WO2022189916A1 - 表示装置、及び表示装置の作製方法 - Google Patents

表示装置、及び表示装置の作製方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022189916A1
WO2022189916A1 PCT/IB2022/051908 IB2022051908W WO2022189916A1 WO 2022189916 A1 WO2022189916 A1 WO 2022189916A1 IB 2022051908 W IB2022051908 W IB 2022051908W WO 2022189916 A1 WO2022189916 A1 WO 2022189916A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
layer
light
light emitting
emitting element
film
Prior art date
Application number
PCT/IB2022/051908
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
山崎舜平
瀬尾哲史
Original Assignee
株式会社半導体エネルギー研究所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社半導体エネルギー研究所 filed Critical 株式会社半導体エネルギー研究所
Priority to KR1020237030327A priority Critical patent/KR20230156336A/ko
Priority to JP2023504877A priority patent/JPWO2022189916A1/ja
Priority to CN202280019162.2A priority patent/CN117083984A/zh
Publication of WO2022189916A1 publication Critical patent/WO2022189916A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H05B33/28—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode of translucent electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H10K50/125—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light
    • H10K50/13—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers specially adapted for multicolour light emission, e.g. for emitting white light comprising stacked EL layers within one EL unit
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8051—Anodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/805—Electrodes
    • H10K59/8052—Cathodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/231—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by etching of existing layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/871—Self-supporting sealing arrangements
    • H10K59/8722—Peripheral sealing arrangements, e.g. adhesives, sealants
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/87—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K59/873—Encapsulations

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

高精細な表示装置を提供する。高開口率の表示装置を提供する。 表示装置は、第１の発光素子と第２の発光素子を有する。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域に、第１の層、及び第２の層を有する。第１の層は、第２の発光層と重畳し、且つ、第１の発光層と同一の材料を含む。第２の層は、第１の発光層と重畳し、且つ、第２の発光層と同一の材料を含む。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第１の発光層の端部と、第１の層の端部とが対向して設けられる。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第２の発光層の端部と、第２の層の端部とが対向して設けられる。

Description

表示装置、及び表示装置の作製方法
　本発明の一態様は、表示装置に関する。本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。
　なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、又はそれらの製造方法、を一例として挙げることができる。半導体装置は、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。
　近年、ディスプレイパネルの高精細化が求められている。高精細なディスプレイパネルが要求される機器としては、例えばスマートフォン、タブレット端末、ノート型コンピュータなどがある。また、テレビジョン装置、モニタ装置などの据え置き型のディスプレイ装置においても、高解像度化に伴い高精細化が求められている。さらに、最も高い精細度が要求される機器としては、例えば、仮想現実（ＶＲ：Ｖｉｒｔｕａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）、または拡張現実（ＡＲ：Ａｕｇｍｅｎｔｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向けの機器がある。
　また、ディスプレイパネルに適用可能な表示装置としては、代表的には液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ　Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなどが挙げられる。
　例えば、有機ＥＬ素子を用いたＶＲ向けの表示装置の一例が、特許文献１に記載されている。
国際公開第２０１８／０８７６２５号
　本発明の一態様は、高精細な表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、高開口率の表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、輝度の高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、コントラストの高い表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。
　本発明の一態様は、新規な構成を有する表示装置を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、新規な表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供することを課題の一とする。本発明の一態様は、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減することを課題の一とする。
　なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
　本発明の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する表示装置である。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域に、第１の層、及び第２の層を有する。第１の層は、第２の発光層と重畳し、且つ、第１の発光層と同一の材料を含む。第２の層は、第１の発光層と重畳し、且つ、第２の発光層と同一の材料を含む。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第１の発光層の端部と、第１の層の端部とが対向して設けられる。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第２の発光層の端部と、第２の層の端部とが対向して設けられる。
　本発明の他の一態様は、第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有する表示装置である。第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の発光層、第１の中間層、第３の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の発光層、第２の中間層、第４の発光層、及び共通電極がこの順で積層される。第１の発光素子と、第２の発光素子との間に、第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層を有する。第１の層は、第２の発光層、第２の中間層、及び第４の発光層と重畳し、且つ、第１の発光層と同一の材料を含む。第２の層は、第１の発光層、第１の中間層、及び第３の発光層と重畳し、且つ、第２の発光層と同一の材料を含む。第３の層は、第１の層と重畳し、且つ、第３の発光層と同一の材料を含む。第４の層は、第２の層と重畳し、且つ、第４の発光層と同一の材料を含む。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第１の発光層の端部と、第１の層の端部とが対向して設けられる。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第２の発光層の端部と、第２の層の端部とが対向して設けられる。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第３の発光層の端部と、第３の層の端部とが対向して設けられる。第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域において、第４の発光層の端部と、第４の層の端部とが対向して設けられる。
　また、上記において、第１の発光層と、第３の発光層とは、同一の材料を含み、第２の発光層と、第４の発光層とは、同一の材料を含むことが好ましい。
　また、上記いずれかにおいて、樹脂層を有することが好ましい。当該樹脂層は、第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域に位置することが好ましい。また、第１の発光層の端部と、第１の層の端部とは、樹脂層を挟んで対向し、第２の発光層の端部と、第２の層の端部とは、樹脂層を挟んで対向することが好ましい。
　また、上記いずれかにおいて、第１の絶縁層を有することが好ましい。当該第１の絶縁層は、第１の発光素子と、第２の発光素子との間の領域に位置し、第１の絶縁層は、第１の発光層の端部、第２の発光層の端部、第１の層の端部、及び第２の層の端部に接することが好ましい。
　また、本発明の他の一態様は、第１の画素電極及び第２の画素電極を並べて形成する第１の工程と、第１の画素電極上に、第１のメタルマスクを用いて島状の第１の発光層を形成する第２の工程と、第２の画素電極上に、第２のメタルマスクを用いて島状の第２の発光層を、第１の発光層の端部と重畳するように形成する第３の工程と、第１の画素電極と第２の画素電極との間の領域において、第１の発光層と第２の発光層とをそれぞれエッチングにより分断する第４の工程と、第１の発光層及び第２の発光層を覆って、共通電極を形成する第５の工程と、を有する、表示装置の作製方法である。
　また、上記において、第４の工程の後であって、第５の工程の前に、エッチングによって形成されたスリット内に、樹脂層を形成する第６の工程を有することが好ましい。
　また、上記において、樹脂層には、感光性の有機樹脂を用いることが好ましい。
　また、上記いずれかにおいて、第４の工程の後であって、第６の工程の前に、エッチングによって露出した第１の発光層の側面、第２の発光層の側面に接して、第１の絶縁層を形成する第７の工程を有することが好ましい。
　また、上記において、第１の絶縁層には、原子層堆積法により形成した無機絶縁膜を用いることが好ましい。
　本発明の一態様によれば、高精細な表示装置を提供できる。または、高開口率の表示装置を提供できる。または、輝度の高い表示装置を提供できる。または、コントラストの高い表示装置を提供できる。または、信頼性の高い表示装置を提供できる。
　本発明の一態様によれば、新規な構成を有する表示装置を提供できる。または、新規な表示装置の作製方法を提供できる。または、上述した表示装置を歩留まりよく製造する方法を提供できる。本発明の一態様によれば、先行技術の問題点の少なくとも一を少なくとも軽減できる。
　なお、これらの効果の記載は、他の効果の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、必ずしも、これらの効果の全てを有する必要はない。なお、これら以外の効果は、明細書、図面、請求項などの記載から抽出することが可能である。
図１Ａ乃至図１Ｄは、表示装置の構成例を示す図である。
図２Ａ乃至図２Ｃは、表示装置の構成例を示す図である。
図３Ａ及び図３Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図４Ａ及び図４Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図５Ａ及び図５Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図６Ａ及び図６Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図７Ａ及び図７Ｂは、表示装置の構成例を示す図である。
図８Ａ乃至図８Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図９Ａ乃至図９Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１０Ａ乃至図１０Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１１Ａ乃至図１１Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１２Ａ乃至図１２Ｃは、表示装置の作製方法例を示す図である。
図１３は、表示装置の一例を示す斜視図である。
図１４Ａは、表示装置の一例を示す断面図である。図１４Ｂは、トランジスタの一例を示す断面図である。
図１５Ａ乃至図１５Ｅは、表示装置の画素の一例を示す図である。
図１６Ａ乃至図１６Ｇは、表示装置の画素の一例を示す図である。
図１７Ａ乃至図１７Ｆは、発光デバイスの構成例を示す図である。
図１８Ａ乃至図１８Ｄは、表示装置の画素の一例を示す図である。図１８Ｅ及び図１８Ｆは、表示装置の画素の回路の一例を示す図である。
図１９Ａ乃至図１９Ｊは、表示装置の構成例を示す図である。
図２０Ａ及び図２０Ｂは、電子機器の一例を示す図である。
図２１Ａ乃至図２１Ｄは、電子機器の一例を示す図である。
図２２Ａ乃至図２２Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２３Ａ乃至図２３Ｆは、電子機器の一例を示す図である。
図２４は、製品の画面サイズと画素密度の関係を示す図である。
　以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。ただし、実施の形態は多くの異なる態様で実施することが可能であり、趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は、以下の実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
　なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
　なお、本明細書で説明する各図において、各構成要素の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。
　なお、本明細書等における「第１」、「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。
　また、本明細書等において、「膜」という用語と、「層」という用語とは、互いに入れ替えることが可能である。例えば、「導電層」または「絶縁層」という用語は、「導電膜」または「絶縁膜」という用語に相互に交換することが可能な場合がある。
　なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられ、少なくとも発光性の物質を含む層（発光層とも呼ぶ）、または発光層を含む積層体を示すものとする。
　本明細書等において、表示装置の一態様である表示パネルは表示面に画像等を表示（出力）する機能を有するものである。したがって表示パネルは出力装置の一態様である。
　また、本明細書等では、表示パネルの基板に、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　Ｐｒｉｎｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ　Ｃａｒｒｉｅｒ　Ｐａｃｋａｇｅ）などのコネクターが取り付けられたもの、または基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式等によりＩＣが実装されたものを、表示パネルモジュール、表示モジュール、または単に表示パネルなどと呼ぶ場合がある。
（実施の形態１）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例、及び表示装置の作製方法例について説明する。
　本発明の一態様は、発光素子（発光デバイスともいう）を有する表示装置である。表示装置は、少なくとも発光色の異なる２つの発光素子を有する。発光素子は、それぞれ一対の電極と、その間にＥＬ層を有する。発光素子は、有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）であることが好ましい。異なる色を発する２つ以上の発光素子は、それぞれ異なる材料を含むＥＬ層を有する。例えば、それぞれ赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、または青色（Ｂ）の光を発する３種類の発光素子を有することで、フルカラーの表示装置を実現できる。
　ここで、発光色の異なる発光素子間で、ＥＬ層の一部または全部を作り分ける場合、ファインメタルマスク（以下、ＦＭＭ：Ｆｉｎｅ　Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋとも表記する。）などのシャドーマスクを用いた蒸着法により形成することが知られている。しかしながら、この方法では、ＦＭＭの精度、ＦＭＭと基板との位置ずれ、ＦＭＭのたわみ、及び蒸気の散乱などによる成膜される膜の輪郭の広がりなど、様々な影響により、島状の有機膜の形状及び位置に設計からのずれが生じるため、表示装置の高精細化、及び高開口率化が困難である。そのため、ペンタイル配列などの特殊な画素配列方式を適用することなどにより、疑似的に精細度（画素密度ともいう）を高める対策が取られていた。
　ＦＭＭを用いた作製方法において、少しでも高精細化、高開口率化を達成するために、隣接する２つの島状の有機膜の一部が重なるように形成することができる。これにより、２つの島状の有機膜を重ねない場合に比べて、発光領域間の距離を格段に縮めることができる。しかしながら、隣接する２つの島状の有機膜を重ねて形成した場合に、隣接する２つの発光素子間において、重ねて形成した有機膜を介して電流のリークが生じ、意図しない発光が生じてしまう場合がある。これにより、輝度の低下、コントラストの低下などが生じることで、表示品位が低下してしまう。また、リーク電流によって電力効率、消費電力などが悪化してしまう。
　そこで、本発明の一態様では、隣接する２つの発光素子間で、それぞれの有機膜を、その一部が重畳するようにＦＭＭを用いて作り分ける。具体的には、少なくとも発光性の有機化合物を含む層（発光層ともいう）を、ＦＭＭを用いて作り分ける。このとき、発光素子を構成する他の有機膜は作り分けることなく、共通の膜を用いてもよい。隣接する２つの発光素子の間の領域には、少なくとも２種類の発光層と、他の有機膜とが積層された有機積層膜が位置することとなる。その後、フォトリソグラフィ法により、当該有機積層膜の隣接する２つの発光素子間に位置する部分をエッチングすることにより、当該有機積層膜を分断する。これにより、隣接する２つの発光素子間で、電流のリーク経路（リークパス）を分断することができる。そのため、輝度を高めること、コントラストを高めること、電力効率を高めること、または消費電力を低減すること、などができる。
　さらに、エッチングにより露出した有機積層膜の側面を保護するために、絶縁層を形成することが好ましい。これにより、表示装置の信頼性を高めることができる。
　このように、本発明の一態様は、微細な発光素子を集積した表示装置を実現することができる。例えばペンタイル方式などの特殊な画素配列方式を適用し、疑似的に精細度を高める必要が無いため、Ｒ、Ｇ、Ｂをそれぞれ一方向に配列させた、いわゆるストライプ配置で、且つ、３００ｐｐｉ以上、５００ｐｐｉ以上、７００ｐｐｉ以上、または１０００ｐｐｉ以上の精細度の表示装置を実現することができる。さらに、１５％以上、２０％以上、さらには３０％以上であって、１００％未満の有効発光面積比（開口率）の表示装置を実現することができる。
　また、本発明の一態様は、微細な発光素子を精度よく作製することが可能であるため、複雑な画素の配列方法を実現することができる。例えばストライプ配列だけでなく、Ｓストライプ配列、ベイヤー配列、デルタ配列などの様々な配列方法を適用できる。
　なお、本明細書等において、有効発光面積比は、表示装置の画素の繰り返しピッチから算出される１画素の面積に対する、１画素内の発光領域とみなせる領域の面積の割合を指すこととする。
　以下では、本発明の一態様の表示装置の、より具体的な構成例及び作製方法例について、図面を参照して説明する。
［構成例１］
　図１Ａに、本発明の一態様の表示装置１００の上面概略図を示す。表示装置１００は、赤色を呈する発光素子１１０Ｒ、緑色を呈する発光素子１１０Ｇ、及び青色を呈する発光素子１１０Ｂをそれぞれ複数有する。図１Ａでは、各発光素子の区別を簡単にするため、各発光素子の発光領域内にＲ、Ｇ、Ｂの符号を付している。
　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれマトリクス状に配列している。図１Ａは、一方向に同一の色の発光素子が配列する、いわゆるストライプ配列を示している。なお、発光素子の配列方法はこれに限られず、Ｓストライプ配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ジグザグ配列などの配列方法を適用してもよいし、ペンタイル配列を用いることもできる。
　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、Ｘ方向に配列している。また、Ｘ方向と交差するＹ方向には、同じ色の発光素子が配列している。
　発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂとしては、ＯＬＥＤ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）、またはＱＬＥＤ（Ｑｕａｎｔｕｍ−ｄｏｔ　Ｌｉｇｈｔ　Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅ）などのＥＬ素子を用いることが好ましい。ＥＬ素子が有する発光物質としては、蛍光を発する物質（蛍光材料）、燐光を発する物質（燐光材料）、熱活性化遅延蛍光を示す物質（熱活性化遅延蛍光（Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ　ａｃｔｉｖａｔｅｄ　ｄｅｌａｙｅｄ　ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ：ＴＡＤＦ）材料）などが挙げられる。ＥＬ素子が有する発光物質としては、有機化合物だけでなく、無機化合物（量子ドット材料など）を用いることができる。
　図１Ｂは、図１Ａ中の一点鎖線Ａ１−Ａ２に対応する断面概略図であり、図１Ｃは、一点鎖線Ｂ１−Ｂ２に対応する断面概略図である。
　図１Ｂには、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂの断面を示している。発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ、有機層１１５、有機層１１２Ｒ、有機層１１６、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１５、有機層１１２Ｇ、有機層１１６、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１５、有機層１１２Ｂ、有機層１１６、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。有機層１１４と共通電極１１３は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通に設けられる。有機層１１４は、共通層ともいうことができる。
　発光素子１１０Ｒが有する有機層１１２Ｒは、少なくとも赤色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｇが有する有機層１１２Ｇは、少なくとも緑色の光を発する発光性の有機化合物を有する。発光素子１１０Ｂが有する有機層１１２Ｂは、少なくとも青色の光を発する発光性の有機化合物を有する。有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂは、それぞれ発光層とも呼ぶことができる。
　以下では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂに共通する事項を説明する場合には、発光素子１１０と呼称して説明する場合がある。同様に、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂなど、アルファベットで区別する構成要素についても、これらに共通する事項を説明する場合には、アルファベットを省略した符号を用いて説明する場合がある。
　各発光素子において、画素電極と、共通電極１１３との間に位置する積層膜を、ＥＬ層と呼ぶことができる。
　各発光素子において、有機層１１５は、有機層１１２と画素電極１１１との間に位置する層である。また、有機層１１６は、有機層１１２と有機層１１４との間に位置する層である。有機層１１４は、有機層１１６と共通電極１１３との間に位置する層である。
　有機層１１５、有機層１１６、及び有機層１１４は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。例えば、有機層１１５が、画素電極１１１側から正孔注入層と正孔輸送層の積層構造を有し、有機層１１６が電子輸送層を有し、有機層１１４が電子注入層を有する構成とすることができる。または、有機層１１５が、画素電極１１１側から電子注入層と電子輸送層の積層構造を有し、有機層１１６が正孔輸送層を有し、有機層１１４が正孔注入層を有する構成とすることができる。
　なお、有機層１１２、有機層１１４、有機層１１５、及び有機層１１６など、発光素子の一対の電極間に位置する層について、有機層という名称は、有機ＥＬ素子を構成する層、という意図を含み、必ずしも有機化合物を含む必要はない。例えば、有機層１１２、有機層１１４、有機層１１５、及び有機層１１６には、それぞれ有機化合物を含まず、無機化合物または無機物のみを含む膜を用いることもできる。
　画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂは、それぞれ発光素子毎に設けられている。また、共通電極１１３及び有機層１１４は、各発光素子に共通な一続きの層として設けられている。各画素電極と共通電極１１３のいずれか一方に可視光に対して透光性を有する導電膜を用い、他方に反射性を有する導電膜を用いる。各画素電極を透光性、共通電極１１３を反射性とすることで、下面射出型（ボトムエミッション型）の表示装置とすることができ、反対に各画素電極を反射性、共通電極１１３を透光性とすることで、上面射出型（トップエミッション型）の表示装置とすることができる。なお、各画素電極と共通電極１１３の双方を透光性とすることで、両面射出型（デュアルエミッション型）の表示装置とすることもできる。
　共通電極１１３上には、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを覆って、保護層１２１が設けられている。保護層１２１は、上方から各発光素子に水などの不純物が拡散することを防ぐ機能を有する。
　隣接する２つの発光素子間には、スリット１２０が設けられている。スリット１２０は、隣接する２つの発光素子間に位置する有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６をエッチングした部分に相当する。
　スリット１２０には、絶縁層１２５と、樹脂層１２６が設けられている。絶縁層１２５は、スリット１２０の側壁及び底面に沿って設けられている。また、樹脂層１２６は、絶縁層１２５上に設けられ、スリット１２０に位置する凹部を埋め、その上面を平坦化する機能を有する。樹脂層１２６により、スリット１２０の凹部を平坦化することで、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１の被覆性を高めることができる。また、スリット１２０は、接続電極１１１Ｃなどの外部接続端子の開口部の形成と同時に形成できるため、工程を増やすことなく、これらを形成できる。また、スリット１２０は、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６を有するため、画素電極１１１と、共通電極１１３との間の短絡を防止する効果を奏する。また、樹脂層１２６は、有機層１１４の密着性を向上させる効果を奏する。すなわち、樹脂層１２６を設けることで、有機層１１４の密着性が向上するため、有機層１１４の膜剥がれを抑制することができる。また、絶縁層１２５は、有機層（例えば、有機層１１５など）の側面に接して設けられるため、当該有機層と、樹脂層１２６とが接しない構造とすることができる。当該有機層と、樹脂層１２６とが接すると、樹脂層１２６に含まれる有機溶媒などにより有機層が溶解する可能性がある。そのため、本実施の形態に示すように、有機層と樹脂層１２６との間に絶縁層１２５を設ける構成とすることで、有機層の側面を保護することが可能となる。なお、スリット１２０は、少なくとも正孔注入層、正孔輸送層、電子抑止層、発光層、正孔抑止層、電子輸送層、及び電子注入層のいずれか一または複数を分断できる構成であればよい。
　絶縁層１２５としては、無機材料を有する絶縁層とすることができる。絶縁層１２５には、例えば、酸化絶縁膜、窒化絶縁膜、酸化窒化絶縁膜、及び窒化酸化絶縁膜などの無機絶縁膜を用いることができる。絶縁層１２５は単層構造であってもよく積層構造であってもよい。酸化絶縁膜としては、酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化マグネシウム膜、インジウムガリウム亜鉛酸化物膜、酸化ガリウム膜、酸化ゲルマニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ランタン膜、酸化ネオジム膜、酸化ハフニウム膜、及び酸化タンタル膜などが挙げられる。窒化絶縁膜としては、窒化シリコン膜及び窒化アルミニウム膜などが挙げられる。酸化窒化絶縁膜としては、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜などが挙げられる。窒化酸化絶縁膜としては、窒化酸化シリコン膜、窒化酸化アルミニウム膜などが挙げられる。特にＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜、酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を絶縁層１２５に適用することで、ピンホールが少なく、ＥＬ層を保護する機能に優れた絶縁層１２５を形成することができる。
なお、本明細書などにおいて、酸化窒化物とは、その組成として、窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化物とは、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を指す。例えば、酸化窒化シリコンと記載した場合は、その組成として窒素よりも酸素の含有量が多い材料を指し、窒化酸化シリコンと記載した場合は、その組成として、酸素よりも窒素の含有量が多い材料を示す。
絶縁層１２５の形成は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、ＰＬＤ法、ＡＬＤ法などを用いることができる。絶縁層１２５は、被覆性が良好なＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。
　樹脂層１２６としては、有機材料を有する絶縁層を好適に用いることができる。例えば、樹脂層１２６として、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、イミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シリコーン樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等を適用することができる。また、樹脂層１２６として、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いてもよい。また、樹脂層１２６として、感光性の樹脂を用いることができる。感光性の樹脂としてはフォトレジストを用いてもよい。感光性の樹脂は、ポジ型の材料、またはネガ型の材料を用いることができる。また、樹脂層１２６として、着色された材料（例えば、黒色の顔料を含む材料など）を用いることで、隣接する画素からの迷光を遮断し、混色を抑制する機能を付与してもよい。また、絶縁層１２５と、樹脂層１２６との間に、反射膜（例えば、銀、パラジウム、銅、チタン、及びアルミニウムなどの中から選ばれる一または複数を含む金属膜）を設け、発光層から射出される光を上記反射膜により反射させ、光取り出し効率を向上させる機能を付与してもよい。
　樹脂層１２６の上面は、平坦であるほど好ましいが、緩やかな曲面形状となる場合がある。図１Ｂ等では、樹脂層１２６の上面が凹部と凸部とを有する波型形状を有する例を示しているが、これに限られない。例えば樹脂層１２６の上面は、凸面、凹面、または平面であってもよい。
　保護層１２１としては、無機絶縁膜と、有機絶縁膜の積層膜を用いることもできる。例えば、一対の無機絶縁膜の間に、有機絶縁膜を挟んだ構成とすることが好ましい。さらに有機絶縁膜が平坦化膜として機能することが好ましい。これにより、有機絶縁膜の上面を平坦なものとすることができるため、その上の無機絶縁膜の被覆性が向上し、バリア性を高めることができる。また、保護層１２１の上面が平坦となるため、保護層１２１の上方に構造物（例えばカラーフィルタ、タッチセンサの電極、またはレンズアレイなど）を設ける場合に、下方の構造に起因する凹凸形状の影響を軽減できるため好ましい。
　保護層１２１としては、例えば、少なくとも無機絶縁膜を含む単層構造または積層構造とすることができる。無機絶縁膜としては、例えば、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、酸化ハフニウム膜などの酸化物膜または窒化物膜が挙げられる。または、保護層１２１としてインジウムガリウム酸化物、インジウムガリウム亜鉛酸化物などの半導体材料を用いてもよい。
　図１Ｃに示すように、同じ色の発光素子間においても、スリット１２０が設けられていてもよい。このように、同じ色の発光素子間であっても、スリット１２０を設けることで、隣接する２つのＥＬ層を介して電流が流れ、意図しない発光が生じることを好適に防ぐことができる。そのため、コントラストを高めることができ、表示品位の高い表示装置を実現できる。
　なお、Ｙ方向においては、同じ色の発光素子間で、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、または有機層１１２Ｂがそれぞれ一続きとなるように、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、または有機層１１２Ｂを帯状に形成してもよい。有機層１１２Ｒなどを帯状に形成することで、これらを分断するためのスペースが不要となり、発光素子間の非発光領域の面積を縮小できるため、開口率を高めることができる。
　また、図１Ａには、共通電極１１３と電気的に接続する接続電極１１１Ｃを示している。接続電極１１１Ｃは、共通電極１１３に供給するための電位（例えばアノード電位、またはカソード電位）が与えられる。接続電極１１１Ｃは、発光素子１１０Ｒなどが配列する表示領域の外に設けられる。また図１Ａには、共通電極１１３を破線で示している。
　接続電極１１１Ｃは、表示領域の外周に沿って設けることができる。例えば、表示領域の外周の一辺に沿って設けられていてもよいし、表示領域の外周の２辺以上にわたって設けられていてもよい。すなわち、表示領域の上面形状が長方形である場合には、接続電極１１１Ｃの上面形状は、帯状、Ｌ字状、コの字状（角括弧状）、または四角形などとすることができる。
　図１Ｄは、図１Ａ中の一点鎖線Ｃ１−Ｃ２に対応する断面概略図である。図１Ｄには、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが電気的に接続する接続部１３０を示している。接続部１３０では、接続電極１１１Ｃ上に、有機層１１４を介して共通電極１１３が設けられている。また、接続電極１１１Ｃの側面に接して絶縁層１２５が設けられ、当該絶縁層１２５上に樹脂層１２６が設けられている。
　なお、接続部１３０に有機層１１４を設けなくてもよい。その場合、接続部１３０では、接続電極１１１Ｃ上に共通電極１１３が接して設けられ、共通電極１１３を覆って保護層１２１が設けられる。
　図２Ａ、図２Ｂ、及び図２Ｃには、絶縁層１２５を設けない場合の例を示している。
　図２Ａ、図２Ｂに示すように、樹脂層１２６が、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６の側面に接して設けられている。また、図２Ｃに示すように、接続電極１１１Ｃの側面に接して、樹脂層１２６が設けられている。
　続いて、スリット１２０及びその近傍の好ましい構成について、詳細に説明する。図３Ａは、図１Ｂにおける発光素子１１０Ｒの一部、発光素子１１０Ｇの一部、及びこれらの間の領域を含む断面概略図である。
　図３Ａに示すように、画素電極１１１の端部は、テーパー形状であることが好ましい。これにより、有機層１１５等の段差被覆性を高めることができる。なお、本明細書等において、対象物の端部がテーパー形状であるとは、その端部の領域において表面と被形成面との成す角度が０度より大きく９０度未満であり、端部から連続的に厚さが増加するような断面形状を有することをいう。なお、ここでは画素電極１１１Ｒ等が単層構造である場合を示しているが、複数の層を積層してもよい。
　画素電極１１１Ｒを覆って有機層１１５が設けられている。また画素電極１１１Ｇを覆って有機層１１５が設けられている。これら有機層１１５は、一続きの膜がスリット１２０で分断されることで形成されている。
　スリット１２０よりも発光素子１１０Ｒ側において、有機層１１５を覆って有機層１１２Ｒが設けられている。また、スリット１２０よりも発光素子１１０Ｇ側において、有機層１１５上に層１３５Ｒが設けられている。層１３５Ｒは、有機層１１２Ｒとなる膜の一部が、スリット１２０で分断されて、発光素子１１０Ｇ側に残存した切れ端ともいうことができる。
　また、スリット１２０よりも発光素子１１０Ｇ側において、有機層１１５を覆って有機層１１２Ｇが設けられている。また、スリット１２０よりも発光素子１１０Ｒ側において、有機層１１２Ｒ上に層１３５Ｇが設けられている。層１３５Ｇは、有機層１１２Ｇとなる膜の一部が、スリット１２０で分断されて、発光素子１１０Ｒ側に残存した切れ端ともいうことができる。
　なお、スリット１２０の位置及び幅、有機層１１２Ｒの形成位置、有機層１１２Ｇの形成位置などによって、層１３５Ｒと層１３５Ｇの一方または双方が形成されない場合もある。具体的には、スリット１２０を形成する前における有機層１１２Ｒの端部が、スリット１２０の形成位置と重なる場合には、層１３５Ｒが形成されない場合がある。
　有機層１１２Ｒ及び層１３５Ｇを覆って、有機層１１６が設けられている。また有機層１１２Ｇ及び層１３５Ｒを覆って、有機層１１６が設けられている。これら有機層１１６は、有機層１１５と同様に、一続きの膜がスリット１２０で分断されることで形成されている。
　絶縁層１２５は、スリット１２０の内部に設けられ、一対の有機層１１５の側面、有機層１１２Ｒの側面、有機層１１２Ｇの側面、層１３５Ｒの側面、層１３５Ｇの側面、及び一対の有機層１１６の側面に接して設けられる。また、絶縁層１２５は、基板１０１の上面を覆って設けられる。
　樹脂層１２６は、絶縁層１２５の上面及び側面に接して設けられている。樹脂層１２６は、有機層１１４の被形成面の凹部を平坦化する機能を有する。
　有機層１１６、絶縁層１２５、及び樹脂層１２６の上面を覆って、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１がこの順で形成されている。なお、有機層１１４は不要であれば設けなくてもよい。
　ここで、層１３５Ｒ及び層１３５Ｇは、有機層１１２Ｒまたは有機層１１２Ｇとなる膜の端部に位置する部分である。ＦＭＭを用いた成膜方法では、有機膜の厚さは、端部に近いほど徐々に薄くなる傾向があるため、層１３５Ｒ及び層１３５Ｇは、有機層１１２Ｒまたは有機層１１２Ｇよりも厚さの薄い部分を有する。層１３５Ｒ及び層１３５Ｇは、断面観察で確認できない程度に厚さが薄い場合がある。また、層１３５Ｒまたは層１３５Ｇが存在していても、層１３５Ｒと有機層１１２Ｇとの境界、層１３５Ｇと有機層１１２Ｒとの境界を断面観察で確認することが困難である場合もある。
　一方、層１３５Ｒ及び層１３５Ｇには、発光性の化合物（例えば蛍光材料、燐光材料、または量子ドットなど）が含まれているため、平面視において、紫外光または可視光などの光を照射することで、フォトルミネッセンスによる発光が得られる。この発光を光学顕微鏡等で観察することで、層１３５Ｒ、層１３５Ｇの存在を確認することができる。具体的には、層１３５Ｒが位置する部分には、層１３５Ｒと有機層１１２Ｇとが重なっているため、当該部分に紫外光などを照射すると、層１３５Ｒからの光と有機層１１２Ｇからの光の両方が確認される。また、層１３５Ｒ、層１３５Ｇからの発光の発光スペクトル、波長、発光色などから、層１３５Ｒまたは層１３５Ｇが、有機層１１２Ｒまたは有機層１１２Ｇと同一の材料を含むことを確認することができる。また、層１３５Ｒ、層１３５Ｇに含まれる化合物を推定することもできる場合がある。
　なおここでは、有機層１１２Ｒと有機層１１２ＧとをＦＭＭを用いて作り分け、他の有機層（有機層１１５、有機層１１６）は、一続きの膜として形成した例を示したが、これに限られない。例えば有機層１１５、有機層１１６のいずれか一方、または双方も、ＦＭＭを用いて作り分けてもよい。このとき、スリット１２０の近傍には、層１３５Ｒ等と同様に、有機層１１５または有機層１１６の切れ端が残存する場合がある。
　図３Ｂは、絶縁層１２５を有さない場合の断面概略図である。樹脂層１２６は一対の有機層１１５の側面、有機層１１２Ｒの側面、有機層１１２Ｇの側面、層１３５Ｒの側面、層１３５Ｇの側面、及び一対の有機層１１６の側面に接して設けられる。
　このとき、樹脂層１２６となる膜の形成時に用いる溶媒によって、ＥＬ層の一部が溶解してしまう場合がある。そのため、絶縁層１２５を設けない場合には、樹脂層１２６の溶媒として、水、またはエチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなどのアルコールを用いることが好ましい。なお、これに限られず、ＥＬ層を溶解しない、または溶解しにくい溶媒を用いればよい。
　図３Ａ、図３Ｂに示す拡大図では、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及びこれらの間の領域について説明したが、発光素子１１０Ｒと発光素子１１０Ｂの間、発光素子１１０Ｇと発光素子１１０Ｂの間についても同様の構成を有する。
［構成例２］
　発光層を複数積層することにより、発光層を単層とした時と比較して、同じ電流を流した時に、より高い輝度の発光を得ることができる。さらに、同じ輝度を得るために必要な電流密度を下げることができるため、信頼性を高めることができる。以下では、発光層を積層した場合の例について説明する。
　図４Ａに、以下で例示する表示装置の断面概略図を示している。表示装置は、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂを有する。図４Ａに示す発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、及び発光素子１１０Ｂは、それぞれ電荷発生層（中間層ともいう）を介して２つの発光層を積層した、いわゆるタンデム構造が適用された発光素子である。
　発光素子１１０Ｒは、画素電極１１１Ｒ上に、有機層１１５、有機層１１２Ｒ１、有機層１１６、電荷発生層１１７、有機層１１８、有機層１１２Ｒ２、有機層１１９、有機層１１４、及び共通電極１１３が積層された構成を有する。同様に、発光素子１１０Ｇは、画素電極１１１Ｇ、有機層１１５、有機層１１２Ｇ１、有機層１１６、電荷発生層１１７、有機層１１８、有機層１１２Ｇ２、有機層１１９、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。また、発光素子１１０Ｂは、画素電極１１１Ｂ、有機層１１５、有機層１１２Ｂ１、有機層１１６、電荷発生層１１７、有機層１１８、有機層１１２Ｂ２、有機層１１９、有機層１１４、及び共通電極１１３を有する。
　隣接する２つの発光素子間には、スリット１２０が設けられている。スリット１２０は、２つの画素電極の間の領域に設けられた有機層１１５から有機層１１９までの積層構造を分断するように形成されている。さらに、スリット１２０の内部には、絶縁層１２５と樹脂層１２６が設けられている。なお、絶縁層１２５を設けない構成としてもよい。
　図４Ｂは、図４Ａにおける発光素子１１０Ｒの一部、発光素子１１０Ｇの一部、及びこれらの間の領域を含む断面概略図である。
　スリット１２０よりも発光素子１１０Ｒ側には、有機層１１５と有機層１１６との間に層１３５Ｇ１が設けられている。また、有機層１１８と有機層１１９との間に、層１３５Ｇ２が設けられている。
　スリット１２０よりも発光素子１１０Ｇ側には、有機層１１５と有機層１１６との間に層１３５Ｒ１が設けられている。また、有機層１１８と有機層１１９との間に、層１３５Ｒ２が設けられている。
　層１３５Ｒ１、層１３５Ｒ２は、それぞれ有機層１１２Ｒ１または有機層１１２Ｒ２となる膜の一部が、スリット１２０で分断されて、発光素子１１０Ｇ側に残存した切れ端ともいうことができる。同様に層１３５Ｇ１、層１３５Ｇ２は、それぞれ有機層１１２Ｇ１または有機層１１２Ｇ２となる膜の一部が、スリット１２０で分断されて、発光素子１１０Ｒ側に残存した切れ端ともいうことができる。
　層１３５Ｒ１の側面と有機層１１２Ｒ１の側面は、樹脂層１２６（及び絶縁層１２５）を介して対向して設けられている。同様に、層１３５Ｒ２と有機層１１２Ｒ２、層１３５Ｇ１と有機層１１２Ｇ１、層１３５Ｇ２と有機層１１２Ｇ２は、互いの側面が樹脂層１２６（及び絶縁層１２５）を介して対向して設けられている。
　なお、層１３５Ｒ１、層１３５Ｒ２、層１３５Ｇ１、及び層１３５Ｇ２のうち、一以上が設けられない場合もある。
　なお、有機層１１２Ｒ１と層１３５Ｇ１の積層順、有機層１１２Ｒ２と層１３５Ｇ２の積層順、有機層１１２Ｇ１と層１３５Ｒ１の積層順、及び有機層１１２Ｇ２と層１３５Ｒ２の積層順は、それぞれ有機層１１２Ｒ１と有機層１１２Ｇ１の積層順または有機層１１２Ｒ２と有機層１１２Ｇ２の積層順に準じ、その順番は問わない。
　電荷発生層１１７は発光素子が有する２つの発光層（有機層１１２Ｒ１と有機層１１２Ｒ２）の間に設けられる。有機層１１８は、電荷発生層１１７と有機層１１２Ｒ２との間に設けられる。有機層１１９は、有機層１１２Ｒ２と有機層１１４との間に設けられる。有機層１１８及び有機層１１９は、それぞれ独立に電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、及び正孔輸送層のうち、一以上を有することができる。
　有機層１１５から有機層１１６までの積層構造、有機層１１８から有機層１１４までの積層構造を、それぞれ一つの発光ユニットと呼ぶことができる。図４Ａ等に示す発光素子１１０は、電荷発生層１１７を介して２つの発光ユニットが積層されたタンデム構造を有する発光素子、と呼ぶことができる。
［変形例］
　図５Ａは、図３Ａの変形例である。図５Ａでは、画素電極の端部を覆う絶縁層１３１が設けられる場合の例を示している。
　絶縁層１３１は、有機層１１５の被形成面を平坦化する機能を有する。絶縁層１３１の端部は、テーパー形状であることが好ましい。また、絶縁層１３１に有機樹脂を用いることで、その表面を緩やかな曲面とすることができる。そのため、絶縁層１３１の上に形成される膜の被覆性を高めることができる。
　絶縁層１３１に用いることのできる材料としては、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。
　図５Ａに示すように、絶縁層１３１は、スリット１２０と重なる領域に、凹部を有していてもよい。この凹部は、スリット１２０を形成するためのエッチングの際に、絶縁層１３１の上部の一部がエッチングされることにより形成されうる。絶縁層１２５の一部は、絶縁層１３１の当該凹部に嵌るように形成されるため、これらの密着性を高めることができる。
　スリット１２０は、絶縁層１３１と重なる領域に設けられる。また、層１３５Ｒ、層１３５Ｇも、絶縁層１３１と重なる領域に設けられる。
　図５Ｂは、上記図４Ｂに絶縁層１３１を適用した場合の例である。
　図５Ｂにおいて、スリット１２０、層１３５Ｒ１、層１３５Ｒ２、層１３５Ｇ１、及び層１３５Ｇ２は、それぞれ絶縁層１３１と重なる領域に設けられる。
　図６Ａ及び図６Ｂは、絶縁層１３１上に絶縁層１３２を設けた場合の例である。
　絶縁層１３２は、絶縁層１３１を介して画素電極１１１の端部と重なる。また、絶縁層１３２は、絶縁層１３１の端部を覆って設けられる。また、絶縁層１３２は、画素電極１１１の上面と接する部分を有する。
　絶縁層１３２は、その端部がテーパー形状であることが好ましい。これにより、絶縁層１３２の端部を覆って設けられるＥＬ層など、絶縁層１３２の上に形成される膜の段差被覆性を高めることができる。
　また、絶縁層１３２は、その厚さが絶縁層１３１よりも薄いことが好ましい。絶縁層１３２を薄く形成することで、絶縁層１３２上に形成される膜の段差被覆性を高めることができる。
　絶縁層１３２に用いることのできる無機絶縁材料としては、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、または酸化ハフニウムなどの、酸化物または窒化物を用いることができる。また、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化タンタル、酸化マグネシウム、酸化ランタン、酸化セリウム、及び酸化ネオジム等を用いてもよい。
　また、絶縁層１３２は、上記無機絶縁材料を含む膜を積層してもよい。例えば、窒化シリコン膜上に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を積層した積層構造、酸化アルミニウム膜上に酸化シリコン膜または酸化窒化シリコン膜を積層した積層構造、などとすることができる。酸化シリコン膜及び酸化窒化シリコン膜は特にエッチングされにくい膜であるため、上側に配置することが好ましい。また、窒化シリコン膜及び酸化アルミニウム膜は、水、水素、酸素等が拡散しにくい膜であるため、絶縁層１３１側に配置することで絶縁層１３１から脱離するガスが発光素子に拡散することを防ぐバリア層として機能する。
　スリット１２０は、絶縁層１３２と重なる領域に設けられる。また、層１３５Ｒ、層１３５Ｇも、絶縁層１３２と重なる領域に設けられる。
　絶縁層１３２を設けることにより、スリット１２０の形成時に、絶縁層１３１の上面がエッチングされることを防ぐことができる。
　図６Ｂは、上記図５Ｂに絶縁層１３２を適用した場合の例である。
　図６Ｂにおいて、スリット１２０、層１３５Ｒ１、層１３５Ｒ２、層１３５Ｇ１、及び層１３５Ｇ２は、それぞれ絶縁層１３２と重なる領域に設けられる。
［構成例３］
　以下では、より具体的な構成例について説明する。
　図７Ａは、以下で例示する表示装置の断面概略図である。図７Ａでは、発光素子１１０Ｒ、発光素子１１０Ｇ、発光素子１１０Ｂ、及び接続部１３０を含む領域の断面を示している。また、図７Ｂは、発光素子１１０Ｒと発光素子１１０Ｇの間に位置するスリット１２０及びその近傍を拡大した断面概略図である。
　図７Ａに示す構成では、スリット１２０で分断された有機層１１２Ｂの一部（切れ端）である層１３５Ｂが、発光素子１１０Ｒ近傍、及び発光素子１１０Ｇ近傍に設けられている。
　画素電極１１１の下方には、導電層１６１、導電層１６２、及び樹脂層１６３が設けられている。
　導電層１６１は、絶縁層１０５上に設けられている。導電層１６１は、絶縁層１０５に設けられた開口において、絶縁層１０５を貫通する部分を有する。導電層１６１は、絶縁層１０５の下方に位置する配線、トランジスタ、または電極など（図示しない）と、画素電極１１１とを電気的に接続する配線または電極として機能する。
　導電層１６１は、絶縁層１０５の開口に位置する部分に凹部が形成される。樹脂層１６３は、当該凹部を埋めるように設けられ、平坦化膜として機能する。樹脂層１６３の上面は、平坦であるほど好ましいが、緩やかな曲面形状となる場合がある。図７Ａ等では、樹脂層１６３の上面が凹部と凸部とを有する波型形状を有する例を示しているが、これに限られない。例えば樹脂層１６３の上面は、凸面、凹面、または平面であってもよい。
　導電層１６１及び樹脂層１６３上に、導電層１６２が設けられている。導電層１６２は、導電層１６１と画素電極１１１とを電気的に接続する電極としての機能を有する。
　ここで、発光素子１１０を上面射出型の発光素子とする場合には、導電層１６２として、可視光に対して反射性を有する膜を用い、画素電極１１１Ｒとして、可視光に対して透過性を有する膜を用いることで、導電層１６２を反射電極として機能させることができる。さらに、絶縁層１０５の開口部（コンタクト部ともいう）の上部にも、樹脂層１６３を介して導電層１６２及び画素電極１１１を設けることができるため、コンタクト部と重なる部分を発光領域とすることができる。そのため、開口率を高めることができる。
　図７Ａ及び図７Ｂでは、樹脂層１２６の形状が上記とは異なる例を示している。
　図７Ｂに示すように、樹脂層１２６の上部は、スリット１２０よりも幅が広い形状を有している。後述するように、絶縁層１２５は、樹脂層１２６をエッチングマスクとして加工するため、樹脂層１２６の上部に覆われる部分が残存する。さらに表示装置の作製工程で用いる犠牲層１４５の一部も、同様の理由で残存している。具体的には、スリット１２０の近傍において、有機層１１６上に犠牲層１４５が設けられる。また、絶縁層１２５の一部は、犠牲層１４５の上面を覆って設けられている。また、犠牲層１４５と絶縁層１２５を覆って、樹脂層１２６が設けられている。
　このとき、絶縁層１２５の端部と、犠牲層１４５の端部は、それぞれテーパー形状を有していることが好ましい。これにより、有機層１１４等の段差被覆性を高めることができる。
　図７Ａ、図７Ｂに示すように、層１３５Ｒ、層１３５Ｇ、及び層１３５Ｂは、それぞれ絶縁層１２５と接し、且つ、絶縁層１２５、犠牲層１４５、及び樹脂層１２６と重なる領域を有する。
［作製方法例］
　以下では、本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例について、図面を参照して説明する。ここでは、上記図７Ａで示した表示装置を例に挙げて説明する。図８Ａ乃至図１１Ｃは、以下で例示する表示装置の作製方法例の、各工程における断面概略図である。また図８Ａ等では、右側に接続部１３０及びその近傍における断面概略図を合わせて示している。
　なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ　Ｐｕｌｓｅｄ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ：Ｐｌａｓｍａ　Ｅｎｈａｎｃｅｄ　ＣＶＤ）法、または熱ＣＶＤ法などがある。また、熱ＣＶＤ法のひとつに、有機金属化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　ＣＶＤ）法がある。
　また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。
　また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いることができる。それ以外に、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。また、メタルマスクなどの遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を直接形成してもよい。
　フォトリソグラフィ法としては、代表的には以下の２つの方法がある。一つは、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法である。もう一つは、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法である。
　フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線、ＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ　Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）光、Ｘ線などを用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。
　薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウェットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。
〔基板１０１の準備〕
　基板１０１としては、少なくとも後の熱処理に耐えうる程度の耐熱性を有する基板を用いることができる。基板１０１として、絶縁性基板を用いる場合には、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、有機樹脂基板などを用いることができる。また、シリコン、炭化シリコンなどを材料とした単結晶半導体基板、多結晶半導体基板、シリコンゲルマニウム等の化合物半導体基板、ＳＯＩ基板などの半導体基板を用いることができる。
　特に、基板１０１として、上記半導体基板または絶縁性基板上に、トランジスタなどの半導体素子を含む半導体回路が形成された基板を用いることが好ましい。当該半導体回路は、例えば画素回路、ゲート線駆動回路（ゲートドライバ）、ソース線駆動回路（ソースドライバ）などを構成していることが好ましい。また、上記に加えて演算回路、記憶回路などが構成されていてもよい。
　基板１０１の最上部には、絶縁層１０５を設ける。絶縁層１０５には、基板１０１に設けられたトランジスタ、配線、または電極等に達する開口を複数設ける。当該開口は、フォトリソグラフィ法により形成することができる。
　絶縁層１０５としては、無機絶縁材料、または有機絶縁材料を用いることができる。
〔導電層１６１、樹脂層１６３、導電層１６２、画素電極１１１の形成〕
　絶縁層１０５上に導電層１６１となる導電膜を成膜する。このとき絶縁層１０５の開口に起因して、導電膜には凹部が形成される。
　続いて、当該導電膜の凹部に樹脂層１６３を形成する。
　樹脂層１６３として、感光性の樹脂を用いることが好ましい。このとき、まず樹脂膜を成膜したのち、フォトマスクを介して樹脂膜を露光し、その後現像処理を行うことにより、樹脂層１６３を形成することができる。その後、樹脂層１６３の上面の高さを調整するために、アッシング等により樹脂層１６３の上部をエッチングしてもよい。
　また、樹脂層１６３として、非感光性の樹脂を用いる場合には、樹脂膜を成膜した後に、厚さが最適になるように、導電層１６１となる導電膜の表面が露出するまで、樹脂膜の上部をアッシング等によりエッチングすることで、樹脂層１６３を形成することができる。
　続いて、導電層１６１となる導電膜、及び樹脂層１６３上に導電層１６２となる導電膜を成膜する。その後、２層の導電膜上に、フォトリソグラフィ法によりレジストマスクを形成し、導電膜の不要な部分をエッチングにより除去する。その後、レジストマスクを除去することで、導電層１６１と導電層１６２とを同一工程で形成することができる。
　なお、ここでは、導電層１６１と導電層１６２とを同一のフォトマスクを用いて同一工程で形成したが、導電層１６１と導電層１６２とを別のフォトマスクを用いて個別に形成してもよい。
　続いて、導電層１６１及び導電層１６２を覆って、導電膜を形成し、当該導電膜の一部をエッチングにより除去することで、画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃを形成する（図８Ａ）。このとき、図８Ａに示すように、導電層１６１及び導電層１６２を包含するように、画素電極１１１及び接続電極１１１Ｃを形成すると、導電層１６１及び導電層１６２が、画素電極１１１等の形成時のエッチング雰囲気に曝されないため、好ましい。
〔有機層１１５の形成〕
　続いて、画素電極１１１上に、有機層１１５を成膜する（図８Ｂ）。有機層１１５は、ＦＭＭを用いることなく、成膜することが好ましい。
　なお、ＦＭＭを用いて有機層１１５を作り分けてもよい。その場合には、後の有機層１１２Ｒ等の記載を援用できる。
　有機層１１５は、好ましくは真空蒸着法により形成することができる。なお、これに限られず、スパッタリング法、またはインクジェット法等により形成することもできる。なおこれに限られず、上述した成膜方法を適宜用いることができる。
〔有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、有機層１１２Ｂの形成〕
　続いて、有機層１１５上であって、画素電極１１１Ｒと重なる領域を包含するように、島状の有機層１１２Ｒを形成する。
　有機層１１２Ｒは、ＦＭＭを介した真空蒸着法により形成することが好ましい。なお、ＦＭＭを用いたスパッタリング法、またはインクジェット法を用いて島状の有機層１１２Ｒを形成してもよい。
　図８Ｃには、ＦＭＭ１５１Ｒを介して有機層１１２Ｒを成膜している様子を示している。図８Ｃでは、被形成面が下側になるように基板を反転した状態で成膜する、いわゆるフェイスダウン方式で成膜している様子を示している。
　ＦＭＭを用いた蒸着法などでは、ＦＭＭの開口パターンよりも広い範囲に蒸着される場合が多い。そのため、図８Ｃ中の破線で示すように、画素電極１１１Ｒのパターンと開口パターンが同じＦＭＭ１５１Ｒを用いた場合であっても、画素電極１１１Ｒと、これと隣接する画素電極との間の領域にまで有機層１１２Ｒが成膜されうる。
　続いて、ＦＭＭ１５１Ｇを用いて、画素電極１１１Ｇ上に有機層１１２Ｇを形成する（図９Ａ）。
　有機層１１２Ｇは、有機層１１２Ｒと同様に、画素電極１１１Ｇよりも外側にまで広がったパターンが形成されうる。その結果、図９Ａ中の領域ＲＧに示すように、有機層１１２Ｒ上に有機層１１２Ｇが積層された部分が形成されうる。
　続いて、ＦＭＭ１５１Ｂを用いて、画素電極１１１Ｂ上に有機層１１２Ｂを形成する（図９Ｂ）。
　有機層１１２Ｂも、有機層１１２Ｒ及び有機層１１２Ｇと同様に、画素電極１１１Ｂよりも外側に広がったパターンが形成されうる。その結果、図９Ｂ中に示すように、有機層１１２Ｒ上に有機層１１２Ｂが積層された領域ＲＢ、及び、有機層１１２Ｇ上に有機層１１２Ｂが積層された領域ＧＢが形成されうる。
　ここで、接続電極１１１Ｃ上には、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ及び有機層１１２Ｂを形成しないことが好ましい。
　なお、ここでは有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、有機層１１２Ｂの順で形成したが、形成順はこれに限られない。
〔有機層１１６の形成〕
　続いて、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂを覆って、有機層１１６を形成する（図９Ｃ）。有機層１１６は、有機層１１５と同様の方法により形成することができる。
〔犠牲膜１４４の形成〕
　続いて、有機層１１６を覆って犠牲膜１４４を形成する。
　犠牲膜１４４は、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６のエッチング処理に対する耐性の高い膜、すなわちエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。また、犠牲膜１４４は、後述する犠牲膜１４６などの犠牲膜とのエッチングの選択比の大きい膜を用いることができる。さらに、犠牲膜１４４は、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６へのダメージの少ないウェットエッチング法により除去可能な膜を用いることが特に好ましい。
　犠牲膜１４４としては、例えば、金属膜、合金膜、金属酸化物膜、半導体膜、無機絶縁膜などの無機膜を好適に用いることができる。犠牲膜１４４は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法、ＡＬＤ法などの各種成膜方法により形成することができる。
　特に、ＡＬＤ法は被形成層に対する成膜ダメージが小さいため、有機層１１６上に直接形成する犠牲膜１４４は、ＡＬＤ法を用いて形成することが好ましい。
　犠牲膜１４４としては、例えば金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、チタン、アルミニウム、イットリウム、ジルコニウム、及びタンタルなどの金属材料、または該金属材料を含む合金材料を用いることができる。特に、アルミニウムまたは銀などの低融点材料を用いることが好ましい。
　また、犠牲膜１４４としては、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの金属酸化物を用いることができる。さらに、酸化インジウム、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムスズ酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ酸化物）、インジウムチタン酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ酸化物）、インジウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）、インジウムチタン亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｔｉ−Ｚｎ酸化物）、インジウムガリウムスズ亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物）などを用いることができる。またはシリコンを含むインジウムスズ酸化物などを用いることもできる。
　なお、上記ガリウムに代えて元素Ｍ（Ｍは、アルミニウム、シリコン、ホウ素、イットリウム、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、またはマグネシウムから選ばれた一種または複数種）を用いた場合にも適用できる。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、またはイットリウムから選ばれた一種または複数種とすることが好ましい。
　また、犠牲膜１４４としては、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの酸化物、窒化シリコン、窒化アルミニウムなどの窒化物、または酸化窒化シリコンなどの酸窒化物を用いることができる。このような無機絶縁材料は、スパッタリング法、ＣＶＤ法、またはＡＬＤ法等の成膜方法を用いて形成することができる。
　また、犠牲膜１４４として、少なくともＥＬ層の最上部に位置する有機層１１６に対して、化学的に安定な溶媒に溶解しうる材料を用いてもよい。特に、水またはアルコールに溶解する材料を、犠牲膜１４４に好適に用いることができる。犠牲膜１４４を成膜する際には、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させた状態で、湿式の成膜方法で塗布した後に、溶媒を蒸発させるための加熱処理を行うことが好ましい。このとき、減圧雰囲気下での加熱処理を行うことで、低温且つ短時間で溶媒を除去できるため、ＥＬ層への熱的なダメージを低減することができ、好ましい。
　犠牲膜１４４の形成に用いることのできる湿式の成膜方法としては、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ法、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコートなどがある。
　犠牲膜１４４としては、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルブチラール、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリグリセリン、プルラン、水溶性のセルロース、またはアルコール可溶性のポリアミド樹脂などの有機材料を用いることができる。
〔犠牲膜１４６の形成〕
　続いて、犠牲膜１４４上に、犠牲膜１４６を形成する。
　犠牲膜１４６は、後に犠牲膜１４４をエッチングする際のハードマスクとして用いる膜である。また、後の犠牲膜１４６の加工時には、犠牲膜１４４が露出する。したがって、犠牲膜１４４と犠牲膜１４６とは、互いにエッチングの選択比の大きい膜の組み合わせを選択する。そのため、犠牲膜１４４のエッチング条件、及び犠牲膜１４６のエッチング条件に応じて、犠牲膜１４６に用いることのできる膜を選択することができる。
　犠牲膜１４６は、様々な材料の中から、犠牲膜１４４のエッチング条件、及び犠牲膜１４６のエッチング条件に応じて、選択することができる。例えば、上記犠牲膜１４４に用いることのできる膜の中から選択することができる。
　例えば、犠牲膜１４６として、酸化物膜を用いることができる。代表的には、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化窒化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化窒化ハフニウムなどの酸化物膜または酸窒化物膜を用いることもできる。
　また、犠牲膜１４６としては、例えば窒化物膜を用いることができる。具体的には、窒化シリコン、窒化アルミニウム、窒化ハフニウム、窒化チタン、窒化タンタル、窒化タングステン、窒化ガリウム、窒化ゲルマニウムなどの窒化物を用いることもできる。
　例えば、犠牲膜１４４として、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用い、犠牲膜１４６として、スパッタリング法により形成した、インジウムガリウム亜鉛酸化物（Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、ＩＧＺＯとも表記する）などの、インジウムを含む金属酸化物を用いることが好ましい。または、犠牲膜１４６として、タングステン、モリブデン、銅、アルミニウム、チタン、及びタンタルなどの金属または、当該金属を含む合金を用いることが好ましい。
　また、犠牲膜１４６として、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６などに用いることのできる有機膜を用いてもよい。例えば、有機層１１５、有機層１１２、または有機層１１６に用いる有機膜と同じ膜を、犠牲膜１４６に用いることができる。このような有機膜を用いることで、有機層１１５、有機層１１２、有機層１１６などと成膜装置を共通に用いることができるため、好ましい。さらに、後の犠牲層１４７をマスクとして、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６等をエッチングする際に、同時に除去できるため、工程を簡略化できる。
〔レジストマスク１４３の形成〕
　続いて、犠牲膜１４６上であって、画素電極１１１Ｒ、画素電極１１１Ｇ、及び画素電極１１１Ｂとそれぞれ重なる位置に、レジストマスク１４３を形成する（図１０Ａ）。
　レジストマスク１４３は、ポジ型のレジスト材料、またはネガ型のレジスト材料など、感光性の樹脂を含むレジスト材料を用いることができる。
　ここで、犠牲膜１４６を有さずに、犠牲膜１４４上にレジストマスク１４３を形成する場合、犠牲膜１４４にピンホールなどの欠陥が存在すると、レジスト材料の溶媒によって、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６等が溶解してしまう恐れがある。犠牲膜１４６を用いることで、このような不具合が生じることを防ぐことができる。
　なお、レジスト材料の溶媒に、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６を溶解しない材料を用いる場合などでは、犠牲膜１４６を用いずに、犠牲膜１４４上に直接、レジストマスク１４３を形成してもよい場合がある。
〔犠牲膜１４６のエッチング〕
　続いて、犠牲膜１４６の、レジストマスク１４３に覆われない一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４７を形成する。
　犠牲膜１４６のエッチングの際、犠牲膜１４４が当該エッチングにより除去されないように、選択比の高いエッチング条件を用いることが好ましい。犠牲膜１４６のエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いることで、犠牲層１４７のパターンが縮小することを抑制できる。
〔レジストマスク１４３の除去〕
　続いて、レジストマスク１４３を除去する。
　レジストマスク１４３の除去は、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができる。特に、酸素ガスをエッチングガスに用いたドライエッチング（プラズマアッシングともいう）により、レジストマスク１４３を除去することが好ましい。
　このとき、レジストマスク１４３の除去は、有機層１１６が犠牲膜１４４に覆われた状態で行われるため、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６への影響が抑制されている。特に、有機層１１５、有機層１１２、及び有機層１１６が酸素に触れると、電気特性に悪影響を及ぼす場合があるため、プラズマアッシングなどの、酸素ガスを用いたエッチングを行う場合には好適である。また、レジストマスク１４３をウェットエッチングにより除去する場合であっても、有機層１１６等が薬液に触れないため、有機層１１６等が溶解してしまうことを防ぐことができる。
〔犠牲膜１４４のエッチング〕
　続いて、犠牲層１４７をハードマスクとして用いて、犠牲膜１４４の一部をエッチングにより除去し、犠牲層１４５を形成する（図１０Ｂ）。
　犠牲膜１４４のエッチングは、ウェットエッチングまたはドライエッチングにより行うことができるが、ドライエッチングを用いると、パターンの縮小を抑制できるため好ましい。
〔有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチング〕
　続いて、犠牲層１４５に覆われない有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５の一部をエッチングにより除去し、スリット１２０を形成する。このとき同時に、接続電極１１１Ｃの上面も露出される。
　このとき、有機層１１２Ｒ、有機層１１２Ｇ、及び有機層１１２Ｂの一部がエッチングにより分断されることで、有機層１１２Ｒの切れ端である層１３５Ｒ、有機層１１２Ｇの切れ端である層１３５Ｇ、及び有機層１１２Ｂの切れ端である層１３５Ｂが形成される。
　特に有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチングには、酸素を主成分に含まないエッチングガスを用いたドライエッチングを用いることが好ましい。これにより、有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５の変質を抑制し、信頼性の高い表示装置を実現できる。酸素を主成分に含まないエッチングガスとしては、例えばＣＦ４、Ｃ４Ｆ８、ＳＦ６、ＣＨＦ３、Ｃｌ２、Ｈ２Ｏ、ＢＣｌ３、Ｈ２または貴ガス（Ｈｅなど）が挙げられる。また、上記ガスと、酸素を含まない希釈ガスとの混合ガスをエッチングガスに用いることができる。
　なお、有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチングは上記に限られず、他のガスを用いたドライエッチングにより行ってもよいし、ウェットエッチングにより行ってもよい。
　また、有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチングに酸素ガスを含むエッチングガス、または酸素ガスを用いたドライエッチングを用いると、エッチング速度を高めることができる。そのため、エッチング速度を十分な速さに維持しつつ、低パワーの条件でのエッチングが可能なため、エッチングによるダメージを低減できる。さらに、エッチング時に生じる反応生成物の付着などの不具合を抑制することができる。例えば、上記酸素を主成分に含まないエッチングガスに、酸素ガスを加えたエッチングガスを用いることができる。
　有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチングの際に、絶縁層１０５が露出する。そのため、絶縁層１０５には、有機層１１５のエッチングに対して耐性の高い膜を用いることが好ましい。なお、有機層１１５のエッチングの際に、絶縁層１０５の上部がエッチングされ、有機層１１５に覆われない部分が薄膜化する場合がある。
　なお、有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５のエッチングの際に、同時に犠牲層１４７をエッチングしてもよい。有機層１１６、有機層１１２、有機層１１５と、犠牲層１４７とを同一処理によりエッチングすることで、工程を簡略化することができ、表示装置の作製コストを削減することができるため好ましい。
〔犠牲層の除去〕
　続いて、犠牲層１４７を除去し、犠牲層１４５の上面を露出させる（図１０Ｃ）。このとき、犠牲層１４５は残したままとしておくことが好ましい。なお、この時点で犠牲層１４７を除去しなくてもよい。
〔絶縁膜１２５ｆの形成〕
　続いて、犠牲層１４５及びスリット１２０を覆って、絶縁膜１２５ｆを成膜する。
　絶縁膜１２５ｆは、ＥＬ層に水などの不純物が拡散することを防ぐバリア層として機能する。絶縁膜１２５ｆは、段差被覆性に優れたＡＬＤ法により形成すると、ＥＬ層の側面を好適に被覆することができるため好ましい。
　絶縁膜１２５ｆは、犠牲層１４５と同じ材料の膜を用いると、後の工程で同時にエッチングすることができるため好ましい。例えば、絶縁膜１２５ｆと、犠牲層１４５に、ＡＬＤ法により形成した酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化シリコンなどの無機絶縁材料を用いることが好ましい。
　なお、絶縁膜１２５ｆに用いることのできる材料はこれに限られず、上記犠牲膜１４４に用いることのできる材料を適宜用いることができる。
〔樹脂層１２６の形成〕
　続いて、スリット１２０と重なる領域に、樹脂層１２６を形成する（図１１Ａ）。樹脂層１２６は、樹脂層１６３と同様の方法により形成することができる。
　ここでは、樹脂層１２６をスリット１２０の幅よりも大きな幅になるように形成した場合の例を示す。
〔絶縁膜１２５ｆ、犠牲層１４５のエッチング〕
　続いて、絶縁膜１２５ｆ、及び犠牲層１４５について、樹脂層１２６に覆われない部分をエッチングにより除去し、有機層１１６の上面を露出させる。このとき同時に、樹脂層１２６に覆われる領域に、絶縁層１２５、及び犠牲層１４５が形成される（図１１Ｂ）。
　絶縁膜１２５ｆと犠牲層１４５のエッチングは同一工程で行うことが好ましい。特に、犠牲層１４５のエッチングは、有機層１１６へのエッチングダメージの低いウェットエッチングにより行うことが好ましい。例えば、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液、希フッ酸、シュウ酸、リン酸、酢酸、硝酸、またはこれらの混合液体を用いたウェットエッチングを用いることが好ましい。
　または、絶縁膜１２５ｆ及び犠牲層１４５のいずれか一方または双方を、水またはアルコールなどの溶媒に溶解させることで除去することが好ましい。ここで、絶縁膜１２５ｆ及び犠牲層１４５を溶解しうるアルコールとしては、エチルアルコール、メチルアルコール、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）、またはグリセリンなど、様々なアルコールを用いることができる。
　絶縁膜１２５ｆ及び犠牲層１４５を除去した後に、有機層１１５、有機層１１２、有機層１１６の内部に含まれる水、及び表面に吸着する水を除去するため、乾燥処理を行うことが好ましい。例えば、不活性ガス雰囲気または減圧雰囲気下における加熱処理を行うことが好ましい。加熱処理は、基板温度として５０℃以上２００℃以下、好ましくは６０℃以上１５０℃以下、より好ましくは７０℃以上１２０℃以下の温度で行うことができる。減圧雰囲気とすることで、より低温で乾燥が可能であるため好ましい。
〔有機層１１４の形成〕
　続いて、有機層１１６、絶縁層１２５、犠牲層１４５、及び樹脂層１２６等を覆って有機層１１４を成膜する。
　有機層１１４は、有機層１１５などと同様の方法で成膜することができる。蒸着法により有機層１１４を成膜する場合には、有機層１１４が接続電極１１１Ｃ上に成膜されないように、遮蔽マスクを用いて成膜してもよい。
〔共通電極１１３の形成〕
　続いて、有機層１１４を覆って共通電極１１３を形成する。
　共通電極１１３は、蒸着法またはスパッタリング法などの成膜方法により形成することができる。または、蒸着法で形成した膜と、スパッタリング法で形成した膜を積層させてもよい。
　共通電極１１３は、有機層１１４が成膜される領域を包含するように形成することが好ましい。すなわち、有機層１１４の端部が、共通電極１１３と重畳する構成とすることができる。共通電極１１３は、遮蔽マスクを用いて形成してもよい。
　接続部１３０は、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３との間に、有機層１１４が挟持された構成となる。このとき、有機層１１４としては、できるだけ電気抵抗の低い材料を用いることが好ましい。または、できるだけ薄く形成することで、有機層１１４の厚さ方向の電気抵抗を低減することが好ましい。例えば、有機層１１４として、厚さ１ｎｍ以上５ｎｍ以下、好ましくは１ｎｍ以上３ｎｍ以下の電子注入性または正孔注入性の材料を用いることで、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３との間の電気抵抗を無視できる程度に小さくできる場合がある。
〔保護層の形成〕
　続いて、共通電極１１３上に、保護層１２１を形成する（図１１Ｃ）。保護層１２１に用いる無機絶縁膜の成膜には、スパッタリング法、ＰＥＣＶＤ法、またはＡＬＤ法を用いることが好ましい。特にＡＬＤ法は、段差被覆性に優れ、ピンホールなどの欠陥が生じにくいため、好ましい。また、有機絶縁膜の成膜には、インクジェット法を用いると、所望のエリアに均一な膜を形成できるため好ましい。
　以上により、図７Ａに示す表示装置を作製することができる。
　なお、上記では、樹脂層１２６がスリット１２０よりも幅が広くなるように形成した場合の例を示したが、樹脂層１２６の幅とスリット１２０の幅が一致するように形成してもよい。
　図１２Ａは、絶縁膜１２５ｆを形成した後に、樹脂層１２６を形成した時点での断面概略図である。
　例えば、図１２Ａに示すように、スリット１２０よりも幅の広い樹脂層１２６を形成した後に、樹脂層１２６の上部をアッシングなどでエッチングすることにより、スリット１２０の内部にのみ樹脂層１２６を形成することができる。このとき、樹脂層１２６の上面を、隣接する有機層１１６の上面の高さになるべく近づけることが好ましい。これにより、スリット１２０に起因する段差を低減でき、有機層１１４等の段差被覆性を向上させることができる。
　続いて、上記と同様に絶縁膜１２５ｆ及び犠牲層１４５をエッチングする（図１２Ｂ）。このとき、犠牲層１４５が樹脂層１２６に覆われる部分がないため、犠牲層１４５は切れ端が残存することなく、除去される。
　続いて、有機層１１４、共通電極１１３、及び保護層１２１を上記と同様の方法で形成することで、図１２Ｃに示すように、表示装置を作製することができる。
　また、図１２Ｃでは、接続電極１１１Ｃと共通電極１１３との間に、有機層１１４が設けられない場合の例を示している。接続電極１１１Ｃと共通電極１１３とが接しているため、これらの間の接触抵抗を極めて小さくすることができ、消費電力を低減できる。
　以上が、表示装置の作製方法例についての説明である。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態２）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の構成例について説明する。
　本実施の形態の表示装置は、高解像度の表示装置または大型な表示装置とすることができる。したがって、本実施の形態の表示装置は、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、スマートフォン、腕時計型端末、タブレット端末、携帯情報端末、音響再生装置の表示部に用いることができる。
［表示装置４００］
　図１３に、表示装置４００の斜視図を示し、図１４Ａに、表示装置４００の断面図を示す。
　表示装置４００は、基板４５２と基板４５１とが貼り合わされた構成を有する。図１３では、基板４５２を破線で明示している。
　表示装置４００は、表示部４６２、回路４６４、配線４６５等を有する。図１３では表示装置４００にＩＣ４７３及びＦＰＣ４７２が実装されている例を示している。そのため、図１３に示す構成は、表示装置４００、ＩＣ（集積回路）、及びＦＰＣを有する表示モジュールということもできる。
　回路４６４としては、例えば走査線駆動回路を用いることができる。
　配線４６５は、表示部４６２及び回路４６４に信号及び電力を供給する機能を有する。当該信号及び電力は、ＦＰＣ４７２を介して外部から配線４６５に入力されるか、またはＩＣ４７３から配線４６５に入力される。
　図１３では、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｇｌａｓｓ）方式またはＣＯＦ（Ｃｈｉｐ　ｏｎ　Ｆｉｌｍ）方式等により、基板４５１にＩＣ４７３が設けられている例を示す。ＩＣ４７３は、例えば走査線駆動回路または信号線駆動回路などを有するＩＣを適用できる。なお、表示装置４００及び表示モジュールは、ＩＣを設けない構成としてもよい。また、ＩＣを、ＣＯＦ方式等により、ＦＰＣに実装してもよい。
　図１４Ａに、表示装置４００の、ＦＰＣ４７２を含む領域の一部、回路４６４の一部、表示部４６２の一部、及び、接続部を含む領域の一部をそれぞれ切断したときの断面の一例を示す。図１４Ａでは、表示部４６２のうち、特に、緑色の光を発する発光素子４３０ｂと青色の光を発する発光素子４３０ｃを含む領域を切断したときの断面の一例を示す。
　図１４Ａに示す表示装置４００は、基板４５３と基板４５４の間に、トランジスタ２０２、トランジスタ２１０、発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃ等を有する。
　発光素子４３０ｂ、及び発光素子４３０ｃには、実施の形態１で例示した発光素子を適用することができる。
　ここで、表示装置の画素が、互いに異なる色を発する発光素子を有する副画素を３種類有する場合、当該３つの副画素としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。当該副画素を４つ有する場合、当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。
　基板４５４と保護層４１６とは接着層４４２を介して接着されている。接着層４４２は、発光素子４３０ｂ及び発光素子４３０ｃそれぞれと重ねて設けられており、表示装置４００には、固体封止構造が適用されている。
　発光素子４３０ｂ、発光素子４３０ｃは、画素電極として、導電層４１１ａ、導電層４１１ｂ、及び導電層４１１ｃを有する。導電層４１１ｂは、可視光に対して反射性を有し、反射電極として機能する。導電層４１１ｃは、可視光に対して透過性を有し、光学調整層として機能する。
　導電層４１１ａは、絶縁層２１４に設けられた開口を介して、トランジスタ２１０が有する導電層２２２ｂと接続されている。トランジスタ２１０は、発光素子の駆動を制御する機能を有する。
　画素電極を覆って、ＥＬ層４１２ＧまたはＥＬ層４１２Ｂが設けられている。ＥＬ層４１２Ｇの側面、及びＥＬ層４１２Ｂの側面に接して、絶縁層４２１が設けられ、絶縁層４２１の凹部を埋めるように、樹脂層４２２が設けられている。ＥＬ層４１２Ｇ及びＥＬ層４１２Ｂを覆って、有機層４１４及び共通電極４１３、保護層４１６が設けられている。また絶縁層４２１に接して、層４１５Ｂ及び層４１５Ｇが設けられている。層４１５Ｂは、ＥＬ層４１２Ｂと同一の材料を含み、層４１５Ｇは、ＥＬ層４１２Ｇと同一の材料を含む。
　発光素子が発する光は、基板４５２側に射出される。基板４５２には、可視光に対する透過性が高い材料を用いることが好ましい。
　トランジスタ２０２及びトランジスタ２１０は、いずれも基板４５１上に形成されている。これらのトランジスタは、同一の材料及び同一の工程により作製することができる。
　基板４５３と絶縁層２１２とは接着層４５５によって貼り合わされている。
　表示装置４００の作製方法としては、まず、絶縁層２１２、各トランジスタ、各発光素子等が設けられた作製基板と、遮光層４１７が設けられた基板４５４と、を接着層４４２によって貼り合わせる。そして、作製基板を剥離し露出した面に基板４５３を貼ることで、作製基板上に形成した各構成要素を、基板４５３に転置する。基板４５３及び基板４５４は、それぞれ、可撓性を有することが好ましい。これにより、表示装置４００の可撓性を高めることができる。
　絶縁層２１２には、それぞれ、絶縁層２１１、及び絶縁層２１５に用いることができる無機絶縁膜を用いることができる。
　基板４５３の、基板４５４が重ならない領域には、接続部２０４が設けられている。接続部２０４では、配線４６５が導電層４６６及び接続層２４２を介してＦＰＣ４７２と電気的に接続されている。導電層４６６は、画素電極と同一の導電膜を加工して得ることができる。これにより、接続部２０４とＦＰＣ４７２とを接続層２４２を介して電気的に接続することができる。
　トランジスタ２０２及びトランジスタ２１０は、ゲートとして機能する導電層２２１、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２１１、チャネル形成領域２３１ｉ及び一対の低抵抗領域２３１ｎを有する半導体層２３１、一対の低抵抗領域２３１ｎの一方と接続する導電層２２２ａ、一対の低抵抗領域２３１ｎの他方と接続する導電層２２２ｂ、ゲート絶縁層として機能する絶縁層２２５、ゲートとして機能する導電層２２３、並びに、導電層２２３を覆う絶縁層２１５を有する。絶縁層２１１は、導電層２２１とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。絶縁層２２５は、導電層２２３とチャネル形成領域２３１ｉとの間に位置する。
　導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂのうち、一方はソースとして機能し、他方はドレインとして機能する。
　図１４Ａでは、絶縁層２２５が半導体層の上面及び側面を覆う例を示す。導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂは、それぞれ、絶縁層２２５及び絶縁層２１５に設けられた開口を介して低抵抗領域２３１ｎと接続される。
　一方、図１４Ｂに示すトランジスタ２０９では、絶縁層２２５は、半導体層２３１のチャネル形成領域２３１ｉと重なり、低抵抗領域２３１ｎとは重ならない。例えば、導電層２２３をマスクとして絶縁層２２５を加工することで、図１４Ｂに示す構造を作製できる。図１４Ｂでは、絶縁層２２５及び導電層２２３を覆って絶縁層２１５が設けられ、絶縁層２１５の開口を介して、導電層２２２ａ及び導電層２２２ｂがそれぞれ低抵抗領域２３１ｎと接続されている。さらに、トランジスタを覆う絶縁層２１８を設けてもよい。
　本実施の形態の表示装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、プレーナ型のトランジスタ、スタガ型のトランジスタ、逆スタガ型のトランジスタ等を用いることができる。また、トップゲート型またはボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。または、チャネルが形成される半導体層の上下にゲートが設けられていてもよい。
　トランジスタ２０２及びトランジスタ２１０には、チャネルが形成される半導体層を２つのゲートで挟持する構成が適用されている。２つのゲートを接続し、これらに同一の信号を供給することによりトランジスタを駆動してもよい。または、２つのゲートのうち、一方に閾値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタの閾値電圧を制御してもよい。
　トランジスタの半導体層に用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、単結晶半導体、または単結晶以外の結晶性を有する半導体、（微結晶半導体、多結晶半導体、または一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。単結晶半導体または結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
　トランジスタの半導体層は、金属酸化物（酸化物半導体ともいう）を有することが好ましい。つまり、本実施の形態の表示装置は、金属酸化物をチャネル形成領域に用いたトランジスタ（以下、ＯＳトランジスタ）を用いることが好ましい。
　トランジスタの半導体層に用いる金属酸化物のバンドギャップは、２ｅＶ以上が好ましく、２．５ｅＶ以上がより好ましい。バンドギャップの大きい金属酸化物を用いることで、ＯＳトランジスタのオフ電流を低減することができる。
　金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましく、ガリウムがより好ましい。なお、インジウムと、Ｍと、亜鉛とを有する金属酸化物を、以降ではＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物と呼ぶ場合がある。
　金属酸化物がＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の場合、当該Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比以上であることが好ましい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：１：１．２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝２：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝３：１：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝４：２：４．１またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：７またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：１：８またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝６：１：６またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝５：２：５またはその近傍の組成、等が挙げられる。なお、近傍の組成とは、所望の原子数比の±３０％の範囲を含む。金属酸化物中のインジウムの原子数比を大きくすることで、トランジスタのオン電流、または電界効果移動度などを高めることができる。
　例えば、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝４：２：３またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を４としたとき、Ｇａの原子数比が１以上３以下であり、Ｚｎの原子数比が２以上４以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝５：１：６またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を５としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が５以上７以下である場合を含む。また、原子数比がＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１またはその近傍の組成と記載する場合、Ｉｎの原子数比を１としたときに、Ｇａの原子数比が０．１より大きく２以下であり、Ｚｎの原子数比が０．１より大きく２以下である場合を含む。
　また、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物におけるＩｎの原子数比はＭの原子数比未満であってもよい。このようなＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物の金属元素の原子数比として、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：２またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：３またはその近傍の組成、Ｉｎ：Ｍ：Ｚｎ＝１：３：４またはその近傍の組成、等が挙げられる。金属酸化物中のＭの原子数比を大きくすることで、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物のバンドギャップをより大きくし、光負バイアスストレス試験に対する耐性を高めることが可能となる。具体的には、トランジスタのＮＢＴＩＳ（Ｎｅｇａｔｉｖｅ　Ｂｉａｓ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｉｌｌｕｍｉｎａｔｉｏｎ　Ｓｔｒｅｓｓ）試験で測定される、しきい値電圧の変化量またはシフト電圧（Ｖｓｈ）の変化量を小さくすることができる。なお、シフト電圧（Ｖｓｈ）は、トランジスタのドレイン電流（Ｉｄ）−ゲート電圧（Ｖｇ）カーブにおいて、カーブ上の傾きが最大である点における接線が、Ｉｄ＝１ｐＡの直線と交差するＶｇで定義される。
　または、トランジスタの半導体層は、シリコンを有していてもよい。シリコンとしては、アモルファスシリコン、結晶性のシリコン（低温ポリシリコン、単結晶シリコンなど）などが挙げられる。
　または、トランジスタの半導体層は、半導体として機能する層状物質を有してもよい。層状物質とは、層状の結晶構造を有する材料群の総称である。層状の結晶構造は、共有結合またはイオン結合によって形成される層が、ファンデルワールス力のような、共有結合またはイオン結合よりも弱い結合を介して積層している構造である。層状物質は、単位層内における電気伝導性が高く、つまり、２次元電気伝導性が高い。半導体として機能し、かつ、２次元電気伝導性の高い材料をチャネル形成領域に用いることで、オン電流の大きいトランジスタを提供することができる。
　上記層状物質として、例えば、グラフェン、シリセン、カルコゲン化物などが挙げられる。カルコゲン化物は、カルコゲン（第１６族に属する元素）を含む化合物である。また、カルコゲン化物として、遷移金属カルコゲナイド、１３族カルコゲナイドなどが挙げられる。トランジスタの半導体層として適用可能な遷移金属カルコゲナイドとして、具体的には、硫化モリブデン（代表的にはＭｏＳ２）、セレン化モリブデン（代表的にはＭｏＳｅ２）、モリブデンテルル（代表的にはＭｏＴｅ２）、硫化タングステン（代表的にはＷＳ２）、セレン化タングステン（代表的にはＷＳｅ２）、タングステンテルル（代表的にはＷＴｅ２）、硫化ハフニウム（代表的にはＨｆＳ２）、セレン化ハフニウム（代表的にはＨｆＳｅ２）、硫化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳ２）、セレン化ジルコニウム（代表的にはＺｒＳｅ２）などが挙げられる。
　回路４６４が有するトランジスタと、表示部４６２が有するトランジスタは、同じ構造であってもよく、異なる構造であってもよい。回路４６４が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。同様に、表示部４６２が有する複数のトランジスタの構造は、全て同じであってもよく、２種類以上あってもよい。
　トランジスタを覆う絶縁層の少なくとも一層に、水及び水素などの不純物が拡散しにくい材料を用いることが好ましい。これにより、当該絶縁層をバリア層として機能させることができる。このような構成とすることで、トランジスタに外部から不純物が拡散することを効果的に抑制でき、表示装置の信頼性を高めることができる。
　絶縁層２１１、絶縁層２１２、絶縁層２１５、絶縁層２１８、及び絶縁層２２５としては、それぞれ、無機絶縁膜を用いることが好ましい。無機絶縁膜としては、例えば、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などを用いることができる。また、酸化ハフニウム膜、酸化イットリウム膜、酸化ジルコニウム膜、酸化ガリウム膜、酸化タンタル膜、酸化マグネシウム膜、酸化ランタン膜、酸化セリウム膜、及び酸化ネオジム膜等を用いてもよい。また、上述の無機絶縁膜を２以上積層して用いてもよい。
　ここで、有機絶縁膜は、無機絶縁膜に比べてバリア性が低いことが多い。そのため、有機絶縁膜は、表示装置４００の端部近傍に開口を有することが好ましい。これにより、表示装置４００の端部から有機絶縁膜を介して不純物が入り込むことを抑制することができる。または、有機絶縁膜の端部が表示装置４００の端部よりも内側にくるように有機絶縁膜を形成し、表示装置４００の端部に有機絶縁膜が露出しないようにしてもよい。
　平坦化層として機能する絶縁層２１４には、有機絶縁膜が好適である。有機絶縁膜に用いることができる材料としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミドアミド樹脂、シロキサン樹脂、ベンゾシクロブテン系樹脂、フェノール樹脂、及びこれら樹脂の前駆体等が挙げられる。
　基板４５４の基板４５３側の面には、遮光層４１７を設けることが好ましい。また、基板４５４の外側には各種光学部材を配置することができる。光学部材としては、偏光板、位相差板、光拡散層（拡散フィルムなど）、反射防止層、及び集光フィルム等が挙げられる。また、基板４５４の外側には、ゴミの付着を抑制する帯電防止膜、汚れを付着しにくくする撥水性の膜、使用に伴う傷の発生を抑制するハードコート膜、衝撃吸収層等を配置してもよい。
　発光素子を覆う保護層４１６を設けることで、発光素子に水などの不純物が入り込むことを抑制し、発光素子の信頼性を高めることができる。
　図１４Ａには、接続部２２８を示している。接続部２２８において、共通電極４１３と配線とが電気的に接続する。図１４Ａでは、当該配線として、画素電極と同一の積層構造を適用した場合の例を示している。
　基板４５３及び基板４５４には、それぞれ、ガラス、石英、セラミック、サファイア、樹脂、金属、合金、半導体などを用いることができる。発光素子からの光を取り出す側の基板には、該光を透過する材料を用いる。基板４５３及び基板４５４に可撓性を有する材料を用いると、表示装置の可撓性を高めることができる。また、基板４５３または基板４５４として偏光板を用いてもよい。
　基板４５３及び基板４５４としては、それぞれ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル樹脂、ポリアクリロニトリル樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂、ポリアミド樹脂（ナイロン、アラミド等）、ポリシロキサン樹脂、シクロオレフィン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）樹脂、ＡＢＳ樹脂、セルロースナノファイバー等を用いることができる。基板４５３及び基板４５４の一方または双方に、可撓性を有する程度の厚さのガラスを用いてもよい。
　なお、表示装置に円偏光板を重ねる場合、表示装置が有する基板には、光学等方性の高い基板を用いることが好ましい。光学等方性が高い基板は、複屈折が小さい（複屈折量が小さい、ともいえる）。
　光学等方性が高い基板のリタデーション（位相差）値の絶対値は、３０ｎｍ以下が好ましく、２０ｎｍ以下がより好ましく、１０ｎｍ以下がさらに好ましい。
　光学等方性が高いフィルムとしては、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ、セルローストリアセテートともいう）フィルム、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）フィルム、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）フィルム、及びアクリルフィルム等が挙げられる。
　また、基板としてフィルムを用いる場合、フィルムが吸水することで、表示パネルにしわが発生するなどの形状変化が生じる恐れがある。そのため、基板には、吸水率の低いフィルムを用いることが好ましい。例えば、吸水率が１％以下のフィルムを用いることが好ましく、０．１％以下のフィルムを用いることがより好ましく、０．０１％以下のフィルムを用いることがさらに好ましい。
　接着層としては、紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。
　接続層２４２としては、異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｆｉｌｍ）、異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ　Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ　Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。
　トランジスタのゲート、ソース及びドレインのほか、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層に用いることのできる材料としては、アルミニウム、チタン、クロム、ニッケル、銅、イットリウム、ジルコニウム、モリブデン、銀、タンタル、及びタングステンなどの金属、並びに、当該金属を主成分とする合金などが挙げられる。これらの材料を含む膜を単層で、または積層構造として用いることができる。
　また、透光性を有する導電材料としては、酸化インジウム、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを含む酸化亜鉛などの導電性酸化物またはグラフェンを用いることができる。または、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、及びチタンなどの金属材料、または、該金属材料を含む合金材料を用いることができる。または、該金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）などを用いてもよい。なお、金属材料、または、合金材料（またはそれらの窒化物）を用いる場合には、透光性を有する程度に薄くすることが好ましい。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とインジウムスズ酸化物の積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。これらは、表示装置を構成する各種配線及び電極などの導電層、及び、発光素子が有する導電層（画素電極または共通電極として機能する導電層）にも用いることができる。
　各絶縁層に用いることのできる絶縁材料としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂などの樹脂、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウムなどの無機絶縁材料が挙げられる。
　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態３）
　以下では、表示装置の表示部における画素の構成例について説明する。
　図１Ａで示した表示装置１００は、ストライプ配列が適用されている例である。図１Ａでは、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの、３つの副画素から構成される。副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する。例えば、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、青色の副画素とすることができる。
　図１５Ａに示す画素１０３には、Ｓストライプ配列が適用されている。図１５Ａに示す画素１０３は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂの、３つの副画素から構成される。
　図１５Ｂに示す画素１０３は、角が丸い略台形の上面形状を有する副画素Ｇと、角が丸い略三角形の上面形状を有する副画素Ｒと、角が丸い略四角形または略六角形の上面形状を有する副画素Ｂと、を有する。また、副画素Ｇは、副画素Ｒよりも発光面積が広い。このように、各副画素の形状及びサイズはそれぞれ独立に決定することができる。例えば、信頼性の高い発光デバイスを有する副画素ほど、サイズを小さくすることができる。例えば、副画素Ｒを赤色の副画素とし、副画素Ｇを緑色の副画素とし、副画素Ｂを青色の副画素としてもよい。
　図１５Ｃに示す画素１２５ａ、１２５ｂには、ペンタイル配列が適用されている。図１５Ｃでは、副画素Ｒ及び副画素Ｇを有する画素１２５ａと、副画素Ｇ及び副画素Ｂを有する画素１２５ｂと、が交互に配置されている例を示す。例えば、副画素Ｒを赤色の副画素とし、副画素Ｇを緑色の副画素とし、副画素Ｂを青色の副画素としてもよい。
　図１５Ｄ及び図１５Ｅに示す画素１２５ａ、１２５ｂは、デルタ配列が適用されている。画素１２５ａは上の行（１行目）に、２つの副画素（副画素Ｒ、Ｇ）を有し、下の行（２行目）に、１つの副画素（副画素Ｂ）を有する。画素１２５ｂは上の行（１行目）に、１つの副画素（副画素Ｂ）を有し、下の行（２行目）に、２つの副画素（副画素Ｒ、Ｇ）を有する。
　図１５Ｄは、各副画素が、角が丸い略四角形の上面形状を有する例であり、図１５Ｅは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。
　フォトリソグラフィ法では、加工するパターンが微細になるほど、光の回折の影響を無視できなくなるため、露光によりフォトマスクのパターンを転写する際に忠実性が損なわれ、レジストマスクを所望の形状に加工することが困難になる。そのため、フォトマスクのパターンが矩形であっても、角が丸まったパターンが形成されやすい。したがって、副画素の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。
　さらに、本発明の一態様の表示装置の作製方法では、レジストマスクを用いてＥＬ層を島状に加工する。ＥＬ層上に形成したレジスト膜は、ＥＬ層の耐熱温度よりも低い温度で硬化する必要がある。そのため、ＥＬ層の材料の耐熱温度及びレジスト材料の硬化温度によっては、レジスト膜の硬化が不十分になる場合がある。硬化が不十分なレジスト膜は、加工時に所望の形状から離れた形状をとることがある。その結果、ＥＬ層の上面形状が、多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などになることがある。例えば、上面形状が正方形のレジストマスクを形成しようとした場合に、円形の上面形状のレジストマスクが形成され、ＥＬ層の上面形状が円形になることがある。
　なお、ＥＬ層の上面形状を所望の形状とするために、設計パターンと、転写パターンとが、一致するように、あらかじめマスクパターンを補正する技術（ＯＰＣ（Ｏｐｔｉｃａｌ　Ｐｒｏｘｉｍｉｔｙ　Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ：光近接効果補正）技術）を用いてもよい。具体的には、ＯＰＣ技術では、マスクパターン上の図形コーナー部などに補正用のパターンを追加する。
　図１６Ａ乃至図１６Ｃに示す画素１０３は、ストライプ配列が適用されている。図１６Ａ乃至図１６Ｃに示す画素１０３は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの、４つの副画素から構成される。副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗは、それぞれ発光色の異なる発光デバイスを有する。例えば、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗは、それぞれ、赤色、緑色、青色、白色の副画素とすることができる。
　図１６Ａは、各副画素が、長方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｂは、各副画素が、２つの半円と長方形をつなげた上面形状を有する例であり、図１６Ｃは、各副画素が、楕円形の上面形状を有する例である。
　図１６Ｄ乃至図１６Ｆに示す画素１０３は、マトリクス配列が適用されている。図１６Ｄ乃至図１６Ｆに示す画素１０３は、副画素Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｗの、４つの副画素から構成される。
　図１６Ｄは、各副画素が、正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｅは、各副画素が、角が丸い略正方形の上面形状を有する例であり、図１６Ｆは、各副画素が、円形の上面形状を有する例である。図１６Ｇは、ストライプ配列が適用された副画素Ｒ、Ｇ、Ｂと、３つの副画素Ｗを有する例である。
（実施の形態４）
　本実施の形態では、本発明の一態様である表示装置に用いることができる発光素子（発光デバイスともいう）について説明する。
　本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭ（ファインメタルマスク、高精細なメタルマスク）を用いて作製されるデバイスをＭＭ（メタルマスク）構造のデバイスと呼称する場合がある。また、本明細書等において、メタルマスク、またはＦＭＭを用いることなく作製されるデバイスをＭＭＬ（メタルマスクレス）構造のデバイスと呼称する場合がある。
　なお、本明細書等において、各色の発光デバイス（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、及び赤（Ｒ））で、発光層を作り分ける、または発光層を塗り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。また、本明細書等において、白色光を発することのできる発光デバイスを白色発光デバイスと呼ぶ場合がある。なお、白色発光デバイスは、着色層（たとえば、カラーフィルタ）と組み合わせることで、フルカラーの表示装置とすることができる。
　また、発光デバイスは、シングル構造と、タンデム構造とに大別することができる。シングル構造のデバイスは、一対の電極間に１つの発光ユニットを有し、当該発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。シングル構造で白色発光を得るには、２以上の発光層の各々の発光が補色の関係となるような発光層を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する構成を得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。
　タンデム構造のデバイスは、一対の電極間に２以上の複数の発光ユニットを有し、各発光ユニットは、１以上の発光層を含む構成とすることが好ましい。各発光ユニットにおいて、同じ色の光を発する発光層を用いることで、所定の電流当たりの輝度が高められ、且つ、シングル構造と比較して信頼性の高い発光デバイスとすることができる。タンデム構造で白色発光を得るには、複数の発光ユニットの発光層からの光を合わせて白色発光が得られる構成とすればよい。なお、白色発光が得られる発光色の組み合わせについては、シングル構造の構成と同様である。なお、タンデム構造のデバイスにおいて、複数の発光ユニットの間には、電荷発生層などの中間層を設けると好適である。
　また、上述の白色発光デバイス（シングル構造またはタンデム構造）と、ＳＢＳ構造の発光デバイスと、を比較した場合、ＳＢＳ構造の発光デバイスは、白色発光デバイスよりも消費電力を低くすることができる。消費電力を低く抑えたい場合においては、ＳＢＳ構造の発光デバイスを用いると好適である。一方で、白色発光デバイスは、製造プロセスがＳＢＳ構造の発光デバイスよりも簡単であるため、製造コストを低くすることができる、又は製造歩留まりを高くすることができるため、好適である。
＜発光デバイスの構成例＞
　図１７Ａに示すように、発光デバイスは、一対の電極（下部電極７７２、上部電極７８８）の間に、ＥＬ層７８６を有する。ＥＬ層７８６は、層４４２０、発光層４４１１、層４４３０などの複数の層で構成することができる。層４４２０は、例えば電子注入性の高い物質を含む層（電子注入層）および電子輸送性の高い物質を含む層（電子輸送層）などを有することができる。発光層４４１１は、例えば発光性の化合物を有する。層４４３０は、例えば正孔注入性の高い物質を含む層（正孔注入層）および正孔輸送性の高い物質を含む層（正孔輸送層）を有することができる。
　一対の電極間に設けられた層４４２０、発光層４４１１および層４４３０を有する構成は単一の発光ユニットとして機能することができ、本明細書では図１７Ａの構成をシングル構造と呼ぶ。
　また、図１７Ｂは、図１７Ａに示す発光デバイスが有するＥＬ層７８６の変形例である。具体的には、図１７Ｂに示す発光デバイスは、下部電極７７２上の層４４３０−１と、層４４３０−１上の層４４３０−２と、層４４３０−２上の発光層４４１１と、発光層４４１１上の層４４２０−１と、層４４２０−１上の層４４２０−２と、層４４２０−２上の上部電極７８８と、を有する。例えば、下部電極７７２を陽極とし、上部電極７８８を陰極とした場合、層４４３０−１が正孔注入層として機能し、層４４３０−２が正孔輸送層として機能し、層４４２０−１が電子輸送層として機能し、層４４２０−２が電子注入層として機能する。または、下部電極７７２を陰極とし、上部電極７８８を陽極とした場合、層４４３０−１が電子注入層として機能し、層４４３０−２が電子輸送層として機能し、層４４２０−１が正孔輸送層として機能し、層４４２０−２が正孔注入層として機能する。このような層構造とすることで、発光層４４１１に効率よくキャリアを注入し、発光層４４１１内におけるキャリアの再結合の効率を高めることが可能となる。
　なお、図１７Ｃ、図１７Ｄに示すように層４４２０と層４４３０との間に複数の発光層（発光層４４１１、４４１２、４４１３）が設けられる構成もシングル構造のバリエーションである。
　また、図１７Ｅ、図１７Ｆに示すように、複数の発光ユニット（ＥＬ層７８６ａ、ＥＬ層７８６ｂ）が中間層（電荷発生層）４４４０を介して直列に接続された構成を本明細書ではタンデム構造と呼ぶ。なお、本明細書等においては、図１７Ｅ、図１７Ｆに示すような構成をタンデム構造として呼称するが、これに限定されず、例えば、タンデム構造をスタック構造と呼んでもよい。なお、タンデム構造とすることで、高輝度発光が可能な発光デバイスとすることができる。
　図１７Ｃにおいて、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、同じ色の光を発する発光材料を用いてもよい。
　また、発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３に、異なる発光材料を用いてもよい。発光層４４１１、発光層４４１２、及び発光層４４１３がそれぞれ発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図１７Ｄでは、カラーフィルタとして機能する着色層７８５を設ける例を示している。白色光がカラーフィルタを透過することで、所望の色の光を得ることができる。
　また、図１７Ｅにおいて、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、同じ発光材料を用いてもよい。または、発光層４４１１と、発光層４４１２とに、異なる色の光を発する発光材料を用いてもよい。発光層４４１１が発する光と、発光層４４１２が発する光が補色の関係である場合、白色発光が得られる。図１７Ｆには、さらに着色層７８５を設ける例を示している。
　なお、図１７Ｃ、図１７Ｄ、図１７Ｅ、図１７Ｆにおいても、図１７Ｂに示すように、層４４２０と、層４４３０とは、２層以上の層からなる積層構造としてもよい。
　発光デバイスごとに、発光層（ここでは青（Ｂ）、緑（Ｇ）、および赤（Ｒ））を作り分ける構造をＳＢＳ（Ｓｉｄｅ　Ｂｙ　Ｓｉｄｅ）構造と呼ぶ場合がある。
　発光デバイスの発光色は、ＥＬ層７８６を構成する材料によって、赤、緑、青、シアン、マゼンタ、黄または白などとすることができる。また、発光デバイスにマイクロキャビティ構造を付与することにより色純度をさらに高めることができる。
　白色の光を発する発光デバイスは、発光層に２種類以上の発光物質を含む構成とすることが好ましい。白色発光を得るには、２以上の発光物質の各々の発光が補色の関係となるような発光物質を選択すればよい。例えば、第１の発光層の発光色と第２の発光層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光デバイス全体として白色発光する発光デバイスを得ることができる。また、発光層を３つ以上有する発光デバイスの場合も同様である。
　発光層には、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｙ（黄）、Ｏ（橙）等の発光を示す発光物質を２以上含むことが好ましい。または、発光物質を２以上有し、それぞれの発光物質の発光は、Ｒ、Ｇ、Ｂのうち２以上の色のスペクトル成分を含むことが好ましい。
　ここで、発光デバイスの具体的な構成例について説明する。
　発光デバイスは少なくとも発光層を有する。また、発光デバイスは、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子ブロック材料、電子注入性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
　発光デバイスには低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。発光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
　例えば、発光デバイスは、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、正孔ブロック層、電子ブロック層、電子輸送層、及び電子注入層のうち１層以上を有する構成とすることができる。
　正孔注入層は、陽極から正孔輸送層に正孔を注入する層であり、正孔注入性の高い材料を含む層である。正孔注入性の高い材料としては、芳香族アミン化合物、及び、正孔輸送性材料とアクセプター性材料（電子受容性材料）とを含む複合材料などが挙げられる。
　正孔輸送層は、正孔注入層によって、陽極から注入された正孔を発光層に輸送する層である。正孔輸送層は、正孔輸送性材料を含む層である。正孔輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が好ましい。なお、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。正孔輸送性材料としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体など）、芳香族アミン（芳香族アミン骨格を有する化合物）等の正孔輸送性の高い材料が好ましい。
　電子輸送層は、電子注入層によって、陰極から注入された電子を発光層に輸送する層である。電子輸送層は、電子輸送性材料を含む層である。電子輸送性材料としては、１×１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が好ましい。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものも用いることができる。電子輸送性材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体等の他、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン配位子を有するキノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、その他含窒素複素芳香族化合物を含むπ電子不足型複素芳香族化合物等の電子輸送性の高い材料を用いることができる。
　電子注入層は、陰極から電子輸送層に電子を注入する層であり、電子注入性の高い材料を含む層である。電子注入性の高い材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。電子注入性の高い材料としては、電子輸送性材料とドナー性材料（電子供与性材料）とを含む複合材料を用いることもできる。
　電子注入層としては、例えば、リチウム、セシウム、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、８−（キノリノラト）リチウム（略称：Ｌｉｑ）、２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰ）、２−（２−ピリジル）−３−ピリジノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰｙ）、４−フェニル−２−（２−ピリジル）フェノラトリチウム（略称：ＬｉＰＰＰ）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）、炭酸セシウム等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはこれらの化合物を用いることができる。
　または、上述の電子注入層としては、電子輸送性を有する材料を用いてもよい。例えば、非共有電子対を備え、電子不足型複素芳香環を有する化合物を、電子輸送性を有する材料に用いることができる。具体的には、ピリジン環、ジアジン環（ピリミジン環、ピラジン環、ピリダジン環）、トリアジン環の少なくとも一つを有する化合物を用いることができる。
　なお、非共有電子対を備える有機化合物の最低空軌道（ＬＵＭＯ：Ｌｏｗｅｓｔ　Ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）が、−３．６ｅＶ以上−２．３ｅＶ以下であると好ましい。また、一般にＣＶ（サイクリックボルタンメトリ）、光電子分光法、光吸収分光法、逆光電子分光法等により、有機化合物の最高被占有軌道（ＨＯＭＯ：ｈｉｇｈｅｓｔ　ｏｃｃｕｐｉｅｄ　Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　Ｏｒｂｉｔａｌ）準位及びＬＵＭＯ準位を見積もることができる。
　例えば、４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、２，９−ビス（ナフタレン−２−イル）−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（略称：ＮＢＰｈｅｎ）、ジキノキサリノ［２，３−ａ：２’，３’−ｃ］フェナジン（略称：ＨＡＴＮＡ）、２，４，６−トリス［３’−（ピリジン−３−イル）ビフェニル−３−イル］−１，３，５−トリアジン（略称：ＴｍＰＰＰｙＴｚ）等を、非共有電子対を備える有機化合物に用いることができる。なお、ＮＢＰｈｅｎはＢＰｈｅｎと比較して、高いガラス転移温度（Ｔｇ）を備え、耐熱性に優れる。
　発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、１種または複数種の発光物質を有することができる。発光物質としては、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの発光色を呈する物質を適宜用いる。また、発光物質として、近赤外光を発する物質を用いることもできる。
　発光物質としては、蛍光材料、燐光材料、ＴＡＤＦ材料、量子ドット材料などが挙げられる。
　蛍光材料としては、例えば、ピレン誘導体、アントラセン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、カルバゾール誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、キノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、フェナントレン誘導体、ナフタレン誘導体などが挙げられる。
　燐光材料としては、例えば、４Ｈ−トリアゾール骨格、１Ｈ−トリアゾール骨格、イミダゾール骨格、ピリミジン骨格、ピラジン骨格、またはピリジン骨格を有する有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属錯体（特にイリジウム錯体）、白金錯体、希土類金属錯体等が挙げられる。
　発光層は、発光物質（ゲスト材料）に加えて、１種または複数種の有機化合物（ホスト材料、アシスト材料等）を有していてもよい。１種または複数種の有機化合物としては、正孔輸送性材料及び電子輸送性材料の一方または双方を用いることができる。また、１種または複数種の有機化合物として、バイポーラ性材料、またはＴＡＤＦ材料を用いてもよい。
　発光層は、例えば、燐光材料と、励起錯体を形成しやすい組み合わせである正孔輸送性材料及び電子輸送性材料と、を有することが好ましい。このような構成とすることにより、励起錯体から発光物質（燐光材料）へのエネルギー移動であるＥｘＴＥＴ（Ｅｘｃｉｐｌｅｘ−Ｔｒｉｐｌｅｔ　Ｅｎｅｒｇｙ　Ｔｒａｎｓｆｅｒ）を用いた発光を効率よく得ることができる。発光物質の最も低エネルギー側の吸収帯の波長と重なるような発光を呈する励起錯体を形成するような組み合わせを選択することで、エネルギー移動がスムーズとなり、効率よく発光を得ることができる。この構成により、発光デバイスの高効率、低電圧駆動、長寿命を同時に実現できる。
　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態５）
　本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置が、受光デバイス等を有する例について説明する。
　本実施の形態の表示装置において、画素は、互いに異なる色を発する発光デバイスを有する副画素を、複数種有する構成とすることができる。例えば、画素は、副画素を３種類有する構成とすることができる。当該３つの副画素としては、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色の副画素、黄色（Ｙ）、シアン（Ｃ）、及びマゼンタ（Ｍ）の３色の副画素などが挙げられる。または、画素は副画素を４種類有する構成とすることができる。当該４つの副画素としては、Ｒ、Ｇ、Ｂ、白色（Ｗ）の４色の副画素、Ｒ、Ｇ、Ｂ、Ｙの４色の副画素などが挙げられる。
　副画素の配列に特に限定はなく、様々な方法を適用することができる。副画素の配列としては、例えば、ストライプ配列、Ｓストライプ配列、マトリクス配列、デルタ配列、ベイヤー配列、ペンタイル配列などが挙げられる。
　また、副画素の上面形状としては、例えば、三角形、四角形（長方形、正方形を含む）、五角形などの多角形、これら多角形の角が丸い形状、楕円形、または円形などが挙げられる。ここで、副画素の上面形状は、発光デバイスの発光領域の上面形状に相当する。
　本発明の一態様の表示装置は、画素に、受光デバイスを有していてもよい。
　画素に、発光デバイス及び受光デバイスを有する表示装置では、画素が受光機能を有するため、画像を表示しながら、対象物の接触または近接を検出することができる。例えば、表示装置が有する副画素全てで画像を表示するだけでなく、一部の副画素は、光源としての光を呈し、残りの副画素で画像を表示することもできる。
　本発明の一態様の表示装置は、表示部に、発光デバイスがマトリクス状に配置されており、当該表示部で画像を表示することができる。また、当該表示部には、受光デバイスがマトリクス状に配置されており、表示部は、画像表示機能に加えて、撮像機能及びセンシング機能の一方または双方を有する。表示部は、イメージセンサまたはタッチセンサに用いることができる。つまり、表示部で光を検出することで、画像を撮像すること、または、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。さらに、本発明の一態様の表示装置は、発光デバイスをセンサの光源として利用することができる。したがって、表示装置と別に受光部及び光源を設けなくてもよく、電子機器の部品点数を削減することができる。
　本発明の一態様の表示装置では、表示部が有する発光デバイスが発した光を対象物が反射（または散乱）した際、受光デバイスがその反射光（または散乱光）を検出できるため、暗い場所でも、撮像またはタッチ検出が可能である。
　受光デバイスをイメージセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、画像を撮像することができる。例えば、本実施の形態の表示装置は、スキャナとして用いることができる。
　例えば、イメージセンサを用いて、指紋、掌紋などの生体情報に係るデータを取得することができる。つまり、表示装置に、生体認証用センサを内蔵させることができる。表示装置が生体認証用センサを内蔵することで、表示装置とは別に生体認証用センサを設ける場合に比べて、電子機器の部品点数を少なくでき、電子機器の小型化及び軽量化が可能である。
　また、受光デバイスをタッチセンサに用いる場合、表示装置は、受光デバイスを用いて、対象物の近接または接触を検出することができる。
　受光デバイスとしては、例えば、ｐｎ型またはｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。受光デバイスは、受光デバイスに入射する光を検出し電荷を発生させる光電変換デバイス（光電変換素子ともいう）として機能する。受光デバイスに入射する光量に基づき、受光デバイスから発生する電荷量が決まる。
　特に、受光デバイスとして、有機化合物を含む層を有する有機フォトダイオードを用いることが好ましい。有機フォトダイオードは、薄型化、軽量化、及び大面積化が容易であり、また、形状及びデザインの自由度が高いため、様々な表示装置に適用できる。
　本発明の一態様では、発光デバイスとして有機ＥＬデバイスを用い、受光デバイスとして有機フォトダイオードを用いる。有機ＥＬデバイス及び有機フォトダイオードは、同一基板上に形成することができる。したがって、有機ＥＬデバイスを用いた表示装置に有機フォトダイオードを内蔵することができる。
　図１８Ａ及び図１８Ｂに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、及び、副画素ＰＳを有する。
　図１８Ａに示す画素には、ストライプ配列が適用されている。図１８Ｂに示す画素には、マトリクス配列が適用されている。
　図１８Ｃ及び図１８Ｄに示す画素は、副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ、副画素ＰＳ、及び副画素ＩＲＳを有する。
　図１８Ｃ及び図１８Ｄでは、１つの画素が、２行３列にわたって設けられている例を示す。上の行（１行目）には、３つの副画素（副画素Ｇ、副画素Ｂ、副画素Ｒ）が設けられている。図１８Ｃでは、下の行（２行目）に、３つの副画素（１つの副画素ＰＳと、２つの副画素ＩＲＳ）が設けられている。一方、図１８Ｄでは、下の行（２行目）に、２つの副画素（１つの副画素ＰＳと、１つの副画素ＩＲＳ）が設けられている。なお、副画素のレイアウトは図１８Ａ乃至図１８Ｄの構成に限られない。
　副画素Ｒは、赤色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｇは、緑色の光を発する発光デバイスを有する。副画素Ｂは、青色の光を発する発光デバイスを有する。
　副画素ＰＳと副画素ＩＲＳは、それぞれ受光デバイスを有する。副画素ＰＳと副画素ＩＲＳが検出する光の波長は特に限定されない。
　副画素ＰＳの受光面積は、副画素ＩＲＳの受光面積よりも小さい。受光面積が小さいほど、撮像範囲が狭くなり、撮像結果のボケの抑制、及び、解像度の向上が可能となる。そのため、副画素ＰＳを用いることで、副画素ＩＲＳを用いる場合に比べて、高精細または高解像度の撮像を行うことができる。例えば、副画素ＰＳを用いて、指紋、掌紋、虹彩、脈形状（静脈形状、動脈形状を含む）、または顔などを用いた個人認証のための撮像を行うことができる。
　副画素ＰＳが有する受光デバイスは、可視光を検出することが好ましく、青色、紫色、青紫色、緑色、黄緑色、黄色、橙色、赤色などの色のうち一つまたは複数を検出することが好ましい。また、副画素ＰＳが有する受光デバイスは、赤外光を検出してもよい。
　また、副画素ＩＲＳは、タッチセンサ（ダイレクトタッチセンサともいう）またはニアタッチセンサ（ホバーセンサ、ホバータッチセンサ、非接触センサ、タッチレスセンサともいう）などに用いることができる。副画素ＩＲＳは、用途に応じて、検出する光の波長を適宜決定することができる。例えば、副画素ＩＲＳは、赤外光を検出することが好ましい。これにより、暗い場所でも、タッチ検出が可能となる。
　ここで、タッチセンサまたはニアタッチセンサは、対象物（指、手、またはペンなど）の近接もしくは接触を検出することができる。タッチセンサは、表示装置と、対象物とが、直接接することで、対象物を検出できる。また、ニアタッチセンサは、対象物が表示装置に接触しなくても、当該対象物を検出することができる。例えば、表示装置と、対象物との間の距離が０．１ｍｍ以上３００ｍｍ以下、好ましくは３ｍｍ以上５０ｍｍ以下の範囲で表示装置が当該対象物を検出できる構成であると好ましい。当該構成とすることで、表示装置に対象物が直接触れずに操作することが可能となる、別言すると非接触（タッチレス）で表示装置を操作することが可能となる。上記構成とすることで、表示装置に汚れ、または傷がつくリスクを低減することができる、または対象物が表示装置に付着した汚れ（例えば、ゴミ、またはウィルスなど）に直接触れずに、表示装置を操作することが可能となる。
　１つの画素に、２種類の受光デバイスを搭載することで、表示機能に加えて、２つの機能を追加することができ、表示装置の多機能化が可能となる。
　なお、高精細な撮像を行うため、副画素ＰＳは、表示装置が有する全ての画素に設けられていることが好ましい。一方で、タッチセンサまたはニアタッチセンサなどに用いる副画素ＩＲＳは、副画素ＰＳに比べて高い検出精度が求められないため、表示装置が有する一部の画素に設けられていればよい。表示装置が有する副画素ＩＲＳの数を、副画素ＰＳの数よりも少なくすることで、検出速度を高めることができる。
　ここで、副画素ＰＳ及び副画素ＩＲＳに用いることのできる受光デバイスの構成について説明する。
　受光デバイスは、一対の電極間に光電変換層として機能する活性層を少なくとも有する。本明細書等では、一対の電極の一方を画素電極と記し、他方を共通電極と記すことがある。
　受光デバイスが有する一対の電極のうち、一方の電極は陽極として機能し、他方の電極は陰極として機能する。以下では、画素電極が陽極として機能し、共通電極が陰極として機能する場合を例に挙げて説明する。つまり、受光デバイスは、画素電極と共通電極との間に逆バイアスをかけて駆動することで、受光デバイスに入射する光を検出し、電荷を発生させ、電流として取り出すことができる。
　受光デバイスについても、発光デバイスと同様の作製方法を適用することができる。受光デバイスが有する島状の活性層（光電変換層ともいう）は、メタルマスクのパターンによって形成されるのではなく、活性層となる膜を一面に成膜した後に加工することで形成されるため、島状の活性層を均一の厚さで形成することができる。また、活性層上に犠牲層を設けることで、表示装置の作製工程中に活性層が受けるダメージを低減し、受光デバイスの信頼性を高めることができる。
　ここで、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが異なる場合がある。本明細書中では、発光デバイスにおける機能に基づいて構成要素を呼称することがある。例えば、正孔注入層は、発光デバイスにおいて正孔注入層として機能し、受光デバイスにおいて正孔輸送層として機能する。同様に、電子注入層は、発光デバイスにおいて電子注入層として機能し、受光デバイスにおいて電子輸送層として機能する。また、受光デバイスと発光デバイスが共通で有する層は、発光デバイスにおける機能と受光デバイスにおける機能とが同一である場合もある。例えば、正孔輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、正孔輸送層として機能し、電子輸送層は、発光デバイス及び受光デバイスのいずれにおいても、電子輸送層として機能する。
　受光デバイスが有する活性層は、半導体を含む。当該半導体としては、シリコンなどの無機半導体、及び、有機化合物を含む有機半導体が挙げられる。本実施の形態では、活性層が有する半導体として、有機半導体を用いる例を示す。有機半導体を用いることで、発光層と、活性層と、を同じ方法（例えば、真空蒸着法）で形成することができ、製造装置を共通化できるため好ましい。
　活性層が有するｎ型半導体の材料としては、フラーレン（例えばＣ６０、Ｃ７０等）、フラーレン誘導体等の電子受容性の有機半導体材料が挙げられる。フラーレンは、サッカーボールのような形状を有し、当該形状はエネルギー的に安定である。フラーレンは、ＨＯＭＯ準位及びＬＵＭＯ準位の双方が深い（低い）。フラーレンは、ＬＵＭＯ準位が深いため、電子受容性（アクセプター性）が極めて高い。通常、ベンゼンのように、平面にπ電子共役（共鳴）が広がると、電子供与性（ドナー性）が高くなるが、フラーレンは球体形状であるため、π電子が大きく広がっているにも関わらず、電子受容性が高くなる。電子受容性が高いと、電荷分離を高速に効率よく起こすため、受光デバイスとして有益である。Ｃ６０、Ｃ７０ともに可視光領域に広い吸収帯を有しており、特にＣ７０はＣ６０に比べてπ電子共役系が大きく、長波長領域にも広い吸収帯を有するため好ましい。そのほか、フラーレン誘導体としては、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ７１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ７０ＢＭ）、［６，６］−Ｐｈｅｎｙｌ−Ｃ６１−ｂｕｔｙｒｉｃ　ａｃｉｄ　ｍｅｔｈｙｌ　ｅｓｔｅｒ（略称：ＰＣ６０ＢＭ）、１’，１’’，４’，４’’−Ｔｅｔｒａｈｙｄｒｏ−ｄｉ［１，４］ｍｅｔｈａｎｏｎａｐｈｔｈａｌｅｎｏ［１，２：２’，３’，５６，６０：２’’，３’’］［５，６］ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ−Ｃ６０（略称：ＩＣＢＡ）などが挙げられる。
　また、ｎ型半導体の材料としては、キノリン骨格を有する金属錯体、ベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール骨格を有する金属錯体、チアゾール骨格を有する金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、キノリン誘導体、ベンゾキノリン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体、ピリジン誘導体、ビピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、クマリン誘導体、ローダミン誘導体、トリアジン誘導体、キノン誘導体等が挙げられる。
　活性層が有するｐ型半導体の材料としては、銅（ＩＩ）フタロシアニン（Ｃｏｐｐｅｒ（ＩＩ）ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＣｕＰｃ）、テトラフェニルジベンゾペリフランテン（Ｔｅｔｒａｐｈｅｎｙｌｄｉｂｅｎｚｏｐｅｒｉｆｌａｎｔｈｅｎｅ；ＤＢＰ）、亜鉛フタロシアニン（Ｚｉｎｃ　Ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ；ＺｎＰｃ）、スズフタロシアニン（ＳｎＰｃ）、キナクリドン等の電子供与性の有機半導体材料が挙げられる。
　また、ｐ型半導体の材料としては、カルバゾール誘導体、チオフェン誘導体、フラン誘導体、芳香族アミン骨格を有する化合物等が挙げられる。さらに、ｐ型半導体の材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ピレン誘導体、トリフェニレン誘導体、フルオレン誘導体、ピロール誘導体、ベンゾフラン誘導体、ベンゾチオフェン誘導体、インドール誘導体、ジベンゾフラン誘導体、ジベンゾチオフェン誘導体、インドロカルバゾール誘導体、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリチオフェン誘導体等が挙げられる。
　電子供与性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＨＯＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。電子供与性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位は、電子受容性の有機半導体材料のＬＵＭＯ準位よりも浅い（高い）ことが好ましい。
　電子受容性の有機半導体材料として、球状のフラーレンを用い、電子供与性の有機半導体材料として、平面に近い形状の有機半導体材料を用いることが好ましい。似た形状の分子同士は集まりやすい傾向にあり、同種の分子が凝集すると、分子軌道のエネルギー準位が近いため、キャリア輸送性を高めることができる。
　例えば、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体と共蒸着して形成することが好ましい。または、活性層は、ｎ型半導体とｐ型半導体とを積層して形成してもよい。
　受光デバイスは、活性層以外の層として、正孔輸送性の高い物質、電子輸送性の高い物質、またはバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。また、上記に限られず、正孔注入性の高い物質、正孔ブロック材料、電子注入性の高い材料、電子ブロック材料などを含む層をさらに有していてもよい。
　受光デバイスには低分子化合物及び高分子化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。受光デバイスを構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
　例えば、正孔輸送性材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）などの高分子化合物、及び、モリブデン酸化物、ヨウ化銅（ＣｕＩ）などの無機化合物を用いることができる。また、電子輸送性材料として、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの無機化合物を用いることができる。
　また、活性層に、ドナーとして機能するＰｏｌｙ［［４，８−ｂｉｓ［５−（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−２−ｔｈｉｅｎｙｌ］ｂｅｎｚｏ［１，２−ｂ：４，５−ｂ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，６−ｄｉｙｌ］−２，５−ｔｈｉｏｐｈｅｎｅｄｉｙｌ［５，７−ｂｉｓ（２−ｅｔｈｙｌｈｅｘｙｌ）−４，８−ｄｉｏｘｏ−４Ｈ，８Ｈ−ｂｅｎｚｏ［１，２−ｃ：４，５−ｃ’］ｄｉｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−１，３−ｄｉｙｌ］］ｐｏｌｙｍｅｒ（略称：ＰＢＤＢ−Ｔ）、または、ＰＢＤＢ−Ｔ誘導体などの高分子化合物を用いることができる。例えば、ＰＢＤＢ−ＴまたはＰＢＤＢ−Ｔ誘導体にアクセプター材料を分散させる方法などが使用できる。
　また、活性層には３種類以上の材料を混合させてもよい。例えば、波長域を拡大する目的で、ｎ型半導体の材料と、ｐ型半導体の材料と、に加えて、第３の材料を混合してもよい。このとき、第３の材料は、低分子化合物でも高分子化合物でもよい。
　以上が、受光デバイスについての説明である。
　図１８Ｅに、受光デバイスを有する副画素の画素回路の一例を示し、図１８Ｆに、発光デバイスを有する副画素の画素回路の一例を示す。
　図１８Ｅに示す画素回路ＰＩＸ１は、受光デバイスＰＤ、トランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、トランジスタＭ１３、トランジスタＭ１４、及び容量素子Ｃ２を有する。ここでは、受光デバイスＰＤとして、フォトダイオードを用いた例を示している。
　受光デバイスＰＤは、カソードが配線Ｖ１と電気的に接続し、アノードがトランジスタＭ１１のソースまたはドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタＭ１１は、ゲートが配線ＴＸと電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が容量素子Ｃ２の一方の電極、トランジスタＭ１２のソースまたはドレインの一方、及びトランジスタＭ１３のゲートと電気的に接続する。トランジスタＭ１２は、ゲートが配線ＲＥＳと電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が配線Ｖ２と電気的に接続する。トランジスタＭ１３は、ソースまたはドレインの一方が配線Ｖ３と電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方がトランジスタＭ１４のソースまたはドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタＭ１４は、ゲートが配線ＳＥと電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が配線ＯＵＴ１と電気的に接続する。
　配線Ｖ１、配線Ｖ２、及び配線Ｖ３には、それぞれ定電位が供給される。受光デバイスＰＤを逆バイアスで駆動させる場合には、配線Ｖ２に、配線Ｖ１の電位よりも低い電位を供給する。トランジスタＭ１２は、配線ＲＥＳに供給される信号により制御され、トランジスタＭ１３のゲートに接続するノードの電位を、配線Ｖ２に供給される電位にリセットする機能を有する。トランジスタＭ１１は、配線ＴＸに供給される信号により制御され、受光デバイスＰＤに流れる電流に応じて上記ノードの電位が変化するタイミングを制御する機能を有する。トランジスタＭ１３は、上記ノードの電位に応じた出力を行う増幅トランジスタとして機能する。トランジスタＭ１４は、配線ＳＥに供給される信号により制御され、上記ノードの電位に応じた出力を配線ＯＵＴ１に接続する外部回路で読み出すための選択トランジスタとして機能する。
　図１８Ｆに示す画素回路ＰＩＸ２は、発光デバイスＥＬ、トランジスタＭ１５、トランジスタＭ１６、トランジスタＭ１７、及び容量素子Ｃ３を有する。ここでは、発光デバイスＥＬとして、発光ダイオードを用いた例を示している。特に、発光デバイスＥＬとして、有機ＥＬ素子を用いることが好ましい。
　トランジスタＭ１５は、ゲートが配線ＶＧと電気的に接続し、ソースまたはドレインの一方が配線ＶＳと電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が、容量素子Ｃ３の一方の電極、及びトランジスタＭ１６のゲートと電気的に接続する。トランジスタＭ１６のソースまたはドレインの一方は配線Ｖ４と電気的に接続し、他方は、発光デバイスＥＬのアノード、及びトランジスタＭ１７のソースまたはドレインの一方と電気的に接続する。トランジスタＭ１７は、ゲートが配線ＭＳと電気的に接続し、ソースまたはドレインの他方が配線ＯＵＴ２と電気的に接続する。発光デバイスＥＬのカソードは、配線Ｖ５と電気的に接続する。
　配線Ｖ４及び配線Ｖ５には、それぞれ定電位が供給される。発光デバイスＥＬのアノード側を高電位に、カソード側をアノード側よりも低電位にすることができる。トランジスタＭ１５は、配線ＶＧに供給される信号により制御され、画素回路ＰＩＸ２の選択状態を制御するための選択トランジスタとして機能する。また、トランジスタＭ１６は、ゲートに供給される電位に応じて発光デバイスＥＬに流れる電流を制御する駆動トランジスタとして機能する。トランジスタＭ１５が導通状態のとき、配線ＶＳに供給される電位がトランジスタＭ１６のゲートに供給され、その電位に応じて発光デバイスＥＬの発光輝度を制御することができる。トランジスタＭ１７は配線ＭＳに供給される信号により制御され、トランジスタＭ１６と発光デバイスＥＬとの間の電位を、配線ＯＵＴ２を介して外部に出力する機能を有する。
　なお、本実施の形態の表示パネルでは、発光素子をパルス状に発光させることで、画像を表示してもよい。発光素子の駆動時間を短縮することで、表示パネルの消費電力の低減、及び、発熱の抑制を図ることができる。特に、有機ＥＬ素子は周波数特性が優れているため、好適である。周波数は、例えば、１ｋＨｚ以上１００ＭＨｚ以下とすることができる。
　ここで、画素回路ＰＩＸ１が有するトランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、トランジスタＭ１３、及びトランジスタＭ１４、並びに、画素回路ＰＩＸ２が有するトランジスタＭ１５、トランジスタＭ１６、及びトランジスタＭ１７には、それぞれチャネルが形成される半導体層に金属酸化物（酸化物半導体）を用いたトランジスタを適用することが好ましい。
　シリコンよりもバンドギャップが広く、かつキャリア密度の小さい金属酸化物を用いたトランジスタは、極めて小さいオフ電流を実現することができる。そのため、その小さいオフ電流により、トランジスタと直列に接続された容量素子に蓄積した電荷を長期間に亘って保持することが可能である。そのため、特に容量素子Ｃ２または容量素子Ｃ３に直列に接続されるトランジスタＭ１１、トランジスタＭ１２、及びトランジスタＭ１５には、酸化物半導体が適用されたトランジスタを用いることが好ましい。また、これ以外のトランジスタも同様に酸化物半導体を適用したトランジスタを用いることで、作製コストを低減することができる。
　また、トランジスタＭ１１乃至トランジスタＭ１７に、チャネルが形成される半導体にシリコンを適用したトランジスタを用いることもできる。特に単結晶シリコンまたは多結晶シリコンなどの結晶性の高いシリコンを用いることで、高い電界効果移動度を実現することができ、より高速な動作が可能となるため好ましい。
　また、トランジスタＭ１１乃至トランジスタＭ１７のうち、一以上に酸化物半導体を適用したトランジスタを用い、それ以外にシリコンを適用したトランジスタを用いる構成としてもよい。
　なお、図１８Ｅ、図１８Ｆにおいて、トランジスタをｎチャネル型のトランジスタとして表記しているが、ｐチャネル型のトランジスタを用いることもできる。
　画素回路ＰＩＸ１が有するトランジスタと画素回路ＰＩＸ２が有するトランジスタは、同一基板上に並べて形成されることが好ましい。特に、画素回路ＰＩＸ１が有するトランジスタと画素回路ＰＩＸ２が有するトランジスタとを１つの領域内に混在させて周期的に配列する構成とすることが好ましい。
　また、受光デバイスＰＤまたは発光デバイスＥＬと重なる位置に、トランジスタ及び容量素子の一方又は双方を有する層を１つまたは複数設けることが好ましい。これにより、各画素回路の実効的な占有面積を小さくでき、高精細な受光部または表示部を実現できる。
　以上のように、本実施の形態の表示装置は、１つの画素に、２種類の受光デバイスを搭載することで、表示機能に加えて、２つの機能を追加することができ、表示装置の多機能化が可能となる。例えば、高精細な撮像機能と、タッチセンサまたはニアタッチセンサなどのセンシング機能と、を実現することができる。また、２種類の受光デバイスを搭載した画素と、別の構成の画素と、を組み合わせることで、表示装置の機能をさらに増やすことができる。例えば、赤外光を発する発光デバイス、または、各種センサデバイスなどを有する画素を用いることができる。
（実施の形態６）
　本実施の形態では、高精細な表示装置について説明する。
［表示パネルの構成例］
　ＶＲ向け、ＡＲ向けなどの装着型の電子機器では、視差を用いることで３Ｄ画像を提供することができる。その場合、右目用の画像を右目の視界内に、左目用の画像を左目の視界内に、それぞれ表示する必要がある。ここで、表示装置の表示部の形状として、横長の矩形形状としてもよいが、右目及び左目の視界の外側に設けられる画素は、表示に寄与しないため、当該画素には常に黒色が表示されることとなる。
　そこで、表示パネルの表示部として、右目用と左目用の２つの領域に分け、表示に寄与しない外側の領域には画素を配置しない構成とすることが好ましい。これにより、画素の書き込みに要する消費電力を低減できる。また、ソース線、ゲート線などの負荷が小さくなるため、フレームレートの高い表示が可能となる。これにより、滑らかな動画を表示できるため、現実感を高めることができる。
　図１９Ａには、表示パネルの構成例を示している。図１９Ａでは、基板７０１の内側に、左目用の表示部７０２Ｌと、右目用の表示部７０２Ｒが配置されている。なお、基板７０１上には、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒのほかに、駆動回路、配線、ＩＣ、ＦＰＣなどが配置されていてもよい。
　図１９Ａに示す表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒは、正方形の上面形状を有している。
　また、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒの上面形状は、他の正多角形であってもよい。図１９Ｂは、正六角形とした場合の例を示し、図１９Ｃは、正八角形とした場合の例を示し、図１９Ｄは、正十角形とした場合の例を示し、図１９Ｅは、正十二角形とした場合の例を示している。このように、角が偶数個である多角形を用いることで、表示部の形状を左右対称にすることができる。なお、正多角形ではない多角形を用いてもよい。また、角の丸い正多角形、または多角形を用いてもよい。
　なお、マトリクス状に配置された画素により表示部を構成するため、各表示部の輪郭の直線部分は、厳密には直線にはならず、階段状である部分が存在しうる。特に、画素の配列方向と平行でない直線部分では、階段状の上面形状となる。ただし、ユーザには画素の形状が視認されない状態で視聴されるため、表示部の斜めの輪郭が厳密には階段状であっても、直線とみなすことができる。同様に表示部の輪郭の曲線部分が厳密には階段状であったとしても、これを曲線とみなすことができる。
　また、図１９Ｆは、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒの上面形状を円とした場合の例を示している。
　また、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒの上面形状は、それぞれ左右非対称であってもよい。また、それぞれ正多角形でなくてもよい。
　図１９Ｇには、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒの上面形状を、それぞれ左右非対称な八角形とした場合の例を示している。また、図１９Ｈには、正七角形とした場合の例を示している。このように、表示部７０２Ｌ、表示部７０２Ｒの上面形状を、それぞれ左右非対称な形状とした場合でも、表示部７０２Ｌと表示部７０２Ｒとは、左右対称に配置することが好ましい。これにより、違和感のない画像を提供することができる。
　上記では、表示部を２つに分ける構成について説明したが、一続きの形状としてもよい。
　図１９Ｉは、図１９Ｆにおける２つの円形の表示部を繋げた例である。また、図１９Ｊは、図１９Ｃにおける２つの正八角形の表示部を繋げた例である。
　以上が、表示パネルの構成例についての説明である。
　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態７）
　本実施の形態では、上記の実施の形態で説明したＯＳトランジスタに用いることができる金属酸化物（酸化物半導体ともいう）について説明する。
　ＯＳトランジスタに用いる金属酸化物は、少なくともインジウムまたは亜鉛を有することが好ましく、インジウム及び亜鉛を有することがより好ましい。例えば、金属酸化物は、インジウムと、Ｍ（Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、スズ、シリコン、ホウ素、銅、バナジウム、ベリリウム、チタン、鉄、ニッケル、ゲルマニウム、ジルコニウム、モリブデン、ランタン、セリウム、ネオジム、ハフニウム、タンタル、タングステン、マグネシウム、及びコバルトから選ばれた一種または複数種）と、亜鉛と、を有することが好ましい。特に、Ｍは、ガリウム、アルミニウム、イットリウム、及びスズから選ばれた一種または複数種であることが好ましく、ガリウムがより好ましい。
　また、金属酸化物は、スパッタリング法、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などの化学気相成長（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、または、原子層堆積（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ　Ｌａｙｅｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などにより形成することができる。
　以降では、金属酸化物の一例として、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物について説明する。なお、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、及び亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物を、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物と呼ぶ場合がある。
＜結晶構造の分類＞
　酸化物半導体の結晶構造としては、アモルファス（ｃｏｍｐｌｅｔｅｌｙ　ａｍｏｒｐｈｏｕｓを含む）、ＣＡＡＣ（ｃ−ａｘｉｓ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ｎｃ（ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ）、ＣＡＣ（ｃｌｏｕｄ−ａｌｉｇｎｅｄ　ｃｏｍｐｏｓｉｔｅ）、単結晶（ｓｉｎｇｌｅ　ｃｒｙｓｔａｌ）、及び多結晶（ｐｏｌｙ　ｃｒｙｓｔａｌ）等が挙げられる。
　なお、膜または基板の結晶構造は、Ｘ線回折（ＸＲＤ：Ｘ−Ｒａｙ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）スペクトルを用いて評価することができる。例えば、ＧＩＸＤ（Ｇｒａｚｉｎｇ−Ｉｎｃｉｄｅｎｃｅ　ＸＲＤ）測定で得られるＸＲＤスペクトルを用いて評価することができる。なお、ＧＩＸＤ法は、薄膜法またはＳｅｅｍａｎｎ−Ｂｏｈｌｉｎ法ともいう。また、以下では、ＧＩＸＤ測定で得られるＸＲＤスペクトルを、単に、ＸＲＤスペクトルと記す場合がある。
　例えば、石英ガラス基板では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状がほぼ左右対称である。一方で、結晶構造を有するＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜では、ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称である。ＸＲＤスペクトルのピークの形状が左右非対称であることは、膜中または基板中の結晶の存在を明示している。別言すると、ＸＲＤスペクトルのピークの形状で左右対称でないと、膜または基板は非晶質状態であるとは言えない。
　また、膜または基板の結晶構造は、極微電子線回折法（ＮＢＥＤ：Ｎａｎｏ　Ｂｅａｍ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ）によって観察される回折パターン（極微電子線回折パターンともいう）にて評価することができる。例えば、石英ガラス基板の回折パターンでは、ハローが観察され、石英ガラスは、非晶質状態であることが確認できる。また、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜の回折パターンでは、ハローではなく、スポット状のパターンが観察される。このため、室温成膜したＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物膜は、単結晶または多結晶でもなく、非晶質状態でもない、中間状態であり、非晶質状態であると結論することはできないと推定される。
＜＜酸化物半導体の構造＞＞
　なお、酸化物半導体は、構造に着目した場合、上記とは異なる分類となる場合がある。例えば、酸化物半導体は、単結晶酸化物半導体と、それ以外の非単結晶酸化物半導体と、に分けられる。非単結晶酸化物半導体としては、例えば、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、及びｎｃ−ＯＳがある。また、非単結晶酸化物半導体には、多結晶酸化物半導体、擬似非晶質酸化物半導体（ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ：ａｍｏｒｐｈｏｕｓ−ｌｉｋｅ　ｏｘｉｄｅ　ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）、非晶質酸化物半導体、などが含まれる。
　ここで、上述のＣＡＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、及びａ−ｌｉｋｅ　ＯＳの詳細について、説明を行う。
［ＣＡＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、複数の結晶領域を有し、当該複数の結晶領域はｃ軸が特定の方向に配向している酸化物半導体である。なお、特定の方向とは、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の厚さ方向、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の被形成面の法線方向、またはＣＡＡＣ−ＯＳ膜の表面の法線方向である。また、結晶領域とは、原子配列に周期性を有する領域である。なお、原子配列を格子配列とみなすと、結晶領域とは、格子配列の揃った領域でもある。さらに、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ａ−ｂ面方向において複数の結晶領域が連結する領域を有し、当該領域は歪みを有する場合がある。なお、歪みとは、複数の結晶領域が連結する領域において、格子配列の揃った領域と、別の格子配列の揃った領域と、の間で格子配列の向きが変化している箇所を指す。つまり、ＣＡＡＣ−ＯＳは、ｃ軸配向し、ａ−ｂ面方向には明らかな配向をしていない酸化物半導体である。
　なお、上記複数の結晶領域のそれぞれは、１つまたは複数の微小な結晶（最大径が１０ｎｍ未満である結晶）で構成される。結晶領域が１つの微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の最大径は１０ｎｍ未満となる。また、結晶領域が多数の微小な結晶で構成されている場合、当該結晶領域の大きさは、数十ｎｍ程度となる場合がある。
　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物において、ＣＡＡＣ−ＯＳは、インジウム（Ｉｎ）、及び酸素を有する層（以下、Ｉｎ層）と、ガリウム（Ｇａ）、亜鉛（Ｚｎ）、及び酸素を有する層（以下、（Ｇａ，Ｚｎ）層）とが積層した、層状の結晶構造（層状構造ともいう）を有する傾向がある。なお、インジウムとガリウムは、互いに置換可能である。よって、（Ｇａ，Ｚｎ）層にはインジウムが含まれる場合がある。また、Ｉｎ層にはガリウムが含まれる場合がある。なお、Ｉｎ層には亜鉛が含まれる場合もある。当該層状構造は、例えば、高分解能ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）像において、格子像として観察される。
　ＣＡＡＣ−ＯＳ膜に対し、例えば、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、ｃ軸配向を示すピークが２θ＝３１°またはその近傍に検出される。なお、ｃ軸配向を示すピークの位置（２θの値）は、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成する金属元素の種類、組成などにより変動する場合がある。
　また、例えば、ＣＡＡＣ−ＯＳ膜の電子線回折パターンにおいて、複数の輝点（スポット）が観測される。なお、あるスポットと別のスポットとは、試料を透過した入射電子線のスポット（ダイレクトスポットともいう）を対称中心として、点対称の位置に観測される。
　上記特定の方向から結晶領域を観察した場合、当該結晶領域内の格子配列は、六方格子を基本とするが、単位格子は正六角形とは限らず、非正六角形である場合がある。また、上記歪みにおいて、五角形、七角形などの格子配列を有する場合がある。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳにおいて、歪み近傍においても、明確な結晶粒界（グレインバウンダリー）を確認することはできない。即ち、格子配列の歪みによって、結晶粒界の形成が抑制されていることがわかる。これは、ＣＡＡＣ−ＯＳが、ａ−ｂ面方向において酸素原子の配列が稠密でないこと、金属原子が置換することで原子間の結合距離が変化すること、などによって、歪みを許容することができるためと考えられる。
　なお、明確な結晶粒界が確認される結晶構造は、いわゆる多結晶（ｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌ）と呼ばれる。結晶粒界は、再結合中心となり、キャリアが捕獲されトランジスタのオン電流の低下、電界効果移動度の低下などを引き起こす可能性が高い。よって、明確な結晶粒界が確認されないＣＡＡＣ−ＯＳは、トランジスタの半導体層に好適な結晶構造を有する結晶性の酸化物の一つである。なお、ＣＡＡＣ−ＯＳを構成するには、Ｚｎを有する構成が好ましい。例えば、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、及びＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物は、Ｉｎ酸化物よりも結晶粒界の発生を抑制できるため好適である。
　ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶性が高く、明確な結晶粒界が確認されない酸化物半導体である。よって、ＣＡＡＣ−ＯＳは、結晶粒界に起因する電子移動度の低下が起こりにくいといえる。また、酸化物半導体の結晶性は不純物の混入、欠陥の生成などによって低下する場合があるため、ＣＡＡＣ−ＯＳは不純物及び欠陥（酸素欠損など）の少ない酸化物半導体ともいえる。従って、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は、物理的性質が安定する。そのため、ＣＡＡＣ−ＯＳを有する酸化物半導体は熱に強く、信頼性が高い。また、ＣＡＡＣ−ＯＳは、製造工程における高い温度（所謂サーマルバジェット）に対しても安定である。従って、ＯＳトランジスタにＣＡＡＣ−ＯＳを用いると、製造工程の自由度を広げることが可能となる。
［ｎｃ−ＯＳ］
　ｎｃ−ＯＳは、微小な領域（例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下の領域、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下の領域）において原子配列に周期性を有する。別言すると、ｎｃ−ＯＳは、微小な結晶を有する。なお、当該微小な結晶の大きさは、例えば、１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、特に１ｎｍ以上３ｎｍ以下であることから、当該微小な結晶をナノ結晶ともいう。また、ｎｃ−ＯＳは、異なるナノ結晶間で結晶方位に規則性が見られない。そのため、膜全体で配向性が見られない。従って、ｎｃ−ＯＳは、分析方法によっては、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、または非晶質酸化物半導体と区別が付かない場合がある。例えば、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ＸＲＤ装置を用いて構造解析を行うと、θ／２θスキャンを用いたＯｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅ　ＸＲＤ測定では、結晶性を示すピークが検出されない。また、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶よりも大きいプローブ径（例えば５０ｎｍ以上）の電子線を用いる電子線回折（制限視野電子線回折ともいう。）を行うと、ハローパターンのような回折パターンが観測される。一方、ｎｃ−ＯＳ膜に対し、ナノ結晶の大きさと近いかナノ結晶より小さいプローブ径（例えば１ｎｍ以上３０ｎｍ以下）の電子線を用いる電子線回折（ナノビーム電子線回折ともいう。）を行うと、ダイレクトスポットを中心とするリング状の領域内に複数のスポットが観測される電子線回折パターンが取得される場合がある。
［ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ］
　ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳと非晶質酸化物半導体との間の構造を有する酸化物半導体である。ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、鬆または低密度領域を有する。即ち、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、結晶性が低い。また、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳは、ｎｃ−ＯＳ及びＣＡＡＣ−ＯＳと比べて、膜中の水素濃度が高い。
＜＜酸化物半導体の構成＞＞
　次に、上述のＣＡＣ−ＯＳの詳細について、説明を行う。なお、ＣＡＣ−ＯＳは材料構成に関する。
［ＣＡＣ−ＯＳ］
　ＣＡＣ−ＯＳとは、例えば、金属酸化物を構成する元素が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで偏在した材料の一構成である。なお、以下では、金属酸化物において、一つまたは複数の金属元素が偏在し、該金属元素を有する領域が、０．５ｎｍ以上１０ｎｍ以下、好ましくは、１ｎｍ以上３ｎｍ以下、またはその近傍のサイズで混合した状態をモザイク状、またはパッチ状ともいう。
　さらに、ＣＡＣ−ＯＳとは、第１の領域と、第２の領域と、に材料が分離することでモザイク状となり、当該第１の領域が、膜中に分布した構成（以下、クラウド状ともいう。）である。つまり、ＣＡＣ−ＯＳは、当該第１の領域と、当該第２の領域とが、混合している構成を有する複合金属酸化物である。
　ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳを構成する金属元素に対するＩｎ、Ｇａ、及びＺｎの原子数比のそれぞれを、［Ｉｎ］、［Ｇａ］、及び［Ｚｎ］と表記する。例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳにおいて、第１の領域は、［Ｉｎ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｉｎ］よりも大きい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、ＣＡＣ−ＯＳ膜の組成における［Ｇａ］よりも大きい領域である。または、例えば、第１の領域は、［Ｉｎ］が、第２の領域における［Ｉｎ］よりも大きく、且つ、［Ｇａ］が、第２の領域における［Ｇａ］よりも小さい領域である。また、第２の領域は、［Ｇａ］が、第１の領域における［Ｇａ］よりも大きく、且つ、［Ｉｎ］が、第１の領域における［Ｉｎ］よりも小さい領域である。
　具体的には、上記第１の領域は、インジウム酸化物、インジウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。また、上記第２の領域は、ガリウム酸化物、ガリウム亜鉛酸化物などが主成分である領域である。つまり、上記第１の領域を、Ｉｎを主成分とする領域と言い換えることができる。また、上記第２の領域を、Ｇａを主成分とする領域と言い換えることができる。
　なお、上記第１の領域と、上記第２の領域とは、明確な境界が観察できない場合がある。
　また、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳとは、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ、及びＯを含む材料構成において、一部にＧａを主成分とする領域と、一部にＩｎを主成分とする領域とが、それぞれモザイク状であり、これらの領域がランダムに存在している構成をいう。よって、ＣＡＣ−ＯＳは、金属元素が不均一に分布した構造を有していると推測される。
　ＣＡＣ−ＯＳは、例えば基板を意図的に加熱しない条件で、スパッタリング法により形成することができる。また、ＣＡＣ−ＯＳをスパッタリング法で形成する場合、成膜ガスとして、不活性ガス（代表的にはアルゴン）、酸素ガス、及び窒素ガスの中から選ばれたいずれか一つまたは複数を用いればよい。また、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比は低いほど好ましい。例えば、成膜時の成膜ガスの総流量に対する酸素ガスの流量比を０％以上３０％未満、好ましくは０％以上１０％以下とする。
　また、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物におけるＣＡＣ−ＯＳでは、エネルギー分散型Ｘ線分光法（ＥＤＸ：Ｅｎｅｒｇｙ　Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ　Ｘ−ｒａｙ　ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）を用いて取得したＥＤＸマッピングにより、Ｉｎを主成分とする領域（第１の領域）と、Ｇａを主成分とする領域（第２の領域）とが、偏在し、混合している構造を有することが確認できる。
　ここで、第１の領域は、第２の領域と比較して、導電性が高い領域である。つまり、第１の領域を、キャリアが流れることにより、金属酸化物としての導電性が発現する。従って、第１の領域が、金属酸化物中にクラウド状に分布することで、高い電界効果移動度（μ）が実現できる。
　一方、第２の領域は、第１の領域と比較して、絶縁性が高い領域である。つまり、第２の領域が、金属酸化物中に分布することで、リーク電流を抑制することができる。
　従って、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いる場合、第１の領域に起因する導電性と、第２の領域に起因する絶縁性とが、相補的に作用することにより、スイッチングさせる機能（Ｏｎ／Ｏｆｆさせる機能）をＣＡＣ−ＯＳに付与することができる。つまり、ＣＡＣ−ＯＳとは、材料の一部では導電性の機能と、材料の一部では絶縁性の機能とを有し、材料の全体では半導体としての機能を有する。導電性の機能と絶縁性の機能とを分離させることで、双方の機能を最大限に高めることができる。よって、ＣＡＣ−ＯＳをトランジスタに用いることで、高いオン電流（Ｉｏｎ）、高い電界効果移動度（μ）、及び良好なスイッチング動作を実現することができる。
　また、ＣＡＣ−ＯＳを用いたトランジスタは、信頼性が高い。従って、ＣＡＣ−ＯＳは、表示装置をはじめとするさまざまな半導体装置に最適である。
　酸化物半導体は、多様な構造をとり、それぞれが異なる特性を有する。本発明の一態様の酸化物半導体は、非晶質酸化物半導体、多結晶酸化物半導体、ａ−ｌｉｋｅ　ＯＳ、ＣＡＣ−ＯＳ、ｎｃ−ＯＳ、ＣＡＡＣ−ＯＳのうち、二種以上を有していてもよい。
＜酸化物半導体を有するトランジスタ＞
　続いて、上記酸化物半導体をトランジスタに用いる場合について説明する。
　上記酸化物半導体をトランジスタに用いることで、高い電界効果移動度のトランジスタを実現することができる。また、信頼性の高いトランジスタを実現することができる。
　トランジスタには、キャリア濃度の低い酸化物半導体を用いることが好ましい。例えば、酸化物半導体のキャリア濃度は１×１０１７ｃｍ−３以下、好ましくは１×１０１５ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１３ｃｍ−３以下、より好ましくは１×１０１１ｃｍ−３以下、さらに好ましくは１×１０１０ｃｍ−３未満であり、１×１０−９ｃｍ−３以上である。なお、酸化物半導体膜のキャリア濃度を低くする場合においては、酸化物半導体膜中の不純物濃度を低くし、欠陥準位密度を低くすればよい。本明細書等において、不純物濃度が低く、欠陥準位密度の低いことを高純度真性または実質的に高純度真性と言う。なお、キャリア濃度の低い酸化物半導体を、高純度真性または実質的に高純度真性な酸化物半導体と呼ぶ場合がある。
　また、高純度真性または実質的に高純度真性である酸化物半導体膜は、欠陥準位密度が低いため、トラップ準位密度も低くなる場合がある。
　また、酸化物半導体のトラップ準位に捕獲された電荷は、消失するまでに要する時間が長く、あたかも固定電荷のように振る舞うことがある。そのため、トラップ準位密度の高い酸化物半導体にチャネル形成領域が形成されるトランジスタは、電気特性が不安定となる場合がある。
　従って、トランジスタの電気特性を安定にするためには、酸化物半導体中の不純物濃度を低減することが有効である。また、酸化物半導体中の不純物濃度を低減するためには、近接する膜中の不純物濃度も低減することが好ましい。不純物としては、水素、窒素、アルカリ金属、アルカリ土類金属、鉄、ニッケル、シリコン等がある。なお、酸化物半導体中の不純物とは、例えば、酸化物半導体を構成する主成分以外をいう。例えば、濃度が０．１原子％未満の元素は不純物と言える。
＜不純物＞
　ここで、酸化物半導体中における各不純物の影響について説明する。
　酸化物半導体において、第１４族元素の一つであるシリコンまたは炭素が含まれると、酸化物半導体において欠陥準位が形成される。このため、酸化物半導体におけるシリコンまたは炭素の濃度と、酸化物半導体との界面近傍のシリコンまたは炭素の濃度（二次イオン質量分析法（ＳＩＭＳ：Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ　Ｉｏｎ　Ｍａｓｓ　Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）により得られる濃度）を、２×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下とする。
　また、酸化物半導体にアルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれると、欠陥準位を形成し、キャリアを生成する場合がある。従って、アルカリ金属またはアルカリ土類金属が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中のアルカリ金属またはアルカリ土類金属の濃度を、１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、好ましくは２×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
　また、酸化物半導体において、窒素が含まれると、キャリアである電子が生じ、キャリア濃度が増加し、ｎ型化しやすい。この結果、窒素が含まれている酸化物半導体を半導体に用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。または、酸化物半導体において、窒素が含まれると、トラップ準位が形成される場合がある。この結果、トランジスタの電気特性が不安定となる場合がある。このため、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の窒素濃度を、５×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、より好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、さらに好ましくは５×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にする。
　また、酸化物半導体に含まれる水素は、金属原子と結合する酸素と反応して水になるため、酸素欠損を形成する場合がある。該酸素欠損に水素が入ることで、キャリアである電子が生成される場合がある。また、水素の一部が金属原子と結合する酸素と結合して、キャリアである電子を生成することがある。従って、水素が含まれている酸化物半導体を用いたトランジスタはノーマリーオン特性となりやすい。このため、酸化物半導体中の水素はできる限り低減されていることが好ましい。具体的には、ＳＩＭＳにより得られる酸化物半導体中の水素濃度を、１×１０２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、好ましくは１×１０１９ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、より好ましくは５×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満、さらに好ましくは１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３未満にする。
　不純物が十分に低減された酸化物半導体をトランジスタのチャネル形成領域に用いることで、安定した電気特性を付与することができる。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態８）
　本実施の形態では、本発明の一態様の電子機器について図１８乃至図２３を用いて説明する。
　本実施の形態の電子機器は、本発明の一態様の表示装置を有する。本発明の一態様の表示装置は、高精細化、高解像度化、大型化のそれぞれが容易である。したがって、本発明の一態様の表示装置は、様々な電子機器の表示部に用いることができる。
　また、本発明の一態様の表示装置は、低いコストで作製できるため、電子機器の製造コストを低減することができる。
　電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルサイネージ、パチンコ機などの大型ゲーム機などの比較的大きな画面を備える電子機器の他、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、などが挙げられる。
　特に、本発明の一態様の表示装置は、精細度を高めることが可能なため、比較的小さな表示部を有する電子機器に好適に用いることができる。このような電子機器としては、例えば腕時計型、ブレスレット型などの情報端末機（ウェアラブル機器）、並びに、ヘッドマウントディスプレイなどのＶＲ向け機器、メガネ型のＡＲ向け機器など、頭部に装着可能なウェアラブル機器等が挙げられる。また、ウェアラブル機器としては、ＳＲ（Ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｉｏｎａｌ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器、及び、ＭＲ（Ｍｉｘｅｄ　Ｒｅａｌｉｔｙ）向け機器も挙げられる。
　本発明の一態様の表示装置は、ＨＤ（画素数１２８０×７２０）、ＦＨＤ（画素数１９２０×１０８０）、ＷＱＨＤ（画素数２５６０×１４４０）、ＷＱＸＧＡ（画素数２５６０×１６００）、４Ｋ２Ｋ（画素数３８４０×２１６０）、８Ｋ４Ｋ（画素数７６８０×４３２０）といった極めて高い解像度を有していることが好ましい。特に４Ｋ２Ｋ、８Ｋ４Ｋ、又はそれ以上の解像度とすることが好ましい。また、本発明の一態様の表示装置における画素密度（精細度）は、３００ｐｐｉ以上が好ましく、５００ｐｐｉ以上がより好ましく、１０００ｐｐｉ以上がより好ましく、２０００ｐｐｉ以上がより好ましく、３０００ｐｐｉ以上がより好ましく、５０００ｐｐｉ以上がより好ましく、７０００ｐｐｉ以上がさらに好ましい。このように高い解像度または高い精細度を有する表示装置を用いることで、携帯型または家庭用途などのパーソナルユースの電子機器において、臨場感及び奥行き感などをより高めることが可能となる。
　本実施の形態の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。
　本実施の形態の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像及び情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを、非接触電力伝送に用いてもよい。
　本実施の形態の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）を有していてもよい。
　本実施の形態の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。
　図２０Ａに示す電子機器６５００は、スマートフォンとして用いることのできる携帯情報端末機である。
　電子機器６５００は、筐体６５０１、表示部６５０２、電源ボタン６５０３、ボタン６５０４、スピーカ６５０５、マイク６５０６、カメラ６５０７、及び光源６５０８等を有する。表示部６５０２はタッチパネル機能を備える。
　表示部６５０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図２０Ｂは、筐体６５０１のマイク６５０６側の端部を含む断面概略図である。
　筐体６５０１の表示面側には透光性を有する保護部材６５１０が設けられ、筐体６５０１と保護部材６５１０に囲まれた空間内に、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、タッチセンサパネル６５１３、プリント基板６５１７、バッテリ６５１８等が配置されている。
　保護部材６５１０には、表示パネル６５１１、光学部材６５１２、及びタッチセンサパネル６５１３が接着層（図示しない）により固定されている。
　表示部６５０２よりも外側の領域において、表示パネル６５１１の一部が折り返されており、当該折り返された部分にＦＰＣ６５１５が接続されている。ＦＰＣ６５１５には、ＩＣ６５１６が実装されている。ＦＰＣ６５１５は、プリント基板６５１７に設けられた端子に接続されている。
　表示パネル６５１１には本発明の一態様のフレキシブルディスプレイ（可撓性を有する表示装置）を適用することができる。そのため、極めて軽量な電子機器を実現できる。また、表示パネル６５１１が極めて薄いため、電子機器の厚さを抑えつつ、大容量のバッテリ６５１８を搭載することもできる。また、表示パネル６５１１の一部を折り返して、画素部の裏側にＦＰＣ６５１５との接続部を配置することにより、狭額縁の電子機器を実現できる。
　図２１Ａにテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図２１Ａに示すテレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチ、及び、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることでテレビジョン装置７１００を操作してもよい。リモコン操作機７１１１は、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７１１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。
　なお、テレビジョン装置７１００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
　図２１Ｂに、ノート型パーソナルコンピュータの一例を示す。ノート型パーソナルコンピュータ７２００は、筐体７２１１、キーボード７２１２、ポインティングデバイス７２１３、外部接続ポート７２１４等を有する。筐体７２１１に、表示部７０００が組み込まれている。
　表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図２１Ｃ及び図２１Ｄに、デジタルサイネージの一例を示す。
　図２１Ｃに示すデジタルサイネージ７３００は、筐体７３０１、表示部７０００、及びスピーカ７３０３等を有する。さらに、ＬＥＤランプ、操作キー（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子、各種センサ、マイクロフォン等を有することができる。
　図２１Ｄは円柱状の柱７４０１に取り付けられたデジタルサイネージ７４００である。デジタルサイネージ７４００は、柱７４０１の曲面に沿って設けられた表示部７０００を有する。
　図２１Ｃ及び図２１Ｄにおいて、表示部７０００に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　表示部７０００が広いほど、一度に提供できる情報量を増やすことができる。また、表示部７０００が広いほど、人の目につきやすく、例えば、広告の宣伝効果を高めることができる。
　表示部７０００にタッチパネルを適用することで、表示部７０００に画像または動画を表示するだけでなく、使用者が直感的に操作することができ、好ましい。また、路線情報もしくは交通情報などの情報を提供するための用途に用いる場合には、直感的な操作によりユーザビリティを高めることができる。
　また、図２１Ｃ及び図２１Ｄに示すように、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００は、ユーザが所持するスマートフォン等の情報端末機７３１１または情報端末機７４１１と無線通信により連携可能であることが好ましい。例えば、表示部７０００に表示される広告の情報を、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面に表示させることができる。また、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１を操作することで、表示部７０００の表示を切り替えることができる。
　また、デジタルサイネージ７３００またはデジタルサイネージ７４００に、情報端末機７３１１または情報端末機７４１１の画面を操作手段（コントローラ）としたゲームを実行させることもできる。これにより、不特定多数のユーザが同時にゲームに参加し、楽しむことができる。
　図２２Ａは、ファインダー８１００を取り付けた状態のカメラ８０００の外観を示す図である。
　カメラ８０００は、筐体８００１、表示部８００２、操作ボタン８００３、シャッターボタン８００４等を有する。またカメラ８０００には、着脱可能なレンズ８００６が取り付けられている。なお、カメラ８０００は、レンズ８００６と筐体８００１とが一体となっていてもよい。
　カメラ８０００は、シャッターボタン８００４を押す、またはタッチパネルとして機能する表示部８００２をタッチすることにより撮像することができる。
　筐体８００１は、電極を有するマウントを有し、ファインダー８１００のほか、ストロボ装置等を接続することができる。
　ファインダー８１００は、筐体８１０１、表示部８１０２、ボタン８１０３等を有する。
　筐体８１０１は、カメラ８０００のマウントと係合するマウントにより、カメラ８０００に取り付けられている。ファインダー８１００はカメラ８０００から受信した映像等を表示部８１０２に表示させることができる。
　ボタン８１０３は、電源ボタン等としての機能を有する。
　カメラ８０００の表示部８００２、及びファインダー８１００の表示部８１０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。なお、ファインダーが内蔵されたカメラ８０００であってもよい。
　図２２Ｂは、ヘッドマウントディスプレイ８２００の外観を示す図である。
　ヘッドマウントディスプレイ８２００は、装着部８２０１、レンズ８２０２、本体８２０３、表示部８２０４、ケーブル８２０５等を有している。また装着部８２０１には、バッテリ８２０６が内蔵されている。
　ケーブル８２０５は、バッテリ８２０６から本体８２０３に電力を供給する。本体８２０３は無線受信機等を備え、受信した映像情報を表示部８２０４に表示させることができる。また、本体８２０３はカメラを備え、使用者の眼球またはまぶたの動きの情報を入力手段として用いることができる。
　また、装着部８２０１には、使用者に触れる位置に、使用者の眼球の動きに伴って流れる電流を検知可能な複数の電極が設けられ、視線を認識する機能を有していてもよい。また、当該電極に流れる電流により、使用者の脈拍をモニタする機能を有していてもよい。また、装着部８２０１には、温度センサ、圧力センサ、加速度センサ等の各種センサを有していてもよく、使用者の生体情報を表示部８２０４に表示する機能、使用者の頭部の動きに合わせて表示部８２０４に表示する映像を変化させる機能などを有していてもよい。
　表示部８２０４に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図２２Ｃ乃至図２２Ｅは、ヘッドマウントディスプレイ８３００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８３００は、筐体８３０１と、表示部８３０２と、バンド状の固定具８３０４と、一対のレンズ８３０５と、を有する。
　使用者は、レンズ８３０５を通して、表示部８３０２の表示を視認することができる。なお、表示部８３０２を湾曲して配置させると、使用者が高い臨場感を感じることができるため好ましい。また、表示部８３０２の異なる領域に表示された別の画像を、レンズ８３０５を通して視認することで、視差を用いた３次元表示等を行うこともできる。なお、表示部８３０２を１つ設ける構成に限られず、表示部８３０２を２つ設け、使用者の片方の目につき１つの表示部を配置してもよい。
　表示部８３０２に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。本発明の一態様の表示装置は、極めて高い精細度を実現することも可能である。例えば、図２２Ｅのようにレンズ８３０５を用いて表示を拡大して視認される場合でも、使用者に画素が視認されにくい。つまり、表示部８３０２を用いて、使用者に現実感の高い映像を視認させることができる。
　図２２Ｆは、ゴーグル型のヘッドマウントディスプレイ８４００の外観を示す図である。ヘッドマウントディスプレイ８４００は、一対の筐体８４０１と、装着部８４０２と、緩衝部材８４０３と、を有する。一対の筐体８４０１内には、それぞれ、表示部８４０４及びレンズ８４０５が設けられる。一対の表示部８４０４に互いに異なる画像を表示させることで、視差を用いた３次元表示を行うことができる。
　使用者は、レンズ８４０５を通して表示部８４０４を視認することができる。レンズ８４０５はピント調整機構を有し、ピント調整機構は使用者の視力に応じてレンズ８４０５の位置を調整することができる。表示部８４０４は、正方形または横長の長方形であることが好ましい。これにより、臨場感を高めることができる。
　装着部８４０２は、使用者の顔のサイズに応じて調整でき、かつ、ずれ落ちることのないよう、可塑性及び弾性を有することが好ましい。また、装着部８４０２の一部は、骨伝導イヤフォンとして機能する振動機構を有していることが好ましい。これにより、別途イヤフォン、スピーカなどの音響機器を必要とせず、装着しただけで映像と音声を楽しむことができる。なお、筐体８４０１内に、無線通信により音声データを出力する機能を有していてもよい。
　装着部８４０２と緩衝部材８４０３は、使用者の顔（額、頬など）に接触する部分である。緩衝部材８４０３が使用者の顔と密着することにより、光漏れを防ぐことができ、より没入感を高めることができる。緩衝部材８４０３は、使用者がヘッドマウントディスプレイ８４００を装着した際に使用者の顔に密着するよう、柔らかな素材を用いることが好ましい。例えばゴム、シリコーンゴム、ウレタン、スポンジなどの素材を用いることができる。また、スポンジ等の表面を布、革（天然皮革または合成皮革）、などで覆ったものを用いると、使用者の顔と緩衝部材８４０３との間に隙間が生じにくく光漏れを好適に防ぐことができる。また、このような素材を用いると、肌触りが良いことに加え、寒い季節などに装着した際に、使用者に冷たさを感じさせないため好ましい。緩衝部材８４０３または装着部８４０２などの、使用者の肌に触れる部材は、取り外し可能な構成とすると、クリーニングまたは交換が容易となるため好ましい。
　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器は、筐体９０００、表示部９００１、スピーカ９００３、操作キー９００５（電源スイッチ、または操作スイッチを含む）、接続端子９００６、センサ９００７（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を検知、検出、または測定する機能を含むもの）、マイクロフォン９００８、等を有する。
　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器は、様々な機能を有する。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して処理する機能、等を有することができる。なお、電子機器の機能はこれらに限られず、様々な機能を有することができる。電子機器は、複数の表示部を有していてもよい。また、電子機器にカメラ等を設け、静止画または動画を撮影し、記録媒体（外部またはカメラに内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能、等を有していてもよい。
　表示部９００１に、本発明の一態様の表示装置を適用することができる。
　図２３Ａ乃至図２３Ｆに示す電子機器の詳細について、以下説明を行う。
　図２３Ａは、携帯情報端末９１０１を示す斜視図である。携帯情報端末９１０１は、例えばスマートフォンとして用いることができる。なお、携帯情報端末９１０１は、スピーカ９００３、接続端子９００６、センサ９００７等を設けてもよい。また、携帯情報端末９１０１は、文字及び画像情報をその複数の面に表示することができる。図２３Ａでは３つのアイコン９０５０を表示した例を示している。また、破線の矩形で示す情報９０５１を表示部９００１の他の面に表示することもできる。情報９０５１の一例としては、電子メール、ＳＮＳ、電話などの着信の通知、電子メール、ＳＮＳなどの題名、送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報９０５１が表示されている位置にはアイコン９０５０などを表示してもよい。
　図２３Ｂは、携帯情報端末９１０２を示す斜視図である。携帯情報端末９１０２は、表示部９００１の３面以上に情報を表示する機能を有する。ここでは、情報９０５２、情報９０５３、情報９０５４がそれぞれ異なる面に表示されている例を示す。例えば使用者は、洋服の胸ポケットに携帯情報端末９１０２を収納した状態で、携帯情報端末９１０２の上方から観察できる位置に表示された情報９０５３を確認することもできる。使用者は、携帯情報端末９１０２をポケットから取り出すことなく表示を確認し、例えば電話を受けるか否かを判断できる。
　図２３Ｃは、腕時計型の携帯情報端末９２００を示す斜視図である。携帯情報端末９２００は、例えばスマートウォッチ（登録商標）として用いることができる。また、表示部９００１はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。また、携帯情報端末９２００を、例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信させることによって、ハンズフリーで通話することもできる。また、携帯情報端末９２００は、接続端子９００６により、他の情報端末と相互にデータ伝送を行うこと、及び、充電を行うこともできる。なお、充電動作は無線給電により行ってもよい。
　図２３Ｄ乃至図２３Ｆは、折り畳み可能な携帯情報端末９２０１を示す斜視図である。また、図２３Ｄは携帯情報端末９２０１を展開した状態、図２３Ｆは折り畳んだ状態、図２３Ｅは図２３Ｄと図２３Ｆの一方から他方に変化する途中の状態の斜視図である。携帯情報端末９２０１は、折り畳んだ状態では可搬性に優れ、展開した状態では継ぎ目のない広い表示領域により表示の一覧性に優れる。携帯情報端末９２０１が有する表示部９００１は、ヒンジ９０５５によって連結された３つの筐体９０００に支持されている。例えば、表示部９００１は、曲率半径０．１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる。
　本実施の形態で例示した構成例、及びそれらに対応する図面等は、少なくともその一部を他の構成例、または図面等と適宜組み合わせることができる。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
（実施の形態９）
　本実施の形態では、ＯＬＥＤを用いた表示装置を備える電子機器の画面サイズと画素密度の関係、及び、当該表示装置に適用可能な技術について説明する。
　図２４は、製品の画面サイズと画素密度の関係を示す図である。横軸は画面サイズ（ｉｎｃｈ）であり、縦軸は画素密度（ｐｐｉ）である。図２４では、ＡＲ製品またはＶＲ製品などに用いられるμＯＬＥＤ、スマートフォン、時計型デバイス、ノートＰＣ、タブレット端末、車載向けディスプレイ、モニタ装置、テレビジョン装置（ＴＶ）などの製品について、代表的な画面サイズと画素密度の範囲を示している。概ね、画面サイズが小さいほど、高い精細度となることがわかる。
　また、図２４には、各製品に適用されうる技術を並べて示している。ここで、ＢＰはバックプレーンを示し、ＦＰはフロントプレーンを示す。
　フロントプレーンに関して、ＯＬＥＤのフルカラー化の技術としては、大きく分けてファインメタルマスクを用いた塗分け技術（ＦＭＭ＋ＳＢＳ）、インクジェットなどの印刷法による塗分け技術（印刷＋ＳＢＳ）、白色ＯＬＥＤとカラーフィルタを組み合わせた技術（Ｗ＋ＣＦ）、青色ＯＬＥＤと量子ドットを組み合わせた技術（Ｂ＋Ｑｄ）などがある。
　また、ＯＬＥＤの種類としては、複数の発光ユニットを積層するタンデム構造（ｔａｎｄｅｍ）と、発光ユニットを積層しないシングル構造（ｓｉｎｇｌｅ）とがある。
　バックプレーンの作製技術としては、Ｓｉ基板を用いたＬＳＩ技術、ＬＴＰＳ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙ　Ｓｉｌｉｃｏｎ）技術、ＬＴＰＯ（Ｌｏｗ　Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ　Ｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎ　ａｎｄ　Ｏｘｉｄｅ）技術、ＯＳ（Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）技術などがある。
　ここで、ファインメタルマスクを用いずに、フォトリソグラフィによりＯＬＥＤの作り分けを行う技術をＭＭＬ（Ｍｅｔａｌ　Ｍａｓｋ　Ｌｅｓｓ）技術と呼ぶ。ＭＭＬ技術は、上述したフルカラー化の技術と比較して、高開口率、高効率、高輝度、高い表示品位、高コントラスト、高信頼性を実現することのできる技術である。ＭＭＬ技術は、図２４に示す全ての画面サイズ及び精細度の表示装置に適用することができる。特に、画面サイズが１インチ前後で、精細度が１０００ｐｐｉを超えるようなマイクロディスプレイに好適に用いることができる。
　また、ファインメタルマスクと、フォトリソグラフィとを組み合わせて用いる技術をＨＭＭＬ（Ｈｙｂｒｉｄ　ＭＭＬ）と呼ぶ。ＨＭＭＬ技術は、従来のＦＭＭ＋ＳＢＳによるフルカラー技術に置き換わることができ、これよりも高開口率化、高信頼性、高い表示品位、高コントラストを実現することができる技術である。
　本実施の形態は、少なくともその一部を本明細書中に記載する他の実施の形態と適宜組み合わせて実施することができる。
１００：表示装置、１０１：基板、１０３：画素、１０５：絶縁層、１１０Ｂ：発光素子、１１０Ｇ：発光素子、１１０Ｒ：発光素子、１１０：発光素子、１１１Ｂ：画素電極、１１１Ｃ：接続電極、１１１Ｇ：画素電極、１１１Ｒ：画素電極、１１１：画素電極、１１２Ｂ：有機層、１１２Ｇ：有機層、１１２Ｒ：有機層、１１２：有機層、１１３：共通電極、１１４：有機層、１１５：有機層、１１６：有機層、１１７：電荷発生層、１１８：有機層、１１９：有機層、１２０：スリット、１２１：保護層、１２５ａ：画素、１２５ｂ：画素、１２５ｆ：絶縁膜、１２５：絶縁層、１２６：樹脂層、１３０：接続部、１３１：絶縁層、１３２：絶縁層、１３５Ｂ：層、１３５Ｇ：層、１３５Ｒ：層、１４３：レジストマスク、１４４：犠牲膜、１４５：犠牲層、１４６：犠牲膜、１４７：犠牲層、１５１Ｂ：ＦＭＭ、１５１Ｇ：ＦＭＭ、１５１Ｒ：ＦＭＭ、１６１：導電層、１６２：導電層、１６３：樹脂層

Claims (10)

  1. 　第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
    　前記第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の発光層、及び共通電極がこの順で積層され、
    　前記第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の発光層、及び前記共通電極がこの順で積層され、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域に、第１の層、及び第２の層を有し、
    　前記第１の層は、前記第２の発光層と重畳し、且つ、前記第１の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第２の層は、前記第１の発光層と重畳し、且つ、前記第２の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第１の発光層の端部と、前記第１の層の端部とが対向して設けられ、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第２の発光層の端部と、前記第２の層の端部とが対向して設けられる、
    　表示装置。
  2. 　第１の発光素子と、第２の発光素子と、を有し、
    　前記第１の発光素子は、第１の画素電極、第１の発光層、第１の中間層、第３の発光層、及び共通電極がこの順で積層され、
    　前記第２の発光素子は、第２の画素電極、第２の発光層、第２の中間層、第４の発光層、及び前記共通電極がこの順で積層され、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間に、第１の層、第２の層、第３の層、及び第４の層を有し、
    　前記第１の層は、前記第２の発光層、前記第２の中間層、及び前記第４の発光層と重畳し、且つ、前記第１の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第２の層は、前記第１の発光層、前記第１の中間層、及び前記第３の発光層と重畳し、且つ、前記第２の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第３の層は、前記第１の層と重畳し、且つ、前記第３の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第４の層は、前記第２の層と重畳し、且つ、前記第４の発光層と同一の材料を含み、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第１の発光層の端部と、前記第１の層の端部とが対向して設けられ、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第２の発光層の端部と、前記第２の層の端部とが対向して設けられ、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第３の発光層の端部と、前記第３の層の端部とが対向して設けられ、
    　前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域において、前記第４の発光層の端部と、前記第４の層の端部とが対向して設けられる、
    　表示装置。
  3. 　請求項２において、
    　前記第１の発光層と、前記第３の発光層とは、同一の材料を含み、
    　前記第２の発光層と、前記第４の発光層とは、同一の材料を含む、
    　表示装置。
  4. 　請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
    　樹脂層を有し、
    　前記樹脂層は、前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域に位置し、
    　前記第１の発光層の端部と、前記第１の層の端部とは、前記樹脂層を挟んで対向し、
    　前記第２の発光層の端部と、前記第２の層の端部とは、前記樹脂層を挟んで対向する、
    　表示装置。
  5. 　請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
    　第１の絶縁層を有し、
    　前記第１の絶縁層は、前記第１の発光素子と、前記第２の発光素子との間の領域に位置し、
    　前記第１の絶縁層は、前記第１の発光層の端部、前記第２の発光層の端部、前記第１の層の端部、及び前記第２の層の端部に接する、
    　表示装置。
  6. 　第１の画素電極及び第２の画素電極を並べて形成する第１の工程と、
    　前記第１の画素電極上に、第１のメタルマスクを用いて島状の第１の発光層を形成する第２の工程と、
    　前記第２の画素電極上に、第２のメタルマスクを用いて島状の第２の発光層を、前記第１の発光層の端部と重畳するように形成する第３の工程と、
    　前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間の領域において、前記第１の発光層と前記第２の発光層とをそれぞれエッチングにより分断する第４の工程と、
    　前記第１の発光層及び前記第２の発光層を覆って、共通電極を形成する第５の工程と、を有する、
    　表示装置の作製方法。
  7. 　請求項６において、
    　前記第４の工程の後であって、前記第５の工程の前に、
    　前記エッチングによって形成されたスリット内に、樹脂層を形成する第６の工程を有する、
    　表示装置の作製方法。
  8. 　請求項７において、
    　前記樹脂層には、感光性の有機樹脂を用いる、
    　表示装置の作製方法。
  9. 　請求項７または請求項８において、
    　前記第４の工程の後であって、前記第６の工程の前に、
    　前記エッチングによって露出した前記第１の発光層の側面、前記第２の発光層の側面に接して、第１の絶縁層を形成する第７の工程を有する、
    　表示装置の作製方法。
  10. 　請求項９において、
    　前記第１の絶縁層には、原子層堆積法により形成した無機絶縁膜を用いる、
    　表示装置の作製方法。
PCT/IB2022/051908 2021-03-11 2022-03-04 表示装置、及び表示装置の作製方法 WO2022189916A1 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020237030327A KR20230156336A (ko) 2021-03-11 2022-03-04 표시 장치 및 표시 장치의 제작 방법
JP2023504877A JPWO2022189916A1 (ja) 2021-03-11 2022-03-04
CN202280019162.2A CN117083984A (zh) 2021-03-11 2022-03-04 显示装置以及显示装置的制造方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021-039663 2021-03-11
JP2021039663 2021-03-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022189916A1 true WO2022189916A1 (ja) 2022-09-15

Family

ID=83227466

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/IB2022/051908 WO2022189916A1 (ja) 2021-03-11 2022-03-04 表示装置、及び表示装置の作製方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2022189916A1 (ja)
KR (1) KR20230156336A (ja)
CN (1) CN117083984A (ja)
TW (1) TW202236665A (ja)
WO (1) WO2022189916A1 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190181368A1 (en) * 2017-11-03 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
US20200043983A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Lg Display Co., Ltd. Display device
US20200194705A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
US20200343322A1 (en) * 2018-05-31 2020-10-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode (oled) substrate and manufacturing method thereof, display device
US20210043705A1 (en) * 2019-08-07 2021-02-11 Lg Display Co., Ltd. Display Device and Method for Manufacturing the Same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109937443A (zh) 2016-11-10 2019-06-25 株式会社半导体能源研究所 显示装置及显示装置的驱动方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190181368A1 (en) * 2017-11-03 2019-06-13 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
US20200343322A1 (en) * 2018-05-31 2020-10-29 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode (oled) substrate and manufacturing method thereof, display device
US20200043983A1 (en) * 2018-07-31 2020-02-06 Lg Display Co., Ltd. Display device
US20200194705A1 (en) * 2018-12-13 2020-06-18 Lg Display Co., Ltd. Electroluminescent display device
US20210043705A1 (en) * 2019-08-07 2021-02-11 Lg Display Co., Ltd. Display Device and Method for Manufacturing the Same

Also Published As

Publication number Publication date
TW202236665A (zh) 2022-09-16
CN117083984A (zh) 2023-11-17
KR20230156336A (ko) 2023-11-14
JPWO2022189916A1 (ja) 2022-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022248984A1 (ja) 表示装置
WO2022189916A1 (ja) 表示装置、及び表示装置の作製方法
WO2022238808A1 (ja) 表示装置、及び表示装置の作製方法
WO2022224070A1 (ja) 表示装置、及び表示装置の作製方法
WO2022248971A1 (ja) 表示装置、及び表示装置の作製方法
WO2022248973A1 (ja) 表示装置
WO2022175789A1 (ja) 表示装置
US20240138223A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus
WO2022189883A1 (ja) 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
WO2023002280A1 (ja) 表示装置、表示装置の作製方法、表示モジュール、及び電子機器
WO2022172115A1 (ja) 表示装置
US20240099070A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus
US20240155880A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus
WO2022175774A1 (ja) 表示装置および表示装置の作製方法
US20240138204A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus
WO2022180468A1 (ja) 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
US20240164175A1 (en) Display apparatus and method for manufacturing display apparatus
WO2022238805A1 (ja) 半導体装置、表示装置、及び半導体装置の作製方法
WO2022185149A1 (ja) 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
US20240074224A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method of manufacturing display apparatus
WO2022162493A1 (ja) 表示装置、表示モジュール、電子機器、及び、表示装置の作製方法
US20240164168A1 (en) Display apparatus, display module, electronic device, and method for manufacturing display apparatus
WO2022162491A1 (ja) 表示装置
WO2022224085A1 (ja) 表示装置
WO2022214904A1 (ja) 表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 22766465

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2023504877

Country of ref document: JP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 202280019162.2

Country of ref document: CN

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 18549205

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 22766465

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1