CN113193150B - 顶发光显示面板及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种顶发光显示面板及显示装置,顶发光显示面板包括:基底、发光结构以及盖板层,发光结构包括:第一发光结构,第二发光结构以及第三发光结构,对应发光波长分别为第一波长、第二波长、第三波长;盖板层位于发光结构远离基底的一侧,至少包括位于第一发光结构上的第一区域,位于第二发光结构上的第二区域,以及位于第三发光结构上的第三区域中的两个,第一区域在厚度方向的等效光程的两倍为第一波长的整数倍,第二区域在厚度方向的等效光程的两倍为第二波长的整数倍,第三区域在厚度方向的等效光程的两倍为第三波长的整数倍。根据本发明实施例,可同时提高对应第一波长、第二波长、第三波长的出光率,降低功耗,提高显示面板的寿命。

Description

顶发光显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及显示设备技术领域,尤其涉及一种顶发光显示面板及显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(OrganicLight-Emitting Diode,OLED)作为一种新型的发光器件在显示和照明领域体现出了巨大的应用潜力而,因而受到了学术界和产业界的强烈关注。在显示领域,OLED相对于LCD具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,被认为是下一代显示技术。
现有OLED器件通常由阳极层、发光层和阴极层组成,根据发光面不同可分为底发射和顶发射两种,由于顶发射器件可以获得更大的开口率,近年来成为研究的热点。
实际OLED器件的外量子效率EQE远低于理论的OLED的出光效率。影响OLED的外量子效率的主要有OLED本身的激子转换效率、激子本身的内部转换效率、OLED出光在界面的传输及消耗、OLED本身在金属界面的等离子效应及全反射效应等原因。因此,如何提高OLED显示器件的出光率是行业内普遍存在而且亟待解决的问题。
发明内容
本发明提供一种顶发光显示面板及显示装置,以解决相关技术中的不足。
为实现上述目的,本发明实施例的第一方面提供一种顶发光显示面板,包括:
基底;
位于所述基底上的发光结构,所述发光结构包括:第一发光结构,第二发光结构以及第三发光结构,所述第一发光结构的发光波长为第一波长,所述第二发光结构的发光波长为第二波长,所述第三发光结构的发光波长为第三波长,所述第一波长大于所述第二波长,所述第二波长大于所述第三波长;
盖板层,位于所述发光结构远离所述基底的一侧;所述盖板层至少包括位于所述第一发光结构上的第一区域,位于所述第二发光结构上的第二区域,以及位于所述第三发光结构上的第三区域中的两个,所述第一区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第一波长的整数倍,所述第二区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第二波长的整数倍,所述第三区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第三波长的整数倍。
可选地,所述盖板层包括位于所述第一发光结构上的第一区域,位于所述第二发光结构上的第二区域,以及位于所述第三发光结构上的第三区域。
所述盖板层包括光学调整层和/或平坦化层。
可选地,所述光学调整层的材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、IZO、ITO、高分子树脂或PI。
可选地,所述平坦化层的材料为PI或SOG。
可选地,所述光学调整层在可见光波长范围内的消光系数不大于0.05。
可选地,所述平坦化层在可见光波长范围内的消光系数为0~0.1。
可选地,所述第一发光结构为红光发光结构,所述第二发光结构为绿光发光结构,所述第三发光结构为蓝光发光结构。
可选地,所述红光发光结构的红光有机层,和/或所述绿光发光结构的绿光有机层,和/或所述蓝光发光结构的蓝光有机层采用打印法或蒸镀法形成。
可选地,所述盖板层与所述发光结构之间具有滤色层。
本发明实施例的第二方面提供一种显示装置,包括:上述任一项所述的顶发光显示面板。
根据本发明的上述实施例中,盖板层针对不同波长的发光结构,形成不同微谐振腔,从而提高对应波长的出光率。因而,可降低功耗,提高显示面板的寿命。
应当理解的是,以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的,并不能限制本发明。
附图说明
此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是本发明第一实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图;
图2是本发明第二实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图;
图3是本发明第三实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图。
附图标记列表:
顶发光显示面板1、2、3 基底10
发光结构11 第一发光结构111
第二发光结构112 第三发光结构113
第一波长λ1 第二波长λ2
第三波长λ3 盖板层12、12'
第一区域121 第二区域122
第三区域123 平坦化层12b
光学调整层12a 滤色层13
第一滤色块131 第二滤色块132
第三滤色块133 遮光结构14
具体实施方式
