JP6216540B2 - 有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ - Google Patents
有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ Download PDFInfo
- Publication number
- JP6216540B2 JP6216540B2 JP2013103909A JP2013103909A JP6216540B2 JP 6216540 B2 JP6216540 B2 JP 6216540B2 JP 2013103909 A JP2013103909 A JP 2013103909A JP 2013103909 A JP2013103909 A JP 2013103909A JP 6216540 B2 JP6216540 B2 JP 6216540B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- color filter
- organic
- emitting device
- layer
- green
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 78
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 102
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 28
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 24
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 325
- 239000000463 material Substances 0.000 description 61
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 45
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 45
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 36
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 29
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 26
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 25
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 25
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 16
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 15
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 10
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 8
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 6
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 4
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 3
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N dioxomolybdenum Chemical compound O=[Mo]=O QXYJCZRRLLQGCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 125000004434 sulfur atom Chemical group 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100464809 Arabidopsis thaliana PNM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100065564 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUP35 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- 241000905137 Veronica schmidtiana Species 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P dequalinium Chemical compound C1=CC=C2[N+](CCCCCCCCCC[N+]3=C4C=CC=CC4=C(N)C=C3C)=C(C)C=C(N)C2=C1 PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N dipropyl phthalate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCC MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N dipropyltryptamine Chemical compound C1=CC=C2C(CCN(CCC)CCC)=CNC2=C1 BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 108010025899 gelatin film Proteins 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N n,2-diphenylaniline Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1NC1=CC=CC=C1 NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/08—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters for producing coloured light, e.g. monochromatic; for reducing intensity of light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Description
基本構造に係る有機EL発光装置の1ピクセル部分の模式的断面構造は、図1に示すように、駆動回路34R・34G・34Bと、各駆動回路34R・34G・34B上にそれぞれ配置されたVIA電極(アノードVIA電極)70と、各VIA電極(アノードVIA電極)70上に配置された下部電極30と、下部電極30上に共通領域として配置された有機EL層36と、有機EL層36上に配置された上部電極38と、上部電極38上に配置されたカラーフィルタ40R・40G・40Bとを備える。
基本構成に係る有機EL発光装置8の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図4に示すように、ピクセルアレイ10と、ピクセルアレイ10の列方向に隣接して配置されるカラム(Column)ドライバ20と、カラムドライバ20の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路16と、データラッチ回路16の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ(Hシフトレジスタ)12と、ピクセルアレイ10の行方向に隣接して配置されるロードライバ18と、ロードライバ18に隣接して配置される垂直シフトレジスタ(Vシフトレジスタ)14と、ピクセルアレイ10の行方向に隣接して配置されるPNMドライバ22とを備える。
比較例1のカラーフィルタは、図5に示すように、有機EL層36上に配置された上部電極38上に、それぞれ相対的に厚い赤色カラーレジスト40R・緑色カラーレジスト40G・青色カラーレジスト40Bを1層配置している。また、赤色カラーレジスト40R・緑色カラーレジスト40G・青色カラーレジスト40Bそれぞれの隣接部分に黒色カラーレジスト40Mを配置している。黒色カラーレジスト40Mによって混色を防ぐためのブラックマトリックスが形成されている。
比較例2に係る有機EL発光装置の模式的断面構造であって、ドライエッチングで金属を加工する前の状態は、図36(a)に示すように表され、ドライエッチングで金属を加工した後の状態は、図36(b)に示すように表され、有機EL層の上に上部電極が配置された状態は、図36(c)に示すように表される。
基本構成に係る有機EL発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタは、図6に示すように、表面に有機EL層36および上部電極38を有する基板と、基板上に配置された赤色カラーフィルタ40R(40R1・40R2)と、基板上に配置された緑色カラーフィルタ40G(40G1・40G2)と、基板上に配置された青色カラーフィルタ40B(40B1・40B2・40B3)とを備える。ここで、赤色カラーフィルタ40R、緑色カラーフィルタ40Gおよび青色カラーフィルタ40Bの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で積層されて形成される。また、基板は、半導体ウェハ60(図17参照)などで形成可能である。また、基板は、ガラス基板であっても良く、ガスバリア付プラスチックフィルムなどのフレキシブル基板を採用することもできる。尚、図6においては、上部電極36上にカラーレジスト40G・40R・40Bが形成されているが、後述する図17に示すように、上部電極36上に配置されたシール層44上に形成しても良い。
第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタの重なり効果を説明するための模式的平面パターン構成は、図7に示すように表され、図7のI−I線に沿う模式的断面構造は、図8に示すように表される。図7は、矩形状の1ピクセルに対して、サブピクセル上に赤色カラーフィルタ40R(40R1・40R2)・青色カラーフィルタ40B(40B1・40B2.40B3)・緑色カラーフィルタ40G(40G1・40G2)を互いに重ね合わせて配置した例を示す。
以下、図6を用いて第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタの形成方法を説明する。
第1の実施の形態の変形例1に係る積層カラーフィルタは、図11に示すように、赤色カラーレジスト40R1・40R2を2層、緑色カラーレジスト40G1・40G2・40G3を3層、青色カラーレジスト40B1・40B2を2層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約1ミクロン以下であればよい。ここでは、緑色カラーレジスト40G1・40G2・40G3が最も多層であるため、緑色カラーレジスト40G1から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第1の実施の形態の変形例2に係る積層カラーフィルタは、図12に示すように、赤色カラーレジスト40R1・40R2・40R3を3層、緑色カラーレジスト40G1・40G2を2層、青色カラーレジスト40B1・40B2を2層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約1ミクロン以下であればよく、特に限定されるものではない。ここでは、赤色カラーレジスト40R1・40R2・40R3が最も多層であるため、赤色カラーレジスト40R1から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第1の実施の形態の変形例3に係る積層カラーフィルタは、図13に示すように、赤色カラーレジスト40R1を1層、緑色カラーレジスト40G1を1層、青色カラーレジスト40B1・40B2を2層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約1ミクロン以下であればよい。ここでは、青色カラーレジスト40B1・40B2が最も多層であるため、青色カラーレジスト40B1から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第1の実施の形態の変形例4に係る積層カラーフィルタは、図14に示すように、赤色カラーレジスト40R1を1層、緑色カラーレジスト40G1・40G2を2層、青色カラーレジスト40B1を1層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約1ミクロン以下であればよい。ここでは、緑色カラーレジスト40G1・40G2が最も多層であるため、緑色カラーレジスト40G1から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第1の実施の形態の変形例5に係る積層カラーフィルタは、図15に示すように、赤色カラーレジスト40R1・40R2を2層、緑色カラーレジスト40G1を1層、青色カラーレジスト40B1を1層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約1ミクロン以下であればよい。ここでは、赤色カラーレジスト40R1・40R2が最も多層であるため、赤色カラーレジスト40R1から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第1の実施の形態の変形例6に係る積層カラーフィルタは、図16に示すように、赤色カラーレジスト40R1・40R2を2層、緑色カラーレジスト40G1・40G2を2層、青色カラーレジスト40B1・40B2・40B3を3層備える。赤色カラーレジスト40R1、緑色カラーレジスト40G1、青色カラーレジスト40B1それぞれの隣接部分に黒色カラーレジスト40Mを備える。この黒色カラーレジスト40Mは、混色が生じることを防ぐためのブラックマトリックスの役割を果たす。
第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機EL発光装置は、図1〜図4に示された基本構成と同様に、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置された下部電極30と、下部電極30上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に配置された上部電極38と、上部電極38上に配置された赤色カラーフィルタ40R・緑色カラーフィルタ40G・青色カラーフィルタ40Bとを1つのピクセル6に備える。ここで、赤色カラーフィルタ40R・緑色カラーフィルタ40G・青色カラーフィルタ40Bの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている。第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機EL発光装置は、LSI上に有機EL素子を形成し、カラーレジストで色を分光するマイクロディスプレイに適用することができる。
第1の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機EL発光装置の鳥瞰表面SEM写真例は、図18に示すように表される。図18においては、6角形を基本パターンとするサブピクセル上に、6角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
第1の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置された下部電極30と、下部電極30上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に配置された上部電極38と、上部電極38上に配置された赤色カラーフィルタ40R・緑色カラーフィルタ40G・青色カラーフィルタ40Bとを1つのピクセル6に備える有機EL発光装置において、カラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と、再度、その上に同色のカラーレジストを塗布し、露光・現像する工程とを有する。ここで、カラーフィルタ40R・40G・40Bの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている。
基本構成に係る有機EL発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
第2の実施の形態に係る有機EL発光装置は、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置されたアノードVIA電極70R・70Bと、アノードVIA電極70R・70B上に配置された下部電極30R・30Bと、下部電極30R・30B上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に共通に配置された上部電極38と、基板58上に配置され、上部電極38に直接コンタクトされるカソードVIA電極70Cとを備える。
第2の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置されたアノードVIA電極70R・70Bと、アノードVIA電極70R・70B上に配置された下部電極30R・30Bと、下部電極30R・30B上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に共通に配置された上部電極38と、基板58上に配置され、上部電極38に直接コンタクトされるカソードVIA電極70Cとを備える有機EL発光装置の製造方法であって、基板58上に下部電極30R・30Bとともにダミー下部電極30Cを形成する工程と、ダミー下部電極30Cを除去する工程と、下部電極30R・30B上に有機EL層36を形成する工程と、カソードVIA電極70Cに直接コンタクトされるように有機EL層36上に上部電極38を形成する工程とを有する。図示は省略されているが、下部電極30Gについても同様にダミー下部電極30Cが形成・除去される。
比較例3に係る有機EL発光装置のピクセルアレイ10とその周辺を示す平面レイアウトパターン構成は、図22に示すように表される。図面上、ピクセルアレイ10の右側にLSIコンタクト部80が配置されている。LSIコンタクト部80は、上部電極38をCMOSLSI600の配線に接続する部分である。この平面レイアウトパターン構成(図22)は、比較例3だけでなく第2〜第5の実施の形態についても同様である。
第2の実施の形態に係る有機EL発光装置において、図22のII−II線に沿う模式的断面構造は、図24に示すように表される。
以下、図25〜図28を用いて第3の実施の形態を説明する。
第3の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置されたアノードVIA電極70R・70Bと、アノードVIA電極70R・70B上に配置された下部電極30R・30Bと、下部電極30R・30B上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に共通に配置された上部電極38と、基板58上に配置されたカソードVIA電極70Cとを備える有機EL発光装置の製造方法であって、基板58を準備する工程と、基板58上に下部電極30R・30Bを形成する工程と、基板表面を処理する工程と、下部電極30R・30B上に有機EL層36を形成する工程と、有機EL層36上に上部電極38を形成する工程とを有する。図示は省略されているが、下部電極30Gについても同様に表面処理されている。
第3の実施の形態に係る有機EL発光装置において、図22のII−II線に沿う模式的断面構造は、図25および図26(a)に示すように表される。また、図26(a)中のP部分の模式的拡大構造は、図26(b)に示すように表される。
第3の実施の形態に係る有機EL発光装置の下部電極30R・30B間のリーク電流IRと、比較例3に係る有機EL発光装置の下部電極30R・30B間のリーク電流IRとを示すグラフは、図27に示すように表される。
以下、図29〜図30を用いて第4の実施の形態を説明する。
第4の実施の形態に係る有機EL発光装置は、基板58と、基板58上に配置された駆動回路34R・34G・34Bと、駆動回路34R・34G・34B上に配置されたアノードVIA電極70R・70Bと、アノードVIA電極70R・70B上に配置され、表面に金属酸化膜301を有する下部電極30R・30Bと、下部電極30R・30B上に共通に配置された有機EL層36と、有機EL層36上に共通に配置された上部電極38と、基板58上に配置されたカソードVIA電極70Cとを備える。ここで、下部電極30R・30Bは、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であり、その表面に大気中熱処理またはUVオゾン処理により形成された金属酸化膜301を有する。下部電極30Gについても同様である。
第4の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法では、下部電極30R・30Bは、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料である。下部電極30Gについても同様である。
比較例3に係る有機EL発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図29に示すように表される。
第4の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図30(a)に示すように表される。また、第4の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法を説明するためのSiウェハ100の模式的平面構造は、図30(b)に示すように表される。
