WO2022224085A1 - 表示装置 - Google Patents

Abstract

視野角の広い表示装置を提供する。 表示装置は、基板上に、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、共通電極と、を有する。基板の上面視において、第１の発光素子は、第１の辺と、第１の辺よりも短い第２の辺と、を有する。正面方向の色度および第１の方向の色度の色度差と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差との差の絶対値は、０．０５以下である。第１の方向の基板への射影は、第１の辺と平行であり、第２の方向の基板への射影は、第２の辺と平行である。第１の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０度であり、第２の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０度である。

Description

表示装置

　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。

　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。

　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴い高精細化が求められている。

　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子（発光デバイスともいう）を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。

　例えば、有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を、挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、液晶表示装置等で必要であったバックライトが不要なため、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。例えば、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。

特開２００２−３２４６７３号公報

　本発明の一態様は、視野角の広い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、色純度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高精細化が容易な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置を提供することを課題の一とする。

　本発明の一態様は、上述した表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減することを課題の一とする。

　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

　本発明の一態様は、基板上に、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する表示装置である。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、共通電極と、を有する。基板の上面視において、第１の発光素子は、第１の辺と、第１の辺よりも短い第２の辺と、を有する。正面方向の色度および第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下である。第１の方向の基板への射影は、第１の辺と平行であり、第２の方向の基板への射影は、第２の辺と平行である。第１の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０°であり、第２の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０°である。

　本発明の他の一態様は、基板上に、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する表示装置である。第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有し、第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、共通電極と、を有する。基板の上面視において、第１の発光素子は、第１の辺と、第１の辺よりも短い第２の辺と、を有する。正面方向の色度と、第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と、第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率は、０．５以上１．５以下である。第１の方向の基板への射影は、第１の辺と平行であり、第２の方向の基板への射影は、第２の辺と平行である。第１の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０°であり、第２の方向と、基板表面の法線方向とのなす角は、７０°である。

　上記表示装置において、第１の発光素子の上面視における、第１の画素電極と、共通電極とが、第１の有機層の発光領域を介して重なる領域において、第１の画素電極の、第１の有機層側の表面全面と、共通電極の、第１の有機層側の表面全面とは、平行または概略平行であることが好ましい。

　上記表示装置は、絶縁層をさらに有し、第１の画素電極の端部と、第１の有機層の端部とは、一致又は概略一致し、第２の画素電極の端部と、第２の有機層の端部とは、一致又は概略一致し、絶縁層は、第１の画素電極、第２の画素電極、第１の有機層、及び第２の有機層のそれぞれの側面と接する領域を有することが好ましい。

　上記表示装置は、絶縁層をさらに有し、第１の画素電極の幅は、第１の有機層の幅よりも小さく、第２の画素電極の幅は、第２の有機層の幅よりも小さく、第１の有機層は、第１の画素電極の側面及び上面を覆い、第２の有機層は、第２の画素電極の側面及び上面を覆い、絶縁層は、第１の有機層、及び第２の有機層のそれぞれの上面の一部及び側面と接する領域を有することが好ましい。

　上記表示装置は、絶縁層をさらに有し、第１の画素電極の幅は、第１の有機層の幅よりも大きく、第２の画素電極の幅は、第２の有機層の幅よりも大きく、絶縁層は、第１の画素電極、及び第２の画素電極のそれぞれの上面の一部及び側面、並びに、第１の有機層、及び第２の有機層のそれぞれの側面に接する領域を有することが好ましい。

　上記表示装置は、第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、をさらに有し、第１の絶縁層は、第１の画素電極の端部を覆い、第１の有機層は、第１の画素電極上、及び第１の絶縁層上に設けられ、第２の絶縁層は、第１の有機層上、及び第１の絶縁層上に設けられ、第２の絶縁層は、第１の有機層の上面の一部及び側面、並びに、第１の絶縁層の上面の一部に接する領域を有することが好ましい。

　上記表示装置において、第１の絶縁層の端部は、テーパー形状であり、第２の絶縁層は、第１の有機層を介して、第１の絶縁層の端部と重なる領域を有することが好ましい。

　上記表示装置において、第１の発光素子は、第１の有機層と、共通電極との間に、共通層を有し、第２の発光素子は、第２の有機層と、共通電極との間に、共通層を有することが好ましい。

　上記表示装置において、共通層は、電子輸送層、及び電子注入層のいずれか一方又は双方を有することが好ましい。

　上記表示装置において、基板は、可撓性を有し、基板の形状は、非矩形であることが好ましい。

　本発明の一態様によれば、視野角の広い表示装置を提供できる。または、色純度の高い表示装置を提供できる。または、高精細化が容易な表示装置を提供できる。または、高い表示品位と、高い精細度を兼ね備える表示装置を提供できる。または、コントラストの高い表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。または、新規な構成を有する表示装置を提供できる。

　また、本発明の一態様によれば、上述した表示装置の作製方法を提供できる。または、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減することができる。

　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。

図１Ａは、表示装置の構成例を示す上面概略図である。図１Ｂ、及び図１Ｃは、表示装置の構成例を示す断面概略図である。
図２Ａ乃至図２Ｃは、表示装置の構成例を示す断面概略図である。
図３は、色度差を算出する際の方向を示す図である。
図４は、表示装置の構成例を示す上面概略図である。
図５Ａ乃至図５Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図６Ａ乃至図６Ｃは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図７Ａ乃至図７Ｅは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図８Ａ乃至図８Ｆは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図９Ａ乃至図９Ｆは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１３Ａ乃至図１３Ｄは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１４Ａ乃至図１４Ｃは、表示装置の作製方法例を示す断面図である。
図１５は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１６Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１６Ｂ及び図１６Ｃは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１７は、表示装置の一例を示す断面図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｄは、表示装置の一例を示す断面図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｄは、画素の一例を示す上面図である。
図２０Ａ乃至図２０Ｄは、画素の一例を示す上面図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｅは、画素の一例を示す上面図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｃは、画素の一例を示す上面図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｃは、画素の一例を示す上面図である。
図２４Ａ、図２４Ｂ及び図２４Ｄは、表示装置の例を示す断面図である。図２４Ｃ、及び図２４Ｅは、画像の例を示す図である。図２４Ｆ及び図２４Ｇは、画素の例を示す上面図である。
図２５Ａ、及び図２５Ｄは、表示装置の構成例を示す断面図である。図２５Ｂ、図２５Ｃ、図２５Ｅ、及び図２５Ｆは、画素の例を示す上面図である。
図２６Ａ乃至図２６Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図２７Ａ及び図２７Ｂは、発光デバイスおよび受光デバイスの構成例を示す図である。
図２８Ａ及び図２８Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図２９Ａ、図２９Ｃ、及び図２９Ｅは展開時の表示パネルの上面模式図であり、図２９Ｂ、図２９Ｄ、及び図２９Ｆは本発明の一態様を示す表示装置の外観図である。
図３０Ａは重ね合わせる前の複数の表示パネルを示す上面模式図であり、図３０Ｂは本発明の一態様を示す表示装置の外観図である。
図３１Ａ乃至図３１Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３２Ａ及び図３２Ｂは、表示パネルを用いる車の模式図である。
図３３Ａ及び図３３Ｂは、表示パネルを用いる電子機器の一例を示す図である。
図３４は、車両の構成例を示す図である。
図３５Ａ乃至図３５Ｆは、電子機器の一例を示す図である。

　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチングパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。

　なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。

　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。

　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。

　また、本明細書において、上限と下限の数値が規定されている場合は、上限の数値と下限の数値を自由に組み合わせる構成も開示されているものとする。

　なお、本明細書等において、「高さが一致または概略一致」とは、断面視において、基準となる面（例えば、基板表面などの平坦な面）からの高さが等しい構成を示す。例えば、半導体装置の製造プロセスにおいて、平坦化処理（代表的にはＣＭＰ処理）を行うことで、単層または複数の層の表面を露出する場合がある。この場合、ＣＭＰ処理の被処理面は、基準となる面からの高さが等しい構成となる。ただし、ＣＭＰ処理の際の処理装置、処理方法、または被処理面の材料によって、複数の層の高さが異なる場合がある。本明細書等においては、この場合も「高さが一致または概略一致」として扱う。例えば、基準面に対して、２つの高さを有する層（ここでは第１の層と、第２の層とする）を有する場合、第１の層の上面の高さと、第２の層の上面の高さとの差が、２０ｎｍ以下である場合も、「高さが一致または概略一致」という。

　なお、本明細書等において、「端部が一致または概略一致」とは、上面視において、積層した層と層との間で少なくとも輪郭の一部が重なることをいう。例えば、上層と下層とが、同一のマスクパターン、または一部が同一のマスクパターンにより加工された場合を含む。ただし、厳密には輪郭が重ならず、上層の輪郭が下層の輪郭より内側に位置すること、または、上層の輪郭が下層の輪郭より外側に位置することもあり、この場合も「端部が一致または概略一致」という。

（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、第１の発光素子、及び第２の発光素子を有する。第１の発光素子、及び第２の発光素子は、それぞれ、第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有する。なお、本実施の形態の表示装置は、第３の発光素子をさらに有してもよい。第３の発光素子は、第１の電極と、第１の電極上の発光層と、発光層上の第２の電極と、を有する。

　本実施の形態の表示装置は、第１の電極、第２の電極、及び発光層を有する。さらに、当該第１の電極の、当該発光層の発光領域と重なる上面は平坦であり、当該第２の電極の、当該発光層の発光領域と重なる下面は平坦である。このような構成とすることで、表示装置を斜め方向から観察する場合と、表示装置を正面方向から観察する場合と、で色ずれが生じにくくなる。さらに、表示装置を第１の斜め方向から観察する場合と、表示装置を第２の斜め方向から観察する場合と、で色ずれが生じにくくなる。そのため、視野角の広い表示装置を実現できる。また、色純度の高い表示装置を実現できる。

　例えば、第１の電極の端部を覆うように絶縁層が設けられる場合、当該絶縁層上に位置する発光層から光が発せられる場合がある。さらに、発光層と重なる領域の絶縁層が傾斜を有する場合、当該光は、斜め方向に発せられるため、表示装置の視野角に影響を及ぼす恐れがある。具体的には、表示装置の視野角が狭くなる恐れがある。一方、本発明の一態様の構成では、発光層の発光領域は、平坦となる。これにより、水平（左右）方向および垂直（上下）方向において、視野角を広くすることができる。例えば、水平（左右）方向および垂直（上下）方向において、色度の視野角依存性を小さくすることができる。さらに、水平（左右）方向における色度の視野角依存性と、垂直方向（上下）における色度の視野角依存性を同程度にすることができる。

　ＣＩＥ１９７６色度座標において、各発光素子の発光の、正面方向の色度と斜め方向（正面からの傾きの絶対値が０°より大きく９０°未満の方向）の色度との色度差Δｕ’ｖ’は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。具体的には、各発光素子の発光の、正面方向の色度と正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。

　第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて白色の表示を行うとき、ＣＩＥ１９７６色度座標における、正面方向の色度と斜め方向（正面からの傾きの絶対値が０°より大きく９０°未満の方向）の色度との色度差Δｕ’ｖ’は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。具体的には、正面方向の色度と正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。なお、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示を行うのであれば、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示する色は白色以外の色であってもよい。

　なお、上述の色度差Δｕ’ｖ’は、３０°以上８０°以下から選ばれる一つの角度に対して算出してもよい。例えば、６０°以上８０°以下から選ばれる一つの角度、具体的には７０°に対して算出するとよい。当該角度に対して、上述の色度差Δｕ’ｖ’が小さければ、色度の視野角依存性は小さいとみなせる。または、上述の色度差Δｕ’ｖ’は、３０°以上８０°以下の一部または全部の範囲で算出された色度差Δｕ’ｖ’の平均値であってもよい。

　ＣＩＥ１９７６色度座標において、各発光素子の発光の、正面方向の色度および第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下がより好ましい。具体的には、各発光素子の発光の、正面方向の色度および正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。なお、第１の方向、及び第２の方向については後述する。

　または、ＣＩＥ１９７６色度座標において、各発光素子の発光の、正面方向の色度と第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率は、０．５以上１．５以下であることが好ましく、０．６以上１．３以下がより好ましく、０．８以上１．２以下がさらに好ましい。具体的には、各発光素子の発光の、正面方向の色度と正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率は、０．５以上１．５以下であることが好ましく、０．６以上１．３以下であることがより好ましく、０．８以上１．２以下であることがさらに好ましい。なお、第１の方向、及び第２の方向については後述する。

　第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて白色の表示を行うとき、ＣＩＥ１９７６色度座標における、正面方向の色度および第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下がより好ましい。具体的には、各発光素子の発光の、正面方向の色度および正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下であることが好ましく、０．０２以下であることがより好ましい。なお、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示を行うのであれば、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示する色は白色以外の色であってもよい。

　または、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて白色の表示を行うとき、ＣＩＥ１９７６色度座標における、正面方向の色度と第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率は、０．５以上１．５以下であることが好ましく、０．６以上１．３以下であることがより好ましく、０．８以上１．２以下であることがさらに好ましい。具体的には、正面方向の色度と正面から３０°以上６０°以下（より好ましくは３０°以上８０°以下）傾いた第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率は、０．５以上１．５以下であることが好ましく、０．６以上１．３以下であることがより好ましく、０．８以上１．２以下であることがさらに好ましい。なお、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示を行うのであれば、第１の発光素子、第２の発光素子、及び第３の発光素子を用いて表示する色は白色以外の色であってもよい。

　なお、上述の差の絶対値、または上述の比率は、３０°以上８０°以下から選ばれる一つの角度に対して算出してもよい。例えば、６０°以上８０°以下から選ばれる一つの角度、具体的には７０°に対して算出するとよい。当該角度に対して、上述の差の絶対値、または上述の比率が小さければ、水平（左右）方向における色度の視野角依存性と、垂直（上下）方向における色度の視野角依存性を同程度とみなせる。または、上述の差の絶対値、または上述の比率は、それぞれ、３０°以上８０°以下の一部または全部の範囲で算出された差の絶対値の平均値、または比率の平均値であってもよい。

　本実施の形態の表示装置は、水平（左右）方向および垂直（上下）方向において視野角依存性が小さく、斜め方向から表示装置を観察しても、角度によるコントラストの低下および色度の変化が少ない。そのため、表示装置を正面方向から観察する場合だけでなく、斜め方向から表示装置を観察する場合であっても、高い視認性が得られる。例えば、複数人が同時に様々な角度から本実施の形態の表示装置を観察して、該表示装置に表示されている情報を認識することができる。また、フレキシブルディスプレイを曲げた状態で観察する場合であっても、高い視認性が得られる。本実施の形態の表示装置は、携帯用電子機器の表示部、大画面の表示部、曲面形状の表示部など様々な用途に適用できる。

　表示装置には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色の副画素で１つの色を表現する構成、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗ（白）の４色の副画素で１つの色を表現する構成、またはＲ、Ｇ、Ｂ、Ｙ（黄）の４色の副画素で１つの色を表現する構成等を適用できる。色要素に限定はなく、ＲＧＢＷＹ以外の色（例えば、シアンまたはマゼンタ等）を用いてもよい。

　表示装置が本発明の一態様の構成を有するには、第１の電極の端部が絶縁層に覆われないことが好ましい。別言すると、第１の電極及び発光層の間に絶縁層を設けない構成にすることが好ましい。具体的には、第１の電極の端部と、発光層の端部とが一致又は概略一致することが好ましい。または、第１の電極の幅は、発光層の幅よりも小さいことが好ましい。

　または、表示装置が本発明の一態様の構成を有するには、第１の電極の端部が絶縁層に覆われ、当該絶縁層は、発光層の側面と接することが好ましい。具体的には、第１の電極の幅は、発光層の幅よりも大きく、絶縁層は、第１の電極の側面、第１の電極の上面の一部、及び発光層の側面とそれぞれ接することが好ましい。

　または、表示装置が本発明の一態様の構成を有するには、第１の電極の端部が第１の絶縁層に覆われ、当該第１の絶縁層と重畳する発光層の上方に、第２の絶縁層を設ける構成にすることが好ましい。

＜表示装置の構成例＞
　本発明の一態様の表示装置の構成例を、図１及び図２を用いて説明する。

　図１Ａは、表示装置が有する表示領域８０の上面概略図である。表示領域８０は、赤色を呈する発光素子９０Ｒ、緑色を呈する発光素子９０Ｇ、及び青色を呈する発光素子９０Ｂを、それぞれ複数有する。図１Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、発光素子９０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１Ａは、発光素子がストライプ配列を有する構成を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。

［構成例１］
　図１Ｂは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図である。図１Ｂには、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂの断面概略図を示している。

　発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂは、トランジスタ（図示せず）を含む層１０１上に設けられる。また、層１０１は、基板（図示せず）上に設けられる。または、層１０１には、基板（図示せず）が含まれる。

　基板は、可撓性を有することが好ましい。また、基板の形状は、非矩形であることが好ましい。当該基板上に発光素子を形成することで、曲面を有する表示面を備えた表示装置を作製できる。

　層１０１には、例えば複数のトランジスタが設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。層１０１は、隣り合う発光素子間に凹部を有してもよい。例えば、層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられてもよい。層１０１の構成例は、後述する。

　発光素子９０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、及び共通電極１１３を有する。発光素子９０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、及び共通電極１１３を有する。発光素子９０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、及び共通電極１１３を有する。共通電極１１３は、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂに共通に設けられる。

　なお、以下では、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付記する記号を省略し、発光素子９０と表記して説明する場合がある。また、本明細書等に記載の発光素子９０は、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂのいずれか一または複数を指すことがある。

　また、以下では、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付記する記号を省略し、画素電極１１１と表記して説明する場合がある。また、本明細書等に記載の画素電極１１１は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのいずれか一または複数を指すことがある。

　また、以下では、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂに共通の事項を説明する場合には、符号に付記する記号を省略し、有機層１１２と表記して説明する場合がある。また、本明細書等に記載の有機層１１２は、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂのいずれか一または複数を指すことがある。

　画素電極１１１は、発光素子毎に設けられている。

　有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができる。

　図１Ｂに示すように、画素電極１１１Ｒの端部と、有機層１１２Ｒの端部とは、一致又は概略一致している。画素電極１１１Ｇの端部と、有機層１１２Ｇの端部とは、一致又は概略一致している。画素電極１１１Ｂの端部と、有機層１１２Ｂの端部とは、一致又は概略一致している。

　図１Ｂに示すように、異なる色の発光素子間において、２つの有機層の間に隙間が設けられている。このように、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つの有機層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、色純度を高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　図１Ｂに示すように、表示装置は絶縁層１１９を有し、絶縁層１１９は上記隙間に設けられている。具体的には、絶縁層１１９は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂのそれぞれの側面に接する領域を有する。絶縁層１１９を設けることで、画素電極１１１と共通電極１１３との電気的なショート、及びこれらの間のリーク電流を効果的に抑制できる。

　なお、図１Ｂでは絶縁層１１９を単層構造としたが、これに限定されない。例えば、絶縁層１１９を２層以上の多層構造としてもよい。絶縁層１１９を２層とする構成を図１Ｃに示す。図１Ｃに示す表示装置は、絶縁層１１９ａと、絶縁層１１９ａ上の絶縁層１１９ｂと、を有する構成であり、その他の構成は図１Ｂに示す表示装置と同様である。

　例えば、絶縁層１１９ａを、無機材料により形成し、絶縁層１１９ｂを有機材料により形成することで、画素電極１１１と、共通電極１１３との電気的なショート、及びこれらの間のリーク電流をさらに効果的に抑制できる。

　共通電極１１３は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。また、共通電極１１３は、有機層１１２Ｒ上、有機層１１２Ｇ上、有機層１１２Ｂ上、及び絶縁層１１９上に設けられている。なお、共通電極１１３は、発光素子毎に設けられてもよい。このとき、各共通電極の上方に、配線として機能する導電層を設け、当該導電層と各共通電極とを電気的に接続する構成にしてもよい。

　上記構成において、有機層１１２の発光領域は、図１Ｂに斜線のハッチングで示す領域となる。つまり、有機層１１２の発光領域は、有機層１１２全体となる。

　上記構成にすることで、有機層１１２を平坦にすることができる。さらに、有機層１１２の発光領域と重なる共通電極１１３を平坦にすることができる。別言すると、画素電極１１１の上面全面と、有機層１１２の発光領域と重なる、共通電極１１３の下面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。また、発光素子９０の上面視における、画素電極１１１および共通電極１１３が、有機層１１２の発光領域を介して重なる領域において、画素電極１１１の、有機層１１２側の表面全面と、共通電極１１３の、有機層１１２側の表面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。

　なお、図１Ｂには、画素電極１１１の端部と、有機層１１２の端部とが一致又は概略一致する構成を示しているが、本発明の一態様はこれに限られない。上記構成とは異なる表示装置の構成例を、図２Ａ乃至図２Ｃを用いて説明する。

［構成例２］
　図２Ａは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図である。図２Ａに示す表示装置は、画素電極１１１の幅が有機層１１２の幅よりも大きい点で、図１Ｂに示す表示装置とは異なる。なお、前述の構成例１と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。

　図２Ａに示すように、画素電極１１１Ｒの幅は、有機層１１２Ｒの幅よりも大きい。画素電極１１１Ｇの幅は、有機層１１２Ｇの幅よりも大きい。画素電極１１１Ｂの幅は、有機層１１２Ｂの幅よりも大きい。

　図２Ａに示すように、絶縁層１１９は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面、並びに、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂのそれぞれの側面に接する領域を有する。

　上記構成において、有機層１１２の発光領域は、図２Ａに斜線で示す領域となる。つまり、有機層１１２の発光領域は、有機層１１２全体となる。

　上記構成にすることで、有機層１１２を平坦にすることができる。さらに、有機層１１２の発光領域と重なる共通電極１１３を平坦にすることができる。別言すると、画素電極１１１の上面全面と、有機層１１２の発光領域と重なる、共通電極１１３の下面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。また、発光素子９０の上面視における、画素電極１１１および共通電極１１３が、有機層１１２の発光領域を介して重なる領域において、画素電極１１１の、有機層１１２側の表面全面と、共通電極１１３の、有機層１１２側の表面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。

［構成例３］
　図２Ｂは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図である。図２Ｂに示す表示装置は、画素電極１１１の幅が有機層１１２の幅よりも小さい点で、図１Ｂに示す表示装置とは異なる。なお、前述の構成例１と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。

　図２Ｂに示すように、画素電極１１１Ｒの幅は、有機層１１２Ｒの幅よりも小さい。画素電極１１１Ｇの幅は、有機層１１２Ｇの幅よりも小さい。画素電極１１１Ｂの幅は、有機層１１２Ｂの幅よりも小さい。

　図２Ｂに示すように、有機層１１２Ｒは、画素電極１１１Ｒの上面及び側面を覆うように設けられている。有機層１１２Ｇは、画素電極１１１Ｇの上面及び側面を覆うように設けられている。有機層１１２Ｂは、画素電極１１１Ｂの上面及び側面を覆うように設けられている。図２Ｂでは、画素電極１１１の側面が垂直である例を示しているが、これに限られず、画素電極１１１の端部は、テーパー形状であってもよい。これにより、有機層１１２の段差被覆性が向上し、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　なお、本明細書等において、対象物の端部がテーパー形状であるとは、その端部の領域において側面（表面）と被形成面（底面）との成す角度が０°より大きく９０°未満であり、端部から連続的に厚さが増加するような断面形状を有することをいう。また、テーパー角とは、対象物の端部における、底面（被形成面）と側面（表面）との成す角をいう。

　図２Ｂに示すように、絶縁層１１９は、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂのそれぞれの上面の一部及び側面に接する領域を有する。当該構成にすることで、画素電極１１１と、画素電極１１１に重ならない領域の共通電極１１３との間隔が狭まるのを抑制できる。したがって、上面視において、画素電極１１１と重ならない領域の有機層１１２が発光するのを抑制できる。つまり、有機層１１２の画素電極１１１と重なる領域（図２Ｂに斜線で示す領域）を、有機層１１２の発光領域とすることができる。

　上記構成にすることで、有機層１１２の発光領域を平坦にすることができる。さらに、有機層１１２の発光領域と重なる共通電極１１３を平坦にすることができる。別言すると、画素電極１１１の上面全面と、有機層１１２の発光領域と重なる、共通電極１１３の下面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。また、発光素子９０の上面視における、画素電極１１１及び共通電極１１３が、有機層１１２の発光領域を介して重なる領域において、画素電極１１１の、有機層１１２側の表面全面と、共通電極１１３の、有機層１１２側の表面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。

［構成例４］
　図２Ｃは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図である。図２Ｃに示す表示装置は、画素電極１１１の端部を覆うように絶縁層１１８が設けられている点で、図１Ｂに示す表示装置とは異なる。また、図２Ｃに示す表示装置は、有機層１１２の端部を覆うように絶縁層１１９が設けられている点で、図１Ｂに示す表示装置とは異なる。なお、前述の構成例１と重複する部分については説明を省略し、相違する部分について説明する。

