JP2003017253A - 有機ｅｌパネル及びその製造方法 - Google Patents
有機ｅｌパネル及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】前記金属層が安定して形成され、かつ、有機層
の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させる
ことが可能な有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 有機ＥＬパネル１は、透光性の支持基板
２と、支持基板２上に形成される第１電極（透明電極）
３と、支持基板２上に形成され第１電極３と外部電源と
を電気的に接続する第１の配線部８ａと、第１電極３上
に形成され少なくとも発光層を有する有機層５と、有機
層５上に形成される第２電極（背面電極）６と、支持基
板２上に形成され第２電極６と前記外部電源とを電気的
に接続する第２の配線部８ｂと、を備える。第１，第２
の配線部８ａ，８ｂは抵抗率の低い金属材料からなる。
第１電極３及び第１，第２の配線部８ａ，８ｂは所定の
形状にパターニングした後に表面を研磨してなる。
の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させる
ことが可能な有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供す
る。 【解決手段】 有機ＥＬパネル１は、透光性の支持基板
２と、支持基板２上に形成される第１電極（透明電極）
３と、支持基板２上に形成され第１電極３と外部電源と
を電気的に接続する第１の配線部８ａと、第１電極３上
に形成され少なくとも発光層を有する有機層５と、有機
層５上に形成される第２電極（背面電極）６と、支持基
板２上に形成され第２電極６と前記外部電源とを電気的
に接続する第２の配線部８ｂと、を備える。第１，第２
の配線部８ａ，８ｂは抵抗率の低い金属材料からなる。
第１電極３及び第１，第２の配線部８ａ，８ｂは所定の
形状にパターニングした後に表面を研磨してなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）パネルに関し、特に電極と外部電
源とを電気的に接続する配線部に抵抗率の低い金属材料
を用いてなる有機ＥＬパネルに関する。
トロルミネッセンス）パネルに関し、特に電極と外部電
源とを電気的に接続する配線部に抵抗率の低い金属材料
を用いてなる有機ＥＬパネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子を用いた有機ＥＬパネルと
しては、ガラス材料からなる透光性の支持基板上に、陽
極となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）
等からなる透明電極と、正孔注入層，正孔輸送層，発光
層及び電子輸送層等からなる有機層と、陰極となるアル
ミニウム（Ａｌ）等からなる非透光性の背面電極と、を
順次積層形成して構成されるものが知られており、前記
透明電極と前記背面電極との間に、数十ボルトの直流電
源を電気的に接続して両電極間に電圧を印加することに
より、前記有機層が発光して、その発光を前記支持基板
を通して外部へ照射するものであり、その発光部は、前
記透明電極のパターンにより定められるのが一般的であ
る。前記透明電極を所定の形状にパターニングする方法
としてはフォトリソグラフィー法等が知られている。
しては、ガラス材料からなる透光性の支持基板上に、陽
極となるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）
等からなる透明電極と、正孔注入層，正孔輸送層，発光
層及び電子輸送層等からなる有機層と、陰極となるアル
ミニウム（Ａｌ）等からなる非透光性の背面電極と、を
順次積層形成して構成されるものが知られており、前記
透明電極と前記背面電極との間に、数十ボルトの直流電
源を電気的に接続して両電極間に電圧を印加することに
より、前記有機層が発光して、その発光を前記支持基板
を通して外部へ照射するものであり、その発光部は、前
記透明電極のパターンにより定められるのが一般的であ
る。前記透明電極を所定の形状にパターニングする方法
としてはフォトリソグラフィー法等が知られている。
【０００３】斯かる有機ＥＬパネルの製造工程において
は、フォトリソグラフィー法によって前記透明電極を所
定の形状にパターニングする際に前記透明電極に塗布す
るフォトレジスト等の一部が前記透明電極上に異物とな
って残留する。また、前記フォトレジストの密着力が十
分でない箇所では、エッチング処理によって前記透明電
極の不要部分を除去する際に、エッチング処理に用いる
液体が前記フォトレジストと前記透明電極の間に侵入し
前記透明電極にピンホールを発生させる。このとき、前
記ピンホールの周縁部はエッジを形成する。また、パタ
ーニングされた前記透明電極の端部はエッジ形状とな
る。上記のように表面に凹凸のある状態の前記透明電極
上に前記有機層を形成すると、通常でも膜厚が非常に薄
い前記有機層が、前記異物が残留する箇所や前記ピンホ
ール周縁部、前記透明電極端部においては更に薄くな
る。このような前記有機層上に前記背面電極を積層する
と、前記透明電極と前記背面電極との短絡あるいはリー
クが生じ、前記有機層が発光しなくなることから有機Ｅ
Ｌパネルの歩留まりが低下してしまうといった問題があ
った。
は、フォトリソグラフィー法によって前記透明電極を所
定の形状にパターニングする際に前記透明電極に塗布す
るフォトレジスト等の一部が前記透明電極上に異物とな
って残留する。また、前記フォトレジストの密着力が十
分でない箇所では、エッチング処理によって前記透明電
極の不要部分を除去する際に、エッチング処理に用いる
液体が前記フォトレジストと前記透明電極の間に侵入し
前記透明電極にピンホールを発生させる。このとき、前
記ピンホールの周縁部はエッジを形成する。また、パタ
ーニングされた前記透明電極の端部はエッジ形状とな
る。上記のように表面に凹凸のある状態の前記透明電極
上に前記有機層を形成すると、通常でも膜厚が非常に薄
い前記有機層が、前記異物が残留する箇所や前記ピンホ
ール周縁部、前記透明電極端部においては更に薄くな
る。このような前記有機層上に前記背面電極を積層する
と、前記透明電極と前記背面電極との短絡あるいはリー
クが生じ、前記有機層が発光しなくなることから有機Ｅ
Ｌパネルの歩留まりが低下してしまうといった問題があ
った。
【０００４】このような問題を解決するものとしては、
前記透明電極をフォトリソグラフィー法によってパター
ニングした後に表面の研磨を行う方法が知られている。
前記透明電極をフォトリソグラフィー法によってパター
ニングした後に表面の研磨を行う方法が知られている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、斯かる有機
ＥＬパネルにおいて前記透明電極は、ＩＴＯ等の透光率
が高い導電性材料が用いられるが、このような材料は比
較的抵抗率が高いために、前記外部電源と前記第１，第
２電極とをそれぞれ電気的に接続する配線部に用いた場
合、配線途中で電圧降下現象が生じてしまい、これを補
うために駆動電圧が高くなる。このような問題を解決す
る手段としては、前記配線部に抵抗率の低い金属層を形
成して前記配線部の抵抗を下げる構成が知られている。
ＥＬパネルにおいて前記透明電極は、ＩＴＯ等の透光率
が高い導電性材料が用いられるが、このような材料は比
較的抵抗率が高いために、前記外部電源と前記第１，第
２電極とをそれぞれ電気的に接続する配線部に用いた場
合、配線途中で電圧降下現象が生じてしまい、これを補
うために駆動電圧が高くなる。このような問題を解決す
る手段としては、前記配線部に抵抗率の低い金属層を形
成して前記配線部の抵抗を下げる構成が知られている。
【０００６】しかしながら、前記透明電極を所定の形状
にパターニングした後に表面を研磨してなる有機ＥＬパ
ネルにおいては、研磨を行った後に金属層を形成する
と、前記透明電極の表面が滑らかであるために、前記金
属層の密着性が悪く、前記金属層が剥離する恐れがある
という問題があった。また、蒸着法やスパッタリング法
等の手段によって金属層を形成する場合金属層の一部が
通常よりも大きな固まりとなって前記透明電極上に付着
することや、前記金属層のパターニングに使用するフォ
トレジストの一部が前透明電極上に残留すること等によ
り、前記透明電極の表面が凹凸のある状態となり、前記
有機層の短絡やリークを生じさせ、有機ＥＬパネルの歩
留まりが低下するという問題があった。
にパターニングした後に表面を研磨してなる有機ＥＬパ
ネルにおいては、研磨を行った後に金属層を形成する
と、前記透明電極の表面が滑らかであるために、前記金
属層の密着性が悪く、前記金属層が剥離する恐れがある
という問題があった。また、蒸着法やスパッタリング法
等の手段によって金属層を形成する場合金属層の一部が
通常よりも大きな固まりとなって前記透明電極上に付着
することや、前記金属層のパターニングに使用するフォ
トレジストの一部が前透明電極上に残留すること等によ
り、前記透明電極の表面が凹凸のある状態となり、前記
有機層の短絡やリークを生じさせ、有機ＥＬパネルの歩
留まりが低下するという問題があった。
【０００７】本発明は、このような問題に鑑み、第１，
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネルにお
いて、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機層の
短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させるこ
とが可能な有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネルにお
いて、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機層の
短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させるこ
とが可能な有機ＥＬパネル及びその製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、透光性の支持基板と、この支持基板上に
形成される第１電極と、前記支持基板上に形成され前記
第１電極と外部電源とを電気的に接続する第１の配線部
と、前記第１電極上に形成され少なくとも発光層を有す
る有機層と、この有機層上に形成される第２電極と、前
記支持基板上に形成され前記第２電極と前記外部電源と
を電気的に接続する第２の配線部と、を備える有機ＥＬ
パネルであって、前記第１，第２の配線部は抵抗率の低
い金属材料からなり、前記第１電極及び前記第１，第２
の配線部は所定の形状にパターニングした後に表面を研
磨してなることを特徴とする。
決するために、透光性の支持基板と、この支持基板上に
形成される第１電極と、前記支持基板上に形成され前記
第１電極と外部電源とを電気的に接続する第１の配線部
と、前記第１電極上に形成され少なくとも発光層を有す
る有機層と、この有機層上に形成される第２電極と、前
記支持基板上に形成され前記第２電極と前記外部電源と
を電気的に接続する第２の配線部と、を備える有機ＥＬ
パネルであって、前記第１，第２の配線部は抵抗率の低
い金属材料からなり、前記第１電極及び前記第１，第２
の配線部は所定の形状にパターニングした後に表面を研
磨してなることを特徴とする。
【０００９】また、少なくとも発光層を有する有機層を
第１電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパ
ネルであって、前記配線部は抵抗率の低い金属材料から
なり、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状にパタ
ーニングした後に表面を研磨してなることを特徴とす
る。
第１電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパ
ネルであって、前記配線部は抵抗率の低い金属材料から
なり、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状にパタ
ーニングした後に表面を研磨してなることを特徴とす
る。
【００１０】また、少なくとも発光層を有する有機層を
第１電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパ
ネルであって、前記配線部は透光性の導電材料からなる
ベース層上に抵抗率の低い金属材料からなる金属層を積
層してなり、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状
にパターニングした後に表面を研磨してなることを特徴
とする。
第１電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，
第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線
部と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパ
ネルであって、前記配線部は透光性の導電材料からなる
ベース層上に抵抗率の低い金属材料からなる金属層を積
層してなり、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状
にパターニングした後に表面を研磨してなることを特徴
とする。
【００１１】また、透光性の支持基板上に透光性の導電
材料を層状に形成すると共に所定の形状にパターニング
して第１電極を形成する工程と、前記支持基板上及び前
記第１電極上に抵抗率が低い金属材料を層状に形成する
と共に所定の形状にパターニングして、前記第１電極及
び第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する第
１，第２の配線部を形成する工程と、パターニング後の
前記第１電極及び前記第１，第２の配線部の表面を同時
に研磨する工程と、前記第１電極上に少なくとも発光層
を有する有機層及び前記第２電極を順次積層形成する工
程と、を備えてなることを特徴とする。
材料を層状に形成すると共に所定の形状にパターニング
して第１電極を形成する工程と、前記支持基板上及び前
記第１電極上に抵抗率が低い金属材料を層状に形成する
と共に所定の形状にパターニングして、前記第１電極及
び第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する第
１，第２の配線部を形成する工程と、パターニング後の
前記第１電極及び前記第１，第２の配線部の表面を同時
に研磨する工程と、前記第１電極上に少なくとも発光層
を有する有機層及び前記第２電極を順次積層形成する工
程と、を備えてなることを特徴とする。
【００１２】また、透光性の支持基板上に透光性の導電
材料を層状に形成する工程と、前記導電材料層上に抵抗
率が低い金属材料を層状に形成する工程と、前記金属層
を所定の形状にパターニングして第１，第２の金属層を
形成する工程と、前記導電材料層を所定の形状にパター
ニングして第１電極及び第１，第２のベース層を形成
し、前記第１，第２のベース層と前記第１，第２の金属
層からなり前記第１電極及び第２電極と外部電源とをそ
れぞれ電気的に接続する第１，第２の配線部を形成する
工程と、パターニング後の前記第１電極及び前記第１，
第２の配線部の表面を同時に研磨する工程と、前記第１
電極上に少なくとも発光層を有する有機層及び第２電極
を順次積層形成する工程と、を備えてなることを特徴と
する。
材料を層状に形成する工程と、前記導電材料層上に抵抗
率が低い金属材料を層状に形成する工程と、前記金属層
を所定の形状にパターニングして第１，第２の金属層を
形成する工程と、前記導電材料層を所定の形状にパター
ニングして第１電極及び第１，第２のベース層を形成
し、前記第１，第２のベース層と前記第１，第２の金属
層からなり前記第１電極及び第２電極と外部電源とをそ
れぞれ電気的に接続する第１，第２の配線部を形成する
工程と、パターニング後の前記第１電極及び前記第１，
第２の配線部の表面を同時に研磨する工程と、前記第１
電極上に少なくとも発光層を有する有機層及び第２電極
を順次積層形成する工程と、を備えてなることを特徴と
する。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づき説明する。
図面に基づき説明する。
【００１４】まず、図１及び図２を用いて、本発明の第
１の実施の形態について説明する。
１の実施の形態について説明する。
【００１５】図１において、有機ＥＬパネル１は、支持
