KR101591332B1 - 유기전계발광소자 - Google Patents

유기전계발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101591332B1
KR101591332B1 KR1020090115993A KR20090115993A KR101591332B1 KR 101591332 B1 KR101591332 B1 KR 101591332B1 KR 1020090115993 A KR1020090115993 A KR 1020090115993A KR 20090115993 A KR20090115993 A KR 20090115993A KR 101591332 B1 KR101591332 B1 KR 101591332B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
optical compensation
organic
light emitting
compensation layer
Prior art date
Application number
KR1020090115993A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20110059304A (ko
Inventor
이강주
김민기
Original Assignee
엘지디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지디스플레이 주식회사 filed Critical 엘지디스플레이 주식회사
Priority to KR1020090115993A priority Critical patent/KR101591332B1/ko
Publication of KR20110059304A publication Critical patent/KR20110059304A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101591332B1 publication Critical patent/KR101591332B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145—Organic substrates, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 광학특성이 향상된 유기전계발광소자에 관한 것이다.
본 발명의 특징은 인캡슐레이션을 위한 보호필름과 유기전계발광 다이오드 사이 또는 기판의 외측에 광학보상층을 더욱 구비하는 것이다.
이를 통해, 유기전계발광 다이오드와 보호필름 사이에서 빛의 상쇄간섭이 일어나게 함으로써, 보호필름과 유기전계발광 다이오드 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지한다.
또는, 유기전계발광 다이오드와 기판 사이에서 빛의 상쇄간섭이 일어나게 함으로써, 기판과 유기전계발광 다이오드 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지한다.
유기전계발광소자, 상쇄간섭, 보호필름, 플렉서블

Description

유기전계발광소자{Organic electro-luminescence device}
본 발명은 유기전계발광소자에 관한 것으로, 특히, 광학특성이 향상된 유기전계발광소자에 관한 것이다.
최근까지, CRT(cathode ray tube)가 표시장치로서 주로 사용되었다. 그러나, 최근에 CRT를 대신할 수 있는, 플라즈마표시장치(plasma display panel : PDP), 액정표시장치(liquid crystal display device : LCD), 유기전계발광소자(organic electro-luminescence device : OLED)와 같은 평판표시장치가 널리 연구되며 사용되고 있는 추세이다.
위와 같은 평판표시장치 중에서, 유기전계발광소자(이하, OLED라 함)는 자발광소자로서, 비발광소자인 액정표시장치에 사용되는 백라이트가 필요하지 않기 때문에 경량 박형이 가능하다.
그리고, 액정표시장치에 비해 시야각 및 대비비가 우수하며, 소비전력 측면에서도 유리하며, 직류 저전압 구동이 가능하고, 응답속도가 빠르며, 내부 구성요 소가 고체이기 때문에 외부충격에 강하고, 사용 온도범위도 넓은 장점을 가지고 있다.
특히, 제조공정이 단순하기 때문에 생산원가를 기존의 액정표시장치 보다 많이 절감할 수 있는 장점이 있다.
또한, 최근에는 플라스틱 등과 같이 유연성 있는 재료를 사용하여 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있게 제조된 플렉서블(flexible) OLED가 차세대 평판표시장치로 급부상중이다.
도 1은 일반적인 플렉서블 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면이며, OLED는 상부 발광방식이다.
도시한 바와 같이, 플렉서블 OLED(10)는 기판(1) 상에 구동 박막트랜지스터(DTr) 그리고 유기전계발광 다이오드가 형성된다.
이를 좀더 자세히 살펴보면, 유연한 특성을 갖는 플렉서블(flexible) 유리 또는 플라스틱, 스테인리스 스틸(stainless steel) 등으로 구성되는 기판(1)의 상부에는 각 화소영역(P) 별로 구동 박막트랜지스터(DTr)가 형성되어 있고, 각각의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되는 제 1 전극(11)과 제 1 전극(11)의 상부에 특정한 색의 빛을 발광하는 유기발광층(13)과, 유기발광층(13)의 상부에는 제 2 전극(15)이 구성된다.
유기발광층(13)은 적, 녹, 청의 색을 표현하게 되는데, 일반적인 방법으로는 각 화소마다 적, 녹, 청색을 발광하는 별도의 유기물질(13a, 13b, 13c)을 패턴하여 사용한다.
이들 제 1 및 제 2 전극(11, 15)과 그 사이에 형성된 유기발광층(13)은 유기전계 발광다이오드를 이루게 된다. 이때, 이러한 구조를 갖는 OLED(10)는 제 1 전극(11)을 양극(anode)으로 제 2 전극(15)을 음극(cathode)으로 구성하게 된다.
이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드 상부에는 보호필름(20)을 구비하여, 플렉서블 OLED(10)는 보호필름(20)을 통해 인캡슐레이션(encapsulation)하게 된다.
이를 통해, OLED(10)는 유연한 특성을 갖게 된다.
한편, 플렉서블 OLED(10)를 인캡슐레이션하는 보호필름(20)은 수분 및 산소가 OLED(10) 내부로 침투하는 것을 방지하기 위하여, 적어도 한층의 무기절연물질 및 적어도 한층의 유기절연물질을 교대로 적층한 복수층으로 구성된다.
그러나, 이렇게 무기절연물질과 유기절연물질을 교대로 적층한 보호필름(20)을 통해 인캡슐레이션 하는 플렉서블 OLED(10)는 보호필름(20)의 무기절연물질과 유기절연물질의 특성 차이로 인하여 기존의 유리기판(미도시)을 통해 인캡슐레이션 하는 OLED에 비해 휘도 및 색재현율이 저하되는 문제점을 야기하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 플렉서블 OLED의 휘도 및 색재현율을 향상시키고자 하는 것을 목적으로 한다.
전술한 바와 같은 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 구동 박막트랜지스터 및 유기전계발광 다이오드가 형성된 기판과; 상기 구동 박막트랜지스터 및 유기전계발광 다이오드를 덮는 보호필름과; 상기 유기전계발광 다이오드에서 발광하는 빛은 상기 보호필름과 상기 유기전계 다이오드 사이에 또는 상기 유기전계발광 다이오드와 상기 기판 사이에 적어도 하나 형성되는 제 1 광학보상층을 투과하는 유기전계발광소자를 제공한다.
이때, 상기 보호필름은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기보호층과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기보호층이 교대로 적층된 복수층이며, 상기 무기보호층과 상기 유기보호층 사이에 제 2 광학보상층을 더욱 포함한다.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 광학보상층의 굴절률은 상기 유기전계발광 다이오드 및 상기 보호필름의 굴절률 보다 크며, 상기 제 1 및 제 2 광학보상층의 굴절률은 상기 유기전계발광 다이오드 및 상기 기판의 굴절률 보다 크다.
또한, 상기 제 1 및 제 2 광학보상층은 상쇄 간섭 조건인 2n2t = mλ를 만족하는 만족하는 굴절률 및 두께를 갖지며, 이때, (n2 = 광학보상층의 굴절률, t = 광학보상층의 두께, λ=가시광의 파장, m=1, 2, 3, 4···)이다.
그리고, 상기 제 1 및 제 2 광학보상층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리 콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기절연물질과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기절연물질 중 선택된 하나로 이루어지거나, 또는 상기 무기절연물질과 상기 유기절연물질이 교대로 적층되며, 상기 기판은 플렉서블(flexible) 유리기판 또는 플라스틱 중 선택된 하나로 구성된다.
또한, 상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 게이트전극, 소스 및 드레인전극을 포함하며, 상기 유기전계발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과 유기발광층 그리고 제 2 전극을 포함한다.
위에 상술한 바와 같이, 본 발명에 따라 인캡슐레이션을 위한 보호필름과 유기전계발광 다이오드 사이 또는 기판의 외측에 광학보상층을 더욱 구비함으로써, 유기전계발광 다이오드와 보호필름 사이 또는 유기전계발광 다이오드와 기판 사이에서 빛의 상쇄간섭이 일어나게 함으로써, 보호필름과 유기전계발광 다이오드 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지하는 효과가 있다.
이를 통해, 기존의 유리재질로 인캡슐레이션 했던 OLED 또는 유리기판을 기판으로 사용하는 OLED에 비해 휘도 및 색재현율이 저하되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 상부 발광방식의 플렉서블 OLED를 개략적으로 도시한 단면도이며, 도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도이다.
한편, OLED(100)는 발광된 빛의 투과방향에 따라 상부 발광방식(top emission type)과 하부 발광방식(bottom emission type)으로 나뉘게 되는데, 이하 본 발명에서는 상부 발광방식을 일예로 설명하도록 하겠다.
도시한 바와 같이, 본 발명에 따른 상부 발광방식 OLED(100)의 화소영역(P)에는 다수의 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E)가 형성된다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, OLED(100)의 화소영역(P)의 기판(101) 상에는 반도체층(201)이 형성되는데, 반도체층(201)은 실리콘으로 이루어지며 그 중앙부는 채널을 이루는 액티브영역(201a) 그리고 액티브영역(201a) 양측면으로 고농도의 불순물이 도핑된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)으로 구성된다.
이러한 반도체층(201) 상부로는 게이트절연막(203)이 형성되어 있다.
게이트절연막(203) 상부로는 반도체층(201)의 액티브영역(201a)에 대응하여 게이트전극(205)과 도면에 나타내지 않았지만 일방향으로 연장하는 게이트배선이 형성되어 있다.
또한, 게이트전극(205)과 게이트배선(미도시) 상부 전면에 제 1 층간절연막(207a)이 형성되어 있으며, 이때 제 1 층간절연막(207a)과 그 하부의 게이트절연 막(203)은 액티브영역(201a) 양측면에 위치한 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 구비한다.
다음으로, 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 포함하는 제 1 층간절연막(207a) 상부로는 서로 이격하며 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 통해 노출된 소스 및 드레인영역(201b, 201c)과 각각 접촉하는 소스 및 드레인 전극(211, 213)이 형성되어 있다.
그리고, 소스 및 드레인전극(211, 213)과 제 1 층간절연막(207a) 상부로 드레인전극(213)을 노출시키는 드레인콘택홀(215)을 갖는 제 2 층간절연막(207b)이 형성되어 있다.
이때, 소스 및 드레인 전극(211, 213)과, 이들 전극(211, 213)과 접촉하는 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 포함하는 반도체층(201)과, 반도체층(201) 상부에 형성된 게이트절연막(203) 및 게이트전극(205)은 구동 박막트랜지스터(DTr)를 이루게 된다.
이때 도면에 나타나지 않았지만, 게이트배선(미도시)과 교차하여 화소영역을 정의하는 데이터배선(미도시)이 형성되어 있다. 그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시)는 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 구조로, 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결된다.
그리고, 스위칭 박막트랜지스터(미도시) 및 구동 박막트랜지스터(DTr)는 도면에서는 반도체층(201)이 폴리실리콘 반도체층으로 이루어진 탑 게이트(top gate) 타입을 예로써 보이고 있으며, 이의 변형예로써 순수 및 불순물의 비정질질실리콘 으로 이루어진 보텀 케이트(bottom gate) 타입으로 형성될 수도 있다.
또한, 제 2 층간절연막(207b) 상부의 실질적으로 화상을 표시하는 영역에는 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 제 1 전극(111)과 유기발광층(113) 그리고 제 2 전극(115)이 순차적으로 형성되어 있다.
제 1 전극(111)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인전극(213)과 연결되며, 제 1 전극(111)은 각 화소영역 별로 형성되는데, 각 화소영역 별로 형성된 제 1 전극(111) 사이의 비화소영역에는 뱅크(bank : 221)가 위치한다.
즉, 뱅크(221)는 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어, 뱅크(221)가 각각의 화소영역(P)에 대한 경계부로 형성되어 제 1 전극(111)이 화소영역 별로 분리된 구조로 형성되어 있다.
이와 같은 경우에, 제 1 전극(111)은 애노드(anode) 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 높은 물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성하며, 제 2 전극(115)은 캐소드(cathode)의 역할을 하기 위해 비교적 일함수 값이 낮은 금속물질로 이루어진다.
그리고, 유기발광층(113)에서 발광된 빛은 제 2 전극(115)을 향해 방출되는 상부 발광방식으로 구동된다.
그리고, 유기발광층(113)은 발광물질로 이루어진 단일층으로 구성될 수도 있으며, 발광 효율을 높이기 위해 정공주입층(hole injection layer), 정공수송층( hole transporting layer), 발광층(emitting material layer), 전자수송층(electron transporting layer) 및 전자주입층(electron injection layer)의 다 중층으로 구성될 수도 있다.
이러한 OLED(100)는 선택된 색 신호에 따라 제 1 전극(111)과 제 2 전극(115)으로 소정의 전압이 인가되면, 제 1 전극(111)으로부터 주입된 정공과 제 2 전극(115)으로부터 인가된 전자가 유기발광층(113)으로 수송되어 엑시톤(exciton)을 이루고, 이러한 엑시톤이 여기상태에서 기저상태로 천이 될 때 빛이 발생되어 가시광선의 형태로 방출된다.
이때, 발광된 빛은 제 2 전극(115)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
한편, 기판(101)은 유리, 플라스틱 재질 등 투명한 재료로 하여 형성할 수 있으며, 이러한 구동 박막트랜지스터(DTr)와 유기전계발광 다이오드(E) 상부에는 얇은 박막필름 형태인 보호필름(120)을 구비하는데, 본 발명의 OLED(100)는 보호필름(120)을 통해 인캡슐레이션(encapsulation)된다.
이에, 본 발명의 OLED(100)는 보호필름(120)을 통해 인캡슐레이션 함으로써, 유리로 인캡슐레이션 했던 경우에 비해 OLED(100)를 얇은 두께로 형성할 수 있어, OLED(100)의 전체적인 두께를 줄일 수 있다.
또한, OLED(100)는 유연한 특성을 갖게 되어, 종이처럼 휘어져도 표시성능을 그대로 유지할 수 있는 플렉서블(flexible) OLED를 구현하게 된다.
한편, 보호필름(120)은 수분 및 산소가 OLED(100) 내부로 침투하는 것을 방지하기 위하여, 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함 하는 무기보호층(120a)과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기보호층(120b)이 교대로 적층된 복수층으로 형성한다.
이때, 유기보호층(120b)은 무기보호층(120a)에 의해 둘러싸이는 구조로 적층된다.
특히, 본 발명의 보호필름(120)은 광학보상층(200)을 더욱 형성하는 것을 특징으로 한다.
광학보상층(200)은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기절연물질과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기절연물질 중 선택된 하나로 이루어지거나, 또는 무기절연물질과 유기절연물질을 교대로 적층된 복수층으로 형성할 수 있다.
광학보상층(200)은 2.0 ~ 3.0의 굴절률을 갖는데, 이러한 광학보상층(200)은 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이에서 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E)의 굴절률 차이로 인하여, 빛의 감쇄효과가 발생하는 것을 방지하는 역할을 한다.
이에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 무기보호층(120a)과 유기보호층(120b)으로 이루어지는 보호필름(120)은 빛의 편광 여하에 따라 약 1.5의 굴절률을 가지며, 유기전계발광 다이오드(E)는 약 1.8의 굴절률을 갖는다.
이에, 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E)의 굴절률 차에 의해, 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사에 의해 빛이 소멸간섭 되게 된다.
특히, 보호필름(120)이 무기보호층(120a)과 유기보호층(120b)이 서로 교번하여 적층된 구조로 형성됨에 따라, 보호필름(120)을 통해 인캡슐레이션하는 플렉서블 OLED(100)의 경우 기존의 유리기판(미도시)을 통해 인캡슐레이션 하는 OLED에 비해 휘도 및 색재현율이 저하된다.
이에, 본 발명은 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이에 2 ~ 3의 굴절률을 갖는 광학보상층(200)을 형성함으로써, 이와 같은 문제점을 방지하게 되는 것이다.
이에 대해 도 4를 참조하여 좀더 자세히 살펴보면, 일반적으로 서로 다른 굴절률을 갖는 물질 사이에서는 빛을 흡수 또는 광학적으로 간섭하여 반사시키게 된다.
이에, 본 발명의 플렉서블 OLED(100)의 보호필름(120)에 광학보상층(200)을 포함하도록 함으로써, 도 4에 도시한 바와 같이 유기전계발광 다이오드(E)와 광학보상층(200) 그리고 보호필름(120)은 유기전계발광 다이오드(E)로부터 발광된 빛은 일정 각으로 광학보상층(200)으로 입사되는데, 이때, 입사된 빛은 유기전계발광 다이오드(E)와 광학보상층(200) 사이의 계면 즉, 도면상으로 정의한 a점에서 반사 및 굴절을 하게 된다.
여기서, 광학보상층(200)에 의해 반사된 빛은 반사광 R1이 되고, a점에서 반 사되지 않은 빛은 광학보상층(200)을 통과하여 광학보상층(200)과 보호필름(120) 사이의 계면 즉, 도면상으로 정의한 b점에 도달하게 된다.
b점에 도달한 빛 또한 반사 및 굴절을 하게 되고, b점에서 반사된 빛은 반사광 R2가 되어, 광학보상층(200)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이의 계면 즉, 도면상으로 정의한 e점을 통과하여 다시 유기전계발광 다이오드(E)로 나오게 된다.
한편, b점에서 반사되지 않은 빛은 보호필름(120)을 통과한 후, 보호필름(120)의 계면 즉 도면상으로 정의한 c점에 도달하게 된다.
c점에 도달한 빛은 다시 보호필름(120)의 계면에 의해 반사 및 굴절을 하게 되는데, c점에서 반사된 빛은 반사광 R3가 되어, d점과 f점을 통과하여 다시 유기전계발광 다이오드(E)로 나오게 된다.
그리고, c점에서 반사되지 않은 빛은 굴절되어 보호필름(120)을 통과하게 되고, 보호필름(120)을 통과한 굴절된 빛을 통해 화상을 구현하게 되는 것이다.
이러한, 반사된 빛들은 각 계면에서 굴절 및 반사되는 과정에서 보강간섭과 상쇄간섭을 일으키게 되는데, 보강간섭은 물질에서 반사된 빛의 위상이 일치할 경우 발생하게 되며, 상쇄간섭은 물질에서 반사된 빛의 위상이 반대가 되면 발생하게 되는 현상이다.
보강간섭이 이루어지게 되면 빛의 반사율을 향상시키게 되며, 상쇄간섭이 이루어지게 되면 빛의 반사율이 낮아지게 된다.
특히, 본 발명의 실시예에 따라 유기전계발광 다이오드(E)와 광학보상층(200) 그리고 보호필름(120)의 3개의 서로 다른 굴절률을 갖는 물질로 이루어질 경우, 각 물질 사이에서의 반사광의 간섭효과는
식(1)
2n2t = mλ (m = 1, 2, 3, 4···)
식(2)
2n2t = (m + 1/2)λ (m = 1, 2, 3, 4···)
로 정의될 수 있다.
여기서, n2 는 유기전계발광 다이오드(E)와 보호필름(120) 사이에 위치하는 광학보상층(200)의 굴절률을 나타내며, t는 광학보상층(200)의 두께를 나타내며, λ은 가시광의 파장을 나타낸다.
이때, 유기전계발광 다이오드(E)의 굴절률을 n1으로 정의하고, 광학보상층(200)의 굴절률을 n2 그리고 보호필름(120)의 굴절률을 n3로 정의하고, 각 굴절률 값이 n1 < n2 > n3 일 경우, 식(1)은 상쇄 간섭 조건을 만족하게 되며, 식(2)는 보강 간섭 조건을 만족시키게 된다.
이에, 상쇄 간섭 조건은 다시 아래와 같이 정리할 할 수 있다.
상쇄 간섭 조건 = 2n2t = mλn2
여기서, λn2는 광학보상층(200)의 가시광의 파장을 나타낸다.
이에, 본 발명의 광학보상층(200)은 위의 식을 만족하는 굴절률과 두께를 갖 도록 하여, 유기전계발광 다이오드(E)와 보호필름(120) 사이에서 상쇄간섭이 일어나게 함으로써, 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지하게 되는 것이다.
여기서, 광학보상층(200)의 굴절률은 아래 식(3)을 통해 결정할 수 있다.
식(3)
2n2 = λ/t
이를 통해, 유기전계발광 다이오드(E)와 보호필름(120) 사이의 굴절 및 반사율을 낮출 수 있는 광학보상층(200)의 굴절률 값을 결정할 수 있다.
그 다음으로, 결정된 광학보상층(200)의 굴절률 값을 통해 아래 식(4)에 대입하여, 광학보상층(200)의 두께 t를 결정할 수 있다.
식(4)
t = λ/2n2
여기서, 유기전계발광 다이오드(E)와 광학보상층(200) 그리고 보호필름(120)의 굴절률 차이는 0.2 이상 3 이하가 되도록 함이 바람직한데, 가능한 굴절률 차를 크게 함이 더욱 바람직하다.
굴절률의 차가 0.2 미만인 경우에는 계면에서의 광분산효과가 떨어져 유기전계발광 다이오드(E)로부터 조사되는 빛의 반사율이 높아지게 되기 때문이다.
아래 표(1)은 본 발명의 실시예에 따른 광학보상층(200)의 굴절률 및 두께에 따른 색재현율 및 휘도 등을 측정한 실험데이터이다.
광학보상층 청색(B) 녹색(G) 적색(R) 색재현율
(%)
굴절률
(n)		 두께
(Å)		 효율
(cd/A)		 CIEx CIEy 효율
(cd/A)		 CIEx CIEy 효율
(cd/A)		 CIEx CIEy
No 광학보상층 16.35 0.1274 0.1355 62.52 0.2094 0.6494 23.04 0.6670 0.3125 83.10
1.6 500 16.15 0.1282 0.1331 64.10 0.2119 0.6522 22.21 0.6536 0.3239 81.15
1.8 500 16.29 0.1296 0.1293 65.69 0.2018 0.6592 25.23 0.6552 0.3253 83.55
2.0 500 16.31 0.1310 0.1246 67.21 0.1921 0.6681 28.32 0.6583 0.3251 86.71
2.2 500 16.20 0.1324 0.1195 68.35 0.1838 0.6776 31.05 0.6623 0.3233 90.16
2.4 500 15.97 0.1335 0.1147 68.86 0.1776 0.6866 33.04 0.6669 0.3205 93.54
2.6 500 15.64 0.1343 0.1108 68.83 0.1734 0.6944 34.09 0.6714 0.3172 96.52
2.8 500 15.31 0.1347 0.1082 68.33 0.1707 0.7005 34.20 0.6756 0.3138 98.92
3.0 500 15.03 0.1348 0.1066 67.23 0.1696 0.7041 33.57 0.6792 0.3106 100.56
표(1)
여기서, 효율은 유기전계발광 다이오드(E)에 기준전류를 인가하였을 경우 측정한 휘도를, 인가한 전류로 나눈 발광효율로, 값이 클수록 효율이 높다.
효율은 유기전계발광 다이오드(E)의 내부에서 발생되는 광량을 나타내는 내부양자효율(internal quantum efficiency)과 유기전계발광 다이오드(E)의 외부에서 발생되는 광량을 나타내는 외부양자효율(external quantum efficiency)에 의해 결정된다.
표(1)을 참조하면 알 수 있듯이, 광학보상층(200)이 없는 경우에 비해 광학보상층(200)을 포함함으로써, 색재현율이 향상되는 것을 확인할 수 있다.
이때, 광학보상층(200)의 굴절률이 1.6, 1.8일 경우에는 광학보상층(200)의 두께가 너무 두꺼워지므로, 광학보상층(200)의 굴절률을 2.0 ~ 3.0으로 하는 것이 바람직하다.
특히, 광학보상층(200)의 굴절률이 3.0이며, 광학보상층(200)의 두께가 500Å일 경우, 색재현율이 광학보상층(200)이 없는 경우에 비해 약 18% 증가하는 것을 확인할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명의 플렉서블 OLED(100)는 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이에 광학보상층(200)을 더욱 구비함으로써, 유기전계발광 다이오드(E)와 보호필름(120) 사이에서 빛의 상쇄간섭이 일어나게 함으로써, 보호필름(120)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지하게 되는 것이다.
한편, 지금까지의 설명에서는 보호필름(120)의 무기보호막(120a)과 유기보호막(120b) 사이의 계면에 모두 광학보상층(200)을 구비한 구조를 설명하였으나, 광학보상층(200)은 보호필름(120) 내의 특정 무기보호막(120a)과 유기보호막(120b) 사이의 단 한층만으로도 형성가능하다.
여기서, 광학보상층(200)은 스핀(spin) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 롤(roll) 인쇄 방법, 잉크젯(inkjet) 코팅 방법을 사용하여 구성할 수 있는데, 이에 대해 도 5a ~ 5g를 참조하여 좀더 자세히 살펴보도록 하겠다.
도 5a ~ 5g는 본 발명의 실시예에 따른 상부 발광방식의 플렉서블 OLED의 제조 단계별 단면도이다.
도시한 바와 같이, 기판(101) 상에 구동 박막트랜지스터(DTr)를 형성하는데, 구동 박막트랜지스터(Dtr)는 반도체층(201)과 반도체층(201) 상부에 형성된 게이트절연막(203) 및 게이트전극(205) 그리고 게이트전극(205) 상부에 형성된 제 1 층간절연막(207a) 및 소스 및 드레인전극(211, 213)으로 이루어진다.
그리고, 소스 및 드레인전극(211, 213)과 제 1 층간절연막(207a) 상부로 드 레인전극(213)을 노출하는 드레인콘택홀(215)을 갖는 제 2 층간절연막(207b)이 형성되어 있다.
도면상에 도시하지는 않았지만 이의 형성방법에 대해 좀더 자세히 살펴보면, 비정질실리콘을 증착한 후, 포토레지스트의 도포, 마스크를 통한 노광, 노광된 포토레지스트의 현상 및 현상후 남아 있는 포토레지스트 외부로 노출된 비정질실리콘층의 식각 및 남아 있는 포토레지스트의 애싱(ashing) 또는 스트립(strip) 등의 마스크 공정을 통한 패터닝이라 칭하는 일련의 공정을 진행하여 반도체층(201)을 형성한다.
이때, 반도체층(201)의 탈수소 과정을 거쳐 열처리에 의해 폴리실리콘으로 결정화하는 공정을 더욱 포함한다.
다음으로 반도체층(201)이 형성된 기판(101) 상에 제 2 절연물질 및 제 1 금속층을 차례대로 증착한 후, 앞서 설명한 바와 같이 마스크 공정을 통해 반도체층(201)의 중앙부에 제 2 절연물질을 게이트절연막(203)으로 형성한다.
그리고 게이트절연막(203)을 하부층으로 하여 제 1 금속층을 게이트전극(205)으로 형성한다.
여기서, 제 2 절연물질은 무기절연물질인 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(Si02) 중 어느 하나인 것이 바람직하다.
그리고, 제 1 금속층은 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo), 니켈(Ni), 텅스텐(W) 등의 금속 물질 중에서 선택되는 하나 또는 둘 이상 의 물질을 증착하여 단일층 또는 이중층으로 하는 것이 바람직하다.
다음으로 반도체층(201)이 형성된 기판(101)에 있어서, 게이트전극(205) 및 게이트배선(미도시) 외부로 노출된 게이트절연막(203)을 식각하여 제거한 후, 기판(101) 상에 적정 도즈량을 갖는 이온주입에 의해 n+ 또는 p+ 도핑을 실시한다.
이때, 반도체층(201)에 있어서 게이트전극(205)에 의해 이온주입이 블록킹된 부분은 액티브층(201a)을 형성하게 되고, 그 외의 이온주입된 액티브 영역은 소스 및 드레인영역(201b, 201c)을 형성하게 된다.
이로써 액티브영역(201a)과 소스 및 드레인영역(201b, 201c)으로 이루어진 반도체층(201)을 완성하게 된다.
다음으로 게이트전극(205)을 포함하여 노출된 소스 및 드레인영역(201b, 201c) 상부로 무기절연물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써, 게이트전극(205) 양측의 소스 및 드레인영역(201b, 201c) 일부를 각각 노출시키는 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 갖는 제 1 층간절연막(207a)을 형성한다.
다음으로 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 갖는 제 1 층간절연막(207a)이 형성된 기판(101) 전면에 금속물질을 증착하고 마스크공정을 진행하여 패터닝함으로써 제 1, 2 반도체층 콘택홀(209a, 209b)을 통해 각각 소스 및 드레인영역(201b, 201c)과 접촉하는 소스 및 드레인전극(211, 213)을 형성한다.
이때, 소스 및 드레인전극(211, 213)은 게이트전극(205)을 사이에 두고 서로 이격하게 위치한다.
다음으로 소스 및 드레인전극(211, 213)이 형성된 기판(101) 전면에 포토아 크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB) 등의 유기절연물질을 도포하고 마스크공정을 통해 패터닝함으로써, 기판(101) 전면에 제 2 층간절연막(207b)을 형성한다.
이때, 제 2 층간절연막(207b)은 드레인전극(213)을 노출하는 드레인전극 콘택홀(215)를 가진다.
다음으로, 도 5b에 도시한 바와 같이, 제 2 층간절연막(207b)의 상부로는 유기전계발광 다이오드(E)를 형성하는데, 유기전계발광 다이오드(E)는 제 1, 2 전극(111, 115)과 그 사이에 형성된 유기발광층(113)으로 이루어진다.
여기서, 유기전계발광 다이오드(E)는 제 2 층간절연막(207b) 상부로 유기전계발광 다이오드(E)를 구성하는 일 구성요소로써 양극(anode)을 이루는 제 1 전극(111)을 형성한 후, 제 1 전극(111)의 상부에 감광성의 유기절연물질 예를 들면 포토아크릴(photo acryl) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)을 도포하고 이를 패터닝함으로써 제 1 전극(111) 상부로 뱅크(221)을 형성한다.
뱅크(221)은 기판(101) 전체적으로 격자 구조의 매트릭스 타입으로 형성되어 화소영역 간을 구분하게 된다.
다음으로, 뱅크(221) 상부에 유기발광물질을 도포 또는 증착하여 유기발광층(113)을 형성한다.
다음으로, 유기발광층(113) 상부에 일함수가 낮은 금속 물질을 얇게 증착한 반투명 금속막 상에 투명한 도전성 물질을 두껍게 증착한 제 2 전극(111)을 형성함으로써, 유기전계발광 다이오드(E)를 완성하게 된다.
다음으로, 도 5c에 도시한 바와 같이, 유기전계발광 다이오드(E) 상부에 무기절연물질로 이루어지는무기보호층(120a)을 형성한다.
무기보호층(120a)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)와 같은 무기절연물질로 형성하는데, 여기서, 무기보호층(120a)은 화학기상증착(chemical vapor deposition : CVD) 또는 스퍼터장비(sputter)를 통해 형성한다.
다음으로, 도 5d에 도시한 바와 같이, 무기보호층(120a)의 상부로 유기보호층(120b)을 형성하는데, 유기보호층(120b)은 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 같은 유기절연물질로 형성하는데, 여기서 유기보호층(120b)은 잉크젯(inkjet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅, 바(bar) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 스핀(spin) 코팅 장치 또는 프린트(print) 장치 등을 이용하여 전면에 코팅함으로써 형성한다.
다음으로 도 5e에 도시한 바와 같이, 유기보호층(120b) 상부로 광학보상층(200)을 형성하는데, 광학보상층(200)은 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)와 같은 무기절연물질 또는 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)과 같은 유기절연물질 중 선택된 하나로 단층 또는 다층으로 형성하는데, 여기서, 광학보상층(200)을 무기절연물질로 형성할 경우, 화학기상증착(chemical vapor deposition : CVD) 또는 스퍼터장비(sputter)를 통해 형성한다.
또는 유기절연물질로 광학보상층(200)을 형성하고자 할 경우, 광학보상층(200)은 잉크젯(inkjet) 장치, 노즐(nozzle) 코팅, 바(bar) 코팅, 슬릿(slit) 코팅, 스핀(spin) 코팅 장치 또는 프린트(print) 장치 등을 이용하여 전면에 코팅함으로써 형성한다.
여기서, 광학보상층(200)의 굴절률(n2)과 두께(t)는 앞서 전술한 바와 같이 식(1)의 조건을 만족시킬 수 있도록 형성한다.
이때, 유기전계발광 다이오드(E)의 굴절률이 약 1.8이며, 제 1 및 제 2 보호층(120a, 120b)의 굴절률이 빛의 편광 여하에 따라 약 1.5일 경우, 본 발명의 광학보상층(200)은 2 ~ 3의 굴절률을 갖도록 하는 것이 바람직하다.
그리고, 광학보상층(200)의 두께(t)는 위의 굴절률(n2)을 앞서 전술한 식(5)에 대입하여, 식(5)를 만족하는 두께(t)를 갖도록 하는 것이 바람직하다.
다음으로, 도 5f에 도시한 바와 같이, 광학보상층(200) 상부로 다시 제 1 보호층(120a)과 제 2 보호층(120b) 그리고 광학보상층(200)을 서로 교번하여 앞서 형성한 바와 같이 동일한 방법을 통해 형성한다.
이로 인하여, 본 발명의 실시예에 따른 플렉서블 OLED(100)를 완성하게 된다.
한편, 지금까지의 설명에서는 기판(101)을 유리, 플라스틱 재질 등으로 형성하고 유기전계발광 다이오드(E)로부터 발광된 빛이 보호필름(120)을 향하는 방향으로 방출되는 상부 발광방식의 플렉서블 OLED(100)를 일예로 설명하였으나, 본 발명 은 유기전계발광 다이오드(E)로부터 발광된 빛이 기판(101)을 향해 방출되는 하부 발광방식의 플렉서블 OLED(100) 또한 적용가능하다.
즉, 도 6에 도시한 바와 같이, 하부 발광방식의 플렉서블 OLED(100)는 유기전계발광 다이오드(E)의 유기발광층(113)으로부터 발광된 빛이 제 1 전극(111)을 통과하여 외부로 나가게 되므로, OLED(100)는 임의의 화상을 구현하게 된다.
이때, 기판(101)은 플라스틱 또는 고분자 재질로 이루어지며, 이러한 기판(101)은 빛의 편광 여하에 따라 약 1.5의 굴절률을 가지며, 유기전계발광 다이오드(E)는 약 1.8의 굴절률을 가지므로, 이러한 유기전계발광 다이오드(E)와 기판(101) 사이에 2 ~ 3의 굴절률을 갖는 광학보상층(200)을 형성하여, 기판(101)과 유기전계발광 다이오드(E) 사이의 계면에서 발생하는 굴절 및 반사율을 낮춰 빛이 소멸간섭 되는 것을 방지한다.
따라서, 기존의 유리기판(미도시)을 기판으로 사용하는 OLED에 비해 휘도 및 색재현율이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명은 상기 실시예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.
도 1은 일반적인 플렉서블 OLED의 단면을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 상부 발광방식의 플렉서블 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.
도 3은 도 2의 일부를 확대 도시한 단면도.
도 4는 서로 다른 굴절률을 갖는 물질 사이에서의 빛을 흡수 또는 반사하는 모습을 개략적으로 도시한 도면.
도 5a ~ 5g는 본 발명의 실시예에 따른 상부 발광방식의 플렉서블 OLED의 제조 단계별 단면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 하부 발광방식의 플렉서블 OLED를 개략적으로 도시한 단면도.

Claims (10)

  1. 기판 상에 배치되는 구동 박막트랜지스터 및 유기전계발광 다이오드와;
    상기 구동 박막트랜지스터 및 유기전계발광 다이오드 상부에 배치되는 보호필름과;
    상기 유기전계발광 다이오드 및 보호필름 사이에 배치되는 제 1 광학보상층을 포함하고,
    상기 제 1 광학보상층은, 상기 유기전계발광 다이오드 및 보호필름 보다 큰 굴절률을 갖고, 상기 유기전계발광 다이오드 및 제 1 광학보상층의 계면에서 반사된 광과 상기 유기전계발광 다이오드 및 제 1 광학보상층의 계면을 투과한 광이 상쇄 간섭 되는 두께를 갖는 유기전계발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 보호필름은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기보호층과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기보호층이 교대로 적층된 복수층인 유기전계발광소자.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 보호필름은 상기 무기보호층 및 유기보호층 사이에 배치되는 제 2 광학보상층을 더 포함하고,
    상기 제 2 광학보상층은, 상기 무기보호층 및 유기보호층 보다 큰 굴절률을 갖고, 상기 유기보호층 및 제 2 광학보상층의 계면에서 반사된 광과 상기 유기보호층 및 제 2 광학보상층의 계면을 투과한 광이 상쇄 간섭 되는 두께를 갖는 유기전계발광소자.
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 광학보상층은 상쇄 간섭 조건인 2n2t = mλ(n2 = 광학보상층의 굴절률, t = 광학보상층의 두께, λ=가시광의 파장, m=1, 2, 3, 4···) 를 만족하는 만족하는 굴절률 및 두께를 갖는 유기전계발광소자.
  7. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 광학보상층은 질화실리콘(SiNx), 산화실리콘(Si02) 또는 알루미나(Al2O3)를 포함하는 무기절연물질과 폴리아크릴레이트(polyacrylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리 아마이드(polyamide) 또는 벤조사이클로부텐(BCB)를 포함하는 유기절연물질 중 선택된 하나로 이루어지거나, 또는 상기 무기절연물질과 상기 유기절연물질이 교대로 적층된 유기전계발광소자.
  8. 제 1 에 있어서,
    상기 기판은 플렉서블(flexible) 유리기판 또는 플라스틱 중 선택된 하나로 구성되는 유기전계발광소자.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 구동 박막트랜지스터는 반도체층과, 게이트전극, 소스 및 드레인전극을 포함하는 유기전계발광소자.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 유기전계발광 다이오드는 상기 구동 박막트랜지스터와 연결되는 제 1 전극과 유기발광층 그리고 제 2 전극을 포함하는 유기전계발광소자.
KR1020090115993A 2009-11-27 2009-11-27 유기전계발광소자 KR101591332B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090115993A KR101591332B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기전계발광소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090115993A KR101591332B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기전계발광소자

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20110059304A KR20110059304A (ko) 2011-06-02
KR101591332B1 true KR101591332B1 (ko) 2016-02-03

Family

ID=44394466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090115993A KR101591332B1 (ko) 2009-11-27 2009-11-27 유기전계발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101591332B1 (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101892711B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102010849B1 (ko) * 2012-12-26 2019-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자
KR102153394B1 (ko) * 2013-07-29 2020-09-08 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치
KR102287818B1 (ko) 2015-01-13 2021-08-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR102608418B1 (ko) 2016-07-13 2023-12-01 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN111415975A (zh) * 2020-04-30 2020-07-14 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4350996B2 (ja) * 2002-11-26 2009-10-28 日東電工株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、面光源および表示装置
KR100552960B1 (ko) * 2003-08-12 2006-02-15 삼성에스디아이 주식회사 반사형 편광판을 구비한 유기 전계 발광 표시 장치
KR101122232B1 (ko) * 2004-12-17 2012-03-19 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 액정 표시 장치
KR100873080B1 (ko) * 2007-05-10 2008-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광표시장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20110059304A (ko) 2011-06-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102037850B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US8946722B2 (en) Organic light emitting display device and method of manufacturing the same
KR100563046B1 (ko) 유기 전계 발광 표시 장치
US7977875B2 (en) Light emitting display
KR100584068B1 (ko) 발광 소자, 표시 장치 및 발광 표시 장치
JP4121514B2 (ja) 有機発光素子、及び、それを備えた表示装置
US8421341B2 (en) Organic electroluminescent device
US20060181204A1 (en) Flexible organic light emitting devices
KR101580827B1 (ko) 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
WO2017043242A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、照明装置および表示装置
KR20100063292A (ko) 상부 발광방식 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
KR101591332B1 (ko) 유기전계발광소자
WO2017043243A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、照明装置および表示装置
KR20090056865A (ko) 표시패널 및 그 제조방법
JP7474040B2 (ja) 自発光型表示パネル
JP7513472B2 (ja) 自発光型表示パネル
KR20100131074A (ko) 상부 발광방식 유기전계발광소자 및 이의 제조방법
JP2021052095A (ja) 表示パネル及び表示パネルの製造方法
JP2012054091A (ja) 多色表示装置
KR101927207B1 (ko) 유기발광다이오드표시장치
KR102113609B1 (ko) 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
JP7412969B2 (ja) 表示パネルおよび表示パネルの製造方法
KR101887237B1 (ko) 유기발광표시장치
KR101770592B1 (ko) 유기전계 발광소자
KR20170050229A (ko) 플렉서블 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181226

Year of fee payment: 4