CN111954900B - 显示装置和电子装置 - Google Patents

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Abstract

根据本公开的显示装置包括：像素阵列部，通过布置包括发光单元的像素而形成；以及固定电位线，设置在像素阵列部的外围，其中，像素阵列部设置有与固定电位线电连接的像素部辅助缆线。根据本公开的电子装置包括如上所述配置的显示装置。

Description

显示装置和电子装置
技术领域
本公开涉及显示装置和电子装置。
背景技术
作为显示装置的性能指标，可以使用像素分辨率、亮度、框架部的尺寸等。因此，具有高像素分辨率、高亮度和窄框架的显示装置可以说是高性能显示装置。
同时，作为近年来被视为主流的平板型显示装置中的一个，可以给出使用有机材料的电致发光(EL)并且使用有机EL元件作为发光单元的有机EL显示装置，该有机EL元件使用通过向有机薄膜施加电场而发光的现象(例如，参考专利文献1)。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请公开第2012-209018号
发明内容
本发明要解决的问题
为了在有机EL显示装置中实现更高的亮度，仅需要增加在有机EL元件中流动的电流量。为了增加电流量，连接有机EL元件的阴极电极的阴极缆线需要具有使增加量的电流流过的能力。阴极缆线形成在作为像素阵列部的外围区域的框架部中。
因为布置在框架部中的电缆也用作外围电路部的电缆，所以根据外围电路部的电路配置，在某些情况下，阴极缆线不能具有足够的能力来使增加量的电流流过。例如，在具有高像素分辨率的显示装置中，因为框架部的布线区域由于根据像素数量的增加而引起的外围电路部的电路配置的增加而减小，并且变得不可能广泛地布置阴极缆线，所以阴极缆线的互连电阻在某些情况下增加。
这同样适用于旨在具有较窄的框架的显示装置。由于框架较窄，因此不能充分确保框架部的布线区域，并且在某些情况下不能充分降低阴极缆线的互连电阻。然后，因为在阴极缆线中流动的电流由于阴极缆线的较高电阻而受到限制，因此这成为更高亮度的阻碍因素。
从以上描述显而易见，为了促进诸如有机EL显示装置的显示装置的更高性能，在当前情况下，难以满足像素分辨率的提高、更高亮度和更窄框架中的全部。
鉴于前述内容，本公开旨在提供一种在实现更高性能时可以同时满足更高亮度和更窄框架的显示装置以及包括该显示装置的电子装置。
问题的解决方案
用于实现上述目的的本公开的显示装置包括：像素阵列部，包括具有发光单元的阵列像素，以及固定电位线，设置在像素阵列部周围，其中，电连接到固定电位线的像素部辅助缆线设置在像素阵列部中。
此外，用于实现上述目的的本公开的电子装置包括具有上述配置的显示装置。
附图说明
[图1]图1是示意性地示出应用了本公开的技术的有机EL显示装置的配置的系统配置图。
[图2]图2是示出应用了本公开的技术的有机EL显示装置中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。
[图3]图3A是示意性地示出具有常规面板布线结构的显示面板的平面图，并且图3B是示出沿着图3A中的A-A线截取的截面部分的切割部分端视图，并且概念性地示出了阴极电极、阴极缆线和框架部辅助缆线之间的连接关系。
[图4]图4是示出根据本公开的实施方式的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。
[图5]图5A是示意性地示出根据第一实施方式的具有面板布线结构的显示面板的平面图，并且图5B是示出了沿着图5A中的B-B线截取的截面部分的切割部分端视图，并且概念性地示出了阴极电极、像素部辅助缆线、阴极缆线和框架部辅助缆线之间的连接关系。
[图6]图6是示出根据第二实施方式的面板布线结构的截面结构的截面图。
[图7]图7是示出根据第三实施方式的面板布线结构的截面结构的截面图。
[图8]图8是示出根据第四实施方式的面板布线结构的截面结构的截面图。
[图9]图9A和图9B是示出根据第五实施方式的面板布线结构的示意性平面图。
[图10]图10是示出根据第六实施方式的面板布线结构的示意性平面图。
[图11]图11是示出根据第七实施方式的面板布线结构的截面结构的截面图。
[图12]图12是示出根据第八实施方式的面板布线结构的截面结构的截面图。
[图13]图13A是根据本公开的电子装置的具体示例1的可更换镜头的单镜头反光式数码相机的前视图，并且图13B是数码相机的后视图。
[图14]图14是示出根据本公开的电子装置的具体示例2的头戴式显示器的示例的外观图。
具体实施方式
在下文中，将使用附图描述用于实施本公开的技术的模式(在下文中，将被描述为“实施方式”)。本公开的技术不限于实施方式，并且该实施方式中的各种数值、材料等是示例。在以下描述中，相同的部件或具有相同功能的部件被分配相同的参考数字，并且将省略重复的描述。注意，将按以下顺序给出描述。
1.关于根据本公开的显示装置和电子装置的概述
2.应用了本公开的技术的显示装置
2-1.系统配置
2-2.像素电路
2-3.常规面板布线结构
3.本公开的实施方式
3-1.根据实施方式的像素电路
3-2.第一实施方式(使用半导体基板作为显示面板的基板的示例)
3-3.第二实施方式(面板布线结构的截面结构的第一示例)
