WO2017056682A1 - 有機エレクトロルミネッセンスパネル - Google Patents

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organic
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organic electroluminescence
light emitting
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一由 小俣
司 八木
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コニカミノルタ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a light-transmitting organic electroluminescence panel applied to various display devices (hereinafter also referred to as “displays”), lighting devices, and the like. More specifically, the present invention relates to a light-transmitting organic electroluminescence panel.
  • the present invention relates to an organic electroluminescence panel in which a plurality of light emitting areas composed of electroluminescent elements are arranged, and the luminance uniformity and stability are improved with a wide light emitting area.
  • organic electroluminescence L element (hereinafter abbreviated as “organic EL element”) using an organic material electroluminescence (hereinafter abbreviated as “EL”) has a voltage of about several V to several tens of volts. It is a thin, completely solid element that can emit light at a low voltage, and has many excellent features such as high brightness, high luminous efficiency, thinness, and light weight. For this reason, organic EL elements have attracted attention in recent years as surface light emitters such as backlights for various displays, smart devices, and illumination light sources.
  • Such an organic EL element has a structure in which a light emitting layer made of an organic material is sandwiched between two opposing electrodes, and emitted light generated in the light emitting layer passes through the electrode and is extracted outside. Therefore, at least one of the two electrodes is configured as a light-transmitting electrode (hereinafter also referred to as “transparent electrode”).
  • an oxide semiconductor material such as indium tin oxide (SnO 2 —In 2 O 3 : Indium Tin Oxide, hereinafter abbreviated as “ITO”) is generally used. ing.
  • both the anode and the cathode are composed of a transparent electrode pair having light transmittance across the light emitting layer, and as such a light transmitting electrode,
  • ITO was generally used.
  • the performance as an anode was excellent, but the performance as a cathode tended to be inferior.
  • a display electrode having a light transmitting property using electrodes having a light transmitting property on both sides in order to obtain high performance with the current technology, both the anode and the cathode are not ITO-ITO electrodes.
  • a light-transmitting display in which an electrode such as anode ITO-cathode aluminum is used and a light-emitting portion and a see-through portion (light transmission portion) are provided by making the cathode area as small as possible (for example, Patent Document 4) reference.).
  • a light-transmitting electrode composed of silver having a high electrical conductivity or an alloy of silver and aluminum is known as a cathode.
  • the anode and the cathode Many of the thin film metal layers and oxide semiconductors used have a high resistance value and a large voltage drop.
  • the light-transmitting electrode is made thin, or the light emitting area of the element is reduced. If the area is increased, the sheet resistance value will increase and the luminance uniformity will be greatly reduced. This will be a major obstacle to the development of organic electroluminescence devices that aim to increase the area and brightness in the future. It has become.
  • Japanese Patent Laid-Open No. 5-315073 discloses a technique of providing a plurality of voltage application extraction portions (the terminal portions).
  • the size of a device such as a portable terminal in which the organic EL element is incorporated is limited
  • the size of the organic EL element is also limited. That is, in order to increase the light emitting area of the organic EL element, the total area of the terminal portion must be reduced.
  • an organic EL device having a structure in which a plurality of light emitting regions are provided, an insulating portion is provided between light-transmitting electrodes of physically adjacent light emitting regions, and the plurality of light emitting regions are electrically connected in series.
  • an organic EL device having a structure in which a plurality of light emitting regions are provided, an insulating portion is provided between light-transmitting electrodes of physically adjacent light emitting regions, and the plurality of light emitting regions are electrically connected in series.
  • the present invention has been made in view of the above problems, and a solution to the problem is a wide light-emitting area that is composed of a light-transmitting organic electroluminescence element and is composed of a plurality of divided light-emitting areas.
  • Another object of the present invention is to provide an organic electroluminescence panel having improved brightness uniformity and stability.
  • the present inventor has an organic electroluminescent element having a double-sided light-transmitting property, and the organic electroluminescent element has at least a light transmitting property on a substrate.
  • a light emitting area composed of an anode having an organic functional layer unit and a light-transmitting cathode is divided into a plurality, and the anode constituting one light emitting area is in series with the cathode constituting the other light emitting area
  • An organic electroluminescence panel characterized by being electrically connected to each other enables a large light emission area, reduces the current value required for light emission in each organic EL element, and improves luminance uniformity and stability
  • the present inventors have found that an organic electroluminescence panel can be realized, and have reached the present invention.
  • An organic electroluminescence panel having an organic electroluminescence element having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm when not emitting light
  • a light emitting area composed of at least an anode, an organic functional layer unit, and a cathode is divided into a plurality of parts on a base material,
  • the anode and the cathode constituting the light emitting area are both composed of electrodes having light transmittance
  • An organic electroluminescence panel wherein an anode constituting one of the divided light emitting areas is electrically connected in series with a cathode constituting the other adjacent light emitting area.
  • the light-transmitting cathode has an underlayer composed of a nitrogen-containing compound and an electrode layer composed of silver or an alloy containing silver as a main component on the underlayer. 5.
  • the organic electroluminescence panel according to any one of items 1 to 4, wherein:
  • connection part of the said organic electroluminescent panel and an external electrode is electrically connected by the electrically conductive adhesive,
  • an organic electroluminescence panel having a wide total light emitting area composed of a plurality of divided light emitting areas and improved luminance uniformity and stability.
  • the light emitting area is divided into a plurality of parts (the number of divisions is N), and the anode constituting one light emitting area is electrically connected in series with the cathode constituting the other light emitting area.
  • the required current is reduced to I / N, so that the voltage drop of the anode or cathode from the feed end to the center of the panel is also reduced to I / N.
  • the organic electroluminescence panel of the present invention is an organic electroluminescence panel having an organic electroluminescence element having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm when not emitting light, and the organic electroluminescence element is formed on a substrate.
  • the light emitting area composed of at least the anode, the organic functional layer unit and the cathode is divided into a plurality of parts, and the anode and the cathode constituting the light emitting area are both composed of electrodes having optical transparency, And the anode which comprises one divided
  • This feature is a technical feature common to or corresponding to the claimed invention.
  • a glass substrate or a flexible resin substrate having light transmittance is applied as a substrate from the viewpoint that the effect intended by the present invention can be further expressed. This is a preferable form from the viewpoint of achieving transparency.
  • a gas barrier layer is formed between the flexible resin base material and the organic EL constituent layer due to moisture, oxygen, or the like with respect to the organic EL constituent layer. It is preferable from the viewpoint that the influence can be eliminated and high durability can be obtained.
  • the light-transmitting anode is made of an oxide semiconductor or a thin-film metal or alloy because an electrode having both high light transmittance and excellent conductivity can be obtained.
  • the light-transmitting cathode is composed of at least a thin metal or alloy because an electrode having both high light transmittance and excellent conductivity can be obtained.
  • an electrode layer composed of silver or an alloy containing silver as a main component is applied as a light-transmitting cathode, an underlayer composed of a nitrogen-containing compound is provided, and an upper portion thereof is provided. It is preferable to form the electrode layer as a cathode from the viewpoint that silver atoms are present without causing aggregation or the like and a uniform silver thin film can be formed.
  • the connecting portion between the organic electroluminescence panel and the external electrode is electrically connected by a conductive adhesive.
  • the fact that a plurality of organic electroluminescence elements are sealed with a flexible resin substrate having a gas barrier layer can eliminate the influence of moisture, oxygen, etc. on the organic EL constituent layer, and has high durability. From the viewpoint that can be obtained.
  • a plurality of light emitting areas are arranged in parallel in a stripe shape from the viewpoint of obtaining stable light emission characteristics by efficiently dividing a large area.
  • the external electrode is composed of a light-transmitting flexible printed circuit from the viewpoint of being able to design a thin film and highly light-transmitting circuit.
  • the “organic EL panel” refers to a plurality of organic EL elements constituting a light emitting area divided into a plurality of parts arranged in the same plane, and the anode of the organic EL element is electrically connected to the other adjacent cathode. In contact with each other and constituting a large-area light emitter.
  • the “organic EL element” as used in the present invention is an element that constitutes a divided light-emitting area, and has a pair of opposed light-transmitting electrodes (anode and cathode) on the base material and the light-transmitting property.
  • description and description of the sealing member may be omitted for convenience of explanation.
  • description of a control circuit and wiring for controlling light emission of the organic EL element is omitted.
  • a first carrier transporting functional layer group 1 for example, a hole injection layer, a hole is formed on a substrate.
  • a transport layer, a light emitting layer containing a phosphorescent compound, and the like, and a second carrier transport function layer group 2 for example, a hole blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like. Refers to the configuration.
  • the “light emitting area” refers to a region where all components of the anode, the organic functional layer unit, and the cathode exist in the layer thickness direction.
  • the “anode” is an electrode to which (+) is applied as a voltage, and may be referred to as “anode” or “first electrode”.
  • the “cathode” is an electrode to which ( ⁇ ) is applied as a voltage, and may be referred to as “cathode” or “second electrode”.
  • the “light transmittance” in the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more, preferably 60% or more, and more preferably 70% or more.
  • the applied organic EL element is a double-sided light emitting organic EL element having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm when not emitting light.
  • FIG. 1 is a schematic sectional view showing a basic configuration including an organic functional layer unit of an organic EL element applicable to the present invention.
  • the organic EL element (OLED) according to the present invention shown in FIG. 1 is a carrier transporting functional layer unit including a light-emitting layer on a light-transmitting substrate (1), for example, a glass substrate or a flexible resin substrate. A laminated structure is shown.
  • FIG. 1 shows an example in which a gas barrier layer (2) is formed on a light-transmitting substrate (1).
  • An anode (3) is formed as a first electrode in a divided region on the gas barrier layer (2), and a first layer composed of, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, or the like is formed thereon.
  • a functional layer unit (U) is configured. Further, a cathode (7) is provided as a second electrode on the organic functional layer unit (U).
  • covers the said laminated body whole is provided, and one structural unit of an organic EL element (OLED) is provided. It is composed.
  • the anode (3) as the first electrode and the cathode (7) as the second electrode are both electrodes having a light transmittance of 50% or more at a wavelength of 550 nm. This is one feature.
  • the emitted light L emitted from the light emitting layer of the organic functional layer unit or its interface is the first electrode having optical transparency.
  • the light emitting area on the base (1) surface which is the electrode (3) side and the light emitting area on the sealing member (11) surface side on the second electrode (7) side which is also a light transmissive electrode are taken out to the outside. be able to.
  • the light emitting area here means that the anode (3), the organic functional layer unit (U), particularly the light emitting layer (5), and the cathode (7) are all on the same plane. An area that exists.
  • a light-emitting area (specifically, an organic EL element) composed of at least an anode, an organic functional layer unit, and a cathode is arranged on a substrate in a plurality of divisions.
  • an anode constituting one of the divided light emitting areas is electrically connected in series with a cathode constituting the other adjacent light emitting area. Specifically, as shown in FIG.
  • an anode (3) constituting an organic EL element (OLED) shown as “one constituent unit of OLED” is disposed on the left side (detailed description is omitted) (7 )
  • the cathode (7) of the organic EL element (OLED) shown as “one constituent unit of OLED” is arranged on the right side (detailed configuration is omitted).
  • the structure is electrically connected to the anode (3), and a plurality of light emitting areas (organic EL elements) are connected in series.
  • the organic EL element according to the present invention may have a tandem configuration in which two or more organic functional layer units are stacked.
  • the light emitting area is divided into a plurality of parts, and the anode constituting one of the divided light emitting areas is electrically connected in series with the cathode constituting the other adjacent light emitting area.
  • the light transmittance as the first electrode is provided on the substrate (1) having the gas barrier layer (2).
  • Anode having (3) then, for example, a carrier transporting functional layer group 1 (4) composed of a hole injection layer, a hole transport layer, and the like, a light emitting layer (5), for example, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like
  • the carrier transport functional layer group 2 (6) composed of the above is laminated to constitute a light emitting region.
  • a sealing substrate (11) having a light-transmitting cathode (7), a sealing adhesive layer (9), and a gas barrier layer (10) as a second electrode is provided on the upper part.
  • tandem organic EL element can also be used.
  • tandem type include, for example, US Pat. No. 6,337,492, US Pat. No. 7,420,203, US Pat. No. 7,473,923, US Pat. No. 6,872,472, US Pat. No. 6,107,734, US Pat. No. 6,337,492, WO 2005/009087, JP 2006-228712, JP 2006-24791, JP 2006- No. 49393, JP-A-2006-49394, JP-A-2006-49396, JP-A-2011-96679, JP-A-2005-340187, JP-A-4711424, JP-A-3496681, Patent No. No. 3884564, Japanese Patent No.
  • the base material (1) applicable to the organic EL element (OLED) is not particularly limited as long as it is a light-transmitting base material, and examples thereof include glass and plastic.
  • Examples of the light-transmitting substrate (1) applicable to the present invention include glass, quartz, and a resin substrate. More preferably, it is a flexible resin base material from the viewpoint of imparting flexibility to the organic EL element.
  • polyesters such as polyethylene terephthalate (abbreviation: PET), polyethylene naphthalate (abbreviation: PEN), polyethylene, polypropylene, cellophane, cellulose diacetate, and cellulose.
  • Cellulose esters such as triacetate (abbreviation: TAC), cellulose acetate butyrate, cellulose acetate propionate (abbreviation: CAP), cellulose acetate phthalate, cellulose nitrate, and their derivatives, polyvinylidene chloride, polyvinyl alcohol, polyethylene vinyl alcohol , Syndiotactic polystyrene, polycarbonate (abbreviation: PC), norbornene resin, polymethylpentene, polyetherketone, polyimide, Ether sulfone (abbreviation: PES), polyphenylene sulfide, polysulfones, polyether imide, polyether ketone imide, polyamide, fluororesin, nylon, polymethyl methacrylate, acrylic and polyarylates, Arton (trade name, manufactured by JSR) and Examples thereof include cycloolefin resins such as Apel (trade name, manufactured by Mitsui Chemicals).
  • TAC triacetate
  • films such as polyethylene terephthalate (abbreviation: PET), polybutylene terephthalate, polyethylene naphthalate (abbreviation: PEN), polycarbonate (abbreviation: PC) are flexible in terms of cost and availability. It is preferably used as a resin base material having
  • the resin substrate may be an unstretched film or a stretched film.
