JP2004319143A - 有機ｅｌディスプレイおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】電極間の短絡の発生を防止でき、光の取り出し効率を改善したる有機ＥＬディスプレイとその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層したものであり、前記第１電極と平行および垂直に前記絶縁膜が形成され、前記第１の電極の支持基板側の面と第１の電極の側面のなす角が１度以上２０度未満であり、第１電極側の前記絶縁膜側の面と絶縁膜の側面のなす角が１度以上２０度未満であることを特徴とする。本発明は上記有機ＥＬディスプレイの製造方法も提供する。
【選択図】 図１
【解決手段】本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層したものであり、前記第１電極と平行および垂直に前記絶縁膜が形成され、前記第１の電極の支持基板側の面と第１の電極の側面のなす角が１度以上２０度未満であり、第１電極側の前記絶縁膜側の面と絶縁膜の側面のなす角が１度以上２０度未満であることを特徴とする。本発明は上記有機ＥＬディスプレイの製造方法も提供する。
【選択図】 図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（本明細書中で有機ＥＬとも称する。）ディスプレイおよびその製造方法に関する。特に本発明は、電極間の短絡の発生を防止でき、光の取り出し効率を改善したる有機ＥＬディスプレイとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機化合物材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機ＥＬディスプレイの１つに、パッシブマトリックス型（単純マトリックス型）ディスプレイがある。パッシブマトリックス型ディスプレイは、概略的には、透明基板上に形成された複数の第１電極と、第１電極に直交する複数の第２電極と、これらの電極間に挟持された有機ＥＬ層から構成される。有機ＥＬディスプレイは、この第１電極と第２電極の交差領域で発光し、この発光部を１単位として１画素を形成し、この画素が複数個配列することで表示部を形成している。
【０００３】
上記の第１電極および第２電極は、各々ストライプ状にパターンニングされ、各電極は縁部を有する。この縁部は、電極形状が急激に変化している部分であり、電界の集中が起こりやすい部分である。この電界の集中が起こる部分では、有機ＥＬ層が絶縁破壊を起こし、第１電極と第２電極の短絡（クロストーク）が起こる。この結果、短絡した第１電極または第２電極の部分の全ての画素が常時発光するなどの表示欠陥が発生する。
【０００４】
第１電極と第２電極間の短絡を防止する方法には、特許第２９１１５５２号公報（特許文献１）に開示されるものがある。この特許では、複数の互いに対向する一対の電極とこの電極間に配置された有機ＥＬ層からなる電界発光素子であって、この有機ＥＬ層および少なくとも一方の前記電極間に挟まれ且つ前記電極の縁部に沿って延在した絶縁層を備えたものを開示している。この絶縁層により一対の電極間の漏洩電流を遮断している。また、特開平９−３３０７９２号公報（特許文献２）には、第１電極、絶縁膜、スペーサ、オーバーハング体、有機ＥＬ層、第２電極および保護膜を備えた有機ＥＬ表示装置およびその製造方法が開示されており、前記絶縁膜の材料としてポリイミド、酸化ケイ素、窒化ケイ素を用いることも開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２９１１５５２号明細書
【０００６】
【特許文献２】
特開平９−３３０７９２号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平５−１３４１１２号公報
【０００８】
【特許文献４】
特開平７−２１８７１７号公報
【０００９】
【特許文献５】
特開平７−３０６３１１号公報
【００１０】
【特許文献６】
特開平５−１１９３０６号公報
【００１１】
【特許文献７】
特開平７−１０４１１４号公報
【００１２】
【特許文献８】
特開平７−４８４２４号公報
【００１３】
【特許文献９】
特開平６−３００９１０号公報
【００１４】
【特許文献１０】
特開平７−１２８５１９号公報
【００１５】
【特許文献１１】
特開平８−２７９３９４号公報
【００１６】
【特許文献１２】
特開平９−３３０７９３号公報
【００１７】
【特許文献１３】
特開平８−２７９３４号公報
【００１８】
【特許文献１４】
特開平５−３６４７５号公報
【００１９】
【特許文献１５】
特開平９−３３０７９３号公報
【００２０】
【非特許文献１】
月刊ディスプレイ１９９７年、３巻、７号
【００２１】
【非特許文献２】
公開技報２００１−６０８３
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
絶縁膜の材料としてポリイミド、ノボラック樹脂等の有機材料を使用することの利点は、十分な耐電圧を持つ膜厚で絶縁膜をフォトリソグラフ法などを用いて簡便に形成することができることにある。しかしこれらの材料は、吸湿性が高いために、有機発光層の変質をもたらす水分が含有される可能性が高く、有機発光層を形成する前に十分に水分を脱水する必要が生じる。
【００２３】
ディスプレイとして高い信頼性が求められる場合、例えば、車載用ディスプレイなどでは、有機ＥＬディスプレイは、高温・高湿下のような悪条件でも輝度の低下が小さいことが求められる。特に高温下での駆動では、有機材料からの水分の放出が温度上昇に伴って加速度的に増加し、有機ＥＬ層に拡散する。この水分の放出は、有機ＥＬ層の変質を招き、発光面積を低下させる要因となる。このような問題を解決する必要もある。
【００２４】
また、ポリイミドやノボラック樹脂のような有機材料は、可視光の領域に吸収を持つため、有機ＥＬ層からの発光のうち、これらの有機材料へ入射する光が、これらの有機材料により吸収され、外部へ放出されにくくなる。これは光の取り出し効率の低下の要因となる。
また、有機ＥＬディスプレイでは、有機材料以外の理由に基づく光の取り出し効率の低下を抑制することも必要である。
【００２５】
これらの要求を満たす有機ＥＬディスプレイは未だ提供されていない。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１は、有機ＥＬディスプレイに関する。本発明の有機ＥＬディスプレイは、パッシブマトリックス型ディスプレイであり、概略的には、透明基板上に形成された複数の第１電極と、第１電極に直交する複数の第２電極と、これらの電極間に挟持された有機ＥＬ層から構成される。有機ＥＬディスプレイは、この第１電極と第２電極の交差領域で発光し、この発光部を１単位として１画素を形成し、この画素が複数個配列することで表示部を形成している。なお、本発明では、第１電極および第２電極がそれぞれ１つである有機ＥＬ発光素子であってもよい。
【００２７】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイであり、前記第１電極と平行および垂直に前記絶縁膜が形成され、前記第１の電極の支持基板側の面と第１の電極の側面のなす角が１度以上２０度未満であり、前記絶縁膜の第１電極側の面と絶縁膜の側面のなす角が１度以上２０度未満であることを特徴とする。
【００２８】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記支持基板が、少なくともパターン化された色変換フィルタ層、平坦化層、およびパッシベーション層をさらに含むカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。
【００２９】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記第２電極側に少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を設けたことを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。
【００３０】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする。このような無機絶縁膜を使用することで、光の取り出し効率を上げることができる。
【００３１】
本発明の第２は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【００３２】
具体的には、本発明の製造方法は、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイの製造方法であり、該製造方法が、（１）支持基板を提供する工程と、（２）該支持基板上に第１電極を形成する工程と、（３）第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストをパターンニングし、絶縁膜を前記第１電極と平行および垂直に形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程と、（４）有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程とを含み、前記工程（３）において、リフトオフレジストは、リフトオフレジストの第１電極側の面とリフトオフレジストの側面のなす角が１２０度以上１６０度未満に形成されることを特徴とする。
【００３３】
本発明の製造方法は、前記工程（１）が、基板上に少なくともパターン化された色変換フィルタ層、平坦化層、およびパッシベーション層が形成された支持基板を提供する工程であることを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法を包含する。
【００３４】
本発明の製造方法は、上記工程（４）の後に、少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を形成する工程をさらに含むことを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法を包含する。
【００３５】
本発明の製造方法は、前記絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明では、絶縁膜材料としての有機材料からの水分の放出、これに基づく有機ＥＬ層の変質および発光面積の低下を抑制し、さらに、光の取り出し効率を改善する。
【００３７】
本発明では、絶縁膜材料に無機材料を用いる。無機材料を用いるには、以下の条件が求められる。
【００３８】
１）電界の集中が特に発生しやすい電極の縁部で、十分な耐電圧の膜厚を有する絶縁膜が形成できること。
２）ピンホールの発生を抑制し、耐電圧を確保すること。
３）絶縁膜端部で第２電極が断線しない程度の滑らかなテーパー形状を持つこと。
４）絶縁膜をパターンニングする際に、表示欠陥の原因となる第１電極の表面粗さを大きくせず、有機物残渣を発生させないこと。
５）有機ＥＬ層からの発光を効率よく反射すること。
【００３９】
本発明は、有機材料より吸湿性の低い無機材料を使用し、該無機材料を適切に選択すること、および、該絶縁膜を所定形状に形成することにより上記条件を満たした。
【００４０】
以下に本発明の有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法を説明する。以下の説明では、適宜図面を参照するが、図面に示される有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法は、例示であり、本発明はこれに限定されない。
【００４１】
まず、本発明の有機ＥＬディスプレイについて図１から図３を参照して説明する。図１は、本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態の構成を示す概略断面図である。図２は、本発明の有機ＥＬディスプレイの第２の実施形態の構成を示す概略断面図である。また、図３は、支持基板、第１電極および絶縁膜の部分を取り出して記載した場合の、本発明の有機ＥＬディスプレイの部分上面図である。
【００４２】
本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態は、図１（ａ）に示される、いわゆるボトムエミッション型パッシブマトリックス有機ＥＬディスプレイ１００である。ボトムエミッション型は、支持基板１０２側から光１３０を取り出す方式である。図１（ａ）に示されるように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板１０２上に第１電極１０４、第１電極に平行および垂直に設けられた絶縁膜１０６を有し、この上に有機ＥＬ層１０８、第２電極１１０を有する。なお、本発明の有機ＥＬディスプレイには、第２電極側にパッシベーション層１１２を設けることができる。パッシベーション層は任意要素であるが、本発明ではこれを設けることが好ましい。また、本発明の有機ＥＬディスプレイには、必要に応じて封止用基板１１４、外周封止層（図示せず）および充填剤層（図示せず）が含まれる。封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、一体に形成されてもよい。
【００４３】
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、図１（ｂ）に示されるように、支持基板１０２上に第１電極１０４が形成され、この第１電極１０４の側面と上面の一部を覆うように絶縁膜１０６が形成されている。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。
【００４４】
第１電極は、基板側の面（第１電極の底面）１３２、第１電極の側面１３４、該第１電極の底面に対向する面（第１電極の上面）１３６を有する略台形形状をしている。本発明では、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αは１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成される。角度αが２０度以上であると、第１電極の端部での絶縁膜の厚さが変化し、絶縁耐性の低い部分が発生する。
【００４５】
絶縁膜１０６は、第１電極の側面１３４と第１電極の上面１３６の一部を覆うように形成される。本発明では、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、後に形成される第２電極の断線を防止することができる。
【００４６】
なお、図１（ｂ）では、図面の煩雑化を避けるため、第１電極および絶縁膜の両側面のうち一方のみに番号を付し、一側面側でのみ説明したが、上記説明は両側面に対応することはいうまでもない。
【００４７】
本発明では、無機酸化膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００４８】
次に、本発明の第２の実施形態の有機ＥＬディスプレイを説明する。
【００４９】
本発明の第２の実施形態の有機ＥＬディスプレイは、図２（ａ）に示される、いわゆるトップエミッション型パッシブマトリックス有機ＥＬディスプレイ１５０である。トップエミッション型は、封止用基板１２２側から光１３０を取り出す方式である。
【００５０】
図２（ａ）に示されるように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、第２電極側にパッシベーション層１２０を設けることができる。本発明では、パッシベーション層は任意要素であるが、有機ＥＬディスプレイの気密性を保つため、第２電極および有機ＥＬ層上にパッシベーション層１２０を設けることが好ましい。また、本発明では、封止用基板（透明基板）１２２を設けることが好ましい。封止用基板（透明基板）は、外周封止層（図示せず）および充填剤層（図示せず）と共に用いられ、本発明の有機ＥＬディスプレイを封止することができる。本発明では封止用基板（透明基板）１２２、外周封止層及び充填剤層は、一体に形成されてもよい。
【００５１】
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、図２（ｂ）に示されるように、支持基板１０２上に第１電極１０４が形成され、この第１電極１０４の側面と上面の一部を覆うように絶縁膜１０６が形成されている。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。図２（ｂ）には示していないが、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイでは、支持基板上に必要に応じて反射膜と絶縁層を設けてもよい。
【００５２】
第１電極は、支持基板側の面（第１電極の底面）１３２、第１電極の側面１３４、該第１電極の底面に対向する面（第１電極の上面）１３６を有する略台形形状をしている。本発明では、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αは１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成される。角度αが２０度以上であると、第１電極の端部での絶縁膜の厚さが変化し、絶縁耐性の低い部分が発生する。
【００５３】
絶縁膜１０６は、第１電極の側面１３４と第１電極の上面１３６の一部を覆うように形成される。本発明では、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、後に形成される第２電極の断線を防止することができる。
【００５４】
なお、図２（ｂ）では、図面の煩雑化を避けるため、第１電極および絶縁膜の両側面のうち一方のみに番号を付し、一側面側でのみ説明したが、上記説明は両側面に対応することはいうまでもない。
【００５５】
本発明では、無機酸化膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００５６】
図３に本発明の有機ＥＬディスプレイの第１電極と絶縁膜の形成領域を示した。図３に示されるように、絶縁膜は、第１電極の端部、および第１電極上の発光に必要な領域に開口部３０６を除いた領域に、第１電極と平行および垂直に形成される。第１電極の各々は、外部駆動回路との接続部および引き出し部とに接続されている。また、第１電極は外部駆動回路との接続部位から有機ＥＬディスプレイの表示部内の中央まで配線される。さらに、本発明の有機ＥＬディスプレイは、図３に示されるように、端子パッド３０２を有しており、さらに電気絶縁性の隔壁３０８を有していてもよい。
【００５７】
以下に本発明の有機ＥＬディスプレイの各要素について説明する。
【００５８】
（ｉ）第１電極、有機ＥＬ層および第２電極
本発明の有機ＥＬディスプレイは、一対の電極の間に少なくとも有機発光層を挟持し、必要に応じ、正孔注入層や電子注入層などを導入した構造を有する。即ち、本発明の有機ＥＬディスプレイは、第１電極と、正孔注入層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む有機ＥＬ層と第２電極とを少なくとも含む。具体的には、下記のような層構造を有する。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構造において、陽極および陰極の少なくとも一方、特に陽極は、有機ＥＬ層の発する光の波長域において透明であることが望ましい。この透明な電極を通してが放出される。
【００５９】
なお、本明細書において、第１電極および第２電極に挟持された有機層（有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層）の部分を有機ＥＬ層と称する。また、本明細書において、第１電極、後述する絶縁膜、有機ＥＬ層、および第２電極を併せて発光部と称する。
【００６０】
（ｉ）電極（１０４、１１０）
本発明では、以下に示す第１電極および第２電極を用いることができる。
【００６１】
イ）第１電極（１０４）
第１電極１０４は、支持基板１０２上に形成される。第１電極１０４は、有機発光層に対して効率よく電子または正孔を注入することができるものである。第１電極は、陽極または陰極として用いることができるが、本発明では陽極として用いることが好ましい。
【００６２】
第１電極を陽極として用いる場合、正孔の注入を効率よく行うために、仕事関数が大きい材料が用いられる。特に有機ＥＬディスプレイがボトムエミッション方式である場合、陽極を通して光が放出されるために陽極が透明であることが要求され、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ等の導電性金属酸化物が用いられる。本発明では、ＩＺＯが好ましい。これは、ＩＺＯは室温で比較的低抵抗な膜として成膜することができ、且つ弱酸によるパターンニングが可能であるためである。一方、トップエミッション方式では第１電極は透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて第１電極を形成することができる。さらに、ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｌ，Ａｇ，Ｍｏ，Ｗなど）を用いることが好ましい。このメタル電極は、導電性金属酸化物より抵抗率が低いので補助電極として機能すると同時に、有機ＥＬ層にて発光される光を色変換フィルタ側に反射して光の有効利用を図ることが可能となる。
【００６３】
第１電極を陰極として用いる場合、ボトムエミッション方式では、有機発光層の発する光の波長域において透明であることが必要とされる。上記の仕事関数の小さいことと透明であることの２つの特性を両立するために、本発明において第１電極を複数層からなる積層構造としてもよい。一般に、仕事関数の小さい材料は、透明性が低いので、このようにすることは有効である。例えば、基板上にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜を形成する。次いで、該透明電極上の有機発光層と接触する部位に、極薄膜（１０ｎｍ以下）を用いればよい。この極薄膜の材料としては、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物を用いることができる。これらの仕事関数の小さい材料を用いることにより効率のよい電子注入を可能とし、さらに極薄膜とすることによりこれら材料による透明性の低下を最低限とすることが可能となる。上記の極薄膜は補助電極として機能し、第２電極全体の抵抗値を減少させ有機発光層に対して充分な電流を供給することを可能にする。