基板２と、透明電極（第１電極）３と、絶縁層４と、有
機層５と、背面電極（第２電極）６と、封止部材７と、
第１の配線部８ａと、第２の配線部８ｂとから構成され
ている。
基板２と、透明電極（第１電極）３と、絶縁層４と、有
機層５と、背面電極（第２電極）６と、封止部材７と、
第１の配線部８ａと、第２の配線部８ｂとから構成され
ている。
【００１６】支持基板２は、長方形形状からなる透光性
のガラス基板である。
のガラス基板である。
【００１７】透明電極３は、支持基板２上にＩＴＯ等の
導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によっ
て膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成し、フォトリソグ
ラフィー法等によって所定の表示意匠に応じてパターニ
ングしてなり、後で詳述する第１の配線部８ａと重なる
部分を有し、第１の配線部８ａと電気的に接続される。
透明電極３は、パターニング後、後で詳述する第１の配
線部８ａ及び第２の配線部８ｂと同時に表面を研磨して
なる。
導電性材料を蒸着法やスパッタリング法等の手段によっ
て膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成し、フォトリソグ
ラフィー法等によって所定の表示意匠に応じてパターニ
ングしてなり、後で詳述する第１の配線部８ａと重なる
部分を有し、第１の配線部８ａと電気的に接続される。
透明電極３は、パターニング後、後で詳述する第１の配
線部８ａ及び第２の配線部８ｂと同時に表面を研磨して
なる。
【００１８】絶縁層４は、例えばポリイミド系統の絶縁
材料からなり、フォトリソグラフィー法等の手段によっ
て形成される。絶縁層４は、発光領域の輪郭を鮮明に表
示するため、透明電極３の表示部分の周縁と若干重なる
ように形成され、また、透明電極３と背面電極６との絶
縁を確保するために透明電極３と第２の配線部との間を
埋めるように配設される。
材料からなり、フォトリソグラフィー法等の手段によっ
て形成される。絶縁層４は、発光領域の輪郭を鮮明に表
示するため、透明電極３の表示部分の周縁と若干重なる
ように形成され、また、透明電極３と背面電極６との絶
縁を確保するために透明電極３と第２の配線部との間を
埋めるように配設される。
【００１９】有機層５は、少なくとも発光層を有するも
のであればよいが、本発明の実施の形態においては、正
孔注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を蒸着法
やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成し、
膜厚１００〜３００ｎｍの層状となるものである。有機
層５は、透明電極３の表示部分の形成箇所に対応するよ
うに所定の大きさをもって配設される。
のであればよいが、本発明の実施の形態においては、正
孔注入層，正孔輸送層，発光層及び電子輸送層を蒸着法
やスパッタリング法等の手段によって順次積層形成し、
膜厚１００〜３００ｎｍの層状となるものである。有機
層５は、透明電極３の表示部分の形成箇所に対応するよ
うに所定の大きさをもって配設される。
【００２０】背面電極６は、アルミニウム（Ａｌ）やア
ルミリチウム（Ａｌ：Ｌｉ）、マグネシウム銀（Ｍｇ：
Ａｇ）等の金属製の導電性材料を蒸着法等の手段によっ
て膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成され、後で詳述す
る第２の配線部８ｂと電気的に接続される。
ルミリチウム（Ａｌ：Ｌｉ）、マグネシウム銀（Ｍｇ：
Ａｇ）等の金属製の導電性材料を蒸着法等の手段によっ
て膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成され、後で詳述す
る第２の配線部８ｂと電気的に接続される。
【００２１】以上のように、支持基板２上に透明電極３
と絶縁層４と有機層５と背面電極６とを順次積層して発
光部が得られる。
と絶縁層４と有機層５と背面電極６とを順次積層して発
光部が得られる。
【００２２】封止部材７は、例えばガラス材料からなる
平板部材に凹部をサンドブラスト、切削及びエッチング
等の適宜方法で形成してなるものである。封止部材７
は、前記凹部を取り囲むようにして形成される支持部を
例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤９を介
し支持基板２上に気密的に配設することで、封止部材７
と支持基板２とで積層体８を封止する。封止部材７は、
第１の配線部８ａ及び第２の配線部ｂが外部に露出する
ように支持基板２よりも若干小さめに構成されている。
平板部材に凹部をサンドブラスト、切削及びエッチング
等の適宜方法で形成してなるものである。封止部材７
は、前記凹部を取り囲むようにして形成される支持部を
例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤９を介
し支持基板２上に気密的に配設することで、封止部材７
と支持基板２とで積層体８を封止する。封止部材７は、
第１の配線部８ａ及び第２の配線部ｂが外部に露出する
ように支持基板２よりも若干小さめに構成されている。
【００２３】第１の配線部８ａは、クロム（Ｃｒ）等の
抵抗率の低い金属材料を蒸着法、スパッタリング法等の
手段によって膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状に
パターニングを行ってなるもので、透明電極３と電気的
に接続されると共に前記発光部に電圧を印加するために
外部電源（図示しない）と電気的に接続される。第１の
配線部８ａは、パターニング後、透明電極３及び後で詳
述する第２の配線部８ｂと同時に表面を研磨してなる。
抵抗率の低い金属材料を蒸着法、スパッタリング法等の
手段によって膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状に
パターニングを行ってなるもので、透明電極３と電気的
に接続されると共に前記発光部に電圧を印加するために
外部電源（図示しない）と電気的に接続される。第１の
配線部８ａは、パターニング後、透明電極３及び後で詳
述する第２の配線部８ｂと同時に表面を研磨してなる。
【００２４】第２の配線部８ｂは、クロム（Ｃｒ）等の
抵抗率の低い金属材料を蒸着法やスパッタリング法等の
手段によって膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状に
パターニングを行ってなるもので、背面電極６と電気的
に接続されると共に前記発光部に電圧を印加するために
前記外部電源と電気的に接続される。第２の配線部８ｂ
は、パターニング後、透明電極３及び第１の配線部８ａ
と同時に表面を研磨してなる。
抵抗率の低い金属材料を蒸着法やスパッタリング法等の
手段によって膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の形状に
パターニングを行ってなるもので、背面電極６と電気的
に接続されると共に前記発光部に電圧を印加するために
前記外部電源と電気的に接続される。第２の配線部８ｂ
は、パターニング後、透明電極３及び第１の配線部８ａ
と同時に表面を研磨してなる。
【００２５】次に、図２を用いて有機ＥＬパネル１の製
造方法を説明する。
造方法を説明する。
【００２６】まず、蒸着法等の手段によって、支持基板
２上に層状の透明電極３を形成し、さらに、フォトリソ
グラフィー法等の手段によって、透明電極３を所定の表
示意匠に応じてパターニングを行う（図２（ａ））。こ
のとき、透明電極３は表示部分の他に第１の配線部８ａ
と重なる部分を有するようにパターニングされる。
２上に層状の透明電極３を形成し、さらに、フォトリソ
グラフィー法等の手段によって、透明電極３を所定の表
示意匠に応じてパターニングを行う（図２（ａ））。こ
のとき、透明電極３は表示部分の他に第１の配線部８ａ
と重なる部分を有するようにパターニングされる。
【００２７】次に、蒸着法やスパッタリング法等の手段
によって、支持基板２及び透明電極３上に層状の金属層
８を形成する（図２（ｂ））。
によって、支持基板２及び透明電極３上に層状の金属層
８を形成する（図２（ｂ））。
【００２８】次に、フォトリソグラフィー法等の手段に
よって、金属層８を所定の形状にパターニングを行い、
