CN100472839C - 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 - Google Patents

层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 Download PDF

Info

Publication number
CN100472839C
CN100472839C CNB2004100684445A CN200410068444A CN100472839C CN 100472839 C CN100472839 C CN 100472839C CN B2004100684445 A CNB2004100684445 A CN B2004100684445A CN 200410068444 A CN200410068444 A CN 200410068444A CN 100472839 C CN100472839 C CN 100472839C
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
electrode
light
stepped construction
silver
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB2004100684445A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1575063A (zh
Inventor
横山诚一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
Publication of CN1575063A publication Critical patent/CN1575063A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100472839C publication Critical patent/CN100472839C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553—Reflecting elements
    • G02F1/133555—Transflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343—Electrodes
    • G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/81—Anodes
    • H10K50/813—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80517—Multilayers, e.g. transparent multilayers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
    • G02F1/136295—Materials; Compositions; Manufacture processes
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/02—Function characteristic reflective
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24479—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including variation in thickness
    • Y10T428/24612—Composite web or sheet

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)

Abstract

本发明提供一种能通过阻止绝缘膜的沉积失败或成孔来减小缺陷的层叠结构、其制造方法和一种显示单元。所述层叠结构作为有机发光元件的阳极提供在基板的平坦表面上。在所述层叠结构中，由ITO制成的粘合层、由银或含银合金制成的反射电极和由ITO制成的阻挡层依照这个顺序从所述基板侧层叠。在层叠方向上，所述层叠结构的横截面形状是一个向前的锥形形状。所述的粘合层、反射层和阻挡层的侧壁面被绝缘膜完全地覆盖，阻止了所述绝缘膜的沉积失败或成孔。由所述侧壁面和所述平表面构成的锥度角优选从10°到70°。所述层叠结构可以用作液晶显示器的反射电极、反射膜或配线。