以下、図31〜図35を用いて第5の実施の形態を説明する。
第5の実施の形態に係る有機EL発光装置は、下部電極30R・30Bの表面に正孔注入材料が形成されている。図示は省略されているが、下部電極30Gの表面にも正孔注入材料が形成されている。
比較例3に係る有機EL発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図31(a)に示すように表される。また、図31(a)中のQ部分の模式的拡大構造は、図31(b)に示すように表される。
第5の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図32(a)に示すように表される。また、図32(a)中のR部分の模式的拡大構造は、図32(b)に示すように表される。
第5の実施の形態に係る有機EL発光装置の下部電極30R・30B間のリーク電流IRと、比較例3に係る有機EL発光装置の下部電極30R・30B間のリーク電流IRとを示すグラフは、図33に示すように表される。
第5の実施の形態に係る有機EL発光装置では、下部電極30R・30G・30Bの表面に正孔注入材料となる金属酸化膜301が形成されている。
第5の実施の形態に係る有機EL発光装置に搭載され、6角形を基調とするΔ配列パターン例を有する積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図34に示すように表される。
積層カラーフィルタを搭載した第2〜第6の実施の形態に係る有機EL発光装置の鳥瞰表面SEM写真例は、図18に示すように表される。図18においては、6角形を基本パターンとするサブピクセル上に、6角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
基本構成に係る有機EL発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
第6の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は、基板58を準備する工程と、基板58上に密着層68R・68G・68Bを形成する工程と、密着層68R・68G・68B上に下部電極30R・30G・30Bを形成する工程と、密着層68R・68G・68Bの側壁部および下部電極30R・30G・30Bの側壁部をテーパ形状に形成する工程と、下部電極30R・30G・30B上に有機EL層36を形成する工程と、有機EL層36上に上部電極38を形成する工程とを有する。
以下、第7の実施の形態を第6の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第7の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は、基板58を準備する工程と、基板58上に密着層68R・68G・68Bを形成する工程と、密着層68R・68G・68B上に下部電極30R・30G・30Bを形成する工程と、密着層68R・68G・68Bの側壁部および下部電極30R・30G・30Bの側壁部をテーパ形状に形成する工程と、下部電極30R・30G・30B上に有機EL層36を形成する工程と、有機EL層36上に上部電極38を形成する工程とを有する。
第7の実施の形態の変形例1に係る有機EL発光装置において、隣接するRBサブピクセル部分の模式的断面構造は、図42に示すように表される。
第7の実施の形態の変形例2に係る有機EL発光装置において、隣接するRBサブピクセル部分の模式的断面構造は、図43に示すように表される。
第7の実施の形態の変形例3に係る有機EL発光装置において、隣接するRBサブピクセル部分の模式的断面構造は、図44に示すように表される。
第7の実施の形態に係る有機EL発光装置の1ピクセル部分の模式的断面構造は、図45(a)に示すように表される。また、図45(a)中のP部分の模式的拡大構造は、図45(b)に示すように表される。
6角形を基調とするΔ配列パターン例を有する第7の実施の形態に係る有機EL発光装置に搭載される積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図10に示すように表される。
積層カラーフィルタを搭載した第7の実施の形態に係る有機EL発光装置の鳥瞰表面SEM写真例は、図18に示すように表される。図18においては、6角形を基本パターンとするサブピクセル上に、6角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
以下、第8の実施の形態を第6〜第7の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第8の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第6の実施の形態と同様の方法で下部電極30R・30G・30Bを形成する。次いで、これらの下部電極30R・30G・30Bが埋まるように、例えば、80nm程度の膜厚の酸化膜を形成し、下部電極30R・30G・30Bの上面部を開口する。これにより、下部電極30R・30G・30Bの側壁部と有機EL層36との間に絶縁層69が形成されることになる。その後の工程は第6の実施の形態と同様である。
以下、第9の実施の形態を第6〜第8の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第9の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第8の実施の形態と同様の方法で下部電極30R・30G・30Bを形成する。次いで、これらの下部電極30R・30G・30Bが埋まるように、例えば、40nm程度の膜厚の酸化膜を形成し、下部電極30R・30G・30Bの上面部を開口する。これにより、下部電極30R・30G・30B間に断面形状がU字状の絶縁層69が形成されることになる。その後の工程は第8の実施の形態と同様である。
以下、第10の実施の形態を第6〜第9の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第10の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第8の実施の形態と同様の方法で下部電極30R・30G・30Bを形成、酸化膜を製膜後、CMP(chemical Mechanical Polishing)で研磨加工して、酸化膜の上面部の高さ位置を下部電極30R・30G・30Bの上面部と同じ高さ位置に揃える。その後の工程は第8の実施の形態と同様である。
第10の実施の形態の変形例に係る有機EL発光装置の模式的断面構造は、図49に示すように表される。
第10の実施の形態の変形例に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、絶縁層62に下部電極形状のトレンチを形成する。その後、トレンチを充填して密着層68R・68Bおよび下部電極30R・30Bを製膜する。次に、下部電極30R・30Bおよび密着層68R・68BをCMPで研磨加工して、絶縁層62の上面部の高さ位置を下部電極30R・30G・30Bの上面部と同じ高さ位置に揃える。その後の工程は第8の実施の形態と同様である。
