TWI402982B - 影像顯示系統及其製造方法 - Google Patents
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Description
本發明有關於一種平面顯示器技術，特別是有關於一種有機發光二極體(organic light emitting diode,OLED)顯示器中OLED驅動區具有雙重閘極結構的薄膜電晶體(TFT)裝置以及具有上述TFT裝置的影像顯示系統及其製造方法。
近年來，主動式陣列平面顯示器的需求快速的增加，例如主動式陣列有機發光二極體(active matrix OLED,AMOLED)顯示器。AMOLED顯示器通常利用薄膜電晶體(thin film transistor,TFT)作為畫素區的開關元件以及發光元件的驅動元件。另外，AMOLED顯示器的週邊電路區(即，驅動電路區)也需要使用由TFT所構成的CMOS電路。
依據主動層所使用的材料分為非晶矽(a-Si)及多晶矽TFT。相較於非晶矽TFT，多晶矽TFT具有高載子遷移率及高驅動電路集積度及低漏電流的優勢而常用於高速操作的產品。因此，低溫多晶矽(low temperature polysilicon,LTPS)成為平面顯示器技術的一種新的應用。LTPS可藉由簡單的IC製程形成之，並將驅動電路整合於具有畫素的基板上，降低了製造成本。
在LTPS薄膜電晶體製造中，週邊電路區及畫素區的TFT具有實質上相同的電特性。然而，AMOLED顯示器中，週邊電路區的TFT及畫素區的開關TFT的電特性需不同於畫素區的驅動TFT。舉例而言，需將前者設計成具有高載子遷移率及低次臨界擺盪(sub-threshold swing)等特性，藉以提供快速響應。另外，需將後者設計成具有高次臨界擺盪及低起始電壓(threshold voltage)等特性，藉以增加顯示灰階(gray level)及延長OLED壽命。然而，若依照上述LTPS製程，要製作不同電特性的TFT是相當困難的。
因此，有必要尋求一種用於OLED顯示器的薄膜電晶體裝置，其可具有不同電特性的TFT。
本發明提供一種影像顯示系統，此系統包括一薄膜電晶體裝置，其包括具有一第一區及一第二區的一基板。一第一閘極層設置於基板的第一區且被一第一絕緣層所覆蓋。一第一多晶矽主動層設置於第一絕緣層上，且一第二多晶矽主動層設置於第二區的基板上，其中第二多晶矽主動層的晶粒尺寸大於第一多晶矽主動層。一第二絕緣層覆蓋第一及第二多晶矽主動層。第二及第三閘極層分別設置於第一及第二多晶矽主動層上方的第二絕緣層上。其中，第一區的第一多晶矽主動層、第一及第二閘極層、及第一及第二絕緣層係構成一第一薄膜電晶體，而第二區的第二多晶矽主動層、第三閘極層、及第一及第二絕緣層係構成一第二薄膜電晶體。
本發明亦提供一種影像顯示系統之製造方法，其中此系統具有一薄膜電晶體裝置，而此方法包括：提供一基板，其具有一第一區及一第二區。在第一區的基板上形成一第一閘極層。在第一區的基板及第一閘極層上覆蓋一第一絕緣層。藉由一第一結晶化製程在第一絕緣層上形成一第一多晶矽主動層。藉由一第二結晶化製程在第二區的基板上形成一第二多晶矽主動層，使第二多晶矽主動層的晶粒尺寸大於第一多晶矽主動層的晶粒尺寸。在第一多晶矽主動層及第二多晶矽主動層上覆蓋一第二絕緣層。在第一多晶矽主動層上方的第二絕緣層上形成一第二閘極層，且同時於第二多晶矽主動層上方的第二絕緣層上形成一第三閘極層。
以下說明本發明實施例之製作與使用。然而，可輕易了解本發明所提供的實施例僅用於說明以特定方法製作及使用本發明，並非用以侷限本發明的範圍。
請參照第1圖，其繪示出一主動式陣列有機發光二極體(AMOLED)顯示器平面示意圖。AMOLED顯示器包括：顯示面板10、資料線驅動電路12、以及掃描線驅動電路14。顯示面板10係具有複數個畫素單元，為了簡化圖式，此處僅繪示出單一畫素單元10a。資料線驅動電路12具有複數資料線D1至Dn，而掃描線驅動電路14具有複數掃描線S1至Sn。每一畫素單元10a與一條資料線以及一條掃描線連接(例如，資料線D3及掃描線S3)而排列成一矩陣。