Description

层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元
技术领域
本发明涉及一种适于作为反射电极、反射膜、配线或类似物的层叠结构及其制造方法、一种使用该结构的显示元件和一种显示单元。
背景技术
近几年，作为平板显示器的一种，使用有机发光元件的有机发光显示器已经受到关注。由于它是自发光型显示器，因此有机发光显示器具有视角宽和能量消耗低的特性。有机发光显示器也被认为是对于高清晰度和高速视频信号具有充分响应的显示器，并且向着实际应用的方向发展。
作为有机发光元件，例如已知的叠层，其中第一电极、包括发光层的有机层和第二电极顺序地层叠在带有TFT(薄膜晶体管)，中间有平面化层等的基板上。发光层产生的光在一些情况下可以从基板侧引出，在其他情况下可以从第二电极侧引出。
作为在其侧引出光的电极，经常使用由具有透明度的导电材料，如含有铟(In)、锡(Sn)和氧(O)(ITO：铟锡氧化物)的化合物制成的透明电极。通常地，已经提出了各种各样的透明电极的结构。例如，为了避免由于厚的ITO膜造成的成本升高，已经提出了一种透明电极(例如，参见日本待审专利申请，公开号No.2002-234792)，其中将由银(Ag)或类似物制成的金属薄膜和由氧化锌(ZnO)制成的高折射率的薄膜层叠。在该透明电极中，高折射率薄膜的厚度设在5nm到350nm，金属薄膜的厚度设在1nm到50nm。就是说，高折射率薄膜的厚度比金属薄膜的厚度相对要厚，以提高透明度。另外，金属薄膜表面上的反射被高折射率薄膜削弱。
各种各样的金属电极经常被用于其侧没有光引出的电极。例如，当光从第二电极侧引出时，作为阳极的第一电极由例如金属，诸如铬(Cr)制成。通常，例如，提议第一电极被构造为两层结构，该两层结构包括由铬制成的金属材料层和由包含铬的氧化物制成的缓冲薄膜层，制造金属材料层的铬的表面粗糙度通过缓冲薄膜层来削弱(例如，参见日本待审专利申请，公开号No.2002-216976)。
当光从第二电极侧引出时，在一些情况下，发光层产生的光直接通过第二电极引出，但其他情况下发光层产生的光通过第一电极反射一次，并通过第二电极发出。通常，第一电极由铬或类似物来制造。因而存在的问题是第一电极内的光吸收率较大，且经过第一电极反射后引出光的损失较大。第一电极内的光吸收率对有机发光层有明显的影响。当发光效率低时，为了获得同样的强度所必需的电流增大。驱动电流的增加明显影响元件的寿命，这对于有机发光元件的实际应用是非常重要的。
因此，可以考虑第一电极由在金属中具有最高反射率的银(Ag)或含有银的合金制成。在这种情况下，由于银非常活跃，为了阻止它恶化或腐蚀，在银层表面上提供缓冲薄膜层或类似物，就像前述的常规技术中一样，被认为是有益的。
然而，当第一电极具有在银层表面上提供有缓冲薄膜层的层叠结构时，存在的危险是，如果使用常规的用于将银图案化的湿式蚀刻技术，第一电极满意的图案化变得困难。其原因是在银层与缓冲薄膜层的蚀刻速率之间有差值，以至于只有在银层中的蚀刻可以迅速的进行。当第一电极的形状不合格时，覆盖第一电极侧表面的绝缘膜就会沉积失败或成孔(holes)，导致引发有机发光元件的缺陷。用于银的干式蚀刻技术至今没有进展。
发明内容
根据前面所述的，本发明的目的是提供一种能通过阻止绝缘膜的沉积失败和成孔来减小缺陷的层叠结构、其制造方法、一种显示元件和一种显示单元。
依照本发明的所述层叠结构被提供在具有平坦表面的基板的表面上。所述层叠结构通过层叠多个层来制造，在层叠方向上，它的横截面形状是一个向前的锥形形状。由所述多个层的侧壁面与基板的所述平坦表面构成的锥度角优选在10°到70°的范围内。这里，所述侧壁面是所述多个层的侧壁面，当所述多个层的横截面是线形平面时，所述侧壁面指平面。然而，当它的横截面不是线形，以至于侧壁面向内弯曲，就是说，不是平面时，所述侧壁面指通过所述层叠结构的下端面和上端面之间的线(面)构成的虚面。包括发光层的有机层和第二电极可能顺序地层叠在这样的层叠结构上，并且发光层产生的光从所述第二电极侧引出。另外，与液晶显示元件的像素电极电连接的驱动元件和配线也可能提供在这样的层叠结构上。此外，这样的层叠结构可以作为液晶显示元件的反射电极。
依照本发明的制造所述层叠结构的方法，其包括下述步骤：在基板的平坦表面上顺序层叠多个层；在所述多个层上形成掩模；和通过利用所述掩模将所述多个层同时全部蚀刻，以一个向前的锥形形状形成所述多个层的侧壁面。
依照本发明的显示元件，含有一层叠结构，其包括在基板平坦表面上的多个层。在层叠方向上，所述层叠结构的横截面形状是一个向前的锥形形状。
依照本发明的显示单元，在基板平坦表面上含有多个显示元件。所述显示元件包括一层叠结构，所述层叠结构包括多个层，在层叠方向上，所述层叠结构的横截面形状是一个向前的锥形形状。
在所述的依照本发明的层叠结构、显示元件和显示单元中，在层叠方向上的所述横截面形状是一个向前的锥形形状。因此当其他膜覆盖所述层叠结构时，所述侧壁面上的覆盖度被提高，且阻止了沉积失败、成孔等。
在依照本发明的制造所述层叠结构的方法中，所述多个层顺序地层叠在所述基板的平坦表面上，然后在所述多个层上形成掩模。接下来，通过利用所述掩模将所述多个层同时全部蚀刻，以一个向前的锥形形状形成所述多个层的侧壁面。
本发明其他和更多的目的、特征和优点将从下面的描述而变得更加充分。
附图说明
图1是依照本发明的第一实施方案的显示单元结构的横截面图；
图2是不同于图1中示出的层叠结构形状的一个实施例的横截面图；
图3是不同于图1中示出的层叠结构形状的另外一个实施例的横截面图；
图4是不同于图1中示出的层叠结构形状的另外一个实施例的横截面图；
图5是图1中示出的有机发光元件的放大结构的横截面图；
图6是图1中示出的有机发光元件的放大结构的横截面图；
图7A和7B是按步骤顺序地制造图1中示出的显示单元的方法；
图8A、8B和8C是图7A和7B之后的步骤的横截面图；
图9A和9B是图8A、8B和8C之后的步骤的横截面图；
图10是图9A和9B之后的步骤的横截面图；
图11A和11B是图10之后的步骤的横截面图；
图12是图11A和11B之后的步骤的横截面图；
图13是图12之后的步骤的横截面图；
图14是图13之后的步骤的横截面图；
图15是图14之后的步骤的横截面图；
图16是图15之后的步骤的横截面图；
图17A和17B是图16之后的步骤的横截面图；
图18是图17A和17B之后的步骤的横截面图；
图19是依照本发明的第二实施方案的显示单元结构的横截面图；
图20是依照本发明改进的显示单元结构的横截面图；和
图21是依照本发明另一个改进的显示单元结构的横截面图。
具体实施方式
在下文将参照附图对本发明的实施方案进行详细地描述。
[第一实施方案]
图1是依照本发明的第一实施方案的显示单元结构的横截面图。所述显示单元被用作超薄有机发光显示器。驱动面板10和密封面板20彼此面对面地排列，它们的整个表面用由热硬性树脂制成的粘合剂层30结合在一起。在驱动面板10中，在基板11上以矩阵的形状为整体，顺序地提供发射红光的有机发光元件10R、发射绿光的有机发光元件10G、发射蓝光的有机发光元件10B，所述基板11由带有TFT12和中间平面化层13的绝缘材料例如玻璃制成。
TFT12的栅电极(没有示出)与没有示出的扫描电路相连。源极和漏极(没有示出)与配线12B相连，所述配线12B经过由例如二氧化硅、PSG(磷-硅酸盐玻璃)或类似物制成的夹层绝缘膜12A提供。配线12B通过提供在夹层绝缘膜12A上的没有示出的连接孔与TFT12的源极和漏极相连，以作为信号线。配线12B由例如铝(Al)或铝(Al)-铜(Cu)合金制成。TFT12的结构没有特别限制，例如既可以是底部栅极型，也可以是顶部栅极型。
平面化层13的作用是将基板11的表面平面化，其中形成TFT12以形成一个平坦表面11A，并均匀地形成有机发光元件10R、10G和10B各自层的膜厚度。在平面化层13中，提供连接孔13A，所述连接孔13A将有机发光元件10R、10G和10B的叠层结构14与配线12B相连。因为在平面化层13中形成所述细的连接孔13A，所以平面化层13优选由具有极好的图案精确性的材料制成。作为用于平面化层13的材料，可以使用有机材料例如聚酰亚胺，或无机材料如二氧化硅(SiO2)。在这个实施方案中，平面化层13由有机材料例如聚酰亚胺制成。
在有机发光元件10R、10G和10B中，例如从基板11侧，作为阳极的层叠结构(第一电极)14、绝缘膜15、包含发光层的有机层16和作为阴极的公共电极(第二电极)17按照这个顺序与TFT12和中间平面化层13层叠。在公共电极17上，有必要形成保护膜。
层叠结构14与各自的有机发光元件10R、10G和10B对应形成在基板11的平坦表面11A上。在层叠结构14中，多个层被层叠。在层叠方向上，层叠结构14的横截面形状是向前的锥形形状。
层叠结构14也具有作为反射层的功能。为了提高发光效率，希望层叠结构14具有尽可能高的反射率。因而，层叠结构14优选包括一个由银(Ag)或含有银的合金制成的反射层14A，因为银在金属中具有最高的反射率，并且能够削弱反射层14A中的光吸收损失。由于能获得最高的反射率，因此不必说优选用银制造反射层14A。但也优选反射层14A由银与其他金属的合金制成，因为能够提高化学稳定性和处理精确性，并能提高反射层14A与粘合层14B之间以及反射层14A与下面提到的阻挡层14C之间的附着力。银非常活跃，并具有低的处理精确性和附着力，因此处理极其困难。
在层叠方向上，反射层14A的膜厚度(下文中简称膜厚度)优选例如从50nm到200nm。当膜厚度在这个范围内时，可以获得高反射率。另外，膜厚度更优选从50nm到150nm。其原因是，通过减小反射层14A的膜厚度，它的表面粗糙度被减小。因此，可以减小后面提到的阻挡层14C的膜厚度，以提高光引出率。另外，通过减小反射层14A的膜厚度，则可能减小反射层14A的表面粗糙度，该粗糙度是由于反射层14A在制造过程中的加热处理而结晶造成的，并有可能阻止由于反射层14A的表面粗糙度引起的阻挡层14C的缺陷增加。
例如优选在层叠结构14中，粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C按照这个顺序从基板11侧层叠。在基板的平坦表面11A与反射层14A之间提供粘合层14B，以阻止反射层14A从平面化层13上分离。阻挡层14C阻止制造反射层14A的银或含银合金与空气中的氧或硫反应。阻挡层14C也具有作为保护膜的功能，以减小在反射层14A形成以后制造过程对反射层14A的损害。阻挡层14C也具有作为表面平面化膜的功能，其减小了由银或含银合金制成的反射层14A的表面粗糙度。
阻挡层14C优选由，例如金属化合物或含有从由下列物质构成的组中选出的至少一种成分的导电氧化物制成：铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)。特定地，阻挡层14C优选由从下列物质构成的组中选出的至少一种制成：含有铟(In)、锡(Sn)和氧(O)的化合物(ITO：铟锡氧化物)；含有铟(In)、锌(Zn)和氧(O)的化合物(IZO：铟锌氧化物)；氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)。这些材料适合的原因如下。通过使用这些材料作为阻挡层14C，能够提高层叠结构14的平面化度。因而，有机层16各自层的膜厚度变得均匀，所以在层叠结构14与公共电极17之间没有由于缺少有机层16的膜厚度而造成的短路的危险。另外，尤其当形成后面提到的共振腔结构时，能够阻止像素内的颜色不均衡，并且能够提高颜色再现性。另外，由于这些材料在可见光区域具有非常小的光吸收，因此能够减小阻挡层14C中的光吸收损失，并能够提高光引出率。而且，阻挡层14C也具有作为功函数调节层的功能，以提高进入有机层16内的空穴注入效率。因此，阻挡层14C优选由具有比反射层14A高的功函数的材料制成。特别地，考虑到生产率，特别优选ITO和IZO。
为了使作为上面提到的保护膜的功能可靠，阻挡层14C的膜厚度优选例如从1nm到50nm。另外，为了提高光引出率，阻挡层14C的膜厚度更优选从3nm到15nm。
例如，粘合层14B优选由金属化合物或含有从由下列物质构成的组中选出的至少一种成分的导电氧化物制成：铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)。特别地，粘合剂层14B优选由从下列物质构成的组中选出的至少一种制成：含有铟(In)、锡(Sn)和氧(O)的化合物(ITO：铟锡氧化物)；含有铟(In)、锌(Zn)和氧(O)的化合物(IZO：铟锌氧化物)；氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)。这些材料适合的原因如下。就是说，当蚀刻阻挡层14C和反射层14A之后，蚀刻粘合层14B时，没有必要形成新的掩模或更换蚀刻气体，通过使用相同的掩模和相同的蚀刻气体来进行图案化是可能的。
粘合层14B优选具有能够抑制凸起或反射层14A分离的膜厚度。特别地，粘合层14B的膜厚度优选从5nm到50nm，更优选从10nm到30nm。
粘合层14B和阻挡层14C可以由从前述材料选出的相同的材料或不同的材料制成。在这个实施方案中，粘合层14B和阻挡层14C都是由ITO制成的。然而，例如可能分别地，粘合层14B由ITO制成，阻挡层14C由IZO制成。粘合层14B和阻挡层14C两个都是由IZO制成也是可能的。另外，分别地，粘合层14B由ZnO制成，阻挡层14C由ITO制成也是可能的。
层叠结构14具有所谓的向前锥形的形状。其中层叠结构的宽度从下端面的平坦表面11A到上端面14D逐渐地变窄。因此，粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C的侧壁面14E被绝缘膜15完全地覆盖，可以阻止绝缘膜15的沉积失败或成孔。从而可以阻止由于绝缘膜15的沉积失败或成孔而造成的反射层14A的恶化或类似的损害，由此避免了有机发光元件10R，10G和10B的缺陷。
由粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C的侧壁面14E与基板11的平坦表面11A构成的锥度角θ优选在10°到70°的范围内。当锥度角θ小于10°时，层叠结构14的图案变得过宽，这种情况对于高清晰度是不利的。同时当锥度角θ大于70°时，侧壁面14E具有几乎接近垂直的陡峭的特性。这种情况下，绝缘膜15可能会沉积失败或成孔。锥度角θ更优选从25°到50°，更优选从35°到45°。当锥度角θ在这个范围内时，例如，在层叠结构14一个侧面的图案宽度△W，在例如层叠结构14的总膜厚度是大约130nm的地方可能是大约0.15μm到0.3μm。就是说，使层叠结构14的图案不是太宽，并使能够有效阻止绝缘膜15的沉积失败和成孔成为可能。
这里，粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C的侧壁面指平面，此时其横截面是如图1示出的线形平坦表面。然而，例如当侧壁面14E的横截面不是线形时，就是说不是平面，如图2所示，侧壁面14E向里弯曲，侧壁面14指由层叠结构14下端的平坦表面11A的端点14F与上端14D的端点14G之间的线(面)而构成的虚面A。
如图3所示，在粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C的侧壁面14E中，在反射层14A与阻挡层14C之间和反射层14A与粘合层14B之间的界面由于在蚀刻中的腐蚀可以是阶跃的形状。另外，如图4所示，阻挡层14C、反射层14A和粘合层14B的各自的斜率可能彼此之间不同，并构成了断线。不必说，侧壁面14E的形状并不限制在图1到4示出的例子。
绝缘膜15的作用是保证层叠结构14与公共电极17之间的绝缘，并在发光元件区域10R、10G和10B内以期望的形状形成发光区域的形状。例如，绝缘膜15具有大约600nm的膜厚度，并由例如二氧化硅和聚酰亚胺的绝缘材料制成。形成绝缘膜15以覆盖从侧壁面到层叠结构14上部的外围部分。与有机发光元件10R、10G和10B的层叠结构14的发光区域相对应提供开口15A。
有机层16的构造根据有机发光元件10R、10G和10B发出的颜色而变化。图5示出了有机发光元件10R和10B有机层16的构造的放大图。有机发光元件10R和10B的有机层16具有这样一个构造，其中空穴传输层16A、发光层16B和电子传输层16C依照这个顺序从层叠结构14侧层叠。空穴传输层16A的作用是提高向发光层16B内注入空穴的效率。在这个实施方案中，空穴传输层16A也具有作为空穴注入层的功能。发光层16B的作用是通过电场产生电子和空穴的复合，以产生光并在与绝缘膜15的开口15A对应的区域内发射光。电子传输层16C的作用是提高向发光层16B内注入电子的效率。
有机发光元件10R的空穴传输层16A具有例如大约45nm的膜厚度，并由二[(N-萘基)-N苯基]联苯胺(α-NPD)制成。有机发光元件10R的发光层16B具有例如大约50nm的膜厚度，并由2，5-二[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基氨基]]苯乙烯基苯-1，4-二腈(BSB)制成。有机发光元件10R的电子传输层16C具有例如大约30nm的膜厚度，并由8-羟基喹啉铝联合体(Alq3)制成。
有机发光元件10B的空穴传输层16A具有例如30nm的膜厚度，并由α-NPD制成。有机发光元件10B的发光层16B具有例如30nm的膜厚度，并由4，4’-二(2，2’-联苯乙烯基)联苯(DPVBi)制成。有机发光元件10B的电子传输层16C具有例如大约30nm的膜厚度，并由Alq3制成。
图6示出了有机发光元件10G有机层16的构造的放大图。有机发光元件10G的有机层16具有这样一个构造，其中空穴传输层16A和发光层16B按照这个顺序从层叠结构14侧层叠。空穴传输层16A也具有作为空穴注入层的功能。发光层16B也具有作为电子传输层的功能。
有机发光元件10G的空穴传输层16A具有例如大约50nm的膜厚度，并由α-NPD制成。有机发光元件10G的发光层16B具有例如大约60nm的膜厚度，并由与1体积％的香豆素6(C6)混合的Alq3制成。
图1、5和6中示出的公共电极17具有例如大约10nm的膜厚度，并由金属或银(Ag)，铝(Al)，镁(Mg)，钙(Ca)，钠(Na)或类似物的合金制成。在这个实施方案中，例如，公共电极17由镁(Mg)和银(MgAg合金)的合金制成。
形成公共电极17以覆盖所有有机发光元件10R、10G和10B。为了抑制公共电极17内的电压下降，优选在绝缘膜15上提供辅助电极17A。辅助电极17A提供在有机发光元件10R，10G和10B之间的间隙中。辅助电极17A的末端与主线形辅助电极相连(没有示出)，该主线形辅助电极成为辅助电极17A的总线，所述辅助电极17A形成在基板11的外围部分，以包围提供有有机发光元件10R、10G和10B形成的区域。辅助电极17A和总线的主线形辅助电极由低阻抗导电材料如铝(Al)和铬(Cr)的单层，或它们的层叠结构来制成。
公共电极17也具有作为半透明反射层的功能。就是说，有机发光元件10R、10G和10B具有一个共振腔结构，其中通过使用有机层16和阻挡层14C作为共振部分，发光层16B产生的光被共振并从第二端面P2侧引出，在共振部分中，层叠结构14的反射层14A与阻挡层14C的界面是第一端面P1，在接近发光层16B一侧的公共电极17是第二端面P2。当有机发光元件10R，10G和10B具有这样一个共振腔时，发光层16B产生的光发生多重干涉，起一种窄带滤波器的作用。结果，减小了引出光光谱的半值宽度，并提高了色纯度。因此，优选这样的共振腔结构。这种共振腔结构是优选的，因为从密封面板20进入的外部光通过多重干涉被削弱，且通过结合后面提到的彩色滤光片22(参见图1)，有机发光元件10R、10G和10B内的外部光的反射率明显减小。
为了获得前述的效果，优选共振腔的第一端面P1与第二端面P2之间的光程L满足数学公式1，共振腔的共振波长(被取出的光的光谱的峰值波长)与希望被取出的光的光谱的峰值波长彼此相等。实际上，光程L优选为一个满足数学公式1的正的最小值。
[数学公式1]
(2L)/λ+Φ/(2π)＝m
在该公式中，L表示第一端面P1与第二端面P2之间的光程；Φ表示第一端面P1中产生的反射光的相移Φ1与第一端面P2中产生的反射光的相移Φ2之和(Φ＝Φ1+Φ2)(rad)；λ表示希望从第二端面P2侧取出的光的光谱的峰值波长；m表示给出正L值的整数。在数学公式1中，L和λ的单位应当相同，就是说，例如nm用作它们的单位。
图1中示出的保护膜18具有例如500nm到10,000nm的膜厚度，其是一个由透明绝缘体制成的钝化膜。保护膜18由例如二氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiN)或类似物制成。
