CN103959903A - 有机el元件的制造方法及有机el元件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种有机EL元件的制造方法和有机EL元件，其即使在使用了卷对卷式工艺的情况下，也可以通过减轻在各层端部的应力集中而抑制应力集中引起的剥离，从而提高有机EL元件的可靠性。有机EL元件的制造方法包含下述工序：从输送辊向卷绕辊供给基板(101)的工序、在基板(101)上形成第1电极层(102)的工序、在第1电极层(102)上形成有机EL层(103)的工序、以及在有机EL层(103)上形成第2电极层(104)的工序，第1电极层(102)是使用荫罩形成的，第1电极层(102)的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面(102T)，而且，锥面(102T)与基板(101)的形成有第1电极层(102)的侧的面所成的角度θ为1°以下。

Description

有机EL元件的制造方法及有机EL元件
技术领域
本发明涉及有机EL元件的制造方法及有机EL元件。
背景技术
近年来，通过卷对卷式(roll to roll)工艺在窄幅带状基材上形成有机EL(电致发光)元件的手法是已知的(例如参照专利文献1)。所谓的卷对卷式工艺是指连续生产工艺，其是使用柔性基板作为基材，将上述基板预先卷在辊上，使上述辊旋转而使上述基板拉出并移动，同时在上述基板上进行电极和有机EL层的形成等加工，将上述加工后的基板再次卷绕于其它辊上，从而连续地生产有机EL元件。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-287996号公报
发明内容
本发明要解决的问题
可是，通过卷对卷式工艺形成的有机EL元件因使用柔性基板，会有容易产生由在各层端部的应力集中而引起的剥离、损害有机EL元件的可靠性(有机EL元件变得容易被破坏)的问题点。
本发明是鉴于上述问题点而完成的，其目的在于：即使在使用了卷对卷式工艺的情况下，也可以通过减轻在各层端部的应力集中而抑制上述应力集中引起的剥离，从而提高有机EL元件的可靠性。
解决问题的手段
本发明的有机EL元件的制造方法的特征在于，其包含下述工序：
从输送辊向卷绕辊供给基板的工序；
在所述基板上形成第1电极层的工序；
在所述第1电极层上形成有机EL层的工序；以及
在所述有机EL层上形成第2电极层的工序，
所述第1电极层是使用荫罩(shadow mask)形成的，所述第1电极层的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面，
而且，所述锥面与所述基板的形成有所述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下。
另外，本发明的有机EL元件的特征在于，在柔性基板上，依次层叠有第1电极层、有机EL层及第2电极层，
所述第1电极层的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面，而且，所述锥面与所述基板的形成有所述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下。
发明的效果
根据本发明，即使在使用了卷对卷式工艺的情况下，也可以通过减轻各层端部的应力集中而抑制上述剥离，从而提高有机EL元件的可靠性。进而，作为本发明的次要效果，也可以抑制光刻法等中产生的残渣等引起的收率的降低。
附图说明
图1是表示本发明的有机EL元件的构成的一例的概略截面图。
图2是表示在本发明的有机EL元件的制造方法中使用的荫罩的开口部附近的形状的一例的概略截面图。
图3是表示在本发明的有机EL元件的制造方法中使用的荫罩的开口部附近的形状的另一例的概略截面图。
图4是表示在本发明的有机EL元件的制造方法中使用的荫罩的开口部附近的形状的又一例的概略截面图。
图5是说明第1电极层形成工序中的基板与荫罩的配置的图。
图6是第1电极层形成工序中的荫罩的开口部附近的立体图。
图7是表示比较例的有机EL元件的构成的一例的概略截面图。
具体实施方式
本发明的有机EL元件的制造方法中的上述荫罩优选为开口部内侧面的截面形状具有锥状或多阶梯状。
本发明的有机EL元件的制造方法中的上述荫罩优选为开口部的内侧端部具有一定厚度，上述厚度在5～500μm的范围内。
本发明的有机EL元件的制造方法中的上述有机EL层形成工序中，优选使用有机EL层形成用荫罩来形成上述有机EL层。
本发明的有机EL元件的制造方法中的上述第2电极层形成工序中，优选使用第2电极层形成用荫罩来形成上述第2电极层。
本发明的有机EL元件的制造方法中，作为上述基板，优选使用宽度在10～100mm的范围内、且长度在10～2000m的范围内、并且曲率半径为30mm以上的可复原的长条带状基板。