【００６４】
一方トップエミッション方式では、仕事関数が小さい材料であるリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物が用いられる。前述と同様に、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｌ，Ａｇ，Ｍｏ，Ｗなど）を用いてもよく、その場合には低抵抗化および反射による有機発光層の発光の有効利用を図ることができる。
【００６５】
本発明では、第１電極は、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成され、絶縁耐性が改善される。
【００６６】
ロ）第２電極（１１０）
第２電極１１０は、有機発光層に対して効率よく電子または正孔を注入することができるものである。
【００６７】
トップエミッション方式である場合、第２電極は有機発光層の発光波長域において透明であることが求められる。第２電極１１０は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して５０％以上の透過率を有することが好ましい。ボトムエミッション方式の場合、第２電極には透明性は要求されないが、光反射性金属と透明電極を組み合わせて用いることもできる。
【００６８】
ボトムエミッション方式において、第２電極１１０を陰極として用いる場合、その材料は、電子を効率よく注入するために仕事関数が小さいことが求められる。このような材料には、例えばリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物を用いることができる。また、Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇのような材料を用いることもできる。
【００６９】
また、トップエミッション方式である場合、有機発光層の発する光の波長域において透明であることが必要とされる。上記の仕事関数の小さいことと透明であることの２つの特性を両立するために、本発明において第２電極を複数層からなる積層構造としてもよい。一般に、仕事関数の小さい材料は、透明性が低いので、このようにすることは有効である。例えば、有機発光層と接触する部位に、上記材料の極薄膜（１０ｎｍ以下）を用いることができる。これらの仕事関数の小さい材料を用いることにより効率のよい電子注入を可能とし、さらに極薄膜とすることによりこれら材料による透明性低下を最低限とすることが可能となる。この極薄膜の上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜を形成する。上記の極薄膜は補助電極として機能し、第２電極全体の抵抗値を減少させ有機発光層に対して充分な電流を供給することを可能にする。
【００７０】
第２電極１１０を陽極として用いる場合、正孔注入効率を高めるために仕事関数の大きな材料を用いる必要がある。ボトムエミッション方式である場合、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて第２電極を形成することができる。ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕなど）を用いることが好ましい。このメタル電極は、導電性金属酸化物より抵抗率が低いので補助電極として機能すると同時に、有機ＥＬ層にて発光される光を色変換フィルタ側に反射して光の有効利用を図ることが可能となる。
【００７１】
また、トップエミッション方式である場合、有機発光層からの発光が第２電極を通過するために透明性の高い材料を用いる必要がある。したがって、この場合にはＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電性材料を用いることが好ましい。
【００７２】
ハ）有機ＥＬ層
有機ＥＬ層１０８の各層の材料は、公知のものが使用できる。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。また、電子注入層としては、キノリン誘導体（たとえば、８−キノリノールを配位子とする有機金属錯体）、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などを用いることができる。さらに、電子注入層として、アルカリ金属、アルカリドル金属、およびその酸化物、フッ化物、窒化物、ホウ化物、例えばＬｉＦなどを用いることができる。電子輸送層としては、金属錯体系（Ａｌｑ３）とオキサジアゾール、トリアゾール系化合物等を用いることができる。また、正孔注入層としては、芳香族アミン化合物、スターバースト型アミンや、ベンジジン型アミンの多量体および銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などを用いることができる。正孔輸送層としては、スターバースト型アミン、芳香族ジアミンなどを用いることができる。
【００７３】
上記各電極および有機ＥＬ層の各層の厚さは、従来通りである。
【００７４】
（ｉｉ）絶縁膜
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、絶縁膜１０４を配設する。絶縁膜の材料としては、発光部の駆動電圧に対し、十分な絶縁耐性を有し、且つ、発光部および色変換フィルタ層へ悪影響を及ぼさないものであればよい。例えば、無機酸化物膜または無機窒化物膜、特に、屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。このような無機酸化物膜または無機窒化物膜には、例えば、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化タンタル、窒化アルミニウム等があり、本発明ではこれらを好適に使用することができる。
【００７５】
本発明では、上記のように、絶縁膜１０６は、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、第２電極の断線を防止することができる。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。
【００７６】
また、本発明では、絶縁膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００７７】
さらに、絶縁膜を配設することによって、例えば以下で説明する有機カラーディスプレイの場合、その発光部位を制御し、消費電力を抑えることができる。例えば、絶縁膜を配設しない有機カラーディスプレイを駆動した場合、色変換フィルタ層の面だけでなく、ブラックマトリックスをもうけた部分も発光してしまう。ブラックマトリックスの部分での発光は外部へ到達できないため、有効活用できず、有機カラーディスプレイの消費電力を増大させる原因となる。
【００７８】
絶縁膜の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。例えば、膜厚は、２００〜４００ｎｍ、好ましくは２５０〜３５０ｎｍである。
【００７９】
（ｉｉｉ）パッシベーション層１１４、１２０
第２電極以下の各層を覆うパッシベーション層１１４、１２０を設けることが好ましい。パッシベーション層は、外部環境からの酸素、低分子成分および水分の透過を防止し、それらによる有機ＥＬ層の機能低下を防止することに有効である。パッシベーション層は、任意選択の層であるが、上記目的のために設けることが好ましい。パッシベーション層は、有機ＥＬ層の発光を外部へと透過させるために、その発光波長域において透明であることが好ましい。
【００８０】
これらの要請を満たすために、パッシベーション層は、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、電気絶縁性を有し、水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有し、好ましくは鉛筆硬度２Ｈ以上の膜硬度を有する材料で形成される。例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。
【００８１】
また、パッシベーション層として種々のポリマー材料を用いることができる。イミド変性シリコーン樹脂（特開平５−１３４１１２号公報、特開平７−２１８７１７号公報、特開平７−３０６３１１号公報（特許文献３〜５）等）、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料（特開平５−１１９３０６号公報、特開平７−１０４１１４号公報（特許文献６、７）等）、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂（特開平６−３００９１０号公報、特開平７−１２８５１９号公報、特開平８−２７９３９４号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献９〜１２）等）、フッ素系樹脂（特開平５−３６４７５号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献１４、１５）等）、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を挙げることができる。
【００８２】
上述のパッシベーション層は、単層であっても、複数の層が積層されたものであってもよい。パッシベーション層の厚さ（複数の層の積層物である場合は全厚）は、０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００８３】
（ｉｖ）支持基板１０２
支持基板１０２として、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板、または、半導電性や導電性基板に絶縁性の薄膜を形成した基板を用いることができる。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、支持基板１０２として用いてもよい。
【００８４】
本発明では、トップエミッション型の場合、支持基板１０２は、少なくとも基板と以下に説明する反射膜から構成されていてもよい。この基板として上記の材料をそのまま使用できる。また、支持基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることもできる。絶縁層の材料には、先に説明したパッシベーション層や後述する平坦化層で説明する無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料等を用いることができる。
【００８５】
支持基板の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。
【００８６】
（ｖ）反射膜
本発明で使用されうる反射膜は、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ層からの光を上部透明電極（第２電極）側に効率良く反射させることが可能であればよい。例えば光を反射する金属または合金からなるものが挙げられる。透明基板上に設けられる反射膜は、有機ＥＬ層の下地層にもなるため平坦性に優れたアモルファス膜とすることが好ましい。アモルファス膜を形成するのに好適な金属および合金としては、ＣｒＢ、ＣｒＰ、またはＮｉＰなどが挙げられる。
【００８７】
反射膜は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板の上面または裏面（背面）に設けることができる。また、第１電極の形状に合わせてパターン化された反射膜を透明基板上に設けてもよい。さらに、透明基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることにより、基板と反射膜とを兼ねてもよい。反射膜の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。なお、導電性金属を反射膜として用いる場合には、反射膜上に絶縁性の薄膜を形成する。絶縁性の薄膜の材料には、先に説明したパッシベーション層や後述する平坦化層で説明する無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料などを用いることができる。
【００８８】
次に、外周封止層（図示せず）、封止用基板１１４、および充填剤層（図示せず）について説明する。
【００８９】
（ｖｉ）外周封止層
外周封止層は、封止用基板１１４と、第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層、第２電極を設けた支持基板を接着するとともに、内部の各構成要素を外部環境の酸素、水分などから保護する機能を有する。外周封止層は、例えば紫外線硬化型樹脂から形成ることができる。
【００９０】
封止用基板１１４と支持基板とのアライメントが完了したならば、紫外線を照射して、紫外線硬化型樹脂を硬化させればよい。
【００９１】
また、外周封止層に用いる前記紫外線硬化型樹脂は、直径５〜５０μｍ、好ましくは直径５〜２０μｍのガラスビーズ、シリカビーズなどを含んでいることが好ましい。これらのビーズ類が、封止用基板１１４と色変換フィルタとの貼り合わせにおいて、基板間距離（基板と封止用基板１１４との間の距離）を規定するとともに、接着のために印加される圧力を負担するからである。
【００９２】
なお、内部空間に充填剤を封入する場合には、外周封止層の一部に孔を設けて外周封止層を硬化させ、この孔から充填剤を注入した後、この孔を塞げばよい。
【００９３】
（ｖｉｉ）封止用基板１１４、１２２
封止用基板は、本発明の有機カラーディスプレイを封止し、外部の水分や有害なガスなどを透過させないものであれば特に限定されない。また、膜厚等も従来の通りである。例えば、後述する色変換フィルタ基板の透明基板と同じ材料や、従来の封止用の基板をそのまま使用することができる。
【００９４】
（ｖｉｉｉ）充填剤層
充填剤層は、外周封止層、封止用基板１１４、発光部および色変換フィルタ基板１０２により形成される内部空間を充填して、有機カラーディスプレイの密閉性を高めるためものである。
【００９５】
充填剤層を形成するための充填剤は、発光部、色変換フィルタ層などの特性に悪影響を及ぼさない不活性液体または不活性なゲルであればよい。また、充填剤は、内部空間に注入した後にゲル化する液体であってもよい。本発明で使用しうるこのタイプの充填剤の例は、シリコーン樹脂、フッ素系不活性液体、またはフッ素系オイルなどを含む。充填剤の所要量は、当業者によって容易に決定されうるものである。
【００９６】
本発明では、封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【００９７】
次に本発明のカラー有機ＥＬディスプレイについて説明する。
【００９８】
本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態には、支持基板が少なくともパターン化された色変換フィルタ層および平坦化層をさらに含むカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。即ち、図１（ａ）において、支持基板１０２は、透明な基板と、該基板上に形成された色変換フィルタ層と、色変換フィルタ層を含む透明基板上に形成された平坦化層を少なくとも具備する。なお、本明細書において、透明基板と、その上に形成された色変換フィルタ層を少なくとも具備し、任意に、色変換フィルタ層を含む透明基板上に形成された平坦化層と、上記の透明な基板上に形成されたブラックマトリックスを有するものを色変換フィルタ基板と称する。
【００９９】
本発明の第２の実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイは、第２電極側に少なくとも透明基板および色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を設ける。なお、第２の実施形態では、第２電極側にパッシベーション層１２０を設けることが好ましい。また、封止用基板１２２は色変換フィルタ基板とする。色変換フィルタ基板は、色変換フィルタ層以外に、ブラックマトリックスおよび平坦化層などを含むことが好ましい。なお、パッシベーション層および平坦化層には、先に説明した材料を用いることができる。また、色変換フィルタ基板は先に説明した外周封止層、充填剤層などと共に用いることができる。
【０１００】
本発明のカラー有機ＥＬディスプレイの色変換フィルタ基板を説明する。色変換フィルタ基板の各色変換フィルタ層は、それぞれ、赤、緑および青の染料または顔料からなる赤色変換フィルタ層、緑色変換フィルタ層および青色変換フィルタ層である。
【０１０１】
各要素について以下に説明する。
【０１０２】
以下に本発明の色変換フィルタ基板の各要素について説明する。
１．色変換フィルタ層
本明細書において、色変換フィルタ層は、カラーフィルタ層、蛍光変換層、およびカラーフィルタ層と蛍光変換層との積層体の総称である。蛍光変換層は、有機ＥＬ層で発光される近紫外領域ないし可視領域の光、特に青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる波長の可視光を蛍光として発光するものである。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも青色（Ｂ）領域、緑色（Ｇ）領域および赤色（Ｒ）領域の光を放出する独立した色変換フィルタ層が設けられる。ＲＧＢそれぞれの蛍光変換層は、少なくとも有機蛍光色素とマトリクス樹脂とを含む。
【０１０３】
本発明では、有機蛍光色素として、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種類以上が用いられ、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種以上と組み合わせることが好ましい。これは以下の理由による。有機ＥＬ層が発光源である場合、青色ないし青緑色領域の光を発光するものが得やすいが、これを単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光に変更しようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないため、極めて暗い出力光になってしまう。したがって、十分な強度の出力を持った赤色領域の光を得るためには、発光体としての有機ＥＬ層からの光を蛍光色素によって一旦吸収させ、赤色領域の光に変換させることが必要となる。このように、赤色領域の光は、発光体からの光を蛍光色素によって赤色領域の光に変換させることにより、十分な強度の出力が可能となる。
【０１０４】
一方、緑色領域の光は、赤色領域の光と同様に、発光体からの光を別の蛍光色素によって緑色領域の光に変換させて出力させてもよいし、または、発光体の発光が緑色領域の光を十分に含むならば、この発光体からの光を単に緑色フィルタを通して出力してもよい。
【０１０５】
また、青色領域の光に関しては、発光源からの光（例えば有機ＥＬ層からの光）を単なる青色フィルタに通して出力させることが可能である。
【０１０６】
１）有機蛍光色素
本発明において、有機蛍光色素は、有機ＥＬ層のような発光体から発せられる近紫外領域ないし可視領域の光、特には青色ないし青緑色領域の光を吸収して、該発光体とは異なる波長の可視光を発するものであれば特に限定されない。
【０１０７】
有機ＥＬ層から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、べ一シックバイオレット１１、べーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１３−ブタジエニル］−ピリジウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。
【０１０８】
有機ＥＬ層から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、または、クマリン色素系染料であるべーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。
【０１０９】
なお、本発明に用いることができる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料（本明細書中で、前記２つを合わせて有機蛍光色素と総称する）は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために二種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に用いる有機蛍光色素は、色変換フィルタ層に対して、この変換フィルタ層の重量を基準として０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜２重量％の量で含有される。有機蛍光色素の含有量が０．０１重量％未満の場合には、十分な波長変換を行うことができず、その含有量が５％を越える場合には、濃度消光等の効果により色変換効率の低下が起こる。
【０１１０】
本発明では、色変換フィルタ層の線幅、ピッチなどは、特に制限されない。例えば、以下の実施例に示される線幅、ピッチを挙げることができる。また、色変換層の膜厚は、例えば１０μｍｍとすることができる。
【０１１１】
２）マトリックス樹脂
次に、本発明の色変換フィルタ層に用いられるマトリックス樹脂について説明する。マトリックス樹脂は、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂からなる。これを、光および／または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、樹脂を不溶不融化させて、色変換フィルタ層を形成する。
【０１１２】
光硬化性または光熱併用型の硬化性樹脂には、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマー、（２）ポリビニル桂皮酸エステル、（３）鎖状または環状オレフィン、（４）エポキシ基を有するモノマーなどが含まれる。また、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂は、色変換フィルタ層として硬化されない状態では、有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶であることが好ましい。
【０１１３】
これらの硬化性樹脂は、例えば以下のような組成物として使用され、基板上に塗布された後、パターンニングされる。例えば、（１）の硬化性樹脂は、光または熱重合開始剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理して、光ラジカルや熱ラジカルを発生させて重合させる。また、（２）の硬化性樹脂は、増感剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理により二量化させて架橋する。（３）の硬化性樹脂は、ビスアジドと混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理によりナイトレンを発生させ、オレフィンと架橋させる。（４）の硬化剤は、光酸発生剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理により、酸（カチオン）を発生させて重合させる。本発明では、特に（１）の光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂からなる組成物が高精細でパターンニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。
【０１１４】
３）ブラックマトリックス
ブラックマトリックスは、可視光をよく吸収し、発光部及び色変換フィルタ層へ悪影響を与えないものであれば特に限定されない。本発明では、黒色の無機層、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層等によりブラックマトリックスを形成することが好ましい。例えば、黒色の無機層としては、クロム膜（酸化クロム／クロム積層膜）などを挙げることができる。また、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層としては、例えば、カーボンブラック、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミドなどの樹脂に分散したもの、カラーレジストなどが挙げられる。これらのブラックマトリックスは、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート法のようなウエットプロセスにより形成することができ、フォトリソグラフィー法等によりパターンニングすることができる。
【０１１５】
本発明では、ブラックマトリックスの光反射率は、４０以下、好ましくは３０％以下、より好ましくは１０％以下である。これ以上の反射率であると、外部からの入射光を反射し、コントラストを低下させる原因となる。本発明では、上記クロム膜（数十％）、及び顔料分散樹脂層（１０％以下）が好ましい光反射率を有するが、クロム膜よりも顔料分散樹脂層の方が低い反射率を有するため好ましい。但し、無機層は、材料により電気伝導性を持たせることが可能であり、透明電極の補助電極としての機能を持たせることができる場合があるので、ブラックマトリックスの材料は、色変換フィルタ基板の用途に応じて適宜選択すればよい。
【０１１６】
ブラックマトリックスは、好ましくは０．５〜２．０μｍの厚さを有する。
【０１１７】
４）平坦化層
本発明に用いることができる平坦性を有した平坦化層は、色変換フィルタ側面の凹凸（これは、色変換フィルタ基板をディスプレイのような表示素子に用いる場合、発光部の電極間の短絡の原因となる。）を平坦化し、且つ、色変換フィルタ層へ悪影響を与えないものであれば特に限定されない。また、本発明の色変換フィルタ基板をディスプレイのような発光素子に用いる場合、平坦化層は第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極へ悪影響を与えないことも必要である。
【０１１８】
本発明の色変換フィルタ基板では、平坦化層は任意要素である。しかし、パッシブ型のディスプレイのような表示素子に本発明の色変換フィルタ基板を用いる場合には、前記の電極間の短絡を防止するためにも平坦化層を設けることが好ましい。
【０１１９】
また、平坦化層は、色変換フィルタ基板の各要素を密閉し、外部の有害なガスや水分などから、色変換フィルタ層、ブラックマトリックスなどを保護する機能も有する。
【０１２０】
本発明の平坦化層は、例えば、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、Ｔｇが１００℃以上であり、表面硬度が鉛筆硬度で２Ｈ以上である層である。本発明の平坦化層に使用できる材料は、基板上に表面が平坦となるように塗膜を形成でき、色変換フィルタ層の機能を低下させない材料であればよい。例えば、イミド変性シリコーン樹脂（特開平５−１３４１１２号公報、特開平７−２１８７１７号公報、特開平７−３０６３１１号公報（特許文献３〜５）等）、無機金属化合物（ＴｉＯ、ＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂等の中に分散したもの（特開平５−１１９３０６号公報、特開平７−１０４１１４号公報（特許文献６、７）等）、紫外線硬化型樹脂としてのエポキシ変性アクリレート樹脂（特開平７−４８４２４号公報（特許文献８））、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有する樹脂、レジスト樹脂（特開平６−３００９１０号公報、特開平７−１２８５１９号公報、特開平８−２７９３９４号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献９〜１２）等）、無機化合物のゾル−ゲル法を用いることができる材料（月刊ディスプレイ１９９７年、３巻、７号（非特許文献１）に記載、特開平８−２７９３４号公報（特許文献１３）等）、フッ素系樹脂（特開平５−３６４７５号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献１４、１５）等）等の光硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂がある。
【０１２１】
また、本発明の色変換フィルタ基板をディスプレイのような発光素子に用いる場合、発光部が水分やアルカリ等に弱い場合、平坦化層には、電気絶縁性を有し、ガス、水分、アルカリ、有機溶剤等に対するバリア性を有し、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、電極の成膜に耐えうる硬度として、好ましくは２Ｈ以上の膜硬度を有する材料を用いることができる。例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等が使用できる。これらの材料は、本発明の平坦化層の表面の平坦性を損なうことなく、層を形成することができる。
【０１２２】
上述の平坦化層は単層であっても、または、複数の層が積層された積層体でもよい。また、複数層からなる場合、各層は同じ材料でも異なる材料でもよいが、バリアー性を向上させるためには、異なる材料を用いることが好ましい。
【０１２３】
この平坦化層を色変換方式の有機カラーディスプレイに適用する際には、考慮しなければならない重要な要素が有る。すなわち、その要素とは、平坦化層の膜厚が表示性能、特に視野角特性に及ぼす影響である。本発明の色変換方式の有機カラーディスプレイにおいて、特に重要な視野角特性とは、素子に対して見る角度を変えた際に生じる色の変化である。
【０１２４】
平坦化層を厚くしすぎると、有機ＥＬ層で発生した光が、平坦化層を介して色変換フィルタ層に届くまでの光路長が長くなる。その結果、有機カラーディスプレイを用いて構築されたディスプレイを斜め方向から見ると、隣接する別の色の画素への光の漏れ（光学的クロストーク）が発生する。ディスプレイの表示性能として考えると、この光学的クロストークによる隣接色の発光量の比率が、本来の色の発光量に対して、十分小さいことが要求される。
【０１２５】
この要求は、平坦化層の厚さと、画素の最小幅との関係を制限することに置き換えられる。公開技報２００１−６０８３（非特許文献２）によれば平坦化層の膜厚ｔｐＬは、０＜ｔｐＬ＜０．１Ｗ（Ｗは画素の最小幅）で示される範囲が好適とされている。本発明においては、平坦化層の厚さは、３から２０μｍ、好ましくは５から１５μｍである。
【０１２６】
なお、上記説明では、平坦化層に色変換フィルタ基板の各要素を密閉し、外部の有害なガスや水分などから、色変換フィルタ層、ブラックマトリックスなどを保護する機能（保護機能）も合わせ持つように記載したが、平坦化の機能と保護機能を別々の層として持たせてもよい。例えば、平坦化の機能を有する層を平坦化層とし、保護機能を有する層をパッシベーション層として別々に設けてもよい。
【０１２７】
５）基板
基板には、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板、または、半導電性や導電性基板に絶縁性の薄膜を形成した基板を用いることができる。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを基板として用いてもよい。本発明では、トップエミッション型の場合、支持基板１０２は、少なくとも基板と先に説明した反射膜から構成されていてもよい。この基板として上述の材料をそのまま使用できる。本発明では、基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることにより、基板と反射膜とを兼ねることもできる。絶縁層の材料には、先にパッシベーション層や平坦化層で説明した無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料等を用いることができる。上記各層の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。
【０１２８】
次に、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。
【０１２９】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、（１）支持基板を提供する工程と、（２）該支持基板上に第１電極を形成する工程と、（３）第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストをパターンニングし、絶縁膜を少なくとも表示部において前記第１電極と平行および垂直に形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程と、（４）有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程とを含む。以下に図４を参照して各工程を説明する。図４は、ボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイの製造方法の例である。
【０１３０】
第１の工程は、支持基板を提供する工程である。支持基板は、上記有機ＥＬディスプレイで説明したものを用いることができる。
【０１３１】
支持基板は、予め平滑化処理などの表面処理を施しておくことが好ましい。
【０１３２】
本発明の有機ＥＬディスプレイの場合には、上記支持基板を用いて以下の工程（２）〜（４）を行えばよい。
【０１３３】
なお、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイの場合、支持基板は、基板と反射膜から形成されていてもよい。この場合、基板は上記支持基板と同じであってもよくまた不透明な基板であってもよい。該基板上に、反射膜を、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成することができる。また、必要に応じて反射膜上に絶縁層を形成する。絶縁層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手段により形成することができる。なお、絶縁層の材料は、先に反射膜の欄で説明したとおりである。
【０１３４】
第２の工程は、第１電極を形成する。支持基板上面にスパッタ法などにより第１電極を全面成膜する。この透明電極上にレジスト剤を塗布した後、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを行い、それぞれの色の発光部に位置するストライプパターンからなる第１電極（陽極）１０４を得る（図４（ａ）参照）。本発明では、第１電極は、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αが１度以上２０度未満であることを必要とする。このように第１電極の側面を所定角度で形成するには、フォトリソグラフ法によるパターンニングの際にフォトレジストと第１電極との密着性を下げればよい。このようにすることにより第１電極の材料とフォトレジストの界面にエッチング液が浸入しやすくなり、第１電極の上面側がより速く浸食され、第１電極の側面が所定角度である略台形形状の第１電極を形成することができる。フォトレジストと第１電極材の料との密着性を低下させる方法として、フォトレジスト形成時のベーキング温度を低くすることや、ベーキング時間を短時間とすることにより基板の温度上昇を抑えることが挙げられる。例えば、ＩＺＯを第１電極として用いる場合、フォトレジスト材料（例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化工業社製））をスピンコート法によりＩＺＯ上に塗布し、これをクリーンオーブンを用いた場合には５０℃〜８０℃で、５〜１０分、ホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で３０秒〜１２０秒の条件でプリベークおよび露光した後、現像して第１電極のパターンを形成すればよい。次いで、シュウ酸のような弱酸性溶液でＩＺＯをエッチングすることにより略台形形状の第１電極を形成できる。
【０１３５】
第３の工程は、第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストを形成し、絶縁膜を形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程である（図４（ｂ）〜図４（ｅ）参照）。
【０１３６】
絶縁膜の形成にはリフトオフレジストを使用するリフトオフ法を用いることが好ましい。リフトオフ法は、無機絶縁膜のパターンニングに強酸または強アルカリを用いる必要がなく、第１電極の表面を粗くすることがないという利点がある。
【０１３７】
リフトオフレジストとしては、ポジ型フォトレジスト（例えばＳＩＰＲ９６９１（信越化学製）、ＬＯＲ−Ｐ００３（東京応化工業製））や、ネガ型フォトレジスト（例えばＺＰＮ１１００（日本ゼオン製））を用いることができる。
【０１３８】
リフトオフレジストは、従来から公知のフォトレジスト法に従って塗布およびパターンニングを行うことができる。本発明では、リフトオフレジストの基板側の面（リフトオフレジスト底面）４０４とリフトオフレジストの側面４０６のなす角γが１２０度以上１６０度未満であることが好ましい。より好ましくは角度γは１５０度である。このような角度とすることにより、絶縁膜がほぼ均一な膜厚で形成される。角度γが１２０度より小さくなると、絶縁膜を形成する際、絶縁膜材料がリフトオフレジストの側面に回り込みレジストの除去が難しくなる。また、絶縁膜の上記角度αが大きくなりすぎ、絶縁膜の側面が急峻に形成されるようになる。また、角度γが１６０度より大きくなると、絶縁膜の回り込みが小さくなりすぎるため、設計寸法よりも小さくパターンが形成されることになる。
【０１３９】
本発明のリフトオフレジストのパターンニングは、例えばＺＰＮ１０００（日本ゼオン）のようなレジスト材料を、第１電極を形成した支持基板上にスピンコート法により塗布し、クリーンオーブンを用いた場合６０℃〜１００℃で１５〜３０分、またはホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で９０秒〜１８０秒の条件でベーキングした後、露光し、再度ベークを行う。このベークは、クリーンオーブンを用いた場合８０℃〜１００℃で５分〜１０分、ホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で６０秒〜１２０秒の条件で行うことが望ましい。ベークの後に、現像（例えば、ＮＭＤ−３（東京応化工業製）を用い、室温で９０〜１２０秒浸漬するか、またはシャワー現像を９０〜１２０秒）を行えばよい。この手順により、図４（ｃ）に示したように第１電極上の開口部に相当する領域に、所定の角度γを有するリフトオフレジスト４０２を形成することができる。また、リフトオフレジストは、第１電極と外部駆動回路との接合部にも形成される。リフトオフレジストの膜厚は１〜５μｍであることが好ましい。
【０１４０】
次に、絶縁膜を形成する（図４（ｄ）参照）。絶縁膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などを用いることができる。本発明では、例えばＲＦスパッタ法により室温で絶縁膜を形成することができる。
【０１４１】
次に、前記リフトオフレジストを除去する（図４（ｅ）参照）。
【０１４２】
リフトオフレジストは、レジスト剥離液に浸漬するか、レジスト剥離液を噴霧等することにより除去することができる。剥離液への浸漬、噴霧等の時間および剥離液の温度などは、当業者により適宜選択されうる。例えば、液温度は室温から５０℃、処理時間は１〜５分である。
【０１４３】
以上の工程で、絶縁膜を所定角度で、第１電極に平行および垂直に形成することができる。
【０１４４】
第４の工程は、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程である。
【０１４５】
第１電極および絶縁膜を形成した支持基板上に有機ＥＬ層１０８を形成する。有機ＥＬ層は、抵抗加熱蒸着装置などを用いて、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜すればよい。なお、有機ＥＬ層１０８はこの構成に限らず、先に説明したような種々の形態をとりうる。それぞれの形態においても、各層は抵抗加熱蒸着装置などを用いて成膜すればよい。
【０１４６】
この後、第１電極のラインと垂直なストライプパターンが得られるマスクを用いて第２電極（陰極）１１０を真空を破らずに形成する。
【０１４７】
次に、必要に応じて、第２電極側にパッシベーション層を形成する。該パッシベーション層の形成方法としては特に制約はなく、無機材料を用いる場合には、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成できる。また、ポリマー材料を用いる場合にも、その形成法は特に制限はない。たとえば、乾式法（スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法など）、あるいは湿式法（スピンコート法、ロールコート法、キャスト法など）のような慣用の手法により形成することができる。
【０１４８】
こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下において、封止ガラス１１４とＵＶ硬化接着剤などからなる外周封止層を用いて封止する。必要に応じて、充填剤を注入し、充填剤層を形成する。充填剤を封入する場合には、外周封止層の一部に孔を設けて外周封止層を硬化させ、この孔から充填剤１１２を注入した後、この孔を塞げばよい。
【０１４９】
また、本発明では、封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【０１５０】
以上のようにして、有機ＥＬディスプレイを製造することができる（図４（ｆ）参照）。
【０１５１】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、いわゆるボトムエミッション型のカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法（第１の実施形態）を包含する。
【０１５２】
このカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法では、工程（１）は、基板上に少なくともパターン化された色変換フィルタ層および平坦化層が形成された支持基板を提供する。
【０１５３】
具体的には、以下の工程（Ａ）〜（Ｃ）を含む。
【０１５４】
（Ａ）基板上に赤、緑および青の色変換フィルタ層の領域に相当する開口部を備えるブラックマトリックスを形成する工程
本発明では、透明な基板上に先に説明したブラックマトリックスの材料を、スピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段により支持基板全面に塗布し、加熱乾燥した後、フォトリソグラフ法によりパターン形成する。すなわち、基板上に全面塗布し、乾燥されたブラックマトリックス上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、赤、緑および青の色変換フィルタ層の領域に相当する開口部が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、各色の開口部に相当する部分のブラックマトリックス及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有するブラックマトリックスを形成する。なお、ブラックマトリックスとしては、光透過率が１０％以下であるものを用いることが好ましい。
【０１５５】
（Ｂ）ブラックマトリックスの開口部に赤、緑および青の色変換フィルタ層を順次形成する工程
本発明では、染料または顔料を含有したマトリックス樹脂を、例えばコーニング社製のガラス（ノンアルカリガラスである、コーニング１７３７ガラス）のような透明基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを行うことにより色変換フィルタ層を形成する。例えば青色の蛍光を発する蛍光色素を含有するマトリックス樹脂を、スピンコート法などによりブラックマトリックスを形成した基板上に全面塗布し、加熱乾燥した後、フォトリソグラフ法によりパターン形成する。これを他の色変換フィルタ層に対しても行うことにより色変換フィルタ層を形成する。
