CN110618550B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供一种显示面板及其制造方法。显示面板包括显示基板和与显示基板相对的阵列基板。显示基板包括：第一衬底基板；设置在第一衬底基板上的黑矩阵；设置在第一衬底基板上的电极走线；和设置在第一衬底基板上的第一电极。阵列基板包括第二衬底基板和设置在第二衬底基板上的第二电极。电极走线位于黑矩阵远离第一衬底基板的一侧，第一电极位于电极走线远离第一衬底基板的一侧，且第一电极与电极走线电连接，第一电极复用为公共电极和触控电极。第二电极为反射电极，包括层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，第三电极层比第一电极层更靠近显示基板，第一电极层的材料包括氧化铟锡，第二电极层的材料包括银，第三电极层的材料包括氧化铟锡。

Description

显示面板及其制造方法

技术领域

本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示面板及其制造方法。

背景技术

随着技术的发展，反射式液晶显示器受到越来越多的研究和开发。由于反射式液晶显示器不需要背光源，可以大幅降低功耗，延长续航时间，并且容易实现产品轻薄化，所以，它被广泛地应用于例如电子书、电子标签、智能零售、智能手表等的各个领域。

为了适应市场需求和提升产品竞争力，市面上的反射式液晶显示器开始集成触控功能。然而，目前的反射式液晶显示器通常使用外挂触控面板的方式来实现触控功能，外挂的触控面板不仅会增加反射式液晶显示器的整体厚度，还会降低屏幕的整体反射率，进而影响反射式液晶显示器的显示效果。

公开内容

为了解决上述问题的至少一个方面，本公开实施例提供一种显示面板及其制造方法。

在一个方面，提供一种显示面板，包括：

显示基板，所述显示基板包括：

第一衬底基板；

设置在所述第一衬底基板上的黑矩阵；

设置在所述第一衬底基板上的电极走线；和

设置在所述第一衬底基板上的第一电极，和

阵列基板，所述阵列基板与所述显示基板相对设置，所述阵列基板包括：

第二衬底基板；和

设置在所述第二衬底基板上的第二电极，

其中，所述电极走线位于所述黑矩阵远离所述第一衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述电极走线远离所述第一衬底基板的一侧，并且所述第一电极与所述电极走线电连接，所述第一电极复用为公共电极和触控电极，

所述第二电极为反射电极，包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，所述第三电极层比所述第一电极层更靠近所述显示基板，

所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银，所述第三电极层的材料包括氧化铟锡。

例如，所述电极走线在所述第一衬底基板上的正投影落入所述黑矩阵在所述第一衬底基板上的正投影内。

例如，所述电极走线包括依次层叠设置的第一走线层、第二走线层和第三走线层，所述第一走线层的材料包括钛，所述第二走线层的材料包括铝，所述第三走线层的材料包括钛。

例如，所述显示基板还包括设置在所述黑矩阵与所述电极走线之间的覆盖层。

例如，所述显示基板还包括第一绝缘层，所述第一绝缘层位于所述覆盖层与所述第一电极之间，所述电极走线位于贯穿所述第一绝缘层的开孔中。

例如，所述电极走线远离所述第一衬底基板的表面接触所述第一电极。

例如，所述显示基板还包括设置在所述第一衬底基板上的彩膜层，所述彩膜层位于所述黑矩阵包围形成的开口中。

例如，所述第一电极的材料包括透明导电材料。

例如，所述第三电极层的厚度为

例如，所述第一电极层的厚度为所述第二电极层的厚度为/>

在另一方面，还提供一种显示面板的制造方法，包括：

形成显示基板，所述形成显示面板包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板上形成黑矩阵；

在所述第一衬底基板上且在所述黑矩阵远离所述第一衬底基板的一侧形成电极走线；和

在所述第一衬底基板上且在所述电极走线远离所述第一衬底基板的一侧形成第一电极，

形成阵列基板，所述形成阵列基板包括：

提供第二衬底基板；和

在所述第二衬底基板上形成第二电极，和

对盒所述显示基板与所述阵列基板，

其中，所述第一电极与所述电极走线电连接，所述第一电极复用为公共电极和触控电极，

所述第二电极为反射电极，包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，所述第三电极层比所述第一电极层更靠近所述显示基板，

