JP6275829B2 - 発光装置 - Google Patents

発光装置 Download PDF

Info

Publication number
JP6275829B2
JP6275829B2 JP2016515915A JP2016515915A JP6275829B2 JP 6275829 B2 JP6275829 B2 JP 6275829B2 JP 2016515915 A JP2016515915 A JP 2016515915A JP 2016515915 A JP2016515915 A JP 2016515915A JP 6275829 B2 JP6275829 B2 JP 6275829B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emission
wavelength
peak
light
emission intensity
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2016515915A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015166782A1 (ja
Inventor
金子 和昭
和昭 金子
宏彰 大沼
宏彰 大沼
松田 誠
誠 松田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Publication of JPWO2015166782A1 publication Critical patent/JPWO2015166782A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6275829B2 publication Critical patent/JP6275829B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • H01L33/504Elements with two or more wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Description

本発明は、照明器具又は表示装置の光源等に利用可能な発光装置に関し、特に、特定の色を鮮やかに見せる発光装置に関する。
半導体発光素子と蛍光体とを備える発光装置は、低消費電力、小型化、高輝度、更には広範囲な色再現性が期待される次世代の発光装置として注目され、活発に研究及び開発されている。半導体発光素子から放射される一次光は、通常、近紫外領域から青色領域にピーク発光波長を有し、例えば380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する。また、用途に適合した様々な蛍光体を用いた発光装置も提案されている。
照明装置等として使用される発光装置も種々開発されており、このような発光装置の出力性能を向上させるための手段が種々検討されている。発光装置の出力性能を高めるために、視感度が高く、且つ、青の補色である黄色領域に主たる発光ピークを持つ蛍光体が一般的に用いられる。また、一般照明器具用途に使用可能な発光装置では、性能として、高演色性を有すること(「高演色性を有する」とは、基本的に平均演色評価数Raが80以上であることを意味する。)も、出力性能の向上と併せて重要となっている。
上記平均演色評価数Raは、演色性を示す指数として一般的に用いられ、試薬色(R1〜R8)が自然に見えるか否かを評価する仕様である。一般照明器具用途に使用可能な発光装置では、試薬色を自然に見せることが重要であり、即ち平均演色評価数Raを高めることが重要とされている。しかし、LED(light emitting diode)光源を用いた照明器具の場合、LED光源から放射される光では、高輝度放電ランプ等の従来光源と比較して、青色領域の発光ピークと黄色領域の発光ピークとが際立って高い。そのため、平均演色評価数Raが高くても、照射対象物の色の見栄えが鮮やかでないことがある。これは、黄色が一般的に「色褪せ」を示す色味であるため、照射対象物が「色褪せ」した様に見えるためである。
例えば服飾業界では、照射対象物を黄色がかった色に見せる発光装置は、照射対象物の鮮やかさを失わせるため、敬遠される傾向にある。このような物品販売等で使用される発光装置には、単に明るさを確保するだけでなく照射対象物の見え方を重要視する要求が多い。
このような要求を満足させるために、例えば国際公開第2011/108203号パンフレット(特許文献1)には、LED光源とフィルターとを備えたLEDランプが記載されている。特許文献1に記載のLED光源は、440nm〜460nmの波長領域に主たる発光ピークを持つ青色LEDと、青色LEDの出射光により励起される緑色または黄色蛍光体と、青色LEDおよび緑色または黄色蛍光体のうちの少なくとも一方の出射光により励起される赤色蛍光体とを含む。また、特許文献1に記載のフィルターは、LED光源から出射された光における570nm〜590nmの波長領域の少なくとも一部の分光放射強度を低減する。特許文献1には、特定の波長領域の分光放射強度を低減するフィルターを適用し、かつ、LED光源に赤色蛍光体を含ませることにより、中彩色(特許文献1では、中彩色は、中彩度の試験色R1からR8と定義されている)だけでなく鮮やかな赤色も自然に見せることができると記載されている。しかし、特許文献1に記載のLEDランプはフィルターを備えている。そのため、LEDランプの生産工程での作業が増え、LEDランプの生産コストが増加する。また、フィルターによって570nm〜590nmの波長領域の少なくとも一部の分光放射強度が低減するので、照明装置の電力効率の低下を招く。
また、国際公開第2012/104937号パンフレット(特許文献2)には、環境光の相関色温度が高い場合でも照明された物体の色の鮮やかさが改善され、その結果、好ましく色再現できる高彩度のLEDモジュールが記載されている。特許文献2には、相関色温度が4600K以上から7200K以下であることが記載されており、そのduv(Distance from perfect radiator locus on uv-ordinates)が−12以上−6以下であることが記載されている。duvが−12以上−6以下であることにより、相対的に赤み成分が多くなり、よって、色再現性、特に赤色領域の色再現性を高めることができる。しかし、色度範囲が黒体軌跡より大きく離れることにより、発光色自体の赤みが強くなり、その結果、照射対象物が赤味がかる懸念がある。
また、国際公開第2013/150470号パンフレット(特許文献3)には、近紫外領域の光を発する発光素子と青色領域の光を発する発光素子とを用いることにより「さわやかな白」を提供できることが記載されている。しかし、近紫外領域の光を発する発光素子を配置しても、黄色領域の発光ピークは変化しないため、本質的に、照射対象物が黄色がかる可能性がある。
国際公開第2011/108203号パンフレット 国際公開第2012/104937号パンフレット 国際公開第2013/150470号パンフレット
本発明は、照射対象物を鮮やかに見せることができる発光装置の提供を目的とする。
本発明の発光装置は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1個の発光素子と、発光素子から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1の緑色蛍光体と、一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2の緑色蛍光体と、一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する赤色蛍光体とを備える。第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長は、第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長よりも短い。
