JP4722590B2 - 発光装置 - Google Patents
発光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4722590B2 JP4722590B2 JP2005192253A JP2005192253A JP4722590B2 JP 4722590 B2 JP4722590 B2 JP 4722590B2 JP 2005192253 A JP2005192253 A JP 2005192253A JP 2005192253 A JP2005192253 A JP 2005192253A JP 4722590 B2 JP4722590 B2 JP 4722590B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- electrode
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 54
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 9
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims 4
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 342
- 238000000034 method Methods 0.000 description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 description 18
- 230000008569 process Effects 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 9
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene dihydroxythiophene Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AGVJBLHVMNHENQ-UHFFFAOYSA-N Calcium sulfide Chemical class [S-2].[Ca+2] AGVJBLHVMNHENQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
- H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(1)
前記反射電極の上面から前記第2層の上面までの厚さをt5とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t5が下記(2)式を満足させるものであり、
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(2)
光共振が、前記反射電極の上面から前記第1層と前記第2層との界面との間、および前記反射電極の上面から前記第2層の上面の間で発生することを特徴とする発光装置を提供する。
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(3)
前記第2電極層の下面から前記第2層と前記基板との界面までの厚さをt2とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t2が下記(4)式を満足させ、
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(4)
光共振が、前記第2電極層の下面から前記第1層と前記第2層との界面との間、および前記第2電極層の下面から前記第2層と前記基板との界面の間で発生することを特徴とする発光装置を提供する。
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t1は、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t2は、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t4は、前述したt1のように、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t5も、前述したt2のように、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
2mm×3mmサイズの発光領域を4つ備えたテストセルを製作して評価した。まず、ガラス基板を洗浄した後、スピンコーティング法により、10nm以下の気孔を有するNPSをガラス基板に塗布した後、熱処理オーブンで400℃、1時間熱処理して第1層21を形成した。このようにして得られた第1層21の屈折率は1.2であった。第1層21の厚さは0、100、230、300nmと変化させてそれぞれ製作した。
次には、光共振層2として、第1層21と第2層22とがいずれも導入された実施例を示したものであり、その基本的な構造は図1と同じである。
前述した実施例2と同じ構造であり、第1電極層41を160nm、中間層3を20nm、第1層21を300nmに固定し、第2層22の厚さを100〜400nmで変化させ、その結果は図14に表した。
2…光共振層、
3…中間層、
4…発光素子、
21…第1層、
22…第2層、
41…第1電極層、
42…発光層、
43…第2電極層。
Claims (26)
- 基板と、
前記基板上に形成された第1電極層、前記第1電極層上に形成された発光層、及び前記発光層上に形成された第2電極層を備えた発光素子と、
前記発光素子の前記第2電極層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第1層及び前記第1層上に形成された第2層のみからなる光共振層と、を備え、
前記光共振層は、前記第2層が前記第1層より高い屈折率を有し、前記第1層はナノ多孔性シリカであって、1〜50nmの複数の気孔を有し、
前記発光素子の第1電極層は、前記基板上に形成され、前記発光層から放出された光を反射する反射電極と、前記反射電極上に形成された透明電極とからなって、
前記反射電極の上面から前記第1層と前記第2層との界面までの厚さをt4とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t4が下記(1)式を満足させ、
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(1)
前記反射電極の上面から前記第2層の上面までの厚さをt5とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t5が下記(2)式を満足させるものであり、
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(2)
光共振が、前記反射電極の上面から前記第1層と前記第2層との界面との間、および前記反射電極の上面から前記第2層の上面の間で発生することを特徴とする発光装置。 - 前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1層の屈折率が1.2であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記t4は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記t5は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
- 基板と、
前記基板上に形成された第2層及び前記第2層上に形成された第1層のみからなる光共振層と、
前記光共振層上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第1電極層、前記第1電極層上に形成された発光層、及び前記発光層上に形成された第2電極層を備えた発光素子と、を備え、
前記光共振層は、前記第2層が前記第1層より高い屈折率を有し、前記第1層はナノ多孔性シリカであって、1〜50nmの複数の気孔を有し、
前記第2電極層の下面から前記第1層と前記第2層との界面までの厚さをt1とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t1が下記(3)式を満足させ、
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(3)
前記第2電極層の下面から前記第2層と前記基板との界面までの厚さをt2とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t2が下記(4)式を満足させ、
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(4)
光共振が、前記第2電極層の下面から前記第1層と前記第2層との界面との間、および前記第2電極層の下面から前記第2層と前記基板との界面の間で発生することを特徴とする発光装置。 - 前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記第1層の屈折率が1.2であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記t1は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記t2は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項14に記載の発光装置。 - 前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
- 前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2004-0091490 | 2004-11-10 | ||
KR1020040091490A KR100683693B1 (ko) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 발광 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006140130A JP2006140130A (ja) | 2006-06-01 |
JP4722590B2 true JP4722590B2 (ja) | 2011-07-13 |
Family
ID=35456903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005192253A Active JP4722590B2 (ja) | 2004-11-10 | 2005-06-30 | 発光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8525154B2 (ja) |
EP (1) | EP1657764B1 (ja) |
JP (1) | JP4722590B2 (ja) |
KR (1) | KR100683693B1 (ja) |
CN (1) | CN1805161B (ja) |
DE (1) | DE602005018881D1 (ja) |
Families Citing this family (62)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4609044B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
KR100741100B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
WO2007143197A2 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Qd Vision, Inc. | Light-emitting devices and displays with improved performance |
US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
US9701899B2 (en) | 2006-03-07 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
WO2007117672A2 (en) * | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Methods of depositing nanomaterial & methods of making a device |
WO2007120877A2 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
JP4939104B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2008111947A1 (en) | 2006-06-24 | 2008-09-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
US20080012027A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method of fabricating light-emitting element |
JP4658877B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2011-03-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
TWI308805B (en) * | 2006-09-22 | 2009-04-11 | Innolux Display Corp | Active matrix oled and fabricating method incorporating the same |
KR100811502B1 (ko) * | 2007-01-23 | 2008-03-07 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
US8253127B2 (en) | 2007-02-05 | 2012-08-28 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device having improved light-emitting efficiency and method for fabricating the same |
KR100813850B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
WO2009014590A2 (en) | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
WO2009099425A2 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Qd Vision, Inc. | Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods |
KR100922763B1 (ko) | 2008-03-13 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101115154B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2012-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR100953658B1 (ko) * | 2008-06-05 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR101603314B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2016-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101193184B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조 하는 방법 |
KR101065404B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101155904B1 (ko) * | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101084197B1 (ko) | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101097335B1 (ko) | 2010-02-25 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5567369B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-08-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及びこれを使用した有機電界発光ディスプレイ |
KR101983229B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2019-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2012079555A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Toshiba Tec Corp | 有機el装置および印刷装置 |
KR20120043438A (ko) * | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101804360B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101858636B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101893355B1 (ko) | 2011-06-30 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR101393703B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2014-05-14 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
KR20140033867A (ko) | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
KR101970567B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
CN104009183A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104009170A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102215147B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20160036722A (ko) * | 2014-09-25 | 2016-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102231631B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102298757B1 (ko) | 2014-10-24 | 2021-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20160083986A (ko) * | 2015-01-02 | 2016-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102377490B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
NL2015347B1 (en) | 2015-08-25 | 2017-03-16 | Heerema Marine Contractors Nl | Method for installing a subsea jumper as well as subsea jumper. |
KR102300621B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2021-09-13 | 한국전자통신연구원 | 이중모드 디스플레이 |
KR102529270B1 (ko) | 2016-07-08 | 2023-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 영상 표시 방법 |
KR102622390B1 (ko) | 2016-09-20 | 2024-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP2018049983A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102329388B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2021-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102326303B1 (ko) | 2017-07-11 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 |
CN108597386B (zh) * | 2018-01-08 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置 |
CN108231857B (zh) * | 2018-01-19 | 2021-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled微腔结构及其制备方法、显示装置 |
CN108682681B (zh) | 2018-05-25 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示器件 |
KR102545322B1 (ko) | 2018-07-25 | 2023-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 |
KR20220046596A (ko) * | 2019-08-13 | 2022-04-14 | 쓰리엠 이노베이티브 프로퍼티즈 컴파니 | Oled 디스플레이를 위한 공통 rgb 공진 층 |