所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银，所述第三电极层的材料包括氧化铟锡。

在上述显示面板中，将触控电极和电极走线集成于显示基板中，简化了触控显示面板的结构，有利于实现触控显示面板的轻薄化。

附图说明

通过下文中参照附图对本公开所作的描述，本公开的其它目的和优点将显而易见，并可帮助对本公开有全面的理解。

图1是根据本公开实施例的显示基板的平面示意图；

图2是根据本公开实施例的显示基板沿图1中的线AA’截取的截面图；

图3是根据本公开实施例的显示基板的第一电极的叠层结构示意图；

图4是根据本公开实施例的阵列基板的平面示意图；

图5是根据本公开实施例的阵列基板包括的一个子像素单元的放大图；

图6是根据本公开实施例的阵列基板包括的一个子像素单元沿图5中的线BB’截取的截面图；

图7是根据本公开实施例的阵列基板的第二电极的叠层结构示意图；

图8是根据本公开实施例的显示面板的结构示意图；以及

图9是根据本公开实施例的显示基板的制造方法的流程图。

需要注意的是，为了清晰起见，在用于描述本公开的实施例的附图中，层、结构或区域的尺寸可能被放大或缩小，即这些附图并非按照实际的比例绘制。

具体实施方式

下面通过实施例，并结合附图，对本公开的技术方案作进一步具体的说明。在说明书中，相同或相似的附图标号指示相同或相似的部件。下述参照附图对本公开实施方式的说明旨在对本公开的总体技术构思进行解释，而不应当理解为对本公开的一种限制。

另外，在下面的详细描述中，为便于解释，阐述了许多具体的细节以提供对本披露实施例的全面理解。然而明显地，一个或多个实施例在没有这些具体细节的情况下也可以被实施。

应该理解的是，尽管在这里可使用术语第一、第二等来描述不同的元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件与另一个元件区分开来。例如，在不脱离示例实施例的范围的情况下，第一元件可以被命名为第二元件，类似地，第二元件可以被命名为第一元件。如在这里使用的术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。

应该理解的是，当元件或层被称作“形成在”另一元件或层“上”时，该元件或层可以直接地或间接地形成在另一元件或层上。也就是，例如，可以存在中间元件或中间层。相反，当元件或层被称作“直接形成在”另一元件或层“上”时，不存在中间元件或中间层。应当以类似的方式来解释其它用于描述元件或层之间的关系的词语(例如，“在...之间”与“直接在…之间”、“相邻的”与“直接相邻的”等)。

这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图限制示例实施例。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式。还将理解的是，当在此使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。

图1是根据本公开实施例的显示基板的平面示意图，为了简化附图，其中仅示意性示出了显示基板的一部分。图2是根据本公开实施例的显示基板沿图1中的线AA’截取的截面图。参照图1和图2，显示基板200可以包括衬底基板2；设置在衬底基板2上的黑矩阵22；和设置在衬底基板2上的彩膜层24。黑矩阵22包围形成多个开口(又称为像素区)23，彩膜层24设置在像素区23中。例如，每一个像素区23可以包括3个子像素区，所述3个子像素区可以分别为红色子像素区(如图1中的R所指示)、绿色子像素区(如图1中的G所指示)和蓝色子像素区(如图1中的B所指示)。

需要说明的是，在本实施例中，光线可以通过彩膜层24，从而实现彩色显示功能。相应地，所述显示基板可以为彩膜基板。然而，本公开的实施例不局限于此，在其他实施例中，例如，在实现黑白显示的实施例中，上述显示基板也可以不包括所述彩膜层。

继续参照图1和图2，彩膜基板200还可以包括：设置在衬底基板2上且覆盖黑矩阵22和彩膜层24的覆盖层25；设置在覆盖层25远离衬底基板2一侧的多条电极走线20；设置在覆盖层25远离衬底基板2一侧的第一绝缘层26；和设置在第一绝缘层26远离衬底基板2一侧的第一电极40。通过设置覆盖层25，可以使得电极走线形成在平坦的表面上，并且覆盖层与电极走线的结合力较强，有利于保证电极走线的连接可靠性。

如图1所示，每一条电极走线20可以沿第一方向延伸，例如，所述第一方向可以为图1中的竖直方向，或称之为像素阵列的列方向。

多条电极走线20可以与第一电极40电连接。例如，电极走线20可以位于贯穿第一绝缘层26的开孔261中。开孔261可以暴露出电极走线20，使得电极走线20靠近第一电极40的表面与第一电极40接触，从而实现二者之间的电连接。

例如，第一电极40可以包括多个电极块，每个电极块与触控芯片之间通过电极走线20进行信号运输。

可选地，第一电极40还作为公共电极使用。即，第一电极40可以复用为触控电极和公共电极。例如，第一电极40通过分时复用的方式被复用为公共电极和触控电极，具体地，可以在一帧时间内分时对第一电极施加触控扫描信号和显示扫描信号，以通过分时复用实现其触控功能和显示功能。所以，电极走线20又可以称为触控电极走线。

例如，第一电极40的电极块401可以采用例如氧化铟锡(即ITO)等的透明导电材料制备，以使得它具有透光性。

在本公开的实施例中，将触控电极和电极走线集成于例如彩膜基板的显示基板中，即实现了触控面板集成于显示基板中的in-cell结构，不需要设置单独的或外挂式的触控面板，简化了触控显示面板的结构，有利于实现触控显示面板的轻薄化。另外，由于不需要设置单独的或外挂式的触控面板，所以可以避免外挂式触控面板对显示基板出射光线的影响，有利于改善显示性能。

继续参照图1和图2，电极走线20在衬底基板2上的正投影落入黑矩阵22在衬底基板2上的正投影内。

需要说明的是，在图1和图2中，为了示出这种位置关系，将黑矩阵22示出为灰色的，应该理解，黑矩阵22通常由黑色遮光材料构成。

通过这样的设置，可以避免电极走线占用显示区的面积，从而避免降低像素区的开口率。

可选地，电极走线20可以包括层叠结构。例如，如图3所示，电极走线20可以包括依次层叠设置的第一走线层201、第二走线层202和第三走线层203。第一走线层201和第三走线层203中的每一个的材料可以包括金属钛(Ti)，第二走线层202的材料可以包括金属铝(A1)。即，电极走线20包括Ti/Al/Ti的叠层结构。这样，电极走线20包括金属铝，可以降低走线的电阻。同时，通过在第二走线层202两侧增加第一走线层201和第三走线层203，可以避免金属铝被氧化，以提高电极走线的稳定性。

例如，衬底基板2可以为刚性基板或柔性基板，诸如玻璃基板或塑料基板。

下面，将结合附图描述根据本公开实施例的与上述显示基板对盒设置的阵列基板。

图4是根据本公开实施例的阵列基板的平面示意图。如图4所示，阵列基板100可以包括：衬底基板1；设置在衬底基板1上的多条栅线21，每一条栅线21沿第二方向延伸；和设置在衬底基板1上的多条数据线41，每一条数据线41沿第一方向延伸。示例性地，所述第一方向可以垂直于第二方向，例如，所述第二方向为图4中的水平方向，所述第一方向为图4中的竖直方向。多条栅线21和多条数据线41分别交叉，以形成多个子像素单元31。如图4所示，多个子像素单元31阵列地布置在衬底基板1上。