発光装置の発光スペクトルは、380nm以上480nm以下の波長範囲に第1の発光ピーク波長を有する第1のピークと、485nm以上580nm以下の波長範囲に第2の発光ピーク波長を有する第2のピークと、610nm以上660nm以下の波長範囲に第3の発光ピーク波長を有する第3のピークとを有することが好ましい。発光スペクトルにおいて、第1の発光ピーク波長における第1の発光強度は、第2の発光ピーク波長における第2の発光強度よりも低いことが好ましく、第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低いことが好ましい。第2の発光ピーク波長における第2の発光強度は、第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低いことが好ましい。発光スペクトルは、第2の発光ピーク波長よりも長く第3の発光ピーク波長よりも短い波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有することが好ましい。
発光スペクトルにおいて、第1の発光強度をI1と表し、第2の発光強度をI2と表し、第3の発光強度をI3と表し、波長が540nmであるときの第4の発光強度をI4と表し、波長が560nmであるときの第5の発光強度をI5と表し、波長が580nmであるときの第6の発光強度をI6と表した場合、第3の発光強度I3に対する第1の発光強度I1の発光強度比(I1/I3×100)は35.7以上47.1以下であることが好ましく、第3の発光強度I3に対する第2の発光強度I2の発光強度比(I2/I3×100)は43.9以上59.1以下であることが好ましく、第3の発光強度I3に対する第4の発光強度I4の発光強度比(I4/I3×100)は45.5以上54.6以下であることが好ましく、第3の発光強度I3に対する第5の発光強度I5の発光強度比(I5/I3×100)は52.1以上61.5以下であることが好ましく、第3の発光強度I3に対する第6の発光強度I6の発光強度比(I6/I3×100)は60.2以上72.7以下であることが好ましい。発光装置は、相関色温度が2757K以上3113K以下である光を放射することが好ましい。
第2の緑色蛍光体の励起スペクトルは、発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域である380nm以上480nm以下の波長範囲内と、発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域よりも短波長の波長範囲内とのそれぞれに、励起ピークを有することが好ましい。
発光装置は、基板と、基板の上面に設けられた平面視リング状の樹脂ダム、配線パターン、電極ランド及びワイヤーとを更に備えることが好ましい。基板の上面のうち樹脂ダムよりも内側に位置する部分には、少なくとも1個の発光素子と、第1の緑色蛍光体と第2の緑色蛍光体と赤色蛍光体とを含む封止樹脂層とが設けられていることが好ましい。配線パターンの少なくとも一部は、樹脂ダムに覆われていることが好ましい。電極ランドは、基板の上面のうち樹脂ダムよりも外側に位置する部分に設けられていることが好ましく、配線パターンに電気的に接続されていることが好ましい。ワイヤーは、少なくとも発光素子と配線パターンとを電気的に接続することが好ましい。
なお、第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長と第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長との差[(第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長)−(第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長)]は20nm以上60nm以下であることが好ましい。
本発明の発光装置では、照射対象物を鮮やかに見せることができる。
(a)は本発明の一実施形態の発光装置の模式平面図であり、(b)はその断面図である。 本発明の一実施形態の発光装置の模式平面図である。 実施例1〜3の発光装置の発光スペクトル分布を示す。 実施例1及び4〜6の発光装置の発光スペクトル分布を示す。 実施例1及び比較例1の発光装置の発光スペクトル分布を示す。 第1の緑色蛍光体の一例の発光スペクトル分布を示す。 第2の緑色蛍光体の一例の発光スペクトル分布を示す。 赤色蛍光体の一例(CaAlSiN3:Eu2+)の発光スペクトル分布を示す。 赤色蛍光体の別の一例((Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)の発光スペクトル分布を示す。
以下、本発明の発光装置について図面を用いて説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものである。また、長さ、幅、厚さ、深さなどの寸法関係は図面の明瞭化と簡略化のために適宜変更されており、実際の寸法関係を表わすものではない。
<第1の実施形態>
図1(a)は、本発明の第1の実施形態の発光装置の一例の模式平面図であり、図1(b)は、発光素子6及びワイヤー7を切断するXZ方向に沿う発光装置の要部断面図である。図1(a)においては、配線パターン3(3a,3k)と発光素子6との接続関係、及び、発光素子6同士の接続関係等を明瞭にするために、発光装置1の内部を透明化して図示している。
(発光装置の発光特性、発光装置の発光スペクトル)
本実施形態の発光装置1は、少なくとも1個の発光素子6と、第1の緑色蛍光体10と、第2の緑色蛍光体11と、赤色蛍光体12とを備える。発光素子6は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する。第1の緑色蛍光体10は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第2の緑色蛍光体11は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長は、第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長よりも短い。赤色蛍光体12は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。これにより、発光装置1の演色性を高めることができる。
また、発光装置1が第2の緑色蛍光体11を備えるので、青色領域(波長が380nm以上480nm以下の領域)における発光強度と黄色領域(波長が540nm以上580nm以下の領域)における発光強度とを低減させることができる。これにより、照射対象物を鮮やかに見せることができる。例えば発光装置1からの光を白色の照射対象物に照射した場合には、その照射対象物を、黄色がかった白色ではなく鮮やかな白色に見せることができる。よって、発光装置1は、物品販売等で好適に使用でき、とりわけ服飾業界で好適に使用できる。
なお、第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長と第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長との差[(第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長)−(第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長)]は20nm以上60nm以下であることが好ましい。
上述のように、発光装置1は、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とを含む。そのため、発光装置1から放射された光のスペクトル(発光装置1の発光スペクトル)は、380nm以上480nm以下の波長範囲に第1の発光ピーク波長を有する第1のピークと、485nm以上580nm以下の波長範囲に第2の発光ピーク波長を有する第2のピークと、610nm以上660nm以下の波長範囲に第3の発光ピーク波長を有する第3のピークとを有することとなる。発光スペクトルにおいて、第1の発光ピーク波長における第1の発光強度は、第2の発光ピーク波長における第2の発光強度よりも低いことが好ましく、第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低いことが好ましい。第2の発光ピーク波長における第2の発光強度は、第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低いことが好ましい。また、このような発光スペクトルは、第2の発光ピーク波長よりも長く第3の発光ピーク波長よりも短い波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有することが好ましい。これにより、青色領域における発光強度と黄色領域における発光強度とを更に低く抑えることができる。そのため、照射対象物を更に鮮やかに見せることができる。