这里将详细地对示例性实施例进行说明,其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时,除非另有表示,不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本发明相一致的所有实施方式。相反,它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本发明的一些方面相一致的装置和方法的例子。
图1是本发明第一实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图。
参照图1所示,顶发光显示面板1,包括:
基底10;
位于基底10上的发光结构11,发光结构11包括:第一发光结构111,第二发光结构112以及第三发光结构113,第一发光结构111的发光波长为第一波长λ1,第二发光结构112的发光波长为第二波长λ2,第三发光结构113的发光波长为第三波长λ3,第一波长λ1大于第二波长λ2,第二波长λ2大于第三波长λ3;
盖板层12,位于发光结构11远离基底10的一侧;盖板层12包括位于第一发光结构111上的第一区域121,位于第二发光结构112上的第二区域122,以及位于第三发光结构113上的第三区域123,第一区域121在厚度方向的等效光程的两倍为第一波长λ1的整数倍,第二区域122在厚度方向的等效光程的两倍为第二波长λ2的整数倍,第三区域123在厚度方向的等效光程的两倍为第三波长λ3的整数倍。
基底10可以为软质基底,材料例如可以为聚酰亚胺。基底10也可以为硬质基底,材料例如可以为玻璃。
本实施例中,第一发光结构111可以为红光发光结构,第二发光结构112可以为绿光发光结构,第三发光结构113可以为蓝光发光结构。
红光发光结构可以包括:第一阳极、第一阴极以及设置于第一阳极与第一阴极之间的红光发光层。绿光发光结构可以包括:第二阳极、第二阴极以及设置于第二阳极与第二阴极之间的绿光发光层。蓝光发光结构可以包括:第三阳极、第三阴极以及设置于第三阳极与第三阴极之间的蓝光发光层。
红光发光层、绿光发光层以及蓝光发光层的材料都可以为有机发光材料(OLED)。有机发光材料可以采用打印法或蒸镀法形成。
第一阳极、第二阳极以及第三阳极的材料可以为反光材料。反光材料可以为包括银(Ag)及其合金、铝(Al)及其合金,例如银(Ag)、银和铅的合金(Ag:Pb)、铝和钕的合金(Al:Nd)、银铂铜的合金(Ag:Pt:Cu)等。当使用银及其合金作为反光材料时,在第一阳极、第二阳极以及第三阳极分别与有机发光材料之间可以设置一层ITO、IZO或IGZO。
第一阴极、第二阴极以及第三阴极的材料可以为具有部分透光、部分反光功能的材料(半透半反材料)。第一阴极、第二阴极以及第三阴极可以为单层结构,该单层结构的材料可以包括:镁、银、铝中的至少一种,例如为:镁与银的混合物或铝与银的混合物。第一阴极、第二阴极以及第三阴极也可以为透明导电层、中间层、透明导电层的三层结构。透明导电层的材料可以为ITO、IZO以及IGZO中的至少一种,中间层的材料包括:镁、银、铝中的至少一种,例如为:镁与银的混合物或铝与银的混合物。换言之,第一发光结构111,第二发光结构112以及第三发光结构113为顶发光结构。
第一阴极、第二阴极以及第三阴极可以连接在一起,形成一面电极。
红绿蓝三基色的发光结构11形成一发光单元。
其它实施例中,也可以红绿蓝黄四基色的发光结构11形成一发光单元。
发光结构11可以为主动驱动发光方式OLED(Active Matrix OLED,AMOLED)。换言之,第一阳极、第二阳极、第三阳极分别与基底10之间设置有像素驱动电路。
主动驱动发光方式OLED,也称有源驱动发光方式OLED,是采用晶体管阵列控制每个像素发光,且每个发光结构11可以连续发光。即,每个发光结构11的寻址直接受控于晶体管阵列。
其它实施例中,发光结构11也可以为被动驱动发光方式OLED。此时,第一阳极、第二阳极、第三阳极分别与基底10之间无像素驱动电路。
本实施例中,参照图1所示,盖板层12仅包括光学调整层12a。
第一区域121的光学调整层12a的厚度可以为d1,对于第一波长λ1的光的折射率可以为n1;第二区域122的光学调整层12a的厚度可以为d2,对于第一波长λ2的光的折射率可以为n2;第三区域123的光学调整层12a的厚度可以为d3,对于第三波长λ3的光的折射率可以为n3。则:
2*n1*d1=P1*λ1,P1为任意正整数;
2*n2*d2=Q1*λ2,Q1为任意正整数;
2*n3*d3=M1*λ3,M1为任意正整数。
满足上述条件的第一区域121、第二区域122、第三区域123在出光界面的反射较少,形成了微谐振腔,同时提高了对应第一波长λ1、第二波长λ2、第三波长λ3的出光率。因而,可以降低功耗,提高显示面板的寿命。
需要说明的是,对于采用打印法形成有机发光材料的发光结构11,若由于打印量未精确控制导致发光结构11的出光率降低,本方案可显著提高对应第一波长λ1、第二波长λ2、第三波长λ3的出光率。
其它实施例中,盖板层12还可以包括位于第一发光结构111上的第一区域121,位于第二发光结构112上的第二区域122,以及位于第三发光结构113上的第三区域123中的两个。例如,盖板层12包括第一区域121与第二区域122时,满足上述条件的第一区域121与第二区域122在出光界面的反射较少,形成了微谐振腔,可同时提高对应第一波长λ1与第二波长λ2的出光率。
光学调整层12a的具体材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、IZO(氧化铟锌)、ITO(氧化铟锡)、高分子树脂或PI(聚酰亚胺)。
各区域的光学调整层12a可通过图形化工艺选择不同材料和/或厚度。
此外,光学调整层12a在可见光波长范围内的消光系数优选较小,以避免自身对波的较强吸收,提高出光率。光学调整层12a在可见光波长范围内的消光系数优选不大于0.05。可见光波长范围为:380nm~780nm。
图2是本发明第二实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图。
参照图2所示,本实施例的顶发光显示面板2与图1中的顶发光显示面板1大致相同,区别仅在于:盖板层12'包括光学调整层12a与平坦化层12b。
第一区域121的光学调整层12a的厚度可以为d1,对于第一波长λ1的光的折射率可以为n1;第二区域122的光学调整层12a的厚度可以为d2,对于第一波长λ2的光的折射率可以为n2;第三区域123的光学调整层12a的厚度可以为d3,对于第三波长λ3的光的折射率可以为n3;第一区域121的平坦化层12b的厚度可以为D1,对于第一波长λ1的光的折射率可以为N1;第二区域122的平坦化层12b的厚度可以为D2,对于第一波长λ2的光的折射率可以为N2;第三区域123的平坦化层12b的厚度可以为D3,对于第三波长λ3的光的折射率可以为N3。其中,N1<n1,N2<n2,N2<n2,以在出光方向的界面形成全反射。
则:
2*(n1*d1+N1*D1)=P2*λ1,P2为任意正整数;
2*(n2*d2+N2*D2)=Q2*λ2,Q2为任意正整数;
2*(n3*d3+N3*D3)=M2*λ3,M2为任意正整数。
满足上述条件的第一区域121、第二区域122、第三区域123在出光界面的反射较少,形成了微谐振腔,同时提高了对应第一波长λ1、第二波长λ2、第三波长λ3的出光率。因而,可以降低功耗,提高显示面板的寿命。
其它实施例中,盖板层12'还可以包括位于第一发光结构111上的第一区域121,位于第二发光结构112上的第二区域122,以及位于第三发光结构113上的第三区域123中的两个。例如,盖板层12'包括第一区域121与第二区域122时,满足上述条件的第一区域121与第二区域122在出光界面的反射较少,形成了微谐振腔,可同时提高对应第一波长λ1与第二波长λ2的出光率。
为验证上述技术效果,本实施例进行了光学模拟。通过光学模拟,可以得出:盖板层12'的各区域在符合单光程等于对应半波长整数倍时,可提高各个发光结构的出光率。此外,光学调整层12a和平坦化层12b共同影响出光率。第三,光学调整层12a的各参数对出光率的影响程度大于平坦化层12b的各参数对出光率的影响程度。
光学调整层12a的具体材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、IZO、ITO、高分子树脂或PI;平坦化层12b的具体材料可以为PI或SOG(有机硅氧烷树脂)。
此外,平坦化层12b在可见光波长范围内的消光系数优选较小,以避免自身对波的较强吸收,提高出光率。平坦化层12b在可见光波长范围内的消光系数可以为0~0.1。本实施例中,数值范围均包括端点值。
其它实施例中,盖板层12'还可以包括仅包括平坦化层12b。第一区域121、第二区域122、第三区域123中的至少两个满足上述谐振腔条件即可。
图3是本发明第三实施例的顶发光显示面板的截面结构示意图。
参照图3所示,本实施例的顶发光显示面板3与图1、图2中的顶发光显示面板1、2大致相同,区别仅在于:盖板层12与发光结构11之间具有滤色层13。
滤色层13可以包括第一滤色块131、第二滤色块132以及第三滤色块133。第一滤色块131允许第一发光结构111的第一波长λ1的波通过;第二滤色块132允许第二发光结构112的第二波长λ2的波通过;第三滤色块133允许第三发光结构113的第三波长λ3的波通过。
本实施例中,第一滤色块131为红色滤色块,第二滤色块132为绿色滤色块,第三滤色块133为蓝色滤色块。
相邻滤色块之间具有遮光结构14,例如为黑矩阵。
各区域的光学调整层12a在通过图形化工艺选择不同材料和/或厚度时,相邻区域的光学调整层12a通常存在搭接处。遮光结构14对应于搭接处,可对搭接处进行遮光。
滤色层13可提高对应第一波长λ1、第二波长λ2、第三波长λ3的出光单色性。
基于上述顶发光显示面板1、2、3,本发明一实施例还提供一种包括上述任一顶发光显示面板1、2、3的显示装置。显示装置可以为:电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
需要指出的是,在附图中,为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“上”时,它可以直接在其他元件上,或者可以存在中间的层。另外,可以理解,当元件或层被称为在另一元件或层“下”时,它可以直接在其他元件下,或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外,还可以理解,当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时,它可以为两层或两个元件之间唯一的层,或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。
在本发明中,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“若干”指一个、两个或两个以上,除非另有明确的限定。
本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后,将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的,本发明的真正范围和精神由下面的权利要求指出。
应当理解的是,本发明并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构,并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本发明的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (9)

1.一种顶发光显示面板,其特征在于,包括:
基底;
位于所述基底上的发光结构,所述发光结构包括:第一发光结构,第二发光结构以及第三发光结构,所述第一发光结构的发光波长为第一波长,所述第二发光结构的发光波长为第二波长,所述第三发光结构的发光波长为第三波长,所述第一波长大于所述第二波长,所述第二波长大于所述第三波长;
盖板层,位于所述发光结构远离所述基底的一侧;所述盖板层至少包括位于所述第一发光结构上的第一区域,位于所述第二发光结构上的第二区域,以及位于所述第三发光结构上的第三区域中的两个,所述第一区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第一波长的整数倍,所述第二区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第二波长的整数倍,所述第三区域在厚度方向的等效光程的两倍为所述第三波长的整数倍,以使所述盖板层针对不同波长的所述发光结构,形成不同微谐振腔;
所述盖板层包括光学调整层和平坦化层,所述光学调整层位于所述第一区域的部分的厚度、所述光学调整层位于所述第二区域的部分的厚度以及所述光学调整层位于所述第三区域的部分的厚度互不相等,所述平坦化层的折射率小于所述光学调整层的折射率;
所述盖板层与所述发光结构之间具有滤色层,所述滤色层包括第一滤色块、第二滤色块以及第三滤色块;所述第一滤色块允许所述第一发光结构的第一波长的波通过;所述第二滤色块允许所述第二发光结构的第二波长的波通过;所述第三滤色块允许所述第三发光结构的第三波长的波通过;相邻滤色块之间具有遮光结构;所述光学调整层中厚度不同且相邻的部分存在搭接处;所述遮光结构对应于所述搭接处,可对所述搭接处进行遮光。
2.根据权利要求1所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述盖板层包括位于所述第一发光结构上的第一区域,位于所述第二发光结构上的第二区域,以及位于所述第三发光结构上的第三区域。
3.根据权利要求1所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述光学调整层的材料为氮化硅、二氧化硅、氮氧化硅、IZO、ITO、高分子树脂或PI。
4.根据权利要求1所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述平坦化层的材料为PI或SOG。
5.根据权利要求1所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述光学调整层在可见光波长范围内的消光系数不大于0.05。
6.根据权利要求1所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述平坦化层在可见光波长范围内的消光系数为0~0.1。
7.根据权利要求1或2所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述第一发光结构为红光发光结构,所述第二发光结构为绿光发光结构,所述第三发光结构为蓝光发光结构。
8.根据权利要求7所述的顶发光显示面板,其特征在于,所述红光发光结构的红光有机层,和/或所述绿光发光结构的绿光有机层,和/或所述蓝光发光结构的蓝光有机层采用打印法或蒸镀法形成。
9.一种显示装置,其特征在于,包括:权利要求1至8任一项所述的顶发光显示面板。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113193150B (zh) * 2021-04-28 2023-06-16 合肥京东方卓印科技有限公司 顶发光显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653806A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法
CN112103324A (zh) * 2020-09-23 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示面板

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000277266A (ja) * 1999-03-19 2000-10-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 有機電界発光素子
JP2004127588A (ja) * 2002-09-30 2004-04-22 Toyota Industries Corp 発光装置、表示装置及び照明装置
KR100683693B1 (ko) * 2004-11-10 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
KR100715500B1 (ko) * 2004-11-30 2007-05-07 (주)케이디티 미세공동 유기 발광 소자와 광 여기 발광층을 이용한 광원
KR100852111B1 (ko) * 2005-07-13 2008-08-13 삼성에스디아이 주식회사 평판 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR100741100B1 (ko) * 2005-12-20 2007-07-20 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