3-4.第三实施方式(面板布线结构的截面结构的第二示例)
3-5.第四实施方式(面板布线结构的截面结构的第三示例)
3-6.第五实施方式(第一实施方式的修改示例：像素部辅助缆线的布线方向的另一示例)
3-7.第六实施方式(第一实施方式的修改示例：框架部辅助缆线的布局的另一示例)
3-8.第七实施方式(使用绝缘透明基板作为显示面板的基板的示例)
3-9.第八实施方式(第二实施方式的修改示例：在相对基板侧上布置像素部辅助缆线的示例)
4.修改示例
5.本公开的电子装置
5-1.具体示例1(数码相机示例)
5-2.具体示例2(头戴式显示器示例)
6.本公开中可以采用的配置
<关于根据本公开的显示装置和电子装置的概述>
在本公开的显示装置和电子装置中，固定电位线可以具有作为将固定电位施加到发光单元的阴极电极的阴极缆线的配置。阴极缆线优选地设置在框架部中以包围像素阵列部。
在具有上述优选配置的本公开的显示装置和电子装置中，像素部辅助缆线可以具有沿着像素阵列部的矩阵形状的像素阵列的列方向或行方向、或列方向和行方向线性地形成的配置。此外，像素部辅助缆线可以具有形成在形成有驱动发光单元的电路单元的层与形成有发光单元的层之间的层级中的配置，或具有形成在发光单元的出射侧上的层级中的配置。驱动发光单元的电路单元可以具有形成在半导体基板上的配置。
此外，在具有上述优选配置的本公开的显示装置和电子装置中，像素部辅助缆线可以具有形成在低于形成有驱动发光单元的电路单元的层的层级中的配置。驱动发光单元的电路单元可以具有形成在绝缘透明基板上的配置。
此外，在具有上述优选配置的本公开的显示装置和电子装置中，发光单元可以具有包括有机电致发光元件的配置。
<应用了本公开的技术的显示装置>
例如，应用了本公开的技术的显示装置是有源矩阵型显示装置，其使用设置在与电光元件相同的像素电路中的有源元件(诸如绝缘栅场效应晶体管)来控制在电光元件中流动的电流。作为绝缘栅场效应晶体管，典型地，可以例示金属氧化物半导体(MOS)晶体管和薄膜晶体管(TFT)。
这里，作为示例，将使用有源矩阵型有机EL显示装置的示例给出描述，该有源矩阵型有机EL显示装置使用诸如有机EL元件的电流驱动型电光元件作为像素电路的发光单元(发光元件)，该电流驱动型电光元件例如根据在装置中流动的电流值来改变发光亮度。在下文中，“像素电路”有时将被简单描述为“像素”。
[系统配置]
图1是示意性地示出应用了本公开的技术的有机EL显示装置的配置的系统配置图。如图1所示，根据本应用示例的有机EL显示装置10具有包括像素阵列部30和外围电路(外围驱动单元)的配置，该像素阵列部30包括多个像素20，该多个像素20包括以矩阵形状二维地排列的有机EL元件，该外围电路(外围驱动单元)布置在像素阵列部30周围的框架部中。
外围电路包括例如安装在与像素阵列部30相同的显示面板70上的写入扫描单元40、第一驱动扫描单元50A、第二驱动扫描单元50B、信号输出单元60等，并且驱动像素阵列部30的每个像素20。注意，可以采用其中写入扫描单元40、第一驱动扫描单元50A、第二驱动扫描单元50B和信号输出单元60的一部分或全部设置在显示面板70的外部的配置。
作为显示面板70的基板，可以使用诸如玻璃基板的绝缘透明基板，也可以使用诸如硅基板的半导体基板。使用半导体基板(诸如硅基板)作为显示面板70的基板的有机EL显示装置被称为所谓的微型显示器(紧凑显示器)，并且优选地用作数码相机的电子取景器、头戴式显示器的显示单元等。
有机EL显示装置10可以具有支持单色(黑白)显示的配置，并且还可以具有支持彩色显示的配置。在有机EL显示装置10支持彩色显示的情况下，用作形成彩色图像的单位的一个像素(单位像素/像素)包括多个子像素。此时，每个子像素与图1所示的像素20相对应。更具体地，在支持彩色显示的显示装置中，一个像素包括例如三个子像素，该三个子像素包括发出红色(R)光的子像素、发出绿色(G)光的子像素和发出蓝色(B)光的子像素。
然而，一个像素的配置不限于RGB三原色子像素的组合，并且一个像素可以包括三原色子像素，并且进一步包括一种颜色或多种颜色。更具体地，例如，为了增强亮度，一个像素可以另外包括发出白色(W)光的子像素，或者为了扩大颜色再现范围，一个像素可以另外包括发出互补色光的至少一个子像素。
在像素阵列部30中，对于m行和n列的像素20的阵列，沿着行方向(像素行中的像素的排列方向)为每个像素行布置扫描线311至31m、第一驱动线321至32m以及第二驱动线331至33m。此外，对于m行和n列的像素20的阵列，沿着列方向(像素列中的像素的排列方向)为每个像素列布置信号线341至34n。在下文中，在某些情况下，将扫描线311至31m统称为扫描线31，将第一驱动线321至32m统称为第一驱动线32，将第二驱动线331至33m统称为第二驱动线33以及将信号线341至34n统称为信号线34。
扫描线311至31m分别连接到写入扫描单元40的相应行的输出端。驱动线321至32m分别连接到驱动扫描单元的相应行的输出端。信号线341至34n分别连接到信号输出单元60的相应列的输出端。
写入扫描单元40包括移位寄存器电路、地址解码器等。写入扫描单元40通过在将视频信号的信号电压写入像素阵列部30的每个像素20中时将写入扫描信号WS(WS1至WSm)顺序供应到扫描线31来执行针对每行顺序扫描像素阵列部30的像素20的所谓的线性顺序扫描。
与写入扫描单元40相似，第一驱动扫描单元50A包括移位寄存器电路、地址解码器等。第一驱动扫描单元50A通过与由写入扫描单元40执行的线性顺序扫描同步地将发光控制信号DS(DS1至DSm)供应到第一驱动线32来执行像素20的发光/不发光(消光)的控制。
与写入扫描单元40相似，第二驱动扫描单元50B包括移位寄存器电路、地址解码器等。第二驱动扫描单元50B通过与由写入扫描单元40执行的线性顺序扫描同步地将驱动信号AZ(AZ1至AZm)供应到第二驱动线33来执行防止像素20在不发光期间发光的控制。
信号输出单元60选择性地输出视频信号的信号电压(在下文中，有时将被简单描述为“信号电压”)Vsig和参考电压Vofs，该信号电压Vsig与从信号源(未示出)供应的亮度信息相对应。这里，参考电压Vofs是与视频信号的信号电压Vsig所基于的电压(例如，与视频信号的黑电平相对应的电压)相对应的电压或其附近的电压。参考电压Vofs在执行校正操作时用作初始化电压。
对于通过由写入扫描单元40执行的线性顺序扫描所选择的每个像素行，从信号输出单元60选择性地输出的信号电压Vsig/参考电压Vofs经由信号线34被写入像素阵列部30的像素20中。换句话说，信号输出单元60采用为每个像素行(线)写入信号电压Vsig的线性顺序写入的驱动配置。
同时，在有机EL显示装置的像素分辨率高的情况下，由于一个像素(或一个子像素)的尺寸变小，因此一个像素(或一个子像素)中的布局每年变得紧凑。由于这样的原因，在像素阵列部30(像素区域)的区域中，仅布置在像素20中使用的电缆、电极和晶体管。
[像素电路]
图2是示出应用了本公开的技术的有机EL显示装置10中的像素(像素电路)的电路配置的示例的电路图。像素20的发光单元包括有机EL元件21。有机EL元件21是电流驱动型电光元件的示例，其发光亮度根据在装置中流动的电流值而变化。
如图2所示，像素20包括有机EL元件21和驱动电路(像素驱动电路)，该驱动电路(像素驱动电路)通过使电流在有机EL元件21中流动来驱动有机EL元件21。有机EL元件21的阴极电极形成为由所有像素20共享的公共电极。然后，通过阴极缆线35将预定的阴极电位Vcath施加到有机EL元件21的阴极电极。
驱动有机EL元件21的驱动电路单元具有包括驱动晶体管22、写入晶体管(采样晶体管)23、发光控制晶体管24、开关晶体管25、保持电容26和辅助电容27的四晶体管(4Tr)/双电容元件(2C)的配置。注意，在该示例中，像素(像素电路)20未形成在诸如玻璃基板的绝缘材料上，而是形成在诸如硅基板的半导体基板上。然后，驱动晶体管22包括p沟道型晶体管。
此外，在该示例中，写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25采用与驱动晶体管22类似的使用p沟道型晶体管的配置。因此，驱动晶体管22、写入晶体管23、发光控制晶体管24和开关晶体管25具有包括源极/栅极/漏极/背栅极的四端子配置，而不是包括源极/栅极/漏极的三端子配置。源极电压Vcc被施加到每个晶体管的背栅极。
在具有上述配置的像素20中，写入晶体管23通过对经由信号线34从信号输出单元60供应的信号电压Vsig进行采样来执行向驱动晶体管22的栅极电极的写入。发光控制晶体管24连接在源极电压Vcc的电源线与驱动晶体管22的源极电极之间，并且在根据发光控制信号DS执行的驱动下控制有机EL元件21的发光/不发光。开关晶体管25连接在驱动晶体管22的漏极电极与电流放电目的地节点(例如，公共电源线)之间，并且在根据驱动信号AZ执行的驱动下控制有机EL元件21在有机EL元件21的不发光期间不发光。
保持电容26连接在驱动晶体管22的栅极电极与源极电极之间，并且保持通过由写入晶体管23执行的采样而写入的信号电压Vsig。驱动晶体管22通过使与由保持电容26保持的电压相对应的驱动电流在有机EL元件21中流动来驱动有机EL元件21。辅助电容27连接在驱动晶体管22的源极电极与具有固定电位的节点(例如，源极电压Vcc的电源线)之间。辅助电容27具有在写入信号电压Vsig时抑制驱动晶体管22的源极电压的变化的功能，并且具有将驱动晶体管22的栅极-源极电压Vgs设置为驱动晶体管22的阈值电压Vth的功能。
[常规面板布线结构]
这里，将描述有机EL显示装置10中的常规面板布线结构。图3A示出了具有常规面板布线结构的显示面板70的示意性平面图，并且图3B示出了沿着图3A中的A-A线截取的切割部分端视图。图3B还用作示出了阴极电极81、阴极缆线35和框架部辅助缆线83之间的连接关系的概念图。
有机EL元件21的阴极电极81包括透明电极，并且形成在包括像素阵列部30(像素区域)的区域的整个显示面板70上。作为阴极电极81的材料，例如，可以使用诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化锌(ZnO)的材料。
在图3A中，阴影线被添加到阴极电极81的由虚线包围的区域。此外，在阴极电极81的外围部中，设置用于将阴极电位Vcath施加到阴极电极81的阴极缆线35(在图3A中，由虚线包围的区域)以包围像素阵列部30。作为阴极缆线35的材料，例如，可以使用有机EL元件21的阳极电极的材料，具体地，可以使用诸如铝(Al)或氧化铟锡(ITO)和银(Ag)的堆叠层的金属材料。