如图1所示，密封面板20位于驱动面板10的公共电极17的上面。密封面板20包括一个密封基板21，其用粘合剂层30密封有机发光元件10R、10G和10B。密封基板21由对于有机发光元件10R，10G和10B产生的光透明的材料制成，如玻璃。密封材料21例如包括彩色滤光片22。彩色滤光片22选出由有机发光元件10R、10G和10B产生的光，吸收有机发光元件10R、10G和10B以及它们之间的配线反射的外部光，因此改进了对比度。
彩色滤光片22可以提供在密封基板21的任何一侧上。然而，优选将彩色滤光片22提供在驱动面板10一侧，因为彩色滤光片22没有暴露在表面，可以通过粘合剂层30来保护。彩色滤光片22包括红色滤光片22R、绿色滤光片22G和蓝色滤光片22B，其分别与有机发光元件10R，10G和10B对应顺序地排列。
红色滤光片22R、绿色滤光片G和蓝色滤光片22B以中间没有间隔的矩形形状形成。红色滤光片22R、绿色滤光片22G和蓝色滤光片22B分别由与颜料混合的树脂制成。通过选择颜料进行调整，以使得在红色，绿色或蓝色的目标波长中的光透射很高，且在其他波长中的光透射很低。
在彩色滤光片22中具有很高透射的波长范围与被从共振腔结构中引出的光的光谱的峰值波长λ相等。因此在从密封面板20进入的外部光中，只有波长等于被引出光的光谱的峰值波长λ的光才通过彩色滤光片22，且具有其他波长的外部光被禁止进入有机发光元件10R、10G和10B。
例如，这个显示单元如下制造。
图7A到18按顺序示出了制造该显示单元的方法的步骤。首先，如图7A所示，TFT12，夹层绝缘膜12A和配线12B形成在由前述材料制成的基板11上。
接下来，如图7B所示，通过旋转涂布方法将由前述材料制成的平面化层13形成在基板11的整个区域上面，例如通过曝光和显影以指定的形状将平面化层13图案化，并且形成连接孔13A。之后，为了将聚酰亚胺转变成酰亚胺，在一个干净的烤炉中以例如320℃将生成物烘干。
随后，如图8A所示，例如由具有例如20nm膜厚度的ITO制成的粘合层14B形成在平面11A上，所述平面11A是通过例如溅射由平面化层13形成的。
之后，如图8B所示，例如由具有例如100nm膜厚度的含银合金制成的反射层14A通过例如溅射形成在粘合层14B上。如上所述，通过使用中间的粘合层14B在平面化层13上形成反射层14A，则可能阻止反射层14A从作为基层的平面化层13上分离。另外，可阻止蚀刻液、空气或类似物从分离的部分的浸入，以及阻止制造反射层14A的银或含银合金与包含在蚀刻液或空气中的氧或硫发生反应。
接下来，如图8C所示，例如由具有例如10nm膜厚度的ITO制成的阻挡层14C通过例如溅射形成在反射层14A上。通过在形成反射层14A以后立即形成阻挡层14C，则可阻止制造反射层14A的银或含银合金与空气中的氧或硫发应。另外，可减小甚至在形成反射层14A以后的制造步骤中对反射层14A的损害，且可保持反射层14A与阻挡层14C之间的截面清洁。
形成粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C之后，如图9A所示，由例如光致抗蚀剂膜制成的掩模41通过例如平板印刷形成在阻挡层14C上。
随后，如图9B所示，通过使用掩模41，将阻挡层14C、反射层14A和粘合层14B同时全部蚀刻。侧壁面14E从而形成一个向前的锥形形状。如上所述，此处由侧壁面14E和基板11的平面11A构成的锥度角θ优选在10°到70°的范围内。
同时执行的全部蚀刻需要通过干式蚀刻来提供。如果使用湿式蚀刻，则阻挡层14C、反射层14A和粘合层14B不能够全部同时图案化，且例如当蚀刻粘合层14B时，在蚀刻当中需要形成至少一次新的掩模。因此，考虑到掩模排列的空间等，不可能避免在反射层14A和粘合层14B之间的界面处会形成一个平坦表面，所以形成向前的锥形形状的侧壁面14E是很困难的。另外，当使用湿式蚀刻时，例如ITO和银的蚀刻率之间有一个巨大的差值，两倍或更多。因此只有银可能迅速地被蚀刻以及侧面蚀刻会发生，除非蚀刻率完全地相同。同时，当使用干式蚀刻时，即使ITO和银的蚀刻率之间有差值，虽然获得了如图2到4所示的稍微不均匀的形状，但像侧面蚀刻这样的问题从不会出现。结果，在干式蚀刻中，可以形成向前的锥形形状的侧壁面14E。
在干式蚀刻中，优选使用含有下述成分的蚀刻气体，该成分能够与所有反射层14A、粘合层14B和阻挡层14C形成易挥发的化合物。更具体地，例如，优选使用含有甲烷(CH4)的蚀刻气体。甲烷与银反应生成甲基银(AgCH3)。该甲基银是易挥发的，且很容易被移除。当粘合层14B和阻挡层14C由例如含有铟(In)的材料制成时，甲烷与铟(In)反应生成甲基铟(In(CH3)3)。该甲基铟也是易挥发的，且很容易被移除。同时，例如，当使用含有下述成分的蚀刻气体时，该成分与银形成不易挥发的化合物，例如像卤素这种的，如氟(F)，氯(Cl)，该不易挥发的反应产物沉积在侧壁面14E上，且移除这样的沉积产物是很困难的。因此，不优选使用这样的蚀刻气体。
至于形成向前的锥形形状的侧壁面14E的蚀刻条件的控制，可以考虑各种方法。例如下述的方法。通过使用没有示出的等离子体发光监视器，在完成阻挡层14C和反射层14A的蚀刻以后，探测粘合层14B的表面暴露区。之后，改变蚀刻条件。就是说，如图10所示，如下改变蚀刻条件。随同粘合层14B的蚀刻进行，在阻挡层14C和反射层14A暴露的侧壁面14E上形成沉积保护膜42。该沉积保护膜42通过在阻挡层14C和反射层14A的侧壁面14E上沉积有机物质而形成，所述有机物质来自甲烷或类似物。由于沉积保护膜42，在保护已经形成向前的锥形形状的侧壁面14E的同时，能够蚀刻粘合层14B。
还有如下的其他的方法。探测完粘合剂14B的表面暴露区之后，如下改变蚀刻条件。就是说，例如，通过升高ITO的蚀刻率，来提高基板11上粘合层14B和平面化层13的蚀刻选择比。
另外，可选用蚀刻条件以满足前述两种方法。就是说，可采取下述条件，既形成沉积保护膜42，又提高基板11上粘合层14B和平面化层13的蚀刻选择比。
作为改变之后的具体的蚀刻条件，例如可以考虑下述技术。就是说，可以考虑通过提高甲烷流量来促进沉积保护膜42沉积的技术，通过改变从高真空侧到低真空侧的压力来更改蚀刻气体的垂直组分的技术，以及通过降低偏压能量来更改蚀刻气体的垂直组分的技术。
在这个实施方案中，例如当形成具有30°锥度角θ的层叠结构14时，改变之前的蚀刻条件如下设置：甲烷流量为20SCCM，氩(Ar)流量为20SCCM，压力为1.5Pa，偏压能量为1,000W。同时，改变之后的蚀刻条件如下设置：甲烷流量为40SCCM，氩流量为20SCCM，压力为3Pa，偏压能量为750W。这是假设当形成沉积保护膜42时侧壁面14E形成向前的锥形形状时的情况。
之后，如图11A所示，移除掩模41。然后，如图11B所示，通过例如CVD(化学气相沉积)将具有前述膜厚度的绝缘膜15沉积在基板11的整个区域上。之后，通过使用例如平板印刷有选择地移除绝缘膜15与发光区域相对应的部分而形成开口15A。
接下来，如图12所示，在基板11的整个区域上，将辅助电极17A形成在绝缘膜15上。然后辅助电极17A有选择地被蚀刻，且通过使用例如平板印刷，以指定的形状被图案化。
随后，如图13所示，分别具有前述膜厚度，并由前述材料制成的有机发光元件10R的电子传输层16A、发光层16B和电子传输层16C通过例如沉积法顺序地被沉积，以形成有机发光元件10R的有机层16。在这点上，优选与发光区域，即绝缘膜15的开口15A相对应，通过使用与形成有机层16对应的区域上具有开口51A的金属沉积掩模51来执行沉积。然而，仅在开口15A中精确地沉积有机层16是很困难的。因此，执行沉积以覆盖整个开口15A，并且有机层16可以稍微覆盖绝缘膜15的边缘。
之后，沉积掩模51被移动。然后，如图14所示，以与有机发光元件10R的有机层16中类似的方式，具有前述膜厚度，并由前述材料制成的有机发光元件10G的空穴传输层16A和发光层16B顺序地被沉积，以形成有机发光元件10G的有机层16。随后，沉积掩模51再次被移动。然后，也如图14所示，以与有机发光元件10R的有机层16中类似的方式，具有前述膜厚度，并由前述材料制成的有机发光元件10B的空穴传输层16A、发光层16B和电子传输层16C顺序地被沉积，以形成有机发光元件10B的有机层16。图14示出了沉积掩模51的开口51A面对有机发光元件10B的有机层16的一种情形。
形成有机发光元件10R、10G和10B的有机层16以后，如图15所示，具有前述膜厚度，并由前述材料制成的公共电极17通过例如沉积法形成在基板11的整个区域上。公共电极17由此与辅助电极17A和未示出的主线形辅助电极电连接，该主线形辅助电极成为母线，其之前已经形成。从而，由此形成了图1、5、6中所示的发光元件10R、10G和10B。
接下来，如图16所示，具有前述膜厚度，并由前述材料制成的保护膜18形成在公共电极17之上。由此形成了图1中示出的驱动面板10。
如图17A所示，例如将用于红色滤光片22R的材料通过例如旋转涂布的方法涂布在由前述材料制成的密封基板21上形成红色滤光片22R，通过照相平板图案化，并烘烤所述产物。随后，如图17B所示，以与红色滤光片22R中类似的方式，顺序形成蓝色滤光片22B和绿色滤光片22G。由此形成密封面板20。
形成密封面板20和驱动面板10之后，如图18所示，由热硬化性树脂制成的粘合剂层30通过涂布形成在基板11的形成有发光元件10R、10G和10B的一侧上。所述涂布可以通过例如，从狭缝喷嘴型分配器排出树脂，辊涂布或丝网印刷来执行。接下来，如图1所示，驱动面板10和密封面板20使用中间的粘合剂层30粘结在一起。在这点上，优选密封面板20形成有彩色滤光片22的一侧面对驱动面板10而排列。优选避免气泡等进入粘合剂层30。之后，对准密封面板20的彩色滤光片22的相对部分与驱动面板10的有机发光元件10R、10G和10B。然后，通过在指定的温度下以指定的时间执行热处理将粘合剂层30的热硬化性树脂固化。由此完成了图1、5和6中示出的显示单元。
在该显示单元中，例如当在层叠结构14和公共电极17之间施加指定的电压时，电流被注入有机层16的发光层16B内，且孔穴和电子复合。结果，发光主要产生在空穴传输层16A侧上的发光层16B的界面上。所述光在第一端面P1和第二端面P2之间多重反射，通过公共电极17，并被引出。这里，在层叠方向上层叠结构14的横截面是向前的锥形形状。因此，用绝缘膜15很好地覆盖侧壁面14E。从而阻止了由于绝缘膜15沉积失败或成孔造成的反射层14A的恶化，并减小了有机发光元件10R、10G和10B的缺陷。
