03-30 発光装置

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015076567 2015-04-03
JP2015-076567 2015-04-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016159141A1 true WO2016159141A1 (ja) 2016-10-06

Family

ID=57006860

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2016/060494 WO2016159141A1 (ja) 2015-04-03 2016-03-30 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10374133B2 (ja)
JP (1) JPWO2016159141A1 (ja)
CN (1) CN107431112B (ja)
WO (1) WO2016159141A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056359A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2018142440A1 (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 サンケン電気株式会社 発光装置
JP2018129450A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 信越化学工業株式会社 白色光源及びｌｅｄ照明装置
JP2020136619A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP2020136597A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101995000B1 (ko) * 2016-05-16 2019-07-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명장치
CN112447896A (zh) * 2020-05-26 2021-03-05 开发晶照明（厦门）有限公司 光电器件及其制作方法
TWI741799B (zh) * 2020-09-18 2021-10-01 葳天科技股份有限公司 發光裝置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303259A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 窒化物半導体発光素子と窒化物半導体の成長方法
JP2008258356A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sharp Corp 照明光源とそれを備える照明装置
WO2014203839A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
JP2015046607A (ja) * 2014-10-01 2015-03-12 シャープ株式会社 発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4072632B2 (ja) 2002-11-29 2008-04-09 豊田合成株式会社 発光装置及び発光方法
CN100543361C (zh) * 2005-09-01 2009-09-23 夏普株式会社 发光装置
WO2009028656A1 (ja) * 2007-08-30 2009-03-05 Nichia Corporation 発光装置
CN102473815B (zh) * 2009-07-02 2015-04-29 夏普株式会社 发光装置
US8816377B2 (en) * 2010-11-30 2014-08-26 Panasonic Corporation Phosphor and light emitting device
JP5864851B2 (ja) * 2010-12-09 2016-02-17 シャープ株式会社 発光装置
JP5173004B1 (ja) * 2011-09-14 2013-03-27 シャープ株式会社 植物栽培用の発光装置およびその製造方法
JP5749201B2 (ja) * 2012-03-09 2015-07-15 株式会社東芝 白色発光装置
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
JP6363061B2 (ja) 2012-04-06 2018-07-25 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 白色発光モジュール
CN105324860A (zh) * 2013-06-18 2016-02-10 夏普株式会社 发光装置
JP6275829B2 (ja) * 2014-04-30 2018-02-07 シャープ株式会社 発光装置
US10332866B2 (en) * 2015-02-13 2019-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Light source device and light emitting apparatus
KR102419890B1 (ko) * 2015-11-05 2022-07-13 삼성전자주식회사 발광 장치 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006303259A (ja) * 2005-04-22 2006-11-02 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd 窒化物半導体発光素子と窒化物半導体の成長方法
JP2008258356A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sharp Corp 照明光源とそれを備える照明装置
WO2014203839A1 (ja) * 2013-06-18 2014-12-24 シャープ株式会社 光源装置および発光装置
JP2015046607A (ja) * 2014-10-01 2015-03-12 シャープ株式会社 発光装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2018056359A (ja) * 2016-09-29 2018-04-05 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
WO2018142440A1 (ja) * 2017-01-31 2018-08-09 サンケン電気株式会社 発光装置
JPWO2018142440A1 (ja) * 2017-01-31 2019-03-14 サンケン電気株式会社 発光装置
US10770629B2 (en) 2017-01-31 2020-09-08 Sanken Electric Co., Ltd. Light emitting device
JP2018129450A (ja) * 2017-02-10 2018-08-16 信越化学工業株式会社 白色光源及びｌｅｄ照明装置
JP2020136619A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置
JP2020136597A (ja) * 2019-02-25 2020-08-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光装置及び照明装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20180358515A1 (en) 2018-12-13
CN107431112B (zh) 2020-01-10
US10374133B2 (en) 2019-08-06
CN107431112A (zh) 2017-12-01
JPWO2016159141A1 (ja) 2018-01-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6407243B2 (ja) 高演色性白色発光素子
WO2016159141A1 (ja) 発光装置
RU2623682C2 (ru) Модуль излучения белого света
JP6275829B2 (ja) 発光装置
JP6165248B2 (ja) 発光装置
JP6501803B2 (ja) 光源装置および発光装置
WO2017164214A1 (ja) 光源装置および発光装置
JP5732059B2 (ja) Ｌｅｄ電球
TW200849669A (en) White light-emitting lamp and illuminating device using the same
JP2016063001A (ja) 発光装置
JP2020532874A (ja) Ｄ５０／ｄ６５高演色性標準ｌｅｄ発光モジュールおよび照明装置
KR20140110735A (ko) 발광 장치
JP6405738B2 (ja) 発光装置
JP2018125438A (ja) 発光装置
KR101706600B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR102130817B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
JP6848637B2 (ja) 発光装置
JP6354607B2 (ja) 発光装置
KR101652258B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR101855391B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
US20190097093A1 (en) Light-emitting device
KR20130027653A (ko) Ｌｅｄ 백색 광원모듈

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 16773022

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

DPE2 Request for preliminary examination filed before expiration of 19th month from priority date (pct application filed from 20040101)
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2017510140

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 16773022

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1