請參照第2圖，其繪示出第1圖中畫素單元10a的電路示意圖。典型的畫素單元中具有一驅動薄膜電晶體(driving TFT)用於驅動發光元件、一開關薄膜電晶體(switching TFT)用於切換畫素單元的狀態、以及一儲存電容用於儲存影像資料。在本實施例中。畫素單元10a係包括：一發光元件22，例如有機發光二極體(OLED)，以及用以驅動該發光元件22之驅動薄膜電晶體18，其一般為P型薄膜電晶體(PTFT)。畫素單元10a又包含一開關薄膜電晶體16，其一般為N型薄膜電晶體(NTFT)，以及一儲存電容器20。開關薄膜電晶體16的閘極連接至對應之掃描線S3，汲極連接至對應之資料線D3，源極則與儲存電容器20的一端以及驅動薄膜電晶體18的閘極連接。儲存電容器20的另一端係與驅動薄膜電晶體18的源極連接，且連接至電壓源Vdd。驅動薄膜電晶體18的汲極係與發光元件22連接。
如之前所述，驅動薄膜電晶體18的需求與開關薄膜電晶體16及週邊電路薄膜電晶體的電特性需求不同。因此，本發明的實施例提供一種影像顯示系統及其製造方法。該系統具有用於AMOLED顯示器的薄膜電晶體裝置，可具有不同電特性需求的薄膜電晶體且可進一步改善驅動薄膜電晶體18的電特性。
以下說明根據本發明一實施例之影像顯示系統及其製造方法。第3H及4J圖係繪示出根據本發明不同實施例之影像顯示系統，特別是一種具有薄膜電晶體裝置400的影像顯示系統。本發明的實施例係於同一透明基板上的一區域製造用於週邊電路的NTFT/PTFT與用於畫素單元的開關薄膜電晶體(如，NTFT)，且在另一區域製造用於畫素單元的驅動薄膜電晶體(如，PTFT)。在以下的敘述中，用於週邊電路的薄膜電晶體與用於畫素單元的開關電晶體係稱作「非驅動用薄膜電晶體」。
請參照第3H圖，薄膜電晶體裝置400包括具有一第一區100及一第二區200的一基板300。一緩衝層302，可任意地覆蓋於基板300上，以作為基板300與後續所形成的主動層之間的黏著層或是污染阻障層，其可由一氧化矽層、一氮化矽層、或其組合所構成。
一閘極層304a，例如具有一摻雜區307a形成於內的多晶矽層，設置於第一區100的緩衝層302上，而多晶矽主動層304b及304c則設置於第二區200的的緩衝層302上。在本實施例中，閘極層304a與多晶矽主動層304b及304c由同一多晶矽層所構成。換言之，閘極層304a與多晶矽主動層304b及304c係藉由圖案化一多晶矽層所形成的。
一絕緣層308覆蓋基板300、閘極層304a、及多晶矽主動層304b及304c以作為一閘極介電層。
一多晶矽主動層312設置於第一區100的絕緣層308上，在本實施例中，多晶矽主動層312的晶粒尺寸不同於多晶矽主動層304b及304c的晶粒尺寸。舉例而言，後者的晶粒尺寸大於前者的晶粒尺寸。多晶矽主動層312包括一通道區以及一對被通道區所隔開的源極/汲極區312a。同樣地，多晶矽主動層304b包括一通道區以及一對源極/汲極區307b，而多晶矽主動層304c包括一通道區以及一對源極/汲極區307d。
一絕緣層314覆蓋第一區100的多晶矽主動層312與第二區200的多晶矽主動層304b及304c上方的絕緣層308，且作為一閘極介電層。閘極層316a、316b及316c分別對應設置於多晶矽主動層312、304b及304c的絕緣層314上方。在本實施例中，閘極層316a、316b及316c可由同一材料層所構成，例如金屬或多晶矽層。