CN116583895A (zh) * | 2020-12-11 | 2023-08-11 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置及电子设备 |
CN113193150B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-06-16 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 顶发光显示面板及显示装置 |
CN116845700A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-10-03 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 复合钝化层及其制作方法、光电设备 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766856B2 (ja) | 1986-01-24 | 1995-07-19 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子 |
JPS63172691A (ja) | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 平版印刷方法 |
JPH01220394A (ja) | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 高輝度el素子 |
JP3274527B2 (ja) * | 1992-09-22 | 2002-04-15 | 株式会社日立製作所 | 有機発光素子とその基板 |
US5405710A (en) | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
US5478658A (en) | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
JP3319251B2 (ja) * | 1995-01-10 | 2002-08-26 | 株式会社日立製作所 | 多重共振構造を有する発光素子 |
US5814416A (en) * | 1996-04-10 | 1998-09-29 | Lucent Technologies, Inc. | Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices |
US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
JPH10177896A (ja) | 1998-01-05 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
GB9807692D0 (en) | 1998-04-14 | 1998-06-10 | Univ Strathclyde | Optival devices |
GB2353400B (en) | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
JP2001071558A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
JP2001210471A (ja) | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Motorola Inc | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
CN101393967A (zh) * | 2000-08-23 | 2009-03-25 | 出光兴产株式会社 | 有机场致发光显示装置 |
JP2003123987A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振器 |
KR100875097B1 (ko) | 2002-09-18 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자 |
TW200409378A (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
JP4356308B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-11-04 | 三菱化学株式会社 | 多孔性シリカ膜、それを有する積層基板、それらの製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 |
US6861800B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-03-01 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
TWI282699B (en) * | 2005-03-14 | 2007-06-11 | Au Optronics Corp | Method of fabrication organic light emitting diode display |
-
2004
- 2004-11-10 KR KR1020040091490A patent/KR100683693B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192253A patent/JP4722590B2/ja active Active
- 2005-11-09 EP EP05110520A patent/EP1657764B1/en active Active
- 2005-11-09 US US11/269,575 patent/US8525154B2/en active Active
- 2005-11-09 DE DE602005018881T patent/DE602005018881D1/de active Active
- 2005-11-10 CN CN2005100230184A patent/CN1805161B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1805161B (zh) | 2011-11-16 |
US20060097264A1 (en) | 2006-05-11 |
KR20060042728A (ko) | 2006-05-15 |
KR100683693B1 (ko) | 2007-02-15 |
CN1805161A (zh) | 2006-07-19 |
DE602005018881D1 (de) | 2010-03-04 |
EP1657764B1 (en) | 2010-01-13 |
JP2006140130A (ja) | 2006-06-01 |
US8525154B2 (en) | 2013-09-03 |
EP1657764A1 (en) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4722590B2 (ja) | 発光装置 | |
US7696687B2 (en) | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer | |
JP4431125B2 (ja) | 平板ディスプレイ装置及びその製造方法 | |
EP2278854B1 (en) | Organic electroluminescent device, illuminating device and display device, and method of manufacturing the same | |
US7915812B2 (en) | Organic light-emitting device and display apparatus | |
US7898167B2 (en) | Electroluminescence display device with improved external light coupling efficiency and brightness | |
JP2010056015A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
WO2006013373A2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP5562379B2 (ja) | 有機発光素子及びそれを利用した発光装置、表示装置 | |
JP5963458B2 (ja) | 発光装置、画像形成装置及び撮像装置 | |
US20110057221A1 (en) | Organic electroluminescence device and method for producing the same | |
JP2008226718A (ja) | 有機el素子 | |
JP2007242498A (ja) | 有機el素子およびアレイ | |
KR100741100B1 (ko) | 발광 장치 | |
JP2009129586A (ja) | 有機el素子 | |
KR101358782B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 | |
JP2013058446A (ja) | 表示装置 | |
KR100615185B1 (ko) | 전계 발광 소자 | |
JP2009049003A (ja) | 有機el素子 | |
KR100573106B1 (ko) | 광 공진기를 구비한 유기 전계 발광 소자 | |
JP2011141965A (ja) | 有機el素子および表示装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080826 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081119 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20081201 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20090421 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090820 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20090902 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20091023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110217 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110406 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4722590 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140415 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D02 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |