CN103325767B - 一种集成化半导体显示板 - Google Patents
一种集成化半导体显示板 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103325767B CN103325767B CN201310049226.6A CN201310049226A CN103325767B CN 103325767 B CN103325767 B CN 103325767B CN 201310049226 A CN201310049226 A CN 201310049226A CN 103325767 B CN103325767 B CN 103325767B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- layer
- circuit layer
- copolar
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 228
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 328
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims description 264
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 claims description 109
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000003392 Curcuma domestica Nutrition 0.000 claims description 4
- 244000008991 Curcuma longa Species 0.000 claims description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 235000003373 curcuma longa Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 235000013976 turmeric Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 15
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229920001621 AMOLED Polymers 0.000 description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明涉及一种集成化半导体显示板,包括:基板,第一、第二和第三电路层、第一、第二绝缘粘合层、多个红色、绿色和蓝色的半导体晶片,第一电路层被固定在基板上,第一绝缘层将第一电路层与第二电路层绝缘粘合在一起,第二绝缘层将于第二电路层与第三电路层绝缘粘合在一起;红绿蓝三色半导体晶片与第一、第二和第三电路层之间有一一对应的电连接。本发明通过采用独特的电路结构布局,将红绿蓝三色的半导体发光元件分别与各自的电路结构相对应,并且采用共晶技术将半导体发光元件便捷地电连接到相应的电路结构,在有限的布置空间中实现了半导体显示的集成化,提高了半导体显示板的显示效果,满足了广大用户增长的显示需求。
Description
技术领域
本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种集成化半导体显示板。
背景技术
近十几年来,在显示领域出现了两次方向性的变化。在2000年前后,阴极射线管(CRT)产业面临替代危机。在那之后,主流方向趋向于等离子显示(PDP)和薄膜晶体管液晶显示(TFT-LCD)。通过10余年发展,TFT-LCD已成为显示领域主流。然后,随着TFT-LCD和电致发光(EL)技术的进步,有源有机发光显示(AMOLED)也开始产业化。另外,柔性显示(Flexible Display)、激光显示(Laser Display)等新型显示技术不断涌现。目前,新一轮有关显示产业发展方向的争论又已开始。无论从TFT-LCD还是AMOLED发展角度,都可清晰看到半导体显示产业发展的两大关键驱动力:一是技术进步;二是市场应用。为此,业界人士提出了“半导体显示”这一产业新定义,期望对下一步显示产业的发展能产生引导和帮助作用。
例如,半导体发光二极管(LED,Light Emitting Diode)的应用领域在今年来有着巨幅的扩展,其中,成长最快也最具潜力的市场是液晶显示屏(LCD)的背光应用。几年间,白色发光二极管已经随着小型显示屏的背光应用逐渐普遍,目前几乎所有移动电话中的彩色液晶面板都由发光二极管提供背光。最近,白色发光二极管更开始迈入需要更高性能和更长工作时间的膝上型显示屏背光应用。然而,发光二极管在进入大尺寸显示屏,如个人电脑显示屏与电视应用的路途上并未顺利。这种情况是因为除了更佳性能和更长工作时间外,大型液晶面板需要使用如红、绿、蓝(RGB)这类发光二极管来创造更丰富的色彩范围,才能提供比使用CCFL背光更好的采购诱因。
