JP2022085287A - 発光装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の輝度の変化を低減した発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】発光素子および第１トランジスタを含む電流経路と、第２トランジスタと、信号線に接続される第３トランジスタと、を含む画素を備え、前記第２トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記発光素子の一方のノードと第１の電源とに接続され、前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２トランジスタの前記ソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第１拡散領域と、前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第２拡散領域と、の間には、素子分離部が配され、前記第１拡散領域の深さは、前記第２拡散領域の深さよりも深い。【選択図】図４

Description

本発明は、発光装置に関するものである。

素子を流れる電流に応じた輝度で発光するＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）素子などの発光素子を含む画素がアレイ状に配された表示装置が知られている。特許文献１には、輝度信号を伝達するためのトランジスタを含む複数のトランジスタにおいて、各トランジスタのドレインを構成する拡散領域の深さが等しい構造が開示されている。

特開２０２０－６４２６５号公報

特許文献１に記載の構造の場合、画素内に存在する欠陥から発生した電子または正孔が、輝度信号を伝達するためのトランジスタのドレインに流入し、ドレインが保持する信号電圧が変化してしまう。そのため、発光素子に供給する電流量および発光素子の輝度が変化する。

本発明は、輝度信号を伝達するためのトランジスタの拡散領域が保持する信号電圧の変化を低減し、発光素子の輝度の変化を低減した発光装置を提供することを目的とする。

発光素子および第１トランジスタを含む電流経路と、第２トランジスタと、信号線に接続される第３トランジスタと、を含む画素を備え、前記第２トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記発光素子の一方のノードと第１の電源とに接続され、前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、前記第２トランジスタの前記ソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第１拡散領域と、前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第２拡散領域と、の間には、素子分離部が配され、前記第１拡散領域の深さは、前記第２拡散領域の深さよりも深い。

発光素子の輝度の変化を低減した発光装置を提供することができる。

実施の形態１に係る発光装置の構成例を示す図 実施の形態１に係る発光装置の画素の構成例を示す回路図 実施の形態１に係る発光装置の画素の構成例を示す概略平面図 実施の形態１に係る発光装置の画素の構成例を示す概略断面図 実施の形態２に係る発光装置の画素の構成例を示す概略断面図 実施の形態３に係る発光装置の構成例を示す図 実施の形態３に係る発光装置の画素の構成例を示す回路図 実施の形態３に係る発光装置の画素の構成例を示す概略平面図 実施の形態３に係る発光装置の画素の構成例を示す概略断面図 実施の形態４に係る発光装置の画素の構成例を示す概略断面図 実施の形態５に係る発光装置の画素の構成例を示す概略断面図 実施の形態６に係る電子機器の具体例を示す図 実施の形態６に係る電子機器の具体例を示す図 実施の形態６に係る電子機器の具体例を示す図 実施の形態６に係る電子機器の具体例を示す図 実施の形態６に係る電子機器の具体例を示す図

以下、図面を参照しながら本実施の形態に係る発光装置について説明する。なお、以下の実施の形態は、いずれも本発明の一例を示すものであり、数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、本発明を限定するものではない。また、以下の説明および図面において、複数の図面にわたって共通の構成については、共通の符号を付している。各図面において同じ符号が付されている部分は、説明を省略する場合がある。

以下では、ＯＬＥＤ素子の陽極に駆動トランジスタが接続され、トランジスタが全てＰ型トランジスタである場合について説明するが、本発明の発光装置はこれに限定されない。極性、及び導電型が全て逆であってもよい。また、駆動トランジスタはＰ型トランジスタであり、他のトランジスタはＮ型トランジスタであってもよい。適宜、発光装置の画素に含まれる発光素子やトランジスタの導電型や極性に合わせて、供給される電位や接続を変更すれば良い。

本明細書において、単に「不純物濃度」という用語が使われた場合、逆導電型の不純物によって補償された分を差し引いた正味の不純物濃度を意味している。つまり、「不純物濃度」とは、ＮＥＴドーピング濃度を指す。Ｐ型の添加不純物濃度がＮ型の添加不純物濃度より高い領域はＰ型半導体領域である。反対に、Ｎ型の添加不純物濃度がＰ型の添加不純物濃度より高い領域はＮ型半導体領域である。

（実施の形態１）
図１～図４を参照しながら、実施の形態１に係る発光装置１０１について説明する。図１は、本実施の形態に係る発光装置１０１を含むアクティブマトリックス型表示装置の構成の概略図である。図１に示すように、発光装置１０１は、画素アレイ部１０３と、画素アレイ部１０３の周辺に配置された駆動部と、を有する。画素アレイ部１０３は、行列状に２次元配置された複数の画素１０２を有し、各画素１０２は、図２に示す発光素子２０１を有する。発光素子２０１は、例えば、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子を用いる。電気光学素子は、例えば、ＯＬＥＤ素子である。以下では、電気光学素子がＯＬＥＤ素子である場合について説明する。発光素子２０１は、陽極と陰極の電極間に発光層を含む有機層を有する。有機層は、発光層以外に、正孔注入層、正孔輸送層、電子注入層、電子輸送層の少なくとも１つを有していても良い。

駆動部は、各画素１０２を駆動するための回路である。駆動部は、例えば、垂直走査回路１０４、及び信号出力回路１０５を有する。図１では、画素アレイ部１０３において、行方向に沿って、第１走査線１０６と第２走査線１０７が画素行ごとに配されている。また、列方向に沿って、信号線１０８が画素列ごとに配されている。

第１走査線１０６と第２走査線１０７は、垂直走査回路１０４において、対応する行の出力端に接続されている。また、信号線１０８は、信号出力回路１０５の対応する列の出力端に接続されている。

垂直走査回路１０４は、クロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフトするシフトレジスタ等により構成されている。垂直走査回路１０４は、画素アレイ部１０３の各画素１０２への映像信号の書き込み時において、第１走査線１０６に書き込み制御信号を供給する。また、非発光期間において、第２走査線１０７にリセット信号を供給する。

信号出力回路１０５は、外部から供給される輝度情報に応じた映像信号の応じた信号電圧（輝度信号）を出力する。出力された信号電圧は、信号線１０８を介して、対応する画素１０２に供給される。

なお、駆動部は、画素アレイ部１０３の周辺に配されている必要はない。例えば、画素アレイ部１０３を第１の基板に配し、駆動部の少なくとも一部を第２の基板に配し、第１の基板と第２の基板とが積層されていてもよい。

