TW201351746A - 有機ｅｌ元件之製造方法及有機ｅｌ元件 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種有機EL元件之製造方法及有機EL元件，其係在使用連續捲軸式(roll to roll)製程時，亦可減輕朝各層端部之應力集中，藉此抑制因應力集中而起之剝離，提高有機EL元件之可靠性。又本發明係包含：從送出輥朝捲繞輥供給基板之步驟、在基板上形成第1電極層之步驟、在第1電極層上形成有機EL層之步驟、及在有機EL層(103)上形成第2電極層之步驟，第1電極層係使用陰影遮罩來形成，第1電極層側面之至少一部份為從下側朝向上側往內部方向傾斜之斜面，且斜面與基板之形成有第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
Description
本發明係有關於有機EL元件之製造方法及有機EL元件。
近年，眾所周知的手法如下：利用連續捲軸式(roll to roll)製程，在窄幅帶狀基材上形成有機EL(電激發光)元件者(例如，參照專利文獻1)。所謂的連續捲軸式(roll to roll)製程係指連續生產製程，其係使用可撓式基板作為基材，一面將前述基板朝輥捲入，使前述輥旋轉並使前述基板拉出並移動，一面在前述基板上進行電極與有機EL層之形成等的加工，將前述加工後之基板再次朝其他輥捲繞，藉此連續性地生產有機EL元件者。
[專利文獻1]日本特開2008-287996號公報
但，在利用連續捲軸式(roll to roll)製程而形成之有機EL元件，因使用可撓式基板，會有容易產生朝各層端部之應力集中而起的剝離，損及有機EL元件之可靠性(有機EL元件變得容易被破壞)的問題點。
本發明係有鑑於上述問題點而成者，目的在於：即使使用連續輥式(roll to roll)製程時，可減輕朝各層端部之應力集中，藉此抑制前述應力集中而起之剝離，來提高有機EL元件之可靠性。
本發明之有機EL元件的製造方法，其特徵係在於包含以下步驟：從送出輥朝捲繞輥供給基板之步驟；在前述基板上形成第1電極層之步驟；在前述第1電極層上形成有機EL層之步驟；在前述有機EL層上形成第2電極層之步驟；又，前述第1電極層係使用陰影遮罩來形成，前述第1電極層側面之至少一部分為從下側朝向上側往內部方向傾斜之斜面，且，前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
又，本發明之有機EL元件之特徵在於：將第1電極層、有機EL層及第2電極層以此順序積層在可撓式基板上，且，前述第1電極層其側面之至少一部分為從下側朝向
上側往內部方向傾斜之的斜面，且前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
根據本發明，即使使用連續捲軸式(roll to roll)製程時，可減輕各層端部之應力集中，藉此抑制前述剝離，來提高有機EL元件之可靠性。進而，本發明之次要的效果為可抑制光蝕刻法等所產生之殘渣等引起的良率降低。
100、700‧‧‧有機EL(電激發光裝置)
101‧‧‧基板
102、702‧‧‧第1電極層
102T‧‧‧斜面
103‧‧‧有機EL(電激發光)層
104‧‧‧第2電極層
110、210、310‧‧‧陰影遮罩
150‧‧‧製膜源
d‧‧‧厚度
L‧‧‧寬度
S‧‧‧開口部內側面
θ‧‧‧角度
圖1係顯示本發明之有機EL元件構成之一例的概略截面圖。
圖2係顯示在本發明之有機EL元件製造方法使用之陰影遮罩開口部附近形狀之一例的概略截面圖。
圖3係顯示在本發明之有機EL元件製造方法使用之陰影遮罩開口部附近形狀之其他例的概略截面圖。
圖4係進而顯示在本發明之有機EL元件製造方法使用之陰影遮罩開口部附近形狀之其他例的概略截面圖。
圖5係說明第1電極層形成步驟之基板與陰影遮罩之配置的圖。
圖6係第1電極層形成步驟之陰影遮罩開口部附近的立體圖。
