WO2021241148A1 - 表示装置及び電子機器 - Google Patents

表示装置及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
WO2021241148A1
WO2021241148A1 PCT/JP2021/017330 JP2021017330W WO2021241148A1 WO 2021241148 A1 WO2021241148 A1 WO 2021241148A1 JP 2021017330 W JP2021017330 W JP 2021017330W WO 2021241148 A1 WO2021241148 A1 WO 2021241148A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light emitting
display device
shape
substrate
plan
Prior art date
Application number
PCT/JP2021/017330
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
健太 平賀
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 filed Critical ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
Priority to US17/998,771 priority Critical patent/US20230209975A1/en
Publication of WO2021241148A1 publication Critical patent/WO2021241148A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B3/00—Simple or compound lenses
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/02—Diffusing elements; Afocal elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/04—Prisms
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/20—Filters
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]

Definitions

  • FIG. 6 is a process diagram (No. 1) of a method for manufacturing an on-chip microlens according to the second embodiment.
  • FIG. 7 is a process diagram (No. 2) of the method for manufacturing the on-chip microlens according to the second embodiment.
  • FIG. 8A is a plan view of the on-chip microlens according to the third embodiment.
  • FIG. 8B is an end view of the cut portion along the line CC of FIG. 8A.
  • FIG. 8C is an end view of the cut portion along the DD line of FIG. 8A.
  • FIG. 9A is a plan view of the on-chip microlens according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9B is a plan view of the on-chip microlens according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9A is a plan view of the on-chip microlens according to the fourth embodiment.
  • FIG. 13B is a diagram for explaining the seventh embodiment, and is a partial end view showing a pixel structure in the vicinity of both ends of the display panel.
  • FIG. 14A is an external view of the smartphone according to the first embodiment of the electronic device of the present disclosure as viewed from the front side.
  • FIG. 14B is an external view of the smartphone according to the first embodiment of the electronic device of the present disclosure as viewed from the back surface side.
  • FIG. 15 is an external view showing a head-mounted display according to the second embodiment of the electronic device of the present disclosure.
  • FIG. 16A is a front view of the digital still camera according to the third embodiment of the electronic device of the present disclosure.
  • FIG. 16B is a rear view of the digital still camera according to the third embodiment of the electronic device of the present disclosure.
  • Example 1 (Example in which the shape of the bottom of the pyramid is a quadrangle in the plan view shape) 3-2.
  • Example 2 (Example of the method for manufacturing an on-chip microlens according to Example 1) 3-3.
  • Example 3 (Modification of Example 1: An example in which a gap exists between the bottom surfaces of four on-chip microlenses adjacent to each other in the vertical and horizontal directions) 3-4.
  • Example 4 (Modification example of Example 1: An example in which the shape of the bottom of the pyramid base is hexagonal in a plan view shape) 3-5.
  • Example 5 (Modification example of Example 1: An example in which the shape of the bottom of the pyramid base is rectangular in a plan view shape) 3-6.
  • the corner portion of the bottom portion of the pyramid base may be rounded in the plan view shape. At this time, it is preferable that the radius of curvature of the roundness of the corner portion of the bottom of the pyramid is smaller than the radius of curvature of the roundness of the corner portion of the top.
  • the shape of the bottom of the pyramid base may be hexagonal or rectangular in the plan view shape. Further, in the plan view shape, the size of the pyramid base can be configured to be different for each pixel including the light emitting portion.
  • the light emitting unit may be composed of an organic electroluminescence element and may be configured to emit white light.
  • the color filter layer and the on-chip microlens are the panels in the display panel in which the pixels including the light emitting portion are arranged two-dimensionally.
  • the configuration may be provided in a state of being biased with respect to the light emitting portion.
  • the color filter layer and the on-chip microlens are provided at both ends in the row direction of the display panel in a state of being biased with respect to the light emitting portion so that the optical axis is tilted toward the center of the display panel. It can be configured.
  • the display device of the present disclosure is an active matrix type display device in which the current flowing through the electro-optical element is controlled by an active element provided in the same pixel circuit as the electro-optical element, for example, an insulated gate type field effect transistor.
  • an insulated gate type field effect transistor include a MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistor and a TFT (Thin Film Transistor).
  • an active matrix type organic EL display device using an organic EL element which is an example of a current-driven electroluminescence element, as a light emitting unit (light emitting element) of a pixel circuit.
  • organic electroluminescence element organic electroluminescence element
  • a light emitting unit light emitting element
  • the active matrix type organic EL display device 10 to which the technique of the present disclosure is applied is a pixel array in which a plurality of pixels 20 including an organic EL element are two-dimensionally arranged in a matrix. It is configured to have a peripheral circuit (peripheral drive unit) arranged in a peripheral region of the unit 30 and the pixel array unit 30.
  • a peripheral circuit peripheral drive unit
  • the write scanning unit 40 is composed of a shift register circuit or the like.
  • the writing scanning unit 40 writes the writing scanning signal WS (WS 1 to WS m ) to the scanning lines 31 (31 1 to 31 m).
  • line sequential scanning in which each pixel 20 of the pixel array unit 30 is sequentially scanned row by row is performed.
  • the drive scanning unit 50 is configured by a shift register circuit or the like.
  • the drive scanning unit 50 pixel by in synchronism with the line sequential scanning by the writing scanning unit 40, supplies the emission control signals DS (DS 1 ⁇ DS m) with respect to the drive line 32 (32 1 ⁇ 32 m) 20 light emission / non-emission (quenching) control is performed.
  • the pixel 20 (sub-pixels 20R, 20G, 20B) is a drive circuit (pixel drive) that drives the organic EL element 21 and the organic EL element 21 by passing a current through the organic EL element 21. It is composed of circuits).
  • the cathode electrode is connected to the common power supply line 34 which is commonly wired to all the pixels 20.
  • Cel is the equivalent capacitance of the organic EL element 21.
  • the drive circuit for driving the organic EL element 21 has a drive transistor 22, a sampling transistor 23, a light emission control transistor 24, a holding capacity 25, and an auxiliary capacity 26.
  • the organic EL element 21 and its drive circuit are formed not on an insulating substrate such as a glass substrate but on a semiconductor substrate such as a silicon substrate, and the drive transistor 22 is a P-channel type. A configuration using a transistor is adopted.
  • sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 are not limited to P-channel type transistors because they are switching transistors that function as switch elements. Therefore, the sampling transistor 23 and the light emission control transistor 24 may be an N-channel type transistor or a configuration in which a P-channel type and an N-channel type are mixed.
  • the sampling transistor 23 writes to the holding capacity 25 by sampling the signal voltage V sig of the video signal supplied from the signal output unit 60 through the signal line 33.
  • the light emission control transistor 24 is connected between the node of the power supply voltage V dd and the source electrode of the drive transistor 22, and controls the light emission / non-light emission of the organic EL element 21 under the drive by the light emission control signal DS.
  • the holding capacity 25 is connected between the gate electrode and the source electrode of the drive transistor 22.
  • the holding capacity 25 holds the signal voltage V sig of the video signal written by sampling by the sampling transistor 23.
  • the drive transistor 22 drives the organic EL element 21 by passing a drive current corresponding to the holding voltage of the holding capacity 25 through the organic EL element 21.
  • the auxiliary capacitance 26 is connected between the source electrode of the drive transistor 22 and a node having a fixed potential, for example, a node having a power supply voltage V dd.
  • the auxiliary capacity 26 suppresses the fluctuation of the source potential of the drive transistor 22 when the signal voltage V sig of the video signal is written, and the gate-source voltage V g s of the drive transistor 22 is set to the drive transistor 22. It acts to make the threshold voltage V th.
  • the organic layer 75 has a laminated structure of a red light emitting layer, a green light emitting layer, and a blue light emitting layer.
  • One pixel 20 is composed of three sub-pixels, a red sub-pixel 20R, a green sub-pixel 20G, and a blue sub-pixel 20B.
  • the organic layer 75 constituting the organic EL element 21 emits white light, each sub-pixel 20R, 20G, 20B, the organic layer 75 and the color filter layer CF R for emitting white light, CF G, and CF B It consists of a combination.
  • the color filter layer CF R, CF G, is between mutually CF B, the black matrix layer BM are provided.
  • the black matrix layer BM is made of, for example, a black resin film (specifically, for example, a black polyimide resin) having an optical density of 1 or more mixed with a black colorant.
  • a light emitting unit driving unit is provided below the substrate (interlayer insulating layer) 73.
  • the light emitting unit drive unit may have a well-known circuit configuration (for example, the circuit configuration of FIG. 2).
  • the light emitting unit drive unit is composed of a transistor (specifically, a MOSFET) formed on a silicon substrate corresponding to the first substrate 71.
  • the transistor 90 composed of the MOSFET includes a gate insulating layer 91 formed on the first substrate 71, a gate electrode 92 formed on the gate insulating layer 91, a source / drain region 93 formed on the first substrate 71, and a source /.
  • the transistor 90 and the first electrode layer 74 are electrically connected to each other via a contact plug 81 provided on the substrate 73. In FIG. 3, one transistor 90 is shown for each light emitting unit driving unit.
  • the on-chip microlens 80 according to the first embodiment has a pyramid shape.
  • the shape of the bottom of the pyramid base can be made rectangular, and the lens area can be maximized, so that the lens effect can be further exhibited.
  • the corner portion X of the top portion of the pyramid base (the plan view shape is a quadrangle) is rounded. That is, in the plan view shape, the shape of the top surface and the shape of the bottom surface are different.
  • Example 2 is an example of a manufacturing method for manufacturing the on-chip microlens 80 according to the first embodiment.
  • 6 and 7 show a process diagram (No. 1) and a process diagram (No. 2) of the method for manufacturing the on-chip microlens according to the second embodiment.
  • the fabrication of four on-chip microlenses that are adjacent to each other in the vertical and horizontal directions will be illustrated.
  • Step 2 is a photography step, in which a rectangular photoresist 802 is formed on the base 801 of the microlens, irradiated with light radiation such as ultraviolet rays, and exposed. At this time, the corners of the planar shape of the photoresist 802 are rounded.
  • the thickness of the lens may differ between the cut surface in the diagonal direction and the cut surface in the direction perpendicular to the side.
  • Example 4 is a modification of Example 1, and is an example of an on-chip microlens having a hexagonal bottom portion of a pyramid base in a plan view shape.
  • the plan view of the on-chip microlens according to the fourth embodiment is shown in FIGS. 9A and 9B.
  • FIG. 9A is an example when there is no gap between the bottom surfaces of the on-chip microlenses 80 adjacent to each other, and
  • FIG. 9B is an example when there is a gap.
  • Example 5 is a modification of Example 1, and is an example of an on-chip microlens having a rectangular bottom of a pyramid base in a plan view shape.
  • the plan view of the on-chip microlens according to the fifth embodiment is shown in FIGS. 10A and 10B.
  • FIG. 10A is an example when there is no gap between the bottoms of the on-chip microlenses 80 adjacent to each other, and
  • FIG. 10B is an example when there is a gap.
  • the display device of the present disclosure described above is a display unit (display device) of an electronic device in all fields that displays a video signal input to the electronic device or a video signal generated in the electronic device as an image or a video.
  • Examples of the electronic device include a television set, a notebook personal computer, a digital still camera, a mobile terminal device such as a mobile phone, a head-mounted display, and the like. However, it is not limited to these.
  • the technique of the present disclosure even if the shape of the on-chip microlens is a pyramid, it is possible to suppress a sense of discomfort due to a sudden change in brightness that the observer feels due to a change in the observation position, so that a high-quality display image can be obtained. Can be provided. Then, by using the display device of the present disclosure as a display unit (display device) of electronic devices in all fields, it is possible to provide a display image having excellent visibility.
  • FIG. 15 shows an external view of the head-mounted display according to the second embodiment of the electronic device of the present disclosure.
  • the head-mounted display 200 has a transmissive head-mounted display configuration having a main body portion 201, an arm portion 202, and a lens barrel 203.
  • the main body 201 is connected to the arm 202 and the glasses 210. Specifically, the end portion of the main body portion 201 in the long side direction is attached to the arm portion 202. Further, one side of the side surface of the main body 201 is connected to the glasses 210 via a connecting member (not shown).
  • the main body 201 may be directly attached to the head of the human body.
  • FIG. 16 shows an external view of an interchangeable-lens single-lens reflex type digital still camera according to a specific example 3 of the electronic device of the present disclosure.
  • 16A is a front view of the digital still camera
  • FIG. 16B is a rear view of the digital still camera.
  • Imaging device ⁇ [A-01] 1st substrate, 2nd board, A plurality of light emitting parts arranged two-dimensionally on a substrate formed on the first substrate, which is located between the first substrate and the second substrate, and Multiple on-chip microlenses provided above each light emitting part corresponding to each light emitting part, Equipped with The on-chip microlens has a pyramidal base in shape, and the corner portion of the top of the pyramid base is rounded in a plan view shape. Display device. [A-02] In the plan view shape, the shape of the bottom of the pyramid is different from the shape of the top. The display device according to the above [A-01]. [A-03] In the plan view shape, the shape of the bottom of the pyramid base is a quadrangle.
  • the color filter layer and the on-chip microlens are provided in a display panel in which pixels including a light emitting portion are arranged in a two-dimensional manner in a state of being biased with respect to the light emitting portion according to the location of the panel.
  • [B-12] The color filter layer and the on-chip microlens are provided at both ends in the row direction of the display panel in a state of being biased with respect to the light emitting portion so that the optical axis is tilted toward the center of the display panel. ing, The electronic device according to the above [B-11].
  • organic layer 76 ... second electrode layer, 77 ... protective film, 78 ... flattening layer, 79 ... base substrate, 80 ... on-chip microlens, 81 ... sealing resin layer, BM ... black matrix layer, CF R, CF G, CF B ⁇ ⁇ Color filter layer