在本實施例中，位於第一區100的多晶矽主動層312、絕緣層308及314、及閘極層304a及316a係構成一薄膜電晶體，其包括用於AMOLED的發光元件的驅動薄膜電晶體。再者，位於第二區200的多晶矽主動層304b及304c、絕緣層308及314、及閘極層316b及316c係構成二薄膜電晶體，其包括用於AMOLED的非驅動用薄膜電晶體(即，開關薄膜電晶體以及週邊電路薄膜電晶體)。需注意的是在第一區100及第二區200中薄膜電晶體的實際數量係取決於電路設計，並未侷限於第3H圖所繪示的三個薄膜電晶體。
請參照第4J圖，在本實施例中，除了第一區100的多晶矽主動層312下方具有一閘極層401a之外，第二區200的多晶矽主動層404a及404b下方也分別具有閘極層401b及401c。亦即，第一區100及第二區200的薄膜電晶體都具有雙重閘極結構。再者，閘極層401a、401b及401c可由同一材料層所構成，例如金屬或多晶矽層所構成。不同於第3H圖的實施例，絕緣層308自第一區100延伸至第二區200的多晶矽主動層404a及404b下方而覆蓋閘極層401b及401c。再者，一絕緣層402設置於第一區100的多晶矽主動層312與絕緣層314之間，並延伸至第二區200的絕緣層308與多晶矽主動層404a及404b之間。
接下來，第3A至3H圖係繪示出根據本發明實施例之具有薄膜電晶體400之影像顯示系統之製造方法剖面示意圖。請參照第3A圖，提供一基板300，其具有一第一區100及一第二區200。在本實施例中，第一區100係用於製作驅動TFT。第二區200的左側的部分係用於製作非驅動用之NTFT，而右側的部分係用於製作非驅動用之PTFT。基板300可由玻璃、石英、或其他透明材料所構成。
接著，可任意地於基板300上形成一緩衝層302，作為基板300與後續形成的膜層之間的黏著層或污染阻障層。緩衝層302可為一單層或多層結構。舉例而言，緩衝層302可由一氧化矽、一氮化矽、或其組合所構成。之後，在緩衝層302上形成一非晶矽(amorphous silicon)層(未繪示)並對其進行一結晶化製程，以將非晶矽層轉化成一多晶矽層304。在本實施例中，多晶矽層304可藉由高功率雷射結晶化製程(標準雷射結晶化法)而形成。例如，準分子雷射退火(excimer laser annealing,ELA)法。之後，在多晶矽層304上形成一光阻圖案層305作為佈植罩幕(implant mask)，對多晶矽層304實施重離子佈植(heavy ion implantation)306，而在第一區100及第二區200的多晶矽層304內分別形成，例如，N型摻雜區307a及307b。
請參照第3B圖，圖案化多晶矽層304，以在第一區100形成包含摻雜區307a的閘極層304a，且在第二區200形成二個多晶矽主動層304b及304c，其中多晶矽主動層304b包含作為源極/汲極區的N型摻雜區307b。
請參照第3C圖，在第一區100及第二區200的基板300上方形成一絕緣層308並覆蓋閘極層304a及多晶矽主動層304b及304c。絕緣層308可由氧化矽、氮化矽、或其他習知閘極介電材料所構成。接著，在絕緣層308上形成一非晶矽層(未繪示)並對其進行一結晶化製程，以將非晶矽層轉化成一多晶矽層310。特別的是，不同於多晶矽層304，多晶矽層310係利用絕緣層308作為一隔離層並以非雷射結晶技術進行結晶化製程。舉例而言，非雷射結晶技術包括：固相結晶化法(solid phase crystallization,SPC)、金屬誘發結晶化法(metal induced crystallization,MIC)、金屬誘發側向結晶化法(metal induced lateral crystallization,MILC)、電場增強金屬誘發側向結晶化法(field enhanced metal induced lateral crystallization,FE-MILC)、或電場增強快速熱退火法(field enhanced rapid thermal annealing)等等。在此列舉的各種結晶化法僅為例示，本發明並不受限於此。
請參照第3D圖，圖案化多晶矽層310，以在第一區100的絕緣層308上形成對應於閘極層304a的一多晶矽主動層312並去除第二區200的多晶矽層310。由於第一區100的多晶矽主動層312與第二區200的多晶矽主動層304b及304c係利用不同的結晶化製程而形成的，故多晶矽主動層312的晶粒尺寸不同於多晶矽主動層304b及304c的晶粒尺寸。舉例而言，藉由ELA所形成的多晶矽主動層304b及304c的晶粒尺寸大於藉由非雷射結晶技術所形成的多晶矽主動層312的晶粒尺寸。
請參照第3E圖，在絕緣層308上依序形成一絕緣層314及一導電層316並覆蓋多晶矽主動層312。同樣地，絕緣層314可由氧化矽、氮化矽、或其他習知閘極介電材料所構成。再者，導電層316可由多晶矽、鉬(Mo)、鉬合金、或其他習知金屬閘極材料所構成。
請參照第3F圖，圖案化導電層316，以在多晶矽主動層312、304b及304c上方的絕緣層314上分別對應形成閘極層316a、316b及316c。接著，利用閘極層316b作為佈植罩幕，對多晶矽主動層304b實施輕離子佈植(light ion implantation)317，以在多晶矽主動層304b內形成N型輕摻雜汲極(lightly doped drain,LDD)區307c。同時，多晶矽主動層312及304c內也會形成N型輕摻雜區(未繪示)。此處，第二區200的多晶矽主動層304b、位於上方的絕緣層308及314、及閘極層316b係構成非驅動用之NTFT。在本實施例中，非驅動用之NTFT可為開關TFT。
請參照第3G圖，在非驅動用之NTFT上覆蓋一光阻圖案層321。接著，以光阻圖案層321及閘極層316a及316c作為佈植罩幕，對多晶矽主動層312及304c實施重離子佈植319，以在多晶矽主動層312及304c內對應形成作為源極/汲極區的P型摻雜區312a及307d。此處，第一區100的多晶矽主動層312、絕緣層308及314、及閘極層304a及316a係構成驅動PTFT。再者，第二區200的多晶矽主動層304c、絕緣層308及314及閘極層316c係構成非驅動用之PTFT。在本實施例中，非驅動用之PTFT可為週邊電路TFT。
請參照第3H圖，在去除光阻圖案層321之後，在第3G圖的結構上依序形成絕緣層330及332，以作為保護層、平坦層、中間層、或其組合。絕緣層330及332可為氧化矽、氮化矽、或其組合。之後，藉由習知微影及蝕刻製程，在絕緣層330及332內形成露出源極/汲極區312a、307b及307d的接觸孔並於其內填入導電材料而形成對應於源極/汲極區312a、307b及307d的電極334、336、及338，其材質包括：鋁(Al)、鉬(Mo)、鈦(Ti)、或其組合。如此一來，便完成本發明實施例之TFT裝置製作。
接下來，第4A至4J圖係繪示出根據本發明另一實施例之具有薄膜電晶體400之影像顯示系統之製造方法剖面示意圖，其中相同於第3A至3H圖的部件係使用相同的標號並省略其說明。請參照第4A圖，在緩衝層302上形成一導電層(未繪示)，例如多晶矽或金屬層。之後，圖案化導電層，以在第一區100形成閘極層401a且在第二區200形成閘極層401b及401c。
請參照第4B圖，在緩衝層302上依序形成一絕緣層308及一非晶矽層(未繪示)並覆蓋閘極層401a、401b及401c。接著，對非晶矽層進行一結晶化製程，以將非晶矽層轉化成一多晶矽層310。在本實施例中，多晶矽層310可藉由非雷射結晶技術進行結晶化製程。舉例而言，非雷射結晶技術包括：固相結晶化法、金屬誘發結晶化法、金屬誘發側向結晶化法、電場增強金屬誘發側向結晶化法、或電場增強快速熱退火法等等。在此列舉的各種結晶化法僅為例示，本發明並不受限於此。
請參照第4C圖，圖案化多晶矽層310，以在第一區100的絕緣層308上形成對應於閘極層401a的一多晶矽主動層312並去除第二區200的多晶矽層310。
請參照第4D圖，在絕緣層308上依序形成一絕緣層402及一非晶矽層(未繪示)並覆蓋第一區100的多晶矽主動層312。接著，對非晶矽層進行一結晶化製程，以將非晶矽層轉化成一多晶矽層404。特別的是，不同於多晶矽層310，多晶矽層404係利用絕緣層402作為一隔離層並藉由高功率雷射結晶化製程而形成。例如，準分子雷射退火法。因此，多晶矽主動層312的晶粒尺寸小於多晶矽主動層404a及404b的晶粒尺寸。
請參照第4E圖，圖案化多晶矽層404，以去除第一區100的多晶矽層404，且在第二區200形成對應於閘極層401b及401c的多晶矽主動層404a及404b。
請參照第4F圖，在第4E圖的結構上形成一光阻圖案層405以完全覆蓋第一區100及第二區200的多晶矽主動層312與404b並局部覆蓋第二區200的多晶矽主動層404a。以光阻圖案層405作為佈植罩幕，對未被覆蓋的多晶矽主動層404a實施重離子佈植406，而在多晶矽主動層404a內形成作為源極/汲極區的摻雜區407a，例如，N型摻雜區。
請參照第4G圖，在去除光阻圖案層405之後，在絕緣層402上依序形成一絕緣層314及一導電層316並覆蓋第二區200的多晶矽主動層404a及404b。同樣地，絕緣層314可由氧化矽、氮化矽、或其他習知閘極介電材料所構成。再者，導電層316可由多晶矽、鉬(Mo)、鉬合金、或其他習知金屬閘極材料所構成。
請參照第4H圖，圖案化導電層316，以在多晶矽主動層312、404a及404b上方的絕緣層314上分別對應形成閘極層316a、316b及316c。接著，利用閘極層316b作為佈植罩幕，對多晶矽主動層404a實施輕離子佈植317，以在多晶矽主動層404a內形成N型輕摻雜汲極區407b。同時，多晶矽主動層312及404b內也會形成N型輕摻雜區(未繪示)。此處，第二區200的多晶矽主動層404a、絕緣層308、402及314、及閘極層401b及316b係構成非驅動用之NTFT，例如開關TFT。
請參照第41圖，在非驅動用之NTFT上覆蓋一光阻圖案層321。接著，以光阻圖案層321及閘極層316a及316c作為佈植罩幕，對多晶矽主動層312及404b實施重離子佈植319，以在多晶矽主動層312及404b內對應形成作為源極/汲極區的P型摻雜區312a及407c。此處，第一區100的多晶矽主動層312、絕緣層308、402及314、及閘極層401a及316a係構成驅動PTFT。再者，第二區200的多晶矽主動層404b、絕緣層308、402及314、及閘極層401c及316c係構成非驅動用之PTFT，例如，週邊電路TFT。
請參照第4J圖，在去除光阻圖案層321之後，在第41圖的結構上依序形成絕緣層330及332。之後，在絕緣層330及332內形成接觸孔並於其內填入導電材料而形成對應於源極/汲極區312a、407a及407c的電極334、336、及338。如此一來，便完成本發明實施例之TFT裝置製作。
根據上述實施例，由於驅動TFT的主動層與週邊電路TFT及開關TFT的主動層是採用不同結晶化製程製造而成，故可製作出具有不同的晶粒尺寸的主動層，使驅動TFT的電特性可不同於週邊電路TFT及開關TFT的電特性。另外，雙重閘極結構對於驅動TFT、週邊電路TFT及開關TFT而言具有良好控制性，因而可進一步改善驅動TFT的電特性。
第5圖係繪示出根據本發明另一實施例之具有影像顯示系統方塊示意圖，其可實施於一平面顯示(FPD)裝置500或電子裝置700，例如一筆記型電腦、一手機、一數位相機、一個人數位助理(personal digital assistant, PDA)、一桌上型電腦、一電視機、一車用顯示器、或一攜帶型DVD播放器。之前所述的TFT裝置可併入於平面顯示裝置500，而平面顯示裝置500可為OLED顯示器。如第5圖所示，平面顯示裝置500包括一薄膜電晶體裝置，如第3H或4J圖中的薄膜電晶體裝置400所示。在其他實施例中，薄膜電晶體裝置400可併入於電子裝置700。如第5圖所示，電子裝置700包括：一平面顯示裝置500及一輸入單元600。再者，輸入單元600係耦接至平面顯示器裝置500，用以提供輸入信號(例如，影像信號)至平面顯示裝置500以產生影像。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10．．．顯示面板
