TWI671920B - 發光裝置及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種發光裝置，其包括第一基板、驅動元件、第一絕緣層及發光單元。驅動元件位於第一基板上。第一絕緣層設置於驅動元件上方，其中第一絕緣層具有第一開口。發光單元位於第一開口中，且發光單元包括第一電極、發光層以及第二電極，其中第一電極位於第一開口的底部和側壁。本發明亦提出一種發光裝置的製造方法。

Description

發光裝置及其製造方法
本發明是有關於一種發光裝置及其製造方法，且特別是有關於一種無機的發光裝置及其製造方法。
量子點（Quantum Dot）是在把內部電子在三個空間方向上束縛住的半導體奈米結構。這種約束可以歸結於靜電勢、兩種不同半導體材料的介面、半導體的表面或者上述三者的結合。因此，量子點具有獨特的光電特性，例如量子點在接受到激發光時，會根據其直徑大小，發出各種不同顏色的高純度單色光，故其常應用於彩色濾光片基板中的色彩轉換元件。
然而，由於發光單元所產生的光線為球面光，故光線會往四面八方散射，不僅易產生漏光或是混光的問題，還會造成光源的損耗。舉例來說，當光線往四面八方散射時，位於相鄰子畫素的色彩轉換元件易接收到激發光而產生漏光或是混光的問題。
因此，如何集中發光單元所產生的光線，以改善漏光或是混光的問題，實為目前研發人員亟欲解決的問題之一。
本發明提供一種發光裝置及其製造方法，其可集中發光單元所產生的光線，以改善漏光或是混光的問題。
本發明提供一種發光裝置，其包括第一基板、驅動元件、第一絕緣層以及發光單元。驅動元件位於第一基板上。第一絕緣層設置於驅動元件上方，其中第一絕緣層具有第一開口。發光單元位於第一開口中，且發光單元包括第一電極、發光層以及第二電極，其中第一電極位於第一開口的底部和側壁。
本發明提供一種發光裝置結構的製造方法，其包括以下步驟。提供第一基板。形成驅動元件於第一基板上。形成第一絕緣層於驅動元件上，其中第一絕緣層具有第一開口。形成發光單元於第一開口中，且發光單元包括第一電極、發光層以及第二電極，其中第一電極形成於第一開口的底部和側壁上。
基於上述，在本發明實施例的發光裝置及其製造方法中，由於第一電極形成於第一開口的底部和側壁上，使得向四面八方散射的光線可經由第一電極反射而集中於發光單元的上方處，如此可提升光準直（collimation of light），以改善漏光或是混光的問題，進而減少光源損耗並提升色彩純度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下將參照本實施例之圖式以更全面地闡述本發明。然而，本發明亦可以各種不同的形式體現，而不應限於本文中所述之實施例。圖式中的層與區域的厚度會為了清楚起見而放大。相同或相似之參考號碼表示相同或相似之元件，以下段落將不再一一贅述。另外，實施例中所提到的方向用語，例如：上、下、左、右、前或後等，僅是參考附加圖式的方向。因此，使用的方向用語是用來說明並非用來限制本發明。
圖1為依據本發明一實施例的發光裝置的剖面示意圖。圖2為依據本發明另一實施例的發光裝置的剖面示意圖。
請參照圖1，提供基板100。基板100例如是玻璃基材、石英基材或有機聚合物基材。在本實施例中，基板100的材料是以多晶矽為例進行說明。在一些實施例中，可於基板100上依序形成第一緩衝層BL1和第二緩衝層BL2。第一緩衝層BL1的材料例如是氮化矽（SiN X）。第一緩衝層BL1的形成方法例如是化學氣相沉積法（Chemical Vapor Deposition, CVD）。第二緩衝層BL2的材料例如是氧化矽（SiO X）。第二緩衝層BL2的形成方法例如是化學氣相沉積法。
接著，於基板100上形成驅動元件102。在一些實施例中，驅動元件102例如是底部閘極型（bottom gate）薄膜電晶體或是頂部閘極型（top gate）薄膜電晶體，其可包括半導體層SE、閘絕緣層GI、閘極G和源極S和汲極D。在本實施例中，驅動元件102可形成於第二緩衝層BL2上，並且其是以頂部閘極型薄膜電晶體為例進行說明。在本實施例中，驅動元件102的形成方法是以下述步驟為例進行說明，但本發明不以此為限。
首先，於第二緩衝層BL2上形成半導體層SE。半導體層SE的材料例如是非晶矽、微晶矽、單晶矽、有機半導體材料、氧化物半導體材料或其他適合的材料。在一些實施例中，半導體層SE的相對兩端可含有摻雜物（dopant），以形成用來連接源極S的源極接觸區SC和用來連接汲極D的汲極接觸區DC。除此之外，為了減少半導體層SE與源極S和汲極D之間的接觸電阻，在一些實施例中，還可於半導體層SE上形成具有N型掺雜或P型掺雜的毆姆接觸層（未繪示）。半導體層SE的形成方法例如是先透過化學氣相沉積法形成非晶矽層，之後再利用如準分子雷射的方式對非晶矽層進行退火製程以形成材料為多晶矽的半導體層SE。
然後，於半導體層SE上形成覆蓋半導體層SE的閘絕緣層GI。閘絕緣層GI的材料可以是無機材料。舉例來說，無機材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。閘絕緣層GI的形成方法例如是化學氣相沉積法、旋轉塗佈法（spin coating）或其組合。
接著，於閘絕緣層GI上形成閘極G。閘極G的材料可以是導電材料，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其組合。在一些實施例中，閘極G的形成方法例如是物理氣相沉積法（Physical Vapor Deposition, PVD）。
之後，於閘極G上形成介電層104。介電層104的材料可以是無機材料。舉例來說，無機材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合。介電層104的形成方法例如是化學氣相沉積法、旋轉塗佈法或其組合。
而後，於介電層104上形成源極S和汲極D，以形成驅動元件102。源極S和汲極D的材料可以是導電材料，例如金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物或其組合。在本實施例中，源極S和汲極D可分別透過接觸窗C1、C2連接至半導體層SE的源極接觸區SC和汲極接觸區DC。源極S和汲極D的形成方法例如是物理氣相沉積法。
請繼續參照圖1，於第一基板100上形成第一絕緣層106。第一絕緣層106的材料可以是無機材料，例如氧化矽、氮化矽或其組合。第一絕緣層106的形成方法例如是化學氣相沉積法。在本實施例中，第一絕緣層106可形成於介電層104上且覆蓋源極S和汲極D，並且第一絕緣層106具有暴露出部分的介電層104的第一開口OP1。
接著，於第一開口OP1中形成發光單元EU，以形成發光裝置1000。發光單元EU包括第一電極E1、發光層EL以及第二電極E2。在本實施例中，第一電極E1可形成於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b上，而發光層EL和第二電極E2則可依序形成於第一電極E1上。如此一來，即便發光層EL所產生之光線L向四面八方散射，也可經由第一電極E1反射而集中於發光單元EU的上方處，如此可提升光準直，以改善漏光或是混光的問題，進而減少光源損耗並提升色彩純度。在一些實施例中，第一開口OP1的內徑可隨著遠離第一基板100漸增，使得第一開口OP1呈現杯狀結構，進而讓發光層EL所產生之光線L能更集中於發光單元EU的上方處，藉此提升光準直。在本實施例中，發光單元EU的形成方法例如是經由下述步驟形成於第一開口OP1中。
首先，於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b上形成第一電極E1。在本實施例中，第一電極E1的材料可包括能夠反射可見光的導電材料，例如鋁（Al）、銀（Ag）、鉻（Cr）、銅（Cu）、鎳（Ni）、鈦（Ti）、鉬（Mo）、鎂（Mg）、鉑（Pt）、金（Au）或其組合，並且第一電極E1可為單層、雙層或多層結構。舉例來說，第一電極E1可以是將銀層夾設於兩個銦錫氧化物（ITO）之間的三層結構（ITO/Ag/ITO）。在本實施例中，第一電極E1可與驅動元件102電性連接。舉例來說，第一電極E1可透過接觸窗C3連接於驅動元件102的汲極D。也就是說，第一電極E1除了形成於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b上之外，還形成於第一絕緣層106的部分表面上以及接觸窗C3中，以電性連接於驅動元件102。在本實施例中，驅動元件102是以薄膜電晶體為例進行說明，故第一電極E1可電性連接於驅動元件102的汲極D，但本發明不以此為限。