在像素阵列部30的矩阵状阵列的列方向上的一侧(示图中的上侧)，设置用于电连接显示面板70和外部驱动基板(未示出)的柔性印刷电路板82。此外，在像素阵列部30周围的框架部70A中，框架部辅助缆线83被布置为包围像素阵列部30。框架部辅助缆线83通过柔性印刷电路板82与外部驱动基板电连接。
设置在阴极电极81的外围部中的阴极缆线35电连接到设置在像素阵列部30的外围区域中的框架部辅助缆线83。因此，阴极电位Vcath通过外部驱动基板→柔性印刷电路板82的端子部分→框架部辅助缆线83→阴极缆线35→阴极电极81的路径从外部驱动基板施加到阴极电极81。
同时，作为用于在有机EL显示装置10中实现更高亮度的方法中的一个，存在一种增加在有机EL元件21中流动的电流量的方法。然而，有机EL元件21的每单位面积的电流量的增加加速了有机EL元件21的劣化。作为对策，可以在抑制有机EL元件21的每单位面积的电流量的增加的同时，通过增加像素20的开口率并增加每个像素的电流量来防止劣化。因此，可以在抑制有机EL元件21的劣化的同时实现更高的亮度。
然而，在使用增加每个像素的电流量同时抑制有机EL元件21的每单位面积的电流量的增加的方法来实现更高的亮度的情况下，有机EL显示装置10的整体电流量增加。阴极缆线35需要广泛地布置，并且阴极缆线35需要具有使增加的电流量流动的能力。
如图3A中的箭头所示，有机EL元件21的发光之后的阴极电流通过像素20的阴极电极81→框架部辅助缆线83→柔性印刷电路板82的端子部分的路径流入外部驱动基板。因此，因为框架部辅助缆线83是阴极电流流动的路径的一部分，所以框架部辅助缆线83也可以说是阴极缆线。
这里，因为布置在框架部70A中的电缆也用作外围电路部的电缆，所以根据外围电路部的电路配置，在某些情况下，布置在框架部70A中的阴极缆线35不能具有足够的能力。例如，因为框架部70A的布线区域由于根据像素数量的增加(归因于高分辨率)而引起的外围电路部的电路配置的增加而减小，并且变得不可能广泛地布置阴极缆线35，所以阴极缆线35的互连电阻在某些情况下增加。
这同样适用于旨在具有较窄的框架的显示装置。由于框架较窄，因此不能充分确保布线区域，并且在某些情况下不能充分降低阴极缆线35的互连电阻。此外，在框架部辅助缆线83不能被广泛布置的情况下，阴极缆线35成为电流的主要路径。因此，因为阴极缆线35的电阻变得更高并且限制了在阴极缆线35中流动的电流，所以这成为更高亮度的阻碍因素，并且对图像质量产生负面影响。换句话说，为了促进显示装置的更高性能，难以满足像素分辨率的提高、更高亮度和更窄框架中的全部。
<本公开的实施方式>
在本公开的实施方式中，在其中施加有阴极电位Vcath的阴极缆线35布置在显示面板70的框架部70A中的有机EL显示装置10中，采用以下配置作为用于满足像素分辨率的提高、更高亮度和更窄框架中的全部的面板布线结构。
更具体地，如图4所示，本实施方式采用如下配置，其中，不向任何电极供电的像素部辅助缆线36设置在像素阵列部30中，并且在框架部70A中，像素部辅助缆线36例如经由中继缆线84电连接到阴极缆线35。阴极电位Vcath是固定电位，并且因此，阴极缆线35是固定电位线的示例。
像素部辅助缆线36通过电连接到阴极缆线35而用作阴极缆线35的一部分。这意味着有机EL元件21的阴极电流流动的路径增加。然后，通过增加电流路径，减小了阴极缆线35的互连电阻。因此，考虑到广泛布置阴极缆线35的互连电阻，可以在不增大框架部70A的区域的情况下减小阴极缆线35的互连电阻。
换句话说，在阴极缆线35的互连电阻被设置为与当不设置像素部辅助缆线36时的值相同的值的情况下，可以减小框架部70A的区域，也就是说，通过阴极缆线35的互连电阻的减小量使显示面板70的框架变窄。在这种情况下，因为阴极缆线35的互连电阻不增加，所以可以在保持亮度并且不劣化图像质量的同时实现显示面板70的更窄框架。
此外，在具有高像素分辨率的显示装置中，即使在外围电路部的电路配置根据像素数量的增加而增加，并且框架部70A的布线区域也相应减少的情况下，可以减小阴极缆线35的互连电阻，而不受增加和减小的影响。因此，由于不限制在阴极缆线35中流动的电流，所以可以实现更高亮度。
此外，如上所述，关于在实现更高亮度时用作增加阴极缆线35的电阻的一个因素的像素20的开口率，因为不需要通过将像素部辅助缆线36电连接到阴极缆线35来通过像素20进行接触，所以可以在不影响开口率的情况下减小阴极缆线35的互连电阻。
如上所述，根据本实施方式的面板布线结构具有如下配置，其中，像素部辅助缆线36设置在像素阵列部30中，并且像素部辅助缆线36电连接到阴极缆线35。根据面板布线结构，因为可以在保持阴极缆线35的布局(布线状态)的同时减小阴极缆线35的互连电阻，所以在促进有机EL显示装置10的更高性能时，可以满足像素分辨率的提高、更高亮度和更窄框架中的全部。
在下文中，将描述通过将像素部辅助缆线36电连接到阴极缆线35来减小阴极缆线35的互连电阻的本实施方式的具体实施方式。
[第一实施方式]
第一实施方式是根据本实施方式的面板布线结构的基本形式，并且是使用诸如硅基板的半导体基板作为显示面板70的基板的示例。图5A示出了具有根据第一实施方式的面板布线结构的显示面板70的示意性平面图，并且图5B示出了沿着图5A中的B-B线截取的切割部分端视图。图5B还用作示出了阴极电极81、像素部辅助缆线36、阴极缆线35和框架部辅助缆线83之间的连接关系的概念图。
在图5A中，阴影线被添加到阴极电极81的由虚线包围的区域。阴极电极81包括透明电极，并且由所有像素共享。此外，在阴极电极81的外围部中，设置用于将阴极电位Vcath施加到阴极电极81的阴极缆线35(在图5A中，由虚线包围的区域)以包围显示面板70的框架部70A中的像素阵列部30。
在根据第一实施方式的面板布线结构中，在像素阵列部30中，至少一个像素部辅助缆线36或者优选地多个像素部辅助缆线36沿着矩阵形状的像素阵列的列方向(示图中的上下方向)形成。多个像素部辅助缆线36中的每一个是不向像素阵列部30的有效显示区域中的任何电极供电的电缆。多个像素部辅助缆线36电连接到像素阵列部30的上侧和下侧上的中继缆线84。此外，多个像素部辅助缆线36经由中继缆线84电连接到阴极缆线35。
在具有上述配置的根据第一实施方式的面板布线结构中，阴极缆线35包括例如与有机EL元件21的阳极电极相同的金属材料(阳极金属)。此外，框架部辅助缆线83包括与像素阵列部30的外围电路部的电缆相同的金属材料(电路金属)。然后，例如，与使用阳极金属的阴极缆线35的互连电阻相比，使用电路金属的框架部辅助缆线83的互连电阻为低值电阻约为1/10至1/15。作为示例，使用阳极金属的阴极缆线35的互连电阻约为1.4Ω/sq，而使用电路金属的框架部辅助缆线83的互连电阻约为0.16Ω/sq至0.09Ω/sq。
由于多个像素部辅助缆线36通过电连接到阴极缆线35而用作阴极缆线35的一部分，因此有机EL元件21的阴极电流流动的电流路径增加。然后，对于阴极缆线35，通过增加阴极电流流动的电流路径，可以减小阴极缆线35的互连电阻。在图5A中，有机EL元件21的阴极电流的原始流动由黑色实线箭头指示，并且由根据第一实施方式的面板布线结构添加的电流路径由白色未填充箭头指示。
[第二实施方式]
第二实施方式是根据第一实施方式的面板布线结构中的截面结构的第一示例。图6示出了根据第二实施方式的面板布线结构的截面结构。
驱动包括有机EL元件21的像素20的电路单元(诸如包括驱动晶体管22等的电路层)例如形成在诸如硅基板的半导体基板91上，并且四个布线层93例如堆叠在电路层上。在四个布线层93的相应布线层中，形成第一层的金属缆线(1MT)9411和9412、第二层的金属缆线(2MT)9421和9422、第三层的金属缆线(3MT)9431和9432以及第四层的金属缆线(4MT)9441和9442。
形成在四个布线层93的相应布线层中的金属缆线用作向像素20供电的电源缆线。此外，例如，在第二布线层和第三布线层中形成可以用作像素20的电路元件(保持电容26和辅助电容27)的金属绝缘体金属(MIM)电容95和96。
然后，在第四布线层上，对于每个像素形成阳极电极85，并且在其上形成有机EL层86。有机EL层86具有从阳极电极85侧依次堆叠空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的堆叠结构。在有机EL层86上，包括透明电极的阴极电极81形成为由所有像素共享。
在具有上述配置的面板结构中，四个布线层93的相应布线层经由接触部分适当地彼此电连接。然后，在根据第二实施方式的面板布线结构中，用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36形成在第三布线层中，例如，其中，具有不同于像素部辅助缆线36的功能的金属缆线(3MT)9431和9432以相同的层级存在于四个布线层93中。像素部辅助缆线36未连接到像素20。这里，像素部辅助缆线36形成在第三布线层中，但是像素部辅助缆线36可以形成在第一布线层、第二布线层或第四布线层中。
优选地，像素部辅助缆线36被布置在阳极电极85的下方，也就是说，被布置为在平面图中与阳极电极85重叠。根据像素部辅助缆线36的布局，像素20的开口率不会降低。换句话说，可以在不降低像素20的开口率的情况下将像素部辅助缆线36布置在像素阵列部30中。
[第三实施方式]
第三实施方式是根据第一实施方式的面板布线结构中的截面结构的第二示例。图7示出了根据第三实施方式的面板布线结构的截面结构。
在根据第三实施方式的面板布线结构中，用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36形成在例如四个布线层93中的第二布线层和第三布线层上。然后，第二布线层中的像素部辅助缆线36和第三布线层中的像素部辅助缆线36经由接触部分电连接。同样在本实施方式中，像素部辅助缆线36未连接到像素20。
[第四实施方式]
第四实施方式是根据第一实施方式的面板布线结构中的截面结构的第三示例。图8示出了根据第四实施方式的面板布线结构的截面结构。
在根据第四实施方式的面板布线结构中，用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36形成在例如四个布线层93中的第一布线层和第三布线层上。同样在本实施方式中，像素部辅助缆线36未连接到像素20。
注意，当像素部辅助缆线36形成在多层上时，在第三实施方式中，像素部辅助缆线36形成在第二布线层和第三布线层上，并且在第四实施方式中，像素部辅助缆线36形成在第一布线层和第三布线层上，但是像素部辅助缆线36可以形成在两层的另一组合上。此外，形成像素部辅助缆线36的多层不限于两层，并且可以是三层或更多层。
