JP6275829B2 - 発光装置 - Google Patents
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- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 171
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 73
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 73
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 46
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 claims description 34
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 14
- 238000000695 excitation spectrum Methods 0.000 claims description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 5
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 17
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 16
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 9
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 102100032047 Alsin Human genes 0.000 description 7
- 101710187109 Alsin Proteins 0.000 description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910016066 BaSi Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 4
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 4
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 3
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 241001085205 Prenanthella exigua Species 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- -1 content Substances 0.000 description 2
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000005562 fading Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003564 SiAlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 150000004760 silicates Chemical class 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
- H01L33/504—Elements with two or more wavelength conversion materials
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
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Description
図1(a)は、本発明の第1の実施形態の発光装置の一例の模式平面図であり、図1(b)は、発光素子6及びワイヤー7を切断するXZ方向に沿う発光装置の要部断面図である。図1(a)においては、配線パターン3(3a,3k)と発光素子6との接続関係、及び、発光素子6同士の接続関係等を明瞭にするために、発光装置1の内部を透明化して図示している。
本実施形態の発光装置1は、少なくとも1個の発光素子6と、第1の緑色蛍光体10と、第2の緑色蛍光体11と、赤色蛍光体12とを備える。発光素子6は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する。第1の緑色蛍光体10は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第2の緑色蛍光体11は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長は、第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長よりも短い。赤色蛍光体12は、発光素子6から放射された一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する。これにより、発光装置1の演色性を高めることができる。
好ましくは、発光装置1は、基板2と、配線パターン3(3a,3k)と、電極ランド4(4a,4k)と、封止樹脂層5と、ワイヤー7と、印刷抵抗素子8と、樹脂ダム9とを更に備える。
基板2は、例えば平面視長方形状に形成されており、例えばセラミックス基板又は絶縁膜が表面に形成された金属基板等である。
封止樹脂層5では、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とが透明樹脂に一様に分散されている。このような封止樹脂層5は、次に示す方法にしたがって形成される。まず、第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とを透明樹脂に一様に混合する。得られた混合樹脂を、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分に注入する。このとき、基板2の上面のうち樹脂ダム9よりも内側に位置する部分には、すでに、少なくとも1個の発光素子6が設けられている。2個以上の発光素子6が設けられている場合には、2個以上の発光素子6はワイヤー7を介して互いに接続されている。その後、熱処理を行う。この熱処理によって透明樹脂が硬化され、その結果、少なくとも1個の発光素子6と第1の緑色蛍光体10と第2の緑色蛍光体11と赤色蛍光体12とが封止される(封止樹脂層5の形成)。
