JP2014017239A - 有機ｅｌ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ - Google Patents

有機ｅｌ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタ Download PDF

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Abstract

【課題】光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能な積層カラーフィルタ、およびこの積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板６０と、基板６０上に配置された赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３とを備える。赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２および青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３の内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で積層されて形成される積層カラーフィルタ、およびこの積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置およびその製造方法。
【選択図】図１７

Description

本発明は、有機ＥＬ発光装置およびその製造方法、および積層カラーフィルタに関する。
近年、有機発光素子として有機ＥＬ（ＥＬ：Electroluminescence）素子を用いた表示装置や照明装置が実用化に向けて開発が進められている。また、次世代の薄型ディスプレイとして有機ＥＬディスプレイ装置が注目されている。
有機ＥＬディスプレイ装置では、有機ＥＬ層の上に上部電極が配置され、上部電極の上にカラーフィルタが配置される（例えば、特許文献１参照）。
ここで、上部電極の上にカラーレジストが塗られ、リソグラフィーにてパターニングされることで、カラーフィルタが形成される。カラーレジストは光硬化性樹脂である。紫外光が照射された部分が硬化し、パターン（永久レジスト）として残る。通常、カラーレジストの光硬化性樹脂中には、光を吸収する顔料を分散させ、それぞれの色（赤色、緑色、青色）を選択的に透過させる。
このような有機ＥＬディスプレイ装置では、赤色、緑色、青色の画素が隣接して設けられているため、画素間の混色（クロストーク）が問題となる。
混色を低減するため、有機ＥＬ素子の列間にクロストーク低減構造体が配設された色変換型有機ＥＬディスプレイが開示されている（例えば、特許文献２参照）。
許文献２参照）。
特開２００９−２８８４３５号公報 特開２０１０−２７２２１４号公報
カラーレジストによる色の選択性を向上させるためには、レジスト膜厚を厚くして光の通る長さを長くするか、又は、顔料の分散度を高める必要がある。
しかしながら、これらの方法は、いずれも、カラーレジストをパターニングする紫外光の透過性を悪くする方向に働き、パターニング性を悪くする。すなわち、紫外光は、レジスト上部から照射されるが、このように上部から入射した光がレジスト下部まで届かず、レジスト下部の硬化が不十分となる。
そのため、硬化していない底面により、カラーレジストと基板との密着性が悪くなる不具合が生じていた。又、無理に硬化させようと強い光を入射させると、レジスト下部に存在するトランジスタや発光素子に劣化させる悪影響を及ぼしていた。
また、下部電極の側壁部における有機ＥＬ層の膜厚が薄くなると、下部電極と上部電極との間でショートが発生する。
本発明の目的は、光透過性を悪くすることなく光選択性を向上可能な積層カラーフィルタ、およびこの積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明の別の目的は、発光性能および製造歩留まりの向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することにある。
本発明のさらに別の目的は、ショートの発生を防止するとともに光の取出効率を高めることが可能な有機ＥＬ発光装置及びその製造方法を提供することにある。
本発明の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された駆動回路と、前記駆動回路上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、前記上部電極上に配置された赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタとを１つのピクセルに備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、前記第１ＶＩＡ電極上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、前記基板上に配置され、前記上部電極に直接コンタクトされる第２ＶＩＡ電極とを備える有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、前記第１ＶＩＡ電極上に配置され、表面に金属酸化膜を有する下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、前記基板上に配置された第２ＶＩＡ電極とを備える有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の一態様によれば、基板と、前記基板上に配置された密着層と、前記密着層上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極とを備え、前記密着層および前記下部電極の側壁部がテーパ形状を有する有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された密着層と、前記密着層上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、前記下部電極の側壁部と前記有機ＥＬ層との間に配置された絶縁膜とを備える有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された密着層と、前記密着層上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極とを備え、前記下部電極間と前記下部電極の上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層が形成されている有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された密着層と、前記密着層上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極とを備え、前記下部電極の上面部と対向する領域にのみ前記上部電極が形成されている有機ＥＬ発光装置が提供される。
また、本発明の別の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された駆動回路と、前記駆動回路上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、前記上部電極上に配置された赤色、緑色、青色用のカラーフィルタとを１つのピクセルに備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、カラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と、再度、その上に同色のカラーレジストを塗布し、露光・現像する工程とを有し、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、前記第１ＶＩＡ電極上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、前記基板上に配置され、前記上部電極に直接コンタクトされる第２ＶＩＡ電極とを備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、前記基板上に前記下部電極とともにダミー下部電極を形成する工程と、前記ダミー下部電極を除去する工程と、前記下部電極上に前記有機ＥＬ層を形成する工程と、前記第２ＶＩＡ電極に直接コンタクトされるように前記有機ＥＬ層上に前記上部電極を形成する工程とを有する有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板を準備する工程と、前記基板上に下部電極を形成する工程と、前記基板表面を処理する工程と、前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程とを有する有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板を準備する工程と、前記基板上に密着層を形成する工程と、前記密着層上に下部電極を形成する工程と、前記密着層の側壁部および前記下部電極の側壁部をテーパ形状に形成する工程と、前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程とを有する有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明の他の態様によれば、基板を準備する工程と、前記基板上にトレンチを形成する工程と、前記トレンチ内に密着層を形成する工程と、前記トレンチを充填して前記密着層上に下部電極を形成する工程と、前記密着層および前記下部電極を研磨加工して、前記基板の上面部の高さ位置と前記下部電極の上面部の高さ位置を同じ高さに揃える工程と、前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程とを有する有機ＥＬ発光装置の製造方法が提供される。
また、本発明のさらに別の態様によれば、基板と、前記基板上に配置された赤色カラーフィルタと、前記基板上に配置された緑色カラーフィルタと、前記基板上に配置された青色カラーフィルタとを備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタおよび前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている積層カラーフィルタが提供される。
本発明によれば、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能な積層カラーフィルタ、およびこの積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、発光性能が向上し、かつ製造歩留まりを向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
さらに、本発明によれば、ショートの発生を防止するとともに光の取出効率を高めることが可能な有機ＥＬ発光装置及びその製造方法を提供することができる。
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図。 基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的鳥瞰図。 基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真。 基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例を示す図。 比較例１に係るカラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの重なり効果を説明するための模式的平面パターン構成図。 図７のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造図。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいて、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタの光の吸収率と波長との関係を示す模式図。 ６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの模式的平面構成図。 第１の実施の形態の変形例１に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態の変形例２に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態の変形例３に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態の変形例４に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態の変形例５に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態の変形例６に係る積層カラーフィルタの模式的断面構造図。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造図。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例。 第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例。 図１９の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真。 図２０の積層カラーフィルタ部分の詳細説明図。 比較例３および第２〜第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置のピクセルアレイとその周辺を示す平面レイアウトパターン構成図。 比較例３に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図（その１）。 （ａ）第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造図（その２）、（ｂ）図２６（ａ）中のＰ部分の模式的拡大構造図。 第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極間のリーク電流と、比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極間のリーク電流とを示すグラフ。 第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極間のリーク電流と陰極印加電圧を説明するための模式的断面構造図。 比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造図。 （ａ）第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造図、（ｂ）第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するためのＳｉウェハの模式的平面構造図。 （ａ）比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造図、（ｂ）図３１（ａ）中のＱ部分の模式的拡大構造図。 （ａ）第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造図、（ｂ）図３２（ａ）中のＲ部分の模式的拡大構造図。 第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極間のリーク電流と、比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極間のリーク電流とを示すグラフ。 第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に搭載され、６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する積層カラーフィルタの模式的平面構成図。 第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図３４のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造図。 比較例２に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図であって、（ａ）ドライエッチングで金属を加工する前の状態を示す図、（ｂ）ドライエッチングで金属を加工した後の状態を示す図、（ｃ）有機ＥＬ層の上に上部電極が配置された状態を示す図。 比較例２に係る有機ＥＬ発光装置において、光の取出効率を説明するための模式的断面構造図。 第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造図。 第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造図。 第７の実施の形態の変形例１に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造図。 第７の実施の形態の変形例２に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造図。 第７の実施の形態の変形例３に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造図。 （ａ）第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、１ピクセル部分の模式的断面構造図、（ｂ）図４５（ａ）中のＰ部分の模式的拡大構造図。 第８の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第９の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第１０の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第１０の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第１１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。 第１２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造図。
次に、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係、各層の厚みの比率等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。又、図面相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることはもちろんである。
又、以下に示す実施の形態は、この発明の技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、この発明の実施の形態は、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を下記のものに特定するものでない。この発明の実施の形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。
以下の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、「透明」とは、透過率が約５０％以上であるものと定義する。また「透明」とは、実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、可視光線に対して、無色透明という意味でも使用する。可視光線は波長約３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ程度、エネルギー約３．４５ｅＶ〜１．４９ｅＶ程度に相当し、この領域で透過率が５０％以上あれば透明である。
[有機ＥＬ発光装置の基本構造]
基本構造に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１に示すように、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極（アノードＶＩＡ電極）７０と、各ＶＩＡ電極（アノードＶＩＡ電極）７０上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通領域として配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたカラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂとを備える。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂは、それぞれ赤色（Red）、緑色（Green）、青色（Blue）用の駆動回路３４を示す。
