JP2006524886A - 有機デバイスの相互接続 - Google Patents
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Abstract
ボンドパッド（３７７）を有し、その中にボンドパッド領域を有し、前記ボンドパットは、大気成分にさらされる場合でも安定な導電性材料（３０５）を有する、デバイス。このボンドパッドは、導電性酸化物材料、例えば酸化インジウムスズから作成されていてもよい。コンタクト層（３７５）は、ボンドパッド（３７７）とデバイスの能動素子との間の導電率を高めるために提供される。
Description
発明の分野
本発明は、デバイスの相互接続に関する。更に特に、本発明は、デバイス、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の改善された相互接続に関する。
本発明は、デバイスの相互接続に関する。更に特に、本発明は、デバイス、例えば有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）の改善された相互接続に関する。
発明の背景
ＯＬＥＤデバイスは、家電製品、例えば自動車ステレオディスプレイ、携帯電話、携帯多機能電話、電子手帳、携帯無線呼出器、広告パネル、タッチスクリーンディスプレイ、遠隔地間会議及びマルチメディア製品、仮想現実製品及び売店のディスプレーの多様なタイプのディスプレーとして用いることができる。図１に関して、慣用のＯＬＥＤデバイス１００を示す。このＯＬＥＤデバイスは、基板１０１上に作成された機能性積層体を有する。この機能性積層体は、第１の透明導電層１０４（例えば酸化インジウムスズ又はＩＴＯ）と第２の導電層１０６との間に１つ又は複数の有機機能層１０２を有する。この導電層は電極として利用される。ＯＬＥＤセルは、カソードとアノードとがオーバーラップする活性領域中に位置している。キャップ１６０は、能動素子を機密密閉するために提供することができる。コンタクト層１５０は、第１の導電層上に作成することができ、このコンタクト層は外部ボンドパッド１５０′を提供するためにカプセル化部の外側にまで達している。有機機能層中での再結合のために、電荷キャリアは、ボンドパッド１５０′を介してカソード及びアノードを通して注入される。電荷キャリアのこの再結合により、セルの機能層は可視光を放射する。
ＯＬＥＤデバイスは、家電製品、例えば自動車ステレオディスプレイ、携帯電話、携帯多機能電話、電子手帳、携帯無線呼出器、広告パネル、タッチスクリーンディスプレイ、遠隔地間会議及びマルチメディア製品、仮想現実製品及び売店のディスプレーの多様なタイプのディスプレーとして用いることができる。図１に関して、慣用のＯＬＥＤデバイス１００を示す。このＯＬＥＤデバイスは、基板１０１上に作成された機能性積層体を有する。この機能性積層体は、第１の透明導電層１０４（例えば酸化インジウムスズ又はＩＴＯ）と第２の導電層１０６との間に１つ又は複数の有機機能層１０２を有する。この導電層は電極として利用される。ＯＬＥＤセルは、カソードとアノードとがオーバーラップする活性領域中に位置している。キャップ１６０は、能動素子を機密密閉するために提供することができる。コンタクト層１５０は、第１の導電層上に作成することができ、このコンタクト層は外部ボンドパッド１５０′を提供するためにカプセル化部の外側にまで達している。有機機能層中での再結合のために、電荷キャリアは、ボンドパッド１５０′を介してカソード及びアノードを通して注入される。電荷キャリアのこの再結合により、セルの機能層は可視光を放射する。
図２は、通常のＯＬＥＤデバイス中のボンドパッドと外部駆動回路との間の相互接続の一部を示す。フレックスコネクタ２０６は、例えば異方性導電フィルム（ＡＣＦ）２０８を用いて基板１０１に接続される。このフレックスコネクタは、デバイスから駆動回路までの外部電気的相互接続を提供し、これは能動素子を駆動するための回路を提供する。コンタクト層１５０は基板上に堆積されていて、デバイスとフレックスコネクタとの間の電気的相互接続を提供するために用いられる。このコンタクト層は、金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ又はＮｉを有する。
しかしながら、このコンタクト層は、２１０のような箇所で周囲環境に露出していて、大気成分、例えば酸素及び水との反応により生じる損傷を極めて受けやすい。このフレックスコネクタは、時間と共にコンタクト層から剥離かねず、この相互接続の信頼性を低下させてしまう。更に、このコンタクト層は基板とＡＣＦとに弱い粘着力を示し、低い信頼性、困難な加工性及び高い生産コストを生じさせる。
前記の議論から明らかなように、デバイスの信頼性及び寿命を増大させるために、改善された相互接続を提供することが望ましい。
発明の概要
本発明は、デバイス、例えばＯＬＥＤデバイスの改善された相互接続に関する。ボンドパッド領域が提供され、前記ボンドパッド領域は、大気成分、例えば水及び酸素にさらされた場合で安定である導電性材料を有するボンドパッドを有する。このボンドパッドは、導電性酸化物材料、例えば酸化インジウムスズを有することができる。コンタクト層は、ボンドパッドとデバイスの能動素子との間の導電率を高めるために提供される。このコンタクト層は、一実施態様の場合に、保護層によってカプセル化されている。
本発明は、デバイス、例えばＯＬＥＤデバイスの改善された相互接続に関する。ボンドパッド領域が提供され、前記ボンドパッド領域は、大気成分、例えば水及び酸素にさらされた場合で安定である導電性材料を有するボンドパッドを有する。このボンドパッドは、導電性酸化物材料、例えば酸化インジウムスズを有することができる。コンタクト層は、ボンドパッドとデバイスの能動素子との間の導電率を高めるために提供される。このコンタクト層は、一実施態様の場合に、保護層によってカプセル化されている。
図面の簡単な説明
図１は、従来のＯＬＥＤデバイスを示す。
図１は、従来のＯＬＥＤデバイスを示す。
図２は、従来のＯＬＥＤデバイス中のボンドパッドと外部駆動回路との間の相互接続を示す。
図３は、本発明の一実施態様による有機デバイス３００を示す。
図４は、コンタクト層の間での相互接続を示し、その際、本発明の１実施態様に従って、材料と駆動回路とが相互接続される。
図５〜９は、本発明の一実施態様における、ＯＬＥＤデバイスの製造方法を示す。
有利な実施態様の詳細な記載
本発明は、デバイスの改善された相互接続に関する。この相互接続により、より信頼性がありかつ比較的安価に製造できるデバイスが達成される。図３は、本発明の一実施態様によるデバイス３００を示す。一実施態様の場合には、前記デバイスは基板３０１を有し、その上に定義された活性領域を有する。この基板は、例えばガラスを有する。材料、例えばシリコン又は他の半導体材料も有用である。フレキシブルなデバイスを作成するために、プラスチックのような材料を使用することができる。デバイスの作成のために十分な機械的安定性を提供することができる多様な他の材料も有用である。
本発明は、デバイスの改善された相互接続に関する。この相互接続により、より信頼性がありかつ比較的安価に製造できるデバイスが達成される。図３は、本発明の一実施態様によるデバイス３００を示す。一実施態様の場合には、前記デバイスは基板３０１を有し、その上に定義された活性領域を有する。この基板は、例えばガラスを有する。材料、例えばシリコン又は他の半導体材料も有用である。フレキシブルなデバイスを作成するために、プラスチックのような材料を使用することができる。デバイスの作成のために十分な機械的安定性を提供することができる多様な他の材料も有用である。
この活性領域は、デバイスの１つ又は複数の能動素子を有する。一実施態様の場合には、この活性領域は１つ又は複数のＯＬＥＤセルを有する。この活性領域は、他のタイプの電子素子を有することもできる。ＯＬＥＤセルは、第１の電極及び第２の電極（３０５及び５１５）の間に挟まれた１つ又は複数の有機層（ポリマー積層体）３１０を有する。これらの電極は、導電層から形成される。前記有機層は、例えば共役ポリマー、低分子材料、オリゴマー、スターバースト化合物又はデンドリマー材料を含有する有機化合物から製造さる。このような材料には、トリス−（８−ヒドロキシキノラート）−アルミニウム（Ａｌｑ）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）又はポリフルオレン（ＰＦ）が含まれる。他のタイプの機能性有機層（フルオレセンス層又は燐光に基づく層を含める）も有用である。
一実施態様の場合に、少なくとも１つの電極は、大気成分、例えば水及び酸素にさらされた場合でも安定である導電性材料を有する。一実施態様の場合に、第１の電極は、大気成分にさらされた場合でも安定性な導電性材料を有する。一実施態様の場合に、この安定な導電性材料は、導電性酸化物、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を有する。他の導電性酸化物、例えば酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズ又は、大気成分にさらされた場合でも安定の他の導電性材料も有用である。一実施態様の場合に、第１の電極は透明導電性材料を有する。基板を通して見る用途の場合には、第１の透明電極は、図３に示すように基板上に配置される。キャップを通して見る用途の場合には、透明電極は、有機層３１０の上方に位置している。この第１の電極は、例えばアノードとして用いられ、第２の電極は、例えばカソードとして用いられる。
このカソード及びアノードは、パッシブディスプレー用途において１つ又は複数のＯＬＥＤセルを形成するために望ましいようにパターニングされていてもよい。例えば、このカソード及びアノードは、それぞれ第１の方向及び第２の方向に向かうストリップとして形成され、画素を構成するデバイスを生じる。他のパターンも有用である。一般に、第１及び第２の方向はそれぞれ直交している。それとは別に、このＯＬＥＤディスプレーは、アクティブマトリックスディスプレーを有する。このアクティブマトリックスディスプレーは、電子的バックプレーン中に形成された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及びキャパシタにより独立してアドレスされるピクセルを有する。
一実施態様において、キャップ３６０は、活性領域を取り囲むキャップ結合領域内で基板と結合され、ＯＬＥＤセルをカプセル化する。このキャップは、キャップとの物理的接触による損傷からセルを保護するためにキャビティ３４５を形成する。一実施態様の場合には、このキャップは、基板上に形成された封止縁部又はガスケット３６４を備えたキャップ基板を有する。このキャップ基板を例えばガラスから形成することができる。キャップ基板として利用することができる他の材料、例えば金属又はセラミックスを使用することもできる。この封止縁部は、例えばフォトレジストから形成されていてもよい。他のタイプの材料、例えばケイ酸塩ガラス、二酸化ケイ素又はセラミックスを使用することもできる。接着剤はキャップと基板とを結合するために使用できる。この接着剤は、例えば、エポキシ、シリコーン、ウレタン、アクリレート又はオレフィン化学をベースとする樹脂を有する。この樹脂は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性樹脂であってもよい。エポキシ接着剤から形成される封止縁部を提供することも有用である。それとは別に、このキャップは、例えばプレス成形された金属又はエッチングされたガラスを有する予備成形されたキャップである。
このデバイスの活性領域は、例えば成形された柱状体を含むことができる。アンダーカットを有するこの成形された柱状体は、上方電極のパターニングのために使用される。成形された柱状体の使用は、例えば"Production of Structured Electrodes" (US 2001/0017516A1)及び"Patterning of Electrodes in OLED Devices" (PCT/SG00/00134)に記載されており、これらの文献は、全ての目的のために参照により本願明細書に組み込まれる。
これとは別に、又はこの成形された柱状体に対して付加的に、スペーサー粒子が基板上に設けられていてもよい。このスペーサー粒子は、キャップを支持するために用いられ、ＯＬＥＤセルがキャップと接触することから保護する。スペーサー粒子の使用は、例えば"Encapsulation of Electronic Devices"（USSN 09/989,362）、"Improved Encapsulation of Organic LED devices"（PCT/SG99/00145）、"Organic LED Device with Improved Encapsulation"（PCT/SG99/00143）及び"Improved Encapsulation for Organic LED Device"（PCT/SG99/00145）に記載されており、これらの文献は、全ての目的のために参照により本願明細書に組み込まれる。
表面保護層（図示されていない）は、キャップ結合領域内で基板上に提供することができる。このキャップは表面保護層と接触する。表面保護層の下の多様な層、例えば電極用の金属相互接続及び／又は電極(例えばＩＴＯ)は、ポリマー材料の除去の間の損傷から保護される。表面保護層の使用は、例えば名称"Encapsulation for Electroluminescent Devices" USSN 10/142, 208 (attorney docket no. 12205/16)の特許明細書に記載されており、これは全ての目的のために参照により本願明細書に組み込まれる。
ボンドパッド領域が提供され、その領域内にボンドパッドが設けられる。一実施多様の場合に、このボンドパッド領域は活性領域を取り囲み、キャップ結合領域を越えて延在する。キャップ結合領域を取り囲むボンドパッド領域を提供することも有用である。ボンドパッドは、第１の（リード）領域と、第２の（パッド）領域とを有する。このパッド領域は、例えば駆動回路に接触が行われる箇所である。一般に、リード部分はパッド部分から活性領域に向かって延在する。
本発明の場合には、ボンドパッドは大気成分、例えば水及び空気にさらされた場合でも安定である導電性材料を有する。一実施態様の場合には、この導電性材料は導電性酸化物を有する。例えば、この導電性酸化物は、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する。他のタイプの導電性酸化物又は、大気成分にさらされた場合でも安定である導電性材料も有用である。
有利な実施態様の場合には、ボンドパッド及び第１の電極は、同じ導電層から形成される。ボンドパッドと第１の電極とを異なる層及び／又は異なる材料から形成させることも有用である。ボンドパッドと第１の電極とを形成する導電層は、一実施態様の場合に、安定な導電性材料である導電性酸化物を有する。有利に、ボンドパッド及び第１の電極の導電性材料は、基板に対しても、同様に駆動回路と接続するコネクタに対しても良好な粘着性を示す。これは、相互接続の信頼性を向上させる。
このボンドパッドのリード部分は、直接（例えば能動素子の一部）又は間接的（例えば能動素子とは別の部分）に能動素子であってもよい。例えば、第１の電極と接続するボンドパッドのリード部分は、第１の電極の部分として組み込まれていてもよく（例えば同じ層から成形される）、一方で第２の電極と接続するボンドパッドは第２の電極と間接的に接続される。
本発明の一実施態様の場合に、接触導電体３７５が提供される。この接触導電体は、ボンドパッド３７７を能動素子と電気的に接続させるために及び／又はその間の導電率を高めるために提供される。この導電体は、有利に導電性金属（例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ又はＮｉ）を有する。他の導電性材料も使用できる。この導電体は、所望の電気的特性を提供するために十分な寸法形状を有する。一般に、この導電体の厚さは、約１００〜１０００ｎｍである。他の厚さも有用である。
一実施態様の場合に、保護層３８０は前記導電体のカプセル化のために提供され、その際、前記導電体は損傷又は腐食を生じさせることがある大気成分への露出から保護される。この保護層は、有利に絶縁材料を有し、例えばフォトレジスト、ノボラック樹脂、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールを使用することができる。コンタクト層を大気成分から保護する他のタイプの材料も有用である。
この接触導電体は、一実施態様の場合に、ボンドパッドのパッド部分内へ達していない。例えば、この導電体は、ボンドパッド及び能動素子のリード部分と接触している。有利に、この接触導電体は、パッド部分をカバーすることなく前記導電体を完全にカプセル化できるために、パッド部分の十分手前で終端となり、その際、パッド部分とコネクタとの間に相互接続がなされる。従って、前記導電体は、大気成分、例えば水又は酸素との不所望な反応にさらされない。
図４は、本発明の一実施態様の場合の、駆動回路に対する導電体の相互接続を示す。この相互接続材料は、例えば基板と接続されたフレックスコネクタ４０２を有する。他のタイプのコネクタも有用である。一実施態様の場合に、このフレックスコネクタは、異方性導電フィルム（ＡＣＦ）４０４を用いて基板に接続される。フレックスコネクタとの接続のために他の技術も有用である。このフレックスコネクタは、例えば、デバイスの駆動のための制御信号を提供する駆動回路に達する導電トレース（例えば銅）を有する。このＡＣＦは一般的に、分散された導電性粒子を有する粘着剤を有し、これは、圧縮によりフレックスコネクタ上のトレースと、ボンドパッドのパッド部分との間の導電路を提供する。この導電性粒子は、一般に、例えばカーボンファイバー、金属又は金属被覆プラスチックを有する。この接着材料は、一般に、熱可塑性材料（例えばポリビニルブチレン）、熱硬化性材料（例えばエポキシ樹脂、アクリル樹脂又はポリウレタン）又はその組合せを有する。
ボンドパッド材料の抵抗は接触導電体３７５よりも高いシート抵抗を有するため、電圧降下が存在する。有利な実施態様の場合には、接触導電体と前記ボンドパットのパッド部分との間の距離Ｄは、電圧降下を最小にするために十分に短い。更に有利に、この距離は所望な電気特性を維持するために十分に短い。一実施態様において、導電体とボンドパッドのパッド部分との間の電圧降下は、約０．２５Ｖよりも小さい。設計の必要条件に応じて、他のレベルの電圧降下も有用である。０．２５Ｖよりも低い電圧降下を提供するために、Ｄは０．２５ｍｍよりも短くあるべきである。許容可能な電圧降下を提供する他の距離も有用であることができる。
図５〜９は、本発明の一実施態様による、ＯＬＥＤデバイスの製造方法を示す。図５には、基板３０１が図示されている。一実施態様の場合には、この基板は透明基板、例えばソーダ石灰ガラス又はホウケイ酸塩ガラスを有する。他のタイプの透明材料も、基板として利用するために使用することができる。用途に応じて、不透明な基板を使用することも有用である。この基板は一般に約０．４〜１．１ｍｍの厚さである。
他の実施態様の場合には、この基板は薄いフレキシブルな基板を有する。薄いフレキシブルな基板は、例えばプラスチックフィルム、例えば透明なポリ（エチレンテレフタレート）（ＰＥＴ）、ポリ（ブチレンテレフタレート）（ＰＢＴ）、ポリ（エチレンナフタレート）（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、ポリスルホン（ＰＳＯ）、及びポリ（ｐ−フェニレンエーテルスルホン）（ＰＥＳ）から形成される。他の材料、例えばポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ（ビニルクロリド）（ＰＶＣ）、ポリスチレン（ＰＳ）及びポリ（メチルメタクリレート）（ＰＭＭＡ）も基板の形成のために使用することができる。また、極薄ガラス（例えば１０〜１００μｍの厚さ）、ガラス及びポリマーを有する複合積層体、又は無機バリア層で被覆されたポリマーフィルムのような材料を使用することもできる。
有利な実施態様において、第１の導電層３０５は基板上に提供される。この第１の導電層は、第１の電極及びボンドパッドを作成するためにパターニングされる。この第１の電極は、例えばアノードとして利用される。多様な技術、例えばフォトリソグラフィーを、この導電層のパターニングのために使用することができる。このアノードは、導電層を基板に堆積し及びパターニングすることにより形成することができる。一実施態様の場合には、このアノードは、第１の方向のストリップとして整列されている。他のパターンを有するアノードも有用である。一実施態様の場合に、この導電性材料は、透明な導電性材料、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を有する。他の透明な導電性材料、例えば酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛、酸化スズも有用である。異なる導電層を用いて成形された第１の電極とボンドパッドとを提供することも有用である。
一実施態様において、接触導電層は、第１の導電層上に堆積される。この接触導電層は、例えば導電性金属、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ又はＮｉを有する。他の導電性材料も有用である。この接触導電層は、接触導電体３７５を作成するためにパターニングされる。接触導電層のパターニングは、通常のリソグラフィー技術、例えばマスクキング及びエッチングを用いて達成することができる。このコンタクト層は、接続のため及び／又は能動素子とボンドパッドとの間の導電率を高めるために提供される。一実施態様の場合には、前記コンタクト層はボンドパッドのリード部と接続し、その際、パッド部は露出されている。有利に、パッド部の十分な部分が露出され、パッド部とコネクタとの間での接続を可能にする。
他の実施態様の場合には、前記導電体はプロセスフローにおいて後で形成される。例えば、この導電体は、セルが作成された後であるがカプセル化される前に形成される。この導電体は、例えば上方電極との接続を形成するため及びボンドパッドとの導電率を高めるために作成することができる。
図６では、このプロセスがＯＬＥＤデバイスの作成を完成させるために続けられる。多様な通常の技術は、ＯＬＥＤセルを完成させるために使用することができる。一実施態様の場合には、成形された柱状体６０２を基板上に作成する。この成形された柱状体は、電極の形成のための堆積の間に導電層を十分に遮るために、アンダーカット、例えばＶ字型の断面を有する。有利に、この成形された柱状体は、単層の材料から形成される。一実施態様の場合に、この成形された柱状体は、ネガ型フォトレジストを有する単層から形成される。他のタイプの感光性材料を使用することもできる。非感光性材料を、成形された柱状体の形成のために使用することもできる。これとは別に、この成形された柱状体は、Ｔ字型の断面を作成するために多層から形成されている。この多層は、感光性及び／又は非感光性材料から形成されていてもよい。