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本開示の表示装置は、第１基板、第２基板、第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズを備える。オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている。

Description

表示装置及び電子機器
　本開示は、表示装置及び電子機器に関する。
　近年の表示装置は、平面型（フラットパネル型）の表示装置が主流である。平面型の表示装置の一つとして、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する、所謂、電流駆動型の電気光学素子を、画素の発光部（発光素子）として用いた表示装置がある。電流駆動型の電気光学素子としては、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Electro　Luminescence：以下、「ＥＬ」と記述する場合がある）を利用し、有機薄膜に電界をかけると発光する現象を用いた有機ＥＬ素子を挙げることができる。
　画素の発光部として、有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子の高輝度化を目的とした光取り出し技術の一つとして、オンチップマイクロレンズを設ける技術がある。オンチップマイクロレンズの形状としては、球面や角錐台などの形状を例示することができる。特許文献１（特開２００４－１４６２００号公報）には、形状が角錐台のオンチップマイクロレンズを用いた表示装置が開示されている。
特開２００４－１４６２００号公報
　形状が角錐台のオンチップマイクロレンズは、角錐台の底部の形状を、平面視で矩形にでき、レンズ面積を最大化できるために、レンズ効果をより発揮することができる利点を有している。その反面、形状が角錐台のオンチップマイクロレンズは、角錐台の頂部に急激な角度変化のある角部分をもつために、観察者の観察位置によって輝度の急激な変化を生み、画質へ悪影響を及ぼす懸念があった。
　本開示は、オンチップマイクロレンズの形状が角錐台であっても、観察者の感じる急激な輝度変化による違和感を抑制することができる表示装置、及び、当該表示装置を有する電子機器を提供することを目的とする。
　上記の目的を達成するための本開示の表示装置は、
　第１基板、
　第２基板、
　第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、
　複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズ、
を備えている。
　オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている。
　また、上記の目的を達成するための本開示の電子機器は、上記の構成の表示装置を有する。
図１は、本開示の技術が適用される表示装置の基本的な構成の概略を模式的に示すシステム構成図である。 図２は、単位画素（画素回路）の回路構成を示す回路図である。 図３は、本開示の技術が適用される表示装置における表示パネルの模式的な一部断面図である。 図４Ａは、従来例に係る角錐台のオンチップマイクロレンズの平面図である。 図４Ｂは、図４ＡのＡ－Ａ線に沿った切断部の端面図である。 図５Ａは、実施例１に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図５Ｂは、図５ＡのＢ－Ｂ線に沿った切断部の端面図である。 図６は、実施例２に係るオンチップマイクロレンズの製造方法の工程図（その１）である。 図７は、実施例２に係るオンチップマイクロレンズの製造方法の工程図（その２）である。 図８Ａは、実施例３に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図８Ｂは、図８ＡのＣ－Ｃ線に沿った切断部の端面図である。 図８Ｃは、図８ＡのＤ－Ｄ線に沿った切断部の端面図である。 図９Ａは、実施例４に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図９Ｂは、実施例４に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図１０Ａは、実施例５に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図１０Ｂは、実施例５に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図１１Ａは、実施例６に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図１１Ｂは、実施例６に係るオンチップマイクロレンズの平面図である。 図１２は、表示パネルの中央部分及び両端部付近の明るさについて説明するための表示パネルの模式的な正面図である。 図１３Ａは、実施例７についての説明に供する図であり、表示パネルの中央部分の画素構造を示す一部端面図である。 図１３Ｂは、実施例７についての説明に供する図であり、表示パネルの両端部付近の画素構造を示す一部端面図である。 図１４Ａは、本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの正面側から見た外観図である。 図１４Ｂは、本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンの裏面側から見た外観図である。 図１５は、本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイを示す外観図である。 図１６Ａは、本開示の電子機器の具体例３に係るデジタルスチルカメラの正面図である。 図１６Ｂは、本開示の電子機器の具体例３に係るデジタルスチルカメラの背面図である。
　以下、本開示の技術を実施するための形態（以下、「実施形態」と記述する）について図面を用いて詳細に説明する。本開示の技術は実施形態に限定されるものではない。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明
２．本開示の技術が適用される表示装置（有機ＥＬ表示装置の例）
　２－１．システム構成
　２－２．画素回路
　２－３．表示パネルの断面構造
　２－４．オンチップマイクロレンズについて
３．実施形態に係るオンチップマイクロレンズ
　３－１．実施例１（平面視形状において、角錐台の底部の形状が四角形の例）
　３－２．実施例２（実施例１に係るオンチップマイクロレンズの製造方法の例）
　３－３．実施例３（実施例１の変形例：上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズの底面間にギャップが存在する例）
　３－４．実施例４（実施例１の変形例：平面視形状において、角錐台の底部の形状が六角形の例）
　３－５．実施例５（実施例１の変形例：平面視形状において、角錐台の底部の形状が長方形の例）
　３－６．実施例６（実施例５の変形例：平面視形状において、角錐台の底部の形状が長方形で、画素毎にサイズが異なるの例）
　３－７．実施例７（カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズを、発光部に対して偏倚させて設ける例）
４．変形例
５．本開示の電子機器
　５－１．具体例１（スマートフォンの例）
　５－２．具体例２（ヘッドマウントディスプレイの例）
　５－３．具体例３（デジタルスチルカメラの例）
６．本開示がとることができる構成
＜本開示の表示装置及び電子機器、全般に関する説明＞
　本開示の表示装置及び電子機器にあっては、平面視形状において、角錐台の底部の形状について、頂部の形状と異なる構成とすることができる。また、平面視形状において、角錐台の底部の形状について、四角形である構成とすることができる。
　上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、平面視形状において、角錐台の底部の角部分が丸みを帯びている構成とすることができる。このとき、角錐台の底部の角部分の丸みの曲率半径について、頂部の角部分の丸みの曲率半径よりも小さいことが好ましい。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、平面視形状において、角錐台の底部の形状について、六角形又は長方形である構成とすることができる。また、平面視形状において、角錐台のサイズについて、発光部を含む画素毎に異なる構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、発光部について、有機エレクトロルミネッセンス素子から成り、又、白色光を発光する構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、複数の発光部の上方には、各発光部に対応してカラーフィルタ層が形成され、カラーフィルタ層の上方に、オンチップマイクロレンズが設けられている構成とすることができる。
　また、上述した好ましい構成を含む本開示の表示装置及び電子機器にあっては、カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズについて、発光部を含む画素が２次元状に配列されて成る表示パネルにおいて、パネルの場所に応じて、発光部に対して偏倚した状態で設けられている構成とすることができる。好ましくは、カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズについて、表示パネルの行方向の両端部において、光軸が表示パネルの中央部方向に傾くように、発光部に対して偏倚した状態で設けられている構成とすることができる。
＜本開示の技術が適用される表示装置＞
　本開示の表示装置は、電気光学素子に流れる電流を、当該電気光学素子と同じ画素回路内に設けた能動素子、例えば絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって制御するアクティブマトリクス型表示装置である。絶縁ゲート型電界効果トランジスタとしては、典型的には、ＭＯＳ(Metal　Oxide　Semiconductor)トランジスタやＴＦＴ（Thin　Film　Transistor；薄膜トランジスタ）を例示することができる。