然而,半导体显示的现有技术有着各种各样的瓶颈和问题,例如,半导体显示板的集成化问题。就这一点,如何在半导体显示板的有限面积上通过结构布局和电路布置等与集成化相关的手段安置更密集的半导体发光元件,以满足用户不断提高的显示效果需求,是本领域急需解决的问题。
发明内容
本发明的目的是提供一种能够克服上述缺陷的集成化半导体显示板。
本发明提供了一种集成化半导体显示板,其特征在于包括:基板,第一电路层、第二电路层、第三电路层、第一绝缘粘合层、第二绝缘粘合层、多个半导体红色晶片、多个半导体绿色晶片和多个半导体蓝色晶片,其中:所述第一电路层被固定在所述基板上,所述第一绝缘粘合层将所述第一电路层与所述第二电路层绝缘粘合在一起,所述第二绝缘粘合层将于所述第二电路层与所述第三电路层绝缘粘合在一起;所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片与所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层之间具有一一对应的电连接关系。
优选地,所述集成化半导体显示板还包括:共极层,其形成于所述基板上;第三绝缘粘合层,其将所述共极层与所述第一电路层绝缘粘合在一起;其中,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片分别与所述共极层电连接。
优选地,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片通过分别与所述共极层的电连接而形成共极。
优选地,所述共极层包括第一共极层和第二共极层,所述第一共极层和所述第二共极层相互绝缘,所述多个半导体红色晶片通过与第一共极层的电连接而形成共极、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片分别通过与第二共极层的电连接而形成共极。
优选地,所述共极层通过多次沉铜、多次沉银、多次沉金锡合金的方式之一被形成在所述基板上。
优选地,所述共极层在与所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片进行电连接的位置形成三级台阶,所述三级台阶从低到高分别与所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层平齐并且不接触。
优选地,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片分别通过与对应电路层的电连接而分别形成共极。
优选地,所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层分别由一层或多层电路形成。
优选地,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片组合成多组晶片,所述多组晶片的中心之间是等间距的,每一组晶片包含一个半导体红色晶片、一个半导体绿色晶片和一个半导体蓝色晶片。
优选地,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片是半导体共晶晶片,所述半导体共晶晶片通过共晶焊接技术与对应的电路层和所述共极层形成电连接。
本发明通过采用独特的电路结构布局,将红绿蓝三色的半导体发光元件分别与各自的电路结构相对应,并且采用共晶技术将半导体发光元件便捷地与电连接到相应的电路结构,在有限的布置空间中实现了半导体显示的集成化,提高了半导体显示板的显示效果,满足了广大用户增长的显示需求。
附图说明
图1是根据本发明实施例的红绿蓝半导体晶片不共极的半导体显示板的示意图;
图2是根据本发明实施例的红绿蓝半导体晶片共极的半导体显示板的示意图;以及
图3是根据本发明实施例的蓝绿半导体晶片共极的半导体显示板的示意图。
具体实施方式
下面通过附图和实施例,对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
图1是根据本发明实施例的红绿蓝半导体晶片不共极的半导体显示板的示意图。
如图1所示,根据本发明实施例的半导体显示板包括:基板10;红色晶片电路层15、绿色晶片电路层17;蓝色晶片电路层19;以及红色晶片电路层绝缘层16、红色晶片电路层绝缘层18和红色晶片电路层绝缘层20;若干半导体共晶晶片,即若干DA(directly attached)共晶红色晶片24、若干DA共晶绿色晶片25以及若干DA共晶蓝色晶片26。
基板可以采用陶瓷11,玻璃12,铝基板13等有很好的机械抗张能力的材料制成。
蓝色晶片电路层绝缘层形成在基板上,蓝色晶片电路层继而形成在蓝色晶片电路层绝缘层上;接下来,绿色晶片电路层绝缘层形成在蓝色晶片电路层上,绿色晶片电路层继而形成在绿色晶片电路层绝缘层上;然后,红色晶片电路层绝缘层形成在绿色晶片电路层上,红色晶片电路层继而形成在红色晶片电路层绝缘层上。三层绝缘层可以由具有粘合作用的材料制成,从而使得三层电路层、绝缘层和基板紧密结合在一起,并且三层电路层之间以及底层电路层(在此为蓝色晶片电路层)和基板相互绝缘。