图5是根据本公开实施例的阵列基板包括的一个子像素单元的放大图，图6是根据本公开实施例的阵列基板包括的一个子像素单元沿图5中的线BB’截取的截面图。参照图4、图5和图6，阵列基板100还可以包括：设置在衬底基板1上的薄膜晶体管10；设置在衬底基板1上且与薄膜晶体管10电连接的第二电极30。例如，第二电极30可以是像素电极。

例如，每个薄膜晶体管10可以包括半导体层12、栅绝缘层13、栅极14、源极15和漏极16。参照图5和图6，半导体层12设置在衬底基板1上，栅绝缘层13设置在半导体层12远离衬底基板1的一侧，栅极14设置在栅绝缘层13远离衬底基板1的一侧。阵列基板100还可以包括：设置在衬底基板1与半导体层12之间的缓冲层11；和设置在栅极14远离衬底基板1的一侧的第二绝缘层17。第一过孔171贯穿第二绝缘层17和栅绝缘层13两者，以暴露出半导体层12的一部分。第二过孔172也贯穿第二绝缘层17和栅绝缘层13两者，以暴露出半导体层12的一部分。用于形成源极的导电材料填充于第一过孔171中，以形成第一导电部151。用于形成漏极的导电材料填充于第二过孔172中，以形成第二导电部152。源极15通过第一导电部151与半导体层12电连接，漏极16通过第二导电部152与半导体层12电连接。

参照图5和图6，阵列基板100还可以包括设置在源极15和漏极16远离衬底基板1一侧的第三绝缘层18。第三过孔173贯穿第三绝缘层18，以暴露出漏极15的一部分。用于形成第二电极的导电材料填充于第三过孔173中，以形成第三导电部153。第二电极30通过第三导电部153与漏极15电连接。

例如，栅线21与薄膜晶体管的栅极14电连接。参照图5，栅线21的一部分可以构成薄膜晶体管的栅极14，栅极14在衬底基板1上的正投影落入半导体层12在衬底基板1上的正投影内，以有利于实现栅线与薄膜晶体管的栅极之间的电连接。

例如，数据线41与薄膜晶体管的源极15电连接。参照图5，数据线41的一部分可以构成薄膜晶体管的源极15，源极15在衬底基板1上的正投影落入半导体层12在衬底基板1上的正投影内，以有利于实现数据线与薄膜晶体管的源极之间的电连接。

需要说明的是，在上述实施例中，薄膜晶体管的源极与数据线电连接，漏极与第二电极电连接，但是，本公开实施例不局限于此。例如，在其他实施例中，薄膜晶体管的源极和漏极可以互换，薄膜晶体管的源极可以与第二电极电连接，漏极可以与数据线电连接。

在本公开的实施例中，第二电极30可以为用于反射光线的反射电极，即，它反射入射到所述第二电极30上的光线。

可选地，第二电极30可以具有叠层结构。例如，如图7所示，第二电极30可以包括依次层叠设置的第一电极层301、第二电极层302和第三电极层303。

在本公开的实施例中，第一电极层301和第三电极层303中的每一个的材料可以包括例如氧化铟锡(即ITO)等的透明导电材料，第二电极层302的材料可以包括金属银(Ag)。即，第二电极30包括ITO/Ag/ITO的叠层结构。

发明人经研究和大量实验发现，第二电极30具体的叠层结构和各个叠层的厚度对其反射率有较大影响。下面的表格1示出了根据本公开实施例的第二电极的反射率实验数据。

表格1根据本公开实施例的第二电极的反射率实验数据

需要说明的是，在上述表格1中，可见光指的是波长范围在380nm～780nm范围内的光；对每一组不同厚度的第二电极作多次(例如10次以上)反射率实验，将所述多次反射率实验测得的反射率数据进行算术平均，以得到表格1中的“平均值”。