圖7係顯示比較例之有機EL元件構成之一例的概略截面圖。
本發明之有機EL元件之製造方法之前述陰影遮罩宜為開口部內側面之截面形狀具有斜形狀或多階形狀。
本發明之有機EL元件製造方法之前述陰影遮罩宜為開口部之內側端部具有一定厚度，且前述厚度在5~500μm之範圍內。
本發明之有機EL元件製造方法之前述有機EL層形成步驟中，宜使用有機EL層形成用陰影遮罩來形成前述有機EL層。
本發明之有機EL元件製造方法之前述第2電極層形成步驟中，宜使用第2電極層形成用陰影遮罩來形成前述第2電極層。
本發明之有機EL元件製造方法中，前述基板宜使用寬度在10~100mm之範圍內，且長度在10~2000m之範圍內，且曲率半徑為30mm以上並可復原之長條帶狀基板。
接著，針對本發明來詳細地說明。但，本發明並不限制於以下的記載。
有機EL元件係具有在基板上第1電極層、有機EL層及第2電極層依照該順序而設之積層體者。前述第1電極層與前述第2電極層任一方為正極，另一方為負極。本發明之有機EL元件製造方法為連續捲軸式(roll to roll)製程之有機EL元件製造方法，包含有：從送出輥朝捲繞輥供給基板之步驟、在前述基板上形成第1電極層之步驟、在前述第1電極層上形成有機EL層之步驟、及前述有機EL層上形成第2電極層之步驟。且，前述第1電極層使用陰影遮罩來形成，
又前述第1電極層側面之至少一部份為從下側朝向上側往內部方向傾斜之斜面，前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
作為前述基板，可使用鋁(Al)、銅(Cu)、不銹鋼
(SUS)等之金屬板與金屬箔、聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、聚苯乙烯基苯乙烯(PS)、聚碳酸酯(PC)、聚醯亞胺(PI)、甲基丙烯酸樹脂樹脂(PMMA)、聚對酞酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)、環烯烴樹脂(COP)等之樹脂板與樹脂薄膜、及可撓式玻璃等。本發明中，不限於這些基板，亦可使用可適用於連續捲軸式(roll to roll)製程的其他材料。作為前述基板，宜使用寬度在10~100mm之範圍內，且，長度在10~2000m之範圍內，且，曲率半徑為30mm以上並可復原之長條帶狀基板。更宜為寬度在30~60mm之範圍內，長度在200~2000m之範圍內，可復原之曲率半徑在10mm以上範圍內之長條帶狀基板。
作為前述基板使用導電性基板時，有機EL元件
之形成面需要確保絶緣性。故，使用導電性基板時，導電性基板上需要設置絶緣層。作為前述絶緣層，可使用例如，無機絶緣層、有機絶緣層、及無機絶緣層與有機絶緣層之積層體等。前述有機EL元件可在前述絶緣層上形成。
前述無機絶緣層宜為包含金屬與半金屬之至少1
種者。前述金屬或前述半金屬之至少1種宜從氧化物、氮化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、氮碳化物及氧氮碳物構成之群選擇至少1種為佳。金屬係可舉例有例如，鋅、鋁、
鈦、銅、鎂等，半金屬係可舉例有例如，矽、鉍、鍺等。
前述有機絶緣層可使用絶緣性之樹脂層。由於前
述導電性基板在製造製程上會有加熱到150~300℃之情形，因此宜選擇具有150℃以上之玻璃轉移溫度的耐熱性樹脂。具體而言，可舉例有壓克力樹脂、降莰烯樹脂、環氧樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚酯樹脂、聚芳基酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚醚酮樹脂、聚苯乙烯基苯碸樹脂及這些樹脂之複合體等。這些當中，作為前述樹脂，宜從壓克力樹脂、降莰烯樹脂、環氧樹脂及聚醯亞胺樹脂構成之群選擇至少1種為佳。
作為前述第1電極層，可使用銦錫氧化物(ITO)、
包含氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)、銦鋅氧化物(IZO(登錄商標))、金、白金、鎳、鎢、銅及鋁等之金屬、鋰與銫等之鹼性金屬、鎂與鈣等之鹼土類金屬、鐿等之稀土類金屬、鋁-鋰合金與鎂-銀合金等之合金等。
本發明之有機EL元件製造方法中，前述第1電極
層係使用陰影遮罩來形成。前述第1電極層可用例如，濺鍍法、蒸鍍法、CVD法等來形成。前述陰影遮罩可舉例有不銹鋼(SUS)、鋁(Al)及銅(Cu)等之金屬構成者，但不限於這些者。前述陰影遮罩之厚度宜為10~2000μm，更宜為20~500μm。
前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之
側的面所呈的角度為1°以下，宜為0.03°~1°之範圍，更宜為
0.1°~1°之範圍。如後述實施例，第1電極層之端部會有為非膜狀而為海島狀之情況，但此時前述角度係指從第1電極層厚度之20%~80%之間的斜度所算出之的角度。當前述角度比1°大時，由於在第1電極層端部有機EL層之厚度就會局部地變薄而電界變大，因此會有元件容易被破壞之問題產生。而，當在第1電極層之形成使用光蝕刻法步驟時，由於除了不易使前述角度為1°以下，還有高成本化，進而有前述步驟中產生之殘渣引起的可靠性降低與良率降低的問題發生，因此本發明中使用陰影遮罩。
前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之
側的面所呈的角度可利用陰影遮罩開口部之內側端部厚度來調整。當使前述厚度變薄時，就可使前述角度變大，當使前述厚度變厚時，就可使前述角度變小。又，亦可利用第1電極層形成時之基板與陰影遮罩之間隙的大小來調整。當使前述間隙變小時，就可使前述角度變大，當使前述間隙變大時，就可使前述角變小。陰影遮罩開口部之內側端部厚度亦可使陰影遮罩本身之厚度改變，並將陰影遮罩開口部內側端部之製膜源側片面加以半蝕刻，只使開口部內側端部之厚度變薄。將陰影遮罩開口部內側面之截面形狀的例顯示於圖2~4。
在圖2之陰影遮罩，由於開口部內側端部之厚度
與其他部分之厚度相同，因此不使開口部內側端部之厚度變薄時，陰影遮罩本身之強度會有成為問題之情形。不使開口部內側端部之厚度變薄時，如圖3或圖4之截面形狀的
陰影遮罩，開口部內側面S之截面形狀宜為多階形狀或斜形狀。此時，開口部附近之厚度與圖2之陰影遮罩相同，但可使開口部附近以外之厚度變厚。如上所述，由於當使用圖3或圖4之截面形狀的陰影遮罩時，就可獲得陰影遮罩本身之強度，因此以此為佳。前述陰影遮罩開口部內側端部之厚度d宜在5~500μm之範圍內，更宜在50~300μm之範圍內。當前述厚度d在前述範圍時，因可保持開口部附近之強度而以此點為佳。又，前述多階形狀或斜形狀形成部之寬度L宜在d/5~5d之範圍內，更宜在d/3~3d之範圍內。當前述寬度L在前述範圍時，因可保持開口部附近之強度並可提升圖形之精度而以此為佳。
作為在第1電極層形成時之基板與陰影遮罩之間
設置間隙的方法，有在陰影遮罩開口部附近將前述基板側之面半蝕刻之方法、在陰影遮罩與前述基板之間包夾空間之方法、在陰影遮罩或前述基板實施滾紋法加工之方法、及在前述基板用光蝕刻法來形成圖形之方法等。
圖5係前述第1電極層形成步驟之前述基板與前
述陰影遮罩的配置說明圖。圖6係將前述第1電極層形成步驟之陰影遮罩開口部附近從製膜源側來觀察之立體圖。如圖5與圖6所示，與使形成基板101之第1電極層之側的面對向地配置製膜源150。製膜源150為包含第1電極層之形成材料的蒸鍍源、濺鍍目標物等。基板101與製膜源150之間配置有陰影遮罩210。從製膜源150放出第1電極層之形成材料，與陰影遮罩210開口部分之形狀配合，在基板101上形