JP2010518557A (ja) * 2007-02-05 2010-05-27 エルジー・ケム・リミテッド 発光効率に優れた有機発光素子およびその製造方法
JP2008218081A (ja) * 2007-03-01 2008-09-18 Canon Inc 有機el素子アレイ及びその製造方法
KR100813850B1 (ko) * 2007-03-29 2008-03-17 삼성에스디아이 주식회사 발광 장치
KR101094287B1 (ko) * 2009-10-09 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101084243B1 (ko) * 2009-12-14 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
US8884316B2 (en) * 2011-06-17 2014-11-11 Universal Display Corporation Non-common capping layer on an organic device
TWI506835B (zh) * 2012-07-10 2015-11-01 Innocom Tech Shenzhen Co Ltd 有機發光二極體、包含其之顯示面板及顯示裝置
KR102131965B1 (ko) * 2013-11-19 2020-07-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치
KR102122335B1 (ko) * 2013-12-27 2020-06-12 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시장치
CN104091895B (zh) * 2014-06-30 2016-10-05 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管基板及其制作方法、显示装置
CN105098094B (zh) * 2015-07-20 2017-11-17 上海和辉光电有限公司 显示面板及其oled元件
JP2017072812A (ja) * 2015-10-09 2017-04-13 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102631878B1 (ko) * 2016-06-28 2024-01-30 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
CN107134536B (zh) * 2017-05-10 2019-03-01 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管及其制造方法、显示面板、显示装置
CN108365115B (zh) * 2017-08-29 2019-07-19 广东聚华印刷显示技术有限公司 电致发光器件、显示面板及其制作方法
CN107958963A (zh) * 2017-12-14 2018-04-24 安徽熙泰智能科技有限公司 全彩化oled微显示器件及其制备方法
CN108281465B (zh) * 2018-01-03 2021-01-15 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板和显示装置
CN208256731U (zh) * 2018-03-26 2018-12-18 云谷(固安)科技有限公司 顶发光有机电致发光装置
CN108807716A (zh) * 2018-08-06 2018-11-13 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
CN109728198A (zh) * 2019-01-02 2019-05-07 合肥鑫晟光电科技有限公司 有机发光二极管显示基板及其制作方法
CN109686864A (zh) * 2019-01-23 2019-04-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 有机发光装置、显示装置
CN109888118A (zh) * 2019-03-22 2019-06-14 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板及显示装置
CN110890478B (zh) * 2019-11-29 2022-05-03 武汉天马微电子有限公司 有机发光显示面板及有机发光显示装置
CN111129359A (zh) * 2019-12-09 2020-05-08 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种掩膜板组、oled面板及其制备方法
CN113193150B (zh) * 2021-04-28 2023-06-16 合肥京东方卓印科技有限公司 顶发光显示面板及显示装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106653806A (zh) * 2016-11-30 2017-05-10 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示面板、电子设备及其制作方法
CN112103324A (zh) * 2020-09-23 2020-12-18 京东方科技集团股份有限公司 显示装置及其显示面板

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