【０１５６】
以下に各色フィルタ層の形成方法を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明は、青緑色の光を発する有機ＥＬ層を用いた場合の各フィルタ層の形成方法を例に取る。
【０１５７】
［青色フィルタ層の作製］
青色フィルタ層の材料を透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、青色フィルタ層のラインパターンを得ることができる。すなわち、青色フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、青色フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する青色フィルタ層１５を形成する。
【０１５８】
［緑色変換フィルタ層の作製］
緑色変換用の蛍光色素を溶剤へ溶解させ、これに光重合性樹脂を加えて、硬化性樹脂組成物の溶液を得る。この溶液を、青色フィルタのラインパターンをすでに形成した、透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、緑色変換フィルタ層のラインパターンを得ることができる。すなわち、緑色変換フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、緑色の色変換フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する緑色変換フィルタ層を形成する。
【０１５９】
［赤色変換フィルタ層の作製］
赤色変換用の蛍光色素を溶剤へ溶解させ、これに光重合性樹脂を加えて、硬化性樹脂組成物の溶液を得る。この溶液を、青色フィルタ層および緑色変換フィルタ層のラインパターンを形成した透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、赤色変換フィルタ層を得る。すなわち、赤色変換フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、赤色変換フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する赤色変換フィルタ層を形成する。
【０１６０】
なお、上記各フィルタ層の形成において、乾燥は、６０℃から１００℃、好ましくは８０℃で行われる。そのほかの条件は、従来より知られた条件を用いることができ、あるいは、そのような条件から当業者により容易に導くことができる。例えば、青色フィルタでは、スピンコート後のプリベイク温度８０℃１５分、露光・現像後の乾燥温度は、例えば２００℃３０分である。また、緑色変換フィルタでは、例えばスピンコート後のプリベイク温度８０℃１５分、露光・現像後の乾燥温度１８０℃３０分である。緑色変換フィルタでは、例えばスピンコート後のプリベイク温度８０℃１０分、露光・現像後の乾燥温度は１８０℃３０分である。
【０１６１】
本発明では、各色変換フィルタ層は、ブラックマトリックスの開口部と同じ領域を有していることが好ましいが、ブラックマトリックスの開口部より大きい領域であってもよい。
【０１６２】
さらに本発明では、色変換層と基板の間に、カラーフィルタ層をさらに設けてもよい。すなわち、上記の緑色または赤色の変換フィルタ層のみでは十分な色純度が得られない場合は、カラーフィルタ層を設けることができる。カラーフィルタ層の厚さは１〜１．５μｍが好ましい。また、このカラーフィルタ層は、上記青色フィルタ層と同様の方法で形成することができる。
【０１６３】
以上のようにして、本発明の色変換フィルタ層が得られる。
【０１６４】
（Ｃ）平坦化層の形成工程
本発明の平坦化層の形成工程は、上記の色変換フィルタ基板上に、平坦化層１６を形成するための材料を、スピンコート法等で塗布し、オーブンのような加熱手段でベーキング（例えば１００℃から１８０℃、好ましくは１３０℃）することにより形成することができる。本発明では、１８０℃で３０分の温度条件が好適である。
【０１６５】
なお、平坦化層の形成に使用される材料は、上述の通りである。
【０１６６】
以上のようにして色変換フィルタ基板を製造することができる。
【０１６７】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、いわゆるトップエミッション型のカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法（第２の実施形態）を包含する。
【０１６８】
このカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法は、上記工程（４）の後に、少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を形成する工程をさらに含む。
【０１６９】
なお、第２の実施形態の製造方法では、支持基板１０２を基板と反射膜から構成することができる。この場合、工程（１）において、基板上に反射膜および必要に応じて絶縁層を形成する。これらは、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の慣用の手法により形成できる。
【０１７０】
工程（４）の後に、色変換フィルタ基板を第２電極側に設ける。
【０１７１】
本発明では、第２電極上に設ける色変換フィルタ基板は、第２電極を設けた後に色変換フィルタ層を順次形成すればよい。あるいは、別途色変換フィルタ基板を作製し、有機ＥＬ素子と貼り合わせてもよい。
【０１７２】
色変換フィルタ層を順次形成する場合、第２電極を形成した後にパッシベーション層をさらに形成し、次いで、このパッシベーション層上に、青色フィルタ層、緑色変換フィルタ層、赤色変換フィルタ層をスピンコート法およびフォトリソグラフ法を併用して色変換フィルタ層を形成すればよい。パッシベーション層および色変換フィルタ層の形成は、先に説明したとおりである。色変換フィルタ層を形成した後、気密性を持たせるためにパッシベーション層を、必要に応じて基板全面に形成する。次いで、外周封止層および封止用基板を形成して封止する。また、必要に応じて充填剤層を形成してもよい。これらの形成手順は先に説明したとおりである。また、外周封止層、封止用基板および充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【０１７３】
また、別途色変換フィルタ基板を作製し、有機ＥＬ素子と貼り合わせる場合には、以下の手順でカラー有機ＥＬディスプレイを製造することができる。上記（Ａ）〜（Ｃ）で説明したように、透明基板上に、例えば青色フィルタ層、緑色変換フィルタ層、赤色変換フィルタ層をスピンコート法およびフォトリソグラフ法を併用して色変換フィルタ層を形成し、次いで平坦化層を形成して色変換フィルタ基板を作製する。次いで、上記工程（１）〜（４）で形成された有機ＥＬ素子とあらかじめ形成された色変換フィルタ基板をＵＶ硬化接着剤などで接着し、封止すればよい。なお、有機ＥＬ素子は、接着前に露出した有機ＥＬ層を保護するためパッシベーション層を第２電極側に形成することが好ましい。
【０１７４】
（実施例）
以下、本発明を適用した有機ＥＬディスプレイの作製例を説明する。有機ＥＬディスプレイは、画素数１６０×１２０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．３３ｍｍで形成した。
【０１７５】
（実施例１）
［青色フィルタの作製］
青色フィルタ材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）を、透明基板としてのコーニングガラス（５０×５０×１．１ｍｍ）上にスピンコート法により塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの青色フィルタを得た。
【０１７６】
［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（１２０重量部）へ溶解させた。これに光重合性樹脂Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５（商品名、新日鐵化成工業株式会社）（１００重量部）を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を、青色フィルタのラインパターンが形成された透明基板上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの緑色変換フィルタを得た。
【０１７７】
［赤色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（１２０重量部）へ溶解させた。これに光重合性樹脂Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５（商品名、新日鐵化成工業株式会社）（１００重量部）を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成された透明基板上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの赤色変換フィルタを得た。
【０１７８】
「平坦化層の形成］
ｉ）高分子膜の作製
上記の工程で作製された蛍光変換フィルタ上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート）をスピンコート法により塗布し、高圧水銀灯で照射して膜厚８μｍの高分子膜を形成した。高分子膜を形成した後の蛍光変換フィルタのパターンは変形していなかった。また、高分子膜の上面は平坦であった。
【０１７９】
ｉｉ）無機膜層の作製
無機膜層として、ＤＣスパッタ法により、室温において、膜厚３００ｎｍのＳｉＯｘ膜を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガス（Ａｒ：酸素＝５：１）を使用した。
【０１８０】
［第１電極の作製］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物（ＩＺＯ）パターンを形成した。第１電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の中央まで配線される。ＤＣスパッタ法により室温において、膜厚２００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を形成した。スパッタターゲットしてＩｎ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンおよび酸素を使用した。フォトリソグラフ法によりレジストをパターンニングした。具体的には、フォトレジストＯＦＲＰ−８００（東京応化工業製）をスピンコート法によりＩＺＯ上に塗布した。これを１１０℃３０秒の条件でホットプレートを用いてプリベークし、露光した後、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像し、第１電極のパターンを形成した。この後、シュウ酸をエッチング液として用いて第１電極をパターンニングすることにより配線幅１００μｍの第１電極を形成した。第１電極の底面と側面のなす角度αは約１０度であった。
【０１８１】
［絶縁膜の作製］
絶縁膜として窒化ケイ素膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストは、第１電極上の開口部の領域、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した。リフトオフレジストのパターンニングは、レジスト材料ＺＰＮ１１００（日本ゼオン製）を、第１電極を形成した支持基板にスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で９０秒ベーキングした後、露光し、再度ホットプレートを用いて１１０℃で６０秒間ベーキングを行った。現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像を行った。この手順により、角度γ＝１５０度を有するリフトオフレジスト４０２を形成した。なお、リフトオフレジストの膜厚は４μｍであった。
【０１８２】
上記手順により、リフトオフレジストを第１電極上の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した後、ＲＦスパッタ法により室温において膜厚３００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成した。次いで、レジスト剥離液（剥離１０４、東京応化工業製）でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１電極上の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部を除いて形成した。第１電極の底面と絶縁膜の側面のなす角度は５度であった。
【０１８３】
［有機ＥＬ層の作製］
上記のように絶縁膜を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装填し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内の圧力を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。有機発光層として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層として、Ａｌｑ３を２０ｎｍ積層した。
【０１８４】
［第２電極の作製］
有機ＥＬ層の作製後、第１電極のラインと垂直に、幅０．３ｍｍ、０．０３ｍｍのギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極を、真空を破らずに形成した。
【０１８５】
［封止工程］
以上のようにして得られた有機ＥＬ素子をグローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度共に１０ｐｐｍ以下）において封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。
【０１８６】
（実施例２）
［第１電極の形成］
基板上に、第１電極としてＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金のパターンを形成した。第１電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の中央まで配線される。ＤＣスパッタ法により室温において、膜厚２００ｎｍのＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金を形成した（第１電極の角度α＝１０度）。スパッタターゲットしてＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンおよび酸素を使用した。フォトリソグラフ法によりレジストをパターンニングした後、シュウ酸をエッチング液として用いて第１電極をパターンニングすることにより配線幅１００μｍの第１電極を形成した。
【０１８７】
［絶縁膜の作製］
絶縁膜として窒化ケイ素膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを第１電極上の開口部の領域、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した後、ＲＦスパッタ法により室温において膜厚３００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成した。次いで、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１電極の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部を除いて形成した。なお、リフトオフレジストおよび絶縁膜の形成条件は実施例１と同様であった。また第１電極の上面と絶縁膜の側面のなす角度βは５度であった。またリフトオフレジストの底面と側面のなす角度γは１５０度であった。
【０１８８】
［有機ＥＬ層の作製］
上記のように絶縁膜を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装填し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内の圧力を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。有機発光層として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層として、Ａｌｑ３を２０ｎｍ積層した。
【０１８９】
［第２電極の作製］
有機ＥＬ層の作製後、第１電極のラインと垂直に、幅０．３ｍｍ、０．０３ｍｍのギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ１ｎｍのＡｌ−Ｌｉと厚さ２００ｎｍのＩＺＯからなる第２電極を、真空を破らずに形成した。
【０１９０】
次に、第２電極を形成した基板上にパッシベーション層として、ＤＣスパッタ法により、室温において、膜厚３００ｎｍのＳｉＯｘ膜を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガス（Ａｒ：酸素＝５：１）を使用した。
【０１９１】
［色変換フィルタ基板の作製］
上記実施例１で、青色フィルタ、緑色変換フィルタ、赤色変換フィルタおよび平坦化層の作製で説明した手順に従い、透明な基板上に各層を形成し、色変換フィルタ基板を形成した。
【０１９２】
［貼り合わせ工程］
第２電極およびパッシベーション層を形成した支持基板と、色変換フィルタ層を、グローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度共に１０ｐｐｍ以下）においてＵＶ硬化接着剤を用いて貼り合わせ、封止した。
【０１９３】
（比較例１および２）
比較例として、絶縁膜にノボラック樹脂（ＪＥＭ７００Ｒ２（ＪＳＲ製）を用いて、上記実施例１および２と同様の手順で有機ＥＬディスプレイを作製した。なお、比較例１および２の絶縁膜の形成条件は同じであり、以下の通りである。
【０１９４】
絶縁膜の成膜条件
フォトレジストＪＥＭ７００−Ｒ２（ＪＳＲ製）をスピンコート法により塗布した。これを１１０℃１２０秒の条件で、ホットプレートを用いてプリベークし、露光した後、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像し、絶縁膜のパターンを形成した。
【０１９５】
上記各実施例により作製した有機ＥＬディスプレイの耐久試験および発光効率の評価を行った。
【０１９６】
（評価）
１．耐久試験
上記実施例１、２、および比較例１、２の有機ＥＬディスプレイについて、環境温度８５℃において、パネル面輝度１５０ｃｄ／ｍ２で５００時間の連続駆動を行い、各画素の発光面積の減少を評価した。画素の発光面積の減少は、絶縁膜からの水分放出が原因と考えられる。評価数は、有機ＥＬディスプレイ１機あたり１０点であり、有機ＥＬディスプレイ数は１２であった。比較例１および比較例２の場合減少率は、それぞれ４２〜５６％、４４〜５９％であった。一方、実施例１の場合、減少率は２〜５％であり、実施例２の場合、減少率は３〜８％であった。以上の結果により、本発明の有機ＥＬディスプレイの有効性が確認できる。
【０１９７】
２．発光効率評価
ピクセルあたりの電流密度を１００μＡ、デューティーを１／６０として有機ＥＬディスプレイの面輝度を強化した。評価１は、有機ＥＬディスプレイの中央部であった。評価した有機ＥＬディスプレイ数は１２であった。比較例１の有機ＥＬディスプレイの輝度の平均値を１とすると実施例１の場合の輝度の平均値は１．０４であった。また、比較例２の有機ＥＬディスプレイの輝度の平均値を１とすると実施例１の場合の輝度の平均値は１．０３であった。
【０１９８】
【発明の効果】
上記のように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、非発光部分の拡大を抑え、長時間安定に駆動することができる。また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、発光効率を高めることができる。さらに、本発明の製造方法によれば、前記のような有機ＥＬディスプレイを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略断面図である。（ｂ）は、第１電極および絶縁膜の形状を説明するための図である。
【図２】（ａ）は本発明のトップエミッション型有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略断面図である。（ｂ）は、第１電極および絶縁膜の形状を説明するための図である。
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの絶縁膜の形状の一形態を示す概略図である。
【図４】本発明の有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明するための図である。
【図５】走査電子顕微鏡（斜視４０度）で得られた支持基板、第１電極および絶縁膜の断面形状を示す図である。
【図６】走査電子顕微鏡（斜視４０度）で得られたリフトオフレジストの断面形状を示す図である。
【符号の説明】
１００、１５０ 有機ＥＬディスプレイ
１０２ 支持基板
１０４ 第１電極
１０６ 絶縁膜
１０８ 有機ＥＬ層
１１０ 第２電極
１１２、１２０ パッシベーション層
１１４、１２２ 封止用基板
１３０ 光
１３２ 第１電極の底面
１３４ 第１電極の側面
１３６ 第１電極の上面
１３８ 絶縁膜側面
３０２ 端子パッド
３０４ 絶縁性隔壁
３０６ 絶縁膜の開口部
４０２ リフトオフレジスト
４０４ リフトオフレジスト底面
４０６ リフトオフレジスト側面