[第五实施方式]
第五实施方式是第一实施方式的修改示例，并且是像素部辅助缆线36的布线方向的另一示例。图9A和图9B示出了根据第五实施方式的像素部辅助缆线36的布线方向的另一示例。
根据第一实施方式的面板布线结构具有如下配置，其中，在像素阵列部30中，优选地沿着矩阵状像素阵列的列方向(示图中的上下方向)形成多个像素部辅助缆线36。与此相对，根据第五实施方式的面板布线结构具有如下配置，其中，如图9A所示，优选地沿着矩阵状像素阵列的行方向(示图中的左右方向)形成多个像素部辅助缆线36，或者如图9B所示，沿着列方向和行方向形成为网状。
换句话说，作为像素部辅助缆线36的布线方向，可以如第一实施方式的情况那样设置矩阵状像素阵列的列方向的一个方向，或者也可以如第五实施方式的情况那样设置行方向的一个方向或列方向和行方向的两个方向。在任何情况下，假定用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36不是形成为表面形状而是形成为线性形状。如图9B所示，在像素部辅助缆线36沿着列方向和行方向形成为网状的情况下，如图7和图8所示，像素部辅助缆线36形成在多层上。
[第六实施方式]
第六实施方式是第一实施方式的修改示例，并且是框架部辅助缆线83的布局的另一示例。图10示出了根据第六实施方式的框架部辅助缆线83的布局的另一示例。
根据第一实施方式的面板布线结构具有如下配置，其中，用作流过有机EL元件21的阴极电流的阴极电极的一部分的框架部辅助缆线83布置在显示面板70的框架部70A中以包围像素阵列部30。与此相对，如图10所示，根据第六实施方式的面板布线结构具有如下配置，其中，框架部辅助缆线83布置在显示面板70中的柔性印刷电路板82侧的框架部70A中。以这种方式，即使在框架部辅助缆线83被布置在框架部70A的一部分中的配置中，可以获得与在第一实施方式中框架部辅助缆线83被布置为包围像素阵列部30的情况下的功能和效果相似的功能和效果。
[第七实施方式]
第七实施方式是使用具有光学透明性的绝缘透明基板作为显示面板70的基板的示例。作为绝缘透明基板，可以例示石英基板、玻璃基板等。像素20形成在诸如石英基板或玻璃基板的透明基板上，并且像素20的晶体管使用薄膜晶体管(TFT)形成。
TFT中使用的多晶硅被分类为用于在高温环境下形成薄膜的高温多晶硅和用于在低温环境下形成薄膜的低温多晶硅。然后，通常在低温多晶硅显示面板中使用玻璃基板，而在高温多晶硅显示面板中使用石英基板。
图11示出了根据第七实施方式的面板布线结构的截面结构。这里，例示了使用玻璃基板101作为显示面板70的基板的低温多晶硅显示面板的情况。驱动包括有机EL元件21的像素20的电路单元(诸如包括驱动晶体管22的电路层103)例如经由布线层102堆叠在玻璃基板101上在布线层102中的驱动晶体管22下方的位置处，形成有辅助驱动晶体管22的栅极的金属缆线37。
包括诸如铝的电缆38的布线层104堆叠在电路层103上，针对每个像素在其上形成阳极电极85，并且在其上形成有机EL层86。诸如铝的电缆38电连接到驱动晶体管22的源极电极/漏极电极中的一个和阳极电极85。在有机EL层86上，包括透明电极的阴极电极81形成为由所有像素共享。
在具有上述配置的面板结构中，在包括驱动包括有机EL元件21的像素20的电路单元的布线层102中形成用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36。像素部辅助缆线36未连接到像素20。从像素20的开口率的观点出发，优选地，像素部辅助缆线36被布置在阳极电极85的下方，也就是说，被布置为在平面图中与阳极电极85重叠。
这里，已经例示了使用玻璃基板101作为显示面板70的基板的低温多晶硅显示面板的情况，但是对于使用石英基板的高温多晶硅显示面板可以采用类似的配置。然后，在低温多晶硅显示面板和高温多晶硅显示面板的两种情况下，像素部辅助缆线36都可以布置在低于包括驱动晶体管22的电路层103的层级中。换句话说，布置像素部辅助缆线36的层级不限于在其上形成诸如驱动晶体管22的电路单元的层与在其上形成有机EL元件21的层之间的层级。
[第八实施方式]
第八实施方式是第二实施方式的修改示例，并且是在相对基板侧上布置像素部辅助缆线36的示例。图12示出了根据第八实施方式的面板布线结构的截面结构。
尽管在第二实施方式(图6)中省略了滤色器和相对基板的图示，但是在实际的面板布线结构中，如图12所示，在阴极电极81上经由保护层97为每个像素形成滤色器98，并且在滤色器98上形成相对基板99。相对基板99包括玻璃基板等，并且被设置用于保护有机EL元件21。
在具有上述配置的面板布线结构中，用于减小阴极缆线35的互连电阻的像素部辅助缆线36形成在有机EL元件21的出射侧上的层级中，具体地，形成在相对基板99侧的滤色器98的层级中。换句话说，布置像素部辅助缆线36的层级不限于在其上形成诸如驱动晶体管22的电路单元的层与在其上形成有机EL元件21的层之间的层级。像素部辅助缆线36未连接到像素20。在本实施方式的情况下，采用其中半导体基板91和相对基板99在框架部70A的区域中电连接的结构。
<修改示例>
迄今为止，已经基于优选实施方式描述了本公开的技术，但是本公开的技术不限于实施方式。在上述实施方式中描述的显示装置的配置和结构是示例，并且可以适当地改变。
例如，在上述实施方式中，阴极缆线35已经被例示为作为像素部辅助缆线36的连接目的地的固定电位线，但是阴极缆线35是示例，并且固定电位线不限于此。换句话说，像素部辅助缆线36的连接目的地仅需要是可以流过阴极电流并且施加有固定电位的电缆。因此，源极电压Vcc的电源缆线可以用作像素部辅助缆线36的连接目的地。
此外，在上述实施方式中，已经给出了将该技术应用于有机EL显示装置的情况的描述，但是该应用不限于对有机EL显示装置的应用，并且该技术可以应用于在显示面板的框架部中包括与阴极缆线35相对应的电流路径的所有显示装置。
<本公开的电子装置>
本公开的上述显示装置可以在将输入到电子装置的视频信号或在电子装置中生成的视频信号显示为图像或视频的任何领域中用作电子装置的显示单元(显示装置)。作为电子装置，可以例示电视机，诸如膝上型个人计算机、数码相机和移动电话的移动终端装置，头戴式显示器等。然而，电子装置不限于这些。
以这种方式，通过在任何领域中将本公开的显示装置用作电子装置的显示单元，可以获得以下效果。更具体地，根据本公开的显示装置，可以满足像素分辨率的提高、更高亮度和更窄框架中的全部。因此，本公开的显示装置的使用可以有助于电子装置的显示单元的更高性能和电子装置主体的小型化。
本公开的显示装置还包括具有密封配置的模块化形状的显示装置。作为示例，通过将诸如透明玻璃的相对部分附接到像素阵列部而形成的显示模块与这种显示装置相对应。注意，显示模块可以设置有用于将信号等从外部输入和输出到像素阵列部等的电路单元或柔性印刷电路(FPC)。在下文中，作为使用本公开的显示装置的电子装置的具体示例，将例示数码相机和头戴式显示器。然而，这里例示的具体示例仅是示例，并且具体示例不限于这些。
(具体示例1)
图13A和图13B是根据基于本公开的电子装置的具体示例1的可更换镜头的单镜头反光式数码相机的外观图。图13A示出了数码相机的前视图，并且图13B示出了数码相机的后视图。
根据该具体示例1的可更换镜头的单镜头反光式数码相机包括例如在相机主体部分(相机主体)211的前表面右侧上的可更换成像镜头单元(可更换镜头)212以及在前表面左侧的由拍摄者握持的握持部分213。
然后，在相机主体部分211的背面的大致中央处设置监视器214。在监视器214的上方设置电子取景器(目镜窗)215。通过观察电子取景器215，拍摄者可以在视觉上识别从成像镜头单元212引导的被摄体的光学图像，并且决定构图。
在具有上述配置的可更换镜头的单镜头反光式数码相机中，本公开的显示装置可以用作电子取景器215。换句话说，可以使用本公开的显示装置作为电子取景器215来制造根据该具体示例1的可更换镜头的单镜头反光式数码相机。
[具体示例2]
图14是示出根据本公开的电子装置的具体示例2的头戴式显示器的示例的外观图。
根据该具体示例2的头戴式显示器300具有包括主体部分301、臂部分302和镜筒303的透射型头戴式显示器配置。主体部分301与臂部分302和眼镜310连接。具体地，主体部分301的长边方向的端部附接到臂部分302。此外，主体部分301的侧面的一侧经由连结部件(未示出)耦接到眼镜310。注意，主体部分301可以直接附接到人体的头部。
主体部分301包括用于控制头戴式显示器300的操作的控制板和显示单元。臂部分302通过耦接主体部分301和镜筒303而相对于主体部分301支撑镜筒303。具体地，臂部分302通过接合主体部分301的端部与镜筒303的端部而将镜筒303固定到主体部分301。此外，臂部分302包括用于将关于从主体部分301提供的图像的数据传送到镜筒303的信号线。
镜筒303通过眼镜310的透镜311将从主体部分301通过臂部分302提供的图像光朝向佩戴头戴式显示器300的用户的眼睛投射。
在具有上述配置的头戴式显示器300中，本公开的显示装置可以用作结合在主体部分301中的显示单元。换句话说，可以使用本公开的显示装置作为显示单元来制造根据该具体示例2的头戴式显示器300。
<本公开中可以采用的配置>
注意，本公开可以采用以下配置。
<<A.显示装置>>
[A-1]一种显示装置，包括：
像素阵列部，包括具有发光单元的阵列像素；以及
固定电位线，设置在像素阵列部周围，
其中，电连接到固定电位线的像素部辅助缆线设置在像素阵列部中。
[A-2]根据上述[A-1]的显示装置，
其中，固定电位线是被配置为将固定电位施加到发光单元的阴极电极的阴极缆线。
[A-3]根据上述[A-2]的显示装置，
其中，阴极缆线设置在框架部中以包围像素阵列部。
[A-4]根据上述[A-1]至[A-3]中任一项的显示装置，
其中，像素部辅助缆线沿着像素阵列部的矩阵状像素阵列的列方向、行方向或列方向和行方向线性地形成。
[A-5]根据上述[A-4]的显示装置，
其中，像素部辅助缆线形成在形成有驱动发光单元的电路单元的层与形成有发光单元的层之间的层级中。
[A-6]根据上述[A-4]的显示装置，
其中，像素部辅助缆线形成在发光单元的出射侧上的层级中。
[A-7]根据上述[A-5]或[A-6]的显示装置，
其中，驱动发光单元的电路单元形成在半导体基板上。
[A-8]根据上述[A-4]的显示装置，
其中，像素部辅助缆线形成在低于形成有驱动发光单元的电路单元的层的层级中。