成第1電極層。在同圖中，基板101與陰影遮罩210雖緊密地來配置，但本發明不限於此，基板與陰影遮罩之間亦可設置空隙(間隙)。
前述有機EL層係至少具有正孔輸送層與發光層
與電子輸送層，並根據需要，亦可具有正孔注入層、電子注入層等。前述第1電極層為正極，前述第2電極層為負極時，有機EL層從第1電極層朝向第2電極層，例如，正孔注入層、正孔輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層以該順序來積層。另一方面，前述第1電極層為負極，前述第2電極層為正極時，有機EL層從第2電極層朝向第1電極層，例如，正孔注入層、正孔輸送層、發光層、電子輸送層及電子注入層以該順序來積層。
正孔輸送層之形成材料只要是具有正孔輸送功
能之材料即可，並無特別限定。作為前述正孔輸送層之形成材料可舉例有例如，4,4’-雙[N-(1-萘基)-N-苯乙烯基苯胺基]聯苯乙烯基苯(NPB)及4,4’-雙[N-(3-甲基苯基乙烯基苯)-N-苯乙烯基苯胺基]聯苯乙烯基苯(TPD)等之芳香族胺類化合物、1,3-雙(N-咔唑基)苯乙烯基苯等之咔唑衍生物、高分子化合物等。正孔輸送層之形成材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，正孔輸送層亦可為2層以上之多層構造。
正孔注入層之形成材料並無特別限定，可舉例有
例如，HAT-CN(1,4,5,8,9,12-六氮雜聯伸三苯-六甲腈)、釩氧化物、鈮氧化物及鉭氧化物等的金屬氧化物、酞青素等
之酞青素化合物、3,4-乙烯二氧噻吩與聚苯乙烯基苯乙烯磺酸之混合物(PEDOT/PSS)等之高分子化合物、前述正孔輸送層之形成材料等。正孔注入層之形成材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。
發光層之形成材料只要是具有發光性之即可，並
無特別限定。作為發光層之形成材料可使用例如，低分子螢光發光材料或低分子燐光發光材料等的低分子發光材料。又，發光層之形成材料亦可共有發光功能及電子輸送功能或正孔輸送功能。
作為前述低分子發光材料，可舉例有例如，4,4'-
二(2,2-二苯乙烯基)-聯苯(DPVBi)等之芳香族二甲基化合物、5-甲基-2-[2-[4-(5-甲基-2-苯乙烯基苯并唑基)苯乙烯基苯基]乙烯基]苯乙烯基苯并唑等之二唑化合物、3-(4-聯苯乙烯基苯基)-4-苯乙烯基苯基-5-t-丁苯乙烯基苯基-1,2,4-參唑等之參唑衍生物、1,4雙(2-甲基苯基乙烯基苯乙烯基)苯乙烯基苯等之苯乙烯基苯乙烯基 苯乙烯基苯化合物、甲亞胺鋅錯體及參(8-羥基喹啉基)鋁(Alq3)等之有機金屬錯體苯乙烯基苯醌衍生物、萘醌衍生物、蔥醌衍生物、茀酮衍生物等。
又，作為發光層之形成材料亦可在主體材料中使
用摻雜了發光性摻雜物材料者。
作為前述主體材料可使用例如，上述低分子發光
材料，這些以外還可使用：1,3雙(N-咔唑基)苯乙烯基苯(mCP)、2,6-雙(N-咔唑)離胺酸、9,9-二(4-二咔唑-二苯乙烯
基苯乙二酮)茀(CPF)、4,4’雙(咔唑-9-基)-9,9-二甲基茀(DMFL-CBP)等之咔唑衍生物等。
作為前述摻雜物材料，可使用例如，參(2-苯乙
烯基苯基吡啶基)銥(III)(Ir(ppy)3)及參(1-苯乙烯基苯基異喹啉)銥(III)(Ir(piq)3)等之有機銥錯體等之燐光發光性金屬錯體、苯乙烯基苯乙烯基衍生物、苝衍生物等。
進而，發光層之形成材料可包含有上述正孔輸送
層之形成材料、後述電子輸送層之形成材料、及各種添加劑等。
電子輸送層之形成材料只要是具有電子輸送功
能之材料即可，並無特別限定。作為電子輸送層之形成材料，可舉例有例如，雙(2-甲基-8-羥基喹啉基)(4-苯乙烯基苯基苯酚基)鋁(BAlq)等之金屬錯體、2-(4-聯苯乙烯基苯基)-5-(4-tert-丁苯乙烯基苯基)-1,3,4-二唑(PBD)及1,3-雙[5-(p-tert-丁苯乙烯基苯基)-1,3,4-二唑-2-基]苯乙烯基苯(OXD-7)等之芳香族雜環化合物、聚(2,5-吡啶二基)(PPy)等之高分子化合物等。電子輸送層之形成材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，電子輸送層亦可為2層以上之多層構造。
電子注入層之形成材料並無特別限定，可舉例有
例如，氟化鋰(LiF)及氟化銫(CsF)等之鹼性金屬化合物、如氟化鈣(CaF2)之鹼土類金屬化合物、及前述電子輸送層之形成材料等。電子注入層之形成材料可單獨使用1種，亦可併用2種以上。又，電子注入層亦可為2層以上之多層構造。
構成前述有機EL層之各層的形成方法並無特別
限定，可舉例有例如，濺鍍法、蒸鍍法、噴墨法、塗布法等。作為前述有機EL層之圖案形成方法，雖可舉例陰影遮罩法或光蝕刻法，但從對有機EL層之損傷、抗蝕殘渣、步驟數等之觀點來看，在有機EL層形成步驟中，宜使用有機EL層形成用陰影遮罩來形成為佳。
作為前述第2電極層，可使用包含銦錫氧化物
(ITO)、氧化矽之銦錫氧化物(ITSO)、金、白金、鎳、鎢、銅及鋁等之金屬、鋰及銫等鹼性金屬、鎂及鈣等之鹼土類金屬、鐿等之稀土類金屬、鋁-鋰合金及鎂-銀合金等之合金等。
前述第2電極層可用例如，濺鍍法、蒸鍍法、CVD
法等來形成。作為前述第2電極層之圖案形成方法，可舉例有陰影遮罩法或光蝕刻法，但從對有機EL層之損害、抗蝕殘渣、步驟數等之觀點來看，在前述第2電極層形成步驟中，宜使用第2電極層形成用陰影遮罩來形成為佳。
圖1係本發明之有機EL元件構成之一例的概略截面圖。如圖所示，該有機EL元件100係在基板101上第1電極層102、有機EL層103、第2電極層104以該順序來積層。第1電極層102側面之至少一部分為從下側朝向上側往內部方向傾斜的斜面102T。斜面102T與基板101之形成有第1電極層102之側的面所呈的角度θ為1°以下。本發明之有機EL元件可利用前述本發明之有機EL元件的製造方法來製造，但並非限定於此者。
接著，針對本發明之實施例，與比較例一起說明。而，本發明並不限定於下述之實施例與比較例而被限制。又，各實施例與各比較例之各種特性及物性之測定及評價係利用下述之方法來實施。
由於第1電極層之端部會有並非膜狀而是海島狀之情況，因此前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度會從第1電極層厚度20%~80%之間的斜度算出。前述斜度係將有機EL元件之截面用株式會社日本電子製的掃描型電子顯微鏡(商品名：JSM-6610)來觀察，並加以計測。
製作100個在1處具有20mm×100mm角之發光部(元件)的有機EL元件，並在有機EL元件之第1電極層與第2電極層之間用從-8V到8V為止且0.1V/sec的間隔來重複進行100次的電壓施加。利用該操作，來計算以發生洩漏之有機EL元件的數量，並將元件之破壞率根據下記評價基準來進行評價。
A：元件之破壞比率為0~10%
B：元件之破壞比率超過10%，30%以下
C：元件之破壞比率超過30%，100%以下
在進行前述洩漏實驗後之有機EL元件第1電極層與第2電極層之間施加5V，將發光面用光學顯微鏡(株式會社Keyence製之數位顯微鏡(商品名：VHX-1000))來觀察，計算直徑10μm以上之暗點數量，將良率根據下記評價基準來進行評價。
G：每1cm2之暗點數為0~1個
NG：每1cm2之暗點數為2個以上
作為製作有機EL元件之基板，在全長1000m、寬度30mm、厚度50μm之SUS箔上，將有機EL用絶緣壓克力樹脂(JSR株式会社製商品名「JEM-477」)塗布作為平坦化層，將經乾燥、硬化者準備妥當。在前述基板進行完洗浄步驟與加熱步驟後，在10-4Pa以下之真空環境中，於前述基板上使開口部內側面之截面形狀為多階形狀且開口部之內側端部厚度d為100μm之SUS構成的第1電極層形成用陰影遮罩加以密合。在該狀態下，作為第1電極層，將Al用1 Å/sec(0.1nm/sec)之速度以真空蒸鍍法蒸鍍成厚度為100nm。此時，前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.03°。此後，使有機EL層形成用陰影遮罩與基材密合，作為有機EL層，將HAT-CN(厚度10nm)/NPB(厚度50nm)/Alq3(厚度50nm)/LiF(厚度0.5nm)用1 Å/sec(0.1nm/sec)之速度來真空蒸鍍。接著，使第2電極層形成用陰影遮罩與基材密合，作為第2電極層將Al(厚度1nm)/Ag(厚度19nm)加以蒸鍍，在基板上形成有機EL元件，
並且捲繞。之後，在非活性氣體的環境中捲繞送出，並依照每一元件來切斷，個別地在覆蓋發光部之狀態下，為了可變成連接來自前述第1電極層(正極)與前述第2電極層(負極)之端子的狀態，使用從厚度1.1mm之板狀體周緣部突出設置高度0.4mm、寬度2mm的環狀凸部的玻璃製密封板來密封，獲得本實施例之有機EL元件。對於密封板之黏合，係在密封板周緣部將二液常溫硬化型環氧系接着劑(KONISHI株式會社製商品名「Quick.5」)塗布，並在該密封板之凹陷部黏貼乾燥劑(Dynic株式會社製商品名「水分getter sheet」)。
除了使第1電極層形成用陰影遮罩開口部之內側端部厚度d為50μm，並使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.06°之外，與實施例1同樣地進行，獲得本實施例之有機EL元件。
除了使第1電極層形成用陰影遮罩開口部之內側端部厚度d為25μm，並使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.11°之外，與實施例1同樣地進行，獲得本實施例之有機EL元件。
除了使第1電極層形成用陰影遮罩開口部之內側端部厚度d為10μm，並使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.29°之外，與實施例1同樣地
進行，獲得本實施例之有機EL元件。
除了使第1電極層形成用陰影遮罩開口部之內側端部厚度d為5μm，並使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.57°之外，與實施例1同樣地進行，獲得本實施例之有機EL元件。
除了作為第1電極層，將IZO用1 Å/sec(0.1nm/sec)之速度以真空蒸鍍法蒸鍍成厚度為100nm，並使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.05°之外，與實施例1同樣地進行，獲得本實施例之有機EL元件。
除了作為第1電極層，將ITO用1 Å/sec(0.1nm/sec)之速度以真空蒸鍍法蒸鍍成厚度為100nm之外，與實施例6同樣地進行，獲得本實施例之有機EL元件。而，使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為0.05°。
除了在基板上，使用剝離用抗蝕(富士藥品工業株式會社製商品名「FNPR-L3」)，利用光蝕刻法來形成圖形，又利用濺射法，形成厚度100nm之Al層，將前述圖形剝離，藉此形成第1電極層之外，與實施例1同樣地進行，獲得本比較例之有機EL元件。而，使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為3°。
除了在基板上，利用濺射法，形成厚度100nm之Al層，又利用光蝕刻法來蝕刻Al藉此形成第1電極層之外，與實施例1同樣地進行，獲得本比較例之有機EL元件。而，使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為30°。
除了在基板上，利用濺射法，形成厚度100nm之IZO層，又利用光蝕刻法蝕刻IZO藉此形成第1電極層之外，與實施例1同樣地進行，獲得本比較例之有機EL元件。而，使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為40°。
除了在基板上，利用濺射法，形成厚度100nm之ITO層，並利用光蝕刻法蝕刻ITO藉此形成第1電極層之外，與實施例1同樣地進行，獲得本比較例之有機EL元件。使前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為80°。
針對各實施例與比較例所得之有機EL元件，來測定洩漏(元件破壞率)與良率(暗點數)，並且評價。結果如表1所示。
如前述表1所示，可得知在實施例所得之有機EL元件中，任一者洩漏(元件破壞率)與暗點之發生都較少，可減輕朝各層端部之應力集中，藉此可抑制因前述應力集中而起之剝離。另一方面，在前述角度超過1°之比較例1~4中，可觀察到元件之破壞。將比較例之有機EL元件700構成的概略截面圖顯示於圖7。在圖7中，與圖1相同部分賦予相同符號。如圖所示，可認知到比較例之有機EL元件700中，在第1電極層702端部，因前述角度θ變大而有機EL層103變薄。又可認知到除了朝各層端部之應力集中而起之剝離，前述元件之破壞也是使有機EL層變薄之起因。又，暗點之產生與實施例所得之有機EL元件相比會較多。可認知到這是由於在剝離步驟或照相蝕刻步驟中，包含除去一時形成
的照相抗蝕層或第1電極層之不必要部分的步驟，因此照相抗蝕或電極形成材料之殘渣會殘存於基板上，並因前述殘渣而起者。並得知當將實施例與比較例比較時，根據本發明可獲得能抑制洩漏(元件破壞率)與良率(暗點數)之可靠性高的有機EL元件。
根據本發明之有機EL元件的製造方法，便可連續生產可靠性優異的有機EL元件。本發明之有機EL元件可使用於照明裝置、顯示裝置等之各種領域，並無限定其之用途。
100‧‧‧有機EL(電激發光裝置)
101‧‧‧基板
102‧‧‧第1電極層
102T‧‧‧斜面
103‧‧‧有機EL(電激發光)層
104‧‧‧第2電極層
θ‧‧‧角度
Claims (7)
- 一種有機EL元件之製造方法，其特徵在於包含以下步驟：從送出輥朝捲繞輥供給基板；在前述基板上形成第1電極層；在前述第1電極層上形成有機EL層；及在前述有機EL層上形成第2電極層；又，前述第1電極層係使用陰影遮罩來形成，前述第1電極層側面之至少一部分為從下側朝向上側往內部方向傾斜之斜面，且，前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
- 如申請專利範圍第1項之有機EL元件之製造方法，其中前述陰影遮罩為開口部內側面的剖面形狀具有傾斜形狀或多階形狀。
- 如申請專利範圍第1或2項之有機EL元件之製造方法，其中前述陰影遮罩為開口部的內側端部具有一定厚度，且前述厚度在5~500μm之範圍內。
- 如申請專利範圍第1至3項中任一項之有機EL元件之製造方法，其中在前述有機EL層之形成步驟中，使用有機EL層形成用陰影遮罩來形成前述有機EL層。
- 如申請專利範圍第1至4項任一項有機EL元件之製造方法，其中在前述第2電極層之形成步驟，使用第2電極層 形成用陰影遮罩來形成前述第2電極層。
- 如申請專利範圍第1至5項中任一項之有機EL元件之製造方法，其中前述基板是使用寬度在10~100mm之範圍內，且長度在10~2000m之範圍內，且曲率半徑為30mm以上並可復原之長條帶狀基板。
- 一種有機EL元件，其特徵在於：將第1電極層、有機EL層及第2電極層以此順序積層在可撓式基板上，且，前述第1電極層之側面之至少一部分為從下側朝向上側往內部方向傾斜之斜面，且前述斜面與前述基板之形成有前述第1電極層之側的面所呈的角度為1°以下。
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