JP2023160137A - 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体 - Google Patents
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Abstract
【課題】表示品質の向上に有利な技術を提供する。【解決手段】発光素子と、前記発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に前記輝度信号を供給する第2トランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、前記第2トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、第1導電型であり、前記第2トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型とは反対の第2導電型である。【選択図】図3
Description
本発明は、発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体に関する。
有機エレクトロルミネッセンス(EL)素子などの自発光素子を用いた発光装置が知られている。特許文献1には、発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する駆動トランジスタと、輝度信号を駆動トランジスタに供給する書込トランジスタと、を含む画素を備えた表示装置が示されている。
駆動トランジスタに供給された輝度信号が、書込トランジスタのオフリーク電流によって変化してしまうと、発光素子の発光輝度が変化してしまい、結果として発光装置の画質が低下してしまう。表示品質の向上のために、書込トランジスタのオフリーク電流を抑制する必要がある。
本発明は、表示品質の向上に有利な技術を提供することを目的とする。
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る発光装置は、発光素子と、前記発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に前記輝度信号を供給する第2トランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、前記第2トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、第1導電型であり、前記第2トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型とは反対の第2導電型であることを特徴とする。
本発明によれば、表示品質の向上に有利な技術を提供することができる。
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
図1~図12を参照して、本開示の実施形態による発光装置について説明する。図1は、本実施形態における発光装置101の構成例を示す概略図である。図2は、発光装置101に配される画素102の構成例を示す回路図である。
以下の説明において、発光装置101のそれぞれの画素102に配される発光素子201の陽極に駆動トランジスタ202が接続され、画素102に配されるトランジスタがすべてP型トランジスタである場合について説明する。しかしながら、発光装置101の画素102の構成は、これに限られることはない。例えば、それぞれのトランジスタなどの極性や導電型が、すべて逆であってもよい。また、例えば、駆動トランジスタがP型トランジスタであり、他のトランジスタがN型トランジスタであってもよい。適宜、発光装置101の画素102に含まれる発光素子やトランジスタの導電型や極性にあわせて、供給される電位や接続を変更すればよい。
本実施形態において、図1に示されるように、発光装置101は、画素アレイ103と、画素アレイ103の周辺に配される駆動回路と、を含む。画素アレイ103は、アレイ状に配された複数の画素102を含む。それぞれの画素102は、発光素子201を備える。発光素子201は、例えば、陽極と陰極とを備え、陽極と陰極との間に発光層を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層のうち1つまたは複数を適宜有していてもよい。換言すると、発光素子201は、有機EL(Organic Electroluminescent)素子であってもよい。
駆動回路は、画素アレイ103に配された画素102を駆動するための回路である。駆動回路は、例えば、垂直走査回路104および信号出力回路105を含む。また、駆動回路からの信号を画素102に供給するために、画素アレイ103には、行方向(図1において横方向)に沿って延在する走査線106が、アレイ状に並ぶ画素102の画素行ごとに配されている。また、画素アレイ103には、列方向(図1において縦方向)に沿って延在する信号線107が、アレイ状に並ぶ画素102の画素列ごとに配されている。
走査線106は、垂直走査回路104のそれぞれ対応する画素行の出力端に接続されている。信号線107は、信号出力回路105のそれぞれ対応する画素列の出力端に接続されている。
垂直走査回路104は、画素アレイ103のそれぞれの画素102への映像信号の書き込み時において、走査線106に書き込み制御信号を供給する。
信号出力回路105は、それぞれの画素102の発光素子201を発光させる際の輝度情報に応じた電圧を有する輝度信号と、基準電圧を有する基準電圧信号と、の何れか一方を適宜選択し、信号線107に出力する。輝度信号は、発光装置101で表示する画像のそれぞれの画素102における輝度を表し、映像信号とも呼ばれうる。
図2に示される本実施形態の画素102は、発光素子201と、発光素子201に輝度信号に応じた電流を供給する駆動トランジスタ202と、駆動トランジスタのゲート電極に輝度信号を供給する書込トランジスタ203と、を含む。ここで、トランジスタの総数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関しては、あくまで一例に過ぎず、本構成に限定されるものではない。
本実施形態において、発光素子201および駆動トランジスタ202を含む電流経路の一端は電源電位Vssに接続され、他端は電源電位Vddに接続されている。より具体的には、発光素子201の陰極は、電源電位Vssに接続され、駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図2の構成において、ソース領域)は、電源電位Vddに接続されている。しかしながら、これに限られることはなく、電源電位Vssと発光素子201との間や、電源電位Vddと駆動トランジスタ202との間に、他の素子が配されていてもよい。また、発光素子201と駆動トランジスタ202との間に、他の素子が配されていてもよい。図2に示される構成において、電源電位Vddは、電源電位Vssよりも電位が高い。
駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の他方(図2の構成において、ドレイン領域)は、発光素子201の陽極に接続されている。駆動トランジスタ202のゲート電極は、書込トランジスタ203のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域(図2の構成において、ドレイン領域)に接続されている。
書込トランジスタ203は、信号線107と駆動トランジスタ202のゲート電極との間に配されている。より具体的には、書込トランジスタ203のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方は、上述のように駆動トランジスタ202のゲート電極に接続され、書込トランジスタ203のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の他方は、信号線107に接続されている。また、書込トランジスタ203のゲート電極は、走査線106に接続されている。
駆動トランジスタ202は、電源電位Vddから発光素子201へ電流を供給し、発光素子201を発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ202は、信号線107が有する信号電圧に応じた電流を発光素子201に供給する。それによって、駆動トランジスタ202は、発光素子201を電流駆動し発光させる。
書込トランジスタ203は、垂直走査回路104から走査線106を通して、ゲート電極に印加される書込み制御信号に応答し導通状態になる。それによって、書込トランジスタ203は、信号線107を介して信号出力回路105から供給される輝度情報に応じた輝度信号の信号電圧または基準電圧をサンプリングして画素102に書き込む。この書き込まれた信号電圧または基準電圧は、駆動トランジスタ202のゲート電極に印加される。すなわち、書込トランジスタ203は、発光素子201を輝度情報に応じた輝度で発光させる輝度信号を伝達するために配され、輝度信号を駆動トランジスタ202のゲート電極に伝達する。
発光素子201には、有機EL素子が用いられうる。発光素子201の発光時において、信号線107から書込トランジスタ203を介して駆動トランジスタ202のゲート電極に印加される信号電圧に応じて、駆動トランジスタ202を流れる電流量が変化する。それによって、発光素子201の陽極と陰極との容量を所定の電位まで充電し、この電位差に応じた電流が流れる。それによって、発光素子201が所定の輝度で発光する。
次に、図3、図4を用いて、画素102に含まれる駆動トランジスタ202、書込トランジスタ203の詳細について説明する。図3は、画素102の概略を示す平面図、図4は、図3に示されるY1-Y1’間の断面図である。
駆動トランジスタ202は、発光素子201を含む電流経路に配されたソース領域またはドレイン領域としてそれぞれ機能する2つのP型の拡散領域302、303を備える。また、駆動トランジスタ202は、ゲート電極301を備える。ゲート電極301には、上述の通り、書込トランジスタ203から輝度信号が伝達される。
本実施形態において、P型トランジスタである駆動トランジスタ202のゲート電極301の導電型は、N型であり、P型の拡散領域302、303とは極性が反対の導電型になっている。P型の拡散領域302、303に対してN型の導電型のゲート電極301にすることで、その仕事関数差分の閾値電圧を増大させ、駆動トランジスタ202におけるオフリーク電流を抑制することが可能になる。駆動トランジスタ202におけるオフリーク電流が抑制されることによって、より深い黒色の表示が実現し、高いコントラストを得ることができる。
書込トランジスタ203は、ゲート電極304、ソース領域またはドレイン領域としてそれぞれ機能するそれぞれP型の拡散領域305、306を備える。拡散領域306は、駆動トランジスタ202のゲート電極301に接続される。また、拡散領域305は、信号線107に接続され、ゲート電極304は、走査線106に接続される。
本実施形態において、P型トランジスタである書込トランジスタ203のゲート電極304の導電型は、N型であり、P型の拡散領域305、306とは極性が反対の導電型となっている。P型の拡散領域305、306に対してN型の導電型のゲート電極304にすることで、その仕事関数差分の閾値電圧を増大させ、書込トランジスタ203におけるオフリーク電流を抑制することが可能になる。書込トランジスタ203におけるオフリーク電流が抑制されることによって、発光期間における駆動トランジスタ202のゲート電極301に書き込まれる輝度信号の信号電圧をより一定に保つ事が可能になる。結果として、発光素子201の輝度変化を抑制することができ、高品質な表示を実現することができる。
本実施形態において、駆動トランジスタ202および書込トランジスタ203は、P型の基板405に設けられたN型のウェル403にそれぞれ配される。ウェルコンタクト307は、N型のウェル403に電源電位Vddを印加している。素子分離部404は、STI(Shallow Trench Isolation)分離やLOCOS(Local Oxidation Of Silicon)分離、N型の拡散層分離など、適当な構造を用いればよい。
本発明者等は、上述のような構成の発光装置101について検討を進めたところ、次のような課題を見出した。書込トランジスタ203のチャネル領域を形成する工程において、不純物イオンの注入量の分布に対応して、書込トランジスタ203のチャネル濃度、および閾値電圧の特性分布が生じる。これによって、書込トランジスタ203のオフリーク電流は安定せず、発光期間における駆動トランジスタ202のゲート電極301の信号電圧が画素102ごとに変化することで発光素子201へ供給する電流量が変化し、表示ムラが発生してしまう。
この課題に対して、書込トランジスタ203のチャネル領域402は、P型であってもよいしN型の拡散層であってもよいが、不純物濃度を可能な範囲で低く抑えることが効果的である。それによって、書込トランジスタ203のチャネル濃度、閾値電圧、およびオフリーク電流のばらつきが抑制され、発光期間における駆動トランジスタ202のゲート電極301の信号電圧の画素102ごとの変化が抑制される。それによって、発光素子201へ供給される電流量のばらつきが抑制される。つまり、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度が、「0」に近づくほど、発光素子へ供給される電流量のばらつきが抑制されうる。
例えば、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度が、ウェル403の不純物濃度よりも低くてもよい。また、例えば、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度と、駆動トランジスタ202のチャネル領域401の不純物濃度と、が略同じであってもよい。同様に、例えば、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度が、画素アレイ103の周辺に配された駆動回路(例えば、垂直走査回路104や信号出力回路105など)の回路内のトランジスタのチャネル領域の不純物濃度と略同じであってもよい。それによって、書込トランジスタ203、駆動トランジスタ202、画素アレイ103の周辺に配された駆動回路の回路内のトランジスタの各チャネル領域を形成する際の工程数を増やさなくてすむ。本明細書において、不純物濃度とは、P型またはN型として機能するそれぞれの領域において、正孔と電子との数の差によって決まるキャリアの数に基づいた濃度のことでありうる。
また、図4に示されるように、書込トランジスタ203のチャネル領域402が、P型の埋込型のチャネルであってもよい。チャネル領域402をP型の埋込型チャネルにすることによって、書込トランジスタ203のRTS(Random Telegraph Signal)ノイズに起因する電流の揺らぎを抑制することができる。この場合であっても、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度が、ウェル403の不純物濃度よりも低くてもよい。また、例えば、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度が、駆動トランジスタ202のチャネル領域401の不純物濃度、および画素アレイ103の周辺に配された駆動部の回路内のトランジスタのチャネル領域の不純物濃度と略同じであってもよい。
同様に、図4に示されるように、駆動トランジスタ202のチャネル領域401が、P型の埋込型のチャネルであってもよい。チャネル領域401をP型の埋込型チャネルにすることによって、駆動トランジスタ202のRTS(Random Telegraph Signal)ノイズに起因する電流の揺らぎを抑制することができる。
上述のように、P型トランジスタである書込トランジスタ203において、N型のゲート電極304を用いることによって、書込トランジスタ203のオフリーク電流が抑制される。それによって、発光期間における駆動トランジスタ202のゲート電極301に書き込まれる輝度信号の信号電圧をより一定に保つことで可能になる。結果として、発光素子201の輝度変化が抑制され、発光装置101において高品質な表示が可能となる。
また、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度を低くすることによって、書込トランジスタ203のチャネル濃度、閾値電圧、および、オフリーク電流のばらつきが抑制される。それによって、発光期間における駆動トランジスタ202のゲート電極301の信号電圧の画素102ごとの変化が抑制され、発光装置101の表示ムラを抑制できる。結果として、発光装置101において、高品質な表示を実現することが可能となる。
次いで、図5~図8を参照して、上述の図1~図4を用いて説明した発光装置101の変形例について説明する。図5は、本実施形態における発光装置121の構成例を示す概略図である。図6は、発光装置121に配される画素122の構成例を示す回路図である。
本実施形態において、発光装置121の画素122は、上述の発光装置101の画素102と比較して、発光素子201および駆動トランジスタ202を含む電流経路に配され、発光素子201の発光または非発光を制御する発光制御トランジスタ221をさらに含む。また、発光装置121の画素アレイ103には、発光装置101の画素アレイ103の構成に追加して、発光制御トランジスタ221の導通/非導通を切り替えるための走査線123が配される。また、画素122は、容量素子222、223をさらに備える。発光装置121のこれ以外の構成は、上述の発光装置101と同様であってもよい。以下、本実施形態の発光装置121のうち、上述の発光装置101とは異なる構成を中心に説明する。
図5に示されるように、画素アレイ103において、行方向に沿って延在する走査線123が、アレイ状に並ぶ画素122の画素行ごとに配されている。走査線123は、垂直走査回路104のそれぞれ対応する画素行の出力端に接続されており、それぞれの画素122へ発光制御信号を供給する。
図6に示されるように、発光制御トランジスタ221は、駆動トランジスタ202に駆動電流を供給するための電源電位Vddと駆動トランジスタ202との間に配されている。より具体的には、発光制御トランジスタ221のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図6の構成において、ソース領域)は、電源電位Vddに接続されている。また、発光制御トランジスタ221のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の他方(図6の構成において、ドレイン領域)は、駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図6の構成において、ソース領域)に接続されている。また、発光制御トランジスタ221のゲート電極は、走査線123に接続されている。しかしながら、これに限られることはなく、発光制御トランジスタ221は、例えば、駆動トランジスタ202と発光素子201との間に配されていてもよい。
容量素子222は、駆動トランジスタ202のゲート電極と駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図6の構成において、ソース領域)との間に接続されている。容量素子223は、駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図6の構成において、ソース領域)と電源電位Vddとの間に接続されている。容量素子222および容量素子223は、駆動トランジスタ202および発光制御トランジスタ221の寄生容量であってもよい。また、容量素子222および容量素子223は、MIM(Metal-Insulator-Metal)構造を有する素子であってもよい。
発光制御トランジスタ221は、垂直走査回路104から走査線123を介して制御端子に印加される発光制御信号に応答して導通状態になることによって、電源電位Vddから駆動トランジスタ202への電流の供給を許容する。それによって、駆動トランジスタ202による発光素子201の駆動が可能になる。すなわち、発光制御トランジスタ221は、発光素子201が配された電流経路の導通状態を制御することによって、発光素子201の発光/非発光を制御するスイッチ素子として機能する。
発光制御トランジスタ221のスイッチング動作によって、発光素子201が非発光状態となる期間(非発光期間)を設け、発光素子201が発光する発光期間と非発光期間との割合を制御することができる(所謂、デューティ制御)。このデューティ制御によって、1フレーム期間に亘ってそれぞれの画素122の発光素子201が発光することに伴う残像ボケを低減でき、特に動画の品質をより優れたものにすることができる。また、2つの容量素子222、223を配することによって、駆動トランジスタ202のゲート電極301の信号電圧をより一定に保つことで輝度変化を抑制することができ、高品質な表示が可能になる。本実施形態は、上述の書込トランジスタ203のオフリーク電流の抑制および書込トランジスタ203のばらつきの抑制の効果を阻害するものではなく、高品質な表示は保たれる。
次に、図7、図8を用いて、発光制御トランジスタ221の詳細について説明する。図7は、画素122の概略を示す平面図、図8は、図7に示されるY2-Y2’間の断面図である。
図7、8に示されるように、発光制御トランジスタ221は、N型のゲート電極321、発光素子201を含む電流経路に配されたソース領域またはドレイン領域としてそれぞれ機能するP型の拡散領域302、P型の拡散領域322から構成される。本実施形態において、拡散領域302は、駆動トランジスタ202と共有化されている。しかしながら、これに限られることはなく、駆動トランジスタ202と発光制御トランジスタ221との拡散領域が、それぞれ独立していてもよい。ゲート電極304は、上述のように走査線123に接続される。
本実施形態において、書込トランジスタ203の駆動トランジスタ202のゲート電極301に接続される拡散領域306の電流が流れる方向の長さ323が、駆動トランジスタ202と発光制御トランジスタ221とによって共有される拡散領域302の電流が流れる方向の長さ324よりも長い。ここで、拡散領域306の電流が流れる方向の長さ323は、基板405の書込トランジスタ203が配された面に対する正射影において、図7に示されるように、書込トランジスタ203のゲート電極304の拡散領域306側の端部から電流が流れる方向(図7において上下方向)に拡散領域306とウェル403との極性が変わる部分までの長さとして定義されてもよい。また、拡散領域306の電流が流れる方向の長さ323は、基板405の書込トランジスタ203が配された面に対する正射影において、書込トランジスタ203のゲート電極304の拡散領域306側の端部から電流が流れる方向に拡散領域306の不純物の濃度が1/2、1/5または1/10になる部分までの長さとして定義されてもよい。また、拡散領域302の電流が流れる方向の長さ324は、基板405の駆動トランジスタ202および発光制御トランジスタ221が配された面に対する正射影において、電流が流れる方向(図7において上下方向)に、駆動トランジスタ202のゲート電極301と発光制御トランジスタ221のゲート電極321との間の長さとして定義されてもよい。
長さ323を長さ324よりも長くすることによって、P型の拡散領域306の寄生容量が増加し、拡散領域306に接続される駆動トランジスタ202のゲート電極301に書き込まれる信号電圧をより一定に保つ事が可能となる。結果として、輝度変化を抑制することができ、高品質な表示を実現することができる。
図8に示されるように、発光制御トランジスタ221のチャネル領域421の不純物濃度が、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度、駆動トランジスタ202のチャネル領域401の不純物濃度、画素アレイ103の周辺に配された駆動回路(例えば、垂直走査回路104および信号出力回路105)の回路内のトランジスタのチャネル領域の不純物濃度と略同じであってもよい。つまり、発光制御トランジスタ221の不純物濃度が、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度、駆動トランジスタ202のチャネル領域401などの不純物濃度とともに、ウェル403の不純物濃度よりも低くてもよい。また、図8に示されるように、駆動トランジスタ202のチャネル領域401が、書込トランジスタ203のチャネル領域402、駆動トランジスタ202のチャネル領域401と同様に、P型の埋込型のチャネルであってもよい。それによって、発光制御トランジスタ221、書込トランジスタ203、駆動トランジスタ202、および、画素アレイ103の駆動回路の回路内のトランジスタの各チャネル領域を形成する際の工程数を増やさなくてすむ。また、発光制御トランジスタ221の構成を書込トランジスタ203と同様の構成にすることによって、発光制御トランジスタ221のオフリーク電流やRTSノイズに起因する電流の揺らぎを抑制することができる。
次に、図9~図12を参照して、上述の発光装置101、121の変形例について説明する。図9は、本実施形態における発光装置141の構成例を示す概略図である。図10は、発光装置141に配される画素142の構成例を示す回路図である。
本実施形態において、発光装置141の画素142は、上述の発光装置121の画素122と比較して、発光素子201の2つの端子の間を短絡する、換言すると発光素子201の陽極を電源電位Vssに接続するためのリセットトランジスタ241をさらに含む。また、発光装置141の画素アレイ103には、発光装置121の画素アレイ103の構成に追加して、リセットトランジスタ241の導通/非導通を切り替えるための走査線143が配される。これ以外の構成は、上述の発光装置121と同様であってもよい。以下、本実施形態の発光装置141のうち、上述の発光装置121とは異なる構成を中心に説明する。
図9に示されるように、画素アレイ103において、行方向に沿って延在する走査線143が、アレイ状に並ぶ画素142の画素行ごとに配されている。走査線143は、垂直走査回路104のそれぞれ対応する画素行の出力端に接続されており、それぞれの画素142へリセット信号を供給する。
図10に示されるように、リセットトランジスタ241のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の一方(図10の構成において、ソース領域)は、発光素子201の陽極および駆動トランジスタ202のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の他方(図10の構成において、ドレイン領域)に接続されている。リセットトランジスタ241のソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域の他方(図10の構成において、ドレイン領域)は、電源電位Vssに接続されている。リセットトランジスタ241のゲート電極は、走査線143に接続されている。
画素142の非発光期間において、リセットトランジスタ241を導通状態にすることによって、発光素子201の陽極が電源電位Vssに接続され、発光素子201の2つの端子の間が短絡される。これによって、発光素子201を非発光状態とすることができる(リセット動作)。画素142にリセットトランジスタ241を設けることによって、発光素子201を非発光期間において確実に黒表示させ、高いコントラスト比を有する発光装置141が実現できる。なお、本実施形態は、上述の書込トランジスタ203のオフリーク電流の抑制および書込トランジスタ203のばらつきの抑制の効果を阻害するものではなく、高品質な表示は保たれる。
次に、図11、図12を用いて、リセットトランジスタ241の詳細について説明する。図11は、画素142の概略を示す平面図、図12は、図11に示されるY3-Y3’間の断面図である。
図11、12に示されるように、リセットトランジスタ241は、P型のゲート電極341、ソース領域またはドレイン領域としてそれぞれ機能するP型の拡散領域303、拡散領域342から構成されている。本実施形態において、拡散領域303は、駆動トランジスタ202と共有化されている。しかしながら、これに限られることはなく、駆動トランジスタ202とリセットトランジスタ241との拡散領域が、それぞれ独立していてもよい。ゲート電極304は、上述のように走査線143に接続される。
図12に示されるように、リセットトランジスタ241のチャネル領域441の不純物濃度が、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度、駆動トランジスタ202のチャネル領域401の不純物濃度、発光制御トランジスタ221のチャネル領域421の不純物濃度、および、画素アレイ103の周辺に配された駆動回路(例えば、垂直走査回路104および信号出力回路105)の回路内のトランジスタのチャネル領域の不純物濃度と略同じであってもよい。つまり、リセットトランジスタ241の不純物濃度が、書込トランジスタ203のチャネル領域402の不純物濃度、駆動トランジスタ202のチャネル領域401、発光制御トランジスタ221のチャネル領域421などの不純物濃度とともに、ウェル403の不純物濃度よりも低くてもよい。また、図12に示されるように、駆動トランジスタ202のチャネル領域401が、書込トランジスタ203のチャネル領域402、駆動トランジスタ202のチャネル領域401と同様に、P型の埋込型のチャネルであってもよい。これによって、リセットトランジスタ241と書込トランジスタ203、駆動トランジスタ202、発光制御トランジスタ221、および画素アレイ103の周辺に配された駆動部の回路内のトランジスタの各チャネル領域を形成する際の工程数を増やさなくてすむ。また、リセットトランジスタ241の構成を書込トランジスタ203と同様の構成にすることによって、リセットトランジスタ241のオフリーク電流やRTSノイズに起因する電流の揺らぎを抑制することができる。
図12に示されるように、リセットトランジスタ241のゲート電極341の導電型は、書込トランジスタ203のゲート電極304とは異なりP型であってもよい。これによって、リセットトランジスタ241の閾値電圧を低減し、リセット動作時に、発光素子201の陽極が、電源電位Vssよりも大きい電位となることを抑制できる。画素142がリセットトランジスタ241を備えることによって、発光素子201の非発光状態への遷移をより確実に行うことが可能となり、発光装置141において、よりコントラストの高い高品質な表示を実現することができる。
上述において、発光素子201として有機EL素子を挙げたが、これに限られることはない。発光素子201は、無機EL素子、LED素子、半導体レーザ素子など、素子を流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子(発光素子)を用いた発光装置全般に対して適用することが可能である。
ここで、本実施形態の発光装置101、121、141を表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、移動体、および、ウェアラブルデバイスに適用した応用例について図13~図19(a)、19(b)を用いて説明する。
図13は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた表示装置の一例を表す模式図である。表示装置1000は、上部カバー1001と、下部カバー1009と、の間に、タッチパネル1003、表示パネル1005、フレーム1006、回路基板1007、バッテリー1008を有していてもよい。タッチパネル1003および表示パネル1005は、フレキシブルプリント回路FPC1002、1004が接続されている。回路基板1007には、トランジスタなどの能動素子が配される。バッテリー1008は、表示装置1000が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、この位置に設ける必要はない。表示パネル1005に、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。表示パネル1005として機能する発光装置101、121、141の画素アレイ103は、回路基板1007に配されたトランジスタなどの能動素子と接続され動作する。
図13に示される表示装置1000は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光し電気信号に光電変換する撮像素子とを有する光電変換装置(撮像装置)の表示部に用いられてもよい。光電変換装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してもよい。また、表示部は、光電変換装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。光電変換装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってもよい。
図14は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた光電変換装置の一例を表す模式図である。光電変換装置1100は、ビューファインダ1101、背面ディスプレイ1102、操作部1103、筐体1104を有してよい。光電変換装置1100は、撮像装置とも呼ばれうる。表示部であるビューファインダ1101、背面ディスプレイ1102に、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。この場合、発光装置101、121、141は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示などを表示してもよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性などであってよい。
撮像に適するタイミングはわずかな時間である場合が多いため、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、有機EL素子などの有機発光材料を発光層に含む発光装置101、121、141がビューファインダ1101、背面ディスプレイ1102に用いられてもよい。有機発光材料は応答速度が速いためである。有機発光材料を用いた発光装置101、121、141は、表示速度が求められる、これらの装置に、液晶表示装置よりも適している。
光電変換装置1100は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、光学部を通過した光を受光する筐体1104内に収容されている光電変換素子(不図示)に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。
発光装置101、121、141は、電子機器の表示部に適用されてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォンなどの携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイなどが挙げられる。
図15は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた電子機器の一例を表す模式図である。電子機器1200は、表示部1201と、操作部1202と、筐体1203を有する。筐体1203には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部を有してよい。操作部1202は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部1202は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する携帯機器は通信機器ということもできる。表示部1201に、本実施形態の発光装置101が適用できる。
図16(a)、16(b)は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた表示装置の一例を表す模式図である。図12(a)は、テレビモニタやPCモニタなどの表示装置である。表示装置1300は、額縁1301を有し表示部1302を有する。表示部1302に、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。表示装置1300は、額縁1301と表示部1302とを支える土台1303を有していてもよい。土台1303は、図16(a)の形態に限られない。例えば、額縁1301の下辺が土台1303を兼ねていてもよい。また、額縁1301および表示部1302は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、5000mm以上6000mm以下であってよい。
図16(b)は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた表示装置の他の一例を表す模式図である。図16(b)の表示装置1310は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置1310は、第1表示部1311、第2表示部1312、筐体1313、屈曲点1314を有する。第1表示部1311と第2表示部1312とに、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。第1表示部1311と第2表示部1312とは、つなぎ目のない1枚の表示装置であってよい。第1表示部1311と第2表示部1312とは、屈曲点で分けることができる。第1表示部1311と第2表示部1312とは、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第1表示部と第2表示部とで1つの画像を表示してもよい。
図17は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた照明装置の一例を表す模式図である。照明装置1400は、筐体1401と、光源1402と、回路基板1403と、光学フィルム1404と、光拡散部1405と、を有していてもよい。光源1402に、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。光学フィルム1404は光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部1405は、ライトアップなど、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。照明装置1400は、光学フィルム1404と光拡散部1405との両方を有していてもよいし、何れか一方のみを有していてもよい。
照明装置1400は例えば室内を照明する装置である。照明装置1400は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置1400は、光源1402として機能する発光装置101、121、141に接続される電源回路を有していてもよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が4200Kで昼白色とは色温度が5000Kである。また、照明装置1400は、カラーフィルタを有してもよい。また、照明装置1400は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコンなどが挙げられる。
図18は、本実施形態の発光装置101、121、141を用いた車両用の灯具の一例であるテールランプを有する自動車の模式図である。自動車1500は、テールランプ1501を有し、ブレーキ操作などを行った際に、テールランプ1501を点灯する形態であってもよい。本実施形態の発光装置101、121、141は、車両用の灯具としてヘッドランプに用いられてもよい。自動車は移動体の一例であり、移動体は船舶やドローン、航空機、鉄道車両、産業用ロボットなどであってもよい。移動体は、機体とそれに設けられた灯具を有してよい。灯具は機体の現在位置を知らせるものであってもよい。
テールランプ1501に、本実施形態の発光装置101、121、141が適用できる。テールランプ1501は、テールランプ1501として機能する発光装置101、121、141を保護する保護部材を有してよい。保護部材は、ある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネートなどで構成されてもよい。また、保護部材は、ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体などを混ぜてよい。
自動車1500は、車体1503、それに取り付けられている窓1502を有してもよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓であってもよいし、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイに、本実施形態の発光装置101、121、141が用いられてもよい。この場合、発光装置101、121、141が有する電極などの構成材料は透明な部材で構成される。
図19(a)、19(b)を参照して、本実施形態の発光装置101、121、141のさらなる適用例について説明する。発光装置101、121、141は、例えば、スマートグラス、ヘッドマウントディスプレイ(HMD)、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な発光装置とを有する。
図19(a)は、1つの適用例に係る眼鏡1600(スマートグラス)を説明する。眼鏡1600のレンズ1601の表面側に、CMOSセンサやSPADのような撮像装置1602が設けられている。また、レンズ1601の裏面側には、本実施形態の発光装置101、121、141が設けられている。
眼鏡1600は、制御装置1603をさらに備える。制御装置1603は、撮像装置1602と各実施形態に係る発光装置101、121、141に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置1603は、撮像装置1602と発光装置101、121、141の動作を制御する。レンズ1601には、撮像装置1602に光を集光するための光学系が形成されている。
図19(b)は、1つの適用例に係る眼鏡1610(スマートグラス)を説明する。眼鏡1610は、制御装置1612を有しており、制御装置1612に、撮像装置1602に相当する撮像装置と、発光装置101、121、141が搭載される。レンズ1611には、制御装置1612内の撮像装置と、発光装置101、121、141からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ1611には画像が投影される。制御装置1612は、撮像装置および発光装置101、121、141に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および発光装置101、121、141の動作を制御する。制御装置1612は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。
赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。
より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き(回転角度)を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。
本発明の一実施形態に係る発光装置101、121、141は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示画像を制御してよい。
具体的には、発光装置101、121、141は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第1視界領域と、第1視界領域以外の第2視界領域とを決定する。第1視界領域、第2視界領域は、発光装置101、121、141の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。発光装置101、121、141の表示領域において、第1視界領域の表示解像度を第2視界領域の表示解像度よりも高く制御してもよい。つまり、第2視界領域の解像度を第1視界領域よりも低くしてよい。
また、表示領域は、第1表示領域、第1表示領域とは異なる第2表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第1表示領域および第2表示領域から優先度が高い領域が決定される。第1表示領域、第2表示領域は、発光装置101、121、141の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。
なお、第1視界領域や優先度が高い領域の決定には、AIを用いてもよい。AIは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。AIプログラムは、発光装置101、121、141が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、発光装置101、121、141に伝えられる。
視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。
本明細書の開示は、以下の発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体を含む。
(項目1)
発光素子と、前記発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に前記輝度信号を供給する第2トランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、
前記第2トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、第1導電型であり、
前記第2トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型とは反対の第2導電型であることを特徴とする発光装置。
発光素子と、前記発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に前記輝度信号を供給する第2トランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、
前記第2トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、第1導電型であり、
前記第2トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型とは反対の第2導電型であることを特徴とする発光装置。
(項目2)
前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、前記第2導電型のウェルに配され、
前記第2トランジスタのチャネル領域の不純物濃度が、前記ウェルの不純物濃度よりも低いことを特徴とする項目1に記載の発光装置。
前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、前記第2導電型のウェルに配され、
前記第2トランジスタのチャネル領域の不純物濃度が、前記ウェルの不純物濃度よりも低いことを特徴とする項目1に記載の発光装置。
(項目3)
前記第1トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じであることを特徴とする項目2に記載の発光装置。
前記第1トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じであることを特徴とする項目2に記載の発光装置。
(項目4)
前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、前記第1導電型であることを特徴とする項目2または3に記載の発光装置。
前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、前記第1導電型であることを特徴とする項目2または3に記載の発光装置。
(項目5)
前記第1トランジスタの前記チャネル領域および前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目3に記載の発光装置。
前記第1トランジスタの前記チャネル領域および前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目3に記載の発光装置。
(項目6)
前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第1トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする項目5に記載の発光装置。
前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第1トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする項目5に記載の発光装置。
(項目7)
前記発光装置は、複数の前記画素が配された画素アレイと、複数の前記画素を動作させるための駆動回路が配された周辺領域と、を含み、
前記周辺領域に、チャネル領域が前記第1導電型の第3トランジスタが配され、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、前記第3トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目4乃至6の何れか1項目に記載の発光装置。
前記発光装置は、複数の前記画素が配された画素アレイと、複数の前記画素を動作させるための駆動回路が配された周辺領域と、を含み、
前記周辺領域に、チャネル領域が前記第1導電型の第3トランジスタが配され、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、前記第3トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目4乃至6の何れか1項目に記載の発光装置。
(項目8)
前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御する第4トランジスタをさらに含むことを特徴とする項目1乃至7の何れか1項目に記載の発光装置。
前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御する第4トランジスタをさらに含むことを特徴とする項目1乃至7の何れか1項目に記載の発光装置。
(項目9)
前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち一方と、前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち他方と、は1つの拡散領域を共有しており、
前記第2トランジスタの前記第1トランジスタの前記ゲート電極に接続される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さが、前記第1トランジスタと前記第4トランジスタとによって共有される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする項目8に記載の発光装置。
前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち一方と、前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち他方と、は1つの拡散領域を共有しており、
前記第2トランジスタの前記第1トランジスタの前記ゲート電極に接続される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さが、前記第1トランジスタと前記第4トランジスタとによって共有される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする項目8に記載の発光装置。
(項目10)
前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第4トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第4トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目2乃至7の何れか1項目に記載の発光装置。
前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第4トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第4トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目2乃至7の何れか1項目に記載の発光装置。
(項目11)
前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第4トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目10に記載の発光装置。
前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第4トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目10に記載の発光装置。
(項目12)
前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第4トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする項目11に記載の発光装置。
前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第4トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする項目11に記載の発光装置。
(項目13)
前記画素が、前記発光素子の2つの端子の間を短絡する第5トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第5トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目2乃至12の何れか1項目に記載の発光装置。
前記画素が、前記発光素子の2つの端子の間を短絡する第5トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第5トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする項目2乃至12の何れか1項目に記載の発光装置。
(項目14)
前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第5トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目13に記載の発光装置。
前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第5トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする項目13に記載の発光装置。
(項目15)
前記第5トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第5トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型であることを特徴とする項目14に記載の発光装置。
前記第5トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第5トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型であることを特徴とする項目14に記載の発光装置。
(項目16)
項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
(項目17)
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。
(項目18)
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。
(項目19)
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。
(項目20)
機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、項目1乃至15の何れか1項目に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神および範囲から離脱することなく、様々な変更および変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。
101,121,141:発光装置、102,122,142:画素、201:発光素子、301,304,321,341:ゲート電極、302,303,305,306,322,342:拡散領域
Claims (20)
- 発光素子と、前記発光素子に輝度信号に応じた電流を供給する第1トランジスタと、前記第1トランジスタのゲート電極に前記輝度信号を供給する第2トランジスタと、を含む画素が配された発光装置であって、
前記第2トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、第1導電型であり、
前記第2トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型とは反対の第2導電型であることを特徴とする発光装置。 - 前記第1トランジスタおよび前記第2トランジスタは、前記第2導電型のウェルに配され、
前記第2トランジスタのチャネル領域の不純物濃度が、前記ウェルの不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記第1トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じであることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、前記第1導電型であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
- 前記第1トランジスタの前記チャネル領域および前記第2トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする請求項3に記載の発光装置。
- 前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第1トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする請求項5に記載の発光装置。 - 前記発光装置は、複数の前記画素が配された画素アレイと、複数の前記画素を動作させるための駆動回路が配された周辺領域と、を含み、
前記周辺領域に、チャネル領域が前記第1導電型の第3トランジスタが配され、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、前記第3トランジスタの前記チャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする請求項4に記載の発光装置。 - 前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御する第4トランジスタをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち一方と、前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域のうち他方と、は1つの拡散領域を共有しており、
前記第2トランジスタの前記第1トランジスタの前記ゲート電極に接続される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さが、前記第1トランジスタと前記第4トランジスタとによって共有される前記拡散領域の電流が流れる方向の長さよりも長いことを特徴とする請求項8に記載の発光装置。 - 前記画素が、前記発光素子および前記第1トランジスタを含む電流経路に配され、前記発光素子の発光または非発光を制御するための第4トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第4トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 - 前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第4トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする請求項10に記載の発光装置。
- 前記第4トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第4トランジスタのゲート電極が、前記第2導電型であることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。 - 前記画素が、前記発光素子の2つの端子の間を短絡する第5トランジスタをさらに含み、
前記第2トランジスタの前記チャネル領域の前記不純物濃度と、前記第5トランジスタのチャネル領域の不純物濃度と、が同じことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。 - 前記第2トランジスタの前記チャネル領域および前記第5トランジスタの前記チャネル領域が、第1導電型であることを特徴とする請求項13に記載の発光装置。
- 前記第5トランジスタのソース領域およびドレイン領域として機能する拡散領域が、前記第1導電型であり、
前記第5トランジスタのゲート電極が、前記第1導電型であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 - 請求項1乃至15の何れか1項に記載の発光装置と、前記発光装置に接続されている能動素子と、を有することを特徴とする表示装置。
- 複数のレンズを有する光学部と、前記光学部を通過した光を受光する撮像素子と、画像を表示する表示部と、を有し、
前記表示部は、前記撮像素子が撮像した画像を表示する表示部であり、かつ、請求項1乃至15の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする光電変換装置。 - 表示部が設けられた筐体と、前記筐体に設けられ、外部と通信する通信部と、を有し、
前記表示部は、請求項1乃至15の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする電子機器。 - 光源と、光拡散部および光学フィルムの少なくとも一方と、を有する照明装置であって、
前記光源は、請求項1乃至15の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする照明装置。 - 機体と、前記機体に設けられている灯具と、を有する移動体であって、
前記灯具は、請求項1乃至15の何れか1項に記載の発光装置を有することを特徴とする移動体。
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