[A-9]根据上述[A-8]的显示装置，
其中，驱动发光单元的电路单元形成在绝缘透明基板上。
[A-10]根据上述[A-1]至[A-9]中任一项的显示装置，
其中，发光单元包括有机电致发光元件。
<<B.电子装置>>
[B-1]一种包括显示装置的电子装置，包括：
像素阵列部，其包括具有发光单元的阵列像素；以及
固定电位线，其设置在像素阵列部周围，
其中，电连接到固定电位线的像素部辅助缆线设置在像素阵列部中。
[B-2]根据上述[B-1]的电子装置，
其中，固定电位线是被配置为将固定电位施加到发光单元的阴极电极的阴极缆线。
[B-3]根据上述[B-2]的电子装置，
其中，阴极缆线设置在框架部中以包围像素阵列部。
[B-4]根据上述[B-1]至[B-3]中任一项的电子装置，
其中，像素部辅助缆线沿着像素阵列部的矩阵状像素阵列的列方向、行方向或列方向和行方向线性地形成。
[B-5]根据上述[B-4]的电子装置，
其中，像素部辅助缆线形成在形成有驱动发光单元的电路单元的层与形成有发光单元的层之间的层级中。
[B-6]根据上述[B-4]的电子装置，
其中，像素部辅助缆线形成在发光单元的出射侧上的层级中。
[B-7]根据上述[B-5]或[B-6]的电子装置，
其中，驱动发光单元的电路单元形成在半导体基板上。
[B-8]根据上述[B-4]的电子装置，
其中，像素部辅助缆线形成在低于形成有驱动发光单元的电路单元的层的层级中。
[B-9]根据上述[B-8]的电子装置，
其中，驱动发光单元的电路单元形成在绝缘透明基板上。
[B-10]根据上述[B-1]至[B-9]中任一项的电子装置，
其中，发光单元包括有机电致发光元件。
参考标记列表
10 有机EL显示装置
20 像素
21 有机EL元件
22 驱动晶体管
23 写入晶体管(采样晶体管)
24 发光控制晶体管
25 开关晶体管
26 保持电容
27 辅助电容
30 像素阵列部
31 (311至31m)扫描线
32 (321至32m)第一驱动线
33 (331至33m)第二驱动线
34 (341至34n)信号线
35 阴极缆线
36 像素部辅助缆线
40 写入扫描单元
50 驱动扫描单元
60 信号输出单元
70 显示面板
70A 框架部
81 阴极电极
82 柔性印刷电路板
83 框架部辅助缆线
84 中继缆线
85 阳极电极
86 有机EL层。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
像素阵列部，包括以具有行方向和列方向的矩阵布置的像素，所述像素中的每一个分别包括发光单元；
阴极缆线，在所述像素阵列部外部的框架部中包围所述像素阵列部；
像素部辅助缆线，被布置为在横截面透视图中沿水平方向跨所述像素阵列部延伸，所述像素部辅助缆线通过在所述横截面透视图中沿垂直方向延伸的层间布线层间连接至所述阴极缆线，所述层间布线位于所述像素阵列部外部的所述框架部中；以及
框架部辅助缆线，布置在所述像素阵列部外部的所述框架部中，所述框架部辅助缆线通过在所述横截面透视图中与所述层间布线的位置不同的位置处的另一层间布线连接至所述阴极缆线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述阴极缆线被配置为将固定电位施加到所述发光单元的阴极电极。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述像素部辅助缆线沿着所述列方向或所述行方向跨所述像素阵列部延伸。
4.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述像素部辅助缆线形成在形成有驱动所述发光单元的电路单元的层与形成有所述发光单元的层之间的层级中。
5.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述像素部辅助缆线形成在所述发光单元的出射侧上的层级中。
6.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，驱动所述发光单元的所述电路单元形成在半导体基板上。
7.根据权利要求3所述的显示装置，
其中，所述像素部辅助缆线形成在低于形成有驱动所述发光单元的电路单元的层的层级中。
8.根据权利要求7所述的显示装置，
其中，驱动所述发光单元的所述电路单元形成在绝缘透明基板上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述发光单元包括有机电致发光元件。
10.一种包括显示装置的电子装置，所述显示装置包括：
像素阵列部，包括以具有行方向和列方向的矩阵布置的像素，所述像素中的每一个分别包括发光单元；
阴极缆线，在所述像素阵列部外部的框架部中包围所述像素阵列部；
像素部辅助缆线，被布置为在横截面透视图中沿水平方向跨所述像素阵列部延伸，所述像素部辅助缆线通过在所述横截面透视图中沿垂直方向延伸的层间布线层间连接至所述阴极缆线，所述层间布线位于所述像素阵列部外部的所述框架部中；以及
框架部辅助缆线，布置在所述像素阵列部外部的所述框架部中，所述框架部辅助缆线通过在所述横截面透视图中与所述层间布线的位置不同的位置处的另一层间布线连接至所述阴极缆线。
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