以下、第11の実施の形態を第6〜第10の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第11の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第8の実施の形態と同様の方法で下部電極30R・30G・30Bを形成する。次いで、これら下部電極30R・30G・30B間と下部電極30R・30G・30Bの上面部の全領域に一定高さの有機EL層36を配置する。下部電極30R・30G・30B間における有機EL層36の膜厚は例えば200nm程度であり、下部電極30R・30G・30Bの上面部における有機EL層36の膜厚は例えば100nm程度である。その後の工程は第8の実施の形態と同様である。
以下、第12の実施の形態を第6〜第11の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第12の実施の形態に係る有機EL発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第8の実施の形態と同様の方法で下部電極30R・30G・30Bを形成した後、例えば、約100nm程度の有機EL層36を配置する。有機EL層36の上には、下部電極30R・30G・30Bと対向する領域にのみ上部電極38を配置する。このような上部電極38の形成方法は特に限定されるものではない。
上記のように、本発明は第1の実施の形態およびその変形例1〜7、第2〜第5の実施の形態、第6〜第12の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
8…有機EL発光装置
10…ピクセルアレイ
30・30R・30G・30B…下部電極
30C…ダミー下部電極
34R,34G,34B…駆動回路
36…有機EL層
38…上部電極
40…カラーフィルタ(カラーレジスト)
40R,40R1,40R2,40R3…赤色カラーフィルタ(赤色カラーレジスト)
40G,40G1,40G2,40G3…緑色カラーフィルタ(緑色カラーレジスト)
40B,40B1,40B2,40B3…青色カラーフィルタ(青色カラーレジスト)
40M…黒色カラーフィルタ(黒色カラーレジスト)
42…透明レジスト(透明保護膜)
58…基板
60…半導体ウェハ(基板)
62、69…絶縁層
68、68R、68G、68B…密着層
70…VIA電極
70A・70R・70G・70B…アノードVIA電極
70C…カソードVIA電極
80…LSIコンタクト部
301…金属酸化膜
600…CMOSLSI
TRG,TGB…隣接部分
θ1、θ2…テーパ角度
Claims (31)
- 基板と、
前記基板上に配置された駆動回路と、
前記駆動回路上に配置された下部電極と、
前記下部電極上に共通に配置された有機EL層と、
前記有機EL層上に配置された上部電極と、
前記上部電極上に配置された赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタと
を1つのピクセルに備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されており、
前記青色カラーフィルタの層数が前記赤色カラーフィルタの層数および前記緑色カラーフィルタの層数よりも多く、且つ前記青色カラーフィルタの膜厚が前記赤色カラーフィルタの膜厚および前記緑色カラーフィルタの膜厚よりも薄いことを特徴とする有機EL発光装置。 - 前記赤色カラーフィルタが2層、前記緑色カラーフィルタが2層、前記青色カラーフィルタが3層であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの各層の膜厚が1ミクロン以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのレジストパターンが10ミクロン以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのうち、隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なっていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
- 前記隣接部分の水平方向の幅は0.8ミクロン〜1.2ミクロンであることを特徴とする請求項5に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、6角形を基調とするパターンを備え、6角形の各頂点部分において前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタが重なっていることを特徴とする請求項5に記載の有機EL発光装置。
- 前記隣接するカラーフィルタ同士が異なる色になるように配置されていることを特徴とする請求項5に記載の有機EL発光装置。
- 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なっていることを特徴とする請求項5に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタそれぞれの隣接部分に混色防止用の黒色カラーレジストが配置されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの上に、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの高さの差によって生じた凹凸を平坦化するように形成された透明レジストを備えることを特徴とする請求項1〜10のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
- 前記上部電極は共通電極として形成されていることを特徴とする請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。
- 前記上部電極上に配置され、前記上部電極や前記有機EL層を水や酸素から保護するシール層をさらに備え、
前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、前記シール層上に配置されることを特徴とする請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機EL発光装置。 - 基板と、前記基板上に配置された駆動回路と、前記駆動回路上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機EL層と、前記有機EL層上に配置された上部電極と、前記上部電極上に配置された赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタとを1つのピクセルに備える有機EL発光装置の製造方法であって、
カラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と、
再度、その上に同色のカラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と
を有し、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されており、
前記青色カラーフィルタの層数が前記赤色カラーフィルタの層数および前記緑色カラーフィルタの層数よりも多く、且つ前記青色カラーフィルタの膜厚が前記赤色カラーフィルタの膜厚および前記緑色カラーフィルタの膜厚よりも薄いことを特徴とする有機EL発光装置の製造方法。 - 前記赤色カラーフィルタを2層、前記緑色カラーフィルタを2層、前記青色カラーフィルタを3層形成したことを特徴とする請求項14に記載の有機EL発光装置の製造方法。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタの隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なるように形成したことを特徴とする請求項14または15に記載の有機EL発光装置の製造方法。
- 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なるように形成したことを特徴とする請求項14に記載の有機EL発光装置の製造方法。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの上に、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの高さの差によって生じた凹凸を平坦化するように透明レジストを形成する工程をさらに備える請求項14〜17のいずれか1項に記載の有機EL発光装置の製造方法。
- 前記上部電極や前記有機EL層を水や酸素から保護するシール層を前記上部電極上に配置する工程をさらに備え、
前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、前記シール層上に配置されることを特徴とする請求項14〜18のいずれか1項に記載の有機EL発光装置の製造方法。 - 基板と、
前記基板上に配置された赤色カラーフィルタと、
前記基板上に配置された緑色カラーフィルタと、
前記基板上に配置された青色カラーフィルタと
を備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタおよび前記青色カラーフィルタの内、少なくとも1色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されており、
前記青色カラーフィルタの層数が前記赤色カラーフィルタの層数および前記緑色カラーフィルタの層数よりも多く、且つ前記青色カラーフィルタの膜厚が前記赤色カラーフィルタの膜厚および前記緑色カラーフィルタの膜厚よりも薄いことを特徴とする積層カラーフィルタ。 - 前記赤色カラーフィルタが2層、前記緑色カラーフィルタが2層、前記青色カラーフィルタが3層であることを特徴とする請求項20に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの各層の膜厚が1ミクロン以下であることを特徴とする請求項20または21に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのレジストパターンが10ミクロン以下であることを特徴とする請求項20〜22のいずれか1項に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのうち、隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なっていることを特徴とする請求項20〜23のいずれか1項に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記隣接部分の水平方向の幅は0.8ミクロン〜1.2ミクロンであることを特徴とする請求項24に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、6角形を基調とするパターンを備え、6角形の各頂点部分において前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタが重なっていることを特徴とする請求項24に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記隣接するカラーフィルタ同士が異なる色になるように配置されていることを特徴とする請求項24に記載の積層カラーフィルタ。
- 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なっていることを特徴とする請求項24に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの隣接部分に混色防止用の黒色カラーレジストが配置されていることを特徴とする請求項20〜23のいずれか1項に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの上に、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの高さの差によって生じた凹凸を平坦化するように形成された透明レジストを備えることを特徴とする請求項20〜29のいずれか1項に記載の積層カラーフィルタ。
- 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、上部電極や有機EL素子を水や酸素から保護するシール層上に配置されることを特徴とする請求項20〜30のいずれか1項に記載の積層カラーフィルタ。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013103909A JP6216540B2 (ja) | 2012-05-30 | 2013-05-16 | 有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ |
US13/904,796 US20130334507A1 (en) | 2012-05-30 | 2013-05-29 | Organic EL Light Emitting Device and Manufacturing Method Thereof |
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012122986 | 2012-05-30 | ||
JP2012122986 | 2012-05-30 | ||
JP2012128683 | 2012-06-06 | ||
JP2012128683 | 2012-06-06 | ||
JP2012132136 | 2012-06-11 | ||
JP2012132136 | 2012-06-11 | ||
JP2013103909A JP6216540B2 (ja) | 2012-05-30 | 2013-05-16 | 有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014017239A JP2014017239A (ja) | 2014-01-30 |
JP6216540B2 true JP6216540B2 (ja) | 2017-10-18 |
Family
ID=49755058
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013103909A Active JP6216540B2 (ja) | 2012-05-30 | 2013-05-16 | 有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20130334507A1 (ja) |
JP (1) | JP6216540B2 (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9337241B2 (en) * | 2014-03-19 | 2016-05-10 | Apple Inc. | Pixel patterns for organic light-emitting diode display |
KR102369095B1 (ko) * | 2014-10-07 | 2022-03-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN104503128B (zh) * | 2014-12-19 | 2018-01-09 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于显示器的彩膜基板的制造方法 |
KR102334750B1 (ko) * | 2015-08-10 | 2021-12-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
KR102536344B1 (ko) * | 2015-12-31 | 2023-05-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
CN111048689B (zh) * | 2016-06-30 | 2022-10-28 | 乐金显示有限公司 | 有机发光显示装置 |
US10181574B2 (en) * | 2016-12-29 | 2019-01-15 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
US10418583B2 (en) | 2017-02-27 | 2019-09-17 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting device |
WO2018193340A1 (ja) * | 2017-04-20 | 2018-10-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置 |
JP2018190551A (ja) * | 2017-04-28 | 2018-11-29 | キヤノン株式会社 | 有機発光装置、撮像装置、及び有機発光装置の製造方法 |
US10746376B2 (en) * | 2017-07-25 | 2020-08-18 | Axalta Coating Systems Ip Co., Llc | System for matching coarseness appearance of coatings |
KR102436250B1 (ko) * | 2017-08-31 | 2022-08-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
KR20220046041A (ko) * | 2020-10-06 | 2022-04-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
CN117157695A (zh) * | 2021-04-22 | 2023-12-01 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置 |
CN113629112B (zh) * | 2021-07-29 | 2024-02-23 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
WO2023077419A1 (zh) * | 2021-11-05 | 2023-05-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
Family Cites Families (27)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0287201U (ja) * | 1988-12-22 | 1990-07-10 | ||
JP4215905B2 (ja) * | 1999-02-15 | 2009-01-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
JP4132528B2 (ja) * | 2000-01-14 | 2008-08-13 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の製造方法 |
JP2002286928A (ja) * | 2001-01-18 | 2002-10-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | カラーフィルター、カラーフィルター形成材料およびカラーフィルターの製造方法 |
JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
US7388318B2 (en) * | 2002-06-20 | 2008-06-17 | Ube Industries, Ltd. | Thin film piezoelectric resonator, thin film piezoelectric device, and manufacturing method thereof |
JP4748986B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
JP4062171B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-03-19 | ソニー株式会社 | 積層構造の製造方法 |
JP2006251417A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
KR100742372B1 (ko) * | 2005-11-29 | 2007-07-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광소자의 제조방법 |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
JP2007256371A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Nec Lcd Technologies Ltd | カラーフィルタ及びその製造方法並びに液晶表示装置 |
KR100882720B1 (ko) * | 2007-08-30 | 2009-02-06 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
WO2009037874A1 (ja) * | 2007-09-19 | 2009-03-26 | Fuji Electric Holdings Co., Ltd. | 色変換フィルタ、ならびに色変換フィルタおよび有機elディスプレイの製造方法 |
JP2009100271A (ja) * | 2007-10-17 | 2009-05-07 | Olympus Corp | 撮像素子および表示装置 |
US8269924B2 (en) * | 2007-12-26 | 2012-09-18 | Nlt Technologies, Ltd. | Color filter substrate and liquid crystal display unit |
JP2011100900A (ja) * | 2009-11-06 | 2011-05-19 | Sony Corp | 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器 |
JP2011176182A (ja) * | 2010-02-25 | 2011-09-08 | Toppan Printing Co Ltd | イメージセンサー及びその製造方法 |
JP5534981B2 (ja) * | 2010-06-30 | 2014-07-02 | 株式会社東芝 | 固体撮像装置 |
WO2012026292A1 (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-01 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
US8907329B2 (en) * | 2010-11-24 | 2014-12-09 | Panasonic Corporation | Organic el panel, display device using same, and method for producing organic el panel |
JP5778950B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-09-16 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP5837316B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2015-12-24 | 株式会社Joled | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2013026332A (ja) * | 2011-07-19 | 2013-02-04 | Sony Corp | 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器 |
JP5741274B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2015-07-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置及び電子機器 |
CN103891407B (zh) * | 2011-10-26 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | 有机电致发光显示装置用彩色滤光片及有机电致发光显示装置 |
TWI464461B (zh) * | 2012-01-20 | 2014-12-11 | Nat Univ Tsing Hua | 彩色濾光片以及其側光式背光模組 |
-
2013
- 2013-05-16 JP JP2013103909A patent/JP6216540B2/ja active Active
- 2013-05-29 US US13/904,796 patent/US20130334507A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014017239A (ja) | 2014-01-30 |
US20130334507A1 (en) | 2013-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6216540B2 (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ | |
JP6685675B2 (ja) | 有機el素子、それを用いた有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
US20210367008A1 (en) | Display substrate and manufacturing method thereof, and display panel | |
TWI629779B (zh) | 顯示單元、製造顯示單元之方法、及電子裝置 | |
CN1929706B (zh) | 有机电致发光装置及其制造方法、电子设备 | |
JP6688701B2 (ja) | 有機el表示パネル、及び有機el表示パネルの製造方法 | |
JP5094477B2 (ja) | 有機発光表示装置及びその製造方法 | |
US9899456B2 (en) | Large area OLED microdisplay and method of manufacturing same | |
JP2016110943A (ja) | 有機el表示パネル及びその製造方法 | |
WO2014027688A1 (ja) | 発光装置、電子機器および発光装置の製造方法 | |
JP2010186582A (ja) | 有機el表示装置 | |
TW201427140A (zh) | 發光顯示器裝置及其製造方法 | |
JP2015115178A (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 | |
KR102405943B1 (ko) | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법과 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 | |
JP2009059503A (ja) | 有機el表示装置 | |
JP6209318B2 (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法 | |
US9917277B2 (en) | Display panel and production method therefor | |
WO2016006194A1 (ja) | 有機発光デバイスと有機表示装置 | |
JP2009205929A (ja) | フルカラー有機elディスプレイパネル | |
US7652420B2 (en) | Organic electroluminescent device and method for fabricating the same | |
JP2013251177A (ja) | 有機el発光装置およびその製造方法 | |
US11355564B2 (en) | AMOLED and micro-OLED for augmented reality and autostereoscopic 3D displays | |
CN113130543A (zh) | 有机发光显示设备 | |
KR100615227B1 (ko) | 전계발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
JP6205663B2 (ja) | 表示パネルおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160324 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170119 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170817 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20170905 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20170925 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6216540 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |