TWI676284B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI676284B TW103139677A TW103139677A TWI676284B TW I676284 B TWI676284 B TW I676284B TW 103139677 A TW103139677 A TW 103139677A TW 103139677 A TW103139677 A TW 103139677A TW I676284 B TWI676284 B TW I676284B
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Abstract

顯示裝置包含具有主要表面的基板以及相對於基板的封蓋。發光像素的陣列係設置在主要表面的大體上中心部分上，並插入於基板及封蓋之間。密封件係設置在基板的周邊部分上，並插入於基板與封蓋之間且互聯基板與封蓋。下絕緣層、上絕緣層、及位於下絕緣層及上絕緣層之間並包含至少一金屬層的結構係設置在密封件與基板之間。上絕緣層包含不平坦頂面。上絕緣層的不平坦頂面的輪廓可符合或依循結構的不均勻頂面。密封件接觸並結合至上絕緣層的不平坦頂面。

Description

顯示裝置
本公開係有關於一種平板顯示裝置及製造平板顯示裝置的方法。
一般來說，顯示裝置的上基板及下基板係使用密封材料而結合。在上基板及下基板的結合中，雷射可從雷射產生裝置照射進對應於顯示裝置的周邊區域的密封區域中。當雷射照射進密封區域時，密封材料的相位可從固體變為液體。然後，在預定時間之後，密封材料的相位可從液體變為固體。上基板及下基板可根據密封材料的相位變化而結合。為了確保在密封區域中的上基板及下基板之間的適當的黏接強度，傳統的顯示裝置可包含設置在密封區域中的密封材料、以及附加的絕緣層或金屬層。然而，傳統的顯示裝置中，密封材料可能設置在絕緣層或金屬層的水平表面上，所以下基板及上基板可能由於外部衝擊等而輕易地分離。
例示性實施例提供在周邊區域包含凹凸結構及密封件的顯示裝置，以改善基板之間的黏接強度。
例示性實施例提供製造在周邊區域包含凹凸結構及密封件的顯示裝置之方法，以改善基板之間的黏接強度。
本發明的一種態樣提供一種顯示裝置，其包含：包含主要表面，並進一步包含設置在主要表面的大體上中心部分上的顯示區域、及設置環繞於顯示區域的周邊區域之第一基板；設置在第一基板上的至少一下絕緣層；設置在第一基板的顯示區域中的至少一下絕緣層上的至少一電晶體；設置在第一基板的顯示區域上的發光結構；設置在第一基板的周邊區域中的至少一下絕緣層上，並包含至少一金屬層的凹凸結構；形成在凹凸結構上，並包含不平坦頂面的上絕緣層；接觸並結合至上絕緣層的不平坦頂面的密封件；以及設置在發光結構上，並結合至密封件的第二基板。
在前述的顯示裝置中，密封件不接觸至少一金屬層。凹凸結構可包含：設置在至少一下絕緣層上的第一金屬層；設置在第一金屬層上的第一絕緣層件及第二絕緣層件；以及設置在第一金屬層上以覆蓋第一絕緣層件及第二絕緣層件的第二金屬層。顯示裝置可進一步包含第三絕緣層件，其中第一金屬層包含複數個第一開口，其中第三絕緣層件中的每一個係容納在第一開口的其中之一。第一金屬層可包含複數個第一開口，其中第一絕緣層件係排列使得第一絕緣層件中的每一個係設置在緊鄰兩個第一開口之間，且其中第二絕緣層件係排列使得第二絕緣層件中的每一個係排列在緊鄰兩個第一開口之間。第一絕緣層件的列及第二絕緣層件的列係交替地排列。
在前述又一顯示裝置中，第一金屬層可包含複數個第一開口，而第二金屬層可包含複數個第二開口，在垂直於主要表面的方向上檢視時，複數個第二開口中的每一個係重疊於第一開口的其中之一。顯示裝置可進一步包含：通過上絕緣層、第三絕緣層件及至少一下絕緣層所形成的第三開口，其中密封件係包含延伸穿越第三開口並接觸第一基板的凸起。在垂直於主要表面的方向上視察時，第三開口中的每一個可重疊於第一開口的其中之一。至少一電晶體可包含設置在顯示區域中的至少一下絕緣層上的開關電晶體及驅動電晶體。顯示裝置可進一步包含：設置在驅動電晶體上的電容器。
本發明的另一態樣提供一種製造顯示裝置的方法，其包含：提供第一基板，第一基板具有主要表面，並進一步包含設置在主要表面的大體上中心部分上的顯示區域、及設置環繞顯示區域的周邊區域；形成在第一基板上的至少一下絕緣層；形成在顯示區域中的至少一下絕緣層上的至少一電晶體；形成在第一基板的顯示區域上的發光結構；形成在第一基板的周邊區域中的至少一下絕緣層上的凹凸結構，凹凸結構包含至少一金屬層；形成在凹凸結構上具有不平坦頂面的上絕緣層；提供第二基板；以及形成在第一基板及第二基板之間的密封件，其中密封件接觸並結合至上絕緣層的不平坦頂面，並進一步結合到至第二基板。
在前述方法中，形成凹凸結構可包含：形成在至少一下絕緣層上具有複數個第一開口的至少一金屬層的第一金屬層；形成在第一金屬層上的第一絕緣層件和第二絕緣層件；以及在第一金屬層上形成至少一金屬層的第二金屬層，第二金屬層具有複數個第二開口並覆蓋第一絕緣層件 及第二絕緣層件。方法可進一步包含在第一開口中形成第三絕緣層件。第一絕緣層件、第二絕緣層件及第三絕緣層件可同時形成。方法可進一步包含：通過上絕緣層、第三絕緣層件、及至少一下絕緣層形成第三開口，第三開口部分地暴露第一基板，其中密封件包含延伸穿越第三開口並接觸第一基板的凸起。在垂直於主要表面的方向上視察時，第三開口中的每一個可重疊於第一開口。
本發明的另一態樣提供一種顯示裝置，其包含：包含主要表面的基板；相對於基板的封蓋；設置在主要表面的大體上中心部分上，並插入於基板及封蓋之間的發光像素的陣列；設置圍繞大體上中心部分的基板之周邊部分上的密封件，密封件插入於基板與封蓋之間並互聯基板與封蓋；形成在基板的整體周邊部分的下絕緣層；形成在下絕緣層上並包含彼此隔開的孔洞的第一金屬層；每一個係容納在第一金屬層的孔洞的其中之一的第一絕緣件；形成在第一金屬層上的第二金屬層，且第二金屬層包含第一凸起部分及每一個係設置在緊鄰兩個第一凸起部分之間之第一凹陷部分；每一個係放置在第一金屬層及第二金屬層的第一凸起部分的其中之一之間的第二絕緣件；形成在第二金屬層上的上絕緣層，且上絕緣層包含形成在第二金屬層的第一凸起部分上的第二凸起部分、及每一個係設置在緊鄰兩個第二凸起部分之間的第二凹陷部分；其中密封件係結合至並接觸上絕緣層的第二凸起部分的頂面及側面以及與第一絕緣件結合及接觸之第二凹陷部分的表面，其中第一絕緣件每一個係結合並接觸下絕緣層。
在前述的顯示裝置中，第二絕緣件中的每一個可包含接觸並結合至上絕緣層的側面。在垂直於主要表面的方向上視察時，第二金屬層 可包含每一個重疊於第一金屬層的孔洞的其中之一的開口，且上絕緣層包含延伸穿越開口的凸起，以接觸第一絕緣件。在垂直於主要表面的方向上視察時，下絕緣層、上絕緣層及第二金屬層中的每一個可包含每一個重疊於第一金屬層的孔洞的其中之一的孔洞，而密封件係包含延伸穿越孔洞以接觸基板的凸起。
依然於前述裝置中，發光像素的陣列可包含金屬層及絕緣層，其中第一金屬層及第二金屬層中的每一個係以相同於發光像素的陣列的金屬層的其中之一的材料而形成，其中上絕緣層及下絕緣層中的每一個係以相同於發光像素的陣列的絕緣層的其中之一的材料而形成，其中第一絕緣件係以相同於發光像素的陣列的絕緣層的其中之一的材料而形成，其中第二絕緣件係以相同於發光像素的陣列的絕緣層的其中之一的材料所形成。上絕緣層及下絕緣層中之至少之一可包含逐一形成的兩個或更多個子層。密封件不接觸第一金屬層及第二金屬層中任何一層。
根據例示性實施例的一態樣，提供一種顯示裝置，其包含：第一基板、至少一絕緣層、至少一電晶體、發光結構、凹凸結構、密封件、及第二基板。第一基板可具有顯示區域及周邊區域。至少一絕緣層可設置在第一基板上。至少一電晶體可設置在顯示區域中的至少一絕緣層上。發光結構可設置在至少一電晶體上。凹凸結構可設置在周邊區域中的至少一絕緣層上。密封件可設置在凹凸結構上。第二基板可設置在發光結構及密封件上。
在例示性實施例中，凹凸結構可包含至少一絕緣層圖案及至少一金屬層圖案。
在例示性實施例中，凹凸結構可包含第一金屬層圖案、第一絕緣層圖案、第二絕緣層圖案、及第二金屬層圖案。第一金屬層圖案可設置在至少一絕緣層上。第一絕緣層圖案及第二絕緣層圖案可設置在第一金屬層圖案上。第二金屬層圖案可設置在第一金屬層圖案上。第二金屬層圖案可實質上覆蓋第一及第二絕緣層圖案。
在例示性實施例中，第一金屬層圖案可具有複數個第一開口。第一絕緣層圖案可沿行方向(column direction)或列方向(row direction)而在相鄰第一開口之間排列。第二絕緣層圖案可沿列方向或行方向而在相鄰第一開口之間排列。
在一些例示性實施例中，第一絕緣層圖案及第二絕緣層圖案可沿列方向或行方向而交替地排列。
在一些例示性實施例中，第二金屬層圖案可具有複數個第二開口。例如，第二開口中的每一個可具有尺寸大致上相同於第一開口中的每一個的尺寸。
在例示性實施例中，至少一絕緣層可包含第一絕緣層、第二絕緣層及第三絕緣層。第一絕緣層可設置在第一基板上。第二絕緣層可位於第一絕緣層上。第三絕緣層可位於第二絕緣層上。
在例示性實施例中，第一金屬層圖案可設置在第二絕緣層上，而第一開口可以第三絕緣層填充。
在一些例示性實施例中，凹凸結構可額外地包含設置在第二金屬層圖案上的第四絕緣層。
在一些例示性實施例中，凹凸結構可額外地包含通過第四絕緣層、第三絕緣層、第二絕緣層及第一絕緣層而形成的第三開口。第三開口可部分地暴露第一基板。第三開口中的每一個可設置在第一開口中的每一個。
在例示性實施例中，密封件可通過第三開口而接觸第一基板。
在例示性實施例中，至少一電晶體可包含設置在顯示區域中的至少一絕緣層上的開關電晶體及驅動電晶體。
在一些例示性實施例中，顯示裝置可額外地包含設置在驅動電晶體上的電容器。
根據例示性實施例的另一態樣，提供一種製造顯示裝置的方法。在方法中，可提供具有顯示區域及周邊區域的第一基板。至少一絕緣層可形成在第一基板上。至少一電晶體可形成在顯示區域中的至少一絕緣層上。發光結構可形成在至少一電晶體上。凹凸結構可形成在周邊區域中的至少一絕緣層上。密封件可形成在凹凸結構上。第二基板可形成在發光結構及密封件上。
在根據例示性實施例之形成凹凸結構中，第一金屬層圖案可形成在至少一絕緣層上。第一金屬層圖案可具有複數個第一開口。第一絕緣層圖案及第二絕緣層圖案可形成在第一金屬層圖案上。第二金屬層圖案可形成在第一金屬層圖案上。第二金屬層圖案可具有複數個第二開口，且可實質上覆蓋第一絕緣層圖案及第二絕緣層圖案。
在根據例示性實施例之形成至少一絕緣層中，第一絕緣層可形成在第一基板上。第二絕緣層可形成在第一絕緣層上。第三絕緣層可形成在第二絕緣層上。
在一些例示性實施例中，第一及第二絕緣層圖案及第三絕緣層可同時形成。
在例示性實施例中，第一金屬層圖案可形成在第二絕緣層上，且第一開口可以第三絕緣層填充。
在根據一些例示性實施例之形成凹凸結構中，第四絕緣層可額外地形成在第二金屬層圖案上。
在根據一些例示性實施例之形成凹凸結構中，複數個第三開口可藉由部分地移除第四絕緣層、第三絕緣層、第二絕緣層及第一絕緣層而形成。第三開口可部分地暴露第一基板。
在例示性實施例中，複數個第三開口中的每一個可形成在複數個第一開口中的每一個。
根據例示性實施例，顯示裝置可包含凹凸結構，凹凸結構具有不平坦頂面、至少一金屬層及至少一絕緣層圖案。凹凸結構可設置在密封件上，使得第一基板及第二基板之間的黏接強度可增強。
I‧‧‧顯示區域
II‧‧‧周邊區域
10、200‧‧‧第一基板
15、205‧‧‧第一絕緣層
20、210‧‧‧第一主動元件
25、215‧‧‧第二主動元件
30、220‧‧‧第二絕緣層
35、225‧‧‧第一電極
40、230‧‧‧第二電極
45、235‧‧‧第一金屬層
55、245‧‧‧第三絕緣層件
60、250‧‧‧第一絕緣層件
65‧‧‧第二絕緣層件
70、260‧‧‧第三電極
75、265‧‧‧第二金屬層
85、275‧‧‧第四絕緣層
90、280‧‧‧源極電極
95、285‧‧‧汲極電極
105、290‧‧‧第五絕緣層
110、295‧‧‧像素定義層
115、300‧‧‧底部電極
120、305‧‧‧發光層
125、310‧‧‧頂部電極
130、315‧‧‧保護層
135、320‧‧‧密封件
140、325‧‧‧第二基板
OP1‧‧‧第一開口
OP2‧‧‧第二開口
OP3‧‧‧第三開口
例示性實施例可由以下的敘述搭配附圖而更詳細地理解，其中：第1圖係為說明根據例示性實施例之顯示裝置之剖面圖； 第2圖至第5圖係為說明根據例示性實施例之顯示裝置之凹凸結構之透視圖；第6圖係為說明沿著第2圖中的線I-I'截取之凹凸結構之剖面圖；第7圖係為說明沿著第2圖中的線II-II'截取之凹凸結構之剖面圖；第8A圖至第81圖係為說明根據例示性實施例之製造顯示裝置之方法之剖面圖；第9圖係為說明根據一些例示性實施例之顯示裝置之剖面圖；以及第10A圖至第10C圖係為說明根據一些例示性實施例之製造顯示裝置之方法之剖面圖。
以下，本發明的例示性實施例將參照附圖而詳細地描述。在圖式中，相同或相似的參考符號可表示相同或相似的元件。
第1圖係為說明根據例示性實施例之顯示裝置之剖面圖。第2圖至第5圖係為說明根據例示性實施例之顯示裝置之凹凸結構之透視圖。第6圖係為說明沿著第2圖中的線I-I'截取之凹凸結構之剖面圖。第7圖係為說明沿著第2圖中的線II-II'截取之凹凸結構之剖面圖。
參考第1圖，根據例示性實施例之顯示裝置可包含第一基板10、第一絕緣層15、第一主動元件20、第二主動元件25、第二絕緣層30、 第一電極35、第二電極40、第一金屬層45、第三絕緣層件55、第一絕緣層件60、第二絕緣層件65(參考第4圖)、第三電極70、第二金屬層75、第四絕緣層85、源極電極90、汲極電極95、第五絕緣層105、像素定義層110、底部電極115、發光層120、頂部電極125、保護層130、密封件135、第二基板140等。在例示性實施例中，顯示裝置的發光結構可包含底部電極115、發光層120及頂部電極125。另外，顯示裝置的凹凸結構可包含第一金屬層45、第一絕緣層件60、第二絕緣層件65、第二金屬層75、以及第四絕緣層85。
第一基板10可具有顯示區域I及周邊區域II。第一基板10可包含透明的無機材料或可撓性塑膠。例如，第一基板10可包含剛性玻璃基板、石英基板等。或者，第一基板10可包含可撓性透明樹脂基板。這裡，用於第一基板10的可撓性透明樹脂基板可包含聚醯亞胺(polyimide)基板。例如，聚醯亞胺基板可包含第一聚醯亞胺層、阻隔膜層、第二聚醯亞胺層等。在一些例示性實施例中，第一基板10可具有堆疊的結構，其中第一聚醯亞胺層、阻隔膜層、及第二聚醯亞胺層係堆疊在玻璃基板上。這裡，在第一絕緣層15提供在第二聚醯亞胺層上之後，上部結構可定位在第一絕緣層15上。在上部結構提供之後，玻璃基板可被移除。因為聚醯亞胺基板是薄型的且為可撓性的，可能難以使上部結構直接形成在聚醯亞胺基板上。據此，在上部結構形成在剛性玻璃基板上之後，聚醯亞胺基板可藉由移除玻璃基板而使用作為第一基板10。
第一絕緣層15可設置在第一基板10上。第一絕緣層15可從顯示區域I延伸到周邊區域II。第一絕緣層15可包含無機材料。例如，第一絕 緣層15可包含矽化合物，如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氧氮化矽(SiOxNy)、碳氧化矽(SiOxCy)、碳氮化矽(SiCxNy)等。在一些例示性實施例中，第一絕緣層15可包含有機材料。例如，第一絕緣層15可包含聚醯亞胺系樹脂(polyimide-based resin)、光阻劑(photoresist)、丙烯酸系樹脂(acrylic-based resin)、聚醯胺系樹脂(polyamide-based resin)、矽氧烷系樹脂(siloxane-based resin)等。其可單獨使用或以其組合而使用。
如第1圖中所示，第一主動元件20及第二主動元件25可設置在顯示區域I中的第一絕緣層15上。第一主動元件20及第二主動元件25可以一預定距離而在第一絕緣層15上分開。在例示性實施例中，第一主動元件20及第二主動元件25中的每一個可包含氧化物半導體、無機半導體(例如，非晶矽、多晶矽等)、有機半導體等。
第二絕緣層30可位於第一絕緣層15上。第二絕緣層30可覆蓋在顯示區域I中的第一主動元件20及第二主動元件25。在周邊區域II中，第二絕緣層30可直接設置在第一絕緣層15上。第二絕緣層30可包含無機材料。例如，第二絕緣層30可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。或者，第二絕緣層30可包含有機材料。例如，第二絕緣層30可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
第一電極35、第二電極40及第一金屬層45可設置在第二絕緣層30上。在例示性實施例中，第一電極35及第二電極40可設置在顯示區域I中，而第一金屬層45可設置在周邊區域II中。在顯示區域I中，第一電極 35及第二電極40可設置在第二絕緣層30上。第一主動元件20及第二主動元件25可設置在第二絕緣層30之下。此處，第一電極35及第二電極40中的每一個可分別定位在第一主動元件20及第二主動元件25之上。在例示性實施例中，第一金屬層45可包含以一預定距離而隔開的複數個第一開口OP1，如於第3圖中所示。在這種情況下，第一開口OP1可規律地沿著列方向或行方向而排列。例如，第一金屬層45可具有實質的網格結構。
第一電極35、第二電極40及第一金屬層45中的每一個可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第一電極35、第二電極40及第一金屬層45中的每一個可包含鋁(Al)、鋁合金、氮化鋁(AlNx)、銀(Ag)、銀合金、鎢(W)、氮化鎢(WNx)、銅(Cu)、銅合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrNx)、鉬(Mo)、鉬合金、鈦(Ti)、氮化鈦(TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鍶釕(strontium ruthenium oxide,SRO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鋅(IZO)等。其可單獨使用或以其組合而使用。在例示性實施例中，第一電極35、第二電極40及第一金屬層45可同時形成。
再次參考第1圖，第三絕緣層件55可設置在第二絕緣層30上。在顯示區域I中，第三絕緣層件55可定位在第二絕緣層30上，以大致上覆蓋第一電極35及第二電極40。在周邊區域II中，第三絕緣層件55可設置在第二絕緣層30上，以在第一金屬層45中實質上填充第一開口OP1。在這種情況下，複數個第一絕緣層件60及複數個第二絕緣層件65可設置在第一金屬層45上。
在例示性實施例中，第三絕緣層件55在周邊區域II中可大致上填充第一金屬層45的第一開口OP1，如第4圖中所示。此處，第一絕緣層件60可在相鄰的第一開口OP1之間排列在第一金屬層45上。第二絕緣層件65可排列在第一金屬層45上，並可以一預定距離與第一絕緣層件60隔開。第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可沿著列方向或行方向交替地排列。例如，第一絕緣層件60可沿著行方向設置在相鄰的第一開口OP1之間的第一金屬層45上。另外，第二絕緣層件65可沿著列方向設置在相鄰的第一開口OP1之間的第一金屬層45上。
在例示性實施例中，在第三絕緣層件55可整體地形成在顯示區域I及周邊區域II中之後，第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可藉由將位於周邊區域II中的第一金屬層45上的第三絕緣層件55圖案化而得到。
第三絕緣層件55、第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可包含無機材料。例如，第三絕緣層件55、第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。或者，第三絕緣層件55、第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可包含有機材料。例如，第三絕緣層件55、第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
如第1圖中所示，在顯示區域I中的第三電極70可設置在第三絕緣層件55的一部分上，且第二電極40可設置在第三絕緣層件55之下。此處，第三電極70可位在第二電極40之上。此外，在周邊區域II中，大致上覆蓋第一絕緣層件60及第二絕緣層件65的第二金屬層75可設置在第一金 屬層45上。此處，第二金屬層75可具有沿著第一及第二絕緣層件60及65的輪廓的實質凹凸形狀。第二金屬層75的總尺寸可大致上相同於或大致上相似於第一金屬層45的總尺寸。
在例示性實施例中，第二金屬層75可具有如第5圖中所示的複數個第二開口OP2。在第二金屬層75中的每個第二開口OP2的尺寸可大致上相同於或大致上相似於第一金屬層45中的每個第一開口OP1的尺寸。據此，第二金屬層75可接觸至少一部分的第一金屬層45。
根據第二金屬層75的形狀，凹凸結構可提供在周邊區域II中。在例示性實施例中，凹凸結構可包含第一金屬層45、第一絕緣層件60、第二絕緣層件65及第二金屬層75。例如，第一及第二絕緣層件60及65可設置在具有第一開口OP1的第一金屬層45上。此外，具有第二開口OP2的第二金屬層75可設置在第一及第二絕緣層件60及65上，使凹凸結構可提供在第二絕緣層30上。
在例示性實施例中，在顯示區域I中的第三電極70以及在周邊區域II中的第二金屬層75可同時形成。第三電極70及第二金屬層75中的每一個可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，第三電極70及第二金屬層75可包含鋁(Al)、鋁合金、氮化鋁(AlNx)、銀(Ag)、銀合金、鎢(W)、氮化鎢(WNx)、銅(Cu)、銅合金、鎳(Ni)、鉻(Cr)、氮化鉻(CrNx)、鉬(Mo)、鉬合金、鈦(Ti)、氮化鈦(TiNx)、鉑(Pt)、鉭(Ta)、氮化鉭(TaNx)、釹(Nd)、鈧(Sc)、氧化鍶釕(SRO)、氧化鋅(ZnOx)、氧化銦錫(ITO)、氧化錫(SnOx)、氧化銦(InOx)、氧化鎵(GaOx)、氧化銦鋅(IZO)等。其可單獨使用或以其組合而使用。
如第1圖所示，在顯示區域I中，第一主動元件20、第二絕緣層30、第一電極35、源極電極90及汲極電極95可提供為開關電晶體的開關元件。另外，第二主動元件25、第二絕緣層30及第二電極40可提供為驅動電晶體的驅動元件。此外，第二電極40、第三絕緣層件55及第三電極70可提供為電容器。在例示性實施例中，當電容器設置在驅動元件上時，顯示裝置的尺寸可減小。
第四絕緣層85可整體地設置在顯示區域I及周邊區域II中。第四絕緣層85可具有用以完全覆蓋下層結構，如凹凸結構、開關元件、驅動元件、電容器等的厚度。在顯示區域I中，第四絕緣層85可設置在第三絕緣層件55上，以實質上覆蓋第三電極70。在周邊區域II中，第四絕緣層85可設置在第三絕緣層件55上，以完全覆蓋凹凸結構。第四絕緣層85可具有沿著凹凸結構之輪廓的實質凹凸形狀。在實施例中，第四絕緣層85及凹凸結構中的每一個包含不平坦頂面。第四絕緣層85的不平坦頂面的輪廓可符合或依循凹凸結構的不平坦頂面。第四絕緣層85可包含無機材料。例如，第四絕緣層85可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。或者，第四絕緣層85可包含有機材料。例如，第四絕緣層85可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
再次參考第1圖，接觸孔可通過在顯示區域I中的第四絕緣層85、第三絕緣層件55、及第二絕緣層30而形成。接觸孔可暴露第一主動元件20。源極電極90及汲極電極95可分別接觸第一主動元件20的源極區域及汲極區域。源極電極90及汲極電極95可設置在第四絕緣層85上，使得接觸 孔可以源極電極90及汲極電極95填充。源極電極90及汲極電極95中的每一個可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，源極電極90及汲極電極95中的每一個可包含Al、鋁合金、AlNx、Ag、銀合金、W、WNx、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、鉬合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。其可單獨使用或以其組合而使用。
在顯示區域I中，第五絕緣層105可設置在第四絕緣層85上。第五絕緣層105可包含無機材料。例如，第五絕緣層105可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。在一些例示性實施例中，第五絕緣層105可包含有機材料。例如，第五絕緣層105可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
部分地暴露汲極電極95的孔洞可通過第五絕緣層105而形成。此處，底部電極115可設置在第五絕緣層105上，使孔洞可以底部電極115填充。因此，底部電極115可電性地連接至汲極電極95。底部電極115可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，底部電極115可包含Al、鋁合金、AlNx、Ag、銀合金、W、WNx、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、鉬合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。其可單獨使用或以其組合而使用。
像素定義層110可設置在第五絕緣層105上，使底部電極115可藉由像素定義層110而限定。像素定義層110可包含無機材料。例如，像 素定義層110可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。在一些例示性實施例中，像素定義層110可包含有機材料。例如，像素定義層110可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
像素定義層110可設置在底部電極115上，以暴露底部電極115。發光層120可位於暴露的底部電極115上。發光層120可具有包含有機發光層(EL)、電洞注入層(HIL)、電洞傳輸層(HTL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等的多層結構。在例示性實施例中，有機發光層可包含發光材料，發光材料根據顯示裝置中的像素的類型能夠產生不同顏色的光，諸如紅色的光、藍色的光、及綠色的光。在一些例示性實施例中，有機發光層一般可藉由堆疊能夠產生不同顏色的光，諸如紅色的光、綠色的光、藍色的光等的複數個發光材料來產生白色的光。
頂部電極125可設置在發光層120上。頂部電極125可包含金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等。例如，頂部電極125可包含Al、鋁合金、AlNx、Ag、銀合金、W、WNx、Cu、銅合金、Ni、Cr、CrNx、Mo、鉬合金、Ti、TiNx、Pt、Ta、TaNx、Nd、Sc、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等。其可單獨使用或以其組合而使用。
保護層130可設置在顯示區域I中的像素定義層110及頂部電極125上。密封件135可提供在周邊區域II中的第四絕緣層85上。保護層130可包含無機材料。例如，保護層130可包含矽化合物，如SiOx、SiNx、 SiOxNy、SiOxCy、SiCxNy等。其可單獨使用或以其組合而使用。選擇地，保護層130可包含有機材料。例如，保護層130可包含聚醯亞胺系樹脂、光阻劑、丙烯酸系樹脂、聚醯胺系樹脂、矽氧烷系樹脂等。其可單獨使用或以其組合而使用。
在例示性實施例中，密封件135可在第四絕緣層85上具有實質水平面，以覆蓋在周邊區域II中的凹凸結構。因為第四絕緣層85可根據凹凸結構的形狀而具有實質的擴大表面，在密封件135及第四絕緣層85之間的接觸界面亦可增大。據此，密封件135的黏接強度可增強。例如，密封件135可包含玻璃料(frit)等。在一些例示性實施例中，密封件135可額外地包含光固化材料。例如，密封件135可包含化合物如有機材料及光固化材料。此外，固化的密封件135可在紫外線、雷射光束、可見光線等照射在密封件135之後而得到。例如，包含在密封件135中的光固化材料可包含環氧丙烯酸系樹脂(epoxy acrylate-based resin)、聚酯丙烯酸系樹脂(polyester acrylate-based resin)、氨基甲酸乙酯丙烯酸系樹脂(urethane acrylate based-resin)、聚丁二烯丙烯酸系樹脂(polybutadine acrylate-based resin)、矽丙烯酸系樹脂(silicon acrylate-based resin)、烷基丙烯酸系樹脂(alkyl acrylate-based resin)等。
第二基板140可設置在保護層130及密封件135上。第二基板140可包含透明絕緣材料、可撓性材料等。例如，第二基板140可包含玻璃基板、石英基板、透明樹脂基板等。或者，第二基板140可具有至少一有機層及至少一無機層可交替地堆疊的堆疊結構。在這種情況下，無機層可包含氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、碳氧化矽、碳氮化矽、氧化鋁、氮化鋁、 氧化鈦、氧化鋅等。另外，有機層可包含丙烯酸單體(acrylate monomer)、苯乙炔(phenylacetylene)、二胺(diamine)、二酐(dianhydride)、矽氧烷(siloxane)、矽烷(silane)、聚對二甲苯(parylene)、烯烴系聚合物(olefin-based polymer)、聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate)、氟樹脂(fluorine resin)、聚矽氧烷(polysiloxane)等。
在例示性實施例中，為了將第一基板10與第二基板140結合，雷射可照射到其中凹凸結構及密封件135所設置的周邊區域II中。根據雷射照射，密封件135的相位可從固相變為液相。另外，液相的密封件135可在一預定時間之後固化成固相。根據密封件135的相位變化，第二基板140可與第一基板10結合，以密封第二基板140及第一基板10。在周邊區域II中的第一及和第二金屬層45及75可在雷射照射時吸收及/或反射雷射的能量。藉由第一金屬層45及第二金屬層75而吸收及/或反射的能量可轉移至密封件135。此處，能量可貢獻至密封件135的相位變化。有鑑於第四絕緣層85係提供在凹凸結構上，密封件135及第四絕緣層85之間的接觸界面可增大。據此，第一基板10及第二基板140之間的黏接強度可增強。
以下，根據本發明之例示性實施例之顯示裝置的凹凸結構將參考附圖而更詳細地描述。
第6圖係為說明沿著第2圖中的線I-I'截取之凹凸結構之剖面圖。第7圖係為說明沿著第2圖中的線II-II'截取之凹凸結構之剖面圖。
參照第6圖及第7圖，第一絕緣層15可設置在第一基板10上。第二絕緣層30可設置在第一絕緣層15上。如第2圖及第3圖中所示，第一金 屬層45可具有複數個第一開口OP1。例如，第一金屬層45一般可具有實質網格形狀。
第一金屬層45可位於第二絕緣層30上。第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可設置在第一金屬層45上。第一絕緣層件60可沿著列方向或行方向排列在第一開口OP1之間的第一金屬層45上。第二絕緣層件65可設置在第一金屬層45上，使得第二絕緣層件65可與第一絕緣層件60沿著列方向或行方向隔開。在這種情況下，第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可沿著列方向或行方向交替地排列。例如，當第一絕緣層件60係沿著列方向於第一開口OP1之間排列時，第二絕緣層件65可沿著行方向於第一開口OP1之間排列。同時，當第二絕緣層件65可沿著列方向於相鄰第一開口OP1之間排列時，第一絕緣層件60可沿著行方向於相鄰第一開口OP1之間排列。
在例示性實施例中，相鄰的第一絕緣層件60及相鄰的第二絕緣層件65中的每一個可以預定距離而隔開。例如，相鄰的第一絕緣層件60可以第一距離而隔開，而相鄰的第二絕緣層件65可以第二距離而隔開。在這種情況下，相鄰的第二絕緣層件65之間的第二距離可實質上大於相鄰的第一絕緣層件60之間的第一距離。
在例示性實施例中，在第三絕緣層件55係從顯示區域I形成至周邊區域II之後，第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可藉由將位於周邊區域II中的第一金屬層45上的第三絕緣層件55圖案化而得到。
如第7圖中所示，第二金屬層75可設置在第一金屬層45上，以使第二金屬層75可實質上覆蓋第一絕緣層件60及第二絕緣層件65。第二金屬層75的總尺寸可大致上相同於或大致上相似於第一金屬層45的總尺 寸。另外，第二金屬層75可具有複數個第二開口OP2。此處，第二金屬層75的第二開口OP2的尺寸可大致上相同於或大致上相似於第一金屬層45的第一開口OP1的尺寸。據此，第二金屬層75可接觸於至少一部分的第一金屬層45。如第7圖中所示，在第一絕緣層件60及第二絕緣層件65可插入於第一金屬層45及第二金屬層75之間下，第二金屬層75可接觸第一金屬層45。根據第二金屬層75的位置，初步凹凸結構可提供在顯示裝置的周邊區域II中。
如第6圖及第7圖中所示，第四絕緣層85可設置在第二金屬層75上，而密封件135可設置在第四絕緣層85上。當密封件135可插入於第一基板10及第二基板140之間時，第二基板140可設置在第一基板10的上部部分。在第四絕緣層85可設置在第二金屬層75上下，凹凸結構可提供在周邊區域II中。凹凸結構可包含至少一金屬層及至少一絕緣層件。在例示性實施例中，凹凸結構可包含第一金屬層45、第二金屬層75、第一絕緣層件60、及第二絕緣層件65，如上所述。
在例示性實施例中，為了將第一基板10與第二基板140結合，雷射可照射到其中凹凸結構及密封件135所設置的周邊區域II中。根據雷射照射，密封件135的相位可從固相變為液相(例如，密封件135可熔融)。另外，液相的密封件135可在一預定時間之後改變為固相。根據密封件135的相位變化，第二基板140可與第一基板10結合，從而密封第二基板140與第一基板10。在周邊區域II中的第一金屬層45及第二金屬層75可在雷射照射時吸收及/或反射雷射的能量。藉由第一金屬層45及第二金屬層75而吸收及/或反射的能量可轉移至密封件135。此處，能量可貢獻至密封 件135的相位變化。舉例來說，密封件135可由於第一金屬層45及第二金屬層75而均勻地熔融，使密封件135的黏接力可整體地改善。由於密封件135可設置在凹凸結構上，密封件135及凹凸結構之間的接觸界面(例如，結合界面)可增大。當密封件135的接觸界面增大時，第一基板10及第二基板140之間的黏接強度可增強。
參照第1圖至第6圖，在實施例中，第四絕緣層85包含凸起，凸起係延伸穿越可接觸並接合至第三絕緣層件55的第二開口OP2。在實施例中，第二絕緣層件65中的每一個可包含側面，側面不被第二金屬層75所覆蓋，且可通過第二金屬層75的第二開口OP2而暴露。第四絕緣層85的凸起可接觸並接合至第二絕緣層件65的暴露側面。
如第1圖至第7圖中所示的實施例，第四絕緣層85接觸並接合至第三絕緣層件55，第三絕緣層件55係接合至第二絕緣層30，且因此，絕緣層15、30、85及絕緣層件55及65可一體成型。因此，可提供改良的束縛力(bondage)。另外，在實施例中，可選擇絕緣層15、30、85及絕緣層件55及65的材料，以提供在其界面上足夠的束縛力。另外，在實施例中，第二絕緣層件65係接合至第四絕緣層85，而部分第二金屬層75係插入其間，因此，絕緣結構及金屬層45及75之間的脫離情形可最小化或減低。
第8A圖至第8I圖係為說明根據例示性實施例之製造顯示裝置之方法之剖面圖。
參考第8A圖，第一絕緣層205可形成在第一基板200上。第一基板200可使用透明無機材料或可撓性塑膠而形成。第一絕緣層205可使用無機材料或有機材料而形成。在例示性實施例中，第一基板200可具有 顯示區域I及周邊區域II。第一絕緣層205可均形成在顯示區域I及周邊區域II中。
第一主動元件210及第二主動元件215可形成在顯示區域I中的第一絕緣層205上。例如，第一主動元件210及第二主動元件215中的每一個可分別設置在第一絕緣層205的第一部份及第一絕緣層205的第二部分。此處，第一主動元件210及第二主動元件215可以一預定距離隔開。第一主動元件210及第二主動元件215中的每一個可使用氧化物半導體、無機半導體(例如，非晶矽，多晶矽等)、有機半導體等而形成。
參考第8B圖，第二絕緣層220可形成在第一絕緣層205上，以及形成在第一主動元件210及第二主動元件215上。在例示性實施例中，第二絕緣層220可形成在第一絕緣層205上，使第二絕緣層220可整體覆蓋在顯示區域I中的第一主動元件210及第二主動元件215。同時，第二絕緣層220可直接地形成在周邊區域II中的第一絕緣層205上。第二絕緣層220可使用無機材料或有機材料而形成。
參考第8C圖，第一電極225、第二電極230及第一金屬層235可形成在第二絕緣層220上。在例示性實施例中，第一電極225及第二電極230可形成在顯示區域I中，而第一金屬層235可形成在周邊區域II中。在顯示區域I中，第一電極225及第二電極230可形成在第二絕緣層220上，而第一主動元件210及第二主動元件215可形成在第二絕緣層220之下。此處，第一電極225及第二電極230中的每一個可分別設置在第一主動元件210及第二主動元件215上。在周邊區域II中，第一金屬層235可直接地形成在第二絕緣層220上。在例示性實施例中，複數個第一開口OP1可形成在第一 金屬層235中。例如，包含第一開口OP1的第一金屬層235可具有實質的網格結構。
第一電極225、第二電極230及第一金屬層235中的每一個可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。在例示性實施例中，第一電極225、第二電極230及第一金屬層235可同時形成。
參考第8D圖，第三絕緣層件245及第一絕緣層件250可形成在第二絕緣層220之上。在例示性實施例中，在顯示區域I中的第三絕緣層件245可形成在第二絕緣層220上，使得第三絕緣層件245可整體覆蓋第一電極225及第二電極230。在周邊區域II中，第三絕緣層件245可形成在第二絕緣層220上，使得第三絕緣層件245可實質上填充第一金屬層235的第一開口OP1。在例示性實施例中，第一絕緣層件250及第二絕緣層件(未顯示)可形成在第一金屬層235上。
在例示性實施例中，在周邊區域II中的第三絕緣層件245可實質上填充第一金屬層235的第一開口OP1。例如，在第三絕緣層件245形成在周邊區域II中的第二絕緣層220及第一金屬層235上以後，第一絕緣層件250及第二絕緣層件可藉由將第三絕緣層件245圖案化而形成在第一金屬層235上。第三絕緣層件245、第一絕緣層件250及第二絕緣層件可使用無機材料或有機材料而形成。
參考第8E圖，第三電極260可形成在顯示區域I中的第三絕緣層件245的一部分上。因此，第二電極230可設置在第三絕緣層件245之下。也就是說，第三電極260可設置在第二電極230之上。另外，在周邊區域II 中，覆蓋第一絕緣層件250及第二絕緣層件的第二金屬層265可形成在第一金屬層235上。此處，第二金屬層265的尺寸可大致上相同於或大致上相似於第一金屬層235的尺寸。
在例示性實施例中，複數個第二開口OP2可形成在第二金屬層265中。第二金屬層265的每個第二開口OP2的尺寸可大致上相同於第一金屬層235的每個第一開口OP1的尺寸。此外，第二開口OP2及第一開口OP1可具有實質上相同的位置。在這種情況下，第二金屬層265可接觸至少一部分的第一金屬層235。
根據第二金屬層265的形成，初步凹凸結構可提供在周邊區域II中。在例示性實施例中，初步凹凸結構可包含第一金屬層235、第一絕緣層件250、第二絕緣層件及第二金屬層265。
第三電極260及第二金屬層265可同時形成。例如，第三電極260及第二金屬層265可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
參考第8F圖，第四絕緣層275可整體地形成在第一基板200的顯示區域I及周邊區域II中。第四絕緣層275可具有完全覆蓋下層結構的厚度。第四絕緣層275可使用無機材料或有機材料而形成。在例示性實施例中，在顯示區域I中，第四絕緣層275可形成在第三絕緣層件245上，以實質上覆蓋第三電極260。在周邊區域II中，第四絕緣層275可形成在第三絕緣層件245上，以實質上覆蓋初步凹凸結構。第四絕緣層275可實質上具有沿著初步凹凸結構之輪廓的凹凸形狀。因此，凹凸結構可形成在周邊區 域II中。凹凸結構可包含第一金屬層235、第一絕緣層件250、第二絕緣層件、第二金屬層265及第四絕緣層275。
參考第8G圖，暴露第一主動元件210的接觸孔可通過在顯示區域I中的第四絕緣層275、第三絕緣層件245及第二絕緣層220而形成。源極電極280及汲極電極285可分別形成在第四絕緣層275上，以實質上填充接觸孔。例如，源極電極280及汲極電極285中的每一個可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
在顯示區域I中，第五絕緣層290可形成在第四絕緣層275上。例如，第五絕緣層290可使用無機材料或有機材料而形成。
部分地暴露汲極電極285的孔洞可通過第五絕緣層290而形成。底部電極300可形成在第五絕緣層290上，以實質上填充孔洞。底部電極300可電性地連接至汲極電極285。例如，底部電極300可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
像素定義層295可形成在顯示區域I中的第五絕緣層290上，以定義底部電極300。例如，像素定義層295可使用無機材料或有機材料而形成。
發光層305可形成在被像素定義層295所定義的底部電極300上。發光層305可形成為包含EL、HIL、HTL、ETL、EIL等的多層結構。在例示性實施例中，EL可包含發光材料，發光材料根據顯示裝置中的像素的類型而用於產生不同顏色的光，諸如紅色的光、藍色的光、及綠色的光。在一些例示性實施例中，EL可一般地藉由堆疊用於產生不同顏色的光，諸如紅色的光、綠色的光、藍色的光等的複數個發光材料而產生白色的光。
頂部電極310可形成在發光層305上。頂部電極310可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
參考第8H圖，保護層315可形成在顯示區域I中，而密封件320可提供在周邊區域II中。保護層315可形成在像素定義層295及頂部電極310上。例如，保護層315可使用SiOx、金屬氧化物等而形成。
密封件320可具有實質上平坦的表面，以覆蓋凹凸結構。在例示性實施例中，因為凹凸結構可具有實質上增大的表面，密封件320及凹凸結構之間的接觸界面可增大。因此，相對於凹凸結構的密封件320的黏接力可改善。例如，密封件320可使用玻璃料等而形成。
參考第81圖，第二基板325可形成在保護層315及密封件320上。第二基板325可使用透明絕緣材料、可撓性材料等而形成。
為了將第一基板200與第二基板325結合，雷射可照射進其中密封件320及凹凸結構所位在的周邊區域II中。由此，密封件320可在雷射照射期間從固相熔化成液相。另外，密封件320的相位可在預定時間之後從液相變為固相。根據密封件320的相位變化，第二基板325可與第一基板200結合。也就是說，第二基板325及第一基板200可用密封件320而密封。在例示性實施例中，當雷射照射進周邊區域II中時，在周邊區域II中的第一金屬層235及第二金屬層265可吸收及/或反射雷射的能量。被第一金屬層235及第二金屬層265所吸收及/或反射的能量可轉移至密封件320。據此，因為密封件320可均勻地熔化及固化，密封件320的黏接力可增強。另外，由於密封件320及凹凸結構之間的接觸界面可增大，第一基板200及第二基板325之間的黏接強度(例如，結合強度)可改善。
第9圖係為說明根據一些例示性實施例之顯示裝置之剖面圖。除了可另外包含第三開口OP3的凹凸結構以外，第9圖中所示的顯示裝置可具有大致上相同於或大致上相似於參考第1圖所述的顯示裝置的結構。在第9圖中，對於大致上相同於或大致上相似於參考第1圖所述元件的元件的詳細描述將省略。
參考第9圖，顯示裝置的凹凸結構可進一步包含第三開口OP3。第三開口OP3可分別位於第一金屬層45的第一開口OP1中。在例示性實施例中，第三開口OP3可通過第四絕緣層85、第三絕緣層件55、第二絕緣層30、以及第一絕緣層15而暴露部分的第一基板10。每個第三開口OP3的尺寸可大致上小於每個第一開口OP1的尺寸。當凹凸結構包含定位在第一開口OP1內的第三開口OP3時，由於第一開口OP1的內壁與第三開口OP3的內壁之間的階級，凹凸結構的表面可擴大。密封件135與凹凸結構的接觸界面也可增大，且因此密封件135的黏接力可更增加。另外，因為第三開口OP3可暴露第一基板10(例如，在密封件135及第一基板10可包含相同材料的情況下)，密封件135相對於第一基板10的黏接力可增強。例如，當第一基板10及密封件135中的每一個分別包含玻璃基板及玻璃料時，第一基板10及第二基板140之間的黏接強度可更加提高。
第10A圖至第10C圖係為說明根據一些例示性實施例之製造顯示裝置之方法之剖面圖。除了用於形成第三開口OP3的流程以外，在第10A圖至第10C圖中所示的製造顯示裝置的方法可大致上相同於或大致上相似於參考第8A圖至第8I圖所述的製造顯示裝置的方法。在第10A圖至第 10C圖中，對於大致上相同於或大致上相似於參考第8A圖至第8I圖所述元件之元件的詳細描述將省略。
參考第10A圖，第一絕緣層15可形成在具有顯示區域I及周邊區域II的第一基板10上。第一基板10可使用透明無機材料或可撓性塑膠而形成。第一絕緣層15可使用無機材料或有機材料而形成。第二絕緣層30可形成在第一絕緣層15上。第二絕緣層30可使用無機材料或有機材料形成。
第一金屬層45可形成在周邊區域II中的第二絕緣層30上。第一金屬層45可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
第三絕緣層件55可形成在第二絕緣層30上。第一絕緣層件60及第二絕緣層件(未顯示)可形成在第一金屬層45上。在周邊區域II中，第三絕緣層件55可形成在第二絕緣層30上，以大致上填充第一金屬層45的第一開口OP1。第三絕緣層件55、第一絕緣層件60及第二絕緣層件可使用無機材料或有機材料而形成。
在周邊區域II中，第二金屬層75可形成在第一金屬層45上，以實質上覆蓋在第一金屬層45上的第一絕緣層件60及第二絕緣層件。第二金屬層75的尺寸可實質上相同於或實質上相似於第一金屬層45的尺寸。複數個第二開口(未顯示)可形成在第二金屬層75中。此處，第二金屬層75的每個第二開口的尺寸可大致上相同於第一金屬層45的每個第一開口OP1的尺寸。具有第二開口的第二金屬層75可接觸至少一部分的具有第一開口OP1的第一金屬層45。第二金屬層75可使用金屬、合金、金屬氮化物、導電金屬氧化物、透明導電材料等而形成。
第四絕緣層85可形成在第三絕緣層件55上，以完全覆蓋下層結構。第四絕緣層85可使用無機材料或有機材料而形成。在周邊區域II中，第四絕緣層85可形成在第三絕緣層件55上，以實質上覆蓋第二金屬層75。據此，包含第一金屬層45、第一絕緣層件60、第二絕緣層件、第二金屬層75及第四絕緣層85的凹凸結構可形成在周邊區域II中。
參考第10B圖，第三開口OP3可形成，使得第一基板10在第一開口OP1中可部分地被第三開口OP3所暴露。在例示性實施例中，在蝕刻遮罩(未顯示)可設置在周邊區域II中的第四絕緣層85上之後，暴露部分的第一基板10的第三開口OP3可藉由使用蝕刻遮罩部分地移除第四絕緣層85、第三絕緣層件55、第二絕緣層30、及第一絕緣層15而形成。當第三開口OP3形成在第一開口OP1中時，第一開口OP1的內壁及第三開口OP3的內壁之間可產生階級。因此，具有第一開口OP1的凹凸結構可確保擴大的表面面積。
參考第10C圖，密封件135可形成在凹凸結構上，以實質上填充第三開口OP3。密封件135可具有實質上平坦的表面，以充分地覆蓋凹凸結構。在例示性實施例中，包含第三開口OP3的凹凸結構可具有擴大的表面面積，且因此密封件135及凹凸結構之間的接觸界面可增加。密封件135可接觸被第三開口OP3所暴露的第一基板10的一部分。因此，密封件135相對於凹凸結構及第一基板10的黏接力可增強。當第一基板10及密封件135包含相同的材料時，密封件135相對於第一基板10的黏接力可大幅地增強。據此，第一基板10及第二基板140之間的結合穩定性可藉由改善第一基板10及第二基板140之間的黏接強度而增強。
如上所述，第二基板140可設置在接觸第一基板10及凹凸結構的密封件135上。第二基板140可使用透明絕緣材料、可撓性材料等形成。
本發明可應用於包含凹凸結構的各種電子裝置。例如，本發明可利用於行動電話、智慧型手機、筆記型電腦、平板電腦、個人數位助理(PDA)、可攜式多媒體播放器(PMP)、數位相機、音樂播放器(例如，MP3播放器)、可攜式遊戲機、導航系統等。
前述係為說明性的例示性實施例，且不解釋為其限制。雖然描述了少數例示性實施例，然而所屬技術領域具有通常知識者將輕易理解的是，在並未實質上脫離本發明的新穎教示及優點下，對於例示性實施例之許多修改是可能的。據此，所有如此的修改係旨在被包含在如申請專利範圍所定義的本發明之範疇內。在申請專利範圍中，功能手段用語(means-plus-function)條款係旨在涵蓋本文中所描述之執行所述功能的結構，且不僅只有結構等同物，而是亦包含等價的結構。因此，應理解的是，前述係為各種例示性實施例的說明，且並非解釋為限於所揭露的特定例示性實施例，而對所揭露的例示性實施例之修改以及其他例示性實施例係旨在包含於所附申請專利範圍的範疇內。

Claims (9)

  1. 一種顯示裝置，其包含：一第一基板，係包含一主要表面，並進一步包含設置在該主要表面的一大體上中心部分上的一顯示區域、及設置環繞該顯示區域的一周邊區域；至少一下絕緣層，係設置在該第一基板上；至少一電晶體，係設置在該第一基板的該顯示區域中的該至少一下絕緣層上；一發光結構，係設置在該第一基板的該顯示區域上；一凹凸結構，係設置在該第一基板的該周邊區域中之該至少一下絕緣層上，並包含至少一金屬層；一上絕緣層，係形成在該凹凸結構上，並包含一不平坦頂面；一密封件，係接觸並結合至該上絕緣層的該不平坦頂面；以及一第二基板，係設置在該發光結構上，並結合至該密封件，其中該凹凸結構係包含：一第一金屬層，係設置在該至少一下絕緣層上；複數個第一絕緣層件及複數個第二絕緣層件，係設置在該第一金屬層上；以及一第二金屬層，係設置在該第一金屬層上以覆蓋該複數個第一絕緣層件及該複數個第二絕緣層件，且其中該第一金屬層係接觸該第二金屬層之至少一部分。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該密封件不接觸該至少一金屬層。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其進一步包含複數個第三絕緣層件，其中該第一金屬層包含複數個第一開口，且該複數個第三絕緣層件中的每一個係容納在該複數個第一開口的其中之一。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一金屬層係包含複數個第一開口，其中該複數個第一絕緣層件係排列使得該複數個第一絕緣層件中的每一個係設置在緊鄰兩個該第一開口之間，且其中該複數個第二絕緣層件係排列使得該複數個第二絕緣層件中的每一個係設排列在緊鄰兩個該第一開口之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之顯示裝置，其中該複數個第一絕緣層件的列及該複數個第二絕緣層件的列係交替地排列。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該第一金屬層係包含複數個第一開口，而該第二金屬層係包含複數個第二開口，在垂直於該主要表面的一方向上視察時，該複數個第二開口中的每一個係重疊於該複數個第一開口的其中之一。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之顯示裝置，其進一步包含通過該上絕緣層、該複數個第三絕緣層件及該至少一下絕緣層所形成的複數個第三開口，其中該密封件係包含延伸穿越該複數個第三開口並接觸該第一基板的複數個凸起，且其中在垂直於該主要表面的一方向上視察時，該複數個第三開口中的每一個係重疊於該複數個第一開口的其中之一。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之顯示裝置，其中該至少一電晶體係包含設置在該顯示區域中之該至少一下絕緣層上的一開關電晶體及一驅動電晶體。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之顯示裝置，其進一步包含設置在該驅動電晶體上的一電容器。
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