第１の配線部８ａと第２の配線部８ｂとを形成する（図
２（ｃ））。このとき、第１の配線部８ａは透明電極３
と重なる部分を有するようにパターニングし、第２の配
線部８ｂは透明電極３との間に隙間を有するようにパタ
ーニングする。また、このとき、金属層８を形成する際
に金属層８の一部が通常よりも大きな固まりとなること
や透明電極３あるいは金属層８に塗布したフォトレジス
ト等の一部が残留すること等により透明電極３，第１の
配線部８ａ及び第２の配線部８ｂの表面に異物１０が形
成され、表面に凹凸が形成される。
よって、金属層８を所定の形状にパターニングを行い、
第１の配線部８ａと第２の配線部８ｂとを形成する（図
２（ｃ））。このとき、第１の配線部８ａは透明電極３
と重なる部分を有するようにパターニングし、第２の配
線部８ｂは透明電極３との間に隙間を有するようにパタ
ーニングする。また、このとき、金属層８を形成する際
に金属層８の一部が通常よりも大きな固まりとなること
や透明電極３あるいは金属層８に塗布したフォトレジス
ト等の一部が残留すること等により透明電極３，第１の
配線部８ａ及び第２の配線部８ｂの表面に異物１０が形
成され、表面に凹凸が形成される。
【００２９】次に、ケミカルメカニカルポリッシュ法等
の手段によって、例えばロデール・ニッタ製ＲＮ−Ｒ等
の柔軟な素材の研磨布１１を用いると共にアルミナ等か
らなる研磨剤１２を介して、透明電極３及び第１の配線
部８ａ及び第２の配線部８ｂの表面の研磨を行う（図２
（ｄ））。このとき、透明電極３及び第１の配線部８ａ
及び第２の配線部８ｂの端部がテーパー状となるように
研磨を行うことが望ましい。研磨によって、異物１０を
除去し、表面に凹凸のない透明電極３及び第１の配線部
８ａ及び第２の配線部８ｂを得る（図２（ｅ））。
の手段によって、例えばロデール・ニッタ製ＲＮ−Ｒ等
の柔軟な素材の研磨布１１を用いると共にアルミナ等か
らなる研磨剤１２を介して、透明電極３及び第１の配線
部８ａ及び第２の配線部８ｂの表面の研磨を行う（図２
（ｄ））。このとき、透明電極３及び第１の配線部８ａ
及び第２の配線部８ｂの端部がテーパー状となるように
研磨を行うことが望ましい。研磨によって、異物１０を
除去し、表面に凹凸のない透明電極３及び第１の配線部
８ａ及び第２の配線部８ｂを得る（図２（ｅ））。
【００３０】次に、蒸着法やスパッタリング法等の手段
によって、支持基板２，透明電極３，第１の配線部８ａ
及び第２の配線部８ｂ上に層状の絶縁層４を形成し、フ
ォトリソグラフィー法等の手段によって、所定の形状に
パターニングを行う。さらに、蒸着法やスパッタリング
法等の手段によって、有機層５及び背面電極６を順次積
層形成し、所定の発光形状の前記発光部を得る。このと
き、絶縁層４は、透明電極３と第２の配線部８ｂとの絶
縁及び背面電極６と第１の配線部８ａとの絶縁を確保す
るように形成される。また、背面電極６は、第２の配線
部８ｂと電気的に接続されるように形成される。さら
に、封止部材７を、前記発光部を取り囲むように支持基
板２及び第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂ上に接
着剤９を介して配設すると共に、紫外線を照射して接着
剤９を硬化させ、支持基板２，第１の配線部８ａ，第２
の配線部８ｂ及び封止部材７とを気密的に接合すること
で有機ＥＬパネル１を得る（図２（ｆ））。
によって、支持基板２，透明電極３，第１の配線部８ａ
及び第２の配線部８ｂ上に層状の絶縁層４を形成し、フ
ォトリソグラフィー法等の手段によって、所定の形状に
パターニングを行う。さらに、蒸着法やスパッタリング
法等の手段によって、有機層５及び背面電極６を順次積
層形成し、所定の発光形状の前記発光部を得る。このと
き、絶縁層４は、透明電極３と第２の配線部８ｂとの絶
縁及び背面電極６と第１の配線部８ａとの絶縁を確保す
るように形成される。また、背面電極６は、第２の配線
部８ｂと電気的に接続されるように形成される。さら
に、封止部材７を、前記発光部を取り囲むように支持基
板２及び第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂ上に接
着剤９を介して配設すると共に、紫外線を照射して接着
剤９を硬化させ、支持基板２，第１の配線部８ａ，第２
の配線部８ｂ及び封止部材７とを気密的に接合すること
で有機ＥＬパネル１を得る（図２（ｆ））。
【００３１】斯かる有機ＥＬパネル１は、層状の透明電
極３を所定の表示形状に応じてパターニングし、透明電
極３上に形成された金属層８を所定の形状にパターニン
グして第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂを形成し
た後に、透明電極３及び第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂの表面を同時に研磨することにより、金属層８
を積層後に研磨を行うことから金属層８の密着性を向上
させることができると共に、フォトレジスト等の一部等
からなる異物１０を除去し、表面に凹凸のない透明電極
３及び第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂを得るこ
とができ、配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機
ＥＬパネルにおいて、前記金属層が安定して形成され、
かつ、有機層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まり
を向上させることが可能となる。
極３を所定の表示形状に応じてパターニングし、透明電
極３上に形成された金属層８を所定の形状にパターニン
グして第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂを形成し
た後に、透明電極３及び第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂの表面を同時に研磨することにより、金属層８
を積層後に研磨を行うことから金属層８の密着性を向上
させることができると共に、フォトレジスト等の一部等
からなる異物１０を除去し、表面に凹凸のない透明電極
３及び第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂを得るこ
とができ、配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機
ＥＬパネルにおいて、前記金属層が安定して形成され、
かつ、有機層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まり
を向上させることが可能となる。
【００３２】また、斯かる有機ＥＬパネル１の製造方法
は、層状の透明電極３を所定の表示形状に応じてパター
ニングし、透明電極３上に形成された金属層８を所定の
形状にパターニングして第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂを形成した後に、透明電極３及び第１の配線部
８ａ及び第２の配線部８ｂの表面を同時に研磨すること
により、金属層８を積層後に研磨を行うことから金属層
８の密着性を向上させることができると共に、フォトレ
ジスト等の一部等からなる異物１０を除去し、表面に凹
凸のない透明電極３及び第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂを得ることができ、配線部に抵抗率の低い金属
層を形成する有機ＥＬパネルにおいて、前記金属層が安
定して形成され、かつ、有機層の短絡やリークの発生が
抑制され、歩留まりが向上した有機ＥＬパネルを製造す
ることが可能となる。
は、層状の透明電極３を所定の表示形状に応じてパター
ニングし、透明電極３上に形成された金属層８を所定の
形状にパターニングして第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂを形成した後に、透明電極３及び第１の配線部
８ａ及び第２の配線部８ｂの表面を同時に研磨すること
により、金属層８を積層後に研磨を行うことから金属層
８の密着性を向上させることができると共に、フォトレ
ジスト等の一部等からなる異物１０を除去し、表面に凹
凸のない透明電極３及び第１の配線部８ａ及び第２の配
線部８ｂを得ることができ、配線部に抵抗率の低い金属
層を形成する有機ＥＬパネルにおいて、前記金属層が安
定して形成され、かつ、有機層の短絡やリークの発生が
抑制され、歩留まりが向上した有機ＥＬパネルを製造す
ることが可能となる。
【００３３】次に、図３及び図４を用いて、本発明の第
２の実施の形態について説明するが、前述した第１の実
施の形態と同一もしくは相当箇所には、同一符号を付し
てその詳細な説明は省く。
２の実施の形態について説明するが、前述した第１の実
施の形態と同一もしくは相当箇所には、同一符号を付し
てその詳細な説明は省く。
【００３４】図３において、有機ＥＬパネル１３は、支
持基板２と、透明電極（第１電極）１４ａと、絶縁層４
と、有機層５と、背面電極（第２電極）６と、封止部材
７と、第１の配線部１５ａと、第２の配線部１５ｂとか
ら構成されている。
持基板２と、透明電極（第１電極）１４ａと、絶縁層４
と、有機層５と、背面電極（第２電極）６と、封止部材
７と、第１の配線部１５ａと、第２の配線部１５ｂとか
ら構成されている。
【００３５】透明電極１４ａは、支持基板２上にＩＴＯ
等の透光性の導電材料を蒸着法やスパッタリング法等の
手段によって膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成し、フ
ォトリソグラフィー法等の手段によって所定の表示意匠
に応じてパターニングを行ってなるものであり、表示部
分外の領域は、後で詳述する第１の配線部１５ａを構成
する第１のベース層となるものである。透明電極１４ａ
は、パターニング後、後で詳述する第１の配線部１５ａ
及び第２の配線部１５ｂと同時に表面を研磨してなる。
等の透光性の導電材料を蒸着法やスパッタリング法等の
手段によって膜厚５０〜２００ｎｍの層状に形成し、フ
ォトリソグラフィー法等の手段によって所定の表示意匠
に応じてパターニングを行ってなるものであり、表示部
分外の領域は、後で詳述する第１の配線部１５ａを構成
する第１のベース層となるものである。透明電極１４ａ
は、パターニング後、後で詳述する第１の配線部１５ａ
及び第２の配線部１５ｂと同時に表面を研磨してなる。
【００３６】第１の配線部１５ａは、透明電極１４ａの
表示部分外の領域上に、クロム（Ｃｒ）等の抵抗率の低
い金属材料を膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の表示意
匠に応じてパターニングを行うことで第１の金属層１６
ａを積層形成してなる。第１の配線部１５ａは、透明電
極１４ａと電気的に接続されると共に透明電極１４ａ及
び有機層５及び背面電極６とからなる発光部に電圧を印
加するために外部電源（図示しない）と電気的に接続さ
れる。第１の配線部１５ａは、第１の金属層１６ａを形
成した後、透明電極１４ａ及び後で詳述する第２の配線
部１５ｂと同時に表面を研磨してなる。
表示部分外の領域上に、クロム（Ｃｒ）等の抵抗率の低
い金属材料を膜厚２００〜３００ｎｍの層状に形成し、
フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の表示意
匠に応じてパターニングを行うことで第１の金属層１６
ａを積層形成してなる。第１の配線部１５ａは、透明電
極１４ａと電気的に接続されると共に透明電極１４ａ及
び有機層５及び背面電極６とからなる発光部に電圧を印
加するために外部電源（図示しない）と電気的に接続さ
れる。第１の配線部１５ａは、第１の金属層１６ａを形
成した後、透明電極１４ａ及び後で詳述する第２の配線
部１５ｂと同時に表面を研磨してなる。
【００３７】第２の配線部１５ｂは、透光性の導電材料
からなる膜厚５０〜２００ｎｍの第２のベース層１４ｂ
上にクロム（Ｃｒ）等の抵抗率の低い金属材料を膜厚２
００〜３００ｎｍの層状に形成し、フォトリソグラフィ
ー法等の手段によって所定の表示意匠に応じてパターニ
ングを行うことで第２の金属層１６ｂを積層形成してな
る。第２の配線部１５ｂは、背面電極６と電気的に接続
されると共に前記発光部に電圧を印加するために前記外
部電源と電気的に接続される。第２の配線部１５ｂは、
第２の金属層１６ｂを形成した後、透明電極１４ａ及び
第１の配線部１５ａと同時に表面を研磨してなる。
からなる膜厚５０〜２００ｎｍの第２のベース層１４ｂ
上にクロム（Ｃｒ）等の抵抗率の低い金属材料を膜厚２
００〜３００ｎｍの層状に形成し、フォトリソグラフィ
ー法等の手段によって所定の表示意匠に応じてパターニ
ングを行うことで第２の金属層１６ｂを積層形成してな
る。第２の配線部１５ｂは、背面電極６と電気的に接続
されると共に前記発光部に電圧を印加するために前記外
部電源と電気的に接続される。第２の配線部１５ｂは、
第２の金属層１６ｂを形成した後、透明電極１４ａ及び
第１の配線部１５ａと同時に表面を研磨してなる。
【００３８】次に、図４を用いて有機ＥＬパネル１３の
製造方法を説明する。
製造方法を説明する。
【００３９】まず、蒸着法やスパッタリング法等の手段
によって、支持基板２上に層状の透明電極層１４を形成
する（図４（ａ））。
によって、支持基板２上に層状の透明電極層１４を形成
する（図４（ａ））。
【００４０】次に、蒸着法やスパッタリング法等の手段
によって、透明電極層１４上に層状の金属層１３を形成
する（図４（ｂ））。
によって、透明電極層１４上に層状の金属層１３を形成
する（図４（ｂ））。
【００４１】次に、フォトリソグラフィー法等の手段に
よって、金属層１３を所定の形状にパターニングを行
い、第１の金属層１６ａと第２の金属層１６ｂとを形成
する。さらに、フォトリソグラフィー法等の手段によっ
て、透明電極層１４を所定の表示意匠に応じてパターニ
ングを行い、前記第１のベース層と一体形成される透明
電極１４ａと、第２のベース層１４ｂとに分割形成する
（図４（ｃ））。このとき、透明電極１４ａの発光部分
外の領域と第１の金属層１６ａとによって第１の配線部
１５ａが形成され、第２のベース層１４ｂと第２の金属
層１６ｂとによって第２の配線部１５ｂが形成される。
また、このとき、金属層１６を形成する際に金属層１６
の一部が通常よりも大きな固まりとなることや透明電極
層１４あるいは金属層１６に塗布したフォトレジスト等
の一部が残留すること等により透明電極１４ａ，第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面に異物１０
が形成され、表面に凹凸が形成される。
よって、金属層１３を所定の形状にパターニングを行
い、第１の金属層１６ａと第２の金属層１６ｂとを形成
する。さらに、フォトリソグラフィー法等の手段によっ
て、透明電極層１４を所定の表示意匠に応じてパターニ
ングを行い、前記第１のベース層と一体形成される透明
電極１４ａと、第２のベース層１４ｂとに分割形成する
（図４（ｃ））。このとき、透明電極１４ａの発光部分
外の領域と第１の金属層１６ａとによって第１の配線部
１５ａが形成され、第２のベース層１４ｂと第２の金属
層１６ｂとによって第２の配線部１５ｂが形成される。
また、このとき、金属層１６を形成する際に金属層１６
の一部が通常よりも大きな固まりとなることや透明電極
層１４あるいは金属層１６に塗布したフォトレジスト等
の一部が残留すること等により透明電極１４ａ，第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面に異物１０
が形成され、表面に凹凸が形成される。
【００４２】次に、ケミカルメカニカルポリッシュ法等
の手段によって、例えばロデール・ニッタ製ＲＮ−Ｒ等
の柔軟な素材の研磨布１１を用いると共にアルミナ等か
らなる研磨剤１２を介して、透明電極１４ａ及び第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面の研磨を行
う（図４（ｄ））。このとき、透明電極１４ａ及び第１
の配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの端部がテーパ
ー状となるように研磨を行うことが望ましい。研磨によ
って、異物１０を除去し、表面に凹凸のない透明電極１
４ａ及び第１の配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂを
得る（図４（ｅ））。
の手段によって、例えばロデール・ニッタ製ＲＮ−Ｒ等
の柔軟な素材の研磨布１１を用いると共にアルミナ等か