10a．．．畫素單元
12．．．資料線驅動電路
14．．．掃描線驅動電路
16．．．開關薄膜電晶體
18．．．驅動薄膜電晶體
20．．．儲存電容器
22．．．發光元件
100．．．第一區
200．．．第二區
300．．．基板
302．．．緩衝層
304、310、404．．．多晶矽層
304a、316a、316b、316c、401a、401b、401c．．．閘極層
304b、304c、312、404a、404b．．．多晶矽主動層
305、321、405．．．光阻圖案層
306、319、406．．．重離子佈植
307a、307b、407a．．．N型摻雜區
307c、407b．．．N型輕摻雜汲極區
307d、312a、407c．．．P型摻雜區
308、314、330、332、402．．．絕緣層
316．．．導電層
317．．．輕離子佈植
334、336、338．．．電極
400．．．薄膜電晶體裝置
500．．．平面顯示器裝置
600．．．輸入單元
700．．．電子裝置
D1-Dn．．．資料線
S1-Sn．．．掃描線
Vdd．．．電壓源
第1圖係繪示出一主動式陣列有機發光二極體顯示器平面示意圖；
第2圖係繪示出第1圖中畫素單元的電路示意圖；
第3A至3H圖係繪示出根據本發明實施例之具有薄膜電晶體之影像顯示系統之製造方法剖面示意圖；
第4A至4J圖係繪示出根據本發明另一實施例之具有薄膜電晶體之影像顯示系統之製造方法剖面示意圖；以及
第5圖係繪示出根據本發明另一實施例之影像顯示系統方塊示意圖。
100．．．第一區
200．．．第二區
300．．．基板
302．．．緩衝層
304a、316a、316b、316c．．．閘極層
304b、304c、312．．．多晶矽主動層
307a、307b．．．N型摻雜區
307c．．．N型輕摻雜汲極區
307d、312a．．．P型摻雜區
308、314、330、332．．．絕緣層
334、336、338．．．電極
400．．．薄膜電晶體裝置
Claims (22)
- 一種影像顯示系統，包括：一薄膜電晶體裝置，包括：一基板，具有一第一區及一第二區；一第一閘極層，設置於該第一區的該基板上；一第一絕緣層，覆蓋該第一閘極層；一第一多晶矽主動層，設置於該第一絕緣層上；一第二多晶矽主動層，設置於該第二區的該基板上；一第二絕緣層，覆蓋該第一多晶矽主動層及該第二多晶矽主動層；一第二閘極層，設置於該第一多晶矽主動層上方的該第二絕緣層上；以及一第三閘極層，設置於該第二多晶矽主動層上方的該第二絕緣層上；其中該第一區的該第一多晶矽主動層、該第一及該第二閘極層、及該第一及該第二絕緣層係構成一第一薄膜電晶體，而該第二區的該第二多晶矽主動層、該第三閘極層、及該第一及該第二絕緣層係構成一第二薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該第二多晶矽主動層的晶粒尺寸大於該第一多晶矽主動層的晶粒尺寸。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該第一閘極層與該第二多晶矽主動層由同一多晶矽層所構成。
- 如申請專利範圍第3項所述之影像顯示系統，其中該第一絕緣層延伸至該第二區且覆蓋該第二多晶矽主動層。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該第一絕緣層延伸至該第二區且位於該第二多晶矽主動層下方。
- 如申請專利範圍第5項所述之影像顯示系統，更包括一第四閘極層位於該第二區的該基板與該第二多晶矽主動層下方的該第一絕緣層之間，且該第四閘極層與該第一閘極層由同一金屬層所構成。
- 如申請專利範圍第5項所述之影像顯示系統，更包括一第三絕緣層位於該第一區的該第一多晶矽主動層與該第二絕緣層之間以及該第二區的該第一絕緣層與該第二多晶矽主動層之間。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該第二閘極層與該第三閘極層由同一多晶矽層所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，其中該第二閘極層與該第三閘極層由同一金屬層所構成。
- 如申請專利範圍第1項所述之影像顯示系統，更包括：一平面顯示裝置，包括該薄膜電晶體裝置；以及一輸入單元，耦接至該平面顯示裝置，用以提供一輸入至該平面顯示裝置，使該平面顯示裝置顯示影像。
- 如申請專利範圍第10項所述之影像顯示系統，其中該平面顯示裝置為有機發光二極體顯示器，該第一薄膜電晶體包括用於該有機發光二極體顯示器的一發光元件的一驅動薄膜電晶體，而該第二薄膜電晶體包括用於該有機發光二極體顯示器的一週邊電路薄膜電晶體或畫素區的一開關薄膜電晶體。
- 如申請專利範圍第10項所述之影像顯示系統，其中該系統包括一具有該平面顯示裝置的電子裝置。
- 如申請專利範圍第12項所述之影像顯示系統，其中該電子裝置包括一筆記型電腦、一手機、一數位相機、一個人數位助理、一桌上型電腦、一電視機、一車用顯示器、或一攜帶型DVD播放器。
- 一種影像顯示系統之製造方法，其中該系統具有一薄膜電晶體裝置，而該方法包括：提供一基板，其具有一第一區及一第二區；在該第一區的該基板上形成一第一閘極層；在該第一閘極層上覆蓋一第一絕緣層；藉由一第一結晶化製程在該第一絕緣層上形成一第一多晶矽主動層；藉由一第二結晶化製程在該第二區的該基板上形成一第二多晶矽主動層，使該第二多晶矽主動層的晶粒尺寸大於該第一多晶矽主動層的晶粒尺寸；在該第一多晶矽主動層及該第二多晶矽主動層上覆蓋一第二絕緣層；以及在該第一多晶矽主動層上方的該第二絕緣層上形成一第二閘極層，且同時在該第二多晶矽主動層上方的該第二絕緣層上形成一第三閘極層。
- 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統之製造方法，其中該第一閘極層與該第二多晶矽主動層由同一多晶矽層所構成。
- 如申請專利範圍第15項所述之影像顯示系統之製造方法，其中形成的步驟更包括延伸該第一絕緣層至該第二區以覆蓋該第二多晶矽主動層。
- 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統之製造方法，其中形成該第一閘極層的步驟更包括同時在該第二區的該基板上形成一第四閘極層，且該第四閘極層與該第一閘極層由同一金屬層所構成。
- 如申請專利範圍第17項所述之影像顯示系統之製造方法，更包括延伸該第一絕緣層至該第二區以覆蓋該第四閘極層。
- 如申請專利範圍第17項所述之影像顯示系統之製造方法，更包括在該第一多晶矽主動層上方以及該第二多晶矽主動層下方形成一第三絕緣層。
- 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統之製造方法，其中該第二閘極層與該第三閘極層由多晶矽或金屬所構成。
- 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統之製造方法，其中該第一結晶化製程包括：固相結晶化法、金屬誘發結晶化法、金屬誘發側向結晶化法、電場增強金屬誘發側向結晶化法、或電場增強快速熱退火法。
- 如申請專利範圍第14項所述之影像顯示系統之製造方法，其中該第二結晶化製程包括：準分子雷射退火法。
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