KR100683693B1 - 발광 장치 - Google Patents
발광 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR100683693B1 KR100683693B1 KR1020040091490A KR20040091490A KR100683693B1 KR 100683693 B1 KR100683693 B1 KR 100683693B1 KR 1020040091490 A KR1020040091490 A KR 1020040091490A KR 20040091490 A KR20040091490 A KR 20040091490A KR 100683693 B1 KR100683693 B1 KR 100683693B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- layer
- light emitting
- emitting device
- light
- thickness
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 81
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 28
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 9
- 239000004965 Silica aerogel Substances 0.000 claims description 7
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 claims description 7
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 claims description 7
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N hafnium(iv) oxide Chemical compound O=[Hf]=O CJNBYAVZURUTKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910000484 niobium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N niobium(5+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Nb+5].[Nb+5] URLJKFSTXLNXLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims description 4
- OINMNSFDYTYXEQ-UHFFFAOYSA-M 2-bromoethyl(trimethyl)azanium;bromide Chemical compound [Br-].C[N+](C)(C)CCBr OINMNSFDYTYXEQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims 6
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 claims 6
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 claims 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 11
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 9
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 297
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 10
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 9
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Inorganic materials [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene dihydroxythiophene Polymers 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 4-(4-anilinophenyl)-3-naphthalen-1-yl-n-phenylaniline Chemical compound C=1C=C(C=2C(=CC(NC=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=CC=1NC1=CC=CC=C1 YOZHUJDVYMRYDM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC=CC=2)C=C1 MBPCKEZNJVJYTC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 1
- GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N antimony(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sb+3].[Sb+3] GHPGOEFPKIHBNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 1
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006068 polycondensation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N potassium sulfide Chemical class [S-2].[K+].[K+] DPLVEEXVKBWGHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/876—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/852—Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
- H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
- H01L33/465—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector with a resonant cavity structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
Description
실시예2의 색좌표(x,y) | 비교예(Ⅰ)의 색좌표(x,y) | |
적색 | 0.665, 0.334 | 0.647, 0.352 |
청색 | 0.173, 0.300 | 0.172, 0.278 |
녹색 | 0.316, 0.635 | 0.297, 0.652 |
Claims (67)
- 기판;상기 기판 상에 구비된 발광 소자;상기 발광 소자의 외측에 위치하는 것으로, 상기 발광 소자로부터 방출되는 빛을 공진시키는 광공진층; 및상기 광공진층과 상기 발광 소자의 사이에 개재되는 중간층;을 포함하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 광공진층은, 상기 발광 소자로부터 멀어지는 방향으로 순차로 적층된 제1층 및 제2층을 갖되, 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층의 굴절율 차이는 0.2이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1층의 굴절율이 1~1.6인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제2층의 굴절율이 1.6~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 제2층은 실리콘나이트라이드, 티타늄옥사이드, 하프늄다이옥사이드, 니오븀옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 안티몬옥사이드, 합성폴리머, 또는 BCB를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1층보다 치밀한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제2항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제11항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층과 제2층 사이의 계면까지의 두께를 t1이라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t1이 하기 수학식 1을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t1=(nλ)/2, n은 자연수 - 제12항에 있어서,상기 t1은 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제11항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제2층의 외측면까지의 두께를 t2라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t2가 하기 수학식 2를 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t2=(2n+1)λ/4, n은 자연수 - 제14항에 있어서,상기 t2는 상기 제2층의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항에 있어서,상기 광공진층은 굴절율이 1~1.6인 제1층을 포함하고,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제16항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제16항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제16항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제19항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층의 외측면까지의 두께를 t3라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t3가 하기 수학식 3을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t3=(nλ)/2, n은 자연수 - 제20항에 있어서,상기 t3는 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 기판;상기 기판 상에 구비된 발광 소자;상기 발광 소자와 상기 기판 사이에 개재된 것으로, 상기 발광 소자로부터 방출되는 빛을 공진시키는 광공진층; 및상기 광공진층과 상기 발광 소자의 사이에 개재된 중간층;을 포함하는 발광 장치.
- 제22항에 있어서,상기 광공진층은, 상기 발광 소자로부터 멀어지는 방향으로 순차로 적층된 제1층 및 제2층을 갖되, 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층의 굴절율 차이는 0.2이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 제1층의 굴절율이 1~1.6인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마 그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 제2층의 굴절율이 1.6~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 제2층은 실리콘나이트라이드, 티타늄옥사이드, 하프늄다이옥사이드, 니오븀옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 안티몬옥사이드, 합성폴리머, 또는 BCB를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1층보다 치밀한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라 이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제23항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제32항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층과 제2층 사이의 계면까지의 두께를 t4라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t4가 하기 수학식 4를 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t4=(nλ)/2, n은 자연수 - 제33항에 있어서,상기 t4는 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제32항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제2층의 외측면까지의 두께를 t5라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t5가 하기 수학식 5를 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t5=(2n+1)λ/4, n은 자연수 - 제35항에 있어서,상기 t5는 상기 제2층의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제22항에 있어서,상기 광공진층은 굴절율이 1~1.6인 제1층을 포함하고,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제37항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제37항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제37항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제40항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층의 외측면까지의 두께를 t6라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t6가 하기 수학식 6을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t6=(nλ)/2, n은 자연수 - 제41항에 있어서,상기 t6는 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 기판;상기 기판 상에 구비된 발광 소자;상기 발광 소자 상에 위치한 것으로, 상기 발광 소자로부터 방출되는 빛을 공진시키는 광공진층; 및상기 광공진층과 상기 발광 소자의 사이에 개재된 중간층;을 포함하는 발광 장치.
- 제43항에 있어서,상기 광공진층은, 상기 발광 소자로부터 멀어지는 방향으로 순차로 적층된 제1층 및 제2층을 갖되, 상기 제2층은 상기 제1층보다 높은 굴절율을 갖는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 제1층과 상기 제2층의 굴절율 차이는 0.2이상인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 제1층의 굴절율이 1~1.6인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 제2층의 굴절율이 1.6~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 제2층은 실리콘나이트라이드, 티타늄옥사이드, 하프늄다이옥사이드, 니오븀옥사이드, 탄탈륨옥사이드, 안티몬옥사이드, 합성폴리머, 또는 BCB를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 중간층은 상기 제1층보다 치밀한 물질로 구비된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제44항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제53항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층과 제2층 사이의 계면까지의 두께를 t7이라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t7이 하기 수학식 7을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t7=(nλ)/2, n은 자연수 - 제54항에 있어서,상기 t7은 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제53항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제2층의 외측면까지의 두께를 t8이라 하고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t8이 하기 수학식 8을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t8=(2n+1)λ/4, n은 자연수 - 제56항에 있어서,상기 t8은 상기 제2층의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제43항에 있어서,상기 광공진층은 굴절율이 1~1.6인 제1층을 포함하고,상기 중간층은 굴절율이 1.3~2.3인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제58항에 있어서,상기 제1층은 나노포러스실리카(Nano porous silica), 실록산(siloxane), 마그네슘플로라이드, 칼슘플로라이드, 테프론, 실리카에어로젤, 또는 실리콘옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제58항에 있어서,상기 중간층은 오모서(ORMOCER), 실리콘옥사이드, BCB, 또는 실리콘나이트라이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제58항에 있어서,상기 발광 소자는 서로 대향된 한 쌍의 전극들과, 상기 전극들 사이에 개재된 발광층을 포함하고,상기 발광 소자의 전극들 중 어느 하나는 상기 발광층으로부터 방출된 빛을 반사하는 반사막을 포함하며,상기 광공진층은 상기 발광층을 중심으로 상기 반사막에 대향되게 위치하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제61항에 있어서,상기 반사막의 반사계면으로부터 상기 제1층의 외측면까지의 두께를 t9라 하 고, 상기 발광층에서 방출되는 광의 파장을 λ라고 할 때, 상기 t9가 하기 수학식 9을 만족시키는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
t9=(nλ)/2, n은 자연수 - 제62항에 있어서,상기 t9는 상기 제1층 및 중간층 중 적어도 하나의 두께에 의해 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 상기 발광소자에 전기적으로 연결된 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광소자는, 상기 발광층이 적색, 녹색, 및 청색 발광층으로 구비된 적색, 녹색 및 청색 화소를 포함하고,상기 광공진층은 상기 적색, 녹색, 및 청색 화소별로 그 두께가 다르게 되도록 구비된 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광소자는 유기 전계 발광 소자인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
- 제1항 내지 제63항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광소자는 무기 전계 발광 소자인 것을 특징으로 하는 발광 장치.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040091490A KR100683693B1 (ko) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 발광 장치 |
JP2005192253A JP4722590B2 (ja) | 2004-11-10 | 2005-06-30 | 発光装置 |
EP05110520A EP1657764B1 (en) | 2004-11-10 | 2005-11-09 | Light-emitting device having an optical resonance layer |
DE602005018881T DE602005018881D1 (de) | 2004-11-10 | 2005-11-09 | Lichtemittierende Vorrichtung mit optischer Resonanzschicht |
US11/269,575 US8525154B2 (en) | 2004-11-10 | 2005-11-09 | Light-emitting device having optical resonance layer |
CN2005100230184A CN1805161B (zh) | 2004-11-10 | 2005-11-10 | 具有光学谐振层的发光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040091490A KR100683693B1 (ko) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 발광 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20060042728A KR20060042728A (ko) | 2006-05-15 |
KR100683693B1 true KR100683693B1 (ko) | 2007-02-15 |
Family
ID=35456903
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020040091490A KR100683693B1 (ko) | 2004-11-10 | 2004-11-10 | 발광 장치 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8525154B2 (ko) |
EP (1) | EP1657764B1 (ko) |
JP (1) | JP4722590B2 (ko) |
KR (1) | KR100683693B1 (ko) |
CN (1) | CN1805161B (ko) |
DE (1) | DE602005018881D1 (ko) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101065404B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
Families Citing this family (61)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4609044B2 (ja) * | 2004-11-18 | 2011-01-12 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器 |
KR100741100B1 (ko) * | 2005-12-20 | 2007-07-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
US9951438B2 (en) | 2006-03-07 | 2018-04-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
WO2007143197A2 (en) | 2006-06-02 | 2007-12-13 | Qd Vision, Inc. | Light-emitting devices and displays with improved performance |
US9701899B2 (en) | 2006-03-07 | 2017-07-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Compositions, optical component, system including an optical component, devices, and other products |
WO2007117668A2 (en) | 2006-04-07 | 2007-10-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
WO2007120877A2 (en) * | 2006-04-14 | 2007-10-25 | Qd Vision, Inc. | Transfer surface for manufacturing a light emitting device |
JP4939104B2 (ja) * | 2006-04-25 | 2012-05-23 | パナソニック株式会社 | 有機el素子 |
WO2008111947A1 (en) | 2006-06-24 | 2008-09-18 | Qd Vision, Inc. | Methods and articles including nanomaterial |
US20080012027A1 (en) * | 2006-07-13 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device, and method of fabricating light-emitting element |
JP4658877B2 (ja) * | 2006-08-07 | 2011-03-23 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 有機発光表示装置 |
TWI308805B (en) * | 2006-09-22 | 2009-04-11 | Innolux Display Corp | Active matrix oled and fabricating method incorporating the same |
KR100811502B1 (ko) * | 2007-01-23 | 2008-03-07 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
JP2010518557A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | エルジー・ケム・リミテッド | 発光効率に優れた有機発光素子およびその製造方法 |
KR100813850B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-03-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 장치 |
WO2009014590A2 (en) | 2007-06-25 | 2009-01-29 | Qd Vision, Inc. | Compositions and methods including depositing nanomaterial |
WO2009099425A2 (en) * | 2008-02-07 | 2009-08-13 | Qd Vision, Inc. | Flexible devices including semiconductor nanocrystals, arrays, and methods |
KR100922763B1 (ko) | 2008-03-13 | 2009-10-21 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
KR101115154B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2012-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 유기 발광 소자 및 이의 제조방법 |
KR100953658B1 (ko) * | 2008-06-05 | 2010-04-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치 |
KR101603314B1 (ko) * | 2008-09-11 | 2016-03-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101193184B1 (ko) * | 2009-11-26 | 2012-10-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 이를 제조 하는 방법 |
KR101155904B1 (ko) | 2010-01-04 | 2012-06-20 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101084197B1 (ko) | 2010-02-24 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101097335B1 (ko) | 2010-02-25 | 2011-12-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
JP5567369B2 (ja) * | 2010-03-26 | 2014-08-06 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機電界発光素子及びこれを使用した有機電界発光ディスプレイ |
