CN108473868B - 荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置 - Google Patents

荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置 Download PDF

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Abstract

实施例涉及荧光体组合物、包含该荧光体组合物的发光器件封装和照明设备，并且更具体地涉及以下荧光体组合物，包括：由激发光源激发的第一荧光体，用于发射第一波长范围的光；由激发光源激发的第二荧光体，用于发射第二波长范围的光；以及由激发光源激发的第三荧光体，用于发射第三波长范围的光。从荧光体组合物发出的光在蓝绿色波长区域中表现出增加的光强度，结果改善了红色波长区域中的显色指数和缩短的光波长，从而改善了光通量。

Description

荧光体组合物、包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明 装置
技术领域
实施例涉及包括青色荧光体的荧光体组合物以及包括该荧光体组合物的发光器件封装和照明装置。
背景技术
诸如使用半导体III-V或II-VI化合物半导体的发光二极管和激光二极管的发光器件可以用于诸如红色、绿色、蓝色和紫外线的各种颜色，并且可以通过使用荧光体或颜色组合来提供具有高效率的白光。与诸如荧光灯和白炽灯的传统光源相比，发光器件具有低功耗、半永久寿命、快速响应速度、安全性和环境友好性。
在提供白光的方法中，荧光材料通过单芯片类型设置在蓝色或紫外(UV)发光二极管芯片上。另外，通过组合荧光体多芯片类型来获得白光。
在多芯片类型的情况下，存在三种RGB(红、绿、蓝)芯片组合的典型方法。在这种情况下，每个芯片的工作电压是不均匀的，所以存在由于相关情形下功率的不同而导致色坐标不同的问题。
此外，在通过单个芯片实现白光的情况下，使用利用从蓝色LED发射的光并使用该光激发至少一个荧光体以获得白光的方法。
另外，当应用发光器件封装时，已经开发了各种荧光体以提高颜色再现性，同时具有高亮度值。特别地，用于改善显色指数和改善光通量的需求正在增加。
发明内容
【技术问题】
本发明的目的是提供具有所发射光的改善的显色指数和光通量的荧光体组合物。
【技术方案】
一个实施例包括：第一荧光体，由激发光源激发并且发射第一波长范围内的光；第二荧光体，由激发光源激发，以发射第二波长范围内的光；以及
第三荧光体，由激发光源激发并发射第三波长范围的光。
第一荧光体的发射峰值波长可以为490nm至505nm。
第二荧光体的发射峰值波长可以为515nm至575nm。
第三荧光体的发射峰值波长可以为580nm至670nm。
可以由(Ba,Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li,Cl,F,P)1-e:Eu2+ a、(Ba,Mg,Ca,Sr)3-fSi6O3N8:Eu2+ f、(Ba,Mg,Ca,Sr)1-gSi2O2N2:Eu2+ g中的至少一个来表示第一荧光体。
可以由(Lu,Y,Gd)3-h(Al,Ga)5O12:Ce3+ h、La3-iSi6N11:Ce3+ i中的至少一个来表示第二荧光体。
第三荧光体可以是选自由(Ca,Sr)1-jAlSiN3:Eu2+ j、Sr2-kSi5N8:Eu2+ k、(Ba,Sr)2- lSi5N8:Eu2+ l构成的组中的至少一个。
基于总体成分的100wt％，第一荧光体可以为1wt％～15wt％，第二荧光体可以为75wt％～90wt％，第三荧光体可以为2wt％～15wt％。
另一个实施例包括一种发光器件封装，所述发光器件封装包括：本体部；第一电极部和第二电极部，设置在本体部上；发光元件，设置在本体部上并且电连接到第一电极部和第二电极部；以及成型部，布置在发光器件周围并且包括如上所述的荧光体组合物。
基于成型部的重量的100％，荧光体组合物的重量可以占10％至30％。
发光器件可以发射蓝光，并且发光器件封装可以发射白光。
又一个实施例提供一种照明装置，包括如上所述的发光器件封装作为光源。
【有益效果】
在根据该实施例的荧光体组合物以及包含该荧光体组合物的发光器件封装件和照明装置中，从荧光体组合物发出的光可以增加蓝绿色波长区域中光的强度，从而可以改善显色指数，可以缩短红色波长区域中光的波长。
附图说明
图1是示出蓝绿色荧光体的发射波长和激发波长的视图，
图2a至图2c是示出根据荧光体组合物中包含的蓝绿色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体的波长的光的强度，
图3是示出发光器件封装的实施例的视图，
图4是示出图3的发光器件封装中发光器件的实施例的视图，
图5a至图5c是示出荧光体组合物的第一实施例与比较示例的光学特性的视图，
图6a至图6c是示出荧光体组合物的第二和第三实施例与比较示例的光学特性的视图，
图7a至图7c是示出根据第四实施例与比较示例的荧光体组合物的光学特性的视图，
图8a至图8c是示出荧光体组合物的第五实施例与比较示例的光学特性的视图，
图9a至图9c是示出根据第六实施例与比较示例的荧光体组合物的光学特性的视图，
图10是示出根据荧光体组合物中第一荧光体的重量比的红光的波长和强度的变化的曲线图，
图11是示出包括第一荧光体的荧光体组合物的显色指数和光通量得到改善的视图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图描述能够实现上述目的的本发明的实施例。
在根据本发明的实施例的描述中，在被描述为形成为在每个元件的“上方或下方”的情况下，之上或之下或下面全部使得两个元件彼此直接接触或者一个或更多其他元件间接形成在两个元件之间。此外，当表述为“上面或下面”时，其可以不仅包括基于元件的向上方向还包括向下方向。
还应理解，术语“第一”和“第二”、“上/上部/之上”和“下/下部/之下”可以仅用于将一个实体或元件与另一实体或元件区分开，而不一定要求或暗示该物理相关或序列。
为了解释的方便和清楚，附图中每个层的厚度和尺寸被夸大、省略或示意性地示出。而且，每个组件的大小并不完全反映实际大小。
本实施例的荧光体组合物包括青色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体，其中该青色荧光体被激发光源激发而发出蓝绿色的第一波长区域的光，该绿色荧光体被激发光源激发而发出绿色的第二波长区域的光，以及该红色荧光体发出红色的第三波长区域的红光。激发光源可以是蓝色的，但是不限于此，只要其不偏离本发明的目的即可。图1是示出蓝绿色荧光体的发射波长和激发波长的视图。
如图所示，青色荧光体的激发波长可以包括350nm(纳米)至450nm的蓝光，并且发射波长的峰值可以为490nm至505nm，例如，峰值可以为498nm。
从蓝绿色荧光体发射的光的半宽度可以是大约32纳米，并且可以包括具有不同直径的荧光体颗粒。例如，尺寸相当于整体的10％的荧光体颗粒的尺寸为12.1毫米。尺寸在整体的50％范围内的荧光体颗粒的尺寸可以是17.6毫米，并且尺寸在整体的90％范围内的荧光体颗粒的尺寸可以是27.0毫米。
第一荧光体可以由式(Ba,Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li,Cl,F,P)1-e:Eu2+ a表示，其中0.01≤a≤0.30，0.01≤b≤1.0，0.01≤c≤0.5，0.01≤d≤0.5，0.01≤e≤0.9。或者，第一荧光体可以由式(Ba,Mg,Ca,Sr)3-fSi6O3N8:Eu2+ f表示，其中0.01≤f≤0.30。或者，第一荧光体可以由式(Ba,Mg,Ca,Sr)1-gSi2O2N2:Eu2+ g表示，其中0.01≤g≤0.30。
第二荧光体可以是由式(Lu,Y,Gd)3-h(Al,Ga)5O12:Ce3+ h表示的基于LuAG的荧光体或基于YAG的荧光体，其中0.01≤h≤0.50。或者，第二荧光体可以由式La3-iSi6N11:Ce3+ i表示，其中0.01≤i≤0.50。
第三荧光体可以由式(Ca,Sr)1-jAlSiN3:Eu2+ j表示，其中0.01≤j≤0.30。或者，第三荧光体可以由Sr2-kSi5N8:Eu2+ k表示并且0.01≤k≤0.30。或者，第三荧光体可以由(Ba,Sr)2-lSi5N8:Eu2+ l表示，并且可以为0.01≤1≤0.30。
图2a至图2c是示出根据荧光体组合物中包含的蓝绿色荧光体、绿色荧光体和红色荧光体的波长的光的强度的视图。
在图2a中，第一荧光体的发射峰值波长发射490nm至505nm的蓝绿色波长范围内的光，图2b中的第二荧光体的发射峰值波长发射515nm至575nm的绿色波长范围内的光，第三荧光体的发射峰值波长发射580nm至670nm的红色波长范围内的光，并且所发射光的波长范围和强度可以随着第一至第三荧光体的组成变化而变化。
图3是示出发光器件封装200的实施例的视图。
根据实施例的发光器件封装200可以包括本体210、形成在本体210上的腔体和布置在腔体中的发光器件100。并且发光器件封装200可以包括用于与印刷电路板100电连接的引线框架221和222。发光器件100可以设置在腔体中的腔体的底表面上，并且可以将成型部260设置在围绕发光器件100的腔体上。
成型部260可以包括上述实施例的荧光体组合物。
本体210可以由硅树脂材料、合成树脂材料或金属材料形成。本体210可以包括具有敞开的顶表面以及侧表面和底表面的腔体。
腔体可以形成为杯形、凹形容器形状等，并且腔体的侧表面可以相对于底表面垂直或倾斜地形成，并且可以在尺寸和形状上变化。
从上方观察的腔体的形状可以是圆形、多边形、椭圆形等，并且它可以是具有弯曲边缘的形状，但是本发明不限于此。
本体210可以包括第一引线框架221和第二引线框架222，以电连接到发光器件100。当本体部210由诸如金属材料的导电型材料制成时，尽管未示出，绝缘层被涂覆在本体部210的表面上，以防止第一和第二引线框架221和222之间的电短路。
第一引线框架221和第二引线框架222彼此电分离并且可以向发光器件100供应电流。第一引线框架221和第二引线框架222可以反射从发光器件产生的光100以增加光效率并且可以将从发光器件100产生的热量辐射到外部以散热。
发光器件100可以设置在腔体中并且设置在本体210上或者设置在第一引线框架221或者第二引线框架222上。要设置的发光器件100可以是垂直发光器件、水平灯发光器件等。
在图3中，发光器件100可以设置在第一引线框架221上并且第二引线框架222可以通过引线250连接到发光器件100。然而，通过除了引线接合方法，发光器件100还可以通过倒装芯片接合或管芯接合方法连接到引线框架。
在图3的发光器件封装200中，成型部260保护发光器件100并且填充腔体的内部。
此外，成型部260可以形成为包括具有多个荧光体262、264和266的实施例的荧光体组合物和树脂。
成型部260可以包括树脂和荧光体262、264和266，并且可以设置成围绕发光器件100以保护发光器件100。
可以与成型部260中的荧光体组合物混合并使用的树脂可以是硅树脂、环氧树脂和丙烯酸树脂中的任何一种或其混合物。
荧光体262、264和266被从发光器件100发射的光激发，以发射经波长转换的光。荧光体262、264和266可以分别对应于第一荧光体、第二荧光体和第三荧光体。
尽管附图中未示出，成型部260可以布置成填充腔体并且高于腔体的侧部高度的圆顶形状。为了调整发光器件封装200的光输出角度，成型部260可以布置成圆顶形状。成型部可以围绕并保护发光器件100，并且用作用于改变从发光器件100发射的光的路径的透镜。图4示出发光器件100的实施例。发光器件100包括支撑衬底170、发光结构120、欧姆层140和第一电极180。
发光结构120可以包括第一导电类型半导体层122、有源层124和第二导电类型半导体层126。
第一导电类型半导体层122可以由诸如III-V族或II-VI族的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第一导电类型掺杂物。第一导电类型半导体层122是具有AlxInyGa(1-x-y)N(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如，AlGaN、GaN、InAlGaN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP中的任何一种。
当第一导电类型半导体层122是n型半导体层时，第一导电类型掺杂物可以包括诸如Si、Ge、Sn、Se和Te的n型掺杂物。第一导电类型半导体层122可以形成为单层或多层，但是本发明不限于此。
有源层124可以设置在第一导电类型半导体层122和第二导电类型半导体层126之间，并且可以包括单阱结构、多阱结构、单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子点结构或量子线结构。
有源层可以由诸如III-V族的化合物半导体材料形成。有源层可以为具有阱层和阻挡层的成对的结构，例如AlGaN/AlGaN、InGaN/GaN、InGaN/InGaN、AlGaN/GaN、InAlGaN/GaN、GaAs(InGaAs)/AlGaAs、GaP(InGaP)/AlGaP中的一种，但不限于此。阱层可以由具有能带隙小于阻挡层的能带隙的材料形成。
第二导电类型半导体层126可以由半导体化合物形成。第二导电类型半导体层126可以由诸如III-V族或II-VI族的化合物半导体形成，并且可以掺杂有第二导电类型掺杂物。第二导电类型半导体层126可以是具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料，例如AlGaN、GaN AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP中的一种。例如，第二导电类型半导体层126可以由AlxGa(1-x)N形成。
当第二导电类型半导体层126是p型半导体层时，第二导电类型掺杂物可以是诸如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba的p型掺杂物。第二导电类型半导体层126可以形成为单层或多层，但是本发明不限于此。
第一导电类型半导体层122的表面具有图案，并且可以改善光提取效率。第一电极180可以设置在第一导电类型半导体层122的表面上，并且可以设置在其上设置有第一电极180的第一导电类型半导体层122的表面上，不具有图案。第一电极180可以形成为包括铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)中至少一种的单层或多层结构。
钝化层190可以形成在发光结构120周围。钝化层190可以由绝缘材料制成，并且绝缘材料可以由非导电氧化物或氮化物制成。例如，钝化层190可以包括氧化硅(SiO2)层、氮氧化物层和氧化铝层。
第二电极可以设置在发光结构120下方，并且欧姆层140和反射层150可以用作第二电极。GaN可以设置在第二导电类型半导体层126下方，使得电流或空穴可以平稳地提供给第二导电类型半导体层126。
欧姆层140可以具有大约200埃
Figure GDA0001706767000000071
的厚度。欧姆层140可以由铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物、AZO(铝锌氧化物)、ATO(锑锡氧化物)、GZO(镓锌氧化物)、IZON(IZO氮化物)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO、NiO、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au、和Ni/IrOx/Au/ITO、Ag、Ni、Cr、Ti、Al、Rh、Pd、Ir、Sn、In、Ru、Au和Hf形成，并且本发明不限于这些材料。
反射层150可以由诸如钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、铂(Pt)、铑(Rh)的金属或包括Al、Ag、Pt或Rh的复合材料的金属层形成。反射层150有效地反射在有源层124中产生的光，由此极大地提高了半导体器件的光提取效率。
支撑衬底170可以由诸如金属或半导体材料的导电材料形成。具有优异的导电性或导热性的金属可以用作支撑衬底170，并且可以使用具有高导热性的材料(例如金属等)可以用于辐射由操作的发光器件产生的热量。例如，支撑衬底170可以是选自由钼(Mo)、硅(Si)、钨(W)、铜(Cu)和铝(Al)组成的组或其合金、以及金(Au)、铜合金(Cu合金)、镍(Ni)，铜-钨(Cu-W)、载体晶片(例如GaN、Si、Ge、GaAs、ZnO、SiGe、SiC、SiGe和Ga2O3中的任何一种)的材料。
支撑衬底170可以具有范围从50到200μm的厚度，以便具有足够的机械强度以通过刻划工艺和断开工艺分离成单独的芯片，而不会导致整个氮化物半导体翘曲。
接合层160耦接反射层150和支撑衬底170并且可以由金(Au)、锡(Sn)、铟(In)、铝(Al)、硅(Si)、银(Ag)、镍(Ni)和铜(Cu)或其合金形成。
图4中所示的发光器件100的实施例是垂直发光器件的实施例。在图3所示的发光器件封装200的实施例中，除了图4所示的垂直发光器件之外，可以布置发光器件和倒装芯片型发光器件。在这种情况下，发光器件100可以发射蓝光波长范围内的光。
包括图3所示一个实施例的发光器件的图4的发光器件封装的实施例可以发射白光。
在荧光体组合物的第一实施例中，第一荧光体的重量比可以为1wt％至15wt％，第二荧光体的重量比可以为75wt％至90wt％，并且第三荧光体的重量比可以为2wt％至15wt％。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。详细地，第一荧光体的重量比存可以为5wt％至9wt％，第二荧光体的重量比可以为82wt％至90wt％，并且第三荧光体的重量比可以为4wt％至8wt％。荧光体可以包含在10wt％至18wt％的重量比内。
表1和表2示出当从发光器件封装发射的光的色温为6500K(绝对温标)时，分别根据比较示例和第一实施例从包括荧光体组合物的发光器件封装发射的光的特性)。
【表1】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 6.07 0.312 0.322 6316 83.4 8
最大 6.21 0.316 0.329 6613 85.0 17
平均 6.13 0.314 0.325 6451 84.1 13
【表2】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 5.47 0.312 0.322 6308 89.0 50
最大 5.65 0.316 0.329 6622 92.5 68
平均 5.57 0.314 0.325 6450 90.7 58
图5a至图5c与比较示例一起示出了此时荧光体组合物的第一实施例的光学特性。在图5a中，横轴表示Cx的值，纵轴表示Cy的值。在图5b中，纵轴表示照度(lm)，横轴表示Cy的值，在图5c中，横轴表示波长，纵轴表示强度(W)。
在比较示例中，可以包括85wt％至95wt％重量比的绿色荧光体，并且可以包括5wt％至15wt％重量比的红色荧光体。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。
与根据表1中所示比较示例的发光器件封装的(CRT)和R9相比，根据表2所示第一实施例的荧光体组合物的发光器件封装的红色区域的显色指数(CRI)和显色指数(R9)得到改善，并且相关色温(CCT)类似。
在荧光体组合物的第二和第三实施例中，第一荧光体的重量比为1wt％～15wt％，第二荧光体的重量比为75wt％～90wt％，第三荧光体的重量比为2wt％至15wt％。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。详细地，第一荧光体的重量比可以为5wt％至9wt％，第二荧光体的重量比可以为82wt％至90wt％，第三荧光体的重量比可以为5wt％至9wt％。荧光体可以以12wt％至24wt％的重量比包含在封装的成型部中。
表3、表4和表5示出当从发光器件封装发射的光的色温为5000K(绝对温标)时，根据比较示例、第二实施例和第三实施例的具有荧光体组合物的发光器件封装，并示出所发射光的特征。
【表3】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 6.63 0.340 0.350 4852 81.9 -1
最大 6.86 0.350 0.358 5180 83.3 6
平均 6.77 0.345 0.354 5023 82.7 3
【表4】
Figure GDA0001706767000000101
Figure GDA0001706767000000111
【表5】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 6.31 0.341 0.350 4873 89.3 22
最大 6.47 0.349 0.359 5160 91.0 30
平均 6.38 0.345 0.354 5034 90.1 26
图6a至图6c与比较示例一起示出荧光体组合物的第二和第三实施例的光学特性。在图6a中，横轴表示Cx的值，纵轴表示Cy的值。在图6b中，横轴表示Cy的值，纵轴表示照度(lm)。在图6c中，横轴表示波长，纵轴表示强度(W)。
在比较示例中，可以包括85wt％至95wt％重量比的绿色荧光体，并且可以包括5wt％至15wt％重量比的红色荧光体。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。
与具有根据表3所示的比较示例的荧光体组合物的发光器件封装的CRT和R9相比，具有根据表4和表5所示第二和第三实施例的荧光体组合物的发光器件封装的显色指数(CRI)和显色指数(R9)得到改善。
在荧光体组合物的第四实施例中，第一荧光体的重量比为1wt％至10wt％，第二荧光体的重量比为75wt％至90wt％，第三荧光体的重量比为2wt％至15wt％。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。详细地，第一荧光体的重量比可以为5wt％至9wt％，第二荧光体的重量比可以为82wt％至90wt％，第三荧光体的重量比可以为6wt％至12wt％。荧光体可以以15wt％至25wt％的重量比包含在封装的成型部中。
表6和表7分别示出当从发光器件封装发射的光的色温为4000K(绝对温标)时，根据比较示例和第四实施例从包括荧光体组合物的发光器件封装发射的光的特性。
【表6】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 6.42 0.376 0.375 3951 83.2 10
最大 6.52 0.384 0.382 4099 84.0 15
平均 6.47 0.380 0.378 4022 83.6 12
【表7】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 5.47 0.377 0.374 3924 91.6 60
最大 5.57 0.385 0.382 4090 93.1 67
平均 5.52 0.381 0.378 4007 92.3 63
图7a至图7c与比较示例一起示出此时荧光体组合物的第四实施例的光学特性。在图7a中，横轴表示Cx的值，纵轴表示Cy的值。在图7b中，横轴表示Cy的值，纵轴表示照度(lm)。在图7c中，横轴表示波长，纵轴表示强度(W)。
在比较示例中，可以包括85wt％至95wt％重量比的绿色荧光体，并且可以包括5wt％至15wt％重量比的红色荧光体。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。
与具有根据表6所示的比较例的荧光体组合物的发光器件封装的CRI和R9相比，具有根据表7所示第四实施例的荧光体组合物的发光器件封装的显色指数(CRI)和显色指数(R9)得到改善。
在荧光体组合物的第五实施例中，第一荧光体的重量比为1wt％至10wt％，第二荧光体的重量比为75wt％至90wt％，第三荧光体的重量比为2wt％至20wt％。荧光体可以以20wt％至40wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。详细地，第一荧光体的重量比可以为2wt％至7wt％，第二荧光体的重量比可以为77wt％至85wt％，第三荧光体的重量比可以为12wt％至18wt％。荧光体可以以25wt％至35wt％的重量比包含在封装的成型部中。
表8和表9分别示出当从发光器件封装发射的光的色温为3000K(绝对温标)时，根据比较示例和第五实施例从包括荧光体组合物的发光器件封装发射的光的特性。
【表8】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 5.90 0.436 0.402 2933 81.6 3
最大 6.05 0.442 0.409 3040 82.6 8
平均 6.00 0.439 0.406 2989 82.1 5
【表9】
Figure GDA0001706767000000131
Figure GDA0001706767000000141
图8a至图8c与比较示例一起示出此时荧光体组合物的第五实施例的光学特性。在图8a中，横轴表示Cx的值，纵轴表示Cy的值。在图8b中，纵轴表示照度(lm)，横轴表示Cy的值，在图8c中，横轴表示波长，纵轴表示强度(W)。
在比较示例中，可以包括85wt％至95wt％重量比的绿色荧光体，并且可以包括5wt％至15wt％重量比的红色荧光体。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。
与根据表8所示比较示例的具有荧光体组合物的发光器件封装的CRI和R9相比，具有根据表9所示第五实施例的荧光体组合物的发光器件封装的显色指数(CRI)和显色指数(R9)得到改善。
在荧光体组合物的第六实施例中，第一荧光体的重量比为1wt％至10wt％，第二荧光体的重量比为75wt％至90wt％，第三荧光体的重量比为2wt％至20wt％。荧光体可以以205wt％至45wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。详细地，第一荧光体的重量比可以为3wt％至9wt％，第二荧光体的重量比可以为74wt％至82wt％，第三荧光体的重量比可以为12wt％至18wt％。荧光体可以以30wt％至40wt％的重量比包含在封装的成型部中。
表10和表11分别示出当从发光器件封装发射的光的色温为2700K(绝对温标)时，根据比较示例和第六实施例从包括荧光体组合物的发光器件封装发射的光的特性。
【表10】
Figure GDA0001706767000000142
Figure GDA0001706767000000151
【表11】
lm Cx Cy CCT CRI R9
最小 4.65 0.455 0.406 2657 91 49
最大 4.99 0.461 0.412 2773 94 57
平均 4.83 0.458 0.409 2719 92 53
图9a至图9c与比较例一起示出了此时荧光体组合物的第六实施例的光学特性。在图9a中，横轴表示Cx的值，纵轴表示Cy的值。在图9b中，横轴表示Cy的值，纵轴表示照度(lm)。在图9c中，横轴表示波长，纵轴表示强度(W)。
在比较示例中，可以包括85wt％至95wt％重量比的绿色荧光体，并且可以包括5wt％至15wt％重量比的红色荧光体。荧光体可以以10wt％至30wt％的重量比包含在发光器件封装的成型部中。
与根据表10所示比较示例的具有荧光体组合物的发光器件封装的CRI和R9相比，具有根据表11所示第六实施例的荧光体组合物的发光器件封装的显色指数(CRI)和显色指数(R9)得到改善。
图10是示出根据荧光体组合物中第一荧光体的重量比的红光的波长和强度的变化的视图。随着作为第一荧光体的青色荧光体的重量比增加，495nm附近的光谱强度逐渐增加。具体而言，每当第一荧光体的重量比增加1wt％时，荧光强度增加2.5％至3％，555nm处的光谱强度逐渐降低，并且具体而言，当第一荧光体的重量比增加1wt％时强度减小1.5％至2％，当第一荧光体的重量比增加1wt％时，红色波长区中光谱的强度逐渐增加0.2％。
图11是示出含有第一荧光体，并且荧光体组合物的显色指数和光通量提高的视图。