より好ましくは、発光装置1の発光スペクトルにおいて、第3の発光強度I3に対する第1の発光強度I1の発光強度比(I1/I3×100)は35.7以上47.1以下であり、第3の発光強度I3に対する第2の発光強度I2の発光強度比(I2/I3×100)は43.9以上59.1以下であり、第3の発光強度I3に対する第4の発光強度I4の発光強度比(I4/I3×100)は45.5以上54.6以下であり、第3の発光強度I3に対する第5の発光強度I5の発光強度比(I5/I3×100)は52.1以上61.5以下であり、第3の発光強度I3に対する第6の発光強度I6の発光強度比(I6/I3×100)は60.2以上72.7以下である。これにより、黄色領域における発光強度をより一層、低く抑えることができる。さらに、発光装置1は、相関色温度が2757K以上3113K以下である光を放射することがより好ましい。そのため、照射対象物をより一層、鮮やかに見せることができる。ここで、「相関色温度」は、JIS Z 8725(光源の分布温度及び色温度・相関色温度の測定方法)に準拠して求められた値である。
このような発光スペクトルを得るための具体的な方法としては、第1の緑色蛍光体10、第2の緑色蛍光体11及び赤色蛍光体12のうちの少なくとも1つの材料、含有量、又は、材料及び含有量を最適化するという方法が挙げられる。
また、第2の緑色蛍光体11として、次に示す励起スペクトルを有する緑色蛍光体を用いることが好ましい。つまり、第2の緑色蛍光体11の励起スペクトルは、発光素子6から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域(380nm以上480nm以下の波長範囲)内と、発光素子6から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域(380nm以上480nm以下の波長範囲)よりも短波長の波長範囲内とのそれぞれに、励起ピークを有することが好ましい。ここで、「第2の緑色蛍光体11の励起スペクトル」とは、第2の緑色蛍光体11を励起する光の波長を走査し、励起により第2の緑色蛍光体11から放射される光のうち特定の波長における発光強度を測定することにより得られたものである。
なお、本明細書では、「第1の発光ピーク波長における第1の発光強度I1」を単に「第1の発光強度I1」と記す。同様に、「第2の発光ピーク波長における第2の発光強度I2」を単に「第2の発光強度I2」と記し、「第3の発光ピーク波長における第3の発光強度I3」を単に「第3の発光強度I3」と記す。また、「波長が540nmであるときの第4の発光強度I4」を単に「第4の発光強度I4」と記し、「波長が560nmであるときの第5の発光強度I5」を単に「第5の発光強度I5」と記し、「波長が580nmであるときの第6の発光強度I6」を単に「第6の発光強度I6」と記す。
(発光装置の構成)
好ましくは、発光装置1は、基板2と、配線パターン3(3a,3k)と、電極ランド4(4a,4k)と、封止樹脂層5と、ワイヤー7と、印刷抵抗素子8と、樹脂ダム9とを更に備える。
樹脂ダム9は、基板2の上面に設けられており、基板2の上面よりも上側から基板2の上面を見たときにはリング状(平面視リング状)に形成されている。基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分には、封止樹脂層5と少なくとも1個の発光素子6とが設けられている。封止樹脂層5は、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とを含む。
配線パターン3(3a,3k)は、基板2の上面に設けられ、樹脂ダム9に覆われている。電極ランド4(4a,4k)は、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも外側に位置する部分に設けられている。ワイヤー7は、少なくとも発光素子6と配線パターン3(3a,3k)とを電気的に接続している。2個以上の発光素子6が設けられている場合には、発光素子6同士はワイヤー7を介して接続されていることが好ましい。以下、発光装置1の各構成要素を具体的に示す。
(基板、配線パターン、電極ランド)
基板2は、例えば平面視長方形状に形成されており、例えばセラミックス基板又は絶縁膜が表面に形成された金属基板等である。
配線パターン3(3a,3k)は、相互に対向するように基板2の上面に設けられており、そのそれぞれは、平面視において、円環からその一部が切り出された形状(円弧形状)を有する。このような配線パターン3(3a,3k)は、例えばスクリーン印刷方法等により形成される。
電極ランド4(4a,4k)は、外部接続用(例えば電源供給用途)の電極であり、例えばAg−Pt等からなる。電極ランド4aは引き出し用配線を介して配線パターン3aの一端に接続され、電極ランド4kは別の引き出し用配線を介して配線パターン3kの一端に接続されている。このような電極ランド4(4a,4k)は、例えばスクリーン印刷方法等により形成される。
(封止樹脂層)
封止樹脂層5では、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とが透明樹脂に一様に分散されている。このような封止樹脂層5は、次に示す方法にしたがって形成される。まず、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とを透明樹脂に一様に混合する。得られた混合樹脂を、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分に注入する。このとき、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分には、すでに、少なくとも1個の発光素子6が設けられている。2個以上の発光素子6が設けられている場合には、2個以上の発光素子6はワイヤー7を介して互いに接続されている。その後、熱処理を行う。この熱処理によって透明樹脂が硬化され、その結果、少なくとも1個の発光素子6と第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とが封止される(封止樹脂層5の形成)。
封止樹脂層5に含まれる透明樹脂は、透光性を有する樹脂であれば限定されず、例えばエポキシ樹脂、シリコーン樹脂又は尿素樹脂等であることが好ましい。また、封止樹脂層5は、透明樹脂、第1の緑色蛍光体10、第2の緑色蛍光体11及び赤色蛍光体12とは異なる材料、例えばSiO2、TiO2、ZrO2、Al23又はY23等の添加剤を更に含んでいても良い。封止樹脂層5がこのような添加剤を含んでいれば、第1の緑色蛍光体10、第2の緑色蛍光体11及び赤色蛍光体12等の沈降を防止することができる。また、発光素子6、第1の緑色蛍光体10、第2の緑色蛍光体11及び赤色蛍光体12のそれぞれからの光を効率良く拡散させることができる。
(第1の緑色蛍光体)