　図２Ｃに示すように、絶縁層１１８は、画素電極１１１の端部を覆うように、層１０１上、及び画素電極１１１上に設けられている。別言すると、絶縁層１１８は、画素電極１１１の上面の一部及び側面に接する。絶縁層１１８の端部は、テーパー形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１１８上に形成される有機層１１２の被覆性を高めることができる。

　有機層１１２は、画素電極１１１上、及び絶縁層１１８上に設けられている。なお、図２Ｃには、有機層１１２の端部と画素電極１１１の端部とが一致又は概略一致する構成を示しているが、これに限られない。画素電極１１１の幅が有機層１１２の幅よりも大きくてもよいし、画素電極１１１の幅が有機層１１２の幅よりも小さくてもよい。

　絶縁層１１９は、有機層１１２上、及び絶縁層１１８上に設けられている。また、絶縁層１１９は、有機層１１２の上面の一部及び側面、並びに、絶縁層１１８の上面の一部及び側面の一部に接する領域を有する。なお、絶縁層１１９が、絶縁層１１８と接する領域は、有機層１１２の幅、絶縁層１１８の形状などによって異なる。例えば、図２Ｃに示す表示装置では、絶縁層１１９は、有機層１１２の上面の一部及び側面、並びに、絶縁層１１８の上面の一部及び側面に接する領域を有する。また、例えば、絶縁層１１８が有機樹脂を用いて形成される場合、絶縁層１１８は、画素電極１１１と重ならない領域において、凹部を有さない場合がある。このとき、絶縁層１１９は、有機層１１２の上面の一部及び側面、並びに、絶縁層１１８の上面に接する領域を有する。

　絶縁層１１９は、有機層１１２の傾斜を有する領域上、または、絶縁層１１８の端部と重なる領域上に設けられることが好ましく、有機層１１２の傾斜を有する領域上、または、有機層１１２を介して絶縁層１１８の端部と重なる領域上に設けられることがより好ましい。当該構成にすることで、図２Ｃにおいて矢印で示す領域（有機層１１２の傾斜を有する領域または絶縁層１１９が絶縁層１１８の端部と重なる領域）を介した、画素電極１１１と共通電極１１３との間隔を大きくすることができる。したがって、画素電極１１１と共通電極１１３との距離が最短となる領域と重なる有機層１１２の領域（図２Ｃに斜線で示す領域）を、有機層１１２の発光領域とすることができる。

　上記構成にすることで、有機層１１２の発光領域を平坦にすることができる。さらに、有機層１１２の発光領域と重なる共通電極１１３を平坦にすることができる。別言すると、画素電極１１１の上面全面と、有機層１１２の発光領域と重なる、共通電極１１３の下面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。また、発光素子９０の上面視における、画素電極１１１及び共通電極１１３が、有機層１１２の発光領域を介して重なる領域において、画素電極１１１の、有機層１１２側の表面全面と、共通電極１１３の、有機層１１２側の表面全面とは、発光素子９０の断面視において平行または概略平行である。

＜表示装置の色度範囲について＞
　本実施の形態の表示装置は、複数の発光素子を有し、フルカラー表示を実現できる。フルカラー表示における品質の指標としていくつかの規格値が定められている。

　例えば、ディスプレイ、プリンタ、デジタルカメラ、スキャナなどの機器において、機器間の色再現の違いを統一するためにＩＥＣ（国際電気標準会議）が定めた国際標準の色空間に関する規格としてｓＲＧＢ規格が広く定着している。なお、ｓＲＧＢ規格では、ＣＩＥ（国際照明委員会）が定めるＣＩＥ１９３１色度座標（ｘｙ色度座標）における色度（ｘ，ｙ）を、赤（Ｒ）（ｘ，ｙ）＝（０．６４０，０．３３０）、緑（Ｇ）（ｘ，ｙ）＝（０．３００，０．６００）、青（Ｂ）（ｘ，ｙ）＝（０．１５０，０．０６０）としている。

　なお、ＣＩＥ１９３１色度座標（ｘｙ色度座標）における色度（ｘ，ｙ）は、下記の変換式（１）を用いることにより、知覚される色差が空間内の距離にほぼ比例するように意図して定められたＣＩＥ１９７６色度座標（ｕ’ｖ’色度座標）で示すこともできる。

　また、アメリカの国家テレビ標準化委員会（Ｎａｔｉｏｎａｌ　Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ　Ｓｙｓｔｅｍ　Ｃｏｍｍｉｔｔｅｅ）が作成したアナログテレビ方式の色域規格であるＮＴＳＣ規格では、色度（ｘ，ｙ）を、赤（Ｒ）（ｘ，ｙ）＝（０．６７０，０．３３０）、緑（Ｇ）（ｘ，ｙ）＝（０．２１０，０．７１０）、青（Ｂ）（ｘ，ｙ）＝（０．１４０，０．０８０）としている。

　また、デジタル映画（シネマ）を配給する際の国際的な統一規格であるＤＣＩ−Ｐ３（Ｄｉｇｉｔａｌ　Ｃｉｎｅｍａ　Ｉｎｉｔｉａｔｉｖｅｓ）規格では、色度（ｘ，ｙ）を、赤（Ｒ）（ｘ，ｙ）＝（０．６８０，０．３２０）、緑（Ｇ）（ｘ，ｙ）＝（０．２６５，０．６９０）、青（Ｂ）（ｘ，ｙ）＝（０．１５０，０．０６０）としている。

　また、ＮＨＫが定めた高精細なＵＨＤＴＶ（Ｕｌｔｒａ　Ｈｉｇｈ　Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ　Ｔｅｌｅｖｉｓｉｏｎ、スーパーハイビジョンともいう）で使われる規格、Ｒｅｃｏｍｍｅｎｄａｔｉｏｎ　ＩＴＵ−Ｒ　ＢＴ．２０２０（以下、ＢＴ．２０２０）では、色度（ｘ，ｙ）を、赤色（０．７０８，０．２９２）、緑色（０．１７０，０．７９７）、青色（０．１３１，０．０４６）としている。

　このように画像表示に関する様々な規格が定められている。

　なお、色度の算出においては、色彩輝度計、分光放射輝度計、発光スペクトル測定器のいずれを用いてもよい。

＜第１の方向、第２の方向＞
　上述した第１の方向および第２の方向について、図３を用いて説明する。ここでは、第１の方向および第２の方向について、球面座標系を用いて、主に説明する。

　図３は、表示装置が有する表示領域８０の斜視図である。図３は、３つの発光素子（発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂ）が配列する構成を示している。なお、表示領域８０は、基板（図示せず）表面と平行である。よって、以降に記載する表示領域８０は、基板と置き換えることができる。

　ここでは、各発光素子の形状は、上面視において矩形であるとして説明を行う。つまり、各発光素子の上面形状は、一対の長辺と一対の短辺からなる矩形であるとする。なお、図３には、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂが上面視において矩形の形状を有する例を示しているが、これに限られない。発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂの少なくとも１つが上面視において矩形の形状を有するとよい。また、各発光素子の上面形状は矩形に限られず、円（真円）または正多角形以外の形状であってもよい。例えば、矩形のうち頂点が丸みを帯びた形状、オーバル（卵形、長円形、楕円形など）、異なる辺の長さが２つ以上ある多角形などであってもよい。

　図３に示すように、表示領域８０の法線方向をｚ軸とし、ｚ軸に垂直な方向をｘ軸とし、ｚ軸及びｘ軸と直交する方向をｙ軸とする。別言すると、ｘ軸及びｙ軸は、表示領域８０に対して平行である。以下では、表示領域８０に平行な面を、ｘｙ平面と表記する場合がある。

　図３には、第１の方向３１、および第２の方向３２を図示している。第１の方向３１は、上述した第１の方向に対応し、第２の方向３２は、上述した第２の方向に対応する。

　図３に示すように、第１の方向３１とｚ軸のなす角を角３１Ａとし、第２の方向３２とｚ軸のなす角を角３２Ａとする。また、第１の方向３１のｘｙ平面への射影とｘ軸のなす角を角３１Ｂとし、第２の方向３２のｘｙ平面への射影とｘ軸のなす角を角３２Ｂとする。

　上述した、ＣＩＥ１９７６色度座標において、各発光素子の発光の、正面方向の色度及び第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度及び第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値を算出する場合、第１の方向３１のｘｙ平面への射影が発光素子の長辺と平行になるよう第１の方向３１を設定し、第２の方向３２のｘｙ平面への射影が発光素子の短辺と平行になるよう第２の方向３２を設定する。別言すると、表示領域８０の上面視において、第１の方向３１を、発光素子の長辺と平行にし、第２の方向３２を、発光素子の短辺と平行にする。なお、発光素子は上面視において矩形の形状を有するため、発光素子の長辺と発光素子の短辺とのなす角は直角であることから、第２の方向３２のｘｙ平面への射影は、第１の方向３１のｘｙ平面への射影と垂直をなす。

　さらに、表示領域８０の上面視において、正面方向（ｚ軸方向に相当）および第１の方向３１のなす角と、正面方向および第２の方向３２のなす角とが等しく、かつ、第１の方向３１のｘｙ平面への射影および第２の方向３２のｘｙ平面への射影のなす角が９０°または２７０°となるように、第１の方向３１および第２の方向３２を設定する。別言すると、角３１Ａの角度と角３２Ａの角度が等しく、かつ、角３１Ｂの角度と角３２Ｂの角度の差が９０°または２７０°となるように、第１の方向３１および第２の方向３２を設定する。

　上記２つの色度差Δｕ’ｖ’の差の絶対値は、角３１Ａおよび角３２Ａのそれぞれの角度を、３０°以上８０°以下から選ばれる一つの角度、または、３０°以上８０°以下の一部または全部の範囲に対して算出するとよい。

　なお、第２の方向３２は、正面からの傾きの絶対値が第１の方向３１と同じであり、表示領域８０への射影が第１の方向３１の表示領域８０への射影に対して垂直な方向とみなすことができる。また、第２の方向３２は、第１の方向３１を固定した状態で、表示領域８０を上面視において９０°回転させた場合の第１の方向３１とみなすことができる。

　発光素子が矩形以外の上面形状を有する場合、長辺と短辺を定義できないことがある。例えば、発光素子の上面形状が対称軸を有する場合、第１の方向３１のｘｙ平面への射影が対称軸と平行になるよう第１の方向３１を設定し、第２の方向３２のｘｙ平面への射影が対称軸と垂直になるよう第２の方向３２を設定してもよい。また、第１の方向３１のｘｙ平面への射影が、発光素子が有する形状の重心を通り当該形状の外縁（輪郭）までの距離が最長となる直線と平行になるように第１の方向３１を設定し、第２の方向３２のｘｙ平面への射影が、当該形状の重心を通り当該形状の外縁までの距離が最短となる直線と平行になるように第２の方向３２を設定するとよい。このとき、第１の方向３１のｘｙ平面への射影と、第２の方向３２のｘｙ平面への射影とのなす角は直角（９０°または２７０°）に限らない。

　なお、上述した、ＣＩＥ１９７６色度座標において、各発光素子の発光の、正面方向の色度と第１の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’に対する、正面方向の色度と第２の方向の色度との色度差Δｕ’ｖ’の比率を算出する場合も同様である。

　以上のように、本発明の一態様により、視野角の広い表示装置を提供できる。また、色純度の高い表示装置を提供できる。また、水平（左右）方向および垂直（上下）方向において視野角の広い表示装置を提供できる。また、水平（左右）方向および垂直（上下）方向において色純度の高い表示装置を提供できる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例及び作製方法例について説明する。

　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、又は青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラー表示の表示装置を実現できる。

　本発明の一態様は、島状のＥＬ層同士、及び島状のＥＬ層と活性層とをメタルマスクなどのシャドーマスクを用いることなく、フォトリソグラフィ法により微細なパターンに加工する。これにより、これまで実現が困難であった高い精細度と、大きな開口率を有する表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　なお、本明細書等において、島状とは、同一工程で形成された同一材料を用いた２以上の層が物理的に分離されている状態であることを示す。例えば、島状のＥＬ層とは、当該ＥＬ層と、隣接するＥＬ層とが、物理的に分離されている状態であることを示す。

　異なる色のＥＬ層、又はＥＬ層と活性層との間隔について、例えばメタルマスクを用いた形成方法では１０μｍ未満にすることは困難であるが、上記方法であれば、３μｍ以下、２μｍ以下、又は、１μｍ以下にまで狭めることができる。例えばＬＳＩ向けの露光装置を用いることで、５００ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１００ｎｍ以下、さらには５０ｎｍ以下にまで間隔を狭めることもできる。これにより、２つの発光素子間に存在しうる非発光領域の面積を大幅に縮小することができ、開口率を１００％に近づけることが可能となる。例えば、開口率は、５０％以上、６０％以上、７０％以上、８０％以上、さらには９０％以上であって、１００％未満を実現することもできる。

　さらに、ＥＬ層及び活性層自体のパターンについても、メタルマスクを用いた場合に比べて極めて小さくすることができる。また、例えばＥＬ層の作り分けにメタルマスクを用いた場合では、パターンの中央と端で厚さのばらつきが生じるため、パターン全体の面積に対して、発光領域として使用できる有効な面積は小さくなる。一方、上記作製方法では、均一な厚さに成膜した膜を加工することでパターンを形成するため、パターン内で厚さを均一にでき、微細なパターンであっても、そのほぼ全域を発光領域として用いることができる。そのため、上記作製方法であれば、高い精細度と高い開口率を兼ね備えることができる。

　ＦＭＭ（Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ）を用いて形成された有機膜は、端部に近いほど厚さが薄くなるような、極めてテーパー角の小さな（例えば０°より大きく３０°未満）膜となる場合が多い。そのため、ＦＭＭを用いて形成された有機膜は、その側面と上面が連続的につながるため、側面を明確に確認することが困難な場合がある。一方、本発明の一態様においては、ＦＭＭを用いることなく加工されたＥＬ層を有するため、側面を明確に確認することができる。特に、本発明の一態様は、ＥＬ層のテーパー角が、３０°以上１２０°以下、好ましくは６０°以上１２０°以下であることが好ましい。

　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、ＦＭＭを用いて作製されるデバイスをＦＭＭ構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。ＭＭＬ構造の表示装置は、メタルマスクを用いずに作製するため、ＦＭＭ構造、またはＭＭ構造の表示装置よりも画素配置及び画素形状等の設計自由度が高い。

　なお、ＭＭＬ構造の表示装置の作製方法では、島状のＥＬ層は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、ＥＬ層を一面に成膜した後に加工することで形成される。したがって、これまで実現が困難であった高精細な表示装置または高開口率の表示装置を実現できる。さらに、ＥＬ層を各色で作り分けることができるため、極めて鮮やかでコントラストが高く、表示品位の高い表示装置を実現できる。また、ＥＬ層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中にＥＬ層が受けるダメージを低減し、発光素子の信頼性を高めることができる。なお、本明細書等において、犠牲層をマスク層と呼称してもよい。

　また、本発明の一態様の表示装置は、画素電極の端部を覆う絶縁物が設けられない構造とすることができる。別言すると、画素電極と、ＥＬ層との間に絶縁物が設けられない構成である。当該構成とすることで、ＥＬ層からの発光を効率よく取り出すことができるため、視野角依存性を極めて小さくすることができる。例えば、本発明の一態様の表示装置においては、視野角（斜め方向から画面を見たときの、一定のコントラスト比が維持される最大の角度）を１００°以上１８０°未満、好ましくは１５０°以上１７０°以下の範囲とすることができる。なお、上記の視野角については、上下方向、及び左右方向のそれぞれに適用することができる。本発明の一態様の表示装置とすることで、視野角依存性が向上し、画像の視認性を高めることが可能となる。

　なお、表示装置をＦＭＭを用いて形成する場合、画素配置の構成などに制限がかかる場合がある。ここで、ＦＭＭを用いたＥＬ層の形成について、以下、説明を行う。

　ＦＭＭを用いてＥＬ層の形成を行う場合、ＥＬ蒸着時において、所望の領域にＥＬが蒸着されるように開口部が設けられた金属のマスク（ＦＭＭともいう）を基板に対向してセットする。その後、ＦＭＭを介して、ＥＬ蒸着を行うことで、所望の領域にＥＬ蒸着を行う。ＥＬ蒸着する際の基板サイズが大きくなると、ＦＭＭのサイズも大きくなり、その重量も大きくなる。また、ＥＬ蒸着時に熱などがＦＭＭに与えられるため、ＦＭＭが変形する場合がある。又は、ＥＬ蒸着時にＦＭＭに一定のテンションを与えて蒸着する方法などもあるため、ＦＭＭの重量、及び強度は、重要なパラメータである。

　そのため、ＦＭＭ構造の表示装置の画素配置の構成を設計する場合、上記のパラメータなどを考慮する必要があり、一定の制限のもとに検討する必要がある。一方で、本発明の一態様の表示装置においては、ＭＭＬ構造の表示装置であるため、画素配置の構成などＦＭＭ構造の表示装置と比較し設計自由度が高いといった、優れた効果を奏する。なお、本構成においては、例えばフレキシブルデバイスなどとも非常に親和性が高く、画素、及び駆動回路のいずれか一または双方ともに、様々な回路配置とすることができる。

　なお、本明細書等において、各色の発光素子（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光素子を白色発光素子と呼ぶ場合がある。なお、白色発光素子は、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラー表示の表示装置を実現できる。

　また、発光素子は、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造の素子は、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。２の発光層を用いて白色発光を得る場合、２の発光層の各々の発光色が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する構成を得ることができる。また、３以上の発光層を用いて白色発光を得る場合、３以上の発光層のそれぞれの発光色が合わさることで、発光素子全体として白色発光することができる構成とすればよい。

　タンデム構造の素子は、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。各発光ユニットにおいて、同じ色の光を発する発光層を用いることで、所定の電流当たりの輝度が高められ、且つ、シングル構造と比較して信頼性の高い発光素子とすることができる。タンデム構造で白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる発光色の組み合わせについては、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造の素子において、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。

　また、上述の白色発光素子（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光素子と、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光素子は、白色発光素子よりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合は、ＳＢＳ構造の発光素子を用いると好適である。一方で、白色発光素子は、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光素子よりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。

　本実施の形態の発光素子の構成に、特に限定はなく、シングル構造であってもタンデム構造であってもよい。

　以下では、より具体的な例について説明する。

［構成例］
　図４に、表示装置１００の表示領域およびその周辺の上面概略図を示す。表示装置１００の表示領域は、赤色を呈する発光素子９０Ｒ、緑色を呈する発光素子９０Ｇ、及び青色を呈する発光素子９０Ｂを、それぞれ複数有する。図４では、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。

　発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、発光素子９０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図４は、ストライプ配列を有する構成を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列、ダイヤモンド配列などを用いることもできる。

　また、図４には、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、又はカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子９０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。また図４には、共通電極１１３を破線で示している。

　接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、又は四角形などとすることができる。

　図５Ａは、図４中の一点鎖線Ａ１−Ａ２、及び一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面図である。図５Ａには、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、発光素子９０Ｂ、及び接続部１４０の断面図を示している。発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂは、層１０１上に設けられる。また、層１０１は、基板（図示せず）上に設けられる。または、層１０１には、基板（図示せず）が含まれる。

　層１０１には、例えば複数のトランジスタ（図示せず）が設けられ、これらのトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。ここで、図５Ａでは、層１０１が、隣接する発光素子間に凹部を有しない例を示しているが、凹部を有してもよい。

　層１０１には、例えば画素回路、走査線駆動回路（ゲートドライバ）、及び信号線駆動回路（ソースドライバ）等が構成されていることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、又は記憶回路等が構成されていてもよい。

　発光素子９０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１２Ｒ、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子９０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１２Ｇ、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子９０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１２Ｂ、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。有機層１１４と共通電極１１３は、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂに共通に設けられる。有機層１１４は、共通層ともいうことができる。

　有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の波長域に強度を有する光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、それぞれＥＬ層とも呼ぶことができる。

　有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、有機層１１２Ｂは、それぞれ電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有していてもよい。有機層１１４は、発光層を有さない構成とすることができる。例えば、有機層１１４は、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有する。

　ここで、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの積層構造のうち、最も上側に位置する層、すなわち有機層１１４と接する層は、発光層以外の層とすることが好ましい。例えば、発光層を覆って、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層、又はこれら以外の層を設け、当該層と、有機層１１４とが接する構成とすることが好ましい。このように、各発光素子を作製する際に、発光層の上面を他の層で保護した状態とすることで、発光素子の信頼性を向上させることができる。

　画素電極１１１は、発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３及び有機層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。

　図５Ａに示すように、異なる色の発光素子間において、２つの有機層１１２の間に隙間が設けられている。このように、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂが、互いに接しないように設けられていることが好ましい。これにより、隣接する２つの有機層１１２を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。

　有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、テーパー角が３０°以上であることが好ましい。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、端部における側面（表面）と底面（被形成面）との角度が、３０°以上１２０°以下、好ましくは４５°以上１２０°以下、より好ましくは６０°以上１２０°以下であることが好ましい。又は、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、テーパー角がそれぞれ９０°又はその近傍（例えば８０°以上１００°以下）であることが好ましい。

　共通電極１１３上には、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。

　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造又は積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜又は窒化物膜が挙げられる。又は、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。

　また、保護層１２１として、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、保護層１２１の不純物に対するバリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、又はレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。

　接続部１４０では、接続電極１１１Ｃ上に共通電極１１３が接して設けられ、共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられている。

　図５Ａは、画素電極１１１Ｒの端部と有機層１１２Ｒの端部とが一致又は概略一致し、画素電極１１１Ｇの端部と有機層１１２Ｇの端部とが一致又は概略一致し、画素電極１１１Ｂの端部と有機層１１２Ｂの端部とが一致又は概略一致している場合の例を示している。

　また、図５Ａは、有機層１１４が、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの上面及び側面を覆って設けられている。有機層１１４により、画素電極１１１と共通電極１１３とが接し、電気的にショートしてしまうことを防ぐことができる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、図５Ａに示す構成に限られない。以下では、図５Ａとは一部の構成が異なる表示装置の構成例について説明する。

　図５Ｂは、表示装置が、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂ、並びに画素電極１１１の側面に接して設けられる絶縁層１２５を有する場合の例を示している。つまり、図５Ｂに示す表示装置は、絶縁層１２５を有する点で、図５Ａに示す表示装置とは異なる。絶縁層１２５を設けることで、画素電極１１１と共通電極１１３との電気的なショート、及びこれらの間のリーク電流を効果的に抑制できる。

　なお、絶縁層１２５は、接続電極１１１Ｃの側面に接して設けられてもよい。図５Ｂは、絶縁層１２５が接続電極１１１Ｃの上面の一部及び側面と接する領域を有する場合の例を示している。

　絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特に原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、有機層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

　なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。例えば、酸化窒化アルミニウムと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化アルミニウムと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。

　図５Ｃでは、隣接する２つの発光素子間において、対向する２つの画素電極の隙間、及び対向する２つの有機層の隙間を埋めるように、樹脂層１２６が設けられている。つまり、図５Ｃに示す表示装置は、樹脂層１２６を有する点で、図５Ａに示す表示装置とは異なる。樹脂層１２６により、有機層１１４、共通電極１１３等の被形成面を平坦化することができるため、隣接する発光素子間の段差における共通電極１１３の被覆不良により、共通電極１１３が断線してしまうことを防ぐことができる。

　樹脂層１２６の上面は、平坦であるほど好ましいが、樹脂層１２６の被形成面の凹凸形状、樹脂層１２６の形成条件などによって、樹脂層１２６の表面が凹状又は凸状の形状になる場合がある。

　なお、樹脂層１２６は、接続電極１１１Ｃの側面に接して設けられてもよい。図５Ｃは、樹脂層１２６が接続電極１１１Ｃの上面の一部及び側面と接する領域を有する場合の例を示している。

　樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで樹脂層１２６を作製できる。また、ネガ型の感光性樹脂（例えばレジスト材料など）を用いて樹脂層１２６を形成してもよい。また、樹脂層１２６として、有機材料を有する絶縁層を用いる場合、可視光を吸収する材料を用いると好適である。樹脂層１２６に可視光を吸収する材料を用いると、ＥＬ層からの発光を樹脂層１２６により吸収することが可能となり、隣接するＥＬ層に漏れうる光（迷光）を抑制できる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供できる。

　また、樹脂層１２６として、着色された材料（例えば、黒色の顔料を含む材料など）を用いることで、隣接する画素からの迷光を遮断し、混色を抑制する機能を付与してもよい。

　図５Ｄでは、絶縁層１２５と、絶縁層１２５上に樹脂層１２６が設けられている。つまり、図５Ｄに示す表示装置は、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６を有する点で、図５Ａに示す表示装置とは異なる。絶縁層１２５により、有機層１１２と樹脂層１２６とが接しないため、樹脂層１２６に含まれる水分などの不純物が、有機層１１２に拡散することを防ぐことができ、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウムなどの中から選ばれる一又は複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を当該反射膜で反射させることで、光取り出し効率を向上させる機構を設けてもよい。

　図６Ａ乃至図６Ｃ、並びに、図７Ａ乃至図７Ｅのそれぞれに示す表示装置は、画素電極１１１の幅が有機層１１２の幅と異なる点で、図５Ａに示す表示装置とは異なる。

　図６Ａ乃至図６Ｃは、画素電極１１１Ｒの幅が有機層１１２Ｒの幅よりも大きく、画素電極１１１Ｇの幅が有機層１１２Ｇの幅よりも大きく、画素電極１１１Ｂの幅が有機層１１２Ｂの幅よりも大きい場合の例を示している。有機層１１２Ｒは画素電極１１１Ｒの端部よりも内側に設けられ、有機層１１２Ｇは画素電極１１１Ｇの端部よりも内側に設けられ、有機層１１２Ｂは画素電極１１１Ｂの端部よりも内側に設けられている。

　図６Ａは、絶縁層１２５を有する場合の例を示している。絶縁層１２５は、発光素子が有する有機層１１２の側面と、画素電極１１１の上面の一部及び側面を覆って設けられている。

　図６Ｂは、樹脂層１２６を有する場合の例を示している。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置し、有機層１１２の側面、並びに画素電極１１１の上面の一部及び側面を覆って設けられている。

　図６Ｃは、絶縁層１２５と樹脂層１２６の両方を有する場合の例を示している。有機層１１２と樹脂層１２６との間には、絶縁層１２５が設けられている。

　図７Ａ乃至図７Ｅは、画素電極１１１Ｒの幅が有機層１１２Ｒの幅よりも小さく、画素電極１１１Ｇの幅が有機層１１２Ｇの幅よりも小さく、画素電極１１１Ｂの幅が有機層１１２Ｂの幅よりも小さい場合の例を示している。有機層１１２Ｒの端部は画素電極１１１Ｒの端部よりも外側に位置し、有機層１１２Ｇの端部は画素電極１１１Ｇの端部よりも外側に位置し、有機層１１２Ｂの端部は画素電極１１１Ｂの端部よりも外側に位置している。

　図７Ｂは、絶縁層１２５を有する例を示している。絶縁層１２５は、隣接する２つの発光素子の有機層１１２の側面に接して設けられている。なお、絶縁層１２５は、有機層１１２の側面だけでなく、上面の一部を覆って設けられていてもよい。

　図７Ｃは、樹脂層１２６を有する例を示している。樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子の間に位置し、有機層１１２の側面及び上面の一部を覆って設けられている。なお、樹脂層１２６は、有機層１１２の側面に接し、上面を覆わない構成としてもよい。

　図７Ｄは、絶縁層１２５と樹脂層１２６の両方を有する場合の例を示している。有機層１１２と樹脂層１２６との間には、絶縁層１２５が設けられている。

　図７Ｅは、絶縁層１２４、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６を有する場合の例を示している。有機層１１２と絶縁層１２５との間には、絶縁層１２４が設けられている。絶縁層１２４は、有機層１１２上に設けられる犠牲層から形成される。当該犠牲層については、後述の［作製方法例］で説明する。

　図７Ｅに示すように、層１０１は、隣接する発光素子間に凹部を有してもよい。例えば、層１０１の最表面に位置する絶縁層に凹部が設けられてもよい。なお、層１０１は、隣接する発光素子の間に凹部を有さない場合もある。

　図８Ａ乃至図９Ｆには、発光素子９０Ｒが有する画素電極１１１Ｒの端部、発光素子９０Ｇが有する画素電極１１１Ｇの端部、及びこれらの近傍の拡大図を示している。

　図８Ａ乃至図８Ｃでは、樹脂層１２６の上面が平坦である場合の、樹脂層１２６及びその近傍の拡大図を示している。図８Ａは、画素電極１１１Ｒよりも有機層１１２Ｒの幅が大きく、画素電極１１１Ｇよりも有機層１１２Ｇの幅が大きい場合の例を示している。図８Ｂは、画素電極１１１Ｒの幅と有機層１１２Ｒの幅とが一致又は概略一致し、画素電極１１１Ｇの幅と有機層１１２Ｇの幅とが一致又は概略一致している場合の例を示している。図８Ｃは、画素電極１１１Ｒよりも有機層１１２Ｒの幅が小さく、画素電極１１１Ｇよりも有機層１１２Ｇの幅が小さい場合の例を示している。

　図８Ａに示すように、有機層１１２Ｒが画素電極１１１Ｒの端部を覆って設けられ、有機層１１２Ｇが画素電極１１１Ｇの端部を覆って設けられるため、画素電極１１１Ｒ及び画素電極１１１Ｇのそれぞれの端部は、テーパー形状であることが好ましい。これにより、有機層１１２Ｒ及び有機層１１２Ｇの段差被覆性が向上し、信頼性の高い表示装置とすることができる。

　図８Ｄ乃至図８Ｆは、樹脂層１２６の上面が凹状である場合の例を示している。このとき、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１の上面には、樹脂層１２６の凹状の上面を反映した凹状の部分が形成される。

　図９Ａ乃至図９Ｃは、樹脂層１２６の上面が凸状である場合の例を示している。このとき、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１の上面には、樹脂層１２６の凸状の上面を反映した凸状の部分が形成される。

　図９Ｄ乃至図９Ｆは、樹脂層１２６の一部が、有機層１１２Ｒの側面及び上面の一部、及び有機層１１２Ｇの側面及び上面の一部を覆っている場合の例を示している。このとき、樹脂層１２６と、有機層１１２Ｒ又は有機層１１２Ｇの側面及び上面の一部との間には絶縁層１２５が設けられる。

　また図９Ｄ乃至図９Ｆは、樹脂層１２６の上面の一部が凹状である場合の例を示している。このとき、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１の上面には、樹脂層１２６の上面を反映した凹凸状の部分が形成される。

　図１０Ａ及び図１０Ｂは、絶縁層１１８を有する例を示している。

　画素電極１１１の端部を覆って、絶縁層１１８が設けられている。絶縁層１１８の端部は、テーパー形状であることが好ましい。

　また、絶縁層１１８に有機樹脂を用いることで、その表面を緩やかな曲面とすることができる。そのため、絶縁層１１８の上に形成される膜の被覆性を高めることができる。

　絶縁層１１８に用いることのできる材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。

　又は、絶縁層１１８として、無機絶縁材料を用いてもよい。絶縁層１１８に用いることのできる無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、又は酸化ハフニウムなどの、酸化物、酸化窒化物、窒化酸化物、又は窒化物を用いることができる。また、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、及び酸化ネオジム等を用いてもよい。

　図１０Ａは、絶縁層１１８、及び樹脂層１２６を有する例を示している。つまり、図１０Ａに示す表示装置は、絶縁層１１８、及び樹脂層１２６を有する点で、図５Ａに示す表示装置とは異なる。

　樹脂層１２６は、隣接する２つの発光素子間に位置し、有機層１１２の上面の一部及び側面、並びに、絶縁層１１８の上面を覆って設けられている。

　図１０Ｂは、絶縁層１１８、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６を有する場合の例を示している。つまり、図１０Ｂに示す表示装置は、絶縁層１２５を有する点で、図１０Ａに示す表示装置とは異なる。有機層１１２及び絶縁層１１８と樹脂層１２６との間には、絶縁層１２５が設けられている。なお、図１０Ｂに示す構成において、樹脂層１２６を設けなくてもよい場合がある。

　なお、図５Ｂ、図５Ｃなどに示す、隣接する２つの発光素子間において、対向する２つの有機層間に設けられる絶縁層１２５または樹脂層１２６は、実施の形態１で説明した絶縁層１１９に対応する。また、図５Ｄなどに示す、隣接する２つの発光素子間において、対向する２つの有機層間に設けられる絶縁層１２５及び樹脂層１２６は、それぞれ、実施の形態１で説明した絶縁層１１９ａ及び絶縁層１１９ｂに対応する。

［変形例］
　以下では、上記とは一部の構成が異なる例について説明する。なお以下では、上記と重複する部分についてはこれを援用し、説明を省略する。

　図１０Ｃに示す表示装置は、導電層１２２Ｒ、導電層１２２Ｇ、及び導電層１２２Ｂを有する点で、図５Ｃに示す表示装置と主に相違している。導電層１２２Ｒ、導電層１２２Ｇ、及び導電層１２２Ｂは、光学調整層として機能する。

　発光素子９０Ｒは、画素電極１１１Ｒと有機層１１２Ｒとの間に、導電層１２２Ｒを有する。発光素子９０Ｇは、画素電極１１１Ｇと有機層１１２Ｇとの間に、導電層１２２Ｇを有する。発光素子９０Ｂは、画素電極１１１Ｂと有機層１１２Ｂとの間に、導電層１２２Ｂを有する。

　さらに、導電層１２２Ｒ、導電層１２２Ｇ、及び導電層１２２Ｂは、それぞれ可視光に対して透光性を有する。導電層１２２Ｒ、導電層１２２Ｇ、及び導電層１２２Ｂは、それぞれ厚さが異なる。これにより、発光素子毎に光路長を異ならせることができる。

　ここで、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂに、可視光に対して反射性を有する導電膜を用い、共通電極１１３に、可視光に対して反射性及び透過性を有する導電膜を用いる。これにより、各発光素子は、いわゆるマイクロキャビティ構造（微小共振器構造）が実現され、特定の波長の光が強められる。これにより、色純度が高められた表示装置を実現できる。

　各光学調整層としては、可視光に対して透光性を有する、導電性材料を用いることができる。例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛、シリコンを含むインジウム錫酸化物、シリコンを含むインジウム亜鉛酸化物などの導電性酸化物を用いることができる。

　各光学調整層は、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂを形成した後であって、有機層１１２となる有機膜を形成する前に、形成することができる。各光学調整層は、それぞれ厚さの異なる導電膜を用いてもよいし、薄いものから順に、単層構造、２層構造、３層構造などとしてもよい。

　なお、光学調整層は、図５Ｃに示す表示装置に限らず、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｄ、図６Ａ乃至図６Ｃ、図７Ａ乃至図７Ｅ、図１０Ａ及び図１０Ｂのそれぞれに示す表示装置が有する各発光素子に設けてもよい。

　図１０Ｄに示す表示装置は、光学調整層を有さない点で、図１０Ｃに示す表示装置と主に相違している。図１０Ｄに示す表示装置は、各有機層１１２の厚さが異なる点で、図５Ｃに示す表示装置と主に相違している。

　図１０Ｄに示す表示装置では、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの厚さを異ならせて、マイクロキャビティ構造を実現した例である。このような構成とすることで、光学調整層を別途設ける必要が無いため、工程を簡略化できる。

　例えば、図１０Ｄに示す表示装置では、最も波長の長い光を発する発光素子９０Ｒの有機層１１２Ｒが最も厚く、最も波長の短い光を発する発光素子９０Ｂの有機層１１２Ｂが最も薄い。なお、これに限られず、各発光素子が発する光の波長、発光素子を構成する層の光学特性、及び発光素子の電気特性などを考慮して、各有機層の厚さを調整することができる。

　なお、図５Ｃに示す表示装置が有する発光素子に限らず、図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｄ、図６Ａ乃至図６Ｃ、図７Ａ乃至図７Ｅ、図１０Ａ及び図１０Ｂのそれぞれに示す表示装置が有する発光素子に、有機層１１２の厚さを異ならせることによるマイクロキャビティ構造を付与してもよい。

　発光素子にマイクロキャビティ構造を付与することにより、色純度を高めることができる。

［作製方法例］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、図７Ｅに示した表示装置１００を例に挙げて説明する。

　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、又は熱ＣＶＤ法等がある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。さらに、ＡＬＤ法としては、ＰＥＡＬＤ法、又は熱ＡＬＤ法等がある。

　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法等により薄膜を加工してもよい。また、メタルマスク等の遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。

　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。

　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、又はこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、又はＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、又はＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線又は電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビーム等のビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法等を用いることができる。

　表示装置１００を作製するには、まず、基板（図示せず）上に層１０１を形成する。前述のように、層１０１は、例えばトランジスタを覆うように絶縁層が設けられた積層構造を適用することができる。

　基板としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることが好ましい。基板として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板等を用いることができる。また、シリコン又は炭化シリコン等を材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板等の半導体基板を用いることができる。

　続いて、層１０１上に、画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃとなる導電膜を成膜する。具体的には、例えば層１０１の絶縁表面上に、当該導電膜を成膜する。続いて、当該導電膜の一部をエッチングして除去し、層１０１上に画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ、及び接続電極１１１Ｃを形成する（図１１Ａ）。

　画素電極として可視光に対して反射性を有する導電膜を用いる場合、可視光の波長域全域での反射率ができるだけ高い材料（例えば銀又はアルミニウム等）を適用することが好ましい。これにより、発光素子の光取り出し効率を高められるだけでなく、色再現性を高めることができる。

　続いて、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、画素電極１１１Ｂ上、及び層１０１上に、後に有機層１１２Ｒとなる有機膜１１２Ｒｆを形成する（図１１Ｂ）。ここで、有機膜１１２Ｒｆは、接続電極１１１Ｃとは重ならないように設けることが好ましい。例えば、接続電極１１１Ｃが含まれる領域をメタルマスクで遮蔽して有機膜１１２Ｒｆを形成することにより、有機膜１１２Ｒｆを、接続電極１１１Ｃと重ならないように形成することができる。この際に用いるメタルマスクは表示部の画素領域を遮蔽しなくてもよいため、高精細なメタルマスクを用いる必要はない。

　有機膜１１２Ｒｆは、少なくとも発光性の化合物を含む膜を有する。このほかに、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層として機能する膜のうち、一以上が積層された構成としてもよい。有機膜１１２Ｒｆは、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。

　続いて、有機膜１１２Ｒｆ上、接続電極１１１Ｃ上、及び層１０１上に犠牲膜１４４Ｒａを形成し、犠牲膜１４４Ｒａ上に犠牲膜１４４Ｒｂを形成する（図１１Ｂ）。つまり、有機膜１１２Ｒｆ上、接続電極１１１Ｃ上、及び層１０１上に、２層積層構造の犠牲膜を形成する。なお、犠牲膜は１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。以降の工程において犠牲膜を形成する場合も、２層積層構造の犠牲膜を形成するものとするが、１層としてもよいし、３層以上の積層構造としてもよい。なお、本明細書等において、犠牲膜をマスク膜と呼称してもよい。

　犠牲膜１４４Ｒａ及び犠牲膜１４４Ｒｂの形成には、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いることができる。なお、ＥＬ層へのダメージが少ない形成方法が好ましく、有機膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａには、ＡＬＤ法、又は真空蒸着法を用いて、犠牲膜１４４Ｒａを形成すると好適である。

　犠牲膜１４４Ｒａとして、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜等の無機膜を好適に用いることができる。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化窒化ハフニウム膜等の酸化物膜又は酸化窒化物膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えば窒化物膜を用いることもできる。具体的には、窒化シリコン膜、窒化アルミニウム膜、窒化ハフニウム膜、窒化チタン膜、窒化タンタル膜、窒化タングステン膜、窒化ガリウム膜、窒化ゲルマニウム膜等の窒化物膜を用いることもできる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができるが、有機膜１１２Ｒｆ上に直接形成する犠牲膜１４４Ｒａは、特にＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、例えばニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウム又は銀等の低融点材料を用いることが好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）等の金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）等を用いることができる。又はシリコンを含むインジウムスズ酸化物等を用いることもできる。

　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、又はマグネシウムから選ばれた一種又は複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、又はイットリウムから選ばれた一種又は複数種とすることが好ましい。

　犠牲膜１４４Ｒｂとして、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料を用いることができる。例えば、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料から、犠牲膜１４４Ｒａとして一を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂとして他の一を選択することができる。また、上記に挙げた犠牲膜１４４Ｒａとして用いることができる材料のうち、犠牲膜１４４Ｒａには一又は複数の材料を選択し、犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとして選択された材料以外から選択された材料を用いることができる。

　具体的には、犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法を用いて形成された酸化アルミニウムを用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法を用いて形成された窒化シリコンを用いると好適である。なお、当該構成の場合、ＡＬＤ法、及びスパッタリング法で成膜する際の成膜温度としては、室温以上１２０℃以下、好ましくは室温以上１００℃以下とすることで、有機膜１１２Ｒｆに与える影響を低減できるため好適である。また、犠牲膜１４４Ｒａと、犠牲膜１４４Ｒｂとの積層構造の場合、当該積層構造の応力が小さいほうが好ましい。具体的には、積層構造の応力が、−５００ＭＰａ以上＋５００ＭＰａ以下、より好ましくは、−２００ＭＰａ以上＋２００ＭＰａ以下とすると、膜剥がれ、及びピーリング等の工程トラブルを抑制できるため好適である。

　犠牲膜１４４Ｒａは、有機膜１１２Ｒｆ等の各ＥＬ膜のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４Ｒａは、各ＥＬ膜へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。

　また、犠牲膜１４４Ｒａとして、少なくとも有機膜１１２Ｒｆの最上部に位置する膜に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水又はアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４Ｒａに好適に用いることができる。犠牲膜１４４Ｒａを成膜する際には、水又はアルコール等の溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、有機膜１１２Ｒｆへの熱的なダメージを低減することができ、好ましい。

　犠牲膜１４４Ｒａの形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等がある。

　犠牲膜１４４Ｒａとしては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、又はアルコール可溶性のポリアミド樹脂等の有機材料を用いることができる。

　犠牲膜１４４Ｒｂには、犠牲膜１４４Ｒａとの選択比の大きい膜を用いればよい。

　犠牲膜１４４Ｒａとして、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコン等の無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成した、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、コバルト、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタル等の金属材料、又は該金属材料を含む合金材料を用いることが好ましい。特に、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成したタングステンを用いることが好ましい。また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、スパッタリング法により形成した、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物等の、インジウムを含む金属酸化物を用いてもよい。さらに、犠牲膜１４４Ｒｂとして、無機材料を用いてもよい。例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜等の酸化物膜、酸化窒化物膜、窒化酸化物膜又は窒化物膜を用いることができる。

　また、犠牲膜１４４Ｒｂとして、有機膜１１２Ｒｆ等に用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、有機膜１１２Ｒｆに用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４４Ｒｂとして用いることができる。このような有機膜を用いることで、有機膜１１２Ｒｆと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、有機膜１１２Ｒｆをエッチングする際に、犠牲膜１４４Ｒｂを同時に除去できるため、工程を簡略化できる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ上の画素電極１１１Ｒ及び接続電極１１１Ｃと重なる位置にレジストマスク（図示せず）を形成する。当該レジストマスクは、ポジ型のレジスト材料、又はネガ型のレジスト材料等、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｒｂ及び犠牲膜１４４Ｒａの、上記レジストマスクに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａを形成する（図１１Ｃ）。図１１Ｃに示すように、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａは、例えば画素電極１１１Ｒ上と、接続電極１１１Ｃ上と、に形成することができる。

　ここで、上記レジストマスクを用いて犠牲膜１４４Ｒｂの一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５Ｒｂを形成した後に上記レジストマスクを除去し、その後に犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。この場合、犠牲膜１４４Ｒｂのエッチングには、犠牲膜１４４Ｒａとの選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。ハードマスク形成のエッチングにはウェットエッチング法又はドライエッチング法を用いることができるが、ドライエッチング法を用いることで、パターンの縮小を抑制できる。

　犠牲膜１４４Ｒａ及び犠牲膜１４４Ｒｂの加工、並びに上記レジストマスクの除去は、ウェットエッチング法又はドライエッチング法により行うことができる。例えば、犠牲膜１４４Ｒａ、及び犠牲膜１４４Ｒｂは、フッ素を含むガス用いたドライエッチング法により加工することができる。また、上記レジストマスクは、酸素を含むガス（酸素ガスともいう）を用いたドライエッチング法（プラズマアッシング法ともいう）により除去することができる。

　犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングする場合、有機膜１１２Ｒｆが犠牲膜１４４Ｒａに覆われた状態で上記レジストマスクの除去を行うことができる。例えば、有機膜１１２Ｒｆが酸素に触れると、発光素子９０Ｒの電気特性に悪影響を及ぼす場合がある。よって、プラズマアッシング等、酸素ガスを用いた方法で上記レジストマスクを除去する場合には、犠牲層１４５Ｒｂをハードマスクとして犠牲膜１４４Ｒａをエッチングすることが好ましい。

　続いて、犠牲層１４５Ｒａに覆われない有機膜１１２Ｒｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の有機層１１２Ｒを形成する（図１１Ｄ）。

　有機膜１１２Ｒｆのエッチングに酸素ガスを用いたドライエッチング法を用いると、エッチング速度を高めることができる。そのため、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でのエッチングができるため、エッチングによる有機膜１１２Ｒｆへのダメージを低減できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の有機層１１２Ｒ等への付着等の不具合を抑制できる。

　一方、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチング法により有機膜１１２Ｒｆをエッチングすると、有機膜１１２Ｒｆの変質を抑制し、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えば四フッ化炭素（ＣＦ_４）、Ｃ_４Ｆ_８、ＳＦ_６、ＣＨＦ_３、Ｃｌ_２、Ｈ_２Ｏ、ＢＣｌ_３等を含むガス、又はＨｅ等の第１８族元素を含むガスが挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。なお、有機膜１１２Ｒｆのエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチング法により行ってもよいし、ウェットエッチング法により行ってもよい。

　有機膜１１２Ｒｆのエッチングを行って有機層１１２Ｒを形成した際に、有機層１１２Ｒの側面に不純物が付着していると、以降の工程において当該不純物が有機層１１２Ｒの内部へ侵入する場合がある。これにより、表示装置１００の信頼性が低下する場合がある。よって、有機層１１２Ｒの形成後に、有機層１１２Ｒの表面に付着している不純物を除去すると、表示装置１００の信頼性を高めることができ好ましい。

　有機層１１２Ｒの表面に付着している不純物の除去は、例えば有機層１１２Ｒの表面に不活性ガスを照射することで行うことができる。ここで、有機層１１２Ｒを形成した直後は、有機層１１２Ｒの表面が露出している。具体的には、有機層１１２Ｒの側面が露出している。よって、有機層１１２Ｒの形成後に、例えば有機層１１２Ｒが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、有機層１１２Ｒに付着している不純物を除去することができる。不活性ガスとして、例えば第１８族元素（代表的には、ヘリウム、ネオン、アルゴン、キセノン、及びクリプトン等）、及び窒素の中から選ばれるいずれか一又は複数を用いることができる。

　ところで、図１１Ｃ、及び図１１Ｄに示した工程において、酸素を含むガスを用いて有機膜１１２Ｒｆのエッチングを行うと、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面状態が変化する場合がある。例えば、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面が親水性となる場合がある。例えば、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの上表面が、インジウム錫酸化物を含む層である場合、酸素を含むガスを用いて有機膜１１２Ｒｆのエッチングを行うことにより、当該インジウム錫酸化物を含む層が親水性となる。ここで、後の工程で画素電極１１１Ｇと接する領域を有するように形成される有機膜、及び画素電極１１１Ｂと接する領域を有するように形成される有機膜は、例えば疎水性である。親水面と疎水面の密着性は、親水面同士の密着性、及び疎水面同士の密着性より低い。以上より、画素電極１１１Ｇ及び画素電極１１１Ｂの表面が親水性であると、後の工程で形成される有機膜との密着性が低くなる場合がある。そのため、後の工程において有機膜が、画素電極１１１Ｇとの界面、又は画素電極１１１Ｂとの界面で剥がれる場合がある。また、酸素を含むガスを用いて有機膜１１２Ｒｆのエッチングを行うと、上記の表面状態の変化に加え、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂの表面の仕事関数が変化する場合がある。

　そこで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して疎水化処理を行うことで、後の工程で形成される有機膜の膜剥がれを抑制できる。よって、表示装置１００を信頼性の高い表示装置とすることができる。また、表示装置１００の作製における歩留まりを高め、表示装置１００を低価格な表示装置とすることができる。

　疎水化処理は、例えば画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂへのフッ素修飾により行うことができる。フッ素修飾は例えば、フッ素を含むガスによる処理又は加熱処理、フッ素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理等により行うことができる。フッ素を含むガスとして、例えばフッ素ガスを用いることができ、例えばフルオロカーボンガスを用いることができる。フルオロカーボンガスとして、例えばＣＦ_４ガス、Ｃ_４Ｆ_６ガス、Ｃ_２Ｆ_６ガス、Ｃ_４Ｆ_８ガス、Ｃ_５Ｆ_８等の低級フッ化炭素ガスを用いることができる。また、フッ素を含むガスとして、例えばＳＦ_６ガス、ＮＦ_３ガス、ＣＨＦ_３ガス等を用いることができる。また、これらのガスに、ヘリウムガス、アルゴンガス、又は水素ガス等を適宜添加することができる。

　また、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤を用いた処理を行うことで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。シリル化剤として、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、トリメチルシリルイミダゾール（ＴＭＳＩ）等を用いることができる。さらに、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シランカップリング剤を用いた処理を行うことでも、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行うことにより、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対してダメージを与えることができる。これにより、ＨＭＤＳ等のシリル化剤に含まれるメチル基が、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に結合しやすくなる。また、シランカップリング剤によるシランカップリングが発生しやすくなる。以上により、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面に対して、アルゴン等の第１８族元素を含むガス雰囲気中におけるプラズマ処理を行った後、シリル化剤、又はシランカップリング剤を用いた処理を行うことで、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　シリル化剤、又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えばスピンコート法、又はディップ法等を用いてシリル化剤、又はシランカップリング剤等を塗布することにより行うことができる。また、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を用いた処理は、例えば気相法を用いて、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上等にシリル化剤を有する膜、又はシランカップリング剤を有する膜等を形成することにより行うことができる。気相法では、まず、シリル化剤を有する材料、又はシランカップリング剤を有する材料等を揮発させることにより、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を雰囲気中に含ませる。続いて、当該雰囲気中に、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ等が形成されている基板をおく。これにより、画素電極１１１Ｇ上、及び画素電極１１１Ｂ上等に、シリル化剤、又はシランカップリング剤等を有する膜を形成することができ、画素電極１１１Ｇの表面、及び画素電極１１１Ｂの表面を疎水化することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ上、画素電極１１１Ｇ上、画素電極１１１Ｂ上、及び層１０１上に、後に有機層１１２Ｇとなる有機膜１１２Ｇｆを形成する。犠牲層１４５Ｒｂの形成後に有機膜１１２Ｇｆを形成することにより、有機膜１１２Ｇｆが有機層１１２Ｒの上面と接することを防ぐことができる。有機膜１１２Ｇｆの形成等については、有機膜１１２Ｒｆの形成等の記載を参照できる。

　次に、有機膜１１２Ｇｆ上、及び犠牲層１４５Ｒｂ上に犠牲膜１４４Ｇａを形成し、犠牲膜１４４Ｇａ上に犠牲膜１４４Ｇｂを形成する（図１２Ａ）。その後、犠牲膜１４４Ｇｂ上の画素電極１１１Ｇと重なる位置にレジストマスク（図示せず）を形成する。犠牲膜１４４Ｇａ、犠牲膜１４４Ｇｂ、及び当該レジストマスクの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及び犠牲膜１４４Ｒｂ上に設けるレジストマスクの形成等の記載をそれぞれ参照できる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｇｂ及び犠牲膜１４４Ｇａの、上記レジストマスクに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａを形成する。また、上記レジストマスクを除去する（図１２Ｂ）。ここでは、犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａは、画素電極１１１Ｇ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｇｂ及び犠牲層１４５Ｇａの形成、並びに上記レジストマスクの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、並びに犠牲膜１４４Ｒｂ上に設けるレジストマスクの除去等の記載を参照できる。

　続いて、犠牲層１４５Ｇａに覆われない有機膜１１２Ｇｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の有機層１１２Ｇを形成する（図１２Ｃ）。有機層１１２Ｇの形成等については、有機層１１２Ｒの形成等の記載を参照できる。また、有機層１１２Ｒと同様に、有機層１１２Ｇの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、有機層１１２Ｇの形成後に、有機層１１２Ｇが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、有機層１１２Ｇに付着している不純物を除去することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ上、犠牲層１４５Ｇｂ上、画素電極１１１Ｂ上、及び層１０１上に、後に有機層１１２Ｂとなる有機膜１１２Ｂｆを形成する。犠牲層１４５Ｇｂの形成後に有機膜１１２Ｂｆを形成することにより、有機膜１１２Ｂｆが有機層１１２Ｇの上面と接することを防ぐことができる。有機膜１１２Ｂｆの形成等については、有機膜１１２Ｒｆの形成等の記載を参照できる。

　次に、有機膜１１２Ｂｆ上、及び犠牲層１４５Ｒｂ上に犠牲膜１４４Ｂａを形成し、犠牲膜１４４Ｂａ上に犠牲膜１４４Ｂｂを形成する（図１３Ａ）。その後、犠牲膜１４４Ｂｂ上の画素電極１１１Ｂと重なる位置にレジストマスク（図示せず）を形成する。犠牲膜１４４Ｂａ、犠牲膜１４４Ｂｂ、及び上記レジストマスクの形成等については、犠牲膜１４４Ｒａ、犠牲膜１４４Ｒｂ、及び犠牲膜１４４Ｒｂ上に設けるレジストマスクの形成等の記載をそれぞれ参照できる。

　続いて、犠牲膜１４４Ｂｂ及び犠牲膜１４４Ｂａの、上記レジストマスクに覆われない一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａを形成する。また、上記レジストマスクを除去する（図１３Ｂ）。ここでは、犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａは、画素電極１１１Ｂ上に形成することができる。犠牲層１４５Ｂｂ及び犠牲層１４５Ｂａの形成、並びに上記レジストマスクの除去等については、犠牲層１４５Ｒｂ及び犠牲層１４５Ｒａの形成、並びに犠牲膜１４４Ｒｂ上に設けるレジストマスクの除去等の記載を参照できる。

　続いて、犠牲層１４５Ｂａに覆われない有機膜１１２Ｂｆの一部をエッチングにより除去し、島状又は帯状の有機層１１２Ｂを形成する（図１３Ｃ）。有機層１１２Ｂの形成等については、有機層１１２Ｒの形成等の記載を参照できる。また、有機層１１２Ｒ及び有機層１１２Ｇと同様に、有機層１１２Ｂの表面に付着している不純物も除去することが好ましい。例えば、有機層１１２Ｂの形成後に、例えば有機層１１２Ｂが形成されている基板を不活性ガス雰囲気下におくと、有機層１１２Ｂに付着している不純物を除去することができる。

　続いて、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂを、エッチング等を用いて除去する（図１３Ｄ）。犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂのエッチングには、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａとの選択比が高い条件を用いることが好ましい。なお、犠牲層１４５Ｒｂ、犠牲層１４５Ｇｂ、及び犠牲層１４５Ｂｂの除去を行わなくてもよい場合がある。

　続いて、犠牲層１４５Ｒａ上、犠牲層１４５Ｇａ上、犠牲層１４５Ｂａ上、及び層１０１上に、後に絶縁層１２５となる絶縁膜１２５ｆを形成する（図１４Ａ）。

　絶縁膜１２５ｆは、例えば被覆性の高い方法で成膜することが好ましい。例えば、絶縁膜１２５ｆはＡＬＤ法で成膜することができる。なお、絶縁膜１２５ｆは、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法などで成膜してもよい。

　絶縁膜１２５ｆとして、無機絶縁材料を用いることができる。例えば、絶縁膜１２５ｆとして、酸化物、酸化窒化物、窒化酸化物又は窒化物を用いることができ、例えば酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム等のうち少なくとも１つを含むことができる。

　絶縁膜１２５ｆは、例えば膜厚が１ｎｍ以上６０ｎｍ以下となるように成膜することが好ましく、１ｎｍ以上４０ｎｍ以下となるように成膜することがより好ましく、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下となるように成膜することがさらに好ましい。

　続いて、絶縁膜１２５ｆ上に、後に樹脂層１２６となる絶縁膜を形成する。当該絶縁膜として、有機材料を含む絶縁膜を適用することが好ましく、有機材料としては樹脂を用いることが好ましい。また、当該絶縁膜として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、又はネガ型の材料を用いることができる。

　上記絶縁膜として感光性の樹脂を用いる場合、上記絶縁膜は、スピンコート法、スプレー法、スクリーン印刷法、又はペイント法等を用いて形成することができる。

　上記絶縁膜は、平坦化されている場合がある。また、被形成面の凹凸を反映した、なだらかな凹凸を有する場合がある。

　続いて、上記絶縁膜を加工することで、樹脂層１２６を形成する（図１４Ａ）。ここで、上記絶縁膜として感光性の樹脂を用いることにより、レジストマスク、ハードマスク等のエッチングマスクを設けることなく、樹脂層１２６を形成することができる。また、感光性の樹脂は露光及び現像の工程のみで加工が可能であるため、ドライエッチング法等を用いることなく樹脂層１２６が形成できる。よって、工程の簡略化が可能となる。また、上記絶縁膜のエッチングによる有機層１１２のダメージを低減することができる。なお、さらに樹脂層１２６の上部の一部をエッチングし、表面の高さを調整してもよい。

　また、上記絶縁膜の上面に対し、略均一にエッチングを施すことにより、樹脂層１２６を形成してもよい。このように均一にエッチングして平坦化することをエッチバックともいう。

　樹脂層１２６の形成において、露光及び現像の工程と、エッチバック工程と、を組み合わせて用いてもよい。

　続いて、犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、犠牲層１４５Ｂａ、及び絶縁膜１２５ｆをエッチングすることで、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、有機層１１２Ｂ、及び接続電極１１１Ｃそれぞれの上面の少なくとも一部を露出する（図１４Ｂ）。このとき、絶縁膜１２５ｆから、絶縁層１２５が形成される。絶縁層１２５は、樹脂層１２６の側面と接する領域、及び樹脂層１２６の下面と接する領域を有するように形成される。

　犠牲層１４５Ｒａ、犠牲層１４５Ｇａ、及び犠牲層１４５Ｂａそれぞれの一部は、有機層１１２にできるだけダメージを与えない方法で除去することが好ましく、例えばウェットエッチング法を用いることが好ましい。なお、犠牲層１４５Ｒａの一部が有機層１１２Ｒ上に残存する場合がある。犠牲層１４５Ｇａの一部が有機層１１２Ｇ上に残存する場合がある。犠牲層１４５Ｂａの一部が有機層１１２Ｂ上に残存する場合がある。

　続いて、真空ベーク処理を行い、有機層１１２Ｒの表面、有機層１１２Ｇの表面、及び有機層１１２Ｂの表面に吸着している水等を除去する。真空ベークは、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂ等に含まれる有機化合物を変質させない温度範囲で行うことが好ましく、例えば７０℃以上１２０℃以下、より好ましくは８０℃以上１００℃以下で行うことができる。なお、有機層１１２Ｒの表面、有機層１１２Ｇの表面、及び有機層１１２Ｂの表面等に吸着している水等が少なく、表示装置１００の信頼性に与える影響が少ない場合等は、真空ベーク処理を行わなくてもよい。

　続いて、有機層１１２Ｒ上、有機層１１２Ｇ上、有機層１１２Ｂ上、及び樹脂層１２６上に、有機層１１４を形成する。前述のように、有機層１１４は、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、又は電子注入層のうち少なくとも１つを有し、例えば電子注入層、又は正孔注入層を有する。有機層１１４は、例えば蒸着法、スパッタリング法、又はインクジェット法等により形成することができる。なお、接続電極１１１Ｃ上に有機層１１４を設けない構成とする場合には、有機層１１４の形成において、接続電極１１１Ｃ上を遮蔽するメタルマスクを用いればよい。この際に用いるメタルマスクは表示部の画素領域を遮蔽しなくてもよいため、高精細なメタルマスクを用いる必要がない。

　続いて、有機層１１４上に共通電極１１３を形成する。共通電極１１３は、例えばスパッタリング法、又は真空蒸着法等により形成することができる。以上の工程により、発光素子９０Ｒ、発光素子９０Ｇ、及び発光素子９０Ｂを作製できる。

　続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図１４Ｃ）。保護層１２１として無機絶縁膜を用いる場合、例えばスパッタリング法、ＣＶＤ法、又はＡＬＤ法を用いて保護層１２１を形成することが好ましい。また、保護層１２１として有機絶縁膜を用いる場合、例えばインクジェット法を用いて保護層１２１を形成すると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。

　以上の工程により、表示装置１００を作製できる。

　以上のように、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、メタルマスク等のシャドーマスクを用いず、例えばフォトリソグラフィ法とエッチング法を用いてＥＬ層を作り分ける。これにより、ＥＬ層のパターンを微細なパターンとすることができる。よって、本発明の一態様の表示装置の作製方法により、高精細度且つ高開口率の表示装置を作製できる。また、高解像度な表示装置を作製すること、及び大型な表示装置を作製することができる。さらに、ＥＬ層を作り分けることができるため、極めて鮮やかで、コントラストが高く、表示品位の高い表示装置を作製できる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態３）
　本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置について図１５乃至図２３を用いて説明する。

　本実施の形態の表示装置は、高解像度な表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。

［表示装置１００Ａ］
　図１５に、表示装置１００Ａの斜視図を示し、図１６Ａに、表示装置１００Ａの断面図を示す。

　表示装置１００Ａは、基板１５２と基板１５１とが貼り合わされた構成を有する。図１５では、基板１５２を破線で明示している。

　表示装置１００Ａは、表示部１６２、回路１６４、配線１６５等を有する。図１５では表示装置１００ＡにＩＣ１７３及びＦＰＣ１７２が実装されている例を示している。そのため、図１５に示す構成は、表示装置１００Ａ、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。

　回路１６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。

　配線１６５は、表示部１６２及び回路１６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ１７２を介して外部から、またはＩＣ１７３から配線１６５に入力される。

　図１５では、ＣＯＧ方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板１５１にＩＣ１７３が設けられている例を示す。ＩＣ１７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置１００Ａ及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。

　図１６Ａに、表示装置１００Ａの、ＦＰＣ１７２を含む領域の一部、回路１６４の一部、表示部１６２の一部、及び、端部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。

　図１６Ａに示す表示装置１００Ａは、基板１５１と基板１５２の間に、トランジスタ２０１、トランジスタ２０５、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ、及び着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、着色層１２９ｃ等を有する。

　発光デバイス１３０ａは赤色の光を発し、発光デバイス１３０ｂは緑色の光を発し、発光デバイス１３０ｃは青色の光を発する。このとき、例えば着色層１２９ａは赤色の光を透過し、着色層１２９ｂは緑色の光を透過し、着色層１２９ｃは青色の光を透過することが好ましい。これにより、各発光デバイスから発せられる光の色純度を高めることができ、より表示品位の高い表示装置を実現できる。なお、着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、及び着色層１２９ｃは、設けなくてもよい。

　または、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、及び発光デバイス１３０ｃは、白色の光を発してもよい。着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ及び着色層１２９ｃは、互いに異なる色を透過する機能を有する。なお、着色層をカラーフィルタと呼称してもよい。

　白色発光が可能な構造として、シングル構造またはタンデム構造が挙げられる。発光デバイスをタンデム構造とすることで高輝度発光が得られるため好適である。また、白色発光が可能な構造（シングル構造、またはタンデム構造の一方または双方）と、カラーフィルタと、本発明の一態様のＭＭＬ構造と、を組み合わることで、高いコントラスト比を有する表示装置とすることができる。

　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を透過する着色層を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＹの４色の副画素などが挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスが形成されている基板とは反対方向に光を射出する上面射出型（トップエミッション型）、発光デバイスが形成されている基板側に光を射出する下面射出型（ボトムエミッション型）、両面に光を射出する両面射出型（デュアルエミッション型）のいずれであってもよい。

　発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬデバイスを用いることが好ましい。ＥＬデバイスが有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　Ａｃｔｉｖａｔｅｄ　Ｄｅｌａｙｅｄ　Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。なお、ＴＡＤＦ材料としては、一重項励起状態と三重項励起状態間が熱平衡状態にある材料を用いてもよい。このようなＴＡＤＦ材料は発光寿命（励起寿命）が短くなるため、発光デバイスにおける高輝度領域での効率低下を抑制できる。

　発光デバイスは、一対の電極間にＥＬ層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　発光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。

　発光デバイス１３０ａは、画素電極１１１ａと、画素電極１１１ａ上の導電層１２２ａと、導電層１２２ａ上の島状の第１の層１２３ａと、島状の第１の層１２３ａ上の有機層１１４と、有機層１１４上の共通電極１１３と、を有する。発光デバイス１３０ａにおいて、第１の層１２３ａ、及び、有機層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０ｂは、画素電極１１１ｂと、画素電極１１１ｂ上の導電層１２２ｂと、導電層１２２ｂ上の島状の第２の層１２３ｂと、島状の第２の層１２３ｂ上の有機層１１４と、有機層１１４上の共通電極１１３と、を有する。発光デバイス１３０ｂにおいて、第２の層１２３ｂ、及び、有機層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　発光デバイス１３０ｃは、画素電極１１１ｃと、画素電極１１１ｃ上の導電層１２２ｃと、導電層１２２ｃ上の島状の第３の層１２３ｃと、島状の第３の層１２３ｃ上の有機層１１４と、有機層１１４上の共通電極１１３と、を有する。発光デバイス１３０ｃにおいて、第３の層１２３ｃ、及び、有機層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。

　各色の発光デバイスにおいて、共通電極として、同一の膜を共有している。各発光デバイスが共通して有する共通電極は、接続部２０４に設けられた導電層と電気的に接続される。これにより、各発光デバイスが有する共通電極には、同電位が供給される。

　画素電極と共通電極のうち、光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。

　発光デバイスの一対の電極（画素電極と共通電極）を形成する材料としては、金属、合金、電気伝導性化合物、及びこれらの混合物などを適宜用いることができる。具体的には、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物、ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｓｉ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＳＯともいう）、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、Ｉｎ−Ｗ−Ｚｎ酸化物、アルミニウム、ニッケル、及びランタンの合金（Ａｌ−Ｎｉ−Ｌａ）等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）、及び、銀とパラジウムと銅の合金（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ、ＡＰＣとも記す）が挙げられる。その他、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、パラジウム（Ｐｄ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）、イットリウム（Ｙ）、ネオジム（Ｎｄ）などの金属、及びこれらを適宜組み合わせて含む合金を用いることもできる。その他、上記例示のない元素周期表の第１族または第２族に属する元素（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ））、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）などの希土類金属及びこれらを適宜組み合わせて含む合金、グラフェン等を用いることができる。

　発光デバイスには、微小光共振器（マイクロキャビティ）構造が適用されていることが好ましい。したがって、発光デバイスが有する一対の電極の一方は、可視光に対する透過性及び反射性を有する電極（半透過・半反射電極）を有することが好ましく、他方は、可視光に対する反射性を有する電極（反射電極）を有することが好ましい。発光デバイスがマイクロキャビティ構造を有することで、発光層から得られる発光を両電極間で共振させ、発光デバイスから射出される光を強めることができる。

　透明電極の光の透過率は、４０％以上とする。例えば、発光デバイスには、可視光（波長４００ｎｍ以上７５０ｎｍ未満の光）の透過率が４０％以上である電極を用いることが好ましい。半透過・半反射電極の可視光の反射率は、１０％以上９５％以下、好ましくは３０％以上８０％以下とする。反射電極の可視光の反射率は、４０％以上１００％以下、好ましくは７０％以上１００％以下とする。また、これらの電極の抵抗率は、１×１０^−２Ωｃｍ以下が好ましい。

　第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、それぞれ、島状に設けられる。第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、それぞれ、発光層を有する。第１の層１２３ａは赤色の光を発する発光層を有し、第２の層１２３ｂは緑色の光を発する発光層を有し、第３の層１２３ｃは青色の光を発する発光層を有することが好ましい。

　または、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、白色の光を発する発光層を有してもよい。ここで、島状の第１の層１２３ａと、島状の第２の層１２３ｂと、島状の第３の層１２３ｃとは、同一の材料を有することが好ましい。つまり、島状の第１の層１２３ａ、島状の第２の層１２３ｂ、及び島状の第３の層１２３ｃは、同じ工程で成膜された膜をパターニングして形成されることが好ましい。

　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。

　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。

　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。

　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。

　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。

　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。

　第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、電子ブロック材料、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。

　発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、それぞれ、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を有していてもよい。

　ＥＬ層のうち、各発光デバイスに共通して形成される層としては、正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層（正孔抑止層と呼ぶ場合がある。）、電子ブロック層（電子抑止層と呼ぶ場合がある。）、電子輸送層、及び電子注入層のうち一つ以上を適用することができる。例えば、有機層１１４として、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）を形成してもよい。なお、ＥＬ層の全ての層を色ごとに作り分けてもよい。つまり、ＥＬ層は、各色に共通して形成される層を有していなくてもよい。

　第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃは、それぞれ、発光層と、発光層上のキャリア輸送層を有することが好ましい。これにより、表示装置１００の作製工程中に、発光層が最表面に露出することを抑制し、発光層が受けるダメージを低減できる。これにより、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。

　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。

　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。

　また、電子輸送層は、積層構造を有していても良く、また、陽極側から発光層を通過して陰極側に移動するホールをブロックするための正孔ブロック層を発光層に接して有していても良い。

　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。

　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、イッテルビウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_ｘ、Ｘは任意数）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯ_ｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。また、電子注入層としては、２以上の積層構造としてもよい。当該積層構造としては、例えば、１層目にフッ化リチウムを用い、２層目にイッテルビウムを用いる構成とすることができる。

　または、電子注入層としては、電子輸送性材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。

　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：Ｈｉｇｈｅｓｔ　Ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。

　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ジ（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。

　また、タンデム構造の発光デバイスを作製する場合、２つの発光ユニットとの間に、中間層を設ける。中間層は、一対の電極間に電圧を印加したときに、２つの発光ユニットの一方に電子を注入し、他方に正孔を注入する機能を有する。

　中間層としては、例えば、リチウムなどの電子注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層としては、例えば、正孔注入層に適用可能な材料を好適に用いることができる。また、中間層には、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む層を用いることができる。また、中間層には、電子輸送性材料とドナー性材料とを含む層を用いることができる。このような層を有する中間層を形成することにより、発光ユニットが積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制できる。

　導電層１２２ａ、導電層１２２ｂ、および導電層１２２ｃは、光学調整層として機能する。なお、導電層１２２ａ、導電層１２２ｂ、および導電層１２２ｃは設けなくてもよい場合がある。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、導電層１２２ａ、導電層１２２ｂ、導電層１２２ｃ、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃのそれぞれの側面は、絶縁層１２５、絶縁層１２７によって覆われている。これにより、有機層１１４（または共通電極１１３）が、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃ、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃのいずれかの側面と接することを抑制し、発光デバイスのショートを抑制できる。絶縁層１２７は、実施の形態１などで説明した樹脂層１２６に対応する。

　絶縁層１２５は、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特に、酸化アルミニウム膜は、エッチングにおいて、ＥＬ層との選択比が高く、後述する絶縁層１２７の形成において、ＥＬ層を保護する機能を有するため、好ましい。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。

　絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。

　絶縁層１２５上に設けられる絶縁層１２７は、隣接する発光デバイス間に形成された絶縁層１２５の凹部を平坦化する機能を有する。換言すると、絶縁層１２７を有することで共通電極１１３の形成面の平坦性を向上させる効果を奏する。絶縁層１２７としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、絶縁層１２７として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、絶縁層１２７として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラル、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、絶縁層１２７として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　絶縁層１２７の上面の高さと、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃのいずれかの上面の高さとの差が、例えば、絶縁層１２７の厚さの０．５倍以下が好ましく、０．３倍以下がより好ましい。また例えば、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び、第３の層１２３ｃのいずれかの上面が絶縁層１２７の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。また、例えば、絶縁層１２７の上面が、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、または、第３の層１２３ｃが有する発光層の上面よりも高くなるように、絶縁層１２７を設けてもよい。

　第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、第３の層１２３ｃ、絶縁層１２５、及び絶縁層１２７上に、有機層１１４が設けられ、有機層１１４上に共通電極１１３が設けられている。また、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃ上にはそれぞれ、保護層１３１が設けられている。保護層１３１上には保護層１３２が設けられている。保護層１３１、保護層１３２を設けることで、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　保護層１３１、保護層１３２の導電性は問わない。保護層１３１、保護層１３２としては、絶縁膜、半導体膜、及び、導電膜の少なくとも一種を用いることができる。

　保護層１３１、保護層１３２が無機膜を有することで、共通電極１１３の酸化を防止する、発光デバイス１３０ａ、発光デバイス１３０ｂ、発光デバイス１３０ｃに不純物（水分、酸素など）が入り込むことを抑制する、など、発光デバイスの劣化を抑制し、表示装置の信頼性を高めることができる。

　保護層１３１、保護層１３２には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。

　保護層１３１、保護層１３２は、それぞれ、窒化絶縁膜または窒化酸化絶縁膜を有することが好ましく、窒化絶縁膜を有することがより好ましい。

　また、保護層１３１、保護層１３２には、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯともいう）、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、またはインジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯともいう）などを含む無機膜を用いることもできる。当該無機膜は、高抵抗であることが好ましく、具体的には、共通電極１１３よりも高抵抗であることが好ましい。当該無機膜は、さらに窒素を含んでいてもよい。

　発光デバイスの発光を、保護層１３１、保護層１３２を介して取り出す場合、保護層１３１、保護層１３２は、可視光に対する透過性が高いことが好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＧＺＯ、及び、酸化アルミニウムは、それぞれ、可視光に対する透過性が高い無機材料であるため、好ましい。

　保護層１３１、保護層１３２としては、例えば、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上の窒化シリコン膜と、の積層構造、または、酸化アルミニウム膜と、酸化アルミニウム膜上のＩＧＺＯ膜と、の積層構造などを用いることができる。当該積層構造を用いることで、ＥＬ層側に入り込む不純物（水、酸素など）を抑制できる。

　さらに、保護層１３１、保護層１３２は、有機膜を有していてもよい。例えば、保護層１３２は、有機膜と無機膜の双方を有していてもよい。

　保護層１３１と保護層１３２とで異なる成膜方法を用いてもよい。具体的には、ＡＬＤ法を用いて保護層１３１を形成し、スパッタリング法を用いて保護層１３２を形成してもよい。

　保護層１３１上には、着色層（着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、及び着色層１２９ｃ）が設けられる。着色層１２９ａは発光デバイス１３０ａと重なる領域を有し、着色層１２９ｂは発光デバイス１３０ｂと重なる領域を有し、着色層１２９ｃは発光デバイス１３０ｃと重なる領域を有する。着色層１２９ａは少なくとも発光デバイス１３０ａが有する発光層と重なる領域を有し、着色層１２９ｂは少なくとも発光デバイス１３０ｂが有する発光層と重なる領域を有し、着色層１２９ｃは少なくとも発光デバイス１３０ｃが有する発光層と重なる領域を有する。

　着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、及び着色層１２９ｃは、互いに異なる色の光を透過する機能を有する。例えば、着色層１２９ａは赤色の光を透過する機能を有し、着色層１２９ｂは緑色の光を透過する機能を有し、着色層１２９ｃは青色の光を透過する機能を有する。これにより、表示装置１００は、フルカラー表示を行うことができる。なお、着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、及び着色層１２９ｃは、シアン、マゼンタ、及び黄色の光のいずれかを透過する機能を有してもよい。

　保護層１３２と基板１５２は接着層１４２を介して接着されている。発光デバイスの封止には、固体封止構造または中空封止構造などが適用できる。図１６Ａでは、基板１５２と基板１５１との間の空間が、接着層１４２で充填されており、固体封止構造が適用されている。または、当該空間を不活性ガス（窒素またはアルゴンなど）で充填し、中空封止構造を適用してもよい。このとき、接着層１４２は、発光デバイスと重ならないように設けられていてもよい。また、当該空間を、枠状に設けられた接着層１４２とは異なる樹脂で充填してもよい。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃは、それぞれ、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２０５が有する導電層２２２ｂと接続されている。

　画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃには、絶縁層２１４に設けられた開口を覆うように凹部が形成される。当該凹部には、層１２８が埋め込まれていることが好ましい。そして、画素電極１１１ａ及び層１２８上に導電層１２２ａを形成し、画素電極１１１ｂ及び層１２８上に導電層１２２ｂを形成し、画素電極１１１ｃ及び層１２８上に導電層１２２ｃを形成することが好ましい。導電層１２２ａ、導電層１２２ｂ、導電層１２２ｃは、画素電極と呼ぶこともできる。

　層１２８は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃの凹部を平坦化する機能を有する。層１２８を設けることで、ＥＬ層の被形成面の凹凸を低減し、被覆性を向上することができる。また、画素電極１１１ａ上及び層１２８上に、画素電極１１１ａと電気的に接続される導電層１２２ａを設け、画素電極１１１ｂ上及び層１２８上に、画素電極１１１ｂと電気的に接続される導電層１２２ｂを設け、画素電極１１１ｃ上及び層１２８上に、画素電極１１１ｃと電気的に接続される導電層１２２ｃを設けることで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃの凹部と重なる領域も発光領域として使用できる場合がある。これにより、画素の開口率を高めることができる。

　層１２８は、絶縁層であってもよく、導電層であってもよい。層１２８には、各種無機絶縁材料、有機絶縁材料、及び導電材料を適宜用いることができる。特に、層１２８は、絶縁材料を用いて形成されることが好ましい。

　層１２８としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、層１２８として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、層１２８として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。

　感光性の樹脂を用いることにより、露光及び現像の工程のみで層１２８を作製することができ、ドライエッチング、あるいはウェットエッチング等による画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃの表面への影響を低減できる。また、ネガ型の感光性樹脂を用いて層１２８を形成することにより、絶縁層２１４の開口の形成に用いるフォトマスク（露光マスク）と同一のフォトマスクを用いて、層１２８を形成できる場合がある。

　導電層１２２ａは、画素電極１１１ａ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２２ａは、画素電極１１１ａの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ａの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　同様に、導電層１２２ｂは、画素電極１１１ｂ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２２ｂは、画素電極１１１ｂの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｂの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　導電層１２２ｃは、画素電極１１１ｃ上及び層１２８上に設けられる。導電層１２２ｃは、画素電極１１１ｃの上面に接する第１領域と、層１２８の上面に接する第２領域と、を有する。第１領域と接する画素電極１１１ｃの上面の高さと、第２領域と接する層１２８の上面の高さは、一致または概略一致することが好ましい。

　画素電極は可視光を反射する材料を含み、対向電極は可視光を透過する材料を含む。

　表示装置１００Ａは、トップエミッション型である。発光デバイスが発する光は、基板１５２側に射出される。基板１５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。

　層１０１には、基板１５１から絶縁層２１４までの積層構造が含まれる。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、いずれも基板１５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製できる。

　基板１５１上には、絶縁層２１１、絶縁層２１３、絶縁層２１５、及び絶縁層２１４がこの順で設けられている。絶縁層２１１は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１３は、その一部が各トランジスタのゲート絶縁層として機能する。絶縁層２１５は、トランジスタを覆って設けられる。絶縁層２１４は、トランジスタを覆って設けられ、平坦化層としての機能を有する。なお、ゲート絶縁層の数及びトランジスタを覆う絶縁層の数は限定されず、それぞれ単層であっても２層以上であってもよい。

　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。

　絶縁層２１１、絶縁層２１３、及び絶縁層２１５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。

　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べて不純物に対するバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置１００Ａの端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置１００Ａの端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制できる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置１００Ａの端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置１００Ａの端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。

　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。また、絶縁層２１４を、有機絶縁膜と、無機絶縁膜との積層構造にしてもよい。絶縁層２１４の最表層は、エッチング保護膜としての機能を有することが好ましい。これにより、画素電極１１１ａまたは導電層１２２ａなどの加工時に、絶縁層２１４に凹部が形成されることを抑制できる。または、絶縁層２１４には、画素電極１１１ａまたは導電層１２２ａなどの加工時に、凹部が設けられてもよい。

　図１６Ａに示す領域２２８では、絶縁層２１４に開口が形成されている。これにより、絶縁層２１４に有機絶縁膜を用いる場合であっても、絶縁層２１４を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、ソース及びドレインとして機能する導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂ、半導体層２３１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１３、並びに、ゲートとして機能する導電層２２３を有する。ここでは、同一の導電膜を加工して得られる複数の層に、同じハッチングパターンを付している。絶縁層２１１は、導電層２２１と半導体層２３１との間に位置する。絶縁層２１３は、導電層２２３と半導体層２３１との間に位置する。

　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。

　トランジスタ２０１及びトランジスタ２０５には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。

　トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。

　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。

　本明細書等において、金属酸化物（ｍｅｔａｌ　ｏｘｉｄｅ）とは、広い意味での金属の酸化物である。金属酸化物は、酸化物絶縁体、酸化物導電体（透明酸化物導電体を含む）、酸化物半導体（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ又は単にＯＳともいう）等に分類される。例えば、トランジスタの活性層に金属酸化物を用いた場合、当該金属酸化物を酸化物半導体と呼称する場合がある。つまり、ＯＳトランジスタと記載する場合においては、金属酸化物又は酸化物半導体を有するトランジスタと換言することができる。

　トランジスタの半導体層に用いる金属酸化物のバンドギャップは、２ｅＶ以上が好ましく、２．５ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、ＯＳトランジスタのオフ電流を低減できる。

　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましく、ガリウムがより好ましい。なお、インジウムと、Ｍと、亜鉛とを有する金属酸化物を、以降ではＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物と呼ぶ場合がある。

　特に、トランジスタの半導体層として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＧＺＯとも記す）を用いることが好ましい。又は、トランジスタの半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＺＯとも記す）を用いてもよい。又は、半導体層としては、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物（ＩＡＧＺＯ）を用いてもよい。

　金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。金属酸化物中のインジウムの原子数比を大きくすることで、トランジスタのオン電流、または電界効果移動度などを高めることができる。

　例えば、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを４としたとき、Ｍが１以上３以下であり、Ｚｎが２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを５としたときに、Ｍが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎを１としたときに、Ｍが０．１より大きく２以下であり、Ｚｎが０．１より大きく２以下である場合を含む。

　また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比未満であってもよい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、等が挙げられる。金属酸化物中のＭの原子数比を大きくすることで、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のバンドギャップをより大きくし、光負バイアスストレス試験に対する耐性を高めることが可能となる。具体的には、トランジスタのＮＢＴＩＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験で測定される、しきい値電圧の変化量またはシフト電圧（Ｖｓｈ）の変化量を小さくすることができる。なお、シフト電圧（Ｖｓｈ）は、トランジスタのドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）カーブにおいて、カーブ上の傾きが最大である点における接線が、Ｉｄ＝１ｐＡの直線と交差するＶｇで定義される。

　または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。

　または、トランジスタの半導体層は、半導体として機能する層状物質を有してもよい。層状物質とは、層状の結晶構造を有する材料群の総称である。層状の結晶構造は、共有結合またはイオン結合によって形成される層が、ファンデルワールス力のような、共有結合またはイオン結合よりも弱い結合を介して積層している構造である。層状物質は、単位層内における電気伝導性が高く、つまり、２次元電気伝導性が高い。半導体として機能し、かつ、２次元電気伝導性の高い材料をチャネル形成領域に用いることで、オン電流の大きいトランジスタを提供できる。

　上記層状物質として、例えば、グラフェン、シリセン、カルコゲン化物などが挙げられる。カルコゲン化物は、カルコゲン（第１６族に属する元素）を含む化合物である。また、カルコゲン化物として、遷移金属カルコゲナイド、１３族カルコゲナイドなどが挙げられる。トランジスタの半導体層として適用可能な遷移金属カルコゲナイドとして、具体的には、硫化モリブデン（代表的にはＭｏＳ_２）、セレン化モリブデン（代表的にはＭｏＳｅ_２）、モリブデンテルル（代表的にはＭｏＴｅ_２）、硫化タングステン（代表的にはＷＳ_２）、セレン化タングステン（代表的にはＷＳｅ_２）、タングステンテルル（代表的にはＷＴｅ_２）、硫化ハフニウム（代表的にはＨｆＳ_２）、セレン化ハフニウム（代表的にはＨｆＳｅ_２）、硫化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳ_２）、セレン化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳｅ_２）などが挙げられる。

　回路１６４が有するトランジスタと、表示部１６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路１６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部１６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。

　基板１５１の、基板１５２が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線１６５が導電層１６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ１７２と電気的に接続されている。導電層１６６は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、導電層１２２ａ、導電層１２２ｂ、導電層１２２ｃと同一の導電膜を加工して得られた導電膜と、の積層構造である例を示す。接続部２０４の上面では、導電層１６６が露出している。これにより、接続部２０４とＦＰＣ１７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。

　基板１５２の基板１５１側の面には、遮光層１１７を設けることが好ましい。また、基板１５２の基板１５１側の面に、着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、着色層１２９ｃを設けてもよい。図１６Ａでは、基板１５１を介して基板１５２をみたときに、着色層１２９ａ、着色層１２９ｂ、着色層１２９ｃが遮光層１１７の一部を覆うように設けられている。

　また、基板１５２の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板１５２の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。

　発光デバイスを覆う保護層１３１及び保護層１３２を設けることで、発光デバイスに水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光デバイスの信頼性を高めることができる。

　表示装置１００Ａの端部近傍の領域２２８において、絶縁層２１４の開口を介して、絶縁層２１５と保護層１３１または保護層１３２とが互いに接することが好ましい。特に、無機絶縁膜同士が接することが好ましい。これにより、有機絶縁膜を介して外部から表示部１６２に不純物が入り込むことを抑制できる。従って、表示装置１００Ａの信頼性を高めることができる。

　基板１５１及び基板１５２には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光デバイスからの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板１５１及び基板１５２に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板１５１または基板１５２として偏光板を用いてもよい。

　基板１５１及び基板１５２としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板１５１及び基板１５２の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。

　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。

　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。

　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。

　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。

　接着層１４２としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。

　また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光デバイスが有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。

　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。

　図１６Ｂ及び図１６Ｃに、トランジスタの他の構成例を示す。

　トランジスタ２０９及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、少なくとも導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。

　図１６Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５が半導体層２３１の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。

　一方、図１６Ｃに示すトランジスタ２１０では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１６Ｃに示す構造を作製できる。図１６Ｃでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。

　また、発光デバイスを駆動する画素回路に含まれるトランジスタの全てに、チャネルが形成される半導体層にシリコンを有するトランジスタ（以下、Ｓｉトランジスタともいう）を用いてもよい。Ｓｉトランジスタに用いる材料としては、単結晶シリコン、多結晶シリコン、非晶質シリコン等が挙げられる。特に、半導体層に低温ポリシリコン（ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ））を有するトランジスタ（以下、ＬＴＰＳトランジスタともいう）を用いることができる。ＬＴＰＳトランジスタは、電界効果移動度が高く、周波数特性が良好である。

　ＬＴＰＳトランジスタ等のＳｉトランジスタを適用することで、高周波数で駆動する必要のある回路（例えばソースドライバ回路）を表示部と同一基板上に作り込むことができる。これにより、表示装置に実装される外部回路を簡略化でき、部品コスト、及び実装コストを削減できる。

　また、画素回路に含まれるトランジスタの少なくとも一に、ＯＳトランジスタを用いることが好ましい。ＯＳトランジスタは、非晶質シリコンを用いたトランジスタと比較して電界効果移動度が極めて高い。また、ＯＳトランジスタは、オフ状態におけるソース−ドレイン間のリーク電流（以下、オフ電流ともいう）が著しく小さく、当該トランジスタと直列に接続された容量に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。また、ＯＳトランジスタを適用することで、表示装置の消費電力を低減できる。

　また、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＯＳトランジスタのオフ電流値は、１ａＡ（１×１０^−１８Ａ）以下、１ｚＡ（１×１０^−２１Ａ）以下、又は１ｙＡ（１×１０^−２４Ａ）以下とすることができる。なお、室温下における、チャネル幅１μｍあたりのＳｉトランジスタのオフ電流値は、１ｆＡ（１×１０^−１５Ａ）以上１ｐＡ（１×１０^−１２Ａ）以下である。したがって、ＯＳトランジスタのオフ電流は、Ｓｉトランジスタのオフ電流よりも１０桁程度小さいともいえる。

　画素回路に含まれるトランジスタの一部に、ＬＴＰＳトランジスタを用い、他の一部にＯＳトランジスタを用いることで、消費電力が低く、駆動能力の高い表示装置を実現できる。また、ＬＴＰＳトランジスタと、ＯＳトランジスタとを、組み合わせる構成をＬＴＰＯという場合がある。なお、より好適な例としては、配線間の導通、非導通を制御するためのスイッチとして機能するトランジスタ等にＯＳトランジスタを適用し、電流を制御するトランジスタ等にＬＴＰＳトランジスタを適用することが好ましい。

　例えば、画素回路に設けられるトランジスタの一は、発光デバイスに流れる電流を制御するためのトランジスタとして機能し、駆動トランジスタということができる。駆動トランジスタのソース及びドレインの一方は、発光デバイスの画素電極と電気的に接続される。当該駆動トランジスタには、ＬＴＰＳトランジスタを用いることが好ましい。これにより、画素回路において発光デバイスに流れる電流を大きくできる。

　一方、画素回路に設けられるトランジスタの他の一は、画素の選択、非選択を制御するためのスイッチとして機能し、選択トランジスタということができる。選択トランジスタのゲートはゲート線と電気的に接続され、ソース及びドレインの一方は、ソース線（信号線）と電気的に接続される。選択トランジスタには、ＯＳトランジスタを適用することが好ましい。これにより、フレーム周波数を著しく小さく（例えば１ｆｐｓ以下）しても、画素の階調を維持できるため、静止画を表示する際にドライバを停止することで、消費電力を低減できる。

　このように本発明の一態様は、高い開口率と、高い精細度と、高い表示品位と、低い消費電力と、を兼ね備えた表示装置を実現できる。

　なお、本発明の一態様の表示装置は、ＯＳトランジスタを有し、且つＭＭＬ（メタルマスクレス）構造の発光デバイスを有する構成である。当該構成とすることで、トランジスタに流れうるリーク電流、及び隣接する発光デバイス間に流れうるリーク電流（横リーク電流、サイドリーク電流等ともいう）を、極めて小さくすることができる。また、上記構成とすることで、表示装置に画像を表示した場合に、観察者が画像のきれ、画像のするどさ、高い彩度、及び高いコントラスト比のいずれか一又は複数を観測できる。なお、トランジスタに流れうるリーク電流、及び発光デバイス間の横リーク電流が極めて小さい構成とすることで、黒表示時に生じうる光漏れ（いわゆる白浮き）等が限りなく少ない表示（真黒表示ともいう）とすることができる。

　特に、ＭＭＬ構造の発光デバイスの中でも、先に示すＳＢＳ構造を適用することで、発光デバイスの間に設けられる層（例えば、発光デバイスの間で共通して用いる有機層、共通層ともいう）が分断された構成となるため、サイドリークがない、またはサイドリークが極めて少ない表示とすることができる。

　また、画素回路に含まれる発光デバイスの発光輝度を高くする場合、発光デバイスに流す電流量を大きくする必要がある。そのためには、画素回路に含まれている駆動トランジスタのソース−ドレイン間電圧を高くする必要がある。ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタと比較して、ソース−ドレイン間において耐圧が高いため、ＯＳトランジスタのソース−ドレイン間には高い電圧を印加することができる。これにより、画素回路に含まれる駆動トランジスタをＯＳトランジスタとすることで、発光デバイスに流れる電流量を大きくし、発光デバイスの発光輝度を高くすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作する場合において、ＯＳトランジスタは、Ｓｉトランジスタよりも、ゲート−ソース間電圧の変化に対して、ソース−ドレイン間電流の変化を小さくすることができる。このため、画素回路に含まれる駆動トランジスタとしてＯＳトランジスタを適用することによって、ゲート−ソース間電圧の変化によって、ソース−ドレイン間に流れる電流を細かく定めることができるため、発光デバイスに流れる電流量を制御できる。このため、画素回路における階調を大きくすることができる。

　また、トランジスタが飽和領域で動作するときに流れる電流の飽和特性において、ＯＳトランジスタは、ソース−ドレイン間電圧が徐々に高くなった場合においても、Ｓｉトランジスタよりも安定した電流（飽和電流）を流すことができる。そのため、ＯＳトランジスタを駆動トランジスタとして用いることで、例えば、ＥＬ材料が含まれる発光デバイスの電流−電圧特性にばらつきが生じた場合においても、発光デバイスに安定した電流を流すことができる。つまり、ＯＳトランジスタは、飽和領域で動作する場合において、ソース−ドレイン間電圧を高くしても、ソース−ドレイン間電流がほぼ変化しないため、発光デバイスの発光輝度を安定させることができる。

　上記のとおり、画素回路に含まれる駆動トランジスタにＯＳトランジスタを用いることで、「黒浮きの抑制」、「発光輝度の上昇」、「多階調化」、「発光デバイスのばらつきの抑制」などを図ることができる。

［表示装置１００Ｂ］
　図１７に示す表示装置１００Ｂは、ボトムエミッション型である点で、表示装置１００Ａと主に相違する。なお、表示装置１００Ａと同様の部分については説明を省略する。なお、図１７では、第１の層１２３ａを含む副画素と、第２の層１２３ｂを含む副画素を示しているが、図１６Ａと同様に３種類以上の副画素を設けることができる。

　発光デバイスが発する光は、基板１５１側に射出される。基板１５１には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。一方、基板１５２に用いる材料の透光性は問わない。

　また、表示装置１００Ｂは、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び導電層１２２ａ、導電層１２２ｂが可視光を透過する材料を含み、共通電極１１３が可視光を反射する材料を含む。ここで、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、及び導電層１２２ａ、導電層１２２ｂと同一の導電膜を加工して得られる、導電層１６６も可視光を透過する材料を含む。

　基板１５１とトランジスタ２０１との間、基板１５１とトランジスタ２０５との間には、遮光層１１７を形成することが好ましい。図１７では、基板１５１上に遮光層１１７が設けられ、遮光層１１７上に絶縁層１５３が設けられ、絶縁層１５３上にトランジスタ２０１、トランジスタ２０５などが設けられている例を示す。

　さらに、表示装置１００Ｂでは、着色層１２９ａ、着色層１２９ｂが、絶縁層２１５と絶縁層２１４の間に設けられている。着色層１２９ａ、着色層１２９ｂは、端部が遮光層１１７と重畳することが好ましい。

　ここで、表示装置１００Ａ及び表示装置１００Ｂについて、図１８Ａ乃至図１８Ｄに、画素電極１１１ａ及び層１２８とその周辺を含む領域１３８の断面構造を示す。なお、図１８Ａ乃至図１８Ｄに係る記載については、発光デバイス１３０ｂ及び発光デバイス１３０ｃについても同様のことがいえる。

　図１６Ａおよび図１７では、層１２８の上面と画素電極１１１ａの上面が概略一致する例について示したが、本発明はこれに限られるものではない。例えば、図１８Ａに示すように、層１２８の上面が画素電極１１１ａの上面より高くなる場合がある。このとき、層１２８の上面は中心に向かって凸状に、なだらかに膨らんだ形状を有する。

　また、図１８Ｂに示すように、層１２８の上面が画素電極１１１ａの上面より低くなる場合がある。このとき、層１２８の上面は中心に向かって凹状に、なだらかに窪んだ形状を有する。

　また、図１８Ｃに示すように、層１２８の上面が画素電極１１１ａの上面より高くなる場合、画素電極１１１ａに形成された凹部より、層１２８の上部が広がって形成される場合がある。このとき、層１２８の一部が、画素電極１１１ａの概略平坦な領域の一部を覆って形成される場合がある。

　また、図１８Ｄに示すように、図１８Ｃに示す構造において、さらに層１２８の上面の一部に凹部が形成される場合がある。当該凹部は、中心に向かってなだらかに窪んだ形状を有する。

［画素のレイアウト］
　次に、画素レイアウトについて説明する。副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。

　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、台形などを含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。

　図１９Ａに示す画素１１０には、ストライプ配列が適用されている。図１９Ａに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図２０Ａに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図１９Ｂに示す画素１１０には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１９Ｂに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃの、３つの副画素から構成される。例えば、図２０Ｂに示すように、副画素１１０ａを青色の副画素Ｂとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを緑色の副画素Ｇとしてもよい。

　図１９Ｃは、各色の副画素がジグザグに配置されている例である。具体的には、上面視において、列方向に並ぶ２つの副画素（例えば、副画素１１０ａと副画素１１０ｂ、または、副画素１１０ｂと副画素１１０ｃ）の上辺の位置がずれている。例えば、図２０Ｃに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　図１９Ｄに示す画素１１０は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素１１０ａと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素１１０ｂと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素１１０ｃと、を有する。また、副画素１１０ａは、副画素１１０ｂよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、図２０Ｄに示すように、副画素１１０ａを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｂを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとしてもよい。

　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。

　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。

　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。

　図２１Ａ乃至図２１Ｃに示す画素１１０は、ストライプ配列が適用されている。

　図２１Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図２１Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状（長円形状ともいう）を有する例であり、図２１Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。

　図２１Ａ乃至図２１Ｃに示す画素１１０は、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄの、４つの副画素から構成される。副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄは、それぞれ異なる色の光を発する。例えば、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。例えば、図２２Ａに示すように、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。または、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ、副画素１１０ｄは、それぞれ、赤色、緑色、青色、赤外発光の副画素とすることができる。

　副画素１１０ｄは、発光デバイスを有する。当該発光デバイスは、画素電極と、当該画素電極の島状の第４の層と、当該島状の第４の層上の有機層１１４と、有機層１１４上の共通電極１１３と、を有する。当該発光デバイスにおいて、上記第４の層、及び、有機層１１４をまとめてＥＬ層と呼ぶことができる。なお、上記画素電極は、画素電極１１１ａ、画素電極１１１ｂ、画素電極１１１ｃと同様の材料を用いればよい。また、上記第４の層は、第１の層１２３ａ、第２の層１２３ｂ、及び第３の層１２３ｃと同様の材料を用いればよい。

　図２１Ｄでは、１つの画素１１０が２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、３つの副画素１１０ｄを有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａ及び副画素１１０ｄを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂ及び副画素１１０ｄを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃ及び副画素１１０ｄを有する。図２１Ｄに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供できる。

　図２１Ｅでは、１つの画素１１０が、２行３列で構成されている例を示す。画素１１０は、上の行（１行目）に、３つの副画素（副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素１１０ｄ）を有する。言い換えると、画素１１０は、左の列（１列目）に、副画素１１０ａを有し、中央の列（２列目）に副画素１１０ｂを有し、右の列（３列目）に副画素１１０ｃを有し、さらに、この３列にわたって、副画素１１０ｄを有する。

　なお、図２１Ｄ及び図２１Ｅに示す画素１１０において、例えば、図２２Ｂ及び図２２Ｃに示すように、副画素１１０ａを赤色の副画素Ｒとし、副画素１１０ｂを緑色の副画素Ｇとし、副画素１１０ｃを青色の副画素Ｂとし、副画素１１０ｄを白色の副画素Ｗとすることができる。

　本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイス（受光素子ともいう）を有していてもよい。

　図２１Ｄ又は図２１Ｅに示す画素１１０が有する４つの副画素のうち、３つを、発光デバイスを有する構成とし、残りの１つを、受光デバイスを有する構成としてもよい。

　受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。

　特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。

　本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　受光デバイスは、一対の電極間に少なくとも光電変換層として機能する活性層を有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。

　例えば、副画素１１０ａ、副画素１１０ｂ、副画素１１０ｃが、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の副画素であり、副画素１１０ｄが、受光デバイスを有する副画素であってもよい。このとき、第４の層は、少なくとも活性層を有する。

　受光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。または、画素電極が陰極として機能し、共通電極が陽極として機能してもよい。

　受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。

　ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。例えば、正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。

　受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。

　活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ_６０、Ｃ_７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子共役が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光デバイスとして有益である。Ｃ_６０、Ｃ_７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ_７０はＣ_６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体としては、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。

　また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。

　活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。

　また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。

　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。

　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。

　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。

　受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い材料、電子ブロック材料などを含む層をさらに有していてもよい。

　受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

　例えば、正孔輸送性材料又は電子ブロック材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料又は正孔ブロック材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物、ポリエチレンイミンエトキシレート（ＰＥＩＥ）などの有機化合物を用いることができる。受光デバイスは、例えば、ＰＥＩＥとＺｎＯとの混合膜を有していてもよい。

　また、活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。

　また、活性層には３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。

　画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出できる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。

　本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示できる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出できる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用できる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減できる。

　本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。

　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像できる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。

　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得できる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

　また、受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出できる。

　図２３Ａ乃至図２３Ｃに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、及び、副画素ＰＳを有する。

　図２３Ａに示す画素には、ストライプ配列が適用されている。

　図２３Ｂ及び図２３Ｃでは、１つの画素が、２行３列にわたって設けられている例を示す。上の行（１行目）には、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ）が設けられている。図２３Ｂでは、下の行（２行目）には、３つの副画素ＰＳが設けられている。一方、図２３Ｃでは、下の行（２行目）に、２つの副画素ＰＳが設けられている。図２３Ｂに示すように、上の行と下の行との副画素の配置を揃える構成とすることで、製造プロセスで生じうるゴミなどを効率よく除去することが可能となる。したがって、表示品位の高い表示装置を提供できる。なお、副画素のレイアウトは図２３Ａ乃至図２３Ｃの構成に限られない。

　副画素Ｒは赤色の光を発する発光デバイスを有し、副画素Ｇは緑色の光を発する発光デバイスを有し、副画素Ｂは青色の光を発する発光デバイスを有している。または、副画素Ｒ、副画素Ｇ、及び副画素Ｂは、それぞれ、白色光を発する発光デバイスを有している。副画素Ｒ、副画素Ｇ、及び副画素Ｂは、それぞれ、白色光を発する発光デバイスを有している場合、副画素Ｒ、副画素Ｇ、及び副画素Ｂでは、当該発光デバイスに重畳して、対応する着色層が設けられる。

　副画素ＰＳは、受光デバイスを有する。副画素ＰＳが検出する光の波長は特に限定されない。

　副画素ＰＳが有する受光デバイスは、可視光を検出することが好ましく、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの色のうち一つまたは複数を検出することが好ましい。また、副画素ＰＳが有する受光デバイスは、赤外光を検出してもよい。

　なお、図２３Ａなどに示す構成は、画素に発光デバイスと、受光デバイスと、を有する。本発明の一態様の表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出できる。また、本発明の一態様の表示装置は、赤外光を呈する副画素を有するため、表示装置が有する副画素を用いて、光源として赤外光を呈しながら、画像を表示することもできる。別言すると、本発明の一態様の表示装置は、表示機能以外の機能（ここでは受光機能）との親和性が高い構成である。

　なお、図２３Ａなどに示す画素が有する受光デバイスを、タッチセンサ、または非接触センサなどに用いてもよい。

　ここで、タッチセンサまたは非接触センサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出できる。タッチセンサは、電子機器と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、非接触センサは、対象物が電子機器に接触しなくても、当該対象物を検出できる。例えば、表示装置（または電子機器）と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、電子機器に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、電子機器に汚れ、または傷がつくリスクを低減できる、または対象物が電子機器に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、電子機器を操作することが可能となる。

　なお、非接触センサ機能は、ホバーセンサ機能、ホバータッチセンサ機能、ニアタッチセンサ機能、タッチレスセンサ機能などということもできる。また、タッチセンサ機能は、ダイレクトタッチセンサ機能などということもできる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、リフレッシュレートを可変にすることができる。例えば、表示装置に表示されるコンテンツに応じてリフレッシュレートを調整（例えば、０．０１Ｈｚ以上２４０Ｈｚ以下の範囲で調整）して消費電力を低減させることができる。また、リフレッシュレートを低下させた駆動により、表示装置の消費電力を低減する駆動をアイドリングストップ（ＩＤＳ）駆動と呼称してもよい。

　また、上記のリフレッシュレートに応じて、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を変化させてもよい。例えば、表示装置のリフレッシュレートが１２０Ｈｚの場合、タッチセンサ、またはニアタッチセンサの駆動周波数を１２０Ｈｚよりも高い周波数（代表的には２４０Ｈｚ）とする構成とすることができる。当該構成とすることで、低消費電力が実現でき、且つタッチセンサ、またはニアタッチセンサの応答速度を高めることが可能となる。

　本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態４）
　先の実施の形態で説明した表示装置は、受光素子を有してもよい。本実施の形態では、発光素子と受光素子を有する表示装置（受発光装置ともいう）について説明する。

　本発明の一態様の受発光装置の受発光部は、受光素子（受光デバイスともいう）と発光素子（発光デバイスともいう）を有する。受発光部は、発光素子を用いて画像を表示する機能を有する。さらに、当該受発光部は、受光素子を用いて撮像する機能及びセンシングする機能の一方又は双方を有する。そのため、本発明の一態様の受発光装置は、表示装置とも表現することができ、受発光部は表示部とも表現することができる。

　又は、本発明の一態様の受発光装置は、受発光素子（受発光デバイスともいう）と発光素子とを有する構成としてもよい。

　まず、受光素子と発光素子とを有する受発光装置について説明する。

　本発明の一態様の受発光装置は、受発光部に、受光素子と発光素子とを有する。本発明の一態様の受発光装置は、受発光部に、発光素子がマトリクス状に配置されており、当該受発光部で画像を表示できる。また、当該受発光部には、受光素子がマトリクス状に配置されており、受発光部は、撮像機能及びセンシング機能の一方又は双方も有する。受発光部は、イメージセンサ、タッチセンサなどに用いることができる。つまり、受発光部で光を検出することで、画像を撮像すること、対象物（指、ペンなど）のタッチ操作を検出できる。さらに、本発明の一態様の受発光装置は、発光素子をセンサの光源として利用できる。したがって、受発光装置と別に受光部及び光源を設けなくてよく、電子機器の部品点数を削減できる。

　本発明の一態様の受発光装置では、受発光部が有する発光素子が発した光を対象物が反射（又は散乱）した際、受光素子がその反射光（又は散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像、タッチ操作の検出などが可能である。

　本発明の一態様の受発光装置が有する発光素子は、表示素子（表示デバイスともいう）として機能する。

　発光素子としては、ＯＬＥＤ、ＱＬＥＤなどのＥＬ素子（ＥＬデバイスともいう）を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、無機化合物（量子ドット材料など）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。また、発光素子として、マイクロＬＥＤなどのＬＥＤを用いることもできる。

　本発明の一態様の受発光装置は、受光素子を用いて、光を検出する機能を有する。

　受光素子をイメージセンサに用いる場合、受発光装置は、受光素子を用いて、画像を撮像できる。例えば、受発光装置は、スキャナとして用いることができる。

　本発明の一態様の受発光装置が適用された電子機器は、イメージセンサとしての機能を用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得できる。つまり、受発光装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。受発光装置が生体認証用センサを内蔵することで、受発光装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。

　また、受光素子をタッチセンサに用いる場合、受発光装置は、受光素子を用いて、対象物のタッチ操作を検出できる。

　受光素子の構成等については、実施の形態３で説明した受光デバイスの構成等の記載を参照できる。

　本発明の一態様では、発光素子として有機ＥＬ素子（有機ＥＬデバイスともいう）を用い、受光素子として有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬ素子及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬ素子を用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。

　有機ＥＬ素子及び有機フォトダイオードを構成する全ての層を作り分ける場合、成膜工程数が膨大になってしまう。しかしながら有機フォトダイオードは、有機ＥＬ素子と共通の構成にできる層が多いため、共通の構成にできる層は一括で成膜することで、成膜工程の増加を抑制できる。

　例えば、一対の電極のうち一方（共通電極）を、受光素子及び発光素子で共通の層とすることができる。また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つを、受光素子及び発光素子で共通の層としてもよい。このように、受光素子及び発光素子が共通の層を有することで、成膜回数及びマスクの数を減らすことができ、受発光装置の作製工程及び作製コストを削減できる。また、表示装置の既存の製造装置及び製造方法を用いて、受光素子を有する受発光装置を作製できる。

　次に、受発光素子と発光素子を有する受発光装置について説明する。なお、上記と同様の機能、作用、効果等については、説明を省略することがある。

　本発明の一態様の受発光装置において、いずれかの色を呈する副画素は、発光素子の代わりに受発光素子を有し、その他の色を呈する副画素は、発光素子を有する。受発光素子は、光を発する機能（発光機能）と、受光する機能（受光機能）と、の双方を有する。例えば、画素が、赤色の副画素、緑色の副画素、青色の副画素の３つの副画素を有する場合、少なくとも１つの副画素が受発光素子を有し、他の副画素は発光素子を有する構成とする。したがって、本発明の一態様の受発光装置の受発光部は、受発光素子と発光素子との双方を用いて画像を表示する機能を有する。

　受発光素子が、発光素子と受光素子を兼ねることで、画素に含まれる副画素の数を増やさずに、画素に受光機能を付与することができる。これにより、画素の開口率（各副画素の開口率）、及び、受発光装置の精細度を維持したまま、受発光装置の受発光部に、撮像機能及びセンシング機能の一方又は双方を付加することができる。したがって、本発明の一態様の受発光装置は、発光素子を有する副画素とは別に、受光素子を有する副画素を設ける場合に比べ、画素の開口率を高くでき、また、高精細化が容易である。

　本発明の一態様の受発光装置は、受発光部に、受発光素子と発光素子がマトリクス状に配置されており、当該受発光部で画像を表示できる。また、受発光部は、イメージセンサ、タッチセンサなどに用いることができる。本発明の一態様の受発光装置は、発光素子をセンサの光源として利用できる。そのため暗い場所でも、撮像、タッチ操作の検出などが可能である。

　受発光素子は、有機ＥＬ素子と有機フォトダイオードを組み合わせて作製できる。例えば、有機ＥＬ素子の積層構造に、有機フォトダイオードの活性層を追加することで、受発光素子を作製できる。さらに、有機ＥＬ素子と有機フォトダイオードを組み合わせて作製する受発光素子は、有機ＥＬ素子と共通の構成にできる層を一括で成膜することで、成膜工程の増加を抑制できる。

　例えば、一対の電極のうち一方（共通電極）を、受発光素子及び発光素子で共通の層とすることができる。また、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、及び電子注入層の少なくとも１つを、受発光素子及び発光素子で共通の層としてもよい。

　なお、受発光素子が有する層は、受発光素子が、受光素子として機能する場合と、発光素子として機能する場合と、で、機能が異なることがある。本明細書中では、受発光素子が発光素子として機能する場合における機能に基づいて構成要素を呼称する。

　本実施の形態の受発光装置は、発光素子及び受発光素子を用いて、画像を表示する機能を有する。つまり、発光素子及び受発光素子は、表示素子として機能する。

　本実施の形態の受発光装置は、受発光素子を用いて、光を検出する機能を有する。受発光素子は、受発光素子自身が発する光よりも短波長の光を検出できる。

　受発光素子をイメージセンサに用いる場合、本実施の形態の受発光装置は、受発光素子を用いて、画像を撮像できる。また、受発光素子をタッチセンサに用いる場合、本実施の形態の受発光装置は、受発光素子を用いて、対象物のタッチ操作を検出できる。

　受発光素子は、光電変換素子として機能する。受発光素子は、上記発光素子の構成に、受光素子の活性層を追加することで作製できる。受発光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードの活性層を用いることができる。

　特に、受発光素子には、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードの活性層を用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な装置に適用できる。

　以下では、本発明の一態様の受発光装置の一例である表示装置について、図面を用いてより具体的に説明する。

［表示装置の構成例］
〔構成例１〕
　図２４Ａに、表示パネル３００の模式図を示す。表示パネル３００は、基板３０１、基板３０２、受光素子３１２、発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂ、機能層３０３等を有する。

　発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂ、及び受光素子３１２は、基板３０１と基板３０２の間に設けられている。発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂは、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、又は青色（Ｂ）の光を発する。なお以下では、発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ及び発光素子３１１Ｂを区別しない場合に、発光素子３１１と表記する場合がある。

　表示パネル３００は、マトリクス状に配置された複数の画素を有する。１つの画素は、１つ以上の副画素を有する。１つの副画素は、１つの発光素子を有する。例えば、画素には、副画素を３つ有する構成（Ｒ、Ｇ、及びＢの３色、又は、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色など）、又は、副画素を４つ有する構成（Ｒ、Ｇ、Ｂ、及び白色（Ｗ）の４色、又は、Ｒ、Ｇ、Ｂ、及びＹの４色など）を適用できる。さらに、画素は、受光素子３１２を有する。受光素子３１２は、全ての画素に設けられていてもよく、一部の画素に設けられていてもよい。また、１つの画素が複数の受光素子３１２を有していてもよい。

　図２４Ａには、基板３０２の表面に指３２０が触れる様子を示している。発光素子３１１Ｇが発する光の一部は、基板３０２と指３２０との接触部で反射される。そして、反射光の一部が、受光素子３１２に入射されることにより、指３２０が基板３０２に接触したことを検出できる。すなわち、表示パネル３００はタッチパネルとして機能することができる。

　機能層３０３は、発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂを駆動する回路、及び、受光素子３１２を駆動する回路を有する。機能層３０３には、スイッチ、トランジスタ、容量、配線などが設けられる。なお、発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂ、及び受光素子３１２をパッシブマトリクス方式で駆動させる場合には、スイッチ、トランジスタなどを設けない構成としてもよい。

　表示パネル３００は、指３２０の指紋を検出する機能を有することが好ましい。図２４Ｂには、基板３０２に指３２０が触れている状態における接触部の拡大図を模式的に示している。また、図２４Ｂには、交互に配列した発光素子３１１と受光素子３１２を示している。

　指３２０は凹部及び凸部により指紋が形成されている。そのため、図２４Ｂに示すように指紋の凸部が基板３０２に触れている。

　ある表面、界面などから反射される光には、正反射と拡散反射とがある。正反射光は入射角と反射角が一致する、指向性の高い光であり、拡散反射光は、強度の角度依存性が低い、指向性の低い光である。指３２０の表面から反射される光は、正反射と拡散反射のうち拡散反射の成分が支配的となる。一方、基板３０２と大気との界面から反射される光は、正反射の成分が支配的となる。

　指３２０と基板３０２との接触面又は非接触面で反射され、これらの直下に位置する受光素子３１２に入射される光の強度は、正反射光と拡散反射光とを足し合わせたものとなる。上述のように指３２０の凹部では基板３０２と指３２０が接触しないため、正反射光（実線矢印で示す）が支配的となり、凸部ではこれらが接触するため、指３２０からの拡散反射光（破線矢印で示す）が支配的となる。したがって、凹部の直下に位置する受光素子３１２で受光する光の強度は、凸部の直下に位置する受光素子３１２よりも高くなる。これにより、指３２０の指紋を撮像できる。

　受光素子３１２の配列間隔は、指紋の２つの凸部間の距離、好ましくは隣接する凹部と凸部間の距離よりも小さい間隔とすることで、鮮明な指紋の画像を取得できる。人の指紋の凹部と凸部の間隔は概ね２００μｍであることから、例えば受光素子３１２の配列間隔は、４００μｍ以下、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下、さらに好ましくは５０μｍ以下であって、１μｍ以上、好ましくは１０μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上とする。

　表示パネル３００で撮像した指紋の画像の例を図２４Ｃに示す。図２４Ｃには、撮像範囲３２３内に、指３２０の輪郭を破線で、接触部３２１の輪郭を一点鎖線で示している。接触部３２１内において、受光素子３１２に入射する光量の違いによって、コントラストの高い指紋３２２を撮像できる。

　表示パネル３００は、タッチパネル、ペンタブレットとしても機能させることができる。図２４Ｄには、スタイラス３２５の先端を基板３０２に接触させた状態で、破線矢印の方向に滑らせている様子を示している。

　図２４Ｄに示すように、スタイラス３２５の先端と、基板３０２の接触面で拡散される拡散反射光が、当該接触面と重なる部分に位置する受光素子３１２に入射することで、スタイラス３２５の先端の位置を高精度に検出できる。

　図２４Ｅは、表示パネル３００で検出したスタイラス３２５の軌跡３２６の例を示している。表示パネル３００は、高い位置精度でスタイラス３２５等の被検出体の位置検出が可能であるため、描画アプリケーション等において、高精細な描画を行うことも可能である。また、静電容量式のタッチセンサ、電磁誘導型のタッチペン等を用いた場合とは異なり、絶縁性の高い被検出体であっても位置検出が可能であるため、スタイラス３２５の先端部の材料は問われず、様々な筆記用具（例えば筆、ガラスペン、羽ペンなど）を用いることもできる。

　ここで、図２４Ｆ及び図２４Ｇに、表示パネル３００に適用可能な画素の一例を示す。

　図２４Ｆに示す画素は、それぞれ赤色（Ｒ）の発光素子３１１Ｒ、緑色（Ｇ）の発光素子３１１Ｇ、青色（Ｂ）の発光素子３１１Ｂと、受光素子３１２を有する。画素は、それぞれ発光素子３１１Ｒ、発光素子３１１Ｇ、発光素子３１１Ｂ、及び受光素子３１２を駆動するための画素回路を有する。

　図２４Ｆは、３つの発光素子が一列に配列し、その下側に、横長の１つの受光素子３１２が配置されている例である。

　図２４Ｇに示す画素は、白色（Ｗ）の発光素子３１１Ｗを有する例である。ここでは、４つの発光素子が一列に配置され、その下側に受光素子３１２が配置されている。

　なお、画素の構成は上記に限られず、様々な配置方法を採用することができる。

〔構成例２〕
　以下では、可視光を呈する発光素子と、赤外光を呈する発光素子と、受光素子と、を備える構成の例について説明する。

　図２５Ａに示す表示パネル３００Ａは、図２４Ａで例示した構成に加えて、発光素子３１１ＩＲを有する。発光素子３１１ＩＲは、赤外光ＩＲを発する発光素子である。またこのとき、受光素子３１２には、少なくとも発光素子３１１ＩＲが発する赤外光ＩＲを受光することのできる素子を用いることが好ましい。また、受光素子３１２として、可視光と赤外光の両方を受光することのできる素子を用いることがより好ましい。

　図２５Ａに示すように、基板３０２に指３２０が触れると、発光素子３１１ＩＲから発せられた赤外光ＩＲが指３２０により反射され、当該反射光の一部が受光素子３１２に入射されることにより、指３２０の位置情報を取得できる。

　図２５Ｂ及び図２５Ｃに、表示パネル３００Ａに適用可能な画素の一例を示す。

　図２５Ｂは、３つの発光素子が一列に配列し、その下側に、発光素子３１１ＩＲと、受光素子３１２とが横に並んで配置されている例である。また、図２５Ｃは、発光素子３１１ＩＲを含む４つの発光素子が一列に配列し、その下側に、受光素子３１２が配置されている例である。

　なお、図２５Ｂ及び図２５Ｃに示す画素において、発光素子同士、及び発光素子と受光素子とは、それぞれの位置を交換可能である。

〔構成例３〕
　以下では、可視光を呈する発光素子と、可視光を呈し、且つ可視光を受光する受発光素子と、を備える構成の例について説明する。

　図２５Ｄに示す表示パネル３００Ｂは、発光素子３１１Ｂ、発光素子３１１Ｇ、及び受発光素子３１３Ｒを有する。受発光素子３１３Ｒは、赤色（Ｒ）の光を発する発光素子としての機能と、可視光を受光する光電変換素子としての機能と、を有する。図２５Ｄでは、受発光素子３１３Ｒが、発光素子３１１Ｇが発する緑色（Ｇ）の光を受光する例を示している。なお、受発光素子３１３Ｒは、発光素子３１１Ｂが発する青色（Ｂ）の光を受光してもよい。また、受発光素子３１３Ｒは、緑色の光と青色の光の両方を受光してもよい。

　例えば、受発光素子３１３Ｒは、自身が発する光よりも短波長の光を受光することが好ましい。又は、受発光素子３１３Ｒは、自身が発する光よりも長波長の光（例えば赤外光）を受光する構成としてもよい。受発光素子３１３Ｒは、自身が発する光と同程度の波長を受光する構成としてもよいが、その場合は自身が発する光をも受光してしまい、発光効率が低下してしまう恐れがある。そのため、受発光素子３１３Ｒは、発光スペクトルのピークと、吸収スペクトルのピークとができるだけ重ならないように構成されることが好ましい。

　また、ここでは受発光素子が発する光は、赤色の光に限られない。また、発光素子が発する光も、緑色の光と青色の光の組み合わせに限定されない。例えば受発光素子として、緑色又は青色の光を発し、且つ、自身が発する光とは異なる波長の光を受光する素子とすることができる。

　このように、受発光素子３１３Ｒが、発光素子と受光素子とを兼ねることにより、一画素に配置する素子の数を減らすことができる。そのため、高精細化、高開口率化、高解像度化などが容易となる。

　図２５Ｅ及び図２５Ｆに、表示パネル３００Ｂに適用可能な画素の一例を示す。

　図２５Ｅは、受発光素子３１３Ｒ、発光素子３１１Ｇ、及び発光素子３１１Ｂが一列に配列されている例である。図２５Ｆは、発光素子３１１Ｇと発光素子３１１Ｂが縦方向に交互に配列し、これらの横に受発光素子３１３Ｒが配置されている例である。

　発光素子及び受発光素子の上面形状は特に限定されず、円、楕円、多角形、角の丸い多角形等とすることができる。また、各色の発光素子及び受発光素子の上面形状は、互いに異なっていてもよく、一部又は全ての色で同じであってもよい。また、各色の発光素子及び受発光素子の発光領域（又は受発光領域）のサイズは、互いに異なっていてもよく、一部又は全ての色で同じであってもよい。

　例えば、受発光素子を用いて、タッチ操作の検出を行う場合、光源からの発光がユーザーに視認されにくいことが好ましい。青色の光は、緑色の光よりも視認性が低いため、青色の光を発する発光素子を光源とすることが好ましい。したがって、受発光素子は、青色の光を受光する機能を有することが好ましい。なお、これに限られず、受発光素子の感度に応じて、光源とする発光素子を適宜選択することができる。

　以上のように、本実施の形態の表示装置には、様々な配列の画素を適用することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様である受発光装置に用いることができる発光デバイス（発光素子ともいう）、及び受光デバイス（受光素子ともいう）について説明する。

［発光デバイス］
　図２６Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７９１、上部電極７９２）の間に、ＥＬ層７９０を有する。ＥＬ層７９０は、層７２０、発光層７１１、層７３０などの複数の層で構成することができる。層７２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）および電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層７１１は、例えば発光性の化合物を有する。層７３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）および正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。

　一対の電極間に設けられた層７２０、発光層７１１および層７３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図２６Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。

　また、図２６Ｂは、図２６Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７９０の変形例である。具体的には、図２６Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７９１上の層７３０−１と、層７３０−１上の層７３０−２と、層７３０−２上の発光層７１１と、発光層７１１上の層７２０−１と、層７２０−１上の層７２０−２と、層７２０−２上の上部電極７９２と、を有する。例えば、下部電極７９１を陽極とし、上部電極７９２を陰極とした場合、層７３０−１が正孔注入層として機能し、層７３０−２が正孔輸送層として機能し、層７２０−１が電子輸送層として機能し、層７２０−２が電子注入層として機能する。又は、下部電極７９１を陰極とし、上部電極７９２を陽極とした場合、層７３０−１が電子注入層として機能し、層７３０−２が電子輸送層として機能し、層７２０−１が正孔輸送層として機能し、層７２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層７１１に効率よくキャリアを注入し、発光層７１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。

　なお、図２６Ｃ、図２６Ｄに示すように層７２０と層７３０との間に複数の発光層（発光層７１１、７１２、７１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。

　また、図２６Ｅ、図２６Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７９０ａ、ＥＬ層７９０ｂ）が中間層７４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、中間層７４０を電荷発生層と呼ぶ場合がある。また、本明細書等においては、図２６Ｅ、図２６Ｆに示すような構成をタンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。

　図２６Ｃにおいて、発光層７１１、発光層７１２、及び発光層７１３に、同じ光を発する発光材料を用いてもよい。

　また、発光層７１１、発光層７１２、及び発光層７１３に、異なる発光材料を用いてもよい。発光層７１１、発光層７１２、及び発光層７１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２６Ｄでは、カラーフィルタとして機能する着色層７９５を設ける例を示している。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。

　また、図２６Ｅにおいて、発光層７１１と、発光層７１２とに、同じ発光材料を用いてもよい。又は、発光層７１１と、発光層７１２とに、異なる光を発する発光材料を用いてもよい。発光層７１１が発する光と、発光層７１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図２６Ｆには、さらに着色層７９５を設ける例を示している。

　なお、図２６Ｃ、図２６Ｄ、図２６Ｅ、図２６Ｆにおいても、図２６Ｂに示すように、層７２０と、層７３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。

　また、図２６Ｄにおいて、発光層７１１、発光層７１２、及び発光層７１３に同じ発光材料を用いてもよい。同様に、図２６Ｆにおいて、発光層７１１と、発光層７１２とに、同じ発光材料を用いてもよい。このとき、着色層７９５に代えて色変換層を適用することで、発光材料とは異なる色の所望の色の光を得ることができる。例えば、各発光層に青色の発光材料を用い、青色光が色変換層を透過することで、青色よりも波長の長い光（例えば赤色、緑色など）の光を得ることができる。色変換層としては、蛍光材料、燐光材料、又は量子ドットなどを用いることができる。

　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７９０を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄又は白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。

　白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。

　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。又は、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。

［受光デバイス］
　図２７Ａに、発光デバイス７５０Ｒ、発光デバイス７５０Ｇ、発光デバイス７５０Ｂ、及び受光デバイス７６０の断面概略図を示す。発光デバイス７５０Ｒ、発光デバイス７５０Ｇ、発光デバイス７５０Ｂ、及び受光デバイス７６０は、共通の層として上部電極７９２を有する。

　発光デバイス７５０Ｒは、画素電極７９１Ｒ、層７５１、層７５２、発光層７５３Ｒ、層７５４、層７５５、及び上部電極７９２を有する。発光デバイス７５０Ｇは、画素電極７９１Ｇ、発光層７５３Ｇを有する。発光デバイス７５０Ｂは、画素電極７９１Ｂ、発光層７５３Ｂを有する。

　層７５１は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）等を有する。層７５２は、例えば正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）等を有する。層７５４は、例えば電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）等を有する。層７５５は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）等を有する。

　又は、層７５１が電子注入層を有し、層７５２が電子輸送層を有し、層７５４が正孔輸送層を有し、層７５５が正孔注入層を有する構成としてもよい。

　なお、図２７Ａにおいては、層７５１と、層７５２と、を分けて明示したがこれに限定されない。例えば、層７５１が正孔注入層と、正孔輸送層との双方の機能を有する構成とする場合、あるいは層７５１が電子注入層と、電子輸送層との双方の機能を有する構成とする場合においては、層７５２を省略してもよい。

　なお、発光デバイス７５０Ｒが有する発光層７５３Ｒは、赤色の発光を示す発光物質を有し、発光デバイス７５０Ｇが有する発光層７５３Ｇは緑色の発光を示す発光物質を有し、発光デバイス７５０Ｂが有する発光層７５３Ｂは、青色の発光を示す発光物質を有する。なお、発光デバイス７５０Ｇ、発光デバイス７５０Ｂは、それぞれ、発光デバイス７５０Ｒが有する発光層７５３Ｒを、発光層７５３Ｇ、発光層７５３Ｂに置き換えた構成を有し、そのほかの構成は、発光デバイス７５０Ｒと同様である。

　なお、層７５１、層７５２、層７５４、層７５５は、各色の発光デバイスで同一の構成（材料、膜厚等）を有していてもよく、互いに異なる構成を有していてもよい。

　受光デバイス７６０は、画素電極７９１ＰＤ、層７６１、層７６２、層７６３、及び上部電極７９２を有する。受光デバイス７６０は、正孔注入層、及び電子注入層を有さない構成とすることができる。

　層７６２は、活性層（光電変換層とも呼ぶ）を有する。層７６２は、特定の波長帯の光を吸収し、キャリア（電子とホール）を生成する機能を有する。

　層７６１と層７６３は、例えばそれぞれ正孔輸送層又は電子輸送層のいずれか一方を有する。層７６１が正孔輸送層を有する場合、層７６３は電子輸送層を有する。一方、層７６１が電子輸送層を有する場合、層７６３は正孔輸送層を有する。

　また受光デバイス７６０は、画素電極７９１ＰＤがアノード、上部電極７９２がカソードであってもよいし、画素電極７９１ＰＤがカソード、上部電極７９２がアノードであってもよい。

　図２７Ｂは、図２７Ａの変形例である。図２７Ｂでは、層７５５を、上部電極７９２と同様に、各発光デバイス間、及び各受光デバイス間で共通に設けた場合の例である。このとき、層７５５を共通層と呼ぶことができる。このように、各発光デバイス間、及び各受光デバイス間に１以上の共通層を設けることで、作製工程を簡略化できるため、製造コストを低減できる。

　ここで、層７５５は、発光デバイス７５０にとっては、電子注入層又は正孔注入層として機能する。このとき、受光デバイス７６０にとっては、電子輸送層又は正孔輸送層として機能する。そのため、図２７Ｂに示す受光デバイス７６０には、電子輸送層又は正孔輸送層として機能する層７６３を設けなくてもよい。

　以上が受光デバイスの説明である。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態６）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。

　ＯＳトランジスタに用いる金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましく、ガリウムがより好ましい。

　金属酸化物は、スパッタリング法、ＭＯＣＶＤ法などのＣＶＤ法、または、ＡＬＤ法などにより形成することができる。

　以降では、金属酸化物の一例として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物について説明する。なお、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と呼ぶ場合がある。

＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、および多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。

　なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価できる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価できる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。また、以下では、ＧＩＸＤ測定で得られるＸＲＤスペクトルを、単に、ＸＲＤスペクトルと記す場合がある。

　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。

　また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価できる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、単結晶または多結晶でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。

＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、およびｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。

　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、およびａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。

［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。

　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は、数十ｎｍ程度となる場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、および酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、および酸素を有する層（以下、（Ｇａ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムとガリウムは、互いに置換可能である。よって、（Ｇａ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層にはガリウムが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層には亜鉛が含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。

　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。

　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。

　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化することなどによって、歪みを許容することができるためと考えられる。

　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、およびＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。

　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物および欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。

［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳまたは非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。

［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳおよびＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。

＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。

［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。

　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。

　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、およびＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、および［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。

　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。

　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。

　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、およびＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。

　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、および窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましい。例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とする。

　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。

　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。

　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制できる。

　従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉ_ｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、および良好なスイッチング動作を実現できる。

　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。

　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。

＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。

　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現できる。また、信頼性の高いトランジスタを実現できる。

　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０^１７ｃｍ^−３以下、好ましくは１×１０^１５ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１３ｃｍ^−３以下、より好ましくは１×１０^１１ｃｍ^−３以下、さらに好ましくは１×１０^１０ｃｍ^−３未満であり、１×１０^−９ｃｍ^−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。

　また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。

　また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。

　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。なお、酸化物半導体中の不純物とは、例えば、酸化物半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。

＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。

　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体中のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下とする。

　また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、好ましくは２×１０^１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、より好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、さらに好ましくは５×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下にする。

　また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の水素濃度を、１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、好ましくは１×１０^１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、より好ましくは５×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満、さらに好ましくは１×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満にする。

　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態７）
　本実施の形態では、大型化が容易な表示パネルの一態様である積層パネルの構成例と、その応用例について、図面を参照して説明する。

　本発明の一態様は、複数の表示パネルを一部が重なるように配置することにより大型化が可能な表示パネルである。また、重ねた２つの表示パネルのうち、少なくとも表示面側（上側）に位置する表示パネルは、表示部と隣接して可視光を透過する部分を備える。下側に配置される表示パネルの画素と、上側に配置される表示パネルの可視光を透過する部分とを重ねて設ける。これにより、２つの表示パネルを表示面側から見たときに（平面視において）、これらに表示される画像を、継ぎ目なく連続して表示することが可能となる。

　例えば、本発明の一態様は、第１の表示パネルと、第２の表示パネルと、を有する積層パネルである。第１の表示パネルは、第１の領域を有し、第１の領域は、第１の画素と、第２の画素と、を有する。第２の表示パネルは、第２の領域と、第３の領域と、第４の領域と、を有する。第２の領域は、第３の画素を有し、第３の領域は、可視光を透過する機能を有し、第４の領域は、可視光を遮光する機能を有する。また第１の表示パネルの第２の画素と、第２の表示パネルの第３の領域とは、互いに重なる領域を有する。また第２の画素の開口率は、第１の画素の開口率よりも大きいことが好ましい。

　上記第１の表示パネル及び第２の表示パネルの一方、又は双方には、上記で例示した、発光素子と受光素子とを備える表示装置を用いることができる。言い換えると、上記第１の画素、第２の画素、及び第３の画素の少なくとも一は、発光素子と受光素子とを有する、ともいうことができる。

　より具体的には、例えば以下のような構成とすることができる。

［構成例１］
〔表示パネル〕
　図２８Ａは、本発明の一態様の表示装置に含まれる表示パネル５００の上面概略図である。

　表示パネル５００は、表示領域５０１と、表示領域５０１に隣接して、可視光を透過する領域５１０と、可視光を遮光する部分を有する領域５２０と、を備える。図２８Ａでは、表示パネル５００にＦＰＣ５１２が設けられている例を示す。

　ここで、表示パネル５００は単体であっても表示領域５０１に画像を表示できる。さらに、表示パネル５００は単体であっても、表示領域５０１により画像を撮像できる。

　領域５１０には、例えば表示パネル５００を構成する一対の基板、及び当該一対の基板に挟持された表示素子を封止するための封止材などが設けられていてもよい。このとき、領域５１０に設けられる部材には、可視光に対して透光性を有する材料を用いる。

　領域５２０には、例えば表示領域５０１に含まれる画素に電気的に接続する配線が設けられている。また、このような配線に加え、画素を駆動するための駆動回路（走査線駆動回路、信号線駆動回路等）、保護回路等の回路が設けられていてもよい。また、領域５２０は、ＦＰＣ５１２と電気的に接続する端子（接続端子ともいう）、当該端子と電気的に接続する配線等が設けられている領域も含む。

　表示パネルの断面構成例等の詳細な説明については、他の実施の形態を援用できる。

　なお、図２８Ａでは、表示パネル５００はわかりやすくするために矩形状の例を示しているが、実施者の設計により、非矩形状としてもよい。

　図２９Ａは展開時の表示パネルの上面模式図であり、図２９Ｂは本発明の一態様を示す表示装置の外観図である。

　図２９Ａに示す表示パネル６１は、表示領域６３と、非表示領域６４とを有する。表示領域６３にはマトリクス状に形成された画素領域が設けられ、非表示領域６４には画素領域に電気的に接続された駆動回路が設けられる。なお、非表示領域６４に設けられる駆動回路の一部を表示領域６３に設けられる画素領域内に設けてもよい。このような構成とすることで非表示領域の面積を小さくすることができる。

　以下に表示装置の作製方法の一例を示す。可撓性を有する基板上にマトリクス状に配置された複数の画素を作製する。マトリクス状に配置された複数の画素を有する可撓性を有する基板をフレキシブルディスプレイとも呼ぶ。なお、可撓性を有する基板上に直接トランジスタ又は発光素子を形成する方法を用いてもよいし、ガラス基板などにトランジスタ又は発光素子を形成した後、ガラス基板から剥離を行って可撓性を有する基板に接着層を用いて接着させる方法を用いてもよい。剥離法又は転置法は様々な種類があるが特に限定されず、公知の技術を適宜用いればよい。

　ガラス基板を用いる場合は、第３世代（５５０ｍｍ×６５０ｍｍ）、第３．５世代（６００ｍｍ×７２０ｍｍ、又は６２０ｍｍ×７５０ｍｍ）、第４世代（６８０ｍｍ×８８０ｍｍ、又は７３０ｍｍ×９２０ｍｍ）、第５世代（１１００ｍｍ×１３００ｍｍ）、第６世代（１５００ｍｍ×１８５０ｍｍ）、第７世代（１８７０ｍｍ×２２００ｍｍ）、第８世代（２２００ｍｍ×２４００ｍｍ）、第９世代（２４００ｍｍ×２８００ｍｍ、２４５０ｍｍ×３０５０ｍｍ）、第１０世代（２９５０ｍｍ×３４００ｍｍ）等のガラス基板、又はこれよりも大型のガラス基板を用いることができる。ガラス基板を用いる場合には、可撓性を有する基板に直接、トランジスタなどを形成するよりも高い熱処理温度をかけられるため、トランジスタの作製プロセス温度が高い場合に適している。

　可撓性を有する基板としては、例えば、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ＰＣ樹脂、ＰＥＳ樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、ＡＢＳ樹脂等が挙げられる。特に、線膨張係数の低い材料を用いることが好ましく、例えば、ポリアミドイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ＰＥＴ等を好適に用いることができる。また、繊維体に樹脂を含浸した基板、及び、無機フィラーを樹脂に混ぜて線膨張係数を下げた基板等を使用することもできる。

　又は可撓性を有する基板として金属フィルムを用いることもできる。金属フィルムとしてはステンレス、アルミニウムなどを用いることができる。

　可撓性を有する基板としては、上記材料を用いた層が、装置の表面を傷などから保護するハードコート層（例えば、窒化シリコン層など）、押圧を分散可能な材質の層（例えば、アラミド樹脂層など）等の少なくとも一と積層されて構成されていてもよい。

　接着層には、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。また、接着シート等を用いてもよい。

　そして、可撓性を有する基板を図２９Ａに示す非矩形状に加工、又は切断する。

　非矩形状の概略４５°の角を有する８個の先端を１箇所に集め、一方の半球を構成し、もう一方の半球も概略４５°の角を有する８個の先端を１箇所に集め、一つの概略球形の表示装置を構成する。

　８個の先端を１箇所に集める際に、表示領域６３と非表示領域６４の境界を折り曲げて、画素領域が上になるように重ねることで、画素領域の下に駆動回路を配置することができる。この様子を駆動回路が画素領域の裏側に設けられると表現することもできる。このような構成とすることで図２９Ｂに示すように、表示に影響を及ぼすことなく球面を有する表示パネル６１を提供できる。なお、非表示領域６４と表示領域６３を重ねて、理想的には継ぎ目の幅が極力ないように組み立てることが好ましい。

　表示パネル６１を組み立てる前に、球体の型などにあてて加熱して可撓性を有する基板を変形させて丸みを持たせてもよい。可撓性を有する基板の材質又は厚さによっては曲面を持たせにくい場合があるため、正確には球形とは呼べず、図２９Ｂの形状を作製する場合には８面体とも呼べる形状になる場合もあるが、本明細書では概略球形と呼ぶ。又は、図２９Ａに示す表示パネルは、くびれている部分でつながっているため、組み立てて図２９Ｂの形状にした場合にも表示パネル６１の全体を一つの面とみなすこともできる。

　又は駆動回路を同一の可撓性を有する基板上に設けることで、駆動ＩＣなどの部品数を低減できる。さらには、省スペース化も実現できる。

　概略球面を保持又は固定するために表示装置の中空に骨格を有する構成とすることが好ましい。骨格としては金属のほか、プラスチック、木材、又は竹などの材料を細くしたワイヤー状のもの又は枠を用いることができる。また、中空である金属球体（アルミニウムなど）に貼り付ける構成としてもよい。金属球体が鏡面を有している場合には効率よく発光させることもできる。また、糊で固定した張り子のような紙の球体に貼り付ける構成としてもよい。表示装置の中空部分には表示領域６３に設けられているトランジスタ又はＥＬ素子に電気的に接続する駆動回路及び記憶装置及び電源などを配置することができる。電源は電源回路又は蓄電装置を有する。なお、記憶装置には、表示領域６３にフルカラー映像を表示するための映像信号などを保存しておくことができる。

　又は、表示装置の中空部に無線回路を備え、外部から映像信号などを受信し、記憶装置に保存する構成としてもよい。記憶装置に保存された画像信号を画像処理回路によって表示領域６３に表示するための信号変換を行って、表示領域６３にフルカラー表示を実現することもできる。

　表示装置は、マトリクス状に形成された画素領域を有する発光素子を有し、本実施の形態では、有機ＥＬ素子を用いる。

　又は、有機ＥＬ素子の色変換（波長変換）材料として量子ドットを用いることもできる。量子ドットは、直径数ｎｍの半導体ナノ結晶であり、１×１０^３個から１×１０^６個程度の原子から構成されている。量子ドットは、電子又は正孔、励起子がその内部に閉じ込められた結果、それらのエネルギー状態が離散的となり、また、サイズに依存してエネルギーシフトする。すなわち、同じ物質から構成される量子ドットであっても、サイズによって発光波長が異なるため、用いる量子ドットのサイズを変更することによって容易に発光波長を調整することができる。

　また、表示領域６３にタッチパネルの機能を持たせることもできる。使用者の手が触れる、手をかざす又はジェスチャーによって操作可能とすることもできる。

　表示パネル６１は、全表面が表示領域６３となっており、固定する際には、継ぎ目のある定点に紐または金属線などを固定し、車内の天井に吊り下げる。又は、表示パネル６１の一部に素子及び配線などを配置せず、その部分を除去して固定してもよいが、その場合には全表面が表示領域６３とはならない構成となる。表示パネル６１の一部を除去して固定する場合には電源を表示パネル６１の内部に配置しなくとも、固定する部分を介して外部から映像信号、及び駆動のための電力などを供給する構成とすることができる。

　また、図２９Ａ、図２９Ｂでは概略球面の表示領域６３を備えた表示装置の例を示したが特に限定されず、概略半球面、その他の立体形状面を有する表示装置としてもよい。このような構成とすることで、外部から映像信号、及び駆動のための電力などを供給する構成とすることができる。

　例えば、図２９Ｃに示す展開時の表示パネルを形成することで、図２９Ｄに示す、円柱の一方の平面に直径の同じ半球を載せたような形状の表示部６１Ａを作製できる。また、例えば、図２９Ｅに示す展開時の表示パネルを形成することで、図２９Ｆに示す、概略半球面の表示部６１Ｂを作製できる。

〔積層パネル〕
　本発明の一態様の積層パネル５５０は、上述した表示パネル５００を複数備える。図２８Ｂでは、３つの表示パネルを備える積層パネル５５０の上面概略図を示す。

　なお、以降では各々の表示パネル同士、各々の表示パネルに含まれる構成要素同士、又は各々の表示パネルに関連する構成要素同士を区別して説明する場合、これらの符号の後にアルファベットを付記する。また特に説明のない場合には、一部が互いに重ねて設けられた複数の表示パネルのうち、最も下側（表示面とは反対側）に配置される表示パネル及びその構成要素等に対して「ａ」の符号を付記し、その上側に順に配置される一以上の表示パネル及びその構成要素等に対しては、符号の後にアルファベットをアルファベット順に付記することとする。また、特に説明のない限り、複数の表示パネルを備える構成を説明する場合であっても、各々の表示パネル又は構成要素等に共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略して説明する。

　図２８Ｂに示す積層パネル５５０は、表示パネル５００ａ、表示パネル５００ｂ、及び表示パネル５００ｃを備える。

　表示パネル５００ｂは、その一部が表示パネル５００ａの上側（表示面側）に重ねて配置されている。具体的には、表示パネル５００ａの表示領域５０１ａと表示パネル５００ｂの可視光を透過する領域５１０ｂとが重畳し、且つ、表示パネル５００ａの表示領域５０１ａと表示パネル５００ｂの可視光を遮光する領域５２０ｂとが重畳しないように配置されている。

　また、表示パネル５００ｃは、その一部が表示パネル５００ｂの上側（表示面側）に重ねて配置されている。具体的には、表示パネル５００ｂの表示領域５０１ｂと表示パネル５００ｃの可視光を透過する領域５１０ｃとが重畳し、且つ、表示パネル５００ｂの表示領域５０１ｂと表示パネル５００ｃの可視光を遮光する領域５２０ｃとが重畳しないように配置されている。

　表示領域５０１ａ上には可視光を透過する領域５１０ｂが重畳するため、表示領域５０１ａの全体を表示面側から視認することが可能となる。同様に、表示領域５０１ｂも領域５１０ｃが重畳することでその全体を表示面側から視認することができる。したがって、表示領域５０１ａ、表示領域５０１ｂおよび表示領域５０１ｃが継ぎ目なく配置された領域を積層パネル５５０の表示領域５５１とすることが可能となる。

　積層パネル５５０は、表示パネル５００の数だけ、表示領域５５１を拡大することができる。このとき、全ての表示パネル５００に、撮像機能を有する表示パネル（すなわち、発光素子と受光素子とを有する画素を有する表示パネル）を用いることで、表示領域５５１の全域を撮像領域とすることができる。

　なお、これに限られず、撮像機能を有する表示パネルと、撮像機能を有さない（例えば受光素子を有さない）表示パネルとを組み合わせてもよい。例えば、必要な部分にのみ撮像機能を有する表示パネルを適用し、それ以外には撮像機能を有さない表示パネルを適用することもできる。

　なお、表示パネル５００はわかりやすくするために矩形状の例を示しているが、実施者の設計により、非矩形状としてもよい。

　図３０Ａは重ね合わせる前の複数の表示領域６３、ここでは５つの表示領域６３を示す部材６２ａ、部材６２ｂ、部材６２ｃ、部材６２ｄ、部材６２ｅの上面図であり、図３０Ｂは本発明の一態様を示す表示パネルの外観図である。

　例えば、表示領域を図３０Ａに示す形状に設計し、矩形の可撓性を有する基板上に表示領域を作製した後、矩形の可撓性を有する基板を部分的に切断して切り出すことで図３０Ａに示す表示領域６３を形成することができる。

　５つの表示領域６３にはそれぞれ非表示領域６４を有しており、非表示領域６４を重ねて折り曲げることで図３０Ｂに示す半球状の表示部６１Ｄを構成することができる。また、図３０Ａでは５つの表示領域６３を用いる例を示したが、特に数は限定されず、実施者が適宜、所望の形状に合わせて選択すればよく、表示領域６３の数は２以上であればよい。

　表示部６１Ｄは車の内壁、具体的にはダッシュボード又は天井又は壁に設置することができる。また、表示部６１Ｄは腕時計の文字盤にも設置することができる。

　ここでは、半球状の表示部６１Ｄとする例を示したが、他の構成と組み合わせることで、球状の構成、半球と円柱を組み合わせた構成、凹部の曲面を発光させる構成などにすることもできる。

　何らかの原因で表示パネルに点欠陥または線欠陥と呼ばれる不良が生じる恐れがあるため、本実施の形態とすることで、複数の表示パネルの中から表示品質のよい良品を抽出して組み立てることができる。また故障した場合に部分的に表示パネルの一部を交換することもできる。

［構成例２］
　図２８Ｂでは一方向に複数の表示パネル５００を重ねて配置する構成を示したが、縦方向および横方向の二方向に複数の表示パネル５００を重ねて配置してもよい。

　図３１Ａは、図２８Ａとは領域５１０の形状が異なる表示パネル５００の例を示している。図３１Ａに示す表示パネル５００は、表示領域５０１の２辺に沿って可視光を透過する領域５１０が配置されている。

　図３１Ｂに図３１Ａに示した表示パネル５００を縦２つ、横２つ配置した積層パネル５５０の斜視概略図を示している。また図３１Ｃは、積層パネル５５０の表示面側とは反対側から見たときの斜視概略図である。

　図３１Ｂ、図３１Ｃにおいて、表示パネル５００ａの表示領域５０１ａの短辺に沿った領域と、表示パネル５００ｂの領域５１０ｂの一部が重畳して設けられている。また表示パネル５００ａの表示領域５０１ａの長辺に沿った領域と、表示パネル５００ｃの領域５１０ｃの一部が重畳して設けられている。また表示パネル５００ｄの領域５１０ｄは、表示パネル５００ｂの表示領域５０１ｂの長辺に沿った領域、及び表示パネル５００ｃの表示領域５０１ｃの短辺に沿った領域に重畳して設けられている。

　したがって、図３１Ｂに示すように、表示領域５０１ａ、表示領域５０１ｂ、表示領域５０１ｃおよび表示領域５０１ｄが継ぎ目なく配置された領域を積層パネル５５０の表示領域５５１とすることが可能となる。

　ここで、表示パネル５００に用いる一対の基板に可撓性を有する材料を用い、表示パネル５００が可撓性を有していることが好ましい。こうすることで、例えば図３１Ｂ、図３１Ｃ中の表示パネル５００ａに示すように、ＦＰＣ５１２ａ等が表示面側に設けられる場合にＦＰＣ５１２ａが設けられる側の表示パネル５００ａの一部を湾曲させ、ＦＰＣ５１２ａを隣接する表示パネル５００ｂの表示領域５０１ｂの下側にまで重畳するように配置することができる。その結果、ＦＰＣ５１２ａを表示パネル５００ｂの裏面と物理的に干渉することなく配置することができる。また、表示パネル５００ａと表示パネル５００ｂとを重ねて接着する際に、ＦＰＣ５１２ａの厚さを考慮する必要がないため、表示パネル５００ｂの領域５１０ｂの上面と、表示パネル５００ａの表示領域５０１ａの上面との高さの差を低減できる。その結果、表示領域５０１ａ上に位置する表示パネル５００ｂの端部が視認されてしまうことを抑制できる。

　さらに、各表示パネル５００に可撓性を持たせることで、表示パネル５００ｂの表示領域５０１ｂにおける上面の高さを、表示パネル５００ａの表示領域５０１ａにおける上面の高さと一致するように、表示パネル５００ｂを緩やかに湾曲させることができる。そのため、表示パネル５００ａと表示パネル５００ｂとが重畳する領域近傍を除き、各表示領域の高さを揃えることが可能で、積層パネル５５０の表示領域５５１に表示する画像の表示品位を高めることができる。

　上記では、表示パネル５００ａと表示パネル５００ｂの関係を例に説明したが、隣接する２つの表示パネル間でも同様である。

　また、隣接する２つの表示パネル５００間の段差を軽減するため、表示パネル５００の厚さは薄いほうが好ましい。例えば表示パネル５００の厚さを１ｍｍ以下、好ましくは３００μｍ以下、より好ましくは１００μｍ以下とすることが好ましい。

　また、積層パネル５５０の表示領域５５１を保護するための基板を設けてもよい。このとき、当該基板は、表示パネルごとに設けられてもよいが、複数の表示パネルに亘って一つの基板が設けられていてもよい。

　なお、ここでは矩形状の表示パネル５００を４つ積層する構成を示したが、表示パネル５００の数を増やすことにより、極めて大型の積層パネルとすることが可能となる。また、複数の表示パネル５００の配置方法を変えることで、積層パネルの表示領域の輪郭形状を非矩形状、例えば、円、楕円、多角形など、様々な形状にすることができる。また、表示パネル５００を立体的に配置することで、３次元の立体形状、例えば円柱状、球形、半球形などを有する表示領域を備える積層パネルを実現できる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態８）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを用いる電子機器について、図３２及び図３３を用いて説明する。

　本実施の形態では、実施の形態７に示した表示装置を車内に設置する例を示す。

　図３２Ａは、車内の天井から配線コードで吊り下げた球形の表示パネル６１を図示している。表示パネル６１は車内灯だけでなく、車内のインテリアとしても機能させることができる。また、表示パネル６１にはテレビ画像を表示することもできる。また配線コードを伸縮自在にすれば、乗客が手に取って操作を行うこともできる。

　車載カメラとして全方位カメラを車外に設置し、全方位カメラの撮像映像を使用者にわかりやすく、表示パネル６１へ一度に表示することもできる。

　また、図３２Ｂは他の例を示している。実施の形態４に示した受発光装置を車両制御装置の受発光部に好適に用いている。また、車両制御装置の形状は球形であるが、半分は固定するための凹部にはめ込められており、その凹部上に実施の形態７の球形の表示パネル６１を自由に回転させる構成となっている。

　また、実施の形態７の球形の表示パネル６１に代えて、半球状の表示部６１Ｄを用いて車両制御装置を構成してもよい。このとき、半球状の表示部６１Ｄは、例えば、平坦なダッシュボード上に固定されるとよい。

　また、図３２Ｂにおいては後部座席側に円柱の一方の平面に直径の同じ半球を載せたような形状の表示部６１Ａを設ける例が示されている。表示部６１Ａは下方から電力供給又は映像信号を提供する構成とすることができる。また、表示部６１Ａは室内灯としても用いることができる。

　なお、図３２では電気自動車などの車両の例を示しているが、乗物であれば特に限定されず、農業機械、電動アシスト自転車を含む原動機付自転車、自動二輪車、電動車椅子、電動カート、小型又は大型船舶、潜水艦、固定翼機又は回転翼機等の航空機などに曲面、代表的には球形又は半球形を有する表示パネルを搭載することができる。また、バス、旅客機、ヘリコプター、宇宙船などの輸送用車両にも曲面、代表的には球形又は半球形を有する表示パネルを搭載することができる。

　また、腕時計又はパーソナルコンピュータなどの電子機器に曲面、代表的には球形又は半球形を有する表示パネルを搭載することもできる。例えば、実施の形態４に示した受発光装置をノート型コンピュータのマウスパッドの位置に小型の半球形又は球形の部材として設けることもできる。

　図３３Ａは実施の形態７の表示部６１Ｂを半球形として電子部材６６に固定し、表示盤に用いた腕時計の例である。腕時計は電子部材６６を腕に固定するためのベルト６７を有している。また、半球形ではなく球形を枠にはめたものを腕時計としてもよい。表示パネルにタッチセンサ又はニアタッチセンサを搭載することで、対象物（指、手、又はペンなど）の近接もしくは接触を検出し、表示を操作できる。

　腕時計の表示盤を半球形とすることで、わざわざ腕を動かすことなく時刻を確認できるように時間を表示することもできる。

　球形の表示パネルであれば、一部は使用者の腕に触れるため、センサを搭載することで生体情報を取得することもできる。

　図３３Ｂは実施の形態７の表示部６１Ｄを表示盤に用いた腕時計の例を示している。図３３Ａとは組み立て方が異なる以外は同一であるためここでは詳細な説明は省略することとする。

　また、本実施の形態は、他の実施の形態と自由に組み合わせることができる。

（実施の形態９）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルを用いる車両について、図３４を用いて説明する。

　本実施の形態では、実施の形態７に示した表示装置を一つまたは複数組み合わせて車内に設置する例を示す。

　図３４は、車両の構成例を説明する図である。図３４には、運転席と助手席の周辺に配置されるダッシュボード５２、ステアリングホイール４１、フロントガラス５４、カメラ５５、送風口５６、助手席側のドア５８ａ、運転席側のドア５８ｂなどを示している。表示部５１は、ダッシュボード５２の左右にわたって設けられている。

　表示部５１は、タッチセンサ、又は非接触の近接センサが設けられていることが好ましい。又は、別途設けられたカメラなどを用いたジェスチャー操作が可能であることが好ましい。

　ステアリングホイール４１は、受発光部２０を有する。受発光部２０は、光を発する機能と、撮像する機能と、を有する。受発光部２０により、ドライバーの指紋、掌紋、又は静脈などの生体情報を取得することができ、その生体情報をもとに、ドライバーを認証できる。そのため、あらかじめ登録されたドライバー以外は、車両を起動することができないため、極めてセキュリティレベルの高い車両を実現できる。

　また、後側方の状況を撮影するカメラ５５を車外に複数設けてもよい。図３４においてはサイドミラーの代わりにカメラ５５を設置する例を示しているが、サイドミラーとカメラの両方を設置してもよい。カメラ５５としては、ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラなどを用いることができる。また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人、動物等の生体を検知又は抽出できる。

　カメラ５５で撮像された画像は、表示部５１又は受発光部２０のいずれか一方又は双方に出力できる。この表示部５１又は受発光部２０を用いて主に車両の運転を支援する。カメラ５５によって後側方の状況を幅広い画角で撮影し、その画像を表示部５１又は受発光部２０に表示することで、ドライバーの死角領域の視認が可能となり、事故の発生を防止できる。

　また、車のルーフ上などに距離画像センサを設け、距離画像センサによって得られた画像を表示部５１に表示してもよい。距離画像センサとしては、イメージセンサ、ライダー（ＬＩＤＡＲ：Ｌｉｇｈｔ　Ｄｅｔｅｃｔｉｏｎ　ａｎｄ　Ｒａｎｇｉｎｇ）などを用いることができる。イメージセンサによって得られた画像と、距離画像センサによって得られた画像とを表示部５１に表示することにより、より多くの情報をドライバーに提供し、運転を支援することができる。

　また、表示部５１は、地図情報、交通情報、テレビ映像、ＤＶＤ映像などを表示する機能を有していてもよい。例えば、表示パネル８０ａと表示パネル８０ｂを１つの表示画面として、地図情報を大きく表示できる。なお、表示パネルの数は、表示される映像に応じて増やすことができる。

　また、図３４では、ダッシュボード、フロントコンソール、及び左右のピラーにわたって表示部５１が設けられる。図３４では、表示部５１が、８つの表示パネル（表示パネル８０ａ乃至表示パネル８０ｈ）により構成されている例を示しているが、表示パネルの数はこれに限られず、７枚以下であってもよいし、９枚以上であってもよい。表示パネル８０ｃ及び表示パネル８０ｄは、センターコンソールに当たる位置に設けられる。表示パネル８０ｄは矩形状であるが、表示パネル８０ｃの非矩形状の組み合わせを示しており、これらの表示パネル８０ｃと表示パネル８０ｄを一つのパネルとする場合には非矩形状パネルとなる。表示パネル８０ｅ及び表示パネル８０ｆは、ドライバーから見てダッシュボードの奥側に設けられる。表示パネル８０ｇ及び表示パネル８０ｈは、ピラーに沿って設けられる。表示パネル８０ａ乃至表示パネル８０ｈうち、一以上は曲面に沿って設けられる。

　表示パネル８０ａ乃至表示パネル８０ｈに表示される映像は、ドライバーの好みによって自由に設定することができる。例えば、テレビ映像、ＤＶＤ映像、ウェブ動画などを左側の表示パネル８０ａ、表示パネル８０ｅなどに表示し、地図情報を中央部の表示パネル８０ｃなどに表示し、速度計、回転計などの計測類をドライバー側の表示パネル８０ｂ、表示パネル８０ｆなどに表示することができ、オーディオ類を運転席と助手席の間の表示パネル８０ｄなどに表示できる。また、ピラーに設けられる表示パネル８０ｇ及び表示パネル８０ｈには、ドライバーの視線上にある外部の景色をリアルタイムで表示することにより、疑似的にピラーレスの車両とすることができ、死角を減らすことができるため安全性の高い車両を実現できる。

　また、図３４には、助手席側のドア５８ａ、運転席側のドア５８ｂの表面に沿って、それぞれ表示部５９ａ、表示部５９ｂが設けられている。表示部５９ａ及び表示部５９ｂは、それぞれ一つ又は複数の表示パネルを用いて形成することができる。

　表示部５９ａと表示部５９ｂとは、向かい合うように配置され、さらに表示部５１が、表示部５９ａの端部と表示部５９ｂの端部とをつなぐように、ダッシュボード５２に設けられている。これにより、ドライバー及び助手席の同乗者は、前方及び両側を、表示部５１、表示部５９ａ、及び表示部５９ｂによって囲まれる状況となる。例えば、表示部５９ａ、表示部５１、及び表示部５９ｂに一続きの画像を表示することにより、ドライバー又は同乗者に高い没入感を与えることができる。

　また、後側方の状況を撮影するカメラ５５を車外に複数設けてもよい。図３４においてはサイドミラーの代わりにカメラ５５を設置する例を示しているが、サイドミラーとカメラの両方を設置してもよい。

　カメラ５５としては、ＣＣＤカメラ又はＣＭＯＳカメラなどを用いることができる。また、これらのカメラに加えて、赤外線カメラを組み合わせて用いてもよい。赤外線カメラは、被写体の温度が高いほど出力レベルが高くなるため、人、動物等の生体を検知又は抽出できる。

　カメラ５５で撮像された画像は、表示パネルのいずれか一又は複数に出力できる。車両は、この表示部５１に表示される画像を用いて主に車両の運転を支援することができる。例えば、カメラ５５によって後側方の状況を幅広い画角で撮影し、その画像を表示パネルのいずれか一又は複数に表示することで、ドライバーの死角領域の視認が可能となり、事故の発生を防止できる。

　また、表示部５９ａ及び表示部５９ｂに、カメラ５５等で取得した画像から合成される、車窓から見える光景と連動した映像を表示できる。すなわち、ドライバー及び同乗者にとって、ドア５８ａ及びドア５８ｂが透過して見える映像を、表示部５９ａ及び表示部５９ｂに表示することもできる。これにより、ドライバー及び同乗者は、まるで浮遊しているかのような感覚を体験できる。

　また、表示パネル８０ａ乃至表示パネル８０ｈの少なくとも一つに、撮像機能を有する表示パネルが適用されることが好ましい。また、表示部５９ａ及び表示部５９ｂに設けられる表示パネルのうちの一以上にも、撮像機能を有する表示パネルを適用することもできる。

　例えば、ドライバーが当該表示パネルに触れることで、車両は指紋認証又は掌紋認証などの生体認証を行うことができる。車両は、生体認証によってドライバーが認証された場合に、個人の好みの環境を整える機能を有していてもよい。例えば、シート位置の調整、ハンドル位置の調整、カメラ５５の向きの調整、明るさの設定、エアコンの設定、ワイパーの速度（頻度）の設定、オーディオの音量の設定、オーディオの再生リストの読出しなどの一以上を、認証後に実行することが好ましい。

　また、生体認証によってドライバーが認証された場合に、自動車を運転可能な状態、例えばエンジンがかかった状態、又は電気自動車で始動可能な状態とすることもでき、従来必要であった鍵が不要となるため好ましい。

　なお、ここでは運転席及び助手席を囲う表示装置について説明したが、後部座席においても、搭乗者を囲うように表示部を設けることができる。例えば、運転席又は助手席の背面、後部ドアの側面などに沿って、表示部を設けることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

（実施の形態１０）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図３５を用いて説明する。

　本実施の形態の電子機器は、本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化、高解像度化、大型化のそれぞれが容易である。また、本発明の一態様の表示装置は視野角が広いため、湾曲した表示面に沿った表示の画質を高めることができる。したがって、本発明の一態様の表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。

　また、本発明の一態様の表示装置は、低いコストで作製できるため、電子機器の製造コストを低減できる。

　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。

　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。また、ウェアラブル機器としては、ＳＲ向け機器、及び、ＭＲ向け機器も挙げられる。

　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度または高い精細度を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。

　本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

　本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像及び情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

　図３５Ａ乃至図３５Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。

　図３５Ａ乃至図３５Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。

　表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。

　図３５Ａ乃至図３５Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。

　図３５Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図３５Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メール、ＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。

　図３５Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。

　図３５Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させることによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。

　図３５Ｄ乃至図３５Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図３５Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図３５Ｆは折り畳んだ状態、図３５Ｅは図３５Ｄと図３５Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。

　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。

　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。

２０：受発光部、３１：第１の方向、３１Ａ：角、３１Ｂ：角、３２：第２の方向、３２Ａ：角、３２Ｂ：角、４１：ステアリングホイール、５１：表示部、５２：ダッシュボード、５４：フロントガラス、５５：カメラ、５６：送風口、５８ａ：ドア、５８ｂ：ドア、５９ａ：表示部、５９ｂ：表示部、６１：表示パネル、６１Ａ：表示部、６１Ｂ：表示部、６１Ｄ：表示部、６２ａ：部材、６２ｂ：部材、６２ｃ：部材、６２ｄ：部材、６２ｅ：部材、６３：表示領域、６４：非表示領域、６６：電子部材、６７：ベルト、８０：表示領域、８０ａ：表示パネル、８０ｂ：表示パネル、８０ｃ：表示パネル、８０ｄ：表示パネル、８０ｅ：表示パネル、８０ｆ：表示パネル、８０ｇ：表示パネル、８０ｈ：表示パネル、９０：発光素子、９０Ｂ：発光素子、９０Ｇ：発光素子、９０Ｒ：発光素子、１００：表示装置、１００Ａ：表示装置、１００Ｂ：表示装置、１０１：層、１１０：画素、１１０ａ：副画素、１１０ｂ：副画素、１１０ｃ：副画素、１１０ｄ：副画素、１１１：画素電極、１１１ａ：画素電極、１１１ｂ：画素電極、１１１Ｂ：画素電極、１１１ｃ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１２：有機層、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｂｆ：有機膜、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｇｆ：有機膜、１１２Ｒ：有機層、１１２Ｒｆ：有機膜、１１３：共通電極、１１４：有機層、１１７：遮光層、１１８：絶縁層、１１９：絶縁層、１１９ａ：絶縁層、１１９ｂ：絶縁層、１２１：保護層、１２２ａ：導電層、１２２ｂ：導電層、１２２ｃ：導電層、１２２Ｂ：導電層、１２２Ｇ：導電層、１２２Ｒ：導電層、１２３ａ：層、１２３ｂ：層、１２３ｃ：層、１２４：絶縁層、１２５：絶縁層、１２５ｆ：絶縁膜、１２６：樹脂層、１２７：絶縁層、１２８：層、１２９ａ：着色層、１２９ｂ：着色層、１２９ｃ：着色層、１３０ａ：発光デバイス、１３０ｂ：発光デバイス、１３０ｃ：発光デバイス、１３１：保護層、１３２：保護層、１３８：領域、１４０：接続部、１４２：接着層、１４４Ｂａ：犠牲膜、１４４Ｂｂ：犠牲膜、１４４Ｇａ：犠牲膜、１４４Ｇｂ：犠牲膜、１４４Ｒａ：犠牲膜、１４４Ｒｂ：犠牲膜、１４５Ｂａ：犠牲層、１４５Ｂｂ：犠牲層、１４５Ｇａ：犠牲層、１４５Ｇｂ：犠牲層、１４５Ｒａ：犠牲層、１４５Ｒｂ：犠牲層、１５１：基板、１５２：基板、１５３：絶縁層、１６２：表示部、１６４：回路、１６５：配線、１６６：導電層、１７２：ＦＰＣ、１７３：ＩＣ、２０１：トランジスタ、２０４：接続部、２０５：トランジスタ、２０９：トランジスタ、２１０：トランジスタ、２１１：絶縁層、２１３：絶縁層、２１４：絶縁層、２１５：絶縁層、２１８：絶縁層、２２１：導電層、２２２ａ：導電層、２２２ｂ：導電層、２２３：導電層、２２５：絶縁層、２２８：領域、２３１：半導体層、２３１ｉ：チャネル形成領域、２３１ｎ：低抵抗領域、２４２：接続層、３００：表示パネル、３００Ａ：表示パネル、３００Ｂ：表示パネル、３０１：基板、３０２：基板、３０３：機能層、３１１：発光素子、３１１Ｂ：発光素子、３１１Ｇ：発光素子、３１１ＩＲ：発光素子、３１１Ｒ：発光素子、３１１Ｗ：発光素子、３１２：受光素子、３１３Ｒ：受発光素子、３２０：指、３２１：接触部、３２２：指紋、３２３：撮像範囲、３２５：スタイラス、３２６：軌跡、５００：表示パネル、５００ａ：表示パネル、５００ｂ：表示パネル、５００ｃ：表示パネル、５００ｄ：表示パネル、５０１：表示領域、５０１ａ：表示領域、５０１ｂ：表示領域、５０１ｃ：表示領域、５０１ｄ：表示領域、５１０：領域、５１０ｂ：領域、５１０ｃ：領域、５１０ｄ：領域、５１２：ＦＰＣ、５１２ａ：ＦＰＣ、５２０：領域、５２０ｂ：領域、５２０ｃ：領域、５５０：積層パネル、５５１：表示領域、７１１：発光層、７１２：発光層、７１３：発光層、７２０：層、７２０−１：層、７２０−２：層、７３０：層、７３０−１：層、７３０−２：層、７４０：中間層、７５０：発光デバイス、７５０Ｂ：発光デバイス、７５０Ｇ：発光デバイス、７５０Ｒ：発光デバイス、７５１：層、７５２：層、７５３Ｂ：発光層、７５３Ｇ：発光層、７５３Ｒ：発光層、７５４：層、７５５：層、７６０：受光デバイス、７６１：層、７６２：層、７６３：層、７９０：ＥＬ層、７９０ａ：ＥＬ層、７９０ｂ：ＥＬ層、７９１：下部電極、７９１Ｂ：画素電極、７９１Ｇ：画素電極、７９１ＰＤ：画素電極、７９１Ｒ：画素電極、７９２：上部電極、７９５：着色層、９０００：筐体、９００１：表示部、９００３：スピーカ、９００５：操作キー、９００６：接続端子、９００７：センサ、９００８：マイクロフォン、９０５０：アイコン、９０５１：情報、９０５２：情報、９０５３：情報、９０５４：情報、９０５５：ヒンジ、９１０１：携帯情報端末、９１０２：携帯情報端末、９２００：携帯情報端末、９２０１：携帯情報端末

Claims (10)

1. 　基板上に、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
   　前記第１の発光素子は、第１の画素電極と、第１の有機層と、共通電極と、を有し、
   　前記第２の発光素子は、第２の画素電極と、第２の有機層と、前記共通電極と、を有し、
   　前記基板の上面視において、前記第１の発光素子は、第１の辺と、前記第１の辺よりも短い第２の辺と、を有し、
   　正面方向の色度および第１の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’と、正面方向の色度および第２の方向の色度の色度差Δｕ’ｖ’との差の絶対値は、０．０５以下であり、
   　前記第１の方向の前記基板への射影は、前記第１の辺と平行であり、
   　前記第２の方向の前記基板への射影は、前記第２の辺と平行であり、
   　前記第１の方向と、前記基板表面の法線方向とのなす角は、７０°であり、
   　前記第２の方向と、前記基板表面の法線方向とのなす角は、７０°である、
   　表示装置。
2. 　請求項１において、
   　前記第１の発光素子の上面視における、前記第１の画素電極と、前記共通電極とが、前記第１の有機層の発光領域を介して重なる領域において、前記第１の画素電極の、前記第１の有機層側の表面全面と、前記共通電極の、前記第１の有機層側の表面全面とは、平行または概略平行である、
   　表示装置。
3. 　請求項１または請求項２において、
   　絶縁層をさらに有し、
   　前記第１の画素電極の端部と、前記第１の有機層の端部とは、一致又は概略一致し、
   　前記第２の画素電極の端部と、前記第２の有機層の端部とは、一致又は概略一致し、
   　前記絶縁層は、前記第１の画素電極、前記第２の画素電極、前記第１の有機層、及び前記第２の有機層のそれぞれの側面と接する領域を有する、
   　表示装置。
4. 　請求項１または請求項２において、
   　絶縁層をさらに有し、
   　前記第１の画素電極の幅は、前記第１の有機層の幅よりも小さく、
   　前記第２の画素電極の幅は、前記第２の有機層の幅よりも小さく、
   　前記第１の有機層は、前記第１の画素電極の側面及び上面を覆い、
   　前記第２の有機層は、前記第２の画素電極の側面及び上面を覆い、
   　前記絶縁層は、前記第１の有機層、及び前記第２の有機層のそれぞれの上面の一部及び側面と接する領域を有する、
   　表示装置。
5. 　請求項１または請求項２において、
   　絶縁層をさらに有し、
   　前記第１の画素電極の幅は、前記第１の有機層の幅よりも大きく、
   　前記第２の画素電極の幅は、前記第２の有機層の幅よりも大きく、
   　前記絶縁層は、前記第１の画素電極、及び前記第２の画素電極のそれぞれの上面の一部及び側面、並びに、前記第１の有機層、及び前記第２の有機層のそれぞれの側面に接する領域を有する、
   　表示装置。
6. 　請求項１または請求項２において、
   　第１の絶縁層と、第２の絶縁層と、をさらに有し、
   　前記第１の絶縁層は、前記第１の画素電極の端部を覆い、
   　前記第１の有機層は、前記第１の画素電極上、及び前記第１の絶縁層上に設けられ、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の有機層上、及び前記第１の絶縁層上に設けられ、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の有機層の上面の一部及び側面、並びに、前記第１の絶縁層の上面の一部に接する領域を有する、
   　表示装置。
7. 　請求項６において、
   　前記第１の絶縁層の端部は、テーパー形状であり、
   　前記第２の絶縁層は、前記第１の有機層を介して、前記第１の絶縁層の端部と重なる領域を有する、
   　表示装置。
8. 　請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
   　前記第１の発光素子は、前記第１の有機層と、前記共通電極との間に、共通層を有し、
   　前記第２の発光素子は、前記第２の有機層と、前記共通電極との間に、前記共通層を有する、
   　表示装置。
9. 　請求項８において、
   　前記共通層は、電子輸送層、及び電子注入層のいずれか一方又は双方を有する、
   　表示装置。
10. 　請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    　前記基板は、可撓性を有し、
    　前記基板の形状は、非矩形である、
    　表示装置。

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