从包括发射青色波长区域中光的青色荧光体(作为第一荧光体)的根据实施例的荧光体组合物发射出的光是从根据实线所示比较示例的荧光体组合物发射出来的。与所发射的光相比，显色指数在区域A中得到改善，红色波长区域中光的波长在区域B中缩短，并且光通量提高。
在下文中，将描述图像显示装置和照明装置作为其中设置具有上述荧光体组合物的发光器件封装200的照明系统的实施例。
根据实施例的多个发光器件封装200可以排列在衬底上，并且导光板、棱镜片、扩散片等可以设置在发光器件封装200的光路上。发光器件封装200、衬底和光学构件可以用作背光单元。
此外，可以实现根据实施例的显示装置、指示装置和包括发光器件封装200的照明装置。
显示装置包括底盖、设置在底盖上的反射器、用于发光的发光模块、设置在反射器前方用于将从发光模块发射的光向前导引的导光板、连接到显示面板并向显示面板提供图像信号的图像信号输出电路、以及设置在显示面板前方的滤色器。这里，底盖、反射器、发光模块、导光板和光学片可以形成背光单元。
另外，照明装置包括衬底、包括根据本实施例的发光器件封装200的光源模块、用于散发光源模块和从外部提供的电信号的热量的散热器、以及功率供应单位。例如，照明装置可以包括电灯、车前灯或路灯。
车前灯包括：发光模块，其包括设置在衬底上的发光器件封装200；反射器，其将从发光模块发出的光沿预定方向(例如，向前)反射；以及灯罩，其反射由反射器反射的光并阻挡或反射指向透镜的一部分光，由此为设计者提供期望的光分布图案。
在上述视频显示装置和照明装置的情况下，通过使用上述实施例的荧光体组合物或发光器件封装件，可以改善光通量和颜色再现率。另外，在高温条件下，可以减少发光器件的光学特性的降低并提高可靠性。
虽然已经参照示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于所公开的示例性实施例，而是相反，旨在覆盖包括在所附权利要求书的精神和范围内的各种修改和等同布置。应该理解，各种修改和应用是可能的。例如，可以修改和实现实施例中具体示出的每个组件。应该理解的是，在不脱离本发明的精神或基本特征的情况下，可以以许多其他具体形式来实施本发明。

Claims (7)

1.一种荧光体组合物，包括：
第一荧光体，由激发光源激发，以发射第一波长范围内的光，所述第一波长范围为青色波长范围；
第二荧光体，由激发光源激发，以发射第二波长范围内的光，所述第二波长范围为绿色波长范围；以及
第三荧光体，由激发光源激发并发射第三波长范围的光，所述第三波长范围为红色波长范围，
其中第一荧光体的发射峰值波长为490nm至498nm，第二荧光体的发射峰值波长为515nm至575nm，第三荧光体的发射峰值波长为580nm至670nm，
其中由以下通用公式1中的至少一个来表示第一荧光体：
[公式1]
(Ba,Mg)3-aSi6-bO3.5-cN8.5-d(Li,Cl,F,P)1-e:Eu2+ a
其中，0.01≤a≤0.30，0.01≤b≤1.0，0.01≤c≤0.5，0.01≤d≤0.5，0.01≤e≤0.9，
其中由以下公式4和公式5中的至少一个来表示第二荧光体：
[公式4]
(Lu,Y,Gd)3-h(Al,Ga)5O12:Ce3+ h
0.01≤h≤0.50
[公式5]
La3-iSi6N11:Ce3+ i
0.01≤i≤0.50，
其中由以下通用公式6、7和8中的至少一个来表示第三荧光体：
[公式6]
(Ca,Sr)1-jAlSiN3:Eu2+ j
0.01≤j≤0.30
[公式7]
Sr2-kSi5N8:Eu2+ k
0.01≤k≤0.30
[公式8]
(Ba,Sr)2-lSi5N8:Eu2+ l
0.01≤l≤0.30。
2.根据权利要求1所述的荧光体组合物，其中，基于总体成分的100wt％，第一荧光体为1wt％～15wt％，第二荧光体为75wt％～90wt％，第三荧光体为2wt％～15wt％。
3.一种发光器件封装，包括：
本体部；
第一电极部和第二电极部，设置在本体部上；
发光器件，设置在本体部上并且电连接到第一电极部和第二电极部；以及
成型部，被形成为包括权利要求1至2中任一项所述的荧光体组合物，并且被设置为围绕发光器件。
4.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中基于成型部的重量的100％，荧光体组合物的重量占10％的至30％。
5.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中发光器件发射蓝光。
6.根据权利要求3所述的发光器件封装，其中发光器件封装发射白光。
7.一种照明装置，包括权利要求3所述的发光器件封装作为光源。
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