第1の緑色蛍光体10としては、例えば、一般式(A):(M1)3-xCex(M2)512(一般式(A)において、(M1)はY、Lu、Gd及びLaのうちの少なくとも1つを表わし、(M2)はAl及びGaのうちの少なくとも1つを表わし、Ceの組成比(濃度)を示すxは0.005≦x≦0.20を満たす)で表わされる蛍光体、Ca3(Sc,Mg)2Si312:Ce系蛍光体、一般式EuaSibAlcde(aは0.005≦a≦0.4を満たし、b及びcはb+c=12を満たし、d及びeはd+e=16を満たす)で表わされるβ型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体、一般式(B):(M3)2-xEuxSiO4(一般式において、(M3)はMg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.03≦x≦0.10を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体、La3-xCexSi611(xは0.01<x≦0.2を満たす)で表わされる3価のセリウム賦活蛍光体、(Ca,Sr,Ba)SiAl232:Ce系蛍光体、Ba3Si6122:Eu系蛍光体、又は、(Sr,Ba)2SiO4:Eu系蛍光体等が挙げられる。第1の緑色蛍光体10としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。ここで、「緑色領域」とは、波長が485nm以上580nm以下の領域を意味する。
第1の緑色蛍光体10の蛍光スペクトルの半値幅は、広い方が好ましく、例えば95nm以上であることが好ましい。Ceを賦活剤とする蛍光体、例えばLu3-xCexAl512系緑色蛍光体(上記一般式(A)において(M1)がLuであり(M2)がAlである蛍光体)は、ガーネット結晶構造を有する。この蛍光体ではCeを賦活剤として使用しているので、半値幅の広い(半値幅が95nm以上)蛍光スペクトルが得られる。よって、Ceを賦活剤とする蛍光体は、発光装置1の演色性を高めるために好適な緑色蛍光体である。
(第2の緑色蛍光体)
第2の緑色蛍光体11としては、例えば、BaSi2(O,Cl)22:Eu系蛍光体、一般式(C):(M4)1-aEuaSib(O1-c,(M5)cbb(一般式(C)において、(M4)はCa、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、(M5)はF、Cl及びBrのうちの少なくとも1つを表わし、aは0.01≦a≦0.50を満たし、bは1.90≦b≦2.10を満たし、cは0.00≦c≦0.50を満たす)で表わされる蛍光体、(Ca,Sr,Ba)SiAl232:Ce系蛍光体、(Sr,Ba)3SiO5:Eu系蛍光体、(Sr,Ba)Al24:Eu系蛍光体、又は、(Sr,Ba)4Al1425:Eu系蛍光体等が挙げられる。第2の緑色蛍光体11としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。
(赤色蛍光体)
赤色蛍光体12としては、例えば、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体、CaAlSiN3:Eu系蛍光体、一般式(D):(M6)2-xEuxSi58(一般式(D)において、(M6)はMg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.01≦x≦0.30を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体、又は、一般式(E):[Eua(M7)1-axSibAlcde(一般式(E)において、xは0.15≦x≦1.5を満たし、aは0≦a≦1を満たし、b及びcはb+c=12を満たし、d及びeはd+e=16を満たし、(M7)はLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La及びGdのうちの少なくとも1つを表わす)で表されるα型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体等が挙げられる。赤色蛍光体12としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。これらの2種以上を混合した方が、発光装置1の平均演色評価数Raの選択性を高めることができる。
赤色蛍光体12の蛍光スペクトルの半値幅は、第1の緑色蛍光体10と同様に広い方が好ましい。そのため、赤色蛍光体12の好適な一例としては、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体又はCaAlSiN3:Eu系蛍光体等を挙げることができる。
(発光素子)
発光素子6は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射するので、発光装置1からの光に対する青色成分の光の寄与率を確保することができる。これにより、発光装置1の演色性を高く維持できるので、発光装置1の実用性を高めることができる。一方、ピーク発光波長が380nm未満である発光素子を用いた場合には、発光装置からの光に対する青色成分の光の寄与率が低くなるので、演色性の悪化を招き、よって、発光装置の実用性の低下を招くことがある。ピーク発光波長が480nmを超える発光素子を用いた場合にも、発光装置からの光に対する青色成分の光の寄与率が低くなるので、発光装置の実用性の低下を招くことがある。
発光素子6として使用されるLEDチップは、青色領域(380nm以上480nm以下の波長範囲)にピーク発光波長を有する光(青色成分の光)を含む光を放射する半導体発光素子のベアチップであることが好ましく、より好適にはInGaN系LEDチップである。発光素子6の一例としては、ピーク発光波長が450nm近傍のLEDチップを挙げることができる。ここで、「InGaN系LEDチップ」とは、発光層がInGaN層であるLEDチップを意味する。
2個以上の発光素子6が設けられている場合には、2個以上の発光素子6の配列形態の一例としては次に示す配列形態が考えられる。2個以上の発光素子6が、基板2の上面にダイボンドされており、基板2の一辺(X方向に延びる基板2の辺)に対してほぼ平行に、且つ、直線状に、配置されている。2個以上の発光素子6は、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分に高密度に配置されている。具体的には、樹脂ダム9で規定される円環の中心付近においては一列における発光素子6の個数が多くなるように、且つ、上記円環の中心から基板2の周縁(上記円環の径方向外側)に向かうにつれては一列における発光素子6の個数が少なくなるように、2個以上の発光素子6が配置されている。図1に示す例では、12個の発光素子6が直列に接続されたものを一列として、それが12列、並列に接続されている。
発光素子6は、その上面から光が放射される構造を有することが好ましい。また、発光素子6は、その表面に、ワイヤー7を介して、隣り合う発光素子6同士を接続するための電極パッド、及び、発光素子6と配線パターン3(3a,3k)とを接続するための電極パッド(例えばアノード用電極パッドとカソード用電極パッド)を有することが好ましい。
なお、発光素子6は、その下面から光が放射される構造を有しても良い。その場合には、まず、ワイヤー7に相当する配線と電極ランド4とを基板2の上面に形成する。次に、発光素子6の表面に設けられた電極パッドを基板2の上面に対向させ、バンプを介してフリップチップ接続により発光素子6と基板2とを接続する。このようにして、下面から光が放射される構造を有する発光素子6を、基板2の上面に搭載させることができる。また、発光素子6は、1個のみ設けられていても良いし、2個以上設けられていても良い。
(印刷抵抗素子)
印刷抵抗素子8は、静電耐圧を高める目的で設けられ、図1に示すように配線パターン3aの一端と配線パターン3kの一端とを接続するように設けられ、円環からその一部が切り出された形状(円弧形状)を有している。このような印刷抵抗素子8は、例えばツェナーダイオードであることが好ましい。なお、本実施形態の発光装置1は印刷抵抗素子8を備えていなくても良い。
(樹脂ダム)
樹脂ダム9は、封止樹脂層5を堰き止めるための樹脂であり、有着色材料(白色材料又は乳白色材料であることが好ましい)で構成されていることが好ましい。樹脂ダム9は、図1(b)に示すように、配線パターン3と印刷抵抗素子8とで形成される円環部分を覆うように形成されることが好ましい。
以上、発光装置1について説明したが、第1の緑色蛍光体10、第2の緑色蛍光体11及び赤色蛍光体12は、公知の製造方法の中から選択されたいずれかの製造方法にしたがって製造されたものであっても良いし、製品として入手されたものであっても良い。このことは、後述の第2の実施形態においても言える。
