TWI629779B - 顯示單元、製造顯示單元之方法、及電子裝置 - Google Patents
顯示單元、製造顯示單元之方法、及電子裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI629779B TWI629779B TW103115223A TW103115223A TWI629779B TW I629779 B TWI629779 B TW I629779B TW 103115223 A TW103115223 A TW 103115223A TW 103115223 A TW103115223 A TW 103115223A TW I629779 B TWI629779 B TW I629779B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- layer
- electrodes
- insulating layer
- opening
- display unit
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 693
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 88
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 88
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 79
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 57
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 33
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 13
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 claims description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 46
- 239000010408 film Substances 0.000 description 28
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 22
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 18
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 13
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 13
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 13
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 11
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 9
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 5
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 230000004044 response Effects 0.000 description 4
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical compound C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene Chemical group N1=NN=C2C3=CC=CC=C3C3=CC=NN=C3C2=N1 DMEVMYSQZPJFOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 4-methyl-n-[4-[(e)-2-[4-[4-[(e)-2-[4-(4-methyl-n-(4-methylphenyl)anilino)phenyl]ethenyl]phenyl]phenyl]ethenyl]phenyl]-n-(4-methylphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(C)=CC=C1N(C=1C=CC(\C=C\C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(\C=C\C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=CC(C)=CC=3)C=3C=CC(C)=CC=3)=CC=2)=CC=1)C1=CC=C(C)C=C1 OSQXTXTYKAEHQV-WXUKJITCSA-N 0.000 description 1
- DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 4-n-(3-methylphenyl)-1-n,1-n-bis[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]-4-n-phenylbenzene-1,4-diamine Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 DIVZFUBWFAOMCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FBDLZPXEVWJKCF-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C(=C)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1.C1(=CC=CC=C1)C(=C)C1=CC=CC=C1 FBDLZPXEVWJKCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- 208000005189 Embolism Diseases 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N phthalonitrile Chemical compound N#CC1=CC=CC=C1C#N XQZYPMVTSDWCCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000008439 repair process Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/813—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80515—Anodes characterised by their shape
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
- H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K59/873—Encapsulations
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本發明揭示一種顯示單元，該顯示單元包含：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
Description
本申請案主張於2013年5月29日提出申請之日本優先專利申請案JP 2013-112694之權益，該日本優先專利申請案之全部內容以引用方式併入本文中。
本技術係關於一種包含具備作為一器件隔離薄膜之一絕緣薄膜之無機電致發光器件之顯示單元，一種製造該顯示單元之方法及一種包含此一顯示單元之電子裝置。
近年來，作為一種平板顯示器，使用一有機電致發光(EL)器件之一有機EL顯示器已吸引注意。由於有機EL顯示器不需要一背光，因此可達成有機EL顯示器之厚度及重量之減少。此外，由於有機EL顯示器係一自發光類型顯示器，因此有機EL顯示器具有一廣視角及低電力消耗之特性，且已經研發用於實際使用。
此一有機EL顯示器允許達成高對比度及高色彩再現，舉例而言，藉由形成各別像素之各別色彩RGB之發光層(色彩編碼)。另一方面，為增強解析度，期望像素間距減小。然而，像素間距愈精細，發光層之上述色彩編碼愈困難。因此，使用一種在所有像素中形成一發射白色光層且藉助使用彩色濾光器來將白色光分離成色彩RGB之光的
技術(舉例而言，參考日本未經審查專利申請公開案第2012-216495號)。
在日本未經審查專利申請公開案第2012-216495號中之一顯示單元中，包含一發光層之一有機層形成於經提供至所有像素中之每一者之一第一電極與第二電極之間的該等像素上方。期望減少此一組態中之一驅動電流之洩漏(像素之間的電流洩漏)。
期望提供一種能夠減少包含為所有像素所共有之一發光層之一器件組態中之電流洩漏之顯示單元、一種製造一顯示單元之方法及一電子裝置。
根據本技術之一實施例，提供一種包含以下各項之顯示單元：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
根據本技術之一實施例，提供一種具備一顯示單元之電子裝置，該顯示單元包含：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含一個發光層或為所有該等像素所共有之複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個
表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
在根據本技術之實施例之顯示單元及電子裝置中，包含具有面向經提供至各別像素之該等第一電極中之每一者之一開口之絕緣層，且該外伸部經提供於該絕緣層之該開口之邊緣處；因此，電荷注入-傳輸層經形成以便經切割或具有較高電阻。因此，在其中包含發光層之有機層經提供為所有像素所共有之一組態中，電荷注入-傳輸層經電阻擋於毗鄰像素之間的一邊界處。
根據本技術之一實施例，提供一種製造一顯示單元之方法，該方法包含：在一基板上形成經提供至各別像素之複數個第一電極；在該複數個第一電極上形成一絕緣層，該絕緣層具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；在該絕緣層上形成一電荷注入-傳輸層，該電荷注入-傳輸層在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；在該電荷注入-傳輸層上形成包含為所有該等像素所共有之一發光層之一有機層；及在該有機層之一整個表面上形成一第二電極。
在根據本技術之實施例製造顯示單元之方法中，絕緣層具有面向經提供至各別像素之該等第一電極中之每一者之一開口，且具有在該開口之邊緣處之外伸部，該電荷注入-傳輸層經形成以在該外伸部處經切割或具有較高電阻。因此，在其中包含發光層之有機層經提供為所有像素所共有之一組態中，電荷注入-傳輸層經電阻擋於毗鄰像素之間的一邊界處。
在根據本技術之實施例之顯示單元及電子裝置中，在其中藉由包含具有面向經提供至各別像素之第一電極中之每一者之一開口之絕緣層且具有在該絕緣層之該開口之邊緣處之外伸部而提供包含發光層
之有機層為所有像素所共有之一組態中，允許電荷注入-傳輸層經電阻擋於毗鄰像素之間的一邊界處。因此，在包含所有像素之共同發光層之器件組態中，允許減少電流洩漏。
在根據本技術之實施例製造顯示單元之方法中，在電荷注入-傳輸層經電阻擋於毗鄰像素之間的一邊界處時，允許形成其中藉由包含具有面向經提供至各別像素之第一電極中之每一者之一開口之絕緣層且具有在該絕緣層之開口之邊緣處之外伸部而提供包含發光層之有機層為所有像素所共有之一組態。因此，在包含所有像素之共同發光層之器件組態中，允許減少電流洩漏。
應理解，上述一般說明及以下詳細說明兩者皆係例示性的，且意欲提供對如所主張技術之進一步闡釋。
1‧‧‧顯示單元
2‧‧‧顯示單元
10B‧‧‧有機電致發光器件
10G‧‧‧有機電致發光器件
10R‧‧‧有機電致發光器件
11‧‧‧基板
12‧‧‧驅動電路層
13‧‧‧平坦化層/第一電極
13A‧‧‧連接孔
13B‧‧‧栓塞
14‧‧‧第一電極
14-1‧‧‧金屬層
14-2‧‧‧金屬層
14a‧‧‧氧化物層
14b‧‧‧凹部
15‧‧‧絕緣層
15A‧‧‧第一絕緣層
15B‧‧‧第二絕緣層
15C‧‧‧第三絕緣層
15D‧‧‧第四絕緣層
15E‧‧‧第五絕緣層
16‧‧‧外伸部
17‧‧‧電洞注入層
18‧‧‧有機層
18A‧‧‧電洞傳輸層
18B‧‧‧發光層
18C‧‧‧電子傳輸層
18D‧‧‧電子注入層
19‧‧‧第二電極
20‧‧‧保護層
21‧‧‧黏合劑層
22‧‧‧彩色濾光器層
22B‧‧‧藍色濾光器層
22G‧‧‧綠色濾光器層
22R‧‧‧紅色濾光器層
23‧‧‧密封基板
24‧‧‧絕緣層
25‧‧‧絕緣層
25a‧‧‧絕緣層
26‧‧‧絕緣層
30‧‧‧外伸部
31‧‧‧絕緣層
110‧‧‧顯示區
120‧‧‧信號線驅動電路
120A‧‧‧信號線
130‧‧‧掃描線驅動電路
130A‧‧‧掃描線
140‧‧‧像素驅動電路
150‧‧‧開口
150a‧‧‧開口
151‧‧‧上部絕緣層
152‧‧‧開口
210‧‧‧區
220‧‧‧撓性印刷電路
300‧‧‧影像顯示螢幕區段
310‧‧‧前面板
320‧‧‧濾光器玻璃
410‧‧‧發光區段
420‧‧‧顯示區段
430‧‧‧選單開關
440‧‧‧快門按鈕
510‧‧‧主體
520‧‧‧鍵盤
530‧‧‧顯示區段
610‧‧‧主區段
620‧‧‧透鏡
630‧‧‧拍攝開始/停止開關
640‧‧‧顯示區段
710‧‧‧頂側外殼
720‧‧‧底側外殼
730‧‧‧連接區段/鉸鏈區段
740‧‧‧顯示器
750‧‧‧子顯示器
760‧‧‧圖像燈
770‧‧‧相機
A‧‧‧區
BM‧‧‧光屏蔽層
Cs‧‧‧電容器/保留電容器
d‧‧‧寬度
e1‧‧‧端邊緣
e2‧‧‧端邊緣
e3‧‧‧端邊緣
e4‧‧‧端邊緣
e5‧‧‧端邊緣
GND‧‧‧第二電源供應線
h‧‧‧高度
Id‧‧‧驅動電流
S‧‧‧空間
s1‧‧‧內壁
S2‧‧‧內壁
Tr1‧‧‧驅動電晶體/電晶體
Tr2‧‧‧寫入電晶體/電晶體
t‧‧‧預定厚度
Vcc‧‧‧第一電源供應線
包含隨附圖式以提供對本技術之一進一步理解，且該等隨附圖式併入於本說明書中並構成本說明書之一部分。該等圖式圖解說明本技術之實施例且與本說明書一起用於闡釋本技術之原理。
圖1係圖解說明根據本技術之一第一實施例之一顯示單元之一組態之一圖式。
圖2係圖解說明圖1中所圖解說明之一像素驅動電路之一實例之一圖式。
圖3係圖解說明圖1中所圖解說明之顯示單元之一組態之一剖面圖。
圖4A係圖3中所圖解說明之一絕緣薄膜之一開口周圍之一放大剖面圖。
圖4B係圖解說明圖3中所圖解說明之一有機EL器件之一層壓組態之一示意性剖面視圖。
圖5係用於闡述製造圖3中圖解說明之顯示單元之一方法之一剖
面圖。
圖6A係圖解說明繼圖5之後的一程序之一剖面圖。
圖6B係圖解說明繼圖6A之後的一程序之一剖面圖。
圖6C係圖解說明繼圖6B之後的一程序之一剖面圖。
圖7係圖解說明繼圖6C之後的一程序之一剖面圖。
圖8係圖解說明繼圖7之後的一程序之一剖面圖。
圖9係圖解說明繼圖8之後的一程序之一剖面圖。
圖10係圖解說明繼圖9之後的一程序之一剖面圖。
圖11係根據修改實例1之一器件組態之一絕緣膜之一開口周圍之一放大剖面圖。
圖12A係用於闡述形成圖11中圖解說明之器件組態之一程序之一剖面圖。
圖12B係圖解說明繼圖12A之後的一程序之一剖面圖。
圖13A係圖解說明繼圖12B之後的一程序之一剖面圖。
圖13B係圖解說明繼圖13A之後的一程序之一剖面圖。
圖13C係圖解說明繼圖13B之後的一程序之一剖面圖。
圖14係根據修改實例2之一器件組態之一絕緣薄膜之一開口周圍之一放大剖面圖。
圖15A係用於闡述用於形成圖14中所圖解說明之器件組態之一程序之一剖面圖。
圖15B係圖解說明繼圖15A之後的一程序之一剖面圖。
圖15C係圖解說明繼圖15B之後的一程序之一剖面圖。
圖16A係圖解說明凹部形成之處理時間與一外伸部之一高度h之間的一關係之一特性圖。
圖16B係圖解說明凹部形成之處理時間及外伸部之一寬度d之一特性圖。
圖17係圖解說明根據本技術之一第二實施例之一顯示單元之一組態之一剖面圖。
圖18係一絕緣薄膜之一開口及圖17中圖解說明之像素之間的一區之一放大剖面圖。
圖19係用於闡述製造圖17中圖解說明之顯示單元之一方法之一剖面圖。
圖20A係圖解說明繼圖19之後的一程序之一剖面圖。
圖20B係圖解說明繼圖20A之後的一程序之一剖面圖。
圖20C係圖解說明繼圖20B之後的一程序之一剖面圖。
圖20D係圖解說明繼圖20C之後的一程序之一剖面圖。
圖20E係圖解說明繼圖20D之後的一程序之一剖面圖。
圖21係圖解說明繼圖20E之後的一程序之一剖面圖。
圖22係圖解說明繼圖21之後的一程序之一剖面圖。
圖23係具有根據另一修改實例之一器件組態之一顯示單元之一剖面圖。
圖24係用於闡述形成圖23中所圖解說明之器件組態之一程序之一剖面圖。
圖25係具有根據修改實例3之一器件組態之一顯示單元之一剖面圖。
圖26係一絕緣薄膜之一開口及圖25中圖解說明之像素之間的一區之一放大剖面圖。
圖27A係用於闡述製造圖25中圖解說明之顯示單元之一方法之一剖面圖。
圖27B係圖解說明繼圖27A之後的一程序之一剖面圖。
圖28A係圖解說明繼圖27B之後的一程序之一剖面圖。
圖28B係圖解說明繼圖28A之後的一程序之一剖面圖。
圖29係具有根據另一修改實例之一器件組態之一顯示單元之一剖面圖。
圖30係圖解說明包含根據該等實施例中之任一者之顯示單元及諸如此類之一模組之一示意性組態之一平面圖。
圖31係圖解說明應用實例1之一外觀之一透視圖。
圖32A係圖解說明自應用實例2之一前側觀看之一外觀之一透視圖。
圖32B係圖解說明自應用實例2之一背側觀看之一外觀之一透視圖。
圖33係圖解說明應用實例3之一外觀之一透視圖。
圖34係圖解說明應用實例4之一外觀之一透視圖。
圖35A係處於其中應用實例5係閉合之一狀態之一前視圖、一左側視圖、一右側視圖、一俯視圖及一仰視圖。
圖35B係處於其中應用實例5係敞開之一狀態之一前視圖及一側視圖。
圖36係圖解說明根據另一修改實例之一器件組態之一剖面圖。
下文將參考隨附圖式詳細闡述本技術之某些實施例。注意，說明將按以下次序給出。
1. 第一實施例(其中一絕緣層由兩個層組態而成以形成一外伸部之實例)
2. 修改實例1(其中一外伸部係藉助使用形成於一第一電極之一表面層中之一氧化物層形成之實例)
3. 修改實例2(其中一第一電極之一表面經選擇性移除以形成一外伸部之實例)
4. 第二實例(其中形成一外伸部同時第一電極之間的一絕緣層經
平坦化之實例)
5. 修改實例3(另一平坦化實例)
6. 應用實例
圖1圖解說明根據本技術之一第一實施例之一顯示單元(一顯示單元1)之一組態。顯示單元1係一有機EL顯示單元，且複數個有機EL器件10R、10G及10B在一基板11之一顯示區110中以一矩陣形式配置成像素。有機EL器件10R、10G及10B分別發出紅色光(具有約620nm至約750nm之一波長)、綠色光(具有約495nm至約570nm之一波長)及藍色光(具有約450nm至約495nm之一波長)。用於影像顯示之一信號線驅動電路120及一掃描線驅動電路130經提供至顯示區110之一周邊。
一作用驅動電路(一像素驅動電路140)提供於顯示區110中。如圖2中所圖解說明，像素驅動電路140包含一驅動電晶體Tr1及一寫入電晶體Tr2，且一電容器Cs提供於電晶體Tr1與Tr2之間。有機EL器件10R(或有機EL器件10G或10B)串聯連接至一第一電源供應線(Vcc)與一第二電源供應線(GND)之間的電晶體Tr1。信號線驅動電路120透過沿著一行方向配置之複數個信號線120A將一影像信號供應至電晶體Tr2之一源極電極。掃描線驅動電路130透過沿著一列方向配置之複數個掃描線130A將一掃描信號依序供應至電晶體Tr2之一閘極電極。
圖3圖解說明圖1中圖解說明之顯示單元之一剖面組態。應注意，圖3圖解說明對應於有機EL器件10R、10G及10B之各別區。有機EL器件10R、10G及10B中之每一者具有其中包含上文所闡述之像素驅動電路140之一驅動電路層12、一平坦化層13、作為(舉例而言)一陽極之一第一電極14、一絕緣層15、一電洞注入層(HIL)17、包含一
發光層之一有機層18及作為(舉例而言)一陰極之一第二電極19自基板11依序層壓之一組態。此等有機EL器件10R、10G及10B覆蓋有一保護層20。有機EL器件10R、10G及10B藉由將一密封基板23黏結至保護層20(在其之間具有一黏合劑層21)而密封於基板11上。一彩色濾光器層22形成於較接近於密封基板23之基板11定位之一表面上。應注意，此實施例中之電洞注入層17對應於本技術之一實例中之「電荷注入-傳輸層」之一特定實例。
顯示單元1可係(舉例而言)一所謂頂部發射類型有機EL顯示單元，其中自有機層18發射之光係自第二電極19提取。此外，在顯示單元1中，有機層18包含有機EL器件10R、10G及10B(像素)之一共同發光層。此外，電洞注入層17、有機層18及第二電極19中之每一者在未針對每一像素經圖案化之情況下以一固體薄膜形式連續形成。有機層18可經組態以發射(舉例而言)白色光，且當白色光穿過彩色濾光器層22時，彩色濾光器層22可將白色光分離成(舉例而言)色彩RGB之光以發射色彩RGB之光。下文將闡述各別組件之組態。
基板11可經組態由(舉例而言)玻璃、一矽(Si)晶圓、一樹脂或一導電基板組態而成。舉例而言，可使用其表面由氧化矽(SiO2)、一樹脂或諸如此類絕緣之一基板作為導電基板。
儘管未圖解說明，舉例而言，諸如上文所闡述之驅動電晶體Tr1及上文所闡述之寫入電晶體Tr2之像素電晶體、電容器Cs及諸如此類可形成於驅動電路層12中。像素電晶體中之每一者可係(舉例而言)一底部閘極或一頂部閘極薄膜電晶體，且可由(舉例而言)一MOSFET(金屬氧化物半導體場效應電晶體)組態而成。
平坦化層13經組態以將其中驅動電路層12由基板11形成之一表面平坦化。由於一精細連接孔13A提供至平坦化層13，因此平坦化層13可較佳地由具有高圖案精確度之一材料製成。由導電材料製成之一栓
塞13B嵌入於連接孔13A中。驅動電路層12之驅動電晶體Tr1經組態以透過安置於連接孔13A中之栓塞13B電連接至第一電極14。平坦化層13之一材料之實例可包含有機材料，諸如丙烯酸及聚醯亞胺，以及無機材料，諸如氧化矽(SiO2)、氮化矽(SiNx)及氮氧化矽(SiON)。
第一電極14經提供至各別像素以便彼此電隔離，且亦具有作為一反射層之一功能。因此，第一電極14可較佳地具有最高可能反射率以增強發光效率。然而，當第一電極14由(舉例而言)具有高反射率之一金屬材料(諸如鋁(Al)、一鋁合金或一銀(Ag)合金)形成時，在電洞注入障壁方面，難以將具有一高電阻值之一材料用於與第一電極14接觸之一層(舉例而言，電洞注入層17)。換言之，在毗鄰像素之間的一邊界處容易產生一洩漏電流。如稍後將詳細闡述，在此實施例中，洩漏電流之產生係藉由提供至絕緣層15之一開口150之一外伸部而減少；因此允許具有高反射率之一材料用於第一電極14。
此外，由於第一電極14中之每一者用作一陽極，第一電極14中之每一者可較佳地由具有一高電洞注入性質之一材料製成。此等第一電極14中之每一者之一層壓方向之一厚度(在下文中簡稱為「厚度」)可係(舉例而言)在約30nm至約1000nm(包含30nm及1000nm兩者)之一範圍內。此外，第一電極14中之每一者之一間距(毗鄰第一電極14之間的一間隔)可係(舉例而言)在約200nm至約1000nm之一範圍(包含200nm及1000nm兩者)內。作為第一電極14之一材料，可採用一簡單物質或一金屬元素(諸如鉻(Cr)、金(Au)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)或銀(Ag))之一合金。由銦及錫之一氧化物(ITO)或諸如此類製成之透明導電薄膜可提供至第一電極14中之每一者之一表面。第一電極中之每一者之厚度係酌情由佈線電阻與反射率(表面粗糙度)之間的平衡判定。應注意，在一所謂底部發射類型顯示單元之情形中，第一電極14中之每一者係由一透明導電薄膜組態
而成。
除了上文所闡述之材料外，一簡單物質或一鋁(Al)合金亦可用於第一電極14。在鋁方面，儘管高反射率，但由在其一表面上存在之一氧化物薄膜且低功函數所致之一電洞注入障壁導致一問題；然而，藉由提供一適當電洞注入層17而允許鋁用於第一電極14。在此情形中，第一電極14中之每一者可具有(舉例而言)其中層壓由鈦、鎢、銅、鉭、鉬或諸如此類製成之一金屬層14-1且由鋁製成之一金屬層14-2之一組態。
絕緣層15經組態以將個別像素之第一電極14彼此電隔離，且確保第一電極14與第二電極19之間絕緣。絕緣層15具有面向各別第一電極14之開口150，且經提供以自一表面(面向第二電極19之一表面)至一側表面(一端表面)置於第一電極14中之每一者之一外邊緣上方。此外，開口150係較佳地設置於各個第一電極14之中央上方。外伸部16形成於開口150中之每一者之一邊緣處。
圖4A圖解說明開口150周圍之一組態之一放大圖。絕緣層15可具有其中一第一絕緣層15A及一第二絕緣層15B自第一電極14依序層壓之一組態。第一絕緣層15A及第二絕緣層15B可舉例而言由選自諸如氧化矽、氮氧化矽及氧化鋁之無機絕緣材料之允許獲得蝕刻選擇性且彼此不同之材料製成。由於在下文將闡述之一製造程序中，與有機絕緣材料(舉例而言，一光聚合物)相比，外伸部16藉助使用此等無機絕緣材料容易形成一所要形狀，因此此等無機絕緣材料可係較佳的。在此實施例中，舉例而言，第一絕緣層15A可由氮化矽或氮氧化矽製成，且第二絕緣層15B可由氧化矽製成。此外，第一絕緣層15A可具有(舉例而言)約10nm至50nm之一厚度(包含10nm及50nm兩者)，且第二絕緣層15B可具有(舉例而言)約40nm至90nm之一厚度(包含40nm及90nm兩者)。第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之厚度未經限制；然而，第二絕緣層15B之厚度可較佳地大於第一絕緣層15A之厚
度。在此情形中，由於外伸部16之一高度h及一寬度d主要由第一絕緣層15A之厚度判定，因此為容易由外伸部16切割電洞注入層17，高度h可較佳地係大的(換言之，第一絕緣層15A之厚度可較佳地係大的)。然而，當第一絕緣層15A之厚度過大時，在蒸鍍有機層18之一以下程序中，可容易部分地形成有機層18之一薄部分。此外，當第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之一總厚度過大時，在蒸鍍有機層18之程序中，沈積可劣化。因此，第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之厚度中之每一者可較佳地在上文所闡述之厚度範圍內，且可較佳地經設定為不影響有機層18之蒸鍍同時確保能夠切割電洞注入層17之一厚度之值。
開口150經組態以將一發光區分割成對應於各別像素(有機EL器件10R、10G及10B)之發光子區。開口150中之每一者之一平面形狀之實例可包含但不限於一矩形形狀，一正方形形狀及一圓形形狀。電洞注入層17、有機層18及第二電極19經形成為有機EL器件10R、10G及10B之共同層，且不僅形成於絕緣層15之開口150中而且形成於除開口150外之區(像素之間的區)中。然而，光僅自面向絕緣層15之開口150之部分發出。
在此實施例中，在開口150中之每一者之邊緣處，第二絕緣層15B自第一絕緣層15A之一端邊緣e1上方突出至開口150之內部，且第二絕緣層15B之一突出部分係外伸部16。換言之，在開口150中之每一者之邊緣處，第一絕緣層15A經形成以便將其端邊緣e1定位於第二絕緣層15B之一端邊緣e2後面。在外伸部16處，至少電洞注入層17經切割或具有較高電阻(圖4A中圖解說明之一區A)。
外伸部16之高度h可較佳地在約10nm至約50nm(包含10nm及50nm兩者)之一範圍內，且在此情形中等於第一絕緣層15A之厚度。在稍後將闡述之平坦度方面，高度h可較佳地經設定為能夠切割電洞注
入層17之一最小可能值。外伸部16之寬度d可較佳地在(舉例而言)約5nm至約50nm(包含5nm及50nm兩者)之一範圍內。然而，外伸部16之高度h及寬度d(一縱橫比)並不限於上文所闡述之值，且可基於第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之厚度、材料及蝕刻條件、開口150之一寬度、電洞注入層17之一材料、一厚度及諸如此類而經設定為能夠切割電洞注入層17之值。
應注意，由外伸部16切割之一層並不限於電洞注入層17，且可係有機層18之一部分或一整體。舉例而言，兩個層(亦即，電洞注入層17及一電洞傳輸層18A)可經切割，且有機層18之其他層可連續形成。此外，舉例而言，與頂部發射類型顯示單元相比，一所謂底部發射類型顯示單元對第二電極之材料及厚度具有較少限制；因此，欲切割之一層之撓性係高的且(舉例而言)電洞注入層17及有機層18之所有層可經切割。
此外，在其中電洞注入層17未形成之一情形中，第一電極14上之有機層18之至少電洞傳輸層18A可經切割。
此外，電洞注入層17可在外伸部16處較佳地處於一完全切割狀態(一不連續狀態)，但並不限於此，且只要電洞注入層17處於一充分高電阻狀態，電洞注入層17可部分地或以一極其薄厚度連續地形成。
此外，一空間S藉由外伸部16形成於第二絕緣層15B與第一電極14之間；然而，電洞注入層17之一部分及有機層18之一部分可形成於空間S中，或空間S可填充有有機層18。
電洞注入層17及有機層18在有機EL器件10R、10G及10B中具有一完全相同層壓組態，無論自有機EL器件10R、10G及10B發射之光之色彩如何。圖4B圖解說明有機EL器件10R、10G及10B中之每一者之層壓組態。有機層18可具有(舉例而言)其中電洞傳輸層(HTL)18A、發光層18B、一電子傳輸層(ETL)18C及一電子注入層(EIL)18D
自電洞注入層17依序層壓之一組態。允許電洞注入層17、有機層18及第二電極19藉由以一固體薄膜形式形成所有像素之共同發光層替代形成(圖案形成)各別像素之發光層(用於色彩編碼)來相繼且共同形成。此外，此一組態可應用於(舉例而言)具有高解析度之一極其小顯示單元，其中一視場角度係數英吋或更小且一像素間距係數十微米。應注意，在此情形中，有機層18之所有層經形成而在像素之間的一邊界處被切割(由外伸部16)。然而，組態並不限於此，且有機層18之層中之某些或全部層可在像素之間的邊界處被切割(由外伸部16)。
電洞注入層17係用以增強電洞注入效率及防止洩漏之一緩衝層，且可具有(舉例而言)約2nm至約10nm(包含2nm及10nm兩者)之一厚度。如稍後將詳細闡述，電洞注入層17在於一製造程序中未經圖案化之情況下以一所謂固體薄膜形式形成於基板11之一整個表面上；然而，電洞注入層17由外伸部16切割或具有較高電阻，如上文所闡述。電洞注入層17可由(舉例而言)由化學結構1或化學結構2表示之六氮雜三伸苯基衍生物製成。
其中R1至R6各自獨立地係選自以下基之一取代基：由氫組態而成之一基、一鹵素、一羥基、一胺基、一芳胺基、具有20或更少碳原子之一取代或未取代羰基、具有20或更少碳原子之一取代或未取代羰基酯基、具有20或更少碳原子之一取代或未取代烷基、具有20或更少碳原子之一取代或未取代烯基、具有20或更少碳原子之一取代或未取代
烷氧基、具有30或更少碳原子之一取代或未取代芳基、具有30或更少碳原子之一取代或未取代雜環基、一腈基、一氰基、一硝基及一矽基，且毗鄰基Rm(其中m=1至6)可透過一環狀結構結合在一起，且X1至X6各自獨立係一碳原子或一氮原子。
電洞傳輸層18A經組態以增強至發光層18B之電洞傳輸效率。發光層18B藉由回應於一電場之應用重新組合電子及電洞來發射光。電子傳輸層18C經組態以增強至發光層18B之電子傳輸效率。電子注入層18D經組態以增強至發光層18B之電子注入效率。
舉例而言，電洞傳輸層18A可具有約40nm之一厚度，且可由4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯胺(m-MTDATA)或α-萘苯基二胺(αNPD)製成。
發光層18B係藉由混色發射白色光之一發光層，且可具有(舉例而言)其中層壓下文將闡述之一發射紅色光層、一發射綠色光層及一發射藍色光層之一組態。然而，只要發光層18B發射白色光，發光層18D並不限於此一層壓組態，且可具有(舉例而言)其中層壓一發射藍色光層及一發射黃色光層之一組態，或其中層壓一發射藍色光層及一發射橙色光層之一組態。
發射紅色光層藉由回應於一電場之應用而重新組合自第一電極14注入之電洞中之某些電洞及自第二電極19注入之電子中之某些電子來發射紅色光。此一紅色發光層可包含(舉例而言)選自一發射紅色光
材料、一電洞傳輸材料、一電子傳輸材料、一雙電荷傳輸材料之一或多個種類。發射紅色光材料可係一螢光材料或一磷光材料。在此實施例中，舉例而言，發射紅色光層可具有約5nm之一厚度，且可由與30wt%之2,6-雙[(4'-甲氧基二苯胺)苯乙烯基]-1,5-二氰基苯(BSN)混合之4,4'-雙(2,2-二苯基乙烯)聯苯(DPVBi)製成。
綠色發光層經組態以藉由回應於一電場之應用而重新組合自第一電極14注入之電洞中之某些電洞及自第二電極19注入之電子中之某些電子來發射綠色光。此一發射綠色光層可包含(舉例而言)選自一發射綠色光材料、一電洞傳輸材料、一電子傳輸材料及一雙電荷傳輸材料之一或多個種類。發射綠色光材料可係一螢光材料或一磷光材料。在此實例中，舉例而言，發射綠色光層可具有約10nm之一厚度，且可由與5wt%之香豆素6混合之DPVBi製成。
發射藍色光層經組態以藉由回應於一電場之應用而重新組合自第一電極14注入之電洞中之某些電洞及自第二電極19注入之電子中之某些電子來發射藍色光。此一發射藍色光層可包含(舉例而言)選自一發射藍色光材料、一電洞傳輸材料、一電子傳輸材料及一雙電荷傳輸材料之一或多個種類。發射藍色光材料可係一螢光材料或一磷光材料。在此實施例中，舉例而言，發射藍色光層可具有約30nm之一厚度，且可由與2.5wt%之4,4'-雙[2-{4-(N,N-二苯胺)苯基}乙烯]聯苯(DPAVBi)混合之DPVBi製成。
舉例而言，電子傳輸層18C可具有約20nm之一厚度，且可由三(8-羥喹啉)鋁(Alq3)製成。
舉例而言，電子注入層18D可具有約0.3nm之一厚度，且可由LiF、Li2O或諸如此類製成。
如稍後將闡述，有機EL器件10R、10G及10B中之每一者具有其中有機層18用作一共振區段之一共振組態。由於自一發光點至一反射
表面之一距離係可適當調整，因此有機層18可較佳地具有約80nm至約500nm(包含80nm及500nm兩者)之一薄膜厚度，且更佳地約150nm至約350nm(包含150nm及350nm兩者)之一薄膜厚度。
第二電極19形成於有機層18之一整個表面上以置於所有有機EL器件10R、10G及10B上方。第二電極19可由ITO、IZO、ZnO、InSnZnO、一MgAg合金、Ag及諸如此類之單層薄膜或包含選自單層薄膜之兩個或兩個以上種類之一層壓薄膜中之一者組態而成。應注意，在底部發射類型顯示單元之一情形中，類似於列舉為上文所闡述之第一電極14之材料之彼等之材料可用於第二電極19。
保護層20可由氮化矽、氧化矽、一金屬氧化物或諸如此類製成。黏合劑層21可由(舉例而言)一熱固性樹脂或一紫外線硬化樹脂製成。
密封基板23可由諸如使自有機EL器件10R、10G及10B發射之光透過之玻璃之一材料製成，且彩色濾光器層22形成於密封基板23之一個表面上。
彩色濾光器層22經組態以提取自有機EL器件10R、10G及10B中之每一者發射之白色光作為每一像素中之紅色光、綠色光或藍色光。彩色濾光器層22可包含(舉例而言)面向有機EL器件10R之一紅色濾光器層22R、面向有機EL器件10G之一綠色濾光器層22G及面向有機EL器件10B之一藍色濾光器層22B。此外，一光屏蔽層BM形成於紅色濾光器層22R、綠色濾光器層22G及藍色濾光器層22B之間的區(亦即，像素之間的區)中。光屏蔽層BM可視需要形成，且可不形成。
彩色濾光器層22可經提供至密封基板23之一光入射表面(經定位接近於器件)及一光射出表面中之任一者；然而，彩色濾光器層22可較佳地提供至密封基板23之光入射表面，此乃因彩色濾光器層22未曝露於一表面，且允許由黏合劑層21保護。此外，由於發光層18B與彩
色濾光器層22之間的距離變窄，因此允許自發光層18B發射之光避免進入一毗鄰之另一色彩濾光器層以導致混色。
舉例而言，上文所闡述之顯示單元1可如下製造。圖5至圖10圖解說明根據此實施例之製造顯示單元1之程序之一實例。
首先，如圖5中所圖解說明，在藉由一習知MOS程序由上文所闡述之材料製成之基板11上形成包含像素驅動電路140之驅動電路層12，且用(舉例而言)作為平坦化層13之上文所闡述之材料之一有機材料之一光聚合物塗佈驅動電路層12之一整個表面。光聚合物經曝光且顯影，且然後經圖案化成一預定形狀以形成平坦化層13。藉助圖案化同時形成連接孔13A，且然後將一導電材料嵌入於連接孔13A以形成栓塞13B。
之後，由(舉例而言)上文所闡述之材料製成之金屬層14-1及14-2藉由(舉例而言)一濺鍍方法依序形成且然後(舉例而言)執行濕式蝕刻以形成針對各別有機EL器件10R、10G及10B(各別像素)分離之第一電極14。
接下來，形成包含上文所闡述之開口150之絕緣層15及上文所闡述之外伸部16。更具體而言，首先，如圖6A中所圖解說明，第一絕緣層15A及第二絕緣層15B依序層壓於基板11之整個表面上。在此時，藉由(舉例而言)一CVD(化學汽相沈積)方法形成(舉例而言)作為第一絕緣層15A之一SiON或SiN薄膜及(舉例而言)作為第二絕緣層15B之一SiO2薄膜以便具有上文所闡述之厚度。
接下來，如圖6B中所圖解說明，藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之蝕刻來選擇性移除經層壓之第一絕緣層15A及第二絕緣層15B中之僅第二絕緣層15B以在第二絕緣層15B中形成一開口150a。更具體而言，對第二絕緣層15B執行一光阻劑(未圖解說明)之一薄膜之
形成及曝光(圖案化)。之後，藉助使用允許在第一絕緣層15A與第二絕緣層15B之間獲得蝕刻選擇性之一條件藉由(舉例而言)各向異性(或各向同性)乾式蝕刻(或濕式蝕刻)將第二絕緣層15B處理至第一絕緣層15A之一表面。在第二絕緣層15B經處理之後，將光阻劑移除。
接下來，如圖6C中圖解說明，第一絕緣層15A之一曝光部分經選擇性移除以形成開口150。此時，藉助使用允許在第一絕緣層15A與第二絕緣層15B之間獲得蝕刻選擇性之一條件藉助(舉例而言)各向同性乾式蝕刻或各向同性濕式蝕刻將第一絕緣層15A處理至第一電極14之一表面。因此，在形成開口150時，允許藉由將第一絕緣層15A之端邊緣e1定位於第二絕緣層15B之端邊緣e2後面來在開口150之邊緣處形成外伸部16。
之後，如圖7中圖解說明，藉由(舉例而言)一真空沈積方法、一濺鍍方法或諸如一旋塗方法或一模具塗佈方法之一塗佈方法在基板11之整個表面上形成具有上文所闡述之厚度之由上文所闡述之材料製成之電洞注入層17。此時，電洞注入層17經形成處於其中電洞注入層17由形成於絕緣層15之開口150處之外伸部16切割之一狀態或處於其中電洞注入層17因外伸部16僅部分地連續形成或具有一極其薄之薄膜之一狀態。因此，在此實施例中，允許在未經圖案化之情況下藉由外伸部16針對每一第一電極14(每一像素或有機EL器件10R、10G及10B中之每一者)單獨形成電洞注入層17。
接下來，如圖8中圖解說明，有機層18藉由(舉例而言)一真空沈積方法、一濺鍍方法或諸如一旋塗方法或一模具塗佈方法之一塗佈方法來形成。更具體而言，由上文所闡述之材料製成之電洞傳輸層18A、發光層18B、電子傳輸層18C及電子注入層18D依序形成於電洞注入層17上。此時，有機層18之一部分(舉例而言，上文所闡述之電洞傳輸層18A)可由外伸部16切割；然而，在此情形中，圖解說明其中
在未經切割之情況下連續形成整個有機層18之一狀態。
接下來，如圖9中所圖解說明，藉由(舉例而言)一真空沈積方法、一濺鍍方法或諸如此類在基板11之整個表面上形成由上文所闡述之材料製成之第二電極19。因此，允許在(舉例而言)一真空氛圍中在第一電極14上連續形成電洞注入層17、有機層18及第二電極19。此外，形成其中電洞注入層17、有機層18及第二電極19不僅形成於第一電極14正上面之區中而且在毗鄰第一電極14之間(像素之間)的區中之一器件組態。因此，形成有機EL器件10R、10G及10B。
接下來，如圖10中所圖解說明，藉由(舉例而言)一CVD方法或一濺鍍方法在有機EL器件10R、10G及10B上形成由上文所闡述之方法製成之保護層20。
最後，密封基板23黏結至保護層20，在其之間具有黏合劑層21。此時，彩色濾光器層22形成於密封基板23上，且密封基板23經黏結以便允許其中彩色濾光器層22由密封基板23形成之一表面面向有機EL器件10R、10G及10B。因此，圖1至圖3中圖解說明之顯示單元1完成。
在根據此實施例之顯示單元1中，將一掃描信號自掃描線驅動電路130供應至每一像素中之寫入電晶體Tr2之閘極電極，且將一影像信號透過寫入電晶體Tr2自信號線驅動電路120供應至一保留電容器Cs。基於供應至保留電容器Cs且存留於其中之一信號，驅動電晶體Tr1之接通/關斷經控制以將一驅動電流Id注入至有機EL器件10R、10G及10B中之每一者。電洞及電子藉由將驅動電流Id透過第一電極14及第二電極19注入至有機層18之發光層18B中以致使光發射而重新組合。
舉例而言，當白色光以此一方式自發光層18B發射時，白色光在第一電極14與第二電極19之間重複反射，且透過第二電極19、彩色濾
光器層22及密封基板23提取。更具體而言，已自有機層18(發光層18B)發射且已穿過第二電極19之白色光藉由彩色濾光器層22分離成(舉例而言)色彩RGB之光。換言之，上文所闡述之白色光之紅色光、綠色光及藍色光分別選擇性地穿過有機EL器件10R中之紅色濾色器層22R、有機EL器件10G中之綠色濾色器層22G及有機EL器件10B中之藍色濾色器層22B。因此，藉由使用發射色彩R、G及B之光之有機EL器件10R、10G及10B之一組合作為一個像素來顯示一影像。
應注意，在上文所闡述之頂部發射類型顯示單元1中，自發光層18B發射之光未被經提供至驅動電路層12之一TFT或諸如此類阻擋；因此，頂部發射類型顯示單元1在光提取效率方面優於底部發射類型顯示單元。
在此情形中，如上文所闡述，在顯示單元1中，有機層18包含所有像素之共同發光層18B。此外，電洞注入層17、有機層18及第二電極19在未針對每一像素圖案化之情況下以一固體薄膜形式連續形成。
在此情形中，在包含所有像素之此一共同發光層18B之器件組態中，外伸部16安置於絕緣層15之開口150之邊緣處，且電洞注入層17由外伸部16切割且具有較高電阻。換言之，當外伸部16經提供至絕緣層15時，而電洞注入層17、有機層18及第二電極19在第一電極14上連續形成為固體薄膜形式，電洞注入層17經電阻擋於毗鄰像素之間的一邊界處。
如上文所闡述，在根據此實施例之顯示單元1中，包含具有面向經提供至每一像素之第一電極14之開口150之絕緣層15，且外伸部16經提供至開口150之邊緣；因此，允許電洞注入層17電阻擋於像素之間的一邊界處。因此，在包含所有像素之共同發光層之器件組態中，允許減少電流洩漏。
此外，電荷注入效率(在此情形中，電洞注入效率)藉由減少電流
洩漏而增強，且允許光發射效率相應地增強。此外，由於毗鄰像素之電流洩漏減少，因此允許減少混色。另外，允許自形成於絕緣層15之開口150之一邊緣(一像素端)周圍之有機層18之光發射(邊緣光發射)減少以減少照度之劣化。
此外，由於允許減少電洞注入層17中之電流洩漏，因此允許電洞注入層17之厚度增加；因此，可達成電洞注入效率且廣義而言光發射效率之增強。
另一方面，第二電極19係使所有像素彼此連接之一電極；因此，理想的是第二電極19不具有斷開連接且具有低電阻。為如此做，其中形成第二電極19之一表面(亦即，有機層18之一表面)可較佳地具有較少突出部及較少凹部之一形狀，且具有高平坦度，此乃因具有突出部及凹部之一形狀之位準之一差異可導致第二電極19之斷開連接，及導致電阻之一增加之薄膜厚度之局部減少。在此實施例中，絕緣層15形成為第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之一層壓膜，且對層壓膜執行兩個蝕刻階段，亦即各向異性蝕刻及各向同性蝕刻；因此，在形成開口150時，允許形成外伸部16。因此，允許電洞注入層17在不形成絕緣層15之表面上之位準之一大差異之情況下經切割。因此，此實施例中之具有上文所闡述之外伸部16之器件組態促進第二電極19之斷開連接之防止及電阻之減少同時減少至電洞注入層17之一洩漏電流。
下文將闡述上文所闡述之第一實施例及其他實施例之修改實例。在以下闡述中，相同組件由上文所闡述之第一實施例相同編號表示且將不進一步闡述。
圖11圖解說明根據修改實例1之一器件組態之一絕緣層之一開口周圍之一組態。在上文所闡述之第一實施例中，絕緣層15具有包含第一絕緣層15A及第二絕緣層15B以形成外伸部16之一雙層組態。此修
改實例不同於上文所闡述之第一實施例之處在於一絕緣層(一絕緣層24)包含形成於第一電極14之一表面上之一蝕刻犧牲層(氧化物層14a)。更具體而言，在此修改實例中之一器件組態中，絕緣層24包含形成於定位接近於第一電極14之表面之一部分中之氧化物層14a及一第五絕緣層15E，且外伸部分16係藉由對此等層之兩個蝕刻階段來形成。
如同上文所闡述之第一實施例中之絕緣層15，絕緣層24經組態以使各別像素之第一電極14彼此電隔離，且確保第一電極14與第二電極19之間的絕緣。此外，絕緣層24具有面向第一電極14中之每一者之開口150，且外伸部16形成於開口150之邊緣處。
氧化物層14a由形成第一電極14之表面之一金屬氧化物製成，且具有實質上等於上文所闡述之第一實施例中之第一絕緣層15A之厚度之一厚度。舉例而言，在其中第一電極14中之金屬層14-2係由鋁製成之一情形中，氧化物層14a係由氧化鋁(Al2O3)製成。氧化層14a之材料並不限於氧化鋁，且另一選擇係，氧化物層14a可由另一金屬氧化物製成，舉例而言，氧化銅(CuO，Cu2O)、氧化鈦(TiO2)或諸如此類。在此修改實例中，外伸部16之高度由氧化物層14a之厚度判定。
第五絕緣層15E可由選自諸如氧化矽、氮化矽及氮氧化矽之無機絕緣薄膜材料之允許與形成氧化物層14a之金屬氧化物一起獲得蝕刻選擇性之一材料製成。舉例而言，在此實施例中，在其中氧化層14a係由氧化鋁製成之一情形中，舉例而言，可使用氧化矽或氮氧化矽作為第五絕緣層15E。此外，第五絕緣層15E之厚度實質上等於上文所闡述之第一實施例之第二絕緣層15B之厚度。儘管氧化物層14a及第五絕緣層15E之厚度未經限制，但第五絕緣層15E之厚度可較佳地大於氧化物層14a之厚度。
在此修改實例中，第五絕緣層15E具有在絕緣層24之開口150之
邊緣處自氧化物層14a之一端邊緣(一內壁S1)上方突出之一部分，且該突出部分係外伸部分16。換言之，在開口150之邊緣處，氧化物層14a經形成以便將其內壁S1定位於第五絕緣層15E之一端邊緣e5後面。在外伸部16處，至少電洞注入層17經切割或具有較低電阻(圖11中圖解說明之一區A)。
舉例而言，此一器件組態可如下形成。首先，如圖12A中所圖解說明，如同上文所闡述之第一實施例，在基板11上形成驅動電路層12、平坦化層13及第一電極14。之後，如圖12B中所圖解說明，藉由氧化經定位較接近於第一電極14之金屬層14-2(自金屬層14-2至(舉例而言)約5nm至約50nm之一厚度之一部分)之一表面之一部分來形成氧化物層14a。
之後，如圖13A中所圖解說明，藉由(舉例而言)一CVD方法在基板11之整個表面上形成具有上文所圖解說明厚度之由上文所闡述之材料製成之第五絕緣層15E。接下來，如圖13B中所圖解說明，藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之各向異性乾式蝕刻在第五絕緣層15E中形成開口150a。此時，藉助使用允許在第五絕緣層15E與氧化物層14a之間獲得蝕刻選擇性之一條件藉由(舉例而言)各向異性乾式蝕刻將第五絕緣層15E處理至氧化物層14a之一表面。接下來，如圖13C中圖解說明，藉由將氧化物層14a之一曝露部分選擇性移除來形成開口150。此時，藉助使用允許在第五絕緣層15E與氧化物層14a之間獲得蝕刻選擇性之條件藉由(舉例而言)各向同性乾式蝕刻或各向同性濕式蝕刻將氧化物層14a處理至第一電極14之表面。因此，在形成開口150時，允許藉由將氧化層14a之內壁s1定位於第五絕緣層15E之端邊緣e5後面在開口150之邊緣處形成外伸部16。
如在此修改實例中，可藉助使用藉由氧化第一電極14之表面形成之氧化物層14a及形成於氧化物層14a上之第五絕緣層15E來形成外
伸部16，且甚至在此一情形中，允許獲得類似於上文所闡述之第一實施例中之彼等效應之效應。此外，允許藉由執行氧化第一電極14之表面之一程序替代對一無機絕緣薄膜之一CVD程序來形成外伸部16。因此，與上文所闡述之第一實施例相比，存在允許減少CVD程序之數目之優點，且允許簡化製造程序。
圖14圖解說明根據修改實例2之一器件組態之一絕緣層之一開口周圍之一組態。在上文所闡述之修改實例1中，藉助使用第一電極14之表面上之氧化物層14a來形成外伸部16；然而，如在此修改實例中，可藉由直接處理第一電極14來形成外伸部16。
更具體而言，在此修改實例中，在第一電極14之表面(金屬層14-2之表面)中形成一凹部14b，且第五絕緣層15E經提供以便重疊第一電極14上之凹部14b之一部分。第五絕緣層15E具有類似於上文所闡述之絕緣層15及24之一作用。
在上文所闡述之組態中，第五絕緣層15E具有在第五絕緣層15E之開口150之邊緣處自凹部14b之一內壁s2上方突出至開口150之內部之一部分，且突出部分係外伸部16。換言之，在開口150之邊緣處，凹部14b經形成以便將其內壁s2定位於第五絕緣層15E之端邊緣e5後面。在外伸部16處，至少電洞注入層17經切割或具有較低電阻(圖14中所圖解說明之區A)。
舉例而言，此器件組態可如下形成。首先，如圖15A中所圖解說明，如同上文所闡述之第一實施例，在驅動電路層12、平坦化層13及第一電極14形成於基板11上之後，如同上文所闡述之修改實例1，藉由(舉例而言)一CVD方法在基板11之整個表面上形成第五絕緣層15E。接下來，如圖15B中所圖解說明，藉由(舉例而言)各向異性乾式蝕刻在第五絕緣層15E中形成開口150a。此時，藉助使用允許在第五
絕緣層15E與第一電極14(舉例而言，鋁)之間獲得蝕刻選擇性之一條件藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之各向異性乾式蝕刻將第五絕緣層15E處理至第一電極14之表面。接下來，如圖15C中所圖解說明，藉由將經定位較接近於第一電極14之表面之一曝露部分選擇性移除來形成開口150。此時，藉助使用允許在第五絕緣層15E與第一電極14之間獲得蝕刻選擇性之條件藉由(舉例而言)各向同性濕式蝕刻來處理第一電極14。因此，在形成開口150時，形成凹部14b，且藉由將凹部14b之內壁s2定位於第五絕緣層15E之端邊緣e5後面在開口150之邊緣處形成外伸部16。
圖16A圖解說明在其中藉由藉助各向同性乾式蝕刻處理第一電極14(鋁)來形成凹部14b之一情形中之處理時間(秒)與外伸部16之高度h(=凹部14b之一深度)之間的一關係。此外，圖16B圖解說明上文所闡述之處理時間與外伸部16之寬度d之間的一關係。應注意，圖16A及圖16B圖解說明彼此相通之處理結果，且圖式中之「左」、「中心」及「右」指示一晶圓平面中之位置。處理時間與外伸部16之縱橫比之間存在相關性，且此可應用於不僅此修改實例，而且可應用於上文所闡述之第一實施例及諸如此類。
圖17圖解說明根據本技術之一第二實施例之一顯示單元(一顯示單元2)之一剖面組態。在上文所闡述之第一實施例中，絕緣層15係由第一絕緣層15A及第二絕緣層15B之一層壓薄膜組態而成；然而，此實施例中之一絕緣層(一絕緣層25)與上文所闡述第一實施例中之絕緣層15不同之處在於絕緣層25由一三層層壓薄膜組態而成，且絕緣層25中之像素之間的一區經平坦化。
如同上文所闡述之第一實施例中之絕緣層15，絕緣層25經組態
以使各別像素之第一電極14彼此電隔離，且確保第一電極14與第二電極19之間的絕緣。此外，絕緣層25具有面向第一電極14中之每一者之開口150，且外伸部16形成於開口150之邊緣處。
圖18係開口150周圍之一組態及第一電極14之間(像素之間)的一區之一放大圖。在此實例中，一第三絕緣層15C可嵌入於(舉例而言)毗鄰第一電極14之間的一區中。上文所闡述第一實施例中所闡述之第一絕緣層15A及第二絕緣層15B依序層壓於第三絕緣層15C及第一電極14上，且第二絕緣層15B之一部分形成外伸部16。因此，在此實施例中，絕緣層25係由第一絕緣層15A第二絕緣層15B及第三絕緣層15C組態而成之一三層薄膜。在此一組態中，在位於第一電極14之正上面之一區中，藉由對第一絕緣層15A及第二絕緣層15B執行類似於上文所闡述第一實施例之蝕刻來形成開口150及外伸部16。另一方面，在第一電極14之間(在像素之間)之一區中，第三絕緣層15C之一表面經平坦化而以等於第一電極14之表面之位準之一位準定位，且第一絕緣層15A及第二絕緣層15B層壓於第三絕緣層15C上。第三絕緣層15C之一厚度實質上等於第一電極14之厚度。形成第三絕緣層15C之一材料未經具體限制；然而，第三絕緣層15C之材料之實例可包含無機絕緣材料，諸如氧化矽、氮化矽及氮氧化矽。此外，第三絕緣層15C可係藉由一典型電漿CVD方法形成，或可係由一高密度電漿CVD方法形成之一所謂HDP薄膜。
舉例而言，顯示單元2可如下形成。圖19至圖22圖解說明根據此實施例之製造顯示單元2之程序之一實例。
首先，如圖19中所圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，在基板11上形成驅動電路層12、平坦化層13及第一電極14。
之後，形成絕緣層25。更具體而言，首先，如圖20A中圖解說
明，由上文所闡述材料製成之第三絕緣層15C係藉由(舉例而言)一CVD方法或諸如此類形成。此時，在基板11之整個表面上形成第三絕緣層15C以便具有對欲嵌入於第一電極14之間的一凹部區中且置於第一電極14上方之第三絕緣層15C足夠厚之一厚度。
接下來，如圖20B中所圖解說明，第三絕緣層15C之一表面藉由(舉例而言)一CMP(化學機械拋光)方法拋光以經平坦化。此時，拋光自第三絕緣層15C之表面(一頂部表面)開始且當第一電極14之一表面(一頂部表面)曝露時，藉助使用(舉例而言)EPD(端點偵測)或諸如此類完成拋光。
另一選擇係，存在一特性：在其中藉由(舉例而言)一HDP方法形成第三絕緣層15C之一情形中，藉由形成具有一大厚度之第三絕緣層15C來獲得平坦度。因此，舉例而言，在圖20A之一程序中，在第三絕緣層15C形成有足夠大以獲得充分平坦度之一厚度之後，在圖20B中之一程序中，第三絕緣層15C可經回蝕直至第三絕緣層15C具有實質上等於第一電極14之厚度之一厚度為止。
因此，第三絕緣層15C經形成以便嵌入於第一電極14之間的區中且平坦化第一電極14之間的區。
之後，如圖20C中所圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，第一絕緣層15A及第二絕緣層15B依序形成於基板11之整個表面上。接下來，如圖20D中所圖解說明，如同上文所闡述之第一實施例，藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之各向異性乾式蝕刻在第二絕緣層15B中形成開口150a。接下來，如圖20E中所圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，在開口150係藉由(舉例而言)各向同性蝕刻形成時，外伸部16形成於開口150之邊緣處。
之後，如圖21中所圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，形成電洞注入層17。甚至在此實施例中，允許電洞注入層17經形成處於
其中電洞注入層17由外伸部16切割之一狀態或處於其中電洞注入層17因外伸部16僅部分地連續形成或具有一極其薄之薄膜之一狀態；因此，允許電洞注入層17在未經圖案化之情況下針對每一第一電極14單獨形成。
接下來，如圖22中所圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，有機層18及第二電極19依序形成。因此，形成有機EL器件10R、10G及10B。此外，儘管未圖解說明，如同上文所闡述第一實施例，在形成保護層20之後，密封基板23及彩色濾光器層22黏結至保護層20，在其之間具有黏合劑層21。因此，完成圖17中所圖解說明之顯示單元2。
如上文所圖解說明，甚至在此實施例中，形成其中電洞注入層17、有機層18及第二電極19不僅形成於第一電極14中之每一者正上面之區上而且在毗鄰第一電極14之間的區上之器件組態。甚至在此一器件組態中，在此實施例中，如上文所闡述，第一電極14之間的區藉由絕緣層25(更具體而言，第三絕緣層15C)平坦化；因此與在第一實施例中相比，以一固體薄膜形式連續形成之電洞注入層17及有機層18之平坦化經改良得多。因此，與上文所闡述第一實施例相比，在此實施例(其中(舉例而言)一MgAg合金在形成第二電極19或諸如此類之一程序中經濺鍍之一情形)中，更容易達成第二電極19之斷開連接之防止及電阻之減少。
甚至在根據本實施例之顯示單元2中，如同上文所闡述第一實施例，自有機層18之發光層18B發射之白色光藉由彩色濾光器22分離成色彩之光以經提取為R、G、B之彩色光。因此顯示一影像。在此實施例中，在包含所有像素之一共同發光層18B之器件組態中，電洞注入層17藉由經提供至絕緣層25之開口150之外伸部16切割或具有較高電
阻，且經電阻擋於毗鄰像素之間。因此，允許獲得類似於上文隨闡述之第一實施例中之彼等效應之效應。
此外，如上文所闡述，理想的是第二電極19之平坦度係高的，且在此實施例中，在第二電極19中，平坦度係高的且減少突出部及凹部；因此，由位準之一差異所導致之薄膜厚度之變化減少。更具體而言，第一電極14之間的位準之一差異可減少至(舉例而言)約0nm至約70nm。因此，第二電極19之片電阻減少，且電荷(在此情形中為電子)注入效率增強。
另一方面，第二電極19之薄膜厚度在光提取方面宜儘可能薄；然而，存在電阻由厚度之減少而增加之一可能性。在此實施例中，允許藉由第二電極19之平坦度減少片電阻；因此，第二電極19之厚度之減少係可允許的。因此，在不增加電阻之情況下可達成厚度之減少，藉此導致光發射特性之一改良。
應注意，在上文所闡述之第二實施例中，闡述其中外伸部16形成於絕緣層25中且像素之間的區經平坦化之器件組態；然而，上文闡述中之絕緣層25之一經平坦化部分所特有之一組態及效應可應用於其中未形成外伸部16之一器件組態(舉例而言，圖23中圖解說明之一器件組態)。
在圖23中所圖解說明之器件組態中，經組態以使各別像素之第一電極14彼此電隔離之一絕緣層(一絕緣層25a)係由經組態以平坦化第一電極14之間的一區之第三絕緣層15C及形成於第三絕緣層15C上之一上部絕緣層151組態而成。舉例而言，如同上文所闡述之第二實施例，可在形成層直至第三絕緣層15C之後(在藉由CMP執行拋光之後)藉由(舉例而言)一CVD方法在基板11之整個表面上形成絕緣層25a。之後，藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之蝕刻在上部絕緣層151中形成一開口152。應注意，除形成絕緣層25a之一程序外之
程序類似於上文所闡述之第一實施例中之彼等程序。
電洞注入層17、有機層18及第二電極19依序形成於絕緣層25a上。在此一組態之情況下，第二電極19之平坦度經增強，且可達成上文所闡述之斷開連接之防止及上文所闡述之電阻之減少。
然而，如同上文所闡述之第二實施例，由於允許其中絕緣層25具有外伸部16且在像素之間經平坦化之此組態達成第二電極之斷開連接之防止及電阻之減少同時減少電流洩漏，因此此組態在發光效率及器件特性方面優越。
圖25圖解說明根據修改實例3之一顯示單元之一剖面組態。圖26係開口150周圍之一組態及第一電極14之間(像素之間)之一區之一放大圖。在上文所闡述之第二實施例中，絕緣層25中之第三絕緣層15C之厚度實質上等於第一電極14之厚度；然而，如在一絕緣層(一絕緣層26)中，第三絕緣層15C之厚度可大於第一電極14之厚度。
絕緣層26具有類似於上文所闡述實施例中之絕緣層15及25之作用之一作用，且包含面向第一電極14中之每一者之開口150。外伸部16形成於開口150之邊緣處。絕緣層26具有其中一第四絕緣層15D層壓於第三絕緣層15C上在第一電極14之間的一區中之一雙層組態。在此修改實例中，第三絕緣層15C具有大於第一電極14之一厚度，且經形成以便置於第一電極14之一側表面及一頂部表面之一部分上方。在此修改實例中，在此一組態之情況下，外伸部16之高度h係藉由第三絕緣層15C與第一電極14之間的厚度之一差異(舉例而言，約10nm至約50nm)而判定。
第四絕緣層15D可由選自諸如氧化矽、氮化矽及氮氧化矽之無機絕緣薄膜材料之允許與形成第三絕緣層15C之一材料一起獲得蝕刻選擇性之一材料製成。此外，第四絕緣層15D可具有(舉例而言)約40nm
至約90nm(包含40nm及90nm兩者)之一厚度。第三絕緣層15C及第四絕緣層15D之厚度未經限制；然而，第四絕緣層15D之厚度可較佳地大於第三絕緣層15C之厚度。
在此修改實例中，在絕緣層26之開口150之邊緣處，第四絕緣層15D自第三絕緣層15C之端邊緣e3上方突出，且第四絕緣層15D之一突出部分係外伸部16。換言之，在開口150之邊緣處，第三絕緣層15C經形成以便將其端邊緣e3定位於第四絕緣層15D之一端邊緣e4後面。在外伸部16處，至少電洞注入層17經切割或具有較低電阻。
舉例而言，此一絕緣層26可如下形成。舉例而言，如圖27A中所圖解說明，第三絕緣層15C形成於基板11之整個表面上以便具有對欲嵌入於第一電極14之間的一凹部區中且置於第一電極14上方之第三絕緣層15C足夠厚之一厚度。接下來，如圖27B中所圖解說明，第三絕緣層15C之表面藉由(舉例而言)一CMP(化學機械拋光)方法拋光以平坦化。此時，拋光自第三絕緣層15C之表面(頂部表面)開始，且拋光在預定時間之一間隔之後完成拋光。此時，處理時間經調整以便允許第三絕緣層15C以一預定厚度t(=高度h)保留在第一電極14上。應注意，在其中第三絕緣層15C係藉由一HDP方法形成之一情形中，用以允許第三絕緣層15C以上文所闡述厚度t保留之處理可藉由(舉例而言)回蝕(諸如乾式蝕刻)來執行。
如上文所闡述，在此修改實例中，第三絕緣層15C在第一電極14上形成有厚度t同時平坦化第一電極14之間的區。
之後，如圖28A中所圖解說明，由上文所闡述材料製成具有上文所闡述厚度之第四絕緣層15D係藉由(舉例而言)一CVD方法形成。接下來，如在圖28B中所圖解說明，藉由藉助使用(舉例而言)一光微影方法之各向異性乾式蝕刻在第四絕緣層15D中形成一開口。接下來，藉由對第三絕緣層15C之一曝露部分執行(舉例而言)各向同性乾式蝕
刻或各向同性濕式蝕刻來形成開口150，且在開口150之邊緣處形成外伸部16。因此，形成絕緣層26。
如同此修改實例，當第三絕緣層15C經平坦化時，第三絕緣層15C可以一預定厚度保留在第一電極14上，且外伸部16可藉助使用剩餘第三絕緣層15C形成。在此一情形中，在第一電極14之間的平坦度增強時，允許減少一洩漏電流。因此，允許獲得類似於上文所闡述之第二實施例之彼等效應之效應。此外，由於絕緣層26係由兩個層組態而成，與其中絕緣層26由三個層組態而成之上文所闡述之第二實施例相比，允許減少程序之數目。
應注意，上文所闡述之修改實例3中之絕緣層26之平坦化部分特有之一組態、一形成程序及效應可應用於其中未形成外伸部16之一器件組態(舉例而言，圖29中圖解說明之一器件組態)。
在圖29中所圖解說明之器件組態中，僅上文所闡述之修改實例3中所闡述之第三絕緣層15C使各別像素之第一電極14彼此電隔離，且平坦化第一電極14之間的區。允許藉由以(舉例而言)類似於上文所闡述之修改實例3之一方式形成第三絕緣層15C來形成此一器件組態，且然後以類似於上文所闡述第一實施例之一方式依序形成電洞注入層17、有機層18及第二電極19。因此，允許增強第二電極19之平坦度，且可達成上文所闡述之斷開連接之防止及上文所闡述之電阻之減少。
根據上文所闡述之實施例及上文所闡述之修改實例之顯示單元中之任何者併入至稍後將闡述為(舉例而言)圖30中所圖解說明之一模組之諸如應用實例1至5之各種電子裝置中。特定而言，根據上文所闡述實施例及上文所闡述修改實例之顯示單元適於電子裝置，諸如需要高解析度且藉由在眼前變焦一影像來使用之一視訊攝影機及一單鏡頭反射式相機及一頭戴式顯示器之一取景器。在此模組中，舉例而言，
自密封基板23及黏合劑層21曝露之一區210可提供於基板11之一側上，且一外部連接端(未圖解說明)可藉由延伸信號線驅動電路120及掃描線驅動電路130之佈線形成於區210中。在外部連接終端中，可提供用於信號輸入及輸出之一撓性印刷電路(FPC)220。
圖31圖解說明一電視之一外觀。舉例而言，該電視可包含一影像顯示螢幕區段300，其包含一前面板310及一濾光器玻璃320，且影像顯示螢幕區段300由根據上文所闡述實施例及諸如此類之顯示單元中之任一者組態而成。
圖32A及圖32B圖解說明一數位相機之一外觀。舉例而言，該數位相機可包含(舉例而言)用於一閃光(flash)之一發光區段410、一顯示區段420、一選單開關430、及一快門按鈕440，且顯示區段420係由根據上文所闡述之實施例及諸如此類之顯示單元中任一者組態而成。
圖33圖解說明一筆記型個人電腦之一外觀。舉例而言，該筆記型個人電腦可包含一主體510、用於輸入字元或諸如此類之操作之一鍵盤520及用於顯示一影像之一顯示區段530，且顯示區段530係由根據上文所闡述之實施例及諸如此類之顯示單元中之任一者組態而成。
圖34圖解說明一視訊攝影機之一外觀。舉例而言，該視訊攝影機可包含一主區段610、提供於主區段610之一前表面上且用於拍攝一物件之一影像之一透鏡620、一拍攝開始/停止開關630及一顯示區段640，且顯示區段640係由根據上文所闡述之實施例及諸如此類之顯示單元中之任一者組態而成。
圖35A及圖35B圖解說明一蜂巢式電話之一外觀。舉例而言，該蜂巢式電話係藉由使一頂側外殼710與一底側外殼720藉由一連接區段(鉸鏈區段)730彼此連接而形成，且該蜂巢式電話可包含一顯示器740、一子顯示器750、一圖像燈760及一相機770。顯示器740或子顯示器750係由根據上文所闡述之實施例及諸如此類之顯示單元中之任一者組態而成。
儘管本技術係參考該等實施例及修改實例來闡述；但本技術並不限於此，且可進行各種修改。舉例而言，在上文所闡述之實施例及諸如此類中，使各別像素之第一電極14彼此電隔離之絕緣層係由一層壓膜組態而成且外伸部係藉由在兩個階段中執行蝕刻或諸如此類來形成；然而，由於形成外伸部之一技術並不限於上文所闡述之技術，且可使用各種技術中之任何者。舉例而言，如圖36中所圖解說明，一絕緣層31之開口150之邊緣形成為一錐形形狀以在絕緣層31與第一電極14之間提供一空間S。因此，允許形成外伸部30。此一顛倒錐形形狀可藉由(舉例而言)乾式蝕刻形成。
此外，在上文所闡述之實施例及諸如此類中，闡述其中第一電極14用作陽極，且第二電極19用作陰極之一情形；然而，第一電極14可用作陰極，且第二電極19可用作陽極。在此情形中，由於電子注入層及電子傳輸層形成於第一電極14上，電子注入層或電子注入層及電子傳輸層兩者由絕緣層之外伸部切割或具有較高電阻。
此外，每一層之材料及厚度並不限於上文所闡述實施例及諸如此類中所闡述之彼等材料及厚度，且每一層可由任何其他材料製成具有任何厚度。
應注意，本技術可具有以下組態。
(1)一種顯示單元，其自一基板依序包含以下各項：複數個第一電極，其經提供至各別像素；
一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
(2)如(1)之顯示單元，其中該絕緣層包含自該第一電極側依序層壓之一第一無機層及一第二無機層，且該外伸部係該第二無機層之一部分，該部分在該開口之該邊緣處自該第一無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
(3)如(2)之顯示單元，其中該等第一及第二無機層由被允許獲得蝕刻選擇性且彼此不同之材料製成。
(4)如(2)或(3)之顯示單元，其中該第二無機層之一厚度大於該第一無機層之厚度。
(5)如(1)至(4)中任一項之顯示單元，其中該絕緣層包含嵌入於該等第一電極之間的一區中且經平坦化之一第三無機層。
(6)如(5)之顯示單元，其中該第三無機層之一厚度實質上等於該第一電極之厚度，該絕緣層包含自該第一電極側依序層壓於該第三無機層上之一第一無機層及一第二無機層，且該外伸部係該第二無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該第一無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
(7)如(5)之顯示單元，其中該第三無機層之一厚度大於該第一電極之厚度，該絕緣層包含層壓於該第三無機層上之一第四無機層，且該外伸部係該第四無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該第三無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
(8)如(1)至(7)中任一項之顯示單元，其中該等第一電極中之每一者包含形成該絕緣層之一部分之一金屬氧化物層，該絕緣層包含在該等第一電極上之一第五無機層，且該外伸部係該第五無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該金屬氧化物層之一內壁上方朝向該開口之內側突出。
(9)如(1)至(8)中任一項之顯示單元，其中該等第一電極中之每一者具有在其一表面上之一凹部，該絕緣層包含在該等第一電極上之一第五無機層，且該外伸部係該第五無機層之一部分，且該部分在該開口之一邊緣處自該凹部之一內壁上方朝向該開口之內側突出。
(10)如(1)至(9)中任一項之顯示單元，其中該電荷注入-傳輸層包含一電洞注入層。
(11)如(1)至(10)中任一項之顯示單元，其中該有機層係藉由層壓該複數個發光層形成，且該有機層藉由混合自該等各別發光層發射之色彩之光來發射白色光。
(12)一種製造一顯示單元之方法，該方法包含：在一基板上形成經提供至各別像素之複數個第一電極；在該複數個第一電極上形成一絕緣層，該絕緣層具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；
在該絕緣層上形成一電荷注入-傳輸層，該電荷注入-傳輸層在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；在該電荷注入-傳輸層上形成包含為所有該等像素所共有之一發光層之一有機層；及在該有機層之一整個表面上形成一第二電極。
(13)如(12)之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個該等第一電極上依序形成一第一無機層及一第二無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第二無機層，且然後對該第一無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
(14)如(12)之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第三無機層以嵌入於該等第一電極之間的一區中，且平坦化該第三無機層。
(15)如(14)之製造顯示單元之方法，其中平坦化該第三無機層直至曝露該等第一電極中之每一者之一表面為止，在該第三無機層經平坦化之後，依序形成一第一無機層及一第二無機層，及在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第二無機層，且然後對該第一無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
(16)如(14)之製造顯示單元之方法，其中平坦化該第三無機層以便以一預定厚度保留在該等第一電極上，在該經平坦化第三無機層上形成一第四無機層，及
在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第四無機層，且然後對該第三無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
(17)如(12)之製造顯示單元之方法，其中在該形成該等第一電極中，藉由氧化該等第一電極中之每一者之一表面來形成一金屬氧化物層，及在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第五無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第五無機層，且然後對該金屬氧化物層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
(18)如(12)之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第五無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第五無機層，且然後對該等第一電極中之每一者執行各向同性蝕刻以形成一凹部，藉此形成具有該外伸部之該開口。
(19)如(12)之製造顯示單元之方法，其中該電荷注入-傳輸層包含一電洞注入層。
(20)一種具備一顯示單元之電子裝置，該顯示單元自一基板依序包含以下各項：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及
一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
熟習此項技術者應理解，可取決於設計要求及其他因素作出各種修改、組合、子組合及變更，只要其歸屬於隨附申請專利範圍或其等效範圍之範疇內即可。
Claims (20)
- 一種顯示單元，其包括：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部，其中該開口係位於各個該第一電極之中央上方；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，其中自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
- 如請求項1之顯示單元，其中該絕緣層包含自該等第一電極之側邊依序層壓之一第一無機層及一第二無機層，且該外伸部係該第二無機層之一部分，該部分在該開口之該邊緣處自該第一無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
- 如請求項2之顯示單元，其中該等第一及第二無機層由被允許獲得蝕刻選擇性且彼此不同之材料製成。
- 如請求項2之顯示單元，其中該第二無機層之一厚度大於該第一無機層之厚度。
- 如請求項1之顯示單元，其中該絕緣層包含嵌入於該等第一電極之間的一區中且經平坦化之一第三無機層。
- 如請求項5之顯示單元，其中該第三無機層之一厚度實質上等於該第一電極之厚度，該絕緣層包含自該第一電極側依序層壓於該第三無機層上之一第一無機層及一第二無機層，且該外伸部係該第二無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該第一無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
- 如請求項5之顯示單元，其中該第三無機層之一厚度大於該第一電極之厚度，該絕緣層包含層壓於該第三無機層上之一第四無機層，且該外伸部係該第四無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該第三無機層之一端邊緣上方朝向該開口之內側突出。
- 如請求項1之顯示單元，其中該等第一電極中之每一者包含形成該絕緣層之一部分之一金屬氧化物層，該絕緣層包含在該等第一電極上之一第五無機層，且該外伸部係該第五無機層之一部分，該部分在該開口之一邊緣處自該金屬氧化物層之一內壁上方朝向該開口之內側突出。
- 如請求項1之顯示單元，其中該等第一電極中之每一者具有在其一表面上之一凹部，該絕緣層包含在該等第一電極上之一第五無機層，且該外伸部係該第五無機層之一部分，且該部分在該開口之一邊緣處自該凹部之一內壁上方朝向該開口之內側突出。
- 如請求項1之顯示單元，其中該電荷注入-傳輸層包含一電洞注入層。
- 如請求項1之顯示單元，其中該有機層係藉由層壓該複數個發光層形成，且該有機層藉由混合自該等各別發光層發射之色彩之光來發射白色光。
- 一種製造一顯示單元之方法，該方法包括：在一基板上形成經提供至各別像素之複數個第一電極；在該複數個第一電極上形成一絕緣層，該絕緣層具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部，其中該開口係位於各個該第一電極之中央上方；在該絕緣層上形成一電荷注入-傳輸層，該電荷注入-傳輸層在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；在該電荷注入-傳輸層上形成包含為所有該等像素所共有之一發光層之一有機層；及在該有機層之一整個表面上形成一第二電極。
- 如請求項12之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個該等第一電極上依序形成一第一無機層及一第二無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第二無機層，且然後對該第一無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
- 如請求項12之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第三無機層以嵌入於該等第一電極之間的一區中，且平坦化該第三無機層。
- 如請求項14之製造顯示單元之方法，其中平坦化該第三無機層直至曝露該等第一電極中之每一者之一表面為止，在該第三無機層經平坦化之後，依序形成一第一無機層及一第二無機層，及在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第二無機層，且然後對該第一無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
- 如請求項14之製造顯示單元之方法，其中平坦化該第三無機層以便以一預定厚度保留在該等第一電極上，在該經平坦化第三無機層上形成一第四無機層，及在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第四無機層，且然後對該第三無機層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
- 如請求項12之製造顯示單元之方法，其中在該形成該等第一電極中，藉由氧化該等第一電極中之每一者之一表面來形成一金屬氧化物層，及在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第五無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第五無機層，且然後對該金屬氧化物層執行各向同性蝕刻以形成具有該外伸部之該開口。
- 如請求項12之製造顯示單元之方法，其中在該形成該絕緣層中，在該複數個第一電極上形成一第五無機層，且在對應於該等第一電極中之每一者之一選擇性區中，蝕刻該第五無機層，且然後對該等第一電極中之每一者執行各向同性蝕刻以形成一凹部，藉此形成具有該外伸部之該開口。
- 如請求項12之製造顯示單元之方法，其中該電荷注入-傳輸層包含一電洞注入層。
- 一種具備一顯示單元之電子裝置，該顯示單元包括：複數個第一電極，其經提供至各別像素；一絕緣層，其具有面向該等第一電極中之每一者之一開口且具有在該開口之一邊緣處之一外伸部，其中該開口係位於各個該第一電極之中央上方；一電荷注入-傳輸層，其在該絕緣層之該外伸部處經切割或具有較高電阻以展現一電荷注入性質及一電荷傳輸性質中之一者或兩者；一有機層，其包含為所有該等像素所共有之一個發光層或複數個發光層；及一第二電極，其形成於該有機層之一整個表面上，自一基板側依序安置該等第一電極、該絕緣層、該電荷注入-傳輸層、該有機層及該第二電極。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013-112694 | 2013-05-29 | ||
| JP2013112694A JP6136578B2 (ja) | 2013-05-29 | 2013-05-29 | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201503352A TW201503352A (zh) | 2015-01-16 |
| TWI629779B true TWI629779B (zh) | 2018-07-11 |
Family
ID=52099391
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103115223A TWI629779B (zh) | 2013-05-29 | 2014-04-28 | 顯示單元、製造顯示單元之方法、及電子裝置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9236581B2 (zh) |
| JP (1) | JP6136578B2 (zh) |
| KR (2) | KR102364522B1 (zh) |
| CN (2) | CN104218062B (zh) |
| TW (1) | TWI629779B (zh) |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016219125A (ja) | 2015-05-15 | 2016-12-22 | ソニー株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| DE102016106846A1 (de) | 2016-04-13 | 2017-10-19 | Osram Oled Gmbh | Mehrschichtige Verkapselung, Verfahren zur Verkapselung und optoelektronisches Bauelement |
| CN106449718B (zh) * | 2016-11-15 | 2019-10-18 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled基板及其制作方法 |
| US20180151830A1 (en) * | 2016-11-30 | 2018-05-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Display device and electronic device |
| JP7062405B2 (ja) * | 2016-11-30 | 2022-05-06 | キヤノン株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| JP6823443B2 (ja) | 2016-12-07 | 2021-02-03 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| KR102413500B1 (ko) * | 2017-05-17 | 2022-06-24 | 애플 인크. | 측방향 누설이 감소된 유기 발광 다이오드 디스플레이 |
| JP6993809B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2022-01-14 | キヤノン株式会社 | 表示装置およびその製造方法ならびに電子機器 |
| CN109686848B (zh) | 2017-10-19 | 2022-01-28 | 佳能株式会社 | 包括多个有机电致发光元件的发光器件 |
| JP6649338B2 (ja) * | 2017-10-27 | 2020-02-19 | 双葉電子工業株式会社 | 有機ｅｌデバイス及び光プリントヘッド |
| JP2019110007A (ja) | 2017-12-18 | 2019-07-04 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ表示装置 |
| CN108198787B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-12-29 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制造方法 |
| KR102513535B1 (ko) * | 2018-03-14 | 2023-03-24 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| JP7077152B2 (ja) | 2018-06-12 | 2022-05-30 | キヤノン株式会社 | 表示装置、電気装置および車両 |
| US11088339B2 (en) * | 2018-07-31 | 2021-08-10 | Lg Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device |
| KR20200048264A (ko) * | 2018-10-29 | 2020-05-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| KR102555841B1 (ko) | 2018-10-30 | 2023-07-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN113170550A (zh) * | 2018-11-28 | 2021-07-23 | 索尼公司 | 显示装置和电子装置 |
| KR20200082986A (ko) * | 2018-12-31 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| US11145700B2 (en) | 2019-03-28 | 2021-10-12 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with pixel definition layers |
| KR20210083917A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| US11626568B1 (en) | 2020-03-24 | 2023-04-11 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with a conductive layer having an additive |
| CN113451524A (zh) * | 2020-03-27 | 2021-09-28 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示装置、显示面板及其制造方法 |
| CN111710706B (zh) * | 2020-06-30 | 2022-11-29 | 云谷（固安）科技有限公司 | 显示面板、显示面板的制备方法及显示装置 |
| US11910654B1 (en) | 2020-08-18 | 2024-02-20 | Apple Inc. | Organic light-emitting diode display with active leakage-reducing structures |
| WO2023119995A1 (ja) * | 2021-12-24 | 2023-06-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080284323A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corporation | Organic electroluminescence display device |
| US20110095276A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Sony Corporation | Display unit |
| US20110127500A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Oled display apparatus and method of manufacturing the same |
| TW201214834A (en) * | 2010-02-01 | 2012-04-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| JP2012216495A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Sony Corp | 有機発光素子およびこれを備えた表示装置 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW420964B (en) * | 1998-02-25 | 2001-02-01 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescence display substrate, method of manufacturing it and organic electroluminescent display element |
| US6407408B1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-06-18 | Universal Display Corporation | Method for patterning devices |
| JP2003033728A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-02-04 | Mitsubishi Motors Corp | オーバフロー形洗浄槽設備 |
| JP2006134624A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、及び、それを用いた電子機器 |
| KR100859084B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-09-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 그의 제조방법 |
| EP2044637B1 (en) * | 2006-07-25 | 2015-09-16 | LG Chem, Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting device and organic light emitting device manufactured by using the method |
| JP2008311212A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-12-25 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2009004347A (ja) * | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子 |
| JP4655102B2 (ja) * | 2008-04-11 | 2011-03-23 | ソニー株式会社 | 表示素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
| JP4678421B2 (ja) * | 2008-05-16 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP5515661B2 (ja) * | 2009-11-16 | 2014-06-11 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP4849175B2 (ja) * | 2010-02-25 | 2012-01-11 | 住友化学株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2012115016A1 (en) * | 2011-02-25 | 2012-08-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electronic device using light-emitting device |
| JP5708152B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2015-04-30 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
-
2013
- 2013-05-29 JP JP2013112694A patent/JP6136578B2/ja active Active
-
2014
- 2014-04-28 TW TW103115223A patent/TWI629779B/zh active
- 2014-05-08 KR KR1020140054720A patent/KR102364522B1/ko active IP Right Grant
- 2014-05-22 CN CN201410218768.6A patent/CN104218062B/zh active Active
- 2014-05-22 CN CN201910256674.0A patent/CN110323256B/zh active Active
- 2014-05-22 US US14/284,884 patent/US9236581B2/en active Active
-
2022
- 2022-02-10 KR KR1020220017602A patent/KR20220024336A/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20080284323A1 (en) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Sony Corporation | Organic electroluminescence display device |
| US20110095276A1 (en) * | 2009-10-22 | 2011-04-28 | Sony Corporation | Display unit |
| US20110127500A1 (en) * | 2009-11-30 | 2011-06-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Oled display apparatus and method of manufacturing the same |
| TW201214834A (en) * | 2010-02-01 | 2012-04-01 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| JP2012216495A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-11-08 | Sony Corp | 有機発光素子およびこれを備えた表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104218062B (zh) | 2019-05-28 |
| KR102364522B1 (ko) | 2022-02-18 |
| JP2014232631A (ja) | 2014-12-11 |
| TW201503352A (zh) | 2015-01-16 |
| CN110323256B (zh) | 2023-07-28 |
| CN110323256A (zh) | 2019-10-11 |
| CN104218062A (zh) | 2014-12-17 |
| KR20220024336A (ko) | 2022-03-03 |
| KR20140140484A (ko) | 2014-12-09 |
| US9236581B2 (en) | 2016-01-12 |
| JP6136578B2 (ja) | 2017-05-31 |
| US20150048328A1 (en) | 2015-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI629779B (zh) | 顯示單元、製造顯示單元之方法、及電子裝置 | |
| US10886496B2 (en) | Display unit, method of manufacturing display unit, and electronic apparatus | |
| CN105590956B (zh) | 有机发光器件和包括有机发光器件的显示单元 | |
| US10734461B2 (en) | Thin film transistor array panel and organic light emitting diode display including the same | |
| US10672844B2 (en) | Organic light emitting diode display | |
| CN110233163B (zh) | 显示装置、其制造方法以及制造电子设备的方法 | |
| JP2013054863A (ja) | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法および電子機器 | |
| CN110061033B (zh) | 显示单元 | |
| KR20170075055A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US9214503B2 (en) | Organic light emitting display panel including a protective spacer and method of manufacturing the same | |
| KR20220110683A (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
| JP2017162832A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| KR101383490B1 (ko) | 전계발광소자 | |
| CN111276628B (zh) | 电致发光显示设备 | |
| KR20220143252A (ko) | 유기발광 표시장치 및 제조방법 | |
| KR102328104B1 (ko) | 플렉시블 전계발광 표시장치 | |
| KR102261213B1 (ko) | 플렉시블 유기발광 표시장치 | |
| WO2023126739A1 (ja) | 電子機器 | |
| KR20230004110A (ko) | 플렉서블 유기발광 표시장치 | |
| KR20180064025A (ko) | 유기발광 표시장치 및 그의 제조방법 |