らなる研磨剤１２を介して、透明電極１４ａ及び第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面の研磨を行
う（図４（ｄ））。このとき、透明電極１４ａ及び第１
の配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの端部がテーパ
ー状となるように研磨を行うことが望ましい。研磨によ
って、異物１０を除去し、表面に凹凸のない透明電極１
４ａ及び第１の配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂを
得る（図４（ｅ））。
【００４３】次に、蒸着法やスパッタリング法等の手段
によって、層状の絶縁層４を支持基板２，透明電極１４
ａ，第１の金属層１６ａ及び第２の金属層１６ｂ上に形
成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の
形状にパターニングを行う。さらに、蒸着法やスパッタ
リング法等の手段によって、有機層５及び背面電極６を
順次積層形成し、所定の発光形状の発光部を得る。この
とき、絶縁層４は、透明電極１４ａと第２の配線部１５
ｂとの絶縁及び背面電極６と第１の配線部１５ａとの絶
縁を確保するように形成される。また、背面電極６は、
第２の配線部１５ｂと電気的に接続されるように形成さ
れる。さらに、封止部材７を、前記発光部を取り囲むよ
うに支持基板２，第１の金属層１６ａ及び第２の金属層
１６ｂ上に接着剤９を介して配設すると共に、紫外線を
照射して接着剤９を硬化させ、支持基板２及び第１の配
線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂと封止部材７とを気
密的に接合することで有機ＥＬパネル１３を得る（図４
（ｆ））。
によって、層状の絶縁層４を支持基板２，透明電極１４
ａ，第１の金属層１６ａ及び第２の金属層１６ｂ上に形
成し、フォトリソグラフィー法等の手段によって所定の
形状にパターニングを行う。さらに、蒸着法やスパッタ
リング法等の手段によって、有機層５及び背面電極６を
順次積層形成し、所定の発光形状の発光部を得る。この
とき、絶縁層４は、透明電極１４ａと第２の配線部１５
ｂとの絶縁及び背面電極６と第１の配線部１５ａとの絶
縁を確保するように形成される。また、背面電極６は、
第２の配線部１５ｂと電気的に接続されるように形成さ
れる。さらに、封止部材７を、前記発光部を取り囲むよ
うに支持基板２，第１の金属層１６ａ及び第２の金属層
１６ｂ上に接着剤９を介して配設すると共に、紫外線を
照射して接着剤９を硬化させ、支持基板２及び第１の配
線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂと封止部材７とを気
密的に接合することで有機ＥＬパネル１３を得る（図４
（ｆ））。
【００４４】斯かる有機ＥＬパネル１３は、支持基板上
に層状の透明電極層１４及び金属層１６を積層し、さら
に、透明電極層１４及び金属層１６を所定の形状にパタ
ーニングすることにより、第１電極１４ａと、透明電極
１４ａの発光部分外の領域及び第１の金属層１６ａから
なる第１の配線部１５ａと、第２のベース層１４ｂ及び
第２の金属層１６ｂからなる第２の配線部１５ｂとを形
成した後に、透明電極１４ａ及び第１の配線部１５ａ及
び第２の配線部１５ｂの表面を同時に研磨することによ
り、金属層１６を積層後に研磨を行うことから金属層１
６の密着性を向上させることができると共に、フォトレ
ジストの一部等からなる異物１０を除去し、表面に凹凸
のない透明電極１４ａ及び第１の配線部１５ａ及び第２
の配線部１５ｂを得ることができ、配線部に抵抗率の低
い金属層を形成する有機ＥＬパネルにおいて、前記金属
層が安定して形成され、かつ、有機層の短絡やリークの
発生を抑制し、歩留まりを向上させることが可能とな
る。
に層状の透明電極層１４及び金属層１６を積層し、さら
に、透明電極層１４及び金属層１６を所定の形状にパタ
ーニングすることにより、第１電極１４ａと、透明電極
１４ａの発光部分外の領域及び第１の金属層１６ａから
なる第１の配線部１５ａと、第２のベース層１４ｂ及び
第２の金属層１６ｂからなる第２の配線部１５ｂとを形
成した後に、透明電極１４ａ及び第１の配線部１５ａ及
び第２の配線部１５ｂの表面を同時に研磨することによ
り、金属層１６を積層後に研磨を行うことから金属層１
６の密着性を向上させることができると共に、フォトレ
ジストの一部等からなる異物１０を除去し、表面に凹凸
のない透明電極１４ａ及び第１の配線部１５ａ及び第２
の配線部１５ｂを得ることができ、配線部に抵抗率の低
い金属層を形成する有機ＥＬパネルにおいて、前記金属
層が安定して形成され、かつ、有機層の短絡やリークの
発生を抑制し、歩留まりを向上させることが可能とな
る。
【００４５】また、斯かる有機ＥＬパネル１の製造方法
は、支持基板上に層状の透明電極層１４及び金属層１６
を積層し、さらに、透明電極層１４及び金属層１６を所
定の形状にパターニングすることにより、第１電極１４
ａと、透明電極１４ａの発光部分外の領域及び第１の金
属層１６ａからなる第１の配線部１５ａと、第２のベー
ス層１４ｂ及び第２の金属層１６ｂからなる第２の配線
部１５ｂとを形成した後に、透明電極１４ａ及び第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面を同時に研
磨することにより、金属層１６を積層後に研磨を行うこ
とから金属層１６の密着性を向上させることができると
共に、フォトレジストの一部等からなる異物１０を除去
し、表面に凹凸のない透明電極１４ａ及び第１の配線部
１５ａ及び第２の配線部１５ｂを得ることができ、配線
部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネルにお
いて、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機層の
短絡やリークの発生が抑制され、歩留まりが向上した有
機ＥＬパネルを製造することが可能となる。
は、支持基板上に層状の透明電極層１４及び金属層１６
を積層し、さらに、透明電極層１４及び金属層１６を所
定の形状にパターニングすることにより、第１電極１４
ａと、透明電極１４ａの発光部分外の領域及び第１の金
属層１６ａからなる第１の配線部１５ａと、第２のベー
ス層１４ｂ及び第２の金属層１６ｂからなる第２の配線
部１５ｂとを形成した後に、透明電極１４ａ及び第１の
配線部１５ａ及び第２の配線部１５ｂの表面を同時に研
磨することにより、金属層１６を積層後に研磨を行うこ
とから金属層１６の密着性を向上させることができると
共に、フォトレジストの一部等からなる異物１０を除去
し、表面に凹凸のない透明電極１４ａ及び第１の配線部
１５ａ及び第２の配線部１５ｂを得ることができ、配線
部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネルにお
いて、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機層の
短絡やリークの発生が抑制され、歩留まりが向上した有
機ＥＬパネルを製造することが可能となる。
【００４６】尚、本発明の実施の形態において、第１の
配線部８ａ及び１２ａ，第２の配線部８ｂ及び１２ｂは
支持基板２上の異なる側面に形成される構成であった
が、第１の配線部と第２の配線部とは、１つの側面に集
中的に形成される構成であっても良い。
配線部８ａ及び１２ａ，第２の配線部８ｂ及び１２ｂは
支持基板２上の異なる側面に形成される構成であった
が、第１の配線部と第２の配線部とは、１つの側面に集
中的に形成される構成であっても良い。
【００４７】また、本発明の第２の実施の形態におい
て、透明電極１４ａは、透明電極と第１の配線部を構成
する第１のベース層とを一体形成してなる構成であった
が、請求項３及び請求項５に記載の本発明においては、
前記透明電極と前記第１のベース層とは、それぞれ分割
形成される構成であっても良い。
て、透明電極１４ａは、透明電極と第１の配線部を構成
する第１のベース層とを一体形成してなる構成であった
が、請求項３及び請求項５に記載の本発明においては、
前記透明電極と前記第１のベース層とは、それぞれ分割
形成される構成であっても良い。
【００４８】
【発明の効果】本発明は、透光性の支持基板と、この支
持基板上に形成される第１電極と、前記支持基板上に形
成され前記第１電極と外部電源とを電気的に接続する第
１の配線部と、前記第１電極上に形成され少なくとも発
光層を有する有機層と、この有機層上に形成される第２
電極と、前記支持基板上に形成され前記第２電極と前記
外部電源とを電気的に接続する第２の配線部と、を備え
る有機ＥＬパネルであって、前記第１，第２の配線部は
抵抗率の低い金属材料からなり、前記第１電極及び前記
第１，第２の配線部は所定の形状にパターニングした後
に表面を研磨してなることを特徴とするものであり、第
１，第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する
配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネル
において、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機
層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させ
ることが可能な有機ＥＬパネルを提供することが可能と
なる。
持基板上に形成される第１電極と、前記支持基板上に形
成され前記第１電極と外部電源とを電気的に接続する第
１の配線部と、前記第１電極上に形成され少なくとも発
光層を有する有機層と、この有機層上に形成される第２
電極と、前記支持基板上に形成され前記第２電極と前記
外部電源とを電気的に接続する第２の配線部と、を備え
る有機ＥＬパネルであって、前記第１，第２の配線部は
抵抗率の低い金属材料からなり、前記第１電極及び前記
第１，第２の配線部は所定の形状にパターニングした後
に表面を研磨してなることを特徴とするものであり、第
１，第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する
配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機ＥＬパネル
において、前記金属層が安定して形成され、かつ、有機
層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを向上させ
ることが可能な有機ＥＬパネルを提供することが可能と
なる。
【００４９】また、本発明は、透光性の支持基板上に透
光性の導電材料を層状に形成すると共に所定の形状にパ
ターニングして第１電極を形成する工程と、前記支持基
板上及び前記第１電極上に抵抗率が低い金属材料を層状
に形成すると共に所定の形状にパターニングして、前記
第１電極及び第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に
接続する第１，第２の配線部を形成する工程と、パター
ニング後の前記第１電極及び前記第１，第２の配線部の
表面を同時に研磨する工程と、前記第１電極上に少なく
とも発光層を有する有機層及び前記第２電極を順次積層
形成する工程と、を備えてなることを特徴とするもので
あり、第１，第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に
接続する配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機Ｅ
Ｌパネルにおいて、前記金属層が安定して形成され、か
つ、有機層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを
向上させることが可能な有機ＥＬパネルの製造方法を提
供することが可能となる。
光性の導電材料を層状に形成すると共に所定の形状にパ
ターニングして第１電極を形成する工程と、前記支持基
板上及び前記第１電極上に抵抗率が低い金属材料を層状
に形成すると共に所定の形状にパターニングして、前記
第１電極及び第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に
接続する第１，第２の配線部を形成する工程と、パター
ニング後の前記第１電極及び前記第１，第２の配線部の
表面を同時に研磨する工程と、前記第１電極上に少なく
とも発光層を有する有機層及び前記第２電極を順次積層
形成する工程と、を備えてなることを特徴とするもので
あり、第１，第２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に
接続する配線部に抵抗率の低い金属層を形成する有機Ｅ
Ｌパネルにおいて、前記金属層が安定して形成され、か
つ、有機層の短絡やリークの発生を抑制し、歩留まりを
向上させることが可能な有機ＥＬパネルの製造方法を提
供することが可能となる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態である有機ＥＬパ
ネルを示す模式断面図。
ネルを示す模式断面図。
【図２】 同上の有機ＥＬパネルの製造工程を示す模式
断面図。
断面図。
【図３】 本発明の第２の実施の形態である有機ＥＬパ
ネルを示す模式断面図。
ネルを示す模式断面図。
【図４】 同上の有機ＥＬパネルの製造工程を示す模式
断面図。
断面図。
１，１３ 有機ＥＬパネル
２ 支持基板
３，１４ａ 透明電極（第１電極）
４ 絶縁層
５ 有機層
６ 背面電極（第２電極）
７ 封止部材
８ａ，１５ａ 第１の配線部
８ｂ，１５ｂ 第２の配線部
１０ 異物
１１ 研磨布
１２ 研磨剤
１４ｂ 第２のベース層
１６ａ 第１の金属層
１６ｂ 第２の金属層
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１３年６月２９日（２００１．６．２
９）
９）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 有機ＥＬパネル及びその製造方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、有機ＥＬ（エレク
トロルミネッセンス）パネルに関し、特に電極と外部電
源とを電気的に接続する配線部に抵抗率の低い金属材料
を用いてなる有機ＥＬパネル及びその製造方法に関す
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
トロルミネッセンス）パネルに関し、特に電極と外部電
源とを電気的に接続する配線部に抵抗率の低い金属材料
を用いてなる有機ＥＬパネル及びその製造方法に関す
る。 ─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１４年４月２６日（２００２．４．２
６）
６）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正内容】
【００２２】封止部材７は、例えばガラス材料からなる
平板部材に凹部をサンドブラスト、切削及びエッチング
等の適宜方法で形成してなるものである。封止部材７
は、前記凹部を取り囲むようにして形成される支持部を
例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤９を介
し支持基板２上に気密的に配設することで、封止部材７
と支持基板２とで積層体８を封止する。封止部材７は、
第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂが外部に露出す
るように支持基板２よりも若干小さめに構成されてい
る。
平板部材に凹部をサンドブラスト、切削及びエッチング
等の適宜方法で形成してなるものである。封止部材７
は、前記凹部を取り囲むようにして形成される支持部を
例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる接着剤９を介
し支持基板２上に気密的に配設することで、封止部材７
と支持基板２とで積層体８を封止する。封止部材７は、
第１の配線部８ａ及び第２の配線部８ｂが外部に露出す
るように支持基板２よりも若干小さめに構成されてい
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 透光性の支持基板と、この支持基板上に
形成される第１電極と、前記支持基板上に形成され前記
第１電極と外部電源とを電気的に接続する第１の配線部
と、前記第１電極上に形成され少なくとも発光層を有す
る有機層と、この有機層上に形成される第２電極と、前
記支持基板上に形成され前記第２電極と前記外部電源と
を電気的に接続する第２の配線部と、を備える有機ＥＬ
パネルであって、前記第１，第２の配線部は抵抗率の低
い金属材料からなり、前記第１電極及び前記第１，第２
の配線部は所定の形状にパターニングした後に表面を研
磨してなることを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 【請求項２】 少なくとも発光層を有する有機層を第１
電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，第２
電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線部
と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパネ
ルであって、前記配線部は抵抗率の低い金属材料からな
り、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状にパター
ニングした後に表面を研磨してなることを特徴とする有
機ＥＬパネル。 - 【請求項３】 少なくとも発光層を有する有機層を第１
電極と第２電極とで挟持した発光部と、前記第１，第２
電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する配線部
と、を透光性の支持基板上に配設してなる有機ＥＬパネ
ルであって、前記配線部は透光性の導電材料からなるベ
ース層上に抵抗率の低い金属材料からなる金属層を積層
してなり、前記第１電極及び前記配線部は所定の形状に
パターニングした後に表面を研磨してなることを特徴と
する有機ＥＬパネル。 - 【請求項４】 透光性の支持基板上に透光性の導電材料
を層状に形成すると共に所定の形状にパターニングして
第１電極を形成する工程と、前記支持基板上及び前記第
１電極上に抵抗率が低い金属材料を層状に形成すると共
に所定の形状にパターニングして、前記第１電極及び第
２電極と外部電源とをそれぞれ電気的に接続する第１，
第２の配線部を形成する工程と、パターニング後の前記
第１電極及び前記第１，第２の配線部の表面を同時に研
磨する工程と、前記第１電極上に少なくとも発光層を有
する有機層及び前記第２電極を順次積層形成する工程
と、を備えてなることを特徴とする有機ＥＬパネルの製
造方法。 - 【請求項５】 透光性の支持基板上に透光性の導電材料
を層状に形成する工程と、前記導電材料層上に抵抗率が
低い金属材料を層状に形成する工程と、前記金属層を所
定の形状にパターニングして第１，第２の金属層を形成
する工程と、前記導電材料層を所定の形状にパターニン
グして第１電極及び第１，第２のベース層を形成し、前
記第１，第２のベース層と前記第１，第２の金属層から
なり前記第１電極及び第２電極と外部電源とをそれぞれ
電気的に接続する第１，第２の配線部を形成する工程
と、パターニング後の前記第１電極及び前記第１，第２
の配線部の表面を同時に研磨する工程と、前記第１電極
上に少なくとも発光層を有する有機層及び第２電極を順
次積層形成する工程と、を備えてなることを特徴とする
有機ＥＬパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198836A JP2003017253A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001198836A JP2003017253A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003017253A true JP2003017253A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19036214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001198836A Pending JP2003017253A (ja) | 2001-06-29 | 2001-06-29 | 有機ｅｌパネル及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003017253A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004097953A1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Interconnection for organic devices |
| US7245341B2 (en) | 2003-05-28 | 2007-07-17 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| CN102318102A (zh) * | 2008-12-29 | 2012-01-11 | 荷兰应用科学研究会(Tno) | 电光器件及其制造方法 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001198836A patent/JP2003017253A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US7026660B2 (en) | 2003-04-25 | 2006-04-11 | Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd | Interconnection for organic devices |
| JP2006524886A (ja) * | 2003-04-25 | 2006-11-02 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 有機デバイスの相互接続 |
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| US8963417B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-02-24 | Sony Corporation | Organic light emitting device, display unit, and device comprising a display unit |
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| US9048451B2 (en) | 2003-05-28 | 2015-06-02 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9431627B2 (en) | 2003-05-28 | 2016-08-30 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US9761825B2 (en) | 2003-05-28 | 2017-09-12 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
| US10170725B2 (en) | 2003-05-28 | 2019-01-01 | Sony Corporation | Laminated structure, display device and display unit employing same |
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| US20120025259A1 (en) * | 2008-12-29 | 2012-02-02 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurweten | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
| US8772776B2 (en) * | 2008-12-29 | 2014-07-08 | Nederlandse Organisatie Voor Toegepast-Natuurwetenschappelijk Onderzoek Tno | Electro-optic device and method for manufacturing the same |
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