　ここでは、本開示の表示装置として、電流駆動型の電気光学素子の一例である有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を、画素回路の発光部（発光素子）として用いるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明するものとする。以下では、「画素回路」を単に「画素」と記述する場合がある。
［システム構成］
　図１は、本開示の技術が適用される表示装置であるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の基本的な構成の概略を模式的に示すシステム構成図である。
　図１に示すように、本開示の技術が適用されるアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０は、有機ＥＬ素子を含む複数の画素２０が行列状（マトリクス状）に２次元配列されて成る画素アレイ部３０、及び、当該画素アレイ部３０の周辺領域に配置される周辺回路（周辺駆動部）を有する構成となっている。
　画素領域の周辺回路は、例えば、画素アレイ部３０と同じ表示パネル７０上に搭載された書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０等から成り、画素アレイ部３０の各画素２０を駆動する。尚、書込み走査部４０、駆動走査部５０、及び、信号出力部６０のいくつか、あるいは全部を、表示パネル７０外に設ける構成を採ることも可能である。
　有機ＥＬ表示装置１０については、モノクロ（白黒）表示対応の構成とすることもできるし、カラー表示対応の構成とすることもできる。有機ＥＬ表示装置１０がカラー表示対応の場合は、カラー画像を形成する単位となる１つの画素（単位画素／ピクセル）は複数の副画素（サブピクセル）から構成される。このとき、副画素の各々が図１の画素２０に相当することになる。より具体的には、カラー表示対応の表示装置では、１つの画素は、例えば、赤色（Ｒｅｄ；Ｒ）光を発光する副画素２０Ｒ、緑色（Ｇｒｅｅｎ；Ｇ）光を発光する副画素２０Ｇ、青色（Ｂｌｕｅ；Ｂ）光を発光する副画素２０Ｂの３つの副画素から構成される。
　但し、１つの画素としては、Ｒ，Ｇ，Ｂの３原色の副画素の組み合わせに限られるものではなく、３原色の副画素に更に１色あるいは複数色の副画素を加えて１つの画素を構成することも可能である。より具体的には、例えば、輝度向上のために白色（Ｗｈｉｔｅ；Ｗ）光を発光する副画素を加えて１つの画素を構成したり、色再現範囲を拡大するために補色光を発光する少なくとも１つの副画素を加えて１つの画素を構成したりすることも可能である。
　画素アレイ部３０には、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第１の方向（行方向／水平方向）に沿って走査線３１（３１1～３１m）と駆動線３２（３２1～３２m）とが画素行毎に配線されている。更に、ｍ行ｎ列の画素２０の配列に対して、第２の方向（列方向／垂直方向）に沿って信号線３３（３３1～３３n）が画素列毎に配線されている。
　走査線３１1～３１mは、書込み走査部４０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。駆動線３２1～３２mは、駆動走査部５０の対応する行の出力端にそれぞれ接続されている。信号線３３1～３３nは、信号出力部６０の対応する列の出力端にそれぞれ接続されている。
　書込み走査部４０は、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この書込み走査部４０は、画素アレイ部３０の各画素２０への映像信号の信号電圧の書込みに際して、走査線３１（３１1～３１m）に対して書込み走査信号ＷＳ（ＷＳ1～ＷＳm）を順次供給することによって画素アレイ部３０の各画素２０を行単位で順番に走査する、所謂、線順次走査を行う。
　駆動走査部５０は、書込み走査部４０と同様に、シフトレジスタ回路等によって構成されている。この駆動走査部５０は、書込み走査部４０による線順次走査に同期して、駆動線３２（３２1～３２m）に対して発光制御信号ＤＳ（ＤＳ1～ＤＳm）を供給することによって画素２０の発光／非発光（消光）の制御を行う。
　信号出力部６０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧（以下、単に「信号電圧」と記述する場合もある）Ｖsigと基準電圧Ｖofsとを選択的に出力する。ここで、基準電圧Ｖofsは、映像信号の信号電圧Ｖsigの基準となる電圧（例えば、映像信号の黒レベルに相当する電圧）に相当する電圧、あるいは、その近傍の電圧である。基準電圧Ｖofsは、補正動作を行う際に、初期化電圧として用いられる。
　信号出力部６０から択一的に出力される信号電圧Ｖsig／基準電圧Ｖofsは、信号線３３（３３1～３３n）を介して画素アレイ部３０の各画素２０に対して、書込み走査部４０による線順次走査によって選択された画素行の単位で書き込まれる。すなわち、信号出力部６０は、信号電圧Ｖsigを画素行（ライン）単位で書き込む線順次書込みの駆動形態を採っている。
［画素回路］
　図２は、アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置１０における画素（画素回路）の回路構成の一例を示す回路図である。画素２０（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）の発光部は、有機ＥＬ素子２１から成る。有機ＥＬ素子２１は、デバイスに流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の電気光学素子の一例である。
　図２に示すように、画素２０（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）は、有機ＥＬ素子２１、及び、有機ＥＬ素子２１に電流を流すことによって当該有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路（画素駆動回路）によって構成されている。有機ＥＬ素子２１は、全ての画素２０に対して共通に配線された共通電源線３４にカソード電極が接続されている。図中、Ｃelは、有機ＥＬ素子２１の等価容量である。
　有機ＥＬ素子２１を駆動する駆動回路は、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、発光制御トランジスタ２４、保持容量２５、及び、補助容量２６を有する構成となっている。ここでは、有機ＥＬ素子２１及びその駆動回路を、ガラス基板のような絶縁性基板上ではなく、シリコン基板のような半導体基板上に形成することを想定し、駆動トランジスタ２２として、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。
　また、本例では、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４についても、駆動トランジスタ２２と同様に、Ｐチャネル型のトランジスタを用いる構成を採っている。従って、駆動トランジスタ２２、サンプリングトランジスタ２３、及び、発光制御トランジスタ２４は、ソース／ゲート／ドレインの３端子ではなく、ソース／ゲート／ドレイン／バックゲートの４端子となっている。バックゲートには電源電圧Ｖddが印加される。
　但し、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４については、スイッチ素子として機能するスイッチングトランジスタであることから、Ｐチャネル型のトランジスタに限られるものではない。従って、サンプリングトランジスタ２３及び発光制御トランジスタ２４は、Ｎチャネル型のトランジスタでも、Ｐチャネル型とＮチャネル型が混在した構成のものでもよい。
　上記の構成の画素２０において、サンプリングトランジスタ２３は、信号出力部６０から信号線３３を通して供給される映像信号の信号電圧Ｖsigをサンプリングすることによって保持容量２５に書き込む。発光制御トランジスタ２４は、電源電圧Ｖddのノードと駆動トランジスタ２２のソース電極との間に接続され、発光制御信号ＤＳによる駆動の下に、有機ＥＬ素子２１の発光／非発光を制御する。
　保持容量２５は、駆動トランジスタ２２のゲート電極とソース電極との間に接続されている。この保持容量２５は、サンプリングトランジスタ２３によるサンプリングによって書き込まれた映像信号の信号電圧Ｖsigを保持する。駆動トランジスタ２２は、保持容量２５の保持電圧に応じた駆動電流を有機ＥＬ素子２１に流すことによって有機ＥＬ素子２１を駆動する。
　補助容量２６は、駆動トランジスタ２２のソース電極と、固定電位のノード、例えば、電源電圧Ｖddのノードとの間に接続されている。この補助容量２６は、映像信号の信号電圧Ｖsigを書き込んだときに駆動トランジスタ２２のソース電位が変動するのを抑制するとともに、駆動トランジスタ２２のゲート－ソース間電圧Ｖgsを、駆動トランジスタ２２の閾値電圧Ｖthにする作用を為す。
［表示パネルの断面構造］
　図３は、本開示の技術が適用される表示装置、即ち、有機ＥＬ表示装置１０における表示パネル７０の模式的な一部断面図である。
　図３に示すように、本例に係る表示パネル７０は、第１基板７１、第２基板７２、及び、第１基板７１と第２基板７２との間に位置し、第１基板７１の上に形成された基体７３上に設けられ、２次元状に配列された複数の画素２０を備えた構成となっている。第１基板７１あるいは第２基板７２については、シリコン基板のような半導体基板、ガラス基板や石英基板等の絶縁性基板を用いて構成することができる。本例に係る表示パネル７０にあっては、第１基板７１として、シリコン基板のような半導体基板を用いる場合を例示することとする。
　本例に係る表示パネル７０において、画素２０は、基体７３上に形成された第１電極層７４、第１電極層７４上に形成された有機層７５、有機層７５上に形成された第２電極層７６、第２電極層７６上に形成された保護膜７７、及び、保護膜７７上に形成された平坦化層７８を少なくとも備えた構成となっている。第１電極層７４については、アノード電極として機能させることができるし、第２電極層７６については、カソード電極として機能させることができる。
　有機層７５は、有機発光材料から成る発光層を備えて、有機ＥＬ素子２１を構成している。具体的には、有機層７５は、例えば、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。
　有機層７５は、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層の積層構造を有する。１つの画素２０は、赤色の副画素２０Ｒ、緑色の副画素２０Ｇ、及び、青色の副画素２０Ｂの３つの副画素から構成されている。有機ＥＬ素子２１を構成する有機層７５は、白色光を発光し、各副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、白色光を発光する有機層７５とカラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBとの組合せから構成されている。
　赤色を表示すべき赤色の副画素２０Ｒには、赤色カラーフィルタ層ＣＦRが備えられており、緑色を表示すべき緑色の副画素２０Ｇには、緑色カラーフィルタ層ＣＦGが備えられており、青色を表示すべき青色の副画素２０Ｂには、青色カラーフィルタ層ＣＦBが備えられている。赤色の副画素２０Ｒ、緑色の副画素２０Ｇ、及び、青色の副画素２０Ｂは、カラーフィルタ層、発光層の位置を除き、同じ構成、構造を有する。
　平坦化層７８の上には、副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBが形成され、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBの上には、下地基板７９を介して、周知の方法で、周知の材料から成るオンチップマイクロレンズ８０が、有機ＥＬ素子２１に対応して設けられている。オンチップマイクロレンズ８０を設けることで、隣接画素間の混色防止を図ることができるとともに、必要とされる視野角に応じて光を、適宜、発散させることができる。カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB及びオンチップマイクロレンズ８０は、第２基板７２に対して封止樹脂層８１を介して貼り合わされている。
　カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦBの相互間には、ブラックマトリクス層ＢＭが設けられている。ブラックマトリクス層ＢＭは、例えば、黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜（具体的には、例えば、黒色のポリイミド樹脂）から成る。
　基体（層間絶縁層）７３の下方には、発光部駆動部が設けられている。発光部駆動部については、周知の回路構成（例えば、図２の回路構成）とすることができる。発光部駆動部は、第１基板７１に相当するシリコン基板に形成されたトランジスタ（具体的には、ＭＯＳＦＥＴ）から構成されている。ＭＯＳＦＥＴから成るトランジスタ９０は、第１基板７１上に形成されたゲート絶縁層９１、ゲート絶縁層９１上に形成されたゲート電極９２、第１基板７１に形成されたソース／ドレイン領域９３、ソース／ドレイン領域９３，９３の間に形成されたチャネル形成領域９４、並びに、チャネル形成領域９４及びソース／ドレイン領域９３を取り囲む素子分離領域９５から構成されている。トランジスタ９０と第１電極層７４とは、基体７３に設けられたコンタクトプラグ８１を介して電気的に接続されている。尚、図３においては、１つの発光部駆動部につき、１つのトランジスタ９０を図示している。
［オンチップマイクロレンズについて］
　上述した構成の表示パネル７０には、有機ＥＬ素子の高輝度化を目的とした光取り出し効率の向上のために、オンチップマイクロレンズ８０が設けられている。オンチップマイクロレンズ８０は、例えば、周知のアクリル系樹脂から構成することができ、アクリル系樹脂を、メルトフローさせることで得ることができるし、あるいは又、エッチバックすることで得ることができる。
　オンチップマイクロレンズ８０としては、レンズ面積を最大化でき、レンズ効果をより発揮することができる角錐台のマイクロレンズが用いられている。従来例に係る角錐台のオンチップマイクロレンズ８０の平面図を図４Ａに示し、図４ＡのＡ－Ａ線に沿った切断部の端面図を図４Ｂに示す。角錐台のオンチップマイクロレンズ８０は、レンズ面積を最大化でき、レンズ効果をより発揮することができる反面、角錐台の頂部に急激な角度変化のある角部分を持つために、観察者の観察位置によって、具体的には、角錐台の側面に対応する観察位置ａと、角錐台の頂部の角部分に対応する観察位置ｂとで輝度の急激な変化を生み、画質へ悪影響を及ぼす懸念がある。
＜実施形態に係るオンチップマイクロレンズ＞
　本開示の実施形態に係る表示装置、具体的には、有機ＥＬ表示装置１０は、上述したように、第１基板７１と第２基板７２との間に位置し、第１基板７１の上に形成された基体７３上に、２次元状に配列された複数の画素２０（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）を備えている。複数の画素２０（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）は、発光部（発光素子）、より具体的には、有機ＥＬ素子２１の上方に、各有機ＥＬ素子２１に対応して設けられたオンチップマイクロレンズ８０を有している。
　そして、本開示の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１０では、オンチップマイクロレンズ８０として、形状が角錐台のマイクロレンズが用い、当該角錐台のオンチップマイクロレンズ８０について、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びた（丸みを有する）構成となっている。このように、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている（曲線になっている）ことで、オンチップマイクロレンズ８０の形状が角錐台であっても、観察者が観察位置の変化によって感じる急激な輝度変化による違和感を抑制することができる。
　以下に、本開示の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置で用いられる、形状が角錐台のオンチップマイクロレンズ８０の具体的な実施例について説明する。
［実施例１］
　実施例１は、平面視形状において、角錐台の底部の形状が四角形（正方形）のオンチップマイクロレンズの例である。実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０の平面図を図５Ａに示し、図５ＡのＢ－Ｂ線に沿った切断部の端面図を図５Ｂに示す。
　実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０は、形状が角錐台である。これにより、平面視形状において、角錐台の底部の形状を矩形にでき、レンズ面積を最大化できるために、レンズ効果をより発揮することができる。そして、実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０では、平面視形状において、角錐台の頂部（平面視形状が四角形）の角部分Ｘが丸みを帯びた構成となっている。すなわち、平面視形状において、頂面の形状と底部の形状とが異なっている。
　このように、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分Ｘが丸みを帯びている（曲線になっている）ことにより、角部分Ｘでの形状変化が緩やかとなる。これにより、観察者の観察位置が、角錐台の側面に対応する観察位置ａから、角錐台の頂部の角部分Ｘに対応する観察位置ｂに変化するとき、輝度が緩やかに変化するようになるため、角部分Ｘが丸みを帯びていないときに観察者が感じていた輝度変化による違和感を緩和することができる。
　形状が角錐台のオンチップマイクロレンズ８０における頂部の角部分Ｘの丸みの度合い（曲率半径）については、任意であるが、頂部の平面視形状が円に近くなる程、観察者の観察位置の変化に伴う輝度変化による違和感をより緩和することができる、と言うことができる。
［実施例２］
　実施例２は、実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０を作製する製造方法の例である。実施例２に係るオンチップマイクロレンズの製造方法の工程図（その１）及び工程図（その２）を図６及び図７に示す。ここでは、図面の簡略化のために、上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズの作製について例示する。
　工程１は、マイクロレンズの基礎８０１を形成する工程であり、下地基板７９上に、マイクロレンズとなる樹脂材料でレンズの基礎８０１を形成する。マイクロレンズとなる樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂を挙げることができる。
　工程２は、フォトグラフィの工程であり、マイクロレンズの基礎８０１上に、矩形のフォトレジスト８０２を形成し、紫外線などの光放射で照射し、露光させる。このとき、フォトレジスト８０２の平面形状の角部分に丸みを持たせる。
　工程３は、ドライエッチングの工程であり、反応性の気体やイオン、ラジカルによってマイクロレンズとなる樹脂材料に対してドライエッチングを施すことで、角錐台の形状を転写する。このドライエッチングの際には、加工生成物の付着により、テーパーが寝てきて角錐台となる。このとき、フォトレジスト８０２の平面形状の角部分に丸みを持たせているため、転写された角錐台のマイクロレンズの頂部の角部分が丸くなる。
　工程４は、最終工程であり、ドライエッチングのエッチング時間を延ばすと、加工生成物の堆積が進むため、角錐台の底面の形状が四角形（正方形）に近づいていくが、頂部の角部分は丸みを帯びたままとなる。尚、エッチング時間を増すことにより、レンズ厚は若干減ることになる。
　上述した実施例２に係るオンチップマイクロレンズの製造方法によれば、実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０、即ち、形状が角錐台、より具体的には、正四角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びたオンチップマイクロレンズ８０を作製することができる。
［実施例３］
　実施例３は、実施例１の変形例であり、上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズの底面間にギャップが存在する例である。実施例３に係るオンチップマイクロレンズ８０の平面図を図８Ａに示し、図８ＡのＣ－Ｃ線に沿った切断部の端面図を図８Ｂに示し、図８ＡのＤ－Ｄ線に沿った切断部の端面図を図８Ｃに示す。
　実施例１に係るオンチップマイクロレンズ８０（図５Ａ参照）では、上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズの底部間にギャップは存在せず、各底部が密接した構成となっている。これに対し、実施例３に係るオンチップマイクロレンズ８０は、上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズ８０の底部間にギャップが存在する構成となっている。
　互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズ８０の底部間にギャップが存在するのは、平面視形状において、各オンチップマイクロレンズ８０の底部の角部分が丸みを帯びている（曲線になっている）からである。ここで、頂部の角部分の丸みの曲率をｒ1とするとき、底部の角部分の丸みの曲率ｒ2は、頂部の曲率ｒ1よりも小さい（ｒ1＞ｒ2）ことが好ましい。これは、平面視形状において、頂面の形状と底面の形状とが異なっていることを意味する。底部の角部分の丸みの曲率ｒ2が小さい程、レンズ面積を大きくすることができるため、レンズ効果をより発揮することができる。
　上下左右で互いに隣接する４つのオンチップマイクロレンズ８０の底部間にギャップが存在する実施例３の場合、ギャップが存在しない実施例１の場合に比べて、レンズ面積の観点で劣るものの、製造方法によっては、実施例３の構成とすることもできる。
　尚、正四角錐台のオンチップマイクロレンズ８０において、対角方向での切断面と辺に垂直な方向での切断面においてレンズの厚みが異なる場合もある。
［実施例４］
　実施例４は、実施例１の変形例であり、平面視形状において、角錐台の底部の形状が六角形のオンチップマイクロレンズの例である。実施例４に係るオンチップマイクロレンズの平面図を図９Ａ及び図９Ｂに示す。図９Ａは、互いに隣接するオンチップマイクロレンズ８０の底面間にギャップが存在しない場合の例であり、図９Ｂは、ギャップが存在する場合の例である。
［実施例５］
　実施例５は、実施例１の変形例であり、平面視形状において、角錐台の底部の形状が長方形のオンチップマイクロレンズの例である。実施例５に係るオンチップマイクロレンズの平面図を図１０Ａ及び図１０Ｂに示す。図１０Ａは、互いに隣接するオンチップマイクロレンズ８０の底部間にギャップが存在しない場合の例であり、図１０Ｂは、ギャップが存在する場合の例である。
［実施例６］
　実施例６は、実施例５の変形例であり、平面視形状において、角錐台の底部の形状が長方形のオンチップマイクロレンズであって、画素毎に大きさ、形状が異なる例である。実施例６に係るオンチップマイクロレンズの平面図を図１１Ａ及び図１１Ｂに示す。図１１Ａは、互いに隣接するオンチップマイクロレンズの底部間にギャップが存在しない場合の例であり、図１１Ｂは、ギャップが存在する場合の例である。実施例６では、相対的にサイズが大きいオンチップマイクロレンズ８０Lと、相対的にサイズが小さいオンチップマイクロレンズ８０Sとを混在させた構成となっている。
　尚、実施例１では、平面視形状において、角錐台の底部形状が四角形の場合を例示し、実施例４では、平面視形状において、角錐台の底部形状が六角形の場合を例示し、実施例５及び実施例６では、平面視形状において、角錐台の底部形状が長方形の場合を例示したが、これらの形状に限られるものではない。例えば、平面視形状において、角錐台の底部形状が八角形や十六角形など、他の多角形であってもよい。また、実施例６では、平面視形状において、角錐台の底部形状が長方形の場合において、画素毎にサイズが異なる構成としたが、長方形の場合に限らず、正方形、六角形を含む他の多角形の場合にも、画素毎にサイズが異なる構成とすることができる。
［実施例７］
　実施例７は、カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズを、発光部に対して偏倚（オフセット）させて設ける例である。
　ところで、有機ＥＬ表示装置１０では、各画素２０（副画素２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）において、オンチップマイクロレンズ８０の作用により、光が基板（基体７３）に対して垂直方向に放出される構造となっている。
　一方、画面を見る場合、図１２に示す表示パネル７０において、表示パネル７０の中央部分Ｐを観るのが一般的である。このとき、上記の画素２０の構造上、表示パネル７０の中央部分Ｐの輝度が高いが、表示パネル７０の行方向の両端部付近Ｏでは斜めに放出される光が少ないため、中央部分Ｐに比べて輝度が低くなる。すなわち、表示パネル７０の中央部分Ｐを観る観察者には、表示パネル７０の中央部分Ｐは明るく見えるが、行方向の両端部付近Ｏは暗く見えることになる。
　そこで、実施例７では、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB及びオンチップマイクロレンズ８０を、発光部である有機ＥＬ素子２１を含む画素２０が２次元状に配列されて成る表示パネル７０の場所に応じて、有機ＥＬ素子２１に対して偏倚（オフセット）させた状態で設ける。
　より具体的には、表示パネル７０の中央部分Ｐでは、図１３Ａに示すように、基体７３に対して垂直方向に光が放出される画素構造に対して、表示パネル７０の行方向の両端部付近Ｏの画素２０については、図１３Ｂに示すように、表示パネル７０の内側（中央部）方向に向けて光が放出される画素構造とする。具体的には、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB及びオンチップマイクロレンズ８０を、光軸が表示パネル７０の中央部方向に傾くように偏倚（オフセット）させた画素構造とする。
　このように、カラーフィルタ層ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB及びオンチップマイクロレンズ８０を、光軸が表示パネル７０の中央部方向に傾くように偏倚させることで、観察者が画面中央部を観た場合における、表示パネル７０の行方向の両端部付近Ｏの発光輝度を高めることができる。これにより、表示パネル７０の中央部分Ｐを観る観察者にとって、表示パネル７０の行方向の両端部付近Ｏについても、中央部分Ｐと同様に明るく見えることになる。
＜変形例＞
　以上、本開示の技術について、好ましい実施形態に基づき説明したが、本開示の技術は当該実施形態に限定されるものではない。上記の実施形態において説明した表示装置の構成、構造は例示であり、適宜、変更することができる。例えば、上記の実施形態では、有機ＥＬ装置（表示パネル）を例に挙げて本開示の技術について説明したが、有機ＥＬ装置以外の表示装置、具体的には、発光部に対応してオンチップマイクロレンズを有するパネル構造の表示装置全般に対して本開示の技術を適用することができる。
　また、上記の実施形態では、表示パネルの基板として、シリコン基板等の半導体基板を用いる表示装置を例に挙げて説明したが、これに限られるものではなく、ガラス基板等の絶縁性基板を用いる表示装置に対して、本開示の技術を適用することができる。
＜本開示の電子機器＞
　以上説明した本開示の表示装置は、電子機器に入力された映像信号、若しくは、電子機器内で生成した映像信号を、画像若しくは映像として表示する、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として用いることができる。電子機器としては、テレビジョンセット、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタルスチルカメラ、携帯電話機等の携帯端末装置、ヘッドマウントディスプレイ等を例示することができる。但し、これらに限られるものではない。
　本開示の技術によれば、オンチップマイクロレンズの形状が角錐台であっても、観察者が観察位置の変化によって感じる急激な輝度変化による違和感を抑制することができるため、高画質の表示画像を提供することができる。そして、あらゆる分野の電子機器の表示部（表示装置）として、本開示の表示装置を用いることで、視認性に優れた表示画像を提供することができる。
　以下に、本開示の表示装置を用いる電子機器の具体例として、スマートフォン、ヘッドマウントディスプレイ、デジタルスチルカメラを例示する。但し、ここで例示する具体例は一例に過ぎず、これらの具体例に限られるものではない。
［具体例１：スマートフォンの例］
　本開示の電子機器の具体例１に係るスマートフォンについて、正面側から見た外観図を図１４Ａに示し、裏面側から見た外観図を図１４Ｂに示す。本具体例に係るスマートフォン１００は、筐体１１０の正面側に表示部１２０を備えている。また、スマートフォン１００は、例えば、筐体１１０の裏面側の上方部に撮像部１３０を備えている。
　上記の構成のモバイル機器の一例であるスマートフォン１００において、その表示部１１０として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例１に係るスマートフォン１００は、その表示部１２０として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例２：ヘッドマウントディスプレイの例］
　本開示の電子機器の具体例２に係るヘッドマウントディスプレイの外観図を図１５に示す。
　具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、本体部２０１、アーム部２０２及び鏡筒２０３を有する透過式ヘッドマウントディスプレイ構成となっている。本体部２０１は、アーム部２０２及び眼鏡２１０と接続されている。具体的には、本体部２０１の長辺方向の端部はアーム部２０２に取り付けられている。また、本体部２０１の側面の一方側は、接続部材（図示せず）を介して眼鏡２１０に連結されている。尚、本体部２０１は、直接的に人体の頭部に装着されてもよい。
　本体部２０１は、ヘッドマウントディスプレイ２００の動作を制御するための制御基板や表示部を内蔵している。アーム部２０２は、本体部２０１と鏡筒２０３とを連結させることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を支える。具体的には、アーム部２０２は、本体部２０１の端部及び鏡筒２０３の端部と結合されることで、本体部２０１に対して鏡筒２０３を固定する。また、アーム部２０２は、本体部２０１から鏡筒２０３に提供される画像に係るデータを通信するための信号線を内蔵している。
　鏡筒２０３は、本体部２０１からアーム部２０２を経由して提供される画像光を、眼鏡２１０のレンズ２１１を透して、ヘッドマウントディスプレイ２００を装着するユーザの目に向かって投射する。このヘッドマウントディスプレイ２００において、本体部２０１に内蔵される表示部として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例２に係るヘッドマウントディスプレイ２００は、その表示部として、本開示の表示装置を用いることによって作製される。
［具体例３：デジタルスチルカメラの例］
　本開示の電子機器の具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラの外観図を図１６に示す。図１６Ａは、デジタルスチルカメラの正面図であり、図１６Ｂは、デジタルスチルカメラの背面図である。
　レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。そして、カメラ本体部３１１の背面略中央にはモニター３１４が設けられている。モニター３１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２によって導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。
　上記の構成のレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルスチルカメラ３００において、そのビューファインダ３１５として、本開示の表示装置を用いることができる。すなわち、本具体例３に係るレンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ３００は、そのビューファインダ３１５として本開示の表示装置を用いることによって作製される。
＜本開示がとることができる構成＞
　尚、本開示は、以下のような構成をとることもできる。
≪Ａ．撮像装置≫
［Ａ－０１］第１基板、
　第２基板、
　第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、
　複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズ、
を備え、
　オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている、
表示装置。
［Ａ－０２］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、頂部の形状と異なる、
上記［Ａ－０１］に記載の表示装置。
［Ａ－０３］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、四角形である、
上記［Ａ－０２］に記載の表示装置。
［Ａ－０４］平面視形状において、角錐台の底部の角部分が丸みを帯びている、
上記［Ａ－０３］に記載の表示装置。
［Ａ－０５］角錐台の底部の角部分の丸みの曲率半径は、頂部の角部分の丸みの曲率半径よりも小さい、
上記［Ａ－０４］に記載の表示装置。
［Ａ－０６］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、六角形又は長方形である、
上記［Ａ－０２］に記載の表示装置。
［Ａ－０７］平面視形状において、角錐台のサイズは、発光部を含む画素毎に異なっている、
上記［Ａ－０１］乃至上記［Ａ－０６］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－０８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ａ－０１］乃至上記［Ａ－０７］のいずれかに記載の表示装置。
［Ａ－０９］発光部は、白色光を発光する、
上記［Ａ－０８］に記載の表示装置。
［Ａ－１０］複数の発光部の上方には、各発光部に対応してカラーフィルタ層が形成されており、
　オンチップマイクロレンズは、カラーフィルタ層の上方に設けられている、
上記［Ａ－０９］に記載の表示装置。
［Ａ－１１］カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、発光部を含む画素が２次元状に配列されて成る表示パネルにおいて、パネルの場所に応じて、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
上記［Ａ－１０］に記載の表示装置。
［Ａ－１２］カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、表示パネルの行方向の両端部において、光軸が表示パネルの中央部方向に傾くように、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
上記［Ａ－１１］に記載の表示装置。
≪Ｂ．電子機器≫
［Ｂ－０１］第１基板、
　第２基板、
　第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、
　複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズ、
を備え、
　オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている、
表示装置を有する電子機器。
［Ｂ－０２］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、頂部の形状と異なる、
上記［Ｂ－０１］に記載の電子機器。
［Ｂ－０３］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、四角形である、
上記［Ｂ－０２］に記載の電子機器。
［Ｂ－０４］平面視形状において、角錐台の底部の角部分が丸みを帯びている、
上記［Ｂ－０３］に記載の電子機器。
［Ｂ－０５］角錐台の底部の角部分の丸みの曲率半径は、頂部の角部分の丸みの曲率半径よりも小さい、
上記［Ｂ－０４］に記載の電子機器。
［Ｂ－０６］平面視形状において、角錐台の底部の形状は、六角形又は長方形である、
上記［Ｂ－０２］に記載の電子機器。
［Ｂ－０７］平面視形状において、角錐台のサイズは、発光部を含む画素毎に異なっている、
上記［Ｂ－０１］乃至上記［Ｂ－０６］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ－０８］発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
上記［Ｂ－０１］乃至上記［Ｂ－０７］のいずれかに記載の電子機器。
［Ｂ－０９］発光部は、白色光を発光する、
上記［Ｂ－０８］に記載の電子機器。
［Ｂ－１０］複数の発光部の上方には、各発光部に対応してカラーフィルタ層が形成されており、
　オンチップマイクロレンズは、カラーフィルタ層の上方に設けられている、
上記［Ｂ－０９］に記載の電子機器。
［Ｂ－１１］カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、発光部を含む画素が２次元状に配列されて成る表示パネルにおいて、パネルの場所に応じて、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
上記［Ｂ－１０］に記載の電子機器。
［Ｂ－１２］カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、表示パネルの行方向の両端部において、光軸が表示パネルの中央部方向に傾くように、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
上記［Ｂ－１１］に記載の電子機器。
　１０・・・有機ＥＬ表示装置、２０・・・画素、２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ・・・副画素、２１・・・有機ＥＬ素子（発光部）、２２・・・駆動トランジスタ、２３・・・サンプリングトランジスタ、２４・・・発光制御トランジスタ、２５・・・保持容量、２６・・・補助容量、３０・・・画素アレイ部、３１1～３１m・・・走査線、３２1～３２m・・・駆動線、３３1～３３n・・・信号線、４０・・・書込み走査部、５０・・・駆動走査部、６０・・・信号出力部、７０・・・表示パネル、７１・・・第１基板、７２・・・第２基板、７３・・・基体、７４・・・第１電極層、７５・・・有機層、７６・・・第２電極層、７７・・・保護膜、７８・・・平坦化層、７９・・・下地基板、８０・・・オンチップマイクロレンズ、８１・・・封止樹脂層、ＢＭ・・・ブラックマトリクス層、ＣＦR，ＣＦG，ＣＦB・・・カラーフィルタ層

Claims (13)

  1. 　第１基板、
    　第２基板、
    　第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、
    　複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズ、
    を備え、
    　オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている、
    表示装置。
  2. 　平面視形状において、角錐台の底部の形状は、頂部の形状と異なる、
    請求項１に記載の表示装置。
  3. 　平面視形状において、角錐台の底部の形状は、四角形である、
    請求項２に記載の表示装置。
  4. 　平面視形状において、角錐台の底部の角部分が丸みを帯びている、
    請求項３に記載の表示装置。
  5. 　角錐台の底部の角部分の丸みの曲率半径は、頂部の角部分の丸みの曲率半径よりも小さい、
    請求項４に記載の表示装置。
  6. 　平面視形状において、角錐台の底部の形状は、六角形又は長方形である、
    請求項２に記載の表示装置。
  7. 　平面視形状において、角錐台のサイズは、発光部を含む画素毎に異なっている、
    請求項１に記載の表示装置。
  8. 　発光部は、有機エレクトロルミネッセンス素子から成る、
    請求項１に記載の表示装置。
  9. 　発光部は、白色光を発光する、
    請求項８に記載の表示装置。
  10. 　複数の発光部の上方には、各発光部に対応してカラーフィルタ層が形成されており、
    　オンチップマイクロレンズは、カラーフィルタ層の上方に設けられている、
    請求項９に記載の表示装置。
  11. 　カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、発光部を含む画素が２次元状に配列されて成る表示パネルにおいて、パネルの場所に応じて、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
    請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　カラーフィルタ層及びオンチップマイクロレンズは、表示パネルの行方向の両端部において、光軸が表示パネルの中央部方向に傾くように、発光部に対して偏倚した状態で設けられている、
    請求項１１に記載の表示装置。
  13. 　第１基板、
    　第２基板、
    　第１基板と第２基板との間に位置し、第１基板の上に形成された基体上に、２次元状に配列された複数の発光部、及び、
    　複数の発光部の上方に、各発光部に対応して設けられた複数のオンチップマイクロレンズ、
    を備え、
    　オンチップマイクロレンズは、形状が角錐台であり、平面視形状において、角錐台の頂部の角部分が丸みを帯びている、
    表示装置を有する電子機器。
PCT/JP2021/017330 2020-05-23 2021-05-06 表示装置及び電子機器 WO2021241148A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US17/998,771 US20230209975A1 (en) 2020-05-23 2021-05-06 Display device and electronic device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020-090149 2020-05-23
JP2020090149 2020-05-23

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2021241148A1 true WO2021241148A1 (ja) 2021-12-02

Family

ID=78744369

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2021/017330 WO2021241148A1 (ja) 2020-05-23 2021-05-06 表示装置及び電子機器

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230209975A1 (ja)
WO (1) WO2021241148A1 (ja)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050057177A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Ritdisplay Corporation Color tunable panel of organic electroluminescent display
WO2008020514A1 (fr) * 2006-08-17 2008-02-21 Konica Minolta Holdings, Inc. Appareil émetteur de lumière en surface
JP2013016271A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Canon Inc 表示装置
JP2013058447A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Canon Inc 有機ｅｌ発光装置
WO2018135189A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
US20190067383A1 (en) * 2017-08-31 2019-02-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
JP2019508725A (ja) * 2015-12-28 2019-03-28 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 非テレセントリック発光型微小画素アレイ光変調器及びその製作方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050057177A1 (en) * 2003-08-21 2005-03-17 Ritdisplay Corporation Color tunable panel of organic electroluminescent display
WO2008020514A1 (fr) * 2006-08-17 2008-02-21 Konica Minolta Holdings, Inc. Appareil émetteur de lumière en surface
JP2013016271A (ja) * 2011-06-30 2013-01-24 Canon Inc 表示装置
JP2013058447A (ja) * 2011-09-09 2013-03-28 Canon Inc 有機ｅｌ発光装置
JP2019508725A (ja) * 2015-12-28 2019-03-28 オステンド・テクノロジーズ・インコーポレーテッド 非テレセントリック発光型微小画素アレイ光変調器及びその製作方法
WO2018135189A1 (ja) * 2017-01-20 2018-07-26 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
US20190067383A1 (en) * 2017-08-31 2019-02-28 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device

Also Published As

Publication number Publication date
US20230209975A1 (en) 2023-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20140232757A1 (en) Display device and electronic apparatus
US11889722B2 (en) Display device and electronic apparatus with contact electrode
US8963412B2 (en) Display device and electronic apparatus having a display device
WO2019227808A1 (zh) 全面屏模组及智能手机
JP7390502B2 (ja) 表示装置及び電子機器
KR20180117770A (ko) 헤드 마운티드 디스플레이 장치
JP2020009782A (ja) 電気光学装置
WO2021241148A1 (ja) 表示装置及び電子機器
JP7050772B2 (ja) 表示装置及び電子機器
CN112056006A (zh) 显示设备及其制造方法以及电子设备
CN111954900B (zh) 显示装置和电子装置
CN114678403A (zh) 显示装置
JP2022085287A (ja) 発光装置
US11889713B2 (en) Display device and electronic apparatus including seal part outside recess
WO2023207183A1 (zh) 一种显示装置以及电子设备
WO2022050059A1 (ja) 表示装置、表示装置の駆動方法、及び、電子機器
WO2020184329A1 (ja) 表示装置及び電子機器
US20230309349A1 (en) Electro-optical device and electronic apparatus
US20230047907A1 (en) Light emitting device, photoelectric conversion device, electronic equipment, illumination device, and moving body
TW202135353A (zh) 顯示裝置及顯示裝置之製造方法以及電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 21813571

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 21813571

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: JP