本明細書において、発光装置１０１が、白黒表示対応の表示装置の場合は、白黒画像を形成する単位となる１つの画素が画素１０２に相当する。一方で、発光装置１０１がカラー表示対応の表示装置の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素は複数の副画素（サブピクセル）から構成され、副画素が画素１０２に相当する。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒ）光を発光する副画素、緑色（Ｇ）光を発光する副画素、青色（Ｂ）光を発光する副画素の３つの副画素から構成される。

ただし、１つの画素としては、ＲＧＢの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではない。すなわち、３原色の副画素にさらに１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成するようにすることも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。

図２は、図１の発光装置１０１が有する画素１０２の構成例を示す回路図である。図２に示すように、画素１０２は、例えば、発光素子２０１として機能するＯＬＥＤ素子と、発光素子２０１を駆動する駆動回路とによって構成されている。発光素子２０１、駆動トランジスタ２０２（第１トランジスタ）、および書込トランジスタ２０３（第３トランジスタ）を備える。画素１０２はさらに、発光素子２０１の発光と非発光とを制御するスイッチングトランジスタ２０４（第２トランジスタ）、および第１容量素子２０５を有する。スイッチングトランジスタ２０４は、発光素子２０１の２つの端子（アノードとカソード）の間を短絡するためのトランジスタである。

ここで、トランジスタや容量素子の総数や、トランジスタの導電型の組み合わせに関しては、あくまで一例に過ぎず、本構成に限定されるものではない。また、トランジスタや容量素子の総数を複数の画素で同じにしてもよいし、トランジスタや容量素子の総数が異なる画素が発光装置に含まれていてもよい。例えば、発光装置をカラー表示対応の表示装置として用いる場合に、各色に応じて構成を変えてもよい。例えば、青色を発光する副画素における第１容量素子２０５の容量値を、緑色を発光する副画素における第１容量素子２０５の容量値よりも大きくしてもよい。また、以下の説明において、素子Ａと素子Ｂとの間にトランジスタが接続されると表現する場合、素子Ａにトランジスタの一方の端子（ソース領域またはドレイン領域）が接続され、素子Ｂにトランジスタの他方の端子が接続される。

次いで、図２を用いて、画素１０２の具体的な回路構成を説明する。本実施の形態において、発光素子２０１、駆動トランジスタ２０２およびスイッチングトランジスタ２０４を含む電流経路の一端は電源電位Ｖｓｓに接続され、他端は電源電位Ｖｄｄに接続される。より具体的には、発光素子２０１の第１電極（陰極）およびスイッチングトランジスタ２０４の一方の端子（図２ではドレイン領域）は、電源電位Ｖｓｓに接続される。そして、発光素子２０１の陽極およびスイッチングトランジスタ２０４の他方の端子（図２ではソース領域）は駆動トランジスタ２０２を介して電源電位Ｖｄｄに接続される。図２において、電源電位Ｖｄｄは、電源電位Ｖｓｓよりも電位が高い。

書込トランジスタ２０３の一方の端子（図２ではドレイン領域）は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続され、書込トランジスタ２０３他方の端子（図２ではソース領域）は、信号線１０８に接続されている。書込トランジスタ２０３のゲートは、第１走査線１０６に接続されている。

スイッチングトランジスタ２０４の一方の端子（図２ではドレイン領域）は、電源電位Ｖｓｓ２０７に接続されている。スイッチングトランジスタ２０４のゲートは、第２走査線１０７に接続されている。非発光期間において、スイッチングトランジスタ２０４をオンすることによって、発光素子２０１の陽極を電源電位Ｖｓｓ２０７に接続して、発光素子２０１を非発光状態とすることができる。

第１容量素子２０５は、駆動トランジスタ２０２のゲートに接続されるノードとソースのノードとの間に接続されている。第１容量素子２０５は、寄生容量、およびＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造の少なくとも一方を有することができる。

駆動トランジスタ２０２は、電源電位Ｖｄｄ２０６から発光素子２０１へ電流を供給し、発光させる。より具体的には、駆動トランジスタ２０２は、信号線１０８が有する信号電圧に応じた電流を発光素子２０１に供給する。これにより、発光素子２０１を電流駆動で発光させる。

垂直走査回路１０４から第１走査線１０６を通して、書込トランジスタ２０３のゲートに書込制御信号が共有される。書込トランジスタ２０３は、書込制御信号に応じて、導通状態と非導通状態とを制御している。書込トランジスタ２０３は、発光素子２０１に輝度信号を伝達することができる。書込トランジスタ２０３を導通状態とすることにより、書込トランジスタ２０３は、信号線１０８を介して、信号出力回路１０５から供給される輝度情報に応じた輝度信号の信号電圧をサンプリングして画素１０２に書き込む。この書き込まれた信号電圧は、駆動トランジスタ２０２のゲートに印加される。

発光素子２０１には、ＯＬＥＤ素子が用いられうる。発光素子２０１の発光時には、信号線１０８から書込トランジスタ２０３を介して駆動トランジスタ２０２のゲートに印加される信号電圧に応じて、駆動トランジスタ２０２を流れる電流量が変化する。これにより、発光素子２０１の陽極と陰極との間の容量を所定電位まで充電し、その電位差に応じた電流が流れる。これによって、発光素子２０１が所定の輝度で発光する。

図３は、複数の画素１０２の概略平面図である。駆動トランジスタ２０２は、ゲート電極３０１、ソース領域またはドレイン領域の一方として機能するＰ型の拡散領域３０２、およびソース領域またはドレイン領域の他方として機能するＰ型の拡散領域３０３から構成される。図３において、ゲート電極３０１は、図２の第１容量素子２０５の一方の端子に接続され、拡散領域３０３は第１容量素子２０５の他方の端子に接続される。さらに、拡散領域３０３は、電源電位Ｖｄｄ２０６に接続されている。拡散領域３０２は、発光素子２０１の陽極に接続される。