また、基板2、配線パターン3(3a,3k)、電極ランド4(4a,4k)、封止樹脂層5に含まれる透明樹脂、発光素子6、ワイヤー7、印刷抵抗素子8及び樹脂ダム9の構成(材料、大きさ又は形状等)は、上述の記載に限定されない。
<第2の実施形態>
図2は、本発明の第2の実施形態の発光装置の一例の模式平面図である。なお、図2では、図面が煩雑となることを避けるために、発光素子、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体、赤色蛍光体及びワイヤー等を図示していない。
本実施形態の発光装置101は、上記第1の実施形態に記載の第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む。そのため、本実施形態の発光装置101は、上記第1の実施形態に記載の発光特性及び発光スペクトルを有することとなる。よって、本実施形態では、上記第1の実施形態に記載の効果を得ることができる。以下では、上記第1の実施形態とは異なる点を主に示す。
本実施形態の発光装置101は、基板102、第1の配線パターン103(103a,103k)、第2の配線パターン203(203a,203k)、第1の電極ランド104(104a,104k)、第2の電極ランド204(204a,204k)、第1の封止樹脂層105、第2の封止樹脂層205、発光素子(不図示)、ワイヤー(不図示)、印刷抵抗素子(不図示)及び樹脂ダム109を備える。
樹脂ダム109は、基板102の上面に設けられており、基板102の上面よりも上側から基板102の上面を見たときにはリング状(平面視リング状)に形成されている。基板102の上面のうち樹脂ダム109よりも内側に位置する部分には、第1の封止樹脂層105と第2の封止樹脂層205と少なくとも1個の発光素子(不図示)とが設けられている。
第1の封止樹脂層105及び第2の封止樹脂層205は、それぞれ、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体及び赤色蛍光体を含む。第1の封止樹脂層105と第2の封止樹脂層205とでは、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体及び赤色蛍光体のうちの少なくとも1つの材料、混合割合、又は、材料及び混合割合が互いに異なる。これにより、発光装置101の発光特性(例えば発光装置101の発光スペクトルの形状)を調整し易くなる。
第1の配線パターン103(103a,103k)は、基板102の上面に設けられており、その一部は、樹脂ダム109に覆われている。第1の電極ランド104(104a,104k)は、基板102の上面のうち樹脂ダム109よりも外側に位置する部分に設けられている。第1の電極ランド104aは引き出し用配線を介して第1の配線パターン103aの一端に接続され、第1の電極ランド104kは別の引き出し用配線を介して第1の配線パターン103kの一端に接続されている。ワイヤーは、少なくとも発光素子と第1の配線パターン103(103a,103k)とを電気的に接続している。2個以上の発光素子が設けられている場合には、発光素子同士は上記ワイヤーを介して接続されていることが好ましい。
同様に、第2の配線パターン203(203a,203k)は、基板102の上面に設けられており、その一部は、樹脂ダム109に覆われている。第2の電極ランド204(204a,204k)は、基板102の上面のうち樹脂ダム109よりも外側に位置する部分に設けられている。第2の電極ランド204aは引き出し用配線を介して第2の配線パターン203aの一端に接続され、第2の電極ランド204kは別の引き出し用配線を介して第2の配線パターン203kの一端に接続されている。ワイヤーは、少なくとも発光素子と第2の配線パターン203(203a,203k)とを電気的に接続している。2個以上の発光素子が設けられている場合には、発光素子同士は上記ワイヤーを介して接続されていることが好ましい。
以上、発光装置101について説明したが、基板102、第1の配線パターン103(103a,103k)、第2の配線パターン203(203a,203k)、第1の電極ランド104(104a,104k)、第2の電極ランド204(204a,204k)、第1の封止樹脂層105及び第2の封止樹脂層205のそれぞれに含まれる透明樹脂、発光素子、ワイヤー、印刷抵抗素子及び樹脂ダム109の構成(材料、大きさ又は形状等)は、上記第1の実施形態での記載に限定されない。
[実施形態の総括]
図1又は図2に示す発光装置1,101は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1個の発光素子6と、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1の緑色蛍光体10と、一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2の緑色蛍光体11と、一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する赤色蛍光体12とを備える。第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長は、第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長よりも短い。これにより、発光装置1,101の演色性を高めることができる。また、青色領域(波長が380nm以上480nm以下の領域)における発光強度と黄色領域(波長が540nm以上580nm以下の領域)における発光強度とを低減させることができる。
発光装置1,101の発光スペクトルは、380nm以上480nm以下の波長範囲に第1の発光ピーク波長を有する第1のピークと、485nm以上580nm以下の波長範囲に第2の発光ピーク波長を有する第2のピークと、610nm以上660nm以下の波長範囲に第3の発光ピーク波長を有する第3のピークとを有することが好ましい。この発光スペクトルにおいて、第1の発光強度I1は、第2の発光強度I2よりも低いことが好ましく、第3の発光強度I3よりも低いことが好ましい。第2の発光強度I2は、第3の発光強度I3よりも低いことが好ましい。この発光スペクトルは、第2の発光ピーク波長よりも長く第3の発光ピーク波長よりも短い波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有することが好ましい。これにより、青色領域における発光強度と黄色領域における発光強度とを更に低減させることができる。
発光装置1,101の発光スペクトルにおいて、第3の発光強度I3に対する第1の発光強度I1の発光強度比(I1/I3×100)は35.7以上47.1以下であることがより好ましく、第3の発光強度I3に対する第2の発光強度I2の発光強度比(I2/I3×100)は43.9以上59.1以下であることがより好ましく、第3の発光強度I3に対する第4の発光強度I4の発光強度比(I4/I3×100)は45.5以上54.6以下であることがより好ましく、第3の発光強度I3に対する第5の発光強度I5の発光強度比(I5/I3×100)は52.1以上61.5以下であることがより好ましく、第3の発光強度I3に対する第6の発光強度I6の発光強度比(I6/I3×100)は60.2以上72.7以下であることがより好ましい。発光装置1,101は、相関色温度が2757K以上3113K以下である光を放射することがより好ましい。これにより、黄色領域における発光強度をより一層、低減させることができる。
第2の緑色蛍光体11の励起スペクトルは、発光素子6から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域である380nm以上480nm以下の波長範囲内と、発光素子6から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域よりも短波長の波長範囲内とのそれぞれに、励起ピークを有することが好ましい。これにより、所望の発光特性を有する発光装置1,101を提供することができる。
例えば図1に示す発光装置1は、基板2と、基板2の上面に設けられた平面視リング状の樹脂ダム9、配線パターン3(3a,3k)、電極ランド4(4a,4k)及びワイヤー7とを更に備えることが好ましい。基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分には、少なくとも1個の発光素子6と、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とを含む封止樹脂層5とが設けられていることが好ましい。配線パターン3(3a,3k)の少なくとも一部は、樹脂ダム9に覆われていることが好ましい。電極ランド4(4a,4k)は、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも外側に位置する部分に設けられていることが好ましく、配線パターン3(3a,3k)に電気的に接続されることが好ましい。ワイヤー7は、少なくとも発光素子6と配線パターン3(3a,3k)とを電気的に接続することが好ましい。
以下、実施例を挙げて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下に示す実施例では、図1に示す発光装置を製造して、その発光特性を調べた。
<実施例1〜3>
実施例1〜3の発光装置は、それぞれ、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl512系蛍光体(Lu3Al512:Ce3+)を含み、第2の緑色蛍光体としてBaSi2(O,Cl)22:Eu蛍光体(BaSi2(O,Cl)22:Eu2+)を含み、赤色蛍光体としてCaAlSiN3:Eu系蛍光体(CaAlSiN3:Eu2+)とを含んでいた。用いた第2の緑色蛍光体は、10μm以上20μm以下の平均粒径を有し、3.3g/cm3以上3.5g/cm3以下の密度を有していた。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と第2の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。各実施例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
<実施例4〜6>
実施例4〜6の発光装置は、それぞれ、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl512系蛍光体(Lu3Al512:Ce3+)を含み、第2の緑色蛍光体としてBaSi2(O,Cl)22:Eu蛍光体(BaSi2(O,Cl)22:Eu2+)を含み、赤色蛍光体として(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体((Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)とを含んでいた。用いた第2の緑色蛍光体は、10μm以上20μm以下の平均粒径を有し、3.3g/cm3以上3.5g/cm3以下の密度を有していた。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と第2の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。各実施例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
製造された発光装置のそれぞれの発光スペクトルを測定し、第1の発光強度I1〜第6の発光強度I6を求めた。JIS Z 8725(光源の分布温度及び色温度・相関色温度の測定方法)に準拠して、各発光装置から放射される光の相関色温度Tcpを求めた。また、JIS Z 8726:1990(光源の演色性評価方法)に準拠して、各発光装置の平均演色評価数Raを求めた。
<比較例1>
比較例1の発光装置は、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl512系蛍光体(Lu3Al512:Ce3+)を含み、赤色蛍光体としてCaAlSiN3:Eu系蛍光体(CaAlSiN3:Eu2+)を含んでいたが、第2の緑色蛍光体を含んでいなかった。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。比較例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
上記実施例1〜6に記載の方法にしたがって、第1の発光強度I1〜第6の発光強度I6を求め、発光装置から放射される光の相関色温度Tcpを求め、発光装置の平均演色評価数Raを求めた。
Figure 0006275829
表1において、「配合量*11(質量部)」の欄には、透明樹脂の配合量を100質量部としたときの各蛍光体の配合量を記載している。「発光強度比*12」の欄には、第3の発光強度I3を100としたときの各発光強度を記載している。
<結果>
結果を表1及び図3〜図5に示す。図3には、実施例1〜3の発光装置の発光スペクトルを示し、図4には、実施例1及び4〜6の発光装置の発光スペクトルを示し、図5には、実施例1及び比較例1の発光装置の発光スペクトルを示す。なお、図6〜図9には、それぞれ、本実施例で使用した、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体及び赤色蛍光体の発光スペクトルを示す。図3〜図9において、横軸には波長(nm)を示し、縦軸には発光強度(単位は任意)を示す。
実施例1では、比較例1に比べて、青色領域(380nm以上480nm以下の波長領域)における発光強度が低く、黄色領域(540nm以上580nm以下の波長領域)における発光強度が低かった(図5)。
実施例2及び3では、発光素子のピーク発光波長が実施例1とは異なった。しかし、実施例2及び3においても、比較例1に比べて、青色領域における発光強度が低く、黄色領域における発光強度が低かった(図3及び図5)。
実施例4〜6では、赤色蛍光体として(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体((Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)を用い、赤色蛍光体の配合量が実施例1とは異なった。しかし、実施例4〜6においても、比較例1に比べて、青色領域における発光強度が低く、黄色領域における発光強度が低かった(図4及び図5)。
実施例1〜6の発光スペクトルは、500nm〜630nmの波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有していた。一方、比較例1の発光スペクトルでは、500nm〜630nmの波長範囲では、波長が長くなると、発光強度が大きくなった(図3〜図5)。
以上より、実施例1〜6の発光装置からの光を白色の照射対象物に照射した場合には、その照射対象物を鮮やかな白色に見せることができると考えられる。また、実施例1〜6の発光装置からの光を黒色の照射対象物に照射した場合には、その照射対象物を鮮やかな黒色に見せることができると考えられる。
今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。例えば、サイド発光型LED又は表面実装型LED等の発光装置にも応用できる。更に、前記の発光装置をダウンライト又はスポットライト等の照明器具に搭載可能である。本発明の範囲は上記した説明ではなくて請求の範囲によって示され、請求の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
1,101 発光装置、2,102 基板、3,3a,3k 配線パターン、4,4a,4k 電極ランド、5 封止樹脂層、6 発光素子、7 ワイヤー、8 印刷抵抗素子、9,109 樹脂ダム、10 第1の緑色蛍光体、11 第2の緑色蛍光体、12 赤色蛍光体、103,103a,103k 第1の配線パターン、104,104a,104k 第1の電極ランド、105 第1の封止樹脂層、203,203a,203k 第2の配線パターン、204,204a,204k 第2の電極ランド、205 第2の封止樹脂層。

Claims (4)

  1. 380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1個の発光素子と、
    前記発光素子から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1の緑色蛍光体と、
    前記一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2の緑色蛍光体と、
    前記一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する赤色蛍光体とを備え、
    前記第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長は、前記第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長よりも短い発光装置であって、
    前記発光装置の発光スペクトルは、380nm以上480nm以下の波長範囲に第1の発光ピーク波長を有する第1のピークと、485nm以上580nm以下の波長範囲に第2の発光ピーク波長を有する第2のピークと、610nm以上660nm以下の波長範囲に第3の発光ピーク波長を有する第3のピークとを有し、
    前記発光スペクトルにおいて、前記第1の発光ピーク波長における第1の発光強度は前記第2の発光ピーク波長における第2の発光強度よりも低く、且つ、前記第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低く、前記第2の発光ピーク波長における第2の発光強度は前記第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低く、
    前記発光スペクトルは、前記第2の発光ピーク波長よりも長く前記第3の発光ピーク波長よりも短い波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有し、
    前記発光スペクトルにおいて、前記第1の発光強度をI 1 と表し、前記第2の発光強度をI 2 と表し、前記第3の発光強度をI 3 と表し、波長が540nmであるときの第4の発光強度をI 4 と表し、波長が560nmであるときの第5の発光強度をI 5 と表し、波長が580nmであるときの第6の発光強度をI 6 と表した場合、
    前記第3の発光強度I 3 に対する前記第1の発光強度I 1 の発光強度比(I 1 /I 3 ×100)は35.7以上47.1以下であり、
    前記第3の発光強度I 3 に対する前記第2の発光強度I 2 の発光強度比(I 2 /I 3 ×100)は43.9以上59.1以下であり、
    前記第3の発光強度I 3 に対する前記第4の発光強度I 4 の発光強度比(I 4 /I 3 ×100)は45.5以上54.6以下であり、
    前記第3の発光強度I 3 に対する前記第5の発光強度I 5 の発光強度比(I 5 /I 3 ×100)は52.1以上61.5以下であり、
    前記第3の発光強度I 3 に対する前記第6の発光強度I 6 の発光強度比(I 6 /I 3 ×100)は60.2以上72.7以下であり、
    前記発光装置は、相関色温度が2757K以上3113K以下である光を放射する、発光装置。
  2. 前記第2の緑色蛍光体の励起スペクトルは、前記発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域である380nm以上480nm以下の波長範囲内と、前記発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域よりも短波長の波長範囲内とのそれぞれに、励起ピークを有する請求項に記載の発光装置。
  3. 基板と、
    前記基板の上面に設けられた平面視リング状の樹脂ダム、配線パターン、電極ランド及びワイヤーとを更に備え、
    前記基板の前記上面のうち前記樹脂ダムよりも内側に位置する部分には、前記少なくとも1個の発光素子と、前記第1の緑色蛍光体と前記第2の緑色蛍光体と前記赤色蛍光体とを含む封止樹脂層とが設けられており、
    前記配線パターンの少なくとも一部は、前記樹脂ダムに覆われており、
    前記電極ランドは、前記基板の前記上面のうち前記樹脂ダムよりも外側に位置する部分に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続され、
    前記ワイヤーは、少なくとも前記発光素子と前記配線パターンとを電気的に接続する請求項1または2に記載の発光装置。
  4. 第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長と第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長との差が20nm以上である、請求項1〜のいずれかに記載の発光装置。
JP2016515915A 2014-04-30 2015-04-10 発光装置 Expired - Fee Related JP6275829B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014093760 2014-04-30
JP2014093760 2014-04-30
PCT/JP2015/061201 WO2015166782A1 (ja) 2014-04-30 2015-04-10 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015166782A1 JPWO2015166782A1 (ja) 2017-04-20
JP6275829B2 true JP6275829B2 (ja) 2018-02-07