  • the resin base material applicable to the present invention can be manufactured by a conventionally known general film forming method.
  • an unstretched resin base material that is substantially amorphous and not oriented can be produced by melting a resin component as a material with an extruder, extruding it with an annular die or a T-die, and quenching.
  • a resin substrate produced by a solution casting method in which a resin component is dissolved in a solvent to prepare a dope and then the dope is cast on a metal support and dried to form a film can also be applied.
  • the unstretched resin base material is transported in the direction of the resin base material (vertical axis direction) by a known method such as uniaxial stretching, tenter sequential biaxial stretching, tenter simultaneous biaxial stretching, tubular simultaneous biaxial stretching, or the like. , MD direction), or a stretched resin substrate can be produced by stretching in a direction perpendicular to the conveying direction of the resin substrate (horizontal axis direction, TD direction).
  • the draw ratio in this case can be appropriately selected according to the resin as the raw material of the resin base material, but is preferably in the range of 1.01 to 10 times in the vertical axis direction and the horizontal axis direction.
  • the thickness of the resin substrate is preferably a thin resin substrate in the range of 3 to 200 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 150 ⁇ m, and particularly preferably in the range of 20 to 120 ⁇ m. Is within.
  • the light-transmitting anode constituting the organic EL element is preferably composed of an oxide semiconductor or a thin-film metal or alloy, for example, a metal such as Ag or Au or a metal as a main component.
  • oxide semiconductors such as CuI, indium-tin composite oxide (ITO), SnO 2 and ZnO.
  • the purity of silver is preferably 99% or more. Further, palladium (Pd), copper (Cu), gold (Au), or the like may be added to ensure the stability of silver.
  • anode having light transmittance when an electrode composed mainly of silver is used, specifically, it may be formed of silver alone or an alloy containing silver (Ag). Also good. Examples of such alloys include silver / magnesium (Ag / Mg), silver / copper (Ag / Cu), silver / palladium (Ag / Pd), silver / palladium / copper (Ag / Pd / Cu), silver -Indium (Ag.In) etc. are mentioned.
  • an anode having a light transmission property composed mainly of silver and having a thickness in the range of 2 to 20 nm.
  • the thickness is preferably in the range of 4 to 12 nm.
  • a thickness of 20 nm or less is preferable because the absorption component and reflection component of the light-transmitting anode are kept low and high light transmittance is maintained.
  • the layer composed mainly of silver in the present invention means that the silver content in the light-transmitting anode is 60% by mass or more, preferably the silver content is 80% by mass. More preferably, the silver content is 90% by mass or more, and particularly preferably the silver content is 98% by mass or more.
  • “light transmittance” in the anode having light transmittance according to the present invention means that the light transmittance at a wavelength of 550 nm is 50% or more.
  • the light-transmitting anode may have a structure in which a layer composed mainly of silver is divided into a plurality of layers as necessary.
  • the lower portion is formed from the viewpoint of improving the uniformity of the silver film of the light-transmitting anode to be formed.
  • an underlayer it is a layer containing the organic compound which has a nitrogen atom or a sulfur atom, and forms the anode which has a light transmittance which has silver as a main component on the said base layer.
  • the method is a preferred embodiment. The details of the underlayer applicable to the present invention will be described later.
  • a phosphorescent light emitting compound or a fluorescent compound can be used as the light emitting material.
  • a phosphorescent light emitting compound is used as the light emitting material.
  • the contained structure is preferable.
  • This light emitting layer is a layer that emits light by recombination of electrons injected from the electrode or the electron transport layer and holes injected from the hole transport layer, and the light emitting portion is an in-layer region of the light emitting layer. Even the interface region between the light emitting layer and the adjacent layer may be used.
  • Such a light emitting layer is not particularly limited in its configuration as long as the light emitting material contained satisfies the light emission requirements. Moreover, there may be a plurality of layers having the same emission spectrum and emission maximum wavelength. In this case, it is preferable to have a non-light emitting intermediate layer between the light emitting layers.
  • the total thickness of the light emitting layers is preferably in the range of 1 to 100 nm, and more preferably in the range of 1 to 30 nm because a lower driving voltage can be obtained.
  • the sum total of the thickness of a light emitting layer is the thickness also including the said intermediate
  • the light emitting layer as described above is prepared by using a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, an LB method (Langmuir Blodget, Langmuir Blodgett method), an ink jet method, or the like. Can be formed.
  • a plurality of light emitting materials may be mixed, and a phosphorescent light emitting material and a fluorescent light emitting material (also referred to as a fluorescent dopant or a fluorescent compound) may be mixed and used in the same light emitting layer.
  • the structure of the light-emitting layer preferably includes a host compound (also referred to as a light-emitting host) and a light-emitting material (also referred to as a light-emitting dopant compound), and emits light from the light-emitting material.
  • a compound having a phosphorescence quantum yield of phosphorescence emission at room temperature (25 ° C.) of less than 0.1 is preferable. Further, the phosphorescence quantum yield is preferably less than 0.01. Moreover, it is preferable that the volume ratio in the layer is 50% or more among the compounds contained in a light emitting layer.
  • the host compound a known host compound may be used alone, or a plurality of types of host compounds may be used. By using a plurality of types of host compounds, it is possible to adjust the movement of charges, and the organic EL element can be made highly efficient. In addition, by using a plurality of kinds of light emitting materials described later, it is possible to mix different light emission, thereby obtaining an arbitrary light emission color.
  • the host compound used in the light emitting layer may be a conventionally known low molecular compound or a high molecular compound having a repeating unit, and a low molecular compound having a polymerizable group such as a vinyl group or an epoxy group (evaporation polymerizable light emitting host). )
  • Examples of host compounds applicable to the present invention include, for example, JP-A Nos. 2001-257076, 2001-357777, 2002-8860, 2002-43056, 2002-105445, 2002-352957, 2002-231453, 2002-234888, 2002-260861, 2002-305083, US Patent Application Publication No. 2005/0112407, US Patent Application Publication No. 2009/0030202, International Publication No. 2001/039234, International Publication No. 2008/056746, International Publication No. 2005/089025, International Publication No. 2007/063754, International Publication No. 2005/030900, International Publication 200th / No. 086,028, WO 2012/023947, can be mentioned JP 2007-254297, JP-European compounds described in Japanese Patent No. 2034538 Pat like.
  • a phosphorescent compound also referred to as a phosphorescent compound, a phosphorescent material, or a phosphorescent dopant
  • a fluorescent compound both a fluorescent compound or a fluorescent material
  • a phosphorescent compound is a compound in which light emission from an excited triplet is observed. Specifically, it is a compound that emits phosphorescence at room temperature (25 ° C.), and the phosphorescence quantum yield is 0 at 25 ° C.
  • a preferred phosphorescence quantum yield is 0.1 or more, although it is defined as 0.01 or more compounds.
  • the phosphorescent quantum yield can be measured by the method described in Spectroscopic II, page 398 (1992 edition, Maruzen) of the Fourth Edition Experimental Chemistry Course 7.
  • the phosphorescence quantum yield in the solution can be measured using various solvents, but when using a phosphorescent compound in the present invention, the phosphorescence quantum yield is 0.01 or more in any solvent. Should be achieved.
  • the phosphorescent compound can be appropriately selected from known compounds used for the light-emitting layer of a general organic EL device, but preferably contains a group 8 to 10 metal in the periodic table of elements. More preferred are iridium compounds, more preferred are iridium compounds, osmium compounds, platinum compounds (platinum complex compounds) or rare earth complexes, and most preferred are iridium compounds.
  • At least one light emitting layer may contain two or more phosphorescent compounds, and the concentration ratio of the phosphorescent compound in the light emitting layer varies in the thickness direction of the light emitting layer. It may be an embodiment.
  • preferred phosphorescent compounds include organometallic complexes having Ir as a central metal. More preferably, a complex containing at least one coordination mode of a metal-carbon bond, a metal-nitrogen bond, a metal-oxygen bond, and a metal-sulfur bond is preferable.
  • the phosphorescent compound described above (also referred to as a phosphorescent metal complex) is described in, for example, Organic Letter, vol. 16, 2579-2581 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 30, No. 8, pp. 1685-1687 (1991), J. Am. Am. Chem. Soc. , 123, 4304 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 40, No. 7, pages 1704-1711 (2001), Inorganic Chemistry, Vol. 41, No. 12, pages 3055-3066 (2002) , New Journal of Chemistry. 26, 1171 (2002), European Journal of Organic Chemistry, Vol. 4, pages 695-709 (2004), and methods disclosed in the references and the like described in these documents Can be synthesized.
  • Fluorescent compounds include coumarin dyes, pyran dyes, cyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, oxobenzanthracene dyes, fluorescein dyes, rhodamine dyes, pyrylium dyes, perylene dyes, stilbene dyes. And dyes, polythiophene dyes, and rare earth complex phosphors.
  • Carrier transport functional group Next, a charge injection layer, a hole transport layer, an electron transport layer, and a blocking layer will be described in this order as representative examples of the layers constituting the carrier transport functional layer group.
  • the charge injection layer is a layer provided between the electrode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the organic EL element and its industrialization front line June 30, 1998, NT. The details are described in Volume 2, Chapter 2, “Electrode Materials” (pages 123 to 166) of “Part 2” of S Co., Ltd., and there are a hole injection layer and an electron injection layer.
  • the charge injection layer is present between the anode and the light emitting layer or the hole transport layer in the case of a hole injection layer, and between the cathode and the light emitting layer or the electron transport layer in the case of an electron injection layer.
  • the hole injection layer is a layer disposed adjacent to the anode, which is a light-transmitting electrode, in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the details of the hole injection layer are described in JP-A-9-45479, JP-A-9-260062, JP-A-8-288069, etc.
  • materials used for the hole injection layer include: , Porphyrin derivatives, phthalocyanine derivatives, oxazole derivatives, oxadiazole derivatives, triazole derivatives, imidazole derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, polyarylalkane derivatives, triarylamine derivatives, carbazole derivatives, Indolocarbazole derivatives, isoindole derivatives, acene derivatives such as anthracene and naphthalene, fluorene derivatives, fluorenone derivatives, polyvinylcarbazole, aromatic amines introduced into the main chain or side chain Child material or oligomer, polysilane, a conductive polymer or oligomer
  • Examples of the triarylamine derivative include benzidine type represented by ⁇ -NPD (4,4′-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl), and MTDATA (4,4 ′, 4 ′′).
  • Examples include a starburst type represented by -tris [N- (3-methylphenyl) -N-phenylamino] triphenylamine), a compound having fluorene or anthracene in the triarylamine-linked core.
  • hexaazatriphenylene derivatives such as those described in JP-T-2003-519432 and JP-A-2006-135145 can also be used as a hole transport material.
  • the electron injection layer is a layer provided between the cathode and the light emitting layer in order to lower the driving voltage and improve the light emission luminance.
  • the cathode is composed of the light-transmitting electrode according to the present invention Is provided adjacent to the light-transmitting electrode, and “Organic EL element and its forefront of industrialization” (issued on November 30, 1998 by NTT)
  • the electrode material “(pages 123 to 166) is described in detail.
  • JP-A-6-325871, JP-A-9-17574, JP-A-10-74586, and the like Specific examples of materials preferably used for the electron injection layer are as follows. Metals represented by strontium and aluminum, alkali metal compounds represented by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc., alkali metal halide layers represented by magnesium fluoride, calcium fluoride, etc. Examples thereof include an alkaline earth metal compound layer typified by magnesium, a metal oxide typified by molybdenum oxide and aluminum oxide, and a metal complex typified by lithium 8-hydroxyquinolate (Liq).
  • Metals represented by strontium and aluminum alkali metal compounds represented by lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, etc.
  • the electrode which has the light transmittance in this invention is a cathode
  • organic materials such as a metal complex
  • the electron injection layer is preferably a very thin film, and depending on the constituent material, the layer thickness is preferably in the range of 1 nm to 10 ⁇ m.
  • the hole transport layer is made of a hole transport material having a function of transporting holes.
  • the hole injection layer and the electron blocking layer also have the function of a hole transport layer.
  • the hole transport layer can be provided as a single layer or a plurality of layers.
  • the hole transport material has any of hole injection or transport and electron barrier properties, and may be either organic or inorganic.
  • triazole derivatives oxadiazole derivatives, imidazole derivatives, polyarylalkane derivatives, pyrazoline derivatives, pyrazolone derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, oxazole derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives
  • Examples include stilbene derivatives, silazane derivatives, aniline copolymers, conductive polymer oligomers, and thiophene oligomers.
  • hole transport material those described above can be used, but porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds can be used, and in particular, aromatic tertiary amine compounds can be used. preferable.
  • aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds include N, N, N ′, N′-tetraphenyl-4,4′-diaminophenyl, N, N′-diphenyl-N, N′— Bis (3-methylphenyl)-[1,1′-biphenyl] -4,4′-diamine (abbreviation: TPD), 2,2-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) propane, 1,1 -Bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, 1,1-bis (4-di-p -Tolylaminophenyl) -4-phenylcyclohexane, bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane, bis (4-di-p
  • the hole transport material may be formed by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an ink jet method, and an LB method (Langmuir Brodget, Langmuir Brodgett method). Thus, it can be formed by thinning.
  • the layer thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the hole transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • the p property can be increased by doping impurities into the constituent material of the hole transport layer.
  • Examples thereof include JP-A-4-297076, JP-A-2000-196140, 2001-102175 and J.P. Appl. Phys. 95, 5773 (2004), and the like.
  • the electron transport layer is made of a material having a function of transporting electrons, and in a broad sense, an electron injection layer and a hole blocking layer are also included in the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be provided as a single layer structure or a stacked structure of a plurality of layers.
  • an electron transport material (also serving as a hole blocking material) constituting a layer portion adjacent to the light emitting layer is used as an electron transporting material. What is necessary is just to have the function to transmit.
  • any one of conventionally known compounds can be selected and used. Examples include nitro-substituted fluorene derivatives, diphenylquinone derivatives, thiopyran dioxide derivatives, carbodiimides, fluorenylidenemethane derivatives, anthraquinodimethane, anthrone derivatives, and oxadiazole derivatives.
  • a thiadiazole derivative in which the oxygen atom of the oxadiazole ring is substituted with a sulfur atom, and a quinoxaline derivative having a quinoxaline ring known as an electron-withdrawing group can also be used as a material for the electron transport layer. It can. Furthermore, a polymer material in which these materials are introduced into a polymer chain, or a polymer material having these materials as a polymer main chain can also be used.
  • metal complexes of 8-quinolinol derivatives such as tris (8-quinolinol) aluminum (abbreviation: Alq 3 ), tris (5,7-dichloro-8-quinolinol) aluminum, tris (5,7-dibromo-8- Quinolinol) aluminum, tris (2-methyl-8-quinolinol) aluminum, tris (5-methyl-8-quinolinol) aluminum, bis (8-quinolinol) zinc (abbreviation: Znq), etc. and the central metal of these metal complexes
  • a metal complex replaced with In, Mg, Cu, Ca, Sn, Ga, or Pb can also be used as a material for the electron transport layer.
  • the electron transport layer can be formed by thinning the above material by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, a printing method including an inkjet method, and an LB method.
  • the thickness of the electron transport layer is not particularly limited, but is usually about 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the electron transport layer may have a single layer structure composed of one or more of the above materials.
  • blocking layer examples include a hole blocking layer and an electron blocking layer.
  • the blocking layer is a layer provided as necessary. For example, it is described in JP-A Nos. 11-204258 and 11-204359, and “Organic EL elements and the forefront of industrialization (published by NTT Corporation on November 30, 1998)” on page 237. Hole blocking (hole block) layer and the like.
  • the hole blocking layer has a function of an electron transport layer in a broad sense.
  • the hole blocking layer is made of a hole blocking material that has a function of transporting electrons but has a very small ability to transport holes, and recombines electrons and holes by blocking holes while transporting electrons. Probability can be improved.
  • the structure of an electron carrying layer can be used as a hole-blocking layer as needed.
  • the hole blocking layer is preferably provided adjacent to the light emitting layer.
  • the electron blocking layer has a function of a hole transport layer in a broad sense.
  • the electron blocking layer is made of a material that has the ability to transport holes and has a very small ability to transport electrons. By blocking holes while transporting holes, the probability of recombination of electrons and holes is improved. Can be made.
  • the structure of a positive hole transport layer can be used as an electron blocking layer as needed.
  • the layer thickness of the hole blocking layer applied to the present invention is preferably in the range of 3 to 100 nm, more preferably in the range of 5 to 30 nm.
  • the cathode according to the present invention is a light-transmitting electrode that functions to supply holes to the carrier transporting functional layer group and the light-emitting layer, and is a metal, an alloy, an organic or inorganic conductive compound, or a mixture thereof, For example, gold, aluminum, silver, magnesium, lithium, magnesium / copper mixture, magnesium / silver mixture, magnesium / aluminum mixture, magnesium / indium mixture, indium, lithium / aluminum mixture, rare earth metal, ITO, ZnO, TiO 2 and SnO Although an oxide semiconductor 2, and the like, among which, at least a thin film is composed of a metal or alloy is a preferred configuration, more preferably, base layer formed by using a nitrogen-containing compound, An electrode made of silver or an alloy containing silver as a main component on the underlying layer It is preferably configured to have a.
  • suitable silver or an alloy containing silver as a main component as a light-transmitting cathode include the same materials as those described in the description of the anode. Alternatively, it may be made of an alloy containing silver (Ag). Examples of such alloys include silver / magnesium (Ag / Mg), silver / copper (Ag / Cu), silver / palladium (Ag / Pd), silver / palladium / copper (Ag / Pd / Cu), silver -Indium (Ag.In) etc. are mentioned.
  • the cathode can be produced by forming a thin film of these conductive materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the sheet resistance as the second electrode is several hundred ⁇ / sq.
  • the film thickness is usually selected from the range of 5 nm to 5 ⁇ m, preferably 5 to 200 nm.
  • the organic EL panel of the present invention has a structure divided into a plurality of light emitting areas (organic EL elements), and an anode constituting one of the divided light emitting areas constitutes the other adjacent light emitting area.
  • the structure is characterized in that it is electrically connected in series with the cathode.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view (Embodiment 1) showing an example of the configuration of the organic EL panel of the present invention having a plurality of organic EL elements.
  • a plurality of organic EL elements are arranged in a state of being separated from each other on a single transparent substrate (1) having a large area, An independent light emitting area is formed.
  • a plurality of organic EL elements composed of an anode (3), an organic functional layer unit (U), a cathode (7), and the like are arranged on the substrate (1) and divided.
  • the anode (3) composing one light emitting area is electrically connected in series with the cathode (7) composing the other adjacent light emitting area in a region indicated by a circular broken line part (A). have. With such a configuration, a plurality of organic EL elements can be connected in series.
  • a region from the left end of the cathode (7) to the right end of the anode (3) is a “light emitting area”, and the other organic EL element (OLED) adjacent from the right end of the anode (3).
  • OLED organic EL element
  • Embodiment 2 Forming a gas barrier layer on a substrate
  • the organic EL panel shown in FIG. 3 is a schematic sectional view (embodiment 2) showing an example of a configuration having a gas barrier layer on a substrate.
  • the basic configuration is the same as the configuration described with reference to FIG. 2, except that a gas barrier layer (2) is formed between the base material (1) and the anode (3).
  • gas barrier layer (2) By providing such a gas barrier layer (2), it is possible to apply a flexible resin base material having a higher water vapor permeability or the like as a base material than a glass base material.
  • ⁇ Gas barrier layer> By forming a gas permeable gas barrier layer (2) on one side or both sides of the substrate (1), at least the entire surface on the side where the anode (3, first electrode) is formed, moisture, oxygen, etc. It is possible to suppress intrusion of a factor that causes deterioration of the constituent material of the organic EL element.
  • the gas barrier layer (2) may be not only an inorganic material film but also a film made of a composite material with an organic material or a hybrid film obtained by laminating these films.
  • water vapor permeability measured by a method in accordance with JIS (Japanese Industrial Standard) -K7129 (2008) (environmental condition: 25 ⁇ 0.5 ° C., relative humidity: 90 ⁇ 2) %) Is about 0.01 g / m 2 ⁇ 24 h or less
  • the oxygen permeability measured by a method in accordance with JIS-K7126 (2006) is about 0.01 ml / m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm or less
  • the resistivity is 1 ⁇
  • any material may be used as long as it can cause deterioration of the organic EL element, for example, can suppress the intrusion of components such as moisture and oxygen into the organic EL element. it can.
  • the gas barrier layer (2) is made of an inorganic material such as silicon oxide, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon carbide, silicon oxycarbide, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, zirconium oxide, niobium oxide, and molybdenum oxide. It can be comprised with a film, Preferably, it is the structure which uses silicon compounds, such as a silicon nitride and a silicon oxide, as a main raw material.
  • a conventionally known film forming method can be appropriately selected and used.
  • a vacuum deposition method, a sputtering method, a magnetron sputtering method, a molecular beam epitaxy method, a cluster ion beam method, an ion plate method can be used.
  • Coating method, plasma polymerization method, atmospheric pressure plasma polymerization method (see JP 2004-68143 A), plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method, laser CVD method, thermal CVD method, ALD (atomic layer deposition) method, A wet coating method using polysilazane or the like can also be applied.
  • Embodiment 3 Arrangement pattern of organic EL elements
  • the plurality of light-emitting areas have a pattern arranged in parallel in a stripe shape.
  • FIG. 4A is a top view illustrating an example of an organic EL panel in which a plurality of light emitting areas are arranged in a stripe shape
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view (Embodiment 3). These are the schematic perspective views of the organic electroluminescent panel of Embodiment 3 comprised from a some light emission area.
  • FIG. 4A an example is shown in which light-emitting areas composed of strip-shaped organic EL elements (OLEDs) are arranged in a stripe pattern on a substrate (1) having a large area.
  • OLEDs organic EL elements
  • FIG. 4A n organic EL elements (OLEDs) from OLED 1 to OLED n are arranged in parallel.
  • the number of OLEDs to be arranged cannot be unconditionally defined by the size of the substrate or the size of the OLEDs, but the minimum configuration uses two OLEDs.
  • it is preferably in the range of 2 to 20, more preferably in the range of 2 to 10.
  • the size of the light emitting area by OLED is 0.5 cm wide ⁇ 10 cm long ⁇ 5 cm wide ⁇ 10 cm long, preferably Is within the range of width 1.0 cm ⁇ length 10 cm to width 5 cm ⁇ length 10 cm.
  • the area of the light emitting area can be appropriately selected depending on the size of the substrate and the number of OLEDs arranged.
  • the width of the “non-light emitting area” shown in FIG. 4 is preferably within a range of about 1 to 5 mm.
  • FIG. 4B is a schematic cross-sectional view of the organic EL panel, and one of the divided organic EL elements (OLEDs) in which n OLEDs from OLED 1 to OLED n are arranged in parallel is shown.
  • the end of the anode (3) constituting the light emitting area and the end of the cathode (7) constituting the other adjacent light emitting area are electrically connected in series.
  • the anode (3) of the OLED disposed at one end for example, the left end OLED 1 shown in FIG. 4B
  • the OLED disposed at the other end for example, FIG. 4 (b), the cathode (7) of the OLED n
  • an applied power source (8) is provided in the circuit so that each OLED emits light. The voltage is applied.
  • FIG. 5 is a schematic perspective view of an organic EL panel in which a plurality (n) of OLEDs are arranged in parallel as an example in which the light emitting areas described in FIG. 4 are arranged in a stripe shape.
  • FIG. 6A shows a circuit diagram of a conventional organic EL panel
  • FIG. 6B shows a circuit diagram of the organic EL panel of the present invention.
  • FIG. 6A is a circuit diagram of a conventional organic EL panel (P), which is composed of a single large organic EL element (OLED), and from the applied power supply (8), voltage V and current I are applied to the organic EL element.
  • P organic EL panel
  • OLED organic EL element
  • the organic EL panel (P) of the present invention in which a plurality of OLEDs (OLED 1 to OLED n ) are arranged in parallel, the voltage N ⁇ V and the current I are applied to the organic EL element. Although the light is applied to emit light, the current flowing through each organic EL element (OLED) becomes I / N, and it is difficult for a current difference between the organic EL elements to occur. An excellent large organic EL panel (P) can be realized.
  • FIG. 7 is a schematic sectional drawing (embodiment 4) which shows an example of the structure which provided the sealing member by the structure of the organic electroluminescent panel of this invention.
  • the organic EL panel (P) shown in FIG. 7 the organic EL panel (P) having a plurality of organic EL elements (OLED) formed up to the cathode shown in FIG. An example of forming a member is shown.
  • the sealing member may be disposed so as to cover the display area of the organic EL element, and may be concave or flat. Moreover, if it has transparency, electrical insulation will not be specifically limited.
  • a light transmissive glass substrate a resin substrate, a film, a metal film (metal foil) having flexibility, and the like
  • the glass substrate include soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, and quartz.
  • the resin substrate include polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, and polysulfone.
  • sealing adhesive polyurethane-based, polyester-based, epoxy-based, acrylic-based adhesives can be used. You may use a hardening
  • a hot melt lamination method, an extrusion lamination method and a coextrusion lamination method can also be used, but a dry lamination method is preferred.
  • the sealing member a resin substrate and a crow substrate can be preferably used from the viewpoint of reducing the thickness of the organic EL element.
  • the resin substrate has a water vapor transmission rate of 1 ⁇ 10 ⁇ 3 g / m 2 .multidot.m at a temperature of 25 ⁇ 0.5 ° C. and a relative humidity of 90 ⁇ 2% RH measured by a method according to JIS K 7129-1992.
  • the oxygen permeability measured by a method according to JIS K 7126-1987 is preferably 1 ⁇ 10 ⁇ 3 ml / (m 2 ⁇ 24 h ⁇ atm) (1 atm is 1.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorocarbon or silicon oil is injected in the gas phase and liquid phase.
  • an inert gas such as nitrogen or argon, or an inert liquid such as fluorocarbon or silicon oil is injected in the gas phase and liquid phase.
  • the gap between the sealing member and the display area of the organic EL element can be evacuated, or a hygroscopic compound can be sealed in the gap.
  • the organic functional layer unit in the organic EL element is completely covered and the terminal portions of the anode (3) as the first electrode and the cathode (6) as the second electrode in the organic EL element are exposed.
  • a sealing film can also be provided over a permeable substrate.
  • a plurality of light-transmitting anodes, a carrier transporting functional layer group 1, a light emitting layer, and a carrier transporting function are independently provided on a large-area substrate.
  • the layer group 2 and the light-transmitting cathode are stacked to form a stacked body.
  • FIG. 8 shows a specific procedure for manufacturing the organic EL panel of Embodiment 4 shown in FIG. 7 as an example.
  • a gas barrier layer (2) is formed on a light-transmitting substrate (1).
  • the gas barrier layer (2) can be formed by vacuum deposition, sputtering, magnetron sputtering, molecular beam epitaxy, cluster ion beam, ion plating, plasma polymerization, atmospheric pressure plasma It is formed by a wet coating method using a combination method, a plasma CVD method, polysilazane, or the like.
  • a plurality of light-transmitting anodes (3) are formed at predetermined positions on the gas barrier layer (2) while being separated from each other.
  • a method for forming a light-transmitting anode it is preferable to apply a vapor deposition method using a mask (M1) in order to form each light-transmitting anode with high accuracy.
  • the heating boat for vapor deposition is filled with the anode forming raw material (3RM), the heating boat is heated, and the mask (M1 ), A pattern of the light transmissive anode (3) is formed on the gas barrier layer (2) so as to have a film thickness in the range of 10 to 200 nm.
  • Deposition conditions generally include boat heating temperature in the range of 50 to 450 ° C., vacuum degree in the range of 1 ⁇ 10 ⁇ 6 to 1 ⁇ 10 ⁇ 2 Pa, deposition rate in the range of 0.01 to 50 nm / sec, and substrate temperature— It is desirable to appropriately select each condition within the range of 50 to 300 ° C.
  • a carrier transport function layer group 1 (4, for example, a hole injection layer and a hole transport layer), a light emitting layer (5 ), A plurality of organic functional layer units (U) composed of the carrier transport functional layer group 2 (6, electron transport layer, etc.).
  • Each layer forming these organic functional layer units (U) can be formed by a spin coating method, a casting method, an ink jet method, a vapor deposition method, a printing method, etc., and a uniform layer is easily obtained. It is preferable to use a vapor deposition method using a fine mask (M2) in that the film can be formed with high accuracy.
  • a heating boat for vapor deposition is filled with raw materials (URM) for forming each organic functional layer unit, the heating boat is heated, and a light-transmitting anode (through a fine mask (M2)) ( 3) A pattern of each layer of the organic functional layer unit (U) is formed thereon.
  • a different forming method may be applied to each layer constituting the organic functional layer unit (U).
  • the vapor deposition conditions vary depending on the type of compound used, but generally the boat heating temperature is in the range of 50 to 450 ° C., and the degree of vacuum is 1 ⁇ 10 ⁇ 6 to 1 ⁇ .
  • Each condition is preferably selected as appropriate within the range of 10 ⁇ 2 Pa, the deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, the substrate temperature of ⁇ 50 to 300 ° C., and the layer thickness of 0.1 to 5 ⁇ m. .
  • a cathode boat forming raw material (7RM) is filled in a vapor deposition heating boat, the heating boat is heated, and is adjacent to the organic functional layer unit (U) and adjacently through a mask (M3).
  • a cathode (7) is formed on the anode (3).
  • the light-transmitting substrate (1), gas barrier layer (2), anode (3), organic functional layer unit (U) and the cathode (7) are sealed with a sealing member (11) having a sealing resin layer (9) and a gas barrier layer (10).
  • a light-transmitting cathode is an underlayer composed of a nitrogen-containing compound, and a thin-film silver layer composed of silver or an alloy containing silver as a main component on the underlayer (
  • One of the preferred embodiments is a structure having a cathode.
  • FIG. 9 shows a configuration in which a base layer (12) and a thin film silver layer (13) made of silver or an alloy containing silver as a main component are provided on the base layer (12) as the cathode (7).
  • the silver atom is first a compound having a nitrogen atom, and more specifically, on the surface of the underlayer containing an asymmetric compound having a nitrogen atom having an unshared electron pair that does not participate in aromaticity having an affinity for the silver atom.
  • the film is formed by single-layer growth type (Frank-van der Merwe: FM type) film formation in which a two-dimensional nucleus is formed at the center and a two-dimensional single crystal layer is formed around the two-dimensional nucleus.
  • a thin silver film with high homogeneity can be formed.
  • the material constituting the underlayer is not particularly limited, and can suppress aggregation of silver, which is a constituent material of the cathode formed thereon, and includes compounds containing nitrogen atoms.
  • the nitrogen atom-containing compound that can be used to constitute the underlayer (12) is not particularly limited as long as it is a compound containing a nitrogen atom in the molecule, but a heterocycle having a nitrogen atom as a heteroatom. A compound having is preferred.
  • heterocycle having a nitrogen atom as a hetero atom examples include aziridine, azirine, azetidine, azeto, azolidine, azole, azinane, pyridine, azepan, azepine, imidazole, pyrazole, oxazole, thiazole, imidazoline, pyrazine, morpholine, thiazine, indole, Examples include isoindole, benzimidazole, purine, quinoline, isoquinoline, quinoxaline, cinnoline, pteridine, acridine, carbazole, benzo-C-cinnoline, porphyrin, chlorin and choline.
  • the nitrogen atom-containing compound contained in the underlayer (12) is preferably an aromatic heterocyclic compound having a nitrogen atom having an unshared electron pair that does not participate in aromaticity.
  • nitrogen atom-containing compounds include Exemplified Compound Nos. Described in paragraphs (0097) to (0221) of JP-A-2015-046364. 1-No. 134.
  • FIG. 10 is an example of a configuration of an organic EL element applicable to the present invention, and schematically shows a configuration in which an optical adjustment layer (14) is formed on the thin film silver layer (13) having the configuration described in FIG. It is sectional drawing (Embodiment 6).
  • the optical adjustment layer applicable to the present invention means a layer that plays a role of improving the transmittance of the light transmissive material by the optical interference action.
  • an existing compound can be used without particular limitation as long as an appropriate refractive index is obtained.
  • a compound to which a vacuum deposition method can be applied is preferable from the viewpoint that a film can be formed on the organic EL cathode without damage.
  • Al 2 O 3 reffractive index 1.6
  • CeO 3 reffractive index 2.2
  • Ga 2 O 3 reffractive index 1.5
  • HfO 2 reffractive index
  • ITO indium tin oxide, refractive index 2.1
  • IZO indium zinc oxide, refractive index 2.1
  • MgO indium zinc oxide, refractive index 2.1
  • MgO indium zinc oxide, refractive index 2.1
  • MgO reffractive index 1.7
  • Nb 2 O 5 reffractive index
  • SiO 2 reffractive index 1.5
  • Ta 2 O 5 reffractive index 2.2
  • TiO 2 refractive index 2.3 to 2.5
  • Y 2 O 3 reffractive index 1.
  • connection part of an organic electroluminescent panel and an external electrode is the structure electrically connected by the electroconductive adhesive, and also the external electrode is a flexible printed circuit (with light transmittance) ( FPC) is a preferred form.
  • FIG. 11 is a schematic diagram showing an example of an electrical connection method between an organic EL panel and external electrodes applicable to the present invention.
  • the flexible print which has a light transmittance as an external electrode with respect to the extraction electrode (15) provided in the both ends of the organic EL panel (P) which has arrange
  • circuits (FPC, 18) are connected via an anisotropic conductive film (ACF, 17).
  • FPC flexible printed circuit
  • FPC flexible printed circuit
  • a thin and soft base film polyimide, etc.
  • FPC which is an electrical connection unit has a circuit part on the front surface side of the flexible substrate (F), and has wiring for connection on the back surface side.
  • the flexible substrate (F) constituting the electrical connection unit (FPC) is not particularly limited as long as it is a plastic material that is transparent and flexible, and has sufficient mechanical strength.
  • Polyimide resin (PI), Polycarbonate resin, polyethylene terephthalate resin (PET), polyethylene naphthalate resin (PEN), cycloolefin resin (COP) and the like can be mentioned, and polyimide resin (PI), polyethylene terephthalate resin (PET), polyethylene naphthalate resin are preferable. (PEN) is preferred.
  • the circuit part on the front side and the connection wiring on the back side are made of a conductive metal material, and examples thereof include gold, silver, copper, and ITO. It is preferable to form.
  • the conductive adhesive for electrically connecting the transparent FPC and the organic EL panel is not particularly limited as long as it is a member having conductivity, but an anisotropic conductive film (ACF), conductive paste, or metal paste. It is a preferred embodiment.
  • anisotropic conductive film examples include a layer having fine conductive particles having conductivity mixed with a thermosetting resin.
  • the conductive particle-containing layer that can be used in the present invention is not particularly limited as long as it is a layer containing conductive particles as an anisotropic conductive member, and can be appropriately selected according to the purpose.
  • Examples of the conductive particles that can be used as the anisotropic conductive member according to the present invention include metal particles and metal-coated resin particles.
  • commercially available ACFs include low-temperature curing ACFs that can also be applied to resin films, such as MF-331 (manufactured by Hitachi Chemical).
  • the metal particles include nickel, cobalt, silver, copper, gold, and palladium. These may be used individually by 1 type and may use 2 or more types together. Among these, nickel, silver, and copper are preferable. In order to prevent these surface oxidations, particles having gold or palladium on the surface may be used. Furthermore, you may use what gave the metal film and the insulating film with the organic substance on the surface.
  • metal-coated resin particles examples include particles in which the surface of the resin core is coated with any metal of nickel, copper, gold, and palladium. Similarly, particles obtained by applying gold or palladium to the outermost surface of the resin core may be used. Further, a resin core whose surface is coated with a metal protrusion or an organic material may be used.
  • a commercially available metal nanoparticle paste such as a silver particle paste, a silver-palladium particle paste, a gold particle paste, a copper particle paste, or the like, can be appropriately selected and used.
  • the metal paste include silver pastes for organic EL element substrates (CA-6178, CA-6178B, CA-2500E, CA-2503-4, CA-2503N, CA-271, etc., sold by Daiken Chemical Co., Ltd.
  • the organic electroluminescence panel of the present invention achieves luminance uniformity and can be suitably used for various smart devices such as surface light emitters of various lighting devices and smartphones and tablets.

Abstract

本発明の課題は、光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子より構成され、複数の分割された発光エリアより構成される広い発光面積を有し、輝度均一性及び安定性が向上した有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供することである。　本発明の有機エレクトロルミネッセンスパネルは、発光時の波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基材上に、少なくとも陽極、有機機能層ユニット及び陰極より構成される発光エリアが、複数に分割されており、前記発光エリアを構成する前記陽極及び前記陰極が、いずれも光透過性を有する電極で構成され、かつ、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを特徴とする。

Description

有機エレクトロルミネッセンスパネル
　本発明は、各種表示装置（以下、「ディスプレイ」ともいう。）及び照明装置等に適用される光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルに関し、更に詳しくは、本発明は、光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子より構成される発光エリアを複数個配置し、広い発光面積で、輝度均一性及び安定性が向上した有機エレクトロルミネッセンスパネルに関する。
　有機材料のエレクトロルミネッセンス（ｅｌｅｃｔｒｏ　ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下、「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機エレクトロルミネッセンスＬ素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する。）は、数Ｖ～数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有する。このため、有機ＥＬ素子は、各種ディスプレイのバックライト、スマートデバイス、照明光源等の面発光体として近年注目されている。
　このような有機ＥＬ素子は、２枚の対向する電極間に有機材料からなる発光層等を挟持させた構成であり、発光層で生じた発光光は電極を透過して外部に取り出される。このため、２枚の電極のうちの少なくとも一方は光透過性を有する電極（以下、「透明電極」ともいう。）として構成される。
　光透過性を有する電極としては、酸化インジウム・スズ（ＳｎＯ２－Ｉｎ２Ｏ３：Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ、以下、「ＩＴＯ」と略記する。）等の酸化物半導体系の材料が一般的に用いられている。
　また、有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたディスプレイにおいて、その適用分野を拡大させる観点より、両面発光型の光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子の検討も盛んに行われている（例えば、特許文献１～３参照。）。
　このような両面発光型の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、発光層を挟んで、陽極及び陰極の両極が光透過性を有する透明電極対で構成されており、このような光透過性を有する電極としては、前述のとおりＩＴＯを用いることが一般的であったが、ＩＴＯは仕事関数が大きいため、陽極としての性能には優れるが、陰極としての性能が劣る傾向にあった。このため、両面に光透過性を有する電極を用いる光透過性を有するディスプレイ用の電極としては、現状技術で高い性能を得るためには、陽極、陰極共にＩＴＯ－ＩＴＯの電極を用いるのではなく、陽極ＩＴＯ－陰極アルミニウム等の電極を用い、陰極の面積をできるだけ小さくすることで発光部とシースルー部分（光透過部）を設ける光透過性を有するディスプレイが開示されている（例えば、特許文献４参照。）。また、陰極として電気伝導率の高い銀や銀とアルミニウムの合金を用いて構成された光透過性を有する電極が知られているが、光透過性の有機エレクトロルミネッセンス素子においては、陽極及び陰極に用いる薄膜金属層や酸化物半導体の多くは、抵抗値が高く、電圧降下が大きく、特に、発光効率を向上させるために、光透過性を有する電極を薄膜化した場合や、素子の発光面積を大面積化した場合にはシート抵抗値が大きくなり、輝度均一性が大きく低下するという問題を抱えており、将来の大面積化や高輝度化を目指した有機エレクトロルミネッセンス素子の開発に対し大きな障害になっている。
　有機エレクトロルミネッセンス素子の大型化により、発光層の配置されている位置において、電流密度を面方向で均一化することが困難となり、その結果、輝度ムラ、素子寿命差あるいは色度ムラが生じる要因としては、以下のような現象が推測される。
　大面積化に伴う輝度むらの発生要因としては、発光画面を大型化することで、画面内で電流が多く流れる箇所と、少量しか流れない箇所とが存在するため、有機ＥＬ素子全体として輝度むらが生じる。有機ＥＬ素子の輝度は、流れる電流が大きくなるほど高くなるため、電流が多く流れる箇所と少量しか流れない箇所が存在すると、両者の間で輝度の差が生じ、輝度ムラ発生の要因となる。
　また、大型化に伴い有機ＥＬ素子内のそれぞれの発光領域における寿命差が生じる。これは、電流が多く流れる箇所と少量しか流れない箇所とで、有機ＥＬ素子の寿命が変化してしまう。一般に、流れる電流の多い部分は寿命が短くなる。このため、電流が均一に流れる素子と比べると、寿命の短い箇所が存在してしまい、有機ＥＬ素子としての寿命が短くなってしまう。
　このような問題を解決するために、様々な改良技術が提案されてきた。
　例えば、電圧印加用の取出部（上記端子部）を多数箇所設ける技術が、特開平５－３１５０７３号公報にて開示されている。しかし、有機ＥＬ素子が組み込まれる携帯端末等の装置はその大きさが限定されるため、有機ＥＬ素子の大きさも限定される。すなわち、有機ＥＬ素子の発光面積を大きくするためには、端子部の総面積を小さくしなければならない。また、端子部と外部駆動回路とを接続する配線が占める領域の割合も考慮しなければならない。したがって、この従来技術のように取出部を多数設けることは、上記問題を解決するには有効であるが、実用上採用することは極めて困難である。
　一方、発光領域を複数に分割し、各発光領域を直列で接続するライン配置方式の光源に関する技術も提案されている（例えば、特許文献５を参照。）。より具体的には、複数の薄型発光素子（発光領域）を直列に接続し、さらに各薄型発光素子の面積を等しくすることで、各々の発光素子における電流密度を等しくし、これにより各薄型発光素子の輝度を等しくする技術である。また、複数の発光領域を設け、物理的に隣接する発光領域の光透過性を有する電極間に絶縁部を設け、複数の発光領域が電気的に直列に接続された構成の有機ＥＬ素子が開示されている（例えば、特許文献６参照。）。
　しかしながら、上記特許文献５及び特許文献６に開示された実施例等に基づいて有機ＥＬ素子を作製しても、各発光領域において陽極と陰極とが短絡してしまったり、発光しない領域が生じてしまったりするという、不良が生じやすいと言う問題が生じることがあった。
特表２００８－５２４８１９号公報 特開２０１３－００４２４５号公報 特開２０１３－２４２９９８号公報 特開２０１２－０１４８５９号公報 特開２０００－１７３７７１号公報 特開２００５－１１６１９３号公報
　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子より構成され、複数の分割された発光エリアより構成される広い発光面積を有し、輝度均一性及び安定性が向上した有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供することである。
　本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、両面発光型の光透過性を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を具備し、当該有機エレクトロルミネッセンス素子は、基材上に、少なくとも光透過性を有する陽極、有機機能層ユニット及び光透過性を有する陰極より構成される発光エリアが、複数に分割され、かつ、一方の発光エリアを構成する陽極が、他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルにより、大発光面積化を可能とし、各有機ＥＬ素子における発光に必要な電流値を低減でき、輝度均一性及び安定性が向上した有機エレクトロルミネッセンスパネルを実現することができることを見出し、本発明に至った。
　すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。
　１．非発光時の波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルであって、
　前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基材上に、少なくとも陽極、有機機能層ユニット及び陰極より構成される発光エリアが、複数に分割されており、
　前記発光エリアを構成する前記陽極及び前記陰極が、いずれも光透過性を有する電極で構成され、
　かつ、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　２．前記基材が、光透過性を有するガラス基材又はフレキシブル性樹脂基材であることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　３．前記フレキシブル性樹脂基材が、ガスバリアー層を有していることを特徴とする第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　４．前記光透過性を有する陽極が、酸化物半導体又は薄膜の金属若しくは合金で構成されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　５．前記光透過性を有する陰極が、少なくとも薄膜の金属又は合金で構成されていることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　６．前記光透過性を有する陰極が、含窒素化合物を用いて構成された下地層と、当該下地層上に、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている電極層を有する構成であることを特徴とする第１項から第４項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　７．前記有機エレクトロルミネッセンスパネルと外部電極との接続部は、導電性接着剤により電気的接続されていることを特徴とする第１項から第６項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　８．前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が、ガスバリアー層を有するフレキシブル性樹脂基材により封止されていることを特徴とする第１項から第７項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　９．前記複数の発光エリアが、ストライプ状に並列配置されていることを特徴とする第１項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　１０．前記外部電極は、光透過性を有するフレキシブルプリント回路から構成されることを特徴とする第７項から第９項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
　本発明によれば、複数の分割された発光エリアより構成される広い総発光面積を有し、輝度均一性及び安定性が向上した有機エレクトロルミネッセンスパネルを提供することができる。
　本発明で規定する構成からなる有機エレクトロルミネッセンスパネルの技術的特徴とその効果の発現機構は、以下のように推察される。
　通常、光透過性を有する有機エレクトロルミネッサンス素子を大面積化しようとした場合、供給する電流量が大きいため、給電端からパネル中央部にかけての陽極もしくは陰極の電圧降下の影響が大きく、輝度ムラが発生する問題があった。
　本発明の有機エレクトロルミネッサンスパネルでは、発光エリアを複数に分割し（分割数をＮとする。）、一方の発光エリアを構成する陽極が、他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続することにより、必要な電流をＩ／Ｎに低減することで、給電端からパネル中央部までの陽極もしくは陰極の電圧降下も、Ｉ／Ｎに低減する。それにより、発光均一性に優れた大面積の有機エレクトロルミネッセンスパネルの実現が可能となった。
本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の構成の一例を示す概略断面図 本発明の有機ＥＬパネルの構成の一例を示す概略断面図（実施形態１） 本発明の有機ＥＬパネルの構成で、ガスバリアー層を有する構成の一例を示す概略断面図（実施形態２） 複数の発光エリアをストライプ状に配置した有機ＥＬパネルの上面図及び概略断面図（実施形態３） 複数の発光エリアより構成される実施形態３の有機ＥＬパネルの概略斜視図 比較例の有機ＥＬパネルの回路構成の一例を示す概略回路図 本発明の有機ＥＬパネルの回路構成の一例を示す概略回路図 本発明の有機ＥＬパネルの構成で、封止部材を設けた構成の一例を示す概略断面図（実施形態４） 図７で示す実施形態４の有機ＥＬパネルの作製手順の一例を示す工程フロー図 本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の構成の他の一例を示す概略断面図（実施形態５） 本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の構成の他の一例を示す概略断面図（実施形態６） 本発明に適用可能な有機ＥＬパネルと外部電極との電気的接続方法の一例を示す概略図（実施態様７）
　本発明の有機エレクトロルミネッセンスパネルは、非発光時の波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルであって、前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基材上に、少なくとも陽極、有機機能層ユニット及び陰極より構成される発光エリアが、複数に分割されており、前記発光エリアを構成する前記陽極及び前記陰極が、いずれも光透過性を有する電極で構成され、かつ、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを特徴とする。この特徴は、各請求項に係る発明に共通する又は対応する技術的特徴である。
　本発明の実施形態としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、基材としては、光透過性を有するガラス基材又はフレキシブル性樹脂基材を適用することが、より高い光透過性を実現することができる観点から好ましい形態である。
　また、基材としてフレキシブル性樹脂基材を適用する場合には、フレキシブル性樹脂基材と有機ＥＬ構成層との間にガスバリアー層を形成することが、有機ＥＬ構成層に対する水分や酸素等による影響を排除することができ、高い耐久性を得ることができる観点から好ましい。
　また、光透過性を有する陽極を、酸化物半導体又は薄膜の金属若しくは合金で構成することが、高い光透過性と優れた導電性を両立する電極を得ることができる点で好ましい。
　また、光透過性を有する陰極が少なくとも薄膜の金属又は合金で構成されていることが、高い光透過性と優れた導電性を両立する電極を得ることができる点で好ましい。
　また、光透過性を有する陰極として、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている電極層を適用する場合には、含窒素化合物を用いて構成された下地層を設け、その上部に当該電極層を形成することが、陰極として、銀原子が凝集等を起こすことなく存在し、均一な銀薄膜を形成することができる観点から好ましい。
　また、有機エレクトロルミネッセンスパネルと外部電極との接続部は、導電性接着剤により電気的接続されていることが好ましい形態である。
　また、複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が、ガスバリアー層を有するフレキシブル性樹脂基材により封止されていることが、有機ＥＬ構成層に対する水分や酸素等による影響を排除することができ、高い耐久性を得ることができる観点から好ましい。
　また、複数の発光エリアが、ストライプ状に並列配置されていることが、効率よく広い面積を分割することにより、安定した発光特性を得ることができる観点から好ましい。
　また、外部電極は、光透過性を有するフレキシブルプリント回路から構成されることが、薄膜でかつ光透過性の高い回路設計を行うことができる観点から好ましい形態である。
　本発明でいう「有機ＥＬパネル」とは、複数に分割した発光エリアを構成する複数の有機ＥＬ素子を同一平面状に配置し、それぞれ、有機ＥＬ素子の陽極が、隣接する他方の陰極と電気的に接し、大面積の発光体を構成しているものをいう。
　本発明でいう「有機ＥＬ素子」とは、分割した発光エリアを構成する素子で、基材上に、対向する一対の光透過性を有する電極（陽極及び陰極）と、当該光透過性を有する電極間に、主に電子又は正孔の輸送を制御するキャリア輸送機能層と発光層により構成される有機機能層ユニットを有し、更にその上部に封止部材を設けた構成をいう。ただし、説明の都合で、封止部材の記載や説明を省略する場合がある。また、本発明においては、有機ＥＬ素子の発光を制御する制御回路や配線の記載は省略する。
　本発明でいう「有機機能層ユニット」とは、後述の図１で説明するが、一例としては、基材上に、第１のキャリア輸送機能層群１（例えば、正孔注入層、正孔輸送層等）と、リン光性化合物等を含有する発光層と、第２のキャリア輸送機能層群２（例えば、正孔阻止層、電子輸送層、電子注入層等）が積層配置されている構成をいう。
　本発明でいう「発光エリア」とは、層厚方向で、陽極、有機機能層ユニット及び陰極の全ての構成要素が存在している領域をいう。
　本発明でいう「陽極」とは、電圧として（＋）を印加する電極であり、「アノード」あるいは「第１の電極」という場合がある。また、「陰極」とは、電圧として（－）を印加する電極であり、「カソード」または「第２の電極」という場合がある。
　また、本発明でいう「光透過性」とは、波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上であることをいい、好ましくは６０％以上であり、さらに好ましくは７０％以上である。
　以下、本発明の構成要素、及び本発明を実施するための形態について、図を交えて詳細な説明をする。なお、本願において、数値範囲を表す「～」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用している。なお、各図の説明において、構成要素の末尾に括弧内で記載した数字は、各図における符号を表す。
　《有機ＥＬ素子の基本構成》
　はじめに、有機ＥＬ素子の基本的な構成について、図を交えて説明する。
　本発明の有機ＥＬパネルにおいては、適用する有機ＥＬ素子が、非発光時の波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である両面発光型の有機ＥＬ素子であることを１つの特徴とする。
　図１は、本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の有機機能層ユニットを含めた基本的な構成を示す概略断面図である。
　図１で示す本発明に係る有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）は、光透過性を有する基材（１）、例えば、ガラス基材又はフレキシブル性樹脂基材上に、発光層を含むキャリア輸送機能層ユニットを積層した構造を示してある。
　図１において、光透過性を有する基材（１）上に、ガスバリアー層（２）を形成している例を示してある。当該ガスバリアー層（２）上の分割してある領域に、第１電極として陽極（３）を形成し、その上に、例えば、正孔注入層、正孔輸送層等から構成される第１のキャリア輸送機能層群１（４）、発光層（５）及び、例えば、電子輸送層、電子注入層等から構成される第２のキャリア輸送機能層群２（６）を積層して、有機機能層ユニット（Ｕ）が構成されている。更に、有機機能層ユニット（Ｕ）の上部に、第２電極として、陰極（７）が設けられている。そして、上記積層体全体を被覆する構造で、封止用接着層（９）及びガスバリアー層（１０）を有する封止基板（１１）が設けられ、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の１構成単位を構成している。
　本発明においては、図１に示す構成において、第１電極である陽極（３）及び第２電極である陰極（７）が、いずれも波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である電極であることを１つの特徴とする。
　このように陽極及び陰極の双方を、光透過性を有する電極で構成することにより、有機機能層ユニットの発光層又はその界面で発光した発光光Ｌを、光透過性を有する電極である第１電極（３）側である基材（１）面の発光エリア及び、同じく光透過性を有する電極である第２電極（７）側の封止部材（１１）面側の発光エリアより外部に取り出すことができる。
　ここでいう発光エリアとは、図１で示すように、陽極（３）と、有機機能層ユニット（Ｕ）、特には発光層（５）と、陰極（７）の全てが、同一面上に存在する領域をいう。
　本発明の有機ＥＬパネルにおいては、基材上に、少なくとも陽極、有機機能層ユニット及び陰極より構成される発光エリア（具体的には、有機ＥＬ素子）が、複数に分割されて配置されていて、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを１つの特徴とする。詳しくは、図１で示すように、「ＯＬＥＤの１構成単位」として示す有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を構成する陽極（３）が、左側に配置（詳細な記載は省略）されている陰極（７）と電気的に接続され、かつ「ＯＬＥＤの１構成単位」として示す有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の陰極（７）が、右側に配置（詳細な構成の記載は省略してある。）されている陽極（３）と電気的に接続されている構成で、複数個存在する発光エリア（有機ＥＬ素子）が直列に接続されている構成であることを特徴とする。
　また、本発明に係る有機ＥＬ素子においては、２つ以上の有機機能層ユニットを積層したタンデム型構成としてもよい。
　本発明の有機ＥＬパネルにおいては、この様に、発光エリアを複数に分割し、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極を、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続する構成とすることにより、発光に必要な電流値を低減し、輝度均一性に優れた大面積の有機ＥＬパネルを実現することができた。
　［有機ＥＬ素子の構成要素］
　はじめに、本発明の有機ＥＬパネルを構成する有機ＥＬ素子の主要構成要素の詳細について説明する。
　本発明に係る光透過性を有する有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）においては、図１で説明したように、ガスバリアー層（２）を有する基板（１）上に、第１電極である光透過性を有する陽極（３）、次いで、例えば、正孔注入層、正孔輸送層等から構成されるキャリア輸送機能層群１（４）、発光層（５）、例えば、電子輸送層、電子注入層等から構成されるキャリア輸送機能層群２（６）が積層されて、発光領域を構成している。そして、さらに上部に、第２電極である光透過性を有する陰極（７）、封止用接着層（９）及びガスバリアー層（１０）を有する封止基板（１１）が設けられている。
　以下に、有機ＥＬ素子の構成の代表例を示す。
　（ｉ）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能層群１（４：正孔注入輸送層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：電子注入輸送層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　（ii）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能層群１（４：正孔注入輸送層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：正孔阻止層／電子注入輸送層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　（iii）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能
層群１（４：正孔注入輸送層／電子阻止層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：正孔阻止層／電子注入輸送層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　（iv）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能層群１（４：正孔注入層／正孔輸送層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：電子輸送層／電子注入層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　（ｖ）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能層群１（４：正孔注入層／正孔輸送層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　（vi）光透過性を有する陽極（３）／有機機能層ユニット（Ｕ）〔キャリア輸送機能層群１（４：正孔注入層／正孔輸送層／電子阻止層）／発光層（５）／キャリア輸送機能層群２（６：正孔阻止層／電子輸送層／電子注入層）〕／光透過性を有する陰極（７）
　更に、発光層間には非発光性の中間層を有していてもよい。中間層は電荷発生層であってもよく、マルチフォトンユニット構成であってもよい。
　本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の概要については、例えば、特開２０１３－１５７６３４号公報、特開２０１３－１６８５５２号公報、特開２０１３－１７７３６１号公報、特開２０１３－１８７２１１号公報、特開２０１３－１９１６４４号公報、特開２０１３－１９１８０４号公報、特開２０１３－２２５６７８号公報、特開２０１３－２３５９９４号公報、特開２０１３－２４３２３４号公報、特開２０１３－２４３２３６号公報、特開２０１３－２４２３６６号公報、特開２０１３－２４３３７１号公報、特開２０１３－２４５１７９号公報、特開２０１４－００３２４９号公報、特開２０１４－００３２９９号公報、特開２０１４－０１３９１０号公報、特開２０１４－０１７４９３号公報、特開２０１４－０１７４９４号公報等に記載されている構成を挙げることができる。
　また、タンデム型の有機ＥＬ素子とすることもでき、タンデム型の具体例としては、例えば、米国特許第６３３７４９２号明細書、米国特許第７４２０２０３号明細書、米国特許第７４７３９２３号明細書、米国特許第６８７２４７２号明細書、米国特許第６１０７７３４号明細書、米国特許第６３３７４９２号明細書、国際公開第２００５／００９０８７号、特開２００６－２２８７１２号公報、特開２００６－２４７９１号公報、特開２００６－４９３９３号公報、特開２００６－４９３９４号公報、特開２００６－４９３９６号公報、特開２０１１－９６６７９号公報、特開２００５－３４０１８７号公報、特許第４７１１４２４号公報、特許第３４９６６８１号公報、特許第３８８４５６４号公報、特許第４２１３１６９号公報、特開２０１０－１９２７１９号公報、特開２００９－０７６９２９号公報、特開２００８－０７８４１４号公報、特開２００７－０５９８４８号公報、特開２００３－２７２８６０号公報、特開２００３－０４５６７６号公報、国際公開第２００５／０９４１３０号等に記載の素子構成や構成材料等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。
　更に、有機ＥＬ素子を構成する各層について説明する。
　〔基材〕
　有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に適用可能な基材（１）としては、光透過性を有する基材であれば特に制限はなく、例えば、ガラス、プラスチック等の種類を挙げることができる。
　本発明に適用可能な光透過性を有する基材（１）としては、ガラス、石英、樹脂基材を挙げることができる。更に好ましくは、有機ＥＬ素子にフレキシブル性を付与することができる観点からフレキシブル性樹脂基材である。
　本発明に適用可能な樹脂基材を構成する樹脂材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（略称：ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（略称：ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（略称：ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）及びアペル（商品名、三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等を挙げることができる。
　これら樹脂基材のうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）等のフィルムがフレキシブル性を有する樹脂基材として好ましく用いられる。
　また、上記の樹脂基材は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。
　本発明に適用可能な樹脂基材は、従来公知の一般的な製膜方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂成分を押出機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の樹脂基材を製造することができる。また、樹脂成分を溶媒に溶解してドープを調製した後、当該ドープを金属支持体上に流延、乾燥して成膜する溶液流延法により製造した樹脂基材も適用することができる。また、未延伸の樹脂基材を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、樹脂基材の搬送方向（縦軸方向、ＭＤ方向）、又は樹脂基材の搬送方向と直角の方向（横軸方向、ＴＤ方向）に延伸することにより、延伸樹脂基材を製造することができる。この場合の延伸倍率は、樹脂基材の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ１．０１～１０倍の範囲内であることが好ましい。
　樹脂基材の厚さとしては、３～２００μｍの範囲内にある薄膜の樹脂基材であることが好ましいが、より好ましくは１０～１５０μｍの範囲内であり、特に好ましくは、２０～１２０μｍの範囲内である。
　また、本発明に係る光透過性を有する基材として適用可能なガラス基材としては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。
　〔第１電極：光透過性を有する陽極〕
　有機ＥＬ素子を構成する光透過性を有する陽極としては、酸化物半導体又は薄膜の金属若しくは合金で構成されていることが好ましい形態であり、例えば、Ａｇ、Ａｕ等の金属又は金属を主成分とする合金、ＣｕＩ、あるいはインジウム・スズの複合酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ２及びＺｎＯ等の酸化物半導体を挙げることができる。
　光透過性を有する陽極を、銀を主成分として構成する場合、銀の純度としては、９９％以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）等が添加されていてもよい。
　光透過性を有する陽極としては、銀を主成分として構成されている電極とする場合、具体的には、銀単独で形成しても、あるいは銀（Ａｇ）を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム（Ａｇ・Ｍｇ）、銀・銅（Ａｇ・Ｃｕ）、銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐｄ）、銀・パラジウム・銅（Ａｇ・Ｐｄ・Ｃｕ）、銀・インジウム（Ａｇ・Ｉｎ）などが挙げられる。
　上記陽極を構成する各構成材料の中でも、本発明に係る有機ＥＬ素子を構成する陽極としては、銀を主成分として構成し、厚さが２～２０ｎｍの範囲内にある光透過性を有する陽極であることが好ましいが、更に好ましくは厚さが４～１２ｎｍの範囲内である。厚さが２０ｎｍ以下であれば、光透過性を有する陽極の吸収成分及び反射成分が低く抑えられ、高い光透過率が維持されるため好ましい。
　本発明でいう銀を主成分として構成されている層とは、光透過性を有する陽極中の銀の含有量が６０質量％以上であることをいい、好ましくは銀の含有量が８０質量％以上であり、より好ましくは銀の含有量が９０質量％以上であり、特に好ましくは銀の含有量が９８質量％以上である。また、本発明に係る光透過性を有する陽極でいう「光透過性」とは、波長５５０ｎｍでの光透過率が５０％以上であることをいう。
　光透過性を有する陽極においては、銀を主成分として構成されている層が、必要に応じて複数の層に分けて積層された構成であっても良い。
　また、本発明においては、陽極が、銀を主成分として構成する光透過性を有する陽極である場合には、形成する光透過性を有する陽極の銀膜の均一性を高める観点から、その下部に、下地層を設けることが好ましい。下地層としては、特に制限はないが、窒素原子又は硫黄原子を有する有機化合物を含有する層であることが好ましく、当該下地層上に、銀を主成分として光透過性を有する陽極を形成する方法が好ましい態様である。なお、本発明に適用可能な下地層の詳細については後述する。
　〔発光層〕
　有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を構成する発光層（５）は、発光材料としてリン光発光化合物、あるいは蛍光性化合物を用いることができるが、本発明においては、特に、発光材料としてリン光発光化合物が含有されている構成が好ましい。
　この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内領域であっても発光層と隣接する層との界面領域であってもよい。
　このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。
　発光層の厚さの総和は、１～１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１～３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。
　以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ　Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）、インクジェット法等の公知の方法により形成することができる。
　また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）及び発光材料（発光ドーパント化合物ともいう。）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。
　（ホスト化合物）
　発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が０．０１未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。
　ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、あるいは、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。
　発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。
　本発明に適用可能なホスト化合物としては、例えば、特開２００１－２５７０７６号公報、同２００１－３５７９７７号公報、同２００２－８８６０号公報、同２００２－４３０５６号公報、同２００２－１０５４４５号公報、同２００２－３５２９５７号公報、同２００２－２３１４５３号公報、同２００２－２３４８８８号公報、同２００２－２６０８６１号公報、同２００２－３０５０８３号公報、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００７－２５４２９７号公報、欧州特許第２０３４５３８号明細書等に記載されている化合物を挙げることができる。
　（発光材料）
　本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料又はリン光発光ドーパントともいう。）及び蛍光発光性化合物（蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。）が挙げられるが、特に、リン光発光性化合物を用いることが、高い発光効率を得ることができる観点から好ましい。
　〈リン光発光性化合物〉
　リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。
　上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として０．０１以上が達成されればよい。
　リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８～１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
　本発明においては、少なくとも一つの発光層が、二種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。
　本発明に使用できる公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。
　Ｎａｔｕｒｅ　３９５，１５１（１９９８）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７８，　１６２２（２００１）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１９，７３９（２００７）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１７，３５３２（２００５）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１７，１０５９（２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
　また、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４０，１７０４（２００１）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１６，２４８０（２００４）、Ａｄｖ．Ｍａｔｅｒ．１６，２００３（２００４）、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．２００６，４５，７８００、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８６，１５３５０５（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．３４，５９２（２００５）、Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．２９０６（２００５）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４２，１２４８（２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。
　また、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．ｌｎｔ．Ｅｄ．４７，１（２００８）、Ｃｈｅｍ．Ｍａｔｅｒ．１８，５１１９（２００６）、Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．４６，４３０８（２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ　２３，３７４５（２００４）、Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．７４，１３６１（１９９９）、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書等に記載の化合物も挙げることができる。
　さらには、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、特開２００９－１１４０８６号公報、特開２００３－８１９８８号公報、特開２００２－３６３５５２号公報等に記載の化合物も挙げることができる。
　本発明においては、好ましいリン光発光性化合物としてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属－炭素結合、金属－窒素結合、金属－酸素結合、金属－硫黄結合の少なくとも１つの配位様式を含む錯体が好ましい。
　上記説明したリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９～２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５～１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４～１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５～３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５～７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中に記載されている参考文献等に開示されている方法を適用することにより合成することができる。
　〈蛍光発光性化合物〉
　蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。
　〔キャリア輸送機能層群〕
　次いで、キャリア輸送機能層群を構成する各層の代表例として、電荷注入層、正孔輸送層、電子輸送層及び阻止層の順に説明する。
　（電荷注入層）
　電荷注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。
　電荷注入層としては、一般には、正孔注入層であれば、陽極と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であれば陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させることができるが、本発明においては、光透過性を有する電極に隣接して電荷注入層を配置させることが好ましい構成である。また、中間電極で用いられる場合は、隣接する電子注入層及び正孔注入層の少なくとも一方が、本発明の要件を満たしていれば良い。
　正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、光透過性を有する電極である陽極に隣接して配置される層であり、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
　正孔注入層は、特開平９－４５４７９号公報、同９－２６００６２号公報、同８－２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）：ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。
　トリアリールアミン誘導体としては、α－ＮＰＤ（４，４′－ビス〔Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″－トリス〔Ｎ－（３－メチルフェニル）－Ｎ－フェニルアミノ〕トリフェニルアミン）に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。
　また、特表２００３－５１９４３２号公報や特開２００６－１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。
　電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、陰極と発光層との間に設けられる層のことであり、陰極が本発明に係る光透過性を有する電極で構成されている場合には、当該光透過性を有する電極に隣接して設けられ、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３～１６６頁）に詳細に記載されている。
　電子注入層は、特開平６－３２５８７１号公報、同９－１７５７４号公報、同１０－７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム８－ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、本発明における光透過性を有する電極が陰極の場合は、金属錯体等の有機材料が特に好適に用いられる。電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は１ｎｍ～１０μｍの範囲が好ましい。
　（正孔輸送層）
　正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。
　正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
　正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。
　芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ビス（３－メチルフェニル）－〔１，１′－ビフェニル〕－４，４′－ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）プロパン、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラ－ｐ－トリル－４，４′－ジアミノビフェニル、１，１－ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）－４－フェニルシクロヘキサン、ビス（４－ジメチルアミノ－２－メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４－ジ－ｐ－トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′－ジフェニル－Ｎ，Ｎ′－ジ（４－メトキシフェニル）－４，４′－ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′－テトラフェニル－４，４′－ジアミノジフェニルエーテル、４，４′－ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリ（ｐ－トリル）アミン、４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）－４′－〔４－（ジ－ｐ－トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノ－（２－ジフェニルビニル）ベンゼン、３－メトキシ－４′－Ｎ，Ｎ－ジフェニルアミノスチルベンゼン及びＮ－フェニルカルバゾール等が挙げられる。
　正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ　Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよい。
　また、正孔輸送層の構成材料に不純物をドープすることにより、ｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４－２９７０７６号公報、特開２０００－１９６１４０号公報、同２００１－１０２１７５号公報及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。
　このように、正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
　（電子輸送層）
　電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。
　単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
　また、８－キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８－キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（５，７－ジクロロ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７－ジブロモ－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（２－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、トリス（５－メチル－８－キノリノール）アルミニウム、ビス（８－キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
　電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ～５μｍ程度、好ましくは５～２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよい。
　（阻止層）
　阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられ、上記説明したキャリア輸送機能層ユニット３の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平１１－２０４２５８号公報、同１１－２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層等を挙げることができる。
　正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。
　一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３～１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５～３０ｎｍの範囲である。
　〔第２電極：光透過性を有する陰極〕
　本発明に係る陰極は、キャリア輸送機能層群や発光層に正孔を供給するために機能する光透過性を有する電極であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物若しくはこれらの混合物、例えば、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ２及びＳｎＯ２等の酸化物半導体などが挙げられるが、その中でも、少なくとも薄膜の金属又は合金で構成されていることが好ましい構成であり、さらに好ましくは、含窒素化合物を用いて構成された下地層と、当該下地層上に、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている電極層を有する構成であることが好ましい。
　光透過性を有する陰極として好適な銀又は銀を主成分とした合金とは、上記陽極の説明で記載したのと同様の材料を挙げることができ、具体的には、銀単独で形成しても、あるいは銀（Ａｇ）を含有する合金から構成されていてもよい。そのような合金としては、例えば、銀・マグネシウム（Ａｇ・Ｍｇ）、銀・銅（Ａｇ・Ｃｕ）、銀・パラジウム（Ａｇ・Ｐｄ）、銀・パラジウム・銅（Ａｇ・Ｐｄ・Ｃｕ）、銀・インジウム（Ａｇ・Ｉｎ）などが挙げられる。
　陰極は、これらの導電性材料を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させて作製することができる。また、第２電極としてのシート抵抗は、数百Ω／ｓｑ．以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ～５μｍ、好ましくは５～２００ｎｍの範囲で選ばれる。
　《有機ＥＬパネルの基本構成》
　次いで、本発明の有機ＥＬパネルの詳細について説明する。
　本発明の有機ＥＬパネルにおいては、複数の発光エリア（有機ＥＬ素子）に分割された構成を有し、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されている構成であることを特徴とする。
　以下、複数の分割した発光エリアを有する本発明の有機ＥＬパネルの基本的な構成について説明する。
　〔実施形態１〕
　図２は、複数の有機ＥＬ素子を具備した本発明の有機ＥＬパネルの構成の一例を示す概略断面図（実施形態１）である。
　図２に示す有機ＥＬパネル（Ｐ）では、上記図１で説明した有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の構成材料のうち、ガスバリアー層、封止用接着層及び封止部材等の記載は省略してある。
　図２に示す有機ＥＬパネル（Ｐ）では、一枚の広い面積を有する光透過性を有する基材（１）上に、複数の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）をそれぞれ離間した状態で配置して、独立した発光エリアを形成している。詳しくは、基材（１）上に、例えば、陽極（３）、有機機能層ユニット（Ｕ）及び陰極（７）等により構成されている有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を複数個配置し、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極（３）が、円形の破線部（Ａ）で示す領域で、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極（７）と、直列に電気的に接続した構成を有している。このような構成とすることにより、複数個の有機ＥＬ素子を直列に接続することができる。
　図２に示す構成においては、陰極（７）の左端部から陽極（３）の右端部までの領域が「発光エリア」となり、陽極（３）の右端部から隣接する他方の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の陰極（７）の左端部までが「非発光エリア」となる。
　〔実施形態２：基材にガスバリアー層を形成〕
　本発明においては、基材としてフレキシブル性樹脂基材を用い、かつフレキシブル性樹脂基材上にガスバリアー層を有している構成であることが好ましい形態である（実施形態２）。
　図３で示す有機ＥＬパネルは、基材上にガスバリアー層を有する構成の一例を示す概略断面図（実施形態２）である。
　基本的な構成は、上記図２で説明した構成と同一であるが、基材（１）と陽極（３）との間に、ガスバリアー層（２）を形成した構成である。
　このようなガスバリアー層（２）を設けることにより、基材としてガラス基材に比べ、水蒸気透過度等が高いフレキシブル性樹脂基材を適用することを可能とすることができる。
　〈ガスバリアー層〉
　基材（１）の片面又は両面、少なくとも陽極（３、第１電極）が形成される側の全面に、光透過性を有するガスバリアー層（２）を形成することにより、水分や酸素など、有機ＥＬ素子の構成材料に対し劣化をもたらす要因の浸入を抑制することができる。
　ガスバリアー層（２）は、無機材料被膜だけでなく、有機材料との複合材料からなる被膜又はこれらの被膜を積層したハイブリッド被膜であってもよい。ガスバリアー層（２）の性能としては、ＪＩＳ（日本工業規格）－Ｋ７１２９（２００８年）に準拠した方法で測定した水蒸気透過度（環境条件：２５±０．５℃、相対湿度：９０±２％）が約０．０１ｇ／ｍ２・２４ｈ以下、ＪＩＳ－Ｋ７１２６（２００６年）に準拠した方法で測定した酸素透過度が約０．０１ｍｌ／ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ以下、抵抗率が１×１０１２Ω・ｃｍ以上、光線透過率は可視光領域で約８０％以上であるような、ガスバリアー性を有する光透過性の絶縁膜であることが好ましい。
　ガスバリアー層（２）の形成材料としては、有機ＥＬ素子の劣化を招く、例えば、水分や酸素等の成分の有機ＥＬ素子への浸入を抑制できる材料であれば、任意の材料を用いることができる。
　ガスバリアー層（２）は、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、炭化ケイ素、酸炭化ケイ素、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ、酸化モリブデン等の無機材料からなる被膜で構成することができ、好ましくは、窒化ケイ素や酸化ケイ素等のケイ素化合物を主原料とする構成である。
　ガスバリアー層の形成方法としては、従来公知の成膜方法を適宜選択して用いることができ、例えば、真空蒸着法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法（特開２００４－６８１４３号公報参照）、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、ＡＬＤ（原子層堆積）法、また、ポリシラザン等を用いた湿式塗布法を適用することもできる。
　〔実施形態３：有機ＥＬ素子の配置パターン〕
　複数の独立している発光エリア（有機ＥＬ素子）を有する本発明の有機ＥＬパネルにおいては、複数の発光エリアが、ストライプ状に並列配置されているパターンであることが好ましい形態である。
　図４の（ａ）は、複数の発光エリアをストライプ状に配置した有機ＥＬパネルの一例を示す上面図であり、図４の（ｂ）は概略断面図（実施形態３）であり、図５は複数の発光エリアより構成される実施形態３の有機ＥＬパネルの概略斜視図である。
　図４の（ａ）で示す構成では、広い面積からなる基材（１）上に、短冊状の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）より構成される発光エリアをストライプ状に配列した例を示してある。図４Ａでは、有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）としては、ＯＬＥＤ１～ＯＬＥＤｎまでのｎ個を並列配置している。同一平面上にＯＬＥＤをストライプ状に配置する場合、そのＯＬＥＤの配置数としては、基材の大きさや、ＯＬＥＤの大きさにより、一概に規定することはできないが、最小構成は２つのＯＬＥＤを用いた構成であるが、本願発明の輝度均一性を達成する観点からは、好ましくは２～２０個の範囲内であり、さらに好ましくは２～１０個の範囲内である。したがって、一例としては、基材の幅が１０ｃｍ×１０ｃｍの大面積の有機ＥＬパネルにおいては、ＯＬＥＤによる発光エリアのサイズとしては、幅０．５ｃｍ×長さ１０ｃｍ～巾５ｃｍ×長さ１０ｃｍ、好ましくは巾１．０ｃｍ×長さ１０ｃｍ～巾５ｃｍ×長さ１０ｃｍの範囲内となるが、これらの発光エリア面積は、基材のサイズ及びＯＬＥＤの配置数により、適宜選択することができる。
　また、図４で示す「非発光エリア」の幅としては、おおむね１～５ｍｍの範囲内であることが好ましい。
　図４の（ｂ）は、有機ＥＬパネルの概略断面図であり、ＯＬＥＤ１～ＯＬＥＤｎまでのｎ個のＯＬＥＤが並列配置している有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）群において、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極（３）の端部と、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極（７）の端部とが直列で電気的に接続されている。更に、一方の端部に配置されているＯＬＥＤ（例えば、図４の（ｂ）で示す左端部のＯＬＥＤ１）の陽極（３）と、他方の端部に配置されているＯＬＥＤ（例えば、図４の（ｂ）で示す右端部のＯＬＥＤｎ）の陰極（７）間が、配線（１６）により接続され、その回路内に印加電源（８）が設けられており、各ＯＬＥＤを発光させるための電圧印加を行う。
　図５は、上記図４で説明した発光エリアをストライプ状に配置した一例として、複数個（ｎ個）のＯＬＥＤを並列配列した有機ＥＬパネルの概略斜視図を示してある。
　〔有機ＥＬパネルの概略回路図〕
　図６Ａに従来型の有機ＥＬパネルの回路図を示し、図６Ｂに本発明の有機ＥＬパネルの回路図を示す。
　図６Ａは、従来型の有機ＥＬパネル（Ｐ）の回路図であり、単一の大型の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）で構成し、印加電源（８）より、有機ＥＬ素子に電圧Ｖ、電流Ｉを印加して発光させるが、この構成では、広い面積のＯＬＥＤに大容量の電流Ｉが流れるため、有機ＥＬ素子面内で、電流が多く流れる領域と少なくしか流れない領域が発生し、輝度ムラが発生しやすくなる。有機ＥＬ素子の輝度は、流れる電流が大きくなればなるほど高くなるため、このような電流差が発生することにより、輝度ムラが発生しやすい状態にあった。
　これに対し、図６Ｂに示す回路図では、複数のＯＬＥＤ（ＯＬＥＤ１～ＯＬＥＤｎ）を並列配置した本発明の有機ＥＬパネル（Ｐ）においては、有機ＥＬ素子に電圧Ｎ×Ｖ、電流Ｉを印加して発光させるが、個々の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）に流れる電流は、Ｉ／Ｎとなり、有機ＥＬ素子間における電流差が生じ難くなるため、輝度ムラが発生しにくくなり、発光均一性に優れた大型の有機ＥＬパネル（Ｐ）を実現することができる。
　〔実施形態４：封止部材を具備した有機ＥＬ素子〕
　図７は、本発明の有機ＥＬパネルの構成で、封止部材を設けた構成の一例を示す概略断面図（実施形態４）である。
　図７に示す有機ＥＬパネル（Ｐ）では、上記説明した図２で示した陰極まで形成した複数の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）を具備した有機ＥＬパネル（Ｐ）に対し、更にその上部に封止部材を形成している一例を示してある。
　図７で示すように、複数の有機ＥＬ素子（ＯＬＥＤ）の全面に、封止用接着剤（９）を付与した後、最表面にガスバリアー層（１０）を具備している封止部材（１１）を形成する。
　封止部材としては、有機ＥＬ素子の表示領域を覆うように配置されていればよく、凹板状でも、平板状でもよい。また透明性を有していれば電気絶縁性は特に限定されない。
　具体的には、フレキシブル性を備えた光透過性のガラス基板、樹脂基板、フィルム、金属フィルム（金属箔）等が挙げられる。ガラス基板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。また、樹脂基板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等を挙げることができる。
　封止用接着剤としては、ポリウレタン系、ポリエステル系、エポキシ系、アクリル系等の接着剤を用いることができる。必要に応じて硬化剤を併用してもよい。ホットメルトラミネーション法やエクストルージョンラミネート法および共押出しラミネーション法も使用できるがドライラミネート方式が好ましい。
　本発明においては、封止部材としては、有機ＥＬ素子を薄膜化することできる観点から、樹脂基板及びカラス基板を好ましく使用することができる。さらに、樹脂基板は、ＪＩＳ　Ｋ　７１２９－１９９２に準拠した方法で測定された温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０－３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましく、さらには、ＪＩＳ　Ｋ　７１２６－１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が、１×１０－３ｍｌ／（ｍ２・２４ｈ・ａｔｍ）（１ａｔｍは、１．０１３２５×１０５Ｐａである）以下であって、温度２５±０．５℃、相対湿度９０±２％ＲＨにおける水蒸気透過度が、１×１０－３ｇ／ｍ２・２４ｈ以下であることが好ましい。この条件を満たすため、前述の基材にて説明したのと同様のガスバリアー層を設けることが好ましい形態である。
　封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域（発光領域）との間隙には、気相及び液相では窒素、アルゴン等の不活性気体やフッ化炭化水素、シリコンオイルのような不活性液体を注入することもできる。また、封止部材と有機ＥＬ素子の表示領域との間隙を真空とすることや、間隙に吸湿性化合物を封入することもできる。
　また、有機ＥＬ素子における有機機能層ユニットを完全に覆い、かつ有機ＥＬ素子における第１電極である陽極（３）と、第２電極である陰極（６）の端子部分を露出させる状態で、光透過性を有する基板上に封止膜を設けることもできる。
　〔有機ＥＬ素パネルの作製方法〕
　次いで、本発明の有機ＥＬパネルの作製方法の概略について説明する。
　本発明の有機Ｅパネルの作製方法としては、上述のとおり、大面積の基材上に、それぞれ独立して複数の光透過性を有する陽極、キャリア輸送機能層群１、発光層、キャリア輸送機能層群２及び光透過性を有する陰極を積層して積層体を形成する。
　図８に、一例として前記図７で示した実施形態４の有機ＥＬパネルの作製の具体的な手順を示す。
　はじめに、図８の（ａ）で示すように、光透過性を有する基材（１）上にガスバリアー層（２）を形成する。ガスバリアー層（２）の形成方法としては、前述のとおり、真空蒸着法、スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法や、ポリシラザン等を用いた湿式塗布法を用いて形成する。
　次いで図８の（ｂ）で示すように、ガスバリアー層（２）上の所定の位置に、複数の光透過性を有する陽極（３）をそれぞれ離間した状態で形成する。
　光透過性を有する陽極の形成方法としては、それぞれの光透過性を有する陽極を高い精度で形成するため、マスク（Ｍ１）を用いた蒸着法を適用することが好ましい。
　真空蒸着装置内に、ガスバリアー層（２）を有する基材（１）を設置した後、蒸着用の加熱ボートに陽極形成原料（３ＲＭ）を充填し、加熱ボートを加熱して、マスク（Ｍ１）を介して、ガスバリアー層（２）上に、光透過性を有する陽極（３）のパターンを、膜厚として１０～２００ｎｍの範囲内になるように形成する。蒸着条件は、一般に、ボート加熱温度を５０～４５０℃の範囲、真空度を１×１０－６～１×１０－２Ｐａの範囲、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒の範囲、基板温度－５０～３００℃の範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
　次いで、図８の（ｃ）で示すように、陽極上の特定のエリアに、例えば、キャリア輸送機能層群１（４、例えば、正孔注入層及び正孔輸送層等）、発光層（５）、キャリア輸送機能層群２（６、電子輸送層等）より構成される複数の有機機能層ユニット（Ｕ）を形成する。
　これら有機機能層ユニット（Ｕ）を形成している各層は、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法、蒸着法、印刷法等により形成することができ、均質な層が得られやすく、かつ、高精度で成膜を行うことができる点で、ファインマスク（Ｍ２）を用いた蒸着法を用いることが好ましい。具体的には、蒸着用の加熱ボートに各有機機能層ユニット形成用の原料（ＵＲＭ）を充填し、加熱ボートを加熱して、ファインマスク（Ｍ２）を介して、光透過性を有する陽極（３）上に、有機機能層ユニット（Ｕ）の各層のパターンを形成する。
　この時、有機機能層ユニット（Ｕ）を構成する各層ごとに異なる形成法を適用しても良い。これらの各層の形成に蒸着法を採用する場合、その蒸着条件は使用する化合物の種類等により異なるが、一般にボート加熱温度を５０～４５０℃の範囲、真空度を１×１０－６～１×１０－２Ｐａの範囲、蒸着速度０．０１～５０ｎｍ／秒の範囲、基板温度－５０～３００℃の範囲、層厚０．１～５μｍの範囲内で、各条件を適宜選択することが望ましい。
　次いで、図８の（ｄ）で示すように、複数の有機機能層ユニット（Ｕ）上の特定のエリアに、光透過性を有する陰極（７）を、隣接する位置形成してある一方の有機ＥＬ素子の陽極（３）の端部と、導電性接着剤等を介して電気的に接続させるように形成する。具体的には、蒸着用の加熱ボートに陰極形成用の原料（７ＲＭ）を充填し、当該加熱ボートを加熱して、マスク（Ｍ３）を介して、有機機能層ユニット（Ｕ）上及び隣接する陽極（３）上に、陰極（７）を形成する。
　次いで、図８の（ｅ）で示すように、陰極（７）を形成した後、これら光透過性を有する基材（１）、ガスバリアー層（２）、陽極（３）、有機機能層ユニット（Ｕ）及び陰極（７）を、封止用樹脂層（９）と、ガスバリアー層（１０）を有する封止部材（１１）で封止する。
　〔実施形態５：陰極を薄膜銀層で形成〕
　本発明においては、光透過性を有する陰極が、含窒素化合物を用いて構成された下地層と、当該下地層上に、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている薄膜銀層（陰極）を有する構成であることが好ましい形態の一つである。
　図９は、陰極（７）として、下地層（１２）とその上に、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている薄膜銀層（１３）を設けた構成を示してある。
　上記で規定する構成とすることにより、下地層上に銀又は銀を主成分とした合金で構成されている陰極を形成する際には、陰極を構成する銀原子が、下地層に含有されている窒素原子を有する化合物と相互作用を生じることにより、該下地層表面上での銀原子の拡散距離が減少し、特定箇所での銀原子の凝集を抑えることができる。
　すなわち、銀原子は、まず窒素原子を有する化合物、更に詳しくは、銀原子と親和性のある芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する非対称性化合物を含有する下地層表面上で２次元的な核を形成し，それを中心に２次元の単結晶層を形成するという単層成長型（Ｆｒａｎｋ－ｖａｎ　ｄｅｒ　Ｍｅｒｗｅ：ＦＭ型）の膜成長によって成膜されるようになり、均質性の高い薄膜の銀膜を形成することができる。
　（下地層）
　下地層を構成する材料としては、特に限定されるものではなく、その上に形成する陰極の構成材料である銀の凝集を抑制できるものであり、窒素原子を含んだ化合物等が挙げられる。
　下地層（１２）を構成するのに用いることができる窒素原子含有化合物としては、分子内に窒素原子を含んでいる化合物であれば、特に限定はないが、窒素原子をヘテロ原子とした複素環を有する化合物が好ましい。窒素原子をヘテロ原子とした複素環としては、アジリジン、アジリン、アゼチジン、アゼト、アゾリジン、アゾール、アジナン、ピリジン、アゼパン、アゼピン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、チアゾール、イミダゾリン、ピラジン、モルホリン、チアジン、インドール、イソインドール、ベンゾイミダゾール、プリン、キノリン、イソキノリン、キノキサリン、シンノリン、プテリジン、アクリジン、カルバゾール、ベンゾ－Ｃ－シンノリン、ポルフィリン、クロリン及びコリン等が挙げられる。
　さらには、下地層（１２）が含有する窒素原子含有化合物は、芳香族性に関与しない非共有電子対を持つ窒素原子を有する芳香族複素環化合物であることが好ましい。
　これらの窒素原子含有化合物の具体例としては、特開２０１５－０４６３６４号公報の段落（００９７）～同（０２２１）に記載の例示化合物Ｎｏ．１～Ｎｏ．１３４を挙げることができる。
　〔実施形態６：光学調整層の形成〕
　本発明においては、陰極の上部に光学調整層を設ける構成が好ましい形態である。
　図１０は、本発明に適用可能な有機ＥＬ素子の構成の一例で、上記図９で説明した構成の薄膜銀層（１３）の上部に、光学調整層（１４）を形成した構成を示す概略断面図（実施形態６）である。
　本発明に適用可能な光学調整層とは、光学干渉作用により光透過性材料の透過率を向上させる役割を果たすものをいう。
　本発明に適用可能な光学調整層を構成する材料としては、適当な屈折率が得られれば特に制限なく既存の化合物を利用できる。有機ＥＬの陰極上に、ダメージなく成膜できるという点から、真空蒸着法を適用できる化合物が好ましい。
　光学調整層の形成材料としては、例えば、Ａｌ２Ｏ３（屈折率１．６）、ＣｅＯ３（屈折率２．２）、Ｇａ２Ｏ３（屈折率１．５）、ＨｆＯ２（屈折率２．０）、ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物　屈折率２．１）、ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物、屈折率２．１）、ＭｇＯ（屈折率１．７）、Ｎｂ２Ｏ５（屈折率２．３）、ＳｉＯ２（屈折率１．５）、Ｔａ２Ｏ５（屈折率２．２）、ＴｉＯ２（屈折率２．３～２．５）、Ｙ２Ｏ３（屈折率１．９）、ＺｎＯ（屈折率２．１）、ＺｒＯ２（屈折率２．１）、ＡｌＦ３（１．４）、ＣａＦ２（１．２～１．４）、ＣｅＦ３（１．６）、ＧｄＦ３（１．６）、ＬａＦ３（１．５９）、ＬｉＦ（１．３）、ＭｇＦ２（１．４）、ＮａＦ（１．３）等を用いることができる。
　〔実施形態７：電気接続ユニット（ＦＰＣ）の適用〕
　本発明においては、有機ＥＬパネルと外部電極との接続部が、導電性接着剤により電気的接続されている構成であることが好ましく、更には外部電極が、光透過性を有するフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ）より構成されることが好ましい形態である。
　図１１は、本発明に適用可能な有機ＥＬパネルと外部電極との電気的接続方法の一例を示す概略図である。
　図１１においては、複数の有機ＥＬ素子群（ＯＬＥＤ群）を並列配置してある有機ＥＬパネル（Ｐ）の両端部設けた引出電極（１５）に対し、外部電極として光透過性を有するフレキシブルプリント回路（ＦＰＣ、１８）を、異方性導電膜（ＡＣＦ、１７）を介して接続している一例を示している。
　本発明の有機ＥＬパネルの形成においては、上述のように、電気接続ユニットとして、透過性の高いＦＰＣ（フレキシブルプリント回路）を適用することが好ましい。ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔｓ）とは、「フレキシブルプリント回路基板」や「フレキシブルプリント配線板」とも呼ばれ、絶縁性を持った薄く柔らかいベースフィルム（ポリイミド等）と銅箔等の導電性金属を貼り合わせた基材に電気回路を形成した基板をいう。
　電気接続ユニットであるＦＰＣは、フレキシブル基板（Ｆ）の表面側に回路部を有し、裏面側には接続用配線を有している。
　電気接続ユニット（ＦＰＣ）を構成するフレキシブル基板（Ｆ）としては、透明でフレキシブル性を有し、かつ十分な機械的強度を備えたプラスチック材料であれば特に制限はなく、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）、シクロオレフィン樹脂（ＣＯＰ）等が挙げられるが、好ましくは、ポリイミド樹脂（ＰＩ）、ポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート樹脂（ＰＥＮ）が好ましい。
　表面の回路部と裏面の接続用配線は、導電性を有する金属材料で構成されていることが好ましく、例えば、金、銀、銅、ＩＴＯ等を挙げることができるが、本発明では、銅により形成することが好ましい。
　透明ＦＰＣと有機ＥＬパネルを電気的に接続する導電性接着剤としては、導電性を備えた部材であれば特に制限はないが、異方性導電膜（ＡＣＦ）、導電性ペースト、又は金属ペーストであることが好ましい態様である。
　異方性導電膜（ＡＣＦ）とは、例えば、熱硬化性樹脂に混ぜ合わせた導電性を持つ微細な導電性粒子を有する層を挙げることができる。本発明に用いることができる導電性粒子含有層としては、異方性導電部材としての導電性粒子を含有する層であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。本発明に係る異方性導電部材として用いることができる導電性粒子としては、例えば、金属粒子、金属被覆樹脂粒子などが挙げられる。市販されているＡＣＦとしては、例えば、ＭＦ－３３１（日立化成製）などの、樹脂フィルムにも適用可能な低温硬化型のＡＣＦを挙げることができる。
　金属粒子としては、例えば、ニッケル、コバルト、銀、銅、金、パラジウムなどが挙げられる。これらは、一種単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。これらの中でも、ニッケル、銀、銅が好ましい。これらの表面酸化を防ぐ目的で、表面に金、パラジウムを施した粒子を用いてもよい。更に、表面に金属突起や有機物で絶縁被膜を施したものを用いてもよい。
　金属被覆樹脂粒子としては、例えば、樹脂コアの表面をニッケル、銅、金、及びパラジウムのいずれかの金属を被覆した粒子が挙げられる。同様に、樹脂コアの最外表面に金、パラジウムを施した粒子を用いてもよい。更に、樹脂コアの表面に金属突起や有機物で絶縁皮膜を施したものを用いてもよい。
　また、金属ペーストとしては、市販されている金属ナノ粒子ペーストである、銀粒子ペースト、銀－パラジウム粒子ペースト、金粒子ペースト、銅粒子ペースト等を適宜選択して用いることができる。金属ペーストとしては、例えば、大研化学社から販売されている有機ＥＬ素子基板用銀ペースト（ＣＡ－６１７８、ＣＡ－６１７８Ｂ、ＣＡ－２５００Ｅ、ＣＡ－２５０３－４、ＣＡ－２５０３Ｎ、ＣＡ－２７１等、比抵抗値：１５～３０ｍΩ・ｃｍ、スクリーン印刷法で形成、硬化温度：１２０～２００℃）、ＬＴＣＣ用ペースト（ＰＡ－８８（Ａｇ）、ＴＣＲ－８８０（Ａｇ）、ＰＡ－Ｐｔ（Ａｇ・Ｐｔ））、ガラス基板用銀ペースト（ＵＳ－２０１、ＵＡ－３０２、焼成温度：４３０～４８０℃）等を挙げることができる。
　本発明の有機エレクトロルミネッセンスパネルは、輝度均一性を達成し、各種照明装置の面発光体やスマートフォンやタブレット等の各種スマートデバイスに好適に利用できる。
　１　基材
　２、１０　ガスバリアー層
　３　陽極（光透過性を有する陽極）
　３ＲＭ　陽極形成原料
　４　キャリア輸送機能層群１
　５　発光層
　６　キャリア輸送機能層群２
　７　陰極（光透過性を有する陰極）
　７ＲＭ　陰極形成原料
　８　印加電源
　９　封止用接着層
　１１　封止基板
　１２　下地層
　１３　薄膜銀層
　１４　光学調整層
　１５　引出電極
　１６　配線
　１７　ＡＣＦ接続エリア
　１８　ＦＰＣ
　Ｌ　発光光
　Ｍ１、Ｍ３　マスク
　Ｍ２　ファインマスク
　ＯＬＥＤ　有機ＥＬ素子
　Ｐ　有機ＥＬパネル
　Ｕ　有機機能層ユニット
　ＵＲＭ　有機機能層ユニット形成用原料

Claims (10)

  1. 　非発光時の波長５５０ｎｍにおける光透過率が５０％以上である有機エレクトロルミネッセンス素子を有する有機エレクトロルミネッセンスパネルであって、
    　前記有機エレクトロルミネッセンス素子は、基材上に、少なくとも陽極、有機機能層ユニット及び陰極より構成される発光エリアが、複数に分割されており、
    　前記発光エリアを構成する前記陽極及び前記陰極が、いずれも光透過性を有する電極で構成され、
    　かつ、分割されている一方の発光エリアを構成する陽極が、隣接する他方の発光エリアを構成する陰極と、直列に電気的に接続されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  2. 　前記基材が、光透過性を有するガラス基材又はフレキシブル性樹脂フィルムであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  3. 　前記フレキシブル性樹脂フィルムが、ガスバリアー層を有していることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  4. 　前記光透過性を有する陽極が、酸化物半導体又は薄膜の金属若しくは合金で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  5. 　前記光透過性を有する陰極が、少なくとも薄膜の金属又は合金で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  6. 　前記光透過性を有する陰極が、含窒素化合物を用いて構成された下地層と、当該下地層上に、銀又は銀を主成分とした合金で構成されている電極層を有する構成であることを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  7. 　前記有機エレクトロルミネッセンスパネルと外部電極との接続部は、導電性接着剤により電気的接続されていることを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  8. 　前記複数の有機エレクトロルミネッセンス素子が、ガスバリアー層を有するフレキシブル性樹脂部材により封止されていることを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  9. 　前記複数の発光エリアが、ストライプ状に並列配置されていることを特徴とする請求項１から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
  10. 　前記外部電極は、光透過性を有するフレキシブルプリント回路から構成されることを特徴とする請求項７から請求項９までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスパネル。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019110102A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2022131373A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器および表示装置の駆動方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10879489B2 (en) * 2018-05-21 2020-12-29 Korea Advanced Institute Of Science And Technology Organic device having protective film and method of manufacturing the same
CN109493746A (zh) * 2018-12-29 2019-03-19 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11185954A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイスおよびその製造方法
JP2004071570A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Eastman Kodak Co 有機発光デバイス装置及びその製造方法
JP2009224399A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌデバイス
JP2011187718A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2012114188A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置
JP2012195288A (ja) * 2011-03-02 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP2013131470A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nippon Zeon Co Ltd 発光素子
JP2013211169A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル
JP2013242988A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス発光体

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11185954A (ja) * 1997-12-17 1999-07-09 Nec Corp 有機薄膜ｅｌデバイスおよびその製造方法
JP2004071570A (ja) * 2002-08-07 2004-03-04 Eastman Kodak Co 有機発光デバイス装置及びその製造方法
JP2009224399A (ja) * 2008-03-13 2009-10-01 Fuji Electric Holdings Co Ltd 有機ｅｌデバイス
JP2011187718A (ja) * 2010-03-09 2011-09-22 Dainippon Printing Co Ltd フレキシブルプリント配線板及びその製造方法
JP2012114188A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Sumitomo Chemical Co Ltd 発光装置
JP2012195288A (ja) * 2011-03-02 2012-10-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び照明装置
JP2013131470A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nippon Zeon Co Ltd 発光素子
JP2013211169A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネセンスディスプレイパネル
JP2013242988A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Konica Minolta Inc 有機エレクトロルミネッセンス発光体

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019110102A (ja) * 2017-12-20 2019-07-04 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP7057119B2 (ja) 2017-12-20 2022-04-19 メルク パテント ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 有機エレクトロルミネッセンス素子
WO2022131373A1 (ja) * 2020-12-18 2022-06-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示装置、電子機器および表示装置の駆動方法

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