この柱状体を形成させた後に、機能性有機層３１０を、この基板に堆積させる。一実施態様の場合に、この機能性有機層は共役ポリマーからなる。他のタイプのポリマー材料も有用である。このポリマーは、例えばスピンコーティングにより堆積される。他の堆積技術を使用することもできる。付加的な機能層を機能性有機積層体の形成のために堆積させることができる。異なるタイプのポリマーを、マルチカラーＯＬＥＤデバイスの作成のために堆積させることができる。
図７に関して、第２の導電層３１５が、第２の電極として提供されるために、基板上に堆積される。この導電層は、例えばＣａ、Ｍｇ、Ｂａ、Ａｇ、Ａｌ又はこれらの混合物又は合金を有する。特に低い仕事関数を有する他の導電性材料は、第２の導電層を形成するために使用することもできる。これとは別に、第２の導電層は、イオン性化合物、例えばＬｉＦ、ＭｇＦ又はＣｓＦを有することができる。一実施態様において、この第２の導電層はＣａを有する。このＣａ層は、例えば熱的蒸着により１ｎｍ／ｓの速度でかつ約１０−５ｍｂａｒの圧力で堆積される。これとは別に、第２の導電層は、複合層又は多層の導電層の積層体を有する。例えば、この積層体はＣａの第１の層にＡｇ又はＡｌの第２の導電層が後続する。多様な堆積技術、例えば熱的蒸着、スパッタリング（ＰＶＤ）、化学気相堆積（ＣＶＤ）、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）又は金属有機化学気相堆積（ＭＯＣＶＤ）を、第２の導電層の形成のために使用することができる。このデバイスの活性領域中の第２の導電層の堆積のために、シャドウマスクを使用するのが有利である。第２の導電層の堆積は、柱状体により遮られ、第２の電極又はカソードが作成される。このカソード及びアノードの交点がＯＬＥＤセルを形成する。
一実施態様の場合には、この活性領域の外側のポリマー層は、例えばレーザーアブレーションにより除去されるか又はエッチングされる。一実施態様の場合には、このポリマーを第２の電極の形成より前に除去する。第２の電極の形成後にこのポリマー層をパターニングすることも有用である。表面保護層（図示されていない）は、下層のコンタクト層及び／又は第１の導電層を保護するために使用できる。
図８に示されているように、キャップ３０６はキャップ結合領域８０２内で基板上に取り付けられる。このキャップ封止縁部３６４は、キャップと基板との間の境界部を形成する。接着樹脂はキャップと基板とを結合するために使用することができる。一実施態様の場合には、この接着剤は、ＯＬＥＤセルの気密密閉のために基板とキャップとの間の良好な結合特性及び遮断特性を有する。多様なタイプの樹脂、例えばエポキシ、シリコーン、ウレタン、アクリレート又はオレフィンをベースとする樹脂を使用することができる。この樹脂は、ＵＶ硬化性又は熱硬化性樹脂であってもよい。
ＯＬＥＤデバイスを、図９に示したようにカプセル化した後に、この活性領域の外側のポリマー材料は、ボンドパッドを露出させるために、例えば湿式エッチングを用いて除去することができる。このデバイスの活性領域は密閉されているため、化学薬品はＯＬＥＤセルに不利な作用を及ぼさない。保護層３８０をキャップ結合領域の外側でコンタクト層３７５上に選択的に堆積させて、前記コンタクト層をカプセル化する。これとは別に、前記保護層はより早期に、プロセスフローにおいて導電体が形成された後でかつカプセル化される前に導電体を保護するために選択的に堆積させる。この保護層は、例えば通常のリトグラフィ技術により堆積させることができる。例えば、この保護層は、能動素子との接続の後に作成することができるが、カプセル化の前に作成することもできる。
相互接続材料は、外部駆動回路との電気的接続を提供するために、基板上に取り付けられる。一実施態様の場合には、ＡＣＦ ４０４を、第１の導電層３７７上に堆積させる。このＡＣＦは、例えば、散在する金属被覆プラスチック粒子を有する熱硬化性接着剤を有する。一実施態様の場合には、フレックスコネクタ４０２が並べられ、ＡＣＦを用いて基板と接続される。
本発明を特に多様な実施態様に関して示しかつ記載したが、当業者には、本発明の精神及び本発明の範囲から逸脱することなしに、改良及び変更して本発明をなしえることは認識できる。従って、本発明の範囲は、前記記載に関してだけではなく、従属形式請求項に関して、同等のその全ての範囲と共に確定すべきものである。
Claims (32)
- 基板と、ボンドパッド領域と、コンタクト層とを有し、
前記基板は、その上に定義された活性領域を有し、前記活性領域は少なくとも１つの能動素子を有し、
前記ボンドパッド領域は前記活性領域を取り囲み、前記ボンドパッド領域はボンドパッドを有し、前記ボンドパッドは安定な導電性材料を有し、かつ