接着，对本发明进行详细的说明。但是，本发明并不限于以下的记载。
有机EL元件具有在基板上将第1电极层、有机EL层及第2电极层依照该顺序设定而成的层叠体。上述第1电极层与上述第2电极层中的任一方为阳极，另一方为阴极。本发明的有机EL元件的制造方法为卷对卷式(roll to roll)工艺的有机EL元件的制造方法，其包含下述工序：从输送辊向卷绕辊供给基板的工序、在上述基板上形成第1电极层的工序、在上述第1电极层上形成有机EL层的工序、以及在上述有机EL层上形成第2电极层的工序。而且，上述第1电极层是使用荫罩形成的；上述第1电极层的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面，而且，上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下。
作为上述基板，可以使用铝(Al)、铜(Cu)、不锈钢(SUS)等金属板及金属箔、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚酰亚胺(PI)、甲基丙烯酸树脂(PMMA)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、环烯烃树脂(COP)等树脂板及树脂薄膜、柔性玻璃等。本发明中，不限于这些基板，也可以使用可适用于卷对卷式工艺的其他材料。作为上述基板，优选使用宽度在10～100mm的范围内、且长度在10～2000m的范围内、并且曲率半径为30mm以上的可复原的长条带状基板。更优选为宽度在30～60mm的范围内、长度在200～2000m的范围内、可复原的曲率半径在10mm以上范围内的长条带状基板。
使用导电性基板作为上述基板时，有机EL元件的形成面需要确保绝缘性。因此，使用导电性基板时，导电性基板上需要设置绝缘层。作为上述绝缘层，可以使用例如无机绝缘层、有机绝缘层、及无机绝缘层与有机绝缘层的层叠体等。上述有机EL元件可在上述绝缘层上形成。
上述无机绝缘层优选包含金属和半金属中的至少1种。上述金属或上述半金属中的至少1种优选从氧化物、氮化物、碳化物、氧化氮化物、氧化碳化物、氮化碳化物及氧化氮化碳化物构成的组中选择的至少1种。作为金属，可以列举出例如锌、铝、钛、铜、镁等，作为半金属，可以列举出例如硅、铋、锗等。
上述有机绝缘层可以使用绝缘性的树脂层。由于上述导电性基板在制造工艺上有时会加热到150～300℃，因此优选选择具有150℃以上的玻璃化转变温度的耐热性树脂。具体而言，可以列举出丙烯酸树脂、降冰片烯树脂、环氧树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、聚酰胺树脂、聚酯树脂、聚芳香酯树脂、聚氨酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚醚酮树脂、聚苯基砜树脂及这些树脂的复合体等。这些当中，作为上述树脂，优选为从丙烯酸树脂、降冰片烯树脂、环氧树脂及聚酰亚胺树脂构成的组中选择的至少1种。
作为上述第1电极层，可以使用铟锡氧化物(ITO)、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、铟锌氧化物(IZO(注册商标))、金、铂、镍、钨、铜及铝等金属、锂及铯等碱金属、镁及钙等碱土类金属、镱等稀土类金属、铝-锂合金及镁-银合金等合金等。
本发明的有机EL元件的制造方法中，上述第1电极层是使用荫罩形成的。上述第1电极层可以使用例如溅射法、蒸镀法、CVD法等来形成。上述荫罩可列举出由不锈钢(SUS)、铝(Al)及铜(Cu)等金属形成的荫罩，但不限于这些。上述荫罩的厚度优选为10～2000μm，更优选为20～500μm。
上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下，优选为0.03°～1°的范围，更优选为0.1°～1°的范围。对于上述角度，如后述实施例那样，第1电极层的端部有时不为膜状而为海岛状，但此时上述角度是指从第1电极层厚度的20％～80％之间的斜度所算出的角度。当上述角度比1°大时，由于在第1电极层端部有机EL层的厚度就会局部地变薄、电场变大，因此会产生元件容易被破坏的问题。此外，当在第1电极层的形成中使用光刻法工序时，由于除了不易使上述角度为1°以下，还有高成本化、进而有上述工序中产生的残渣所引起的可靠性降低与收率降低的问题发生，因此本发明中使用荫罩。
上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度可以通过荫罩开口部的内侧端部的厚度来调整。当使上述厚度变薄时，就可以使上述角度变大，当使上述厚度变厚时，就可以使上述角度变小。另外，也可以通过第1电极层形成时的基板与荫罩之间的间隙的大小来调整。当使上述间隙变小时，就可使上述角度变大，当使上述间隙变大时，就可使上述角度变小。荫罩开口部的内侧端部的厚度也可使荫罩本身的厚度改变，也可以将荫罩开口部的内侧端部的制膜源侧的一面加以半蚀刻而仅使开口部的内侧端部的厚度变薄。将荫罩开口部内侧面的截面形状的例子显示于图2～4中。
在图2的荫罩中，由于开口部的内侧端部的厚度与其他部分的厚度相同，因此要使开口部的内侧端部的厚度变薄时，荫罩本身的强度有可能成为问题。要使开口部的内侧端部的厚度变薄时，如图3或图4的截面形状的荫罩那样，开口部内侧面S的截面形状优选为多阶梯状或锥状。此时，开口部附近的厚度与图2的荫罩相同，但可使开口部附近以外的厚度变厚。如上所述，当使用图3或图4的截面形状的荫罩时，就可获得荫罩本身的强度，因此是优选的。上述荫罩的开口部的内侧端部的厚度d优选在5～500μm的范围内，更优选在50～300μm的范围内。当上述厚度d在上述范围时，可保持开口部附近的强度，在这点上是优选的。另外，上述多阶梯状或锥状的形成部的宽度L优选在d/5～5d的范围内，更优选在d/3～3d的范围内。当上述宽度L在上述范围时，可保持开口部附近的强度并可以提高图案的精度，因而是优选的。
作为在第1电极层形成时在基板与荫罩之间设置间隙的方法，有在荫罩的开口部附近对上述基板侧的面进行半蚀刻的方法、在荫罩与上述基板之间夹有空间的方法、对荫罩或上述基板实施滚花法加工的方法、及在上述基板上通过光刻法来形成图案的方法等。
图5是上述第1电极层形成工序中的上述基板与上述荫罩的配置的说明图。图6是对上述第1电极层形成工序中的荫罩开口部附近从制膜源侧来观察的立体图。如图5和图6所示的那样，与基板101的形成第1电极层的侧的面相对地配置有制膜源150。制膜源150为包含第1电极层的形成材料的蒸镀源、溅射靶等。在基板101与制膜源150之间配置有荫罩210。从制膜源150放出第1电极层的形成材料，与荫罩210的开口部分的形状配合而在基板101上形成第1电极层。在该图中，基板101与荫罩210被密合地配置，但本发明不限于此，基板与荫罩之间也可以设置间隙(gap)。
上述有机EL层至少具有空穴输送层、发光层和电子输送层，根据需要，也可以具有空穴注入层、电子注入层等。上述第1电极层为阳极、上述第2电极层为阴极时，对于有机EL层，从第1电极层朝向第2电极层例如依次层叠有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层。另一方面，上述第1电极层为阴极、上述第2电极层为阳极时，对于有机EL层，从第2电极层朝向第1电极层例如依次层叠有空穴注入层、空穴输送层、发光层、电子输送层及电子注入层。
空穴输送层的形成材料只要是具有空穴输送功能的材料即可，没有特别限定。作为上述空穴输送层的形成材料，可以列举出例如4,4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(NPB)及4,4’-双[N-(3-甲基苯基)-N-苯基氨基]联苯(TPD)等芳香族胺化合物、1,3-双(N-咔唑基)苯等咔唑衍生物、高分子化合物等。空穴输送层的形成材料可以单独使用1种，也可以并用2种以上。另外，空穴输送层也可以为2层以上的多层构造。
空穴注入层的形成材料没有特别限定，可以列举出例如HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮杂苯并菲六腈)、钒氧化物、铌氧化物及钽氧化物等金属氧化物、酞菁等酞菁化合物、3,4-乙烯二氧噻吩与聚苯乙烯磺酸的混合物(PEDOT/PSS)等高分子化合物、上述空穴输送层的形成材料等。空穴注入层的形成材料可单独使用1种，也可以并用2种以上。
发光层的形成材料只要是具有发光性的材料即可，没有特别限定。作为发光层的形成材料，可以使用例如低分子荧光发光材料或低分子磷光发光材料等低分子发光材料。另外，发光层的形成材料也可以同时具有发光功能及电子输送功能或空穴输送功能。
作为上述低分子发光材料，可以列举出例如4,4’-二(2,2’-二苯基乙烯基)-联苯(DPVBi)等芳香族二亚甲基化合物、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯并噁唑基)苯基]乙烯基]苯并噁唑等噁二唑化合物、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑等三唑衍生物、1,4-双(2-甲基苯乙烯基)苯等苯乙烯基苯化合物、甲亚胺锌络合物及三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等有机金属络合物苯醌衍生物、萘醌衍生物、蔥醌衍生物、芴酮衍生物等。
另外，作为发光层的形成材料，也可以使用在基质材料中掺杂了发光性的掺杂剂材料而得到的材料。
作为上述基质材料，可以使用例如上述低分子发光材料，除此以外还可以使用1,3双(N-咔唑基)苯(mCP)、2,6-双(N-咔唑基)吡啶、9,9-二(4-二咔唑-苄基)芴(CPF)、4,4’-双(咔唑-9-基)-9,9-二甲基-芴(DMFL-CBP)等咔唑衍生物等。
作为上述掺杂剂材料，可以使用例如三(2-苯基吡啶基)铱(III)(Ir(ppy)3)及三(1-苯基异喹啉)铱(III)(Ir(piq)3)等有机铱络合物等磷光发光性金属络合物、苯乙烯基衍生物、苝衍生物等。
进而，发光层的形成材料还可以含有上述空穴输送层的形成材料、后述电子输送层的形成材料及各种添加剂等。
电子输送层的形成材料只要是具有电子输送功能的材料即可，没有特别限定。作为电子输送层的形成材料，可以列举出例如双(2-甲基-8-羟基喹啉)(4-苯基苯酚基)铝(BAlq)等金属络合物、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(PBD)及1,3-双[5-(对叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑-2-基]苯(OXD-7)等杂芳香族化合物、聚(2,5-吡啶-二基)(PPy)等高分子化合物等。电子输送层的形成材料可以单独使用1种，也可以并用2种以上。另外，电子输送层也可以为2层以上的多层构造。
电子注入层的形成材料没有特别限定，可以列举出例如氟化锂(LiF)及氟化铯(CsF)等碱金属化合物、如氟化钙(CaF2)这样的碱土类金属化合物、及上述电子输送层的形成材料等。电子注入层的形成材料可单独使用1种，也可以并用2种以上。另外，电子注入层也可以为2层以上的多层构造。
构成上述有机EL层的各层的形成方法没有特别限定，可以列举出例如溅射法、蒸镀法、喷墨法、涂布法等。作为上述有机EL层的图案形成方法，可举例荫罩法或光刻法，但从对有机EL层的损伤、抗蚀剂残渣、工序数等的观点来看，在有机EL层形成工序中，优选使用有机EL层形成用荫罩来形成。
作为上述第2电极层，可以使用铟锡氧化物(ITO)、包含氧化硅的铟锡氧化物(ITSO)、金、铂、镍、钨、铜及铝等金属、锂及铯等碱金属、镁及钙等碱土类金属、镱等稀土类金属、铝-锂合金及镁-银合金等合金等。
上述第2电极层可用例如溅射法、蒸镀法、CVD法等来形成。作为上述第2电极层的图案形成方法，可以列举出荫罩法或光刻法，但从对有机EL层的损伤、抗蚀剂残渣、工序数等的观点来看，在上述第2电极层形成工序中，优选使用第2电极层形成用荫罩来形成。
图1是本发明的有机EL元件构成的一例的概略截面图。如图所示，该有机EL元件100是在基板101上依次层叠有第1电极层102、有机EL层103、第2电极层104。第1电极层102的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面102T。锥面102T与基板101的形成有第1电极层102的侧的面所成的角度θ为1°以下。本发明的有机EL元件可通过上述本发明的有机EL元件的制造方法来制造，但并非限定于此。
实施例
接着，对本发明的实施例与比较例一并进行说明。而且，本发明不受下述的实施例和比较例的任何限定和限制。另外，各实施例和各比较例中的各种特性及物性的测定及评价是通过下述的方法来实施。
(锥面与基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度)
由于第1电极层的端部有时不是膜状而是海岛状，因此上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度是从第1电极层厚度20％～80％之间的斜度算出。上述斜度是将有机EL元件的截面用株式会社日本电子制的扫描型电子显微镜(商品名为JSM-6610)来观察，并加以测量。
(漏电(元件破坏率))
制作100个在1处具有20mm×100mm的方形发光部(元件)的有机EL元件，并在有机EL元件的第1电极层与第2电极层之间从-8V到8V为止反复进行100次的0.1V/sec的间隔的电压施加。利用该操作，计算发生了漏电的有机EL元件的数量，并将元件的破坏率根据下述评价基准来进行评价。
A：元件的破坏比率为0～10％
B：元件的破坏比率超过10％但为30％以下
C：元件的破坏比率超过30％但为100％以下
(收率(暗点数))
在进行了上述漏电试验后的有机EL元件的第1电极层与第2电极层之间施加5V的电压，将发光面用光学显微镜(株式会社Keyence制的数字显微镜(商品名为VHX-1000))来观察，计算直径为10μm以上的暗点(dark spot)数，将收率根据下述评价基准来进行评价。
G：每1cm2的暗点数为0～1个
NG：每1cm2的暗点数为2个以上
[实施例1]
作为制作有机EL元件的基板，在全长1000m、宽度30mm、厚度50μm的SUS箔上，作为平坦化层，涂布有机EL用绝缘丙烯酸树脂(JSR株式会社制商品名“JEM-477”)，并进行干燥、硬化，准备由此得到的基板。对上述基板进行了洗涤工序与加热工序后，在10-4Pa以下的真空度的气氛中，于上述基板上密合开口部内侧面的截面形状为多阶梯状且开口部的内侧端部的厚度d为100μm的SUS形成的第1电极层形成用荫罩。在该状态下，作为第1电极层，将Al用(0.1nm/sec)的速度通过真空蒸镀法进行蒸镀以使厚度为100nm。此时，上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.03°。此后，使有机EL层形成用荫罩与基材密合，作为有机EL层，将HAT-CN(厚度10nm)/NPB(厚度50nm)/Alq3(厚度50nm)/LiF(厚度0.5nm)用 (0.1nm/sec)的速度进行真空蒸镀。接着，使第2电极层形成用荫罩与基材密合，作为第2电极层，蒸镀Al(厚度1nm)/Ag(厚度19nm)，在基板上形成有机EL元件，并且卷绕。之后，在不活泼气体的气氛中开卷，切断成各个元件，分别在覆盖发光部的状态下，以成为可连接来自上述第1电极层(阳极)和上述第2电极层(阴极)的端子的状态的方式，使用从厚度1.1mm的板状体周边部突出设置了高度0.4mm、宽度2mm的环状凸部的玻璃制密封板来密封，获得本实施例的有机EL元件。对于密封板的粘接，是在密封板周边部涂布双组份常温硬化型环氧系粘接剂(KONISHI株式会社制商品名为“クイック5”)，并在该密封板的凹部贴附干燥剂(Dynic株式会社制商品名为“Moisture getter sheet”)。
[实施例2]
使第1电极层形成用荫罩的开口部的内侧端部的厚度d为50μm，并使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.06°，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。
[实施例3]
使第1电极层形成用荫罩的开口部的内侧端部的厚度d为25μm，并使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.11°，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。
[实施例4]
使第1电极层形成用荫罩的开口部的内侧端部的厚度d为10μm，并使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.29°，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。
[实施例5]
使第1电极层形成用荫罩的开口部的内侧端部的厚度d为5μm，并使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.57°，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。
[实施例6]
作为第1电极层，将IZO以(0.1nm/sec)的速度通过真空蒸镀法按照厚度达到100nm的方式进行蒸镀，并使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.05°，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。
[实施例7]
作为第1电极层，将ITO以(0.1nm/sec)的速度通过真空蒸镀法按照厚度达到100nm的方式进行蒸镀，除此以外，按照与实施例6同样的步骤，获得本实施例的有机EL元件。而且，使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为0.05°。
[比较例1]
在基板上，使用剥离用抗蚀剂(富士药品工业株式会社制商品名“FNPR-L3”)，通过光刻法来形成图案，并通过溅射法，形成厚度100nm的Al层，将上述图案剥离，从而形成第1电极层，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本比较例的有机EL元件。另外，使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为3°。
[比较例2]
在基板上，通过溅射法，形成厚度100nm的Al层，并通过光刻法对Al进行蚀刻，从而形成第1电极层，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本比较例的有机EL元件。另外，使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为30°。
[比较例3]
在基板上，通过溅射法，形成厚度100nm的IZO层，并通过光刻法对IZO进行蚀刻，从而形成第1电极层，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本比较例的有机EL元件。而且，使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为40°。
[比较例4]
在基板上，通过溅射法，形成厚度100nm的ITO层，并通过光刻法对ITO进行蚀刻，从而形成第1电极层，除此以外，按照与实施例1同样的步骤，获得本比较例的有机EL元件。使上述锥面与上述基板的形成有上述第1电极层的侧的面所成的角度为80°。
[评价]
对各实施例和比较例中所得的有机EL元件测定、评价漏电(元件破坏率)和收率(暗点数)。结果示于表1中。
表1
如上述表1所示，可知：在实施例所得的有机EL元件中，任一者的漏电(元件破坏率)与暗点的发生都少，通过减轻在各层端部的应力集中而抑制了因上述应力集中而引起的剥离。另一方面，在上述角度超过1°的比较例1～4中，可观察到元件的破坏。将比较例的有机EL元件700的构成的概略截面图示于图7。在图7中，对与图1相同的部分标注相同符号。如图所示，据认为：比较例的有机EL元件700中，在第1电极层702端部，因上述角度θ变大而有机EL层103变薄。据认为：上述元件的破坏除了起因于在各层端部的应力集中的剥离之外，还起因于有机EL层变薄。另外，暗点的产生与由实施例所得到的有机EL元件相比变多。可以认为这是因为：在剥离工序或光蚀刻工序中，由于包含除去暂时形成的光致抗蚀剂层或第1电极层的不必要部分的工序，因此光致抗蚀剂或电极形成材料的残渣会残存于基板上，是起因于上述残渣的缘故。还可知：当将实施例与比较例进行比较时，根据本发明，可以获得漏电(元件破坏率)和收率(暗点数)得以抑制的可靠性高的有机EL元件。
产业上的可利用性
根据本发明的有机EL元件的制造方法，可连续生产可靠性优良的有机EL元件。本发明的有机EL元件可以用于照明装置、显示装置等各种领域，其用途没有限制。
符号说明
100、700有机EL(电致发光)元件
101基板
102、702第1电极层
102T锥面
103有机EL(电致发光)层
104第2电极层
110、210、310、410荫罩
150制膜源

Claims (7)

1.一种有机EL元件的制造方法，其特征在于，其包含下述工序：
从输送辊向卷绕辊供给基板的工序；
在所述基板上形成第1电极层的工序；
在所述第1电极层上形成有机EL层的工序；以及
在所述有机EL层上形成第2电极层的工序，
所述第1电极层是使用荫罩形成的，所述第1电极层的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面，
而且，所述锥面与所述基板的形成有所述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下。
2.如权利要求1所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，所述荫罩的开口部内侧面的截面形状具有锥状或多阶梯状。
3.如权利要求1或2所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，所述荫罩的开口部的内侧端部具有一定厚度，所述厚度在5～500μm的范围内。
4.如权利要求1～3中任一项所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，在所述有机EL层的形成工序中，使用有机EL层形成用荫罩来形成所述有机EL层。
5.如权利要求1～4中任一项所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，在所述第2电极层形成工序中，使用第2电极层形成用荫罩来形成所述第2电极层。
6.如权利要求1～5中任一项所述的有机EL元件的制造方法，其特征在于，作为所述基板，使用宽度在10～100mm的范围内、且长度在10～2000m的范围内、并且曲率半径为30mm以上的可复原的长条带状基板。
7.一种有机EL元件，其特征在于，
在柔性基板上，依次层叠有第1电极层、有机EL层及第2电极层，
所述第1电极层的侧面的至少一部分为从下侧朝上侧向内部方向倾斜的锥面，而且，所述锥面与所述基板的形成有所述第1电极层的侧的面所成的角度为1°以下。
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