接著，於第一電極E1上形成發光層EL。發光層EL可具有量子井（Quantum Well, QW），例如單量子井（SQW）、多量子井（MQW）或其它的量子井。在一些實施例中，發光層EL的材料可包括氮化鎵（GaN）、氮化銦鎵（InGaN）、砷化鎵（GaAs）、磷化鋁鎵銦（AlGaInP）、砷化銦鋁鎵（InAlGaAs）或其他IIIA族和VA族元素組成的材料。在另一些實施例中，發光層EL的材料也可包括鈣鈦礦（perovskite）材料。鈣鈦礦材料可為通式ABX 3所表示的化合物，其中A為有機或無機材料；B為無機二價金屬；X為鹵素。鈣鈦礦材料具有獨特的光電特性，致使其所激發出的光具高色純度，並且鈣鈦礦材料除了可用來作為光致發光元件之外，也可作為電致發光的元件。另外，可依據鈣鈦礦材料中的鹵素成分來決定激發光的顏色。舉例來說，當鈣鈦礦材料是由CsPbBr 3所表示的化合物時，其可激發出綠光；當鈣鈦礦材料是由CsPbI 3所表示的化合物時，其可激發出紅光；當鈣鈦礦材料是由CsPbCl 3所表示的化合物時，其可激發出藍光。在一些實施例中，發光層EL可為無機的鈣鈦礦材料（例如CsPbX 3, X = Cl, Br, I），使其具有更佳的穩定性和發光效率。
在一些實施例中，在形成發光層EL之前，可於第一電極E1上形成電洞傳輸層HTL，使得電洞傳輸層HTL形成於第一電極E1和發光層EL之間。如此一來，可以提升電洞傳輸至發光層EL中並與電子複合（recombination）的能力，以提升發光效率。電洞傳輸層HTL的材料可以是有機材料、無機材料，例如氧化鎳（NiO X）、氧化鋅（ZnO）、氧化鉬（MoO x）、 聚對苯乙烯磺酸的混合物（3,4-polyethylenedioxythiophene：polystyrenesulfonate，(PEDOT：PSS)）或其組合。在一些實施例中，電洞傳輸層HTL的形成方法可以是先採用蒸鍍、濺鍍、旋塗法（spin coating）或其組合的方式將電洞傳輸材料層形成於第一電極E1上，之後再對電洞傳輸材料層進行熱處理製程，以形成緻密的電洞傳輸層HTL。熱處理製程的溫度例如是大於等於300℃。在本實施例中，電洞傳輸層HTL形成於第一絕緣層106上，並且覆蓋第一電極E1的頂部和側壁。
在一些實施例中，可選擇性地於發光層EL和電洞傳輸層HTL之間設置電子阻擋層（未繪示），使得電子進入發光層EL中後能被電子阻擋層阻擋而侷限於發光層EL中，進而獲得更佳的發光效率。應注意的是，當電洞傳輸層HTL的材料為NiO的情況下，電洞傳輸層HTL除了具有傳輸電洞的功能之外，其還具有阻擋電子的功效，故可不需額外設置電子阻擋層。在另一些實施例中，還可選擇性地於第一電極E1和電洞傳輸層HTL之間設置電洞注入層（未繪示），使得電洞更容易注入至發光層EL中而獲得更佳的發光效率。
接著，於電洞傳輸層HTL上形成第二絕緣層108。第二絕緣層108的材料可以是無機材料或有機材料。舉例來說，無機材料可以是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽或其組合；有機材料可以是聚醯亞胺系樹脂、環氧系樹脂或壓克力系樹脂等高分子材料。第二絕緣層108的形成方法例如是化學氣相沉積法、旋轉塗佈法或其組合。在本實施例中，第二絕緣層108可具有暴露部分電洞傳輸層HTL的第二開口OP2，以定義出後續欲形成之發光層EL的位置。也就是說，第二絕緣層108位於第一絕緣層106上且圍繞後續形成之發光層EL。在一些實施例中，第二絕緣層108可部分圍繞或完全環繞後續形成之發光層EL。在本實施例中，第二開口OP2於第一基板100的垂直投影方向Z上可與第一開口OP1重疊。如此一來，發光層EL可形成於第一開口OP1的相對中心處，使得發光層EL所產生之光線L能良好的被第一電極E1反射（例如向四周散射得光線能被設置在第一開口OP1側壁OP1b上的第一電極E1反射），進而讓光線更為集中於第一開口OP1的中心上方處。在一些實施例中，電洞傳輸層HTL可覆蓋於第一絕緣層106上和第一電極E1上，而第二絕緣層108可覆蓋於電洞傳輸層HTL上（如圖1所示）。
另外，由於第二絕緣層108是在形成於電洞傳輸層HTL之後，因此第二絕緣層108不會受到形成電洞傳輸層HTL的製程影響（例如上述的熱處理製程），而導致第二絕緣層108受到損害，如此可提升第二絕緣層108的製程裕度（window）。舉例來說，當第二絕緣層108的材料為有機光阻材料時，其無法承受電洞傳輸層HTL於熱處理製程中所使用的溫度，因此，若先形成第二絕緣層108再於第二開口OP2中形成電洞傳輸層HTL，將使得第二絕緣層108的材料及形成方法受到限制。
之後，可於第二開口OP2所暴露的電洞傳輸層HTL上依序形成發光層EL和第二電極E2，使得發光層EL可形成於第一電極E1上並且設置在第一電極E1和第二電極E2之間，藉此將發光單元EU形成於第一開口OP1中。在本實施例中，發光單元EU可由無機材料所構成，例如無機的鈣鈦礦材料，使其具有更佳的穩定性、色純度和發光效率。
在本實施例中，第二電極E2的材料可為透明的導電材料，並且第二電極E2可為單層、雙層或多層結構。舉例來說，第二電極E2可以是由鋁（Al）和鎂銀合金（Mg-Ag）所構成的雙層結構（Al/Mg-Ag）。
在一些實施例中，在形成第二電極E2之前，可選擇性地於發光層EL上形成電子傳輸層ETL，使得電子傳輸層ETL形成於第二電極E2和發光層EL之間。如此一來，可以提升電子傳輸至發光層EL中並與電洞複合的能力，以提升發光效率。在本實施例中，電子傳輸層ETL可形成於第二開口OP2中，故第二絕緣層108除了圍繞發光層EL之外，其還圍繞上述的電子傳輸層ETL。在一些實施例中，第二絕緣層108可部分圍繞或完全環繞此電子傳輸層ETL。電子傳輸層ETL的材料例如是1,3,5-三(2-N-苯基苯並咪唑-2-基)苯（TPBI）、氧化鋅（ZnO）或其組合。在另一些實施例中，還可選擇性地於電子傳輸層ETL和發光層EL之間設置電洞阻擋層（未繪示），使得電洞進入發光層EL中後能被電洞阻擋層阻擋而侷限於發光層EL中，進而獲得更佳的發光效率。在其他實施例中，還可選擇性地於電子傳輸層ETL和第二電極E2之間設置電子注入層EIL，使得電子更容易注入至發光層EL中而獲得更佳的發光效率。電子注入層EIL的材料例如是氟化鋰（LiF）、氟化銫（CsF）或其組合。
在一些實施例中，還可選擇性地於第二絕緣層108上和發光單元EU的一側邊形成間隔物PS。在本實施例中，間隔物PS位於發光單元EU的相對兩側。間隔物PS的材料例如是有機光阻材料。間隔物PS的形成方法例如是先以旋塗的方式將間隔物材料層（未繪示）形成於第二絕緣層108上，之後再藉由微影的方式來圖案化上述的間隔物材料層，以形成間隔物PS。在一些實施例中，如圖2所示，可選擇性地於間隔物PS上覆蓋第二基板200。第二基板200可選擇性地為色彩轉換基板，例如第二基板200上具有色彩轉換元件（未繪示），但本發明不以此為限。在其他實施例中，彩色濾光元件可形成於第一基板100上，則第二基板200可選擇性地為保護基板。
基於上述，在本發明一實施例的發光裝置1000中，由於第一電極E1形成於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b上，使得向四面八方散射的光線L可經由第一電極E1反射而集中於發光單元EU的上方處，如此可提升光準直，以改善漏光或是混光的問題，進而減少了光源損耗並可提升色彩純度。
以下，將藉由圖1來說明本實施例的發光裝置。此外，本實施例的發光裝置的製造方法雖然是以上述製造方法為例進行說明，但並不以此為限。
請參照圖1，發光裝置1000可包括第一基板100、驅動元件102、第一絕緣層106以及發光單元EU。驅動元件102可位於第一基板102上。第一絕緣層106可設置於驅動元件102上方，其中第一絕緣106層可具有第一開口OP1。發光單元EU可位於第一開口OP1中，且發光單元EU可包括第一電極E1、發光層EL以及第二電極E2，其中第一電極E1可位於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b。在一些實施例中，第一開口OP1的內徑可隨著遠離第一基板100漸增。在一些實施例中，發光單元EU更可包括電洞傳輸層HTL以及電子傳輸層ETL，其中電洞傳輸層HTL可位於第一電極E1和發光層EL之間，而電子傳輸層ETL可位於第二電極E2和發光層EL之間。在一些實施例中，第二絕緣層108可位於第一絕緣層106之上，且具有第二開口OP2。第二絕緣層108可圍繞發光層EL和電子傳輸層ETL。在另一些實施例中，第二絕緣層108可部分圍繞或完全環繞發光層EL和電子傳輸層ETL。在一些實施例中，電洞傳輸層HTL可覆蓋於第一絕緣層106上和第一電極E1上，而第二絕緣層108覆蓋於電洞傳輸層HTL上。在一些實施例中，發光單元EU更可包括電子注入層EIL，其位於第二電極E2和電子傳輸層ETL之間。
圖3為依據本發明又一實施例的發光裝置的剖面示意圖，其中發光裝置2000大致相同於發光裝置1000，其不同之處在於發光裝置2000更包括於發光單元EU上設置色阻層CF，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖3，於發光單元EU上形成色阻層CF，如此可進一步防止因大角度散射光而產生混光的問題，並且可省略於上基板（例如圖2所示的第二基板200）上設置色彩轉換元件（例如彩色濾光片）的成本。色阻層CF的材料例如是彩色光阻、混有量子點或量子桿之有機層或無機層或上述的組合或是其他適合的色彩轉化材料。色阻層CF的形狀不限於平面，亦可依據需求製作成類似透鏡的結構，本發明不以此為限。色阻層CF例如是以噴塗的方式形成於發光單元EU上。在一些實施例中，色阻層CF可形成於第二開口OP2中。
圖4為依據本發明再一實施例的發光裝置的剖面示意圖，其中發光裝置3000大致相同於發光裝置1000，其不同之處在於發光裝置3000還包括於發光單元EU上設置微透鏡結構ML，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖4，於發光單元EU上形成微透鏡結構ML，如此可更進一步提升光準直，使得散射光或折射光所導致之漏光及混光的問題能夠將低，進而減少光損耗並提升色彩純度。微透鏡結構ML可以是中心厚度較邊緣厚度大的透鏡結構，例如對稱雙凸透鏡、非對稱雙凸透鏡、平凸透鏡或凹凸透鏡。
圖5為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖，其中發光裝置4000大致相同於發光裝置1000，其不同之處在於發光裝置4000是先形成具有第二開口OP2的第二絕緣層108之後，才於第二開口OP2中形成電洞傳輸層HTL，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖5，在本實施例中，發光單元EU例如是經由以下步驟形成於第一開口OP1中。首先，於第一開口OP1的底部OP1a和側壁OP1b上形成第一電極E1。接著，於第一電極E1與第一絕緣層106上形成第二絕緣層108。第二絕緣層108具有暴露部分第一電極E1的第二開口OP2。在本實施例中，第二開口OP2於第一基板100的垂直投影方向Z上可與第一開口OP1重疊。之後，於第二開口OP2所暴露的第一電極E1上依序形成電洞傳輸層HTL、發光層EL、電子傳輸層ETL和第二電極E2。也就是說，第二絕緣層108覆蓋於第一絕緣層106上，且其圍繞後續形成之電洞傳輸層HTL、發光層EL、電子傳輸層ETL和第二電極E2。在一些實施例中，第二絕緣層108也可部分圍繞或完全環繞後續形成之電洞傳輸層HTL、發光層EL、電子傳輸層ETL和第二電極E2。在一些實施例中，還可選擇性地於第二電極E2和電子傳輸層ETL之間設置電子注入層EIL。
在本實施例中，由於是先形成第二絕緣層108之後，才於第二絕緣層108的第二開口OP2中形成電洞傳輸層HTL，因此第二絕緣層108的材料可為無機材料，使得第二絕緣層108不會受到形成電洞傳輸層HTL的製程影響（例如上述的熱處理製程），而導致第二絕緣層108受到損害。
圖6為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖，其中發光裝置5000大致相同於發光裝置4000，其不同之處在於發光裝置5000還包括於發光單元EU上設置微透鏡結構ML，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖6，於發光單元EU上形成微透鏡結構ML，如此可更進一步提升光準直，使得散射光或折射光所導致之漏光及混光的問題能夠將低，進而減少光損耗並提升色彩純度。微透鏡結構ML可以是中心厚度較邊緣厚度大的透鏡結構，例如對稱雙凸透鏡、非對稱雙凸透鏡、平凸透鏡或凹凸透鏡。
圖7為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖，其中發光裝置6000大致相同於發光裝置4000，其不同之處在於發光裝置6000更包括於發光單元EU上設置色阻層CF，故相同或相似元件使用相同或相似標號，其餘構件之連接關係、材料及其製程已於前文中進行詳盡地描述，故於下文中不再重複贅述。
請參照圖7，於發光單元EU上形成色阻層CF，如此可進一步防止因大角度散射光而產生混光的問題，並且可省略於上基板（例如圖2所示的第二基板200）上設置色彩轉換元件（例如彩色濾光片）的成本。色阻層CF的材料例如是彩色光阻或是混有量子點或量子桿之有機層或無機層或上述的組合或是其他適合的色彩轉化材料。色阻層CF的形狀不限於平面，亦可依據需求製作成類似透鏡的結構，本發明不以此為限。色阻層CF例如是以噴塗的方式形成於發光單元EU上。在一些實施例中，色阻層CF形成於第二開口OP2中。
綜上所述，在上述實施例的發光裝置及其製造方法中，由於第一電極形成於第一開口的底部和側壁上，使得向四面八方散射的光線可經由第一電極反射而集中於發光單元的上方處，如此可提升光準直，以改善漏光或是混光的問題，進而減少光源損耗並提升色彩純度。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧第一基板
102‧‧‧驅動元件
104‧‧‧介電層
106‧‧‧第一絕緣層
108‧‧‧第二絕緣層
200‧‧‧第二基板
1000、2000、3000、4000、5000、6000‧‧‧發光裝置
BL1‧‧‧第一緩衝層
BL2‧‧‧第二緩衝層
SE‧‧‧半導體層
GI‧‧‧閘絕緣層
G‧‧‧閘極
S‧‧‧源極
SC‧‧‧源極接觸區
D‧‧‧汲極
DC‧‧‧汲極接觸區
C1、C2、C3‧‧‧接觸窗
OP1‧‧‧第一開口
OP1a‧‧‧底部
OP1b‧‧‧側壁
OP2‧‧‧第二開口
EU‧‧‧發光單元
EL‧‧‧發光層
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
HTL‧‧‧電洞傳輸層
ETL‧‧‧電子傳輸層
EIL‧‧‧電子注入層
L‧‧‧光線
PS‧‧‧間隔物
CF‧‧‧色阻層
ML‧‧‧微透鏡結構
Z‧‧‧垂直投影方向
圖1為依據本發明一實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖2為依據本發明另一實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖3為依據本發明又一實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖4為依據本發明再一實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖5為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖6為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖。 圖7為依據本發明其他實施例的發光裝置的剖面示意圖。

Claims (16)