结合图7和表格1可以得出，当上ITO层(即第三电极层303)的厚度为0时，即，第二电极30仅包括第一电极层301和第二电极层302(即形成Ag/ITO)时，第二电极30整体具有较高的反射率。但是，一段时间后，随着Ag层被氧化，第二电极30的反射率会逐渐降低。例如，氧化1个月后，反射率由99.46％降低至97.71％。应该理解，再过一段时间，随着Ag层被氧化，第二电极30的反射率会进一步降低。发明人经研究发现，在制造显示面板的过程中，通常会在Ag层上方涂覆PI，在该情况下，Ag层没有上ITO层的保护，PI会加剧Ag的氧化，从而降低了第二电极的反射率。

因此，在本公开的实施例中，第二电极30包括ITO/Ag/ITO这样的三叠层结构，以避免Ag被氧化对第二电极的反射率的不利影响。

继续结合图7和表格1可以得出，第三电极层303(即上ITO层)需要设置得尽量薄。如果将第三电极层303的厚度设置得较厚，会降低第二电极30的反射率。另外，发明人经实验发现，如果第三电极层303(即上ITO层)的厚度小于第三电极层303形成为完整的膜层的制造难度较大。在本公开的实施例中，第三电极层303(即上ITO层)的厚度设置为约在保证第二电极具有较高反射率的同时，还不会增加制造第二电极的难度。

在本公开的实施例中，第二电极层302(即Ag层)的厚度设置为约通过上述表格1可以得出，当第二电极层302(即Ag层)的厚度增加至/>时，第二电极的反射率反而会降低。通过将第二电极层302(即Ag层)的厚度设置为约/>可以获得较佳的反射率。

可选地，第一电极层301(即下ITO层)的厚度可以设置为约 发明人经实验发现，当ITO/Ag/ITO这样的三叠层结构具有/> 这样的厚度设计时，第二电极可以获得较佳的反射率。

需要说明的是，在上文的描述中，表述“厚度......约”中的“约”表示的意思是：在成膜工艺中，都存在工艺误差，只要形成的膜层的厚度在该工艺误差的范围内，都属于该“约”包括的厚度。

还需要说明的是，在本文中，除非另有特别说明，表述“厚度为”后面接一固定的数值包括：所述厚度精确为该固定的数值的情况，以及所述厚度在形成相应的膜层的工艺误差的范围内的情况，即，该表述与上面的表述“厚度......约”的意思一致。

例如，可以采用磁控溅射镀膜工艺来形成所述第二电极30。

在本公开的实施例中，第二电极30可以为面状电极，以增大第二电极的反射率。

例如，衬底基板1可以为刚性基板或柔性基板，诸如玻璃基板或塑料基板。

例如，半导体层12的材料可以包括氧化物半导体材料、多晶硅半导体材料(例如低温多晶硅)或非晶硅半导体材料。在本公开的一个实施例中，半导体层12的材料可以包括低温多晶硅。

可选地，返回参照图5和图6，阵列基板100还可以包括设置在半导体层12与衬底基板1之间的遮光层19。栅极14在衬底基板1上的正投影落入遮光层19在衬底基板1上的正投影内，相应地，薄膜晶体管的沟道区在衬底基板1上的正投影会落入遮光层19在衬底基板1上的正投影内。

图8是根据本公开实施例的显示面板的结构示意图。参照图8，所述显示面板可以包括：对盒设置的上述阵列基板100和上述显示基板200；以及设置在阵列基板100与显示基板200之间的隔垫物300和液晶层400。

例如，在阵列基板100靠近液晶层400的一侧，还可以设置有取向层50。例如，在显示基板200靠近液晶层400的一侧，也可以设置取向层。

例如，外部光线L1可以透射通过由诸如ITO制成的第一电极40而入射到第二电极30上，当外部光线L1入射至阵列基板100的第二电极30上时，大部分光线(例如95.78％)被第二电极30反射。当第一电极40用作公共电极时，第一电极40与第二电极30之间可以形成驱动电场，以驱动液晶层400中的液晶分子偏转，从而使光线从相应的像素射出，如图8中的光线L2所示。这样，根据本公开实施例的显示面板实现了反射型显示结构。当第一电极40用作触控电极时，它可以响应于电极走线20上的信号而实现触控功能。这样，可以实现触控功能。

发明人经研究发现，在反射型显示面板中，薄膜晶体管在开启状态下需要液晶层400中的液晶分子具有较大的预倾角，如果将第二电极30(即像素电极)和第一电极40(即公共电极)均设置在阵列基板100上，无法满足该较大的预倾角的需求。在本公开的实施例中，将第一电极40(即公共电极)设置在显示基板200上，并且第一电极40还复用为触控电极，不仅实现了in-cell触控结构，还能够满足上述较大的预倾角的需求。

例如，所述外部光线可以为外界环境光。这样，根据本公开实施例的显示面板不需要使用背光源，从而具有超低功耗的优点。

例如，在本公开的实施例中，射出的光线L2可以通过彩膜层24，从而实现反射型显示面板的彩色显示功能。

在根据本公开的实施例的显示面板中，将触控电极和电极走线集成于例如彩膜基板的显示基板中，阵列基板上设置有用于反射光线的反射电极，实现了in-cell结构和反射型显示结构的集成，从而简化了触控显示面板的结构，有利于实现触控显示面板的轻薄化。另外，由于不需要设置单独的或外挂式的触控面板，所以可以避免外挂式触控面板对显示面板出射光线的影响，有利于改善显示性能。

还应该理解，根据本公开实施例的显示面板应该具备上述显示基板和上述阵列基板的所有特征和优点，在此不再赘述。

图9是根据本公开实施例的显示面板的制造方法的流程图。结合参照图8和图9，所述显示面板的制造方法可以包括：形成显示基板；形成阵列基板；以及对盒所述显示基板与所述阵列基板。需要说明的是，根据本公开的一些实施例，下面的一些步骤可以单独执行或组合执行，以及可以并行执行或顺序执行，并不局限于下文描述的具体操作顺序。

具体地，所述形成显示基板可以以如下步骤执行。

在步骤S91中，提供衬底基板2。例如，衬底基板2可以为刚性基板或柔性基板，诸如玻璃基板或塑料基板。

在步骤S92中，在所述第一衬底基板2上形成黑矩阵22。可选地，在该步骤中，还可以在所述第一衬底基板2上形成彩膜层24。

在步骤S93中，在所述第一衬底基板2上且在所述黑矩阵22远离所述第一衬底基板2的一侧形成电极走线20。例如，可以依次沉积金属钛(Ti)、金属铝(Al)和金属钛(Ti)，然后通过构图工艺形成所述电极走线20，以使得所述电极走线20具有叠层结构。

在步骤S94中，在所述第一衬底基板2上且在所述电极走线20远离所述第一衬底基板2的一侧形成第一电极40。例如，可以采用例如氧化铟锡(即ITO)等的透明导电材料制备所述第一电极40。

在该实施例中，所述第一电极40与所述电极走线20电连接，所述第一电极40复用为公共电极和触控电极。

具体地，所述形成阵列基板可以以如下步骤执行。

在步骤S95中，提供衬底基板1。例如，衬底基板1可以为刚性基板或柔性基板，诸如玻璃基板或塑料基板。

在步骤S96中，在衬底基板1上形成用作反射电极的第二电极30。例如，第二电极30包括依次层叠设置的第一电极层301、第二电极层302和第三电极层303，所述第三电极层303比所述第一电极层301更靠近所述显示基板。所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银，所述第三电极层的材料包括氧化铟锡。

当然，所述形成阵列基板还可以包括在衬底基板1上形成薄膜晶体管的步骤，该步骤可以采用相关技术中已有的在衬底基板上形成薄膜晶体管的工艺，在此不再赘述。

应该理解，所述制造方法具备上述显示基板和上述阵列基板的所有特征和优点，在此不再赘述。

例如，根据本公开实施例的显示面板可以应用于例如电子书、电子标签、智能零售、智能手表等的各个领域。

虽然反映本公开的总体技术构思的一些实施例已被图示和说明，本领域普通技术人员应理解，在不背离本公开的总体技术构思的原则和精神的情况下，可对这些实施例做出改变，本公开的范围以权利要求和它们的等同物限定。

Claims (8)

1.一种反射型显示面板，包括：

显示基板，所述显示基板包括：

第一衬底基板；

设置在所述第一衬底基板上的黑矩阵；

设置在所述第一衬底基板上的电极走线；

设置在所述黑矩阵与所述电极走线之间的覆盖层；

设置在所述第一衬底基板上的第一电极；和

位于所述覆盖层与所述第一电极之间的第一绝缘层，所述电极走线位于贯穿所述第一绝缘层的开孔中；和

阵列基板，所述阵列基板与所述显示基板相对设置，所述阵列基板包括：

第二衬底基板；和

设置在所述第二衬底基板上的第二电极，

其中，所述电极走线位于所述黑矩阵远离所述第一衬底基板的一侧，所述第一电极位于所述电极走线远离所述第一衬底基板的一侧，并且所述第一电极与所述电极走线电连接，所述第一电极通过分时复用的方式被复用为公共电极和触控电极，

所述第二电极为反射电极，所述第二电极用作像素电极，所述第二电极包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，所述第三电极层比所述第一电极层更靠近所述显示基板，

所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银，所述第三电极层的材料包括氧化铟锡，

所述电极走线远离所述第一衬底基板的表面接触所述第一电极，所述电极走线靠近所述第一衬底基板的表面接触所述覆盖层。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述电极走线在所述第一衬底基板上的正投影落入所述黑矩阵在所述第一衬底基板上的正投影内。

3.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述电极走线包括依次层叠设置的第一走线层、第二走线层和第三走线层，所述第一走线层的材料包括钛，所述第二走线层的材料包括铝，所述第三走线层的材料包括钛。

4.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述显示基板还包括设置在所述第一衬底基板上的彩膜层，所述彩膜层位于所述黑矩阵包围形成的开口中。

5.根据权利要求1或2所述的显示面板，其中，所述第一电极的材料包括透明导电材料。

6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第三电极层的厚度为30 Å。

7.根据权利要求6所述的显示面板，其中，所述第一电极层的厚度为70 Å，所述第二电极层的厚度为1000 Å。

8.一种反射型显示面板的制造方法，包括：

形成显示基板，所述形成显示面板包括：

提供第一衬底基板；

在所述第一衬底基板上形成黑矩阵；

在所述第一衬底基板上且在所述黑矩阵远离所述第一衬底基板的一侧形成覆盖层；

在所述第一衬底基板上且在所述覆盖层远离所述第一衬底基板的一侧形成第一绝缘层；

在所述第一衬底基板上且在所述黑矩阵远离所述第一衬底基板的一侧形成电极走线；和

在所述第一衬底基板上且在所述电极走线远离所述第一衬底基板的一侧形成第一电极，

形成阵列基板，所述形成阵列基板包括：

提供第二衬底基板；和

在所述第二衬底基板上形成第二电极，和

对盒所述显示基板与所述阵列基板，

其中，所述第一电极与所述电极走线电连接，所述第一电极通过分时复用的方式被复用为公共电极和触控电极，

所述第二电极为反射电极，所述第二电极用作像素电极，所述第二电极包括依次层叠设置的第一电极层、第二电极层和第三电极层，所述第三电极层比所述第一电极层更靠近所述显示基板，

所述第一电极层的材料包括氧化铟锡，所述第二电极层的材料包括银，所述第三电极层的材料包括氧化铟锡，

所述电极走线位于贯穿所述第一绝缘层的开孔中；

所述电极走线远离所述第一衬底基板的表面接触所述第一电极，所述电极走线靠近所述第一衬底基板的表面接触所述覆盖层。