【発明の属する技術分野】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス（本明細書中で有機ＥＬとも称する。）ディスプレイおよびその製造方法に関する。特に本発明は、電極間の短絡の発生を防止でき、光の取り出し効率を改善したる有機ＥＬディスプレイとその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機化合物材料のエレクトロルミネッセンスを利用した有機ＥＬディスプレイの１つに、パッシブマトリックス型（単純マトリックス型）ディスプレイがある。パッシブマトリックス型ディスプレイは、概略的には、透明基板上に形成された複数の第１電極と、第１電極に直交する複数の第２電極と、これらの電極間に挟持された有機ＥＬ層から構成される。有機ＥＬディスプレイは、この第１電極と第２電極の交差領域で発光し、この発光部を１単位として１画素を形成し、この画素が複数個配列することで表示部を形成している。
【０００３】
上記の第１電極および第２電極は、各々ストライプ状にパターンニングされ、各電極は縁部を有する。この縁部は、電極形状が急激に変化している部分であり、電界の集中が起こりやすい部分である。この電界の集中が起こる部分では、有機ＥＬ層が絶縁破壊を起こし、第１電極と第２電極の短絡（クロストーク）が起こる。この結果、短絡した第１電極または第２電極の部分の全ての画素が常時発光するなどの表示欠陥が発生する。
【０００４】
第１電極と第２電極間の短絡を防止する方法には、特許第２９１１５５２号公報（特許文献１）に開示されるものがある。この特許では、複数の互いに対向する一対の電極とこの電極間に配置された有機ＥＬ層からなる電界発光素子であって、この有機ＥＬ層および少なくとも一方の前記電極間に挟まれ且つ前記電極の縁部に沿って延在した絶縁層を備えたものを開示している。この絶縁層により一対の電極間の漏洩電流を遮断している。また、特開平９−３３０７９２号公報（特許文献２）には、第１電極、絶縁膜、スペーサ、オーバーハング体、有機ＥＬ層、第２電極および保護膜を備えた有機ＥＬ表示装置およびその製造方法が開示されており、前記絶縁膜の材料としてポリイミド、酸化ケイ素、窒化ケイ素を用いることも開示されている。
【０００５】
【特許文献１】
特許第２９１１５５２号明細書
【０００６】
【特許文献２】
特開平９−３３０７９２号公報
【０００７】
【特許文献３】
特開平５−１３４１１２号公報
【０００８】
【特許文献４】
特開平７−２１８７１７号公報
【０００９】
【特許文献５】
特開平７−３０６３１１号公報
【００１０】
【特許文献６】
特開平５−１１９３０６号公報
【００１１】
【特許文献７】
特開平７−１０４１１４号公報
【００１２】
【特許文献８】
特開平７−４８４２４号公報
【００１３】
【特許文献９】
特開平６−３００９１０号公報
【００１４】
【特許文献１０】
特開平７−１２８５１９号公報
【００１５】
【特許文献１１】
特開平８−２７９３９４号公報
【００１６】
【特許文献１２】
特開平９−３３０７９３号公報
【００１７】
【特許文献１３】
特開平８−２７９３４号公報
【００１８】
【特許文献１４】
特開平５−３６４７５号公報
【００１９】
【特許文献１５】
特開平９−３３０７９３号公報
【００２０】
【非特許文献１】
月刊ディスプレイ１９９７年、３巻、７号
【００２１】
【非特許文献２】
公開技報２００１−６０８３
【００２２】
【発明が解決しようとする課題】
絶縁膜の材料としてポリイミド、ノボラック樹脂等の有機材料を使用することの利点は、十分な耐電圧を持つ膜厚で絶縁膜をフォトリソグラフ法などを用いて簡便に形成することができることにある。しかしこれらの材料は、吸湿性が高いために、有機発光層の変質をもたらす水分が含有される可能性が高く、有機発光層を形成する前に十分に水分を脱水する必要が生じる。
【００２３】
ディスプレイとして高い信頼性が求められる場合、例えば、車載用ディスプレイなどでは、有機ＥＬディスプレイは、高温・高湿下のような悪条件でも輝度の低下が小さいことが求められる。特に高温下での駆動では、有機材料からの水分の放出が温度上昇に伴って加速度的に増加し、有機ＥＬ層に拡散する。この水分の放出は、有機ＥＬ層の変質を招き、発光面積を低下させる要因となる。このような問題を解決する必要もある。
【００２４】
また、ポリイミドやノボラック樹脂のような有機材料は、可視光の領域に吸収を持つため、有機ＥＬ層からの発光のうち、これらの有機材料へ入射する光が、これらの有機材料により吸収され、外部へ放出されにくくなる。これは光の取り出し効率の低下の要因となる。
また、有機ＥＬディスプレイでは、有機材料以外の理由に基づく光の取り出し効率の低下を抑制することも必要である。
【００２５】
これらの要求を満たす有機ＥＬディスプレイは未だ提供されていない。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
本発明の第１は、有機ＥＬディスプレイに関する。本発明の有機ＥＬディスプレイは、パッシブマトリックス型ディスプレイであり、概略的には、透明基板上に形成された複数の第１電極と、第１電極に直交する複数の第２電極と、これらの電極間に挟持された有機ＥＬ層から構成される。有機ＥＬディスプレイは、この第１電極と第２電極の交差領域で発光し、この発光部を１単位として１画素を形成し、この画素が複数個配列することで表示部を形成している。なお、本発明では、第１電極および第２電極がそれぞれ１つである有機ＥＬ発光素子であってもよい。
【００２７】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイであり、前記第１電極と平行および垂直に前記絶縁膜が形成され、前記第１の電極の支持基板側の面と第１の電極の側面のなす角が１度以上２０度未満であり、前記絶縁膜の第１電極側の面と絶縁膜の側面のなす角が１度以上２０度未満であることを特徴とする。
【００２８】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記支持基板が、少なくともパターン化された色変換フィルタ層、平坦化層、およびパッシベーション層をさらに含むカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。
【００２９】
本発明の有機ＥＬディスプレイは、前記第２電極側に少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を設けたことを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。
【００３０】
また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする。このような無機絶縁膜を使用することで、光の取り出し効率を上げることができる。
【００３１】
本発明の第２は、有機ＥＬディスプレイの製造方法に関する。
【００３２】
具体的には、本発明の製造方法は、支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイの製造方法であり、該製造方法が、（１）支持基板を提供する工程と、（２）該支持基板上に第１電極を形成する工程と、（３）第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストをパターンニングし、絶縁膜を前記第１電極と平行および垂直に形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程と、（４）有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程とを含み、前記工程（３）において、リフトオフレジストは、リフトオフレジストの第１電極側の面とリフトオフレジストの側面のなす角が１２０度以上１６０度未満に形成されることを特徴とする。
【００３３】
本発明の製造方法は、前記工程（１）が、基板上に少なくともパターン化された色変換フィルタ層、平坦化層、およびパッシベーション層が形成された支持基板を提供する工程であることを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法を包含する。
【００３４】
本発明の製造方法は、上記工程（４）の後に、少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を形成する工程をさらに含むことを特徴とするカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法を包含する。
【００３５】
本発明の製造方法は、前記絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする。
【００３６】
【発明の実施の形態】
本発明では、絶縁膜材料としての有機材料からの水分の放出、これに基づく有機ＥＬ層の変質および発光面積の低下を抑制し、さらに、光の取り出し効率を改善する。
【００３７】
本発明では、絶縁膜材料に無機材料を用いる。無機材料を用いるには、以下の条件が求められる。
【００３８】
１）電界の集中が特に発生しやすい電極の縁部で、十分な耐電圧の膜厚を有する絶縁膜が形成できること。
２）ピンホールの発生を抑制し、耐電圧を確保すること。
３）絶縁膜端部で第２電極が断線しない程度の滑らかなテーパー形状を持つこと。
４）絶縁膜をパターンニングする際に、表示欠陥の原因となる第１電極の表面粗さを大きくせず、有機物残渣を発生させないこと。
５）有機ＥＬ層からの発光を効率よく反射すること。
【００３９】
本発明は、有機材料より吸湿性の低い無機材料を使用し、該無機材料を適切に選択すること、および、該絶縁膜を所定形状に形成することにより上記条件を満たした。
【００４０】
以下に本発明の有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法を説明する。以下の説明では、適宜図面を参照するが、図面に示される有機ＥＬディスプレイおよびその製造方法は、例示であり、本発明はこれに限定されない。
【００４１】
まず、本発明の有機ＥＬディスプレイについて図１から図３を参照して説明する。図１は、本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態の構成を示す概略断面図である。図２は、本発明の有機ＥＬディスプレイの第２の実施形態の構成を示す概略断面図である。また、図３は、支持基板、第１電極および絶縁膜の部分を取り出して記載した場合の、本発明の有機ＥＬディスプレイの部分上面図である。
【００４２】
本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態は、図１（ａ）に示される、いわゆるボトムエミッション型パッシブマトリックス有機ＥＬディスプレイ１００である。ボトムエミッション型は、支持基板１０２側から光１３０を取り出す方式である。図１（ａ）に示されるように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、支持基板１０２上に第１電極１０４、第１電極に平行および垂直に設けられた絶縁膜１０６を有し、この上に有機ＥＬ層１０８、第２電極１１０を有する。なお、本発明の有機ＥＬディスプレイには、第２電極側にパッシベーション層１１２を設けることができる。パッシベーション層は任意要素であるが、本発明ではこれを設けることが好ましい。また、本発明の有機ＥＬディスプレイには、必要に応じて封止用基板１１４、外周封止層（図示せず）および充填剤層（図示せず）が含まれる。封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、一体に形成されてもよい。
【００４３】
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、図１（ｂ）に示されるように、支持基板１０２上に第１電極１０４が形成され、この第１電極１０４の側面と上面の一部を覆うように絶縁膜１０６が形成されている。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。
【００４４】
第１電極は、基板側の面（第１電極の底面）１３２、第１電極の側面１３４、該第１電極の底面に対向する面（第１電極の上面）１３６を有する略台形形状をしている。本発明では、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αは１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成される。角度αが２０度以上であると、第１電極の端部での絶縁膜の厚さが変化し、絶縁耐性の低い部分が発生する。
【００４５】
絶縁膜１０６は、第１電極の側面１３４と第１電極の上面１３６の一部を覆うように形成される。本発明では、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、後に形成される第２電極の断線を防止することができる。
【００４６】
なお、図１（ｂ）では、図面の煩雑化を避けるため、第１電極および絶縁膜の両側面のうち一方のみに番号を付し、一側面側でのみ説明したが、上記説明は両側面に対応することはいうまでもない。
【００４７】
本発明では、無機酸化膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００４８】
次に、本発明の第２の実施形態の有機ＥＬディスプレイを説明する。
【００４９】
本発明の第２の実施形態の有機ＥＬディスプレイは、図２（ａ）に示される、いわゆるトップエミッション型パッシブマトリックス有機ＥＬディスプレイ１５０である。トップエミッション型は、封止用基板１２２側から光１３０を取り出す方式である。
【００５０】
図２（ａ）に示されるように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、第２電極側にパッシベーション層１２０を設けることができる。本発明では、パッシベーション層は任意要素であるが、有機ＥＬディスプレイの気密性を保つため、第２電極および有機ＥＬ層上にパッシベーション層１２０を設けることが好ましい。また、本発明では、封止用基板（透明基板）１２２を設けることが好ましい。封止用基板（透明基板）は、外周封止層（図示せず）および充填剤層（図示せず）と共に用いられ、本発明の有機ＥＬディスプレイを封止することができる。本発明では封止用基板（透明基板）１２２、外周封止層及び充填剤層は、一体に形成されてもよい。
【００５１】
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、図２（ｂ）に示されるように、支持基板１０２上に第１電極１０４が形成され、この第１電極１０４の側面と上面の一部を覆うように絶縁膜１０６が形成されている。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。図２（ｂ）には示していないが、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイでは、支持基板上に必要に応じて反射膜と絶縁層を設けてもよい。
【００５２】
第１電極は、支持基板側の面（第１電極の底面）１３２、第１電極の側面１３４、該第１電極の底面に対向する面（第１電極の上面）１３６を有する略台形形状をしている。本発明では、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αは１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成される。角度αが２０度以上であると、第１電極の端部での絶縁膜の厚さが変化し、絶縁耐性の低い部分が発生する。
【００５３】
絶縁膜１０６は、第１電極の側面１３４と第１電極の上面１３６の一部を覆うように形成される。本発明では、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、後に形成される第２電極の断線を防止することができる。
【００５４】
なお、図２（ｂ）では、図面の煩雑化を避けるため、第１電極および絶縁膜の両側面のうち一方のみに番号を付し、一側面側でのみ説明したが、上記説明は両側面に対応することはいうまでもない。
【００５５】
本発明では、無機酸化膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００５６】
図３に本発明の有機ＥＬディスプレイの第１電極と絶縁膜の形成領域を示した。図３に示されるように、絶縁膜は、第１電極の端部、および第１電極上の発光に必要な領域に開口部３０６を除いた領域に、第１電極と平行および垂直に形成される。第１電極の各々は、外部駆動回路との接続部および引き出し部とに接続されている。また、第１電極は外部駆動回路との接続部位から有機ＥＬディスプレイの表示部内の中央まで配線される。さらに、本発明の有機ＥＬディスプレイは、図３に示されるように、端子パッド３０２を有しており、さらに電気絶縁性の隔壁３０８を有していてもよい。
【００５７】
以下に本発明の有機ＥＬディスプレイの各要素について説明する。
【００５８】
（ｉ）第１電極、有機ＥＬ層および第２電極
本発明の有機ＥＬディスプレイは、一対の電極の間に少なくとも有機発光層を挟持し、必要に応じ、正孔注入層や電子注入層などを導入した構造を有する。即ち、本発明の有機ＥＬディスプレイは、第１電極と、正孔注入層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層などを含む有機ＥＬ層と第２電極とを少なくとも含む。具体的には、下記のような層構造を有する。
（１）陽極／有機発光層／陰極
（２）陽極／正孔注入層／有機発光層／陰極
（３）陽極／有機発光層／電子注入層／陰極
（４）陽極／正孔注入層／有機発光層／電子注入層／陰極
（５）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子注入層／陰極
（６）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
上記の層構造において、陽極および陰極の少なくとも一方、特に陽極は、有機ＥＬ層の発する光の波長域において透明であることが望ましい。この透明な電極を通してが放出される。
【００５９】
なお、本明細書において、第１電極および第２電極に挟持された有機層（有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層および／または電子注入層）の部分を有機ＥＬ層と称する。また、本明細書において、第１電極、後述する絶縁膜、有機ＥＬ層、および第２電極を併せて発光部と称する。
【００６０】
（ｉ）電極（１０４、１１０）
本発明では、以下に示す第１電極および第２電極を用いることができる。
【００６１】
イ）第１電極（１０４）
第１電極１０４は、支持基板１０２上に形成される。第１電極１０４は、有機発光層に対して効率よく電子または正孔を注入することができるものである。第１電極は、陽極または陰極として用いることができるが、本発明では陽極として用いることが好ましい。
【００６２】
第１電極を陽極として用いる場合、正孔の注入を効率よく行うために、仕事関数が大きい材料が用いられる。特に有機ＥＬディスプレイがボトムエミッション方式である場合、陽極を通して光が放出されるために陽極が透明であることが要求され、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ等の導電性金属酸化物が用いられる。本発明では、ＩＺＯが好ましい。これは、ＩＺＯは室温で比較的低抵抗な膜として成膜することができ、且つ弱酸によるパターンニングが可能であるためである。一方、トップエミッション方式では第１電極は透明であることは必要ではないが、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて第１電極を形成することができる。さらに、ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｌ，Ａｇ，Ｍｏ，Ｗなど）を用いることが好ましい。このメタル電極は、導電性金属酸化物より抵抗率が低いので補助電極として機能すると同時に、有機ＥＬ層にて発光される光を色変換フィルタ側に反射して光の有効利用を図ることが可能となる。
【００６３】
第１電極を陰極として用いる場合、ボトムエミッション方式では、有機発光層の発する光の波長域において透明であることが必要とされる。上記の仕事関数の小さいことと透明であることの２つの特性を両立するために、本発明において第１電極を複数層からなる積層構造としてもよい。一般に、仕事関数の小さい材料は、透明性が低いので、このようにすることは有効である。例えば、基板上にＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜を形成する。次いで、該透明電極上の有機発光層と接触する部位に、極薄膜（１０ｎｍ以下）を用いればよい。この極薄膜の材料としては、リチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物を用いることができる。これらの仕事関数の小さい材料を用いることにより効率のよい電子注入を可能とし、さらに極薄膜とすることによりこれら材料による透明性の低下を最低限とすることが可能となる。上記の極薄膜は補助電極として機能し、第２電極全体の抵抗値を減少させ有機発光層に対して充分な電流を供給することを可能にする。
【００６４】
一方トップエミッション方式では、仕事関数が小さい材料であるリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物が用いられる。前述と同様に、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｌ，Ａｇ，Ｍｏ，Ｗなど）を用いてもよく、その場合には低抵抗化および反射による有機発光層の発光の有効利用を図ることができる。
【００６５】
本発明では、第１電極は、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度αを１度以上２０度未満とすることで、第１電極の側面にほぼ均等な膜厚で絶縁膜が形成され、絶縁耐性が改善される。
【００６６】
ロ）第２電極（１１０）
第２電極１１０は、有機発光層に対して効率よく電子または正孔を注入することができるものである。
【００６７】
トップエミッション方式である場合、第２電極は有機発光層の発光波長域において透明であることが求められる。第２電極１１０は、波長４００〜８００ｎｍの光に対して５０％以上の透過率を有することが好ましい。ボトムエミッション方式の場合、第２電極には透明性は要求されないが、光反射性金属と透明電極を組み合わせて用いることもできる。
【００６８】
ボトムエミッション方式において、第２電極１１０を陰極として用いる場合、その材料は、電子を効率よく注入するために仕事関数が小さいことが求められる。このような材料には、例えばリチウム、ナトリウム等のアルカリ金属、カリウム、カルシウム、マグネシウム、ストロンチウムなどのアルカリ土類金属、またはこれらのフッ化物等からなる電子注入性の金属、その他の金属との合金や化合物を用いることができる。また、Ａｌ、Ｍｇ／Ａｇのような材料を用いることもできる。
【００６９】
また、トップエミッション方式である場合、有機発光層の発する光の波長域において透明であることが必要とされる。上記の仕事関数の小さいことと透明であることの２つの特性を両立するために、本発明において第２電極を複数層からなる積層構造としてもよい。一般に、仕事関数の小さい材料は、透明性が低いので、このようにすることは有効である。例えば、有機発光層と接触する部位に、上記材料の極薄膜（１０ｎｍ以下）を用いることができる。これらの仕事関数の小さい材料を用いることにより効率のよい電子注入を可能とし、さらに極薄膜とすることによりこれら材料による透明性低下を最低限とすることが可能となる。この極薄膜の上には、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電膜を形成する。上記の極薄膜は補助電極として機能し、第２電極全体の抵抗値を減少させ有機発光層に対して充分な電流を供給することを可能にする。
【００７０】
第２電極１１０を陽極として用いる場合、正孔注入効率を高めるために仕事関数の大きな材料を用いる必要がある。ボトムエミッション方式である場合、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの導電性金属酸化物を用いて第２電極を形成することができる。ＩＴＯなどの導電性金属酸化物を用いる場合、その下に反射率の高いメタル電極（Ａｇ，Ｐｔ，Ａｕなど）を用いることが好ましい。このメタル電極は、導電性金属酸化物より抵抗率が低いので補助電極として機能すると同時に、有機ＥＬ層にて発光される光を色変換フィルタ側に反射して光の有効利用を図ることが可能となる。
【００７１】
また、トップエミッション方式である場合、有機発光層からの発光が第２電極を通過するために透明性の高い材料を用いる必要がある。したがって、この場合にはＩＴＯまたはＩＺＯのような透明導電性材料を用いることが好ましい。
【００７２】
ハ）有機ＥＬ層
有機ＥＬ層１０８の各層の材料は、公知のものが使用できる。青色から青緑色の発光を得るためには、有機発光層中に、例えばベンゾチアゾール系、ベンゾイミダゾール系、べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤、金属キレート化オキソニウム化合物、スチリルベンゼン系化合物、芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。また、電子注入層としては、キノリン誘導体（たとえば、８−キノリノールを配位子とする有機金属錯体）、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘導体、ピリミジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオレン誘導体などを用いることができる。さらに、電子注入層として、アルカリ金属、アルカリドル金属、およびその酸化物、フッ化物、窒化物、ホウ化物、例えばＬｉＦなどを用いることができる。電子輸送層としては、金属錯体系（Ａｌｑ３）とオキサジアゾール、トリアゾール系化合物等を用いることができる。また、正孔注入層としては、芳香族アミン化合物、スターバースト型アミンや、ベンジジン型アミンの多量体および銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）などを用いることができる。正孔輸送層としては、スターバースト型アミン、芳香族ジアミンなどを用いることができる。
【００７３】
上記各電極および有機ＥＬ層の各層の厚さは、従来通りである。
【００７４】
（ｉｉ）絶縁膜
本発明の有機ＥＬディスプレイでは、絶縁膜１０４を配設する。絶縁膜の材料としては、発光部の駆動電圧に対し、十分な絶縁耐性を有し、且つ、発光部および色変換フィルタ層へ悪影響を及ぼさないものであればよい。例えば、無機酸化物膜または無機窒化物膜、特に、屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。このような無機酸化物膜または無機窒化物膜には、例えば、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化タンタル、窒化アルミニウム等があり、本発明ではこれらを好適に使用することができる。
【００７５】
本発明では、上記のように、絶縁膜１０６は、第１電極の上面１３６と絶縁膜の側面１３８のなす角βが１度以上２０度未満であることを必要とする。角度βを１度以上２０度未満とすることで、第２電極の断線を防止することができる。なお、絶縁膜は第１電極と平行および垂直に形成される。
【００７６】
また、本発明では、絶縁膜は屈折率が１．８以上の材料を用いることが好ましい。有機ＥＬ層の屈折率が約１．５〜１．６であるため、絶縁膜に屈折率の大きな材料を用いることにより有機ＥＬ層と絶縁膜の界面に屈折率差を設け、有機ＥＬ層から発せられる光を反射させ、光の取り出し効率を向上させることができる。
【００７７】
さらに、絶縁膜を配設することによって、例えば以下で説明する有機カラーディスプレイの場合、その発光部位を制御し、消費電力を抑えることができる。例えば、絶縁膜を配設しない有機カラーディスプレイを駆動した場合、色変換フィルタ層の面だけでなく、ブラックマトリックスをもうけた部分も発光してしまう。ブラックマトリックスの部分での発光は外部へ到達できないため、有効活用できず、有機カラーディスプレイの消費電力を増大させる原因となる。
【００７８】
絶縁膜の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。例えば、膜厚は、２００〜４００ｎｍ、好ましくは２５０〜３５０ｎｍである。
【００７９】
（ｉｉｉ）パッシベーション層１１４、１２０
第２電極以下の各層を覆うパッシベーション層１１４、１２０を設けることが好ましい。パッシベーション層は、外部環境からの酸素、低分子成分および水分の透過を防止し、それらによる有機ＥＬ層の機能低下を防止することに有効である。パッシベーション層は、任意選択の層であるが、上記目的のために設けることが好ましい。パッシベーション層は、有機ＥＬ層の発光を外部へと透過させるために、その発光波長域において透明であることが好ましい。
【００８０】
これらの要請を満たすために、パッシベーション層は、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、電気絶縁性を有し、水分、酸素および低分子成分に対するバリア性を有し、好ましくは鉛筆硬度２Ｈ以上の膜硬度を有する材料で形成される。例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等の材料を使用できる。
【００８１】
また、パッシベーション層として種々のポリマー材料を用いることができる。イミド変性シリコーン樹脂（特開平５−１３４１１２号公報、特開平７−２１８７１７号公報、特開平７−３０６３１１号公報（特許文献３〜５）等）、無機金属化合物（ＴｉＯ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル、ポリイミド、シリコーン樹脂等の中に分散した材料（特開平５−１１９３０６号公報、特開平７−１０４１１４号公報（特許文献６、７）等）、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有した樹脂、レジスト樹脂（特開平６−３００９１０号公報、特開平７−１２８５１９号公報、特開平８−２７９３９４号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献９〜１２）等）、フッ素系樹脂（特開平５−３６４７５号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献１４、１５）等）、または高い熱伝導率を有するメソゲン構造を有するエポキシ樹脂などの光硬化性樹脂および／または熱硬化性樹脂を挙げることができる。
【００８２】
上述のパッシベーション層は、単層であっても、複数の層が積層されたものであってもよい。パッシベーション層の厚さ（複数の層の積層物である場合は全厚）は、０．１〜１０μｍであることが好ましい。
【００８３】
（ｉｖ）支持基板１０２
支持基板１０２として、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板、または、半導電性や導電性基板に絶縁性の薄膜を形成した基板を用いることができる。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを、支持基板１０２として用いてもよい。
【００８４】
本発明では、トップエミッション型の場合、支持基板１０２は、少なくとも基板と以下に説明する反射膜から構成されていてもよい。この基板として上記の材料をそのまま使用できる。また、支持基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることもできる。絶縁層の材料には、先に説明したパッシベーション層や後述する平坦化層で説明する無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料等を用いることができる。
【００８５】
支持基板の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。
【００８６】
（ｖ）反射膜
本発明で使用されうる反射膜は、特に限定されるものではなく、有機ＥＬ層からの光を上部透明電極（第２電極）側に効率良く反射させることが可能であればよい。例えば光を反射する金属または合金からなるものが挙げられる。透明基板上に設けられる反射膜は、有機ＥＬ層の下地層にもなるため平坦性に優れたアモルファス膜とすることが好ましい。アモルファス膜を形成するのに好適な金属および合金としては、ＣｒＢ、ＣｒＰ、またはＮｉＰなどが挙げられる。
【００８７】
反射膜は、ガラスまたはプラスチックなどの透明基板の上面または裏面（背面）に設けることができる。また、第１電極の形状に合わせてパターン化された反射膜を透明基板上に設けてもよい。さらに、透明基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることにより、基板と反射膜とを兼ねてもよい。反射膜の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。なお、導電性金属を反射膜として用いる場合には、反射膜上に絶縁性の薄膜を形成する。絶縁性の薄膜の材料には、先に説明したパッシベーション層や後述する平坦化層で説明する無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料などを用いることができる。
【００８８】
次に、外周封止層（図示せず）、封止用基板１１４、および充填剤層（図示せず）について説明する。
【００８９】
（ｖｉ）外周封止層
外周封止層は、封止用基板１１４と、第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層、第２電極を設けた支持基板を接着するとともに、内部の各構成要素を外部環境の酸素、水分などから保護する機能を有する。外周封止層は、例えば紫外線硬化型樹脂から形成ることができる。
【００９０】
封止用基板１１４と支持基板とのアライメントが完了したならば、紫外線を照射して、紫外線硬化型樹脂を硬化させればよい。
【００９１】
また、外周封止層に用いる前記紫外線硬化型樹脂は、直径５〜５０μｍ、好ましくは直径５〜２０μｍのガラスビーズ、シリカビーズなどを含んでいることが好ましい。これらのビーズ類が、封止用基板１１４と色変換フィルタとの貼り合わせにおいて、基板間距離（基板と封止用基板１１４との間の距離）を規定するとともに、接着のために印加される圧力を負担するからである。
【００９２】
なお、内部空間に充填剤を封入する場合には、外周封止層の一部に孔を設けて外周封止層を硬化させ、この孔から充填剤を注入した後、この孔を塞げばよい。
【００９３】
（ｖｉｉ）封止用基板１１４、１２２
封止用基板は、本発明の有機カラーディスプレイを封止し、外部の水分や有害なガスなどを透過させないものであれば特に限定されない。また、膜厚等も従来の通りである。例えば、後述する色変換フィルタ基板の透明基板と同じ材料や、従来の封止用の基板をそのまま使用することができる。
【００９４】
（ｖｉｉｉ）充填剤層
充填剤層は、外周封止層、封止用基板１１４、発光部および色変換フィルタ基板１０２により形成される内部空間を充填して、有機カラーディスプレイの密閉性を高めるためものである。
【００９５】
充填剤層を形成するための充填剤は、発光部、色変換フィルタ層などの特性に悪影響を及ぼさない不活性液体または不活性なゲルであればよい。また、充填剤は、内部空間に注入した後にゲル化する液体であってもよい。本発明で使用しうるこのタイプの充填剤の例は、シリコーン樹脂、フッ素系不活性液体、またはフッ素系オイルなどを含む。充填剤の所要量は、当業者によって容易に決定されうるものである。
【００９６】
本発明では、封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【００９７】
次に本発明のカラー有機ＥＬディスプレイについて説明する。
【００９８】
本発明の有機ＥＬディスプレイの第１の実施形態には、支持基板が少なくともパターン化された色変換フィルタ層および平坦化層をさらに含むカラー有機ＥＬディスプレイを包含する。即ち、図１（ａ）において、支持基板１０２は、透明な基板と、該基板上に形成された色変換フィルタ層と、色変換フィルタ層を含む透明基板上に形成された平坦化層を少なくとも具備する。なお、本明細書において、透明基板と、その上に形成された色変換フィルタ層を少なくとも具備し、任意に、色変換フィルタ層を含む透明基板上に形成された平坦化層と、上記の透明な基板上に形成されたブラックマトリックスを有するものを色変換フィルタ基板と称する。
【００９９】
本発明の第２の実施形態のカラー有機ＥＬディスプレイは、第２電極側に少なくとも透明基板および色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を設ける。なお、第２の実施形態では、第２電極側にパッシベーション層１２０を設けることが好ましい。また、封止用基板１２２は色変換フィルタ基板とする。色変換フィルタ基板は、色変換フィルタ層以外に、ブラックマトリックスおよび平坦化層などを含むことが好ましい。なお、パッシベーション層および平坦化層には、先に説明した材料を用いることができる。また、色変換フィルタ基板は先に説明した外周封止層、充填剤層などと共に用いることができる。
【０１００】
本発明のカラー有機ＥＬディスプレイの色変換フィルタ基板を説明する。色変換フィルタ基板の各色変換フィルタ層は、それぞれ、赤、緑および青の染料または顔料からなる赤色変換フィルタ層、緑色変換フィルタ層および青色変換フィルタ層である。
【０１０１】
各要素について以下に説明する。
【０１０２】
以下に本発明の色変換フィルタ基板の各要素について説明する。
１．色変換フィルタ層
本明細書において、色変換フィルタ層は、カラーフィルタ層、蛍光変換層、およびカラーフィルタ層と蛍光変換層との積層体の総称である。蛍光変換層は、有機ＥＬ層で発光される近紫外領域ないし可視領域の光、特に青色ないし青緑色領域の光を吸収して異なる波長の可視光を蛍光として発光するものである。フルカラー表示を可能にするためには、少なくとも青色（Ｂ）領域、緑色（Ｇ）領域および赤色（Ｒ）領域の光を放出する独立した色変換フィルタ層が設けられる。ＲＧＢそれぞれの蛍光変換層は、少なくとも有機蛍光色素とマトリクス樹脂とを含む。
【０１０３】
本発明では、有機蛍光色素として、少なくとも赤色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種類以上が用いられ、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素の一種以上と組み合わせることが好ましい。これは以下の理由による。有機ＥＬ層が発光源である場合、青色ないし青緑色領域の光を発光するものが得やすいが、これを単なる赤色フィルタに通して赤色領域の光に変更しようとすると、元々赤色領域の波長の光が少ないため、極めて暗い出力光になってしまう。したがって、十分な強度の出力を持った赤色領域の光を得るためには、発光体としての有機ＥＬ層からの光を蛍光色素によって一旦吸収させ、赤色領域の光に変換させることが必要となる。このように、赤色領域の光は、発光体からの光を蛍光色素によって赤色領域の光に変換させることにより、十分な強度の出力が可能となる。
【０１０４】
一方、緑色領域の光は、赤色領域の光と同様に、発光体からの光を別の蛍光色素によって緑色領域の光に変換させて出力させてもよいし、または、発光体の発光が緑色領域の光を十分に含むならば、この発光体からの光を単に緑色フィルタを通して出力してもよい。
【０１０５】
また、青色領域の光に関しては、発光源からの光（例えば有機ＥＬ層からの光）を単なる青色フィルタに通して出力させることが可能である。
【０１０６】
１）有機蛍光色素
本発明において、有機蛍光色素は、有機ＥＬ層のような発光体から発せられる近紫外領域ないし可視領域の光、特には青色ないし青緑色領域の光を吸収して、該発光体とは異なる波長の可視光を発するものであれば特に限定されない。
【０１０７】
有機ＥＬ層から発せられる青色から青緑色領域の光を吸収して、赤色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、ローダミンＢ、ローダミン６Ｇ、ローダミン３Ｂ、ローダミン１０１、ローダミン１１０、スルホローダミン、べ一シックバイオレット１１、べーシックレッド２などのローダミン系色素、シアニン系色素、１−エチル−２−［４−（ｐ−ジメチルアミノフェニル）−１３−ブタジエニル］−ピリジウム−パークロレート（ピリジン１）などのピリジン系色素、あるいはオキサジン系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。
【０１０８】
有機ＥＬ層から発せられる青色ないし青緑色領域の光を吸収して、緑色領域の蛍光を発する蛍光色素には、例えば以下のような有機蛍光色素がある。すなわち、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−ジエチルアミノクマリン（クマリン６）、３−（２’−ベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン７）、３−（２’−Ｎ−メチルベンゾイミダゾリル）−７−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノクマリン（クマリン３０）、２，３，５，６−１Ｈ，４Ｈ−テトラヒドロ−８−トリフルオロメチルキノリジン（９，９ａ，１−ｇｈ）クマリン（クマリン１５３）などのクマリン系色素、または、クマリン色素系染料であるべーシックイエロー５１、さらにはソルベントイエロー１１、ソルベントイエロー１１６などのナフタルイミド系色素などである。さらに、各種染料（直接染料、酸性染料、塩基性染料、分散染料など）も所望の蛍光を発することができれば使用することができる。
【０１０９】
なお、本発明に用いることができる有機蛍光色素を、ポリメタクリル酸エステル、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合樹脂、アルキッド樹脂、芳香族スルホンアミド樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂およびこれらの樹脂混合物などに予め練り込んで顔料化して、有機蛍光顔料としてもよい。また、これらの有機蛍光色素や有機蛍光顔料（本明細書中で、前記２つを合わせて有機蛍光色素と総称する）は単独で用いてもよく、蛍光の色相を調整するために二種以上を組み合わせて用いてもよい。本発明に用いる有機蛍光色素は、色変換フィルタ層に対して、この変換フィルタ層の重量を基準として０．０１〜５重量％、より好ましくは０．１〜２重量％の量で含有される。有機蛍光色素の含有量が０．０１重量％未満の場合には、十分な波長変換を行うことができず、その含有量が５％を越える場合には、濃度消光等の効果により色変換効率の低下が起こる。
【０１１０】
本発明では、色変換フィルタ層の線幅、ピッチなどは、特に制限されない。例えば、以下の実施例に示される線幅、ピッチを挙げることができる。また、色変換層の膜厚は、例えば１０μｍｍとすることができる。
【０１１１】
２）マトリックス樹脂
次に、本発明の色変換フィルタ層に用いられるマトリックス樹脂について説明する。マトリックス樹脂は、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂からなる。これを、光および／または熱処理して、ラジカル種やイオン種を発生させて重合または架橋させ、樹脂を不溶不融化させて、色変換フィルタ層を形成する。
【０１１２】
光硬化性または光熱併用型の硬化性樹脂には、（１）アクロイル基やメタクロイル基を複数有するアクリル系多官能モノマーおよびオリゴマー、（２）ポリビニル桂皮酸エステル、（３）鎖状または環状オレフィン、（４）エポキシ基を有するモノマーなどが含まれる。また、光硬化性樹脂または光熱併用型の硬化性樹脂は、色変換フィルタ層として硬化されない状態では、有機溶媒またはアルカリ溶液に可溶であることが好ましい。
【０１１３】
これらの硬化性樹脂は、例えば以下のような組成物として使用され、基板上に塗布された後、パターンニングされる。例えば、（１）の硬化性樹脂は、光または熱重合開始剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理して、光ラジカルや熱ラジカルを発生させて重合させる。また、（２）の硬化性樹脂は、増感剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理により二量化させて架橋する。（３）の硬化性樹脂は、ビスアジドと混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理によりナイトレンを発生させ、オレフィンと架橋させる。（４）の硬化剤は、光酸発生剤と混合され、この組成物を塗布した後、光または熱処理により、酸（カチオン）を発生させて重合させる。本発明では、特に（１）の光硬化性または光熱併用型硬化性樹脂からなる組成物が高精細でパターンニングが可能であり、耐溶剤性、耐熱性等の信頼性の面でも好ましい。
【０１１４】
３）ブラックマトリックス
ブラックマトリックスは、可視光をよく吸収し、発光部及び色変換フィルタ層へ悪影響を与えないものであれば特に限定されない。本発明では、黒色の無機層、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層等によりブラックマトリックスを形成することが好ましい。例えば、黒色の無機層としては、クロム膜（酸化クロム／クロム積層膜）などを挙げることができる。また、黒色顔料または黒色染料を樹脂に分散した層としては、例えば、カーボンブラック、フタロシアニン、キナクリドン等の顔料または染料をポリイミドなどの樹脂に分散したもの、カラーレジストなどが挙げられる。これらのブラックマトリックスは、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着等のドライプロセス、スピンコート法のようなウエットプロセスにより形成することができ、フォトリソグラフィー法等によりパターンニングすることができる。
【０１１５】
本発明では、ブラックマトリックスの光反射率は、４０以下、好ましくは３０％以下、より好ましくは１０％以下である。これ以上の反射率であると、外部からの入射光を反射し、コントラストを低下させる原因となる。本発明では、上記クロム膜（数十％）、及び顔料分散樹脂層（１０％以下）が好ましい光反射率を有するが、クロム膜よりも顔料分散樹脂層の方が低い反射率を有するため好ましい。但し、無機層は、材料により電気伝導性を持たせることが可能であり、透明電極の補助電極としての機能を持たせることができる場合があるので、ブラックマトリックスの材料は、色変換フィルタ基板の用途に応じて適宜選択すればよい。
【０１１６】
ブラックマトリックスは、好ましくは０．５〜２．０μｍの厚さを有する。
【０１１７】
４）平坦化層
本発明に用いることができる平坦性を有した平坦化層は、色変換フィルタ側面の凹凸（これは、色変換フィルタ基板をディスプレイのような表示素子に用いる場合、発光部の電極間の短絡の原因となる。）を平坦化し、且つ、色変換フィルタ層へ悪影響を与えないものであれば特に限定されない。また、本発明の色変換フィルタ基板をディスプレイのような発光素子に用いる場合、平坦化層は第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極へ悪影響を与えないことも必要である。
【０１１８】
本発明の色変換フィルタ基板では、平坦化層は任意要素である。しかし、パッシブ型のディスプレイのような表示素子に本発明の色変換フィルタ基板を用いる場合には、前記の電極間の短絡を防止するためにも平坦化層を設けることが好ましい。
【０１１９】
また、平坦化層は、色変換フィルタ基板の各要素を密閉し、外部の有害なガスや水分などから、色変換フィルタ層、ブラックマトリックスなどを保護する機能も有する。
【０１２０】
本発明の平坦化層は、例えば、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、Ｔｇが１００℃以上であり、表面硬度が鉛筆硬度で２Ｈ以上である層である。本発明の平坦化層に使用できる材料は、基板上に表面が平坦となるように塗膜を形成でき、色変換フィルタ層の機能を低下させない材料であればよい。例えば、イミド変性シリコーン樹脂（特開平５−１３４１１２号公報、特開平７−２１８７１７号公報、特開平７−３０６３１１号公報（特許文献３〜５）等）、無機金属化合物（ＴｉＯ、ＡＬ２Ｏ３、ＳｉＯ２等）をアクリル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂等の中に分散したもの（特開平５−１１９３０６号公報、特開平７−１０４１１４号公報（特許文献６、７）等）、紫外線硬化型樹脂としてのエポキシ変性アクリレート樹脂（特開平７−４８４２４号公報（特許文献８））、アクリレートモノマー／オリゴマー／ポリマーの反応性ビニル基を有する樹脂、レジスト樹脂（特開平６−３００９１０号公報、特開平７−１２８５１９号公報、特開平８−２７９３９４号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献９〜１２）等）、無機化合物のゾル−ゲル法を用いることができる材料（月刊ディスプレイ１９９７年、３巻、７号（非特許文献１）に記載、特開平８−２７９３４号公報（特許文献１３）等）、フッ素系樹脂（特開平５−３６４７５号公報、特開平９−３３０７９３号公報（特許文献１４、１５）等）等の光硬化型樹脂および／または熱硬化型樹脂がある。
【０１２１】
また、本発明の色変換フィルタ基板をディスプレイのような発光素子に用いる場合、発光部が水分やアルカリ等に弱い場合、平坦化層には、電気絶縁性を有し、ガス、水分、アルカリ、有機溶剤等に対するバリア性を有し、可視域における透明性が高く（４００〜８００ｎｍの範囲で透過率５０％以上）、電極の成膜に耐えうる硬度として、好ましくは２Ｈ以上の膜硬度を有する材料を用いることができる。例えば、ＳｉＯｘ、ＳｉＮｘ、ＳｉＮｘＯｙ、ＡｌＯｘ、ＴｉＯｘ、ＴａＯｘ、ＺｎＯｘ等の無機酸化物、無機窒化物等が使用できる。これらの材料は、本発明の平坦化層の表面の平坦性を損なうことなく、層を形成することができる。
【０１２２】
上述の平坦化層は単層であっても、または、複数の層が積層された積層体でもよい。また、複数層からなる場合、各層は同じ材料でも異なる材料でもよいが、バリアー性を向上させるためには、異なる材料を用いることが好ましい。
【０１２３】
この平坦化層を色変換方式の有機カラーディスプレイに適用する際には、考慮しなければならない重要な要素が有る。すなわち、その要素とは、平坦化層の膜厚が表示性能、特に視野角特性に及ぼす影響である。本発明の色変換方式の有機カラーディスプレイにおいて、特に重要な視野角特性とは、素子に対して見る角度を変えた際に生じる色の変化である。
【０１２４】
平坦化層を厚くしすぎると、有機ＥＬ層で発生した光が、平坦化層を介して色変換フィルタ層に届くまでの光路長が長くなる。その結果、有機カラーディスプレイを用いて構築されたディスプレイを斜め方向から見ると、隣接する別の色の画素への光の漏れ（光学的クロストーク）が発生する。ディスプレイの表示性能として考えると、この光学的クロストークによる隣接色の発光量の比率が、本来の色の発光量に対して、十分小さいことが要求される。
【０１２５】
この要求は、平坦化層の厚さと、画素の最小幅との関係を制限することに置き換えられる。公開技報２００１−６０８３（非特許文献２）によれば平坦化層の膜厚ｔｐＬは、０＜ｔｐＬ＜０．１Ｗ（Ｗは画素の最小幅）で示される範囲が好適とされている。本発明においては、平坦化層の厚さは、３から２０μｍ、好ましくは５から１５μｍである。
【０１２６】
なお、上記説明では、平坦化層に色変換フィルタ基板の各要素を密閉し、外部の有害なガスや水分などから、色変換フィルタ層、ブラックマトリックスなどを保護する機能（保護機能）も合わせ持つように記載したが、平坦化の機能と保護機能を別々の層として持たせてもよい。例えば、平坦化の機能を有する層を平坦化層とし、保護機能を有する層をパッシベーション層として別々に設けてもよい。
【０１２７】
５）基板
基板には、ガラスやプラスチックなどからなる絶縁性基板、または、半導電性や導電性基板に絶縁性の薄膜を形成した基板を用いることができる。あるいはまた、ポリオレフィン、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂またはポリイミド樹脂などから形成される可撓性フィルムを基板として用いてもよい。本発明では、トップエミッション型の場合、支持基板１０２は、少なくとも基板と先に説明した反射膜から構成されていてもよい。この基板として上述の材料をそのまま使用できる。本発明では、基板の代りに絶縁層を介して、光を反射する金属または合金からなる基板を用いることにより、基板と反射膜とを兼ねることもできる。絶縁層の材料には、先にパッシベーション層や平坦化層で説明した無機酸化物膜、無機窒化物膜、有機材料等を用いることができる。上記各層の膜厚などのパラメータは従来の通りであり、当業者により適切に選択されうる。
【０１２８】
次に、本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法について説明する。
【０１２９】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、（１）支持基板を提供する工程と、（２）該支持基板上に第１電極を形成する工程と、（３）第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストをパターンニングし、絶縁膜を少なくとも表示部において前記第１電極と平行および垂直に形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程と、（４）有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程とを含む。以下に図４を参照して各工程を説明する。図４は、ボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイの製造方法の例である。
【０１３０】
第１の工程は、支持基板を提供する工程である。支持基板は、上記有機ＥＬディスプレイで説明したものを用いることができる。
【０１３１】
支持基板は、予め平滑化処理などの表面処理を施しておくことが好ましい。
【０１３２】
本発明の有機ＥＬディスプレイの場合には、上記支持基板を用いて以下の工程（２）〜（４）を行えばよい。
【０１３３】
なお、トップエミッション型有機ＥＬディスプレイの場合、支持基板は、基板と反射膜から形成されていてもよい。この場合、基板は上記支持基板と同じであってもよくまた不透明な基板であってもよい。該基板上に、反射膜を、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成することができる。また、必要に応じて反射膜上に絶縁層を形成する。絶縁層は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手段により形成することができる。なお、絶縁層の材料は、先に反射膜の欄で説明したとおりである。
【０１３４】
第２の工程は、第１電極を形成する。支持基板上面にスパッタ法などにより第１電極を全面成膜する。この透明電極上にレジスト剤を塗布した後、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを行い、それぞれの色の発光部に位置するストライプパターンからなる第１電極（陽極）１０４を得る（図４（ａ）参照）。本発明では、第１電極は、第１電極の底面１３２と第１電極の側面１３４のなす角αが１度以上２０度未満であることを必要とする。このように第１電極の側面を所定角度で形成するには、フォトリソグラフ法によるパターンニングの際にフォトレジストと第１電極との密着性を下げればよい。このようにすることにより第１電極の材料とフォトレジストの界面にエッチング液が浸入しやすくなり、第１電極の上面側がより速く浸食され、第１電極の側面が所定角度である略台形形状の第１電極を形成することができる。フォトレジストと第１電極材の料との密着性を低下させる方法として、フォトレジスト形成時のベーキング温度を低くすることや、ベーキング時間を短時間とすることにより基板の温度上昇を抑えることが挙げられる。例えば、ＩＺＯを第１電極として用いる場合、フォトレジスト材料（例えばＯＦＰＲ−８００（東京応化工業社製））をスピンコート法によりＩＺＯ上に塗布し、これをクリーンオーブンを用いた場合には５０℃〜８０℃で、５〜１０分、ホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で３０秒〜１２０秒の条件でプリベークおよび露光した後、現像して第１電極のパターンを形成すればよい。次いで、シュウ酸のような弱酸性溶液でＩＺＯをエッチングすることにより略台形形状の第１電極を形成できる。
【０１３５】
第３の工程は、第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストを形成し、絶縁膜を形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程である（図４（ｂ）〜図４（ｅ）参照）。
【０１３６】
絶縁膜の形成にはリフトオフレジストを使用するリフトオフ法を用いることが好ましい。リフトオフ法は、無機絶縁膜のパターンニングに強酸または強アルカリを用いる必要がなく、第１電極の表面を粗くすることがないという利点がある。
【０１３７】
リフトオフレジストとしては、ポジ型フォトレジスト（例えばＳＩＰＲ９６９１（信越化学製）、ＬＯＲ−Ｐ００３（東京応化工業製））や、ネガ型フォトレジスト（例えばＺＰＮ１１００（日本ゼオン製））を用いることができる。
【０１３８】
リフトオフレジストは、従来から公知のフォトレジスト法に従って塗布およびパターンニングを行うことができる。本発明では、リフトオフレジストの基板側の面（リフトオフレジスト底面）４０４とリフトオフレジストの側面４０６のなす角γが１２０度以上１６０度未満であることが好ましい。より好ましくは角度γは１５０度である。このような角度とすることにより、絶縁膜がほぼ均一な膜厚で形成される。角度γが１２０度より小さくなると、絶縁膜を形成する際、絶縁膜材料がリフトオフレジストの側面に回り込みレジストの除去が難しくなる。また、絶縁膜の上記角度αが大きくなりすぎ、絶縁膜の側面が急峻に形成されるようになる。また、角度γが１６０度より大きくなると、絶縁膜の回り込みが小さくなりすぎるため、設計寸法よりも小さくパターンが形成されることになる。
【０１３９】
本発明のリフトオフレジストのパターンニングは、例えばＺＰＮ１０００（日本ゼオン）のようなレジスト材料を、第１電極を形成した支持基板上にスピンコート法により塗布し、クリーンオーブンを用いた場合６０℃〜１００℃で１５〜３０分、またはホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で９０秒〜１８０秒の条件でベーキングした後、露光し、再度ベークを行う。このベークは、クリーンオーブンを用いた場合８０℃〜１００℃で５分〜１０分、ホットプレートを用いた場合には９０℃〜１１０℃で６０秒〜１２０秒の条件で行うことが望ましい。ベークの後に、現像（例えば、ＮＭＤ−３（東京応化工業製）を用い、室温で９０〜１２０秒浸漬するか、またはシャワー現像を９０〜１２０秒）を行えばよい。この手順により、図４（ｃ）に示したように第１電極上の開口部に相当する領域に、所定の角度γを有するリフトオフレジスト４０２を形成することができる。また、リフトオフレジストは、第１電極と外部駆動回路との接合部にも形成される。リフトオフレジストの膜厚は１〜５μｍであることが好ましい。
【０１４０】
次に、絶縁膜を形成する（図４（ｄ）参照）。絶縁膜は、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法などを用いることができる。本発明では、例えばＲＦスパッタ法により室温で絶縁膜を形成することができる。
【０１４１】
次に、前記リフトオフレジストを除去する（図４（ｅ）参照）。
【０１４２】
リフトオフレジストは、レジスト剥離液に浸漬するか、レジスト剥離液を噴霧等することにより除去することができる。剥離液への浸漬、噴霧等の時間および剥離液の温度などは、当業者により適宜選択されうる。例えば、液温度は室温から５０℃、処理時間は１〜５分である。
【０１４３】
以上の工程で、絶縁膜を所定角度で、第１電極に平行および垂直に形成することができる。
【０１４４】
第４の工程は、有機ＥＬ層および第２電極を形成する工程である。
【０１４５】
第１電極および絶縁膜を形成した支持基板上に有機ＥＬ層１０８を形成する。有機ＥＬ層は、抵抗加熱蒸着装置などを用いて、例えば正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を、真空を破らずに順次成膜すればよい。なお、有機ＥＬ層１０８はこの構成に限らず、先に説明したような種々の形態をとりうる。それぞれの形態においても、各層は抵抗加熱蒸着装置などを用いて成膜すればよい。
【０１４６】
この後、第１電極のラインと垂直なストライプパターンが得られるマスクを用いて第２電極（陰極）１１０を真空を破らずに形成する。
【０１４７】
次に、必要に応じて、第２電極側にパッシベーション層を形成する。該パッシベーション層の形成方法としては特に制約はなく、無機材料を用いる場合には、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、ディップ法、ゾル−ゲル法等の慣用の手法により形成できる。また、ポリマー材料を用いる場合にも、その形成法は特に制限はない。たとえば、乾式法（スパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法など）、あるいは湿式法（スピンコート法、ロールコート法、キャスト法など）のような慣用の手法により形成することができる。
【０１４８】
こうして得られた有機発光素子をグローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下において、封止ガラス１１４とＵＶ硬化接着剤などからなる外周封止層を用いて封止する。必要に応じて、充填剤を注入し、充填剤層を形成する。充填剤を封入する場合には、外周封止層の一部に孔を設けて外周封止層を硬化させ、この孔から充填剤１１２を注入した後、この孔を塞げばよい。
【０１４９】
また、本発明では、封止用基板１１４、外周封止層及び充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【０１５０】
以上のようにして、有機ＥＬディスプレイを製造することができる（図４（ｆ）参照）。
【０１５１】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、いわゆるボトムエミッション型のカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法（第１の実施形態）を包含する。
【０１５２】
このカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法では、工程（１）は、基板上に少なくともパターン化された色変換フィルタ層および平坦化層が形成された支持基板を提供する。
【０１５３】
具体的には、以下の工程（Ａ）〜（Ｃ）を含む。
【０１５４】
（Ａ）基板上に赤、緑および青の色変換フィルタ層の領域に相当する開口部を備えるブラックマトリックスを形成する工程
本発明では、透明な基板上に先に説明したブラックマトリックスの材料を、スピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段により支持基板全面に塗布し、加熱乾燥した後、フォトリソグラフ法によりパターン形成する。すなわち、基板上に全面塗布し、乾燥されたブラックマトリックス上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、赤、緑および青の色変換フィルタ層の領域に相当する開口部が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、各色の開口部に相当する部分のブラックマトリックス及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有するブラックマトリックスを形成する。なお、ブラックマトリックスとしては、光透過率が１０％以下であるものを用いることが好ましい。
【０１５５】
（Ｂ）ブラックマトリックスの開口部に赤、緑および青の色変換フィルタ層を順次形成する工程
本発明では、染料または顔料を含有したマトリックス樹脂を、例えばコーニング社製のガラス（ノンアルカリガラスである、コーニング１７３７ガラス）のような透明基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを行うことにより色変換フィルタ層を形成する。例えば青色の蛍光を発する蛍光色素を含有するマトリックス樹脂を、スピンコート法などによりブラックマトリックスを形成した基板上に全面塗布し、加熱乾燥した後、フォトリソグラフ法によりパターン形成する。これを他の色変換フィルタ層に対しても行うことにより色変換フィルタ層を形成する。
【０１５６】
以下に各色フィルタ層の形成方法を具体的に説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明は、青緑色の光を発する有機ＥＬ層を用いた場合の各フィルタ層の形成方法を例に取る。
【０１５７】
［青色フィルタ層の作製］
青色フィルタ層の材料を透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、青色フィルタ層のラインパターンを得ることができる。すなわち、青色フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、青色フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する青色フィルタ層１５を形成する。
【０１５８】
［緑色変換フィルタ層の作製］
緑色変換用の蛍光色素を溶剤へ溶解させ、これに光重合性樹脂を加えて、硬化性樹脂組成物の溶液を得る。この溶液を、青色フィルタのラインパターンをすでに形成した、透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、緑色変換フィルタ層のラインパターンを得ることができる。すなわち、緑色変換フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、緑色の色変換フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する緑色変換フィルタ層を形成する。
【０１５９】
［赤色変換フィルタ層の作製］
赤色変換用の蛍光色素を溶剤へ溶解させ、これに光重合性樹脂を加えて、硬化性樹脂組成物の溶液を得る。この溶液を、青色フィルタ層および緑色変換フィルタ層のラインパターンを形成した透明な支持基板上に、スピンコート法などを用いて塗布し、フォトリソグラフィー法などによりパターンニングを実施すことにより、赤色変換フィルタ層を得る。すなわち、赤色変換フィルタ層の材料を塗布、乾燥した後、この上に、レジストをスピンコート法、噴霧法、ディップ法のような塗布手段で塗布し、赤色変換フィルタ層の領域が形成されるようなマスクを通して露光（ＵＶ照射など）し、パターンニングを行う。次いで、この開口部に相当する部分のマトリックス樹脂及びレジストを現像により除去し、所望のパターンを有する赤色変換フィルタ層を形成する。
【０１６０】
なお、上記各フィルタ層の形成において、乾燥は、６０℃から１００℃、好ましくは８０℃で行われる。そのほかの条件は、従来より知られた条件を用いることができ、あるいは、そのような条件から当業者により容易に導くことができる。例えば、青色フィルタでは、スピンコート後のプリベイク温度８０℃１５分、露光・現像後の乾燥温度は、例えば２００℃３０分である。また、緑色変換フィルタでは、例えばスピンコート後のプリベイク温度８０℃１５分、露光・現像後の乾燥温度１８０℃３０分である。緑色変換フィルタでは、例えばスピンコート後のプリベイク温度８０℃１０分、露光・現像後の乾燥温度は１８０℃３０分である。
【０１６１】
本発明では、各色変換フィルタ層は、ブラックマトリックスの開口部と同じ領域を有していることが好ましいが、ブラックマトリックスの開口部より大きい領域であってもよい。
【０１６２】
さらに本発明では、色変換層と基板の間に、カラーフィルタ層をさらに設けてもよい。すなわち、上記の緑色または赤色の変換フィルタ層のみでは十分な色純度が得られない場合は、カラーフィルタ層を設けることができる。カラーフィルタ層の厚さは１〜１．５μｍが好ましい。また、このカラーフィルタ層は、上記青色フィルタ層と同様の方法で形成することができる。
【０１６３】
以上のようにして、本発明の色変換フィルタ層が得られる。
【０１６４】
（Ｃ）平坦化層の形成工程
本発明の平坦化層の形成工程は、上記の色変換フィルタ基板上に、平坦化層１６を形成するための材料を、スピンコート法等で塗布し、オーブンのような加熱手段でベーキング（例えば１００℃から１８０℃、好ましくは１３０℃）することにより形成することができる。本発明では、１８０℃で３０分の温度条件が好適である。
【０１６５】
なお、平坦化層の形成に使用される材料は、上述の通りである。
【０１６６】
以上のようにして色変換フィルタ基板を製造することができる。
【０１６７】
本発明の有機ＥＬディスプレイの製造方法は、いわゆるトップエミッション型のカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法（第２の実施形態）を包含する。
【０１６８】
このカラー有機ＥＬディスプレイの製造方法は、上記工程（４）の後に、少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を形成する工程をさらに含む。
【０１６９】
なお、第２の実施形態の製造方法では、支持基板１０２を基板と反射膜から構成することができる。この場合、工程（１）において、基板上に反射膜および必要に応じて絶縁層を形成する。これらは、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の慣用の手法により形成できる。
【０１７０】
工程（４）の後に、色変換フィルタ基板を第２電極側に設ける。
【０１７１】
本発明では、第２電極上に設ける色変換フィルタ基板は、第２電極を設けた後に色変換フィルタ層を順次形成すればよい。あるいは、別途色変換フィルタ基板を作製し、有機ＥＬ素子と貼り合わせてもよい。
【０１７２】
色変換フィルタ層を順次形成する場合、第２電極を形成した後にパッシベーション層をさらに形成し、次いで、このパッシベーション層上に、青色フィルタ層、緑色変換フィルタ層、赤色変換フィルタ層をスピンコート法およびフォトリソグラフ法を併用して色変換フィルタ層を形成すればよい。パッシベーション層および色変換フィルタ層の形成は、先に説明したとおりである。色変換フィルタ層を形成した後、気密性を持たせるためにパッシベーション層を、必要に応じて基板全面に形成する。次いで、外周封止層および封止用基板を形成して封止する。また、必要に応じて充填剤層を形成してもよい。これらの形成手順は先に説明したとおりである。また、外周封止層、封止用基板および充填剤層は、例えば紫外線硬化樹脂または熱光併用型硬化樹脂などの樹脂を、発光部を設けた色変換フィルタ基板上に均一に塗布し、これを硬化することで一体に形成してもよい。
【０１７３】
また、別途色変換フィルタ基板を作製し、有機ＥＬ素子と貼り合わせる場合には、以下の手順でカラー有機ＥＬディスプレイを製造することができる。上記（Ａ）〜（Ｃ）で説明したように、透明基板上に、例えば青色フィルタ層、緑色変換フィルタ層、赤色変換フィルタ層をスピンコート法およびフォトリソグラフ法を併用して色変換フィルタ層を形成し、次いで平坦化層を形成して色変換フィルタ基板を作製する。次いで、上記工程（１）〜（４）で形成された有機ＥＬ素子とあらかじめ形成された色変換フィルタ基板をＵＶ硬化接着剤などで接着し、封止すればよい。なお、有機ＥＬ素子は、接着前に露出した有機ＥＬ層を保護するためパッシベーション層を第２電極側に形成することが好ましい。
【０１７４】
（実施例）
以下、本発明を適用した有機ＥＬディスプレイの作製例を説明する。有機ＥＬディスプレイは、画素数１６０×１２０×ＲＧＢ、画素ピッチ０．３３ｍｍで形成した。
【０１７５】
（実施例１）
［青色フィルタの作製］
青色フィルタ材料（富士フィルムアーチ社製、カラーモザイクＣＢ−７００１）を、透明基板としてのコーニングガラス（５０×５０×１．１ｍｍ）上にスピンコート法により塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの青色フィルタを得た。
【０１７６】
［緑色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン（０．７重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（１２０重量部）へ溶解させた。これに光重合性樹脂Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５（商品名、新日鐵化成工業株式会社）（１００重量部）を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を、青色フィルタのラインパターンが形成された透明基板上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの緑色変換フィルタを得た。
【０１７７】
［赤色変換フィルタの作製］
蛍光色素としてクマリン（０．６重量部）、ローダミン６Ｇ（０．３重量部）、ベーシックバイオレット１１（０．３重量部）を溶剤のプロピレングリコールモノエチルアセテート（ＰＧＭＥＡ）（１２０重量部）へ溶解させた。これに光重合性樹脂Ｖ２５９ＰＡ／Ｐ５（商品名、新日鐵化成工業株式会社）（１００重量部）を加えて溶解させ、塗布液を得た。この塗布液を、青色フィルタおよび緑色変換フィルタのラインパターンが形成された透明基板上にスピンコート法を用いて塗布し、フォトリソグラフ法によりパターンニングを実施して、線幅０．１ｍｍ、ピッチ０．３３ｍｍ、膜厚１０μｍの赤色変換フィルタを得た。
【０１７８】
「平坦化層の形成］
ｉ）高分子膜の作製
上記の工程で作製された蛍光変換フィルタ上に、ＵＶ硬化型樹脂（エポキシ変性アクリレート）をスピンコート法により塗布し、高圧水銀灯で照射して膜厚８μｍの高分子膜を形成した。高分子膜を形成した後の蛍光変換フィルタのパターンは変形していなかった。また、高分子膜の上面は平坦であった。
【０１７９】
ｉｉ）無機膜層の作製
無機膜層として、ＤＣスパッタ法により、室温において、膜厚３００ｎｍのＳｉＯｘ膜を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガス（Ａｒ：酸素＝５：１）を使用した。
【０１８０】
［第１電極の作製］
第１電極としてＩｎ−Ｚｎ酸化物（ＩＺＯ）パターンを形成した。第１電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の中央まで配線される。ＤＣスパッタ法により室温において、膜厚２００ｎｍのＩｎ−Ｚｎ酸化物膜を形成した。スパッタターゲットしてＩｎ−Ｚｎ酸化物ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンおよび酸素を使用した。フォトリソグラフ法によりレジストをパターンニングした。具体的には、フォトレジストＯＦＲＰ−８００（東京応化工業製）をスピンコート法によりＩＺＯ上に塗布した。これを１１０℃３０秒の条件でホットプレートを用いてプリベークし、露光した後、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像し、第１電極のパターンを形成した。この後、シュウ酸をエッチング液として用いて第１電極をパターンニングすることにより配線幅１００μｍの第１電極を形成した。第１電極の底面と側面のなす角度αは約１０度であった。
【０１８１】
［絶縁膜の作製］
絶縁膜として窒化ケイ素膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストは、第１電極上の開口部の領域、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した。リフトオフレジストのパターンニングは、レジスト材料ＺＰＮ１１００（日本ゼオン製）を、第１電極を形成した支持基板にスピンコート法により塗布し、ホットプレートを用いて１１０℃で９０秒ベーキングした後、露光し、再度ホットプレートを用いて１１０℃で６０秒間ベーキングを行った。現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像を行った。この手順により、角度γ＝１５０度を有するリフトオフレジスト４０２を形成した。なお、リフトオフレジストの膜厚は４μｍであった。
【０１８２】
上記手順により、リフトオフレジストを第１電極上の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した後、ＲＦスパッタ法により室温において膜厚３００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成した。次いで、レジスト剥離液（剥離１０４、東京応化工業製）でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１電極上の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部を除いて形成した。第１電極の底面と絶縁膜の側面のなす角度は５度であった。
【０１８３】
［有機ＥＬ層の作製］
上記のように絶縁膜を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装填し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内の圧力を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。有機発光層として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層として、Ａｌｑ３を２０ｎｍ積層した。
【０１８４】
［第２電極の作製］
有機ＥＬ層の作製後、第１電極のラインと垂直に、幅０．３ｍｍ、０．０３ｍｍのギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ２００ｎｍのＭｇ／Ａｇ（１０：１の重量比率）層からなる第２電極を、真空を破らずに形成した。
【０１８５】
［封止工程］
以上のようにして得られた有機ＥＬ素子をグローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度共に１０ｐｐｍ以下）において封止ガラスとＵＶ硬化接着剤を用いて封止した。
【０１８６】
（実施例２）
［第１電極の形成］
基板上に、第１電極としてＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金のパターンを形成した。第１電極は外部駆動回路との接続部位から表示部内の中央まで配線される。ＤＣスパッタ法により室温において、膜厚２００ｎｍのＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金を形成した（第１電極の角度α＝１０度）。スパッタターゲットしてＡｌ−Ｃｕ−Ｓｉ合金ターゲットを用い、スパッタガスとしてアルゴンおよび酸素を使用した。フォトリソグラフ法によりレジストをパターンニングした後、シュウ酸をエッチング液として用いて第１電極をパターンニングすることにより配線幅１００μｍの第１電極を形成した。
【０１８７】
［絶縁膜の作製］
絶縁膜として窒化ケイ素膜をリフトオフ法により形成した。リフトオフレジストを第１電極上の開口部の領域、および第１電極と外部駆動回路との接合部に形成した後、ＲＦスパッタ法により室温において膜厚３００ｎｍの窒化ケイ素膜を形成した。次いで、レジスト剥離液でリフトオフレジストを除去し、絶縁膜を第１電極の開口部、および第１電極と外部駆動回路との接合部を除いて形成した。なお、リフトオフレジストおよび絶縁膜の形成条件は実施例１と同様であった。また第１電極の上面と絶縁膜の側面のなす角度βは５度であった。またリフトオフレジストの底面と側面のなす角度γは１５０度であった。
【０１８８】
［有機ＥＬ層の作製］
上記のように絶縁膜を形成した基板を抵抗加熱蒸着装置内に装填し、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子注入層を真空を破らずに順次成膜した。成膜に際して真空槽内の圧力を１×１０−４Ｐａまで減圧した。正孔注入層として銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）を１００ｎｍ積層した。正孔輸送層として４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（α−ＮＰＤ）を２０ｎｍ積層した。有機発光層として４，４’−ビス（２，２’−ジフェニル）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）を３０ｎｍ積層した。電子注入層として、Ａｌｑ３を２０ｎｍ積層した。
【０１８９】
［第２電極の作製］
有機ＥＬ層の作製後、第１電極のラインと垂直に、幅０．３ｍｍ、０．０３ｍｍのギャップのストライプパターンが得られるマスクを用いて、厚さ１ｎｍのＡｌ−Ｌｉと厚さ２００ｎｍのＩＺＯからなる第２電極を、真空を破らずに形成した。
【０１９０】
次に、第２電極を形成した基板上にパッシベーション層として、ＤＣスパッタ法により、室温において、膜厚３００ｎｍのＳｉＯｘ膜を形成した。スパッタターゲットにはＳｉを用い、スパッタガスとしてＡｒおよび酸素の混合ガス（Ａｒ：酸素＝５：１）を使用した。
【０１９１】
［色変換フィルタ基板の作製］
上記実施例１で、青色フィルタ、緑色変換フィルタ、赤色変換フィルタおよび平坦化層の作製で説明した手順に従い、透明な基板上に各層を形成し、色変換フィルタ基板を形成した。
【０１９２】
［貼り合わせ工程］
第２電極およびパッシベーション層を形成した支持基板と、色変換フィルタ層を、グローブボックス内で、乾燥窒素雰囲気下（酸素および水分濃度共に１０ｐｐｍ以下）においてＵＶ硬化接着剤を用いて貼り合わせ、封止した。
【０１９３】
（比較例１および２）
比較例として、絶縁膜にノボラック樹脂（ＪＥＭ７００Ｒ２（ＪＳＲ製）を用いて、上記実施例１および２と同様の手順で有機ＥＬディスプレイを作製した。なお、比較例１および２の絶縁膜の形成条件は同じであり、以下の通りである。
【０１９４】
絶縁膜の成膜条件
フォトレジストＪＥＭ７００−Ｒ２（ＪＳＲ製）をスピンコート法により塗布した。これを１１０℃１２０秒の条件で、ホットプレートを用いてプリベークし、露光した後、現像液（ＮＭＤ−３、東京応化工業製）を２５℃で用いて現像し、絶縁膜のパターンを形成した。
【０１９５】
上記各実施例により作製した有機ＥＬディスプレイの耐久試験および発光効率の評価を行った。
【０１９６】
（評価）
１．耐久試験
上記実施例１、２、および比較例１、２の有機ＥＬディスプレイについて、環境温度８５℃において、パネル面輝度１５０ｃｄ／ｍ２で５００時間の連続駆動を行い、各画素の発光面積の減少を評価した。画素の発光面積の減少は、絶縁膜からの水分放出が原因と考えられる。評価数は、有機ＥＬディスプレイ１機あたり１０点であり、有機ＥＬディスプレイ数は１２であった。比較例１および比較例２の場合減少率は、それぞれ４２〜５６％、４４〜５９％であった。一方、実施例１の場合、減少率は２〜５％であり、実施例２の場合、減少率は３〜８％であった。以上の結果により、本発明の有機ＥＬディスプレイの有効性が確認できる。
【０１９７】
２．発光効率評価
ピクセルあたりの電流密度を１００μＡ、デューティーを１／６０として有機ＥＬディスプレイの面輝度を強化した。評価１は、有機ＥＬディスプレイの中央部であった。評価した有機ＥＬディスプレイ数は１２であった。比較例１の有機ＥＬディスプレイの輝度の平均値を１とすると実施例１の場合の輝度の平均値は１．０４であった。また、比較例２の有機ＥＬディスプレイの輝度の平均値を１とすると実施例１の場合の輝度の平均値は１．０３であった。
【０１９８】
【発明の効果】
上記のように、本発明の有機ＥＬディスプレイは、非発光部分の拡大を抑え、長時間安定に駆動することができる。また、本発明の有機ＥＬディスプレイは、発光効率を高めることができる。さらに、本発明の製造方法によれば、前記のような有機ＥＬディスプレイを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】（ａ）は本発明のボトムエミッション型有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略断面図である。（ｂ）は、第１電極および絶縁膜の形状を説明するための図である。
【図２】（ａ）は本発明のトップエミッション型有機ＥＬディスプレイの構造を示す概略断面図である。（ｂ）は、第１電極および絶縁膜の形状を説明するための図である。
【図３】本発明の有機ＥＬディスプレイの絶縁膜の形状の一形態を示す概略図である。
【図４】本発明の有機ＥＬディスプレイの製造工程を説明するための図である。
【図５】走査電子顕微鏡（斜視４０度）で得られた支持基板、第１電極および絶縁膜の断面形状を示す図である。
【図６】走査電子顕微鏡（斜視４０度）で得られたリフトオフレジストの断面形状を示す図である。
【符号の説明】
１００、１５０ 有機ＥＬディスプレイ
１０２ 支持基板
１０４ 第１電極
１０６ 絶縁膜
１０８ 有機ＥＬ層
１１０ 第２電極
１１２、１２０ パッシベーション層
１１４、１２２ 封止用基板
１３０ 光
１３２ 第１電極の底面
１３４ 第１電極の側面
１３６ 第１電極の上面
１３８ 絶縁膜側面
３０２ 端子パッド
３０４ 絶縁性隔壁
３０６ 絶縁膜の開口部
４０２ リフトオフレジスト
４０４ リフトオフレジスト底面
４０６ リフトオフレジスト側面
Claims (8)
- 支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイであって、前記第１電極と平行および垂直に前記絶縁膜が形成され、前記第１の電極の支持基板側の面と第１の電極の側面のなす角が１度以上２０度未満であり、第１電極側の前記絶縁膜側の面と絶縁膜の側面のなす角が１度以上２０度未満であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイ。
- 前記支持基板が、少なくともパターン化された色変換フィルタ層および平坦化層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
- 前記第２電極側に少なくとも透明基板および色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を設けることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイ。
- 前記絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする請求項１から３に記載の有機ＥＬディスプレイ。
- 支持基板上に、少なくとも第１電極、絶縁膜、有機ＥＬ層および第２電極を順次積層した有機ＥＬディスプレイの製造方法であって、該製造方法が、
（１）支持基板を提供する工程と、
（２）該支持基板上に第１電極を形成する工程と、
（３）第１電極の形成された支持基板上にリフトオフレジストをパターンニングし、絶縁膜を前記第１電極と平行および垂直に形成し、次いでリフトオフレジストを除去する工程と
（４）有機ＥＬ層と第２電極を形成する工程
とを含み、前記工程（３）において、リフトオフレジストは、リフトオフレジストの第１電極側の面とリフトオフレジストの側面のなす角が１２０度以上１６０度未満に形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイの製造方法。 - 前記工程（１）が、基板上に少なくともパターン化された色変換フィルタ層、平坦化層、およびパッシベーション層が形成された支持基板を提供する工程であること特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 上記工程（４）の後に、少なくとも色変換フィルタ層を含む色変換フィルタ基板を形成する工程をさらに含むことを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
- 前記絶縁膜が、屈折率１．８以上の無機絶縁膜であることを特徴とする請求項５から７に記載の有機ＥＬディスプレイの製造方法。
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