同様に、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂは、それぞれ赤色（Red）、緑色（Green）、青色（Blue）用のカラーフィルタ４０を示す。
駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、各駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上にそれぞれ配置されたＶＩＡ電極（アノードＶＩＡ電極）７０は、さらに詳細には、図２に示すように、半導体基板５８上に配置された相補型（Ｃ：Complementary）ＭＯＳＬＳＩ６００を構成する。ＣＭＯＳＦＥＴのゲート電極５６，さらに電極配線層を形成するＭ１電極５２，Ｍ２電極５４などは、層間絶縁膜およびＶＩＡ電極を介して接続されるが、図２では、詳細は省略している。
有機ＥＬ層３６は、図２に示すように、下部電極３０と上部電極３８の間に挟まれ、下部電極３０上に配置される正孔輸送層５０と、正孔輸送層５０上に配置される発光層４８と、発光層４８上に配置される電子輸送層４６とを備える。
さらに、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図２に示すように、電子輸送層４６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置されたシール層４４と、シール層４４上に配置されたカラーフィルタ４０と、カラーフィルタ４０上に配置された透明保護膜４２とを備える。
図１および図２には、１つのピクセル６に対応しており、有機ＥＬ発光装置は、このようなピクセル６の構造が、例えば、マトリックス状に配置される。
図１および図２の例では、上部電極３８を共通電極として形成し、下部電極３０を分割された電極として構成しているが、反対に、上部電極３８を分割電極として形成し、下部電極３０を共通電極として構成してもよい。この場合には、各ＶＩＡ電極（アノードＶＩＡ電極）７０は、分割電極として形成される上部電極３８にそれぞれ接続される。さらに、図１の構成において、上部電極３８も分割された電極として形成してもよい。
また、図２では、下部電極３０に接する層として正孔輸送層５０が配置され、上部電極３８に接する層として電子輸送層４６が配置されている例が示されているが、これに限定されるものではなく、下部電極３０に接する層として電子輸送層４６が配置され、上部電極３８に接する層として正孔輸送層５０が配置されていてもよい。但しこの場合には、ＣＭＯＳＬＳＩ６００からの配線が変更される。また、上述の上部電極３８を分割電極として形成し、下部電極３０を共通電極とする構成と組み合わせてもよい。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真の例を図３に示す。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置は、図３に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に、下部電極３０を介して、有機ＥＬ層３６が積層化されている。
なお、図２ではＭ１電極５２、Ｍ２電極５４の２層メタルの構造を示しているが、これに限るものではない。図３のように３層メタルであってもよい。メタルの層数は、配線規模に応じて適切なものを選べばよい。
図１および図２には、複数のデータ線と複数の走査線の交差部に配置された１つのピクセル（画素）の構成が示されており、半導体基板５８上に形成されるＣＭＯＳＦＥＴからなるＣＭＯＳＬＳＩ６００は、論理回路を構成し、１つのピクセル内においては、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂを構成している。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置において、ＣＭＯＳＬＳＩ６００は、ピクセルアレイを駆動するための水平走査回路・垂直走査回路・ロードライバ・カラムドライバ・データラッチ回路・ＰＮＭドライバなどを構成する。
図１および図２に示す構成において、ＣＭＯＳＦＥＴ領域および各層間絶縁膜を介するＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの形成は、微細化シリコンプロセスと同様である。
このようなＭ１電極５２・Ｍ２電極５４などの電極間は、所定のコンタクト部分において、例えば、メタルダマシン構造によって、ＶＩＡ電極を介して接続される。
透明保護膜４２は、例えば、クリアーレジスト、ガラス、透明絶縁膜などで形成することができる。
可視光領域において、カラー画像を表示するためには、カラーフィルタ４０をシール層４４上に配置する。カラーフィルタは、赤色（Red）用、緑色（Green）用,青色（Blue）用を、隣り合う１つのピクセル内に設けて３組で１つのピクセルを構成する。カラーフィルタは、例えば、ガラスの多層膜や、ゼラチン膜の多層化によって形成することができる。或いは、カラーフィルタは、例えば、ガラス上の多層膜や、色素・顔料含有レジストの多層化によって形成することができる。
シール層４４は、上部電極３８、有機ＥＬ層３６、および有機ＥＬ下部電極３０を保護し、これらを封止するものである。シール層４４の材質としては、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜又はアルミナ膜等を用いる。また、シール層４４は、熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。
上部電極３８は、光を透過可能であり、ＩＴＯ（インジウム−スズ酸化物）、ＩＺＯ（インジウム−亜鉛酸化物）などの無機導電体材料で形成することができる。また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ等の金属の薄層化層（例えば、約１０ｎｍ〜約２０ｎｍ）などでも形成可能である。
電子輸送層４６は、上部電極３８から注入された電子を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約３５ｎｍ程度のＡｌｑ３（アルミニウムキノリノール錯体）からなる。ここで、Ａｌｑ３は、アルミニウム８−ヒドロキシキノリネート（Aluminum 8-hydroxyquinolinate）或いは、トリ８−キノリノラトアルミニウムと呼ばれる材料である。
電子輸送層４６を形成する他の電子輸送材料としては、t-butyl-ＰＢＤ、ＴＡＺ、シロール誘導体、ホウ素置換型トリアリール系化合物、フェニルキノキサリン誘導体などがある。また、ＢＣＰ、オキサジアゾール二量体、スターバーストオキサジアゾールなどが適用可能である。
発光層４８は、注入された正孔及び電子が再結合して発光するためのものであり、例えば発光種であるクマリン化合物（Ｃ５４５Ｔ）が、例えば、約１％程度ドーピングされた厚さが、例えば、約３０ｎｍ程度のＡｌｑ３からなる。また、ドーパントとして、ルブレンや遷移金属原子を含む錯体などを含んでいても良い。
発光層４８には、例えば、キャリア輸送性発光材料、或いは発光ドーパントとホスト材料の混合層を適用することもできる。キャリア輸送性発光材料としては、例えば、Ａｌｑ,Ａｌｍｑ,Ｍｇｑ,ＢｅＢｑ2,ＺｎＰＢＯ,ＺｎＰＢＴ,Ｂｅ（５Ｆｌａ）2,Ｅｕ錯体,ＢＰＶＢｉ,ＢＡｌｑ,Ｂｅｐｐ2,ＢＤＰＨＶＢｉ,spiro-ＢＤＰＶＢｉ,（ＰＳＡ）2Ｎｐ−５,（ＰＰＡ）（ＰＳＡ）Ｐｅ−１,ＢＳＮ,ＡＰＤ,ＢＳＢなどの材料を用いることができる。発光ドーパントとホスト材料としては、例えば、クマリン６,Ｃ５４５Ｔ,Ｑｄ４,ＤＥＱ,ペリレン,ＤＰＴ,ＤＣＭ２,ＤＣＪＴＢ,ルブレン,ＤＰＰ,ＣＢＰ,ＡＢＴＸ,ＤＳＡ,ＤＳＡアミン,Ｃｏ−６,ＰＭＤＦＢ,キナクリドン,ＢＴＸ,ＤＣＭ,ＤＣＪＴなどの材料を用いることができる。また、リン光発光材料とホスト、周辺材料としては、ＰｔＯＥＰ,ＴＰＢＩ,ｂｔｐ2Ｉｒ（ａｃａｃ）,Ｉｒ（ｐｐｙ）3,Ｆｌｒｐｉｃ,ＣＤＢＰ,ｍ−ＣＰ,デンドリマーＩｒ（ｐｐｙ）3,ＴＣＴＡ,ＣＦ−Ｘ,ＣＦ−Ｙなどの材料を用いることができる。
正孔輸送層５０は、有機ＥＬ下部電極３０から注入された正孔を円滑に発光層４８に輸送するためのものであり、厚さが、例えば、約６０ｎｍ程度のＮＰＢ（Ｎ，Ｎ−ジ（ナフタリル）−Ｎ，Ｎ−ジフェニル−ベンジデン）からなる。他の正孔輸送層としては、例えば、α−ＮＰＤを用いることができる。ここで、α−ＮＰＤは、４,４−ビスＮ−（１−ナフチル−１−）[Ｎ−フェニル−アミノ]−ビフェニル（4,4-bis[N-(1-naphtyl-1-)N-phenyl-amino]-biphenyl）と呼ばれる。
正孔輸送層５０を形成する正孔輸送材料の分子構造例としては、ＧＰＤ、spiro-ＴＡＤ、spiro-ＮＰＤ、oxidized-ＴＰＤを適用することができる。さらに別の正孔輸送材料としては、ＴＤＡＰＢ、ＭＴＤＡＴＡなどがある。
下部電極３０は、厚さが、例えば、約１５０ｎｍ程度で、材質がアルミニウムからなる。他の構成材料としては、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔなどを適用可能である。
なお、発光層４８は、上記、正孔輸送層、電子輸送層以外の層、例えば、正孔注入層、電子注入層等を用いて構成しても良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の動作原理は以下の通りである。
まず、下部電極３０および上部電極３８を介して、有機ＥＬ層３６の正孔輸送層５０および電子輸送層４６の間に一定の電圧が印加される。これにより、正孔輸送層５０発光層４８に正孔が注入されるとともに、電子輸送層４６から発光層４８に電子が注入される。そして、発光層４８に注入された正孔と電子とが再結合することによって、白色光を発光する。発光された白色光ｈνは、上部電極３８を透過し、カラーフィルタ４０を介して外部に出力される。
有機ＥＬ層３６を構成する正孔輸送層５０のＨＯＭＯ(Highest Occupied Molecular Orbital)のエネルギー準位の絶対値が有機ＥＬ下部電極の仕事関数の絶対値よりも大きくすると良い。
ここで、ＨＯＭＯのエネルギー準位とは、有機分子の基底状態を表す。また、ＬＵＭＯ(Lowest Unoccupied Molecular Orbital)のエネルギー準位とは、有機分子の励起状態を表す。
ここで、ＬＵＭＯ準位は最低励起一重項準位（Ｓ1）に対応する。さらに電子や正孔が有機物に注入され、ラジカルアニオン（Ｍ−）,ラジカルカチオン（Ｍ+）が形成された場合の正孔および電子の準位は、励起子結合エネルギーが存在しない分、ＨＯＭＯ準位,ＬＵＭＯ準位の外側の位置に電子伝導準位、正孔伝導準位が位置することになる。
また、電子輸送層４６のＬＵＭＯのエネルギー準位の絶対値が上部電極３８の仕事関数の絶対値よりも小さくすれば良い。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、各電極、各層はそれぞれスパッタ、蒸着、塗布などにより成膜される。
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置の構造において、発光層４８と正孔輸送層５０の間、若しくは有機ＥＬ下部電極３０と正孔輸送層５０の間に、ｐ型有機半導体層を介在させてもよい。同様に、発光層４８と電子輸送層４６の間、若しくは上部電極３８と電子輸送層４６の間に、ｎ型有機半導体層を介在させてもよい。
（有機ＥＬ発光装置のブロック構成）
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８の周辺回路を含めた模式的ブロック構成の一例は、図４に示すように、ピクセルアレイ１０と、ピクセルアレイ１０の列方向に隣接して配置されるカラム（Column）ドライバ２０と、カラムドライバ２０の列方向に隣接して配置されるデータラッチ回路１６と、データラッチ回路１６の列方向に隣接して配置される水平シフトレジスタ（Ｈシフトレジスタ）１２と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるロードライバ１８と、ロードライバ１８に隣接して配置される垂直シフトレジスタ（Ｖシフトレジスタ）１４と、ピクセルアレイ１０の行方向に隣接して配置されるＰＮＭドライバ２２とを備える。
カラムドライバ２０には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動するデータ線Ｄ０・Ｄ１・Ｄ２・Ｄ３…が接続される。
データラッチ回路１６は、図４の例では、４ビットの映像データ信号ＲＥＤ[３：０]、ＧＲＥＥＮ[３：０]、およびＢＬＵＥ[３：０]をラッチする回路である。また、データラッチ回路１６は外部信号として、ラッチイネーブル信号ＬＥを入力することで、アクティブになされる。
水平シフトレジスタ１２は、ピクセルアレイ１０を水平方向にスキャンする回路であり、ピクセルクロック信号ＨＣＬＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＨ，水平同期リセット信号ＨＳＹＮＣを受信している。
ロードライバ１８には、ピクセルアレイ１０内のピクセル６を駆動する走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…およびワード線ＷＬが接続される。
垂直シフトレジスタ１４は、ピクセルアレイ１０を垂直方向にスキャンする回路であり、クロック信号ＶＣＫ，シフト／ホールド切替信号ＤＥＶ，垂直同期リセット信号ＶＳＹＮＣを受信する。
ＰＮＭドライバ２２は、走査線Ｋ０・Ｋ１・Ｋ２・Ｋ３・…にＰＮＭ信号ＰＮＭ０・ＰＮＭ１・ＰＮＭ２・ＰＮＭ３…を伝送する。ＰＮＭドライバ２２には、ＰＮＭクロック信号ＲＣＫおよびＰＮＭリセット信号ＲＲＳＴＮが入力される。
また、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置８には、例えば約マイナス５Ｖ程度のディスプレイ電源Ｖdisp、例えば約３．３Ｖ程度のシステム電源ＶＤＤが供給され、かつＶssの共通接地電位も与えられている。
図４のピクセルアレイ１０内の各サブピクセルは、六角形を基本パターンとする構造となっている。なお、各サブピクセルの形状は六角形に限らず、円形・三角形・正方形・八角形などの多角形等であってもよい。
（比較例１）
比較例１のカラーフィルタは、図５に示すように、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８上に、それぞれ相対的に厚い赤色カラーレジスト４０Ｒ・緑色カラーレジスト４０Ｇ・青色カラーレジスト４０Ｂを１層配置している。また、赤色カラーレジスト４０Ｒ・緑色カラーレジスト４０Ｇ・青色カラーレジスト４０Ｂそれぞれの隣接部分に黒色カラーレジスト４０Ｍを配置している。黒色カラーレジスト４０Ｍによって混色を防ぐためのブラックマトリックスが形成されている。
（比較例２）
比較例２に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造であって、ドライエッチングで金属を加工する前の状態は、図３６（ａ）に示すように表され、ドライエッチングで金属を加工した後の状態は、図３６（ｂ）に示すように表され、有機ＥＬ層の上に上部電極が配置された状態は、図３６（ｃ）に示すように表される。
比較例２に係る有機ＥＬ発光装置は、図３６に示すように、側壁部の断面形状がほぼ垂直に近い形状に形成されている。すなわち、図３６（ａ）に示すように、絶縁層６２の上に密着層６８の材料である金属層が積層され、さらに密着層６８上に下部電極３０の材料である金属層が積層される。この状態でリソグラフィーにてパターニングを実施し、図３６（ｂ）に示すように、ドライエッチングで金属層を加工して密着層６８と下部電極３０を形成する。密着層６８の側壁部および下部電極３０の側壁部の断面形状はほぼ垂直に近い形状となっている。さらに、図３６（ｃ）に示すように、下部電極３０の上に有機ＥＬ層３６が配置され、有機ＥＬ層３６の上に上部電極３８が配置される。
比較例２に係る有機ＥＬ発光装置においては、下部電極３０の側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚が非常に薄くなる。そのため、下部電極３０と上部電極３８との間の側壁部Ｓにおいて、ショートが発生する場合がある。
また、比較例２に係る有機ＥＬ発光装置において、光の取出効率を説明するための模式的断面構造は、図３７に示すように表される。この比較例２では、下部電極３０の上面部（主要部分）から発光される光ｈνfの輝度よりも側壁部から発光される光ｈνsの輝度の方が高くなる。
比較例２に係る有機ＥＬ発光装置においては、下部電極３０の上面部（主要部分）よりも側壁部の方が有機ＥＬ層３６の膜厚が薄いため、側壁部の有機ＥＬ層３６に電界が集中し易い。従って、側壁部と上部電極３８間に印加可能な電圧は、上面部と上部電極３８間に印加可能な電圧よりも低くなる。このため、上部電極３８に電圧が印加されると、上面部（主要部分）から発光される光ｈνfの輝度は、側壁部から発光される光ｈνsの輝度に比べて、相対的に低下する。
［第１の実施の形態］
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
（積層カラーフィルタ）
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタは、図６に示すように、表面に有機ＥＬ層３６および上部電極３８を有する基板と、基板上に配置された赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１・４０Ｒ２）と、基板上に配置された緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１・４０Ｇ２）と、基板上に配置された青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３）とを備える。ここで、赤色カラーフィルタ４０Ｒ、緑色カラーフィルタ４０Ｇおよび青色カラーフィルタ４０Ｂの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で積層されて形成される。また、基板は、半導体ウェハ６０（図１７参照）などで形成可能である。また、基板は、ガラス基板であっても良く、ガスバリア付プラスチックフィルムなどのフレキシブル基板を採用することもできる。尚、図６においては、上部電極３６上にカラーレジスト４０Ｇ・４０Ｒ・４０Ｂが形成されているが、後述する図１７に示すように、上部電極３６上に配置されたシール層４４上に形成しても良い。
また、図６に示すように、青色カラーフィルタ４０Ｂの層数が赤色カラーフィルタ４０Ｒ又は緑色カラーフィルタ４０Ｇの層数よりも多く形成されていても良い。
また、赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１・４０Ｒ２）が２層、緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１・４０Ｇ２）が２層、青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３）が３層で形成されていても良い。
ここで、赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３の各層の膜厚は、例えば、約１ミクロン以下である。
また、青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１＋４０Ｂ２＋４０Ｂ３）の膜厚は、赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１＋４０Ｒ２）又は緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１＋４０Ｇ２）の膜厚よりも薄くなされていても良い。
また、赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３のレジストパターン寸法は、平面視において、約１０ミクロン以下である。
なお、マイクロディスプレイにおいて、カラーフィルタ４０Ｂ、４０Ｇ、４０Ｒを搭載するサブピクセルの幅は、例えば約１μｍ〜約２０μｍ、第２電極３８とカラーフィルタ４０Ｂ、４０Ｇ、４０Ｒを重ねた厚さは、例えば、約１μｍ〜約１００μｍである。
（カラーフィルタの重なり効果）
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの重なり効果を説明するための模式的平面パターン構成は、図７に示すように表され、図７のＩ−Ｉ線に沿う模式的断面構造は、図８に示すように表される。図７は、矩形状の１ピクセルに対して、サブピクセル上に赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１・４０Ｒ２）・青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２．４０Ｂ３）・緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１・４０Ｇ２）を互いに重ね合わせて配置した例を示す。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、図７および図８に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２．４０Ｂ３のうち、隣接するカラーフィルタ同士が隣接部分ＴRB・ＴBGにおいて垂直方向に重なっていても良い。ここで、隣接部分ＴRB・ＴBGの水平方向の幅は、例えば、約０．８ミクロン〜約１．２ミクロンである。