Family

ID=54358517

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016515915A Expired - Fee Related JP6275829B2 (ja) 2014-04-30 2015-04-10 発光装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9923126B2 (ja)
JP (1) JP6275829B2 (ja)
CN (1) CN106104822B (ja)
WO (1) WO2015166782A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10374133B2 (en) * 2015-04-03 2019-08-06 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting apparatus with two primary lighting peaks
US20170018689A1 (en) * 2015-07-17 2017-01-19 Osram Sylvania Inc. Composite Ceramic Wavelength Converter and Light Source Having Same
CN108473868B (zh) * 2015-12-23 2021-07-09 Lg伊诺特有限公司 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置
KR101995000B1 (ko) * 2016-05-16 2019-07-01 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명장치
WO2019004119A1 (ja) * 2017-06-28 2019-01-03 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
JP6670804B2 (ja) * 2017-08-02 2020-03-25 シャープ株式会社 発光装置及び画像表示装置
DE102017122996A1 (de) 2017-10-04 2019-04-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement
WO2019164014A1 (ja) * 2018-02-26 2019-08-29 京セラ株式会社 発光装置および照明装置
US10788709B2 (en) 2018-10-30 2020-09-29 Innolux Corporation Lighting device
TWI728873B (zh) 2020-07-21 2021-05-21 隆達電子股份有限公司 發光二極體裝置
US11294238B1 (en) 2020-10-29 2022-04-05 Lextar Electronics Corporation Low blue light backlight module
US11830858B2 (en) * 2022-03-21 2023-11-28 Foshan Evercore Optoelectronic Technology Co., Ltd. Full-color chip-on-board (COB) device

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3940750B2 (ja) * 2001-05-24 2007-07-04 松下電器産業株式会社 照明光源
JP4310243B2 (ja) * 2004-06-23 2009-08-05 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
WO2006135005A1 (ja) * 2005-06-15 2006-12-21 Nichia Corporation 発光装置
US8147715B2 (en) * 2005-12-08 2012-04-03 National Institute For Materials Science Phosphor, process for producing the same, and luminescent device
JPWO2008093768A1 (ja) * 2007-02-01 2010-05-20 パナソニック株式会社 蛍光ランプ、並びに蛍光ランプを用いた発光装置及び表示装置
KR101260101B1 (ko) * 2007-04-18 2013-05-02 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 형광체 및 그 제조 방법, 형광체 함유 조성물, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치, 그리고 질소 함유 화합물
JP5360857B2 (ja) * 2007-05-17 2013-12-04 Necライティング株式会社 緑色発光蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子
JP2008311532A (ja) * 2007-06-15 2008-12-25 Rohm Co Ltd 白色発光装置及び白色発光装置の形成方法
JP5075552B2 (ja) * 2007-09-25 2012-11-21 株式会社東芝 蛍光体およびそれを用いたledランプ
KR20100072508A (ko) * 2008-12-22 2010-07-01 오리온피디피주식회사 플라즈마 디스플레이 패널의 방열 시트 구조
WO2011024818A1 (ja) 2009-08-26 2011-03-03 三菱化学株式会社 白色半導体発光装置
JP5887280B2 (ja) * 2010-02-03 2016-03-16 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. 蛍光体変換led
WO2011108053A1 (ja) 2010-03-01 2011-09-09 パナソニック株式会社 Ledランプおよびled照明装置
JP2012060097A (ja) 2010-06-25 2012-03-22 Mitsubishi Chemicals Corp 白色半導体発光装置
JP5612991B2 (ja) 2010-09-30 2014-10-22 シャープ株式会社 発光装置及びこれを備えた照明装置
WO2012104937A1 (ja) 2011-02-03 2012-08-09 パナソニック株式会社 Ledモジュールおよび照明装置
KR101781437B1 (ko) * 2011-04-29 2017-09-25 삼성전자주식회사 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치
JP2013201274A (ja) * 2012-03-23 2013-10-03 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US10090442B2 (en) 2012-04-06 2018-10-02 Philips Lighting Holding B.V. White light emitting module
JP6157173B2 (ja) * 2012-06-01 2017-07-05 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター Led照明の分光分布設計方法
TWI606623B (zh) * 2014-01-10 2017-11-21 樂金顯示科技股份有限公司 有機發光裝置及照明設備

Also Published As

Publication number Publication date
JPWO2015166782A1 (ja) 2017-04-20
CN106104822A (zh) 2016-11-09
US20170047488A1 (en) 2017-02-16
WO2015166782A1 (ja) 2015-11-05
US9923126B2 (en) 2018-03-20
CN106104822B (zh) 2018-12-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6275829B2 (ja) 発光装置
JP6363061B2 (ja) 白色発光モジュール
JP6407243B2 (ja) 高演色性白色発光素子
JP4989936B2 (ja) 照明装置
JP6033756B2 (ja) 展示物を展示するための装置
JP6165248B2 (ja) 発光装置
JP6501803B2 (ja) 光源装置および発光装置
US10374133B2 (en) Light emitting apparatus with two primary lighting peaks
KR20080081058A (ko) 황색 발광 형광체 및 그를 이용한 백색 발광 디바이스
CN102792473A (zh) 白色照明装置
US10236425B2 (en) White light emitting device having high color rendering
KR101706600B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR102130817B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
KR101652258B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자
JP2013207241A (ja) 半導体発光装置、半導体発光システムおよび照明器具
KR101855391B1 (ko) 고연색성 백색 발광 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161017

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170731

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180110

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6275829

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees