CN113130543A - 有机发光显示设备 - Google Patents
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Abstract
一种有机发光显示设备包括:基板,所述基板包括多个具有多个子像素的像素;设置在多个子像素处的多个有机发光元件;以及在多个有机发光元件上并且在多个子像素中的每一个处具有不同形状的多个光提取图案。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2019年12月31日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2019-0179607号的优先权权益,该申请的全部内容在此通过引用明确地并入本申请中。
技术领域
本公开涉及有机发光显示设备,并且更特别地涉及能够改善正面亮度并且能够使根据视角的颜色变化最小化的有机发光显示设备。
背景技术
与具有单独的光源的液晶显示设备不同,由于有机发光显示设备不需要单独的光源,因此可以将其制造为轻且薄的。另外,有机发光显示设备由于低电压驱动而在功耗方面具有优势,并且在颜色实现、响应速度、视角以及对比度(CR)方面是优异的。因此,已经研究了有机发光显示设备作为下一代显示器。
这样的有机发光显示设备是自发光显示设备。有机发光显示设备使用有机发光元件,其中将来自用于电子注入的阴极的电子和来自用于空穴注入的阳极的空穴注入到发光部中以通过电子和空穴的结合来生成激子。当激子从激发态转变为基态时,从有机发光元件产生光。
这些有机发光显示设备的类型可以根据光发射的方向被分类为顶部发光型、底部发光型和双面发光型,并且还可以根据驱动方法被分类为无源矩阵型和有源矩阵型。
发明内容
本公开的发明人已经开发了具有使用多个发光部的堆叠体的多堆叠结构的有机发光元件以实现有机发光显示设备的改善的效率和寿命特性。
在具有多堆叠结构的有机发光元件中,通过电子和空穴的复合而发生光发射的发光区域位于多个发光部中的每一个中。因此,具有多堆叠结构的有机发光元件可以具有高效率并且用低电流驱动,从而允许增加有机发光元件的寿命。
然而,本公开的发明人已经认识到,当具有相同结构的光提取图案被应用于发射不同颜色的光的多个子像素时,可能出现相应子像素中的正面亮度会降低的问题。例如,没有将最优的光提取图案应用于发射具有不同的光分布的光的各个子像素,其会导致显示质量劣化的限制。
因此,本公开的发明人已经发明了能够通过将具有不同形状的光提取图案应用于发射不同颜色的光的相应子像素来改善正面亮度的有机发光显示设备。
因此,本公开的一方面是提供能够改善相应子像素中的正面亮度的有机发光显示设备。
本公开的另一方面是提供在黑暗条件下(例如,在黑暗区域/环境下)被驱动并且具有改善的正面亮度的发光显示设备。
附加的特征和方面将在随后的描述中阐述,并且部分地将从描述中是明显的,或者能够通过本文中提供的发明构思的实践来获知。本发明构思的其他特征和方面能够通过书面说明书或从其可衍生的及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
根据本公开的实施方案,有机发光显示设备包括基板,其包括多个具有多个子像素的像素;在多个子像素处的多个有机发光元件;以及在多个有机发光元件上并且在多个子像素中的每一个处具有不同形状的多个光提取图案。
根据本公开的另外的实施方案,被实现为不包括偏振板的有机发光显示设备包括:其上设置有多个子像素的基板;在基板上以分别与多个子像素相对应的多个有机发光元件;以及被设置成在多个子像素中的每一个中具有不同的纵横比的多个光提取图案,其中,多个子像素包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素,其中,多个有机发光元件中的每一个包括第一电极、在第一电极上并且包括蓝色发光层的第一发光部、在第一发光部上并且包括红色发光层和两个黄绿色发光层的第二发光部、在第二发光部上并且包括蓝色发光层的第三发光部以及在第三发光部上的第二电极。
在检查以下附图和详细描述后,其他装置、系统、方法、特征和优点对于本领域技术人员将是或者将变得明显。旨在将所有这样的附加的系统、方法、特征和优点包括在此说明书内、本公开的范围内,并且由以下权利要求书保护。这部分中的任何内容均不应被认为是对这些权利要求的限制。下面结合本公开的实施方案讨论其他方面和其他优点。应当理解,本公开的前述一般描述和以下详细描述两者均是示例和解释性的,并且旨在提供对所要求保护的本公开的进一步解释。
根据本公开的一个实施方案,可以通过针对各个子像素设置具有不同结构的光提取图案来改善有机发光显示设备的正面亮度。
根据本公开的一个实施方案,可以通过在各个子像素中设置光提取图案来改善在黑暗条件下被驱动的有机发光显示设备的亮度。
应当理解,前述一般描述和以下详细描述两者均是示例性和解释性的并且旨在提供对所要求保护的发明构思的进一步解释。
附图说明
附图能够被包括以提供本公开的进一步理解并且被并入本说明书中并构成本说明书的一部分,附图示出了本公开的实施方案并且与说明书一起用于解释本公开的各种各样的原理。
图1是根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的平面视图。
图2是沿图1的线II-II′截取的有机发光显示设备的截面视图。
图3是示出图2的有机发光元件的结构的视图。
图4是根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的一个像素的放大平面视图。
图5是沿图4的线V-V′截取的截面视图。
图6是示出根据比较例的有机发光显示设备中的光提取图案的截面视图。
图7是通过根据图6的光提取图案中的内部入射角来模拟正面提取率而获得的曲线图。
图8是示出根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的多个子像素中的根据内部入射角的发光强度的曲线图。
图9是通过根据按照本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的多个子像素中的光提取图案的纵横比来模拟发光强度而获得的曲线图。
具体实施方式
通过参考以下与附图一起详细描述的示例性实施方案,本公开的优点和特征以及实现所述优点和特征的方法将变得清楚。然而,本公开不限于本文中公开的示例性实施方案,而是将以各种各样的形式实现。示例性实施方案仅通过示例的方式提供,使得本领域技术人员能够充分理解本公开的公开内容以及本公开的范围。因此,本公开将仅由所附权利要求书的范围来限定。
在附图中示出的用于描述本公开的示例性实施方案的形状、尺寸、比率、角度、数量等仅是示例,并且本公开不限于此。在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。此外,在本公开的以下描述中,可以省略对已知相关技术的详细说明,以避免不必要地模糊本公开的主题。本文中所使用的诸如“包括”、“具有”和“包含”的术语通常旨在允许添加其他部件,除非所述术语与术语“仅”一起使用。除非另有明确说明,否则对单数的任何引用可以包括复数。
即使没有明确说明,部件也被解释为包括普通误差范围。
当使用诸如“上”、“上方”、“下方”和“紧邻”的术语描述两个部分之间的位置关系时,除非所述术语与术语“紧接地”或“直接地”一起使用,否则一个或更多个部分可以定位在两个部分之间。
当元件或层设置在另一元件或层“上”时,另一层或另一元件可以直接置于另一元件上或它们之间。
尽管术语“第一”、“第二”等用于描述各种各样的部件,但是这些部件不受这些术语限制。这些术语仅用于将一个部件与其他部件区分开,并且可以不限定任何顺序。因此,以下要提到的第一部件可以是本公开的技术概念中的第二部件。
在整个说明书中,相同的附图标记通常表示相同的元件。
附图中示出的每个部件的尺寸和厚度是为了便于描述而示出的,并且本公开不限于所示出的部件的尺寸和厚度。
本公开的各种各样的实施方案的特征能够部分地或全部地彼此粘附或者彼此结合并且能够以技术上各种各样的方式互锁和操作,并且实施方案可以彼此独立地或相关联地执行。
在下文中,将参照附图详细描述根据本公开的示例性实施方案的发光显示设备。
图1是根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的平面视图。图2是沿图1的线II-II′截取的有机发光显示设备的截面视图。根据本公开的所有实施方案的有机发光显示设备的所有部件被可操作地耦接和配置。
参照图1和图2,根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备100包括基板110、晶体管120、有机发光元件130、封装部140以及光提取图案170。根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备100可以是应用于在黑暗条件下(例如,在黑暗区域/环境下)驱动的影院屏幕或虚拟现实(VR)装置的有机发光显示设备100。因此,在下文中,根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备100被描述为不包括用于防止外部光的反射的偏振板。
基板110是用于支承和保护有机发光显示设备100的各种各样的部件的基板。基板110可以由玻璃或具有柔性的塑料材料形成。例如,当基板110由塑料材料形成时,其可以由聚酰亚胺形成。然而,本公开的实施方案不限于此。
参照图1,有机发光显示设备100的基板110包括显示区域AA和非显示区域NA。
显示区域AA是在有机发光显示设备100中显示图像的区域。在显示区域AA中,可以设置有显示元件以及用于驱动显示元件的各种各样的驱动元件。例如,显示元件可以配置为包含包括第一电极131、发光部132和第二电极133的有机发光元件130。此外,可以在显示区域AA中设置用于驱动显示元件的各种各样的驱动元件,诸如晶体管、电容器或布线。
显示区域AA可以包括多个像素PX。像素PX是用于配置屏幕的最小单元,并且多个像素PX中的每一个可以包括有机发光元件130和驱动电路。另外,多个像素PX中的每一个可以包括发射不同波长的光的多个子像素SP。例如,多个子像素SP可以包括红色子像素SP_R、绿色子像素SP_G、蓝色子像素SP_B以及白色子像素SP_W,或其他组合或变化。稍后将参照图4对此进行描述。
非显示区域NA是不显示图像的区域,并且可以设置有用于驱动设置在显示区域AA中的多个像素PX的各种各样的部件。例如,可以在非显示区域NA中设置供应用于驱动多个像素PX的信号的驱动器IC、柔性膜等。
非显示区域NA可以是如图1中示出的围绕显示区域AA的区域。然而,实施方案不限于此。例如,非显示区域NA可以是从显示区域AA延伸的区域。
在下文中,将参照图2描述配置设置在有机发光显示设备100的显示区域AA中的多个像素PX的一个子像素SP。
参照图2,在基板110上设置有缓冲层111。缓冲层111可以改善在缓冲层111上形成的层与基板110之间的粘附力,并且阻挡从基板110流出的碱性组分等。缓冲层111可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成,但是本公开的实施方案不限于此。可以省略缓冲层111。例如,可以基于基板110的类型和材料以及晶体管120的结构和类型来省略缓冲层111。
在缓冲层111上设置有晶体管120以驱动显示区域AA的有机发光元件130。晶体管120可以设置在显示区域AA中的多个像素PX中的每一个中。设置在多个像素PX中的每一个中的晶体管120可以用作有机发光显示设备100的驱动元件。晶体管120包括例如薄膜晶体管(TFT)、N型沟道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、P型沟道金属氧化物半导体(PMOS)晶体管、互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管、场效应晶体管(FET)等,但是本公开的实施方案不限于此。在下文中,将假定晶体管120为薄膜晶体管来对其进行描述,但是本公开的实施方案不限于此。
晶体管120包括有源层121、栅电极122、源电极123和漏电极124。图2中示出的晶体管120是驱动晶体管,并且是具有顶栅结构的薄膜晶体管,在顶栅结构中,栅电极122设置在有源层121上。然而,本公开的实施方案不限于此。例如,晶体管120可以实现为具有底栅结构的薄膜晶体管。
晶体管120的有源层121设置在缓冲层111上。有源层121是当晶体管120被驱动时形成沟道的区域。有源层121可以由氧化物半导体、非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、有机半导体等形成,但是本公开的实施方案不限于此。
在有源层121上设置有栅绝缘层112。栅绝缘层112可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成。在栅绝缘层112中形成有接触孔,使得源电极123和漏电极124分别与有源层121的源区和漏区接触。如图2所示,栅绝缘层112可以形成在基板110的整个表面上方,或者可以被图案化成具有与栅电极122相同的宽度。然而,本公开的实施方案不限于此。
在栅绝缘层112上设置有栅电极122。栅电极122设置在栅绝缘层112上与有源层121的沟道区交叠。栅电极122可以由各种各样的金属材料中的任何一种形成,例如,由钼(Mo)、铝(A1)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其中两种或更多种的合金、或其多层形成。然而,本公开的实施方案不限于此。
在栅电极122上设置有层间绝缘层113。层间绝缘层113可以由作为无机材料的硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成,但是本公开的实施方案不限于此。在层间绝缘层113中形成有接触孔,使得源电极123和漏电极124分别与有源层121的源区和漏区接触。
在层间绝缘层113上设置有源电极123和漏电极124。源电极123和漏电极124通过栅绝缘层112和层间绝缘层113的接触孔电连接至有源层121。源电极123和漏电极124可以由各种各样的金属材料中的任何一种形成,例如,由钼(Mo)、铝(A1)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任何一种或其中两种或更多种的合金或其多层形成。
在图2中,为了便于描述,仅示出了包括在有机发光显示设备100中的各种各样的类型的晶体管120中的驱动晶体管,但是也可以设置诸如开关晶体管等的其他晶体管。
参照图2,在晶体管120上设置有用于保护晶体管120的钝化层114。在钝化层114中形成有用于暴露晶体管120的漏电极124的接触孔。图2示出了在钝化层114中形成有用于暴露漏电极124的接触孔,但是可以形成用于暴露源电极123的接触孔。钝化层114可以由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的单层或者硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)的多层形成。然而,可以省略钝化层114。
在钝化层114上设置有用于使晶体管120的上部平坦化的外涂层115。在外涂层115中形成有用于暴露晶体管120的漏电极124的接触孔。图2示出了在外涂层115中形成有用于暴露漏电极124的接触孔,但是可以在其中形成用于暴露源电极123的接触孔。外涂层115可以由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的任何一种形成,但是本公开的实施方案不限于此。
在外涂层115上设置有有机发光元件130。有机发光元件130包括形成在外涂层115上并且电连接至晶体管120的漏电极124的第一电极131、设置在第一电极131上的发光部132以及形成在发光部132上的第二电极133。在此,第一电极131可以是阳极电极,并且第二电极133可以是阴极电极。
第一电极131设置在外涂层115上并且通过形成在钝化层114和外涂层115中的接触孔电连接至漏电极124。此外,第一电极131可以由具有高功函数的透明导电材料形成以向发光部132供应空穴。例如,第一电极131可以由诸如钢锡氧化物(ITO)、钢锌氧化物(IZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、锌氧化物(ZnO)和锡氧化物(TO)的透明导电氧化物形成,但是本公开的实施方案不限于此。
在图2中,尽管第一电极131被示出为通过接触孔电连接至晶体管120的漏电极124,但是第一电极131可以被配置成根据晶体管120的类型、驱动电路的设计方法等通过接触孔电连接至晶体管120的源电极123。
在第一电极131和外涂层115上设置有堤部116。堤部116可以覆盖有机发光元件130的第一电极131的边缘以限定发光区域。堤部116设置在彼此相邻的像素之间的边界处以减少从多个像素中的每一个的有机发光元件130发射的光的颜色混合。堤部116可以由有机材料形成。例如,堤部116可以由聚酰亚胺树脂、丙烯酸类树脂或苯并环丁烯树脂形成,但是本公开的实施方案不限于此。
在第一电极131上设置有发光部132。发光部132可以是发射白光的白色发光部。从发光部132发射的白光的颜色可以通过滤色器150转换为红色、绿色和蓝色中的任何一种。另外,发光部132还可以包括诸如空穴传输层、空穴注入层、空穴阻挡层、电子注入层、电子阻挡层和电子传输层的各种各样的层。稍后将参照图3对此进行描述。
在发光部132上设置有第二电极133。第二电极133将电子供应至发光部132。第二电极133可以由具有低功函数的导电材料形成。例如,第二电极133可以由诸如镁(Mg)、银(Ag)、铝(A1)、钙(Ca)等的不透明导电金属中的任何一种或更多种及其合金形成。然而,本公开的实施方案不限于此。
参照图2,在有机发光元件130上设置有封装部140。例如,封装部140设置在第二电极133上以覆盖有机发光元件130。封装部140保护有机发光元件130免受从有机发光显示设备100的外部渗透的湿气的影响。封装部140包括第一封装层141、异物(foreign material)覆盖层142和第二封装层143。
第一封装层141设置在第二电极133上以抑制或防止湿气或氧的渗透。第一封装层141可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)或铝氧化物(AlyOz)等的无机材料形成,但是实施方案不限于此。
异物覆盖层142设置在第一封装层141上以使其表面平坦化。另外,异物覆盖层142可以覆盖在制造过程中可能出现的异物或颗粒。异物覆盖层142可以由有机材料例如硅碳氧化物(SiOxCz)、丙烯酸类树脂或基于环氧的树脂形成,但是实施方案不限于此。
第二封装层143设置在异物覆盖层142上并且类似于第一封装层141,可以抑制或防止湿气或氧的渗透。第二封装层143可以由诸如硅氮化物(SiNx)、硅氮氧化物(SiNxOy)、硅氧化物(SiOx)、铝氧化物(AlyOz)等的无机材料形成,但是实施方案不限于此。第二封装层143可以由与第一封装层141相同的材料形成,或者可以由与第一封装层141的材料不同的材料形成。
在下文中,将参照图3详细描述根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光元件130的结构。
图3是示出图2的有机发光元件的结构的视图。图3的有机发光元件130的结构可以应用于有机发光显示设备100的所有多个像素PX或多个像素PX中的一些。
参照图3,有机发光元件130包括第一电极131、发光部132以及第二电极133。
发光部132设置在第一电极131与第二电极133之间。发光部132是通过分别从第一电极131和第二电极133供应的电子与空穴的结合而从中发射光的区域。发光部132包括第一发光部132-1、第二发光部132-2以及第三发光部132-3。
第一发光部132-1设置在第一电极131上。第一发光部132-1包括空穴注入层211、第一空穴传输层221、第二空穴传输层222、第一发光层231、第一电子传输层241以及第一N型电荷生成层251。由于第一发光层231是荧光发光层,因此第一发光部132-1可以被定义为荧光发光单元。第一发光部132-1可以不包括第一N型电荷生成层251。
空穴注入层211设置在第一电极131上。空穴注入层211是有助于将空穴从第一电极131注入至第一发光层231的有机层。空穴注入层211可以由MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、CuPc(铜酞菁)、PEDOT/PSS(聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩),聚苯乙烯磺酸盐)等形成。
第一空穴传输层221和第二空穴传输层222顺序设置在空穴注入层211上。第一空穴传输层221和第二空穴传输层222是将空穴从第一电极131顺利地传递至第一发光层231的有机层。
第一空穴传输层221和第二空穴传输层222可以通过使用两层或更多层或者两种或更多种材料来配置。第一空穴传输层221和第二空穴传输层222可以由包括例如NPD(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-2,2′-二甲基联苯胺)、NPB(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-联苯胺)、TPD(N,N′-双-(3-甲基苯基)-N,N′-双-(苯基)-联苯胺)、螺-TAD(2,2′,7,7′-四(N,N-二苯基氨基)-9,9′-螺芴)以及MTDATA(4,4′,4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的一种或更多种的材料形成,但是实施方案不限于此。
第二空穴传输层222可以用作电子阻挡层(EBL)。电子阻挡层是用于阻挡注入到第一发光层231中的电子传递至第一空穴传输层221和第二空穴传输层222的有机层。电子阻挡层可以阻挡电子的移动以改善第一发光层231中空穴和电子的结合,从而改善第一发光层231的光发射效率。电子阻挡层可以被设置成相对于第二空穴传输层222的单独的层。作为另一示例,可以省略第二空穴传输层222。
在第一发光层231中,从第一电极131供应的空穴和从第二电极133供应的电子彼此复合,从而生成激子。另外,可以将生成激子的区域称为发射区或发射区域或者复合区或复合区域。
第一发光层231设置在第二空穴传输层222与第一电子传输层241之间。第一发光层231是荧光发光层。第一发光层231设置在在第一发光部132-1中形成激子的部分处并且包含能够发射特定颜色的光的材料。第一发光层231可以包含能够发射蓝光的材料。
第一发光层231可以具有主体-掺杂剂系统。例如,第一发光层231可以具有其中具有大的重量比的主体材料掺杂有具有小的重量比的发光掺杂剂材料的系统。第一发光层231的主体可以由包含单一材料的单一主体或包含混合材料的混合主体配置。包含单一主体材料或混合主体材料的第一发光层231掺杂有蓝色荧光掺杂剂材料。例如,第一发光层231是蓝色发光层,并且从第一发光层231发射的光的波长范围可以是440nm至480nm。
蓝色荧光掺杂剂材料可以发射蓝光。从掺杂有蓝色荧光掺杂剂材料的第一发光层231发射的光的EL光谱可以在蓝色波长区域中具有峰值,在深蓝色波长区域中具有峰值,或者在天蓝色波长区域中具有峰值。
第一发光层231的主体材料可以由Alq3(三(8-羟基-喹啉)铝)、ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)(9,10-di(naphth-2-yl)anthracene)和BSBF(2-(9,9-螺芴-2-基)-9,9-螺芴)中的一种或更多种的混合物形成,但是本公开的实施方案不限于此。
第一发光层231的蓝色荧光掺杂剂材料可以由如下材料形成,所述材料包括经基于芳基胺的化合物取代的芘、(4,6-F2ppy)2Irpic FIrPic(双(3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱)、包括Ir(ppy)3(面式三(2-苯基吡啶)铱)(三(2-苯基吡啶)铱的铱(Ir)配体配合物、螺-DPVBi、螺-6P、螺-BDAVBi(2,7-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]-9,9′-螺芴)、二苯乙烯基苯(DSB)、二苯乙烯基亚芳基(DSA)、基于聚芴(PFO)的聚合物以及基于聚(对苯撑乙烯)(PPV)的聚合物中的一种或更多种,但是本公开的实施方案不限于此。
第一电极131(例如第一电极131的上表面)与第一发光层231的下表面之间的厚度D1可以为约至例如,第一电极131与第一发光层231的下表面之间的厚度D1可以在能够在第一发光层231的发光区域中具有最大光发射范围的范围内。由于可以在最大光发射范围内发射与光发射峰值相对应的波长的光,因此发光部132可以表现出最大亮度。
第一电子传输层241设置在第一发光层231上。第一电子传输层241被供应有来自第一N型电荷生成层251的电子。第一电子传输层241将供应的电子传递至第一发光层231。
第一电子传输层241可以用作空穴阻挡层(HBL)。空穴阻挡层可以防止不参与复合的空穴从第一发光层231泄漏。
第一电子传输层241可以由例如如下中的一种或更多种形成:PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、Liq(8-羟基喹啉-锂)、TPBi(2,2′,2″-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、Liq(8-羟基喹啉-锂)以及BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉),但是实施方案不限于此。
第一N型电荷生成层251设置在第一电子传输层241上。第一N型电荷生成层251将电子注入到第一发光部132-1中。第一N型电荷生成层251设置在第一发光部132-1与第二发光部132-2之间以向第一发光部132-1供应带电电荷。
第一N型电荷生成层251可以包含N型掺杂剂材料和N型主体材料。N型掺杂剂材料可以是元素周期表上第1族和第2族的金属、可以注入电子的有机材料或其混合物。例如,N型掺杂剂材料可以是碱金属和碱土金属中的一种或更多种。例如,第一N型电荷生成层251可以由掺杂有诸如锂(Li)、钠(Na)、钾(K)、或铯(Cs)的碱金属或者诸如镁(Mg)、锶(Sr)、钡(Ba)或镭(Ra)的碱土金属的有机层形成,但是不限于此。N型主体材料可以由能够传递电子的材料形成,例如如下中的一种或更多种:Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、Liq(8-羟基喹啉-锂)、PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4二唑)、TAZ(3-(4-联苯基)4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、螺-PBD、BAlq(双(2-甲基-8-喹啉)-4-(苯基苯酚)铝)、SAlq、TPBi(2,2′,2”-(1,3,5-苯三基)-三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)、二唑、三唑、菲咯啉、苯并唑或苯并噻唑,但是实施方案不限于此。
第二发光部132-2设置在第一发光部132-1上。第二发光部132-2包括第一P型电荷生成层252、第三空穴传输层223、第二发光层232、第三发光层233、第四发光层234、第二电子传输层242以及第二N型电荷生成层253。由于第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234是磷光发光层,因此第二发光部132-2可以被定义为磷光发光部。作为另一示例,第二发光部132-2可以不包括第一P型电荷生成层252和第二N型电荷生成层253。
第一P型电荷生成层252设置在第一N型电荷生成层251上。第一P型电荷生成层252将空穴注入到第二发光部132-2中。第一P型电荷生成层252设置在第一发光部132-1与第二发光部132-2之间以向第二发光部132-2供应带电电荷。
第一P型电荷生成层252可以包含P型掺杂剂材料和P型主体材料。P型掺杂剂材料可以由金属氧化物、诸如四氟-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)、HAT-CN(六氮杂苯并菲-六甲腈)或六氮杂苯并菲的有机材料或者诸如V2O5、MoOx和WO3的金属材料形成,但是不限于此。P型主体材料可以由能够传递空穴的材料形成,例如,包括NPD(N,N-二萘基-N,N′-二苯基联苯胺)(N,N′-双(萘-1-基)-N,N′-双(苯基)-2,2′-二甲基联苯胺)、TPD(N,N′-双-(3-甲基苯基)-N,N′-双-(苯基)-联苯胺)和MTDATA(4,4′,4-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯胺)中的任何一种或更多种的材料,但是本公开的实施方案不限于此。
第三空穴传输层223设置在第一P型电荷生成层252上。第三空穴传输层223是将空穴从第一P型电荷生成层252顺利地传递至第二发光层232、第三发光层233以及第四发光层234的有机层。由于第三空穴传输层223与第一发光部132-1的第一空穴传输层221和第二空穴传输层222基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234顺序设置在第三空穴传输层223与第二电子传输层242之间。第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234是磷光发光层。第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234设置在在第二发光部132-2中形成激子的位置处并且发射特定颜色的光。第二发光层232可以包含能够发射红光的材料,并且第三发光层233和第四发光层234可以包含能够发射黄绿光的材料。可以省略第四发光层234。例如,第二发光部132-2也可以由第二发光层232和第三发光层233配置。
第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234可以具有如第一发光层231中的主体-掺杂剂系统。第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234中的每一个可以包括单一主体或混合主体以及至少一种掺杂剂。当第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234包括混合主体时,该混合主体可以包括空穴型主体和电子型主体。当第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234由混合主体配置时,主体可以均匀地沉积在有机发光层中,这产生改善有机发光层的效率的效果。
第二发光层232是磷光发光层。第二发光层232可以包括第一空穴型主体和第一电子型主体,并且可以掺杂有红色磷光掺杂剂材料。例如,第二发光层232可以是红色发光层,并且从第二发光层232发射的光的波长范围可以是600nm至650nm。
红色磷光掺杂剂材料是能够发射红光的材料。从掺杂有红色磷光掺杂剂材料的第二发光层232发射的光的EL光谱可以在红色波长区域中具有峰值。
第二发光层232的主体材料可以由CBP(4,4′双(咔唑-9-基)联苯)和MCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)中的一种或更多种的混合物形成,但是本公开的实施方案不限于此。
第二发光层232的红色磷光掺杂剂材料可以由包括如下中的任何一种或更多种的材料形成:包括Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱(III))、Ir(ppy)2(acac)(双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III))、PIQIr(acac)(双(1-苯基异喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(acac)(双(1-苯基喹啉)乙酰丙酮铱)、PQIr(三(1-苯基喹啉)铱)、Ir(piq)3(三(1-苯基异喹啉)铱)以及Ir(piq)2(acac)(双(1-苯基异喹啉)(乙酰丙酮)铱)的铱(Ir)配体配合物、PtOEP(八乙基卟啉卟啉铂)、PBD:Eu(DBM)3(Phen)或苝。然而,本公开的实施方案不限于此。
第三发光层233包括与第四发光层234的第二空穴型主体和第二电子型主体相同的第二空穴型主体和第二电子型主体。然而,在第三发光层233和第四发光层234中的每一个中,第二空穴型主体的比率和第二电子型主体的比率可以不同。
例如,第三发光层233被设置成比第四发光层234更靠近供应空穴的第一电极131,并且第四发光层234被设置成比第三发光层233更靠近供应电子的第二电极133。例如,第三发光层233可以具有与第二空穴型主体相比更高比率的第二电子型主体以顺利地供应电子,并且第四发光层234可以具有与第二电子型主体相比更高比率的第二空穴型主体以顺利地供应空穴。因此,第二空穴型主体和第二电子型主体的比率可以根据相对难以到达相应发光层的载流子的类型而不同地配置。
第三发光层233和第四发光层234是磷光发光层并且掺杂有黄绿色磷光掺杂剂材料。例如,第三发光层233和第四发光层234可以是黄绿色发光层,并且从第三发光层233和第四发光层234发射的光的波长范围可以是510nm至590nm。
黄绿色磷光掺杂剂材料是能够在黄绿色波长区域中发射光的材料。从掺杂有黄绿色掺杂剂材料的第三发光层233和第四发光层234发射的光的EL光谱可以仅在黄绿色波长区域中具有峰值,或者在黄绿色波长区域中具有第一峰值并且在红色波长区域中具有强度小于第一峰值的强度的第二峰值,或者在黄绿色波长区域中具有第一峰值并且在黄绿色波长区域与红色波长区域之间具有拐点。
第三发光层233和第四发光层234的主体材料可以由CBP(4,4′双(咔唑-9-基)联苯)和MCP(1,3-双(咔唑-9-基)苯)中的一种或更多种的混合物形成,但是本公开的实施方案不限于此。
第三发光层233和第四发光层234的黄绿色掺杂剂材料可以由包括如下中的任何一种或更多种的材料形成:包括Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱(III))或Ir(ppy)2(acac)(双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III))的铱(Ir)配体配合物或Alq3(三(8-羟基喹啉)铝),但是本公开的实施方案不限于此。
包括第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234的第二发光部132-2的波长范围可以是510nm至650nm。例如,作为红色发光层的第二发光层232的波长范围可以是600nm至650nm,并且当黄绿色掺杂剂材料在黄绿色波长范围内具有峰值时,作为黄绿色发光层的第三发光层233和第四发光层234的波长范围可以是510nm至590nm。因此,第二发光部132-2的波长范围可以为最小510nm并且最大650nm。
作为红色发光层的第二发光层232可以设置在作为黄绿色发光层的第三发光层233和第四发光层234上。例如,可以改变第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234的竖直布置。例如,作为黄绿色发光层的第三发光层233和第四发光层234顺序设置在第三空穴传输层223上,然后,作为红色发光层的第二发光层232可以设置在第四发光层234上。
第一电极131(例如,第一电极131的上表面)与作为红色发光层的第二发光层232(例如,第二发光层232的下表面)或作为黄绿色发光层的第三发光层233(例如,第三发光层233的下表面)之间的厚度D2可以为约至例如,当第三发光层233和第四发光层234设置在第二发光层232上时,第二发光层232的下表面与第一电极131之间的厚度D2可以为约至当第二发光层232设置在第三发光层233和第四发光层234上时,第二发光层232的下表面与第一电极131之间的厚度D2可以为约至例如,第一电极131与第二发光层232和/或第三发光层233和/或第四发光层234的下表面之间的厚度D2可以在能够在第二发光层232和/或第三发光层233和/或第四发光层234的发光区域中具有最大发射范围的范围内。由于可以在最大光发射范围内发射与光发射峰值相对应的波长的光,因此发光部132可以表现出最大亮度。
第二电子传输层242设置在第四发光层234上。第二电子传输层242被供应有来自第二N型电荷生成层253的电子。第二电子传输层242将供应的电子传递至第二发光层232、第三发光层233和第四发光层234。由于第二电子传输层242与第一发光部132-1的第一电子传输层241基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第二N型电荷生成层253设置在第二电子传输层242上。第二N型电荷生成层253将电子注入到第二发光部132-2中。第二N型电荷生成层253设置在第二发光部132-2与第三发光部132-3之间以向第二发光部132-2供应带电电荷。由于第二N型电荷生成层253与第一发光部132-1的第一N型电荷生成层251基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第三发光部132-3设置在第二发光部132-2上。第三发光部132-3包括第二P型电荷生成层254、第四空穴传输层224、第五发光层235、第三电子传输层243以及第三N型电荷生成层255。由于第五发光层235是荧光发光层,因此第三发光部132-3可以被定义为荧光发光部。作为另一示例,第三发光部132-3可以不包括第二P型电荷生成层254。
第二P型电荷生成层254设置在第二N型电荷生成层253上。第二P型电荷生成层254将空穴注入到第三发光部132-3中。第二P型电荷生成层254设置在第二发光部132-2与第三发光部132-3之间以将带电电荷供应至第三发光部132-3。由于第二P型电荷生成层254与第二发光部132-2的第一P型电荷生成层252基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第四空穴传输层224顺序设置在第二P型电荷生成层254上。第四空穴传输层224是将空穴从第二P型电荷生成层254顺利地传递至第五发光层235的有机层。由于第四空穴传输层224与第一发光部132-1的第一空穴传输层221或第二空穴传输层222基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第五发光层235设置在第四空穴传输层224与第三电子传输层243之间。第五发光层235设置在在第三发光部132-3中形成激子的位置处并且包含能够发射特定颜色的光的材料。第五发光层235可以包含能够发射蓝光的材料。由于第五发光层235与第一发光部132-1的第一发光层231基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第一电极131(例如,第一电极131的上表面)与第五发光层235的下表面之间的厚度D3可以为约至例如,第一电极131与第五发光层235的下表面之间的厚度D3可以在能够在第五发光层235的发光区域中具有最大光发射范围的范围内。由于可以在最大光发射范围内发射与光发射峰值相对应的波长的光,因此发光部132可以表现出最大亮度。
第三电子传输层243设置在第五发光层235上。第三电子传输层243被供应有来自第二电极133的电子。第三电子传输层243将供应的电子传递至第五发光层235。由于第三电子传输层243与第一发光部132-1的第一电子传输层241基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
第三N型电荷生成层255设置在第三电子传输层243上。第三N型电荷生成层255将电子注入到第三发光部132-3中。第三N型电荷生成层255设置在第三发光部132-3与第二电极133之间以向第三发光部132-3供应带电电荷。由于第三N型电荷生成层255与第一发光部132-1的第一N型电荷生成层251基本上相同,因此多余的描述将被省略或者将是简洁的。
有机发光元件130具有其中堆叠有第一发光部132-1、第二发光部132-2和第三发光部132-3的三堆叠结构。通过混合从第一发光部132-1、第二发光部132-2和第三发光部132-3中的每一个发射的光来实现最终从发光部132发射的光。因此,发光部132的设计也可以根据要实现的光的颜色而变化。例如,第一发光部132-1和第三发光部132-3是荧光发光部并且发射蓝光,并且第二发光部132-2是磷光发光部并且发射红光和黄绿光。因此,根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光元件130可以是发射白光的有机发光元件130。
参照图2,在封装部140上设置有滤色器150。滤色器150直接接触封装部140的上表面。可以提供多个滤色器150,并且多个滤色器150分别对应于多个子像素SP。滤色器150将从发光部132发射的光转换为特定颜色的光。例如,滤色器150可以由红色滤色器150R、绿色滤色器150G和蓝色滤色器150B中的一种配置。例如,从发光部132发射的白光通过滤色器150被转换为红光、绿光和蓝光。滤色器150可以对应于单个像素PX中的多个子像素SP中的每一个。滤色器150可以不设置在白色子像素SP_W中。稍后将参照图3对此进行描述。
在滤色器150上设置有平坦化层160。平坦化层160直接接触滤色器150的上表面和侧表面以及封装部140的上表面。平坦化层160使其上设置有滤色器150的基板110的上部平坦化。类似于外涂层115,平坦化层160可以由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、基于聚酰胺的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于不饱和聚酯的树脂、基于聚亚苯基的树脂、基于聚苯硫醚的树脂、苯并环丁烯以及光致抗蚀剂中的一种形成,但是本公开的实施方案不限于此。
在平坦化层160上设置有光提取图案170。光提取图案170可以直接接触平坦化层160的上表面。可以提供多个光提取图案170,并且多个光提取图案170可以设置在多个子像素SP中的每一个中。设置在每个子像素SP中的光提取图案170可以仅设置在与滤色器150交叠的区域中,例如,设置在发光区域中,但是本公开的实施方案不限于此。
光提取图案170可以形成为凸出地突出。例如,光提取图案170可以具有在其中央部分处是凸出的并且从中央部分朝向其两侧部分具有平缓的斜坡的形状。光提取图案170可以被设置成在多个子像素SP中的每一个中具有不同的形状。因此,当在黑暗条件下通过光提取图案170驱动有机发光显示设备100时,可以改善像素PX的正面亮度。
光提取图案170的折射率可以大于或等于平坦化层160的折射率。因此,阻止了在平坦化层160与光提取图案170之间的界面处从发光部132发射的光的全反射,并且光可以穿过光提取图案170并且向外发射。另外,光提取图案170可以由具有小的吸收率的材料形成。因此,光到光提取图案170中的吸收被最小化,并且光可以通过光提取图案170容易地向外发射。另外,光提取图案170是设置在有机发光显示设备100的最外部分处的部件,并且因此向外暴露。因此,光提取图案170需要具有足够的硬度以免被冲击损坏。
光提取图案170可以通过光刻工艺、压印工艺以及喷墨工艺中的一种来形成,但是本公开的实施方案不限于此。另外,光提取图案170可以由丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、基于聚酰胺的树脂、基于聚酰亚胺的树脂、基于不饱和聚酯的树脂、基于聚亚苯基的树脂、基于聚苯硫醚的树脂、苯并环丁烯和光致抗蚀剂中的一种形成,但是本公开的实施方案不限于此。
图4是根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的一个像素的放大平面视图。图5是沿图4的线V-V′截取的截面视图。在图5中,为了便于图示,仅示意性地示出了基板110、发光元件130、封装部140、滤色器150、平坦化层160以及光提取图案170。
首先,参照图4,设置在有机发光显示设备100的显示区域AA中的多个像素PX中的每一个包括多个子像素SP。发光元件130设置在多个子像素SP中的每一个中以与之相对应。作为实例,多个子像素SP可以包括红色子像素SP_R、绿色子像素SP_G、蓝色子像素SP_B以及白色子像素SP_W。多个子像素SP可以以条纹形状布置,但是本公开的实施方案不限于此。另外,图4示出了单个像素PX包括四个子像素SP,例如,红色子像素SP_R、绿色子像素SP_G、蓝色子像素SP_B和白色子像素SP_W。然而,本公开的实施方案不限于此。例如,可以省略白色子像素SP_W。图4所示的子像素SP的区域可以对应于发光元件130的发光区域或设置有滤色器150的区域。
参照图5,在基板110上设置有发光元件130、滤色器150以及光提取图案170。有机发光元件130可以发射白光。此外,可以提供多个滤色器150,并且多个滤色器150可以分别对应于子像素SP中的每一个。可替选地,子像素SP中的一个或更多个可以设置为没有滤色器。例如,如图5所示,三个滤色器150可以被配置成对应于相应子像素SP。例如,与红色子像素SP_R相对应的滤色器150可以是红色滤色器150R,与绿色子像素SP_G相对应的滤色器150可以是绿色滤色器150G,并且与蓝色子像素SP_B相对应的滤色器150可以是蓝色滤色器150B,并且在白色子像素SP_W中可以不设置滤色器150。因此,从发光元件130发射的白光可以通过与之相对应的子像素SP的滤色器150转换为红光、绿光或蓝光。
多个光提取图案170被设置成与多个子像素SP中的每一个相对应。例如,多个光提取图案170可以设置在红色子像素SP_R、绿色子像素SP_G和蓝色子像素SP_B中的每一个中。然而,多个光提取图案170可以不设置在白色子像素SP_W中。因此,在从有机发光元件130发射的白光中穿过设置在每个子像素SP中的滤色器150的光的行进路径可以由多个光提取图案170改变。
多个光提取图案170可以在显示设备的垂直截面中具有不同的形状。换言之,多个光提取图案170可以彼此具有不同的立体(三维/3D)形状。例如,多个光提取图案170可以在多个子像素SP中的每一个中具有不同的纵横比。例如,在多个子像素SP中,多个光提取图案170的纵横比可以在绿色子像素SP_G中是最高的并且可以在红色子像素SP_R中是最低的。另外,在多个光提取图案170中,设置在蓝色子像素SP_B中的光提取图案170的纵横比可以低于设置在绿色子像素SP_G中的光提取图案170的纵横比并且可以大于设置在红色子像素SP_R中的光提取图案170的纵横比。例如,设置在绿色子像素SP_G中的光提取图案170的纵横比为约1.2,设置在蓝色子像素SP_B中的光提取图案170的纵横比为约1.1,并且设置在红色子像素SP_R中的光提取图案170的纵横比可以为约1.0。然而,在图5中,光提取图案170被示出为使得多个子像素SP中的每一个中的光提取图案170的纵横比的差异大于上述纵横比值以更清楚地示出纵横比的差异。
在有机发光显示设备的各个子像素中,从包括白色发光部的有机发光元件发射的白光穿过滤色器,从而可以发射具有不同波长的不同颜色的光。因此,每个子像素的内部光分布可以根据发射的光的波长而不同。例如,红色子像素可以具有朝向正面方向的内部光分布,蓝色子像素可以具有以20°的角度的内部光分布,并且绿色子像素可以具有以30°的角度的内部光分布。因此,当将具有相同结构的光提取图案应用于相应子像素时,从一个子像素发射的光的行进路径可以改变成使得光被导向有机发光显示设备的正面方向,而从另一个子像素发射的光的行进路径可以被改变成使得光被导向有机发光显示设备的侧部分。例如,正面亮度在一个子像素中可能是优异的,但是在另一个子像素中可能降低。
因此,在根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备100中,多个光提取图案170的纵横比在多个子像素SP中不同,由此可以改善有机发光显示设备100的正面亮度。发射不同颜色的光的相应子像素SP具有不同的内部光分布。因此,为了将从相应子像素SP发射的光导向正面方向,从每个子像素SP发射的光的行进方向的角度改变为在相应子像素SP中不同。因此,在相应子像素SP中的光提取图案170的纵横比中,设置在绿色子像素SP_G中的光提取图案170的纵横比是最高的,设置在红色子像素SP_R中的光提取图案170的纵横比是最低的,并且设置在蓝色子像素SP_B中的光提取图案170的纵横比可以具有在设置在绿色子像素SP_G中的光提取图案170的纵横比与设置在红色子像素SP_R中的光提取图案170的纵横比之间的值。例如,设置在红色子像素SP_R中的光提取图案170的纵横比可以为约1.0,设置在绿色子像素SP_G中的光提取图案170的纵横比可以为约1.2,并且设置在蓝色子像素SP_B中的光提取图案170的纵横比可以为约1.1。因此,可以通过使设置在每个子像素SP中的光提取图案170具有能够使每个子像素SP的正面亮度最优化的纵横比来改善有机发光显示设备100的正面亮度。
图6是示出根据比较例的有机发光显示设备中的光提取图案的截面视图。图7是通过根据图6的光提取图案中的内部入射角来模拟正面提取率而获得的曲线图。图7是通过在图6的光提取图案70的结构中使用Ray Optics模拟程序进行模拟而获得的曲线图。在模拟中,两个光提取图案70设置在由玻璃制成的基板S上。基板S被设定为具有约200nm的长度和宽度以及约6μm的厚度。另外,设置有光提取图案70的像素PX被设定为长度为500μm以及宽度为500μm。另外,D是光提取图案70的长度,H是光提取图案70的高度,以及F可以是光提取图案70的半高全宽。此外,光提取图案70的纵横比AR为2H/D,并且光提取图案70的半高处的纵横比FAR可以被定义为H/F。在图7中,光提取图案70的半高处的纵横比FAR与光提取图案70的纵横比AR相比例如FAR/AR的值为0.739,这可以是相同值。
参照图7,当光提取图案70的半高处的纵横比FAR与光提取图案70的纵横比AR相比为相同时,可以确认,根据内部入射角的最优的正面提取率根据光提取图案70的纵横比AR的变化而不同。例如,可以确认,随着光提取图案70的纵横比AR增大,表现出最优的正面提取率的内部入射角增大。
图8是示出根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的多个子像素中的根据内部入射角的发光强度的曲线图。图9是通过根据按照本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备的多个子像素中的光提取图案的纵横比来模拟发光强度而获得的曲线图。在图9中,光提取图案70的半高处的纵横比FAR与光提取图案70的纵横比AR相比例如FAR/AR的值为0.739,这可以是相同的。在图8和图9中,为了便于描述,可以一起参照图1至图7。
参照图8,当有机发光元件130具有与根据本公开的一个示例性实施方案的有机发光显示设备100的有机发光元件130相同的结构时,根据内部入射角的发光强度可以在多个子像素SP中的每一个中不同。例如,多个子像素SP可以分别具有不同的内部光分布。例如,当有机发光元件130是其中堆叠有第一发光部132-1、第二发光部132-2和第三发光部132-3的三堆叠结构时,第一电极131与第一发光部132-1的蓝色发光层之间的厚度为至第一电极131与第二发光部132-2的红色发光层或黄绿色发光层之间的厚度为至并且第一电极131与第三发光部132-3的蓝色发光层之间的厚度为至多个子像素SP可以具有如图8所示的内部光分布。例如,红色子像素SP可以具有沿正面方向的内部光分布,蓝色子像素SP具有约20°的内部光分布,并且绿色子像素SP可以具有约30°的内部光分布。
参照图9,可以确认,每个子像素SP中表现出最大发光强度的光提取图案170的纵横比AR对于每个子像素SP是不同的。例如,在红色子像素SP中,可以确认,当光提取图案170的纵横比AR为约1.0时示出了最大发光强度。在蓝色子像素SP中,可以确认,当光提取图案170的纵横比AR为约1.1时示出了最大发光强度。在绿色子像素SP中,可以确认,当光提取图案170的纵横比AR为约1.2时示出了最大发光强度。例如,如图8所示,由于各个子像素SP具有不同的内部光分布,因此表现出最优发光强度的光提取图案170的纵横比AR可以在各个子像素SP中不同。
下面将描述根据本公开的一个或更多个实施方案的有机发光显示设备。
根据本公开的一个实施方案的有机发光显示设备包括:基板,其包括多个具有多个子像素的像素;在多个子像素处的多个有机发光元件;以及在多个有机发光元件上并且在多个子像素中的每一个处具有不同的形状的多个光提取图案。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案可以在有机发光显示设备的垂直截面中在多个子像素中的每一个处具有不同的形状。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案可以具有不同的三维(3D)形状。
根据本公开的一些实施方案,多个有机发光元件中的每一个可以包括白色发光部,白色发光部可以包括第一发光部、第二发光部和第三发光部。
根据本公开的一些实施方案,第一发光部和第三发光部可以包括蓝色发光层,第二发光部可以包括红色发光层和两个黄绿色发光层。
根据本公开的一些实施方案,多个有机发光元件中的每一个还可以包括在第一发光部下方的第一电极,第一电极的上表面与第一发光部的蓝色发光层的下表面之间的厚度可以是至第一电极的该上表面与第二发光部的红色发光层或黄绿色发光层的下表面之间的厚度可以是至并且第一电极的该上表面与第三发光部的蓝色发光层的下表面之间的厚度可以是至
根据本公开的一些实施方案,多个子像素可以包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,以及多个光提取图案可以在红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素中具有不同的纵横比。
根据本公开的一些实施方案,在多个光提取图案中,蓝色子像素中的光提取图案的纵横比可以小于绿色子像素中的光提取图案的纵横比并且可以大于红色子像素中的光提取图案的纵横比。
根据本公开的一些实施方案,绿色子像素中的光提取图案的纵横比可以为1.2,蓝色子像素中的光提取图案的纵横比可以为1.1,并且红色子像素中的光提取图案的纵横比为1.0。
根据本公开的一些实施方案,多个子像素还可以包括白色子像素。
根据本公开的一些实施方案,光提取图案可以不设置在白色子像素中。
根据本公开的一些实施方案,有机发光显示设备还可以包括在多个有机发光元件上的封装部和在封装部上与多个子像素相对应的多个滤色器。
根据本公开的一些实施方案,有机发光显示设备还可以包括配置成使多个滤色器的上部平坦化的平坦化层,多个光提取图案可以设置在平坦化层上。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案可以直接接触平坦化层。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案可以被设置成与多个滤色器交叠。
根据本公开的一些实施方案,有机发光显示设备可以不包含用于防止外部光的反射的偏振板。
根据本公开的一个实施方案的实现为不包括偏振板的有机发光显示设备包括:其上设置有多个子像素的基板;设置在基板上以分别与多个子像素相对应的多个有机发光元件;以及设置成在多个子像素中的每一个中具有不同的纵横比的多个光提取图案,多个子像素包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素,多个有机发光元件中的每一个包括第一电极、设置在第一电极上并且包括蓝色发光层的第一发光部、设置在第一发光部上并且包括红色发光层和两个黄绿色发光层的第二发光部、设置在第二发光部上并且包括蓝色发光层的第三发光部以及设置在第三发光部上的第二电极。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案的纵横比在多个子像素中的绿色子像素中可以是最高的。
根据本公开的一些实施方案,多个光提取图案的纵横比在多个子像素中的红色子像素中可以是最低的。
根据本公开的一些实施方案,第一电极的上表面与第一发光部的蓝色发光层的下表面之间的厚度可以为至第一电极的该上表面与第二发光部的红色发光层或黄绿色发光层的下表面之间的厚度可以为至以及第一电极的该上表面与第三发光部的蓝色发光层的下表面之间的厚度可以为至
根据本公开的一些实施方案,有机发光显示设备还可以包括设置在多个有机发光元件上的封装部;接触封装部的上表面并且设置成与多个子像素相对应的多个滤色器;以及设置成围绕多个滤色器的平坦化层,其中,多个光提取图案被设置成接触平坦化层的上表面。
根据本公开的一些实施方案,有机发光显示设备可以在黑暗条件下(例如,在黑暗区域/环境下)被驱动,并且可以实施于影院屏幕或虚拟现实(VR)装置中。
本发明至少提供以下技术方案:
方案1.一种有机发光显示设备,包括:
基板,所述基板包括多个具有多个子像素的像素;
在所述多个子像素处的多个有机发光元件;以及
多个光提取图案,所述多个光提取图案在所述多个有机发光元件上并且在所述多个子像素中的每一个处具有不同的形状。
方案2.根据方案1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案在所述多个子像素中的每一个处在所述有机发光显示设备的垂直截面中具有不同的形状。
方案3.根据方案1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案具有不同的三维(3D)形状。
方案4.根据方案1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个有机发光元件中的每一个包括白色发光部,以及
所述白色发光部包括第一发光部、第二发光部和第三发光部。
方案5.根据方案4所述的有机发光显示设备,其中,所述第一发光部和所述第三发光部包括蓝色发光层,以及
所述第二发光部包括红色发光层和两个黄绿色发光层。
方案6.根据方案5所述的有机发光显示设备,其中,所述多个有机发光元件中的每一个还包括在所述第一发光部下方的第一电极,
方案7.根据方案6所述的有机发光显示设备,其中,所述多个子像素包括红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素,以及
所述多个光提取图案在所述红色子像素、所述绿色子像素和所述蓝色子像素中具有不同的纵横比。
方案8.根据方案7所述的有机发光显示设备,其中,在所述多个光提取图案中,所述蓝色子像素中的所述光提取图案的纵横比小于所述绿色子像素中的所述光提取图案的纵横比而大于所述红色子像素中的所述光提取图案的纵横比。
方案9.根据方案8所述的有机发光显示设备,其中,所述绿色子像素中的所述光提取图案的纵横比为1.2,所述蓝色子像素中的所述光提取图案的纵横比为1.1,以及所述红色子像素中的所述光提取图案的纵横比为1.0。
方案10.根据方案7所述的有机发光显示设备,其中,所述多个子像素还包括白色子像素。
方案11.根据方案10所述的有机发光显示设备,其中所述光提取图案不设置在所述白色子像素中。
方案12.根据方案1所述的有机发光显示设备,还包括:
在所述多个有机发光元件上的封装部;以及
在所述封装部上与所述多个子像素相对应的多个滤色器。
方案13.根据方案12所述的有机发光显示设备,还包括:
配置为使所述多个滤色器的上部平坦化的平坦化层,
其中,所述多个光提取图案在所述平坦化层上。
方案14.根据方案13所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案直接接触所述平坦化层。
方案15.根据方案13所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案与所述多个滤色器交叠。
方案16.根据方案1至15中任一项所述的有机发光显示设备,其中,所述有机发光显示设备不包括用于防止外部光的反射的偏振板。
方案17.一种实现为不包括偏振板的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
其上设置有多个子像素的基板;
在所述基板上分别与所述多个子像素相对应的多个有机发光元件;以及
设置成在所述多个子像素中的每一个中具有不同的纵横比的多个光提取图案,
其中,所述多个子像素包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素,以及
其中,所述多个有机发光元件中的每一个包括:
第一电极;
在所述第一电极上并且包括蓝色发光层的第一发光部;
在所述第一发光部上并且包括红色发光层和两个黄绿色发光层的第二发光部;
在所述第二发光部上并且包括蓝色发光层的第三发光部;以及
在所述第三发光部上的第二电极。
方案18.根据方案17所述的有机发光显示设备,其中,在所述多个子像素中的所述绿色子像素中所述多个光提取图案的纵横比是最高的。
方案19.根据方案18所述的有机发光显示设备,其中,在所述多个子像素中的所述红色子像素中所述多个光提取图案的纵横比是最低的。
方案21.根据方案17所述的有机发光显示设备,还包括:
在所述多个有机发光元件上的封装部;
接触所述封装部的上表面并且设置成与所述多个子像素相对应的多个滤色器;以及
设置成围绕所述多个滤色器的平坦化层,
其中,所述多个光提取图案被设置成接触所述平坦化层的上表面。
方案22.根据方案17所述的有机发光显示设备,其中所述有机发光显示设备在黑暗条件下被驱动,并且实施于影院屏幕或虚拟现实(VR)装置。
对于本领域技术人员将明显的是,在不脱离本公开的技术思想或范围的情况下,可以在本公开中进行各种各样的修改和变型。因此,本公开的实施方案可以旨在包括本公开的修改和变型,只要它们在所附权利要求书以及它们的等同物的范围内。
Claims (10)
1.一种有机发光显示设备,包括:
基板,所述基板包括多个具有多个子像素的像素;
在所述多个子像素处的多个有机发光元件;以及
多个光提取图案,所述多个光提取图案在所述多个有机发光元件上并且在所述多个子像素中的每一个处具有不同的形状。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案在所述多个子像素中的每一个处在所述有机发光显示设备的垂直截面中具有不同的形状。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个光提取图案具有不同的三维(3D)形状。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示设备,其中,所述多个有机发光元件中的每一个包括白色发光部,以及
所述白色发光部包括第一发光部、第二发光部和第三发光部。
5.一种实现为不包括偏振板的有机发光显示设备,所述有机发光显示设备包括:
其上设置有多个子像素的基板;
在所述基板上分别与所述多个子像素相对应的多个有机发光元件;以及
设置成在所述多个子像素中的每一个中具有不同的纵横比的多个光提取图案,
其中,所述多个子像素包括绿色子像素、红色子像素和蓝色子像素,以及
其中,所述多个有机发光元件中的每一个包括:
第一电极;
在所述第一电极上并且包括蓝色发光层的第一发光部;
在所述第一发光部上并且包括红色发光层和两个黄绿色发光层的第二发光部;
在所述第二发光部上并且包括蓝色发光层的第三发光部;以及
在所述第三发光部上的第二电极。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,其中,在所述多个子像素中的所述绿色子像素中所述多个光提取图案的纵横比是最高的。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示设备,其中,在所述多个子像素中的所述红色子像素中所述多个光提取图案的纵横比是最低的。
9.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,还包括:
在所述多个有机发光元件上的封装部;
接触所述封装部的上表面并且设置成与所述多个子像素相对应的多个滤色器;以及
设置成围绕所述多个滤色器的平坦化层,
其中,所述多个光提取图案被设置成接触所述平坦化层的上表面。
10.根据权利要求5所述的有机发光显示设备,其中所述有机发光显示设备在黑暗条件下被驱动,并且实施于影院屏幕或虚拟现实(VR)装置。
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