JP2013251177A - 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 20
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 282
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 68
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract description 46
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 66
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 66
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 55
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 52
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 46
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 40
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 20
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 claims description 18
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 230000008569 process Effects 0.000 description 20
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 description 15
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000004768 lowest unoccupied molecular orbital Methods 0.000 description 5
- 238000004770 highest occupied molecular orbital Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 3
- -1 aluminum quinolinol Chemical compound 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 3
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000005326 engraved glass Substances 0.000 description 2
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N (e)-2-(2-methyl-6-(2-(1,1,7,7-tetramethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydropyrido[3,2,1-ij]quinolin-9-yl)vinyl)-4h-pyran-4-ylidene)malononitrile Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 DTZWGKCFKSJGPK-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 189363-47-1 Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=C2C3(C4=CC(=CC=C4C2=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC(=CC=C1C1=CC=C(C=C13)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 MQRCTQVBZYBPQE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 2-[3,5-bis(1-phenylbenzimidazol-2-yl)phenyl]-1-phenylbenzimidazole Chemical compound C1=CC=CC=C1N1C2=CC=CC=C2N=C1C1=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=CC(C=2N(C3=CC=CC=C3N=2)C=2C=CC=CC=2)=C1 GEQBRULPNIVQPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 2-phenylquinoxaline Chemical class C1=CC=CC=C1C1=CN=C(C=CC=C2)C2=N1 QWNCDHYYJATYOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-phenyl-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C(N1C=2C=CC=CC=2)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 ZVFQEOPUXVPSLB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 4- -2-tert-butyl-6- -4h-pyran Chemical compound O1C(C(C)(C)C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(C(CCN2CCC3(C)C)(C)C)=C2C3=C1 HXWWMGJBPGRWRS-CMDGGOBGSA-N 0.000 description 1
- ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-julolidyl-9-enyl-4h-pyran Chemical compound O1C(C)=CC(=C(C#N)C#N)C=C1\C=C\C1=CC(CCCN2CCC3)=C2C3=C1 ZNJRONVKWRHYBF-VOTSOKGWSA-N 0.000 description 1
- GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 4-[3,5-bis[4-(4-methoxy-n-(4-methoxyphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n,n-bis(4-methoxyphenyl)aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=C(C=C(C=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(OC)=CC=1)C=1C=CC(OC)=CC=1)C1=CC=C(OC)C=C1 GMEQIEASMOFEOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 4-carbazol-9-yl-n,n-bis(4-carbazol-9-ylphenyl)aniline Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(N(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 AWXGSYPUMWKTBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-yl-2-methylphenyl)-3-methylphenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C(=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C)C(C)=C1 LTUJKAYZIMMJEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 9-[4-(4-carbazol-9-ylphenyl)phenyl]carbazole Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2N1C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C32)C=C1 VFUDMQLBKNMONU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016570 AlCu Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100464809 Arabidopsis thaliana PNM1 gene Proteins 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 101000837344 Homo sapiens T-cell leukemia translocation-altered gene protein Proteins 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100065564 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) SUP35 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100028692 T-cell leukemia translocation-altered gene protein Human genes 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000905137 Veronica schmidtiana Species 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010405 anode material Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 description 1
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000013256 coordination polymer Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P dequalinium Chemical compound C1=CC=C2[N+](CCCCCCCCCC[N+]3=C4C=CC=CC4=C(N)C=C3C)=C(C)C=C(N)C2=C1 PCSWXVJAIHCTMO-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N dipropyl phthalate Chemical compound CCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCC MQHNKCZKNAJROC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N dipropyltryptamine Chemical compound C1=CC=C2C(CCN(CCC)CCC)=CNC2=C1 BOOQTIHIKDDPRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N n,2-diphenylaniline Chemical group C=1C=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=1NC1=CC=CC=C1 NJVSFOMTEFOHMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005838 radical anions Chemical class 0.000 description 1
- 150000005839 radical cations Chemical class 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003967 siloles Chemical class 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 241000894007 species Species 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical group 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置を提供する。
【解決手段】基板６０と、基板上に配置された第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層５５とを備える。
【選択図】図６
【解決手段】基板６０と、基板上に配置された第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層５５とを備える。
【選択図】図６
Description
本発明は、有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関し、特に耐湿寿命や耐久性を向上させた有機ＥＬ発光装置およびその製造方法に関する。
近年、有機発光素子として有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置や照明装置が実用化に向けて開発が進められている。また、次世代の薄型ディスプレイとして有機ＥＬディスプレイ装置が注目されている。
有機ＥＬディスプレイ装置では、有機ＥＬ層の上に上部電極が配置され、上部電極の上にカラーフィルタが配置される（例えば、特許文献１参照）。
ところで、有機ＥＬ素子は、水分による劣化が著しいので防湿する必要があり、そのため基板上に搭載された有機ＥＬ素子を封止している。
従来、有機ＥＬ素子を封止する方法として、例えば、ガラス基板上に陽極となる透明電極、有機層および陰極となる非透光性の背面電極を順次積層して有機ＥＬ素子を形成し、この有機ＥＬ素子を覆うガラス材料からなる凹部形状の封止部材を前記ガラス基板上に紫外線硬化性接着剤（ＵＶ硬化樹脂）を介して気密的に設けると共に、ガラス基板と封止部材とで得られる気密空間内に吸湿部材を設ける技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
しかし、上記従来技術のように、ＵＶ硬化樹脂を用いた封止では、ＵＶを照射する際に、有機ＥＬ素子がダメージを受けて劣化するという問題があった。
また、ＵＶ硬化樹脂を用いた封止では、水分の浸透を完全には防止できず、有機ＥＬ素子が劣化するという課題が依然として残っていた。
また、従来は、有機ＥＬ素子を収容するために、ガラス基板として、内側を掘り込んだ掘り込みガラスを用いてギャップを確保している。しかし、掘り込みガラスは比較的高価であり、コストダウンが難しいという問題があった。
本発明の目的は、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するための本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層とを備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１電極層と、前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層と、前記封止層を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層とを備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置が提供される。
本発明の他の態様によれば、基板を準備する工程と、前記基板上に第１電極層を形成する工程と、前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層を形成する工程とを有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
本発明によれば、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
次に、図面を参照して、実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
以下の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、「透明」とは、透過率が約５０％以上であるものと定義する。また「透明」とは、実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度、エネルギー約３．４５ｅＶ〜１．４９ｅＶ程度に相当し、この領域で透過率が５０％以上あれば透明である。
[有機ＥＬ発光装置の基本構造]
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１に示すように、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０と、各ＶＩＡ電極７０上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通領域として配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備える。
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１に示すように、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０と、各ＶＩＡ電極７０上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通領域として配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備える。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂは、それぞれ赤色（Red）・緑色（Green）・青色（Blue）用の駆動回路３４を示す。
同様に、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、それぞれ赤色（Red）・緑色（Green）・青色（Blue）用のカラーフィルタ４０を示す。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極７０は、さらに詳細には、図２に示すように、半導体基板５８上に配置された相補型（Ｃ：Complementary）ＭＯＳＬＳＩ６００を構成する。ＣＭＯＳＦＥＴのゲート電極５６，さらに電極配線層を形成するＭ１電極５２，Ｍ２電極５４などは、層間絶縁膜およびＶＩＡ電極を介して接続されるが、図２では、詳細は省略している。
有機ＥＬ層３６は、図２に示すように、下部電極３０と上部電極３８の間に挟まれ、下部電極３０上に配置される正孔輸送層５０と、正孔輸送層５０上に配置される発光層４８と、発光層４８上に配置される電子輸送層４６とを備える。
さらに、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図２に示すように、電子輸送層４６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたシール層４４と、シール層４４上に配置されたカラーフィルタ４０と、カラーフィルタ４０上に配置された透明保護膜４２とを備える。
図１および図２には、１つのピクセル６に対応しており、有機ＥＬ発光装置は、このようなピクセル６の構造が、例えば、マトリックス状に配置される。
図１および図２の例では、上部電極３８を共通電極として形成し、下部電極３０を分割された電極として構成しているが、反対に、上部電極３８を分割電極として形成し、下部電極３０を共通電極として構成してもよい。この場合には、各ＶＩＡ電極７０は、分割電極として形成される上部電極３８にそれぞれ接続される。さらに、図１の構成において、上部電極３８も分割された電極として形成してもよい。
また、図２では、下部電極３０に接する層として正孔輸送層５０が配置され、上部電極３８に接する層として電子輸送層４６が配置されている例が示されているが、これに限定されるものではなく、下部電極３０に接する層として電子輸送層４６が配置され、上部電極３８に接する層として正孔輸送層５０が配置されていてもよい。但しこの場合には、ＣＭＯＳＬＳＩ６００からの配線が変更される。また、上述の上部電極３８を分割電極として形成し、下部電極３０を共通電極とする構成と組み合わせてもよい。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真の例を図３に示す。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図３に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に、下部電極３０を介して、有機ＥＬ層３６が積層化されている。
なお、図２ではＭ１電極５２、Ｍ２電極５４の２層メタルの構造を示しているが、これに限るものではない。図３のように３層メタルであってもよい。メタルの層数は、配線規模に応じて適切なものを選べばよい。
図１および図２には、複数のデータ線と複数の走査線の交差部に配置された１つのピクセル（画素）の構成が示されており、半導体基板５８上に形成されるＣＭＯＳＦＥＴからなるＣＭＯＳＬＳＩ６００は、論理回路を構成し、１つのピクセル内においては、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂを構成している。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置において、ＣＭＯＳＬＳＩ６００は、ピクセルアレイを駆動するための水平走査回路・垂直走査回路・ロードライバ・カラムドライバ・データラッチ回路・ＰＮＭドライバなどを構成する。
図１および図２に示す構成において、ＣＭＯＳＦＥＴ領域および各層間絶縁膜を介するＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの形成は、微細化シリコンプロセスと同様である。
このようなＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの電極間は、所定のコンタクト部分において、例えば、メタルダマシン構造によって、ＶＩＡ電極を介して接続される。
透明保護膜４２は、例えば、クリアーレジスト、ガラス、透明絶縁膜などで形成することができる。
可視光領域において、カラー画像を表示するためには、カラーフィルタ４０をシール層４４上に配置する。カラーフィルタは、赤色（Red）用、緑色（Green）用,青色（Blue）用を、隣り合う１つのピクセル内に設けて３組で１つのピクセルを構成する。カラーフィルタは、例えば、ガラス上の多層膜や、色素・顔料含有レジストの多層化によって形成することができる。
シール層４４は、上部電極３８、有機ＥＬ層３６、および有機ＥＬ下部電極３０を保護し、これらを封止するものである。シール層４４の材質としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はアルミナ膜等を用いる。また、シール層４４は、熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。
上部電極３８は、光を透過可能であり、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）などの無機導電体材料で形成することができる。また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ等の金属の薄層化層（例えば、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍ）などでも形成可能である。
電子輸送層４６は、上部電極３８から注入された電子を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約３５ｎｍ程度のＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体）からなる。ここで、Ａｌｑ３は、アルミニウム８−ヒドロキシキノリネート（Aluminum 8-hydroxyquinolinate）或いは、トリ８−キノリノラトアルミニウムと呼ばれる材料である。
電子輸送層４６を形成する他の電子輸送材料としては、t-butyl-ＰＢＤ、ＴＡＺ、シロール誘導体、ホウ素置換型トリアリール系化合物、フェニルキノキサリン誘導体などがある。また、ＢＣＰ、オキサジアゾール二量体、スターバーストオキサジアゾールなどが適用可能である。
発光層４８は、注入された正孔及び電子が再結合して発光するためのものであり、例えば発光種であるクマリン化合物（Ｃ５４５Ｔ）が、例えば、約１％程度ドーピングされた厚さが、例えば、約３０ｎｍ程度のＡｌｑ３からなる。また、ドーパントとして、ルブレンや遷移金属原子を含む錯体などを含んでいても良い。
発光層４８には、例えば、キャリア輸送性発光材料、或いは発光ドーパントとホスト材料の混合層を適用することもできる。キャリア輸送性発光材料としては、例えば、Ａｌｑ,Ａｌｍｑ,Ｍｇｑ,ＢｅＢｑ2,ＺｎＰＢＯ,ＺｎＰＢＴ,Ｂｅ（５Ｆｌａ）2,Ｅｕ錯体,ＢＰＶＢｉ,ＢＡｌｑ,Ｂｅｐｐ2,ＢＤＰＨＶＢｉ,spiro-ＢＤＰＶＢｉ,（ＰＳＡ）2Ｎｐ−５,（ＰＰＡ）（ＰＳＡ）Ｐｅ−１,ＢＳＮ,ＡＰＤ,ＢＳＢなどの材料を用いることができる。発光ドーパントとホスト材料としては、例えば、クマリン６,Ｃ５４５Ｔ,Ｑｄ４,ＤＥＱ,ペリレン,ＤＰＴ,ＤＣＭ２,ＤＣＪＴＢ,ルブレン,ＤＰＰ,ＣＢＰ,ＡＢＴＸ,ＤＳＡ,ＤＳＡアミン,Ｃｏ−６,ＰＭＤＦＢ,キナクリドン,ＢＴＸ,ＤＣＭ,ＤＣＪＴなどの材料を用いることができる。また、リン光発光材料とホスト、周辺材料としては、ＰｔＯＥＰ,ＴＰＢＩ,ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）,Ｉｒ（ｐｐｙ）3,Ｆｌｒｐｉｃ,ＣＤＢＰ,ｍ−ＣＰ,デンドリマーＩｒ（ｐｐｙ）3,ＴＣＴＡ,ＣＦ−Ｘ,ＣＦ−Ｙなどの材料を用いることができる。
正孔輸送層５０は、有機ＥＬ下部電極３０から注入された正孔を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約６０ｎｍ程度のＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）からなる。他の正孔輸送層としては、例えば、α−ＮＰＤを用いることができる。ここで、α−ＮＰＤは、４,４−ビスＮ−（１−ナフチル−１−）[Ｎ−フェニル−アミノ]−ビフェニル（4,4-bis[N-(1-naphtyl-1-)N-phenyl-amino]-biphenyl）と呼ばれる。
正孔輸送層５０を形成する正孔輸送材料の分子構造例としては、ＧＰＤ、spiro-ＴＡＤ、spiro-ＮＰＤ、oxidized-ＴＰＤを適用することができる。さらに別の正孔輸送材料としては、ＴＤＡＰＢ、ＭＴＤＡＴＡなどがある。
下部電極３０は、厚さが、例えば、約１５０ｎｍ程度で、材質がアルミニウムからなる。他の構成材料としては、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔなどを適用可能である。
なお、発光層４８は、上記、正孔輸送層、電子輸送層以外の層、例えば、正孔注入層、電子注入層等を用いて構成しても良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の動作原理は以下の通りである。
まず、下部電極３０および上部電極３８を介して、有機ＥＬ層３６の正孔輸送層５０および電子輸送層４６の間に一定の電圧が印加される。これにより、正孔輸送層５０発光層４８に正孔が注入されるとともに、電子輸送層４６から発光層４８に電子が注入される。そして、発光層４８に注入された正孔と電子とが再結合することによって、白色光を発光する。発光された白色光ｈνは、上部電極３８を透過し、カラーフィルタ４０を介して外部に出力される。
有機ＥＬ層３６を構成する正孔輸送層５０のＨＯＭＯ(Highest Occupied Molecular Orbital)のエネルギー準位の絶対値が有機ＥＬ下部電極の仕事関数の絶対値よりも大きくすると良い。
ここで、ＨＯＭＯのエネルギー準位とは、有機分子の基底状態を表す。また、ＬＵＭＯ(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)のエネルギー準位とは、有機分子の励起状態を表す。
ここで、ＬＵＭＯ準位は最低励起一重項準位（Ｓ1）に対応する。さらに電子や正孔が有機物に注入され、ラジカルアニオン（Ｍ−）,ラジカルカチオン（Ｍ+）が形成された場合の正孔および電子の準位は、励起子結合エネルギーが存在しない分、ＨＯＭＯ準位,ＬＵＭＯ準位の外側の位置に電子伝導準位、正孔伝導準位が位置することになる。
また、電子輸送層４６のＬＵＭＯのエネルギー準位の絶対値が上部電極３８の仕事関数の絶対値よりも小さくすれば良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、各電極、各層はそれぞれスパッタ、蒸着、塗布などにより成膜される。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、発光層４８と正孔輸送層５０の間、若しくは有機ＥＬ下部電極３０と正孔輸送層５０の間に、ｐ型有機半導体層を介在させてもよい。同様に、発光層４８と電子輸送層４６の間、若しくは上部電極３８と電子輸送層４６の間に、ｎ型有機半導体層を介在させてもよい。
（有機ＥＬ発光装置のブロック構成）
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図４に示すように、ピクセルアレイ１０と、ピクセルアレイ１０の列方向に隣接して配置されるカラム（Column）ドライバ２０と、カラムドライバ２０の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路１６と、データラッチ回路１６の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ（Ｈシフトレジスタ）１２と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるロードライバ１８と、ロードライバ１８に隣接して配置される垂直シフトレジスタ（Ｖシフトレジスタ）１４と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるＰＮＭドライバ２２とを備える。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図４に示すように、ピクセルアレイ１０と、ピクセルアレイ１０の列方向に隣接して配置されるカラム（Column）ドライバ２０と、カラムドライバ２０の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路１６と、データラッチ回路１６の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ（Ｈシフトレジスタ）１２と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるロードライバ１８と、ロードライバ１８に隣接して配置される垂直シフトレジスタ（Ｖシフトレジスタ）１４と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるＰＮＭドライバ２２とを備える。
カラムドライバ２０には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動するデータ線Ｄ０・Ｄ１・Ｄ２・Ｄ３…が接続される。
データラッチ回路１６は、図４の例では、４ビットの映像データ信号ＲＥＤ[３：０]、ＧＲＥＥＮ[３：０]、およびＢＬＵＥ[３：０]をラッチする回路である。また、データラッチ回路１６は外部信号として、ラッチイネーブル信号ＬＥを入力することで、アクティブになされる。
水平シフトレジスタ１２は、ピクセルアレイ１０を水平方向にスキャンする回路であり、ピクセルクロック信号ＨＣＬＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＨ，水平同期リセット信号ＨＳＹＮＣを受信している。
ロードライバ１８には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動する走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…およびワード線ＷＬが接続される。
垂直シフトレジスタ１４は、ピクセルアレイ１０を垂直方向にスキャンする回路であり、クロック信号ＶＣＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＶ，垂直同期リセット信号ＶＳＹＮＣを受信する。
ＰＮＭドライバ２２は、走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…にＰＮＭ信号ＰＮＭ０・ＰＮＭ１・ＰＮＭ２・ＰＮＭ３…を伝送する。ＰＮＭドライバ２２には、ＰＮＭクロック信号ＲＣＫおよびＰＮＭリセット信号ＲＲＳＴＮが入力される。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８には、例えば約マイナス５Ｖ程度のディスプレイ電源Ｖdisp、例えば約３．３Ｖ程度のシステム電源ＶＤＤが供給され、かつＶssの共通接地電位も与えられている。
図４のピクセルアレイ１０内の各サブピクセルは、六角形を基本パターンとする構造となっている。なお、各サブピクセルの形状は六角形に限らず、円形・三角形・正方形・八角形などの多角形等であってもよい。
[第１の実施の形態]
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図５を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図５は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図５を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図５は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図５に示すように、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、Ｓｉ基板やガラス基板等で構成される基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０Ｂ、３０Ｇ、３０Ｒと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に形成されるカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂと、第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８を封止する封止層４７と、封止層４７を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層５５とを備える。
なお、図５に示す第１実施例では、封止層４７の上に、接着層５３を介して保護板５１が設けられ、コーティング層５５は、保護板５１および接着層５３の全部または一部を覆うようになっている。
接着層５３は、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂またはＵＶ遅延硬化樹脂のいずれかで構成することができる。
また、接着層５３と保護板５１との間に、水分および酸素の透過を阻止するバリア層（図示せず）を設けるようにしてもよい。なお、バリア層は、の無機膜、ＳｉＮ、ＳｉＯ２のいずれか、またはこれらの積層で構成するようにできる。
また、コーティング層５５が覆う部分は、保護板５１および接着層５３の端部または界面を含む。これにより、端部や界面からの水分等の浸入を防止できる。
なお、符号４９は、有機ＥＬ構造全体を指す。
保護板５１としては、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ等）板などを用いることができる。
なお、保護板５１としてガラス板を用いる場合には、十分な防湿性と硬度を有するため、ガラス板表面についてはコーティング層５５の形成を省略することができる。
一方、ＰＥＴ等のプラスチック板を用いる場合には、耐湿性を向上させるために、プラスチック板の表面までコーティング層５５を形成することが望ましい。
また、コーティング層５５は、下方に向かう程、厚くなるように形成されている。これにより、例えば、接着層５３と封止層４７とのエッジ部などのコーティング層５５の厚さが他の部位よりも厚くすることができ、このエッジ部からの水分等の浸入をより有効に防止できる。
無機のコーティング剤としては、塗布型ガラスを用いることができる。具体的には、例えば、ジブチルエーテル８２％、ポリ（ペルヒドロシラザン）１３％、アニソール５．０％の組成を有するガラスコート剤等を用いることができる。
上記組成のガラスコート剤は、塗布すると、大気中の水分と反応して乾燥硬化してガラス化（固体化）する性質を有し、封止層４７等の上に塗布するだけの簡易な処理でコーティング層５５を形成することができ、製造コストを低減することができる。なお、ガラスコート剤は上記組成のものに限られず、一般的に入手可能なガラス塗料を用いることもできる。
コーティング層５５の厚さは、数μｍ〜１０μｍとすることができる。これにより、十分な耐湿性を確保できると共に、有機ＥＬ発光装置全体の可撓性（フレキシブル性）を確保することができる。
第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、基板６０は、Ｓｉウェハ、ガラス、ガスバリア付プラスチックフィルムなどで構成される。ここで、基板６０は、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置においては、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成された半導体基板５８に対応する。また、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるＬＳＩが形成されたガラス基板であっても良い。
下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇは、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属若しくはこれらの合金（ＡｌＣｕなど）で形成可能である。また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇは、酸化させた際に、正孔注入材料になる陽極材料であっても良い。酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯとなる。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇと基板（半導体ウェハ）６０との密着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗなどが挿入されていても良い。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇ上には、例えば、白色光を発光する有機ＥＬ層３６が配置されている。白色は、水色と黄色の組み合わせで形成されていても良い。
また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの金属薄膜（厚さ約０．１ｎｍ〜約５０ｎｍ）やＩＴＯ、ＩＺＯ（厚さ約１ｎｍ〜約５００ｎｍ）などの透明電極（金属酸化膜）で構成される。
なお、コーティング層５５の具体的な形成方法については後述する。
（有機ＥＬ発光装置の第２実施例）
図６を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図６は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図６を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図６は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図６に示すように、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、Ｓｉ基板やガラス基板等で構成される基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に形成されるカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂと、第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層５５とを備える。
無機のコーティング剤としては、塗布型ガラスを用いることができる。具体的な組成は、第１実施例で示した通りである。
上記組成のガラスコート剤は、塗布すると、大気中の水分と反応して乾燥硬化してガラス化（固体化）する性質を有し、第２電極層３８やカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂ等の上に塗布するだけの簡易な処理でコーティング層５５を形成することができ、製造コストを低減することができる。なお、ガラスコート剤は上記組成のものに限られず、一般的に入手可能なガラス塗料を用いることもできる。
コーティング層５５の厚さは、数μｍ〜１０μｍとすることができる。これにより、十分な耐湿性を確保できると共に、有機ＥＬ発光装置全体の可撓性（フレキシブル性）を確保することができる。
この第２実施例によれば、第１実施例に比して、封止層４７および保護板５１を省略することができ、簡易な構成で防湿性を確保することができ、製造コストも低減することができる。
なお、コーティング層５５の具体的な形成方法については後述する。
（有機ＥＬ発光装置の第３実施例）
図７を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図７は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図７を参照して、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第３実施例について説明する。図７は、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図７に示すように、第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、ガラス基板６１と、基板６０上に配置された透明電極から成る第１電極層３０と、第１電極層３０上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第１電極層３０、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層５５とを備える。
無機のコーティング剤としては、塗布型ガラスを用いることができる。具体的な組成は、第１実施例で示した通りである。
上記組成のガラスコート剤は、塗布すると、大気中の水分と反応して乾燥硬化してガラス化（固体化）する性質を有し、第２電極層３８等の上に塗布するだけの簡易な処理でコーティング層５５を形成することができ、製造コストを低減することができる。なお、ガラスコート剤は上記組成のものに限られず、一般的に入手可能なガラス塗料を用いることもできる。
コーティング層５５の厚さは、数μｍ〜１０μｍとすることができる。これにより、十分な耐湿性を確保できると共に、有機ＥＬ発光装置全体の可撓性（フレキシブル性）を確保することができる。
この第３実施例によれば、ボトムエミッション型の有機ＥＬ発光装置について、簡易な構成で防湿性、耐久性を確保することができ、製造コストも低減することができる。
なお、コーティング層５５の具体的な形成方法については後述する。
（コーティング層の形成方法）
図８〜１２を参照して、第１〜第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置に適用されるコーティング層の形成方法について説明する。
図８〜１２を参照して、第１〜第３実施例に係る有機ＥＬ発光装置に適用されるコーティング層の形成方法について説明する。
まず、図８〜１０を参照して、保護板５１を設ける場合（前記第１実施例に相当する場合）のコーティング層の形成方法について説明する。
図８に示すように、基板６０を準備する工程と、基板６０上に第１電極層を形成する工程と、第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程とを経て、基板６０上に有機ＥＬ構造４９が形成される。
なお、図５に示すように、有機ＥＬ構造４９を封止する封止層を形成する工程を有するようにしてもよい。
次いで、有機ＥＬ構造４９の上に、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂または２液硬化型樹脂のいずれかを塗布して接着層５３を形成する。
そして、接着層５３上に保護板５１を載置して貼り合わせる工程を経て、図８に示すような構造が作成される。
次に、図８に示す構成物をチャンバやグローブボックス等に収容し、Ｎ２雰囲気下において無機のコーティング剤としての塗布型ガラスを保護板５１、接着層５３および有機ＥＬ構造４９に塗布する（図９参照）。
塗布型ガラスの具体的な組成は、第１実施例で示した通りである。
即ち、例えば、ジブチルエーテル８２％、ポリ（ペルヒドロシラザン）１３％、アニソール５．０％の組成を有するガラスコート剤等を用いることができる。
塗布型ガラスの塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、スプレーコート、インクジェット印刷等の手法を用いることができる。
上記組成のガラスコート剤は、大気中の水分と反応して乾燥硬化してガラス化（固体化）する性質を有するので、図９の状態において大気に晒すと、ガラス化されたコーティング層５５が形成される。
なお、コーティング層５５をより厚くしたい場合には、Ｎ２雰囲気下において塗布型ガラスを塗布した後、大気に晒すという工程を繰り返す。これにより、所望の厚さのコーティング層５５を得ることができる。
また、図９では、保護板５１、接着層５３および有機ＥＬ構造４９の全体にコーティング層５５を形成する場合を示したが、これに限らず、図１０に示すように、保護板５１、接着層５３および有機ＥＬ構造４９の端部（端面）のみにコーティング層５５を形成するようにしてもよい。
即ち、保護板５１としてガラス板を用いる場合には、十分な防湿性と硬度を有するため、ガラス板表面についてはコーティング層５５の形成を省略することができる。したがって、この場合には、図１０に示すように、保護板５１、接着層５３および有機ＥＬ構造４９の端部（端面）のみに、ガラスコート剤をディスペンス塗布してコーティング層５５を形成する。
次に、図１１、１２を参照して、保護板を設けない場合（前記第２実施例、第３実施例に相当する場合）のコーティング層の形成方法について説明する。
図１１に示すように、基板６０を準備する工程と、基板６０上に第１電極層を形成する工程と、第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程とを経て、基板６０上に有機ＥＬ構造４９が形成される。
次いで、図１１に示す構成物をチャンバやグローブボックス等に収容し、Ｎ２雰囲気下において無機のコーティング剤としての塗布型ガラスを有機ＥＬ構造４９の全面に塗布する（図１２参照）。
塗布型ガラスの具体的な組成は、例えば、ジブチルエーテル８２％、ポリ（ペルヒドロシラザン）１３％、アニソール５．０％の組成を有するガラスコート剤等を用いることができる。
塗布型ガラスの塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、スプレーコート、インクジェット印刷等の手法を用いることができる。なお、有機ＥＬ構造４９が比較的大面積の場合には、ディスペンス塗布は不向きである。
上記組成のガラスコート剤は、大気中の水分と反応して乾燥硬化してガラス化（固体化）する性質を有するので、図１２の状態において大気に晒すと、ガラス化されたコーティング層５５が形成される。
なお、コーティング層５５をより厚くしたい場合には、Ｎ２雰囲気下において塗布型ガラスを塗布した後、大気に晒すという工程を繰り返す。これにより、所望の厚さのコーティング層５５を得ることができる。
第１の実施の形態によれば、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[第２の実施の形態]
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図１３を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図１３は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
（有機ＥＬ発光装置の第１実施例）
図１３を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第１実施例について説明する。図１３は、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図１３に示すように、第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、Ｓｉ基板やガラス基板等で構成される基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に形成されるカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂと、第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８を封止する封止層４７と、封止層４７の上に、接着層５３を介して設けられる保護板５１とを備え、接着層５３は、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂またはＵＶ遅延硬化樹脂のいずれかで構成されている。
保護板５１としては、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ等）板などを用いることができる。
上記構成によれば、保護板５１を貼り合わせる際に、ＵＶを照射する必要がなくなり、有機ＥＬ素子がＵＶによりダメージを受けて劣化するという問題が解消される。
なお、具体的な保護板５１の貼合せ方法については後述する。
（有機ＥＬ発光装置の第２実施例）
図１４を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図１４は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
図１４を参照して、第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の第２実施例について説明する。図１４は、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図である。
なお、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図１４に示すように、第２実施例に係る有機ＥＬ発光装置は、Ｓｉ基板やガラス基板等で構成される基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒと、第１電極層３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に形成されるカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂと、第１電極層３０Ｂ・３０Ｇ・３０Ｒ、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８を封止する封止層４７と、封止層４７の上に、接着層５３を介して設けられる保護板５１ｐとを備え、接着層５３は、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂またはＵＶ遅延硬化樹脂のいずれかで構成され、接着層５３と保護板５１ｐとの間に、水分および酸素の透過を阻止するバリア層５３ｂが設けられている。
保護板５１ｐとしては、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ等）板などを用いることができる。
また、バリア層５３ｂは、無機膜、ＳｉＮ、ＳｉＯ２のいずれか、またはこれらの積層で構成される。
上記構成によれば、保護板５１ｐを貼り合わせる際に、ＵＶを照射する必要がなくなり、有機ＥＬ素子がＵＶによりダメージを受けて劣化するという問題が解消される。
また、バリア層５３ｂを形成しているので、水分や酸素等の有機ＥＬ構造４９への浸入を防止し、防湿性を向上させることができる。
なお、具体的な保護板５１ｐの貼合せ方法については後述する。
（保護板の貼合せ方法）
（可視光硬化型樹脂を用いた場合）
まず、図１５〜１７を参照して、透明な可視光硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
（可視光硬化型樹脂を用いた場合）
まず、図１５〜１７を参照して、透明な可視光硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
まず、図１５に示すように、基板６０上に形成された有機ＥＬ構造４９の上に接着層５３としての可視光硬化型樹脂を滴下する。
次いで、図１６に示すように、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ等）板などで構成される保護板５１を可視光硬化型樹脂からなる接着層５３を介して載置する。
そして、図１７に示すように、ハロゲンランプ等の光源により可視光（ｈν）を照射して接着層５３としての可視光硬化型樹脂を硬化させる。
このように、保護板５１を貼り合わせる際に可視光を用いるので、ＵＶを照射する必要がなくなり、有機ＥＬ素子がＵＶによりダメージを受けて劣化するという問題が解消される。
なお、接着層５３としての可視光硬化型樹脂の塗布方法としては、滴下のほかに、ディスペンス塗布や、保護板５１側にスピンコートしたり、スクリーン印刷するなどの手法を用いてもよい。
ここで、図２２に、有機ＥＬ素子の輝度劣化におけるＵＶランプ照射とハロゲンランプ照射の比較のグラフを示す。
図２２において、縦軸は相対輝度（a.u.）、横軸は照射強度（×推奨条件（０〜２．５倍））である。すなわち、横軸において、樹脂が硬化するのに必要な最適照射強度を１としている。
図２２のグラフを見ると分かるように、ＵＶランプ照射では、照射強度０の際に相対輝度１であったが、照射強度（１倍）の際には相対輝度は０．９以下まで低下している。
一方、ハロゲンランプ照射では、照射強度（１倍）の際においても相対輝度１を維持していることが分かる。
このように、ＵＶランプを照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させる場合に比して、ハロゲンランプ照射による可視光によって可視光硬化型樹脂を硬化させる構成の方が、有機ＥＬ素子にダメージを与えずに保護板５１を貼り付けることができる。
（熱硬化型樹脂を用いた場合）
次に、図１８を参照して、透明な熱硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
次に、図１８を参照して、透明な熱硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
接着層５３としての熱硬化型樹脂を滴下して、保護板５１を載置するまでの工程は、前出の図１５および図１６と同様である。
接着層５３としての熱硬化型樹脂を硬化させる工程は、図１７のような可視光の照射に代えて、ヒータ６２を用いて加熱処理が行われる。
加熱温度は、例えば、有機ＥＬ構造４９にダメージを与えない範囲の温度、例えば、約８０℃〜約１００℃程度とすることが望ましい。
これにより、保護板５１を貼り合わせる際に熱を用いるので、ＵＶを照射する必要がなくなり、有機ＥＬ素子がＵＶによりダメージを受けて劣化するという問題が解消される。
なお、接着層５３としての熱硬化型樹脂の塗布方法としては、滴下のほかに、ディスペンス塗布や、保護板５１側にスピンコートしたり、スクリーン印刷するなどの手法を用いてもよい。
（ＵＶ遅延硬化型樹脂を用いた場合）
次に、図１９〜２１を参照して、透明なＵＶ遅延硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
次に、図１９〜２１を参照して、透明なＵＶ遅延硬化型樹脂を用いた場合の保護板５１の貼合せ方法について説明する。
まず、図１９に示すように、ガラス板やプラスチック（ＰＥＴ等）板などで構成される保護板５１の一方の表面にＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄを滴下する。
なお、ＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄの塗布方法としては、滴下のほかに、ディスペンス塗布や、保護板５１側にスピンコートしたり、スクリーン印刷するなどの手法を用いてもよい。
次いで、図２０に示すように、ＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄに対して、ＵＶランプを用いてＵＶを照射する。
ＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄは、ＵＶの照射後、硬化するまでに約１０分間程度の時間を要するという特性を有する。
そこで、ＵＶの照射後、ＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄが硬化するまでの間に、図２１に示すように、保護板５１のＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄを塗布した面を基板６０側に形成された有機ＥＬ構造４９に貼り合わせる。
これにより、時間の経過と共にＵＶ遅延硬化型樹脂５３ｄが硬化し、保護板５１が有機ＥＬ構造４９に接合される。
第２の実施の形態によれば、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[第３の実施の形態]
図２３を参照して、複数の有機ＥＬ発光装置を製造する場合の構成について説明する。
図２３を参照して、複数の有機ＥＬ発光装置を製造する場合の構成について説明する。
ここで、図２３（ａ）は製造された有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図、図２３（ｂ）は複数の有機ＥＬ発光装置を製造する場合の平面構成を示す概略平面図である。
図２３（ａ）に示す第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、Ｓｉ基板で構成される基板６０と、基板６０上に配置された第１電極層３０と、第１電極層３０上に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された第２電極層３８と、第２電極層３８の上に形成されるカラーフィルタ４０と、第１電極層３０、有機ＥＬ層３６および第２電極層３８を封止する封止層４７と、封止層４７の上に、接着層５３を介して設けられる保護板５１とを備える。
図２３（ｂ）に示すように、Ｓｉウェハ１００上に、複数の有機ＥＬ発光装置がマトリクス状に複数形成される。
図２３（ｂ）において、符号１４０ａ・１４０ｂ・１４０ｃ・１４０ｄは位置決め用のマーカである。
また、符号１２０Ｖは縦方向のスクライブライン、符号１２０Ｈは横方向にスクライブラインである。
ここで、図２３（ａ）に示す封止層４７までは、各有機ＥＬ素子についてＳｉウェハ１００上に同時の工程で作成される。
そして、各封止層４７上に、前出の図１５のように、接着層５３として可視光硬化型樹脂が塗布される。
接着層５３として可視光硬化型樹脂の塗布方法としては、滴下のほかに、ディスペンス塗布や、保護板５１側へのスピンコート、スクリーン印刷などの手法が適用される。
次いで、各有機ＥＬ素子毎に、予め準備された保護板５１を載置した後、ハロゲンランプ等により可視光が一斉照射されて、保護板５１が各封止層４７に貼り合わされる。
これにより、ＵＶ照射によるダメージを各有機ＥＬ素子に与えることなく、保護板５１と各封止層４７との接合を効率的に行うことができる。
次いで、スクライブライン１２０Ｖ・１２０Ｈに沿ってスクライビングすることにより、複数の有機ＥＬ発光装置を得ることができる。
なお、図２４に示すように、各有機ＥＬ素子には、保護板５１を囲繞するように、複数のパッド電極１５０が形成されている。
また、各有機ＥＬ発光装置の平面的な大きさは特には限定されないが、例えば１ｃｍ×１．５ｃｍなどの大きさとされ、有機ＥＬマイクロディスプレイ、電子ビューファインダー（ＥＶＦ：Electric View Finder）、ヘッドマウントディスプレイなどに適用される。
第３の実施の形態によれば、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[カラーフィルタの構成例]
図２５〜２９を参照して、本発明に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能な積層カラーフィルタの構成例について説明する。
図２５〜２９を参照して、本発明に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能な積層カラーフィルタの構成例について説明する。
実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に適用可能なフィルタであって、６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図２５に示すように表される。
図２５に示すように、３色のカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、正六角形を基本パターンとする配列とすることができる。
各色のフィルタは、例えば第２電極上にカラーレジストを塗布し、リソグラフィによってパターニングされる。
カラーレジストは、例えば光硬化性樹脂で構成され、紫外線等が照射された部位が硬化し、例えば正六角形のパターンを形成する。
カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、各色毎に形成され、各フィルタのエッジ部において互いに重なり合うようになる。
即ち、図２５に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒと青色カラーフィルタ４０Ｂのエッジ部ＴRB、青色カラーフィルタ４０Ｂと赤色カラーフィルタ４０Ｒのエッジ部ＴBR、緑色カラーフィルタ４０Ｇと赤色カラーフィルタ４０Ｒのエッジ部ＴGR、青色カラーフィルタ４０Ｂと緑色カラーフィルタ４０Ｇのエッジ部ＴBGにおいて、重なっている。各エッジ部における重なりの幅は、例えば、約１μｍ程度である。
（断面ＳＥＭ写真）
実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図２６に示すように表される。図２６においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。図２６によれば、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂのフィルタのうち、１種類のサブピクセルのエッジが盛り上がって、隣接するサブピクセルと一部が重なり合っている状態が分かる。
実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図２６に示すように表される。図２６においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。図２６によれば、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂのフィルタのうち、１種類のサブピクセルのエッジが盛り上がって、隣接するサブピクセルと一部が重なり合っている状態が分かる。
実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図２７に示すように表される。また、図２７の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図２８に示すように表され、図２８の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図２９に示すように表される。図２９は、図２８の写真に輪郭線を加えたものである。
図２７に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に下部電極３０を介して有機ＥＬ層３６が積層化され、有機ＥＬ層３６上にシール層４４を介して、さらにカラーフィルタ４０と透明保護膜４２が配置されている。
図２９に示すように、青色カラーレジスト４０Ｂ１の端部の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１の端部が重なっている。同様に、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ２、青色カラーレジスト４０Ｂ３の順に端部が重なっている。緑色カラーレジスト４０Ｇ２と青色カラーレジスト４０Ｂ３の上には透明保護膜４２が配置され、平坦化されている。
尚、カラーフィルタの構成は上記の積層カラーフィルタに限定されるものではなく、単層構成であっても良い。また、カラーフィルタのエッジ部にブラックマトリックスを有する構成なども適用可能である。
以上説明したように、本発明によれば、低コストで耐湿寿命や耐久性を向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
上記のように、実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本発明の有機ＥＬ発光装置は、有機ＥＬディスプレイ装置や有機ＥＬ照明装置等に適用可能である。具体的には、マイクロディスプレイ、ミラーレス一眼レフカメラの電子ビューファインダー（ＥＶＦ）、ヘッドマウントディスプレイ、有機集積回路分野、フラットパネルディスプレイ、フレキシブルエレクトロニクス分野、および透明エレクトロニクス分野において適用可能である。
６…ピクセル
８…有機ＥＬ発光装置
３０…下部電極（第１電極層）
３４…駆動回路
３６…有機ＥＬ層
３８…上部電極（第２電極層）
４０、４０Ｒ、４０Ｂ、４０Ｇ…カラーフィルタ
４２…透明保護膜
４４…シール層
４６…電子輸送層
４７…封止層
４８…発光層
４９…有機ＥＬ構造
５０…正孔輸送層
５１、５１ｐ…保護板
５２…Ｍ１電極
５３…接着層
５３ｂ…バリア層
５３ｄ…ＵＶ遅延硬化型樹脂
５４…Ｍ２電極
５５…コーティング層
５６…ゲート電極
５８…半導体基板
６０…基板
６１…ガラス基板
６２…ヒータ
７０…ＶＩＡ電極
１００…Ｓｉウェハ
１２０Ｈ、１２０Ｖ…スクライブライン
６００…ＣＭＯＳＬＳＩ
ＴBG、ＴBR、ＴGR、ＴRB…エッジ部
８…有機ＥＬ発光装置
３０…下部電極（第１電極層）
３４…駆動回路
３６…有機ＥＬ層
３８…上部電極（第２電極層）
４０、４０Ｒ、４０Ｂ、４０Ｇ…カラーフィルタ
４２…透明保護膜
４４…シール層
４６…電子輸送層
４７…封止層
４８…発光層
４９…有機ＥＬ構造
５０…正孔輸送層
５１、５１ｐ…保護板
５２…Ｍ１電極
５３…接着層
５３ｂ…バリア層
５３ｄ…ＵＶ遅延硬化型樹脂
５４…Ｍ２電極
５５…コーティング層
５６…ゲート電極
５８…半導体基板
６０…基板
６１…ガラス基板
６２…ヒータ
７０…ＶＩＡ電極
１００…Ｓｉウェハ
１２０Ｈ、１２０Ｖ…スクライブライン
６００…ＣＭＯＳＬＳＩ
ＴBG、ＴBR、ＴGR、ＴRB…エッジ部
Claims (21)
- 基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 - 前記第２電極層の上にカラーフィルタを備え、
前記コーティング層は、前記カラーフィルタを含めて覆うことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。 - 前記基板はガラス基板で構成され、前記第１電極層は透明電極として構成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の有機ＥＬ発光装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層と、
前記封止層を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層と
を備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 - 前記第２電極層の上にカラーフィルタを備え、
前記封止層は、前記カラーフィルタを含めて覆うことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ発光装置。 - 前記封止層の上に、接着層を介して保護板が設けられ、
前記コーティング層は、前記保護板および前記接着層の全部または一部を覆うことを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬ発光装置。 - 前記接着層は、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂またはＵＶ遅延硬化樹脂のいずれかで構成されることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記接着層と前記保護板との間に、水分および酸素の透過を阻止するバリア層が設けられていることを特徴とする請求項６または７に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記バリア層は、無機膜、ＳｉＮ、ＳｉＯ2のいずれか、またはこれらの積層で構成されることを特徴とする請求項８に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記コーティング層が覆う部分は、前記保護板および前記接着層の端部または界面を含むことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記コーティング層は、下方に向かう程、厚くなるなるように形成されていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記無機のコーティング剤は、塗布型ガラスで構成されることを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 基板と、
前記基板上に配置された第１電極層と、
前記第１電極層上に配置された有機ＥＬ層と、
前記有機ＥＬ層上に配置された第２電極層と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層と、
前記封止層の上に、接着層を介して設けられる保護板と
を備え、
前記接着層は、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂、２液硬化型樹脂またはＵＶ遅延硬化樹脂のいずれかで構成されることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。 - 前記第２電極層の上にカラーフィルタを備えることを特徴とする請求項１３に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記接着層と前記保護板との間に、水分および酸素の透過を阻止するバリア層が設けられていることを特徴とする請求項１３または１４に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 前記バリア層は、無機膜、ＳｉＮ、ＳｉＯ2のいずれか、またはこれらの積層で構成されることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ発光装置。
- 基板を準備する工程と、
前記基板上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層の全部または一部を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層を形成する工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層を形成する工程と、
前記封止層を覆う無機のコーティング剤から成るコーティング層を形成する工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層を形成する工程と、
前記封止層の上に、透明な可視光硬化型樹脂、熱硬化型樹脂または２液硬化型樹脂のいずれかを塗布して接着層を形成する工程と、
前記接着層上に保護板を載置して貼り合わせる工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 基板を準備する工程と、
前記基板上に第１電極層を形成する工程と、
前記第１電極層上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層上に第２電極層を形成する工程と、
前記第１電極層、前記有機ＥＬ層および前記第２電極層を封止する封止層を形成する工程と、
保護板の裏面に、接着層としてＵＶ遅延硬化樹脂を塗布する工程と、
前記塗布されたＵＶ遅延硬化樹脂にＵＶを照射する工程と、
前記ＵＶを照射されたＵＶ遅延硬化樹脂から成る接着層を介して前記保護板を前記封止層と貼り合わせる工程と
を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。 - 前記保護板および前記接着層の全部または一部を覆うコーティング層を形成する工程をさらに有することを特徴とする請求項１９または２０に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012125867A JP2013251177A (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2012125867A JP2013251177A (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013251177A true JP2013251177A (ja) | 2013-12-12 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2012125867A Pending JP2013251177A (ja) | 2012-06-01 | 2012-06-01 | 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2013251177A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2017008357A1 (zh) * | 2015-07-13 | 2017-01-19 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 有机发光二极管封装件、其制造方法及显示装置 |
| US10090364B2 (en) | 2015-06-30 | 2018-10-02 | Seiko Epson Corporation | Organic EL device, method of manufacturing organic EL device, and electronic apparatus |
-
2012
- 2012-06-01 JP JP2012125867A patent/JP2013251177A/ja active Pending
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