第1の緑色蛍光体10としては、例えば、一般式(A):(M1)3-xCex(M2)5O12(一般式(A)において、(M1)はY、Lu、Gd及びLaのうちの少なくとも1つを表わし、(M2)はAl及びGaのうちの少なくとも1つを表わし、Ceの組成比(濃度)を示すxは0.005≦x≦0.20を満たす)で表わされる蛍光体、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce系蛍光体、一般式EuaSibAlcOdNe(aは0.005≦a≦0.4を満たし、b及びcはb+c=12を満たし、d及びeはd+e=16を満たす)で表わされるβ型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体、一般式(B):(M3)2-xEuxSiO4(一般式において、(M3)はMg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.03≦x≦0.10を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活珪酸塩蛍光体、La3-xCexSi6N11(xは0.01<x≦0.2を満たす)で表わされる3価のセリウム賦活蛍光体、(Ca,Sr,Ba)SiAl2O3N2:Ce系蛍光体、Ba3Si6O12N2:Eu系蛍光体、又は、(Sr,Ba)2SiO4:Eu系蛍光体等が挙げられる。第1の緑色蛍光体10としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。ここで、「緑色領域」とは、波長が485nm以上580nm以下の領域を意味する。
第2の緑色蛍光体11としては、例えば、BaSi2(O,Cl)2N2:Eu系蛍光体、一般式(C):(M4)1-aEuaSib(O1-c,(M5)c)bNb(一般式(C)において、(M4)はCa、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、(M5)はF、Cl及びBrのうちの少なくとも1つを表わし、aは0.01≦a≦0.50を満たし、bは1.90≦b≦2.10を満たし、cは0.00≦c≦0.50を満たす)で表わされる蛍光体、(Ca,Sr,Ba)SiAl2O3N2:Ce系蛍光体、(Sr,Ba)3SiO5:Eu系蛍光体、(Sr,Ba)Al2O4:Eu系蛍光体、又は、(Sr,Ba)4Al14O25:Eu系蛍光体等が挙げられる。第2の緑色蛍光体11としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。
赤色蛍光体12としては、例えば、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体、CaAlSiN3:Eu系蛍光体、一般式(D):(M6)2-xEuxSi5N8(一般式(D)において、(M6)はMg、Ca、Sr及びBaのうちの少なくとも1つを表わし、Euの組成比(濃度)を示すxは0.01≦x≦0.30を満たす)で表される2価のユーロピウム賦活窒化物蛍光体、又は、一般式(E):[Eua(M7)1-a]xSibAlcOdNe(一般式(E)において、xは0.15≦x≦1.5を満たし、aは0≦a≦1を満たし、b及びcはb+c=12を満たし、d及びeはd+e=16を満たし、(M7)はLi、Na、K、Rb、Cs、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、La及びGdのうちの少なくとも1つを表わす)で表されるα型SiAlONである2価のユーロピウム賦活酸窒化物蛍光体等が挙げられる。赤色蛍光体12としては、これらの1種を単独で用いても良いし、これらの2種以上を混合して用いても良い。これらの2種以上を混合した方が、発光装置1の平均演色評価数Raの選択性を高めることができる。
発光素子6は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射するので、発光装置1からの光に対する青色成分の光の寄与率を確保することができる。これにより、発光装置1の演色性を高く維持できるので、発光装置1の実用性を高めることができる。一方、ピーク発光波長が380nm未満である発光素子を用いた場合には、発光装置からの光に対する青色成分の光の寄与率が低くなるので、演色性の悪化を招き、よって、発光装置の実用性の低下を招くことがある。ピーク発光波長が480nmを超える発光素子を用いた場合にも、発光装置からの光に対する青色成分の光の寄与率が低くなるので、発光装置の実用性の低下を招くことがある。
印刷抵抗素子8は、静電耐圧を高める目的で設けられ、図1に示すように配線パターン3aの一端と配線パターン3kの一端とを接続するように設けられ、円環からその一部が切り出された形状(円弧形状)を有している。このような印刷抵抗素子8は、例えばツェナーダイオードであることが好ましい。なお、本実施形態の発光装置1は印刷抵抗素子8を備えていなくても良い。
樹脂ダム9は、封止樹脂層5を堰き止めるための樹脂であり、有着色材料(白色材料又は乳白色材料であることが好ましい)で構成されていることが好ましい。樹脂ダム9は、図1(b)に示すように、配線パターン3と印刷抵抗素子8とで形成される円環部分を覆うように形成されることが好ましい。
図2は、本発明の第2の実施形態の発光装置の一例の模式平面図である。なお、図2では、図面が煩雑となることを避けるために、発光素子、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体、赤色蛍光体及びワイヤー等を図示していない。
図1又は図2に示す発光装置1,101は、380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1個の発光素子6と、発光素子6から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1の緑色蛍光体10と、一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2の緑色蛍光体11と、一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する赤色蛍光体12とを備える。第2の緑色蛍光体11が放射する光のピーク発光波長は、第1の緑色蛍光体10が放射する光のピーク発光波長よりも短い。これにより、発光装置1,101の演色性を高めることができる。また、青色領域(波長が380nm以上480nm以下の領域)における発光強度と黄色領域(波長が540nm以上580nm以下の領域)における発光強度とを低減させることができる。
実施例1〜3の発光装置は、それぞれ、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体(Lu3Al5O12:Ce3+)を含み、第2の緑色蛍光体としてBaSi2(O,Cl)2N2:Eu蛍光体(BaSi2(O,Cl)2N2:Eu2+)を含み、赤色蛍光体としてCaAlSiN3:Eu系蛍光体(CaAlSiN3:Eu2+)とを含んでいた。用いた第2の緑色蛍光体は、10μm以上20μm以下の平均粒径を有し、3.3g/cm3以上3.5g/cm3以下の密度を有していた。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と第2の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。各実施例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
実施例4〜6の発光装置は、それぞれ、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体(Lu3Al5O12:Ce3+)を含み、第2の緑色蛍光体としてBaSi2(O,Cl)2N2:Eu蛍光体(BaSi2(O,Cl)2N2:Eu2+)を含み、赤色蛍光体として(Sr,Ca)AlSiN3:Eu系蛍光体((Sr,Ca)AlSiN3:Eu2+)とを含んでいた。用いた第2の緑色蛍光体は、10μm以上20μm以下の平均粒径を有し、3.3g/cm3以上3.5g/cm3以下の密度を有していた。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と第2の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。各実施例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
比較例1の発光装置は、第1の緑色蛍光体としてLu3-xCexAl5O12系蛍光体(Lu3Al5O12:Ce3+)を含み、赤色蛍光体としてCaAlSiN3:Eu系蛍光体(CaAlSiN3:Eu2+)を含んでいたが、第2の緑色蛍光体を含んでいなかった。発光装置から放射される光の相関色温度Tcpが2900K付近となるように、第1の緑色蛍光体と赤色蛍光体との配合比率を調整した。比較例における蛍光体の配合量は表1に示す通りであった。
結果を表1及び図3〜図5に示す。図3には、実施例1〜3の発光装置の発光スペクトルを示し、図4には、実施例1及び4〜6の発光装置の発光スペクトルを示し、図5には、実施例1及び比較例1の発光装置の発光スペクトルを示す。なお、図6〜図9には、それぞれ、本実施例で使用した、第1の緑色蛍光体、第2の緑色蛍光体及び赤色蛍光体の発光スペクトルを示す。図3〜図9において、横軸には波長(nm)を示し、縦軸には発光強度(単位は任意)を示す。
Claims (4)
- 380nm以上480nm以下の波長範囲内にピーク発光波長を有する光を放射する少なくとも1個の発光素子と、
前記発光素子から放射された一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第1の緑色蛍光体と、
前記一次光によって励起され、緑色領域にピーク発光波長を有する光を放射する第2の緑色蛍光体と、
前記一次光によって励起され、赤色領域にピーク発光波長を有する光を放射する赤色蛍光体とを備え、
前記第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長は、前記第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長よりも短い発光装置であって、
前記発光装置の発光スペクトルは、380nm以上480nm以下の波長範囲に第1の発光ピーク波長を有する第1のピークと、485nm以上580nm以下の波長範囲に第2の発光ピーク波長を有する第2のピークと、610nm以上660nm以下の波長範囲に第3の発光ピーク波長を有する第3のピークとを有し、
前記発光スペクトルにおいて、前記第1の発光ピーク波長における第1の発光強度は前記第2の発光ピーク波長における第2の発光強度よりも低く、且つ、前記第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低く、前記第2の発光ピーク波長における第2の発光強度は前記第3の発光ピーク波長における第3の発光強度よりも低く、
前記発光スペクトルは、前記第2の発光ピーク波長よりも長く前記第3の発光ピーク波長よりも短い波長範囲に、発光強度が低くなる側へ向かって突出する形状を有し、
前記発光スペクトルにおいて、前記第1の発光強度をI 1 と表し、前記第2の発光強度をI 2 と表し、前記第3の発光強度をI 3 と表し、波長が540nmであるときの第4の発光強度をI 4 と表し、波長が560nmであるときの第5の発光強度をI 5 と表し、波長が580nmであるときの第6の発光強度をI 6 と表した場合、
前記第3の発光強度I 3 に対する前記第1の発光強度I 1 の発光強度比(I 1 /I 3 ×100)は35.7以上47.1以下であり、
前記第3の発光強度I 3 に対する前記第2の発光強度I 2 の発光強度比(I 2 /I 3 ×100)は43.9以上59.1以下であり、
前記第3の発光強度I 3 に対する前記第4の発光強度I 4 の発光強度比(I 4 /I 3 ×100)は45.5以上54.6以下であり、
前記第3の発光強度I 3 に対する前記第5の発光強度I 5 の発光強度比(I 5 /I 3 ×100)は52.1以上61.5以下であり、
前記第3の発光強度I 3 に対する前記第6の発光強度I 6 の発光強度比(I 6 /I 3 ×100)は60.2以上72.7以下であり、
前記発光装置は、相関色温度が2757K以上3113K以下である光を放射する、発光装置。 - 前記第2の緑色蛍光体の励起スペクトルは、前記発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域である380nm以上480nm以下の波長範囲内と、前記発光素子から放射される光のピーク発光波長が存在する波長領域よりも短波長の波長範囲内とのそれぞれに、励起ピークを有する請求項1に記載の発光装置。
- 基板と、
前記基板の上面に設けられた平面視リング状の樹脂ダム、配線パターン、電極ランド及びワイヤーとを更に備え、
前記基板の前記上面のうち前記樹脂ダムよりも内側に位置する部分には、前記少なくとも1個の発光素子と、前記第1の緑色蛍光体と前記第2の緑色蛍光体と前記赤色蛍光体とを含む封止樹脂層とが設けられており、
前記配線パターンの少なくとも一部は、前記樹脂ダムに覆われており、
前記電極ランドは、前記基板の前記上面のうち前記樹脂ダムよりも外側に位置する部分に設けられ、前記配線パターンに電気的に接続され、
前記ワイヤーは、少なくとも前記発光素子と前記配線パターンとを電気的に接続する請求項1または2に記載の発光装置。 - 第1の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長と第2の緑色蛍光体が放射する光のピーク発光波長との差が20nm以上である、請求項1〜3のいずれかに記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014093760 | 2014-04-30 | ||
JP2014093760 | 2014-04-30 | ||
PCT/JP2015/061201 WO2015166782A1 (ja) | 2014-04-30 | 2015-04-10 | 発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015166782A1 JPWO2015166782A1 (ja) | 2017-04-20 |
JP6275829B2 true JP6275829B2 (ja) | 2018-02-07 |
Family
ID=54358517
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016515915A Expired - Fee Related JP6275829B2 (ja) | 2014-04-30 | 2015-04-10 | 発光装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9923126B2 (ja) |
JP (1) | JP6275829B2 (ja) |
CN (1) | CN106104822B (ja) |
WO (1) | WO2015166782A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10374133B2 (en) * | 2015-04-03 | 2019-08-06 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting apparatus with two primary lighting peaks |
US20170018689A1 (en) * | 2015-07-17 | 2017-01-19 | Osram Sylvania Inc. | Composite Ceramic Wavelength Converter and Light Source Having Same |
CN108473868B (zh) * | 2015-12-23 | 2021-07-09 | Lg伊诺特有限公司 | 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置 |
KR101995000B1 (ko) * | 2016-05-16 | 2019-07-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명장치 |
WO2019004119A1 (ja) * | 2017-06-28 | 2019-01-03 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
JP6670804B2 (ja) * | 2017-08-02 | 2020-03-25 | シャープ株式会社 | 発光装置及び画像表示装置 |
DE102017122996A1 (de) | 2017-10-04 | 2019-04-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtstoffmischung, Konversionselement und optoelektronisches Bauelement |
WO2019164014A1 (ja) * | 2018-02-26 | 2019-08-29 | 京セラ株式会社 | 発光装置および照明装置 |
US10788709B2 (en) | 2018-10-30 | 2020-09-29 | Innolux Corporation | Lighting device |
TWI728873B (zh) | 2020-07-21 | 2021-05-21 | 隆達電子股份有限公司 | 發光二極體裝置 |
US11294238B1 (en) | 2020-10-29 | 2022-04-05 | Lextar Electronics Corporation | Low blue light backlight module |
US11830858B2 (en) * | 2022-03-21 | 2023-11-28 | Foshan Evercore Optoelectronic Technology Co., Ltd. | Full-color chip-on-board (COB) device |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3940750B2 (ja) * | 2001-05-24 | 2007-07-04 | 松下電器産業株式会社 | 照明光源 |
JP4310243B2 (ja) * | 2004-06-23 | 2009-08-05 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
WO2006135005A1 (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Nichia Corporation | 発光装置 |
US8147715B2 (en) * | 2005-12-08 | 2012-04-03 | National Institute For Materials Science | Phosphor, process for producing the same, and luminescent device |
JPWO2008093768A1 (ja) * | 2007-02-01 | 2010-05-20 | パナソニック株式会社 | 蛍光ランプ、並びに蛍光ランプを用いた発光装置及び表示装置 |
KR101260101B1 (ko) * | 2007-04-18 | 2013-05-02 | 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 | 형광체 및 그 제조 방법, 형광체 함유 조성물, 발광 장치, 조명 장치, 화상 표시 장치, 그리고 질소 함유 화합물 |
JP5360857B2 (ja) * | 2007-05-17 | 2013-12-04 | Necライティング株式会社 | 緑色発光蛍光体、その製造方法及びそれを用いた発光素子 |
JP2008311532A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 白色発光装置及び白色発光装置の形成方法 |
JP5075552B2 (ja) * | 2007-09-25 | 2012-11-21 | 株式会社東芝 | 蛍光体およびそれを用いたledランプ |
KR20100072508A (ko) * | 2008-12-22 | 2010-07-01 | 오리온피디피주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 방열 시트 구조 |
WO2011024818A1 (ja) | 2009-08-26 | 2011-03-03 | 三菱化学株式会社 | 白色半導体発光装置 |
JP5887280B2 (ja) * | 2010-02-03 | 2016-03-16 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 蛍光体変換led |
WO2011108053A1 (ja) | 2010-03-01 | 2011-09-09 | パナソニック株式会社 | Ledランプおよびled照明装置 |
JP2012060097A (ja) | 2010-06-25 | 2012-03-22 | Mitsubishi Chemicals Corp | 白色半導体発光装置 |
JP5612991B2 (ja) | 2010-09-30 | 2014-10-22 | シャープ株式会社 | 発光装置及びこれを備えた照明装置 |
WO2012104937A1 (ja) | 2011-02-03 | 2012-08-09 | パナソニック株式会社 | Ledモジュールおよび照明装置 |
KR101781437B1 (ko) * | 2011-04-29 | 2017-09-25 | 삼성전자주식회사 | 백색 발광 장치 및 이를 이용한 디스플레이 및 조명장치 |
JP2013201274A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-10-03 | Toshiba Lighting & Technology Corp | 照明装置 |
US10090442B2 (en) | 2012-04-06 | 2018-10-02 | Philips Lighting Holding B.V. | White light emitting module |
JP6157173B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-07-05 | 地方独立行政法人東京都立産業技術研究センター | Led照明の分光分布設計方法 |
TWI606623B (zh) * | 2014-01-10 | 2017-11-21 | 樂金顯示科技股份有限公司 | 有機發光裝置及照明設備 |
-
2015
- 2015-04-10 JP JP2016515915A patent/JP6275829B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-10 US US15/307,098 patent/US9923126B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-04-10 WO PCT/JP2015/061201 patent/WO2015166782A1/ja active Application Filing
- 2015-04-10 CN CN201580012783.8A patent/CN106104822B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2015166782A1 (ja) | 2017-04-20 |
CN106104822A (zh) | 2016-11-09 |
US20170047488A1 (en) | 2017-02-16 |
WO2015166782A1 (ja) | 2015-11-05 |
US9923126B2 (en) | 2018-03-20 |
CN106104822B (zh) | 2018-12-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
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