KR101983229B1 (ko) * | 2010-07-23 | 2019-05-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
JP2012079555A (ja) * | 2010-10-01 | 2012-04-19 | Toshiba Tec Corp | 有機el装置および印刷装置 |
KR20120043438A (ko) * | 2010-10-26 | 2012-05-04 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101804360B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2017-12-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101858636B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2018-05-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR20120139386A (ko) * | 2011-06-17 | 2012-12-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR101893355B1 (ko) | 2011-06-30 | 2018-10-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR101393703B1 (ko) * | 2012-04-13 | 2014-05-14 | 한국기계연구원 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9929325B2 (en) | 2012-06-05 | 2018-03-27 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lighting device including quantum dots |
KR20140033867A (ko) | 2012-09-11 | 2014-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
KR101970567B1 (ko) * | 2012-12-14 | 2019-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 패널 |
CN104009183A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104009170A (zh) * | 2013-02-26 | 2014-08-27 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
KR102215147B1 (ko) * | 2014-08-14 | 2021-02-15 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20160036722A (ko) * | 2014-09-25 | 2016-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102231631B1 (ko) * | 2014-10-08 | 2021-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102298757B1 (ko) | 2014-10-24 | 2021-09-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR20160083986A (ko) * | 2015-01-02 | 2016-07-13 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
KR102377490B1 (ko) * | 2015-03-24 | 2022-03-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
NL2015347B1 (en) | 2015-08-25 | 2017-03-16 | Heerema Marine Contractors Nl | Method for installing a subsea jumper as well as subsea jumper. |
KR102300621B1 (ko) * | 2016-04-07 | 2021-09-13 | 한국전자통신연구원 | 이중모드 디스플레이 |
KR102529270B1 (ko) | 2016-07-08 | 2023-05-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 이의 영상 표시 방법 |
KR102622390B1 (ko) | 2016-09-20 | 2024-01-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
JP2018049983A (ja) * | 2016-09-23 | 2018-03-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
KR20180061866A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 봉지 유닛 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
KR102329388B1 (ko) * | 2017-05-24 | 2021-11-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
KR102326303B1 (ko) | 2017-07-11 | 2021-11-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광소자를 이용한 조명장치 |
CN108597386B (zh) | 2018-01-08 | 2020-12-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 彩膜、微led器件及其制作方法、显示装置 |
CN108231857B (zh) * | 2018-01-19 | 2021-04-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled微腔结构及其制备方法、显示装置 |
CN108682681B (zh) | 2018-05-25 | 2021-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法以及显示器件 |
KR102545322B1 (ko) | 2018-07-25 | 2023-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 소자를 이용한 조명 장치 |
JP2022544492A (ja) * | 2019-08-13 | 2022-10-19 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | Oledディスプレイ用の共通rgb共振層 |
WO2022124401A1 (ja) * | 2020-12-11 | 2022-06-16 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置および電子機器 |
CN113193150B (zh) * | 2021-04-28 | 2023-06-16 | 合肥京东方卓印科技有限公司 | 顶发光显示面板及显示装置 |
CN116845700A (zh) * | 2023-05-26 | 2023-10-03 | 武汉敏芯半导体股份有限公司 | 复合钝化层及其制作方法、光电设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08213174A (ja) * | 1992-09-22 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 有機発光素子とその基板 |
JPH08250786A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 多重共振構造を有する発光素子 |
JPH10177896A (ja) | 1998-01-05 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001210471A (ja) | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Motorola Inc | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0766856B2 (ja) | 1986-01-24 | 1995-07-19 | 株式会社小松製作所 | 薄膜el素子 |
JPS63172691A (ja) | 1987-01-12 | 1988-07-16 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | 平版印刷方法 |
JPH01220394A (ja) | 1988-02-29 | 1989-09-04 | Hitachi Ltd | 高輝度el素子 |
US5405710A (en) | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
US5478658A (en) | 1994-05-20 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Article comprising a microcavity light source |
US5814416A (en) * | 1996-04-10 | 1998-09-29 | Lucent Technologies, Inc. | Wavelength compensation for resonant cavity electroluminescent devices |
US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
JP2991183B2 (ja) | 1998-03-27 | 1999-12-20 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
GB9807692D0 (en) | 1998-04-14 | 1998-06-10 | Univ Strathclyde | Optival devices |
GB2353400B (en) | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
JP2001071558A (ja) | 1999-09-03 | 2001-03-21 | Futaba Corp | Elプリンタ及びel素子 |
KR100748818B1 (ko) * | 2000-08-23 | 2007-08-13 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 표시장치 |
JP2003123987A (ja) | 2001-10-11 | 2003-04-25 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 光共振器 |
KR100875097B1 (ko) * | 2002-09-18 | 2008-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자 |
TW200409378A (en) * | 2002-11-25 | 2004-06-01 | Super Nova Optoelectronics Corp | GaN-based light-emitting diode and the manufacturing method thereof |
JP4356308B2 (ja) | 2002-11-29 | 2009-11-04 | 三菱化学株式会社 | 多孔性シリカ膜、それを有する積層基板、それらの製造方法およびエレクトロルミネッセンス素子 |
US6861800B2 (en) * | 2003-02-18 | 2005-03-01 | Eastman Kodak Company | Tuned microcavity color OLED display |
TWI282699B (en) * | 2005-03-14 | 2007-06-11 | Au Optronics Corp | Method of fabrication organic light emitting diode display |
-
2004
- 2004-11-10 KR KR1020040091490A patent/KR100683693B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-06-30 JP JP2005192253A patent/JP4722590B2/ja active Active
- 2005-11-09 EP EP05110520A patent/EP1657764B1/en active Active
- 2005-11-09 DE DE602005018881T patent/DE602005018881D1/de active Active
- 2005-11-09 US US11/269,575 patent/US8525154B2/en active Active
- 2005-11-10 CN CN2005100230184A patent/CN1805161B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08213174A (ja) * | 1992-09-22 | 1996-08-20 | Hitachi Ltd | 有機発光素子とその基板 |
JPH08250786A (ja) * | 1995-01-10 | 1996-09-27 | Hitachi Ltd | 多重共振構造を有する発光素子 |
JPH10177896A (ja) | 1998-01-05 | 1998-06-30 | Hitachi Ltd | 有機発光素子 |
JPH11224783A (ja) * | 1998-02-04 | 1999-08-17 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2001210471A (ja) | 2000-01-27 | 2001-08-03 | Motorola Inc | 有機エレクトロルミネッセンス装置 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
11224783 * |
13210471 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101065404B1 (ko) * | 2009-12-10 | 2011-09-16 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US8610149B2 (en) | 2009-12-10 | 2013-12-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060097264A1 (en) | 2006-05-11 |
EP1657764B1 (en) | 2010-01-13 |
US8525154B2 (en) | 2013-09-03 |
JP4722590B2 (ja) | 2011-07-13 |
CN1805161A (zh) | 2006-07-19 |
CN1805161B (zh) | 2011-11-16 |
DE602005018881D1 (de) | 2010-03-04 |
EP1657764A1 (en) | 2006-05-17 |
JP2006140130A (ja) | 2006-06-01 |
KR20060042728A (ko) | 2006-05-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100683693B1 (ko) | 발광 장치 | |
US8865320B2 (en) | Light-emitting device | |
KR101380869B1 (ko) | 미소공진기 색변환 el소자 및 이것을 이용한 유기 el디스플레이 | |
CN100472839C (zh) | 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 | |
US20060152151A1 (en) | Organic light emitting display with color filter layer | |
US8187482B2 (en) | Flat panel display and method of manufacturing the same | |
US8946686B2 (en) | Organic EL display device with a multi-layered, resin-based planarization film | |
JP2010056015A (ja) | 表示装置及びその製造方法 | |
JP5562379B2 (ja) | 有機発光素子及びそれを利用した発光装置、表示装置 | |
CN101267698A (zh) | 有机el器件 | |
US11758749B2 (en) | Organic EL element having one functional layer with NaF and the other functional layer with Yb | |
CN103227187A (zh) | 发光装置、图像形成装置、显示装置和摄像装置 | |
KR100741100B1 (ko) | 발광 장치 | |
KR100683670B1 (ko) | 광학적 미세공동층을 포함하는 유기 전계 발광 표시장치 | |
KR100615185B1 (ko) | 전계 발광 소자 | |
KR101358782B1 (ko) | 유기 발광 표시장치 | |
KR100573106B1 (ko) | 광 공진기를 구비한 유기 전계 발광 소자 | |
JP7412969B2 (ja) | 表示パネルおよび表示パネルの製造方法 | |
JP7031898B2 (ja) | 発光素子、自発光パネル、および、発光素子の製造方法 | |
US11495777B2 (en) | Self-luminous element, self-luminous panel, and self-luminous panel manufacturing method | |
JP2004342468A (ja) | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130205 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140129 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150130 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180201 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190129 Year of fee payment: 13 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200203 Year of fee payment: 14 |