また、第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、図７および図８に示すように、隣接するカラーフィルタ同士が異なる色になるように配置されていることが望ましい。
また、第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、図８に示すように最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なっていることが望ましい。例えば、図８の例では、最も多層に配置されるカラーフィルタ４０Ｂ１から順に異なる色のカラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｇ１・４０Ｂ２・４０Ｒ２・４０Ｇ２・４０Ｂ３が交互に重なって配置されている。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、混色が生じることを防ぐため、ブラックマトリックスを形成することなく、カラーフィルタの重なり効果によって、隣接するサブピクセル間に、ブラックマトリックスと同等の色分離用の隣接部分ＴRB・ＴBGを形成している。
図７および図８に示すように、隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分ＴRB・ＴBGにおいて垂直方向に重なっている。ここでいう垂直方向は、図８の上下方向を意味する。
具体的には、赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１・４０Ｒ２）と青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２．４０Ｂ３）とは、隣接部分ＴRBにおいて垂直方向に重なっている。また、青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２．４０Ｂ３）と緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１・４０Ｇ２）とは、隣接部分ＴBGにおいて垂直方向に重なっている。
赤色カラーフィルタ４０Ｒ・青色カラーフィルタ４０Ｂ・緑色カラーフィルタ４０Ｇが配置されたサブピクセルのパターン幅ＷR・ＷB・ＷGは、ぞれぞれ、例えば、約４．５ミクロン程度である。また、更に微細化されて、サブピクセルのパターン幅ＷR・ＷB・ＷGは、約３ミクロン・約４ミクロン・約３ミクロンであっても良い。この場合、例えば、約０．８ミクロン〜約１．２ミクロン程度の幅で隣接部分ＴRB・ＴBGを重ねるのが望ましい。隣接部分ＴRB・ＴBGは、ブラックマトリックスと同等の役割を果たし、混色を防止すことができる。
あるサブピクセルのカラーフィルタから漏れた光が隣接するサブピクセルのカラーフィルタを通過すると、混色（クロストーク）が生じる。混色は、ディスプレイの画質やＮＴＳＣ比（色域）等を低下させる原因となる。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、図８に示すように、例えば、赤色カラーフィルタ４０Ｒが配置された有機ＥＬ層３６の内部から発光された光は、実線の矢印で表され、青色カラーフィルタ４０Ｂ（４０Ｂ１・４０Ｂ２．４０Ｂ３）には到達しない。図８において、破線部分は、光が透過しないことを示している。すなわち、隣接部分ＴRBによって、遮断されるため、ＲＢ間の混色を防止することができる。隣接部分ＴBGにおいても同様に、遮断されるため、ＢＧ間の混色を防止することができる。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいて、赤色カラーフィルタ・緑色カラーフィルタ・青色カラーフィルタの光の吸収率と波長との関係は、図９に示すように、それぞれ曲線Ｒ・Ｇ・Ｂで模式的に表される。
図９に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒは、赤色の光を通過させ、その他の色の光を吸収する。また、緑色カラーフィルタ４０Ｇは、緑色の光を通過させ、その他の色の光を吸収する。さらに、青色カラーフィルタ４０Ｂは、青色の光を通過させ、その他の色の光を吸収する。そのため、２色のカラーフィルタを通過させれば、殆どの波長領域において光の吸収率がほぼ１００％となり、殆どの色の光を吸収することができる。すなわち、２色のカラーフィルタを通過させれば、殆どの色の光を吸収することができる。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、図９に示すように、カラーフィルタの重なり効果によって、ブラックマトリックスと同等の色分離効果を発揮することが可能となる。
図８では、矩形を基本パターンとするピクセル構造を示したが、既に説明した通り、他の形状を基本パターンとすることもできる。
６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図１０に示すように表される。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタは、図１０に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが６角形を基調とするパターンを備えていても良い。ここで、図１０に示すように、６角形の各頂点部分においては、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが重なっている。矩形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が同じ色になることがあるのに対して、６角形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が必ず異なる色になるように配置することができる。そのため、６角形を基本パターンとすれば、矩形を基本パターンとする場合と比較して、より精度よく混色を防ぐことが可能である。
（積層カラーフィルタの形成方法）
以下、図６を用いて第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタの形成方法を説明する。
赤色カラーフィルタ４０Ｒ（４０Ｒ１・４０Ｒ２）の形成方法は次の通りである。まず、図６に示すように、上部電極３８上に赤色カラーレジスト４０Ｒ１を薄い膜厚（例えば１ミクロン）で塗布し、露光・現像する。このとき、紫外光は、膜厚方向に十分に届くため、所定の硬化を得ることができる。その後、再度、赤色カラーレジスト４０Ｒ１の上に赤色カラーレジスト４０Ｒ２を薄い膜厚（例えば、約１ミクロン）で塗布し、露光・現像する。このときも、一層目と同様、所定の硬化を得ることができる。
緑色カラーフィルタ４０Ｇ（４０Ｇ１・４０Ｇ２）の形成方法も同様である。まず、上部電極３８上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１を薄い膜厚（例えば、約１ミクロン）で塗布し、露光・現像する。その後、再度、緑色カラーレジスト４０Ｇ１の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ２を薄い膜厚（例えば、約１ミクロン）で塗布し、露光・現像する。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタにおいては、赤色カラーフィルタ４０Ｒ１・４０Ｒ２および緑色カラーフィルタ４０Ｇ１・４０Ｇ２が２層であるのに対して、青色カラーフィルタ４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３は３層に形成されている。青色カラーレジストは、他の赤色カラーレジストや緑色カラーレジストと比較して、硬化しにくいため、他の赤色カラーレジストや緑色カラーレジストよりも重ね回数を増やしている。
まず、上部電極３８上に青色カラーレジスト４０Ｂ１を薄い膜厚（例えば、約０．８ミクロン）で塗布し、露光・現像する。その後、再度、青色カラーレジスト４０Ｂ１の上に青色カラーレジスト４０Ｂ２を薄い膜厚（例えば、約０．８ミクロン）で塗布し、露光・現像する。さらに、青色カラーレジスト４０Ｂ２の上に青色カラーレジスト４０Ｂ３を薄い膜厚（例えば、約０．８ミクロン）で塗布し、露光・現像する。
このような重ね塗りの方法は、微細（特に、平面視において、約１０ミクロン以下）のレジストパターンを得るのに有効である。すなわち、レジスト形状が大きいと、レジスト底面の硬化が不十分になる場合がある。この場合でも、現像時にかろうじてレジストが残っていれば、後に熱で再硬化することができるので、所定の光透過性および光選択性を得ることが可能である。
特に、露光機がステッパー（縮小露光方式）である場合のように、使用する光源が限られている場合、硬化を効果的に行うことが難しい。この重ね塗りの方法によれば、ステッパーを用いても、所定のパターンを形成することができるので、例えば、約５ミクロン以下の極微細パターンでも形成することが可能になる。
又、この重ね塗りの方法によれば、光硬化に使用する紫外線量を減らすことができる。そのため、カラーレジスト以外のパターンに及ぼす影響を小さくすることが可能になる。
（変形例１）
第１の実施の形態の変形例１に係る積層カラーフィルタは、図１１に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２を２層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２・４０Ｇ３を３層、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２を２層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約１ミクロン以下であればよい。ここでは、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２・４０Ｇ３が最も多層であるため、緑色カラーレジスト４０Ｇ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第１の実施の形態の変形例１に係る積層カラーフィルタにおいては、各カラーフィルタを相対的に薄く形成可能できるため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能である。
（変形例２）
第１の実施の形態の変形例２に係る積層カラーフィルタは、図１２に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２・４０Ｒ３を３層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２を２層、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２を２層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約１ミクロン以下であればよく、特に限定されるものではない。ここでは、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２・４０Ｒ３が最も多層であるため、赤色カラーレジスト４０Ｒ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第１の実施の形態の変形例２に係る積層カラーフィルタにおいては、各カラーフィルタを相対的に薄く形成可能であるため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能である。
（変形例３）
第１の実施の形態の変形例３に係る積層カラーフィルタは、図１３に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１を１層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１を１層、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２を２層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約１ミクロン以下であればよい。ここでは、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２が最も多層であるため、青色カラーレジスト４０Ｂ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第１の実施の形態の変形例３に係る積層カラーフィルタにおいては、各カラーフィルタを相対的に薄く形成可能であるため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能である。
（変形例４）
第１の実施の形態の変形例４に係る積層カラーフィルタは、図１４に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１を１層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２を２層、青色カラーレジスト４０Ｂ１を１層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約１ミクロン以下であればよい。ここでは、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２が最も多層であるため、緑色カラーレジスト４０Ｇ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第１の実施の形態の変形例４に係る積層カラーフィルタにおいては、各カラーフィルタを相対的に薄く形成可能であるため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能である。
（変形例５）
第１の実施の形態の変形例５に係る積層カラーフィルタは、図１５に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２を２層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１を１層、青色カラーレジスト４０Ｂ１を１層備える。各カラーレジストそれぞれの膜厚は、例えば、約１ミクロン以下であればよい。ここでは、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２が最も多層であるため、赤色カラーレジスト４０Ｒ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねている。
第１の実施の形態の変形例５に係る積層カラーフィルタにおいては、各カラーフィルタを相対的に薄く形成可能であるため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能である。
（変形例６）
第１の実施の形態の変形例６に係る積層カラーフィルタは、図１６に示すように、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２を２層、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２を２層、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３を３層備える。赤色カラーレジスト４０Ｒ１、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ１それぞれの隣接部分に黒色カラーレジスト４０Ｍを備える。この黒色カラーレジスト４０Ｍは、混色が生じることを防ぐためのブラックマトリックスの役割を果たす。
第１の実施の形態の変形例６に係る積層カラーフィルタにおいては、赤色カラーフィルタ４０Ｒ１、緑色カラーフィルタ４０Ｇ１、および青色カラーフィルタ４０Ｂ１それぞれの隣接部分に混色防止用の黒色カラーレジスト４０Ｍが配置されていても良い。
第１の実施の形態の変形例６に係る積層カラーフィルタにおいては、隣接するカラーフィルタ同士を垂直方向に重ねて形成しなくてもよい。黒色カラーレジスト４０Ｍの厚さは、例えば、約０．８ミクロン程度でよい。
第１の実施の形態の変形例６に係る積層カラーフィルタにおいては、黒色カラーレジスト４０Ｍを備えるため、隣接するカラーフィルタ同士を垂直方向に重ねなくても、混色を防止することができる。
なお、カラーフィルタ４０の膜厚や層数、および平面視における配置パターンは、第１の実施の形態およびその変形例１〜６で例示したものに限定されない。膜厚を薄くして層数を増やすほど性能を向上させることができる。
また、第１の実施の形態およびその変形例１〜６に係る積層カラーフィルタにおいては、主として有機ＥＬディスプレイ装置への搭載を例示したが、これに限定されるものではなく、有機ＥＬ照明装置など、有機ＥＬを用いる様々な有機ＥＬ発光装置に適用することが可能である。
（有機ＥＬ発光装置）
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置は、図１〜図４に示された基本構成と同様に、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置された赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂとを１つのピクセル６に備える。ここで、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている。第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置は、ＬＳＩ上に有機ＥＬ素子を形成し、カラーレジストで色を分光するマイクロディスプレイに適用することができる。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図１７に示すように表される。
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、基板５８は、Ｓｉウェハ、ガラス、ガスバリア付プラスチックフィルムなどで構成される。ここで、基板５８は、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置においては、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成されたＳｉウェハである。また、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるＬＳＩが形成されたガラス基板であっても良い。
すなわち、図１７に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成された半導体ウェハ６０上に赤色・緑色・青色用の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇが配置されている。
下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇは、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属若しくはこれらの合金（ＡｌＣｕなど）で形成可能である。また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇは、酸化させた際に、正孔注入材料になる陽極材料であっても良い。酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯとなる。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇと半導体ウェハ６０との密着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗなどが挿入されていても良い。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇ上には、例えば、白色光を発光する有機ＥＬ層３６が配置されている。白色は、水色と黄色の組み合わせで形成されていても良い。
さらに、有機ＥＬ層３６上には、上部電極３８や、有機ＥＬ素子を水や酸素から保護するシール層４４が配置されている。
また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの金属薄膜（厚さ約０．１ｎｍ〜約５０ｎｍ）やＩＴＯ、ＩＺＯ（厚さ約１ｎｍ〜約５００ｎｍ）などの透明電極（金属酸化膜）で構成される。
シール層４４の材質としては、ガラス、或いはセラミック等を用いる。また、シール層４４は、熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。シール層４４は、硫黄原子を含む高分子材料などで形成することもできる。また、シール層４４は、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどで形成可能である。
さらに、シール層４４上には、例えば、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３が配置されている。ここで、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、および青色カラーレジストごとに膜厚や層数が異なる場合は、カラーレジストの上面に凹凸が生じる。そのため、これらカラーレジストの上には、平坦化のため、顔料を含まない透明保護膜（透明レジスト）４２が配置されている。
（断面ＳＥＭ写真）
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図１８に示すように表される。図１８においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
第１の実施の形態に係る積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図１９に示すように表される。また、図１９の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図２０に示すように表され、図２０の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図２１に示すように表される。図２１は、図２０の写真に輪郭線を加えたものである。
図１９に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に下部電極３０を介して有機ＥＬ層３６が積層化され、有機ＥＬ層３６上にシール層４４を介して、さらにカラーフィルタ４０と透明保護膜４２が配置されている。
図２１に示すように、青色カラーレジスト４０Ｂ１の端部の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１の端部が重なっている。同様に、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ２、青色カラーレジスト４０Ｂ３の順に端部が重なっている。緑色カラーレジスト４０Ｇ２と青色カラーレジスト４０Ｂ３の上には透明保護膜４２が配置され、平坦化されている。
ここでは、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３が最も多層であるため、青色カラーレジスト４０Ｂ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねているが、カラーレジストを重ねる順番はこれに限定されるものではない。ただし、同じ色のカラーレジストを連続して重ねるよりも、異なる色のカラーレジストを交互に重ねる方が製造が容易であり、また、色分離性能を向上させることができる。
以上のように、第１の実施の形態では、カラーフィルタ４０を複数層の薄膜で形成しているので、全体としてのカラーフィルタの膜厚を厚く形成しても密着性は問題にならない。そのため、光透過性を損なうことなく光選択性を向上させることが可能である。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置された下部電極３０と、下部電極３０上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、上部電極３８上に配置された赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂとを１つのピクセル６に備える有機ＥＬ発光装置において、カラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と、再度、その上に同色のカラーレジストを塗布し、露光・現像する工程とを有する。ここで、カラーフィルタ４０Ｒ・４０Ｇ・４０Ｂの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されている。
第１の実施の形態では、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、青色カラーレジストを重ね塗りすることで、カラーフィルタ４０を複数層の薄膜で形成するようにしている。赤色カラーレジストは、青色および緑色を吸収する顔料を含んでいる。緑色カラーレジストは、青色および赤色を吸収する顔料を含んでいる。青色カラーレジストは、緑色および赤色を吸収する顔料を含んでいる。
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法において、青色カラーフィルタの層数を赤色カラーフィルタ又は緑色カラーフィルタの層数よりも多く形成しても良い。
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法において、赤色カラーフィルタを２層、緑色カラーフィルタを２層、青色カラーフィルタを３層形成しても良い。
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法において、赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、青色カラーフィルタの隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なるように形成しても良い。
また、第１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法において、最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なるように形成しても良い。
以上説明したように、本発明によれば、光透過性を損なうことなく光選択性を向上可能な積層カラーフィルタ、およびこの積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[第２の実施の形態]
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
以下、図２２〜図２４を用いて第２の実施の形態を説明する。
（有機ＥＬ発光装置）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置されたアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂと、アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に共通に配置された上部電極３８と、基板５８上に配置され、上部電極３８に直接コンタクトされるカソードＶＩＡ電極７０Ｃとを備える。
なお、ここでは、赤色（Red）用の下部電極３０Ｒと青色（Blue）用の下部電極３０Ｂを図示して説明するが、緑色（Green）用の下部電極３０Ｇについても同様である。もちろん、緑色用の下部電極３０Ｇは緑色用のアノードＶＩＡ電極７０Ｇ上に配置され、緑色用のアノードＶＩＡ電極７０Ｇは緑色用の駆動回路３４Ｇ上に配置されている。
また、上部電極３８は共通電極として形成されている。
第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、基板５８は、Ｓｉウェハ、ガラス、ガスバリア付プラスチックフィルムなどで構成される。ここで、基板５８は、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置においては、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成されたＳｉウェハである。また、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるＬＳＩが形成されたガラス基板であっても良い。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの下部に基板５８との密着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗが挿入されていても良い。図示は省略されているが、下部電極３０Ｇについても同様である。
また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの金属薄膜（厚さ約０．１ｎｍ〜約５０ｎｍ）やＩＴＯ、ＩＺＯ（厚さ約１ｎｍ〜約５００ｎｍ）などの透明電極（金属酸化膜）で構成される。
（製造方法）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置されたアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂと、アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に共通に配置された上部電極３８と、基板５８上に配置され、上部電極３８に直接コンタクトされるカソードＶＩＡ電極７０Ｃとを備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、基板５８上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂとともにダミー下部電極３０Ｃを形成する工程と、ダミー下部電極３０Ｃを除去する工程と、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成する工程と、カソードＶＩＡ電極７０Ｃに直接コンタクトされるように有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する工程とを有する。図示は省略されているが、下部電極３０Ｇについても同様にダミー下部電極３０Ｃが形成・除去される。
（製造方法：比較例３）
比較例３に係る有機ＥＬ発光装置のピクセルアレイ１０とその周辺を示す平面レイアウトパターン構成は、図２２に示すように表される。図面上、ピクセルアレイ１０の右側にＬＳＩコンタクト部８０が配置されている。ＬＳＩコンタクト部８０は、上部電極３８をＣＭＯＳＬＳＩ６００の配線に接続する部分である。この平面レイアウトパターン構成（図２２）は、比較例３だけでなく第２〜第５の実施の形態についても同様である。
比較例３に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２３に示すように表される。
図２３に示すように、ピクセルアレイ１０の絶縁層６２上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する。このとき、ＬＳＩコンタクト部８０の絶縁層６２上にもダミー下部電極３０Ｃを形成する。ダミー下部電極３０Ｃは、下部電極３０Ｒ・３０Ｂとともに形成されるが、カソードＶＩＡ電極７０Ｃとコンタクトをとるだけの金属材料である。以下では、下部電極３０Ｒ・３０Ｂとダミー下部電極３０Ｃとを一括して「下部電極３０」という場合がある。
その後、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成し、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する。上部電極３８は、ＬＳＩコンタクト部８０においてダミー下部電極３０Ｃと接するようになっている。
この比較例３によると、上部電極３８にマグネシウム銀合金（ＭｇＡｇ）を用い、下部電極３０にモリブデン（Ｍｏ）を用いた場合は、上部電極３８と下部電極３０の密着性が悪くなる。Ｍｏ以外にＭｇＡｇと密着性がない金属材料としては、Ｃｒ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｉｒがある。上部電極３８と下部電極３０の密着性が悪い場合はコンタクト抵抗が高くなり、有機ＥＬ素子の発光性能が劣化する。
（製造方法：具体例）
第２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２４に示すように表される。
図２４に示すように、ピクセルアレイ１０の絶縁層６２にアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂを形成し、ＬＳＩコンタクト部８０の絶縁層６２にカソードＶＩＡ電極７０Ｃを形成する。アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂは配線３２Ｒ・３２Ｂに接続され、カソードＶＩＡ電極７０Ｃは配線３２Ｃされる。
ここで、絶縁層６２は、基板５８がＳｉウェハの場合には、基板５８の表面に形成されたシリコン酸化膜などである。また、基板５８が、ガスバリア付プラスチックフィルム、ガラス基板などで構成される場合には、絶縁層６２そのものが、プラスチックフィルム、ガラス基板などで構成可能である。
次いで、ピクセルアレイ１０の絶縁層６２上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する。具体的には、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの材料となる金属を製膜、フォトリソ、ドライエッチングによりパターニングし、アッシングによりレジストを除去する。このとき、ＬＳＩコンタクト部８０の絶縁層６２上にもダミー下部電極３０Ｃを形成する。下部電極３０Ｒ・３０Ｂやダミー下部電極３０Ｃの厚さは、例えば、約４０ｎｍである。
その後、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ形成時にダミー下部電極３０Ｃをエッチングして除去し、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成し、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する。このとき、図２４に示すように、ＬＳＩコンタクト部８０において上部電極３８をカソードＶＩＡ電極７０Ｃに直接コンタクトさせる。ここでいう「直接」とは、言い換えると「ダミー下部電極３０Ｃを介在させずに」という意味である。最後に、上部電極３８上に封止膜４７を形成すると、有機ＥＬ素子が作成される。
以上のように、第２の実施の形態では、上部電極３８をカソードＶＩＡ電極７０Ｃに直接コンタクトさせている。そのため、上部電極３８と下部電極３０の密着性が悪い場合でも、カソードＶＩＡ電極７０Ｃと上部電極３８の密着性が良ければコンタクト抵抗を低く抑えられ、有機ＥＬ素子の発光特性を改善することが可能となる。これにより、上部電極３８と密着性が悪い材料でも下部電極３０として使用可能であり、下部電極３０の選択肢が広がる。
第２の実施の形態によれば、発光性能が向上し、かつ製造歩留まりを向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[第３の実施の形態]
以下、図２５〜図２８を用いて第３の実施の形態を説明する。
下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面がプロセスや大気中の有機物により汚染されたり、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面の有機物に対する濡れ性が高くなる場合がある。このような場合、有機ＥＬ層３６の粒径が大きくなり、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが高くなる。そのため、非駆動画素が発光し、有機ＥＬ素子の発光性能が劣化する。
（製造方法：電極形成方法）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置されたアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂと、アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に共通に配置された上部電極３８と、基板５８上に配置されたカソードＶＩＡ電極７０Ｃとを備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、基板５８を準備する工程と、基板５８上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する工程と、基板表面を処理する工程と、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成する工程と、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する工程とを有する。図示は省略されているが、下部電極３０Ｇについても同様に表面処理されている。
（製造方法：具体例）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図２２のＩＩ−ＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図２５および図２６（ａ）に示すように表される。また、図２６（ａ）中のＰ部分の模式的拡大構造は、図２６（ｂ）に示すように表される。
図２５に示すように、配線３２Ｒ・３２Ｂに接続するアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂを絶縁層６２に形成した後、下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する。ここで、有機ＥＬ層３６を形成する工程の前に、基板表面を処理する工程（例えば、Ｏ２プラズマやＵＶオゾンにより処理する工程）を追加する。
これにより、図２６に示すように、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面に金属酸化膜３０１が形成される。例えば、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの材料がＭｏである場合、金属酸化膜３０１はＭｏＯ２やＭｏＯ３である。金属酸化膜３０１の膜厚は、基板表面を処理する条件を適宜調整して適切な膜厚に制御される。このような金属酸化膜３０１を形成することで、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面の汚染物を除去し、また下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面の有機物に対する濡れ性を低くすることができる。その結果、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが低減されるので、有機ＥＬ素子の発光特性を改善することが可能となる。
（下部電極間のリーク電流）
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲと、比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲとを示すグラフは、図２７に示すように表される。
図２７のグラフにおいて、縦軸は下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲ（Ａ／ｐｉｘｅｌ）である。横軸は陰極印加電圧ＶＫ（Ｖ）であり、右側ほど大きな電圧値を表している。曲線Ａは第３の実施の形態、曲線Ｂは比較例３、符号Ｃは目標値を意味する。このグラフに示すように、第３の実施の形態（曲線Ａ）によれば、比較例３（曲線Ｂ）よりもリーク電流ＩＲが低減され、目標値Ｃに近づいている。
以上のように、第３の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する工程と有機ＥＬ層３６を形成する工程との間に、基板表面を処理する工程を有している。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面に金属酸化膜３０１が形成されるため、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面の汚染物を除去し、また下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面の有機物に対する濡れ性を低くすることができる。その結果、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが低減されるので、有機ＥＬ素子の発光特性を改善することが可能となる。
第３の実施の形態によれば、発光性能が向上し、かつ製造歩留まりを向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲと陰極印加電圧ＶＫを説明するための模式的断面構造は、図２８に示すように表される。
図２８に示すように、リーク電流ＩＲは、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間を流れる電流である。
陰極印加電圧ＶＫは、有機ＥＬ層３６の電子輸送層４６および正孔輸送層５０を介して、上部電極３８と下部電極３０Ｒ・３０Ｂとの間に印加される電圧である。
図２７より、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間を流れる電流ＩＲは、陰極印加電圧ＶＫによって制御可能であることがわかる。すなわち、下部電極３０Ｒ・３０Ｂをソース・ドレインとし、上部電極３８をゲートもしくはバックゲートとし、有機ＥＬ層３６の正孔輸送層５０をチャネルとするｐチャンネルトランジスタが形成可能である。このようなＭＯＳトランジスタは、第３の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の駆動回路、制御回路用のトランジスタとして利用可能である。
[第４の実施の形態]
以下、図２９〜図３０を用いて第４の実施の形態を説明する。
（有機ＥＬ発光装置）
第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、基板５８と、基板５８上に配置された駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂと、駆動回路３４Ｒ・３４Ｇ・３４Ｂ上に配置されたアノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂと、アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｂ上に配置され、表面に金属酸化膜３０１を有する下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に共通に配置された上部電極３８と、基板５８上に配置されたカソードＶＩＡ電極７０Ｃとを備える。ここで、下部電極３０Ｒ・３０Ｂは、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であり、その表面に大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により形成された金属酸化膜３０１を有する。下部電極３０Ｇについても同様である。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂは、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であってもよい。下部電極３０Ｇについても同様である。
また、金属酸化膜３０１は、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面に大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により形成されてもよい。下部電極３０Ｇについても同様である。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂは、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎのいずれかで形成されていてもよい。すなわち、酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎ、Ｗなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯ、ＷＯxとなる。下部電極３０Ｇについても同様である。
下部電極３０Ｒ・３０Ｂは、Ｍｏ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｔなど高反射率金属で構成することもできる。また、上記高反射率金属を主体とする合金（ＡｌＣｕなど）で構成するようにしてもよい。下部電極３０Ｇについても同様である。
（製造方法：電極形成方法）
第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法では、下部電極３０Ｒ・３０Ｂは、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料である。下部電極３０Ｇについても同様である。
また、基板表面を処理する工程は、大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面を酸化させる工程を含んでもよい。下部電極３０Ｇについても同様である。
（製造方法：比較例３）
比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図２９に示すように表される。
図２９に示すように、絶縁層６２上に下部電極３０の材料である金属層を製膜し、この金属層上に金属酸化膜３１を真空蒸着またはスパッタにて製膜する。さらに、金属酸化膜３１上に有機ＥＬ層３６を形成し、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成し、上部電極３８上に封止膜４７を形成する。この比較例３によると、金属酸化膜３１を形成する装置は真空装置であるため、基板５８の大型化に対応するのが困難であり、また高価となる。
（製造方法：具体例）
第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図３０（ａ）に示すように表される。また、第４の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するためのＳｉウェハ１００の模式的平面構造は、図３０（ｂ）に示すように表される。
図３０（ａ）に示すように、絶縁層６２上に下部電極３０の材料である金属層を製膜し、ホットプレートやオーブンで大気中熱処理またはＵＶオゾン処理する。大気中熱処理は、例えば、約１３０℃〜約１８０℃で、例えば、約１０分〜約１時間、ＵＶオゾン処理も、例えば、約１０分〜約１時間行うのが望ましい。このような大気中熱処理またはＵＶオゾン処理は、図３０（ｂ）に示すように、Ｓｉウェハ１００に多数のピクセルアレイ１０が配置されている状態で行う。これにより、下部電極３０の材料である金属層の表面を酸化させ、正孔注入材料となる金属酸化膜３０１を形成することができる。
すなわち、下部電極３０は、酸化させた際に、正孔注入材料になる陽極材料とする。酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯとなる。
図示は省略されているが、金属酸化膜３０１を形成した後、金属酸化膜３０１上に有機ＥＬ層３６を形成する。さらに、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成し、上部電極３８上に封止膜４７を形成する。
以上のように、第４の実施の形態では、下部電極３０は、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であり、その表面に大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により形成された金属酸化膜３０１を有する。これにより、金属酸化膜３１を形成するのに真空装置を使用する必要がなく、基板５８の大型化に対応するのが容易で安価となる。
第４の実施の形態によれば、発光性能が向上し、かつ製造歩留まりを向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[第５の実施の形態]
以下、図３１〜図３５を用いて第５の実施の形態を説明する。
（有機ＥＬ発光装置）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面に正孔注入材料が形成されている。図示は省略されているが、下部電極３０Ｇの表面にも正孔注入材料が形成されている。
また、正孔注入材料は、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの金属酸化膜３０１であってもよい。図示は省略されているが、下部電極３０Ｇについても同様である。
また、有機ＥＬ発光装置のピクセルアレイ１０内の各サブピクセル間にＭＯＳトランジスタが形成されている。
また、このようなＭＯＳトランジスタは、ピクセルアレイ１０の駆動用トランジスタであってもよい。
（製造方法：比較例３）
比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図３１（ａ）に示すように表される。また、図３１（ａ）中のＱ部分の模式的拡大構造は、図３１（ｂ）に示すように表される。
図３１に示すように、絶縁層６２上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成し、その上面の全体に正孔注入材料３０１ａを製膜する。さらに、正孔注入材料３０１ａ上に有機ＥＬ層３６を形成し、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成し、上部電極３８上に封止膜４７を形成する。この比較例３によると、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間の正孔注入材料３０１ａにより下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが高くなる。そのため、非駆動画素が発光し、有機ＥＬ素子の発光性能が劣化する。
（製造方法：具体例）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法を説明するための模式的断面構造は、図３２（ａ）に示すように表される。また、図３２（ａ）中のＲ部分の模式的拡大構造は、図３２（ｂ）に示すように表される。
図３２に示すように、絶縁層６２上に下部電極３０Ｒ・３０Ｂを形成する。このとき、正孔注入材料を下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面に形成する。具体的には、下部電極３０Ｒ・３０Ｂとして、酸化させた際に正孔注入材料となる金属材料（例えば、Ｍｏ，Ｖ）を使用し、これをパターニングする。その後、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの表面を酸化させ、正孔注入材料となる金属酸化膜３０１を形成する。さらに、金属酸化膜３０１上に有機ＥＬ層３６を形成し、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成し、上部電極３８上に封止膜４７を形成する。
これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間に正孔注入材料が形成されない。そのため、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが低減されるので、有機ＥＬ素子の発光特性を改善することが可能となる。
（下部電極間のリーク電流）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲと、比較例３に係る有機ＥＬ発光装置の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲとを示すグラフは、図３３に示すように表される。
図３３のグラフにおいて、縦軸は下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲ（Ａ／ｐｉｘｅｌ）である。横軸は陽極（下部電極３０Ｒ・３０Ｂ）間印加電圧（Ｖ）である。点線で描いた曲線は比較例３、実線で描いた曲線は第５の実施の形態を表している。このグラフに示すように、第５の実施の形態によれば、比較例３よりもリーク電流ＩＲが低減されている。
（ＭＯＳトランジスタ）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの表面に正孔注入材料となる金属酸化膜３０１が形成されている。
下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間を流れる電流ＩＲは、陰極印加電圧ＶＫによって制御可能である。すなわち、下部電極３０Ｒ・３０Ｂをソース・ドレインとし、上部電極３８をゲートもしくはバックゲートとし、有機ＥＬ層３６の正孔輸送層５０をチャネルとするｐチャンネルトランジスタが形成可能である点は、第３の実施の形態において説明した通りである。また、このようなＭＯＳトランジスタは、ピクセルアレイ１０の駆動用トランジスタとして利用可能である。
（積層カラーフィルタ）
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に搭載され、６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図３４に示すように表される。
第５の実施の形態に係る積層カラーフィルタは、図３４に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが６角形を基調とするパターンを備えていても良い。ここで、図３４に示すように、６角形の各頂点部分においては、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが重なっている。矩形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が同じ色になることがあるのに対して、６角形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が必ず異なる色になるように配置することができる。そのため、６角形を基本パターンとすれば、矩形を基本パターンとする場合と比較して、より精度よく混色を防ぐことが可能である。
第５の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置において、図３４のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う模式的断面構造は、図３５に示すように表される。
図３５において、配線３２Ｒ・３２Ｇ・３２Ｂは、それぞれ赤色（Red）、緑色（Green）、青色（Blue）用の配線３２を示す。アノードＶＩＡ電極７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色用のアノードＶＩＡ電極７０Ｂを示す。下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色用の下部電極３０を示す。下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂそれぞれの表面に金属酸化膜３０１が形成され、その上に有機ＥＬ層３６、上部電極３８、封止膜４７が形成されている。封止膜４７上には赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが形成され、さらにその上に透明保護膜４２が配置されている。
以上のように、第５の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの表面に正孔注入材料が形成されている。すなわち、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間に正孔注入材料が形成されない。その結果、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間のリーク電流ＩＲが低減されるので、有機ＥＬ素子の発光特性を改善することが可能となる。
第５の実施の形態によれば、発光性能が向上し、かつ製造歩留まりを向上可能な有機ＥＬ発光装置およびその製造方法を提供することができる。
[断面ＳＥＭ写真]
積層カラーフィルタを搭載した第２〜第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図１８に示すように表される。図１８においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
積層カラーフィルタを搭載した第２〜第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図１９に示すように表される。また、図１９の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図２０に示すように表され、図２０の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図２２に示すように表される。図２２は、図２０の写真に輪郭線を加えたものである。
図１９に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に下部電極３０を介して有機ＥＬ層３６が積層化され、有機ＥＬ層３６上にシール層４４を介して、さらにカラーフィルタ４０と透明保護膜４２が配置されている。
図２１に示すように、青色カラーレジスト４０Ｂ１の端部の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１の端部が重なっている。同様に、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ２、青色カラーレジスト４０Ｂ３の順に端部が重なっている。緑色カラーレジスト４０Ｇ２と青色カラーレジスト４０Ｂ３の上には透明保護膜４２が配置され、平坦化されている。
ここでは、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３が最も多層であるため、青色カラーレジスト４０Ｂ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねているが、カラーレジストを重ねる順番はこれに限定されるものではない。ただし、同じ色のカラーレジストを連続して重ねるよりも、異なる色のカラーレジストを交互に重ねる方が製造が容易であり、また、色分離性能を向上させることができる。
[第６の実施の形態]
基本構成に係る有機ＥＬ発光装置と同様の構成については、同一符号を付して詳細な説明は省略する。なお、以下の説明では、カラーレジストとカラーフィルタとを特に区別することなく同じ符号を用いる。
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図３８に示すように表され、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造は、図３９に示すように表される。
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図３８および図３９に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備える。ここで、密着層６８Ｒ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ・３０Ｂの側壁部がテーパ形状を有する。
具体的には、密着層６８Ｒ・６８Ｂおよび下部電極３０Ｒ・３０Ｂの側壁部が同じテーパ角度を有する。このテーパ角度は特に限定されるものではないが、例えば３０°である。
また、下部電極３０の材料である金属層はモリブデン（Ｍｏ）であってもよい。
第１実施例に係る有機ＥＬ発光装置において、基板５８は、Ｓｉウェハ、ガラス、ガスバリア付プラスチックフィルムなどで構成される。ここで、基板５８は、基本構成に係る有機ＥＬ発光装置においては、ＣＭＯＳＬＳＩ６００が形成されたＳｉウェハである。また、例えば、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）からなるＬＳＩが形成されたガラス基板であっても良い。
また、絶縁層６２は、基板５８がＳｉウェハの場合には、基板５８の表面に形成されたシリコン酸化膜などである。また、基板５８が、ガスバリア付プラスチックフィルム、ガラス基板などで構成される場合には、絶縁層６２そのものが、プラスチックフィルム、ガラス基板などで構成可能である。
下部電極３０は、Ｍｏ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｔなど高反射率金属で構成することもできる。また、上記高反射率金属を主体とする合金（ＡｌＣｕなど）で構成するようにしてもよい。また、下部電極３０は、酸化させた際に、正孔注入材料になる陽極材料であっても良い。酸化させた際に、正孔注入材料になる金属としては、例えば、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎ、Ｗなどを適用可能である。これらの材料を酸化させると、それぞれ、ＭｏＯx、ＶＯx、ＲｕＯx、ＩＴＯ、ＷＯxとなる。
さらに、密着層６８は、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗなどで形成可能である。
また、上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの金属薄膜（厚さ約０．１ｎｍ〜約５０ｎｍ）やＩＴＯ、ＩＺＯ（厚さ約１ｎｍ〜約５００ｎｍ）などの透明電極（金属酸化膜）で構成される。
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図３８に示すように、絶縁層６２の上に例えば２０ｎｍ程度の密着層６８が配置され、密着層６８の上に例えば４０ｎｍ程度の下部電極３０が配置されている。さらに、下部電極３０の上に例えば１００ｎｍ程度の有機ＥＬ層３６が配置され、有機ＥＬ層３６の上に上部電極３８が配置されている。密着層６８および下部電極３０の側壁部は同じテーパ角度を有する。
これにより、下部電極３０の上面部（主要部分）における有機ＥＬ層３６の膜厚と下部電極３０の側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚とが同程度（約１００ｎｍ）になる。そのため、下部電極３０の側壁部Ｓにおけるショートを防止することが可能である。
また、下部電極３０の側壁部の駆動電圧は下部電極３０の上面部の駆動電圧と同程度になるため、上面部と同じ駆動電圧を側壁部に印加した場合は、上面部から発光される白色光ｈνfの輝度と側壁部から発光される白色光ｈνsの輝度とが同程度になる。すなわち、側壁部の“発光に寄与する割合”が、比較例２にくらべて相対的に低くなるため、光の取出効率を高めることが可能である。
図示していないが、緑色用の下部電極３０Ｇについても同様である。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第６の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板５８を準備する工程と、基板５８上に密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂを形成する工程と、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂ上に下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成する工程と、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部をテーパ形状に形成する工程と、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成する工程と、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する工程とを有する。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部をテーパ形状に形成する工程は、フッ素系のガスを用いてドライエッチングする工程を適用しても良い。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０ＢをＭｏで形成し、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８ＢをＴｉで形成することもできる。
具体的には、密着層６８Ｒ・６８Ｂおよび下部電極３０Ｒ・３０Ｂの側壁部が同じテーパ角度を有する。側壁部をテーパ形状に形成する方法はドライエッチング等の方法でよい。
以上のように、第６の実施の形態では、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂおよび下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部が同じテーパ角度を有する。そのため、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部と同程度になる。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部における被覆性を向上させることができるので、側壁部Ｓにおけるショートの発生を防止するとともに光の取出効率を高めることが可能である。
[第７の実施の形態]
以下、第７の実施の形態を第６の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図４０に示すように表され、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造は、図４１に示すように表される。
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図４０に示すように、密着層６８の側壁部の方が下部電極３０の側壁部よりも小さなテーパ角度を有する。密着層６８の側壁部のテーパ角度θ1は、例えば、約１０°であり、下部電極３０の側壁部のテーパ角度θ2は、例えば、約８０°である。もちろん、これらテーパ角度θ1，θ2に限定されるものではなく、θ1＜θ2の関係があればよい。
これにより、下部電極３０の上面部における有機ＥＬ層３６の膜厚よりも下部電極３０の側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚の方が厚くなる。そのため、第６の実施の形態よりも確実に下部電極３０の側壁部Ｓにおけるショートを防止することが可能である。
下部電極３０の上面部における有機ＥＬ層３６の膜厚よりも下部電極３０の側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚の方が厚くなるため、下部電極３０の側壁部に印加される電界は、下部電極３０の上面部に印加される電界よりも低くなる。このため、上部電極３８に駆動電圧を印加した場合、下部電極３０の側壁部に印加される電界は、下部電極３０の上面部に印加される電界よりも低くなるため、下部電極３０の側壁部から発光される白色光ｈνs1の輝度の方が下部電極３０の上面部から発光される白色光ｈνfの輝度よりも相対的に弱くなる。
また、下部電極３０の側壁部から発光されかつ外部に取り出される白色光ｈνs2の成分は、白色光ｈνfの成分に比べて相対的に小さい。すなわち、第６の実施の形態よりも下部電極３０の側壁部の“発光に寄与する割合”が相対的に低くなるため、光の取出効率を更に高めることが可能である。
図示していないが、緑色用の下部電極３０Ｇについても同様である。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板５８を準備する工程と、基板５８上に密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂを形成する工程と、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂ上に下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成する工程と、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部をテーパ形状に形成する工程と、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ上に有機ＥＬ層３６を形成する工程と、有機ＥＬ層３６上に上部電極３８を形成する工程とを有する。
具体的には、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度を有する。
下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂをモリブデンで形成し、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂをチタンで形成し、フッ素系のガスを用いてドライエッチングする。これにより、モリブデンよりもチタンの方が加工されにくいので、図４１に示すように、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度でテーパ形状に形成されることになる。この形成方法によれば、工程数の増加もない。
なお、密着層６８や下部電極３０の材質、エッチングガスの種類はここで例示したものに限定されるものではない。すなわち、下部電極３０よりも密着層６８の方が加工されにくい組み合わせである以上、同様の効果を得ることができる。
（変形例１）
第７の実施の形態の変形例１に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造は、図４２に示すように表される。
図４２に示すように、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は、垂直形状の断面を有する。この場合でも、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度を有する点は図４１と同様である。
（変形例２）
第７の実施の形態の変形例２に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造は、図４３に示すように表される。
図４３に示すように、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は、内側に凹形状の断面を有する。凹形状の深さは特に限定されるものではない。この場合でも、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度を有する点は図４１と同様である。
（変形例３）
第７の実施の形態の変形例３に係る有機ＥＬ発光装置において、隣接するＲＢサブピクセル部分の模式的断面構造は、図４４に示すように表される。
図４４に示すように、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は、階段形状の断面を有する。階段形状の段数は特に限定されるものではない。この場合でも、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度を有する点は図４１と同様である。
（有機ＥＬ発光装置）
第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の１ピクセル部分の模式的断面構造は、図４５（ａ）に示すように表される。また、図４５（ａ）中のＰ部分の模式的拡大構造は、図４５（ｂ）に示すように表される。
すなわち、図４５に示すように、半導体ウェハ６０上に赤色・緑色・青色用の下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇが配置されている。これら下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇは、例えば、Ａｌ、Ｍｏ、Ａｇ、Ｐｔ等の金属若しくはこれらの合金（ＡｌＣｕなど）で形成可能である。また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇと半導体ウェハ６０との密着層として、Ｔｉ、Ｃｒ、ＴｉＮ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｗなどが挿入されていても良い。
また、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ・３０Ｇ上には、例えば、白色光を発光する有機ＥＬ層３６が配置されている。白色は、水色と黄色の組み合わせで形成されていても良い。
さらに、有機ＥＬ層３６上には、上部電極３８や、有機ＥＬ素子を水や酸素から保護するシール層４４が配置されている。上部電極３８は、Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ、ＩＴＯ，ＩＺＯなどで形成可能である。シール層４４の材質としては、ガラス、或いはセラミック等を用いる。また、シール層４４は、熱を外部に放熱する機能を担っているので、熱伝導率の高いものが望ましい。シール層４４は、硫黄原子を含む高分子材料などで形成することもできる。また、シール層４４は、ＳｉＮx、ＳｉＯxＮy、ＳｉＯx、ＡｌＯxなどで形成可能である。さらに、シール層４４上には、例えば、赤色カラーレジスト４０Ｒ１・４０Ｒ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ１・４０Ｇ２、および青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３が配置されている。ここで、赤色カラーレジスト、緑色カラーレジスト、および青色カラーレジストごとに膜厚や層数が異なる場合は、カラーレジストの上面に凹凸が生じる。そのため、これらカラーレジストの上には、平坦化のため、顔料を含まない透明保護膜（透明レジスト）４２が配置されている。
（積層カラーフィルタ）
６角形を基調とするΔ配列パターン例を有する第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置に搭載される積層カラーフィルタの模式的平面構成は、図１０に示すように表される。
第７の実施の形態に係る積層カラーフィルタは、図１０に示すように、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが６角形を基調とするパターンを備えていても良い。ここで、図１０に示すように、６角形の各頂点部分においては、赤色カラーフィルタ４０Ｒ・緑色カラーフィルタ４０Ｇ・青色カラーフィルタ４０Ｂが重なっている。矩形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が同じ色になることがあるのに対して、６角形を基本パターンとする場合は、隣接するカラーフィルタ同士が必ず異なる色になるように配置することができる。そのため、６角形を基本パターンとすれば、矩形を基本パターンとする場合と比較して、より精度よく混色を防ぐことが可能である。
（断面ＳＥＭ写真）
積層カラーフィルタを搭載した第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の鳥瞰表面ＳＥＭ写真例は、図１８に示すように表される。図１８においては、６角形を基本パターンとするサブピクセル上に、６角形を基調とする積層カラーフィルタが配置される例が示されている。
積層カラーフィルタを搭載した第７の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の断面ＳＥＭ写真例は、図１９に示すように表される。また、図１９の積層カラーフィルタ部分の拡大された断面ＳＥＭ写真は、図２０に示すように表され、図２０の積層カラーフィルタ部分の詳細説明は、図２１に示すように表される。図２１は、図２０の写真に輪郭線を加えたものである。
図１９に示すように、ＣＭＯＳＬＳＩ６００上に下部電極３０を介して有機ＥＬ層３６が積層化され、有機ＥＬ層３６上にシール層４４を介して、さらにカラーフィルタ４０と透明保護膜４２が配置されている。
図２１に示すように、青色カラーレジスト４０Ｂ１の端部の上に緑色カラーレジスト４０Ｇ１の端部が重なっている。同様に、緑色カラーレジスト４０Ｇ１、青色カラーレジスト４０Ｂ２、緑色カラーレジスト４０Ｇ２、青色カラーレジスト４０Ｂ３の順に端部が重なっている。緑色カラーレジスト４０Ｇ２と青色カラーレジスト４０Ｂ３の上には透明保護膜４２が配置され、平坦化されている。
ここでは、青色カラーレジスト４０Ｂ１・４０Ｂ２・４０Ｂ３が最も多層であるため、青色カラーレジスト４０Ｂ１から順に異なる色のカラーレジストを交互に重ねているが、カラーレジストを重ねる順番はこれに限定されるものではない。ただし、同じ色のカラーレジストを連続して重ねるよりも、異なる色のカラーレジストを交互に重ねる方が製造が容易であり、また、色分離性能を向上させることができる。
以上のように、第７の実施の形態では、密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部の方が下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部よりも小さなテーパ角度を有する。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部における有機ＥＬ層３６の膜厚よりも下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部における有機ＥＬ層３６の膜厚の方が厚くなる。そのため、第６の実施の形態よりも確実にショートの発生を防止するとともに、第６の実施の形態よりも更に光の取出効率を高めることが可能である。
[第８の実施の形態]
以下、第８の実施の形態を第６〜第７の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図４６に示すように表される。
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図４６に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８と、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの側壁部と有機ＥＬ層３６との間に配置された絶縁層６９とを備える。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第８の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第６の実施の形態と同様の方法で下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成する。次いで、これらの下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂが埋まるように、例えば、８０ｎｍ程度の膜厚の酸化膜を形成し、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部を開口する。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部と有機ＥＬ層３６との間に絶縁層６９が形成されることになる。その後の工程は第６の実施の形態と同様である。
以上のように、第８の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部と有機ＥＬ層３６との間に配置された絶縁層６９を備える。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は有機ＥＬ層３６に接していないため、側壁部は発光に寄与せず、ショートの発生を防止することが可能である。
[第９の実施の形態]
以下、第９の実施の形態を第６〜第８の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第９の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図４７に示すように表される。
第９の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図４７に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備え、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間に断面形状がＵ字状の絶縁層６９を備える。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第９の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第８の実施の形態と同様の方法で下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成する。次いで、これらの下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂが埋まるように、例えば、４０ｎｍ程度の膜厚の酸化膜を形成し、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部を開口する。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間に断面形状がＵ字状の絶縁層６９が形成されることになる。その後の工程は第８の実施の形態と同様である。
以上のように、第９の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間に断面形状がＵ字状の絶縁層６９を備える。そのため、第８の実施の形態と同様、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は発光に寄与せず、ショートの発生を防止することが可能である。
[第１０の実施の形態]
以下、第１０の実施の形態を第６〜第９の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第１０の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図４８に示すように表される。
第１０の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図４８に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備え、絶縁層６９の上面部の高さ位置が下部電極３０Ｒ・３０Ｂの上面部の高さ位置と同じである。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第１０の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第８の実施の形態と同様の方法で下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成、酸化膜を製膜後、ＣＭＰ（chemical Mechanical Polishing）で研磨加工して、酸化膜の上面部の高さ位置を下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部と同じ高さ位置に揃える。その後の工程は第８の実施の形態と同様である。
（変形例）
第１０の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図４９に示すように表される。
第１０の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ発光装置は、図４９に示すように、絶縁層６２と、絶縁層６２上に形成されたトレンチ内に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂおよび密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備え、絶縁層６２の上面部の高さ位置が下部電極３０Ｒ・３０Ｂの上面部の高さ位置と同じである。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第１０の実施の形態の変形例に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、絶縁層６２に下部電極形状のトレンチを形成する。その後、トレンチを充填して密着層６８Ｒ・６８Ｂおよび下部電極３０Ｒ・３０Ｂを製膜する。次に、下部電極３０Ｒ・３０Ｂおよび密着層６８Ｒ・６８ＢをＣＭＰで研磨加工して、絶縁層６２の上面部の高さ位置を下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部と同じ高さ位置に揃える。その後の工程は第８の実施の形態と同様である。
以上のように、第１０の実施の形態およびその変形例では、絶縁層（６２・６９）の上面部の高さ位置が下部電極の上面部の高さ位置と同じである。そのため、第８の実施の形態と同様の効果に加え、上部電極を平坦に形成することが可能である。
[第１１の実施の形態]
以下、第１１の実施の形態を第６〜第１０の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第１１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図５０に示すように表される。
第１１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図５０に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備え、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ間と下部電極３０Ｒ・３０Ｂの上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層３６が形成されている。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第１１の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第８の実施の形態と同様の方法で下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成する。次いで、これら下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間と下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層３６を配置する。下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間における有機ＥＬ層３６の膜厚は例えば２００ｎｍ程度であり、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部における有機ＥＬ層３６の膜厚は例えば１００ｎｍ程度である。その後の工程は第８の実施の形態と同様である。
以上のように、第１１の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ間と下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層３６が形成されている。これにより、有機ＥＬ層３６の上面部が平坦になるため、第８の実施の形態と同様の効果に加え、上部電極３８を平坦に形成することが可能である。
[第１２の実施の形態]
以下、第１２の実施の形態を第６〜第１１の実施の形態と異なる点のみ説明する。
第１２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の模式的断面構造は、図５１に示すように表される。
第１２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置は、図５１に示すように、基板５８と、基板５８上に配置された密着層６８Ｒ・６８Ｂと、密着層６８Ｒ・６８Ｂ上に配置された下部電極３０Ｒ・３０Ｂと、下部電極３０Ｒ・３０Ｂ上に共通に配置された有機ＥＬ層３６と、有機ＥＬ層３６上に配置された上部電極３８とを備え、下部電極３０Ｒ・３０Ｂの上面部と対向する領域にのみ上部電極３８が形成されている。
密着層６８Ｒ・６８Ｇ・６８Ｂの側壁部および下部電極３０Ｒ，３０Ｇ，３０Ｂの側壁部の形状は特に限定されるものではない。例えば、テーパ形状でもよいし、ほぼ垂直に近い形状でもよい。
（有機ＥＬ発光装置の製造方法）
第１２の実施の形態に係る有機ＥＬ発光装置の製造方法は次の通りである。まず、第８の実施の形態と同様の方法で下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂを形成した後、例えば、約１００ｎｍ程度の有機ＥＬ層３６を配置する。有機ＥＬ層３６の上には、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂと対向する領域にのみ上部電極３８を配置する。このような上部電極３８の形成方法は特に限定されるものではない。
以上のように、第１２の実施の形態では、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの上面部と対向する領域にのみ上部電極３８が形成されている。これにより、下部電極３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂの側壁部は発光に寄与しないため、第８の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、ショートの発生を防止するとともに光の取出効率を高めることが可能な有機ＥＬ発光装置及びその製造方法を提供することができる。
[その他の実施の形態]
上記のように、本発明は第１の実施の形態およびその変形例１〜７、第２〜第５の実施の形態、第６〜第１２の実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述および図面は例示的なものであり、この発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例および運用技術が明らかとなろう。
このように、本発明はここでは記載していない様々な実施の形態などを含む。
本発明の積層カラーフィルタおよび積層カラーフィルタを搭載した有機ＥＬ発光装置は、有機ＥＬディスプレイ装置や有機ＥＬ照明装置等に適用可能である。具体的には、マイクロディスプレイ、ミラーレス一眼レフカメラの電子ビューファインダー（ＥＶＦ：Electric View Finder）、ヘッドマウントディスプレイ、有機集積回路分野、フラットパネルディスプレイ分野、フレキシブルディスプレイエレクトロニクス分野、および透明エレクトロニクス分野において適用可能である。
本発明の有機ＥＬ発光装置は、有機ＥＬディスプレイ装置や有機ＥＬ照明装置等に適用可能である。具体的には、マイクロディスプレイ、ミラーレス一眼レフカメラの電子ビューファインダー（ＥＶＦ：Electric View Finder）、ヘッドマウントディスプレイ、有機集積回路分野、フラットパネルディスプレイ分野、フレキシブルディスプレイエレクトロニクス分野、および透明エレクトロニクス分野において適用可能である。
６…ピクセル
８…有機ＥＬ発光装置
１０…ピクセルアレイ
３０・３０Ｒ・３０Ｇ・３０Ｂ…下部電極
３０Ｃ…ダミー下部電極
３４Ｒ，３４Ｇ，３４Ｂ…駆動回路
３６…有機ＥＬ層
３８…上部電極
４０…カラーフィルタ（カラーレジスト）
４０Ｒ，４０Ｒ１，４０Ｒ２，４０Ｒ３…赤色カラーフィルタ（赤色カラーレジスト）
４０Ｇ，４０Ｇ１，４０Ｇ２，４０Ｇ３…緑色カラーフィルタ（緑色カラーレジスト）
４０Ｂ，４０Ｂ１，４０Ｂ２，４０Ｂ３…青色カラーフィルタ（青色カラーレジスト）
４０Ｍ…黒色カラーフィルタ（黒色カラーレジスト）
４２…透明レジスト（透明保護膜）
５８…基板
６０…半導体ウェハ（基板）
６２、６９…絶縁層
６８、６８Ｒ、６８Ｇ、６８Ｂ…密着層
７０…ＶＩＡ電極
７０Ａ・７０Ｒ・７０Ｇ・７０Ｂ…アノードＶＩＡ電極
７０Ｃ…カソードＶＩＡ電極
８０…ＬＳＩコンタクト部
３０１…金属酸化膜
６００…ＣＭＯＳＬＳＩ
ＴＲＧ，ＴＧＢ…隣接部分
θ1、θ2…テーパ角度

Claims (74)

  1. 基板と、
    前記基板上に配置された駆動回路と、
    前記駆動回路上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、
    前記上部電極上に配置された赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタと
    を１つのピクセルに備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  2. 前記青色カラーフィルタの層数が前記赤色カラーフィルタ又は前記緑色カラーフィルタの層数よりも多いことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ発光装置。
  3. 前記赤色カラーフィルタが２層、前記緑色カラーフィルタが２層、前記青色カラーフィルタが３層であることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ発光装置。
  4. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの各層の膜厚が１ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  5. 前記青色カラーフィルタの膜厚が前記赤色カラーフィルタ又は前記緑色カラーフィルタの膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ発光装置。
  6. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのレジストパターンが１０ミクロン以下であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  7. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのうち、隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なっていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  8. 前記隣接部分の水平方向の幅は０．８ミクロン〜１．２ミクロンであることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置。
  9. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、６角形を基調とするパターンを備え、６角形の各頂点部分において前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタが重なっていることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置。
  10. 前記隣接するカラーフィルタ同士が異なる色になるように配置されていることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置。
  11. 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なっていることを特徴とする請求項７に記載の有機ＥＬ発光装置。
  12. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタそれぞれの隣接部分に混色防止用の黒色カラーレジストが配置されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  13. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの上に透明レジストを備えることを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  14. 前記上部電極は共通電極として形成されていることを特徴とする請求項１〜１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  15. 基板と、
    前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、
    前記第１ＶＩＡ電極上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、
    前記基板上に配置され、前記上部電極に直接コンタクトされる第２ＶＩＡ電極と
    を備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  16. 前記下部電極は、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であることを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  17. 前記下部電極の表面に大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により形成された金属酸化膜を有することを特徴とする請求項１５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  18. 前記下部電極は、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項１５または１６に記載の有機ＥＬ発光装置。
  19. 前記下部電極の表面に前記正孔注入材料が形成されていることを特徴とする請求項１６に記載の有機ＥＬ発光装置。
  20. 前記正孔注入材料は、前記下部電極の金属酸化膜であることを特徴とする請求項１９に記載の有機ＥＬ発光装置。
  21. 前記有機ＥＬ発光装置のピクセルアレイ内の各サブピクセル間にＭＯＳトランジスタが形成されていることを特徴とする請求項１９に記載の有機ＥＬ発光装置。
  22. 前記ＭＯＳトランジスタは、前記ピクセルアレイの駆動用トランジスタであることを特徴とする請求項２１に記載の有機ＥＬ発光装置。
  23. 前記上部電極は共通電極として形成されていることを特徴とする請求項１５〜２２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  24. 基板と、
    前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、
    前記第１ＶＩＡ電極上に配置され、表面に金属酸化膜を有する下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、
    前記基板上に配置された第２ＶＩＡ電極と
    を備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  25. 前記下部電極は、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であることを特徴とする請求項２４に記載の有機ＥＬ発光装置。
  26. 前記金属酸化膜は、前記下部電極の表面に大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により形成されたことを特徴とする請求項２４に記載の有機ＥＬ発光装置。
  27. 前記下部電極は、Ｍｏ、Ｖ、Ｒｕ、ＩｎＳｎのいずれかで形成されていることを特徴とする請求項２４または２５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  28. 前記下部電極の表面に前記正孔注入材料が形成されていることを特徴とする請求項２５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  29. 前記正孔注入材料は、前記下部電極の金属酸化膜であることを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ発光装置。
  30. 前記有機ＥＬ発光装置のピクセルアレイ内の各サブピクセル間にＭＯＳトランジスタが形成されていることを特徴とする請求項２８に記載の有機ＥＬ発光装置。
  31. 前記ＭＯＳトランジスタは、前記ピクセルアレイの駆動用トランジスタであることを特徴とする請求項３０に記載の有機ＥＬ発光装置。
  32. 前記上部電極は共通電極として形成されていることを特徴とする請求項２４〜３１のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  33. 基板と、
    前記基板上に配置された密着層と、
    前記密着層上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と
    を備え、前記密着層および前記下部電極の側壁部がテーパ形状を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  34. 前記密着層および前記下部電極の側壁部が同じテーパ角度を有することを特徴とする請求項３３に記載の有機ＥＬ発光装置。
  35. 前記密着層の側壁部の方が前記下部電極の側壁部よりも小さなテーパ角度を有することを特徴とする請求項３３に記載の有機ＥＬ発光装置。
  36. 前記下部電極の側壁部は、垂直形状の断面を有することを特徴とする請求項３５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  37. 前記下部電極の側壁部は、内側に凹形状の断面を有することを特徴とする請求項３５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  38. 前記下部電極の側壁部は、階段形状の断面を有することを特徴とする請求項３５に記載の有機ＥＬ発光装置。
  39. 前記下部電極の側壁部と前記有機ＥＬ層との間に絶縁膜を備えることを特徴とする請求項３３〜３８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  40. 前記絶縁膜の上面部の高さ位置と前記下部電極の上面部の高さ位置は、面一であることを特徴とする請求項３９に記載の有機ＥＬ発光装置。
  41. 前記下部電極間と前記下部電極の上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層が形成されていることを特徴とする請求項３３〜４０のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  42. 前記下部電極の上面部に対向する領域のみに前記上部電極が形成されていることを特徴とする請求項３３〜３８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  43. 前記上部電極は共通電極として形成されていることを特徴とする請求項３３〜４２のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置。
  44. 基板と、
    前記基板上に配置された密着層と、
    前記密着層上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、
    前記下部電極の側壁部と前記有機ＥＬ層との間に配置された絶縁膜と
    を備えることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  45. 基板と、
    前記基板上に配置された密着層と、
    前記密着層上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と
    を備え、前記下部電極間と前記下部電極の上面部の全領域に一定高さの有機ＥＬ層が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  46. 基板と、
    前記基板上に配置された密着層と、
    前記密着層上に配置された下部電極と、
    前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、
    前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と
    を備え、前記下部電極の上面部と対向する領域にのみ前記上部電極が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置。
  47. 基板と、前記基板上に配置された駆動回路と、前記駆動回路上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に配置された上部電極と、前記上部電極上に配置された赤色カラーフィルタ、緑色カラーフィルタ、および青色カラーフィルタとを１つのピクセルに備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、
    カラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と、
    再度、その上に同色のカラーレジストを塗布し、露光・現像する工程と
    を有し、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されていることを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  48. 前記青色カラーフィルタの層数を前記赤色カラーフィルタ又は前記緑色カラーフィルタの層数よりも多く形成したことを特徴とする請求項４７に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  49. 前記赤色カラーフィルタを２層、前記緑色カラーフィルタを２層、前記青色カラーフィルタを３層形成したことを特徴とする請求項４７に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  50. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタの隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なるように形成したことを特徴とする請求項４７〜４９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  51. 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なるように形成したことを特徴とする請求項４７に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  52. 基板と、前記基板上に配置された第１ＶＩＡ電極と、前記第１ＶＩＡ電極上に配置された下部電極と、前記下部電極上に共通に配置された有機ＥＬ層と、前記有機ＥＬ層上に共通に配置された上部電極と、前記基板上に配置され、前記上部電極に直接コンタクトされる第２ＶＩＡ電極とを備える有機ＥＬ発光装置の製造方法であって、
    前記基板上に前記下部電極とともにダミー下部電極を形成する工程と、
    前記ダミー下部電極を除去する工程と、
    前記下部電極上に前記有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記第２ＶＩＡ電極に直接コンタクトされるように前記有機ＥＬ層上に前記上部電極を形成する工程と
    を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  53. 基板を準備する工程と、
    基板上に下部電極を形成する工程と、
    前記基板表面を処理する工程と、
    前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程と
    を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  54. 前記下部電極は、酸化させた際に正孔注入材料になる金属材料であることを特徴とする請求項５３に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  55. 前記基板表面を処理する工程は、大気中熱処理またはＵＶオゾン処理により前記下部電極の表面を酸化させる工程を含むことを特徴とする請求項５３に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  56. 基板を準備する工程と、
    前記基板上に密着層を形成する工程と、
    前記密着層上に下部電極を形成する工程と、
    前記密着層の側壁部および前記下部電極の側壁部をテーパ形状に形成する工程と、
    前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程と
    を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  57. 前記密着層の側壁部および前記下部電極の側壁部をテーパ形状に形成する工程は、フッ素系のガスを用いてドライエッチングする工程を有することを特徴とする請求項５６に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  58. 前記下部電極をモリブデンで形成し、前記密着層をチタンで形成することを特徴とする請求項５７に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  59. 前記下部電極の側壁部と前記有機ＥＬ層との間に絶縁膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項５６〜５８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  60. 前記有機ＥＬ層を形成する工程は、前記下部電極間と前記下部電極の上面部の全領域に一定高さの前記有機ＥＬ層を形成することを特徴とする請求項５６〜５９のいずれか１項に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  61. 前記上部電極を形成する工程は、前記下部電極の上面部と対向する領域にのみ前記上部電極を形成することを特徴とする請求項５６または５７に記載の有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  62. 基板を準備する工程と、
    前記基板上にトレンチを形成する工程と、
    前記トレンチ内に密着層を形成する工程と、
    前記トレンチを充填して前記密着層上に下部電極を形成する工程と、
    前記密着層および前記下部電極を研磨加工して、前記基板の上面部の高さ位置と前記下部電極の上面部の高さ位置を同じ高さに揃える工程と、
    前記下部電極上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
    前記有機ＥＬ層上に上部電極を形成する工程と
    を有することを特徴とする有機ＥＬ発光装置の製造方法。
  63. 基板と、
    前記基板上に配置された赤色カラーフィルタと、
    前記基板上に配置された緑色カラーフィルタと、
    前記基板上に配置された青色カラーフィルタと
    を備え、前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタおよび前記青色カラーフィルタの内、少なくとも１色のカラーフィルタが複数層の薄膜で形成されていることを特徴とする積層カラーフィルタ。
  64. 前記青色カラーフィルタの層数が前記赤色カラーフィルタ又は前記緑色カラーフィルタの層数よりも多いことを特徴とする請求項６３に記載の積層カラーフィルタ。
  65. 前記赤色カラーフィルタが２層、前記緑色カラーフィルタが２層、前記青色カラーフィルタが３層であることを特徴とする請求項６３記載の積層カラーフィルタ。
  66. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの各層の膜厚が１ミクロン以下であることを特徴とする請求項６３〜６５のいずれか１項に記載の積層カラーフィルタ。
  67. 前記青色カラーフィルタの膜厚が前記赤色カラーフィルタ又は前記緑色カラーフィルタの膜厚よりも薄いことを特徴とする請求項６６に記載の積層カラーフィルタ。
  68. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのレジストパターンが１０ミクロン以下であることを特徴とする請求項６３〜６７のいずれか１項に記載の積層カラーフィルタ。
  69. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタのうち、隣接するカラーフィルタ同士が当該隣接部分において垂直方向に重なっていることを特徴とする請求項６３〜６８のいずれか１項に記載の積層カラーフィルタ。
  70. 前記隣接部分の水平方向の幅は０．８ミクロン〜１．２ミクロンであることを特徴とする請求項６９に記載の積層カラーフィルタ。
  71. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタは、６角形を基調とするパターンを備え、６角形の各頂点部分において前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、前記青色カラーフィルタが重なっていることを特徴とする請求項６９に記載の積層カラーフィルタ。
  72. 前記隣接するカラーフィルタ同士が異なる色になるように配置されていることを特徴とする請求項６９に記載の積層カラーフィルタ。
  73. 最も多層に配置されるカラーフィルタから順に異なる色のカラーフィルタが交互に重なっていることを特徴とする請求項６９に記載の積層カラーフィルタ。
  74. 前記赤色カラーフィルタ、前記緑色カラーフィルタ、および前記青色カラーフィルタそれぞれの隣接部分に混色防止用の黒色カラーレジストが配置されていることを特徴とする請求項６３〜６８のいずれか１項に記載の積層カラーフィルタ。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193340A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
JP2018190551A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 有機発光装置、撮像装置、及び有機発光装置の製造方法
WO2022224085A1 (ja) * 2021-04-22 2022-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9337241B2 (en) * 2014-03-19 2016-05-10 Apple Inc. Pixel patterns for organic light-emitting diode display
KR102369095B1 (ko) * 2014-10-07 2022-03-02 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
CN104503128B (zh) * 2014-12-19 2018-01-09 深圳市华星光电技术有限公司 用于显示器的彩膜基板的制造方法
KR102334750B1 (ko) * 2015-08-10 2021-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102536344B1 (ko) * 2015-12-31 2023-05-25 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
US10199607B2 (en) * 2016-06-30 2019-02-05 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device
US10181574B2 (en) 2016-12-29 2019-01-15 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US10418583B2 (en) 2017-02-27 2019-09-17 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device
US10746376B2 (en) * 2017-07-25 2020-08-18 Axalta Coating Systems Ip Co., Llc System for matching coarseness appearance of coatings
KR102436250B1 (ko) 2017-08-31 2022-08-24 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR20220046041A (ko) * 2020-10-06 2022-04-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN113629112B (zh) * 2021-07-29 2024-02-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0287201U (ja) * 1988-12-22 1990-07-10
JP2006251417A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2007173200A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2011176182A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Toppan Printing Co Ltd イメージセンサー及びその製造方法
JP2013026064A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4215905B2 (ja) * 1999-02-15 2009-01-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4132528B2 (ja) * 2000-01-14 2008-08-13 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
JP2002286928A (ja) * 2001-01-18 2002-10-03 Fuji Photo Film Co Ltd カラーフィルター、カラーフィルター形成材料およびカラーフィルターの製造方法
JP2003234186A (ja) * 2001-12-06 2003-08-22 Sony Corp 表示装置およびその製造方法
WO2004001964A1 (ja) * 2002-06-20 2003-12-31 Ube Industries, Ltd. 薄膜圧電共振器、薄膜圧電デバイスおよびその製造方法
JP4748986B2 (ja) * 2002-11-01 2011-08-17 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4062171B2 (ja) * 2003-05-28 2008-03-19 ソニー株式会社 積層構造の製造方法
KR100742372B1 (ko) * 2005-11-29 2007-07-24 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광소자의 제조방법
JP2007256371A (ja) * 2006-03-20 2007-10-04 Nec Lcd Technologies Ltd カラーフィルタ及びその製造方法並びに液晶表示装置
KR100882720B1 (ko) * 2007-08-30 2009-02-06 주식회사 동부하이텍 이미지 센서 및 그 제조방법
JPWO2009037874A1 (ja) * 2007-09-19 2011-01-06 富士電機ホールディングス株式会社 色変換フィルタ、ならびに色変換フィルタおよび有機ｅｌディスプレイの製造方法
JP2009100271A (ja) * 2007-10-17 2009-05-07 Olympus Corp 撮像素子および表示装置
US8269924B2 (en) * 2007-12-26 2012-09-18 Nlt Technologies, Ltd. Color filter substrate and liquid crystal display unit
JP2011100900A (ja) * 2009-11-06 2011-05-19 Sony Corp 固体撮像装置及びその製造方法と設計方法並びに電子機器
JP5534981B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-02 株式会社東芝 固体撮像装置
JP5513623B2 (ja) * 2010-08-24 2014-06-04 富士フイルム株式会社 固体撮像装置
WO2012070086A1 (ja) * 2010-11-24 2012-05-31 パナソニック株式会社 有機ｅｌパネル、それを用いた表示装置および有機ｅｌパネルの製造方法
JP5778950B2 (ja) * 2011-03-04 2015-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP5837316B2 (ja) * 2011-03-25 2015-12-24 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2013026332A (ja) * 2011-07-19 2013-02-04 Sony Corp 固体撮像素子および製造方法、並びに電子機器
US9647229B2 (en) * 2011-10-26 2017-05-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Color filter for organic electroluminescence display device, and organic electroluminescence display device
TWI464461B (zh) * 2012-01-20 2014-12-11 Nat Univ Tsing Hua 彩色濾光片以及其側光式背光模組

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0287201U (ja) * 1988-12-22 1990-07-10
JP2006251417A (ja) * 2005-03-11 2006-09-21 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
JP2007173200A (ja) * 2005-12-22 2007-07-05 Lg Philips Lcd Co Ltd 有機電界発光表示装置及びその製造方法
JP2011176182A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Toppan Printing Co Ltd イメージセンサー及びその製造方法
JP2013026064A (ja) * 2011-07-22 2013-02-04 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法及び電子機器

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018193340A1 (ja) * 2017-04-20 2018-10-25 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
JPWO2018193340A1 (ja) * 2017-04-20 2020-03-26 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル、表示装置、入出力装置、情報処理装置
JP7114574B2 (ja) 2017-04-20 2022-08-08 株式会社半導体エネルギー研究所 表示パネル
JP2018190551A (ja) * 2017-04-28 2018-11-29 キヤノン株式会社 有機発光装置、撮像装置、及び有機発光装置の製造方法
WO2022224085A1 (ja) * 2021-04-22 2022-10-27 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置

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