前記コンタクト層は前記ボンドパッドと前記能動素子とを接続し、前記コンタクト層はボンドパッドと能動素子との間の導電率を高める、デバイス。 - 能動素子がＯＬＥＤセルを有する、請求項１記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、導電性酸化物材料を有する、請求項２記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する、請求項３記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、導電性酸化物材料を有する、請求項１記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する、請求項５記載のデバイス。
- コンタクト層が導電性金属を有する、請求項６記載のデバイス。
- コンタクト層が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ又はＮｉを有する、請求項７記載のデバイス。
- 更に保護層を有し、前記保護層はコンタクト層をカプセル化する、請求項７記載のデバイス。
- 保護層が絶縁性材料を有する、請求項９記載のデバイス。
- 保護層が、フォトレジスト、ノボラック樹脂、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールを有する、請求項１０記載のデバイス。
- コンタクト層が導電性金属を有する、請求項１記載のデバイス。
- 更に保護層を有し、前記保護層はコンタクト層をカプセル化する、請求項１２記載のデバイス。
- 能動素子が、第１の導電層と第２の導電層との間に形成された少なくとも１つの有機層を有する、請求項２記載のデバイス。
- 第１の導電層が安定な導電性材料を有する、請求項１４記載のデバイス。
- 第１の導電層が、ボンドパッド領域にまで達する、請求項１５記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、導電性酸化物材料を有する、請求項１６記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する、請求項１７記載のデバイス。
- 基板と、キャップ結合領域と、ボンドパッド領域と、コンタクト層と、キャップとを有し、
前記基板は、その上に定義された活性領域を有し、前記活性領域は少なくとも１つの能動素子を有し、
前記キャップ結合領域は、前記活性領域を取り囲み、
前記ボンドパッド領域は、前記キャップ結合領域を取り囲み、前記ボンドパッドは安定な導電性材料を有し、
前記コンタクト層は、前記ボンドパッドと前記能動素子とを接続し、前記コンタクト層は前記ボンドパッドと前記能動素子との間の導電率を高め、かつ
前記キャップは、デバイスのカプセル化のために、キャップ結合領域中で基板と結合する、デバイス。 - ボンドパッド領域は、キャップ結合領域から約０．１〜２ｍｍ離れて配置されている、請求項１９記載のデバイス。
- 能動素子が、第１の導電層と第２の導電層との間に形成された少なくとも１つの有機層を有する、請求項１９記載のデバイス。
- 第１の導電層が安定な導電性材料を有する、請求項２１記載のデバイス。
- 第１の導電層が、ボンドパッド領域にまで達する、請求項２２記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、導電性酸化物材料を有する、請求項２３記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する、請求項２４記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、導電性酸化物材料を有する、請求項１９記載のデバイス。
- 安定な導電性材料が、酸化インジウムスズ、酸化インジウム亜鉛、酸化亜鉛又は酸化スズを有する、請求項２６記載のデバイス。
- コンタクト層が導電性金属を有する、請求項１９記載のデバイス。
- コンタクト層が、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｃｒ又はＮｉを有する、請求項２８記載のデバイス。
- 更に保護層を有し、前記保護層はコンタクト層をカプセル化する、請求項２８記載のデバイス。
- 保護層が絶縁性材料を有する、請求項３０記載のデバイス。
- 保護層が、フォトレジスト、ノボラック樹脂、ポリイミド又はポリベンゾオキサゾールを有する、請求項３１記載のデバイス。
Applications Claiming Priority (2)
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