  1. 一種發光裝置，包括：一第一基板；一驅動元件，位於該第一基板上；一第一絕緣層，設置於該驅動元件上方，其中該第一絕緣層具有一第一開口；一發光單元，位於該第一開口中，且電性連接至該驅動元件，其中該發光單元包括：一第一電極，位於該第一開口的底部和側壁；一電洞傳輸層，設置於該第一絕緣層和該第一電極上；一發光層，其中該電洞傳輸層位於該第一電極和該發光層之間；以及一第二電極，設置於該發光層之上；以及一第二絕緣層，位於該電洞傳輸層上，其中該第二絕緣層具有一第二開口，且該第二開口於該第一基板的一垂直投影方向上與該第一開口重疊。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該第一開口的內徑隨著遠離該第一基板漸增。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光單元更包括：一電子傳輸層，位於該第二電極和該發光層之間。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中該第二絕緣層位於該第一絕緣層之上，且該第二絕緣層圍繞該發光層和該電子傳輸層。
  5. 如申請專利範圍第3項所述的發光裝置，其中該發光單元更包括：一電子注入層，位於該第二電極和該電子傳輸層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，其中該發光單元由無機材料所構成。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的發光裝置，其中該發光層的材料包括鈣鈦礦。
  8. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括：一色阻層，位於該發光單元上。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括：一微透鏡結構，位於該發光單元上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的發光裝置，更包括：一間隔物，位於該第二絕緣層上以及該發光單元的一側邊。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的發光裝置，更包括：一第二基板，其中該間隔物位於該第二絕緣層與該第二基板之間。
  12. 一種發光裝置的製造方法，包括：提供一第一基板；形成一驅動元件於該第一基板上；形成一第一絕緣層於該驅動元件上，其中該第一絕緣層具有一第一開口；以及形成一發光單元於該第一開口中，該發光單元電性連接至該驅動元件，其中該發光單元包括一第一電極、一電洞傳輸層、一發光層以及一第二電極，該電洞傳輸層形成於該第一電極和該發光層之間，其中於該第一開口中形成該發光單元的方法包括：於該第一開口的底部和側壁上形成該第一電極；於該第一電極的頂部覆蓋該電洞傳輸層；於該電洞傳輸層上形成一第二絕緣層，其中該第二絕緣層具有暴露至少部分該電洞傳輸層的一第二開口，且該第二開口於該第一基板的一垂直投影方向上與該第一開口重疊；以及於該第二開口所暴露的該電洞傳輸層上形成該發光層和該第二電極。
  13. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置的製造方法，其中該發光單元更包括：一電子傳輸層，形成於該第二電極和該發光層之間，其中於該第一開口中形成該發光單元的方法更包括：於該第一電極的側壁上覆蓋該電洞傳輸層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述的發光裝置的製造方法，其中該電洞傳輸層覆蓋於該第一絕緣層和該第一電極上。
  15. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置的製造方法，更包括：於該發光單元上形成一色阻層。
  16. 如申請專利範圍第12項所述的發光裝置的製造方法，更包括：於該發光單元上形成一微透鏡結構。
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