半导体共晶红色、绿色和蓝色晶片具有直接接合DA(directly attached)特性,因此DA共晶晶片可以通过共晶焊接技术完成与相应电路层的电性结合。例如,可以通过无缝隙超声固晶焊接将半导体共晶晶片焊接到电路层上。具体而言,半导体共晶红色晶片被共晶焊接到红色晶片电路层上,半导体共晶绿色晶片被共晶焊接到绿色晶片电路层上,半导体蓝色晶片被共晶焊接到蓝色晶片电路层上,其中,半导体共晶红色晶片通过红色晶片电路层共极(红色共极230),半导体共晶绿色晶片通过绿色晶片电路层共极(绿色共极231),半导体共晶蓝色晶片通过蓝色晶片电路层共极(蓝色共极232)。例如,在半导体共晶晶片采用共晶LED的情况下,所述的共极可以是共阴或者共阳。
多个半导体共晶红色晶片、多个半导体共晶绿色晶片和多个半导体共晶蓝色晶片组合成多组晶片,多组晶片的中心之间是等间距的,所述间距可以不超过1.0毫米,每一组晶片包含一个半导体红色晶片、一个半导体绿色晶片和一个半导体蓝色晶片。
半导体共晶晶片可以是用共晶技术制成的发光二级管LED,也可以是其他的半导体共晶发光元件。例如,红绿蓝LED的一极分别被提供各自的共极导通电压,另一极被连接到含有诸如晶体管之类的大量半导体的驱动电路,通过提供电压和开关控制,可以控制红绿蓝三色的LED晶片发光,从而组合成半导体三基色的基本像素形式。驱动电路通过有线或无线连接完成显示数据在驱动电路和显示电路之间的通信,驱动电路主要由超大规模集成电路和集成驱动电路组成,以完成显示数据的控制、处理和驱动。驱动电路可以为显示部分供电。
应当理解,虽然三层电路层从广义角度看是一一覆盖的,但是相对较高的电路层上保留有用于将相对较低的电路层上用于焊接半导体共晶晶片的焊盘位(PAD)的过孔。例如,绿色晶片电路层在蓝色晶片电路层上用于焊接半导体共晶红色晶片的所有焊盘位处留有孔隙,即绿色晶片电路层不会遮挡蓝色电路层的焊盘位;同理,红色电路层在绿色和蓝色晶片电路层上用于焊接半导体共晶红色晶片和半导体共晶绿色晶片的所有焊盘位处也留有孔隙,即红色晶片电路层不会遮挡绿色和蓝色电路层的焊盘位。另外,本领域技术人员也应当理解,绝缘层不会将电路层完全覆盖,而是会将其上用于电连接的诸如焊盘之类的部分暴露出来。
还应当理解,本实施例中红绿蓝三色半导体共晶晶片以及红色晶片电路层、绿色晶片电路层以及蓝色晶片电路层的对应关系并不意味着限制,而是可以改变的。例如,半导体红色共晶晶片可以连接到最底层的电路层(最接近基板的电路层),半导体蓝色共晶晶片可以连接到最上层的电路层(最远离基板的电路层),诸如此类。优选地,所述的红色、蓝色和绿色晶片电路层一层或多层电路形成,通过增加整个电路层的厚度,可以在半导体共晶晶片密度增加的情况下更从容地在电路层上布线。
图2是根据本发明实施例的红绿蓝半导体晶片共极的半导体显示板的示意图。
如图2所示,根据本发明实施例的半导体显示板包括:基板10;粘合层;共极层(台阶共极14);红色晶片电路层15、绿色晶片电路层17;蓝色晶片电路层19;以及红色晶片电路层绝缘层16、红色晶片电路层绝缘层18和红色晶片电路层绝缘层20;若干半导体共晶晶片,即若干直接接合(DA,directlyattached)共晶红色晶片24、若干DA共晶绿色晶片25以及若干DA共晶蓝色晶片26。
基板可以采用陶瓷11,玻璃12,铝基板13等有很好的机械抗张能力的材料制成。
共极层是通过在基板上进行多次沉铜、或者多次沉银、或多次沉金锡合金形成的,以便于微米级的半导体晶片(chip dice)进行共极,即将红绿蓝三色的共晶晶片的一极连接在一起以形成共极。优选地,共极层在对应红绿蓝共晶晶片与共极层和对应电路层的电连接位置处形成为台阶形。
蓝色晶片电路层绝缘层形成在共极层上,蓝色晶片电路层继而形成在蓝色晶片电路层绝缘层上;接下来,绿色晶片电路层绝缘层形成在蓝色晶片电路层上,绿色晶片电路层继而形成在绿色晶片电路层绝缘层上;然后,红色晶片电路层绝缘层形成在绿色晶片电路层上,红色晶片电路层继而形成在红色晶片电路层绝缘层上。电路层绝缘层可以由具有粘合作用的绝缘材料制成,从而使三层电路层、绝缘层和共极层紧密结合在一起,并且使得三层电路层之间以及底层电路层(在此为蓝色晶片电路层)与共极层之间绝缘。
优选地,蓝色晶片电路层与共极层的第一级台阶平齐,绿色晶片电路层与共极层的第二级台阶平齐,红色晶片电路层与共极层的第三级台阶平齐,以便于红绿蓝三色晶片能够以稳定的位置焊接到共极层和对应的电路层上而不致于产生倾斜。共极级台阶与与之对应的每一电路层之间留有缝隙,加之上述的绝缘层,因此共极层与红绿蓝三色晶片的电路层之间是绝缘的。
半导体共晶红色、绿色和蓝色晶片具有直接接合(DA,directlyattached)特性,因此DA共晶晶片可以通过共晶焊接技术完成与共极层和相应的电路层的电性结合。例如,可以通过无缝隙超声固晶焊接将半导体共晶晶片焊接到共极层和电路层的焊盘(PAD)上。具体而言,半导体共晶红色晶片被共晶焊接到共极层和红色晶片电路层上,半导体共晶绿色晶片被共晶焊接到共极层和绿色晶片电路层上,半导体蓝色晶片被共晶焊接到共极层和蓝色晶片电路层上,其中,红绿蓝三色共晶晶片通过与共极层的电连接而形成共极。例如,在半导体共晶晶片采用共晶LED的情况下,所述的共极可以是共阴或者共阳。
多个半导体共晶红色晶片、多个半导体共晶绿色晶片和多个半导体共晶蓝色晶片组合成多组晶片,多组晶片的中心之间是等间距的,所述间距可以不超过1.0毫米,每一组晶片包含一个半导体红色晶片、一个半导体绿色晶片和一个半导体蓝色晶片。
半导体共晶晶片可以是用共晶技术制成的发光二级管LED,也可以是其他的半导体共晶发光元件。例如,红绿蓝LED的一极由共极层提供统一的共极导通电压,另一极被连接到含有大量半导体(开关元件)的驱动电路,通过提供电压和开关控制,可以控制红绿蓝三色的LED晶片发光,从而组合成半导体三基色的基本像素形式。驱动电路通过有线或无线连接完成显示数据在驱动电路和显示电路之间的通信,驱动电路主要由超大规模集成电路和集成驱动电路组成,以完成显示数据的控制、处理和驱动。驱动电路可以为显示部分供电。
应当理解,虽然三层电路层从广义角度看是一一覆盖的,但是相对较高的电路层上保留有用于将相对较低的电路层以及共极层较低台阶上用于焊接半导体共晶晶片的焊盘位(PAD)的过孔。例如,绿色晶片电路层在蓝色晶片电路层和共极层最低台阶上用于焊接半导体共晶蓝色晶片的所有焊盘位处留有孔隙,即绿色晶片电路层不会遮挡第一电路层和共极层最低台阶的焊盘位;同理,红色晶片电路层在绿色和蓝色电路层以及共极层的下面两级台阶上用于焊接半导体共晶蓝色晶片和半导体共晶绿色晶片的所有焊盘位处也留有孔隙,即红色晶片电路层不会遮挡绿色和蓝色晶片电路层以及共极层下面两级台阶上的焊盘位。另外,本领域技术人员也应当理解,绝缘层不会将电路层和共极层完全覆盖,而是会将其上用于电连接的诸如焊盘之类的部分暴露出来。
还应当理解,本实施例中红绿蓝三色半导体共晶晶片以及红色晶片电路层、绿色晶片电路层以及蓝色晶片电路层的对应关系并不意味着限制,而是可以改变的。例如,半导体红色共晶晶片可以连接到最底层的电路层(最接近共极层的电路层),半导体蓝色共晶晶片可以连接到最上层的电路层(最远离共极层的电路层),诸如此类。优选地,所述的红色、蓝色和绿色晶片电路层一层或多层电路形成,通过增加整个电路层的厚度,可以在半导体共晶晶片密度增加的情况下更从容地在电路层上布线。
图3是根据本发明实施例的蓝绿半导体晶片共极的半导体显示板的示意图。
如图3所示,根据本发明实施例的半导体显示板包括:基板10;粘合层;共极层(由台阶蓝绿色共极218和台阶红色共极217组成);红色晶片电路层15、绿色晶片电路层17;蓝色晶片电路层19;以及电路层15、17和19各自的电路层绝缘层,即红色晶片电路层绝缘层16、红色晶片电路层绝缘层18和红色晶片电路层绝缘层20;若干半导体共晶晶片,即若干直接接合(DA,directly attached)共晶红色晶片24、若干DA共晶绿色晶片25以及若干DA共晶蓝色晶片26。
基板可以采用陶瓷11,玻璃12,铝基板13等有很好的机械抗张能力的材料制成。
共极层包括蓝绿色半导体晶片共极层和红色半导体晶片共极层,即图中标示的台阶蓝绿色共极218和台阶红色共极217,它们是通过在基板上进行多次沉铜、或者多次沉银、或多次沉金锡合金形成的,以便微米级的半导体晶片(chip dice)进行共极,即将蓝绿两色的共晶晶片的相同一极都电连接到台阶蓝绿色共极218,同时将红色半导体共晶晶片的相同一极都电连接到台阶红色共极217。应当指出,蓝绿色半导体晶片共极层和红色半导体晶片共极层之间是绝缘的,这可以通过在两个共极层紧邻的表面之间布置绝缘/粘合材料来实现。优选地,蓝绿色半导体晶片共极层在对应蓝绿色共晶晶片的焊接位置/焊盘位PAD处形成为台阶形,红色半导体晶片共极层在对应红色共晶晶片的焊接位置/焊盘位PAD处与蓝绿色半导体晶片共极层形成为台阶形。如图所示,蓝绿色半导体晶片共极层和红色半导体晶片共极层在焊盘位形成多个连续的三级台阶。
蓝色晶片电路层绝缘层形成在蓝绿色半导体晶片共极层上,蓝色晶片电路层继而形成在蓝色晶片电路层绝缘层上;接下来,绿色晶片电路层绝缘层形成在蓝色晶片电路层上,绿色晶片电路层继而形成在绿色晶片电路层绝缘层上;然后,红色晶片电路层绝缘层形成在绿色晶片电路层上,红色晶片电路层继而形成在红色晶片电路层绝缘层上。三层绝缘层可以由具有粘合作用的材料制成,从而使三层电路层和共极层紧密结合在一起,并且三层电路层相互之间以及底层电路层(在此为蓝色晶片电路层)和共极层之间绝缘。
优选地,蓝色晶片电路层与蓝绿色半导体晶片共极层的第一级台阶平齐,绿色晶片电路层与蓝绿色半导体晶片共极层的第二级台阶平齐,红色晶片电路层与红色半导体晶片共极层和蓝绿色半导体共极层形成的台阶(共极层的第三级台阶)平齐,以便于红绿蓝三色晶片能够以方便地焊接到共极层和对应的电路层上而不产生倾斜。共极层的每一级台阶与对应的每一电路层之间留有缝隙,加之上述的绝缘层,可以保证共极层与红绿蓝三色晶片的电路层之间绝缘。
半导体共晶红色、绿色和蓝色晶片具有直接接合(DA,directlyattached)特性,因此DA共晶晶片可以通过共晶焊接技术完成与共极层和相应的电路层的电性结合。例如,可以通过无缝隙超声固晶焊接将半导体共晶晶片焊接到共极层和电路层上。具体而言,半导体共晶红色晶片被共晶焊接到红色半导体晶片共极层和红色晶片电路层上,半导体共晶绿色晶片被共晶焊接到蓝绿色半导体晶片共极层和绿色晶片电路层上,半导体蓝色晶片被共晶焊接到蓝绿色半导体晶片共极层和蓝色晶片电路层上。红色半导体共晶晶片通过与红色半导体共极层的电连接而实现共极,蓝绿色的半导体共晶晶片通过与蓝绿色半导体晶片共极层的电连接而实现共极。这样,在红色半导体晶片和蓝绿色半导体晶片需要不同的共极导通电压的情况下,可以对红色和蓝绿色的半导体晶片分别提供电压,从而可以达到降低功耗的目的。例如,在半导体共晶晶片采用共晶LED的情况下,所述的共极可以是共阴或者共阳。
多个半导体共晶红色晶片、多个半导体共晶绿色晶片和多个半导体共晶蓝色晶片组合成多组晶片,多组晶片的中心之间是等间距的,所述间距可以不超过1.0毫米,每一组晶片包含一个半导体红色晶片、一个半导体绿色晶片和一个半导体蓝色晶片。
半导体共晶晶片可以是用共晶技术制成的发光二级管LED,也可以是其他的半导体共晶发光元件。例如,红色LED的一极由红色半导体晶片共极层提供统一的共极导通电压,另一极被连接到含有诸如晶体管之类的大量半导体的驱动电路;蓝绿色LED的一极由蓝绿色半导体晶片共极层提供统一的共极导通电压,另一极被连接到含有诸如晶体管之类的大量半导体的驱动电路;通过提供电压和开关控制,可以控制红绿蓝三色的LED晶片发光,从而组合成半导体三基色的基本像素形式。驱动电路通过有线或无线连接完成显示数据在驱动电路和显示电路之间的通信,驱动电路主要由超大规模集成电路和集成驱动电路组成,以完成显示数据的控制、处理和驱动。驱动电路可以为显示部分供电。
应当理解,虽然三层电路层从广义角度看是一一覆盖的,但是相对较高的电路层上保留有用于将相对较低的电路层以及共极层较低台阶上用于焊接半导体共晶晶片的焊盘位(PAD)的过孔。例如,绿色晶片电路层在蓝色晶片电路层和蓝绿色半导体晶片共极层的最低台阶上用于焊接半导体共晶蓝色晶片的所有焊盘位处留有孔隙,即绿色晶片电路层不会遮挡第一电路层和共极层最低台阶的焊盘位;同理,红色晶片电路层在绿色和蓝色电路层以及蓝绿色半导体共晶晶片共极层的两级台阶上用于焊接半导体共晶蓝色晶片和半导体共晶绿色晶片的所有焊盘位处也留有孔隙,即红色晶片电路层不会遮挡蓝色和绿色晶片电路层以及蓝绿色半导体共晶晶片共极层的两级台阶上的焊盘位。另外,本领域技术人员也应当理解,绝缘层不会将电路层和共极层完全覆盖,而是会将其上用于电连接的诸如焊盘之类的部分暴露出来。
还应当理解,本实施例中红绿蓝三色半导体共晶晶片以及红色晶片电路层、绿色晶片电路层以及蓝色晶片电路层的对应关系并不意味着限制,而是可以改变的。例如,半导体红色共晶晶片可以连接到最底层的电路层(最接近共极层的电路层),半导体蓝色共晶晶片可以连接到最上层的电路层(最远离共极层的电路层),诸如此类;当然,在这种情况下,红色半导体晶片共极层和蓝绿色半导体晶片共极层的台阶相互位置会发生相应的变化,以适应共晶晶片的焊接需求。优选地,所述的红色、蓝色和绿色晶片电路层一层或多层电路形成,通过增加整个电路层的厚度,可以在半导体共晶晶片密度增加的情况下更从容地在电路层上布线。
专业人员应该还可以进一步意识到,结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤,能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现,为了清楚地说明硬件和软件的可互换性,在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行,取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能,但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以用硬件、处理器执行的软件模块,或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器(RAM)、内存、只读存储器(ROM)、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD-ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
以上所述的具体实施方式,对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本发明的具体实施方式而已,并不用于限定本发明的保护范围,凡在本发明的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.一种集成化半导体显示板,其特征在于包括:基板,第一电路层、第
二电路层、第三电路层、第一绝缘粘合层、第二绝缘粘合层、多个半导
体红色晶片、多个半导体绿色晶片和多个半导体蓝色晶片,其中:
所述第一电路层被固定在所述基板上,所述第一绝缘粘合层将所述第一电路层与所述基板第二电路层绝缘粘合在一起,所述第二绝缘粘合层将于所述第二电路层与所述第三电路层绝缘粘合在一起;
所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片与所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层之间具有一一对应的电连接关系;
所述集成化半导体显示板还包括:
共极层,其形成于所述基板上;
第三绝缘粘合层,其将所述共极层与所述第一电路层绝缘粘合在一起;
其中,所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片的一极分别与所述共极层电连接形成共极。
2.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述共极层包括第一共极层和第二共极层,所述第一共极层、和所述第二共极层相互绝缘,所述多个半导体红色晶片通过与第一共极层的电连接而形成共极、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片分别通过与第二共极层的电连接而形成共极。
3.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述共极层通过多次沉铜、多次沉银、多次沉金锡合金的方式之一被形成在所述基板上。
4.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述共极层在与所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片进行电连接的位置形成三级台阶,所述三级台阶从低到高分别与所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层平齐并且不接触。
5.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片分别通过与对应电路层的电连接而分别形成共极。
6.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述第一电路层、所述第二电路层和所述第三电路层分别由一层或多层电路形成。
7.根据权利要求1所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片组合成多组晶片,所述多组晶片的中心之间是等间距的,每一组晶片包含一个半导体红色晶片、一个半导体绿色晶片和一个半导体蓝色晶片。
8.根据权利要求1-7之一所述的集成化半导体显示板,其特征在于:
所述多个半导体红色晶片、所述多个半导体绿色晶片和所述多个半导体蓝色晶片是半导体共晶晶片,所述半导体共晶晶片通过共晶焊接技术与对应的电路层和所述共极层形成电连接。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310049226.6A CN103325767B (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 一种集成化半导体显示板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310049226.6A CN103325767B (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 一种集成化半导体显示板 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN103325767A CN103325767A (zh) | 2013-09-25 |
CN103325767B true CN103325767B (zh) | 2015-07-08 |
Family
ID=49194432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310049226.6A Active CN103325767B (zh) | 2013-02-07 | 2013-02-07 | 一种集成化半导体显示板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN103325767B (zh) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203312287U (zh) * | 2013-02-07 | 2013-11-27 | 程君 | 一种集成化半导体显示板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NO20001360D0 (no) * | 2000-03-15 | 2000-03-15 | Thin Film Electronics Asa | Vertikale elektriske forbindelser i stabel |
JP2004273746A (ja) * | 2003-03-07 | 2004-09-30 | Hitachi Cable Ltd | 発光ダイオードアレイ |
TWI402982B (zh) * | 2009-03-02 | 2013-07-21 | Innolux Corp | 影像顯示系統及其製造方法 |
KR101925540B1 (ko) * | 2011-08-04 | 2019-02-28 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판, 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
-
2013
- 2013-02-07 CN CN201310049226.6A patent/CN103325767B/zh active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN203312287U (zh) * | 2013-02-07 | 2013-11-27 | 程君 | 一种集成化半导体显示板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103325767A (zh) | 2013-09-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US11552124B2 (en) | Manufacturing method of display apparatus | |
CN109786421B (zh) | 一种显示装置、显示背板及制作方法 | |
KR102045733B1 (ko) | 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
US20190288049A1 (en) | Display apparatus | |
EP3061081B1 (en) | Display device using semiconductor light emitting device | |
CN103943649B (zh) | Oled显示面板及其驱动方法 | |
US9786731B2 (en) | Display device and method for manufacturing same | |
CN105789266A (zh) | 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
US11171196B2 (en) | Display panel | |
CN104319279A (zh) | 阵列基板及其制造方法、显示装置 | |
US20210328098A1 (en) | Display device, substrate for display device and method for repairing display device | |
US20220278260A1 (en) | Display apparatus using semiconductor light emitting device | |
TW201543981A (zh) | 顯示裝置及其製造方法 | |
CN103366647B (zh) | 一种led显示单元模组 | |
CN1638540B (zh) | 有机电致发光显示器件 | |
KR101503775B1 (ko) | 대면적 유기전계발광 표시장치 | |
TWI405498B (zh) | 有機發光顯示面板 | |
CN114023771A (zh) | 显示基板及显示装置 | |
CN203433750U (zh) | 一种led显示单元模组 | |
CN103325767B (zh) | 一种集成化半导体显示板 | |
CN203312287U (zh) | 一种集成化半导体显示板 | |
KR20170050371A (ko) | 표시 장치 | |
CN203311767U (zh) | 一种led显示单元模组 | |
CN101312011B (zh) | 影像显示系统 | |
WO2020253004A1 (zh) | 阵列基板和显示面板 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20160804 Address after: 214100, Jiangsu, Wuxi Province, high road, Binhu District No. 999 (software R & D building) Patentee after: Look around the advanced digital display Wuxi Co. Ltd. Address before: 100097 room B1F, unit four, building No. three, Far East Road, Haidian District, Beijing Patentee before: Cheng Jun Patentee before: Yan Min Patentee before: Zhou Mingbo |