如上所述，在该实施方案中，在层叠方向上层叠结构14的横截面是向前的锥形形状。因此能够阻止绝缘膜15的沉积失败或成孔，必定能阻止反射层14A的恶化，并能减小有机发光元件10R、10G和10B的缺陷。因此，该实施方案对于层叠结构14包括由银(Ag)或含银合金制成的反射层14A的情形尤其适用。在该情形中，能够提高层叠结构的反射率，并能提高光引出率。
在该实施方案中，在所有的粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C形成在基板11的平面11A之后，将它们同时全部蚀刻。因此侧壁面14E能够很容易地形成上面提到的向前的锥形形状。
[第二实施方案]
图19示出依照本发明第二实施方案的显示单元结构的横截面图。该显示单元用作透射/反射(半透射)液晶显示器。在该显示单元中，驱动面板60和反向面板70彼此面对面排列，且在它们之间提供液晶层80。
在驱动面板60内，像素电极62以矩阵的形状提供在由例如玻璃制成的基板61上。在基板61上，形成有包括作为驱动元件与像素电极62电连接的TFT63的有源驱动电路、配线63A等。在面对液晶层80的基板61的一侧，在整个区域上提供取向膜64，且在基板61相反的一侧上提供偏振片65。在基板61与TFT63和配线63A之间提供类似于第一实施方案中的层叠结构的层叠结构14。例如，在层叠结构14与TFT63和配线63A之间提供绝缘膜66。
像素电极62包括例如透明电极62A和反射电极62B。透明电极62A由例如ITO制成，反射电极62B由例如铝(Al)或银(Ag)制成。形成反射电极62B，以叠置在透明电极62A的部分上。反射电极62B叠置在透明电极62A上的区域是反射显示区域，反射电极62B没有叠置在透明电极62A上的区域是透射显示区域。
TFT63的栅电极(没有示出)与没有示出的扫描电路相连。源极(没有示出)与作为信号线的配线63A相连。漏极(没有示出)与像素电极62相连。在第一实施方案中，用于配线63A的材料与用于配线13B的材料相同。TFT63的构造没有特别限制，就像第一实施方案中的TFT12一样。TFT63和配线63A用由例如二氧化硅(SiO2)或氮化硅(SiN)制成的保护膜63B覆盖。
在该实施方案中，层叠结构14具有作为反射膜的作用，以反射没有进入透明电极62A的入射光，并将这样的光返回没有示出的背光侧。粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C的材料和膜厚度、侧壁面14E的形状，由侧壁面14E与基板61的平面61A构成的锥度角θ等与第一实施方案中的那些类似。
取向膜64由例如倾斜沉积膜如二氧化硅(SiO2)制成。在该情形中，后面提到的液晶层80的预倾角通过改变倾斜沉积中的沉积角度来控制。作为取向膜64，可以使用通过提供用摩擦(取向)处理的有机化合物例如聚酰亚胺而获得的膜。在该情形中，可以通过改变摩擦条件来控制预倾角。
偏振片65是一个将来自未示出的背光的光转变成沿特定方向的线性偏振光的光学元件。例如，偏振片65包括聚乙烯醇(PVA)膜等。
绝缘膜66由例如二氧化硅(SiO2)制成。作为绝缘膜66，根据步骤可以使用聚酰亚胺膜。
反向面板70位于驱动面板60的像素电极62侧上，并包括由例如玻璃等制成的相对基板71。在相对基板71上，例如，透明电极72和彩色滤光片73面对像素电极62顺序地从相对基板71侧层叠。另外，在相对基板71上，沿着彩色滤光片73的界面提供作为黑色矩阵的光吸收膜74。在面对液晶层80的相对基板71的一侧，取向膜75被提供在整个区域上，且在相反的一侧上提供偏振片76。
透明电极72由例如ITO制成。像第一实施方案中的彩色滤光片22一样构造彩色滤光片73。光吸收膜74意在吸收进入相对基板71的外部光或被配线64反射的外部光的反射光，以提高对比度。例如，光吸收膜74由黑色树脂膜，其中黑色是混合的，其具有1或更大的光学密度，或利用薄膜干涉的薄膜滤光片制成。所述薄膜滤光片通过层叠一个或多个由金属、金属氮化物或金属氧化物制成的薄膜来制造。所述薄膜滤光片通过利用薄膜干涉来削弱光。作为薄膜滤光片，可以特别引用其中铬和氧化铬(III)(Cr2O3)交替层叠的滤光片。与驱动面板60的取向膜64和偏振片65一样来构造取向膜75和偏振片76。
液晶层80通过改变由于施加电压导致的取向条件来改变透射度。如果液晶分子的倾向在驱动中不均匀，则对比度变得不均匀。为了避免不均匀的对比度，预先会给液晶层80沿特定方向上的一个微小的预倾角。
例如该显示单元可以如下制造。
首先，其侧壁面14E是向前的锥形形状的层叠结构14通过如下步骤形成在基板61的平面61A：首先层叠所有粘合层14B、反射层14A和阻挡层14C，然后以与第一实施方案中类似的方式将它们同时全部蚀刻。接下来通过例如CVD来形成由前述材料制成的绝缘膜66，以覆盖层叠结构14。另外，形成透明电极62A和反射电极62B以形成像素电极62。随后，在层叠结构14和绝缘膜66上形成TFT63和配线63A，然后通过例如CVD形成保护膜63B。之后，在基板61的整个区域上形成取向膜64，并提供摩擦处理。所述驱动面板60由此被完成。
在相对基板71的表面上形成透明电极72、光吸收膜74和彩色滤光片73。接下来，在相对基板71的整个区域上形成取向膜75，并提供摩擦处理。反向面板70由此被完成。
接下来，例如在驱动面板60或反向面板70的外围部分内提供由如环氧树脂制成的密封材料(没有示出)，且提供球形或柱形间隔片(没有示出)。随后，对准驱动面板60和反向面板70，以使像素电极62与透明电极72彼此相对，并通过硬化密封材料粘结在一起。然后，在里边注入液晶层80，并将所述产物密封。之后，将偏振片65贴到驱动面板60上，并将偏振片76贴到反向面板70上。图19中示出的显示单元由此被完成。
在该显示单元中，例如，当指定电压施加在像素电极62与透明电极72之间时，液晶层80的取向状态被改变，透射度被改变。从未示出的背光进入透明电极62A的入射光R1穿过液晶层80，并作为透射光R2被取出。从背光进入反射电极62B或层叠结构14的入射光R3被反射电极62B或层叠结构14的反射层14A反射，其反射光R4返回到背光侧。反射光R4通过提供在背光上的未示出的反射镜再次进入像素电极62。另外，从反向面板70侧进入的外部光H1被反射电极62B反射，且其反射光H2被取出。这里，在层叠方向上层叠结构14的横截面形成一个向前的锥形形状。因此，侧壁面14E很好地被绝缘膜66、取向膜64或类似物覆盖。从而，可以阻止由于绝缘膜66、取向膜64或类似物的沉积失败或成孔造成的反射层14A的恶化或类似损害。
如上所述，在该实施方案中，与第一实施方案一样，在层叠方向上层叠结构14的横截面形成一个向前的锥形形状。从而，可以阻止绝缘膜66、取向膜64或类似物的沉积失败或成孔，且必定能阻止反射层14A的恶化或腐蚀。因此，该实施方案对于层叠结构14包括由银(Ag)或含银合金制成的反射层14A的情形尤其适用。在该情形下，层叠结构14的反射率可能被提高，以提高背光的利用率和减小显示单元的能量消耗。
虽然本发明已经参照实施方案进行了描述，但本发明并不限于前述的实施方案，且可以做各种修改。例如，材料、厚度、沉积物和沉积条件等并不限于在前述实施方案中描述的那些。可以应用其它的材料、厚度、沉积物和沉积条件。
例如，在前述的实施方案中，已经描述了下述情形：粘合层14B和阻挡层14C由金属化合物或含有从由铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)构成的组中选出的至少一种成分的导电氧化物制成，尤其下述情形：粘合层14B和阻挡层14C由从ITO、IZO、氧化铟(In2O3)、氧化锡(SnO2)和氧化锌(ZnO)构成的组中选出的至少一种成分制成。然而，粘合层14B和阻挡层14C之一可以由不同于前述材料的材料制成。例如，对于阻挡层14，其材料不限于前述的材料，只要材料是透明的，具有小的光吸收率，并能够与反射层14A和粘合层14B同时全部被蚀刻。
另外，例如，对于粘合层14B，除了溅射以外，可以使用沉积、CVD、MOCVD(金属有机化学气相沉积)、激光消融，和电镀。类似地，对于反射层14A，除了溅射以外，可以使用沉积、CVD、MOCVD、激光消融和电镀。
另外，在前述的第一实施方案中，以一个具体的实施例描述了有机发光元件10R、10G和10B的构造。然而，不是必需提供全部的层，例如绝缘膜15、辅助电极17A、保护膜18等，可以另外添加其他的层。本发明也可以应用于下述情形：其中公共电极17不是半透明电极，而是透明电极，且不具有共振腔结构。然而，本发明意在提高层叠结构14中的反射率。因此，当通过将有机层16和阻挡层14C设置成共振腔部分而构造共振腔结构时，可以获得较高的效果，其中在该共振腔部分中，层叠结构14的反射层14A和阻挡层14C的界面是第一端面P1，发光层16B侧上的公共电极17的界面是第二端面P2。
另外，在第二实施方案中，作为实施例已经描述了透射/反射式液晶显示器。然而，本发明可以应用于其他类型的液晶显示器。例如，如图20所示，在透射式液晶显示器中，可提供层叠结构14作为反射膜。如图21所示，层叠结构14也可被用作反射像素电极。也可提供层叠结构14来代替第二实施方案中反射电极62B或配线63A。
另外，在前述的第二实施方案中，已经用一个具体的实施例描述了液晶显示元件的构造。然而，不是必需提供所有的层或构件。另外，可另外添加其他层或其他构件。
另外，在前述的实施方案中，已经描述了本发明应用于显示单元例如有机发光显示单元和液晶显示单元的情形。然而，本发明层叠结构的应用并不限于作为反射电极或反射膜的应用。例如，通过利用反射层14A低阻抗的优点，本发明的层叠结构可以用作金属配线。在该情形下，可实现能阻止银腐蚀，且具有优良性能的金属配线。
另外，本发明的显示元件，尤其有机发光元件的应用并不限于显示单元。例如，可将其应用于不是为了显示的简单发光。
如上所述，依照本发明的层叠结构、显示元件和显示单元，在层叠方向上层叠结构形成一个向前的锥形形状。因此，提高了侧壁面的覆盖度，并且阻止了覆盖侧壁面的绝缘膜或类似物的沉积失败或成孔。
依照本发明的制造层叠结构的方法，侧壁面通过下述步骤形成一个向前的锥形形状：首先在基板表面上形成所有多个层，然后将它们同时全部蚀刻。因此，可以很容易形成向前的锥形形状的层叠结构。
很明显，根据上面所述，本发明可作多个修改和变化。应当理解，在所附的权利要求而不是具体描述的范围内可实现本发明。

Claims (6)

1.一种发光元件，包括：
第一电极、发光层、以及第二电极，
该第一电极具有层叠结构，该层叠结构包括多个层，
其中在层叠方向上，所述多个层具有一截面构造，该截面构造包括向前的锥形形状，
其中所述多个层包括：粘合层；银层，包括设置在该粘合层上的银或银合金；以及阻挡层，设置在该银层上，且
其中所述多个层被同时蚀刻从而其截面构造在层叠方向上是向前的锥形形状。
2.一种依照权利要求1的发光元件，其中所述多个层的锥度角在10°到70°的范围内。
3.一种依照权利要求1的发光元件，其中该第一电极是反射电极，该第二电极是半透明电极，所述发光层产生的光从所述第二电极侧引出。
4.一种在基板上包含多个发光元件的显示单元，其中所述发光元件包括：
第一电极、发光层、以及第二电极，
该第一电极具有层叠结构，所述层叠结构包括多个层，
其中在层叠方向上，所述多个层具有一截面构造，该截面构造包括向前的锥形形状，
其中所述多个层包括：粘合层；银层，包括设置在所述粘合层上的银或银合金；以及阻挡层，设置在该银层上，且
其中所述多个层被同时蚀刻从而其截面构造在层叠方向上是向前的锥形形状。
5.一种依照权利要求4的显示单元，其中所述多个层的锥度角在10°到70°的范围内。
6.一种依照权利要求4的显示单元，其中该第一电极是反射电极，该第二电极是半透明电极，所述发光层产生的光从所述第二电极侧引出。
CNB2004100684445A 2003-05-28 2004-05-28 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元 Expired - Lifetime CN100472839C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003151156A JP4062171B2 (ja) 2003-05-28 2003-05-28 積層構造の製造方法
JP151156/03 2003-05-28
JP151156/2003 2003-05-28

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2009100013570A Division CN101459227A (zh) 2003-05-28 2004-05-28 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1575063A CN1575063A (zh) 2005-02-02
CN100472839C true CN100472839C (zh) 2009-03-25

Family

ID=33549141

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100684445A Expired - Lifetime CN100472839C (zh) 2003-05-28 2004-05-28 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元
CNA2009100013570A Pending CN101459227A (zh) 2003-05-28 2004-05-28 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2009100013570A Pending CN101459227A (zh) 2003-05-28 2004-05-28 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元

Country Status (5)

Country Link
US (9) US7245341B2 (zh)
JP (1) JP4062171B2 (zh)
KR (1) KR101028072B1 (zh)
CN (2) CN100472839C (zh)
TW (1) TWI240597B (zh)

Families Citing this family (132)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
JP2005011793A (ja) * 2003-05-29 2005-01-13 Sony Corp 積層構造の製造方法および積層構造、表示素子ならびに表示装置
KR101026812B1 (ko) * 2003-11-28 2011-04-04 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
KR100686341B1 (ko) 2003-11-29 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
KR100611652B1 (ko) * 2004-06-28 2006-08-11 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법
KR100773538B1 (ko) * 2004-10-07 2007-11-07 삼성전자주식회사 반사 전극 및 이를 구비하는 화합물 반도체 발광소자
KR100631291B1 (ko) * 2005-04-08 2006-10-04 주식회사 동진쎄미켐 전계 구동 반사형 표시 장치
KR101152127B1 (ko) * 2005-05-27 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치용 배선, 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판및 그 제조 방법
KR101152134B1 (ko) * 2005-08-26 2012-06-15 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8149346B2 (en) 2005-10-14 2012-04-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
KR100646974B1 (ko) * 2005-10-20 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광소자 및 그 제조방법
KR101202035B1 (ko) * 2005-12-12 2012-11-16 엘지디스플레이 주식회사 전계발광소자 및 그 제조방법
JP4864546B2 (ja) * 2006-05-29 2012-02-01 三菱電機株式会社 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
KR100787461B1 (ko) * 2006-11-10 2007-12-26 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 발광 디스플레이 장치
JP4893392B2 (ja) * 2007-03-15 2012-03-07 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP2008281668A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Seiko Epson Corp カラーフィルタ付きマイクロレンズ基板、電気光学装置、電子機器、およびカラーフィルタ付きマイクロレンズ基板の製造方法
US7915816B2 (en) 2007-05-14 2011-03-29 Sony Corporation Organic electroluminescence display device comprising auxiliary wiring
JP2008288012A (ja) 2007-05-17 2008-11-27 Seiko Epson Corp エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法
JP2009047879A (ja) * 2007-08-20 2009-03-05 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
US7635864B2 (en) 2007-11-27 2009-12-22 Lg Electronics Inc. Organic light emitting device
KR20090112088A (ko) * 2008-04-23 2009-10-28 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI375070B (en) * 2008-04-25 2012-10-21 Chimei Innolux Corp Active matrix display and image display system using the active matrix display
EP2139041B1 (en) * 2008-06-24 2015-08-19 LG Display Co., Ltd. Luminescence display panel and method for fabricating the same
KR100953655B1 (ko) * 2008-07-08 2010-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기발광 표시장치
KR101570471B1 (ko) 2008-09-18 2015-11-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 이의 제조 방법
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
JP5217949B2 (ja) * 2008-11-20 2013-06-19 ソニー株式会社 反射板の製造方法および表示装置の製造方法
JP5470813B2 (ja) * 2008-11-20 2014-04-16 ソニー株式会社 反射板、表示装置およびその製造方法
US8572513B2 (en) 2009-03-16 2013-10-29 Apple Inc. Device, method, and graphical user interface for moving a current position in content at a variable scrubbing rate
KR101254748B1 (ko) * 2009-05-06 2013-04-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 이의 제조방법
KR101692409B1 (ko) * 2010-03-29 2017-01-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101692954B1 (ko) 2010-05-17 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
KR101193195B1 (ko) * 2010-07-02 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR101784994B1 (ko) * 2011-03-31 2017-10-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5589951B2 (ja) * 2011-05-11 2014-09-17 コニカミノルタ株式会社 面光源
CN102394233B (zh) * 2011-06-27 2014-06-04 福建华映显示科技有限公司 配线装置与显示器
US10706096B2 (en) 2011-08-18 2020-07-07 Apple Inc. Management of local and remote media items
KR20130022052A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 조명 장치
US9002322B2 (en) 2011-09-29 2015-04-07 Apple Inc. Authentication with secondary approver
KR101883848B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-02 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US9356252B2 (en) 2012-01-18 2016-05-31 Joled Inc. Electronic device and manufacturing method therefor
JP6216540B2 (ja) * 2012-05-30 2017-10-18 ローム株式会社 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ
US8963136B2 (en) * 2012-11-06 2015-02-24 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. OLED liquid crystal display and method for laminating alignment film
KR102028505B1 (ko) 2012-11-19 2019-10-04 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이의 제조방법
KR101976068B1 (ko) * 2012-12-06 2019-05-09 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
TWI618268B (zh) * 2012-12-07 2018-03-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置
JP6111643B2 (ja) * 2012-12-17 2017-04-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置、及び電子機器
KR20140085050A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP2014132525A (ja) * 2013-01-04 2014-07-17 Japan Display Inc 有機ｅｌ表示装置
JP2014137914A (ja) * 2013-01-17 2014-07-28 Japan Display Inc 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
JP2014145857A (ja) 2013-01-28 2014-08-14 Sony Corp 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP2014170829A (ja) * 2013-03-04 2014-09-18 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置の製造方法および電子機器の製造方法
WO2014143776A2 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Bodhi Technology Ventures Llc Providing remote interactions with host device using a wireless device
JP5991490B2 (ja) * 2013-03-22 2016-09-14 株式会社ジャパンディスプレイ 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20140141755A (ko) * 2013-05-30 2014-12-11 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법
JP6191287B2 (ja) * 2013-07-05 2017-09-06 ソニー株式会社 表示装置
JP6223070B2 (ja) * 2013-08-29 2017-11-01 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置及び有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP2015050022A (ja) * 2013-08-30 2015-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置
JP6111461B2 (ja) * 2013-10-23 2017-04-12 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
KR102139577B1 (ko) 2013-10-24 2020-07-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104752457B (zh) * 2013-12-25 2018-01-19 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN104752630B (zh) * 2013-12-25 2017-04-12 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN104752611B (zh) * 2013-12-25 2017-09-01 清华大学 有机发光二极管阵列
CN104752459B (zh) * 2013-12-25 2018-04-03 清华大学 有机发光二极管阵列
CN104752458B (zh) * 2013-12-25 2017-12-22 清华大学 有机发光二极管阵列的制备方法
CN103972268B (zh) * 2014-04-22 2017-01-04 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管显示面板及其制作方法
KR101929372B1 (ko) 2014-05-30 2018-12-17 애플 인크. 하나의 디바이스의 사용으로부터 다른 디바이스의 사용으로의 전환
CN104112766B (zh) * 2014-07-22 2017-02-15 深圳市华星光电技术有限公司 彩色显示器件结构
US11130195B2 (en) 2014-07-29 2021-09-28 Gentex Corporation Laser ablation with reduced visual effects
CN106794553B (zh) * 2014-10-03 2020-01-07 金泰克斯公司 第二表面激光烧蚀
JP6487173B2 (ja) * 2014-10-08 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
KR102245730B1 (ko) 2014-11-19 2021-04-29 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판
JPWO2016175095A1 (ja) * 2015-04-30 2018-02-22 住友金属鉱山株式会社 導電性基板、液晶タッチパネル
CN108351564B (zh) 2015-06-19 2020-10-09 金泰克斯公司 第二表面激光烧蚀
CN106569624B (zh) * 2015-10-09 2020-09-29 群创光电股份有限公司 触控基板与触控装置
CN105355631A (zh) * 2015-10-10 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制作方法、显示装置、掩膜板
WO2017072634A1 (en) * 2015-10-30 2017-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, electronic device, and method for manufacturing display device and electronic device
CN105549268A (zh) * 2015-12-15 2016-05-04 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板及其像素结构
JP6685142B2 (ja) * 2016-02-02 2020-04-22 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法
US11383213B2 (en) 2016-03-15 2022-07-12 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
US11171324B2 (en) 2016-03-15 2021-11-09 Honda Motor Co., Ltd. System and method of producing a composite product
KR102135711B1 (ko) 2016-03-28 2020-07-20 도요세이칸 그룹 홀딩스 가부시키가이샤 플렉시블 디바이스용 기판 및 그의 제조 방법
EP3439431B1 (en) * 2016-03-28 2022-06-15 Toyo Seikan Group Holdings, Ltd. Substrate for flexible devices and method for producing same
KR102581258B1 (ko) 2016-06-10 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
DK201670622A1 (en) 2016-06-12 2018-02-12 Apple Inc User interfaces for transactions
WO2017217703A1 (en) * 2016-06-13 2017-12-21 Seoul Semiconductor Co., Ltd Display apparatus and manufacturing method thereof
US10607932B2 (en) * 2016-07-05 2020-03-31 E Ink Holdings Inc. Circuit structure
US10103201B2 (en) 2016-07-05 2018-10-16 E Ink Holdings Inc. Flexible display device
US10332949B2 (en) 2016-07-06 2019-06-25 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Display apparatus
KR102652439B1 (ko) * 2016-12-29 2024-03-27 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN108336240A (zh) * 2017-01-20 2018-07-27 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 Oled结构以及柔性oled显示面板
US11431836B2 (en) 2017-05-02 2022-08-30 Apple Inc. Methods and interfaces for initiating media playback
US10992795B2 (en) 2017-05-16 2021-04-27 Apple Inc. Methods and interfaces for home media control
US11009760B2 (en) 2017-05-05 2021-05-18 Gentex Corporation Interleaving laser ablation
EP3445056B1 (en) * 2017-05-16 2022-03-02 Apple Inc. Methods and interfaces for home media control
CN111343060B (zh) 2017-05-16 2022-02-11 苹果公司 用于家庭媒体控制的方法和界面
US20220279063A1 (en) 2017-05-16 2022-09-01 Apple Inc. Methods and interfaces for home media control
US11081684B2 (en) 2017-05-24 2021-08-03 Honda Motor Co., Ltd. Production of carbon nanotube modified battery electrode powders via single step dispersion
CN109102758B (zh) * 2017-06-20 2021-08-17 天马微电子股份有限公司 显示装置
CN107394056B (zh) * 2017-07-25 2019-04-30 南京迈智芯微光电科技有限公司 一种硅基发光器件电极结构及其制备工艺
US20190036102A1 (en) 2017-07-31 2019-01-31 Honda Motor Co., Ltd. Continuous production of binder and collector-less self-standing electrodes for li-ion batteries by using carbon nanotubes as an additive
US10658651B2 (en) 2017-07-31 2020-05-19 Honda Motor Co., Ltd. Self standing electrodes and methods for making thereof
US11121358B2 (en) 2017-09-15 2021-09-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for embedding a battery tab attachment in a self-standing electrode without current collector or binder
US11201318B2 (en) 2017-09-15 2021-12-14 Honda Motor Co., Ltd. Method for battery tab attachment to a self-standing electrode
CN107863458B (zh) * 2017-10-30 2019-11-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled基板的制作方法及oled显示装置的制作方法
US11362310B2 (en) * 2017-11-20 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric
JP2019179695A (ja) * 2018-03-30 2019-10-17 株式会社ジャパンディスプレイ 有機ｅｌ表示装置および有機ｅｌ表示装置の製造方法
KR102637790B1 (ko) * 2018-05-31 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
CN110867452B (zh) * 2018-08-28 2022-02-01 元太科技工业股份有限公司 线路结构
CN115132934A (zh) * 2018-11-06 2022-09-30 京东方科技集团股份有限公司 Oled阳极、oled基板及其制作方法、显示装置
US11535517B2 (en) 2019-01-24 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Method of making self-standing electrodes supported by carbon nanostructured filaments
US11352258B2 (en) 2019-03-04 2022-06-07 Honda Motor Co., Ltd. Multifunctional conductive wire and method of making
US11325833B2 (en) 2019-03-04 2022-05-10 Honda Motor Co., Ltd. Composite yarn and method of making a carbon nanotube composite yarn
JP2020198172A (ja) * 2019-05-31 2020-12-10 パイオニア株式会社 発光装置
US10904029B2 (en) 2019-05-31 2021-01-26 Apple Inc. User interfaces for managing controllable external devices
US11010121B2 (en) 2019-05-31 2021-05-18 Apple Inc. User interfaces for audio media control
KR20220027295A (ko) 2019-05-31 2022-03-07 애플 인크. 오디오 미디어 제어를 위한 사용자 인터페이스
DK201970533A1 (en) 2019-05-31 2021-02-15 Apple Inc Methods and user interfaces for sharing audio
CN110429111B (zh) * 2019-07-15 2022-07-05 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 显示面板及显示装置
US11539042B2 (en) 2019-07-19 2022-12-27 Honda Motor Co., Ltd. Flexible packaging with embedded electrode and method of making
CN112542485A (zh) * 2019-09-23 2021-03-23 台湾积体电路制造股份有限公司 显示设备与其制作方法
CN110618550B (zh) * 2019-09-25 2023-09-08 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法
CN110739398A (zh) * 2019-10-12 2020-01-31 安徽熙泰智能科技有限公司 微显示器件阳极银反射层及阳极结构的蚀刻方法
KR20210053395A (ko) * 2019-11-01 2021-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210080700A (ko) * 2019-12-20 2021-07-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI721736B (zh) * 2019-12-27 2021-03-11 友達光電股份有限公司 半導體基板
CN111155055A (zh) * 2020-01-06 2020-05-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled面板、其蒸镀方法和其掩膜版组
US11513667B2 (en) 2020-05-11 2022-11-29 Apple Inc. User interface for audio message
US11392291B2 (en) 2020-09-25 2022-07-19 Apple Inc. Methods and interfaces for media control with dynamic feedback
CN112420970B (zh) * 2020-11-19 2022-10-28 安徽熙泰智能科技有限公司 一种硅基Micro OLED微显示器件阳极侧壁保护刻蚀方法
US11847378B2 (en) 2021-06-06 2023-12-19 Apple Inc. User interfaces for audio routing
CN117981470A (zh) * 2021-09-30 2024-05-03 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块、电子设备以及显示装置的制造方法

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5760691A (en) 1980-09-29 1982-04-12 Nippon Telegraph & Telephone Thin film electroluminescent element
JP2839829B2 (ja) 1993-10-18 1998-12-16 株式会社東芝 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法
JPH07235381A (ja) 1994-02-23 1995-09-05 Fuji Electric Co Ltd 薄膜ｅｌ素子
JP3725908B2 (ja) 1994-05-31 2005-12-14 出光興産株式会社 導電性積層体
US5667853A (en) 1995-03-22 1997-09-16 Toppan Printing Co., Ltd. Multilayered conductive film, and transparent electrode substrate and liquid crystal device using the same
TW400556B (en) 1997-02-26 2000-08-01 Samsung Electronics Co Ltd Composition for a wiring, a wiring using the composition, a manufacturing method thereof, a display using the wiring and a manufacturing method thereof
CA2295963A1 (en) 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation Anhydrous method of packaging organic light emitting displays
KR100338008B1 (ko) * 1997-11-20 2002-10-25 삼성전자 주식회사 질화 몰리브덴-금속 합금막과 그의 제조 방법, 액정표시장치용 배선과 그의 제조 방법 및 액정 표시 장치와 그의 제조방법
JP3410667B2 (ja) * 1997-11-25 2003-05-26 シャープ株式会社 反射型液晶表示装置およびその製造方法
US6264336B1 (en) * 1999-10-22 2001-07-24 3M Innovative Properties Company Display apparatus with corrosion-resistant light directing film
JP2001290135A (ja) * 2000-01-31 2001-10-19 Nitto Denko Corp タッチ式液晶表示装置及び入力検出方法
JP2001313172A (ja) * 2000-02-25 2001-11-09 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス白色光源、及びその製造方法
JP2001255543A (ja) * 2000-03-10 2001-09-21 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2002015623A (ja) 2000-04-27 2002-01-18 Mitsui Chemicals Inc 透明電極
DE10031280A1 (de) * 2000-06-27 2002-01-24 Roth & Rauh Oberflaechentechni Multifunktionale Mehrlagenschicht auf transparenten Kunststoffen und Verfahren zur ihrer Herstellung
JP4549505B2 (ja) 2000-09-05 2010-09-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP4342711B2 (ja) * 2000-09-20 2009-10-14 株式会社日立製作所 液晶表示装置の製造方法
JP2002216976A (ja) 2001-01-15 2002-08-02 Sony Corp 発光素子及びその製造方法
JP2002234792A (ja) 2001-02-07 2002-08-23 Showa Denko Kk 単結晶製造方法
JP3758512B2 (ja) * 2001-03-02 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 電子機器
SG117406A1 (en) * 2001-03-19 2005-12-29 Miconductor Energy Lab Co Ltd Method of manufacturing a semiconductor device
SG116443A1 (en) * 2001-03-27 2005-11-28 Semiconductor Energy Lab Wiring and method of manufacturing the same, and wiring board and method of manufacturing the same.
EP1253373A3 (en) * 2001-04-24 2005-03-16 Mitsui Chemicals, Inc. Lamp reflector and reflector
US20020197875A1 (en) * 2001-06-21 2002-12-26 Prime View International Co., Ltd. Method for controlling profile formation of low taper angle in metal thin film electorde
JP2003017253A (ja) 2001-06-29 2003-01-17 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル及びその製造方法
WO2003005115A1 (en) * 2001-07-06 2003-01-16 Samsung Electronics Co., Ltd. An etchant for a wire, a method for manufacturing the wire and a method for manufacturing a thin film transistor array panel including the method
US6908695B2 (en) 2001-07-13 2005-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and manufacturing method thereof
JP4812980B2 (ja) 2001-08-09 2011-11-09 株式会社アルバック Ａｇ合金薄膜電極、有機ＥＬ素子及びスパッタリング用ターゲット
JP4896318B2 (ja) 2001-09-10 2012-03-14 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6750423B2 (en) * 2001-10-25 2004-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation method, laser irradiation apparatus, and method of manufacturing a semiconductor device
JP4123832B2 (ja) * 2002-05-31 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US20030228019A1 (en) 2002-06-11 2003-12-11 Elbit Systems Ltd. Method and system for reducing noise
KR100477746B1 (ko) 2002-06-22 2005-03-18 삼성에스디아이 주식회사 다층 구조의 애노드를 채용한 유기 전계 발광 소자
US7485579B2 (en) * 2002-12-13 2009-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a semiconductor device
KR100905472B1 (ko) * 2002-12-17 2009-07-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 액정 표시장치
JP4373086B2 (ja) 2002-12-27 2009-11-25 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US6861800B2 (en) * 2003-02-18 2005-03-01 Eastman Kodak Company Tuned microcavity color OLED display
JP2004333882A (ja) 2003-05-08 2004-11-25 Idemitsu Kosan Co Ltd 反射型電極基板及びその製造方法
JP2004319143A (ja) 2003-04-11 2004-11-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US7245341B2 (en) 2007-07-17
US20150228922A1 (en) 2015-08-13
US20120229742A1 (en) 2012-09-13
US8963417B2 (en) 2015-02-24
US20130248837A1 (en) 2013-09-26
KR101028072B1 (ko) 2011-04-08
CN1575063A (zh) 2005-02-02
JP4062171B2 (ja) 2008-03-19
US9431627B2 (en) 2016-08-30
US20160336531A1 (en) 2016-11-17
JP2004355918A (ja) 2004-12-16
US10170725B2 (en) 2019-01-01
US20070063645A1 (en) 2007-03-22
US9041629B2 (en) 2015-05-26
US9048451B2 (en) 2015-06-02
TW200509747A (en) 2005-03-01
US20050001963A1 (en) 2005-01-06
US20130248836A1 (en) 2013-09-26
KR20040103339A (ko) 2004-12-08
CN101459227A (zh) 2009-06-17
TWI240597B (en) 2005-09-21
US9761825B2 (en) 2017-09-12
US20170338439A1 (en) 2017-11-23
US20140332784A1 (en) 2014-11-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100472839C (zh) 层叠结构及其制造方法及显示元件和显示单元
US7250634B2 (en) Light-emitting device, method of manufacturing the same, and display unit
US7597602B2 (en) Organic light emitting device, manufacturing method thereof, and display unit
US6993214B2 (en) Light emitting device and display unit using it
JP2005093397A (ja) 有機発光素子およびその製造方法ならびに表示装置
US8188500B2 (en) Organic light-emitting element and light-emitting device using the same
KR20070058765A (ko) 전계 발광소자
KR101591332B1 (ko) 유기전계발광소자
CN101499516B (zh) 发光器件及其制造方法和显示单元
JP2005093329A (ja) 表示素子およびこれを用いた表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant