JP4945408B2 - 有機エレクトロルミネッセンスの製造方法および装置 - Google Patents
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Description
〔2〕前記第一バリア膜または前記第二バリア膜のいずれか一方のバリア膜が光透過性膜であり、他方が前記光透過性バリア膜と熱融着可能な無機材料で形成された膜であることを特徴とする、上記〔1〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔3〕前記無機材料で形成された膜が、アルミニウム、銅、銀、および金からなる群より選ばれるいずれか1種の金属で形成された膜を含むことを特徴とする、上記〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔4〕前記無機材料が、ナノ粒子金属であることを特徴とする、上記〔2〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔5〕前記ナノ粒子金属が、アルミニウム、銅、銀、および金からなる群から選ばれる1種または2種以上の金属を含むことを特徴とする、上記〔4〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔6〕前記無機材料で形成された膜がスクリーン印刷法により形成されることを特徴とする、上記〔4〕または〔5〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔7〕前記融着を熱照射により行うことを特徴とする、上記〔1〕から〔6〕のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔8〕前記熱照射が、熱線レーザによることを特徴とする、上記〔7〕に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
〔9〕第一基板および前記第一基板の少なくとも一方の面に設けられた第一バリア膜を備える支持基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載された素子搭載基板と、
第二基板および前記第二基板の少なくとも一方の面に設けられた第二バリア膜を備える封止基板とを備え、前記第一バリア膜または第二バリア膜のいずれか一方のバリア膜が光透過性膜であり、他方が前記光透過性膜と熱融着可能な無機材料で形成された膜であり、前記有機エレクトロルミネッセンス素子を包囲する部位で前記第一バリア膜および第二バリア膜とが直接融着されて前記有機エレクトロルミネッセンス素子が密封されてなる、有機エレクトロルミネッセンス装置。
本発明の有機EL装置の製造方法は、有機EL装置を製造する工程において、所定の封止工程を有するものである。以下、本発明の有機EL装置の製造方法の実施形態を、図1から図4に示す実施形態の一例を参照しつつ説明する。図1〜4は、本発明の有機ELの製造方法に係る一実施形態の概要を示すものである。図1〜4に示す実施形態では、いわゆるボトムエミッションタイプの有機EL装置について示している。理解の容易のため、図面における各部材の縮尺は実際とは異なる場合がある。また、本発明は以下の記述によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。有機EL装置においては電極のリード線等の部材も存在するが、本発明とは直接関係ないため記載を省略している。本発明の有機EL装置の構成については、「2.本発明の有機EL装置」の項にてさらに詳述する。
本発明の有機EL装置は、上記本発明の製造方法により作製し得る。本発明の有機EL装置は、第一基板および前記第一基板の少なくとも一方の面に設けられた第一バリア膜を備える支持基板上に、有機EL素子が搭載された素子搭載基板と、第二基板および前記第二基板の少なくとも一方の面に設けられた第二バリア膜を備える封止基板を備える。前記第一バリア膜または第二バリア膜のいずれか一方のバリア膜は、光透過性膜であり、他方が前記光透過性膜と熱融着可能な無機材料で形成された膜である。前記素子搭載基板と封止基板は、前記有機EL素子を包囲する外周部位において、前記第一バリア膜および第二バリア膜とが直接融着されており、このようにして前記有機EL素子が有機EL装置内に封止される。
図4に示す第一基板11は、有機EL素子14が搭載される支持基板13を構成する部材の一つである。第一基板11は有機EL装置1をより薄型にする観点から、フィルム状の基板が好適である。また、第一基板11は、電極を形成し、有機物の層を形成する際に変化しないものであればよく、例えばガラス、プラスチック、高分子フィルム、シリコン基板、これらを積層したものなどが用いられる。また、図4に示す有機EL装置は、ボトムエミッションタイプであり、第一基板11は透明性の高い材料で形成されていること好ましい。第一基板は、単層構造であっても、多層構造であってもよい。
有機EL素子14を外気から遮断するために、支持基板13には第一バリア膜12が設けられている。図4に示す実施形態は、ボトムエミッション型の有機EL装置を示しており、第一バリア膜12は光透過性のを有する。第一バリア膜12を形成する材料として好ましい例は、上記「1.本発明の有機EL装置の製造方法」の項で説明したとおりである。第一バリア膜は、単層構造であっても、多層構造であってもよい。
有機EL素子14を外気から遮断するために、封止基板20には第二バリア膜22が設けられる。図4に示す実施形態では、ボトムエミッション型の有機EL装置を示しており、第一のバリア膜12が透過性を要する一方で、第二のバリア膜22は、外気を遮断するガスバリア性が高く、第一バリア膜12との融着性が良好な材料で形成されるが好適である。また、第二基板21として、光透過性の低いフィルム材料を採用する場合、熱により融着可能な材料であることが好適である。このような構成を採用することにより、紫外線などを透過しにくいフィルム状基板を用いる場合であっても、有機EL装置の封止を十分に達成し得る。第二バリア膜22を形成する材料として好ましくは、上記「1.本発明の有機EL装置の製造方法」の項で説明したとおりである。第二バリア膜22と第一バリア膜11とは有機EL素子の外周を囲う部位において融着され、有機EL装置1は封止されている。第二バリア膜は、単層構造であっても、多層構造であってもよい。
本発明は有機EL素子自体の内部構成に限定されるものではないので、図4ではその詳細な構造は不図示としてあるが、以下、有機EL素子として採用し得る実施形態を説明する。有機EL素子の構造としては、少なくとも陰極が光透過性を有する透明又は半透明である一対の陽極(第1電極)及び陰極(第2電極)からなる電極間に、少なくとも1つの発光層を有するものであり、発光層には低分子及び/又は高分子の有機発光材料が用いられる。
a)陽極/発光層/陰極
b)陽極/正孔輸送層/発光層/陰極
c)陽極/発光層/電子輸送層/陰極
d)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極
(ここで、/は各層が隣接して積層されていることを示す。以下同じ。)
e)陽極/電荷注入層/発光層/陰極
f)陽極/発光層/電荷注入層/陰極
g)陽極/電荷注入層/発光層/電荷注入層/陰極
h)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/陰極
i)陽極/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
j)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷注入層/陰極
k)陽極/電荷注入層/発光層/電荷輸送層/陰極
l)陽極/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
m)陽極/電荷注入層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
n)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電荷輸送層/陰極
o)陽極/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
p)陽極/電荷注入層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/電荷注入層/陰極
有機EL素子の陽極(第1電極)には、たとえば透明電極または半透明電極として、電気伝導度の高い金属酸化物、金属硫化物や金属の薄膜を用いることができ、透過率が高いものが好適に利用でき、用いる有機層により適宜、選択して用いる。具体的には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズ、およびそれらの複合体であるインジウム・スズ・オキサイド(ITO)、インジウム・亜鉛・オキサイド等からなる導電性ガラスを用いて作製された膜(NESAなど)や、金、白金、銀、銅等が用いられ、ITO、インジウム・亜鉛・オキサイド、酸化スズが好ましい。作製方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、メッキ法等が挙げられる。また、該陽極として、ポリアニリンもしくはその誘導体、ポリチオフェンもしくはその誘導体などの有機の透明導電膜を用いてもよい。
正孔注入層は、陽極と正孔輸送層との間、または陽極と発光層との間に設けることができる。正孔注入層を形成する材料としては、フェニルアミン系、スターバースト型アミン系、フタロシアニン系、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化アルミニウム等の酸化物、アモルファスカーボン、ポリアニリン、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
正孔輸送材料としては、ポリビニルカルバゾール若しくはその誘導体、ポリシラン若しくはその誘導体、側鎖若しくは主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ピラゾリン誘導体、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、トリフェニルジアミン誘導体、ポリアニリン若しくはその誘導体、ポリチオフェン若しくはその誘導体、ポリアリールアミン若しくはその誘導体、ポリピロール若しくはその誘導体、ポリ(p−フェニレンビニレン)若しくはその誘導体、又はポリ(2,5−チエニレンビニレン)若しくはその誘導体などが例示される。
発光層は、本発明においては有機発光層であり、通常、主として蛍光またはりん光を発光する有機物化合物(低分子化合物または高分子化合物)を有する。なお、さらにドーパント材料を含んでいても良い。本発明において用いることができる発光層を形成する材料としては、例えば、下記の色素系材料、金属錯体系材料、高分子系材料、ドーパント材料などが挙げられる。
色素系材料としては、例えば、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
金属錯体系材料としては、例えば、イリジウム錯体、白金錯体等の三重項励起状態からの発光を有する金属錯体、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
高分子系材料としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記色素体や金属錯体系発光材料を高分子化したものなどが挙げられる。
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。
電子輸送材料としては公知のものが使用でき、オキサジアゾール誘導体、アントラキノジメタン若しくはその誘導体、ベンゾキノン若しくはその誘導体、ナフトキノン若しくはその誘導体、アントラキノン若しくはその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン若しくはその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン若しくはその誘導体、ジフェノキノン誘導体、又は8−ヒドロキシキノリン若しくはその誘導体の金属錯体、ポリキノリン若しくはその誘導体、ポリキノキサリン若しくはその誘導体、ポリフルオレン若しくはその誘導体等が例示される。
電子注入層は、電子輸送層と陰極との間、または発光層と陰極との間に設けられる。電子注入層としては、発光層の種類に応じて、Ca層の単層構造からなる電子注入層、または、Caを除いた周期律表IA族とIIA族の金属であり且つ仕事関数が1.5〜3.0eVの金属およびその金属の酸化物、ハロゲン化物および炭酸化物の何れか1種または2種以上で形成された層とCa層との積層構造からなる電子注入層を設けることができる。仕事関数が1.5〜3.0eVの、周期律表IA族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、リチウム、フッ化リチウム、酸化ナトリウム、酸化リチウム、炭酸リチウム等が挙げられる。また、仕事関数が1.5〜3.0eVの、Caを除いた周期律表IIA族の金属またはその酸化物、ハロゲン化物、炭酸化物の例としては、ストロンチウム、酸化マグネシウム、フッ化マグネシウム、フッ化ストロンチウム、フッ化バリウム、酸化ストロンチウム、炭酸マグネシウム等が挙げられる。
有機EL素子の陰極(第2電極)には、透明電極、または、半透明電極として、金属、グラファイトまたはグラファイト層間化合物、ZnO(亜鉛オキサイド)等の無機半導体、ITO(インジウム・スズ・オキサイド)やIZO(インジウム・亜鉛・オキサイド)などの導電性透明電極、酸化ストロンチウム、酸化バリウム等の金属酸化物などが挙げられる。金属としては、例えば、リチウム、ナトリウム、カリウム、ルビジウム、セシウム等のアルカリ金属;ベリリウム、マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム、バリウム等のアルカリ土類金属、金、銀、白金、銅、マンガン、チタン、コバルト、ニッケル、タングステン等の遷移金属;錫、アルミニウム、スカンジウム、バナジウム、亜鉛、イットリウム、インジウム、セリウム、サマリウム、ユーロピウム、テルビウム、イッテルビウム;およびそれらのうち2つ以上の合金等があげられる。合金の例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、マグネシウム−アルミニウム合金、インジウム−銀合金、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−マグネシウム合金、リチウム−インジウム合金、カルシウム−アルミニウム合金などが挙げられる。また、陰極を2層以上の積層構造としてもよい。この例としては、上記の金属、金属酸化物、フッ化物、これらの合金と、アルミニウム、銀、クロム等の金属との積層構造などが挙げられる。
<実施例1>
[1−1]バリア膜形成
200×200mmのポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム基板にスパッタ法により300nmの厚みでSiN膜を基板全面成膜することでバリア膜を形成する。
上記のようにして作製されたバリア膜形成PEN基板の一方の面に、スパッタ法によって、150nmの厚みでITO膜を基板全面成膜する。ITO膜が成膜された基板に、フォトレジスト(東京応化製OFPR13)を回転数1000rpmでスピンコートする。その後、フォトレジストに所望のパターンが形成されているフォトマスクを介して露光光を照射し(大日本スクリーン製、露光機MA−1200)、現像することで、所望のパターンを得る。得られたレジストパターンをITO用エッチング液(佐々木化学薬品製 IS−3)用い、ITOをエッチングし、その後レジストパターンを除去することで、所望のITOパターンを得る。
上記[1−2]にて作製されたITOパターン付きPEN基板上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)/ポリスチレンスルホン酸(Bayer社製、BaytronP AI4083)の懸濁液を0.2μmメンブランフィルターで濾過した液を用いて、約60nmの厚みで、全面にスピンコータする。その後、布を水に浸し、不要部分を拭取り、所望のパターンを得る。得られた膜をホットプレート上で200℃、10分間乾燥する。
次に、有機EL材料である高分子発光材料(サメーション製 Lumation RP158)のキシレン溶液(1重量%)を、約80nmの厚みでスピンコートし、その後、布をキシレンに浸し、不要部分を拭取り所望のパターンを得る。得られた膜を減圧下において80℃で1時間乾燥する。
次に、バリウムを厚み約5nm、次いでアルミニウムを厚み約100nmで10mm×180mmのストライプ状にマスク蒸着する。以上の工程により有機EL素子が搭載された素子搭載基板が作製される。
上記[1−5]の素子搭載基板に、あらかじめPENフィルム基板上にアルミニウム膜を厚み1000nm成膜された封止用基板を、真空下で貼り合わせる。その後、YAGレーザー(波長1064nm)の光を封止部に照射することで、アルミニウムが融解され、下地のSiNと融着することで、有機EL素子を得る。得られた素子に電源を接続し、7V電圧を印加することで発光する。
実施例1と同様の方法で、陰極形成まで、すなわち上記[1−1]から[1−5]までの工程を行う。PENフィルム基板上に銀ナノ粒子含有ペースト(大研化学工業製 CA−2500E)をスクリーン印刷法によって塗布し、銀ナノ粒子膜を成膜し、封止基板を得る。その後、YAGレーザー(波長1064nm)の光を封止部に照射することで、銀ナノ粒子膜が融解され、下地のSiNと融着することで、有機EL素子を得る。得られた素子に電源を接続し、7V電圧を印加することで発光する。
10 素子搭載基板
11 第一基板
12 第一バリア膜
13 支持基板
14 有機EL素子
20 封止基板
21 第二基板
22 第二バリア膜
30 接触部
31 封止部
50 レンズ
A レーザー光
100、106 有機EL装置
101 基板
102、105 バリア膜
103 有機EL素子
104 シールド材
Claims (8)
- 第一基板と前記第一基板の少なくとも一方の面に設けられた第一バリア膜とを備える支持基板の前記第一バリア膜上に有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載された素子搭載基板を、第二基板と前記第二基板の少なくとも一方の面に設けられた第二バリア膜とを備える封止基板で、前記第一バリア膜および前記第二バリア膜の間に前記有機エレクトロルミネッセンス素子全体を挟み込むように覆い、前記第一バリア膜と前記第二バリア膜との接触部を融着させて前記有機エレクトロルミネッセンス素子を密封する封止工程を含む、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法であって、前記第一バリア膜または前記第二バリア膜のいずれか一方のバリア膜が光透過性膜であり、他方が前記光透過性膜と熱融着可能な無機材料で形成された膜であることを特徴とする、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記無機材料で形成された膜が、アルミニウム、銅、銀、および金からなる群より選ばれるいずれか1種の金属で形成された膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記無機材料が、ナノ粒子金属であることを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記ナノ粒子金属が、アルミニウム、銅、銀、および金からなる群から選ばれる1種または2種以上の金属を含むことを特徴とする、請求項3に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記無機材料で形成された膜がスクリーン印刷法により形成されることを特徴とする、請求項3または4に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記融着を熱照射により行うことを特徴とする、請求項1から5のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 前記熱照射が、熱線レーザによることを特徴とする、請求項6に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法。
- 第一基板および前記第一基板の少なくとも一方の面に設けられた第一バリア膜を備える支持基板上に、有機エレクトロルミネッセンス素子が搭載された素子搭載基板と、
第二基板および前記第二基板の少なくとも一方の面に設けられた第二バリア膜を備える封止基板とを備え、
前記第一バリア膜または第二バリア膜のいずれか一方のバリア膜が光透過性膜であり、他方が前記光透過性膜と熱融着可能な無機材料で形成された膜であり、
前記有機エレクトロルミネッセンス素子を包囲する部位で前記第一バリア膜および第二バリア膜とが直接融着されて前記有機エレクトロルミネッセンス素子が密封されてなる、有機エレクトロルミネッセンス装置。
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