書込トランジスタ２０３は、ゲート電極３０４、ソース領域またはドレイン領域の一方として機能するＰ型の拡散領域３０５、およびソース領域またはドレイン領域の他方として機能するＰ型の拡散領域３０６から構成される。図３では、拡散領域３０５がドレイン領域として機能し、拡散領域３０６がソース領域として機能する。拡散領域３０５は、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１に接続されており、信号電圧を保持する。書込トランジスタ２０３がＯＦＦ状態のとき、書込トランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０５の電位と駆動トランジスタ２０２のゲート電極の電位は浮遊状態となる。駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の電位は書込トランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０５の電位と等電位である。駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の電位は、駆動トランジスタ２０２のドレイン電流を決定し、発光素子２０１の輝度を決定する。拡散領域３０６は信号線１０８に接続され、ゲート電極３０４は第１走査線１０６に接続される。

スイッチングトランジスタ２０４は、ゲート電極３０７、ソース領域またはドレイン領域の一方として機能するＰ型の拡散領域３０２、およびソース領域またはドレイン領域の他方として機能するＰ型の拡散領域３０８から構成される。ゲート電極３０７は、第２走査線１０７に接続される。拡散領域３０２は、駆動トランジスタ２０２とスイッチングトランジスタ２０４とで共有されている。しかしながら、これに限られることはなく、駆動トランジスタ２０２とスイッチングトランジスタ２０４の拡散領域がそれぞれ独立していてもよい。拡散領域３０８は、電源電位Ｖｓｓ２０７に接続されている。また、平面視において、拡散領域３０８に最も近い拡散領域が拡散領域３０５である。各ソース領域およびドレイン領域にはコンタクトプラグ３０９が接続される。

コンタクトプラグ３０９が接続される領域は、その周辺のソース領域やドレイン領域よりも不純物濃度を高くしてもよい。例えば、ソース領域及びドレイン領域において、コンタクトプラグが接続される部分の不純物濃度が、ウェル４０２と界面を構成する部分の不純物濃度よりも高くてもよい。

図４は、図３に示されるＹ１－Ｙ１’間の断面図である。駆動トランジスタ２０２、書込トランジスタ２０３、及びスイッチングトランジスタ２０４は、Ｐ型の基板４０１に設けられたＮ型のウェル４０２にそれぞれ配される。素子分離部４０３は、絶縁体分離、Ｎ型の拡散層分離など、適宜用いればよい。絶縁体分離とは、例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離、ＤＴＩ（Ｄｅｅｐ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）分離、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｏｆ Ｓｉｌｉｃｏｎ）分離である。

図４において、拡散領域３０５は信号電圧を保持する領域である。拡散領域３０５は、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１に接続される。上述の通り、拡散領域３０６は信号線１０８に接続され、ゲート電極３０４は第１走査線１０６に接続される。

駆動トランジスタ２０２の拡散領域３０３は、上述の通り、電源電位Ｖｄｄ２０６が接続される。スイッチングトランジスタ２０４の拡散領域３０８は、電源電位Ｖｓｓ２０７に接続される。また、ゲート電極３０７は、第２走査線１０７に接続される。

図３及び図４に示すように、スイッチングトランジスタ２０４の拡散領域３０５と、書込トランジスタ２０３の拡散領域３０８との間には素子分離部４０３が配されている。ここで、ウェル４０２と素子分離部４０３の界面の点Ａに欠陥が存在する場合、欠陥から発生した正孔は、近傍のＰ型の拡散領域の周囲に形成される空乏層の電界によって、そのＰ型の拡散領域内に流入する。例えば、図４に示すように、素子分離部４０３に対して、左隣に書込トランジスタ、右隣にスイッチングトランジスタが配置される場合を想定する。この場合に、欠陥から発生した正孔は、書込トランジスタの拡散領域やスイッチングトランジスタの拡散領域に流入する。書込トランジスタの拡散領域とスイッチングトランジスタの拡散領域との深さを同じにすると、点Ａで発生した正孔が書込トランジスタの拡散領域に流入して、発光素子２０１の輝度が変わる可能性がある。

ここで、本明細書において、深さ方向は、半導体基板において、トランジスタが配される側の面（第１面）から、第１面に対向する面（第２面）に向かう方向である。

本実施形態では、図４に示すように、信号電圧を保持する書込トランジスタの拡散領域３０５よりも、駆動トランジスタにおいて電源電位Ｖｓｓ２０７に接続された拡散領域３０８の方が、より深い位置まで形成されている。これによって、点Ａの欠陥から発生した正孔は、拡散領域３０８へ流入し易くなり、拡散領域３０５への流入を低減できる。したがって、書込トランジスタへ流入することを低減でき、信号電圧の変化を低減することができる。したがって、発光素子２０１の輝度変化を低減できる。なお、駆動トランジスタの拡散領域３０８は、前述の通り、電源電位Ｖｓｓに接続されるため、欠陥から発生した正孔が流入しても排出することが可能となる。

拡散領域３０５の深さは、素子分離部４０３の深さよりも浅いことが好ましい。これにより、素子分離部４０３の界面で生じる欠陥から発生した正孔が拡散領域３０５へと流入しにくくなる。拡散領域３０８は素子分離部４０３の深さより深くてもよいが、図４に示すように浅いことが好ましい。

加えて、平面視において、書込トランジスタ２０３の拡散領域３０５の最も近い位置に拡散領域３０８を形成することで、拡散領域３０５への正孔の流入をさらに抑制することができる。言い換えると、平面視において、拡散領域３０５の拡散領域３０８の側の端と、拡散領域３０８の拡散領域３０５の側の端との最短距離が、拡散領域３０５と拡散領域３０８以外の拡散領域との最短距離よりも短い。これによって、拡散領域３０５が保持する信号電圧の変化、および発光素子２０１の輝度変化を低減できる。

本明細書において、「平面視」とは、拡散領域が形成される半導体基板のゲート電極が形成される面に対して垂直な方向から視ることを指す。また、断面とは、半導体基板のゲート電極が形成される面と垂直な方向における面を指す。なお、微視的に見て半導体基板の面が粗面である場合は、巨視的に見たときの半導体基板の面を基準として平面視を定義する。

以上のように、本実施形態によれば、信号電圧の変化を低減して、発光素子２０１の輝度変化を低減することができる。また、行方向及び列方向に、複数の発光素子２０１を配置した表示装置においては、輝度むらを低減した高品質な表示を実現することが可能となる。

なお、図１乃至図４では、複数の画素１０２が行列状に配された発光装置の例を示しているが、画素１０２が１つの発光装置においても上記と同様の効果を得ることができる。

また、図２及び図３では、１つの画素１０２内におけるスイッチングトランジスタの拡散領域３０８と、書込トランジスタ２０３の拡散領域３０５とについて言及したが、画素１０２のレイアウトはこれに限られるものではない。例えば、第１の画素の信号電圧を保持する拡散領域３０５と、第１の画素とは異なる第２の画素のスイッチングトランジスタ２０４の拡散領域３０８とが隣り合って配される場合を想定する。この場合でも、拡散領域３０８を拡散領域３０５よりも深い位置まで形成することにより、素子分離部４０３の欠陥で生じる正孔を拡散領域３０８へと流入しやすくなり、上記と同様の効果を得ることができる。

（実施の形態２）
図５を参照して、実施の形態２における発光装置の概略断面図を示している。発光装置の平面図は、図３と同様であるため省略する。本実施形態は、スイッチングトランジスタ２０４のチャネル領域と、駆動トランジスタ２０２のチャネル領域とが埋込チャネルである点が実施の形態１とは異なる。この点および以下で説明する事項以外は、実施の形態１と実質的に同じであるため説明を省略する。

図５に示すように、書込トランジスタ２０３は、信号電圧を保持する拡散領域３０５へのリーク電流を低減するために、表面チャネル型のトランジスタとすることが好ましい。一方で、スイッチングトランジスタ２０４は、発光素子２０１を非発光とするときに比較的大きな電流が流れるため、抵抗を少なくすることが好ましく、埋込チャネル型のトランジスタとすることが好ましい。また、駆動トランジスタ２０２は、各画素間でのトランジスタの特性によるばらつきを低減するために埋込チャネル型のトランジスタとすることが好ましい。このように、本実施形態では、求められるトランジスタの特性に合わせて、埋込チャネル型のトランジスタと、表面チャネル型のトランジスタとを用いている。

スイッチングトランジスタ２０４を構成する拡散領域３０２と拡散領域３０８との間には、拡散領域３０２のＰ型の不純物濃度よりも不純物濃度の低いＰ型の拡散領域３１０が配されている。拡散領域３１０は、スイッチングトランジスタ２０４のゲート電極３０７の下に配される。また、駆動トランジスタ２０２を構成する拡散領域３０２と拡散領域３０３との間には、拡散領域３０２のＰ型の不純物濃度よりも不純物濃度の低いＰ型の拡散領域３１１が配されている。拡散領域３１１は、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の下に配される。

本実施形態によれば、実施の形態１と同様に、信号電圧の変化を低減して、発光素子２０１の輝度変化を低減することができる。また、行方向及び列方向に、複数の発光素子２０１を配置した表示装置においては、輝度むらを低減した高品質な表示を実現することが可能となる。さらに、求められるトランジスタの特性に応じて埋め込みチャネルと表面チャネルとを組み合わせているため、発光装置の特性が低下することを低減することができる。

（実施の形態３）
図６～図９を参照して、実施の形態２における発光装置について説明する。本実施の形態は、画素１０２が、電源電位Ｖｄｄ２０６から駆動トランジスタ２０２への電流供給を制御するスイッチングトランジスタ６０１を有する構成である点が実施の形態１とは異なる。この点および以下で説明する事項以外は、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

図６は、本実施の形態に係る発光装置を含むアクティブマトリックス型表示装置の構成の概略図である。図６に示すように、画素アレイ部１０３において、行方向に沿って第２走査線５０１が画素行ごとに配されている。第２走査線５０１は、垂直走査回路１０４において、対応する行の出力端に接続されており、各画素１０２へ発光制御信号を供給する。

図７は、図６の発光装置が有する画素１０２の等価回路図である。図７に示すように、スイッチングトランジスタ６０１の一方の端子（図７ではドレイン領域）は、駆動トランジスタ２０２の一方の端子（図７ではソース領域）に接続されている。スイッチングトランジスタ６０１の他方の端子（図７ではソース領域）は、電源電位Ｖｄｄ２０６に接続されている。スイッチングトランジスタ６０１のゲートは、第２走査線５０１に接続されている。

駆動トランジスタ２０２のソース領域と電源電位Ｖｄｄ２０６の間には、容量素子６０２が接続されている。容量素子６０２は、寄生容量、およびＭＩＭ（Ｍｅｔａｌ－Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ－Ｍｅｔａｌ）構造の少なくとも一方を有することができる。

スイッチングトランジスタ６０１は、垂直走査回路１０４から第２走査線５０１を介して、ゲートに印加される発光制御信号に応じて、導通状態になることで、電源電位Ｖｄｄ２０６から駆動トランジスタ２０２への電流供給を行う。これにより、駆動トランジスタ２０２による発光素子２０１への発光が可能になる。すなわち、スイッチングトランジスタ６０１は、発光素子２０１の発光・非発光を制御するトランジスタとしての機能を有している。このようにして、スイッチングトランジスタ６０１のスイッチング動作により、発光素子２０１の発光期間と非発光期間との割合を制御することができる、いわゆるデューティ制御が可能となる。このデューティ制御により、１フレーム期間に亘って、画素１０２が発光することに伴う残像ボケを低減でき、特に、動画時における画質を向上することができる。

また、製造時のばらつきにより、駆動トランジスタ２０２の閾値が、画素毎に異なることがある。この場合、同一の発光色の複数の画素に対して、同一の信号電圧を書き込んだ場合、画素毎に駆動トランジスタ２０２を流れる電流量が異なり、発光量がばらついてしまう。そこで、信号電圧を書き込む前に、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間に閾値を保持させる、いわゆる閾値補正動作を行う。この閾値補正動作により、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量ばらつきを低減することができ、より均一な発光を実現できる。

閾値補正動作においては、スイッチングトランジスタ６０１と駆動トランジスタ２０２を介して、発光素子２０１に電流を流した後、スイッチングトランジスタ６０１をオフ状態とする。これにより、駆動トランジスタ２０２のゲート－ソース間の電圧が静定するまで、発光素子２０１へ電流が流れ、閾値補正が行われる。

図８は、本実施の形態における画素１０２の平面図である。スイッチングトランジスタ６０１は、ゲート電極７０１、Ｐ型の拡散領域７０２、Ｐ型の拡散領域７０３から構成される。ゲート電極７０１は、第２走査線５０１に接続される。拡散領域７０３は、駆動トランジスタ２０２と共有化されている。しかしながら、これに限られることはなく、駆動トランジスタ２０２とスイッチングトランジスタ６０１の拡散領域がそれぞれ分離されていてもよい。

書込トランジスタ２０３は、ある画素のスイッチングトランジスタ２０４と隣り合う画素のスイッチングトランジスタ２０４との間に配される。言い換えると、スイッチングトランジスタ２０４が配される活性領域と、書込トランジスタ２０３が配される活性領域とが千鳥配置となるように各画素が配されている。これにより、画素サイズを小さくすることができる。なお、このような配置とすることは必須ではなく、スイッチングトランジスタ２０４が配される活性領域と、書込トランジスタ２０３が配される活性領域とを１列に並べて配置してもよい。また、スイッチングトランジスタ２０４のゲート電極と書込トランジスタ２０３のゲート電極とが行方向に並ぶように、スイッチングトランジスタ２０４が配される活性領域と、書込トランジスタ２０３が配される活性領域とが配されていてもよい。

拡散領域７０２は、電源電位Ｖｄｄ２０６及び容量素子６０２の一方の端子に接続される。拡散領域７０３は、容量素子６０２の他方の端子に接続される。また、平面視において、拡散領域３０５に最も近い拡散領域が３０８となっているが、拡散領域７０２であっても良い。

図９は、図８に示されるＹ２－Ｙ２’間の断面図である。本実施の形態においては、スイッチングトランジスタ６０１がＮ型のウェル４０２に配されている。ここで、ウェル４０２と素子分離部４０３の界面の点Ｂに欠陥が存在する場合、欠陥から発生した電子は拡散によってランダムに動き、近傍のＰ型の拡散領域内に流入する。

本実施の形態では、信号電圧を保持する拡散領域３０５よりも、電源電位Ｖｄｄ２０６に接続された拡散領域７０２の方が、より深い位置まで形成されている。これによって、点Ｂの欠陥から発生した電子は、拡散領域３０５よりも拡散領域７０２へ流入し易くなり、拡散領域３０５への流入を抑制できる。また、このような構成によって、拡散領域３０５が保持する信号電圧の変化、および発光素子２０１の輝度変化を抑制でき、高品質な表示を実現することが可能となる。さらに、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量ばらつきを低減することができ、より均一な発光を実現できる。

（実施の形態４）
図１０を参照して、実施の形態４における発光装置について説明する。本実施の形態は、拡散領域３０２が、拡散領域３０８よりも浅い点が実施の形態３とは異なる。この点および以下で説明する事項以外は、実施の形態１と同様であるため説明を省略する。

図１０に示すように、拡散領域３０２は拡散領域３０８よりも浅い位置まで配されている。このように拡散領域３０２を拡散領域３０８と同じ深さまで形成していない場合であっても、実施の形態３と同様の効果を得ることができる。つまり、拡散領域３０５が保持する信号電圧の変化、および発光素子２０１の輝度変化を抑制でき、高品質な表示を実現することが可能となる。さらに、各画素における駆動トランジスタ２０２の電流量ばらつきを低減することができ、より均一な発光を実現できる。

（実施の形態５）
図１１を参照して、実施の形態５における発光装置について説明する。本実施の形態は、各トランジスタが、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ Ｄｏｐｅｄ Ｄｒａｉｎ）構造を有する点が実施の形態３とは異なる。また、書込トランジスタ２０３のＬＤＤ構造を形成する拡散領域３１３と拡散領域３１４のうち、拡散領域３１４の距離ｄ２２が拡散領域の距離ｄ２１よりも大きい。また、書込トランジスタ２０３のドレイン領域およびソース領域が、化合物領域３１５，３１６を有する。これらの点および以下で説明する事項以外は、実施の形態３と同様であるため説明を省略する。

書込トランジスタにおいて、コンタクトプラグの接続領域には、化合物領域３１５、３１６が配されている。化合物領域３１５は、拡散領域３０６の一部を金属と反応させたシリサイド領域であり、化合物領域３１６は、拡散領域３０５の一部を金属と反応させたシリサイド領域である。他のトランジスタにも同様に化合物領域が配されている。

距離ｄ２１は、書込トランジスタ２０３のソース領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向の長さであり、距離ｄ２２は書込トランジスタ２０３のドレイン領域側のＬＤＤ領域の電流が流れる方向の長さである。また、例えば、距離ｄ２１は、拡散領域３１３の拡散領域３０６の端からトランジスタのチャネルを形成する領域の端までの最短距離である。また、例えば、距離ｄ２２は、拡散領域３１４の拡散領域３０５の端からトランジスタのチャネルを形成する領域の端までの最短距離である。

距離ｄ２３は、書込トランジスタ２０３の平面視において、ゲート電極３０４の端から化合物領３１５の端までの距離であり、距離ｄ２４は、ゲート電極３０４の端から化合物領域３１６の端までの距離である。

本実施形態においては、拡散領域３１３のチャネル領域側の端は、チャネル領域の上に配されるゲート電極３０４の端と一致している。したがって、拡散領域３１３の長さは、拡散領域３１３と隣接する拡散領域３０６の端と、ゲート電極３０４の端と、の間の平面視における長さである。なお、拡散領域３１３および拡散領域３１４はゲート電極３０４の下側まで形成されていてもよい。この場合でも、拡散領域３１３、３１４のうちのゲート電極３０４の下に配された部分の長さが十分に小さい場合などには、平面視における、拡散領域３０６の端とゲート電極３０４の拡散領域３１３側の端との間の長さを、拡散領域３１３の長さとみなしてもよい。

図１１に示すように、化合物領域３１６をゲート電極３０４から離すことが好ましい。また、ゲート電極３０４の側から順に、Ｐ型の不純物濃度の低い領域を配置することが好ましい。図１１では、ゲート電極３０４の側から順に、拡散領域３１４、拡散領域３０５、化合物領域３１６が配されている。これにより、後述するオフリーク電流を低減しやすくなる。

上述の通り、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の電位は、駆動トランジスタ２０２のドレイン電流を決定し、発光素子２０１の輝度を決定する。したがって、書込トランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０５の電位が変動すると、駆動トランジスタ２０２のドレイン電流の大きさが変動し、発光素子２０１の輝度も変動する。そのため、発光素子２０１の輝度を安定化させるために、書込トランジスタ２０３のドレイン領域の電位は安定している必要がある。

しかし、ＯＦＦ状態の書込トランジスタ２０３においては、ゲート電極３０４の電位およびウェル４０２の電位と、ドレイン領域として機能する拡散領域３０５の電位と、が異なっている。そのため、これらの電位差に起因して、ゲート電極３０４とドレイン領域として機能する拡散領域３０５との間、および、ウェル４０２とドレイン領域として機能する拡散領域３０５との間、の少なくとも一方に電界が生じる。この電界によってリーク電流（以下、オフリーク電流とも称する）が発生してしまうと、書込トランジスタ２０３のドレイン領域として機能する拡散領域３０５の電位が変動し、それに伴って駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０４の電位が変動してしまう。このリーク電流が大きい場合には、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の電位は駆動トランジスタ２０２のソース領域として機能する拡散領域３０２の電位に近づく。この結果、発光素子２０１に電流が流れにくくなり、リーク電流が生じた画素１０２だけ発光が抑制される。リーク電流の大きさによっては発光素子２０１に電流が流れず、画素１０２が発光せず表示画像において画素１０２に相当する部分が黒くなる場合もある。このように、ＯＦＦ状態の書き込みトランジスタ２０３においてリーク電流が生じると発光素子２０１の発光輝度が不安定となり、結果として、発光装置１０１の発光または表示の品位が低下してしまう。

本実施形態では、書込トランジスタ２０３のゲート電極３０４の端から化合物領域３１６の端までの距離ｄ２４が、書込トランジスタ２０３のゲート電極３０４の端から化合物領域３１５の端までの距離ｄ２３よりも長い。すなわち、距離ｄ２４＞距離ｄ２３が成り立つ。換言すれば、書込トランジスタ２０３において、ドレイン領域側の化合物領域からゲート電極までの距離が、書込トランジスタ２０３のソース領域側の化合物領域からゲート電極までの距離よりも長い。これにより、ドレイン領域として機能する拡散領域３０５のうち、コンタクトプラグを介して駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１に接続されている抵抗率の低い化合物領域３１６と、ゲート電極３０４と、の間の物理的距離を大きくすることができる。また、化合物領域３１６と、ウェル４０２のうちのゲート電極３０４の直下に配された部分（すなわち、チャネル領域）と、の間の物理的距離を大きくすることができる。本実施形態ではこの構成によって、書込トランジスタ２０３のドレイン領域におけるゲート電極３０４と化合物領域３１６との間に生じる電界と、チャネル領域と化合物領域３１６との間に生じる電界を小さくすることができる。より具体的には、書込トランジスタ２０３のドレイン領域における上記電界を、書込トランジスタ２０３のソース領域における上記電界よりも小さくすることができる。このように電界を緩和する構成とすることで、書き込みトランジスタ２０３のドレイン領域におけるオフリーク電流の発生を抑制することができる。これにより、駆動トランジスタ２０２のゲート電極３０１の電位を安定化させることができ、発光素子２０１の発光輝度を安定化させることができる。その結果、発光装置１０１の発光または表示の品位を向上させることができる。

（実施の形態６）
上記の各実施形態に係る発光装置は、表示装置や照明装置の構成部材として用いることができる。他にも、電子写真方式の画像形成装置の露光光源や液晶表示装置のバックライト、白色光源にカラーフィルタを有する発光装置等の用途がある。

表示装置は、エリアＣＣＤ、リニアＣＣＤ、メモリーカード等からの画像情報を入力する画像入力部を有し、入力された情報を処理する情報処理部を有し、入力された画像を表示部に表示する画像情報処理装置でもよい。

また、撮像装置やインクジェットプリンタが有する表示部は、タッチパネル機能を有していてもよい。このタッチパネル機能の駆動方式は、赤外線方式でも、静電容量方式でも、抵抗膜方式であっても、電磁誘導方式であってもよく、特に限定されない。また表示装置はマルチファンクションプリンタの表示部に用いられてもよい。

次に、図面を参照しながら本実施形態に係る表示装置について説明する。

図１２は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。表示装置１０００は、上部カバー１００１と、下部カバー１００９と、の間に、タッチパネル１００３、表示パネル１００５、フレーム１００６、回路基板１００７、バッテリー１００８、を有してよい。タッチパネル１００３および表示パネル１００５は、フレキシブルプリント回路ＦＰＣ１００２、１００４が接続されている。回路基板１００７には、トランジスタが設けられている。バッテリー１００８は、表示装置が携帯機器でなければ、設けなくてもよいし、携帯機器であっても、別の位置に設けてもよい。上記のトランジスタ等で表示装置の表示を制御する制御部を構成してよい。制御部は、ＣＰＵ等を用いた公知の方法を用いることができる。すなわち、本実施形態に係る表示装置は、発光装置と、この発光装置の表示を制御する制御部とを有する。

本実施形態に係る表示装置は、赤色、緑色、青色を有するカラーフィルタを有してよい。カラーフィルタは、当該赤色、緑色、青色がデルタ配列、ストライプ配列で配置されてよい。

本実施形態に係る表示装置は、携帯端末の表示部に用いられてもよい。その際には、表示機能と操作機能との双方を有してもよい。携帯端末としては、スマートフォン等の携帯電話、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ等が挙げられる。表示装置に用いられる場合には、拡大光学系とともに用いてよい。

本実施形態に係る表示装置は、複数のレンズを有する光学部と、当該光学部を通過した光を受光する撮像素子とを有する撮像装置の表示部に用いられてよい。撮像装置は、撮像素子が取得した情報を表示する表示部を有してよい。また、表示部は、撮像装置の外部に露出した表示部であっても、ファインダ内に配置された表示部であってもよい。撮像装置は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラであってよい。

図１３（ａ）は、本実施形態に係る撮像装置の一例を表す模式図である。撮像装置１１００は、ビューファインダ１１０１、背面ディスプレイ１１０２、操作部１１０３、筐体１１０４を有してよい。ビューファインダ１１０１は、本実施形態に係る表示装置を有してよい。その場合、表示装置は、撮像する画像のみならず、環境情報、撮像指示等を表示してよい。環境情報には、外光の強度、外光の向き、被写体の動く速度、被写体が遮蔽物に遮蔽される可能性等であってよい。

撮像に好適なタイミングはわずかな時間なので、少しでも早く情報を表示した方がよい。したがって、本発明の一実施形態に係る発光装置を用いた表示装置の中でも、有機発光装置を用いるのが好ましい。有機発光素子は応答速度が速いからである。有機発光素子を用いた表示装置は、表示速度が求められる、これらの装置、液晶表示装置よりも好適に用いることができる。

撮像装置１１００は、不図示の光学部を有する。光学部は複数のレンズを有し、筐体１１０４内に収容されている撮像素子に結像する。複数のレンズは、その相対位置を調整することで、焦点を調整することができる。この操作を自動で行うこともできる。撮像装置は光電変換装置と呼ばれてもよい。光電変換装置は逐次撮像するのではなく、前画像からの差分を検出する方法、常に記録されている画像から切り出す方法等を撮像の方法として含むことができる。

図１３（ｂ）は、本実施形態に係る電子機器の一例を表す模式図である。電子機器１２００は、表示部１２０１と、操作部１２０２と、筐体１２０３を有する。筐体１２０３には、回路、当該回路を有するプリント基板、バッテリー、通信部、を有してよい。操作部１２０２は、ボタンであってもよいし、タッチパネル方式の反応部であってもよい。操作部は、指紋を認識してロックの解除等を行う、生体認識部であってもよい。通信部を有する電子機器は通信機器ということもできる。電子機器は、レンズと、撮像素子とを備えることでカメラ機能をさらに有してよい。カメラ機能により撮像された画像が表示部に映される。電子機器としては、スマートフォン、ノートパソコン等があげられる。

図１４は、本実施形態に係る表示装置の一例を表す模式図である。図１４（ａ）は、テレビモニタやＰＣモニタ等の表示装置である。表示装置１３００は、額縁１３０１を有し表示部１３０２を有する。表示部１３０２には、本実施形態に係る発光装置が用いられてよい。

額縁１３０１と、表示部１３０２を支える土台１３０３を有している。土台１３０３は、図１４（ａ）の形態に限られない。額縁１３０１の下辺が土台を兼ねてもよい。

また、額縁１３０１および表示部１３０２は、曲がっていてもよい。その曲率半径は、５０００ｍｍ以上６０００ｍｍ以下であってよい。

図１４（ｂ）は本実施形態に係る表示装置の他の例を表す模式図である。図１４（ｂ）の表示装置１３１０は、折り曲げ可能に構成されており、いわゆるフォルダブルな表示装置である。表示装置１３１０は、第一表示部１３１１、第二表示部１３１２、筐体１３１３、屈曲点１３１４を有する。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、本実施形態に係る発光装置を有してよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、つなぎ目のない１枚の表示装置であってよい。第一表示部１３１１と第二表示部１３１２とは、屈曲点で分けることができる。第一表示部１３１１、第二表示部１３１２は、それぞれ異なる画像を表示してもよいし、第一および第二表示部とで一つの画像を表示してもよい。

図１５（ａ）は、本実施形態に係る照明装置の一例を表す模式図である。照明装置１４００は、筐体１４０１と、光源１４０２と、回路基板１４０３と、光学フィルム１４０４と、光拡散部１４０５と、を有してよい。光源は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。光学フィルタは光源の演色性を向上させるフィルタであってよい。光拡散部は、ライトアップ等、光源の光を効果的に拡散し、広い範囲に光を届けることができる。光学フィルタ、光拡散部は、照明の光出射側に設けられてよい。必要に応じて、最外部にカバーを設けてもよい。

照明装置は例えば室内を照明する装置である。照明装置は白色、昼白色、その他青から赤のいずれの色を発光するものであってよい。それらを調光する調光回路を有してよい。照明装置は本発明の有機発光素子とそれに接続される電源回路を有してよい。電源回路は、交流電圧を直流電圧に変換する回路である。また、白とは色温度が４２００Ｋで昼白色とは色温度が５０００Ｋである。照明装置はカラーフィルタを有してもよい。

また、本実施形態に係る照明装置は、放熱部を有していてもよい。放熱部は装置内の熱を装置外へ放出するものであり、比熱の高い金属、液体シリコン等が挙げられる。

図１５（ｂ）は、本実施形態に係る移動体の一例である自動車の模式図である。当該自動車は灯具の一例であるテールランプを有する。自動車１５００は、テールランプ１５０１を有し、ブレーキ操作等を行った際に、テールランプを点灯する形態であってよい。

テールランプ１５０１は、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。テールランプは、ＯＬＥＤ素子を保護する保護部材を有してよい。保護部材はある程度高い強度を有し、透明であれば材料は問わないが、ポリカーボネート等で構成されることが好ましい。ポリカーボネートにフランジカルボン酸誘導体、アクリロニトリル誘導体等を混ぜてよい。

自動車１５００は、車体１５０３、それに取り付けられている窓１５０２を有してよい。窓は、自動車の前後を確認するための窓でなければ、透明なディスプレイであってもよい。当該透明なディスプレイは、本実施形態に係る有機発光素子を有してよい。この場合、有機発光素子が有する電極等の構成材料は透明な部材で構成される。

本実施形態に係る移動体は、船舶、航空機、ドローン等であってよい。移動体は、機体と当該機体に設けられた灯具を有してよい。灯具は、機体の位置を知らせるための発光をしてよい。灯具は本実施形態に係る有機発光素子を有する。

図１６を参照して、上述の各実施形態の表示装置の適用例について説明する。表示装置は、例えばスマートグラス、ＨＭＤ、スマートコンタクトのようなウェアラブルデバイスとして装着可能なシステムに適用できる。このような適用例に使用される撮像表示装置は、可視光を光電変換可能な撮像装置と、可視光を発光可能な表示装置とを有する。

図１６（ａ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６００（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６００のレンズ１６０１の表面側に、ＣＭＯＳセンサやＳＰＡＤのような撮像装置１６０２が設けられている。また、レンズ１６０１の裏面側には、上述した各実施形態の表示装置が設けられている。

眼鏡１６００は、制御装置１６０３をさらに備える。制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と各実施形態に係る表示装置に電力を供給する電源として機能する。また、制御装置１６０３は、撮像装置１６０２と表示装置の動作を制御する。レンズ１６０１には、撮像装置１６０２に光を集光するための光学系が形成されている。

図１６（ｂ）は、１つの適用例に係る眼鏡１６１０（スマートグラス）を説明する。眼鏡１６１０は、制御装置１６１２を有しており、制御装置１６１２に、撮像装置１６０２に相当する撮像装置と、表示装置が搭載される。レンズ１６１１には、制御装置１６１２内の撮像装置と、表示装置からの発光を投影するための光学系が形成されており、レンズ１６１１には画像が投影される。制御装置１６１２は、撮像装置および表示装置に電力を供給する電源として機能するとともに、撮像装置および表示装置の動作を制御する。制御装置は、装着者の視線を検知する視線検知部を有してもよい。視線の検知は赤外線を用いてよい。赤外発光部は、表示画像を注視しているユーザーの眼球に対して、赤外光を発する。発せられた赤外光の眼球からの反射光を、受光素子を有する撮像部が検出することで眼球の撮像画像が得られる。平面視における赤外発光部から表示部への光を低減する低減手段を有することで、画像品位の低下を低減する。

赤外光の撮像により得られた眼球の撮像画像から表示画像に対するユーザーの視線を検出する。眼球の撮像画像を用いた視線検出には任意の公知の手法が適用できる。一例として、角膜での照射光の反射によるプルキニエ像に基づく視線検出方法を用いることができる。

より具体的には、瞳孔角膜反射法に基づく視線検出処理が行われる。瞳孔角膜反射法を用いて、眼球の撮像画像に含まれる瞳孔の像とプルキニエ像とに基づいて、眼球の向き（回転角度）を表す視線ベクトルが算出されることにより、ユーザーの視線が検出される。

本発明の一実施形態に係る表示装置は、受光素子を有する撮像装置を有し、撮像装置からのユーザーの視線情報に基づいて表示装置の表示画像を制御してよい。

具体的には、表示装置は、視線情報に基づいて、ユーザーが注視する第一の視界領域と、第一の視界領域以外の第二の視界領域とを決定される。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。表示装置の表示領域において、第一の視界領域の表示解像度を第二の視界領域の表示解像度よりも高く制御してよい。つまり、第二の視界領域の解像度を第一の視界領域よりも低くしてよい。

また、表示領域は、第一の表示領域、第一の表示領域とは異なる第二の表示領域とを有し、視線情報に基づいて、第一の表示領域および第二の表示領域から優先度が高い領域を決定されてよい。第一の視界領域、第二の視界領域は、表示装置の制御装置が決定してもよいし、外部の制御装置が決定したものを受信してもよい。優先度の高い領域の解像度を、優先度が高い領域以外の領域の解像度よりも高く制御してよい。つまり優先度が相対的に低い領域の解像度を低くしてよい。

なお、第一の視界領域や優先度が高い領域の決定には、ＡＩを用いてもよい。ＡＩは、眼球の画像と当該画像の眼球が実際に視ていた方向とを教師データとして、眼球の画像から視線の角度、視線の先の目的物までの距離を推定するよう構成されたモデルであってよい。ＡＩプログラムは、表示装置が有しても、撮像装置が有しても、外部装置が有してもよい。外部装置が有する場合は、通信を介して、表示装置に伝えられる。

視認検知に基づいて表示制御する場合、外部を撮像する撮像装置を更に有するスマートグラスに好ましく適用できる。スマートグラスは、撮像した外部情報をリアルタイムで表示することができる。

以上説明した通り、本実施形態に係る有機発光素子を用いた装置を用いることにより、良好な画質で、長時間表示にも安定な表示が可能になる。

（その他の実施形態）
以上、各実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に制限されるものではなく、様々な変更および変形が可能である。また、各実施形態は相互に適用可能である。

１０１ 発光装置
１０２ 画素
２０１ 発光素子
２０２ 第１トランジスタ
２０３ 第３トランジスタ
２０４ 第２トランジスタ

Claims (16)

1. 発光素子および第１トランジスタを含む電流経路と、第２トランジスタと、信号線に接続される第３トランジスタと、を含む画素を備え、
   前記第２トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記発光素子の一方のノードと第１の電源とに接続され、
   前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方は、前記第１トランジスタのゲート電極に接続され、
   前記第２トランジスタの前記ソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第１拡散領域と、前記第３トランジスタのソース領域およびドレイン領域の一方を構成する第１導電型の第２拡散領域と、の間には、素子分離部が配され、
   前記第１拡散領域の深さは、前記第２拡散領域の深さよりも深いことを特徴とする発光装置。
2. 前記画素は、前記第１トランジスタのゲート電極とソース領域またはドレイン領域との間に接続された第１の容量素子を有することを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第２拡散領域は、前記第１の容量素子の一部を構成し、
   前記第３トランジスタが非導通の状態において、前記第１の容量素子が前記信号線から伝達される輝度信号を保持することを特徴とする請求項２に記載の発光装置。
4. 前記第１の電源は、前記発光素子の他方のノードに接続される第２の電源よりも電源電位が低いことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
5. 前記画素は、前記第１トランジスタのゲート電極と、前記第１の電源よりも電源電位が高い第２の電源との間に接続された第２の容量素子を有することを特徴とする請求項２または３に記載の発光装置。
6. 前記画素は、前記第１トランジスタの他方のノードと前記第２の電源との間に接続された第４トランジスタを有することを特徴とする請求項５に記載の発光装置。
7. 前記第２の電源に接続される前記第４トランジスタの一方のノードは、第３拡散領域により構成され、
   前記第３拡散領域の深さは、前記第２拡散領域の深さよりも深いことを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 平面視で、前記第２拡散領域に最も近い拡散領域は、前記第３拡散領域であることを特徴とする請求項７に記載の発光装置。
9. 平面視で、前記第２拡散領域に最も近い拡散領域は、前記第１拡散領域であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光装置。
10. 前記第１トランジスタは埋込チャネル型のトランジスタであり、前記第２トランジスタは表面チャネル型のトランジスタであることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の発光装置。
11. 前記第１トランジスタのチャネル、および、前記第２トランジスタのチャネルは、前記第１導電型の領域であることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の発光装置。
12. 前記第３トランジスタのチャネルは、前記第１導電型とは異なる第２導電型の領域であることを特徴とする請求項１１に記載の発光装置。
13. 前記素子分離部は、絶縁体分離であることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の発光装置。
14. 前記素子分離部は、前記第１拡散領域および前記第２拡散領域よりも深くまで配されることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の発光装置。
15. 請求項１乃至１４の何れか１項に記載の発光装置と、
    前記発光装置の駆動を制御する制御部と、
    を含む電子機器。
16. 前記電子機器は、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、スマートフォン、タブレット、ヘッドマウントディスプレイ、スマートグラス、またはスマートコンタクトであることを特徴とする請求項１５に記載の電子機器。

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